WO2018189838A1 - 制御装置 - Google Patents

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WO2018189838A1
WO2018189838A1 PCT/JP2017/015008 JP2017015008W WO2018189838A1 WO 2018189838 A1 WO2018189838 A1 WO 2018189838A1 JP 2017015008 W JP2017015008 W JP 2017015008W WO 2018189838 A1 WO2018189838 A1 WO 2018189838A1
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magnetic flux
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processor
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鈴木　達也
秀男 佐内
雅也 太田
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オリンパス株式会社
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    • H03K—PULSE TECHNIQUE
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    • H03K2217/94—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00 characterised by the way in which the control signal is generated
    • H03K2217/9401—Calibration techniques
    • H03K2217/94026—Automatic threshold calibration; e.g. threshold automatically adapts to ambient conditions or follows variation of input

Definitions

  • This invention relates to the control apparatus which controls supply of the electrical energy to a treatment tool based on the magnetic flux density in a sensor.
  • WO2016 / 0067739A1 discloses a treatment instrument and a control device that controls the supply of electrical energy to the treatment instrument.
  • an operation input element such as a button is provided, and the operation input element includes a magnet.
  • the treatment instrument is provided with a sensor such as a Hall element that detects the magnetic flux density.
  • the control device performs electrical energy for operating the treatment instrument. Is supplied to the treatment instrument.
  • the end effector When electric energy is supplied to the treatment tool, the end effector applies treatment energy such as high-frequency current and / or ultrasonic vibration to the treatment target, and treats the treatment target. Further, based on the fact that the magnetic flux density at the sensor is switched from a state equal to or higher than the second threshold value to a state smaller than the second threshold value by an operation with the operation input element, the control device performs electrical energy for operating the treatment instrument. The supply to the treatment tool is stopped. In this treatment instrument, each of the first threshold value and the second threshold value is set to a fixed value.
  • the relationship between the distance between the operation input element and the sensor and the magnetic flux density at the sensor may change depending on the characteristics of the sensor or magnet.
  • the position of the operation input at each of the threshold values changes. Therefore, the position of the operation input element when the supply state of the electrical energy for operating the treatment instrument to the treatment instrument is changed is changed. If the position of the operation input element when the supply state of the electric energy to the treatment instrument is switched, the operability of the operation input element may be affected.
  • An object of the present invention is to provide a control device in which the influence on the operability at the operation input element due to the change in the relationship between the distance between the operation input element and the sensor and the magnetic flux density at the sensor is suppressed. There is to do.
  • a control device includes an operation input element including a magnet and a sensor that detects a magnetic flux density, and the operation input is performed based on an operation with the operation input element.
  • a control device that controls the supply of electrical energy for operating the treatment instrument to the treatment instrument, which is used with a treatment instrument in which the magnetic flux density at the sensor changes as a child moves with the magnet, Obtaining a relationship between the distance between the sensor and the operation input and the magnetic flux density, and setting a threshold value for switching between an on state and an off state of the supply of the electric energy based on the relationship;
  • a processor is provided.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a treatment system according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram schematically showing an electrical connection state in the treatment system according to the first embodiment.
  • FIG. 3A is a diagram schematically illustrating a state in which one operation button according to the first embodiment is located at an initial position.
  • FIG. 3B is a diagram schematically illustrating a state in which one operation button according to the first embodiment is located at a push-in position.
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating an electrical connection state of a sensor according to the first embodiment to a processor and a sensor power supply.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a treatment system according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram schematically showing an electrical connection state in the treatment system according to the first embodiment.
  • FIG. 3A is a diagram schematically illustrating a state in which one operation button according to the first embodiment is located at an initial position.
  • FIG. 3B is a diagram schematically illustrating
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a process performed by the processor according to the first embodiment in setting a threshold value for switching the supply state of electrical energy to the treatment tool with respect to the magnetic flux density of a certain sensor.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a relationship between a distance between a certain magnet according to a comparative example and a corresponding sensor and a magnetic flux density at the corresponding sensor.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing a relationship between a distance between a certain magnet according to the first embodiment and a corresponding sensor and a magnetic flux density at the corresponding sensor.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating a process performed by the processor according to the second embodiment in setting a threshold value for switching the supply state of electrical energy to the treatment tool with respect to the magnetic flux density of a certain sensor.
  • FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a relationship between a distance between a certain magnet according to the second embodiment and a corresponding sensor and a magnetic flux density at the corresponding sensor.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating a process performed by the processor according to the third embodiment in setting a threshold value for switching the supply state of electrical energy to the treatment tool with respect to the magnetic flux density of a certain sensor.
  • FIG. 11 is a flowchart illustrating a process performed by the processor according to the fourth embodiment in identifying an end effector and setting an output of electric energy to a treatment tool.
  • FIG. 12 is a schematic diagram illustrating a relationship between a distance between a certain magnet according to the fourth embodiment and a corresponding sensor and a magnetic flux density at the corresponding sensor.
  • FIG. 13 is a flowchart illustrating processing performed by the processor according to the fifth embodiment in identifying the number of operation buttons and setting the output of electric energy to the treatment tool.
  • FIG. 14 is a diagram schematically illustrating a state in which a first connection body including two operation buttons is attached to a second connection body according to the fifth embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing a treatment system 1 in which an energy source device 3 that is a control device of the present embodiment is used.
  • the treatment system 1 includes a treatment tool 2 and an energy source device 3.
  • the energy source device 3 controls the supply of electrical energy for operating the treatment tool 2 to the treatment tool 2.
  • the treatment instrument 2 includes a first connection body (housing) 5 that can be held, and a second connection body (support member) 6 that is detachably attached to the first connection body 5.
  • One end of a cable 7 is connected to the second connection body 6.
  • the other end of the cable 7 is connected to the energy source device 3.
  • the first connector 5 is discarded after the treatment tool 2 is used. Then, after the treatment tool 2 is used, the second connection body 6 is cleaned and sterilized and reused. One end of a cable 7 is connected to the second connection body 6. The other end of the cable 7 is detachably connected to the energy source device 3.
  • the second connection body 6 includes a housing 15 that can be held.
  • the housing 15 includes a longitudinal axis C as a central axis, and extends along the longitudinal axis C.
  • one side in the direction along the longitudinal axis C is defined as the distal end side (arrow C1 side), and the opposite side to the distal end side is defined as the proximal end side (arrow C2 side).
  • the first connector 5 includes a case 11 forming an exterior and an end effector 14.
  • the end effector 14 performs a treatment on a treatment target such as a living tissue.
  • the first connection body (distal connection body) 5 is attached to the distal end portion of the second connection body (proximal connection body) 6 from the distal end side.
  • the rod member (probe) 13 is attached to the case 11 so as to protrude from the distal end of the case 11 to the distal end side.
  • the end effector 14 is formed by a protruding portion of the rod member (probe) 13 from the case 11.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a control configuration in the treatment system 1.
  • the energy source device 3 includes a processor (controller) 21 that controls the entire treatment system 1 and a storage medium (memory) 22.
  • the processor 21 is formed of an integrated circuit including a CPU (Central Processing Unit), an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), or an FPGA (Field Programmable Gate Array).
  • the processor 21 may be formed from one integrated circuit or may be formed from a plurality of integrated circuits. Processing in the processor 21 is performed according to a program stored in the processor 21 or the storage medium 22.
  • the storage medium 22 stores a processing program used by the processor 21, parameters and tables used for calculation by the processor 21, and the like.
  • the processor 21 is provided in the treatment instrument 2, and at least a part of the processing described below is performed by the processor 21 provided in the treatment instrument 2.
  • the processor 21 provided in the treatment instrument 2 also constitutes a control device that controls the supply of electrical energy for operating the treatment instrument 2 to the treatment instrument 2.
  • the storage medium 22 may be provided in the treatment instrument 2.
  • An ultrasonic transducer 16 is provided inside the housing 15 of the second connection body 6.
  • the ultrasonic transducer 16 generates ultrasonic vibration by converting electric energy into vibration energy.
  • the proximal end of the rod member 13 forming the end effector 14 and the distal end of the ultrasonic transducer 16 are connected inside the housing 15. . Therefore, in a state where the second connection body 6 is attached to the first connection body 5, the ultrasonic vibration generated by the ultrasonic transducer 16 is transmitted to the end effector 14 through the rod member 13.
  • the energy source device 3 includes an energy output source 23 as an output source that outputs electrical energy for operating the treatment instrument 2.
  • the energy output source 23 is connected to the treatment instrument 2 via an electrical path (not shown).
  • the electrical path is formed from, for example, an electrical wiring extending inside the cable 7.
  • the energy output source 23 includes a waveform generator, a conversion circuit, a transformer, and the like, and converts power from a battery power source or an outlet power source into AC power having any frequency within a predetermined frequency range, for example.
  • the energy output source 23 outputs the converted AC power through the electrical path, and supplies the AC power to the ultrasonic transducer 16 as electrical energy for operating the treatment instrument 2.
  • the ultrasonic vibration generated by the ultrasonic transducer 16 is transmitted to the end effector 14 via the rod member 13 and is applied from the end effector 14 to the treatment target as treatment energy.
  • high frequency current is used as treatment energy instead of ultrasonic vibration.
  • the end effector 14 is provided with a conductive electrode.
  • the energy output source 23 is electrically connected to a counter electrode attached to the subject (human body).
  • the energy output source 23 supplies high frequency power to each of the electrode and the counter electrode plate of the end effector 14 as electric energy for operating the treatment instrument 2.
  • the electrode and the counter electrode plate function as electrodes having different potentials with respect to each other, and a high-frequency current flows through the treatment target between the end effector 14 and the counter electrode plate. Then, a high frequency current is applied to the treatment target.
  • the heat generated by the heater is used as treatment energy.
  • the end effector 14 is provided with a heater, and the energy output source 23 supplies DC power or AC power as electric energy for operating the treatment instrument 2 to the heater. Then, by supplying electric energy to the heater, heater heat is applied to the treatment target.
  • the processor 21 controls the supply of the electrical energy for operating the treatment instrument 2 to the treatment instrument 2 by controlling the output from the energy output source 23.
  • the treatment tool 2 supplies at least one of the above-described ultrasonic vibration, high-frequency energy, and heat to the treatment target as treatment energy when electric energy is supplied.
  • ultrasonic vibration and high frequency energy may be simultaneously applied to the treatment target, or high frequency energy and heat may be simultaneously applied to the treatment target.
  • a substrate 40 such as a flexible substrate is provided inside the housing 15 of the second connection body 6.
  • sensors 41 41A to 41C in the present embodiment
  • Each of the sensors 41 is, for example, a Hall element, and detects the magnetic flux density B (Ba; Bb; Bc).
  • the number of sensors 41 is not limited to three, and one or more sensors 41 may be provided.
  • the sensor 41 is electrically connected to the processor 21 of the energy source device 3 via the electrical path 42.
  • the energy source device 3 is provided with a sensor power supply 43 that outputs a current (electric energy) that operates the sensor 41.
  • the sensor 41 is electrically connected to the sensor power supply 43 via the electric path 42.
  • the output of current from the sensor power supply 43 to the sensor 41 is controlled by the processor 21 or the like.
  • the electrical path 42 is formed by a plurality of electrical wirings extending through the inside of the housing 15 and the inside of the cable 7, and an electrical circuit on the substrate 40.
  • FIG. 4 is a diagram showing an electrical connection state to the processor 21 and the sensor power supply 43 of one sensor 41 (41A in FIG. 4).
  • the sensor power supply 43 includes a power supply 45A that outputs a current for operating the sensor 41A.
  • the power supply 45A is a DC power supply, for example.
  • the sensor 41A is electrically connected to the power supply 45A via current paths 46A1 and 46A2 that form part of the electrical path 42.
  • the processor 21 includes a voltage detection circuit 47A.
  • the sensor 41A is electrically connected to the voltage detection circuit 47A via sensor output paths 48A1 and 48A2 that form part of the electrical path 42.
  • the voltage detection circuit 47A may be provided separately from the processor 21.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density Ba detected by the sensor 41A using the Hall effect generated by the sensor 41A such as a Hall element. That is, the processor 21 operates the sensor 41A by outputting a current from the power supply 45A of the sensor power supply 43 and causing the current to flow through the sensor 41A through the current paths 46A1 and 46A2.
  • the sensor 41A is activated, when a magnetic field is generated in a direction perpendicular to the current passing through the current paths 46A1 and 46A2, an electromotive force is generated in the direction perpendicular to the current and perpendicular to the magnetic field due to the Hall effect.
  • the voltage detection circuit 47A detects the voltage between the sensor output paths 48A1 and 48A2.
  • the voltage between the sensor output paths 48A1 and 48A2 changes corresponding to the magnetic flux density Ba of the magnetic field in the sensor 41A, and the voltage is larger as the magnetic flux density Ba is larger. Therefore, the voltage detection circuit 47A of the processor 21 acquires the voltage between the sensor output paths 48A1 and 48A2 as output information from the sensor 41A that changes corresponding to the magnetic flux density Ba.
  • the storage medium 22 stores a table or function indicating the relationship between the voltage between the sensor output paths 48A1 and 48A2 and the magnetic flux density Ba.
  • the processor 21 calculates the magnetic flux density Ba in the sensor 41A based on the detection result in the voltage detection circuit 47A, the relationship between the stored voltage and the magnetic flux density Ba, and the like.
  • the sensors 41B and 41C other than the sensor 41A are also electrically connected to the processor 21 and the sensor power source 43 in the same manner as the sensor 41A.
  • the treatment system 1 includes a power supply (45B; 45C) similar to the power supply 45A, a current path (46B1, 46B2; 46C1, 46C2) similar to the current paths 46A1 and 46A2, and a voltage detection circuit similar to the voltage detection circuit 47A. (47B; 47C) and sensor output paths (48B1, 48B2; 48C1, 48C2) similar to the sensor output paths 48A1, 48A2.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density Bb at the sensor 41B and the magnetic flux density Bc at the sensor 41C in the same manner as the magnetic flux density Ba at the sensor 41A.
  • the sensors 41A to 41C may be electrically provided in parallel, and a current for operating the sensors 41A to 41C may be output to the sensors 41A to 41C from a common power source provided to the sensor power source 43.
  • the first connecting body 5 is provided with a protruding piece 50 protruding from the case 11 toward the base end side.
  • Operation buttons 51 (three in this embodiment) operation buttons 51 (51A to 51C in this embodiment) are movably attached to the protruding piece 50 as operation input elements.
  • an operation for outputting electric energy for operating the treatment instrument 2 from the energy source device 3 (energy output source 23) is input.
  • the number of operation buttons 51 is the same as the number of sensors 41.
  • Each of the operation buttons 51 is provided corresponding to one of the sensors 41.
  • Each of the operation buttons 51 includes a magnet 52 that generates a magnetic field.
  • Each of the magnets 52 (52A to 52C in the present embodiment) is fixed to a corresponding operation button (a corresponding one of 51), and together with the corresponding operation button (a corresponding one of 51), the protruding piece 50 Is movable.
  • Each of the operation buttons 51 moves together with a corresponding magnet (a corresponding one of 52) when an operation is input.
  • Each of the sensors 41 is disposed opposite to a corresponding operation button (one corresponding to 51) and a corresponding magnet (one corresponding to 52).
  • Each of the sensors 41 has a distance D (Da; Db; Dc) between the corresponding operation button (corresponding one of 51) and the corresponding magnet (corresponding one of 52). Changes.
  • the magnetic flux density B (Ba; Bb; Bc) is changed by changing the distance D (Da; Db; Dc) between the corresponding magnets (the corresponding one of 52). That is, in each of the sensors 41, the magnetic flux density B (Ba; Bb; Bc) is changed by moving the corresponding operation button (the corresponding one of 51).
  • FIG. 3A is a diagram showing a state where one of the operation buttons 51 (51A in FIG. 3A) is located at the initial position Pe (Pae in this case). As shown in FIG. 3A, in a state where the operation button 51A is located at the initial position Pae, the operation button 51A is located at a position farthest from the sensor 41A in the movement range with respect to the sensor 41A.
  • the distance Dae between the sensor 41A and the corresponding magnet 52A is the distance Da between the sensor 41A and the magnet 52A in the movement range of the operation button 51A. Is the largest.
  • FIG. 3B is a diagram showing a state in which one of the operation buttons 51 (51A in FIG. 3B) is pushed most into the protruding piece 50.
  • the operation button 51A in the state where the operation button 51A is pushed most, the operation button 51A is located at the push-in position (maximum displacement position) Pas.
  • the operation button 51A is movable between the initial position Pae and the push-in position Pas.
  • the operation button 51A is closest to the sensor 41A in the movement range with respect to the sensor 41A.
  • the distance Das between the sensor 41A and the magnet 52A is the smallest of the distance Da between the sensor 41A and the magnet 52A in the movement range of the operation button 51A. It becomes.
  • the operation button 51B is also movable between the initial position Pbe and the push-in position Pbs, similarly to the operation button 51A. Similarly to the operation button 51A, the operation button 51C can be moved between the initial position Pce and the push-in position Pcs.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density Be in the sensor 41 in a state where the corresponding operation button (one of 51) is located at the initial position Pe as the relationship between the distance D and the magnetic flux density B. Then, based on the acquired relationship (magnetic flux density Be), the processor 21 supplies the electrical energy for operating the treatment instrument 2 from a state where the energy source device 3 does not supply the treatment instrument 2 (off state) (on state).
  • the state (first threshold value) Bth1 for switching to the state) and the state in which the electrical energy for operating the treatment instrument 2 is supplied from the energy source device 3 to the treatment instrument 2 (on state) is switched to the state in which it is not supplied (off state).
  • a threshold (second threshold) Bth2 is set.
  • the second connection body 6 is connected to the energy source device 3 via the cable 7. Then, a current is supplied from the sensor power supply 43 to each of the sensors 41 to operate the sensors 41. Further, the connection bodies 5 and 6 are connected. And the end effector 14 is arrange
  • Electric energy for operating the treatment instrument 2 is supplied to the treatment instrument 2 at an arbitrary timing (time point) from when the connection bodies 5 and 6 are connected to when the end effector 14 is brought into contact with the treatment target.
  • the processor 21 sets a threshold value Bth (Bth1, Bth2) for switching between an on state and an off state in which electric energy for operating the treatment instrument 2 is not supplied to the treatment instrument 2.
  • a threshold value Bth1 (Bath1; Bbth1; Bcth1) and a threshold value Bth2 (Bath2; Bbth2; Bcth2) are set in each of the sensors 41 (41A to 41C).
  • the threshold values (first threshold values) Path1, Bbth1, and Bcth1 may be the same as each other or different from each other.
  • the threshold values (second threshold values) Bath2, Bbth2, and Bcth2 may be the same as each other or different from each other.
  • FIG. 5 is a flowchart showing processing performed by the processor 21 in setting the threshold value Bth for one of the sensors 41.
  • FIG. 5 shows, as an example, processing performed by the processor 21 when setting the threshold value Bath for the sensor 41A.
  • the threshold value Bath in FIG. 5 is set in a state where each of the operation buttons 51 (magnets 52) is located at the initial position Pe and electric energy for operating the treatment instrument 2 cannot be output from the energy source device 3. Done.
  • the processor 21 performs the process shown in FIG. 5 for each of the sensors 41, thereby switching the supply state of the electric energy to the treatment instrument 2 for each of the sensors 41 from the off state to the on state.
  • Bcth1) and a second threshold value Bth2 (Bath2 to Bcth2) for switching the supply state of electrical energy to the treatment instrument 2 from the on state to the off state are set.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density Ba at the sensor 41A (S101). Then, the processor 21 sets the magnetic flux density Ba acquired in S101 as the magnetic flux density Bae in the sensor 41A in a state where the corresponding operation button 51A is located at the initial position Pae (S102). At this time, the value of the magnetic flux density Ba set as the magnetic flux density Bae may be stored in the storage medium 22.
  • the processor 21 calculates a value obtained by adding a predetermined value (first value) K1a to the magnetic flux density Bae as the first threshold value Bath1 (S103). Further, the processor 21 calculates a value obtained by adding a predetermined value (second value) K2a to the magnetic flux density Bae as the second threshold value Bath2 (S104).
  • the predetermined value K1a is larger than the predetermined value K2a. For this reason, the threshold value Bath1 is larger than the threshold value Bath2.
  • the difference between the threshold value Bath1 and the threshold value Bath2 is a value obtained by subtracting K2a from K1a.
  • the predetermined value K1a is set so that the threshold value Bath1 is smaller than the magnetic flux density Bas in a state where the operation button 51A is located at the push-in position Pas.
  • the predetermined values K1a and K2a are stored in the storage medium 22, for example.
  • the predetermined values K1a and K2a are fixed values.
  • the calculated threshold values Bath1 and Path2 are stored in the storage medium 22, for example. Thereby, threshold values Bath1 and Path2 are set for the sensor 41A.
  • the processor 21 ends the setting of the thresholds Bath1 and Path2.
  • the processor 21 sets the threshold values Bbth1 and Bbth2 in the sensor 41B and the threshold values Bcth1 and Bcth2 in the sensor 41C in the same manner as the threshold values Bath1 and Path2 in the sensor 41A.
  • the processor 21 operates a notification unit such as a lamp, a display screen, or a buzzer based on the end of the setting of the threshold values Bth1 and Bth2 for each of the sensors 41, and indicates that the setting of the threshold values Bth1 and Bth2 is completed. Inform the person.
  • a notification unit such as a lamp, a display screen, or a buzzer based on the end of the setting of the threshold values Bth1 and Bth2 for each of the sensors 41, and indicates that the setting of the threshold values Bth1 and Bth2 is completed. Inform the person.
  • the operator places any one of the operation buttons 51 in a state where the end effector 14 is disposed in the vicinity of the treatment target such as a living tissue in the body cavity.
  • An operation for outputting electrical energy from the energy source device 3 to the treatment instrument 2 is input.
  • the end effector 14 is positioned in the vicinity of the treatment target, but is not in contact with the treatment target. Then, in a state where the output of electric energy from the energy source device 3 is continued, the surgeon brings the end effector 14 into contact with the treatment target.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density B (Ba to Bc) for all the sensors 41 (41A to 41C). At this time, the magnetic flux densities Ba to Bc are obtained at the same time with respect to each other. Then, for each of the acquired magnetic flux densities Ba to Bc, the processor determines whether the magnetic flux density (one of Ba to Bc) is greater than the corresponding first threshold value (corresponding one of Bath1 to Bcth1). Judge whether or not. When it is determined that the magnetic flux density B is equal to or lower than the corresponding first threshold value Bth1 in each of all the magnetic flux densities Ba to Bc, the processor 21 outputs the electric energy from the energy source device 3 for operating the treatment instrument 2. Maintain output in a stopped state.
  • the processor 21 starts the treatment tool 2 from the energy source device 3 of the electric energy that operates the treatment tool 2. Start output to 2. That is, the processor 21 outputs electrical energy from the energy output source 23 and supplies the treatment tool 2 with electrical energy. Thereby, as described above, at least one of ultrasonic vibration, high-frequency current, and heat is applied to the treatment target as treatment energy. That is, the processor 21 starts from a state in which the magnetic flux density B at the corresponding sensor (corresponding one of 41) is equal to or lower than the first threshold Bth1 by the operation with any one of the operation buttons 51 from the first threshold Bth1. Based on the switching to the large state, electric energy for operating the treatment instrument 2 is supplied to the treatment instrument 2.
  • the processor 21 performs output in the first output mode.
  • the processor 21 performs output in a second output mode different from the first output mode.
  • the processor 21 performs output in a third output mode different from the first output mode and the second output mode.
  • the output state of the electric energy from the energy source device 3 is different for each output mode. That is, the necessity / unnecessity of the output from the energy output source 23 and / or the parameters relating to the output differ for each output mode.
  • the processor 21 does not have the magnetic flux density B (for example, Ba) corresponding to the output mode.
  • Output mode (for example, the first output mode) in which the output to the treatment instrument 2 is performed even if the magnetic flux density B (for example, Bb, Bc) of the magnetic field changes to a state larger than the corresponding threshold value (for example, Bbth1; Output continues with. That is, the processor 21 outputs electric energy in an output mode corresponding to the magnetic flux density B that has changed to a state larger than the corresponding threshold value Bth1 among the magnetic flux densities Ba to Bc.
  • the threshold value Bth1 (corresponding one of the Bath1 to Bcth1) corresponding to the magnetic flux density B (one of Ba to Bc). If it is determined that the state has changed to a larger state at the same time, the processor 21 issues an error notification. At this time, the output of the electric energy from the energy source device 3 that operates the treatment instrument 2 is maintained in a stopped state. Then, the processor 21 operates an error notification unit such as a lamp, a display screen, or a buzzer, and performs error notification.
  • an error notification unit such as a lamp, a display screen, or a buzzer
  • the processor 21 sets the second threshold value Bth2 (Bath2 to Bcth2) to which the magnetic flux density B corresponds. It is determined whether or not the corresponding one of the following.
  • the processor 21 stops the output of the electrical energy from the energy source device 3 that operates the treatment instrument 2 to the treatment instrument 2. Thereby, supply to the treatment tool 2 of the electrical energy which operates the treatment tool 2 is stopped.
  • the processor 21 detects that the magnetic flux density B at the corresponding sensor (corresponding one of 41) is larger than the second threshold Bth2 by the operation with one of the operation buttons 51, and is below the second threshold. Based on the switching to the state, the supply of the electrical energy for operating the treatment instrument 2 to the treatment instrument 2 is stopped.
  • FIG. 6 and 7 are diagrams showing a relationship between the distance D between the sensor 41 and the corresponding magnet 52 and the magnetic flux density B at the sensor 41 for a certain sensor 41.
  • FIG. 6 and 7 show, as an example, the relationship between the distance Da between the sensor 41A and the magnet 52A and the magnetic flux density Ba at the sensor 41A.
  • the horizontal axis indicates the distance Da
  • the vertical axis indicates the magnetic flux density Ba.
  • the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba depends on variation factors such as individual differences (characteristics) of the sensor 41A, individual differences (shape, characteristic) of the corresponding magnet 52A, or an assembly position shift between the sensor 41A and the magnet 52A. , May change. 6 and 7 show the relationship between the states L1 and L2. In the state L1 and the state L2, the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba is different from each other.
  • FIG. 6 shows an example in which fixed values (Bath1-0, Bath2-0) are used as threshold values for switching the supply state of electrical energy for operating the treatment instrument 2 as a comparative example. That is, in the comparative example shown in FIG. 6, the thresholds Bath1 and Path2 are constant regardless of a change in the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba.
  • the distance Da when the magnetic flux density Ba becomes the threshold value Bath1-0 is assumed to be a distance Path1-1A.
  • the distance Da when the magnetic flux density Ba becomes the threshold value Bath1-0 is set as a distance Path1-2A.
  • the distance Path1-2A is smaller than the distance Path1-1A. That is, in the state L1 and the state L2, the distance Path1 when the magnetic flux density Ba becomes the threshold value Bath1 is different from each other. Therefore, as in the comparative example shown in FIG. 6, when a fixed value (Bath1-0) is used for the threshold value Bath1, the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba changes, so that the magnetic flux density Ba becomes the threshold value Bath1.
  • the distance Path1 changes when.
  • the magnetic flux density Bae is acquired in the processing of S101 and S102.
  • the magnetic flux density Bae in the state where the operation button 51A is located at the initial position Pae varies depending on the difference in the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba. Therefore, the magnetic flux density Bae-1 in the state L1 and the magnetic flux density Bae-2 in the state L2 are different from each other.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density Bae as the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba.
  • the threshold value Bath1 is calculated by adding a predetermined value (fixed value) K1a to the magnetic flux density Bae in the process of S103. That is, the processor 21 calculates the threshold value Bath1 based on the relationship between the acquired distance Da and the magnetic flux density Ba (magnetic flux density Bae). Therefore, as shown in FIG. 7, the distance Path1-1 when the magnetic flux density Ba becomes the threshold value Bath1-1 in the state L1, and the distance Path1-2 when the magnetic flux density Ba becomes the threshold value Bath1-2 in the state L2. Is smaller than the difference between the distance Path1-1A and the distance Path1-2A in the comparative example shown in FIG.
  • the change (movement) of the distance Path1 between the state L1 and the state L2 is smaller than that in the comparative example shown in FIG. That is, the shift (variation) due to the difference in the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba in the position of the operation button 51A when the supply state of the electrical energy to the treatment instrument 2 is switched from the off state to the on state is shown in FIG. Compared to the comparative example shown in FIG.
  • the threshold value Bath2 is calculated by adding a predetermined value (fixed value) K2a to the magnetic flux density Bae in the process of S104. That is, the threshold value Bath2 is calculated based on the relationship (magnetic flux density Bae) between the acquired distance Da and the magnetic flux density Ba, similarly to the processing at the threshold value Bath1. For this reason, as in the case of the threshold value Bath1, the difference in the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba in the position of the operation button 51A when the supply state of the electrical energy to the treatment instrument 2 is switched from the on state to the off state. The deviation (variation) due to is smaller than in the comparative example shown in FIG.
  • the threshold values Bbth1 and Bbth2 of the sensor 41B and the threshold values Bcth1 and Bcth2 of the sensor 41C are the same as the threshold values Bath1 and Path2 of the sensor 41A, and the operation when the supply state of the electrical energy to the treatment instrument 2 is switched. Deviations (variations) in the positions of the buttons 51B and 51C due to the difference in the relationship between the distances Db and Dc and the magnetic flux densities Bb and Bc are smaller than in the comparative example shown in FIG.
  • the change (variation) due to the change in the relationship between the distance D and the magnetic flux density B of the position of the operation button 51 when the supply state of the electrical energy to the treatment instrument 2 is switched is as follows. It is suppressed. Therefore, even when the relationship between the distance D and the magnetic flux density B in the sensor 41 varies (changes) due to, for example, the mounting accuracy between the connecting members 5 and 6 and the temperature of the environment in which the treatment tool 2 is used, the treatment tool 2.
  • the variation of the position of the operation button 51 when the supply state of the electric energy to is switched is suppressed, and the operability with the operation button 51 is ensured.
  • FIG. 8 is a flowchart showing processing performed by the processor 21 in setting the threshold values Bth1 and Bth2 of the present embodiment.
  • FIG. 8 shows, as an example, processing performed by the processor 21 when setting the threshold values Path1 and Path2 corresponding to the sensor 41A.
  • the threshold values Bath1 and Path2 in FIG. 8 are set in a state in which electrical energy for operating the treatment instrument 2 cannot be output from the energy source device 3.
  • the processor 21 sets a corresponding threshold value Bth1 (one of Path1 to Bcth1) and Bth2 (one of Path2 to Bcth2) for each of the sensors 41.
  • the magnetic flux density Ba is acquired in S101.
  • the operation button 51A is positioned at the initial position Pae.
  • the acquired magnetic flux density Ba is set as the magnetic flux density Bae in a state where the operation button 51A is located at the initial position Pae.
  • the magnetic flux density Ba set as the magnetic flux density Bae may be stored in the storage medium 22.
  • the processor 21 determines whether or not an instruction input for acquiring the magnetic flux density Ba has been performed (S111). When the acquisition instruction is not input (S111-No), the processor 21 waits until it is determined in S111 that the acquisition instruction is input.
  • the acquisition instruction is input in an operation input unit such as a touch panel provided in the energy source device 3, for example.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density Ba at the sensor 41A (S112). At this time, the magnetic flux density Ba is acquired in a state where the operation button 51A is positioned at the push-in position Pas. Then, the processor 21 sets the acquired magnetic flux density Ba as the magnetic flux density Bas in a state where the operation button 51A is located at the push-in position Pas (S113).
  • the magnetic flux density Ba set as the magnetic flux density Bas may be stored in the storage medium 22.
  • the processor 21 calculates the first threshold value Bath1 using the magnetic flux densities Bae and Bas (S114).
  • the threshold value Bath1 is calculated by adding a predetermined value (third value) K3a to the intermediate value between the magnetic flux density Bae and the magnetic flux density Bas.
  • the processor 21 calculates the second threshold value Bath2 using the magnetic flux densities Bae and Bas (S115).
  • a threshold value Bath2 is calculated by subtracting a predetermined value (third value) K3a from an intermediate value between the magnetic flux density Bae and the magnetic flux density Bas.
  • the predetermined value K3a is set so that the thresholds Bath1 and Path2 are values within the range from the magnetic flux density Bae to the magnetic flux density Bas.
  • the difference (2.K3a) between the threshold value Bath2 and the threshold value Bath1 is smaller than the difference between the magnetic flux density Bas and the magnetic flux density Bae.
  • the predetermined value K3a is stored in the storage medium 22, for example.
  • the thresholds Bath1 and Path2 calculated in S114 and S115 are stored in the storage medium 22, for example. Then, the processor 21 ends the setting of the thresholds Bath1 and Path2. Then, the processor 21 sets each of the threshold values Bbth1, Bbth2 and the threshold values Bcth1, Bcth2 in the same manner as the threshold values Bath1, Path2.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the distance D between the sensor 41 and the corresponding magnet 52 and the magnetic flux density B at the sensor 41 for a certain sensor 41.
  • FIG. 9 as an example, the relationship between the distance Da between the sensor 41A and the magnet 52A and the magnetic flux density Ba at the sensor 41A is shown.
  • the horizontal axis indicates the distance Da
  • the vertical axis indicates the magnetic flux density Ba.
  • the magnetic flux density Bae is acquired in the processing of S101 and S102, and the magnetic flux density Bas is acquired in the processing of S112 and S113.
  • the magnetic flux density Bae when the operation button 51A is located at the initial position Pae and the magnetic flux density Bas when the operation button 51A is located at the push-in position Pas are due to the difference in the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba. ,Change. Therefore, the magnetic flux density Bae-1 in the state L1 and the magnetic flux density Bae-2 in the state L2 are different from each other. Further, the magnetic flux density Bas-1 in the state L1 and the magnetic flux density Bas-2 in the state L2 are different from each other.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux densities Bae and Bas as the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba.
  • the threshold value Bath1 is calculated based on the magnetic flux densities Bae and Bas in the process of S114.
  • the threshold value Bath2 is calculated based on the magnetic flux densities Bae and Bas in the process of S115. That is, the processor 21 calculates the thresholds Bath1 and Bath2 based on the relationship between the acquired distance Da and the magnetic flux density Ba (magnetic flux densities Bae and Bas). Therefore, as shown in FIG. 9, the distance Path1-1 when the magnetic flux density Ba is the threshold value Bath1-1 in the state L1, and the distance Path1-2 when the magnetic flux density Ba is the threshold value Bath1-2 in the state L2. Is smaller than the difference between the distance Path1-1A and the distance Path1-2A in the comparative example shown in FIG.
  • the difference (deviation) between the distance Path2-1 when the magnetic flux density Ba becomes the threshold value Bath2-1 in the state L1 and the distance Path2-2 when the magnetic flux density Ba becomes the threshold value Bath2-2 in the state L2 is as follows. It is smaller than the difference between the distance Path2-1A and the distance Path2-2A in the comparative example shown in FIG. Therefore, also in the present embodiment, as in the first embodiment, even when the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba in the sensor 41A varies (changes), the supply state of electrical energy to the treatment instrument 2 is switched. Variation in the position of the operation button 51A when the operation button is pressed, and the operability of the operation button 51A is ensured.
  • the predetermined value K3a is set so that the thresholds Bath1 and Path2 are values within the range from the magnetic flux density Bae to the magnetic flux density Bas. For this reason, the distances Path1 and Path2 when the magnetic flux density Ba reaches the thresholds Bath1 and Path2 are set within a range from the distance Dae to the distance Das. Therefore, in the present embodiment, the supply state of the electric energy to the treatment instrument 2 is switched by setting the threshold values Bath1 and Bath2 within the movement range of the operation button 51A between the magnetic flux density Bae and the magnetic flux density Bas. The position of the operation button 51A is surely positioned within the movement range of the operation button 51A.
  • the processor 21 sets the threshold values Bbth1 and Bbth2 in the sensor 41B and the threshold values Bcth1 and Bcth2 in the sensor 41C in the same manner as the threshold values Bath1 and Path2 in the sensor 41A. For this reason, the same effects as the sensor 41A can be obtained for the sensors 41B and 41C.
  • FIG. 10 is a flowchart showing processing performed by the processor 21 in setting the threshold values Bth1 and Bth2 in the treatment system 1 of the third embodiment.
  • FIG. 10 shows, as an example, processing performed by the processor 21 when setting the threshold values Bath1 and Path2 corresponding to the sensor 41A.
  • the threshold value Bath in FIG. 10 is set in a state in which electric energy for operating the treatment instrument 2 cannot be output from the energy source device 3.
  • the processor 21 sets a corresponding threshold value Bth1 (one of Path1 to Bcth1) and Bth2 (one of Path2 to Bcth2).
  • the processor 21 acquires the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba for the sensor 41A from the storage medium 22 (S121).
  • the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba is measured, and the measured relationship is stored in the storage medium 22.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density Bax1 at the predetermined distance Dax1 based on the acquired relationship (S122).
  • the distance Dax1 is smaller than the distance Dae at the initial position Pae and larger than the distance Das at the pushing position Pae.
  • the distance Dax1 is stored in the storage medium 22, for example.
  • the processor 21 sets the magnetic flux density Bax1 at the distance Dax1 as the threshold value Bath1 (S123).
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density Bax2 at the predetermined distance Dax2 based on the acquired relationship (S124).
  • the distance Dax2 is smaller than the distance Dae at the initial position Pae and larger than the distance Dax1.
  • the distance Dax2 is stored in the storage medium 22, for example.
  • the processor 21 sets the magnetic flux density Bax2 at the distance Dax2 as the threshold value Bath2 (S125).
  • the operation button 51A when the operation button 51A is moved to a position where the distance Da between the magnet 52A and the sensor 41A becomes a predetermined distance Dax1, Dax2, the output state of electric energy to the treatment instrument 2 is switched. Therefore, by arbitrarily setting the predetermined distances Dax1 and Dax2 stored in the storage medium 22, the position of the operation button 51A when the supply state of the electrical energy to the treatment instrument 2 is switched can be set to the distance Da and the magnetic flux density Ba. Regardless of the relationship, the desired position can be set.
  • the electric energy of the treatment tool 2 is changed by the change in the relationship between the distance D and the magnetic flux density B. It is possible to reliably prevent the position of the operation button 51A from changing (shifting) when the supply state is switched.
  • FIGS. 11 and 12 A fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 11 and 12.
  • the processor 21 determines that the first connection body 5 is The type of the end effector 14 provided is identified. Then, the processor 21 sets a parameter related to the output of electrical energy for operating the treatment instrument 2 based on the identified type of the end effector 14.
  • FIG. 11 is a flowchart showing processing performed by the processor 21 in the identification of the type of the end effector 14 and the setting of parameters relating to the output of electric energy in the fourth embodiment.
  • the parameters relating to the identification and output of the type of the end effector 14 are set such that each of the operation buttons 51 is located at the initial position Pe and electric energy for operating the treatment instrument 2 cannot be output from the energy source device 3. Done in state.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density B (corresponding one of Ba to Bc) at a certain sensor 41 (one of 41A to 41C) (S131).
  • a certain sensor 41 one of 41A to 41C
  • the processor 21 sets the acquired magnetic flux density Ba as the magnetic flux density Bae in a state where the operation button 51A is located at the initial position Pae (S132).
  • the magnetic flux density Ba set as the magnetic flux density Bae may be stored in the storage medium 22.
  • the storage medium 22 stores a table indicating the relationship between the magnetic flux density Bae and the type of the end effector 14.
  • the processor 21 identifies the type of the end effector 14 based on the magnetic flux density Bae and the relationship between the stored magnetic flux density Bae and the type of the end effector 14 (S133).
  • the processor 21 sets the parameter regarding the output of the electrical energy which operates the treatment tool 2 based on the determination result of the kind of the end effector 14 in S133 (S134).
  • the output parameters include, for example, the output level of electrical energy, the type of treatment energy applied to the treatment target, or a threshold value for switching between the off state and the on state of the supply of electrical energy. Then, the processor 21 ends the setting of the parameters regarding the identification of the type of the end effector 14 and the output of electric energy.
  • FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the distance D between the sensor 41 and the corresponding magnet 52 and the magnetic flux density B at the sensor 41 for a certain sensor 41.
  • FIG. 12 as an example, the relationship between the distance Da between the sensor 41A and the magnet 52A and the magnetic flux density Ba at the sensor 41A is shown.
  • the horizontal axis indicates the distance Da
  • the vertical axis indicates the magnetic flux density Ba.
  • FIG. 12 shows the relationship for each of the states L3 to L5.
  • the types (shapes) of the end effectors 14 provided in the connection body 5 are different from each other.
  • the strength of the magnetic field generated by the magnet 52A is different from each other.
  • the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba is different from each other. Therefore, in the states L3 to L5, the magnetic flux densities Bae (Bae-3 to Bae-5) are different from each other.
  • the magnetic flux density Bae is acquired in the processing of S131 and S132.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density Bae as the relationship between the distance Da and the magnetic flux density Ba.
  • the type of the end effector 14 is identified based on the relationship between the acquired distance Da and the magnetic flux density Ba (magnetic flux density Bae).
  • parameters relating to the output of the electrical energy supplied to the treatment instrument 2 are set based on the identified type of the end effector 14.
  • the processor 21 performs output setting suitable for the type (shape) of the end effector 14 provided in the connection body 5. For this reason, the trouble for the operator to set the output mode or the like according to the type of the end effector 14 is omitted.
  • FIGS. 13 and 14 A fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 13 and 14.
  • the processor 21 determines that the first connection body 5 is The number and position of the operation buttons 51 provided are identified. Then, the processor 21 sets a parameter related to the output of electrical energy for operating the treatment instrument 2 based on the number and position of the operation buttons 51.
  • FIG. 13 is a flowchart illustrating processing performed by the processor 21 in setting the parameters regarding the number and position identification of the operation buttons 51 and the output of electric energy in the treatment system 1 of the fifth embodiment.
  • the identification of the number and position of the operation buttons 51 and the setting of parameters relating to the output of electric energy are performed in a state where the electric energy for operating the treatment instrument 2 cannot be output from the energy source device 3.
  • the number and position of the operation buttons 51 are identified based on the identifiers Na, Nb, and Nc.
  • the processor 21 acquires the magnetic flux density B (Ba to Bc) for each of the sensors 41 (41A to 41C) (S141). Further, the processor 21 sets 0 as the identifiers Na, Nb, and Nc (S142). The set identifiers Na, Nb, and Nc may be stored in the storage medium 22.
  • the processor 21 determines whether or not the magnetic flux density Ba is equal to or higher than the threshold value Bamin (S143). When the magnetic flux density Ba is equal to or higher than the threshold value Bamin (S143-Yes), the processor 21 sets 1 as the identifier Na of the operation button 51A (S144). The calculated number N of buttons may be stored in the storage medium 22. When the magnetic flux density Ba is smaller than the threshold value Bamin (S143-No), the process proceeds to S145, and the processor 21 performs the processes after S145 described later.
  • the threshold value Bamin is set to a value sufficiently smaller than the magnetic flux density Bae when the operation button 51A is located at the initial position Pae. Further, the threshold value Bamin is set to a value sufficiently larger than the magnetic flux density Ba in a state where the operation button 51A (magnet 52A) is not provided at a position facing the sensor 41A. Therefore, when the operation button 51A corresponding to the sensor 41A is provided, the magnetic flux density Ba is larger than the threshold value Bamin, and 1 is set as the identifier Na (S144). If the operation button 51A corresponding to the sensor 41A is not provided, the magnetic flux density Ba is smaller than the threshold value Bamin, and the state where the identifier Na is set to 0 is maintained (S143-No).
  • the processor 21 performs the same processing as that performed in S143 and S144 for the magnetic flux density Ba for each of the magnetic flux densities Bb and Bc (S145 to S148). Accordingly, it is determined whether or not the operation button 51 exists at the facing position for each of the sensor 41B and the sensor 41C.
  • the processor 21 sets parameters relating to the output of electrical energy for operating the treatment instrument 2 based on the identifiers Na, Nb, Nc set in the processing of S141 to S148 (S149). Then, the processor 21 stores the set parameters in the storage medium 22.
  • the output parameters include, for example, the output level of electrical energy at the time of output of electrical energy, the type of treatment energy applied to the treatment target, or a threshold value for switching between the off state and the on state of the supply of electrical energy. Is included. Then, the processor 21 ends the parameter setting relating to the identification of the number of buttons and the output of electric energy.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating an example in which the connection body 5 including two operation buttons 51 (52A and 52B) is attached.
  • the second connecting body 6 is provided with three sensors 41 (41A to 41C).
  • the operation button 51 ⁇ / b> A is provided at a position facing the sensor 41 ⁇ / b> A when the connection body 5 is attached. Therefore, the magnetic flux density Ba at the sensor 41A is larger than the threshold value Bamin regardless of the position of the operation button 51A. For this reason, it is determined that the operation button 51A is present in the process of S143, and 1 is set as the identifier Na in the process of S144.
  • an operation button 51B is provided at a position facing the sensor 41B. Therefore, the magnetic flux density Bb at the sensor 41B is larger than the threshold value Bbmin regardless of the position of the operation button 51B. Therefore, it is determined that the operation button 51B exists in the process of S145, and 1 is set as the identifier Nb to be added in the process of S146.
  • the identifier Nb 1 is stored in the storage medium 22.
  • the operation button 51 (C) is not provided at a position facing the sensor 41C. For this reason, the magnetic flux density Bc at the sensor 41C is smaller than the threshold value Bcmin. For this reason, it is determined that the operation button 51 (C) does not exist in the process of S147. For this reason, the state where the identifier Nc is set to 0 is maintained.
  • parameters relating to output control of electric energy for operating the treatment instrument 2 are set based on the stored identifiers Na, Nb, and Nc.
  • the treatment tool 2 is determined based on at least one of the number, position, combination, and the like of the operation buttons 51.
  • Parameters relating to the output control of the electric energy to be activated are set. Then, the parameters are set so that the output suitable for the determined number, position, combination, etc. of the operation buttons 51 is performed.
  • the processor 21 performs output settings suitable for the number, position, combination, and the like of the operation buttons 51 provided on the connection body 5. For this reason, the trouble for the operator to set the output mode or the like according to the number N of buttons is omitted.
  • the control device (3) includes the operation input (51) including the magnet (52) and the sensor (41) that detects the magnetic flux density (B), and the operation input ( 51) Used with the treatment instrument (2) in which the magnetic flux density (B) at the sensor (41) changes as the operation input (51) moves with the magnet (52) based on the operation at 51).
  • a processor (21) is provided.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention in the implementation stage.
  • the embodiments may be appropriately combined as much as possible, and in that case, the combined effect can be obtained.
  • the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements.

Abstract

制御装置は、磁石を備える操作入力子と、磁束密度を検知するセンサとを備え、前記操作入力子での操作に基づいて前記センサでの磁束密度が変化する処置具とともに用いられ、前記処置具を作動させる電気エネルギーの前記処置具への供給を制御する。前記制御装置は、前記センサと前記操作入力子との間の距離と前記磁束密度との関係を取得し、前記関係に基づいて前記電気エネルギーの前記供給のオン状態及びオフ状態の間を切り替える閾値を設定する、プロセッサを具備する。

Description

制御装置
　本発明は、センサでの磁束密度に基づいて処置具への電気エネルギーの供給を制御する制御装置に関する。
　ＷＯ２０１６／００６７７３９Ａ１には、処置具、及び、処置具への電気エネルギーの供給を制御する制御装置が開示されている。この処置具では、ボタン等の操作入力子が設けられ、操作入力子は磁石を備える。また、処置具には、磁束密度を検知するホール素子等のセンサが設けられる。操作入力子での操作に基づいて操作入力子が移動することにより、磁石とセンサとの間の距離が変化し、センサでの磁束密度が変化する。そして、操作入力子での操作によってセンサでの磁束密度が第１の閾値以下の状態から第１の閾値より大きい状態に切替わったことに基づいて、制御装置は、処置具を作動させる電気エネルギーを処置具へ供給させる。処置具に電気エネルギーが供給されることにより、エンドエフェクタは高周波電流及び／又は超音波振動等の処置エネルギーを処置対象に付与し、処置対象を処置する。また、操作入力子での操作によってセンサでの磁束密度が第２の閾値以上の状態から第２の閾値より小さい状態に切替わったことに基づいて、制御装置は、処置具を作動させる電気エネルギーの処置具への供給を停止させる。この処置具では、第１の閾値及び第２の閾値のそれぞれは、固定値に設定される。
　ＷＯ２０１６／００６７７３９Ａ１のような処置具では、センサ又は磁石の特性等によって、操作入力子とセンサとの間の距離とセンサでの磁束密度との関係が変化することがある。操作入力子とセンサとの間の距離とセンサでの磁束密度との関係の変化に対応して、センサでの磁束密度が第１の閾値であるとき、及び、センサでの磁束密度が第２の閾値であるときのそれぞれにおける操作入力子の位置が変化する。したがって、処置具を作動させる電気エネルギーの処置具への供給状態が切替わる際の操作入力子の位置が変化する。電気エネルギーの処置具への供給状態が切替わる際の操作入力子の位置が変化することにより、操作入力子での操作性に影響を及ぼすことがある。
　本発明の目的とするところは、操作入力子とセンサとの間の距離とセンサでの磁束密度との関係の変化による操作入力子での操作性への影響が抑制される、制御装置を提供することにある。
　前記目的を達成するために、本発明のある態様の制御装置は、磁石を備える操作入力子と、磁束密度を検知するセンサと、を備え、前記操作入力子での操作に基づいて前記操作入力子が前記磁石とともに移動することにより、前記センサでの前記磁束密度が変化する処置具とともに用いられ、前記処置具を作動させる電気エネルギーの前記処置具への供給を制御する制御装置であって、前記センサと前記操作入力子との間の距離と前記磁束密度との関係を取得し、前記関係に基づいて、前記電気エネルギーの前記供給のオン状態及びオフ状態の間を切り替える閾値を設定する、プロセッサを具備する。
図１は、第１の実施形態に係る処置システムを概略的に示す図である。 図２は、第１の実施形態に係る処置システムでの電気的な接続状態を概略的に示すブロック図である。 図３Ａは、第１の実施形態に係るある１つの操作ボタンが初期位置に位置する状態を概略的に示す図である。 図３Ｂは、第１の実施形態に係るある１つの操作ボタンが押し込み位置に位置する状態を概略的に示す図である。 図４は、第１の実施形態に係るある１つのセンサのプロセッサ及びセンサ電源への電気的な接続状態を概略的に示す図である。 図５は、第１の実施形態に係るプロセッサが、ある１つのセンサでの磁束密度に関して、処置具への電気エネルギーの供給状態を切替える閾値の設定において行う処理を示すフローチャートである。 図６は、比較例に係るある１つの磁石と対応するセンサとの間の距離と、対応するセンサでの磁束密度との関係を示す概略図である。 図７は、第１の実施形態に係るある１つの磁石と対応するセンサとの間の距離と、対応するセンサでの磁束密度との関係を示す概略図である。 図８は、第２の実施形態に係るプロセッサが、ある１つのセンサでの磁束密度に関して、処置具への電気エネルギーの供給状態を切替える閾値の設定において行う処理を示すフローチャートである。 図９は、第２の実施形態に係るある１つの磁石と対応するセンサとの間の距離と、対応するセンサでの磁束密度との関係を示す概略図である。 図１０は、第３の実施形態に係るプロセッサが、ある１つのセンサでの磁束密度に関して、処置具への電気エネルギーの供給状態を切替える閾値の設定において行う処理を示すフローチャートである。 図１１は、第４の実施形態に係るプロセッサが、エンドエフェクタの識別及び処置具への電気エネルギーの出力設定において行う処理を示すフローチャートである。 図１２は、第４の実施形態に係るある１つの磁石と対応するセンサとの間の距離と、対応するセンサでの磁束密度との関係を示す概略図である。 図１３は、第５の実施形態に係るプロセッサが、操作ボタン数の識別及び処置具への電気エネルギーの出力設定において行う処理を示すフローチャートである。 図１４は、第５の実施形態に係る第２の接続体に２つの操作ボタンを備える第１の接続体が取付けられた状態を概略的に示す図である。
　（第１の実施形態）
　本発明の第１の実施形態について、図１乃至図７を参照して説明する。図１は、本実施形態の制御装置であるエネルギー源装置３が用いられる処置システム１を示す図である。図１に示すように、処置システム１は、処置具２と、エネルギー源装置３とを備える。エネルギー源装置３は、処置具２を作動させる電気エネルギーの処置具２への供給を制御する。処置具２は、保持可能な第１の接続体（ハウジング）５と、第１の接続体５に分離可能に取り付けられる第２の接続体（支持部材）６と、を備える。第２の接続体６には、ケーブル７の一端が接続されている。ケーブル７の他端は、エネルギー源装置３に接続されている。
　ある実施例では、第１の接続体５は、処置具２の使用後に廃棄される。そして、第２の接続体６は、処置具２の使用後において、洗浄及び滅菌等され、再利用される。第２の接続体６には、ケーブル７の一端が接続される。ケーブル７の他端は、エネルギー源装置３に分離可能に接続される。
　第２の接続体６は、保持可能なハウジング１５を備える。ハウジング１５は、中心軸として長手軸Ｃを備え、長手軸Ｃに沿って延設される。ここで、長手軸Ｃに沿う方向の一方側を先端側（矢印Ｃ１側）とし、先端側とは反対側を基端側（矢印Ｃ２側）とする。
　第１の接続体５は、外装を形成するケース１１と、エンドエフェクタ１４を備える。エンドエフェクタ１４では、生体組織等の処置対象に対する処置が行われる。第１の接続体（先端側接続体）５は、第２の接続体（基端側接続体）６の先端部に先端側から取付けられる。本実施形態では、ケース１１の先端から先端側に突出する状態に、ロッド部材（プローブ）１３がケース１１に取付けられる。エンドエフェクタ１４は、ロッド部材（プローブ）１３のケース１１からの突出部分によって形成される。
　図２は、処置システム１での制御構成を示すブロック図である。図２に示すように、エネルギー源装置３は、処置システム１全体を制御するプロセッサ（コントローラ）２１と、記憶媒体（メモリ）２２と、を備える。プロセッサ２１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）又はＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等を含む集積回路から形成される。プロセッサ２１は、１つの集積回路から形成されてもよく、複数の集積回路から形成されてもよい。プロセッサ２１での処理は、プロセッサ２１又は記憶媒体２２に記憶されたプログラムに従って行われる。また、記憶媒体２２には、プロセッサ２１で用いられる処理プログラム、及び、プロセッサ２１での演算で用いられるパラメータ及びテーブル等が記憶される。なお、ある実施例では、プロセッサ２１が処置具２に設けられ、後述する処理の少なくとも一部が、処置具２に設けられるプロセッサ２１によって、行われる。この場合、処置具２に設けられるプロセッサ２１も、処置具２を作動させる電気エネルギーの処置具２への供給を制御する制御装置を、構成する。また、この場合、処置具２に記憶媒体２２が設けられてもよい。
　第２の接続体６のハウジング１５の内部には、超音波トランスデューサ１６が設けられている。超音波トランスデューサ１６は、電気エネルギーを振動エネルギーに変換することにより、超音波振動を発生させる。第１の接続体５に第２の接続体６が取付けられた状態では、ハウジング１５の内部において、エンドエフェクタ１４を形成するロッド部材１３の基端と超音波トランスデューサ１６の先端とが接続される。このため、第１の接続体５に第２の接続体６が取付けられた状態では、超音波トランスデューサ１６で発生した超音波振動はロッド部材１３を介してエンドエフェクタ１４まで伝達される。
　エネルギー源装置３は、処置具２を作動させる電気エネルギーを出力する出力源としてエネルギー出力源２３を備える。エネルギー出力源２３は、電気経路（図示しない）を介して処置具２に接続される。電気経路は、例えば、ケーブル７の内部に延設される電気配線等から形成される。エネルギー出力源２３は、波形生成器、変換回路及び変圧器等を備え、バッテリー電源又はコンセント電源等からの電力を例えば所定の周波数範囲のいずれかの周波数の交流電力に変換する。そして、エネルギー出力源２３は、変換した交流電力を電気経路を通して出力し、処置具２を作動させる電気エネルギーとして交流電力を超音波トランスデューサ１６に供給する。超音波トランスデューサ１６で発生した超音波振動は、ロッド部材１３を介してエンドエフェクタ１４まで伝達され、エンドエフェクタ１４から処置対象に処置エネルギーとして付与される。
　ある実施例では、超音波振動の代わりに、高周波電流が処置エネルギーとして用いられる。この場合、エンドエフェクタ１４には、導電性を有する電極が設けられる。また、エネルギー出力源２３には、被検体（人体）に取付けられる対極板が電気的に接続される。エネルギー出力源２３は、エンドエフェクタ１４の電極及び対極板のそれぞれに、処置具２を作動させる電気エネルギーとして高周波電力を供給する。これにより、電極及び対極板が互いに対して電位の異なる電極として機能し、エンドエフェクタ１４と対極板との間で処置対象を通して高周波電流が流れる。そして、高周波電流が、処置対象に付与される。
　また、別のある実施例では、ヒータで発生する熱が、処置エネルギーとして用いられる。この場合、エンドエフェクタ１４にヒータが設けられ、エネルギー出力源２３は、処置具２を作動させる電気エネルギーとして直流電力又は交流電力を、ヒータに供給する。そして、ヒータに電気エネルギーが供給されることにより、ヒータ熱が処置対象に付与される。
　プロセッサ２１は、エネルギー出力源２３からの出力を制御することにより、処置具２を作動させる電気エネルギーの処置具２への供給を制御する。処置具２は、電気エネルギーが供給されることにより、前述した超音波振動、高周波エネルギー及び熱のうち少なくとも１つを処置エネルギーとして処置対象に付与する。例えば、超音波振動と高周波エネルギーとが同時に処置対象に付与されてもよく、高周波エネルギーと熱とが同時に処置対象に付与されてもよい。
　図１乃至図３Ｂに示すように、第２の接続体６のハウジング１５の内部には、フレキシブル基板等の基板４０が設けられる。そして、基板４０上に、（本実施形態では３つの）センサ４１（本実施形態では４１Ａ～４１Ｃ）が設けられる。センサ４１のそれぞれは、例えば、ホール素子であり、磁束密度Ｂ（Ｂａ；Ｂｂ；Ｂｃ）を検知する。なお、センサ４１の数は、３つに限るものではなく、センサ４１は１つ以上設けられればよい。センサ４１は、電気経路４２を介して、エネルギー源装置３のプロセッサ２１に電気的に接続される。また、エネルギー源装置３には、センサ４１を作動させる電流（電気エネルギー）を出力するセンサ電源４３が、設けられる。センサ４１は、電気経路４２を介して、センサ電源４３に電気的に接続される。センサ電源４３からセンサ４１への電流の出力は、プロセッサ２１等によって制御される。なお、電気経路４２は、ハウジング１５の内部及びケーブル７の内部を通って延設される複数の電気配線、及び、基板４０上の電気回路等によって、形成される。
　図４は、センサ４１のある１つ（図４では４１Ａ）のプロセッサ２１及びセンサ電源４３への電気的な接続状態を示す図である。図４に示すように、センサ電源４３は、センサ４１Ａを作動させる電流を出力する電源４５Ａを備える。電源４５Ａは、例えば直流電源である。センサ４１Ａは、電気経路４２の一部を形成する電流経路４６Ａ１，４６Ａ２を介して、電源４５Ａに電気的に接続される。また、プロセッサ２１は、電圧検出回路４７Ａを備える。センサ４１Ａは、電気経路４２の一部を形成するセンサ出力経路４８Ａ１，４８Ａ２を介して、電圧検出回路４７Ａに電気的に接続される。なお、ある実施例では、電圧検出回路４７Ａは、プロセッサ２１とは別体で設けられてもよい。
　本実施形態では、ホール素子等であるセンサ４１Ａで発生するホール効果を利用して、プロセッサ２１は、センサ４１Ａが検知した磁束密度Ｂａを取得する。すなわち、プロセッサ２１は、センサ電源４３の電源４５Ａから電流を出力させ、電流経路４６Ａ１，４６Ａ２を通してセンサ４１Ａに電流を流すことにより、センサ４１Ａを作動させる。センサ４１Ａが作動した状態では、電流経路４６Ａ１，４６Ａ２を通る電流に垂直な方向に磁場が発生すると、ホール効果によって、電流に垂直、かつ、磁場に垂直な方向に起電力が発生する。起電力が発生することにより、センサ４１Ａからセンサ出力経路４８Ａ１，４８Ａ２に電気エネルギー（電圧）が出力され、センサ出力経路４８Ａ１，４８Ａ２の間に電圧が印加される。そして、電圧検出回路４７Ａは、センサ出力経路４８Ａ１，４８Ａ２の間の電圧を検出する。ここで、センサ出力経路４８Ａ１，４８Ａ２の間の電圧は、センサ４１Ａでの磁場の磁束密度Ｂａに対応して変化し、磁束密度Ｂａが大きいほど、電圧は大きい。したがって、プロセッサ２１の電圧検出回路４７Ａは、磁束密度Ｂａに対応して変化するセンサ４１Ａからの出力情報として、センサ出力経路４８Ａ１，４８Ａ２の間の電圧を取得する。また、記憶媒体２２には、センサ出力経路４８Ａ１，４８Ａ２の間の電圧と磁束密度Ｂａとの関係を示すテーブル又は関数等が記憶される。プロセッサ２１は、電圧検出回路４７Ａでの検出結果、及び、記憶された電圧と磁束密度Ｂａとの関係等に基づいて、センサ４１Ａでの磁束密度Ｂａを算出する。
　なお、センサ４１Ａ以外のセンサ４１Ｂ，４１Ｃのそれぞれについても、センサ４１Ａと同様にしてプロセッサ２１及びセンサ電源４３に電気的に接続される。したがって、処置システム１には、電源４５Ａと同様の電源（４５Ｂ；４５Ｃ）、電流経路４６Ａ１，４６Ａ２と同様の電流経路（４６Ｂｌ，４６Ｂ２；４６Ｃ１，４６Ｃ２）、電圧検出回路４７Ａと同様の電圧検出回路（４７Ｂ；４７Ｃ）、及び、センサ出力経路４８Ａ１，４８Ａ２と同様のセンサ出力経路（４８Ｂｌ，４８Ｂ２；４８Ｃ１，４８Ｃ２）が設けられる。そして、プロセッサ２１は、センサ４１Ａでの磁束密度Ｂａと同様にして、センサ４１Ｂでの磁束密度Ｂｂ及びセンサ４１Ｃでの磁束密度Ｂｃを取得する。なお、ある実施例では、センサ４１Ａ～４１Ｃが電気的に並列に設けられ、センサ電源４３に設けられる共通の電源からセンサ４１Ａ～４１Ｃを作動させる電流がセンサ４１Ａ～４１Ｃに出力されてもよい。
　第１の接続体５には、ケース１１から基端側に向かって突出する突出片５０が設けられる。突出片５０には、操作入力子として（本実施形態では３つの）操作ボタン５１（本実施形態では５１Ａ～５１Ｃ）が移動可能に取付けられる。操作ボタン５１のそれぞれでは、処置具２を作動させる電気エネルギーをエネルギー源装置３（エネルギー出力源２３）から出力させる操作が、入力される。本実施形態では、操作ボタン５１の数は、センサ４１の数と同一である。操作ボタン５１のそれぞれは、センサ４１の１つに対応して設けられる。また、操作ボタン５１のそれぞれは、磁場を発生させる磁石５２を備える。磁石５２（本実施形態では５２Ａ～５２Ｃ）のそれぞれは、対応する操作ボタン（５１の対応する１つ）に固定され、対応する操作ボタン（５１の対応する１つ）と一緒に、突出片５０に対して移動可能である。操作ボタン５１のそれぞれは、操作が入力されることにより、対応する磁石（５２の対応する１つ）と一緒に移動する。
　センサ４１のそれぞれは、対応する操作ボタン（５１の対応する１つ）及び対応する磁石（５２の対応する１つ）に対して対向配置される。また、センサ４１のそれぞれは、対応する操作ボタン（５１の対応する１つ）が移動することにより、対応する磁石（５２の対応する１つ）との間の距離Ｄ（Ｄａ；Ｄｂ；Ｄｃ）が変化する。センサ４１のそれぞれでは、対応する磁石（５２の対応する１つ）との間の距離Ｄ（Ｄａ；Ｄｂ；Ｄｃ）が変化することにより、磁束密度Ｂ（Ｂａ；Ｂｂ；Ｂｃ）が変化する。すなわち、センサ４１のそれぞれでは、対応する操作ボタン（５１の対応する１つ）が移動することにより、磁束密度Ｂ（Ｂａ；Ｂｂ；Ｂｃ）が変化する。
　操作ボタン５１のそれぞれは、操作入力が行われていない状態、すなわち押圧されていない状態では、初期位置Ｐｅ（Ｐａｅ；Ｐｂｅ；Ｐｃｅ）に位置する。図３Ａは、操作ボタン５１のある１つ（図３Ａでは５１Ａ）が初期位置Ｐｅ（ここではＰａｅ）に位置する状態を示す図である。図３Ａに示すように、操作ボタン５１Ａが初期位置Ｐａｅに位置する状態では、操作ボタン５１Ａは、センサ４１Ａに対する移動範囲の中で、センサ４１Ａから最も離れた位置に位置する。したがって、操作ボタン５１Ａが初期位置Ｐａｅに位置する状態では、センサ４１Ａと対応する磁石５２Ａとの間の距離Ｄａｅは、操作ボタン５１Ａの移動範囲におけるセンサ４１Ａと磁石５２Ａとの間の距離Ｄａの中で最大となる。
　図３Ｂは、操作ボタン５１のある１つ（図３Ｂでは５１Ａ）が突出片５０の内部に最も押し込まれた状態を示す図である。図３Ｂに示すように、操作ボタン５１Ａが最も押し込まれた状態では、操作ボタン５１Ａは、押し込み位置（最大変位位置）Ｐａｓに位置する。操作ボタン５１Ａは、初期位置Ｐａｅと、押し込み位置Ｐａｓとの間で移動可能である。操作ボタン５１Ａが押し込み位置Ｐａｓに位置する状態では、操作ボタン５１Ａは、センサ４１Ａに対する移動範囲の中で、センサ４１Ａに最も近づく。したがって、操作ボタン５１Ａが押し込み位置Ｐａｓに位置する状態では、センサ４１Ａと磁石５２Ａとの間の距離Ｄａｓは、操作ボタン５１Ａの移動範囲におけるセンサ４１Ａと磁石５２Ａとの間の距離Ｄａの中で最小となる。
　なお、操作ボタン５１Ｂも、操作ボタン５１Ａと同様に、初期位置Ｐｂｅと、押し込み位置Ｐｂｓとの間で移動可能である。また、操作ボタン５１Ｃも、操作ボタン５１Ａと同様に、初期位置Ｐｃｅと、押し込み位置Ｐｃｓとの間で移動可能である。
　本実施形態では、プロセッサ２１は、距離Ｄと磁束密度Ｂとの関係として、対応する操作ボタン（５１の１つ）が初期位置Ｐｅに位置する状態におけるセンサ４１での磁束密度Ｂｅを取得する。そして、プロセッサ２１は、取得した関係（磁束密度Ｂｅ）に基づいて、処置具２を作動させる電気エネルギーがエネルギー源装置３から処置具２へ供給されない状態（オフ状態）から供給される状態（オン状態）に切替える閾値（第１の閾値）Ｂｔｈ１と、処置具２を作動させる電気エネルギーがエネルギー源装置３から処置具２へ供給される状態（オン状態）から供給されない状態（オフ状態）に切替える閾値（第２の閾値）Ｂｔｈ２とを設定する。
　次に、制御装置であるエネルギー源装置３及び処置システム１の作用及び効果について説明する。処置システム１を用いて処置対象を処置する際には、ケーブル７を介して第２の接続体６をエネルギー源装置３に接続させる。そして、センサ電源４３からセンサ４１のそれぞれに電流を供給させ、センサ４１を作動する。また、接続体５，６の間を接続する。そして、エンドエフェクタ１４を処置対象の近傍に配置する。
　接続体５、６の間が接続された時点からエンドエフェクタ１４を処置対象に接触させるまでの中の任意のタイミング（時点）において、処置具２を作動させる電気エネルギーが処置具２に供給されるオン状態と、処置具２を作動させる電気エネルギーが処置具２に供給されないオフ状態との間を切替える閾値Ｂｔｈ（Ｂｔｈ１，Ｂｔｈ２）が、プロセッサ２１によって設定される。この際、センサ４１（４１Ａ～４１Ｃ）のそれぞれにおいて、閾値Ｂｔｈ１（Ｂａｔｈ１；Ｂｂｔｈ１；Ｂｃｔｈ１）及び閾値Ｂｔｈ２（Ｂａｔｈ２；Ｂｂｔｈ２；Ｂｃｔｈ２）が設定される。閾値（第１の閾値）Ｂａｔｈ１，Ｂｂｔｈ１，Ｂｃｔｈ１は、互いに対して同一であってもよく、互いに対して異なっていてもよい。同様に、閾値（第２の閾値）Ｂａｔｈ２，Ｂｂｔｈ２，Ｂｃｔｈ２は、互いに対して同一であってもよく、互いに対して異なっていてもよい。
　図５は、センサ４１の中のある１つについての閾値Ｂｔｈの設定において、プロセッサ２１によって行われる処理を示すフローチャートである。図５では、例として、センサ４１Ａについての閾値Ｂａｔｈを設定する際の、プロセッサ２１によって行われる処理を示している。図５の閾値Ｂａｔｈの設定は、操作ボタン５１（磁石５２）のそれぞれが初期位置Ｐｅに位置する状態で、かつ、処置具２を作動させる電気エネルギーをエネルギー源装置３から出力不可能な状態で行われる。プロセッサ２１は、センサ４１のそれぞれについて図５に示す処理を行うことにより、センサ４１のそれぞれについて処置具２への電気エネルギーの供給状態をオフ状態からオン状態に切替える第１の閾値Ｂｔｈ１（Ｂａｔｈ１～Ｂｃｔｈ１）と、処置具２への電気エネルギーの供給状態をオン状態からオフ状態に切替える第２の閾値Ｂｔｈ２（Ｂａｔｈ２～Ｂｃｔｈ２）とを設定する。
　図５に示すように、閾値Ｂａｔｈ１及び閾値Ｂａｔｈ２の設定では、プロセッサ２１は、センサ４１Ａでの磁束密度Ｂａを取得する（Ｓ１０１）。そしてプロセッサ２１は、Ｓ１０１で取得した磁束密度Ｂａを、対応する操作ボタン５１Ａが初期位置Ｐａｅに位置する状態におけるセンサ４１Ａでの磁束密度Ｂａｅとして、設定する（Ｓ１０２）。この際、磁束密度Ｂａｅとして設定された磁束密度Ｂａの値が記憶媒体２２に記憶されてもよい。
　そして、プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａｅに所定の値（第１の値）Ｋ１ａを加算した値を、第１の閾値Ｂａｔｈ１として算出する（Ｓ１０３）。また、プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａｅに所定の値（第２の値）Ｋ２ａを加算した値を、第２の閾値Ｂａｔｈ２として算出する（Ｓ１０４）。所定の値Ｋ１ａは、所定の値Ｋ２ａよりも大きい。このため、閾値Ｂａｔｈ１は、閾値Ｂａｔｈ２よりも大きい。閾値Ｂａｔｈ１と閾値Ｂａｔｈ２との差は、Ｋ１ａからＫ２ａを減算した値になる。また、所定の値Ｋ１ａは、操作ボタン５１Ａが押し込み位置Ｐａｓに位置する状態における磁束密度Ｂａｓよりも閾値Ｂａｔｈ１が小さくなるように、設定される。所定の値Ｋ１ａ、Ｋ２ａは、例えば、記憶媒体２２に記憶されている。ここでは、所定の値Ｋ１ａ、Ｋ２ａは、固定値である。算出された閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２は、例えば、記憶媒体２２に記憶される。これにより、センサ４１Ａについて、閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２が設定される。そして、プロセッサ２１は、閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２の設定を終了する。そして、プロセッサ２１は、センサ４１Ａでの閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２の設定と同様にして、センサ４１Ｂでの閾値Ｂｂｔｈ１，Ｂｂｔｈ２及びセンサ４１Ｃでの閾値Ｂｃｔｈ１，Ｂｃｔｈ２のそれぞれを、設定する。
　プロセッサ２１は、センサ４１のそれぞれについて閾値Ｂｔｈ１，Ｂｔｈ２の設定が終了したことに基づいて、ランプ、表示画面又はブザー等の告知部を作動し、閾値Ｂｔｈ１，Ｂｔｈ２の設定が終了したことを、術者に告知する。
　センサ４１のそれぞれにおいて閾値Ｂｔｈ１，Ｂｔｈ２の設定が終了すると、術者は、体腔においてエンドエフェクタ１４を生体組織等の処置対象の近傍に配置した状態で、術者は、操作ボタン５１のいずれか１つを押圧し、エネルギー源装置３から処置具２へ電気エネルギーを出力させる操作を入力する。電気エネルギーの出力が開始された時点では、エンドエフェクタ１４は、処置対象の近傍に位置するが、処置対象とは接触していない。そして、エネルギー源装置３からの電気エネルギーの出力が継続されている状態で、術者は、エンドエフェクタ１４を処置対象に接触させる。
　処置具２を作動させる電気エネルギーの出力制御では、プロセッサ２１は、全てのセンサ４１（４１Ａ～４１Ｃ）について、磁束密度Ｂ（Ｂａ～Ｂｃ）を取得する。この際、磁束密度Ｂａ～Ｂｃは、互いに対して同一の時点での値が取得される。そして、プロセッサは、取得した磁束密度Ｂａ～Ｂｃのそれぞれについて、磁束密度（Ｂａ～Ｂｃの中の１つ）が対応する第１の閾値（Ｂａｔｈ１～Ｂｃｔｈ１の中の対応する１つ）より大きいか否かを判断する。全ての磁束密度Ｂａ～Ｂｃのそれぞれにおいて磁束密度Ｂが対応する第１の閾値Ｂｔｈ１以下であると判断された場合は、プロセッサ２１は、処置具２を作動させる電気エネルギーのエネルギー源装置３からの出力を、停止した状態で維持する。
　磁束密度Ｂａ～Ｂｃの中の１つのみについて、磁束密度Ｂが対応する閾値Ｂｔｈ１より大きいと判断された場合は、プロセッサ２１は、処置具２を作動させる電気エネルギーのエネルギー源装置３から処置具２への出力を開始させる。すなわち、プロセッサ２１は、エネルギー出力源２３から電気エネルギーを出力させ、処置具２へ電気エネルギーを供給させる。これにより、前述したように、超音波振動、高周波電流及び熱のうち少なくとも１つが、処置エネルギーとして処置対象に付与される。すなわち、プロセッサ２１は、操作ボタン５１のいずれか１つでの操作によって対応するセンサ（４１の対応する１つ）での磁束密度Ｂが第１の閾値Ｂｔｈ１以下の状態から第１の閾値Ｂｔｈ１より大きい状態に切替わったことに基づいて、処置具２を作動させる電気エネルギーを処置具２へ供給させる。
　この際、磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１より大きい場合、プロセッサ２１は、第１の出力モードで出力を行う。また、磁束密度Ｂｂが閾値Ｂｂｔｈ１より大きい場合、プロセッサ２１は、第１の出力モードとは異なる第２の出力モードで出力を行う。そして、磁束密度Ｂｃが閾値Ｂｃｔｈ１より大きい場合、プロセッサ２１は、第１の出力モード及び第２の出力モードとは異なる第３の出力モードで出力を行う。エネルギー源装置３からの電気エネルギーの出力状態は、出力モードごとに異なる。すなわち、エネルギー出力源２３からの出力の要否及び/又は出力に関するパラメータが、出力モードごとに異なる。
　上述の出力モードのいずれか（例えば第１の出力モード）で処置具２への電気エネルギーの出力が行われている状態では、プロセッサ２１は、出力モードに対応する磁束密度Ｂ（例えばＢａ）以外の磁束密度Ｂ（例えばＢｂ，Ｂｃ）が対応する閾値（例えばＢｂｔｈ１；Ｂｃｔｈ１）より大きい状態に変化しても、処置具２への出力が行われている出力モード（例えば第１の出力モード）で出力を継続する。すなわち、プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａ～Ｂｃの中で最初に対応する閾値Ｂｔｈ１より大きい状態に変化した磁束密度Ｂに対応する出力モードで、電気エネルギーを出力させる。
　また、ある実施例では、磁束密度Ｂａ～Ｂｃの中の２つ以上について、磁束密度Ｂ（Ｂａ～Ｂｃの中の１つ）が対応する閾値Ｂｔｈ１（Ｂａｔｈ１～Ｂｃｔｈ１の中の対応する１つ）より大きい状態に同時に変化したと、判断された場合は、プロセッサ２１は、エラー告知を行う。この際、処置具２を作動させる電気エネルギーのエネルギー源装置３からの出力は、停止された状態で維持される。そして、プロセッサ２１は、ランプ、表示画面又はブザー等のエラー告知部を作動し、エラー告知を行う。
　そして、プロセッサ２１は、対応する閾値Ｂｔｈ１より大きいと判断された磁束密度Ｂ（Ｂａ～Ｂｃの中の対応する１つ）について、磁束密度Ｂが対応する第２の閾値Ｂｔｈ２（Ｂａｔｈ２～Ｂｃｔｈ２の中の対応する１つ）以下であるか否かを判断する。磁束密度Ｂが対応する閾値Ｂｔｈ２より大きい場合は、処置具２を作動させる電気エネルギーのエネルギー源装置３からの出力が継続される。一方、磁束密度Ｂが対応する閾値Ｂｔｈ２以下である場合は、プロセッサ２１は、処置具２を作動させる電気エネルギーのエネルギー源装置３から処置具２への出力を停止させる。これにより、処置具２を作動させる電気エネルギーの処置具２への供給が停止される。すなわち、プロセッサ２１は、操作ボタン５１の中の１つでの操作によって対応するセンサ（４１の対応する１つ）での磁束密度Ｂが第２の閾値Ｂｔｈ２より大きい状態から第２の閾値以下の状態に切替わったことに基づいて、処置具２を作動させる電気エネルギーの処置具２への供給を停止させる。
　図６及び図７は、ある１つのセンサ４１について、センサ４１と対応する磁石５２との間の距離Ｄと、センサ４１での磁束密度Ｂとの関係を示す図である。図６及び図７では、例として、センサ４１Ａと磁石５２Ａとの間の距離Ｄａと、センサ４１Ａでの磁束密度Ｂａとの関係を示す。図６及び図７では、横軸に距離Ｄａを示し、縦軸に磁束密度Ｂａを示す。
　距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係は、センサ４１Ａの個体差（特性）、対応する磁石５２Ａの個体差（形状、特性）、又はセンサ４１Ａ―磁石５２Ａ間の組立位置のずれ等の変動因子によって、変化することがある。図６及び図７では、状態Ｌ１，Ｌ２のそれぞれについて関係を示す。状態Ｌ１と状態Ｌ２とでは、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係が互いに対して異なる。
　図６では、比較例として処置具２を作動させる電気エネルギーの供給状態を切替える閾値として固定値（Ｂａｔｈ１－０，Ｂａｔｈ２－０）が用いられる例を示す。すなわち、図６に示す比較例では、閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２は、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係の変化に関わらず、一定である。
　ここで、状態Ｌ１において、磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１－０となるときの距離Ｄａを距離Ｄａｔｈ１－１Ａとする。また、状態Ｌ２において、磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１－０となるときの距離Ｄａを距離Ｄａｔｈ１－２Ａとする。図６に示すように、距離Ｄａｔｈ１－２Ａは、距離Ｄａｔｈ１－１Ａよりも小さい。すなわち、状態Ｌ１と状態Ｌ２とでは、磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１となるときの距離Ｄａｔｈ１が、互いに対して異なる。したがって、図６に示す比較例のように、閾値Ｂａｔｈ１に固定値（Ｂａｔｈ１－０）が用いられる場合には、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係が変化することによって、磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１となるときの距離Ｄａｔｈ１が変化する。距離Ｄａｔｈ１が変化することにより、処置具２への電気エネルギーの出力状態が切替わる際の操作ボタン５１Ａの位置が変化する（ずれる）。処置具２への電気エネルギーの出力状態が切替わる際の操作ボタン５１Ａの位置が変化することにより、操作ボタン５１Ａでの操作性に影響を及ぼす。
　本実施形態では、Ｓ１０１，Ｓ１０２の処理において磁束密度Ｂａｅが取得される。ここで、操作ボタン５１Ａが初期位置Ｐａｅに位置する状態での磁束密度Ｂａｅは、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係の違いによって、変化する。したがって、状態Ｌ１での磁束密度Ｂａｅ－１と状態Ｌ２での磁束密度Ｂａｅ－２は、互いに対して異なる。プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａｅを、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係として取得している。
　また、閾値Ｂａｔｈ１は、Ｓ１０３の処理において、磁束密度Ｂａｅに所定の値（固定値）Ｋ１ａが加算されることにより算出される。すなわち、プロセッサ２１は、取得した距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係（磁束密度Ｂａｅ）に基づいて、閾値Ｂａｔｈ１を算出する。このため、図７に示すように、状態Ｌ１において磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１－１となるときの距離Ｄａｔｈ１－１と、状態Ｌ２において磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１－２となるときの距離Ｄａｔｈ１－２との差（ずれ）は、図６に示す比較例の距離Ｄａｔｈ１－１Ａと距離Ｄａｔｈ１－２Ａとの差に比べて、小さい。すなわち、状態Ｌ１と状態Ｌ２との間での、距離Ｄａｔｈ１の変化（移動）が、図６に示す比較例に比べて、小さい。すなわち、処置具２への電気エネルギーの供給状態がオフ状態からオン状態に切替わる際の操作ボタン５１Ａの位置の、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係の違いによるずれ（ばらつき）が、図６に示す比較例に比べて、小さくなる。
　また、閾値Ｂａｔｈ２は、Ｓ１０４の処理において、磁束密度Ｂａｅに所定の値（固定値）Ｋ２ａが加算されることにより算出される。すなわち、閾値Ｂａｔｈ２は、閾値Ｂａｔｈ１での処理と同様に、取得した距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係（磁束密度Ｂａｅ）に基づいて、算出される。このため、閾値Ｂａｔｈ１の場合と同様に、処置具２への電気エネルギーの供給状態がオン状態からオフ状態に切替わる際の操作ボタン５１Ａの位置の、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係の違いによるずれ（ばらつき）が、図６に示す比較例に比べて、小さくなる。
　また、センサ４１Ｂでの閾値Ｂｂｔｈ１，Ｂｂｔｈ２及びセンサ４１Ｃでの閾値Ｂｃｔｈ１，Ｂｃｔｈ２についても、センサ４１Ａの閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２と同様にして、処置具２への電気エネルギーの供給状態が切替わる際の操作ボタン５１Ｂ，５１Ｃの位置の、距離Ｄｂ，Ｄｃと磁束密度Ｂｂ，Ｂｃとの関係の違いによるずれ（ばらつき）が、図６に示す比較例に比べて、小さくなる。
　前述のように、本実施形態では、処置具２への電気エネルギーの供給状態が切替えられる際の操作ボタン５１の位置の、距離Ｄと磁束密度Ｂとの関係の変化による変化（ばらつき）が、抑制される。したがって、例えば接続体５，６間の取付け精度、処置具２が使用される環境の温度等によって、センサ４１における距離Ｄと磁束密度Ｂとの関係が変動（変化）した場合でも、処置具２への電気エネルギーの供給状態が切替えられる際の操作ボタン５１の位置のばらつきが抑制され、操作ボタン５１での操作性が確保される。
　（第２の実施形態）　
　図８及び図９を用いて、第２の実施形態について説明する。図８は、本実施形態の閾値Ｂｔｈ１，Ｂｔｈ２の設定において、プロセッサ２１によって行われる処理を示すフローチャートである。図８では、例として、センサ４１Ａに対応する閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２を設定する際の、プロセッサ２１によって行われる処理を示している。図８の閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２の設定は、処置具２を作動させる電気エネルギーをエネルギー源装置３から出力不可能な状態で行われる。プロセッサ２１は、センサ４１のそれぞれについて対応する閾値Ｂｔｈ１（Ｂａｔｈ１～Ｂｃｔｈ１の中の１つ），Ｂｔｈ２（Ｂａｔｈ２～Ｂｃｔｈ２の中の１つ）を設定する。
　本実施形態においても、Ｓ１０１において、磁束密度Ｂａが取得される。磁束密度Ｂａの取得においては、操作ボタン５１Ａを初期位置Ｐａｅに位置させる。そして、Ｓ１０２において、取得された磁束密度Ｂａが、操作ボタン５１Ａが初期位置Ｐａｅに位置する状態での磁束密度Ｂａｅとして設定される。なお、磁束密度Ｂａｅとして設定された磁束密度Ｂａは、記憶媒体２２に記憶されてもよい。そして、本実施形態では、プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａを取得させる指示入力が行われたか否かを判断する（Ｓ１１１）。取得指示が入力されていない場合は（Ｓ１１１－Ｎｏ）、プロセッサ２１は、Ｓ１１１において取得指示が入力されたと判断されるまで待機する。取得指示は、例えばエネルギー源装置３に設けられるタッチパネル等の操作入力部において入力される。
　取得指示が行われた場合は（Ｓ１１１－Ｙｅｓ）、プロセッサ２１は、センサ４１Ａでの磁束密度Ｂａを取得する（Ｓ１１２）。この際、操作ボタン５１Ａが押し込み位置Ｐａｓに位置する状態で、磁束密度Ｂａが取得される。そして、プロセッサ２１は、取得した磁束密度Ｂａを、操作ボタン５１Ａが押し込み位置Ｐａｓに位置する状態での磁束密度Ｂａｓとして設定する（Ｓ１１３）。なお、磁束密度Ｂａｓとして設定された磁束密度Ｂａは、記憶媒体２２に記憶されてもよい。
　プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａｅ，Ｂａｓを用いて、第１の閾値Ｂａｔｈ１を算出する（Ｓ１１４）。Ｓ１１４では、磁束密度Ｂａｅと磁束密度Ｂａｓとの中間値に所定の値（第３の値）Ｋ３ａが加算されることにより、閾値Ｂａｔｈ１が算出される。そして、プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａｅ，Ｂａｓを用いて、第２の閾値Ｂａｔｈ２を算出する（Ｓ１１５）。Ｓ１１５では、磁束密度Ｂａｅと磁束密度Ｂａｓとの中間値から、所定の値（第３の値）Ｋ３ａが減算されることにより、閾値Ｂａｔｈ２が算出される。所定の値Ｋ３ａは、閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２が磁束密度Ｂａｅから磁束密度Ｂａｓまでの範囲内の値となるように、設定される。すなわち、閾値Ｂａｔｈ２と閾値Ｂａｔｈ１との差（２・Ｋ３ａ）は、磁束密度Ｂａｓと磁束密度Ｂａｅとの差よりも小さくなる。所定の値Ｋ３ａは、例えば記憶媒体２２に記憶されている。Ｓ１１４，Ｓ１１５で算出された閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２は、例えば、記憶媒体２２に記憶される。そして、プロセッサ２１は、閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２の設定を終了する。そして、プロセッサ２１は、閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２の設定と同様にして、閾値Ｂｂｔｈ１，Ｂｂｔｈ２及び閾値Ｂｃｔｈ１，Ｂｃｔｈ２のそれぞれの設定を行う。
　図９は、ある１つのセンサ４１について、センサ４１と対応する磁石５２との間の距離Ｄと、センサ４１での磁束密度Ｂとの関係を示す図である。図９では、例として、センサ４１Ａと磁石５２Ａとの間の距離Ｄａと、センサ４１Ａでの磁束密度Ｂａとの関係を示す。図９では、横軸に距離Ｄａを示し、縦軸に磁束密度Ｂａを示す。
　本実施形態では、Ｓ１０１，Ｓ１０２の処理において磁束密度Ｂａｅが取得され、Ｓ１１２，Ｓ１１３の処理において磁束密度Ｂａｓが取得される。ここで、操作ボタン５１Ａが初期位置Ｐａｅに位置する状態での磁束密度Ｂａｅ及び操作ボタン５１Ａが押し込み位置Ｐａｓに位置する状態での磁束密度Ｂａｓは、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係の違いによって、変化する。したがって、状態Ｌ１での磁束密度Ｂａｅ－１と状態Ｌ２での磁束密度Ｂａｅ－２は、互いに対して異なる。また、状態Ｌ１での磁束密度Ｂａｓ－１と状態Ｌ２での磁束密度Ｂａｓ－２は、互いに対して異なる。プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａｅ，Ｂａｓを、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係として取得している。
　また、閾値Ｂａｔｈ１は、Ｓ１１４の処理において、磁束密度Ｂａｅ，Ｂａｓに基づいて、算出される。また、閾値Ｂａｔｈ２は、Ｓ１１５の処理において、磁束密度Ｂａｅ，Ｂａｓに基づいて、算出される。すなわち、プロセッサ２１は、取得した距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係（磁束密度Ｂａｅ，Ｂａｓ）に基づいて、閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２を算出する。このため、図９に示すように、状態Ｌ１において磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１－１となるときの距離Ｄａｔｈ１－１と、状態Ｌ２において磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１－２となるときの距離Ｄａｔｈ１－２との差（ずれ）は、図６に示す比較例の距離Ｄａｔｈ１－１Ａと距離Ｄａｔｈ１－２Ａとの差に比べて、小さい。また、状態Ｌ１において磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ２－１となるときの距離Ｄａｔｈ２－１と、状態Ｌ２において磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ２－２となるときの距離Ｄａｔｈ２－２との差（ずれ）は、図６に示す比較例の距離Ｄａｔｈ２－１Ａと距離Ｄａｔｈ２－２Ａとの差に比べて、小さい。したがって、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、センサ４１Ａにおける距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係が変動（変化）した場合でも、処置具２への電気エネルギーの供給状態が切替えられる際の操作ボタン５１Ａの位置のばらつきが抑制され、操作ボタン５１Ａでの操作性が確保される。
　また、本実施形態では、閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２が磁束密度Ｂａｅから磁束密度Ｂａｓまでの範囲内の値となるように、所定の値Ｋ３ａが設定される。このため、磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２となるときの距離Ｄａｔｈ１，Ｄａｔｈ２は、距離Ｄａｅから距離Ｄａｓまでの範囲内に設定される。したがって、本実施形態では、磁束密度Ｂａｅから磁束密度Ｂａｓとの間の操作ボタン５１Ａの移動範囲内に閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２が設定されることにより、処置具２への電気エネルギーの供給状態が切替えられる際の操作ボタン５１Ａの位置が、操作ボタン５１Ａの移動範囲内に確実に位置する。
　また、プロセッサ２１は、センサ４１Ａでの閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２の設定と同様にして、センサ４１Ｂでの閾値Ｂｂｔｈ１，Ｂｂｔｈ２及びセンサ４１Ｃでの閾値Ｂｃｔｈ１，Ｂｃｔｈ２のそれぞれを、設定する。このため、センサ４１Ｂ，４１Ｃについても、センサ４１Ａと同様の効果が得られる。
　（第３の実施形態）　
　第３の実施形態について図１０を用いて説明する。本実施形態では、製造時の検査試験等により、センサ４１のそれぞれについての距離Ｄと磁束密度Ｂとの関係が、記憶媒体２２に予め記憶される。
　図１０は、第３の実施形態の処置システム１における閾値Ｂｔｈ１，Ｂｔｈ２の設定において、プロセッサ２１によって行われる処理を示すフローチャートである。図１０では、例として、センサ４１Ａに対応する閾値Ｂａｔｈ１，Ｂａｔｈ２を設定する際の、プロセッサ２１によって行われる処理を示している。図１０の閾値Ｂａｔｈの設定は、処置具２を作動させる電気エネルギーをエネルギー源装置３から出力不可能な状態で行われる。プロセッサ２１は、センサ４１のそれぞれについて、対応する閾値Ｂｔｈ１（Ｂａｔｈ１～Ｂｃｔｈ１の中の１つ），Ｂｔｈ２（Ｂａｔｈ２～Ｂｃｔｈ２の中の１つ）を設定する。
　プロセッサ２１は、センサ４１Ａについての距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係を、記憶媒体２２から取得する（Ｓ１２１）。本実施形態では、例えば処置具２の製造時において、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係を計測し、計測された関係が記憶媒体２２に記憶される。そして、プロセッサ２１は、取得した関係に基づいて、所定の距離Ｄａｘ１での磁束密度Ｂａｘ１を取得する（Ｓ１２２）。距離Ｄａｘ１は、初期位置Ｐａｅでの距離Ｄａｅより小さく、かつ、押し込み位置Ｐａｅでの距離Ｄａｓより大きい。また、距離Ｄａｘ１は、例えば、記憶媒体２２に記憶されている。そして、プロセッサ２１は、距離Ｄａｘ１での磁束密度Ｂａｘ１を、閾値Ｂａｔｈ１として設定する（Ｓ１２３）。
　そして、プロセッサ２１は、取得した関係に基づいて、所定の距離Ｄａｘ２での磁束密度Ｂａｘ２を取得する（Ｓ１２４）。距離Ｄａｘ２は、初期位置Ｐａｅでの距離Ｄａｅより小さく、かつ、距離Ｄａｘ１より大きい。また、距離Ｄａｘ２は、例えば、記憶媒体２２に記憶されている。そして、プロセッサ２１は、距離Ｄａｘ２での磁束密度Ｂａｘ２を、閾値Ｂａｔｈ２として設定する（Ｓ１２５）。
　本実施形態では、磁石５２Ａとセンサ４１Ａとの間の距離Ｄａが所定の距離Ｄａｘ１，Ｄａｘ２となる位置に操作ボタン５１Ａが移動した際に、処置具２への電気エネルギーの出力状態が切替えられる。したがって、記憶媒体２２に記憶される所定の距離Ｄａｘ１，Ｄａｘ２を任意に設定することで、処置具２への電気エネルギーの供給状態が切り替わる際の操作ボタン５１Ａの位置を、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係に関わらず、所望の位置に設定することができる。
　本実施形態では、記憶された距離Ｄと磁束密度Ｂとの関係に基づいて閾値Ｂｔｈ１，Ｂｔｈ２を設定することにより、距離Ｄと磁束密度Ｂとの関係の変化によって処置具２への電気エネルギーの供給状態が切り替わる際の操作ボタン５１Ａの位置が変化する（ずれる）ことが、確実に防止される。
　（第４の実施形態）　
　第４の実施形態について図１１及び図１２を用いて説明する。本実施形態では、接続体５、６の間が接続された時点からエンドエフェクタ１４を処置対象に接触させるまでの中の任意のタイミング（時点）において、プロセッサ２１は、第１の接続体５が備えるエンドエフェクタ１４の種類を識別する。そして、プロセッサ２１は、識別されたエンドエフェクタ１４の種類に基づいて、処置具２を作動させる電気エネルギーの出力に関するパラメータを設定する。
　図１１は、第４の実施形態におけるエンドエフェクタ１４の種類の識別及び電気エネルギーの出力に関するパラメータの設定において、プロセッサ２１によって行われる処理を示すフローチャートである。エンドエフェクタ１４の種類の識別及び出力に関するパラメータの設定は、操作ボタン５１のそれぞれが初期位置Ｐｅに位置する状態で、かつ、処置具２を作動させる電気エネルギーをエネルギー源装置３から出力不可能な状態で行われる。
　プロセッサ２１は、あるセンサ４１（４１Ａ～４１Ｃの中の１つ）での磁束密度Ｂ（Ｂａ～Ｂｃの中の対応する１つ）を取得する（Ｓ１３１）。図１１では、例として、センサ４１Ａでの磁束密度Ｂａが取得されるものとして、説明する。プロセッサ２１は、取得した磁束密度Ｂａを、操作ボタン５１Ａが初期位置Ｐａｅに位置する状態での磁束密度Ｂａｅとして、設定する（Ｓ１３２）。なお、磁束密度Ｂａｅとして設定された磁束密度Ｂａは、記憶媒体２２に記憶されてもよい。
　また、記憶媒体２２には、磁束密度Ｂａｅとエンドエフェクタ１４の種類との関係を示すテーブル等が記憶される。プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａｅ、及び、記憶された磁束密度Ｂａｅとエンドエフェクタ１４の種類との関係等に基づいて、エンドエフェクタ１４の種類を識別する（Ｓ１３３）。
　そして、プロセッサ２１は、Ｓ１３３でのエンドエフェクタ１４の種類の判断結果に基づいて、処置具２を作動させる電気エネルギーの出力に関するパラメータを設定する（Ｓ１３４）。出力に関するパラメータには、例えば、電気エネルギーの出力レベル、処置対象に付与される処置エネルギーの種類、又は、電気エネルギーの供給のオフ状態とオン状態との間を切替える閾値等が含まれる。そして、プロセッサ２１は、エンドエフェクタ１４の種類の識別及び電気エネルギーの出力に関するパラメータの設定を終了する。
　図１２は、ある１つのセンサ４１について、センサ４１と対応する磁石５２との間の距離Ｄと、センサ４１での磁束密度Ｂとの関係を示す図である。図１２では、例として、センサ４１Ａと磁石５２Ａとの間の距離Ｄａと、センサ４１Ａでの磁束密度Ｂａとの関係を示す。図１２では、横軸に距離Ｄａを示し、縦軸に磁束密度Ｂａを示す。
　図１２では、状態Ｌ３～Ｌ５のそれぞれについて関係を示す。状態Ｌ３～Ｌ５では、接続体５に設けられるエンドエフェクタ１４の種類（形状）が互いに対して異なる。また、状態Ｌ３～Ｌ５では、磁石５２Ａが発生する磁界の強さが、互いに対して異なっている。このため、状態Ｌ３～Ｌ５では、距離Ｄａと磁束密度Ｂａの関係が互いに対して異なる。したがって、状態Ｌ３～Ｌ５では、磁束密度Ｂａｅ（Ｂａｅ－３～Ｂａｅ－５）は、互いに対して異なる。
　本実施形態では、Ｓ１３１，Ｓ１３２の処理において、磁束密度Ｂａｅが取得される。プロセッサ２１は、距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係として磁束密度Ｂａｅを取得している。そして、Ｓ１３３の処理において、取得した距離Ｄａと磁束密度Ｂａとの関係（磁束密度Ｂａｅ）に基づいて、エンドエフェクタ１４の種類が識別される。そして、Ｓ１３４の処理において、識別されたエンドエフェクタ１４の種類に基づいて、処置具２に供給される電気エネルギーの出力に関するパラメータが設定される。
　このように、本実施形態では、接続体５に設けられるエンドエフェクタ１４の種類（形状）に適した出力設定が、プロセッサ２１によって行われる。このため、術者がエンドエフェクタ１４の種類に応じて出力モード等の設定を行う手間が、省略される。
　（第５の実施形態）　
　第５の実施形態について図１３及び図１４を用いて説明する。本実施形態では、接続体５、６の間が接続された時点からエンドエフェクタ１４を処置対象に接触させるまでの中の任意のタイミング（時点）において、プロセッサ２１は、第１の接続体５が備える操作ボタン５１の数及び位置を識別する。そして、プロセッサ２１は、操作ボタン５１の数及び位置に基づいて、処置具２を作動させる電気エネルギーの出力に関するパラメータを設定する。
　図１３は、第５の実施形態の処置システム１における操作ボタン５１の数及び位置の識別及び電気エネルギーの出力に関するパラメータの設定において、プロセッサ２１によって行われる処理を示すフローチャートである。操作ボタン５１の数及び位置の識別及び電気エネルギーの出力に関するパラメータの設定は、処置具２を作動させる電気エネルギーをエネルギー源装置３から出力不可能な状態で行われる。
　本実施形態では、識別子Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｃに基づいて、操作ボタン５１の数及び位置を識別する。プロセッサ２１は、センサ４１（４１Ａ～４１Ｃ）のそれぞれについて、磁束密度Ｂ（Ｂａ～Ｂｃ）を取得する（Ｓ１４１）。また、プロセッサ２１は、識別子Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｃとして０を、設定する（Ｓ１４２）。なお、設定された識別子Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｃは、記憶媒体２２に記憶されてもよい。
　プロセッサ２１は、磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｍｉｎ以上であるか否かを判断する（Ｓ１４３）。磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｍｉｎ以上である場合は（Ｓ１４３－Ｙｅｓ）、プロセッサ２１は、操作ボタン５１Ａの識別子Ｎａとして１を設定する（Ｓ１４４）。算出されたボタン数Ｎは、記憶媒体２２に記憶されてもよい。磁束密度Ｂａが閾値Ｂａｍｉｎより小さい場合は（Ｓ１４３－Ｎｏ）、処理は、Ｓ１４５に進み、プロセッサ２１は、後述するＳ１４５以降の処理を行う。
　ここで、閾値Ｂａｍｉｎは、操作ボタン５１Ａが初期位置Ｐａｅに位置する状態での磁束密度Ｂａｅよりも十分小さい値に設定される。また、閾値Ｂａｍｉｎは、センサ４１Ａに対して対向する位置に操作ボタン５１Ａ（磁石５２Ａ）が設けられない状態での磁束密度Ｂａよりも、十分大きい値に設定される。したがって、センサ４１Ａに対応する操作ボタン５１Ａが設けられている場合は、磁束密度Ｂａは閾値Ｂａｍｉｎよりも大きくなり、識別子Ｎａとして１が設定される（Ｓ１４４）。また、センサ４１Ａに対応する操作ボタン５１Ａが設けられない場合は、磁束密度Ｂａは閾値Ｂａｍｉｎよりも小さくなり、識別子Ｎａは０に設定された状態が維持される（Ｓ１４３－Ｎｏ）。
　そして、プロセッサ２１は、磁束密度Ｂｂ，Ｂｃのそれぞれについて、磁束密度ＢａについてＳ１４３，Ｓ１４４で行った処理と同様の処理を行う（Ｓ１４５～Ｓ１４８）。これにより、センサ４１Ｂ及びセンサ４１Ｃのそれぞれについて、対向する位置に操作ボタン５１が存在するか否かが判断される。
　プロセッサ２１は、Ｓ１４１～Ｓ１４８の処理で設定された識別子Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｃに基づいて、処置具２を作動させる電気エネルギーの出力に関するパラメータを設定する（Ｓ１４９）。そして、プロセッサ２１は、設定したパラメータを、記憶媒体２２に記憶する。出力に関するパラメータには、例えば、電気エネルギーの出力時における電気エネルギーの出力レベル、処置対象に付与される処置エネルギーの種類、又は、電気エネルギーの供給のオフ状態とオン状態との間を切替える閾値等が含まれる。そして、プロセッサ２１は、ボタン数の識別及び電気エネルギーの出力に関するパラメータの設定を終了する。
　図１４は、２つの操作ボタン５１（５２Ａ、５２Ｂ）を備える接続体５が取付けられた一例を示す図である。また、第２の接続体６には、３つのセンサ４１（４１Ａ～４１Ｃ）が設けられている。図１４に示す一例では、接続体５が取付けられた状態では、センサ４１Ａに対向する位置には、操作ボタン５１Ａが設けられている。したがって、センサ４１Ａでの磁束密度Ｂａは、操作ボタン５１Ａの位置に関わらず、閾値Ｂａｍｉｎよりも大きくなる。このため、Ｓ１４３の処理において操作ボタン５１Ａが存在すると判断され、Ｓ１４４の処理において識別子Ｎａとして１が設定される。そして、識別子Ｎａ＝１が、記憶媒体２２に記憶される。
　また、センサ４１Ｂに対向する位置には、操作ボタン５１Ｂが設けられている。したがって、センサ４１Ｂでの磁束密度Ｂｂは、操作ボタン５１Ｂの位置に関わらず、閾値Ｂｂｍｉｎよりも大きくなる。このため、Ｓ１４５の処理において操作ボタン５１Ｂが存在すると判断され、Ｓ１４６の処理においてが加算される識別子Ｎｂとして１が設定される。そして、識別子Ｎｂ＝１が、記憶媒体２２に記憶される。
　センサ４１Ｃに対向する位置には、操作ボタン５１（Ｃ）は設けられていない。このため、センサ４１Ｃでの磁束密度Ｂｃは、閾値Ｂｃｍｉｎよりも小さくなる。このため、Ｓ１４７の処理において操作ボタン５１（Ｃ）が存在しないと判断される。このため、識別子Ｎｃは、０に設定された状態が維持される。
　そして、Ｓ１４９の処理において、記憶された識別子Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｃに基づいて、処置具２を作動させる電気エネルギーの出力制御に関するパラメータが設定される。ここでは、操作ボタン５１Ａ及び操作ボタン５１Ｂが存在すると判断され、２つの操作ボタン５１Ａ，５１Ｂが設けられる処置具２に対応するパラメータが、設定される。
　本実施形態では、センサ４１Ａ～４１Ｃのそれぞれについて対応する操作ボタン５１が存在するか否かが判断され、操作ボタン５１の数、位置及び組み合わせ等のうち少なくとも１つに基づいて、処置具２を作動させる電気エネルギーの出力制御に関するパラメータが設定される。そして、判断された操作ボタン５１の数、位置及び組み合わせ等に適した出力が行われる状態に、パラメータが、設定される。
　本実施形態では、接続体５に設けられる操作ボタン５１の数、位置及び組み合わせ等に適した出力設定が、プロセッサ２１によって行われる。このため、術者がボタン数Ｎに応じて出力モード等の設定を行う手間が、省略される。　前述の実施形態等では、制御装置（３）は、磁石（５２）を備える操作入力子（５１）と、磁束密度（Ｂ）を検知するセンサ（４１）と、を備え、前記操作入力子（５１）での操作に基づいて前記操作入力子（５１）が前記磁石（５２）とともに移動することにより、前記センサ（４１）での前記磁束密度（Ｂ）が変化する処置具（２）とともに用いられ、前記処置具（２）を作動させる電気エネルギーの前記処置具（２）への供給を制御する制御装置（３）であって、前記センサ（４１）と前記操作入力子（５１）との間の距離（Ｄ）と前記磁束密度（Ｂ）との関係を取得し、前記関係に基づいて、前記電気エネルギーの前記供給のオン状態及びオフ状態の間を切り替える閾値（Ｂｔｈ）を設定する、プロセッサ（２１）を具備する。
　なお、本願発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。

Claims (10)

  1. 　磁石を備える操作入力子と、磁束密度を検知するセンサと、を備え、前記操作入力子での操作に基づいて前記操作入力子が前記磁石とともに移動することにより、前記センサでの前記磁束密度が変化する処置具とともに用いられ、前記処置具を作動させる電気エネルギーの前記処置具への供給を制御する制御装置であって、
    　　前記センサと前記操作入力子との間の距離と前記磁束密度との関係を取得し、
    　　前記関係に基づいて、前記電気エネルギーの前記処置具への前記供給のオン状態及びオフ状態の間を切り替える閾値を設定する、
    　プロセッサを具備する、制御装置。
  2. 　前記プロセッサは、前記処置具への前記電気エネルギーの前記供給が前記オフ状態から前記オン状態に切り替わる第１の閾値と、前記処置具への前記電気エネルギーの前記供給が前記オン状態から前記オフ状態に切り替わる第２の閾値を、前記関係に基づいて設定する、
    　請求項１の制御装置。
  3. 　前記プロセッサは、前記第１の閾値を前記第２の閾値よりも大きく設定する、
    　請求項２の制御装置。
  4. 　前記プロセッサは、前記関係が記憶された記憶媒体から前記関係を取得する、
    　請求項１の制御装置。
  5. 　前記プロセッサは、前記センサからの出力情報に基づいて、前記関係を取得する、請求項１の制御装置。
  6. 　前記プロセッサは、前記操作入力子の前記センサに対する移動範囲において前記操作入力子が前記センサから最も離れた状態における前記センサでの前記磁束密度を、前記関係として取得する、
    　請求項１の制御装置。
  7. 　前記プロセッサは、前記操作入力子の前記センサに対する移動範囲において前記操作入力子が前記センサから最も離れた状態における前記センサでの前記磁束密度と、前記操作入力子の前記センサに対する移動範囲において前記操作入力子が前記センサに最も近づいた状態における前記センサでの前記磁束密度とを、前記関係として取得する、
    　請求項１の制御装置。
  8. 　前記プロセッサとともに用いられる前記処置具は、
    　前記操作入力子と、処置対象を処置するエンドエフェクタと、を備える第１の接続体と、
    　前記センサを備えるとともに、前記第１の接続体に分離可能に取付けられる第２の接続体と、
    　を備える、請求項１の制御装置。
  9. 　前記プロセッサは、前記関係に基づいて前記エンドエフェクタの種類を判断し、
    　前記エンドエフェクタの前記種類に基づいて、前記処置具への前記電気エネルギーの前記供給に関するパラメータを設定する、
    　請求項８の制御装置。
  10. 　前記プロセッサとともに用いられる前記処置具は、前記センサとして複数のセンサを備え、
    　前記プロセッサは、
    　　全ての前記センサから出力情報を取得し、
    　　前記出力情報に基づいて、前記第１の接続体に設けられた前記操作入力子の数を判断し、
    　　前記操作入力子の前記数に基づいて、前記処置具への前記電気エネルギーの供給に関するパラメータを設定する、
    　請求項８の制御装置。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002260495A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Alps Electric Co Ltd 磁気式ストークスイッチ
JP2003305050A (ja) * 2002-04-17 2003-10-28 Olympus Optical Co Ltd 超音波手術装置
WO2016067739A1 (ja) * 2014-10-28 2016-05-06 オリンパス株式会社 外科手術装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997014608A1 (fr) * 1995-10-17 1997-04-24 Seiko Epson Corporation Dispositif de detection, dispositif fournissant une force d'entrainement a l'aide dudit dispositif et dispositif d'ajustement au point zero pour un detecteur de couple dans le dispositif fournissant une force d'entrainement
CN101558387A (zh) * 2006-12-16 2009-10-14 奎克斯编码有限责任公司 用于安全装置移除检测的方法和设备
US20080255413A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Michael Zemlok Powered surgical instrument
JP5634041B2 (ja) * 2009-02-17 2014-12-03 ローム株式会社 磁気センサ、およびこれを備えた電子機器
US10383631B2 (en) * 2016-08-04 2019-08-20 Covidien Lp Variable speed control of powered surgical device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002260495A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Alps Electric Co Ltd 磁気式ストークスイッチ
JP2003305050A (ja) * 2002-04-17 2003-10-28 Olympus Optical Co Ltd 超音波手術装置
WO2016067739A1 (ja) * 2014-10-28 2016-05-06 オリンパス株式会社 外科手術装置

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