WO2018174434A1 - 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 포함하는 디스플레이 장치는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극; 상기 제2 전극의 상면 일부와 상기 발광구조체의 측면을 덮도록 배치된 절연부; 상기 절연부의 상부를 덮고, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부가 상기 발광구조체의 측면으로 연장된 제2 고정부를 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 발광 다이오드 칩의 발광 면적을 줄여 공급되는 전류의 크기가 작더라도 발광 다이오드 칩에 흐르는 전류 밀도를 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
본 발명은 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 다이오드 칩에 비해 큰 크기를 갖는 발광 다이오드 패키지가 이용된 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 발생하는 광을 방출하는 무기 반도체 소자이다. 최근, 발광 다이오드는 디스플레이 장치, 차량용 램프, 일반 조명과 같은 여러 분야에 다양하게 이용되고 있다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답속도가 빠른 장점이 있다. 이러한 장점을 십분 활용하여 기존 광원을 빠르게 대치하고 있다.
상기와 같은 발광 다이오드를 이용하여 텔레비전, 모니터 또는 전광판과 같은 디스플레이 장치는, TFT-LCD 패널을 이용하여 색을 재현하고, 재현된 색을 외부로 방출하기 위해 백라이트 광원이 이용되며, 최근에는 백라이트 광원으로 발광 다이오드가 이용된다. 또는, 별도의 LCD를 이용하지 않고, 발광 다이오드를 이용하여 직접 색을 재현하는 디스플레이 장치에 대한 연구도 지속적으로 이루어지고 있다.
이렇게 발광 다이오드를 디스플레이 장치의 백라이트 광원으로 이용하거나 직접 색을 재현할 때, 발광 다이오드는 하나의 픽셀 내에 하나의 발광 다이오드가 배치될 수 있다. 여기서, 각 발광 다이오드를 제어하기 위해 TFT를 이용하여 AM(active matrix) 또는 PM(passive matrix) 방식을 이용할 수 있으며, Am 구동 방식으로 구동하는 경우 발광 다이오드의 발광 면적은 한 픽셀 면적의 1/10,000이면 충분하고, PM 구동 방식으로 구동하는 경우 발광 다이오드의 발광 면적은 한 픽셀 면적의 1/100이면 충분하다.
그런데, 필요 이상으로 발광 면적이 큰 발광 다이오드를 이용하면, 발광 다이오드에 흐르는 전류 밀도가 낮아져 발광 다이오드의 발광 효율이 떨어지는 문제가 있다. 그에 따라 발광 면적이 작은 발광 다이오드를 이용하는 경우, 발광 다이오드의 크기가 너무 작아져 수많은 발광 다이오드를 실장하는 공정과 발광 다이오드의 교체를 하는 공정이 쉽지 않은 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 픽셀의 면적에 대비하여 발광 면적이 작은 발광 다이오드를 사용하면서 발광 다이오드의 실장 및 수리 공정의 수율을 높일 수 있는 발광 다이오드 패키지가 적용된 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 포함하는 디스플레이 장치는, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극; 상기 제2 전극의 상면 일부와 상기 발광구조체의 측면을 덮도록 배치된 절연부; 상기 절연부의 상부를 덮고, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부가 상기 발광구조체의 측면으로 연장된 제2 고정부를 포함할 수 있다.
이때, 상기 발광구조체는 상기 제1 도전형 반도체층을 외부로 노출되며, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부가 상기 발광구조체의 측면으로 연장된 제1 고정부를 더 포함하고, 상기 절연부는 상기 제1 전극의 상면 일부를 덮도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 발광구조체는 제조기판 상에 배치되며, 상기 제2 고정부의 적어도 일부는 상기 제조기판 상부까지 연장될 수 있다.
이때, 상기 발광구조체는 제조기판 상에 배치되며, 상기 제1 고정부의 적어도 일부는 상기 제조기판 상부까지 연장될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조 방법은, 제조기판 상에 발광 다이오드 칩을 형성하는 단계; 상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 보호부를 형성하는 단계; 상기 제조기판 측에서 상기 발광 다이오드 칩을 분리하기 위해 레이저를 조하는 단계; 상기 보호부를 제거하는 단계; 및 상기 제조기판에서 발광 다이오드 칩을 다른 기판으로 전사하는 단계를 포함하고, 상기 발광 다이오드 칩은, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극; 상기 제2 전극의 상면 일부와 상기 발광구조체의 측면을 덮도록 배치된 절연부; 상기 절연부의 상부를 덮고, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부가 상기 발광구조체의 측면으로 연장된 제2 고정부를 포함할 수 있다.
이때, 상기 전사하는 단계는, 상기 발광 다이오드 칩을 상기 제조기판에서 분리할 때, 상기 제2 고정부가 상기 제조기판에서 분리될 수 있다.
그리고 상기 발광구조체는 상기 제1 도전형 반도체층을 외부로 노출되며, 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부가 상기 발광구조체의 측면으로 연장된 제1 고정부를 더 포함하고, 상기 절연부는 상기 제1 전극의 상면 일부를 덮도록 배치될 수 있다.
그리고 상기 제2 고정부의 적어도 일부는 상기 제조기판 상부까지 연장될 수 있다.
또한, 상기 제1 고정부의 적어도 일부는 상기 제조기판 상부까지 연장될 수 있다.
본 발명에 의하면, 발광 다이오드 칩의 발광 면적을 줄여 공급되는 전류의 크기가 작더라도 발광 다이오드 칩에 흐르는 전류 밀도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 제1 및 제2 고정부를 발광 다이오드 칩의 발광구조체를 덮도록 배치함으로써, 제조기판 상에 설치된 발광 다이오드 칩을 분리할 때, 발광 다이오드 칩을 다른 기판 상으로 전사하는 과정에서 쉽게 떨어지는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩을 제조기판에서 다른 기판으로 전사하는 과정을 도시한 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩에 배치된 고정부들의 형상을 변형하여 도시한 평면도들이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩(120)은, 발광구조체(29), n형 전극(31), p형 전극(33), 제1 고정부(41), 제2 고정부(43) 및 절연부(45)를 포함한다. 이러한 발광 다이오드 칩(120)은 제1 제조기판(51) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 발광 다이오드 칩(120)은 별도의 제조기판에서 성장 및 제조된 다음, 제1 제조기판(51)으로 전사된 것일 수 있으며, 또는, 제1 제조기판(51) 상에서 복수의 발광 다이오드 칩(120)이 성장 및 제조될 수 있다. 여기서, 제1 제조기판(51)은 절연성 소재를 가질 수 있고, 소정의 두께를 가질 수 있으며, 일례로, 사파이어 기판이 이용될 수 있다.
본 실시예에서, 제1 제조기판(51) 상에 하나의 발광 다이오드 칩(120)이 배치된 것에 대해 설명하지만, 제1 제조기판(51) 상에 복수의 발광 다이오드 칩(120)이 배치될 수 있다. 복수의 발광 다이오드 칩(120)은 제1 제조기판(51) 상에 행과 열을 따라 규칙적으로 배치될 수 있다. 각 발광 다이오드 칩(120)의 간격은 디스플레이 장치의 서브픽셀(sub-pixel) 간격으로 배치될 수 있으며, 서브픽셀의 간격보다 좁은 간격으로 배치될 수도 있다.
발광구조체(29)는 n형 반도체층(23), 활성층(25) 및 p형 반도체층(27)을 포함한다. n형 반도체층(23)은 n형 불순물(예컨대, Si)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있고, p형 반도체층(27)은 p형 불순물(예컨대, Mg)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있다. 그리고 활성층(25)은 n형 반도체층(23)과 p형 반도체층(27) 사이에 개재되며, 다중 양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있고, 원하는 피크 파장의 광을 방출할 수 있게 조성비가 결정될 수 있다.
본 실시예에서, 발광구조체(29)는 n형 반도체층(23)이 하부에 배치되고, 활성층(25) 및 p형 반도체층(27)이 차례로 n형 반도체층(23) 상부에 배치된 구조를 갖는 것에 대해 설명한다. 그리고 본 실시예에서, p형 반도체층(27) 및 활성층(25)의 일부가 제거되어 상부로 n형 반도체층(23)의 일부가 노출될 수 있다.
또한, p형 반도체층(27)의 상부에 p형 전극(33)이 배치되며, p형 반도체층(27)과 전기적으로 연결된다. 그리고 상부로 노출된 n형 반도체층(23)의 상부에 n형 전극(31)이 배치되고, n형 반도체층(23)과 전기적으로 연결된다. 본 실시예에서, 발광 다이오드 칩(120)은 동일한 방향으로 n형 전극(31)과 p형 전극(33)이 배치된 수평 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에서, n형 전극(31) 및 p형 전극(33)은 금속을 포함할 수 있다. n형 전극(31) 및 p형 전극(33)은 각각 n형 반도체층(23) 및 p형 전극(33)을 덮도록 배치되는데, 가능한 넓은 범위를 덮도록 배치될 수 있다. 즉, n형 전극(31) 및 p형 전극(33)은 발광구조체(29)에서 방출된 광을 반사하는 역할을 할 수 있다.
발광구조체(29)의 상부에 n형 전극(31) 및 p형 전극(33)의 일부를 제외한 다른 부분을 덮도록 절연부(45)가 배치될 수 있다. 절연부(45)는 n형 전극(31)의 상면 일부 및 p형 전극(33)의 상면 일부를 제외한 상태로 n형 전극(31), p형 전극(33) 및 발광구조체(29) 전체를 덮도록 배치될 수 있다. 그에 따라 절연부(45)는 발광구조체(29)의 n형 반도체층(23)과 p형 반도체층(27)을 서로 절연시킬 수 있으며, n형 전극(31)과 p형 전극(33)을 서로 절연시킬 수 있다. 본 실시예에서, 절연부(45)는 SiO2 등이 포함된 절연성 물질을 포함할 수 있다.
또한, 절연부(45)는 발광구조체(29)의 측면에서 연장되어 제1 제조기판(51)의 상면의 일부까지 덮도록 배치될 수 있다.
제1 고정부(41)는 n형 전극(31)과 전기적으로 접촉되고, 절연부(45)의 일 측면을 덮도록 배치될 수 있다. 그리고 제2 고정부(43)는 p형 전극(33)과 전기적으로 접촉되고, 절연부(45)의 타 측면을 덮도록 배치될 수 있다. 이때, 제1 고정부(41)와 제2 고정부(43)는 서로 이격되어 서로 전기적으로 절연된다. 제1 고정부(41)와 제2 고정부(43)는 도전성을 가지는 소재를 가질 수 있으며, 금속을 포함할 수 있다.
그리고 도시된 바와 같이, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)는 서로 이격된 위치를 제외하고, 발광구조체(29)의 상부에서 측면에 이르기까지 전체를 덮도록 배치된다. 그에 따라 n형 전극(31) 및 p형 전극(33)에서 반사되지 않고, n형 전극(31) 및 p형 전극(33)의 측면으로 방출된 광을 반사할 수 있다.
또한, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)는 도시된 바와 같이, 제1 제조기판(51)의 상면을 덮도록 배치된다. 물론, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)와 제1 제조기판(51) 사이에 절연부(45)가 개재되지만, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43) 중 적어도 일부는 제1 제조기판(51) 상에 배치된다. 이렇게 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)가 제1 제조기판(51) 상에 배치됨에 따라 발광 다이오드 칩(120)을 제1 제조기판(51)에서 제거하기 위해 레이저를 조사하는 공정에서 완전히 발광 다이오드 칩(120)이 제1 제조기판(51)에서 완전히 분리되지 않을 수 있다.
이에 대해 도 2를 참조하여, 좀 더 자세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩을 제조기판에서 다른 기판으로 전사하는 과정을 도시한 단면도들이다.
도 2를 참조하여, 제1 제조기판(51) 상에 배치된 발광 다이오드 칩(120)을 다른 기판인 제2 제조기판(53)으로 전사하는 공정에 대해 설명함으로써, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)의 역할에 대해 상세히 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 제조기판(51) 상에 발광 다이오드 칩(120)을 배치시키거나 제조한 다음, 도 2a에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(120)의 전체를 덮도록 보호부(47)를 형성한다. 보호부(47)는 이후의 공정에서 발광 다이오드 칩(120)에 레이저(laser)를 조사할 때, 레이저에 의해 발광 다이오드 칩(120)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 보호부(47)는 PDMS(poly dimethylpolysiloxane), 폴리이미드(polyimide), PMMA Poly(methyl 2-methylpropenoate) 및 세라믹(ceramic) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
그리고 도 2b에 도시된 바와 같이, 제1 제조기판(51)의 하부 측에서 레이저를 조사한다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(120)의 n형 반도체층(23)과 제1 제조기판(51) 사이에 갭(G)이 형성된다. 이때, 발광 다이오드 칩(120)과 제1 제조기판(51) 사이에 형성된 갭(G)에 의해 이후 공정에서 발광 다이오드 칩(120)을 제2 기판으로 전사할 때의 제1 제조기판(51)과 발광 다이오드 칩(120)이 쉽게 분리될 수 있다.
레이저에 의해 발광 다이오드 칩(120)과 제1 제조기판(51) 사이에 갭(G)이 형성됨에 따라 발광 다이오드 칩(120)과 제1 제조기판(51)이 분리되는데, 그렇다고 발광 다이오드 칩(120)이 제1 제조기판(51)에서 완전히 분리되지 않는 것이 좋다. 발광 다이오드 칩(120)을 제1 제조기판(51)에서 제2 제조기판(53)으로 전사하기 전에 제1 제조기판(51)의 위치를 다른 위치로 옮기거나 제1 제조기판(51)를 뒤집는 등의 공정이 추가될 수 있기 때문이다.
그러므로 발광 다이오드 칩(120)을 이동장치 등을 이용하여 들어 올리는 공정이나 제2 제조기판(53) 등의 다른 기판과 발광 다이오드 칩(120)을 결합시키는 공정 이전에 발광 다이오드 칩(120)과 제1 제조기판(51)이 완전히 분리되지 않도록 할 수 있다. 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)는 발광 다이오드 칩(120)을 감싼 상태에서 제1 제조기판(51) 상에 결합이 유지됨에 따라 발광 다이오드 칩(120)을 제1 제조기판(51) 상에서 분리되지 않도록 하는 역할을 한다.
다시 도 2b를 참조하면, 레이저를 조사하는 공정이 완료되면, 도 2c에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(120)을 덮도록 형성된 보호부(47)를 제거한다. 이때, 발광 다이오드 칩(120)의 n형 반도체층(23)은 제1 제조기판(51)과 분리된 상태이며, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)에 의해 발광 다이오드 칩(120)이 제1 제조기판(51) 상에 결합된 상태가 유지된다.
이렇게 도 2c와 같은 상태에서, 이동장치 등을 이용하여 발광 다이오드 칩(120)을 제1 제조기판(51)에서 들어 올려 제2 제조기판(53)에 옮겨 발광 다이오드 칩(120)과 제2 제조기판(53)이 결합된 상태가 도 2d에 도시된 바와 같다. 이때, 발광 다이오드 칩(120)의 측면에 배치된 절연부(45), 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)의 일부는, 이동장치를 이용하여 제1 제조기판(51)에서 발광 다이오드 칩(120)을 분리하는 과정에서 도시된 바와 같이, 제거될 수 있다. 여기서, 절연부(45), 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)가 제거된 형상은 공정 과정에서 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
그리고 제2 제조기판(53)과 발광 다이오드 칩(120)은 접착부(S)에 의해 결합될 수 있으며, 접착부(S)는 제2 제조기판(53)의 상면에 도포될 수 있다.
또한, 도 2e에 도시된 바와 같이, 제1 제조기판(51)에서 분리된 발광 다이오드 칩(120)을 뒤집은 상태로, 제2 제조기판(53)에 전사할 수 있다. 이때, 제1 접착부(S1)와 제2 접착부(S2)의 높이를 조절하여, 발광 다이오드 칩(120)의 수평을 조절할 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 제2 제조기판(53)에서 제2 고정부(43)까지의 높이와 제1 고정부(41)까지의 높이가 다를 수 있으므로, 제1 접착부(S1) 및 제2 접착부(S2)의 높이를 조절함으로써, 발광 다이오드 칩(120)의 수평 방향으로 동일한 높이를 가지도록 제2 제조기판(53)에 결합될 수 있다.
여기서, 제2 제조기판(53)은 제1 제조기판(51)과 같이 제조 고정상 이용하기 위한 절연성 소재를 가지는 기판일 수 있으며, 필요에 따라 발광 다이오드 칩(120)에 전원을 공급하기 위한 제1 기판전극 및 제2 기판전극이 배치된 인쇄회로기판일 수도 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩에 배치된 고정부들의 형상을 변형하여 도시한 평면도들이다.
도 3에 도시된 도면들을 참조하여, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)의 형상에 따른 실시예들에 대해 설명한다.
도 3a를 참조하면, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)는 발광 다이오드 칩(120)의 전체를 덮도록 배치될 수 있다. 이때, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)는 서로 이격된 상태를 유지하면서, 각각 발광 다이오드 칩(120)의 측면 방향으로 연장되어, 제1 제조기판(51) 상면 일부를 덮도록 배치될 수 있다.
또한, 다른 실시예로, 도 3b를 참조하면, 제1 고정부(41)는 발광 다이오드 칩(120)의 측면으로 연장되어 제1 제조기판(51)의 상면 일부를 덮도록 형성된다. 그리고 제2 고정부(43)는 발광 다이오드 칩(120)의 상부에만 배치될 수 있다. 즉, 제2 고정부(43)는 p형 전극(33) 상에만 배치될 수 있다. 혹은, 필요에 따라 제2 고정부(43)는 생략될 수도 있다.
그에 따라 제1 고정부(41)는 발광 다이오드 칩(120)을 제1 제조기판(51) 상에 결합을 유지시키기 위한 역할을 한다.
그리고 또 다른 실시예로, 도 3c를 참조하면, 제2 고정부(43)는 발광 다이오드 칩(120)의 측면으로 연장되어 제1 제조기판(51)의 상면 일부를 덮도록 형성된다. 그리고 제1 고정부(41)는 발광 다이오드 칩(120)의 상부에만 배치될 수 있다. 즉, 제1 고정부(41)는 n형 전극(31)을 덮도록 배치되며, 노출된 n형 반도체층(23)의 외부를 벗어나지 않도록 배치된다. 혹은, 필요에 따라 제1 고정부(41)는 생략될 수도 있다.
그에 따라 제2 고정부(43)는 발광 다이오드 칩(120)을 제1 제조기판(51) 상에 결합을 유지시키기 위한 역할을 한다.
또한, 또 다른 실시예로, 도 3d를 참조하면, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)는 각각 발광 다이오드 칩(120)의 상부를 덮도록 배치되며, 제1 고정부(41) 및 제2 고정부(43)는 각각 측면 방향으로 돌출되어 연장된 제1 고정 연장부(41a) 및 제2 고정 연장부(43a)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 고정 연장부(41a) 및 제2 고정 연장부(43a)는 각각 복수 개가 구비될 수 있다.
제1 고정 연장부(41a)는 제1 고정부(41)에서 연장되며, 발광 다이오드 칩(120)의 일 측 방향으로 연장될 수 있다. 본 실시예에서, 두 개의 제1 고정 연장부(41a)가 제1 고정부(41)의 길이 방향에서 수직한 방향으로 연장된 것에 대해 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 필요에 따라 제1 고정부(41)의 길이 방향으로 연장될 수도 있다. 여기서, 제1 고정 연장부(41a)는 제1 고정부(41)에서 연장되어 제1 제조기판(51)의 상면까지 연장될 수 있는 길이로 연장되면 되며, 연장되는 길이는 필요에 따라 달라질 수 있다.
그리고 제2 고정 연장부(43a)는 제2 고정부(43)에서 연장되며, 발광 다이오드 칩(120)의 측면 방향으로 연장될 수 있다. 본 실시예에서, 두 개의 제2 고정 연장부(43a)는 제2 고정부(43)의 길이 방향에 수직한 방향으로 연장되고, 두 개의 제2 고정 연장부(43a)는 제2 고정부(43)의 길이 방향으로 연장된다. 하지만, 제2 고정 연장부(43a)의 개수는 필요에 따라 달라질 수 있으며, 또한, 제2 고정 연장부(43a)의 길이도 제1 고정 연장부(41a)와 마찬가지로 제1 제조기판(51)의 상면까지 연장되면 된다.
또, 또 다른 실시예로, 도 3e를 참조하면, 제1 고정 연장부(41a)는 제1 고정부(41)의 길이방향에 수직한 방향으로 하나가 배치될 수 있고, 제2 고정 연장부(43a)는 제2 고정부(43)의 길이방향으로 하나가 배치될 수 있다. 이때, 제1 고정 연장부(41a)는 제1 고정부(41)의 일 측에 치우친 상태로 배치되고, 제2 고정 연장부(43a)는 제2 고정부(43)의 타 측에 치우친 상태로 배치될 수 있다. 그에 따라 도시된 바와 같이, 제1 고정 연장부(41a)와 제2 고정 연장부(43a)는 서로 대각의 위치에 배치될 수 있다.
그리고 또 다른 실시예로, 도 3f를 참조하면, 제1 고정 연장부(41a)는 제1 고정부(41)의 길이방향에 수직한 방향으로 하나가 배치될 수 있고, 제2 고정 연장부(43a)는 제2 고정부(43)의 길이방향으로 하나가 배치될 수 있다. 이때, 제1 고정 연장부(41a)는 제1 고정부(41)의 일 측 중앙 위치에 배치되고, 제2 고정 연장부(43a)는 제2 고정부(43)의 타 측 중앙 위치에 배치될 수 있다.
또, 또 다른 실시예로, 도 3g를 참조하면, 제1 고정 연장부(41a)는 제1 고정부(41)의 길이방향에 하나가 배치되고, 제2 고정 연장부(43a)는 제2 고정부(43)의 길이방향에 수직한 방향으로 하나가 배치될 수 있다. 그리고 도시된 바와 같이, 제1 고정 연장부(41a)와 제2 고정 연장부(43a)는 서로 대각의 위치에 배치될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 동일한 방향에 배치될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩(120)은 발광구조체(29), p형 전극(33), 제2 고정부(43) 및 절연부(45)를 포함한다. 본 실시예에서, 발광구조체(29)는 제1 제조기판(51) 상에 배치되며, n형 반도체층(23), 활성층(25) 및 p형 반도체층(27)이 차례로 적층된 구조를 가질 수 있다. 그리고 p형 반도체층(27)의 상부에 p형 전극(33)이 배치되며, p형 전극(33) 상에 제2 고정부(43)가 배치될 수 있다.
즉, 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 발광 다이오드 칩(120)은 수직 구조를 가질 수 있다. 그에 따라 절연부(45)는 p형 전극(33)의 상면 일부와 발광구조체(29)의 측면을 덮도록 배치되며, 제1 고정부(41)는 노출된 p형 전극(33)과 절연부(45)의 상부 전체를 덮도록 배치될 수 있다. 그리고 제1 고정부(41)는 제1 제조기판(51)의 상면까지 연장되어 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치의 발광 다이오드 칩(120)은 발광구조체(29), p형 전극(33), 제2 고정부(43) 및 절연부(45)를 포함한다. 본 실시예에서, 발광 다이오드 칩(120)은 제2 실시예에서와 같이, 수직 구조를 갖는 발광 다이오드 칩(120)이며, 발광구조체(29)의 측면이 경사를 이룰 수 있다. 즉, 측면이 경사면인 발광구조체(29)를 포함하는 발광 다이오드 칩(120)이며, 그에 따라 절연부(45) 및 제1 고정부(41)의 측면도 발광구조체(29)의 측면을 따라 경사면을 포함할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
*/ 부호의 설명
120: 발광 다이오드 칩
23: n형 반도체층 25: 활성층
27: p형 반도체층 29: 발광구조체
31: n형 전극 33: p형 전극
41: 제1 고정부 41a: 제1 고정 연장부
43: 제2 고정부 43a: 제2 고정 연장부
45: 절연부 47: 보호부
51: 제1 제조기판 53: 제2 제조기판
S : 접착부
S1, S2: 제1 접착부 및 제2 접착부
G: 갭

Claims (9)

  1. 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체;
    상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극;
    상기 제2 전극의 상면 일부와 상기 발광구조체의 측면을 덮도록 배치된 절연부;
    상기 절연부의 상부를 덮고, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부가 상기 발광구조체의 측면으로 연장된 제2 고정부를 포함하는 발광 다이오드 칩을 포함하는 디스플레이 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광구조체는 상기 제1 도전형 반도체층을 외부로 노출되며,
    상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 전극;
    상기 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부가 상기 발광구조체의 측면으로 연장된 제1 고정부를 더 포함하고,
    상기 절연부는 상기 제1 전극의 상면 일부를 덮도록 배치된 발광 다이오드 칩을 포함하는 디스플레이 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광구조체는 제조기판 상에 배치되며,
    상기 제2 고정부의 적어도 일부는 상기 제조기판 상부까지 연장된 발광 다이오드 칩을 포함하는 디스플레이 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 발광구조체는 제조기판 상에 배치되며,
    상기 제1 고정부의 적어도 일부는 상기 제조기판 상부까지 연장된 발광 다이오드 칩을 포함하는 디스플레이 장치.
  5. 제조기판 상에 발광 다이오드 칩을 형성하는 단계;
    상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 보호부를 형성하는 단계;
    상기 제조기판 측에서 상기 발광 다이오드 칩을 분리하기 위해 레이저를 조하는 단계;
    상기 보호부를 제거하는 단계; 및
    상기 제조기판에서 발광 다이오드 칩을 다른 기판으로 전사하는 단계를 포함하고,
    상기 발광 다이오드 칩은,
    제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광구조체;
    상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극;
    상기 제2 전극의 상면 일부와 상기 발광구조체의 측면을 덮도록 배치된 절연부;
    상기 절연부의 상부를 덮고, 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부가 상기 발광구조체의 측면으로 연장된 제2 고정부를 포함하는 디스플레이 장치 제조 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 전사하는 단계는, 상기 발광 다이오드 칩을 상기 제조기판에서 분리할 때, 상기 제2 고정부가 상기 제조기판에서 분리되는 디스플레이 장치 제조 방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 발광구조체는 상기 제1 도전형 반도체층을 외부로 노출되며,
    상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 전극;
    상기 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부가 상기 발광구조체의 측면으로 연장된 제1 고정부를 더 포함하고,
    상기 절연부는 상기 제1 전극의 상면 일부를 덮도록 배치된 디스플레이 장치 제조 방법.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2 고정부의 적어도 일부는 상기 제조기판 상부까지 연장된 디스플레이 장치 제조 방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 제1 고정부의 적어도 일부는 상기 제조기판 상부까지 연장된 디스플레이 장치 제조 방법.
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