WO2017126373A1

WO2017126373A1 - 磁気媒体検出装置

Info

Publication number: WO2017126373A1
Application number: PCT/JP2017/000556
Authority: WO
Inventors: 拓也杉本
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2016-01-19
Filing date: 2017-01-11
Publication date: 2017-07-27

Abstract

磁気媒体検出装置は、バイアス磁石ユニットと磁気センサアレイとを備える。バイアス磁石ユニットは、第１方向において互いに間隔をあけてそれぞれ第２方向に延在し、同極性の磁極が第３方向において同じ向きに配置されている、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部を含む。複数の磁気センサ(１１０)の各々の磁気抵抗素子は、第３方向から見て、第１バイアス磁石部と第２バイアス磁石部との間に位置している。複数の磁気センサ(１１０)の各々の磁気抵抗素子は、バイアス磁界の第１方向および第２方向の各々の磁束密度が±２ｍＴ以下である領域に位置している。

Description

磁気媒体検出装置

　本発明は、磁気媒体検出装置に関する。

　磁気媒体を検出する磁気媒体検出装置の構成を開示した先行文献として、特開２０１３－１６７５６２号公報(特許文献１)がある。特許文献１に記載された磁気媒体検出装置は、バイアス磁界を発生させる磁石ユニットと、複数の磁気センサとを備えている。複数の磁気センサの各々は、異方性磁気抵抗素子を含んでいる。磁石ユニットの上方において磁気媒体がバイアス磁界中を移動する方向と磁気センサの磁界検出方向とが一致する向きにて、磁気センサの磁界検出方向におけるバイアス磁界の磁束密度が０近傍となる位置に、複数の磁気センサの各々の異方性磁気抵抗素子が配置されている。

特開２０１３－１６７５６２号公報

　特許文献１に記載された磁気媒体検出装置においては、複数の磁気センサの各々の異方性磁気抵抗素子は、複数の磁気センサが並ぶ方向におけるバイアス磁界の磁束密度が、０、最小値および最大値とならない位置に配置されている。この時、複数のバイアス磁石は、複数の磁気センサが並ぶ方向にそれぞれ一定の間隔をあけて配置される必要がある。特許文献１に記載された磁気媒体検出装置の分解能は、バイアス磁石のサイズとバイアス磁石同士の間隔に依存している。そのため、磁気媒体検出装置を高分解能化しようとした場合、バイアス磁石のサイズおよびバイアス磁石同士の間隔の両方を小さくしなければならない。しかし、バイアス磁石の小型化には限度があるため、磁気媒体検出装置を高分解能化にも限界が生じる。

　磁気媒体検出装置を高感度にするためには、バイアス磁石によるバイアス磁界強度を高くする必要がある。しかし、異方性磁気抵抗素子は、１０ｍＴ程度の磁束密度で飽和する。そのため、磁気媒体検出装置を高感度にするためには、複数の磁気センサの各々の異方性磁気抵抗素子を、異方性磁気抵抗素子が飽和せずに感度が高くなる磁界強度領域に配置する必要がある。

　本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、複数の磁気センサの各々の磁気抵抗素子が飽和せずに感度が高くなる磁界強度領域に安定して配置することができ、高分解能化および高感度化が図られた、磁気媒体検出装置を提供することを目的とする。

　本発明に基づく磁気媒体検出装置は、搬送路を第１方向に搬送されている磁気媒体を検出する磁気媒体検出装置である。磁気媒体検出装置は、第１方向と垂直な方向である第２方向に延在し、バイアス磁界を発生させるバイアス磁石ユニットと、磁気抵抗素子を含んで第１方向に向いた磁界検出方向を有する複数の磁気センサが搬送路とバイアス磁石ユニットとの間において第２方向に並んで構成されており、第１方向および第２方向の各々と垂直な方向である第３方向において、バイアス磁石ユニットと間隔をあけて対向する磁気センサアレイとを備える。バイアス磁石ユニットは、第１方向において互いに間隔をあけつつそれぞれ第２方向に延在し、同極性の磁極が第３方向において同じ向きに配置されている、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部を含む。複数の磁気センサの各々の磁気抵抗素子は、第３方向から見て、第１バイアス磁石部と第２バイアス磁石部との間に位置している。複数の磁気センサの各々の磁気抵抗素子は、バイアス磁界の第１方向および第２方向の各々の磁束密度が±２ｍＴ以下である領域に位置している。

　本発明の一形態においては、バイアス磁石ユニットは、第２方向における第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々の端部同士を繋ぐ１対の第３バイアス磁石部をさらに含む。１対の第３バイアス磁石部においては、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々と、同極性の磁極が第３方向において同じ向きに配置されている。第３方向から見て、複数の磁気センサの各々の磁気抵抗素子は、第１バイアス磁石部と第２バイアス磁石部と１対の第３バイアス磁石部とによって囲まれた領域に位置している。

　本発明の一形態においては、第３方向において、１対の第３バイアス磁石部の各々と磁気センサアレイとの間の間隔は、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々と磁気センサアレイとの間の間隔以下である。

　本発明の一形態においては、磁気媒体検出装置は、第２方向に延在し、第３方向において磁気センサアレイと間隔をあけて対向している平板状の磁性体部をさらに備える。第１方向から見て、搬送路は、磁性体部と磁気センサアレイとの間に位置している。

　本発明の一形態においては、バイアス磁石ユニットが、複数のバイアス磁石から構成されている。

　本発明の一形態においては、バイアス磁石ユニットが、１つのバイアス磁石から構成されている。

　本発明の一形態においては、バイアス磁石ユニットは、第１バイアス磁石部と第２バイアス磁石部とを繋ぐ第４バイアス磁石部をさらに含む。第４バイアス磁石部においては、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々と、同極性の磁極が第３方向において同じ向きに配置されている。第３方向において、第４バイアス磁石部と磁気センサアレイとの間の間隔は、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々と磁気センサアレイとの間の間隔より大きい。

　本発明の一形態においては、複数の磁気センサの各々が、異方性磁気抵抗素子である。
　本発明の一形態においては、複数の磁気センサの各々は、バーバーポール電極を含む。

　本発明の一形態においては、磁気媒体が紙幣である。

　本発明によれば、複数の磁気センサの各々の磁気抵抗素子が飽和せずに感度が高くなる磁界強度領域に安定して配置することができ、磁気媒体検出装置の高分解能化および高感度化を図ることができる。

本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の構成を示す平面図である。図１の磁気媒体検出装置を矢印ＩＩ方向から見た正面図である。図１の磁気媒体検出装置をＩＩＩ－ＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置において磁気媒体を検出した磁気センサの出力の経時変化を示すグラフである。磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路に搬入された時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図５に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路を搬送されて第１バイアス磁石部のＸ軸方向の他端に接近した時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図７に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路を搬送されて磁気センサに最接近した時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図９に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路を搬送されて第２バイアス磁石部のＸ軸方向の一端に接近した時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図１１に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路から搬出された時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図１３に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布の等高線図であり、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．０ｍｍである位置におけるバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を解析した図である。本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布の等高線図であり、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．４ｍｍである位置におけるバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を解析した図である。本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布の等高線図であり、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．６ｍｍである位置におけるバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を解析した図である。本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布の等高線図であり、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が５．０ｍｍである位置におけるバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を解析した図である。図１５に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図１６に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図１７に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図１８に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図２３に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。比較例に係るバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図２５に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。本発明の実施形態２に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットの構成を示す斜視図である。本発明の実施形態２の変形例に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットの構成を示す斜視図である。本発明の実施形態３に係る磁気媒体検出装置の構成を示す斜視図である。本発明の実施形態３に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図３０に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。本発明の実施形態３の第１変形例に係る磁気媒体検出装置の構成を示す斜視図である。本発明の実施形態３の第１変形例に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図３３に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。本発明の実施形態３の第２変形例に係る磁気媒体検出装置の構成を示す斜視図である。本発明の実施形態３の第２変形例に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図３６に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。

　以下、本発明の各実施形態に係る、磁気媒体検出装置について図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。

　(実施形態１)
　図１は、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の構成を示す平面図である。図２は、図１の磁気媒体検出装置を矢印ＩＩ方向から見た正面図である。図３は、図１の磁気媒体検出装置をＩＩＩ－ＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図１～３においては、磁気媒体の搬送方向である第１方向をＸ軸方向、第１方向と垂直な方向である第２方向をＹ軸方向、第１方向および第２方向の各々と垂直な方向である第３方向をＺ軸方向として示している。

　本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置１００は、搬送路２をＸ軸方向に搬送されている磁気媒体を検出する磁気媒体検出装置である。本実施形態においては、磁気媒体は紙幣であるが、磁気媒体は、紙幣に限られず、小切手または切符など、磁性パターンが設けられた紙葉類であればよい。

　図１～３に示すように、磁気媒体検出装置１００は、バイアス磁石ユニットと磁気センサアレイとを備える。バイアス磁石ユニットは、Ｙ軸方向に延在し、バイアス磁界を発生させる。本実施形態においては、バイアス磁石ユニットは、複数のバイアス磁石から構成されている。

　バイアス磁石ユニットは、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部を含んでいる。第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部は、Ｘ軸方向において互いに間隔をあけつつそれぞれＹ軸方向に延在している。第１バイアス磁石部と第２バイアス磁石部とは、互いに平行に位置している。第１バイアス磁石部と第２バイアス磁石部との間には、隙間１５０が形成されている。本実施形態においては、隙間１５０は、バイアス磁石ユニットをＺ軸方向に貫通している。

　第１バイアス磁石部においては、複数の第１バイアス磁石１２０がＹ軸方向に１列に隙間なく並んでいる。第２バイアス磁石部においては、複数の第２バイアス磁石１３０がＹ軸方向に１列に隙間なく並んでいる。第１バイアス磁石１２０および第２バイアス磁石１３０の各々は、直方体状の外形を有している。

　第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々においては、同極性の磁極がＺ軸方向において同じ向きに配置されている。具体的には、第１バイアス磁石１２０および第２バイアス磁石１３０の各々において、Ｎ極が磁気センサアレイ側に位置し、Ｓ極が磁気センサアレイ側とは反対側に位置している。

　本実施形態においては、バイアス磁石ユニットは、Ｙ軸方向における第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々の端部同士を繋ぐ１対の第３バイアス磁石部をさらに含む。１対の第３バイアス磁石部は、第１バイアス磁石部の一端と第２バイアス磁石部の一端とを繋ぐ第３磁石１４０と、第１バイアス磁石部の他端と第２バイアス磁石部の他端とを繋ぐ第３磁石１４１とから構成されている。第３磁石１４０および第３磁石１４１の各々は、直方体状の外形を有している。

　本実施形態においては、第３磁石１４０は、第１バイアス磁石部の一端に位置する第１バイアス磁石１２０の側面全面、および、第２バイアス磁石部の一端に位置する第２バイアス磁石１３０の側面全面の各々と接するＸ軸方向の長さを有しているが、これに限られず、第３磁石１４０のＸ軸方向の長さが隙間１５０のＸ軸方向の長さ以上であればよい。

　同様に、第３磁石１４１は、第１バイアス磁石部の他端に位置する第１バイアス磁石１２０の側面全面、および、第２バイアス磁石部の他端に位置する第２バイアス磁石１３０の側面全面の各々と接するＸ軸方向の長さを有しているが、これに限られず、第３磁石１４１のＸ軸方向の長さが隙間１５０のＸ軸方向の長さ以上であればよい。

　１対の第３バイアス磁石部においては、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々と、同極性の磁極がＺ軸方向において同じ向きに配置されている。具体的には、第３磁石１４０および第３磁石１４１の各々において、Ｎ極が磁気センサアレイ側に位置し、Ｓ極が磁気センサアレイ側とは反対側に位置している。

　本実施形態においては、第１バイアス磁石１２０、第２バイアス磁石１３０、第３磁石１４０および第３磁石１４１の各々は、ネオジム磁石で構成されているが、これに限られず、フェライト磁石などで構成されていてもよい。

　磁気センサアレイは、磁気抵抗素子を含んでＸ軸方向に向いた磁界検出方向を有する複数の磁気センサ１１０が、搬送路２とバイアス磁石ユニットとの間においてＹ軸方向に１列に並んで構成されている。磁気センサアレイは、Ｚ軸方向においてバイアス磁石ユニットと間隔Ｄをあけて対向している。

　本実施形態においては、Ｚ軸方向において、１対の第３バイアス磁石部の各々と磁気センサアレイとの間の間隔Ｅは、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々と磁気センサアレイとの間の間隔Ｄと略同一であるが、これに限られず、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々と磁気センサアレイとの間の間隔Ｄ以下であればよい。

　複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子は、Ｚ軸方向から見て、第１バイアス磁石部と第２バイアス磁石部との間に位置している。本実施形態においては、Ｚ軸方向から見て、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子は、第１バイアス磁石部と第２バイアス磁石部と１対の第３バイアス磁石部とによって囲まれた領域に位置している。すなわち、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子は、Ｚ軸方向から見て、隙間１５０内に位置している。

　複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子は、後述するように、バイアス磁界のＸ軸方向およびＹ軸方向の各々の磁束密度が±２ｍＴ以下である領域に位置している。

　本実施形態においては、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子は、異方性磁気抵抗素子(ＡＭＲ(Anisotropic　Magneto　Resistance)素子)である。複数の磁気センサ１１０の各々は、４つのＡＭＲ素子からなるホイートストンブリッジ型のブリッジ回路を有する。なお、複数の磁気センサ１１０の各々が、ＡＭＲ素子に代えて、ＧＭＲ(Giant　Magneto　Resistance)、ＴＭＲ(Tunnel　Magneto　Resistance)、ＢＭＲ(Ballistic　Magneto　Resistance)、または、ＣＭＲ(Colossal　Magneto　Resistance)などの磁気抵抗素子を有していてもよい。または、複数の磁気センサ１１０の各々が、２つの磁気抵抗素子からなるハーフ・ブリッジ回路を有していてもよい。若しくは、複数の磁気センサ１１０の各々が、磁気抵抗素子と固定抵抗とを含むブリッジ回路を有していてもよい。

　複数の磁気センサ１１０の各々は、バーバーポール電極を含む。複数の磁気センサ１１０の各々は、バーバーポール電極を含むことによって、奇関数入出力特性を有している。これにより、複数の磁気センサ１１０の各々において、入力磁界強度と出力電圧との関係が線形性を有する。

　ここで、複数の磁気センサ１１０の各々が磁気媒体を検出する原理について説明する。図４は、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置において磁気媒体を検出した磁気センサの出力の経時変化を示すグラフである。図４においては、縦軸に磁気センサの出力電圧、横軸に経過時間を示している。

　図５は、磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路に搬入された時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図６は、図５に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。図５においては、図３と同じ断面視にて示している。図６においては、縦軸に磁気センサ１１０の出力電圧、横軸に磁気センサ１１０への入力磁界強度を示している。図６においては、磁気センサ１１０における入力磁界強度と出力電圧との関係を示す１次直線を２点鎖線Ｌで示している。

　図５に示すように、磁気媒体１０が磁気媒体検出装置１００の搬送路２に搬入された時点においては、磁気センサ１１０の位置での磁束１は、バイアス磁界による磁束である。図４，６に示すように、この時点においては、磁気センサ１１０が有するブリッジ回路の中点電圧が０であるため、磁気センサ１１０の出力は０となる。

　図７は、磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路を搬送されて第１バイアス磁石部のＸ軸方向の他端に接近した時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図８は、図７に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。

　図７に示すように、磁気媒体１０が磁気媒体検出装置１００の搬送路２を搬送されて第１バイアス磁石部のＸ軸方向の他端に接近した時点においては、磁気センサ１１０の位置での磁束１ａは、磁気媒体１０に引き寄せられ、磁界検出方向であるＸ軸方向の磁束密度成分が増加する。図４，８に示すように、この時点においては、磁気センサ１１０が有するブリッジ回路の中点電圧が最大値となるため、磁気センサ１１０の出力が最大値となる。

　図９は、磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路を搬送されて磁気センサに最接近した時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図１０は、図９に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。

　図９に示すように、磁気媒体１０が磁気媒体検出装置１００の搬送路２を搬送されて磁気センサ１１０に最接近した時点においては、磁気センサ１１０の位置での磁束１ｂは、磁気媒体１０に引き寄せられており、磁束密度が増加しているが、磁束１ｂの向きはバイアス磁界の向きと同じＺ軸方向に向いている。図４，８に示すように、この時点においては、磁気センサ１１０が有するブリッジ回路の中点電圧が０であるため、磁気センサ１１０の出力は０となる。

　図１１は、磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路を搬送されて第２バイアス磁石部のＸ軸方向の一端に接近した時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図１２は、図１１に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。

　図１１に示すように、磁気媒体１０が磁気媒体検出装置１００の搬送路２を搬送されて第２バイアス磁石部のＸ軸方向の一端に接近した時点においては、磁気センサ１１０の位置での磁束１ｃは、磁気媒体１０に引き寄せられ、磁界検出方向であるＸ軸方向の磁束密度成分が増加する。図４，１２に示すように、この時点においては、磁気センサ１１０が有するブリッジ回路の中点電圧が最小値となるため、磁気センサ１１０の出力が最小値となる。

　図１３は、磁気媒体が本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置の搬送路から搬出された時点における、磁気センサの位置での磁束を示す断面図である。図１４は、図１３に示す状態の磁気センサの出力値を示すグラフである。図１３に示すように、磁気媒体１０が磁気媒体検出装置１００の搬送路２から搬出された時点においては、磁気センサ１１０の位置での磁束１は、バイアス磁界による磁束である。図４，１４に示すように、この時点においては、磁気センサ１１０が有するブリッジ回路の中点電圧が０であるため、磁気センサ１１０の出力は０となる。

　本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置１００は、上記の一連の磁気センサ１１０の出力の経時変化を検出することにより、磁気媒体１０を検出することができる。

　磁気媒体検出装置１００の高感度化を図るためには、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子が飽和せずに感度が高くなる磁界強度領域に位置するように、複数の磁気センサ１１０の各々を配置する必要がある。

　ここで、本実施形態に係るバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布についてシミュレーション解析した結果について説明する。

　図１５は、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布の等高線図であり、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．０ｍｍである位置におけるバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を解析した図である。図１６は、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布の等高線図であり、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．４ｍｍである位置におけるバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を解析した図である。

　図１７は、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布の等高線図であり、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．６ｍｍである位置におけるバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を解析した図である。図１８は、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布の等高線図であり、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が５．０ｍｍである位置におけるバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を解析した図である。

　図１９は、図１５に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図２０は、図１６に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図２１は、図１７に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図２２は、図１８に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図１９～２２においては、縦軸にバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度(ｍＴ)、横軸に始点からの距離(ｍｍ)を示している。

　図１５～２２に示すように、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．６ｍｍである位置においては、バイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度が±２ｍＴ以下である領域Ｔｘが、Ｘ軸方向において第１バイアス磁石部と第２バイアス磁石部との中間の位置を中心にしてＸ軸方向の両方向に約０．６ｍｍの範囲で連続して形成されていた。バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．０ｍｍ、３．４ｍｍまたは５．０ｍｍである位置においては、領域Ｔｘがほとんど形成されていなかった。これにより、磁気センサとバイアス磁石との距離と、バイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度の大きさとは、互いに一定の関係性を有することが確認できた。

　したがって、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子が領域Ｔｘに位置するように複数の磁気センサ１１０を配置することにより、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子の位置でのバイアス磁界のＸ軸方向の磁束密度を小さくすることができる。

　次に、本実施形態に係るバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布についてシミュレーション解析した結果について説明する。なお、１対の第３バイアス磁石部を含まない比較例に係るバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布についても同様にシミュレーション解析した。

　図２３は、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図２４は、図２３に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図２５は、比較例に係るバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図２６は、図２５に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図２４，２６においては、縦軸にバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度(ｍＴ)、横軸に始点からの距離(ｍｍ)を示している。

　第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々の外形寸法は、Ｘ軸方向の幅を４ｍｍ、Ｙ軸方向の長さを４０ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さを３ｍｍとした。１対の第３バイアス磁石部の各々の外形寸法は、Ｘ軸方向の幅を１０ｍｍ、Ｙ軸方向の長さを４ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さを３ｍｍとした。隙間１５０のＹ軸方向の長さを２ｍｍとした。

　図２３～２６に示すように、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．０ｍｍである位置において、バイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度が±２ｍＴ以下である領域Ｔｙは、Ｙ軸方向において第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部の各々の中間の位置を中心にしてＹ軸方向の両方向に、本実施形態では約８．０ｍｍの範囲で連続して形成されており、比較例では約３．０ｍｍの範囲で形成されていた。

　比較例に係るバイアス磁石ユニットにおいては、領域Ｔｙの形成範囲が狭いため、磁気センサアレイに含まれる複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子を領域Ｔｙに位置させることができない。一方、本実施形態に係るバイアス磁石ユニットにおいては、領域Ｔｙの形成範囲が広いため、磁気センサアレイに含まれる複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子を領域Ｔｙに位置させることができる。

　複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子が領域Ｔｙに位置するように複数の磁気センサ１１０を配置することにより、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子の位置でのバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度を小さくすることができる。

　図２４，２６に示したバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布についてのシミュレーション解析は、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離Ｄが３．０ｍｍである位置において行なったが、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．６ｍｍである位置においても同様の傾向である。

　本実施形態においては、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子が、領域Ｔｘと領域Ｔｙとが重なっている領域に位置するように、複数の磁気センサ１１０を配置している。その結果、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子の位置でのバイアス磁界のＸ軸方向およびＹ軸方向の各々の磁束密度を小さくすることができる。

　これにより、バイアス磁石ユニットによるバイアス磁界強度を高くしても、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子が磁気飽和しないようにすることができる。バイアス磁石ユニットによるバイアス磁界強度を高くすることにより、複数の磁気センサ１１０の各々を高感度化することができ、ひいては磁気媒体検出装置１００の高感度化を図ることができる。

　本実施形態に係る磁気媒体検出装置１００においては、領域Ｔｘおよび領域Ｔｙの各々の形成範囲が広いため、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子を、領域Ｔｘと領域Ｔｙとが重なっている領域に安定して配置することができる。また、バイアス磁石を小さくすることなく、磁気媒体検出装置１００を高分解能化できる。また、磁気媒体検出装置１００においては、分解能がバイアス磁石のサイズに依存しないため、磁気抵抗素子のサイズを小さくすることにより高分解能化を図ることができる。

　(実施形態２)
　以下、本発明の実施形態２に係る磁気媒体検出装置について説明する。本発明の実施形態２に係る磁気媒体検出装置は、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置１００とは、バイアス磁石ユニットの構成のみ異なるため、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置１００と同様である構成については説明を繰り返さない。

　図２７は、本発明の実施形態２に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットの構成を示す斜視図である。図２７に示すように、バイアス磁石ユニットは、１つのバイアス磁石から構成されている。本実施形態に係るバイアス磁石ユニットは、第１バイアス磁石部２２０および第２バイアス磁石部２３０を含んでいる。第１バイアス磁石部２２０および第２バイアス磁石部２３０は、Ｘ軸方向において互いに間隔をあけつつそれぞれＹ軸方向に延在している。第１バイアス磁石部２２０と第２バイアス磁石部２３０とは、互いに平行に位置している。第１バイアス磁石部２２０と第２バイアス磁石部２３０との間には、隙間２５０が形成されている。隙間２５０は、直方体状に設けられている。

　第１バイアス磁石部２２０および第２バイアス磁石部２３０の各々においては、同極性の磁極がＺ軸方向において同じ向きに配置されている。具体的には、第１バイアス磁石部２２０および第２バイアス磁石部２３０の各々において、Ｎ極が磁気センサアレイ側に位置し、Ｓ極が磁気センサアレイ側とは反対側に位置している。

　バイアス磁石ユニットは、Ｙ軸方向における第１バイアス磁石部２２０および第２バイアス磁石部２３０の各々の端部同士を繋ぐ１対の第３バイアス磁石部２４０，２４１をさらに含む。

　１対の第３バイアス磁石部２４０，２４１においては、第１バイアス磁石部２２０および第２バイアス磁石部２３０の各々と、同極性の磁極がＺ軸方向において同じ向きに配置されている。具体的には、１対の第３バイアス磁石部２４０，２４１の各々において、Ｎ極が磁気センサアレイ側に位置し、Ｓ極が磁気センサアレイ側とは反対側に位置している。

　バイアス磁石ユニットは、第１バイアス磁石部２２０と第２バイアス磁石部２３０とを繋ぐ第４バイアス磁石部２５１をさらに含む。第４バイアス磁石部２５１においては、第１バイアス磁石部２２０および第２バイアス磁石部２３０の各々と、同極性の磁極が第３方向において同じ向きに配置されている。具体的には、第４バイアス磁石部２５１において、Ｎ極が磁気センサアレイ側に位置し、Ｓ極が磁気センサアレイ側とは反対側に位置している。

　第３方向において、第４バイアス磁石部２５１と磁気センサアレイとの間の間隔は、第１バイアス磁石部２２０および第２バイアス磁石部２３０の各々と磁気センサアレイとの間の間隔より大きい。本実施形態においては、第４バイアス磁石部２５１のＺ軸方向の一端に位置する面は、平坦面である。

　本実施形態においては、バイアス磁石ユニットが第４バイアス磁石部２５１を含むことにより、バイアス磁石ユニットによるバイアス磁界強度を高くすることができる。その結果、複数の磁気センサの各々を高感度化することができ、ひいては磁気媒体検出装置の高感度化を図ることができる。

　以下、本発明の実施形態２の変形例に係る磁気媒体検出装置について説明する。図２８は、本発明の実施形態２の変形例に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットの構成を示す斜視図である。図２８に示すように、本発明の実施形態２の変形例に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットにおいては、第４バイアス磁石部２５１のＺ軸方向の一端に位置する面は、Ｚ軸方向の他端側に凸状の湾曲面である。よって、第１バイアス磁石部２２０と第２バイアス磁石部２３０との間の隙間２５０ａは、Ｙ軸方向に中心軸を有する半円柱状に設けられている。

　本発明の実施形態２の変形例においては、バイアス磁石ユニットが第４バイアス磁石部２５１ａを含むことにより、バイアス磁石ユニットによるバイアス磁界強度を高くすることができる。その結果、複数の磁気センサの各々を高感度化することができ、ひいては磁気媒体検出装置の高感度化を図ることができる。

　(実施形態３)
　以下、本発明の実施形態３に係る磁気媒体検出装置について説明する。本発明の実施形態３に係る磁気媒体検出装置は、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置１００とは、バイアス磁石ユニットの構成および磁性体部をさらに備える点のみ異なるため、本発明の実施形態１に係る磁気媒体検出装置１００と同様である構成については説明を繰り返さない。

　図２９は、本発明の実施形態３に係る磁気媒体検出装置の構成を示す斜視図である。図２９に示すように、本発明の実施形態３に係る磁気媒体検出装置３００は、バイアス磁石ユニットと磁気センサアレイと磁性体部３４０とを備える。

　バイアス磁石ユニットは、第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０を含んでいる。第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０は、Ｘ軸方向において互いに間隔をあけつつそれぞれＹ軸方向に延在している。第１バイアス磁石部３２０と第２バイアス磁石部３３０とは、互いに平行に位置している。第１バイアス磁石部３２０と第２バイアス磁石部３３０との間には、隙間３５０が形成されている。本実施形態においては、隙間３５０は、バイアス磁石ユニットをＺ軸方向に貫通している。

　第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々は、１つの磁石から構成されている。第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々においては、同極性の磁極がＺ軸方向において同じ向きに配置されている。具体的には、第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々において、Ｎ極が磁気センサアレイ側に位置し、Ｓ極が磁気センサアレイ側とは反対側に位置している。

　磁性体部３４０は、Ｙ軸方向に延在し、Ｚ軸方向において磁気センサアレイと間隔をあけて対向している。磁性体部３４０は、平板状の外形を有する。本実施形態においては、磁性体部３４０のＹ軸方向の長さは、第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々のＹ軸方向の長さより短い。Ｘ軸方向から見て、搬送路は、磁性体部３４０と磁気センサアレイとの間に位置している。

　本実施形態においては磁性体部３４０は、鉄合金で構成されているが、磁性体部３４０の材料としては、上記に限られず、軟鉄鋼、ケイ素鋼、電磁鋼、ＰＢパーマロイ、ＰＣパーマロイ、ニッケル合金またはフェライトなどの、透磁率および飽和磁束密度の高い磁性体材料が好ましい。

　本発明の実施形態３に係るバイアス磁石ユニットにおいても、本発明の実施形態１に係るバイアス磁石ユニットと同様に、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．６ｍｍである位置においては、領域Ｔｘが広範囲に連続して形成されている。

　ここで、本実施形態に係るバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布についてシミュレーション解析した結果について説明する。図３０は、本発明の実施形態３に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図３１は、図３０に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図３１においては、縦軸にバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度(ｍＴ)、横軸に始点からの距離(ｍｍ)を示している。

　第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々の外形寸法は、Ｘ軸方向の幅を４ｍｍ、Ｙ軸方向の長さを４０ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さを３ｍｍとした。磁性体部３４０の外形寸法は、Ｘ軸方向の幅を４ｍｍ、Ｙ軸方向の長さを３６ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さを１ｍｍとした。隙間３５０のＹ軸方向の長さを２ｍｍとした。

　図３０，３１に示すように、本実施形態においては、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．０ｍｍである位置において、領域Ｔｙは、Ｙ軸方向において第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々の中間の位置を中心にしてＹ軸方向の両方向に約１１．０ｍｍの範囲で連続して形成されていた。

　バイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布についてのシミュレーション解析は、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．０ｍｍである位置において行なったが、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．６ｍｍである位置においても同様の傾向である。

　これにより、バイアス磁石ユニットによるバイアス磁界強度を高くしても、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子が磁気飽和しないようにすることができる。バイアス磁石ユニットによるバイアス磁界強度を高くすることにより、複数の磁気センサ１１０の各々を高感度化することができ、ひいては磁気媒体検出装置３００の高感度化を図ることができる。

　本実施形態に係る磁気媒体検出装置３００においては、領域Ｔｘおよび領域Ｔｙの各々の形成範囲が広いため、複数の磁気センサ１１０の各々の磁気抵抗素子を、領域Ｔｘと領域Ｔｙとが重なっている領域に安定して配置することができる。また、磁気媒体検出装置３００においては、分解能がバイアス磁石のサイズに依存しないため、磁気抵抗素子のサイズを小さくすることにより高分解能化を図ることができる。

　以下、本発明の実施形態３の第１変形例に係る磁気媒体検出装置について説明する。本発明の実施形態３の第１変形例に係る磁気媒体検出装置は、本発明の実施形態３に係る磁気媒体検出装置とは、磁性体部のＹ軸方向の長さのみ異なる。

　図３２は、本発明の実施形態３の第１変形例に係る磁気媒体検出装置の構成を示す斜視図である。図３２に示すように、本発明の実施形態３の第１変形例に係る磁気媒体検出装置３００ａは、バイアス磁石ユニットと磁気センサアレイと磁性体部３４０ａとを備える。

　磁性体部３４０ａは、Ｙ軸方向に延在し、Ｚ軸方向において磁気センサアレイと間隔をあけて対向している。磁性体部３４０ａは、平板状の外形を有する。本発明の実施形態３の第１変形例においては、磁性体部３４０ａのＹ軸方向の長さは、第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々のＹ軸方向の長さと同等である。Ｘ軸方向から見て、搬送路は、磁性体部３４０ａと磁気センサアレイとの間に位置している。

　ここで、本発明の実施形態３の第１変形例に係るバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布についてシミュレーション解析した結果について説明する。図３３は、本発明の実施形態３の第１変形例に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図３４は、図３３に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図３４においては、縦軸にバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度(ｍＴ)、横軸に始点からの距離(ｍｍ)を示している。

　磁性体部３４０ａの外形寸法は、Ｘ軸方向の幅を４ｍｍ、Ｙ軸方向の長さを４０ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さを１ｍｍとした。

　図３３，３４に示すように、本発明の実施形態３の第１変形例においては、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．０ｍｍである位置において、領域Ｔｙは、Ｙ軸方向において第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々の中間の位置を中心にしてＹ軸方向の両方向に約１２．０ｍｍの範囲で連続して形成されていた。このように、磁性体部のＹ軸方向の長さを長くすることによって、領域Ｔｙの形成範囲を大きくできることが確認できた。

　以下、本発明の実施形態３の第２変形例に係る磁気媒体検出装置について説明する。本発明の実施形態３の第２変形例に係る磁気媒体検出装置は、本発明の実施形態３に係る磁気媒体検出装置とは、磁性体部のＹ軸方向の長さのみ異なる。

　図３５は、本発明の実施形態３の第２変形例に係る磁気媒体検出装置の構成を示す斜視図である。図３５に示すように、本発明の実施形態３の第２変形例に係る磁気媒体検出装置３００ｂは、バイアス磁石ユニットと磁気センサアレイと磁性体部３４０ｂとを備える。

　磁性体部３４０ｂは、Ｙ軸方向に延在し、Ｚ軸方向において磁気センサアレイと間隔をあけて対向している。磁性体部３４０ｂは、平板状の外形を有する。本発明の実施形態３の第２変形例においては、磁性体部３４０ｂのＹ軸方向の長さは、第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々のＹ軸方向の長さより長い。Ｘ軸方向から見て、搬送路は、磁性体部３４０ｂと磁気センサアレイとの間に位置している。

　ここで、本発明の実施形態３の第２変形例に係るバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布についてシミュレーション解析した結果について説明する。図３６は、本発明の実施形態３の第２変形例に係る磁気媒体検出装置のバイアス磁石ユニットが発生しているバイアス磁界の磁束分布を示す正面図である。図３７は、図３６に示す始点から終点までの間のバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度分布を示すグラフである。図３７においては、縦軸にバイアス磁界のＹ軸方向の磁束密度(ｍＴ)、横軸に始点からの距離(ｍｍ)を示している。

　磁性体部３４０ｂの外形寸法は、Ｘ軸方向の幅を４ｍｍ、Ｙ軸方向の長さを６０ｍｍ、Ｚ軸方向の厚さを１ｍｍとした。

　図３６，３７に示すように、本発明の実施形態３の第２変形例においては、バイアス磁石ユニットのＺ軸方向の一端面からの距離が３．０ｍｍである位置において、領域Ｔｙは、Ｙ軸方向において第１バイアス磁石部３２０および第２バイアス磁石部３３０の各々の中間の位置を中心にしてＹ軸方向の両方向に約１３．０ｍｍの範囲で連続して形成されていた。このように、磁性体部のＹ軸方向の長さを長くすることによって、領域Ｔｙの形成範囲を大きくできることが確認できた。

　上述した実施形態の説明において、組み合わせ可能な構成を相互に組み合わせてもよい。

　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　１，１ａ，１ｂ，１ｃ　磁束、２　搬送路、１０　磁気媒体、１００，３００，３００ａ，３００ｂ　磁気媒体検出装置、１１０　磁気センサ、１２０　第１バイアス磁石、１３０　第２バイアス磁石、１４０，１４１　第３磁石、１５０，２５０，２５０ａ，３５０　隙間、２２０，３２０　第１バイアス磁石部、２３０，３３０　第２バイアス磁石部、２４０，２４１　第３バイアス磁石部、２５１，２５１ａ　第４バイアス磁石部、３４０，３４０ａ，３４０ｂ　磁性体部、Ｔｘ，Ｔｙ　領域。

Claims

　搬送路を第１方向に搬送されている磁気媒体を検出する磁気媒体検出装置であって、
　前記第１方向と垂直な方向である第２方向に延在し、バイアス磁界を発生させるバイアス磁石ユニットと、
　磁気抵抗素子を含んで前記第１方向に向いた磁界検出方向を有する複数の磁気センサが前記搬送路と前記バイアス磁石ユニットとの間において前記第２方向に並んで構成されており、前記第１方向および前記第２方向の各々と垂直な方向である第３方向において、前記バイアス磁石ユニットと間隔をあけて対向する磁気センサアレイとを備え、
　前記バイアス磁石ユニットは、前記第１方向において互いに間隔をあけつつそれぞれ前記第２方向に延在し、同極性の磁極が前記第３方向において同じ向きに配置されている、第１バイアス磁石部および第２バイアス磁石部を含み、
　前記複数の磁気センサの各々の前記磁気抵抗素子は、前記第３方向から見て、前記第１バイアス磁石部と前記第２バイアス磁石部との間に位置し、
　前記複数の磁気センサの各々の前記磁気抵抗素子は、前記バイアス磁界の前記第１方向および前記第２方向の各々の磁束密度が±２ｍＴ以下である領域に位置している、磁気媒体検出装置。
　前記バイアス磁石ユニットは、前記第２方向における前記第１バイアス磁石部および前記第２バイアス磁石部の各々の端部同士を繋ぐ１対の第３バイアス磁石部をさらに含み、
　前記１対の第３バイアス磁石部においては、前記第１バイアス磁石部および前記第２バイアス磁石部の各々と、同極性の磁極が前記第３方向において同じ向きに配置されており、
　前記第３方向から見て、前記複数の磁気センサの各々の前記磁気抵抗素子は、前記第１バイアス磁石部と前記第２バイアス磁石部と前記１対の第３バイアス磁石部とによって囲まれた領域に位置している、請求項１に記載の磁気媒体検出装置。
　前記第３方向において、前記１対の第３バイアス磁石部の各々と前記磁気センサアレイとの間の間隔は、前記第１バイアス磁石部および前記第２バイアス磁石部の各々と前記磁気センサアレイとの間の間隔以下である、請求項２に記載の磁気媒体検出装置。
　前記第２方向に延在し、前記第３方向において前記磁気センサアレイと間隔をあけて対向している平板状の磁性体部をさらに備え、
　前記第１方向から見て、前記搬送路は、前記磁性体部と前記磁気センサアレイとの間に位置している、請求項１に記載の磁気媒体検出装置。
　前記バイアス磁石ユニットが、複数のバイアス磁石から構成されている、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気媒体検出装置。
　前記バイアス磁石ユニットが、１つのバイアス磁石から構成されている、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気媒体検出装置。
　前記バイアス磁石ユニットは、前記第１バイアス磁石部と前記第２バイアス磁石部とを繋ぐ第４バイアス磁石部をさらに含み、
　前記第４バイアス磁石部においては、前記第１バイアス磁石部および前記第２バイアス磁石部の各々と、同極性の磁極が前記第３方向において同じ向きに配置されており、
　前記第３方向において、前記第４バイアス磁石部と前記磁気センサアレイとの間の間隔は、前記第１バイアス磁石部および前記第２バイアス磁石部の各々と前記磁気センサアレイとの間の間隔より大きい、請求項６に記載の磁気媒体検出装置。
　前記複数の磁気センサの各々が、異方性磁気抵抗素子である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の磁気媒体検出装置。
　前記複数の磁気センサの各々は、バーバーポール電極を含む、請求項８に記載の磁気媒体検出装置。
　前記磁気媒体が紙幣である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の磁気媒体検出装置。