WO2017188113A1 - 固定化物及びその製造方法 - Google Patents

固定化物及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2017188113A1
WO2017188113A1 PCT/JP2017/015873 JP2017015873W WO2017188113A1 WO 2017188113 A1 WO2017188113 A1 WO 2017188113A1 JP 2017015873 W JP2017015873 W JP 2017015873W WO 2017188113 A1 WO2017188113 A1 WO 2017188113A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
carbon
immobilized
carbon material
product according
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/015873
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
慧 石丸
良憲 佐藤
浩典 松下
一孝 平野
西田　哲郎
Original Assignee
ステラケミファ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ステラケミファ株式会社 filed Critical ステラケミファ株式会社
Priority to CN201780023066.4A priority Critical patent/CN109074907B/zh
Priority to EP17789396.3A priority patent/EP3451349A4/en
Priority to KR1020187031412A priority patent/KR102389263B1/ko
Priority to US16/097,227 priority patent/US11964871B2/en
Publication of WO2017188113A1 publication Critical patent/WO2017188113A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/168—After-treatment
    • C01B32/174—Derivatisation; Solubilisation; Dispersion in solvents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/02—Single-walled nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
    • C01B2202/22—Electronic properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/13—Nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Definitions

  • the present invention relates to an immobilization product and a method for producing the same, and more specifically, various functions such as conductivity by immobilizing carbon materials such as carbon nanotubes (CNTs) and silicon materials on a substrate surface.
  • the present invention relates to a novel immobilization product that can be imparted with water and a production method thereof.
  • CNTs are hollow cylindrical carbon materials having a diameter of several nanometers to several tens of nanometers, each consisting only of sp 2 bonded carbon atoms.
  • SWCNTs Single Wall Carbon Nanotubes
  • MWCNTs Multi Wall Carbon Nanotubes
  • CNTs with a small number of layers are usually manufactured using a laser ablation method or an arc method. Because of its high crystallinity, it is often excellent in properties such as conductivity. On the other hand, a transparent conductive film is required to have particularly excellent light transmittance and conductivity. For this reason, SWCNTs, or SWCNTs and MWCNTs with a small number of layers, have been used in conventional research on transparent conductive films using CNTs.
  • SWCNTs have a problem that they are easy to break because of high manufacturing cost and small diameter.
  • MWCNTs can reduce the manufacturing cost, but because the aspect ratio is small, the crystallinity is low, and there are many defects, it is difficult to achieve both the light transmittance required for the transparent conductive film and the conductivity. It was.
  • Patent Document 1 MWCNTs having a length of 10 to 5000 ⁇ m and a number of 1 ⁇ 10 7 to 1 ⁇ 10 14 per m 2 per conductive layer unit area are used.
  • a transparent conductive film was disclosed. And according to the indication of patent document 1, it is supposed that the transparent conductive film which can make light transmittance and electroconductivity compatible at a high level can be provided.
  • the transparent conductive film disclosed in Patent Document 1 has a problem of peeling because it is not sufficiently fixed to a transparent substrate such as a plastic substrate. Therefore, in the conventional transparent conductive film, it is necessary to form a resin coat layer on the transparent conductive film.
  • An object of the present invention is to provide a novel immobilization product obtained by immobilizing a carbon material and / or a silicon material on a substrate surface by a chemical bond via a bonding group, and a method for producing the same.
  • the immobilization product of the present invention is an immobilization product in which a carbon material and / or a silicon material is immobilized on the surface of a base material, and the carbon material and / or the silicon material is the group.
  • the bonding group is —NH group, —NH—R 1 —NH group, —SO group, R 2 group, —O—R 3 —O group and R 4
  • At least one selected from the group consisting of groups (provided that R 1 to R 4 are each independently a chain alkyl group, a cyclic alkyl group, a chain alkenyl group, a cyclic alkenyl group, a chain alkynyl group, At least one of hydroxyl group, halogen, ester group, ether group, carbonyl group, amino group, amide group, cyano group, thiol group, thioester group or thioether group is further bonded to the aryl group and these functional groups. And wherein the selected from the group consisting of functional groups is represented.) At least one kind.
  • a fluorine group at least one of a fluorine group, a chlorine group, a bromine group, and an iodine group exists on the surface of the carbon material and the silicon material before being fixed to the substrate surface
  • a —NH 2 group On the surface of the base material before the carbon material and / or silicon material is immobilized, a —NH 2 group, —NH—R 1 —NH 2 group, —SOCl group, —R 2 —MgX group (where X is At least one selected from the group consisting of F, Cl, Br and I.), at least any one selected from the group consisting of an O—R 3 —ONa group and an —R 4 —Li group.
  • X is At least one selected from the group consisting of F, Cl, Br and I.
  • the surface of the carbon material and the silicon material before being immobilized on the surface of the base material has —NH 2 group, —NH—R 1 —NH 2 group, —SOCl group, — R 2 —MgX group (wherein X represents at least one selected from the group consisting of F, Cl, Br and I), a group selected from the group consisting of —O—R 3 —ONa group and —R 4 —Li group. And at least one of a fluorine group, a chlorine group, a bromine group and an iodine group is present on the surface of the base material before the carbon material and / or the silicon material is immobilized. Preferably it is present.
  • the carbon material is activated carbon, carbon nanohorn, diamond, carbon nanocoil, graphite, carbon black, diamond-like carbon, carbon fiber, graphene, amorphous carbon, fullerene, and carbon nanotube.
  • the base material is made of any one of other carbon materials, other silicon materials, natural polymers, and synthetic polymers.
  • the method for producing an immobilized product of the present invention includes a carbon material and / or a silicon material having at least one of a fluorine group, a chlorine group, a bromine group, and an iodine group on the surface, and —NH 2.
  • R 1 to R 4 are each independently a chain alkyl group, a cyclic alkyl group, a chain alkenyl group, a cyclic alkenyl group, a chain alkynyl group, an aryl group, and a hydroxyl group in addition to these functional groups.
  • a silicon material is bonded to at least one selected from the group consisting of —NH group, —NH—R 1 —NH group, —SO group, R 2 group, —O—R 3 —O group and R 4 group. It is characterized in that it is immobilized on the surface of the base material through a chemical bond via a group.
  • another method for producing an immobilized product of the present invention includes —NH 2 group, —NH—R 1 —NH 2 group, —SOCl group, —R 2 —MgX group, —O— At least one selected from the group consisting of R 3 —ONa group and —R 4 —Li group (wherein R 1 to R 4 are each independently a chain alkyl group, a cyclic alkyl group, a chain alkenyl group) Group, cyclic alkenyl group, chain alkynyl group, aryl group, and these functional groups, hydroxyl group, halogen, ester group, ether group, carbonyl group, amino group, amide group, cyano group, thiol group, thioester group Or at least one selected from the group consisting of functional groups to which at least one of thioether groups is bonded, and the X represents at least one selected from the group consisting of F, Cl, Br
  • the substrate is fixed to the substrate surface by chemical bonding.
  • the contact is preferably performed in the presence of a Lewis acid.
  • the carbon material is a group consisting of activated carbon, carbon nanohorn, diamond, carbon nanocoil, graphite, carbon black, diamond-like carbon, carbon fiber, graphene, amorphous carbon, fullerene, and carbon nanotube. It is preferable to use at least one selected from the above.
  • At least one of the carbon material and the silicon material has a structure in which the carbon material and the silicon material are immobilized on the surface of the base material by a chemical bond via a bonding group such as the —NH group. Therefore, compared with what the carbon material etc. were simply laminated
  • various functions such as conductivity, electrostatic diffusibility, and antistatic can be imparted to the base material.
  • the carbon material or the like is immobilized on the surface of the base material by chemical bonding via a bonding group, so that long-term stability of various functions can be achieved.
  • a carbon material and / or a silicon material having at least one of a fluorine group, a chlorine group, a bromine group and an iodine group on the surface is used as a raw material.
  • the carbon material or the like can be simply immobilized on the surface of the substrate via the bonding group such as the —NH group simply by contacting the substrate having —NH 2 group or the like on the surface.
  • a carbon material and / or a silicon material having the —NH 2 group or the like on the surface is used as a raw material, and this is used as a fluorine group, chlorine group, bromine group.
  • the carbon material or the like can be simply immobilized on the surface of the base material via the bonding group such as the —NH group only by contacting with the base material having at least one of iodine groups on the surface.
  • the immobilization material of this Embodiment is demonstrated.
  • the immobilization product of the present embodiment is obtained by chemically bonding a carbon material and / or a silicon material (hereinafter sometimes referred to as “carbon material or the like”) to a substrate surface via a bonding group.
  • carbon material is a carbon nanotube, which will be described later
  • the immobilized product fixed on the base material is as shown in FIG.
  • the existence form of the carbon material or the like is not particularly limited, and examples thereof include a film (film) shape, a sheet shape, a plate shape, a block shape, a fiber shape, a pellet shape, a thread shape, a tube shape, a rod shape, and a spherical shape.
  • the carbon material is not particularly limited, and examples thereof include activated carbon, carbon nanohorn, diamond, carbon nanocoil, graphite, carbon black, diamond-like carbon, carbon fiber, graphene, amorphous carbon, fullerene, and carbon nanotube.
  • Examples of the carbon nanotube include single-walled carbon nanotubes having a single hexagonal graphene sheet and a hollow cylindrical structure, multi-walled carbon nanotubes composed of a number of graphene sheets, fullerene tubes, bucky tubes, and graphite fibrils. Is mentioned.
  • an analog having such a basic structure of the carbon material can also be used as the carbon material according to the present invention.
  • these carbon materials can be used alone or in combination of two or more.
  • the silicon material is not particularly limited. For example, silicon alone, silicon carbide (SiC), silicon oxide (SiOx (0 ⁇ x ⁇ 2), specifically, silicon natural oxide, thermal silicon oxide, etc. And non-doped silicate glass compounds, phosphorus-doped silicate glass compounds, boron-doped silicate glass compounds, phosphorous-doped silicate glass compounds, TEOS, fluorine-containing silicon oxides, etc.), silicon nitride (Si 3 N 4 ) and the like. Can be mentioned. These silicon materials can be used alone or in combination of two or more.
  • the linking group is at least one selected from the group consisting of —NH group, —NH—R 1 —NH group, —SO group, R 2 group, —O—R 3 —O group and R 4 group. is there.
  • R 1 to R 4 are independent of each other, and each of the chain alkyl group, the cyclic alkyl group, the chain alkenyl group, the cyclic alkenyl group, the chain alkynyl group, the aryl group, and these functional groups
  • Examples of the chain alkyl group include those having 1 to 100 carbon atoms, preferably 1 to 50 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms. More specifically, for example, a linear alkyl group such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, Examples thereof include branched alkyl groups such as isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group and isopentyl group.
  • cyclic alkyl group examples include those having 3 to 30 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms. More specifically, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, etc. are mentioned, for example.
  • the cyclic alkyl group may be a functional group in which a carbon atom in the cyclic alkyl group is substituted with a heteroatom such as oxygen, nitrogen, or sulfur. In this case, specific examples include tetrahydrofuran, piperidine, thiophene, and the like.
  • chain alkenyl group examples include those having 2 to 100 carbon atoms, preferably 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 30 carbon atoms. More specifically, for example, linear alkenyl groups such as allyl, 3-butenyl, 4-hexenyl, 5-hexenyl, 7-octenyl, 10-dodecenyl, isopropenyl, isobutenyl, Examples thereof include branched alkenyl groups such as pentenyl group and 2-ethyl-3-hexenyl group.
  • Examples of the cyclic alkenyl group include those having 3 to 30 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms. More specifically, for example, a cyclobutenyl group, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group and the like can be mentioned.
  • Examples of the chain alkynyl group include those having 2 to 100 carbon atoms, preferably 2 to 50 carbon atoms, more preferably 2 to 30 carbon atoms. More specifically, for example, a cyclobutenyl group, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group and the like can be mentioned.
  • aryl group examples include those having 6 to 100 carbon atoms, preferably 6 to 50 carbon atoms, more preferably 6 to 30 carbon atoms. More specifically, a phenyl group and a tolyl group are mentioned, for example.
  • examples of the functional group in which the hydroxyl group is bonded to the chain alkyl group include 4-hydroxy-2-pentynyl.
  • the functional group in which the halogen is bonded to the chain alkyl group include 2-fluoropropane.
  • Examples of the functional group in which the ester group is bonded to the chain alkyl group and the like include 3-methylpentyl acetate and the like.
  • Examples of the functional group in which the ether group is bonded to the chain alkyl group and the like include 2-methoxybutane.
  • Examples of the functional group in which the carbonyl group is bonded to the chain alkyl group and the like include 2-octyl ketone and the like.
  • Examples of the functional group in which the amino group is bonded to the chain alkyl group and the like include 3-trimethylaminopentane.
  • Examples of the functional group in which the amide group is bonded to the chain alkyl group and the like include 2-amidobutane.
  • Examples of the functional group in which the cyano group is bonded to the chain alkyl group and the like include 2-cyanobutane.
  • Examples of the functional group in which the thiol group is bonded to the chain alkyl group include 2-propylthiol.
  • Examples of the functional group in which the thioester group is bonded to the chain alkyl group include 2-thioacid S-ethylbutane.
  • Examples of the functional group in which the thioether group is bonded to the chain alkyl group include 2-dimethylsulfide butane.
  • the base material is preferably composed of, for example, another carbon material, another silicon material, a natural polymer, or a synthetic polymer.
  • the shape of the substrate is not particularly limited, and for example, various shapes such as a film shape, a sheet shape, a plate shape, a block shape, a fiber shape, a pellet shape, a thread shape, a tube shape, a rod shape, and a spherical shape can be used.
  • the same carbon material as that described above can be used.
  • the thing similar to the said silicon material can be used.
  • the natural polymer is not particularly limited, and examples thereof include cotton, hemp, silk, wool, leather, protein, cellulose, starch, chitin, polysaccharide, rayon, cellulose acetate, rubber, enzyme, DNA, RNA, nucleic acid, and the like. Is mentioned.
  • the synthetic polymer is not particularly limited.
  • silicone resin for example, silicone resin, polysilane resin, polyethylene terephthalate (PET) resin, polyethylene naphthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polymethyl acrylate resin, polybutyl methacrylate, polymethacrylate Polyester resins such as propyl acid, polyethyl methacrylate, polymethyl methacrylate, modified polyester, polyethylene (PE) resin, polypropylene (PP) resin, polystyrene resin, phenol resin, alkyd resin, melamine resin, urea resin, bismaleimide Resins, polyolefin resins such as cyclic olefin resins, polyvinyl resins such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyvinyl acetal, polyether ether ketone ( EEK) resin, polysulfone (PSF) resin, polyethersulfone (PES) resin, polycarbonate (PC) resin, polyace
  • the method for producing an immobilized product according to the present embodiment includes a carbon material and / or silicon having a surface having at least one of a fluorine group, a chlorine group, a bromine group and an iodine group (hereinafter sometimes referred to as “substituent”). It includes at least a step of bringing the material into contact with the substrate (see FIG. 2).
  • the substrate surface has —NH 2 group, —NH—R 1 —NH 2 group, —SOCl group, R 2 —MgX group, —O—R 3 —ONa group and —R It is necessary that at least one selected from the group consisting of 4- Li groups (the above R 1 to R 4 are as described above) is present.
  • the method for introducing a substituent onto the surface of the carbon material or the like is not particularly limited, and various methods can be employed.
  • a method for introducing a fluorine group onto the surface of a carbon material or the like fluorination treatment can be mentioned.
  • the fluorination treatment is a step of fluorinating the surface in a gas phase by bringing a treatment gas containing at least a fluorine atom-containing gas into contact with a carbon material or the like. Specifically, this step is to introduce a fluorine group by a carbon-fluorine bond on the surface of a carbon material or the like. Therefore, for example, unlike an oxidation treatment in which an oxygen-containing functional group such as a hydroxyl group, a carbonyl group or a carboxyl group is imparted to the edge portion of the carbon hexagonal network surface, structural defects such as damage or decomposition of the carbon material occur.
  • the surface can be fluorinated.
  • a gas containing fluorine atom-containing gas of 0.01 to 100 vol%, preferably 0.1 to 80 vol%, more preferably 1 to 50 vol% is used with respect to the total volume.
  • the fluorine atom-containing gas means a gas containing fluorine atoms, and is not particularly limited as long as it contains fluorine atoms in the present embodiment.
  • fluorine atom-containing gas examples include hydrogen fluoride (HF), fluorine (F 2 ), chlorine trifluoride (ClF 3 ), sulfur tetrafluoride (SF 4 ), and boron trifluoride (BF 3 ). ), Nitrogen trifluoride (NF 3 ), carbonyl fluoride (COF 2 ), phosphorus pentafluoride (PF 5 ), and the like. You may use these individually or in mixture of 2 or more types.
  • the processing gas may contain an inert gas. Although it does not specifically limit as an inert gas, The thing which reacts with a fluorine atom containing gas and has a bad influence on fluorination processing of carbon materials, the thing which reacts with a carbon material etc. and has a bad influence, and the impurity which has the bad influence The inclusion is not preferred.
  • Specific examples of the inert gas include nitrogen, argon, helium, neon, krypton, and xenon. These may be used alone or in admixture of two or more.
  • the purity of the inert gas is not particularly limited, but the impurities that have an adverse effect are preferably 100 ppm or less, more preferably 10 ppm or less, and particularly preferably 1 ppm or less.
  • the treatment temperature when performing the fluorination treatment is in the range of ⁇ 20 ° C. to 600 ° C., preferably 0 ° C. to 400 ° C., more preferably 10 ° C. to 300 ° C., and further preferably 10 ° C. to 250 ° C. is there.
  • the treatment temperature By setting the treatment temperature to ⁇ 20 ° C. or higher, the fluorination treatment can be promoted.
  • by setting the treatment temperature to 600 ° C. or lower it is possible to suppress an excessive increase in defects in the carbon skeleton that accompanies the introduction of fluorine groups on the surface of the carbon material or the like. It is possible to prevent the fracture and the mechanical strength of the carbon material from being reduced. Furthermore, it is possible to prevent thermal deformation of the carbon material and the like, and to suppress a decrease in yield.
  • the treatment time (reaction time) of the fluorination treatment is in the range of 1 second to 24 hours, preferably 1 minute to 12 hours, more preferably 1 minute to 9 hours.
  • reaction time By setting the treatment time to 1 second or longer, the surface of the carbon material or the like can be sufficiently fluorinated.
  • the treatment time By setting the treatment time to 24 hours or less, it is possible to prevent a decrease in production efficiency due to an increase in production time.
  • the pressure conditions for performing the fluorination treatment are not particularly limited, and can be performed under normal pressure, under pressure, or under reduced pressure. From the viewpoint of economy and safety, it is preferable to carry out under normal pressure.
  • the reaction vessel for performing the fluorination treatment is not particularly limited, and conventionally known ones such as a fixed bed and a fluidized bed can be employed.
  • the method of contacting the processing gas with the carbon material or the like is not particularly limited, and for example, it can be contacted by sealing in a flow of the processing gas or in an atmosphere containing at least the processing gas. Moreover, you may perform a fluorination process in multiple times. Thereby, a fluorine group can be further introduced into the surface of the carbon material or the like, and the immobilization on the substrate surface can be further improved.
  • the fluorination treatment for the carbon material or the like may be performed on the entire surface, or may be performed on an arbitrary partial region.
  • fluorination treatment is performed on an arbitrary partial region (partial fluorination treatment)
  • it can be performed by masking a region other than the region where the fluorination treatment is desired.
  • the masking material used for masking is not particularly limited except that it has heat resistance with respect to the treatment temperature during the fluorination treatment.
  • fluororesin such as polytetrafluoroethylene, polytetrafluorochloroethylene, polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride, polydichlorodifluoroethylene, polytrifluorochloroethylene, ceramics, polyimide, polyether ether, The thing which consists of a ketone (PEEK), a metal, etc. is mentioned.
  • a post-treatment process may be performed immediately after the fluorination treatment.
  • the post-treatment step is a step of substituting the treatment gas with an inert gas to bring it into an inert atmosphere and cooling the carbon material or the like to room temperature. Cooling to room temperature may be performed by cooling. Further, after evacuating to replace with the inert gas, the inert gas may be set to atmospheric pressure. Thereby, it is possible to prevent the fluorine gas from adsorbing and remaining on the surface of the fluorinated carbon material or the like.
  • the inert gas is not particularly limited, and examples thereof include nitrogen gas.
  • chlorination treatment can be mentioned.
  • the chlorination treatment can be performed by bringing a treatment gas containing at least chlorine gas into contact with a carbon material or the like.
  • a treatment gas a gas having a chlorine concentration of 0.01 to 100 vol%, preferably 0.1 to 80 vol%, more preferably 1 to 50 vol% with respect to the total volume can be used.
  • the processing gas may contain the aforementioned inert gas for the purpose of diluting the chlorine gas.
  • the treatment temperature when performing the chlorination treatment is preferably within a range of ⁇ 20 ° C. to 600 ° C., more preferably within a range of 0 ° C. to 400 ° C., and within a range of 10 ° C. to 300 ° C. It is particularly preferred that By setting the treatment temperature to ⁇ 20 ° C. or higher, the chlorination treatment can be promoted. On the other hand, by setting the treatment temperature to 600 ° C. or lower, it is possible to suppress the elimination of chlorine atoms from the formed carbon-chlorine bond, and to prevent a reduction in treatment efficiency.
  • the treatment time of the chlorination treatment is not particularly limited and is usually within the range of 1 second to 24 hours, but more preferably within the range of 1 minute to 12 hours, more preferably within the range of 1 minute to 9 hours.
  • the treatment time is set to 1 second or longer, the chlorination of the carbon material or the like can be prevented from becoming insufficient, and the fixation of the carbon material or the like to the substrate can be suppressed from becoming insufficient.
  • the treatment time to 24 hours or less, it is possible to suppress a reduction in manufacturing efficiency without expecting a corresponding effect.
  • the chlorination treatment for the carbon material or the like may be performed on the entire surface, or may be performed on an arbitrary partial region.
  • chlorination treatment is performed on any part of the region (partial chlorination treatment), as in the case of the partial fluorination treatment, it is performed by masking regions other than the region where chlorination treatment is desired. Can do.
  • the masking material that can be used is not particularly limited except that it has heat resistance with respect to the treatment temperature during the chlorination treatment. Specifically, a masking material used in the partial fluorination treatment can be suitably used.
  • a post-treatment step may be performed as in the case of the fluorination treatment.
  • a post-treatment step may be performed as in the case of the fluorination treatment.
  • the step of dispersing the chlorinated carbon material or the like in the dispersion medium, the usable dispersion medium and the amount of the carbon material or the like added to the dispersion medium are the same as in the case of the fluorination treatment described above. Therefore, the description of the details is omitted.
  • bromination treatment introduction of bromine groups or iodine groups onto the surface of a carbon material or the like is possible by performing bromination treatment or iodine treatment (hereinafter referred to as “bromination treatment”).
  • Bromination treatment and the like can be performed by bringing a treatment gas containing at least bromine gas or iodine gas into contact therewith.
  • a treatment gas having a bromine or iodine concentration of 0.01 to 100 vol%, preferably 0.1 to 80 vol%, more preferably 1 to 50 vol% with respect to the total volume can be used.
  • the above-described inert gas may be included in the processing gas for the purpose of diluting bromine gas or iodine gas.
  • the treatment temperature, treatment time, pressure conditions, and reaction vessel used when performing bromination treatment and the like are the same as in the case of fluorination treatment.
  • the carbon material or the like is in the form of a film and a bromination treatment or the like is performed on any part of the region, as in the case of the fluorination treatment, a region other than the region to be treated is selected. This is possible by masking.
  • a post-treatment step may be performed as in the case of fluorination treatment or chlorination treatment.
  • a post-treatment step may be performed as in the case of fluorination treatment or chlorination treatment.
  • the step of dispersing the brominated carbon material or the like in the dispersion medium, the usable dispersion medium and the amount of carbon material added to the dispersion medium are the same as in the case of the fluorination treatment described above. . Therefore, the description of the details is omitted.
  • NH 2 group or the like when introducing a fluorine group by performing the fluorination treatment to the substrate surface Then, a process for introducing an NH 2 group or the like (hereinafter referred to as “NH 2 group or the like introduction process”) is performed to replace the fluorine group with an —NH 2 group or the like.
  • the first treatment gas and the treatment conditions used for the fluorination treatment can be the same as the treatment gas and the treatment conditions used for the fluorination treatment for the carbon material or the like. Therefore, detailed description thereof will be omitted.
  • the NH 2 group introduction treatment is a step of introducing —NH 2 groups or the like into the surface of a substrate by bringing a second treatment gas containing at least a nitrogen atom-containing gas into contact therewith.
  • the NH 2 group may be formed by a method of applying or spraying a liquid containing at least a nitrogen atom-containing compound onto a fluorinated carbon material, a method of immersing the carbon material in a liquid containing the nitrogen atom-containing compound, or the like.
  • Equal introduction processing may be performed. Specifically, this step is to introduce the —NH 2 group or the like by a carbon-nitrogen bond onto the surface of a carbon material or the like.
  • a gas containing a nitrogen atom-containing gas of 0.01 to 100 vol%, preferably 0.1 to 80 vol%, more preferably 0.1 to 50 vol% is used with respect to the total volume.
  • the nitrogen atom-containing gas means a gas containing nitrogen atoms, and is not particularly limited in the present embodiment as long as it contains nitrogen atoms.
  • nitrogen atom-containing gas include ammonia (NH 3 ) gas and amine-based gas.
  • the amine-based gas means a gas containing an amine group such as an amine in a gaseous state, for example, a gas obtained by vaporizing an amine in a liquid state at normal temperature and normal pressure, or an amine in a gaseous state at normal temperature and normal pressure. To do.
  • the amine-based gas specifically includes amines such as ethylamine, methylamine, propylamine, isopropylamine, butylamine, and isobutylamine. You may use these individually or in mixture of 2 or more types.
  • the second processing gas may contain an inert gas.
  • Impurity is not particularly restricted but includes the inert gases, which adversely affects the NH 2 group or the like introduced processing nitrogen atom-containing gas and reacts with the substrate, which adversely affect reacts with the substrate, and giving the adverse Those containing are not preferred.
  • Specific examples of the inert gas include nitrogen, argon, helium, neon, krypton, and xenon. These may be used alone or in admixture of two or more.
  • the purity of the inert gas is not particularly limited, but the impurities that have an adverse effect are preferably 100 ppm or less, more preferably 10 ppm or less, and particularly preferably 1 ppm or less.
  • the second processing gas does not contain an oxygen atom-containing gas. This is because by containing the oxygen atom-containing gas, a hydroxyl group, a carboxyl group, or the like is introduced on the surface of the substrate, and the substrate may be seriously damaged.
  • the treatment temperature at the time of conducting the NH 2 group introduction treatment is within a range of ⁇ 20 ° C. to 300 ° C., preferably 0 ° C. to 250 ° C., more preferably 10 ° C. to 200 ° C., and further preferably 10 ° C. to 150 ° C.
  • the treatment temperature By setting the treatment temperature to ⁇ 20 ° C. or higher, the introduction treatment of NH 2 groups and the like can be promoted.
  • the treatment temperature to 300 ° C. or lower, it is possible to prevent thermal deformation of the base material and the like, and to suppress a decrease in yield.
  • the treatment time (reaction time) of the NH 2 group introduction treatment is in the range of 1 second to 24 hours, preferably 1 minute to 12 hours, more preferably 1 minute to 9 hours.
  • reaction time By setting the treatment time to 1 second or longer, the introduction of NH 2 groups and the like on the surface of the substrate can be made sufficient.
  • the treatment time By setting the treatment time to 24 hours or less, it is possible to prevent a decrease in production efficiency due to an increase in production time.
  • the reaction vessel for introducing the NH 2 group or the like is not particularly limited, and conventionally known ones such as a fixed bed and a fluidized bed can be employed.
  • the method for contacting the second processing gas with the substrate is not particularly limited.
  • the second processing gas can be contacted by sealing in a flow of the second processing gas or in an atmosphere containing at least the processing gas.
  • the NH 2 group introduction process may be performed a plurality of times. As a result, the —NH 2 group or the like can be further introduced onto the surface of the substrate, and the immobilization of the carbon material or the like can be further improved.
  • the method for immobilizing the carbon material or the like on the substrate surface is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a dispersion liquid in which the carbon material or the like is dispersed is brought into contact with the substrate. Specifically, as the contact method, a method of immersing the base material in a dispersion liquid in which the carbon material or the like is dispersed, a method of applying the dispersion liquid on the surface of the base material, or spraying the dispersion liquid on the surface of the base material Methods and the like.
  • the dispersion When immersing the substrate in the dispersion, the dispersion may be allowed to stand still or may be immersed while stirring.
  • the immersion temperature is preferably ⁇ 20 to 200 ° C., more preferably 0 to 100 ° C., and particularly preferably 0 to 80 ° C.
  • the immersion time is preferably 1 second to 24 hours, more preferably 30 seconds to 9 hours, and particularly preferably 1 minute to 6 hours.
  • the carbon material or the like can be added to the dispersion medium, and can be appropriately crushed with a stirring or mortar, subjected to ultrasonic treatment, or homogenizer treatment as necessary.
  • the dispersion medium is not particularly limited, and examples thereof include water, an organic solvent, or a mixed solution thereof.
  • the organic solvent is not particularly limited, and examples thereof include alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, acetone, DMF (N, N-dimethylformamide), NMP (N-methylpyrrolidone), DMSO (dimethylsulfoxide), and THF (tetrahydrofuran). , Cyclohexane, ionic liquid and the like.
  • alcohol can maximize the dispersibility of the carbon material and the like in the present embodiment.
  • the present invention can be added to a dispersion medium such as various inorganic materials, various metal materials, various carbon materials, etc., and even in such a case, it is excellent in handleability during use and has good dispersibility. Is obtained. Furthermore, the said dispersion medium may be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the ionic liquid is not particularly limited, and examples thereof include ethylmethylimidazolium tetrafluoroborate (EMIBF 4 ) and ethylmethylimidazolium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide (EMITFSI).
  • EMIBF 4 ethylmethylimidazolium tetrafluoroborate
  • EMITFSI ethylmethylimidazolium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide
  • the addition amount of the carbon material or the like added to the dispersion medium can be appropriately set according to the type of the carbon material or the like. Specifically, for example, it is preferably in the range of 0.1 ⁇ 10 ⁇ 3 mass% to 25 mass% with respect to the total mass of the dispersion, and is preferably 0.1 ⁇ 10 ⁇ 3 mass% to 10 mass%. It is more preferable that the value be within the range, and it is particularly preferable that the value be within the range of 0.1 ⁇ 10 ⁇ 3 to 5% by mass. By making the addition amount 0.1 ⁇ 10 ⁇ 3 mass% or more, it is possible to prevent the volume of the dispersion from becoming excessive. On the other hand, by making it 25 mass% or less, it can suppress that the viscosity of a dispersion liquid becomes high and a handleability falls.
  • the contact between the carbon material or the like having a substituent introduced on the surface thereof and the substrate having the —NH 2 group or the like introduced may be performed in the presence of a Lewis acid.
  • the Lewis acid functions as a reaction accelerator (or cocatalyst). Therefore, the reaction between the carbon material or the like and the base material is promoted, more carbon material or the like can be immobilized on the base material, and the processing time can be shortened.
  • the Lewis acid is not particularly limited, and examples thereof include BF 3 , SiF 4 , PF 5 , AsF 5 , SbF 5 , BBr 3 , AlCl 3 , AlBr 3 , FeCl 3 , SnCl 4 , TiCl 4 and the like.
  • the method for immobilizing the carbon material or the like on the base material in the presence of the Lewis acid is not particularly limited.
  • the dispersion in which the carbon material or the like is added to the dispersion medium has —NH 2 group or the like.
  • a method of adding an aqueous solution of Lewis acid after immersing the introduced base material is mentioned.
  • the addition amount of the aqueous solution of Lewis acid is not particularly limited, but is usually 0.1% by mass to 90% by mass, and preferably 1% by mass to 80% by mass with respect to the total mass.
  • the immersion time of the substrate when the aqueous solution of Lewis acid is added to the dispersion is not particularly limited as long as it is within the above-described immersion time range.
  • the temperature of the dispersion (immersion temperature) when adding an aqueous solution of Lewis acid is not particularly limited as long as it is within the above-mentioned immersion temperature range.
  • the concentration of the Lewis acid in the Lewis acid aqueous solution is not particularly limited, and can be set as necessary.
  • a cleaning step for the base material may be performed.
  • immobilized by the base material, and a dispersion medium can be removed.
  • a cleaning agent to be used For example, ethanol, isopropyl alcohol, water, toluene, acetone etc. are mentioned.
  • the cleaning conditions are not particularly limited. Usually, the cleaning is performed within a cleaning temperature range of 0 ° C. to 100 ° C. and a cleaning time of 1 second to 60 minutes.
  • a drying method in a drying process For example, drying by spraying, such as natural drying and nitrogen gas, etc. are mentioned.
  • the drying conditions are not particularly limited, but usually the drying temperature is 0 ° C. to 100 ° C. and the drying time is 1 second to 24 hours.
  • the second embodiment relates to a method for producing an immobilization product as compared with the first embodiment.
  • the surface is —NH 2 group, —NH—R 1 —NH 2 group, —SOCl group. , —R 2 —MgX group, —O—R 3 —ONa group, and —R 4 —Li group.
  • the above R 1 to R 4 are as described above. ) Is different.
  • the point which used what has at least any one of a fluorine group, a chlorine group, a bromine group, or an iodine group on the surface as a base material differs.
  • the method for introducing the —NH 2 group or the like onto the surface of a carbon material or the like can be performed in the same manner as the method for introducing the —NH 2 group or the like onto the substrate surface in the first embodiment.
  • the method of introducing at least one of a fluorine group, a chlorine group, a bromine group, or an iodine group on the surface of the base material is the same as that in Embodiment 1 described above on the surface of the carbon material or the like. It can be performed in the same manner as the method of introducing at least one of the groups. Thereby, the immobilization thing concerning the present invention can be manufactured.
  • the Lewis acid is also contacted with a carbon material or the like having a —NH 2 group introduced on the surface thereof and a substrate having a substituent introduced.
  • a carbon material or the like having a —NH 2 group introduced on the surface thereof and a substrate having a substituent introduced Can be done in the presence.
  • the reaction between the carbon material or the like into which the —NH 2 group or the like has been introduced and the base material into which the substituent has been introduced is promoted, and a larger amount of the carbon material or the like can be immobilized on the base material. Time can be shortened.
  • Embodiment 1 the kind of Lewis acid, the method of immobilizing a carbon material or the like on the base material in the presence of the Lewis acid, the addition amount of the aqueous solution of Lewis acid, the immersion time, and the immersion temperature It is the same.
  • the immobilization product according to the present invention has a structure in which a carbon material or the like is chemically bonded to the substrate surface via a bonding group. Therefore, it is sufficiently fixed to the surface of the base material and has a structure in which the carbon material or the like is not easily detached from the base material.
  • the immobilization product according to the present invention can be suitably applied to, for example, a transparent conductive film, an antistatic film, an antistatic film, and the like.
  • a fluorine group, a chlorine group, a bromine group, an iodine group, or the —NH 2 is formed on the surface of the carbon material or silicon material that is chemically bonded to the substrate via a bonding group. Groups and the like may be present.
  • Example 1 Preparation of carbon material>
  • single-walled carbon nanotubes were used as the carbon material.
  • 10 mg of the single-walled carbon nanotube was introduced into a PTFE (polytetrafluoroethylene) container (capacity 5 mL), and this container was placed in an electropolished chamber made of SUS316L (capacity 30 mL). Further, the inside of the chamber was vacuum-replaced with nitrogen, and the temperature was raised to 250 ° C. at 4 ° C./min under a nitrogen stream (20 mL / min) to perform a constant temperature treatment for 2 hours.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • the inside of the chamber was vacuum-replaced with a first processing gas in which fluorine gas was diluted to a concentration of 20 vol% with nitrogen gas, and the first processing gas was flowed at a flow rate of 25 mL / min. Further, the inside of the chamber was heated to 250 ° C. at 4 ° C./min to carry out fluorination treatment of the single-walled carbon nanotubes. The treatment time for the fluorination treatment was 4 hours. Thereafter, the inside of the chamber was vacuum-replaced with nitrogen, and allowed to cool to room temperature under a nitrogen stream (20 mL / min) to produce single-walled carbon nanotubes after fluorination treatment.
  • the amount of fluorinated single-walled carbon nanotubes added was about 1 ⁇ 10 ⁇ 2 mass% with respect to the total mass of the dispersion.
  • PET resin film a polyethylene terephthalate (PET) resin film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name: Lumirror (registered trademark) T60) was used as the base material.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the PET resin film was placed in an electropolishing SUS316L chamber (capacity 1000 mL) provided with a ribbon heater. Next, the temperature in the chamber was raised to 50 ° C. under a nitrogen stream (20 mL / min). Then, the 1st process gas which diluted the fluorine gas with nitrogen to 0.5 vol% was flowed in the chamber, and the fluorination process of the PET resin film was performed. The treatment time was 1 minute.
  • the inside of the chamber was replaced with nitrogen. Further, the second processing gas diluted NH 3 gas to 1.0 vol% with nitrogen flowing into the chamber and subjected to NH 2 group introduction treatment. The processing time was 1 hour. Thereafter, the inside of the chamber was vacuum-replaced with nitrogen, and allowed to cool to room temperature under a nitrogen stream (20 mL / min) to prepare a PET resin film treated with NH 2 groups.
  • Example 2 ⁇ Preparation of carbon material>
  • the fluorinated single-walled carbon nanotubes (5 mg) of Example 1 were placed in an alumina boat, and the container was placed in a Ni chamber (capacity 1000 mL). Further, the inside of the chamber was vacuum-replaced with nitrogen, and the temperature was increased by 100 ° C. at 4 ° C./min under a nitrogen stream (20 mL / min), and a constant temperature treatment was performed for 1 hour.
  • a second processing gas in which NH 3 gas was diluted with nitrogen gas to a concentration of 1.0 vol% was caused to flow through the chamber to perform NH 2 group introduction processing.
  • the processing time at this time was 1 hour.
  • the inside of the chamber was vacuum-replaced with nitrogen, allowed to cool to room temperature under a nitrogen stream (20 mL / min), and then vacuum-replaced with nitrogen to produce single-walled carbon nanotubes after the NH 2 group introduction treatment.
  • PET resin film a polyethylene terephthalate (PET) resin film (manufactured by Toray Industries, Inc., trade name: Lumirror (registered trademark) T60) was used as the base material.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the PET resin film was placed in an electropolishing SUS316L chamber (capacity 1000 mL) provided with a ribbon heater.
  • the temperature in the chamber was raised to 50 ° C. under a nitrogen stream (20 mL / min).
  • the 1st process gas which diluted the fluorine gas with nitrogen to 0.5 vol% was flowed in the chamber, and the fluorination process of the PET resin film was performed.
  • the treatment time was 1 minute.
  • the inside of the chamber was replaced with nitrogen, and allowed to cool to room temperature under a nitrogen stream (20 mL / min) to produce a fluorinated PET resin film.
  • Example 3 Preparation of carbon material and dispersion of carbon material>
  • single-walled carbon nanotubes treated with NH 2 groups were prepared, and then a dispersion in which the single-walled carbon nanotubes were dispersed in isopropyl alcohol was obtained.
  • Example 4 ⁇ Preparation of carbon material and dispersion of carbon material>
  • single-walled carbon nanotubes treated with NH 2 groups were prepared, and then a dispersion in which the single-walled carbon nanotubes were dispersed in isopropyl alcohol was obtained.
  • a PET resin film subjected to fluorination treatment was added to a dispersion liquid (10 mL) in which single-walled carbon nanotubes treated with NH 2 group introduction were dispersed in isopropyl alcohol, and then the concentration was 71% BF.
  • Three aqueous solutions (10 mL) were added to the dispersion.
  • an immobilization product in which single-walled carbon nanotubes were immobilized on the surface of the PET resin film was prepared in the same manner as in Example 2.
  • Example 5 ⁇ Preparation of carbon material and dispersion of carbon material>
  • single-walled carbon nanotubes treated with NH 2 groups were prepared, and then a dispersion in which the single-walled carbon nanotubes were dispersed in isopropyl alcohol was obtained.
  • Example 6 ⁇ Preparation of carbon material dispersion>
  • fluorinated single-walled carbon nanotubes were obtained.
  • the fluorinated single-walled carbon nanotube (1 mg) is put in isopropyl alcohol (10 g) as a dispersion medium, and ultrasonic irradiation is performed at 42 kHz, 135 W for 2 hours, and the fluorinated single-walled carbon nanotube is obtained.
  • a dispersion liquid was prepared.
  • a silicon substrate was used as the base material.
  • a mixed solution (SPM) of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution was further added, and the silicon substrate was cleaned for 5 minutes.
  • the mixed liquid in the container was replaced with water, and the silicon substrate was washed with running water for 5 minutes.
  • hydrofluoric acid diluted to 0.5 mass% with water was placed in the container, and the oxide film on the silicon substrate surface was removed. The treatment time was 1 minute. Thereafter, the inside of the container was replaced with water and washed with running water for 5 minutes.
  • the silicon substrate was placed in an electropolishing SUS316L chamber (capacity 1000 mL) in which a ribbon heater was installed. Thereafter, the temperature in the chamber was raised to 50 ° C. under a nitrogen stream (20 mL / min). Subsequently, a first treatment gas in which fluorine gas was diluted to 0.5 vol% with nitrogen was flowed into the chamber to perform fluorination treatment of the silicon substrate. The treatment time was 1 minute.
  • the inside of the chamber was vacuum-replaced with nitrogen. Further, the second processing gas diluted NH 3 gas to 1.0 vol% with nitrogen flowing into the chamber and subjected to NH 2 group introduction treatment. The processing time was 1 hour. Thereafter, the inside of the chamber was replaced with nitrogen, and the chamber was allowed to cool to room temperature under a nitrogen stream (20 mL / min) to produce a silicon substrate into which NH 2 groups had been introduced.
  • ⁇ Fabrication of immobilized material contact between silicon substrate and carbon material dispersion>
  • the silicon substrate subjected to NH 2 group introduction treatment was immersed at room temperature in a dispersion liquid (10 ml) in which fluorinated single-walled carbon nanotubes were dispersed in isopropyl alcohol. The immersion time was 60 minutes. Thereafter, the silicon substrate was taken out, washed with isopropyl alcohol, and dried by blowing nitrogen at a temperature of 19 ° C. to prepare an immobilized product in which single-walled carbon nanotubes were immobilized on the silicon substrate surface.
  • Comparative Example 1 In this comparative example, a PET resin film that was not subjected to fluorination treatment and NH 2 group introduction treatment was used. Otherwise, in the same manner as in Example 1, the PET resin film was brought into contact with the fluorinated single-walled carbon nanotube dispersion.
  • Comparative Example 2 In this comparative example, a PET resin film that was not subjected to fluorination treatment and NH 2 group introduction treatment was used. Otherwise, in the same manner as in Example 2, the PET resin film was contacted with the dispersion of single-walled carbon nanotubes that had been treated to introduce NH 2 groups.
  • Comparative Example 4 In this comparative example, single-walled carbon nanotubes that were not subjected to fluorination treatment and NH 2 group introduction treatment were used. Moreover, about the single-walled carbon nanotube and its dispersion, those prepared in Comparative Example 3 were used. Otherwise, in the same manner as in Example 1, the PET resin film was contacted with the single-walled carbon nanotube dispersion prepared in Comparative Example 3.
  • Comparative Example 5 In this comparative example, a PET resin film produced by the same method as in Example 1 was used. Otherwise, in the same manner as in Example 2, the PET resin film was contacted with the dispersion of single-walled carbon nanotubes that had been treated to introduce NH 2 groups.
  • Comparative Example 6 a PET resin film produced by the same method as in Example 2 was used. Moreover, about the single-walled carbon nanotube and its dispersion, those prepared in Comparative Example 3 were used. Otherwise, in the same manner as in Example 1, the PET resin film was contacted with the single-walled carbon nanotube dispersion prepared in Comparative Example 3.
  • Comparative Example 7 In this comparative example, a PET resin film produced by the same method as in Example 2 was used. Other than that was carried out similarly to Example 1, and contacted the said PET resin film and the dispersion liquid of the fluorinated single-walled carbon nanotube.
  • PET resin film after fluorination treatment and NH 2 group introduction treatment produced in Example 1 PET resin film after fluorination treatment produced in Example 2, and fluorination treatment and NH 2 group produced in Example 6
  • the silicon substrate after the introduction treatment was subjected to elemental analysis using X-ray photoelectron spectroscopy (trade name; PHI5000 VersaProbe II, manufactured by ULVAC-PHI Co., Ltd.).
  • Example 1 Light transmittance
  • the immobilized product of Example 2 is 85.1%
  • the immobilized product of Example 3 is 85.1%
  • the immobilized product of Example 4 is 83%. 2%
  • the immobilized product of Example 5 was 85.0%.
  • the light transmittances of the PET resin films prepared in Comparative Examples 1 to 7 were all 85.9%, and it was confirmed that the single-walled carbon nanotubes were not immobilized.
  • the PET resin film before immobilizing the single-walled carbon nanotubes was 85.9%.
  • the surface resistivity is 387 ⁇ / sq.
  • the surface resistivity is 64240 ⁇ / sq.
  • the surface resistivity was 273 ⁇ / sq.
  • the surface resistivity was 381 ⁇ / sq.
  • the surface resistivity is 66 ⁇ / sq. Met.
  • the measured values of the surface resistivity are 2 ⁇ 10 9 ⁇ / sq. Exceeded.
  • the light transmittance after peeling off the cellophane adhesive tape was measured in the same manner as described above. As a result, the light transmittance is 85.3% in Example 1, 85.1% in Example 2, 85.1% in Example 3, 83.2% in Example 4, and 85.0 in Example 5. %Met.
  • the light transmittance of the immobilizates of Examples 1 to 5 before the cellophane adhesive tape was affixed was 85.9% as described above, so no change was observed in the light transmittance.
  • Example 1 the surface resistivity after the cellophane adhesive tape was peeled off was also measured.
  • the surface resistivity was 419 ⁇ / sq.
  • Example 2 384 ⁇ / sq.
  • Example 3 65130 ⁇ / sq.
  • Example 4 280 ⁇ / sq.
  • Example 5 387 ⁇ / sq.
  • Example 63 73 ⁇ / sq. Met.
  • the surface resistivity of the immobilizates of Examples 1 to 63 before the cellophane adhesive tape was applied was 414 ⁇ / sq. 387 ⁇ / sq. 64240 ⁇ / sq. 273 ⁇ / sq. 381 ⁇ / sq. , 66 ⁇ / sq. Therefore, there was no significant change in the surface resistivity of each.
  • the PET resin films of Comparative Examples 1 to 7 were also measured for the light transmittance and the surface resistivity after the cellophane adhesive tape was peeled off in the same manner as described above. As a result, the light transmittance was 85.9% in all cases, and the measured value of the surface resistivity was 2 ⁇ 10 9 ⁇ / sq. Exceeded.

Abstract

炭素材料及び／又はケイ素材料を、結合基を介して化学結合により基材表面に固定化させた新規な固定化物及びその製造方法を提供する。本発明の固定化物１０は、基材１２表面に炭素材料１１が固定化されたものであって、炭素材料１１が、基材１２表面に結合基を介して化学結合しており、結合基が－ＮＨ基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ基、－ＳＯ基、Ｒ２基、Ｏ－Ｒ３－Ｏ基及びＲ４基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種（但し、前記Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ独立して、鎖状アルキル基、環状アルキル基、鎖状アルケニル基、環状アルケニル基、鎖状アルキニル基、アリール基、及び、これらの官能基にさらにヒドロキシル基、ハロゲン、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、チオール基、チオエステル基又はチオエーテル基の少なくとも何れかが結合した官能基からなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）である。

Description

固定化物及びその製造方法
　本発明は、固定化物及びその製造方法に関し、より詳細には、基材表面に、カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ　Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ：ＣＮＴｓ）等の炭素材料やケイ素材料を固定化することにより、導電性等の各種機能を付与することができる新規な固定化物及びその製造方法に関する。
　ＣＮＴｓはｓｐ２結合した炭素原子のみからなる直径数ｎｍ～数十ｎｍの中空円筒状炭素材料である。ＣＮＴｓは、１層構造のシングルウォールカーボンナノチューブ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｗａｌｌ　Ｃａｒｂｏｎ　Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ：ＳＷＣＮＴｓ）と多層構造のマルチウォールカーボンナノチューブの（Ｍｕｌｔｉ　Ｗａｌｌ　Ｃａｒｂｏｎ　Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ：ＭＷＣＮＴｓ）の存在が確認されている。
　ＣＮＴｓのうち層数の少ないものは、通常レーザーアブレーション法やアーク法を用いて製造される。結晶度が高いため、導電性等の特性に優れることが多い。一方、透明導電膜では特に優れた光透過率と導電性が求められる。そのため、ＣＮＴｓを用いた透明導電膜に関する従来の研究ではＳＷＣＮＴｓ、またはＳＷＣＮＴｓと層数の少ないＭＷＣＮＴｓが用いられた。
　しかしながら、ＳＷＣＮＴｓは製造コストが高く、径が小さいため折れやすいという問題があった。これに対してＭＷＣＮＴｓでは製造コストの抑制が可能になるが、アスペクト比が小さく、結晶性も低く欠陥が多いため、透明導電膜に求められる光透過率と導電性を両立させることが困難であった。
　前記問題点を解決するため、例えば、下記特許文献１では、ＭＷＣＮＴｓとして、長さが１０～５０００μｍ、本数が導電層単位面積当たり１×１０７～１×１０１４本／ｍ ２のものを用いた透明導電膜が開示されている。そして、特許文献１の開示によれば、光透過率及び導電性を高いレベルで両立することが可能な透明導電膜を提供できるとされている。
　しかしながら、特許文献１に開示の透明導電膜であると、プラスチック基材等の透明基材に対して十分に固定されていないため、剥離するという問題がある。そのため、従来の透明導電膜においては、さらに樹脂コート層を当該透明導電膜上に形成する必要がある。
特開２０１４－２０７１１６号公報
　本発明は、炭素材料及び／又はケイ素材料を、結合基を介して化学結合により基材表面に固定化させた新規な固定化物及びその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の固定化物は、前記の課題を解決する為に、基材表面に炭素材料及び／又はケイ素材料が固定化された固定化物であって、前記炭素材料及び／又はケイ素材料が、前記基材表面に結合基を介して化学結合しており、前記結合基が－ＮＨ基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ基、－ＳＯ基、Ｒ２基、－Ｏ－Ｒ３－Ｏ基及びＲ４基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種（但し、前記Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ独立して、鎖状アルキル基、環状アルキル基、鎖状アルケニル基、環状アルケニル基、鎖状アルキニル基、アリール基、及び、これらの官能基にさらにヒドロキシル基、ハロゲン、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、チオール基、チオエステル基又はチオエーテル基の少なくとも何れかが結合した官能基からなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）であることを特徴とする。
　前記の構成に於いて、前記基材表面に固定化される前の炭素材料及びケイ素材料の表面には、フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかが存在しており、前記炭素材料及び／又はケイ素材料が固定化される前の前記基材表面には、－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、－Ｒ２－ＭｇＸ基（前記ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）、Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種が存在していることが好ましい。
　また、前記の構成に於いて、前記基材表面に固定化される前の炭素材料及びケイ素材料の表面には、－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、－Ｒ２－ＭｇＸ基（前記ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）、－Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種が存在しており、前記炭素材料及び／又はケイ素材料が固定化される前の前記基材表面には、フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかが存在していることが好ましい。
　また、前記の構成に於いては、前記炭素材料が、活性炭、カーボンナノホーン、ダイヤモンド、カーボンナノコイル、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維、グラフェン、非晶質カーボン、フラーレン及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも何れか１種であることが好ましい。
　前記の構成に於いては、前記基材が、他の炭素材料、他のケイ素材料、天然高分子又は合成高分子の何れかからなることが好ましい。
　本発明の固定化物の製造方法は、前記の課題を解決する為に、フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかを表面に有する炭素材料及び／又はケイ素材料と、－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、－Ｒ２－ＭｇＸ基、－Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種（但し、前記Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ独立して、鎖状アルキル基、環状アルキル基、鎖状アルケニル基、環状アルケニル基、鎖状アルキニル基、アリール基、及び、これらの官能基にさらにヒドロキシル基、ハロゲン、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、チオール基、チオエステル基又はチオエーテル基の少なくとも何れかが結合した官能基からなる群より選ばれる少なくとも１種を表し、前記ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）を表面に有する基材とを接触させることにより、前記炭素材料及び／又はケイ素材料を、－ＮＨ基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ基、－ＳＯ基、Ｒ２基、－Ｏ－Ｒ３－Ｏ基及びＲ４基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種の結合基を介して、前記基材表面に化学結合により固定化させることを特徴とする。
　本発明の他の固定化物の製造方法は、前記の課題を解決する為に、－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、－Ｒ２－ＭｇＸ基、－Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種（但し、前記Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ独立して、鎖状アルキル基、環状アルキル基、鎖状アルケニル基、環状アルケニル基、鎖状アルキニル基、アリール基、及び、これらの官能基にさらにヒドロキシル基、ハロゲン、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、チオール基、チオエステル基又はチオエーテル基の少なくとも何れかが結合した官能基からなる群より選ばれる少なくとも１種を表し、前記ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）を表面に有する炭素材料及び／又はケイ素材料と、フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかを表面に有する基材とを接触させることにより、前記炭素材料及び／又はケイ素材料を、－ＮＨ基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ基、－ＳＯ基、Ｒ２基、－Ｏ－Ｒ３－Ｏ基及びＲ４基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種の結合基を介して、前記基材表面に化学結合により固定化させることを特徴とする。
　前記の構成に於いて、前記接触は、ルイス酸の存在下で行われることが好ましい。
　前記の構成に於いては、前記炭素材料として、活性炭、カーボンナノホーン、ダイヤモンド、カーボンナノコイル、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維、グラフェン、非晶質カーボン、フラーレン及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも何れか１種を用いることが好ましい。
　前記の構成に於いては、前記基材として、他の炭素材料、他のケイ素材料、天然高分子又は合成高分子の何れかを用いることが好ましい。
　本発明の固定化物によれば、炭素材料及びケイ素材料の少なくとも一方が、前記－ＮＨ基等の結合基を介した化学結合により、基材表面に固定化した構造を有している。そのため、単に炭素材料等が基材上に積層されたものと比較して、剥離等に対する耐性に優れたものにできる。また、炭素材料等を固定化したことにより、例えば、導電性、静電気拡散性や帯電防止等の各種機能を基材に付与することができる。しかも、前述の通り、炭素材料等は、結合基を介した化学結合により、基材表面に固定化しているので、各種機能の長期安定性が図れる。
　また、本発明の固定化物の製造方法によれば、原材料として、フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかを表面に有する炭素材料及び／又はケイ素材料を用い、これを、前記－ＮＨ２基等を表面に有する基材と接触させるだけで、当該炭素材料等を、前記－ＮＨ基等の結合基を介して、基材表面に簡便に固定化することができる。さらに、本発明の他の固定化物の製造方法によれば、原材料として、前記－ＮＨ２基等を表面に有する炭素材料及び／又はケイ素材料を用い、これを、フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかを表面に有する基材と接触させるだけで、当該炭素材料等を、前記－ＮＨ基等の結合基を介して、基材表面に簡便に固定化することができる。
本発明の実施の形態に係る固定化物を説明するための概念図である。 前記実施の形態に係る固定化物の製造方法を説明するための概念図である。
（実施の形態１）
　＜固定化物＞
　先ず、本実施の形態の固定化物について説明する。本実施の形態の固定化物は、基材表面に、炭素材料及び／又はケイ素材料（以下、「炭素材料等」という場合がある。）が結合基を介して化学結合したものである。例えば、炭素材料が後述のカーボンナノチューブである場合、基材上に固定された固定化物は、図１に示す様なものとなる。
　炭素材料等の存在形態としては特に限定されず、例えば、フィルム（膜）状、シート状、板状、ブロック状、繊維状、ペレット状、糸状、チューブ状、棒状又は球状等が挙げられる。
　前記炭素材料としては特に限定されず、例えば、活性炭、カーボンナノホーン、ダイヤモンド、カーボンナノコイル、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維、グラフェン、非晶質カーボン、フラーレン、カーボンナノチューブ等が挙げられる。前記カーボンナノチューブとしては、６角網目のグラフェンシートが１枚で中空円筒状の構造である単層カーボンナノチューブや、多数のグラフェンシートから構成されている多層カーボンナノチューブ、フラーレンチューブ、バッキーチューブ、グラファイトフィブリルが挙げられる。さらに、このような炭素材料の基本構造を有する類縁体も本発明にかかる炭素材料として使用可能である。また、これらの炭素材料は単独で、又は２種以上を併用することができる。
　前記ケイ素材料としては特に限定されず、例えば、ケイ素単体、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ（０＜ｘ≦２）、具体的には、例えば、シリコンの自然酸化物、熱シリコン酸化物、ノンドープシリケートガラス化合物、リンドープシリケートガラス化合物、ボロンドープシリケートガラス化合物、リンボロンドープシリケートガラス化合物、ＴＥＯＳ、フッ素含有シリコン酸化物等が挙げられる。）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等が挙げられる。これらのケイ素材料は単独で、又は２種以上を併用することができる。
　前記結合基は、－ＮＨ基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ基、－ＳＯ基、Ｒ２基、－Ｏ－Ｒ３－Ｏ基及びＲ４基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種である。但し、前記Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ相互に独立しており、鎖状アルキル基、環状アルキル基、鎖状アルケニル基、環状アルケニル基、鎖状アルキニル基、アリール基、及び、これらの官能基にさらにヒドロキシル基、ハロゲン、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、チオール基、チオエステル基又はチオエーテル基の少なくとも何れかが結合した官能基からなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。ここで、「これらの官能基にさらにヒドロキシル基、ハロゲン、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、チオール基、チオエステル基又はチオエーテル基の少なくとも何れかが結合した」とは、当該官能基を構成する一つ以上の水素原子が、水素原子以外の基で置換されているか、あるいは当該官能基を構成する一つ以上の炭素原子が、炭素原子以外の基で置換されていることを意味する。また、水素原子及び炭素原子が共に前記ヒドロキシル基等に置換されていることも含む意味である。
　前記鎖状アルキル基としては、炭素数１～１００、好ましくは１～５０、より好ましくは１～２０のものが挙げられる。より具体的には、例えばメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基等の直鎖状アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基等の分岐鎖状アルキル基が挙げられる。
　前記環状アルキル基としては、炭素数３～３０、好ましくは３～２０、より好ましくは３～１２のものが挙げられる。より具体的には、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。また、環状アルキル基は、当該環状アルキル基中の炭素原子が酸素、窒素、硫黄等のヘテロ原子に置換された官能基であってもよい。この場合、具体的には、例えばテトラヒドロフラン、ピペリジン、チオフェン等が挙げられる。
　前記鎖状アルケニル基としては、炭素数２～１００、好ましくは２～５０、より好ましくは２～３０のものが挙げられる。より具体的には、例えばアリル基、３－ブテニル基、４－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、７－オクテニル基、１０－ドデセニル基等の直鎖状アルケニル基、イソプロペニル基、イソブテニル基、イソペンテニル基、２-エチル－３－ヘキセニル基等の分岐鎖状アルケニル基が挙げられる。
　前記環状アルケニル基としては、炭素数３～３０、好ましくは３～２０、より好ましくは３～１２のものが挙げられる。より具体的には、例えばシクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。
　前記鎖状アルキニル基としては、炭素数２～１００、好ましくは２～５０、より好ましくは２～３０のものが挙げられる。より具体的には、例えばシクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。
　前記アリール基としては、炭素数６～１００、好ましくは６～５０、より好ましくは６～３０のものが挙げられる。より具体的には、例えばフェニル基、トリル基が挙げられる。
　また、前記鎖状アルキル基等に前記ヒドロキシル基が結合した官能基としては、例えば、４－ヒドロキシ－２－ペンチニル等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に結合可能なハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、前記鎖状アルキル基等に前記ハロゲンが結合した官能基としては、例えば、２－フルオロプロパン等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に前記エステル基が結合した官能基としては、例えば、３－酢酸メチルペンチル等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に前記エーテル基が結合した官能基としては、例えば、２－メトキシブタン等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に前記カルボニル基が結合した官能基としては、例えば、２－オクチルケトン等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に前記アミノ基が結合した官能基としては、例えば、３－トリメチルアミノペンタン等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に前記アミド基が結合した官能基としては、例えば、２－アミドブタン等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に前記シアノ基が結合した官能基としては、例えば、２－シアノブタン等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に前記チオール基が結合した官能基としては、例えば、２－プロピルチオール等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に前記チオエステル基が結合した官能基としては、例えば、２－チオ酸Ｓ－エチルブタン等が挙げられる。
　前記鎖状アルキル基等に前記チオエーテル基が結合した官能基としては、例えば、２－ジメチルスルフィドブタン等が挙げられる。
　前記基材としては、例えば他の炭素材料、他のケイ素材料、天然高分子又は合成高分子の何れかで構成されるものが好ましい。基材の形状は特に限定されず、例えば、フィルム状、シート状、板状、ブロック状、繊維状、ペレット状、糸状、チューブ状、棒状、球状等の各種形状を用いることができる。
　前記他の炭素材料としては、前記炭素材料と同様のものを用いることができる。また、前記他のケイ素材料としては、前記ケイ素材料と同様のものを用いることができる。
　さらに、前記天然高分子としては特に限定されず、例えば、木綿、麻、絹、羊毛、皮革、タンパク質、セルロース、デンプン、キチン、多糖、レーヨン、酢酸セルロース、ゴム、酵素、ＤＮＡ、ＲＮＡ、核酸等が挙げられる。また、前記合成高分子としては特に限定されず、例えば、シリコーン樹脂、ポリシラン樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリ酸メチル樹脂、ポリメタクリル酸ブチル、ポリメタクリル酸プロピル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸メチル、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ビスマレイミド樹脂、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール等のビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリサルホン（ＰＳＦ）樹脂、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）樹脂、シクロオレフィン樹脂（ＣＯＰ）、フッ素樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン、ポリオキシメチレン樹脂、ポリ－ε－カプロラクトン樹脂、ポリブチレンサクシナート樹脂、ナイロン６、ナイロン６６、イソプレンゴム、シス－１，４－ポリブタジエン、スチレン－ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル－ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレン－プロピレンゴム、エピクロロヒドリンゴム、ジメチルシリコーンゴム、フルオロシリコーンゴム、パーフルオロゴム、フルオロホスファゼンゴム、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリｐ－フェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリ２，５－ピリジンジイル、ポリ乳酸等が挙げられる。
　＜固定化物の製造方法＞
　次に、本実施の形態の固定化物の製造方法について説明する。
　本実施の形態の固定化物の製造方法は、フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れか（以下、「置換基」という場合がある。）を表面に有する炭素材料及び／又はケイ素材料を、基材に接触させる工程を少なくとも含む（図２参照）。但し、本工程を行う場合、基材表面には、－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、Ｒ２－ＭｇＸ基、－Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種（前記Ｒ１～Ｒ４については、前述の通りである。）が存在していることが必要である。
　［炭素材料等への置換基の導入］
　炭素材料等の表面への置換基の導入方法は特に限定されず、種々の方法を採用することができる。例えば、炭素材料等の表面にフッ素基を導入する方法としては、フッ素化処理が挙げられる。
　前記フッ素化処理は、炭素材料等に少なくともフッ素原子含有ガスを含む処理ガスを接触させることにより、気相中でその表面をフッ素化処理する工程である。当該工程は、具体的には、炭素材料等の表面に炭素－フッ素結合によるフッ素基を導入するものである。従って、例えば、炭素六角網面のエッジ部分に水酸基、カルボニル基又はカルボキシル基等の含酸素官能基を付与する酸化処理とは異なり、炭素材料等にダメージを与えたり分解させる等の構造欠陥が生じることなく、その表面をフッ素化することができる。
　前記処理ガスとしては、全体積に対し０．０１～１００ｖｏｌ％、好ましくは０．１～８０ｖｏｌ％、より好ましくは１～５０ｖｏｌ％のフッ素原子含有ガスを含むものが用いられる。フッ素原子含有ガスの濃度を０．０１ｖｏｌ％以上にすることにより、炭素材料等の表面のフッ素化が不十分となるのを防止することができる。
　前記フッ素原子含有ガスとはフッ素原子を含む気体を意味し、本実施の形態に於いてはフッ素原子を含むものであれば特に限定されない。そのようなフッ素原子含有ガスとしては、例えば、フッ化水素（ＨＦ）、フッ素（Ｆ２）、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）、四フッ化硫黄（ＳＦ４）、三フッ化ホウ素（ＢＦ３）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、フッ化カルボニル（ＣＯＦ２）、五フッ化リン（ＰＦ５）等が挙げられる。これらは単独で、又は二種以上を混合して用いてもよい。
　前記処理ガスには、不活性ガスが含まれていてもよい。不活性ガスとしては特に限定されないが、フッ素原子含有ガスと反応して炭素材料等のフッ素化処理に悪影響を与えるもの、炭素材料等と反応して悪影響を与えるもの、及び当該悪影響を与える不純物を含むものは好ましくない。不活性ガスは、具体的には、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。また、不活性ガスの純度としては特に限定されないが、当該悪影響を与える不純物については１００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。
　前記フッ素化処理を行う際の処理温度は、－２０℃～６００℃の範囲内であり、好ましくは０℃～４００℃、より好ましくは１０℃～３００℃、さらに好ましくは１０℃～２５０℃である。処理温度を－２０℃以上にすることにより、フッ素化処理を促進させることができる。その一方、処理温度を６００℃以下にすることにより、炭素材料等の表面へのフッ素基の導入に伴って発生する炭素骨格への欠陥が過度に増大するのを抑制し、炭素骨格の過度の破壊及び炭素材料の機械的強度が減少するのを防止することができる。さらに、炭素材料等に熱変形が生じるのを防止し、歩留まりの低下を抑制することができる。
　前記フッ素化処理の処理時間（反応時間）は１秒～２４時間の範囲内であり、好ましくは１分～１２時間、より好ましくは１分～９時間である。処理時間を１秒以上にすることにより、炭素材料等の表面のフッ素化を十分なものにすることができる。その一方、処理時間を２４時間以下にすることにより、製造時間の長期化による製造効率の低下を防止することができる。
　フッ素化処理を行う際の圧力条件としては特に限定されず、常圧下、加圧下又は減圧下で行うことができる。経済上・安全上の観点からは、常圧下で行うのが好ましい。フッ素化処理を行うための反応容器としては特に限定されず、固定床、流動床等の従来公知のものを採用することができる。
　炭素材料等に対する処理ガスの接触方法としては特に限定されず、例えば、当該処理ガスのフロー下や当該処理ガスを少なくとも含む雰囲気下において、密閉するなどして接触させることができる。また、フッ素化処理は複数回行ってもよい。これにより、炭素材料等の表面にフッ素基をさらに導入することができ、基材表面への固定化を一層向上させることが可能になる。
　炭素材料等に対するフッ素化処理は、当該炭素材料等が前記フィルム状等である場合、その全面に対して行ってもよく、あるいは任意の一部の領域に対して行ってもよい。任意の一部の領域に対してフッ素化処理を行う場合（部分フッ素化処理）、当該フッ素化処理を行いたい領域以外の領域をマスキングすることにより行うことができる。マスキングに使用するマスキング材としては、フッ素化処理の際の処理温度に対し耐熱性を有していることを除いて特に限定されない。具体的には、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリテトラフルオロクロルエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリジクロルジフルオロエチレン、ポリトリフルオロクロルエチレン等のフッ素樹脂、セラミックス、ポリイミド、ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）、金属等からなるものが挙げられる。
　また、フッ素化処理の直後に後処理工程を行ってもよい。後処理工程は、前記処理ガスを不活性ガスに置換して不活性雰囲気下にし、かつ、室温まで前記炭素材料等を冷却させる工程である。室温までの冷却は放冷により行ってもよい。また、不活性ガスに置換するため真空排気した後、不活性ガスで大気圧にしてもよい。これにより、フッ素化処理された炭素材料等の表面にフッ素ガスが吸着して残存するのを防止することができる。その結果、フッ素ガスの加水分解によりフッ化水素が副生するのを防止するので、フッ素化処理後の炭素材料等を分散させた分散液やその利用に際して不具合が生じることもない。前記不活性ガスとしては特に限定されず、窒素ガス等が挙げられる。
　また、炭素材料等の表面に塩素基を導入する方法としては、塩素化処理が挙げられる。前記塩素化処理は、炭素材料等に少なくとも塩素ガスを含む処理ガスを接触させることにより行うことができる。前記処理ガスとしては、塩素濃度が全体積に対し０．０１～１００ｖｏｌ％、好ましくは０．１～８０ｖｏｌ％、より好ましくは１～５０ｖｏｌ％のものを使用することができる。尚、処理ガス中には、塩素ガスを希釈する目的で前述の不活性ガスを含めてもよい。
　塩素化処理を行う際の処理温度としては、－２０℃～６００℃の範囲内であることが好ましく、０℃～４００℃の範囲内であることがより好ましく、１０℃～３００℃の範囲内であることが特に好ましい。処理温度を－２０℃以上にすることにより、塩素化処理を促進させることができる。その一方、処理温度を６００℃以下にすることにより、形成した炭素－塩素結合から塩素原子の脱離を抑制し、処理効率の低減を防止することができる。
　塩素化処理の処理時間としては特に限定されず、通常は１秒～２４時間の範囲内で行われるが、１分～１２時間、より好ましくは１分～９時間の範囲内がより好ましい。処理時間を１秒以上にすることにより、炭素材料等の塩素化が不十分となるのを防止し、基材に対する炭素材料等の固定化が不十分となるのを抑制することができる。その一方、処理時間を２４時間以下にすることにより、相応の効果が期待できずに製造効率が低減するのを抑制することができる。
　塩素化処理を行う際の圧力条件や使用する反応容器については特に限定されず、フッ素化処理の場合と同様である。また、塩素化処理は複数回行ってもよい。これにより、炭素材料等の表面に塩素基をさらに導入することができ、基材表面への固定化を一層向上させることが可能になる。
　炭素材料等に対する塩素化処理は、当該炭素材料等が前記フィルム状等である場合、その全面に対して行ってもよく、あるいは任意の一部の領域に対して行ってもよい。任意の一部の領域に対して塩素化処理を行う場合（部分塩素化処理）、前記部分フッ素化処理の場合と同様、当該塩素化処理を行いたい領域以外の領域をマスキングすることにより行うことができる。使用可能なマスキング材としては、塩素化処理の際の処理温度に対し耐熱性を有していることを除いて特に限定されない。具体的には、前記部分フッ素化処理の際に用いるマスキング材を好適に用いることができる。
　また、塩素化処理の直後においては、フッ素化処理の場合と同様、後処理工程を行ってもよい。これにより、塩素化処理された炭素材料等の表面に塩素ガスが吸着して残存するのを防止することができる。また、塩素化処理された炭素材料等を分散媒に分散させる工程、使用可能な分散媒及び炭素材料等の分散媒への添加量については、前述のフッ素化処理の場合と同様である。従って、その詳細については説明を省略する。
　また、炭素材料等の表面への臭素基又はヨウ素基の導入は、それぞれ臭素化処理又はヨウ素処理（以下、「臭素化処理等」という。）を行うことにより可能である。臭素化処理等は、少なくとも臭素ガス又はヨウ素ガスを含む処理ガスを接触させることにより行うことができる。処理ガスとしては、臭素又はヨウ素濃度が全体積に対し０．０１～１００ｖｏｌ％、好ましくは０．１～８０ｖｏｌ％、より好ましくは１～５０ｖｏｌ％のものを用いることができる。さらに、処理ガス中には、臭素ガスやヨウ素ガスを希釈する目的で前述の不活性ガスを含めてもよい。
　また、臭素化処理等を行う際の処理温度や処理時間、圧力条件及び使用する反応容器は、フッ素化処理の場合と同様である。さらに、炭素材料等が前記フィルム状等であり、その任意の一部の領域に対して臭素化処理等を行う場合には、フッ素化処理の場合と同様、処理を行いたい領域以外の領域をマスキングすることにより可能である。
　また、臭素化処理等の直後においては、フッ素化処理や塩素化処理の場合と同様、後処理工程を行ってもよい。これにより、臭素化処理等がされた炭素材料等の表面に臭素ガスやヨウ素ガスが吸着して残存するのを防止することができる。また、臭素化処理等がされた炭素材料等を分散媒に分散させる工程、使用可能な分散媒及び炭素材料等の分散媒への添加量については、前述のフッ素化処理の場合と同様である。従って、その詳細については説明を省略する。
　［基材表面への－ＮＨ２基等の導入］
　前記基材表面に－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、Ｒ２－ＭｇＸ基、－Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基又は－Ｒ４－Ｌｉ基を導入する方法としては特に限定されず、公知の方法を採用することができる。例えば、前記－ＮＨ２基又は－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基（以下、「－ＮＨ２基等」という。）を導入する場合、基材表面に対して前記フッ素化処理を行ってフッ素基を導入した後に、ＮＨ２基等を導入する処理（以下、「ＮＨ２基等導入処理」という。）を行い、当該フッ素基を－ＮＨ２基等に置換させる。この場合、フッ素化処理に用いる第１処理ガス及び処理条件は、前記炭素材料等に対するフッ素化処理に用いる処理ガス及び処理条件と同様にすることができる。従って、これらの詳細な説明は省略する。
　前記ＮＨ２基等導入処理は、基材表面に少なくとも窒素原子含有ガスを含む第２処理ガスを接触させることにより、気相中でその表面に－ＮＨ２基等を導入する工程である。あるいは、少なくとも窒素原子含有化合物を含む液体を、フッ素化処理した炭素材料に塗布又は噴霧する方法や、当該窒素原子含有化合物を含む液体中に、当該炭素材料を浸漬させる方法等により、ＮＨ２基等導入処理を行ってもよい。当該工程は、具体的には、炭素材料等の表面に炭素－窒素結合による前記－ＮＨ２基等を導入するものである。
　前記第２処理ガスとしては、全体積に対し０．０１～１００ｖｏｌ％、好ましくは０．１～８０ｖｏｌ％、より好ましくは０．１～５０ｖｏｌ％の窒素原子含有ガスを含むものが用いられる。窒素原子含有ガスの濃度を０．０１ｖｏｌ％以上にすることにより、基材表面への－ＮＨ２基等の導入が不十分となるのを防止することができる。
　前記窒素原子含有ガスとは窒素原子を含む気体を意味し、本実施の形態に於いては窒素原子を含むものであれば特に限定されない。そのような窒素原子含有ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ３）ガス、アミン系ガス等が挙げられる。アミン系ガスとは、気体状態のアミン、例えば、常温常圧下で液体状態であるアミンを気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態であるアミン等のアミン基を含むガスを意味する。アミン系ガスは、具体的には、エチルアミン、メチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、イソブチルアミン等のアミンを含む。これらは単独で、又は二種以上を混合して用いてもよい。
　前記第２処理ガスには、不活性ガスが含まれていてもよい。不活性ガスとしては特に限定されないが、窒素原子含有ガスと反応して基材のＮＨ２基等導入処理に悪影響を与えるもの、基材と反応して悪影響を与えるもの、及び当該悪影響を与える不純物を含むものは好ましくない。不活性ガスとしては、具体的には、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。また、不活性ガスの純度としては特に限定されないが、当該悪影響を与える不純物については１００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。
　尚、前記第２処理ガス中には酸素原子含有ガスを含まないことが好ましい。酸素原子含有ガスを含有させることにより、基材表面に水酸基やカルボキシル基等が導入され、基材に大きなダメージを与える場合があるからである。
　前記ＮＨ２基等導入処理を行う際の処理温度は、－２０℃～３００℃の範囲内であり、好ましくは０℃～２５０℃、より好ましくは１０℃～２００℃、さらに好ましくは１０℃～１５０℃である。処理温度を－２０℃以上にすることにより、ＮＨ２基等導入処理を促進させることができる。その一方、処理温度を３００℃以下にすることにより、基材等に熱変形が生じるのを防止し、歩留まりの低下を抑制することができる。
　前記ＮＨ２基等導入処理の処理時間（反応時間）は１秒～２４時間の範囲内であり、好ましくは１分～１２時間、より好ましくは１分～９時間である。処理時間を１秒以上にすることにより、基材表面のＮＨ２基等の導入を十分なものにすることができる。その一方、処理時間を２４時間以下にすることにより、製造時間の長期化による製造効率の低下を防止することができる。
　ＮＨ２基等導入処理を行う際の圧力条件としては特に限定されず、常圧下、加圧下又は減圧下で行うことができる。経済上・安全上の観点からは、常圧下で行うのが好ましい。ＮＨ２基等導入処理を行うための反応容器としては特に限定されず、固定床、流動床等の従来公知のものを採用することができる。
　基材に対する第２処理ガスの接触方法としては特に限定されず、例えば、当該第２処理ガスのフロー下や当該処理ガスを少なくとも含む雰囲気下において、密閉するなどして接触させることができる。また、ＮＨ２基等導入処理は複数回行ってもよい。これにより、基材表面に前記－ＮＨ２基等をさらに導入することができ、炭素材料等の固定化を一層向上させることが可能になる。
　［炭素材料等の基材表面への固定化］
　炭素材料等を基材表面に固定化する方法については特に限定されず、例えば、炭素材料等を分散させた分散液を当該基材に接触させる方法が挙げられる。当該接触方法としては、具体的には、当該炭素材料等を分散させた分散液に基材を浸漬させる方法、当該分散液を基材表面に塗布する方法、基材表面に分散液を噴霧する方法等が挙げられる。
　前記分散液に前記基材を浸漬する場合、分散液を静置して浸漬してもよいし、攪拌しながら浸漬してもよい。浸漬温度としては－２０～２００℃が好ましく、０～１００℃がより好ましく、０～８０℃が特に好ましい。また、浸漬時間としては1秒～２４時間が好ましく、３０秒～９時間がより好ましく、１分～６時間が特に好ましい。
　分散液を作製するに際しては、前記炭素材料等を分散媒に加え、適宜必要に応じて撹拌や乳鉢で解砕、超音波処理、ホモジナイザー処理を施すことができる。
　前記分散媒としては特に限定されず、例えば、水や有機溶媒、又はこれらの混合溶液が挙げられる。前記有機溶媒としては特に限定されず、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール、アセトン、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド）、ＮＭＰ（Ｎ－メチルピロリドン）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、シクロヘキサン、イオン液体等が挙げられる。これらの有機溶媒のうち、本実施の形態に於いてはアルコールが炭素材料等の分散性を最も高くすることができる。また、本発明においては、各種無機材料、各種金属材料、各種カーボン材料などの分散媒にも添加することができ、この様な場合であっても使用時の取扱い性に優れ、良好な分散性が得られる。さらに、前記分散媒は単独で、又は二種以上を混合して用いてもよい。
　前記イオン液体としては、特に限定されず、例えば、エチルメチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート（ＥＭＩＢＦ４）や、エチルメチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（ＥＭＩＴＦＳＩ）等が挙げられる。
　分散媒に加えられる前記炭素材料等の添加量は、当該炭素材料等の種類等に応じて適宜設定され得る。具体的には、例えば分散液の全質量に対し、０．１×１０－３質量％～２５質量％の範囲内であることが好ましく、０．１×１０－３質量％～１０質量％の範囲内であることがより好ましく、０．１×１０－３質量％～５質量％の範囲内であることが特に好ましい。前記添加量を０．１×１０－３質量％以上にすることにより、分散液の容量が過量となるのを防止することができる。その一方、２５質量％以下にすることにより、分散液の粘度が高くなり取り扱い性が低下するのを抑制することができる。
　尚、置換基が表面に導入された炭素材料等と、－ＮＨ２基等が導入された基材との接触に際しては、ルイス酸の存在下で行ってもよい。この場合、ルイス酸は反応促進剤（あるいは共触媒）としての機能を果たす。そのため、前記炭素材料等と基材との反応が促進され、より多くの炭素材料等を基材に固定化させることができ、処理時間の短縮化が図れる。
　前記ルイス酸としては特に限定されず、例えば、ＢＦ３、ＳｉＦ４、ＰＦ５、ＡｓＦ５、ＳｂＦ５、ＢＢｒ３、ＡｌＣｌ３、ＡｌＢｒ３、ＦｅＣｌ３、ＳｎＣｌ４、ＴｉＣｌ４等が挙げられる。
　前記ルイス酸の存在下で炭素材料等の基材への固定化を行う方法としては特に限定されず、例えば、炭素材料等が前記分散媒に添加された分散液に、－ＮＨ２基等が導入された基材を浸漬した後、ルイス酸の水溶液を添加する方法が挙げられる。ルイス酸の水溶液の添加量としては特に限定されないが、通常は、全質量に対し０．１質量％～９０質量％であり、好ましくは１質量％～８０質量％である。
　前記ルイス酸の水溶液を分散液に添加する場合の前記基材の浸漬時間は、前述の浸漬時間の範囲内であれば特に限定されない。また、ルイス酸の水溶液を添加する場合の分散液の温度（浸漬温度）についても、前述の浸漬温度の範囲内であれば特に限定されない。
　また、前記ルイス酸の水溶液におけるルイス酸の濃度は特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。
　また、前記分散液を基材に接触させた後においては、当該基材の洗浄工程を行ってもよい。これにより、基材に固定化されなかった炭素材料等や分散媒を除去することができる。使用する洗浄剤としては特に限定されず、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、水、トルエン、アセトン等が挙げられる。また、洗浄条件は特に限定されないが、通常は洗浄温度０℃～１００℃、洗浄時間１秒間～６０分間の範囲内で行われる。乾燥工程における乾燥方法としては特に限定されず、例えば、自然乾燥や窒素ガス等の吹き付けによる乾燥等が挙げられる。また、乾燥条件は特に限定されないが、通常は乾燥温度０℃～１００℃、乾燥時間１秒間～２４時間の範囲内で行われる。
（実施の形態２）
　本実施の形態２は前記実施の形態１の場合と比較して、固定化物の製造方法に関し、炭素材料等として、表面に－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、－Ｒ２－ＭｇＸ基、－Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種（前記Ｒ１～Ｒ４については、前述の通りである。）を有するものを用いた点が異なる。また、基材として、表面にフッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかを有するものを用いた点が異なる。
　炭素材料等の表面に、前記－ＮＨ２基等を導入する方法は、前記実施の形態１において基材表面に当該－ＮＨ２基等を導入する方法と同様に行うことができる。また、基材表面にフッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかを導入する方法は、前記実施の形態１において炭素材料等の表面に当該フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかを導入する方法と同様に行うことができる。これにより、本発明に係る固定化物を製造することができる。
　また、本実施の形態は、実施の形態１の場合と同様、－ＮＨ２基等が表面に導入された炭素材料等と、置換基が導入された基材との接触に際しても、ルイス酸の存在下で行うことができる。これにより、－ＮＨ２基等が導入された炭素材料等と、置換基が導入された基材との反応が促進され、より多くの炭素材料等を基材に固定化させることができ、処理時間の短縮化が図れる。
　尚、ルイス酸の種類、当該ルイス酸の存在下で炭素材料等の基材への固定化を行う方法、ルイス酸の水溶液の添加量、浸漬時間及び浸漬温度については、実施の形態１の場合と同様である。
（その他の事項）
　本発明に係る固定化物は、炭素材料等が結合基を介して基材表面に化学結合した構造となっている。そのため、基材表面に十分に固定されており、炭素材料等が基材から脱離し難い構造となっている。また、本発明に係る固定化物は、例えば、透明導電膜、静電気防止膜や帯電防止膜等に好適に適用することができる。
　尚、本発明の固定化物においては、基材上に結合基を介して化学結合している前記炭素材料やケイ素材料の表面に、フッ素基、塩素基、臭素基、ヨウ素基又は前記－ＮＨ２基等が存在していてもよい。
　（実施例１）
　＜炭素材料の調製＞
　本実施例においては、炭素材料として単層カーボンナノチューブを用いた。先ず、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）容器（容量５ｍＬ）に、前記単層カーボンナノチューブ１０ｍｇを導入し、本容器を電解研磨されたＳＵＳ３１６Ｌ製チャンバー（容量３０ｍＬ）に設置した。更に、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）下、４℃／ｍｉｎで２５０℃に昇温して、２時間の恒温処理を行った。
　次に、チャンバー内を、窒素ガスでフッ素ガスを濃度２０ｖｏｌ％に希釈した第１処理ガスに真空置換し、流量２５ｍＬ／ｍｉｎで当該第１処理ガスを流した。更に、チャンバー内を４℃／ｍｉｎで２５０℃に昇温して、単層カーボンナノチューブのフッ素化処理を行った。フッ素化処理の処理時間は、４時間とした。その後、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）の下、室温まで放冷し、フッ素化処理後の単層カーボンナノチューブを作製した。
　＜炭素材料の分散液の調製＞
　フッ素化した単層カーボンナノチューブ（１ｍｇ）を、分散媒としてのイソプロピルアルコール（１０ｇ）に入れ、超音波照射を、４２ｋＨｚ、１３５Ｗで２時間行い、当該フッ素化した単層カーボンナノチューブが分散する分散液を調製した。フッ素化した単層カーボンナノチューブの添加量は、分散液の全質量に対し約１×１０－２質量％であった。
　＜ＰＥＴ樹脂フィルムの作製＞
　本実施例においては、基材としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂フィルム（東レ株式会社製、商品名：ルミラー（登録商標）Ｔ６０）を用いた。
　先ず、ＰＥＴ樹脂フィルムを、リボンヒータが設置された電解研磨ＳＵＳ３１６Ｌ製チャンバー（容量１０００ｍＬ）内に入れた。次に、チャンバー内を窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）下で、５０℃まで昇温させた。その後、窒素でフッ素ガスを０．５ｖｏｌ％に希釈した第１処理ガスをチャンバー内に流し、ＰＥＴ樹脂フィルムのフッ素化処理を行った。処理時間は１分間とした。
　続いて、チャンバー内を窒素に真空置換した。更に、窒素でＮＨ３ガスを１．０ｖｏｌ％に希釈した第２処理ガスをチャンバー内に流し、ＮＨ２基導入処理を行った。処理時間は１時間とした。その後、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）の下、室温まで放冷して、ＮＨ２基導入処理したＰＥＴ樹脂フィルムを作製した。
　＜固定化物の作製：ＰＥＴ樹脂フィルムと炭素材料の分散液との接触＞
　ＮＨ２基導入処理したＰＥＴ樹脂フィルムを、フッ素化した単層カーボンナノチューブがイソプロピルアルコール中に分散した分散液（１０ｍｌ）に、室温で浸漬させた。また、浸漬時間は６０分間とした。その後、ＰＥＴ樹脂フィルムを取り出し、イソプロピルアルコールにて洗浄し、温度１９℃の窒素ブローで乾燥して、ＰＥＴ樹脂フィルム表面に単層カーボンナノチューブが固定化した固定化物を作製した。
　（実施例２）
　＜炭素材料の調製＞
　実施例１のフッ素化した単層カーボンナノチューブ（５ｍｇ）をアルミナ製ボートに入れ、本容器をＮｉ製チャンバー（容量１０００ｍＬ）に設置した。更に、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）下、４℃／ｍｉｎで１００℃昇温して、１時間の恒温処理を行った。
　次に、チャンバー内を、窒素ガスでＮＨ３ガスを濃度１．０ｖｏｌ％に希釈した第２処理ガスを流し、ＮＨ２基導入処理を行った。このときの処理時間を１時間とした。その後、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）の下、室温まで放冷して窒素に真空置換し、ＮＨ２基導入処理後の単層カーボンナノチューブを作製した。
　＜炭素材料の分散液の調製＞
　ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブ（１ｍｇ）を、分散媒としてのイソプロピルアルコール（１０ｇ）に入れ、超音波照射を４２ｋＨｚ、１３５Ｗで２時間行い、当該ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブが分散する分散液を調製した。フッ素化した単層カーボンナノチューブの添加量は、分散液の全質量に対し約１×１０－２質量％であった。
　＜ＰＥＴ樹脂フィルムの作製＞
　本実施例においては、基材としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂フィルム（東レ株式会社製、商品名：ルミラー（登録商標）Ｔ６０）を用いた。
　先ず、ＰＥＴ樹脂フィルムを、リボンヒータが設置された電解研磨ＳＵＳ３１６Ｌ製チャンバー（容量１０００ｍＬ）内に入れた。次に、チャンバー内を窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）下で、５０℃まで昇温させた。その後、窒素でフッ素ガスを０．５ｖｏｌ％に希釈した第１処理ガスをチャンバー内に流し、ＰＥＴ樹脂フィルムのフッ素化処理を行った。処理時間は１分間とした。その後、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）の下、室温まで放冷して、フッ素化処理したＰＥＴ樹脂フィルムを作製した。
　＜固定化物の作製：ＰＥＴ樹脂フィルムと炭素分散液との接触＞
　フッ素化処理したＰＥＴ樹脂フィルムを、ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブがイソプロピルアルコール中に分散した分散液（１０ｍｌ）に、室温で浸漬させた。また、浸漬時間は６０分間とした。その後、ＰＥＴ樹脂フィルムを取り出し、イソプロピルアルコールにて洗浄し、温度１９℃の窒素ブローで乾燥して、ＰＥＴ樹脂フィルム表面に単層カーボンナノチューブが固定化した固定化物を作製した。
　（実施例３）
　＜炭素材料及び当該炭素材料の分散液の調製＞
　実施例２と同様にして、ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブを調製した後、当該単層カーボンナノチューブをイソプロピルアルコールに分散させた分散液を得た。
　＜ＰＥＴ樹脂フィルムの作製＞
　実施例２と同様にして、フッ素化処理したＰＥＴ樹脂フィルムを作製した。
　＜固定化物の作製：ＰＥＴ樹脂フィルムと炭素分散液との接触＞
　本実施例においては、フッ素化処理したＰＥＴ樹脂フィルムを、ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブがイソプロピルアルコール中に分散した分散液（１０ｍＬ）に浸漬させる浸漬時間を１分間に変更した。それ以外は、実施例２と同様の方法でＰＥＴ樹脂フィルム表面に単層カーボンナノチューブが固定化した固定化物を作製した。
　（実施例４）
　＜炭素材料及び当該炭素材料の分散液の調製＞
　実施例２と同様にして、ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブを調製した後、当該単層カーボンナノチューブをイソプロピルアルコールに分散させた分散液を得た。
　＜ＰＥＴ樹脂フィルムの作製＞
　実施例２と同様にして、フッ素化処理したＰＥＴ樹脂フィルムを作製した。
　＜固定化物の作製：ＰＥＴ樹脂フィルムと炭素分散液との接触＞
　本実施例においては、フッ素化処理したＰＥＴ樹脂フィルムを、ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブがイソプロピルアルコール中に分散している分散液（１０ｍＬ）に添加した後、さらに、濃度７１％ＢＦ３水溶液（１０ｍＬ）を当該分散液に添加した。それ以外は、実施例２と同様の方法でＰＥＴ樹脂フィルム表面に単層カーボンナノチューブが固定化した固定化物を作製した。
　（実施例５）
　＜炭素材料及び当該炭素材料の分散液の調製＞
　実施例２と同様にして、ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブを調製した後、当該単層カーボンナノチューブをイソプロピルアルコールに分散させた分散液を得た。
　＜ＰＥＴ樹脂フィルムの作製＞
　実施例２と同様にして、フッ素化処理したＰＥＴ樹脂フィルムを作製した。
　＜固定化物の作製：ＰＥＴ樹脂フィルムと炭素分散液との接触＞
　本実施例においては、フッ素化処理したＰＥＴ樹脂フィルムを、ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブがイソプロピルアルコール中に分散した分散液（１０ｍＬ）に入れ、さらに、濃度７１％ＢＦ３水溶液（１０ｍＬ）を添加してからの、当該ＰＥＴ樹脂フィルムの浸漬時間を１分間に変更した。それ以外は、実施例２と同様の方法でＰＥＴ樹脂フィルム表面に単層カーボンナノチューブが固定化した固定化物を作製した。
　（実施例６）
　＜炭素材料の分散液の調製＞
　実施例１と同様にして、フッ素化した単層カーボンナノチューブを得た。次に、このフッ素化された単層カーボンナノチューブ（１ｍｇ）を、分散媒としてのイソプロピルアルコール（１０ｇ）に入れ、超音波照射を、４２ｋＨｚ、１３５Ｗで２時間行い、当該フッ素化した単層カーボンナノチューブが分散する分散液を調製した。
　＜シリコン基板の作製＞
　本実施例においては、基材としてシリコン基板を用いた。
　先ず、ＰＴＦＥ容器（容量１００ｍＬ）に、前記シリコン基板を入れた後、さらに硫酸と過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）を入れ、シリコン基板洗浄を５分間行った。次に、容器内の混合液を水に置換し、流水でシリコン基板の洗浄を５分間行った。続いて、水で０．５質量％に希釈したフッ化水素酸を容器内に入れ、シリコン基板表面の酸化膜を除去した。処理時間は１分間とした。その後、容器内を水に置換し、流水で５分間洗浄した。
　続いて、シリコン基板を、リボンヒータが設置された電解研磨ＳＵＳ３１６Ｌ製チャンバー（容量１０００ｍＬ）内に入れた。その後、チャンバー内を窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）下で、５０℃まで昇温させた。続いて、窒素でフッ素ガスを０．５ｖｏｌ％に希釈した第１処理ガスをチャンバー内に流し、シリコン基板のフッ素化処理を行った。処理時間は１分間とした。
　次に、チャンバー内を窒素に真空置換した。更に、窒素でＮＨ３ガスを１．０ｖｏｌ％に希釈した第２処理ガスをチャンバー内に流し、ＮＨ２基導入処理を行った。処理時間は１時間とした。その後、チャンバー内を窒素に真空置換し、窒素気流（２０ｍＬ／ｍｉｎ）の下、室温まで放冷して、ＮＨ２基導入処理したシリコン基板を作製した。
　＜固定化物の作製：シリコン基板と炭素材料の分散液との接触＞
　ＮＨ２基導入処理したシリコン基板を、フッ素化した単層カーボンナノチューブがイソプロピルアルコール中に分散した分散液（１０ｍｌ）に、室温で浸漬させた。また、浸漬時間は６０分間とした。その後、シリコン基板を取り出し、イソプロピルアルコールにて洗浄し、温度１９℃の窒素ブローで乾燥して、シリコン基板表面に単層カーボンナノチューブが固定化した固定化物を作製した。
　（比較例１）
　本比較例においては、フッ素化処理及びＮＨ２基導入処理を行っていないＰＥＴ樹脂フィルムを用いた。それ以外は、前記実施例１と同様にして、前記ＰＥＴ樹脂フィルムと、フッ素化処理した単層カーボンナノチューブの分散液との接触を行った。
　（比較例２）
　本比較例においては、フッ素化処理及びＮＨ２基導入処理を行っていないＰＥＴ樹脂フィルムを用いた。それ以外は、実施例２と同様にして、前記ＰＥＴ樹脂フィルムと、ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブの分散液との接触を行った。
　（比較例３）
　本比較例においては、ＰＥＴ樹脂フィルム及び単層カーボンナノチューブとして、それぞれフッ素化処理及びＮＨ２基導入処理を行っていないものを用いた。また、フッ素化処理及びＮＨ２基導入処理を行っていない単層カーボンナノチューブの分散液については、単層カーボンナノチューブ（１ｍｇ）を、分散媒としての純水（１０ｇ）とドデシル硫酸ナトリウム（０．２ｇ、和光純薬工業株式会社製）の混合溶液に入れ、超音波照射を、４２ｋＨｚ、１３５Ｗで２時間行い、これにより当該単層カーボンナノチューブが分散する分散液を調製した。それ以外は、実施例１と同様にして、前記ＰＥＴ樹脂フィルムと、単層カーボンナノチューブの分散液との接触を行った。
　（比較例４）
　本比較例においては、単層カーボンナノチューブとして、フッ素化処理及びＮＨ２基導入処理を行っていないものを用いた。また、単層カーボンナノチューブ及びその分散液については、比較例３で調製したものを用いた。それ以外は、実施例１と同様にして、前記ＰＥＴ樹脂フィルムと、比較例３で調製した単層カーボンナノチューブの分散液との接触を行った。
　（比較例５）
　本比較例においては、実施例１と同様の方法で作製したＰＥＴ樹脂フィルムを用いた。それ以外は、実施例２と同様にして、前記ＰＥＴ樹脂フィルムと、ＮＨ２基導入処理した単層カーボンナノチューブの分散液との接触を行った。
　（比較例６）
　本比較例においては、実施例２と同様の方法で作製したＰＥＴ樹脂フィルムを用いた。また、単層カーボンナノチューブ及びその分散液については、比較例３で調製したものを用いた。それ以外は、実施例１と同様にして、前記ＰＥＴ樹脂フィルムと、比較例３で調製した単層カーボンナノチューブの分散液との接触を行った。
　（比較例７）
　本比較例においては、実施例２と同様の方法で作製したＰＥＴ樹脂フィルムを用いた。それ以外は、実施例１と同様にして、前記ＰＥＴ樹脂フィルムと、フッ素化処理した単層カーボンナノチューブの分散液との接触を行った。
　（元素分析）
　実施例１で作製したフッ素化処理及びＮＨ２基導入処理後のＰＥＴ樹脂フィルム、実施例２で作製したフッ素化処理後のＰＥＴ樹脂フィルム、並びに実施例６で作製したフッ素化処理及びＮＨ２基導入処理後のシリコン基板について、それぞれＸ線光電子分光法（アルバック・ファイ株式会社製、商品名；ＰＨＩ５０００　ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ　ＩＩ）を用いて元素分析を行った。
　また、実施例１及び６で作製したフッ素化処理後の単層カーボンナノチューブ、並びに実施例２で作製したＮＨ２基導入処理後の単層カーボンナノチューブについても、それぞれ前記と同様にして元素分析を行った。
　その結果、実施例１のＰＥＴ樹脂フィルムにはアミノ基としての窒素が７．３ａｔ％検出され、単層カーボンナノチューブには２７．１ａｔ％のフッ素が検出された。実施例２で作製したＰＥＴ樹脂フィルムには３５．６ａｔ％のフッ素が検出され、単層カーボンナノチューブにはアミノ基としての窒素が１．７ａｔ％検出された。実施例６で作製したシリコン基板にはアミノ基としての窒素が８．６ａｔ％検出された。
　（光透過率）
　実施例１～５で得られた固定化物、並びに比較例１～７で処理して得たＰＥＴ樹脂フィルムのそれぞれについて、分光光度計（日本分光株式会社製、型番：Ｖ－６７０）を用いて５５０ｎｍにおける光透過率を測定した。実施例１の固定化物は８５．３％であり、実施例２の固定化物は８５．１％であり、実施例３の固定化物は８５．１％であり、実施例４の固定化物は８３．２％であり、実施例５の固定化物は８５．０％であった。また、比較例１～７で調製したＰＥＴ樹脂フィルムの光透過率はいずれも８５．９％であり、単層カーボンナノチューブが固定化されていないことが確認された。尚、単層カーボンナノチューブを固定化する前のＰＥＴ樹脂フィルムは８５．９％であった。
　（表面抵抗率）
　実施例１～６に係る固定化物、及び比較例１～７で処理して得たＰＥＴ樹脂フィルムをそれぞれ縦５ｃｍ×横５ｃｍの正方形状にカットして試料を作製した。これらの各試料表面の中央部に４探針プローブを密着させて、４探針法による表面抵抗率を測定した。また、測定装置として岩崎通信機株式会社製のデジタルマルチメータＶＯＡＣ７５２１Ａを用い、使用したプローブはアステラテック株式会社製のシート抵抗測定用４探針ケーブルＳＲ４－Ｊの４探針プローブとした。その結果、実施例１の固定化物では表面抵抗率が４１４Ω／ｓｑ．であり、実施例２の固定化物では表面抵抗率が３８７Ω／ｓｑ．であり、実施例３の固定化物では表面抵抗率が６４２４０Ω／ｓｑ．であり、実施例４の固定化物では表面抵抗率が２７３Ω／ｓｑ．であり、実施例５の固定化物では表面抵抗率が３８１Ω／ｓｑ．であり、実施例６の固定化物では表面抵抗率が６６Ω／ｓｑ．であった。
　一方、比較例１～７で処理して得たＰＥＴ樹脂フィルムについては、それらの表面抵抗率の測定値が測定レンジ２×１０９Ω／ｓｑ．を超えており、単層カーボンナノチューブが固定化されていないことが確認された。
　尚、単層カーボンナノチューブを固定化する前のＰＥＴ樹脂フィルム及びシリコン基板については、それらの表面抵抗率の測定値がそれぞれ測定レンジ２×１０９Ω／ｓｑ．を超えた。
　（固定化評価）
　実施例１～６で得られた固定化物及び比較例１～７で処理して得られたＰＥＴ樹脂フィルムのそれぞれについて、ＪＩＳ　Ｚ　１５２２：２００９に規定されたセロハン粘着テープを用いて、ＪＩＳ　Ｚ　０２３７：２００９に準拠した粘着テープ・粘着シート試験方法により、当該セロハン粘着テープの貼り付け及び引き剥がしを行った。
　次に、実施例１～５の固定化物のそれぞれについて、セロハン粘着テープの引き剥がし後の光透過率を、前述と同様にして測定した。その結果、実施例１では光透過率が８５．３％、実施例２では８５．１％、実施例３では８５．１％、実施例４では８３．２％、実施例５では８５．０％であった。セロハン粘着テープを貼り付ける前の実施例１～５の固定化物の光透過率は、前述の通り、それぞれ８５．９％であったので、それぞれの光透過率に変化は見られなかった。
　また、実施例１～６の固定化物のそれぞれについて、セロハン粘着テープの引き剥がし後の表面抵抗率の測定も行った。その結果、実施例１では表面抵抗率が４１９Ω／ｓｑ．であり、実施例２では３８４Ω／ｓｑ．であり、実施例３では６５１３０Ω／ｓｑ．であり、実施例４では２８０Ω／ｓｑ．であり、実施例５では３８７Ω／ｓｑ．であり、実施例６３では７３Ω／ｓｑ．であった。セロハン粘着テープを貼り付ける前の実施例１～６３の固定化物の表面抵抗率は、前述の通り、それぞれ４１４Ω／ｓｑ．、３８７Ω／ｓｑ．、６４２４０Ω／ｓｑ．、２７３Ω／ｓｑ．、３８１Ω／ｓｑ．、６６Ω／ｓｑ．であったので、それぞれの表面抵抗率に大きな変化は見られなかった。
　さらに、比較例１～７のＰＥＴ樹脂フィルムについても、前記と同様に、セロハン粘着テープの引き剥がし後の光透過率及び表面抵抗率についてそれぞれ測定した。その結果、光透過率はいずれも８５．９％であり、表面抵抗率は測定値が測定レンジ２×１０９Ω／ｓｑ．を超えた。
　以上の結果から、実施例１～６の固定化物については、セロハン粘着テープの剥離後においても、単層カーボンナノチューブが当該セロハン粘着テープに引き剥がされることなく、ＰＥＴ樹脂フィルム又はシリコン基板表面に固定化されているものと推測される。
１０　固定化物
１１　カーボンナノチューブ（炭素材料）
１２　基材
Ａ　置換基
Ｂ　置換基
Ｂ’結合基
 

Claims (19)

  1. 　基材表面に炭素材料及び／又はケイ素材料が固定化された固定化物であって、
    　前記炭素材料及び／又はケイ素材料が、前記基材表面に結合基を介して化学結合しており、
    　前記結合基が－ＮＨ基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ基、－ＳＯ基、Ｒ２基、－Ｏ－Ｒ３－Ｏ基及びＲ４基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種（但し、前記Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ独立して、鎖状アルキル基、環状アルキル基、鎖状アルケニル基、環状アルケニル基、鎖状アルキニル基、アリール基、及び、これらの官能基にさらにヒドロキシル基、ハロゲン、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、チオール基、チオエステル基又はチオエーテル基の少なくとも何れかが結合した官能基からなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）である固定化物。
  2. 　前記基材表面に固定化される前の炭素材料及びケイ素材料の表面には、フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかが存在しており、
    　前記炭素材料及び／又はケイ素材料が固定化される前の前記基材表面には、－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、－Ｒ２－ＭｇＸ基（前記ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）、Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種が存在している請求項１に記載の固定化物。
  3. 　前記基材表面に固定化される前の炭素材料及びケイ素材料の表面には、－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、－Ｒ２－ＭｇＸ基（前記ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）、－Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種が存在しており、
    　前記炭素材料及び／又はケイ素材料が固定化される前の前記基材表面には、フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかが存在している請求項１に記載の固定化物。
  4. 　前記炭素材料が、活性炭、カーボンナノホーン、ダイヤモンド、カーボンナノコイル、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維、グラフェン、非晶質カーボン、フラーレン及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも何れか１種である請求項２に記載の固定化物。
  5. 　前記炭素材料が、活性炭、カーボンナノホーン、ダイヤモンド、カーボンナノコイル、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維、グラフェン、非晶質カーボン、フラーレン及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも何れか１種である請求項３に記載の固定化物。
  6. 　前記基材が、他の炭素材料、他のケイ素材料、天然高分子又は合成高分子の何れかからなる請求項４に記載の固定化物。
  7. 　前記基材が、他の炭素材料、他のケイ素材料、天然高分子又は合成高分子の何れかからなる請求項５に記載の固定化物。
  8. 　フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかを表面に有する炭素材料及び／又はケイ素材料と、
    　－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、－Ｒ２－ＭｇＸ基、－Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種（但し、前記Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ独立して、鎖状アルキル基、環状アルキル基、鎖状アルケニル基、環状アルケニル基、鎖状アルキニル基、アリール基、及び、これらの官能基にさらにヒドロキシル基、ハロゲン、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、チオール基、チオエステル基又はチオエーテル基の少なくとも何れかが結合した官能基からなる群より選ばれる少なくとも１種を表し、前記ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）を表面に有する基材とを接触させることにより、
    　前記炭素材料及び／又はケイ素材料を、－ＮＨ基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ基、－ＳＯ基、Ｒ２基、－Ｏ－Ｒ３－Ｏ基及びＲ４基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種の結合基を介して、前記基材表面に化学結合により固定化させる固定化物の製造方法。
  9. 　前記接触は、前記炭素材料及び／又はケイ素材料が分散媒中に分散した分散液に、前記基材を浸漬させることにより行う請求項８に記載の固定化物の製造方法。
  10. 　前記接触は、ルイス酸の存在下で行われる請求項８に記載の固定化物の製造方法。
  11. 　前記接触は、前記炭素材料及び／又はケイ素材料が分散媒中に分散した分散液に、前記基材を浸漬させた後、前記ルイス酸の水溶液を添加することにより行う請求項１０に記載の固定化物の製造方法。
  12. 　前記炭素材料として、活性炭、カーボンナノホーン、ダイヤモンド、カーボンナノコイル、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維、グラフェン、非晶質カーボン、フラーレン及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも何れか１種を用いる請求項８に記載の固定化物の製造方法。
  13. 　前記基材として、他の炭素材料、他のケイ素材料、天然高分子又は合成高分子の何れかを用いる請求項８に記載の固定化物の製造方法。
  14. 　－ＮＨ２基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ２基、－ＳＯＣｌ基、－Ｒ２－ＭｇＸ基、－Ｏ－Ｒ３－ＯＮａ基及び－Ｒ４－Ｌｉ基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種（但し、前記Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ独立して、鎖状アルキル基、環状アルキル基、鎖状アルケニル基、環状アルケニル基、鎖状アルキニル基、アリール基、及び、これらの官能基にさらにヒドロキシル基、ハロゲン、エステル基、エーテル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、チオール基、チオエステル基又はチオエーテル基の少なくとも何れかが結合した官能基からなる群より選ばれる少なくとも１種を表し、前記ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。）を表面に有する炭素材料及び／又はケイ素材料と、
    　フッ素基、塩素基、臭素基又はヨウ素基の少なくとも何れかを表面に有する基材とを接触させることにより、
    　前記炭素材料及び／又はケイ素材料を、－ＮＨ基、－ＮＨ－Ｒ１－ＮＨ基、－ＳＯ基、Ｒ２基、－Ｏ－Ｒ３－Ｏ基及びＲ４基からなる群より選ばれる少なくとも何れか１種の結合基を介して、前記基材表面に化学結合により固定化させる固定化物の製造方法。
  15. 　前記接触は、前記炭素材料及び／又はケイ素材料が分散媒中に分散した分散液に、前記基材を浸漬させることにより行う請求項１４に記載の固定化物の製造方法。
  16. 　前記接触は、ルイス酸の存在下で行われる請求項１４に記載の固定化物の製造方法。
  17. 　前記接触は、前記炭素材料及び／又はケイ素材料が分散媒中に分散した分散液に、前記基材を浸漬させた後、前記ルイス酸の水溶液を添加することにより行う請求項１６に記載の固定化物の製造方法。
  18. 　前記炭素材料として、活性炭、カーボンナノホーン、ダイヤモンド、カーボンナノコイル、グラファイト、カーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン、炭素繊維、グラフェン、非晶質カーボン、フラーレン及びカーボンナノチューブからなる群より選ばれる少なくとも何れか１種を用いる請求項１４に記載の固定化物の製造方法。
  19. 　前記基材として、他の炭素材料、他のケイ素材料、天然高分子又は合成高分子の何れかを用いる請求項１４に記載の固定化物の製造方法。
     
PCT/JP2017/015873 2016-04-27 2017-04-20 固定化物及びその製造方法 WO2017188113A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201780023066.4A CN109074907B (zh) 2016-04-27 2017-04-20 固定化物及其制造方法
EP17789396.3A EP3451349A4 (en) 2016-04-27 2017-04-20 IMMOBILIZED PRODUCT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
KR1020187031412A KR102389263B1 (ko) 2016-04-27 2017-04-20 고정화물 및 그의 제조 방법
US16/097,227 US11964871B2 (en) 2016-04-27 2017-04-20 Immobilized product and method for producing same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016088682 2016-04-27
JP2016-088682 2016-04-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017188113A1 true WO2017188113A1 (ja) 2017-11-02

Family

ID=60161443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/015873 WO2017188113A1 (ja) 2016-04-27 2017-04-20 固定化物及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11964871B2 (ja)
EP (1) EP3451349A4 (ja)
JP (1) JP7002104B2 (ja)
KR (1) KR102389263B1 (ja)
CN (1) CN109074907B (ja)
WO (1) WO2017188113A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021149582A1 (ja) * 2020-01-24 2021-07-29 国立大学法人東海国立大学機構 積層体、積層体の製造方法、および、積層体を備えるデバイス
JP7360161B2 (ja) 2020-01-24 2023-10-12 国立大学法人東海国立大学機構 積層体、積層体の製造方法、および、積層体を備えるデバイス
CN112563586B (zh) * 2020-12-27 2022-02-22 西南大学 一种基于卤键作用提升锌碘电池性能的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005040938A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Korea Advanced Inst Of Science & Technology 高密度カーボンナノチューブフィルムまたはパータンを用いたバイオチップの製造方法
JP2007502246A (ja) * 2003-07-28 2007-02-08 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ポリマー複合物を得るための、有機シランによるカーボンナノチューブのサイドウォール官能化
WO2007114140A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 National University Corporation Hokkaido University カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP2011506671A (ja) * 2007-12-14 2011-03-03 コーロン インダストリーズ，インコーポレイテッド 伝導性材料およびその製造方法
JP2015096485A (ja) * 2013-10-11 2015-05-21 富士フイルム株式会社 アミノ置換ホスファゼン化合物の製造方法、非水二次電池用電解液の製造方法および非水二次電池の製造方法
JP2016113364A (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 国立大学法人東北大学 窒素含有炭素材料及びその製造方法
WO2016171239A1 (ja) * 2015-04-22 2016-10-27 ステラケミファ株式会社 炭素材料の架橋構造体及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU6044599A (en) * 1998-09-18 2000-04-10 William Marsh Rice University Chemical derivatization of single-wall carbon nanotubes to facilitate solvation thereof; and use of derivatized nanotubes
KR100645308B1 (ko) 2005-10-18 2006-11-14 한양대학교 산학협력단 초음파 처리를 이용한 탄소나노튜브의 수직 배열 방법
KR100791260B1 (ko) * 2006-06-29 2008-01-04 한국과학기술원 탄소나노튜브 필름을 이용한 투명전극의 제조방법
JP5100060B2 (ja) 2006-08-24 2012-12-19 株式会社安川電機 伸縮性高分子フィルム、その製造方法、グラフト重合膜付きフィルムの製造方法、および光グラフト重合装置
JP5652201B2 (ja) 2008-03-25 2015-01-14 東レ株式会社 導電性複合体およびその製造方法
KR101773737B1 (ko) * 2008-12-24 2017-08-31 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 탄소재료의 분산액 및 그 제조 방법
JP6002077B2 (ja) 2013-04-12 2016-10-05 尾池工業株式会社 透明導電膜およびその製造方法
KR101586558B1 (ko) 2014-01-21 2016-01-18 경북대학교 산학협력단 기능화된 탄소 나노입자 및 이를 이용한 기능성 고분자 섬유
US10518506B2 (en) 2014-06-12 2019-12-31 Toray Industries, Inc. Layered product and process for producing same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005040938A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Korea Advanced Inst Of Science & Technology 高密度カーボンナノチューブフィルムまたはパータンを用いたバイオチップの製造方法
JP2007502246A (ja) * 2003-07-28 2007-02-08 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ポリマー複合物を得るための、有機シランによるカーボンナノチューブのサイドウォール官能化
WO2007114140A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-11 National University Corporation Hokkaido University カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP2011506671A (ja) * 2007-12-14 2011-03-03 コーロン インダストリーズ，インコーポレイテッド 伝導性材料およびその製造方法
JP2015096485A (ja) * 2013-10-11 2015-05-21 富士フイルム株式会社 アミノ置換ホスファゼン化合物の製造方法、非水二次電池用電解液の製造方法および非水二次電池の製造方法
JP2016113364A (ja) * 2014-12-16 2016-06-23 国立大学法人東北大学 窒素含有炭素材料及びその製造方法
WO2016171239A1 (ja) * 2015-04-22 2016-10-27 ステラケミファ株式会社 炭素材料の架橋構造体及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3451349A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20190112193A1 (en) 2019-04-18
EP3451349A1 (en) 2019-03-06
CN109074907B (zh) 2021-01-08
US11964871B2 (en) 2024-04-23
CN109074907A (zh) 2018-12-21
JP2017200871A (ja) 2017-11-09
KR20190002494A (ko) 2019-01-08
EP3451349A4 (en) 2019-09-18
KR102389263B1 (ko) 2022-04-21
JP7002104B2 (ja) 2022-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5473148B2 (ja) 導電性が改善された透明導電性フィルム及びその製造方法
Skakalova et al. Effect of chemical treatment on electrical conductivity, infrared absorption, and Raman spectra of single-walled carbon nanotubes
Motta et al. Mechanical properties of continuously spun fibers of carbon nanotubes
Sreekumar et al. Single-wall carbon nanotube films
Dalton et al. Selective interaction of a semiconjugated organic polymer with single-wall nanotubes
JP6805402B2 (ja) 窒素含有炭素材料及びその製造方法
Sabba et al. High-concentration dispersion of single-wall carbon nanotubes
KR102028380B1 (ko) 탄소 재료의 가교 구조체 및 그의 제조 방법
Lee et al. Plasma-assisted reduction of graphene oxide at low temperature and atmospheric pressure for flexible conductor applications
Dyke et al. Covalent functionalization of single-walled carbon nanotubes for materials applications
WO2017188113A1 (ja) 固定化物及びその製造方法
Yang et al. Adsorption behaviors of HiPco single-walled carbon nanotube aggregates for alcohol vapors
CN110687169B (zh) 一种湿度敏感的碳纳米管/石墨烯/有机复合柔性材料、湿度传感器及其制备方法
Hou et al. Double-wall carbon nanotube transparent conductive films with excellent performance
WO2009064133A2 (en) Conductivity enhanced transparent conductive film and fabrication method thereof
Devaraju et al. Fabrication of durable and flexible single-walled carbon nanotube transparent conductive films
Khan et al. Exploitation of nanobifiller in polymer/graphene oxide–carbon nanotube, polymer/graphene oxide–nanodiamond, and polymer/graphene oxide–montmorillonite composite: A review
Cao et al. Strong reduced graphene oxide coated bombyx mori silk
Jung et al. Eco-friendly and simple radiation-based preparation of graphene and its application to organic solar cells
Sedaghat et al. Modification of conductive polyaniline with carbon nanomaterials
KR101210496B1 (ko) 탄소나노튜브를 이용한 투명전도성 및 초소수성 필름의 제조방법
WO2016015657A1 (zh) 高分散、粘度可控的碳纳米管透明电极墨水
Asghari et al. Enrichment of solution-processable single-walled carbon nanotubes for flexible nanoelectronics
US20230323067A1 (en) Conductive resin, maufacturing method for the same, and sensor
Hattori et al. Fluorination–Defluorination and Fluorine Storage Properties of Single-Wall Carbon Nanotubes and Carbon Nanohorns

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187031412

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2017789396

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017789396

Country of ref document: EP

Effective date: 20181127

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17789396

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1