WO2018069595A1 - Four vertical avec dispositif de piégeage de contaminants - Google Patents

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WO2018069595A1
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central
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Didier Landru
Oleg Kononchuk
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Soitec SA
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • B01D39/02Loose filtering material, e.g. loose fibres
    • B01D39/06Inorganic material, e.g. asbestos fibres, glass beads or fibres

Definitions

  • the present invention relates to a vertical furnace. It relates in particular to a vertical furnace provided with a device for trapping all or part of the contaminants present in the new gases injected during the heat treatments.
  • Silicon or silicon on insulator (SOI) substrates are widely used for the fabrication of microelectronic devices.
  • a substrate comprises a useful layer of silicon and a buried oxide, arranged on a support substrate.
  • SOI silicon on insulator
  • heat treatments at high temperatures are applied, in particular to consolidate the bonding interface or to finish the useful layer of silicon and the buried oxide.
  • a thermal annealing step at about 1200 ° C under an inert atmosphere may be used for the thermal smoothing of the useful layer to achieve the required surface roughness level, typically ⁇ 0.2 nm RMS.
  • An object of the invention is a vertical furnace for limiting the presence of contaminants in the new gas coming into contact with the plurality of substrates to be treated.
  • the present invention relates to a vertical furnace comprising:
  • a new gas inlet channel disposed at an upper end of the enclosure
  • the loading column comprising an upper part, and a central part for supporting a plurality of substrates
  • the vertical furnace is remarkable in that it further comprises a trapping device formed of at least one material capable of trapping all or part of the contaminants present in the new gas.
  • the trapping device includes a circular part arranged on the upper part of the loading column, the circular part comprising fins regularly distributed over an upper surface of the circular part, to increase the contact surface of the trapping device with the gas new.
  • the circular piece also comprises a central opening whose diameter represents 20% to 50% of the diameter of said circular piece.
  • the trapping device comprises a plurality of screens, held in the upper part of the column of loading, above the locations of the central portion for supporting the substrates.
  • the fins are substantially vertical;
  • All or part of the screens arranged between the screen placed in the upper position and a screen placed in the lower position, each comprise a central orifice whose diameter is smaller than that of the orifice of the neighboring screen placed above;
  • the screen placed in the upper position comprises vertical elements, placed around the central orifice;
  • the trapping device is removable when the loading column is in a position for unloading the substrates, outside the enclosure;
  • the trapping device is composed of silicon.
  • Figure 1 shows a mapping of "haze" of a substrate having peripheral roughness areas
  • Figures 2a and 2b show a vertical furnace of the state of the art
  • Figures 3a, 3b, 3c and 3d show a first embodiment of a trapping device for a vertical furnace according to the invention
  • Figures 4a, 4b, 4c and 4d show a second embodiment of a trapping device for a vertical furnace according to the invention
  • Figures 5a and 5b show a third embodiment of a trapping device for a vertical furnace according to the invention.
  • a vertical furnace 1 comprises an enclosure 2 intended to receive a loading column 3 (FIG. 2). It also comprises the loading column 3 of which a central portion 3a is configured to support a plurality of substrates 10. This central portion 3a is located in the chamber 2, in a central zone where the regulation of the heating elements 4 of the oven 1 ensures a good homogeneity of temperature.
  • the loading column 3 also comprises an upper portion 3b and a lower portion 3c, in which there is no substrate.
  • the upper part 3b comprises an upper plane element 30; it may also comprise locations 31, under the upper plane element 30, substantially identical to the locations in which the substrates 10 are supported in the central part 3a of the loading column 3.
  • the vertical furnace 1 comprises a new gas inlet channel 5, disposed at an upper end of the enclosure 2, and an outlet channel 6 of gas, disposed at a lower end of the enclosure 2.
  • the vertical furnace 1 also comprises a trapping device 100 disposed on the upper part 3b of the loading column 3.
  • the trapping device 100 is thus placed as close as possible the arrival of new gas and does not impinge on the central portion 3a of the loading column 3, in which are the substrates 10 to be treated.
  • the trapping device 100 is formed of at least one material capable of trapping all or part of the contaminants present in the new gas.
  • the trapping device 100 is composed of silicon, the silicon being highly reactive, at high temperatures with the contaminant gases contained in the new gas.
  • the material of the trapping device 100 may consist of silicon, silicon carbide, monocrystalline, polycrystalline or amorphous, without this being limiting.
  • the trapping device 100 includes a circular part 101,111 disposed on the upper part 3b of the loading column 3, the circular part 101,111 comprising fins 102,112b, regularly distributed over an upper surface of the circular part 101,111, to increase the surface of the contact of the trapping device 100 with the new gas.
  • the trapping device 100 is removable when the loading column 3 is in a position of unloading the substrates 10, outside the the enclosure 2. This allows the change and potential cleaning of the device 100 when it is loaded with contaminants.
  • the change of the device 100 can be defined according to the number of treatments performed in the oven 1.
  • the trapping device 100 comprises a circular piece 101 disposed on the upper part 3b of the loading column 3 (FIG. 3a).
  • the circular part 101 is disposed on the upper plane element 30.
  • the fins 102 on the circular part 101 are substantially vertical, regularly distributed over the upper surface of the circular part 101.
  • their purpose is to increase the contact surface of the device trapping 100 with the new gas, and thus to promote the trapping of contaminating gases it contains.
  • the shape of the fins 102 and their arrangement may also be chosen to promote a homogeneous flow of the new gas to the walls of the chamber 2.
  • a central region 103 of the circular part 101 is devoid fins 102: this is the area in which the inlet channel 5 injects the new gas.
  • the shape of the fins 102 favors the uniformization of the flow of new gas towards the periphery of the circular part 101, and thus towards the walls of the enclosure 2.
  • the circular piece 101 also comprises a bulge 104 on its face opposite to the face comprising the fins 102.
  • This bulge 104 is configured to cooperate with the upper planar element 30 of the loading column 3, allowing precise centering and a mechanical holding of the trapping device 100 on the loading column 3.
  • the circular piece 101 may comprise a central opening, in the central region 103.
  • the central opening has a diameter representing between 20% and 50% of the diameter of the circular piece 101 ( Figure 3c).
  • the trapping device 100 advantageously comprises a plurality of screens 105, maintained in the upper part 3b of the loading column 3, above the locations of the central part 3a intended to support the substrates 10 (FIG. 3d ).
  • the circular part 101, the fins 102 and the screens 105 are all formed of material capable of trapping the contaminants present in the new gas: this configuration of the trapping device 100 makes it possible to further increase its contact surface with the new gas.
  • the trapping device 100 also comprises the circular part 111 disposed on the upper planar element 30 of the loading column 3 (FIG. 4a).
  • the circular part 111 comprises rectilinear housings 112a, distributed on the upper surface of the circular part 111.
  • the housings 112a are configured to receive fins 112b; the latter are removable and can be individually replaced, independently of the circular part 111.
  • the latter are intended to increase the contact surface of the trapping device 100 with the new gas, and so to promote the trapping of the contaminating gases that it contains.
  • the shape of the fins 112b and their arrangement may also be chosen to promote a homogeneous flow of the new gas to the walls of the chamber 2.
  • a central region 113 of the circular part 111 is devoid of fins 112b: this is the area in which the inlet channel 5 injects the new gas.
  • the shape and orientation of the fins 112b promotes the uniformization of the flow of new gas to the peripheral of the circular part 111, and thus towards the walls of the enclosure 2.
  • the circular part 111 also has a bulge on its face opposite to the face comprising the fins 112b. This bulge is configured to cooperate with the upper plane element 30 of the loading column 3, allowing precise centering and mechanical resistance of the trapping device 100 on the loading column 3.
  • the circular piece 111 may comprise a central opening in the central region 113 and whose diameter represents 20% to 50% of the diameter of the circular piece 111 ( Figure 4c).
  • the trapping device 100 advantageously comprises a plurality of screens 115, maintained in the upper part 3b of the loading column 3, above the locations of the central part 3a intended to support the substrates 10, as illustrated. in Figure 4d; in this figure, the fins 112b are not shown to allow visualization of the central opening in the circular part 111.
  • the circular part 111, the fins 112b and the screens 115 are all formed of material capable of trapping the contaminants present in the new gas: this configuration of the trapping device 100 allows to further increase its contact surface with the new gas.
  • the trapping device 100 may comprise one or the other of the circular parts 101, 111, disposed on the upper planar element 30, the circular part 101, 111 provided with the fins (102, 112) may present all or some of the other characteristics described in the first or second mode of realization.
  • the trapping device 100 also comprises a plurality of screens 125, maintained in the upper part 3b of the loading column 3, above the locations of the central part 3a intended to support the substrates 10.
  • the circular part 101,111 comprises a central opening and at least the screen 125a placed in the upper position, has a central orifice.
  • all or part of the screens 125 arranged between the screen placed in the upper position 125a and a screen placed in the lower position 125b, each comprise a central orifice whose diameter is smaller than that of the orifice of the neighboring screen placed above.
  • the screen placed in the upper position 125b comprises vertical elements 126, placed around the central orifice ( Figure 5b).
  • the role of these vertical elements is to channel the flow of gas arriving from the inlet channel 5 through the central opening of the circular part 101, 111 or through the orifice of the upper planar element 30 of the loading column. 3, and to promote its progressive distribution between the screens 125.

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Abstract

L'invention concerne un four vertical comprenant : • une enceinte destinée à recevoir une colonne de chargement (3), • une voie d'entrée de gaz neuf, disposée à une extrémité supérieure de l'enceinte, • la colonne de chargement (3) comprenant une partie supérieure (3b), et une partie centrale (3a) pour supporter une pluralité de substrats, Le four vertical est remarquable en ce qu'il comprend en outre un dispositif de piégeage (100) formé d'au moins un matériau apte à piéger tout ou partie des contaminants présents dans le gaz neuf; le dispositif de piégeage (100) inclut une pièce circulaire (101) disposée sur la partie supérieure (3b) de la colonne de chargement (3), la pièce circulaire (101) comprenant des ailettes (102), régulièrement réparties sur une surface supérieure de la pièce circulaire (101), pour augmenter la surface de contact du dispositif de piégeage (100) avec le gaz neuf.

Description

FOUR VERTICAL AVEC DISPOSITIF DE PIEGEAGE DE CONTAMINANTS
DOMAINE DE L' INVENTION
La présente invention concerne un four vertical. Elle concerne en particulier un four vertical muni d'un dispositif de piégeage de tout ou partie des contaminants présents dans les gaz neufs injectés pendant les traitements thermiques.
ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L' INVENTION
Les substrats de silicium ou de silicium sur isolant (SOI pour « Silicon on Insulator ») sont largement utilisés pour la fabrication de dispositifs microélectroniques. Comme cela est bien connu en soi, un tel substrat comporte une couche utile de silicium et un oxyde enterré, disposés sur un substrat support. Pour permettre une intégration toujours plus importante de transistors sur ces substrats, la diminution des dimensions latérales des composants élémentaires et la finesse de gravure requièrent des substrats d'une qualité croissante, tant en terme de qualité cristalline que d'uniformité de couches .
Pour l'élaboration d'un substrat SOI, des traitements thermiques à hautes températures sont appliqués, notamment pour consolider l'interface de collage ou réaliser la finition de la couche utile de silicium et de l'oxyde enterré. En particulier, une étape de recuit thermique à environ 1200°C, sous atmosphère inerte peut être utilisée pour le lissage thermique de la couche utile afin d'atteindre le niveau de rugosité de surface requis, typiquement < 0,2nm RMS .
Dans la physique du lissage thermique, les gaz présents à la surface des substrats jouent un rôle très important. A hautes températures, l'oxygène réagit instantanément avec le silicium, empêchant le lissage et causant une sur-gravure de surface. Un taux très faible d'oxygène (<10 ppm) doit donc être maintenu lors de l'étape de lissage pour obtenir le niveau requis de rugosité de surface. Les autres gaz tels que N2, H20, CO, CO2 ont des effets similaires ; on parle de gaz contaminants .
Or, le flux entrant de gaz inerte, à base d'argon, contient toujours une faible quantité de gaz contaminants. Ces derniers réagissent au contact des substrats, plus particulièrement sur leurs bords ; les substrats situés dans le four à proximité de l'entrée de gaz neuf sont habituellement les plus impactés, et présentent des zones de rugosité élevée en bords. Ces zones de rugosité périphériques (ZR) sont clairement visibles sur les cartographies (figure 1) issues de mesure de « haze » selon la terminologie anglo- saxonne répandue. Le « haze », mesuré en ppm, est issu d'une méthode utilisant les propriétés de réflectivité optique de la surface à caractériser, et correspond à un signal optique diffusé par la surface, en raison de sa microrugosité.
Ces zones périphériques de rugosité élevée conduisent à des non uniformités d'épaisseur de la couche utile finale du substrat SOI incompatibles avec les applications visées. II n'existe pas de solution simple pour purifier à des niveaux suffisants le flux de gaz neuf entrant, le lissage de la surface des substrats SOI étant extrêmement sensible à la présence même infime de gaz contaminants. Les solutions de l'état de l'art (par exemple, US2005/0053535) , les filtres du commerce ou les purificateurs chauds capables de descendre les concentrations de contaminants en-dessous du ppt, ne permettent pas la suppression totale des zones de rugosité élevée en périphérie de substrats situés dans la partie supérieure de l'enceinte. OBJET DE L' INVENTION
La présente invention vise à pallier tout ou partie des inconvénients de l'état de la technique. Un objet de l'invention est un four vertical permettant de limiter la présence de contaminants dans le gaz neuf venant en contact de la pluralité de substrats à traiter.
BREVE DESCRIPTION DE L' INVENTION
La présente invention concerne un four vertical comprenant :
· une enceinte destinée à recevoir une colonne de chargement,
• une voie d'entrée de gaz neuf, disposée à une extrémité supérieure de l'enceinte,
• la colonne de chargement comprenant une partie supérieure, et une partie centrale pour supporter une pluralité de substrats,
Le four vertical est remarquable en ce qu' il comprend en outre un dispositif de piégeage formé d'au moins un matériau apte à piéger tout ou partie des contaminants présents dans le gaz neuf. Le dispositif de piégeage inclut une pièce circulaire disposée sur la partie supérieure de la colonne de chargement, la pièce circulaire comprenant des ailettes, régulièrement réparties sur une surface supérieure de la pièce circulaire, pour augmenter la surface de contact du dispositif de piégeage avec le gaz neuf. La pièce circulaire comprend également une ouverture centrale dont le diamètre représente 20% à 50% du diamètre de ladite pièce circulaire.
Enfin, le dispositif de piégeage comprend une pluralité d'écrans, maintenus dans la partie supérieure de la colonne de chargement, au-dessus des emplacements de la partie centrale destinés à supporter les substrats.
Selon des caractéristiques avantageuses de l'invention, prises seules ou en combinaison :
• les ailettes sont sensiblement verticales ;
• les ailettes sont amovibles ;
• au moins l'écran placé en position supérieure, comporte un orifice central ;
· tout ou partie des écrans, disposés entre l'écran placé en position supérieure et un écran placé en position inférieure, comportent chacun un orifice central dont le diamètre est inférieur à celui de l'orifice de l'écran voisin placé au-dessus ;
· l'écran placé en position supérieure comprend des éléments verticaux, placés autour de l'orifice central ;
• le dispositif de piégeage est amovible lorsque la colonne de chargement est dans une position de déchargement des substrats, à l'extérieur de l'enceinte ;
· le dispositif de piégeage est composé de silicium.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles :
la figure 1 présente une cartographie de « haze » d'un substrat comportant des zones de rugosité périphériques ;
les figures 2a et 2b présentent un four vertical de l'état de la technique ; les figures 3a, 3b, 3c et 3d présentent un premier mode de réalisation d'un dispositif de piégeage pour un four vertical conforme à l'invention ;
les figures 4a, 4b, 4c et 4d présentent un deuxième mode de réalisation d'un dispositif de piégeage pour un four vertical conforme à l'invention ;
les figures 5a et 5b présentent un troisième mode de réalisation d'un dispositif de piégeage pour un four vertical conforme à l'invention.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L' INVENTION
Dans la partie descriptive, les mêmes références sur les figures pourront être utilisées pour des éléments de même nature .
L' invention concerne un équipement de traitement thermique et en particulier, un four de structure verticale. Comme bien connu dans l'état de l'art, un four vertical 1 comprend une enceinte 2 destinée à recevoir une colonne de chargement 3 (figure 2) . Il comprend également la colonne de chargement 3 dont une partie centrale 3a est configurée pour supporter une pluralité de substrats 10. Cette partie centrale 3a se situe, dans l'enceinte 2, dans une zone centrale où la régulation des éléments chauffants 4 du four 1 assure une bonne homogénéité de température. La colonne de chargement 3 comporte également une partie supérieure 3b et une partie inférieure 3c, dans lesquelles on ne trouve pas de substrat. La partie supérieure 3b comporte un élément plan supérieur 30 ; elle peut également comporter des emplacements 31, sous l'élément plan supérieur 30, sensiblement identiques aux emplacements dans lesquels les substrats 10 sont supportés en partie centrale 3a de la colonne de chargement 3. Le four vertical 1 comprend une voie d'entrée 5 de gaz neuf, disposée à une extrémité supérieure de l'enceinte 2, et une voie de sortie 6 de gaz, disposée à une extrémité inférieure de l'enceinte 2.
Comme illustré sur les figures 3a, 4a et 5a, le four vertical 1 selon l'invention comprend également un dispositif de piégeage 100 disposé sur la partie supérieure 3b de la colonne de chargement 3. Le dispositif de piégeage 100 est ainsi placé au plus près de l'arrivée de gaz neuf et n'empiète pas sur la partie centrale 3a de la colonne de chargement 3, dans laquelle se trouvent les substrats 10 à traiter. Le dispositif de piégeage 100 est formé d'au moins un matériau apte à piéger tout ou partie des contaminants présents dans le gaz neuf.
Avantageusement, le dispositif de piégeage 100 est composé de silicium, le silicium étant fortement réactif, à hautes températures avec les gaz contaminants contenus dans le gaz neuf. Le matériau du dispositif de piégeage 100 pourra consister en du silicium, du carbure de silicium, monocristallin, poly-cristallin ou amorphe, sans pour autant que cela soit limitatif.
Le dispositif de piégeage 100 inclut une pièce circulaire 101,111 disposée sur la partie supérieure 3b de la colonne de chargement 3, la pièce circulaire 101,111 comprenant des ailettes 102,112b, régulièrement réparties sur une surface supérieure de la pièce circulaire 101,111, pour augmenter la surface de contact du dispositif de piégeage 100 avec le gaz neuf.
Avantageusement, le dispositif de piégeage 100 est amovible lorsque la colonne de chargement 3 est dans une position de déchargement des substrats 10, à l'extérieur de l'enceinte 2. Cela permet le changement et le nettoyage potentiel du dispositif 100 lorsqu'il est chargé en contaminants. Le changement du dispositif 100 pourra être défini en fonction du nombre de traitements effectués dans le four 1.
Selon un premier mode de réalisation de l'invention, le dispositif de piégeage 100 comprend une pièce circulaire 101 disposée sur la partie supérieure 3b de la colonne de chargement 3 (figure 3a) . En particulier, la pièce circulaire 101 est disposée sur l'élément plan supérieur 30.
Avantageusement, comme illustré sur la figure 3b, les ailettes 102 sur la pièce circulaire 101 sont sensiblement verticales, régulièrement réparties sur la surface supérieure de la pièce circulaire 101. Comme précédemment évoqué, elles ont pour but d'augmenter la surface de contact du dispositif de piégeage 100 avec le gaz neuf, et ainsi de favoriser le piégeage des gaz contaminants qu'il contient. La forme des ailettes 102 ainsi que leur disposition pourront également être choisies pour favoriser une écoulement homogène du gaz neuf vers les parois de l'enceinte 2. Dans l'exemple illustré en figure 3b, une région centrale 103 de la pièce circulaire 101 est dépourvue d'ailettes 102 : c'est la zone dans laquelle la voie d'entrée 5 injecte le gaz neuf. La forme des ailettes 102 favorise l'uniformisation du flux de gaz neuf vers la périphérie de la pièce circulaire 101, et donc vers les parois de l'enceinte 2.
Avantageusement, la pièce circulaire 101 comporte également un renflement 104 sur sa face opposée à la face comprenant les ailettes 102. Ce renflement 104 est configuré pour coopérer avec l'élément plan supérieur 30 de la colonne de chargement 3, permettant un centrage précis et une tenue mécanique du dispositif de piégeage 100 sur la colonne de chargement 3. La pièce circulaire 101 peut comprendre une ouverture centrale, dans la région centrale 103. L'ouverture centrale présente un diamètre représentant entre 20% et 50% du diamètre de la pièce circulaire 101 (figure 3c) . Dans ce cas, le dispositif de piégeage 100 comprend avantageusement une pluralité d'écrans 105, maintenus dans la partie supérieure 3b de la colonne de chargement 3, au-dessus des emplacements de la partie centrale 3a destinés à supporter les substrats 10 (figure 3d) . La pièce circulaire 101, les ailettes 102 et les écrans 105 sont tous formés en matériau apte à piéger les contaminants présents dans le gaz neuf : cette configuration du dispositif de piégeage 100 permet d'augmenter encore sa surface de contact avec le gaz neuf.
Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, le dispositif de piégeage 100 comprend également la pièce circulaire 111 disposée sur l'élément plan supérieur 30 de la colonne de chargement 3 (figure 4a) . Comme illustré sur la figure 4b, la pièce circulaire 111 comprend des logements rectilignes 112a, réparties sur la surface supérieure de la pièce circulaire 111. Les logements 112a sont configurés pour recevoir des ailettes 112b ; ces dernières sont amovibles et peuvent être individuellement remplacées, indépendamment de la pièce circulaire 111. Comme dans le premier mode de réalisation, ces dernières ont pour but d'augmenter la surface de contact du dispositif de piégeage 100 avec le gaz neuf, et ainsi de favoriser le piégeage des gaz contaminants qu' il contient. La forme des ailettes 112b ainsi que leur disposition pourront également être choisies pour favoriser une écoulement homogène du gaz neuf vers les parois de 1 ' enceinte 2.
Dans l'exemple illustré en figures 4a et 4b, une région centrale 113 de la pièce circulaire 111 est dépourvue d'ailettes 112b : c'est la zone dans laquelle la voie d'entrée 5 injecte le gaz neuf. La forme et l'orientation des ailettes 112b favorise l'uniformisation du flux de gaz neuf vers la périphérique de la pièce circulaire 111, et donc vers les parois de l'enceinte 2.
Avantageusement, la pièce circulaire 111 comporte également un renflement sur sa face opposée à la face comprenant les ailettes 112b. Ce renflement est configuré pour coopérer avec l'élément plan supérieur 30 de la colonne de chargement 3, permettant un centrage précis et une tenue mécanique du dispositif de piégeage 100 sur la colonne de chargement 3.
La pièce circulaire 111 peut comprendre une ouverture centrale dans la région centrale 113 et dont le diamètre représente 20% à 50% du diamètre de la pièce circulaire 111 (figure 4c) . Dans ce cas, le dispositif de piégeage 100 comprend avantageusement une pluralité d'écrans 115, maintenus dans la partie supérieure 3b de la colonne de chargement 3, au-dessus des emplacements de la partie centrale 3a destinés à supporter les substrats 10, comme illustré sur la figure 4d ; sur cette figure, les ailettes 112b ne sont pas représentées pour permettre la visualisation de l'ouverture centrale dans la pièce circulaire 111. La pièce circulaire 111, les ailettes 112b et les écrans 115 sont tous formés en matériau apte à piéger les contaminants présents dans le gaz neuf : cette configuration du dispositif de piégeage 100 permet d'augmenter encore sa surface de contact avec le gaz neuf.
Selon un troisième mode de réalisation de l'invention, le dispositif de piégeage 100 peut comprendre l'une ou l'autre des pièces circulaires 101,111, disposée sur l'élément plan supérieur 30, la pièce circulaire 101,111 munies des ailettes (102,112) pourra présenter tout ou partie des autres caractéristiques décrites dans le premier ou le deuxième mode de réalisation. Le dispositif de piégeage 100 comprend également une pluralité d'écrans 125, maintenus dans la partie supérieure 3b de la colonne de chargement 3, au-dessus des emplacements de la partie centrale 3a destinés à supporter les substrats 10.
Selon ce troisième mode de réalisation, la pièce circulaire 101,111, comporte une ouverture centrale et au moins l'écran 125a placé en position supérieure, comporte un orifice central.
Dans une variante préférée illustrée en figure 5a, tout ou partie des écrans 125, disposés entre l'écran placé en position supérieure 125a et un écran placé en position inférieure 125b, comportent chacun un orifice central dont le diamètre est inférieur à celui de l'orifice de l'écran voisin placé au-dessus. Cette configuration permet de distribuer le flux de gaz neuf progressivement entre les différents écrans 125 et améliore la surface de contact entre le dispositif de piégeage 100 et ledit gaz.
Selon une autre variante de ce troisième mode de réalisation, l'écran placé en position supérieure 125b comprend des éléments verticaux 126, placés autour de l'orifice central (figure 5b) . Le rôle de ces éléments verticaux est de canaliser le flux de gaz arrivant de la voie d'entrée 5 à travers l'ouverture centrale de la pièce circulaire 101,111 ou à travers l'orifice de l'élément plan supérieur 30 de la colonne de chargement 3, et de favoriser sa distribution progressive entre les écrans 125.
Bien-sur, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications.

Claims

REVENDICATIONS
Four vertical (1) comprenant :
une enceinte (2) destinée à recevoir une colonne de chargement (3) ,
une voie d'entrée (5) de gaz neuf, disposée à une extrémité supérieure de l'enceinte
(2),
la colonne de chargement (3) comprenant une partie supérieure (3b) , et une partie centrale (3a) pour supporter une pluralité de substrats (10),
Le four vertical (1) étant caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif de piégeage (100) :
- formé d' au moins un matériau apte à piéger tout ou partie des contaminants présents dans le gaz neuf ;
incluant une pièce circulaire (101,111) disposée sur la partie supérieure (3b) de la colonne de chargement (3), la pièce circulaire (101,111) comprenant des ailettes (102,112b), régulièrement réparties sur une surface supérieure de la pièce circulaire (101,111), et comprenant une ouverture centrale dont le diamètre représente 20% à 50% du diamètre de la pièce circulaire (101,111) ;
incluant une pluralité d'écrans (105,115,125), maintenus dans la partie supérieure (3b) de la colonne de chargement (3) , au-dessus des emplacements de la partie centrale (3a) destinés à supporter les substrats (10).
Four vertical (1) selon la revendication précédente, dans lequel les ailettes (112b) sont amovibles.
3. Four vertical (1) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel au moins l'écran placé en position supérieure (125a), comporte un orifice central.
Four vertical (1) selon la revendication précédente, dans lequel tout ou partie des écrans (125), disposés entre l'écran placé en position supérieure (125a) et un écran placé en position inférieure (125b), comportent chacun un orifice central dont le diamètre est inférieur à celui de l'orifice de l'écran voisin placé au-dessus.
Four vertical (1) selon l'une des deux revendications précédentes, dans lequel l'écran placé en position supérieure (125a) comprend des éléments verticaux (126), placés autour de l'orifice central.
Four vertical (1) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif de piégeage (100) est amovible lorsque la colonne de chargement (3) est dans une position de déchargement des substrats (10), à l'extérieur de l'enceinte (2).
7. Four vertical (1) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif de piégeage (100) est composé de silicium.
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