JP6708738B2 - 保護膜形成用の樹脂組成物および保護膜 - Google Patents
保護膜形成用の樹脂組成物および保護膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6708738B2 JP6708738B2 JP2018529892A JP2018529892A JP6708738B2 JP 6708738 B2 JP6708738 B2 JP 6708738B2 JP 2018529892 A JP2018529892 A JP 2018529892A JP 2018529892 A JP2018529892 A JP 2018529892A JP 6708738 B2 JP6708738 B2 JP 6708738B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- resin composition
- composition according
- compound
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 95
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 63
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 47
- -1 cyanine compound Chemical class 0.000 claims description 44
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 43
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 36
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 34
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N phenyl mercaptan Natural products SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims 4
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 claims 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 30
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 20
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 15
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 14
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 11
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical class CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 9
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical group CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 6
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IYAZLDLPUNDVAG-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenol Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 IYAZLDLPUNDVAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 5
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 4
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001558 benzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 3
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- SITYOOWCYAYOKL-UHFFFAOYSA-N 2-[4,6-bis(2,4-dimethylphenyl)-1,3,5-triazin-2-yl]-5-(3-dodecoxy-2-hydroxypropoxy)phenol Chemical compound OC1=CC(OCC(O)COCCCCCCCCCCCC)=CC=C1C1=NC(C=2C(=CC(C)=CC=2)C)=NC(C=2C(=CC(C)=CC=2)C)=N1 SITYOOWCYAYOKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical group OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFOPEPMHKILNIT-UHFFFAOYSA-N Isopropyl butyrate Chemical compound CCCC(=O)OC(C)C FFOPEPMHKILNIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000005529 alkyleneoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N butyl butanoate Chemical compound CCCCOC(=O)CCC XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJRDRFZCRQNLJM-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[3-(benzotriazol-2-yl)-5-tert-butyl-4-hydroxyphenyl]propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(CCC(=O)OC)=CC(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1O UJRDRFZCRQNLJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQBAKBUEJOMQEX-UHFFFAOYSA-N phenyl salicylate Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(=O)OC1=CC=CC=C1 ZQBAKBUEJOMQEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVUWYXJTOLSMFV-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-4-octylphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 VVUWYXJTOLSMFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- HOMDJHGZAAKUQV-UHFFFAOYSA-N 1-(propoxymethoxy)propane Chemical compound CCCOCOCCC HOMDJHGZAAKUQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNAGHMKIPMKKBB-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpyrrolidine-3-carboxamide Chemical compound C1C(C(=O)N)CCN1CC1=CC=CC=C1 HNAGHMKIPMKKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFZLSTDPRQSZCQ-UHFFFAOYSA-N 1-pyrrolidin-3-ylpyrrolidine Chemical compound C1CCCN1C1CNCC1 HFZLSTDPRQSZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKGDHYUFDQDBQZ-UHFFFAOYSA-N 2-(benzenesulfonyl)-3-(diethylamino)penta-2,4-dienoic acid Chemical compound C(C)N(CC)C(=C(C(=O)O)S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1)C=C HKGDHYUFDQDBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZUNCLSDTUBVCN-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-6-(2-phenylpropan-2-yl)-4-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)phenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C(O)C=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 UZUNCLSDTUBVCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethanol Chemical compound CC(C)(C)OCCO BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICPWFHKNYYRBSZ-UHFFFAOYSA-M 2-methoxypropanoate Chemical compound COC(C)C([O-])=O ICPWFHKNYYRBSZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QOFLTGDAZLWRMJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,1-diol Chemical compound CC(C)C(O)O QOFLTGDAZLWRMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDFDHBSESGTDAL-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropan-1-ol Chemical compound COCCCO JDFDHBSESGTDAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACQVEWFMUBXEMR-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-2-fluoro-6-nitrophenol Chemical compound OC1=C(F)C=C(Br)C=C1[N+]([O-])=O ACQVEWFMUBXEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 102100033806 Alpha-protein kinase 3 Human genes 0.000 description 1
- 101710082399 Alpha-protein kinase 3 Proteins 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIQMPQMYFZXDAX-UHFFFAOYSA-N Pentyl formate Chemical compound CCCCCOC=O DIQMPQMYFZXDAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- OBNCKNCVKJNDBV-UHFFFAOYSA-N butanoic acid ethyl ester Natural products CCCC(=O)OCC OBNCKNCVKJNDBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWPATTDMSUYMJV-UHFFFAOYSA-N butyl 2-methoxyacetate Chemical compound CCCCOC(=O)COC IWPATTDMSUYMJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229940088516 cipro Drugs 0.000 description 1
- MYSWGUAQZAJSOK-UHFFFAOYSA-N ciprofloxacin Chemical compound C12=CC(N3CCNCC3)=C(F)C=C2C(=O)C(C(=O)O)=CN1C1CC1 MYSWGUAQZAJSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- NKDDWNXOKDWJAK-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethane Chemical compound COCOC NKDDWNXOKDWJAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- KLKFAASOGCDTDT-UHFFFAOYSA-N ethoxymethoxyethane Chemical compound CCOCOCC KLKFAASOGCDTDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNIHNYUROPJCLW-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxy-2-methylpropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)(C)OCC WNIHNYUROPJCLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxyacetate Chemical compound CCOCC(=O)OCC CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLEKJZUYWFJPMB-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methoxyacetate Chemical compound CCOC(=O)COC JLEKJZUYWFJPMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHRLOJCOIKOQGL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)OC WHRLOJCOIKOQGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJAKCEHATXBFJT-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-oxobutanoate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)CC FJAKCEHATXBFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- TZMQHOJDDMFGQX-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1,1-triol Chemical compound CCCCCC(O)(O)O TZMQHOJDDMFGQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- PPFNAOBWGRMDLL-UHFFFAOYSA-N methyl 2-ethoxyacetate Chemical compound CCOCC(=O)OC PPFNAOBWGRMDLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OC YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKWHOGIYEOZALP-UHFFFAOYSA-N methyl 2-methoxy-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)OC AKWHOGIYEOZALP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPIWVCAMONZQCP-UHFFFAOYSA-N methyl 2-oxobutanoate Chemical compound CCC(=O)C(=O)OC XPIWVCAMONZQCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N methyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OC HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091047660 miR-1011 stem-loop Proteins 0.000 description 1
- 108091024104 miR-1021 stem-loop Proteins 0.000 description 1
- QUAMTGJKVDWJEQ-UHFFFAOYSA-N octabenzone Chemical compound OC1=CC(OCCCCCCCC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 QUAMTGJKVDWJEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N pentane-1,1-diol Chemical compound CCCCC(O)O UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 229960000969 phenyl salicylate Drugs 0.000 description 1
- 229920003213 poly(N-isopropyl acrylamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- CYIRLFJPTCUCJB-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methoxypropanoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)OC CYIRLFJPTCUCJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILPVOWZUBFRIAX-UHFFFAOYSA-N propyl 2-oxopropanoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=O ILPVOWZUBFRIAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N thiodiglycol Chemical compound OCCSCCO YODZTKMDCQEPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950006389 thiodiglycol Drugs 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L29/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical; Compositions of hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L29/14—Homopolymers or copolymers of acetals or ketals obtained by polymerisation of unsaturated acetals or ketals or by after-treatment of polymers of unsaturated alcohols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/17—Amines; Quaternary ammonium compounds
- C08K5/19—Quaternary ammonium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
- C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
- C08K5/3472—Five-membered rings
- C08K5/3475—Five-membered rings condensed with carbocyclic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
- C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
- C08K5/3477—Six-membered rings
- C08K5/3492—Triazines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D129/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal, or ketal radical; Coating compositions based on hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D129/14—Homopolymers or copolymers of acetals or ketals obtained by polymerisation of unsaturated acetals or ketals or by after-treatment of polymers of unsaturated alcohols
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Description
例えば、特許文献1には、半導体素子製造の際に用いられる保護膜について開示されている。
そのような保護膜を部分的に付与したい場合に、一旦全面に形成した保護膜の一部をレーザーアブレーション加工によって除去することが一般的に行われる。
また、保護膜は、永久膜として半導体素子等の素子に残る永久保護膜もあるが、所望の加工工程が終了した後、除去される一時的保護膜もある。そして、一時的保護膜は、残渣なく除去できることが必要だが、一方で加工工程中には剥がれないことが求められる。
かかる状況のもと、レーザーアブレーション加工が可能であり、かつ、上記加工後に保護膜自体を除去可能であり、さらに、加工工程中に剥がれない保護膜が必要であるが、全てを満たす材料が無かった。
本発明はかかる課題を解決することを目的とするものであって、レーザーアブレーション加工が可能であり、かつ、上記加工後に保護膜自体を除去可能であり、さらに、剥離耐性のある保護膜を形成可能な樹脂組成物、および、保護膜を提供することを目的とする。
<1>ポリビニルアセタール、光吸収剤および溶剤を含む、保護膜形成用の樹脂組成物。
<2>上記ポリビニルアセタールが、ポリビニルブチラールを含む、<1>に記載の樹脂組成物。
<3>上記光吸収剤が、190〜1200nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収する、<1>または<2>に記載の樹脂組成物。
<4>上記光吸収剤の、10℃/分で昇温したときの50%熱質量減少温度が、300℃以上である、<1>〜<3>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<5>上記光吸収剤が、波長355nmにおけるモル吸光係数が5000以上である、<1>〜<4>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<6>上記光吸収剤が、イミダゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾエート系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種である、<5>に記載の樹脂組成物。
<7>上記光吸収剤が、ベンゾトリアゾール系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種である、<5>に記載の樹脂組成物。
<8>上記光吸収剤が、波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上である、<1>〜<4>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<9>上記光吸収剤が、シアニン系化合物、メロシアニン系化合物、ベンゼンチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、芳香族ジアミン系金属錯体、ジインモニウム系化合物、アミニウム系化合物、ニッケル錯体化合物、フタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合物およびナフタロシアニン系化合物から選択される少なくとも1種である、<8>に記載の樹脂組成物。
<10>上記光吸収剤が、ジインモニウム系化合物およびアミニウム系化合物から選択される少なくとも1種である、<8>に記載の樹脂組成物。
<11>上記樹脂組成物の25℃における粘度が1〜500mPa・sである、<1>〜<10>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<12>さらに、離型剤を含む、<1>〜<11>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<13>上記光吸収剤を、上記ポリビニルアセタール100質量部に対し、10質量部以上含む、<1>〜<12>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<14>上記光吸収剤を、上記ポリビニルアセタール100質量部に対し、20質量部以上含む、<1>〜<12>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<15>上記溶剤がアルコール系溶剤である、<1>〜<14>のいずれか1つに記載の樹脂組成物。
<16><1>〜<15>のいずれか1つに記載の樹脂組成物から形成される保護膜。
<17>上記保護膜の膜厚が1〜10μmである、<16>に記載の保護膜。
<18>上記保護膜の、波長355nmまたは1064nmの光学濃度が1.0以上である、<16>または<17>に記載の保護膜。
以下に記載する本発明における構成要素の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
本明細書において、重量平均分子量(Mw)・数平均分子量(Mn)は、特に述べない限り、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC測定)に従ったポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)は、例えば、HLC−8220(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてガードカラムHZ−L、TSKgel Super HZM−M、TSKgel Super HZ4000、TSKgel Super HZ3000、TSKgel Super HZ2000(東ソー(株)製)を用いることによって求めることができる。溶離液は特に述べない限り、THF(テトラヒドロフラン)を用いる。また、検出は特に述べない限り、UV線(紫外線)の波長254nm検出器を使用したものとする。
本発明で用いられるポリビニルアセタールは、ポリビニルアルコール(ポリ酢酸ビニルを鹸化して得られる。)を環状アセタール化することにより得られる化合物またはその誘導体(ポリビニルアルコール誘導体)である。ポリビニルアセタール誘導体は、上記変性ポリビニルアセタールや、アセタール単位と、他の共重合単位からなるものが例示される。
ポリビニルアセタール誘導体中のアセタールの含量は、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対し、アセタール化されるビニルアルコール単位が、30〜90モル%が好ましく、40〜85モル%がより好ましく、45〜78モル%がさらに好ましい。
ポリビニルアセタール誘導体中のビニルアルコール単位としては、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対して、0〜70モル%が好ましく、5〜50モル%がより好ましく、22〜45モル%が特に好ましい。
また、ポリビニルアセタール誘導体は、その他の成分として、酢酸ビニル単位を有していてもよく、酢酸ビニル単位の含量としては、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対し、0〜20モル%が好ましく、0〜10モル%がさらに好ましい。
ポリビニルアセタール誘導体中の変性された共重合単位は、ポリビニルアセタールを構成する原料の酢酸ビニルモノマーの総モル数に対し、0〜30モル%が好ましく、1〜20モル%がより好ましく、1〜10モル%がさらに好ましい。
ポリビニルアセタール誘導体は、さらに、その他の共重合単位を有していてもよい。
ポリビニルアセタールとしては、ポリビニルブチラール、ポリビニルプロピラール、ポリビニルエチラール、ポリビニルメチラールなどが挙げられ、ポリビニルブチラールが好ましく、ポリビニルブチラール誘導体がより好ましい。ポリビニルブチラールは、ポリビニルアセタールをブチラール化して得られるポリマーおよびポリビニルブチラール誘導体である。
ポリビニルブチラール誘導体の例として、ポリビニルブチラールの水酸基の少なくとも一部をカルボキシル基等の酸基に変性した酸変性ポリビニルブチラール誘導体、ポリビニルブチラールの水酸基の一部を(メタ)アクリロイル基に変性した変性ポリビニルブチラール誘導体、ポリビニルブチラールの水酸基の少なくとも一部をアミノ基に変性した変性ポリビニルブチラール誘導体、ポリビニルブチラールの水酸基の少なくとも一部にエチレングリコールやプロピレングリコールおよびこれらの複量体を導入した変性ポリビニルブチラール誘導体等が挙げられる。
ポリビニルアセタールの分子量としては、剥離耐性とレーザー加工性のバランスを保つ観点で、重量平均分子量として5,000〜800,000であることが好ましく、8,000〜500,000であることがより好ましい。
本発明で用いるポリビニルブチラールは、下記式(1)に示される構成単位を含むことが好ましい。
式(1)
lは0を超え100以下の数であり、30〜90が好ましく、40〜85がより好ましく、45〜78がさらに好ましい。
mは0以上100未満の数であり、0〜20が好ましく、0〜10がより好ましく、1〜5がさらに好ましい。
nは0以上100未満の数であり、0〜70が好ましく、5〜50がより好ましく、22〜45がさらに好ましい。
これらのうち、特に好ましい市販品を、上記式(1)中の、l、mおよびnの値と、重量平均分子量とともに以下に示す。
積水化学工業(株)製の「エスレックB」シリーズでは、「BL−1」(l=61、m=3、n=36 重量平均分子量 1.9万)、「BL−1H」(l=67、m=3、n=30 重量平均分子量 2.0万)、「BL−2」(l=61、m=3、n=36 重量平均分子量 約2.7万)、「BL−5」(l=75、m=4、n=21 重量平均分子量 3.2万)、「BL−7」(l=66、m=3、n=31 重量平均分子量4.0万)、「BL−S」(l=74、m=4、n=22 重量平均分子量 2.3万)、「BM−S」(l=73、m=5、n=22 重量平均分子量 5.3万)、「BH−S」(l=73、m=5、n=22 重量平均分子量 6.6万)が挙げられる。
また、電気化学工業(株)製の「デンカブチラール」シリーズでは「#3000−1」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 7.4万)、「#3000−2」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 9.0万)、「#3000−4」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 11.7万)、「#4000−2」(l=71、m=1、n=28 重量平均分子量 15.2万)、「#6000−C」(l=64、m=1、n=35 重量平均分子量 30.8万)、「#6000−EP」(l=56、m=15、n=29 重量平均分子量 38.1万)、「#6000−CS」(l=74、m=1、n=25 重量平均分子量 32.2万)、「#6000−AS」(l=73、m=1、n=26 重量平均分子量 24.2万)が挙げられる。
さらに、(株)クラレ製の「Mowital」シリーズでは、「B30T」(l=63、m=2、n=35 重量平均分子量3.3万)、「B60H」(l=70、m=2、n=28 重量平均分子量5.5万)、「B30HH」(l=79、m=2、n=19 重量平均分子量3.3万)が挙げられる。
本発明の樹脂組成物は、ポリビニルアセタールを1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、光吸収剤を含む。光吸収剤を用いることにより、レーザーアブレーション加工が可能になる。
本発明で用いる光吸収剤は、190〜1200nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収することが好ましく、300〜400nmおよび1000〜1100nmの範囲のいずれかの1つ以上の波長の光を吸収することがより好ましい。
ここで、光を吸収するとは、上記波長におけるモル吸光係数が1000以上であることをいう。本発明では、上記範囲のいずれか1つ以上の波長において、モル吸光係数が2000以上であることが好ましく、5000以上であることがより好ましく、8000以上であることがさらに好ましく、10000以上であることが一層好ましい。上記モル吸光係数の上限値は特に定めるものではないが、例えば、500000以下、さらには50000以下とすることができる。
本発明におけるモル吸光係数は、後述する実施例に記載の方法に従って測定される。
上記10℃/分で昇温したときの50%熱質量減少温度の上限は特に定めるものではないが、例えば500℃以下、さらには450℃以下、特には430℃以下でも十分実用レベルである。
波長355nmにおけるモル吸光係数が5000以上である光吸収剤は、イミダゾール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾエート系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種であることが好ましく、ベンゾトリアゾール系化合物およびトリアジン系化合物から選択される少なくとも1種であることがより好ましい。
具体的には、スミソーブ200、スミソーブ250、スミソーブ300、スミソーブ340、スミソーブ350(住友化学社製)、JF77、JF78、JF79、JF80、JF83(城北化学工業社製)、TINUVIN P、TINUVIN PS、TINUVIN 99−2、TINUVIN 109、TINUVIN 329、TINUVIN 384−2、TINUVIN 900、TINUVIN 928、TINUVIN 1130(BASF社製)、EVERSORB70、EVERSORB71、EVERSORB72、EVERSORB73、EVERSORB74、EVERSORB75、EVERSORB76、EVERSORB234、EVERSORB77、EVERSORB78、EVERSORB80、EVERSORB81(台湾永光化学工業社製)、トミソーブ100、トミソーブ600(エーピーアイコーポレーション社製)、SEESORB701、SEESORB702、SEESORB703、SEESORB704、SEESORB706、SEESORB707、SEESORB709(シプロ化成社製)などのベンゾトリアゾール系化合物;
スミソーブ130(住友化学社製)、EVERSORB10、EVERSORB11、EVERSORB12(台湾永光化学工業社製)、トミソーブ800(エーピーアイコーポレーション社製)、SEESORB100、SEESORB101、SEESORB101S、SEESORB102、SEESORB103、SEESORB105、SEESORB106、SEESORB107、SEESORB151(シプロ化成社製)などのベンゾフェノン系化合物;
スミソーブ400(住友化学社製)、サリチル酸フェニルなどのベンゾエート系化合物;TINUVIN 400、TINUVIN 405、TINUVIN 460、TINUVIN 477、TINUVIN 477DW、TINUVIN 479(BASF社製)などのトリアジン系化合物;を挙げることができる。
市販品としては、例えば、ジエチルアミノ−フェニルスルホニル−ペンタジエノエイト系紫外線吸収剤(富士フイルムファインケミカルズ(株)製、商品名:DPO)などが挙げられる。
上記波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上である光吸収剤としては、赤外線吸収剤として市販されているものが例示される。
具体的には、ジアニン系化合物(日本化薬(株)製:CY−2、CY−4、CY−9、富士フイルム(株)製:IRF−106、IRF−107、山本化成(株)製:YKR2900);
ジインモニウム系化合物(ナガセケムテックス社製:NIR−AM1、NIR−IM1、日本化薬(株)製:IRG−022、IRG−023、日本カーリット(株)製:CIR−1080、CIR−1081);
アミニウム系化合物(日本カーリット(株)製:CIR−960、CIR−961、CIR−963、日本化薬(株)製:IRG−002、IRG−003、IRG−003K);
フタロシアニン系化合物(日本触媒(株)製:TX−305A);
ニッケル錯体化合物(三井化学(株)製:SIR−130、SIR−132、みどり化学(株)製:MIR−101、MIR−102、MIR−1011、MIR−1021、住友精化(株)製:BBDT−NI);
アントラキノン系化合物(日本化薬(株)製:IR−750);
ナフタロシアニン系化合物(山本化成(株)製:YKR5010)を挙げることができる。
本発明の樹脂組成物は、光吸収剤を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、溶剤を含む。溶剤は、樹脂組成物の樹脂成分をある程度溶解する限り、その種類等は特に定めるものではなく、アルコール系、セロソルブ系、ケトン系、アミド系、エーテル系、エステル系から選択することができ、アルコール系溶剤が好ましい。溶剤としてアルコール系溶剤を用いる場合、保護膜の除去工程においてアルコール系溶剤を含む除去溶剤による保護膜除去が容易である。
本発明の樹脂組成物では、樹脂組成物に含まれる溶剤のうち、80質量%以上がアルコール系溶剤であることが好ましく、90質量%以上がアルコール系溶剤であることがより好ましい。
アルコール類としては、炭素数1〜20の1価の直鎖または分岐の脂肪族アルコール類、炭素数4〜20の1価の脂肪族環状アルコール類が挙げられる。例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブチルアルコール、イソブタノール、セカンダリーブタノール、ターシャリーブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、3−メトキシ−2−プロパノール、3−メトキシ−1−プロパノール、1−オクタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール等が好ましく挙げられる。
多価アルコール類としては、炭素数2〜20の2価以上の直鎖または分岐の脂肪族アルコール類、炭素数4〜20の2価以上の脂肪族環状アルコール類が挙げられる。水酸基の数は1分子内に2〜6が好ましく、2〜4がより好ましく、2または3がさらに好ましい。また、多価アルコール類は、炭化水素鎖中に1以上の炭素数2〜6のアルキレンオキシ基を含有することが好ましい。例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキサンジオール、ペンタンジオール、グリセリン、ヘキサントリオール、チオジグリコール、2−メチルプロパンジオール等が好ましく挙げられる。
本発明の樹脂組成物は、溶剤を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、離型剤を含んでいてもよい。離型剤を用いることにより、剥離によって、保護膜を除去することが可能になる。
離型剤は、フッ素原子およびシリコン原子の少なくとも一方を含むことが好ましい。
フッ素原子を含む離型剤の例としては、住友スリーエム(株)製、フロラードFC−4430、FC−4431、旭硝子(株)製、サーフロンS−241、S−242、S−243、三菱マテリアル電子化成(株)製、エフトップEF−PN31M−03、EF−PN31M−04、EF−PN31M−05、EF−PN31M−06、MF−100、OMNOVA社製、Polyfox PF−636、PF−6320、PF−656、PF−6520、(株)ネオス製、フタージェント250、251、222F、212M、DFX−18、ダイキン工業(株)製、ユニダインDS−401、DS−403、DS−406、DS−451、DSN−403N、DIC(株)製、メガファックF−430、F−444、F−477、F−553、F−556、F−557、F−559、F−562、F−565、F−567、F−569、R−40、DuPont社製、CapstoneFS−3100、Zonyl FSO−100が挙げられる。
また、市販品も使用することが可能であり、例えば商品名「BYK−300」、「BYK−301/302」、「BYK−306」、「BYK−307」、「BYK−310」、「BYK−315」、「BYK−313」、「BYK−320」、「BYK−322」、「BYK−323」、「BYK−325」、「BYK−330」、「BYK−331」、「BYK−333」、「BYK−337」、「BYK−341」、「BYK−344」、「BYK−345/346」、「BYK−347」、「BYK−348」、「BYK−349」、「BYK−370」、「BYK−375」、「BYK−377」、「BYK−378」、「BYK−UV3500」、「BYK−UV3510」、「BYK−UV3570」、「BYK−3550」、「BYK−SILCLEAN3700」、「BYK−SILCLEAN3720」(以上、ビックケミー・ジャパン(株)製)、商品名「AC FS 180」、「AC FS 360」、「AC S 20」(以上、Algin Chemie製)、商品名「ポリフローKL−400X」、「ポリフローKL−400HF」、「ポリフローKL−401」、「ポリフローKL−402」、「ポリフローKL−403」、「ポリフローKL−404」、「ポリフローKL−700」(以上、共栄社化学(株)製)、商品名「KP−301」、「KP−306」、「KP−109」、「KP−310」、「KP−310B」、「KP−323」、「KP−326」、「KP−341」、「KP−104」、「KP−110」、「KP−112」、「KP−360A」、「KP−361」、「KP−354」、「KP−355」、「KP−356」、「KP−357」、「KP−358」、「KP−359」、「KP−362」、「KP−365」、「KP−366」、「KP−368」、「KP−369」、「KP−330」、「KP−650」、「KP−651」、「KP−390」、「KP−391」、「KP−392」、「KF−105」、「KF−6017」、「X−22−163A」、「X−22−169AS」、「X−22−160AS」、「X−22−164A」、「X−22−3710」、「X−22−167B」、「X−22−4272」(以上、信越化学工業(株)製)、商品名「LP−7001」、「LP−7002」、「SH28PA」、「8032 ADDITIVE」、「57 ADDITIVE」、「L−7604」、「FZ−2110」、「FZ−2105」、「67 ADDITIVE」、「8618 ADDITIVE」、「3 ADDITIVE」、「56 ADDITIVE」(以上、東レ・ダウコーニング(株)製)、「TEGO WET 270」(エボニック・デグサ・ジャパン(株)製)、「NBX−15」((株)ネオス製)などの市販品を使用することができる。
本発明の樹脂組成物は、離型剤を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で他の成分を含んでいてもよい。具体的には、他の高分子化合物、酸化防止剤、界面活性剤、密着促進剤および充填剤が例示される。
保護膜の厚さは、用途等に応じて適宜定めることができるが、1〜10μmが好ましく、2〜8μmがより好ましい。
本発明の保護膜は、波長355nmまたは1064nmにおける光学濃度が0.2以上であることが好ましく、0.3以上であることがより好ましく、0.6以上であることがさらに好ましく、1.0以上であることが一層好ましい。上記波長355nmまたは1064nmにおける光学濃度の上限は、特に定めるものではないが、20以下であることが好ましく、10以下であることがより好ましく、8以下であることがさらに好ましい。このような範囲とすることにより、レーザーアブレーション加工性がより効果的に発揮される。
本発明における光学濃度は、後述する実施例に記載の方法で測定される。
保護膜形成工程では、本発明の樹脂組成物を用いて部材の上に保護膜を形成する。
本発明の保護膜を部材上に形成する方法としては、スピンコート、スリットコート、スプレーコート、インクジェットコートなど、一般的に知られている塗布方法を用いることができる。バンプ付き基板や段差付き基板など、凹凸のある基板を用いる場合には、凹凸の側面にも保護膜を形成するため、スプレーコート、インクジェットコート、または、スリットコートの使用が望ましい。
製膜後、レーザーアブレーション加工工程の前に、(溶剤乾燥のため)加熱工程を含むことも好ましい。
加熱温度は60〜200℃で行うことが好ましく、80〜120℃で行うことがより好ましい。
加熱時間は10〜600秒が好ましく、30〜300秒がより好ましく、40〜90秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
レーザーアブレーション加工工程では、保護膜に対し、レーザーアブレーション加工を行う。レーザーアブレーション加工では、保護膜の一部が除去され、保護膜が除去された部位に、必要な加工が施されることが好ましい。ここで、レーザーアブレーション加工とは、レーザー光の照射により蒸発または分解する成分を含む被加工材料に対してレーザー光を選択的に照射することにより、選択的に露光された領域を除去する加工方法である。
本発明におけるレーザーアブレーション装置に用いられる光源波長に制限は無いが、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができ、好ましくは波長200〜1300nm、より好ましくは波長300〜1200nm、特に好ましくは波長300〜400nmまたは900〜1200nmの光が好ましい。具体的には、YAGレーザー(1064nm)、YAG−THGレーザー(355nm)、エキシマレーザー(308nm、351nm)が好ましい。またレーザーのパルス幅は短い方が好ましく、100nsec(ナノ秒)以下が好ましく、10nsec以下がより好ましく、3psec以下が更に好ましい。
除去工程では、溶剤を用いて残存する保護膜を除去する。溶剤としては、アルコール系溶剤、エステル系溶剤が好ましく、エステル系溶剤がより好ましい。除去後の金属膜等の異物再付着防止の観点から、沸点が100℃以上の溶剤がより好ましく、沸点が130℃以上の溶剤がさらに好ましい。除去方法としては、例えば、溶剤が満たされた槽中に部材を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、ディップした容器全体を振とうさせる方法(振とう法)、部材表面に溶剤を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで除去する方法(パドル法)、部材表面に溶剤を噴霧する方法(スプレー法)、部材表面に高圧の溶剤を噴射する方法(シャワー法)、一定速度で回転している部材上に一定速度で溶剤吐出ノズルをスキャンしながら溶剤を吐出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。
アルコール系溶剤としては、上述の樹脂組成物に含まれる溶剤の所で述べたアルコール系溶剤が好ましい例として挙げられる。アルコール系溶剤としては沸点が100℃を超えることが好ましく、沸点が130℃を超えるアルコール系溶剤がより好ましい。より具体的には、沸点が100℃を超えるアルコール系溶剤(イソブチルアルコール、1−ブタノールなど)がより好ましく、沸点が130℃を超えるアルコール系溶剤(シクロヘキサノールなど)がさらに好ましい。上記アルコール系溶剤の沸点の上限は特に定めるものではないが、例えば、200℃以下とすることができる。沸点を200℃以下とすると、乾燥までの時間を短くでき、生産速度を向上させることができる。
エステル系溶剤としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸−n−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、アルキルオキシ酢酸アルキル(例:アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル(例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等))、3−アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類(例:3−アルキルオキシプロピオン酸メチル、3−アルキルオキシプロピオン酸エチル等(例えば、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル等))、2−アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類(例:2−アルキルオキシプロピオン酸メチル、2−アルキルオキシプロピオン酸エチル、2−アルキルオキシプロピオン酸プロピル等(例えば、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル))、2−アルキルオキシ−2−メチルプロピオン酸メチルおよび2−アルキルオキシ−2−メチルプロピオン酸エチル(例えば、2−メトキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−エトキシ−2−メチルプロピオン酸エチル等)、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、2−オキソブタン酸メチル、2−オキソブタン酸エチル等が好ましい例として挙げられる。エステル系溶剤としては、沸点が100℃を超えることが好ましく、沸点が130℃を超えるエステル系溶剤がより好ましい。より具体的には、沸点が100℃を超えるエステル系溶剤(酢酸−n−ブチルなど)がより好ましく、沸点が130℃を超えるエステル系溶剤(プロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセタートなど)がさらに好ましい。上記エステル系溶剤の沸点の上限は特に定めるものではないが、例えば、200℃以下とすることができる。沸点を200℃以下とすると、乾燥までの時間を短くでき、生産速度を向上させることができる。
本発明で、保護膜の除去に用いる溶剤は、本発明の樹脂組成物の25℃における溶解度が0.5質量%以上であることが好ましく1〜50質量%であることがより好ましい。このような範囲とすることにより、残存する保護膜をより効果的に除去できる。
下記表1または表2に記載の樹脂、光吸収剤、溶剤および離型剤を、表1または表2に記載の質量比率で混合し、樹脂組成物を調製した。
<熱質量減少温度の測定>
熱量計測装置(TGA)を用い、10℃/分の昇温速度で昇温し、50質量%減少する温度(50%熱質量減少温度)を測定した。
<モル吸光係数の測定>
各光吸収剤をテトラヒドロフラン(THF)に溶解させて、355nmおよび1064nmの波長における吸収スペクトルを測定し、モル吸光係数を算出した。
結果を下記表1または表2に示す。光吸収剤b−1〜b−3、b−10についての、355nmにおけるモル吸光係数は1000未満であった。また、光吸収剤b−4〜b−9の1064nmにおけるモル吸光係数は1000未満であった。
<樹脂組成物の25℃における粘度の測定>
樹脂組成物を、E型粘度計を用い、25℃で測定した結果、実施例に用いた樹脂組成物の粘度は全て1〜500mPa・sの範囲内であった。
(2−1)各樹脂組成物を、直径4インチ(1インチは、2.54cmである)の円盤状のシリコンウェハ上に200μm径の半田バンプを複数形成した基板上にスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、半田バンプの無い平坦部において厚さ5μmの保護膜を作製し、保護膜積層体を得た。
(2−2)別の作製方法として、上記と同じ基板上にスリットコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、同様に保護膜積層体を得た。
(a)塗布性
上記保護膜積層体の半田バンプの側面に付着している保護膜の厚みを、集束イオンビーム加工(FIB)装置を用いて断面を切り出して5か所計測し、その平均膜厚をバンプ側面の膜厚とした。平坦部と同じ厚みであることが、保護膜の溶解除去の均一性の観点から最も望ましいが、平坦部膜厚の1%以上付着していればよい。
A:バンプ側面の膜厚が平坦部膜厚に比べて50%以上だった。
B:バンプ側面の膜厚が平坦部膜厚に比べて50%未満1%以上だった。
C:バンプ側面に膜厚が1%未満の部分があった。
上記保護膜積層体を、25℃の水の中に1時間浸漬させて、保護膜の変化を観察した。溶解や膨潤などの変化が無ければ水を使用する工程中での剥離耐性が良好であると推定できる。以下の基準で評価した。変化の見られない、Aが最も好ましい結果となる。
A:変化が見られなかった。
B:膨潤などの変化が見られたが、完全に溶解することはなく実用上問題なく使用できた。
C:完全に溶解し、保護膜として使用できなかった。
上記保護膜積層体の保護膜上に、60μm角のレーザビームを集光し、パルス幅5ns、繰返し周波数50Hz、走査速度1.5mm/sで、5mm走査した後、走査方向に直角に50μmずらして、もう1回走査することで、幅100μm、長さ5mmのラインを表1または2に記載の波長のレーザー光を用いて作製し、保護膜のレーザーアブレーション加工の加工適性を確認した。光学顕微鏡を用いてラインの形状を観察し、以下の基準で評価した。Aが最も好ましい。
A:ライン上に保護膜の残渣が全くなく、きれいなラインが作製できた。
B:ライン側壁にわずかに凹凸があるものの、ライン上には保護膜の残渣がなく、問題なく使用できるものであった。
C:ライン上に保護膜の残渣がややあるが、実用上問題なく使用できるものであった。
D:保護膜の残渣が残り、使用できないものであった。
前記レーザー加工後の保護膜積層体の上に、スパッタ法により銅を100nm形成し、金属膜付きの保護膜積層体を得た。
上記金属膜付きの保護膜積層体を用いて、表1または表2に記載の溶解除去(表に、「溶解1」、「溶解2」の何れかを記載)もしくは剥離除去方法(表に「剥離」と記載)で、保護膜の除去性を確認した。
上記金属膜付きの保護膜積層体を、25℃の2−プロパノールの中に2分間浸漬させた後、取り出し、さらに10mLの2−プロパノールでかけ洗いを行い保護膜の除去性を目視にて確認した。以下の基準で評価した。
A:残渣なく除去できた。
B:残渣が残った。
また、保護膜除去後に除去液中の金属膜が再付着すると問題であるので、金属膜の再付着を光学顕微鏡にて確認した。
A:再付着はなかった。
B:再付着が10か所未満あった。
C:再付着が10か所以上あった。
上記金属膜付きの保護膜積層体を、25℃のプロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセタートの中に浸漬してふたを閉めて密閉し、60Hzで振とうさせた後、保護膜除去後の基板を取り出して、大気中で乾燥させ、保護膜の除去性と金属膜の再付着を、上記と同じ基準にて評価した。
上記金属膜付きの保護膜積層体の保護膜の端部2cmにスコッチテープを貼りつけた。貼りつけたスコッチテープをシリコンウェハ面に対して垂直方向に引張り、剥離の除去性を目視にて確認した。以下の基準で評価した。また、金属膜の再付着を、上記と同じ基準にて評価した。
A:残渣なく除去できた。
B:残渣が残った。
各樹脂組成物を、直径4インチ(1インチは、2.54cmである)の円盤状のガラス上にスピンコートし、ホットプレート上で、100℃で2分間加熱し、厚さ5μmの保護膜を作製した。ガラス上に塗布した保護膜の透過スペクトルを測定し、355nmおよび1064nmの透過率における、OD値(光学濃度)を算出した。
<樹脂(ポリビニルアセタールまたは比較用樹脂)>
(a−1)ポリビニルブチラール、B30T((株)クラレ製)
(a−2)ポリビニルブチラール、B60H((株)クラレ製)
(a−3)ポリビニルブチラール、B30−HH((株)クラレ製)
(a−4)ポリビニルブチラール、BL−7(積水化学工業(株)製)
(a−5)ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)(アルドリッチ社製)(比較用樹脂)
(b−1)NIR−AM1(アミニウム系化合物、ナガセケムテックス社製)
(b−2)CIR−960(アミニウム系化合物、日本カーリット(株)製)
(b−3)CIR−963(アミニウム系化合物、日本カーリット(株)製)
(b−4)TINUVIN 1130(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b−5)TINUVIN P(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b−6)TINUVIN 329(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b−7)TINUVIN 99−2(ベンゾトリアゾール系化合物、BASF社製)
(b−8)TINUVIN 400(トリアジン系化合物、BASF社製)
(b−9)TINUVIN 477(トリアジン系化合物、BASF社製)
(b−10)NIR−IM1(ジインモニウム系化合物、ナガセケムテックス社製)
(c−1)2−プロパノール
(c−2)1−メトキシ−2−プロパノール
(c−3)エタノール
(c−4)1−ブタノール
(c−5)1−プロパノール
(c−6)1−オクタノール
(c−7)メタノール
(c−8)2−ブタノール
(d−1)KF−6017(シリコーン系化合物、信越化学工業(株)製)
(d−2)F−553(フッ素系化合物、DIC(株)製)
これに対し、光吸収剤を配合しない場合(比較例1、2)、レーザー加工性が劣っていた。一方、ポリビニルアセタール以外の樹脂を用いた場合(比較例3、4)、剥離耐性が劣っていた。
Claims (11)
- ポリビニルアセタール、光吸収剤、離型剤および溶剤を含み、
前記光吸収剤は、波長1064nmにおけるモル吸光係数が5000以上で、かつ、シアニン系化合物、メロシアニン系化合物、ベンゼンチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、芳香族ジアミン系金属錯体、ジインモニウム系化合物、アミニウム系化合物、ニッケル錯体化合物、フタロシアニン系化合物、アントラキノン系化合物およびナフタロシアニン系化合物から選択される少なくとも1種である、
保護膜形成用の樹脂組成物。 - 前記ポリビニルアセタールが、ポリビニルブチラールを含む、請求項1に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤の、10℃/分で昇温したときの50%熱質量減少温度が、300℃以上である、請求項1または2に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤が、ジインモニウム系化合物およびアミニウム系化合物から選択される少なくとも1種である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記樹脂組成物の25℃における粘度が1〜500mPa・sである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤を、前記ポリビニルアセタール100質量部に対し、10質量部以上含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記光吸収剤を、前記ポリビニルアセタール100質量部に対し、20質量部以上含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記溶剤がアルコール系溶剤である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の樹脂組成物から形成される保護膜。
- 前記保護膜の膜厚が1〜10μmである、請求項9に記載の保護膜。
- 前記保護膜の、波長355nmまたは1064nmの光学濃度が1.0以上である、請求項9または10に記載の保護膜。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016148740 | 2016-07-28 | ||
JP2016148740 | 2016-07-28 | ||
JP2017012855 | 2017-01-27 | ||
JP2017012855 | 2017-01-27 | ||
PCT/JP2017/026785 WO2018021272A1 (ja) | 2016-07-28 | 2017-07-25 | 保護膜形成用の樹脂組成物および保護膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018021272A1 JPWO2018021272A1 (ja) | 2019-04-04 |
JP6708738B2 true JP6708738B2 (ja) | 2020-06-10 |
Family
ID=61017158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018529892A Active JP6708738B2 (ja) | 2016-07-28 | 2017-07-25 | 保護膜形成用の樹脂組成物および保護膜 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190153210A1 (ja) |
JP (1) | JP6708738B2 (ja) |
TW (1) | TWI778969B (ja) |
WO (1) | WO2018021272A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7258420B2 (ja) * | 2019-01-18 | 2023-04-17 | 株式会社ディスコ | レーザーダイシング用保護膜剤、レーザーダイシング用保護膜剤の製造方法及びレーザーダイシング用保護膜剤を用いた被加工物の加工方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0354746A3 (en) * | 1988-08-09 | 1991-04-17 | Senson Limited | Protective coating for an electrical or electronic circuit |
JPH0470667A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-05 | Konica Corp | 電子写真感光体 |
JP3121085B2 (ja) * | 1991-12-18 | 2000-12-25 | 電気化学工業株式会社 | 易剥離性塗料組成物 |
JPH08114937A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-05-07 | Hitachi Maxell Ltd | 画像記録用透光性フィルム |
JP3573826B2 (ja) * | 1995-05-19 | 2004-10-06 | 株式会社リコー | 有機顔料分散液及びこのような分散液を用いた電子写真感光体 |
JP3753261B2 (ja) * | 1996-03-21 | 2006-03-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 感放射線性着色組成物 |
JPH09311488A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH1199744A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Toshiba Corp | 熱転写オーバーコートフィルム |
JPH11119450A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
JP4091205B2 (ja) * | 1998-07-30 | 2008-05-28 | 三菱化学株式会社 | 電子写真感光体及びその製造方法並びにそれに用いる酸化チタン |
-
2017
- 2017-07-24 TW TW106124673A patent/TWI778969B/zh active
- 2017-07-25 JP JP2018529892A patent/JP6708738B2/ja active Active
- 2017-07-25 WO PCT/JP2017/026785 patent/WO2018021272A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-01-25 US US16/257,543 patent/US20190153210A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018021272A1 (ja) | 2018-02-01 |
TWI778969B (zh) | 2022-10-01 |
TW201829601A (zh) | 2018-08-16 |
US20190153210A1 (en) | 2019-05-23 |
JPWO2018021272A1 (ja) | 2019-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5700195B2 (ja) | インクジェット記録用非水系インク組成物、インクセット、およびインクジェット記録方法 | |
KR101796359B1 (ko) | 잉크젯용 자외선 경화 백색 잉크 조성물, 이를 이용하는 화이트 베젤 패턴의 제조방법 및 이에 따라 제조한 화이트 베젤 패턴을 포함하는 전자소자 | |
JP6708738B2 (ja) | 保護膜形成用の樹脂組成物および保護膜 | |
JP2005200469A (ja) | インクジェットプリンター用油性インク | |
KR20160027028A (ko) | 근적외선 흡수성 조성물, 이를 이용한 근적외선 차단 필터 및 그 제조 방법, 카메라 모듈 및 그 제조 방법, 그리고 고체 촬상 소자 | |
CN110573964A (zh) | 负型感光性树脂组合物及固化膜 | |
CN102922173A (zh) | 助焊剂组成物、电性连接结构的形成方法、电性连接结构以及半导体装置 | |
CN110494508B (zh) | 用于形成边框图案的可光聚合的组合物、使用其形成边框图案的方法和由此制造的边框图案 | |
JP5493424B2 (ja) | 活性エネルギー線硬化型平版印刷インキおよびその印刷物 | |
US9308729B2 (en) | Ink jet recording apparatus | |
TWI382065B (zh) | 濾光片用墨水組成物及濾光片 | |
KR101600088B1 (ko) | 레이저 다이싱용 보호막 조성물 | |
WO2020080276A1 (ja) | レーザ剥離用の積層体、組成物およびキット | |
JP5812213B1 (ja) | 光学的立体造形用活性エネルギー線重合性樹脂組成物、及び立体造形物 | |
KR101537516B1 (ko) | 형광체 잉크 조성물 및 이의 제조방법 | |
JP5757848B2 (ja) | 水溶性塗布膜材料、水溶性塗布膜材料の粘度調整方法、及び水溶性塗布膜材料用粘度調整剤 | |
JP6977752B2 (ja) | インクジェットインク組成物及びインクジェット記録方法、インクセット | |
KR102035490B1 (ko) | 롤 프린팅용 잉크 조성물 | |
US8017795B2 (en) | Radiation curable polymer films having improved laser ablation properties and radiation curable sensitizers therefor | |
JP4983583B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物及び硬化膜 | |
KR20090124194A (ko) | 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물 | |
JP6970355B2 (ja) | インクジェットインク組成物及びインクジェット記録方法 | |
JP5470410B2 (ja) | インクジェットプリンター用油性インク | |
JP5834562B2 (ja) | インクジェット用非水系インク、およびインクジェット記録方法 | |
CN1246276C (zh) | 一种溶剂组合物在处理树胎质信息记录介质中的用途,信息记录介质的制备方法以及使用的染料溶液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6708738 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |