WO2018138162A1 - Verfahren zum selektieren von halbleiterchips - Google Patents

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Daniel Richter
Gunnar Petersen
Konrad Wagner
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Definitions

  • semiconductor chips have been produced in a common manufacturing process.
  • the semiconductor chips comprise a semiconductor layer sequence, which by means of a
  • the edges have a maximum length of 200 ym, in particular of 100 ym.
  • the mechanical connection between the semiconductor chips and the carrier foil in the form of a checkerboard pattern is weakened.
  • the distance between the semiconductor chips which remain on the carrier film is thus at least 200 ⁇ m, in particular at least 100 ⁇ m.
  • the distance between the semiconductor chips is thus at least 200 ⁇ m, in particular at least 100 ⁇ m.
  • a carrier foil 500 is arranged on a main surface of the semiconductor chips 100, which are located in the composite 10.
  • a connection means 501 By means of a connection means 501, a first connection is produced which comprises the composite 10 of semiconductor chips 100
  • the first connection between the semiconductor chips 100 and the carrier foil 500 is weakened in the form of a checkerboard pattern.
  • along the lateral plane is along the grid lines of a

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips (100), bei dem A) die Halbleiterchips (100) in einem Verbund (10) bereitgestellt werden, B) eine Stoffschlüssige, mechanische erste Verbindung zwischen den Halbleiterchips (100) und einer Trägerfolie (500) erzeugt wird, C) die Halbleiterchips (100) vereinzelt werden, wobei die Trägerfolie (500) die Halbleiterchips (100) nach dem Vereinzeln mechanisch miteinander verbindet, D) die erste Verbindung zwischen manchen vereinzelten Halbleiterchips (100) und der Trägerfolie (500) selektiv geschwächt wird, E) die Halbleiterchips (100), deren erste Verbindung selektiv geschwächt ist, von der Trägerfolie (500) entfernt werden.

Description

Beschreibung
VERFAHREN ZUM SELEKTIEREN VON HALBLEITERCHIPS Es wird ein Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips angegeben .
Eine zu lösende Aufgabe besteht unter anderem darin, ein Verfahren anzugeben, mit dem Halbleiterchips besonders effizient selektiert werden können.
Die Aufgabe wird mit einem Verfahren gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1 gelöst. Die abhängigen Patentansprüche beschreiben weitere Ausführungsformen des Verfahrens. Die in den Patentansprüchen beschriebenen Merkmalskombinationen werden hiermit durch Rückbezug aufgenommen.
Bei den Halbleiterchips handelt es sich beispielsweise um optoelektronische Halbleiterchips, die dazu eingerichtet sind, elektromagnetische Strahlung zu empfangen und/oder zu emittieren. Es kann sich bei den Halbleiterchips
beispielsweise um Leuchtdiodenchips, um Laserdiodenchips oder um Fotodiodenchips handeln. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips werden in einem
Verfahrensschritt A) die Halbleiterchips in einem Verbund bereitgestellt. Die Halbleiterchips stehen in mechanischer Verbindung miteinander. Beispielsweise sind die
Halbleiterchips in einem gemeinsamen Herstellungsverfahren hergestellt worden. Insbesondere umfassen die Halbleiterchips eine Halbleiterschichtenfolge, welche mittels eines
Epitaxieverfahrens auf einem gemeinsamen Substrat hergestellt ist. Beispielsweise umfasst der Verbund das Substrat, auf dem die Halbleiterchips hergestellt worden sind. Alternativ sind die Halbleiterchips auf einen Träger aufgebracht und von dem Substrat auf welchem die Halbleiterchips hergestellt sind abgelöst. Die Halbleiterchips sind in dem Verbund in einer lateralen Ebene nebeneinander angeordnet. Beispielsweise sind die Halbleiterchips entlang den Linien eines regelmäßigen Gitters, beispielsweise eines Rechteckgitters, insbesondere eines Hexagonalgitters , angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips wird bei einem
Verfahrensschritt B) eine erste Verbindung zwischen den
Halbleiterchips und einer Trägerfolie erzeugt. Bei der ersten Verbindung handelt es sich insbesondere um eine
Stoffschlüssige und mechanische Verbindung. Eine mechanische Verbindung ist eine Verbindung, durch welche zwei
Verbindungspartner mechanisch miteinander gekoppelt werden, sodass die relative Beweglichkeit von zwei Teilen zueinander in zumindest einer Raumrichtung eingeschränkt ist.
Insbesondere ist die relative Beweglichkeit zwischen den Halbleiterchips und der Trägerfolie in allen Raumrichtungen zueinander eingeschränkt, sodass die Trägerfolie und die Halbleiterchips in keiner Raumrichtung relativ zueinander beweg werden können. Eine Stoffschlüssige Verbindung ist eine Verbindung bei der zwei Verbindungspartner durch atomare oder molekulare Kräfte zusammengehalten werden. Beispielsweise handelt es sich bei der Stoffschlüssigen Verbindung um eine Klebeverbindung .
Die Trägerfolie wird auf einer Hauptfläche des Verbunds angeordnet. Beispielsweise ist der Verbund von der
Trägerfolie vollständig überdeckt. Die erste Verbindung zwischen den Halbleiterchips und der Trägerfolie kann mittels eines Verbindungsmittels erzeugt werden. Beispielsweise handelt es sich bei dem Verbindungsmittel um einen Klebstoff, insbesondere um einen UV-sensitiven Klebstoff. Die durch den UV-sensitiven Klebstoff vermittelte erste Verbindung kann durch Bestrahlung des Klebstoffs mit UV-Strahlung geschwächt oder gestärkt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips werden die Halbleiterchips in einem Verfahrensschritt C) vereinzelt, wobei die Trägerfolie die Halbleiterchips nach dem Vereinzeln mechanisch
miteinander verbindet. Beispielsweise werden die
Halbleiterchips mittels eines Sägeprozesses und/oder mittels eines Ätzprozesses von einer der Trägerfolie abgewandten
Seite aus vereinzelt. Insbesondere wird die Trägerfolie bei dem Vereinzeln der Halbleiterchips nicht durchtrennt, sodass die vereinzelten Halbleiterchips über die Trägerfolie
miteinander mechanisch gekoppelt sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips wird in einem
Verfahrensschritt D) die Stoffschlüssige erste Verbindung zwischen manchen vereinzelten Halbleiterchips und der
Trägerfolie selektiv geschwächt. Beispielsweise wird die mechanische Verbindung zwischen dem Verbindungsmittel und den Halbleiterchips und/oder zwischen dem Verbindungsmittel und der Trägerfolie geschwächt. Eine geschwächte erste Verbindung weist eine geringere mechanische Stabilität als eine nicht geschwächte erste Verbindung auf. Insbesondere kann die erste Verbindung derart geschwächt werden, dass keine
Stoffschlüssige Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und der Trägerfolie besteht. Beispielsweise liegen die Halbleiterchips, deren erste Verbindung geschwächt ist, lose auf der Trägerfolie auf. Auf jeden Fall ist die Kraft, die benötigt wird, um einen Halbleiterchip von der Trägerfolie zu lösen bei einer geschwächten ersten Verbindung kleiner als bei einer nicht geschwächten ersten Verbindung. Das Schwächen der ersten Verbindung kann dabei auch dadurch erfolgen, dass die erste Verbindung für die anderen Halbleiterchips, deren erste Verbindung nicht geschwächt sein soll, gestärkt wird. Die erste Verbindung ist für die manchen Halbleiterchips relativ zu der ersten Verbindung für die anderen
Halbleiterchips geschwächt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips werden in einem
Verfahrensschritt E) die Halbleiterchips, deren
Stoffschlüssige erste Verbindung selektiv geschwächt ist, von der Trägerfolie entfernt. Beispielsweise werden die
Halbleiterchips in einem gemeinsamen Verfahrensschritt, insbesondere gleichzeitig, von der Trägerfolie entfernt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips, umfasst das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte:
A) die Halbleiterchips in einem Verbund bereitgestellt werden,
B) eine Stoffschlüssige, mechanische erste Verbindung
zwischen den Halbleiterchips und einer Trägerfolie erzeugt wird,
C) die Halbleiterchips vereinzelt werden, wobei die
Trägerfolie die Halbleiterchips nach dem Vereinzeln
mechanisch miteinander verbindet,
D) die erste Verbindung zwischen manchen vereinzelten
Halbleiterchips und der Trägerfolie selektiv geschwächt wird, und
E) die Halbleiterchips, deren erste Verbindung selektiv geschwächt ist, von der Trägerfolie entfernt werden. Bei dem hier beschriebenen Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips liegen dabei unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde. Um Halbleiterchips, zum Beispiel LED- Chips, welche sich beispielsweise in einem gemeinsamen
Verbund befinden, zu selektieren, werden die Halbleiterchips nacheinander ausgewählt und beispielsweise mittels eines
Pick-&-Place-Verfahrens aus dem Verbund entfernt. Bei diesem Vorgehen werden die Halbleiterchips nacheinander selektiert, was einen hohen Zeitaufwand für dieses Vorgehen erfordert. Das hier beschriebene Verfahren zum Selektieren von
Halbleiterchips macht nun unter anderem von der Idee
Gebrauch, die Selektion der Halbleiterchips parallel
durchzuführen. Die Halbleiterchips sind beispielsweise mittels eines Verbindungsmittels stoffschlüssig mit einer Trägerfolie verbunden. Die stoffschlüssige erste Verbindung zwischen den zu selektierenden Halbleiterchips und der
Trägerfolie wird beispielsweise mittels UV-Strahlung selektiv geschwächt. In einem weiteren Verfahrensschritt werden die zu selektierenden Halbleiterchips in einem gemeinsamen
Verfahrensschritt aus dem Verbund der Halbleiterchips entfernt. Vorteilhafterweise kann mittels des parallelen Selektierens der Halbleiterchips der Kosten- und Zeitaufwand reduziert werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum
Selektieren von Halbleiterchips wird im Verfahrensschritt D) die erste Verbindung zwischen der Trägerfolie und den manchen Halbleiterchips mittels UV-Strahlung selektiv geschwächt. Insbesondere sind bei einer relativen Schwächung der ersten Verbindungen, erste Verbindungen die nicht mit UV-Strahlung bestrahlt sind im Vergleich zu ersten Verbindungen nachdem diese mit UV-Strahlung bestrahlt sind geschwächt.
Beispielsweise sind die Halbleiterchips mittels eines UV- sensitiven Verbindungsmittels stoffschlüssig mit der
Trägerfolie verbunden. Beispielsweise handelt es sich bei dem Verbindungsmittel um einen Klebstoff, welcher unter UV- Einstrahlung verändert wird, sodass der Klebstoff seine
Haltekraft verliert oder die Haltekraft zumindest reduziert wird. Zum Beispiel handelt es sich bei der Trägerfolie um das UV-sensitive Klebeband Adwill D 175 des Herstellers Lintec.
Vorteilhafterweise kann mittels gezielter Belichtung der Trägerfolie die erste Verbindung zu den zu selektierenden Chips verringert werden. Insbesondere werden Bereiche, in denen die zu selektierenden Halbleiterchips mit der
Trägerfolie stoffschlüssig verbunden sind, nur teilweise mit UV-Strahlung belichtet, sodass die erste Verbindung zwischen den zu selektierenden Halbleiterchips und der Trägerfolie jeweils nur in einem Teilbereich geschwächt ist.
Vorteilhafterweise ermöglicht die Schwächung der ersten stoffschlüssigen Verbindung zwischen den Halbleiterchips und der Trägerfolie mittels UV-Strahlung die erste Verbindung besonders präzise in vorgegebenen Bereichen zu schwächen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips wird die erste Verbindung zwischen der Trägerfolie und einer Vielzahl von
Halbleiterchips in einem einzigen Verfahrensschritt selektiv geschwächt. Beispielsweise wird die erste Verbindung mittels Belichtens mit UV-Strahlung geschwächt. Insbesondere wird zum Belichten ein UV-Laser verwendet. Bei der Verwendung eines UV-Lasers zum Belichten der Verbindungen können die ersten Verbindungen sequenziell in einem gemeinsamen
Verfahrensschritt geschwächt werden. Alternativ wird ein digitaler Spiegelchip (DMD-Chip) mit einer UV-Lichtquelle verwendet. Mittels des digitalen Spiegelchips wird die elektromagnetische Strahlung der UV-Lichtquelle selektiv auf Bereiche gerichtet, in denen die Trägerfolie stoffschlüssig mit den zu selektierenden Halbleiterchips verbunden ist. Bei der Verwendung eines digitalen Spiegelchips mit einer UV- Lichtquelle können die ersten Verbindungen in einem
gemeinsamen Prozessschritt, zeitgleich geschwächt werden. Vorteilhafterweise kann so die Stoffschlüssige Verbindung besonders zeitsparend mit hoher Auflösung in lateraler Ebene geschwächt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips wird im Verfahrensschritt D) die erste Verbindung zwischen der Trägerfolie und den
Halbleiterchips abhängig von elektro-optischen und/oder elektrischen Eigenschaften der Halbleiterchips geschwächt. Beispielsweise weisen die Halbleiterchips, deren
stoffschlüssige Verbindung zu der Trägerfolie in einem einzigen Verfahrensschritt geschwächt wird, innerhalb eines Toleranzbereichs, einen gemeinsamen Farbort auf. Insbesondere weisen die Halbleiterchips, deren Verbindung zu der
Trägerfolie in einem einzigen Verfahrensschritt geschwächt wird, innerhalb eines Toleranzbereichs, eine gleiche
Stromspannungskennlinie auf. Vorteilhafterweise werden so Halbleiterchips, die innerhalb eines vorgebbaren und
wählbaren Toleranzbereichs einen gleichen Farbort aufweisen oder gleich elektrisch angesteuert werden können, da sie gleiche elektro-optische und/oder elektrische Eigenschaften aufweisen, selektiert. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips wird im Verfahrensschritt D) die Verbindung zwischen der Trägerfolie und den
Halbleiterchips abhängig von der räumlichen Anordnung der Halbleiterchips in dem Verbund geschwächt. Beispielsweise wird die Stoffschlüssige Verbindung zwischen den
Halbleiterchips und der Trägerfolie unabhängig von den elektro-optischen und/oder elektrischen Eigenschaften der einzelnen Halbleiterchips lokal geschwächt. Beispielsweise wird die mechanische Verbindung zwischen der Trägerfolie und den Halbleiterchips in Form eines Schachbrettmusters
geschwächt. Dabei wird die mechanische Verbindung zwischen den Halbleiterchips und der Trägerfolie alternierend
geschwächt, sodass die mechanische Verbindung zwischen jedem zweiten Halbleiterchip und der Trägerfolie geschwächt ist. Insbesondere ist jeder Halbleiterchip, dessen Verbindung zu der Trägerfolie geschwächt ist, benachbart zu
Halbleiterchips, deren mechanische Verbindung zu der
Trägerfolie nicht geschwächt ist, angeordnet. Insbesondere wird mittels einer Schwächung der ersten Verbindung, abhängig von der räumlichen Anordnung der Halbeiterchips im Verbund, eine gezielte Anordnung der Halbleiterchips, die in
Verfahrensschritt E) von der Trägerfolie entfernt werden und/oder der Halbleiterchips die auf der Trägerfolie
verbleiben, erzielt. Vorteilhafterweise erleichtert eine gezielte räumliche Anordnung der Halbleiterchips deren
Weiterverarbeitung, da auf diese Weise die Abstände zwischen den Halbleiterchips in einfacher Weise vergrößert werden können.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips werden die Halbleiterchips in Verfahrensschritten E) abhängig von ihrer räumlichen
Anordnung entfernt, sodass der Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips, die auf der Trägerfolie verbleiben und/oder benachbarten Halbleiterchips, die von der Trägerfolie
entfernt werden, zumindest 50 ym, insbesondere zumindest 100 ym, beträgt. Beispielsweise weisen die Halbleiterchips in der Draufsicht auf eine Hauptfläche eine rechteckige Kontur von Kanten auf, wobei die Kanten die Hauptfläche der
Halbleiterchips in lateraler Richtung begrenzen. Die Kanten weisen eine maximale Länge von 200 ym, insbesondere von 100 ym auf. Beispielsweise wird die mechanische Verbindung zwischen den Halbleiterchips und der Trägerfolie in Form eines Schachbrettmusters geschwächt. Nach dem selektiven Entfernen der Halbleiterchips, deren mechanische Verbindung zur Trägerfolie geschwächt wurde, beträgt somit der Abstand zwischen den Halbleiterchips, welche auf der Trägerfolie verbleiben, zumindest 200 ym, insbesondere zumindest 100 ym. Vorteilhafterweise wird der Abstand zwischen den
Halbleiterchips, die auf der Trägerfolie verbleiben, so gewählt, dass die Halbleiterchips besonders einfach
weiterverarbeitet werden können. Beispielsweise kann ein Leadframe auf den auf der Trägerfolie verbleibenden
Halbleiterchips angeordnet werden, ohne dass der Leadframe einen weiteren benachbarten Halbleiterchip, welcher auf der Trägerfolie angeordnet ist, überdeckt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips wird vor dem selektiven
Schwächen der ersten Verbindung zwischen den Halbleiterchips und der Trägerfolie eine Karte erstellt, wobei die Karte die elektro-optischen und/oder elektrischen Eigenschaften der Halbleiterchips und deren Position im Verbund als Daten umfasst und die Verbindung zwischen den Halbleiterchips und der Trägerfolie abhängig von den Daten der Karte geschwächt wird. Beispielsweise findet vor dem Schwächen der ersten Verbindung zwischen den Halbleiterchips und der Trägerfolie ein Verfahrensschritt statt, bei dem die elektrischen
und/oder elektro-optischen Eigenschaften der Halbleiterchips gemessen werden. Bei diesem Verfahrensschritt werden die bei der Messung erhaltenen Eigenschaften und die Position des Halbleiterchips im Verbund einander zugeordnet.
Beispielsweise werden die Halbleiterchips zur
Charakterisierung ihrer elektro-optischen und/oder
elektrischen Eigenschaften elektrisch kontaktiert und
bestromt. Beispielsweise wird dabei eine Eigenschaft der von den Halbleiterchips emittierten elektromagnetischen Strahlung gemessen. Vorteilhafterweise ermöglicht die Verwendung einer Karte, die die elektro-optischen und/oder elektrischen
Eigenschaften der Halbleiterchips und deren Position im
Verbund als Daten umfasst, die Selektierung der
Halbleiterchips aus dem Verbund abhängig von einer
Eigenschaft, welche zuvor festgelegt wurde.
Gemäß zumindest einer ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips werden die Verfahrensschritte D) und E) mehrfach hintereinander alternierend durchgeführt. Beispielsweise werden bei mehrfacher Durchführung des
Verfahrensschritts, bei dem die mechanische Verbindung zwischen Halbleiterchips und der Trägerfolie geschwächt wird, die Verbindung zwischen den Halbleiterchips und der
Trägerfolie abhängig von unterschiedlichen Auswahlkriterien geschwächt. Insbesondere werden die Halbleiterchips bei einem ersten Durchführen der Verfahrensschritte D) und E) abhängig von einer ersten Eigenschaft selektiert und anschließend werden bei einem zweiten Durchführen die Verfahrensschritte D) und E) die Halbleiterchips abhängig von einer zweiten Eigenschaft selektiert. Vorteilhafterweise können mehrere Auswahlkriterien miteinander kombiniert werden, anhand derer die Halbleiterchips selektiert werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum
Selektieren von Halbleiterchips werden die Halbleiterchips im Verfahrensschritt E) mittels Ansaugens von der Trägerfolie entfernt. Beispielsweise werden die Halbleiterchips an eine Platte, welche eine Vielzahl von Öffnungen aufweist, durch die Luft gesaugt wird, angesaugt. Diese Platte wird auf der der Trägerfolie abgewandten Seite der Halbleiterchips angeordnet, sodass die Halbleiterchips aufgrund des
Unterdrucks in den Öffnungen der Platte an der Platte haften und mit dieser von der Trägerfolie abgehoben werden können. Beispielsweise handelt es sich bei der Platte um einen
Vakuum-Chuck .
Die Verwendung einer solchen Platte ermöglicht ein
zeitsparendes und zuverlässiges Abheben der Halbleiterchips, deren mechanische Verbindung zu der Trägerfolie geschwächt ist. Insbesondere werden mittels des Ansaugens alle
Halbleiterchips, deren mechanische Verbindungen zu der
Trägerfolie geschwächt sind, gleichzeitig von der Trägerfolie entfernt. Insbesondere ist der Unterdruck, mittels dem die Halbleiterchips an die Platte angesaugt werden einstellbar. Somit ist die Kraft mit der die Halbleiterchips von der Trägerfolie entfernt werden einstellbar. Beispielsweise kann die Kraft zwischen den Halbleiterchips und der Platte
geringer als die Haltekraft der ersten Verbindung gewählt werden. Vorteilhafterweise werden somit besonders zuverlässig ausschließlich Halbleiterchips von der Trägerfolie entfernt, deren erste Verbindung zur Trägerfolie zuvor geschwächt wurde . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips werden folgende
Verfahrensschritte innerhalb Verfahrensschritts E) zum
Entfernen der Halbleiterchips von der Trägerfolie
durchgeführt :
Anordnen einer Klebefolie auf der der Trägerfolie abgewandten Seite der Halbleiterchips, sodass die Klebefolie eine
Stoffschlüssige, mechanische zweite Verbindung mit den
Halbleiterchips eingeht, wobei
die erste Verbindung zwischen Halbleiterchips und Trägerfolie stärker als die zweite Verbindung zwischen Halbleiterchips und Klebefolie ist, wenn die erste Verbindung nicht
geschwächt wurde, und
die erste Verbindung zwischen Halbleiterchips und Trägerfolie schwächer als die zweite Stoffschlüssige Verbindung zwischen Halbleiterchips und Klebefolie ist, wenn die erste Verbindung geschwächt wurde,
- Entfernen der Klebefolie, wobei Halbleiterchips, deren erste Verbindung zu der Trägerfolie geschwächt ist, von der Trägerfolie entfernt werden.
Mittels eines derartigen Vorgehens zum selektiven Entfernen der Halbleiterchips von der Trägerfolie werden die
Halbleiterchips, welche von der Trägerfolie entfernt werden, erneut auf einer Folie, nämlich der Klebefolie, angeordnet. Die Klebefolie ist beispielsweise mit einem Polymermaterial gebildet. Insbesondere umfasst die Klebefolie ein weiteres Verbindungsmittel, mittels dem eine zweite Verbindung
zwischen den Halbleiterchips und der Klebefolie erzeugt wird. Vorteilhafterweise können die Halbleiterchips, wenn sie auf einer Folie angeordnet sind, besonders gut weiterverarbeitet werden . Weiter kann das Verfahren zum Selektieren der
Halbleiterchips, insbesondere die Verfahrensschritte D) und E) , erneut auf die nun auf der Klebefolie angeordneten
Halbleiterchips angewandt werden. Beispielsweise umfasst die Klebefolie ein weiteres Verbindungsmittel, mittels dem die Halbleiterchips und die Klebefolie über eine zweite
Verbindung miteinander verbunden werden. Insbesondere ist das weitere Verbindungsmittel UV-sensitiv, sodass die zweite Verbindung mittels Belichtens des weiteren Verbindungsmittels selektiv geschwächt werden kann. Bei der erneuten Anwendung des Verfahrens können die Halbleiterchips abhängig von einer anderen Eigenschaft als bei der ersten Durchführung des
Verfahrens selektiert werden. Beispielsweise können zunächst Halbleiterchips abhängig von ihrer Position im Verbund mittels einer Klebefolie von der Trägerfolie entfernt werden. Anschließend können die Halbleiterchips mittels einer
weiteren Klebefolie oder einer Platte mit Öffnungen, abhängig von ihren elektrischen und/oder optoelektronischen
Eigenschaften, von der Klebefolie entfernt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips wird der Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips mittels Dehnens der Trägerfolie und/oder der Klebefolie vergrößert. Beispielsweise werden die Trägerfolie und/oder die Klebefolie in ihrer
Haupterstreckungsebene in zumindest einer Richtung gedehnt, sodass der Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips vergrößert wird. Beispielsweise erleichtert dies die
Anordnung eines Kontaktelements, zum Beispiel einer Elektrode oder eines Leadframes auf den einzelnen Halbleiterchips, ohne dass das Kontaktelement weitere benachbarte Halbleiterchips überdeckt. Darüber hinaus kann durch das Dehnen der Trägerfolie oder der Klebefolie die erste und/oder die zweite Verbindung geschwächt werden, sodass die Halbleiterchips vereinfach von der Trägerfolie und/oder der Trägerfolie abgelöst werden können. Vorteilhafterweise vereinfacht eine Vergrößerung des Abstands zwischen benachbarten
Halbleiterchips die Weiterverarbeitung der Halbleiterchips.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen des Verfahrens zum Selektieren von
Halbleiterchips ergeben sich aus den folgenden, im
Zusammenhang mit den Figuren dargestellten
Ausführungsbeispielen .
Es zeigt die Figur 1A eine Draufsicht auf einen Verbund 10 von Halbleiterchips 100 welche bei dem Verfahren zum
Selektieren von Halbleiterchips bereitgestellt wird.
Es zeigen die Figuren 1B, IC, 1D, IE, 2A, 2B, 3A und 3B Verfahrensschritte von Ausführungsbeispielen eines hier beschriebenen Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips anhand einer schematischen Schnittdarstellung der
prozessierten Halbleiterchips 100.
Es zeigen die Figuren 4, 5A und 5B eine schematische Draufsicht auf eine Vielzahl von Halbleiterchips 100, auf die Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips angewandt werden.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Die Figur 1A zeigt eine schematische Draufsicht eines
Verbunds 10 von Halbleiterchips 100, welcher bei dem
Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips in einem
Verfahrensschritt A) bereitgestellt wird gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels. Der Verbund 10 umfasst beispielsweise ein Substrat, auf dem die Halbleiterchips 100, beispielsweise in einem Epitaxieverfahren, hergestellt sind. Alternativ kann der Verbund 10 von Halbleiterchips 100 einen elektrisch leitenden Träger umfassen, auf dem die Halbleiterchips 100 angeordnet sind, wobei das Substrat auf dem die
Halbleiterchips 100 hergestellt sind entfernt wurde. Die Halbleiterchips 100 sind in einer gemeinsamen lateralen Ebene beabstandet zueinander angeordnet. Beispielsweise sind die Halbleiterchips 100 an den Gitterpunkten eines regelmäßigen rechteckigen Gitters in einer Ebene angeordnet. Die Figur 1B zeigt eine schematische Schnittansicht des
Verbunds 10 von Halbleiterchips 100 aus Figur 1A gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels. Die gestrichelte Linie AA in Figur 1A markiert eine Schnittebene, entlang welcher die folgenden Schnittansichten dargestellt sind. Die
Halbleiterchips sind mechanisch fest miteinander verbunden.
Beispielsweise umfassen die Halbleiterchips einen gemeinsamen Halbleiterschichtenstapel, über welchen die Halbleiterchips mechanisch miteinander verbunden sind. Insbesondere ist der Halbleiterschichtenstapel zum Empfang oder zur Emission elektromagnetischer Strahlung eingerichtet.
Die Figur IC zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung den Verbund 10 von Halbleiterchips 100 aus Figur 1B bei der Durchführung eines Verfahrensschritts B) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines ersten
Ausführungsbeispiels. In diesem Verfahrensschritt wird eine Trägerfolie 500 auf einer Hauptfläche der Halbleiterchips 100, welche sich im Verbund 10 befinden, angeordnet. Mittels eines Verbindungsmittels 501 wird eine erste Verbindung erzeugt, welche den Verbund 10 von Halbleiterchips 100
Stoffschlüssig mechanisch fest mit der Trägerfolie 500 verbindet. Bei der Trägerfolie handelt es sich beispielsweise um eine Polymerfolie, welche für elektromagnetische
Strahlung, insbesondere UV-Strahlung, zumindest teilweise transparent ist. Das Verbindungsmittel 501 steht in direktem Kontakt zu dem Verbund 10 und der Trägerfolie 500. Die Figur 1D zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung die Halbleiterchips 100 aus Figur IC nach der Durchführung eines Verfahrensschritts C) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines ersten
Ausführungsbeispiels. Bei dem Verfahrensschritt wurden die Halbleiterchips 100 vereinzelt. Bei dem Vereinzeln wurde der Verbund 10 der Halbleiterchips 100 entlang der Trennlinie T durchtrennt. Insbesondere ist der Verbund 10 entlang der Trennlinien T vollständig durchtrennt. Beispielsweise sind die Halbleiterchips 100 mittels eines Sägeprozesses und/oder eines Ätzprozesses vereinzelt. Die vereinzelten
Halbleiterchips 100 sind über die Trägerfolie 500 mechanisch miteinander gekoppelt. Insbesondere sind die Halbleiterchips 100 ausschließlich über die Trägerfolie 500 miteinander mechanisch verbunden.
Die Figur IE zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung die Hableiterchips 100 aus Figur 1D bei der Durchführung eines Verfahrensschritts D) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines ersten
Ausführungsbeispiels. In dem Verfahrensschritt wird die
Schicht des Verbindungsmittels 501 von der den
Halbleiterchips 100 abgewandten Seite der Trägerfolie 500 mit elektromagnetischer Strahlung L bestrahlt. Insbesondere werden nur ausgewählte Bereiche des Verbindungsmittels 501 von der den Halbleiterchips abgewandten Seite her bestrahlt. Beispielsweise wird zum Bestrahlen des Verbindungsmittels 501 Laserstrahlung auf die zu bestrahlenden Bereiche gerichtet. Alternativ wird ein Spiegel-Array (Englisch auch „Digital Mirror Device") verwendet, um die elektromagnetische
Strahlung L gezielt auf Bereiche des Verbindungsmittels 501 zu richten. Insbesondere umfasst die elektromagnetische
Strahlung L UV-Strahlung.
In belichteten Bereichen 502, in denen das Verbindungsmittel 501 mit elektromagnetischer Strahlung L belichtet wurde, ist die erste Verbindung zwischen Halbleiterchips 100 und
Trägerfolie 500 geschwächt. In den belichteten Bereichen 502 ist die erste Verbindung schwächer als in Bereichen des
Verbindungsmittels 501, in denen das Verbindungsmittel 501 nicht belichtet wurde. Insbesondere kann die erste Verbindung zwischen der Trägerfolie 500 und den Halbleiterchips 100 in den belichteten Bereichen 502 derart geschwächt sein, dass die erste Verbindung vollständig gelöst ist.
Die Figur 2A zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung die Hableiterchips 100 aus Figur IE bei der Durchführung eines Verfahrensschritts E) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines ersten
Ausführungsbeispiels. Auf der der Trägerfolie 500 abgewandten Seite der Halbleiterchips 100 ist eine Platte 200 (Englisch auch „Chuck") angeordnet. Die Platte 200 umfasst eine Vielzahl von Öffnungen 201, welche an der den Halbleiterchips 100 zugewandten Fläche der Platte 200 angeordnet sind. In den Öffnungen 201 wird beispielsweise mittels einer an die
Öffnungen angeschlossenen Vakuumpumpe ein Unterdruck erzeugt. Somit werden die Halbleiterchips 100 an die Platte angesaugt. Dabei kann durch einstellen des Unterdrucks in den Öffnungen 201 die Kraft, mit der die Halbleiterchips 100 an die Platte 200 angesaugt werden, gezielt gewählt werden. Die Figur 2B zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung die Hableiterchips 100 aus Figur 2A bei der Durchführung eines Verfahrensschritts E) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines ersten
Ausführungsbeispiels. Die Trägerfolie 500 und die Platte 200 werden entlang einer Richtung R, welche senkrecht zur
lateralen Ebene verläuft, auseinander gezogen. Die Kraft, mit der die Halbleiterchips 100 an die Platte 200 angesaugt werden, ist größer als die Haltekraft der ersten Verbindung in den belichteten Bereichen 502. Die Kraft, mit der die Halbleiterchips 100 an die Platte 200 angesaugt werden, ist geringer als die Haltekraft der ersten Verbindung, in
Bereichen in denen diese nicht geschwächt wurde. Somit verbleiben Halbleiterchips 100, welche in belichteten
Bereichen 502 angeordnet sind auf der Platte 200.
Halbleiterchips 100, welche in nicht belichteten Bereichen des Verbindungsmittels 501 angeordnet sind, verbleiben auf der Trägerfolie 500. Somit wurden Halbleiterchips 100 gezielt selektiert . Die Figur 3A zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung die Hableiterchips 100 aus Figur IE bei der Durchführung eines Verfahrensschritts E) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels. Insbesondere Zeigen die Figuren 3A und 3B alternative Verfahrensschritte zu den in den Figuren 2A und 2B gezeigten Verfahrensschritten. Auf der der Trägerfolie 500 abgewandten Seite der Halbleiterchips 100 ist eine
Klebefolie 550 angeordnet. Die Klebefolie 550 umfasst ein weiteres Verbindungsmittel 551, welches über eine zweite Verbindung stoffschlüssig mit den Halbleiterchips 100 verbunden ist. Insbesondere ist die Klebefolie 550 über die zweite Verbindung mit jedem Halbleiterchip 100 stoffschlüssig verbunden. Beispielsweise handelt es sich bei der Klebefolie um eine Polymerfolie, auf welcher das weitere
Verbindungsmittel 551 angeordnet ist.
Die Figur 3B zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung die Hableiterchips 100 aus Figur 3A bei der Durchführung eines Verfahrensschritts E) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines zweiten
Ausführungsbeispiels. Bei diesem Verfahrensschritt werden die Klebefolie 550 und die Trägerfolie 500 entlang einer Richtung R auseinander gezogen. Die Richtung R verläuft dabei
beispielsweise senkrecht zu der lateralen Ebene. Die
Haltekraft der zweiten Verbindung, zwischen den
Halbleiterchips 100 und der Klebefolie 550, ist größer als die Haltekraft der ersten Verbindung in den belichteten
Bereichen 502. Die Haltekraft der zweiten Verbindung ist geringer als die Haltekraft der ersten Verbindung, in
Bereichen in denen das Verbindungmittel 501 nicht mit elektromagnetischer Strahlung L belichtet wurde.
Halbleiterchips 100, welche in belichteten Bereichen 502 angeordnet waren, verbleiben nach dem Trennen der Trägerfolie 500 und der Klebefolie 550 auf der Klebefolie 550.
Halbleiterchips 100, welche in nicht belichteten Bereichen des Verbindungsmittels 501 angeordnet waren, verbleiben nach dem Trennen der Trägerfolie 500 und der Klebefolie 550 auf der Trägerfolie 500. Somit wurden Halbleiterchips 100 gezielt selektiert .
Die Figur 4 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine
Vielzahl von Halbleiterchips 100 nach der Durchführung des Verfahrensschritts D) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines dritten Ausführungsbeispiels. Die Halbleiterchips 100 sind auf einer Trägerfolie 500 angeordnet. Die Trägerfolie 500 wurde in vorgegebenen
Bereichen 502 selektiv mit elektromagnetischer Strahlung L belichtet, sodass die erste Verbindung zwischen der
Trägerfolie 500 und den Halbleiterchips 100 geschwächt ist. In diesem Ausführungsbeispiel ist die erste Verbindung zwischen der Trägerfolie 500 und im Bereich 502 der zwölf zentral angeordneten Halbleiterchips 100 selektiv geschwächt. Manche Halbleiterchips 100 sind in Bereichen angeordnet, in denen die Verbindungsmittelschicht 501 nicht mit
elektromagnetischer Strahlung L belichtet wurde und somit die erste Verbindung nicht geschwächt wurde. Beispielsweise kann in einem vorhergehenden Verfahrensschritt eine Karte erstellt worden sein, wobei die Karte die elektro-optischen und/oder elektrischen Eigenschaften der Halbleiterchips und deren Position im Verbund als Daten umfasst. So kann abhängig von den Daten der Karte die Verbindung zwischen den
Halbleiterchips 100 und der Trägerfolie 500 selektiv
geschwächt sein. Insbesondere kann das Auswahlkriterium, aufgrund dessen die erste Verbindung zwischen Halbleiterchips 100 und Trägerfolie 500 geschwächt ist, die Position der Halbleiterchips 100 innerhalb des Verbunds 10 sein.
Die Figur 5A zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Vielzahl von Halbleiterchips 100 nach der Durchführung des Verfahrensschritts D) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines vierten Ausführungsbeispiels. Die Figur 5A zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Trägerfolie 500, auf welcher eine Vielzahl von
Halbleiterchips 100 angeordnet sind. In diesem
Ausführungsbeispiel ist die erste Verbindung zwischen den Halbleiterchips 100 und der Trägerfolie 500 in Form eines Schachbrettmusters geschwächt. Mit anderen Worten, entlang der lateralen Ebene ist, entlang der Gitterlinien eines
Rechteckgitters, in zwei senkrecht zueinander stehenden
Richtungen die mechanische Verbindung zwischen den
Halbleiterchips 100 und der Trägerfolie 500 alternierend geschwächt. Beispielsweise ist die erste Verbindung mittels Belichtung des Verbindungsmittels 501 geschwächt. Jeder
Halbleiterchip 100, welcher in einem belichteten Bereich 502 angeordnet ist, in dem die erste Verbindung zu der
Trägerfolie 500 geschwächt wurde, ist in lateraler Richtung benachbart zu Halbleiterchips 100 angeordnet, deren erste Verbindung zu der Trägerfolie 500 nicht geschwächt wurde. Die Figur 5B zeigt eine schematische Draufsicht auf eine
Vielzahl von Halbleiterchips 100 nach der Durchführung des Verfahrensschritts E) des Verfahrens zum Selektieren von Halbleiterchips 100 gemäß eines vierten Ausführungsbeispiels. Insbesondere zeigt die Figur 5B die Draufsicht auf die
Halbleiterchips aus der Figur 5A, wobei manche der
Halbleiterchips 100 mittels der Klebefolie 550 von der
Trägerfolie 500 entfernt wurden. Insbesondere wurden die manchen Halbleiterchips 100 mittels des in den Figuren 3A und 3B dargestellten Verfahrens von der Trägerfolie 500 auf die Klebefolie 550 übertragen.
Beispielsweise sind die Halbleiterchips 100 auf der
Trägerfolie 500 und auf der Klebefolie 550 abhängig von ihrer räumlichen Anordnung selektiert worden. Insbesondere sind die Halbleiterchips 100 derart selektiert worden, dass der
Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips 100, die auf der Trägerfolie 500 verbleiben, und/oder benachbarten
Halbleiterchips 100, die nach dem Verfahrensschritt E) auf der Klebefolie 550 angeordnet sind, zumindest 200 ym beträgt. Insbesondere können die Klebefolie 550 und/oder die
Trägerfolie 500 entlang ihrer Haupterstreckungsrichtung gedehnt werden, sodass in lateraler Richtung der Abstand zwischen den Halbleiterchips 100, welche auf der jeweiligen Folie angeordnet sind, vergrößert wird. Vorteilhafterweise können somit einzelne Halbleiterchips 100 vereinfacht
weiterverarbeitet werden. Insbesondere können die Verfahrensschritte D) und E) mehrfach hintereinander durchgeführt werden. Beispielsweise werden die Halbleiterchips 100, die nach dem durchführen des
Verfahrensschritts E) gemäß des zweiten Ausführungsbeispiels mechanisch fest mit der Trägerfolie 500 oder der Klebefolie 550 verbunden sind, erneut in einem Verfahrensschritt D) selektiv von der Trägerfolie 550 oder der Klebefolie gelöst. Insbesondere werden die Halbleiterchips 100 bei einem zweiten Selektieren anhand eines Auswahlkriteriums selektiert, welches unterschiedlich von dem Auswahlkriterium bei dem ersten Durchführen der Verfahrensschritte D) und E) ist.
Diese Auswahlkriterien können beispielsweise elektrische und/oder elektro-optische Eigenschaften des Halbleiterchips 100 sein. Beispielsweise können die Halbleiterchips 100, welche zur Emission elektromagnetischer Strahlung
eingerichtet sind, abhängig von dem Farbort des emittierten Lichts selektiert werden. Alternativ können die
Halbleiterchips 100 abhängig von ihrer Stromspannungskennlinie selektiert werden. Insbesondere können Halbleiterchips 100, die zur Detektion
elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sind, abhängig von ihrer Empfindlichkeit auf elektromagnetische Strahlung bestimmter Wellenlängenbereiche selektiert werden.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102017101536.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
10 Verbund
100 Halbleiterchip
200 Platte
201 Öffnung
500 Trägerfolie
501 Verbindungsmittel
502 geschwächter Bereich
550 Klebefolie
551 weiteres Verbindungsmittel
L elektromagnetische Strahlung
R Richtung
T Trennlinie

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips (100), bei dem
A) die Halbleiterchips (100) in einem Verbund (10) bereitgestellt werden,
B) eine Stoffschlüssige, mechanische erste Verbindung zwischen den Halbleiterchips (100) und einer
Trägerfolie (500) erzeugt wird,
C) die Halbleiterchips (100) vereinzelt werden, wobei die Trägerfolie (500) die Halbleiterchips (100) nach dem Vereinzeln mechanisch miteinander verbindet,
D) die erste Verbindung zwischen manchen vereinzelten Halbleiterchips (100) und der Trägerfolie (500) abhängig von elektrooptischen und/oder elektrischen
Eigenschaften der Halbleiterchips (100) selektiv geschwächt wird, und
E) die Halbleiterchips (100), deren erste Verbindung selektiv geschwächt ist, von der Trägerfolie (500) entfernt werden.
2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem im Verfahrensschritt D) die erste Verbindung zwischen der Trägerfolie (500) und den Halbleiterchips (100) mittels UV-Strahlung selektiv geschwächt wird.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Verfahrensschritt D) die erste Verbindung zwischen der Trägerfolie (500) und einer Vielzahl von Halbleiterchips (100) in einem einzigen
Verfahrensschritt selektiv geschwächt wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Verfahrensschritt D) die erste Verbindung zwischen der Trägerfolie (500) und den Halbleiterchips (100), abhängig von der räumlichen Anordnung der
Halbleiterchips (100) in dem Verbund (10), geschwächt wird .
5. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Halbleiterchips (100) in Verfahrensschritt E) abhängig von ihrer räumlichen Anordnung entfernt werden, sodass der Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips (100) die auf der Trägerfolie (500) verbleiben und/oder benachbarten Halbleiterchips (100) die von der
Trägerfolie (500) entfernt werden, zumindest 200 ym beträgt .
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem vor dem Verfahrensschritt D) , zum selektiven
Schwächen der ersten Verbindungen zwischen den
Halbleiterchips (100) und der Trägerfolie (500), eine Karte erstellt wird, wobei
die Karte die elektrooptischen und/oder elektrischen Eigenschaften der Halbleiterchips und deren Position im Verbund als Daten umfasst, und
die ersten Verbindungen zwischen den Halbleiterchips (100) und der Trägerfolie (500) abhängig von den Daten der Karte geschwächt werden.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Verfahrensschritte D) und E) mehrfach
hintereinander alternierend durchgeführt werden. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in Verfahrensschritt E) die Halbleiterchips (100) mittels Ansaugens von der Trägerfolie (500) entfernt werden .
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem innerhalb des Verfahrensschritts E) zum Entfernen der Halbleiterchips (100) von der Trägerfolie (500) folgende Verfahrensschritte durchgeführt werden:
- Anordnen einer Klebefolie (550) auf der der
Trägerfolie (500) abgewandten Seite der Halbleiterchips (100), sodass die Klebefolie (550) eine
Stoffschlüssige, mechanische zweite Verbindung mit den Halbleiterchips (100) eingeht, wobei
die erste Verbindung zwischen Halbleiterchips (100) und
Trägerfolie (500) stärker als die zweite Verbindung zwischen Halbleiterchips und Klebefolie (550) ist, wenn die erste Verbindung nicht geschwächt wurde, und die erste Verbindung zwischen Halbleiterchips (100) und
Trägerfolie (500) schwächer als die zweite
Stoffschlüssige Verbindung zwischen Halbleiterchips und
Klebefolie ist, wenn die erste Verbindung geschwächt wurde,
- Entfernen der Klebefolie (550), wobei Halbleiterchips (100), deren erste Verbindung zu der Trägerfolie (500) geschwächt ist, von der Trägerfolie (500) entfernt werden .
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips (100) mittels Dehnens der Trägerfolie und/oder der Klebefolie vergrößert wird.
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