WO2017130836A1 - ｎ型半導体素子と相補型半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置 - Google Patents

ｎ型半導体素子と相補型半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2017130836A1
WO2017130836A1 PCT/JP2017/001777 JP2017001777W WO2017130836A1 WO 2017130836 A1 WO2017130836 A1 WO 2017130836A1 JP 2017001777 W JP2017001777 W JP 2017001777W WO 2017130836 A1 WO2017130836 A1 WO 2017130836A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
type semiconductor
semiconductor element
insulating layer
atom
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2017/001777
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
清水浩二
村瀬清一郎
崎井大輔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to CN201780007670.8A priority Critical patent/CN108475642B/zh
Priority to US16/066,858 priority patent/US10615352B2/en
Priority to EP17744066.6A priority patent/EP3410468B1/en
Priority to KR1020187022939A priority patent/KR20180105166A/ko
Priority to JP2017503970A priority patent/JP6962189B2/ja
Publication of WO2017130836A1 publication Critical patent/WO2017130836A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/01—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C211/02—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
    • C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
    • C07C251/04—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
    • H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
    • H10D84/0165—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs the components including complementary IGFETs, e.g. CMOS devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H10D84/82—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components
    • H10D84/83—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components of only insulated-gate FETs [IGFET]
    • H10D84/85—Complementary IGFETs, e.g. CMOS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H10K10/488—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising a layer of composite material having interpenetrating or embedded materials, e.g. a mixture of donor and acceptor moieties, that form a bulk heterojunction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • H10K85/225—Carbon nanotubes comprising substituents
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
    • H04B5/70—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes
    • H04B5/77—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes for interrogation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors

Definitions

  • the drive circuit in the RFID tag is generally composed of a complementary circuit composed of a p-type FET and an n-type FET in order to suppress power consumption.
  • FETs using CNTs usually exhibit the characteristics of p-type semiconductor elements in the atmosphere.
  • An FET using an organic semiconductor has a single channel.
  • a complementary circuit cannot be configured with the same material, and materials must be selected separately for the p-type FET and the n-type FET, which complicates the manufacturing process, reduces production efficiency, and increases manufacturing costs. Problems arise.
  • the FET using CNTs is converted into an n-type semiconductor element by vacuum heat treatment or ion doping (see, for example, Patent Document 2 and Non-Patent Document 1), or using an ambipolar organic semiconductor material (for example, Patent Documents 3 to 4) have been studied to form complementary circuits made of the same material.
  • Patent Document 2 discusses a method of doping CNTs with oxygen or potassium ions to convert them into n-type semiconductor elements.
  • oxygen is difficult to separate as an element, and potassium ions are difficult to handle.
  • an n-type semiconductor element using high-performance CNT, a high-performance complementary semiconductor element, and a wireless communication device using the same can be manufactured by a simple process.
  • Schematic sectional view showing an n-type semiconductor element which is one embodiment of the present invention Schematic sectional view showing an n-type semiconductor element which is one embodiment of the present invention
  • Sectional drawing which showed the manufacturing process of the n-type semiconductor element which is one of the embodiment of this invention Schematic cross-sectional view showing a complementary semiconductor device according to one embodiment of the present invention
  • Schematic cross-sectional view showing a complementary semiconductor device according to one embodiment of the present invention Schematic cross-sectional view showing a complementary semiconductor device according to one embodiment of the present invention
  • Schematic cross-sectional view showing a complementary semiconductor device according to one embodiment of the present invention Schematic cross-sectional view showing a complementary semiconductor device according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of an n-type semiconductor element of the present invention.
  • a gate electrode 2 formed on the insulating substrate 1, a gate insulating layer 3 covering the gate electrode 2, a source electrode 5 and a drain electrode 6 provided thereon, and a semiconductor layer 4 provided between these electrodes And a second insulating layer 8 covering the semiconductor layer.
  • the semiconductor layer 4 includes a carbon nanotube composite in which a conjugated polymer is attached to at least a part of the surface, or the carbon nanotube 7, and the second insulating layer 8 is an organic compound containing a bond of carbon atoms and nitrogen atoms or a general An organic compound having the structure of the formula (2) is contained.
  • This structure is a so-called bottom gate / bottom contact structure in which the gate electrode is disposed below the semiconductor layer, and the source electrode and the drain electrode are disposed on the lower surface of the semiconductor layer.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the n-type semiconductor element of the present invention.
  • the source electrode 5 and the drain electrode 6 formed on the insulating substrate 1, the second insulating layer 8 provided between these electrodes, the semiconductor layer 4 in contact with these electrodes, and the semiconductor layer 4 are covered. It has a gate insulating layer 3 and a gate electrode 2 provided thereon.
  • the semiconductor layer 4 includes a carbon nanotube composite in which a conjugated polymer is attached to at least a part of the surface, or the carbon nanotube 7, and the second insulating layer 8 is an organic compound containing a bond of carbon atoms and nitrogen atoms or a general An organic compound having the structure of the formula (2) is contained.
  • This structure is a so-called top gate / bottom contact structure in which the gate electrode is disposed on the upper side of the semiconductor layer, and the source electrode and the drain electrode are disposed on the lower surface of the semiconductor layer.
  • the material used for the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode may be any conductive material that can generally be used as an electrode.
  • conductive metal oxides such as tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO); platinum, gold, silver, copper, iron, tin, zinc, aluminum, indium, chromium, lithium, sodium, potassium, cesium, Metals such as calcium, magnesium, palladium, molybdenum, amorphous silicon and polysilicon, and alloys thereof; inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide; polythiophene, polypyrrole, polyaniline; complex of polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid Examples thereof include, but are not limited to, conductive polymers whose conductivity has been improved by doping with iodine or the like; carbon materials; and materials containing an organic component and a conductor. These electrode materials may be used alone, or a pluralityl, silver, copper
  • the oligomer or polymer is not particularly limited, and an acrylic resin, an epoxy resin, a novolac resin, a phenol resin, a polyimide precursor, polyimide, or the like can be used, but an acrylic resin is preferable from the viewpoint of crack resistance during bending. This is presumed to be because the glass transition temperature of the acrylic resin is 100 ° C. or lower, and softens when the conductive film is thermally cured to increase the binding between the conductive particles.
  • the average particle diameter of the metal particles in the conductive film is randomly selected from the obtained images, for example, by observing the cross section of the electrode at a magnification of 10,000 using a scanning electron microscope (SEM). It can be calculated by measuring the particle diameter of 100 particles and obtaining the average value.
  • the particle diameter is the particle diameter when the shape is spherical.
  • the average value of the maximum width and the minimum width observed with an electron microscope for a certain particle is calculated as the particle diameter of the particle.
  • Examples of the electrode forming method include a method using a known technique such as resistance heating vapor deposition, electron beam beam, sputtering, plating, CVD, ion plating coating, ink jet, and printing.
  • the paste containing the organic component and the conductor is applied to an insulating substrate by a known technique such as spin coating, blade coating, slit die coating, screen printing, bar coater, mold method, printing transfer method, and dip-up method.
  • the method for forming the electrode is not particularly limited as long as conduction can be achieved.
  • vinyltrimethoxysilane R 15 is a methyl group, methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, propyltrimethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, octadecyl trimethoxysilane, It is particularly preferable to use phenyltrimethoxysilane, p-tolyltrimethoxysilane, benzyltrimethoxysilane, ⁇ -naphthyltrimethoxysilane, ⁇ -naphthyltrimethoxysilane, trifluoroethyltrimethoxysilane, and trimethoxysilane.
  • the gate insulating layer preferably further contains a metal compound containing a bond between a metal atom and an oxygen atom.
  • the metal compound is not particularly limited as long as it contains a bond between a metal atom and an oxygen atom, and examples thereof include metal oxides and metal hydroxides.
  • the metal atom contained in the metal compound is not particularly limited as long as it forms a metal chelate, but magnesium, aluminum, titanium, chromium, manganese, cobalt, nickel, copper, zinc, gallium, zirconium, ruthenium, palladium, indium , Hafnium, platinum and the like. Among these, aluminum is preferable from the viewpoint of availability, cost, and metal chelate stability.
  • the gate insulating layer preferably contains 10 to 180 parts by weight of the metal atoms with respect to 100 parts by weight of the total of carbon atoms and silicon atoms. By setting it as this range, an insulation characteristic can be improved more.
  • CNT composite The state where the conjugated polymer is attached to at least a part of the surface of the CNT means a state where a part or all of the surface of the CNT is covered with the conjugated polymer.
  • the reason why the conjugated polymer can coat the CNT is presumed to be that the ⁇ electron cloud derived from the conjugated structure of the two overlaps to cause an interaction.
  • Whether or not the CNT is coated with the conjugated polymer can be determined by approaching the color of the conjugated polymer from the color of the uncoated CNT. Quantitatively, the presence of deposits and the weight ratio of deposits to CNTs can be identified by elemental analysis such as X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • a polythiophene polymer that is easily attached to CNTs and easily forms a CNT complex is preferably used.
  • Those containing a condensed heteroaryl unit having a nitrogen-containing double bond in the ring and a thiophene unit in the repeating unit are more preferred.
  • the condensed heteroaryl unit having a nitrogen-containing double bond in the ring includes thienopyrrole, pyrrolothiazole, pyrrolopyridazine, benzimidazole, benzotriazole, benzoxazole, benzothiazole, benzothiadiazole, quinoline, quinoxaline, benzotriazine, thienoxazole , Thienopyridine, thienothiazine, thienopyrazine and the like.
  • a benzothiadiazole unit or a quinoxaline unit is particularly preferable.
  • the heterocyclic group refers to a group derived from an aliphatic ring having atoms other than carbon, such as a pyran ring, a piperidine ring, an amide ring, in the ring, and it may or may not have a substituent. Also good. Although carbon number of a heterocyclic group is not specifically limited, The range of 2-20 is preferable.
  • alkenyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a double bond such as a vinyl group, an aryl group, or a butadienyl group, and may or may not have a substituent. Although carbon number of an alkenyl group is not specifically limited, The range of 2-20 is preferable.
  • a step of uniformly dispersing CNT in a solvent and filtering the dispersion with a filter By obtaining CNT smaller than the filter pore diameter from the filtrate, CNT shorter than the distance between the pair of electrodes can be obtained efficiently.
  • a membrane filter is preferably used as the filter.
  • the pore diameter of the filter used for the filtration may be smaller than the distance between the pair of electrodes, and is preferably 0.5 to 10 ⁇ m.
  • Other methods for shortening CNT include acid treatment, freeze pulverization treatment, and the like.
  • imine compounds examples include ethyleneimine, N-methylhexane-1-imine, N-methyl-1-butyl-1-hexaneimine, propane-2-imine, methanediimine, N-methylethaneimine, ethane-1,2 -Diimine and the like.
  • R 1 to R 4 each independently represents a group composed of one or more kinds of atoms selected from a hydrogen atom, a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, a phosphorus atom and a sulfur atom.
  • X 1 and X 2 each independently represent any group represented by the following general formulas (3) to (8).
  • a 2nd insulating layer contains the compound containing a ring structure from a viewpoint of the storage stability of FET.
  • the amine compound having a ring structure or the compounds represented by the general formulas (1) and (2) include a ring structure containing a nitrogen atom as a hetero atom in the formula.
  • the film thickness of the second insulating layer is preferably 50 nm or more, and more preferably 100 nm or more. Moreover, it is preferable that it is 10 micrometers or less, and it is more preferable that it is 3 micrometers or less. By setting the film thickness within this range, it is easy to form a uniform thin film.
  • the film thickness can be measured by an atomic force microscope or an ellipsometry method.
  • n-type semiconductor element The characteristics of an n-type semiconductor element are that a positive voltage higher than the threshold voltage is applied to the gate electrode to cause conduction between the source and drain. For example, the absolute value of the threshold voltage is small. Those having high mobility are highly functional and good n-type semiconductor elements.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the complementary semiconductor device of the present invention.
  • a p-type semiconductor element 30 and an n-type semiconductor element 40 of the present invention are formed on the surface of the insulating substrate 1.
  • the p-type semiconductor element includes a source electrode 5 and a drain electrode 6 formed on an insulating substrate 1, a semiconductor layer 4 provided between these electrodes, a gate insulating layer 3 covering them, And a gate electrode 2 provided on the substrate.
  • Each semiconductor layer 4 includes a carbon nanotube composite 7 in which a conjugated polymer is attached to at least a part of the surface.
  • This structure is a so-called top gate / bottom contact structure in which the gate electrode is disposed on the upper side of the semiconductor layer, and the source electrode and the drain electrode are disposed on the lower surface of the semiconductor layer.
  • Embodiments of the complementary semiconductor device of the present invention are not limited to these, and one or more of the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element exemplified in FIGS. 6 to 9 were used in appropriate combination. It may be a thing.
  • the gate insulating layer of the p-type semiconductor element and the gate insulating layer of the n-type semiconductor element are made of the same material because the number of material types can be reduced and the same process can be used. That these insulating layers are made of the same material means that the types and composition ratios of elements contained in 1 mol% or more in the composition constituting each insulating layer are the same. Whether or not the types and composition ratios of the elements are the same can be identified by elemental analysis such as X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS).
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • SIMS secondary ion mass spectrometry
  • each of the complementary semiconductor devices shown in FIGS. 6 to 9 is an example where the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element have the same structure. Conversely, the case where the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element are not the same structure includes the following.
  • a complementary semiconductor device in which a doping region 9b is provided only in the semiconductor layer of one of the p-type semiconductor element 35 and the n-type semiconductor element 45 (n-type drive semiconductor element 45 in FIG. 11):
  • the configurations of the two differ from each other in the presence or absence of a doping region in the semiconductor layer.
  • the insulating substrate may be made of any material as long as at least the surface on which the electrode system is disposed is insulative, and is preferably made of the same material as the n-type semiconductor element.
  • the material used for the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode may be any conductive material that can generally be used as an electrode, and is preferably composed of the same material as the n-type semiconductor element.
  • the material used for the gate insulating layer is not particularly limited; however, inorganic materials such as silicon oxide and alumina; organic materials such as polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyvinylidene fluoride, polysiloxane, and polyvinylphenol (PVP) A material; or a mixture of an inorganic material powder and an organic material can be mentioned, and it is preferable that the material is composed of the same material as the n-type semiconductor element.
  • inorganic materials such as silicon oxide and alumina
  • organic materials such as polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyvinylidene fluoride, polysiloxane, and polyvinylphenol (PVP) A material
  • PVP polyvinylphenol
  • an organic polymer material that can be produced by a coating method such as inkjet.
  • an organic polymer material selected from the group consisting of polyfluoroethylene, polynorbornene, polysiloxane, polyimide, polystyrene, polycarbonate and derivatives thereof, polyacrylic acid derivatives, polymethacrylic acid derivatives, and copolymers containing these. It is preferable to use from the viewpoint of the uniformity of the insulating layer. Polyacrylic acid derivatives, polymethacrylic acid derivatives, or copolymers containing these are particularly preferred.
  • the method of forming the second insulating layer is not particularly limited, and dry methods such as resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, and CVD can be used, but from the viewpoint of manufacturing cost and adaptability to a large area. It is preferable to use a coating method. Specifically, as a coating method, a spin coating method, a blade coating method, a slit die coating method, a screen printing method, a bar coater method, a mold method, a printing transfer method, a dip pulling method, an ink jet method, a drop cast method, or the like is preferably used. be able to.
  • the coating method can be selected according to the properties of the coating film to be obtained, such as coating thickness control and orientation control.
  • the solvent for dissolving the insulating material used for the second insulating layer is not particularly limited, but ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono n-butyl ether , Ethers such as propylene glycol mono t-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether; ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propyl acetate, butyl acetate, Isobutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate Esters such as 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate; acetone,
  • Ketones alcohols such as butyl alcohol, isobutyl alcohol, pentanol, 4-methyl-2-pentanol, 3-methyl-2-butanol, 3-methyl-3-methoxybutanol, diacetone alcohol; toluene, xylene And aromatic hydrocarbons. Two or more of these may be used.
  • FIG. 12 shows an equivalent circuit of a complementary semiconductor device manufactured by combining the n-type semiconductor element and the p-type semiconductor element.
  • the input signal changes between low “L” (ground potential GND) and high “H” (V DD ).
  • the p-type FET becomes conductive and the n-type FET is cut off, so that the output signal becomes “H”.
  • the n-type FFT is turned on and the p-type FFT is cut off, so that the output signal becomes “L”.
  • the method for manufacturing the complementary semiconductor device is not particularly limited.
  • the method for forming the electrodes and insulating layers constituting each semiconductor element is as described above, and by selecting the order in order, for example, a complementary semiconductor device as shown in FIGS. 6 to 9 can be manufactured. it can. From the viewpoint of manufacturing cost and process simplicity, it is preferable to form the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element at the same time rather than separately. Therefore, it is preferable that the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element have the same structure.
  • the method for manufacturing a complementary semiconductor device preferably includes a step of applying and drying a semiconductor layer of a p-type semiconductor element and a semiconductor layer of an n-type semiconductor element, respectively. Furthermore, it is more preferable to include the following manufacturing steps. (1) forming a source electrode and a drain electrode of a p-type semiconductor element and a source electrode and a drain electrode of an n-type semiconductor element in the same process; (2) Applying and drying a composition containing a compound containing a bond of a silicon atom and a carbon atom, and performing the same step on the gate insulating layer of the p-type semiconductor element and the gate insulating layer of the n-type semiconductor element Forming with: (3) A step of forming the semiconductor layer of the p-type semiconductor element and the semiconductor layer of the n-type semiconductor element in the same step.
  • forming two electrodes and layers in the same step means forming the two electrodes and layers together by performing a process necessary for forming the electrodes and layers once. Any of these processes can be applied even when the structures of the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element are different, but the application is easier when they have the same structure.
  • the gate electrode 2 is formed in the p-type semiconductor element region 10 on the insulating substrate 1 and the gate electrode 2 is formed in the n-type semiconductor element region 20 by the method described above.
  • a compound containing a bond of silicon atom and carbon atom is applied and dried to form the gate insulating layer 3 in the p-type semiconductor element region 10 and the n-type semiconductor element region 20.
  • FIG. 13A the gate electrode 2 is formed in the p-type semiconductor element region 10 on the insulating substrate 1 and the gate electrode 2 is formed in the n-type semiconductor element region 20 by the method described above.
  • a compound containing a bond of silicon atom and carbon atom is applied and dried to form the gate insulating layer 3 in the p-type semiconductor element region 10 and the n-type semiconductor element region 20.
  • the gate electrode 2 in the p-type drive semiconductor element region 10 and the gate electrode 2 in the n-type drive semiconductor element region 20 are made of the same material because the use efficiency of the material is improved and the number of material types is reduced.
  • the semiconductor layer 4 in the p-type drive semiconductor element region 10 and the semiconductor layer 4 in the n-type drive semiconductor element region 20 are preferably made of the same material.
  • This wireless communication device is a device that performs electrical communication when an RFID tag receives a carrier wave transmitted from an antenna mounted on a reader / writer, such as an RFID. Specifically, for example, a radio signal transmitted from an antenna mounted on a reader / writer is received by an antenna of the RFID tag, converted into a direct current by a rectifier circuit, and the RFID tag generates electricity. Next, the generated RFID tag receives a command from a radio signal and performs an operation according to the command. Thereafter, a response of a result corresponding to the command is transmitted from the RFID tag antenna to the reader / writer antenna. The operation corresponding to the command is performed by at least a known demodulation circuit, operation control logic circuit, and modulation circuit.
  • the wireless communication device of the present invention has at least the above-described n-type semiconductor element or complementary semiconductor device and an antenna.
  • a power generation unit that rectifies an external modulated wave signal received by the antenna 50 and supplies power to each unit, and demodulates and controls the modulated wave signal.
  • Demodulation circuit to send to the circuit, modulation circuit to modulate the data sent from the control circuit and send it to the antenna, write the data demodulated by the demodulation circuit to the storage circuit and read the data from the storage circuit and send it to the modulation circuit
  • Examples thereof include a wireless communication device that is configured by a control circuit to perform and in which each circuit unit is electrically connected.
  • the demodulation circuit, the control circuit, the modulation circuit, and the memory circuit are formed of the above-described n-type semiconductor element or complementary semiconductor device, and may further include a capacitor, a resistance element, and a diode.
  • the storage circuit further includes a nonvolatile rewritable storage unit such as EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory), and the like.
  • the power generation unit is composed of a capacitor and a diode.
  • the antenna, the capacitor, the resistance element, the diode, and the nonvolatile rewritable memory section may be any commonly used one, and the material and shape used are not particularly limited. Also, the material for electrically connecting each of them may be any conductive material that can be generally used. Any connection method can be used as long as electrical connection can be obtained, and the width and thickness of the connection portion are arbitrary.
  • the product tag includes, for example, a base and the above-described wireless communication device covered with the base.
  • the base is made of, for example, a non-metallic material such as paper formed in a flat plate shape.
  • the base has a structure in which two flat papers are bonded together, and the wireless communication device is arranged between the two papers.
  • individual identification information for identifying an individual product is stored in advance in the storage circuit of the wireless storage device.
  • Elemental analysis Elemental information and elements in the film by X-ray photoelectron spectroscopy (Quanta SXM manufactured by PHI) that irradiates the film to be measured with soft X-rays in an ultra-high vacuum and detects photoelectrons emitted from the surface. The amount was analyzed.
  • a semiconductor solution for forming a semiconductor layer was prepared.
  • the CNT dispersion A was filtered using a membrane filter (pore size 10 ⁇ m, diameter 25 mm, Omnipore membrane manufactured by Millipore) to remove a CNT composite having a length of 10 ⁇ m or more.
  • o-DCB manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
  • chloroform as a low boiling point solvent was distilled off using a rotary evaporator, and the solvent was replaced with o-DCB.
  • CNT dispersion B was obtained.
  • 3 mL of o-DCB was added to 1 ml of CNT dispersion B to obtain semiconductor solution A (CNT complex concentration 0.03 g / l with respect to the solvent).
  • Semiconductor solution B (CNT complex concentration 0.03 g / l with respect to the solvent) was obtained in the same manner as semiconductor solution A, except that compound [60] was used instead of P3HT.
  • Semiconductor Solution Preparation Example 3 Semiconductor Solution C 1.0 g of CNT1 and 50 mL of chloroform were added and dispersed for 1 hour using an ultrasonic cleaner. Furthermore, 5 mL of this dispersion was fractionated, diluted to 100 mL, and further dispersed for 2 hours using an ultrasonic cleaner to obtain CNT dispersion C. The obtained CNT dispersion C was filtered using a membrane filter (pore size: 10 ⁇ m, diameter: 25 mm, Omnipore membrane manufactured by Millipore) to remove CNTs having a length of 10 ⁇ m or more to obtain a semiconductor solution C.
  • a membrane filter pore size: 10 ⁇ m, diameter: 25 mm, Omnipore membrane manufactured by Millipore
  • the internal temperature was raised to 90 ° C., and a component mainly composed of methanol produced as a by-product was distilled off.
  • the bath was heated at 130 ° C. for 2.0 hours, the internal temperature was raised to 118 ° C., and a component mainly composed of water and propylene glycol monobutyl ether was distilled off, and then cooled to room temperature, and the solid content concentration was 26.0.
  • a weight percent polysiloxane solution A was obtained.
  • the resulting polysiloxane had a weight average molecular weight of 6,000.
  • PGMEA propylene glycol monoethyl ether acetate
  • Gate Insulating Layer Solution B 10 g of polysiloxane solution A is weighed and aluminum bis (ethylacetoacetate) mono (2,4-pentanedionate) (trade name “Aluminum Chelate D”, manufactured by Kawaken Fine Chemicals Co., Ltd., hereinafter referred to as Aluminum Chelate D) 0 .13 g and 54.4 g of propylene glycol monoethyl ether acetate (hereinafter referred to as PGMEA) were mixed and stirred at room temperature for 2 hours to obtain a gate insulating layer solution B.
  • the content of the polymer in this solution was 2000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the aluminum chelate D.
  • Gate Insulating Layer Solution C Except that 2.5 g of polysiloxane solution A, 13 g of indium tris (2,4-pentanedionate) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) instead of aluminum chelate D, and 49.8 g of PGMEA, In the same manner as the gate insulating layer solution B, a gate insulating layer solution C was obtained. The content of the polymer in this solution was 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of indium tris (2,4-pentanedionate).
  • a gate insulating layer solution F was obtained in the same manner as the gate insulating layer solution B except that 13 g of aluminum chelate D and 49.5 g of PGMEA were used. The content of the polymer in this solution was 87 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the aluminum chelate D.
  • bifunctional epoxy acrylate monomer epoxy ester 3002A; manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.
  • Bifunctional epoxy acrylate monomer epoxy ester 70PA; manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.
  • GMA / St / AA 20/40/5/20/15.
  • Example 1 The n-type semiconductor element shown in FIG. 1 was produced. On the glass substrate 1 (thickness 0.7 mm), the resistance electrode method was used to vacuum deposit 5 nm of chromium and 50 nm of gold through a mask to form the gate electrode 2 of the n-type driving semiconductor element. Next, ethyl silicate 28 (trade name, manufactured by Colcoat Co., Ltd.) was spin-coated on the above substrate (2000 rpm ⁇ 30 seconds), and heat-treated at 200 ° C. for 1 hour in a nitrogen stream to thereby form a gate insulating film having a thickness of 600 nm. Layer 3 was formed.
  • ethyl silicate 28 trade name, manufactured by Colcoat Co., Ltd.
  • the source-drain current (Id) -source-drain voltage (Vsd) characteristics when the gate voltage (Vg) of the n-type drive semiconductor element was changed were measured.
  • the conductive paste A was applied by screen printing, and prebaked at 100 ° C. for 10 minutes in a drying oven. Then, after exposure using an exposure apparatus “PEM-8M”, immersion development with 0.5% Na 2 CO 3 solution for 30 seconds, rinsing with ultrapure water, and curing at 140 ° C. for 30 minutes in a drying oven The source electrode 5 and the drain electrode 6 of the n-type drive semiconductor element were formed. Next, 1 ⁇ L of the above-mentioned semiconductor solution B is dropped between the source electrode 5 and the drain electrode 6 of the n-type drive semiconductor element, air-dried at 30 ° C.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

簡便なプロセスで優れた相補型半導体素子を提供する。基材と、前記基材上にソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層を備えたｎ型駆動半導体素子であって、前記半導体層に対して前記ゲート絶縁層と反対側に炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物を含む第２絶縁層を含有し、前記半導体層が、表面の少なくとも一部に、共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有するｎ型半導体素子。

Description

ｎ型半導体素子と相補型半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置
　本発明は、ｎ型半導体素子と相補型半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置に関する。
　近年、非接触型のタグとしてＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）技術を用いた無線通信システムの開発が進められている。ＲＦＩＤシステムでは、リーダ／ライタと呼ばれる無線送受信機とＲＦＩＤタグとの間で、無線通信が行われる。
　ＲＦＩＤタグは、物流管理、商品管理、万引き防止などの様々な用途での利用が期待されており、交通カードなどのＩＣカード、商品タグなど一部で導入が始まっている。ＲＦＩＤタグはＩＣチップと、リーダ／ライタとの無線通信するためのアンテナを有している。タグ内に設置されたアンテナが、リーダ／ライタから送信される搬送波を受信し、ＩＣチップ内の駆動回路が動作する。
　ＲＦＩＤタグは、あらゆる商品で使用することが期待されている。そのためには製造コストの低減が必要であり、真空や高温を使用する製造プロセスから脱却し、塗布・印刷技術を用いたフレキシブルで安価なものが検討されている。
　例えば、ＩＣチップ内の駆動回路には、成形性に優れた有機半導体を半導体層として用いた電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴという）が提案されている。有機半導体をインクとして利用することで、インクジェット技術やスクリーニング技術等により、フレキシブル基板上に直接回路パターンを形成することが可能になる。そこで、従来の無機半導体に換わり、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）や有機半導体を用いたＦＥＴが盛んに検討されている（例えば、特許文献１参照）。
　ＲＦＩＤタグ内の駆動回路は、その消費電力を抑制するなどのためｐ型ＦＥＴとｎ型ＦＥＴからなる相補型回路で構成するのが一般的である。しかしＣＮＴを用いたＦＥＴは、大気中では通常ｐ型半導体素子の特性を示すことが知られている。また有機半導体を用いたＦＥＴは単一チャネルである。このため、同一材料では相補型回路を構成できず、ｐ型ＦＥＴとｎ型ＦＥＴで材料を別々に選択しなければならず、製造プロセスが煩雑になり、生産の効率低下と製造コストの増加という問題が生ずる。
　そこでＣＮＴを用いたＦＥＴを真空加熱処理やイオンをドーピングしてｎ型半導体素子に転換すること（例えば、特許文献２、非特許文献１参照）や、両極性有機半導体材料を用いて（例えば、特許文献３～４参照）、同一材料からなる相補型回路を形成することが検討されている。
国際公開第２００９／１３９３３９号 米国特許出願公開第２００３／１２２１３３号明細書 特開２００８－３１１５９４号公報 特開２０１４－１１６５６４号公報
Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ．１，ｐ．４５３－４５６（２００１）
　特許文献２では、ＣＮＴに酸素またはカリウムイオンをドーピングしてｎ型半導体素子に転換する方法が検討されている。しかしながら、酸素は元素として分離することが難しく、カリウムイオンは取扱いが難しいという問題があった。
　非特許文献１では、ＣＮＴを用いたＦＥＴをフォトリソグラフィー技術でパターン保護した後、２００℃、１０時間真空加熱処理を行い、ｎ型半導体素子に転換する方法が検討されている。しかしながら、真空状態での高温処理を長時間することが必要となり、プロセスの長時間化や製造コストの増加という問題があった。
　特許文献３では、ｎ型ＦＥＴとｐ型ＦＥＴの各電極、絶縁層および半導体層は同一材料とし、ｎ型ＦＥＴにのみ、ゲート絶縁膜とソースおよびドレイン電極に、それぞれ分極性薄膜を形成することで、相補型回路が形成されている。しかしながら、分極性薄膜をｎ型ＦＥＴにのみ選択的に形成するための工程の追加が必要となり、製造工程数が多くなる問題があった。
　特許文献４では、ペンタセンを半導体層に用いたｎ型ＦＥＴの半導体層領域に接してゲート絶縁膜側に硼化ランタンを含む層領域を設けることが検討されている。しかしながら、硼化ランタン層を新たに形成することが必要となり、製造コストが増加する問題があった。
　本発明は上記課題に着目し、簡便なプロセスで優れたｎ型半導体素子、および相補型半導体装置を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
すなわち本発明は、
基材と、
ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、
前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、
前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、
前記半導体層に対して前記ゲート絶縁層とは反対側で前記半導体層と接する第２絶縁層と、
を備えたｎ型半導体素子であって、
前記半導体層が、表面の少なくとも一部に、共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有し、
前記第２絶縁層が、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物を含有する
ｎ型半導体素子である。
　本発明の他の構成は、
基材と、
ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、
前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、
前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、
前記半導体層に対して前記ゲート絶縁層とは反対側で前記半導体層と接する第２絶縁層と、
を備えたｎ型半導体素子であって、
前記半導体層が、カーボンナノチューブを含有し、
前記第２絶縁層が、一般式（２）の構造を有する有機化合物を含有する
ｎ型半導体素子である。
　また、本発明は以下の構成を有する。すなわち本発明は、
前記ｎ型半導体素子と、ｐ型半導体素子と、
を備えた相補型半導体装置であって、
前記ｐ型半導体素子は、
基材と、
ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、
前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、
前記半導体層を前記ゲート絶縁層と絶縁するゲート絶縁層と、
を備えたｐ型半導体素子であって、
前記ｐ型半導体素子の半導体層が、表面の少なくとも一部に、共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有する
相補型半導体装置である。
　本発明によれば、高機能なＣＮＴを用いたｎ型半導体素子、高機能な相補型半導体素子、およびそれを用いた無線通信装置を簡便なプロセスで作製することができる。
本発明の実施形態の一つであるｎ型半導体素子を示した模式断面図 本発明の実施形態の一つであるｎ型半導体素子を示した模式断面図 本発明の実施形態の一つであるｎ型半導体素子を示した模式断面図 本発明の実施形態の一つであるｎ型半導体素子を示した模式断面図 本発明の実施形態の一つであるｎ型半導体素子の製造工程を示した断面図 本発明の実施形態の一つである相補型半導体装置を示した模式断面図 本発明の実施形態の一つである相補型半導体装置を示した模式断面図 本発明の実施形態の一つである相補型半導体装置を示した模式断面図 本発明の実施形態の一つである相補型半導体装置を示した模式断面図 ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子が同一構造でない場合の相補型半導体装置を示した模式断面図 ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子が同一構造でない場合の相補型半導体装置を示した模式断面図 本発明の相補型半導体装置の機能を説明する模式図 本発明の実施形態の一つである相補型半導体装置の製造工程を示した断面図 本発明のｎ型半導体素子または相補型半導体装置を用いた無線通信装置の一例を示すブロック図 折り曲げ時の電極の密着耐性の評価を行う際の模式斜視図 折り曲げ時の電極の密着耐性の評価を行う際の模式斜視図
　＜ｎ型半導体素子＞
　本発明のｎ型半導体素子は、基材と、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、前記半導体層に対して前記ゲート絶縁層とは反対側で前記半導体層と接する第２絶縁層と、を備えたｎ型半導体素子であって、前記半導体層が、表面の少なくとも一部に、共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有し、前記第２絶縁層が、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物を含有する。
　また、本発明の他の実施形態によるｎ型半導体素子は、基材と、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、前記半導体層に対して前記ゲート絶縁層とは反対側で前記半導体層と接する第２絶縁層と、を備えたｎ型半導体素子であって、前記半導体層が、カーボンナノチューブを含有し、前記第２絶縁層が、一般式（２）の構造を有する有機化合物を含有する。
　図１は本発明のｎ型半導体素子の第一の実施形態を示す模式断面図である。
絶縁性基材１の上に形成されるゲート電極２と、それを覆うゲート絶縁層３と、その上に設けられるソース電極５およびドレイン電極６と、それらの電極の間に設けられる半導体層４と、半導体層を覆う第２絶縁層８を有する。半導体層４は、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体、またはカーボンナノチューブ７を含み、第２絶縁層８は、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物または一般式（２）の構造を有する有機化合物を含有する。
この構造は、ゲート電極が半導体層の下側に配置され、半導体層の下面にソース電極およびドレイン電極が配置される、いわゆるボトムゲート・ボトムコンタクト構造である。
　図２は、本発明のｎ型半導体素子の第二の実施形態を示す模式断面図である。
絶縁性基材１の上に形成されるソース電極５およびドレイン電極６と、それらの電極の間に設けられる第２絶縁層８と、それらの電極に接する半導体層４と、半導体層４を覆うゲート絶縁層３と、その上に設けられるゲート電極２とを有する。半導体層４は、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体、またはカーボンナノチューブ７を含み、第２絶縁層８は、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物または一般式（２）の構造を有する有機化合物を含有する。
この構造は、ゲート電極が半導体層の上側に配置され、半導体層の下面にソース電極およびドレイン電極が配置される、いわゆるトップゲート・ボトムコンタクト構造である。
　図３は、本発明のｎ型半導体素子の第三の実施形態を示す模式断面図である。
絶縁性基材１の上に形成されるゲート電極２と、それを覆うゲート絶縁層３と、その上に設けられる半導体層４と、その上に形成されるソース電極５およびドレイン電極６と、それらの上に設けられる第２絶縁層８を有する。半導体層４は、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体、またはカーボンナノチューブ７を含み、第２絶縁層８は、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物または一般式（２）の構造を有する有機化合物を含有する。
この構造は、ゲート電極が半導体層の下側に配置され、半導体層の上面にソース電極およびドレイン電極が配置される、いわゆるボトムゲート・トップコンタクト構造である。
　図４は、本発明のｎ型半導体素子の第四の実施形態を示す模式断面図である。
絶縁性基材１の上に形成される第２絶縁層８と、その上に形成される半導体層４と、その上に形成されるソース電極５およびドレイン電極６と、それらを覆うゲート絶縁層３と、その上に設けられるゲート電極２とを有する。半導体層４は、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体、またはカーボンナノチューブ７を含み、第２絶縁層８は、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物または一般式（２）の構造を有する有機化合物を含有する。
この構造は、ゲート電極が半導体層の上側に配置され、半導体層の上面にソース電極およびドレイン電極が配置される、いわゆるトップゲート・トップコンタクト構造である。
　本発明のｎ型半導体素子の実施形態はこれらに限定されるものではない。また、以下の説明は、特に断りのない限り実施形態によらず共通する。
　（絶縁性基材）
　絶縁性基材は、少なくとも電極系が配置される面が絶縁性であればいかなる材質のものでもよい。例えば、シリコンウエハ、ガラス、サファイア、アルミナ焼結体等の無機材料、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン等の有機材料などが好適に用いられる。
また、例えばシリコンウエハ上にＰＶＰ膜を形成したものやポリエチレンテレフタレート上にポリシロキサン膜を形成したものなど複数の材料が積層されたものであってもよい。
　（電極）
　ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極に用いられる材料は、一般的に電極として使用されうる導電材料であればいかなるものでもよい。例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物；白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、パラジウム、モリブデン、アモルファスシリコンやポリシリコンなどの金属やこれらの合金；ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質；ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン；ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体など；ヨウ素などのドーピングなどで導電率を向上させた導電性ポリマーなど；炭素材料など；および有機成分と導電体を含有する材料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらの電極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。
　中でも、電極の柔軟性が増し、屈曲時にも密着性が良く電気的接続が良好となる点から、有機成分と導電体を含有することが好ましい。有機成分としては、特に制限はないが、モノマー、オリゴマーもしくはポリマー、光重合開始剤、可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤、顔料などが挙げられる。電極の折り曲げ耐性向上の観点からは、オリゴマーもしくはポリマーが好ましい。
　オリゴマーもしくはポリマーとしては特に限定されず、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド前駆体、ポリイミドなどを用いることができるが、屈曲時の耐クラック性の観点からアクリル樹脂が好ましい。これは、アクリル樹脂のガラス転移温度は１００℃以下であり、導電膜の熱硬化時に軟化し、導電体粒子間の結着が高まるためと推定される。
　アクリル樹脂とは、繰返し単位に少なくともアクリル系モノマーに由来する構造を含む樹脂である。アクリル系モノマーの具体例としては炭素－炭素二重結合を有するすべての化合物が使用可能であるが、好ましくは、
メチルアクリレート、アクリル酸、アクリル酸２－エチルヘキシル、メタクリル酸エチル、ｎ－ブチルアクリレート、ｉ－ブチルアクリレート、ｉ－プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、Ｎ－メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ－エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ－ｎ－ブトキシメチルアクリルアミド、Ｎ－イソブトキシメチルアクリルアミド、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２－ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２－メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１－ナフチルアクリレート、２－ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベンジルメルカプタンアクリレートなどのアクリル系モノマーおよびこれらのアクリレートをメタクリレートに代えたものや；
スチレン、ｐ－メチルスチレン、ｏ－メチルスチレン、ｍ－メチルスチレン、α－メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレンなどのスチレン類；γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１－ビニル－２－ピロリドン；
などが挙げられる。
これらアクリル系モノマーは、単独あるいは２種以上用いてもよい。
　導電体としては、一般的に電極として使用されうる導電材料であればいかなるものでもよいが、金属粒子であることが好ましい。これにより導電膜表面に凹凸が形成され、その凹凸にゲート絶縁膜が入り込むことで生じるアンカー効果によって、導電膜とゲート絶縁膜との密着性がより向上するからである。この導電膜の凹凸による導電膜とゲート絶縁膜との密着性向上によって、折り曲げ耐性や、電圧を繰り返し印加した時の電気特性における素子の信頼性がより改善する。
　金属粒子としては、具体的には、金、銀、銅、白金、鉛、錫、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、酸化ルテニウム、クロム、チタン、カーボン若しくはインジウムの少なくとも１種を含む金属粒子が好ましい。これらの金属粒子を単独、合金、あるいは混合粒子として用いることができる。
これらの中でも導電性の観点から金、銀、銅または白金の粒子が好ましい。中でも、コスト、安定性の観点から銀の粒子であることがより好ましい。また、導電膜の電気抵抗率低減の観点から、カーボンブラックを含むことがさらに好ましい。
　導電膜表面の凹凸の指標としては、導電膜表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が挙げられる。例えば、Ｒａは５～２００ｎｍが好ましい。Ｒａが５ｎｍ以上であることでアンカー効果が効果的に発現する。また、Ｒａが２００ｎｍ以下であることで、ピンホール欠陥の無いゲート絶縁膜を製膜することができる。ピンホール欠陥が発生しないことで、素子の短絡を防ぐことができる。
　なお、表面粗さは、表面形状測定装置や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定することができる。表面形状測定装置を用いる場合、導電膜上の任意の５箇所でＲａの測定を行い、それらの平均値を採用する。ＡＦＭを用いる場合も、導電膜上の任意の５箇所でＲａの測定を行い、それらの平均値を採用する。これらの測定方法は導電膜のサイズに応じて使い分けられる。いずれの方法でも測定可能な場合は、表面形状測定装置で測定した値を採用する。
　導電膜中の金属粒子の平均粒子径は０．０１～５μｍが好ましく、０．０１～２μｍがより好ましい。平均粒子径が０．０１μｍ以上であると、粒子同士の接触確率が向上し、作製される電極の比抵抗値、および断線確率を低くすることができる。また平均粒子径が５μｍ以下であれば、折り曲げ耐性の高い導電膜となる。また、平均粒子径が２μｍ以下であれば、電極の表面平滑度、パターン精度、寸法精度がさらに向上する。
　なお、本発明において導電膜中の金属粒子の平均粒子径は、例えば電極の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて１００００倍の倍率で観察し、得られた像から無作為に選択した粒子１００個の粒子径を測長し、その平均の値を求めることにより算定することができる。粒子径とは、形状が球形の場合は、その直径が粒子径である。形状が球形以外の場合は、ある１個の粒子について電子顕微鏡で観察される最大の幅と最小の幅の平均値をその粒子の粒子径として算定する。
　導電膜中の導電体の量は、導電膜の７０～９５重量％の範囲内であることが好ましく、下限としては８０質量％以上が、上限としては９０重量％以下が、それぞれより好ましい。この範囲にあることで、導電膜の比抵抗値、および断線確率を低くすることができる。
　またゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の幅、厚み、ソース電極５およびドレイン電極６の間隔は任意である。電極幅は１０μｍ～１０ｍｍ、厚みは０．０１μｍ～１００μｍ、ソース電極およびドレイン電極の間隔は１μｍ～１ｍｍが好ましいが、これに限らない。
　電極の形成方法としては、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、メッキ、ＣＶＤ、イオンプレーティングコーティング、インクジェット、印刷などの公知技術を用いた方法が挙げられる。また前記有機成分および導電体を含むペーストをスピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法などの公知の技術で絶縁基板上に塗布し、オーブン、ホットプレート、赤外線などを用いて乾燥を行い形成する方法などが挙げられる。導通を取ることができれば、電極の形成方法は特に制限されない。
　また電極パターンの形成方法としては、上記方法で作製した電極薄膜を公知のフォトリソグラフィー法などで所望の形状にパターン形成してもよいし、あるいは電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターン形成してもよい。
　（ゲート絶縁層）
　ゲート絶縁層に用いられる材料は、特に限定されないが、酸化シリコン、アルミナ等の無機材料；ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）等の有機高分子材料；あるいは無機材料粉末と有機材料の混合物を挙げることができる。
中でもケイ素と炭素の結合を含む有機化合物を含むものが好ましい。
　有機化合物としては、一般式（９）で表されるシラン化合物、一般式（１０）で表されるエポキシ基含有シラン化合物、またはこれらの縮合物またはこれらを共重合成分とするポリシロキサン等が挙げられる。これらの中でもポリシロキサンは絶縁性が高く、低温硬化が可能であるためより好ましい。
　Ｒ１４ ｍＳｉ（ＯＲ１５）４－ｍ 　（９）
　ここで、Ｒ１４は水素、アルキル基、複素環基、アリール基またはアルケニル基を示し、Ｒ１４が複数存在する場合、それぞれのＲ１４は同じでも異なっていてもよい。Ｒ１５は水素、アルキル基、アシル基またはアリール基を示し、Ｒ１５が複数存在する場合、それぞれのＲ１５は同じでも異なっていてもよい。ｍは１～３の整数を示す。
　Ｒ１６ ｎＲ１７ ｌＳｉ（ＯＲ１８）４－ｎ－ｌ 　（１０）
　ここで、Ｒ１６は１つ以上のエポキシ基を鎖の一部に有するアルキル基を示し、Ｒ１６が複数存在する場合、それぞれのＲ１６は同じでも異なっていてもよい。Ｒ１７は水素、アルキル基、複素環基、アリール基またはアルケニル基を示し、Ｒ１７が複数存在する場合、それぞれのＲ１７は同じでも異なっていてもよい。Ｒ１８は水素、アルキル基、アシル基またはアリール基を示し、Ｒ１８が複数存在する場合、それぞれのＲ１８は同じでも異なっていてもよい。ｌは０～２の整数、ｎは１または２を示す。ただし、ｌ＋ｎ≦３である。
　Ｒ１４～Ｒ１８におけるアルキル基、アシル基およびアリール基の説明は、後述のＲ１９～Ｒ２４での説明と同様である。
　Ｒ１４およびＲ１７における複素環基とは、例えば、ピラン環、ピペリジン環、アミド環などの炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環から導かれる基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。複素環基の炭素数は、特に限定されないが、２以上２０以下の範囲が好ましい。
　Ｒ１４およびＲ１７におけるアルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルケニル基の炭素数は、特に限定されないが、２以上２０以下の範囲が好ましい。
　Ｒ１６のエポキシ基を鎖の一部に有するアルキル基とは、隣り合う２つの炭素原子が１つの酸素原子と結合して形成される３員環エーテル構造を鎖の一部に有するアルキル基を示す。これは、アルキル基において炭素が最も長く連続する部分である主鎖に含まれる隣り合う２つの炭素原子が利用される場合と、主鎖以外の部分、いわゆる側鎖に含まれる隣り合う２つの炭素原子が利用される場合のいずれも含む。
　ポリシロキサンの共重合成分として一般式（９）で表されるシラン化合物を導入することにより、可視光領域において高い透明性を保ちつつ、膜の絶縁性、耐薬品性を高め、かつ絶縁膜内のトラップが少ない絶縁膜を形成できる。
　また、一般式（９）におけるｍ個のＲ１４の少なくとも１つがアリール基であると、絶縁膜の柔軟性が向上し、クラック発生が防止できるため好ましい。
　一般式（９）で表されるシラン化合物としては、具体的に、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｐ－トリルトリメトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、α－ナフチルトリメトキシシラン、β－ナフチルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３－クロロプロピルメチルジエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルジメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン、トリメトキシシラン、トリフルオロエチルトリメトキシシラン、トリフルオロエチルトリエトキシシラン、トリフルオロエチルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリイソプロポキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロエチルメチルジメトキシシラン、トリフルオロエチルメチルジエトキシシラン、トリフルオロエチルメチルジイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジエトキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジイソプロポキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジイソプロポキシシラン、トリデカフルオロオクチルメチルジメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルメチルジエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルメチルジイソプロポキシシラン、トリフルオロエチルエチルジメトキシシラン、トリフルオロエチルエチルジエトキシシラン、トリフルオロエチルエチルジイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルエチルジメトキシシラン、トリルオロプロピルエチルジエトキシシラン、トリフルオロプロピルエチルジイソプロポキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルエチルジメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルエチルジエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルエチルジイソプロポキシシラン、トリデカフルオロオクチルエチルジエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルエチルジメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルエチルジイソプロポキシシラン、ｐ－トリフルオロフェニルトリエトキシシランなどが挙げられる。
　上記シラン化合物のうち、架橋密度を上げ、耐薬品性と絶縁特性を向上させるために、ｍ＝１であるビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｐ－トリルトリメトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、α－ナフチルトリメトキシシラン、β－ナフチルトリメトキシシラン、トリフルオロエチルトリメトキシシラン、トリメトキシシラン、ｐ－トリフルオロフェニルトリエトキシシランを用いることが好ましい。また、量産性の観点から、Ｒ１５がメチル基であるビニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｐ－トリルトリメトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、α－ナフチルトリメトキシシラン、β－ナフチルトリメトキシシラン、トリフルオロエチルトリメトキシシラン、トリメトキシシランを用いることが特に好ましい。
　また、一般式（９）で表されるシラン化合物を２種以上組み合わせることがより好ましい。中でも、アルキル基を有するシラン化合物とアリール基を有するシラン化合物を組み合わせることにより、高い絶縁性とクラック防止のための柔軟性を両立できるため、特に好ましい。
　また、一般式（１０）で表されるエポキシ基含有シラン化合物としては、具体的に、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリイソプロポキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジイソプロポキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジイソプロポキシシラン、γ－グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルエチルジイソプロポキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルエチルジイソプロポキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシエチルトリメトキシシランなどが挙げられる。
　これらのうち、架橋密度を上げ、耐薬品性と絶縁特性を向上させるために、ｎ＝１、ｌ＝０であるγ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリイソプロポキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシエチルトリメトキシシランを用いることが好ましい。また、量産性の観点から、Ｒ１８がメチル基であるγ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシエチルトリメトキシシランを用いることが特に好ましい。
　ゲート絶縁層は、さらに金属原子と酸素原子の結合を含む金属化合物を含有することが好ましい。金属化合物は、金属原子と酸素原子の結合を含むものであれば特に制限はなく、例えば金属酸化物、金属水酸化物等が例示される。金属化合物に含まれる金属原子は、金属キレートを形成するものであれば特に限定されないが、マグネシウム、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ルテニウム、パラジウム、インジウム、ハフニウム、白金などが挙げられる。中でも、入手容易性、コスト、金属キレートの安定性の点からアルミニウムが好ましい。
　ゲート絶縁層において、炭素原子とケイ素原子の合計１００重量部に対して前記金属原子が１０～１８０重量部含まれることが好ましい。この範囲とすることで、絶縁特性をより向上させられる。
　ゲート絶縁層中の炭素原子とケイ素原子の合計１００重量部に対する前記金属原子の重量比はＸ線光電子分光（ＸＰＳ）により判定することができる。
　ゲート絶縁層の膜厚は０．０５～５μｍが好ましく、０．１～１μｍがより好ましい。この範囲の膜厚にすることにより、均一な薄膜形成が容易になる。膜厚は、原子間力顕微鏡やエリプソメトリ法などにより測定できる。
　ゲート絶縁層の作製方法は特に制限はないが、例えば、絶縁層を形成する材料を含む組成物を基板に塗布し、乾燥することで得られたコーティング膜を必要に応じ熱処理する方法が挙げられる。塗布方法としては、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法などの公知の塗布方法が挙げられる。コーティング膜の熱処理の温度としては、１００～３００℃の範囲にあることが好ましい。
　ここで、例えば、（Ａ）アルミニウムキレート、（Ｂ）重量平均分子量が１０００以上のポリマー、および（Ｃ）溶媒を含有し、（Ａ）１００重量部に対して、（Ｂ）が５～９０重量部含まれる組成物を基板に塗布、乾燥、熱処理することで絶縁層が形成される。前記絶縁層は、概ね、ケイ素と炭素の結合を含む有機化合物と、アルミニウム原子と酸素原子の結合を含む化合物を含み、炭素原子とケイ素原子の合計１００重量部に対して前記アルミニウム原子が１０～１８０重量部含まれる。
　なお、上述の組成物と絶縁層における原子の含有比率の関係は大まかな傾向であり、例えば金属原子の種類等によっては必ず上述の関係が満たされるわけではない。
絶縁層は単層でも複数層でもよい。また、１つの層を複数の絶縁性材料から形成してもよいし、複数の絶縁性材料を積層して複数の絶縁層を形成しても構わない。
　（ＣＮＴ複合体）
　ＣＮＴの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着した状態とは、ＣＮＴの表面の一部、あるいは全部を共役系重合体が被覆した状態を意味する。共役系重合体がＣＮＴを被覆できるのは、両者の共役系構造に由来するπ電子雲が重なることによって相互作用が生じるためと推測される。ＣＮＴが共役系重合体で被覆されているか否かは、被覆されたＣＮＴの反射色が被覆されていないＣＮＴの色から共役系重合体の色に近づくことで判断できる。定量的にはＸ線光電子分光（ＸＰＳ）などの元素分析によって、付着物の存在とＣＮＴに対する付着物の重量比を同定することができる。
　また、ＣＮＴへの付着のしやすさから、共役系重合体の重量平均分子量が１０００以上であることが好ましい。ここで、共役系重合体とは、繰り返し単位が共役構造をとり、重合度が２以上の化合物を指す。
　ＣＮＴの表面の少なくとも一部に共役系重合体を付着させることにより、ＣＮＴの保有する高い電気的特性を損なうことなくＣＮＴを溶液中に均一に分散することが可能になる。また、ＣＮＴが均一に分散した溶液から塗布法により、均一に分散したＣＮＴ膜を形成することが可能になる。これにより、高い半導体特性を実現できる。
　ＣＮＴに共役系重合体を付着させる方法は、（Ｉ）溶融した共役系重合体中にＣＮＴを添加して混合する方法、（ＩＩ）共役系重合体を溶媒中に溶解させ、この中にＣＮＴを添加して混合する方法、（ＩＩＩ）ＣＮＴを溶媒中に超音波等で予備分散させておき、そこへ共役系重合体を添加し混合する方法、（ＩＶ）溶媒中に共役系重合体とＣＮＴを入れ、この混合系へ超音波を照射して混合する方法などが挙げられる。本発明では、いずれの方法を用いてもよく、複数の方法を組み合わせてもよい。
　共役系重合体としては、ポリチオフェン系重合体、ポリピロール系重合体、ポリアニリン系重合体、ポリアセチレン系重合体、ポリ－ｐ－フェニレン系重合体、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン系重合体などが挙げられるが、特に限定されない。上記重合体は単一のモノマーユニットが並んだものが好ましく用いられるが、異なるモノマーユニットをブロック共重合したもの、ランダム共重合したものも用いられる。また、グラフト重合したものも用いることができる。
　上記重合体の中でも本発明においては、ＣＮＴへの付着が容易であり、ＣＮＴ複合体を形成しやすいポリチオフェン系重合体が好ましく使用される。環中に含窒素二重結合を有する縮合へテロアリールユニットとチオフェンユニットを繰り返し単位中に含むものがより好ましい。
　環中に含窒素二重結合を有する縮合へテロアリールユニットとしては、チエノピロール、ピロロチアゾール、ピロロピリダジン、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾチアジアゾール、キノリン、キノキサリン、ベンゾトリアジン、チエノオキサゾール、チエノピリジン、チエノチアジン、チエノピラジンなどのユニットが挙げられる。これらの中でも特にベンゾチアジアゾールユニットまたはキノキサリンユニットが好ましい。これらのユニットを有することで、ＣＮＴと共役系重合体の密着性が増し、ＣＮＴを半導体層中により良好に分散することができる。
　さらに、上記共役系重合体として、以下の一般式（１１）で表される構造を有するものが特に好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　ここで、Ｒ１９～Ｒ２４は同じでも異なっていてもよく、それぞれ、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ホルミル基、カルバモイル基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基またはシリル基を示す。また、Ｒ１９～Ｒ２４は隣接する基同士で環構造を形成してもかまわない。Ａは単結合、アリーレン基、チエニレン基を除くヘテロアリーレン基、エテニレン基、エチニレン基の中から選ばれる。ｌおよびｍは、それぞれ０～１０の整数を示し、ｌ＋ｍ≧１である。ｎは２～１０００の範囲を示す。ｌ、ｍおよびｎが２以上の場合、それぞれの繰り返し単位において、Ｒ１９～Ｒ２４およびＡは同じでも異なっていてもよい。
　アルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。置換基を有する場合、置換基には特に制限はなく、例えば、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基等を挙げることができ、これら置換基はさらに置換基を有していてもよい。また、アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、１以上２０以下が好ましく、より好ましくは１以上８以下である。
　シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などの飽和脂環式炭化水素基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。置換基を有する場合、置換基には特に制限はなく、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基等を挙げることができ、これら置換基はさらに置換基を有していてもよい。これら置換基に関する説明は、特にことわらない限り、以下の記載にも共通する。シクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、３以上２０以下の範囲が好ましい。
　複素環基とは、例えば、ピラン環、ピペリジン環、アミド環などの炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環から導かれる基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。複素環基の炭素数は特に限定されないが、２以上２０以下の範囲が好ましい。
　アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリール基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、２以上２０以下の範囲が好ましい。
　シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。シクロアルケニル基の炭素数は特に限定されないが、３以上２０以下の範囲が好ましい。
　アルキニル基とは、例えば、エチニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、２以上２０以下の範囲が好ましい。
　アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基など、エーテル結合の一方を脂肪族炭化水素基で置換した官能基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、１以上２０以下の範囲が好ましい。
　アルキルチオ基とは、アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものであり、置換基を有していても有していなくてもよい。アルキルチオ基の炭素数は特に限定されないが、１以上２０以下の範囲が好ましい。
　アリールエーテル基とは、例えば、フェノキシ基、ナフトキシ基など、エーテル結合の一方を芳香族炭化水素基で置換した官能基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、６以上４０以下の範囲が好ましい。
　アリールチオエーテル基とは、アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものであり、置換基を有していても有していなくてもよい。アリールチオエーテル基の炭素数は特に限定されないが、６以上４０以下の範囲が好ましい。
　アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アリール基の炭素数は特に限定されないが、６以上４０以下の範囲が好ましい。
　ヘテロアリール基とは、例えば、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ピリジル基、キノリニル基など、炭素以外の原子を一個または複数個環内に有する芳香族基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。ヘテロアリール基の炭素数は特に限定されないが、２以上３０以下の範囲が好ましい。
ハロゲン原子とは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を示す。
　アルキルカルボニル基とは、例えば、アセチル基、ヘキサノイル基など、カルボニル結合の一方を脂肪族炭化水素基で置換した官能基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アルキルカルボニル基の炭素数は特に限定されないが、２以上２０以下の範囲が好ましい。
　アリールカルボニル基とは、例えば、ベンゾイル基など、カルボニル結合の一方を芳香族炭化水素基で置換した官能基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アリールカルボニル基の炭素数は特に限定されないが、７以上４０以下の範囲が好ましい。
　アルコキシカルボニル基とは、例えば、メトキシカルボニル基など、カルボニル結合の一方をアルコキシ基で置換した官能基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アルコキシカルボニル基の炭素数は特に限定されないが、２以上２０以下の範囲が好ましい。
　アリールオキシカルボニル基とは、例えば、フェノキシカルボニル基など、カルボニル結合の一方をアリールオキシ基で置換した官能基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アリールオキシカルボニル基の炭素数は特に限定されないが、７以上４０以下の範囲が好ましい。
　アルキルカルボニルオキシ基とは、例えば、アセトキシ基など、エーテル結合の一方をアルキルカルボニル基で置換した官能基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アルキルカルボニルオキシ基の炭素数は特に限定されないが、２以上２０以下の範囲が好ましい。
　アリールカルボニルオキシ基とは、例えば、ベンゾイルオキシ基など、エーテル結合の一方をアリールカルボニル基で置換した官能基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アリールカルボニルオキシ基の炭素数は特に限定されないが、７以上４０以下の範囲が好ましい。
　カルバモイル基、アミノ基およびシリル基は、置換基を有していても有していなくてもよい。置換基を有する場合、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などを挙げることができ、これら置換基はさらに置換基を有していてもよい。
　隣接する基同士で互いに結合して環構造を形成する場合、前記一般式（１１）で説明すると、例えば、Ｒ１９とＲ２０が互いに結合して共役または非共役の縮合環を形成する。縮合環の構成元素として、炭素以外にも窒素、酸素、硫黄、リン、ケイ素原子を含んでいてもよいし、さらに別の環と縮合してもよい。
　次に、一般式（１１）のＡについて説明する。アリーレン基とは２価（結合部位が２箇所）の芳香族炭化水素基を示し、無置換でも置換されていてもかまわない。置換される場合の置換基の例としては、上記アルキル基や、ヘテロアリール基、ハロゲンが挙げられる。アリーレン基の好ましい具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、フェナントリレン基、アントリレン基、ターフェニレン基、ピレニレン基、フルオレニレン基、ペリレニレン基などが挙げられる。
　ヘテロアリーレン基とは２価の複素芳香環基を示し、無置換でも置換されていてもかまわない。ヘテロアリーレン基の好ましい具体例しては、ピリジレン基、ピラジレン基、キノリニレン基、イソキノリレン基、キノキサリレン基、アクリジニレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基などに加え、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾジチオフェン、ベンゾシロールおよびジベンゾシロールなどの複素芳香環から導かれる２価の基などが挙げられる。
　一般式（１１）のｌおよびｍは０～１０の整数を示し、ｌ＋ｍ≧１である。構造中にチオフェンユニットを含有することでＣＮＴとの密着性が向上し、ＣＮＴの分散性が向上することから、好ましくはｌおよびｍはそれぞれ１以上、さらに好ましくはｌ＋ｍ≧４である。また、モノマーの合成、およびその後の重合の容易さからｌ＋ｍ≦１２が好ましい。
　ｎは、共役系重合体の重合度を表しており、２～１０００の範囲である。ＣＮＴへの付着のしやすさを考慮して、ｎは３～５００の範囲が好ましい。本発明において、重合度ｎは、重量平均分子量から求めた値である。重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いて測定し、ポリスチレンの標準試料を用いて換算して求める。
　また、ＣＮＴ複合体の形成のしやすさから、共役系重合体は溶媒に可溶であることが好ましく、Ｒ１９～Ｒ２４の少なくとも一つがアルキル基であることが好ましい。
　共役系重合体としては、下記のような構造を有するものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　また、共役系重合体は、公知の方法により合成することができる。例えば、チオフェン同士を連結する方法としては、ハロゲン化チオフェンとチオフェンボロン酸またはチオフェンボロン酸エステルをパラジウム触媒下でカップリングする方法、ハロゲン化チオフェンとチオフェングリニヤール試薬をニッケルまたはパラジウム触媒下でカップリングする方法が挙げられる。また、他のユニットとチオフェンユニットを連結する場合も、ハロゲン化した他のユニットとチオフェンユニットとを、同様の方法でカップリングすることができる。また、そのようにして得られたモノマーの末端に重合性官能基を導入し、パラジウム触媒やニッケル触媒下で重合を進行させることで共役系重合体を得ることができる。
　共役系重合体は、合成過程で使用した原料や副生成物などの不純物を除去することが好ましい。不純物を除去する方法としては、例えば、シリカゲルカラムグラフィー法、ソクスレー抽出法、ろ過法、イオン交換法、キレート法などを用いることができる。これらの方法を２種以上組み合わせてもよい。
　ＣＮＴとしては、１枚の炭素膜（グラフェン・シート）が円筒状に巻かれた単層ＣＮＴ、２枚のグラフェン・シートが同心円状に巻かれた２層ＣＮＴ、複数のグラフェン・シートが同心円状に巻かれた多層ＣＮＴのいずれを用いてもよいが、高い半導体特性を得るためには単層ＣＮＴを用いるのが好ましい。ＣＮＴは、アーク放電法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、レーザー・アブレーション法等により得ることができる。
　また、ＣＮＴは半導体型ＣＮＴを８０重量％以上含むことがより好ましい。さらに好ましくは半導体型ＣＮＴを９５重量％以上含むことである。半導体型８０重量％以上のＣＮＴを得る方法としては、既知の方法を用いることができる。例えば、密度勾配剤の共存下で超遠心する方法、特定の化合物を選択的に半導体型もしくは金属型ＣＮＴの表面に付着させ、溶解性の差を利用して分離する方法、電気的性質の差を利用し電気泳動等により分離する方法などが挙げられる。半導体型ＣＮＴの含有率を測定する方法としては、可視－近赤外吸収スペクトルの吸収面積比から算出する方法や、ラマンスペクトルの強度比から算出する方法等が挙げられる。
　本発明において、ＣＮＴを半導体素子の半導体層に用いる場合、ＣＮＴの長さは、ソース電極とドレイン電極間の距離よりも短いことが好ましい。ＣＮＴの平均長さは、ソース電極とドレイン電極間距離にもよるが、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。
　ＣＮＴの平均長さとは、ランダムにピックアップした２０本のＣＮＴの長さの平均値を言う。ＣＮＴ平均長さの測定方法としては、原子間力顕微鏡、走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡等で得た画像の中から、２０本のＣＮＴをランダムにピックアップし、それらの長さの平均値を得る方法が挙げられる。
　一般に市販されているＣＮＴは長さに分布があり、電極間距離よりも長いＣＮＴが含まれることがあるため、ＣＮＴをソース電極とドレイン電極間距離よりも短くする工程を加えることが好ましい。例えば、硝酸、硫酸などによる酸処理、超音波処理、または凍結粉砕法などにより、ＣＮＴを短繊維状にカットする方法が有効である。またフィルターによる分離を併用することは、ＣＮＴの純度を向上させる点でさらに好ましい。
また、ＣＮＴの直径は特に限定されないが、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
　本発明では、ＣＮＴを溶媒中に均一分散させ、分散液をフィルターによってろ過する工程を設けることが好ましい。フィルター孔径よりも小さいＣＮＴを濾液から得ることで、一対の電極間距離よりも短いＣＮＴを効率よく得られる。この場合、フィルターとしてはメンブレンフィルターが好ましく用いられる。ろ過に用いるフィルターの孔径は、一対の電極間距離よりも小さければよく、０．５～１０μｍが好ましい。
他にＣＮＴを短小化する方法として、酸処理、凍結粉砕処理などが挙げられる。
　（半導体層）
　半導体層は、前記ＣＮＴ複合体またはカーボンナノチューブを含有する。半導体層は電気特性を阻害しない範囲であれば、さらに有機半導体や絶縁材料を含んでもよい。また半導体層中の１μｍ２当たりに存在する上記ＣＮＴ複合体またはカーボンナノチューブの総長さが１μｍ～５０μｍであることが好ましい。総長さがこの範囲内であると、ＦＥＴの抵抗が低くなるので好ましい。半導体層中の１μｍ２当たりに存在する上記ＣＮＴ複合体またはカーボンナノチューブの総長さとは、半導体層中の任意の１μｍ２内に存在するＣＮＴ複合体またはカーボンナノチューブの長さの総和を言う。ＣＮＴ複合体またはカーボンナノチューブの総長さの測定方法としては、原子間力顕微鏡、走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡等で得た半導体層の画像の中から任意の１μｍ２を選択し、その領域に含まれる全てのＣＮＴ複合体またはカーボンナノチューブの長さを測定して合計する方法が挙げられる。
　半導体層の膜厚は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましい。この範囲内にあることで、均一な薄膜形成が容易になる。より好ましくは１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。膜厚は、原子間力顕微鏡やエリプソメトリ法などにより測定できる。
　半導体層の形成方法としては、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、ＣＶＤなど乾式の方法を用いることも可能であるが、製造コストや大面積への適合の観点から塗布法を用いることが好ましい。具体的には、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法などを好ましく用いることができ、塗膜厚み制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択できる。また、形成した塗膜に対して、大気下、減圧下または窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下でアニーリング処理を行ってもよい。
　（第２絶縁層）
　第２絶縁層は、半導体層に対してゲート絶縁層と反対側に形成される。半導体層に対してゲート絶縁層と反対側とは、例えば、半導体層の上側にゲート絶縁層を有する場合は半導体層の下側を指す。第２絶縁層を形成することにより半導体層を保護することもできる。
　前記第２絶縁層は、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物を含有する。そのような有機化合物としてはいかなる有機化合物でもよいが、例えば、アミド系化合物、イミド系化合物、ウレア系化合物、アミン系化合物、イミン系化合物、アニリン系化合物、ニトリル系化合物などを挙げることができる。
　アミド系化合物としては、ポリアミド、ホルムアミド、アセトアミド、ポリ－Ｎ－ビニルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、アセトアニリド、ベンズアニリド、Ｎ－メチルベンズアニリド、スルホンアミド、ナイロン、ポリビニルピロリドン、Ｎ－メチルピロリドン、ポリビニルポリピロリドン、β－ラクタム、γ－ラクタム、δ－ラクタム、ε－カプロラクタムなどが挙げられる。
イミド系化合物としては、ポリイミド、フタルイミド、マレイミド、アロキサン、スクシンイミドなどが挙げられる。
　ウレア系化合物としては、ウラシル、チミン、尿素、アセトヘキサミドなどが挙げられる。
　アミン系化合物としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、シクロヘキシルアミン、メチルシクロヘキシルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン、シクロオクチルアミン、シクロデシルアミン、シクロドデシルアミン、１－アザビシクロ［２．２．２］オクタン（キヌクリジン）、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン（ＤＢＵ）、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ－５－エン（ＤＢＮ）、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン（ＴＢＤ）、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン（ＭＴＢＤ）、ポリ（メラミン－ｃｏ－ホルムアルデヒド）、テトラメチルエチレンジアミン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニルアラニンなどが挙げられる。
　イミン系化合物としては、エチレンイミン、Ｎ－メチルヘキサン－１－イミン、N－メチル－１－ブチル－１－ヘキサンイミン、プロパン－２－イミン、メタンジイミン、Ｎ－メチルエタンイミン、エタン－１，２－ジイミンなどが挙げられる。
　アニリン系化合物としては、アニリン、メチルアミノ安息香酸などが挙げられる。
　ニトリル系化合物としては、アセトニトリル、アクリロニトリルなどが挙げられる。その他の化合物としてはポリウレタン、アラントイン、２－イミダゾリジノン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、ジシアンジアミジン、シトルリン、ピペリジン、イミダゾール、ピリミジン、ジュロリジン、ポリ（メラミン－ｃｏ－ホルムアルデヒド）などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
　これらの中でも、ｎ型半導体素子の特性向上の観点からは、第２絶縁層は、以下の一般式（１）または（２）から選ばれる一種類以上を含む化合物を含有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
（Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子および硫黄原子から選ばれる一種類以上の原子により構成される基を示す。Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、下記一般式（３）～（８）で表されるいずれかの基を示す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
（Ｒ５～Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子および硫黄原子から選ばれる一種類以上の原子により構成される基を示す。）
　さらに、一般式（１）～（８）のＲ１～Ｒ１３は、材料の入手性の観点から、炭化水素基であることが好ましい。
　中でも、第２絶縁層は、ＦＥＴの保存安定性の観点から、環構造を含有する化合物を含むことが好ましい。特に環構造を有するアミン系化合物、または、一般式（１）および（２）が、式中に記載の窒素原子をヘテロ原子として含む環構造を含有する化合物であることが、より好ましい。環構造を有するアミン系化合物としては、シクロヘキシルアミン、メチルシクロヘキシルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン、シクロオクチルアミン、シクロデシルアミン、シクロドデシルアミン、アニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミンなどが挙げられる。窒素原子をヘテロ原子として含む環構造を含有する化合物としては、ポリビニルピロリドン、Ｎ－メチルピロリドン、ポリビニルポリピロリドン、β－ラクタム、γ－ラクタム、δ－ラクタム、ε－カプロラクタム、ポリイミド、フタルイミド、マレイミド、アロキサン、スクシンイミド、ウラシル、チミン、２－イミダゾリジノン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、キヌクリジン、ＤＢＵ、ＤＢＮ、ＴＢＤ、ＭＴＢＤ、ピペリジン、イミダゾール、ピリミジン、ジュロリジンなどが挙げられる。
　また、第２絶縁層は、アミジン化合物およびグアニジン化合物を含有することが、さらに好ましい。アミジン化合物としては、ＤＢＵ、ＤＢＮ、グアニジン化合物としては、ＴＢＤ、ＭＴＢＤなどが挙げられる。これらの化合物は、電子供与性が高く、ＣＮＴを用いたＦＥＴのｎ型半導体素子としての性能がさらに向上するため好ましい。
　第２絶縁層の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましい。また、１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。この範囲の膜厚にすることにより、均一な薄膜形成が容易になる。膜厚は、原子間力顕微鏡やエリプソメトリ法などにより測定できる。
　第２絶縁層は単層でも複数層でもよい。また、１つの層を複数の絶縁性材料から形成してもよいし、複数の絶縁性材料を積層して形成しても構わない。
　第２絶縁層の形成方法としては、特に限定されず、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、ＣＶＤなど乾式の方法を用いることも可能であるが、製造コストや大面積への適合の観点から塗布法を用いることが好ましい。塗布法として、具体的には、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法、ドロップキャスト法などを好ましく用いることができる。塗膜厚み制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択できる。
　塗布法を用いて第２絶縁層を形成するに際して、第２絶縁層に用いられる絶縁材料を溶解させる溶媒としては、特に制限されないが、エチレングリゴールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノｎ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノｔ－ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のエーテル類；エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン等のケトン類；ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペンタノール、４－メチル－２－ペンタノール、３－メチル－２－ブタノール、３－メチル－３－メトキシブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられる。
　これらを２種以上用いてもよい。中でも、１気圧における沸点が１１０～２００℃の溶剤を含有することが好ましい。沸点が１１０℃以上であれば、溶液塗布時に溶剤の揮発が抑制されて、塗布性が良好となる。沸点が２００℃以下であれば、絶縁膜中に残存する溶剤が少なく、より良好な耐熱性や耐薬品性を有する絶縁層が得られる。また、形成した塗膜に対して、大気下、減圧下または窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下でアニーリング処理を行ってもよい。
　このようにして形成されたｎ型半導体素子は、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流（ソース・ドレイン間電流）を、ゲート電圧を変化させることによって制御することができ、その移動度は、下記の（ａ）式を用いて算出することができる。
　μ＝（δＩｄ／δＶｇ）Ｌ・Ｄ／（Ｗ・εｒ・ε・Ｖｓｄ）　　　（ａ）
　ただしＩｄはソース・ドレイン間電流（Ａ）、Ｖｓｄはソース・ドレイン間電圧（Ｖ）、Ｖｇはゲート電圧（Ｖ）、Ｄはゲート絶縁層の厚み（ｍ）、Ｌはチャネル長（ｍ）、Ｗはチャネル幅（ｍ）、εｒはゲート絶縁層の比誘電率、εは真空の誘電率（８．８５×１０－１２Ｆ／ｍ）である。
　また、しきい値電圧は、Ｉｄ－Ｖｇグラフにおける線形部分の延長線とＶｇ軸との交点から求めることができる。
　ｎ型半導体素子の特性は、ゲート電極にしきい値電圧以上の正の電圧が印加されることでソース－ドレイン間が導通することで動作するものであり、例えばしきい値電圧の絶対値が小さく、移動度が高いものが、高機能な特性の良いｎ型半導体素子となる。
　（ｎ型半導体素子の製造方法）
　ｎ型半導体素子の製造方法は特に制限はないが、ｎ型半導体素子の半導体層を塗布および乾燥して形成する工程を含むことが好ましい。さらに、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物を含有する組成物を塗布および乾燥してｎ型駆動半導体素子の第２絶縁層を形成する工程を含むことが好ましい。
　以下、図５に示す実施形態に係るｎ型半導体素子の製造方法を例に、具体的に説明する。まず、図５（ａ）に示すように、絶縁性基材１上にゲート電極２を前述の方法で形成する。次に図５（ｂ）に示すようにケイ素原子と炭素原子の結合を含む有機化合物を塗布および乾燥して、ゲート絶縁層３を形成する。次に図５（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層３の上部にソース電極５およびドレイン電極６を、同一の材料を用いて前述の方法で同時に形成する。次に図５（ｄ）に示すように、ソース電極５とドレイン電極６間に半導体層４を前述の方法で形成する。次に図５（ｅ）に示すように、半導体層４を覆うように第２絶縁層８を前述の方法で形成することによりｎ型半導体素子を作製できる。
　＜相補型半導体装置＞
　本発明の相補型半導体装置は前記ｎ型半導体素子、およびｐ型半導体素子の両方を備えている。ｐ型半導体素子は、基材と、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート絶縁層と絶縁するゲート絶縁層と、を備え、前記半導体層が、表面の少なくとも一部に、共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有する
　図６は、本発明の相補型半導体装置の第一の実施形態を示す模式断面図である。
絶縁性基材１の表面に、ｐ型半導体素子１０と、本発明のｎ型半導体素子２０が形成されている。ｐ型半導体素子は、絶縁性基材１の上に形成されるゲート電極２と、それを覆うゲート絶縁層３と、その上に設けられるソース電極５およびドレイン電極６と、それらの電極の間に設けられる半導体層４とを有する。各半導体層４は、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体７を含む。
この構造は、ゲート電極が半導体層の下側に配置され、半導体層の下面にソース電極およびドレイン電極が配置される、いわゆるボトムゲート・ボトムコンタクト構造である。
　図７は、本発明の相補型半導体装置の第二の実施形態を示す模式断面図である。
絶縁性基材１の表面に、ｐ型半導体素子３０と、本発明のｎ型半導体素子４０が形成されている。ｐ型半導体素子は、絶縁性基材１の上に形成されるソース電極５およびドレイン電極６と、それらの電極の間に設けられる半導体層４と、それらを覆うゲート絶縁層３と、その上に設けられるゲート電極２とを有する。各半導体層４は、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体７を含む。
この構造は、ゲート電極が半導体層の上側に配置され、半導体層の下面にソース電極およびドレイン電極が配置される、いわゆるトップゲート・ボトムコンタクト構造である。
　図８は、本発明の相補型半導体装置の第三の実施形態を示す模式断面図である。
絶縁性基材１の表面に、ｐ型半導体素子５０と、本発明のｎ型半導体素子６０が形成されている。ｐ型半導体素子は、絶縁性基材１の上に形成されるゲート電極２と、それを覆うゲート絶縁層３と、その上に設けられる半導体層４と、その上に形成されるソース電極５およびドレイン電極６とを有する。各半導体層４は、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体７を含む。
この構造は、ゲート電極が半導体層の下側に配置され、半導体層の上面にソース電極およびドレイン電極が配置される、いわゆるボトムゲート・トップコンタクト構造である。
　図９は、本発明の相補型半導体装置の第四の実施形態を示す模式断面図である。
絶縁性基材１の表面に、ｐ型半導体素子７０と、本発明のｎ型半導体素子８０が形成されている。ｐ型半導体素子は、絶縁性基材１の上に形成される半導体層４と、その上に形成されるソース電極５およびドレイン電極６と、それらを覆うゲート絶縁層３と、その上に設けられるゲート電極２とを有する。各半導体層４は、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体７を含む。
この構造は、ゲート電極が半導体層の上側に配置され、半導体層の上面にソース電極およびドレイン電極が配置される、いわゆるトップゲート・トップコンタクト構造である。
　本発明の相補型半導体装置の実施形態はこれらに限定されるものではなく、図６～図９に例示されたｐ型半導体素子とｎ型半導体素子の各１種以上を適宜組み合わせて用いられたものであってもよい。例えば図６中のｐ型半導体素子１０と図７中のｎ型半導体素子４０を含む相補型半導体装置や、図８中のｐ型半導体素子５０と図９中のｎ型半導体素子８０を含む相補型半導体装置などであってもよい。
　また、ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子は、その本質的な機能を損なわない範囲で、図６～図９に例示された構造以外の構造のものであってもよい。
なお、ｐ型半導体素子はゲート電極にしきい値電圧以下の負の電圧が印加されるとソース－ドレイン間が導通することで動作し、ｎ型半導体素子とは、動作が異なる。
また、前記ｐ型半導体素子は、半導体層に対して基材と反対側に第２の絶縁層を形成されることが好ましい。第２の絶縁層を形成することによって、半導体層を酸素や水分などの外部環境から保護することが可能となるからである。
　ｐ型半導体素子のソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ｎ型半導体素子のソース電極およびドレイン電極はすべて同一材料から構成されることが好ましい。材料種類が少なくなり、これらの電極を同一工程で作製することも可能となるからである。
各電極が同一材料から構成されるとは、各電極に含まれる元素の中で最も含有モル比率が高い元素が同一であることをいう。電極中の元素の種類と含有比率は、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）や二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）などの元素分析によって、同定することができる。
　また、ｐ型半導体素子のゲート絶縁層とｎ型半導体素子のゲート絶縁層が同一材料からなることが、材料種類が少なくなり同一工程での作製も可能なるため、好ましい。
これらの絶縁層が同一材料からなるとは、各絶縁層を構成する組成物中に１モル％以上含まれる元素の種類および組成比が同じであることをいう。元素の種類および組成比が同じであるか否かは、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）や二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）などの元素分析によって、同定することができる。
　ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子は材料種類が少なくなり同一工程での作製も可能なるため、同一構造であることが好ましい。同一構造とは、本発明では基材上に形成される層および電極の形成順番、層数が同じであることをいう。ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子が同一構造であることで、ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子を同時に製造するプロセスが簡便となり、生産効率も良くなる。
　図６～図９に示す相補型半導体装置は、いずれもｐ型半導体素子とｎ型半導体素子が同一構造である場合の例である。逆に、ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子が同一構造でない場合とは、以下のようなものが挙げられる。図６中のｐ型半導体素子１０と図７中のｎ型駆動半導体素子４０を含む相補型半導体装置：ここでは、各半導体素子に含まれる電極や層の構成順序が異なる。
　図１０に示すような、ｐ型駆動半導体素子１５とｎ型駆動半導体素子２５のうちのいずれか一方（図１０ではｎ型駆動半導体素子２５）のみに付加的な層９ａを有する相補型半導体素子：ここでは、各半導体素子に含まれる電極や層の構成が異なる。
　図１１に示すような、ｐ型半導体素子３５とｎ型半導体素子４５のうちのいずれか一方（図１１ではｎ型駆動半導体素子４５）の半導体層のみにドーピング領域９ｂを設ける相補型半導体装置：ここでは、半導体層のドーピング領域の有無の点で両者の構成が異なる。
　次に本発明の相補型半導体素子を構成するｐ型半導体素子の部材について詳細に説明する。以下の説明は、特に断りのない限り実施形態によらず共通する。　
　（絶縁性基材）
　絶縁性基材は、少なくとも電極系が配置される面が絶縁性であればいかなる材質のものでもよく、前記ｎ型半導体素子と同一材料から構成されることが好ましい。
　（電極）
　ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極に用いられる材料は、一般的に電極として使用されうる導電材料であればいかなるものでもよく、前記ｎ型半導体素子と同一材料から構成されることが好ましい。
　（ゲート絶縁層）
　ゲート絶縁層に用いられる材料は、特に限定されないが、酸化シリコン、アルミナ等の無機材料；ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）等の有機高材料；あるいは無機材料粉末と有機材料の混合物を挙げることができ、前記ｎ型半導体素子と同一材料から構成されることが好ましい。
　（半導体層）
　半導体層は、前記ｎ型半導体素子の半導体層同様、ＣＮＴ複合体を含有する。半導体層はＣＮＴ複合体の電気特性を阻害しない範囲であれば、さらに有機半導体や絶縁材料を含んでもよく、前記ｎ型半導体素子と同一材料から構成されることが好ましい。
　（第２絶縁層）
　本発明では、ｐ型半導体素子の半導体層に対して基材と反対側に第２絶縁層を形成してもよい。第２絶縁層を形成することによって、半導体層を酸素や水分などの外部環境から保護することができる。
　第２絶縁層に用いられる材料としては、特に限定されないが、具体的には酸化シリコン、アルミナ等の無機材料；ポリイミドやその誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサンやその誘導体、ポリビニルフェノールやその誘導体等などの有機高分子材料；あるいは無機材料粉末と有機高分子材料の混合物や有機低分子材料と有機高分子材料の混合物を挙げることができる。
　これらの中でも、インクジェット等の塗布法で作製できる有機高分子材料を用いることが好ましい。特に、ポリフルオロエチレン、ポリノルボルネン、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリカーボネートおよびこれらの誘導体、ポリアクリル酸誘導体、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらを含む共重合体からなる群より選ばれる有機高分子材料を用いることが、絶縁層の均一性の観点から好ましい。ポリアクリル酸誘導体、ポリメタクリル酸誘導体、またはこれらを含む共重合体が特に好ましい。
　第２絶縁層の膜厚は、一般的には５０ｎｍ～１０μｍ、好ましくは１００ｎｍ～３μｍである。第２絶縁層は単層でも複数層でもよい。また、１つの層を複数の絶縁性材料から形成してもよいし、複数の絶縁性材料を積層して形成しても構わない。
　第２絶縁層の形成方法としては、特に限定されず、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、ＣＶＤなど乾式の方法を用いることも可能であるが、製造コストや大面積への適合の観点から塗布法を用いることが好ましい。塗布法として、具体的には、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法、ドロップキャスト法などを好ましく用いることができる。塗膜厚み制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択できる。
　第２絶縁層に用いられる絶縁材料を溶解させる溶媒としては、特に制限されないが、エチレングリゴールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノｎ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノｔ－ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のエーテル類；エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン等のケトン類；ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ペンタノール、４－メチル－２－ペンタノール、３－メチル－２－ブタノール、３－メチル－３－メトキシブタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類が挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
　中でも、１気圧における沸点が１１０～２００℃の溶剤を含有することが好ましい。沸点が１１０℃以上であれば、溶液塗布時に溶剤の揮発が抑制されて、塗布性が良好となる。沸点が２００℃以下であれば、絶縁膜中に残存する溶剤が少なく、より良好な耐熱性や耐薬品性を有する絶縁層が得られる。また、形成した塗膜に対して、大気下、減圧下または窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下でアニーリング処理を行ってもよい。
　（相補型半導体装置の特性）
　前記ｎ型半導体素子、および前記ｐ型半導体素子を組み合わせて作製した相補型半導体装置の等価回路を図１２に示す。
　相補型半導体装置の動作を以下に示す。
まず、入力信号（Ｖｉｎ）は、ロー “Ｌ”（接地電位ＧＮＤ）とハイ “Ｈ”（ＶＤＤ）との間で変化する。入力信号が“Ｌ”の場合、ｐ型ＦＥＴが導通し、ｎ型ＦＥＴが遮断されることにより、出力信号が“Ｈ”になる。逆に、入力信号が“Ｈ”の場合、ｎ型ＦＦＴが導通し、ｐ型ＦＦＴが遮断されることにより、出力信号が“Ｌ”になる。
　例えば、ｎ型ＦＥＴのしきい値電圧が大きいと、入力信号が“Ｈ”の時に、ｎ型ＦＦＴが完全に導通せず、出力信号が“Ｌ”にならない。
また、相補型半導体装置は、入力信号の変化に対する、出力信号の変化（ゲイン）は移動度と相関しており、ゲインが大きい相補型半導体装置が高性能である。
そのため、相補型半導体装置の特性は、例えばｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子それぞれのしきい値電圧の絶対値が小さく、移動度が高いものが、消費電力が低く高機能な特性の良い相補型半導体装置となる。
　（相補型半導体装置の製造方法）
　相補型半導体装置の製造方法は特に制限はない。各半導体素子を構成する電極や絶縁層の形成方法は前述の通りであり、その順序を適宜選択することで、例えば図６～図９に示されたような相補型半導体装置を製造することができる。
製造コスト、プロセス簡便性の観点から、ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子を別々に形成するのではなく、同時に形成することが好ましい。そのため、ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子が同一構造であることが好ましい。
　相補型半導体装置の製造方法は、ｐ型半導体素子の半導体層と、ｎ型半導体素子の半導体層を、それぞれ塗布および乾燥して形成する工程を含むことが好ましい。さらに以下の製造工程を含むことがより好ましい。
（１）ｐ型半導体素子のソース電極およびドレイン電極と、ｎ型半導体素子のソース電極およびドレイン電極と、を同一工程で形成する工程； 
（２）ケイ素原子と炭素原子の結合を含む化合物を含有する組成物を塗布および乾燥して、前記ｐ型半導体素子のゲート絶縁層と、前記ｎ型半導体素子のゲート絶縁層と、を同一工程で形成する工程； 
（３）前記ｐ型半導体素子の半導体層と、前記ｎ型半導体素子の半導体層と、を同一工程で形成する工程。
　ここで、２つの電極や層を同一工程で形成するとは、その電極や層の形成に必要なプロセスを１回行うことで、２つの電極や層をともに形成することをいう。
これらの工程はいずれも、ｐ型半導体素子とｎ型半導体素子の構造が異なる場合であっても適用可能であるが、それらが同一構造である場合の方が適用が容易である。
　以下、第一の実施形態に係る相補型半導体装置の製造方法を例に、具体的に説明する。まず、図１３（ａ）に示すように、絶縁性基材１上のｐ型半導体素子領域１０にゲート電極２を、ｎ型半導体素子領域２０にゲート電極２を、前述の方法で形成する。
次に図１３（ｂ）に示すようにケイ素原子と炭素原子の結合を含む化合物を塗布および乾燥して、ｐ型半導体素子領域１０およびｎ型半導体素子領域２０にゲート絶縁層３を形成する。
次に図１３（ｃ）に示すようにｐ型半導体素子領域１０およびｎ型半導体素子領域２０のゲート絶縁層３の上部にソース電極５およびドレイン電極６を、同一の材料を用いて前述の方法で同時に形成する。
次に図１３（ｄ）に示すようにｐ型半導体素子領域１０およびｎ型半導体素子領域２０のソース電極５とドレイン電極６間それぞれに半導体層４を前述の方法で形成する。
次に図１３（ｅ）に示すように、ｎ型半導体素子の半導体層４を覆うように第２絶縁層８を前述の方法で形成することにより相補型半導体装置を作製できる。
　なお、材料の使用効率向上、材料種類が少なくなることから、ｐ型駆動半導体素子領域１０のゲート電極２とｎ型駆動半導体素子領域２０のゲート電極２は同一材料であることが好ましい。同様の理由でｐ型駆動半導体素子領域１０の半導体層４とｎ型駆動半導体素子領域２０の半導体層４は同一材料であることが好ましい。
　＜無線通信装置＞
　次に、本発明のｎ型半導体素子、または相補型半導体装置を含有する無線通信装置について説明する。この無線通信装置は、例えばＲＦＩＤのような、リーダ／ライタに搭載されたアンテナから送信される搬送波をＲＦＩＤタグが受信することで電気通信を行う装置である。具体的な動作は、例えばリーダ／ライタに搭載されたアンテナから送信された無線信号を、ＲＦＩＤタグのアンテナが受信し、整流回路により直流電流に変換されＲＦＩＤタグが起電する。次に、起電されたＲＦＩＤタグは、無線信号からコマンドを受信し、コマンドに応じた動作を行う。その後、コマンドに応じた結果の回答をＲＦＩＤタグのアンテナからリーダ／ライタのアンテナへ無線信号を送信する。なお、コマンドに応じた動作は少なくとも公知の復調回路、動作制御ロジック回路、変調回路で行われる。
　本発明の無線通信装置は、上述のｎ型半導体素子、または相補型半導体装置と、アンテナと、を少なくとも有するものである。より具体的な構成としては、例えば図１４に示すように、アンテナ５０で受信した外部からの変調波信号の整流を行い各部に電源を供給する電源生成部、上記変調波信号を復調して制御回路へ送る復調回路、制御回路から送られたデータを変調してアンテナに送り出す変調回路、復調回路で復調されたデータの記憶回路への書込みおよび記憶回路からデータを読み出して変調回路への送信を行う制御回路で構成され、各回路部が電気的に接続された無線通信装置が挙げられる。前記復調回路、制御回路、変調回路、記憶回路は上述のｎ型半導体素子、または相補型半導体装置から構成され、さらにコンデンサ、抵抗素子、ダイオードを含んでいても良い。なお前記記憶回路は、さらにＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｅｒａｓａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ－Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｒａｎｄａｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等の不揮発性の書換え可能な記憶部を有している。なお、前記電源生成部はコンデンサ、ダイオードから構成される。
　アンテナ、コンデンサ、抵抗素子、ダイオード、不揮発性の書き換え可能な記憶部は一般的に使用されるものであればよく、用いられる材料、形状は特に限定はされない。またそれぞれを電気的に接続する材料も、一般的に使用されうる導電材料であればいかなるものでもよい。接続方法も電気的に導通を取ることができれば、いかなる方法でもよく、接続部の幅、厚みは任意である。
　＜商品タグ＞
　次に、本発明の無線通信装置を含有する商品タグについて説明する。この商品タグは、例えば基体と、この基体によって被覆された上記無線通信装置を有している。
　基体は、例えば、平板状に形成された紙などの非金属材料によって形成されている。例えば、基体は２枚の平板状の紙を貼り合わせた構造をしており、この２枚の紙の間に上記無線通信装置が配置されている。上記無線記憶装置の記憶回路に、例えば商品を個体識別する個体識別情報が予め格納されている。
　この商品タグとリーダ／ライタとの間で、無線通信を行う。リーダ／ライタとは、無線により商品タグに対するデータの読み取りおよび書き込みを行う装置であり、商品の流通過程や決済時に、商品タグとデータのやり取りを行うものである。例えば、携帯型のものや、レジに設置される固定型のものがある。リーダ／ライタは公知のものが利用できる。
　具体的には、この商品タグは個体識別情報の送信を要求する所定のリーダ／ライタからのコマンドに応じ、記憶している個体識別情報を無線により返信する識別情報返信機能を備えている。これにより、例えば商品の精算レジにおいて、非接触で多数の商品を同時に識別することが可能となり、バーコードでの識別と比較すると決済処理の容易化や迅速化を図ることができる。
　例えば、商品の会計の際には、リーダ／ライタが商品タグから読み取った商品情報をＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｓａｌｅ ｓｙｓｔｅｍ、販売時点情報管理）端末に送信すると、ＰＯＳ端末においてその商品情報によって特定される商品の販売登録がなされるといったことが可能となる。
　以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例中における各評価法を以下の（１）～（３）で説明する。
　（１）重量平均分子量測定
　ポリマーの重量平均分子量はサンプルを孔径０．４５μｍメンブレンフィルターで濾過後、ＧＰＣ（ＧＥＬ ＰＥＲＭＥＡＴＩＯＮ ＣＨＲＯＭＡＴＯＧＲＡＰＨＹ：ゲル浸透クロマトグラフィー、東ソー（株）製ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）（展開溶剤：テトラヒドロフラン、展開速度：０．４ｍｌ／分）を用いてポリスチレン換算により求めた。
　（２）元素分析
　測定対象の膜に超高真空中において軟Ｘ線を照射し、表面から放出される光電子を検出するＸ線光電子分光（ＰＨＩ社製　Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ）により膜中の元素情報、元素量を分析した。
　（３）電極の密着性評価
　図１５を参照して説明する。ｎ型半導体素子を形成した基板１０１について、ｎ型半導体素子を形成した面上の中央部に直径３０ｍｍの金属円柱１００を固定し、この円柱に沿って、円柱の抱き角０°（サンプルが平面の状態）の状態に置き（図１５Ａ参照）、円柱への抱き角が１８０°（円柱で折り返した状態）となる範囲（図１５Ｂ参照）で、折り曲げ動作を行った。耐屈曲性は、曲げ動作前後のｎ型半導体素子パターンを光学顕微鏡で観察し、剥がれ、欠けの有無を確認した。
　半導体溶液の作製例１；半導体溶液Ａ
　ポリ（３－ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）（アルドリッチ（株）製）２．０ｍｇのクロロホルム１０ｍｌ溶液にＣＮＴ１（ＣＮＩ社製、単層ＣＮＴ、純度９５％）を１．０ｍｇ加え、氷冷しながら超音波ホモジナイザー（東京理化器械（株）製ＶＣＸ－５００）を用いて出力２０％で４時間超音波撹拌し、ＣＮＴ分散液Ａ（溶媒に対するＣＮＴ複合体濃度０．９６ｇ／ｌ）を得た。
　次に、半導体層を形成するための半導体溶液の作製を行った。上記ＣＮＴ分散液Ａをメンブレンフィルター（孔径１０μｍ、直径２５ｍｍ、ミリポア社製オムニポアメンブレン）を用いてろ過を行い、長さ１０μｍ以上のＣＮＴ複合体を除去した。得られた濾液にｏ－ＤＣＢ（和光純薬工業（株）製）５ｍｌを加えた後、ロータリーエバポレーターを用いて、低沸点溶媒であるクロロホルムを留去し、溶媒をｏ－ＤＣＢで置換し、ＣＮＴ分散液Ｂを得た。ＣＮＴ分散液Ｂ１ｍｌにｏ－ＤＣＢ３ｍＬを加え、半導体溶液Ａ（溶媒に対するＣＮＴ複合体濃度０．０３ｇ／ｌ）とした。
　半導体溶液の作製例２；半導体溶液Ｂ
　化合物［６０］を式１に示す方法で合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　化合物（１－ａ）（（株）東京化成工業製）４．３ｇと臭素（（株）和光純薬工業製）１０ｇを４８％臭化水素酸１５０ｍｌに加え、１２０℃で３時間撹拌した。室温に冷却し、析出した固体をグラスフィルターで濾過し、水１０００ｍｌとアセトン１００ｍｌで洗浄した。得られた固体を６０℃で真空乾燥し、化合物（１－ｂ）６．７２ｇを得た。
　化合物（１－ｃ）１０．２ｇをジメチルホルムアミド１００ｍｌに溶解し、Ｎ－ブロモスクシンイミド（（株）和光純薬工業製）９．２４ｇを加え、窒素雰囲気下、室温で３時間撹拌した。得られた溶液に水２００ｍｌ、ｎ－ヘキサン２００ｍｌおよびジクロロメタン２００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を水２００ｍｌで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ヘキサン）で精製し、化合物（１－ｄ）１４．４ｇを得た。
　化合物（１－ｄ）１４．２ｇをテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解し、－８０℃に冷却した。ｎ－ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）（（株）和光純薬工業製）３５ｍｌを加えた後、－５０℃まで昇温し、再度－８０℃に冷却した。２－イソプロポキシ－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（（株）和光純薬工業製）１３．６ｍｌを加え、室温まで昇温し、窒素雰囲気下で４時間撹拌した。得られた溶液に１Ｎ塩化アンモニウム水溶液２００ｍｌと酢酸エチル２００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を水２００ｍｌで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／ジクロロメタン）で精製し化合物（１－ｅ）１４．８３ｇを得た。
　化合物（１－ｅ）１４．８３ｇと、５，５’－ジブロモ－２，２’－ビチオフェン（（株）東京化成工業製）６．７８ｇをジメチルホルムアミド２００ｍｌに加え、さらに窒素雰囲気下でリン酸カリウム（（株）和光純薬工業製）２６．６ｇおよび[ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]ジクロロパラジウム（アルドリッチ社製）１．７ｇを加え、１００℃で４時間撹拌した。得られた溶液に水５００ｍｌと酢酸エチル３００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を水５００ｍｌで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ヘキサン）で精製し、化合物（１－ｆ）を４．５３ｇ得た。
　化合物（１－ｆ）４．５３ｇをテトラヒドロフラン４０ｍｌに溶解し、－８０℃に冷却した。ｎ－ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）６．１ｍｌを加えた後、－５℃まで昇温し、再度－８０℃に冷却した。２－イソプロポキシ－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン２．３ｍｌを加え、室温まで昇温し、窒素雰囲気下で２時間撹拌した。得られた溶液に１Ｎ塩化アンモニウム水溶液１５０ｍｌと酢酸エチル２００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を水２００ｍｌで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ジクロロメタン／ヘキサン）で精製し、化合物（１－ｇ）２．３１ｇを得た。
　化合物（１－ｂ）０．４９８ｇと、上記の化合物（１－ｇ）２．３１ｇをジメチルホルムアミド１７ｍｌに加え、さらに窒素雰囲気下でリン酸カリウム２．１７ｇおよび［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（アルドリッチ社製）０．１４ｇを加え、９０℃で７時間撹拌した。得られた溶液に水２００ｍｌとクロロホルム１００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を水２００ｍｌで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ジクロロメタン／ヘキサン）で精製し、化合物（１－ｈ）を１．２９ｇ得た。化合物（１－ｈ）の１Ｈ－ＮＭＲ分析結果を示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，（ｄ＝ｐｐｍ））:８．００（ｓ，２Ｈ），７．８４（ｓ，２Ｈ），７．２０―７．１５（ｍ，８Ｈ），７．０４（ｄ，２Ｈ），６．９５（ｄ，２Ｈ），２．８８（ｔ，４Ｈ），２．７９（ｔ，４Ｈ），１．７７－１．２９（ｍ，４８Ｈ），０．８８（ｍ，１２Ｈ）。
　化合物（１－ｈ）０．７３４ｇをクロロホルム１５ｍｌに溶解し、Ｎ－ブロモスクシンイミド０．２３ｇ／ジメチルホルムアミド１０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、室温で９時間撹拌した。得られた溶液に水１００ｍｌとクロロホルム１００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を水２００ｍｌで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ジクロロメタン／ヘキサン）で精製し、化合物（１－ｉ）０．５８ｇを得た。
　化合物（１－ｊ）０．５ｇ、ビス（ピナコラト）ジボロン（ＢＡＳＦ製）０．８５ｇ、酢酸カリウム（（株）和光純薬工業製）０．８６ｇを１，４－ジオキサン７ｍｌに加え、さらに窒素雰囲気下で［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム０．２１ｇを加え、８０℃で７時間撹拌した。得られた溶液に水１００ｍｌと酢酸エチル１００ｍｌを加え、有機層を分取した。得られた有機層を水１００ｍｌで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ジクロロメタン）で精製し、化合物（１－ｋ）を５７ｍｇ得た。
　化合物（１－ｉ）９３ｍｇと、上記の化合物（１－ｋ）１９．３ｍｇをトルエン６ｍｌに溶解した。ここに水２ｍｌ、炭酸カリウム０．１８ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（（株）東京化成工業製）７．７ｍｇおよびＡｌｉｑｕａｔ（Ｒ）３３６（アルドリッチ社製）１滴を加え、窒素雰囲気下、１００℃にて２５時間撹拌した。次いで、フェニルボロン酸４０ｍｇを加え、１００℃にて７時間撹拌した。得られた溶液にメタノール５０ｍｌを加え、生成した固体をろ取し、メタノール、水、メタノール、アセトンの順に洗浄した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、シリカゲルショートカラム（溶離液：クロロホルム）を通した後に濃縮乾固し、化合物［６０］を３０ｍｇ得た。重量平均分子量は４３６７、数平均分子量は３４７５、重合度ｎは３．１であった。
　Ｐ３ＨＴの代わりに、化合物［６０］を用いたこと以外は半導体溶液Ａと同様にして半導体溶液Ｂ（溶媒に対するＣＮＴ複合体濃度０．０３ｇ／ｌ）を得た。
　半導体溶液の作製例３；半導体溶液Ｃ
　ＣＮＴ１を１．０ｇと、クロロホルム５０ｍＬ加え、超音波洗浄機を用いて１時間分散した。さらにこの分散液５ｍＬを分取し１００ｍＬに希釈してさらに超音波洗浄機を用いて２時間分散しＣＮＴ分散液Ｃを得た。得られたＣＮＴ分散液Ｃをメンブレンフィルター（孔径１０μｍ、直径２５ｍｍ、ミリポア社製オムニポアメンブレン）を用いて濾過を行い、長さ１０μｍ以上のＣＮＴを除去し、半導体溶液Ｃを得た。
　半導体溶液の作製例４；半導体溶液Ｄ
　ＣＮＴ１を１．５ｍｇと、ドデシル硫酸ナトリウム（（株）和光純薬工業製）１．５ｍｇを３０ｍｌの水中に加え、氷冷しながら超音波ホモジナイザーを用いて出力２５０Ｗで５時間超音波撹拌し、ＣＮＴ分散液Ｄ（溶媒に対するＣＮＴ複合体濃度０．０５ｇ／ｌ）を得た。得られたＣＮＴ分散液Ｄを遠心分離機（日立工機（株）製ＣＴ１５Ｅ）を用いて、２１０００Ｇで６０分間遠心分離し、上澄みの８０％を取り出すことにより半導体溶液Ｄを得た。
　組成物の作製例１；ゲート絶縁層溶液Ａ
　メチルトリメトキシシラン６１．２９ｇ（０．４５モル）、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン１２．３１ｇ（０．０５モル）、およびフェニルトリメトキシシラン９９．１５ｇ（０．５モル）をプロピレングリコールモノブチルエーテル（沸点１７０℃）２０３．３６ｇに溶解し、これに、水５４．９０ｇ、リン酸０．８６４ｇを撹拌しながら加えた。得られた溶液をバス温１０５℃で２時間加熱し、内温を９０℃まで上げて、主として副生するメタノールからなる成分を留出せしめた。次いでバス温１３０℃で２．０時間加熱し、内温を１１８℃まで上げて、主として水とプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる成分を留出せしめた後、室温まで冷却し、固形分濃度２６．０重量％のポリシロキサン溶液Ａを得た。得られたポリシロキサンの重量平均分子量は６０００であった。
　得られたポリシロキサン溶液Ａを１０ｇはかり取り、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡという）５４．４ｇを混合して、室温にて２時間撹拌し、ゲート絶縁層溶液Ａを得た。
　組成物の作製例２；ゲート絶縁層溶液Ｂ
　ポリシロキサン溶液Ａを１０ｇはかり取り、アルミニウムビス（エチルアセトアセテート）モノ（２，４－ペンタンジオナート）（商品名「アルミキレートＤ」、川研ファインケミカル（株）製、以下アルミキレートＤという）０．１３ｇとプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡという）５４．４ｇを混合して、室温にて２時間撹拌し、ゲート絶縁層溶液Ｂを得た。本溶液中の上記ポリマーの含有量はアルミキレートＤ　１００重量部に対して２０００重量部であった。ゲート絶縁層溶液Ｂを大気中、室温で保存したところ、１ヶ月たっても析出物は観察されず安定であった。
　組成物の作製例３；ゲート絶縁層溶液Ｃ
　ポリシロキサン溶液Ａを２．５ｇ、アルミキレートＤの代わりにインジウムトリス（２，４－ペンタンジオナート）（和光純薬工業（株）製）を１３ｇ、ＰＧＭＥＡを４９．８ｇとしたこと以外は、ゲート絶縁層溶液Ｂと同様にして、ゲート絶縁層溶液Ｃを得た。本溶液中の上記ポリマーの含有量はインジウムトリス（２，４－ペンタンジオナート）　１００重量部に対して５重量部であった。
　組成物の作製例４；ゲート絶縁層溶液Ｄ
　アルミキレートＤの代わりにチタニウムテトラ（２，４－ペンタンジオナート）（商品名「オルガチックスＴＣ－４０１」、マツモトファインケミカル（株）製）を５．２ｇ、ＰＥＧＭＥＡを４９．８ｇとしたこと以外は、ゲート絶縁層溶液Ｂと同様にして、ゲート絶縁層溶液Ｄを得た。本溶液中の上記ポリマーの含有量はチタニウムテトラ（２，４－ペンタンジオナート）　１００重量部に対して５０重量部であった。
　組成物の作製例５；ゲート絶縁層溶液Ｅ
　アルミキレートＤを１３ｇ、ＰＧＭＥＡを４２ｇとしたこと以外は、ゲート絶縁層溶液Ｂと同様にして、ゲート絶縁層溶液Ｅを得た。本溶液中の上記ポリマーの含有量はアルミキレートＤ　１００重量部に対して２０重量部であった。
　組成物の作製例６；ゲート絶縁層溶液Ｆ
　アルミキレートＤを１３ｇ、ＰＧＭＥＡを４９．５ｇとしたこと以外は、ゲート絶縁層溶液Ｂと同様にして、ゲート絶縁層溶液Ｆを得た。本溶液中の上記ポリマーの含有量はアルミキレートＤ　１００重量部に対して８７重量部であった。
　組成物の作製例７；ゲート絶縁層溶液Ｇ
　ポリシロキサン溶液Ａを２．５ｇ、アルミキレートＤを１３ｇ、ＰＧＭＥＡを４９．５ｇとしたこと以外は、ゲート絶縁層溶液Ｂと同様にして、ゲート絶縁層溶液Ｇを得た。本溶液中の上記ポリマーの含有量はアルミキレートＤ　１００重量部に対して５重量部であった。
　合成例１；化合物Ｐ１（有機成分）
　共重合比率（重量基準）：エチルアクリレート（以下、「ＥＡ」）／メタクリル酸２－エチルヘキシル（以下、「２－ＥＨＭＡ」）／スチレン（以下、「Ｓｔ」）／グリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）／アクリル酸（以下、「ＡＡ」）＝２０／４０／２０／５／１５。
　窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＤＭＥＡ」）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２－ＥＨＭＡ、２０ｇのＳｔ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’－アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、化合物Ｐ１を得た。
　合成例２；化合物Ｐ２（有機成分）
　共重合比率（重量基準）：２官能エポキシアクリレートモノマー（エポキシエステル３００２Ａ；共栄社化学（株）製）／２官能エポキシアクリレートモノマー（エポキシエステル７０ＰＡ；共栄社化学（株）製）／ＧＭＡ／Ｓｔ／ＡＡ＝２０／４０／５／２０／１５。
　窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＤＭＥＡ」）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのエポキシエステル３００２Ａ、４０ｇのエポキシエステル７０ＰＡ、２０ｇのＳｔ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’－アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、化合物Ｐ２を得た。
　合成例３；化合物Ｐ３（有機成分）
　化合物Ｐ２のウレタン変性化合物
　窒素雰囲気の反応容器中に、１００ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＤＭＥＡ」）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、感光性成分Ｐ２を１０ｇ、３．５ｇのｎ－ヘキシルイソシアネート及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに３時間反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、ウレタン結合を有する化合物Ｐ３を得た。
　調製例１；導電ペーストＡ
　１００ｍｌクリーンボトルに化合物Ｐ１を１６ｇ、化合物Ｐ３を４ｇ、光重合開始剤ＯＸＥ－０１（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）４ｇ、酸発生剤ＳＩ－１１０（三新化学工業株式会社製）を０．６ｇ、γ－ブチロラクトン（三菱ガス化学株式会社製）を１０ｇいれ、自転－公転真空ミキサー“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ－３１０；（株）シンキー製）で混合し、感光性樹脂溶液４６．６ｇ（固形分７８．５重量％）を得た。得られた感光性樹脂溶液８．０ｇと平均粒子径０．２μｍのＡｇ粒子を４２．０ｇ混ぜ合わせ、３本ローラー“ＥＸＡＫＴ Ｍ－５０”（商品名、ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、５０ｇの導電ペーストＡを得た。
　実施例１
　図１に示すｎ型半導体素子を作製した。ガラス製の基板１（膜厚０．７ｍｍ）上に、抵抗加熱法により、マスクを通してクロムを５ｎｍおよび金を５０ｎｍ真空蒸着し、ｎ型駆動半導体素子のゲート電極２を形成した。次にエチルシリケート２８（商品名、コルコート（株）製）を上記基板上にスピンコート塗布（２０００ｒｐｍ×３０秒）し、窒素気流下２００℃、１時間熱処理することによって、膜厚６００ｎｍのゲート絶縁層３を形成した。次に、抵抗加熱法により、マスクを通して金を膜厚５０ｎｍになるように真空蒸着し、ｎ型駆動半導体素子のソース電極５およびドレイン電極６を形成した。次にソース電極５・ドレイン電極６間に上記半導体溶液Ａを１μＬ滴下し、３０℃で１０分風乾した後、ホットプレート上で窒素気流下、１５０℃、３０分の熱処理を行い、半導体層４を形成した。次に以下に示すＦ８ＢＴ（アルドリッチ製）を半導体層４上に半導体層４を覆うように５０μＬ滴下し、窒素気流下１５０℃、１時間熱処理することによって第２絶縁層を形成し、ｎ型駆動半導体素子を得た。
　このｎ型駆動半導体素子のソース・ドレイン電極の幅（チャネル幅）は２００μｍ、ソース・ドレイン電極の間隔（チャネル長）は１００μｍとした。
　次に、上記ｎ型駆動半導体素子のゲート電圧（Ｖｇ）を変えたときのソース・ドレイン間電流（Ｉｄ）－ソース・ドレイン間電圧（Ｖｓｄ）特性を測定した。測定には半導体特性評価システム４２００－ＳＣＳ型（ケースレーインスツルメンツ株式会社製）を用い、大気中で測定した。Ｖｇ＝＋３０～－３０Ｖに変化させたときのＶｓｄ＝－５ＶにおけるＩｄの値の変化から線形領域の移動度、またＩｄ－Ｖｇグラフにおける線形部分の延長線とＶｇ軸との交点からしきい値電圧を求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　実施例２～２２、２４～２６、２８～３１
　表１に示す条件で実施例１と同様にしてｎ型半導体素子を作製した。得られたｎ型半導体素子について、移動度、しきい値電圧の評価を行った。結果を表１に示す。なお、第２絶縁層はポリビニルピロリドンＫ－３０（商品名、ナカライテスク製）、ポリ（メラミン－ｃｏ－ホルムアルデヒド）（アルドリッチ製、固形分濃度８４重量％、１－ブタノール溶液）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（アルドリッチ製、分子生物学用，９９％以上）、ジイソプロピルエチルアミン（東京化成工業製、一級）、シクロドデシルアミン（東京化成工業製、一級）、ジシクロヘキシルメチルアミン（東京化成工業製、一級）、キヌクリジン（東京化成工業製、一級）、ＤＢＵ（東京化成工業製、一級）、ＤＢＮ（東京化成工業製、一級）、ＴＢＤ（東京化成工業製、一級）、ＭＴＢＤ（東京化成工業製、一級）、尿素（アルドリッチ製、分子生物学用、９９．５％以上）、ポリ（ビニルポリピロリドン）（アルドリッチ製、分子生物学用）のいずれかを用いた。
　実施例２３
　ガラス製の基板１の代わりに膜厚５０μｍのＰＥＴフィルム上に、導電ペーストＡをスクリーン印刷で塗布し、乾燥オーブンで１００℃、１０分間プリベークを行った。その後、露光装置“ＰＥＭ－８Ｍ”（商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて露光した後、０．５％Ｎａ-２ＣＯ-３溶液で３０秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで１４０℃、３０分間キュアを行い、ｎ型駆動半導体素子のゲート電極２を形成した。次に上記ゲート絶縁層溶液Ｅを上記基板上にスピンコート塗布（２０００ｒｐｍ×３０秒）し、窒素気流下２００℃、１時間熱処理することによって、膜厚６００ｎｍのゲート絶縁層３を形成した。次に、導電ペーストＡをスクリーン印刷で塗布し、乾燥オーブンで１００℃、１０分間プリベークを行った。その後、露光装置“ＰＥＭ－８Ｍ”を用いて露光した後、０．５％Ｎａ-２ＣＯ-３溶液で３０秒間浸漬現像し、超純水でリンス後、乾燥オーブンで１４０℃、３０分間キュアを行い、ｎ型駆動半導体素子のソース電極５およびドレイン電極６を形成した。次にｎ型駆動半導体素子のソース電極５・ドレイン電極６間に上記半導体溶液Ｂを１μＬ滴下し、３０℃で１０分風乾した後、ホットプレート上で窒素気流下、１５０℃、３０分の熱処理を行いｎ型駆動半導体素子の半導体層４を形成した。次にポリビニルピロリドンＫ－３０を半導体層４上に半導体層４を覆うように５０μＬ滴下し、窒素気流下１５０℃、１時間熱処理することによって第２絶縁層を形成し、ｎ型駆動半導体素子を得た。
　このｎ型駆動半導体素子のソース・ドレイン電極の幅および間隔は実施例１と同様である。
　次に、上記ｎ型駆動半導体素子のゲート電圧（Ｖｇ）を変えたときのソース・ドレイン間電流（Ｉｄ）－ソース・ドレイン間電圧（Ｖｓｄ）特性を実施例１同様に測定し、移動度およびしきい値電圧を求めた。また電極の密着性評価を行ったところ、折り曲げ動作を１００回繰り返しても剥がれ、欠けが見られず密着性は良好であった。
　実施例２７
　表１に示す条件で、第２絶縁層の形成時、ポリビニルピロリドンＫ－３０の代わりにＤＢＵを用いる以外は、実施例２３と同様にしてｎ型半導体素子を作製した。得られたｎ型半導体素子について、移動度、しきい値電圧の評価を行った。結果を表１に示す。また電極の密着性評価を行ったところ、折り曲げ動作を１００回繰り返しても剥がれ、欠けが見られず密着性は良好であった。
　比較例１
　半導体溶液Ａの代わりに半導体溶液Ｃを用いたこと以外は実施例１と同様にしてｎ型半導体素子を作成した。得られたｎ型半導体素子について、移動度およびしきい値電圧の評価を行ったが、リーク電流が大きく移動度、しきい値電圧ともに算出できなかった。
　比較例２
　半導体溶液Ａの代わりに半導体溶液Ｄを用いたこと以外は実施例１と同様にしてｎ型半導体素子を作成した。得られたｎ型半導体素子について、移動度およびしきい値電圧の評価を行った。結果を表１に示す。　
　実施例３２
　図６に示す相補型半導体装置を作製した。ガラス製の基板１（膜厚０．７ｍｍ）上に、抵抗加熱法により、マスクを通してクロムを５ｎｍおよび金を５０ｎｍ真空蒸着し、ｐ型半導体素子のゲート電極２、ｎ型半導体素子のゲート電極２を形成した。次に上記ゲート絶縁層溶液Ｇを上記基板上にスピンコート塗布（２０００ｒｐｍ×３０秒）し、窒素気流下２００℃、１時間熱処理することによって、膜厚６００ｎｍのゲート絶縁層３を形成した。次に、抵抗加熱法により、マスクを通して金を膜厚５０ｎｍになるように真空蒸着し、ｐ型半導体素子のソース電極５およびドレイン電極６、ｎ型半導体素子のソース電極５およびドレイン電極６を形成した。次にｐ型半導体素子のソース電極５・ドレイン電極６間およびｎ型半導体素子のソース電極５・ドレイン電極６間に上記半導体溶液Ｂを１μＬ滴下し、３０℃で１０分風乾した後、ホットプレート上で窒素気流下、１５０℃、３０分の熱処理を行いｐ型半導体装置の半導体層４およびｎ型半導体素子の半導体層４を形成した。次にポリビニルピロリドンＫ－３０をｎ型半導体素子の半導体層４上にｎ型半導体素子の半導体層４を覆うように５０μＬ滴下し、窒素気流下１５０℃、１時間熱処理することによって第２絶縁層を形成し、ｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子を得た。
　これらｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子それぞれのソース・ドレイン電極の幅（チャネル幅）は２００μｍ、ソース・ドレイン電極の間隔（チャネル長）は１００μｍとした。
　上記ｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子の移動度、しきい値電圧の評価を行った。結果を表２に示す。
次に上記ｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子を結線して、図１２に示す相補型半導体装置の評価を行った。なお、ＶＤＤは１０Ｖ、ＧＮＤ端子は接地とした。Ｖｉｎの０→１０Ｖの変化に対するＶｏｕｔの変化（ゲイン）を測定したところ、９であった。
　実施例３３
　ｎ型半導体素子の第２絶縁層を、ポリビニルピロリドンＫ－３０の代わりにＤＢＵを用いる以外は、実施例２８と同様にｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子を作製した。得られたｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子について、移動度、しきい値電圧の評価を行った。結果を表２に示す。次に実施例３２同様、図１２に示す相補型半導体装置の評価を行った。Ｖｉｎの０→１０Ｖの変化に対するＶｏｕｔの変化（ゲイン）を測定したところ、１５であった。
　実施例３４
　ｐ型半導体素子の半導体層４上に、ポリスチレン（アルドリッチ社製、重量平均分子量（Ｍｗ）：１９２０００、以下ＰＳという）の５質量％プロピレングリコール１－モノメチルエーテル２－アセタート溶液を１０μＬドロップキャストし、３０℃で５分風乾した後、ホットプレート上で窒素気流下、１２０℃、３０分の熱処理を行い、第２絶縁層を有するｐ型半導体素子を形成した以外は、実施例２９と同様にｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子を作製した。得られたｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子について、移動度、しきい値電圧の評価を行った。結果を表２に示す。次に実施例３２同様、図１２に示す相補型半導体装置の評価を行った。Ｖｉｎの０→１０Ｖの変化に対するＶｏｕｔの変化（ゲイン）を測定したところ、２１であった。
　比較例４
　半導体溶液Ｂの代わりに半導体溶液Ｃを用い、ゲート絶縁層溶液Ｇの代わりにエチルシリケート２８を用い、ｎ型半導体素子の第２絶縁層を、ポリビニルピロリドンＫ－３０の代わりにＦ８ＢＴを用いたこと以外は実施例３２と同様にしてｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子を作製した。得られたｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子について、移動度およびしきい値電圧の評価を行ったが、リーク電流が大きく移動度、しきい値電圧ともに算出できなかった。
　比較例５
　半導体溶液Ｂの代わりに半導体溶液Ｄを用い、ゲート絶縁層溶液Ｇの代わりにエチルシリケート２８を用い、ｎ型半導体素子の第２絶縁層を、ポリビニルピロリドンＫ－３０の代わりにジイソプロピルエチルアミンを用いたこと以外は実施例３２と同様にしてｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子を作製した。得られたｐ型半導体素子およびｎ型半導体素子について、移動度およびしきい値電圧の評価を行った。結果を表２に示す。次に実施例３２同様、図１２に示す相補型半導体装置の評価を行った。Ｖｉｎの０→１０Ｖの変化に対するＶｏｕｔの変化（ゲイン）を測定したが、Ｖｏｕｔは変化せず、相補型半導体装置の動作が得られなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
１　基材
２　ゲート電極
３　ゲート絶縁層
４　半導体層
５　ソース電極
６　ドレイン電極
７　カーボンナノチューブ複合体
８　ｎ型半導体素子の第２絶縁層
１００　金属円柱
１０１　基板

Claims (23)

  1. 基材と、
    ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、
    前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、
    前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、
    前記半導体層に対して前記ゲート絶縁層とは反対側で前記半導体層と接する第２絶縁層と、
    を備えたｎ型半導体素子であって、
    前記半導体層が、表面の少なくとも一部に、共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有し、
    前記第２絶縁層が、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物を含有する
    ｎ型半導体素子。
  2. 前記共役系重合体が、環中に含窒素二重結合を有する縮合へテロアリールユニットとチオフェンユニットを繰り返し単位中に含む請求項１記載のｎ型半導体素子。
  3. 前記第２絶縁層が、下記一般式（１）～（２）から選ばれる一種類以上の化合物を含有する請求項１または２記載のｎ型半導体素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子および硫黄原子から選ばれる一種類以上の原子により構成される基を示す。Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、下記一般式（３）～（８）で表されるいずれかの基を示す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （Ｒ５～Ｒ１３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子および硫黄原子から選ばれる一種類以上の原子により構成される基を示す。）
  4. 前記一般式（１）～（８）において、Ｒ１～Ｒ１３が炭化水素基である請求項３記載のｎ型半導体素子。
  5. 前記第２絶縁層が、環構造を有するアミン系化合物を含有する請求項１～４のいずれかに記載のｎ型半導体素子。
  6. 前記第２絶縁層が、前記一般式（１）または（２）の構造を有する有機化合物であって、一般式（１）または（２）式中に記載の窒素原子をヘテロ原子として含む環構造を含有する請求項３～５いずれかに記載のｎ型半導体素子。
  7. 前記第２絶縁層が、アミジン化合物およびグアニジン化合物から選ばれる一種類以上の化合物を含有する請求項３～６いずれかに記載のｎ型半導体素子。
  8. 前記ゲート絶縁層が、ケイ素原子と炭素原子の結合を含む有機化合物を含有する請求項１～７いずれかに記載のｎ型半導体素子。
  9. 前記ゲート絶縁層が、さらに金属原子と酸素原子の結合を含む金属化合物を含有する請求項１～８いずれかに記載のｎ型半導体素子。
  10. 前記金属原子が、アルミニウムである請求項９記載のｎ型半導体素子。
  11. 基材と、
    ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、
    前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、
    前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、
    前記半導体層に対して前記ゲート絶縁層とは反対側で前記半導体層と接する第２絶縁層と、
    を備えたｎ型半導体素子であって、
    前記半導体層が、カーボンナノチューブを含有し、
    前記第２絶縁層が、下記一般式（２）の構造を有する有機化合物を含有する
    ｎ型半導体素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （Ｒ４は、水素原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子および硫黄原子から選ばれる一種類以上の原子により構成される基を示す。Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、下記一般式（３）～（８）で表されるいずれかの基を示す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （Ｒ５～Ｒ１３は、水素原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子および硫黄原子から選ばれる一種類以上の原子により構成される基を示す。）
  12. 前記第２絶縁層が、前記一般式（２）の構造を有する有機化合物であって、一般式（２）式中に記載の窒素原子をヘテロ原子として含む環構造を含有する請求項１１記載のｎ型半導体素子。
  13. 前記半導体層１μｍ２当たりに存在する前記カーボンナノチューブ複合体の総長さが１μｍ～５０μｍである請求項１～１２いずれかに記載のｎ型半導体素子。
  14. 請求項１～１３いずれかに記載のｎ型半導体素子と、ｐ型半導体素子を備えた相補型半導体装置であって、前記ｐ型半導体素子は、基材と、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、前記半導体層を前記ゲート絶縁層と絶縁するゲート絶縁層と、を備えたｐ型半導体素子であって、前記ｐ型半導体素子の半導体層が、表面の少なくとも一部に、共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有する相補型半導体装置。
  15. 前記ｐ型半導体素子が、該ｐ型半導体素子の半導体層に対して該ｐ型半導体素子のゲート絶縁層とは反対側で該ｐ型半導体素子の半導体層と接する第２絶縁層を備えた請求項１４記載の相補型半導体装置。
  16. 前記ｐ型半導体素子のソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ｎ型半導体素子のソース電極およびドレイン電極がすべて同一材料から構成される請求項１４または１５記載の相補型半導体装置
  17. 前記ｐ型半導体素子の半導体層と前記ｎ型半導体素子の半導体層が同一材料からなる請求項１４～１６いずれかに記載の相補型半導体装置。
  18. 前記ｐ型半導体素子のゲート絶縁層と前記ｎ型半導体素子のゲート絶縁層が同一材料からなる請求項１４～１７いずれかに記載の相補型半導体装置。
  19. 請求項１～１３いずれかに記載のｎ型半導体素子の製造方法であって、ｎ型半導体素子の半導体層を塗布および乾燥して形成する工程を含むｎ型半導体素子の製造方法。
  20. 請求項１～１３いずれかに記載のｎ型半導体素子の製造方法であって、炭素原子と窒素原子の結合を含む有機化合物を含有する組成物を塗布および乾燥して第２絶縁層を形成する工程を含むｎ型半導体素子の製造方法。
  21. 以下の工程を含む、請求項１４～１８いずれかに記載の相補型半導体装置の製造方法；
    （１）ｐ型半導体素子のソース電極およびドレイン電極と、ｎ型半導体素子のソース電極およびドレイン電極と、を同一工程で形成する工程； 
    （２）前記ｐ型半導体素子のゲート絶縁層と、前記ｎ型半導体素子のゲート絶縁層と、を同一工程で形成する工程。
    （３）前記ｐ型半導体素子の半導体層と、前記ｎ型半導体素子の半導体層と、を同一工程で形成する工程。
  22. 請求項１～１３いずれかに記載のｎ型半導体素子と、アンテナと、を少なくとも有する無線通信装置。
  23. 請求項１４～１８いずれかに記載の相補型半導体装置と、アンテナと、を少なくとも有する無線通信装置。
PCT/JP2017/001777 2016-01-25 2017-01-19 ｎ型半導体素子と相補型半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置 Ceased WO2017130836A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201780007670.8A CN108475642B (zh) 2016-01-25 2017-01-19 n型半导体元件和互补型半导体器件及其制造方法以及使用其的无线通信设备
US16/066,858 US10615352B2 (en) 2016-01-25 2017-01-19 n-Type semiconductor element, complementary type semiconductor device and method for manufacturing same, and wireless communication device in which same is used
EP17744066.6A EP3410468B1 (en) 2016-01-25 2017-01-19 N-type semiconductor element, complementary type semiconductor device and method for manufacturing the same, and wireless communication device in which the same is used
KR1020187022939A KR20180105166A (ko) 2016-01-25 2017-01-19 n형 반도체 소자와 상보형 반도체 장치 및 그의 제조 방법 그리고 그것을 사용한 무선 통신 장치
JP2017503970A JP6962189B2 (ja) 2016-01-25 2017-01-19 ｎ型半導体素子と相補型半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016011240 2016-01-25
JP2016011239 2016-01-25
JP2016-011240 2016-01-25
JP2016-011239 2016-01-25
JP2016239049 2016-12-09
JP2016-239049 2016-12-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017130836A1 true WO2017130836A1 (ja) 2017-08-03

Family

ID=59397935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/001777 Ceased WO2017130836A1 (ja) 2016-01-25 2017-01-19 ｎ型半導体素子と相補型半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10615352B2 (ja)
EP (1) EP3410468B1 (ja)
JP (1) JP6962189B2 (ja)
KR (1) KR20180105166A (ja)
CN (1) CN108475642B (ja)
TW (1) TWI713227B (ja)
WO (1) WO2017130836A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018180146A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 東レ株式会社 半導体素子、相補型半導体装置、半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
WO2019065561A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 東レ株式会社 電界効果型トランジスタ、その製造方法、それを用いた無線通信装置および商品タグ
WO2019087937A1 (ja) * 2017-11-02 2019-05-09 東レ株式会社 集積回路およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置
WO2019097978A1 (ja) * 2017-11-20 2019-05-23 東レ株式会社 ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
CN111614406A (zh) * 2020-03-30 2020-09-01 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） Cni外场无线自动检测设备
WO2020184012A1 (ja) 2019-03-08 2020-09-17 東レ株式会社 カーボンナノチューブ組成物、半導体素子および無線通信装置
WO2020195708A1 (ja) 2019-03-26 2020-10-01 東レ株式会社 ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
US11380852B2 (en) * 2018-12-12 2022-07-05 The Regents Of The University Of California N-type dopants for efficient solar cells
JP2022108261A (ja) * 2021-01-12 2022-07-25 東レ株式会社 ｐ型半導体素子、その製造方法、それを用いた相補型半導体装置、無線通信装置および薄膜トランジスタアレイ
JP2022167911A (ja) * 2017-10-04 2022-11-04 東レ株式会社 断線検知デバイスおよび開封検知ラベル

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6683296B1 (ja) * 2018-09-25 2020-04-15 東レ株式会社 カーボンナノチューブ複合体およびそれを用いた分散液、半導体素子およびその製造方法、ならびに半導体素子を用いた無線通信装置および商品タグ
JP6763463B1 (ja) * 2018-09-27 2020-09-30 Toto株式会社 水栓金具
CN113272942B (zh) * 2019-02-21 2025-12-23 东丽株式会社 场效应晶体管、其制造方法及使用其的无线通信装置
JP7593107B2 (ja) * 2019-09-20 2024-12-03 東レ株式会社 半導体装置用基板、半導体装置用基板の製造方法および無線通信装置の製造方法
JP6999120B1 (ja) * 2021-03-19 2022-02-14 国立大学法人信州大学 整流素子の製造方法
CN115734623B (zh) * 2021-08-27 2025-12-23 中国科学院化学研究所 基于聚合物半导体薄膜的可拉伸x射线光探测器及其制备方法
KR20230043634A (ko) * 2021-09-24 2023-03-31 에스케이하이닉스 주식회사 강유전층 및 금속 입자가 내장된 절연층을 포함하는 반도체 장치
TWI818428B (zh) * 2022-01-27 2023-10-11 友達光電股份有限公司 通訊裝置及其通訊元件與此通訊元件的製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030122133A1 (en) 2001-12-28 2003-07-03 Choi Sung Yool Semiconductor device using single carbon nanotube and method of manufacturing of the same
WO2005057665A1 (ja) * 2003-12-08 2005-06-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電界効果トランジスタ及び電気素子アレイ、並びにそれらの製造方法
JP2008311594A (ja) 2007-06-18 2008-12-25 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ装置
WO2009139339A1 (ja) 2008-05-12 2009-11-19 東レ株式会社 カーボンナノチューブ複合体、有機半導体コンポジットならびに電界効果型トランジスタ
JP2009283924A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Toray Ind Inc 電界効果型トランジスタ
JP2014116564A (ja) 2012-12-12 2014-06-26 Tohoku Univ 有機半導体素子及びそれを備えたｃｍｉｓ半導体装置
WO2014142105A1 (ja) * 2013-03-14 2014-09-18 東レ株式会社 電界効果型トランジスタ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174101A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US20050279987A1 (en) * 2002-09-05 2005-12-22 Alexander Star Nanostructure sensor device with polymer recognition layer
WO2007089322A2 (en) * 2005-11-23 2007-08-09 William Marsh Rice University PREPARATION OF THIN FILM TRANSISTORS (TFTs) OR RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION (RFID) TAGS OR OTHER PRINTABLE ELECTRONICS USING INK-JET PRINTER AND CARBON NANOTUBE INKS
GB2434692A (en) * 2005-12-29 2007-08-01 Univ Surrey Photovoltaic or electroluminescent devices with active region comprising a composite polymer and carbon nanotube material.
TWI428331B (zh) * 2007-01-26 2014-03-01 東麗股份有限公司 有機半導體複合物、有機電晶體材料、及有機場效型電晶體
EP1970952A3 (en) * 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101450591B1 (ko) * 2008-06-05 2014-10-17 삼성전자주식회사 탄소나노튜브 엔 도핑 물질 및 방법, 이를 이용한 소자
EP3026014A4 (en) * 2013-07-25 2017-03-29 Toray Industries, Inc. Carbon nanotube composite, semiconductor device, and sensor using same
KR102237155B1 (ko) * 2015-03-11 2021-04-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030122133A1 (en) 2001-12-28 2003-07-03 Choi Sung Yool Semiconductor device using single carbon nanotube and method of manufacturing of the same
WO2005057665A1 (ja) * 2003-12-08 2005-06-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電界効果トランジスタ及び電気素子アレイ、並びにそれらの製造方法
JP2008311594A (ja) 2007-06-18 2008-12-25 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ装置
JP2009283924A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Toray Ind Inc 電界効果型トランジスタ
WO2009139339A1 (ja) 2008-05-12 2009-11-19 東レ株式会社 カーボンナノチューブ複合体、有機半導体コンポジットならびに電界効果型トランジスタ
JP2014116564A (ja) 2012-12-12 2014-06-26 Tohoku Univ 有機半導体素子及びそれを備えたｃｍｉｓ半導体装置
WO2014142105A1 (ja) * 2013-03-14 2014-09-18 東レ株式会社 電界効果型トランジスタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NANO LETTERS, vol. 1, 2001, pages 453 - 456

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2018180146A1 (ja) * 2017-03-27 2019-04-04 東レ株式会社 半導体素子、相補型半導体装置、半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
WO2018180146A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 東レ株式会社 半導体素子、相補型半導体装置、半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
WO2019065561A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 東レ株式会社 電界効果型トランジスタ、その製造方法、それを用いた無線通信装置および商品タグ
US11690237B2 (en) 2017-09-29 2023-06-27 Toray Industries, Inc. Field effect-transistor, method for manufacturing same, wireless communication device using same, and product tag
CN111095566A (zh) * 2017-09-29 2020-05-01 东丽株式会社 场效应晶体管、其制造方法和使用它的无线通信装置和商品标签
JP7206912B2 (ja) 2017-09-29 2023-01-18 東レ株式会社 電界効果型トランジスタ、その製造方法、それを用いた無線通信装置および商品タグ
JPWO2019065561A1 (ja) * 2017-09-29 2020-09-03 東レ株式会社 電界効果型トランジスタ、その製造方法、それを用いた無線通信装置および商品タグ
JP2022167911A (ja) * 2017-10-04 2022-11-04 東レ株式会社 断線検知デバイスおよび開封検知ラベル
JP7318780B2 (ja) 2017-10-04 2023-08-01 東レ株式会社 断線検知デバイスおよび開封検知ラベル
JP7230509B2 (ja) 2017-11-02 2023-03-01 東レ株式会社 集積回路およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置
WO2019087937A1 (ja) * 2017-11-02 2019-05-09 東レ株式会社 集積回路およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置
US11616453B2 (en) 2017-11-02 2023-03-28 Toray Industries, Inc. Integrated circuit, method for manufacturing same, and radio communication device using same
US20200244182A1 (en) * 2017-11-02 2020-07-30 Toray Industries, Inc. Integrated circuit, method for manufacturing same, and radio communication device using same
JPWO2019087937A1 (ja) * 2017-11-02 2020-09-24 東レ株式会社 集積回路およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置
JPWO2019097978A1 (ja) * 2017-11-20 2020-10-01 東レ株式会社 ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
WO2019097978A1 (ja) * 2017-11-20 2019-05-23 東レ株式会社 ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
US11380852B2 (en) * 2018-12-12 2022-07-05 The Regents Of The University Of California N-type dopants for efficient solar cells
US12150381B2 (en) 2018-12-12 2024-11-19 The Regents Of The University Of California N-type dopants for efficient solar cells
WO2020184012A1 (ja) 2019-03-08 2020-09-17 東レ株式会社 カーボンナノチューブ組成物、半導体素子および無線通信装置
JP6841380B1 (ja) * 2019-03-26 2021-03-10 東レ株式会社 ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
TWI801727B (zh) * 2019-03-26 2023-05-11 日商東麗股份有限公司 n型半導體元件、n型半導體元件的製造方法、無線通訊裝置及商品標籤
WO2020195708A1 (ja) 2019-03-26 2020-10-01 東レ株式会社 ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
KR20210143753A (ko) 2019-03-26 2021-11-29 도레이 카부시키가이샤 n형 반도체 소자, n형 반도체 소자의 제조 방법, 무선 통신 장치 및 상품 태그
US12029106B2 (en) 2019-03-26 2024-07-02 Toray Industries, Inc. n-type semiconductor element, method for manufacturing n-type semiconductor element, wireless communication device, and merchandise tag
CN113646899A (zh) * 2019-03-26 2021-11-12 东丽株式会社 n型半导体元件、n型半导体元件的制造方法、无线通信装置和商品标签
KR20210144684A (ko) 2019-03-26 2021-11-30 도레이 카부시키가이샤 n형 반도체 소자, n형 반도체 소자의 제조 방법, 무선 통신 장치 및 상품 태그
CN113646899B (zh) * 2019-03-26 2024-03-12 东丽株式会社 n型半导体元件、n型半导体元件的制造方法、无线通信装置和商品标签
US12029107B2 (en) 2019-03-26 2024-07-02 Toray Industries, Inc. n-type semiconductor element, method for producing n-type semiconductor element, wireless communication device, and product tag
WO2020195707A1 (ja) 2019-03-26 2020-10-01 東レ株式会社 ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
JP6841381B1 (ja) * 2019-03-26 2021-03-10 東レ株式会社 ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
CN111614406B (zh) * 2020-03-30 2022-05-17 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） Cni外场无线自动检测设备
CN111614406A (zh) * 2020-03-30 2020-09-01 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） Cni外场无线自动检测设备
JP2022108261A (ja) * 2021-01-12 2022-07-25 東レ株式会社 ｐ型半導体素子、その製造方法、それを用いた相補型半導体装置、無線通信装置および薄膜トランジスタアレイ
JP7750081B2 (ja) 2021-01-12 2025-10-07 東レ株式会社 ｐ型半導体素子、その製造方法、それを用いた相補型半導体装置、無線通信装置および薄膜トランジスタアレイ

Also Published As

Publication number Publication date
EP3410468A4 (en) 2019-12-18
JP6962189B2 (ja) 2021-11-05
JPWO2017130836A1 (ja) 2018-11-15
CN108475642A (zh) 2018-08-31
EP3410468A1 (en) 2018-12-05
EP3410468B1 (en) 2024-07-10
TWI713227B (zh) 2020-12-11
TW201727922A (zh) 2017-08-01
KR20180105166A (ko) 2018-09-27
CN108475642B (zh) 2021-07-27
US20190027700A1 (en) 2019-01-24
US10615352B2 (en) 2020-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6962189B2 (ja) ｎ型半導体素子と相補型半導体装置およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置
JP6485593B2 (ja) 半導体素子、相補型半導体装置、半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
US10490748B2 (en) Rectifying element, method for producing same, and wireless communication device
TWI806905B (zh) 場效電晶體與其製造方法、以及使用上述的無線通訊裝置和商品標籤
JP7230509B2 (ja) 集積回路およびその製造方法ならびにそれを用いた無線通信装置
KR102456902B1 (ko) 카본 나노튜브 복합체 및 그것을 사용한 분산액, 반도체 소자 및 그의 제조 방법, 그리고 반도체 소자를 사용한 무선 통신 장치 및 상품 태그
JP6954310B2 (ja) ｎ型半導体素子、ｎ型半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
US20220185951A1 (en) n-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING n-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT, WIRELESS COMMUNICATION DEVICE, AND MERCHANDISE TAG
JP2021129107A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017503970

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17744066

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187022939

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020187022939

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2017744066

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017744066

Country of ref document: EP

Effective date: 20180827