WO2018229838A1 - 極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置 Download PDF

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extreme ultraviolet
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
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    • G—PHYSICS
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    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Definitions

  • This disclosure relates to an extreme ultraviolet light sensor unit and an extreme ultraviolet light generator.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • An extreme ultraviolet light sensor unit includes a mirror that reflects extreme ultraviolet light, a wavelength filter that selectively transmits extreme ultraviolet light reflected by the mirror, and extreme ultraviolet light that has passed through the wavelength filter. And a purge gas supply unit arranged to supply a purge gas between the wavelength filter and the optical sensor.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a configuration example of the EUV light sensor unit.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the EUV light sensor unit according to the first embodiment.
  • 4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 in FIG.
  • FIG. 5 is a perspective view showing an example of a spacer. 6A and 6B are three views of the spacer, wherein FIG. 6A is a plan view, FIG. 6B is a side view, and FIG. 6C is a front view.
  • FIG. 6A is a plan view
  • FIG. 6B is a side view
  • FIG. 6C is a front view.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the second photosensor fixed to the sensor holding member.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the filter fixed to the filter holding member.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the EUV light sensor unit according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a main configuration of an EUV light sensor unit according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of an EUV light sensor unit according to the fourth embodiment.
  • Target is an object to be irradiated with laser light introduced into a chamber.
  • the target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
  • the target is a plasma generation source.
  • a droplet formed of a liquid target material is one form of the target.
  • Pulse laser light may mean laser light including a plurality of pulses.
  • Laser light may mean not only pulsed laser light but general laser light.
  • Laser optical path means the optical path of laser light.
  • Pulsma light is radiation light emitted from a plasma target.
  • the emitted light includes EUV light.
  • EUV light is an abbreviation for “extreme ultraviolet light”.
  • optical component is synonymous with an optical element or an optical member.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation apparatus 11 may be used with at least one laser apparatus 12.
  • a system including the EUV light generation apparatus 11 and the laser apparatus 12 is referred to as an EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation device 11 includes a laser light transmission device 14, a laser light condensing optical system 16, a chamber 18, and an EUV light generation control device 20.
  • the target control device 22 and the gas control device 24 are included.
  • the laser apparatus 12 may be a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) system.
  • the laser device 12 may include a master oscillator (not shown), an optical isolator (not shown), and a plurality of CO 2 laser amplifiers (not shown).
  • the wavelength of the laser beam output from the master oscillator is, for example, 10.59 ⁇ m, and the predetermined repetition frequency is, for example, 100 kHz.
  • a solid-state laser can be adopted as the master oscillator.
  • the laser beam transmission device 14 includes an optical component for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical component.
  • the laser light transmission device 14 shown in FIG. 1 includes a first high reflection mirror 31 and a second high reflection mirror 32 as optical components for defining the traveling direction of the laser light.
  • the laser beam condensing optical system 16 includes a condensing lens 34, a condensing lens holder 35, and a triaxial stage 36.
  • the triaxial stage 36 is a stage that can move in directions of three axes orthogonal to each other, that is, the X axis, the Y axis, and the Z axis.
  • the direction in which EUV light is derived from the chamber 18 toward the exposure apparatus 100 is taken as the Z axis.
  • the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1 is the X axis, and the vertical direction parallel to the paper surface is the Y axis.
  • the laser light condensing optical system 16 is configured to condense the laser light transmitted by the laser light transmission device 14 onto the plasma generation region 64 in the chamber 18.
  • the chamber 18 is a container that can be sealed.
  • the chamber 18 may be formed in, for example, a hollow spherical shape or a cylindrical shape.
  • the chamber 18 includes an EUV light collector mirror 40, a plate 41, an EUV light collector mirror holder 42, a first window 44, and a first cover 45.
  • the chamber 18 includes a target supply unit 50, a biaxial stage 51, a droplet receiver 52, a droplet detection device 54, an EUV light sensor unit 60, a gas supply device 61, an exhaust device 62, and a pressure. Sensor 63.
  • the wall of the chamber 18 is provided with at least one through hole.
  • the through hole is closed by the first window 44.
  • the pulsed laser light 48 output from the laser device 12 passes through the first window 44 via the condenser lens 34.
  • the EUV light collector mirror 40 has, for example, a spheroidal reflecting surface, and has a first focus and a second focus.
  • a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately stacked is formed on the surface of the EUV light collector mirror 40.
  • the EUV light collector mirror 40 is disposed, for example, such that the first focal point thereof is located in the plasma generation region 64 and the second focal point thereof is located in an intermediate focusing point (IF) 66. .
  • IF intermediate focusing point
  • a through hole 68 is provided at the center of the EUV light collector mirror 40, and the pulse laser beam 48 passes through the through hole 68.
  • the plate 41 and the EUV light collector mirror holder 42 are members that hold the EUV light collector mirror 40.
  • the plate 41 is fixed to the chamber 18.
  • the EUV light collector mirror 40 is held on the plate 41 via an EUV light collector mirror holder 42.
  • the first cover 45 is a shroud that covers an optical path that guides the pulsed laser light 48 from the first window 44 through the through hole 68 to the plasma generation region 64.
  • the first cover 45 is configured in a substantially truncated cone shape that tapers from the first window 44 toward the plasma generation region 64.
  • the target supply unit 50 is configured to supply a target material into the chamber 18 and is attached so as to penetrate the wall of the chamber 18, for example.
  • the target supply unit 50 is attached to the wall of the chamber 18 via the biaxial stage 51.
  • the biaxial stage 51 is an XZ axis stage movable in each direction of the X axis and the Z axis.
  • the target supply unit 50 can adjust the position in the XZ plane by the biaxial stage 51.
  • the material of the target substance may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or any combination of two or more thereof.
  • the target supply unit 50 is configured to output the droplet 56 formed of the target material toward the plasma generation region 64 inside the chamber 18.
  • the target control device 22 is connected to each of the EUV light generation control device 20, the laser device 12, the target supply unit 50, and the droplet detection device 54.
  • the target control device 22 controls the operation of the target supply unit 50 in accordance with a command from the EUV light generation control device 20. Further, the target control device 22 controls the output timing of the pulse laser beam 48 of the laser device 12 based on the detection signal from the droplet detection device 54.
  • the droplet detection device 54 is configured to detect one or more of the presence, trajectory, position, and speed of the droplet 56.
  • the droplet detection device 54 is arranged so as to detect a change in the trajectory in the X direction.
  • the droplet detection device 54 includes a light source unit 70 and a light receiving unit 75.
  • the light source unit 70 includes a light source 71, an illumination optical system 72, a second window 73, and a second cover 74.
  • the light source 71 may be a lamp, a semiconductor laser, or the like.
  • the illumination optical system 72 may be a condenser lens that illuminates the droplet trajectory with the light output from the light source 71.
  • the light receiving unit 75 includes a transfer optical system 76, a first optical sensor 77, a third window 78, and a third cover 79.
  • the transfer optical system 76 may be a lens that transfers the image of the illuminated droplet 56 onto the element of the first optical sensor 77.
  • the first optical sensor 77 may be a two-dimensional image sensor such as a CCD (Charge-coupled device).
  • the chamber 18 includes another droplet detection device (not shown), and detects the deviation of the trajectory of the droplet 56 in the Z direction by another droplet detection device (not shown).
  • the droplet receiver 52 is disposed on an extension line in the direction in which the droplet 56 output from the target supply unit 50 into the chamber 18 travels.
  • the droplet 56 is dropped in a direction parallel to the Y axis, and the droplet receiver 52 is disposed at a position facing the target supply unit 50 in the Y direction with respect to the target supply unit 50.
  • the EUV light generation apparatus 11 includes a connection portion 82 that allows communication between the inside of the chamber 18 and the inside of the exposure apparatus 100.
  • a wall 86 in which an aperture 84 is formed is provided inside the connecting portion 82.
  • the wall 86 is arranged such that its aperture 84 is located at the second focal position of the EUV light collector mirror 40.
  • the exposure apparatus 100 includes an exposure apparatus controller 102, and the exposure apparatus controller 102 is connected to the EUV light generation control apparatus 20.
  • the EUV light sensor unit 60 is a sensor unit that detects EUV light generated in the chamber 18.
  • the EUV light sensor unit 60 is connected to the EUV light generation controller 20. There may be a plurality of EUV light sensor units 60 so that plasma can be observed from a plurality of different positions. Although one EUV light sensor unit 60 is shown in FIG. 1, a form in which the EUV light sensor units 60 are installed at a plurality of locations around the chamber 18 is preferable.
  • the gas supply device 61 is connected to a space in the first cover 45, the second cover 74, the third cover 79, and the EUV light sensor unit 60 via the pipe 90. Further, the gas supply device 61 is connected to a pipe 91 configured to flow a gas on the surface of the EUV light collector mirror 40.
  • the gas supply device 61 is a gas supply source that supplies gas to the pipes 90 and 91.
  • the gas supply device 61 can be, for example, a hydrogen gas supply device that supplies hydrogen gas.
  • Hydrogen gas is an example of a purge gas.
  • the purge gas is not limited to hydrogen gas, and may be a gas containing hydrogen.
  • the purge gas is preferably a gas that can react with the material of the target substance to generate a gas that is a compound.
  • the kind of purge gas is selected in relation to the material of the target substance.
  • the gas control device 24 is connected to each of the EUV light generation control device 20, the gas supply device 61, the exhaust device 62, and the pressure sensor 63.
  • the exhaust device 62 exhausts the gas in the chamber 18 to the outside of the chamber 18.
  • the pressure sensor 63 detects the pressure in the chamber 18. A detection signal of the pressure sensor 63 is sent to the gas control device 24.
  • the gas control device 24 controls the operations of the gas supply device 61 and the exhaust device 62 in accordance with a command from the EUV light generation control device 20.
  • the EUV light generation controller 20 is configured to control the entire EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation controller 20 processes the detection result of the EUV light sensor unit 60.
  • the EUV light generation controller 20 may be configured to control, for example, the timing at which the droplet 56 is output, the output direction of the droplet 56, and the like based on the detection result of the droplet detector 54.
  • the EUV light generation control device 20 may be configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 12, the traveling direction of the pulse laser light 48, the focusing position of the pulse laser light 48, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary, and some control functions may be omitted.
  • control devices such as the EUV light generation control device 20, the target control device 22, the gas control device 24, and the exposure device controller 102 can be realized by a combination of hardware and software of one or a plurality of computers. Is possible. Software is synonymous with program. It is also possible to realize the functions of a plurality of control devices with a single control device. Further, in the present disclosure, the EUV light generation control device 20, the target control device 22, the gas control device 24, the exposure device controller 102, and the like may be connected to each other via a communication network such as a local area network or the Internet. In a distributed computing environment, program units may be stored in both local and remote memory storage devices.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an example of the EUV light sensor unit 60.
  • the EUV light sensor unit 60 is mounted through the wall of the chamber 18 that generates EUV light.
  • the right side of the wall of the chamber 18 is the inside of the chamber 18, that is, the low pressure side, and the left side of the chamber 18 wall is the atmosphere side.
  • the EUV light sensor unit 60 includes an EUV light reflection mirror 121, a filter 122, and a second light sensor 124.
  • the EUV light reflection mirror 121 is a mirror made of a multilayer reflection film that selectively reflects light including EUV light among light emitted from plasma.
  • the EUV light reflecting mirror 121 can be a mirror made of, for example, a Mo / Si multilayer film in which molybdenum (Mo) and silicon (Si) are alternately stacked.
  • the filter 122 is a wavelength filter that selectively transmits the wavelength of the EUV light among the light reflected by the EUV light reflecting mirror 121.
  • the wavelength of the EUV light transmitted through the filter 122 is, for example, 13.5 nm.
  • the filter 122 is, for example, a metal thin film filter having a film thickness of 300 to 600 nm.
  • a metal thin film filter of zirconium (Zr) can be used as an example of the filter 122.
  • the film thickness of the filter 122 is 350 nm, for example.
  • the filter 122 is disposed so as to cover the light receiving surface of the second optical sensor 124.
  • EUV light reflection mirror 121 By combining the reflection characteristics of the EUV light reflection mirror 121 and the transmission characteristics of the filter 122, EUV light having a desired wavelength can be incident on the second optical sensor 124.
  • the second optical sensor 124 is a sensor that detects the energy of incident light, such as a photodiode.
  • the second optical sensor 124 outputs an electrical signal corresponding to the amount of received light.
  • a signal output from the second optical sensor 124 is sent to the EUV light generation controller 20.
  • the EUV light sensor unit 60 includes a hollow case 130 that houses the EUV light reflection mirror 121, the filter 122, and the second light sensor 124.
  • the case 130 includes an optical component housing part 132, a cylindrical part 134, and a first gas supply part 140.
  • the optical component housing part 132 is a space in which the EUV light reflecting mirror 121, the filter 122, and the second optical sensor 124 are housed.
  • the EUV light reflecting mirror 121 is held by a mirror holding member (not shown).
  • the second optical sensor 124 is attached to a part of the wall surface of the case 130 that defines the optical component housing part 132.
  • the filter 122 is held by the filter holding member 123 and is disposed on the front surface of the second optical sensor 124.
  • the cylindrical portion 134 has an opening 135 serving as a light incident port for plasma light including EUV light. A part of the cylindrical portion 134 including the opening 135 is disposed inside the chamber 18. The plasma light incident from the opening 135 passes through the cylindrical portion 134 and enters the EUV light reflection mirror 121.
  • the first gas supply unit 140 is a gas supply path arranged to supply a purge gas between the EUV light reflection mirror 121 and the filter 122.
  • the first gas supply unit 140 includes a first gas inlet 141 and a first gas outlet 142.
  • the purge gas introduced into the case 130 from the first gas inlet 141 is ejected from the first gas outlet 142 of the first gas supply unit 140, passes through the cylindrical part 134, and enters the chamber 18 from the opening 135. Spill into.
  • the arrow which passes through the 1st gas supply part 140 and the cylindrical-shaped part 134, and exits from the opening part 135 represents gas flow.
  • An arrow that passes through the cylindrical portion 134 from the opening 135 and is turned back by the EUV light reflecting mirror 121 and toward the filter 122 and the second optical sensor 124 indicates an optical path of plasma light or EUV light.
  • the case 130 includes a flange portion 144.
  • the EUV light sensor unit 60 is inserted from the atmosphere side into a through hole provided in the wall of the chamber 18, and is fixed to the chamber 18 via the flange portion 144. That is, the flange portion 144 of the case 130 is disposed outside the chamber 18 and is fixed to the wall of the chamber 18 via the gasket 146.
  • the socket 200 into which the case 130 of the EUV light sensor unit 60 is inserted is disposed inside the chamber 18, that is, on the low pressure side.
  • the socket 200 is formed so as to cover the low pressure side of the case 130 of the EUV light sensor unit 60.
  • the case 130 of the EUV light sensor unit 60 can be inserted into the socket 200 from the atmosphere side of the chamber 18 and the case 130 can be fitted into the socket 200 in the chamber 18. Further, the case 130 can be pulled out to the atmosphere side from the fitting state shown in FIG.
  • the socket 200 is configured such that a gap 202 is formed between the outer wall of the case 130 and the inner wall of the socket 200 when the case 130 of the EUV light sensor unit 60 is joined.
  • the gap 202 may be formed over the entire inner wall of the socket 200.
  • a gap 202 between the inner wall of the socket 200 and the outer wall of the case 130 is formed, and this gap 202 functions as a gas path.
  • the inner wall of the socket 200 and the outer wall of the case 130 do not have to be completely sealed, and need not have a sealing structure.
  • the concave portion 203 on the inner wall of the socket 200 that can form the gap 202 corresponds to one form of the “gas path forming portion”.
  • the socket 200 is provided with a pipe connection portion 206.
  • a pipe 210 for supplying gas is connected to the pipe connection portion 206.
  • the pipe 210 is stretched around the inner wall of the chamber 18.
  • the interior of the pipe 210 connected to the pipe connection portion 206 and the gap 202 communicate with each other.
  • a pipe 210 stretched around the inner wall of the chamber 18 may supply gas to a plurality of EUV light sensor units.
  • the piping 210 is connected to the gas supply device 61 through the feedthrough 212.
  • the feedthroughs 212 for sending gas from the atmosphere side of the chamber 18 to the piping 210 on the vacuum side may be concentrated in one place.
  • a first gas inlet 141 is formed in a portion of the EUV light sensor unit 60 facing the gap 202 on the outer wall of the case 130.
  • the first gas supply unit 140 connected from the first gas inlet 141 to the first gas outlet 142 is formed so that the gas introduced into the case 130 is blown toward the EUV light reflection mirror 121. . Further, the first gas supply unit 140 is configured not to spray gas directly on the filter 122.
  • the first gas outlet 142 opens toward the EUV light reflecting mirror 121, and the gas flowing out from the first gas outlet 142 is blown onto the EUV light reflecting mirror 121. That is, the first gas outlet 142 is provided at a position where the purge gas is blown directly onto the EUV light reflecting mirror 121.
  • the first gas outlet 142 is provided at a non-facing position with respect to the filter 122 so as not to blow gas directly to the filter 122. Since the filter 122 is very thin as described above, it is for suppressing deformation and breakage due to the gas to be blown.
  • the EUV light generation control device 20 transmits a control signal to the gas control device 24.
  • the gas control device 24 controls the gas supply device 61 and the exhaust device 62 so that the pressure in the chamber 18 is within a predetermined range based on the detection value of the pressure sensor 63.
  • the predetermined range of the pressure in the chamber 18 is a value between several to several hundreds Pa, for example.
  • the hydrogen gas sent out from the gas supply device 61 is supplied through the pipe 90 into each of the first cover 45, the second cover 74, and the third cover 79, and into the EUV light sensor unit 60.
  • the The hydrogen gas sent out from the gas supply device 61 is supplied to the reflecting surface of the EUV light collector mirror 40 through the pipe 91.
  • the hydrogen gas supplied into the first cover 45 is ejected from the opening 45A of the first cover 45.
  • the hydrogen gas supplied into the second cover 74 is ejected from the opening 74 ⁇ / b> A of the second cover 74.
  • the hydrogen gas supplied into the third cover 79 is ejected from the opening 79 ⁇ / b> A of the third cover 45.
  • the hydrogen gas supplied into the EUV light sensor unit 60 is ejected from the opening 135 of the EUV light sensor unit 60.
  • the gas control device 24 transmits a signal to the EUV light generation control device 20 when the internal pressure of the chamber 18 reaches a pressure within a predetermined range. After receiving the signal sent from the gas control device 24, the EUV light generation control device 20 transmits a droplet output instruction signal that instructs the target control device 22 to output a droplet.
  • the target control device 22 When the target control device 22 receives the droplet output instruction signal, the target control device 22 transmits the droplet output signal to the target supply unit 50 to output the droplet 56.
  • the droplet 56 may be a molten tin (Sn) droplet.
  • the trajectory of the droplet 56 output from the target supply unit 50 is detected by the droplet detection device 54.
  • a detection signal detected by the droplet detection device 54 is sent to the target control device 22.
  • the target control device 22 may transmit a feedback signal to the biaxial stage 51 based on the detection signal obtained from the droplet detection device 54 so that the trajectory of the droplet 56 becomes a desired trajectory.
  • the target control device 22 When the trajectory of the droplet 56 is stabilized, the target control device 22 outputs a trigger signal delayed by a predetermined time to the laser device 12 in synchronization with the output signal of the droplet 56. This delay time is set so that the laser beam is irradiated onto the droplet 56 when the droplet 56 reaches the plasma generation region 64.
  • the laser device 12 outputs laser light in synchronization with the trigger signal.
  • the power of the laser beam output from the laser device 12 reaches several kW to several tens kW.
  • Laser light output from the laser device 12 is incident on the condensing lens 34 of the laser light condensing optical system 16 via the laser light transmission device 14.
  • the laser light incident on the condenser lens 34 is condensed by the condenser lens 34, passes through the first window 44, and is input to the chamber 18.
  • the laser beam condensed by the condenser lens 34 and incident on the chamber 18 is irradiated to the droplet 56 that has reached the plasma generation region 64.
  • the droplet 56 is irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 48.
  • the droplets 56 irradiated with the pulsed laser light are turned into plasma, and radiation light 106 is emitted from the plasma.
  • the EUV light 108 included in the radiation light 106 is selectively reflected by the EUV light collector mirror 40.
  • the EUV light 108 reflected by the EUV light condensing mirror 40 is condensed at the intermediate condensing point 66 and output to the exposure apparatus 100.
  • a single droplet 56 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 48.
  • the droplet receiver 52 collects a droplet 56 that has passed through the plasma generation region 64 without being irradiated with laser light, or a part of the droplet that has not diffused even when irradiated with laser light.
  • plasma When the droplet 56 is irradiated with laser light, plasma can be generated.
  • the energy of the generated plasma may be measured by the EUV light sensor unit 60, and the energy of the EUV light included in the generated plasma light may be measured.
  • a part of the radiation light 106 that is plasma light enters the EUV light sensor unit 60 from the opening 135, passes through the cylindrical portion 134, and enters the EUV light reflection mirror 121.
  • the EUV light reflection mirror 121 reflects EUV light included in the radiation light 106 toward the filter 122. Of the light incident on the filter 122, only light in the EUV wavelength region passes through the filter 122.
  • the EUV light transmitted through the filter 122 reaches the light receiving surface of the second photosensor 124.
  • the photodiode of the second optical sensor 124 outputs a signal corresponding to the energy of the received EUV light. The energy of the EUV light can be detected based on the signal output from the second optical sensor 124.
  • the plasma position can be calculated from the detection position of each EUV light sensor unit and each detection energy.
  • Sn debris In the case of the Sn droplet in which the droplet 56 is melted, Sn debris is generated along with the generation of plasma and can be diffused into the chamber 18. In this case, Sn debris refers to Sn fine particles.
  • the diffused Sn debris can reach the opening 45A of the first cover 45, the opening 74A of the second cover 74, the opening of the third cover 79, and the opening 135 of the EUV light sensor unit 60.
  • Hydrogen gas is emitted from the openings 45A of the first cover 45, the openings 74A of the second cover 74, the openings 79A of the third cover 79, and the openings 135 of the EUV light sensor unit 60. Erupting. For this reason, Sn debris can be prevented from reaching the first window 44, the second window 73, the third window 78, and the EUV light reflecting mirror 121 in the EUV light sensor unit 60.
  • the first window 44, the second window 73, and the third window 78 are supplied. Accumulation of Sn debris on 78 is suppressed.
  • hydrogen gas is ejected from the first gas outlet 142 of the first gas supply unit 140 in the EUV light sensor unit 60, and hydrogen gas is blown onto the EUV light reflection mirror 121. That is, the purge gas is supplied to the space between the EUV light reflection mirror 121 and the filter 122 from the reflection light path side of the EUV light reflection mirror 121.
  • the optical path along which the EUV light reflected by the EUV light reflecting mirror 121 travels toward the filter 122 is the reflected light path of the EUV light reflecting mirror 121.
  • the optical path of plasma light that passes through the cylindrical portion 134 from the opening 135 and enters the EUV light reflecting mirror 121 mirror is the incident light path of the EUV light reflecting mirror 121.
  • An incident optical path of plasma light to the EUV light reflecting mirror 121 is a first optical path.
  • the reflected light path of the EUV light from the EUV light reflecting mirror 121 toward the filter 122 is defined as a second light path.
  • the first gas outlet 142 of the first gas supply unit 140 is provided at a position close to the second optical path among the first optical path and the second optical path.
  • the axis of the gas supply passage of the first gas supply unit 140 intersects the second optical path, and the gas blown out from the first gas outlet 142 intersects the second optical path. It flows toward the first optical path.
  • the first gas supply unit 140 supplies a purge gas between the EUV light reflection mirror 121 and the filter 122 from the second optical path of the first optical path and the second optical path.
  • the hydrogen gas ejected from the first gas outlet 142 flows between the EUV light reflection mirror 121 and the filter 122, passes through the cylindrical portion 134, and flows out into the chamber 18 from the opening 135.
  • the EUV light reflecting mirror 121 corresponds to one form of a “mirror that reflects extreme ultraviolet light”.
  • the second optical sensor 124 corresponds to one form of “an optical sensor that detects extreme ultraviolet light transmitted through a wavelength filter”.
  • the cylindrical portion 134 corresponds to one form of a “tube portion”.
  • the EUV light sensor unit 60 shown in FIG. 2 supplies gas to the inside of the case 130 and ejects the gas from the opening 135 through the cylindrical portion 134, so that Sn debris reflects EUV light. Reaching the mirror 121 can be suppressed.
  • the EUV light sensor unit 60 is limited in size in order to be mounted in the chamber 18 and must have a space-saving design. Further, the EUV light propagates with the beam diameter expanding, and the EUV light is contained within the photodiode effective range in the second optical sensor 124, so that the gap between the filter 122 and the second optical sensor 124 is narrow. It has become.
  • an adhesive containing carbon is used for the filter 122 and the second optical sensor 124. Residual carbon in the atmosphere or carbon volatilized from the adhesive used for the filter 122 and the second photosensor 124 can be deposited in the EUV illumination area between the filter 122 and the second photosensor 124 during the EUV illumination. The detection sensitivity of the second optical sensor 124 is lowered due to the influence of carbon deposited on the surface of the filter 122 and / or the second optical sensor 124, which hinders energy measurement.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the EUV light sensor unit according to the first embodiment. Differences from the configuration described in FIG. 2 with respect to the first embodiment illustrated in FIG. 3 will be described. Instead of the EUV light sensor unit 60 described in FIG. 2, an EUV light sensor unit 160 shown in FIG. 3 can be used. 4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 in FIG.
  • the EUV light sensor unit 160 includes a second gas supply unit 240 arranged to supply a purge gas between the filter 122 and the second light sensor 124.
  • the second gas supply unit 240 is a gas supply path that includes a second gas inlet 241 and a second gas outlet 242.
  • the case 130 includes a flow path structure unit that is the second gas supply unit 240.
  • the second gas inlet 241 is formed in a portion facing the gap 202 on the outer wall of the case 130.
  • the second gas outlet 242 is a gas outlet that blows out purge gas between the EUV light reflection mirror 121 and the filter 122.
  • the second gas supply unit 240 connected from the second gas inlet 241 to the second gas outlet 242 passes the gas introduced into the case 130 into the gap between the filter 122 and the second photosensor 124. Shaped to guide.
  • the gas introduced into the case 130 from the second gas introduction port 241 is ejected from the second gas outlet 242 of the second gas supply unit 240 and passes through the gap between the filter 122 and the second optical sensor 124. And flows out from the opening 135 into the chamber 18.
  • a gap space 250 formed between the filter 122 and the second optical sensor 124 serves as a gas flow path through which purge gas flows.
  • Both the first gas supply unit 140 and the second gas supply unit 240 communicate with the gap 202 between the socket 200 and the outer wall of the case 130, and the first gas supply unit 140 and the second gas supply are supplied through the gap 202. Gas flows through each of the parts 240.
  • the ratio between the flow rate of the first gas supply unit 140 and the flow rate of the second gas supply unit 240 can be realized by adjusting the conductance of each gas flow path.
  • the first gas supply unit 140 can be configured using, for example, a pipe having a constant flow path cross-sectional area.
  • the 2nd gas supply part 240 can be comprised using the pipe
  • the area ratio of the channel cross sections of the first gas supply unit 140 and the second gas supply unit 240 may be, for example, in the range of 5: 1 to 15: 1.
  • the filter 122 and the second optical sensor so that the gas supplied between the filter 122 and the second optical sensor 124 from the second gas supply unit 240 flows in one direction without diffusing.
  • the side surface 251 of the gas flow path constituted by the space 250 between 124 is closed by the wall member 252.
  • the wall member 252 may be a part of a spacer that separates the filter 122 and the second optical sensor 124 by a predetermined distance.
  • FIG. 5 is a perspective view showing an example of a spacer.
  • FIG. 6 is a three-side view of the spacer 260 shown in FIG. 6A is a plan view, FIG. 6B is a side view, and FIG. 6C is a front view.
  • the spacer 260 has a structure in which a first plate 262 in contact with the sensor holding member 270 of the second optical sensor 124, and a second plate 264 and a third plate 265 in contact with the filter holding member 123 are combined in a U shape.
  • the first plate 262 is formed with a through hole 263 through which EUV light passes.
  • the second optical sensor 124 is fixed to the sensor holding member 270.
  • the sensor holding member 270 holding the second optical sensor 124 abuts on the first plate 262 in a state where the positions of the through holes 263 of the first plate 262 and the second optical sensor 124 are matched.
  • the second plate 264 and the third plate 265 correspond to the wall member 252 described in FIG.
  • the filter 122 and the second optical sensor 124 are arranged in a state of being separated by a predetermined distance by the spacer 260.
  • the distance between the filter 122 and the light receiving surface of the second optical sensor 124 can be designed to a desired distance.
  • the distance between the filter 122 and the light receiving surface of the second optical sensor 124 is 1.5 mm, whereas in the first embodiment shown in FIG. 3, the distance is 4.0 mm. Composed.
  • the space 266 having the second plate 264 and the third plate 265 as side wall surfaces is a space 250 through which purge gas flows.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the second optical sensor 124 held by the sensor holding member 270.
  • the second optical sensor 124 is fixed to the sensor holding member 270.
  • the sensor holding member 270 is a frame that covers the back surface and side surfaces of the second optical sensor 124.
  • the second optical sensor 124 is fixed to the sensor holding member 270 using an adhesive 272.
  • the adhesive 272 contains carbon.
  • the adhesive 272 is used between the back surface of the second optical sensor 124 and the sensor holding member 270.
  • a signal line 124 ⁇ / b> A is connected to the back surface of the second photosensor 124.
  • the signal line 124A is drawn through a through hole formed in the sensor holding member 270, and is connected to an electric circuit (not shown).
  • the sensor holding member 270 is an example of a holding member that holds the second optical sensor 124.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the filter 122 fixed to the filter holding member 123.
  • the filter holding member 123 includes a holding frame 123A and a pressing member 123B.
  • the filter 122 is fixed to the holding frame 123A using an adhesive 274 and a pressing member 123B.
  • the adhesive 274 contains carbon.
  • the adhesive 274 may be the same type of adhesive as the adhesive 272 shown in FIG. 7 or may be a different type of adhesive.
  • the adhesive 274 is used between the filter 122 and the pressing member 123B.
  • the filter 122 is fixed to the filter holding member 123 while being sandwiched between the holding frame 123A and the pressing member 123B.
  • the carbon existing between the filter 122 and the second optical sensor 124 is removed by this purge gas flow.
  • the pressure difference between both surfaces of the filter 122 can be made difficult to occur by appropriately setting the channel cross-sectional area and the channel length of the second gas supply unit 240.
  • the pressure difference between both surfaces of the filter 122 is preferably 3 kPa or less.
  • the flow rate ratio between the first gas supply unit 140 and the second gas supply unit 240 is preferably in the range of 8: 1 to 12: 1.
  • the EUV light sensor unit 160 is an example of an “extreme ultraviolet light sensor unit”.
  • the first gas supply unit 140 is an example of a “first purge gas supply unit”.
  • the purge gas supplied from the first gas supply unit 140 is an example of “first purge gas”.
  • the second gas supply unit 240 is an example of a “purge gas supply unit” and a “second purge gas supply unit”.
  • the purge gas supplied from the second gas supply unit 240 is an example of a “second purge gas”.
  • the EUV light generation apparatus 11 including the EUV light sensor unit 160 is an example of an “extreme ultraviolet light generation apparatus”.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of an EUV light sensor unit according to the second embodiment. The difference between the second embodiment shown in FIG. 9 and the configuration of the first embodiment described in FIG. 3 will be described.
  • the second gas supply unit 240 of the EUV light sensor unit 160 has a flow path structure that does not blow the purge gas directly toward the surface of the filter 122. As shown in FIG. 9, the second gas supply unit 240 is provided at a position that does not face the filter 122.
  • the EUV optical sensor unit 160 has a third flow path that guides the gas that has passed through the space 250 between the filter 122 and the second optical sensor 124 in a direction that is not parallel to the surface of the filter 122.
  • the third flow path portion 280 in this example has a flow path structure that guides gas along the horizontal direction of FIG.
  • the third flow path portion 280 communicates with the space 250 between the filter 122 and the second photosensor 124, and purge gas that guides the purge gas that has passed between the filter 122 and the second photosensor 124 to the gas outlet 282. Functions as a discharge channel.
  • the gas outlet 282 of the third flow path part 280 is provided at a position away from the second optical sensor 124.
  • the gas outlet 282 opens downward in FIG.
  • the third flow path part 280 is connected to the cylindrical part 134 via the gas outlet 282.
  • the purge gas discharge flow path constituted by the third flow path portion 280 is a flow in which the gas flow path from the space 250 between the filter 122 and the second optical sensor 124 to the gas outlet 282 is a non-linear path. Includes road structures.
  • the third flow path portion 280 including the flow path structure that constitutes this non-linear path also functions as a shielding structure that suppresses the scattered light including visible light from entering the second optical sensor 124. That is, the flow path wall 284 of the third flow path unit 280 functions as a shielding member that suppresses the entry of scattered light into the space 250 between the filter 122 and the second optical sensor 124. Further, the flow path structure constituting the non-linear path is a structure in which scattered light entering from the gas outlet 282 hardly reaches the light receiving surface of the second photosensor 124.
  • the gas introduced from the second gas introduction port 241 is ejected from the second gas outlet 242 through the second gas supply unit 240.
  • the gas flowing out from the second gas outlet 242 strikes the wall of the filter holding member 123 or the flow path structure member connected to the filter holding member 123 to change the direction of the flow, and between the filter 122 and the second optical sensor 124. It flows to.
  • the gas flowing between the filter 122 and the second photosensor 124 passes through the third flow path portion 280 and is discharged from the gas outlet 282.
  • the same actions and effects as in the first embodiment can be obtained. Further, according to the second embodiment, since the second gas supply unit 240 has a flow path structure that does not blow the purge gas directly toward the filter 122, the damage of the filter 122 can be suppressed. In addition, according to the second embodiment, a structure in which scattered light does not easily enter the second optical sensor 124 through the purge gas flow path is provided, and more accurate energy measurement is possible.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically illustrating a main configuration of an EUV light sensor unit according to the third embodiment.
  • FIG. 10 shows a flow path structure portion for flowing purge gas between the filter 122 and the second photosensor 124.
  • the difference between the third embodiment shown in FIG. 10 and the configuration of the second embodiment described in FIG. 9 will be described.
  • the flow of purge gas flowing between the filter 122 and the second optical sensor 124 is indicated by arrows.
  • the second gas supply unit 240 in the third embodiment includes a first flow path part 240A and a second flow path part 240B.
  • the first flow path portion 240A is a gas supply path that guides gas from the second gas introduction port 241 downward in FIG.
  • the direction of the gas flow passing through the first flow path portion 240A is referred to as a first direction.
  • the second flow path portion 240B is a gas supply path that is connected to the first flow path portion 240A and guides the gas toward the diagonally lower right direction in FIG.
  • the direction of the gas flow passing through the second flow path portion 240B is referred to as the second direction.
  • the second direction is a direction that intersects the first direction and is parallel to the surface of the filter 122.
  • the second gas supply unit 240 is configured such that the direction of gas flow is bent at the connection portion between the first flow path portion 240A and the second flow path portion 240B.
  • the second flow path portion 240B is connected to the space 250 between the filter 122 and the second photosensor 124.
  • a connection part between the second flow path part 240 ⁇ / b> B and the space 250 corresponds to the second gas outlet 242.
  • the second gas outlet 242 is provided at a position not facing the filter 122. The purge gas flowing out from the second gas outlet 242 flows along the second direction.
  • the gas introduced from the second gas inlet 241 hits the flow path wall of the second flow path part 240B at the connection part of the first flow path part 240A and the second flow path part 240B.
  • the flow direction is changed, and the flow flows to the second flow path portion 240B.
  • the gas that has passed through the second flow path 240B flows from the second gas outlet 242 to the space 250 between the filter 122 and the second photosensor 124.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of an EUV light sensor unit according to the fourth embodiment. The difference between the fourth embodiment shown in FIG. 11 and the configuration of the first embodiment described in FIG. 3 will be described.
  • the EUV light sensor unit 160 includes a first diaphragm 301 in the first gas supply unit 140.
  • the EUV light sensor unit 160 includes a second diaphragm 302 in the second gas supply unit 240.
  • both the first gas supply unit 140 and the second gas supply unit 240 are provided with a restriction, but either the first gas supply unit 140 or the second gas supply unit 240 is provided. It is good also as a form which provides an aperture stop.
  • the first restrictor 301 is fixed to the flow path of the first gas supply unit 140 by a first restrictor 311 so as to be replaceable.
  • the second restrictor 302 is fixed to the flow path of the second gas supply unit 240 by a second restrictor 322 in a replaceable manner.
  • the first gas supply unit 140 includes a first throttle mounting part 315 including a support surface for mounting the first throttle 301.
  • the second gas supply unit 240 includes a second throttle mounting part 325 including a support surface for mounting the second throttle 302.
  • the flow rate of the gas flowing through the first gas supply unit 140 is adjusted by the first throttle 301.
  • the flow rate of the gas flowing through the second gas supply unit 240 is adjusted by the second throttle 302.
  • the gas flow rate of each flow path can be adjusted by combining a plurality of types of throttles.
  • the first diaphragm 301 and the second diaphragm 302 are examples of “aperture”.
  • the type of purge gas supplied between the filter 122 and the second optical sensor 124 may be different from the type of purge gas supplied between the EUV light reflection mirror 121 and the filter 122.
  • the purge gas supplied from the second gas supply unit 240 is not limited to hydrogen gas, and may be an inert gas.

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Abstract

本開示の一観点に係る極端紫外光センサユニットは、極端紫外光を反射するミラーと、ミラーによって反射された極端紫外光を選択的に透過する波長フィルタと、波長フィルタを透過した極端紫外光を検出する光センサと、波長フィルタと光センサとの間にパージガスを供給するよう配置されたパージガス供給部と、を備える。

Description

極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外光センサユニット及び極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特表２００８－５０８７２２号公報 特開２００６－１３５３０７号公報 特開２００４－１０３７７３号公報
概要
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光センサユニットは、極端紫外光を反射するミラーと、ミラーによって反射された極端紫外光を選択的に透過する波長フィルタと、波長フィルタを透過した極端紫外光を検出する光センサと、波長フィルタと光センサとの間にパージガスを供給するよう配置されたパージガス供給部と、を備える。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図２はＥＵＶ光センサユニットの構成例を概略的に示す図である。 図３は実施形態１に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。 図４は図３中の４－４線を切断線とする断面図である。 図５はスペーサの例を示す斜視図である。 図６はスペーサの三面図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図である。 図７はセンサ保持部材に固定された第２の光センサの断面図である。 図８はフィルタ保持部材に固定されたフィルタの断面図である。 図９は実施形態２に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。 図１０は実施形態３に係るＥＵＶ光センサユニットの要部構成を概略的に示す断面図である。 図１１は実施形態４に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。
実施形態
　－目次－
１．用語の説明
２．極端紫外光生成システムの全体説明
　２．１　構成
　２．２　動作
３．課題
４．実施形態１
　４．１　構成
　４．２　動作
　４．３　作用・効果
５．実施形態２
　５．１　構成
　５．２　動作
　５．３　作用・効果
６．実施形態３
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用・効果
７．実施形態４
　７．１　構成
　７．２　動作
　７．３　作用・効果
８．変形例
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
　以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　１．用語の説明
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。ターゲットは、プラズマの発生源となる。液状のターゲット物質によって形成されるドロップレットは、ターゲットの一形態である。
　「パルスレーザ光」は、複数のパルスを含むレーザ光を意味し得る。
　「レーザ光」は、パルスレーザ光に限らずレーザ光一般を意味し得る。
　「レーザ光路」は、レーザ光の光路を意味する。
　「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
　「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。
　「光学部品」という用語は、光学素子、若しくは光学部材と同義である。
　２．極端紫外光生成システムの全体説明
　２．１　構成
　図１に例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１１は、少なくとも１つのレーザ装置１２と共に用いられる場合がある。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１１とレーザ装置１２を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１０と称する。
　図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１１は、レーザ光伝送装置１４と、レーザ光集光光学系１６と、チャンバ１８と、ＥＵＶ光生成制御装置２０と、ターゲット制御装置２２と、ガス制御装置２４と、を含んで構成される。
　レーザ装置１２は、ＭＯＰＡ（Ｍａｓｔｅｒ　Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ　Ｐｏｗｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）システムであってよい。レーザ装置１２は、図示せぬマスターオシレータと、図示せぬ光アイソレータと、複数台の図示せぬＣＯ２レーザ増幅器とを含んで構成され得る。マスターオシレータが出力するレーザ光の波長は例えば１０．５９μｍであり、所定の繰り返し周波数は例えば１００ｋＨｚである。マスターオシレータには固体レーザを採用することができる。
　レーザ光伝送装置１４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学部品と、この光学部品の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。図１に示したレーザ光伝送装置１４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学部品として、第１の高反射ミラー３１と第２の高反射ミラー３２とを含む。
　レーザ光集光光学系１６は、集光レンズ３４と集光レンズホルダ３５と三軸ステージ３６とを含んで構成される。三軸ステージ３６は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の互いに直交する三軸の方向に移動可能なステージである。図１においてチャンバ１８から露光装置１００に向かってＥＵＶ光を導出する方向をＺ軸とする。図１の紙面に垂直な方向をＸ軸とし、紙面に平行な縦方向をＹ軸とする。レーザ光集光光学系１６は、レーザ光伝送装置１４によって伝送されたレーザ光をチャンバ１８内のプラズマ生成領域６４に集光するよう構成されている。
　チャンバ１８は密閉可能な容器である。チャンバ１８は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。チャンバ１８は、ＥＵＶ光集光ミラー４０と、プレート４１と、ＥＵＶ光集光ミラーホルダ４２と、第１のウインドウ４４と、第１の覆い４５と、を備えている。また、チャンバ１８は、ターゲット供給部５０と、二軸ステージ５１と、ドロップレット受け５２と、ドロップレット検出装置５４と、ＥＵＶ光センサユニット６０と、ガス供給装置６１と、排気装置６２と、圧力センサ６３と、を備えている。
　チャンバ１８の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は第１のウインドウ４４によって塞がれる。レーザ装置１２から出力されるパルスレーザ光４８が集光レンズ３４を介して第１のウインドウ４４を透過する。
　ＥＵＶ光集光ミラー４０は、例えば、回転楕円面形状の反射面を有し、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ光集光ミラー４０の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ光集光ミラー４０は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域６４に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ：Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ　Ｆｏｃｕｓｉｎｇ　ｐｏｉｎｔ）６６に位置するように配置される。ＥＵＶ光集光ミラー４０の中央部には貫通孔６８が設けられ、貫通孔６８をパルスレーザ光４８が通過する。
　プレート４１とＥＵＶ光集光ミラーホルダ４２は、ＥＵＶ光集光ミラー４０を保持する部材である。プレート４１はチャンバ１８に固定される。ＥＵＶ光集光ミラー４０はＥＵＶ光集光ミラーホルダ４２を介してプレート４１に保持される。
　第１の覆い４５は、第１のウインドウ４４から貫通孔６８を通ってプラズマ生成領域６４へとパルスレーザ光４８を導く光路を覆うシュラウド（ｓｈｒｏｕｄ）である。第１の覆い４５は、第１のウインドウ４４からプラズマ生成領域６４に向かって先細りする略円錐台形の筒形状に構成されている。
　ターゲット供給部５０は、ターゲット物質をチャンバ１８内部に供給するよう構成され、例えば、チャンバ１８の壁を貫通するように取り付けられる。ターゲット供給部５０は二軸ステージ５１を介してチャンバ１８の壁に取り付けられる。二軸ステージ５１はＸ軸及びＺ軸の各方向に移動可能なＸＺ軸ステージである。ターゲット供給部５０は二軸ステージ５１により、ＸＺ平面内の位置を調整することができる。
　ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。ターゲット供給部５０は、ターゲット物質により形成されたドロップレット５６をチャンバ１８内部のプラズマ生成領域６４に向けて出力するよう構成される。
　ターゲット制御装置２２は、ＥＵＶ光生成制御装置２０、レーザ装置１２、ターゲット供給部５０及びドロップレット検出装置５４の各々と接続されている。ターゲット制御装置２２は、ＥＵＶ光生成制御装置２０の指令に従い、ターゲット供給部５０の動作を制御する。また、ターゲット制御装置２２は、ドロップレット検出装置５４からの検出信号を基にレーザ装置１２のパルスレーザ光４８の出力タイミングを制御する。
　ドロップレット検出装置５４は、ドロップレット５６の存在、軌跡、位置、及び速度のうちいずれか又は複数を検出するよう構成される。ドロップレット検出装置５４は、Ｘ方向の軌道の変化を検出できるように配置される。ドロップレット検出装置５４は、光源部７０と受光部７５を含んでいる。
　光源部７０は、光源７１と、照明光学系７２と、第２のウインドウ７３と、第２の覆い７４とを含んで構成される。光源７１は、ランプや半導体レーザ等であってもよい。照明光学系７２は、光源７１から出力された光によってドロップレット軌道を照明する集光レンズであってもよい。
　受光部７５は、転写光学系７６と、第１の光センサ７７と、第３のウインドウ７８と、第３の覆い７９とを含んで構成される。転写光学系７６は照明されたドロップレット５６の像を第１の光センサ７７の素子上に転写するレンズであってもよい。第１の光センサ７７は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄ　ｄｅｖｉｃｅ）等の２次元のイメージセンサであってもよい。
　チャンバ１８は、図示しないもう１つのドロップレット検出装置を備えており、図示しないもう１つのドロップレット検出装置によって、ドロップレット５６のＺ方向の軌道のずれを検出する。
　ドロップレット受け５２は、ターゲット供給部５０からチャンバ１８内に出力されたドロップレット５６が進行する方向の延長線上に配置される。図１ではドロップレット５６の滴下方向がＹ軸と平行な方向であり、ドロップレット受け５２はターゲット供給部５０に対してＹ方向を向いてターゲット供給部５０と対向する位置に配置される。
　また、ＥＵＶ光生成装置１１は、チャンバ１８の内部と露光装置１００の内部とを連通させる接続部８２を含む。接続部８２の内部には、アパーチャ８４が形成された壁８６が設けられる。壁８６は、そのアパーチャ８４がＥＵＶ光集光ミラー４０の第２の焦点位置に位置するように配置される。
　露光装置１００は露光装置コントローラ１０２を含んでおり、露光装置コントローラ１０２はＥＵＶ光生成制御装置２０と接続される。
　ＥＵＶ光センサユニット６０は、チャンバ１８内で生成されるＥＵＶ光を検出するセンサユニットである。ＥＵＶ光センサユニット６０はＥＵＶ光生成制御装置２０に接続されている。ＥＵＶ光センサユニット６０は、異なる複数の位置からプラズマを観測できるように複数台あってもよい。図１では１つのＥＵＶ光センサユニット６０が示されているがチャンバ１８の周りの複数箇所にＥＵＶ光センサユニット６０が設置される形態が好ましい。
　ガス供給装置６１は、配管９０を介して第１の覆い４５、第２の覆い７４、第３の覆い７９、及びＥＵＶ光センサユニット６０の中の空間に接続されている。さらに、ガス供給装置６１は、ＥＵＶ光集光ミラー４０の表面にガスを流すよう構成された配管９１に接続されている。ガス供給装置６１は配管９０、９１にガスを供給するガス供給源である。ガス供給装置６１は例えば、水素ガスを供給する水素ガス供給装置とすることができる。
　水素ガスはパージガスの一例である。パージガスは水素ガスに限らず、水素を含むガスであってもよい。パージガスは、ターゲット物質の材料と反応して化合物である気体を生成し得るガスであることが好ましい。パージガスの種類はターゲット物質の材料との関係で選択される。
　ガス制御装置２４は、ＥＵＶ光生成制御装置２０、ガス供給装置６１、排気装置６２及び圧力センサ６３の各々と接続される。排気装置６２は、チャンバ１８内の気体をチャンバ１８の外部に排出する。圧力センサ６３はチャンバ１８内の圧力を検出する。圧力センサ６３の検出信号はガス制御装置２４に送られる。ガス制御装置２４は、ＥＵＶ光生成制御装置２０の指令に従い、ガス供給装置６１及び排気装置６２の動作を制御する。
　ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ＥＵＶ光生成システム１０全体の制御を統括するよう構成される。ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ＥＵＶ光センサユニット６０の検出結果を処理する。ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ドロップレット検出装置５４の検出結果に基づいて、例えば、ドロップレット５６が出力されるタイミングやドロップレット５６の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御装置２０は、例えば、レーザ装置１２の発振タイミング、パルスレーザ光４８の進行方向、パルスレーザ光４８の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよいし、一部の制御機能を省略してもよい。
　本開示において、ＥＵＶ光生成制御装置２０、ターゲット制御装置２２、ガス制御装置２４及び露光装置コントローラ１０２等の制御装置は、１台又は複数台のコンピュータのハードウェア及びソフトウェアの組み合わせによって実現することが可能である。ソフトウェアはプログラムと同義である。また、複数の制御装置の機能を一台の制御装置で実現することも可能である。さらに本開示において、ＥＵＶ光生成制御装置２０、ターゲット制御装置２２、ガス制御装置２４及び露光装置コントローラ１０２等は、ローカルエリアネットワークやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムユニットは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
　図２はＥＵＶ光センサユニット６０の一例を示す概略構成図である。ＥＵＶ光センサユニット６０は、ＥＵＶ光を発生させるチャンバ１８の壁を貫通して取り付けられる。図２においてチャンバ１８の壁の右側がチャンバ１８の内側、つまり低圧側であり、チャンバ１８の壁の左側が大気側である。
　ＥＵＶ光センサユニット６０は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１と、フィルタ１２２と、第２の光センサ１２４とを含んで構成される。ＥＵＶ光反射ミラー１２１は、プラズマから放射される光のうちＥＵＶ光を含む光を選択的に反射する多層反射膜によるミラーである。ＥＵＶ光反射ミラー１２１は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とを交互に積層してなるＭｏ／Ｓｉ多層膜によるミラーとすることができる。
　フィルタ１２２は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１によって反射された光のうちＥＵＶ光の波長を選択的に透過する波長フィルタである。フィルタ１２２が透過するＥＵＶ光の波長は、例えば１３．５ｎｍである。フィルタ１２２は例えば、膜厚３００～６００ｎｍの金属薄膜フィルタである。フィルタ１２２の一例として、ジルコニウム（Ｚｒ）の金属薄膜フィルタを用いることができる。フィルタ１２２の膜厚は、例えば、３５０ｎｍである。
　フィルタ１２２は、第２の光センサ１２４の受光面を覆うように配置される。ＥＵＶ光反射ミラー１２１の反射特性とフィルタ１２２の透過特性の組み合わせにより、所望の波長のＥＵＶ光を第２の光センサ１２４に入射させることができる。
　第２の光センサ１２４は、フォトダイオード等、入射した光のエネルギを検出するセンサである。第２の光センサ１２４は受光量に応じた電気信号を出力する。第２の光センサ１２４から出力される信号はＥＵＶ光生成制御装置２０に送られる。
　ＥＵＶ光センサユニット６０は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１と、フィルタ１２２と、第２の光センサ１２４とを収容する中空のケース１３０を備える。ケース１３０は、光学部品収容部１３２と円筒形状部１３４と第１のガス供給部１４０とを有する。
　光学部品収容部１３２は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１と、フィルタ１２２と、第２の光センサ１２４とが収容される空間である。ＥＵＶ光反射ミラー１２１は図示せぬミラー保持部材に保持される。第２の光センサ１２４は光学部品収容部１３２を画成するケース１３０の壁面の一部に取り付けられる。フィルタ１２２は、フィルタ保持部材１２３に保持され、第２の光センサ１２４の前面に配置される。
　円筒形状部１３４は、ＥＵＶ光を含むプラズマ光の光入射口となる開口部１３５を有する。開口部１３５を含む円筒形状部１３４の一部はチャンバ１８の内側に配置される。開口部１３５から入射したプラズマ光は円筒形状部１３４を通過してＥＵＶ光反射ミラー１２１に入射する。
　第１のガス供給部１４０は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２との間にパージガスを供給するよう配置されたガス供給路である。第１のガス供給部１４０は、第１のガス導入口１４１と、第１のガス流出口１４２とを含む。第１のガス導入口１４１からケース１３０に導入されたパージガスは、第１のガス供給部１４０の第１のガス流出口１４２から噴出し、円筒形状部１３４を通って開口部１３５からチャンバ１８内へと流出する。
　図２において、第１のガス供給部１４０及び円筒形状部１３４を通過して開口部１３５から出る矢印はガス流を表している。また、開口部１３５から円筒形状部１３４を通過してＥＵＶ光反射ミラー１２１によって折り返され、フィルタ１２２及び第２の光センサ１２４へと向かう矢印はプラズマ光又はＥＵＶ光の光路を表している。
　ケース１３０はフランジ部１４４を含む。ＥＵＶ光センサユニット６０はチャンバ１８の壁に設けられた貫通孔に対して大気側から挿入され、フランジ部１４４を介してチャンバ１８に固定される。すなわち、ケース１３０のフランジ部１４４はチャンバ１８の外側に配置され、ガスケット１４６を介してチャンバ１８の壁に固定される。
　チャンバ１８の内側、つまり、低圧側には、ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０を挿入するソケット２００が配置される。ソケット２００は、ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０の低圧側を覆うように形成される。
　ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０をチャンバ１８の大気側からソケット２００に挿入してケース１３０をチャンバ１８内においてソケット２００に嵌合させることができる。また、図２に示された嵌合状態からケース１３０を大気側に引き抜き、ソケット２００からケース１３０を離脱させることができる。
　ソケット２００は、ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０が接合した際に、ケース１３０の外壁とソケット２００内壁との間に隙間２０２が形成されるよう構成される。隙間２０２はソケット２００内壁全周に亘って形成されてもよい。チャンバ１８の大気側からＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０を挿入すると、ソケット２００内壁とケース１３０の外壁との隙間２０２が形成され、この隙間２０２がガス経路として機能する。この時、ソケット２００の内壁とケース１３０の外壁は完全に密封された状態でなくても良く、特にシール構造を備えなくともよい。隙間２０２を形成し得るソケット２００の内壁の凹部２０３が「ガス経路形成部」の一形態に相当する。
　ソケット２００には配管接続部２０６が設けられる。この配管接続部２０６にガスを供給するための配管２１０が接続される。配管２１０はチャンバ１８の内壁に張り巡らされる。配管接続部２０６に接続された配管２１０の内部と隙間２０２は連通する。チャンバ１８の内壁に張り巡らされた配管２１０は複数のＥＵＶ光センサユニットにガスを供給してもよい。
　配管２１０はフィードスルー２１２を介してガス供給装置６１と接続される。チャンバ１８の大気側から真空側の配管２１０にガスを送り込むフィードスルー２１２は一箇所に集約されてよい。
　ＥＵＶ光センサユニット６０のケース１３０外壁の隙間２０２に面する部分には第１のガス導入口１４１が形成される。第１のガス導入口１４１から第１のガス流出口１４２へと繋がる第１のガス供給部１４０は、ケース１３０内に導入したガスがＥＵＶ光反射ミラー１２１に向けて吹き付けられるように形成される。また、第１のガス供給部１４０は、フィルタ１２２に直接ガスを吹き付けないよう構成される。
　すなわち、第１のガス流出口１４２はＥＵＶ光反射ミラー１２１に向かって開口しており、第１のガス流出口１４２から流出するガスはＥＵＶ光反射ミラー１２１に吹き付けられる。つまり、パージガスがＥＵＶ光反射ミラー１２１に直接吹きつけられる位置に第１のガス流出口１４２が設けられる。第１のガス流出口１４２はフィルタ１２２に対して直接ガスを吹き付けないように、フィルタ１２２に対して非対面の位置に設けられる。フィルタ１２２は、既述のように非常に薄いため、吹き付けるガスによる変形や破損を抑制するためである。
　２．２　動作
　図１及び図２を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の動作を説明する。ＥＵＶ光生成システム１０がＥＵＶ光を出力する場合、露光装置１００の露光装置コントローラ１０２からＥＵＶ光生成制御装置２０にＥＵＶ光出力指令が送られる。
　ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ガス制御装置２４に制御信号を送信する。ガス制御装置２４は、圧力センサ６３の検出値に基づいて、チャンバ１８内の圧力が所定の範囲内となるように、ガス供給装置６１と排気装置６２とを制御する。
　チャンバ１８内の圧力の所定の範囲とは、例えば、数～数百Ｐａの間の値である。ガス供給装置６１から送り出された水素ガスは、配管９０を通じて第１の覆い４５、第２の覆い７４及び第３の覆い７９の各々の覆いの中、並びにＥＵＶ光センサユニット６０の中に供給される。また、ガス供給装置６１から送り出された水素ガスは、配管９１を通じてＥＵＶ光集光ミラー４０の反射面に供給される。
　第１の覆い４５の中に供給された水素ガスは、第１の覆い４５の開口部４５Ａから噴出する。第２の覆い７４の中に供給された水素ガスは、第２の覆い７４の開口部７４Ａから噴出する。第３の覆い７９の中に供給された水素ガスは、第３の覆い４５の開口部７９Ａから噴出する。ＥＵＶ光センサユニット６０の中に供給された水素ガスはＥＵＶ光センサユニット６０の開口部１３５から噴出する。
　ガス制御装置２４は、チャンバ１８の内圧が所定の範囲内の圧力となったら、ＥＵＶ光生成制御装置２０に信号を送信する。ＥＵＶ光生成制御装置２０は、ガス制御装置２４から送られてくる信号を受信後、ターゲット制御装置２２にドロップレット出力を指示するドロップレット出力指示信号を送信する。
　ターゲット制御装置２２は、ドロップレット出力指示信号を受信すると、ターゲット供給部５０にドロップレット出力信号を送信してドロップレット５６を出力させる。ドロップレット５６は溶融したスズ（Ｓｎ）の液滴であってもよい。
　ターゲット供給部５０から出力したドロップレット５６の軌道はドロップレット検出装置５４によって検出される。ドロップレット検出装置５４による検出された検出信号はターゲット制御装置２２に送られる。
　ターゲット制御装置２２は、ドロップレット検出装置５４から得られる検出信号を基に、ドロップレット５６の軌道が所望の軌道となるように、二軸ステージ５１にフィードバック信号を送信してもよい。
　ターゲット制御装置２２は、ドロップレット５６の軌道が安定したら、ドロップレット５６の出力信号に同期して、所定時間遅延したトリガ信号をレーザ装置１２に出力する。この遅延時間は、ドロップレット５６がプラズマ生成領域６４に到達した時にレーザ光がドロップレット５６に照射されるように、設定しておく。
　レーザ装置１２はトリガ信号に同期してレーザ光を出力する。レーザ装置１２から出力されるレーザ光のパワーは、数ｋＷ～数十ｋＷに達する。レーザ装置１２から出力されたレーザ光はレーザ光伝送装置１４を介してレーザ光集光光学系１６の集光レンズ３４に入射する。集光レンズ３４に入射したレーザ光は集光レンズ３４によって集光され、第１のウインドウ４４を通過してチャンバ１８に入力される。集光レンズ３４によって集光され、チャンバ１８に入射したレーザ光は、プラズマ生成領域６４に到達したドロップレット５６に照射される。
　ドロップレット５６には、パルスレーザ光４８に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたドロップレット５６はプラズマ化し、そのプラズマから放射光１０６が放射される。放射光１０６に含まれるＥＵＶ光１０８は、ＥＵＶ光集光ミラー４０によって選択的に反射される。ＥＵＶ光集光ミラー４０によって反射されたＥＵＶ光１０８は、中間集光点６６で集光され、露光装置１００に出力される。なお、１つのドロップレット５６に、パルスレーザ光４８に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ドロップレット受け５２は、レーザ光が照射されずにプラズマ生成領域６４を通過したドロップレット５６や、レーザ光の照射によっても拡散しなかったドロップレットの一部分を回収する。
　ドロップレット５６にレーザ光が照射されると、プラズマが生成し得る。この生成したプラズマのエネルギをＥＵＶ光センサユニット６０で計測して、生成したプラズマ光に含まれるＥＵＶ光のエネルギを計測してもよい。
　プラズマ光である放射光１０６の一部は、開口部１３５からＥＵＶ光センサユニット６０に進入し、円筒形状部１３４を通過してＥＵＶ光反射ミラー１２１に入射する。ＥＵＶ光反射ミラー１２１は放射光１０６に含まれるＥＵＶ光をフィルタ１２２に向けて反射する。フィルタ１２２に入射した光のうちＥＵＶ波長領域の光のみがフィルタ１２２を透過する。フィルタ１２２を透過したＥＵＶ光は、第２の光センサ１２４の受光面に達する。第２の光センサ１２４のフォトダイオードは、受光したＥＵＶ光のエネルギに対応する信号を出力する。第２の光センサ１２４から出力される信号に基づきＥＵＶ光のエネルギを検出することができる。
　ＥＵＶ光センサユニット６０を複数配置する場合は、各ＥＵＶ光センサユニットの検出位置と各検出エネルギからプラズマの位置が計算できる。
　ドロップレット５６が溶融したＳｎ液滴の場合、プラズマ生成に伴って、Ｓｎデブリが生成し、チャンバ１８中に拡散し得る。この場合、ＳｎデブリはＳｎ微粒子を指す。拡散したＳｎデブリは、第１の覆い４５の開口部４５Ａ、第２の覆い７４の開口部７４Ａ、第３の覆い７９の開口部、及びＥＵＶ光センサユニット６０の開口部１３５に到達し得る。
　第１の覆い４５の開口部４５Ａ、第２の覆い７４の開口部７４Ａ、第３の覆い７９の開口部７９Ａ、及びＥＵＶ光センサユニット６０の開口部１３５の各開口部からは、水素ガスが噴出している。このため、Ｓｎデブリが第１のウインドウ４４、第２のウインドウ７３及び第３のウインドウ７８並びにＥＵＶ光センサユニット６０内のＥＵＶ光反射ミラー１２１に到達するのを抑制し得る。
　ＥＵＶ光集光ミラー４０の表面に供給されたガスが水素を含む場合、ＥＵＶ光集光ミラー４０に堆積したＳｎデブリと水素が反応してスタナンガス（ＳｎＨ４）を生成する。スタナンガスは排気装置６２によってチャンバ１８外に排気される。
　同様に、第１のウインドウ４４、第２のウインドウ７３及び第３のウインドウ７８の周囲に水素を含むガスが供給されることにより、第１のウインドウ４４、第２のウインドウ７３及び第３のウインドウ７８へのＳｎデブリの堆積が抑制される。
　少なくともＥＵＶ光の生成中、ＥＵＶ光センサユニット６０内における第１のガス供給部１４０の第１のガス流出口１４２から水素ガスを噴出させ、ＥＵＶ光反射ミラー１２１に水素ガスを吹き付ける。すなわち、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２の間の空間に対し、ＥＵＶ光反射ミラー１２１の反射光路側からパージガスを供給する。
　ＥＵＶ光反射ミラー１２１によって反射されたＥＵＶ光がフィルタ１２２に向かって進行する光路がＥＵＶ光反射ミラー１２１の反射光路である。開口部１３５から円筒形状部１３４を通過してＥＵＶ光反射ミラー１２１ミラーに入射するプラズマ光の光路がＥＵＶ光反射ミラー１２１の入射光路である。ＥＵＶ光反射ミラー１２１へのプラズマ光の入射光路を第１の光路とする。ＥＵＶ光反射ミラー１２１からフィルタ１２２に向かうＥＵＶ光の反射光路を第２の光路とする。第１のガス供給部１４０の第１のガス流出口１４２は、第１の光路と第２の光路のうち、第２の光路に近い位置に設けられている。
　すなわち、第１のガス供給部１４０のガス供給通路の軸は、第２の光路と交差しており、第１のガス流出口１４２から吹き出されたガスは、第２の光路と交差してから第１の光路の方へと流れる。第１のガス供給部１４０は、第１の光路と第２の光路のうち、第２の光路の方からＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２の間にパージガスを供給する。
　第１のガス流出口１４２から噴出した水素ガスは、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２の間を流れ、円筒形状部１３４を通過して開口部１３５からチャンバ１８内へと流出する。
　ＥＵＶ光反射ミラー１２１は「極端紫外光を反射するミラー」の一形態に相当する。第２の光センサ１２４は「波長フィルタを透過した極端紫外光を検出する光センサ」の一形態に相当する。円筒形状部１３４は「管部」の一形態に相当する。
　３.課題
　図２に示したＥＵＶ光センサユニット６０は、ケース１３０の内部にガスを供給し、円筒形状部１３４を経由して開口部１３５からガスを噴出させることにより、ＳｎデブリがＥＵＶ光反射ミラー１２１に到達するのを抑制することができる。
　円筒形状部１３４の内径が小さく、円筒形状部１３４の長さＬが長ければ長いほど、Ｓｎデブリが進入してきた場合に、水素とＳｎが反応する可能性が高くなり、より確実にＳｎデブリをスタナンガス化することができる。その一方で、次のような課題がある。
　［課題１］ＥＵＶ光センサユニット６０は、チャンバ１８に搭載するために大きさの制限を受け、省スペースな設計でなければならない。また、ＥＵＶ光はビーム径が拡がりながら伝搬しており、第２の光センサ１２４におけるフォトダイオード有効範囲内にＥＵＶ光を収めるため、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４との間の隙間が狭くなっている。
　［課題２］フィルタ１２２と第２の光センサ１２４と間の隙間が狭く、第１のガス供給部１４０を通じてＥＵＶ光センサユニット６０内に供給したガスが、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４と間の隙間に流れることは殆ど無い。
　［課題３］フィルタ１２２や第２の光センサ１２４には、炭素を含む接着剤が使用されている。大気中の残留炭素又はフィルタ１２２や第２の光センサ１２４に使用された接着剤から揮発した炭素がＥＵＶ照射中にフィルタ１２２及び第２の光センサ１２４間のＥＵＶ照射領域内に堆積し得る。このフィルタ１２２及び／又は第２の光センサ１２４の表面に堆積した炭素の影響によって第２の光センサ１２４の検出感度が低下し、エネルギ計測に支障をきたす。
　［課題４］課題３に示した炭素の堆積を抑制するために、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の付近にガスをパージする場合、フィルタ１２２の両面での圧力差があるとフィルタ１２２が損傷し、エネルギ計測に支障をきたす。
　４．実施形態１
　４．１　構成
　図３は実施形態１に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。図３に示す実施形態１に関して図２で説明した構成との相違点を説明する。図２で説明したＥＵＶ光センサユニット６０に代えて、図３に示すＥＵＶ光センサユニット１６０を用いることができる。図４は図３中の４－４線を切断線とする断面図である。
　実施形態１に係るＥＵＶ光センサユニット１６０は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間にパージガスを供給するよう配置された第２のガス供給部２４０を備える。第２のガス供給部２４０は、第２のガス導入口２４１と第２のガス流出口２４２とを含むガス供給路である。ケース１３０は、第２のガス供給部２４０である流路構造部を備える。
　第２のガス導入口２４１は、ケース１３０外壁の隙間２０２に面する部分に形成される。第２のガス流出口２４２は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２との間に向かってパージガスを吹き出すガス流出口である。第２のガス導入口２４１から第２のガス流出口２４２へと繋がる第２のガス供給部２４０は、ケース１３０内に導入したガスをフィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の隙間へと導くよう形成される。
　第２のガス導入口２４１からケース１３０に導入されたガスは、第２のガス供給部２４０の第２のガス流出口２４２から噴出し、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の隙間を通って開口部１３５からチャンバ１８内へと流出する。フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間に形成される隙間の空間２５０は、パージガスが流れるガス流路となる。
　第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０は共に、ソケット２００とケース１３０外壁との隙間２０２に連通しており、隙間２０２を通じて第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０の各々にガスが流れる。第１のガス供給部１４０の流量と、第２のガス供給部２４０の流量の比率は、それぞれのガス流路のコンダクタンスを調整することにより所望の比率を実現できる。
　第１のガス供給部１４０は、例えば、流路断面積が一定である管を用いて構成することができる。同様に、第２のガス供給部２４０は、流路断面積が一定である管を用いて構成することができる。この場合、第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０の流路断面の面積比は、例えば、５：１から１５：１の範囲でもよい。
　図４に示すように、第２のガス供給部２４０からフィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間に供給されたガスが拡散せず一方向に流れるように、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０によって構成されるガス流路の側面２５１は、壁部材２５２によって塞がれている。この壁部材２５２は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４とを、所定の距離を離して離間させるスペーサの一部であってよい。
　図５はスペーサの例を示す斜視図である。図６は図５に示したスペーサ２６０の三面図である。図６の（ａ）は平面図、図６の（ｂ）は側面図、図６の（ｃ）は正面図である。スペーサ２６０は、第２の光センサ１２４のセンサ保持部材２７０と接する第１のプレート２６２と、フィルタ保持部材１２３と接する第２のプレート２６４及び第３のプレート２６５がＵ字状に組み合わされた構造を有する。
　第１のプレート２６２には、ＥＵＶ光を通過させる貫通穴２６３が形成されている。第２の光センサ１２４はセンサ保持部材２７０に固定されている。第２の光センサ１２４を保持したセンサ保持部材２７０は、第１のプレート２６２の貫通穴２６３と第２の光センサ１２４の位置を一致させた状態で第１のプレート２６２に当接する。
　第２のプレート２６４及び第３のプレート２６５は、図３で説明した壁部材２５２に相当する。フィルタ１２２と第２の光センサ１２４は、スペーサ２６０によって所定の距離だけ離れた状態で配置される。スペーサ２６０を用いることにより、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の受光面の距離を所望の距離に設計することができる。例えば、図２に示した例では、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の受光面の距離が１．５ｍｍであるのに対し、図３に示す実施形態１では、その距離が４．０ｍｍに構成される。
　図６の（ｃ）に示した第２のプレート２６４と第３のプレート２６５を側壁面とする空間２６６は、パージガスが流れる空間２５０となる。
　図７はセンサ保持部材２７０に保持された第２の光センサ１２４の断面図である。第２の光センサ１２４は、センサ保持部材２７０に固定されている。センサ保持部材２７０は、第２の光センサ１２４の背面及び側面を覆う枠体である。第２の光センサ１２４は接着剤２７２を用いてセンサ保持部材２７０に固定されている。接着剤２７２は、炭素を含有する。接着剤２７２は、第２の光センサ１２４の背面とセンサ保持部材２７０の間に用いられる。第２の光センサ１２４の背面には、信号線１２４Ａが接続されている。信号線１２４Ａは、センサ保持部材２７０に形成された貫通穴を通して引き出されており、図示せぬ電気回路と接続される。センサ保持部材２７０は、第２の光センサ１２４を保持する保持部材の一例である。
　図８はフィルタ保持部材１２３に固定されたフィルタ１２２の断面図である。フィルタ保持部材１２３は、保持枠１２３Ａと押さえ部材１２３Ｂとを含む。フィルタ１２２は、接着剤２７４と押さえ部材１２３Ｂとを用いて保持枠１２３Ａに固定される。
　接着剤２７４は、炭素を含有する。接着剤２７４は、図７に示した接着剤２７２と同種の接着剤であってもよいし、異なる種類の接着剤であってもよい。接着剤２７４は、フィルタ１２２と押さえ部材１２３Ｂの間に用いられる。フィルタ１２２は、保持枠１２３Ａと押さえ部材１２３Ｂとの間に挟まれた状態でフィルタ保持部材１２３に固定される。
　４．２　動作
　少なくともＥＵＶ光の生成中、ＥＵＶ光センサユニット６０内の第２のガス供給部２４０の第２のガス流出口２４２から水素ガスを噴出させ、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間にパージガスを供給する。パージガスは、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０を流れる。
　このパージガスの流れによって、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間に存在する炭素が除去される。
　第２のガス供給部２４０の流路断面積及び流路長さを適切に設定することで、フィルタ１２２の両面での圧力差が生じにくいようにすることができる。フィルタ１２２の両面の圧力差は３ｋＰａ以下であることが好ましい。第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０の流量比は８：１から１２：１の範囲であることが好ましい。
　ＥＵＶ光センサユニット１６０は、「極端紫外光センサユニット」の一例である。第１のガス供給部１４０は、「第１のパージガス供給部」の一例である。第１のガス供給部１４０から供給されるパージガスは「第１のパージガス」の一例である。第２のガス供給部２４０は、「パージガス供給部」及び「第２のパージガス供給部」の一例である。第２のガス供給部２４０から供給されるパージガスは「第２のパージガス」の一例である。ＥＵＶ光センサユニット１６０を備えたＥＵＶ光生成装置１１は「極端紫外光生成装置」の一例である。
　４．３　作用・効果
　実施形態１によれば、フィルタ１２２及び第２の光センサ１２４への炭素の付着による透過率の低下や感度低下を抑制することができる。
　５．実施形態２
　５．１　構成
　図９は実施形態２に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。図９に示す実施形態２に関して図３で説明した実施形態１の構成との相違点を説明する。
　実施形態２に係るＥＵＶ光センサユニット１６０の第２のガス供給部２４０は、フィルタ１２２の表面に向かって直接にパージガスを吹き出さない流路構造となっている。図９に示すように、第２のガス供給部２４０は、フィルタ１２２に対して非対面の位置に設けられている。
　また、実施形態２に係るＥＵＶ光センサユニット１６０は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０を通過したガスを、フィルタ１２２の表面と非平行な方向に導く第３の流路部２８０を備える。本例における第３の流路部２８０は、図９の横方向に沿ってガスを導く流路構造を有する。第３の流路部２８０は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０と連通し、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間を通過したパージガスをガス出口２８２へと導くパージガス排出流路として機能する。第３の流路部２８０のガス出口２８２は、第２の光センサ１２４から離れた位置に設けられている。ガス出口２８２は、図９の下方向に向かって開口している。第３の流路部２８０は、ガス出口２８２を介して円筒形状部１３４と繋がっている。
　第３の流路部２８０によって構成されるパージガス排出流路は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０からガス出口２８２までのガスの流れの経路が非直線の経路となる流路構造を含んでいる。
　この非直線の経路を構成する流路構造を含む第３の流路部２８０は、第２の光センサ１２４に可視光を含む散乱光が入射するのを抑制する遮蔽構造としても機能する。すなわち、第３の流路部２８０の流路壁２８４は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０への散乱光の進入を抑制する遮蔽部材として機能する。また、非直線の経路を構成する流路構造は、ガス出口２８２から進入した散乱光が第２の光センサ１２４の受光面に到達し難い構造である。
　５．２　動作
　第２のガス導入口２４１から導入されたガスは、第２のガス供給部２４０を通って第２のガス流出口２４２から噴出される。第２のガス流出口２４２から流れ出たガスは、フィルタ保持部材１２３又はフィルタ保持部材１２３に連結された流路構造部材の壁に当たって流れの向きを変え、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間へと流れる。
　フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間を流れたガスは、第３の流路部２８０を通って、ガス出口２８２から排出される。
　５．３　作用・効果
　実施形態２によれば、第１実施形態と同様の作用及び効果が得られる。また、実施形態２によれば、第２のガス供給部２４０がフィルタ１２２に向けて直接パージガスを吹き出さない流路構造を有しているため、フィルタ１２２の破損を抑制することができる。また、実施形態２によれば、パージガスの流路を通じて第２の光センサ１２４に散乱光が入射し難い構造を備えており、より正確なエネルギ計測が可能である。
　６．実施形態３
　６．１　構成
　図１０は実施形態３に係るＥＵＶ光センサユニットの要部構成を概略的に示す断面図である。図１０は、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間にパージガスを流すための流路構造部分を示している。図１０に示す実施形態３に関して図９で説明した実施形態２の構成との相違点を説明する。図１０において、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間を流れるパージガスの流れを矢印によって示した。
　実施形態３における第２のガス供給部２４０は、第１の流路部２４０Ａと第２の流路部２４０Ｂを含んで構成される。第１の流路部２４０Ａは、第２のガス導入口２４１から図１０の下方向に向かってガスを導くガス供給路である。第１の流路部２４０Ａを通るガス流の方向を第１の方向という。第２の流路部２４０Ｂは、第１の流路部２４０Ａに接続され、図１０の右斜め下方向に向かってガスを導くガス供給路である。第２の流路部２４０Ｂを通るガス流の方向を第２の方向という。第２の方向は、第１の方向と交差する方向であり、フィルタ１２２の表面に平行な方向である。
　第２のガス供給部２４０は、第１の流路部２４０Ａと第２の流路部２４０Ｂの接続部においてガスの流れの向きが屈曲するよう構成される。第２の流路部２４０Ｂは、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４との間の空間２５０に接続されている。第２の流路部２４０Ｂと空間２５０との接続部が第２のガス流出口２４２に相当する。第２のガス流出口２４２は、フィルタ１２２に対して非対面の位置に設けられている。第２のガス流出口２４２から流れ出るパージガスは、第２の方向に沿って流れる。
　６．２　動作
　第２のガス導入口２４１から導入されたガスは、第１の流路部２４０Ａと第２の流路部２４０Ｂの接続部において、第２の流路部２４０Ｂの流路壁に当たって流れの向きを変え、第２の流路部２４０Ｂへと流れる。第２の流路部２４０Ｂを通過したガスは、第２のガス流出口２４２からフィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間の空間２５０に流れる。
　６．３　作用・効果
　第３実施形態によれば、第２実施形態と同様の効果が得られる。
　７．実施形態４
　７．１　構成
　図１１は実施形態４に係るＥＵＶ光センサユニットの構成を概略的に示す断面図である。図１１に示す実施形態４に関して図３で説明した実施形態１の構成との相違点を説明する。
　実施形態４に係るＥＵＶ光センサユニット１６０は、第１のガス供給部１４０に第１の絞り３０１を備える。また、ＥＵＶ光センサユニット１６０は、第２のガス供給部２４０に第２の絞り３０２を備える。図１１の例では、第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０の両方に絞りを設けたが、第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０のいずれか一方に絞りを設ける形態としてもよい。
　第１の絞り３０１は、第１の絞り押さえ３１１によって、第１のガス供給部１４０の流路に交換可能に固定される。第２の絞り３０２は、第２の絞り押さえ３２２によって、第２のガス供給部２４０の流路に交換可能に固定される。第１のガス供給部１４０は、第１の絞り３０１を取り付けるための支持面を含む第１の絞り取付部３１５を備える。
　第２のガス供給部２４０は、第２の絞り３０２を取り付けるための支持面を含む第２の絞り取付部３２５を備える。
　７．２　動作
　第１の絞り３０１によって第１のガス供給部１４０を流れるガスの流量が調整される。第２の絞り３０２によって第２のガス供給部２４０を流れるガスの流量が調整される。複数種の絞りを組み合わせて各流路のガス流量を調整することができる。第１の絞り３０１と第２の絞り３０２は「絞り」の一例である。
　７．３　作用・効果
　実施形態４によれば、実施形態１と同様の効果が得られる。また、実施形態４によれば、装置のアップグレード等によりチャンバ内圧やガス供給装置６１の供給圧が変更されても、適切なパージ条件に調整できる。
　８．変形例
　上述の実施形態では、ソケット２００を利用して、第１のガス供給部１４０と第２のガス供給部２４０に同種のガス（水素ガス）を導入する例を説明したが、第１のガス供給部１４０にガスを導入する経路と、第２のガス供給部２４０にガスを導入する経路とをそれぞれ独立に設ける形態としてもよい。
　また、フィルタ１２２と第２の光センサ１２４の間に供給するパージガスの種類は、ＥＵＶ光反射ミラー１２１とフィルタ１２２の間に供給するパージガスの種類と異なる種類であってもよい。例えば、第２のガス供給部２４０から供給するパージガスは、水素ガスに限らず、不活性ガスであってもよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. 　極端紫外光を反射するミラーと、
    　前記ミラーによって反射された極端紫外光を選択的に透過する波長フィルタと、
    　前記波長フィルタを透過した前記極端紫外光を検出する光センサと、
    　前記波長フィルタと前記光センサとの間にパージガスを供給するよう配置されたパージガス供給部と、
    　を備える極端紫外光センサユニット。
  2. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記波長フィルタと前記光センサとを、所定の距離を離して離間させるスペーサを備え、
    　前記スペーサによって前記波長フィルタと前記光センサとの間に形成された隙間に、前記パージガス供給部から前記パージガスが供給される極端紫外光センサユニット。
  3. 　請求項２に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記スペーサは、前記波長フィルタと前記光センサの隙間を流れる前記パージガスの拡散を抑制し、前記パージガスが一方向に向かって流れるよう前記パージガスの流路の側面を塞ぐ壁部材を含む極端紫外光センサユニット。
  4. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記波長フィルタ及び前記光センサは、炭素を含有する接着剤を用いて、それぞれ保持部材に固定されている極端紫外光センサユニット。
  5. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記ミラーと前記波長フィルタとの間に前記パージガスと同種又は異種の第１のパージガスを供給するよう配置された第１のパージガス供給部と、
    　前記波長フィルタと前記光センサとの間に前記パージガスである第２のパージガスを供給するよう配置された前記パージガス供給部である第２のパージガス供給部と、
    　を含む極端紫外光センサユニット。
  6. 　請求項５に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記第１のパージガス供給部を通じて前記ミラーと前記波長フィルタとの間に供給される前記第１のパージガスと、前記第２のパージガス供給部を通じて前記波長フィルタと前記光センサとの間に供給される前記第２のパージガスとによる前記波長フィルタの両面の圧力差が３ｋＰａ以下である極端紫外光センサユニット。
  7. 　請求項５に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記第１のパージガス供給部と前記第２のパージガス供給部の流路断面の面積比が５：１から１５：１の範囲である極端紫外光センサユニット。
  8. 　請求項５に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記第１のパージガス供給部と前記第２のパージガス供給部の流量比が８：１から１２：１の範囲である極端紫外光センサユニット。
  9. 　請求項５に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記第１のパージガス供給部及び前記第２のパージガス供給部の少なくとも一方は、ガス流量を調整するための絞りを含む極端紫外光センサユニット。
  10. 　請求項９に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記第１のパージガス供給部及び前記第２のパージガス供給部の少なくとも一方は、前記絞りを交換可能に固定する絞り取付部を含む極端紫外光センサユニット。
  11. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記パージガス供給部は、前記波長フィルタの表面に向かって直接に前記パージガスを吹き出さない流路構造を含む極端紫外光センサユニット。
  12. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記パージガス供給部は、前記波長フィルタと前記光センサの隙間に前記パージガスを流出させるガス流出口を含み、
    　前記ガス流出口は、前記波長フィルタに対して非対面の位置に設けられている極端紫外光センサユニット。
  13. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記パージガス供給部は、
    　ガス導入口と、
    　前記ガス導入口から第１の方向に向かって前記パージガスを導く第１の流路部と、
    　前記第１の流路部に接続され、前記第１の方向と交差する第２の方向に前記パージガスを導く第２の流路部と、を含み、
    　前記第２の方向は、前記波長フィルタの表面に平行な方向であり、
    　前記第１の流路部と前記第２の流路部との接続部にて前記パージガスの流れの向きを屈曲させて、前記第２の流路部を通して前記第２の方向から前記波長フィルタと前記光センサとの間に前記パージガスを供給する極端紫外光センサユニット。
  14. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記パージガスのガス流路から前記光センサに可視光を含む散乱光が入射するのを抑制する遮蔽構造を備える極端紫外光センサユニット。
  15. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記波長フィルタと前記光センサの間の空間に連通し、前記波長フィルタと前記光センサの間を通過した前記パージガスを前記波長フィルタの表面と非平行な方向に導く第３の流路部を備える極端紫外光センサユニット。
  16. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記波長フィルタと前記光センサの間の空間と連通し、前記波長フィルタと前記光センサの間を通過した前記パージガスを、前記光センサから離れた位置のガス出口へと導くパージガス排出流路を備え、
    　前記パージガス排出流路は、前記波長フィルタと前記光センサの間の空間から前記ガス出口までのガスの流れの経路が非直線の経路となる流路構造を含む極端紫外光センサユニット。
  17. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記ミラーに入射させる前記極端紫外光を含むプラズマ光及び前記パージガス供給部から供給された前記パージガスを通過させる管部であって、前記プラズマ光の光入射口となる開口部を有し、前記開口部から入射する前記プラズマ光を前記ミラーに向けて通過させるとともに、前記ミラーと前記波長フィルタとの間を流れた前記パージガスを前記開口部から流出させる管部を含む極端紫外光センサユニット。
  18. 　請求項１７に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記ミラー、前記波長フィルタ、及び前記光センサを収容するケースを備え、
    　前記ケースに前記管部と前記パージガス供給部とが設けられている極端紫外光センサユニット。
  19. 　請求項１８に記載の極端紫外光センサユニットであって、
    　前記ケースの外側に嵌合するソケットを備え、
    　前記ソケットは、前記ケースの外壁と前記ソケットの内壁との間にガス経路となる隙間を形成するガス経路形成部と、
    　前記ガス経路形成部に連通する配管接続部と、
    　を有し、
    　前記ケースの外壁と前記ソケットの内壁との間に形成される前記隙間を通じて前記ケースの中に前記パージガスが供給される極端紫外光センサユニット。
  20. 　請求項１に記載の極端紫外光センサユニットと、
    　レーザ光が内部に導入されるチャンバと、
    　前記チャンバ内にターゲットを供給するターゲット供給部と、
    　を備え、
    　前記ターゲット供給部から前記チャンバ内に供給された前記ターゲットに前記レーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。
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