WO2017122593A1 - 磁気記録媒体およびこれを製造する方法 - Google Patents

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seed layer
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magnetic
nonmagnetic intermediate
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内田　真治
中田　仁志
友博 森谷
旭 古田
島津　武仁
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Fuji Electric Co Ltd
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    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a magnetic recording medium.
  • the present invention relates to a magnetic recording medium used in a hard disk magnetic recording device (HDD).
  • HDD hard disk magnetic recording device
  • Perpendicular magnetic recording is used as a technology for realizing high density magnetic recording.
  • the perpendicular magnetic recording medium includes at least a nonmagnetic substrate and a magnetic recording layer formed of a hard magnetic material.
  • the perpendicular magnetic recording medium may further include a soft magnetic backing layer formed of a soft magnetic material and responsible for concentrating the magnetic flux generated by the magnetic head on the magnetic recording layer.
  • the perpendicular magnetic recording medium may further include an underlayer for orienting the hard magnetic material of the magnetic recording layer in a target direction, a protective layer for protecting the surface of the magnetic recording layer, and the like.
  • the granular magnetic material includes magnetic crystal grains and a nonmagnetic material segregated so as to surround the periphery of the magnetic crystal grains. Individual magnetic crystal grains in the granular magnetic material are magnetically separated by a nonmagnetic material.
  • a seed layer made of Ru or Ru alloy is often used.
  • the seed layer has a (002) -oriented hexagonal close-packed (hcp) structure. This is because the easy axis of magnetization of the CoCrPt random magnetic alloy in the magnetic recording layer is oriented vertically.
  • JP 2012-195027 A (Patent Document 1) and JP 2013-54819 A (Patent Document 2) have a seed layer containing Ru and a magnetic recording layer containing a CoCrPt random magnetic alloy.
  • Discrete magnetic recording media and patterned magnetic recording media have been proposed.
  • the seed layer is a laminated body of a Ru layer and a Ru alloy layer.
  • a seed layer of a single Ru layer, and a seed layer which is a laminate of a Ru layer and a Ru-containing layer having a granular structure containing Ru and an oxide are disclosed.
  • Japanese Patent Laying-Open No. 2015-135713 Patent Document 3
  • Discrete magnetic recording media and patterned magnetic recording media have been proposed.
  • Patent Document 4 discloses a (001) -oriented L1 0 type on a seed layer made of Ru or Ru alloy having a (110) -oriented hcp structure.
  • a magnetic recording medium having a magnetic recording layer made of an ordered alloy is proposed.
  • Patent Document 5 includes Ru, Re, or Os having a (100) -oriented hcp structure in the manufacture of a gradient magnetic recording medium that is expected to improve the magnetic recording density. on the seed layer, it has proposed a magnetic recording medium having a magnetic recording layer composed of L1 0 type ordered alloy oriented (111).
  • the simple metal or alloy of Ru or the like is formed by heat treatment necessary for ordering the ordered alloy.
  • the seed layer crystal grains agglomerate. Therefore, the ordered alloy has a problem that it is impossible to achieve both a high degree of order and a good granular structure.
  • An example of the problem to be solved by the present invention is to provide a magnetic recording medium having a magnetic recording layer containing an ordered alloy suitable for perpendicular magnetic recording.
  • another example of the problem to be solved by the present invention is to improve the recording density while ensuring the necessary thermal stability.
  • another example of the problem to be solved by the present invention is to achieve both a thick magnetic layer and a finer particle size.
  • One example of means for solving the problems of the present invention is a substrate, a first seed layer, a second seed layer containing ZnO, a third seed layer containing MgO, and a magnetic recording layer containing an ordered alloy.
  • the first seed layer includes Ru and at least one selected from the group consisting of oxide, carbide, and nitride.
  • a nonmagnetic intermediate layer is further included between the first seed layer and the second seed layer, and the nonmagnetic intermediate layer is selected from the group consisting of Pt, oxide, carbon, carbide, and nitride. And at least one of the above.
  • it further includes a nonmagnetic intermediate layer between the first seed layer and the second seed layer, the nonmagnetic intermediate layer being essentially made of Pt, and the nonmagnetic intermediate layer being 0.1 to 3 It is preferable to have a thickness of 0.0 nm.
  • an orientation control layer formed of Ru or a Ru alloy is further included between the substrate and the first seed layer.
  • the ordered alloy, and at least one element selected from Fe and Co, Pt, Pd, Au, Ir, and in L1 0 type ordered alloy containing at least one element selected from the group consisting of Rh Preferably there is.
  • the ordered alloy further includes at least one element selected from the group consisting of Ni, Mn, Cu, Ru, Ag, Au, and Cr.
  • the magnetic recording layer has a granular structure including magnetic crystal grains and nonmagnetic crystal grain boundaries surrounding the magnetic crystal grains, and the magnetic crystal grains include the ordered alloy.
  • Another example of means for solving the problems of the present invention is a method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the method forms a substrate and forms a first seed layer on the substrate.
  • the step of heating the substrate within a range of 300 ° C. to 600 ° C. when forming the magnetic recording layer.
  • the method further includes a step of forming a nonmagnetic intermediate layer between the first seed layer and the second seed layer, the nonmagnetic intermediate layer being essentially made of Pt, and the nonmagnetic intermediate layer being 0 It is preferable to have a film thickness of 1 to 0.3 nm.
  • the method further includes a step of forming an orientation control layer between the substrate and the first seed layer, and the orientation control layer is preferably formed of Ru or a Ru alloy.
  • the ordered alloy, L1 0 type ordered alloy comprising the at least one element selected from Fe and Co, Pt, Pd, Au, and at least one element selected from the group consisting of Ir and Rh
  • the ordered alloy further includes at least one element selected from the group consisting of Ni, Mn, Cu, Ru, Ag, Au, and Cr.
  • the magnetic recording layer has a granular structure including magnetic crystal grains and nonmagnetic crystal grain boundaries surrounding the magnetic crystal grains, and the magnetic crystal grains include the ordered alloy.
  • a magnetic recording medium made of an ordered alloy suitable for perpendicular magnetic recording even when a Ru—TiO 2 or Ru—SiO 2 seed layer is used, a magnetic recording medium made of an ordered alloy suitable for perpendicular magnetic recording can be formed.
  • both the thickening of the magnetic layer and the refinement of the particle size can be achieved.
  • FIG. 1 It is a schematic sectional drawing which shows one structural example of the magnetic recording medium of this invention. It is a schematic sectional drawing which shows another structural example of the magnetic recording medium of this invention.
  • SEM scanning electron microscope
  • FIG. 3 is a photograph observed by SEM after forming a Pt—C layer on a Ru—TiO 2 layer and heat-treating it at a heating temperature of 450 ° C. for a heating time of 60 minutes. Forming a Pt-TiO 2 layers of ru-TiO 2 layer on the heating temperature 450 ° C., after heat treatment at the heating time of 60 minutes, a photograph observed by SEM. Forming a Pt-TiO 2 layers of ru-TiO 2 layer on the further form a ZnO layer, a heating temperature 450 ° C., after heat treatment at the heating time of 60 minutes, a photograph observed by SEM. The grain density of the Pt layer on Ru—TiO 2 is shown.
  • the Pt (111) peak intensity of X-ray diffraction (XRD) is shown. Is a SEM photograph showing a comparison between the Ta underlayer and Ru-TiO 2 base.
  • FIG. 11 is a SEM photograph of a Ru-24 vol% TiO 2 stopper as a reference for FIG.
  • the XRD result of the example of FIG. 10 is shown. It is a graph which shows a grain density when formation is stopped in each layer.
  • the SEM observation result of Experimental example 4 is shown. It is a schematic sectional drawing which shows another structural example of the magnetic recording medium of this invention. It is the result of having observed the particle size of the nonmagnetic intermediate
  • One example of a mode for carrying out the present invention is a magnetic recording including a substrate 1, a first seed layer 2, a second seed layer 3 containing ZnO, a third seed layer 4 containing MgO, and an ordered alloy.
  • the magnetic recording medium 10 includes the layer 5 in this order, and the first seed layer 2 includes Ru and at least one selected from the group consisting of oxide, carbide, and nitride.
  • a nonmagnetic intermediate layer 6 is further included between the first seed layer 2 and the second seed layer 3, and the nonmagnetic intermediate layer 6 is made of Pt and an oxide, carbon, carbide, and nitride group. And at least one selected from.
  • the nonmagnetic intermediate layer consists essentially of Pt, and the nonmagnetic intermediate layer has a thickness of 0.1 to 3.0 nm.
  • the ordered alloy is a L1 0 type ordered alloy containing at least one element selected from Fe and Co, Pt, Pd, Au, and at least one element selected from the group consisting of Ir and Rh It is preferable.
  • the ordered alloy preferably further includes at least one element selected from the group consisting of Ni, Mn, Cu, Ru, Ag, Au, and Cr.
  • the magnetic recording layer 5 preferably has a granular structure including magnetic crystal grains and nonmagnetic crystal grain boundaries surrounding the magnetic crystal grains, and the magnetic crystal grains preferably include the ordered alloy.
  • the nonmagnetic crystal grain boundary preferably includes a nonmagnetic material selected from the group consisting of carbon, oxide, and nitride.
  • FIG. 1 includes a substrate 1, a first seed layer 2, a second seed layer 3 containing ZnO, a third seed layer 4 containing MgO, and a magnetic recording layer 5 containing an ordered alloy in this order.
  • One configuration example of the magnetic recording medium 10 in which one seed layer 2 includes Ru and at least one selected from the group consisting of oxide, carbide, and nitride is shown.
  • the same reference numerals are given to common components, and the description thereof is omitted.
  • a notation such as A / B means that A is the upper layer and B is the lower layer.
  • the substrate 1 may be various plate-like members having a smooth surface.
  • the substrate 1 can be formed using a material generally used for magnetic recording media. Materials that can be used include Al alloys plated with NiP, MgO single crystals, MgAl 2 O 4 , SrTiO 3 , tempered glass, crystallized glass and the like.
  • an adhesion layer may be provided between the substrate 1 and the first seed layer 2 described in detail later.
  • an adhesion layer (not shown) may be provided.
  • the adhesion layer is used to enhance adhesion between a layer formed on the adhesion layer and a layer formed under the adhesion layer.
  • the layer formed under the adhesion layer includes the substrate 1.
  • the material for forming the adhesion layer includes metals such as Ni, W, Ta, Cr, and Ru, and alloys containing the aforementioned metals.
  • the adhesion layer may be a single layer or may have a laminated structure of a plurality of layers.
  • a preferable adhesion layer in this configuration example is made of CrTi.
  • a soft magnetic backing layer (not shown) may be provided.
  • the soft magnetic underlayer controls the magnetic flux from the magnetic head to improve the recording / reproducing characteristics of the magnetic recording medium.
  • Materials for forming the soft magnetic backing layer include NiFe alloys, Sendust (FeSiAl) alloys, crystalline materials such as CoFe alloys, microcrystalline materials such as FeTaC, CoFeNi, CoNiP, and Co alloys such as CoZrNb and CoTaZr. Includes amorphous material.
  • the optimum value of the thickness of the soft magnetic backing layer depends on the structure and characteristics of the magnetic head used for magnetic recording. When the soft magnetic backing layer is formed continuously with the other layers, the soft magnetic backing layer preferably has a thickness in the range of 10 nm to 500 nm (including both ends) in consideration of productivity.
  • a heat sink layer may be provided.
  • the heat sink layer is a layer for effectively absorbing excess heat of the magnetic recording layer 5 generated during the heat-assisted magnetic recording.
  • the heat sink layer can be formed using a material having high thermal conductivity and specific heat capacity.
  • a material includes Cu simple substance, Ag simple substance, Au simple substance, or an alloy material mainly composed of them.
  • “mainly” means that the content of the material is 50 wt% or more.
  • the heat sink layer can be formed using an Al—Si alloy, a Cu—B alloy, or the like.
  • the heat sink layer can be formed using Sendust (FeSiAl) alloy, soft magnetic CoFe alloy, or the like.
  • Sendust FeSiAl
  • soft magnetic material By using a soft magnetic material, the function of concentrating the perpendicular magnetic field generated by the head on the magnetic recording layer 5 can be imparted to the heat sink layer, and the function of the soft magnetic backing layer can be supplemented.
  • the optimum value of the thickness of the heat sink layer varies depending on the heat quantity and heat distribution during heat-assisted magnetic recording, the layer configuration of the magnetic recording medium, and the thickness of each component layer. In the case of continuously forming with other constituent layers, the thickness of the heat sink layer is preferably 10 nm or more and 100 nm or less in consideration of productivity.
  • the heat sink layer can be formed using any method known in the art, such as a sputtering method or a vacuum evaporation method. Usually, the heat sink layer is formed using a sputtering method.
  • the heat sink layer can be provided between the substrate 1 and the adhesion layer, between the adhesion layer and the orientation control layer, in consideration of characteristics required for the magnetic recording medium.
  • an orientation control layer (not shown) may be provided.
  • the orientation control layer is a layer for forming a (002) -oriented hcp structure in the first seed layer 2 described later.
  • the orientation control layer is formed under the first seed layer 2.
  • the orientation control layer may be a single layer or may have a laminated structure of a plurality of layers.
  • the material that can be used for forming the orientation control layer is preferably a material having an hcp structure or a face-centered cubic (fcc) structure that is the same crystal structure as the magnetic recording layer, but is not limited thereto. is not.
  • materials that can be used to form the orientation control layer include Ru or Ru alloys, Co—Ni alloys, Ni alloys, Pt alloys, Pd alloys, Ta alloys, Cr alloys, Si alloys, and Cu alloys.
  • the material further includes one or more elements selected from the group consisting of Ru, W, Mo, Ta, Nb, and Ti for the purpose of improving the consistency of the crystal lattice size with the seed layer. But you can.
  • the material may further include one or more materials selected from the group consisting of B, Mn, Al, Si oxide, and Ti oxide.
  • a preferred orientation control layer in this configuration example has a NiW alloy layer, a Ru layer, or a laminated structure thereof.
  • the orientation control layer can be formed using any method known in the art such as sputtering.
  • the total thickness of the orientation control layer is preferably 1 to 20 nm from the viewpoint of the orientation of the first seed layer.
  • the first seed layer 2 includes Ru and at least one selected from the group consisting of oxides, carbides, and nitrides.
  • at least one selected from the group consisting of oxides, carbides, and nitrides included with Ru can also be called a grain boundary material.
  • the grain boundary material may be, for example, an oxide such as SiO 2 , TiO 2 , or ZnO, a carbide such as SiC, TiC, or WC, or a nitride such as SiN or TiN.
  • the oxide or the like as an impurity included in the first seed layer 2 is clearly distinguished from at least one selected from the group consisting of oxide, carbide, and nitride included with Ru.
  • at least one selected from the group consisting of oxide, carbide, and nitride is, for example, 5% by volume or more based on the total amount of Ru, it is included in the first seed layer 2 together with Ru. Can do.
  • the first seed layer 2 typically has a hexagonal wurtzite structure in which the second seed layer 3 is (002) -oriented with a small crystal orientation dispersion and leads to a good granular structure up to the magnetic recording layer 5.
  • This granular structure is a structure in which individual crystal grains are surrounded by another material in a plane parallel to the substrate, and in the cross section perpendicular to the substrate, the individual crystal grains have a columnar structure. Is preferred. More specifically, in a cross section perpendicular to the substrate, it is preferable that no grain boundary material is formed on the upper and lower portions of each crystal grain. In this case, Ru corresponds to a crystal grain.
  • the first seed layer 2 can be formed by any method known in the art such as sputtering.
  • the first seed layer 2 typically includes Ru—TiO 2 or Ru—SiO 2 .
  • the first seed layer 2 containing Ru—TiO 2 or the like preferably has a granular structure. This granular structure is a state in which a grain boundary material such as TiO 2 is segregated so as to surround the periphery of the Ru crystal grains in a plane parallel to the substrate.
  • the Ru-TiO 2 specifically a phenomenon where Ru and TiO 2 were coexisting
  • the Ru-SiO 2 means a state in which Ru and SiO 2 were coexist.
  • the first seed layer may be a single layer or a multilayer. Layers having different grain boundary materials may be stacked, or layers of grain boundary materials having different concentrations may be stacked.
  • the nonmagnetic intermediate layer may include Pt and at least one selected from the group consisting of oxide, carbon, carbide, and nitride.
  • the nonmagnetic intermediate layer may include Pt and at least one selected from the group consisting of oxide, carbon, carbide, and nitride.
  • at least one selected from the group consisting of oxide, carbon, carbide, and nitride included with Pt can also be called a grain boundary material, for example, an oxide such as SiO 2 , TiO 2 , or ZnO, Carbides such as carbon (C), SiC, TiC, and WC, and nitrides such as SiN and TiN can be used.
  • the oxide or the like as an impurity contained in the nonmagnetic intermediate layer is clearly at least one selected from the group consisting of oxide, carbon (C), carbide, and nitride contained together with Pt. Differentiated. When at least one selected from the group consisting of oxide, carbon, carbide, and nitride is, for example, 5% by volume or more based on the total amount of Pt, it is included in the nonmagnetic intermediate layer together with Pt. be able to.
  • a nonmagnetic intermediate layer 6 made of Pt—C or Pt—TiO 2 may be provided between the first seed layer 2 and the second seed layer 3 described in detail later.
  • the nonmagnetic intermediate layer 6 (see FIG. 2) is a layer for promoting epitaxial growth of layers formed after the second seed layer 3.
  • the nonmagnetic intermediate layer 6 can form a granular structure of the second seed layer 3 inherited from the first seed layer 2.
  • the nonmagnetic intermediate layer 6 can be formed by using any method known in the art such as sputtering.
  • the nonmagnetic intermediate layer 6 containing Pt—TiO 2 or the like preferably has a granular structure.
  • Pt—C means a state in which Pt and carbon (C) coexist.
  • the nonmagnetic intermediate layer may be a single layer or a multilayer. Layers having different grain boundary materials may be stacked, or layers of grain boundary materials having different concentrations may be stacked.
  • a nonmagnetic intermediate layer consisting essentially of Pt is provided between the first seed layer 2 and the second seed layer 3 described in detail later, and the nonmagnetic intermediate layer has a thickness of 0.1 to 3.0 nm. It is preferable to have a film thickness.
  • the nonmagnetic intermediate layer has a thickness of more preferably 0.5 to 2.5 nm, and still more preferably 0.5 to 2.0 nm. Most preferably, it has a thickness of 0.5 to 1.5 nm.
  • the nonmagnetic interlayer consists essentially of Pt
  • the nonmagnetic interlayer typically does not include a grain boundary material.
  • A consists essentially of B
  • A may include, for example, additional C in addition to B, but that additional C does not substantially affect the characteristics of A. Used to do. Further typical examples of C are impurities and the like which are mixed unintentionally. If it is the range of the said film thickness, the granular structure of a 1st seed layer can be maintained without breaking.
  • the second seed layer 3 contains ZnO.
  • the second seed layer 3 preferably contains 70 wt% or more of ZnO.
  • ZnO may have a stoichiometric composition or a non-stoichiometric composition.
  • ZnO in the second seed layer 3 typically has a (002) -oriented hexagonal wurtzite crystal structure.
  • the second seed layer 3 has an effect of forming a sodium chloride type structure in which the third seed layer 4 containing MgO is (002) -oriented on the first seed layer 2 having the (002) plane of the hcp structure. Further, it can be considered that the presence of the second seed layer 3 has an effect of reducing the crystal orientation dispersion of the magnetic recording layer 5 even when the third seed layer 4 is thin. Further, in order to guide the crystal grain separation structure of the first seed layer 2 to the third seed layer 4, the thickness must not be excessively increased. In order to achieve the above effect, the second seed layer 3 preferably has a thickness in the range of 1 nm to 20 nm.
  • the third seed layer 4 improves the degree of order of the magnetic recording layer 5 made of an ordered alloy formed thereon. Further, the third seed layer 4 is considered to guide the separation structure of the crystal grains of the second seed layer 3 to the magnetic recording layer 5 and promote the separation of the magnetic crystal grains in the magnetic recording layer 5. In order to achieve the above effect, the third seed layer 4 preferably has a thickness in the range of 1 nm to 20 nm.
  • the second seed layer 3 and the third seed layer 4 can be formed using any method known in the art such as sputtering.
  • sputtering it is preferable to set the temperature of the board
  • the second seed layer 3 containing ZnO it is not necessary to heat the substrate 1 at the time of formation.
  • the second seed layer 3 formed without heating the substrate 1 can achieve a surface roughness equal to or lower than that of the third seed layer 4 formed with heating of the substrate 1.
  • the crystal orientation of the ordered alloy in the magnetic recording layer 5 is appropriately oriented to the magnetic recording medium. It becomes possible. In particular it is possible to correct (001) orientation of the crystal orientation of the L1 0 type ordered alloy perpendicular magnetic recording medium.
  • the magnetic recording layer 5 includes an ordered alloy.
  • the ordered alloy includes at least one first element selected from the group consisting of Fe and Co, and at least one second element selected from the group consisting of Pt, Pd, Au, Ir, and Rh.
  • Preferred ordered alloy is FePt, CoPt, FePd, and L1 0 type ordered alloy selected from the group consisting of CoPd.
  • the ordered alloy may further include at least one element selected from the group consisting of Ni, Mn, Cu, Ru, Ag, Au, and Cr. Desirable property modulation includes a decrease in temperature required for ordering of the ordered alloy.
  • the ratio of the first element to the second element may be within the range of 0.7 to 1.3, preferably within the range of 0.8 to 1.1, based on the number of atoms. Good. By using the composition ratio within this range, it is possible to obtain L1 0 ordered structure having a large magnetic anisotropy constant Ku.
  • the magnetic recording layer 5 may have a granular structure including magnetic crystal grains and nonmagnetic crystal grain boundaries surrounding the magnetic crystal grains.
  • the magnetic crystal grain may include the ordered alloy described above.
  • the nonmagnetic crystal grain boundary may include materials such as oxides such as SiO 2 , TiO 2 , and ZnO, nitrides such as SiN and TiN, carbon (C), and boron (B).
  • the magnetic recording layer 5 may be composed of a plurality of magnetic layers. Each of the plurality of magnetic layers may have a non-granular structure or a granular structure. Furthermore, an ECC (Exchange-coupled Composite) structure in which a coupling layer such as Ru is sandwiched between magnetic layers may be provided. Further, the second magnetic layer may be provided on the upper part of the magnetic layer having the granular structure as a continuous layer (CAP layer) not including the granular structure.
  • ECC Exchange-coupled Composite
  • the magnetic recording layer 5 can be formed by depositing a predetermined material by a sputtering method.
  • a target including a material forming the ordered alloy can be used. More specifically, it is possible to use a target containing the elements constituting the ordered alloy described above at a predetermined ratio.
  • the magnetic recording layer 5 may be formed by using a plurality of targets containing a single element and adjusting the power applied to each target to control the ratio of the elements.
  • a target including a material that forms magnetic crystal grains and a material that forms nonmagnetic crystal grain boundaries in a predetermined ratio can be used.
  • a target including a material that forms magnetic crystal grains and a target including a material that forms nonmagnetic crystal grain boundaries can be used.
  • the magnetic recording layer 5 may be formed by adjusting the power applied to each of these targets to control the constituent ratio of the magnetic crystal grains and the nonmagnetic crystal grain boundaries.
  • a plurality of targets separately containing elements constituting the ordered alloy may be used.
  • the substrate 1 is heated when the magnetic recording layer 5 is formed. At this time, the temperature of the substrate 1 is in the range of 300 ° C. to 600 ° C. By adopting the temperature of the substrate 1 within this range, the degree of order of the ordered alloy in the magnetic recording layer 5 can be improved. Because it is 300 ° C. or higher, there is an effect that it is possible to improve the degree of order of L1 0 ordered alloy. Since it is 600 degrees C or less, there exists an effect of suppressing surface roughness.
  • a protective layer (not shown) may be provided.
  • the protective layer can be formed using a material conventionally used in the field of magnetic recording media.
  • the protective layer can be formed using a nonmagnetic metal such as Pt, a carbon-based material such as diamond-like carbon, or a silicon-based material such as silicon nitride.
  • the protective layer may be a single layer or may have a laminated structure of a plurality of layers.
  • the protective layer having a laminated structure may be, for example, a laminated structure of two types of carbon materials having different characteristics, a laminated structure of metals and carbon materials, or a laminated structure of metal oxide layers and carbon materials.
  • the protective layer can be formed using any method known in the art, such as sputtering, CVD, and vacuum deposition.
  • a liquid lubricant layer (not shown) may be provided.
  • the liquid lubricant layer can be formed using a material conventionally used in the field of magnetic recording media.
  • a perfluoropolyether lubricant can be used.
  • the liquid lubricant layer can be formed using, for example, a coating method such as a dip coating method or a spin coating method.
  • Experimental Example 1 is an experimental example of the Ru-TiO 2 first seed layer 2.
  • the eight sample Nos. Created Details of 1 to 8 are shown in Table 1.
  • Sample No. Reference numerals 1 and 2 are samples in which a 5.9 nm Ru layer is formed on a glass substrate.
  • the amount of TiO 2 added to the Ru—TiO 2 layer was 24 vol% based on the total volume of Ru.
  • the Ru—TiO 2 layer has three thicknesses of 0.65, 1.3, and 2.6 nm. Of these, only the even-numbered samples were subjected to heat treatment.
  • the heating temperature was 450 ° C., which is the temperature during normal formation of FePt, and the heating time was 60 minutes.
  • the particle size is the diameter of the particles surrounded by the grain boundary material generated on the sample surface.
  • the particle size is analyzed as an equivalent circle diameter from an image obtained by SEM observation using image analysis software (trade name: WinRoof, manufactured by Mitani Corporation), and the average particle size (D), standard deviation ( ⁇ ), The grain density was derived.
  • the grain density is the average number of grains per 10,000 nm 2 .
  • Example No. 1, 2 A specific sample preparation procedure will be described. First, a chemically strengthened glass substrate (N-10 glass substrate manufactured by HOYA) having a smooth surface was washed to prepare a substrate. The cleaned substrate was introduced into an in-line type sputtering apparatus.
  • a chemically strengthened glass substrate N-10 glass substrate manufactured by HOYA having a smooth surface was washed to prepare a substrate. The cleaned substrate was introduced into an in-line type sputtering apparatus.
  • a CrTi layer having a thickness of 15 nm was first formed by a DC magnetron sputtering method using a Cr 50 Ti 50 target as an adhesion layer.
  • a 5 nm thick RuCr first orientation control layer was formed by DC magnetron sputtering using a Ru 70 Cr 30 target.
  • a Ru second orientation control layer having a thickness of 5.9 nm was formed by DC magnetron sputtering using a Ru target.
  • the substrate temperature was room temperature (25 ° C.) in Ar gas at a pressure of 0.3 Pa.
  • the sputtering power when forming the Ru orientation control layer was 200 W. As described above, sample no. 1-2 were created.
  • Sample Nos. 3 to 8 A specific sample preparation procedure will be described. Sample No. First, similarly to 1 and 2, a chemically strengthened glass substrate (N-10 glass substrate manufactured by HOYA) having a smooth surface was washed to prepare a substrate. The cleaned substrate was introduced into an in-line type sputtering apparatus.
  • N-10 glass substrate manufactured by HOYA a chemically strengthened glass substrate having a smooth surface was washed to prepare a substrate. The cleaned substrate was introduced into an in-line type sputtering apparatus.
  • a CrTi layer having a thickness of 15 nm was first formed by a DC magnetron sputtering method using a Cr 50 Ti 50 target as an adhesion layer.
  • a 5 nm thick RuCr first orientation control layer was formed by DC magnetron sputtering using a Ru 70 Cr 30 target.
  • a Ru second orientation control layer having a thickness of 5.9 nm was formed by DC magnetron sputtering using a Ru target.
  • the substrate temperature was room temperature (25 ° C.) in Ar gas at a pressure of 0.3 Pa.
  • the sputtering power when forming the Ru orientation control layer was 200 W.
  • a Ru—TiO 2 first seed layer having a thickness of 0.65 to 2.6 nm was formed by DC magnetron sputtering using an Ru-24 vol% TiO 2 target in Ar gas at a pressure of 0.3 Pa (sample). No. 3 to 8).
  • the substrate temperature in ru-TiO 2 first seed layer formed was room temperature (25 ° C.).
  • the sputtering power when forming the Ru—TiO 2 first seed layer was 50 W. As described above, sample no. 3 to 8 were created.
  • the average particle size of the sample in which the magnetic recording layer was not formed and heat-treated was 6.4 to 6.5 nm.
  • the Ru—TiO 2 layer was formed, there was no significant change in the particle size with and without heat treatment.
  • No. 2 abnormal coarsening of Ru grains was observed.
  • the particle size could not be measured with this sample.
  • the Ru—TiO 2 first seed layer formed on the Ru layer of the second orientation control layer has an effect of suppressing the coarsening of the Ru grains due to heating. Even if a Ru—TiO 2 layer is formed on the substrate, the coarsening of the Ru particles is suppressed, and it is expected that the same effect can be obtained. That is, it is considered that the coarsening of the Ru particles is suppressed because the TiO 2 or the like surrounds the fine Ru particles. Since fine Ru particles can be maintained, magnetic particles grown one-on-one can be made fine particles. Similar effects were obtained not only in the Ru—TiO 2 layer but also in the Ru—SiO 2 layer.
  • the particle structure of the Ru-TiO 2 layer or Ru-SiO 2 layer when FePt magnetic recording layer is epitaxially grown, by receiving the granular structure of the Ru-TiO 2 layer, the magnetic particles take clean granular structure Will be able to.
  • the structure in which the particles such as oxide are surrounded by Ru can receive the magnetic particles so that the magnetic particles can have a clean structure.
  • coarsening of Ru particles in the orientation control layer due to heat treatment when forming the magnetic recording layer is suppressed. That is, Ru does not become coarse even when heated when forming the magnetic recording layer, and miniaturization is possible.
  • One-to-one growth of each layer particle is possible from the seed layer or orientation control layer to the magnetic recording layer.
  • Experimental example 2 includes a Ru—TiO 2 first seed layer 2, a ZnO second seed layer 3, and a MgO third seed layer 4, and further includes a Ru—TiO 2 first seed layer 2 and a ZnO second seed layer 3.
  • Experimental Example 2 in the layer structure of ZnO layer / Pt layer / Ru-TiO 2 layer, the addition of grain boundaries material Pt layer, Pt layer, to consider whether the particle aggregation by heating in ZnO layer is suppressed Is.
  • an adhesion layer and an orientation control layer were provided between the glass substrate and the first seed layer.
  • a CrTi layer having a thickness of 15 nm was first formed by a DC magnetron sputtering method using a Cr 50 Ti 50 target as an adhesion layer underlayer.
  • a Ru alignment control layer having a thickness of 10 nm was formed as a first alignment control layer by DC magnetron sputtering using a Ru target.
  • Table 2 shows conditions for forming a layer using Pt, Pt—C, or Pt—TiO 2 as the nonmagnetic intermediate layer. After the formation of the nonmagnetic intermediate layer, post-heating was performed at 450 ° C. for 60 minutes.
  • Table 3 shows the structure of each sample. In Table 3, for example, a sample of Ru—TiO 2 / Ru / adhesion layer / glass substrate means that after heating to Ru—TiO 2 , post heating 450 ° C. ⁇ 60 min was performed.
  • the evaluation method was surface observation by SEM. Photographs observed by SEM are shown in FIGS. Generally, in order to order FePt, it is necessary to form a layer at a high temperature. However, when the film thickness of the Pt layer was 8 nm and no grain boundary material was added, it was confirmed that Pt agglomerates due to heating and cannot inherit the Ru particle diameter of the first seed layer. On the other hand, it was confirmed that the grain size of Ru in the orientation control layer and the first seed layer can be inherited by adding a grain boundary material (C or TiO 2 in this experimental example). Note that the sample numbers shown in FIGS. Is a sample No. described in Table 5 below. It corresponds to.
  • Table 4 shows conditions when ZnO is formed on the Pt layer, Pt—C layer, or Pt—TiO 2 layer, which is the nonmagnetic intermediate layer. After the formation of the layer, post heating 450 ° C. ⁇ 60 min was performed.
  • the Pt—C nonmagnetic intermediate layer or the Pt—TiO 2 nonmagnetic intermediate layer suppresses particle aggregation of the orientation control layer and the first seed layer even by heating during the formation of the magnetic layer. . It was confirmed that the particle diameters of the orientation control layer and the first seed layer can be maintained even after post-heating.
  • the layer structure of ZnO / Pt layer / Ru—TiO 2 granular using the hcp-Ru (001) granular first seed layer a grain boundary material is added to the Pt layer, and the ZnO / Pt granular / Ru—TiO 2 is added. If the two- layer structure is used, particle aggregation of the seed layer due to heating during formation of the magnetic recording layer can be suppressed, and the particle size of the seed layer can be maintained even after post-heating.
  • Experimental Example 3 is an experimental example for confirming the effect of the Ru—TiO 2 first seed layer.
  • the layer structure in the experimental example is Pt—X layer / Ru—TiO 2 layer / Ru orientation control layer / adhesion layer / substrate.
  • the experimental conditions up to the formation of the Ru—TiO 2 first seed layer were the same as in Experimental Example 2.
  • the grain shapes of the Ru—TiO 2 first seed layer and the Pt layer (Pt, Pt-24 vol% C, or Pt-24 vol% TiO 2 ) formed on the Ta first seed layer as a comparison object were compared and examined. .
  • an increase in the amount of TiO 2 added 24 ⁇ 30 vol%) was studied in part.
  • FIG. 10 shows an SEM photograph observing the comparison between the Ta first seed layer and the Ru—TiO 2 first seed layer.
  • FIG. 11 shows an SEM photograph of the Ru-24 vol% TiO 2 stopper substrate as a reference for FIG.
  • stop means that the formation of further layers after that layer is stopped.
  • Ru-TiO 2 stop sub in the table, on the glass substrate, means a state of forming to Ru-TiO 2 layers.
  • good in FIG. 10 means that the particle diameter is about 5 to 10 nm. Sample No. In the Ta layers of 12 to 14 and 16, it was confirmed from FIG. 10 that the grains were unclear and the Pt particles were not sufficiently separated.
  • FIG. 8 shows the grain density of the Pt layer on Ru—TiO 2 .
  • Sample No. With 11 Pt-24 vol% TiO 2 the grain density decreased. Relatively small particles were reduced, resulting in a uniform particle size distribution. Sample No. Even if it was 30 vol% of 15, the result did not change so much.
  • the XRD results of the samples in Table 5 are shown in FIG. This is an XRD profile obtained by ⁇ -2 ⁇ measurement in the perpendicular direction using X-ray diffraction.
  • the perpendicular of the one-dot chain line with 2 ⁇ of 39.76 degrees is the (111) Pt peak position due to the Pt nonmagnetic intermediate layer
  • the one-dot chain line perpendicular to 85.71 degrees is the Pt nonmagnetic intermediate layer.
  • FIG. 9 shows the Pt (111) peak intensity of the X-ray diffraction (XRD) of FIG.
  • XRD X-ray diffraction
  • Experimental Example 4 is an experimental example aimed at confirming the crystal grain separation structure from the Ru—TiO 2 first seed layer to the FePt—C layer.
  • the actual layer structure is FePt—C layer / MgO layer / ZnO layer / Pt—TiO 2 layer / Ru—TiO 2 layer / Ru orientation control layer / underlayer / substrate.
  • the experimental conditions up to the formation of the Ru—TiO 2 layer were the same as in Experimental Example 2.
  • Reference numeral 20 is a sample in which post-heating was performed at 450 ° C. for 60 minutes after all layers of each sample were formed.
  • the MgO and FePt—C were formed by heating to 400 ° C.
  • FIG. 13 is a graph showing the grain density at this time. Sample No. 17 and sample no. 18 is the same sample.
  • the grain density is almost constant up to the Ru—TiO 2 layer, MgO layer, and magnetic layer even by heating when forming the third seed layer and the magnetic layer, and it is good influenced by the lower layer. It has been confirmed that a granular structure has been formed.
  • Example 5 In order to increase the recording density of the heat-assisted magnetic recording medium, it is preferable to reduce the magnetic particle diameter of the magnetic recording layer to 6 nm or less. For the miniaturization of the magnetic recording layer, it is effective to make the seed layer formed under the magnetic recording layer fine.
  • a magnetic recording medium including a magnetic recording layer / third seed layer (MgO) / second seed layer (ZnO) / nonmagnetic intermediate layer (Pt + grain boundary material) / first seed layer (Ru + grain boundary material)
  • the grain boundary material contained in the nonmagnetic intermediate layer has the effect of suppressing grain size enlargement, but the crystal orientation of the second seed layer (ZnO seed layer), which is the original role of the nonmagnetic intermediate layer, is improved. The effect may be deteriorated.
  • Experimental Example 5 is an experimental example for the purpose of confirming the structure of the nonmagnetic intermediate layer consisting essentially of Pt.
  • FIG. 15 shows a magnetic recording medium 30 including a nonmagnetic intermediate layer 6c consisting essentially of Pt.
  • the multilayer thin film shown in the following Tables 7 and 8 was formed by sputtering. Each sample was post-heated at 400 ° C. for 60 minutes after film formation for the purpose of following the film formation process of the MgO seed layer and the magnetic recording layer.
  • the reference example has a configuration in which Pt-24 vol% TiO 2 including a grain boundary material is employed as the nonmagnetic intermediate layer, and this reference example was fabricated and evaluated. The film formation process of the reference example was the same as that of Experimental example 5.
  • the ZnO (002) integrated intensity is an integrated intensity value of a peak having 2 ⁇ of 33.4 to 35.4 degrees due to ZnO (002) in the XRD profile.
  • the particle diameter of the nonmagnetic intermediate layer is easily reflected in the magnetic particle diameter of the magnetic recording layer as it is. Accordingly, in order to achieve a magnetic particle diameter of 6 nm or less, it is preferable that the particle diameter of the nonmagnetic intermediate layer serving as the base is also 6 nm or less. As shown in FIG. 16, when Pt was used as the nonmagnetic intermediate layer, the particle size was almost the same when the film thickness was up to 2 nm as compared with the case of Pt—TiO 2 .
  • the film thickness is 4 nm or more, Pt aggregates and a granular structure cannot be seen.
  • the particle size enlargement was suppressed up to 2 nm of the nonmagnetic intermediate layer thickness, and a particle size of 6 nm could be achieved.
  • the film thickness of the nonmagnetic intermediate layer is greater in the case of using either the Pt or Pt—TiO 2 nonmagnetic intermediate layer than in the case where the nonmagnetic intermediate layer is not used (integrated intensity of 0 nm in FIG. 17).
  • the film thickness up to 2 nm higher strength was shown. This indicates that the crystal orientation is improved. From the above, it was found that a fine particle diameter of 6 nm or less and a good crystal orientation can be compatible by setting Pt as a nonmagnetic intermediate layer and a film thickness of 2 nm. In this experimental example, the result is a film thickness of 0.5 to 2 nm, but the same effect can be obtained with a film thickness of 0.1 to 3 nm.
  • the first seed layer made of Ru to which the grain boundary material is added and the Pt nonmagnetic intermediate layer having a film thickness of 0.1 to 3 nm or less are combined, additional grain boundary material is added to the Pt nonmagnetic intermediate layer. It was found that even if it was not, it would not be a continuous film but would have an island structure. It is considered that the grain boundary width is secured in the first seed layer, the film thickness of the nonmagnetic intermediate layer is thin, and Pt does not aggregate due to these factors. When the thickness of the Pt nonmagnetic intermediate layer is thin, Pt is selectively formed in the top portion of each Ru particle in the first seed layer. That is, Pt is not continuously formed between adjacent Rus, but is formed separately.
  • the crystal orientation of the ZnO seed can be further improved as compared with the case where the nonmagnetic intermediate layer is not used, similarly to the configuration using the Pt + grain boundary material for the nonmagnetic intermediate layer.
  • the fine particle size ( ⁇ 6 nm) and good crystal orientation can be compatible.

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Abstract

シード層を用いて、垂直磁気記録に適切な規則合金を含む磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体を提供する。あるいは、必要な熱安定性を確保しつつ記録密度を向上させる。あるいは、磁性層を厚くすることと粒径微細化とを両立させる。基板と、第１シード層と、ＺｎＯを含む第２シード層と、ＭｇＯを含む第３シード層と、規則合金を含む磁気記録層とをこの順に含み、前記第１シード層が、Ｒｕと、酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含むことを特徴とする磁気記録媒体である。

Description

磁気記録媒体およびこれを製造する方法
　本発明は、磁気記録媒体に関する。典型的には、本発明は、ハードディスク磁気記録装置（ＨＤＤ）に用いられる磁気記録媒体に関する。
　磁気記録の高密度化を実現する技術として、垂直磁気記録方式が採用されている。垂直磁気記録媒体は、非磁性基板と、硬質磁性材料から形成される磁気記録層を少なくとも含む。任意で、垂直磁気記録媒体は、軟磁性材料から形成されて、磁気ヘッドが発生する磁束を磁気記録層に集中させる役割を担う軟磁性裏打ち層を更に含んでもよい。任意で、垂直磁気記録媒体は、磁気記録層の硬質磁性材料を目的の方向に配向させるための下地層、および磁気記録層の表面を保護する保護層などをさらに含んでもよい。
　良好な磁気特性を得ることを目的として、グラニュラー磁性材料を用いて垂直磁気記録媒体の磁気記録層を形成することが提案されている。グラニュラー磁性材料は、磁性結晶粒と、磁性結晶粒の周囲を取り囲むように偏析した非磁性体とを含む。グラニュラー磁性材料中の個々の磁性結晶粒は、非磁性体によって磁気的に分離されている。
　近年、垂直磁気記録媒体の記録密度のさらなる向上を目的として、グラニュラー磁性材料中の磁性結晶粒の粒径を縮小させる必要に迫られている。一方で、磁性結晶粒の粒径の縮小は、記録された磁化（信号）の熱安定性を低下させる。磁性結晶粒の粒径の縮小による熱安定性の低下を補償するために、グラニュラー磁性材料中の磁性結晶粒を、より高い結晶磁気異方性を有する材料を用いて形成することが求められている。求められる高い結晶磁気異方性を有する材料として、Ｌ１0型規則合金が提案されている。代表的なＬ１0型規則合金は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｄなどを含む。
　従来技術のＣｏＣｒＰｔ系不規則磁性合金を含む磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体においては、ＲｕまたはＲｕ合金からなるシード層がしばしば用いられている。当該シード層は（００２）配向した六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する。これは、磁気記録層中のＣｏＣｒＰｔ系不規則磁性合金の磁化容易軸を垂直配向させるためである。たとえば、特開２０１２－１９５０２７号公報（特許文献１）および特開２０１３－５４８１９号公報（特許文献２）は、Ｒｕを含むシード層と、ＣｏＣｒＰｔ系不規則磁性合金を含む磁気記録層とを有するディスクリート磁気記録媒体およびパターンド磁気記録媒体を提案している。この提案において、シード層は、Ｒｕ層とＲｕ合金層との積層体である。更に、比較対照の例として、Ｒｕ層単層のシード層、Ｒｕ層とＲｕおよび酸化物を含むグラニュラー構造を有するＲｕ含有層との積層体であるシード層が開示されている。また、特開２０１５－１３５７１３号公報（特許文献３）は、金属酸化物ポストにおいて複数の部分に分割された、Ｒｕからなるシード層と、ＣｏＣｒＰｔ系不規則磁性合金を含む磁気記録層とを有するディスクリート磁気記録媒体およびパターンド磁気記録媒体を提案している。
　しかしながら、Ｌ１0型規則合金を含む磁気記録層を形成する場合には、（００２）配向したｈｃｐ構造を有するＲｕからなるシード層を用いることは困難と考えられていた。なぜなら、６回対称のｈｃｐ構造の（００２）面の上に、４回対称の正方形であるＬ１0型規則合金の（００１）面はエピタキシャル成長しないと考えられていたためである。
　この問題に対して、特開２０１２－０１４７５０号公報（特許文献４）は、（１１０）配向したｈｃｐ構造を有する、ＲｕまたはＲｕ合金からなるシード層の上に、（００１）配向したＬ１0型規則合金からなる磁気記録層を形成した磁気記録媒体を提案している。また、特開２００６－１９０００号公報（特許文献５）は、磁気記録密度の向上が期待される傾斜磁気記録媒体の製造にあたって、（１００）配向したｈｃｐ構造を有する、Ｒｕ、ＲｅまたはＯｓを含むシード層の上に、（１１１）配向したＬ１0型規則合金からなる磁気記録層を形成した磁気記録媒体を提案している。
　しかしながら、Ｒｕ等の金属単体または合金のシード層の上に規則合金からなる磁気記録層を形成する場合には、規則合金を規則化させるために必要な加熱処理によってＲｕ等の金属単体または合金のシード層の結晶粒が凝集する。そのために、規則合金においては、高い規則度と良好なグラニュラー構造を両立させることができないという問題がある。
特開２０１２－１９５０２７号公報 特開２０１３－５４８１９号公報 特開２０１５－１３５７１３号公報 特開２０１２－０１４７５０号公報 特開２００６－１９０００号公報
　本発明が解決しようとする課題の一例は、垂直磁気記録に好適な規則合金を含む磁気記録層を有する磁気記録媒体を提供することである。あるいは、本発明が解決しようとする課題の別の例は、必要な熱安定性を確保しつつ記録密度を向上させることである。あるいは、本発明が解決しようとする課題の別の例は、磁性層を厚くすることと粒径微細化とを両立することである。
　本発明の課題を解決するための手段の１例は、基板と、第１シード層と、ＺｎＯを含む第２シード層と、ＭｇＯを含む第３シード層と、規則合金を含む磁気記録層とをこの順に含み、前記第１シード層が、Ｒｕと、酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含むことを特徴とする磁気記録媒体である。ここで、前記第１シード層が、Ｒｕと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＳｉＯn（ｎ＝１．５～２．５）と、を含むことが好ましい。あるいは、前記第１シード層と前記第２シード層との間に非磁性中間層をさらに含み、前記非磁性中間層が、Ｐｔと、酸化物、炭素、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含むことが好ましい。このとき、前記非磁性中間層が、Ｐｔと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＣと、を含むことが好ましい。あるいは、前記第１シード層と前記第２シード層との間に非磁性中間層をさらに含み、前記非磁性中間層がＰｔから本質的になり、前記非磁性中間層が、０．１～３．０ｎｍの膜厚を有することが好ましい。また、前記基板と前記第１シード層との間に、ＲｕまたはＲｕ合金から形成された配向制御層をさらに含むことが好ましい。
　また、前記規則合金は、ＦｅおよびＣｏから選択される少なくとも一種の元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、およびＲｈからなる群から選択される少なくとも一種の元素とを含むＬ１0型規則合金であることが好ましい。ここで、前記規則合金は、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含むことが好ましい。また、前記規則合金は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、およびＣｏＰｄからなる群から選択されるＬ１0型規則合金であることが好ましい。更に、前記磁気記録層が、磁性結晶粒と、前記磁性結晶粒を包囲する非磁性結晶粒界とを含むグラニュラー構造を有し、前記磁性結晶粒は前記規則合金を含むことが好ましい。
　本発明の課題を解決するための手段の別の例は、磁気記録媒体を製造する方法であって、前記方法が、基板を準備する工程と、前記基板の上に第１シード層を形成する工程であって、前記第１シード層が、Ｒｕと、酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含む、工程と、前記第１シード層の上にＺｎＯを含む第２シード層を形成する工程と、前記第２シード層の上にＭｇＯを含む第３シード層を形成する工程と、前記第３シード層の上に規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを含み、前記磁気記録層を形成する際に、前記基板が３００℃～６００℃の範囲内で加熱される、方法である。ここで、前記第１シード層が、Ｒｕと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＳｉＯn（ｎ＝１．５～２．５）と、を含むことが好ましい。また、前記第１シード層と前記第２シード層との間に非磁性中間層を形成する工程をさらに含み、前記非磁性中間層が、Ｐｔと、酸化物、炭素、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含むことが好ましい。このとき、前記非磁性中間層が、Ｐｔと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＣと、を含むことが好ましい。あるいは、前記第１シード層と前記第２シード層との間に非磁性中間層を形成する工程をさらに含み、前記非磁性中間層がＰｔから本質的になり、前記非磁性中間層が、０．１～０．３ｎｍの膜厚を有することが好ましい。また、前記基板と前記第１シード層との間に配向制御層を形成する工程を更に含み、前記配向制御層がＲｕまたはＲｕ合金から形成されていることが好ましい。
　前記方法において、前記規則合金は、ＦｅおよびＣｏから選択される少なくとも一種の元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、ＩｒおよびＲｈからなる群から選択される少なくとも一種の元素とを含むＬ１0型規則合金であることが好ましい。ここで、前記規則合金は、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含むことが好ましい。また、前記規則合金は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、およびＣｏＰｄからなる群から選択されるＬ１0型規則合金であることが好ましい。更に、前記磁気記録層が、磁性結晶粒と、前記磁性結晶粒を包囲する非磁性結晶粒界とを含むグラニュラー構造を有し、前記磁性結晶粒は前記規則合金を含むことが好ましい。
　本発明によれば、垂直磁気記録に好適な規則合金からなる磁気記録媒体を形成することが可能となる。特に、Ｒｕ－ＴｉＯ2、あるいはＲｕ－ＳｉＯ2シード層を用いても、垂直磁気記録に好適な規則合金からなる磁気記録媒体を形成することが可能となる。あるいは、必要な熱安定性を確保しつつ記録密度を向上させることが可能となる。あるいは、磁性層を厚くすることと粒径微細化とを両立することができる。
本発明の磁気記録媒体の１つの構成例を示す概略断面図である。 本発明の磁気記録媒体の別の構成例を示す概略断面図である。 Ｒｕ－ＴｉＯ2層を形成し、加熱温度４５０℃、加熱時間６０分で加熱処理した後の、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察した写真である。 Ｒｕ－ＴｉＯ2層上にＰｔ層を形成し、加熱温度４５０℃、加熱時間６０分で加熱処理した後の、ＳＥＭにより観察した写真である。 Ｒｕ－ＴｉＯ2層上にＰｔ－Ｃ層を形成し、加熱温度４５０℃、加熱時間６０分で加熱処理した後の、ＳＥＭにより観察した写真である。 Ｒｕ－ＴｉＯ2層上にＰｔ－ＴｉＯ2層を形成し、加熱温度４５０℃、加熱時間６０分で加熱処理した後の、ＳＥＭにより観察した写真である。 Ｒｕ－ＴｉＯ2層上にＰｔ－ＴｉＯ2層を形成し、更にＺｎＯ層を形成し、加熱温度４５０℃、加熱時間６０分で加熱処理した後の、ＳＥＭにより観察した写真である。 Ｒｕ－ＴｉＯ2上のＰｔ層の粒密度を示す。 Ｘ線回折（ＸＲＤ）のＰｔ（１１１）ピーク強度を示す。 Ｔａ下地とＲｕ－ＴｉＯ2下地との比較を観察したＳＥＭ写真である。 図１０の参考としてのＲｕ－２４ｖｏｌ％ＴｉＯ2止めのＳＥＭ写真である。 図１０の例のＸＲＤ結果を示す。 各層で形成を止めたときの粒密度を示すグラフである。 実験例４のＳＥＭ観察結果を示す。 本発明の磁気記録媒体の更に別の構成例を示す概略断面図である。 非磁性中間層の粒径をＳＥＭにより観察した結果である。 第２シード層の結晶配向をＺｎＯ（００２）ピークの積分強度で比較したグラフである。
　本発明を実施するための形態の１例は、基板１と、第１シード層２と、ＺｎＯを含む第２シード層３と、ＭｇＯを含む第３シード層４と、規則合金を含む磁気記録層５とをこの順に含み、第１シード層２が、Ｒｕと、酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含む磁気記録媒体１０である。ここで、第１シード層２が、Ｒｕと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＳｉＯn（ｎ＝１．５～２．５）と、を含むことが好ましい。あるいは、第１シード層２と第２シード層３との間に非磁性中間層６をさらに含み、前記非磁性中間層６が、Ｐｔと、酸化物、炭素、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含むことが好ましい。このとき、非磁性中間層６が、Ｐｔと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＣと、を含むことが好ましい。あるいは、前記非磁性中間層がＰｔから本質的になり、前記非磁性中間層が、０．１～３．０ｎｍの膜厚を有することが好ましい。また、基板１と第１シード層２との間に、ＲｕまたはＲｕ合金から形成された配向制御層をさらに含むことが好ましい。
　また、前記規則合金は、ＦｅおよびＣｏから選択される少なくとも一種の元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、ＩｒおよびＲｈからなる群から選択される少なくとも一種の元素とを含むＬ１0型規則合金であることが好ましい。あるいは、前記規則合金は、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含むのが好ましい。あるいは、前記規則合金は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、およびＣｏＰｄからなる群から選択されるＬ１0型規則合金であることが好ましい。また、前記磁気記録層５が、磁性結晶粒と、前記磁性結晶粒を包囲する非磁性結晶粒界とを含むグラニュラー構造を有し、前記磁性結晶粒は前記規則合金を含むことが好ましい。また、前記非磁性結晶粒界は、炭素、酸化物、および窒化物からなる群から選択される非磁性材料を含むことが好ましい。
　図１に、基板１と、第１シード層２と、ＺｎＯを含む第２シード層３と、ＭｇＯを含む第３シード層４と、規則合金を含む磁気記録層５とをこの順に含み、第１シード層２が、Ｒｕと、酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含む磁気記録媒体１０の１つの構成例を示す。なお、本願の以下の説明において、共通する構成には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、Ａ／Ｂなどの表記は、Ａが上層であり、Ｂが下層であることを意味する。
　基板１は、表面が平滑である様々な板状部材であってもよい。たとえば、磁気記録媒体に一般的に用いられる材料を用いて、基板１を形成することができる。用いることができる材料は、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、ＭｇＯ単結晶、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＳｒＴｉＯ3、強化ガラス、結晶化ガラス等を含む。
　任意で、基板１と後に詳述する第１シード層２との間に、密着層、軟磁性裏打ち層、ヒートシンク層、配向制御層などを設けてもよい。
　任意で、密着層（不図示）を設けてもよい。密着層は、密着層の上に形成される層と密着層の下に形成される層との密着性を高めるために用いられる。密着層の下に形成される層は、基板１を包含する。密着層を形成するための材料はＮｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｕなどの金属、前述の金属を含む合金を含む。密着層は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層構造を有してもよい。本構成例において好ましい密着層は、ＣｒＴｉから構成される。
　任意で、軟磁性裏打ち層（不図示）を設けてもよい。軟磁性裏打ち層は、磁気ヘッドからの磁束を制御して、磁気記録媒体の記録・再生特性を向上させる。軟磁性裏打ち層を形成するための材料は、ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、ＣｏＦｅ合金などの結晶質材料、ＦｅＴａＣ，ＣｏＦｅＮｉ，ＣｏＮｉＰなどの微結晶質材料、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ合金を含む非晶質材料を含む。軟磁性裏打ち層の厚さの最適値は、磁気記録に用いる磁気ヘッドの構造および特性に依存する。他の層と連続して軟磁性裏打ち層を形成する場合、生産性との兼ね合いから、軟磁性裏打ち層が１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内（両端を含む）の厚さを有することが好ましい。
　本発明の磁気記録媒体を熱アシスト磁気記録方式において使用する場合、ヒートシンク層を設けてもよい。ヒートシンク層は、熱アシスト磁気記録時に発生する磁気記録層５の余分な熱を効果的に吸収するための層である。ヒートシンク層は、熱伝導率および比熱容量が高い材料を用いて形成することができる。そのような材料は、Ｃｕ単体、Ａｇ単体、Ａｕ単体、またはそれらを主体とする合金材料を含む。ここで、「主体とする」とは、当該材料の含有量が５０ｗｔ％以上であることを示す。また、強度などの観点から、Ａｌ－Ｓｉ合金、Ｃｕ－Ｂ合金などを用いて、ヒートシンク層を形成することができる。さらに、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、軟磁性のＣｏＦｅ合金などを用いてヒートシンク層を形成することができる。軟磁性材料を用いることによって、ヘッドの発生する垂直方向磁界を磁気記録層５に集中させる機能をヒートシンク層に付与し、軟磁性裏打ち層の機能を補完することもできる。ヒートシンク層の厚さの最適値は、熱アシスト磁気記録時の熱量および熱分布、ならびに磁気記録媒体の層構成および各構成層の厚さによって変化する。他の構成層と連続して形成する場合などは、生産性との兼ね合いから、ヒートシンク層の厚さは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。ヒートシンク層は、スパッタ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。通常の場合、ヒートシンク層は、スパッタ法を用いて形成される。ヒートシンク層は、磁気記録媒体に求められる特性を考慮して、基板１と密着層との間、密着層と配向制御層との間などに設けることができる。
　任意で、配向制御層（不図示）を設けてもよい。配向制御層は、後述する第１シード層２を（００２）配向したｈｃｐ構造にするための層である。前記配向制御層は、第１シード層２の下に形成される。前記配向制御層は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層構造を有してもよい。前記配向制御層の形成に用いることができる材料は、好適には、磁気記録層と同じ結晶構造であるｈｃｐ構造または面心立方（ｆｃｃ）構造を有する材料であるが、それらに限定されるものではない。例えば、配向制御層の形成に用いることができる材料は、ＲｕまたはＲｕ合金、Ｃｏ－Ｎｉ系合金、Ｎｉ合金、Ｐｔ合金、Ｐｄ合金、Ｔａ合金、Ｃｒ合金、Ｓｉ合金、およびＣｕ合金を含む。また、シード層との結晶格子サイズの整合性を向上させる目的で、当該材料は、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、およびＴｉからなる群から選択される１種または複数の元素をさらに含んでもよい。あるいはまた、シード層の粒子サイズを低減させる目的で、当該材料は、Ｂ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｓｉ酸化物、およびＴｉ酸化物からなる群から選択される１種または複数の材料をさらに含んでもよい。本構成例において好ましい配向制御層は、ＮｉＷ合金層、Ｒｕ層、またはそれらの積層構造を有する。また、配向制御層は、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。なお、配向制御層の膜厚は合計で１～２０ｎｍが、第１シード層の配向性の点から好ましい。
　第１シード層２は、Ｒｕと、酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。なお、Ｒｕとともに含まれる酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つは、粒界材料と呼ぶこともできる。粒界材料は、例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯなどの酸化物、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物、ＳｉＮ、ＴｉＮなどの窒化物とすることができる。また、第１シード層２に含まれる不純物としてのまたは意図しない酸化物等は、Ｒｕとともに含まれる酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つとは明確に区別される。酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つが、例えばＲｕの全体量を基準として５体積％以上であると、Ｒｕとともに第１シード層２に含まれているとすることができる。
　第１シード層２は、典型的には第２シード層３を結晶配向分散の小さい（００２）配向した六方ウルツ鉱型構造にするとともに、磁気記録層５までの良好なグラニュラー構造を導くための層である。このグラニュラー構造は、基板に平行な面において、個々の結晶粒子を別の材料で取り囲んだ構造であり、基板に垂直な断面においては、個々に分離した結晶粒子は柱状構造を有していることが好ましい。より具体的には、基板に垂直な断面においては、各結晶粒の上部および下部に粒界材料が形成されないことが好ましい。この場合、Ｒｕが結晶粒に相当する。第１シード層２は、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法により形成することができる。好ましくは、第１シード層２は、Ｒｕと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＳｉＯn（ｎ＝１．５～２．５）と、を含む。第１シード層２は、典型的にはＲｕ－ＴｉＯ2、あるいはＲｕ－ＳｉＯ2を含む。前記Ｒｕ‐ＴｉＯ2等を含む第１シード層２は、グラニュラー構造を有することが好ましい。このグラニュラー構造は、基板に平行な面において、Ｒｕ結晶粒の周囲を取り囲むようにＴｉＯ2等の粒界材料が偏析した状態である。なお、前記Ｒｕ―ＴｉＯ2とは、ＲｕとＴｉＯ2が並存した状態を意味し、Ｒｕ－ＳｉＯ2とは、ＲｕとＳｉＯ2が並存した状態を意味する。なお、前記第1シード層は単層であっても多層であってもよい。粒界材料の異なる層を積層してもよいし、濃度の異なる粒界材料の層を積層してもよい。
　図２に示すように、第１シード層２と後に詳述する第２シード層３との間に、非磁性中間層を設けることが好ましい。この場合、非磁性中間層は、Ｐｔと、酸化物、炭素、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含んでもよい。なお、Ｐｔとともに含まれる酸化物、炭素、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つは、粒界材料と呼ぶこともでき、例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯなどの酸化物、炭素（Ｃ）、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物、ＳｉＮ、ＴｉＮなどの窒化物とすることができる。例えば、非磁性中間層は、Ｐｔと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＣと、を含む。また、非磁性中間層に含まれる不純物としてのまたは意図しない酸化物等は、Ｐｔとともに含まれる酸化物、炭素（Ｃ）、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つとは明確に区別される。酸化物、炭素、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つが、例えばＰｔの全体量を基準として５体積％以上であると、Ｐｔとともに非磁性中間層に含まれているとすることができる。
　図２に示すように、第１シード層２と後に詳述する第２シード層３との間に、Ｐｔ－ＣまたはＰｔ－ＴｉＯ2から形成された非磁性中間層６を設けてもよい。前記非磁性中間層６（図２を参照）は、第２シード層３以降に形成される層のエピタキシャル成長を促進するための層である。本構成の磁気記録媒体２０において、非磁性中間層６は、第１シード層２から引き継いだ第２シード層３のグラニュラー構造を形成することができる。非磁性中間層６は、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。また、前記Ｐｔ－ＴｉＯ2等を含む非磁性中間層６は、グラニュラー構造を有することが好ましい。なお、Ｐｔ－Ｃとは、Ｐｔと炭素（Ｃ）の並存した状態を意味する。なお、前記非磁性中間層は単層であっても多層であってもよい。粒界材料の異なる層を積層してもよいし、濃度の異なる粒界材料の層を積層してもよい。
　或いは、第１シード層２と後に詳述する第２シード層３との間に、Ｐｔから本質的になる非磁性中間層を設け、前記非磁性中間層が、０．１～３．０ｎｍの膜厚を有するのが好ましい。前記非磁性中間層は、より好ましくは０．５～２．５ｎｍ、更により好ましくは０．５～２．０ｎｍの膜厚を有する。最も好ましくは、０．５～１．５nmの膜厚を有する。非磁性中間層がＰｔから本質的になるとき、非磁性中間層は、典型的には粒界材料を含まない。なお、本願において「ＡがＢから本質的になる」の表現は、Ａが、Ｂに加えて例えば更なるＣを含み得るものの、更なるＣがＡの特徴に実質的に影響しないことを規定するために用いられる。更なるＣの典型例は、意図せずに混入された不純物等である。前記の膜厚の範囲であれば、第１シード層のグラニュラー構造を崩さず維持できる。
　第２シード層３は、ＺｎＯを含む。また、第２シード層３は、ＺｎＯを７０ｗｔ％以上含むことが好ましい。ＺｎＯは、化学量論組成であっても、非化学量論組成であってもよい。本構成例において、第２シード層３中のＺｎＯは、典型的には（００２）配向した六方ウルツ鉱型結晶構造を有する。本構成例におけるＺｎＯは、化合物群であって、前記化合物群が、例えばＸ線回折を用いた面直方向のθ－２θ測定で得られるＸＲＤプロファイルがＺｎＯ結晶の代表的なピークである２θ＝３３．４°～３５．４°の範囲にピークを有する、化合物群、を含む。第２シード層３は、ｈｃｐ構造の（００２）面からなる第１シード層２の上において、ＭｇＯを含む第３シード層４を（００２）配向した塩化ナトリウム型構造にする効果を有する。更に、第２シード層３があることで第３シード層４が薄い場合でも、磁気記録層５の結晶配向分散を低減する効果を有すると考えられる。また、第１シード層２の結晶粒の分離構造を第３シード層４へ導くためには、厚さを厚くし過ぎてはならない。前述の効果を達成するために、第２シード層３は、１ｎｍから２０ｎｍの範囲内の厚さを有することが好ましい。
　第３シード層４は、ＭｇＯを含む。また、第３シード層４は、ＭｇＯを７０ｗｔ％以上含むことが好ましい。ＭｇＯは、化学量論組成であっても、非化学量論組成であってもよい。本構成例において、第３シード層４中のＭｇＯは、典型的には（００２）配向した塩化ナトリウム型結晶構造を有する。本構成例におけるＭｇＯは、化合物群であって、前記化合物群が、例えばＸ線回折を用いた面直方向のθ－２θ測定で得られるＸＲＤプロファイルが、ＭｇＯ結晶の代表的なピークである２θ＝４２．０°～４４．０°の範囲にピークを有する、化合物群、を含む。第３シード層４は、その上に形成される規則合金からなる磁気記録層５の規則度を向上させる。また、第３シード層４は、第２シード層３の結晶粒の分離構造を磁気記録層５へ導き、磁気記録層５中の磁性結晶粒の分離を促進すると考えられる。前述の効果を達成するために、第３シード層４は、１ｎｍから２０ｎｍの範囲内の厚さを有することが好ましい。
　第２シード層３および第３シード層４は、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。ここで、第３シード層４を形成する際に、基板１の温度を３００℃から５００℃の範囲内に設定することが好ましい。この加熱によって、ＭｇＯを含む第３シード層４の表面粗さを低減することができる。一方、ＺｎＯを含む第２シード層３においては、形成時に基板１を加熱する必要がない。基板１の加熱を伴わずに形成された第２シード層３は、基板１の加熱を伴って形成された第３シード層４と同等またはそれより低い表面粗さを実現することができる。
　前述の第１シード層２、第２シード層３および第３シード層４を含む積層構造のシード層を用いることによって、磁気記録層５中の規則合金の結晶配向を磁気記録媒体に適切な配向とすることが可能となる。特にＬ１0型規則合金の結晶配向を垂直磁気記録媒体に適切な（００１）配向とすることが可能となる。
　磁気記録層５は、規則合金を含む。前記規則合金は、ＦｅおよびＣｏからなる群から選択される少なくとも１種の第１元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、およびＲｈからなる群から選択される少なくとも１種の第２元素とを含む。好ましい規則合金は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、およびＣｏＰｄからなる群から選択されるＬ１0型規則合金である。特性変調のために、規則合金は、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含んでもよい。望ましい特性変調は、規則合金の規則化に必要な温度の低下を含む。
　本発明に用いられる規則合金において、第２元素に対する第１元素の比は、原子数を基準として０．７～１．３の範囲内、好ましくは０．８～１．１の範囲内としてもよい。この範囲内の組成比を用いることによって、大きな磁気異方性定数Ｋｕを有するＬ１0型規則構造を得ることができる。
　あるいはまた、磁気記録層５は、磁性結晶粒と、磁性結晶粒を取り囲む非磁性結晶粒界とからなるグラニュラー構造を有しても良い。磁性結晶粒は、前述の規則合金を含んでもよい。非磁性結晶粒界は、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯなどの酸化物、ＳｉＮ、ＴｉＮなどの窒化物、カーボン（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）などの材料を含んでもよい。
　また、磁気記録層５は複数の磁性層からなってもよい。複数の磁性層のそれぞれは、非グラニュラー構造であってもよいし、グラニュラー構造を有してもよい。さらに、Ｒｕなどの結合層を磁性層で挟んで積層したＥＣＣ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）構造を有してもよい。また、グラニュラー構造を含まない連続層（ＣＡＰ層）として第２の磁性層を、グラニュラー構造を有する磁性層の上部に設けてもよい。
　磁気記録層５は、スパッタ法により所定の材料を堆積させることによって形成することができる。規則合金を含む磁気記録層５を形成する場合、規則合金を形成する材料を含むターゲットを用いることができる。より詳細には、前述の規則合金を構成する元素を所定の比率で含むターゲットを用いることができる。あるいはまた、単一の元素を含む複数のターゲットを用い、それぞれのターゲットに印加する電力を調整して元素の比率を制御することによって、磁気記録層５を形成してもよい。グラニュラー構造を有する磁気記録層５を形成する場合、磁性結晶粒を形成する材料と非磁性結晶粒界を形成する材料とを所定の比率で含むターゲットを用いることができる。あるいはまた、磁性結晶粒を形成する材料を含むターゲットと非磁性結晶粒界を形成する材料を含むターゲットとを用いることができる。これらのそれぞれのターゲットに印加する電力を調整して磁性結晶粒および非磁性結晶粒界の構成比率を制御することによって、磁気記録層５を形成してもよい。ここで、磁性結晶粒を規則合金で形成する場合、規則合金を構成する元素を別個に含む複数のターゲットを用いてもよい。
　磁気記録層５が規則合金を含む場合、磁気記録層５を形成する際に基板１の加熱を伴う。この際の基板１の温度は、３００℃～６００℃の範囲内である。この範囲内の基板１の温度を採用することによって、磁気記録層５中の規則合金の規則度を向上させることができる。３００℃以上であるため、Ｌ１0規則合金の規則度を向上することができるという効果がある。６００℃以下であるため、表面粗さを抑制するという効果がある。
　任意で、保護層（不図示）を設けてもよい。保護層は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料を用いて形成することができる。具体的には、Ｐｔなどの非磁性金属、ダイアモンドライクカーボンなどのカーボン系材料、あるいは窒化シリコンなどのシリコン系材料を用いて、保護層を形成することができる。また、保護層は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層構造を有してもよい。積層構造の保護層は、たとえば、特性の異なる２種のカーボン系材料の積層構造、金属とカーボン系材料との積層構造、または金属酸化物層とカーボン系材料との積層構造であってもよい。保護層は、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。
　任意で、液体潤滑剤層（不図示）を設けてもよい。液体潤滑剤層は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料を用いて形成することができる。たとえば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤などを用いることができる。液体潤滑剤層は、たとえば、ディップコート法、スピンコート法などの塗布法を用いて形成することができる。
（実験例１）
　実験例１は、Ｒｕ－ＴｉＯ2第１シード層２の実験例である。作成した８種類のサンプルＮｏ．１～８の詳細を第１表に示す。サンプルＮｏ．１～２は、ガラス基板上に５．９ｎｍのＲｕ層が形成されたサンプルである。サンプルＮｏ．３～８はさらにその上にＲｕ－ＴｉＯ2層を０．６５～２．６ｎｍ形成したものである。Ｒｕ－ＴｉＯ2層のＴｉＯ2添加量はＲｕの全体体積を基準として２４ｖｏｌ（体積）％とした。Ｒｕ－ＴｉＯ2層の厚さは０．６５、１．３、２．６ｎｍの３種類とした。これらの内、偶数番のサンプルについてのみ加熱処理を行なった。加熱温度はＦｅＰｔの通常の形成時の温度である４５０℃とし、加熱時間は６０分とした。作製したサンプルについて走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により表面形状を観察し、粒径を計測した。なお、粒径とは、前記サンプル表面に生じた粒界材料で取り囲まれた粒子の直径である。具体的には、粒径はＳＥＭ観察による画像から画像解析ソフトウェア（三谷商事株式会社製、商品名：WinRoof）により、円相当径として解析し、平均粒径（Ｄ）、標準偏差（σ）、粒密度を導出した。なお、前記粒密度は１００００ｎｍ２当りの平均の粒の個数である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
(サンプルＮｏ．１，２)
　具体的なサンプル作製手順を説明する。最初に、平滑な表面を有する化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ－１０ガラス基板）を洗浄し、基板を準備した。洗浄後の基板を、インライン式のスパッタ装置内に導入した。
　層を形成する際には、最初に密着層としてＣｒ50Ｔｉ50ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により厚さ１５ｎｍのＣｒＴｉ層を形成した。次にＲｕ70Ｃｒ30ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により厚さ５ｎｍのＲｕＣｒの第１配向制御層を形成した。更にＲｕターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により厚さ５．９ｎｍのＲｕの第２配向制御層を形成した。上記の層の形成時は全て圧力０．３ＰａのＡｒガス中で基板温度は室温（２５℃）であった。また、Ｒｕ配向制御層形成時のスパッタ電力は２００Ｗであった。以上のようにしてサンプルＮｏ．１～２を作成した。
（サンプルＮｏ．３から８）
　具体的なサンプル作製手順を説明する。サンプルＮｏ．１，２と同様に最初に、平滑な表面を有する化学強化ガラス基板（ＨＯＹＡ社製Ｎ－１０ガラス基板）を洗浄し、基板を準備した。洗浄後の基板を、インライン式のスパッタ装置内に導入した。
　層を形成する際には、最初に密着層としてＣｒ50Ｔｉ50ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により厚さ１５ｎｍのＣｒＴｉ層を形成した。次にＲｕ70Ｃｒ30ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により厚さ５ｎｍのＲｕＣｒの第１配向制御層を形成した。更にＲｕターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により厚さ５．９ｎｍのＲｕの第２配向制御層を形成した。上記の層の形成時は全て圧力０．３ＰａのＡｒガス中で基板温度は室温（２５℃）であった。また、Ｒｕ配向制御層形成時のスパッタ電力は２００Ｗであった。
　次に、圧力０．３ＰａのＡｒガス中でＲｕ－２４ｖｏｌ％ＴｉＯ2ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により厚さ０．６５～２．６ｎｍのＲｕ－ＴｉＯ2第１シード層を形成した（サンプルＮｏ．３～８）。Ｒｕ－ＴｉＯ2第１シード層形成時の基板温度は室温（２５℃）であった。Ｒｕ－ＴｉＯ2第１シード層形成時のスパッタ電力は５０Ｗであった。以上のようにしてサンプルＮｏ．３から８を作成した。
　第１表に示すように、磁気記録層を形成せず、熱処理を施さないサンプルの平均粒径は６．４～６．５ｎｍであった。Ｒｕ－ＴｉＯ2層を形成したものは、熱処理のあり・なしで粒径に大きな変化は見られなかった。しかし、Ｒｕ－ＴｉＯ2層を形成せず、熱処理を行ったサンプルＮｏ．２では、Ｒｕ粒の異常な粗大化が観察された。結局、本サンプルでは粒径の測定が不能であった。
　以上より、第２配向制御層のＲｕ層上に形成されたＲｕ－ＴｉＯ2第１シード層が加熱によるＲｕ粒の粗大化を抑制する効果をもたらしていると考えられる。なお、基板上にＲｕ－ＴｉＯ2層を形成してもＲｕ粒子の粗大化は抑制され、同様な効果が得られるものと予想される。つまり、微細なＲｕ粒子の周囲を、ＴｉＯ2等が取り囲むように形成されるため、Ｒｕ粒子の粗大化が抑制されると考えられる。微細なＲｕ粒子を維持できるため、一対一成長した磁性粒子も微細な粒子とすることができる。また、Ｒｕ－ＴｉＯ2層だけでなく、Ｒｕ－ＳｉＯ2層においても同様な効果が得られた。このように、Ｒｕ－ＴｉＯ2層あるいはＲｕ－ＳｉＯ2層の粒子構造により、ＦｅＰｔ磁気記録層がエピタキシャル成長する際に、Ｒｕ－ＴｉＯ2層のグラニュラー構造を受けて、磁性粒子がきれいなグラニュラー構造をとることができるようになる。
　本実験例により、ＦｅＰｔ磁気記録層がエピタキシャル成長する際に、Ｒｕを酸化物等の粒子が取り囲む構造を受けて、磁性粒子がきれいな構造をとることができるようになる。特にＦｅＰｔ磁気記録層等の規則合金を用いた磁気記録層においては、磁気記録層を形成する際の加熱処理による配向制御層のＲｕ粒子の粗大化が抑制される。すなわち、磁気記録層を形成する時の加熱に対してもＲｕが粗大化せず、微細化が可能となる。シード層または配向制御層から磁気記録層まで各層粒子の一対一成長が可能となる。
（実験例２）
　実験例２は、Ｒｕ－ＴｉＯ2第１シード層２、ＺｎＯ第２シード層３、およびＭｇＯ第３シード層４を含み、更にＲｕ－ＴｉＯ2第１シード層２とＺｎＯ第２シード層３との間にＰｔ－Ｃ非磁性中間層６ａまたはＰｔ－ＴｉＯ2非磁性中間層６ｂを含む磁気記録媒体２０に関する実験例である。実験例２は、ＺｎＯ層／Ｐｔ層／Ｒｕ－ＴｉＯ2層の層構成において、Ｐｔ層に粒界材料を添加することで、Ｐｔ層、ＺｎＯ層における加熱による粒の凝集が抑えられるか検討するものである。特に、Ｒｕ配向制御層から結晶粒を１対１成長させ、ＦｅＰｔ磁性粒子の粒径および粒径のばらつきを低減することを求めたものである。なお、前記実験例１と同様の方法で、ガラス基板と第１シード層の間に、密着層、配向制御層（Ｒｕ）を設けた。具体的には、最初に密着層下地層としてＣｒ50Ｔｉ50ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により厚さ１５ｎｍのＣｒＴｉ層を形成した。次にＲｕターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により、第１配向制御層として、厚さ１０ｎｍのＲｕの配向制御層を形成した。
　非磁性中間層として、Ｐｔ、Ｐｔ－Ｃ、またはＰｔ－ＴｉＯ2を用いた層の形成条件を第２表に示す。前記非磁性中間層まで形成した後、後加熱４５０℃×６０ｍｉｎを実施した。各サンプルの構成を第３表に示す。なお、第３表において、例えば、Ｒｕ―ＴｉＯ2／Ｒｕ／密着層／ガラス基板のサンプルは、Ｒｕ―ＴｉＯ2まで形成した後、後加熱４５０℃×６０ｍｉｎを実施したことを意味する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　評価方法はＳＥＭによる表面観察とした。ＳＥＭにより観察した写真を図３～図６に示す。一般に、ＦｅＰｔを規則化させるためには高温での層形成が必要である。しかしながら、Ｐｔ層の膜厚が８ｎｍで、粒界材料を添加しない場合は、加熱によりＰｔが凝集してしまい第１シード層のＲｕの粒径を引き継ぐことができないことが確認された。これに対し、粒界材料（本実験例ではＣまたはＴｉＯ2）を添加することで配向制御層および第１シード層のＲｕの粒径を引き継ぐことができることが確認された。なお、図３～図６に記載のサンプルＮｏ．は後述する第５表に記載のサンプルＮｏ．に対応するものである。
　前記非磁性中間層であるＰｔ層、Ｐｔ－Ｃ層、またはＰｔ－ＴｉＯ２層上にＺｎＯを形成したときの条件を第４表に示す。層の形成後、後加熱４５０℃×６０ｍｉｎを実施した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　ＳＥＭにより観察した写真を図７に示す。Ｐｔ層の凝集を防ぐことで、ＺｎＯ層までＲｕ下地の粒径を維持しながら形成できることが確認された。
　本実験例により、Ｐｔ－Ｃ非磁性中間層またはＰｔ－ＴｉＯ2非磁性中間層は、磁性層形成時の加熱によっても、配向制御層および第１シード層の粒子凝集を抑えることが確認された。後加熱を行っても配向制御層および第１シード層の粒径を維持できることが確認された。特に、ｈｃｐ－Ｒｕ（００１）グラニュラー第１シード層を用いた、ＺｎＯ／Ｐｔ層／Ｒｕ－ＴｉＯ2グラニュラーの層構成において、Ｐｔ層に粒界材料を添加した、ＺｎＯ／Ｐｔグラニュラー／Ｒｕ－ＴｉＯ2グラニュラーの層構成とすれば、磁気記録層形成時の加熱によるシード層の粒子凝集を抑えることができ、後加熱を行ってもシード層の粒径を維持できる。
（実験例３）
　実験例３は、Ｒｕ－ＴｉＯ2第１シード層の効果を確認するための実験例である。実験例での層構成はＰｔ－Ｘ層／Ｒｕ－ＴｉＯ2層／Ｒｕ配向制御層／密着層／基板である。Ｒｕ－ＴｉＯ2第１シード層形成までの実験条件は実験例２と同様とした。Ｒｕ－ＴｉＯ2第１シード層、および比較対象としてのＴａ第１シード層の上に形成したＰｔ層（Ｐｔ、Ｐｔ－２４ｖｏｌ％Ｃ、またはＰｔ－２４ｖｏｌ％ＴｉＯ2）の粒形状を比較検討した。また、一部でＴｉＯ2添加量の増量（２４→３０ｖｏｌ％）を検討した。なお、各サンプルの層を形成後、後加熱４５０℃×６０ｍｉｎを実施した。結果を第５表に示す。なお、表中のＳＥＭ粒密度は、１辺１００ｎｍの正方形範囲に入る粒子の個数を数えることにより求めた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　図１０にＴａ第１シード層とＲｕ－ＴｉＯ2第１シード層との比較を観察したＳＥＭ写真を示す。図１１に図１０の参考としてのＲｕ－２４ｖｏｌ％ＴｉＯ2止め基板のＳＥＭ写真を示す。なお、本願において「止め」とは、その層以降の更なる層の形成を止めたことを意味する。具体的には、表中の“Ｒｕ－ＴｉＯ2止めｓｕｂ”は、ガラス基板上に、Ｒｕ－ＴｉＯ2層まで形成した状態を意味する。また、図１０中の「良」は、粒径が５～１０ｎｍ程度であることを意味する。サンプルＮｏ．１２から１４および１６のＴａ層では、図１０より、粒が不鮮明で、Ｐｔ粒子の分離が十分に行われないことが確認された。従って、この場合Ｐｔ－Ｘ層のグラニュラー構造が得られていないと考えられる。一方、第１シード層をＲｕ－ＴｉＯ2にとしたサンプルＮｏ．１０，１１、および１５は、粒の分離が鮮明であり、Ｐｔ－Ｘ層はグラニュラー構造が得られることが確認された。Ｒｕ－ＴｉＯ2上でのグラニュラー化は、Ｐｔ－ＣまたはＰｔ－ＴｉＯ2により得られることが確認された。また、サンプルＮｏ．９のＰｔのみでは結晶成長し、粒分離が見られないことが確認できた。
　図８は、Ｒｕ－ＴｉＯ2上のＰｔ層の粒密度を示す。サンプルＮｏ．１１のＰｔ－２４ｖｏｌ％ＴｉＯ2では、粒密度が減少した。比較的小さな粒子が減少し、均一な粒径分布となった。サンプルＮｏ．１５の３０ｖｏｌ％にしても、あまり変わらない結果となった。
　表５のサンプルのＸＲＤ結果を図１２に示す。これはＸ線回折を用いた面直方向のθ－２θ測定で得られるＸＲＤプロファイルである。図１２中の２θが３９．７６度の一点鎖線の垂線は、Ｐｔ非磁性中間層に起因する（１１１）Ｐｔピーク位置であり、８５．７１度の一点鎖線の垂線は、Ｐｔ非磁性中間層に起因する（２２２）Ｐｔピーク位置である。
　図９は、図１２のＸ線回折（ＸＲＤ）のＰｔ（１１１）ピーク強度を示す。Ｔａ第１シード層とＲｕ－ＴｉＯ2第１シード層の、Ｐｔ非磁性中間層の配向性の比較を示す。ピーク強度は、サンプルＮｏ．９と１２のように、Ｐｔだけの時は、Ｎｏ．１２のＴａ上とＮｏ．９のＲｕ－ＴｉＯ2上とで変わらなかった。一方、非磁性中間層が、Ｐｔ－Ｃ、Ｐｔ－ＴｉＯ2では、Ｒｕ－ＴｉＯ2上の方が大きくなった。これは、Ｒｕ－ＴｉＯ2上では、ＰｔとＣ（またはＰｔとＴｉＯ2）が分離し易くなったため、Ｐｔの結晶化が促進したと想定される。
（実験例４）
　実験例４は、Ｒｕ－ＴｉＯ2第１シード層からＦｅＰｔ－Ｃ層までの結晶粒の分離構造を確認することを目的とした実験例である。実際の層構成は、ＦｅＰｔ－Ｃ層／ＭｇＯ層／ＺｎＯ層／Ｐｔ－ＴｉＯ2層／Ｒｕ－ＴｉＯ2層／Ｒｕ配向制御層／下地層／基板である。Ｒｕ－ＴｉＯ2層形成までの実験条件は実験例２と同様とした。なお、サンプルＮｏ．１８からサンプルＮｏ．２０は、各サンプルの層を全て形成した後、後加熱４５０℃×６０ｍｉｎが実施されたサンプルである。また、前記ＭｇＯ、ＦｅＰｔ－Ｃは４００℃に加熱して形成した。各層で止めたサンプルを形成し、各層までの粒構造を比較した。第６表および図１４に実験例４のＳＥＭ観察結果を示す。図１３はこの時の粒密度を示すグラフである。なお、サンプルＮｏ．１７とサンプルＮｏ．１８は同じサンプルである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　本実験例から、第３シード層、磁性層を形成する時の加熱によっても、Ｒｕ－ＴｉＯ2層、ＭｇＯ層、磁性層までは、粒密度はほぼ一定であり、下層の影響を受けて良好なグラニュラー構造が形成されてきていることが確認された。
（実験例５）
　熱アシスト磁気記録媒体の高記録密度化のためには、磁気記録層の磁性粒子径を６ｎｍ以下に微細化することが好ましい。磁気記録層の微細化には、磁気記録層下に形成されるシード層の微粒子化が有効である。例えば、磁気記録層／第３シード層（ＭｇＯ）／第２シード層（ＺｎＯ）／非磁性中間層（Ｐｔ＋粒界材料）／第１シード層（Ｒｕ＋粒界材料）を含む構成の磁気記録媒体においては、非磁性中間層に含まれる粒界材料は、粒径肥大化を抑制する効果があるが、非磁性中間層本来の役割である第２シード層（ＺｎＯシード層）の結晶配向性改善効果を劣化させる場合がある。
　実験例５は、Ｐｔから本質的になる非磁性中間層の構造を確認することを目的とした実験例である。図１５はＰｔから本質的になる非磁性中間層６ｃを含む磁気記録媒体３０を示す。ガラス基板１上に、以下の第７表および第８表に示す多層薄膜をスパッタリングで形成した。各試料はＭｇＯシード層および磁気記録層の成膜プロセスに従うことを目的として、成膜後、４００℃、６０ｍｉｎの後加熱を施した。参考例は、非磁性中間層として粒界材料を含むＰｔ－２４ｖｏｌ％ＴｉＯ２が採用された構成を有し、この参考例が作製され評価された。参考例の成膜プロセスは実験例５と同様とした。非磁性中間層の粒径確認にはＳＥＭを用いた。第２シード層（ＺｎＯシード層）の結晶配向確認にはＸＲＤを用いた。実験条件を第７表および第８表に示す。結果を第９表、図１６、図１７に示す。なお、第９表の変動係数とは、標準偏差を平均値で割った値である。また、ＺｎＯ（００２）積分強度とは、ＸＲＤプロファイルにおいて、ＺｎＯ（００２）に起因する２θが３３．４～３５．４度にあるピークの強度積分値である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
［評価結果］
　非磁性中間層を用いて、第１シード層から磁気記録層まで１対１の関係でエピタキシャル成長するとき、非磁性中間層の粒子径は磁気記録層の磁性粒子径にそのまま反映されやすい。従って磁性粒子径６ｎｍ以下を達成するためには、下地となる非磁性中間層の粒径も６ｎｍ以下とするのが好ましい。図１６のように、Ｐｔを非磁性中間層として用いた場合、Ｐｔ－ＴｉＯ２の場合に対して、膜厚が２ｎｍまでにおいては、その粒径はほぼ同等であった。しかしながら、膜厚が４ｎｍ以上のものでは、Ｐｔが凝集してしまいグラニュラー構造が見られなくなっていた。非磁性中間層膜厚２ｎｍまでは粒径肥大化が抑制されており、粒径６ｎｍを達成できた。また、図１７にように、Ｐｔを非磁性中間層として用いた場合とＰｔ－ＴｉＯ２を用いた場合に対して、その直上に成膜される第２シード層（ＺｎＯシード層）の結晶配向をＺｎＯ（００２）ピークの積分強度で比較した。その結果、非磁性中間層を用いないもの（図１７における膜厚０ｎｍの積分強度）に比べて、Ｐｔ、Ｐｔ－ＴｉＯ２どちらの非磁性中間層を用いた場合でも、非磁性中間層膜厚２ｎｍまでの膜厚においては、より高い強度を示した。これは結晶配向が改善されていることを示している。以上から、Ｐｔを非磁性中間層とし、その膜厚を２ｎｍとすることで、６ｎｍ以下の微細粒子径と良好な結晶配向を両立できることが分かった。なお、本実験例では、膜厚０．５～２ｎｍの結果であるが、膜厚０．１～３ｎｍでも、同等の効果が得られる。
　粒界材料を添加したＲｕからなる第１シード層と、膜厚を０．１～３ｎｍ以下としたＰｔ非磁性中間層を組み合わせた場合、Ｐｔ非磁性中間層に更なる粒界材料を添加しなくても連続膜とならず、島状構造となることが分かった。第１シード層において粒界幅が確保されていること、非磁性中間層の膜厚が薄いこと、これらによりＰｔが凝集しないことが要因であると考えられる。Ｐｔ非磁性中間層の膜厚が薄いと、第一シード層の個々のＲｕ粒子の上部の頭の部分に、選択的に、Ｐｔが形成される。つまり、隣接するＲｕ間において、連続してＰｔは形成されず、分離して形成される。一方、Ｐｔ膜厚が厚くなると、Ｒｕ上部のＰｔは、隣接するＰｔと繋がり、Ｐｔは凝集したようになり、粒の分離は悪化する。本構成を用いると、非磁性中間層にＰｔ＋粒界材料を用いる構成と同様に、非磁性中間層を用いない場合に比べて、ＺｎＯシードの結晶配向を更に改善することができる。微細粒子径（～６ｎｍ）と良好な結晶配向が両立できる。
　　１　基板
　　２　第１シード層
　　３　ＺｎＯを含む第２シード層
　　４　ＭｇＯを含む第３シード層
　　５　磁気記録層
　　６　非磁性中間層
　　６ａ　Ｐｔ－Ｃ非磁性中間層
　　６ｂ　Ｐｔ－ＴｉＯ2非磁性中間層
　　６ｃ　Ｐｔ非磁性中間層
　　１０、２０、３０　磁気記録媒体

Claims (20)

  1. 　基板と、第１シード層と、ＺｎＯを含む第２シード層と、ＭｇＯを含む第３シード層と、規則合金を含む磁気記録層とをこの順に含み、前記第１シード層が、Ｒｕと、酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
  2. 　前記第１シード層が、Ｒｕと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＳｉＯn（ｎ＝１．５～２．５）と、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録媒体。
  3. 　前記第１シード層と前記第２シード層との間に非磁性中間層をさらに含み、前記非磁性中間層が、Ｐｔと、酸化物、炭素、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
  4. 　前記非磁性中間層が、Ｐｔと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＣと、を含むことを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
  5. 　前記第１シード層と前記第２シード層との間に非磁性中間層をさらに含み、前記非磁性中間層がＰｔから本質的になり、前記非磁性中間層が、０．１～３．０ｎｍの膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
  6. 　前記基板と前記第１シード層との間に、ＲｕまたはＲｕ合金から形成された配向制御層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
  7. 　前記規則合金は、ＦｅおよびＣｏから選択される少なくとも一種の元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、およびＲｈからなる群から選択される少なくとも一種の元素とを含むＬ１0型規則合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
  8. 　前記規則合金は、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
  9. 　前記規則合金は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、およびＣｏＰｄからなる群から選択されるＬ１0型規則合金であることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
  10. 　前記磁気記録層が、磁性結晶粒と、前記磁性結晶粒を包囲する非磁性結晶粒界とを含むグラニュラー構造を有し、前記磁性結晶粒は前記規則合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
  11. 　磁気記録媒体を製造する方法であって、前記方法が、
    　基板を準備する工程と、
    　前記基板の上に第１シード層を形成する工程であって、前記第１シード層が、Ｒｕと、酸化物、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含む、工程と、
    　前記第１シード層の上にＺｎＯを含む第２シード層を形成する工程と、
    　前記第２シード層の上にＭｇＯを含む第３シード層を形成する工程と、
    　前記第３シード層の上に規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを含み、
    　前記磁気記録層を形成する際に、前記基板が３００℃～６００℃の範囲内で加熱される、方法。
  12. 　前記第１シード層が、Ｒｕと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＳｉＯn（ｎ＝１．５～２．５）と、を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
  13. 　前記第１シード層と前記第２シード層との間に非磁性中間層を形成する工程をさらに含み、前記非磁性中間層が、Ｐｔと、酸化物、炭素、炭化物、および窒化物からなる群から選択された少なくとも１つと、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  14. 　前記非磁性中間層が、Ｐｔと、ＴｉＯm（ｍ＝１．５～２．５）またはＣと、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
  15. 　前記第１シード層と前記第２シード層との間に非磁性中間層を形成する工程をさらに含み、前記非磁性中間層がＰｔから本質的になり、前記非磁性中間層が、０．１～３．０ｎｍの膜厚を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  16. 　前記基板と前記第１シード層との間に配向制御層を形成する工程を更に含み、前記配向制御層がＲｕまたはＲｕ合金から形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  17. 　前記規則合金は、ＦｅおよびＣｏから選択される少なくとも一種の元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ、およびＲｈからなる群から選択される少なくとも一種の元素とを含むＬ１0型規則合金であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  18. 　前記規則合金は、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  19. 　前記規則合金は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、およびＣｏＰｄからなる群から選択されるＬ１0型規則合金であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  20. 　前記磁気記録層が、磁性結晶粒と、前記磁性結晶粒を包囲する非磁性結晶粒界とを含むグラニュラー構造を有し、前記磁性結晶粒は前記規則合金を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
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