TW201735082A - 感測器、輸入裝置及電子機器 - Google Patents

Abstract

本發明之感測器具備基底層、及相對於基底層突出之按壓部。按壓部具有第1構造部、及設置於第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部。第2構造部於與基底層對向之面具有形狀部。

Description

感測器、輸入裝置及電子機器

本技術係關於感測器，包含其之輸入裝置及電子機器。詳細而言，係關於感測器、包含其之輸入裝置及電子機器。

近年來，對行動PC(Personal Computer：個人電腦)或平板PC要求薄型。對隨附於此之輸入裝置(鍵盤)亦要求薄型化。作為薄型之輸入裝置提出一種由樹脂薄膜或金屬薄板等構成按壓部者(例如，參照專利文獻1～3)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利特開2012-109272號公報 [專利文獻2] 日本專利特開2010-244795號公報 [專利文獻3] 日本專利特開2013-020765號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，於由樹脂薄膜或金屬薄板等構成之按壓部中，容易產生回復障礙。 本技術之目的在於提供一種可抑制按壓部之回復障礙之感測器、輸入裝置及電子機器。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述課題，第1技術係一種感測器，其包含：基底層、及相對於基底層突出之按壓部；按壓部具有第1構造部、及設置於第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部，第2構造部於與基底層對向之面具有形狀部。 第2技術係一種感測器，其包含基底層、及相對於基底層突出之按壓部；按壓部具有第1構造部、及設置於第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部，基底層於對向於第2構造部之位置、及對向於第1構造部與第2構造部之邊界部之位置之至少一者具有形狀部。 第3技術係一種感測器，其包含基底層、及相對於基底層突出之按壓部；按壓部具有第1構造部、及設置於第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部，基底層於對向於第2構造部之位置、及對向於第1構造部與第2構造部之邊界部之位置之至少一者具有孔部。 第4技術係一種感測器，其包含基底層、及相對於基底層突出之按壓部；按壓部具有第1構造部、及設置於第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部，第2構造部具有貫通孔。 第5技術係一種感測器，其包含基底層、及相對於基底層突出之按壓部；按壓部具有第1構造部、及設置於第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部，基底層於與按壓部對向之面具有凹凸，且凹凸之算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上。 第6技術係一種感測器，其包含基底層、及相對於基底層突出之按壓部；按壓部具有第1構造部、及設置於第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部，按壓部於與基底層對向之面具有凹凸，且凹凸之算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上。 第7技術係一種輸入裝置，其包含第1至第6中任一項技術之感測器。 第8技術係一種電子機器，其包含第1至第6中任一項技術之感測器。 於本技術中，第2構造部所具有之形狀部為朝向基底層突出之凸形狀部、或於遠離基底層之方向凹陷之凹形狀部。 於本技術中，基底層所具有之形狀部為相對於基底層之表面突出之凸形狀部、或相對於基底層之表面凹陷之凹形狀部。 [發明之效果] 如以上說明，根據本技術可抑制按壓部之回復障礙。

針對本技術之實施形態依以下順序進行說明。 1 第1實施形態(於第2構造部設置形狀部之感測器、包含其之輸入裝置及電子機器之例) 1.1概要 1.2電子機器之構成 1.3感測器之構成 1.4感測器之動作 1.5靜電電容相對於鍵輸入操作之變化 1.6控制器IC之動作 1.7效果 1.8變化例 2 第2實施形態(於基材設置孔部之感測器之例) 2.1感測器之構成 2.2鍵輸入操作時之感測器之動作 2.3效果 2.4 變化例 3 第3實施形態(於感測層表面設置形狀部之感測器之例) 3.1感測器之構成 3.2鍵輸入操作時之感測器之動作 3.3效果 3.4變化例 4 第4實施形態(於第2構造部設置貫通孔之感測器之例) 4.1感測器之構成 4.2鍵輸入操作時之感測器之動作 4.3效果 5 第5實施形態(於中間層與基材之間設置REF電極層，且於第2構造部設置形狀部之感測器之例) 5.1感測器之構成 5.2感測器之動作 5.3效果 5.4變化例 6 第6實施形態(於中間層與基材之間設置REF電極層，且於基材設置孔部之感測器之例) 6.1感測器之構成 6.2效果 6.3變化例 7 第7實施形態(於中間層與基材設置REF電極層之間，且於基材之表面設置形狀部之感測器之例) 7.1感測器之構成 7.2效果 7.3變化例 8 第8實施形態(於中間層與基材之間設置REF電極層，且於第2構造部設置貫通孔之感測器之例) 8.1感測器之構成 8.2效果 8.3變化例 9 第9實施形態(於基材之表面設置凹凸之感測器之例) 9.1感測器之構成 9.2效果 10 第10實施形態(於按壓部之背面設置凹凸之感測器之例) 10.1感測器之構成 10.2效果 10.3變化例 11 第11實施形態(於中間層與基材之間設置REF電極層，且於基材表面設置凹凸之感測器之例) 11.1感測器之構成 11.2效果 11.3變化例 12 第12實施形態(於中間層與基材之間設置REF電極層，且於按壓部之背面設置凹凸之感測器之例) 12.1感測器之構成 12.2效果 12.3變化例 ＜1 第1實施形態＞ [1.1概要] 本發明人等探討具有圖1所示之構成者作為薄型且可產生點擊感之感測器。該感測器820包含：參考電極層(以下稱為「REF電極層」)21、感測層22、基材23、中間層24、包含複數個按壓部841之凹凸層825、及REF層電極層26。於REF電極層26上，設置具有複數個鍵27a之鍵頂層27。按壓部841包含：第1構造部841a、設置於第1構造部841a上，相對於作為基體之基材23突出且底部側為開放之中空狀之第2構造部841b。 於具有上述構成之感測器820中，若以特定之力以上按壓鍵27a，則第1構造部841a反轉而獲得點擊感。雖以僅包含第1構造部841a之按壓部亦可獲得點擊感，但如上所述般按壓部841於第1構造部841a上包含第2構造部841b之按壓部841者，與僅具備第1構造部841a之按壓部相比可提高點擊感。 然而，以於第1構造部841a上包含第2構造部841b之按壓部841，可提高點擊感，但相反有產生回復障礙之情形。該回復障礙認為係藉由如下之機制而產生者。於以特定之力以上按壓鍵27a時，第1構造部841a反轉，按壓部841被壓入至中間層24之孔部24a。此時，根據按壓力，如圖2A所示，第2構造部841b會以第1、第2構造部841a、841b之邊界部為起點變形、壓擠，藉此造成第2構造部841b之內部相對於大氣壓減壓。如此，於第2構造部841b受到壓擠之狀態下，若解除鍵27a之按壓，則如圖2B所示，第2構造部841b一面回復至原來形狀一面吸引空氣。藉此，第2構造部841b吸附於基材23之表面而產生回復障礙。於產生回復障礙時，於解除按壓時產生鍵27a之延遲恢復、或異音。 因此，本發明人等為了抑制回復障礙而進行積極探討。其結果，發現了於第2構造部841b之與感測層22對向之側之面設置形狀部(凹形狀部及凸形狀部之至少一者)的構成。於以下，對採用此種構成之感測器、包含其之輸入裝置及電子機器進行說明。 [1.2電子機器之構成] 如圖3所示，本技術第1實施形態之電子機器10係所謂之個人電腦，且包含：輸入裝置11、與電子機器10之本體即主機12。另，於第1實施形態中，對將輸入裝置11作為周邊機器設置於主機12之外部之構成進行說明，但亦可採用輸入裝置11與主機12為一體之構成。 (輸入裝置) 輸入裝置11係所謂之鍵盤，包含感測器20、作為控制部之控制器IC(Integrated Circuit：積體電路)13、及通訊部14。又，輸入裝置11係如圖4所示，於一主表面包含具有複數個鍵27a之鍵頂層27。於該鍵頂層27之下方設置有感測器20。 感測器20係可於同一操作面進行鍵輸入操作20a與手勢輸入操作20b之二種輸入操作，且為薄型且可產生點擊感之感測器。感測器20檢測對應於輸入操作之靜電電容變化，並將對應於其之電氣信號輸出至控制器IC13。 控制器IC13基於自感測器20供給之對應於靜電電容變化之電氣信號，判斷對感測器20之操作面進行了手勢及鍵輸入操作之何者，並經由通訊部14將對應於該判斷結果之資訊輸出至主機12。具體而言，控制器IC13具有2個閾值A、B，並基於該等閾值A、B進行上述判斷。例如，於判斷為進行手勢輸入操作之情形時，經由通訊部14將座標資訊輸出至主機12。另一方面，於判定為進行鍵輸入操作之情形時，經由通訊部14將掃描碼等之與鍵相關之資訊輸出至主機12。 通訊部14係用以Bluetooth(藍牙)(註冊商標)等之特定無線通訊規格與主機12通訊而進行資訊之交換者。 (主機) 主機12包含：控制部15、通訊部16、及顯示裝置17。控制部15基於經由通訊部16自輸入裝置11供給之資訊而執行各種處理。例如，對顯示裝置17顯示文字資訊、或執行顯示於顯示裝置17之游標之移動等處理。通訊部16係以Bluetooth(藍牙)(註冊商標)等之特定無線通訊規格與輸入裝置11通訊而進行資訊之交換者。 顯示裝置17係基於自主機12供給之影像信號或控制信號等而顯示影像(畫面)。作為顯示裝置17列舉有例如液晶顯示器、電致發光(Electro Luminescence：EL)顯示器、電漿顯示器(Plasma Display Panel：PDP)等，但並非限定於此者。 [1.3感測器之構成] 以下，參照圖5A、圖5B、圖6、圖7、圖8A～圖8C，對感測器20之構成之一例進行說明。感測器20如圖5A、圖5B所示，包含：作為第1導體層之REF電極層21、感測層22、基材23、中間層(間隔層)24、包含複數個按壓部41之凹凸層25、及作為第2導體層之REF電極層26。感測器20之兩主表面中之REF電極層26側之面為具有柔軟性之操作面，於該操作面設置有鍵頂層27。於第1實施形態中，藉由包含感測層22、基材23、及中間層24之積層體構成基底層。於以下，將感測器20及其構成要素(構成構件)之兩主表面中之成為操作面側之主表面稱為表面(第1面)，適當地將與其相反側之主表面稱為背面(第2面)。 感測器20藉由靜電性檢測因對鍵頂層27之輸入操作所致之REF電極層26與感測層22之間之距離變化而檢測該輸入操作。該輸入操作為對鍵頂層27之鍵輸入操作、或於鍵頂層27上之手勢操作。 於感測層22之表面側隔開特定間隔設置有REF電極層26，鄰接於感測層22之背面側設置有REF電極層21。如此，藉由將REF電極層21、26設置於感測層22之兩面側，可防止外部雜訊(外部電場)進入感測器20內。 於感測層22與REF電極層26之間，自感測層22朝向REF電極層26之方向依序設置有基材23、中間層24、凹凸層25。藉由凹凸層25將REF電極層26與中間層24之間隔開，設置特定寬度之空間。 (REF電極層) REF電極層21構成感測器20之背面，於感測器20之厚度方向與REF電極層26對向配置。REF電極層21具有較例如感測層22及REF電極層26等更高之彎曲剛性，且作為感測器20之支持板發揮功能。 作為REF電極層21可使用導電層或導電性基材。導電性基材具備例如基材、及設置於其表面之導電層。基材具有例如薄膜狀或板狀。此處，薄膜亦包含片材。導電層只要為具有電氣導電性者即可，例如可使用包含無機系導電材料之無機導電層、包含有機系導電材料之有機導電層、包含無機系導電材料及有機系導電材料兩者之有機-無機導電層等。 作為無機系導電材料，列舉例如金屬、金屬氧化物等。此處，金屬定義為包含半金屬者。作為金屬，列舉例如鋁、銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛等金屬、或該等之合金等，但並非限定於此者。作為金屬氧化物，列舉例如銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅、氧化銦、添加銻之氧化錫、添加氟之氧化錫、添加鋁之氧化鋅、添加鎵之氧化鋅、添加矽之氧化鋅、氧化鋅-氧化錫系、氧化銦-氧化錫系、氧化鋅-氧化銦-氧化鎂系等，但並非限定於此者。 作為有機系導電材料，列舉例如碳材料、導電性聚合物等。作為碳材料列舉例如碳黑、碳纖維、富勒烯、石墨烯、碳奈米管、碳微線圈、奈米角(nanohorn)等，但並非限定於此者。作為導電性聚合物，可使用例如取代或未取代之聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、及包含選自該等中之1種或2種之(共)聚合物等，但並非限定於此者。 作為REF電極層21，具體而言可使用例如包含Al合金或Mg合金等金屬材料之金屬板、碳纖維強化型塑料等導體板、於包含塑料材料等之絕緣體層上形成鍍覆膜、蒸鍍膜、濺鍍膜或金屬箔等導電層之積層體。REF電極層21例如與接地電位連接。 作為REF電極層21之形狀，列舉例如平坦之板狀，但並非限定於此者。例如，REF電極層21可具有階差部。又，可於REF電極層21設置1個或複數個開口。再者，REF電極層21可具有網格狀之構成。 REF電極層21設置於按壓部41上。REF電極層26具有可撓性。因此，REF電極層26可對應操作面之按壓而變形。REF電極層26係例如具有可撓性之導電層或導電性薄膜。導電性薄膜包含例如基材即薄膜、及設置於其表面之導電層。作為導電層之材料，可例示與上述REF電極層21之導電層相同者。 作為導電性薄膜，具體而言可使用例如不鏽鋼(Stainless Used Steel：SUS)膜、印刷碳膜、ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)膜、蒸鍍Cu等金屬之金屬蒸鍍膜等。REF電極層26例如與接地電位連接。 (感測層) 感測層22檢測按壓部41之按壓。感測層22設置於REF電極層21、26之間，且可靜電性檢測與成為操作面側之REF電極層26之距離變化。具體而言，感測層22包含複數個感測部22s，該複數個感測部22s檢測根據與REF電極層26之距離而變化之靜電電容。 感測層22為靜電電容式感測層，如圖5B所示，包含：基材22a、設置於基材22a上之複數個感測部22s、及覆蓋該等感測部22s之絕緣層22b。 基材22a具有例如薄膜狀或板狀。此處，薄膜亦包含片材。作為基材22a之材料，可使用例如高分子樹脂或玻璃。作為高分子樹脂列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET：polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN：Polyethylene naphthalate)、聚碳酸酯(PC：Polycarbonate)、丙烯酸樹脂(PMMA：Polymethyl methacrylate)、聚醯亞胺(PI：Polyimide)、三乙酸纖維素(TAC：Triacetyl Cellulose)、聚酯、聚醯胺(PA：Polyamide)、芳香族聚醯胺、聚乙烯(PE：Polyethylene)、聚丙烯酸酯、聚醚碸、聚碸、聚丙烯(PP：Polypropylene)、二乙酸纖維素、聚氯乙烯、環氧樹脂、尿素樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、環狀烯烴聚合物(COP：cycloolefin polymer)、降冰片烯系熱可塑性樹脂等。作為玻璃，列舉例如鈉玻璃、無鹼玻璃或石英玻璃等。 於自Z軸方向俯視複數個感測部22s時，複數個感測部22s如圖6所示，對應於感測器20之鍵排列而二維狀配置於基材22a之表面上。然而，於圖6中，為了易於圖示，顯示將感測部22s二維狀配置成矩陣狀之構成。感測部22s由設置於基材22a表面之複數個X、Y電極31、32構成。另，於本說明書中，將於基材22a或感測器20之表面內相互正交之軸分別稱為X軸及Y軸，將垂直於基材22a表面之軸稱為Z軸。 第1電極即X電極31具備：電極線部31a、複數個單位電極體31b、及複數個連接部31c。電極線部31a於X軸方向延設。複數個單位電極體31b於X軸方向隔開一定間隔配置。電極線部31a與單位電極體31b隔開特定間隔配置，且兩者之間藉由連接部31c連接。另，亦可採用省略連接部31c，而將單位電極體31b直接設置於電極線部31a上之構成。 第2電極即Y電極32具備：電極線部32a、複數個單位電極體32b、及複數個連接部32c。電極線部32a於Y軸方向延設。複數個單位電極體32b於Y軸方向隔開一定間隔配置。電極線部32a與單位電極體32b隔開特定間隔配置，且兩者之間藉由連接部32c連接。 單位電極體31b具有將複數個子電極31d於Y軸方向延設之梳齒狀。單位電極體32b具有將複數個子電極32d於Y軸方向延設之梳齒狀。單位電極體31b、32b以子電極31d、32d彼此相互嚙合之方式配置。具體而言，將複數個子電極31d、32d交替配置，且鄰接之子電極31d、32d隔開特定之間隔。 電極線部32a包含於與電極線部31a之交叉部中跨過電極線部31a之跨接配線部32e。於跨接配線部32e與電極線部32a之間，設置有未圖示之絕緣層。 作為絕緣層22b之材料，可使用無機材料及有機材料之任一者。作為無機材料可使用例如SiO₂ 、SiNx、SiON、Al₂ O₃ 、Ta₂ O₅ 、Y₂ O₃ 、HfO₂ 、HfAlO、ZrO₂ 、TiO₂ 等。作為有機材料，可使用例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等聚丙烯酸酯、PVA(聚乙烯醇)、PS(聚苯乙烯)、透明性聚醯亞胺、聚酯、環氧樹脂、聚乙烯苯酚、聚乙烯醇等高分子樹脂。 (基材) 基材23不藉由黏著層等貼合於成為其下層之感測層22上，而僅為載置之狀態。基材23具有與凹凸層25相同或大致相同之線膨脹係數。基材23及凹凸層25可由相同材料構成，亦可由具有相同或大致相同之線膨脹係數之不同材料構成。 基材23具有例如薄膜狀或板狀。作為基材23之材料可例示與基材22a相同之高分子樹脂。另，基材23包含樹脂層與設置於該樹脂層之一表面之黏著層，且可經由黏著層將基材23與中間層24貼合。於該情形時，基材23之線膨脹係數意指樹脂層之線膨脹係數。 藉由將基材23不貼合而載置於感測層22上，於感測層22與凹凸層25因環境溫度變化等向感測層22之面內方向伸縮之情形時，感測層22與凹凸層25亦可獨立位移。因此，由於可抑制於構成感測器20之構件產生變形等，故可提高感測器20之可靠性。 (中間層) 中間層24係如圖5B所示，包含：中間層24之本體層24b、與設置於該本體層24b表面之黏著層24c。又，中間層24具有分別供複數個按壓部41壓入之複數個孔部24a。孔部24a為例如自中間層24之表面貫通至背面之貫通孔。孔部24a設置於對應於感測部22s及按壓部41之位置。具體而言，以按壓部41、孔部24a及感測部22s於感測器20之厚度方向重疊之方式設置。藉此，於進行鍵輸入操作之情形時，第1構造部41a反轉，可使按壓部41進入孔部24a。中間層24藉由例如網版印刷或成型薄膜等形成。作為本體層24b之材料，可例示例如與絕緣層22b相同之材料。作為本體層24b之材料，可使用紫外線硬化樹脂等能量線硬化性樹脂。中間層24與凹凸層25經由黏著層24c貼合。 (凹凸層) 凹凸層25由壓紋薄膜40構成。作為壓紋薄膜40之材料可例示與基材22a相同之高分子樹脂。凹凸層25係如圖5B、圖7所示，包含：複數個按壓部41、平坦部42、及通氣孔43。然而，於圖7以外之圖式中，省略通氣孔43之圖示。 複數個按壓部41以分別對應於複數個感測部22s之方式二維狀地配置於中間層24之表面上。按壓部41相對於感測層22突出，且具有底部側為開放之中空狀。按壓部41將中間層24與REF電極層26之間隔開，且於中間層24與REF電極層26之間形成特定厚度之空間。平坦部42對中間層24貼合，藉此將凹凸層25固定於中間層24之表面上。按壓部41為以相對於壓入量(相對於操作載荷)之反作用力進行非線性變化之反作用力構造部。 如圖8A、圖8B、圖8C所示，按壓部41具有底部側為開放之中空狀之第1構造部41a、與設置於第1構造部41a之頂部上，且底部側為開放之中空狀之第2構造部41b。第1構造部41a為藉由鍵27a之按壓而反轉之挫曲部，具有自其頂部朝向底部漸漸變寬之傾斜面。作為第1構造部41a之形狀，列舉例如底部及頂部開放之中空狀之錐台形狀。作為第2構造部41b之形狀，列舉例如底部開放之中空狀之錐台形狀。作為第1、第2構造部41a、41b之錐台形狀列舉例如圓錐台形狀或四角錐台形狀等。另，第1、第2構造部41a、41b之形狀並非限定於此者，亦可使用除此以外之形狀。第2構造部41b側面之傾斜角設定為大於第1構造部41a側面之傾斜角。此處，傾斜角意指相對於感測層22表面之傾斜角。 第2構造部41b於側面具有1個或2個以上之形狀部41c。形狀部41c為朝向感測層22突出之凸形狀部，形狀部41c之背面側被按下而凹陷。此處，以背面側凹陷之形狀部41c為例進行說明，但只要對向於感測層22之面為凸形狀即可，背面側可不凹陷。 形狀部41c部分設置於第2構造部41b所具有之側面底部側之周緣。於形狀部41c之個數為2個以上之情形時，2個以上之形狀部41c等間隔或不等間隔地隔開配置於第2構造部41b之周緣。另，於圖8A、圖8B中，顯示將4個形狀部41c等間隔配置於第2構造部41b之周緣之例。 作為自Z軸方向俯視按壓部41時之形狀部41c之形狀，列舉略部分圓形狀、略部分橢圓形狀、略四角形狀等略多角形狀或不定形狀等，但並非限定於此者。此處，部分圓形狀為圓形狀之一部分之形狀，例如半圓形狀。部分橢圓形狀為橢圓形狀之一部分之形狀，例如半橢圓形狀。作為多角形狀，列舉例如三角形狀、四角形狀、五角形狀等，亦可對該等形狀之頂部賦予曲率R等。 通氣孔43將鄰接之按壓部41之內部空間彼此相連，且將按壓部41之內部空間與外部空間相連。於按壓按壓部41時，藉由通氣孔43將按壓部41之內部空間之空氣排出。通氣孔43為由設置於凹凸層25背面之槽與中間層24之表面構成之孔部。可於中間層24之表面亦設置槽，並組合凹凸層25背面之槽與中間層24表面之槽而構成通氣孔43。 (鍵頂層) 鍵頂層27具有可撓性。因此，鍵頂層27可對應於操作面之按壓與REF電極層26一起變形。作為鍵頂層27，可使用例如樹脂薄膜、具有柔軟性之金屬板等。於鍵頂層27之表面，排列有複數個鍵27a。於鍵27a，列印有文字、記號、功能等。藉由按下或離開該鍵27a，自控制器IC13對主機12輸出掃描碼等資訊。 於鍵27a之下方，設置有按壓部41、孔部24a及感測部22s。即，於感測器20之厚度方向，以鍵27a、按壓部41、孔部24a及感測部22s重疊之方式設置。 [1.4感測器之動作] 於具有上述構成之感測器20中，於X、Y電極31、32間施加電壓時，鄰接之子電極31d、32d形成電容耦合。於X、Y電極31、32間施加電壓之狀態下，因輸入操作使REF電極層26接近感測層22(即，感測部22s)時，鄰接之子電極31d、32d間之靜電電容變化。因此，由1組單位電極體31b、32b構成之感測部22s整體之靜電電容產生變化。基於該感測部22s整體之靜電電容之變化，控制器IC13判斷對操作面進行了手勢及鍵輸入操作之哪一種輸入操作。 以下，參照圖9A、圖9B，對手勢及鍵輸入操作時之感測器20之動作之一例進行說明。 (手勢輸入操作) 如圖9A所示，於對感測器20之表面(操作面)進行手勢輸入操作時，按壓部41之形狀略微變形，鍵27a自初始位置向下方位移距離D1。藉此，感測層22與REF電極層26之距離略微位移D1，靜電電容略微變化。以感測層22內之感測部22s檢測該靜電電容變化，並作為電氣信號輸出至控制器IC13。此處，靜電電容變化意指1個感測部22s整體之靜電電容變化。 (鍵輸入操作) 如圖9B所示，於按壓感測器20之鍵27a進行鍵輸入操作時，第1構造部41a反轉，鍵27a自初始位置位移距離D2。藉此，感測層22與REF電極層26之距離大幅位移D2，靜電電容大幅變化。以感測層22內之感測部22s檢測該靜電電容變化，並作為電氣信號輸出至控制器IC13。 於圖9B所示之狀態下，若進一步按壓鍵27a則第2構造部41b以與基材123抵接之第1、第2構造部41a、41b之邊界部為起點變形壓擠(參照圖2A)。於第1實施形態中，由於第2構造部41b於側面具有形狀部41c，故如此於第2構造部41b受到壓擠之狀態下，於形狀部41c之兩側形成未圖示之通氣孔。藉此，藉由第2構造部41b之內側面與基材23之表面形成之空間經由上述通氣孔與第2構造部41b之外部相通。 於解除鍵27a之按壓時，第2構造部41b一面回復至原來形狀一面吸引空氣。此時，由於經由上述通氣孔自第2構造部41b之外部供給空氣，故抑制第2構造部41b吸附基材23。因此，抑制按壓部41之回復障礙。 [1.5靜電電容相對於鍵輸入操作之變化] 以下，參照圖10A、圖10B、圖10C對鍵輸入操作時之感測器20之靜電電容變化之一例進行說明。 於具有上述構成之感測器20中，按壓部41如圖10A所示，具有對操作者之反作用力相對於REF電極層26之移動量非線性變化之功能。具體而言，按壓部41具有以下功能：對應於操作者之壓入而反作用力增加而於P1上升至極大值，若進而增加按入量則反作用力減少至極小值P2，若按壓至按入變形之臨界點則反作用力再次增加。 於感測器20中，靜電電容變化係如圖10B所示，相對於REF電極層26之移動量單調遞增。又，靜電電容變化係如圖10C所示，對應於對操作者之反作用力之增加，平緩變化後急遽變化，其後再次平緩變化。最初平緩變化之區域R_B 於圖10A中係對應於操作者自初始位置開始按入後，反作用力到達至極大值P1之區域。又，急遽變化之區域R_A 於圖10A中係對應於反作用力自極大值P1到達極小值P2之區域。 於區域R_A 內設定閾值A，判斷靜電電容是否超出該閾值A，藉此可判斷是否對於操作面進行鍵輸入操作。另一方面，於區域R_B 內設定閾值B，判斷靜電電容是否超出該閾值B，藉此可判斷是否對於操作面進行手勢操作。 [1.6控制器IC之動作] 以下，參照圖11，對控制器IC13之動作之一例進行說明。 首先，於步驟S1中，於使用者對輸入裝置11之操作面進行輸入操作時，於步驟S2中，控制器IC13基於自感測器20供給之對應於靜電電容變化之電氣信號，判斷1個感測部22s整體之靜電電容變化是否為閾值B以上。於步驟S2判斷為靜電電容變化為閾值B以上之情形時，於步驟S3中，控制器IC13將掃描碼等之與鍵相關之資訊輸出至主機12。藉此，進行鍵輸入。另一方面，於步驟S2判斷為靜電電容變化非為閾值B以上之情形時，處理進行至步驟S4。 接著，於步驟S4中，控制器IC13基於自感測器20供給之對應於靜電電容變化之電氣信號，判斷1個感測部22s整體之靜電電容變化是否為閾值A以上。於步驟S4判斷為靜電電容變化為閾值A以上之情形時，於步驟S5中，控制器IC13根據手勢判定運算法而動作。藉此，進行手勢輸入。另一方面，於步驟S4判斷為靜電電容變化非為閾值A以上之情形時，處理回至步驟S1。 [1.7效果] 於第1實施形態之感測器20中，第2構造部41b於對向於感測層22之面具有朝向感測層22突出之1個或2個以上之形狀部41c。因此，於第2構造部41b因鍵27a之按壓而受到壓擠時，於形狀部41c之兩側形成通氣孔。因此，藉由解除鍵27a之按壓，第2構造部41b回復至原來形狀時，可抑制第2構造部41b吸附於基材23。因此，可抑制按壓部41之回復障礙。 [1.8變化例] 於上述第1實施形態中，對輸入裝置11為鍵盤之情形進行說明，但本技術並非限定於該例者。本技術亦可應用於僅包含1個按壓部之感測器、及包含其之開關等之輸入裝置。 於上述第1實施形態中，對電子機器10為個人電腦之情形進行說明，但本技術並非限定於該例者。本技術亦可應用於包含鍵盤或開關等之輸入裝置之各種電子機器，例如智慧型手機等行動電話、平板型電腦、電視、相機、攜帶式遊戲機、汽車導航系統、穿戴式機器等。 單位電極體31b、32b亦可具有同心狀或螺旋狀。作為同心狀列舉例如同心之多角形狀、同心之圓形狀、同心之橢圓狀，但並非限定於此者。作為螺旋狀列舉例如螺旋之多角形狀、螺旋之圓形狀、螺旋之橢圓狀，但並非限定於此者。 第2構造部41b可代替朝向感測層22突出之1個或2個以上之形狀部41c(參照圖8A、圖8B、圖8C)，而如圖12A、圖12B、圖12C所示般，於側面包含向遠離感測層22之方向凹陷之1個或2個以上之形狀部(凹形狀部)41d。 於包含具有上述構成之第2構造部41b之感測器20中，於第2構造部41b因鍵27a之按壓而受到壓擠之狀態下，形狀部41d作為通氣孔發揮功能。藉此，藉由第2構造部41b之內側面與基材123表面形成之空間經由上述通氣孔與第2構造部41b之外部相通。因此，與第1實施形態同樣地可抑制按壓部41之回復障礙。 第2構造部41b可代替設置於側面底部側周緣之形狀部41c(參照圖8A、圖8B、圖8C)，而如圖13A所示，包含設置於側面頂部側之周緣之形狀部41e。 於包含具有上述構成之第2構造部41b之感測器20中，藉由鍵27a之按壓，使第2構造部41b以第1、第2構造部41a、41b之邊界部為起點變形時，藉由形狀部41e支持變形之第2構造部41b之頂部。故而，抑制第2構造部41b之壓擠。因此，藉由解除鍵27a之按壓，使第2構造部41b回復至原來形狀時，可抑制第2構造部41b吸附於基材23。因此，可抑制按壓部41之回復障礙。 如圖13B所示，第2構造部41b可於頂部包含朝向感測層22突出之形狀部(凸形狀部)41f。自Z軸方向俯視按壓部41時之形狀部41f之形狀列舉例如十字狀、I字狀、圓形狀、多角形狀、不定形狀等，但並非限定於此者。 如上所述，於將形狀部41f設置於第2構造部41b之頂部之感測器20中，於藉由鍵27a之按壓，使第2構造部41b以第1、第2構造部41a、41b之邊界部為起點變形時，藉由形狀部41f支持變形之第2構造部41b之頂部。因此，可與於第2構造部之側面包含上述形狀部41e之感測器20同樣地，抑制按壓部41之回復障礙。 亦可代替包含朝向感測層22突出之1個或2個以上之形狀部41c(參照圖8A、圖8B、圖8C)，而將第2構造部41b之深度較淺地設為200 μm以下。於該情形時，由於第2構造部41b因鍵27a之按壓而受到壓擠之量較小，故第2構造部41b自受到壓擠之狀態回復時之吸附力較弱。因此，可抑制按壓部41之回復障礙。 如圖14所示，可代替中間層24(參照圖5B)，而使按壓部41進而包含第3構造部41g。第1構造部41a可設置於第3構造部41g上。第3構造部41g為墊高加固第1構造部41a之墊高加固部，具有相對於感測層22之表面大致垂直立設之側面、或相對於感測層22之表面以未達90°之傾斜角傾斜之側面。第3構造部41g之側面傾斜角設定為大於第1構造部41a之側面傾斜角。此處，傾斜角意指相對於感測層22表面之傾斜角。 如上所述，於採用按壓部41進而包含第3構造部41g之構成之情形時，由於可省略中間層24，故可將感測器20之層構成簡略化。然而，亦可採用設置中間層24與第3構造部41g兩者之構成。 如圖14B所示，亦可採用不設置基材23，而將中間層24直接設置於感測層22上之構成。然而，如上所述，基於提高感測器20之可靠性之觀點，較佳設置基材23。 如圖15A所示，按壓部41可於第2構造部41b之頂部進而具備壓件44。壓件44為例如兩面黏著薄膜，包含樹脂層44a、與分別設置於該樹脂層44a兩面之黏著層44b、44c。壓件44經由黏著層44b貼合於第2構造部41b之頂部，經由黏著層43c貼合於REF電極層26之背面。如上所述，於第2構造部41b進而包含壓件44之情形時可進而提高點擊感。 如圖15B所示，感測器20可進而包含設置於壓件44與REF電極層26之間之支持層45。藉由採用該構成，於以手指等接觸鍵頂層27之表面時等，可抑制經由鍵頂層27而感覺之按壓部41之顆粒感。 支持層45之周緣較佳於自Z軸方向俯視感測器20時，設置於較按壓部41之頂部周緣更外側，且較鍵27a之周緣更內側，更佳設置於較按壓部41之底部周緣更外側，且較鍵27a之周緣更內側，且例如以與鍵27a之周緣重疊或幾乎重疊之方式設置。藉由將支持層45之周緣設置於此等位置，可進一步抑制經由鍵頂層27感覺之按壓部41之顆粒感。 支持層45係例如黏著薄膜，包含樹脂層45a、與設置於該樹脂層45a之一表面之黏著層45b。支持層45經由黏著層45b貼合於REF電極層26之背面。壓件44經由黏著層45c貼合於支持層45之背面。 另，於上述構成中，以支持層45與壓件44分開之構成為例進行說明，但支持層45與壓件44可一體成形。又，按壓部41亦可不具備壓件44而將支持層45直接設置於按壓部41上。 第1構造部41a可由支持第2構造部41b之複數個腳部構成。可採用將凹凸層25直接設置於感測層22上，而第1構造部41a不反轉之構造。 感測層22可為於基材22a之背面具有複數個X電極31，於基材22a之表面具有複數個Y電極32者。於該情形時，感測部22s由設置於基材22a之不同面之單位電極體31b、32b構成。 X電極31如圖16所示，包含：於X方向以特定間隔配置之複數個單位電極體31b、與分別將單位電極體31b間相連之複數個電極線部31f。單位電極體31b為具有於X方向延設之複數個子電極31d之網狀者。 Y電極32如圖16所示，包含：於Y方向以特定間隔配置之複數個單位電極體32b、與分別將單位電極體32b間相連之複數個電極線部32f。單位電極體32b為具有於Y方向延設之複數個子電極32d之網狀者。 ＜2 第2實施形態＞ [2.1感測器之構成] 本技術之第2實施形態之感測器120與第1實施形態之感測器20之不同點在於：代替於第2構造部41b包含1個或2個以上之形狀部41c(參照圖5B)，而如圖17A所示，於與第2構造部41b之背面對向之位置包含1個或2個以上之孔部123a。另，於第2實施形態中對與第1實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。 孔部123a設置於基材123。孔部123a可為貫通孔，亦可為有底之孔部。孔部123a如圖17B所示，於自Z軸方向俯視感測器120時，設置於與第2構造部141b重疊之位置。孔部123a之一部分於自Z軸方向俯視下，自第2構造部141b之位置延設至第1構造部141a之位置。即，孔部123a之一部分於自Z軸方向之俯視下，自第1、第2構造部141a、141b之邊界部之內側延設至外側。作為自Z軸方向俯視按壓部141時之孔部123a之形狀，列舉例如橢圓形狀、多角形狀、I字狀、十字狀、長圓狀、不定形狀等，但並非限定於此者。另，於圖17B中，顯示自Z軸方向俯視按壓部141時之孔部123a之形狀為I字狀之例。 凹凸層125由壓紋薄膜140構成。壓紋薄膜140包含按壓部141。按壓部141與第1實施形態之按壓部41之不同之處在於：包含於側面未設置形狀部41c(參照圖5B)之第2構造部141b。 [2.2鍵輸入操作時之感測器之動作] 於第2構造部141b藉由鍵27a之按壓而受到壓擠之狀態下，孔部123a作為通氣孔發揮功能。藉此，由第2構造部141b之內側面與基材123之表面形成之空間經由孔部123a與第2構造部141b之外部相通。因此，如圖18所示，於解除鍵27a之按壓時，第2構造部141b一面回復至原來形狀一面吸引空氣。此時，由於經由孔部123a自第2構造部141b之外部供給空氣，故抑制第2構造部141b吸附基材123。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 [2.3效果] 於第2實施形態之感測器120中，於與第2構造部141b之背面對向之位置設置有孔部123a。因此，於解除鍵27a之按壓時，抑制第2構造部141b吸附基材23。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 [2.4變化例] 於自Z軸方向之俯視下，孔部123a可侷限於第1、第2構造部41a、141b之邊界部之內側位置。於該構成之情形時，藉由設置有孔部123a，第2構造部141b自受到壓擠之狀態回復時之吸附力較弱。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 於上述構成之情形時，較佳將孔部123a設為貫通孔，且於感測層22與基材123之間形成間隙。其理由在於：於第2構造部141b自受到壓擠之狀態回復時，經由上述貫通孔及間隙向第2構造部141b之內部空間供給氣體之故。 又，於上述構成之情形時，較佳將孔部123a設為貫通孔，且進而於感測層22與基材123之間設置多孔質層。其理由在於：於第2構造部141b自受到壓擠之狀態回復時，經由上述貫通孔及多孔質層向第2構造部141b之內部空間供給氣體之故。 如圖19A、圖19B所示，可將1個或2個以上之孔部123a部分地設置於與第1、第2構造部41a、141b之邊界部對向之位置。另，各孔部123a於自Z軸方向之俯視下，自第2構造部14b之內側面位置延設至第1構造部141a之內側面位置。即，各孔部123a於自Z軸方向之俯視下，自第1、第2構造部141a、141b之邊界部之內側延設至外側。於基材123具備2個以上孔部123a之情形時，於對向於第1、第2構造部41a、141b之邊界部之位置等間隔或不等間隔隔開而設置。於上述構成之情形時，亦可與第2實施形態同樣地抑制按壓部141之回復障礙。 亦可於感測層22與基材123之間包含多孔質層。於該情形時，回復障礙之抑制效果進一步提高。基材123亦可為多孔質層。於該情形時，由於無須將基材123之孔部位置相對於第2構造部141b進行對位，故感測器120之製作變得更容易。 ＜3 第3實施形態＞ [3.1感測器之構成] 本技術之第3實施形態之感測器220與第1實施形態之感測器20之不同點在於：代替第2構造部41b於側面包含1個或2個以上形狀部41c(參照圖5B)，而如圖20A、圖20B所示，感測層22於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置部分地包含1個或2個以上之形狀部28。於第3實施形態中，由感測層22與中間層24構成基底層。另，於第3實施形態中對與第1實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。 形狀部28為以相對於感測層22之表面突出之方式設置之島狀部。於感測層22於表面包含2個以上之形狀部28之情形時，2個以上之形狀部28於對向於第1、第2構造部41a、141b之邊界部之位置等間隔或不等間隔隔開而設置。形狀部28較佳具有與中間層24之一部分或全部相同之層構成。其理由在於：可於中間層24之製作製程中同時形成形狀部28，且可將中間層24之製造步驟簡略化之故。 作為自Z軸方向俯視按壓部141時之形狀部28之形狀列舉例如圓形狀、橢圓形狀、多角形狀、切掉一部分之環狀、不定形狀等，但並非限定於此者。另，於圖20B中，顯示自Z軸方向俯視按壓部141時之按壓部141之形狀為四角形狀之例。 [3.2鍵輸入操作時之感測器之動作] 於按壓感測器220之鍵27a進行鍵輸入操作時，第1構造部41a反轉，第1、第2構造部41a、41b之邊界部藉由形狀部28而保持與感測層22之表面懸空之狀態。於該狀態下，於第1、第2構造部41a、41b之邊界部與感測層22之表面之間之一部分形成間隙。 如圖21所示，於解除鍵27a之按壓時，第2構造部141b一面回復至原來形狀一面吸引空氣。此時，由於經由上述間隙自第2構造部141b之外部供給空氣，故抑制第2構造部141b吸附感測層22。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 [3.3效果] 於第3實施形態之感測器220中，於對應於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置設置有1個或2個以上之形狀部28。因此，於解除鍵27a之按壓時，抑制第2構造部141b吸附感測層22。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 [3.4變化例] 可代替感測層22於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置包含1個或2個以上之形狀部28(圖20A、圖20B)，而如圖22A所示，感測器220於感測層22與中間層24之間包含基材223，且基材223於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置部分地包含1個或2個以上之形狀部228。於該構成之情形時，可獲得與第3實施形態相同之作用效果。形狀部228與基材223可一體成形，形狀部228與基材223亦可分開而成形。 可代替感測層22於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置部分地包含1個或2個以上之形狀部28(圖20A、圖20B)，而如圖22B所示，於與第2構造部141b之背面對向之位置包含1個或2個以上之形狀部28。 於感測層22包含上述形狀部28之感測器20中，於藉由鍵27a之按壓，使第2構造部141b以第1、第2構造部41a、41b之邊界部為起點而變形時，藉由形狀部28支持變形之第2構造部141b之頂部。因此，抑制第2構造部141b之壓擠。因此，於藉由解除鍵27a之按壓，第2構造部141b回復至原來形狀時，可抑制第2構造部141b吸附於感測層22。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 可代替感測層22於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置部分地包含1個或2個以上之形狀部28(圖20A、圖20B)，而如圖23所示，感測器220於感測層22與中間層24之間包含基材223，且基材223於與第2構造部141b之背面對向之位置包含1個或2個以上之形狀部228。於該構成之情形時，亦可獲得與上述變化例相同之作用效果。 ＜4 第4實施形態＞ [4.1感測器之構成] 本技術之第4實施形態之感測器320與第1實施形態之感測器320之不同點在於：代替包含於側面設置1個或2個以上之形狀部41c之第2構造部41b(參照圖5B)，而如圖24A、圖24B所示，包含於側面設置1個或2個以上之貫通孔341c之第2構造部341b。另，於第4實施形態中對與第1實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。 凹凸層325由壓紋薄膜340構成。壓紋薄膜340包含按壓部341。按壓部341包含於側面設置1個或2個以上之貫通孔341c之第2構造部341b。於第2構造部341b具有2個以上貫通孔341c之情形時，2個以上之貫通孔341c如圖24B所示，等間隔或不等間隔隔開配置於第2構造部341b之側面周方向。作為貫通孔341c之形狀列舉圓形狀、橢圓形狀、多角形狀或不定形狀等，但並非限定於此者。 [4.2鍵輸入操作時之感測器之動作] 於以特定之按壓力以上按壓鍵27a時，第1、第2構造部41a、341b之邊界部被按壓至基材23，且第2構造部341b以被按壓之上述邊界部為起點而變形壓擠。如圖25所示，於解除鍵27a之按壓時，第2構造部341b一面回復至原來形狀一面吸引空氣。此時，由於經由上述貫通孔341c自第2構造部341b之外部供給空氣，故抑制第2構造部341b吸附基材23。因此，抑制按壓部341之回復障礙。 [4.3效果] 於第2實施形態之感測器320中，由於第2構造部341b於側面包含1個或2個以上之貫通孔341c，故抑制按壓部341之回復障礙。 ＜5 第5實施形態＞ [5.1感測器之構成] 於本技術之第5實施形態之感測器420中，如圖26A所示，將凹凸層25設置於基材23上，且於中間層24與基材23之間設置REF電極層26。基材23不藉由黏著層等貼合於成為其下層之REF電極層26上，而僅為載置之狀態。凹凸層25與基材23藉由黏著層等貼合。按壓部41之底部於自Z軸方向俯視感測器420時位於中間層24之孔部24a之內側。另，於如第5實施形態般將凹凸層25設置於基材23上之構成中，基材23為基底層。 第5實施形態之感測器420於上述以外之方面，與第1實施形態之感測器20相同。 [5.2感測器之動作] (手勢輸入操作) 如圖27A所示，於對感測器420之表面(操作面)進行手勢輸入操作時，藉由按壓部41之底部按壓REF電極層26，REF電極層26中之位於孔部24a上之部分略微落入中間層24之孔部24a。藉此，感測層22與REF電極層26之距離略微位移D1，單位電極體31b、32b間之靜電電容略微產生變化。以感測層22內之感測部22s檢測該靜電電容變化，並作為電氣信號輸出至控制器IC13。 (鍵輸入操作) 如圖27B所示，於對感測器420之表面(操作面)進行鍵輸入操作時，第1構造部41a反轉，將REF電極層26按至按壓部41之背面，REF電極層26中之位於孔部24a上之部分略微落入中間層24之孔部24a內。此時，藉由第1構造部41a之反轉，第2構造部41b亦落入至中間層24之孔部24a內。藉此，感測層22與REF電極層26之距離大幅位移D2，單位電極體31b、32b間之靜電電容大幅變化。以感測層22內之感測部22s檢測該靜電電容變化，並作為電氣信號輸出至控制器IC13。 於藉由鍵輸入操作，第2構造部41b成為按壓至基材23之壓擠狀態之情形時，於形狀部41c之兩側形成未圖示之通氣孔。於解除鍵27a之按壓時，第2構造部41b一面回復至原來形狀一面吸引空氣。此時，由於經由上述通孔自第2構造部41b之外部供給空氣，故抑制第2構造部41b吸附基材23。 [5.3效果] 於具有上述構成之感測器420中，於第2構造部41b受到壓擠之狀態下，於形狀部41c之兩側形成有未圖示之通氣孔。藉此，於解除鍵27a之按壓時，抑制第2構造部141b吸附基材23。因此，抑制按壓部141之回復障礙。又，於具有上述構成之感測器420中，將REF電極層26設置於中間層24上。該構成與將REF電極層26設置於凹凸層25上之構成相比，可容易地將感測層22與REF電極層26之距離調整為一定。因此，第5實施形態之感測器420與第1實施形態之感測器20相比更易於製造。 於具有上述構成之感測器420中，由於基材23不貼合而僅載置於REF電極層26，故於感測層22與凹凸層25因環境溫度變化等向感測層22之面內方向伸縮之情形時，感測層22與凹凸層25亦可獨立位移。因此，由於可抑制於構成感測器420之構件產生變形等，故可提高感測器420之可靠性。 [5.4變化例] 於第5實施形態之感測器420可採用第1實施形態之變化例之構成。 如圖26B所示，可採用不設置基材23，而將凹凸層25直接設置於REF電極層26上之構成。即，可採用僅將REF電極層26設置於中間層24與凹凸層25之間之構成。於該情形時，凹凸層25與REF電極層26可經由黏著層(未圖示)等貼合。 ＜6 第6實施形態＞ [6.1感測器之構成] 本技術之第6實施形態之感測器520與第5實施形態之感測器420之不同點在於：代替於第2構造部41b包含1個或2個以上之形狀部41c(參照圖26A)，而如圖28A所示，包含於與第2構造部141b之背面對向之位置具有1個或2個以上之孔部123a的基材123。另，於第6實施形態中對與第5實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。 基材123、凹凸層125分別與第2實施形態者相同。 [6.2效果] 於第6實施形態之感測器520中，於與第2構造部141b之背面對向之位置設置有孔部123a。因此，於第2構造部141b因鍵27a之按壓而受到壓擠之狀態下，孔部123a作為通氣孔發揮功能。藉此，抑制於解除鍵27a之按壓時，第2構造部141b吸附基材123。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 [6.3變化例] 於第6實施形態之感測器520中，亦可採用第2實施形態之變化例之構成。例如，如圖28B所示，可將1或2個以上之孔部123a局部地設置於對向於第1、第2構造部41a、141b之邊界部之位置。孔部123a與第2實施形態之變化例者相同。 孔部123a亦可設置於基材123及REF電極層26兩者。 亦可不設置基材123，而將凹凸層125直接設置於REF電極層26上，將孔部123a設置於REF電極層26。 ＜7 第7實施形態＞ [7.1感測器之構成] 本技術之第7實施形態之感測器620與第5實施形態之感測器420之不同之處在於：取代於第2構造部41b中於側面包含1個或2個以上之形狀部41c(參照圖26A)，而如圖29A所示，基材223於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置局部地包含1個或2個以上之形狀部228。另，於第7實施形態中，對與第5實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。 形狀部228係與第3實施形態之變化例者相同。 [7.2效果] 於第7實施形態之感測器620中，於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置局部地設置有1個或2個以上之形狀部228。因此，於按壓感測器620之鍵27a進行鍵輸入操作時，第1構造部41a反轉，且藉由形狀部228將第1、第2構造部41a、141b之邊界部保持與基材223之表面懸空之狀態。於該狀態下，於第1、第2構造部41a、141b之邊界部與基材223之表面之間之一部分形成間隙。因此，抑制於解除鍵27a之按壓時，第2構造部141b吸附基材223。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 [7.3變化例] 可取代感測層22於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置包含1個或2個以上之形狀部228(圖29A)，而如圖29B所示，基材223於與第2構造部141b之背面對向之位置包含1個或2個以上之形狀部228。 於基材223具備上述形狀部228之感測器620中，於鍵27a之按壓下、第2構造部141b以第1、第2構造部41a、141b之邊界部為起點變形時，藉由形狀部228支持變形之第2構造部141b之頂部。因此，抑制第2構造部141b之壓擠。因此，於藉由解除鍵27a之按壓，第2構造部141b回復至原來形狀時，可抑制第2構造部141b吸附於基材223。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 亦可不設置基材23，而將凹凸層125直接設置於REF電極層26上，且REF電極層26於第1、第2構造部41a、141b之邊界部所對向之位置部分地包含1個或2個以上之形狀部228，亦可於第2構造部141b之背面所對向之位置包含1個或2個以上之形狀部228。 ＜8 第8實施形態＞ [8.1感測器之構成] 本技術之第8實施形態之感測器720與第5實施形態之感測器420之不同之處在於：代替包含將1個或2個以上之形狀部41c設置於側面之第2構造部41b(參照圖26A)，而如圖30所示，包含將1個或2個以上之貫通孔341c設置於側面之第2構造部341b。另，於第8實施形態中對與第5實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。 凹凸層325係與第4實施形態者相同。 [8.2效果] 於第8實施形態之感測器320中，第2構造部341b於側面包含1個或2個以上之貫通孔341c。因此，於解除鍵27a之按壓時，由於經由貫通孔341c自第2構造部341b之外部供給空氣，故抑制第2構造部341b吸附基材23。因此，抑制按壓部341之回復障礙。 [8.3變化例] 亦可採用不設置基材23，而將凹凸層125直接設置於REF電極層26上之構成。於該構成之情形時，亦可獲得與上述第8實施形態相同之作用效果。 ＜9 第9實施形態＞ [9.1感測器之構成] 本技術之第9實施形態之感測器920與第2實施形態之感測器120之不同之處在於：代替包含於與按壓部141之背面對向之面具有孔部123a之基材123(參照圖17A)，而如圖48所示，包含於與按壓部141之背面對向之面具有凹凸923a之基材923。另，於9實施形態中對與第2實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。 於第9實施形態中，由包含感測層22、基材923、及中間層24之積層體構成基底層。基底層包含與按壓部141對向之基材23，凹凸923a設置於基材923。凹凸923a可設置於基材923兩面中之與按壓部141之背面對向之面之整體，亦可僅設置於與按壓部141對向之部分，亦可僅設置於與第1、第2構造部41a、141b之邊界部對向之部分。然而，若考慮生產性，則較佳設置於基材923兩面中之與按壓部141之背面對向之面之整體。 凹凸923a之算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上，較佳為2.43 μm以上。若算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上，則於解除鍵27a之按壓時，可抑制第2構造部141b吸附於基材923之表面而於按壓部141產生回復障礙。凹凸923a之算術平均粗糙度Ra之上限值並未特別限定者，但例如為100 μm以下。 凹凸923a可為規則者，亦可為不規則者。作為凹凸923a之形成方法列舉例如熱轉印法、UV轉印法等之光轉印法、印刷法、噴砂法、塗佈含有微粒子之塗料而硬化之方法等，但並未限定於此者。 [9.2效果] 於第9實施形態之感測器920中，基材923於與按壓部141之背面對向之面具有凹凸923a。因此，於第2構造部141b受到壓擠之狀態下，藉由凹凸923a於第1、第2構造部41a、141b之邊界部與基材923之間形成細微之通氣孔。藉此，於解除鍵27a之按壓時，抑制第2構造部141b吸附基材923。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 ＜10 第10實施形態＞ [10.1感測器之構成] 本技術之第10實施形態之感測器1020與第1實施形態之感測器20之不同之處在於：取代包含於第2構造部1041b具有形狀部41c之凹凸層25(參照圖5B)，而如圖49所示，包含於與基材23對向之面具有凹凸1025a之凹凸層1025。另，於第10實施形態中對與第1實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。又，於第10實施形態中，由包含感測層22、基材23、及中間層24之積層體構成基底層。 凹凸層1025由包含複數個按壓部1041、及平坦部1042之壓紋薄膜1040構成。按壓部1041包含：第1構造部1041a、及設置於第1構造部1041a上之第2構造部1041b。第1、第2構造部1041a、1041b在於基材23對向之面具有凹凸1025a以外之方面，與第2實施形態之第1、第2構造部141a、41b相同。凹凸1025a可設置於壓紋薄膜1040兩面中之與基材23對向之面之整體，亦可僅設置於按壓部141之部分，亦可僅設置於第1、第2構造部1041a、1041b之邊界部。 凹凸1025a之算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上，較佳為2.43 μm以上。若算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上，則於解除鍵27a之按壓時，可抑制第2構造部1041b吸附於基材23之表面而於按壓部141產生回復障礙。凹凸1025a之算術平均粗糙度Ra之上限值並未特別限定者，但例如為100 μm以下。 [10.2效果] 於第10實施形態之感測器1020中，凹凸層1025於與基材23對向之面具有凹凸1025a。因此，於第2構造部41b受到壓擠之狀態下，藉由凹凸1025a於第1、第2構造部1041a、1041b之邊界部與基材23之間形成細微之通氣孔。藉此，於解除鍵27a之按壓時，抑制第2構造部1041b吸附基材23。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 [10.3變化例] 感測器1020可包含第9實施形態之基材923代替基材23。 ＜11 第11實施形態＞ [11.1感測器之構成] 本技術之第11實施形態之感測器1120與第6實施形態之感測器520之不同之處在於：代替具有孔部123a之基材123(參照圖28A)，而如圖50所示，包含於與按壓部141之背面對向之面具有凹凸923a之基材1123。另，於第11實施形態中對與第6實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。又，於第11實施形態中，基材1123為基底層。 基材1123與第9實施形態之基材923相同。 [11.2效果] 於第11實施形態之感測器1120中，基材1123於與按壓部141之背面對向之面具有凹凸923a。因此，於第2構造部141b因鍵27a之按壓而受到壓擠之狀態下，藉由凹凸923a於第1、第2構造部41a、141b之邊界部與基材1123之間形成細微之通氣孔。藉此，於解除鍵27a之按壓時，抑制第2構造部141b吸附基材1123。因此，抑制按壓部141之回復障礙。 [11.3變化例] 亦可採用於凹凸層125與REF電極層26之間不設置基材1123，而於REF電極層26兩面中之與按壓部141之背面對向之面設置凹凸923a之構成。 ＜12 第12實施形態＞ [12.1感測器之構成] 本技術之第12實施形態之感測器1220與第5實施形態之感測器420之不同之處在於：代替包含於第2構造部41b具有形狀部41c之凹凸層25(參照圖26A)，而包含於與基材23對向之面具有凹凸1025a之凹凸層1225。另，於第12實施形態中對與第5實施形態相同之部位標註相同符號並省略說明。又，於第12實施形態中，基材23為基底層。 凹凸層1225與第10實施形態之凹凸層1025相同。 [12.2效果] 於第12實施形態之感測器1220中，凹凸層1225於與基材23對向之面具有凹凸1025a。因此，於第2構造部141b因鍵27a之按壓而受到壓擠之狀態下，藉由凹凸1025a於第1、第2構造部1041a、1041b之邊界部與基材23之間形成細微之通氣孔。藉此，於解除鍵27a之按壓時，抑制第2構造部1041b吸附基材23。因此，抑制按壓部1041之回復障礙。 [12.3變化例] 感測器1220可包含第11實施形態之基材1123代替基材23。 [實施例] 以下，藉由實施例具體地說明本技術，但本技術並非限定於該等實施例者。 針對實施例依以下順序進行說明。 i 於第2構造部設置形狀部之感測器 ii 於基材設置孔部之感測器 iii 於底層薄膜設置細微凹凸之感測器 ＜i 於第2構造部設置形狀部之感測器＞ [實施例1-1] 首先，藉由切削加工鋁而製作轉印用原盤。接著，將轉印用原盤與厚度100 μm之PC薄膜重疊，安裝於高溫真空壓力機並進行熱轉印，藉此於PC薄膜形成具有圖31A、圖31B所示之構成之按壓部。此時，如圖31A、圖31B所示，於第2構造部之背面形成具有寬度w=1 mm，深度d=0.1 mm之略矩形狀之1個凹形狀部。凹形狀部之形成位置設為第2構造部之側面底部側周緣。又，將第1構造部之高度設為H₁ =200 μm，將第2構造部之高度設為H₂ =270 μm。藉由以上獲得壓紋薄膜。其後，藉由將作為基材之PC薄膜經由黏著層貼合於壓紋薄膜之背面而獲得構造體。 接著，準備靜電電容式之感測層，並於該感測層之背面形成REF電極層。接著，於藉由以印刷法於感測層之表面依序形成絕緣層、黏著層而形成二維狀配置有複數個孔部之中間層後，經由黏著層將REF電極層貼合於中間層之表面。接著，以壓紋薄膜之複數個按壓部分別與中間層之複數個孔部之位置一致之方式將構造體載置於REF電極層上。接著，準備鍵頂層，並經由黏著層將鍵頂層貼合於構造體之按壓部之頂部上。藉此獲得目標之感測器。 [實施例1-2] 除了如圖31C所示，將4個凹形狀部等間隔形成於第2構造部之側面底部側周緣以外，與實施例1-1同樣地獲得感測器。 [實施例1-3] 除了如圖32A、32B所示，將凹形狀部之深度設為d=0.2 mm，並延長凹形狀部之長度以外，與實施例1-1同樣地獲得感測器。 [實施例1-4] 除了如圖32C所示，將4個凹形狀部等間隔形成於第2構造部之側面底部側周緣以外，與實施例1-3同樣地獲得感測器。 [實施例2-1] 除了如圖33A、圖33B所示，將具有直徑D₃ =1 mm之略半圓狀之1個凸形狀部形成於第2構造部之背面以外，與實施例1-1同樣地獲得感測器。 [實施例2-2] 除了如圖34A所示，將4個凸形狀部等間隔形成於第2構造部之側面底部側周緣以外，與實施例2-1同樣地獲得感測器。 [實施例2-3] 除了如圖34B所示，將凸形狀部之直徑設為D₃ =2 mm以外，與實施例2-1同樣地獲得感測器。 [實施例2-4] 除了如圖34C所示，將4個凸形狀部等間隔形成於第2構造部之側面底部側周緣以外，與實施例2-3同樣地獲得感測器。 [實施例3-1] 除了如圖35A、圖35B所示，將具有直徑D₃ =1 mm之略半圓狀之1個凸形狀部形成於第2構造部之側面頂部側周緣以外，與實施例2-1同樣地獲得感測器。 [實施例3-3] 除了如圖36A所示，將4個凸形狀部等間隔形成於第2構造部之側面頂部側周緣以外，與實施例3-1同樣地獲得感測器。 [實施例3-3] 除了如圖36B所示，將凸形狀部之直徑設為D₃ =2 mm以外，與實施例3-1同樣地獲得感測器。 [實施例3-4] 除了如圖36C所示，將2個凸形狀部等間隔形成於第2構造部之側面頂部側周緣以外，與實施例3-3同樣地獲得感測器。 [實施例4-1] 除了如圖37A、圖37B所示，將十字狀之凸形狀部形成於第2構造部之頂部背面以外，與實施例1-1同樣地獲得感測器。 [實施例4-2] 除了如圖37C所示，變更十字狀之凸形狀部之大小以外，與實施例4-2同樣地獲得感測器。 [實施例5-1] 除了代替將凹形狀部形成於第2構造部之側面背面側周緣，而是如圖38A、圖38B所示，將第1構造部之高度設為H₁ =250 μm，將第2構造部之高度設為H₂ =200 μm以外，與實施例1-1同樣地獲得感測器。 [比較例5-1] 除了將第1構造部之高度設為H₁ =200 μm，將第2構造部之高度設為H₂ =270 μm以外，與實施例5-1同樣地獲得感測器。 [比較例5-2] 除了將第1構造部之高度設為H₁ =225 μm，將第2構造部之高度設為H₂ =235 μm以外，與實施例5-1同樣地獲得感測器。 (回復障礙之評估) 以指腹強力按壓如上所述般獲得之實施例1-1～5-1、比較例5-1、5-2之感測器之鍵，並以5個等級評估於按壓部回復時所產生之異音。另，將無異音設為評估結果“0”，且將比較例5-1之異音設為評估結果“5”以5個等級進行評估。 (點擊感評估) 如以下般評估如上所述般獲得之實施例1-3、1-4、2-3、2-4、5-1之感測器之點擊感。首先，使用機器人將機器人以1 mm/s於z方向(垂直於操作面之方向)移動，並以安裝於機器人之壓件(聚矽氧製之假手指φ6 mm)壓迫感測器之鍵。以負載單元計測此時施加於壓件之壓力。藉此，獲得距離-壓力曲線(以下稱為「F-S曲線」)。接著，將最初顯現於F-S曲線之極大值設為P1，將其後顯現之極小值設為P2，求出點擊率((PA-P2)/P1)並設為點擊感之指標。 對每個感測器之不同3個鍵(例如於實施例1-1之感測器中係“V”、“B”、“N”鍵)進行上述點擊感之評估。 (靜電電容之變化量之評估) 如以下般評估如上所述般獲得之實施例1-3、1-4、2-3、2-4、5-1之感測器之靜電電容之變化量。首先，將控制器IC連接於感測器。接著，使用上述機器人向感測器之鍵施加載荷，並測定自控制器IC供給之靜電電容之變化量。一面使施加於感測器之鍵之載荷以特定量增加，一面於各載荷中進行該測定操作，求出靜電電容相對於載荷之變化量變化。 對每個感測器之不同3個鍵(例如於實施例1-3之感測器中係“A”、“S”、“D”鍵)進行上述靜電電容之變化量評估。 (按壓部之變形形狀之評估) 如以下般評估如上所述般獲得之實施例2-3、比較例5-1之按壓部之變形形狀。首先，於不向壓紋薄膜之按壓部施加按壓力之初始狀態下，以雷射位移計測定按壓部之分佈。接著，使用機器人將機器人於z方向(垂直於操作面之方向)移動，並以安裝於機器人之壓件(聚矽氧製之假手指φ6 mm)壓迫按壓部。接著，以雷射位移計測定該狀態之按壓部之分佈。 (結果) 於表1顯示感測器之構成及回復障礙之評估結果。 [表1] ◎＜IMG SRC="365955WO00t001.gif"＞ 但，表1中，“凸形狀”意指朝向感測層突出之凸形狀，“凹形狀”意指自遠離感測層之方向凹陷之凹形狀。 自表1可知以下事項。藉由將凹形狀部或凸形狀部設置於第2構造部側面的背面，可抑制回復障礙。隨著增大凹形狀部或凸形狀部之尺寸，或增加凹形狀部或凸形狀部之數量，回復障礙之抑制效果得以提高。將凹形狀部或凸形狀部設置於第2構造部側面之底部側周緣之構成與將凹形狀部或凸形狀部設置於第2構造部側面之頂部側周緣之構成相比，可獲得更高之回復障礙之抑制效果。 於將凹形狀部設置於第2構造部之頂部之情形亦可抑制回復障礙。然而，將凹形狀部或凸形狀部設置於第2構造部側面的背面之構成與將凸形狀部設置於第2構造部頂部的背面之構成相比，可獲得更高之回復障礙之抑制效果。將第2構造部之深度較淺地設為200 μm以下亦可抑制回復障礙。 於表2顯示點擊率之評估結果。 [表2] ◎＜IMG SRC="365955WO00t002.gif"＞ 惟，於表2中，點擊率為將不同3個鍵之點擊率平均之值。 於圖39A、圖40A、圖41A、圖42A、圖43A分別顯示實施例1-3、1-4、2-3、2-4、5-1之感測器之F-S曲線之評估結果。於圖39B、圖40B、圖41B、圖42B、圖43B分別顯示實施例1-3、1-4、2-3、2-4、5-1之感測器之靜電電容變化量之評估結果。另，圖39B、圖40B、圖41B、圖42B、圖43B所記載之數值表示第1構造部反轉時(挫曲時)之“靜電電容變化量之差”。 自圖39A～圖43B、表2可知以下事項。將凹形狀部或凸形狀部設置於第2構造部側面的背面而抑制回復障礙之感測器具有與降低第2構造部之高度且抑制回復障礙之感測器同等以上之敲鍵特性。即，藉由將凹形狀部或凸形狀部設置於第2構造部側面的背面，可抑制敲鍵特性之降低，且抑制回復障礙。 於圖44A，顯示實施例2-3之按壓部形狀之評估結果。於圖44B顯示比較例5-1之按壓部形狀之評估結果。另，於圖44A中，由虛線包圍顯示之部分表示凸形狀部之分佈。自該等評估結果可知以下事項。於將凸形狀部設置於第2構造部側面底部的側周緣之感測器中，於第2構造部受到壓擠之狀態下，於凸形狀部之兩側(圖44A中係Y軸方向之兩側)形成通氣孔(間隙)。因此，第2構造部之內部空間成為與外部連通之狀態。另一方面，於第2構造部側面的底部側周緣未設置凸形狀部之感測器中，於第2構造部受到壓擠之狀態下，第2構造部之內部空間處於閉合之狀態。 ＜ii 於基材設置孔部之感測器＞ [實施例6-1～6-3] 除了代替將凸形狀部設置於第2構造部之側面，而是如圖45A所示，將通過第2構造部之中心，且兩端位於第1、第2邊界部內側之縫隙狀之孔部形成於基材以外，與實施例1-1同樣地獲得感測器。另，使孔部之長度L以成為1 mm、2 mm、4 mm之方式使每個樣本變化。 [實施例6-4] 除了如圖45B所示，將縫隙狀之孔部之兩端延設至第1、第2邊界部之位置以外，與實施例6-1同樣地獲得感測器。 [實施例6-5] 除了如圖45C所示，將縫隙狀之孔部之兩端延設至超出第1、第2邊界部之位置以外，與實施例6-1同樣地獲得感測器。 [實施例7-1] 除了代替於第2構造部之側面形成凸形狀部，而是如圖46A所示，形成具有D₄ =2 mm之圓形狀，且配置於第1、第2構造部之邊界部之位置之2個孔部以外，與實施例1-1同樣地獲得感測器。另，2個孔部之配置位置設為隔著第2構造部之中心對向之位置。 [實施例7-2] 除了如圖46B所示，將孔部之個數設為4個，並將該等等間隔配置於第1、第2構造部之邊界部以外，與實施例7-1同樣地獲得感測器。 [實施例7-3] 除了如圖47A所示，將孔部之形狀設為長度L=2 mm之長圓狀以外，與實施例7-1同樣地獲得感測器。 [實施例7-4] 除了如圖47B所示，將孔部之個數設為4個，並將該等等間隔配置於第1、第2構造部之邊界部以外，與實施例7-1同樣地獲得感測器。 [實施例8-1～8-5、9-1～9-4] 除了於感測層與作為基材之PC薄膜之間，設置多孔質板以外，與實施例6-1～6-5、7-1～7-4同樣地獲得感測器。 (回復障礙之評估) 評估如上所述般獲得之實施例6-1～6-5、7-1～7-4、8-1～8-5、9-1～9-4之感測器之回復障礙。評估方法與上述回復障礙之評估方法相同。 (點擊感之評估) 評估如上所述般獲得之實施例6-1、比較例5-1之點擊感。評估方法與上述點擊感之評估方法相同。 (結果) 於表3顯示感測器之構成及回復障礙之評估結果。 [表3] ◎＜IMG SRC="365955WO00t003.gif"＞ 自表3可知以下事項。藉由將孔部設置於與第2構造部對向之基材之表面位置，可抑制回復障礙之產生。於該情形時，於自Z軸方向之俯視下，藉由將孔部延設至第1、第2構造部之邊界部、或將孔部自第1、第2構造部之邊界部之內側延設至外側，特別可抑制回復障礙。 於將孔部設置於與第1、第2構造部之邊界部對向之基材之表面位置，亦可獲得回復障礙之抑制效果。於該情形時，藉由增加孔部之個數、或將孔部之形狀設為自按壓部之中心放射狀伸展之細長形狀可獲得特別優異之效果。 於表4顯示點擊率之評估結果。 ◎＜IMG SRC="365955WO00t004.gif"＞ 自表4可知以下事項。將孔部設置於基材而抑制回復障礙之感測器具有與於基材未設置孔部之感測器同程度之敲鍵特性。即，藉由將孔部設置於基材可抑制敲鍵特性之降低，且抑制回復障礙。 ＜iii 於底層薄膜設置細微凹凸之感測器＞ (實施例10-1～1-7) 首先，除了不於第2構造部之側面形成凹形狀部以外，與實施例1-1同樣地獲得壓紋薄膜。接著，準備市售之PC薄膜，並將該PC薄膜之一面進行凹凸加工，藉此形成表5所示之算術平均粗糙度Ra之細微凹凸。藉此獲得底層薄膜。 接著，藉由以印刷法於底層薄膜之表面依序形成絕緣層、黏著層，形成二維狀配置有複數個孔部之中間層後，以壓紋薄膜之複數個按壓部分別與中間層之複數個孔部之位置一致之方式經由黏著層將壓紋薄膜貼合於中間層上。接著，經由黏著層將REF電極層貼合於壓紋薄膜之按壓部上後，經由黏著層將鍵頂層貼合於REF電極層上。 接著，準備靜電電容式之感測層，並將REF電極層形成於該感測層之背面後，將形成有中間層、壓紋層及鍵頂層之底層薄膜載置於感測層之表面上。此時，以感測層之複數個感測部分別與中間層之複數個孔部之位置一致之方式將底層薄膜載置於感測層上。藉此，獲得目標之感測器。 (比較例10-1) 除了不對市售之PC薄膜之一面實施凹凸加工而作為底層薄膜使用以外，與實施例10-1同樣地獲得感測器。 (算術平均粗糙度Ra之評估) 使用接觸式階差計(KLA-Tencor公司製，P-15)求出於如上所述般獲得之實施例10-1～10-7、比較例10-1之感測器所用之底層薄膜表面之算術平均粗糙度Ra。以下顯示測定條件。 測定範圍：5 mm×5 mm，265 μm間隔×20掃描 分解能：0.2 μm 測定針2 mm(圓錐角60°)，金剛石製 (回復障礙之評估) 以指腹強力按壓如上所述般獲得之實施例10-1～10-7、比較例10-1之感測器之鍵，並藉以下之5個等級評估按壓部之回復狀態。 5：有回復障礙(無法完全回復) 4：若干鍵有回復障礙(無法完全回復) 3：若干鍵有回復障礙(回復較耗費時間) 2：回復產生異音 1：若干鍵回復產生異音 0：無回復障礙 於表5顯示實施例10-1～10-7、比較例10-1之感測器之構成及評估結果。 [表5] ◎＜IMG SRC="365955WO00t005.gif"＞ 自表5可知以下事項。若算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上，則可抑制鍵之回復障礙。又，若算術平均粗糙度Ra為2.43 μm以上，則可使鍵之回復障礙消失。 以上，對本技術之實施形態具體地進行說明，但本技術並非限定於上述實施形態者，可基於本技術之技術思想進行各種變化。 例如，於上述實施形態中所列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只不過為舉例，可根據需要使用與此不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。 又，上述實施形態之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只要不脫離本技術主旨則可相互組合。 又，於第1～第12實施形態及該等之變化例中，感測器可進而於感測層與設置於該感測層背面側之REF電極層之間包含空氣層(空間層)。 又，亦可於第2～第12實施形態及該等之變化例中採用於第1實施形態之變化例之圖16所示之X、Y電極之構成。於採用此種構成之情形時，可於感測層與設置於該感測層背面側之REF電極層之間設置空氣層(空間層)。 又，本技術亦可採用以下之構成。 (1) 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述第2構造部於與上述基底層對向之面具有形狀部。 (2) 如(1)之感測器，其中上述基底層包含具有供上述按壓部壓入之孔部之中間層。 (3) 如(1)或(2)之感測器，其中上述第2構造部具有錐台狀，且 上述形狀部設置於上述第2構造部之側面。 (4) 如(3)之感測器，其中上述形狀部設置於上述側面之底部側之周緣。 (5) 如(3)之感測器，其中上述形狀部設置於上述側面之頂部側之周緣。 (6) 如(1)之感測器，其中上述形狀部設置於上述第2構造部之頂部，且 上述形狀部朝向上述基底層突出。 (7) 如(1)至(6)中任一項之感測器，其中上述按壓部由壓紋薄膜構成。 (8) 如(1)至(7)中任一項之感測器，其中 上述按壓部進而包含第3構造部，且 上述第1構造部設置於上述第3構造部上。 (9) 如(1)至(8)中任一項之感測器，其中上述基底層包含具有感測部之感測層，且 上述按壓部對應於上述感測部而設置。 (10) 如(1)至(9)中任一項之感測器，其進而包含具有可撓性之導體層，且 上述導體層設置於上述按壓部上。 (11) 如(2)之感測器，其進而包含：具有可撓性之導體層，且 上述導體層設置於上述中間層與上述按壓部之間。 (12) 如(1)至(11)中任一項之感測器，其中上述第1構造部為藉由按壓而反轉之挫曲部。 (13) 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述基底層於對向於上述第2構造部之位置、及對向於上述第1構造部與上述第2構造部之邊界部之位置之至少一者具有形狀部。 (14) 如(13)之感測器，其中上述基底層包含：具有供上述按壓部壓入之孔部之中間層，且 上述形狀部具有與上述中間層之一部分或全部相同之層構成。 (15) 如(13)之感測器，其中上述基底層包含與上述按壓部對向之基材，且 上述形狀部係一體成形於上述基材。 (16) 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述基底層於對向於上述第2構造部之位置、及對向於上述第1構造部與上述第2構造部之邊界部之位置之至少一者具有孔部。 (17) 如(16)之感測器，其中於自垂直於上述基底層表面之方向觀察上述孔部時，上述孔部自上述邊界部之內側延設至外側。 (18) 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述第2構造部具有貫通孔。 (19) 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述基底層於與上述按壓部對向之面具有凹凸，且 上述凹凸之算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上。 (20) 如(19)之感測器，其中上述凹凸之算術平均粗糙度Ra為2.43 μm以上。 (21) 如(19)或(20)之感測器，其中上述凹凸設置於對向於上述按壓部之面中至少對向於上述按壓部之部分。 (22) 如(19)或(20)之感測器，其中上述凹凸設置於與上述按壓部對向之面之整體。 (23) 如(19)至(22)中任一項之感測器，其中上述基底層包含與上述按壓部對向之基材，且 上述凹凸設置於上述基材。 (24) 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述按壓部於與上述基底層對向之面具有凹凸，且 上述凹凸之算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上。 (25) 如(24)之感測器，其中上述凹凸之算術平均粗糙度Ra為2.43 μm以上。 (26) 如(24)或(25)之感測器，其中上述按壓部由壓紋薄膜構成。 (27) 如(26)之感測器，其中上述凹凸設置於上述壓紋薄膜表面中之與上述基底層對向之面之整體。 (28) 一種輸入裝置，其包含(1)至(27)中任一項之感測器。 (29) 一種電子機器，其包含(1)至(27)中任一項之感測器。 (30) 一種構造體，其係配置於靜電電容式感測器上之構成體，且包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述第2構造部於與上述基底層對向之面具有形狀部。 (31) 一種構造體，其係配置於靜電電容式感測器上之構成體，且包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述基底層於對向於上述第2構造部之位置、及對向於上述第1構造部與上述第2構造部之邊界部之位置之至少一者具有形狀部。 (32) 一種構造體，其係配置於靜電電容式感測器上之構成體，且包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述基底層於對向於上述第2構造部之位置、及對向於上述第1構造部與上述第2構造部之邊界部之位置之至少一者具有孔部。 (33) 一種構造體，其係配置於靜電電容式感測器上之構成體，且包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側開放之中空狀之第2構造部， 上述第2構造部具有貫通孔。

10‧‧‧電子機器 11‧‧‧輸入裝置 12‧‧‧主機 13‧‧‧控制器IC 14‧‧‧通訊部 15‧‧‧控制部 16‧‧‧通訊部 17‧‧‧顯示裝置 20‧‧‧感測器 20a‧‧‧鍵輸入操作 20b‧‧‧手勢輸入操作 21‧‧‧REF電極層 22‧‧‧感測層 22a‧‧‧基材 22b‧‧‧絕緣層 22s‧‧‧感測部 23‧‧‧基材 24‧‧‧中間層 24a‧‧‧孔部 24b‧‧‧本體層 24c‧‧‧黏著層 25‧‧‧凹凸層 26‧‧‧REF電極層 27‧‧‧鍵頂層 27a‧‧‧鍵 28‧‧‧形狀部 31‧‧‧X電極 31a‧‧‧電極線部 31b‧‧‧單位電極體 31c‧‧‧連接部 31d‧‧‧子電極 32‧‧‧Y電極 32a‧‧‧電極線部 32b‧‧‧單位電極體 32c‧‧‧連接部 32d‧‧‧子電極 32e‧‧‧跨接配線部 40‧‧‧壓紋薄膜 41‧‧‧按壓部 41a‧‧‧第1構造部 41b‧‧‧第2構造部 41c‧‧‧形狀部 41d‧‧‧形狀部 41e‧‧‧形狀部 41f‧‧‧形狀部 41g‧‧‧第3構造部 42‧‧‧平坦部 43‧‧‧通氣孔 44‧‧‧壓件 44a‧‧‧樹脂層 44b‧‧‧黏著層 44c‧‧‧黏著層 45a‧‧‧樹脂層 45b‧‧‧黏著層 120‧‧‧感測器 123‧‧‧基材 123a‧‧‧孔部 125‧‧‧凹凸層 140‧‧‧壓紋薄膜 141‧‧‧按壓部 141b‧‧‧第2構造部 220‧‧‧感測器 223‧‧‧基材 228‧‧‧形狀部 320‧‧‧感測器 325‧‧‧凹凸層 340‧‧‧壓紋薄膜 341‧‧‧按壓部 341b‧‧‧第2構造部 341c‧‧‧貫通孔 420‧‧‧感測器 520‧‧‧感測器 620‧‧‧感測器 720‧‧‧感測器 820‧‧‧感測器 825‧‧‧凹凸層 841‧‧‧按壓部 841a‧‧‧第1構造部 841b‧‧‧第2構造部 920‧‧‧感測器 923‧‧‧基材 923a‧‧‧凹凸 1020‧‧‧感測器 1025‧‧‧凹凸層 1025a‧‧‧凹凸 1040‧‧‧壓紋薄膜 1041‧‧‧按壓部 1041a‧‧‧第1構造部 1041b‧‧‧第2構造部 1120‧‧‧感測器 1123‧‧‧基材 1220‧‧‧感測器 1225‧‧‧凹凸層 A‧‧‧閾值 B‧‧‧閾值 d‧‧‧深度 D1‧‧‧距離 D₁‧‧‧直徑 D2‧‧‧距離 D₂‧‧‧直徑 D₃‧‧‧直徑 D₄‧‧‧直徑 h‧‧‧高度 H₁‧‧‧高度 H₂‧‧‧高度 L‧‧‧長度 P1‧‧‧極大值 P2‧‧‧極小值 R_A‧‧‧區域 R_B‧‧‧區域 S1～S5‧‧‧步驟 VA-VA‧‧‧線 VIIIC-VIIIC‧‧‧線 w‧‧‧寬度 X‧‧‧方向 XIIC-XIIC‧‧‧線 XXXIB-XXXIB‧‧‧線 XXXIIB-XXXIIB‧‧‧線 XXXIIIB-XXXIIIB‧‧‧線 XXXVIB-XXXVIB‧‧‧線 XXXVIIIB-XXXVIIIB‧‧‧線 Y‧‧‧方向 Z‧‧‧方向

圖1係顯示感測器之構成之一例之剖視圖。 圖2A係顯示鍵按壓時之感測器之狀態之一例的剖視圖。圖2B係顯示解除鍵按壓時之感測器之狀態之一例的剖視圖。 圖3係顯示本技術第1實施形態之電子機器之構成之一例的方塊圖。 圖4係顯示輸入裝置之外觀之一例之俯視圖。 圖5A係沿著圖4之VA-VA線之剖視圖。圖5B係將圖5A所示之感測器之一部分放大顯示之剖視圖。 圖6係顯示X、Y電極之配置之一例之俯視圖。 圖7係顯示凹凸層之構成之一例之俯視圖。 圖8A係顯示按壓部之構成之一例之立體圖。圖8B係顯示按壓部之構成之一例之俯視圖。圖8C係沿著圖8B之VIIIC-VIIIC線之剖視圖。 圖9A係用以說明手勢輸入操作時之感測器動作之一例的剖視圖。圖9B係用以說明鍵輸入操作時之感測器動作之一例的剖視圖。 圖10A係顯示參考電極之移動量與對操作者之反作用力之關係之一例的圖表。圖10B係顯示參考電極之移動量與電容變化之關係之一例的圖表。圖10C係顯示對操作者之反作用力與電容變化之關係之一例的圖表。 圖11係用以針對控制器IC之動作之一例進行說明之流程圖。 圖12係顯示本技術第1實施形態之變化例之感測器所具有之按壓部之構成之一例的立體圖。圖12B係顯示本技術第1實施形態之變化例之感測器所具有之按壓部之構成之一例的俯視圖。圖12C係沿著圖12B之XIIC-XIIC線之剖視圖。 圖13A、圖13B分別係顯示本技術第1實施形態之變化例之感測器所具有之按壓部之構成之一例的立體圖。 圖14A、圖14B分別係顯示本技術第1實施形態之變化例之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖15A、圖15B分別係顯示本技術第1實施形態之變化例之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖16係顯示本技術第1實施形態之變化例之感測器所具有之X、Y電極之構成之一例的俯視圖。 圖17A係顯示本技術第2實施形態之感測器之構成之一例的剖視圖。圖17B係顯示基材所具有之孔部之構成之一例的俯視圖。 圖18係顯示解除鍵按壓時之感測器之狀態之一例的剖視圖。 圖19A係顯示本技術第2實施形態之變化例之感測器之構成之一例的剖視圖。圖19B係顯示基材所具有之孔部之構成之一例之俯視圖。 圖20A係顯示本技術第3實施形態之感測器之構成之一例的剖視圖。圖20B係顯示設置於感測層表面之形狀部之構成之一例之俯視圖。 圖21係顯示解除鍵按壓時之感測器之狀態之一例之剖視圖。 圖22A、圖22B分別係顯示本技術第3實施形態之變化例之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖23係顯示本技術第3實施形態之變化例之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖24A係顯示本技術第4實施形態之感測器之構成之一例之剖視圖。圖24B係顯示按壓部之構成之一例之俯視圖。 圖25係顯示解除鍵按壓時之感測器之狀態之一例之剖視圖。 圖26A係顯示本技術第5實施形態之感測器之構成之一例的剖視圖。圖26B係顯示本技術第5實施形態之變化例之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖27A係用以說明手勢輸入操作時之感測器之動作之一例的剖視圖。圖27B係用以說明鍵輸入操作時之感測器之動作之一例的剖視圖。 圖28A係顯示本技術第6實施形態之感測器之構成之一例的剖視圖。圖28B係顯示本技術第6實施形態之變化例之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖29A係顯示本技術第7實施形態之感測器之構成之一例的剖視圖。圖29B係顯示本技術第7實施形態之變化例之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖30係顯示本技術第8實施形態之感測器之構成之一例之剖視圖。 圖31A係顯示實施例1-1之按壓部之構成之俯視圖。圖31B係沿著圖31A之XXXIB-XXXIB線之剖視圖。圖31C係顯示實施例1-2之按壓部之構成之俯視圖。 圖32A係顯示實施例1-3之按壓部之構成之俯視圖。圖32B係沿著圖32A之XXXIIB-XXXIIB線之剖視圖。圖32C係顯示實施例1-4之按壓部之構成之俯視圖。 圖33A係顯示實施例2-1之按壓部之構成之俯視圖。圖33B係沿著圖33A之XXXIIIB-XXXIIIB線之剖視圖。 圖34A係顯示實施例2-2之按壓部之構成之俯視圖。圖34B顯示實施例2-3之按壓部之構成之俯視圖。圖34C係顯示實施例2-4之按壓部之構成之俯視圖。 圖35A係顯示實施例3-1之按壓部之構成之俯視圖。圖35B係沿著圖35A之XXXVB-XXXVB線之剖視圖。 圖36A係顯示實施例3-2之按壓部之構成之俯視圖。圖36B係顯示實施例3-3之按壓部之構成之俯視圖。圖36C係顯示實施例3-4之按壓部之構成之俯視圖。 圖37A係顯示實施例4-1之按壓部之構成之俯視圖。圖37B係沿著圖37A之XXXVIIB-XXXVIIB線之剖視圖。圖37C係顯示實施例4-2之按壓部之構成之俯視圖。 圖38A係顯示實施例5-1之按壓部之構成之俯視圖。圖38B係沿著圖38A之XXXVIIIB-XXXVIIIB線之剖視圖。 圖39A係顯示實施例1-3之感測器之距離-壓力曲線之圖表。圖39B係顯示實施例1-1之感測器之靜電電容相對於載荷之變化量的圖表。 圖40A係顯示實施例1-4之感測器之距離-壓力曲線之圖表。圖40B係顯示實施例1-2之感測器之靜電電容相對於載荷之變化量的圖表。 圖41A係顯示實施例2-3之感測器之距離-壓力曲線之圖表。圖41B係顯示實施例1-3之感測器之靜電電容相對於載荷之變化量的圖表。 圖42A係顯示實施例2-4之感測器之距離-壓力曲線之圖表。圖42B係顯示實施例1-4之感測器之靜電電容相對於載荷之變化量的圖表。 圖43A係顯示實施例5-1之感測器之距離-壓力曲線之圖表。圖43B係顯示實施例5-1之感測器之靜電電容相對於載荷之變化量的圖表。 圖44A係顯示實施例2-3之按壓部之形狀評價結果之分佈。圖44B係顯示比較例5-1之按壓部之形狀評價結果之分佈。 圖45A係顯示實施例6-1之按壓部之構成之俯視圖。圖45B係顯示實施例6-4之按壓部之構成之俯視圖。圖45C係顯示實施例6-5之按壓部之構成之俯視圖。 圖46A係顯示實施例7-1之按壓部之構成之俯視圖。圖46B係顯示實施例7-2之按壓部之構成之俯視圖。 圖47A係顯示實施例7-3之按壓部之構成之俯視圖。圖47B係顯示實施例7-4之按壓部之構成之俯視圖。 圖48係顯示本技術第9實施形態之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖49係顯示本技術第10實施形態之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖50係顯示本技術第11實施形態之感測器之構成之一例的剖視圖。 圖51係顯示本技術第12實施形態之感測器之構成之一例的剖視圖。

20‧‧‧感測器

21‧‧‧REF電極層

22‧‧‧感測層

23‧‧‧基材

24‧‧‧中間層

25‧‧‧凹凸層

26‧‧‧REF電極層

27‧‧‧鍵頂層

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

Z‧‧‧方向

Claims (29)

1. 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部側為開放之中空狀之第2構造部， 上述第2構造部於與上述基底層對向之面具有形狀部。
2. 如請求項1之感測器，其中上述基底層包含具有供上述按壓部壓入之孔部之中間層。
3. 如請求項1之感測器，其中上述第2構造部具有錐台狀，且 上述形狀部設置於上述第2構造部之側面。
4. 如請求項3之感測器，其中上述形狀部設置於上述側面之底部側之周緣。
5. 如請求項3之感測器，其中上述形狀部設置於上述側面之頂部側之周緣。
6. 如請求項1之感測器，其中上述形狀部設置於上述第2構造部之頂部，且 上述形狀部朝向上述基底層突出。
7. 如請求項1之感測器，其中上述按壓部由壓紋薄膜構成。
8. 如請求項1之感測器，其中上述按壓部進而具備第3構造部，且 上述第1構造部設置於上述第3構造部上。
9. 如請求項1之感測器，其中上述基底層包含具有感測部之感測層，且 上述按壓部對應於上述感測部而設置。
10. 如請求項1之感測器，其進而包含具有可撓性之導體層，且 上述導體層設置於上述按壓部上。
11. 如請求項2之感測器，其進而包含：具有可撓性之導體層，且 上述導體層設置於上述中間層與上述按壓部之間。
12. 如請求項1之感測器，其中上述第1構造部為藉由按壓而反轉之挫曲部。
13. 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部為側開放之中空狀之第2構造部， 上述基底層於對向於上述第2構造部之位置、及對向於上述第1構造部與上述第2構造部之邊界部之位置之至少一者具有形狀部。
14. 如請求項13之感測器，其中上述基底層包含：具有供上述按壓部壓入之孔部之中間層，且 上述形狀部具有與上述中間層之一部分或全部相同之層構成。
15. 如請求項13之感測器，其中上述基底層包含與上述按壓部對向之基材，且 上述形狀部係一體成形於上述基材。
16. 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部為側開放之中空狀之第2構造部， 上述基底層於對向於上述第2構造部之位置、及對向於上述第1構造部與上述第2構造部之邊界部之位置之至少一者具有孔部。
17. 如請求項16之感測器，其中於自垂直於上述基底層表面之方向觀察上述孔部時，上述孔部自上述邊界部之內側延設至外側。
18. 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部為側開放之中空狀之第2構造部， 上述第2構造部具有貫通孔。
19. 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部為側開放之中空狀之第2構造部， 上述基底層於與上述按壓部對向之面具有凹凸， 上述凹凸之算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上。
20. 如請求項19之感測器，其中上述凹凸之算術平均粗糙度Ra為2.43 μm以上。
21. 如請求項19之感測器，其中上述凹凸設置於對向於上述按壓部之面中、至少對向於上述按壓部之部分。
22. 如請求項19之感測器，其中上述凹凸設置於對向於上述按壓部之面之整體。
23. 如請求項19之感測器，其中上述基底層包含與上述按壓部對向之基材，且 上述凹凸設置於上述基材。
24. 一種感測器，其包含： 基底層、及 按壓部，其相對於上述基底層突出；且 上述按壓部具有第1構造部、及設置於上述第1構造部上且底部為側開放之中空狀之第2構造部， 上述按壓部於與上述基底層對向之面具有凹凸， 上述凹凸之算術平均粗糙度Ra為0.48 μm以上。
25. 如請求項24之感測器，其中上述凹凸之算術平均粗糙度Ra為2.43 μm以上。
26. 如請求項24之感測器，其中上述按壓部由壓紋薄膜構成。
27. 如請求項26之感測器，其中上述凹凸設置於上述壓紋薄膜表面中與上述基底層對向之面之整體。
28. 一種輸入裝置，其包含請求項1之感測器。
29. 一種電子機器，其包含請求項1之感測器。