WO2017094502A1 - 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

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賢治 三島
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ソニー株式会社
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    • H01L2924/166—Material
    • H01L2924/16786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/16788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Definitions

  • the present technology relates to a solid-state imaging device, a manufacturing method thereof, and an electronic device, and more particularly, to a solid-state imaging device, a manufacturing method thereof, and an electronic device that enable a higher yield.
  • Patent Documents 1 and 2 A structure in which a cover glass is directly bonded to the upper surface of an image sensor is known for the purpose of reducing the size and thickness of an image sensor package (for example, Patent Documents 1 and 2).
  • the size of the cover glass tends to increase as the area of the light receiving portion of the image sensor increases.
  • the distance between the cover glass and the bonding pad provided on the peripheral edge of the image sensor is reduced, and as a result, the yield may be reduced due to a design error.
  • This technology has been made in view of such a situation, and is intended to enable a higher yield.
  • a solid-state imaging device includes an optical sensor having a light receiving unit and a cover glass provided on the light receiving unit side of the optical sensor, and the cover glass is chamfered at a ridge that surrounds the surface on the optical sensor side. Part.
  • a method for manufacturing a solid-state imaging device includes an optical sensor having a light receiving unit and a cover glass provided on the light receiving unit side of the optical sensor, and the cover glass surrounds a surface on the optical sensor side.
  • a second step of cutting the glass material by forming a second groove that is narrower than the width of the opening along the first groove.
  • the cover glass is provided with a chamfered portion at a ridge surrounding the surface on the optical sensor side.
  • the yield can be further increased.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional solid-state imaging device.
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • wire 13 a transparent resin 14
  • cover glass 15 a seal. It is composed of a stop resin 16.
  • the image sensor 12 has a light receiving portion 12a, and the cover glass 15 is bonded to the light receiving portion 12a of the image sensor 12 via a transparent resin 14 as an adhesive.
  • the substrate 11 and the image sensor 12 are electrically connected through bonding pads 13a and 13b and wires 13 provided on the substrate 11 and the image sensor 12, respectively.
  • the structure shown in FIG. 1 makes it possible to reduce the size and thickness of the image sensor package.
  • the image sensor package having such a structure there is a condensing zone extending at a predetermined angle ⁇ from the light receiving portion 12a.
  • the angle ⁇ is, for example, about 22 ° to 25 °.
  • the size of the cover glass 15 tends to increase.
  • the distance between the end portion of the cover glass 15 and the bonding pad 13b becomes closer, and the risk of contact increases.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the design limit around the cover glass 15 of the solid-state imaging device 10 described above.
  • d1 represents a margin for preventing vignetting
  • d2 represents a margin for preventing the end portion of the cover glass 15 from contacting the bonding pad 13b.
  • D3 represents the shortest distance between the light receiving portion 12a and the bonding pad 13b.
  • an error in each of the x and y directions is 0.075 mm, and an error in the rotation direction is 0.5 °.
  • the external error of the cover glass 15 itself is ⁇ 0.03 mm, and the chipping of the cover glass 15 is 0.065 mm.
  • the margin d1 is 0.12 mm and the margin d2 is 0.081 mm, but in this case, the shortest distance d3 is limited to 0.46 mm. This indicates that, at present, mass production should be performed with a very small design margin, or enlargement of the pixel size must be restricted. Note that the error values in the above-described conditions are examples, but at least these errors can affect the degree of freedom of design.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of an embodiment of a solid-state imaging device to which the present technology is applied.
  • CMOS image sensor 32 as an optical sensor (hereinafter simply referred to as an image sensor 32), a wire 33, a transparent resin 34, a cover glass 35, and a sealing resin 36.
  • the substrate 31 is made of a material such as ceramic, organic material, plastic, or glass. Any of these may be used as the material for forming the substrate 31.
  • the image sensor 32 is die-bonded on the substrate 31.
  • the image sensor 32 includes a light receiving unit 32a in which unit pixels including a photoelectric conversion element (also simply referred to as pixels) are two-dimensionally arranged in a matrix, and an amount of charge corresponding to the amount of light incident on the light receiving unit 32a. Is detected as a physical quantity in units of pixels.
  • a photoelectric conversion element also simply referred to as pixels
  • the wire 33 is made of a material such as Au, Ag, or Cu.
  • the wire 33 electrically connects the substrate 31 and the image sensor 32.
  • Bonding pads 33a are provided on the periphery of the substrate 31 except for the image sensor 32, and bonding pads 33b are provided on the periphery of the image sensor 32 except for the light receiving part 32a.
  • the bonding pad 33a and the bonding pad 33b are connected by the wire 33 by wire bonding, so that the substrate 31 and the image sensor 32 are electrically connected.
  • a cover glass 35 is attached to the light receiving portion 32a side of the image sensor 32 with a transparent resin 34 as an adhesive.
  • the cover glass 35 has a chamfered portion C ⁇ b> 1 at a ridge portion surrounding the surface on the image sensor 32 side.
  • the chamfered portion C1 is formed on the reverse R surface.
  • a clearance can be secured between the cover glass 35 and the wire 33 (bonding pad 33b).
  • the shortest distance between the end of the light receiving portion 32a and the bonding pad 33b is 0.5 mm or less.
  • the sealing resin 36 seals the periphery of the cover glass 35 including the chamfered portion C1 together with the wire 33 connected to the bonding pad 33a and the bonding pad 33b.
  • the sealing resin 36 is formed by a molding method or a potting method.
  • the transparent resin 34 is formed (applied) so as to fill the space between the image sensor 32 and the lower surface of the cover glass 35.
  • the transparent resin 34 may be formed only on the outer peripheral portion of the light receiving unit 12 a of the image sensor 32.
  • the chamfered portion C1 is formed on the reverse R surface.
  • the chamfered portion C ⁇ b> 2 may be formed on the C surface.
  • the chamfered portion C ⁇ b> 2 is provided at the ridge portion on the lower surface of the cover glass 35, whereby a clearance can be ensured between the cover glass 35 and the wire 33 (bonding pad 33 b).
  • the clearance between the cover glass and the wire can be increased as compared with the structure of the conventional solid-state imaging device, contact between the cover glass and the wire due to an assembly error can be prevented.
  • the yield can be further increased.
  • the end portion of the cover glass can be made closer to the wire side by design, it is possible to suppress the occurrence of vignetting and increase the degree of freedom in design.
  • the design can be realized even when the distance between the end of the light receiving portion 32a and the bonding pad 33b is small, that is, when the area of the light receiving portion 32a is large with respect to the entire area of the image sensor 32. Therefore, it is possible to cope with the recent increase in pixel size.
  • the interface length between the side surface of the cover glass and the sealing resin becomes longer. As a result, it is possible to prevent water from entering the light receiving portion that occurs during a water resistance test or the like and improve the airtightness of the package.
  • FIG. 10 is a flowchart for explaining a manufacturing process for the solid-state imaging device 30, and FIGS. 11 and 12 are diagrams for explaining each process in the manufacturing of the solid-state imaging device 30.
  • step S31 the image sensor 32 is bonded on the substrate 31, as shown in step A of FIG. Thereafter, the adhesive is cured by heating for a predetermined time.
  • step S32 as shown in step B of FIG. 11, the bonding pad 33a on the substrate 31 and the bonding pad 33b on the image sensor 32 are electrically connected via the wire 33 by wire bonding.
  • step S33 an adhesive 34P is applied to the upper surface of the image sensor 32 as shown in step C of FIG.
  • step S34 as shown in process D of FIG. 12, the cover glass 35 is bonded to the upper surface of the image sensor 32. Thereafter, the adhesive 34P is cured under a predetermined condition, whereby the transparent resin 34 is formed.
  • Step S35 as shown in Step E of FIG. 12, the periphery of the cover glass 35 including the chamfered portion C1 is sealed with a sealing resin 36 by a molding method or a potting method, as well as the wire 33.
  • the solid-state imaging device 30 of the present technology is manufactured.
  • FIG. 13 is a flowchart for explaining the forming process of the cover glass 35
  • FIG. 14 is a diagram for explaining each process in forming the cover glass 35.
  • step S51 a first groove is formed in a glass material larger than the size of the cover glass 35.
  • a first groove is formed in a glass material 35M by a dicing blade 51 having a predetermined width (for example, 0.5 mm).
  • the cross section of the first groove to be formed is U-shaped as shown in Step B of FIG.
  • the cross section of the formed first groove is a V-shape that forms an angle of 90 °.
  • the first groove is formed so that the depth thereof is shallower than half of the thickness of the glass material 35M.
  • step S52 the glass material 35M is cut by forming the second groove along the first groove.
  • the first groove is formed by a dicing blade 52 having a width (for example, 0.2 mm) narrower than the width of the opening of the first groove, that is, the width of the dicing blade 51.
  • the glass material 35M is cut along.
  • the cover glass 35 having the chamfered portion C1 is formed as the individualized glass material 35M.
  • the cover glass 35 having the chamfered portion C2 described with reference to FIG. 9 is formed. become.
  • the first groove is formed to have a U-shaped cross section by machining using the dicing blade 51.
  • the first groove is formed by chemical processing such as etching.
  • the groove may be formed to have a U-shaped cross section.
  • the imaging apparatus refers to a camera system such as a digital still camera or a digital video camera, or an electronic apparatus having an imaging function such as a mobile phone.
  • a module-like form mounted on an electronic device that is, a camera module is used as an imaging device.
  • the electronic apparatus 200 shown in FIG. 15 includes an optical lens 201, a shutter device 202, a solid-state imaging device 203, a drive circuit 204, and a signal processing circuit 205.
  • FIG. 15 shows an embodiment in which the above-described solid-state imaging device 1 of the present technology is provided in an electronic apparatus (digital still camera) as the solid-state imaging device 203.
  • the optical lens 201 forms image light (incident light) from the subject on the imaging surface of the solid-state imaging device 203. Thereby, the signal charge is accumulated in the solid-state imaging device 203 for a certain period.
  • the shutter device 202 controls the light irradiation period and the light shielding period for the solid-state imaging device 203.
  • the drive circuit 204 supplies drive signals to the shutter device 202 and the solid-state imaging device 203.
  • the drive signal supplied to the shutter device 202 is a signal for controlling the shutter operation of the shutter device 202.
  • the drive signal supplied to the solid-state imaging device 203 is a signal for controlling the signal transfer operation of the solid-state imaging device 203.
  • the solid-state imaging device 203 performs signal transfer using a drive signal (timing signal) supplied from the drive circuit 204.
  • the signal processing circuit 205 performs various signal processing on the signal output from the solid-state imaging device 203.
  • the video signal subjected to the signal processing is stored in a storage medium such as a memory or output to a monitor.
  • the occurrence of vignetting can be suppressed in the solid-state imaging device 203. As a result, it is possible to provide an electronic device that can capture a high-quality image.
  • FIG. 16 is a diagram showing a usage example of the image sensor described above.
  • the image sensor described above can be used in various cases for sensing light such as visible light, infrared light, ultraviolet light, and X-ray as follows.
  • Devices for taking images for viewing such as digital cameras and mobile devices with camera functions
  • Devices used for traffic such as in-vehicle sensors that capture the back, surroundings, and interiors of vehicles, surveillance cameras that monitor traveling vehicles and roads, and ranging sensors that measure distances between vehicles, etc.
  • Equipment used for home appliances such as TVs, refrigerators, air conditioners, etc. to take pictures and operate the equipment according to the gestures ⁇ Endoscopes, equipment that performs blood vessel photography by receiving infrared light, etc.
  • Equipment used for medical and health care ⁇ Security equipment such as security surveillance cameras and personal authentication cameras ⁇ Skin measuring instrument for photographing skin and scalp photography Such as a microscope to do beauty Equipment used for sports such as action cameras and wearable cameras for sports applications etc.
  • Equipment used for agriculture such as cameras for monitoring the condition of fields and crops
  • this technique can take the following structures.
  • the chamfered portion is formed on a C surface.
  • the chamfered portion is formed by machining.
  • the solid-state imaging device according to any one of (1) to (5), further including a bonding pad disposed on a peripheral portion of the optical sensor excluding the light receiving portion. (7) The shortest distance between the end of the light receiving unit and the bonding pad is 0.5 mm or less.
  • the solid-state imaging device according to (6).
  • the solid-state imaging device according to (6) or (7), further including a sealing resin that seals the periphery of the cover glass including the chamfered portion together with the wire connected to the bonding pad.
  • An optical sensor having a light receiving portion; A cover glass provided on the light receiving part side of the optical sensor, The cover glass is a method of manufacturing a solid-state imaging device having a chamfered portion at a ridge that surrounds the surface on the optical sensor side, A first step of forming a first groove having a tapered cross section along a size of the cover glass in a glass material larger than the cover glass; A second step of cutting the glass material by forming a second groove that is narrower than the width of the opening along the first groove. (10) The manufacturing method according to (9), wherein the first step forms the first groove by a dicing blade. (11) The manufacturing method according to (9), wherein the first step forms the first groove by etching.
  • solid-state imaging device 31 substrate, 32 image sensor, 32a light receiving unit, 33 wire, 33a, 33b bonding pad, 34 adhesive, 35 cover glass, 36 sealing resin, 200 electronic device, 203 solid-state imaging device

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Abstract

本技術は、歩留まりをより高くすることができるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像装置は、受光部を有する光学センサと、光学センサの受光部側に設けられたカバーガラスとを備える。カバーガラスは、光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部を有する。本技術は、例えばCMOSイメージセンサ用のパッケージに適用することができる。

Description

固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
　本技術は、固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関し、特に、歩留まりをより高くすることができるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
　イメージセンサ用パッケージの小型化および薄型化を目的として、イメージセンサの上面に直接カバーガラスを貼り合わせた構造が知られている（例えば、特許文献１，２）。
特開２０１０－１７７６００号公報 特開平３－１１７５７号公報
　上述した構造のパッケージにおいては、近年、イメージセンサの受光部の面積拡大に伴い、カバーガラスのサイズも拡大する傾向にある。これにより、カバーガラスとイメージセンサ周縁部に設けられるボンディングパッドとの距離が近くなり、結果として、設計誤差によって歩留まりが低下するおそれがある。
　本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、歩留まりをより高くすることができるようにするものである。
　本技術の固体撮像装置は、受光部を有する光学センサと、前記光学センサの受光部側に設けられたカバーガラスとを備え、前記カバーガラスは、前記光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部を有する。
　本技術の固体撮像装置の製造方法は、受光部を有する光学センサと、前記光学センサの受光部側に設けられたカバーガラスとを備え、前記カバーガラスは、前記光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部を有する固体撮像装置の製造方法であって、前記カバーガラスよりも大きいガラス材料に、前記カバーガラスの大きさに沿って、テーパ形状の断面を有する第１の溝を形成する第１のステップと、前記第１の溝に沿って、その開口部の幅より狭い第２の溝を形成することで、前記ガラス材料を切断する第２のステップとを含む。
　本技術においては、カバーガラスに、光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部が設けられる。
　本技術によれば、歩留まりをより高くすることが可能となる。
従来の固体撮像装置の構造を示す断面図である。 集光ゾーンについて説明する図である。 ケラレについて説明する図である。 ボンディングパッドとの接触の危険性について説明する図である。 固体撮像装置の設計限界について説明する図である。 本技術の固体撮像装置の構造を示す断面図である。 面取り部の形状について説明する図である。 透明樹脂の形成の他の例について説明する図である。 面取り部の他の形状について説明する図である。 固体撮像装置の製造処理について説明するフローチャートである。 固体撮像装置の製造における各工程について説明する図である。 固体撮像装置の製造における各工程について説明する図である。 カバーガラスの形成処理について説明するフローチャートである。 カバーガラスの形成における各工程について説明する図である。 本技術の電子機器の構成例を示すブロック図である。 イメージセンサを使用する使用例を示す図である。
　以下、本技術の実施の形態について図を参照して説明する。なお、説明は以下に示す順序で行うこととする。
　１．従来の固体撮像装置の構造
　２．本技術の固体撮像装置の構造
　３．固体撮像装置の製造工程
　４．カバーガラスの形成工程
　５．電子機器の構成例
　６．イメージセンサの使用例
＜１．従来の固体撮像装置の構造＞
　図１は、従来の固体撮像装置の構造を示す断面図である。
　図１の固体撮像装置１０は、基板１１、光学センサとしてのCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ１２（以下、単に、イメージセンサ１２という）、ワイヤ１３、透明樹脂１４、カバーガラス１５、および封止樹脂１６から構成される。
　イメージセンサ１２は受光部１２ａを有し、カバーガラス１５は、イメージセンサ１２の受光部１２ａに、接着剤としての透明樹脂１４を介して貼り合わせられている。
　また、基板１１とイメージセンサ１２とは、それぞれに設けられたボンディングパッド１３ａ，１３ｂおよびワイヤ１３を介して電気的に接続される。
　図１に示される構造により、イメージセンサ用パッケージの小型化および薄型化を実現することができる。
　このような構造のイメージセンサ用パッケージにおいては、図２に示されるように、受光部１２ａから所定の角度θで広がる集光ゾーンが存在する。角度θは、例えば22°乃至25°程度とされる。
　ここで、図２において、カバーガラス１５の貼り付け位置が図中左側にずれた場合、図３に示されるように、本来、受光部１２ａに入射する光の一部が、封止樹脂１６に遮られてしまう。その結果、受光部１２ａの端部１２ｂが影になり、いわゆるケラレの原因となる。
　また、近年の画素サイズの拡大に伴い、カバーガラス１５のサイズも拡大する傾向にある。しかしながら、カバーガラス１５のサイズを大きくした場合、図４に示されるように、カバーガラス１５の端部とボンディングパッド１３ｂとの距離が近くなり、接触の危険性が増大する。
　図５は、上述した固体撮像装置１０のカバーガラス１５周辺における設計限界について説明する図である。
　図５において、d1は、ケラレが発生しないためのマージンを示しており、d2は、カバーガラス１５の端部とボンディングパッド１３ｂとが接触しないためのマージンを示している。また、d3は、受光部１２ａとボンディングパッド１３ｂとの最短距離を示している。
　ここで、例えば、カバーガラス１５のｘｙ平面上での貼り付け誤差として、ｘ，ｙ方向それぞれの誤差を0.075mm、回転方向の誤差を0.5°とする。また、カバーガラス１５自体の外形誤差を±0.03mmとし、カバーガラス１５のチッピングを0.065mmとする。
　上述した条件の場合、マージンd1として0.12mm、マージンd2として0.081mmだけ必要となるが、この場合、最短距離d3としては0.46mmが限界となる。このことは、現状、設計マージンが極めて小さい状態で量産をするか、または、画素サイズの拡大を制限しなければならないことを示している。なお、上述した条件における誤差の値は一例であるが、少なくとも、これらの誤差が設計の自由度に影響を及ぼしているということができる。
＜２．本技術の固体撮像装置の構造＞
　図６は、本技術を適用した固体撮像装置の一実施の形態の構造を示す断面図である。
　図６の固体撮像装置３０は、基板３１、光学センサとしてのCMOSイメージセンサ３２（以下、単に、イメージセンサ３２という）、ワイヤ３３、透明樹脂３４、カバーガラス３５、および封止樹脂３６から構成される。
　基板３１は、セラミック、有機材料、プラスチック、またはガラスなどの材料によって形成される。基板３１を形成する材料は、これらのいずれであってもよい。
　イメージセンサ３２は、基板３１上にダイボンディングされる。イメージセンサ３２は、光電変換素子を含む単位画素（単に、画素ともいう）が行列状に２次元配置されてなる受光部３２ａを有しており、受光部３２ａに入射した光量に応じた電荷量を物理量として画素単位で検知する。
　ワイヤ３３は、Au、Ag、またはCuなどの材料によって形成される。ワイヤ３３は、基板３１とイメージセンサ３２とを電気的に接続する。
　基板３１上のイメージセンサ３２を除く周縁部には、ボンディングパッド３３ａが設けられており、イメージセンサ３２の受光部３２ａを除く周縁部には、ボンディングパッド３３ｂが設けられている。ワイヤボンディングによって、ボンディングパッド３３ａとボンディングパッド３３ｂとがワイヤ３３により接続されることで、基板３１とイメージセンサ３２とが電気的に接続される。
　イメージセンサ３２の受光部３２ａ側には、接着剤としての透明樹脂３４によってカバーガラス３５が貼り付けられている。
　また、図７に示されるように、カバーガラス３５は、イメージセンサ３２側の面を囲う稜部に面取り部Ｃ１を有する。
　図７の例では、面取り部Ｃ１は、逆Ｒ面に形成されている。このように、カバーガラス３５下面の稜部に、面取り部Ｃ１が設けられることで、カバーガラス３５とワイヤ３３（ボンディングパッド３３ｂ）との間にクリアランスを確保することができる。なお、このクリアランスをより確実に確保するために、ワイヤ３３のアーチ部分の高さは低い方が望ましい。なお、受光部３２ａの端部とボンディングパッド３３ｂとの最短距離は、0.5mm以下とされる。
　封止樹脂３６は、ボンディングパッド３３ａとボンディングパッド３３ｂとに接続されるワイヤ３３とともに、面取り部Ｃ１を含むカバーガラス３５の周囲を封止する。封止樹脂３６は、モールド工法やポッティング工法により形成される。
　なお、図６および図７の例では、透明樹脂３４は、イメージセンサ３２とカバーガラス３５下面との間を全て満たすように形成（塗布）されるものとした。これに限らず、例えば、図８に示されるように、透明樹脂３４は、イメージセンサ３２の受光部１２ａの外周部分のみに形成されるようにしてもよい。
　また、図６および図７の例では、面取り部Ｃ１は、逆Ｒ面に形成されるものとした。これに限らず、例えば、図９に示されるように、面取り部Ｃ２が、Ｃ面に形成されるようにしてもよい。図９の例においても、カバーガラス３５下面の稜部に、面取り部Ｃ２が設けられることで、カバーガラス３５とワイヤ３３（ボンディングパッド３３ｂ）との間にクリアランスを確保することができる。
　以上の構成によれば、従来の固体撮像装置の構造と比較して、カバーガラスとワイヤとのクリアランスを大きくすることができるため、組み立て誤差によるカバーガラスとワイヤとの接触を防ぐことができ、歩留まりをより高くすることが可能となる。
　また、設計上、カバーガラスの端部をよりワイヤ側に近づけることができるので、ケラレの発生を抑制し、設計の自由度を高めることが可能となる。
　さらに、イメージセンサ３２において、受光部３２ａの端部とボンディングパッド３３ｂとの距離が小さい場合、すなわち、イメージセンサ３２全体の面積に対する受光部３２ａの面積が大きい場合であっても、設計を成り立たせることができるため、近年の画素サイズの拡大にも対応することが可能となる。
　また、カバーガラスに面取り部を設けることにより、カバーガラスの側面と封止樹脂との界面長が長くなる。これにより、耐水試験などの際に発生する受光部への水の侵入を防ぎ、パッケージの気密性を向上させることができる。
　なお、面取り部のないカバーガラスにおいては、その下面の稜部にチッピングやクラックが発生することが多く、その結果、カバーガラス自体が割れるおそれがあった。一方、本技術の固体撮像装置においては、カバーガラスに面取り部を設けることにより、チッピングやクラックの発生を抑制することができ、カバーガラスが割れるのを防ぐことができるようになる。
＜３．固体撮像装置の製造工程＞
　ここで、上述した固体撮像装置３０の製造工程について説明する。
　図１０は、固体撮像装置３０の製造処理について説明するフローチャートであり、図１１および図１２は、固体撮像装置３０の製造における各工程について説明する図である。
　図１０の処理は、基板３１上に接着剤が塗布された状態で開始される。
　ステップＳ３１において、図１１の工程Ａに示されるように、基板３１上にイメージセンサ３２がボンディングされる。その後、所定の時間加熱されることで、接着剤が硬化される。
　ステップＳ３２において、図１１の工程Ｂに示されるように、基板３１上のボンディングパッド３３ａと、イメージセンサ３２上のボンディングパッド３３ｂとが、ワイヤボンディングによりワイヤ３３を介して電気的に接続される。
　ステップＳ３３において、図１１の工程Ｃに示されるように、イメージセンサ３２上面に接着剤３４Ｐが塗布される。
　ステップＳ３４において、図１２の工程Ｄに示されるように、イメージセンサ３２上面に、カバーガラス３５がボンディングされる。その後、所定の条件によって接着剤３４Ｐが硬化されることで、透明樹脂３４が形成される。
　ステップＳ３５において、図１２の工程Ｅに示されるように、ワイヤ３３とともに、面取り部Ｃ１を含むカバーガラス３５の周囲が、モールド工法またはポッティング工法により、封止樹脂３６で封止される。
　以上のようにして、本技術の固体撮像装置３０が製造される。
＜４．カバーガラスの形成工程＞
　次に、本技術の固体撮像装置３０におけるカバーガラス３５の形成工程について説明する。
　図１３は、カバーガラス３５の形成処理について説明するフローチャートであり、図１４は、カバーガラス３５の形成における各工程について説明する図である。
　ステップＳ５１において、カバーガラス３５のサイズより大きいガラス材料に、第１の溝が形成される。
　具体的には、まず、図１４の工程Ａに示されるように、ガラス材料３５Ｍに、所定の幅（例えば0.5mm）のダイシングブレード５１により第１の溝が形成される。
　ここで、ダイシングブレード５１の先端が丸みを帯びている場合、図１４の工程Ｂに示されるように、形成される第１の溝の断面はＵ字型となる。また、図示はしないが、ダイシングブレード５１の先端が90°の角度をなす場合、形成される第１の溝の断面は90°の角度をなすＶ字型となる。
　なお、第１の溝は、その深さが、ガラス材料３５Ｍの厚さの半分より浅くなるように形成されるようにする。
　ステップＳ５２において、第１の溝に沿って第２の溝が形成されることで、ガラス材料３５Ｍが切断される。
　具体的には、図１４の工程Ｃに示されるように、第１の溝の開口部の幅、すなわちダイシングブレード５１の幅より狭い幅（例えば0.2mm）のダイシングブレード５２により、第１の溝に沿ってガラス材料３５Ｍが切断される。
　これにより、図１４の工程Ｄに示されるように、個片化されたガラス材料３５Ｍとして、面取り部Ｃ１を有するカバーガラス３５が形成される。
　なお、第１の溝が90°の角度をなすＶ字型の断面を有するように形成された場合には、図９を参照して説明した面取り部Ｃ２を有するカバーガラス３５が形成されるようになる。
　また、以上においては、ダイシングブレード５１を用いた機械加工によって、第１の溝がＵ字型の断面を有するように形成されるものとしたが、エッチングのような化学的加工によって、第１の溝がＵ字型の断面を有するように形成されるようにすることもできる。
　なお、本技術は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機等の撮像機能を有する電子機器のことをいう。なお、電子機器に搭載されるモジュール状の形態、すなわちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
＜５．電子機器の構成例＞
　ここで、図１５を参照して、本技術を適用した電子機器の構成例について説明する。
　図１５に示される電子機器２００は、光学レンズ２０１、シャッタ装置２０２、固体撮像装置２０３、駆動回路２０４、および信号処理回路２０５を備えている。図１５においては、固体撮像装置２０３として、上述した本技術の固体撮像装置１を電子機器（デジタルスチルカメラ）に設けた場合の実施の形態を示す。
　光学レンズ２０１は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置２０３の撮像面上に結像させる。これにより、信号電荷が一定期間、固体撮像装置２０３内に蓄積される。シャッタ装置２０２は、固体撮像装置２０３に対する光照射期間および遮光期間を制御する。
　駆動回路２０４は、シャッタ装置２０２および固体撮像装置２０３に、駆動信号を供給する。シャッタ装置２０２に供給される駆動信号は、シャッタ装置２０２のシャッタ動作を制御するための信号である。固体撮像装置２０３に供給される駆動信号は、固体撮像装置２０３の信号転送動作を制御するための信号である。固体撮像装置２０３は、駆動回路２０４から供給される駆動信号（タイミング信号）により信号転送を行う。信号処理回路２０５は、固体撮像装置２０３から出力された信号に対して各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶されたり、モニタに出力される。
　本実施の形態の電子機器２００においては、固体撮像装置２０３において、ケラレの発生を抑制することができるため、結果として、高画質の画像を撮影可能な電子機器を提供することが可能となる。
＜６．イメージセンサの使用例＞
　最後に、本技術を適用した固体撮像装置が備えるイメージセンサの使用例について説明する。
　図１６は、上述したイメージセンサの使用例を示す図である。
　上述したイメージセンサは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
　・デジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
　・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
　・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
　・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
　・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
　・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
　・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
　・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
　なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
　さらに、本技術は以下のような構成をとることができる。
（１）
　受光部を有する光学センサと、
　前記光学センサの受光部側に設けられたカバーガラスと
　を備え、
　前記カバーガラスは、前記光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部を有する
　固体撮像装置。
（２）
　前記面取り部は、Ｃ面に形成される
　（１）に記載の固体撮像装置。
（３）
　前記面取り部は、逆Ｒ面に形成される
　（１）に記載の固体撮像装置。
（４）
　前記面取り部は、機械加工により形成されてなる
　（１）乃至（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（５）
　前記面取り部は、エッチングにより形成されてなる
　（１）または（３）に記載の固体撮像装置。
（６）
　前記光学センサの前記受光部を除く周縁部に配置されるボンディングパッドをさらに備える
　（１）乃至（５）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（７）
　前記受光部の端部と前記ボンディングパッドとの最短距離は、0.5mm以下とされる
　（６）に記載の固体撮像装置。
（８）
　前記ボンディングパッドに接続されるワイヤとともに、前記面取り部を含む前記カバーガラスの周囲を封止する封止樹脂をさらに備える
　（６）または（７）に記載の固体撮像装置。
（９）
　受光部を有する光学センサと、
　前記光学センサの受光部側に設けられたカバーガラスと
　を備え、
　前記カバーガラスは、前記光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部を有する
　固体撮像装置の製造方法であって、
　前記カバーガラスよりも大きいガラス材料に、前記カバーガラスの大きさに沿って、テーパ形状の断面を有する第１の溝を形成する第１のステップと、
　前記第１の溝に沿って、その開口部の幅より狭い第２の溝を形成することで、前記ガラス材料を切断する第２のステップと
　を含む製造方法。
（１０）
　前記第１のステップは、ダイシングブレードにより前記第１の溝を形成する
　（９）に記載の製造方法。
（１１）
　前記第１のステップは、エッチングにより前記第１の溝を形成する
　（９）に記載の製造方法。
（１２）
　前記第２のステップは、前記第１の溝の開口部の幅より狭い幅のダイシングブレードにより前記ガラス材料を切断する
　（９）乃至（１１）のいずれかに記載の製造方法。
（１３）
　受光部を有する光学センサと、
　前記光学センサの受光部側に設けられたカバーガラスと
　を備え、
　前記カバーガラスは、前記光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部を有する固体撮像装置
　を備える電子機器。
　３０　固体撮像装置，　３１　基板，　３２　イメージセンサ，　３２ａ　受光部，　３３　ワイヤ，　３３ａ，３３ｂ　ボンディングパッド，　３４　接着剤，　３５　カバーガラス，　３６　封止樹脂，　２００　電子機器，　２０３　固体撮像装置

Claims (13)

  1. 　受光部を有する光学センサと、
    　前記光学センサの受光部側に設けられたカバーガラスと
    　を備え、
    　前記カバーガラスは、前記光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部を有する
    　固体撮像装置。
  2. 　前記面取り部は、Ｃ面に形成される
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 　前記面取り部は、逆Ｒ面に形成される
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  4. 　前記面取り部は、機械加工により形成されてなる
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  5. 　前記面取り部は、エッチングにより形成されてなる
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  6. 　前記光学センサの前記受光部を除く周縁部に配置されるボンディングパッドをさらに備える
    　請求項１に記載の固体撮像装置。
  7. 　前記受光部の端部と前記ボンディングパッドとの最短距離は、0.5mm以下とされる
    　請求項６に記載の固体撮像装置。
  8. 　前記ボンディングパッドに接続されるワイヤとともに、前記面取り部を含む前記カバーガラスの周囲を封止する封止樹脂をさらに備える
    　請求項６に記載の固体撮像装置。
  9. 　受光部を有する光学センサと、
    　前記光学センサの受光部側に設けられたカバーガラスと
    　を備え、
    　前記カバーガラスは、前記光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部を有する
    　固体撮像装置の製造方法であって、
    　前記カバーガラスよりも大きいガラス材料に、前記カバーガラスの大きさに沿って、テーパ形状の断面を有する第１の溝を形成する第１のステップと、
    　前記第１の溝に沿って、その開口部の幅より狭い第２の溝を形成することで、前記ガラス材料を切断する第２のステップと
    　を含む製造方法。
  10. 　前記第１のステップは、ダイシングブレードにより前記第１の溝を形成する
    　請求項９に記載の製造方法。
  11. 　前記第１のステップは、エッチングにより前記第１の溝を形成する
    　請求項９に記載の製造方法。
  12. 　前記第２のステップは、前記第１の溝の開口部の幅より狭い幅のダイシングブレードにより前記ガラス材料を切断する
    　請求項９に記載の製造方法。
  13. 　受光部を有する光学センサと、
    　前記光学センサの受光部側に設けられたカバーガラスと
    　を備え、
    　前記カバーガラスは、前記光学センサ側の面を囲う稜部に面取り部を有する固体撮像装置
    　を備える電子機器。
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