WO2017169974A1 - センサ、入力装置および電子機器 - Google Patents

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WO2017169974A1
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sensor
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pressing
pressing portion
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明 蛭子井
水野　裕
智子 勝原
泰三 西村
義晃 坂倉
俊夫 叶
俊幸 小野寺
高橋　健
高橋　徹
鈴木　達雄
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ソニー株式会社
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    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/14—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
    • G01L1/142—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors
    • G01L1/146—Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors for measuring force distributions, e.g. using force arrays
    • H—ELECTRICITY
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    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H13/00—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch
    • H—ELECTRICITY
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    • H03K17/962—Capacitive touch switches
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    • H01H2215/004—Collapsible dome or bubble
    • H01H2215/016—Collapsing to second stable position

Definitions

  • This technology relates to a sensor, an input device including the sensor, and an electronic device.
  • the present invention relates to a sensor, an input device including the sensor, and an electronic apparatus.
  • An object of the present technology is to provide a sensor, an input device, and an electronic device that can suppress a return failure of a pressing portion.
  • the first technique includes a base layer and a pressing portion protruding with respect to the base layer, and the pressing portion is provided on the first structure portion and the first structure portion. And a hollow second structure part whose bottom side is open, and the second structure part is a sensor having a shape part on a surface facing the base layer.
  • the second technique includes a base layer and a pressing portion protruding with respect to the base layer, and the pressing portion is provided on the first structure portion and the first structure portion, and has a hollow shape whose bottom side is open.
  • a sensor having a shape portion at least one of a position facing the second structure portion and a position facing the boundary between the first structure portion and the second structure portion. is there.
  • the third technique includes a base layer and a pressing portion protruding with respect to the base layer, and the pressing portion is provided on the first structure portion and the first structure portion, and has a hollow shape whose bottom side is open.
  • a sensor having a hole in at least one of a position facing the second structure and a position facing the boundary between the first structure and the second structure. is there.
  • the fourth technique includes a base layer and a pressing portion protruding with respect to the base layer, and the pressing portion is provided on the first structure portion and the first structure portion, and has a hollow shape whose bottom side is open.
  • the second structure part is a sensor having a through hole.
  • the fifth technique includes a base layer and a pressing portion protruding with respect to the base layer, and the pressing portion is provided on the first structure portion and the first structure portion, and has a hollow shape whose bottom side is open.
  • the sensor has a second structure part, the base layer has unevenness on the surface facing the pressing part, and the arithmetic average roughness Ra of the unevenness is 0.48 ⁇ m or more.
  • the sixth technique includes a base layer and a pressing portion protruding relative to the base layer, and the pressing portion is provided on the first structure portion and the first structure portion, and has a hollow shape whose bottom side is open.
  • the pressing portion is a sensor having a second structure portion, the pressing portion has irregularities on the surface facing the base layer, and the arithmetic average roughness Ra of the irregularities is 0.48 ⁇ m or more.
  • the seventh technology is an input device including a sensor of any one of the first to sixth technologies.
  • the eighth technology is an electronic device including a sensor of any one of the first to sixth technologies.
  • the shape portion of the second structure portion is a convex shape portion that protrudes toward the base layer or a concave shape portion that is recessed in a direction away from the base layer.
  • the shape part of the base layer is a convex part protruding from the surface of the base layer or a concave part recessed from the surface of the base layer.
  • the return failure of the pressing portion can be suppressed.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a sensor.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating an example of a state of a sensor when a key is pressed.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view showing an example of the state of the sensor when the key press is released.
  • FIG. 3 is a block diagram illustrating an example of the configuration of the electronic device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 4 is a plan view showing an example of the appearance of the input device.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view taken along line VA-VA in FIG. 5B is an enlarged cross-sectional view of a part of the sensor shown in FIG. 5A.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view taken along line VA-VA in FIG. 5B is an enlarged cross-sectional view of a part of the sensor shown in FIG. 5A.
  • FIG. 6 is a plan view showing an example of the arrangement of the X and Y electrodes.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example of the configuration of the uneven layer.
  • FIG. 8A is a perspective view illustrating an example of a configuration of a pressing portion.
  • FIG. 8B is a plan view illustrating an example of the configuration of the pressing portion.
  • 8C is a cross-sectional view taken along line VIIIC-VIIIC in FIG. 8B.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view for explaining an example of the operation of the sensor when a gesture input operation is performed.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view for explaining an example of the operation of the sensor when a key input operation is performed.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view for explaining an example of the operation of the sensor when a gesture input operation is performed.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view for explaining an example of the operation of the sensor when a key input operation is performed.
  • FIG. 10A is a graph showing an example of the relationship between the amount of movement of the reference electrode and the reaction force against the operator.
  • FIG. 10B is a graph showing an example of the relationship between the amount of movement of the reference electrode and the change in capacitance.
  • FIG. 10C is a graph showing an example of the relationship between the reaction force against the operator and the change in capacity.
  • FIG. 11 is a flowchart for explaining an example of the operation of the controller IC.
  • FIG. 12A is a perspective view illustrating an example of a configuration of a pressing unit included in a sensor according to a modified example of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 12B is a plan view illustrating an example of a configuration of a pressing portion included in a sensor according to a modification of the first embodiment of the technology.
  • FIG. 12C is a cross-sectional view taken along the line XIIC-XIII in FIG. 12B.
  • FIG. 13A and FIG. 13B are perspective views illustrating an example of a configuration of a pressing unit included in a sensor according to a modification of the first embodiment of the present technology.
  • 14A and 14B are cross-sectional views each illustrating an example of a configuration of a sensor according to a modification example of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 15A and FIG. 15B are cross-sectional views each showing an example of the configuration of a sensor according to a modification of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 16 is a plan view illustrating an example of the configuration of the X and Y electrodes included in the sensor according to the modification of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 17A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 17B is a plan view illustrating an example of a configuration of a hole included in the base material.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of the state of the sensor when the key press is released.
  • FIG. 19A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a modification of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 19B is a plan view illustrating an example of a configuration of a hole included in the base material.
  • FIG. 20A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a third embodiment of the present technology.
  • FIG. 20B is a plan view illustrating an example of a configuration of a shape portion provided on the surface of the sensor layer.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing an example of the state of the sensor when the key press is released.
  • 22A and 22B are cross-sectional views each illustrating an example of a configuration of a sensor according to a modification of the third embodiment of the present technology.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a modification example of the third embodiment of the present technology.
  • FIG. 24A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a fourth embodiment of the present technology.
  • FIG. 24B is a plan view illustrating an example of the configuration of the pressing unit.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view showing an example of the state of the sensor when the key press is released.
  • FIG. 26A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a fifth embodiment of the present technology.
  • FIG. 26B is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a modified example of the fifth embodiment of the present technology.
  • FIG. 27A is a cross-sectional view for explaining an example of the operation of the sensor when a gesture input operation is performed.
  • FIG. 27B is a cross-sectional view for explaining an example of the operation of the sensor when a key input operation is performed.
  • FIG. 28A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a sixth embodiment of the present technology.
  • FIG. 28B is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a modified example of the sixth embodiment of the present technology.
  • FIG. 29A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a seventh embodiment of the present technology.
  • FIG. 29B is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to a modified example of the seventh embodiment of the present technology.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to the eighth embodiment of the present technology.
  • FIG. 31A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 1-1.
  • FIG. 31B is a sectional view taken along line XXXIB-XXXIB in FIG. 31A.
  • FIG. 31C is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 1-2.
  • FIG. 32A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 1-3.
  • 32B is a cross-sectional view taken along line XXXIIB-XXXIIB in FIG. 32A.
  • FIG. 32C is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 1-4.
  • FIG. 33A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 2-1.
  • FIG. 33B is a sectional view taken along line XXXIIIB-XXXIIIB in FIG. 33A.
  • FIG. 34A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 2-2.
  • FIG. 34B is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 2-3.
  • FIG. 34C is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 2-4.
  • FIG. 35A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 3-1.
  • FIG. 35B is a sectional view taken along line XXXVB-XXXVB in FIG. 35A.
  • FIG. 36A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 3-2.
  • FIG. 36B is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 3-3.
  • FIG. 36C is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 3-4.
  • FIG. 37A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 4-1.
  • FIG. 37B is a sectional view taken along line XXXVIIB-XXXVIIB in FIG. 37A.
  • FIG. 37C is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 4-2.
  • FIG. 38A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 5-1.
  • FIG. 38B is a sectional view taken along line XXXVIIIB-XXXVIIIB in FIG. 38A.
  • FIG. 39A is a graph showing a distance-pressure curve of the sensor of Example 1-3.
  • FIG. 39B is a graph showing the amount of change in capacitance with respect to the load of the sensor of Example 1-1.
  • FIG. 40A is a graph showing a distance-pressure curve of the sensor of Example 1-4.
  • FIG. 40B is a graph showing the amount of change in capacitance with respect to the load of the sensor of Example 1-2.
  • FIG. 41A is a graph showing a distance-pressure curve of the sensor of Example 2-3.
  • FIG. 41B is a graph showing the amount of change in capacitance with respect to the load of the sensor of Example 1-3.
  • FIG. 42A is a graph showing a distance-pressure curve of the sensor of Example 2-4.
  • FIG. 42B is a graph showing the amount of change in capacitance with respect to the load of the sensor of Example 1-4.
  • FIG. 43A is a graph showing a distance-pressure curve of the sensor of Example 5-1.
  • FIG. 43B is a graph showing the amount of change in capacitance with respect to the load of the sensor of Example 5-1.
  • FIG. 44A is a profile showing an evaluation result of the shape of the pressing portion in Example 2-3.
  • FIG. 44B is a profile showing an evaluation result of the shape of the pressing portion of Comparative Example 5-1.
  • FIG. 45A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 6-1.
  • FIG. 45B is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 6-4.
  • FIG. 45C is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 6-5.
  • FIG. 46A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 7-1.
  • FIG. 46B is a plan view showing the configuration of the pressing portion of Example 7-2.
  • FIG. 47A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 7-3.
  • FIG. 47B is a plan view showing the configuration of the pressing portion of Example 7-4.
  • FIG. 48 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to the ninth embodiment of the present technology.
  • FIG. 49 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to the tenth embodiment of the present technology.
  • FIG. 46A is a plan view illustrating a configuration of a pressing portion according to Example 7-1.
  • FIG. 46B is a plan view showing the configuration of the pressing portion of Example 7-2.
  • FIG. 47A is
  • FIG. 50 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to the eleventh embodiment of the present technology.
  • FIG. 51 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a sensor according to the twelfth embodiment of the present technology.
  • the present inventors are examining a sensor having the configuration shown in FIG. 1 as a thin sensor that can generate a click feeling.
  • the sensor 820 includes a reference electrode layer (hereinafter referred to as “REF electrode layer”) 21, a sensor layer 22, a base material 23, an intermediate layer 24, an uneven layer 825 including a plurality of pressing portions 841, and a REF electrode.
  • Layer 26 On the REF electrode layer 26, a key top layer 27 having a plurality of keys 27a is provided.
  • the pressing portion 841 includes a first structure portion 841a and a hollow second structure portion 841b that is provided on the first structure portion 841a, protrudes with respect to the base material 23 as a base, and is open on the bottom side. .
  • the first structure portion 841a when the key 27a is pressed with a predetermined force or more, the first structure portion 841a is inverted and a click feeling is obtained.
  • a click feeling can be obtained even with a pressing portion including only the first structure portion 841a.
  • the pressing portion 841 including the second structure portion 841b on the first structure portion 841a is more preferable than the pressing portion 841.
  • a click feeling can be improved compared with a press part provided only with 1 structure part 841a.
  • the click feeling can be improved, but a return failure may occur.
  • This return failure is considered to occur by the following mechanism.
  • the key 27 a is pressed with a predetermined force or more
  • the first structure portion 841 a is reversed, and the pressing portion 841 is pushed into the hole portion 24 a of the intermediate layer 24.
  • the second structural portion 841b is deformed from the boundary between the first and second structural portions 841a and 841b, and is crushed so that the inside of the second structural portion 841b. May depressurize relative to atmospheric pressure.
  • the present inventors have intensively studied to suppress the return failure.
  • the inventors have found a configuration in which a shape portion (at least one of a concave shape portion and a convex shape portion) is provided on the surface of the second structure portion 841b facing the sensor layer 22.
  • adopted such a structure, an input device provided with the same, and an electronic device are demonstrated.
  • the electronic device 10 As illustrated in FIG. 3, the electronic device 10 according to the first embodiment of the present technology is a so-called personal computer, and includes an input device 11 and a host device 12 that is a main body of the electronic device 10.
  • a configuration in which the input device 11 is provided as a peripheral device outside the host device 12 will be described.
  • a configuration in which the input device 11 and the host device 12 are integrated is adopted. May be.
  • the input device 11 is a so-called keyboard, and includes a sensor 20, a controller IC (Integrated Circuit) 13 as a control unit, and a communication unit 14. As shown in FIG. 4, the input device 11 includes a key top layer 27 having a plurality of keys 27a on one main surface. The sensor 20 is provided under the key top layer 27.
  • the sensor 20 is a sensor that can perform two types of input operations of a key input operation 20a and a gesture input operation 20b on the same operation surface, and can generate a click feeling.
  • the sensor 20 detects a change in capacitance according to the input operation, and outputs an electrical signal corresponding to the change to the controller IC 13.
  • the controller IC 13 determines whether a gesture or a key input operation has been performed on the operation surface of the sensor 20 based on an electric signal corresponding to a change in capacitance supplied from the sensor 20, and the determination Information corresponding to the result is output to the host device 12 via the communication unit 14.
  • the controller IC 13 has two threshold values A and B, and makes the above determination based on these threshold values A and B. For example, if it is determined that a gesture input operation has been performed, coordinate information is output to the host device 12 via the communication unit 14. On the other hand, if it is determined that a key input operation has been performed, information relating to a key such as a scan code is output to the host device 12 via the communication unit 14.
  • the communication unit 14 communicates with the host device 12 according to a predetermined wireless communication standard such as Bluetooth (registered trademark) and exchanges information.
  • a predetermined wireless communication standard such as Bluetooth (registered trademark) and exchanges information.
  • the host device 12 includes a control unit 15, a communication unit 16, and a display device 17.
  • the control unit 15 performs various processes based on information supplied from the input device 11 via the communication unit 16. For example, processing such as displaying character information on the display device 17 and moving the cursor displayed on the display device 17 is executed.
  • the communication unit 16 communicates with the input device 11 according to a predetermined wireless communication standard such as Bluetooth (registered trademark) and exchanges information.
  • the display device 17 displays a video (screen) based on a video signal or a control signal supplied from the host device 12.
  • Examples of the display device 17 include, but are not limited to, a liquid crystal display, an electroluminescence (EL) display, and a plasma display (PDP).
  • the sensor 20 includes a REF electrode layer 21 as a first conductor layer, a sensor layer 22, a base material 23, an intermediate layer (spacer layer) 24, and a plurality of pressing portions. And a concavo-convex layer 25 including 41 and a REF electrode layer 26 as a second conductor layer.
  • the surface on the REF electrode layer 26 side is a flexible operation surface, and a key top layer 27 is provided on this operation surface.
  • the base layer is configured by a laminate including the sensor layer 22, the base material 23, and the intermediate layer 24.
  • the main surface which becomes the operation surface side among both main surfaces of the sensor 20 and its component (component member) is called the surface (first surface), and the main surface on the opposite side is the back surface (second surface). Is referred to as appropriate).
  • the sensor 20 detects the input operation by electrostatically detecting a change in the distance between the REF electrode layer 26 and the sensor layer 22 due to an input operation on the key top layer 27.
  • the input operation is a key input operation on the key top layer 27 or a gesture operation on the key top layer 27.
  • the REF electrode layer 26 is provided on the front surface side of the sensor layer 22 at a predetermined interval, and the REF electrode layer 21 is provided adjacent to the back surface side of the sensor layer 22.
  • a base material 23 Between the sensor layer 22 and the REF electrode layer 26, a base material 23, an intermediate layer 24, and an uneven layer 25 are provided in this order from the sensor layer 22 toward the REF electrode layer 26.
  • the uneven layer 25 separates the REF electrode layer 26 and the intermediate layer 24 from each other and provides a space having a predetermined width.
  • the REF electrode layer 21 constitutes the back surface of the sensor 20 and is disposed to face the REF electrode layer 26 in the thickness direction of the sensor 20.
  • the REF electrode layer 21 has higher bending rigidity than, for example, the sensor layer 22 and the REF electrode layer 26 and functions as a support plate for the sensor 20.
  • a conductive layer or a conductive substrate can be used as the REF electrode layer 21, a conductive layer or a conductive substrate.
  • An electroconductive base material is provided with a base material and the conductive layer provided in the surface, for example.
  • the substrate has, for example, a film shape or a plate shape.
  • the film includes a sheet.
  • the conductive layer only needs to have electrical conductivity.
  • an inorganic conductive layer containing an inorganic conductive material, an organic conductive layer containing an organic conductive material, both an inorganic conductive material and an organic conductive material can be used.
  • An organic-inorganic conductive layer can be used.
  • the inorganic conductive material examples include metals and metal oxides.
  • the metal is defined to include a semi-metal.
  • the metal include aluminum, copper, silver, gold, platinum, palladium, nickel, tin, cobalt, rhodium, iridium, iron, ruthenium, osmium, manganese, molybdenum, tungsten, niobium, tantel, titanium, bismuth, antimony,
  • a metal such as lead, or an alloy thereof may be used, but is not limited thereto.
  • the metal oxide examples include indium tin oxide (ITO), zinc oxide, indium oxide, antimony-added tin oxide, fluorine-added tin oxide, aluminum-added zinc oxide, gallium-added zinc oxide, silicon-added zinc oxide, and zinc oxide- Examples thereof include, but are not limited to, a tin oxide system, an indium oxide-tin oxide system, and a zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide system.
  • ITO indium tin oxide
  • zinc oxide indium oxide
  • indium oxide antimony-added tin oxide
  • fluorine-added tin oxide aluminum-added zinc oxide
  • gallium-added zinc oxide gallium-added zinc oxide
  • silicon-added zinc oxide silicon-added zinc oxide
  • zinc oxide- Examples thereof include, but are not limited to, a tin oxide system, an indium oxide-tin oxide system, and a zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide system.
  • organic conductive materials include carbon materials and conductive polymers.
  • the carbon material include, but are not limited to, carbon black, carbon fiber, fullerene, graphene, carbon nanotube, carbon microcoil, and nanohorn.
  • the conductive polymer for example, substituted or unsubstituted polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and one or two (co) polymers selected from these can be used, but are not limited thereto. is not.
  • the REF electrode layer 21 for example, a metal plate containing a metal material such as an Al alloy or an Mg alloy, a conductor plate such as a carbon fiber reinforced plastic, an insulating layer containing a plastic material, a plating film, vapor deposition, etc. A laminate in which a conductive layer such as a film, a sputtering film, or a metal foil is formed can be used.
  • the REF electrode layer 21 is connected to a ground potential, for example.
  • the shape of the REF electrode layer 21 examples include a flat plate shape, but are not limited thereto.
  • the REF electrode layer 21 may have a step portion.
  • one or a plurality of openings may be provided in the REF electrode layer 21.
  • the REF electrode layer 21 may have a mesh configuration.
  • the REF electrode layer 21 is provided on the pressing portion 41.
  • the REF electrode layer 26 has flexibility. For this reason, the REF electrode layer 26 can be deformed according to the pressing of the operation surface.
  • the REF electrode layer 26 is, for example, a flexible conductive layer or conductive film.
  • An electroconductive film is provided with the film which is a base material, and the electroconductive layer provided in the surface, for example.
  • the material of the conductive layer the same material as the conductive layer of the REF electrode layer 21 described above can be exemplified.
  • the conductive film include stainless steel (Stainless Used Steel: SUS) film, carbon-printed film, ITO (Indium Tin Tin Oxide) film, and metal deposited film on which a metal such as Cu is deposited. Can do.
  • SUS Stainless Used Steel
  • ITO Indium Tin Tin Oxide
  • the REF electrode layer 26 is connected to a ground potential, for example.
  • the sensor layer 22 detects the pressing of the pressing part 41.
  • the sensor layer 22 is provided between the REF electrode layers 21 and 26 and can electrostatically detect a change in the distance from the REF electrode layer 26 on the operation surface side.
  • the sensor layer 22 includes a plurality of sensing units 22s, and the plurality of sensing units 22s detects a capacitance that changes according to the distance from the REF electrode layer 26.
  • the sensor layer 22 is a capacitance type sensor layer, and as shown in FIG. 5B, a base material 22a, a plurality of sensing parts 22s provided on the base material 22a, and insulation covering these sensing parts 22s.
  • a layer 22b is provided.
  • the base material 22a has, for example, a film shape or a plate shape.
  • the film includes a sheet.
  • a polymer resin or glass can be used as a material of the base material 22a.
  • the polymer resin include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), acrylic resin (PMMA), polyimide (PI), triacetyl cellulose (TAC), polyester, polyamide (PA).
  • PE polyethylene
  • PP polyacrylate
  • PP polyether sulfone
  • PP polypropylene
  • diacetyl cellulose polyvinyl chloride
  • epoxy resin epoxy resin
  • urea resin urethane resin
  • melamine resin cyclic olefin polymer (COP)
  • norbornene Based thermoplastic resins examples include soda glass, non-alkali glass, and quartz glass.
  • the plurality of sensing units 22s When the plurality of sensing units 22s are viewed in plan from the Z-axis direction, the plurality of sensing units 22s are two-dimensionally arranged on the surface of the base material 22a according to the key arrangement of the sensor 20, as shown in FIG. Yes.
  • FIG. 6 shows a configuration in which the sensing units 22s are two-dimensionally arranged in a matrix for easy illustration.
  • the sensing unit 22s includes a plurality of X and Y electrodes 31 and 32 provided on the surface of the base material 22a.
  • axes orthogonal to each other in the surface of the base material 22a or the sensor 20 are referred to as an X axis and a Y axis, respectively, and an axis perpendicular to the surface of the base material 22a is referred to as a Z axis.
  • the X electrode 31 that is the first electrode includes an electrode wire portion 31a, a plurality of unit electrode bodies 31b, and a plurality of connection portions 31c.
  • the electrode wire portion 31a extends in the X-axis direction.
  • the plurality of unit electrode bodies 31b are arranged at regular intervals in the X-axis direction.
  • the electrode wire portion 31a and the unit electrode body 31b are arranged to be separated from each other by a predetermined distance, and the two are connected by a connecting portion 31c.
  • the connection part 31c may be omitted and a configuration in which the unit electrode body 31b is directly provided on the electrode line part 31a may be employed.
  • the Y electrode 32 as the second electrode includes an electrode line portion 32a, a plurality of unit electrode bodies 32b, and a plurality of connection portions 32c.
  • the electrode wire portion 32a extends in the Y-axis direction.
  • the plurality of unit electrode bodies 32b are arranged at regular intervals in the Y-axis direction.
  • the electrode wire portion 32a and the unit electrode body 32b are arranged with a predetermined distance therebetween, and the two are connected by a connection portion 32c.
  • the unit electrode body 31b has a comb-like shape in which a plurality of sub-electrodes 31d are extended in the Y-axis direction.
  • the unit electrode body 32b has a comb-like shape in which a plurality of sub-electrodes 32d are extended in the Y-axis direction.
  • the unit electrode bodies 31b and 32b are arranged so that the sub-electrodes 31d and 32d are engaged with each other. Specifically, a plurality of sub-electrodes 31d and 32d are alternately arranged, and adjacent sub-electrodes 31d and 32d are separated by a predetermined interval.
  • the electrode line part 32a includes a jumper wiring part 32e straddling the electrode line part 31a at the intersection with the electrode line part 31a.
  • An insulating layer (not shown) is provided between the jumper wiring portion 32e and the electrode wire portion 32a.
  • the material of the insulating layer 22b either an inorganic material or an organic material may be used.
  • the inorganic materials for example, be SiO 2, SiNx, SiON, Al 2 O 3, Ta 2 O 5, Y 2 O 3, HfO 2, HfAlO, and ZrO 2, TiO 2 is used.
  • the organic material for example, a polyacrylate such as PMMA (polymethyl methacrylate), a polymer resin such as PVA (polyvinyl alcohol), PS (polystyrene), transparent polyimide, polyester, epoxy, polyvinylphenol, polyvinyl alcohol, or the like is used. Can do.
  • the base material 23 is in a state of only being placed on the lower sensor layer 22 without being bonded by an adhesive layer or the like.
  • the base material 23 has the same or substantially the same linear expansion coefficient as the uneven layer 25.
  • the base material 23 and the uneven layer 25 may be made of the same material, or may be made of different materials having the same or substantially the same linear expansion coefficient.
  • the base material 23 has, for example, a film shape or a plate shape.
  • Examples of the material of the base material 23 include the same polymer resin as that of the base material 22a.
  • the base material 23 is provided with the resin layer and the adhesion layer provided in one surface of this resin layer, and the base material 23 and the intermediate
  • the linear expansion coefficient of the base material 23 means the linear expansion coefficient of the resin layer.
  • the sensor layer 22 and the concavo-convex layer 25 expand and contract in the in-plane direction of the sensor layer 22 due to a change in the environmental temperature or the like because the base material 23 is placed on the sensor layer 22 without being bonded,
  • the sensor layer 22 and the concavo-convex layer 25 can be displaced independently. Therefore, since it can suppress that a distortion etc. generate
  • the intermediate layer 24 includes a main body layer 24b of the intermediate layer 24 and an adhesive layer 24c provided on the surface of the main body layer 24b.
  • the intermediate layer 24 has a plurality of hole portions 24a into which the plurality of pressing portions 41 are respectively pressed.
  • the hole 24a is a through-hole penetrating from the front surface of the intermediate layer 24 to the back surface, for example.
  • the hole 24 a is provided at a position corresponding to the sensing part 22 s and the pressing part 41. Specifically, the pressing part 41, the hole 24a, and the sensing part 22s are provided so as to overlap in the thickness direction of the sensor 20.
  • the intermediate layer 24 is formed by, for example, screen printing or a molded film.
  • the material of the main body layer 24b for example, the same material as that of the insulating layer 22b can be exemplified.
  • an energy ray curable resin such as an ultraviolet curable resin may be used.
  • the intermediate layer 24 and the concavo-convex layer 25 are bonded together via an adhesive layer 24c.
  • the uneven layer 25 is constituted by an embossed film 40.
  • Examples of the material of the embossed film 40 include the same polymer resin as that of the base material 22a.
  • the uneven layer 25 includes a plurality of pressing portions 41, flat portions 42, and vent holes 43. However, in the drawings other than FIG. 7, illustration of the air holes 43 is omitted.
  • the plurality of pressing portions 41 are two-dimensionally arranged on the surface of the intermediate layer 24 so as to correspond to the plurality of sensing portions 22s, respectively.
  • the pressing part 41 has a hollow shape that protrudes with respect to the sensor layer 22 and that is open on the bottom side.
  • the pressing portion 41 separates between the intermediate layer 24 and the REF electrode layer 26 and forms a space having a predetermined thickness between the intermediate layer 24 and the REF electrode layer 26.
  • the flat portion 42 is bonded to the intermediate layer 24, whereby the uneven layer 25 is fixed on the surface of the intermediate layer 24.
  • the pressing part 41 is a reaction force structure part in which the reaction force changes nonlinearly with respect to the pushing amount (with respect to the operation load).
  • the pressing portion 41 is provided on the hollow first structure portion 41a that is open on the bottom side, and the top portion of the first structure portion 41a, and the bottom side is open.
  • the first structure portion 41a is a buckling portion that is reversed by pressing the key 27a, and has an inclined surface that gradually spreads from the top to the bottom.
  • released is mentioned, for example.
  • Examples of the shape of the second structure portion 41b include a hollow frustum shape having an open bottom.
  • Examples of the frustum shape of the first and second structure portions 41a and 41b include a frustum shape or a quadrangular frustum shape.
  • the shape of the 1st, 2nd structure parts 41a and 41b is not limited to this, Shapes other than this can also be used.
  • the inclination angle of the side surface of the second structure portion 41b is set larger than the inclination angle of the side surface of the first structure portion 41a.
  • the inclination angle means an inclination angle with respect to the surface of the sensor layer 22.
  • the second structure portion 41b has one or more shape portions 41c on the side surface.
  • the shape portion 41c is a convex shape portion protruding toward the sensor layer 22, and the back surface side of the shape portion 41c is depressed and recessed.
  • the shape part 41c with which the back surface side was depressed is demonstrated as an example, the surface facing the sensor layer 22 should just be convex shape, and the back surface side does not need to be depressed.
  • the shape portion 41c is partially provided on the periphery on the bottom side of the side surface of the second structure portion 41b.
  • the number of the shape parts 41c is two or more, the two or more shape parts 41c are arranged on the periphery of the second structure part 41b at regular intervals or at unequal intervals.
  • 8A and 8B show an example in which four shape portions 41c are arranged at equal intervals on the periphery of the second structure portion 41b.
  • Examples of the shape of the shape portion 41c when the pressing portion 41 is viewed from the Z-axis direction include a substantially partial circular shape, a substantially partial elliptical shape, a substantially rectangular shape, or an indefinite shape, but are not limited thereto. Is not to be done.
  • the partial circular shape is a partial shape of a circular shape, for example, a semicircular shape.
  • the partial elliptical shape is a partial shape of an elliptical shape, for example, a semi-elliptical shape.
  • Examples of the polygonal shape include a triangular shape, a quadrangular shape, and a pentagonal shape, and a curvature R or the like may be given to the top of these shapes.
  • the vent hole 43 connects the internal spaces of the adjacent pressing portions 41 and connects the internal space of the pressing portion 41 to the external space.
  • the air holes 43 are holes formed by grooves provided on the back surface of the uneven layer 25 and the surface of the intermediate layer 24.
  • a groove may also be provided on the surface of the intermediate layer 24, and the air hole 43 may be configured by combining the groove on the back surface of the uneven layer 25 and the groove on the surface of the intermediate layer 24.
  • the key top layer 27 has flexibility. For this reason, the key top layer 27 can be deformed together with the REF electrode layer 26 in accordance with the pressing of the operation surface.
  • a plurality of keys 27 a are arranged on the surface of the key top layer 27. Characters, symbols, functions, etc. are printed on the key 27a. By pressing or releasing the key 27a, information such as scan code is output from the controller IC 13 to the host device 12.
  • a pressing part 41, a hole part 24a and a sensing part 22s are provided below the key 27a. That is, the key 27a, the pressing portion 41, the hole 24a, and the sensing portion 22s are provided so as to overlap in the thickness direction of the sensor 20.
  • the second structure portion 41b is deformed and crushed starting from the boundary between the first and second structure portions 41a and 41b pressed against the base material 123 (FIG. 2A). reference).
  • the second structure portion 41b since the second structure portion 41b has the shape portion 41c on the side surface, in the state where the second structure portion 41b is crushed in this way, air holes (not shown) are formed on both sides of the shape portion 41c. It is formed. Thereby, the space formed by the inner surface of the second structure portion 41b and the surface of the base material 23 communicates with the outside of the second structure portion 41b through the vent holes.
  • the second structure portion 41b sucks air while returning to the original shape. At this time, since air is supplied from the outside of the second structure portion 41b through the vent hole, adsorption of the base material 23 by the second structure portion 41b is suppressed. Therefore, the return failure of the pressing part 41 is suppressed.
  • the pressing portion 41 has a function that the reaction force against the operator changes nonlinearly with respect to the movement amount of the REF electrode layer 26, as shown in FIG. 10A. Specifically, in the pressing portion 41, the reaction force increases in response to the operator's pressing and increases to the maximum value at P1, and when the pressing amount is further increased, the reaction force decreases to the minimum value P2, and the limit of the pressing deformation. It has the function of increasing the reaction force again when pushed to the point.
  • the capacitance change monotonously increases with respect to the movement amount of the REF electrode layer 26 as shown in FIG. 10B. Further, as shown in FIG. 10C, the change in capacitance changes gradually after the change in response to an increase in the reaction force on the operator, and then changes gently again. Region R B initially changes gently, in FIG. 10A, from the start of pushing the operator the initial position, corresponding to the region up to the reaction force reaches the maximum value P1. Further, the region RA that changes sharply corresponds to a region in which the reaction force reaches the minimum value P2 from the maximum value P1 in FIG. 10A.
  • a threshold value A in the region RA By setting a threshold value A in the region RA and determining whether or not the capacitance exceeds the threshold value A, it is possible to determine whether or not a key input operation is performed on the operation surface.
  • a threshold value B in the region RB and determining whether or not the capacitance exceeds the threshold value B it is possible to determine whether or not a gesture operation is being performed on the operation surface.
  • step S2 when an input operation is performed on the operation surface of the input device 11 by the user in step S1, the controller IC 13 in step S2 is based on an electrical signal corresponding to a change in capacitance supplied from the sensor 20. It is determined whether or not the change in capacitance of one sensing unit 22s as a whole is greater than or equal to the threshold value B. If it is determined in step S2 that the change in capacitance is greater than or equal to the threshold value B, in step S3, the controller IC 13 outputs information about the key such as a scan code to the host device 12. Thereby, key input is performed. On the other hand, if it is determined in step S2 that the capacitance change is not equal to or greater than the threshold value B, the process proceeds to step S4.
  • step S4 the controller IC 13 determines whether or not the capacitance change of the entire sensing unit 22s is greater than or equal to the threshold A based on the electrical signal corresponding to the capacitance change supplied from the sensor 20. Judging. If it is determined in step S4 that the capacitance change is greater than or equal to the threshold A, in step S5, the controller IC 13 operates according to the gesture determination algorithm. Thereby, gesture input is performed. On the other hand, if it is determined in step S4 that the capacitance change is not greater than or equal to the threshold value A, the process returns to step S1.
  • the second structure portion 41 b has one or more shape portions 41 c that protrude toward the sensor layer 22 on the surface facing the sensor layer 22. For this reason, when the 2nd structure part 41b is crushed by pressing of the key 27a, a vent hole is formed in the both sides of the shape part 41c. Therefore, by releasing the pressing of the key 27a, it is possible to suppress the second structure portion 41b from being adsorbed to the base material 23 when the second structure portion 41b returns to the original shape. Therefore, the return failure of the pressing part 41 is suppressed.
  • the electronic device 10 is a personal computer
  • the present technology is not limited to this example.
  • the present technology can be applied to various electronic devices including an input device such as a keyboard or a switch, for example, a mobile phone such as a smartphone, a tablet computer, a television, a camera, a portable game device, a car navigation system, and a wearable device.
  • an input device such as a keyboard or a switch
  • a mobile phone such as a smartphone, a tablet computer, a television, a camera, a portable game device, a car navigation system, and a wearable device.
  • the unit electrode bodies 31b and 32b may have a concentric shape or a spiral shape.
  • concentric shapes include concentric polygonal shapes, concentric circular shapes, and concentric elliptical shapes, but are not limited thereto.
  • spiral include, but are not limited to, a spiral polygon, a spiral circle, and a spiral ellipse.
  • the second structure portion 41b is shown in FIGS. 12A, 12B, and 12C in place of one or more shape portions 41c (see FIGS. 8A, 8B, and 8C) protruding toward the sensor layer 22.
  • one or two or more shape portions (concave shape portions) 41 d that are recessed in the direction away from the sensor layer 22 may be provided on the side surface.
  • the shape portion 41d functions as a vent hole in a state where the second structure portion 41b is crushed by pressing the key 27a.
  • the space formed by the inner surface of the second structure portion 41b and the surface of the base material 123 communicates with the outside of the second structure portion 41b through the vent holes. Therefore, the return failure of the pressing portion 41 can be suppressed as in the first embodiment.
  • the second structure portion 41b is provided on the periphery on the top side of the side surface as shown in FIG. 13A.
  • the shaped portion 41e may be provided.
  • the second structure portion 41b having the above-described configuration
  • the second structure portion 41b when the second structure portion 41b is deformed from the boundary portion between the first and second structure portions 41a and 41b by pressing the key 27a, The top part of the deformed second structure part 41b is supported by the shape part 41e. For this reason, the crushing of the 2nd structure part 41b is suppressed. Therefore, when the second structure portion 41b returns to the original shape by releasing the key 27a, it is possible to suppress the second structure portion 41b from being adsorbed to the base material 23. Therefore, the return failure of the pressing part 41 is suppressed.
  • the second structure portion 41b may be provided with a shape portion (convex shape portion) 41f protruding toward the sensor layer 22 at the top.
  • a shape portion 41f protruding toward the sensor layer 22 at the top.
  • Examples of the shape of the shape portion 41f when the pressing portion 41 is viewed in plan from the Z-axis direction include a cross shape, an I shape, a circular shape, a polygonal shape, and an indefinite shape, but are not limited thereto. Absent.
  • the second structure portion 41b starts from the boundary between the first and second structure portions 41a and 41b by pressing the key 27a.
  • the top of the deformed second structure portion 41b is supported by the shape portion 41f. Therefore, similarly to the sensor 20 provided with the above-described shape portion 41e on the side surface of the second structure portion, the return failure of the pressing portion 41 is suppressed.
  • the depth of the second structure portion 41b is made shallower than 200 ⁇ m. May be. In this case, since the amount by which the second structure portion 41b is crushed by the pressing of the key 27a is reduced, the suction force when the second structure portion 41b is returned from the crushed state is weakened. Therefore, the return failure of the pressing part 41 is suppressed.
  • the pressing portion 41 further includes a third structure portion 41g, and the first structure portion 41a is provided on the third structure portion 41g.
  • the third structure portion 41g is a raised portion that raises the first structure portion 41a, and is a side surface standing substantially perpendicular to the surface of the sensor layer 22, or less than 90 ° with respect to the surface of the sensor layer 22. Side surfaces inclined at an inclination angle of.
  • the inclination angle of the side surface of the third structure portion 41g is set larger than the inclination angle of the side surface of the first structure portion 41a.
  • the inclination angle means an inclination angle with respect to the surface of the sensor layer 22.
  • the intermediate layer 24 can be omitted, so that the layer configuration of the sensor 20 can be simplified.
  • the base material 23 is not provided and the intermediate layer 24 is directly provided on the sensor layer 22 may be employed.
  • the base material 23 is preferably provided.
  • the presser 44 is, for example, a double-sided adhesive film, and includes a resin layer 44a and adhesive layers 44b and 44c provided on both surfaces of the resin layer 44a.
  • the presser 44 is bonded to the top of the second structure portion 41b via the adhesive layer 44b, and is bonded to the back surface of the REF electrode layer 26 via the adhesive layer 43c.
  • the click feeling can be further improved.
  • the sensor 20 may further include a support layer 45 provided between the presser 44 and the REF electrode layer 26.
  • a support layer 45 provided between the presser 44 and the REF electrode layer 26.
  • the periphery of the support layer 45 is preferably provided outside the periphery of the top of the pressing portion 41 and inside the periphery of the key 27a when the sensor 20 is viewed in plan from the Z-axis direction. More preferably, it is provided outside the periphery of the key 27a and inside the periphery of the key 27a. For example, it is provided so as to overlap or substantially overlap the periphery of the key 27a.
  • the support layer 45 is, for example, an adhesive film, and includes a resin layer 45a and an adhesive layer 45b provided on one surface of the resin layer 45a.
  • the support layer 45 is bonded to the back surface of the REF electrode layer 26 via the adhesive layer 45b.
  • the presser 44 is bonded to the back surface of the support layer 45 through the adhesive layer 45c.
  • the configuration in which the support layer 45 and the pusher 44 are separate has been described as an example, but the support layer 45 and the pusher 44 may be integrally formed. Further, the pressing portion 41 may not include the presser 44 and the support layer 45 may be provided directly on the pressing portion 41.
  • the 1st structure part 41a may be constituted by a plurality of legs which support the 2nd structure part 41b.
  • a structure in which the uneven layer 25 is directly provided on the sensor layer 22 and the first structure portion 41a is not inverted may be employed.
  • the sensor layer 22 may include a plurality of X electrodes 31 on the back surface of the base material 22a and a plurality of Y electrodes 32 on the surface of the base material 22a.
  • the sensing unit 22s includes unit electrode bodies 31b and 32b provided on different surfaces of the base material 22a.
  • the X electrode 31 includes a plurality of unit electrode bodies 31b arranged at predetermined intervals in the X direction and a plurality of electrode line portions 31f respectively connecting the unit electrode bodies 31b.
  • the unit electrode body 31b has a mesh shape having a plurality of sub-electrodes 31d extending in the X direction.
  • the Y electrode 32 includes a plurality of unit electrode bodies 32b arranged at a predetermined interval in the Y direction and a plurality of electrode line portions 32f respectively connecting the unit electrode bodies 32b.
  • the unit electrode body 32b has a mesh shape having a plurality of sub-electrodes 32d extending in the Y direction.
  • the sensor 120 according to the second embodiment of the present technology has a second structure as illustrated in FIG. 17A instead of including one or more shape portions 41c (see FIG. 5B) in the second structure portion 41b.
  • the sensor 20 according to the first embodiment is different from the sensor 20 according to the first embodiment in that one or two or more holes 123a are provided at positions facing the back surface of the part 41b. Note that in the second embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the hole 123 a is provided in the base material 123.
  • the hole 123a may be a through hole or a hole having a bottom.
  • the hole 123a is provided at a position that overlaps with the second structure 141b when the sensor 120 is viewed in a plan view from the Z-axis direction.
  • a part of the hole 123a is extended from the position of the second structure part 141b to the position of the first structure part 141a in plan view from the Z-axis direction. That is, a part of the hole 123a extends from the inside to the outside of the boundary between the first and second structure parts 141a and 141b in a plan view from the Z-axis direction.
  • Examples of the shape of the hole 123a when the pressing portion 141 is viewed in plan from the Z-axis direction include an elliptical shape, a polygonal shape, an I-shape, a cross shape, an oval shape, and an indefinite shape, but are not limited thereto. Is not to be done. Note that FIG. 17B shows an example in which the shape of the hole 123a when the pressing portion 141 is viewed from the Z-axis direction is an I-shape.
  • the uneven layer 125 is composed of the embossed film 140.
  • the embossed film 140 includes a pressing part 141.
  • the pressing portion 141 is different from the pressing portion 41 in the first embodiment in that the shape portion 41c (see FIG. 5B) includes the second structure portion 141b that is not provided on the side surface.
  • a hole portion 123a is provided at a position facing the back surface of the second structure portion 141b. For this reason, when the press of the key 27a is cancelled
  • the hole 123a may be located at a position inside the boundary between the first and second structure portions 41a and 141b. In the case of this configuration, since the hole portion 123a is provided, the suction force when the second structure portion 141b returns from the collapsed state is weakened. Therefore, the return failure of the pressing part 141 is suppressed.
  • the hole 123a is a through hole and a gap is formed between the sensor layer 22 and the base material 123. This is because air is supplied to the internal space of the second structure portion 141b through the through hole and the gap when the second structure portion 141b returns from the collapsed state.
  • the hole portion 123 a is a through hole and a porous layer is further provided between the sensor layer 22 and the base material 123. This is because air is supplied to the internal space of the second structure portion 141b through the through hole and the porous layer when the second structure portion 141b returns from the collapsed state.
  • one or two or more hole portions 123a may be partially provided at positions facing the boundary portions of the first and second structure portions 41a and 141b.
  • Each hole 123a extends from the position of the inner surface of the second structure portion 14b to the position of the inner surface of the first structure portion 141a in plan view from the Z-axis direction. That is, each hole 123a extends from the inside to the outside of the boundary between the first and second structure portions 141a and 141b in a plan view from the Z-axis direction.
  • the base material 123 includes two or more hole parts 123a
  • the base parts 123 are provided at equal intervals or unequal intervals at positions facing the boundary portions of the first and second structure portions 41a and 141b. Also in the case of the above configuration, the return failure of the pressing portion 141 is suppressed as in the second embodiment.
  • a porous layer may be provided between the sensor layer 22 and the substrate 123. In this case, the effect of suppressing the return failure is further improved.
  • the substrate 123 may be a porous layer. In this case, since it is not necessary to align the hole position of the base material 123 with respect to the second structure portion 141b, the sensor 120 can be easily manufactured.
  • the second structure portion 41b includes one or more shape portions 41c (see FIG. 5B) on the side surface as shown in FIGS. 20A and 20B.
  • the sensor 20 according to the first embodiment is that the sensor layer 22 is partially provided with one or more shape portions 28 at positions where the boundary portions of the first and second structure portions 41a and 141b face each other. Is different.
  • the sensor layer 22 and the intermediate layer 24 constitute a base layer. Note that in the third embodiment, the same portions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the shape portion 28 is an island-shaped portion provided so as to protrude with respect to the surface of the sensor layer 22.
  • the two or more shape portions 28 are equidistant or non-uniform at positions facing the boundary portions of the first and second structure portions 41a and 141b. They are provided at regular intervals.
  • the shape portion 28 preferably has a layer configuration similar to that of part or all of the intermediate layer 24. This is because the shape portion 28 can be simultaneously formed in the manufacturing process of the intermediate layer 24, and the manufacturing process of the intermediate layer 24 can be simplified.
  • Examples of the shape of the shape portion 28 when the pressing portion 141 is viewed in plan from the Z-axis direction include a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape, a ring shape with a part cut away, and an indefinite shape. It is not limited to.
  • FIG. 20B shows an example in which the shape of the pressing portion 141 when the pressing portion 141 is viewed from the Z-axis direction is a quadrangular shape.
  • the second structure 141b sucks air while returning to its original shape. At this time, since air is supplied from the outside of the second structure portion 141b through the gap, adsorption of the sensor layer 22 by the second structure portion 141b is suppressed. Therefore, the return failure of the pressing part 141 is suppressed.
  • one or more shape portions 28 are provided at positions where the boundary portions of the first and second structure portions 41a and 141b face each other. For this reason, when the press of the key 27a is cancelled
  • the sensor 220 includes a base material 223 between the sensor layer 22 and the intermediate layer 24, and the base material 223 is partially one or two at positions where the boundary portions of the first and second structure portions 41a and 141b face each other.
  • One or more shape portions 228 may be provided. In the case of this configuration, the same function and effect as in the third embodiment can be obtained.
  • the shape part 228 and the base material 223 may be integrally formed, or the shape part 228 and the base material 223 may be formed separately.
  • FIG. 20A and 20B instead of the sensor layer 22 having one or more shape portions 28 (FIGS. 20A and 20B) partially at the positions where the boundary portions of the first and second structure portions 41a and 141b face each other, FIG. As shown, one or two or more shape portions 28 may be provided at a position facing the back surface of the second structure portion 141b.
  • the second structure portion 141b when the second structure portion 141b is deformed from the boundary portion of the first and second structure portions 41a and 41b by pressing the key 27a, the deformation is generated.
  • the top part of the second structure part 141b is supported by the shape part 28. For this reason, the crushing of the 2nd structure part 141b is suppressed. Therefore, the second structure portion 141b can be prevented from being adsorbed to the sensor layer 22 when the second structure portion 141b returns to the original shape by releasing the key 27a. Therefore, the return failure of the pressing part 141 is suppressed.
  • the sensor 220 includes a base material 223 between the sensor layer 22 and the intermediate layer 24, and the base material 223 faces one or more shape portions 228 to the back surface of the second structure portion 141b. You may make it prepare for a position. Also in this configuration, the same effects as those of the above modification can be obtained.
  • a sensor 320 according to the fourth embodiment of the present technology includes a second structure portion 41b (see FIG. 5B) in which one or two or more shape portions 41c are provided on a side surface, instead of FIGS. 24A and 24B. As shown, the sensor 320 according to the first embodiment is different in that it includes a second structure portion 341b in which one or two or more through holes 341c are provided on the side surface. Note that in the fourth embodiment, the same portions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the uneven layer 325 is composed of an embossed film 340.
  • the embossed film 340 includes a pressing part 341.
  • the pressing portion 341 includes a second structure portion 341b in which one or two or more through holes 341c are provided on a side surface.
  • the two or more through-holes 341c are equally spaced or not spaced in the circumferential direction of the side surface of the second structure portion 341b, as shown in FIG. 24B. They are spaced apart at equal intervals.
  • Examples of the shape of the through hole 341c include a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape, and an indefinite shape, but are not limited thereto.
  • the uneven layer 25 is provided on the base material 23, and the REF electrode layer 26 is provided between the intermediate layer 24 and the base material 23. It has been.
  • the base material 23 is not attached to the lower REF electrode layer 26 by an adhesive layer or the like but is merely placed.
  • the uneven layer 25 and the base material 23 are bonded together by an adhesive layer or the like.
  • the bottom of the pressing part 41 is located inside the hole 24a of the intermediate layer 24 when the sensor 420 is viewed in plan from the Z-axis direction.
  • the base material 23 serves as a base layer.
  • the sensor 420 according to the fifth embodiment is the same as the sensor 20 according to the first embodiment except for the points described above.
  • vent holes are formed on both sides of the shape portion 41c.
  • the second structure portion 41b sucks air while returning to the original shape. At this time, since air is supplied from the outside of the second structure portion 41b through the vent hole, adsorption of the base material 23 by the second structure portion 41b is suppressed.
  • vent holes are formed on both sides of the shape portion 41c in a state where the second structure portion 41b is crushed. Thereby, when the pressing of the key 27a is released, the adsorption of the base material 23 by the second structure portion 141b is suppressed. Therefore, the return failure of the pressing part 141 is suppressed.
  • the REF electrode layer 26 is provided on the intermediate layer 24. In this configuration, the distance between the sensor layer 22 and the REF electrode layer 26 can be easily adjusted to be constant as compared with the configuration in which the REF electrode layer 26 is provided on the uneven layer 25. Therefore, the sensor 420 according to the fifth embodiment is easier to manufacture than the sensor 20 according to the first embodiment.
  • the base material 23 is merely mounted without being bonded to the REF electrode layer 26. Therefore, the sensor layer 22 and the concavo-convex layer 25 are separated from each other by the change in environmental temperature.
  • the sensor layer 22 and the concavo-convex layer 25 can be displaced independently even when they expand and contract in the in-plane direction. Therefore, since it can suppress that a distortion etc. generate
  • a configuration in which the base material 23 is not provided and the uneven layer 25 is directly provided on the REF electrode layer 26 may be adopted. That is, a configuration in which only the REF electrode layer 26 is provided between the intermediate layer 24 and the uneven layer 25 may be employed. In this case, the uneven layer 25 and the REF electrode layer 26 may be bonded together via an adhesive layer (not shown) or the like.
  • a sensor 520 according to the sixth embodiment of the present technology has a second structure as illustrated in FIG. 28A instead of including one or more shape portions 41c (see FIG. 26A) in the second structure portion 41b.
  • the sensor 420 according to the fifth embodiment is different from the sensor 420 according to the fifth embodiment in that the base member 123 having one or two or more hole portions 123a is provided at a position facing the back surface of the portion 141b.
  • symbol is attached
  • the base material 123 and the concavo-convex layer 125 are the same as those in the second embodiment.
  • a hole portion 123a is provided at a position facing the back surface of the second structure portion 141b.
  • the hole 123a functions as a vent hole in a state in which the second structure 141b is crushed by pressing the key 27a.
  • the configuration of a modification of the second embodiment may be employed.
  • one or two or more hole portions 123a may be partially provided at a position facing the boundary between the first and second structure portions 41a and 141b.
  • the hole 123a is the same as that in the modified example of the second embodiment.
  • the hole 123 a may be provided in both the base material 123 and the REF electrode layer 26.
  • corrugated layer 125 may be directly provided on the REF electrode layer 26 without the base material 123 being provided, and the hole 123a may be provided in the REF electrode layer 26.
  • a sensor 620 according to the seventh embodiment of the present technology includes, as shown in FIG. 29A, instead of providing one or more shape portions 41c (see FIG. 26A) on the side surface of the second structure portion 41b.
  • the sensor 420 according to the fifth embodiment is different from the sensor 420 according to the fifth embodiment in that the material 223 is partially provided with one or two or more shape portions 228 at positions where the boundary portions of the first and second structure portions 41a and 141b face each other. Is different.
  • symbol is attached
  • the shape portion 228 is the same as that in the modified example of the third embodiment.
  • one or more shape portions 228 are partially provided at positions where the boundary portions of the first and second structure portions 41a and 141b face each other. Therefore, when a key input operation is performed by pressing the key 27a of the sensor 620, the first structure portion 41a is reversed, and the boundary portion between the first and second structure portions 41a and 141b is formed by the shape portion 228 and the base material 223. It is held in a state of floating from the surface. In this state, a gap is formed in a part between the boundary portion of the first and second structure portions 41 a and 141 b and the surface of the base material 223. Therefore, when the key 27a is released, the adsorption of the base material 223 by the second structure portion 141b is suppressed. Therefore, the return failure of the pressing part 141 is suppressed.
  • the second structure portion 141b In the sensor 620 provided with the above-described shape portion 228 on the base material 223, when the second structure portion 141b is deformed from the boundary between the first and second structure portions 41a and 141b by the pressing of the key 27a, the deformation is caused. The top part of the second structure part 141b is supported by the shape part 228. For this reason, the crushing of the 2nd structure part 141b is suppressed. Therefore, when the second structure portion 141b returns to its original shape by releasing the key 27a, the second structure portion 141b can be prevented from being adsorbed to the base material 223. Therefore, the return failure of the pressing part 141 is suppressed.
  • the base material 23 is not provided, the uneven layer 125 is provided directly on the REF electrode layer 26, and one or more REF electrodes 26 are provided at positions where the boundary portions of the first and second structure parts 41a and 141b face each other. You may make it provide the 2 or more shape part 228, and may make it provide the 1 or 2 or more shape part 228 in the position where the back surface of the 2nd structure part 141b opposes.
  • the sensor 720 according to the eighth embodiment of the present technology includes the second structure portion 41 b (see FIG. 26A) in which one or more shape portions 41 c are provided on the side surface.
  • the sensor 420 is different from the sensor 420 according to the fifth embodiment in that it includes a second structure portion 341b in which one or two or more through holes 341c are provided on the side surface.
  • symbol is attached
  • the uneven layer 325 is the same as that in the fourth embodiment.
  • the second structure portion 341b includes one or two or more through holes 341c on the side surface. For this reason, when the key 27a is released, air is supplied from the outside of the second structure portion 341b through the through hole 341c, so that the adsorption of the base material 23 by the second structure portion 341b is suppressed. Therefore, the return failure of the pressing part 341 is suppressed.
  • the sensor 920 according to the ninth embodiment of the present technology includes a base member 123 (see FIG. 17A) having a hole 123a on the surface facing the back surface of the pressing unit 141, as shown in FIG.
  • the sensor 141 according to the second embodiment is different from the sensor 120 according to the second embodiment in that the base 923 having the unevenness 923a is provided on the surface facing the back surface of the portion 141.
  • the same portions as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the base layer is configured by a laminate including the sensor layer 22, the base material 923, and the intermediate layer 24.
  • the base layer includes a base material 23 facing the pressing portion 141, and the unevenness 923 a is provided on the base material 923.
  • the unevenness 923a may be provided on the entire surface of the base material 923 facing the back surface of the pressing portion 141, or may be provided only on the portion facing the pressing portion 141. 1 and 2 may be provided only in a portion facing the boundary between the second structure portions 41a and 141b. However, in consideration of productivity, it is preferable to be provided on the entire surface facing the back surface of the pressing portion 141 among both surfaces of the base material 923.
  • the arithmetic average roughness Ra of the unevenness 923a is 0.48 ⁇ m or more, more preferably 2.43 ⁇ m or more.
  • the upper limit value of the arithmetic average roughness Ra of the unevenness 923a is not particularly limited, but is, for example, 100 ⁇ m or less.
  • the irregularities 923a may be regular or irregular.
  • Examples of the method of forming the unevenness 923a include a light transfer method such as a thermal transfer method and a UV transfer method, a printing method, a sand blast method, and a method of applying and curing a paint containing fine particles, but is not limited thereto. is not.
  • the base material 923 has unevenness 923 a on the surface facing the back surface of the pressing portion 141. For this reason, in the state where the 2nd structure part 141b was crushed, a fine ventilation hole is formed between the boundary part of the 1st, 2nd structure parts 41a and 141b, and substrate 923 by unevenness 923a. Thereby, when the pressing of the key 27a is released, the adsorption of the base material 923 by the second structure portion 141b is suppressed. Therefore, the return failure of the pressing part 141 is suppressed.
  • the sensor 1020 according to the tenth embodiment of the present technology is opposed to the base material 23 as illustrated in FIG. 49 instead of including the uneven layer 25 (see FIG. 5B) having the shape portion 41c in the second structure portion 1041b.
  • the sensor 20 according to the first embodiment is different from the sensor 20 according to the first embodiment in that the uneven surface 1025 having the unevenness 1025a is provided on the surface to be processed.
  • the same portions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the base layer is configured by a laminate including the sensor layer 22, the base material 23, and the intermediate layer 24.
  • the uneven layer 1025 is constituted by an embossed film 1040 including a plurality of pressing portions 1041 and a flat portion 1042.
  • the pressing part 1041 includes a first structure part 1041a and a second structure part 1041b provided on the first structure part 1041a.
  • the first and second structure portions 1041a and 1041b are the same as the first and second structure portions 141a and 41b in the second embodiment, except that the surface facing the base material 23 has unevenness 1025a.
  • the unevenness 1025a may be provided on the entire surface of the embossed film 1040 facing the substrate 23, or may be provided only on the pressing portion 141, or the first and second portions. You may provide only in the boundary part of the structure parts 1041a and 1041b.
  • the arithmetic average roughness Ra of the unevenness 1025a is 0.48 ⁇ m or more, more preferably 2.43 ⁇ m or more.
  • the upper limit value of the arithmetic average roughness Ra of the unevenness 1025a is not particularly limited, but is, for example, 100 ⁇ m or less.
  • the concavo-convex layer 1025 has the concavo-convex 1025 a on the surface facing the substrate 23. For this reason, in the state where the 2nd structure part 41b was crushed, a fine ventilation hole is formed between the boundary part of the 1st and 2nd structure parts 1041a and 1041b, and substrate 23 by unevenness 1025a. Thereby, when the press of the key 27a is cancelled
  • the sensor 1020 may include the base material 923 in the ninth embodiment instead of the base material 23.
  • the surface facing the back surface of the pressing portion 141 is uneven 923a. It differs from the sensor 520 which concerns on 6th Embodiment in the point provided with the base material 1123 which has these. Note that, in the eleventh embodiment, the same portions as those in the sixth embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the base material 1123 is a base layer.
  • the base material 1123 is the same as the base material 923 in the ninth embodiment.
  • the base material 1123 has irregularities 923 a on the surface facing the back surface of the pressing portion 141. For this reason, in the state where the second structure portion 141b is crushed by pressing the key 27a, a fine vent hole is formed between the boundary portion of the first and second structure portions 41a, 141b and the base material 1123 by the unevenness 923a. The Thereby, when the pressing of the key 27a is released, the adsorption of the base material 1123 by the second structure portion 141b is suppressed. Therefore, the return failure of the pressing part 141 is suppressed.
  • the sensor 1220 according to the twelfth embodiment of the present technology has the unevenness 1025a on the surface facing the base material 23 instead of including the uneven layer 25 (see FIG. 26A) having the shape portion 41c in the second structure portion 41b.
  • the sensor 420 is different from the sensor 420 according to the fifth embodiment in that the uneven layer 1225 is provided. Note that in the twelfth embodiment, identical symbols are assigned to similar portions to the fifth embodiment and descriptions thereof are omitted.
  • the base material 23 is the base layer.
  • the uneven layer 1225 is the same as the uneven layer 1025 in the tenth embodiment.
  • the concavo-convex layer 1225 has the concavo-convex 1025 a on the surface facing the substrate 23. For this reason, in the state where the second structure portion 141b is crushed by pressing the key 27a, a fine vent hole is formed between the boundary portion of the first and second structure portions 1041a, 1041b and the base material 23 by the unevenness 1025a. The Thereby, when the press of the key 27a is cancelled
  • the sensor 1220 may include the base material 1123 in the eleventh embodiment instead of the base material 23.
  • Example 1-1 ⁇ I Sensor with Shape Part in Second Structure>
  • a master for transfer was manufactured by cutting aluminum.
  • the transfer master and the PC film having a thickness of 100 ⁇ m are overlaid, set in a high-temperature vacuum press, and subjected to thermal transfer, thereby forming a pressing portion having the configuration shown in FIGS. 31A and 31B on the PC film. did.
  • the position where the concave portion was formed was the bottom side periphery of the side surface of the second structure portion.
  • the height H 1 of the first structure portion was set to 200 ⁇ m
  • the height H 2 of the second structure portion was set to 270 ⁇ m.
  • a capacitive sensor layer was prepared, and a REF electrode layer was formed on the back surface of the sensor layer.
  • an insulating layer and an adhesive layer are sequentially formed on the surface of the sensor layer by a printing method to form an intermediate layer in which a plurality of holes are two-dimensionally arranged, and then the intermediate layer is interposed via the adhesive layer.
  • a REF electrode layer was bonded to the surface.
  • the structure was placed on the REF electrode layer so that the plurality of pressing portions of the embossed film coincided with the positions of the plurality of holes in the intermediate layer.
  • a key top layer was prepared, and the key top layer was bonded to the top of the pressing portion of the structure via the adhesive layer. Thereby, the target sensor was obtained.
  • Example 1-2 As shown in FIG. 31C, a sensor was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that four concave portions were formed at equal intervals on the bottom side periphery of the side surface of the second structure portion.
  • Example 1-3 As shown in FIGS. 32A and 32B, a sensor was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that the depth d of the concave portion was set to 0.2 mm and the length of the concave portion was increased.
  • Example 1-4 As shown in FIG. 32C, a sensor was obtained in the same manner as in Example 1-3, except that four concave portions were formed at equal intervals on the bottom side periphery of the side surface of the second structure portion.
  • Example 2-2 As shown in FIG. 34A, a sensor was obtained in the same manner as in Example 2-1, except that four convex portions were formed at regular intervals on the bottom side periphery of the side surface of the second structure portion.
  • Example 2-3 As shown in FIG. 34B, a sensor was obtained in the same manner as in Example 2-1, except that the diameter D 3 of the convex portion was set to 2 mm.
  • Example 2-4 As shown in FIG. 34C, a sensor was obtained in the same manner as in Example 2-3, except that four convex portions were formed at equal intervals on the bottom side periphery of the side surface of the second structure portion.
  • Example 3-2 As shown in FIG. 36A, a sensor was obtained in the same manner as in Example 3-1, except that four convex portions were formed at equal intervals on the top side periphery of the side surface of the second structure portion.
  • Example 3-3 As shown in FIG. 36B, a sensor was obtained in the same manner as in Example 3-1, except that the diameter D 3 of the convex portion was set to 2 mm.
  • Example 3-4 As shown in FIG. 36C, a sensor was obtained in the same manner as in Example 3-3, except that two convex portions were formed at equal intervals on the top side periphery of the side surface of the second structure portion.
  • Example 4-1 As shown in FIGS. 37A and 37B, a sensor was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that a cross-shaped convex portion was formed on the back surface of the top portion of the second structure portion.
  • Example 4-2 As shown in FIG. 37C, a sensor was obtained in the same manner as in Example 4-2, except that the size of the cross-shaped convex portion was changed.
  • Example 5-1 A sensor was obtained in the same manner as in Example 5-1, except that the height H 1 of the first structure portion was 200 ⁇ m and the height H 2 of the second structure portion was 270 ⁇ m.
  • Example 5-2 A sensor was obtained in the same manner as in Example 5-1, except that the height H 1 of the first structure portion was 225 ⁇ m and the height H 2 of the second structure portion was 235 ⁇ m.
  • the click feeling of the sensors of Examples 1-3, 1-4, 2-3, 2-4, and 5-1 obtained as described above was evaluated as follows. First, the robot was moved in the z direction (direction perpendicular to the operation surface) at 1 mm / s using the robot, and the sensor key was pressed with an indenter (silicone pseudo finger, ⁇ 6 mm) attached to the robot. At that time, the pressure applied to the indenter was measured with a load cell. Thus, a distance-pressure curve (hereinafter referred to as “FS curve”) was obtained. Next, the maximum value first appearing on the FS curve is P1, and the minimum value appearing thereafter is P2, and the click rate ((P1-P2) / P1) is obtained and used as an index of click feeling.
  • FS curve distance-pressure curve
  • Table 1 shows the configuration of the sensor and the evaluation results of the return failure.
  • convex shape means a convex shape protruding toward the sensor layer
  • concave shape means a concave shape recessed in a direction away from the sensor layer.
  • Table 1 shows the following.
  • the return failure is suppressed.
  • the configuration in which the concave shape portion or the convex shape portion is provided on the back surface of the side surface of the second structure portion has a higher recovery failure than the configuration in which the convex shape portion is provided on the back surface of the top portion of the second structure portion.
  • An inhibitory effect can be obtained.
  • the return failure is also suppressed by reducing the depth of the second structure portion to 200 ⁇ m or less.
  • Table 2 shows the click rate evaluation results. However, in Table 2, the click rate is a value obtained by averaging the click rates of three different keys.
  • FIG. 39A, FIG. 40A, FIG. 41A, FIG. 42A, and FIG. 43A show the evaluation results of the FS curves of the sensors of Examples 1-3, 1-4, 2-3, 2-4, and 5-1, respectively.
  • FIG. 39B, FIG. 40B, FIG. 41B, FIG. 42B, and FIG. 43B show the evaluation results of the amount of change in capacitance of the sensors of Examples 1-3, 1-4, 2-3, 2-4, and 5-1, respectively.
  • the concave shape portion or the convex shape portion on the back surface of the side surface of the second structure portion, it is possible to suppress a return failure while suppressing a decrease in keystroke characteristics.
  • FIG. 44A shows the evaluation result of the shape of the pressing portion of Example 2-3.
  • FIG. 44B shows an evaluation result of the shape of the pressing portion of Comparative Example 5-1.
  • a portion surrounded by a broken line indicates a profile of the convex portion. The following can be understood from these evaluation results.
  • the convex portion is provided on the bottom side periphery of the side surface of the second structure portion, when the second structure portion is crushed, air holes (both sides in the Y-axis direction in FIG. 44A) A gap) is formed. For this reason, the internal space of the 2nd structure part will be in the state connected with the exterior.
  • the internal space of the second structure portion is closed when the second structure portion is crushed.
  • Examples 6-1 to 6-3 Instead of forming the convex part on the side surface of the second structure part, as shown in FIG. 45A, a slit that passes through the center of the second structure part and is located at both ends inside the first and second boundary parts A sensor was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that a hole was formed on the substrate. The length L of the hole was changed for each sample so as to be 1 mm, 2 mm, and 4 mm.
  • Example 6-4 As shown in FIG. 45B, a sensor was obtained in the same manner as in Example 6-1 except that both ends of the slit-shaped hole were extended to the positions of the first and second boundary portions.
  • Example 6-5 As shown in FIG. 45C, a sensor was obtained in the same manner as in Example 6-1 except that both ends of the slit-like hole portion were extended to positions exceeding the first and second boundary portions.
  • Example 7-2 As shown in FIG. 46B, a sensor was obtained in the same manner as in Example 7-1 except that the number of holes was set to 4 and they were arranged at equal intervals at the boundary between the first and second structures. .
  • Example 7-4 As shown in FIG. 47B, a sensor was obtained in the same manner as in Example 7-1 except that the number of holes was four and they were arranged at equal intervals at the boundary between the first and second structures. .
  • Example 8-1 to 8-5, 9-1 to 9-4 Sensors were obtained in the same manner as in Examples 6-1 to 6-5 and 7-1 to 7-4, except that a porous plate was provided between the sensor layer and the PC film as the substrate.
  • Table 3 shows the configuration of the sensor and the evaluation result of the return failure.
  • Table 3 shows the following.
  • Table 4 shows the evaluation result of the click rate.
  • Table 4 shows the following.
  • a sensor in which a hole is provided in the base material to suppress a return failure has a keystroke characteristic comparable to that of a sensor in which no hole is provided in the base material. That is, by providing a hole in the base material, it is possible to suppress a return failure while suppressing a decrease in keystroke characteristics.
  • Example 10-1 to 1-7 an embossed film was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that the concave portion was not formed on the side surface of the second structure portion.
  • a commercially available PC film was prepared, and one surface of the PC film was processed to have unevenness, thereby forming fine unevenness having an arithmetic average roughness Ra shown in Table 5. Thereby, an underlay film was obtained.
  • an underlay film in which an intermediate layer, an emboss layer and a key top layer are formed on the surface of the sensor layer was placed.
  • the underlying film was placed on the sensor layer so that the plurality of sensing portions of the sensor layer respectively corresponded to the positions of the plurality of hole portions of the intermediate layer. Thereby, the target sensor was obtained.
  • Example 10-1 A sensor was obtained in the same manner as in Example 10-1, except that one surface of a commercially available PC film was used as an underlay film without being subjected to uneven processing.
  • Table 5 shows the configurations and evaluation results of the sensors of Examples 10-1 to 10-7 and Comparative Example 10-1.
  • Table 5 shows the following.
  • the arithmetic average roughness Ra is 0.48 ⁇ m or more, a key recovery failure can be suppressed. Further, when the arithmetic average roughness Ra is 2.43 ⁇ m or more, the key restoration trouble can be eliminated.
  • the senor further includes an air layer (space layer) between the sensor layer and the REF electrode layer provided on the back side of the sensor layer. May be.
  • the configuration of the X and Y electrodes shown in FIG. 16 in the modification of the first embodiment can be adopted in the second to twelfth embodiments and their modifications.
  • an air layer space layer
  • the REF electrode layer provided on the back side of the sensor layer.
  • the present technology can also employ the following configurations.
  • the second structure part is a sensor having a shape part on a surface facing the base layer.
  • the second structure portion has a frustum shape
  • the said shape part is a sensor as described in (1) or (2) provided in the side surface of the said 2nd structure part.
  • the said shape part is a sensor as described in (3) provided in the periphery of the bottom part side of the said side surface.
  • the said shape part is a sensor as described in (3) provided in the periphery of the top part side of the said side surface.
  • the shape portion is provided on the top of the second structure portion, The sensor according to (1), wherein the shape portion protrudes toward the base layer.
  • the said press part is a sensor in any one of (1) to (6) comprised by the embossed film.
  • the pressing portion further includes a third structure portion, The sensor according to any one of (1) to (7), wherein the first structure portion is provided on the third structure portion.
  • the base layer includes a sensor layer having a sensing unit, The said press part is a sensor in any one of (1) to (8) provided corresponding to the said sensing part.
  • the base layer has a shape part at least one of a position facing the second structure part and a position facing a boundary part between the first structure part and the second structure part.
  • the base layer includes an intermediate layer having a hole into which the pressing portion is pressed,
  • the said shape part is a sensor as described in (13) which has the layer structure similar to a part or all of the said intermediate
  • the base layer includes a base material facing the pressing portion,
  • the said shape part is a sensor as described in (13) integrally molded by the said base material.
  • the base layer has a hole in at least one of a position facing the second structure part and a position facing a boundary part between the first structure part and the second structure part.
  • the second structure part is a sensor having a through hole.
  • the basement layer; A pressing portion protruding with respect to the base layer, The pressing portion includes a first structure portion and a hollow second structure portion provided on the first structure portion and having a bottom side opened.
  • the base layer has irregularities on the surface facing the pressing portion,
  • the sensor having an arithmetic average roughness Ra of the irregularities of 0.48 ⁇ m or more.
  • the arithmetic mean roughness Ra of the unevenness is the sensor according to (19), which is 2.43 ⁇ m or more.
  • corrugation is a sensor as described in (19) or (20) provided in the part which opposes the said press part at least among the surfaces which oppose the said press part.
  • the base layer includes a base material facing the pressing portion,
  • corrugation is a sensor in any one of (19) to (22) provided in the said base material.
  • the pressing portion has irregularities on the surface facing the base layer,
  • the sensor having an arithmetic average roughness Ra of the irregularities of 0.48 ⁇ m or more.
  • the arithmetic mean roughness Ra of the unevenness is the sensor according to (24), which is 2.43 ⁇ m or more.
  • the said press part is a sensor as described in (24) or (25) comprised by the embossed film.
  • corrugation is a sensor as described in (26) provided in the whole surface facing the said base layer among the surfaces of the said embossed film.
  • An input device comprising the sensor according to any one of (1) to (27).
  • An electronic device comprising the sensor according to any one of (1) to (27).
  • the second structure part is a structure having a shape part on a surface facing the base layer.
  • (31) A structure disposed on a capacitive sensor, The basement layer; A pressing portion protruding with respect to the base layer, The pressing portion includes a first structure portion and a hollow second structure portion provided on the first structure portion and having a bottom side opened.
  • the base layer is a structure having a shape portion at least one of a position facing the second structure portion and a position facing a boundary portion between the first structure portion and the second structure portion.
  • the base layer includes a hole in at least one of a position facing the second structure part and a position facing a boundary part between the first structure part and the second structure part.
  • (33) A structure disposed on a capacitive sensor, The basement layer; A pressing portion protruding with respect to the base layer, The pressing portion includes a first structure portion and a hollow second structure portion provided on the first structure portion and having a bottom side opened.
  • the second structure part is a structure having a through hole.

Abstract

センサは、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備える。押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有する。第２構造部は、基底層と対向する面に形状部を有する。

Description

センサ、入力装置および電子機器
　本技術は、センサ、それを備える入力装置および電子機器に関する。詳しくは、センサ、それを備える入力装置および電子機器に関する。
　近年、モバイルＰＣ（Personal Computer）やタブレットＰＣには、薄型であることが求められている。それに付随する入力装置（キーボード）にも、薄型化が求められている。薄型の入力装置としては、樹脂フィルムや金属薄板などにより押圧部を構成したものが提案されている（例えば特許文献１～３参照）。
特開２０１２－１０９２７２号公報 特開２０１０－２４４７９５号公報 特開２０１３－０２０７６５号公報
　しかしながら、樹脂フィルムや金属薄板などにより構成された押圧部では、復帰障害が生じやすい。
　本技術の目的は、押圧部の復帰障害を抑制できるセンサ、入力装置および電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、第２構造部は、基底層と対向する面に形状部を有するセンサである。
　第２の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、基底層は、第２構造部に対向する位置、および第１構造部と第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に形状部を有するセンサである。
　第３の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、基底層は、第２構造部に対向する位置、および第１構造部と第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に孔部を有するセンサである。
　第４の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、第２構造部は、貫通孔を有するセンサである。
　第５の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、基底層は、押圧部に対向する面に凹凸を有し、凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサである。
　第６の技術は、基底層と、基底層に対して突出した押圧部とを備え、押圧部は、第１構造部と、第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、押圧部は、基底層と対向する面に凹凸を有し、凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサである。
　第７の技術は、第１から第６のいずれかの技術のセンサを備える入力装置である。
　第８の技術は、第１から第６のいずれかの技術のセンサを備える電子機器である。
　本技術において、第２構造部が有する形状部は、基底層に向けて突出した凸形状部、または基底層から離れる方向に窪んだ凹形状部である。
　本技術において、基底層が有する形状部は、基底層の表面に対して突出した凸形状部、または基底層の表面に対して窪んだ凹形状部である。
　以上説明したように、本技術によれば、押圧部の復帰障害を抑制できる。
図１は、センサの構成の一例を示す断面図である。 図２Ａは、キー押圧時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。図２Ｂは、キー押圧の解除時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。 図３は、本技術の第１の実施形態に係る電子機器の構成の一例を示すブロック図である。 図４は、入力装置の外観の一例を示す平面図である。 図５Ａは、図４のＶＡ－ＶＡ線に沿った断面図である。図５Ｂは、図５Ａに示したセンサの一部を拡大して表す断面図である。 図６は、Ｘ、Ｙ電極の配置の一例を示す平面図である。 図７は、凹凸層の構成の一例を示す平面図である。 図８Ａは、押圧部の構成の一例を示す斜視図である。図８Ｂは、押圧部の構成の一例を示す平面図である。図８Ｃは、図８ＢのＶIIIＣ－ＶIIIＣ線に沿った断面図である。 図９Ａは、ジェスチャー入力操作したときのセンサの動作の一例を説明するための断面図である。図９Ｂは、キー入力操作したときのセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図１０Ａは、リファレンス電極の移動量と操作者に対する反力との関係の一例を示すグラフである。図１０Ｂは、リファレンス電極の移動量と容量変化との関係の一例を示すグラフである。図１０Ｃは、操作者に対する反力と容量変化との関係の一例を示すグラフである。 図１１は、コントローラＩＣの動作の一例について説明するためのフローチャートである。 図１２Ａは、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサが有する押圧部の構成の一例を示す斜視図である。図１２Ｂは、技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサが有する押圧部の構成の一例を示す平面図である。図１２Ｃは、図１２ＢのＸIIＣ－ＸIIＣ線に沿った断面図である。 図１３Ａ、図１３Ｂはそれぞれ、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサが有する押圧部の構成の一例を示す斜視図である。 図１４Ａ、図１４Ｂはそれぞれ、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図１５Ａ、図１５Ｂはそれぞれ、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図１６は、本技術の第１の実施形態の変形例に係るセンサが有するＸ、Ｙ電極の構成の一例を示す平面図である。 図１７Ａは、本技術の第２の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図１７Ｂは、基材が有する孔部の構成の一例を示す平面図である。 図１８は、キー押圧の解除時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。 図１９Ａは、本技術の第２の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図１９Ｂは、基材が有する孔部の構成の一例を示す平面図である。 図２０Ａは、本技術の第３の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２０Ｂは、センサ層の表面に設けられた形状部の構成の一例を示す平面図である。 図２１は、キー押圧の解除時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。 図２２Ａ、図２２Ｂはそれぞれ、本技術の第３の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２３は、本技術の第３の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２４Ａは、本技術の第４の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２４Ｂは、押圧部の構成の一例を示す平面図である。 図２５は、キー押圧の解除時におけるセンサの状態の一例を示す断面図である。 図２６Ａは、本技術の第５の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２６Ｂは、本技術の第５の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２７Ａは、ジェスチャー入力操作したときのセンサの動作の一例を説明するための断面図である。図２７Ｂは、キー入力操作したときのセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図２８Ａは、本技術の第６の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２８Ｂは、本技術の第６の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２９Ａは、本技術の第７の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。図２９Ｂは、本技術の第７の実施形態の変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図３０は、本技術の第８の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図３１Ａは、実施例１－１の押圧部の構成を示す平面図である。図３１Ｂは、図３１ＡのＸＸＸＩＢ－ＸＸＸＩＢ線に沿った断面図である。図３１Ｃは、実施例１－２の押圧部の構成を示す平面図である。 図３２Ａは、実施例１－３の押圧部の構成を示す平面図である。図３２Ｂは、図３２ＡのＸＸＸIIＢ－ＸＸＸIIＢ線に沿った断面図である。図３２Ｃは、実施例１－４の押圧部の構成を示す平面図である。 図３３Ａは、実施例２－１の押圧部の構成を示す平面図である。図３３Ｂは、図３３ＡのＸＸＸIIIＢ－ＸＸＸIIIＢ線に沿った断面図である。 図３４Ａは、実施例２－２の押圧部の構成を示す平面図である。図３４Ｂは、実施例２－３の押圧部の構成を示す平面図である。図３４Ｃは、実施例２－４の押圧部の構成を示す平面図である。 図３５Ａは、実施例３－１の押圧部の構成を示す平面図である。図３５Ｂは、図３５ＡのＸＸＸＶＢ－ＸＸＸＶＢ線に沿った断面図である。 図３６Ａは、実施例３－２の押圧部の構成を示す平面図である。図３６Ｂは、実施例３－３の押圧部の構成を示す平面図である。図３６Ｃは、実施例３－４の押圧部の構成を示す平面図である。 図３７Ａは、実施例４－１の押圧部の構成を示す平面図である。図３７Ｂは、図３７ＡのＸＸＸVIIＢ－ＸＸＸVIIＢ線に沿った断面図である。図３７Ｃは、実施例４－２の押圧部の構成を示す平面図である。 図３８Ａは、実施例５－１の押圧部の構成を示す平面図である。図３８Ｂは、図３８ＡのＸＸＸVIIIＢ－ＸＸＸVIIIＢ線に沿った断面図である。 図３９Ａは、実施例１－３のセンサの距離－圧力カーブを示すグラフである。図３９Ｂは、実施例１－１のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。 図４０Ａは、実施例１－４のセンサの距離－圧力カーブを示すグラフである。図４０Ｂは、実施例１－２のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。 図４１Ａは、実施例２－３のセンサの距離－圧力カーブを示すグラフである。図４１Ｂは、実施例１－３のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。 図４２Ａは、実施例２－４のセンサの距離－圧力カーブを示すグラフである。図４２Ｂは、実施例１－４のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。 図４３Ａは、実施例５－１のセンサの距離－圧力カーブを示すグラフである。図４３Ｂは、実施例５－１のセンサの荷重に対する静電容量の変化量を示すグラフである。 図４４Ａは、実施例２－３の押圧部の形状の評価結果を示すプロファイルである。図４４Ｂは、比較例５－１の押圧部の形状の評価結果を示すプロファイルである。 図４５Ａは、実施例６－１の押圧部の構成を示す平面図である。図４５Ｂは、実施例６－４の押圧部の構成を示す平面図である。図４５Ｃは、実施例６－５の押圧部の構成を示す平面図である。 図４６Ａは、実施例７－１の押圧部の構成を示す平面図である。図４６Ｂは、実施例７－２の押圧部の構成を示す平面図である。 図４７Ａは、実施例７－３の押圧部の構成を示す平面図である。図４７Ｂは、実施例７－４の押圧部の構成を示す平面図である。 図４８は、本技術の第９の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図４９は、本技術の第１０の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図５０は、本技術の第１１の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図５１は、本技術の第１２の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。
　本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１　第１の実施形態（第２構造部に形状部を設けたセンサ、それを備える入力装置および電子機器の例）
　１．１　概要
　１．２　電子機器の構成
　１．３　センサの構成
　１．４　センサの動作
　１．５　キー入力操作に対する静電容量の変化
　１．６　コントローラＩＣの動作
　１．７　効果
　１．８　変形例
２　第２の実施形態（基材に孔部を設けたセンサの例）
　２．１　センサの構成
　２．２　キー入力操作時のセンサの動作
　２．３　効果
　２．４　変形例
３　第３の実施形態（センサ層の表面に形状部を設けたセンサの例）
　３．１　センサの構成
　３．２　キー入力操作時のセンサの動作
　３．３　効果
　３．４　変形例
４　第４の実施形態（第２構造部に貫通孔を設けたセンサの例）
　４．１　センサの構成
　４．２　キー入力操作時のセンサの動作
　４．３　効果
５　第５の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ第２構造部に形状部を設けたセンサの例）
　５．１　センサの構成
　５．２　センサの動作
　５．３　効果
　５．４　変形例
６　第６の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ基材に孔部を設けたセンサの例）
　６．１　センサの構成
　６．２　効果
　６．３　変形例
７　第７の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ基材の表面に形状部を設けたセンサの例）
　７．１　センサの構成
　７．２　効果
　７．３　変形例
８　第８の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ第２構造部に貫通孔を設けたセンサの例）
　８．１　センサの構成
　８．２　効果
　８．３　変形例
９　第９の実施形態（基材の表面に凹凸を設けたセンサの例）
　９．１　センサの構成
　９．２　効果
１０　第１０の実施形態（押圧部の裏面に凹凸を設けたセンサの例）
　１０．１　センサの構成
　１０．２　効果
　１０．３　変形例
１１　第１１の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ基材の表面に凹凸を設けたセンサの例）
　１１．１　センサの構成
　１１．２　効果
　１１．３　変形例
１２　第１２の実施形態（中間層と基材との間にＲＥＦ電極層を設け、かつ押圧部の裏面に凹凸を設けたセンサの例）
　１２．１　センサの構成
　１２．２　効果
　１２．３　変形例
＜１　第１の実施形態＞
［１．１　概要］
　本発明者らは、薄型でクリック感を発生できるセンサとして、図１に示す構成を有するものを検討している。このセンサ８２０は、リファレンス電極層（以下「ＲＥＦ電極層」という。）２１と、センサ層２２と、基材２３と、中間層２４と、複数の押圧部８４１を含む凹凸層８２５と、ＲＥＦ電極層２６とを備える。ＲＥＦ電極層２６上には、複数のキー２７ａを有するキートップ層２７が設けられる。押圧部８４１は、第１構造部８４１ａと、第１構造部８４１ａ上に設けられ、基体としての基材２３に対して突出し、かつ底部側が開放された中空状の第２構造部８４１ｂとを備える。
　上述の構成を有するセンサ８２０では、キー２７ａを所定の力以上で押圧すると、第１構造部８４１ａが反転して、クリック感が得られる。第１構造部８４１ａのみを備える押圧部でもクリック感を得ることができるが、上述のように押圧部８４１が第１構造部８４１ａ上に第２構造部８４１ｂを備える押圧部８４１の方が、第１構造部８４１ａのみを備える押圧部に比べてクリック感を向上できる。
　しかしながら、第１構造部８４１ａ上に第２構造部８４１ｂを備える押圧部８４１では、クリック感を向上できる反面、復帰障害が生じる場合がある。この復帰障害は、以下のようなメカニズムにより発生するものと考えられる。キー２７ａを所定の力以上で押圧すると、第１構造部８４１ａが反転して、中間層２４の孔部２４ａに押圧部８４１が押し込まれる。この際、押圧力によっては、図２Ａに示すように、第１、第２構造部８４１ａ、８４１ｂの境界部を起点として第２構造部８４１ｂが変形し、潰れることで第２構造部８４１ｂの内部が大気圧に対して減圧することがある。このように第２構造部８４１ｂが潰れた状態において、キー２７ａの押圧を解除すると、図２Ｂに示すように、第２構造部８４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。これにより、第２構造部８４１ｂが基材２３の表面に吸着し、復帰障害が生じる。復帰障害が生じると、押圧の解除時にキー２７ａの戻り遅れが発生したり、異音が発生したりする。
　そこで、本発明者らは、復帰障害を抑制すべく、鋭意検討を行った。その結果、第２構造部８４１ｂのセンサ層２２と対向する側の面に形状部（凹形状部および凸形状部の少なくとも一方）を設ける構成を見出すに至った。以下では、このような構成を採用したセンサ、それを備える入力装置および電子機器について説明する。
［１．２　電子機器の構成］
　図３に示すように、本技術の第１の実施形態に係る電子機器１０は、いわゆるパーソナルコンピュータであり、入力装置１１と、電子機器１０の本体であるホスト機器１２とを備える。なお、第１の実施形態では、入力装置１１がホスト機器１２の外部に周辺機器として設けられている構成について説明するが、入力装置１１とホスト機器１２とが一体となっている構成を採用してもよい。
（入力装置）
　入力装置１１は、いわゆるキーボードであり、センサ２０と、制御部としてのコントローラＩＣ（Integrated Circuit）１３と、通信部１４とを備える。また、入力装置１１は、図４に示すように、複数のキー２７ａを有するキートップ層２７を一方の主面に備える。このキートップ層２７の下にセンサ２０が設けられている。
　センサ２０は、同一の操作面においてキー入力操作２０ａとジェスチャー入力操作２０ｂとの二種類の入力操作を行うことができ、かつ薄型でクリック感を発生できるセンサである。センサ２０は、入力操作に応じた静電容量の変化を検出し、それに応じた電気信号をコントローラＩＣ１３に出力する。
　コントローラＩＣ１３は、センサ２０から供給される、静電容量の変化に応じた電気信号に基づき、センサ２０の操作面に対してジェスチャーおよびキー入力操作のいずれかが行われたかを判断し、その判断結果に応じた情報を通信部１４を介してホスト機器１２に出力する。具体的には、コントローラＩＣ１３は、２つの閾値Ａ、Ｂを有し、これらの閾値Ａ、Ｂに基づき上記判断を行う。例えば、ジェスチャー入力操作が行われたと判断した場合には、通信部１４を介して座標情報をホスト機器１２に出力する。一方、キー入力操作が行われたと判断した場合には、通信部１４を介してスキャンコードなどのキーに関する情報をホスト機器１２に出力する。
　通信部１４は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などの所定の無線通信規格でホスト機器１２と通信し、情報のやりとりを行うためのものである。
（ホスト機器）
　ホスト機器１２は、制御部１５と、通信部１６と、表示装置１７とを備える。制御部１５は、通信部１６を介して入力装置１１から供給される情報に基づき、各種の処理を実効する。例えば、表示装置１７に対する文字情報の表示や、表示装置１７に表示されたカーソルの移動などの処理を実行する。通信部１６は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などの所定の無線通信規格で入力装置１１と通信し、情報のやりとりを行うためのものである。
　表示装置１７は、ホスト機器１２から供給される映像信号や制御信号などに基づき、映像（画面）を表示する。表示装置１７としては、例えば、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
［１．３　センサの構成］
　以下、図５Ａ、図５Ｂ、図６、図７、図８Ａ～図８Ｃを参照して、センサ２０の構成の一例について説明する。センサ２０は、図５Ａ、図５Ｂに示すように、第１の導体層としてのＲＥＦ電極層２１と、センサ層２２と、基材２３と、中間層（スペーサ層）２４と、複数の押圧部４１を含む凹凸層２５と、第２の導体層としてのＲＥＦ電極層２６とを備える。センサ２０の両主面のうちＲＥＦ電極層２６側の面が、柔軟性を有する操作面となっており、この操作面にはキートップ層２７が設けられている。第１の実施形態では、センサ層２２と、基材２３と、中間層２４とからなる積層体により基底層が構成されている。以下では、センサ２０およびその構成要素（構成部材）の両主面のうち、操作面側となる主面を表面（第１の面）といい、それとは反対側の主面を裏面（第２の面）と適宜称する。
　センサ２０は、キートップ層２７に対する入力操作によるＲＥＦ電極層２６とセンサ層２２との間の距離の変化を静電的に検出することで、当該入力操作を検出する。当該入力操作は、キートップ層２７に対するキー入力操作、またはキートップ層２７上でのジェスチャー操作である。
　センサ層２２の表面側に所定間隔を隔ててＲＥＦ電極層２６が設けられ、センサ層２２の裏面側に隣接してＲＥＦ電極層２１が設けられている。このようにＲＥＦ電極層２１、２６をセンサ層２２の両面側に設けることにより、センサ２０内に外部ノイズ（外部電場）が入り込むのを防ぐことができる。
　センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との間に、センサ層２２からＲＥＦ電極層２６の方向に向かって基材２３、中間層２４、凹凸層２５がこの順序で設けられている。凹凸層２５によりＲＥＦ電極層２６と中間層２４との間が離間され、所定幅のスペースが設けられる。
（ＲＥＦ電極層）
　ＲＥＦ電極層２１は、センサ２０の裏面を構成し、センサ２０の厚さ方向にＲＥＦ電極層２６と対向して配置されている。ＲＥＦ電極層２１は、例えば、センサ層２２およびＲＥＦ電極層２６などよりも高い曲げ剛性を有し、センサ２０の支持プレートとして機能する。
　ＲＥＦ電極層２１としては、導電層または導電性基材を用いることができる。導電性基材は、例えば、基材と、その表面に設けられた導電層とを備える。基材は、例えば、フィルム状または板状を有する。ここで、フィルムには、シートも含まれるものとする。導電層は、電気的導電性を有するものであればよく、例えば、無機系導電材料を含む無機導電層、有機系導電材料を含む有機導電層、無機系導電材料および有機系導電材料の両方を含む有機－無機導電層などを用いることができる。
　無機系導電材料としては、例えば、金属、金属酸化物などが挙げられる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられるが、これに限定されるものではない。金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛－酸化錫系、酸化インジウム－酸化錫系、酸化亜鉛－酸化インジウム－酸化マグネシウム系などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
　有機系導電材料としては、例えば、炭素材料、導電性ポリマーなどが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル、ナノホーンなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
　ＲＥＦ電極層２１としては、具体的に例えば、Ａｌ合金またはＭｇ合金などの金属材料を含む金属板、カーボン繊維強化型プラスチックなどの導体板、プラスチック材料などを含む絶縁体層上にメッキ膜、蒸着膜、スパッタリング膜または金属箔などの導電層を形成した積層体を用いることができる。ＲＥＦ電極層２１は、例えばグランド電位に接続される。
　ＲＥＦ電極層２１の形状としては、例えば、平坦な板状が挙げられるが、これに限定されるものではない。例えば、ＲＥＦ電極層２１が段差部を有していてもよい。また、ＲＥＦ電極層２１に１または複数の開口が設けられていてもよい。さらには、ＲＥＦ電極層２１がメッシュ状の構成を有していてもよい。
　ＲＥＦ電極層２１は、押圧部４１上に設けられている。ＲＥＦ電極層２６は、可撓性を有している。このため、ＲＥＦ電極層２６は、操作面の押圧に応じて変形可能である。ＲＥＦ電極層２６は、例えば、可撓性を有する導電層または導電性フィルムである。導電性フィルムは、例えば、基材であるフィルムと、その表面に設けられた導電層とを備える。導電層の材料としては、上述のＲＥＦ電極層２１の導電層と同様のものを例示することができる。
　導電性フィルムとしては、具体的に例えば、ステンレス鋼（Stainless Used Steel：ＳＵＳ）フィルム、カーボンを印刷したフィルム、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）フィルム、Ｃｕなどの金属を蒸着した金属蒸着フィルムなどを用いることができる。ＲＥＦ電極層２６は、例えばグランド電位に接続される。
（センサ層）
　センサ層２２は、押圧部４１の押圧を検出する。センサ層２２は、ＲＥＦ電極層２１、２６の間に設けられ、操作面側となるＲＥＦ電極層２６との距離の変化を静電的に検出することが可能である。具体的には、センサ層２２は、複数のセンシング部２２ｓを含み、この複数のセンシング部２２ｓが、ＲＥＦ電極層２６との距離に応じて変化する静電容量を検出する。
　センサ層２２は、静電容量式のセンサ層であり、図５Ｂに示すように、基材２２ａと、基材２２ａ上に設けられた複数のセンシング部２２ｓと、これらのセンシング部２２ｓを覆う絶縁層２２ｂを備える。
　基材２２ａは、例えば、フィルム状または板状を有する。ここで、フィルムには、シートも含まれるものとする。基材２２ａの材料としては、例えば、高分子樹脂またはガラスを用いることができる。高分子樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。ガラスとしては、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラスまたは石英ガラスなどが挙げられる。
　Ｚ軸方向から複数のセンシング部２２ｓを平面視すると、複数のセンシング部２２ｓは、図６に示すように、センサ２０のキー配列に応じて基材２２ａの表面上に２次元的に配置されている。但し、図６では、図示を容易とするために、センシング部２２ｓがマトリックス状に２次元的に配置された構成を示している。センシング部２２ｓは、基材２２ａの表面に設けられた複数のＸ、Ｙ電極３１、３２により構成されている。なお、本明細書において、基材２２ａまたはセンサ２０の表面内において互いに直交する軸をそれぞれＸ軸およびＹ軸といい、基材２２ａの表面に垂直な軸をＺ軸という。
　第１電極であるＸ電極３１は、電極線部３１ａと、複数の単位電極体３１ｂと、複数の接続部３１ｃとを備える。電極線部３１ａは、Ｘ軸方向に延設されている。複数の単位電極体３１ｂは、Ｘ軸方向に一定の間隔で配置されている。電極線部３１ａと単位電極体３１ｂとは所定間隔離して配置されており、両者の間は接続部３１ｃにより接続されている。なお、接続部３１ｃを省略して、電極線部３１ａ上に単位電極体３１ｂが直接設けられた構成を採用するようにしてもよい。
　第２電極であるＹ電極３２は、電極線部３２ａと、複数の単位電極体３２ｂと、複数の接続部３２ｃとを備える。電極線部３２ａは、Ｙ軸方向に延設されている。複数の単位電極体３２ｂは、Ｙ軸方向に一定の間隔で配置されている。電極線部３２ａと単位電極体３２ｂとは所定間隔離して配置されており、両者の間は接続部３２ｃにより接続されている。
　単位電極体３１ｂは、複数のサブ電極３１ｄがＹ軸方向に延設された櫛歯状を有している。単位電極体３２ｂは、複数のサブ電極３２ｄがＹ軸方向に延設された櫛歯状を有している。単位電極体３１ｂ、３２ｂは、互いのサブ電極３１ｄ、３２ｄ同士を噛み合わせるようにして配置されている。具体的には、複数のサブ電極３１ｄ、３２ｄが交互に配置されるとともに、隣接するサブ電極３１ｄ、３２ｄが所定の間隔離されている。
　電極線部３２ａは、電極線部３１ａとの交差部において電極線部３１ａを跨ぐジャンパ配線部３２ｅを備える。ジャンパ配線部３２ｅと電極線部３２ａとの間には、図示しない絶縁層が設けられている。
　絶縁層２２ｂの材料としては、無機材料および有機材料のいずれを用いてもよい。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＨｆＡｌＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2などを用いることができる。有機材料としては、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などのポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳ（ポリスチレン）、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコールなどの高分子樹脂を用いることができる。
（基材）
　基材２３は、その下層となるセンサ層２２上に粘着層などにより貼り合わされず、載置されているのみの状態である。基材２３は、凹凸層２５と同一またはほぼ同一の線膨張係数を有している。基材２３および凹凸層２５は同一の材料により構成されていてもよいし、同一またはほぼ同一の線膨張係数を有する異なる材料により構成されていてもよい。
　基材２３は、例えば、フィルム状または板状を有する。基材２３の材料としては、基材２２ａと同様の高分子樹脂を例示することができる。なお、基材２３が、樹脂層とこの樹脂層の一方の表面に設けられた粘着層とを備え、粘着層を介して基材２３と中間層２４とが貼り合わされていてもよい。この場合、基材２３の線膨張係数とは、樹脂層の線膨張係数を意味するものとする。
　基材２３がセンサ層２２上に貼り合わされずに載置されていることで、環境温度の変化などによりセンサ層２２と凹凸層２５とがセンサ層２２の面内方向に伸縮した場合にも、
センサ層２２と凹凸層２５とが独立に変位することが可能である。したがって、センサ２０を構成する部材に歪みなどが発生することを抑制できるので、センサ２０の信頼性を向上できる。
（中間層）
　中間層２４は、図５Ｂに示すように、中間層２４の本体層２４ｂと、この本体層２４ｂの表面に設けられた粘着層２４ｃとを備える。また、中間層２４は、複数の押圧部４１がそれぞれ押し込まれる複数の孔部２４ａを有している。孔部２４ａは、例えば、中間層２４の表面から裏面に貫通する貫通孔である。孔部２４ａは、センシング部２２ｓおよび押圧部４１に対応する位置に設けられている。具体的には、センサ２０の厚さ方向に、押圧部４１、孔部２４ａおよびセンシング部２２ｓが重なるように設けられている。これにより、キー入力操作を行った場合に、第１構造部４１ａが反転して、孔部２４ａに押圧部４１が入り込むことができる。中間層２４は、例えば、スクリーン印刷や成型フィルムなどにより形成される。本体層２４ｂの材料としては、例えば、絶縁層２２ｂと同様の材料を例示することができる。本体層２４ｂの材料としては、紫外線硬化性樹脂などのエネルギー線硬化性樹脂を用いてもよい。中間層２４と凹凸層２５は、粘着層２４ｃを介して貼り合わされている。
（凹凸層）
　凹凸層２５は、エンボスフィルム４０により構成されている。エンボスフィルム４０の材料としては、基材２２ａと同様の高分子樹脂を例示することができる。凹凸層２５は、図５Ｂ、図７に示すように、複数の押圧部４１と、平坦部４２と、通気孔４３とを備える。但し、図７以外の図面では、通気孔４３の図示を省略している。
　複数の押圧部４１は、複数のセンシング部２２ｓにそれぞれ対応するように、中間層２４の表面上に２次元的に配置されている。押圧部４１は、センサ層２２に対して突出し、かつ底部側が開放された中空状を有する。押圧部４１は、中間層２４とＲＥＦ電極層２６との間を離間し、中間層２４とＲＥＦ電極層２６との間に所定厚さのスペースを形成する。平坦部４２は、中間層２４に対して貼り合わされており、これにより凹凸層２５が中間層２４の表面上に固定されている。押圧部４１は、押し込み量に対して（操作荷重に対して）反力が非線形変化する反力構造部である。
　図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃに示すように、押圧部４１は、底部側が開放された中空状の第１構造部４１ａと、第１構造部４１ａの頂部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部４１ｂとを有する。第１構造部４１ａは、キー２７ａの押圧により反転する座屈部であり、その頂部から底部に向かって徐々に広がる傾斜面を有している。第１構造部４１ａの形状としては、例えば底部および頂部が開放された中空状の錐台形状が挙げられる。第２構造部４１ｂの形状としては、例えば底部が開放された中空状の錐台形状が挙げられる。第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの錐台形状としては、例えば、円錐台形状または四角錐台形状などが挙げられる。なお、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの形状は、これに限定されるものではなく、これ以外の形状を用いることもできる。第２構造部４１ｂの側面の傾斜角は、第１構造部４１ａの側面の傾斜角より大きく設定される。ここで、傾斜角は、センサ層２２の表面に対する傾斜角を意味する。
　第２構造部４１ｂは、１個または２個以上の形状部４１ｃを側面に有している。形状部４１ｃは、センサ層２２に向けて突出した凸形状部であり、形状部４１ｃの裏面側は押し下げられて窪んでいる。ここでは、裏面側が窪んだ形状部４１ｃを例として説明するが、センサ層２２に対向する面が凸形状となっていればよく、裏面側が窪んでいなくともよい。
　形状部４１ｃは、第２構造部４１ｂが有する側面の底部側の周縁に部分的に設けられている。形状部４１ｃの個数が２個以上である場合には、２個以上の形状部４１ｃは、第２構造部４１ｂの周縁に等間隔または不等間隔で離間して配置される。なお、図８Ａ、図８Ｂでは、４個の形状部４１ｃが、第２構造部４１ｂの周縁に等間隔で配置された例が示されている。
　Ｚ軸方向から押圧部４１を平面視したときの形状部４１ｃの形状としては、略部分円形状、略部分楕円形状、略四角形状などの略多角形状または不定形状などが挙げられるがこれに限定されるものではない。ここで、部分円形状とは、円形状の一部の形状であり、例えば半円形状である。部分楕円形状とは、楕円形状の一部の形状であり、例えば半楕円形状である。多角形状としては、例えば、三角形状、四角形状、五角形状などが挙げられ、これらの形状の頂部に曲率Ｒなどが付与されていてもよい。
　通気孔４３は、隣接する押圧部４１の内部空間同士を繋ぐとともに、押圧部４１の内部空間を外部空間に繋いている。押圧部４１が押されたときに、通気孔４３により押圧部４１の内部空間の空気が排出される。通気孔４３は、凹凸層２５の裏面に設けられた溝と中間層２４の表面とにより構成された孔部である。中間層２４の表面にも溝を設け、凹凸層２５の裏面の溝と中間層２４の表面の溝とを組み合わせて通気孔４３が構成されるようにしてもよい。
（キートップ層）
　キートップ層２７は、可撓性を有している。このため、キートップ層２７は、操作面の押圧に応じてＲＥＦ電極層２６と共に変形可能である。キートップ層２７としては、例えば、樹脂フィルム、柔軟性を有する金属板などを用いることができる。キートップ層２７の表面には、複数のキー２７ａが配列されている。キー２７ａには、文字、記号、機能などが印字されている。このキー２７ａを押したり離したりすることにより、コントローラＩＣ１３からホスト機器１２に対してスキャンコートなどの情報が出力される。
　キー２７ａの下には、押圧部４１、孔部２４ａおよびセンシング部２２ｓが設けられている。すなわち、センサ２０の厚さ方向に、キー２７ａ、押圧部４１、孔部２４ａおよびセンシング部２２ｓが重なるようにして設けられている。
［１．４　センサの動作］
　上述の構成を有するセンサ２０では、Ｘ、Ｙ電極３１、３２間に電圧が印加されると、隣接するサブ電極３１ｄ、３２ｄは容量結合を形成する。Ｘ、Ｙ電極３１、３２間に電圧が印加された状態において、入力操作によりＲＥＦ電極層２６がセンサ層２２（すなわちセンシング部２２ｓ）に近接すると、隣り合うサブ電極３１ｄ、３２ｄ間の静電容量が変化する。このため、１組の単位電極体３１ｂ、３２ｂにより構成されたセンシング部２２ｓ全体の静電容量が変化する。このセンシング部２２ｓ全体の静電容量の変化に基いて、コントローラＩＣ１３は操作面に対してジェスチャーおよびキー入力操作のいずれの入力操作が行われたかを判断する。
　以下、図９Ａ、図９Ｂを参照して、ジェスチャーおよびキー入力操作時におけるセンサ２０の動作の一例について説明する。
（ジェスチャー入力操作）
　図９Ａに示すように、センサ２０の表面（操作面）に対してジェスチャー入力操作を行うと、押圧部４１の形状が僅かに変形して、キー２７ａが初期位置から下方に距離Ｄ１変位する。これにより、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離が僅かにＤ１変位し、静電容量が僅かに変化する。センサ層２２内のセンシング部２２ｓにて、この静電容量変化が検出されて、電気信号としてコントローラＩＣ１３に出力される。ここで、静電容量変化は、１つのセンシング部２２ｓ全体の静電容量変化を意味する。
（キー入力操作）
　図９Ｂに示すように、センサ２０のキー２７ａを押圧してキー入力操作を行うと、第１構造部４１ａが反転して、キー２７ａが初期位置から距離Ｄ２変位する。これにより、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離が大きくＤ２変位し、静電容量が大きく変化する。センサ層２２内のセンシング部２２ｓにて、この静電容量変化が検出されて、電気信号としてコントローラＩＣ１３に出力される。
　図９Ｂに示す状態においてキー２７ａをさらに押圧すると基材１２３に押し当てられた第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部を起点として、第２構造部４１ｂが変形して潰れる（図２Ａ参照）。第１の実施形態では、第２構造部４１ｂが側面に形状部４１ｃを有しているため、このように第２構造部４１ｂが潰れた状態において、形状部４１ｃの両側に図示しない通気孔が形成される。これにより、第２構造部４１ｂの内側面と基材２３の表面とにより形成される空間が、上記の通気孔を介して第２構造部４１ｂの外部と通じる。
　キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、上記の通気孔を介して第２構造部４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
［１．５　キー入力操作に対する静電容量の変化］
　以下、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃを参照して、キー入力操作時におけるセンサ２０の静電容量変化の一例について説明する。
　上述の構成を有するセンサ２０では、押圧部４１は、図１０Ａに示すように、操作者に対する反力がＲＥＦ電極層２６の移動量に対して非線形に変化する機能を持っている。具体的には、押圧部４１は、操作者の押込みに応じて反力が増加しＰ１で極大値まで上昇し、さらに押込み量を増やすと極小値Ｐ２まで反力が減少し、押込み変形の限界点まで押し込むと再び反力が増加する機能を持っている。
　センサ２０では、静電容量変化は、図１０Ｂに示すように、ＲＥＦ電極層２６の移動量に対して単調に増加する。また、静電容量変化は、図１０Ｃに示すように、操作者に対する反力の増加に応じて、なだらかに変化した後、急峻に変化し、その後再びなだらかに変化する。最初になだらかに変化する領域ＲBは、図１０Ａにおいて、操作者が初期位置から押込みを開始してから、反力が極大値Ｐ１に到達するまでの領域に対応する。また、急峻に変化する領域ＲAは、図１０Ａにおいて、反力が極大値Ｐ１から極小値Ｐ２に達する領域に対応する。
　領域ＲA内にて閾値Ａを設定し、静電容量がこの閾値Ａを超えているか否かを判断することで、操作面に対してキー入力操作が行われているか否かを判断できる。一方、領域ＲB内にて閾値Ｂを設定し、静電容量がこの閾値Ｂを超えているか否かを判断することで、操作面に対してジェスチャー操作が行われているか否かを判断できる。
［１．６　コントローラＩＣの動作］
　以下、図１１を参照して、コントローラＩＣ１３の動作の一例について説明する。
　まず、ステップＳ１において、ユーザにより入力装置１１の操作面に対して入力操作が行われると、ステップＳ２において、コントローラＩＣ１３は、センサ２０から供給される、静電容量変化に応じた電気信号に基づき、１つのセンシング部２２ｓ全体の静電容量変化が閾値Ｂ以上であるか否かを判断する。ステップＳ２にて静電容量変化が閾値Ｂ以上であると判断された場合には、ステップＳ３において、コントローラＩＣ１３は、スキャンコードなどのキーに関する情報をホスト機器１２に出力する。これにより、キー入力が行われる。一方、ステップＳ２にて静電容量変化が閾値Ｂ以上でないと判断された場合には、処理はステップＳ４に移行する。
　次に、ステップＳ４において、コントローラＩＣ１３は、センサ２０から供給される、静電容量変化に応じた電気信号に基づき、１つのセンシング部２２ｓ全体の静電容量変化が閾値Ａ以上であるか否かを判断する。ステップＳ４にて静電容量変化が閾値Ａ以上であると判断された場合には、ステップＳ５において、コントローラＩＣ１３は、ジェスチャー判定アルゴリズムに従い動作する。これにより、ジェスチャー入力が行われる。一方、ステップＳ４にて静電容量変化が閾値Ａ以上でないと判断された場合には、処理はステップＳ１に戻る。
［１．７　効果］
　第１の実施形態に係るセンサ２０では、第２構造部４１ｂが、センサ層２２に対向する面に、センサ層２２に向けて突出した１個または２個以上の形状部４１ｃを有する。このため、キー２７ａの押圧により第２構造部４１ｂが潰れたときに、形状部４１ｃの両側に通気孔が形成される。したがって、キー２７ａの押圧の解除により、第２構造部４１ｂが元の形状に復帰する際に、第２構造部４１ｂが基材２３に吸着されることを抑制できる。したがって、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
［１．８　変形例］
　上述の第１の実施形態では、入力装置１１がキーボードである場合について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。本技術は、１つの押圧部のみを備えるセンサ、およびそれを備えるスイッチなどの入力装置にも適用可能である。
　上述の第１の実施形態では、電子機器１０がパーソナルコンピュータである場合について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。本技術はキーボードまたはスイッチなどの入力装置を備える種々の電子機器、例えば、スマートフォンなど携帯電話、タブレット型コンピュータ、テレビ、カメラ、携帯ゲーム機器、カーナビゲーションシステム、ウェアラブル機器などに適用可能である。
　単位電極体３１ｂ、３２ｂは、同心状または螺旋状を有していてもよい。同心状としては、例えば、同心の多角形状、同心の円形状、同心の楕円状が挙げられるが、これに限定されるものではない。螺旋状としては、例えば、螺旋の多角形状、螺旋の円形状、螺旋の楕円状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
　第２構造部４１ｂが、センサ層２２に向けて突出した１個または２個以上の形状部４１ｃ（図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ参照）に代えて、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃに示すように、センサ層２２から離れる方向に窪んだ１個または２個以上の形状部（凹形状部）４１ｄを側面に備えるようにしてもよい。
　上述の構成を有する第２構造部４１ｂを備えるセンサ２０では、キー２７ａの押圧により第２構造部４１ｂが潰れた状態において、形状部４１ｄが通気孔として機能する。これにより、第２構造部４１ｂの内側面と基材１２３の表面とにより形成される空間が、上記の通気孔を介して第２構造部４１ｂの外部と通じる。したがって、第１の実施形態と同様に押圧部４１の復帰障害を抑制することができる。
　第２構造部４１ｂが、側面の底部側の周縁に設けられた形状部４１ｃ（図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ参照）に代えて、図１３Ａに示すように、側面の頂部側の周縁に設けられた形状部４１ｅを備えるようにしてもよい。
　上述の構成を有する第２構造部４１ｂを備えるセンサ２０では、キー２７ａの押圧により、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部を起点として第２構造部４１ｂが変形されたときに、変形する第２構造部４１ｂの頂部が形状部４１ｅにより支持される。このため、第２構造部４１ｂの潰れが抑制される。したがって、キー２７ａの押圧解除により、第２構造部４１ｂが元の形状に復帰する際に、第２構造部４１ｂが基材２３に吸着されることを抑制できる。したがって、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
　図１３Ｂに示すように、第２構造部４１ｂが、センサ層２２に向かって突出した形状部（凸形状部）４１ｆを頂部に備えるようにしてもよい。Ｚ軸方向から押圧部４１を平面視したときの形状部４１ｆの形状は、例えば、十字状、Ｉ字状、円形状、多角形状、不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
　上述のように第２構造部４１ｂの頂部に形状部４１ｆを設けたセンサ２０では、キー２７ａの押圧により、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部を起点として第２構造部４１ｂが変形されたときに、変形する第２構造部４１ｂの頂部が形状部４１ｆにより支持される。したがって、上述の形状部４１ｅを第２構造部の側面に備えるセンサ２０と同様に、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
　センサ層２２に向けて突出した１個または２個以上の形状部４１ｃ（図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ参照）を備える代わりに、第２構造部４１ｂの深さを２００μｍ以下に浅くするようにしてもよい。この場合、キー２７ａの押圧により第２構造部４１ｂが潰れる量が小さくなるので、第２構造部４１ｂが潰れた状態から復帰する際の吸着力が弱まる。したがって、押圧部４１の復帰障害が抑制される。
　図１４Ａに示すように、中間層２４（図５Ｂ参照）に代えて、押圧部４１が、第３構造部４１ｇをさらに備え、第１構造部４１ａは第３構造部４１ｇ上に設けられるようにしてもよい。第３構造部４１ｇは、第１構造部４１ａを嵩上げする嵩上げ部であって、センサ層２２の表面に対してほぼ垂直に立設された側面、またはセンサ層２２の表面に対して９０°未満の傾斜角で傾斜された側面を有する。第３構造部４１ｇの側面の傾斜角は、第１構造部４１ａの側面の傾斜角より大きく設定される。ここで、傾斜角は、センサ層２２の表面に対する傾斜角を意味する。
　上述のように押圧部４１が第３構造部４１ｇをさらに備える構成を採用した場合には、中間層２４を省くことができるので、センサ２０の層構成を簡略化することができる。但し、中間層２４と第３構造部４１ｇとの両方を設ける構成を採用することも可能である。
　図１４Ｂに示すように、基材２３が設けられず、センサ層２２上に中間層２４が直接設けられた構成を採用してもよい。但し、上述したようにセンサ２０の信頼性向上の観点からすると、基材２３が設けられていることが好ましい。
　図１５Ａに示すように、押圧部４１が、第２構造部４１ｂの頂部に押子４４をさらに備えるようにしてもよい。押子４４は、例えば、両面粘着フィルムであり、樹脂層４４ａと、この樹脂層４４ａの両面にそれぞれ設けられた粘着層４４ｂ、４４ｃとを備える。押子４４は、粘着層４４ｂを介して第２構造部４１ｂの頂部に貼り合わされ、粘着層４３ｃを介してＲＥＦ電極層２６の裏面に貼り合わされている。上述のように、第２構造部４１ｂの頂部に押子４４をさらに備えた場合には、クリック感をさらに向上できる。
　図１５Ｂに示すように、センサ２０が、押子４４とＲＥＦ電極層２６との間に設けられた支持層４５をさらに備えるようにしてもよい。この構成を採用することにより、キートップ層２７の表面を指などで触れたときなどに、キートップ層２７を介して感じる押圧部４１の粒々感を抑制できる。
　支持層４５の周縁は、Ｚ軸方向からセンサ２０を平面視すると、押圧部４１の頂部の周縁より外側で、かつキー２７ａの周縁より内側に設けられていることが好ましく、押圧部４１の底部の周縁より外側で、かつキー２７ａの周縁より内側に設けられていることがより好ましく、例えばキー２７ａの周縁と重なるまたはほぼ重なるように設けられている。支持層４５の周縁がこのような位置に設けられていることで、キートップ層２７を介して感じる押圧部４１の粒々感をより抑制できる。
　支持層４５は、例えば粘着フィルムであり、樹脂層４５ａと、この樹脂層４５ａの一方の表面に設けられた粘着層４５ｂとを備える。支持層４５は、粘着層４５ｂを介してＲＥＦ電極層２６の裏面に貼り合わされている。押子４４は、粘着層４５ｃを介して支持層４５の裏面に貼り合わされている。
　なお、上述の構成例では、支持層４５と押子４４とが別体である構成を例として説明したが、支持層４５と押子４４とが一体成形されていてもよい。また、押圧部４１が押子４４を備えず、押圧部４１上に支持層４５が直接設けられていてもよい。
　第１構造部４１ａが、第２構造部４１ｂを支持する複数の脚部により構成されていてもよい。センサ層２２上に凹凸層２５を直接設け、第１構造部４１ａが反転しない構造を採用してもよい。
　センサ層２２は、基材２２ａの裏面に複数のＸ電極３１を有し、基材２２ａの表面に複数のＹ電極３２を備えるものであってもよい。この場合、センシング部２２ｓは、基材２２ａの異なる面に設けられた単位電極体３１ｂ、３２ｂにより構成される。
　Ｘ電極３１は、図１６に示すように、Ｘ方向に所定間隔で配置された複数の単位電極体３１ｂと、単位電極体３１ｂ間をそれぞれ繋ぐ複数の電極線部３１ｆとを備える。単位電極体３１ｂは、Ｘ方向に延設された複数のサブ電極３１ｄを有する網状のものである。
　Ｙ電極３２は、図１６に示すように、Ｙ方向に所定間隔で配置された複数の単位電極体３２ｂと、単位電極体３２ｂ間をそれぞれ繋ぐ複数の電極線部３２ｆとを備える。単位電極体３２ｂは、Ｙ方向に延設された複数のサブ電極３２ｄを有する網状のものである。
＜２　第２の実施形態＞
［２．１　センサの構成］
　本技術の第２の実施形態に係るセンサ１２０は、第２構造部４１ｂに１個または２個以上の形状部４１ｃ（図５Ｂ参照）を備える代わりに、図１７Ａに示すように、第２構造部４１ｂの裏面と対向する位置に１個または２個以上の孔部１２３ａを備える点において、第１の実施形態に係るセンサ２０とは異なっている。なお、第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　孔部１２３ａは、基材１２３に設けられている。孔部１２３ａは、貫通孔であってもよいし、底を有する孔部であってもよい。孔部１２３ａは、図１７Ｂに示すように、Ｚ軸方向からセンサ１２０を平面視すると、第２構造部１４１ｂと重なる位置に設けられている。孔部１２３ａの一部は、Ｚ軸方向からの平面視において、第２構造部１４１ｂの位置から第１構造部１４１ａの位置まで延設されている。すなわち、孔部１２３ａの一部は、Ｚ軸方向からの平面視において、第１、第２構造部１４１ａ、１４１ｂの境界部の内側から外側まで延設されている。Ｚ軸方向から押圧部１４１を平面視したときの孔部１２３ａの形状としては、例えば楕円形状、多角形状、Ｉ字状、十字状、長円状、不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。なお、図１７Ｂでは、Ｚ軸方向から押圧部１４１を平面視したときの孔部１２３ａの形状が、Ｉ字状である例が示されている。
　凹凸層１２５は、エンボスフィルム１４０により構成される。エンボスフィルム１４０は、押圧部１４１を備える。押圧部１４１は、形状部４１ｃ（図５Ｂ参照）が側面に設けられていない第２構造部１４１ｂを備える点において、第１の実施形態における押圧部４１と異なっている。
［２．２　キー入力操作時のセンサの動作］
　キー２７ａの押圧により第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、孔部１２３ａが通気孔として機能する。これにより、第２構造部１４１ｂの内側面と基材１２３の表面とにより形成される空間が、孔部１２３ａを介して第２構造部１４１ｂの外部と通じる。したがって、図１８に示すように、キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部１４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、孔部１２３ａを介して第２構造部１４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部１４１ｂによる基材１２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
［２．３　効果］
　第２の実施形態に係るセンサ１２０では、第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に孔部１２３ａが設けられている。このため、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
［２．４　変形例］
　Ｚ軸方向からの平面視において、孔部１２３ａが第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部の内側の位置に収まっていてもよい。この構成の場合には、孔部１２３ａが設けられていることで、第２構造部１４１ｂが潰れた状態から復帰する際の吸着力が弱まる。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
　上記の構成の場合には、孔部１２３ａを貫通孔とすると共に、センサ層２２と基材１２３との間に隙間を形成することが好ましい。第２構造部１４１ｂが潰れた状態から復帰する際に、第２構造部１４１ｂの内部空間に上記の貫通孔および隙間を介してエアーが供給されるからである。
　また、上記の構成の場合には、孔部１２３ａを貫通孔とすると共に、センサ層２２と基材１２３との間に多孔質層をさらに設けることが好ましい。第２構造部１４１ｂが潰れた状態から復帰する際に、第２構造部１４１ｂの内部空間に上記の貫通孔および多孔質層を介してエアーが供給されるからである。
　図１９Ａ、図１９Ｂに示すように、１個または２個以上の孔部１２３ａが、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部に対向する位置に部分的に設けられていてもよい。なお、各孔部１２３ａは、Ｚ軸方向からの平面視において、第２構造部１４ｂの内側面の位置から第１構造部１４１ａの内側面の位置まで延設されている。すなわち、各孔部１２３ａは、Ｚ軸方向からの平面視において、第１、第２構造部１４１ａ、１４１ｂの境界部の内側から外側まで延設されている。基材１２３が２個以上の孔部１２３ａを備える場合には、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部に対向する位置に等間隔または不等間隔で離間して設けられる。上記構成の場合にも、第２の実施形態と同様に押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
　センサ層２２と基材１２３との間に多孔質層を備えるようにしてもよい。この場合、復帰障害の抑制効果が更に向上する。基材１２３が多孔質層であってもよい。この場合には、基材１２３の孔部位置を第２構造部１４１ｂに対して位置合わせする必要なくなるので、センサ１２０の作製が容易となる。
＜３　第３の実施形態＞
［３．１　センサの構成］
　本技術の第３実施形態に係るセンサ２２０は、第２構造部４１ｂが１個または２個以上の形状部４１ｃ（図５Ｂ参照）を側面に備える代わりに、図２０Ａ、図２０Ｂに示すように、センサ層２２が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２８を備える点において、第１の実施形態に係るセンサ２０とは異なっている。第３の実施形態では、センサ層２２と中間層２４とにより基底層が構成されている。なお、第３の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　形状部２８は、センサ層２２の表面に対して突出するように設けられた島状部である。センサ層２２が表面に２個以上の形状部２８を備える場合には、２個以上の形状部２８は、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部に対向する位置に等間隔または不等間隔で離間して設けられる。形状部２８は、中間層２４の一部または全部と同様の層構成を有していることが好ましい。中間層２４の作製プロセスにおいて形状部２８も同時に形成することができ、中間層２４の製造工程を簡略化できるからである。
　Ｚ軸方向から押圧部１４１を平面視したときの形状部２８の形状としては、例えば円形状、楕円形状、多角形状、一部が切り欠かれたリング状、不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。なお、図２０Ｂでは、Ｚ軸方向から押圧部１４１を平面視したときの押圧部１４１の形状が、四角形状である例が示されている。
［３．２　キー入力操作時のセンサの動作］
　センサ２２０のキー２７ａを押圧してキー入力操作を行うと、第１構造部４１ａが反転して、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部が形状部２８によりセンサ層２２の表面から浮いた状態で保持される。この状態において、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部とセンサ層２２の表面との間の一部に隙間が形成される。
　図２１に示すように、キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部１４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、上記の隙間を介して第２構造部１４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部１４１ｂによるセンサ層２２の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
［３．３　効果］
　第３の実施形態に係るセンサ２２０では、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に１個または２個以上の形状部２８が設けられている。このため、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによるセンサ層２２の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
［３．４　変形例］
　センサ層２２が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に１個または２個以上の形状部２８（図２０Ａ、図２０Ｂ）を備える代わりに、図２２Ａに示すように、センサ２２０がセンサ層２２と中間層２４との間に基材２２３を備え、基材２２３が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２２８を備えるようにしてもよい。この構成の場合にも、第３の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。形状部２２８と基材２２３とが一体成形されていてもよいし、形状部２２８と基材２２３とが別体として成形されていてもよい。
　センサ層２２が、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２８（図２０Ａ、図２０Ｂ）を備える代わりに、図２２Ｂに示すように、第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に１個または２個以上の形状部２８を備えるようにしてもよい。
　上記の形状部２８をセンサ層２２に備えるセンサ２０では、キー２７ａの押圧により、第１、第２構造部４１ａ、４１ｂの境界部を起点として第２構造部１４１ｂが変形されたときに、変形する第２構造部１４１ｂの頂部が形状部２８により支持される。このため、第２構造部１４１ｂの潰れが抑制される。したがって、キー２７ａの押圧解除により、第２構造部１４１ｂが元の形状に復帰する際に、第２構造部１４１ｂがセンサ層２２に吸着されることを抑制できる。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
　センサ層２２が、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２８（図２０Ａ、図２０Ｂ）を備える代わりに、図２３に示すように、センサ２２０がセンサ層２２と中間層２４との間に基材２２３を備え、基材２２３が１個または２個以上の形状部２２８を第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に備えるようにしてもよい。この構成の場合にも、上記の変形例と同様の作用効果を得ることができる。
＜４　第４の実施形態＞
［４．１　センサの構成］
　本技術の第４実施形態に係るセンサ３２０は、１個または２個以上の形状部４１ｃが側面に設けられた第２構造部４１ｂ（図５Ｂ参照）を備える代わりに、図２４Ａ、図２４Ｂに示すように、１個または２個以上の貫通孔３４１ｃが側面に設けられた第２構造部３４１ｂを備える点において、第１の実施形態に係るセンサ３２０とは異なっている。なお、第４の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　凹凸層３２５は、エンボスフィルム３４０により構成される。エンボスフィルム３４０は、押圧部３４１を備える。押圧部３４１は、１個または２個以上の貫通孔３４１ｃが側面に設けられた第２構造部３４１ｂを備える。第２構造部３４１ｂが２個以上の貫通孔３４１ｃを有する場合には、２個以上の貫通孔３４１ｃは、図２４Ｂに示すように、第２構造部３４１ｂの側面の周方向に等間隔または不等間隔で離間して配置されている。貫通孔３４１ｃの形状としては、円形状、楕円形状、多角形状または不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
［４．２　キー入力操作時のセンサの動作］
　所定の押圧力以上でキー２７ａを押圧すると、第１、第２構造部４１ａ、３４１ｂの境界部が基材２３に押し付けられ、押し付けられた上記の境界部を起点として、第２構造部３４１ｂが変形して潰れる。図２５に示すように、キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部３４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、上記の貫通孔３４１ｃを介して第２構造部３４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部３４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部３４１の復帰障害が抑制される。
［４．３　効果］
　第２の実施形態に係るセンサ３２０では、第２構造部３４１ｂが１個または２個以上の貫通孔３４１ｃを側面に備えるため、押圧部３４１の復帰障害が抑制される。
＜５　第５の実施形態＞
［５．１　センサの構成］
　本技術の第５の実施形態に係るセンサ４２０では、図２６Ａに示すように、基材２３上に凹凸層が２５設けられ、中間層２４と基材２３との間にＲＥＦ電極層２６が設けられている。基材２３は、その下層となるＲＥＦ電極層２６上に粘着層などにより貼り合わされず、載置されているのみの状態である。凹凸層２５と基材２３とは、粘着層などにより貼り合わされている。押圧部４１の底部は、Ｚ軸方向からセンサ４２０を平面視すると、中間層２４の孔部２４ａの内側に位置する。なお、第５の実施形態におけるように凹凸層２５が基材２３上に設けられた構成においては、基材２３が基底層となる。
　第５の実施形態に係るセンサ４２０は、上記以外の点では第１の実施形態に係るセンサ２０と同様である。
［５．２　センサの動作］
（ジェスチャー入力操作）
　図２７Ａに示すように、センサ４２０の表面（操作面）に対してジェスチャー入力操作を行うと、押圧部４１の底部によりＲＥＦ電極層２６が押されて、ＲＥＦ電極層２６のうち孔部２４ａ上に位置する部分が、中間層２４の孔部２４ａに僅かに落ち込む。これにより、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離が僅かにＤ１変位し、単位電極体３１ｂ、３２ｂ間の静電容量に僅かに変化が生じる。センサ層２２内のセンシング部２２ｓにて、この静電容量変化が検出されて、電気信号としてコントローラＩＣ１３に出力される。
（キー入力操作）
　図２７Ｂに示すように、センサ４２０の表面（操作面）に対してキー入力操作を行うと、第１構造部４１ａが反転して、押圧部４１の裏面にＲＥＦ電極層２６が押されて、ＲＥＦ電極層２６のうち孔部２４ａ上に位置する部分が、中間層２４の孔部２４ａ内に落ち込む。この際、第１構造部４１ａの反転により第２構造部４１ｂも中間層２４の孔部２４ａ内に落ち込む。これにより、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離が大きくＤ２変位し、単位電極体３１ｂ、３２ｂ間の静電容量が大きく変化する。センサ層２２内のセンシング部２２ｓにて、この静電容量変化が検出されて、電気信号としてコントローラＩＣ１３に出力される。
　キー入力操作により第２構造部４１ｂが基材２３に押し付けられ潰れた状態となった場合に、形状部４１ｃの両側に図示しない通気孔が形成される。キー２７ａの押圧を解除すると、第２構造部４１ｂが元の形状に復帰しながらエアーを吸引する。この際、上記の通気孔を介して第２構造部４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。
［５．３　効果］
　上述の構成を有するセンサ４２０では、第２構造部４１ｂが潰れた状態において、形状部４１ｃの両側に図示しない通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。また、上述の構成を有するセンサ４２０では、ＲＥＦ電極層２６が中間層２４上に設けられている。この構成は、ＲＥＦ電極層２６を凹凸層２５上に設ける構成に比べて、センサ層２２とＲＥＦ電極層２６との距離を容易に一定に調整可能である。したがって、第５の実施形態に係るセンサ４２０は、第１の実施形態に係るセンサ２０に比べて製造が容易である。
　上述の構成を有するセンサ４２０では、基材２３がＲＥＦ電極層２６に貼り合わされずに載置されているだけであるため、環境温度の変化などによりセンサ層２２と凹凸層２５とがセンサ層２２の面内方向に伸縮した場合にも、センサ層２２と凹凸層２５とが独立に変位することが可能である。したがって、センサ４２０を構成する部材に歪みなどが発生することを抑制できるので、センサ４２０の信頼性を向上できる。
［５．４　変形例］
　第５の実施形態に係るセンサ４２０において、第１の実施形態の変形例の構成を採用してもよい。
　図２６Ｂに示すように、基材２３が設けられず、ＲＥＦ電極層２６上に凹凸層２５が直接設けられた構成を採用してもよい。すなわち、ＲＥＦ電極層２６のみが、中間層２４と凹凸層２５との間に設けられた構成を採用してもよい。この場合、凹凸層２５とＲＥＦ電極層２６とは粘着層（図示せず）などを介して貼り合わされていてもよい。
＜６　第６の実施形態＞
［６．１　センサの構成］
　本技術の第６の実施形態に係るセンサ５２０は、第２構造部４１ｂに１個または２個以上の形状部４１ｃ（図２６Ａ参照）を備える代わりに、図２８Ａに示すように、第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に１個または２個以上の孔部１２３ａを有する基材１２３を備える点において、第５の実施形態に係るセンサ４２０とは異なっている。なお、第６の実施形態において第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　基材１２３、凹凸層１２５はそれぞれ、第２の実施形態におけるものと同様である。
［６．２　効果］
　第６の実施形態に係るセンサ５２０では、第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に孔部１２３ａが設けられている。このため、キー２７ａの押圧により第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、孔部１２３ａが通気孔として機能する。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材１２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
［６．３　変形例］
　第６の実施形態に係るセンサ５２０において、第２の実施形態の変形例の構成を採用してもよい。例えば、図２８Ｂに示すように、１個または２個以上の孔部１２３ａが、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部に対向する位置に部分的に設けられていてもよい。孔部１２３ａは、第２の実施形態の変形例におけるものと同様である。
　孔部１２３ａが、基材１２３およびＲＥＦ電極層２６の両方に設けられていてもよい。
　基材１２３が設けられず、ＲＥＦ電極層２６上に凹凸層１２５が直接設けられ、孔部１２３ａがＲＥＦ電極層２６に設けられていてもよい。
＜７　第７の実施形態＞
［７．１　センサの構成］
　本技術の第７の実施形態に係るセンサ６２０は、第２構造部４１ｂに１個または２個以上の形状部４１ｃ（図２６Ａ参照）を側面に備える代わりに、図２９Ａに示すように、基材２２３が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２２８を備える点において、第５の実施形態に係るセンサ４２０とは異なっている。なお、第７の実施形態において第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　形状部２２８は、第３の実施形態の変形例におけるものと同様である。
［７．２　効果］
　第７の実施形態に係るセンサ６２０では、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２２８が設けられている。このため、センサ６２０のキー２７ａを押圧してキー入力操作を行うと、第１構造部４１ａが反転して、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が形状部２２８により基材２２３の表面から浮いた状態で保持される。この状態において、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部と基材２２３の表面との間の一部に隙間が形成される。したがって、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材２２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
［７．３　変形例］
　センサ層２２が、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に１個または２個以上の形状部２２８（図２９Ａ）を備える代わりに、図２９Ｂに示すように、基材２２３が１個または２個以上の形状部２２８を第２構造部１４１ｂの裏面と対向する位置に備えるようにしてもよい。
　上記の形状部２２８を基材２２３に備えるセンサ６２０では、キー２７ａの押圧により、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部を起点として第２構造部１４１ｂが変形されたときに、変形する第２構造部１４１ｂの頂部が形状部２２８により支持される。このため、第２構造部１４１ｂの潰れが抑制される。したがって、キー２７ａの押圧解除により、第２構造部１４１ｂが元の形状に復帰する際に、第２構造部１４１ｂが基材２２３に吸着されることを抑制できる。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
　基材２３が設けられず、ＲＥＦ電極層２６上に凹凸層１２５が直接設けられ、ＲＥＦ電極２６が第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部が対向する位置に部分的に１個または２個以上の形状部２２８を備えるようにしてもよいし、第２構造部１４１ｂの裏面が対向する位置に１個または２個以上の形状部２２８を備えるようにしてもよい。
＜８　第８の実施形態＞
［８．１　センサの構成］
　本技術の第８実施形態に係るセンサ７２０は、１個または２個以上の形状部４１ｃが側面に設けられた第２構造部４１ｂ（図２６Ａ参照）を備える代わりに、図３０に示すように、１個または２個以上の貫通孔３４１ｃが側面に設けられた第２構造部３４１ｂを備える点において、第５の実施形態に係るセンサ４２０とは異なっている。なお、第８の実施形態において第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　凹凸層３２５は、第４の実施形態におけるものと同様である。
［８．２　効果］
　第８の実施形態に係るセンサ３２０では、第２構造部３４１ｂが１個または２個以上の貫通孔３４１ｃを側面に備える。このため、キー２７ａの押圧解除時には、貫通孔３４１ｃを介して第２構造部３４１ｂの外部からエアーが供給されるため、第２構造部３４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部３４１の復帰障害が抑制される。
［８．３　変形例］
　基材２３が設けられず、ＲＥＦ電極層２６上に凹凸層１２５が直接設けられた構成を採用してもよい。この構成の場合にも、上記の第８の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
＜９　第９の実施形態＞
［９．１　センサの構成］
　本技術の第９の実施形態に係るセンサ９２０は、押圧部１４１の裏面と対向する面に孔部１２３ａを有する基材１２３（図１７Ａ参照）を備える代わりに、図４８に示すように、押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを有する基材９２３を備える点において、第２の実施形態に係るセンサ１２０とは異なっている。なお、第９の実施形態において第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
　第９の実施形態では、センサ層２２と、基材９２３と、中間層２４とからなる積層体により基底層が構成されている。基底層は、押圧部１４１と対向する基材２３を備え、凹凸９２３ａは、基材９２３に設けられている。凹凸９２３ａは、基材９２３の両面のうち、押圧部１４１の裏面と対向する面の全体に設けられていてもよいし、押圧部１４１と対向する部分にのみ設けられていてもよいし、第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部と対向する部分にのみ設けられていてもよい。但し、生産性を考慮すると、基材９２３の両面のうち、押圧部１４１の裏面と対向する面の全体に設けられていることが好ましい。
　凹凸９２３ａの算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上、より好ましくは２．４３μｍ以上である。算術平均粗さＲａが０．４８μｍ以上であると、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂが基材９２３の表面に吸着し、押圧部１４１に復帰障害が発生することを抑制できる。凹凸９２３ａの算術平均粗さＲａの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００μｍ以下である。
　凹凸９２３ａは、規則的なものであってもよいし、不規則的なものであってもよい。凹凸９２３ａの形成方法としては、例えば、熱転写法、ＵＶ転写法などの光転写法、印刷法、サンドブラスト法、微粒子を含有する塗料を塗布硬化する方法などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
［９．２　効果］
　第９の実施形態に係るセンサ９２０では、基材９２３が、押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを有する。このため、第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、凹凸９２３ａにより第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部と基材９２３との間に微細な通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材９２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
＜１０　第１０の実施形態＞
［１０．１　センサの構成］
　本技術の第１０の実施形態に係るセンサ１０２０は、第２構造部１０４１ｂに形状部４１ｃを有する凹凸層２５（図５Ｂ参照）を備える代わりに、図４９に示すように、基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する凹凸層１０２５を備える点において、第１の実施形態に係るセンサ２０とは異なっている。なお、第１０の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。また、第１０の実施形態では、センサ層２２と、基材２３と、中間層２４とからなる積層体により基底層が構成されている。
　凹凸層１０２５は、複数の押圧部１０４１と、平坦部１０４２とを備えるエンボスフィルム１０４０により構成されている。押圧部１０４１は、第１構造部１０４１ａと、第１構造部１０４１ａ上に設けられた第２構造部１０４１ｂとを備える。第１、第２構造部１０４１ａ、１０４１ｂは、基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する以外の点においては、第２の実施形態における第１、第２構造部１４１ａ、４１ｂと同様である。凹凸１０２５ａは、エンボスフィルム１０４０の両面のうち、基材２３と対向する面の全体に設けられていてもよいし、押圧部１４１の部分にのみ設けられていてもよいし、第１、第２構造部１０４１ａ、１０４１ｂの境界部にのみ設けられていてもよい。
　凹凸１０２５ａの算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上、より好ましくは２．４３μｍ以上である。算術平均粗さＲａが０．４８μｍ以上であると、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１０４１ｂが基材２３の表面に吸着し、押圧部１４１に復帰障害が発生することを抑制できる。凹凸１０２５ａの算術平均粗さＲａの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００μｍ以下である。
［１０．２　効果］
　第１０の実施形態に係るセンサ１０２０では、凹凸層１０２５が基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する。このため、第２構造部４１ｂが潰れた状態において、凹凸１０２５ａにより第１、第２構造部１０４１ａ、１０４１ｂの境界部と基材２３との間に微細な通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１０４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
［１０．３　変形例］
　センサ１０２０が、基材２３の代わりに、第９の実施形態における基材９２３を備えるようにしてもよい。
＜１１　第１１の実施形態＞
［１１．１　センサの構成］
　本技術の第１１の実施形態に係るセンサ１１２０では、孔部１２３ａを有する基材１２３（図２８Ａ参照）に代えて、図５０に示すように、押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを有する基材１１２３を備える点において、第６の実施形態に係るセンサ５２０とは異なっている。なお、第１１の実施形態において第６の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。また、第１１の実施形態では、基材１１２３が基底層となる。
　基材１１２３は、第９の実施形態における基材９２３と同様である。
［１１．２　効果］
　第１１の実施形態に係るセンサ１１２０では、基材１１２３が押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを有する。このため、キー２７ａの押圧により第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、凹凸９２３ａにより第１、第２構造部４１ａ、１４１ｂの境界部と基材１１２３との間に微細な通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１４１ｂによる基材１１２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１４１の復帰障害が抑制される。
［１１．３　変形例］
　凹凸層１２５とＲＥＦ電極層２６との間に基材１１２３を設けずに、ＲＥＦ電極層２６の両面のうち、押圧部１４１の裏面と対向する面に凹凸９２３ａを設けた構成を採用してもよい。
＜１２　第１２の実施形態＞
［１２．１　センサの構成］
　本技術の第１２の実施形態に係るセンサ１２２０は、第２構造部４１ｂに形状部４１ｃを有する凹凸層２５（図２６Ａ参照）を備える代わりに、基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する凹凸層１２２５を備える点において、第５の実施形態に係るセンサ４２０とは異なっている。なお、第１２の実施形態において第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。また、第１２の実施形態では、基材２３が基底層となる。
　凹凸層１２２５は、第１０の実施形態における凹凸層１０２５と同様である。
［１２．２　効果］
　第１２の実施形態に係るセンサ１２２０では、凹凸層１２２５が基材２３と対向する面に凹凸１０２５ａを有する。このため、キー２７ａの押圧により第２構造部１４１ｂが潰れた状態において、凹凸１０２５ａにより第１、第２構造部１０４１ａ、１０４１ｂの境界部と基材２３との間に微細な通気孔が形成される。これにより、キー２７ａの押圧を解除した際に、第２構造部１０４１ｂによる基材２３の吸着が抑制される。したがって、押圧部１０４１の復帰障害が抑制される。
［１２．３　変形例］
　センサ１２２０が、基材２３の代わりに、第１１の実施形態における基材１１２３を備えるようにしてもよい。
　以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
　実施例について以下の順序で説明する。
ｉ　第２構造部に形状部を設けたセンサ
ii　基材に孔部を設けたセンサ
iii　下敷きフィルムに微細凹凸を設けたセンサ
＜ｉ　第２構造部に形状部を設けたセンサ＞
［実施例１－１］
　まず、アルミを切削加工することにより、転写用原盤を作製した。次に、転写用原盤と厚さ１００μｍのＰＣフィルムとを重ね合わせて、高温真空プレス機にセットし、熱転写を行うことにより、図３１Ａ、図３１Ｂに示す構成を有する押圧部をＰＣフィルムに形成した。この際、図３１Ａ、図３１Ｂに示すように、幅ｗ＝１ｍｍ、深さｄ＝０．１ｍｍのほぼ矩形状を有する１個の凹形状部を第２構造部の裏面に形成した。凹形状部の形成位置は、第２構造部の側面の底部側周縁とした。また、第１構造部の高さＨ1＝２００μｍ、第２構造部の高さＨ2＝２７０μｍとした。以上により、エンボスフィルムが得られた。その後、エンボスフィルムの裏面に基材としてのＰＣフィルムを粘着層を介して貼り合わせることにより、構造体を得た。
　次に、静電容量式のセンサ層を準備し、このセンサ層の裏面にＲＥＦ電極層を形成した。次に、印刷法により、センサ層の表面に絶縁層、粘着層を順次形成することにより、複数の孔部が２次元的に配置された中間層を形成した後、粘着層を介して中間層の表面にＲＥＦ電極層を貼り合わせた。次に、エンボスフィルムの複数の押圧部がそれぞれ中間層の複数の孔部の位置に一致するようにして、ＲＥＦ電極層上に構造体を載置した。次に、キートップ層を準備し、粘着層を介して構造体の押圧部の頂部上にキートップ層を貼り合わせた。これにより、目的とするセンサが得られた。
［実施例１－２］
　図３１Ｃに示すように、４個の凹形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例１－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例１－３］
　図３２Ａ、図３２Ｂに示すように、凹形状部の深さｄ＝０．２ｍｍとし、凹形状部の長さを長くしたこと以外は実施例１－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例１－４］
　図３２Ｃに示すように、４個の凹形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例１－３と同様にしてセンサを得た。
［実施例２－１］
　図３３Ａ、図３３Ｂに示すように、直径Ｄ3＝１ｍｍのほぼ半円状を有する１個の凸形状部を第２構造部の裏面に形成したこと以外は実施例１－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例２－２］
　図３４Ａに示すように、４個の凸形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例２－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例２－３］
　図３４Ｂに示すように、凸形状部の直径Ｄ3＝２ｍｍとしたこと以外は実施例２－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例２－４］
　図３４Ｃに示すように、４個の凸形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例２－３と同様にしてセンサを得た。
［実施例３－１］
　図３５Ａ、図３５Ｂに示すように、直径Ｄ3＝１ｍｍのほぼ半円状を有する１個の凸形状部を第２構造部の側面の頂部側周縁に形成したこと以外は実施例２－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例３－２］
　図３６Ａに示すように、４個の凸形状部を第２構造部の側面の頂部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例３－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例３－３］
　図３６Ｂに示すように、凸形状部の直径Ｄ3＝２ｍｍとしたこと以外は実施例３－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例３－４］
　図３６Ｃに示すように、２個の凸形状部を第２構造部の側面の頂部側周縁に等間隔で形成したこと以外は実施例３－３と同様にしてセンサを得た。
［実施例４－１］
　図３７Ａ、図３７Ｂに示すように、第２構造部の頂部の裏面に十字状の凸形状部を形成したこと以外は実施例１－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例４－２］
　図３７Ｃに示すように、十字状の凸形状部の大きさを変更したこと以外は実施例４－２と同様にしてセンサを得た。
［実施例５－１］
　凹形状部を第２構造部の側面の裏面側周縁に形成する代わりに、図３８Ａ、図３８Ｂに示すように、第１構造部の高さＨ1＝２５０μｍ、第２構造部の高さＨ2＝２００μｍとしたこと以外は実施例１－１と同様にしてセンサを得た。
［比較例５－１］
　第１構造部の高さＨ1＝２００μｍ、第２構造部の高さＨ2＝２７０μｍとしたこと以外は実施例５－１と同様にしてセンサを得た。
［比較例５－２］
　第１構造部の高さＨ1＝２２５μｍ、第２構造部の高さＨ2＝２３５μｍとしたこと以外は実施例５－１と同様にしてセンサを得た。
（復帰障害の評価）
　上述のようにして得られた実施例１－１～５－１、比較例５－１、５－２のセンサのキーを指の腹で強く押して、押圧部の復帰の際に生じる異音を５段階で評価した。なお、異音なしを評価結果“０”とし、比較例５－１の異音を評価結果“５”として５段階で評価した。
（クリック感の評価）
　上述のようにして得られた実施例１－３、１－４、２－３、２－４、５－１のセンサのクリック感を以下のようにして評価した。まず、ロボットを用いて１ｍｍ／ｓでｚ方向（操作面に垂直な方向）にロボットを動かし、ロボットに取り付けた圧子（シリコーン製の擬似指、φ６ｍｍ）でセンサのキーを圧迫した。その際に圧子にかかる圧力をロードセルで計測した。これにより、距離－圧力カーブ（以下「Ｆ－Ｓカーブ」という。）を得た。次に、Ｆ－Ｓカーブに初めに現れる極大値をＰ１とし、その後に現れる極小値をＰ２として、クリック率（（Ｐ１－Ｐ２）／Ｐ１）を求めて、クリック感の指標とした。
　上記のクリック感の評価をセンサ毎に異なる３つのキー（例えば、実施例１－１のセンサでは“Ｖ”、“Ｂ”、“Ｎ”ｋｅｙ）に対して行った。
（静電容量の変化量の評価）
　上述のようにして得られた実施例１－３、１－４、２－３、２－４、５－１のセンサの静電容量の変化量を以下のようにして評価した。まず、センサにコントローラＩＣを接続した。次に、上記ロボットを用いてセンサのキーに荷重を加えて、コントローラＩＣからの供給される静電容量の変化量を測定した。この測定操作を、センサのキーに加える荷重を所定量で増加させながら、各荷重において行い、荷重に対する静電容量の変化量の変化を求めた。
　上記の静電容量の変化量の評価をセンサ毎に異なる３つのキー（例えば、実施例１－３のセンサでは“Ａ”、“Ｓ”、“Ｄ”ｋｅｙ）に対して行った。
（押圧部の変形形状の評価）
　上述のようにして得られた実施例２－３、比較例５－１の押圧部の変形形状を以下のようにして評価した。まず、エンボスフィルムの押圧部に押圧力を加えていない初期状態において、押圧部のプロフィルをレーザ変位計で測定した。次に、ロボットを用いてｚ方向（操作面に垂直な方向）にロボットを動かし、ロボットに取り付けた圧子（シリコーン製の擬似指、φ６ｍｍ）で押圧部を圧迫した。次に、この状態における押圧部のプロフィルをレーザ変位計で測定した。
（結果）
　表１に、センサの構成および復帰障害の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　但し、表１中、“凸形状”は、センサ層に向けて突出する凸形状を意味し、“凹形状”は、センサ層から離れる方向に窪んだ凹形状を意味する。
　表１から以下のことがわかる。第２構造部の側面の裏面に凹形状部または凸形状部を設けることで、復帰障害が抑制される。凹形状部または凸形状部のサイズを大きくする、もしくは凹形状部または凸形状部の数を増やすに従って、復帰障害の抑制効果が向上する。凹形状部または凸形状部を第２構造部の側面の底部側周縁に設けた構成は、凹形状部または凸形状部を第２構造部の側面の頂部側周縁に設けた構成に比べて、高い復帰障害の抑制効果を得ることができる。
　第２構造部の頂部に凹形状部を設けた場合にも、復帰障害が抑制される。但し、第２構造部の側面の裏面に凹形状部または凸形状部を設けた構成の方が、第２構造部の頂部の裏面に凸形状部を設けた構成に比べて、高い復帰障害の抑制効果を得ることができる。第２構造部の深さを２００μｍ以下に浅くすることでも、復帰障害が抑制される。
　表２に、クリック率の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　但し、表２中において、クリック率は、異なる３つのキーのクリック率を平均した値である。
　図３９Ａ、図４０Ａ、図４１Ａ、図４２Ａ、図４３Ａにそれぞれ、実施例１－３、１－４、２－３、２－４、５－１のセンサのＦ－Ｓカーブの評価結果を示す。図３９Ｂ、図４０Ｂ、図４１Ｂ、図４２Ｂ、図４３Ｂにそれぞれ、実施例１－３、１－４、２－３、２－４、５－１のセンサの静電容量の変化量の評価結果を示す。なお、図３９Ｂ、図４０Ｂ、図４１Ｂ、図４２Ｂ、図４３Ｂに記載された数値は、第１構造部の反転時（座屈時）における“静電容量の変化量の差”を示している。
　図３９Ａ～図４３Ｂ、表２から以下のことがわかる。第２構造部の側面の裏面に凹形状部または凸形状部を設けて復帰障害を抑制したセンサは、第２構造部の高さを低くして復帰障害を抑制したセンサと同等以上の打鍵特性を有する。すなわち、第２構造部の側面の裏面に凹形状部または凸形状部を設けることで、打鍵特性の低下を抑制しつつ、復帰障害を抑制できる。
　図４４Ａに、実施例２－３の押圧部の形状の評価結果を示す。図４４Ｂに、比較例５－１の押圧部の形状の評価結果を示す。なお、図４４Ａ中において、破線で囲んで示した部分が、凸形状部のプロファイルを示している。これらの評価結果から以下のことがわかる。第２構造部の側面の底部側周縁に凸形状部を設けたセンサでは、第２構造部が潰れた状態において、凸形状部の両側（図４４Ａ中、Ｙ軸方向における両側）に通気孔（隙間）が形成されている。このため、第２構造部の内部空間は外部と連通した状態となる。一方、第２構造部の側面の底部側周縁に凸形状部を設けていないセンサでは、第２構造部が潰れた状態において、第２構造部の内部空間は閉鎖された状態にある。
＜ii　基材に孔部を設けたセンサ＞
［実施例６－１～６－３］
　凸形状部を第２構造部の側面に形成する代わりに、図４５Ａに示すように、第２構造部の中心を通り、かつ、第１、第２の境界部の内側に両端が位置するスリット状の孔部を基材に形成したこと以外は実施例１－１と同様にしてセンサを得た。なお、孔部の長さＬは１ｍｍ、２ｍｍ、４ｍｍとなるようにサンプル毎に変化させた。
［実施例６－４］
　図４５Ｂに示すように、スリット状の孔部の両端を第１、第２の境界部の位置まで延設したこと以外は実施例６－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例６－５］
　図４５Ｃに示すように、スリット状の孔部の両端を第１、第２の境界部を超える位置まで延設したこと以外は実施例６－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例７－１］
　凸形状部を第２構造部の側面に形成する代わりに、図４６Ａに示すように、Ｄ4＝２ｍｍの円形状を有し、かつ、第１、第２構造部の境界部の位置に配置された２個の孔部を形成したこと以外は実施例１－１と同様にしてセンサを得た。なお、２個の孔部の配置位置は、第２構造部の中心を介して対向する位置とした。
［実施例７－２］
　図４６Ｂに示すように、孔部の個数を４個とし、それらを第１、第２構造部の境界部に等間隔で配置したこと以外は実施例７－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例７－３］
　図４７Ａに示すように、孔部の形状を長さＬ＝２ｍｍの長円状にしたこと以外は実施例７－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例７－４］
　図４７Ｂに示すように、孔部の個数を４個とし、それらを第１、第２構造部の境界部に等間隔で配置したこと以外は実施例７－１と同様にしてセンサを得た。
［実施例８－１～８－５、９－１～９－４］
　センサ層と基材としてのＰＣフィルムとの間に、多孔質プレートを設けた以外は実施例６－１～６－５、７－１～７－４と同様にしてセンサを得た。
（復帰障害の評価）
　上述のようにして得られた実施例６－１～６－５、７－１～７－４、８－１～８－５、９－１～９－４のセンサの復帰障害を評価した。評価方法は、上記の復帰障害の評価方法と同様とした。
（クリック感の評価）
　上述のようにして得られた実施例６－１、比較例５－１のクリック感を評価した。評価方法は、上記のクリック感の評価方法と同様とした。
（結果）
　表３に、センサの構成および復帰障害の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３から以下のことがわかる。第２構造部と対向する基材の表面位置に孔部を設けることで、復帰障害の発生を抑制できる。この場合、Ｚ軸方向からの平面視において、孔部が第１、第２構造部の境界部まで延設されているようにするか、もしくは孔部が第１、第２構造部の境界部の内側から外側まで延設されているようにすることで、復帰障害の発生を特に抑制できる。
　第１、第２構造部の境界部と対向する基材の表面位置に孔部を設けた場合にも、復帰障害の抑制効果が得られる。この場合、孔部の個数を増やすか、もしくは孔部の形状を押圧部の中心から放射状に伸びる細長形状とすることで、特に優れた効果が得られる。
　表４に、クリック率の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表４から以下のことがわかる。基材に孔部を設けて復帰障害を抑制したセンサは、基材に孔部を設けていないセンサと同程度の打鍵特性を有する。すなわち、基材に孔部を設けることで、打鍵特性の低下を抑制しつつ、復帰障害を抑制できる。
＜iii　下敷きフィルムに微細凹凸を設けたセンサ＞
（実施例１０－１～１－７）
　まず、凹形状部を第２構造部の側面に形成しないこと以外は実施例１－１と同様にしてエンボスフィルムを得た。次に、市販のＰＣフィルムを準備し、このＰＣフィルムの一方の面を凹凸加工することにより、表５に示す算術平均粗さＲａの微細凹凸を形成した。これにより、下敷きフィルムが得られた。
　次に、印刷法により、下敷きフィルムの表面に絶縁層、粘着層を順次形成することにより、複数の孔部が２次元的に配置された中間層を形成した後、エンボスフィルムの複数の押圧部がそれぞれ中間層の複数の孔部の位置に一致するようにして、粘着層を介して中間層上にエンボスフィルムを貼り合わせた。次に、エンボスフィルムの押圧部上に粘着層を介してＲＥＦ電極層を貼り合わせた後、ＲＥＦ電極層上にキートップ層を粘着層を介して貼り合わせた。
　次に、静電容量式のセンサ層を準備し、このセンサ層の裏面にＲＥＦ電極層を形成した後、センサ層の表面上に、中間層、エンボス層およびキートップ層が形成された下敷きフィルムを載置した。この際、センサ層の複数のセンシング部がそれぞれ中間層の複数の孔部の位置に一致するようにして、センサ層上に下敷きフィルムを載置した。これにより、目的とするセンサが得られた。
（比較例１０－１）
　市販のＰＣフィルムの一方の面に凹凸加工を施さずに、下敷きフィルムとして用いたこと以外は実施例１０－１と同様にしてセンサを得た。
（算術平均粗さＲａの評価）
　上述のようにして得られた実施例１０－１～１０－７、比較例１０－１のセンサに用いた下敷きフィルム表面の算術平均粗さＲａを、接触式段差計（KLA-Tencor社製、P-15）を用いて求めた。以下に測定条件を示す。
　測定範囲：５ｍｍ×５ｍｍ、２６５μｍ間隔×２０ｓｃａｎ
　分解能：０．２μｍ
　測定針２ｍｍ（円錐角６０°）、ダイヤモンド製
（復帰障害の評価）
　上述のようにして得られた実施例１０－１～１０－７、比較例１０－１のセンサのキーを指の腹で強く押して、押圧部の復帰の状態を以下の６段階で評価した。
　５：復帰障害あり（完全に戻らない）
　４：いくつかのキーで復帰障害あり（完全に戻らない）
　３：いくつかのキーで復帰障害あり（戻るのに時間がかかる）
　２：復帰するが異音がする
　１：いくつかのキーで復帰するが異音がする
　０：復帰障害なし
　表５に、実施例１０－１～１０－７、比較例１０－１のセンサの構成および評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表５から以下のことがわかる。算術平均粗さＲａが０．４８μｍ以上であると、キーの復帰障害を抑制することができる。また、算術平均粗さＲａが２．４３μｍ以上であると、キーの復帰障害を無くすることができる。
　以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
　また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　また、第１～第１２の実施形態およびそれらの変形例において、センサが、センサ層とこのセンサ層の裏面側に設けられたＲＥＦ電極層との間に空気層（空間層）をさらに備えていてもよい。
　また、第１の実施形態の変形例にて図１６に示したＸ、Ｙ電極の構成を、第２～第１２の実施形態およびそれらの変更例において採用することも可能である。このような構成を採用する場合、センサ層とこのセンサ層の裏面側に設けられたＲＥＦ電極層との間に空気層（空間層）が設けられていてもよい。
　また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記第２構造部は、前記基底層と対向する面に形状部を有するセンサ。
（２）
　前記基底層は、前記押圧部が押し込まれる孔部を有する中間層を備える（１）に記載のセンサ。
（３）
　前記第２構造部は、錐台状を有し、
　前記形状部は、前記第２構造部の側面に設けられている（１）または（２）に記載のセンサ。
（４）
　前記形状部は、前記側面の底部側の周縁に設けられている（３）に記載のセンサ。
（５）
　前記形状部は、前記側面の頂部側の周縁に設けられている（３）に記載のセンサ。
（６）
　前記形状部は、前記第２構造部の頂部に設けられ、
　前記形状部は、前記基底層に向かって突出している（１）に記載のセンサ。
（７）
　前記押圧部は、エンボスフィルムにより構成されている（１）から（６）のいずれかに記載のセンサ。
（８）
　前記押圧部は、第３構造部をさらに備え、
　前記第１構造部は、前記第第３構造部上に設けられている（１）から（７）のいずれかに記載のセンサ。
（９）
　前記基底層は、センシング部を有するセンサ層を含み、
　前記押圧部は、前記センシング部に対応して設けられている（１）から（８）のいずれかに記載のセンサ。
（１０）
　可撓性を有する導体層をさらに備え、
　前記導体層は、前記押圧部上に設けられている（１）から（９）のいずれかに記載のセンサ。
（１１）
　可撓性を有する導体層をさらに備え、
　前記導体層は、前記中間層と前記押圧部との間に設けられている（２）に記載のセンサ。
（１２）
　前記第１構造部は、押圧により反転する座屈部である（１）から（１１）のいずれかに記載のセンサ。
（１３）
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に形状部を有するセンサ。
（１４）
　前記基底層は、前記押圧部が押し込まれる孔部を有する中間層を備え、
　前記形状部は、前記中間層の一部または全部と同様の層構成を有している（１３）に記載のセンサ。
（１５）
　前記基底層は、前記押圧部と対向する基材を備え、
　前記形状部は、前記基材に一体成形されている（１３）に記載のセンサ。
（１６）
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に孔部を有するセンサ。
（１７）
　前記孔部を前記基底層の表面に垂直な方向から見ると、前記孔部は、前記境界部の内側から外側まで延設されている（１６）に記載のセンサ。
（１８）
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記第２構造部は、貫通孔を有するセンサ。
（１９）
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記基底層は、前記押圧部に対向する面に凹凸を有し、
　前記凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサ。
（２０）
　前記凹凸の算術平均粗さＲａは、２．４３μｍ以上である（１９）に記載のセンサ。
（２１）
　前記凹凸は、前記押圧部に対向する面のうち、少なくとも前記押圧部に対向する部分に設けられている（１９）または（２０）に記載のセンサ。
（２２）
　前記凹凸は、前記押圧部に対向する面の全体に設けられている（１９）または（２０）に記載のセンサ。
（２３）
　前記基底層は、前記押圧部と対向する基材を備え、
　前記凹凸は、前記基材に設けられている（１９）から（２２）のいずれかに記載のセンサ。
（２４）
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記押圧部は、前記基底層と対向する面に凹凸を有し、
　前記凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサ。
（２５）
　前記凹凸の算術平均粗さＲａは、２．４３μｍ以上である（２４）に記載のセンサ。
（２６）
　前記押圧部は、エンボスフィルムにより構成されている（２４）または（２５）に記載のセンサ。
（２７）
　前記凹凸は、前記エンボスフィルムの表面のうち、前記基底層と対向する面の全体に設けられている（２６）に記載のセンサ。
（２８）
　（１）から（２７）のいずれかに記載のセンサを備える入力装置。
（２９）
　（１）から（２７）のいずれかに記載のセンサを備える電子機器。
（３０）
　静電容量式のセンサ上に配置される構造体であって、
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記第２構造部は、前記基底層と対向する面に形状部を有する構造体。
（３１）
　静電容量式のセンサ上に配置される構造体であって、
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に形状部を有する構造体。
（３２）
　静電容量式のセンサ上に配置される構造体であって、
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に孔部を有する構造体。
（３３）
　静電容量式のセンサ上に配置される構造体であって、
　基底層と、
　前記基底層に対して突出した押圧部と
　を備え、
　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
　前記第２構造部は、貫通孔を有する構造体。
　１０　　電子機器
　１１　　入力装置
　１２　　ホスト機器
　１３　　コントローラＩＣ
　１４、１６　　通信部
　１５　　制御部
　１７　　表示装置
　２０　　センサ
　２１、２６　　ＲＥＦ電極層
　２２　　センサ層
　２２ｓ　　センシング部
　２３、１２３　　基材
　２４　　中間層
　２５　　凹凸層
　２７　　キートップ層
　２７ａ　　キー
　２８、４１ｃ、４１ｄ、４１ｅ、４１ｆ　　形状部
　３１　　Ｘ電極
　３２　　Ｙ電極
　４１　　押圧部
　４１ａ　　第１構造部
　４１ｂ　　第２構造部
　４１ｇ　　第３構造部
　１２３ａ　　孔部
　３４１ｃ　　貫通孔

Claims (29)

  1. 　基底層と、
    　前記基底層に対して突出した押圧部と
    　を備え、
    　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
    　前記第２構造部は、前記基底層と対向する面に形状部を有するセンサ。
  2. 　前記基底層は、前記押圧部が押し込まれる孔部を有する中間層を備える請求項１に記載のセンサ。
  3. 　前記第２構造部は、錐台状を有し、
    　前記形状部は、前記第２構造部の側面に設けられている請求項１に記載のセンサ。
  4. 　前記形状部は、前記側面の底部側の周縁に設けられている請求項３に記載のセンサ。
  5. 　前記形状部は、前記側面の頂部側の周縁に設けられている請求項３に記載のセンサ。
  6. 　前記形状部は、前記第２構造部の頂部に設けられ、
    　前記形状部は、前記基底層に向かって突出している請求項１に記載のセンサ。
  7. 　前記押圧部は、エンボスフィルムにより構成されている請求項１に記載のセンサ。
  8. 　前記押圧部は、第３構造部をさらに備え、
    　前記第１構造部は、前記第第３構造部上に設けられている請求項１に記載のセンサ。
  9. 　前記基底層は、センシング部を有するセンサ層を含み、
    　前記押圧部は、前記センシング部に対応して設けられている請求項１に記載のセンサ。
  10. 　可撓性を有する導体層をさらに備え、
    　前記導体層は、前記押圧部上に設けられている請求項１に記載のセンサ。
  11. 　可撓性を有する導体層をさらに備え、
    　前記導体層は、前記中間層と前記押圧部との間に設けられている請求項２に記載のセンサ。
  12. 　前記第１構造部は、押圧により反転する座屈部である請求項１に記載のセンサ。
  13. 　基底層と、
    　前記基底層に対して突出した押圧部と
    　を備え、
    　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
    　前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に形状部を有するセンサ。
  14. 　前記基底層は、前記押圧部が押し込まれる孔部を有する中間層を備え、
    　前記形状部は、前記中間層の一部または全部と同様の層構成を有している請求項１３に記載のセンサ。
  15. 　前記基底層は、前記押圧部と対向する基材を備え、
    　前記形状部は、前記基材に一体成形されている請求項１３に記載のセンサ。
  16. 　基底層と、
    　前記基底層に対して突出した押圧部と
    　を備え、
    　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
    　前記基底層は、前記第２構造部に対向する位置、および前記第１構造部と前記第２構造部との境界部に対向する位置の少なくとも一方に孔部を有するセンサ。
  17. 　前記孔部を前記基底層の表面に垂直な方向から見ると、前記孔部は、前記境界部の内側から外側まで延設されている請求項１６に記載のセンサ。
  18. 　基底層と、
    　前記基底層に対して突出した押圧部と
    　を備え、
    　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
    　前記第２構造部は、貫通孔を有するセンサ。
  19. 　基底層と、
    　前記基底層に対して突出した押圧部と
    　を備え、
    　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
    　前記基底層は、前記押圧部に対向する面に凹凸を有し、
    　前記凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサ。
  20. 　前記凹凸の算術平均粗さＲａは、２．４３μｍ以上である請求項１９に記載のセンサ。
  21. 　前記凹凸は、前記押圧部に対向する面のうち、少なくとも前記押圧部に対向する部分に設けられている請求項１９に記載のセンサ。
  22. 　前記凹凸は、前記押圧部に対向する面の全体に設けられている請求項１９に記載のセンサ。
  23. 　前記基底層は、前記押圧部と対向する基材を備え、
    　前記凹凸は、前記基材に設けられている請求項１９に記載のセンサ。
  24. 　基底層と、
    　前記基底層に対して突出した押圧部と
    　を備え、
    　前記押圧部は、第１構造部と、前記第１構造部上に設けられ、底部側が開放された中空状の第２構造部とを有し、
    　前記押圧部は、前記基底層と対向する面に凹凸を有し、
    　前記凹凸の算術平均粗さＲａは、０．４８μｍ以上であるセンサ。
  25. 　前記凹凸の算術平均粗さＲａは、２．４３μｍ以上である請求項２４に記載のセンサ。
  26. 　前記押圧部は、エンボスフィルムにより構成されている請求項２４に記載のセンサ。
  27. 　前記凹凸は、前記エンボスフィルムの表面のうち、前記基底層と対向する面の全体に設けられている請求項２６に記載のセンサ。
  28. 　請求項１に記載のセンサを備える入力装置。
  29. 　請求項１に記載のセンサを備える電子機器。
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