WO2017175778A1 - 隔壁形成用脂肪族ポリカーボネート樹脂、隔壁材料、基板及びその製造方法、配線基板の製造方法、並びに、配線形成方法 - Google Patents

隔壁形成用脂肪族ポリカーボネート樹脂、隔壁材料、基板及びその製造方法、配線基板の製造方法、並びに、配線形成方法 Download PDF

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wiring
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聖司 西岡
英幸 竹田
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住友精化株式会社
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    • H05K3/1283After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods

Definitions

  • the present invention relates to an aliphatic polycarbonate resin for forming a partition, a partition material, a substrate and a manufacturing method thereof, a manufacturing method of a wiring substrate, and a wiring forming method.
  • aliphatic polycarbonate resins synthesized from raw materials containing carbon dioxide and an epoxy compound have been actively studied from the viewpoint of carbon dioxide resources, and various uses have been found. Since the aliphatic polycarbonate resin has a characteristic that the thermal decomposition temperature is low, application to ceramic binders and metal inks has been studied using its properties (for example, Patent Documents 1 and 2). In addition, since the aliphatic polycarbonate resin is easily removed by heating or light with a short wavelength (for example, irradiation with vacuum ultraviolet rays or soft X-rays), the aliphatic polycarbonate resin should be used as a positive resist resin for the partition wall material. (For example, Patent Document 3 and Patent Document 4) have also been studied.
  • the aliphatic polycarbonate resin as the partition wall material positive resist resin, it is possible to manufacture a wiring board to be incorporated in an electronic component or the like.
  • a wiring material including, for example, metal ink is provided in the grooves.
  • the aliphatic polycarbonate resin is removed and the ink is cured and sintered. Thereby, a wiring board is formed.
  • an object of the present invention is to provide an aliphatic polycarbonate resin which is excellent in water repellency and suitable for forming a partition wall in the production of a wiring board. Furthermore, an object of the present invention is to provide a partition material, a substrate, a manufacturing method thereof, a manufacturing method of a wiring substrate, and a wiring forming method.
  • the present inventors have found that the above object can be achieved by setting the repeating structural unit contained in the aliphatic polycarbonate to a specific structure, thereby completing the present invention. It came to.
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 or more carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 or more carbon atoms, an aryl group or an aryloxyalkyl group. And at least one of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 or more carbon atoms, an aryl group or an aryloxyalkyl group. 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different) And a structural unit represented by An aliphatic polycarbonate resin having a contact angle with water of 75 ° or more. Item 2. Item 5. The aliphatic polycarbonate resin according to Item 1, wherein the content of the structural unit represented by the formula (1) is 5% by mass or more based on the total mass of all the structural units. Item 3. The following general formula (2):
  • the aliphatic polycarbonate resin for forming a partition wall according to the present invention is superior in water repellency performance to a conventional aliphatic polycarbonate resin, and when a partition wall is formed by using as a partition wall material, a water-based ink is desired with high accuracy. Can only stay in the part.
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 or more carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 or more carbon atoms, an aryl group or an aryloxyalkyl group. And at least one of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 represents an alkyl group having 2 or more carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 or more carbon atoms, an aryl group or an aryloxyalkyl group. 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different)
  • the contact angle with respect to water is 75 degrees or more.
  • the aliphatic polycarbonate resin for forming the partition walls may be simply referred to as “aliphatic polycarbonate resin”.
  • the above-mentioned aliphatic polycarbonate resin contains a structural unit having a specific structure, so that the water repellency is superior to conventional aliphatic polycarbonate resins. Therefore, according to the aliphatic polycarbonate resin, when the partition wall is formed by using as the partition wall material, the water-based ink can be kept only in a desired portion with high accuracy.
  • the type of the alkyl group having 1 or more carbon atoms as R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be either linear or branched, and the alkyl group is one You may have the above substituent.
  • Specific examples of the alkyl group having 1 or more carbon atoms include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n -Hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group and the like.
  • the upper limit of the carbon number of the alkyl group having 1 or more carbon atoms is preferably 30 carbon atoms and 20 carbon atoms from the viewpoint of easy control of the reaction during the production of the aliphatic polycarbonate resin. Is more preferable.
  • the type of the alkoxyalkyl group having 2 or more carbon atoms as R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be either linear or branched, and an alkoxyalkyl group May have one or more substituents.
  • the alkoxyalkyl group is preferably an alkoxymethyl group.
  • the upper limit of the carbon number of the alkoxyalkyl group having 2 or more carbon atoms is not particularly limited, but the upper limit is preferably 30 carbon atoms from the viewpoint of easy control of the reaction during the production of the aliphatic polycarbonate resin. More preferably, it is 20.
  • the kind of aryl group as R 1 , R 2 , R 3 and R 4 usually has 6 or more carbon atoms.
  • the aryl group may have a substituent.
  • Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a toluyl group, an indenyl group, a naphthyl group, and a tetrahydronaphthyl group.
  • the upper limit of the carbon number of the aryl group is preferably 30 carbon atoms and more preferably 20 carbon atoms from the viewpoint that the reaction during the production of the aliphatic polycarbonate resin is easy to control.
  • the kind of aryloxyalkyl group as R 1 , R 2 , R 3 and R 4 usually has 7 or more carbon atoms.
  • the aryloxyalkyl group may have a substituent.
  • the oxyalkyl part of the aryloxyalkyl group may be either linear or branched, and may have a substituent.
  • aryloxyalkyl group a substituted or unsubstituted aryloxymethyl group is preferable, and specific examples thereof include a phenoxymethyl group, a toluyloxymethyl group, an indenyloxymethyl group, a naphthyloxymethyl group, and a tetrahydronaphthyloxymethyl group.
  • the upper limit of the carbon number of the aryloxyalkyl group is preferably 30 carbon atoms and more preferably 20 carbon atoms from the viewpoint of maintaining the stability of the aliphatic polycarbonate resin and the stability during production. preferable.
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 is an alkyl group having 2 or more carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 or more carbon atoms, an aryl group or an aryloxyalkyl group. is there.
  • the aliphatic polycarbonate resin has excellent water repellency.
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 When at least one of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 is an alkyl group having 2 or more carbon atoms, the alkyl group preferably has 4 or more carbon atoms, preferably 8 or more. More preferred. Thereby, the water repellency of the aliphatic polycarbonate resin can be further improved.
  • the alkyl group When at least one of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 is an alkoxyalkyl group having 2 or more carbon atoms, the alkyl group preferably has 2 or more carbon atoms, preferably 4 or more. More preferably. Thereby, the water repellency of the aliphatic polycarbonate resin can be further improved.
  • the aliphatic polycarbonate resin according to the present invention constitutes the main chain even when it has an aryl group or an aryloxyalkyl group as at least one of R 1 , R 2 , R 3 and R 4. It must be an aliphatic polycarbonate resin in the sense that it does not have an aromatic ring as an atomic group.
  • the aliphatic polycarbonate resin of the present embodiment may be formed of only the structural unit represented by the above formula (1), or other structural units other than the structural unit represented by the above formula (1). It may be formed including.
  • the content of the structural unit represented by the above formula (1) is preferably 5% by mass or more with respect to the total mass of all the structural units, and is 10% by mass or more. More preferably. In this case, the aliphatic polycarbonate resin tends to have more excellent water repellency.
  • the upper limit of the content of the structural unit represented by the above formula (1) is from the viewpoint that the aliphatic polycarbonate resin can be easily produced, with respect to the total mass of all the structural units constituting the aliphatic polycarbonate resin. It is preferable that it is 50 mass%.
  • the content of the structural unit represented by the above formula (2) is preferably 50% by mass or more based on the total mass of all the structural units. In this case, the aliphatic polycarbonate resin can be produced efficiently.
  • the upper limit is preferably less than 95% by mass, and more preferably less than 90% by mass.
  • the mass average molecular weight of the aliphatic polycarbonate resin of this embodiment is preferably 50000 or more, more preferably 100000 or more, from the viewpoint of rectangular holding power when used as a partition wall material. Further, from the viewpoint of avoiding a decrease in handleability due to a decrease in the solubility of the aliphatic polycarbonate resin in the solvent, the weight average molecular weight of the aliphatic polycarbonate resin is preferably 1000000 or less, more preferably 500000 or less.
  • the contact angle of the aliphatic polycarbonate resin of this embodiment with respect to water is 75 ° or more. In this case, the aliphatic polycarbonate resin exhibits a desired water repellency.
  • the contact angle of the aliphatic polycarbonate resin with respect to water is preferably 80 ° or more. The contact angle is usually less than 180 ° (eg, less than 150 °).
  • the contact angle in this specification is defined by a value measured by the following procedure.
  • the aliphatic polycarbonate resin of the present embodiment is dissolved in acetone so as to have a concentration of 2.5% by mass
  • the glass substrate is immersed in the obtained solution, and then the glass substrate (solution on the surface is pulled up from the solution).
  • a glass substrate to which is attached) is dried at 25 ° C. for 24 hours to prepare a sample for contact angle measurement.
  • one drop of distilled water is dropped with a microsyringe so that the droplet diameter is 2 mm, and the contact angle is measured.
  • This measurement is performed in an environment of a temperature of 25 ° C. and a humidity of 50% RH.
  • Such contact angle can be measured using a commercially available contact angle meter.
  • the aliphatic polycarbonate resin of the present embodiment can be used by, for example, dissolving it in a solvent capable of dissolving the aliphatic polycarbonate resin.
  • Solvents that can dissolve the aliphatic polycarbonate resin include, for example, toluene, ethyl acetate, butyl acetate, isopropyl alcohol, methyl isobutyl ketone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone, ethylene glycol ethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether , Ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, trimethylpentanediol monoisobutyrate, ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, terpineol, Terpineol acetate, dihydroterpineol, dihydro Over terpineo
  • N-methyl-2-pyrrolidone, terpineol, terpineol acetate, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, texanol, and propylene carbonate are used from the viewpoint that they have a moderately high boiling point and are easily volatilized uniformly during sintering. preferable.
  • these organic solvents may be used independently and may use 2 or more types together.
  • the amount of the solvent used is preferably 100 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the aliphatic polycarbonate resin from the viewpoint of easy handling of the resulting solution (the solution of the aliphatic polycarbonate resin of the present invention).
  • the amount is 2000 parts by mass, more preferably 200-1500 parts by mass, and still more preferably 300-1000 parts by mass.
  • Examples of the method for producing the aliphatic polycarbonate resin of the present embodiment include a method in which an epoxide and carbon dioxide are subjected to a polymerization reaction in the presence of a metal catalyst.
  • an aliphatic polycarbonate resin having a structural unit represented by the formula (1) and further having a structural unit represented by the formula (2) as required is obtained.
  • Examples of the epoxide used for forming the structural unit represented by the formula (1) include 1-butene oxide (1-butylene oxide), 1-pentene oxide, 2-pentene oxide, 1-hexene oxide, 1-octene. Oxide, 1-decene oxide, 1-undecene oxide, 1-dodecene oxide, ⁇ -olefin oxide having 13 or more carbon atoms (for example, 13 to 20 carbon atoms), cyclopentene oxide, cyclohexene oxide, ethyl glycidyl ether, n- Examples thereof include propyl glycidyl ether, n-butyl glycidyl ether, alkyl glycidyl ether having 5 or more carbon atoms (for example, 10 to 20 carbon atoms), styrene oxide, 3-phenylpropylene oxide, 3-naphthylpropylene oxide, and phenylglycidyl ether.In addition, these
  • Examples of the epoxide used for forming the structural unit represented by the formula (2) include ethylene oxide, propylene oxide, 2-butene oxide, and isobutylene oxide. Of these, ethylene oxide and propylene oxide are preferable from the viewpoint of high reactivity. In addition, these epoxides may be used independently and may use 2 or more types together.
  • the metal catalyst examples include a zinc-based catalyst, an aluminum-based catalyst, a chromium-based catalyst, and a cobalt-based catalyst.
  • zinc-based catalysts are preferable because they have high polymerization activity and wide substrate versatility in the polymerization reaction of epoxide and carbon dioxide.
  • Examples of zinc-based catalysts include organic zinc catalysts such as zinc acetate, diethyl zinc, and dibutyl zinc; primary amines, divalent phenols (benzene diols), aromatic dicarboxylic acids, aromatic hydroxy acids, aliphatic dicarboxylic acids, fatty acids And an organic zinc catalyst obtained by reacting a compound such as a group monocarboxylic acid with a zinc compound.
  • organic zinc catalysts an organic zinc catalyst obtained by reacting a zinc compound, an aliphatic dicarboxylic acid and an aliphatic monocarboxylic acid is preferable because it has higher polymerization activity, and zinc oxide, glutaric acid and acetic acid are preferred.
  • An organozinc catalyst obtained by reacting is more preferable.
  • a reaction solvent may be used as necessary.
  • Various organic solvents can be used as the reaction solvent.
  • the organic solvent include aliphatic hydrocarbon solvents such as pentane, hexane, octane, decane, and cyclohexane; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene; methylene chloride, chloroform, carbon tetrachloride, 1, Halogenated hydrocarbons such as 1-dichloroethane, 1,2-dichloroethane, ethyl chloride, trichloroethane, 1-chloropropane, 2-chloropropane, 1-chlorobutane, 2-chlorobutane, 1-chloro-2-methylpropane, chlorobenzene, bromobenzene Solvents; ether solvents such as dimethoxyethane, tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofur
  • the amount of the reaction solvent used is preferably 100 to 10,000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxide, from the viewpoint of allowing the reaction to proceed smoothly.
  • a metal catalyst for example, an epoxide, a metal catalyst, and a cocatalyst, a reaction solvent, etc. are charged in an autoclave, and after mixing these, carbon dioxide is mixed.
  • a metal catalyst for example, an epoxide, a metal catalyst, and a cocatalyst, a reaction solvent, etc.
  • the amount of carbon dioxide used in the polymerization reaction is preferably 1 to 10 mol, more preferably 1 to 5 mol, and still more preferably 1 to 3 mol with respect to 1 mol of epoxide.
  • the working pressure of carbon dioxide used in the polymerization reaction is preferably 0.1 MPa or more, more preferably 0.2 MPa or more, and even more preferably 0.5 MPa or more, from the viewpoint of allowing the reaction to proceed smoothly. From the viewpoint of obtaining a suitable effect, it is preferably 20 MPa or less, more preferably 10 MPa or less, and still more preferably 5 MPa or less.
  • water-based ink such as metal ink conventionally used for forming wiring can be used.
  • Mass average molecular weight of aliphatic polycarbonate resin (Mw) An N, N-dimethylformamide solution having an aliphatic polycarbonate resin concentration of 0.5% by mass was prepared and measured using a high performance liquid chromatograph. After the measurement, the weight average molecular weight of the aliphatic polycarbonate resin was calculated by comparing with polystyrene having a known weight average molecular weight measured under the same conditions.
  • the measurement conditions are Column: GPC column (trade name of Showa Denko KK, Shodex OHPac SB-800 series) Column temperature: 40 ° C Eluent: 0.03 mol / L Lithium bromide-N, N-dimethylformamide solution Flow rate: 0.65 mL / min It was.
  • Example 1 The inside of a 1 L-capacity autoclave system equipped with a stirrer, a gas introduction tube and a thermometer was previously replaced with a nitrogen atmosphere, and then 39.1 g of a slurry liquid containing the organozinc catalyst obtained in Production Example 1 (45 mmol of organozinc catalyst) ), 192.4 g of dimethyl carbonate, 26.1 g (450 mmol) of propylene oxide and 4.71 g (47 mmol) of 1-hexene oxide. Next, the temperature was raised to 60 ° C. with stirring, and then carbon dioxide was added, and carbon dioxide was charged until the inside of the reaction system became 1.0 MPa. The polymerization reaction was carried out for 10 hours while supplying carbon dioxide consumed by the reaction.
  • the content of n-butyl group and the remaining hydrogen atom was 13.5% by mass.
  • Example 2 Polymerization was carried out in the same manner as in Example 1 except that the amount of 1-hexene oxide was changed to 14.6 g (146 mmol) to obtain 54.7 g of an aliphatic polycarbonate resin.
  • the content of n-butyl group and the remaining hydrogen atom was 32.0% by mass.
  • Example 3 Polymerization was carried out in the same manner as in Example 1 except that the amount of 1-hexene oxide was changed to 45.0 g (450 mmol) and the polymerization time was 24 hours to obtain 75.3 g of an aliphatic polycarbonate resin.
  • the content of n-butyl group and the remaining hydrogen atom was 41.0% by mass.
  • Example 8 Polymerization was carried out in the same manner as in Example 1 except that 1-hexene oxide was changed to 6.8 g (48 mmol) of butyl glycidyl ether to obtain 45.8 g of an aliphatic polycarbonate resin.
  • the content of n-butoxymethyl group and the remaining hydrogen atom was 13.2% by mass.
  • Example 9 Polymerization was carried out in the same manner as in Example 1 except that 1-hexene oxide was changed to 12.3 g (48 mmol) of Denacol EX-192 (mixture of alkyl glycidyl ether having 11 to 15 side chain carbon atoms) manufactured by Nagase ChemteX Corporation. As a result, 34.7 g of an aliphatic polycarbonate resin was obtained.
  • Table 2 shows the contact angle of water and thermal decomposition start temperature of the aliphatic polycarbonate resin obtained in each example.
  • content (% by mass) indicates the content of the structural unit represented by the formula (1) with respect to the total mass of all the structural units in the aliphatic polycarbonate resin.
  • second epoxide refers to the epoxide used to form the structural unit represented by the formula (1).
  • the aliphatic polycarbonate resin for forming a partition wall according to the present invention is superior in water repellency performance to a conventional aliphatic polycarbonate resin, and when a partition wall is formed by using as a partition wall material, a water-based ink is desired with high accuracy. Can only stay in the part. Therefore, if the aliphatic polycarbonate resin for partition formation according to the present invention is used, a wiring board having highly controlled fine wiring can be easily formed, and the obtained wiring board can be incorporated into various electronic components. Can do.

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Abstract

撥水性に優れ、配線基板を製作するにあたっての隔壁を形成するのに好適な脂肪族ポリカーボネート樹脂を提供する。 隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂であって、下記一般式(1):(式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1以上のアルキル基、炭素数2以上のアルコキシアルキル基、アリール基又はアリールオキシアルキル基を示し、かつ、R、R、R及びRのうちの少なくとも一つは、炭素数2以上のアルキル基、炭素数2以上のアルコキシアルキル基、アリール基又はアリールオキシアルキル基を示す。R、R、R及びRは同一又は異なっていてもよい)で表される構成単位を含み、かつ、水に対する接触角が75°以上である。

Description

隔壁形成用脂肪族ポリカーボネート樹脂、隔壁材料、基板及びその製造方法、配線基板の製造方法、並びに、配線形成方法
 本発明は、隔壁形成用脂肪族ポリカーボネート樹脂、隔壁材料、基板及びその製造方法、配線基板の製造方法、並びに、配線形成方法に関する。
 二酸化炭素とエポキシ化合物とを含む原料から合成される脂肪族ポリカーボネート樹脂は、二酸化炭素の資源化という観点から、近年、盛んに研究されており、様々な用途が見出されている。脂肪族ポリカーボネート樹脂は、熱分解温度が低いという特徴があることから、その性質を利用して、セラミックバインダーや金属インクへの適用が検討されている(例えば、特許文献1、2)。また、加熱や短波長の光(例えば、真空紫外線や軟X線の照射)により容易に脂肪族ポリカーボネート樹脂が除去されることから、脂肪族ポリカーボネート樹脂を、隔壁材料ポジ型レジスト樹脂として利用することも検討されている(例えば、特許文献3、特許文献4)。このように、脂肪族ポリカーボネート樹脂を隔壁材料ポジ型レジスト樹脂として利用することにより、電子部品等に組み込まれる配線基板を製作することができる。例えば、脂肪族ポリカーボネート樹脂を用いて基材上に隔壁パターンを形成し、フォトリソグラフィー等により溝を形成した後、例えば金属インク等を含む配線材料を溝に設ける。次いで、焼結をすることによって、脂肪族ポリカーボネート樹脂が除去されるとともに、インクの硬化及び焼結が進行する。これによって、配線基板が形成される。
特開平06-334282号公報 特開2014-055232号公報 特開2010-106286号公報 特開2015-197519号公報
 上記のように脂肪族ポリカーボネート樹脂で形成された隔壁パターンを有する基板を用いて配線基板を製造する場合、配線材料であるインクとしては水系インクがしばしば使用される。これは、脂肪族ポリカーボネート樹脂が有機溶剤により溶解、膨潤するおそれがあるため、隔壁の崩壊等を回避する必要があるからである。
 しかしながら、従来の脂肪族ポリカーボネート樹脂(例えば、ポリプロピレンカーボネート樹脂)は撥水性が低いため、インク浸漬等によって基材にインクを乗せた際、隔壁材料である脂肪族ポリカーボネート樹脂上にもインクが乗りやすかった。そのため、配線基板の製作にあたってインクを溝にのみ留まらせることが困難であり、所望の配線パターンを精度よく形成させることが困難であった。このような観点から、従来よりもさらに撥水性に優れる脂肪族ポリカーボネート樹脂の開発が求められていた。
 本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、撥水性に優れ、配線基板を製作するにあたっての隔壁を形成するのに好適な脂肪族ポリカーボネート樹脂を提供することを目的とする。さらには、本発明は、隔壁材料、基板及びその製造方法、配線基板の製造方法、並びに、配線形成方法を提供することを目的とする。
 本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、脂肪族ポリカーボネートに含まれる繰り返し構成単位を特定の構造とすることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
 すなわち、本発明は、例えば、以下の項に記載の発明を包含する。
項1.隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂であって、
 下記一般式(1):
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
(式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1以上のアルキル基、炭素数2以上のアルコキシアルキル基、アリール基又はアリールオキシアルキル基を示し、かつ、R、R、R及びRのうちの少なくとも一つは、炭素数2以上のアルキル基、炭素数2以上のアルコキシアルキル基、アリール基又はアリールオキシアルキル基を示す。R、R、R及びRは同一又は異なっていてもよい)
で表される構成単位を含み、かつ、
 水に対する接触角が75°以上である、脂肪族ポリカーボネート樹脂。
項2.上記式(1)で表される構成単位の含有量が、全構成単位の総質量に対して5質量%以上である、項1記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂。
項3.下記一般式(2):
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
(式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を示す。R、R、R及びRは同一又は異なっていてもよい)
で表される構成単位をさらに含む、項1又は2に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂。
項4.項1~3のいずれか1項に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む、隔壁材料。
項5.項1~3のいずれか1項に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂で形成された隔壁を有する、基板。
項6.項5に記載の基板の製造方法であって、
 前記脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む隔壁材料の塗膜を設けて隔壁を形成する工程を具備する、基板の製造方法。
項7.項5に記載の基板を用いて形成される配線基板の製造方法であって、
 前記基板上に配線材料を設けて配線を形成する工程を具備する、配線基板の製造方法。
項8.前記基板に溝を形成する工程と、
 前記溝に配線材料を設けて配線を形成する工程と、
を具備する、項7に記載の配線基板の製造方法。
項9.項4に記載の隔壁材料を使用して配線を形成させる、配線形成方法。
 本発明に係る隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂は、撥水性能が従来の脂肪族ポリカーボネート樹脂よりも優れており、隔壁材料として使用して隔壁を形成した場合において、水系インクを確度高く所望の部分のみに留まらせることができる。
 本発明に係る隔壁材料は、上記脂肪族ポリカーボネート樹脂を含むので、水系インクを確度高く所望の部分のみに留まらせることができる隔壁を形成することができる。
 以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書中において、「含有」及び「含む」なる表現については、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」及び「のみからなる」という概念を含む。
 本実施形態の隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂は、
 下記一般式(1):
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
(式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1以上のアルキル基、炭素数2以上のアルコキシアルキル基、アリール基又はアリールオキシアルキル基を示し、かつ、R、R、R及びRのうちの少なくとも一つは、炭素数2以上のアルキル基、炭素数2以上のアルコキシアルキル基、アリール基又はアリールオキシアルキル基を示す。R、R、R及びRは同一又は異なっていてもよい)
で表される構成単位を含み、かつ、水に対する接触角が75°以上である。以下、隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂を単に「脂肪族ポリカーボネート樹脂」ということがある。
 上記脂肪族ポリカーボネート樹脂は、特定構造の構成単位を含むことで、撥水性能が従来の脂肪族ポリカーボネート樹脂よりも優れる。そのため、上記脂肪族ポリカーボネート樹脂によれば、隔壁材料として使用して隔壁を形成した場合において、水系インクを確度高く所望の部分のみに留まらせることができる。
 式(1)中、R、R、R及びRとしての炭素数1以上のアルキル基の種類は、直鎖及び分岐鎖状のいずれであってもよく、また、アルキル基は一以上の置換基を有していてもよい。炭素数1以上のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基等が挙げられる。
 炭素数1以上のアルキル基の炭素数の上限は、脂肪族ポリカーボネート樹脂の製造時の反応の制御が容易であるという観点から、上限は炭素数30であることが好ましく、炭素数20であることがさらに好ましい。
 式(1)中、R、R、R及びRとしての炭素数2以上のアルコキシアルキル基の種類は、直鎖及び分岐鎖状のいずれであってもよく、また、アルコキシアルキル基は一以上の置換基を有していてもよい。
 アルコキシアルキル基としては、アルコキシメチル基であることが好ましく、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、sec-ブトキシメチル基、tert-ブトキシメチル基、n-ペンチルオキシメチル基、n-ヘキシロキシメチル基、n-ヘプチルオキシメチル基、n-オクチルオキシメチル基、n-ノニルオキシメチル基、n-デシルオキシメチル基、n-ウンデシルオキシメチル基、n-ドデシルオキシメチル基等が挙げられる。
 炭素数2以上のアルコキシアルキル基の炭素数の上限は特に限定されないが、脂肪族ポリカーボネート樹脂の製造時の反応の制御が容易であるという観点から、上限は炭素数30あることが好ましく、炭素数20であることがさらに好ましい。
 式(1)中、R、R、R及びRとしてのアリール基の種類は、通常は炭素数が6以上である。アリール基は置換基を有していてもよい。アリール基の具体例としては、フェニル基、トルイル基、インデニル基、ナフチル基、テトラヒドロナフチル基等が挙げられる。
 アリール基の炭素数の上限は、脂肪族ポリカーボネート樹脂の製造時の反応の制御が容易であるという観点から、上限は炭素数30であることが好ましく、炭素数20であることがさらに好ましい。
 式(1)中、R、R、R及びRとしてのアリールオキシアルキル基の種類は、通常は炭素数が7以上である。アリールオキシアルキル基は置換基を有していてもよい。また、アリールオキシアルキル基のオキシアルキル部位は、直鎖及び分岐鎖状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。
 アリールオキシアルキル基としては、置換又は非置換のアリールオキシメチル基が好ましく、その具体例としては、フェノキシメチル基、トルイルオキシメチル基、インデニルオキシメチル基、ナフチルオキシメチル基、テトラヒドロナフチルオキシメチル基等が挙げられる。
 アリールオキシアルキル基の炭素数の上限は、脂肪族ポリカーボネート樹脂の安定性や製造時の安定性を維持するという観点から、上限は炭素数30であることが好ましく、炭素数20であることがさらに好ましい。
 式(1)中、R、R、R及びRのうちの少なくとも一つは、炭素数2以上のアルキル基、炭素数2以上のアルコキシアルキル基、アリール基又はアリールオキシアルキル基である。これによって、脂肪族ポリカーボネート樹脂が優れた撥水性を有するようになる。
 R、R、R及びRのうちの少なくとも一つが炭素数2以上のアルキル基である場合は、このアルキル基の炭素数は4以上であることが好ましく、8以上であることがより好ましい。これによって、脂肪族ポリカーボネート樹脂の撥水性をより向上させることができる。また、R、R、R及びRのうちの少なくとも一つが炭素数2以上のアルコキシアルキル基である場合は、このアルキル基の炭素数は2以上であることが好ましく、4以上であることがより好ましい。これによって、脂肪族ポリカーボネート樹脂の撥水性をより向上させることができる。
 なお、本発明に係る脂肪族ポリカーボネート樹脂は、R、R、R及びRのうちの少なくとも一つとしてアリール基又はアリールオキシアルキル基を有する場合であっても、主鎖を構成する原子団として芳香環を有しないという意味で、脂肪族ポリカーボネート樹脂であることには相違ない。
 本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂は、上記式(1)で表される構成単位のみで形成されていてもよいし、あるいは、上記式(1)で表される構成単位以外の他の構成単位を含んで形成されていてもよい。
 本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂は、上記式(1)で表される構成単位の含有量が、全構成単位の総質量に対して5質量%以上であることが好ましく、10質量%以上であることがより好ましい。この場合、脂肪族ポリカーボネート樹脂がいっそう優れた撥水性を有するようになる傾向がある。上記式(1)で表される構成単位の含有量の上限は、脂肪族ポリカーボネート樹脂を容易に製造できるという観点で、脂肪族ポリカーボネート樹脂を構成する全構成単位の総質量に対して、上限は50質量%であることが好ましい。
 本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂は、下記一般式(2):
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
(式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を示す。R、R、R及びRは同一又は異なっていてもよい)
で表される構成単位をさらに含むことができる。
 本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂は、上記式(2)で表される構成単位の含有量が、全構成単位の総質量に対して50質量%以上であることが好ましい。この場合、脂肪族ポリカーボネート樹脂を効率よく製造することができる。上限は、95質量%未満が好ましく、90質量%未満がより好ましい。
 本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は、隔壁材料として用いたときの矩形の保持力の観点から、好ましくは50000以上、より好ましくは100000以上である。また、脂肪族ポリカーボネート樹脂の溶媒への溶解性の低下による取り扱い性の低下を避ける観点から、脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は、好ましくは1000000以下、より好ましくは500000以下である。
 本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂の水に対する接触角は75°以上である。この場合、脂肪族ポリカーボネート樹脂は所望の撥水性を示す。脂肪族ポリカーボネート樹脂の水に対する接触角は80°以上であることが好ましい。上記接触角は、通常、180°未満(例えば、150°未満)である。
 本明細書でいう接触角は、以下の手順で測定された値で定義される。まず、本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂を、濃度が2.5質量%となるようにアセトンに溶解させ、得られた溶液にガラス基板を浸し、その後、溶液から引き上げたガラス基板(表面に溶液が付着したガラス基板)を25℃で24時間乾燥することで、接触角測定用のサンプルを調製する。得られた測定サンプル上に、液滴径が2mmになるように蒸留水をマイクロシリンジで1滴落とし、接触角を測定する。この測定は、温度25℃、湿度50%RHの環境下で行う。このような接触角の測定は、市販の接触角計を用いて測定することが可能である。
 尚、本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂には、本発明の効果が阻害されない範囲であれば、他の種類のポリカーボネート樹脂やその他の樹脂成分が含まれていてもよい。
 本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂は、例えば、脂肪族ポリカーボネート樹脂を溶解可能な溶媒に溶解させて、用いることができる。
 脂肪族ポリカーボネート樹脂を溶解可能な溶媒としては、例えば、トルエン、酢酸エチル、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール、メチルイソブチルケトン、アセトン、メチルエチルケトン、N-メチル-2-ピロリドン、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリメチルペンタンジオールモノイソブチレート、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ターピネオール、ターピネオールアセテート、ジヒドロターピネオール、ジヒドロターピネオールアセテート、テキサノール、イソホロン、乳酸ブチル、ジオクチルフタレート、ジオクチルアジペート、ベンジルアルコール、フェニルプロピレングリコール、クレゾール、N,N-ジメチルホルムアミド、プロピレンカーボネート等が挙げられる。なかでも、適度に沸点が高く、焼結時に均一に揮発しやすいという観点から、N-メチル-2-ピロリドン、ターピネオール、ターピネオールアセテート、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、テキサノール、及びプロピレンカーボネートが好ましい。なお、これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
 上記溶媒の使用量(配合量)は、得られる溶液(本発明の脂肪族ポリカーボネート樹脂の溶液)のハンドリングのし易さの観点から、脂肪族ポリカーボネート樹脂100質量部に対して、好ましくは100~2000質量部、より好ましくは200~1500質量部、さらに好ましくは300~1000質量部である。
 本実施形態の脂肪族ポリカーボネート樹脂の製造方法としては、エポキシドと二酸化炭素とを金属触媒の存在下で重合反応させる方法等が挙げられる。
 上記エポキシドの種類を選定することで、式(1)で表される構成単位を有し、さらに必要に応じて式(2)で表される構成単位を有する脂肪族ポリカーボネート樹脂が得られる。
 式(1)で表される構成単位を形成するために用いられるエポキシドとしては、1-ブテンオキシド(1-ブチレンオキシド)、1-ペンテンオキシド、2-ペンテンオキシド、1-ヘキセンオキシド、1-オクテンオキシド、1-デセンオキシド、1-ウンデセンオキシド、1-ドデセンオキシド、炭素数13以上(例えば、炭素数13~20)のα-オレフィンオキシド、シクロペンテンオキシド、シクロヘキセンオキシド、エチルグリシジルエーテル、n-プロピルグリシジルエーテル、n-ブチルグリシジルエーテル、炭素数5以上(例えば、炭素数10~20)アルキルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、3-フェニルプロピレンオキシド、3-ナフチルプロピレンオキシド、フェニルグリシジルエーテル等が挙げられる。なお、これらのエポキシドは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
 式(2)表される構成単位を形成するために用いられるエポキシドとしては、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、2-ブテンオキシド、イソブチレンオキシドが挙げられる。なかでも、高い反応性を有する観点から、エチレンオキシド及びプロピレンオキシドが好ましい。なお、これらのエポキシドは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
 金属触媒としては、例えば、亜鉛系触媒、アルミニウム系触媒、クロム系触媒、コバルト系触媒等が挙げられる。これらの中では、エポキシドと二酸化炭素との重合反応において、高い重合活性および広い基質汎用性を有することから、亜鉛系触媒が好ましい。
 亜鉛系触媒としては、例えば、酢酸亜鉛、ジエチル亜鉛、ジブチル亜鉛等の有機亜鉛触媒;一級アミン、2価のフェノール(ベンゼンジオール)、芳香族ジカルボン酸、芳香族ヒドロキシ酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族モノカルボン酸等の化合物と亜鉛化合物とを反応させることにより得られる有機亜鉛触媒等が挙げられる。これらの有機亜鉛触媒の中でも、より高い重合活性を有することから、亜鉛化合物と脂肪族ジカルボン酸と脂肪族モノカルボン酸とを反応させて得られる有機亜鉛触媒が好ましく、酸化亜鉛とグルタル酸と酢酸とを反応させて得られる有機亜鉛触媒がより好ましい。
 前記重合反応には、必要に応じて反応溶媒を用いてもよい。反応溶媒としては、種々の有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,1-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエタン、エチルクロリド、トリクロロエタン、1-クロロプロパン、2-クロロプロパン、1-クロロブタン、2-クロロブタン、1-クロロ-2-メチルプロパン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒;ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、2-メチルテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、1,3-ジオキソラン等のエーテル系溶媒;酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸イソプロピル等のエステル系溶媒;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒;ジメチルカーボネート(炭酸ジメチル)、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒等が挙げられる。なお、これらの有機溶媒は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
 反応溶媒の使用量は、反応を円滑に進行させる観点から、エポキシド100質量部に対して、100~10000質量部が好ましい。
 エポキシドと二酸化炭素とを金属触媒の存在下で重合反応させる方法としては、例えば、オートクレーブに、エポキシド、金属触媒、及び必要により助触媒、反応溶媒等を仕込み、これらを混合した後、二酸化炭素を圧入して、反応させる方法が挙げられる。
 前記重合反応において用いられる二酸化炭素の使用量は、エポキシド1モルに対して、好ましくは1~10モル、より好ましくは1~5モル、さらに好ましくは1~3モルである。
 前記重合反応において用いられる二酸化炭素の使用圧力は、反応を円滑に進行させる観点から、好ましくは0.1MPa以上、より好ましくは0.2MPa以上、さらに好ましくは0.5MPa以上であり、使用圧力に見合う効果を得る観点から、好ましくは20MPa以下、より好ましくは10MPa以下、さらに好ましくは5MPa以下である。
 前記重合反応における重合反応温度は、反応時間短縮の観点から、好ましくは0℃以上、より好ましくは10℃以上、更に好ましくは20℃以上であり、副反応を抑制し、収率を向上させる観点から、好ましくは100℃以下、より好ましくは90℃以下、さらに好ましくは80℃以下である。
 重合反応時間は、重合反応条件により異なるために一概には決定できないが、通常、1~40時間程度である。
 上記の隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂は、隔壁材料の構成成分として使用できる。
 本実施形態の隔壁材料は、上記脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む。当該隔壁材料には、上記脂肪族ポリカーボネート樹脂以外のその他の成分が含まれていてもよい。その他の成分としては、例えば、隔壁材料に従来から用いられている溶剤、バインダー、光安定剤、感光剤、光増感剤等が挙げられる。溶剤の種類は限定的ではなく、隔壁材料として従来から使用されている溶剤と同様とすることができる。
 本実施形態の隔壁材料が上記脂肪族ポリカーボネート樹脂の他、溶剤を含む場合、溶剤100質量部あたり、脂肪族ポリカーボネート樹脂の含有量を5~30質量部とすることができる。
 上記隔壁材料を使用して基材上に所望形状の隔壁パターンを形成することで、本発明に係る脂肪族ポリカーボネート樹脂で形成された隔壁を有する基板を得ることができる。このような隔壁は、例えば、本発明に係る脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む隔壁材料の塗膜で形成され得る。
 上記隔壁材料は、上述の脂肪族ポリカーボネート樹脂を含んでいるので、水系インクを確度高く所望の部分のみに留まらせることができる隔壁を形成することができる。そのため、上記隔壁材料によれば、例えば、高精度に制御された配線パターンを有する配線基板を形成することができる。つまり、上記隔壁材料で形成された隔壁は撥水性が高いので、このような隔壁が形成された基材に水系インクを乗せた際に隔壁上に水系インクが乗りにくくなり、これにより、所望の配線パターンを精度よく形成させることが可能となる。
 以上より、本実施形態の隔壁材料は、高精度に制御された微細配線を形成するための材料として好適である。
 本発明に係る脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む隔壁材料で形成された隔壁を有する基板を製造する方法は特に限定されない。例えば、前記脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む隔壁材料の塗膜を設けて隔壁を形成する工程を具備する製造方法によって、上記基板を製造することができる。
 具体的には、まず、隔壁パターンを形成するための基材を準備し、この基材表面の所定の箇所に、液状の隔壁材料を塗布等する等の処理を行う。次いで、必要に応じて加熱処理や紫外線等の照射処理をして本発明に係る脂肪族ポリカーボネート樹脂の塗膜を形成することで隔壁パターンが形成される。これにより、隔壁を有する基材が形成され得る。
 本発明に係る脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む隔壁材料の塗膜を形成する箇所は、例えば、その基材表面に配線パターンを形成することを予定している部分及びその周縁部とすることができる。
 基材の種類は、例えば、従来から電子基板等の配線基板を形成するために用いられている基材を使用することができる。
 上記基板を用いれば、各種電子部品等に組み込むことができる配線基板を製造することができる。
 配線基板を製造する方法は、例えば、上記基板上に配線材料を設けて配線を形成する工程を具備する製造方法によって、配線基板を製造することができる。より具体的には、前記基板に溝を形成させる工程と、前記溝に配線材料を設けて配線を形成させる工程とを具備する製造方法によって、配線基板を製造することができる。
 上記溝は、例えば、フォトリソグラフィー等の方法によって形成することができる。溝の形成方法は、その他、従来から行われている方法を採用することができる。上記溝は、目的とする配線パターンの形状と同様の形状となるように形成すればよい。
 上記のように形成された溝に配線材料を設ける方法としては、例えば、配線材料を溝に流し込む方法が挙げられる。配線材料を溝に流し込む方法は、例えば、溝が形成された基板を液状の配線材料に浸漬する方法、溝が形成された基板に液状の配線材料を塗布する方法、あるいは、溝が形成された基板に配線材料をインクジェット印刷する方法等が挙げられる。
 一方、基板に溝を形成させることなく、インクジェット印刷等により前記基板に配線材料を塗布して配線を形成させる工程を具備する方法によっても、配線基板を製造することができる。
 上記配線材料の種類は、例えば、配線を形成するために従来から使用されている金属インク等の水系インクを使用できる。
 上記基板では、上述の脂肪族ポリカーボネート樹脂で形成された隔壁が形成されており、この隔壁は撥水性に優れるので、配線材料を確度高く所望の溝のみに留まらせることができる。
 上記のように基板上に配線材料を設けた後、その基板を配線材料が焼結する温度で加熱することで、配線材料が焼成されて配線が形成される。焼結温度は、使用している配線材料の種類に応じて適宜設定できる。上記焼結の処理によって、隔壁パターンを形成している脂肪族ポリカーボネート樹脂が焼失する。
 上記焼結処理を経ることで、配線基板が製造される。このように形成される配線基板は、配線パターンが高精度に制御されているので、電子部品等の性能を大きく向上させることが可能である。
 以上のように、上述の隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む隔壁材料を使用した配線の形成方法によれば、簡易な方法で精度よく微細配線を形成させることができ、各種電子部品を構築するための方法として有用である。
 以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。
 本実施例及び比較例では、各物性は以下に示す方法で評価した。
 〔脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量(Mw)〕
 脂肪族ポリカーボネート樹脂の濃度が0.5質量%であるN,N-ジメチルホルムアミド溶液を調製し、高速液体クロマトグラフを用いて測定した。測定後、同一条件で測定した質量平均分子量が既知のポリスチレンと比較することにより、脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量を算出した。測定条件は、
カラム:GPCカラム(昭和電工株式会社の商品名、Shodex OHPac SB-800シリーズ)カラム温度:40℃
溶出液:0.03mol/L臭化リチウム-N,N-ジメチルホルムアミド溶液
流速:0.65mL/min
とした。
 〔脂肪族ポリカーボネート樹脂の接触角〕
 脂肪族ポリカーボネート樹脂を樹脂濃度が2.5質量%になるようにアセトンに溶解させ、得られた溶液にガラス基板を浸した。その後、このガラス基板を溶液中から取り出して25℃で24時間、乾燥することで、脂肪族ポリカーボネート樹脂をコーティングしたガラス基板を作製した。このガラス基板上に、液滴径が2mmになるように、蒸留水をマイクロシリンジで1滴落とし、協和界面科学社製接触角計「CA-S 150型」を用いて、接触角を目視で測定した。この測定は、温度25℃、湿度50%RHの環境下で行った。
 〔脂肪族ポリカーボネート樹脂の熱分解開始温度〕
 日立ハイテクサイエンス社製「TG/DTA7220」を用い、窒素雰囲気下、10℃/minの昇温速度で室温から500℃まで昇温して、熱分解開始温度を測定した。熱分解開始温度は、試験加熱開始前の質量を通る横軸に平行な線と、分解曲線における屈曲点間の勾配が最大となるように引いた接線との交点とした。
 (製造例1;有機亜鉛触媒の製造)
 攪拌機、窒素ガス導入管、温度計、ディーンスターク管および還流冷却管を備えた0.3L容の四つ口フラスコに、酸化亜鉛7.73g(95mmol)、グルタル酸12.3g(100mmol)、酢酸0.114g(2mmol)およびトルエン76.0gを仕込んだ。次に、反応系内に50mL/minの流量で窒素を流しながら、55℃まで昇温し、同温度で4時間攪拌して反応させた。その後、110℃まで昇温し、さらに同温度で2時間攪拌して共沸脱水させ水分を除去した後、室温まで冷却して、有機亜鉛触媒を含むスラリー液を得た。
 (実施例1)
 攪拌機、ガス導入管および温度計を備えた1L容量のオートクレーブの系内をあらかじめ窒素雰囲気に置換した後、製造例1により得られた有機亜鉛触媒を含むスラリー液39.1g(有機亜鉛触媒を45mmol含む)、炭酸ジメチル192.4g、プロピレンオキシド26.1g(450mmol)および1-ヘキセンオキシド4.71g(47mmol)を仕込んだ。次に、攪拌下、60℃に昇温し、その後、二酸化炭素を加え、反応系内が1.0MPaとなるまで二酸化炭素を充填した。反応により消費される二酸化炭素を補給しながら10時間重合反応を行った。反応終了後、オートクレーブを冷却して脱圧し、ろ過した後、減圧乾燥して脂肪族ポリカーボネート樹脂41.3gを得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は318000(Mw/Mn=7.91)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つがn-ブチル基、残りが水素原子)の含有量は13.5質量%であった。
 (実施例2)
 1-ヘキセンオキシドの量を14.6g(146mmol)に変えた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を54.7g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は186000(Mw/Mn=10.61)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つがn-ブチル基、残りが水素原子)の含有量は32.0質量%であった。
 (実施例3)
 1-ヘキセンオキシドの量を45.0g(450mmol)に変え、重合時間を24時間にした以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を75.3g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は152000(Mw/Mn=5.22)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つがn-ブチル基、残りが水素原子)の含有量は41.0質量%であった。
 (比較例1)
 エポキシドとしてプロピレンオキシドのみを用いて(すなわち、1-ヘキセンオキシドを使用しなかった)、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂40.0gを得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は、301000(Mw/Mn=8.31)であった。
 各実施例及び比較例で得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の水に対する接触角および熱分解開始温度を表1に示す。なお、表1において「含有量(質量%)」は、脂肪族ポリカーボネート樹脂中の全構成単位の総質量に対する式(1)で表される構成単位の含有量を示す。また、表1中、「第2エポキシド」とは、式(1)で表される構成単位を形成するために用いたエポキシドを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
 実施例1~3と比較例1との対比から、式(1)で表される構成単位が導入されることにより、水に対する接触角が大幅に向上しており、撥水性が向上していることが分かる。
 また、これらの構造を導入しても、熱分解温度の上昇はほとんど見られないことから、通常の脂肪族ポリカーボネート樹脂と同様の熱処理によって、焼失させることができることがわかる。
 以上より、実施例1~3の脂肪族ポリカーボネート樹脂は撥水性に優れる隔壁を形成するための材料として適していることが示された。
 (実施例4)
 エポキシドとして1-ブテンオキシド32.4g(450mmol)のみを用いた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂41.7gを得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は、435000(Mw/Mn=12.41)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つがエチル基、残りが水素原子)の含有量は100質量%であった。
 (実施例5)
 1-ヘキセンオキシドを1-デセンオキシド7.6g(48mmol)に変えた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を38.5g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は270000(Mw/Mn=10.08)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つがn-オクチル基、残りが水素原子)の含有量は16.2質量%であった。
 (実施例6)
 1-ヘキセンオキシドをDIC社製エポサイザーM24(側鎖炭素数10~12のα-オレフィンエポキシドの混合物)11.9g(48mmol)に変えた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を38.7g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は199000(Mw/Mn=6.91)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つが長鎖アルキル基、残りが水素原子)の含有量は10.5質量%であった。
 (実施例7)
 1-ヘキセンオキシドをDIC社製エポサイザーM68(側鎖炭素数14~16のα-オレフィンエポキシドの混合物)14.3g(48mmol)に変えた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を40.2g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は276000(Mw/Mn=11.70)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つが長鎖アルキル基、残りが水素原子)の含有量は26.2質量%であった。
 (実施例8)
 1-ヘキセンオキシドをブチルグリシジルエーテル6.8g(48mmol)に変えた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を45.8g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は328000(Mw/Mn=10.31)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つがn-ブトキシメチル基、残りが水素原子)の含有量は13.2質量%であった。
 (実施例9)
 1-ヘキセンオキシドをナガセケムテックス社製デナコールEX-192(側鎖炭素数11~15のアルキルグリシジルエーテルの混合物)12.3g(48mmol)に変えた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を34.7g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は210000(Mw/Mn=8.62)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つが長鎖アルキルオキシメチル基、残りが水素原子)の含有量は19.9質量%であった。
 (実施例10)
 1-ヘキセンオキシドをアルケマ社製vikolox-18(1-オクタデセンオキシド)12.8g(48mmol)に変えた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を40.1g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は159000(Mw/Mn=11.07)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つがn-ヘキサデシル基、残りが水素原子)の含有量は20.7質量%であった。
 (実施例11)
 1-ヘキセンオキシドをアルケマ社製vikolox-18(1-オクタデセンオキシド)2.7g(10mmol)に変えた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を41.4g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は298000(Mw/Mn=10.41)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つがn-ヘキサデシル基、残りが水素原子)の含有量は5.8質量%であった。
 (実施例12)
 用いるすべてのエポキシドをスチレンオキシド54.2g(450mmol)のみに変えた以外は、実施例1と同様に重合を行い、脂肪族ポリカーボネート樹脂を20.2g得た。得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の質量平均分子量は212000(Mw/Mn=11.84)であり、式(1)で表される構成単位(R、R、R、Rのうち1つがフェニル基、残りが水素原子)の含有量は100質量%であった。
 各実施例で得られた脂肪族ポリカーボネート樹脂の水に対する接触角および熱分解開始温度を表2に示す。なお、表2において「含有量(質量%)」は、脂肪族ポリカーボネート樹脂中の全構成単位の総質量に対する式(1)で表される構成単位の含有量を示す。また、表2中、「第2エポキシド」とは、式(1)で表される構成単位を形成するために用いたエポキシドを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
 実施例4~12から、式(1)で表される構成単位を導入することにより、水に対する接触角が大幅に向上することがわかる。また、これらの構造を導入しても、熱分解温度の上昇はほとんど見られないことから、通常の脂肪族ポリカーボネート樹脂と同様の熱処理によって、焼失させることができることがわかる。
 以上より、実施例4~12の脂肪族ポリカーボネート樹脂は撥水性に優れる隔壁を形成するための材料として適していることが示された。
 本発明に係る隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂は、撥水性能が従来の脂肪族ポリカーボネート樹脂よりも優れており、隔壁材料として使用して隔壁を形成した場合において、水系インクを確度高く所望の部分のみに留まらせることができる。そのため、本発明に係る隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂を使用すれば、高度に制御された微細配線を有する配線基板等を容易に形成でき、得られた配線基板は各種電子部品等に組み込むことができる。

Claims (9)

  1.  隔壁形成用の脂肪族ポリカーボネート樹脂であって、
     下記一般式(1):
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    (式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1以上のアルキル基、炭素数2以上のアルコキシアルキル基、アリール基又はアリールオキシアルキル基を示し、かつ、R、R、R及びRのうちの少なくとも一つは、炭素数2以上のアルキル基、炭素数2以上のアルコキシアルキル基、アリール基又はアリールオキシアルキル基を示す。R、R、R及びRは同一又は異なっていてもよい)
    で表される構成単位を含み、かつ、
     水に対する接触角が75°以上である、脂肪族ポリカーボネート樹脂。
  2.  上記式(1)で表される構成単位の含有量が、全構成単位の総質量に対して5質量%以上である、請求項1記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂。
  3.  下記一般式(2):
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    (式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を示す。R、R、R及びRは同一又は異なっていてもよい)
    で表される構成単位をさらに含む、請求項1又は2に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂。
  4.  請求項1~3のいずれか1項に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む、隔壁材料。
  5.  請求項1~3のいずれか1項に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂で形成された隔壁を有する、基板。
  6.  請求項5に記載の基板の製造方法であって、
     前記脂肪族ポリカーボネート樹脂を含む隔壁材料の塗膜を設けて隔壁を形成する工程を具備する、基板の製造方法。
  7.  請求項5に記載の基板を用いて形成される配線基板の製造方法であって、
     前記基板上に配線材料を設けて配線を形成する工程を具備する、配線基板の製造方法。
  8.  前記基板に溝を形成する工程と、
     前記溝に配線材料を設けて配線を形成する工程と、
    を具備する、請求項7に記載の配線基板の製造方法。
  9.  請求項4に記載の隔壁材料を使用して配線を形成させる、配線形成方法。
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US16/091,798 US11142611B2 (en) 2016-04-08 2017-04-05 Aliphatic polycarbonate resin for forming partition, partition material, substrate and production method therefor, production method for wiring substrate, and wiring forming method

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022209775A1 (ja) * 2021-03-29 2022-10-06 住友精化株式会社 フィルム及びその調製用材料

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008285545A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Tokyo Univ Of Science ポリカーボネートの製造方法及びポリカーボネート
JP2011190367A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Toudai Tlo Ltd 脂肪族ポリカルボナートおよびその製造方法
JP2013155213A (ja) * 2012-01-26 2013-08-15 Sumitomo Seika Chem Co Ltd 高分子固体電解質および高分子固体電解質フィルム
JP2014185260A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Tokyo Univ Of Agriculture & Technology 結晶性を有する二酸化炭素/エポキシド共重合体及びその製造方法
JP2015197519A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 住友精化株式会社 ポジ型フォトレジスト

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06334282A (ja) 1993-05-24 1994-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック多層基板用グリーンシート
EP2228401A1 (en) 2002-11-01 2010-09-15 Georgia Tech Research Corporation Sacrificial compositions, methods of use thereof, and methods of decomposition thereof
CN101942081B (zh) 2010-08-13 2012-05-09 浙江大学 金属氰化物配位催化剂催化制备脂肪族聚碳酸酯的方法
WO2012019405A1 (zh) 2010-08-13 2012-02-16 浙江大学 一种金属氰化物配位催化剂及其制备方法和应用
CN103430242B (zh) * 2011-03-18 2018-09-07 住友精化株式会社 金属糊剂组合物
KR101917175B1 (ko) * 2012-01-17 2018-11-09 에스케이이노베이션 주식회사 내한성이 우수한 지방족 폴리카보네이트/폴리에스테르 고분자 수지 조성물
JP6000771B2 (ja) 2012-09-12 2016-10-05 住友精化株式会社 金属ペースト組成物
JP2014074864A (ja) 2012-10-05 2014-04-24 Sony Corp 光学素子、光学素子アレイ、表示装置および電子機器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008285545A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Tokyo Univ Of Science ポリカーボネートの製造方法及びポリカーボネート
JP2011190367A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Toudai Tlo Ltd 脂肪族ポリカルボナートおよびその製造方法
JP2013155213A (ja) * 2012-01-26 2013-08-15 Sumitomo Seika Chem Co Ltd 高分子固体電解質および高分子固体電解質フィルム
JP2014185260A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Tokyo Univ Of Agriculture & Technology 結晶性を有する二酸化炭素/エポキシド共重合体及びその製造方法
JP2015197519A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 住友精化株式会社 ポジ型フォトレジスト

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3441417A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022209775A1 (ja) * 2021-03-29 2022-10-06 住友精化株式会社 フィルム及びその調製用材料

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