WO2018198339A1 - エネルギー処置具及び処置システム - Google Patents

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WO2018198339A1
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temperature
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本田　吉隆
佑樹 川口
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オリンパス株式会社
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    • A61B2018/1467—Probes or electrodes therefor using more than two electrodes on a single probe

Definitions

  • the present embodiment relates to an energy treatment tool that treats a treatment target by applying treatment energy to the treatment target held between a pair of gripping pieces.
  • the present invention also relates to a treatment system in which the energy treatment tool is used.
  • WO2016 / 080147A1 discloses an energy treatment tool that grips a treatment target between a pair of grip pieces and applies treatment energy to the gripped treatment target.
  • an electrode is provided on each gripping piece, and a bipolar electrode is formed by the two electrodes.
  • the bipolar electrode By supplying high-frequency power to the bipolar electrode, the two electrodes have different potentials relative to each other, and a high-frequency current flows between the electrodes through the treatment target.
  • a heater is provided on one of the grip pieces. By supplying electric energy (heater power) to the heater, heater heat is generated as treatment energy different from the high-frequency current in the heater, and the heater heat is applied to the treatment target from one of the gripping pieces.
  • a treatment energy different from a high-frequency current such as a high-frequency current and a heater heat is applied to a treatment object to be grasped simultaneously, and the treatment object such as a blood vessel is sealed. Sometimes. At this time, it is required to stabilize the sealing quality.
  • An object of the present invention is to provide an energy treatment device that stabilizes the sealing quality of a treatment target. Moreover, the place which this invention aims at providing the treatment system provided with the energy treatment tool.
  • an energy treatment device can be opened and closed relative to the first gripping piece and the first gripping piece.
  • a second grasping piece capable of grasping the treatment target between the first grasping piece and the second grasping piece by supplying a high-frequency power between the first grasping piece and the second grasping piece,
  • a bipolar electrode that forms a first temperature distribution resulting from the high-frequency current in the treatment object and electric energy are supplied to generate treatment energy different from the high-frequency current, and the generated treatment energy
  • a treatment energy source that forms a second temperature distribution resulting from the treatment energy in the treatment object by applying the treatment electrode to the treatment object.
  • the treatment energy source supplies the treatment object with the high-frequency current and the state in which a relatively high temperature region in the first temperature distribution is located in a relatively low temperature region in the second temperature distribution. It is possible to apply treatment energy simultaneously.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a treatment system in which the energy treatment device according to the first embodiment is used.
  • FIG. 2 is a schematic view showing the end effector according to the first embodiment in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis.
  • FIG. 3 is a block diagram schematically showing a configuration for controlling the supply of high-frequency power to the bipolar electrode and the supply of electric energy to the heater according to the first embodiment.
  • FIG. 4A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the sealed mode from the power supply device according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a treatment system in which the energy treatment device according to the first embodiment is used.
  • FIG. 2 is a schematic view showing the end effector according to the first embodiment in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis.
  • FIG. 3 is a block diagram schematically showing a configuration for controlling the supply of high-frequency
  • FIG. 4B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the sealing mode from the power supply device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example of a temperature distribution formed on the treatment target by both the high-frequency current and the heater heat in a state where output is performed in the sealed mode from the power supply device according to the first embodiment. is there.
  • FIG. 6A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the first embodiment.
  • FIG. 6B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an example of a temperature distribution formed on the treatment target by both the high-frequency current and the heater heat in a state where the output is performed in the incision mode from the power supply device according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic view showing an end effector according to a modification of the first embodiment in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis.
  • FIG. 9 is a schematic view showing the end effector according to the second embodiment in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis.
  • FIG. 10A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the second embodiment.
  • FIG. 10B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic diagram illustrating an example of a temperature distribution formed on a treatment target by both high-frequency current and heater heat in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the second embodiment. .
  • FIG. 10A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the second embodiment.
  • FIG. 10B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to
  • FIG. 12A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on a treatment target in a state where output is performed in a sealed mode from the power supply device according to the second embodiment.
  • FIG. 12B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the sealed mode from the power supply device according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram illustrating an example of a temperature distribution formed on a treatment target by both high-frequency current and heater heat in a state where output is performed in a sealed mode from the power supply device according to the second embodiment. is there.
  • FIG. 12A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on a treatment target in a state where output is performed in a sealed mode from the power supply device according to the second embodiment.
  • FIG. 12B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the sealed mode from the power supply device according
  • FIG. 14 is a schematic view showing an end effector according to a first modification of the second embodiment in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis.
  • FIG. 15 is a schematic view showing an end effector according to a second modification of the second embodiment in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis.
  • FIG. 16 is a block diagram schematically showing an electrical connection state between a heater power source and a heater according to a second modification of the second embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic view showing the end effector according to the third embodiment in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis.
  • FIG. 18 is a block diagram schematically showing a configuration for controlling the supply of high-frequency power to the bipolar electrode and the supply of electrical energy to the heater according to the third embodiment.
  • FIG. 19A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on a treatment target in a state where output is performed in a sealed mode from the power supply device according to the third embodiment.
  • FIG. 19B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the sealed mode from the power supply device according to the third embodiment.
  • FIG. 19A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on a treatment target in a state where output is performed in a sealed mode from the power supply device according to the third embodiment.
  • FIG. 19B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the sealed mode from the power supply device according to the third embodiment.
  • FIG. 20 is a schematic diagram illustrating an example of a temperature distribution formed on the treatment target by both the high-frequency current and the heater heat in a state where output is performed in the sealing mode from the power supply device according to the third embodiment. is there.
  • FIG. 21A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the third embodiment.
  • FIG. 21B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the third embodiment.
  • FIG. 21A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the third embodiment.
  • FIG. 21B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according
  • FIG. 22 is a schematic diagram illustrating an example of a temperature distribution formed on the treatment target by both the high-frequency current and the heater heat in a state where output is performed in the incision mode from the power supply device according to the third embodiment.
  • FIG. 23 is a schematic view showing the end effector according to the fourth embodiment in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis.
  • FIG. 24A is a schematic diagram illustrating an example of a first temperature distribution formed on a treatment target due to a high-frequency current flowing between electrodes according to the fourth embodiment.
  • FIG. 24B is a schematic diagram illustrating an example of a second temperature distribution formed on the treatment target due to the heater heat generated by the heater according to the fourth embodiment.
  • FIG. 25 is a schematic diagram illustrating an example of a temperature distribution formed on the treatment target by both the high-frequency current and the heater heat in a state where output is performed from the power supply device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 26 is a schematic diagram showing an end effector according to a modification of the first to fourth embodiments in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis.
  • FIG. 27 is a block diagram schematically showing a configuration for controlling the supply of high-frequency power to the bipolar electrode and the supply of electrical energy to the ultrasonic transducer according to the modification shown in FIG.
  • FIG. 1 is a diagram showing a treatment system 1 in which the energy treatment device 2 of the present embodiment is used.
  • the energy treatment device 2 includes a shaft 3, a housing 4, and an end effector 5.
  • the shaft 3 has a longitudinal axis C as a central axis, and extends along the longitudinal axis C.
  • one side in the direction along the longitudinal axis C is defined as the distal end side (arrow C1 side), and the opposite side to the distal end side is defined as the proximal end side (arrow C2 side).
  • the housing 4 is connected to the proximal end side of the shaft 3.
  • the end effector 5 is provided at the tip of the shaft 3.
  • the housing 4 includes a grip 7 extending along a direction intersecting the longitudinal axis C, and a handle 8 is rotatably attached to the housing 4.
  • the end effector 5 includes a pair of gripping pieces (jaws) 11 and 12.
  • one of the gripping pieces 11, 12 is formed integrally with the shaft 3 or fixed to the shaft 3, and the other of the gripping pieces 11, 12 is rotatable on the shaft 3. Mounted on.
  • both the holding pieces 11 and 12 are attached with respect to the shaft 3 so that rotation is possible.
  • a rod member (not shown) extends through the inside of the shaft 3, and the rod member protrudes from the distal end of the shaft 3 toward the distal end side.
  • the protruding portion of the rod member from the shaft 3 forms one of the grip pieces 11 and 12.
  • the other of the gripping pieces 11 and 12 is rotatably attached to the shaft 3.
  • the movable member 13 extends from the proximal end side toward the distal end side inside or outside the shaft 3, and the distal end portion of the movable member 13 is connected to the end effector 5. Further, the base end portion of the movable member 13 is connected to the handle 8 inside the housing 4. The movable member 13 moves along the longitudinal axis C by opening or closing the handle 8 with respect to the grip 7. As a result, at least one of the gripping pieces 11 and 12 rotates with respect to the shaft 3, and the gap between the gripping pieces 11 and 12 opens or closes. Since the gripping pieces 11 and 12 can be opened and closed, a treatment target such as a living tissue can be gripped between the gripping pieces 11 and 12. In addition, the operation direction (direction shown by arrow Y1 and arrow Y2) in each of the opening operation and the closing operation of the end effector 5 intersects with the direction along the longitudinal axis C (substantially perpendicular).
  • One end of a cable 15 is connected to the housing 4 of the energy treatment device 2.
  • the other end of the cable 15 is connected to a power supply device 17 that is separate from the energy treatment device 2.
  • an operation member 18 is provided in the treatment system 1 in which the energy treatment instrument 2 is used.
  • the operation member 18 is a foot switch that is separate from the energy treatment device 2 and is electrically connected to the power supply device 17.
  • the power supply device 17 supplies electric energy to the energy treatment tool 2.
  • the operation member 18 can input an operation for outputting electric energy to the energy treatment device 2 in an output state suitable for sealing of a treatment target, that is, in a sealing mode.
  • the operation member 18 can input an operation for outputting electric energy to the energy treatment device 2 in an output state suitable for the incision of the treatment target, that is, in the incision mode.
  • the operation member 18 is provided with an operation button or the like attached to the housing 4 instead of or in addition to the foot switch.
  • FIG. 2 is a view showing the end effector 5 in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis C.
  • the width of the end effector 5 is defined as a direction that intersects the direction along the longitudinal axis C (substantially perpendicular) and intersects the operation direction of the end effector 5 in each of the opening operation and the closing operation (substantially perpendicular).
  • a direction (direction indicated by an arrow W1 and an arrow W2) is defined.
  • the gripping piece 11 includes a gripping surface 21 that faces the gripping piece 12 and a back surface 22 that faces away from the gripping surface 21.
  • the gripping piece 12 includes a gripping surface 25 that faces the gripping piece 11 (the gripping surface 21) and a back surface 26 that faces away from the gripping surface 25.
  • the gripping piece 11 includes a support body 23, and the gripping piece 12 includes a support body 28.
  • the surface is formed from a material having electrical insulation.
  • the support body 23 is continuously extended from the proximal end portion to the distal end portion of the gripping piece 11 in the direction along the longitudinal axis C.
  • the support 23 forms the back surface 22 of the gripping piece 11 and also forms a part of the gripping surface 21.
  • the support 28 is continuously extended from the proximal end portion to the distal end portion of the gripping piece 12 in the direction along the longitudinal axis C.
  • the support 28 forms the back surface 26 of the grip piece 12 and also forms a part of the grip surface 25.
  • the gripping piece 11 is provided with a first electrode 31, and the gripping piece 12 is provided with a second electrode 32 and a third electrode 33.
  • the first electrode 31 forms part of the gripping surface 21 of the gripping piece 11, and each of the second electrode 32 and the third electrode 33 forms part of the gripping surface 25 of the gripping piece 12.
  • Each of the electrodes 31 to 33 is made of a conductive material and is made of a material having high thermal conductivity.
  • the bipolar electrode 30 is formed by the electrodes 31 to 33.
  • the first electrode 31 extends continuously from the proximal end portion to the distal end portion of the gripping piece 11 in the direction along the longitudinal axis C.
  • each of the second electrode 32 and the third electrode 33 extends continuously from the proximal end portion to the distal end portion of the gripping piece 12 in the direction along the longitudinal axis C.
  • the electrodes 31 to 33 are extended over substantially the same range with respect to each other in the direction along the longitudinal axis C. Accordingly, the electrodes 31 to 33 have substantially the same dimension in the direction along the longitudinal axis C with respect to each other.
  • the first electrode 31 is disposed at the center in the width direction of the end effector 5.
  • an insulating facing surface 35 is provided outside the first electrode 31 in the width direction of the end effector 5.
  • the insulating facing surface 35 is formed from the surface of the support 23 and has electrical insulation.
  • the insulating facing surface 35 has appropriate heat resistance.
  • the insulating facing surfaces 35 are formed on both sides of the first electrode 31 in the width direction of the end effector 5.
  • a receiving surface 37 is formed at the center in the width direction of the end effector 5.
  • the receiving surface 37 is formed from the surface of the support 28 and has electrical insulation.
  • the receiving surface 37 has appropriate heat resistance.
  • the third electrode 33 is provided outside the receiving surface 37 in the width direction of the end effector 5. In the present embodiment, the third electrode 33 is adjacent to both sides of the receiving surface 37 in the width direction of the end effector 5.
  • the second electrode 32 is provided outside the third electrode 33 in the width direction of the end effector 5. In the present embodiment, the second electrode 32 is formed at a position away from the receiving surface 37 in the width direction of the end effector 5 and on both sides of the receiving surface 37.
  • a film-like member (not shown) having electrical insulation is disposed between the second electrode 32 and the third electrode 33. For this reason, electrical conduction between the second electrode 32 and the third electrode 33 is prevented.
  • the first electrode 31 of the gripping piece 11 can come into contact with the receiving surface 37 of the gripping piece 12.
  • the first electrode 31 is separated from the second electrode 32 and the third electrode 33, and the second electrode 32 and the third electrode are separated. No contact with 33. Therefore, in the end effector 5, the contact of the first electrode 31 with the second electrode 32 and the third electrode 33 is effectively prevented.
  • the dimension B1 of the first electrode 31 in the width direction is larger than the dimension (B2a + B2b) of the second electrode 32 in the width direction.
  • the dimension B1 of the first electrode 31 in the width direction is larger than the dimension (B3a + B3b) of the third electrode 33 in the width direction.
  • the dimension B1 of the first electrode in the width direction is the total dimension (B2a + B2b + B3a + B3b) of the dimension (B2a + B2b) of the second electrode 32 in the width direction and the third electrode dimension (B3a + B3b) in the width direction. Smaller than that.
  • the electrodes 31 to 33 have substantially the same dimension in the direction along the longitudinal axis C with respect to each other.
  • the surface area of the first electrode 31 is larger than the surface area of the second electrode 32 and larger than the surface area of the third electrode 33.
  • the surface area of the first electrode 31 is smaller than the total area of the surface area of the second electrode 32 and the surface area of the third electrode 33.
  • a heater (heating element) 41 is provided on the gripping piece 11 serving as the first gripping piece.
  • the heater 41 is a treatment energy source that generates heater heat as treatment energy different from the high-frequency current when electric energy is supplied.
  • the heater 41 is arranged at the center of the gripping piece 11 in the width direction of the end effector 5.
  • the heater 41 is disposed on the back surface 26 side of the first electrode 31. Heater heat generated by the heater 41 is transmitted to the first electrode 31 and applied to the treatment target gripped from the first electrode 31. Therefore, in this embodiment, heater heat is applied to the treatment target from the gripping piece 11 as treatment energy different from the high-frequency current.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration for controlling the supply of high-frequency power to the bipolar electrode 30 and the supply of electrical energy to the heater 41.
  • the power supply device 17 includes a processor (controller) 51 and a storage medium 52.
  • the processor 51 is formed of an integrated circuit including a CPU (Central Processing Unit), an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), or an FPGA (Field Programmable Gate Array). Only one processor 51 may be provided in the power supply device 17, or a plurality of processors 51 may be provided in the power supply device 17.
  • the processing in the processor 51 is performed according to a program stored in the processor 51 or the storage medium 52.
  • the storage medium 52 stores a processing program used by the processor 51, parameters, functions, tables, and the like used in the calculation by the processor 51.
  • the processor 51 detects an operation input on the operation member 18 such as a foot switch.
  • the power supply device 17 includes a heater power supply 53.
  • the heater power source 53 includes a conversion circuit, a transformer, and the like, and converts electric power from a battery power source or an outlet power source into electric energy supplied to the heater 41.
  • the heater power supply 53 is electrically connected to the heater 41 via electric paths 55 and 56. Each of the electrical paths 55 and 56 extends through the inside of the cable 15, the inside of the housing 4, and the inside of the shaft 3.
  • the heater power supply 53 supplies the output electrical energy to the heater 41 by outputting the converted electrical energy (heater power). At this time, DC power or AC power is output as electrical energy.
  • the processor 51 controls the output from the heater power supply 53 and controls the supply of electrical energy (heater power) to the heater 41.
  • the power supply device 17 includes a high frequency power supply 57.
  • the high-frequency power source 57 includes a waveform generator, a conversion circuit, a transformer, and the like, and converts power from a battery power source or an outlet power source into high-frequency power that is electrical energy supplied to the bipolar electrode 40.
  • the high frequency power source 57 can output the converted high frequency power, and the processor 51 controls the output from the high frequency power source 57.
  • the high frequency power source 57 is electrically connected to the first electrode 31 through the electric path 58.
  • the electrical path 58 extends through the cable 15, the housing 4 and the shaft 3.
  • the power supply device 17 includes a supply switching unit 61 formed from a switch circuit or the like.
  • the supply switching unit 61 is electrically connected to the high-frequency power source 57 via an electric path 62 provided in the power supply device 17.
  • the supply switching unit 61 is electrically connected to the second electrode 32 via the electric path 65 and is electrically connected to the third electrode 33 via the electric path 66.
  • Each of the electrical paths 65 and 66 extends through the cable 15, the housing 4, and the shaft 3.
  • the processor 51 controls the operation of the supply switching unit 61.
  • the processor 51 controls the supply of high-frequency power to the bipolar electrode 30 by controlling the output from the high-frequency power source 57 and the operation of the supply switching unit 61.
  • the operating state of the supply switching unit 61 is switched by the processor 51, whereby the high-frequency power supply state to the bipolar electrode 30 is switched between the first supply state and the second supply state. .
  • the application state of the high-frequency current to the treatment object changes between the first supply state and the second supply state.
  • the electrical connection between the electrical path 66 and the electrical path 62 is interrupted. Therefore, in the first supply state, no high-frequency current flows through the third electrode 33 and the electrical path 66, and the high-frequency power output from the high-frequency power source 57 is not supplied to the third electrode 33. At this time, high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 57 to the first electrode 31 via the electrical path 58, and high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 57 to the second electrode 32 via the electrical paths 62 and 65. The Therefore, in the first supply state, high frequency power is supplied only to the first electrode 31 and the second electrode 32. In the first supply state, the first electrode 31 and the second electrode 32 have different potentials with respect to each other, and are treated between the first electrode 31 and the second electrode 32. A high frequency current flows through the object.
  • the electrical path 66 and the electrical path 62 are electrically connected. For this reason, in the second supply state, a high-frequency current flows through the third electrode 33 and the electric path 66, and the high-frequency power output from the high-frequency power source 57 is supplied to the third electrode 33. At this time, high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 57 to the first electrode 31 via the electrical path 58, and high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 57 to the second electrode 32 via the electrical paths 62 and 65. The Accordingly, in the second supply state, high frequency power is supplied to all the electrodes 31 to 33.
  • the first electrode 31 has a different potential with respect to the second electrode 32 and the third electrode 33, and the second electrode 32 and the third electrode 33 are in relation to each other. The same potential.
  • a high-frequency current flows through the treatment target held between the first electrode 31 and each of the second electrode 32 and the third electrode 33.
  • the power supply device 17 may be provided with a setting unit (not shown) such as a touch panel.
  • a setting unit for example, the output level from the heater power supply 53 in each of the sealing mode and the incision mode and the output level from the high frequency power supply 57 in each of the sealing mode and the incision mode can be set.
  • the processor 51 controls the output from the heater power supply 53 and the output from the high frequency power supply 57 based on the setting in the setting unit.
  • the energy treatment device 2 When performing treatment using the energy treatment device 2, the energy treatment device 2 is connected to the power supply device 17 via the cable 15. Then, the operator holds the housing 4 and inserts the end effector 5 into a body cavity such as the abdominal cavity. Then, the operator closes the handle 8 with respect to the grip 7 with a treatment target such as a blood vessel positioned between the gripping pieces 11 and 12. Thereby, the space between the gripping pieces 11 and 12 is closed, and the treatment target is gripped between the gripping pieces 11 and 12. Then, in a state where the treatment target is gripped, the surgeon inputs an operation with the operation member 18 and outputs electric energy from the power supply device 17 to the energy treatment tool 2 in the sealing mode or the incision mode. As a result, high-frequency power is supplied to the bipolar electrode 30 and electrical energy is supplied to the heater 41.
  • a treatment target such as a blood vessel
  • a high-frequency current flows through the treatment object between the gripping pieces 11 and 12 as described above, and the high-frequency current is applied to the treatment object.
  • the high frequency current By applying the high frequency current to the treatment target, a first temperature distribution resulting from the high frequency current is formed in the treatment target.
  • heater heat is applied from the gripping piece 11 to the treatment target as treatment energy different from the high-frequency current.
  • a second temperature distribution resulting from the heater heat (treatment energy) is formed in the treatment target.
  • FIG. 4A shows an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where output from the power supply device 17 is performed in the sealing mode
  • FIG. 4B shows output from the power supply device 17 in the sealing mode
  • An example of the second temperature distribution formed on the treatment target in the state where the operation is performed is shown.
  • FIG. 5 shows a temperature distribution formed on the treatment target by both the high-frequency current and the heater heat in a state where the output from the power supply device 17 is performed in the sealing mode (that is, the first temperature distribution of FIG. 4A). And a temperature distribution obtained by synthesizing the second temperature distribution of FIG. 4B).
  • FIG. 6A shows an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where the output is performed from the power supply device 17 in the incision mode
  • FIG. 6B is an output from the power supply device 17 in the incision mode.
  • An example of the second temperature distribution formed on the treatment target in the state where the operation is performed is shown.
  • FIG. 7 shows the temperature distribution formed on the treatment target by both the high-frequency current and the heater heat (that is, the first temperature distribution and the first temperature distribution in FIG.
  • FIG. 6B shows an example of a temperature distribution obtained by synthesizing the second temperature distribution of FIG. 6B.
  • the processor 51 controls the operation of the supply switching unit 61 to change the supply state of the high-frequency power to the bipolar electrode 30 to the first supply state. For this reason, high-frequency power is not supplied to the third electrode 33, but high-frequency power is supplied only to the first electrode 31 and the second electrode 32. Therefore, in the sealing mode, a high-frequency current flows through the treatment target between the first electrode 31 and the second electrode 32, but a high-frequency current flows between the first electrode 31 and the third electrode 33. Not flowing.
  • the surface area of the first electrode 31 is larger than the surface area of the second electrode 32.
  • a region that is relatively close to the second electrode 32 (gripping piece 12) in the treatment target is a region in which the current density of the high-frequency current is relatively high, and is relatively high in the treatment target.
  • a region close to one electrode 31 (gripping piece 11) is a region where the current density of the high-frequency current is relatively low.
  • a region having a relatively high high-frequency current density is a region having a relatively high temperature. Therefore, as shown in FIG.
  • a region where the temperature is relatively high in the treatment target in the first temperature distribution formed in the sealing mode, that is, the first temperature distribution formed in the first supply state, a region where the temperature is relatively high in the treatment target.
  • S1 is located in a region that is relatively close to the second electrode 32 (the grasping piece 12 that is the second grasping piece), and the region where the temperature is relatively low in the treatment target is relatively the first electrode 31. It is located in a region close to (the gripping piece 11 which is the first gripping piece).
  • the region S1 having a relatively high temperature is indicated by dot hatching. In the region S1, the temperature rises as the second electrode 32 is approached.
  • the heater heat is transferred from the heater 41 to the treatment target through the first electrode 31. Therefore, the heater heat is applied to the treatment target from the gripping piece 11 that is the first gripping piece, and the heater heat is transmitted from the gripping piece 11 side to the gripping piece 12 side in the treatment target.
  • the region S2 having a relatively high temperature in the treatment target is relatively formed by the first electrode 31 (first gripping).
  • the region located near the gripping piece 11) that is a piece and the region where the temperature is relatively low in the treatment target is located relatively close to the gripping piece 12 that is the second gripping piece.
  • the region S2 having a relatively high temperature is indicated by dot hatching. Also in the region S2, the temperature rises as it approaches the first electrode 31.
  • the first temperature distribution and the second temperature distribution are formed as described above.
  • the region S1 having a relatively high temperature in the first temperature distribution is located in a region having a relatively low temperature in the second temperature distribution.
  • the region S2 having a relatively high temperature in the second temperature distribution is located in a region having a relatively low temperature in the first temperature distribution.
  • the low temperature region of the first temperature distribution is supplemented by the high temperature region S2 of the second temperature distribution, and the second By supplementing the low temperature region of the temperature distribution with the high temperature region S1 of the first temperature distribution, the temperature distribution in the treatment target between the first electrode 31 and the second electrode 32 is suppressed. Therefore, the occurrence of temperature unevenness (temperature unevenness) in the treatment target is suppressed, and the temperature is uniform or substantially uniform in the range between the first electrode 31 and the second electrode 32 in the treatment target. In the temperature distribution shown in FIG. 5, the range that becomes the high temperature region S1 of the first temperature distribution of FIG.
  • the treatment object When the temperature becomes uniform or substantially uniform in the treatment object, the treatment object is appropriately denatured over the entire treatment object to be grasped, and the sealing performance of the treatment object such as a blood vessel is improved. For this reason, sealing quality is stabilized by using the energy treatment tool 2 which concerns on this embodiment.
  • the processor 51 controls the operation of the supply switching unit 61 to change the supply state of the high-frequency power to the bipolar electrode 30 to the second supply state. Therefore, high frequency power is supplied to all of the electrodes 31 to 33.
  • the second electrode 32 and the third electrode 33 have the same potential with respect to each other when high-frequency power is supplied. Accordingly, in the incision mode, a high-frequency current flows through the treatment target between the first electrode 31 and the second electrode 32, and the high-frequency current also passes between the first electrode 31 and the third electrode 33 through the treatment target. Current flows.
  • the surface area of the first electrode 31 is smaller than the total area of the surface area of the second electrode 32 and the surface area of the third electrode. For this reason, in the incision mode, the region relatively close to the first electrode 31 (gripping piece 11) in the treatment target is a region in which the current density of the high-frequency current is relatively high, and the second relatively in the treatment target.
  • the region close to the electrode 32 and the third electrode 33 (gripping piece 12) is a region where the current density of the high-frequency current is relatively low. Therefore, as shown in FIG. 6A, in the first temperature distribution formed in the incision mode, that is, the first temperature distribution formed in the second supply state, the region S3 where the temperature is relatively high in the treatment target.
  • the region S3 having a relatively high temperature is indicated by dot hatching. Also in the region S3, the temperature rises as it approaches the first electrode 31.
  • the incision mode heater heat is applied to the treatment target from the gripping piece 11 that is the first gripping piece, and in the treatment target, the heater heat is transmitted from the gripping piece 11 side toward the gripping piece 12 side. Therefore, as shown in FIG. 6B, in the second temperature distribution formed in the incision mode, similarly to the second temperature distribution formed in the sealing mode, the region S4 where the temperature is relatively high in the treatment target. However, the region where the temperature is relatively low in the treatment target is the second gripping piece which is relatively close to the first electrode 31 (the gripping piece 11 which is the first gripping piece). It is located in an area close to a certain gripping piece 12.
  • the relatively high temperature region S4 is indicated by dot hatching. Also in the region S4, the temperature rises as the first electrode 31 is approached.
  • the first temperature distribution and the second temperature distribution are formed as described above. For this reason, the region S3 having a relatively high temperature in the first temperature distribution is located in the region S4 having a relatively high temperature in the second temperature distribution.
  • the region where the temperature is relatively low in the second temperature distribution is located in the region where the temperature is relatively low in the first temperature distribution. For this reason, in the state where the high frequency current and the heater heat are simultaneously applied to the treatment target in the incision mode, the temperature is locally high in a region relatively close to the first electrode 31 (gripping piece 11) in the treatment target. Become. In the temperature distribution shown in FIG.
  • a range that becomes the high temperature region S3 of the first temperature distribution in FIG. 6A and the high temperature region S4 of the second temperature distribution in FIG. 4B is indicated by dot hatching.
  • the incision mode as shown in the temperature distribution of FIG. 7, only the vicinity of the first electrode 31 in the object to be grasped between the grasping pieces 11 and 12 becomes the high temperature region S3 in the first temperature distribution, And it is the range which becomes high temperature area
  • the third electrode 33 is disposed outside the second electrode 32 in the width direction of the end effector 5 on the gripping surface 25. Further, the second electrode 32 and the third electrode 33 are electrically insulated. Also in this case, the relationship between the surface areas of the electrodes 31 to 33 is the same as that in the first embodiment. Also in this modified example, in each of the sealing mode and the incision mode, the supply of high-frequency power to the bipolar electrode 30 and the supply of electrical energy to the heater 41 are performed by the processor 51 as in the first embodiment. Be controlled.
  • the region where the temperature is relatively high is the second electrode 32 (the grip piece 12 which is the second grip piece).
  • the region having a relatively low temperature is positioned in a region relatively close to the second electrode 32. Therefore, also in this modification, in the sealing mode, a region where the temperature is relatively high in the first temperature distribution caused by the high-frequency current is a region where the temperature is relatively low in the second temperature distribution caused by the heater heat. Located in. Also in this modified example, in the first temperature distribution formed in the incision mode, a region having a relatively high temperature is relatively applied to the first electrode 31 (the gripping piece 11 that is the first gripping piece).
  • the region having a relatively high temperature is located in a region relatively close to the first electrode 31. Therefore, also in this modification, in the incision mode, the region where the temperature is relatively high in the first temperature distribution is located in the region where the temperature is relatively high in the second temperature distribution.
  • this modification also has the same operations and effects as the first embodiment.
  • the second electrode 32 is disposed inside the third electrode 33 in the width direction of the end effector 5. Therefore, in the sealing mode, even if a high-frequency current flows between the first electrode 31 and the second electrode 32, the high-frequency current is generated in a region outside the treatment target gripped in the width direction in the living tissue or the like. Is less invasive. Thereby, in sealing mode, the heat invasion to the area
  • FIG. 9 is a view showing the end effector 5 in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis C.
  • the gripping piece 12 is provided with a first electrode 31, and the gripping piece 11 is provided with a second electrode 32 and a third electrode 33. Therefore, in the present embodiment, the grip piece 12 provided with the first electrode 31 is a first grip piece, and the grip piece 11 provided with the second electrode 32 is a second grip piece.
  • the second electrode 32 is disposed at the center in the width direction of the end effector 5.
  • the 3rd electrode 33 is provided in the outer side of the 2nd electrode 32 about the width direction.
  • the third electrode 33 is formed on both sides of the second electrode 32 in the width direction.
  • the second electrode 32 and the third electrode 33 are electrically insulated.
  • a receiving surface 71 is formed at the center in the width direction of the end effector 5.
  • the receiving surface 71 is formed from the surface of the support 28 and has electrical insulation.
  • the first electrode 31 is provided outside the receiving surface 71 in the width direction.
  • the first electrode 31 is formed on both sides of the receiving surface 71 in the width direction of the end effector 5.
  • a heater 41 that is a treatment energy source is provided on the gripping piece 11 that is the second gripping piece.
  • the heater 41 is disposed at the center of the gripping piece 11 in the width direction of the end effector 5.
  • the heater 41 is disposed on the back surface 22 side of the second electrode 32. Heater heat generated by the heater 41 is transmitted to the second electrode 32 and applied to the treatment target gripped from the second electrode 32.
  • the electrical connection state between the heater 41 and the heater power source 53 and the electrical connection state between the bipolar electrode 30 and the high frequency power source 57 are the same as those in the first embodiment. .
  • the supply state of the high frequency power to the bipolar electrode 30 is the first supply state.
  • the supply state of the high frequency power to the bipolar electrode 30 is the second supply state in the sealing mode. Therefore, high frequency power is supplied to all the electrodes 31 to 33 in the sealing mode.
  • the second electrode 32 and the third electrode 33 have the same potential with respect to each other when high-frequency power is supplied.
  • FIG. 10A shows an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where the output is performed from the power supply device 17 in the incision mode
  • FIG. 10B is an output from the power supply device 17 in the incision mode.
  • An example of the second temperature distribution formed on the treatment target in the state of being broken is shown.
  • FIG. 11 shows the temperature distribution formed on the treatment object by both the high-frequency current and the heater heat in a state where the output is performed from the power supply device 17 in the incision mode (that is, the first temperature distribution and the first temperature distribution in FIG. 10A).
  • 10B shows an example of a temperature distribution obtained by synthesizing the second temperature distribution of FIG. 10B.
  • FIG. 12A shows an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed from the power supply device 17 in the sealing mode
  • FIG. 13 shows the temperature distribution formed on the treatment object by both the high-frequency current and the heater heat in a state where the output is performed from the power supply device 17 in the sealing mode (that is, the first temperature distribution of FIG. 12A).
  • high-frequency power is supplied only to the first electrode 31 and the second electrode 32 and high-frequency power is not supplied to the third electrode 33 in the incision mode.
  • the surface area of the first electrode 31 is larger than the surface area of the second electrode 32.
  • the region that is relatively close to the second electrode 32 (the gripping piece 11) in the treatment target is a region in which the current density of the high-frequency current is relatively high.
  • the region close to the electrode 31 (gripping piece 12) is a region where the current density of the high-frequency current is relatively low. Therefore, as shown in FIG.
  • the region S5 having a relatively high temperature in the treatment target is relatively The region located near the second electrode 32 (the grasping piece 11 as the second grasping piece) and having a relatively low temperature in the treatment target is relatively the first electrode 31 (the first grasping piece). It is located in a region close to the gripping piece 12).
  • the region S5 having a relatively high temperature is indicated by dot hatching. Also in the region S5, the temperature rises as the second electrode 32 is approached.
  • the region S6 having a relatively high temperature in the treatment target is relatively separated from the second electrode 32 (second grasping piece). Is located in a region close to the gripping piece 11), and is located in a region relatively close to the gripping piece 12 as the first gripping piece.
  • the relatively high temperature region S6 is indicated by dot hatching. Also in the region S6, the temperature rises as the second electrode 32 is approached.
  • the first temperature distribution and the second temperature distribution are formed in the incision mode as described above, in the present embodiment, in the incision mode, in the first temperature distribution, as in the first embodiment.
  • the relatively high temperature region S5 is located in the relatively high temperature region S6 in the second temperature distribution.
  • the region where the temperature is relatively low in the second temperature distribution is located in the region where the temperature is relatively low in the first temperature distribution.
  • a range that becomes the high temperature region S5 of the first temperature distribution of FIG. 10A and the high temperature region S6 of the second temperature distribution of FIG. 10B is indicated by dot hatching.
  • high frequency power is supplied to all the electrodes 31 to 33 in the sealing mode.
  • the second electrode 32 and the third electrode 33 have the same potential with respect to each other when high-frequency power is supplied.
  • the surface area of the first electrode 31 is smaller than the total area of the surface area of the second electrode 32 and the surface area of the third electrode.
  • the region relatively close to the first electrode 32 (gripping piece 12) in the treatment target is a region in which the current density of the high-frequency current is relatively high.
  • the region close to the second electrode 32 and the third electrode 33 (gripping piece 11) is a region where the current density of the high-frequency current is relatively low. Therefore, as shown in FIG.
  • the region S7 having a relatively high temperature in the treatment target is relatively A region located in a region near the first electrode 31 (the grasping piece 12 that is the first grasping piece) and having a relatively low temperature in the treatment target is relatively the second electrode 32 and the third electrode 33. It is located in a region close to (the gripping piece 11 which is the second gripping piece).
  • the relatively high temperature region S7 is indicated by dot hatching. Also in the region S7, the temperature rises as the first electrode 31 is approached.
  • the second temperature distribution formed in the sealing mode similarly to the second temperature distribution formed in the incision mode, there is a region S8 having a relatively high temperature in the treatment target.
  • the region relatively close to the second electrode 32 (the grasping piece 11 that is the second grasping piece) and having a relatively low temperature in the treatment target is the relatively first grasping piece. It is located in a region close to the gripping piece 12.
  • the temperature of the treatment target is lower in the second temperature distribution formed in the sealing mode than in the second temperature distribution formed in the incision mode.
  • the relatively high temperature region S8 is indicated by dot hatching. Also in the region S8, the temperature rises as the second electrode 32 is approached.
  • the first temperature distribution in the embodiment is the same as that in the first embodiment in the sealing mode.
  • the region S7 having a relatively high temperature is positioned in a region having a relatively low temperature in the second temperature distribution.
  • the region S8 having a relatively high temperature in the second temperature distribution is located in a region having a relatively low temperature in the first temperature distribution.
  • a range that becomes the high temperature region S7 of the first temperature distribution in FIG. 12A or the high temperature region S8 of the second temperature distribution in FIG. 12B is indicated by dot hatching.
  • the sealing mode as shown in the temperature distribution of FIG.
  • the heater 41 extends over substantially the entire dimension of the grip piece (second grip piece) 11 in the width direction of the end effector 5. For this reason, the heater 41 extends from a portion on the back surface 22 side of the second electrode 32 to a portion on the back surface 22 side of the third electrode 33.
  • the heater heat generated by the heater 41 is transmitted to the third electrode 33 in addition to the second electrode 32, and is applied to the treatment target grasped from both the second electrode 32 and the third electrode 33. Is done. Also in this case, the relationship between the surface areas of the electrodes 31 to 33 is the same as that of the second embodiment.
  • the supply of high-frequency power to the bipolar electrode 30 and the supply of electrical energy to the heater 41 are performed by the processor 51 as in the second embodiment. Be controlled.
  • the region where the temperature is relatively high is the second electrode 32 (the gripping piece 11 which is the second gripping piece). Located in an area close to.
  • the relatively high temperature region is relatively close to the gripping piece 11 that is the second gripping piece (in this modification example, the first The second electrode 32 and the third electrode 33). Therefore, also in this modification, in the incision mode, the region where the temperature is relatively high in the first temperature distribution is located in the region where the temperature is relatively high in the second temperature distribution.
  • the region where the temperature is relatively high is the first electrode 31 (the grip piece 12 which is the first grip piece). Located in an area close to.
  • the region having a relatively high temperature is located in a region relatively close to the gripping piece 11. Therefore, also in this modification, in the sealing mode, the region where the temperature is relatively high in the first temperature distribution is located in the region where the temperature is relatively low in the second temperature distribution.
  • this modification also has the same operations and effects as the second embodiment.
  • heater heat is applied from the second electrode 32 and the third electrode 33 to the treatment target. For this reason, in the treatment target, the heater heat is transmitted over a wide range in the width direction of the end effector 5. Accordingly, in the sealing mode, the occurrence of temperature unevenness is suppressed over a wide range in the width direction of the end effector 5 in the treatment target, and the sealing performance of the treatment target is improved over a wide range in the width direction of the end effector 5. To do.
  • a heater (second heater) 72 is provided outside the heater (first heater) 41 in the width direction of the end effector 5.
  • the heater 72 is provided on both sides of the heater 41 in the width direction of the end effector 5 and is disposed on the back surface 22 side of the third electrode 33.
  • the heater heat generated by the heater 72 is transmitted to the third electrode 33 and applied to the treatment target gripped from the third electrode 33.
  • the heater heat generated by the heater 41 is transmitted to the second electrode 32 and applied to the treatment target gripped from the second electrode 32.
  • the relationship of the surface areas of the electrodes 31 to 33 in this modification is the same as that of the second embodiment.
  • the supply of high-frequency power to the bipolar electrode 30 is controlled by the processor 51 in each of the sealing mode and the incision mode, as in the second embodiment.
  • FIG. 16 shows an electrical connection state between the heater power supply 53 and the heaters 41 and 72 which are treatment energy sources in the present modification.
  • the power supply device 17 is provided with a supply switching unit 73 formed of a switch circuit or the like separately from the supply switching unit 61.
  • the supply switching unit 73 is electrically connected to the heater power supply 53 via electric paths 75 and 76 provided in the power supply device 17.
  • the supply switching unit 73 is electrically connected to the heater (first heater) 41 via the electric paths 77 and 78 and connected to the heater (second heater) 72 via the electric paths 79 and 80. Electrically connected.
  • Each of the electrical paths 77 to 80 extends through the inside of the cable 15, the inside of the housing 4, and the inside of the shaft 3.
  • the processor 51 controls the operation of the supply switching unit 73.
  • the processor 51 controls the supply of electrical energy to the heaters 41 and 72 by controlling the output from the heater power supply 53 and the operation of the supply switching unit 73.
  • the supply state of electric energy to the heaters 41 and 72 is switched between the first supply state and the second supply state.
  • the processor 51 sets the supply state of electric energy to the heaters 41 and 72 to the first supply state in the incision mode, and supplies the electric energy to the heaters 41 and 72 in the sealing mode. To the second supply state.
  • the electrical connection of the electrical paths 79 and 80 to the electrical paths 75 and 76 is interrupted. For this reason, in the first supply state, electric energy is not supplied to the heater (second heater) 72, and no heater heat is generated in the heater 72. At this time, heater power is supplied from the heater power supply 53 to the heater (first heater) 41 via the electrical paths 75 to 78, and the heater 41 generates heater heat. Therefore, in the first supply state, only the heater heat generated by the heater 41 is applied to the treatment target, and the heater heat is mainly applied from the second electrode 32 to the treatment target.
  • the electrical paths 79, 80 are electrically connected to the electrical paths 75, 76. For this reason, in the second supply state, electric energy is supplied to the heater 72 and the heater 72 generates heater heat. Even in the second supply state, heater power is supplied from the heater power supply 53 to the heater 41, and the heater 41 generates heater heat. Therefore, in the second supply state, both the heater heat generated by the heater 41 and the heater heat generated by the heater 72 are applied to the treatment target, and the heater heat is applied to both the second electrode 32 and the third electrode 33. Is given to the treatment target.
  • a region where the temperature is relatively high is a region relatively close to the second electrode 32 (the gripping piece 11 which is the second gripping piece). Located in. In the second temperature distribution formed in the incision mode, the relatively high temperature region is relatively close to the gripping piece 11 that is the second gripping piece (in this modification example, the first 2) (region close to the second electrode 32). Therefore, also in this modification, in the incision mode, the region where the temperature is relatively high in the first temperature distribution is located in the region where the temperature is relatively high in the second temperature distribution. For this reason, also in this modified example, a treatment target such as a blood vessel is rapidly incised as in the second embodiment.
  • the supply state of electric energy to the heaters 41 and 72 is the first supply state, and only the heater 41 generates heater heat. Therefore, in the incision mode, the heater heat is applied to the treatment target from the second electrode 32 located mainly in the center in the width direction on the gripping surface 21. Thereby, in the incision mode, the heater heat is applied intensively from the second electrode 32 to a region where the temperature is relatively high in the first temperature distribution caused by the high-frequency current. Therefore, the treatment target is incised more rapidly.
  • the region where the temperature is relatively high is the first electrode 31 (the grip piece 12 which is the first grip piece). Located in an area close to.
  • the region having a relatively high temperature is located in a region relatively close to the gripping piece 11. Therefore, also in this modification, in the sealing mode, the region where the temperature is relatively high in the first temperature distribution is located in the region where the temperature is relatively low in the second temperature distribution. For this reason, also in this modified example, similar to the second embodiment, occurrence of temperature unevenness in the treatment target is suppressed, and the sealing performance of the treatment target such as a blood vessel is improved.
  • the supply state of electric energy to the heaters 41 and 72 becomes the second supply state, and heater heat is generated in both the heater 41 and the heater 72. Therefore, in the sealing mode, heater heat is applied to the treatment target from both the second electrode 32 and the third electrode 33 on the gripping surface 21. For this reason, in the treatment target, the heater heat is transmitted over a wide range in the width direction of the end effector 5. Accordingly, in the sealing mode, the occurrence of temperature unevenness is suppressed over a wide range in the width direction of the end effector 5 in the treatment target, and the sealing performance of the treatment target is improved over a wide range in the width direction of the end effector 5. To do.
  • the processor 51 In the first embodiment, the second embodiment, and the modifications thereof, the processor 51 generates high-frequency power to the bipolar electrode 30 between two supply states (a first supply state and a second supply state).
  • the supply state can be switched.
  • region where temperature is relatively high in the 1st temperature distribution formed in one side of a supply state is located in the area
  • the region having a relatively high temperature in the first temperature distribution formed in the other of the supply states is located in a region having a relatively high temperature in the second temperature distribution.
  • FIG. 17 is a view showing the end effector 5 in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis C.
  • the gripping piece 12 is provided with a first electrode 31, and the gripping piece 11 is provided with a second electrode 32.
  • the third electrode 33 is not provided on the end effector 5 (bipolar electrode 30).
  • the grip piece 12 provided with the first electrode 31 is referred to as a first grip piece
  • the grip piece 11 provided with the second electrode 32 is referred to as a second grip piece.
  • the surface area of the first electrode 31 is larger than the surface area of the second electrode 32.
  • a projection (not shown) formed from an electrically insulating material is provided on at least one surface of the electrodes 31 and 32. The protrusions effectively prevent the first electrode 31 from contacting the second electrode 32.
  • a heater 41 that is a treatment energy source is provided on the gripping piece 12 that is the first gripping piece.
  • the heater (first heater) 41 is disposed on the back surface 26 side of the first electrode 31 in the gripping piece 12. Heater heat generated by the heater 41 is transmitted to the first electrode 31 and applied to the treatment target gripped from the first electrode 31.
  • the gripping piece 11 that is the second gripping piece is provided with a heater 81 that is a treatment energy source different from the heater 41.
  • the heater (second heater) 81 is disposed on the back surface 22 side of the second electrode 32 in the gripping piece 11. The heater heat generated by the heater 81 is transmitted to the second electrode 32 and applied to the treatment target gripped from the second electrode 32.
  • FIG. 18 is a diagram showing a configuration for controlling the supply of high-frequency power to the bipolar electrode 30 and the supply of electrical energy to the heater 41 in the present embodiment.
  • the high-frequency power source 57 is electrically connected to the first electrode 31 via the electric path 82 and electrically connected to the second electrode 32 via the electric path 83.
  • Each of the electrical paths 82 and 83 extends through the inside of the cable 15, the inside of the housing 4, and the inside of the shaft 3.
  • the high frequency power output from the high frequency power source 57 is supplied to the first electrode 31 through the electric path 82 and is supplied to the second electrode 32 through the electric path 83.
  • the first electrode 31 and the second electrode 32 have different potentials with respect to each other, and a high-frequency current flows through the treatment target grasped between the first electrode 31 and the second electrode 32. .
  • the power supply device 17 is provided with a supply switching unit 85 formed of a switch circuit or the like instead of the supply switching unit 61.
  • the supply switching unit 85 is electrically connected to the heater power supply 53 via electric paths 86 and 87 provided in the power supply device 17.
  • the supply switching unit 85 is electrically connected to the heater (first heater) 41 via the electric paths 88 and 89 and connected to the heater (second heater) 81 via the electric paths 90 and 91. Electrically connected.
  • Each of the electrical paths 88 to 91 extends through the cable 15, the housing 4, and the shaft 3.
  • the processor 51 controls the operation of the supply switching unit 85.
  • the processor 51 controls the supply of electric energy to the heaters 41 and 81 by controlling the output from the heater power supply 53 and the operation of the supply switching unit 85.
  • the supply state of electric energy to the heaters 41 and 81 is switched between the first supply state and the second supply state.
  • the processor 51 sets the supply state of electric energy to the heaters 41 and 81 to the first supply state in the sealing mode, and supplies the electric energy to the heaters 41 and 81 in the cutting mode. To the second supply state.
  • the electrical paths 88 and 89 are electrically connected to the electrical paths 86 and 87, and the electrical paths 90 and 91 are electrically connected to the electrical paths 86 and 87. Blocked.
  • electric energy is supplied only to the heater (first heater) 41 and no electric energy is supplied to the heater (second heater) 81. Therefore, in the first supply state, heater heat is generated only in the heater 41, and no heater heat is generated in the heater 81. Since the heater heat is generated only in the heater 41, in the first supply state, the heater heat is applied to the treatment target from the first electrode 31 (the grip piece 12 which is the first grip piece).
  • the electrical paths 90 and 91 are electrically connected to the electrical paths 86 and 87, and the electrical paths 88 and 89 are electrically connected to the electrical paths 86 and 87. Blocked.
  • electric energy is supplied only to the heater (second heater) 81 and no electric energy is supplied to the heater (first heater) 41. Therefore, in the second supply state, heater heat is generated only in the heater 81, and no heater heat is generated in the heater 41. Since the heater heat is generated only in the heater 81, in the second supply state, the heater heat is applied to the treatment target from the second electrode 32 (the gripping piece 11 which is the second gripping piece).
  • FIG. 19A shows an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state where output is performed from the power supply device 17 in the sealing mode
  • FIG. 19B is an output from the power supply device 17 in the sealing mode.
  • An example of the second temperature distribution formed on the treatment target in the state where the operation is performed is shown.
  • FIG. 20 shows the temperature distribution formed on the treatment target by both the high-frequency current and the heater heat in a state where the output is performed from the power supply device 17 in the sealing mode (that is, the first temperature distribution of FIG. 19A). And a temperature distribution obtained by synthesizing the second temperature distribution of FIG. 19B).
  • FIG. 21A shows an example of a first temperature distribution formed on the treatment target in a state in which output is performed from the power supply device 17 in the incision mode
  • FIG. 21B is an output from the power supply device 17 in the incision mode.
  • An example of the second temperature distribution formed on the treatment target in the state where the operation is performed is shown.
  • FIG. 22 shows the temperature distribution formed on the treatment target by both the high-frequency current and the heater heat (ie, the first temperature distribution of FIG.
  • FIG. 21B shows an example of a temperature distribution obtained by synthesizing the second temperature distribution of FIG. 21B.
  • the surface area of the first electrode 31 is larger than the surface area of the second electrode 32.
  • the region that is relatively close to the second electrode 32 (the gripping piece 11) in the treatment target is a region in which the current density of the high-frequency current is relatively high.
  • a region close to one electrode 31 (gripping piece 12) is a region where the current density of the high-frequency current is relatively low.
  • the region S9 having a relatively high temperature in the treatment target is relatively formed by the second electrode 32 (second gripping).
  • the region that is located near the gripping piece 11) that is a piece and the temperature of the treatment target is relatively low is the region that is relatively close to the first electrode 31 (the gripping piece 12 that is the first gripping piece).
  • the relatively high temperature region S9 is indicated by dot hatching. Also in the region S9, the temperature rises as the second electrode 32 is approached.
  • the heater heat is generated only in the heater 41, and the heater heat is applied to the treatment target from the first electrode 31 of the grip piece (first grip piece) 12. And in a treatment object, heater heat is transmitted toward the holding piece 11 side from the holding piece 12 side.
  • the region S10 having a relatively high temperature in the treatment target is relatively formed by the first electrode 31 (first gripping).
  • a region located near the grasping piece 12), which is a piece, and a region where the temperature is relatively low in the treatment target is located relatively close to the grasping piece 11 which is the second grasping piece.
  • the region S10 having a relatively high temperature is indicated by dot hatching. Also in the region S10, the temperature rises as the first electrode 31 is approached.
  • the first temperature in the present embodiment is the same as that in the first embodiment in the sealing mode.
  • the region S9 having a relatively high temperature in the distribution is located in a region having a relatively low temperature in the second temperature distribution.
  • the region S10 having a relatively high temperature in the second temperature distribution is located in a region having a relatively low temperature in the first temperature distribution.
  • the range that becomes the high temperature region S9 of the first temperature distribution of FIG. 19A or the high temperature region S10 of the second temperature distribution of FIG. 19B is indicated by dot hatching.
  • the sealing mode as shown in the temperature distribution of FIG.
  • the region S11 having a relatively high temperature in the treatment target in the first temperature distribution formed in the incision mode, similarly to the first temperature distribution formed in the sealing mode, there is a region S11 having a relatively high temperature in the treatment target.
  • the region relatively close to the second electrode 32 (the grasping piece 11 that is the second grasping piece) and having a relatively low temperature in the treatment target is the relatively first grasping piece. It is located in a region close to the gripping piece 12.
  • the output state of the high frequency power from the high frequency power source 57 may be different from that in the sealing mode.
  • the temperature of the treatment target in the second temperature distribution formed in the incision mode is different from the temperature of the treatment target in the second temperature distribution formed in the sealing mode.
  • the region S11 having a relatively high temperature is indicated by dot hatching. Also in the region S11, the temperature rises as the second electrode 32 is approached.
  • the heater heat is generated only by the heater 81, and the heater heat is applied to the treatment target from the second electrode 32 of the grip piece (second grip piece) 11. And in a treatment object, heater heat is transmitted toward the holding piece 12 side from the holding piece 11 side. For this reason, as shown in FIG. 21B, in the second temperature distribution formed in the incision mode, the region S12 having a relatively high temperature in the treatment target is relatively separated from the second electrode 32 (second gripping piece). Is located in a region close to the gripping piece 11), and is located in a region relatively close to the gripping piece 12 as the first gripping piece. In the incision mode (second supply state), it is preferable that the output from the heater power supply 53 is higher than that in the sealing mode (first supply state).
  • the temperature of the heater 81 in the incision mode is higher than the temperature of the heater 41 in the sealing mode. Therefore, the temperature of the treatment target is higher in the second temperature distribution formed in the incision mode than in the second temperature distribution formed in the sealing mode.
  • the relatively high temperature region S12 is indicated by dot hatching. Also in the region S12, the temperature rises as the second electrode 32 is approached.
  • the first temperature distribution and the second temperature distribution are formed in the incision mode as described above, in the present embodiment, in the incision mode, in the first temperature distribution, as in the first embodiment.
  • the relatively high temperature region S11 is located in the relatively high temperature region S12 in the second temperature distribution.
  • the region where the temperature is relatively low in the second temperature distribution is located in the region where the temperature is relatively low in the first temperature distribution.
  • a range that becomes the high temperature region S11 of the first temperature distribution of FIG. 21A and the high temperature region S12 of the second temperature distribution of FIG. 21B is indicated by dot hatching.
  • the processor 51 can switch the supply state of electric energy to the heaters 41 and 81 that are treatment energy sources between two supply states (first supply state and second supply state). It is. And the area
  • FIG. 23 is a view showing the end effector 5 in a cross section substantially perpendicular to the direction along the longitudinal axis C.
  • the gripping piece 12 is provided with a first electrode 31, and the gripping piece 12 is provided with a second electrode 32.
  • the holding piece 11 provided with the first electrode 31 is referred to as a first holding piece
  • the holding piece 12 provided with the second electrode 32 is referred to as a second holding piece.
  • the surface area of the first electrode 31 is larger than the surface area of the second electrode 32.
  • a protrusion (not shown) formed from an electrically insulating material is provided on at least one surface of the electrodes 31 and 32.
  • the high frequency power is supplied from the high frequency power source 57 to the electrodes 31 and 32, whereby the first electrode 31 and the second electrode 32 have different potentials with respect to each other, and the first electrode 31.
  • a high-frequency current flows through the treatment target grasped between the first electrode 32 and the second electrode 32.
  • a heater 41 that is a treatment energy source is provided on the gripping piece 11 that is the first gripping piece.
  • the heater 41 is disposed on the back surface 22 side of the first electrode 31 in the gripping piece 11.
  • the heater 41 By supplying electric energy from the heater power source 53 to the heater 41, the heater 41 generates heater heat. Heater heat generated by the heater 41 is transmitted to the first electrode 31 and applied to the treatment target gripped from the first electrode 31.
  • FIG. 24A shows an example of a first temperature distribution formed in the treatment target due to the high-frequency current flowing between the electrodes 31 and 32
  • FIG. 24B shows the treatment due to the heater heat generated in the heater 41.
  • An example of the 2nd temperature distribution formed in object is shown.
  • FIG. 25 shows the temperature distribution formed in the treatment object by both the high-frequency current and the heater heat in the state where the output from the power supply device 17 is performed (that is, the first temperature distribution in FIG. 24A and the temperature distribution in FIG. 24B).
  • An example of a temperature distribution obtained by synthesizing the second temperature distribution is shown.
  • the surface area of the first electrode 31 is larger than the surface area of the second electrode 32.
  • the region relatively close to the second electrode 32 (grip piece 12) in the treatment target is a region in which the current density of the high-frequency current is relatively high
  • the first electrode 31 The region close to the gripping piece 11
  • the region S13 having a relatively high temperature in the treatment target is the second electrode 32 (the grip piece 12 that is the second grip piece).
  • the region where the temperature is relatively low in the treatment target is located in a region relatively close to the first electrode 31 (the grasping piece 11 which is the first grasping piece).
  • the relatively high temperature region S13 is indicated by dot hatching.
  • the heater heat generated by the heater 41 is applied to the treatment target from the first electrode 31 of the gripping piece 11 that is the first gripping piece.
  • heater heat is transmitted toward the holding piece 12 side from the holding piece 11 side.
  • the region S14 having a relatively high temperature in the treatment target is the first electrode 31 (the gripping piece 11 which is the first gripping piece).
  • the region where the temperature is relatively low in the treatment target is located in a region relatively close to the grasping piece 12 which is the second grasping piece.
  • the region S14 having a relatively high temperature is indicated by dot hatching. Also, in the region S14, the temperature rises as the first electrode 31 is approached.
  • the region S13 in which the temperature is relatively high in the first temperature distribution is relatively in the second temperature distribution. Located in a region where the temperature is low.
  • the region S14 having a relatively high temperature in the second temperature distribution is located in a region having a relatively low temperature in the first temperature distribution.
  • the range that becomes the high temperature region S13 of the first temperature distribution of FIG. 24A or the high temperature region S14 of the second temperature distribution of FIG. 24B is indicated by dot hatching. Actually, in the state where the treatment is performed outside, as shown in the temperature distribution of FIG.
  • the temperature range is the high temperature region S14. Since the temperature distribution as described above is formed, also in the present embodiment, in the treatment of simultaneously applying the high-frequency current and the heater heat to the treatment target and sealing the treatment target, the treatment target is the same as in the first embodiment. The occurrence of temperature unevenness is suppressed, and the sealing performance of a treatment target such as a blood vessel is improved.
  • the processor 51 switches the output of electric energy from the power supply device 17 to the energy treatment device 2 between the sealing mode and the incision mode based on the operation with the operation member 18.
  • the processor 51 starts outputting electric energy to the energy treatment device 2 in the sealing mode. Then, when the impedance to be treated and the duration of the output satisfy predetermined conditions, the processor 51 ends the output in the sealing mode and automatically switches to the output in the incision mode.
  • heaters (41; 41, 72; 41, 81) are provided as treatment energy sources, but the present invention is not limited to this.
  • an ultrasonic transducer 93 is provided as a treatment energy source instead of the heater (41; 41, 72; 41, 81).
  • the ultrasonic transducer 93 is provided, for example, inside the housing 4, and a rod member (probe) 94 is connected to the distal end side of the ultrasonic transducer s 93.
  • the rod member 94 is made of a material having a high vibration transmission property.
  • the rod member 94 is inserted through, for example, the shaft 3, and in the rod member 94, a protruding portion from the distal end of the shaft 3 to the distal end side becomes the gripping piece 11.
  • an ultrasonic power source 95 is provided in the power supply device 17 instead of the heater power source 53, and the ultrasonic power source 95 is electrically connected to the ultrasonic transducer 93 via the electrical paths 96 and 97. .
  • electrical energy AC power having a frequency within a predetermined frequency range
  • the ultrasonic vibration is transmitted to one of the gripping pieces 11 and 12 (the gripping piece 11 in this modification), and is applied to the treatment target to be gripped. At this time, frictional heat is generated between the grasping piece (11 or 12) to which the ultrasonic vibration is transmitted and the treatment target.
  • the processor 51 controls the output of electrical energy from the ultrasonic power source 95.
  • the entire facing surface 21 of the gripping piece 11 becomes the first electrode 21, and the second electrode 32 and the third electrode 33 are arranged on the gripping piece 12 as in the first embodiment.
  • the An ultrasonic transducer 93 is provided instead of the heater 41. Then, the ultrasonic vibration generated by the ultrasonic transducer 93 is transmitted to the grip piece (first grip piece) 11 provided with the first electrode 31.
  • the surface area of the first electrode 31 is larger than the surface area of the second electrode 32 and larger than the surface area of the third electrode 33.
  • the surface area of the first electrode 31 is smaller than the total area of the surface area of the second electrode 32 and the surface area of the third electrode 33.
  • a relatively high temperature region in the treatment target is relatively high. 1 is located in a region close to the electrode 31 (the gripping piece 11 that is the first gripping piece), and the region where the temperature is relatively low in the treatment target is relatively close to the gripping piece 12 that is the second gripping piece Located in the area.
  • the first temperature distribution formed on the treatment target due to the high-frequency current is the same as that in the first embodiment. Therefore, also in the present embodiment, in the sealing mode, the region where the temperature is relatively high in the first temperature distribution is located in the region where the temperature is relatively low in the second temperature distribution. In the incision mode, the region having a relatively high temperature in the second temperature distribution is located in a region having a relatively high temperature in the first temperature distribution.
  • the bipolar electrode (30) causes a high-frequency current to flow through the treatment target between the pair of gripping pieces (11, 12) when high-frequency power is supplied.
  • a first temperature distribution is formed.
  • the treatment energy source (41; 41, 72; 41, 81) generates treatment energy different from the high-frequency current when electric energy is supplied, and gives the treatment energy generated to the treatment target.
  • the second temperature distribution resulting from the treatment energy is formed in the treatment target.
  • the bipolar electrode (30) and the treatment energy source (41; 41, 72; 41, 81) are arranged such that a region having a relatively high temperature in the first temperature distribution is a region having a relatively low temperature in the second temperature distribution. It is possible to simultaneously apply a high-frequency current and treatment energy to the treatment target in the positioned state.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention in the implementation stage.
  • the embodiments may be appropriately combined as much as possible, and in that case, the combined effect can be obtained.
  • the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements.

Abstract

バイポーラ電極は、一対の把持片の間で処置対象を通して高周波電流を流し、前記処置対象において高周波電流に起因する第１の温度分布を形成する。処置エネルギー源は、前記高周波電流とは別の処置エネルギーを前記処置対象に付与させることにより、前記処置対象において前記処置エネルギーに起因する第２の温度分布を形成する。前記バイポーラ電極及び前記処置エネルギー源は、前記第１の温度分布において相対的に温度の高い領域が前記第２の温度分布において相対的に温度の低い領域に位置する状態を、形成可能である。

Description

エネルギー処置具及び処置システム
　本実施形態は、一対の把持片の間で把持される処置対象に処置エネルギーを付与することにより処置対象を処置するエネルギー処置具に関する。また、そのエネルギー処置具が用いられる処置システムに関する。
　ＷＯ２０１６／０８０１４７Ａ１には、一対の把持片の間で処置対象を把持し、把持される処置対象に処置エネルギーを付与するエネルギー処置具が開示されている。このエネルギー処置具では、把持片のそれぞれに電極が設けられ、２つの電極によってバイポーラ電極が形成される。バイポーラ電極に高周波電力が供給されることにより、２つの電極は互いに対して電位が異なる状態になり、電極の間で処置対象を通して高周波電流が流れる。また、把持片の一方には、ヒータが設けられる。ヒータに電気エネルギー（ヒータ電力）が供給されることにより、ヒータにおいてヒータ熱が高周波電流とは別の処置エネルギーとして発生し、ヒータ熱が把持片の一方から処置対象に付与される。
　ＷＯ２０１６／０８０１４７Ａ１のようなエネルギー処置具を用いた処置として、高周波電流及びヒータ熱等の高周波電流とは別の処置エネルギーを同時に把持される処置対象に付与し、血管等の処置対象を封止することがある。この際、封止品質を安定させることが求められている。
　本発明の目的とするところは、処置対象の封止品質を安定させるエネルギー処置具を提供することにある。また、本発明が目的とするところは、そのエネルギー処置具を備える処置システムを提供することにある。
　前記目的を達成するため、本発明のある態様のエネルギー処置具は、第１の把持片と、前記第１の把持片に対して相対的に開閉可能であり、前記第１の把持片との間で処置対象を把持可能な第２の把持片と、高周波電力が供給されることにより、前記第１の把持片と前記第２の把持片との間で前記処置対象を通して高周波電流を流し、前記処置対象において前記高周波電流に起因する第１の温度分布を形成するバイポーラ電極と、電気エネルギーが供給されることにより、前記高周波電流とは別の処置エネルギーを生成するとともに、生成した前記処置エネルギーを前記処置対象に付与させることにより、前記処置対象において前記処置エネルギーに起因する第２の温度分布を形成する処置エネルギー源と、を備え、前記バイポーラ電極及び前記処置エネルギー源は、前記第１の温度分布において相対的に温度の高い領域が前記第２の温度分布において相対的に温度の低い領域に位置する状態に、前記処置対象に前記高周波電流及び前記処置エネルギーを同時に付与させることが可能である。
図１は、第１の実施形態に係るエネルギー処置具が用いられる処置システムを示す概略図である。 図２は、第１の実施形態に係るエンドエフェクタを長手軸に沿う方向に対して略垂直な断面で示す概略図である。 図３は、第１の実施形態に係るバイポーラ電極への高周波電力の供給及びヒータへの電気エネルギーの供給を制御する構成を概略的に示すブロック図である。 図４Ａは、第１の実施形態に係る電源装置から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示す概略図である。 図４Ｂは、第１の実施形態に係る電源装置から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す概略図である。 図５は、第１の実施形態に係る電源装置から封止モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布の一例を示す概略図である。 図６Ａは、第１の実施形態に係る電源装置から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示す概略図である。 図６Ｂは、第１の実施形態に係る電源装置から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す概略図である。 図７は、第１の実施形態に係る電源装置から切開モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布の一例を示す概略図である。 図８は、第１の実施形態のある変形例に係るエンドエフェクタを長手軸に沿う方向に対して略垂直な断面で示す概略図である。 図９は、第２の実施形態に係るエンドエフェクタを長手軸に沿う方向に対して略垂直な断面で示す概略図である。 図１０Ａは、第２の実施形態に係る電源装置から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示す概略図である。 図１０Ｂは、第２の実施形態に係る電源装置から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す概略図である。 図１１は、第２の実施形態に係る電源装置から切開モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布の一例を示す概略図である。 図１２Ａは、第２の実施形態に係る電源装置から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示す概略図である。 図１２Ｂは、第２の実施形態に係る電源装置から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す概略図である。 図１３は、第２の実施形態に係る電源装置から封止モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布の一例を示す概略図である。 図１４は、第２の実施形態の第１の変形例に係るエンドエフェクタを長手軸に沿う方向に対して略垂直な断面で示す概略図である。 図１５は、第２の実施形態の第２の変形例に係るエンドエフェクタを長手軸に沿う方向に対して略垂直な断面で示す概略図である。 図１６は、第２の実施形態の第２の変形例に係るヒータ電源とヒータとの間の電気的な接続状態を概略的に示すブロック図である。 図１７は、第３の実施形態に係るエンドエフェクタを長手軸に沿う方向に対して略垂直な断面で示す概略図である。 図１８は、第３の実施形態に係るバイポーラ電極への高周波電力の供給及びヒータへの電気エネルギーの供給を制御する構成を概略的に示すブロック図である。 図１９Ａは、第３の実施形態に係る電源装置から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示す概略図である。 図１９Ｂは、第３の実施形態に係る電源装置から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す概略図である。 図２０は、第３の実施形態に係る電源装置から封止モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布の一例を示す概略図である。 図２１Ａは、第３の実施形態に係る電源装置から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示す概略図である。 図２１Ｂは、第３の実施形態に係る電源装置から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す概略図である。 図２２は、第３の実施形態に係る電源装置から切開モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布の一例を示す概略図である。 図２３は、第４の実施形態に係るエンドエフェクタを長手軸に沿う方向に対して略垂直な断面で示す概略図である。 図２４Ａは、第４の実施形態に係る電極の間に流れる高周波電流に起因して処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示す概略図である。 図２４Ｂは、第４の実施形態に係るヒータで発生するヒータ熱に起因して処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す概略図である。 図２５は、第４の実施形態に係る電源装置から出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布の一例を示す概略図である。 図２６は、第１の実施形態乃至第４の実施形態のある変形例に係るエンドエフェクタを長手軸に沿う方向に対して略垂直な断面で示す概略図である。 図２７は、図２６に示す変形例に係るバイポーラ電極への高周波電力の供給及び超音波トランスデューサへの電気エネルギーの供給を制御する構成を概略的に示すブロック図である。
　（第１の実施形態）　
　本発明の第１の実施形態について、図１乃至図７を参照して説明する。図１は、本実施形態のエネルギー処置具２が用いられる処置システム１を示す図である。図１に示すように、エネルギー処置具２は、シャフト３、ハウジング４及びエンドエフェクタ５を備える。シャフト３は、中心軸として長手軸Ｃを有し、長手軸Ｃに沿って延設される。ここで、長手軸Ｃに沿う方向の一方側を先端側（矢印Ｃ１側）とし、先端側とは反対側を基端側（矢印Ｃ２側）とする。ハウジング４は、シャフト３の基端側に連結される。また、エンドエフェクタ５は、シャフト３の先端部に設けられる。
　ハウジング４は、長手軸Ｃに対して交差する方向に沿って延設されるグリップ７を備え、ハウジング４には、ハンドル８が回動可能に取付けられる。ハンドル８がハウジング４に対して回動することにより、ハンドル８がグリップ７に対して開く又は閉じる。エンドエフェクタ５は、一対の把持片（ジョー）１１，１２を備える。ここで、ある実施例では、把持片１１，１２の一方が、シャフト３と一体に形成されるか、又は、シャフト３に固定され、把持片１１，１２の他方が、シャフト３に回動可能に取付けられる。また、別のある実施例では、把持片１１，１２の両方が、シャフト３に対して回動可能に取付けられる。さらに別のある実施例では、シャフト３の内部を通ってロッド部材（図示しない）が延設され、ロッド部材は、シャフト３の先端から先端側に突出する。そして、ロッド部材においてシャフト３からの突出部分が、把持片１１，１２の一方を形成する。また、把持片１１，１２の他方は、シャフト３に回動可能に取付けられる。
　シャフト３の内部又は外部には、可動部材１３が基端側から先端側に向かって延設され、可動部材１３の先端部は、エンドエフェクタ５に接続される。また、可動部材１３の基端部は、ハウジング４の内部においてハンドル８に連結される。ハンドル８をグリップ７に対して開く又は閉じることにより、可動部材１３が長手軸Ｃに沿って移動する。これにより、把持片１１，１２の少なくとも一方がシャフト３に対して回動し、把持片１１，１２の間が開く又は閉じる。把持片１１，１２の間が開閉可能であるため、生体組織等の処置対象を把持片１１，１２の間で把持可能となる。なお、エンドエフェクタ５の開動作及び閉動作のそれぞれにおける動作方向（矢印Ｙ１及び矢印Ｙ２で示す方向）は、長手軸Ｃに沿う方向に対して交差する（略垂直である）。
　エネルギー処置具２のハウジング４には、ケーブル１５の一端が接続される。ケーブル１５の他端は、エネルギー処置具２とは別体の電源装置１７に接続される。また、エネルギー処置具２が用いられる処置システム１には、操作部材１８が設けられる。図１の実施例では、操作部材１８は、エネルギー処置具２とは別体のフットスイッチであり、電源装置１７に電気的に接続される。操作部材１８での操作に基づいて、電源装置１７は、エネルギー処置具２に電気エネルギーを供給する。なお、操作部材１８では、処置対象の封止に適した出力状態で、すなわち、封止モードで、エネルギー処置具２へ電気エネルギーを出力させる操作を、入力可能である。そして、操作部材１８では、処置対象の切開に適した出力状態で、すなわち、切開モードで、エネルギー処置具２へ電気エネルギーを出力させる操作を、入力可能である。また、ある実施例では、操作部材１８として、フットスイッチの代わりに、又は、フットスイッチに加えて、ハウジング４に取付けられる操作ボタン等が設けられる。
　図２は、エンドエフェクタ５を長手軸Ｃに沿う方向に対して略垂直な断面で示す図である。ここで、長手軸Ｃに沿う方向に交差し（略垂直で）、かつ、開動作及び閉動作のそれぞれにおけるエンドエフェクタ５の動作方向に交差する（略垂直な）方向として、エンドエフェクタ５の幅方向（矢印Ｗ１及び矢印Ｗ２で示す方向）を規定する。図２に示すように、把持片１１は、把持片１２に対向する把持面２１と、把持面２１とは反対側を向く背面２２と、を備える。また、把持片１２は、把持片１１（把持面２１）に対向する把持面２５と、把持面２５とは反対側を向く背面２６と、を備える。
　把持片１１は、支持体２３を備え、把持片１２は、支持体２８を備える。支持体２３，２８のそれぞれでは、少なくとも表面が、電気的絶縁性を有する材料から形成される。支持体２３は、長手軸Ｃに沿う方向について把持片１１の基端部から先端部までに渡って、連続して延設される。また、支持体２３は、把持片１１の背面２２を形成するとともに、把持面２１の一部を形成する。支持体２８は、長手軸Ｃに沿う方向について把持片１２の基端部から先端部までに渡って、連続して延設される。また、支持体２８は、把持片１２の背面２６を形成するとともに、把持面２５の一部を形成する。
　把持片１１には、第１の電極３１が設けられ、把持片１２には、第２の電極３２及び第３の電極３３が設けられる。第１の電極３１は、把持片１１の把持面２１の一部を形成し、第２の電極３２及び第３の電極３３のそれぞれは、把持片１２の把持面２５の一部を形成する。電極３１～３３のそれぞれは、導電材料から形成され、熱伝導性の高い材料から形成される。エンドエフェクタ５では、電極３１～３３によってバイポーラ電極３０が形成される。バイポーラ電極３０に電気エネルギーとして高周波電力が供給されることにより、把持片１１，１２の間で把持される処置対象を通して高周波電流が流れる。これにより、処置対象に処置エネルギーとして高周波電流が付与される。なお、本実施形態では、第１の電極３１が設けられる把持片１１を第１の把持片とし、第２の電極３２が設けられる把持片１２を第２の把持片とする。
　本実施形態では、第１の電極３１は、長手軸Ｃに沿う方向について把持片１１の基端部から先端部までに渡って、連続して延設される。また、第２の電極３２及び第３の電極３３のそれぞれは、長手軸Ｃに沿う方向について把持片１２の基端部から先端部までに渡って、連続して延設される。そして、電極３１～３３は、長手軸Ｃに沿う方向について互いに対して略同一の範囲に渡って、延設される。したがって、電極３１～３３では、長手軸Ｃに沿う方向についての寸法が、互いに対して略同一になる。
　把持面２１では、エンドエフェクタ５の幅方向について中央部に、第１の電極３１が配置される。そして、把持面２１では、エンドエフェクタ５の幅方向について第１の電極３１の外側に、絶縁対向面３５が設けられる。絶縁対向面３５は、支持体２３の表面から形成され、電気的絶縁性を有する。また、絶縁対向面３５は適宜の耐熱性を有する。そして、絶縁対向面３５は、エンドエフェクタ５の幅方向について第１の電極３１の両側に、形成される。
　把持面２５では、エンドエフェクタ５の幅方向について中央部に、受け面３７が形成される。受け面３７は、支持体２８の表面から形成され、電気的絶縁性を有する。受け面３７は適宜の耐熱性を有する。また、把持面２５では、エンドエフェクタ５の幅方向について受け面３７の外側に、第３の電極３３が設けられる。本実施形態では、第３の電極３３は、エンドエフェクタ５の幅方向について受け面３７の両側に、隣接する。また、把持面２５では、エンドエフェクタ５の幅方向について第３の電極３３の外側に、第２の電極３２が設けられる。本実施形態では、第２の電極３２は、エンドエフェクタ５の幅方向について受け面３７に対して離れた位置で、かつ、受け面３７の両側に、形成される。なお、第２の電極３２と第３の電極３３との間には、電気絶縁性を有する膜状部材（図示しない）等が配設される。このため、第２の電極３２と第３の電極３３との間の電気的な導通は、防止される。
　把持片１１，１２の間が閉じることにより、把持片１１の第１の電極３１は、把持片１２の受け面３７に当接可能となる。第１の電極３１が受け面３７に当接した状態では、第１の電極３１は、第２の電極３２及び第３の電極３３に対して離間し、第２の電極３２及び第３の電極３３と接触しない。したがって、エンドエフェクタ５では、第１の電極３１の第２の電極３２及び第３の電極３３への接触が有効に防止される。
　本実施形態では、幅方向についての第１の電極３１の寸法Ｂ１は、幅方向についての第２の電極３２の寸法（Ｂ２ａ＋Ｂ２ｂ）に比べて、大きい。また、幅方向についての第１の電極３１の寸法Ｂ１は、幅方向についての第３の電極３３の寸法（Ｂ３ａ＋Ｂ３ｂ）に比べて、大きい。ただし、幅方向についての第１の電極の寸法Ｂ１は、幅方向についての第２の電極３２の寸法（Ｂ２ａ＋Ｂ２ｂ）と幅方向についての第３の電極寸法（Ｂ３ａ＋Ｂ３ｂ）との合計寸法（Ｂ２ａ＋Ｂ２ｂ＋Ｂ３ａ＋Ｂ３ｂ）に比べて、小さい。ここで、前述のように、電極３１～３３では、長手軸Ｃに沿う方向についての寸法が、互いに対して略同一になる。したがって、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積に比べて大きく、第３の電極３３の表面積に比べて大きい。そして、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積と第３の電極３３の表面積との合計面積に比べて、小さい。
　また、本実施形態では、第１の把持片となる把持片１１には、ヒータ（発熱体）４１が設けられる。ヒータ４１は、電気エネルギーが供給されることにより、高周波電流とは別の処置エネルギーとしてヒータ熱を生成する処置エネルギー源となる。本実施形態では、ヒータ４１は、把持片１１において、エンドエフェクタ５の幅方向について中央部に、配置される。また、ヒータ４１は、第１の電極３１の背面２６側に配置される。ヒータ４１で生成されたヒータ熱は、第１の電極３１に伝達され、第１の電極３１から把持される処置対象に付与される。したがって、本実施形態では、高周波電流とは別の処置エネルギーとしてヒータ熱が、把持片１１から処置対象に付与される。
　図３は、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給及びヒータ４１への電気エネルギーの供給を制御する構成を示す図である。電源装置１７は、プロセッサ（コントローラ）５１及び記憶媒体５２を備える。プロセッサ５１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）又はＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等を含む集積回路等から形成される。プロセッサ５１は、電源装置１７において１つのみ設けられてもよく、電源装置１７において複数設けられてもよい。プロセッサ５１での処理は、プロセッサ５１又は記憶媒体５２に記憶されたプログラムに従って行われる。また、記憶媒体５２には、プロセッサ５１で用いられる処理プログラム、及び、プロセッサ５１での演算で用いられるパラメータ、関数及びテーブル等が記憶される。プロセッサ５１は、フットスイッチ等の操作部材１８での操作入力を検出する。
　電源装置１７は、ヒータ電源５３を備える。ヒータ電源５３は、変換回路及び変圧器等を備え、バッテリー電源又はコンセント電源等からの電力をヒータ４１に供給される電気エネルギーに変換する。ヒータ電源５３は、電気経路５５，５６を介してヒータ４１に電気的に接続される。電気経路５５，５６のそれぞれは、ケーブル１５の内部、ハウジング４の内部及びシャフト３の内部を通って延設される。ヒータ電源５３は、変換した電気エネルギー（ヒータ電力）を出力することにより、出力した電気エネルギーをヒータ４１に供給する。この際、電気エネルギーとして直流電力又は交流電力が、出力される。プロセッサ５１は、ヒータ電源５３からの出力を制御し、ヒータ４１への電気エネルギー（ヒータ電力）の供給を制御する。
　また、電源装置１７は、高周波電源５７を備える。高周波電源５７は、波形生成器、変換回路及び変圧器等を備え、バッテリー電源又はコンセント電源等からの電力をバイポーラ電極４０に供給される電気エネルギーである高周波電力に変換する。高周波電源５７は、変換した高周波電力を出力可能であり、プロセッサ５１は、高周波電源５７からの出力を制御する。また、高周波電源５７は、電気経路５８を介して第１の電極３１に電気的に接続される。電気経路５８は、ケーブル１５の内部、ハウジング４の内部及びシャフト３の内部を通って延設される。
　電源装置１７は、スイッチ回路等から形成される供給切替え部６１を備える。供給切替え部６１は、電源装置１７に設けられる電気経路６２を介して、高周波電源５７に電気的に接続される。また、供給切替え部６１は、電気経路６５を介して第２の電極３２に電気的に接続されるとともに、電気経路６６を介して第３の電極３３に電気的に接続される。電気経路６５，６６のそれぞれは、ケーブル１５の内部、ハウジング４の内部及びシャフト３の内部を通って延設される。プロセッサ５１は、供給切替え部６１の作動を制御する。
　プロセッサ５１は、高周波電源５７からの出力及び供給切替え部６１の作動を制御することにより、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給を制御する。本実施形態では、プロセッサ５１によって供給切替え部６１の作動状態が切替えられることにより、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給状態が、第１の供給状態と第２の供給状態との間で切替えられる。バイポーラ電極３０への高周波電力の供給状態が切替られることにより、第１の供給状態と第２の供給状態との間では、処置対象への高周波電流の付与状態が変化する。
　第１の供給状態では、供給切替え部６１において、電気経路６６と電気経路６２との間の電気的な接続が遮断される。このため、第１の供給状態では、第３の電極３３及び電気経路６６を通して高周波電流が流れず、高周波電源５７から出力された高周波電力は、第３の電極３３に供給されない。この際、高周波電源５７から電気経路５８を介して第１の電極３１に高周波電力が供給されるとともに、高周波電源５７から電気経路６２，６５を介して第２の電極３２に高周波電力が供給される。したがって、第１の供給状態では、第１の電極３１及び第２の電極３２にのみに高周波電力が供給される。そして、第１の供給状態では、第１の電極３１及び第２の電極３２は、互いに対して異なる電位を有し、第１の電極３１と第２の電極３２との間で把持される処置対象を通して高周波電流が流れる。
　第２の供給状態では、供給切替え部６１において、電気経路６６と電気経路６２との間が電気的に接続される。このため、第２の供給状態では、第３の電極３３及び電気経路６６を通して高周波電流が流れ、高周波電源５７から出力された高周波電力は、第３の電極３３に供給される。この際、高周波電源５７から電気経路５８を介して第１の電極３１に高周波電力が供給されるとともに、高周波電源５７から電気経路６２，６５を介して第２の電極３２に高周波電力が供給される。したがって、第２の供給状態では、電極３１～３３の全てに高周波電力が供給される。そして、第２の供給状態では、第１の電極３１は、第２の電極３２及び第３の電極３３に対して異なる電位を有し、第２の電極３２及び第３の電極３３は互いに対して同一の電位になる。これにより、第２の供給状態では、第１の電極３１と第２の電極３２及び第３の電極３３のそれぞれとの間で把持される処置対象を通して高周波電流が流れる。
　なお、電源装置１７には、タッチパネル等の設定部（図示しない）が設けられてもよい。設定部では、例えば、封止モード及び切開モードのそれぞれにおけるヒータ電源５３からの出力レベル、及び、封止モード及び切開モードのそれぞれにおける高周波電源５７からの出力レベルを設定可能である。この場合、プロセッサ５１は、設定部での設定に基づいて、ヒータ電源５３からの出力及び高周波電源５７からの出力を制御する。
　次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。エネルギー処置具２を用いて処置を行う際には、ケーブル１５を介してエネルギー処置具２を電源装置１７に接続する。そして、術者は、ハウジング４を保持し、エンドエフェクタ５を腹腔等の体腔に挿入する。そして、把持片１１，１２の間に血管等の処置対象を位置させた状態で、術者は、ハンドル８をグリップ７に対して閉じる。これにより、把持片１１，１２の間が閉じ、把持片１１，１２の間で処置対象が把持される。そして、処置対象が把持された状態で、術者は、操作部材１８で操作を入力し、封止モード又は切開モードで電源装置１７からエネルギー処置具２へ電気エネルギーが出力させる。これにより、バイポーラ電極３０への高周波電力が供給されるとともに、ヒータ４１への電気エネルギーが供給される。
　バイポーラ電極３０に高周波電力が供給されることにより、前述のように把持片１１，１２の間で処置対象を通して高周波電流が流れ、処置対象に高周波電流が付与される。処置対象に高周波電流が付与されることにより、処置対象では、高周波電流に起因する第１の温度分布が形成される。また、ヒータ４１に電気エネルギーが供給されることにより、高周波電流とは別の処置エネルギーとしてヒータ熱が把持片１１から処置対象に付与される。処置対象にヒータ熱が付与されることにより、処置対象では、ヒータ熱（処置エネルギー）に起因する第２の温度分布が形成される。
　図４Ａは、電源装置１７から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示し、図４Ｂは、電源装置１７から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す。そして、図５は、電源装置１７から封止モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布（すなわち、図４Ａの第１の温度分布及び図４Ｂの第２の温度分布を合成した温度分布）の一例を示す。また、図６Ａは、電源装置１７から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示し、図６Ｂは、電源装置１７から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す。そして、図７は、電源装置１７から切開モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布（すなわち、図６Ａの第１の温度分布及び図６Ｂの第２の温度分布を合成した温度分布）の一例を示す。
　封止モードでは、プロセッサ５１は、供給切替え部６１の作動を制御することにより、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給状態を第１の供給状態にする。このため、第３の電極３３に高周波電力は供給されず、第１の電極３１及び第２の電極３２のみに高周波電力が供給される。したがって、封止モードにおいては、第１の電極３１と第２の電極３２との間では処置対象を通して高周波電流が流れるが、第１の電極３１と第３の電極３３との間では高周波電流が流れない。
　前述のように、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積に比べて、大きい。このため、封止モードでは、処置対象において相対的に第２の電極３２（把持片１２）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が高い領域になり、処置対象において相対的に第１の電極３１（把持片１１）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が低い領域になる。ここで、高周波電流に起因する第１の温度分布では、相対的に高周波電流密度が高い領域が、相対的に温度が高い領域になる。したがって、図４Ａに示すように、封止モードで形成される第１の温度分布、すなわち、第１の供給状態で形成される第１の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ１が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１２）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１１）に近い領域に位置する。なお、図４Ａでは、相対的に温度の高い領域Ｓ１は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ１の中においても、第２の電極３２に近づくほど、温度が上昇する。
　また、封止モードでは、ヒータ４１から第１の電極３１を通してヒータ熱が処置対象に伝達される。したがって、第１の把持片である把持片１１から処置対象にヒータ熱が付与され、処置対象では、ヒータ熱が、把持片１１側から把持片１２側に向かって伝達される。このため、図４Ｂに示すように、封止モードで形成される第２の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ２が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第２の把持片である把持片１２に近い領域に位置する。なお、図４Ｂでは、相対的に温度の高い領域Ｓ２は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ２の中においても、第１の電極３１に近づくほど、温度が上昇する。
　封止モードの際、すなわち、バイポーラ電極３０へ高周波電力が第１の供給状態で供給される際には、前述のように第１の温度分布及び第２の温度分布が形成されるため、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ１が、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。そして、封止モードでは、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ２が、第１の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。このため、封止モードにおいて高周波電流及びヒータ熱が同時に処置対象に付与されている状態では、第１の温度分布の低温領域を第２の温度分布の高温領域Ｓ２で補い、かつ、第２の温度分布の低温領域を第１の温度分布の高温領域Ｓ１で補うことにより、第１の電極３１と第２の電極３２との間の処置対象において、温度分布の偏りを抑制する。したがって、処置対象における温度ムラ（temperature unevenness）の発生が抑制され、処置対象において第１の電極３１と第２の電極３２との間の範囲では、温度が均一又は略均一になる。図５に示す温度分布では、図４Ａの第１の温度分布の高温領域Ｓ１、又は、図４Ｂの第２の温度分布の高温領域Ｓ２になる範囲を、ドットのハッチングで示す。実際に、封止モードでは、図５の温度分布に示すように、把持片１１，１２の間の把持対象において大部分が、第１の温度分布において高温領域Ｓ１になる、又は、第２の温度分布において高温領域Ｓ２になる範囲である。前述のように、本実施形態に係るエネルギー処置具２を用いることにより、第１の温度分布だけが形成される状態、及び、第２の温度分布だけが形成される状態のそれぞれに比べて、第１の電極３１と第２の電極３２との間の処置対象において、温度分布の偏りの発生が抑制され、温度分布の均一化が促進される。処置対象において温度が均一又は略均一になることにより、把持される処置対象の全体に渡って処置対象が適切に変性され、血管等の処置対象の封止性能が向上する。このため、本実施形態に係るエネルギー処置具２を用いることで、封止品質が安定する。
　また、切開モードでは、プロセッサ５１は、供給切替え部６１の作動を制御することにより、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給状態を第２の供給状態にする。このため、電極３１～３３の全てに高周波電力が供給される。第２の電極３２及び第３の電極３３は、高周波電力が供給される際、互いに対して同一の電位となる。したがって、切開モードにおいては、第１の電極３１と第２の電極３２との間で処置対象を通して高周波電流が流れるとともに、第１の電極３１と第３の電極３３との間でも処置対象を通して高周波電流が流れる。
　前述のように、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積と第３の電極の表面積の合計面積に比べて、小さい。このため、切開モードでは、処置対象において相対的に第１の電極３１（把持片１１）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が高い領域になり、処置対象において相対的に第２の電極３２及び第３の電極３３（把持片１２）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が低い領域になる。したがって、図６Ａに示すように、切開モードで形成される第１の温度分布、すなわち、第２の供給状態で形成される第１の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ３が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第２の電極３２及び第３の電極３３（第２の把持片である把持片１２）に近い領域に位置する。なお、図６Ａでは、相対的に温度の高い領域Ｓ３は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ３の中においても、第１の電極３１に近づくほど、温度が上昇する。
　また、切開モードでも、第１の把持片である把持片１１から処置対象にヒータ熱が付与され、処置対象では、ヒータ熱が、把持片１１側から把持片１２側に向かって伝達される。このため、図６Ｂに示すように、切開モードで形成される第２の温度分布でも、封止モードで形成される第２の温度分布と同様に、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ４が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第２の把持片である把持片１２に近い領域に位置する。ただし、切開モードでは、封止モードに比べて、ヒータ電源５３からの出力が高いため、ヒータ４１の温度が高い。したがって、切開モードで形成される第２の温度分布では、封止モードで形成される第２の温度分布に比べて、処置対象の温度が高い。なお、図６Ｂでは、相対的に温度の高い領域Ｓ４は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ４の中においても、第１の電極３１に近づくほど、温度が上昇する。
　切開モードの際、すなわち、バイポーラ電極３０へ高周波電力が第２の供給状態で供給される際には、前述のように第１の温度分布及び第２の温度分布が形成される。このため、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ３が、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ４に位置する。そして、切開モードでは、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域が、第１の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。このため、切開モードにおいて高周波電流及びヒータ熱が同時に処置対象に付与されている状態では、処置対象において相対的に第１の電極３１（把持片１１）に近い領域で、局所的に温度が高くなる。図７に示す温度分布では、図６Ａの第１の温度分布の高温領域Ｓ３、かつ、図４Ｂの第２の温度分布の高温領域Ｓ４になる範囲を、ドットのハッチングで示す。実際に、切開モードでは、図７の温度分布に示すように、把持片１１，１２の間の把持対象において第１の電極３１の近傍のみが、第１の温度分布において高温領域Ｓ３になり、かつ、第２の温度分布において高温領域Ｓ４になる範囲である。処置対象において相対的に第１の電極３１に近い領域で局所的に温度が高くなることにより、ヒータ熱等の処置エネルギーの処置対象への伝達効率が向上し、切開速度が大きくなる。これにより、切開モードにおいて、血管等の処置対象が迅速に切開される。
　（第１の実施形態の変形例）　
　なお、図８に示すある変形例では、把持面２５において、第３の電極３３は、エンドエフェクタ５の幅方向について第２の電極３２の外側に配置される。また、第２の電極３２と第３の電極３３との間は、電気的に絶縁される。この場合も、電極３１～３３の表面積の関係は、第１の実施形態と同様である。また、本変形例でも、封止モード及び切開モードのそれぞれにおいて、第１の実施形態と同様にして、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給及びヒータ４１への電気エネルギーの供給が、プロセッサ５１によって制御される。
　このため、本変形例でも、封止モードにおいて形成される第１の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１２）に近い領域に位置する。そして、封止モードにおいて形成される第２の温度分布では、相対的に温度が低い領域が、相対的に第２の電極３２に近い領域に位置する。したがって、本変形例でも、封止モードでは、高周波電流に起因する第１の温度分布において相対的に温度が高い領域が、ヒータ熱に起因する第２の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。また、本変形例でも、切開モードにおいて形成される第１の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１１）に近い領域に位置する。そして、切開モードにおいて形成される第２の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に第１の電極３１に近い領域に位置する。したがって、本変形例でも、切開モードでは、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域が、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域に位置する。
　したがって、本変形例でも、第１の実施形態と同様の作用及び効果を有する。また、本変形例では、第２の電極３２は、エンドエフェクタ５の幅方向について第３の電極３３の内側に配置される。このため、封止モードでは、第１の電極３１と第２の電極３２との間で高周波電流を流しても、生体組織等において幅方向について把持される処置対象の外側の領域に、高周波電流が侵襲し難くなる。これにより、封止モードでは、生体組織等において幅方向について処置対象の外側の領域への、高周波電流に起因する熱の侵襲が有効に防止される。
　（第２の実施形態）　
　次に、本発明の第２の実施形態について、図９乃至図１３を参照して説明する。第２の実施形態は、前述の実施形態等の構成を次の通り変形したものである。なお、前述の実施形態等と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
　図９は、エンドエフェクタ５を長手軸Ｃに沿う方向に対して略垂直な断面で示す図である。図９に示すように、本実施形態では、把持片１２に、第１の電極３１が設けられ、把持片１１に、第２の電極３２及び第３の電極３３が設けられる。したがって、本実施形態では、第１の電極３１が設けられる把持片１２を第１の把持片とし、第２の電極３２が設けられる把持片１１を第２の把持片とする。把持片１１の把持面２１では、エンドエフェクタ５の幅方向について中央部に、第２の電極３２が配置される。そして、把持面２１では、幅方向について第２の電極３２の外側に、第３の電極３３が設けられる。第３の電極３３は、幅方向について第２の電極３２の両側に、形成される。第２の電極３２と第３の電極３３との間は、電気的に絶縁される。
　把持片１２の把持面２５では、エンドエフェクタ５の幅方向について中央部に、受け面７１が形成される。受け面７１は、支持体２８の表面から形成され、電気的絶縁性を有する。また、把持面２５では、幅方向について受け面７１の外側に、第１の電極３１が設けられる。第１の電極３１は、エンドエフェクタ５の幅方向について受け面７１の両側に、形成される。把持片１１，１２の間が閉じることにより、把持片１１の第２の電極３２は、把持片１２の受け面７１に当接可能となる。第２の電極３２が受け面７１に当接した状態では、第１の電極３１は、第２の電極３２及び第３の電極３３に対して離間し、第２の電極３２及び第３の電極と接触しない。したがって、本実施形態でも、エンドエフェクタ５では、第１の電極３１の第２の電極３２及び第３の電極３３への接触が有効に防止される。
　また、本実施形態では、第２の把持片である把持片１１に処置エネルギー源であるヒータ４１が設けられる。ヒータ４１は、把持片１１において、エンドエフェクタ５の幅方向について中央部に、配置される。また、ヒータ４１は、第２の電極３２の背面２２側に配置される。ヒータ４１で生成されたヒータ熱は、第２の電極３２に伝達され、第２の電極３２から把持される処置対象に付与される。
　本実施形態では、ヒータ４１とヒータ電源５３との間の電気的な接続状態、及び、バイポーラ電極３０と高周波電源５７との間の電気的な接続状態は、第１の実施形態と同様である。ただし、本実施形態では、切開モードにおいて、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給状態が、第１の供給状態になる。このため、切開モードでは、第３の電極３３に高周波電力が供給されず、第１の電極３１及び第２の電極３２にのみに高周波電力が供給される。また、本実施形態では、封止モードにおいて、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給状態が、第２の供給状態になる。このため、封止モードでは、全ての電極３１～３３に高周波電力が供給される。第２の電極３２及び第３の電極３３は、高周波電力が供給される際、互いに対して同一の電位になる。
　図１０Ａは、電源装置１７から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示し、図１０Ｂは、電源装置１７から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す。そして、図１１は、電源装置１７から切開モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布（すなわち、図１０Ａの第１の温度分布及び図１０Ｂの第２の温度分布を合成した温度分布）の一例を示す。また、図１２Ａは、電源装置１７から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示し、図１２Ｂは、電源装置１７から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す。そして、図１３は、電源装置１７から封止モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布（すなわち、図１２Ａの第１の温度分布及び図１２Ｂの第２の温度分布を合成した温度分布）の一例を示す。
　本実施形態では、切開モードにおいて、第１の電極３１と第２の電極３２のみ高周波電力が供給され、第３の電極３３には高周波電力が供給されない。また、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積に比べて、大きい。このため、切開モードでは、処置対象において相対的に第２の電極３２（把持片１１）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が高い領域になり、処置対象において相対的に第１の電極３１（把持片１２）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が低い領域になる。このため、図１０Ａに示すように、切開モード（本実施形態では第１の供給状態）で形成される第１の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ５が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１２）に近い領域に位置する。なお、図１０Ａでは、相対的に温度の高い領域Ｓ５は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ５の中においても、第２の電極３２に近づくほど、温度が上昇する。
　また、切開モードでは、把持片（第２の把持片）１１の第２の電極３２から処置対象にヒータ熱が付与され、処置対象では、ヒータ熱が、把持片１１側から把持片１２側に向かって伝達される。このため、図１０Ｂに示すように、切開モードで形成される第２の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ６が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第１の把持片である把持片１２に近い領域に位置する。なお、図１０Ｂでは、相対的に温度の高い領域Ｓ６は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ６の中においても、第２の電極３２に近づくほど、温度が上昇する。
　切開モードにおいて前述のように第１の温度分布及び第２の温度分布が形成されるため、本実施形態でも第１の実施形態と同様に、切開モードの際には、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ５が、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ６に位置する。そして、切開モードでは、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域が、第１の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。図１１に示す温度分布では、図１０Ａの第１の温度分布の高温領域Ｓ５、かつ、図１０Ｂの第２の温度分布の高温領域Ｓ６になる範囲を、ドットのハッチングで示す。実際に、切開モードでは、図１１の温度分布に示すように、把持片１１，１２の間の把持対象において第２の電極３２の近傍のみが、第１の温度分布において高温領域Ｓ５になり、かつ、第２の温度分布において高温領域Ｓ６になる範囲である。前述のような温度分布が形成されるため、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、血管等の処置対象が迅速に切開される。
　また、本実施形態では、封止モードにおいて、全ての電極３１～３３に高周波電力が供給される。第２の電極３２及び第３の電極３３は、高周波電力が供給される際、互いに対して同一の電位となる。また、前述のように、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積と第３の電極の表面積の合計面積に比べて、小さい。このため、封止モードでは、処置対象において相対的に第１の電極３２（把持片１２）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が高い領域になり、処置対象において相対的に第２の電極３２及び第３の電極３３（把持片１１）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が低い領域になる。したがって、図１２Ａに示すように、封止モード（本実施形態では第２の供給状態）で形成される第１の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ７が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１２）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第２の電極３２及び第３の電極３３（第２の把持片である把持片１１）に近い領域に位置する。なお、図１２Ａでは、相対的に温度の高い領域Ｓ７は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ７の中においても、第１の電極３１に近づくほど、温度が上昇する。
　また、図１２Ｂに示すように、封止モードで形成される第２の温度分布でも、切開モードで形成される第２の温度分布と同様に、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ８が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第１の把持片である把持片１２に近い領域に位置する。ただし、本実施形態でも、封止モードで形成される第２の温度分布では、切開モードで形成される第２の温度分布に比べて、処置対象の温度が低い。なお、図１２Ｂでは、相対的に温度の高い領域Ｓ８は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ８の中においても、第２の電極３２に近づくほど、温度が上昇する。
　封止モードにおいて前述のように第１の温度分布及び第２の温度分布が形成されるため、実施形態でも第１の実施形態と同様に、封止モードの際には、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ７が、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。そして、封止モードでは、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ８が、第１の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。図１３に示す温度分布では、図１２Ａの第１の温度分布の高温領域Ｓ７、又は、図１２Ｂの第２の温度分布の高温領域Ｓ８になる範囲を、ドットのハッチングで示す。実際に、封止モードでは、図１３の温度分布に示すように、把持片１１，１２の間の把持対象において大部分が、第１の温度分布において高温領域Ｓ７になる、又は、第２の温度分布において高温領域Ｓ８になる範囲である。前述のような温度分布が形成されるため、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、処置対象における温度ムラの発生が抑制され、血管等の処置対象の封止性能が向上する。
　（第２の実施形態の変形例）　
　なお、図１４に示す第１の変形例では、エンドエフェクタ５の幅方向について把持片（第２の把持片）１１の略全寸法に渡って、ヒータ４１が延設される。このため、ヒータ４１は、第２の電極３２の背面２２側の部位から第３の電極３３の背面２２側の部位に渡って延設される。そして、ヒータ４１で発生したヒータ熱は、第２の電極３２に加えて第３の電極３３にも伝達され、第２の電極３２及び第３の電極３３の両方から把持される処置対象に付与される。この場合も、電極３１～３３の表面積の関係は、第２の実施形態と同様である。また、本変形例でも、封止モード及び切開モードのそれぞれにおいて、第２の実施形態と同様にして、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給及びヒータ４１への電気エネルギーの供給が、プロセッサ５１によって制御される。
　このため、本変形例でも、切開モードにおいて形成される第１の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１１）に近い領域に位置する。そして、切開モードにおいて形成される第２の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に第２の把持片である把持片１１に近い領域（本変形例では、相対的に第２の電極３２及び第３の電極３３に近い領域）に位置する。したがって、本変形例でも、切開モードでは、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域が、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域に位置する。
　また、本変形例でも、封止モードにおいて形成される第１の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１２）に近い領域に位置する。そして、封止モードにおいて形成される第２の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に把持片１１に近い領域に位置する。したがって、本変形例でも、封止モードでは、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域が、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。
　したがって、本変形例でも、第２の実施形態と同様の作用及び効果を有する。また、本変形例では、第２の電極３２及び第３の電極３３からヒータ熱が処置対象に付与される。このため、処置対象では、エンドエフェクタ５の幅方向について広範囲に渡ってヒータ熱が伝達される。これにより、封止モードでは、処置対象においてエンドエフェクタ５の幅方向について広範囲に渡って温度ムラの発生が抑制され、エンドエフェクタ５の幅方向について広範囲に渡って、処置対象の封止性能が向上する。
　また、図１５及び図１６に示す第２の変形例では、エンドエフェクタ５の幅方向についてヒータ（第１のヒータ）４１の外側に、ヒータ（第２のヒータ）７２が設けられる。ヒータ７２は、エンドエフェクタ５の幅方向についてヒータ４１の両側に設けられるとともに、第３の電極３３の背面２２側に配置される。そして、ヒータ７２で発生したヒータ熱は、第３の電極３３に伝達され、第３の電極３３から把持される処置対象に付与される。なお、本変形例でも、ヒータ４１で発生したヒータ熱は、第２の電極３２に伝達され、第２の電極３２から把持される処置対象に付与される。本変形例での電極３１～３３の表面積の関係は、第２の実施形態と同様である。また、本変形例でも、封止モード及び切開モードのそれぞれにおいて、第２の実施形態と同様にして、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給が、プロセッサ５１によって制御される。
　図１６は、本変形例におけるヒータ電源５３と処置エネルギー源であるヒータ４１，７２との間の電気的な接続状態を示す。本変形例では、電源装置１７に、供給切替え部６１とは別に、スイッチ回路等から形成される供給切替え部７３が設けられる。供給切替え部７３は、電源装置１７に設けられる電気経路７５，７６を介して、ヒータ電源５３に電気的に接続される。また、供給切替え部７３は、電気経路７７，７８を介してヒータ（第１のヒータ）４１に電気的に接続されるとともに、電気経路７９，８０を介してヒータ（第２のヒータ）７２に電気的に接続される。電気経路７７～８０のそれぞれは、ケーブル１５の内部、ハウジング４の内部及びシャフト３の内部を通って延設される。プロセッサ５１は、供給切替え部７３の作動を制御する。
　本変形例では、プロセッサ５１は、ヒータ電源５３からの出力及び供給切替え部７３の作動を制御することにより、ヒータ４１，７２への電気エネルギーの供給を制御する。プロセッサ５１によって供給切替え部７３の作動状態が切替えられることにより、ヒータ４１，７２への電気エネルギーの供給状態が、第１の供給状態と第２の供給状態との間で切替えられる。ヒータ４１，７２への電気エネルギーの供給状態が切替られることにより、第１の供給状態と第２の供給状態との間では、処置対象へのヒータ熱の付与状態が変化する。なお、本変形例では、プロセッサ５１は、切開モードにおいて、ヒータ４１，７２への電気エネルギーの供給状態を第１の供給状態にし、封止モードにおいて、ヒータ４１，７２への電気エネルギーの供給状態を第２の供給状態にする。
　第１の供給状態では、供給切替え部７３において、電気経路７５，７６に対する電気経路７９，８０の電気的な接続が遮断される。このため、第１の供給状態では、ヒータ（第２のヒータ）７２に電気エネルギーが供給されず、ヒータ７２でヒータ熱が発生しない。この際、ヒータ電源５３から電気経路７５～７８を介してヒータ（第１のヒータ）４１にヒータ電力が供給され、ヒータ４１でヒータ熱が発生する。したがって、第１の供給状態では、ヒータ４１で発生したヒータ熱のみが処置対象に付与され、ヒータ熱は、主に第２の電極３２から処置対象に付与される。
　第２の供給状態では、供給切替え部７３において、電気経路７５，７６に対して電気経路７９，８０が電気的に接続される。このため、第２の供給状態では、ヒータ７２に電気エネルギーが供給され、ヒータ７２でヒータ熱が発生する。また、第２の供給状態でも、ヒータ電源５３からヒータ４１にヒータ電力が供給され、ヒータ４１でヒータ熱が発生する。したがって、第２の供給状態では、ヒータ４１で発生したヒータ熱及びヒータ７２で発生したヒータ熱の両方が処置対象に付与され、ヒータ熱は、第２の電極３２及び第３の電極３３の両方から処置対象に付与される。
　本変形例でも、切開モードにおいて形成される第１の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１１）に近い領域に位置する。そして、切開モードにおいて形成される第２の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に第２の把持片である把持片１１に近い領域（本変形例では、相対的に第２の電極３２に近い領域）に位置する。したがって、本変形例でも、切開モードでは、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域が、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域に位置する。このため、本変形例でも、第２の実施形態と同様に、血管等の処置対象が迅速に切開される。
　また、本変形例では、切開モードにおいて、ヒータ４１，７２への電気エネルギーの供給状態が第１の供給状態になり、ヒータ４１でのみヒータ熱が発生する。したがって、切開モードでは、把持面２１において主に幅方向の中央部に位置する第２の電極３２から、ヒータ熱が処置対象に付与される。これにより、切開モードでは、高周波電流に起因する第１の温度分布において相対的に温度が高い領域に、第２の電極３２から集中的にヒータ熱が付与される。したがって、処置対象がさらに迅速に切開される。
　また、本変形例でも、封止モードにおいて形成される第１の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１２）に近い領域に位置する。そして、封止モードにおいて形成される第２の温度分布では、相対的に温度が高い領域が、相対的に把持片１１に近い領域に位置する。したがって、本変形例でも、封止モードでは、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域が、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。このため、本変形例でも、第２の実施形態と同様に、処置対象における温度ムラの発生が抑制され、血管等の処置対象の封止性能が向上する。
　また、本変形例では、封止モードにおいて、ヒータ４１，７２への電気エネルギーの供給状態が第２の供給状態になり、ヒータ４１及びヒータ７２の両方でヒータ熱が発生する。したがって、封止モードでは、把持面２１において第２の電極３２及び第３の電極３３の両方から、ヒータ熱が処置対象に付与される。このため、処置対象では、エンドエフェクタ５の幅方向について広範囲に渡ってヒータ熱が伝達される。これにより、封止モードでは、処置対象においてエンドエフェクタ５の幅方向について広範囲に渡って温度ムラの発生が抑制され、エンドエフェクタ５の幅方向について広範囲に渡って、処置対象の封止性能が向上する。
　（第１の実施形態、第２の実施形態及びこれらの変形例での共通事項）　
　第１の実施形態、第２の実施形態及びこれらの変形例では、プロセッサ５１は、２つの供給状態（第１の供給状態及び第２の供給状態）の間でバイポーラ電極３０への高周波電力の供給状態を切替え可能である。そして、供給状態の一方で形成される第１の温度分布において相対的に温度が高い領域は、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。そして、供給状態の他方で形成される第１の温度分布において相対的に温度が高い領域は、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域に位置する。
　（第３の実施形態）　
　次に、本発明の第３の実施形態について、図１７乃至図２２を参照して説明する。第３の実施形態は、前述の実施形態等の構成を次の通り変形したものである。なお、前述の実施形態等と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
　図１７は、エンドエフェクタ５を長手軸Ｃに沿う方向に対して略垂直な断面で示す図である。図１７に示すように、本実施形態では、把持片１２に、第１の電極３１が設けられ、把持片１１に、第２の電極３２が設けられる。そして、本実施形態では、エンドエフェクタ５（バイポーラ電極３０）に第３の電極３３は、設けられない。ここで、本実施形態では、第１の電極３１が設けられる把持片１２を第１の把持片とし、第２の電極３２が設けられる把持片１１を第２の把持片とする。また、本実施形態では、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積に比べて大きい。なお、電極３１，３２の少なくとも一方の表面に、電気的絶縁材料から形成される突起（図示しない）等が、設けられる。そして、突起によって、第１の電極３１の第２の電極３２への接触が有効に防止される。
　また、本実施形態では、第１の把持片である把持片１２に、処置エネルギー源であるヒータ４１が設けられる。ヒータ（第１のヒータ）４１は、把持片１２において、第１の電極３１の背面２６側に配置される。ヒータ４１で生成されたヒータ熱は、第１の電極３１に伝達され、第１の電極３１から把持される処置対象に付与される。また、本実施形態では、第２の把持片である把持片１１に、ヒータ４１とは別の処置エネルギー源であるヒータ８１が設けられる。ヒータ（第２のヒータ）８１は、把持片１１において、第２の電極３２の背面２２側に配置される。ヒータ８１で生成されたヒータ熱は、第２の電極３２に伝達され、第２の電極３２から把持される処置対象に付与される。
　図１８は、本実施形態において、バイポーラ電極３０への高周波電力の供給及びヒータ４１への電気エネルギーの供給を制御する構成を示す図である。図１８に示すように、本実施形態では、高周波電源５７は、電気経路８２を介して第１の電極３１に電気的に接続され、電気経路８３を介して第２の電極３２に電気的に接続される。電気経路８２，８３のそれぞれは、ケーブル１５の内部、ハウジング４の内部及びシャフト３の内部を通って延設される。高周波電源５７から出力された高周波電力は、電気経路８２を介して第１の電極３１に供給されるとともに、電気経路８３を介して第２の電極３２に供給される。これにより、第１の電極３１及び第２の電極３２は、互いに対して異なる電位を有し、第１の電極３１と第２の電極３２との間で把持される処置対象を通して高周波電流が流れる。
　また、本実施形態ではでは、電源装置１７に、供給切替え部６１の代わりに、スイッチ回路等から形成される供給切替え部８５が設けられる。供給切替え部８５は、電源装置１７に設けられる電気経路８６，８７を介して、ヒータ電源５３に電気的に接続される。また、供給切替え部８５は、電気経路８８，８９を介してヒータ（第１のヒータ）４１に電気的に接続されるとともに、電気経路９０，９１を介してヒータ（第２のヒータ）８１に電気的に接続される。電気経路８８～９１のそれぞれは、ケーブル１５の内部、ハウジング４の内部及びシャフト３の内部を通って延設される。プロセッサ５１は、供給切替え部８５の作動を制御する。
　本実施形態では、プロセッサ５１は、ヒータ電源５３からの出力及び供給切替え部８５の作動を制御することにより、ヒータ４１，８１への電気エネルギーの供給を制御する。プロセッサ５１によって供給切替え部８５の作動状態が切替えられることにより、ヒータ４１，８１への電気エネルギーの供給状態が、第１の供給状態と第２の供給状態との間で切替えられる。ヒータ４１，８１への電気エネルギーの供給状態が切替られることにより、第１の供給状態と第２の供給状態との間では、処置対象へのヒータ熱の付与状態が変化する。なお、本変形例では、プロセッサ５１は、封止モードにおいて、ヒータ４１，８１への電気エネルギーの供給状態を第１の供給状態にし、切開モードにおいて、ヒータ４１，８１への電気エネルギーの供給状態を第２の供給状態にする。
　第１の供給状態では、供給切替え部８５において、電気経路８６，８７に対して電気経路８８，８９が電気的に接続され、電気経路８６，８７に対する電気経路９０，９１の電気的な接続が遮断される。このため、第１の供給状態では、ヒータ（第１のヒータ）４１にのみ電気エネルギーが供給され、ヒータ（第２のヒータ）８１に電気エネルギーが供給されない。したがって、第１の供給状態では、ヒータ４１でのみヒータ熱が発生し、ヒータ８１でヒータ熱が発生しない。ヒータ４１でのみヒータ熱が発生するため、第１の供給状態では、第１の電極３１（第１の把持片である把持片１２）から、ヒータ熱が処置対象に付与される。
　第２の供給状態では、供給切替え部８５において、電気経路８６，８７に対して電気経路９０，９１が電気的に接続され、電気経路８６，８７に対する電気経路８８，８９の電気的な接続が遮断される。このため、第２の供給状態では、ヒータ（第２のヒータ）８１にのみ電気エネルギーが供給され、ヒータ（第１のヒータ）４１に電気エネルギーが供給されない。したがって、第２の供給状態では、ヒータ８１でのみヒータ熱が発生し、ヒータ４１でヒータ熱が発生しない。ヒータ８１でのみヒータ熱が発生するため、第２の供給状態では、第２の電極３２（第２の把持片である把持片１１）から、ヒータ熱が処置対象に付与される。
　図１９Ａは、電源装置１７から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示し、図１９Ｂは、電源装置１７から封止モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す。そして、図２０は、電源装置１７から封止モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布（すなわち、図１９Ａの第１の温度分布及び図１９Ｂの第２の温度分布を合成した温度分布）の一例を示す。また、図２１Ａは、電源装置１７から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示し、図２１Ｂは、電源装置１７から切開モードで出力が行われている状態において、処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す。そして、図２２は、電源装置１７から切開モードで出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布（すなわち、図２１Ａの第１の温度分布及び図２１Ｂの第２の温度分布を合成した温度分布）の一例を示す。
　本実施形態では、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積に比べて、大きい。このため、封止モードでは、処置対象において相対的に第２の電極３２（把持片１１）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が高い領域になり、処置対象において相対的に第１の電極３１（把持片１２）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が低い領域になる。このため、図１９Ａに示すように、封止モードで形成される第１の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ９が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１２）に近い領域に位置する。なお、図１９Ａでは、相対的に温度の高い領域Ｓ９は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ９の中においても、第２の電極３２に近づくほど、温度が上昇する。
　また、封止モードでは、ヒータ４１でのみヒータ熱が発生し、把持片（第１の把持片）１２の第１の電極３１から処置対象にヒータ熱が付与される。そして、処置対象では、ヒータ熱が、把持片１２側から把持片１１側に向かって伝達される。このため、図１９Ｂに示すように、封止モードで形成される第２の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ１０が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１２）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第２の把持片である把持片１１に近い領域に位置する。なお、図１９Ｂでは、相対的に温度の高い領域Ｓ１０は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ１０の中においても、第１の電極３１に近づくほど、温度が上昇する。
　封止モードにおいて前述のように第１の温度分布及び第２の温度分布が形成されるため、本実施形態でも第１の実施形態と同様に、封止モードの際には、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ９が、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。そして、封止モードでは、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ１０が、第１の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。図２０に示す温度分布では、図１９Ａの第１の温度分布の高温領域Ｓ９、又は、図１９Ｂの第２の温度分布の高温領域Ｓ１０になる範囲を、ドットのハッチングで示す。実際に、封止モードでは、図２０の温度分布に示すように、把持片１１，１２の間の把持対象において大部分が、第１の温度分布において高温領域Ｓ９になる、又は、第２の温度分布において高温領域Ｓ１０になる範囲である。前述のような温度分布が形成されるため、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、処置対象における温度ムラの発生が抑制され、血管等の処置対象の封止性能が向上する。
　また、図２１Ａに示すように、切開モードで形成される第１の温度分布でも、封止モードで形成される第１の温度分布と同様に、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ１１が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第１の把持片である把持片１２に近い領域に位置する。ただし、切開モードでは、高周波電源５７からの高周波電力の出力状態が、封止モードとは異なってもよい。この場合、切開モードで形成される第２の温度分布での処置対象の温度は、封止モードで形成される第２の温度分布での処置対象の温度とは、異なる。なお、図２１Ａでは、相対的に温度の高い領域Ｓ１１は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ１１の中においても、第２の電極３２に近づくほど、温度が上昇する。
　また、切開モードでは、ヒータ８１でのみヒータ熱が発生し、把持片（第２の把持片）１１の第２の電極３２から処置対象にヒータ熱が付与される。そして、処置対象では、ヒータ熱が、把持片１１側から把持片１２側に向かって伝達される。このため、図２１Ｂに示すように、切開モードで形成される第２の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ１２が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第１の把持片である把持片１２に近い領域に位置する。なお、切開モード（第２の供給状態）では、封止モード（第１の供給状態）に比べて、ヒータ電源５３からの出力が高いことが好ましい。この場合、切開モードでのヒータ８１の温度は、封止モードでのヒータ４１の温度に比べて、高い。したがって、切開モードで形成される第２の温度分布では、封止モードで形成される第２の温度分布に比べて、処置対象の温度が高い。なお、図２１Ｂでは、相対的に温度の高い領域Ｓ１２は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ１２の中においても、第２の電極３２に近づくほど、温度が上昇する。
　切開モードにおいて前述のように第１の温度分布及び第２の温度分布が形成されるため、本実施形態でも第１の実施形態と同様に、切開モードの際には、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ１１が、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ１２に位置する。そして、切開モードでは、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域が、第１の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。図２２に示す温度分布では、図２１Ａの第１の温度分布の高温領域Ｓ１１、かつ、図２１Ｂの第２の温度分布の高温領域Ｓ１２になる範囲を、ドットのハッチングで示す。実際に、切開モードでは、図２２の温度分布に示すように、把持片１１，１２の間の把持対象において第２の電極３２の近傍のみが、第１の温度分布において高温領域Ｓ１１になり、かつ、第２の温度分布において高温領域Ｓ１２になる範囲である。前述のような温度分布が形成されるため、本実施形態でも、第１の実施形態と同様に、血管等の処置対象が迅速に切開される。
　第３の実施形態では、プロセッサ５１は、２つの供給状態（第１の供給状態及び第２の供給状態）の間で処置エネルギー源であるヒータ４１，８１への電気エネルギーの供給状態を切替え可能である。そして、供給状態の一方で形成される第２の温度分布において相対的に温度が高い領域は、第１の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。そして、供給状態の他方で形成される第２の温度分布において相対的に温度が高い領域は、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域に位置する。
　（第４の実施形態）　
　次に、本発明の第４の実施形態について、図２３乃至図２５を参照して説明する。第４の実施形態は、第１の実施形態の構成を次の通り変形したものである。なお、第１の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
　図２３は、エンドエフェクタ５を長手軸Ｃに沿う方向に対して略垂直な断面で示す図である。図２３に示すように、本実施形態では、把持片１２に、第１の電極３１が設けられ、把持片１２に、第２の電極３２が設けられる。ここで、本実施形態では、第１の電極３１が設けられる把持片１１を第１の把持片とし、第２の電極３２が設けられる把持片１２を第２の把持片とする。また、本実施形態では、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積に比べて大きい。なお、本実施形態では、第３の実施形態と同様に、電極３１，３２の少なくとも一方の表面に、電気的絶縁材料から形成される突起（図示しない）等が、設けられる。本実施形態では、高周波電源５７から電極３１，３２に高周波電力が供給されることにより、第１の電極３１及び第２の電極３２は、互いに対して異なる電位を有し、第１の電極３１と第２の電極３２との間で把持される処置対象を通して高周波電流が流れる。
　また、本実施形態では、第１の把持片である把持片１１に、処置エネルギー源であるヒータ４１が設けられる。ヒータ４１は、把持片１１において、第１の電極３１の背面２２側に配置される。ヒータ４１にヒータ電源５３から電気エネルギーが供給されることにより、ヒータ４１でヒータ熱が発生する。ヒータ４１で生成されたヒータ熱は、第１の電極３１に伝達され、第１の電極３１から把持される処置対象に付与される。
　図２４Ａは、電極３１，３２の間に流れる高周波電流に起因して処置対象に形成される第１の温度分布の一例を示し、図２４Ｂは、ヒータ４１で発生するヒータ熱に起因して処置対象に形成される第２の温度分布の一例を示す。そして、図２５は、電源装置１７から出力が行われている状態において、高周波電流及びヒータ熱の両方によって処置対象に形成される温度分布（すなわち、図２４Ａの第１の温度分布及び図２４Ｂの第２の温度分布を合成した温度分布）の一例を示す。
　本実施形態では、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積に比べて、大きい。このため、処置対象において相対的に第２の電極３２（把持片１２）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が高い領域になり、処置対象において相対的に第１の電極３１（把持片１１）に近い領域が、相対的に高周波電流の電流密度が低い領域になる。このため、図２４Ａに示すように、第１の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ１３が、相対的に第２の電極３２（第２の把持片である把持片１２）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１１）に近い領域に位置する。なお、図２４Ａでは、相対的に温度の高い領域Ｓ１３は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ１３の中においても、第２の電極３２に近づくほど、温度が上昇する。
　また、本実施形態では、ヒータ４１で発生したヒータ熱は、第１の把持片である把持片１１の第１の電極３１から、処置対象に付与される。そして、処置対象では、ヒータ熱が、把持片１１側から把持片１２側に向かって伝達される。このため、図２４Ｂに示すように、第２の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域Ｓ１４が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第２の把持片である把持片１２に近い領域に位置する。なお、図２４Ｂでは、相対的に温度の高い領域Ｓ１４は、ドットのハッチングで示す。また、領域Ｓ１４の中においても、第１の電極３１に近づくほど、温度が上昇する。
　前述のように第１の温度分布及び第２の温度分布が形成されるため、本実施形態では、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ１３が、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。そして、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域Ｓ１４が、第１の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。図２５に示す温度分布では、図２４Ａの第１の温度分布の高温領域Ｓ１３、又は、図２４Ｂの第２の温度分布の高温領域Ｓ１４になる範囲を、ドットのハッチングで示す。実際に、処置外行われている状態では、図２５の温度分布に示すように、把持片１１，１２の間の把持対象において大部分が、第１の温度分布において高温領域Ｓ１３になる、又は、第２の温度分布において高温領域Ｓ１４になる範囲である。前述のような温度分布が形成されるため、本実施形態でも、高周波電流及びヒータ熱を処置対象に同時に付与し、処置対象を封止する処置において、第１の実施形態と同様に、処置対象における温度ムラの発生が抑制され、血管等の処置対象の封止性能が向上する。
　（その他の変形例）　
　前述の実施形態等では、プロセッサ５１は、操作部材１８での操作に基づいて、封止モードと切開モードとの間で、電源装置１７からエネルギー処置具２へ電気エネルギーの出力が切替えられるが、これに限るものではない。ある変形例では、操作部材１８で操作が入力されると、プロセッサ５１は、封止モードで、エネルギー処置具２へ電気エネルギーの出力を開始する。そして、処置対象のインピーダンス及び出力の継続時間等が所定の条件を満たすことにより、プロセッサ５１は、封止モードでの出力を終了し、切開モードでの出力に自動的に切替える。
　また、前述の実施形態等では、処置エネルギー源としてヒータ（４１；４１，７２；４１，８１）が設けられるが、これに限るものではない。図２６及び図２７に示すある変形例では、ヒータ（４１；４１，７２；４１，８１）の代わりに、処置エネルギー源として超音波トランスデューサ９３が設けられる。本変形例では、超音波トランスデューサ９３は、例えばハウジング４の内部に設けられ、超音波トランスデューｓ９３の先端側にロッド部材（プローブ）９４が接続される。ロッド部材９４は、振動伝達性の高い材料から形成される。ロッド部材９４は、例えばシャフト３に挿通され、ロッド部材９４では、シャフト３の先端から先端側への突出部分が、把持片１１となる。また、本変形例では、ヒータ電源５３の代わりに超音波電源９５が電源装置１７に設けられ、超音波電源９５は、電気経路９６，９７を介して超音波トランスデューサ９３に電気的に接続される。超音波電源９５から超音波トランスデューサ９３に電気エネルギー（所定の周波数範囲のある周波数の交流電力）が供給されることにより、超音波トランスデューサ９３は、高周波電流とは異なる処置エネルギーとして超音波振動を生成する。そして、超音波振動は、把持片１１，１２の一方（本変形例で把持片１１）に伝達され、把持される処置対象に付与される。この際、超音波振動が伝達された把持片（１１又は１２）と処置対象との間に摩擦熱が発生する。なお、プロセッサ５１は、超音波電源９５からの電気エネルギーの出力を制御する。
　例えば、ある実施例では、把持片１１の対向面２１の全体が第１の電極２１となり、把持片１２に第１の実施形態と同様に第２の電極３２及び第３の電極３３が配置される。そして、ヒータ４１の代わりに超音波トランスデューサ９３が設けられる。そして、超音波トランスデューサ９３で発生した超音波振動が、第１の電極３１が設けられる把持片（第１の把持片）１１に伝達される。本実施例においても、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積に比べて大きく、第３の電極３３の表面積に比べて大きい。そして、第１の電極３１の表面積は、第２の電極３２の表面積と第３の電極３３の表面積との合計面積に比べて、小さい。この場合、封止モード及び切開モードのいずれにおいても、超音波振動に起因して処置対象に形成される第２の温度分布では、処置対象において相対的に温度が高い領域が、相対的に第１の電極３１（第１の把持片である把持片１１）に近い領域に位置し、処置対象において相対的に温度が低い領域が、相対的に第２の把持片である把持片１２に近い領域に位置する。また、封止モード及び切開モードのいずれにおいても、高周波電流に起因して処置対象に形成される第１の温度分布は、第１の実施形態と同様になる。したがって、本実施例においても、封止モードでは、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域が、第２の温度分布において相対的に温度が低い領域に位置する。そして、切開モードでは、第２の温度分布において相対的に温度が高い領域が、第１の温度分布において相対的に温度が高い領域に位置する。
　前述の実施形態等では、バイポーラ電極（３０）は、高周波電力が供給されることにより、一対の把持片（１１，１２）の間で処置対象を通して高周波電流を流し、処置対象において高周波電流に起因する第１の温度分布を形成する。処置エネルギー源（４１；４１，７２；４１，８１）は、電気エネルギーが供給されることにより、高周波電流とは別の処置エネルギーを生成するとともに、生成した処置エネルギーを処置対象に付与させることにより、処置対象において処置エネルギーに起因する第２の温度分布を形成する。バイポーラ電極（３０）及び処置エネルギー源（４１；４１，７２；４１，８１）は、第１の温度分布において相対的に温度の高い領域が第２の温度分布において相対的に温度の低い領域に位置する状態に、処置対象に高周波電流及び処置エネルギーを同時に付与させることが可能である。
　なお、本願発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。

Claims (10)

  1. 　第１の把持片と、
    　前記第１の把持片に対して相対的に開閉可能であり、前記第１の把持片との間で処置対象を把持可能な第２の把持片と、
    　高周波電力が供給されることにより、前記第１の把持片と前記第２の把持片との間で前記処置対象を通して高周波電流を流し、前記処置対象において前記高周波電流に起因する第１の温度分布を形成するバイポーラ電極と、
    　電気エネルギーが供給されることにより、前記高周波電流とは別の処置エネルギーを生成するとともに、生成した前記処置エネルギーを前記処置対象に付与させることにより、前記処置対象において前記処置エネルギーに起因する第２の温度分布を形成する処置エネルギー源と、
    　を具備し、
    　前記バイポーラ電極及び前記処置エネルギー源は、前記第１の温度分布において相対的に温度の高い領域が前記第２の温度分布において相対的に温度の低い領域に位置する状態に、前記処置対象に前記高周波電流及び前記処置エネルギーを同時に付与させることが可能である、
    　エネルギー処置具。
  2. 　前記バイポーラ電極は、前記第１の把持片に設けられる第１の電極と、前記第２の把持片に設けられ、前記第１の電極とは表面積が異なる第２の電極と、を備える請求項１のエネルギー処置具。
  3. 　前記バイポーラ電極は、前記第２の把持片に設けられる第３の電極をさらに備え、
    　前記第１の電極の表面積は、前記第２の電極の表面積及び前記第３の電極の表面積のそれぞれに比べて大きく、前記第２の電極の前記表面積と前記第３の電極の前記表面積との合計面積に比べて小さい、
    　請求項２のエネルギー処置具。
  4. 　請求項３のエネルギー処置具と、
    　前記バイポーラ電極への前記高周波電力の供給及び前記処置エネルギー源への前記電気エネルギーの供給を制御するプロセッサと、
    　を具備し、
    　前記プロセッサは、第１の供給状態と第２の供給状態との間で前記バイポーラ電極への前記高周波電力の供給状態を切替え可能であり、
    　前記プロセッサは、前記第１の供給状態において、前記第３の電極へ前記高周波電力を供給させることなく、前記第１の電極及び前記第２の電極にのみ前記高周波電力を供給させ、
    　前記プロセッサは、前記第２の供給状態において、前記第１の電極、前記第２の電極及び前記第３の電極に前記高周波電力を供給させ、前記第２の電極及び前記第３の電極を互いに対して同一の電位にする、
    　処置システム。
  5. 　前記処置エネルギー源は、前記第１の把持片から前記処置エネルギーを前記処置対象に付与させるとともに、前記第２の温度分布において、相対的に前記温度が高い領域を相対的に前記第１の把持片に近い領域に位置させ、
    　前記バイポーラ電極は、前記第１の供給状態で形成される前記第１の温度分布において、相対的に前記温度が高い領域を相対的に前記第２の把持片に近い領域に位置させ、
    　前記バイポーラ電極は、前記第２の供給状態で形成される前記第１の温度分布において、相対的に前記温度が高い領域を相対的に前記第１の把持片に近い領域に位置させる、
    　請求項４の処置システム。
  6. 　前記処置エネルギー源は、前記第２の把持片から前記処置エネルギーを前記処置対象に付与させるとともに、前記第２の温度分布において、相対的に前記温度が高い領域を相対的に前記第２の把持片に近い領域に位置させ、
    　前記バイポーラ電極は、前記第２の供給状態で形成される前記第１の温度分布において、相対的に前記温度が高い領域を相対的に前記第１の把持片に近い領域に位置させ、
    　前記バイポーラ電極は、前記第１の供給状態で形成される前記第１の温度分布において、相対的に前記温度が高い領域を相対的に前記第２の把持片に近い領域に位置させる、
    　請求項４の処置システム。
  7. 　前記第１の電極の表面積は、前記第２の電極の表面積に比べて大きく、
    　前記バイポーラ電極は、前記第１の温度分布において、相対的に前記温度が高い領域を相対的に前記第２の把持片に近い領域に位置させる、
    　請求項２のエネルギー処置具。
  8. 　請求項７のエネルギー処置具と、
    　前記バイポーラ電極への前記高周波電力の供給及び前記処置エネルギー源への前記電気エネルギーの供給を制御するプロセッサと、
    　を具備し、
    　前記プロセッサは、第１の供給状態と第２の供給状態との間で前記処置エネルギー源への前記電気エネルギーの供給状態を切替え可能であり、
    　前記処置エネルギー源は、前記第１の供給状態において前記第１の把持片から前記処置エネルギーを前記処置対象に付与させるとともに、前記第１の供給状態で形成される前記第２の温度分布おいて、相対的に前記温度が高い領域を相対的に前記第１の把持片に近い領域に位置させ、
    　前記処置エネルギー源は、前記第２の供給状態において前記第２の把持片から前記処置エネルギーを前記処置対象に付与させるとともに、前記第２の供給状態で形成される前記第２の温度分布において、相対的に前記温度が高い領域を相対的に前記第２の把持片に近い領域に位置させる、
    　処置システム。
  9. 　請求項１のエネルギー処置具と、
    　前記バイポーラ電極への前記高周波電力の供給及び前記処置エネルギー源への前記電気エネルギーの供給を制御するプロセッサと、
    　を具備し、
    　前記プロセッサは、２つの供給状態の間で前記バイポーラ電極への前記高周波電力の供給状態を切替え可能であり、
    　前記バイポーラ電極は、前記供給状態の一方で形成される前記第１の温度分布において相対的に前記温度が高い領域を、前記第２の温度分布において相対的に前記温度が低い領域に位置させ、
    　前記バイポーラ電極は、前記供給状態の他方で形成される前記第１の温度分布において相対的に前記温度が高い領域を、前記第２の温度分布において相対的に前記温度が高い領域に位置させる、
    　処置システム。
  10. 　請求項１のエネルギー処置具と、
    　前記バイポーラ電極への前記高周波電力の供給及び前記処置エネルギー源への前記電気エネルギーの供給を制御するプロセッサと、
    　を具備し、
    　前記プロセッサは、２つの供給状態の間で前記処置エネルギー源への前記電気エネルギーの供給状態を切替え可能であり、
    　前記処置エネルギー源は、前記供給状態の一方で形成される前記第２の温度分布において相対的に前記温度が高い領域を、前記第１の温度分布において相対的に前記温度が低い領域に位置させ、
    　前記処置エネルギー源は、前記供給状態の他方で形成される前記第２の温度分布において相対的に前記温度が高い領域を、前記第１の温度分布において相対的に前記温度が高い領域に位置させる、
    　処置システム。
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