WO2018193927A1 - フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルicの接続電極との接続構造、表示パネル、接続方法 - Google Patents

フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルicの接続電極との接続構造、表示パネル、接続方法 Download PDF

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WO2018193927A1
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守 石▲崎▼
武居 学
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    • G02F1/1675Constructional details
    • G02F1/16755Substrates

Definitions

  • the present invention relates to a connection structure between a connection electrode on a flexible substrate and a connection electrode of a flexible IC, a display panel, and a connection method.
  • an electrode of a flexible IC is connected to an electrode on a glass substrate.
  • the flexible IC is an IC called a tape carrier package (TCP) or an IC called a chip on film (COF).
  • TCP tape carrier package
  • COF chip on film
  • These flexible ICs are obtained by mounting a bare chip IC on a copper wiring on a polyimide (PI) base material.
  • PI polyimide
  • the electrode on the glass substrate and the electrode of the flexible IC are connected using an anisotropic conductive film (ACF).
  • connection electrodes 22 on the glass substrate 21 and the connection electrodes 5 of the flexible IC are rectangular electrodes arranged at an equal pitch.
  • the pitch of the connection electrodes 5 of the flexible IC is made slightly smaller than the pitch of the connection electrodes 22 on the glass substrate 21, and the connection on the glass substrate 21 is caused by the thermal expansion of the flexible IC base material 4 at the time of thermocompression bonding of the ACF.
  • Connections are made to match the pitch of the electrodes 22 (see Patent Document 1).
  • the connection can be made with the pitch matched.
  • the thermal expansion coefficient (linear expansion coefficient) of the flexible IC substrate 4 is about 20 ⁇ 10 ⁇ 6 to 30 ⁇ 10 ⁇ 6 [K ⁇ 1 ], and the thermal expansion coefficient of the glass substrate 21 is 3 ⁇ 10 ⁇ 6 [K. Therefore , the deformation of the glass substrate 21 is negligible compared to the deformation of the flexible IC base material 4, and only the pitch of the connection electrodes 5 on the flexible IC base material 4 needs to be corrected.
  • an electrophoretic display panel using an electrophoretic medium as a display medium is a display medium having a display memory property in which colored particles move by voltage application, and when the voltage application is stopped, the display remains and does not change display. Since power is consumed only at the time of rewriting, and power is not consumed at the time of non-rewriting, it is attracting attention as an energy-saving display panel.
  • the thermal expansion coefficient of the flexible substrate is generally larger than that of glass.
  • the thermal expansion coefficient is 10 ⁇ 10 ⁇ 6 to 60 ⁇ 10 ⁇ 6 [K ⁇ 1 ].
  • the thermal expansion coefficient of such a flexible substrate is about the same as that of polyimide used for the base material of the flexible IC.
  • the close thermal expansion coefficient itself seems to be good because the difference in thermal deformation is small, but not only the thermal expansion coefficient is large, but also the variation in the thermal expansion coefficient for each sample lot is large, which is a problem.
  • the flexible display panel goes through various processes after the connection electrode is formed.
  • an electrophoretic display panel in addition to a step of forming a conductive layer including a connection electrode, a step of forming an insulating layer, a step of forming a semiconductor layer, a step of forming a pixel electrode, a counter electrode and an electrophoresis on a counter substrate A step of laminating a member in which a layer is formed, a step of forming a barrier for eliminating the influence of external humidity, and the like.
  • the flexible substrate may undergo expansion or contraction due to heat, deformation due to stress due to film hardening, deformation due to external force in the process, or the like. Therefore, the connection electrode on the flexible substrate is subjected to deformation due to the process in addition to the influence of the thermal expansion coefficient, and the amount of deformation varies depending on the process parameters.
  • the flexible substrate may expand or contract more than expected due to the influence of the lot and sample process conditions.
  • the connection method of the glass substrate 21 as shown in FIGS. 51 and 52 cannot be applied to the flexible substrate as it is.
  • the pitch of the connection electrodes 32 on the flexible substrate 31 is different from that of the connection electrodes 5 of the flexible IC. Then, the distance between the electrode of the connection electrode 32 on the flexible substrate 31 and the electrode adjacent to the corresponding electrode of the connection electrode 5 of the flexible IC is narrowed, and a short circuit or a connection failure occurs due to a slight misalignment. .
  • An object of the present invention is to provide a connection structure between a electrode on a flexible substrate and a connection electrode of a flexible IC, a connection method, and a display panel using the connection method.
  • One aspect of the present invention for achieving the above-described object is that a plurality of first electrodes are arranged on a flexible substrate on a flexible substrate, on a base material different from the flexible substrate, A connection structure between a connection electrode on a flexible substrate and a connection electrode of a flexible IC, in which a connection electrode of a flexible IC formed by arranging a plurality of second electrodes corresponding to one electrode and facing each other is fixed.
  • the pitch of the center line of at least one of the first electrode and the second electrode is constant
  • a connection electrode on the flexible substrate in which the pitch of the center line of one electrode changes in the y direction orthogonal to the direction in which the first electrode on the flexible substrate and the second electrode on the base material are arranged.
  • a connection structure between the connection electrodes of the flexible IC is
  • the other of the first electrode and the second electrode has a rectangular shape in plan view, and the length of the other electrode in the y direction is shorter than the length of the one electrode in the y direction.
  • the connection electrode and the connection electrode of the flexible IC may be connected via an anisotropic conductive film.
  • one electrode is a parallelogram in plan view, and the pitch of the center line of one adjacent electrode widens or narrows in the y direction, and one electrode is a connection electrode on a flexible substrate or a flexible IC.
  • the connection electrodes may be arranged symmetrically with the x direction as the left-right direction.
  • the angle formed by the center line of one electrode with a straight line parallel to the y direction is ⁇
  • the width in the x direction of the other electrode is Lp
  • the length in the y direction is Dp
  • one electrode is in the x direction.
  • the length L overlapping with the straight line parallel to L may be L ⁇ Lp ⁇ Dp
  • a plurality of pairs of alignment marks having a pair of alignment marks outside the plurality of other electrodes and being arranged in the y direction at a plurality of positions outside the plurality of one electrodes. You may have groups.
  • connection structure of the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC and at least a pixel electrode connected directly or indirectly to the connection electrode on the flexible substrate.
  • a counter substrate having a counter electrode facing the pixel electrode, and an electrophoretic medium layer provided between the flexible substrate and the counter electrode.
  • connection method for forming a connection structure between the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC, the connection electrode on the flexible IC or the connection on the flexible substrate.
  • a connection electrode on a flexible substrate comprising: a step of bonding an anisotropic conductive film to an electrode; and a step of selecting and bonding a pitch portion of the center line of one electrode closest to the pitch of the center line of the other electrode.
  • a connection electrode of the flexible IC comprising: a step of bonding an anisotropic conductive film to an electrode; and a step of selecting and bonding a pitch portion of the center line of one electrode closest to the pitch of the center line of the other electrode.
  • Another aspect of the present invention is a method of connecting the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC, and a representative flexible substrate for a plurality of flexible substrates of the same lot or the same classification Align the flexible IC connection electrode to the reference position on the upper connection electrode, connect it using an anisotropic conductive film, and then measure the dimensions.
  • the step of determining the relative movement amount of the connection electrode and the connection electrode of the flexible IC to the optimal alignment position, and the reference alignment when aligning the connection electrode of the flexible IC with the connection electrode of the remaining flexible substrate From the state, at least of the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC by the determined movement amount Including a step of aligning at least one of the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC at a position where the displacement is relatively moved, and the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC, This is the connection method.
  • the step of determining the alignment mark according to the alignment between the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC, and the connection electrodes on the remaining flexible substrate are flexible. Including the step of aligning the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC using the alignment mark determined in the step of determining the alignment mark when aligning the connection electrode of the IC. Good.
  • Another aspect of the present invention is that the pitch of the center line of one of the adjacent electrodes is constant in the x direction and changes stepwise in the y direction. It is a connection structure with a connection electrode.
  • the pitch of the center line of one of the adjacent electrodes may change in two or more steps.
  • the pitch P (m + 1) of the other center line may be as follows.
  • L connection electrode width
  • CO minimum required connection electrode width
  • H number of connection electrodes
  • n number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • m number of steps (2 or more)
  • the pitch of the center line of one adjacent electrode widens or narrows in the y direction, and one electrode is symmetrical with respect to the whole of the connection electrode on the flexible substrate or the connection electrode of the flexible IC with the x direction as the left and right direction. May be arranged.
  • the length of each step of one electrode and the length of the other electrode in the y direction are 0.5 or more and 2 mm or less, and the length of one electrode is longer than the length of the other electrode. Also good.
  • a plurality of pairs of alignment marks having a pair of alignment marks outside the plurality of other electrodes and arranged in the y direction at a plurality of positions outside the plurality of one electrodes and capable of identifying each pair. You may have.
  • connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC may be connected via an anisotropic conductive film.
  • connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC may be connected by a non-conductive paste.
  • connection structure of the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC and at least a pixel electrode connected directly or indirectly to the connection electrode on the flexible substrate.
  • a counter substrate having a counter electrode facing the pixel electrode, and an electrophoretic medium layer provided between the flexible substrate and the counter electrode.
  • connection method for producing a connection structure between the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC, and the anisotropic conductive film is connected to the connection electrode of the flexible IC.
  • the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC including the step of bonding, and the step of selecting and joining the pitch of the center line of the one electrode closest to the pitch of the center line of the other electrode It is a connection method.
  • the one electrode and the other electrode are either one of a plurality of pairs of alignment marks arranged outside the plurality of one electrode.
  • the joining position may be selected using the alignment mark.
  • the step of determining the alignment mark according to the alignment between the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC, and the connection electrode of the remaining flexible substrate to the flexible IC A step of aligning the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC using the alignment mark determined in the step of determining the alignment mark.
  • connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC can be connected, so the yield is high.
  • An electrode connection structure on a flexible substrate, a connection method, and a display panel using the connection structure can be provided.
  • FIG. 1 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing details of the electrode shape related to the connection structure according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 7A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG. FIG.
  • FIG. 7B is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 8A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrodes of FIG.
  • FIG. 8B is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 9 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 11A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 11B is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 12A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG. 12B is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 12A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG. 12B is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 13A is a plan view showing an electrophoretic display device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 13B is a cross-sectional view illustrating an electrophoretic display device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a top view which shows the electrode shape regarding the connection structure which concerns on the 4th Embodiment of this invention.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram showing details of the electrode shape related to the connection structure according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a top view which shows the electrode shape regarding the connection structure which concerns on the 4th Embodiment of this invention.
  • FIG. 18 is a plan view showing a connection structure using the electrodes of FIG.
  • FIG. 19A is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 19B is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrodes of FIG.
  • FIG. 20A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 20B is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 21 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is an explanatory view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 23A is an explanatory view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 23B is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 24A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 24B is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 25A is a plan view showing an electrophoretic display device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 25B is a cross-sectional view showing an electrophoretic display device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 27 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 28 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 24A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 24B is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 25A is a plan view showing an electrophoretic
  • FIG. 29 is an explanatory view showing details of the electrode shape related to the connection structure according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 30 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 31 is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 32A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 32B is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 33A is an explanatory view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 33B is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 34 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 35 is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 36A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 36B is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 37A is an explanatory view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 37B is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 38A is a plan view showing an electrophoretic display device according to a ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 38B is a sectional view showing the electrophoretic display device according to the ninth embodiment of the invention.
  • FIG. 39 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 40 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 41 is an explanatory diagram showing details of the electrode shape related to the connection structure according to the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 42 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 43 is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG. 44A is a plan view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 44B is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 45A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 45B is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG. FIG.
  • FIG. 46 is a plan view showing an electrode shape related to the connection structure according to the eleventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 47 is an explanatory view showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 48A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 48B is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 49A is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG. 49B is an explanatory diagram showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • FIG. 50A is a plan view showing an electrophoretic display device according to a twelfth embodiment of the present invention.
  • FIG. 50B is a cross-sectional view showing the electrophoretic display device according to the twelfth embodiment of the present invention.
  • FIG. 51 is a plan view showing an electrode shape according to the prior art.
  • FIG. 52 is a plan view (in the case of a glass substrate) showing a connection structure using the electrode of FIG. 53 is a plan view (in the case of a flexible substrate) showing a connection structure using the electrode of FIG.
  • connection structure between a connection electrode on a flexible substrate and a connection electrode of a flexible IC, a connection method, and a display panel using the connection electrode according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
  • the dimensions are appropriately changed to make the figure easy to see, and the scale is not constant.
  • FIG. 1 to 3 are plan views for explaining the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, the connection electrode 5 of the flexible IC, and the electrode shape according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view showing details of the connection structure and electrode shape between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is composed of a plurality of strip-shaped first electrodes 2 ′.
  • the pitch P in the alignment direction of the center lines 2 ⁇ / b> C (also referred to as the x direction as the x-axis extending direction described later) is constant with respect to the alignment direction, and the vertical direction (described later). It is formed so as to gradually change with respect to the direction in which the y-axis extends (also referred to as the y-direction).
  • connection electrode 5 of the flexible IC is formed on a base material 4 different from the flexible substrate 1 as shown in FIGS. 1 to 3 in the form of a rectangle (rectangular shape) whose sides are parallel to the x direction or the y direction.
  • Two electrodes 5 ′ are arranged in a plurality of x directions so as to correspond to the first electrode 2 ′.
  • the length of the second electrode 5 ′ in the y direction is a constant value Dp, which is shorter than the length D of the first electrode 2 ′ on the flexible substrate 1.
  • connection structure of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC is obtained by placing the base material 4 on the flexible substrate 1, thereby connecting the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. It is obtained by fixing and connecting the flexible substrate 1 and the base material 4 using an anisotropic conductive film, non-conductive paste or the like (not shown) in a state where the connection electrodes 5 of the flexible IC are opposed to each other.
  • illustration of the base material 4 is abbreviate
  • the center line 2C of the first electrode 2 ′ has an x-axis as the arrangement direction of the plurality of first electrodes 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, and is perpendicular to the arrangement direction.
  • the pitch P in the x direction of the center line 2C of the adjacent first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 does not depend on the x coordinate (that is, constant in the x direction). ), Depending on the y-coordinate (ie, changing in the y-direction).
  • FIG. 1 shows a case where the angle ⁇ between the center line 2C and the y axis depends on y.
  • connection electrode 5 of the flexible IC is shifted and connected to the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 in the vertical direction. By doing so, it becomes possible to select an appropriate pitch P.
  • the plurality of first electrodes 2 'included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 may be a parallelogram.
  • the plurality of first electrodes 2 may be expanded (FIG. 2) or narrowed (FIG. 3) as the pitch P in the arrangement direction of the center lines 2C of the first electrodes 2 ′ is closer to the edge of the flexible substrate. Is arranged.
  • the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is disposed so as to be bilaterally symmetric with respect to the horizontal direction (x direction) in the drawing in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. .
  • the angle ⁇ formed by the center line 2 ⁇ / b> C of the first electrode 2 ′ and the y axis does not depend on the y coordinate.
  • the angle ⁇ is constant for each first electrode 2 ′, and its value is substantially proportional to the x coordinate of the center of each first electrode 2 ′. This simple electrode shape facilitates design.
  • the arrangement direction of the plurality of first electrodes 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is the x axis, the direction perpendicular to the arrangement direction is the y axis, and the flexible substrate 1.
  • the line width of the second electrode 5 'included in the connection electrode 5 of the flexible IC that is, the length in the x direction is the line width Lp
  • the length, that is, the length in the y direction is the length Dp
  • the flexible substrate The length L where the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on 1 overlaps with a straight line parallel to the x-axis, L ⁇ Lp ⁇ Dp ⁇
  • the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 has a length Dp in the y direction of the connection electrode 5 of the flexible IC. In this region, it is included in the second electrode 5 ′ (the length L of the first electrode 2 ′ is included in the line width Lp of the second electrode 5 ′ in plan view). That is, when the angle ⁇ is 0, the length L can be increased to the line width Lp, and when the angle ⁇ is not 0, the length L is slightly reduced depending on the angle ⁇ . As a result, it is possible to maintain a margin when the alignment is laterally shifted to the same level as when the angle ⁇ is 0 as in the prior art.
  • the length L in which the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 overlaps with a straight line parallel to the x-axis is a constant value L0, and is included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • ⁇ max is the largest absolute value among the angles ⁇ formed by the center line 2C of the first electrode 2 ′ and the y-axis
  • the overlapping area of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is as follows. It becomes constant. Accordingly, equivalent connection resistance can be obtained in connection between each first electrode 2 'and second electrode 5'.
  • the angle ⁇ is the largest at the first electrode 2 ′ on the outermost side of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 (the position where the absolute value of the x coordinate is the largest), and as it goes inward (the absolute value of the x coordinate) Therefore, the influence of misalignment is large at the outermost first electrode 2 'and decreases as it goes inward.
  • one set (a pair) of alignment marks 3 is provided on the flexible substrate 1.
  • An alignment mark 6 is also provided on the base material 4 so as to correspond to the alignment mark 3 of the flexible substrate 1.
  • FIGS. 6 to 8B A connection structure in which the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 5 and the connection electrode 5 of the flexible IC are connected via the ACF 9 is shown in FIGS. 6 to 8B.
  • the base material 4 and the connection electrode 5 of the flexible IC are shown in a transparent manner so that the connection structure can be easily understood.
  • FIG. 6 shows a case where the amount of expansion / contraction of the flexible substrate 1 is as expected.
  • the pitch P of the center line 2C of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and The pitches of the second electrodes 5 ′ included in the connection electrodes 5 of the flexible IC are matched, and appropriate bonding is performed. That is, when the alignment in the x direction is matched, the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is longer than the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. The region of Dp is included in the second electrode 5 ′.
  • the alignment margin is about half of the space of the second electrode 5 ′ (interval between the adjacent second electrodes 5 ′) included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the portion of the first electrode 2 ′ that overlaps the second electrode 5 ′ in the optimum alignment state (the state of FIG. 4) (the length Dp is parallel). It is desirable that the center of the quadrilateral overlaps at least with the second electrode 5 ′. Therefore, the alignment margin is about half of the space of the second electrode 5 '.
  • FIG. 7A is a diagram illustrating a case where the flexible substrate 1 is slightly extended in the x direction from the assumed one.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is aligned even when the alignment in the x direction is correct.
  • a part protrudes outside the second electrode 5 ′ in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the pitch P of the center line 2C of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is obtained by shifting the base 4 of the flexible IC by + y1 in the y direction.
  • the pitch of the second electrodes 5 ′ included in the connection electrodes 5 of the flexible IC can be matched. That is, when the alignment in the x direction is matched, the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is longer than the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the region of Dp is included in the second electrode 5 ′.
  • the alignment margin is secured up to about half of the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • FIG. 8A is a diagram illustrating a case where the flexible substrate 1 is slightly contracted in the x direction than expected.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is aligned even when the alignment in the x direction is correct.
  • Part of the second electrode 5 ′ protrudes inside the second electrode 5 ′ in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the pitch of the center line 2C of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is shifted by shifting the base material 4 of the flexible IC by ⁇ y2 in the y direction.
  • P and the pitch of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC can be matched. That is, when the alignment in the x direction is matched, the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is longer than the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the region of Dp is included in the second electrode 5 ′.
  • the alignment margin is secured up to about half of the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC according to the first embodiment having such characteristics can be connected as follows, for example.
  • connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 Measure the pitch P of the connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 and grasp it as a function of the y coordinate.
  • an anisotropic conductive film is bonded (temporary pressure bonding) to the connection electrode of the flexible IC, and next to the flexible substrate closest to the pitch of the center lines of the plurality of electrodes included in the connection electrode of the flexible IC. Bonding (main pressing) is performed at the pitch position (specific y coordinate) of the center line of the first electrode to be matched.
  • the connecting electrode 5 of the flexible IC in which the anisotropic conductive film 9 is bonded to the connecting electrode 2 on the representative flexible substrate 1 is aligned at the reference position, and the dimensions are measured after bonding.
  • the optimum relative movement amount y between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC from the alignment state is determined.
  • connection electrode 5 of the flexible IC bonded with the anisotropic conductive film 9 is aligned with the connection electrode 2 on the remaining flexible substrate 1
  • the flexible substrate 1 is moved from the reference alignment state by the determined movement amount y.
  • the upper connection electrode 2 and the connection electrode 5 of the flexible IC are relatively moved to align the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 that has been aligned and the connection electrode 5 of the flexible IC are joined.
  • the material of the flexible substrate 1 is preferably PET or PEN, but is not limited thereto.
  • Polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyimide (PI), polyamideimide (PAI), polyphenylene sulfide (PPS), aramid, nylon or the like may be used.
  • the flexible substrate 1 includes the pixel electrode 10 and may be directly connected to the connection electrode 2 or may be connected via a non-linear element such as a thin film transistor.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 or the connection electrode 5 of the flexible IC is a concept that does not include a portion covered with an insulating layer, and points to a portion where the surface is electrically exposed.
  • the same lot has been described as having the same expansion / contraction rate so far, the present invention is not limited to this.
  • the same lot may be classified according to the position of the base material, and the expansion / contraction may be confirmed for each classification. .
  • FIG. 9 is a plan view for explaining the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, the connection electrode 5 of the flexible IC, and the electrode shape according to the second embodiment of the present invention.
  • FIGS. 10 to 12B A connection structure in which the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 9 and the connection electrode 5 of the flexible IC are connected via the ACF 9 is shown in FIGS. 10 to 12B.
  • the base material 4 and the connection electrodes 5 of the flexible IC are shown in a transparent manner so that the connection structure can be easily understood.
  • FIG. 10 shows a case where the amount of expansion / contraction of the flexible substrate 1 is as expected.
  • the pitch P of the center line 2C of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the second electrode included in the connection electrode 5 of the flexible IC matches and proper bonding is achieved. That is, when the alignment in the x direction is matched, the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is longer than the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the connection electrode 5 is included in the region of Dp. As a result, the alignment margin is secured up to about half of the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC (interval between the adjacent second electrodes 5 ′).
  • FIG. 11A is a diagram illustrating a case where the flexible substrate 1 is slightly extended in the x direction than expected.
  • the alignment in the x direction is aligned. Even in a case where a part of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 protrudes outside the second electrode 5 ′ in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. .
  • the pitch of the center line 2C of the first electrode 2 'included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is shifted by shifting the base material 4 of the flexible IC by -y3 in the y direction.
  • P and the pitch of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC can be matched.
  • the first electrode included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is included.
  • the pitch P of the center line 2C of the first electrode 2 ′ can be matched with the pitch of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. That is, when the alignment in the x direction is correct, the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is the second electrode in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. 5 'included. Thus, the alignment margin is secured up to about half of the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • FIG. 12A is a diagram showing a case where the flexible substrate 1 is slightly contracted in the x direction than expected.
  • the alignment in the x direction is aligned. Even in a case where a part of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 protrudes inside the second electrode 5 ′ in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. .
  • the pitch P of the center line 2C of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is obtained by shifting the base 4 of the flexible IC by + y4 in the y direction.
  • the pitch of the second electrodes 5 ′ included in the connection electrodes 5 of the flexible IC can be matched.
  • the first one included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 can be obtained by aligning the y coordinate of the alignment mark 6 of the flexible IC with the one close to + y4 in the alignment mark group 3 ′ and the y coordinate of the alignment mark 6 of the flexible IC.
  • the pitch P of the center line 2C of the electrode 2 ′ can be matched with the pitch of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. That is, when the alignment in the x direction is correct, the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is the second electrode in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. 5 'included. Thus, the alignment margin is secured up to about half of the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC according to the second embodiment having such characteristics can be connected as follows.
  • connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 Measure the pitch P of the connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 and grasp it as a function of the y coordinate.
  • an anisotropic conductive film is bonded (temporary pressure bonding) to the connection electrode of the flexible IC, and next to the flexible substrate closest to the pitch of the center lines of the plurality of electrodes included in the connection electrode of the flexible IC.
  • the pitch position (specific y coordinate) of the center line of the first electrode to be matched is selected and bonded (main press bonding).
  • the connecting electrode 5 of the flexible IC in which the anisotropic conductive film 9 is bonded to the connecting electrode 2 on the representative flexible substrate 1 is aligned at the reference position, and the dimensions are measured after bonding.
  • An alignment mark optimum for alignment between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC from the alignment state is determined.
  • connection electrode 5 of the flexible IC which bonded the anisotropic conductive film 9 to the connection electrode 2 on the remaining flexible substrate 1
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC are aligned.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 that has been aligned and the connection electrode 5 of the flexible IC are joined.
  • a plurality of alignment mark groups 3 ′ on the flexible substrate 1 are provided side by side in the y direction.
  • the alignment marks constituting the alignment mark group 3 ′ are preferably formed in different shapes as shown in FIGS. 10 to 12B so that they can be distinguished from each other, but characters are put near the same shape marks. You may distinguish.
  • the material of the flexible substrate 1 is preferably PET or PEN, but is not limited thereto.
  • Polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyimide (PI), polyamideimide (PAI), polyphenylene sulfide (PPS), aramid, nylon or the like may be used.
  • the flexible substrate 1 includes the pixel electrode 10 and may be directly connected to the connection electrode 2 or may be connected via a non-linear element such as a thin film transistor.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 or the connection electrode 5 of the flexible IC is a concept that does not include a portion covered with an insulating layer, and points to a portion where the surface is electrically exposed.
  • FIGS. 13A and 13B are a plan view and a sectional view of an electrophoretic display panel according to the third embodiment of the present invention, which uses the electrode connection structure on the flexible substrate according to the first embodiment.
  • 13A is a plan view of the electrophoretic display panel before connection
  • FIG. 13B is a cross-sectional view of the AA ′ portion of the electrophoretic display panel after connection.
  • an electrophoretic medium layer is provided between the pixel electrode 10 on the flexible substrate 1 having the electrode connection structure according to the first embodiment and the counter electrode 12 provided on the counter substrate 11.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is directly connected to the pixel electrode 10 via the electric wiring 14 without an element such as a TFT, the electric wiring 14 is covered with an insulating layer 15.
  • the portion not covered with the insulating layer 15 is a portion used for connection or display, and is the connection electrode 2 or the pixel electrode 10.
  • a two-layer structure is formed on the flexible substrate 1, that is, a conductive layer including at least the connection electrode 2, the electric wiring 14, and the pixel electrode 10 and an insulating layer 15 that covers the electric wiring.
  • connection electrode 2 is not covered with the insulating layer 15, the electric wiring 14 is covered with the insulating layer 15, the insulating layer 15 on the electric wiring 14 has an opening, and the pixel electrode is formed on the insulating layer 15 having the opening. 10 may be formed, and the pixel electrode 10 may be connected to the electrical wiring 14 through the opening.
  • a three-layer structure of at least a first conductive layer composed of the connection electrode 2 and the electric wiring 14, an insulating layer 15 covering the electric wiring 14, and a second conductive layer composed of the pixel electrode 10. is formed on the flexible substrate 1, a three-layer structure of at least a first conductive layer composed of the connection electrode 2 and the electric wiring 14, an insulating layer 15 covering the electric wiring 14, and a second conductive layer composed of the pixel electrode 10. Is formed.
  • the TFT When the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is indirectly connected to the pixel electrode 10 via a TFT (not shown), the TFT has at least a four-layer structure.
  • TFTs There are two types of TFTs: a top gate (TG) structure: a gate electrode above the source / drain electrode, and a bottom gate (BG) structure: a gate electrode below the source / drain electrode.
  • TG top gate
  • BG bottom gate
  • TC top contact
  • BC bottom contact
  • the TFT has a semiconductor layer, a first conductive layer composed of a source / drain electrode and a source wiring, a gate insulating film, and a second conductive layer composed of a gate electrode and a gate wiring.
  • the TFT has a first conductive layer composed of a source / drain electrode and a source wiring, a semiconductor layer, a gate insulating film, and a second conductive layer composed of a gate electrode and a gate wiring.
  • the TFT has a first conductive layer composed of a gate electrode and a gate wiring, a gate insulating film, a semiconductor layer, and a second conductive layer composed of a source / drain electrode and a source wiring.
  • the TFT includes a first conductive layer including a gate electrode and a gate wiring, a gate insulating film, a second conductive layer including a source / drain electrode and a source wiring, and a semiconductor layer.
  • the drain electrode is connected to the pixel electrode 10, and the gate wiring and the source wiring are connected to the connection electrode 2.
  • the TFT is covered with an interlayer insulating film, and the pixel electrode 10 is provided on the interlayer insulating film.
  • the interlayer insulating film has an opening on the drain electrode, and the pixel electrode 10 is connected to the drain electrode through the opening.
  • the interlayer insulating film and the gate insulating film have an opening on the drain electrode, and the pixel electrode 10 is connected to the drain electrode through the opening.
  • a six-layer structure including at least four layers for forming TFTs, an interlayer insulating film covering the TFTs, and a third conductive layer made up of the pixel electrodes 10 is formed on the flexible substrate 1.
  • a drain electrode overlaps with a capacitor electrode through an insulating layer to form a capacitor. This capacitor holds charges and has the effect of maintaining the potential of the pixel electrode 10 long.
  • connection electrode 2 is included in the first conductive layer and the second conductive layer.
  • a gate wiring and a source wiring are connected to the connection electrode 2, and a counter electrode wiring and a capacitor wiring are also connected to the connection electrode 2.
  • the counter electrode wiring is a wiring for supplying power to the counter electrode 12, and the capacitor wiring is a wiring for supplying power to the capacitor electrode.
  • a member obtained by laminating a counter electrode 12 and an electrophoretic medium layer 13 on a counter substrate 11 is generally laminated on the surface of the pixel electrode 10 on the flexible substrate 1.
  • PET is preferably used as the material of the counter substrate 11
  • ITO is preferably used as the material of the counter electrode 12.
  • the electrophoretic medium layer 13 a liquid containing black particles and white particles charged in opposite directions in a microcapsule, or black particles, white particles, and red particles charged in a partition called a microcup is included.
  • a liquid containing the liquid is preferably used.
  • a part of the electrophoretic medium layer 13 is removed before laminating the member, and the part or the counter electrode to which the part is to be bonded Lamination is performed after applying a conductive paste or conductive adhesive on the wiring.
  • connection structure of the present invention can be used when a flexible IC is used as the driving IC for the electrophoretic display panel.
  • the electrophoretic display panel only needs electricity only at the time of rewriting and does not need to pass an electric current at the time of non-rewriting, so the burden on the connection portion is small. Therefore, even if the x-direction dimension L of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is limited as in the present invention and the overlapping area is small, it can be used without any problem.
  • the ACF 9 a material in which conductive particles are dispersed in an insulating resin is preferably used.
  • the ACF 9 is temporarily pressure-bonded on one connection electrode, and then the other connection electrode is aligned and finally pressure-bonded. Temporary pressure bonding is performed at low temperature and low pressure, and main pressure bonding is performed at high temperature and pressure.
  • the ACF 9 may be temporarily pressure-bonded on the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and then overlap-bonded with the connection electrode 5 of the flexible IC and may be finally pressure-bonded.
  • the ACF 9 may be temporarily pressure-bonded on the connection electrode 5 of the flexible IC and then flexible.
  • the main electrode may be bonded to the connection electrode 2 on the substrate 1.
  • FIGS. 14 and 15 are plan views for explaining the connection electrode 5 and electrode shape of the flexible IC with the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a plan view showing the details of the connection structure and electrode shape between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the plurality of first electrodes 2 ′ constituting the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 according to the fourth embodiment have the pitch P in the arrangement direction of the center lines 2 ⁇ / b> C arranged.
  • the direction is constant, and the vertical direction is formed so as to change stepwise.
  • the pitch P changes into three stages with the number of stages n being 3, as in the pitches P (0), P (1), and P (2) (P (0) ⁇ P (1) ⁇ P (2)). .
  • connection electrode 5 of the flexible IC is composed of a plurality of second electrodes 5 'as in the first to third embodiments, as shown in FIGS. Since the length in the y direction of the second electrode 5 ′ is a constant value Dp and the number of stages of the connection electrode 2 is 3, the length of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 One third of the length D, that is, shorter than D / 3.
  • connection electrode 5 of the flexible IC up and down with respect to the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and connecting at the position where the pitch is closest, an appropriate connection is possible.
  • the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is formed by changing a plurality of rectangular electrodes having the same shape while changing the position of the center line 2 ⁇ / b> C stepwise. It is a staircase shape connected in the x direction.
  • the plurality of first electrodes 2 ′ have pitches P (0), P (1), and P (2) in the arrangement direction of the center line 2 C of the first electrode 2 ′ close to the edge of the flexible substrate 1.
  • the configuration is such that it expands (FIG. 14) or narrows (FIG. 15).
  • the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is arranged so as to be symmetrical with respect to the horizontal direction (x direction) in the drawing. Therefore, since the pitch P in each stage of the first electrode 2 'is constant, the design is facilitated.
  • the alignment direction of the first electrodes 2 ′ included in the connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 is the x axis
  • the direction perpendicular to the alignment direction is the y axis
  • the plurality of first electrodes 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 are arranged so as to be line symmetric with respect to the y axis.
  • illustration of the base material 4 is abbreviate
  • the pitch of each stage can be described below.
  • P (1) is in the range of P (0) ⁇ P (1) ⁇ P (0) + 2 ⁇ (L ⁇ CO) / (H ⁇ 1)
  • P (2) is in the range of P (1) ⁇ P (2) ⁇ P (1) + 2 ⁇ (L ⁇ CO) / (H ⁇ 1).
  • This expression indicates the pitch P and the shift amount of the first electrode 2 'that secures the minimum necessary connection electrode width CO. As a result, the number of stages n can be reduced, and the area of the first electrode 2 'can be reduced.
  • P (m + 1) P (0) + 2 ⁇ (m + 1) ⁇ (L ⁇ CO) / (H ⁇ 1) ⁇ P (0) ⁇ PF ⁇ P (n) (L: connection electrode width, CO: minimum required connection electrode width, H: number of connection electrodes, n: number of steps (2 or more), m: n-2 or less, an integer of 0 or more, PF: center of second electrode 5 ′ Line pitch)
  • This expression indicates the minimum pitch P of the first electrode 2 ′ and the shift amount necessary to ensure the minimum necessary connection electrode width CO. That is, the connection width between the stages of the outermost terminals is the minimum required connection electrode width CO. As a result, the number of stages n can be reduced, and the area of the first electrode 2 'can be reduced.
  • the length in the y direction of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 of the flexible substrate 1 is the length of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 with n stages. It is preferable that D / n> Dp, where D is the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC and the length in the y direction is Dp.
  • D / n ⁇ Dp there is a possibility of causing a short circuit between adjacent electrodes due to a misalignment in the y direction.
  • one set (a pair) of alignment marks 3 is provided on the flexible substrate 1.
  • FIGS. 18 to 20C A connection structure in which the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 17 and the connection electrode 5 of the flexible IC are connected via the ACF 9 is shown in FIGS. 18 to 20C.
  • the base material 4 and the connection electrode 5 of the flexible IC are shown in a transparent manner so that the connection structure can be easily understood.
  • FIG. 18 shows a case where the amount of expansion / contraction of the flexible substrate 1 is as expected.
  • the pitch P of the center line 2C of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and The pitch PF of the center line of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC matches, and appropriate bonding is performed. That is, when the alignment in the x direction is matched, the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is longer than the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. In the region of Dp, it almost coincides with the second electrode 5 ′.
  • the alignment margin is secured by the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. Strictly speaking, since it is necessary to ensure the overlap of the minimum required connection electrode width CO, the value obtained by subtracting CO from the space of the second electrode 5 'is the alignment margin.
  • FIG. 19A is a diagram showing a case where the flexible substrate 1 is slightly extended in the x direction than expected.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is aligned even when the alignment in the x direction is correct.
  • a part protrudes outside the second electrode 5 ′ in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the center line 2C of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is shifted by shifting the base 4 of the flexible IC by + D / 3 in the y direction.
  • the pitch P and the pitch PF of the center line of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC can be matched. That is, when the alignment in the x direction is matched, the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is longer than the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. In the region of Dp, it almost coincides with the second electrode 5 ′. Thus, an alignment margin (a value obtained by subtracting the minimum necessary connection electrode width from the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC) is ensured.
  • FIG. 20A is a diagram illustrating a case where the flexible substrate 1 is slightly contracted in the x direction than expected.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is aligned even when the alignment in the x direction is correct.
  • Part of the second electrode 5 ′ protrudes inside the second electrode 5 ′ in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the center line 2C of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is obtained by shifting the base 4 of the flexible IC by ⁇ D / 3 in the y direction.
  • the pitch PF of the center line of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC can be matched. That is, when the alignment in the x direction is matched, the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is longer than the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. In the region of Dp, it almost coincides with the second electrode 5 ′. Thus, an alignment margin (a value obtained by subtracting the minimum necessary connection electrode width from the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC) is ensured.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC according to the fourth embodiment having such characteristics can be connected as follows.
  • connection electrode 2 Measures the pitch P of each step of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • an anisotropic conductive film is bonded (temporary pressure bonding) to the connection electrode of the flexible IC, and next to the flexible substrate closest to the pitch of the center lines of the plurality of electrodes included in the connection electrode of the flexible IC.
  • the pitch position of the center line of the first electrodes to be matched is selected and joined (main crimping).
  • the connecting electrode 5 of the flexible IC in which the anisotropic conductive film 9 is bonded to the connecting electrode 2 on the representative flexible substrate 1 is aligned at the reference position, and the dimensions are measured after bonding.
  • a relative movement amount y between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC from the alignment state is determined.
  • the material of the flexible substrate 1 is preferably PET or PEN, but is not limited thereto.
  • Polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyimide (PI), polyamideimide (PAI), polyphenylene sulfide (PPS), aramid, nylon or the like may be used.
  • the flexible substrate 1 includes the pixel electrode 10 and may be directly connected to the connection electrode 2 or may be connected via a non-linear element such as a thin film transistor.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 or the connection electrode 5 of the flexible IC is a concept that does not include a portion covered with an insulating layer, and points to a portion where the surface is electrically exposed.
  • the same lot has been described as having the same expansion / contraction rate so far, the present invention is not limited to this.
  • the same lot may be classified according to the position of the base material, and the expansion / contraction may be confirmed for each classification.
  • the connection may be performed after confirming the expansion / contraction for each pressure bonding.
  • FIG. 21 is a plan view illustrating the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, the connection electrode 5 of the flexible IC, and the electrode shape according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the connection electrode 2 On the flexible substrate 1 according to the fifth embodiment, together with the connection electrode 2 having the same shape as that of the fourth embodiment, three sets (three pairs) of alignment mark groups 3 ′ arranged in the y direction are formed. Yes.
  • the pitch P of the center line C of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the flexible IC The pitches PF of the center lines of the second electrodes 5 ′ included in the connection electrodes 5 coincide with each other, and appropriate bonding is performed. That is, when the alignment in the x direction is matched, the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is longer than the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the connection electrode 5 is included in the region of Dp.
  • FIG. 23A is a diagram illustrating a case where the flexible substrate 1 is slightly extended in the x direction than expected.
  • the y coordinate between the standard alignment mark group 3 ′ on the flexible substrate 1 in FIG. 23, the center alignment mark of the alignment mark group 3 ′ aligned in the y direction
  • the alignment mark 6 of the flexible IC is the alignment mark 6 of the flexible IC.
  • the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 can be obtained by using an alignment mark in which the base 4 of the flexible IC is shifted by + D / 3 in the y direction.
  • the pitch P of the center line 2C can be matched with the pitch PF of the center line of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. That is, when the alignment in the x direction is correct, the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is the second electrode in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. 5 'included.
  • an alignment margin (a value obtained by subtracting the minimum necessary connection electrode width from the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC) is ensured.
  • FIG. 24A is a diagram illustrating a case where the flexible substrate 1 is slightly contracted in the x direction than expected.
  • the y coordinate between the standard alignment mark group 3 ′ on the flexible substrate 1 in FIG. 24A, the center alignment mark of the alignment mark group 3 ′ aligned in the y direction
  • the alignment mark 6 of the flexible IC when the ACF is pressure-bonded together, even if the alignment in the x-direction is correct, a part of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. In this region, the second electrode 5 ′ protrudes inside.
  • the first electrode 2 included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is used by using an alignment mark in which the base 4 of the flexible IC is shifted by ⁇ D / 3 in the y direction. It is possible to match the pitch P of the center line 2C of 'and the pitch PF of the center line of the second electrode 5' included in the connection electrode 5 of the flexible IC. That is, when the alignment in the x direction is correct, the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is the second electrode in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. 5 'included. Thus, an alignment margin (a value obtained by subtracting the minimum necessary connection electrode width from the space of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC) is ensured.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC according to the fifth embodiment having such characteristics can be connected as follows.
  • connection electrode 2 Measures the pitch P of each step of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • an anisotropic conductive film is bonded (temporary pressure bonding) to the connection electrode of the flexible IC, and next to the flexible substrate closest to the pitch of the center lines of the plurality of electrodes included in the connection electrode of the flexible IC.
  • the pitch position of the center line of the first electrodes to be matched is selected and joined (main crimping).
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC are aligned. I do. Finally, the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 that has been aligned and the connection electrode 5 of the flexible IC are joined.
  • the material of the flexible substrate 1 is preferably PET or PEN, but is not limited thereto.
  • Polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyimide (PI), polyamideimide (PAI), polyphenylene sulfide (PPS), aramid, nylon or the like may be used.
  • the flexible substrate 1 includes the pixel electrode 10 and may be directly connected to the connection electrode 2 or may be connected via a non-linear element such as a thin film transistor.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 or the connection electrode 5 of the flexible IC is a concept that does not include a portion covered with an insulating layer, and points to a portion where the surface is electrically exposed.
  • FIGS. 25A and 25B are a plan view and a cross-sectional view of an electrophoretic display panel according to the sixth embodiment of the present invention, which uses the electrode connection structure on the flexible substrate according to the fourth embodiment.
  • 25A is a plan view of the electrophoretic display panel before connection
  • FIG. 25B is a cross-sectional view of the BB ′ portion of the electrophoretic display panel after connection.
  • an electrophoretic medium layer is provided between the pixel electrode 10 on the flexible substrate 1 having the electrode connection structure according to the fourth embodiment and the counter electrode 12 provided on the counter substrate 11. By sandwiching 13, the electrophoretic display panel according to the sixth embodiment can be obtained.
  • connection electrode 2 is not covered with the insulating layer 15, the electric wiring is covered with the insulating layer 15, the insulating layer 15 on the electric wiring has an opening, and the pixel electrode 10 is formed on the insulating layer 14 having the opening.
  • the pixel electrode 10 formed may be connected to the electric wiring through the opening.
  • the flexible substrate 1 has a three-layer structure of at least the connection electrode 2, a first conductive layer made of electrical wiring, an insulating layer 15 covering the electrical wiring, and a second conductive layer made of the pixel electrode 10. It is formed.
  • the TFT When the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is connected to the pixel electrode 10 via the TFT, the TFT has at least a four-layer structure.
  • TFTs There are two types of TFTs: a top gate (TG) structure: a gate electrode above the source / drain electrode, and a bottom gate (BG) structure: a gate electrode below the source / drain electrode.
  • TG top gate
  • BG bottom gate
  • TC top contact
  • BC bottom contact
  • a member obtained by laminating a counter electrode 12 and an electrophoretic medium layer 13 on a counter substrate 11 is generally laminated on the surface of the pixel electrode 10 on the flexible substrate 1.
  • PET is preferably used as the material of the counter substrate 11
  • ITO is preferably used as the material of the counter electrode 12.
  • the electrophoretic medium layer 13 a liquid containing black particles and white particles charged in opposite directions in a microcapsule, or black particles, white particles, and red particles charged in a partition called a microcup is included.
  • a liquid containing the liquid is preferably used.
  • a part of the electrophoretic medium layer 12 is removed before laminating the above member, and the part, or the counter electrode to which the part is to be bonded Lamination is performed after applying a conductive paste or conductive adhesive on the wiring.
  • the ACF 9 a material in which conductive particles are dispersed in an insulating resin is preferably used.
  • the ACF 9 is temporarily pressure-bonded on one connection electrode, and then the other connection electrode is aligned and finally pressure-bonded. Temporary pressure bonding is performed at low temperature and low pressure, and main pressure bonding is performed at high temperature and pressure.
  • the ACF 9 may be temporarily pressure-bonded on the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and then overlap-bonded with the connection electrode 5 of the flexible IC and may be finally pressure-bonded.
  • the ACF 9 may be temporarily pressure-bonded on the connection electrode 5 of the flexible IC and then flexible.
  • the main electrode may be bonded to the connection electrode 2 on the substrate 1.
  • FIG. 26 to 28 are plan views for explaining the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, the connection electrode 5 of the flexible IC, and the electrode shape according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 29 is a plan view showing details of the connection structure and electrode shape between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • connection electrode 5 on the flexible IC is composed of a plurality of strip-shaped second electrodes 5 '.
  • the pitch P in the alignment direction of the center lines 5 ⁇ / b> C (also referred to as the x direction, which will be described later in the x-axis extending direction) is constant with respect to the alignment direction, and the vertical direction (described later) It is formed so as to gradually change with respect to the direction in which the y-axis extends (also referred to as the y-direction).
  • connection electrode 2 of the flexible substrate 1 is a rectangle (rectangular shape) whose sides are parallel to the x direction or the y direction on the substrate 1 different from the base 4 of the flexible IC.
  • the first electrodes 2 ′ are arranged in a plurality of x directions so as to correspond to the second electrodes 5 ′.
  • the length of the first electrode 2 'in the y direction is a constant value Dp, which is shorter than the length D of the second electrode 5' on the flexible IC.
  • connection structure of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC is obtained by placing the base material 4 on the flexible substrate 1 and It is obtained by fixing and connecting the flexible substrate 1 and the base material 4 using an anisotropic conductive film, non-conductive paste or the like (not shown) in a state where the connection electrodes 5 of the flexible IC are opposed to each other.
  • the base material 4 is not shown for convenience.
  • the plurality of second electrodes 5 'included in the connection electrode 5 of the flexible IC may be parallelograms.
  • the plurality of second electrodes 5 may expand (FIG. 27) or narrow (FIG. 28) as the pitch P in the arrangement direction of the center lines 5C of the second electrodes 5 ′ is closer to the edge of the flexible substrate. Is arranged.
  • the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is disposed so as to be symmetrical with respect to the horizontal direction (x direction) in the drawing in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the angle ⁇ formed by the center line 5 ⁇ / b> C of the second electrode 5 ′ and the y axis does not depend on the y coordinate.
  • the angle ⁇ is constant for each second electrode 5 ′, and its value is substantially proportional to the x coordinate of the center of each second electrode 5 ′. This simple electrode shape facilitates design.
  • the arrangement direction of the plurality of second electrodes 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is the x axis
  • the direction perpendicular to the arrangement direction is the y axis
  • the angle between the center line 5C of the second electrode 5 ′ of the flexible IC and the y axis is an angle ⁇
  • the connection on the flexible substrate 1 When the line width of the first electrode 2 ′ included in the electrode 2, that is, the length in the x direction is the line width Lp, and the length, that is, the length in the y direction is the length Dp, the connection electrode 5 of the flexible IC
  • the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC has a length Dp in the y direction of the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • the length L of the second electrode 5 ′ is included within the line width Lp of the first electrode 2 ′). That is, when the angle ⁇ is 0, the length L can be increased to the line width Lp, and when the angle ⁇ is not 0, the length L is slightly reduced depending on the angle ⁇ . As a result, it is possible to maintain a margin when the alignment is laterally shifted to the same level as when the angle ⁇ is 0 as in the prior art.
  • the length L in which the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC overlaps with the straight line parallel to the x-axis is a constant value L0, and the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC
  • ⁇ max is a value having the largest absolute value among the angles ⁇ formed by the center line 5C of the electrode 5 ′ and the y axis
  • the overlapping area of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is as follows. It becomes constant. Accordingly, equivalent connection resistance can be obtained in connection between each first electrode 2 'and second electrode 5'.
  • the angle ⁇ is the largest at the second electrode 5 ′ on the outermost side (position where the absolute value of the x coordinate is the largest) of the connection electrode 5 of the flexible IC, and as it goes inward (the absolute value of the x coordinate becomes smaller). Therefore, the influence of the misalignment is large at the outermost second electrode 5 ′, and decreases as it goes inward.
  • FIGS. 31 to 33B A connection structure in which the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 30 and the connection electrode 5 of the flexible IC are connected via the ACF 9 is shown in FIGS. 31 to 33B.
  • the flexible IC base 4 and the flexible IC connection electrodes 5 are shown in a transparent manner so that the connection structure can be easily understood.
  • FIG. 31 shows a case where the amount of expansion / contraction of the flexible substrate 1 is as expected.
  • the alignment margin is about half of the space of the first electrode 2 included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 (interval between the adjacent first electrodes 2 ′) in order to prevent adjacent short-circuiting.
  • the portion of the second electrode 5 ′ that overlaps the first electrode 2 ′ in the optimum alignment state (the state shown in FIG. 29) (parallel of the length Dp). It is desirable that the center of the quadrilateral overlaps at least with the first electrode 2 ′. Therefore, the alignment margin is about half of the space of the first electrode 2 '.
  • FIG. 32A is a diagram illustrating a case where the flexible substrate 1 is slightly extended in the x direction than expected.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is aligned even when the alignment in the x direction is correct.
  • a part protrudes outside the second electrode 5 ′ in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the pitch P of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the flexible IC can be changed by shifting the base material 4 of the flexible IC by ⁇ y1 in the y direction.
  • the pitch of the center line 5C of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the IC can be matched. That is, when the alignment in the x direction is matched, the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is equal to the length of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • the region of Dp is included in the first electrode 2 ′.
  • the alignment margin is secured up to about half of the space of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • FIG. 33A is a diagram illustrating a case where the flexible substrate 1 is slightly contracted in the x direction than expected.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is aligned even when the alignment in the x direction is correct.
  • Part of the second electrode 5 ′ protrudes inside the second electrode 5 ′ in the region of the length Dp of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the pitch P of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the flexible IC The pitch of the center line 5C of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 can be matched. That is, when the alignment in the x direction is matched, the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is equal to the length of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. The region of Dp is included in the first electrode 2 ′. Thus, the alignment margin is secured up to about half of the space of the first electrode 2 included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 Measure and grasp the pitch P of the connection electrodes 2 on the flexible substrate 1.
  • an anisotropic conductive film is bonded to the connection electrode on the flexible substrate 1 (temporary pressure bonding), and is closest to the pitch of the center lines of the plurality of electrodes included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, Bonding (final press-bonding) is performed at the pitch position (specific y coordinate) of the center line of the second electrode adjacent to the flexible IC.
  • the anisotropic conductive film 9 is bonded to the connection electrode 2 on the representative flexible substrate 1, the connection electrode 5 of the flexible IC is aligned at the reference position, and the dimensions are measured after bonding.
  • the optimum relative movement amount y between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC from the alignment state is determined.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 that has been aligned and the connection electrode 5 of the flexible IC are joined.
  • the same lot has been described as having the same expansion / contraction rate so far, the present invention is not limited to this.
  • the same lot may be classified according to the position of the base material, and the expansion / contraction may be confirmed for each classification. .
  • FIGS. 35 to 37B A connection structure in which the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 34 and the connection electrode 5 of the flexible IC are connected via the ACF 9 is shown in FIGS. 35 to 37B.
  • the flexible IC base material 4 and the flexible IC connection electrode 5 are shown in a transparent manner so that the connection structure can be easily understood.
  • FIG. 35 shows a case where the amount of expansion / contraction of the flexible substrate 1 is as expected.
  • the flexible IC alignment mark group 6 ' which is a standard one, that is, the flexible IC alignment mark for use when the expansion / contraction amount of the flexible substrate 1 is as expected (in FIG.
  • the pitches of the first electrodes 2 ′ included in the first electrode 2 ′ coincide with each other and appropriate bonding is performed. That is, when the alignment in the x direction is matched, the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is equal to the length of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. It is included in the connection electrode 2 in the region of Dp. As a result, the alignment margin is secured up to about half of the space of the first electrode 2 ′ (interval between adjacent first electrodes 2 ′) included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • the pitch of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the flexible IC can be matched.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is applied.
  • the pitch of the first electrode 2 ′ included can be matched with the pitch P of the center line 5 C of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. That is, when the alignment in the x direction is aligned, the connection electrode 5 of the flexible IC is the first electrode in the region of the length Dp of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. 2 '. Thus, the alignment margin is secured up to about half of the space of the first electrode 2 included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • FIG. 37A is a diagram showing a case where the flexible substrate 1 is slightly contracted in the x direction than expected.
  • the alignment in the x direction matches when the y-coordinate of the alignment mark 3 on the flexible substrate 1 is aligned with the standard one (outside circular alignment mark) of the alignment mark group 6 'of the flexible IC and ACF is pressed.
  • the connection electrode 5 of the flexible IC is in the region of the length Dp of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, Stick out.
  • the pitch of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the flexible IC can be matched.
  • the alignment mark group 6 'close to -y4 (external hexagonal alignment mark) and the y-coordinate of the alignment mark 3 of the flexible IC are combined and ACF-bonded, the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is included.
  • the pitch of the first electrodes 2 ′ and the pitch P of the center line 5C of the second electrodes 5 ′ included in the connection electrodes 5 of the flexible IC can be matched. That is, when the alignment in the x direction is aligned, the connection electrode 5 of the flexible IC is the first electrode in the region of the length Dp of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. 2 '. Thus, the alignment margin is secured up to about half of the space of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC according to the eighth embodiment having such characteristics can be connected as follows.
  • connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 Measure and grasp the pitch of the connection electrodes 2 on the flexible substrate 1.
  • an anisotropic conductive film is bonded to the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 (temporary pressure bonding), and is closest to the pitch of the center lines of the plurality of electrodes included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • the pitch position (specific y coordinate) of the center line of the second electrode adjacent to the flexible IC is selected and bonded (final pressure bonding).
  • the anisotropic conductive film 9 is bonded to the connection electrode 2 on the representative flexible substrate 1, the connection electrode 5 of the flexible IC is aligned at the reference position, and the dimensions are measured after bonding.
  • An alignment mark optimum for alignment between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC from the alignment state is determined.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC are aligned.
  • a plurality of flexible IC alignment mark groups 6 ′ are provided side by side in the y direction.
  • the alignment marks constituting the alignment mark group 6 ′ are preferably formed in different shapes as shown in FIGS. 35 to 37B so that they can be distinguished from each other, but characters are put near the same shape marks. You may distinguish.
  • the material of the flexible substrate 1 is preferably PET or PEN, but is not limited thereto.
  • Polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyimide (PI), polyamideimide (PAI), polyphenylene sulfide (PPS), aramid, nylon or the like may be used.
  • the flexible substrate 1 includes the pixel electrode 10 and may be directly connected to the connection electrode 2 or may be connected via a non-linear element such as a thin film transistor.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC point to a portion whose surface is electrically exposed and does not include a portion covered with an insulating layer.
  • the connection electrode 2 is provided on the insulating layer 15, and is more preferably connected to the wiring 14 through the opening of the insulating layer 15.
  • FIG. 38A is a plan view of the electrophoretic display panel before connection
  • FIG. 38B is a cross-sectional view of the AA ′ portion of the electrophoretic display panel after connection.
  • an electrophoretic medium layer is provided between the pixel electrode 10 on the flexible substrate 1 having the electrode connection structure according to the seventh embodiment and the counter electrode 12 provided on the counter substrate 11. By sandwiching 13, the electrophoretic display panel according to the ninth embodiment can be obtained.
  • connection electrode 2 is not covered with the insulating layer 15, the electric wiring 14 is covered with the insulating layer 15, the insulating layer 15 on the electric wiring 14 has an opening, and the pixel electrode is formed on the insulating layer 15 having the opening. 10 and the connection electrode 2 may be formed, and the pixel electrode 10 and the connection electrode 2 may be connected to the electrical wiring 14 through the opening.
  • a three-layer structure including at least a first conductive layer composed of the electrical wiring 14, an insulating layer 15 covering the electrical wiring 14, and a second conductive layer composed of the pixel electrode 10 and the connection electrode 2. Is formed.
  • the TFT has a semiconductor layer, a first conductive layer composed of a source / drain electrode and a source wiring, a gate insulating film, and a second conductive layer composed of a gate electrode and a gate wiring.
  • the TFT has a first conductive layer composed of a source / drain electrode and a source wiring, a semiconductor layer, a gate insulating film, and a second conductive layer composed of a gate electrode and a gate wiring.
  • the TFT has a first conductive layer composed of a gate electrode and a gate wiring, a gate insulating film, a semiconductor layer, and a second conductive layer composed of a source / drain electrode and a source wiring.
  • the TFT includes a first conductive layer including a gate electrode and a gate wiring, a gate insulating film, a second conductive layer including a source / drain electrode and a source wiring, and a semiconductor layer.
  • a six-layer structure including at least four layers for forming TFTs, an interlayer insulating film covering the TFTs, and a third conductive layer made up of the pixel electrodes 10 is formed on the flexible substrate 1.
  • a drain electrode overlaps with a capacitor electrode through an insulating layer to form a capacitor. This capacitor holds charges and has the effect of maintaining the potential of the pixel electrode 10 long.
  • a member obtained by laminating a counter electrode 12 and an electrophoretic medium layer 13 on a counter substrate 11 is generally laminated on the surface of the pixel electrode 10 on the flexible substrate 1.
  • PET is preferably used as the material of the counter substrate 11
  • ITO is preferably used as the material of the counter electrode 12.
  • the electrophoretic medium layer 13 a liquid containing black particles and white particles charged in opposite directions in a microcapsule, or black particles, white particles, and red particles charged in a partition called a microcup is included.
  • a liquid containing the liquid is preferably used.
  • a part of the electrophoretic medium layer 13 is removed before laminating the member, and the part or the counter electrode to which the part is to be bonded Lamination is performed after applying a conductive paste or conductive adhesive on the wiring.
  • FIGS. 39 and 40 are plan views for explaining the connection electrodes 5 and electrode shapes of the flexible IC with the connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 according to the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 41 is a plan view showing details of the connection structure and electrode shape between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the plurality of second electrodes 5 ′ constituting the connection electrode 5 of the flexible IC according to the tenth embodiment has the pitch P in the arrangement direction of the center lines 5C with respect to the arrangement direction. It is constant and is formed so as to change stepwise with respect to the vertical direction. For example, the pitch P changes into three stages with the number of stages n being 3, as in the pitches P (0), P (1), and P (2) (P (0) ⁇ P (1) ⁇ P (2)). .
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is composed of a plurality of first electrodes 2 'as in the seventh to ninth embodiments, as shown in FIGS. Since the length in the y direction of the first electrode 2 ′ is a constant value Dp, and the number of stages of the connection electrode 5 is 3, the length D of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC. Of one third, i.e. shorter than D / 3.
  • the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is disposed so as to be symmetrical with respect to the horizontal direction (x direction) in the drawing. Therefore, since the pitch P in each stage of the second electrode 5 'is constant, the design is facilitated.
  • the arrangement direction of the second electrodes 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is the x axis
  • the direction perpendicular to the arrangement direction is the y axis
  • the coordinates of the center of the connection electrode 5 of the flexible IC are
  • (x, y) (0, 0)
  • the second electrode 5 ′ is formed so that the pitch P changes stepwise in the y-axis direction.
  • the plurality of second electrodes 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC are arranged so as to be line symmetric with respect to the y axis.
  • the base material 4 is not shown for convenience.
  • the pitch of each stage can be described below.
  • P (1) is in the range of P (0) ⁇ P (1) ⁇ P (0) + 2 ⁇ (L ⁇ CO) / (H ⁇ 1)
  • P (2) is in the range of P (1) ⁇ P (2) ⁇ P (1) + 2 ⁇ (L ⁇ CO) / (H ⁇ 1).
  • This expression indicates the minimum pitch P of the second electrode 5 ′ and the shift amount necessary to ensure the minimum necessary connection electrode width CO. That is, the connection width between the stages of the outermost terminals is the minimum required connection electrode width CO. As a result, the number of stages n can be reduced, and the area of the first electrode 2 'can be reduced.
  • the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC in the y direction is n steps, and the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is D.
  • D / n> Dp it is preferable that D / n> Dp.
  • D / n ⁇ Dp there is a possibility of causing a short circuit between adjacent electrodes due to a misalignment in the y direction.
  • one set (a pair) of alignment marks 6 is provided in the flexible IC.
  • FIGS. 43 to 45B show the connection structure in which the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 42 and the connection electrode 5 of the flexible IC are connected via the ACF 9.
  • 43 to 45B show the flexible IC base material 4 and the flexible IC connection electrodes 5 so that the connection structure is easily understood.
  • FIG. 43 shows a case where the amount of expansion / contraction of the flexible substrate 1 is as expected. In this case, in a state where the alignment mark 3 on the flexible substrate 1 and the alignment mark 6 of the flexible IC are aligned, the pitch PF of the center line of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is flexible.
  • the center line of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is shifted by shifting the base material 4 of the flexible IC by ⁇ D / 3 in the y direction.
  • the pitch PF and the pitch P of the center line 5C of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC can be matched. That is, when the alignment in the x direction is matched, the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is equal to the length of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. In the region of Dp, it almost coincides with the first electrode 2 ′. Thus, an alignment margin (a value obtained by subtracting the minimum required connection electrode width CO from the space of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1) is ensured.
  • FIG. 45A is a diagram showing a case where the flexible substrate 1 is slightly contracted in the x direction than expected.
  • the y-coordinates of the alignment mark 3 on the flexible substrate 1 and the alignment mark 6 of the flexible IC are aligned and ACF-bonded, a part of the connection electrode 5 of the flexible IC is fixed even when the alignment in the x direction is correct.
  • the region of the length Dp of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 it protrudes outside the first electrode 2 ′.
  • the pitch of the center line of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 can be obtained by shifting the base 4 of the flexible IC by + D / 3 in the y direction.
  • the pitch P of the center line 5C of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC can be matched with the PF. That is, when the alignment in the x direction is matched, the length of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 of the flexible IC is equal to the length of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. In the region of Dp, it almost coincides with the first electrode 2 ′. Thus, an alignment margin (a value obtained by subtracting the minimum required connection electrode width CO from the space of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1) is ensured.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC according to the tenth embodiment having such characteristics can be connected as follows, for example.
  • connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 Measure the pitch PF of the connection electrodes 2 on the flexible substrate 1.
  • an anisotropic conductive film is bonded (temporary pressure-bonded) to the connection electrode of the flexible IC, and the flexible film is closest to the pitch of the center lines of the plurality of electrodes included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1.
  • the pitch position of the center line of the second electrode adjacent to the IC is selected and joined (main crimping).
  • the anisotropic conductive film 9 is bonded to the connection electrode 2 on the representative flexible substrate 1, the connection electrode 5 of the flexible IC is aligned at the reference position, and the dimensions are measured after bonding.
  • a relative movement amount y between the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC from the alignment state is determined.
  • connection electrode 5 of the flexible IC bonded with the anisotropic conductive film 9 is aligned with the connection electrode 2 on the remaining flexible substrate 1
  • the flexible substrate 1 is moved from the reference alignment state by the determined movement amount y.
  • the upper connection electrode 2 and the connection electrode 5 of the flexible IC are relatively moved to align the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 that has been aligned and the connection electrode 5 of the flexible IC are joined.
  • the material of the flexible substrate 1 is preferably PET or PEN, but is not limited thereto.
  • Polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyimide (PI), polyamideimide (PAI), polyphenylene sulfide (PPS), aramid, nylon or the like may be used.
  • the flexible substrate 1 includes the pixel electrode 10 and may be directly connected to the connection electrode 2 or may be connected via a non-linear element such as a thin film transistor.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC point to a portion whose surface is electrically exposed and does not include a portion covered with an insulating layer.
  • the connection electrode 2 is provided on the insulating layer 15, and is more preferably connected to the wiring 14 through the opening of the insulating layer 15.
  • the same lot has been described as having the same expansion / contraction rate so far, the present invention is not limited to this.
  • the same lot may be classified according to the position of the base material, and the expansion / contraction may be confirmed for each classification.
  • the connection may be performed after confirming the expansion / contraction for each pressure bonding.
  • FIG. 46 is a plan view illustrating the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, the connection electrode 5 of the flexible IC, and the electrode shape according to the eleventh embodiment of the present invention.
  • the flexible IC according to the eleventh embodiment three sets (three pairs) of alignment mark groups 6 ′ arranged in the y direction are formed together with the connection electrode 5 having the same shape as in the tenth embodiment.
  • FIGS. 47 to 49B A connection structure in which the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 46 and the connection electrode 5 of the flexible IC are connected via the ACF 9 is shown in FIGS. 47 to 49B.
  • the flexible IC base 4 and the flexible IC connection electrode 5 are shown in a transparent manner so that the connection structure can be easily understood.
  • FIG. 47 shows a case where the amount of expansion / contraction of the flexible substrate 1 is as expected.
  • the alignment mark group 6 ′ of the flexible IC which is a standard one, that is, the alignment mark used when the expansion / contraction amount of the flexible substrate 1 is as expected (in FIG. 47, the alignment mark group 6 ′ aligned in the y direction) is used.
  • FIG. 48A is a diagram illustrating a case where the flexible substrate 1 is slightly extended in the x direction than expected.
  • the y coordinate between the standard alignment mark group 6 ′ of the flexible IC in FIG. 48, the center alignment mark of the alignment mark group 6 ′ aligned in the y direction
  • the alignment mark 3 on the flexible substrate 1 When the ACF is pressure-bonded together, even if the alignment in the x direction is correct, a part of the connection electrode 5 of the flexible IC is the length Dp of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. In this region, the first electrode 2 ′ protrudes inside.
  • the first electrode 2 included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is used by using an alignment mark shifted by + D / 3 on the base 4 of the flexible IC in the y direction.
  • the pitch PF of the center line ' can be matched with the pitch P of the center line 5C of the second electrode 5' included in the connection electrode 5 of the flexible IC. That is, when the alignment in the x direction is aligned, the connection electrode 5 of the flexible IC is the first electrode in the region of the length Dp of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. It almost matches 2 '.
  • an alignment margin (a value obtained by subtracting the minimum required connection electrode width CO from the space of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1) is ensured.
  • FIG. 49A is a diagram showing a case where the flexible substrate 1 is slightly contracted in the x direction than expected.
  • the y coordinate between the standard alignment mark group 6 ′ of the flexible IC in FIG. 49A, the center alignment mark of the alignment mark group 6 ′ aligned in the y direction
  • the alignment mark 3 on the flexible substrate 1 When the ACF is pressure-bonded together, even if the alignment in the x direction is correct, a part of the connection electrode 5 of the flexible IC is the length Dp of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 on the flexible substrate 1. In this region, it protrudes outside the first electrode 2 ′.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC according to the eleventh embodiment having such characteristics can be connected as follows, for example.
  • connection electrodes 2 on the flexible substrate 1 Measure the pitch PF of the connection electrodes 2 on the flexible substrate 1.
  • an anisotropic conductive film is bonded (temporary pressure bonding) to the connection electrode of the flexible IC, and the flexible IC is closest to the pitch of the center lines of the plurality of electrodes included in the connection electrode on the flexible substrate 1.
  • the pitch positions of the center lines of the second electrodes adjacent to each other are selected and joined (main crimping).
  • the anisotropic conductive film 9 is bonded to the connection electrode 2 on the representative flexible substrate 1, the connection electrode 5 of the flexible IC is aligned at the reference position, and the dimensions are measured after bonding. An optimum alignment mark is determined for alignment between the connection electrode 2 on the substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC.
  • the alignment mark 3 on the flexible IC 1 and the alignment mark 3 on the flexible substrate 1 are used to align the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 on the flexible IC. Do. Finally, the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 that has been aligned and the connection electrode 5 of the flexible IC are joined.
  • a plurality of sets of flexible IC alignment mark groups 6 ' are provided with different x-coordinates and y-coordinates.
  • the alignment marks constituting the alignment mark group 6 ′ may have the same shape, but preferably have different shapes so that they can be distinguished from each other.
  • the material of the flexible substrate 1 is preferably PET or PEN, but is not limited thereto.
  • Polyethersulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyimide (PI), polyamideimide (PAI), polyphenylene sulfide (PPS), aramid, nylon or the like may be used.
  • the flexible substrate 1 includes the pixel electrode 10 and may be directly connected to the connection electrode 2 or may be connected via a non-linear element such as a thin film transistor.
  • the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and the connection electrode 5 of the flexible IC point to a portion whose surface is electrically exposed and does not include a portion covered with an insulating layer.
  • the connection electrode 2 is provided on the insulating layer 15, and is more preferably connected to the wiring 14 through the opening of the insulating layer 15.
  • FIGS. 50A and 50B the plane of the electrophoretic display panel according to the twelfth embodiment of the present invention using the connection structure between the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC according to the tenth embodiment.
  • FIGS. 50A and 50B an electrophoretic medium layer is provided between the pixel electrode 10 on the flexible substrate 1 having the electrode connection structure according to the tenth embodiment and the counter electrode 12 provided on the counter substrate 11. By sandwiching 13, the electrophoretic display panel according to the twelfth embodiment can be obtained.
  • connection electrode 2 is not covered with the insulating layer 15, the electric wiring 14 is covered with the insulating layer 15, the insulating layer 15 on the electric wiring 14 has an opening, and the pixel electrode is formed on the insulating layer 15 having the opening. 10 and the connection electrode 2 may be formed, and the pixel electrode 10 and the connection electrode 2 may be connected to the electrical wiring 14 through the opening.
  • a three-layer structure including at least a first conductive layer composed of the electrical wiring 14, an insulating layer 15 covering the electrical wiring 14, and a second conductive layer composed of the pixel electrode 10 and the connection electrode 2. Is formed.
  • the TFT When the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 is connected to the pixel electrode 10 via the TFT, the TFT has at least a four-layer structure.
  • TFTs There are two types of TFTs: a top gate (TG) structure: a gate electrode above the source / drain electrode, and a bottom gate (BG) structure: a gate electrode below the source / drain electrode.
  • TG top gate
  • BG bottom gate
  • TC top contact
  • BC bottom contact
  • the TFT has a first conductive layer composed of a gate electrode and a gate wiring, a gate insulating film, a semiconductor layer, and a second conductive layer composed of a source / drain electrode and a source wiring.
  • the TFT includes a first conductive layer including a gate electrode and a gate wiring, a gate insulating film, a second conductive layer including a source / drain electrode and a source wiring, and a semiconductor layer.
  • a six-layer structure including at least four layers for forming TFTs, an interlayer insulating film covering the TFTs, and a third conductive layer made up of the pixel electrodes 10 is formed on the flexible substrate 1.
  • a drain electrode overlaps with a capacitor electrode through an insulating layer to form a capacitor. This capacitor holds charges and has the effect of maintaining the potential of the pixel electrode 10 long.
  • connection electrode 2 is included in the first conductive layer, the second conductive layer, or the third conductive layer.
  • a gate wiring and a source wiring are connected to the connection electrode 2, and a counter electrode wiring and a capacitor wiring are also connected to the connection electrode 2.
  • the counter electrode wiring is a wiring for supplying power to the counter electrode 12, and the capacitor wiring is a wiring for supplying power to the capacitor electrode.
  • connection structure of the present invention can be used when a flexible IC is used as the driving IC for the electrophoretic display panel.
  • the electrophoretic display panel only needs electricity only at the time of rewriting and does not need to pass an electric current at the time of non-rewriting, so the burden on the connection portion is small.
  • the ACF 9 a material in which conductive particles are dispersed in an insulating resin is preferably used.
  • the ACF 9 is temporarily pressure-bonded on one connection electrode, and then the other connection electrode is aligned and finally pressure-bonded. Temporary pressure bonding is performed at low temperature and low pressure, and main pressure bonding is performed at high temperature and pressure.
  • the ACF 9 may be temporarily pressure-bonded on the connection electrode 2 on the flexible substrate 1 and then overlap-bonded with the connection electrode 5 of the flexible IC and may be finally pressure-bonded.
  • the ACF 9 may be temporarily pressure-bonded on the connection electrode 5 of the flexible IC and then flexible.
  • the main electrode may be bonded to the connection electrode 2 on the substrate 1.
  • conductive resin dispersed in an epoxy resin was used.
  • the alignment mark 3 and the alignment mark 6 are aligned and ACF-connected using the lot A of the flexible substrate 1, the pitch P of the first electrodes 2 ′ included in the connection electrode 2 as shown in FIG. And the pitch of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 coincided.
  • the alignment margin in the x direction was 25 ⁇ m, and the connection was OK with a probability of 90% or more even with misalignment.
  • the pitch P of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 is connected as shown in FIG. 7A.
  • the pitch was larger than the pitch of the second electrode 5 ′ included in the electrode 5.
  • the deviation was about 20 ⁇ m at the outermost electrode.
  • the alignment margin in the x direction was only 5 ⁇ m, and the yield was 20% due to misalignment.
  • the alignment margin in the x direction was 25 ⁇ m, and connection was OK with a probability of 90% or more even with misalignment.
  • the pitch P of the first electrodes 2 ′ included in the connection electrode 2 is connected as shown in FIG. 8A.
  • the pitch was smaller than the pitch of the second electrode 5 ′ included in the electrode 5.
  • the deviation was about 20 ⁇ m at the outermost electrode.
  • the alignment margin in the x direction was only 5 ⁇ m, and the yield was 20% due to misalignment.
  • FIG. 8B The alignment margin in the x direction was 25 ⁇ m, and connection was OK with a probability of 90% or more even with misalignment.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 9 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using the ACF 9.
  • the material of the flexible substrate 1 is PET, the connection electrode 2 and the alignment mark 3 are formed using Au, and the pixel electrode 10 is also formed using Au.
  • the pixel electrode 10 is connected to the connection electrode 2 via a TFT.
  • the material of the base material 4 of the flexible IC is PI, the connection electrode 5 and the alignment mark 6 are formed using Cu, and Sn is plated.
  • conductive resin dispersed in an epoxy resin was used.
  • the round D of the alignment mark group 3 ′ and the alignment mark 6 are aligned using the lot D of the flexible substrate 1 and ACF connection is performed, as shown in FIG.
  • the pitch P of the first electrode 2 ′ and the pitch of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 coincided.
  • the alignment margin in the x direction was 25 ⁇ m, and the connection was OK with a probability of 90% or more even with misalignment.
  • FIG. 12B shows the alignment mark 6 in the alignment mark group 3 ′ and the alignment mark 6 aligned and connected.
  • a member having the counter electrode 12 and the electrophoretic medium layer 13 was prepared on the counter substrate 11, and the portion of the electrophoretic medium layer 13 to be connected to the counter electrode wiring was removed. And it laminated on the flexible substrate 1 which has the said TFT.
  • connection electrode 2 on the substrate 1 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using the ACF 9.
  • the ACF 9 was temporarily crimped onto the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, and then the connection electrode 5 of the flexible IC was overlaid and connected by the method of Example 1. As a result, a normal connection was realized.
  • connection structure on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC can be easily connected.
  • a connection method can be provided.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 17 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using ACF9.
  • the material of the flexible substrate 1 is PEN
  • the connection electrode 2 and the alignment mark 3 are formed using Ag
  • the pixel electrode 10 is formed using Ag paste.
  • the pixel electrode 10 is connected to the connection electrode 2 via a TFT.
  • the material of the base material 4 of the flexible IC is PI
  • the connection electrode 5 and the alignment mark 6 are formed using Cu
  • Sn is plated.
  • the number H of the second electrodes 5 ′ included in the connection electrode 5 on the flexible IC 5 496 [pieces]
  • the length Dp 1.5 [mm]
  • the width Lp 0.05 [mm]
  • the pitch PF is 0. 0.0975 [mm]
  • the outer connection electrode interval 49.377 [mm] and the outermost connection electrode interval 49.457 [mm] with the pitch P (2) 0.09991 [mm]. That is, the center line of each stage is shifted in the x direction by 80 ⁇ m at the outermost connection electrode.
  • conductive resin dispersed in an epoxy resin was used.
  • the ACF connection is made by aligning the alignment mark 3 and the alignment mark 6 using the lot A of the flexible substrate 1 and performing the ACF connection, the pitch P of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 as shown in FIG. And the pitch PF of the center line of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 coincided with each other.
  • the alignment margin in the x direction was 40 ⁇ m, and the connection was OK with a probability of 99% or more even if there was misalignment during bonding.
  • FIG. 19B The alignment margin in the x direction was 40 ⁇ m, and connection was OK with a probability of 99% or more even with misalignment.
  • the pitch P of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 is connected as shown in FIG. 20A.
  • the pitch was smaller than the pitch of the second electrode 5 ′ included in the electrode 5.
  • the deviation was about 30 ⁇ m at the outermost electrode.
  • the alignment margin in the x direction was only 10 ⁇ m, and the yield was 20% due to misalignment.
  • the result is FIG. 20B.
  • the alignment margin in the x direction was 40 ⁇ m, and connection was OK with a probability of 99% or more even with misalignment.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 21 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using ACF9.
  • the material of the flexible substrate 1 is PET, the connection electrode 2 and the alignment mark 3 are formed using Au, and the pixel electrode 10 is also formed using Au.
  • the pixel electrode 10 is connected to the connection electrode 2 via a TFT.
  • the material of the base material 4 of the flexible IC is PI, the connection electrode 5 and the alignment mark 6 are formed using Cu, and Sn is plated.
  • conductive resin dispersed in an epoxy resin was used.
  • the ACF connection is performed by aligning the alignment mark 3 and the alignment mark 6 using the lot D of the flexible substrate 1 and performing the ACF connection, the pitch P of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 as shown in FIG. And the pitch PF of the center line of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 coincided with each other.
  • the alignment margin in the x direction was 40 ⁇ m, and the connection was OK with a probability of 99% or more even if there was misalignment during bonding.
  • FIG. 23B shows that the alignment mark 3 and the alignment mark 6 are connected using the alignment mark on the first stage of the flexible substrate 1 from the aligned state.
  • the alignment margin in the x direction was 40 ⁇ m, and connection was OK with a probability of 99% or more even with misalignment.
  • FIG. 24B shows that the alignment mark 3 and the alignment mark 6 are connected using the alignment mark one step below the flexible substrate 1 from the aligned state.
  • the alignment margin in the x direction is 40 ⁇ m, and even if there is misalignment, connection is OK with a probability of 99% or more.
  • a semiconductor layer was formed so as to connect between the source electrode and the drain electrode. Further, an interlayer insulating film was formed so as to cover the TFT. However, the connection electrode 2 is not covered with a gate insulating layer or an interlayer insulating film, and the interlayer insulating film on the drain electrode / counter electrode wiring has an opening. A pixel electrode 10 was formed on the drain electrode, and an Ag paste was applied on the counter electrode.
  • a member having the counter electrode 12 and the electrophoretic medium layer 13 was prepared on the counter substrate 11, and the portion of the electrophoretic medium layer 13 to be connected to the counter electrode wiring was removed. And it laminated on the flexible substrate 1 which has the said TFT.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 30 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using the ACF 9.
  • the material of the flexible substrate 1 is PEN, and the connection electrode 2, the alignment mark 3, and the pixel electrode 10 are formed using Au.
  • the pixel electrode 10 is connected to the connection electrode 2 via a TFT and wiring.
  • the material of the base material 4 of the flexible IC is PI, the connection electrode 5 and the alignment mark 6 are formed using Cu, and Sn is plated.
  • the pitch of the first electrodes 2 ′ included in the connection electrode 2 is the connection electrode as shown in FIG. 33A. 5 is smaller than the pitch P of the second electrodes 5 ′ included in 5. The deviation was about 20 ⁇ m at the outermost electrode. The alignment margin in the x direction was only 5 ⁇ m, and the yield was 20% due to misalignment.
  • the alignment margin in the x direction was 25 ⁇ m, and connection was OK with a probability of 90% or more even with misalignment.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 34 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using ACF9.
  • the material of the flexible substrate 1 is PET, the connection electrode 2 and the alignment mark 3 are formed using Au, and the pixel electrode 10 is also formed using Au.
  • the pixel electrode 10 is connected to the connection electrode 2 via a TFT.
  • the material of the base material 4 of the flexible IC is PI, the connection electrode 5 and the alignment mark 6 are formed using Cu, and Sn is plated.
  • conductive resin dispersed in an epoxy resin was used.
  • the alignment mark 3 is aligned with the alignment mark group 6 ′ in the alignment mark group 6 ′ and aligned and ACF connection is included, as shown in FIG.
  • the pitch of the first electrode 2 ′ and the pitch P of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 coincided.
  • the alignment margin in the x direction was 25 ⁇ m, and the connection was OK with a probability of 90% or more even with misalignment.
  • the pitch of the electrode 2 ′ is larger than the pitch P of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5.
  • the deviation was about 20 ⁇ m at the outermost electrode.
  • the alignment margin in the x direction was only 5 ⁇ m, and the yield was 20% due to misalignment.
  • FIG. 36B shows the alignment mark group 6 ′ and the alignment mark 3 that are aligned and connected.
  • the first included in the connection electrode 2 as shown in FIG. 37A.
  • the pitch of the electrode 2 ′ is smaller than the pitch P of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5.
  • the deviation was about 20 ⁇ m at the outermost electrode.
  • the alignment margin in the x direction was only 20 ⁇ m, and the yield was 50% due to misalignment.
  • FIG. 37B shows the alignment mark group 6 ′ aligned with the alignment mark 3 and connected to the hexagonal outer shape.
  • Example 9 The electrophoretic display panel shown in FIGS. 38A and 38B is manufactured using the method of Example 7.
  • FIG. (However, the description of the TFT portion is omitted in FIG. 38B.)
  • PEN is used as the material of the flexible substrate 1, and the gate electrode, the gate wiring for the gate electrode, the connection electrode portion of the gate wiring, the capacitor electrode, and the capacitor A first conductive layer including capacitor wiring for electrodes and a connection electrode portion of the capacitor wiring was formed.
  • a gate insulating film was formed.
  • the second conductive layer including the source electrode, the source wiring for the source electrode, the connection electrode portion of the source wiring, the drain electrode, the counter electrode wiring, and the connection electrode portion of the counter electrode wiring was formed.
  • a semiconductor layer was formed so as to connect between the source electrode and the drain electrode. Further, an interlayer insulating film was formed so as to cover the TFT. However, the gate insulating film and the interlayer insulating film on the connecting electrode part of the gate wiring and the connecting electrode part of the capacitor wiring have an opening, and the interlayer insulating film on the connecting electrode part of the source wiring, the drain electrode and the counter electrode wiring has an opening.
  • the connection electrode 2 was formed on the connection electrode portion of each wiring, the pixel electrode 10 was formed on the drain electrode, and Ag paste was applied on the counter electrode.
  • a member having the counter electrode 12 and the electrophoretic medium layer 13 was prepared on the counter substrate 11, and the portion of the electrophoretic medium layer 13 to be connected to the counter electrode wiring was removed. And it laminated on the flexible substrate 1 which has the said TFT.
  • connection electrode 2 on the substrate 1 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using the ACF 9.
  • the ACF 9 was temporarily pressure-bonded on the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, and then the connection electrode 5 of the flexible IC was overlaid and connected by the method of Example 7. As a result, a normal connection was realized.
  • connection structure on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC can be easily connected.
  • a connection method can be provided.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 42 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using ACF9.
  • the material of the flexible substrate 1 is PEN, and the connection electrode 2, the alignment mark 3, and the pixel electrode 10 are formed using Au.
  • the pixel electrode 10 is connected to the connection electrode 2 via a TFT.
  • the material of the base material 4 of the flexible IC is PI, the connection electrode 5 and the alignment mark 6 are formed using Cu, and Sn is plated.
  • the outermost connection with the number n of stages, the pitch P (0) is 0.09984 [mm], the outermost connection electrode interval 49.42 [mm], and the pitch P (1) 0.1 [mm]
  • the electrode interval is 49.5 [mm]
  • conductive resin dispersed in an epoxy resin was used.
  • the pitch P of the center line of the second electrode 5 ′ included in the connection electrode 5 coincided with each other.
  • the alignment margin in the x direction was 40 ⁇ m
  • the connection was OK with a probability of 99% or more even if there was misalignment during bonding.
  • the pitch PF of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 is connected as shown in FIG. 44A. It was larger than the pitch P of the center line of the second electrode 5 ′ included in the electrode 5. The deviation was about 30 ⁇ m at the outermost electrode. The alignment margin in the x direction was only 10 ⁇ m, and the yield was 20% due to misalignment during bonding.
  • FIG. 44B The alignment margin in the x direction was 40 ⁇ m, and connection was OK with a probability of 99% or more even with misalignment.
  • the pitch PF of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 is connected as shown in FIG. 45A.
  • the pitch was smaller than the pitch P of the second electrode 5 ′ included in the electrode 5.
  • the deviation was about 30 ⁇ m at the outermost electrode.
  • the alignment margin in the x direction was only 10 ⁇ m, and the yield was 20% due to misalignment.
  • FIG. 45B The alignment margin in the x direction was 40 ⁇ m, and connection was OK with a probability of 99% or more even with misalignment.
  • connection electrode 2 on the flexible substrate 1 shown in FIG. 46 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using ACF9.
  • the material of the flexible substrate 1 is PET, the connection electrode 2 and the alignment mark 3 are formed using Au, and the pixel electrode 10 is also formed using Au.
  • the pixel electrode 10 is connected to the connection electrode 2 via a TFT.
  • the material of the base material 4 of the flexible IC is PI, the connection electrode 5 and the alignment mark 6 are formed using Cu, and Sn is plated.
  • the outermost connection with the number n of stages, the pitch P (0) is 0.09984 [mm], the outermost connection electrode interval 49.42 [mm], and the pitch P (1) 0.1 [mm]
  • the electrode interval is 49.5 [mm]
  • the pitch PF of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 is connected as shown in FIG. 48A. It was larger than the pitch P of the center line of the second electrode 5 ′ included in the electrode 5. The deviation was about 30 ⁇ m at the outermost electrode. The alignment margin in the x direction was only 10 ⁇ m, and the yield was 20% due to misalignment during bonding.
  • FIG. 48B shows that the alignment mark 3 and the alignment mark 6 are connected using the alignment mark on the first stage of the flexible IC from the aligned state.
  • the alignment margin in the x direction was 40 ⁇ m, and connection was OK with a probability of 99% or more even with misalignment.
  • the pitch PF of the first electrode 2 ′ included in the connection electrode 2 is connected as shown in FIG. 49A.
  • the pitch was smaller than the pitch P of the second electrode 5 ′ included in the electrode 5.
  • the deviation was about 30 ⁇ m at the outermost electrode.
  • the alignment margin in the x direction was only 10 ⁇ m, and the yield was 20% due to misalignment.
  • FIG. 49B shows that the alignment mark 3 and the alignment mark 6 are connected using the alignment mark one step below the flexible substrate 1 from the aligned state.
  • the alignment margin in the x direction is 40 ⁇ m, and even if there is misalignment, connection is OK with a probability of 99% or more.
  • Example 12 The electrophoretic display panel shown in FIG. 49A and FIG. 49B is manufactured using the method of Example 10.
  • PEN is used as the material of the flexible substrate 1 and includes a gate electrode, a gate wiring for the gate electrode, a connection electrode portion for the gate wiring, a capacitor electrode, a capacitor wiring for the capacitor electrode, and a connection electrode portion for the capacitor wiring.
  • a layer was formed.
  • a gate insulating film was formed.
  • the second conductive layer including the source electrode, the source wiring for the source electrode, the connection electrode portion of the source wiring, the drain electrode, the counter electrode wiring, and the connection electrode portion of the counter electrode wiring was formed.
  • a semiconductor layer was formed so as to connect between the source electrode and the drain electrode.
  • an interlayer insulating film was formed so as to cover the TFT.
  • the gate insulating film and the interlayer insulating film on the connecting electrode part of the gate wiring and the connecting electrode part of the capacitor wiring have an opening
  • the interlayer insulating film on the connecting electrode part of the source wiring, the drain electrode and the counter electrode wiring has an opening.
  • the connection electrode 2 was formed on the connection electrode portion of each wiring
  • the pixel electrode 10 was formed on the drain electrode
  • Ag paste was applied on the counter electrode.
  • a member having the counter electrode 12 and the electrophoretic medium layer 13 was prepared on the counter substrate 11, and the portion of the electrophoretic medium layer 13 to be connected to the counter electrode wiring was removed. And it laminated on the flexible substrate 1 which has the said TFT.
  • connection electrode 2 on the substrate 1 and the connection electrode 5 on the flexible IC were connected using the ACF 9.
  • the ACF 9 was temporarily pressure-bonded on the connection electrode 2 on the flexible substrate 1, and then the connection electrode 5 of the flexible IC was overlaid and connected by the method of Example 7. As a result, a normal connection was realized.
  • connection between the connection electrode on the flexible substrate and the connection electrode of the flexible IC is easy even if the deformation amount of the flexible substrate is different for each lot, classification, or crimping position.
  • the present invention may be implemented by appropriately combining and deleting the features of the embodiments described above.
  • the present invention is useful as a connection structure and connection method for connection electrodes used in a flexible display panel.
  • it is most suitable for an electrophoretic display panel, its connection structure, and connection method.

Abstract

フレキシブル基板の変形量がロット毎に異なっていても、接続することができる、フレキシブル基板上の電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造、接続方法及びこれを用いた表示パネルを提供する。複数の第1の電極を、フレキシブル基板上に並べて配置したフレキシブル基板上の接続電極と、フレキシブル基板とは異なる基材上に、第1の電極に対応する複数の第2の電極を並べて配置したフレキシブルICの接続電極と、を対向させて固定した、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造であって、x方向において、電極の中心線のピッチが一定であり、y方向において、電極の中心線のピッチが変化する。

Description

フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造、表示パネル、接続方法
 本発明はフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造、表示パネル及び接続方法に関する。
 ガラス基板上の電極に、フレキシブルICの電極を接続することが、液晶表示パネル等において行われている。ここでフレキシブルICとは、テープキャリアパッケージ(TCP)と呼ばれるICや、チップオンフィルム(COF)と呼ばれるICである。これらのフレキシブルICは、ポリイミド(PI)基材上の銅配線にベアチップICを実装したものである。ガラス基板上の電極とフレキシブルICの電極は、異方導電膜(ACF)を用いて接続される。
 通常は、図51のように、ガラス基板21上の接続電極22、フレキシブルICの接続電極5とも、等ピッチに配置された矩形状の電極を用いる。フレキシブルICの接続電極5のピッチを、ガラス基板21上の接続電極22のピッチよりも少し小さくしておき、ACFの加熱圧着時のフレキシブルIC基材4の熱膨張によって、ガラス基板21上の接続電極22のピッチに合うように接続を行う(特許文献1参照)。その結果、図52のように、ピッチが合った状態で接続できる。フレキシブルIC基材4の熱膨張係数(線膨張係数)は20×10-6~30×10-6[K-1]程度であり、ガラス基板21の熱膨張係数は3×10-6[K-1]程度であるから、フレキシブルIC基材4の変形に比べてガラス基板21の変形は無視でき、フレキシブルIC基材4上の接続電極5のピッチのみを補正すればよい。
 近年、フレキシブルなプラスチック基板を用いたフレキシブル表示パネルが開発されている。特に、表示媒体として電気泳動媒体を用いた電気泳動表示パネルは、着色粒子が電圧印加によって移動し、電圧印加を止めるとその場所に留まり表示が変化しない、表示メモリ性を有する表示媒体である。書替時のみに電力を消費し、非書替時には電力を消費しないので、省エネルギーの表示パネルとして注目されている。
特開平4-289824号公報
 上記のようにフレキシブルなプラスチック基板を用いたフレキシブル表示パネルの場合、一般に、フレキシブル基板の熱膨張係数がガラスに比べて大きい。例えばポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)の場合、熱膨張係数は10×10-6~60×10-6[K-1]である。このようなフレキシブル基板の熱膨張係数は、フレキシブルICの基材に用いるポリイミドの熱膨張係数と桁が同程度である。熱膨張係数が近いこと自体は、熱変形差が小さいのでよいように思えるが、熱膨張係数が大きいだけでなく試料ロットごとの熱膨張係数のばらつきも大きく、それが問題になる。
 また、フレキシブル表示パネルは接続電極を形成した後に様々な工程を経由する。例えば電気泳動表示パネルでは、接続電極を含む導電層を形成する工程以外に、絶縁層を形成する工程、半導体層を形成する工程、画素電極を形成する工程、対向基板上に対向電極および電気泳動層を形成した部材をラミネートする工程、外部の湿度の影響をなくすためのバリアを形成する工程等を有する。場合によっては、作業性を良くするために、フレキシブル基板をガラス基板にラミネートする工程や、フレキシブル基板をガラス基板から剥がす工程を有する。このような工程では、フレキシブル基板には、熱による膨張や収縮、膜の硬化による応力に起因する変形、工程での外力による変形等が起こりうる。従って、フレキシブル基板上の接続電極は、熱膨張係数の影響以外に、工程に起因する変形を受け、その変形量は工程のパラメータによって変化する。
 上述の理由により、フレキシブル基板は、ロットや試料のプロセス条件の影響によって想定よりも伸びる場合や縮む場合がある。このため、図51、図52に示したような、ガラス基板21の接続方法をフレキシブル基板にそのまま適用することはできない。例えばフレキシブル基板が想定よりも伸びた場合、図53のように、フレキシブル基板31上の接続電極32のピッチが、フレキシブルICの接続電極5と異なるピッチになる。すると、フレキシブル基板31上の接続電極32の電極と、フレキシブルICの接続電極5の対応する電極の隣の電極と、の間隔が狭くなり、わずかなアライメントずれによって短絡、接続不良が発生してしまう。
 本発明は上記状況を鑑みなされたものであり、フレキシブル基板の変形量(伸縮量)がロット毎に異なっていても、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極とを接続することができる、フレキシブル基板上の電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造、接続方法及びこれを用いた表示パネルを提供することを目的とする。
 上述の目的を達成するための本発明の一局面は、複数の第1の電極を、フレキシブル基板上に並べて配置したフレキシブル基板上の接続電極と、フレキシブル基板とは別の基材上に、第1の電極に対応する複数の第2の電極を並べて形成したフレキシブルICの接続電極と、を対向させて固定した、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造であって、フレキシブル基板上の第1の電極および基材上の第2の電極が並ぶ方向であるx方向において、第1の電極および第2の電極の少なくとも一方の電極の中心線のピッチが一定であり、フレキシブル基板上の第1の電極および基材上の第2の電極が並ぶ方向に直交するy方向において、一方の電極の中心線のピッチが変化する、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造である。
 また、第1の電極および第2の電極の他方の電極が、平面視において矩形状であり、他方電極のy方向における長さが、一方の電極のy方向における長さより短く、フレキシブル基板上の接続電極と、フレキシブルICの接続電極とが、異方導電膜を介して接続されていてもよい。
 また、一方の電極の形状が、平面視において平行四辺形であり、隣合う一方の電極の中心線のピッチが、y方向において広がるか狭まり、一方の電極が、フレキシブル基板上接続電極またはフレキシブルICの接続電極の全体として、x方向を左右方向として左右対称に配置されていてもよい。
 また、一方の電極の中心線が、y方向に平行な直線となす角度をθとし、他方の電極のx方向における幅をLp、y方向における長さをDpとすると、一方の電極がx方向に平行な直線と重なる長さLが、L≦Lp-Dp|tan(θ)|であってもよい。
 また、長さLが、一方の電極で一定値L0であり、最外方の一方の電極の中心線がy方向に平行な直線となす角度をθmaxとする時、L0≦Lp-Dp|tan(θmax)|であってもよい。
 また、複数の他方の電極の外側に、一対のアライメントマークを有し、複数の一方の電極の外側の複数の位置に、y方向に並んだ、各対の識別が可能な複数対のアライメントマーク群を有してもよい。
 また、本発明の他の局面は、上記のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を有し、少なくともフレキシブル基板上の接続電極に直接あるいは間接的に接続された画素電極と、画素電極に対向する対向電極を有する対向基板と、フレキシブル基板と対向電極との間に設けられた電気泳動媒体層とをさらに含む、表示パネルである。
 また、本発明の他の局面は、上記のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を形成する為の接続方法であって、フレキシブルICの接続電極またはフレキシブル基板上の接続電極に、異方導電膜を貼合する工程と、他方の電極の中心線のピッチに最も近い、一方の電極の中心線のピッチ箇所を選択し接合する工程を含む、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法である。
 また、本発明の他の局面は、上記のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法であって、同一ロットまたは同一分類の複数個のフレキシブル基板に対し、代表のフレキシブル基板上の接続電極に、フレキシブルICの接続電極を基準位置に位置合せし、異方導電膜を用いて接続した後に寸法測定を行い、その結果に応じた、基準アライメント状態からの、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との最適なアライメント位置への相対的な移動量を決定する工程と、残りのフレキシブル基板の接続電極に、フレキシブルICの接続電極を位置合せする際に、基準アライメント状態から、決定した移動量だけフレキシブル基板上の接続電極およびフレキシブルICの接続電極の少なくともいずれかを相対移動させた位置に、フレキシブル基板上の接続電極およびフレキシブルICの接続電極との少なくともいずれかの位置合せを行う工程とを含む、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法である。
 また、同一ロットまたは同一分類の複数個のフレキシブル基板に対し、代表のフレキシブル基板上の接続電極に、フレキシブルICの接続電極を位置合せし、異方導電膜を介して接続した後に寸法測定を行い、その結果から、複数対のアライメントマーク群のうち、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極とのアライメントに応じたアライメントマークを決定する工程と、残りのフレキシブル基板の接続電極に、フレキシブルICの接続電極を位置合せする際に、アライメントマークを決定する工程で決定されたアライメントマークを用いて、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との位置合せを行う工程とを含んでもよい。
 また、本発明の他の局面は、隣合う一方の電極の中心線のピッチが、x方向において一定であり、y方向において段階的に変化する、上記のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造である。
 また、隣合う一方の電極の中心線のピッチが、2段階以上変化してもよい。
 また、隣合う一方の電極の中心線のピッチが、最小値であるピッチP(0)からn段階に変化する場合、他の中心線のピッチP(m+1)が下記であってもよい。
・P(m)<P(m+1)≦P(m)+2×(L-CO)/(H-1)
・P(0)<PF<P(n)
(L:接続電極幅、CO:最小必要接続電極幅、H:接続電極数、n:段数(2以上)、m:n-2以下0以上の整数、PF:フレキシブルICのピッチ)
 また、隣合う一方の電極の中心線のピッチが、y方向において広がるか狭まり、一方の電極が、フレキシブル基板上の接続電極またはフレキシブルICの接続電極の全体として、x方向を左右方向として左右対称に配置されていてもよい。
 また、y方向における、一方の電極の各段階の長さ、及び、他方の電極の長さが、0.5以上2mm以下であり、一方の電極の長さが他方の電極の長さより長くてもよい。
 また、複数の他方の電極の外側に一対のアライメントマークを有し、複数の一方の電極の外側の複数の位置に、y方向に並んだ、各対の識別が可能な複数対のアライメントマーク群を有してもよい。
 また、フレキシブル基板上の接続電極と、フレキシブルICの接続電極とが、異方導電膜を介して接続されていてもよい。
 また、フレキシブル基板上の接続電極と、フレキシブルICの接続電極とが、非導電性ペーストにより接続されていてもよい。
 また、本発明の他の局面は、上記のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を有し、少なくともフレキシブル基板上の接続電極に直接あるいは間接的に接続された画素電極と、画素電極に対向する対向電極を有する対向基板と、フレキシブル基板と対向電極との間に設けられた電気泳動媒体層とをさらに含む、表示パネルである。
 また、本発明の他の局面は、上記のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を作製する為の接続方法であって、フレキシブルICの接続電極に、異方導電膜を貼合する工程と、他方の電極の中心線のピッチに最も近い、一方の電極の中心線のピッチを選択し接合する工程を含む、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法である。
 また、一方の電極の中心線のピッチを選択し接合する工程において、一方の電極と他方の電極とは、複数の一方の電極の外側に配置された複数対のアライメントマーク群のうちいずれかのアライメントマークを用いて接合位置が選択されてもよい。
 また、同一ロットまたは同一分類の複数個のフレキシブル基板に対し、代表のフレキシブル基板上の接続電極に、フレキシブルICの接続電極を位置合せし、異方導電膜を介して接続した後に寸法測定を行い、その結果から、複数対のアライメントマーク群のうち、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極とのアライメントに応じたアライメントマーク決定する工程と、残りのフレキシブル基板の接続電極に、フレキシブルICの接続電極を位置合せする際に、アライメントマークを決定する工程で決定されたアライメントマークを用いて、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との位置合せを行う工程とを含んでもよい。
 本発明によれば、フレキシブル基板の変形量(伸縮量)がロット毎に異なっていても、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極とを接続することとができるため、歩留まりの高い、フレキシブル基板上の電極の接続構造、接続方法及びこれを用いた表示パネルを提供できる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図2は、本発明の第1の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図3は、本発明の第1の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図4は、本発明の第1の実施形態に係る接続構造に関する電極形状の詳細を示す説明図である。 図5は、本発明の第1の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図6は、図5の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図7Aは、図5の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図7Bは、図5の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図8Aは、図5の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図8Bは、図5の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図9は、本発明の第2の施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図10は、図9の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図11Aは、図9の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図11Bは、図9の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図12Aは、図9の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図12Bは、図9の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図13Aは、本発明の第3の実施形態に係る電気泳動表示装置を示す平面図である。 図13Bは、本発明の第3の実施形態に係る電気泳動表示装置を示す断面図である。 図14は、本発明の第4の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図15は、本発明の第4の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図16は、本発明の第4の実施形態に係る接続構造に関する電極形状の詳細を示す説明図である。 図17は、本発明の第4の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図18は、図17の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図19Aは、図17の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図19Bは、図17の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図20Aは、図17の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図20Bは、図17の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図21は、本発明の第5の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図22は、図21の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図23Aは、図21の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図23Bは、図21の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図24Aは、図21の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図24Bは、図21の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図25Aは、本発明の第6の実施形態に係る電気泳動表示装置を示す平面図である。 図25Bは、本発明の第6の実施形態に係る電気泳動表示装置を示す断面図である。 図26は、本発明の第7の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図27は、本発明の第7の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図28は、本発明の第7の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図29は、本発明の第7の実施形態に係る接続構造に関する電極形状の詳細を示す説明図である。 図30は、本発明の第7の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図31は、図30の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図32Aは、図30の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図32Bは、図30の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図33Aは、図30の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図33Bは、図30の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図34は、本発明の第8の施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図35は、図34の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図36Aは、図34の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図36Bは、図34の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図37Aは、図34の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図37Bは、図34の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図38Aは、本発明の第9の実施形態に係る電気泳動表示装置を示す平面図である。 図38Bは、本発明の第9の実施形態に係る電気泳動表示装置を示す断面図である。 図39は、本発明の第10の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図40は、本発明の第10の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図41は、本発明の第10の実施形態に係る接続構造に関する電極形状の詳細を示す説明図である。 図42は、本発明の第10の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図43は、図42の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図44Aは、図42の電極を用いた接続構造を示す平面図である。 図44Bは、図42の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図45Aは、図42の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図45Bは、図42の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図46は、本発明の第11の実施形態に係る接続構造に関する電極形状を示す平面図である。 図47は、図46の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図48Aは、図46の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図48Bは、図46の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図49Aは、図46の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図49Bは、図46の電極を用いた接続構造を示す説明図である。 図50Aは、本発明の第12の実施形態に係る電気泳動表示装置を示す平面図である。 図50Bは、本発明の第12の実施形態に係る電気泳動表示装置を示す断面図である。 図51は、従来技術に係る電極形状を示す平面図である。 図52は、図51の電極を用いた接続構造を示す平面図(ガラス基板の場合)である。 図53は、図51の電極を用いた接続構造を示す平面図(フレキシブル基板の場合)である。
 以下、図面を参照して本発明の実施形態に係るフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造、接続方法及びこれを用いた表示パネルを詳しく説明する。ただし各図では、図を見やすくするために寸法を適宜変更しており、縮尺が一定ではない。
(第1の実施形態)
 図1~図3は、本発明の第1の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5と電極形状を説明する平面図である。また、図4は、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との接続構造及び電極形状の詳細を示す平面図である。
 図1~図3に示すように、フレキシブル基板1上の接続電極2は、複数の、帯状の第1の電極2’により構成される。複数の第1の電極2’は、中心線2Cの並び方向(後述するx軸の延びる方向として、x方向ともいう)のピッチPが、並び方向に関して一定であり、並びに垂直な方向(後述するy軸の延びる方向として、y方向ともいう)に関して徐々に変化するように形成されている。
 一方、フレキシブルICの接続電極5は図1~図3のように、フレキシブル基板1とは別の基材4の上に、各辺がx方向またはy方向に平行な長方形(矩形状)の第2の電極5’を、第1の電極2’に対応するように、複数x方向に並べることにより構成される。図4に示すように、第2の電極5’のy方向における長さは一定値Dpであり、フレキシブル基板1上の第1の電極2’の長さDより短い。
 フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との接続構造は、図4に示すように、フレキシブル基板1上に基材4を載せることにより、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを、対向させた状態で、フレキシブル基板1及び基材4を図示しない異方導電膜や非導電性ペースト等を用いて固定し接続することにより得られる。なお、図4では、便宜上、基材4の図示は省略する。
 第1の電極2’の中心線2Cは、図4に示すように、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる複数の第1の電極2’の並び方向をx軸、この並び方向に垂直な方向をy軸、フレキシブル基板1上の接続電極2の中央の座標を(x,y)=(0,0)とし、第1の電極2’とx軸に平行な直線との重なりを線分L’とした時の、線分L’の中点の集合体である。即ち本発明は、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる、隣合う第1の電極2’の中心線2Cのx方向のピッチPが、x座標に依存せず(すなわち、x方向において一定)、y座標に依存する(すなわち、y方向において変化する)ことを意味する。特に図1は、中心線2Cとy軸とのなす角θが、yに依存する場合である。
 このような第1の電極2’の形状により、フレキシブル基板1が伸縮した場合であっても、フレキシブルICの接続電極5を、フレキシブル基板1上の接続電極2に対して上下方向にずらして接続することによって、適切なピッチPを選択することが可能になる。
 図2および図3に示すように、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる複数の第1の電極2’は、平行四辺形であってもよい。また、複数の第1の電極2は、該第1の電極2’の中心線2Cの並び方向のピッチPが、フレキシブル基板の縁に近いほど広がる(図2)か、狭まる(図3)ように配置されている。また、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’は、フレキシブル基板1上の接続電極2において、図の左右方向(x方向)に関して左右対称になるように配置されている。第1の電極2’が平行四辺形の場合、第1の電極2’の中心線2Cとy軸とのなす角θはy座標に依存しない。各第1の電極2’毎に角θは一定であり、その値は各第1の電極2’の中心のx座標にほぼ比例する。このシンプルな電極形状により、設計が容易になる。
 さらに好ましくは、図4のように、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる複数の第1の電極2’の並び方向をx軸、この並び方向に垂直な方向をy軸、フレキシブル基板1上の接続電極2の中央の座標を(x,y)=(0,0)とし、該フレキシブル基板1上の第1の電極2’の中心線2Cがy軸となす角度を角θとし、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の線幅、すなわちx方向における長さを線幅Lp、長さ、すなわち、y方向における長さを長さDpとする時、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’がx軸に平行な直線と重なる長さLが、
  L≦Lp-Dp×|tan(θ)|
である。
 この式は、アライメントが良好な場合に、図4に示すように、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’が、フレキシブルICの接続電極5のy方向における長さDpの領域において、第2の電極5’に含まれる(平面視において、第1の電極2’の長さLが第2の電極5’の線幅Lp内に含まれる)ことを意味する。即ち、角θが0の場合には長さLを線幅Lpまで太くでき、角θが0でない場合に角θに依存して少し細くする。これにより、アライメントが横にずれた場合の余裕を、従来のように角θが0である場合と同程度に保つことが可能となる。
 さらに好ましくは、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’がx軸に平行な直線と重なる長さLが一定値L0であり、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2Cがy軸となす角度θのうち絶対値が最も大きい値をθmaxとすると、
  L0≦Lp-Dp×|tan(θmax)|
である。これを表したのが、図5である。
 この式では、アライメントが良好な場合の、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’と、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’との重なり面積が一定になる。従って、各第1の電極2’と第2の電極5’との接続において、同等の接続抵抗が得られる。しかしながら、角θは、フレキシブル基板1上の接続電極2の最外方(x座標の絶対値が最も大きい位置)の第1の電極2’で最も大きく、内方に向かうにつれて(x座標の絶対値が小さくなるにつれて)小さくなるため、アライメントずれの影響は最外方の第1の電極2’で大きく、内方に向かうにつれて小さくなる。従って、最外方の第1の電極2’付近のアライメントが良好であれば、非最外方の第1の電極2’のアライメントは確実に合っており、非最外方の第1の電極2’のアライメントを気にする必要がなくなる。
 なお、図1~図5に示すように、フレキシブル基板1上には、1組(一対)のアライメントマーク3が設けられている。また、基材4上にも、フレキシブル基板1のアライメントマーク3に対応するように、アライメントマーク6が設けられている。
 図5に示したフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルICの接続電極5とを、ACF9を介して接続した接続構造を、図6~図8Bに示す。なお、図6~図8Bでは、接続構造が分かりやいように、基材4及びフレキシブルICの接続電極5を透過させて示す。図6は、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合を示す。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4のアライメントマーク6を合わせた状態で、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチが一致し、適切な接合がなされる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、該第2の電極5’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペース(隣合う第2の電極5’間の間隔)の約半分程度が確保される。隣接ショートしないためには、第2の電極5’のスペースから、ACF内の導電粒子の直径を差し引いた分のアライメント余裕がある。一方、確実に接続するよう一定面積が重なるためには、第1の電極2’のうち最適アライメント状態(図4の状態)で第2の電極5’と重なっている部分(長さDpの平行四辺形)の中心が、少なくとも第2の電極5’と重なることが望ましい。そのため、アライメント余裕は第2の電極5’のスペースの約半分となる。
 図7Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや伸びた場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4上のアライメントマーク6のy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の外側にはみ出す。
 この場合、図7Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に+y1だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペースの約半分まで確保される。
 図8Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや縮んだ場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4上のアライメントマーク6とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の内側にはみ出す。
 この場合、図8Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に-y2だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペースの約半分まで確保される。
 このような特徴を備える第1の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とは、例えば、次のように接続することができる。
 前記フレキシブル基板1上の接続電極2のピッチPを実測し、y座標の関数として把握する。次に、前記フレキシブルICの接続電極に、異方導電膜を貼合(仮圧着)し、前記フレキシブルICの接続電極に含まれる複数の電極の中心線のピッチに最も近い、前記フレキシブル基板の隣合う前記第1の電極の中心線のピッチ位置(特定のy座標)に接合(本圧着)する。
 あるいは、次のように接続することができる。
 始めに、代表のフレキシブル基板1上の接続電極2に、異方導電膜9を貼合したフレキシブルICの接続電極5を基準位置でアライメントし、接合した後に寸法測定を行い、その結果から、基準アライメント状態からの、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との最適な相対的移動量yを決定する。
 その後、残りのフレキシブル基板1上の接続電極2に、異方導電膜9を貼合したフレキシブルICの接続電極5を位置合せする際に、決定した前記移動量yだけ基準アライメント状態からフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを相対的に移動させて、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との位置合せを行う。最後に、位置合わせを行ったフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを接合する。
 フレキシブル基板1の材料には、PETやPENが好適であるが、これに限定されず、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、アラミド、ナイロン等を用いてもよい。フレキシブル基板1上には画素電極10を有し、接続電極2と直接接続してもよいし、薄膜トランジスタ等の非線形素子を介して接続してもよい。フレキシブル基板1上の接続電極2や、フレキシブルICの接続電極5は、表面が電気的に剥き出しな部分を指しており、絶縁層で覆った部分を含まない概念である。
 また、ここまで同一ロットは同一の伸縮率であるとして説明したが、それに限定されるものではなく、例えば基材の取り位置によって分類し、分類毎に伸縮を確認して接続を行ってもよい。
(第2の実施形態)
 図9は、本発明の第2の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5と電極形状を説明する平面図である。第2の実施形態に係るフレキシブル基板1上には、第1の実施形態と同様の形状の接続電極2とともに、y方向に並んだ複数組(複数対):図9では3組(3対)のアライメントマーク群3’が形成されている。
 図9に示したフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルICの接続電極5とを、ACF9を介して接続した接続構造を、図10~図12Bに示す。なお、図10~図12Bでは、接続構造が分かりやいように、基材4及びフレキシブルICの接続電極5を透過させて示す。図10は、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合を示す。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’のうち標準のもの、即ち、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合に用いるアライメントマーク(図10では丸形のアライメントマーク)とフレキシブルICのアライメントマーク6とを合わせた状態で、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチが一致し、適切な接合がなされる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、該接続電極5に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペース分(隣合う第2の電極5’間の間隔)の約半分まで確保される。
 図11Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや伸びた場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’のうち標準のもの(丸形のアライメントマーク)とフレキシブルICのアライメントマーク6とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の外側にはみ出す。
 この場合、図11Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に-y3だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチを合わせることができる。あるいは、アライメントマーク群3’のうち-y3に近いもの(矩形のアライメントマーク)とフレキシブルICのアライメントマーク6のy座標を合わせてACF圧着すれば、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペースの約半分まで確保される。
 図12Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや縮んだ場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’のうち標準のもの(丸形のアライメントマーク)とフレキシブルICのアライメントマーク6とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の内側にはみ出す。
 この場合、図12Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に+y4だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチを合わせることができる。あるいは、アライメントマーク群3’のうち+y4に近いもの(菱形のアライメントマーク)とフレキシブルICのアライメントマーク6のy座標を合わせてACF圧着すれば、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペースの約半分まで確保される。
 このような特徴を備える第2の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とは、例えば、次のように接続することができる。
 前記フレキシブル基板1上の接続電極2のピッチPを実測し、y座標の関数として把握する。次に、前記フレキシブルICの接続電極に、異方導電膜を貼合(仮圧着)し、前記フレキシブルICの接続電極に含まれる複数の電極の中心線のピッチに最も近い、前記フレキシブル基板の隣合う前記第1の電極の中心線のピッチ位置(特定のy座標)を選択し接合(本圧着)する。
 あるいは、次のように接続することができる。
 始めに、代表のフレキシブル基板1上の接続電極2に、異方導電膜9を貼合したフレキシブルICの接続電極5を基準位置でアライメントし、接合した後に寸法測定を行い、その結果から、基準アライメント状態からの、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とのアライメントに最適なアライメントマークを決定する。
 その後、残りのフレキシブル基板1上の接続電極2に、異方導電膜9を貼合したフレキシブルICの接続電極5を位置合せする際に、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’のうち最適なアライメントマークと、フレキシブルIC上のアライメントマーク6を用いて、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との位置合せを行う。最後に、位置合わせを行ったフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを接合する。
 本実施形態では、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’が、y方向に並んで複数組設けられている。アライメントマーク群3’を構成する各アライメントマークは、互いに区別できるように、図10~図12Bに示したように別形状になっていることが望ましいが、同形状マークの近くに文字を入れて区別してもよい。
 フレキシブル基板1の材料には、PETやPENが好適であるが、これに限定されず、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、アラミド、ナイロン等を用いてもよい。フレキシブル基板1上には画素電極10を有し、接続電極2と直接接続してもよいし、薄膜トランジスタ等の非線形素子を介して接続してもよい。フレキシブル基板1上の接続電極2や、フレキシブルICの接続電極5は、表面が電気的に剥き出しな部分を指しており、絶縁層で覆った部分を含まない概念である。
(第3の実施形態)
 図13A及び図13Bに、第1の実施形態に係るフレキシブル基板上の電極の接続構造を用いた、本発明の第3の実施形態に係る電気泳動表示パネルの平面図及び断面図を示す。ただし、図13Aは、接続前の電気泳動表示パネルの平面図、図13Bは、接続後の電気泳動表示パネルのA-A’部の断面図である。図13A、図13Bのように、第1の実施形態に係る電極の接続構造を備えるフレキシブル基板1上の画素電極10と、対向基板11上に設けた対向電極12との間に電気泳動媒体層13を挟むことで、第3の実施形態に係る電気泳動表示パネルとすることができる。
 フレキシブル基板1上の接続電極2が画素電極10に、TFT等の素子を介さず電気配線14で直接接続されている場合、電気配線14は、絶縁層15で覆われている。言い換えれば、絶縁層15で覆われていない部分が、接続や表示に用いられる部分であり、接続電極2や画素電極10である。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくとも接続電極2、電気配線14、及び画素電極10からなる導電層と、電気配線を覆う絶縁層15との2層構造が形成される。
 あるいは、接続電極2は絶縁層15に覆われず、電気配線14は絶縁層15に覆われ、電気配線14上の絶縁層15が開口を有し、該開口を有する絶縁層15上に画素電極10が形成され、画素電極10は該開口で電気配線14に接続されていてもよい。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくとも接続電極2および電気配線14からなる第1導電層と、電気配線14を覆う絶縁層15と、画素電極10からなる第2導電層との3層構造が形成される。
 フレキシブル基板1上の接続電極2が画素電極10に、TFT(図示せず)を介して間接接続されている場合、TFTは少なくとも4層構造である。TFTには、トップゲート(TG)構造:ゲート電極がソース・ドレイン電極より上層にあるものと、ボトムゲート(BG)構造:ゲート電極がソース・ドレイン電極より下層にあるものがある。また、トップコンタクト(TC)構造:ソース・ドレイン電極が半導体層の上にあるものと、ボトムコンタクト(BC)構造:ソース・ドレイン電極が半導体層の下にあるものがある。
 トップゲートトップコンタクト(TGTC)構造では、TFTは、半導体層と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とゲート配線からなる第2導電層を有する。トップゲートボトムコンタクト(TGBC)構造では、TFTは、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第1導電層と、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とゲート配線からなる第2導電層を有する。ボトムゲートトップコンタクト(BGTC)構造では、TFTは、ゲート電極とゲート配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第2導電層を有する。ボトムゲートボトムコンタクト(BGBC)構造では、TFTは、ゲート電極とゲート配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第2導電層と、半導体層を有する。
 そして、ドレイン電極が画素電極10に接続され、ゲート配線とソース配線とが接続電極2に接続されている。通常、TFT上は層間絶縁膜で覆われ、該層間絶縁膜上に画素電極10が設けられる。ボトムゲート構造の場合、層間絶縁膜はドレイン電極上に開口を有し、画素電極10は該開口を介してドレイン電極に接続されている。トップゲート構造の場合、層間絶縁膜およびゲート絶縁膜はドレイン電極上に開口を有し、画素電極10は該開口を介してドレイン電極に接続されている。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくともTFTを形成する4つの層と、TFTを覆う層間絶縁膜と、画素電極10からなる第3導電層の6層構造が形成される。ドレイン電極が絶縁層を介してキャパシタ電極と重なってキャパシタを形成することも、多く行われる。このキャパシタには電荷が保持され、画素電極10の電位を長く維持する効果がある。
 TFTを有する場合、接続電極2は第1導電層や第2導電層に含まれている。ゲート配線やソース配線が接続電極2に接続されており、他に対向電極配線やキャパシタ配線も接続電極2に接続されている。対向電極配線は対向電極12に給電するための配線であり、キャパシタ配線はキャパシタ電極に給電するための配線である。
 電気泳動表示パネルとするには、一般的には、対向基板11上に対向電極12と電気泳動媒体層13を積層した部材を、フレキシブル基板1上の画素電極10の面にラミネートする。対向基板11の材料としてはPET、対向電極12の材料としてはITOが好適に用いられる。電気泳動媒体層13としては、マイクロカプセル中に逆方向に帯電した黒粒子と白粒子を含む液体を閉じ込めたものや、マイクロカップと呼ばれる隔壁内に帯電した黒粒子、白粒子、赤粒子を含む液体を閉じ込めたものが好適に用いられる。
 ただし、対向電極12と対向電極配線を接続するため、上記部材をラミネートする前に電気泳動媒体層13の一部を除去しておき、その部分、またはその部分が貼合される予定の対向電極配線上に、導電ペーストまたは導電接着材を付けてから、ラミネートを実施する。
 この電気泳動表示パネルの駆動用ICとしてフレキシブルICを用いる際に、本発明の接続構造を用いることができる。電気泳動表示パネルは、書替時のみに電気を必要とするだけで、非書替時には電流を流す必要がないため、接続部分の負担が小さい。そのため、本発明のようにフレキシブル基板1上の接続電極2のx方向寸法Lが制限されて、重なり面積が小さくても、問題なく使用できる。
 ACF9としては、絶縁性樹脂内に導電性粒子を分散させたものが好適に用いられる。ACF9は、一方の接続電極上に仮圧着した後、他方の接続電極をアライメントして本圧着する。仮圧着は低温低圧、本圧着は高温高圧で行う。ACF9をフレキシブル基板1上の接続電極2の上に仮圧着後、フレキシブルICの接続電極5と重ねて本圧着してもよいし、ACF9をフレキシブルICの接続電極5の上に仮圧着後、フレキシブル基板1上の接続電極2と重ねて本圧着してもよい。
(第4の実施形態)
 図14、図15は、本発明の第4の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とのフレキシブルICの接続電極5と電極形状を説明する平面図である。また、図16は、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との接続構造及び電極形状の詳細を示す平面図である。
 図14、図15に示すように、第4の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2を構成する複数の第1の電極2’は、中心線2Cの並び方向のピッチPが、並び方向に関して一定であり、並びに垂直な方向に関しては段階的に変化するように形成されている。ピッチPは、例えば、ピッチP(0)、P(1)、P(2)(P(0)<P(1)<P(2))のように段数nが3の3段階に変化する。
 一方、フレキシブルICの接続電極5は、図14、図15のように、第1~第3の実施形態と同様に、複数の第2の電極5’により構成される。第2の電極5’のy方向における長さは一定値Dpであり、接続電極2の段数が3段であるので、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDの3分の1、すなわち、D/3より短い。
 図14に示すように、フレキシブル基板1上の接続電極2を構成する複数の第1の電極2’は、段階的にピッチPが変化するので、フレキシブル基板1が伸縮した場合であっても、フレキシブルICの接続電極5を、フレキシブル基板1上の接続電極2に対して上下方向にずらして、ピッチが最も近い位置で接続することによって、適切な接続が可能になる。
 図14及び図15に示すように、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’は、同一形状の複数の矩形状電極を、中心線2Cの位置を段階的に変えながらx方向に連設した階段形状である。また、複数の第1の電極2’は、第1の電極2’の中心線2Cの並び方向のピッチP(0)、P(1)、P(2)が、フレキシブル基板1の縁に近いほど広がる(図14)か狭まる(図15)構成である。また、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’は、全体が図の左右方向(x方向)に関して左右対称になるように配置されている。したがって、第1の電極2’の各段におけるピッチPは一定であるので、設計が容易になる。
 図16に示すように、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の並び方向をx軸、並び方向に垂直な方向をy軸、フレキシブル基板1上の接続電極2の中央の座標を(x,y)=(0,0)とした場合、第1の電極2’は、ピッチPがy軸方向に段階的に変わるように形成される。また、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる複数の第1の電極2’はy軸に対し線対称となるように配置される。なお、図16では、便宜上、基材4の図示は省略する。
 各段のピッチは、下記で記載できる。
・P(m)<P(m+1)≦P(m)+2×(L-CO)/(H-1)
・P(0)<PF<P(n)
(L:接続電極幅、CO:最小必要接続電極幅、H:接続電極数、n:段数(2以上)、m:n-2以下0以上の整数、PF:第2の電極5’の中心線のピッチ)
例えば段数nが3の場合、
P(1)はP(0)<P(1)≦P(0)+2×(L-CO)/(H-1)の範囲であり、
P(2)はP(1)<P(2)≦P(1)+2×(L-CO)/(H-1)の範囲である。
 この式は、最小必要接続電極幅COを確保する第1の電極2’のピッチPとずらし量を示している。これにより段数nを少なくし、第1の電極2’の面積を減らすことが可能となる。
 更に好ましい各段のピッチPは、最小ピッチをP=P(0)とした時下記で記載できる。
・P(m+1)=P(0)+2×(m+1)×(L-CO)/(H-1)
・P(0)<PF<P(n)
(L:接続電極幅、CO:最小必要接続電極幅、H:接続電極数、n:段数(2以上)、m:n-2以下0以上の整数、PF:第2の電極5’の中心線のピッチ)
例えば段数nが3の場合、
P(1)はP(1)=P(0)+2×1×(L-CO)/(H-1)であり、
P(2)はP(2)=P(0)+2×2×(L-CO)/(H-1)である。
 この式は、最小必要接続電極幅COを確保するのに必要最低限な第1の電極2’のピッチPとずらし量を示している。つまり、最外端子の各段間の接続幅は最小必要接続電極幅COである。これにより段数nを少なくし、第1の電極2’の面積を減らすことが可能となる。
 また、フレキシブル基板1の接続電極2に含まれる第1の電極2’のy方向の長さは、段数をn段、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さをD、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のy方向の長さをDpとする時、D/n>Dpであることが好ましい。D/n≦Dp場合、y方向アライメントずれにより隣接電極間短絡を引き起こす可能性が有る。なお、図14~図16に示すように、第4の実施形態においても、フレキシブル基板1上には、1組(一対)のアライメントマーク3が設けられている。
 図17に示したフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルICの接続電極5とを、ACF9を介して接続した接続構造を、図18~図20Cに示す。なお、図18~図20Cでは、接続構造が分かりやいように、基材4及びフレキシブルICの接続電極5を透過させて示す。図18は、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合を示す。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4のアライメントマーク6を合わせた状態で、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFが一致し、適切な接合がなされる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’とほぼ一致する。これで、アライメント余裕はフレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペース分程度が確保される。厳密には、最小必要接続電極幅COの重なりを確保する必要から、第2の電極5’のスペースからCOを差し引いた値がアライメント余裕となる。
 図19Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや伸びた場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4上のアライメントマーク6のy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の外側にはみ出す。
 この場合、図19Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に+D/3だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’にほぼ一致する。これで、アライメント余裕(フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペース分から最小必要接続電極幅を差し引いた値)が確保される。
 図20Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや縮んだ場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4上のアライメントマーク6とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の内側にはみ出す。
 この場合、図20Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に-D/3だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’にほぼ一致する。これで、アライメント余裕(フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペース分から最小必要接続電極幅を差し引いた値)が確保される。
 このような特徴を備える第4の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とは、例えば、次のように接続することができる。
 前記フレキシブル基板1上の接続電極2の各段のピッチPを実測する。次に、前記フレキシブルICの接続電極に、異方導電膜を貼合(仮圧着)し、前記フレキシブルICの接続電極に含まれる複数の電極の中心線のピッチに最も近い、前記フレキシブル基板の隣合う前記第1の電極の中心線のピッチ位置を選択し接合(本圧着)する。
 あるいは、次のように接続することができる。
 始めに、代表のフレキシブル基板1上の接続電極2に、異方導電膜9を貼合したフレキシブルICの接続電極5を基準位置でアライメントし、接合した後に寸法測定を行い、その結果から、基準アライメント状態からの、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との相対的な移動量yを決定する。
 その後、残りのフレキシブル基板1上の接続電極2に、異方導電膜9を貼合したフレキシブルICの接続電極5を位置合せする際に、決定した前記移動量yだけ基準アライメント状態からフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを相対的に移動させて、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との位置合せを行う。最後に、位置合わせを行ったフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを接合する。
 フレキシブル基板1の材料には、PETやPENが好適であるが、これに限定されず、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、アラミド、ナイロン等を用いてもよい。フレキシブル基板1上には画素電極10を有し、接続電極2と直接接続してもよいし、薄膜トランジスタ等の非線形素子を介して接続してもよい。フレキシブル基板1上の接続電極2や、フレキシブルICの接続電極5は、表面が電気的に剥き出しな部分を指しており、絶縁層で覆った部分を含まない概念である。
 また、ここまで同一ロットは同一の伸縮率であるとして説明したが、それに限定されるものではなく、例えば基材の取り位置によって分類し、分類毎に伸縮を確認して接続を行ってもよい。さらに、基板面内で伸縮率が一定でない場合には、個々の圧着に伸縮を確認して接続を行ってもよい。
(第5の実施形態)
 図21は、本発明の第5の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5と電極形状を説明する平面図である。第5の実施形態に係るフレキシブル基板1上には、第4の実施形態と同様の形状の接続電極2とともに、y方向に並んだ3組(3対)のアライメントマーク群3’が形成されている。
 図21に示したフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルICの接続電極5とを、ACF9を介して接続した接続構造を、図22~図24Cに示す。なお、図22~図24Cでは、接続構造が分かりやいように、基材4及びフレキシブルICの接続電極5を透過させて示す。図22は、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合を示す。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’のうち標準のもの、即ち、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合に用いるアライメントマーク(図22では、y方向に並ぶアライメントマーク群3’のうち中央のアライメントマーク)とフレキシブルICのアライメントマーク6とを合わせた状態で、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFが一致し、適切な接合がなされる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、該接続電極5に含まれる。これで、アライメント余裕(フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペース分から最小必要接続電極幅を差し引いた値)が確保される。
 図23Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや伸びた場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’のうち標準のもの(図23では、y方向に並ぶアライメントマーク群3’のうち中央のアライメントマーク)とフレキシブルICのアライメントマーク6とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の外側にはみ出す。
 この場合、図23Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に+D/3だけずれたアライメントマークを用いることで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’に含まれる。これで、アライメント余裕(フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペース分から最小必要接続電極幅を差し引いた値)が確保される。
 図24Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや縮んだ場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’のうち標準のもの(図24Aでは、y方向に並ぶアライメントマーク群3’のうち中央のアライメントマーク)とフレキシブルICのアライメントマーク6とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の内側にはみ出す。
 この場合、図24Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に-D/3だけずれたアライメントマークを用いることで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線2CのピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブル基板1上の接続電極2が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’に含まれる。これで、アライメント余裕(フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のスペース分から最小必要接続電極幅を差し引いた値)が確保される。
 このような特徴を備える第5の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とは、例えば、次のように接続することができる。
 前記フレキシブル基板1上の接続電極2の各段のピッチPを実測する。次に、前記フレキシブルICの接続電極に、異方導電膜を貼合(仮圧着)し、前記フレキシブルICの接続電極に含まれる複数の電極の中心線のピッチに最も近い、前記フレキシブル基板の隣合う前記第1の電極の中心線のピッチ位置を選択し接合(本圧着)する。
 あるいは、次のように接続することができる。
 始めに、代表のフレキシブル基板1上の接続電極2に、異方導電膜9を貼合したフレキシブルICの接続電極5を基準位置でアライメントし、接合した後に寸法測定を行い、その結果から、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とのアライメントに最適なアライメントマークを決定する。
 その後、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’のうち最適なアライメントマークと、フレキシブルIC上のアライメントマーク6を用いて、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との位置合せを行う。最後に、位置合わせを行ったフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを接合する。
 本実施形態では、フレキシブル基板1上のアライメントマーク群3’が、x座標及びy座標を変えて複数組設けられている。アライメントマーク群3’を構成する各アライメントマークは、同形状のマークになっているが、互いに区別できるように異なる形状になっていてもよい。
 フレキシブル基板1の材料には、PETやPENが好適であるが、これに限定されず、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、アラミド、ナイロン等を用いてもよい。フレキシブル基板1上には画素電極10を有し、接続電極2と直接接続してもよいし、薄膜トランジスタ等の非線形素子を介して接続してもよい。フレキシブル基板1上の接続電極2や、フレキシブルICの接続電極5は、表面が電気的に剥き出しな部分を指しており、絶縁層で覆った部分を含まない概念である。
(第6の実施形態)
 図25A及び図25Bに、第4の実施形態に係るフレキシブル基板上の電極の接続構造を用いた、本発明の第6の実施形態に係る電気泳動表示パネルの平面図及び断面図を示す。ただし、図25Aは、接続前の電気泳動表示パネルの平面図、図25Bは、接続後の電気泳動表示パネルのB-B’部の断面図である。図25A、図25Bのように、第4の実施形態に係る電極の接続構造を備えるフレキシブル基板1上の画素電極10と、対向基板11上に設けた対向電極12との間に電気泳動媒体層13を挟むことで、第6の実施形態に係る電気泳動表示パネルとすることができる。
 フレキシブル基板1上の接続電極2が画素電極10に、TFT等の素子を介さず電気配線で直接接続されている場合、電気配線は、絶縁層15で覆われている。言い換えれば、絶縁層15で覆われていない部分が、接続や表示に用いられる部分であり、接続電極2や画素電極10である。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくとも接続電極2、電気配線、及び画素電極10からなる導電層と、電気配線を覆う絶縁層15の2層構造が形成される。
 あるいは、接続電極2は絶縁層15に覆われず、電気配線は絶縁層15に覆われ、電気配線上の絶縁層15が開口を有し、該開口を有する絶縁層14上に画素電極10が形成され、画素電極10は該開口部で電気配線に接続されていてもよい。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくとも接続電極2と、電気配線からなる第1導電層と、電気配線を覆う絶縁層15と、画素電極10からなる第2導電層との3層構造が形成される。
 フレキシブル基板1上の接続電極2が画素電極10に、TFTを介して接続されている場合、TFTは少なくとも4層構造である。TFTには、トップゲート(TG)構造:ゲート電極がソース・ドレイン電極より上層にあるものと、ボトムゲート(BG)構造:ゲート電極がソース・ドレイン電極より下層にあるものがある。また、トップコンタクト(TC)構造:ソース・ドレイン電極が半導体層の上にあるものと、ボトムコンタクト(BC)構造:ソース・ドレイン電極が半導体層の下にあるものがある。
 トップゲートトップコンタクト(TGTC)構造では、TFTは、半導体層と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とゲート配線からなる第2導電層を有する。トップゲートボトムコンタクト(TGBC)構造では、TFTは、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第1導電層と、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とゲート配線からなる第2導電層を有する。ボトムゲートトップコンタクト(BGTC)構造では、TFTは、ゲート電極とゲート配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第2導電層を有する。ボトムゲートボトムコンタクト(BGBC)構造では、TFTは、ゲート電極とゲート配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第2導電層と、半導体層を有する。
 そして、ドレイン電極が画素電極10に接続され、ゲート配線とソース配線とが接続電極2に接続されている。通常、TFT上は層間絶縁膜で覆われ、該層間絶縁膜上に画素電極10が設けられる。ボトムゲート構造の場合、層間絶縁膜はドレイン電極上に開口を有し、画素電極10は該開口を介してドレイン電極に接続されている。トップゲート構造の場合、層間絶縁膜およびゲート絶縁膜はドレイン電極上に開口を有し、画素電極10は該開口を介してドレイン電極に接続されている。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくともTFTを形成する4つの層と、TFTを覆う層間絶縁膜と、画素電極10からなる第3導電層の6層構造が形成される。ドレイン電極が絶縁層を介してキャパシタ電極と重なってキャパシタを形成することも、多く行われる。このキャパシタには電荷が保持され、画素電極10の電位を長く維持する効果がある。
 TFTを有する場合、接続電極2は第1導電層や第2導電層に含まれている。ゲート配線やソース配線が接続電極2に接続されており、他に対向電極配線やキャパシタ配線も接続電極2に接続されている。対向電極配線は対向電極12に給電するための配線であり、キャパシタ配線はキャパシタ電極に給電するための配線である。
 電気泳動表示パネル化するには、一般的には、対向基板11上に対向電極12と電気泳動媒体層13を積層した部材を、フレキシブル基板1上の画素電極10の面にラミネートする。対向基板11の材料としてはPET、対向電極12の材料としてはITOが好適に用いられる。電気泳動媒体層13としては、マイクロカプセル中に逆方向に帯電した黒粒子と白粒子を含む液体を閉じ込めたものや、マイクロカップと呼ばれる隔壁内に帯電した黒粒子、白粒子、赤粒子を含む液体を閉じ込めたものが好適に用いられる。
 ただし、対向電極12と対向電極配線を接続するため、上記部材をラミネートする前に電気泳動媒体層12の一部を除去しておき、その部分、またはその部分が貼合される予定の対向電極配線上に、導電ペーストまたは導電接着材を付けてから、ラミネートを実施する。
 この電気泳動表示パネルの駆動用ICとしてフレキシブルICを用いる際に、本発明の接続構造を用いることができる。電気泳動表示パネルは、書替時のみに電気を必要とするだけで、非書替時には電流を流す必要がないため、接続部分の負担が小さい。
 ACF9としては、絶縁性樹脂内に導電性粒子を分散させたものが好適に用いられる。ACF9は、一方の接続電極上に仮圧着した後、他方の接続電極をアライメントして本圧着する。仮圧着は低温低圧、本圧着は高温高圧で行う。ACF9をフレキシブル基板1上の接続電極2の上に仮圧着後、フレキシブルICの接続電極5と重ねて本圧着してもよいし、ACF9をフレキシブルICの接続電極5の上に仮圧着後、フレキシブル基板1上の接続電極2と重ねて本圧着してもよい。
(第7の実施形態)
 図26~図28は、本発明の第7の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5と電極形状を説明する平面図である。また、図29は、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との接続構造及び電極形状の詳細を示す平面図である。
 図26~図28に示すように、フレキシブルIC上の接続電極5は、複数の、帯状の第2の電極5’により構成される。複数の第2の電極5’は、中心線5Cの並び方向(後述するx軸の延びる方向として、x方向ともいう)のピッチPが、並び方向に関して一定であり、並びに垂直な方向(後述するy軸の延びる方向として、y方向ともいう)に関して徐々に変化するように形成されている。
 一方、フレキシブル基板1の接続電極2は図26~図28のように、フレキシブルICの基材4とは別の基板1上に、各辺がx方向またはy方向に平行な長方形(矩形状)の第1の電極2’を、第2の電極5’に対応するように、複数x方向に並べることにより構成される。図29に示すように、第1の電極2’のy方向における長さは一定値Dpであり、フレキシブルIC上の第2の電極5’の長さDより短い。
 フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との接続構造は、図29に示すように、フレキシブル基板1上に基材4を載せることにより、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを、対向させた状態で、フレキシブル基板1及び基材4を図示しない異方導電膜や非導電性ペースト等を用いて固定し接続することにより得られる。なお、図29では、便宜上、基材4の図示は省略する。
 第2の電極5’の中心線5Cは、図29に示す、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる複数の第1の電極2’の並び方向をx軸、この並び方向に垂直な方向をy軸、フレキシブル基板1上の接続電極2の中央の座標を(x,y)=(0,0)とし、第1の電極2’とx軸に平行な直線との重なりを線分L’とした時の、線分L’の中点の集合体である。即ち本発明は、フレキシブルICの接続電極5に含まれる、隣合う第2の電極5’の中心線5Cのx方向のピッチPが、x座標に依存せず(すなわち、x方向において一定)、y座標に依存する(すなわち、y方向において変化する)ことを意味する。特に図26は、中心線5Cとy軸とのなす角θが、yに依存する場合である。
 このような第2の電極5’の形状により、フレキシブル基板1が伸縮した場合であっても、フレキシブルICの接続電極5を、フレキシブル基板1上の接続電極2に対して上下方向にずらして接続することによって、適切なピッチPを選択することが可能になる。
 図27および図28に示すように、フレキシブルICの接続電極5に含まれる複数の第2の電極5’は、平行四辺形であってもよい。また、複数の第2の電極5は、該第2の電極5’の中心線5Cの並び方向のピッチPが、フレキシブル基板の縁に近いほど広がる(図27)か、狭まる(図28)ように配置されている。また、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’は、フレキシブルICの接続電極5において、図の左右方向(x方向)に関して左右対称になるように配置されている。第2の電極5’が平行四辺形の場合、第2の電極5’の中心線5Cとy軸とのなす角θはy座標に依存しない。各第2の電極5’毎に角θは一定であり、その値は各第2の電極5’の中心のx座標にほぼ比例する。このシンプルな電極形状により、設計が容易になる。
 さらに好ましくは、図29のように、フレキシブルICの接続電極5に含まれる複数の第2の電極5’の並び方向をx軸、この並び方向に垂直な方向をy軸、フレキシブルICの接続電極5の中央の座標を(x,y)=(0,0)とし、該フレキシブルICの第2の電極5’の中心線5Cがy軸となす角度を角θとし、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の線幅、すなわちx方向における長さを線幅Lp、長さ、すなわち、y方向における長さを長さDpとする時、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’がx軸に平行な直線と重なる長さLが、
  L≦Lp-Dp×|tan(θ)|
である。
 この式は、アライメントが良好な場合に、図29に示すように、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’が、フレキシブル基板1上の接続電極2のy方向における長さDpの領域において、第1の電極2’に含まれる(平面視において、第2の電極5’の長さLが第1の電極2’の線幅Lp内に含まれる)ことを意味する。即ち、角θが0の場合には長さLを線幅Lpまで太くでき、角θが0でない場合に角θに依存して少し細くする。これにより、アライメントが横にずれた場合の余裕を、従来のように角θが0である場合と同程度に保つことが可能となる。
 さらに好ましくは、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’がx軸に平行な直線と重なる長さLが一定値L0であり、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5Cがy軸となす角度θのうち絶対値が最も大きい値をθmaxとすると、
  L0≦Lp-Dp×|tan(θmax)|
である。これを表したのが、図30である。
 この式では、アライメントが良好な場合の、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’と、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’との重なり面積が一定になる。従って、各第1の電極2’と第2の電極5’との接続において、同等の接続抵抗が得られる。しかしながら、角θは、フレキシブルICの接続電極5の最外方(x座標の絶対値が最も大きい位置)の第2の電極5’で最も大きく、内方に向かうにつれて(x座標の絶対値が小さくなるにつれて)小さくなるため、アライメントずれの影響は最外方の第2の電極5’で大きく、内方に向かうにつれて小さくなる。従って、最外方の第2の電極5’付近のアライメントが良好であれば、非最外方の第2の電極5’のアライメントは確実に合っており、非最外方の第2の電極5’のアライメントを気にする必要がなくなる。
 なお、図26~図30に示すように、フレキシブル基板1上には、1組(一対)のアライメントマーク3が設けられている。また、基材4上にも、フレキシブル基板1のアライメントマーク3に対応するように、アライメントマーク6が設けられている。
 図30に示したフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルICの接続電極5とを、ACF9を介して接続した接続構造を、図31~図33Bに示す。なお、図31~図33Bでは、接続構造が分かりやいように、フレキシブルICの基材4及びフレキシブルICの接続電極5を透過させて示す。図31は、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合を示す。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4のアライメントマーク6を合わせた状態で、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5Cのピッチが一致し、適切な接合がなされる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、該第1の電極2’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2のスペース(隣合う第1の電極2’間の間隔)の約半分程度が確保される。隣接ショートしないためには、第1の電極2’のスペースから、ACF内の導電粒子の直径を差し引いた分のアライメント余裕がある。一方、確実に接続するよう一定面積が重なるためには、第2の電極5’のうち最適アライメント状態(図29の状態)で第1の電極2’と重なっている部分(長さDpの平行四辺形)の中心が、少なくとも第1の電極2’と重なることが望ましい。そのため、アライメント余裕は第1の電極2’のスペースの約半分となる。
 図32Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや伸びた場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4上のアライメントマーク6のy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の外側にはみ出す。
 この場合、図32Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に-y1だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5Cのピッチを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のスペースの約半分まで確保される。
 図33Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや縮んだ場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4上のアライメントマーク6とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブル基板1上の接続電極2の一部が、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDpの領域において、第2の電極5’の内側にはみ出す。
 この場合、図33Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に+y2だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5Cのピッチを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2のスペースの約半分まで確保される。
 このような特徴を備える第7の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とは、例えば、次のように接続することができる。
 前記フレキシブル基板1上の接続電極2のピッチPを実測し、把握する。次に、前記フレキシブル基板1上の接続電極に、異方導電膜を貼合(仮圧着)し、前記フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる複数の電極の中心線のピッチに最も近い、前記フレキシブルICの隣合う前記第2の電極の中心線のピッチ位置(特定のy座標)に接合(本圧着)する。
 あるいは、次のように接続することができる。
 始めに、代表のフレキシブル基板1上の接続電極2に異方導電膜9を貼合し、フレキシブルICの接続電極5を基準位置でアライメントし、接合した後に寸法測定を行い、その結果から、基準アライメント状態からの、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との最適な相対的移動量yを決定する。
 その後、残りのフレキシブル基板1上の接続電極2に異方導電膜9を貼合し、フレキシブルICの接続電極5を位置合せする際に、決定した前記移動量yだけ基準アライメント状態からフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを相対的に移動させて、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との位置合せを行う。最後に、位置合わせを行ったフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを接合する。
 フレキシブル基板1の材料には、PETやPENが好適であるが、これに限定されず、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、アラミド、ナイロン等を用いてもよい。フレキシブル基板1上には画素電極10を有し、接続電極2と、配線14を介して接続してもよいし、薄膜トランジスタ等の非線形素子を介して接続してもよい。フレキシブル基板1上の接続電極2や、フレキシブルICの接続電極5は、表面が電気的に剥き出しな部分を指しており、絶縁層で覆った部分を含まない概念であるが、フレキシブル基板1上の接続電極2は絶縁層15の上に設けられ、配線14とは絶縁層15の開口を介して接続させることがより望ましい。
 また、ここまで同一ロットは同一の伸縮率であるとして説明したが、それに限定されるものではなく、例えば基材の取り位置によって分類し、分類毎に伸縮を確認して接続を行ってもよい。
(第8の実施形態)
 図34は、本発明の第8の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5と電極形状を説明する平面図である。第8の実施形態に係るフレキシブルICには、第7の実施形態と同様の形状の接続電極5とともに、y方向に並んだ複数組(複数対):図34では3組(3対)のアライメントマーク群6’が形成されている。
 図34に示したフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルICの接続電極5とを、ACF9を介して接続した接続構造を、図35~図37Bに示す。なお、図35~図37Bでは、接続構造が分かりやいように、フレキシブルICの基材4及びフレキシブルICの接続電極5を透過させて示す。図35は、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合を示す。この場合、フレキシブルICのアライメントマーク群6’のうち標準のもの、即ち、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合に用いるための、フレキシブルICのアライメントマーク(図35では外形丸形のアライメントマーク)とフレキシブル基板1上のアライメントマーク3とを合わせた状態で、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPと、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチが一致し、適切な接合がなされる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、該接続電極2に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のスペース(隣合う第1の電極2’間の間隔)の約半分まで確保される。
 図36Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや伸びた場合を示す図である。この場合、フレキシブルICのアライメントマーク群6’のうち標準のもの(外形丸形状のアライメントマーク)とフレキシブル基板1上のアライメントマーク3とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブルICの接続電極5の一部が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’の外側にはみ出す。
 この場合、図36Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に+y3だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPを合わせることができる。あるいは、アライメントマーク群6’のうち+y3に近いもの(外形矩形状のアライメントマーク)とフレキシブル基板1上のアライメントマーク3のy座標を合わせてACF圧着すれば、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2のスペースの約半分まで確保される。
 図37Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや縮んだ場合を示す図である。この場合、フレキシブルICのアライメントマーク群6’のうち標準のもの(外形丸形状のアライメントマーク)とフレキシブル基板1上のアライメントマーク3とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブルICの接続電極5の一部が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’の内側にはみ出す。
 この場合、図37Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に-y4だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPを合わせることができる。あるいは、アライメントマーク群6’のうち-y4に近いもの(外形六角形状のアライメントマーク)とフレキシブルICのアライメントマーク3のy座標を合わせてACF圧着すれば、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’に含まれる。これで、アライメント余裕はフレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のスペースの約半分まで確保される。
 このような特徴を備える第8の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とは、例えば、次のように接続することができる。
 前記フレキシブル基板1上の接続電極2のピッチを実測し、把握する。次に、前記フレキシブル基板1上の接続電極2に、異方導電膜を貼合(仮圧着)し、前記フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる複数の電極の中心線のピッチに最も近い、前記フレキシブルICの隣合う前記第2の電極の中心線のピッチ位置(特定のy座標)を選択し接合(本圧着)する。
 あるいは、次のように接続することができる。
 始めに、代表のフレキシブル基板1上の接続電極2に異方導電膜9を貼合し、フレキシブルICの接続電極5を基準位置でアライメントし、接合した後に寸法測定を行い、その結果から、基準アライメント状態からの、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とのアライメントに最適なアライメントマークを決定する。
 その後、残りのフレキシブル基板1上の接続電極2に異方導電膜9を貼合し、フレキシブルICの接続電極5を位置合せする際に、フレキシブルICのアライメントマーク群6’のうち最適なアライメントマークと、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3を用いて、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との位置合せを行う。最後に、位置合わせを行ったフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを接合する。
 本実施形態では、フレキシブルICのアライメントマーク群6’が、y方向に並んで複数組設けられている。アライメントマーク群6’を構成する各アライメントマークは、互いに区別できるように、図35~図37Bに示したように別形状になっていることが望ましいが、同形状マークの近くに文字を入れて区別してもよい。
 フレキシブル基板1の材料には、PETやPENが好適であるが、これに限定されず、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、アラミド、ナイロン等を用いてもよい。フレキシブル基板1上には画素電極10を有し、接続電極2と直接接続してもよいし、薄膜トランジスタ等の非線形素子を介して接続してもよい。フレキシブル基板1上の接続電極2や、フレキシブルICの接続電極5は、表面が電気的に剥き出しな部分を指しており、絶縁層で覆った部分を含まない概念であるが、フレキシブル基板1上の接続電極2は絶縁層15の上に設けられ、配線14とは絶縁層15の開口を介して接続させることがより望ましい。
(第9の実施形態)
 図38A及び図38Bに、第7の実施形態に係るフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を用いた、本発明の第9の実施形態に係る電気泳動表示パネルの平面図及び断面図を示す。ただし、図38Aは、接続前の電気泳動表示パネルの平面図、図38Bは、接続後の電気泳動表示パネルのA-A’部の断面図である。図38A、図38Bのように、第7の実施形態に係る電極の接続構造を備えるフレキシブル基板1上の画素電極10と、対向基板11上に設けた対向電極12との間に電気泳動媒体層13を挟むことで、第9の実施形態に係る電気泳動表示パネルとすることができる。
 フレキシブル基板1上の接続電極2が画素電極10に、TFT等の素子を介さず電気配線14で直接接続されている場合、電気配線14は、絶縁層15で覆われている。言い換えれば、絶縁層15で覆われていない部分が、接続や表示に用いられる部分であり、接続電極2や画素電極10である。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくとも接続電極2、電気配線14、及び画素電極10からなる導電層と、電気配線を覆う絶縁層15との2層構造が形成される。
 あるいは、接続電極2は絶縁層15に覆われず、電気配線14は絶縁層15に覆われ、電気配線14上の絶縁層15が開口を有し、該開口を有する絶縁層15上に画素電極10や接続電極2が形成され、画素電極10や接続電極2は該開口で電気配線14に接続されていてもよい。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくとも電気配線14からなる第1導電層と、電気配線14を覆う絶縁層15と、画素電極10および接続電極2からなる第2導電層との3層構造が形成される。
 フレキシブル基板1上の接続電極2が画素電極10に、TFT(図示せず)を介して間接接続されている場合、TFTは少なくとも4層構造である。TFTには、トップゲート(TG)構造:ゲート電極がソース・ドレイン電極より上層にあるものと、ボトムゲート(BG)構造:ゲート電極がソース・ドレイン電極より下層にあるものがある。また、トップコンタクト(TC)構造:ソース・ドレイン電極が半導体層の上にあるものと、ボトムコンタクト(BC)構造:ソース・ドレイン電極が半導体層の下にあるものがある。
 トップゲートトップコンタクト(TGTC)構造では、TFTは、半導体層と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とゲート配線からなる第2導電層を有する。トップゲートボトムコンタクト(TGBC)構造では、TFTは、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第1導電層と、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とゲート配線からなる第2導電層を有する。ボトムゲートトップコンタクト(BGTC)構造では、TFTは、ゲート電極とゲート配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第2導電層を有する。ボトムゲートボトムコンタクト(BGBC)構造では、TFTは、ゲート電極とゲート配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第2導電層と、半導体層を有する。
 そして、ドレイン電極が画素電極10に接続され、ゲート配線とソース配線とが接続電極2に接続されている。通常、TFT上は層間絶縁膜で覆われ、該層間絶縁膜上に画素電極10が設けられる。ボトムゲート構造の場合、層間絶縁膜はドレイン電極上に開口を有し、画素電極10は該開口を介してドレイン電極に接続されている。トップゲート構造の場合、層間絶縁膜およびゲート絶縁膜はドレイン電極上に開口を有し、画素電極10は該開口を介してドレイン電極に接続されている。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくともTFTを形成する4つの層と、TFTを覆う層間絶縁膜と、画素電極10からなる第3導電層の6層構造が形成される。ドレイン電極が絶縁層を介してキャパシタ電極と重なってキャパシタを形成することも、多く行われる。このキャパシタには電荷が保持され、画素電極10の電位を長く維持する効果がある。
 TFTを有する場合、接続電極2は第1導電層や第2導電層または第3導電層に含まれている。ゲート配線やソース配線が接続電極2に接続されており、他に対向電極配線やキャパシタ配線も接続電極2に接続されている。対向電極配線は対向電極12に給電するための配線であり、キャパシタ配線はキャパシタ電極に給電するための配線である。
 電気泳動表示パネルとするには、一般的には、対向基板11上に対向電極12と電気泳動媒体層13を積層した部材を、フレキシブル基板1上の画素電極10の面にラミネートする。対向基板11の材料としてはPET、対向電極12の材料としてはITOが好適に用いられる。電気泳動媒体層13としては、マイクロカプセル中に逆方向に帯電した黒粒子と白粒子を含む液体を閉じ込めたものや、マイクロカップと呼ばれる隔壁内に帯電した黒粒子、白粒子、赤粒子を含む液体を閉じ込めたものが好適に用いられる。
 ただし、対向電極12と対向電極配線を接続するため、上記部材をラミネートする前に電気泳動媒体層13の一部を除去しておき、その部分、またはその部分が貼合される予定の対向電極配線上に、導電ペーストまたは導電接着材を付けてから、ラミネートを実施する。
 この電気泳動表示パネルの駆動用ICとしてフレキシブルICを用いる際に、本発明の接続構造を用いることができる。電気泳動表示パネルは、書替時のみに電気を必要とするだけで、非書替時には電流を流す必要がないため、接続部分の負担が小さい。そのため、本発明のようにフレキシブル基板1上の接続電極2のx方向寸法Lが制限されて、重なり面積が小さくても、問題なく使用できる。
 ACF9としては、絶縁性樹脂内に導電性粒子を分散させたものが好適に用いられる。ACF9は、一方の接続電極上に仮圧着した後、他方の接続電極をアライメントして本圧着する。仮圧着は低温低圧、本圧着は高温高圧で行う。ACF9をフレキシブル基板1上の接続電極2の上に仮圧着後、フレキシブルICの接続電極5と重ねて本圧着してもよいし、ACF9をフレキシブルICの接続電極5の上に仮圧着後、フレキシブル基板1上の接続電極2と重ねて本圧着してもよい。
(第10の実施形態)
 図39、図40は、本発明の第10の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とのフレキシブルICの接続電極5と電極形状を説明する平面図である。また、図41は、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との接続構造及び電極形状の詳細を示す平面図である。
 図39、図40に示すように、第10の実施形態に係るフレキシブルICの接続電極5を構成する複数の第2の電極5’は、中心線5Cの並び方向のピッチPが、並び方向に関して一定であり、並びに垂直な方向に関しては段階的に変化するように形成されている。ピッチPは、例えば、ピッチP(0)、P(1)、P(2)(P(0)<P(1)<P(2))のように段数nが3の3段階に変化する。
 一方、フレキシブル基板1上の接続電極2は、図39、図40のように、第7~第9の実施形態と同様に、複数の第1の電極2’により構成される。第1の電極2’のy方向における長さは一定値Dpであり、接続電極5の段数が3段であるので、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さDの3分の1、すなわち、D/3より短い。
 図39に示すように、フレキシブルICの接続電極5を構成する複数の第2の電極5’は、段階的にピッチPが変化するので、フレキシブル基板1が伸縮した場合であっても、フレキシブルICの接続電極5を、フレキシブル基板1上の接続電極2に対して上下方向にずらして、ピッチが最も近い位置で接続することによって、適切な接続が可能になる。
 図39及び図40に示すように、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’は、同一形状の複数の矩形状電極を、中心線5Cの位置を段階的に変えながらy方向に連設した階段形状である。また、複数の第2の電極5’は、第2の電極5’の中心線5Cの並び方向のピッチP(0)、P(1)、P(2)が、フレキシブルICの縁に近いほど広がる(図39)か狭まる(図40)構成である。また、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’は、全体が図の左右方向(x方向)に関して左右対称になるように配置されている。したがって、第2の電極5’の各段におけるピッチPは一定であるので、設計が容易になる。
 図41に示すように、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の並び方向をx軸、並び方向に垂直な方向をy軸、フレキシブルICの接続電極5の中央の座標を(x,y)=(0,0)とした場合、第2の電極5’は、ピッチPがy軸方向に段階的に変わるように形成される。また、フレキシブルICの接続電極5に含まれる複数の第2の電極5’はy軸に対し線対称となるように配置される。なお、図41では、便宜上、基材4の図示は省略する。
 各段のピッチは、下記で記載できる。
・P(m)<P(m+1)≦P(m)+2×(L-CO)/(H-1)
・P(0)<PF<P(n)
(L:接続電極幅、CO:最小必要接続電極幅、H:接続電極数、n:段数(2以上)、m:n-2以下0以上の整数、PF:第2の電極5’の中心線のピッチ)
例えば段数nが3の場合、
P(1)はP(0)<P(1)≦P(0)+2×(L-CO)/(H-1)の範囲であり、
P(2)はP(1)<P(2)≦P(1)+2×(L-CO)/(H-1)の範囲である。
 この式は、最小必要接続電極幅COを確保する第2の電極5’のピッチPとずらし量を示している。
 更に好ましい各段のピッチPは、下記で記載できる。
・P(m+1)=P(0)+2×(m+1)×(L-CO)/(H-1)
・P(0)<PF<P(n)
(L:接続電極幅、CO:最小必要接続電極幅、H:接続電極数、n:段数(2以上)、m:n-2以下0以上の整数、PF:第2の電極5’の中心線のピッチ)
例えば段数nが3の場合、
P(1)はP(1)=P(0)+2×1×(L-CO)/(H-1)であり、
P(2)はP(2)=P(0)+2×2×(L-CO)/(H-1)である。
 この式は、最小必要接続電極幅COを確保するのに必要最低限な第2の電極5’のピッチPとずらし量を示している。つまり、最外端子の各段間の接続幅は最小必要接続電極幅COである。これにより段数nを少なくし、第1の電極2’の面積を減らすことが可能となる。
 また、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’のy方向の長さは、段数をn段、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の長さをD、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のy方向の長さをDpとする時、D/n>Dpであることが好ましい。D/n≦Dpの場合、y方向アライメントずれにより隣接電極間短絡を引き起こす可能性が有る。なお、図39、図40に示すように、第10の実施形態においても、フレキシブルICには、1組(一対)のアライメントマーク6が設けられている。
 図42に示したフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルICの接続電極5とを、ACF9を介して接続した接続構造を、図43~図45Bに示す。なお、図43~図45Bでは、接続構造が分かりやいように、フレキシブルICの基材4及びフレキシブルICの接続電極5を透過させて示す。図43は、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合を示す。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3とフレキシブルICのアライメントマーク6を合わせた状態で、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線のピッチPFと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPが一致し、適切な接合がなされる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’とほぼ一致する。これで、アライメント余裕はフレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のスペース分程度が確保される。厳密には、最小必要接続電極幅COの重なりを確保する必要から、第1の電極2’のスペースからCOを差し引いた値がアライメント余裕となる。
 図44Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや伸びた場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3と基材4上のアライメントマーク6のy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブルICの接続電極5の一部が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’の内側にはみ出す。
 この場合、図44Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に-D/3だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線のピッチPFと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’にほぼ一致する。これで、アライメント余裕(フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のスペース分から最小必要接続電極幅COを差し引いた値)が確保される。
 図45Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや縮んだ場合を示す図である。この場合、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3とフレキシブルICのアライメントマーク6とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブルICの接続電極5の一部が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’の外側にはみ出す。
 この場合、図45Bに示すように、フレキシブルICの基材4をy方向に+D/3だけずらすことで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線のピッチPFと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’にほぼ一致する。これで、アライメント余裕(フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のスペース分から最小必要接続電極幅COを差し引いた値)が確保される。
 このような特徴を備える第10の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とは、例えば、次のように接続することができる。
 前記フレキシブル基板1上の接続電極2のピッチPFを実測する。次に、前記フレキシブルICの接続電極に、異方導電膜を貼合(仮圧着)し、前記フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる複数の電極の中心線のピッチに最も近い、前記フレキシブルICの隣合う前記第2の電極の中心線のピッチ位置を選択し接合(本圧着)する。
 あるいは、次のように接続することができる。
 始めに、代表のフレキシブル基板1上の接続電極2に異方導電膜9を貼合し、フレキシブルICの接続電極5を基準位置でアライメントし、接合した後に寸法測定を行い、その結果から、基準アライメント状態からの、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との相対的な移動量yを決定する。
 その後、残りのフレキシブル基板1上の接続電極2に、異方導電膜9を貼合したフレキシブルICの接続電極5を位置合せする際に、決定した前記移動量yだけ基準アライメント状態からフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを相対的に移動させて、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との位置合せを行う。最後に、位置合わせを行ったフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを接合する。
 フレキシブル基板1の材料には、PETやPENが好適であるが、これに限定されず、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、アラミド、ナイロン等を用いてもよい。フレキシブル基板1上には画素電極10を有し、接続電極2と直接接続してもよいし、薄膜トランジスタ等の非線形素子を介して接続してもよい。フレキシブル基板1上の接続電極2や、フレキシブルICの接続電極5は、表面が電気的に剥き出しな部分を指しており、絶縁層で覆った部分を含まない概念であるが、フレキシブル基板1上の接続電極2は絶縁層15の上に設けられ、配線14とは絶縁層15の開口を介して接続させることがより望ましい。
 また、ここまで同一ロットは同一の伸縮率であるとして説明したが、それに限定されるものではなく、例えば基材の取り位置によって分類し、分類毎に伸縮を確認して接続を行ってもよい。さらに、基板面内で伸縮率が一定でない場合には、個々の圧着に伸縮を確認して接続を行ってもよい。
(第11の実施形態)
 図46は、本発明の第11の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5と電極形状を説明する平面図である。第11の実施形態に係るフレキシブルICには、第10の実施形態と同様の形状の接続電極5とともに、y方向に並んだ3組(3対)のアライメントマーク群6’が形成されている。
 図46に示したフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルICの接続電極5とを、ACF9を介して接続した接続構造を、図47~図49Bに示す。なお、図47~図49Bでは、接続構造が分かりやいように、フレキシブルICの基材4及びフレキシブルICの接続電極5を透過させて示す。図47は、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合を示す。この場合、フレキシブルICのアライメントマーク群6’のうち標準のもの、即ち、フレキシブル基板1の伸縮量が想定通りだった場合に用いるアライメントマーク(図47では、y方向に並ぶアライメントマーク群6’のうち中央のアライメントマーク)とフレキシブル基板1上のアライメントマーク3とを合わせた状態で、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線のピッチPFと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPが一致し、適切な接合がなされる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、該接続電極2に含まれる。これで、アライメント余裕(フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のスペース分から最小必要接続電極幅COを差し引いた値)が確保される。
 図48Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや伸びた場合を示す図である。この場合、フレキシブルICのアライメントマーク群6’のうち標準のもの(図48では、y方向に並ぶアライメントマーク群6’のうち中央のアライメントマーク)とフレキシブル基板1上のアライメントマーク3とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブルICの接続電極5の一部が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’の内側にはみ出す。
 この場合、図48Bに示すように、フレキシブルICの基材4上をy方向に+D/3だけずれたアライメントマークを用いることで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線のピッチPFと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’にほぼ一致する。これで、アライメント余裕(フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のスペース分から最小必要接続電極幅COを差し引いた値)が確保される。
 図49Aは、フレキシブル基板1が想定よりも、x方向にやや縮んだ場合を示す図である。この場合、フレキシブルICのアライメントマーク群6’のうち標準のもの(図49Aでは、y方向に並ぶアライメントマーク群6’のうち中央のアライメントマーク)とフレキシブル基板1上のアライメントマーク3とのy座標を合わせてACF圧着すると、x方向のアライメントが合っている場合でも、フレキシブルICの接続電極5の一部が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’の外側にはみ出す。
 この場合、図49Bに示すように、フレキシブルICの基材4上をy方向に-D/3だけずれたアライメントマークを用いることで、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の中心線のピッチPFと、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線5CのピッチPを合わせることができる。即ち、x方向のアライメントが合っている場合に、フレキシブルICの接続電極5が、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の長さDpの領域において、第1の電極2’にほぼ一致する。これで、アライメント余裕(フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’のスペース分から最小必要接続電極幅COを差し引いた値)が確保される。
 このような特徴を備える第11の実施形態に係るフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とは、例えば、次のように接続することができる。
 前記フレキシブル基板1上の接続電極2のピッチPFを実測する。次に、前記フレキシブルICの接続電極に、異方導電膜を貼合(仮圧着)し、前記フレキシブル基板1上の接続電極に含まれる複数の電極の中心線のピッチに最も近い、前記フレキシブルICの隣合う前記第2の電極の中心線のピッチ位置を選択し接合(本圧着)する。
 あるいは、次のように接続することができる。
 始めに、代表のフレキシブル基板1上の接続電極2に異方導電膜9を貼合し、フレキシブルICの接続電極5を基準位置でアライメントし、接合した後に寸法測定を行い、その結果から、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とのアライメントに最適なアライメントマークを決定する。
 その後、フレキシブルICのアライメントマーク群6’のうち最適なアライメントマークと、フレキシブル基板1上のアライメントマーク3を用いて、フレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5との位置合せを行う。最後に、位置合わせを行ったフレキシブル基板1上の接続電極2とフレキシブルICの接続電極5とを接合する。
 本実施形態では、フレキシブルICのアライメントマーク群6’が、x座標及びy座標を変えて複数組設けられている。アライメントマーク群6’を構成する各アライメントマークは、同形状のマークになっていてもよいが、互いに区別できるように異なる形状になっていることが望ましい。
 フレキシブル基板1の材料には、PETやPENが好適であるが、これに限定されず、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、アラミド、ナイロン等を用いてもよい。フレキシブル基板1上には画素電極10を有し、接続電極2と直接接続してもよいし、薄膜トランジスタ等の非線形素子を介して接続してもよい。フレキシブル基板1上の接続電極2や、フレキシブルICの接続電極5は、表面が電気的に剥き出しな部分を指しており、絶縁層で覆った部分を含まない概念であるが、フレキシブル基板1上の接続電極2は絶縁層15の上に設けられ、配線14とは絶縁層15の開口を介して接続させることがより望ましい。
(第12の実施形態)
 図50A及び図50Bに、第10の実施形態に係るフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を用いた、本発明の第12の実施形態に係る電気泳動表示パネルの平面図及び断面図を示す。ただし、図50Aは、接続前の電気泳動表示パネルの平面図、図50Bは、接続後の電気泳動表示パネルのB-B’部の断面図である。図50A、図50Bのように、第10の実施形態に係る電極の接続構造を備えるフレキシブル基板1上の画素電極10と、対向基板11上に設けた対向電極12との間に電気泳動媒体層13を挟むことで、第12の実施形態に係る電気泳動表示パネルとすることができる。
 フレキシブル基板1上の接続電極2が画素電極10に、TFT等の素子を介さず電気配線で直接接続されている場合、電気配線は、絶縁層15で覆われている。言い換えれば、絶縁層15で覆われていない部分が、接続や表示に用いられる部分であり、接続電極2や画素電極10である。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくとも接続電極2、電気配線、及び画素電極10からなる導電層と、電気配線を覆う絶縁層15の2層構造が形成される。
 あるいは、接続電極2は絶縁層15に覆われず、電気配線14は絶縁層15に覆われ、電気配線14上の絶縁層15が開口を有し、該開口を有する絶縁層15上に画素電極10や接続電極2が形成され、画素電極10や接続電極2は該開口部で電気配線14に接続されていてもよい。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくとも電気配線14からなる第1導電層と、電気配線14を覆う絶縁層15と、画素電極10および接続電極2からなる第2導電層との3層構造が形成される。
 フレキシブル基板1上の接続電極2が画素電極10に、TFTを介して接続されている場合、TFTは少なくとも4層構造である。TFTには、トップゲート(TG)構造:ゲート電極がソース・ドレイン電極より上層にあるものと、ボトムゲート(BG)構造:ゲート電極がソース・ドレイン電極より下層にあるものがある。また、トップコンタクト(TC)構造:ソース・ドレイン電極が半導体層の上にあるものと、ボトムコンタクト(BC)構造:ソース・ドレイン電極が半導体層の下にあるものがある。
 トップゲートトップコンタクト(TGTC)構造では、TFTは、半導体層と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とゲート配線からなる第2導電層を有する。トップゲートボトムコンタクト(TGBC)構造では、TFTは、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第1導電層と、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とゲート配線からなる第2導電層を有する。ボトムゲートトップコンタクト(BGTC)構造では、TFTは、ゲート電極とゲート配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第2導電層を有する。ボトムゲートボトムコンタクト(BGBC)構造では、TFTは、ゲート電極とゲート配線からなる第1導電層と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレイン電極とソース配線からなる第2導電層と、半導体層を有する。
 そして、ドレイン電極が画素電極10に接続され、ゲート配線とソース配線とが接続電極2に接続されている。通常、TFT上は層間絶縁膜で覆われ、該層間絶縁膜上に画素電極10が設けられる。ボトムゲート構造の場合、層間絶縁膜はドレイン電極上に開口を有し、画素電極10は該開口を介してドレイン電極に接続されている。トップゲート構造の場合、層間絶縁膜およびゲート絶縁膜はドレイン電極上に開口を有し、画素電極10は該開口を介してドレイン電極に接続されている。この場合、フレキシブル基板1上には、少なくともTFTを形成する4つの層と、TFTを覆う層間絶縁膜と、画素電極10からなる第3導電層の6層構造が形成される。ドレイン電極が絶縁層を介してキャパシタ電極と重なってキャパシタを形成することも、多く行われる。このキャパシタには電荷が保持され、画素電極10の電位を長く維持する効果がある。
 TFTを有する場合、接続電極2は第1導電層や第2導電層または第3導電層に含まれている。ゲート配線やソース配線が接続電極2に接続されており、他に対向電極配線やキャパシタ配線も接続電極2に接続されている。対向電極配線は対向電極12に給電するための配線であり、キャパシタ配線はキャパシタ電極に給電するための配線である。
 電気泳動表示パネル化するには、一般的には、対向基板11上に対向電極12と電気泳動媒体層13を積層した部材を、フレキシブル基板1上の画素電極10の面にラミネートする。対向基板11の材料としてはPET、対向電極12の材料としてはITOが好適に用いられる。電気泳動媒体層13としては、マイクロカプセル中に逆方向に帯電した黒粒子と白粒子を含む液体を閉じ込めたものや、マイクロカップと呼ばれる隔壁内に帯電した黒粒子、白粒子、赤粒子を含む液体を閉じ込めたものが好適に用いられる。
 ただし、対向電極12と対向電極配線を接続するため、上記部材をラミネートする前に電気泳動媒体層12の一部を除去しておき、その部分、またはその部分が貼合される予定の対向電極配線上に、導電ペーストまたは導電接着材を付けてから、ラミネートを実施する。
 この電気泳動表示パネルの駆動用ICとしてフレキシブルICを用いる際に、本発明の接続構造を用いることができる。電気泳動表示パネルは、書替時のみに電気を必要とするだけで、非書替時には電流を流す必要がないため、接続部分の負担が小さい。
 ACF9としては、絶縁性樹脂内に導電性粒子を分散させたものが好適に用いられる。ACF9は、一方の接続電極上に仮圧着した後、他方の接続電極をアライメントして本圧着する。仮圧着は低温低圧、本圧着は高温高圧で行う。ACF9をフレキシブル基板1上の接続電極2の上に仮圧着後、フレキシブルICの接続電極5と重ねて本圧着してもよいし、ACF9をフレキシブルICの接続電極5の上に仮圧着後、フレキシブル基板1上の接続電極2と重ねて本圧着してもよい。
 具体的な実施例について説明する。
(実施例1)
 図5に示すフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5とを、ACF9を用いて、接続した。フレキシブル基板1の材料はPENであり、接続電極2とアライメントマーク3はAgを用いて形成し、画素電極10はAgペーストを用いて形成した。画素電極10はTFTを介して接続電極2に接続されている。また、フレキシブルICの基材4の材料はPIであり、接続電極5とアライメントマーク6とはCuを用いて形成し、Snがめっきされている。フレキシブルIC上の接続電極5に含まれる第2の電極5’の数N=496[本]、長さDp=2[mm]、幅Lp=0.05[mm]、ピッチが0.09975[mm]、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の数N=496[本]、D=6[mm]、L=0.03[mm]、ピッチPが0.09975-0.01×y/247.5[mm]である。即ち、最外接続電極において、y=1mmごとに10μmだけx方向に中心線2Cがずれる。
 ACF9には、エポキシ系樹脂中に導電粒子を分散させたものを用いた。フレキシブル基板1のロットAを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを合わせて位置合せしてACF接続した場合、図6のように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPと接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチが一致した。この場合、x方向のアライメント余裕は25μmであり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKであった。
 フレキシブル基板1のロットBを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図7Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチより大きくなった。ずれは最外電極において20μm程度であった。x方向のアライメント余裕が5μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブルICを上(図7Aの紙面上方)にy1=2[mm]ずらして接続を行ったのが、図7Bである。x方向のアライメント余裕が25μmになり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKとなった。
 フレキシブル基板1のロットCを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図8Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチより小さくなった。ずれは最外電極において20μm程度であった。x方向のアライメント余裕が5μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブルICをy2=-2[mm]、即ち、下(図8Aの紙面下方)に2[mm]ずらして接続を行ったのが、図8Bである。x方向のアライメント余裕が25μmになり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKとなった。
(実施例2)
 図9に示すフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5とを、ACF9を用いて、接続をした。フレキシブル基板1の材料はPETであり、接続電極2とアライメントマーク3はAuを用いて形成し、画素電極10もAuを用いて形成した。画素電極10はTFTを介して接続電極2に接続されている。また、フレキシブルICの基材4の材料はPIであり、接続電極5とアライメントマーク6とはCuを用いて形成し、Snがめっきされている。フレキシブルIC上の接続電極5に含まれる第2の電極5’の数N=496[本]、長さDp=2[mm]、幅Lp=0.05[mm]、ピッチが0.09975[mm]、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の数N=496[本]、D=6[mm]、L=0.03[mm]、ピッチPが0.09975+0.01×y/247.5[mm]である。即ち、最外接続電極において、y=1mmごとに10μmだけx方向に中心線がずれる。アライメントマーク群3’は、y=0[mm]に丸形状、y=+2[mm]に菱形状、y=-2[mm]に矩形状のものを設けてある。
 ACF9には、エポキシ系樹脂中に導電粒子を分散させたものを用いた。フレキシブル基板1のロットDを用いて、アライメントマーク群3’のうち丸形状のものとアライメントマーク6とを合わせて位置合せしてACF接続した場合、図10のように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPと接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチが一致した。この場合、x方向のアライメント余裕は25μmであり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKであった。
 フレキシブル基板1のロットEを用いて、アライメントマーク群3’のうち丸形状のものとアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図11Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチより大きくなった。ずれは最外電極において20μm程度であった。x方向のアライメント余裕が5μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク群3’のうち矩形状のものとアライメントマーク6とを位置合せして接続を行ったのが、図11Bである。x方向のアライメント余裕が25μmになり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKとなった。(丸形状のアライメントマークを用いて位置合せした状態からy3=-2[mm]、即ち、下(図11Aの紙面下方)に2[mm]ずらしても同様である。)
 フレキシブル基板1のロットFを用いて、アライメントマーク群3’のうち丸形状のものとアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図12Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチより小さくなった。ずれは最外電極において20μm程度であった。x方向のアライメント余裕が5μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク群3’のうち菱形状のものとアライメントマーク6を位置合せして接続を行ったのが、図12Bである。x方向のアライメント余裕が25μmになり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKとなった。(丸形状のアライメントマークを用いて位置合せした状態から上(図12Aの紙面上方)にy4=2[mm]ずらしても同様である。)
(実施例3)
 図13A、図13Bに示す電気泳動表示パネルを、実施例1の方法を用いて作製する。(ただし、図13BにおいてTFT部分の表記を省略している。)まず、フレキシブル基板1の材料としてPENを用い、ゲート電極、ゲート電極用のゲート配線、ゲート配線用の接続電極2、キャパシタ電極、キャパシタ電極用のキャパシタ配線、キャパシタ配線用の接続電極2を含む第1導電層を形成した。次に、ゲート絶縁膜を形成した。そして、ソース電極、ソース電極用のソース配線、ソース配線用の接続電極2、ドレイン電極、対向電極配線、対向電極配線用の接続電極2を含む第2導電層を形成した。そして、ソース電極・ドレイン電極間をつなぐように半導体層を形成した。さらに、TFTを覆うように層間絶縁膜を形成した。ただし、接続電極2はゲート絶縁層や層間絶縁膜で覆わず、ドレイン電極・対向電極配線上の層間絶縁膜は開口を有する。ドレイン電極上には画素電極10を形成し、対向電極上にはAgペーストを塗布した。
 一方、対向基板11上に対向電極12と電気泳動媒体層13を有する部材を用意し、対向電極配線と接続する予定部分の電気泳動媒体層13を除去した。そして、上記TFTを有するフレキシブル基板1上に、ラミネートした。
 次に、基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5を、ACF9を用いて、接続を行った。具体的には、フレキシブル基板1上の接続電極2上にACF9を仮圧着後、フレキシブルICの接続電極5を重ね、実施例1の方法で接続した。その結果、正常な接続を実現できた。
 以上のように、本発明によれば、フレキシブル基板の変形量がロットや分類毎に異なっていても、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続が容易である、接続構造と接続方法を提供できる。
(実施例4)
 図17に示すフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5とを、ACF9を用いて、接続をした。フレキシブル基板1の材料はPENであり、接続電極2とアライメントマーク3はAgを用いて形成し、画素電極10はAgペーストを用いて形成した。画素電極10はTFTを介して接続電極2に接続されている。また、フレキシブルICの基材4の材料はPIであり、接続電極5とアライメントマーク6とはCuを用いて形成し、Snがめっきされている。フレキシブルIC上の接続電極5に含まれる第2の電極5’の数H=496[本]、長さDp=1.5[mm]、幅Lp=0.05[mm]、ピッチPFが0.09975[mm]、最外接続電極間隔49.377[mm]である。
 フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の数H=496[本]、長さD=6[mm]、幅L=0.05[mm]、COが0.01[mm]、段数nが3で、ピッチP(0)が0.09959[mm]、最外接続電極間隔49.297[mm]と、ピッチP(1)=0.09975[mm]の最外接続電極間隔49.377[mm]と、ピッチP(2)=0.09991[mm]の最外接続電極間隔49.457[mm]である。即ち、各段は、最外接続電極において、80μmづつx方向に中心線がずれている。
 ACF9には、エポキシ系樹脂中に導電粒子を分散させたものを用いた。フレキシブル基板1のロットAを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを合わせて位置合せしてACF接続した場合、図18のように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPと接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFとが一致した。この場合、x方向のアライメント余裕は40μmであり、接合時のアライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKであった。
 フレキシブル基板1のロットBを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図19Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPが接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFより大きくなった。ずれは最外電極において30μm程度であった。x方向のアライメント余裕が10μmしかなく、接合時のアライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブルICを上(図19Aの紙面上方)に1段、即ち、y=D/3=2[mm]ずらして接続を行ったのが、図19Bである。x方向のアライメント余裕が40μmになり、アライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKとなった。
 フレキシブル基板1のロットCを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図20Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチより小さくなった。ずれは最外電極において30μm程度であった。x方向のアライメント余裕が10μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブルICを下(図20Aの紙面下方)に1段、即ち、y=-D/3=-2[mm]ずらして接続を行ったのが、図20Bである。x方向のアライメント余裕が40μmになり、アライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKとなった。
(実施例5)
 図21に示すフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5とを、ACF9を用いて、接続をした。フレキシブル基板1の材料はPETであり、接続電極2とアライメントマーク3はAuを用いて形成し、画素電極10もAuを用いて形成した。画素電極10はTFTを介して接続電極2に接続されている。また、フレキシブルICの基材4の材料はPIであり、接続電極5とアライメントマーク6とはCuを用いて形成し、Snがめっきされている。フレキシブルIC上の接続電極5に含まれる第2の電極5’の数H=496[本]、長さDp=1.5[mm]、幅Lp=0.05[mm]、ピッチPFが0.09975[mm]、最外接続電極間隔49.377[mm]である。
 フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の数H=496[本]、長さD=6[mm]、幅L=0.05[mm]、COが0.01[mm]、段数nが3で、ピッチP(0)が0.09959[mm]、最外接続電極間隔49.297[mm]と、ピッチP(1)=0.09975[mm]の最外接続電極間隔49.377[mm]と
、ピッチP(2)=0.09991[mm]の最外接続電極間隔49.457[mm]である。即ち、各段は、最外接続電極において、80μmづつx方向に中心線がずれている。3組のアライメントマークを含むアライメントマーク群3’は、y=0、-2、+2のように階段状の接続電極2に対応して設けてある。
 ACF9には、エポキシ系樹脂中に導電粒子を分散させたものを用いた。フレキシブル基板1のロットDを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを合わせて位置合せしてACF接続した場合、図22のように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPと接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFとが一致した。この場合、x方向のアライメント余裕は40μmであり、接合時のアライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKであった。
 フレキシブル基板1のロットEを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図23Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPが接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPFより大きくなった。ずれは最外電極において30μm程度であった。x方向のアライメント余裕が10μmしかなく、接合時のアライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブル基板1の1段上のアライメントマークを用いて接続を行ったのが、図23Bである。x方向のアライメント余裕が40μmになり、アライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKとなった。
 フレキシブル基板1のロットFを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図24Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチより小さくなった。ずれは最外電極において30μm程度であった。x方向のアライメント余裕が10μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブル基板1の1段下のアライメントマークを用いて接続を行ったのが、図24Bである。x方向のアライメント余裕が40μmになり、アライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKとなった
(実施例6)
 図25A、図25Bに示す電気泳動表示パネルを、実施例4の方法を用いて作製する。まず、フレキシブル基板1の材料としてPENを用い、ゲート電極、ゲート電極用のゲート配線、ゲート配線用の接続電極2、キャパシタ電極、キャパシタ電極用のキャパシタ配線、キャパシタ配線用の接続電極2を含む第1導電層を形成した。次に、ゲート絶縁膜を形成した。そして、ソース電極、ソース電極用のソース配線、ソース配線用の接続電極2、ドレイン電極、対向電極配線、対向電極配線用の接続電極2を含む第2導電層を形成した。そして、ソース電極・ドレイン電極間をつなぐように半導体層を形成した。さらに、TFTを覆うように層間絶縁膜を形成した。ただし、接続電極2はゲート絶縁層や層間絶縁膜で覆わず、ドレイン電極・対向電極配線上の層間絶縁膜は開口を有する。ドレイン電極上には画素電極10を形成し、対向電極上にはAgペーストを塗布した。
 一方、対向基板11上に対向電極12と電気泳動媒体層13を有する部材を用意し、対向電極配線と接続する予定部分の電気泳動媒体層13を除去した。そして、上記TFTを有するフレキシブル基板1上に、ラミネートした。
 次に、基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5を、ACF9を用いて、接続を行った。具体的には、フレキシブル基板1上の接続電極2上にACF9を仮圧着後、フレキシブルICの接続電極5を重ね、実施例1の方法で接続した。その結果、正常な接続を実現できた。
(実施例7)
 図30に示すフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5とを、ACF9を用いて、接続した。フレキシブル基板1の材料はPENであり、接続電極2、アライメントマーク3、画素電極10はAuを用いて形成した。画素電極10はTFTおよび配線を介して接続電極2に接続されている。また、フレキシブルICの基材4の材料はPIであり、接続電極5とアライメントマーク6とはCuを用いて形成し、Snがめっきされている。フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の数N=496[本]、長さDp=2[mm]、幅Lp=0.05[mm]、ピッチが0.1[mm]、フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の数N=496[本]、D=6[mm]、L=0.03[mm]、ピッチPが0.1-0.01×y/247.5[mm]である。即ち、最外接続電極において、y=1mmごとに10μmだけx方向に中心線5Cがずれる。
 ACF9には、エポキシ系樹脂中に導電粒子を分散させたものを用いた。フレキシブル基板1のロットAを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを合わせて位置合せしてACF接続した場合、図31のように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチと接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチPが一致した。この場合、x方向のアライメント余裕は25μmであり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKであった。
 フレキシブル基板1のロットBを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図32Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチPより大きくなった。ずれは最外電極において20μm程度であった。x方向のアライメント余裕が5μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブルICをy1=-2[mm]、即ち下(図32Aの紙面下方)に2[mm]ずらして接続を行ったのが、図32Bである。x方向のアライメント余裕が25μmになり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKとなった。
 フレキシブル基板1のロットCを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図33Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチPより小さくなった。ずれは最外電極において20μm程度であった。x方向のアライメント余裕が5μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブルICをy2=+2[mm]、即ち、上(図33Aの紙面上方)に2[mm]ずらして接続を行ったのが、図33Bである。x方向のアライメント余裕が25μmになり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKとなった。
(実施例8)
 図34に示すフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5とを、ACF9を用いて、接続をした。フレキシブル基板1の材料はPETであり、接続電極2とアライメントマーク3はAuを用いて形成し、画素電極10もAuを用いて形成した。画素電極10はTFTを介して接続電極2に接続されている。また、フレキシブルICの基材4の材料はPIであり、接続電極5とアライメントマーク6とはCuを用いて形成し、Snがめっきされている。フレキシブル基板1上の接続電極5に含まれる第2の電極5’の数N=496[本]、長さDp=2[mm]、幅Lp=0.05[mm]、ピッチが0.1[mm]、フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の数N=496[本]、D=6[mm]、L=0.03[mm]、ピッチPが0.1+0.01×y/247.5[mm]である。即ち、最外接続電極において、y=1mmごとに10μmだけx方向に中心線がずれる。アライメントマーク群3’は、y=0[mm]に外形丸形状、y=+2[mm]に外形菱形状、y=-2[mm]に外形矩形状のものを設けてある。
 ACF9には、エポキシ系樹脂中に導電粒子を分散させたものを用いた。フレキシブル基板1のロットDを用いて、アライメントマーク群6’のうち外形丸形状のものとアライメントマーク3とを合わせて位置合せしてACF接続した場合、図35のように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチと接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチPが一致した。この場合、x方向のアライメント余裕は25μmであり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKであった。
 フレキシブル基板1のロットEを用いて、アライメントマーク群6’のうち外形丸形状のものとアライメントマーク3とを位置合せしてACF接続した場合、図36Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチPより大きくなった。ずれは最外電極において20μm程度であった。x方向のアライメント余裕が5μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク群6’のうち外形矩形状のものとアライメントマーク3とを位置合せして接続を行ったのが、図36Bである。x方向のアライメント余裕が40μmになり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKとなった。(外形丸形状のアライメントマークを用いて位置合せした状態からy3=+2[mm]、即ち、フレキシブルICを上(図36Aの紙面上方)に2[mm]ずらしても同様である。)
 フレキシブル基板1のロットFを用いて、アライメントマーク群6’のうち外形丸形状のものとアライメントマーク3とを位置合せしてACF接続した場合、図37Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチPより小さくなった。ずれは最外電極において20μm程度であった。x方向のアライメント余裕が20μmしかなく、アライメントずれにより50%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク群6’のうち外形六角形状のものとアライメントマーク3を位置合せして接続を行ったのが、図37Bである。x方向のアライメント余裕が25μmになり、アライメントずれがあっても90%以上の確率で接続OKとなった。(外形丸形状のアライメントマークを用いて位置合せした状態からy4=-2[mm]、即ち下(y4=-2[mm]即ち図37Aの紙面下方)に2[mm]ずらしても同様である。)
(実施例9)
 図38A、図38Bに示す電気泳動表示パネルを、実施例7の方法を用いて作製する。(ただし、図38BにおいてTFT部分の表記を省略している。)まず、フレキシブル基板1の材料としてPENを用い、ゲート電極、ゲート電極用のゲート配線、ゲート配線の接続電極部、キャパシタ電極、キャパシタ電極用のキャパシタ配線、キャパシタ配線の接続電極部を含む第1導電層を形成した。次に、ゲート絶縁膜を形成した。そして、ソース電極、ソース電極用のソース配線、ソース配線の接続電極部、ドレイン電極、対向電極配線、対向電極配線の接続電極部を含む第2導電層を形成した。そして、ソース電極・ドレイン電極間をつなぐように半導体層を形成した。さらに、TFTを覆うように層間絶縁膜を形成した。ただし、ゲート配線の接続電極部・キャパシタ配線の接続電極部上のゲート絶縁膜と層間絶縁膜は開口を有し、ソース配線の接続電極部・ドレイン電極・対向電極配線上の層間絶縁膜は開口を有する。各配線の接続電極部上には接続電極2を形成するとともにドレイン電極上には画素電極10を形成し、対向電極上にはAgペーストを塗布した。
 一方、対向基板11上に対向電極12と電気泳動媒体層13を有する部材を用意し、対向電極配線と接続する予定部分の電気泳動媒体層13を除去した。そして、上記TFTを有するフレキシブル基板1上に、ラミネートした。
 次に、基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5を、ACF9を用いて、接続を行った。具体的には、フレキシブル基板1上の接続電極2上にACF9を仮圧着後、フレキシブルICの接続電極5を重ね、実施例7の方法で接続した。その結果、正常な接続を実現できた。
 以上のように、本発明によれば、フレキシブル基板の変形量がロットや分類毎に異なっていても、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続が容易である、接続構造と接続方法を提供できる。
(実施例10)
 図42に示すフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5とを、ACF9を用いて、接続をした。フレキシブル基板1の材料はPENであり、接続電極2とアライメントマーク3、画素電極10はAuを用いて形成した。画素電極10はTFTを介して接続電極2に接続されている。また、フレキシブルICの基材4の材料はPIであり、接続電極5とアライメントマーク6とはCuを用いて形成し、Snがめっきされている。フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の数H=496[本]、長さDp=1.5[mm]、幅Lp=0.05[mm]、ピッチPFが0.1[mm]、最外接続電極間隔49.5[mm]である。
 フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の数H=496[本]、長さD=6[mm]、幅L=0.05[mm]、COが0.01[mm]、段数nが3で、ピッチP(0)が0.09984[mm]、最外接続電極間隔49.42[mm]と、ピッチP(1)=0.1[mm]の最外接続電極間隔49.5[mm]と、ピッチP(2)=0.100016[mm]の最外接続電極間隔49.58[mm]である。即ち、各段は、最外接続電極において、80μmづつx方向に中心線がずれている。
 ACF9には、エポキシ系樹脂中に導電粒子を分散させたものを用いた。フレキシブル基板1のロットAを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを合わせて位置合せしてACF接続した場合、図43のように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPFと接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPとが一致した。この場合、x方向のアライメント余裕は40μmであり、接合時のアライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKであった。
 フレキシブル基板1のロットBを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図44Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPFが接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPより大きくなった。ずれは最外電極において30μm程度であった。x方向のアライメント余裕が10μmしかなく、接合時のアライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブルICを下(図44Aの紙面下方)に1段、即ち、y=D/3=2[mm]ずらして接続を行ったのが、図44Bである。x方向のアライメント余裕が40μmになり、アライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKとなった。
 フレキシブル基板1のロットCを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図45Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPFが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチPより小さくなった。ずれは最外電極において30μm程度であった。x方向のアライメント余裕が10μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブルICを上(図45Aの紙面上方)に1段、即ち、y=D/3=2[mm]ずらして接続を行ったのが、図45Bである。x方向のアライメント余裕が40μmになり、アライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKとなった。
(実施例11)
 図46に示すフレキシブル基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5とを、ACF9を用いて、接続をした。フレキシブル基板1の材料はPETであり、接続電極2とアライメントマーク3はAuを用いて形成し、画素電極10もAuを用いて形成した。画素電極10はTFTを介して接続電極2に接続されている。また、フレキシブルICの基材4の材料はPIであり、接続電極5とアライメントマーク6とはCuを用いて形成し、Snがめっきされている。フレキシブル基板1上の接続電極2に含まれる第1の電極2’の数H=496[本]、長さDp=1.5[mm]、幅Lp=0.05[mm]、ピッチPFが0.1[mm]、最外接続電極間隔49.5[mm]である。
 フレキシブルICの接続電極5に含まれる第2の電極5’の数H=496[本]、長さD=6[mm]、幅L=0.05[mm]、COが0.01[mm]、段数nが3で、ピッチP(0)が0.09984[mm]、最外接続電極間隔49.42[mm]と、ピッチP(1)=0.1[mm]の最外接続電極間隔49.5[mm]と、ピッチP(2)=0.10016[mm]の最外接続電極間隔49.58[mm]である。即ち、各段は、最外接続電極において、80μmづつx方向に中心線がずれている。3組のアライメントマークを含むアライメントマーク群6’は、y=0、-2、+2のように階段状の接続電極2に対応して設けてある。
 ACF9には、エポキシ系樹脂中に導電粒子を分散させたものを用いた。フレキシブル基板1のロットDを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを合わせて位置合せしてACF接続した場合、図47のように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPFと接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPとが一致した。この場合、x方向のアライメント余裕は40μmであり、接合時のアライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKであった。
 フレキシブル基板1のロットEを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図48Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPFが接続電極5に含まれる第2の電極5’の中心線のピッチPより大きくなった。ずれは最外電極において30μm程度であった。x方向のアライメント余裕が10μmしかなく、接合時のアライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブルICの1段上のアライメントマークを用いて接続を行ったのが、図48Bである。x方向のアライメント余裕が40μmになり、アライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKとなった。
 フレキシブル基板1のロットFを用いて、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せしてACF接続した場合、図49Aのように接続電極2に含まれる第1の電極2’のピッチPFが接続電極5に含まれる第2の電極5’のピッチPより小さくなった。ずれは最外電極において30μm程度であった。x方向のアライメント余裕が10μmしかなく、アライメントずれにより20%の歩留まりであった。
 そこで、アライメントマーク3とアライメントマーク6とを位置合せした状態からフレキシブル基板1の1段下のアライメントマークを用いて接続を行ったのが、図49Bである。x方向のアライメント余裕が40μmになり、アライメントずれがあっても99%以上の確率で接続OKとなった
(実施例12)
 図49A、図49Bに示す電気泳動表示パネルを、実施例10の方法を用いて作製する。まず、フレキシブル基板1の材料としてPENを用い、ゲート電極、ゲート電極用のゲート配線、ゲート配線の接続電極部、キャパシタ電極、キャパシタ電極用のキャパシタ配線、キャパシタ配線の接続電極部を含む第1導電層を形成した。次に、ゲート絶縁膜を形成した。そして、ソース電極、ソース電極用のソース配線、ソース配線の接続電極部、ドレイン電極、対向電極配線、対向電極配線の接続電極部を含む第2導電層を形成した。そして、ソース電極・ドレイン電極間をつなぐように半導体層を形成した。さらに、TFTを覆うように層間絶縁膜を形成した。ただし、ゲート配線の接続電極部・キャパシタ配線の接続電極部上のゲート絶縁膜と層間絶縁膜は開口を有し、ソース配線の接続電極部・ドレイン電極・対向電極配線上の層間絶縁膜は開口を有する。各配線の接続電極部上には接続電極2を形成するとともにドレイン電極上には画素電極10を形成し、対向電極上にはAgペーストを塗布した。
 一方、対向基板11上に対向電極12と電気泳動媒体層13を有する部材を用意し、対向電極配線と接続する予定部分の電気泳動媒体層13を除去した。そして、上記TFTを有するフレキシブル基板1上に、ラミネートした。
 次に、基板1上の接続電極2と、フレキシブルIC上の接続電極5を、ACF9を用いて、接続を行った。具体的には、フレキシブル基板1上の接続電極2上にACF9を仮圧着後、フレキシブルICの接続電極5を重ね、実施例7の方法で接続した。その結果、正常な接続を実現できた。
 以上のように、本発明によれば、フレキシブル基板の変形量がロットや分類毎や圧着位置毎に異なっていても、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続が容易である、接続構造と接続方法を提供できる。
 本発明は、以上で説明した各実施形態の特徴を適宜、組み合わせ、削除等して実施してもよい。
 本発明は、フレキシブル表示パネルに用いる接続電極の接続構造および接続方法として有用である。特に、電気泳動表示パネルや、その接続構造、接続方法に最適である。
 1  フレキシブル基板
 2  フレキシブル基板上の接続電極
 2’  フレキシブル基板上の接続電極をなす第1の電極
 2C 第1の電極の中心線
  3  フレキシブル基板上のアライメントマーク
 3’ フレキシブル基板上のアライメントマーク群
 4  フレキシブルICの基材
 5  フレキシブルICの接続電極
 5C 第2の電極の中心線
 5’  フレキシブルICの接続電極をなす第2の電極
 6  フレキシブルICのアライメントマーク
 6’ フレキシブルICのアライメントマーク群
 7  フレキシブルICの入力電極
 8  フレキシブルICのICチップ
 9  異方導電膜(ACF)
 10  画素電極
 11  対向基板
 12  対向電極
 13  電気泳動媒体層
 14  電気配線
 15  絶縁層
 21  ガラス基板
 22  ガラス基板上の接続電極
 23  ガラス基板上のアライメントマーク
 31  フレキシブル基板
 32  フレキシブル基板上の接続電極
 33  フレキシブル基板上のアライメントマーク
 P 一方の電極の中心線のピッチ
 P(0)  一方の電極の中心線のピッチ0
 P(1)  一方の電極の中心線のピッチ1
 P(2)  一方の電極の中心線のピッチ2
 L  一方の電極のx方向の直線と重なる長さ
 D  一方の電極のy方向の長さ
 n  一方の電極の段数
 PF 他方の電極の中心線のピッチ
 Lp 他方の電極のx方向の長さ
 Dp 他方の電極のy方向の長さ
 CO 第1の電極と第2の電極の最小必要接続電極幅

Claims (22)

  1.  複数の第1の電極を、フレキシブル基板上に並べて配置したフレキシブル基板上の接続電極と、
     前記フレキシブル基板とは別の基材上に、前記第1の電極に対応する複数の第2の電極を並べて配置したフレキシブルICの接続電極と、を対向させて固定した、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造であって、
     前記フレキシブル基板上の前記第1の電極および前記基材上の前記第2の電極が並ぶ方向であるx方向において、前記第1の電極および前記第2の電極の少なくとも一方の電極の中心線のピッチが一定であり、
     前記フレキシブル基板上の前記第1の電極および前記基材上の前記第2の電極が並ぶ方向に直交するy方向において、前記一方の電極の中心線のピッチが変化する、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  2.  前記第1の電極および前記第2の電極の他方の電極が、平面視において矩形状であり、
     前記他方の電極のy方向における長さが、前記一方の電極のy方向における長さより短く、
     前記フレキシブル基板上の接続電極と、前記フレキシブルICの接続電極とが、異方導電膜を介して接続されている、請求項1に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  3.  前記一方の電極の形状が、平面視において平行四辺形であり、
     隣合う前記一方の電極の中心線のピッチが、前記y方向において広がるか狭まり、
     前記一方の電極が、前記フレキシブル基板上の接続電極または前記フレキシブルICの接続電極の全体として、x方向を左右方向として左右対称に配置されている、
    請求項1または2に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  4.  前記一方の電極の中心線が、y方向に平行な直線となす角度をθとし、
     前記他方の電極のx方向における長さをLp、y方向における長さをDpとすると、
     前記一方の電極がx方向に平行な直線と重なる長さLが、
      L≦Lp-Dp×|tan(θ)|
    である、請求項1~3のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  5.  前記長さLが、前記一方の電極で一定値L0であり、最外方の前記一方の電極の中心線がy方向に平行な直線となす角度をθmaxとする時、
      L0≦Lp-Dp×|tan(θmax)|
    である、請求項4に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  6.  複数の前記他方の電極の外側に、一対のアライメントマークを有し、
     複数の前記一方の電極の外側の複数の位置に、y方向に並んだ、各対の識別が可能な複数対のアライメントマーク群を有する、請求項1~5のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  7.  請求項1~6のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を有し、
     少なくとも前記フレキシブル基板上の接続電極に直接あるいは間接的に接続された画素電極と、
     前記画素電極に対向する対向電極を有する対向基板と、
     前記フレキシブル基板と前記対向電極との間に設けられた電気泳動媒体層とをさらに含む、表示パネル。
  8.  請求項1~6のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を作製する為の接続方法であって、
     前記フレキシブルICの接続電極またはフレキシブル基板上の接続電極に、異方導電膜を貼合する工程と、
     前記他方の電極の中心線のピッチに最も近い、前記一方の電極の中心線のピッチ位置に接合する工程を含む、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法。
  9.  請求項8に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法であって、
     同一ロットまたは同一分類の複数個の前記フレキシブル基板に対し、
     代表のフレキシブル基板上の接続電極に、前記フレキシブルICの接続電極を基準位置に位置合せし、異方導電膜を用いて接続した後に寸法測定を行い、その結果に応じた、基準アライメント状態からの、前記フレキシブル基板上の接続電極と前記フレキシブルICの接続電極との相対的な移動量を決定する工程と、
     残りのフレキシブル基板の接続電極に、フレキシブルICの接続電極を位置合せする際に、前記基準アライメント状態から、決定した前記移動量だけ前記フレキシブル基板上の接続電極および前記フレキシブルICの接続電極の少なくともいずれかを相対移動させた位置に、前記フレキシブル基板上の接続電極および前記フレキシブルICの接続電極の少なくともいずれかの位置合せを行う工程とを含む、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法。
  10.  請求項6に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を形成するための接続方法であって、
     同一ロットまたは同一分類の複数個の前記フレキシブル基板に対し、
     代表のフレキシブル基板上の接続電極に、前記フレキシブルICの接続電極を位置合せし、異方導電膜を介して接続した後に寸法測定を行い、その結果から、複数対の前記アライメントマーク群のうち、前記フレキシブル基板上の接続電極と前記フレキシブルICの接続電極とのアライメントに応じたアライメントマークを決定する工程と、
     残りの前記フレキシブル基板の接続電極に、前記フレキシブルICの接続電極を位置合せする際に、前記アライメントマークを決定する工程で決定されたアライメントマークを用いて、前記フレキシブル基板上の接続電極と前記フレキシブルICの接続電極との位置合せを行う工程とを含む、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法。
  11.  隣合う前記一方の電極の中心線のピッチが、
     前記x方向において一定であり、
     前記y方向において段階的に変化する、請求項1または2に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  12.  隣合う前記一方の電極の中心線のピッチが、2段階以上変化する、請求項11に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  13.  隣合う前記一方の電極の中心線のピッチが、最小値であるピッチP(0)からn段階に変化する場合、他の中心線のピッチP(m+1)が下記である、請求項11または12に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
    ・P(m)<P(m+1)≦P(m)+2×(L-CO)/(H-1)
    ・P(0)<PF<P(n)
    (L:接続電極幅、CO:最小必要接続電極幅、H:接続電極数、n:段数(2以上)、m:n-2以下0以上の整数、PF:他方の電極のピッチ)
  14.  隣合う前記一方の電極の中心線のピッチが、前記y方向において広がるか狭まり、
     前記一方の電極が、前記フレキシブル基板上の接続電極または前記フレキシブルICの接続電極の全体として、x方向を左右方向として左右対称に配置されている、請求項11~13のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  15.  y方向における、前記一方の電極の各段階の長さ、及び、前記他方の電極の長さが、0.5mm以上2mm以下であり、
     前記一方の電極の長さが前記他方の電極の長さより長い、請求項11~14のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  16.  複数の前記他方の電極の外側に一対のアライメントマークを有し、
     複数の前記一方の電極の外側の複数の位置に、y方向に並んだ、各対の識別が可能な複数対のアライメントマーク群を有する、請求項11~15のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  17.  前記フレキシブル基板上の接続電極と、前記フレキシブルICの接続電極とが、異方導電膜を介して接続されている、請求項11~16のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  18.  前記フレキシブル基板上の接続電極と、前記フレキシブルICの接続電極とが、非導電性ペーストにより接続されている、請求項11~16のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造。
  19.  請求項11~18のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を有し、
     少なくとも前記フレキシブル基板上の接続電極に直接あるいは間接的に接続された画素電極と、
     前記画素電極に対向する対向電極を有する対向基板と、
     前記フレキシブル基板と前記対向電極との間に設けられた電気泳動媒体層とをさらに含む、表示パネル。
  20.  請求項11~17のいずれか一項に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続構造を作製する為の接続方法であって、
     前記フレキシブルICの接続電極または前記フレキシブル基板上の接続電極に、異方導電膜を貼合する工程と、
     前記他方の電極の中心線のピッチに最も近い、前記一方の電極の中心線のピッチを選択し接合する工程を含む、フレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法。
  21.  前記一方の電極の中心線のピッチを選択し接合する工程において、
     前記一方の電極と前記他方の電極とは、複数の前記一方の電極の外側に配置された複数対のアライメントマーク群のうちいずれかのアライメントマークを用いて接合位置が選択される、請求項20に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法。
  22.  同一ロットまたは同一分類の複数個の前記フレキシブル基板に対し、代表のフレキシブル基板上の接続電極に、前記フレキシブルICの接続電極を位置合せし、異方導電膜を介して接続した後に寸法測定を行い、その結果から、複数対の前記アライメントマーク群のうち、前記フレキシブル基板上の接続電極と前記フレキシブルICの接続電極とのアライメントに応じたアライメントマークを決定する工程と、
     残りの前記フレキシブル基板の接続電極に、前記フレキシブルICの接続電極を位置合せする際に、前記アライメントマークを決定する工程で決定されたアライメントマークを用いて、前記フレキシブル基板上の接続電極と前記フレキシブルICの接続電極との位置合せを行う工程とを含む、請求項21に記載のフレキシブル基板上の接続電極とフレキシブルICの接続電極との接続方法。
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