WO2018021272A1 - 保護膜形成用の樹脂組成物および保護膜 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a resin composition for forming a protective film and a protective film.
- Patent Document 1 discloses a protective film used when manufacturing a semiconductor element.
- the protective film when manufacturing an element such as a semiconductor element, the protective film is used to protect each member constituting the element such as a semiconductor element in various processing steps.
- a part of the protective film once formed on the entire surface is generally removed by laser ablation processing.
- the protective film may be a permanent protective film that remains on the element such as a semiconductor element as a permanent film, but there is also a temporary protective film that is removed after a desired processing step is completed.
- the temporary protective film needs to be able to be removed without residue, but on the other hand, it is required not to be peeled off during the processing step.
- An object of the present invention is to solve such a problem, and laser ablation processing is possible, and the protective film itself can be removed after the processing, and a protective film having a peeling resistance is formed.
- An object is to provide a possible resin composition and a protective film.
- a composition for forming a protective film in which a light absorptive agent and a solvent are blended with polyvinyl acetal solves the above problems.
- the above problem has been solved by the following means ⁇ 1>, preferably ⁇ 2> to ⁇ 18>.
- ⁇ 3> The resin composition according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the light absorber absorbs light having one or more wavelengths in the range of 190 to 1200 nm.
- ⁇ 4> The resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein the light absorber has a 50% thermal mass reduction temperature of 300 ° C. or higher when the temperature is increased at 10 ° C./min. object.
- ⁇ 5> The resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the light absorber has a molar extinction coefficient of 5000 or more at a wavelength of 355 nm.
- ⁇ 6> The resin composition according to ⁇ 5>, wherein the light absorber is at least one selected from imidazole compounds, benzotriazole compounds, benzophenone compounds, benzoate compounds, and triazine compounds.
- the light absorber is at least one selected from benzotriazole compounds and triazine compounds.
- the light absorber has a molar extinction coefficient of 5000 or more at a wavelength of 1064 nm.
- the light absorber is a cyanine compound, a merocyanine compound, a benzenethiol metal complex, a mercaptophenol metal complex, an aromatic diamine metal complex, a diimmonium compound, an aminium compound, a nickel complex compound, or a phthalocyanine compound.
- the resin composition according to ⁇ 8> which is at least one selected from a compound, an anthraquinone compound, and a naphthalocyanine compound.
- the light absorber is at least one selected from a diimmonium compound and an aminium compound.
- ⁇ 11> The resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 10>, wherein the resin composition has a viscosity at 25 ° C. of 1 to 500 mPa ⁇ s.
- ⁇ 12> The resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, further including a release agent.
- ⁇ 13> The resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12>, wherein the light absorber is contained in an amount of 10 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the polyvinyl acetal.
- ⁇ 14> The resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12>, wherein the light absorber is contained in an amount of 20 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the polyvinyl acetal.
- the solvent is an alcohol solvent.
- ⁇ 17> The protective film according to ⁇ 16>, wherein the protective film has a thickness of 1 to 10 ⁇ m.
- ⁇ 18> The protective film according to ⁇ 16> or ⁇ 17>, wherein the protective film has an optical density at a wavelength of 355 nm or 1064 nm of 1.0 or more.
- the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) are, for example, HLC-8220 (manufactured by Tosoh Corporation), and guard columns HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel. It can be determined by using Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, TSKgel Super HZ2000 (manufactured by Tosoh Corporation). Unless otherwise stated, THF (tetrahydrofuran) is used as the eluent. Unless otherwise specified, detection is performed using a UV ray (ultraviolet) wavelength 254 nm detector.
- the resin composition for forming a protective film of the present invention is characterized by containing polyvinyl acetal, a light absorber and a solvent.
- the polyvinyl acetal used in the present invention is a compound obtained by cyclic acetalization of polyvinyl alcohol (obtained by saponifying polyvinyl acetate) or a derivative thereof (polyvinyl alcohol derivative).
- the polyvinyl acetal derivative include those composed of the modified polyvinyl acetal, an acetal unit, and another copolymer unit.
- the content of acetal in the polyvinyl acetal derivative is preferably 30 to 90 mol%, and preferably 40 to 85 mol% of vinyl alcohol units to be acetalized with respect to the total number of moles of the vinyl acetate monomer as a raw material constituting the polyvinyl acetal.
- the vinyl alcohol unit in the polyvinyl acetal derivative is preferably 0 to 70 mol%, more preferably 5 to 50 mol%, more preferably 22 to 45 mol, based on the total number of moles of the vinyl acetate monomer as a raw material constituting the polyvinyl acetal. % Is particularly preferred.
- the polyvinyl acetal derivative may have a vinyl acetate unit as another component, and the content of the vinyl acetate unit is 0 to the total number of moles of the vinyl acetate monomer as a raw material constituting the polyvinyl acetal. 20 mol% is preferable, and 0 to 10 mol% is more preferable.
- the modified copolymer unit in the polyvinyl acetal derivative is preferably from 0 to 30 mol%, more preferably from 1 to 20 mol%, more preferably from 1 to 10 mol%, based on the total number of moles of the vinyl acetate monomer as a raw material constituting the polyvinyl acetal. More preferred is mol%.
- the polyvinyl acetal derivative may further have other copolymer units. Examples of the polyvinyl acetal include polyvinyl butyral, polyvinyl propylal, polyvinyl ethylal, and polyvinyl methylal. Polyvinyl butyral is preferable, and polyvinyl butyral derivatives are more preferable.
- Polyvinyl butyral is a polymer and polyvinyl butyral derivative obtained by butyralizing polyvinyl acetal.
- polyvinyl butyral derivatives include acid-modified polyvinyl butyral derivatives in which at least some of the hydroxyl groups of polyvinyl butyral have been modified to acid groups such as carboxyl groups, and modified polyvinyl butyral in which some of the hydroxyl groups of polyvinyl butyral have been modified to (meth) acryloyl groups.
- modified polyvinyl butyral derivatives in which at least part of the hydroxyl groups of polyvinyl butyral is modified with amino groups
- modified polyvinyl butyral derivatives in which ethylene glycol, propylene glycol, or a multimer thereof is introduced into at least part of the hydroxyl groups of polyvinyl butyral, etc.
- the molecular weight of the polyvinyl acetal is preferably 5,000 to 800,000, more preferably 8,000 to 500,000 as a weight average molecular weight, from the viewpoint of maintaining a balance between peeling resistance and laser processability. .
- polyvinyl butyral and its derivative (s) are mentioned and demonstrated as a particularly preferable example of polyvinyl acetal, in this invention, it is not limited to this. It is preferable that the polyvinyl butyral used by this invention contains the structural unit shown by following formula (1).
- l, m and n represent the content (mol%) of each structural unit in the above formula in polyvinyl butyral, and l + m + n is preferably 90 or more, more preferably 95 or more. Preferably, it is 100.
- l is a number exceeding 0 and not more than 100, preferably 30 to 90, more preferably 40 to 85, and still more preferably 45 to 78.
- m is a number from 0 to less than 100, preferably 0 to 20, more preferably 0 to 10, and still more preferably 1 to 5.
- n is a number from 0 to less than 100, preferably from 0 to 70, more preferably from 5 to 50, and even more preferably from 22 to 45.
- Polyvinyl butyral and its derivatives are also available as commercial products, and preferred specific examples thereof include “ESREC B” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. from the viewpoint of alcohol (especially ethanol, 2-propanol) solubility. ”Series,“ ESREC K (KS) ”series,“ Denkabuchiral ”manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., and“ Mowital ”manufactured by Kuraray Co., Ltd. are preferable. Among these, particularly preferred commercial products are shown below together with the values of l, m and n in the above formula (1) and the weight average molecular weight.
- the lower limit of the amount of polyvinyl acetal is preferably 40% by mass or more, more preferably 45% by mass or more, and 48% by mass with respect to all components excluding the solvent. More preferably, it is the above.
- the upper limit of the amount of the polyvinyl acetal is preferably 98% by mass or less, more preferably 96% by mass or less, 90% by mass or less, or 80% by mass or less. 70 mass% or less may be sufficient and 60 mass% or less may be sufficient.
- the resin composition of the present invention may contain only one kind of polyvinyl acetal, or may contain two or more kinds. When 2 or more types are included, the total amount is preferably within the above range.
- the resin composition of the present invention contains a light absorber.
- the light absorber used in the present invention preferably absorbs light having one or more wavelengths in the range of 190 to 1200 nm, and has one or more wavelengths in the range of 300 to 400 nm and 1000 to 1100 nm. It is more preferable to absorb the light.
- “absorbing light” means that the molar extinction coefficient at the above wavelength is 1000 or more.
- the molar extinction coefficient is preferably 2000 or more, more preferably 5000 or more, further preferably 8000 or more, and 10,000 or more. More preferably.
- the upper limit value of the molar extinction coefficient is not particularly defined, but can be, for example, 500,000 or less, and further 50,000 or less.
- the molar extinction coefficient in the present invention is measured according to the method described in Examples described later.
- the light absorber used in the present invention has a 50% thermal mass reduction temperature of preferably 180 ° C. or higher, more preferably 250 ° C. or higher, and more preferably 300 ° C. or higher when the temperature is increased at 10 ° C./min. More preferably it is.
- the upper limit of the 50% thermal mass reduction temperature when the temperature is raised at 10 ° C./min is not particularly defined, but for example, 500 ° C. or less, further 450 ° C. or less, and particularly 430 ° C. or less is sufficiently practical.
- the light absorber preferably has a molar extinction coefficient at a wavelength of 355 nm of 5000 or more.
- the molar extinction coefficient at the wavelength of 355 nm is preferably 8000 or more, more preferably 10,000 or more, and further preferably 12000 or more.
- the upper limit value of the molar extinction coefficient at the wavelength of 355 nm is not particularly defined, but even 50000 or less, and even 45000 or less is sufficiently practical.
- the light absorber having a molar extinction coefficient of 5000 or more at a wavelength of 355 nm is preferably at least one selected from imidazole compounds, benzotriazole compounds, benzophenone compounds, benzoate compounds, and triazine compounds. More preferably, it is at least one selected from triazole compounds and triazine compounds.
- Examples of the light absorber having a molar extinction coefficient of 5,000 or more at a wavelength of 355 nm include those commercially available as ultraviolet absorbers. Specifically, Sumisorb 200, Sumisorb 250, Sumisorb 300, Sumisorb 340, Sumisorb 350 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), JF77, JF78, JF79, JF80, JF83 (Johoku Chemical Industry Co., Ltd.), TINUVIN P, TINUVIN PS, TINUVIN 99-2, TINUVIN 109, TINUVIN 329, TINUVIN 384-2, TINUVIN 900, TINUVIN 928, TINUVIN 1130 (manufactured by BASF), EVERSORB70, EVERSORBER71, EVERSORBER72, EVERSORB73, EVERSOR74, 75 , EVERSO B81 (manufactured by Taiwan Eiko Chemical Industry Co., Ltd.), (manufactured by API Corporation
- diene compounds described in JP-A 2009-265642 paragraphs 0022 to 0037 (corresponding to US Patent Application Publication No. 2011/0039195, paragraphs 0040 to 0061) can be mentioned.
- Examples of commercially available products include diethylamino-phenylsulfonyl-pentadienoate UV absorber (manufactured by FUJIFILM Fine Chemicals Co., Ltd., trade name: DPO).
- the light absorption agent has a molar extinction coefficient of 5000 or more at a wavelength of 1064 nm.
- the molar extinction coefficient at the wavelength of 1064 nm is preferably 8000 or more, more preferably 11000 or more, and further preferably 14000 or more.
- the upper limit value of the molar extinction coefficient at the wavelength of 1064 nm is not particularly defined, but 24000 or less, and even 19000 or less is sufficiently practical.
- a light absorber having a molar extinction coefficient of 5000 or more at a wavelength of 1064 nm is a cyanine compound, a merocyanine compound, a benzenethiol metal complex, a mercaptophenol metal complex, an aromatic diamine metal complex, a diimmonium compound, or an aminium compound.
- Examples of the light absorber having a molar extinction coefficient of 5000 or more at the wavelength of 1064 nm include those commercially available as infrared absorbers. Specifically, dianine compounds (Nippon Kayaku Co., Ltd .: CY-2, CY-4, CY-9, FUJIFILM Corporation: IRF-106, IRF-107, Yamamoto Kasei Co., Ltd.) : YKR2900); Diimmonium compounds (manufactured by Nagase ChemteX Corporation: NIR-AM1, NIR-IM1, Nippon Kayaku Co., Ltd .: IRG-022, IRG-023, Nippon Carlit Co., Ltd .: CIR-1080, CIR-1081); Aminium compounds (Nippon Carlit Co., Ltd .: CIR-960, CIR-961, CIR-963, Nippon Kayaku Co., Ltd .: IRG-002, IRG-003, IRG-003K); Phthalocyan
- the amount of the light absorber is preferably 0.1 parts by mass or more, more preferably 1 part by mass or more, with respect to 100 parts by mass of the polyvinyl acetal resin. More preferably 4 parts by mass or more, 10 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, 27 parts by mass or more, or 30 parts by mass or more. It may be 40 parts by mass or more.
- the upper limit of the amount of the light absorber is preferably 120 parts by mass or less, more preferably 110 parts by mass or less, and further preferably 105 parts by mass or less.
- the resin composition of this invention may contain only 1 type of light absorbers, and may contain 2 or more types. When 2 or more types are included, the total amount is preferably within the above range.
- the resin composition of the present invention contains a solvent.
- the solvent is not particularly defined as long as it dissolves the resin component of the resin composition to some extent, and can be selected from alcohol, cellosolve, ketone, amide, ether, ester, and alcohol. System solvents are preferred. When an alcohol solvent is used as the solvent, it is easy to remove the protective film with a removal solvent containing an alcohol solvent in the protective film removal step.
- the solvent contained in the resin composition of the present invention is preferably a solvent having a boiling point of less than 100 ° C. from the viewpoint of forming a protective film on the side surface of the uneven portion on the substrate.
- 80% by mass or more of the solvent contained in the resin composition is preferably an alcohol solvent, and more preferably 90% by mass or more is an alcohol solvent.
- the alcohol solvent that can be used in the present invention is preferably at least one selected from alcohols, polyhydric alcohols, and polyhydric alcohol ethers, and preferably at least one selected from alcohols. More preferred.
- the alcohol solvent include the following.
- the alcohols include monovalent linear or branched aliphatic alcohols having 1 to 20 carbon atoms and monovalent aliphatic cyclic alcohols having 4 to 20 carbon atoms.
- Preferred examples include 1-octanol, cyclohexanol, benzyl alcohol and the like.
- polyhydric alcohols examples include divalent or branched aliphatic alcohols having 2 to 20 carbon atoms and divalent or higher aliphatic cyclic alcohols having 4 to 20 carbon atoms.
- the number of hydroxyl groups is preferably 2-6, more preferably 2-4, and even more preferably 2 or 3 in one molecule.
- the polyhydric alcohol preferably contains one or more alkyleneoxy groups having 2 to 6 carbon atoms in the hydrocarbon chain.
- ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, polypropylene glycol, butylene glycol, hexanediol, pentanediol, glycerin, hexanetriol, thiodiglycol, 2-methylpropanediol and the like are preferable.
- ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, polypropylene glycol, butylene glycol, hexanediol, pentanediol, glycerin, hexanetriol, thiodiglycol, 2-methylpropanediol and the like are preferable.
- polyhydric alcohol ethers examples include aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 10 carbon atoms in the hydroxyl group of straight or branched aliphatic alcohols having 3 to 20 carbon atoms and having 2 or more valences, and 6 to 12 carbon atoms.
- An ether substituted with an aromatic hydrocarbon group an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms in the hydroxyl group of a divalent or higher aliphatic cyclic alcohol having 4 to 20 carbon atoms, and 6 to 6 carbon atoms.
- ethers substituted with 12 aromatic hydrocarbon groups examples include aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 10 carbon atoms in the hydroxyl group of straight or branched aliphatic alcohols having 3 to 20 carbon atoms and having 2 or more valences, and 6 to 12 carbon atoms.
- An ether substituted with an aromatic hydrocarbon group an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms in the hydroxyl group of a divalent or higher
- Polyhydric alcohol ethers may contain one or more C 2-6 alkyleneoxy groups in the hydrocarbon chain in addition to the ether bond in which the hydroxyl group of the polyhydric alcohol is etherified as an ether bond.
- monovalent linear or branched aliphatic alcohols having 1 to 20 carbon atoms are preferable, and monovalent linear or branched aliphatic alcohols having 1 to 8 carbon atoms can be most preferably used. .
- the lower limit of the amount of the solvent in the resin composition of the present invention is preferably 50% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, and 80% by mass or more with respect to the composition. Is more preferable, and 85% by mass or more is more preferable.
- the upper limit of the amount of the solvent is preferably 99% by mass or less, and more preferably 95% by mass or less.
- the resin composition of the present invention may contain only one type of solvent, or may contain two or more types. When 2 or more types are included, the total amount is preferably within the above range.
- the resin composition of the present invention may contain a release agent.
- a release agent By using a release agent, the protective film can be removed by peeling.
- the release agent preferably contains at least one of a fluorine atom and a silicon atom.
- mold release agents containing fluorine atoms include Sumitomo 3M Limited, Fluorard FC-4430, FC-4431, Asahi Glass Co., Ltd., Surflon S-241, S-242, S-243, Mitsubishi Materials Electronics F-top EF-PN31M-03, EF-PN31M-04, EF-PN31M-05, EF-PN31M-06, MF-100, OMNOVA, Polyfox PF-636, PF-6320, PF -656, PF-6520, manufactured by Neos Co., Ltd., aftergent 250, 251, 222F, 212M, DFX-18, manufactured by Daikin Industries, Ltd., Unidyne DS-401, DS-403, DS-406,
- the release agent containing silicon atoms is preferably a silicone resin.
- dimethyl silicone oil, methylphenyl silicone oil, methyl hydrogen silicone oil, alkyl-modified silicone oil, alkoxy-modified silicone oil, polyether silicone oil, mercapto Examples include modified silicone oil, amino-modified silicone oil, epoxy-modified silicone oil, carboxy-modified silicone oil, acrylate-modified silicone oil, methacrylate-modified silicone oil, fluorine-modified silicone oil, and hydroxy group-modified silicone oil.
- Commercially available products can also be used, for example, trade names “BYK-300”, “BYK-301 / 302”, “BYK-306”, “BYK-307”, “BYK-310”, “BYK”.
- the amount of the release agent in the resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1% by mass, more preferably 0.001 to 0.1% by mass, based on all components except the solvent. Preferably, the content is 0.001 to 0.08% by mass.
- the resin composition of this invention may contain only 1 type of mold release agents, and may contain 2 or more types. When 2 or more types are included, the total amount is preferably within the above range.
- the resin composition of the present invention may contain other components without departing from the spirit of the present invention. Specifically, other polymer compounds, antioxidants, surfactants, adhesion promoters and fillers are exemplified.
- the viscosity of the resin composition of the present invention at 25 ° C. is preferably 1 to 500 mPa ⁇ s, more preferably 5 to 100 mPa ⁇ s, and still more preferably 10 to 30 mPa ⁇ s.
- corrugation of an element can be formed at the time of film formation (for example, at the time of spray application).
- the container for the composition of the present invention a conventionally known container can be used.
- the inner wall of the container is a multi-layer bottle composed of 6 types and 6 layers of resin, and the 6 types of resins are made into a 7 layer structure. It is also preferred to use bottles that have been used. Examples of such containers include the containers described in JP-A-2015-123351, and these descriptions are incorporated in the present specification.
- the resin composition of the present invention is used for forming a protective film.
- the protective film of the present invention is used for protecting various members constituting the semiconductor element, the image sensor and the like and the entire element.
- the thickness of the protective film can be appropriately determined depending on the application, but is preferably 1 to 10 ⁇ m, and more preferably 2 to 8 ⁇ m.
- the optical density at a wavelength of 355 nm or 1064 nm is preferably 0.2 or more, more preferably 0.3 or more, still more preferably 0.6 or more, and 1.0 It is still more preferable that it is above.
- the upper limit of the optical density at the wavelength of 355 nm or 1064 nm is not particularly defined, but is preferably 20 or less, more preferably 10 or less, and further preferably 8 or less. By setting it as such a range, laser ablation workability is exhibited more effectively.
- the optical density in the present invention is measured by the method described in Examples described later.
- the resin composition of the present invention is preferably used for the production of elements such as semiconductors.
- the method includes forming a protective film on a member using the resin composition of the present invention, performing laser ablation, and then removing the remaining protective film using a solvent.
- a protective film is formed on the member using the resin composition of the present invention.
- a method for forming the protective film of the present invention on a member generally known coating methods such as spin coating, slit coating, spray coating, and ink jet coating can be used.
- a spray coat, an ink jet coat or a slit coat in order to form a protective film on the uneven surface.
- the heating temperature is preferably 60 to 200 ° C, more preferably 80 to 120 ° C.
- the heating time is preferably 10 to 600 seconds, more preferably 30 to 300 seconds, and still more preferably 40 to 90 seconds. Heating can be performed by means provided in a normal exposure / developing machine, and may be performed using a hot plate or the like.
- the laser ablation processing step laser ablation processing is performed on the protective film.
- the laser ablation processing it is preferable that a part of the protective film is removed and a necessary process is performed on the portion where the protective film is removed.
- the laser ablation processing is a processing method for selectively removing a region that has been exposed by selectively irradiating a laser beam onto a workpiece material that contains a component that evaporates or decomposes when irradiated with a laser beam. It is.
- wavelength Light having a wavelength of 200 to 1300 nm, more preferably a wavelength of 300 to 1200 nm, particularly preferably a wavelength of 300 to 400 nm or 900 to 1200 nm is preferable.
- YAG laser (1064 nm), YAG-THG laser (355 nm), and excimer laser (308 nm, 351 nm) are preferable.
- the laser pulse width is preferably shorter, preferably 100 nsec (nanoseconds) or less, more preferably 10 nsec or less, and even more preferably 3 psec or less.
- the remaining protective film is removed using a solvent.
- a solvent alcohol solvents and ester solvents are preferable, and ester solvents are more preferable. From the viewpoint of preventing reattachment of foreign matter such as a metal film after removal, a solvent having a boiling point of 100 ° C. or higher is more preferable, and a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher is more preferable.
- the removal method includes, for example, a method in which a member is immersed in a tank filled with a solvent for a certain period of time (dip method), a method in which the entire dipped container is shaken (shaking method), and a solvent on the surface of the member by surface tension.
- a method of removing by standing up for a certain period of time (paddle method), a method of spraying a solvent on the surface of a member (spray method), a method of spraying a high-pressure solvent on the surface of a member (shower method), rotating at a constant speed
- a method (dynamic dispensing method) of continuously discharging a solvent while scanning a solvent discharge nozzle on a member at a constant speed can be applied.
- an alcohol solvent the alcohol solvent described in the place of the solvent contained in the above-mentioned resin composition is mentioned as a preferable example.
- the alcohol solvent preferably has a boiling point exceeding 100 ° C., and more preferably an alcohol solvent having a boiling point exceeding 130 ° C.
- alcohol solvents both isobutyl alcohol, 1-butanol and the like
- alcohol solvents cyclohexanol and the like
- the upper limit of the boiling point of the alcohol solvent is not particularly defined, but can be, for example, 200 ° C. or lower. When the boiling point is 200 ° C. or less, the time until drying can be shortened and the production rate can be improved.
- Ester solvents include methyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, alkyl Alkyl oxyacetates (eg methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, butyl alkyloxyacetate (eg methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate etc.)), 3-alkyloxy Propionic acid alkyl esters (eg, methyl 3-alkyloxypropionate, ethyl 3-alkyloxypropionate, etc.
- the ester solvent preferably has a boiling point exceeding 100 ° C, more preferably an ester solvent having a boiling point exceeding 130 ° C. More specifically, ester solvents having a boiling point exceeding 100 ° C. (such as n-butyl acetate) are more preferable, and ester solvents having a boiling point exceeding 130 ° C. (such as propylene glycol 1-monomethyl ether 2-acetate) are further included. preferable.
- the upper limit of the boiling point of the ester solvent is not particularly defined, it can be, for example, 200 ° C. or lower. When the boiling point is 200 ° C. or less, the time until drying can be shortened and the production rate can be improved.
- the solvent used for removing the protective film preferably has a solubility of the resin composition of the present invention at 25 ° C. of 0.5% by mass or more, more preferably 1 to 50% by mass. By setting it as such a range, the remaining protective film can be removed more effectively.
- the thermal mass reduction temperature and molar extinction coefficient of the light absorber were measured as follows. ⁇ Measurement of thermal mass reduction temperature> Using a calorimeter (TGA), the temperature was increased at a rate of temperature increase of 10 ° C./min, and the temperature at which 50% by mass was reduced (50% thermal mass decrease temperature) was measured. ⁇ Measurement of molar extinction coefficient> Each light absorber was dissolved in tetrahydrofuran (THF), absorption spectra at wavelengths of 355 nm and 1064 nm were measured, and a molar extinction coefficient was calculated. The results are shown in Table 1 or Table 2 below.
- the molar extinction coefficient at 355 nm was less than 1000. Further, the molar absorption coefficient at 1064 nm of the light absorbers b-4 to b-9 was less than 1000.
- the thickness of the protective film adhering to the side surface of the solder bump of the above-mentioned protective film laminate was measured by cutting out a cross section using a focused ion beam processing (FIB) device at five locations.
- the average film thickness was defined as the film thickness on the side surface of the bump.
- the same thickness as the flat portion is most desirable from the viewpoint of the uniformity of dissolution and removal of the protective film, but it is sufficient that the thickness is 1% or more of the flat portion film thickness.
- C There was a portion having a film thickness of less than 1% on the side surface of the bump.
- A There was no residue of the protective film on the line, and a clean line was produced.
- B Although there was a slight unevenness on the side wall of the line, there was no residue of the protective film on the line, and it could be used without any problem.
- C There was some residue of the protective film on the line, but it could be used practically without any problem.
- D Residue of the protective film remained and could not be used.
- the resin composition of the present invention was excellent in laser processability and excellent removability.
- the laser processability was inferior.
- resins other than polyvinyl acetal were used (Comparative Examples 3 and 4), the peel resistance was poor.
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Abstract
レーザーアブレーション加工が可能であり、かつ、上記加工後に保護膜自体を除去可能であり、さらに、剥離耐性のある保護膜を形成可能な樹脂組成物、および、保護膜。ポリビニルアセタール、光吸収剤および溶剤を含む、保護膜形成用の樹脂組成物。
Description
本発明は、保護膜形成用の樹脂組成物および保護膜に関する。
半導体素子等の素子を製造するに際し、各種加工工程において、半導体素子等の素子を構成する各部材にダメージを与えない様、保護膜を用いることがある。
例えば、特許文献1には、半導体素子製造の際に用いられる保護膜について開示されている。
例えば、特許文献1には、半導体素子製造の際に用いられる保護膜について開示されている。
上述のとおり、保護膜は、半導体素子等の素子を製造するに際し、各種加工工程において、半導体素子等の素子を構成する各部材を保護するために用いられる。
そのような保護膜を部分的に付与したい場合に、一旦全面に形成した保護膜の一部をレーザーアブレーション加工によって除去することが一般的に行われる。
また、保護膜は、永久膜として半導体素子等の素子に残る永久保護膜もあるが、所望の加工工程が終了した後、除去される一時的保護膜もある。そして、一時的保護膜は、残渣なく除去できることが必要だが、一方で加工工程中には剥がれないことが求められる。
かかる状況のもと、レーザーアブレーション加工が可能であり、かつ、上記加工後に保護膜自体を除去可能であり、さらに、加工工程中に剥がれない保護膜が必要であるが、全てを満たす材料が無かった。
本発明はかかる課題を解決することを目的とするものであって、レーザーアブレーション加工が可能であり、かつ、上記加工後に保護膜自体を除去可能であり、さらに、剥離耐性のある保護膜を形成可能な樹脂組成物、および、保護膜を提供することを目的とする。
そのような保護膜を部分的に付与したい場合に、一旦全面に形成した保護膜の一部をレーザーアブレーション加工によって除去することが一般的に行われる。
また、保護膜は、永久膜として半導体素子等の素子に残る永久保護膜もあるが、所望の加工工程が終了した後、除去される一時的保護膜もある。そして、一時的保護膜は、残渣なく除去できることが必要だが、一方で加工工程中には剥がれないことが求められる。
かかる状況のもと、レーザーアブレーション加工が可能であり、かつ、上記加工後に保護膜自体を除去可能であり、さらに、加工工程中に剥がれない保護膜が必要であるが、全てを満たす材料が無かった。
本発明はかかる課題を解決することを目的とするものであって、レーザーアブレーション加工が可能であり、かつ、上記加工後に保護膜自体を除去可能であり、さらに、剥離耐性のある保護膜を形成可能な樹脂組成物、および、保護膜を提供することを目的とする。
かかる状況のもと、本発明者が検討を行った結果、ポリビニルアセタールに、光吸収剤と溶剤を配合した保護膜形成用組成物が上記課題を解決することを見出した。具体的には、下記手段<1>により、好ましくは<2>~<18>により上記課題は解決された。
<1>ポリビニルアセタール、光吸収剤および溶剤を含む、保護膜形成用の樹脂組成物。
<2>上記ポリビニルアセタールが、ポリビニルブチラールを含む、<1>に記載の樹脂組成物。
<3>上記光吸収剤が、190~1200nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収する、<1>または<2>に記載の樹脂組成物。
<4>上記光吸収剤の、10℃/分で昇温したときの50%熱質量減少温度が、300℃以上である、<1>~<3>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<5>上記光吸収剤が、波長355nmにおけるモル吸光係数が5000以上である、<1>~<4>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<6>上記光吸収剤が、イミダゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾエート系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種である、<5>に記載の樹脂組成物。
<7>上記光吸収剤が、ベンゾトリアゾール系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種である、<5>に記載の樹脂組成物。
<8>上記光吸収剤が、波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上である、<1>~<4>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<9>上記光吸収剤が、シアニン系化合物、メロシアニン系化合物、ベンゼンチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、芳香族ジアミン系金属錯体、ジインモニウム系化合物、アミニウム系化合物、ニッケル錯体化合物、フタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合物およびナフタロシアニン系化合物から選択される少なくとも1種である、<8>に記載の樹脂組成物。
<10>上記光吸収剤が、ジインモニウム系化合物およびアミニウム系化合物から選択される少なくとも1種である、<8>に記載の樹脂組成物。
<11>上記樹脂組成物の25℃における粘度が1~500mPa・sである、<1>~<10>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<12>さらに、離型剤を含む、<1>~<11>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<13>上記光吸収剤を、上記ポリビニルアセタール100質量部に対し、10質量部以上含む、<1>~<12>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<14>上記光吸収剤を、上記ポリビニルアセタール100質量部に対し、20質量部以上含む、<1>~<12>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<15>上記溶剤がアルコール系溶剤である、<1>~<14>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<16><1>~<15>のいずれか1つに記載の樹脂組成物から形成される保護膜。
<17>上記保護膜の膜厚が1~10μmである、<16>に記載の保護膜。
<18>上記保護膜の、波長355nmまたは1064nmの光学濃度が1.0以上である、<16>または<17>に記載の保護膜。
<1>ポリビニルアセタール、光吸収剤および溶剤を含む、保護膜形成用の樹脂組成物。
<2>上記ポリビニルアセタールが、ポリビニルブチラールを含む、<1>に記載の樹脂組成物。
<3>上記光吸収剤が、190~1200nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収する、<1>または<2>に記載の樹脂組成物。
<4>上記光吸収剤の、10℃/分で昇温したときの50%熱質量減少温度が、300℃以上である、<1>~<3>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<5>上記光吸収剤が、波長355nmにおけるモル吸光係数が5000以上である、<1>~<4>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<6>上記光吸収剤が、イミダゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾエート系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種である、<5>に記載の樹脂組成物。
<7>上記光吸収剤が、ベンゾトリアゾール系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種である、<5>に記載の樹脂組成物。
<8>上記光吸収剤が、波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上である、<1>~<4>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<9>上記光吸収剤が、シアニン系化合物、メロシアニン系化合物、ベンゼンチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、芳香族ジアミン系金属錯体、ジインモニウム系化合物、アミニウム系化合物、ニッケル錯体化合物、フタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合物およびナフタロシアニン系化合物から選択される少なくとも1種である、<8>に記載の樹脂組成物。
<10>上記光吸収剤が、ジインモニウム系化合物およびアミニウム系化合物から選択される少なくとも1種である、<8>に記載の樹脂組成物。
<11>上記樹脂組成物の25℃における粘度が1~500mPa・sである、<1>~<10>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<12>さらに、離型剤を含む、<1>~<11>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<13>上記光吸収剤を、上記ポリビニルアセタール100質量部に対し、10質量部以上含む、<1>~<12>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<14>上記光吸収剤を、上記ポリビニルアセタール100質量部に対し、20質量部以上含む、<1>~<12>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<15>上記溶剤がアルコール系溶剤である、<1>~<14>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<16><1>~<15>のいずれか1つに記載の樹脂組成物から形成される保護膜。
<17>上記保護膜の膜厚が1~10μmである、<16>に記載の保護膜。
<18>上記保護膜の、波長355nmまたは1064nmの光学濃度が1.0以上である、<16>または<17>に記載の保護膜。
本発明により、レーザーアブレーション加工が可能であり、かつ、上記加工後に保護膜自体を除去可能であり、さらに、剥離耐性のある保護膜を形成可能な樹脂組成物、および、保護膜を提供可能になった。
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本明細書において「~」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
以下に記載する本発明における構成要素の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
本明細書において、重量平均分子量(Mw)・数平均分子量(Mn)は、特に述べない限り、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC測定)に従ったポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)は、例えば、HLC-8220(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてガードカラムHZ-L、TSKgel Super HZM-M、TSKgel Super HZ4000、TSKgel Super HZ3000、TSKgel Super HZ2000(東ソー(株)製)を用いることによって求めることができる。溶離液は特に述べない限り、THF(テトラヒドロフラン)を用いる。また、検出は特に述べない限り、UV線(紫外線)の波長254nm検出器を使用したものとする。
以下に記載する本発明における構成要素の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
本明細書において、重量平均分子量(Mw)・数平均分子量(Mn)は、特に述べない限り、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC測定)に従ったポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)は、例えば、HLC-8220(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてガードカラムHZ-L、TSKgel Super HZM-M、TSKgel Super HZ4000、TSKgel Super HZ3000、TSKgel Super HZ2000(東ソー(株)製)を用いることによって求めることができる。溶離液は特に述べない限り、THF(テトラヒドロフラン)を用いる。また、検出は特に述べない限り、UV線(紫外線)の波長254nm検出器を使用したものとする。
本発明の保護膜形成用の樹脂組成物は、ポリビニルアセタール、光吸収剤および溶剤を含むことを特徴とする。このような構成とすることにより、レーザーアブレーション加工が可能であり、かつ、上記加工後に保護膜自体を除去可能であり、さらに、剥離耐性のある保護膜を形成可能になる。さらに、溶剤として、アルコール系溶剤を用いることにより、保護膜自体をアルコール系溶剤に溶解して除去可能になる。
<ポリビニルアセタール>
本発明で用いられるポリビニルアセタールは、ポリビニルアルコール(ポリ酢酸ビニルを鹸化して得られる。)を環状アセタール化することにより得られる化合物またはその誘導体(ポリビニルアルコール誘導体)である。ポリビニルアセタール誘導体は、上記変性ポリビニルアセタールや、アセタール単位と、他の共重合単位からなるものが例示される。
ポリビニルアセタール誘導体中のアセタールの含量は、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対し、アセタール化されるビニルアルコール単位が、30~90モル%が好ましく、40~85モル%がより好ましく、45~78モル%がさらに好ましい。
ポリビニルアセタール誘導体中のビニルアルコール単位としては、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対して、0~70モル%が好ましく、5~50モル%がより好ましく、22~45モル%が特に好ましい。
また、ポリビニルアセタール誘導体は、その他の成分として、酢酸ビニル単位を有していてもよく、酢酸ビニル単位の含量としては、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対し、0~20モル%が好ましく、0~10モル%がさらに好ましい。
ポリビニルアセタール誘導体中の変性された共重合単位は、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対し、0~30モル%が好ましく、1~20モル%がより好ましく、1~10モル%がさらに好ましい。
ポリビニルアセタール誘導体は、さらに、その他の共重合単位を有していてもよい。
ポリビニルアセタールとしては、ポリビニルブチラール、ポリビニルプロピラール、ポリビニルエチラール、ポリビニルメチラールなどが挙げられ、ポリビニルブチラールが好ましく、ポリビニルブチラール誘導体がより好ましい。ポリビニルブチラールは、ポリビニルアセタールをブチラール化して得られるポリマーおよびポリビニルブチラール誘導体である。
ポリビニルブチラール誘導体の例として、ポリビニルブチラールの水酸基の少なくとも一部をカルボキシル基等の酸基に変性した酸変性ポリビニルブチラール誘導体、ポリビニルブチラールの水酸基の一部を(メタ)アクリロイル基に変性した変性ポリビニルブチラール誘導体、ポリビニルブチラールの水酸基の少なくとも一部をアミノ基に変性した変性ポリビニルブチラール誘導体、ポリビニルブチラールの水酸基の少なくとも一部にエチレングリコールやプロピレングリコールおよびこれらの複量体を導入した変性ポリビニルブチラール誘導体等が挙げられる。
ポリビニルアセタールの分子量としては、剥離耐性とレーザー加工性のバランスを保つ観点で、重量平均分子量として5,000~800,000であることが好ましく、8,000~500,000であることがより好ましい。
本発明で用いられるポリビニルアセタールは、ポリビニルアルコール(ポリ酢酸ビニルを鹸化して得られる。)を環状アセタール化することにより得られる化合物またはその誘導体(ポリビニルアルコール誘導体)である。ポリビニルアセタール誘導体は、上記変性ポリビニルアセタールや、アセタール単位と、他の共重合単位からなるものが例示される。
ポリビニルアセタール誘導体中のアセタールの含量は、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対し、アセタール化されるビニルアルコール単位が、30~90モル%が好ましく、40~85モル%がより好ましく、45~78モル%がさらに好ましい。
ポリビニルアセタール誘導体中のビニルアルコール単位としては、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対して、0~70モル%が好ましく、5~50モル%がより好ましく、22~45モル%が特に好ましい。
また、ポリビニルアセタール誘導体は、その他の成分として、酢酸ビニル単位を有していてもよく、酢酸ビニル単位の含量としては、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対し、0~20モル%が好ましく、0~10モル%がさらに好ましい。
ポリビニルアセタール誘導体中の変性された共重合単位は、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対し、0~30モル%が好ましく、1~20モル%がより好ましく、1~10モル%がさらに好ましい。
ポリビニルアセタール誘導体は、さらに、その他の共重合単位を有していてもよい。
ポリビニルアセタールとしては、ポリビニルブチラール、ポリビニルプロピラール、ポリビニルエチラール、ポリビニルメチラールなどが挙げられ、ポリビニルブチラールが好ましく、ポリビニルブチラール誘導体がより好ましい。ポリビニルブチラールは、ポリビニルアセタールをブチラール化して得られるポリマーおよびポリビニルブチラール誘導体である。
ポリビニルブチラール誘導体の例として、ポリビニルブチラールの水酸基の少なくとも一部をカルボキシル基等の酸基に変性した酸変性ポリビニルブチラール誘導体、ポリビニルブチラールの水酸基の一部を(メタ)アクリロイル基に変性した変性ポリビニルブチラール誘導体、ポリビニルブチラールの水酸基の少なくとも一部をアミノ基に変性した変性ポリビニルブチラール誘導体、ポリビニルブチラールの水酸基の少なくとも一部にエチレングリコールやプロピレングリコールおよびこれらの複量体を導入した変性ポリビニルブチラール誘導体等が挙げられる。
ポリビニルアセタールの分子量としては、剥離耐性とレーザー加工性のバランスを保つ観点で、重量平均分子量として5,000~800,000であることが好ましく、8,000~500,000であることがより好ましい。
以下、ポリビニルアセタールの特に好ましい例として、ポリビニルブチラールおよびその誘導体を挙げて説明するが、本発明では、これに限定されない。
本発明で用いるポリビニルブチラールは、下記式(1)に示される構成単位を含むことが好ましい。
式(1)
本発明で用いるポリビニルブチラールは、下記式(1)に示される構成単位を含むことが好ましい。
式(1)
上記式中、l、mおよびnは上記式中のそれぞれの構成単位のポリビニルブチラール中における含有量(モル%)を表し、l+m+nは、90以上であることが好ましく、95以上であることがより好ましく、100であることがさらに好ましい。
lは0を超え100以下の数であり、30~90が好ましく、40~85がより好ましく、45~78がさらに好ましい。
mは0以上100未満の数であり、0~20が好ましく、0~10がより好ましく、1~5がさらに好ましい。
nは0以上100未満の数であり、0~70が好ましく、5~50がより好ましく、22~45がさらに好ましい。
lは0を超え100以下の数であり、30~90が好ましく、40~85がより好ましく、45~78がさらに好ましい。
mは0以上100未満の数であり、0~20が好ましく、0~10がより好ましく、1~5がさらに好ましい。
nは0以上100未満の数であり、0~70が好ましく、5~50がより好ましく、22~45がさらに好ましい。
ポリビニルブチラールおよびその誘導体としては、市販品としても入手可能であり、その好ましい具体例としては、アルコール(特にエタノール、2-プロパノール)溶解性の観点で、積水化学工業(株)製の「エスレックB」シリーズ、「エスレックK(KS)」シリーズ、電気化学工業(株)製の「デンカブチラール」、(株)クラレ製の「Mowital」が好ましい。
これらのうち、特に好ましい市販品を、上記式(1)中の、l、mおよびnの値と、重量平均分子量とともに以下に示す。
積水化学工業(株)製の「エスレックB」シリーズでは、「BL-1」(l=61、m=3、n=36 重量平均分子量 1.9万)、「BL-1H」(l=67、m=3、n=30 重量平均分子量 2.0万)、「BL-2」(l=61、m=3、n=36 重量平均分子量 約2.7万)、「BL-5」(l=75、m=4、n=21 重量平均分子量 3.2万)、「BL-7」(l=66、m=3、n=31 重量平均分子量4.0万)、「BL-S」(l=74、m=4、n=22 重量平均分子量 2.3万)、「BM-S」(l=73、m=5、n=22 重量平均分子量 5.3万)、「BH-S」(l=73、m=5、n=22 重量平均分子量 6.6万)が挙げられる。
また、電気化学工業(株)製の「デンカブチラール」シリーズでは「#3000-1」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 7.4万)、「#3000-2」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 9.0万)、「#3000-4」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 11.7万)、「#4000-2」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 15.2万)、「#6000-C」(l=64、m=1、n=35 重量平均分子量 30.8万)、「#6000-EP」(l=56、m=15、n=29 重量平均分子量 38.1万)、「#6000-CS」(l=74、m=1、n=25 重量平均分子量 32.2万)、「#6000-AS」(l=73、m=1、n=26 重量平均分子量 24.2万)が挙げられる。
さらに、(株)クラレ製の「Mowital」シリーズでは、「B30T」(l=63、m=2、n=35 重量平均分子量3.3万)、「B60H」(l=70、m=2、n=28 重量平均分子量5.5万)、「B30HH」(l=79、m=2、n=19 重量平均分子量3.3万)が挙げられる。
これらのうち、特に好ましい市販品を、上記式(1)中の、l、mおよびnの値と、重量平均分子量とともに以下に示す。
積水化学工業(株)製の「エスレックB」シリーズでは、「BL-1」(l=61、m=3、n=36 重量平均分子量 1.9万)、「BL-1H」(l=67、m=3、n=30 重量平均分子量 2.0万)、「BL-2」(l=61、m=3、n=36 重量平均分子量 約2.7万)、「BL-5」(l=75、m=4、n=21 重量平均分子量 3.2万)、「BL-7」(l=66、m=3、n=31 重量平均分子量4.0万)、「BL-S」(l=74、m=4、n=22 重量平均分子量 2.3万)、「BM-S」(l=73、m=5、n=22 重量平均分子量 5.3万)、「BH-S」(l=73、m=5、n=22 重量平均分子量 6.6万)が挙げられる。
また、電気化学工業(株)製の「デンカブチラール」シリーズでは「#3000-1」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 7.4万)、「#3000-2」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 9.0万)、「#3000-4」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 11.7万)、「#4000-2」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 15.2万)、「#6000-C」(l=64、m=1、n=35 重量平均分子量 30.8万)、「#6000-EP」(l=56、m=15、n=29 重量平均分子量 38.1万)、「#6000-CS」(l=74、m=1、n=25 重量平均分子量 32.2万)、「#6000-AS」(l=73、m=1、n=26 重量平均分子量 24.2万)が挙げられる。
さらに、(株)クラレ製の「Mowital」シリーズでは、「B30T」(l=63、m=2、n=35 重量平均分子量3.3万)、「B60H」(l=70、m=2、n=28 重量平均分子量5.5万)、「B30HH」(l=79、m=2、n=19 重量平均分子量3.3万)が挙げられる。
本発明の樹脂組成物における、ポリビニルアセタールの量は、溶剤を除く全成分に対し、下限値が、40質量%以上であることが好ましく、45質量%以上であることがより好ましく、48質量%以上であることがさらに好ましい。上記ポリビニルアセタールの量の上限値は、98質量%以下であることが好ましく、96質量%以下であることがより好ましく、90質量%以下であってもよく、80質量%以下であってもよく、70質量%以下であってもよく、60質量%以下であってもよい。
本発明の樹脂組成物は、ポリビニルアセタールを1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、ポリビニルアセタールを1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
<光吸収剤>
本発明の樹脂組成物は、光吸収剤を含む。光吸収剤を用いることにより、レーザーアブレーション加工が可能になる。
本発明で用いる光吸収剤は、190~1200nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収することが好ましく、300~400nmおよび1000~1100nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収することがより好ましい。
ここで、光を吸収するとは、上記波長におけるモル吸光係数が1000以上であることをいう。本発明では、上記範囲のいずれか1つ以上の波長において、モル吸光係数が2000以上であることが好ましく、5000以上であることがより好ましく、8000以上であることがさらに好ましく、10000以上であることが一層好ましい。上記モル吸光係数の上限値は特に定めるものではないが、例えば、500000以下、さらには50000以下とすることができる。
本発明におけるモル吸光係数は、後述する実施例に記載の方法に従って測定される。
本発明の樹脂組成物は、光吸収剤を含む。光吸収剤を用いることにより、レーザーアブレーション加工が可能になる。
本発明で用いる光吸収剤は、190~1200nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収することが好ましく、300~400nmおよび1000~1100nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収することがより好ましい。
ここで、光を吸収するとは、上記波長におけるモル吸光係数が1000以上であることをいう。本発明では、上記範囲のいずれか1つ以上の波長において、モル吸光係数が2000以上であることが好ましく、5000以上であることがより好ましく、8000以上であることがさらに好ましく、10000以上であることが一層好ましい。上記モル吸光係数の上限値は特に定めるものではないが、例えば、500000以下、さらには50000以下とすることができる。
本発明におけるモル吸光係数は、後述する実施例に記載の方法に従って測定される。
本発明で用いる光吸収剤は、10℃/分で昇温したときの50%熱質量減少温度が、180℃以上であることが好ましく、250℃以上であることがより好ましく、300℃以上であることがさらに好ましい。このような構成とすることにより、保護膜が高温処理される場合も、光吸収剤がダメージを受けにくく、適切にレーザーアブレーション加工が可能になる。
上記10℃/分で昇温したときの50%熱質量減少温度の上限は特に定めるものではないが、例えば500℃以下、さらには450℃以下、特には430℃以下でも十分実用レベルである。
上記10℃/分で昇温したときの50%熱質量減少温度の上限は特に定めるものではないが、例えば500℃以下、さらには450℃以下、特には430℃以下でも十分実用レベルである。
本発明では、光吸収剤が、波長355nmにおけるモル吸光係数が5000以上であることが好ましい。上記範囲とすることにより、レーザーアブレーション加工を用いた場合の加工性がより向上する傾向にある。上記波長355nmにおけるモル吸光係数は、8000以上であることが好ましく、10000以上であることがより好ましく、12000以上であることがさらに好ましい。上記波長355nmにおけるモル吸光係数の上限値は特に定めるものではないが、50000以下、さらには45000以下でも十分に実用レベルである。
波長355nmにおけるモル吸光係数が5000以上である光吸収剤は、イミダゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾエート系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種であることが好ましく、ベンゾトリアゾール系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種であることがより好ましい。
波長355nmにおけるモル吸光係数が5000以上である光吸収剤は、イミダゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾエート系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種であることが好ましく、ベンゾトリアゾール系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種であることがより好ましい。
波長355nmにおけるモル吸光係数が5000以上である光吸収剤としては、紫外線吸収剤として市販されているものが例示される。
具体的には、スミソーブ200、スミソーブ250、スミソーブ300、スミソーブ340、スミソーブ350(住友化学社製)、JF77、JF78、JF79、JF80、JF83(城北化学工業社製)、TINUVIN P、TINUVIN PS、TINUVIN 99-2、TINUVIN 109、TINUVIN 329、TINUVIN 384-2、TINUVIN 900、TINUVIN 928、TINUVIN 1130(BASF社製)、EVERSORB70、EVERSORB71、EVERSORB72、EVERSORB73、EVERSORB74、EVERSORB75、EVERSORB76、EVERSORB234、EVERSORB77、EVERSORB78、EVERSORB80、EVERSORB81(台湾永光化学工業社製)、トミソーブ100、トミソーブ600(エーピーアイコーポレーション社製)、SEESORB701、SEESORB702、SEESORB703、SEESORB704、SEESORB706、SEESORB707、SEESORB709(シプロ化成社製)などのベンゾトリアゾール系化合物;
スミソーブ130(住友化学社製)、EVERSORB10、EVERSORB11、EVERSORB12(台湾永光化学工業社製)、トミソーブ800(エーピーアイコーポレーション社製)、SEESORB100、SEESORB101、SEESORB101S、SEESORB102、SEESORB103、SEESORB105、SEESORB106、SEESORB107、SEESORB151(シプロ化成社製)などのベンゾフェノン系化合物;
スミソーブ400(住友化学社製)、サリチル酸フェニルなどのベンゾエート系化合物;TINUVIN 400、TINUVIN 405、TINUVIN 460、TINUVIN 477、TINUVIN 477DW、TINUVIN 479(BASF社製)などのトリアジン系化合物;を挙げることができる。
具体的には、スミソーブ200、スミソーブ250、スミソーブ300、スミソーブ340、スミソーブ350(住友化学社製)、JF77、JF78、JF79、JF80、JF83(城北化学工業社製)、TINUVIN P、TINUVIN PS、TINUVIN 99-2、TINUVIN 109、TINUVIN 329、TINUVIN 384-2、TINUVIN 900、TINUVIN 928、TINUVIN 1130(BASF社製)、EVERSORB70、EVERSORB71、EVERSORB72、EVERSORB73、EVERSORB74、EVERSORB75、EVERSORB76、EVERSORB234、EVERSORB77、EVERSORB78、EVERSORB80、EVERSORB81(台湾永光化学工業社製)、トミソーブ100、トミソーブ600(エーピーアイコーポレーション社製)、SEESORB701、SEESORB702、SEESORB703、SEESORB704、SEESORB706、SEESORB707、SEESORB709(シプロ化成社製)などのベンゾトリアゾール系化合物;
スミソーブ130(住友化学社製)、EVERSORB10、EVERSORB11、EVERSORB12(台湾永光化学工業社製)、トミソーブ800(エーピーアイコーポレーション社製)、SEESORB100、SEESORB101、SEESORB101S、SEESORB102、SEESORB103、SEESORB105、SEESORB106、SEESORB107、SEESORB151(シプロ化成社製)などのベンゾフェノン系化合物;
スミソーブ400(住友化学社製)、サリチル酸フェニルなどのベンゾエート系化合物;TINUVIN 400、TINUVIN 405、TINUVIN 460、TINUVIN 477、TINUVIN 477DW、TINUVIN 479(BASF社製)などのトリアジン系化合物;を挙げることができる。
さらに、上記の他、特開2009-265642号公報の段落0022~0037(対応する米国特許出願公開第2011/0039195号公報の段落0040~0061)に記載のジエン系化合物が挙げられ、これらの記載は本明細書に組み込まれる。
市販品としては、例えば、ジエチルアミノ-フェニルスルホニル-ペンタジエノエイト系紫外線吸収剤(富士フイルムファインケミカルズ(株)製、商品名:DPO)などが挙げられる。
市販品としては、例えば、ジエチルアミノ-フェニルスルホニル-ペンタジエノエイト系紫外線吸収剤(富士フイルムファインケミカルズ(株)製、商品名:DPO)などが挙げられる。
本発明では、光吸収剤の、波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上であることも好ましい。上記範囲とすることにより、レーザーアブレーション加工を行った場合の加工性がより向上する傾向にある。上記波長1064nmにおけるモル吸光係数は、8000以上であることが好ましく、11000以上であることがより好ましく、14000以上であることがさらに好ましい。上記波長1064nmにおけるモル吸光係数の上限値は特に定めるものではないが、24000以下、さらには19000以下でも十分に実用レベルである。
波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上である光吸収剤は、シアニン系化合物、メロシアニン系化合物、ベンゼンチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、芳香族ジアミン系金属錯体、ジインモニウム系化合物、アミニウム系化合物、ニッケル錯体化合物、フタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合物およびナフタロシアニン系化合物から選択される少なくとも1種であることが好ましく、ジインモニウム系化合物およびアミニウム系化合物から選択される少なくとも1種であることがより好ましく、アミニウム系化合物から選択される少なくとも1種であることがさらに好ましい。
上記波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上である光吸収剤としては、赤外線吸収剤として市販されているものが例示される。
具体的には、ジアニン系化合物(日本化薬(株)製:CY-2、CY-4、CY-9、富士フイルム(株)製:IRF-106、IRF-107、山本化成(株)製:YKR2900);
ジインモニウム系化合物(ナガセケムテックス社製:NIR-AM1、NIR-IM1、日本化薬(株)製:IRG-022、IRG-023、日本カーリット(株)製:CIR-1080、CIR-1081);
アミニウム系化合物(日本カーリット(株)製:CIR-960、CIR-961、CIR-963、日本化薬(株)製:IRG-002、IRG-003、IRG-003K);
フタロシアニン系化合物(日本触媒(株)製:TX-305A);
ニッケル錯体化合物(三井化学(株)製:SIR-130、SIR-132、みどり化学(株)製:MIR-101、MIR-102、MIR-1011、MIR-1021、住友精化(株)製:BBDT-NI);
アントラキノン系化合物(日本化薬(株)製:IR-750);
ナフタロシアニン系化合物(山本化成(株)製:YKR5010)を挙げることができる。
上記波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上である光吸収剤としては、赤外線吸収剤として市販されているものが例示される。
具体的には、ジアニン系化合物(日本化薬(株)製:CY-2、CY-4、CY-9、富士フイルム(株)製:IRF-106、IRF-107、山本化成(株)製:YKR2900);
ジインモニウム系化合物(ナガセケムテックス社製:NIR-AM1、NIR-IM1、日本化薬(株)製:IRG-022、IRG-023、日本カーリット(株)製:CIR-1080、CIR-1081);
アミニウム系化合物(日本カーリット(株)製:CIR-960、CIR-961、CIR-963、日本化薬(株)製:IRG-002、IRG-003、IRG-003K);
フタロシアニン系化合物(日本触媒(株)製:TX-305A);
ニッケル錯体化合物(三井化学(株)製:SIR-130、SIR-132、みどり化学(株)製:MIR-101、MIR-102、MIR-1011、MIR-1021、住友精化(株)製:BBDT-NI);
アントラキノン系化合物(日本化薬(株)製:IR-750);
ナフタロシアニン系化合物(山本化成(株)製:YKR5010)を挙げることができる。
さらに上記の他、ポリメチン系化合物(日本化薬(株)製:IR-820B)、無機材料系(信越化学工業(株)製:イッテルビウムUU-HP、住友金属工業(株)製:インジュームチンオキサイド)等が挙げられる。
本発明の樹脂組成物における、光吸収剤の量は、ポリビニルアセタール樹脂100質量部に対し、下限値が、0.1質量部以上であることが好ましく、1質量部以上であることがより好ましく、4質量部以上であることがさらに好ましく、10質量部以上であってもよく、20質量部以上であってもよく、27質量部以上であってもよく、30質量部以上であってもよく、40質量部以上であってもよい。上記光吸収剤の量の上限値は、120質量部以下であることが好ましく、110質量部以下であることがより好ましく、105質量部以下であることがさらに好ましい。
本発明の樹脂組成物は、光吸収剤を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、光吸収剤を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
<溶剤>
本発明の樹脂組成物は、溶剤を含む。溶剤は、樹脂組成物の樹脂成分をある程度溶解する限り、その種類等は特に定めるものではなく、アルコール系、セロソルブ系、ケトン系、アミド系、エーテル系、エステル系から選択することができ、アルコール系溶剤が好ましい。溶剤としてアルコール系溶剤を用いる場合、保護膜の除去工程においてアルコール系溶剤を含む除去溶剤による保護膜除去が容易である。
本発明の樹脂組成物は、溶剤を含む。溶剤は、樹脂組成物の樹脂成分をある程度溶解する限り、その種類等は特に定めるものではなく、アルコール系、セロソルブ系、ケトン系、アミド系、エーテル系、エステル系から選択することができ、アルコール系溶剤が好ましい。溶剤としてアルコール系溶剤を用いる場合、保護膜の除去工程においてアルコール系溶剤を含む除去溶剤による保護膜除去が容易である。
本発明の樹脂組成物に含まれる溶剤としては、基板上の凹凸部の側面に保護膜を形成する観点で、沸点が100℃未満の溶剤が好ましい。
本発明の樹脂組成物では、樹脂組成物に含まれる溶剤のうち、80質量%以上がアルコール系溶剤であることが好ましく、90質量%以上がアルコール系溶剤であることがより好ましい。
本発明の樹脂組成物では、樹脂組成物に含まれる溶剤のうち、80質量%以上がアルコール系溶剤であることが好ましく、90質量%以上がアルコール系溶剤であることがより好ましい。
本発明で使用できるアルコール系溶剤としては、アルコール類、多価アルコール類、多価アルコールエーテル類から選択される少なくとも1種であることが好ましく、アルコール類から選択される少なくとも1種であることがより好ましい。
アルコール系溶剤の具体例としては、以下のものが挙げられる。
アルコール類としては、炭素数1~20の1価の直鎖または分岐の脂肪族アルコール類、炭素数4~20の1価の脂肪族環状アルコール類が挙げられる。例えば、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブチルアルコール、イソブタノール、セカンダリーブタノール、ターシャリーブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、3-メトキシ-2-プロパノール、3-メトキシ-1-プロパノール、1-オクタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール等が好ましく挙げられる。
多価アルコール類としては、炭素数2~20の2価以上の直鎖または分岐の脂肪族アルコール類、炭素数4~20の2価以上の脂肪族環状アルコール類が挙げられる。水酸基の数は1分子内に2~6が好ましく、2~4がより好ましく、2または3がさらに好ましい。また、多価アルコール類は、炭化水素鎖中に1以上の炭素数2~6のアルキレンオキシ基を含有することが好ましい。例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキサンジオール、ペンタンジオール、グリセリン、ヘキサントリオール、チオジグリコール、2-メチルプロパンジオール等が好ましく挙げられる。
アルコール類としては、炭素数1~20の1価の直鎖または分岐の脂肪族アルコール類、炭素数4~20の1価の脂肪族環状アルコール類が挙げられる。例えば、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブチルアルコール、イソブタノール、セカンダリーブタノール、ターシャリーブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、3-メトキシ-2-プロパノール、3-メトキシ-1-プロパノール、1-オクタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール等が好ましく挙げられる。
多価アルコール類としては、炭素数2~20の2価以上の直鎖または分岐の脂肪族アルコール類、炭素数4~20の2価以上の脂肪族環状アルコール類が挙げられる。水酸基の数は1分子内に2~6が好ましく、2~4がより好ましく、2または3がさらに好ましい。また、多価アルコール類は、炭化水素鎖中に1以上の炭素数2~6のアルキレンオキシ基を含有することが好ましい。例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキサンジオール、ペンタンジオール、グリセリン、ヘキサントリオール、チオジグリコール、2-メチルプロパンジオール等が好ましく挙げられる。
多価アルコールエーテル類としては、炭素数3~20の2価以上の直鎖または分岐の脂肪族アルコール類の水酸基の水素原子が炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~12の芳香族炭化水素基により置換されたエーテル類、炭素数4~20の2価以上の脂肪族環状アルコール類の水酸基の水素原子が炭素数1~10の脂肪族炭化水素基、炭素数6~12の芳香族炭化水素基により置換されたエーテル類が挙げられる。また、多価アルコールエーテル類は、エーテル結合として、多価アルコールの水酸基がエーテル化されたエーテル結合以外に、炭化水素鎖中に1以上の炭素数2~6のアルキレンオキシ基を含有することが好ましい。例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノノルマルブチルエーテル、エチレングリコールモノターシャリーブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、1-エトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル等が好ましく挙げられる。
アルコール系溶剤としては、炭素数1~20の1価の直鎖または分岐の脂肪族アルコール類が好ましく、炭素数1~8の1価の直鎖または分岐の脂肪族アルコール類が最も好ましく使用できる。
本発明の樹脂組成物における、溶剤の量は、組成物に対し、下限値が、50質量%以上であることが好ましく、70質量%以上であることがより好ましく、80質量%以上であることがさらに好ましく、85質量%以上が一層好ましい。上記溶剤の量の上限値は、99質量%以下であることが好ましく、95質量%以下であることがより好ましい。
本発明の樹脂組成物は、溶剤を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、溶剤を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
<離型剤>
本発明の樹脂組成物は、離型剤を含んでいてもよい。離型剤を用いることにより、剥離によって、保護膜を除去することが可能になる。
離型剤は、フッ素原子およびシリコン原子の少なくとも一方を含むことが好ましい。
フッ素原子を含む離型剤の例としては、住友スリーエム(株)製、フロラードFC-4430、FC-4431、旭硝子(株)製、サーフロンS-241、S-242、S-243、三菱マテリアル電子化成(株)製、エフトップEF-PN31M-03、EF-PN31M-04、EF-PN31M-05、EF-PN31M-06、MF-100、OMNOVA社製、Polyfox PF-636、PF-6320、PF-656、PF-6520、(株)ネオス製、フタージェント250、251、222F、212M、DFX-18、ダイキン工業(株)製、ユニダインDS-401、DS-403、DS-406、DS-451、DSN-403N、DIC(株)製、メガファックF-430、F-444、F-477、F-553、F-556、F-557、F-559、F-562、F-565、F-567、F-569、R-40、DuPont社製、CapstoneFS-3100、Zonyl FSO-100が挙げられる。
本発明の樹脂組成物は、離型剤を含んでいてもよい。離型剤を用いることにより、剥離によって、保護膜を除去することが可能になる。
離型剤は、フッ素原子およびシリコン原子の少なくとも一方を含むことが好ましい。
フッ素原子を含む離型剤の例としては、住友スリーエム(株)製、フロラードFC-4430、FC-4431、旭硝子(株)製、サーフロンS-241、S-242、S-243、三菱マテリアル電子化成(株)製、エフトップEF-PN31M-03、EF-PN31M-04、EF-PN31M-05、EF-PN31M-06、MF-100、OMNOVA社製、Polyfox PF-636、PF-6320、PF-656、PF-6520、(株)ネオス製、フタージェント250、251、222F、212M、DFX-18、ダイキン工業(株)製、ユニダインDS-401、DS-403、DS-406、DS-451、DSN-403N、DIC(株)製、メガファックF-430、F-444、F-477、F-553、F-556、F-557、F-559、F-562、F-565、F-567、F-569、R-40、DuPont社製、CapstoneFS-3100、Zonyl FSO-100が挙げられる。
シリコン原子を含む離型剤は、シリコーン樹脂が好ましく、具体的には、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル、アルキル変性シリコーンオイル、アルコキシ変性シリコーンオイル、ポリエーテルシリコーンオイル、メルカプト変性シリコーンオイル、アミノ変性シリコーンオイル、エポキシ変性シリコーンオイル、カルボキシ変性シリコーンオイル、アクリレート変性シリコーンオイル、メタクリレート変性シリコーンオイル、フッ素変性シリコーンオイル、ヒドロキシ基変性シリコーンオイルなどを挙げることができる。
また、市販品も使用することが可能であり、例えば商品名「BYK-300」、「BYK-301/302」、「BYK-306」、「BYK-307」、「BYK-310」、「BYK-315」、「BYK-313」、「BYK-320」、「BYK-322」、「BYK-323」、「BYK-325」、「BYK-330」、「BYK-331」、「BYK-333」、「BYK-337」、「BYK-341」、「BYK-344」、「BYK-345/346」、「BYK-347」、「BYK-348」、「BYK-349」、「BYK-370」、「BYK-375」、「BYK-377」、「BYK-378」、「BYK-UV3500」、「BYK-UV3510」、「BYK-UV3570」、「BYK-3550」、「BYK-SILCLEAN3700」、「BYK-SILCLEAN3720」(以上、ビックケミー・ジャパン(株)製)、商品名「AC FS 180」、「AC FS 360」、「AC S 20」(以上、Algin Chemie製)、商品名「ポリフローKL-400X」、「ポリフローKL-400HF」、「ポリフローKL-401」、「ポリフローKL-402」、「ポリフローKL-403」、「ポリフローKL-404」、「ポリフローKL-700」(以上、共栄社化学(株)製)、商品名「KP-301」、「KP-306」、「KP-109」、「KP-310」、「KP-310B」、「KP-323」、「KP-326」、「KP-341」、「KP-104」、「KP-110」、「KP-112」、「KP-360A」、「KP-361」、「KP-354」、「KP-355」、「KP-356」、「KP-357」、「KP-358」、「KP-359」、「KP-362」、「KP-365」、「KP-366」、「KP-368」、「KP-369」、「KP-330」、「KP-650」、「KP-651」、「KP-390」、「KP-391」、「KP-392」、「KF-105」、「KF-6017」、「X-22-163A」、「X-22-169AS」、「X-22-160AS」、「X-22-164A」、「X-22-3710」、「X-22-167B」、「X-22-4272」(以上、信越化学工業(株)製)、商品名「LP-7001」、「LP-7002」、「SH28PA」、「8032 ADDITIVE」、「57 ADDITIVE」、「L-7604」、「FZ-2110」、「FZ-2105」、「67 ADDITIVE」、「8618 ADDITIVE」、「3 ADDITIVE」、「56 ADDITIVE」(以上、東レ・ダウコーニング(株)製)、「TEGO WET 270」(エボニック・デグサ・ジャパン(株)製)、「NBX-15」((株)ネオス製)などの市販品を使用することができる。
また、市販品も使用することが可能であり、例えば商品名「BYK-300」、「BYK-301/302」、「BYK-306」、「BYK-307」、「BYK-310」、「BYK-315」、「BYK-313」、「BYK-320」、「BYK-322」、「BYK-323」、「BYK-325」、「BYK-330」、「BYK-331」、「BYK-333」、「BYK-337」、「BYK-341」、「BYK-344」、「BYK-345/346」、「BYK-347」、「BYK-348」、「BYK-349」、「BYK-370」、「BYK-375」、「BYK-377」、「BYK-378」、「BYK-UV3500」、「BYK-UV3510」、「BYK-UV3570」、「BYK-3550」、「BYK-SILCLEAN3700」、「BYK-SILCLEAN3720」(以上、ビックケミー・ジャパン(株)製)、商品名「AC FS 180」、「AC FS 360」、「AC S 20」(以上、Algin Chemie製)、商品名「ポリフローKL-400X」、「ポリフローKL-400HF」、「ポリフローKL-401」、「ポリフローKL-402」、「ポリフローKL-403」、「ポリフローKL-404」、「ポリフローKL-700」(以上、共栄社化学(株)製)、商品名「KP-301」、「KP-306」、「KP-109」、「KP-310」、「KP-310B」、「KP-323」、「KP-326」、「KP-341」、「KP-104」、「KP-110」、「KP-112」、「KP-360A」、「KP-361」、「KP-354」、「KP-355」、「KP-356」、「KP-357」、「KP-358」、「KP-359」、「KP-362」、「KP-365」、「KP-366」、「KP-368」、「KP-369」、「KP-330」、「KP-650」、「KP-651」、「KP-390」、「KP-391」、「KP-392」、「KF-105」、「KF-6017」、「X-22-163A」、「X-22-169AS」、「X-22-160AS」、「X-22-164A」、「X-22-3710」、「X-22-167B」、「X-22-4272」(以上、信越化学工業(株)製)、商品名「LP-7001」、「LP-7002」、「SH28PA」、「8032 ADDITIVE」、「57 ADDITIVE」、「L-7604」、「FZ-2110」、「FZ-2105」、「67 ADDITIVE」、「8618 ADDITIVE」、「3 ADDITIVE」、「56 ADDITIVE」(以上、東レ・ダウコーニング(株)製)、「TEGO WET 270」(エボニック・デグサ・ジャパン(株)製)、「NBX-15」((株)ネオス製)などの市販品を使用することができる。
本発明の樹脂組成物における、離型剤の量は、溶剤を除く全成分に対し、0.001~1質量%であることが好ましく、0.001~0.1質量%であることがより好ましく、0.001~0.08質量%であることがさらに好ましい。
本発明の樹脂組成物は、離型剤を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、離型剤を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
<その他の成分>
本発明の樹脂組成物は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。具体的には、他の高分子化合物、酸化防止剤、界面活性剤、密着促進剤および充填剤が例示される。
本発明の樹脂組成物は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。具体的には、他の高分子化合物、酸化防止剤、界面活性剤、密着促進剤および充填剤が例示される。
本発明の樹脂組成物の25℃における粘度は1~500mPa・sであることが好ましく、5~100mPa・sであることがより好ましく、10~30mPa・sであることがさらに好ましい。このような範囲とすることにより、膜の形成時(例えば、スプレー塗布時)に、素子の凹凸にもきれいに追従したコンフォーマルな保護膜が形成できる。
本発明の組成物の収納容器としては従来公知の収納容器を用いることができる。また、収納容器としては、原材料や組成物中への不純物混入を抑制することを目的に、容器内壁を6種6層の樹脂で構成された多層ボトルや、6種の樹脂を7層構造にしたボトルを使用することも好ましい。このような容器としては例えば特開2015-123351号公報に記載の容器が挙げられ、これらの記載は本明細書に組み込まれる。
本発明の樹脂組成物は、保護膜の形成に用いられる。本発明の保護膜は、半導体素子、イメージセンサー等を構成する各種部材や素子全体の保護に用いられる。
保護膜の厚さは、用途等に応じて適宜定めることができるが、1~10μmが好ましく、2~8μmがより好ましい。
本発明の保護膜は、波長355nmまたは1064nmにおける光学濃度が0.2以上であることが好ましく、0.3以上であることがより好ましく、0.6以上であることがさらに好ましく、1.0以上であることが一層好ましい。上記波長355nmまたは1064nmにおける光学濃度の上限は、特に定めるものではないが、20以下であることが好ましく、10以下であることがより好ましく、8以下であることがさらに好ましい。このような範囲とすることにより、レーザーアブレーション加工性がより効果的に発揮される。
本発明における光学濃度は、後述する実施例に記載の方法で測定される。
保護膜の厚さは、用途等に応じて適宜定めることができるが、1~10μmが好ましく、2~8μmがより好ましい。
本発明の保護膜は、波長355nmまたは1064nmにおける光学濃度が0.2以上であることが好ましく、0.3以上であることがより好ましく、0.6以上であることがさらに好ましく、1.0以上であることが一層好ましい。上記波長355nmまたは1064nmにおける光学濃度の上限は、特に定めるものではないが、20以下であることが好ましく、10以下であることがより好ましく、8以下であることがさらに好ましい。このような範囲とすることにより、レーザーアブレーション加工性がより効果的に発揮される。
本発明における光学濃度は、後述する実施例に記載の方法で測定される。
本発明の樹脂組成物は、半導体等の素子の製造に好ましく用いられる。具体的には、本発明の樹脂組成物を用いて部材の上に保護膜を形成し、レーザーアブレーション加工を行った後、残存する保護膜を、溶剤を用いて除去することを含む。
<保護膜形成工程>
保護膜形成工程では、本発明の樹脂組成物を用いて部材の上に保護膜を形成する。
本発明の保護膜を部材上に形成する方法としては、スピンコート、スリットコート、スプレーコート、インクジェットコートなど、一般的に知られている塗布方法を用いることができる。バンプ付き基板や段差付き基板など、凹凸のある基板を用いる場合には、凹凸の側面にも保護膜を形成するため、スプレーコート、インクジェットコート、または、スリットコートの使用が望ましい。
製膜後、レーザーアブレーション加工工程の前に、(溶剤乾燥のため)加熱工程を含むことも好ましい。
加熱温度は60~200℃で行うことが好ましく、80~120℃で行うことがより好ましい。
加熱時間は10~600秒が好ましく、30~300秒がより好ましく、40~90秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
保護膜形成工程では、本発明の樹脂組成物を用いて部材の上に保護膜を形成する。
本発明の保護膜を部材上に形成する方法としては、スピンコート、スリットコート、スプレーコート、インクジェットコートなど、一般的に知られている塗布方法を用いることができる。バンプ付き基板や段差付き基板など、凹凸のある基板を用いる場合には、凹凸の側面にも保護膜を形成するため、スプレーコート、インクジェットコート、または、スリットコートの使用が望ましい。
製膜後、レーザーアブレーション加工工程の前に、(溶剤乾燥のため)加熱工程を含むことも好ましい。
加熱温度は60~200℃で行うことが好ましく、80~120℃で行うことがより好ましい。
加熱時間は10~600秒が好ましく、30~300秒がより好ましく、40~90秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
<レーザーアブレーション加工工程>
レーザーアブレーション加工工程では、保護膜に対し、レーザーアブレーション加工を行う。レーザーアブレーション加工では、保護膜の一部が除去され、保護膜が除去された部位に、必要な加工が施されることが好ましい。ここで、レーザーアブレーション加工とは、レーザー光の照射により蒸発または分解する成分を含む被加工材料に対してレーザー光を選択的に照射することにより、選択的に露光された領域を除去する加工方法である。
本発明におけるレーザーアブレーション装置に用いられる光源波長に制限は無いが、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができ、好ましくは波長200~1300nm、より好ましくは波長300~1200nm、特に好ましくは波長300~400nmまたは900~1200nmの光が好ましい。具体的には、YAGレーザー(1064nm)、YAG-THGレーザー(355nm)、エキシマレーザー(308nm、351nm)が好ましい。またレーザーのパルス幅は短い方が好ましく、100nsec(ナノ秒)以下が好ましく、10nsec以下がより好ましく、3psec以下が更に好ましい。
レーザーアブレーション加工工程では、保護膜に対し、レーザーアブレーション加工を行う。レーザーアブレーション加工では、保護膜の一部が除去され、保護膜が除去された部位に、必要な加工が施されることが好ましい。ここで、レーザーアブレーション加工とは、レーザー光の照射により蒸発または分解する成分を含む被加工材料に対してレーザー光を選択的に照射することにより、選択的に露光された領域を除去する加工方法である。
本発明におけるレーザーアブレーション装置に用いられる光源波長に制限は無いが、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができ、好ましくは波長200~1300nm、より好ましくは波長300~1200nm、特に好ましくは波長300~400nmまたは900~1200nmの光が好ましい。具体的には、YAGレーザー(1064nm)、YAG-THGレーザー(355nm)、エキシマレーザー(308nm、351nm)が好ましい。またレーザーのパルス幅は短い方が好ましく、100nsec(ナノ秒)以下が好ましく、10nsec以下がより好ましく、3psec以下が更に好ましい。
<除去工程>
除去工程では、溶剤を用いて残存する保護膜を除去する。溶剤としては、アルコール系溶剤、エステル系溶剤が好ましく、エステル系溶剤がより好ましい。除去後の金属膜等の異物再付着防止の観点から、沸点が100℃以上の溶剤がより好ましく、沸点が130℃以上の溶剤がさらに好ましい。除去方法としては、例えば、溶剤が満たされた槽中に部材を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、ディップした容器全体を振とうさせる方法(振とう法)、部材表面に溶剤を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで除去する方法(パドル法)、部材表面に溶剤を噴霧する方法(スプレー法)、部材表面に高圧の溶剤を噴射する方法(シャワー法)、一定速度で回転している部材上に一定速度で溶剤吐出ノズルをスキャンしながら溶剤を吐出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。
アルコール系溶剤としては、上述の樹脂組成物に含まれる溶剤の所で述べたアルコール系溶剤が好ましい例として挙げられる。アルコール系溶剤としては沸点が100℃を超えることが好ましく、沸点が130℃を超えるアルコール系溶剤がより好ましい。より具体的には、沸点が100℃を超えるアルコール系溶剤(イソブチルアルコール、1-ブタノールなど)がより好ましく、沸点が130℃を超えるアルコール系溶剤(シクロヘキサノールなど)がさらに好ましい。上記アルコール系溶剤の沸点の上限は特に定めるものではないが、例えば、200℃以下とすることができる。沸点を200℃以下とすると、乾燥までの時間を短くでき、生産速度を向上させることができる。
エステル系溶剤としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸-n-ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、アルキルオキシ酢酸アルキル(例:アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル(例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等))、3-アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類(例:3-アルキルオキシプロピオン酸メチル、3-アルキルオキシプロピオン酸エチル等(例えば、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等))、2-アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類(例:2-アルキルオキシプロピオン酸メチル、2-アルキルオキシプロピオン酸エチル、2-アルキルオキシプロピオン酸プロピル等(例えば、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチル、2-メトキシプロピオン酸プロピル、2-エトキシプロピオン酸メチル、2-エトキシプロピオン酸エチル))、2-アルキルオキシ-2-メチルプロピオン酸メチルおよび2-アルキルオキシ-2-メチルプロピオン酸エチル(例えば、2-メトキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-エトキシ-2-メチルプロピオン酸エチル等)、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2-オキソブタン酸メチル、2-オキソブタン酸エチル等が好ましい例として挙げられる。エステル系溶剤としては、沸点が100℃を超えることが好ましく、沸点が130℃を超えるエステル系溶剤がより好ましい。より具体的には、沸点が100℃を超えるエステル系溶剤(酢酸-n-ブチルなど)がより好ましく、沸点が130℃を超えるエステル系溶剤(プロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタートなど)がさらに好ましい。上記エステル系溶剤の沸点の上限は特に定めるものではないが、例えば、200℃以下とすることができる。沸点を200℃以下とすると、乾燥までの時間を短くでき、生産速度を向上させることができる。
本発明で、保護膜の除去に用いる溶剤は、本発明の樹脂組成物の25℃における溶解度が0.5質量%以上であることが好ましく1~50質量%であることがより好ましい。このような範囲とすることにより、残存する保護膜をより効果的に除去できる。
除去工程では、溶剤を用いて残存する保護膜を除去する。溶剤としては、アルコール系溶剤、エステル系溶剤が好ましく、エステル系溶剤がより好ましい。除去後の金属膜等の異物再付着防止の観点から、沸点が100℃以上の溶剤がより好ましく、沸点が130℃以上の溶剤がさらに好ましい。除去方法としては、例えば、溶剤が満たされた槽中に部材を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、ディップした容器全体を振とうさせる方法(振とう法)、部材表面に溶剤を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで除去する方法(パドル法)、部材表面に溶剤を噴霧する方法(スプレー法)、部材表面に高圧の溶剤を噴射する方法(シャワー法)、一定速度で回転している部材上に一定速度で溶剤吐出ノズルをスキャンしながら溶剤を吐出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。
アルコール系溶剤としては、上述の樹脂組成物に含まれる溶剤の所で述べたアルコール系溶剤が好ましい例として挙げられる。アルコール系溶剤としては沸点が100℃を超えることが好ましく、沸点が130℃を超えるアルコール系溶剤がより好ましい。より具体的には、沸点が100℃を超えるアルコール系溶剤(イソブチルアルコール、1-ブタノールなど)がより好ましく、沸点が130℃を超えるアルコール系溶剤(シクロヘキサノールなど)がさらに好ましい。上記アルコール系溶剤の沸点の上限は特に定めるものではないが、例えば、200℃以下とすることができる。沸点を200℃以下とすると、乾燥までの時間を短くでき、生産速度を向上させることができる。
エステル系溶剤としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸-n-ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、アルキルオキシ酢酸アルキル(例:アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル(例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等))、3-アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類(例:3-アルキルオキシプロピオン酸メチル、3-アルキルオキシプロピオン酸エチル等(例えば、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等))、2-アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類(例:2-アルキルオキシプロピオン酸メチル、2-アルキルオキシプロピオン酸エチル、2-アルキルオキシプロピオン酸プロピル等(例えば、2-メトキシプロピオン酸メチル、2-メトキシプロピオン酸エチル、2-メトキシプロピオン酸プロピル、2-エトキシプロピオン酸メチル、2-エトキシプロピオン酸エチル))、2-アルキルオキシ-2-メチルプロピオン酸メチルおよび2-アルキルオキシ-2-メチルプロピオン酸エチル(例えば、2-メトキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-エトキシ-2-メチルプロピオン酸エチル等)、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2-オキソブタン酸メチル、2-オキソブタン酸エチル等が好ましい例として挙げられる。エステル系溶剤としては、沸点が100℃を超えることが好ましく、沸点が130℃を超えるエステル系溶剤がより好ましい。より具体的には、沸点が100℃を超えるエステル系溶剤(酢酸-n-ブチルなど)がより好ましく、沸点が130℃を超えるエステル系溶剤(プロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタートなど)がさらに好ましい。上記エステル系溶剤の沸点の上限は特に定めるものではないが、例えば、200℃以下とすることができる。沸点を200℃以下とすると、乾燥までの時間を短くでき、生産速度を向上させることができる。
本発明で、保護膜の除去に用いる溶剤は、本発明の樹脂組成物の25℃における溶解度が0.5質量%以上であることが好ましく1~50質量%であることがより好ましい。このような範囲とすることにより、残存する保護膜をより効果的に除去できる。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
(1)樹脂組成物の調製
下記表1または表2に記載の樹脂、光吸収剤、溶剤および離型剤を、表1または表2に記載の質量比率で混合し、樹脂組成物を調製した。
下記表1または表2に記載の樹脂、光吸収剤、溶剤および離型剤を、表1または表2に記載の質量比率で混合し、樹脂組成物を調製した。
光吸収剤の熱質量減少温度およびモル吸光係数は、以下の通り測定した。
<熱質量減少温度の測定>
熱量計測装置(TGA)を用い、10℃/分の昇温速度で昇温し、50質量%減少する温度(50%熱質量減少温度)を測定した。
<モル吸光係数の測定>
各光吸収剤をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させて、355nmおよび1064nmの波長における吸収スペクトルを測定し、モル吸光係数を算出した。
結果を下記表1または表2に示す。光吸収剤b-1~b-3、b-10についての、355nmにおけるモル吸光係数は1000未満であった。また、光吸収剤b-4~b-9の1064nmにおけるモル吸光係数は1000未満であった。
<樹脂組成物の25℃における粘度の測定>
樹脂組成物を、E型粘度計を用い、25℃で測定した結果、実施例に用いた樹脂組成物の粘度は全て1~500mPa・sの範囲内であった。
<熱質量減少温度の測定>
熱量計測装置(TGA)を用い、10℃/分の昇温速度で昇温し、50質量%減少する温度(50%熱質量減少温度)を測定した。
<モル吸光係数の測定>
各光吸収剤をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させて、355nmおよび1064nmの波長における吸収スペクトルを測定し、モル吸光係数を算出した。
結果を下記表1または表2に示す。光吸収剤b-1~b-3、b-10についての、355nmにおけるモル吸光係数は1000未満であった。また、光吸収剤b-4~b-9の1064nmにおけるモル吸光係数は1000未満であった。
<樹脂組成物の25℃における粘度の測定>
樹脂組成物を、E型粘度計を用い、25℃で測定した結果、実施例に用いた樹脂組成物の粘度は全て1~500mPa・sの範囲内であった。
(2)保護膜の作製
(2-1)各樹脂組成物を、直径4インチ(1インチは、2.54cmである)の円盤状のシリコンウェハ上に200μm径の半田バンプを複数形成した基板上にスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、半田バンプの無い平坦部において厚さ5μmの保護膜を作製し、保護膜積層体を得た。
(2-2)別の作製方法として、上記と同じ基板上にスリットコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、同様に保護膜積層体を得た。
(2-1)各樹脂組成物を、直径4インチ(1インチは、2.54cmである)の円盤状のシリコンウェハ上に200μm径の半田バンプを複数形成した基板上にスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、半田バンプの無い平坦部において厚さ5μmの保護膜を作製し、保護膜積層体を得た。
(2-2)別の作製方法として、上記と同じ基板上にスリットコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、同様に保護膜積層体を得た。
(3)評価
(a)塗布性
上記保護膜積層体の半田バンプの側面に付着している保護膜の厚みを、集束イオンビーム加工(FIB)装置を用いて断面を切り出して5か所計測し、その平均膜厚をバンプ側面の膜厚とした。平坦部と同じ厚みであることが、保護膜の溶解除去の均一性の観点から最も望ましいが、平坦部膜厚の1%以上付着していればよい。
A:バンプ側面の膜厚が平坦部膜厚に比べて50%以上だった。
B:バンプ側面の膜厚が平坦部膜厚に比べて50%未満1%以上だった。
C:バンプ側面に膜厚が1%未満の部分があった。
(a)塗布性
上記保護膜積層体の半田バンプの側面に付着している保護膜の厚みを、集束イオンビーム加工(FIB)装置を用いて断面を切り出して5か所計測し、その平均膜厚をバンプ側面の膜厚とした。平坦部と同じ厚みであることが、保護膜の溶解除去の均一性の観点から最も望ましいが、平坦部膜厚の1%以上付着していればよい。
A:バンプ側面の膜厚が平坦部膜厚に比べて50%以上だった。
B:バンプ側面の膜厚が平坦部膜厚に比べて50%未満1%以上だった。
C:バンプ側面に膜厚が1%未満の部分があった。
(b)剥離耐性
上記保護膜積層体を、25℃の水の中に1時間浸漬させて、保護膜の変化を観察した。溶解や膨潤などの変化が無ければ水を使用する工程中での剥離耐性が良好であると推定できる。以下の基準で評価した。変化の見られない、Aが最も好ましい結果となる。
A:変化が見られなかった。
B:膨潤などの変化が見られたが、完全に溶解することはなく実用上問題なく使用できた。
C:完全に溶解し、保護膜として使用できなかった。
上記保護膜積層体を、25℃の水の中に1時間浸漬させて、保護膜の変化を観察した。溶解や膨潤などの変化が無ければ水を使用する工程中での剥離耐性が良好であると推定できる。以下の基準で評価した。変化の見られない、Aが最も好ましい結果となる。
A:変化が見られなかった。
B:膨潤などの変化が見られたが、完全に溶解することはなく実用上問題なく使用できた。
C:完全に溶解し、保護膜として使用できなかった。
(c)レーザー加工性(レーザーアブレーション加工における除去適性)
上記保護膜積層体の保護膜上に、60μm角のレーザビームを集光し、パルス幅5ns、繰返し周波数50Hz、走査速度1.5mm/sで、5mm走査した後、走査方向に直角に50μmずらして、もう1回走査することで、幅100μm、長さ5mmのラインを表1または2に記載の波長のレーザー光を用いて作製し、保護膜のレーザーアブレーション加工の加工適性を確認した。光学顕微鏡を用いてラインの形状を観察し、以下の基準で評価した。Aが最も好ましい。
A:ライン上に保護膜の残渣が全くなく、きれいなラインが作製できた。
B:ライン側壁にわずかに凹凸があるものの、ライン上には保護膜の残渣がなく、問題なく使用できるものであった。
C:ライン上に保護膜の残渣がややあるが、実用上問題なく使用できるものであった。
D:保護膜の残渣が残り、使用できないものであった。
上記保護膜積層体の保護膜上に、60μm角のレーザビームを集光し、パルス幅5ns、繰返し周波数50Hz、走査速度1.5mm/sで、5mm走査した後、走査方向に直角に50μmずらして、もう1回走査することで、幅100μm、長さ5mmのラインを表1または2に記載の波長のレーザー光を用いて作製し、保護膜のレーザーアブレーション加工の加工適性を確認した。光学顕微鏡を用いてラインの形状を観察し、以下の基準で評価した。Aが最も好ましい。
A:ライン上に保護膜の残渣が全くなく、きれいなラインが作製できた。
B:ライン側壁にわずかに凹凸があるものの、ライン上には保護膜の残渣がなく、問題なく使用できるものであった。
C:ライン上に保護膜の残渣がややあるが、実用上問題なく使用できるものであった。
D:保護膜の残渣が残り、使用できないものであった。
(d)保護膜上の金属膜の形成
前記レーザー加工後の保護膜積層体の上に、スパッタ法により銅を100nm形成し、金属膜付きの保護膜積層体を得た。
前記レーザー加工後の保護膜積層体の上に、スパッタ法により銅を100nm形成し、金属膜付きの保護膜積層体を得た。
(e)保護膜の除去性
上記金属膜付きの保護膜積層体を用いて、表1または表2に記載の溶解除去(表に、「溶解1」、「溶解2」の何れかを記載)もしくは剥離除去方法(表に「剥離」と記載)で、保護膜の除去性を確認した。
上記金属膜付きの保護膜積層体を用いて、表1または表2に記載の溶解除去(表に、「溶解1」、「溶解2」の何れかを記載)もしくは剥離除去方法(表に「剥離」と記載)で、保護膜の除去性を確認した。
(f-1)溶解除去1(溶解1)
上記金属膜付きの保護膜積層体を、25℃の2-プロパノールの中に2分間浸漬させた後、取り出し、さらに10mLの2-プロパノールでかけ洗いを行い保護膜の除去性を目視にて確認した。以下の基準で評価した。
A:残渣なく除去できた。
B:残渣が残った。
また、保護膜除去後に除去液中の金属膜が再付着すると問題であるので、金属膜の再付着を光学顕微鏡にて確認した。
A:再付着はなかった。
B:再付着が10か所未満あった。
C:再付着が10か所以上あった。
上記金属膜付きの保護膜積層体を、25℃の2-プロパノールの中に2分間浸漬させた後、取り出し、さらに10mLの2-プロパノールでかけ洗いを行い保護膜の除去性を目視にて確認した。以下の基準で評価した。
A:残渣なく除去できた。
B:残渣が残った。
また、保護膜除去後に除去液中の金属膜が再付着すると問題であるので、金属膜の再付着を光学顕微鏡にて確認した。
A:再付着はなかった。
B:再付着が10か所未満あった。
C:再付着が10か所以上あった。
(f-2)溶解除去2(溶解2)
上記金属膜付きの保護膜積層体を、25℃のプロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタートの中に浸漬してふたを閉めて密閉し、60Hzで振とうさせた後、保護膜除去後の基板を取り出して、大気中で乾燥させ、保護膜の除去性と金属膜の再付着を、上記と同じ基準にて評価した。
上記金属膜付きの保護膜積層体を、25℃のプロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタートの中に浸漬してふたを閉めて密閉し、60Hzで振とうさせた後、保護膜除去後の基板を取り出して、大気中で乾燥させ、保護膜の除去性と金属膜の再付着を、上記と同じ基準にて評価した。
(f-3)剥離除去性(剥離)
上記金属膜付きの保護膜積層体の保護膜の端部2cmにスコッチテープを貼りつけた。貼りつけたスコッチテープをシリコンウェハ面に対して垂直方向に引張り、剥離の除去性を目視にて確認した。以下の基準で評価した。また、金属膜の再付着を、上記と同じ基準にて評価した。
A:残渣なく除去できた。
B:残渣が残った。
上記金属膜付きの保護膜積層体の保護膜の端部2cmにスコッチテープを貼りつけた。貼りつけたスコッチテープをシリコンウェハ面に対して垂直方向に引張り、剥離の除去性を目視にて確認した。以下の基準で評価した。また、金属膜の再付着を、上記と同じ基準にて評価した。
A:残渣なく除去できた。
B:残渣が残った。
(g)保護膜の光学濃度
各樹脂組成物を、直径4インチ(1インチは、2.54cmである)の円盤状のガラス上にスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、厚さ5μmの保護膜を作製した。ガラス上に塗布した保護膜の透過スペクトルを測定し、355nmおよび1064nmの透過率における、OD値(光学濃度)を算出した。
各樹脂組成物を、直径4インチ(1インチは、2.54cmである)の円盤状のガラス上にスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、厚さ5μmの保護膜を作製した。ガラス上に塗布した保護膜の透過スペクトルを測定し、355nmおよび1064nmの透過率における、OD値(光学濃度)を算出した。
上記表1または表2における各成分は以下の通りである。
<樹脂(ポリビニルアセタールまたは比較用樹脂)>
(a-1)ポリビニルブチラール、B30T((株)クラレ製)
(a-2)ポリビニルブチラール、B60H((株)クラレ製)
(a-3)ポリビニルブチラール、B30-HH((株)クラレ製)
(a-4)ポリビニルブチラール、BL-7(積水化学工業(株)製)
(a-5)ポリ(N-イソプロピルアクリルアミド)(アルドリッチ社製)(比較用樹脂)
<樹脂(ポリビニルアセタールまたは比較用樹脂)>
(a-1)ポリビニルブチラール、B30T((株)クラレ製)
(a-2)ポリビニルブチラール、B60H((株)クラレ製)
(a-3)ポリビニルブチラール、B30-HH((株)クラレ製)
(a-4)ポリビニルブチラール、BL-7(積水化学工業(株)製)
(a-5)ポリ(N-イソプロピルアクリルアミド)(アルドリッチ社製)(比較用樹脂)
<光吸収剤>
(b-1)NIR-AM1(アミニウム系化合物、ナガセケムテックス社製)
(b-2)CIR-960(アミニウム系化合物、日本カーリット(株)製)
(b-3)CIR-963(アミニウム系化合物、日本カーリット(株)製)
(b-4)TINUVIN 1130(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b-5)TINUVIN P(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b-6)TINUVIN 329(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b-7)TINUVIN 99-2(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b-8)TINUVIN 400(トリアジン系化合物、BASF社製)
(b-9)TINUVIN 477(トリアジン系化合物、BASF社製)
(b-10)NIR-IM1(ジインモニウム系化合物、ナガセケムテックス社製)
(b-1)NIR-AM1(アミニウム系化合物、ナガセケムテックス社製)
(b-2)CIR-960(アミニウム系化合物、日本カーリット(株)製)
(b-3)CIR-963(アミニウム系化合物、日本カーリット(株)製)
(b-4)TINUVIN 1130(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b-5)TINUVIN P(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b-6)TINUVIN 329(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b-7)TINUVIN 99-2(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b-8)TINUVIN 400(トリアジン系化合物、BASF社製)
(b-9)TINUVIN 477(トリアジン系化合物、BASF社製)
(b-10)NIR-IM1(ジインモニウム系化合物、ナガセケムテックス社製)
<溶剤>
(c-1)2-プロパノール
(c-2)1-メトキシ-2-プロパノール
(c-3)エタノール
(c-4)1-ブタノール
(c-5)1-プロパノール
(c-6)1-オクタノール
(c-7)メタノール
(c-8)2-ブタノール
(c-1)2-プロパノール
(c-2)1-メトキシ-2-プロパノール
(c-3)エタノール
(c-4)1-ブタノール
(c-5)1-プロパノール
(c-6)1-オクタノール
(c-7)メタノール
(c-8)2-ブタノール
<離型剤>
(d-1)KF-6017(シリコーン系化合物、信越化学工業(株)製)
(d-2)F-553(フッ素系化合物、DIC(株)製)
(d-1)KF-6017(シリコーン系化合物、信越化学工業(株)製)
(d-2)F-553(フッ素系化合物、DIC(株)製)
上記結果から明らかなとおり、本発明の樹脂組成物は、レーザー加工性に優れ、かつ、除去性に優れていることが分かった。
これに対し、光吸収剤を配合しない場合(比較例1、2)、レーザー加工性が劣っていた。一方、ポリビニルアセタール以外の樹脂を用いた場合(比較例3、4)、剥離耐性が劣っていた。
これに対し、光吸収剤を配合しない場合(比較例1、2)、レーザー加工性が劣っていた。一方、ポリビニルアセタール以外の樹脂を用いた場合(比較例3、4)、剥離耐性が劣っていた。
Claims (18)
- ポリビニルアセタール、光吸収剤および溶剤を含む、保護膜形成用の樹脂組成物。
- 前記ポリビニルアセタールが、ポリビニルブチラールを含む、請求項1に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤が、190~1200nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収する、請求項1または2に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤の、10℃/分で昇温したときの50%熱質量減少温度が、300℃以上である、請求項1~3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤が、波長355nmにおけるモル吸光係数が5000以上である、請求項1~4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤が、イミダゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾエート系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種である、請求項5に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤が、ベンゾトリアゾール系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種である、請求項5に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤が、波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上である、請求項1~4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤が、シアニン系化合物、メロシアニン系化合物、ベンゼンチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、芳香族ジアミン系金属錯体、ジインモニウム系化合物、アミニウム系化合物、ニッケル錯体化合物、フタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合物およびナフタロシアニン系化合物から選択される少なくとも1種である、請求項8に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤が、ジインモニウム系化合物およびアミニウム系化合物から選択される少なくとも1種である、請求項8に記載の樹脂組成物。
- 前記樹脂組成物の25℃における粘度が1~500mPa・sである、請求項1~10のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- さらに、離型剤を含む、請求項1~11のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤を、前記ポリビニルアセタール100質量部に対し、10質量部以上含む、請求項1~12のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤を、前記ポリビニルアセタール100質量部に対し、20質量部以上含む、請求項1~12のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記溶剤がアルコール系溶剤である、請求項1~14のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1~15のいずれか1項に記載の樹脂組成物から形成される保護膜。
- 前記保護膜の膜厚が1~10μmである、請求項16に記載の保護膜。
- 前記保護膜の、波長355nmまたは1064nmの光学濃度が1.0以上である、請求項16または17に記載の保護膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018529892A JP6708738B2 (ja) | 2016-07-28 | 2017-07-25 | 保護膜形成用の樹脂組成物および保護膜 |
| US16/257,543 US20190153210A1 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-25 | Resin composition for forming protective film and protective film |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016-148740 | 2016-07-28 | ||
| JP2016148740 | 2016-07-28 | ||
| JP2017012855 | 2017-01-27 | ||
| JP2017-012855 | 2017-06-15 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| US16/257,543 Continuation US20190153210A1 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-25 | Resin composition for forming protective film and protective film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2018021272A1 true WO2018021272A1 (ja) | 2018-02-01 |
Family
ID=61017158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2017/026785 Ceased WO2018021272A1 (ja) | 2016-07-28 | 2017-07-25 | 保護膜形成用の樹脂組成物および保護膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190153210A1 (ja) |
| JP (1) | JP6708738B2 (ja) |
| TW (1) | TWI778969B (ja) |
| WO (1) | WO2018021272A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2020119924A (ja) * | 2019-01-18 | 2020-08-06 | 株式会社ディスコ | レーザーダイシング用保護膜剤、レーザーダイシング用保護膜剤の製造方法及びレーザーダイシング用保護膜剤を用いた被加工物の加工方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119264755A (zh) * | 2024-10-22 | 2025-01-07 | 四川蜀旺辰昇新材料有限责任公司 | Euv氧化易清洗镀膜层及其制备方法和应用 |
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| JPH09311488A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH11119450A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JP2000103620A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-04-11 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子写真感光体及びその製造方法並びにそれに用いる酸化チタン |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU631369B2 (en) * | 1988-08-09 | 1992-11-26 | Neil Alexander North | Protective coating for an electrical or electronic circuit |
| JP3121085B2 (ja) * | 1991-12-18 | 2000-12-25 | 電気化学工業株式会社 | 易剥離性塗料組成物 |
| JPH08114937A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-05-07 | Hitachi Maxell Ltd | 画像記録用透光性フィルム |
| JPH1199744A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Toshiba Corp | 熱転写オーバーコートフィルム |
-
2017
- 2017-07-24 TW TW106124673A patent/TWI778969B/zh active
- 2017-07-25 JP JP2018529892A patent/JP6708738B2/ja active Active
- 2017-07-25 WO PCT/JP2017/026785 patent/WO2018021272A1/ja not_active Ceased
-
2019
- 2019-01-25 US US16/257,543 patent/US20190153210A1/en not_active Abandoned
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| JP7258420B2 (ja) | 2019-01-18 | 2023-04-17 | 株式会社ディスコ | レーザーダイシング用保護膜剤、レーザーダイシング用保護膜剤の製造方法及びレーザーダイシング用保護膜剤を用いた被加工物の加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201829601A (zh) | 2018-08-16 |
| JP6708738B2 (ja) | 2020-06-10 |
| TWI778969B (zh) | 2022-10-01 |
| US20190153210A1 (en) | 2019-05-23 |
| JPWO2018021272A1 (ja) | 2019-04-04 |
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