WO2017134708A1 - エピタキシャル基板 - Google Patents

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WO2017134708A1
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aln
substrate
single crystal
plane
protrusions
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PCT/JP2016/004777
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憲路 野口
卓哉 美濃
隆好 高野
阪井　淳
仁路 高野
椿　健治
秀樹 平山
Original Assignee
パナソニック株式会社
国立研究開発法人理化学研究所
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Definitions

  • the present invention relates to an epitaxial substrate.
  • Non-Patent Document 1 a sapphire substrate in which fine irregularities are formed is known as a substrate for crystal growth used in a light emitting diode (see, for example, Non-Patent Document 1).
  • Non-Patent Document 1 describes NPSS (nano-patterned sapphire substrate) as a sapphire substrate on which fine irregularities are formed.
  • Non-Patent Document 1 describes an epitaxial substrate in which AlN is grown on NPSS.
  • the pattern on the surface of the NPSS is a plurality of concave triangle cones formed by etching a sapphire crystal.
  • the surface of the NPSS includes an inner peripheral surface of each of the plurality of concave triangular pyramids and a surface (flat portion) of a portion not etched in the sapphire crystal.
  • Non-Patent Document 1 describes that the dislocation density of AlN can be reduced by growing AlN on NPSS.
  • the epitaxial substrate described in Non-Patent Document 1 since the dislocation density is still high, for example, when the efficiency of an ultraviolet light-emitting diode is increased, further reduction of dislocation in the epitaxial substrate is desired.
  • An object of the present invention is to provide an epitaxial substrate capable of further improving the crystallinity.
  • An epitaxial substrate includes a single crystal substrate in which a plurality of protrusions protruding in a normal direction of the one plane are arranged in a two-dimensional array on one plane, and the one of the single crystal substrates.
  • An AlN layer formed on a plane.
  • Each of the plurality of protrusions has a conical shape that tapers in the normal direction.
  • the AlN layer protrudes along the normal direction from the tip of the plurality of protrusions, the first AlN crystal covering the one plane and the plurality of protrusions so that the tips of the plurality of protrusions are exposed, And a plurality of columnar second AlN crystals whose cross-sectional area increases as the distance from the tip of the corresponding protrusion increases, and an end of the plurality of second AlN crystals opposite to the single crystal substrate.
  • Layered third AlN crystals connected to each other.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an epitaxial substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a plan view of a single crystal substrate in the above epitaxial substrate.
  • 2B is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 2A.
  • FIG. 3A is a main process sectional view illustrating a first process in the epitaxial substrate manufacturing method same as above.
  • FIG. 3B is a main process cross-sectional view illustrating a second process in the epitaxial substrate manufacturing method same as above.
  • FIG. 3C is a main process cross-sectional view illustrating a third process in the epitaxial substrate manufacturing method same as above.
  • FIG. 4 is a growth sequence diagram of an AlN layer on an epitaxial substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the above epitaxial substrate.
  • 6 is a photograph of an image observed by an optical microscope with respect to the surface of the epitaxial substrate of Comparative Example 1.
  • FIG. 7 is a cross-sectional transmission (electron electron microscope) image of an epitaxial substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the main part of FIG.
  • the inventors of the present application described the surface shape of a single crystal substrate on which fine irregularities are formed, the crystal growth conditions of the AlN layer on the single crystal substrate, and the crystal of the AlN layer formed on the single crystal substrate by crystal growth. The relationship between the characteristics and the property was examined based on the results of experiments by the inventors. As a result, when manufacturing the epitaxial substrate, the inventors of the present application use a single crystal substrate having a plurality of projections projecting in the normal direction of the one plane as a substrate for crystal growth, and an AlN layer. It has been found that an AlN layer with good crystallinity with a lower dislocation density can be obtained when it has a specific structure.
  • the inventors of the present application grow an AlN layer having better crystallinity than the conventional one on a single crystal substrate having a plurality of conical protrusions protruding in the normal direction of the one plane on one plane. I found the condition.
  • the present embodiment relates to an epitaxial substrate, and more particularly to an epitaxial substrate obtained by epitaxially growing an AlN layer on a single crystal substrate.
  • the epitaxial substrate 1 of this embodiment is a substrate obtained by epitaxially growing an AlN layer 3 on a single crystal substrate 2. More specifically, the epitaxial substrate 1 is a substrate obtained by epitaxially growing an AlN layer 3 on a single crystal substrate 2 using a MOVPE (metal-organic-vapor-phase-epitaxy) apparatus.
  • MOVPE metal-organic-vapor-phase-epitaxy
  • the plane orientation of the one plane 21 of the single crystal substrate 2 and the plane orientation of the surface 30 of the AlN layer 3 are the same, and the AlN layer 3 is an epitaxial layer.
  • one plane 21 of the single crystal substrate 2 is the (0001) plane
  • the surface 30 of the AlN layer 3 is the (0001) plane.
  • one plane 21 of the single crystal substrate 2 is one plane serving as a base of the AlN layer 3 out of two planes orthogonal to the thickness direction in the single crystal substrate 2.
  • “one of the two planes serving as the base of the AlN layer 3” does not include the surfaces of the plurality of protrusions 22.
  • Whether the surface 30 of the AlN layer 3 is a (0001) plane can be confirmed by, for example, X-ray diffraction, an electron diffraction image by TEM, or the like.
  • the surface 30 of the AlN layer 3 is an Al polar surface.
  • the size of the epitaxial substrate 1 may be, for example, a chip size or a wafer size.
  • the epitaxial substrate 1 of the present embodiment includes a single crystal substrate 2 in which a plurality of protrusions 22 protruding in a normal direction of the one plane 21 are arranged in a two-dimensional array on one plane 21. And an AlN layer 3 formed on one plane 21 of the single crystal substrate 2.
  • Each of the plurality of protrusions 22 has a conical shape that tapers in the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2.
  • the AlN layer 3 protrudes along the normal direction of the one plane 21 from the tips of the plurality of protrusions 22 and the first AlN crystal 31 covering the one plane 21 and the plurality of protrusions 22 so that the ends of the plurality of protrusions 22 are exposed.
  • the plurality of columnar second AlN crystals 32 whose cross-sectional area increases as the distance from the tip of the corresponding protrusion 22 among the plurality of protrusions 22 increases, and the single crystal substrate 2 in the plurality of second AlN crystals 32 is opposite to And a layered third AlN crystal 33 connecting the end portions 322 on the side.
  • the epitaxial substrate 1 can further improve the crystallinity.
  • a cavity 37 is provided between two adjacent second AlN crystals 32 among the plurality of second AlN crystals 32.
  • the plurality of second AlN crystals 32 protrude from the tips of the plurality of protrusions 22 so as not to contact each other along the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2.
  • dislocations generated at the interface between the protrusion 22 and the second AlN crystal 32 and extending from the vicinity of the tip of the protrusion 22 in a direction inclined with respect to the normal direction of the single crystal substrate 2 are located at the cavity 37. Easier to disappear.
  • the single crystal substrate 2 in the epitaxial substrate 1 is a hexagonal crystal single crystal substrate. More specifically, the single crystal substrate 2 is a sapphire substrate.
  • the one plane 21 of the single crystal substrate 2 is the c-plane of the sapphire substrate, that is, the (0001) plane. Therefore, the normal direction of one plane 21 of single crystal substrate 2 is the c-axis direction in the crystal axis direction of single crystal substrate 2.
  • the normal direction of one plane 21 of single crystal substrate 2 is one direction of the thickness direction of single crystal substrate 2.
  • the distance between the one plane 21 (first surface 201) of the single crystal substrate 2 and the second surface 202 opposite to the one plane 21 is preferably about 100 ⁇ m to 1000 ⁇ m, for example, 120 ⁇ m to 800 ⁇ m.
  • One plane 21 of single-crystal substrate 2 preferably has an off angle from the (0001) plane of 0 ° to 0.4 °, and more preferably 0.1 ° to 0.31 °.
  • the “off angle” is an inclination angle of the one plane 21 with respect to the (0001) plane. Therefore, if the off angle is 0 °, the one plane 21 is the (0001) plane.
  • a plurality of protrusions 22 protruding in the normal direction of the one plane 21 are arranged in a two-dimensional array on one plane 21.
  • Each of the plurality of protrusions 22 has an island shape in which each is independent.
  • each of the plurality of protrusions 22 has an island shape and is arranged in a two-dimensional array.
  • the plurality of protrusions 22 are arranged one by one at each lattice point of the virtual triangular lattice.
  • the present invention is not limited to this, and for example, one protrusion may be arranged at each lattice point of the virtual hexagonal lattice. Good.
  • the plurality of protrusions 22 are preferably the same size. In FIG.
  • the directions of the a 1 axis, the a 2 axis, and the a 3 axis in the crystal axis of the single crystal substrate 2 are indicated by arrows.
  • the direction of the c axis in the crystal axis of the single crystal substrate 2 is indicated by an arrow.
  • the a 1 axis, a 2 axis and a 3 axis are orthogonal to the c axis.
  • the angle formed by the a 1 axis, the a 2 axis, and the a 3 axis is 120 °.
  • the a 1 axis, a 2 axis, and a 3 axis may be offset by 30 ° in the same direction, either clockwise or counterclockwise in FIG. 2A.
  • the a 1 axis, the a 2 axis and the a 3 axis are the same in either the clockwise direction or the counterclockwise direction from the a 1 axis, the a 2 axis and the a 3 axis in FIG.
  • the direction may be rotated by 30 °.
  • the single crystal substrate 2 is integrally provided with a plurality of protrusions 22.
  • each of the plurality of protrusions 22 is a part of the single crystal substrate 2.
  • the sapphire substrate constituting the single crystal substrate 2 is a so-called PSS (patterned sapphire substrate).
  • PSS patterned sapphire substrate.
  • Each of the plurality of protrusions 22 has a conical shape that tapers in the c-axis direction of the single crystal substrate 2.
  • the off-angle is 0 °
  • the c-axis direction of the single crystal substrate 2 is parallel to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2.
  • the cross-sectional shape orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2 is a circular shape.
  • the height of the protrusion 22 is preferably about 300 nm to 2000 nm, for example.
  • the diameter of the bottom surface of the protrusion 22 is preferably about 300 nm to 3000 nm, for example.
  • the above-mentioned cone shape does not include the frustum shape.
  • the conical shape is not limited to the case where the generatrix is a straight line, but may be a curve close to a straight line.
  • the distance between adjacent protrusions 22 in the plurality of protrusions 22 is preferably about 50 nm to 1000 nm, for example.
  • each protrusion 22 and the distance between two adjacent protrusions 22 are examples, and are not particularly limited.
  • Each of the plurality of protrusions 22 is not limited to a conical shape, and may be, for example, a quadrangular pyramid shape.
  • the AlN layer 3 in the epitaxial substrate 1 connects a plurality of columnar second AlN crystals 32 protruding from the tips of the plurality of protrusions 22 and an end 322 of the plurality of second AlN crystals 32 opposite to the single crystal substrate 2. And the layered third AlN crystal 33.
  • the plurality of second AlN crystals 32 protrude from the tips of the plurality of protrusions 22 along the normal direction of the one plane 21. That is, each of the plurality of second AlN crystals 32 protrudes in the c-axis direction from the tip of the protrusion 22 directly below the plurality of protrusions 22.
  • the plurality of second AlN crystals 32 are arranged one by one at each lattice point of a virtual triangular lattice, like the plurality of protrusions 22.
  • the plurality of second AlN crystals 32 are columnar in which the cross-sectional area increases as the distance from the tip of the corresponding protrusion 22 among the plurality of protrusions 22 increases.
  • Each of the plurality of second AlN crystals 32 has a hexagonal column shape.
  • the end 321 in each of the plurality of second AlN crystals 32 has a hexagonal pyramid shape.
  • the cross-sectional area of the end 321 on the single crystal substrate 2 side increases as the distance from the tip of the corresponding protrusion 22 among the plurality of protrusions 22 increases. Except for the part 321, the cross-sectional area is substantially constant.
  • the cross-sectional area referred to here is an area of a cross section perpendicular to the normal direction of one plane 21.
  • the cross-sectional shape is a hexagonal shape.
  • the “hexagonal shape” here does not have to be strictly a hexagonal shape and may be a substantially hexagonal shape.
  • one side of each hexagonal shape of each of the two adjacent second AlN crystals 32 faces each other in a plane orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2. Is preferred. Thereby, in the epitaxial substrate 1, the thickness of the 3rd AlN crystal 33 can be made thinner.
  • Each of the plurality of second AlN crystals 32 is an AlN single crystal epitaxially grown in the c-axis direction of the single crystal substrate 2.
  • the third AlN crystal 33 is continuous with the plurality of second AlN crystals 32.
  • the third AlN crystal 33 grows so that two adjacent second AlN crystals 32 in the plurality of second AlN crystals 32 are bonded (integrated), and further grows in layers.
  • the distance to the position where the two second AlN crystals 32 adjacent to the one plane 21 of the single crystal substrate 2 are bonded to each other varies within the plane of the third AlN crystal 33.
  • the third AlN crystal 33 is an AlN single crystal epitaxially grown in the c-axis direction of the single crystal substrate 2.
  • the surface 30 of the AlN layer 3 is constituted by the surface 330 of the third AlN crystal 33.
  • the surface 330 of the third AlN crystal 33 constitutes the surface 30 of the AlN layer 3.
  • the thickness of the third AlN crystal 33 is preferably set so that the surface 30 of the AlN layer 3 is planarized.
  • the thickness of the third AlN crystal 33 is preferably about 2 ⁇ m to 15 ⁇ m, for example.
  • the thickness of the third AlN crystal 33 is the thickness in the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2.
  • the AlN layer 3 includes the first AlN crystal 31 covering the one plane 21 and the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2 so that the tips of the plurality of protrusions 22 are exposed.
  • the first AlN crystal 31 is interposed between the single crystal substrate 2 and the side surface 3211 of the end 321 on the single crystal substrate 2 side in each of the plurality of second AlN crystals 32. From the observation result of the cross-sectional TEM image of the epitaxial substrate 1, it is inferred that the first AlN crystal 31 is an AlN crystal formed by overlapping a plurality of polycrystalline AlN.
  • the tensile stress generated in the AlN layer 3 due to the difference in thermal expansion coefficient between the single crystal substrate 2 and the AlN layer 3 is alleviated by the plurality of cavities 37, so that the AlN layer 3 is made relatively thick.
  • the occurrence of cracks in the AlN layer 3 can be suppressed.
  • the temperature of the single crystal substrate 2 arranged in the reaction furnace of the MOVPE apparatus is referred to as a substrate temperature.
  • the “substrate temperature” is a temperature obtained by measuring the temperature of the susceptor holding the single crystal substrate 2 in the reaction furnace of the MOVPE apparatus using a thermocouple, but is not limited thereto.
  • Step of pre-processing the single crystal substrate 2 a single crystal substrate 2 is prepared in which a plurality of protrusions 22 protruding in the normal direction of the one plane 21 are arranged in an array on one plane 21.
  • the base surface 20 including the surface of the one plane 21 and the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2 is cleaned and dried by pretreatment with chemicals and pure water.
  • the sapphire substrate constituting the single crystal substrate 2 is so-called PSS.
  • Step of placing the single crystal substrate 2 in the reaction furnace of the MOVPE apparatus the single crystal substrate 2 that has undergone pretreatment is placed in the reaction furnace of the MOVPE apparatus. More specifically, the single crystal substrate 2 is introduced into the reaction furnace of the MOVPE apparatus, and then the inside of the reaction furnace is evacuated, followed by flowing nitrogen gas or the like into the reaction furnace. After filling with nitrogen gas, exhaust.
  • Single crystal substrate 2 is preferably a single crystal wafer on which a plurality of epitaxial substrates 1 can be formed.
  • the substrate temperature is raised to a specified temperature while maintaining the specified pressure in the reactor, and then at a specified temperature for a specified time.
  • the lower ground 20 of the single crystal substrate 2 is cleaned by performing the above heating.
  • the specified pressure is 40 kPa as an example, but may be set as appropriate within the range of 1 kPa to 70 kPa.
  • the specified temperature is 1100 ° C. as an example, but may be set appropriately in the range of 1000 ° C. to 1200 ° C.
  • the specified time is 10 minutes as an example, but may be set as appropriate within a range of 5 to 15 minutes.
  • the cleaning can be effectively performed by heating the single crystal substrate 2 in a state where H 2 gas is supplied into the reaction furnace.
  • Step of forming a plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 an Al source gas (tri-methyl aluminum: TMAl) and an N source gas (NH 3 ) are supplied into the reactor.
  • a plurality of island-like AlN crystal nuclei 34 are formed on the lower ground 20 of the single crystal substrate 2.
  • the plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 become a part of the AlN layer 3. It is presumed that the AlN crystal nucleus 34 functions as a seed crystal for crystal growth in a later process.
  • the plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 are preferably Al-polar AlN crystal nuclei. Thereby, it is possible to suppress the growth of N-polar AlN crystals during the growth of the second AlN crystal 32 and the third AlN crystal 33.
  • a first process for forming a plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 and a second process for increasing the size of the plurality of island-shaped AlN crystal nuclei 34 formed in the first process are performed.
  • island-like AlN crystal nuclei 34 are formed by supplying TMAl and NH 3 into the reaction furnace in a state where the pressure in the reaction furnace is the first predetermined pressure and the substrate temperature is the first predetermined temperature.
  • the carrier gas for TMAl and NH 3 it is preferable to employ H 2 gas.
  • the first predetermined pressure is, for example, 40 kPa.
  • the first predetermined temperature is changed stepwise in the order of 1100 ° C., 1200 ° C., and 1280 ° C., for example.
  • the V / III ratio in the first process is, for example, 8.
  • the “V / III ratio” is the ratio of the molar supply amount [ ⁇ mol / min] of the source gas of N which is a group V element to the molar supply amount [ ⁇ mol / min] of the source gas of Al which is a group III element. is there.
  • the V / III ratio in the first process is preferably a value in which formation of Al polar AlN crystal nuclei is prioritized over formation of N polar AlN crystal nuclei.
  • the process parameters in the first step are as follows: when an AlN crystal nucleus is grown on a sapphire substrate on which no protrusion is formed under the same conditions, the diameter of the AlN crystal nucleus is 10 nm to 30 nm, the height is 10 nm to 30 nm, The process parameters are preferably the same as those when the density of the AlN crystal nuclei 34 is about 150 to 250 pieces / ⁇ m 2 . These values are values obtained by observing and evaluating the surface of a sample prepared for evaluation with an atomic force microscope (AFM).
  • AFM atomic force microscope
  • the size of the island-like AlN crystal nuclei 34 is supplied by supplying TMAl and NH 3 into the reaction furnace in a state where the pressure in the reaction furnace is the second predetermined pressure and the substrate temperature is the second predetermined temperature.
  • Increase As the carrier gas for TMAl and NH 3 it is preferable to employ H 2 gas.
  • the second predetermined pressure is preferably lower than the first predetermined pressure.
  • the second predetermined pressure is, for example, 20 kPa.
  • the second predetermined temperature is preferably higher than the first predetermined temperature.
  • the second predetermined temperature is 1350 ° C., for example.
  • the V / III ratio in the second process is preferably larger than the V / III ratio in the first process.
  • the V / III ratio in the second process is, for example, 106.
  • the process parameters in the second step are as follows: when the AlN crystal nuclei on the sapphire substrate on which no protrusion is formed are enlarged under the same conditions, the diameter of the AlN crystal nuclei 34 is 20 nm to 50 nm, the height is 20 nm to 40 nm, and the AlN crystal
  • the process parameters are preferably the same as those when the density of the nuclei is about 150 to 250 / ⁇ m 2 . These values are values obtained by observing and evaluating the surface of a sample prepared for evaluation with an atomic force microscope.
  • Step of forming the first AlN crystal 31 and the plurality of columnar second AlN crystals 32 (see FIG. 3B) on the lower ground 20 of the single crystal substrate 2 the pressure in the reaction furnace is kept at a predetermined pressure.
  • TMAl Al source gas
  • NH 3 N source gas
  • the predetermined pressure in this step is, for example, 20 kPa.
  • the V / III ratio in this step is preferably a value that promotes the vertical growth of the AlN crystal having a facet perpendicular to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2.
  • the V / III ratio in this step is preferably a value that promotes the growth of the second AlN crystal 32.
  • each facet of the plurality of columnar second AlN crystals 32 is likely to be orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2, and as a result, the flatness of the surface of the third AlN crystal 33 can be improved. It becomes possible.
  • the V / III ratio in this step is preferably greater than 51, for example. More specifically, the V / III ratio in this step is preferably 52 to 140.
  • “Facet” means a small crystal plane that selectively appears during crystal growth, and means a plane that is more stable in energy and easier to grow than other crystal planes.
  • the substrate temperature in this step is preferably higher than 1300 ° C. and lower than 1390 ° C.
  • the time during which the Al source gas and the N source gas are supplied into the reactor is the AlN layer grown on the c-plane of the sapphire substrate under the same conditions. It is preferable that the thickness be 2 ⁇ m or more.
  • the growth time is set to a time when the thickness of the AlN layer is 0.2 ⁇ m, the inventors of the present application form a part of the surface 30 of the AlN layer 3 by the surface of the abnormally grown portion, and the surface 30 of the AlN layer 3. It has been confirmed that the flatness of the is not good.
  • the inventors of the present application have confirmed from the cross-sectional SEM image that the abnormally grown portion is a columnar AlN crystal that is not orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2.
  • a part of surface 30 of third AlN crystal 33 is constituted by the surface of a columnar abnormally grown portion that is not orthogonal to the normal direction of one plane 21 of single crystal substrate 2.
  • the flatness of the surface 30 of the AlN layer 3 can be improved.
  • Each of the plurality of columnar second AlN crystals 32 grows from the tips of the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2.
  • the second AlN crystal 32 is considered to be an AlN crystal having facets orthogonal to the normal direction of the one plane 21 of the single crystal substrate 2.
  • the portion growing from the side surface excluding the tip of the surface of the plurality of protrusions 22 of the single crystal substrate 2 constitutes the first AlN crystal 31. It is considered that the first AlN crystal 31 is not a single crystal but a polycrystal.
  • Step of forming third AlN crystal 33 (see FIG. 3C)
  • Al source gas (TMAl) is supplied into the reaction furnace while the pressure in the reaction furnace is kept at a predetermined pressure and the single crystal substrate 2 is heated.
  • the second AlN crystal 32 and the third AlN crystal 33 are formed by supplying N and N source gas (NH 3 ).
  • the surface 330 of the third AlN crystal 33 constitutes the surface 30 of the AlN layer 3.
  • the predetermined pressure in this step is, for example, 20 kPa.
  • the V / III ratio in this step is preferably a value that promotes the lateral growth of the AlN crystal.
  • the V / III ratio in this step is preferably smaller than 51, for example, and more preferably 4 to 50.
  • the substrate temperature in this step is preferably higher than 1300 ° C. and lower than 1390 ° C.
  • the growth time of the third AlN crystal 33 is a time for which the thickness of the AlN crystal becomes 10 ⁇ m when the AlN crystal is grown on the sapphire substrate having a flat surface under the same growth conditions as the third AlN crystal 33. It is not limited to time.
  • the lateral direction of the AlN crystal compared to the case where at least one of the carrier gas of TMAl and the carrier gas of NH 3 is N 2 gas or a mixed gas of N 2 gas and H 2 gas. Growth can be promoted, and the flatness of the surface 30 of the AlN layer 3 can be improved.
  • the thickness of the third AlN crystal 33 necessary for planarizing the surface 30 of the AlN layer 3 is made thinner by preventing the carrier gas supplied into the reactor from containing N 2 gas. It becomes possible to do.
  • the AlN crystal is easily grown in the lateral direction along the a 1 axis, the a 2 axis, and the a 3 axis.
  • two adjacent second AlN crystals 32 among the plurality of second AlN crystals 32 can be bonded together above the cavity 37 without excessively increasing the thickness of the third AlN crystal 33. It becomes possible.
  • the epitaxial substrate 1 may be taken out from the MOVPE apparatus after the substrate temperature is lowered to, for example, near room temperature.
  • the epitaxial substrate 1 taken out from the MOVPE apparatus may be stored in the state of the epitaxial substrate 1, or used as a template substrate for growing a group III nitride semiconductor layer by a crystal growth apparatus other than the MOVPE apparatus. May be.
  • the crystal growth apparatus here is, for example, an MBE (molecular beam epitaxy) apparatus or the like.
  • the epitaxial substrate 1 manufactured by the MOVPE apparatus is immediately subjected to the manufacture of a nitride semiconductor element, a group III nitride semiconductor layer is grown on the epitaxial substrate 1 without taking out the epitaxial substrate 1 from the MOVPE apparatus, Thereafter, the substrate temperature may be lowered to around room temperature and taken out from the MOVPE apparatus.
  • the first AlN crystal 31 covering the one plane 21 and the plurality of projections 22 so that the tips of the plurality of projections 22 are exposed, and the tips of the plurality of projections 22.
  • a plurality of columnar second AlN crystals 32 projecting along the normal direction of one plane 21 and having a cross-sectional area that increases as the distance from the tip of the corresponding projection 22 of the plurality of projections 22 increases, and a plurality of second AlN crystals 32 And a layered third AlN crystal 33 connecting end portions 322 of the 2AlN crystal 32 opposite to the single crystal substrate 2.
  • the epitaxial substrate 1 can be used as, for example, a template substrate for growing a crystal layer of a nitride semiconductor element.
  • the AlN layer 3 of the epitaxial substrate 1 can be used as a buffer layer of a light emitting element (light emitting diode, laser diode, etc.), for example.
  • the AlN layer 3 of the epitaxial substrate 1 is used as a buffer layer of a light emitting element, the AlN layer 3 is formed on the single crystal substrate 2 disposed in the reactor of the MOVPE apparatus (that is, the epitaxial substrate 1 is formed).
  • an n-type AlGaN layer, a light emitting layer, an electron block layer, and a p-type AlGaN layer may be grown sequentially using the AlN layer 3 as a buffer layer.
  • the crystallinity of the n-type AlGaN layer, the light-emitting layer, the electron block layer, and the p-type AlGaN layer is improved as compared with the case where the epitaxial substrate of Comparative Example 2 is adopted as the epitaxial substrate 1.
  • the light emitting element light (for example, ultraviolet rays) emitted from the light emitting layer can be emitted from the second surface 202 of the single crystal substrate 2.
  • the single crystal substrate 2 is not limited to a sapphire substrate, but may be a hexagonal single crystal substrate, for example, a SiC substrate, an AlN substrate, or a GaN substrate.
  • the single crystal substrate 2 is preferably a sapphire substrate, a SiC substrate, an AlN substrate, or a GaN substrate.
  • the crystal axis in the normal direction of the one plane 21 in the single crystal substrate 2 is preferably the c-axis.
  • the epitaxial substrate 1 can further improve the crystallinity of the AlN layer 3.
  • the configuration of the epitaxial substrate 1 of one example is the same as that of the epitaxial substrate 1 of one embodiment.
  • the single crystal substrate 2 in the epitaxial substrate 1 is a sapphire substrate, more specifically a so-called PSS.
  • the one plane 21 of the single crystal substrate 2 is a substantially (0001) plane.
  • One plane 21 of single crystal substrate 2 has an off angle from the (0001) plane of 0.2 ° ⁇ 0.1 °.
  • the protrusion 22 in the single crystal substrate 2 has a conical shape.
  • the height of the protrusion 22 is 600 nm.
  • the diameter of the bottom surface of the protrusion 22 is 900 nm.
  • the distance between the adjacent protrusions 22 in the plurality of protrusions 22 is 100 nm.
  • the epitaxial substrate 1 of one example is a substrate obtained by epitaxially growing an AlN layer 3 on a single crystal substrate 2 based on the method for manufacturing the epitaxial substrate 1 of one embodiment. More specifically, the epitaxial substrate 1 of one embodiment is a substrate obtained by epitaxially growing the AlN layer 3 on the single crystal substrate 2 by the growth sequence shown in FIG. 4 in the reactor of the MOVPE apparatus.
  • TMAl and NH 3 are placed in the reactor for 4.5 seconds so that the pressure in the reactor is 40 kPa, the substrate temperature is 1100 ° C., and the V / III ratio is 8.
  • TMAl and NH 3 were supplied into the reactor for 3 seconds so that the V / III ratio was 8 with the substrate temperature set at 1200 ° C., and then the substrate temperature was set at 1280 ° C.
  • TMAl and NH 3 were fed into the reactor for 3 seconds so that the V / III ratio was 8.
  • TMAl and NH 3 are supplied into the reactor for 3 seconds so that the pressure in the reactor is 20 kPa, the substrate temperature is 1350 ° C., and the V / III ratio is 106. did.
  • H 2 gas was employed as the carrier gas for each of TMAl and NH 3 .
  • the second step TMAl and NH 3 were supplied into the reactor so that the V / III ratio was 140 while the pressure in the reactor was 20 kPa and the substrate temperature was 1350 ° C.
  • the growth time was set so that the thickness of the AlN was 2 ⁇ m based on the growth rate of AlN under the same conditions without the protrusions 22.
  • H 2 gas was employed as the carrier gas for each of TMAl and NH 3 .
  • the third step TMAl and NH 3 were supplied into the reactor so that the V / III ratio was 4, with the pressure in the reactor being 20 kPa and the substrate temperature being 1350 ° C.
  • the growth time was set so that the thickness of the AlN was 10 ⁇ m based on the growth rate of AlN under the same conditions without the protrusions 22.
  • H 2 gas was employed as the carrier gas for each of TMAl and NH 3 .
  • the crystallinity of the epitaxial substrate 1 of one example was evaluated by the surface morphology of the AlN layer 3, the dislocation density of the AlN layer 3, and the like.
  • the dislocation density here refers to the density of dislocations (edge dislocations occupying most) including edge dislocations (edge dislocation), screw dislocations, and mixed dislocations. means. In other words, the dislocation density here means a value calculated collectively without distinguishing between edge dislocations, screw dislocations, and mixed dislocations.
  • the dislocation density is a value calculated from a cross-sectional TEM image.
  • the epitaxial substrate 1 of one example a photograph of an image of the surface 30 of the AlN layer 3 observed with an optical microscope is shown in FIG. 5, and a photograph of an image of the surface of the AlN layer of the epitaxial substrate of Comparative Example 1 observed with an optical microscope is shown. It is shown in FIG.
  • the manufacturing method of the epitaxial substrate of the comparative example 1 is the same as the manufacturing method of the epitaxial substrate of one Example.
  • the growth time in the second step was set so that the thickness of the AlN was 0.2 ⁇ m based on the growth rate of AlN under the same conditions without the protrusions 22. This is different from the manufacturing method of the epitaxial substrate 1 of one embodiment.
  • the thickness of the AlN is 11.8 ⁇ m based on the growth rate of AlN under the same conditions when the growth time is not provided in the third step in the third step.
  • the set point is different from the manufacturing method of the epitaxial substrate of one embodiment. 5 and 6, it can be seen that the planarity of the surface of the epitaxial substrate 1 of one example is improved as compared with the epitaxial substrate of Comparative Example 1.
  • the dislocation density of the AlN layer in the epitaxial substrate of Comparative Example 2 in which an AlN layer is grown on a single crystal substrate having no protrusion on one plane under the same conditions as in the example is 2.0 ⁇ 10 9 cm ⁇ 2 .
  • the dislocation density of the AlN layer on NPSS described in Non-Patent Document 1 was about 1.2 ⁇ 10 9 cm ⁇ 2 .
  • the dislocation density of the AlN layer 3 in the epitaxial substrate 1 of one example is 6.2 ⁇ 10 8 cm ⁇ 2
  • the dislocation density of the AlN layer in the epitaxial substrate of Comparative Example 2 is described in Non-Patent Document 1.
  • the dislocation density of the AlN layer 3 in the epitaxial substrate 1 of one embodiment is a value calculated from a cross-sectional TEM image.
  • FIG. 7 and 8 show cross-sectional TEM images of the epitaxial substrate 1 of one example. 7 and 8, in the epitaxial substrate 1 of one embodiment, dislocations extending in the direction inclined from the normal direction of the single crystal substrate 2 from the vicinity of the tip of the protrusion 22 disappear at the location of the cavity 37. It was confirmed that the dislocations in the 3AlN crystal 33 were reduced.
  • the AlN layer 3 may contain impurities such as H, C, O, Si, and Fe that are inevitably mixed when the AlN layer 3 is grown.
  • the AlN layer 3 may contain impurities such as Si, Ge, Be, Mg, Zn, and C intentionally introduced for conductivity control when the AlN layer 3 is grown.

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Abstract

本発明の課題は、結晶性の更なる向上を図ることが可能なエピタキシャル基板を提供することである。エピタキシャル基板（１）は、一平面（２１）に、複数の突起（２２）がアレイ状に並んでいる単結晶基板（２）と、ＡｌＮ層（３）と、を備える。複数の突起（２２）の各々は、一平面（２１）の法線方向に先細りとなる錐状である。ＡｌＮ層（３）は、複数の突起（２２）の先端が露出するように一平面（２１）及び複数の突起（２２）を覆う第１ＡｌＮ結晶（３１）と、複数の突起（２２）の先端から一平面（２１）の法線方向に沿って突出し、対応する突起（２２）の先端からの距離が長くなるにつれて断面積が大きくなる柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶（３２）と、複数の第２ＡｌＮ結晶（３２）における単結晶基板（２）とは反対側の端部（３２２）を連結している層状の第３ＡｌＮ結晶（３３）と、を含む。

Description

エピタキシャル基板
　本発明は、エピタキシャル基板（epitaxial substrate）に関する。
　従来、発光ダイオードに用いる結晶成長用基板として、微細凹凸を形成したサファイア基板が知られている（例えば、非特許文献１参照）。
　非特許文献１には、微細凹凸を形成したサファイア基板としてＮＰＳＳ（nano-patterned sapphire substrate）が記載されている。また、非特許文献１には、ＮＰＳＳ上にＡｌＮを成長させたエピタキシャル基板が記載されている。ＮＰＳＳの表面におけるパターンは、サファイア結晶のエッチングによって形成された複数の凹形の三角錐（concave triangle cones）である。ＮＰＳＳの表面は、複数の凹形の三角錐それぞれの内周面と、サファイア結晶においてエッチングされていない部位の表面（平坦部）と、を含んでいる。非特許文献１には、ＮＰＳＳ上にＡｌＮを成長させることにより、ＡｌＮの低転位密度化を図れる旨が記載されている。しかしながら、非特許文献１に記載されたエピタキシャル基板でも、依然として転位密度が高いので、例えば紫外発光ダイオードの高効率化等を狙う場合はエピタキシャル基板における更なる低転位化が望まれる。
　エピタキシャル基板の分野においては、ＡｌＮ層の転位密度の更なる低減による結晶性の向上が望まれている。
Peng Dong,et al,「282-nm AlGaN-based deep ultraviolet-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates」，APPLIED PHYSICS LETTERS 102,241113(2013)
　本発明の目的は、結晶性の更なる向上を図ることが可能なエピタキシャル基板を提供することにある。
　本発明に係る一態様のエピタキシャル基板は、一平面に、前記一平面の法線方向に突出する複数の突起が２次元のアレイ状に並んでいる単結晶基板と、前記単結晶基板の前記一平面上に形成されたＡｌＮ層と、を備えている。前記複数の突起の各々は、前記法線方向に先細りとなる錐状である。前記ＡｌＮ層は、前記複数の突起の先端が露出するように前記一平面及び前記複数の突起を覆う第１ＡｌＮ結晶と、前記複数の突起の前記先端から前記法線方向に沿って突出し、前記複数の突起のうちの対応する突起の先端からの距離が長くなるにつれて断面積が大きくなる柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶と、前記複数の第２ＡｌＮ結晶における前記単結晶基板とは反対側の端部を連結している層状の第３ＡｌＮ結晶と、を含む。
図１は、本発明の一実施形態に係るエピタキシャル基板の模式的な断面図である。 図２Ａは、同上のエピタキシャル基板における単結晶基板の平面図である。図２Ｂは、図２ＡのＸ－Ｘ線断面図である。 図３Ａは、同上のエピタキシャル基板の製造方法における第１工程を説明する主要工程断面図である。図３Ｂは、同上のエピタキシャル基板の製造方法における第２工程を説明する主要工程断面図である。図３Ｃは、同上のエピタキシャル基板の製造方法における第３工程を説明する主要工程断面図である。 図４は、本発明の一実施例に係るエピタキシャル基板におけるＡｌＮ層の成長シーケンス図である。 図５は、同上のエピタキシャル基板の表面に関して、光学顕微鏡による観察像の写真である。 図６は、比較例１のエピタキシャル基板の表面に関して、光学顕微鏡による観察像の写真である。 図７は、本発明の一実施例に係るエピタキシャル基板の断面ＴＥＭ像（cross-sectional transmission electron microscope image）である。 図８は、図７の要部拡大像である。
　本願発明者らは、微細凹凸を形成した単結晶基板の表面形状と、当該単結晶基板上へのＡｌＮ層の結晶成長条件と、結晶成長により当該単結晶基板上に形成されたＡｌＮ層の結晶性と、の関係について本願発明者らの実験結果に基づいて調べた。その結果、本願発明者らは、エピタキシャル基板を製造するときに、一平面に当該一平面の法線方向に突出する複数の突起を備える単結晶基板を結晶成長用基板として用い、かつ、ＡｌＮ層がある特定の構造を有する場合に、より低転位密度化が図られた結晶性の良いＡｌＮ層が得られることを見出した。より詳細には、本願発明者らは、一平面に当該一平面の法線方向に突出する複数の円錐状の突起を有する単結晶基板上に従来と比べて結晶性の良いＡｌＮ層を成長させる条件を見出した。
　本実施形態は、エピタキシャル基板に関し、特に単結晶基板上にＡｌＮ層をエピタキシャル成長させたエピタキシャル基板に関する。
　下記の実施形態において説明する図１～３は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　以下では、本実施形態のエピタキシャル基板１について図１及び２に基づいて説明する。
　本実施形態のエピタキシャル基板１は、単結晶基板２上にＡｌＮ層３をエピタキシャル成長させた基板である。より詳細には、エピタキシャル基板１は、単結晶基板２上にＡｌＮ層３をＭＯＶＰＥ（metal organic vapor phase epitaxy）装置によりエピタキシャル成長させた基板である。エピタキシャル基板１では、単結晶基板２の一平面２１の面方位とＡｌＮ層３の表面３０の面方位とが同じであり、ＡｌＮ層３がエピタキシャル層（epitaxial layer）である。エピタキシャル基板１では、例えば、単結晶基板２の一平面２１が（０００１）面であり、ＡｌＮ層３の表面３０が（０００１）面である。ここにおいて、「単結晶基板２の一平面２１」とは、単結晶基板２においてその厚さ方向に直交する２つの平面のうちＡｌＮ層３の下地となる１つの平面である。ここで、「２つの平面のうちＡｌＮ層３の下地となる１つの平面」は、複数の突起２２の表面を含まない。ＡｌＮ層３の表面３０が（０００１）面であることは、例えば、Ｘ線回折、ＴＥＭによる電子回折像等で確認することが可能である。ＡｌＮ層３の表面３０は、Ａｌ極性面である。エピタキシャル基板１のサイズは、例えば、チップサイズ（chip size）でもよいし、ウェハサイズ（wafer size）でもよい。
　本実施形態のエピタキシャル基板１は、一平面２１に、当該一平面２１の法線方向に突出する複数の突起２２が２次元のアレイ状に並んでいる単結晶基板（single crystal substrate）２と、単結晶基板２の一平面２１上に形成されたＡｌＮ層３と、を備えている。複数の突起２２の各々は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に先細りとなる錐状である。ＡｌＮ層３は、複数の突起２２の先端が露出するように一平面２１及び複数の突起２２を覆う第１ＡｌＮ結晶３１と、複数の突起２２の先端から一平面２１の法線方向に沿って突出し、複数の突起２２のうちの対応する突起２２の先端からの距離が長くなるにつれて断面積が大きくなる柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２と、複数の第２ＡｌＮ結晶３２における単結晶基板２とは反対側の端部３２２を連結している層状の第３ＡｌＮ結晶３３と、を含む。これにより、エピタキシャル基板１は、結晶性の更なる向上を図ることが可能になる。
　また、エピタキシャル基板１では、複数の第２ＡｌＮ結晶３２のうち隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２の間に空洞３７があるのが好ましい。言い換えれば、複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、複数の突起２２の先端から単結晶基板２の一平面２１の法線方向に沿って互いに接触しないように突出しているのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１では、突起２２と第２ＡｌＮ結晶３２との界面で生じて突起２２の先端付近から単結晶基板２の法線方向とは傾いた方向に延びた転位が空洞３７の箇所で消滅しやすくなる。
　エピタキシャル基板１の各構成要素については、以下に詳細に説明する。
　エピタキシャル基板１における単結晶基板２は、六方晶（hexagonal crystal）の単結晶基板である。より詳細には、単結晶基板２は、サファイア基板である。ここで、単結晶基板２の一平面２１は、サファイア基板のｃ面、つまり（０００１）面である。したがって、単結晶基板２の一平面２１の法線方向は、単結晶基板２の結晶軸方向におけるｃ軸方向である。また、単結晶基板２の一平面２１の法線方向は、単結晶基板２の厚さ方向の一の方向である。単結晶基板２の一平面２１（第１面２０１）と、一平面２１とは反対の第２面２０２と、の間の距離は、例えば、１００μｍ～１０００μｍ程度であるのが好ましく、１２０μｍ～８００μｍ程度であるのがより好ましく、１５０μｍ～５００μｍ程度であるのが更に好ましい。単結晶基板２の一平面２１は、（０００１）面からのオフ角が、０°～０．４°であるのが好ましく、０．１°～０．３１°であるのがより好ましい。ここにおいて、「オフ角」とは、（０００１）面に対する一平面２１の傾斜角である。したがって、オフ角が０°であれば、一平面２１は、（０００１）面である。
　単結晶基板２は、一平面２１に、一平面２１の法線方向に突出する複数の突起２２が２次元のアレイ状に並んでいる。複数の突起２２は、１つ１つが独立した島状である。言い換えれば、複数の突起２２は、それぞれ島状であり、２次元のアレイ状に並んでいる。複数の突起２２は、仮想的な三角格子の各格子点に１つずつ配置されているが、これに限らず、例えば、仮想的な六角格子の各格子点に１つずつ配置されていてもよい。複数の突起２２は、互いに同じ大きさであるのが好ましい。図２Ａには、単結晶基板２の結晶軸におけるａ1軸、ａ2軸及びａ3軸それぞれの方向を矢印で記載してある。また、図２Ｂには、単結晶基板２の結晶軸におけるｃ軸の方向を矢印で記載してある。ａ1軸、ａ2軸及びａ3軸は、ｃ軸と直交する。ａ1軸とａ2軸及びａ3軸それぞれとのなす角度は１２０°である。ａ1軸、ａ2軸及びａ3軸は、図２Ａにおいて時計回り方向或いは反時計回り方向のいずれかの同じ方向に３０°ずつ、ずれていてもよい。要するに、ａ1軸、ａ2軸及びａ3軸は、ｃ軸を中心軸として図２Ａにおけるａ1軸、ａ2軸及びａ3軸から時計回り方向或いは反時計回り方向のいずれかの同じ方向に３０°ずつ回転させた方向でもよい。
　単結晶基板２は、複数の突起２２を一体に備えている。言い換えれば、複数の突起２２の各々は、単結晶基板２の一部である。ここで、単結晶基板２を構成するサファイア基板は、所謂ＰＳＳ（patterned sapphire substrate）である。複数の突起２２の各々は、単結晶基板２のｃ軸方向に先細りする円錐状である。ここにおいて、上述のオフ角が０°の場合、単結晶基板２のｃ軸方向は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向と平行である。したがって、複数の突起２２の各々において、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交する断面の形状は、円形状である。突起２２の高さは、例えば、３００ｎｍ～２０００ｎｍ程度であるのが好ましい。突起２２の底面の直径は、例えば、３００ｎｍ～３０００ｎｍ程度であるのが好ましい。上述の錐状は、錐台状を含まない。また、円錐状の形状は、母線が直線である場合に限らず、直線に近い曲線でもよい。複数の突起２２において隣り合う突起２２間の距離は、例えば、５０ｎｍ～１０００ｎｍ程度であるのが好ましい。各突起２２のサイズ（高さ、底面の直径等）及び隣り合う２つの突起２２間の距離の数値は一例であり、特に限定されない。複数の突起２２の各々は、円錐状に限らず、例えば、四角錐状でもよい。
　エピタキシャル基板１におけるＡｌＮ層３は、複数の突起２２の先端から突出している柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２と、複数の第２ＡｌＮ結晶３２における単結晶基板２とは反対側の端部３２２を連結している層状の第３ＡｌＮ結晶３３と、を含んでいる。
　複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、複数の突起２２の先端から一平面２１の法線方向に沿って突出している。つまり、複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々は、複数の突起２２のうち直下の突起２２の先端からｃ軸方向に突出している。複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、複数の突起２２と同様に仮想的な三角格子の各格子点に１つずつ配置されている。複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、複数の突起２２のうちの対応する突起２２の先端からの距離が長くなるにつれて断面積が大きくなる柱状である。複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々は、六角柱状である。ここで、複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々における端部３２１は、六角錐状である。複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々では、単結晶基板２側の端部３２１の断面積が、複数の突起２２のうちの対応する突起２２の先端からの距離が長くなるにつれて大きくなっており、端部３２１以外では断面積が略一定となっている。ここでいう断面積は、一平面２１の法線方向に直交する断面の面積である。この断面の形状は、六角形状である。ここでいう「六角形状」は、厳密に六角形でなくてもよく、略六角形であればよい。複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交する面内において、隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２それぞれの六角形の１つの辺同士が対向しているのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１では、第３ＡｌＮ結晶３３の厚さをより薄くすることが可能となる。複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々は、単結晶基板２のｃ軸方向にエピタキシャル成長したＡｌＮ単結晶である。
　第３ＡｌＮ結晶３３は、複数の第２ＡｌＮ結晶３２に連続している。第３ＡｌＮ結晶３３は、複数の第２ＡｌＮ結晶３２において隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２同士が結合（一体化）するように成長し、更に層状に成長している。単結晶基板２の一平面２１と隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２同士が結合する位置までの距離は、第３ＡｌＮ結晶３３の面内において、ばらつきがある。第３ＡｌＮ結晶３３は、単結晶基板２のｃ軸方向にエピタキシャル成長したＡｌＮ単結晶である。ＡｌＮ層３の表面３０は、第３ＡｌＮ結晶３３の表面３３０により構成されている。言い換えれば、エピタキシャル基板１では、第３ＡｌＮ結晶３３の表面３３０が、ＡｌＮ層３の表面３０を構成している。第３ＡｌＮ結晶３３の厚さは、ＡｌＮ層３の表面３０が平坦化されるように設定することが好ましい。第３ＡｌＮ結晶３３の厚さは、例えば、２μｍ～１５μｍ程度であるのが好ましい。第３ＡｌＮ結晶３３の厚さは、単結晶基板２の一平面２１の法線方向における厚さである。
　ＡｌＮ層３は、上述のように、複数の突起２２の先端が露出するように単結晶基板２の一平面２１及び複数の突起２２を覆う第１ＡｌＮ結晶３１を備える。第１ＡｌＮ結晶３１は、単結晶基板２と、複数の第２ＡｌＮ結晶３２の各々における単結晶基板２側の端部３２１の側面３２１１との間に介在している。エピタキシャル基板１の断面ＴＥＭ像の観察結果から、第１ＡｌＮ結晶３１は、複数の多結晶ＡｌＮが重なり合って構成されたＡｌＮ結晶であると推考される。エピタキシャル基板１では、単結晶基板２とＡｌＮ層３との熱膨張係数差等に起因してＡｌＮ層３に発生する引張応力が複数の空洞３７により緩和されるため、ＡｌＮ層３を比較的厚くしながらも、ＡｌＮ層３へのクラックの発生を抑制することが可能となる。
　以下、エピタキシャル基板１の製造方法について図３に基づいて説明した後、エピタキシャル基板１について更に説明する。なお、以下では、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置されている単結晶基板２の温度を基板温度という。「基板温度」は、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内において単結晶基板２を保持するサセプタ（susceptor）の温度を熱電対により測定した温度であるが、これに限らない。
　〔１〕単結晶基板２を前処理する工程
　この工程では、一平面２１に当該一平面２１の法線方向に突出する複数の突起２２がアレイ状に並んでいる単結晶基板２を準備して、薬品及び純水による前処理を行うことにより、単結晶基板２の一平面２１及び複数の突起２２の表面を含む下地面２０を清浄化し、乾燥させる。単結晶基板２を構成するサファイア基板は、所謂ＰＳＳである。
　〔２〕単結晶基板２をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置する工程
　この工程では、前処理の終わった単結晶基板２をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置する。より詳細には、単結晶基板２をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に導入し、その後、反応炉の内部の真空引きを行い、続いて、窒素ガス等を反応炉内へ流すことによって反応炉内を窒素ガスで満たしてから、排気する。なお、単結晶基板２は、エピタキシャル基板１を複数形成することが可能な単結晶ウェハであるのが好ましい。
　〔３〕単結晶基板２を加熱して単結晶基板２の下地面２０を清浄化する工程
　この工程は、反応炉内に配置された単結晶基板２の基板温度を、規定温度まで昇温し、さらに、この規定温度での加熱により単結晶基板２の下地面２０を清浄化する。
　より具体的に説明すれば、この工程では、反応炉内の圧力を規定圧力に減圧した後、反応炉内を規定圧力に保ちながら基板温度を規定温度まで上昇させてから、規定温度で規定時間の加熱を行うことにより単結晶基板２の下地面２０を清浄化する。規定圧力は、一例として４０ｋＰａとしてあるが、１ｋＰａ～７０ｋＰａの範囲で適宜設定すればよい。規定温度は、一例として１１００℃としてあるが、１０００℃～１２００℃の範囲で適宜設定すればよい。規定時間は、一例として１０分としてあるが、５分～１５分の範囲で適宜設定すればよい。この工程では、反応炉内へＨ2ガスを供給した状態で単結晶基板２を加熱することにより、清浄化を効果的に行うことが可能となる。
　〔４〕島状の複数のＡｌＮ結晶核３４を形成する工程
　この工程では、反応炉内へＡｌの原料ガス（tri-methyl aluminum：ＴＭＡｌ）とＮの原料ガス（ＮＨ3）とを供給することによって単結晶基板２の下地面２０上に島状の複数のＡｌＮ結晶核３４（図３Ａ参照）を形成する。ここにおいて、島状の複数のＡｌＮ結晶核３４は、ＡｌＮ層３の一部となる。ＡｌＮ結晶核３４は、この工程よりも後の工程での結晶成長の種結晶（seed crystal）として機能すると推考される。島状の複数のＡｌＮ結晶核３４は、Ａｌ極性のＡｌＮ結晶核であるのが好ましい。これにより、第２ＡｌＮ結晶３２及び第３ＡｌＮ結晶３３それぞれの成長時にＮ極性のＡｌＮ結晶が成長するのを抑制することが可能となる。
　この工程では、島状の複数のＡｌＮ結晶核３４を形成する第１過程と、第１過程にて形成した複数の島状のＡｌＮ結晶核３４のサイズを大きくする第２過程と、を行う。
　第１過程では、反応炉内の圧力を第１所定圧力とし基板温度を第１所定温度とした状態でＴＭＡｌとＮＨ3とを反応炉内に供給することで島状のＡｌＮ結晶核３４を形成する。ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとしては、Ｈ2ガスを採用することが好ましい。第１所定圧力は、例えば、４０ｋＰａである。第１所定温度は、例えば、１１００℃、１２００℃、１２８０℃の順に段階的に変化させる。第１過程におけるＶ／III比は、例えば、８である。「Ｖ／III比」とは、III族元素であるＡｌの原料ガスのモル供給量［μmol/min］に対するＶ族元素であるＮの原料ガスのモル供給量［μmol/min］との比である。第１過程におけるＶ／III比は、Ａｌ極性のＡｌＮ結晶核の形成がＮ極性のＡｌＮ結晶核の形成よりも優先される値であるのが好ましい。また、第１過程におけるプロセスパラメータは、突起の形成されていないサファイア基板上に同条件でＡｌＮ結晶核を成長させたときに、ＡｌＮ結晶核の直径が１０ｎｍ～３０ｎｍ、高さが１０ｎｍ～３０ｎｍ、ＡｌＮ結晶核３４の密度が１５０～２５０個／μｍ2程度となるときのプロセスパラメータと同じであるのが好ましい。これらの値は、評価用に作製したサンプルの表面を原子間力顕微鏡（atomic force microscopy：ＡＦＭ）により観察して評価して得られた値である。
　第２過程では、反応炉内の圧力を第２所定圧力として基板温度を第２所定温度とした状態でＴＭＡｌとＮＨ3とを反応炉内に供給することで島状のＡｌＮ結晶核３４のサイズを大きくする。ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとしては、Ｈ2ガスを採用することが好ましい。第２過程では、第１過程よりもＡｌ原子の拡散を促進させるように第２所定圧力、第２所定温度及びＶ／III比を設定するのが好ましい。これにより、Ａｌ原子をＡｌＮ結晶核３４に優先的に付着させることが可能になると推考される。第２所定圧力は、第１所定圧力よりも低圧であるのが好ましい。第２所定圧力は、例えば、２０ｋＰａである。第２所定温度は、第１所定温度よりも高いのが好ましい。第２所定温度は、例えば、１３５０℃である。第２過程におけるＶ／III比は、第１過程におけるＶ／III比よりも大きいのが好ましい。第２過程におけるＶ／III比は、例えば、１０６である。第２過程におけるプロセスパラメータは、突起の形成されていないサファイア基板上のＡｌＮ結晶核を同条件で大きくしたときに、ＡｌＮ結晶核３４の直径が２０ｎｍ～５０ｎｍ、高さが２０ｎｍ～４０ｎｍ、ＡｌＮ結晶核３４の密度が１５０～２５０個／μｍ2程度となるときのプロセスパラメータと同じであるのが好ましい。これらの値は、評価用に作製したサンプルの表面を原子間力顕微鏡により観察して評価して得られた値である。
　〔５〕単結晶基板２の下地面２０上に第１ＡｌＮ結晶３１及び柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２（図３Ｂ参照）を形成する工程
　この工程では、反応炉内の圧力を所定圧力に保ち単結晶基板２を加熱した状態で反応炉内にＡｌの原料ガス（ＴＭＡｌ）とＮの原料ガス（ＮＨ3）とを供給することによって単結晶基板２の下地面２０上に、第１ＡｌＮ結晶３１と柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２とを成長させる。この工程における所定圧力は、例えば、２０ｋＰａである。この工程におけるＶ／III比は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交するファセット（facet）を有するＡｌＮ結晶の縦方向成長が促進される値であるのが好ましい。言い換えれば、この工程におけるＶ／III比は、第２ＡｌＮ結晶３２の成長が促進される値であるのが好ましい。これにより、柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２それぞれのファセットが単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交しやすくなり、結果的に第３ＡｌＮ結晶３３の表面の平坦性を向上させることが可能となる。この工程におけるＶ／III比は、例えば、５１よりも大きいのが好ましい。より詳細には、この工程におけるＶ／III比は、５２～１４０であるのが好ましい。「ファセット」とは、結晶成長の際に選択的に現れる小さい結晶面を意味し、他の結晶面に比べてエネルギー的に安定であり結晶成長しやすい面を意味する。この工程における基板温度は、１３００℃よりも高く１３９０℃よりも低いのが好ましい。
　この工程において反応炉内にＡｌの原料ガスとＮの原料ガスとを供給している時間（成長時間）は、サファイア基板のｃ面上に同条件でＡｌＮ層を成長させたときに当該ＡｌＮ層の厚さが２μｍ以上となる時間であるのが好ましい。本願発明者らは、成長時間を当該ＡｌＮ層の厚さが０．２μｍとなる時間とした場合、ＡｌＮ層３の表面３０の一部が異常成長部の表面により構成されＡｌＮ層３の表面３０の平坦性がよくないことを確認している。本願発明者らは、断面ＳＥＭ像により、異常成長部が、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交しない柱状のＡｌＮ結晶であることを確認している。エピタキシャル基板１の製造方法では、第３ＡｌＮ結晶３３の表面３０の一部が、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交しない柱状の異常成長部の表面により構成されるのを抑制することが可能となり、ＡｌＮ層３の表面３０の平坦性を向上させることが可能となる。柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２は、それぞれ、単結晶基板２の複数の突起２２の先端から成長している。第２ＡｌＮ結晶３２は、単結晶基板２の一平面２１の法線方向に直交するファセットを有するＡｌＮ結晶であると考えられる。これに対して、単結晶基板２の複数の突起２２の表面のうち先端を除く側面から成長している部分が第１ＡｌＮ結晶３１を構成している。第１ＡｌＮ結晶３１は、単結晶ではなく、多結晶であると考えられる。この工程では、ＴＭＡｌのキャリアガスとしてＨ2ガスのみを使用し、かつ、ＮＨ3のキャリアガスとしてＨ2ガスのみを使用するのが好ましい。
　〔６〕第３ＡｌＮ結晶３３（図３Ｃ参照）を形成する工程
　この工程では、反応炉内の圧力を所定圧力に保ち単結晶基板２を加熱した状態で反応炉内にＡｌの原料ガス（ＴＭＡｌ）とＮの原料ガス（ＮＨ3）とを供給することによって第２ＡｌＮ結晶３２及び第３ＡｌＮ結晶３３を形成する。第３ＡｌＮ結晶３３の表面３３０がＡｌＮ層３の表面３０を構成する。この工程における所定圧力は、例えば、２０ｋＰａである。この工程におけるＶ／III比は、ＡｌＮ結晶の横方向成長が促進される値であるのが好ましい。これにより、第３ＡｌＮ結晶３３と単結晶基板２との距離を短くすることが可能となり、ＡｌＮ層３の厚さをより薄くすることが可能となる。この工程におけるＶ／III比は、例えば、５１よりも小さいのが好ましく、４～５０であるのがより好ましい。この工程における基板温度は、１３００℃よりも高く１３９０℃よりも低いのが好ましい。第３ＡｌＮ結晶３３の成長時間は、平坦な表面を有するサファイア基板上に第３ＡｌＮ結晶３３と同じ成長条件でＡｌＮ結晶を成長させたときにＡｌＮ結晶の厚さが１０μｍとなる時間であるが、この時間に限定されない。この工程では、ＴＭＡｌのキャリアガスとしてＨ2ガスのみを使用し、かつ、ＮＨ3のキャリアガスとしてＨ2ガスのみを使用するのが好ましい。これにより、この工程では、ＴＭＡｌのキャリアガスとＮＨ3のキャリアガスとの少なくとも一方がＮ2ガス、あるいはＮ2ガスとＨ2ガスとの混合ガスである場合と比べて、ＡｌＮ結晶の横方向成長を促進させることが可能となり、ＡｌＮ層３の表面３０の平坦性の向上を図ることが可能となる。この工程では、反応炉内に供給されるキャリアガスがＮ2ガスを含まないようにすることにより、ＡｌＮ層３の表面３０を平坦化するために必要な第３ＡｌＮ結晶３３の厚さをより薄くすることが可能となる。これにより、エピタキシャル基板１の製造方法では、生産性の向上を図れ、低コスト化を図れる。第３工程では、ＡｌＮ結晶をａ1軸、ａ2軸及びａ3軸それぞれに沿った方向に横方向成長させやすい。その結果、第３工程では、第３ＡｌＮ結晶３３の厚さを過度に厚くすることなく、複数の第２ＡｌＮ結晶３２のうち隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶３２同士を空洞３７の上方で結合することが可能となる。
　〔１〕～〔６〕までの工程が終了した後、エピタキシャル基板１は、基板温度を例えば室温付近まで降温させた後にＭＯＶＰＥ装置から取り出せばよい。ＭＯＶＰＥ装置から取り出したエピタキシャル基板１は、エピタキシャル基板１の状態で保管してもよいし、ＭＯＶＰＥ装置以外の結晶成長装置によりIII族窒化物半導体層を成長するためのテンプレート基板（template substrate）として利用してもよい。ここでいう結晶成長装置は、例えば、ＭＢＥ（molecular beam epitaxy）装置等である。また、ＭＯＶＰＥ装置により製造したエピタキシャル基板１を直ちに窒化物半導体素子の製造に供する場合には、ＭＯＶＰＥ装置からエピタキシャル基板１を取り出さずに、エピタキシャル基板１上にIII族窒化物半導体層を成長させ、その後、基板温度を室温付近まで降温させ、ＭＯＶＰＥ装置から取り出すようにすればよい。
　以上説明したエピタキシャル基板１では、図１に示したように、複数の突起２２の先端が露出するように一平面２１及び複数の突起２２を覆う第１ＡｌＮ結晶３１と、複数の突起２２の先端から一平面２１の法線方向に沿って突出し、複数の突起２２のうちの対応する突起２２の先端からの距離が長くなるにつれて断面積が大きくなる柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶３２と、複数の第２ＡｌＮ結晶３２における単結晶基板２とは反対側の端部３２２を連結している層状の第３ＡｌＮ結晶３３と、を含む。これにより、エピタキシャル基板１では、転位密度を低減することが可能となり、結晶性を向上させることが可能となる。
　エピタキシャル基板１は、例えば、窒化物半導体素子の結晶層を成長するためのテンプレート基板として利用することができる。ここで、エピタキシャル基板１のＡｌＮ層３は、例えば発光素子（発光ダイオード、レーザダイオード等）のバッファ層として利用することができる。エピタキシャル基板１のＡｌＮ層３を発光素子のバッファ層として利用する場合、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内に配置された単結晶基板２上にＡｌＮ層３を形成した後（つまり、エピタキシャル基板１を形成した後）、ＡｌＮ層３をバッファ層として、例えば、ｎ型ＡｌＧａＮ層、発光層、電子ブロック層及びｐ型ＡｌＧａＮ層を順次成長させればよい。この場合、発光素子では、エピタキシャル基板１として比較例２のエピタキシャル基板を採用している場合と比べて、ｎ型ＡｌＧａＮ層、発光層、電子ブロック層及びｐ型ＡｌＧａＮ層の結晶性を向上させることができる。発光素子では、発光層から放射される光（例えば、紫外線）を単結晶基板２の第２面２０２から放射させることが可能となる。
　単結晶基板２は、サファイア基板に限らず、六方晶の単結晶基板であればよく、例えば、ＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板又はＧａＮ基板でもよい。言い換えれば、エピタキシャル基板１では、単結晶基板２は、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板又はＧａＮ基板であるのが好ましい。ここで、単結晶基板２における一平面２１の法線方向の結晶軸はｃ軸であるのが好ましい。これにより、エピタキシャル基板１は、ＡｌＮ層３の更なる結晶性の向上を図れる。
　以下、一実施例のエピタキシャル基板１について説明する。
　一実施例のエピタキシャル基板１の構成は一実施形態のエピタキシャル基板１と同様である。エピタキシャル基板１における単結晶基板２は、サファイア基板、より詳細には所謂ＰＳＳである。ここで、単結晶基板２の一平面２１は、略（０００１）面である。単結晶基板２の一平面２１は、（０００１）面からのオフ角が、０．２°±０．１°である。単結晶基板２における突起２２は、円錐状である。突起２２の高さは、６００ｎｍである。また、突起２２の底面の直径は、９００ｎｍである。また、複数の突起２２において隣り合う突起２２間の距離は、１００ｎｍである。
　一実施例のエピタキシャル基板１は、一実施形態のエピタキシャル基板１の製造方法に基づいて単結晶基板２上にＡｌＮ層３をエピタキシャル成長させた基板である。より詳細には、一実施例のエピタキシャル基板１は、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内において図４に示す成長シーケンスにより単結晶基板２上にＡｌＮ層３をエピタキシャル成長させた基板である。
　第１工程の第１過程では、反応炉内の圧力を４０ｋＰａとして、基板温度を１１００℃とした状態でＶ／III比を８とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に４．５秒だけ供給し、その後、基板温度を１２００℃とした状態でＶ／III比を８とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に３秒だけ供給し、その後、基板温度を１２８０℃とした状態でＶ／III比を８とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に３秒だけ供給した。第１工程の第２過程では、反応炉内の圧力を２０ｋＰａとして、基板温度を１３５０℃とした状態でＶ／III比を１０６とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に３秒だけ供給した。第１工程では、ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとして、Ｈ2ガスを採用した。
　第２工程では、反応炉内の圧力を２０ｋＰａ、基板温度を１３５０℃とした状態で、Ｖ／III比を１４０とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に供給した。第２工程では、突起２２なしの場合の同条件でのＡｌＮの成長速度に基づいて当該ＡｌＮの厚さが２μｍとなるように成長時間を設定した。第２工程では、ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとして、Ｈ2ガスを採用した。
　第３工程では、反応炉内の圧力を２０ｋＰａ、基板温度を１３５０℃とした状態で、Ｖ／III比を４とするようにＴＭＡｌ及びＮＨ3を反応炉内に供給した。第３工程では、突起２２なしの場合の同条件でのＡｌＮの成長速度に基づいて当該ＡｌＮの厚さが１０μｍとなるように成長時間を設定した。第３工程では、ＴＭＡｌ及びＮＨ3それぞれのキャリアガスとして、Ｈ2ガスを採用した。
　一実施例のエピタキシャル基板１の結晶性については、ＡｌＮ層３の表面モフォロジー、ＡｌＮ層３の転位密度等によって評価した。ここでいう転位密度は、刃状転位（edge dislocation）と、螺旋転位（screw dislocation）と、混合転位（mixed dislocation）と、を含む転位（刃状転位が大部分を占めている）の密度を意味する。言い換えれば、ここでいう転位密度は、刃状転位と螺旋転位と混合転位とを区別せずにまとめて算出した値を意味する。転位密度は、断面ＴＥＭ像から算出した値である。
　一実施例のエピタキシャル基板１について、ＡｌＮ層３の表面３０の光学顕微鏡による観察像の写真を図５に示し、比較例１のエピタキシャル基板におけるＡｌＮ層の表面の光学顕微鏡による観察像の写真を図６に示す。比較例１のエピタキシャル基板の製造方法は、一実施例のエピタキシャル基板の製造方法と同様である。比較例１のエピタキシャル基板の製造方法では、第２工程において成長時間を突起２２なしの場合の同条件でのＡｌＮの成長速度に基づいて当該ＡｌＮの厚さが０．２μｍとなるように設定した点が一実施例のエピタキシャル基板１の製造方法とは相違する。また、比較例１のエピタキシャル基板の製造方法では、第３工程において成長時間を突起２２なしの場合の同条件でのＡｌＮの成長速度に基づいて当該ＡｌＮの厚さが１１．８μｍとなるように設定した点が一実施例のエピタキシャル基板の製造方法とは相違する。図５及び６から、一実施例のエピタキシャル基板１では、比較例１のエピタキシャル基板と比べて、表面の平坦性が向上していることが分かる。
　ところで、一平面に突起のない単結晶基板上にＡｌＮ層を一実施例と同条件で成長させた比較例２のエピタキシャル基板におけるＡｌＮ層の転位密度は、２．０×１０9ｃｍ-2であった。また、非特許文献１に記載されたＮＰＳＳ上のＡｌＮ層の転位密度は、略１．２×１０9ｃｍ-2であった。これらに対し、一実施例のエピタキシャル基板１におけるＡｌＮ層３の転位密度は、６．２×１０8ｃｍ-2であり、比較例２のエピタキシャル基板におけるＡｌＮ層の転位密度及び非特許文献１に記載されたＮＰＳＳ上のＡｌＮ層の転位密度（略１．２×１０9ｃｍ-2）のいずれよりも低い値である。よって、一実施例のエピタキシャル基板１では、ＡｌＮ層３の結晶性が向上していると考えられる。一実施例のエピタキシャル基板１におけるＡｌＮ層３の転位密度は、断面ＴＥＭ像から算出した値である。
　一実施例のエピタキシャル基板１の断面ＴＥＭ像を図７及び８に示す。図７及び８から、一実施例のエピタキシャル基板１では、突起２２の先端付近から単結晶基板２の法線方向とは傾いた方向に延びた転位が空洞３７の箇所で消滅しており、第３ＡｌＮ結晶３３中の転位が低減されていることが確認された。
　実施形態及び実施例に記載した材料、数値等は、好ましい例を示しているだけであり、本発明をそれに限定する主旨ではない。また、本発明の構成は、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更を加えることが可能である。
　なお、ＡｌＮ層３は、このＡｌＮ層３を成長させる際に不可避的に混入されるＨ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉ、Ｆｅなどの不純物を含有していてもよい。また、ＡｌＮ層３は、このＡｌＮ層３を成長させる際に導電性制御のために意図的に導入されるＳｉ、Ｇｅ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ等の不純物を含有していてもよい。
　１　エピタキシャル基板
　２　単結晶基板
　２１　一平面
　２２　突起
　３　ＡｌＮ層
　３１　第１ＡｌＮ結晶
　３２　第２ＡｌＮ結晶
　３２２　端部
　３３　第３ＡｌＮ結晶
　３７　空洞

Claims (3)

  1. 　一平面に、前記一平面の法線方向に突出する複数の突起が２次元のアレイ状に並んでいる単結晶基板と、
    　前記単結晶基板の前記一平面上に形成されたＡｌＮ層と、
    　を備えており、
    　前記複数の突起の各々は、前記法線方向に先細りとなる錐状であり、
    　前記ＡｌＮ層は、
    　　前記複数の突起の先端が露出するように前記一平面及び前記複数の突起を覆う第１ＡｌＮ結晶と、
    　　前記複数の突起の前記先端から前記法線方向に沿って突出し、前記複数の突起のうちの対応する突起の先端からの距離が長くなるにつれて断面積が大きくなる柱状の複数の第２ＡｌＮ結晶と、
    　　前記複数の第２ＡｌＮ結晶における前記単結晶基板とは反対側の端部を連結している層状の第３ＡｌＮ結晶と、
    　を含む、
    　ことを特徴とするエピタキシャル基板。
  2. 　前記複数の第２ＡｌＮ結晶のうち隣り合う２つの第２ＡｌＮ結晶の間に空洞がある、
    　ことを特徴とする請求項１記載のエピタキシャル基板。
  3. 　前記単結晶基板は、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板又はＧａＮ基板であり、
    　前記単結晶基板の前記法線方向の結晶軸はｃ軸である、
    　ことを特徴とする請求項１又は２記載のエピタキシャル基板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019039240A1 (ja) * 2017-08-22 2019-02-28 株式会社小糸製作所 半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子、および半導体素子の製造方法
US20190390330A1 (en) * 2018-06-26 2019-12-26 Nichia Corporation Method of forming aluminum nitride film and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018116783B4 (de) 2017-09-29 2024-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Halbleitersubstrat und Verfahren zum Fertigen von diesem
US20190103267A1 (en) * 2017-09-29 2019-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor substrate and method of manufacturing thereof
JP7242326B2 (ja) * 2019-02-13 2023-03-20 住友化学株式会社 窒化アルミニウム積層部材および窒化アルミニウム層
CN110211865B (zh) * 2019-05-15 2020-12-15 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种降低氮化镓高电子迁移率场效应管界面热阻的外延生长方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009155141A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体基板の作成方法ならびに半導体基板およびそれを用いる化合物半導体発光素子
JP2013191665A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Sharp Corp 半導体素子および半導体素子の製造方法
WO2014069235A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 独立行政法人理化学研究所 紫外発光ダイオードおよびその製造方法
WO2014136393A1 (ja) * 2013-03-08 2014-09-12 国立大学法人山口大学 加工基板及びそれを用いた半導体装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4538476B2 (ja) * 2007-08-27 2010-09-08 独立行政法人理化学研究所 半導体構造の形成方法
JP5435646B2 (ja) * 2010-02-23 2014-03-05 国立大学法人山口大学 半導体基板及びその製造方法
KR20130072825A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009155141A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体基板の作成方法ならびに半導体基板およびそれを用いる化合物半導体発光素子
JP2013191665A (ja) * 2012-03-13 2013-09-26 Sharp Corp 半導体素子および半導体素子の製造方法
WO2014069235A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 独立行政法人理化学研究所 紫外発光ダイオードおよびその製造方法
WO2014136393A1 (ja) * 2013-03-08 2014-09-12 国立大学法人山口大学 加工基板及びそれを用いた半導体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3412800A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019039240A1 (ja) * 2017-08-22 2019-02-28 株式会社小糸製作所 半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子、および半導体素子の製造方法
US20190390330A1 (en) * 2018-06-26 2019-12-26 Nichia Corporation Method of forming aluminum nitride film and method of manufacturing semiconductor light-emitting element
US10995403B2 (en) * 2018-06-26 2021-05-04 Nichia Corporation Method of forming aluminum nitride film and method of manufacturing semiconductor light-emitting element

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