WO2017085936A1 - 誘電体フィルタユニット及び通信機器 - Google Patents

誘電体フィルタユニット及び通信機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2017085936A1
WO2017085936A1 PCT/JP2016/004925 JP2016004925W WO2017085936A1 WO 2017085936 A1 WO2017085936 A1 WO 2017085936A1 JP 2016004925 W JP2016004925 W JP 2016004925W WO 2017085936 A1 WO2017085936 A1 WO 2017085936A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
dielectric
dielectric block
opening
conductive layer
pattern
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/004925
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雅史 堀内
山本　晃生
吉川　博道
Original Assignee
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京セラ株式会社 filed Critical 京セラ株式会社
Priority to US15/777,584 priority Critical patent/US10707546B2/en
Priority to EP16865940.7A priority patent/EP3364496B1/en
Priority to JP2017551538A priority patent/JP6518340B2/ja
Publication of WO2017085936A1 publication Critical patent/WO2017085936A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2053—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/2002—Dielectric waveguide filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02—Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling
    • H01P5/022—Transitions between lines of the same kind and shape, but with different dimensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00—Resonators of the waveguide type
    • H01P7/04—Coaxial resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00—Resonators of the waveguide type
    • H01P7/10—Dielectric resonators

Definitions

  • the present disclosure relates to a dielectric filter unit and a communication device.
  • a dielectric filter including a dielectric resonator is known (for example, see Patent Document 1).
  • the dielectric resonator includes a dielectric block having a plane portion, and generates TM-mode resonance having an electric field component in a direction perpendicular to the plane portion inside the dielectric block.
  • a dielectric filter is required to have a wide signal passband width and be stable.
  • a dielectric filter unit includes a first dielectric block and a second dielectric block, and includes three or more dielectric blocks arranged in a predetermined direction, and a transmission line. Between the first dielectric block and the second dielectric block, at least one dielectric block among the three or more dielectric blocks is located. Each of the three or more dielectric blocks is electromagnetically coupled to one or two adjacent dielectric blocks. The transmission line is electromagnetically coupled to the first dielectric block and the second dielectric block.
  • a communication device includes a dielectric filter unit that includes a first dielectric block and a second dielectric block, and includes three or more dielectric blocks arranged in a predetermined direction, and a transmission line. Prepare. Between the first dielectric block and the second dielectric block, at least one dielectric block among the three or more dielectric blocks is located. Each of the three or more dielectric blocks is electromagnetically coupled to one or two adjacent dielectric blocks. The transmission line is electromagnetically coupled to the first dielectric block and the second dielectric block.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a circuit of the dielectric filter unit shown in FIGS. It is a graph which shows an example of the frequency characteristic of a dielectric material filter unit.
  • the dielectric filter 10 includes a first dielectric block 100, a second dielectric block 200, and a third dielectric block 300.
  • the first dielectric block 100, the second dielectric block 200, and the third dielectric block 300 are positioned side by side in the X-axis direction.
  • the third dielectric block 300 is located between the first dielectric block 100 and the second dielectric block 200.
  • the first dielectric block 100, the second dielectric block 200, and the third dielectric block 300 are also simply referred to as dielectric blocks.
  • each dielectric block is a substantially rectangular parallelepiped.
  • Each dielectric block is not limited to a substantially rectangular parallelepiped.
  • Each dielectric block may be a polyhedron.
  • Each dielectric block may be a solid that is at least partially surrounded by a curved surface.
  • the length of each dielectric block in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions is the same as the length of each of the other dielectric blocks in the X-axis, Y-axis, and Z-axis directions.
  • the length of each dielectric block in each direction may be different from the length of each dielectric block in each direction.
  • each dielectric block has six faces.
  • the first dielectric block 100 has a first surface 104 facing the negative direction of the Z axis and a second surface 105 facing the positive direction of the Z axis.
  • the first dielectric block 100 has a third surface 106 facing the negative direction of the X axis and a fourth surface 107 facing the positive direction of the X axis.
  • the first dielectric block 100 has a fifth surface 108 facing the positive direction of the Y axis and a sixth surface 109 facing the negative direction of the Y axis.
  • the second dielectric block 200 has a first surface 204 that faces the negative direction of the Z axis, and a second surface 205 that faces the positive direction of the Z axis.
  • the second dielectric block 200 has a third surface 206 that faces the negative direction of the X axis and a fourth surface 207 that faces the positive direction of the X axis.
  • the second dielectric block 200 has a fifth surface 208 facing the positive direction of the Y axis and a sixth surface 209 facing the negative direction of the Y axis.
  • the third dielectric block 300 has a first surface 304 that faces the negative direction of the Z-axis and a second surface 305 that faces the positive direction of the Z-axis.
  • the third dielectric block 300 has a third surface 306 facing the negative direction of the X axis and a fourth surface 307 facing the positive direction of the X axis.
  • the third dielectric block 300 has a fifth surface 308 facing the positive direction of the Y axis and a sixth surface 309 facing the negative direction of the Y axis.
  • Each dielectric block includes a dielectric base and a conductive layer located on each surface of the dielectric base.
  • the dielectric base may be composed of a dielectric material such as dielectric ceramics.
  • the dielectric material may be a dielectric ceramic material containing, for example, BaTiO3, Pb4Fe2Nb2O12, TiO2, and the like.
  • the dielectric material is not limited to dielectric ceramics, and may be a resin material such as an epoxy resin.
  • the dielectric material may have a high dielectric constant.
  • the relative dielectric constant may be 70 or more, for example.
  • a dielectric material having a small change in characteristics such as a resonance frequency according to a temperature change may be employed.
  • the conductive layer may be, for example, a metal thin film layer.
  • the conductive layer is not limited to a metal, and may include various conductive materials such as a nonmetallic conductive material.
  • the conductive material may be a conductive material mainly composed of an Ag alloy such as Ag, Ag—Pd, or Ag—Pt.
  • the conductive material may be a Cu-based, W-based, Mo-based, or Pd-based conductive material.
  • the conductive layer may be a material obtained by metallizing a dielectric block such as Ag metallization.
  • the conductive layer may be formed by a method including printing and baking, vapor deposition, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), and the like.
  • the conductive layer located on each surface of the dielectric base of each dielectric block is represented by adding a to the end of the symbol representing each surface.
  • the conductive layer located on the first surface 104 of the first dielectric block 100 is represented as a conductive layer 104a.
  • the conductive layers on each surface are electrically connected to each other. When at least a part of the conductive layer is grounded, the conductive layer on each surface has a ground potential.
  • the conductive layer 107a located on the fourth surface 107 has an opening 107b.
  • the first dielectric block 100 has a connection conductive layer 107 c on the fourth surface 107 in the opening 107 b.
  • the conductive layer 206a located on the third surface 206 has an opening 206b.
  • the second dielectric block 200 has a connection conductive layer 206 c in the opening 206 b and on the third surface 206.
  • the conductive layers 306a and 307a located on the third surfaces 306 and 307 respectively have openings 306b and 307b.
  • the third dielectric block 300 has connection conductive layers 306c and 307c in the openings 306b and 307b and on the third surfaces 306 and 307, respectively.
  • the connection conductive layers 107c, 206c, 306c, and 307c are located at predetermined intervals from the conductive layers 107a, 206a, 306a, and 307a, respectively.
  • the connection conductive layers 107c, 206c, 306c, and 307c are not electrically connected to the conductive layers 107a, 206a, 306a, and 307a, respectively.
  • the predetermined distance between the connection conductive layer 107c and the conductive layer 107a is set to a length that does not allow conduction to the conductive layer 107a even when a manufacturing error occurs in the position of the connection conductive layer 107c.
  • the predetermined intervals between the connection conductive layer 206c and the conductive layer 206a, between the connection conductive layer 306c and the conductive layer 306a, and between the connection conductive layer 307c and the conductive layer 307a are electrically conductive with the connection conductive layer 107c.
  • the length is set so as to allow a manufacturing error as well as the predetermined distance between the layer 107a.
  • the connection conductive layer may be configured similarly to the conductive layer.
  • the connection conductive layer may be, for example, a metal thin film layer.
  • the connection conductive layer is not limited to metal, and may include various conductive materials such as non-metallic conductive materials.
  • the conductive material may be a conductive material mainly composed of an Ag alloy such as Ag, Ag—Pd, or Ag—Pt.
  • the conductive material may be a Cu-based, W-based, Mo-based, or Pd-based conductive material.
  • the connection conductive layer may be a material obtained by metallizing a dielectric block such as Ag metallization.
  • the connection conductive layer may be formed by a method including printing and baking, vapor deposition, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), and the like.
  • the opening 107b and the opening 306b face each other.
  • the connection conductive layer 107c and the connection conductive layer 306c are electrically connected.
  • the opening 206b and the opening 307b face each other.
  • the connection conductive layer 206c and the connection conductive layer 307c are electrically connected.
  • the connection conductive layer 107c and the connection conductive layer 306c are electrically connected through a connection member 107d.
  • connection conductive layer 206c and the connection conductive layer 307c are electrically connected through a connection member 206d.
  • a connection member 206d for example, a solder material is included.
  • the connection conductive layer 107c and the connection conductive layer 306c, and the connection conductive layer 206c and the connection conductive layer 307c are not limited to the solder material, and may be joined with other materials.
  • the connection conductive layer 107c and the connection conductive layer 306c, and the connection conductive layer 206c and the connection conductive layer 307c can be electrically joined by a conductive adhesive, a conductive double-sided tape, or the like.
  • connection conductive layers 107c and 306c and the electrical connection of the connection conductive layers 206c and 307c can allow manufacturing errors in the relative positions of the dielectric blocks. Electrical insulation between connection conductive layer 107c and conductive layer 306a, electrical insulation between connection conductive layer 206c and conductive layer 307a, electrical insulation between connection conductive layer 306c and conductive layer 107a, and connection conductive layer 307c and conductive layer
  • the electrical isolation of 206a can allow manufacturing errors in the relative position of each dielectric block.
  • the facing of the openings 107b and 306b and the facing of the openings 206b and 307b can allow a manufacturing error in the relative position of each dielectric block.
  • the first dielectric block 100 and the third dielectric block 300 are electromagnetically coupled.
  • the connection conductive layer 107c and the connection conductive layer 306c are conducted, the coupling between the first dielectric block 100 and the third dielectric block 300 may be stronger.
  • the second dielectric block 200 and the third dielectric block 300 are electromagnetically coupled.
  • the connection conductive layer 206c and the connection conductive layer 307c are conducted, the coupling between the second dielectric block 200 and the third dielectric block 300 can be stronger.
  • the capacitive coupling is superior to the inductive coupling between the dielectric blocks.
  • the conductive layer 107a and the conductive layer 306a can directly conduct each other. At least a part of the conductive layer 107a and the conductive layer 306a can be bonded with a solder material or the like.
  • the conductive layer 107a and the conductive layer 306a are not limited to a solder material, and may be joined with other materials such as a conductive adhesive or a conductive double-sided tape.
  • the conductive layer 107a and the conductive layer 306a can be joined by a mechanical joining member including screws and bolts.
  • the conductive layer 107a and the conductive layer 306a can be joined by at least one connecting member 107d.
  • the connecting member 107d is located a predetermined distance away from the openings 107b and 306b in the positive and negative directions of the Y axis.
  • the position of the connecting member 107d is not limited to the above-described position, and may be on any region of the conductive layer 107a.
  • the position of the connecting member 107d may be on the entire conductive layer 107a.
  • the position of the connecting member 107d is not limited to the fourth surface 107, and may be on the third surface 306.
  • the connecting member 107d can be shown as a connecting member 306d on the third surface 306.
  • the conductive layer 206a and the conductive layer 307a can be directly connected to each other. At least a part of the conductive layer 206a and the conductive layer 307a can be joined by a solder material or the like. The conductive layer 206a and the conductive layer 307a are not limited to the solder material, and may be joined with other materials such as a conductive adhesive or a conductive double-sided tape. The conductive layer 206a and the conductive layer 307a can be joined by a mechanical joining member including screws and bolts. The conductive layer 206a and the conductive layer 307a can be joined by at least one connecting member 206d.
  • the connecting member 206d is located a predetermined distance away from the openings 206b and 307b in the positive and negative directions of the Y axis.
  • the position of the connecting member 206d is not limited to the above-described position, and may be on any region of the conductive layer 206a.
  • the position of the connecting member 206d may be on the entire conductive layer 206a.
  • the position of the connecting member 206d is not limited to the third surface 206, and may be on the fourth surface 307.
  • the connecting member 206d can be shown as a connecting member 307d on the fourth surface 307.
  • the first dielectric block 100 and the third dielectric block 300 are mechanically joined by a connecting member 107d.
  • a connecting member 107d By mechanically bonding the conductive layer 107a and the conductive layer 306a, the mechanical coupling between the first dielectric block 100 and the third dielectric block 300 may be stronger.
  • the second dielectric block 200 and the third dielectric block 300 are mechanically joined by a connecting member 206d.
  • a connecting member 206d By mechanically bonding the conductive layer 206a and the conductive layer 307a, the mechanical coupling between the second dielectric block 200 and the third dielectric block 300 may be stronger.
  • the conductive layer of the first dielectric block 100 and the conductive layer of the third dielectric block 300 are electrically connected by the connecting member 107d.
  • the conductive layer of the second dielectric block 200 and the conductive layer of the third dielectric block 300 are electrically connected by the connecting member 206d.
  • the dielectric filter 10 can be more electrically stable.
  • the conductive layer 104a has an opening 104b.
  • the conductive layer 204a has an opening 204b.
  • the conductive layer 304a has an opening 304b.
  • a signal is input to the dielectric filter 10 from the opening 104b.
  • the opening 104b is also referred to as a first opening through which a signal is input.
  • the conductive layer 104a having the opening 104b is also referred to as a first conductive layer.
  • a signal input to the first dielectric block 100 propagates to the second dielectric block 200 via the third dielectric block 300.
  • the signal propagated to the second dielectric block 200 is output from the opening 204b.
  • the opening 204b is also referred to as a second opening from which a signal is output.
  • the conductive layer 204a having the opening 204b is also referred to as a second conductive layer.
  • the signal is transmitted with a transmittance according to the resonance characteristics of each dielectric block. In other words, the transmittance of the dielectric filter 10 has a frequency characteristic corresponding to the resonance characteristic of each dielectric block.
  • the opening 304b affects the frequency characteristics of the transmittance of the dielectric filter 10, as will be described later.
  • the opening 304b is also referred to as a fifth opening.
  • the conductive layer 304a having the opening 304b is also referred to as a third conductive layer.
  • the signal may be input from the opening 204b and output from the opening 104b.
  • the dielectric filter unit 1 includes a dielectric filter 10 and a substrate 11.
  • the substrate 11 includes a first substrate 15 and a second substrate 16.
  • the first substrate 15 has a first substrate surface 12 that faces in the positive direction of the Z axis.
  • the second substrate 16 has a second substrate surface 13 that faces in the negative direction of the Z axis.
  • the substrate 11 has an intermediate surface 14 between the first substrate 15 and the second substrate 16.
  • the first substrate 15 and the second substrate 16 may be made of a dielectric material.
  • the first substrate 15 and the second substrate 16 may be made of an organic material.
  • the organic material may have a relative dielectric constant of about 4.
  • the first substrate 15 separates the circuit pattern located on the first substrate surface 12 from the circuit pattern located on the intermediate surface 14.
  • the second substrate 16 separates the circuit pattern located on the second substrate surface 13 from the circuit pattern located on the intermediate surface 14.
  • the first substrate 15 has vias 15a and 15b.
  • the second substrate 16 has vias 16a and 16b (see FIG. 4).
  • the via 15 a conducts a conductor as a circuit pattern located on the first substrate surface 12 and a conductor as a circuit pattern located on the intermediate surface 14.
  • the via 16 a conducts a conductor as a circuit pattern located on the second substrate surface 13 and a conductor as a circuit pattern located on the intermediate surface 14.
  • the vias 15b and 16b are conductive.
  • the vias 15 b and 16 b conduct a conductor located on the first substrate surface 12 and a conductor located on the second substrate surface 13.
  • the vias 15a, 15b, 16a and 16b may be various conductive materials such as metal or non-metal conductive materials.
  • the vias 15a, 15b, 16a and 16b may be formed by embedding Cu, for example.
  • the vias 15a, 15b, 16a and 16b may be formed by other methods.
  • the conductor as the circuit pattern may be various conductive materials such as metal or non-metal conductive material.
  • the conductor as the circuit pattern may be a copper foil.
  • the first substrate surface 12 has a circuit pattern on the top.
  • the circuit pattern on the first substrate surface 12 is shown by a solid line in FIG. 3, for example.
  • the first substrate surface 12 has eleventh patterns 12a, twelfth patterns 12b, and thirteenth patterns 12c as circuit patterns.
  • the eleventh pattern 12a is electrically grounded to the ground (GND) of the circuit to be mounted.
  • the eleventh pattern 12a has openings 12d, 12e, and 12f.
  • the openings 12d, 12e, and 12f are opposed to the openings 104b, 204b, and 304b of the dielectric filter 10, respectively.
  • the eleventh pattern 12 a is separated from the twelfth pattern 12 b and the thirteenth pattern 12 c in the first substrate surface 12.
  • the intermediate surface 14 has a circuit pattern on the top.
  • the circuit pattern on the intermediate surface 14 is indicated by a broken line in FIG. 3, for example, and is indicated by a solid line in FIG.
  • the intermediate surface 14 has a 31st pattern 14a, a 32nd pattern 14b, a 33rd pattern 14c, and a 34th pattern 14d as circuit patterns.
  • the thirty-first pattern 14a to the thirty-fourth pattern 14d are also referred to as transmission lines.
  • the thirty-first pattern 14a is also referred to as an input line.
  • the thirty-second pattern 14b is also referred to as an output line.
  • the thirty-third pattern 14c is also referred to as a first jumping coupled line.
  • the thirty-fourth pattern 14d is also referred to as a second jumping coupled line.
  • a part of the thirty-first pattern 14a may be electromagnetically coupled to the first dielectric block 100 through the opening 12d and the opening 104b.
  • a part of the thirty-second pattern 14b may be electromagnetically coupled to the second dielectric block 200 through the opening 12e and the opening 204b.
  • a part of the thirty-third pattern 14c may be electromagnetically coupled to the first dielectric block 100 through the opening 12d and the opening 104b.
  • a portion of the thirty-third pattern 14c may be electromagnetically coupled to the second dielectric block 200 through the opening 12e and the opening 204b.
  • the dielectric filter 10 can be coupled to a part of the transmission line through the openings 104b and 204b. Inductive coupling is superior to capacitive coupling in the coupling between the transmission line and each dielectric block.
  • the first end of the 31st pattern 14a is electrically connected to the 11th pattern 12a through the via 15a.
  • the second end of the 31st pattern 14a is electrically connected to the 12th pattern 12b through the via 15a.
  • the first end of the thirty-second pattern 14b is electrically connected to the eleventh pattern 12a through the via 15a.
  • the second end of the thirty-second pattern 14b is electrically connected to the thirteenth pattern 12c through the via 15a.
  • Both ends of the 33rd pattern 14c are electrically connected to the 11th pattern 12a through the via 15a.
  • the thirty-fourth pattern 14d faces the eleventh pattern 12a across the first substrate 15, but is not electrically connected to the eleventh pattern 12a.
  • the second substrate surface 13 has a circuit pattern.
  • the circuit pattern on the second substrate surface 13 is indicated by a broken line in FIG. 4, for example.
  • the second substrate surface 13 includes a twenty-first pattern 13a, a twenty-second pattern 13b, and a twenty-third pattern 13c.
  • the 21st pattern 13a is electrically grounded to the ground (GND) of the circuit to be mounted.
  • the thirty-first pattern 14a, the thirty-second pattern 14b, the thirty-third pattern 14c, and the thirty-fourth pattern 14d pattern are located on the intermediate surface 14.
  • the thirty-first pattern 14a, thirty-second pattern 14b, thirty-third pattern 14c, and thirty-fourth pattern 14d pattern are indicated by solid lines in FIG.
  • the first end of the 31st pattern 14a is electrically connected to the 21st pattern 13a through the via 16a.
  • the second end of the 31st pattern 14a is electrically connected to the 22nd pattern 13b through the via 16a.
  • the first end of the 32nd pattern 14b is electrically connected to the 21st pattern 13a through the via 16a.
  • the second end of the 32nd pattern 14b is electrically connected to the 23rd pattern 13c through the via 16a.
  • Both ends of the thirty-third pattern 14c are electrically connected to the twenty-first pattern 13a through the via 16a.
  • a part of the 34th pattern 14d faces the 21st pattern 13a across the second substrate 16, but is not electrically connected to the 21st pattern 13a.
  • the first end of the 34th pattern 14d faces the 22nd pattern 13b with the second substrate 16 in between.
  • the twenty-second pattern 13b is electromagnetically coupled to the first end of the thirty-fourth pattern 14d.
  • the second end of the 34th pattern 14d faces the 23rd pattern 13c with the second substrate 16 in between.
  • the second end of the 34th pattern 14d is electromagnetically coupled to the 23rd pattern 13c.
  • the coupling between the thirty-fourth pattern 14d and the twenty-second pattern 13b and the coupling between the thirty-fourth pattern 14d and the twenty-third pattern 13c are superior in capacitive coupling compared to inductive coupling.
  • the via 15b of the first substrate 15 and the via 16b of the second substrate 16 are electrically connected.
  • the eleventh pattern 12a on the first substrate surface 12 is electrically connected to the twenty-first pattern 13a on the second substrate surface 13 through the via 15b and the via 16b.
  • the number of vias 15b and 16b is not limited to four, and may be three or less, or may be five or more.
  • the positions of the vias 15b and 16b are not limited to the positions shown in FIGS. 3 and 4, and may be other positions.
  • the first end of the 31st pattern 14a is grounded via the via 16a and the 21st pattern 13a of the second substrate surface 13.
  • the first end of the thirty-second pattern 14b is grounded via the via 16a and the twenty-first pattern 13a of the second substrate surface 13.
  • the first end of the thirty-first pattern 14a and the first end of the thirty-second pattern 14b increase the amount of current due to grounding, thereby increasing the magnetic field.
  • the magnetic field around the 31st pattern 14a becomes stronger, the magnetic field coupling between the 31st pattern 14a and the first dielectric block 100 becomes stronger.
  • the magnetic field around the 32nd pattern 14b becomes stronger, the magnetic field coupling between the 32nd pattern 14b and the second dielectric block 200 becomes stronger.
  • a high frequency signal is input to the dielectric filter unit 1 shown in FIGS.
  • the high frequency signal is input from the 22nd pattern 13b.
  • the input signal is transmitted to the thirty-first pattern 14a as an input line through the via 16a.
  • the signal excites a TM (transverse magnetic) mode signal inside the first dielectric block 100.
  • the signal excited inside the first dielectric block 100 excites a TM mode signal inside the third dielectric block 300.
  • the signal excited inside the third dielectric block 300 excites a TM mode signal inside the second dielectric block 200.
  • the signal excited by the second dielectric block 200 is transmitted to the thirty-second pattern 14b as an output line via the magnetic coupling between the second dielectric block 200 and the thirty-second pattern 14b.
  • the signal transmitted to the 32nd pattern 14b is output from the 23rd pattern 13c via the via 16a.
  • the TM mode is one of resonance modes of an electromagnetic field that can be excited inside the dielectric block.
  • the signal transmitted in the X axis direction by the 31st pattern 14a generates a magnetic field loop in the YZ plane perpendicular to the X axis around the 31st pattern 14a.
  • the magnetic field loop may enter the first dielectric block 100 through the opening 12d and the opening 104b.
  • the magnetic field loop induces an electric field vector directed in the X-axis direction inside the first dielectric block 100.
  • a magnetic field loop is generated inside the first dielectric block 100 due to the electric field vector induced inside the first dielectric block 100.
  • the electric field vector indicated by E is induced linearly so as to face the X-axis direction.
  • the magnetic field loop indicated by H is generated along an ellipse having the electric field vector as an axis in the YZ plane orthogonal to the electric field vector.
  • the electric field vector induced inside the first dielectric block 100 and the magnetic field loop generated by the electric field vector generate TM mode resonance having a predetermined resonance frequency inside the first dielectric block 100.
  • the electric field vector and the magnetic field loop shown in FIGS. 5 and 6 represent TM mode resonance in which the electric field vector is directed in the X-axis direction.
  • the TM mode in which the electric field vector faces in the X-axis direction is also referred to as TM-X mode.
  • the TM mode resonance not only occurs so that the electric field vector is oriented in the X-axis direction, but can also occur when the electric field vector is oriented in the Y-axis direction or the Z-axis direction.
  • the TM mode in which the electric field vector is oriented in the Y-axis direction is also referred to as TM-Y mode.
  • the TM mode in which the electric field vector is directed in the Z-axis direction is also referred to as TM-Z mode.
  • the thirty-first pattern 14a extends in the X-axis direction near the opening 12d and the opening 104b. Near the opening 12d and the opening 104b, the thirty-first pattern 14a generates a magnetic field loop in the YZ plane orthogonal to the X axis. A magnetic field loop generated in the YZ plane tends to excite the TM-X mode inside the first dielectric block 100.
  • Each dielectric block is electromagnetically coupled to another adjacent dielectric block via the openings 107b and 306b and the openings 307b and 206b.
  • a signal having a resonance frequency of TM-X mode resonance propagates in the dielectric filter 10 in the X-axis direction.
  • a signal having a resonance frequency of TM-X mode resonance can be strongly propagated by the electric field vector between the dielectric blocks arranged in the X-axis direction.
  • Each dielectric block can be said to be electric field coupled.
  • TM-X mode signals are easier to propagate than TM-Y mode and TM-Z mode signals.
  • Dielectric blocks 100, 200, and 300 have openings 107b, 306a, 307b, and 206a in the center of the YZ plane where the electric field of TM-X mode is large, thereby facilitating signal propagation by the electric field vector.
  • each dielectric block is electric field coupled.
  • the attenuation poles (antiresonance points) exist on the lower frequency side than the resonance frequency due to the electric field coupling of the dielectric blocks.
  • the dielectric filter unit 1 can realize frequency characteristics whose attenuation band is lower than the pass band by using the attenuation pole.
  • the pass band is a frequency band in which attenuation when a signal passes through the dielectric filter unit 1 is small.
  • the attenuation band is a frequency band in which attenuation when a signal passes through the dielectric filter unit 1 is large.
  • the resonance frequency of the TM-Y mode and the TM-Z mode is higher than the resonance frequency of the TM-X mode.
  • the dielectric filter unit 1 sets the TM-X mode that resonates at the lowest frequency within the pass band.
  • the TM-Y mode and the TM-Z mode affect the attenuation band where the resonance frequency of the TM-Y mode and the TM-Z mode is higher than the resonance frequency of the TM-X mode and lower than the passband. The impact is small.
  • the resonance frequency of TM mode is determined according to the size of the magnetic field loop.
  • TM-X mode resonance occurs inside the first dielectric block 100
  • a magnetic field loop due to TM-X mode resonance occurs on a plane parallel to the third surface 106 and the fourth surface 107.
  • the magnetic field loop due to the resonance of the TM-X mode becomes larger according to the areas of the third surface 106 and the fourth surface 107.
  • the resonance frequency of the TM-Y mode can be lower as the areas of the fifth surface 108 and the sixth surface 109 are larger.
  • the resonance frequency of the TM-Z mode can be lower as the area of the second surface 105 and the first surface 104 is larger.
  • the relationship between the resonance frequency and the area of each surface can be established in common in each dielectric block.
  • the area of the third surface 106 and the fourth surface 107 is larger than the areas of the second surface 105 and the first surface 104 and the areas of the fifth surface 108 and the sixth surface 109.
  • the length in the X-axis direction of the first dielectric block 100 is the shortest, the areas of the third surfaces 106 and 107 are the largest.
  • the TM-X mode magnetic field loop is larger than the TM-Y mode magnetic field loop and the TM-Z mode magnetic field loop.
  • the resonance frequency of the TM-X mode is lower than that of the TM-Y mode and TM-Z mode.
  • the size relationship of the resonance frequency of each mode is determined.
  • the resonance frequency in the third dielectric block 300 can be brought close to the resonance frequency in the first dielectric block 100 and the second dielectric block 200 by adjusting the size of the opening 304b provided as a dummy opening.
  • the opening 304b is offset in the positive direction of the Y axis.
  • connection conductive layers 107c and 306c and the connection conductive layers 307c and 206c are electrically connected to each other. The effect of voids can be reduced. In the dielectric filter 10 having the connection conductive layers 107c, 306c, 307c, and 206c, the electric field coupling between the dielectric blocks can be stabilized even if there is a gap between the dielectric blocks.
  • the size of the dielectric block may be determined according to the specification relating to the resonance frequency of the TM-X mode.
  • the length of the dielectric block in the Y-axis direction and the Z-axis direction may be determined so as to satisfy the specification relating to the resonance frequency of the TM-X mode.
  • the length of the dielectric block in the Z-axis direction corresponds to the height protruding from the substrate 11 in the entire dielectric filter unit 1.
  • the length of the dielectric block in the Z-axis direction may be determined according to the external specification of the dielectric filter unit 1.
  • the length of the dielectric block in the X-axis direction may be determined according to the specification of the loss of the signal propagating between the dielectric blocks. The shorter the dielectric block is in the X-axis direction, the greater the loss in each dielectric block. As the loss increases, the Q value of the resonator constituted by the dielectric block can be reduced.
  • the openings 107b, 306b, 307b and 206b can be positions where the electric field generated by the TM-X mode resonance is maximized on the fourth surfaces 107, 306, 307 and 206 of the dielectric block.
  • the sizes of the openings 107b, 306b, 307b, and 206b may be determined according to the specifications of the coupling strength between the dielectric blocks.
  • the connection conductive layers 107c, 306c, 307c, and 206c may be enlarged to such an extent that they do not conduct with the conductive layers 107a, 306a, 307a, and 206a.
  • the dielectric filter unit 1 is schematically illustrated as a circuit including a dielectric filter 10.
  • the dielectric filter 10 includes a first resonator 501, a second resonator 502, a third resonator 503, capacitors 504 and 505, an input unit 521, and an output unit 522.
  • the first resonator 501, the second resonator 502, and the third resonator 503 correspond to the first dielectric block 100, the second dielectric block 200, and the third dielectric block 300, respectively.
  • the first resonator 501, the second resonator 502, and the third resonator 503 are also simply referred to as resonators.
  • the input unit 521 and the output unit 522 correspond to the opening 104b of the first dielectric block 100 and the opening 204b of the second dielectric block 200, respectively.
  • the capacitor 504 connected between the first resonator 501 and the third resonator 503 has a capacitive coupling superior to the inductive coupling between the first resonator 501 and the third resonator 503. Show.
  • the capacitor 505 connected between the third resonator 503 and the second resonator 502 has a capacitive coupling advantage over the inductive coupling between the third resonator 503 and the second resonator 502. Show.
  • the first resonator 501, the second resonator 502, and the third resonator 503 are connected in parallel.
  • the second terminal of each resonator is electromagnetically coupled via a capacitor 504 or 505.
  • the dielectric filter unit 1 includes an input terminal 511, an output terminal 512, inductors 514a, 514b, 514c and 514d, capacitors 514e and 514f, transmission lines 515a, 515b, 515c and 515d, .
  • the input terminal 511 corresponds to the 22nd pattern 13b.
  • the output terminal 512 corresponds to the 23rd pattern 13c.
  • the signal is input to the 22nd pattern 13b and output from the 23rd pattern 13c.
  • the inductor 514a is connected between the transmission line 515a and the input unit 521.
  • the inductor 514 a corresponds to magnetic field coupling between the 31st pattern 14 a, also called an input line, and the first dielectric block 100.
  • the inductor 514b is connected between the transmission line 515b and the output unit 522.
  • the inductor 514 b corresponds to magnetic field coupling between the 32nd pattern 14 b, also called an output line, and the second dielectric block 200.
  • the inductor 514c is connected between the first resonator 501 and the transmission line 515c.
  • the inductor 514 c corresponds to magnetic field coupling between the thirty-third pattern 14 c, which is also referred to as a first jump coupling line, and the first dielectric block 100.
  • the inductor 514x is connected between the transmission line 515c and the second resonator 502.
  • the inductor 514 x corresponds to magnetic field coupling between the 33rd pattern 14 c and the second dielectric block 200.
  • Capacitor 514e indicates that the thirty-fourth pattern 14d, also referred to as a second interlaced coupling line, and the twenty-second pattern 13b are capacitively coupled.
  • the capacitor 514f indicates that the thirty-fourth pattern 14d, which is also referred to as a second jumping coupled line, and the twenty-third pattern 13c are capacitively coupled.
  • the capacitors 514e and 514f and the transmission line 515d are connected in parallel to the circuit to which the dielectric filter 10 is connected between the input terminal 511 and the output terminal 512.
  • the input line can adjust the strength of coupling with the first resonator 501 according to the length of the line and the width of the line.
  • the output line can adjust the strength of coupling with the second resonator 502 according to the length of the line and the width of the line.
  • the first jumping coupled line can adjust the frequency of the attenuation pole according to the length of the line and the width of the line.
  • the second jumping coupled line can adjust the frequency of the attenuation pole according to the length of the line and the width of the line.
  • the frequency characteristics of the dielectric filter unit 1 are shown in FIG. 8, for example.
  • the horizontal axis and the vertical axis indicate the frequency and the passing attenuation amount S21, respectively.
  • the attenuation poles at which the passing attenuation amount S21 is minimized are indicated as P1 and P2.
  • a pass band indicating a frequency band in which the pass attenuation amount S21 is close to 0 dB (decibel) is indicated as P3.
  • P1 and P2 correspond to the case where the frequencies are f1 and f2, respectively.
  • P3 corresponds to a frequency range from f3 to f4.
  • the attenuation of the frequency component in the range from f3 to f4 is small, and the attenuation of the frequency component in the range from f2 to f1 is large.
  • the attenuation pole indicated by P1 is a parallel circuit formed by capacitors 504 and 505, inductors 514c and 514x, and a transmission line 515c between the input unit 521 and the output unit 522. caused by. f1 corresponds to a frequency at which the impedance of the parallel circuit is infinite.
  • the attenuation pole indicated by P2 is caused by the parallel circuit of the first path and the second path between the input terminal 511 and the output terminal 512.
  • f2 corresponds to a frequency at which the impedance of the parallel circuit of the first path and the second path becomes infinite.
  • the first path is a circuit including transmission lines 515a and 515b, inductors 514a and 514b, and capacitors 504 and 505.
  • the second path is a circuit including capacitors 514e and 514f and a transmission line 515d.
  • the passband indicated by P3 is obtained according to the resonance frequency of the dielectric blocks 100, 200, and 300 and the magnitude of their coupling.
  • the dielectric filter unit 1 includes the first jumping coupled line, so that an attenuation pole indicated by P1 exists.
  • the passing attenuation amount S21 sharply decreases in a frequency range lower than f3.
  • the dielectric filter unit 1 can improve the performance of attenuating frequency components in a range lower than f3.
  • the dielectric filter unit 1 includes the second jumping coupled line, so that an attenuation pole indicated by P2 exists.
  • the presence of the attenuation pole indicated by P ⁇ b> 2 reduces the passing attenuation amount S ⁇ b> 21 in a frequency range lower than f ⁇ b> 1.
  • the dielectric filter unit 1 can improve the performance of attenuating frequency components in a low frequency range smaller than f1.
  • connection conductive layers 107c and 306c and the connection conductive layers 307c and 206c are electrically connected to each other. Even if the dielectric filter unit 1 and the dielectric filter 10 have gaps between the dielectric blocks, the electric field coupling between the dielectric blocks can be stabilized by the connection conductive layer. In the dielectric filter unit 1 and the dielectric filter 10, a decrease or variation in signal intensity propagating between the dielectric blocks can be reduced by the connection conductive layer. Since the intensity of the propagating signal is difficult to decrease, the passband width of the propagating signal becomes difficult to be narrowed or varied.
  • the sizes of the openings 107b, 306b, 307b, and 206b may be determined according to the specification of the pass bandwidth of the dielectric filter 10.
  • a communication device 30 includes an RF unit 31 including a transmission / reception circuit, an antenna 32, and an RF unit 31 and a baseband unit 33 connected to the antenna 32.
  • the RF unit 31 includes a dielectric filter unit 1.
  • the dielectric filter unit 1 greatly attenuates the signal intensity in a frequency band other than the frequency band used for transmission and reception.
  • Conventionally known baseband units 33 and antennas 32 can be used.
  • the communication device 30 according to the present embodiment includes the dielectric filter unit 1 according to the present embodiment, thereby reducing the narrowing or variation of the pass bandwidth.
  • FIG. 10 shows the first substrate surface 12, the first substrate 15, and the intermediate surface 14.
  • the circuit pattern of the first substrate surface 12 is indicated by a solid line in FIG.
  • the circuit pattern of the intermediate surface 14 is indicated by a broken line in FIG.
  • FIG. 11 shows the intermediate surface 14, the second substrate 16, and the second substrate surface 13.
  • the circuit pattern of the intermediate surface 14 is indicated by a solid line in FIG.
  • the circuit pattern of the second substrate surface 13 is indicated by a broken line in FIG.
  • the 33rd pattern 14c as the first jumping coupled line is located closer to the center side in the Y-axis direction of the first substrate 15 than the 31st pattern 14a as the input line.
  • the thirty-third pattern 14c is located closer to the center of the first substrate 15 in the Y-axis direction than the thirty-second pattern 14b serving as an output line.
  • the pattern width of the thirty-third pattern 14c as the first jumping coupled line may be narrower than the pattern widths of the thirty-first pattern 14a and the thirty-second pattern 14b.
  • the first jump coupling line can increase the distance from the opening 12 f of the third dielectric block 300.
  • the first jumping coupled line is not easily affected by the magnetic field loop leaking from the opening 304 b of the third dielectric block 300.
  • the pattern width of the thirty-third pattern 14c as the first interlaced coupling line may be thicker than the other portions at the portions facing the openings 12d and 12e. If the pattern width of the portion of the thirty-third pattern 14c facing the openings 12d and 12e is large, the electromagnetic coupling between the first interlaced coupling line and the dielectric block can be strengthened.
  • a dielectric filter unit 1 according to another embodiment will be described with reference to FIGS. Descriptions of points common to the dielectric filter unit 1 shown in FIGS. 1 to 4 are omitted.
  • the first dielectric block 100 has an opening 104b and an opening 104c on the first surface 104.
  • the opening 104c is also referred to as a third opening.
  • the second dielectric block 200 has not only the opening 204b but also the opening 204c on the first surface 204.
  • the opening 204c is also referred to as a fourth opening.
  • the third dielectric block 300 does not have an opening on the first surface 304.
  • the length of the third dielectric block 300 in the Y-axis direction is longer than the length of the first dielectric block 100 and the second dielectric block 200 in the Y-axis direction.
  • the length in the Y-axis direction is also referred to as the length in the direction intersecting the X-axis direction in which the dielectric blocks are arranged.
  • the third dielectric block 300 When the third dielectric block 300 has no opening on the first surface 304, the TM-X mode magnetic field loop generated inside the third dielectric block 300 does not leak outside.
  • the third dielectric block 300 has a higher resonance frequency when the first surface 304 has no opening than when the first dielectric block 300 has an opening.
  • the third dielectric block 300 When the length of each dielectric block in the Y-axis direction and the length in the Z-axis direction is long, the third dielectric block 300 has a length in the Y-axis direction and a length in the Z-axis direction of each dielectric block. The resonance frequency is lower than when the values are equal.
  • the resonance frequency of the third dielectric block 300 can be adjusted by whether or not the first surface 304 has an opening, or by the length of the third dielectric block 300 in the Y-axis direction.
  • the resonance frequency of the third dielectric block 300 can approach the resonance frequency of the first dielectric block 100 and the second dielectric block 200 depending on the length in the Y-axis direction.
  • the resonance frequency of the third dielectric block 300 may be adjusted not only by the length of the third dielectric block 300 in the Y-axis direction but also by the length of the Z-axis direction.
  • the resonance frequency of the first dielectric block 100 may be adjusted by the length of the first dielectric block 100 in the Y-axis direction or the Z-axis direction.
  • the resonance frequency of the second dielectric block 200 may be adjusted by the length of the second dielectric block 200 in the Y-axis direction or the Z-axis direction.
  • the eleventh pattern 12a of the first substrate surface 12 has not only openings 12d and 12e but also openings 12g and 12h.
  • the openings 12d and 12e face the openings 104b and 204b of the dielectric filter 10, respectively.
  • the openings 12g and 12h face the openings 104c and 204c of the dielectric filter 10, respectively.
  • the number of openings in the eleventh pattern 12a is increased.
  • the magnetic field loop generated by the signal transmitted by the 31st pattern 14a can enter the first dielectric block 100 through the opening 12d and the opening 104b. That is, the thirty-first pattern 14a and the first dielectric block 100 can be electromagnetically coupled through the opening 12d.
  • the thirty-second pattern 14b and the second dielectric block 200 can be electromagnetically coupled through the opening 12e.
  • the first end of the thirty-third pattern 14c and the first dielectric block 100 can be electromagnetically coupled through the opening 12g.
  • the second end of the 33rd pattern 14c and the second dielectric block 200 can be electromagnetically coupled through the opening 12h.
  • the opening 12d and the opening 12g may be configured as one opening like the opening 12d shown in FIG.
  • the opening 12e and the opening 12h may be configured as one opening like the opening 12e shown in FIG.
  • Adjacent dielectric blocks have a connecting conductive layer on each of two opposing surfaces. Adjacent dielectric blocks may not have the connection conductive layer on one or both of the two opposing surfaces. For example, in the adjacent first dielectric block 100 and third dielectric block 300, one or both of the connection conductive layer 107c and the connection conductive layer 306c may be omitted. For example, when only one connection conductive layer 107 c is omitted, the other connection conductive layer 306 c or the bonding member 306 e on the connection conductive layer 306 may be in contact with the opening 107 b of the first dielectric block 100.
  • Each dielectric block has a conductive layer on each side. Adjacent dielectric blocks may not have a conductive layer on one of the two opposing surfaces. For example, in the adjacent first dielectric block 100 and the third dielectric block 300, one of the conductive layer 107a and the conductive layer 306a may be omitted. When the conductive layer 107a is omitted, the conductive layer 306a is brought closer so that the gap with the fourth surface 107 of the first dielectric block 100 is reduced or eliminated.
  • the number of dielectric blocks is not limited to three and may be four or more. Even when the number of dielectric blocks is changed, by appropriately changing the dimensions of each dielectric block in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction so as to obtain a desired resonance frequency, The frequency characteristic can be adjusted.
  • Each dielectric block has an opening in a conductive layer on a surface adjacent to another dielectric block.
  • Each dielectric block may have an opening on a surface that is not adjacent to another dielectric block.
  • the resonance frequency of each dielectric block can be adjusted by an opening of a surface that is not adjacent to another dielectric block. In the dielectric block, the resonance frequency decreases as the number of openings of the conductive layer on each surface increases or the area of the openings increases.
  • the resonance frequency is determined by the size of the magnetic field loop in the YZ plane perpendicular to the X axis.
  • the resonance frequency decreases as the magnetic field loop increases.
  • the magnetic field loop can be enlarged by the openings of the conductive layers on each surface leaking a part of the magnetic field loop. By increasing the magnetic field loop, the resonant frequency of the dielectric block can be lowered.
  • the resonance frequency of the dielectric block incorporated in the dielectric filter unit 1 can be set higher than a desired frequency in advance.
  • the resonance frequency can be adjusted to a desired value by providing an opening having an appropriate size for adjusting the resonance frequency.
  • descriptions such as “first” and “second” are identifiers for distinguishing the configuration.
  • the configurations distinguished by the description of “first” and “second” in the present disclosure can exchange numbers in the configurations.
  • the first opening can exchange the identifiers “first” and “second” with the second opening.
  • the identifier exchange is performed at the same time.
  • the configuration is distinguished even after the identifier is exchanged.
  • the identifier may be deleted.
  • the configuration from which the identifier is deleted is distinguished by a code. Based on only the description of identifiers such as “first” and “second” in the present disclosure, it should not be used as an interpretation of the order of the configuration, or as a basis for the existence of identifiers with smaller numbers.
  • Dielectric filter unit 10 Dielectric filter 11 Board

Abstract

誘電体フィルタユニットは、第１誘電体ブロックと第２誘電体ブロックとを含み、所定の方向に並ぶ３以上の誘電体ブロックと、伝送線路と、を備える。第１誘電体ブロックと第２誘電体ブロックとの間には、３以上の誘電体ブロックのうち少なくとも１の誘電体ブロックが位置する。３以上の誘電体ブロックのそれぞれは、１又は２の隣り合う誘電体ブロックに電磁的に結合する。伝送線路は、第１誘電体ブロック及び第２誘電体ブロックに電磁的に結合する。

Description

誘電体フィルタユニット及び通信機器 関連出願へのクロスリファレンス
　本出願は、日本国特許出願２０１５－２２８２２７号（２０１５年１１月２０日出願）の優先権を主張するものであり、当該出願の開示全体を、ここに参照のために取り込む。
　本開示は、誘電体フィルタユニット及び通信機器に関する。
　従来、誘電体共振器を含む誘電体フィルタが知られている（例えば、特許文献１参照）。誘電体共振器は、平面部を有する誘電体ブロックを含み、誘電体ブロックの内部で、平面部に垂直な方向の電界成分を有するＴＭモードの共振を発生させる。誘電体フィルタでは、信号の通過帯域幅が広く、且つ、安定であることが求められる。
特開平１０－２２９３０２号公報
　本開示の一実施形態に係る誘電体フィルタユニットは、第１誘電体ブロックと第２誘電体ブロックとを含み、所定の方向に並ぶ３以上の誘電体ブロックと、伝送線路と、を備える。第１誘電体ブロックと第２誘電体ブロックとの間には、３以上の誘電体ブロックのうち少なくとも１の誘電体ブロックが位置する。３以上の誘電体ブロックのそれぞれは、１又は２の隣り合う誘電体ブロックに電磁的に結合する。伝送線路は、第１誘電体ブロック及び第２誘電体ブロックに電磁的に結合する。
　本開示の一実施形態に係る通信機器は、第１誘電体ブロックと第２誘電体ブロックとを含み、所定の方向に並ぶ３以上の誘電体ブロックと、伝送線路とを有する誘電体フィルタユニットを備える。第１誘電体ブロックと第２誘電体ブロックとの間には、３以上の誘電体ブロックのうち少なくとも１の誘電体ブロックが位置する。３以上の誘電体ブロックのそれぞれは、１又は２の隣り合う誘電体ブロックに電磁的に結合する。伝送線路は、第１誘電体ブロック及び第２誘電体ブロックに電磁的に結合する。
一実施形態に係る誘電体フィルタの例を示す斜視図である。 図１の誘電体フィルタの分解斜視図である。 一実施形態に係る誘電体フィルタユニットの例を示す分解斜視図である。 図３の基板の中間面及び第２基板面のパターンを示す斜視図である。 誘電体ブロック内部の電界及び磁界を模式的に示す斜視図である。 誘電体ブロック内部の電界及び磁界を模式的に示す断面図である。 図１～４に示される誘電体フィルタユニットの回路の概略図である。 誘電体フィルタユニットの周波数特性の一例を示すグラフである。 一実施形態に係る通信機器の例を示す模式図である。 図３の基板の平面図である。 図４の基板の平面図である。 他の実施形態に係る誘電体フィルタユニットの例を示す分解斜視図である。 図１２の基板の中間面及び第２基板面のパターンを示す斜視図である。
　図１に示されるように、一実施形態に係る誘電体フィルタ１０は、第１誘電体ブロック１００と、第２誘電体ブロック２００と、第３誘電体ブロック３００とを備える。第１誘電体ブロック１００と第２誘電体ブロック２００と第３誘電体ブロック３００とは、Ｘ軸方向に並んで位置する。第３誘電体ブロック３００は、第１誘電体ブロック１００と、第２誘電体ブロック２００との間に位置する。
　第１誘電体ブロック１００と、第２誘電体ブロック２００と、第３誘電体ブロック３００とは、単に誘電体ブロックともいう。本実施形態において、各誘電体ブロックは、略直方体であると仮定する。各誘電体ブロックは、略直方体に限られない。各誘電体ブロックは、多面体であってよい。各誘電体ブロックは、少なくとも一部を曲面で囲まれる立体であってよい。図１の例において、各誘電体ブロックのＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向それぞれの長さは、他の誘電体ブロックのＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向それぞれの長さと同じである。各誘電体ブロックの各方向の長さは、他の誘電体ブロックの各方向の長さと異なってよい。
　図２に示されるように、各誘電体ブロックは、６つの面を有する。第１誘電体ブロック１００は、Ｚ軸の負の方向を向く第１面１０４と、Ｚ軸の正の方向を向く第２面１０５とを有する。第１誘電体ブロック１００は、Ｘ軸の負の方向を向く第３面１０６と、Ｘ軸の正の方向を向く第４面１０７とを有する。第１誘電体ブロック１００は、Ｙ軸の正の方向を向く第５面１０８と、Ｙ軸の負の方向を向く第６面１０９とを有する。第２誘電体ブロック２００は、Ｚ軸の負の方向を向く第１面２０４と、Ｚ軸の正の方向を向く第２面２０５とを有する。第２誘電体ブロック２００は、Ｘ軸の負の方向を向く第３面２０６と、Ｘ軸の正の方向を向く第４面２０７とを有する。第２誘電体ブロック２００は、Ｙ軸の正の方向を向く第５面２０８と、Ｙ軸の負の方向を向く第６面２０９とを有する。第３誘電体ブロック３００は、Ｚ軸の負の方向を向く第１面３０４と、Ｚ軸の正の方向を向く第２面３０５とを有する。第３誘電体ブロック３００は、Ｘ軸の負の方向を向く第３面３０６と、Ｘ軸の正の方向を向く第４面３０７とを有する。第３誘電体ブロック３００は、Ｙ軸の正の方向を向く第５面３０８と、Ｙ軸の負の方向を向く第６面３０９とを有する。
　各誘電体ブロックは、誘電体基部と、誘電体基部の各面の上に位置する導電層とを含む。誘電体基部は、誘電体セラミックス等の誘電体材料で構成されてよい。誘電体材料は、例えばＢａＴｉＯ３、Ｐｂ４Ｆｅ２Ｎｂ２Ｏ１２、ＴｉＯ２などを含有する誘電体セラミック材料であってよい。誘電体材料は、誘電体セラミックスに限られず、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料であってよい。誘電体材料は、高い比誘電率を有してよい。比誘電率は、例えば７０以上であってよい。誘電体材料は、温度変化に応じた共振周波数等の特性の変化が少ないものを採用してよい。
　導電層は、例えば、金属薄膜の層であってよい。導電層は、金属に限られず、非金属導電性材料等の種々の導電性材料を含んでよい。導電性材料は、Ａｇ、Ａｇ－Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｔ等のＡｇ合金を主成分とする導電性材料であってよい。導電性材料は、Ｃｕ系、Ｗ系、Ｍｏ系、Ｐｄ系の導電性材料であってよい。導電層は、例えばＡｇメタライズ等の誘電体ブロックをメタライズした材料であってよい。導電層は、印刷及び焼成、蒸着、物理気相成長（ＰＶＤ；Physical Vapor Deposition）、並びに化学気相成長（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition）等を含む方法で形成されてよい。
　各誘電体ブロックの誘電体基部の各面に位置する導電層は、各面を表す符号の末尾にａを付して表す。例えば、第１誘電体ブロック１００の第１面１０４に位置する導電層は、導電層１０４ａと表す。各誘電体ブロックにおいて、各面の導電層は互いに導通する。導電層の少なくとも一部が接地された場合、各面の導電層は接地電位となる。
　第１誘電体ブロック１００において、第４面１０７に位置する導電層１０７ａは、開口１０７ｂを有する。第１誘電体ブロック１００は、開口１０７ｂの中であって、第４面１０７の上に接続導電層１０７ｃを有する。第２誘電体ブロック２００において、第３面２０６に位置する導電層２０６ａは、開口２０６ｂを有する。第２誘電体ブロック２００は、開口２０６ｂの中であって、第３面２０６の上に接続導電層２０６ｃを有する。第３誘電体ブロック３００において、第３面３０６及び３０７それぞれに位置する導電層３０６ａ及び３０７ａは、開口３０６ｂ及び３０７ｂを有する。第３誘電体ブロック３００は、開口３０６ｂ及び３０７ｂの中であって、第３面３０６及び３０７の上にそれぞれ、接続導電層３０６ｃ及び３０７ｃを有する。接続導電層１０７ｃ、２０６ｃ、３０６ｃ及び３０７ｃはそれぞれ、導電層１０７ａ、２０６ａ、３０６ａ及び３０７ａと所定の間隔をあけて位置する。接続導電層１０７ｃ、２０６ｃ、３０６ｃ及び３０７ｃはそれぞれ、導電層１０７ａ、２０６ａ、３０６ａ及び３０７ａと導通しない。接続導電層１０７ｃと導電層１０７ａとの間の所定の間隔は、接続導電層１０７ｃの位置に製造誤差が生じる場合でも、導電層１０７ａと導通しない長さに設定される。接続導電層２０６ｃと導電層２０６ａとの間、接続導電層３０６ｃと導電層３０６ａとの間、及び、接続導電層３０７ｃと導電層３０７ａとの間の所定の間隔はそれぞれ、接続導電層１０７ｃと導電層１０７ａとの間の所定の間隔と同様に製造誤差を許容しうる長さに設定される。接続導電層は、導電層と同様に構成されてよい。接続導電層は、例えば、金属薄膜の層であってよい。接続導電層は、金属に限られず、非金属導電性材料等の種々の導電性材料を含んでよい。導電性材料は、Ａｇ、Ａｇ－Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｔ等のＡｇ合金を主成分とする導電性材料であってよい。導電性材料は、Ｃｕ系、Ｗ系、Ｍｏ系、Ｐｄ系の導電性材料であってよい。接続導電層は、例えばＡｇメタライズ等の誘電体ブロックをメタライズした材料であってよい。接続導電層は、印刷及び焼成、蒸着、物理気相成長（ＰＶＤ；Physical Vapor Deposition）、並びに化学気相成長（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition）等を含む方法で形成されてよい。
　第１誘電体ブロック１００と第３誘電体ブロック３００とにおいて、開口１０７ｂと開口３０６ｂとは対向する。第１誘電体ブロック１００と第３誘電体ブロック３００とにおいて、接続導電層１０７ｃと接続導電層３０６ｃとが導通している。第２誘電体ブロック２００と第３誘電体ブロック３００とにおいて、開口２０６ｂと開口３０７ｂとは対向する。第２誘電体ブロック２００と第３誘電体ブロック３００とにおいて、接続導電層２０６ｃと接続導電層３０７ｃとが導通している。接続導電層１０７ｃと接続導電層３０６ｃとの間は、接続部材１０７ｄを介して電気的に接続している。接続導電層２０６ｃと接続導電層３０７ｃとの間は、接続部材２０６ｄを介して電気的に接続している。接続部材１０７ｄ及び２０６ｄとしては、例えばハンダ材を含む。接続導電層１０７ｃと接続導電層３０６ｃとの間、及び、接続導電層２０６ｃと接続導電層３０７ｃとの間は、ハンダ材に限られず、他の材料で接合しうる。接続導電層１０７ｃと接続導電層３０６ｃとの間、及び、接続導電層２０６ｃと接続導電層３０７ｃとの間は、導電性接着剤、又は導電性両面テープ等によって電気的に接合しうる。接続導電層１０７ｃ及び３０６ｃの電気的な接続、並びに接続導電層２０６ｃ及び３０７ｃの電気的な接続は、各誘電体ブロックの相対位置の製造誤差を許容しうる。接続導電層１０７ｃ及び導電層３０６ａの電気的な絶縁、接続導電層２０６ｃ及び導電層３０７ａの電気的な絶縁、接続導電層３０６ｃ及び導電層１０７ａの電気的な絶縁、並びに接続導電層３０７ｃ及び導電層２０６ａの電気的な絶縁は、各誘電体ブロックの相対位置の製造誤差を許容しうる。開口１０７ｂ及び３０６ｂの対向、並びに開口２０６ｂ及び３０７ｂの対向は、各誘電体ブロックの相対位置の製造誤差を許容しうる。
　第１誘電体ブロック１００と第３誘電体ブロック３００とは、電磁的に結合される。接続導電層１０７ｃと接続導電層３０６ｃとが導通することによって、第１誘電体ブロック１００と第３誘電体ブロック３００との結合はより強くなりうる。第２誘電体ブロック２００と第３誘電体ブロック３００とは、電磁的に結合される。接続導電層２０６ｃと接続導電層３０７ｃとが導通することによって、第２誘電体ブロック２００と第３誘電体ブロック３００と結合はより強くなりうる。各誘電体ブロック間の結合は、誘導的な結合に比べて容量的な結合が優位である。
　導電層１０７ａと導電層３０６ａとは、互いが直接導通しえる。導電層１０７ａと導電層３０６ａとは、少なくとも一部において、ハンダ材等によって接合しえる。導電層１０７ａと導電層３０６ａとは、ハンダ材に限られず、導電性接着剤、又は導電性両面テープ等の他の材料で接合しうる。導電層１０７ａと導電層３０６ａとは、ねじ及びボルトを含む機械的接合部材によって接合しえる。導電層１０７ａと導電層３０６ａとは、少なくとも１つの接続部材１０７ｄで接合されうる。接続部材１０７ｄは、例えば開口１０７ｂ及び３０６ｂからＹ軸の正の方向及び負の方向に所定距離だけ離れて位置する。接続部材１０７ｄの位置は、上述の位置に限られず、導電層１０７ａの任意の領域上であってよい。接続部材１０７ｄの位置は、導電層１０７ａ全ての上であってよい。接続部材１０７ｄの位置は、第４面１０７の上に限られず、第３面３０６の上であってよい。接続部材１０７ｄは、第３面３０６の上の接続部材３０６ｄと示しうる。
　導電層２０６ａと導電層３０７ａとは、互いが直接導通しえる。導電層２０６ａと導電層３０７ａとは、少なくとも一部において、ハンダ材等によって接合しえる。導電層２０６ａと導電層３０７ａとは、ハンダ材に限られず、導電性接着剤、又は導電性両面テープ等の他の材料で接合しうる。導電層２０６ａと導電層３０７ａとは、ねじ及びボルトを含む機械的接合部材によって接合しえる。導電層２０６ａと導電層３０７ａとは、少なくとも１つの接続部材２０６ｄで接合されうる。接続部材２０６ｄは、例えば開口２０６ｂ及び３０７ｂからＹ軸の正の方向及び負の方向に所定距離だけ離れて位置する。接続部材２０６ｄの位置は、上述の位置に限られず、導電層２０６ａの任意の領域上であってよい。接続部材２０６ｄの位置は、導電層２０６ａ全ての上であってよい。接続部材２０６ｄの位置は、第３面２０６の上に限られず、第４面３０７の上であってよい。接続部材２０６ｄは、第４面３０７の上の接続部材３０７ｄと示しうる。
　第１誘電体ブロック１００と第３誘電体ブロック３００とは、接続部材１０７ｄで機械的に接合される。導電層１０７ａと導電層３０６ａとが機械的に接合されることによって、第１誘電体ブロック１００と第３誘電体ブロック３００との機械的な結合はより強くなりうる。第２誘電体ブロック２００と第３誘電体ブロック３００とは、接続部材２０６ｄで機械的に接合される。導電層２０６ａと導電層３０７ａとが機械的に接合されることによって、第２誘電体ブロック２００と第３誘電体ブロック３００との機械的な結合はより強くなりうる。第１誘電体ブロック１００の導電層と第３誘電体ブロック３００の導電層とは、接続部材１０７ｄで導通する。第２誘電体ブロック２００の導電層と第３誘電体ブロック３００の導電層とは、接続部材２０６ｄで導通する。第１誘電体ブロック１００の導電層と第３誘電体ブロック３００の導電層と第２誘電体ブロック２００の導電層とが導通することによって、誘電体フィルタ１０は、電気的により安定になりうる。
　第１誘電体ブロック１００の第１面１０４において、導電層１０４ａは、開口１０４ｂを有する。第２誘電体ブロック２００の第１面２０４において、導電層２０４ａは、開口２０４ｂを有する。第３誘電体ブロック３００の第１面３０４において、導電層３０４ａは、開口３０４ｂを有する。誘電体フィルタ１０には、開口１０４ｂから信号が入力される。開口１０４ｂは、信号が入力される第１開口ともいう。開口１０４ｂを有する導電層１０４ａは、第１導電層ともいう。第１誘電体ブロック１００に入力された信号は、第３誘電体ブロック３００を介して、第２誘電体ブロック２００に伝搬する。第２誘電体ブロック２００に伝搬した信号は、開口２０４ｂから出力される。開口２０４ｂは、信号が出力される第２開口ともいう。開口２０４ｂを有する導電層２０４ａは、第２導電層ともいう。信号は、各誘電体ブロックの共振特性に応じた透過率で透過する。言い換えれば、誘電体フィルタ１０の透過率は、各誘電体ブロックの共振特性に応じた周波数特性を有する。開口３０４ｂは、後述するように、誘電体フィルタ１０の透過率の周波数特性に影響を及ぼす。開口３０４ｂは、第５開口ともいう。開口３０４ｂを有する導電層３０４ａは、第３導電層ともいう。信号は、開口２０４ｂから入力され、開口１０４ｂから出力されてよい。
　図３に示されるように、誘電体フィルタユニット１は、誘電体フィルタ１０と基板１１とを備える。基板１１は、第１基板１５と第２基板１６とを備える。第１基板１５は、Ｚ軸の正の方向に向く第１基板面１２を有する。第２基板１６は、Ｚ軸の負の方向に向く第２基板面１３を有する。基板１１は、第１基板１５と第２基板１６との間に、中間面１４を有する。第１基板１５及び第２基板１６は、誘電体材料で構成されてよい。第１基板１５及び第２基板１６は、有機材料で構成されてよい。有機材料は、比誘電率が４程度であってよい。第１基板１５は、第１基板面１２の上に位置する回路パターンと、中間面１４の上に位置する回路パターンとを離隔する。第２基板１６は、第２基板面１３の上に位置する回路パターンと中間面１４の上に位置する回路パターンとを離隔する。
　第１基板１５は、ビア１５ａ及び１５ｂを有する。第２基板１６は、ビア１６ａ及び１６ｂ（図４参照）を有する。ビア１５ａは、第１基板面１２の上に位置する回路パターンとしての導体と、中間面１４の上に位置する回路パターンとしての導体とを導通させる。ビア１６ａは、第２基板面１３の上に位置する回路パターンとしての導体と、中間面１４の上に位置する回路パターンとしての導体とを導通させる。ビア１５ｂ及び１６ｂは、導通している。ビア１５ｂ及び１６ｂは、第１基板面１２の上に位置する導体と、第２基板面１３の上に位置する導体とを導通させる。ビア１５ａ、１５ｂ、１６ａ及び１６ｂは、金属又は非金属導電性材料等の種々の導電性材料であってよい。ビア１５ａ、１５ｂ、１６ａ及び１６ｂは、例えばＣｕを埋め込んで形成してよい。ビア１５ａ、１５ｂ、１６ａ及び１６ｂは、他の方法で形成してよい。回路パターンとしての導体は、金属又は非金属導電性材料等の種々の導電性材料であってよい。回路パターンとしての導体は、銅箔であってよい。
　第１基板面１２は、回路パターンを上に有する。第１基板面１２の上の回路パターンは、例えば図３に実線で示される。第１基板面１２は、回路パターンとして、第１１パターン１２ａと、第１２パターン１２ｂと、第１３パターン１２ｃとを有する。第１１パターン１２ａは、実装する回路のグランド（ＧＮＤ）に電気的に接地される。第１１パターン１２ａは、開口１２ｄ、１２ｅ及び１２ｆを有する。開口１２ｄ、１２ｅ及び１２ｆはそれぞれ、誘電体フィルタ１０の開口１０４ｂ、２０４ｂ及び３０４ｂに対向する。第１１パターン１２ａは、第１基板面１２内において、第１２パターン１２ｂ及び第１３パターン１２ｃと離れている。
　中間面１４は、回路パターンを上に有する。中間面１４の上の回路パターンは、例えば図３に破線で示され、図４に実線で示される。中間面１４は、回路パターンとして、第３１パターン１４ａと、第３２パターン１４ｂと、第３３パターン１４ｃと、第３４パターン１４ｄとを有する。第３１パターン１４ａ～第３４パターン１４ｄは、伝送線路ともいう。第３１パターン１４ａは、入力線路ともいう。第３２パターン１４ｂは、出力線路ともいう。第３３パターン１４ｃは、第１飛越結合線路ともいう。第３４パターン１４ｄは、第２飛越結合線路ともいう。第３１パターン１４ａの一部は、開口１２ｄ及び開口１０４ｂを介して、第１誘電体ブロック１００と電磁的に結合しうる。第３２パターン１４ｂの一部は、開口１２ｅ及び開口２０４ｂを介して第２誘電体ブロック２００と電磁的に結合しうる。第３３パターン１４ｃの一部は、開口１２ｄ及び開口１０４ｂを介して第１誘電体ブロック１００と電磁的に結合しうる。第３３パターン１４ｃの一部は、開口１２ｅ及び開口２０４ｂを介して第２誘電体ブロック２００と電磁的に結合しうる。誘電体フィルタ１０は、開口１０４ｂ及び２０４ｂを介して、伝送線路の一部と結合可能である。伝送線路と各誘電体ブロックとの結合は、容量的な結合に比べて、誘導的な結合が優位である。
　第３１パターン１４ａの第１端部は、ビア１５ａを介して、第１１パターン１２ａと導通される。第３１パターン１４ａの第２端部は、ビア１５ａを介して、第１２パターン１２ｂと導通される。第３２パターン１４ｂの第１端部は、ビア１５ａを介して、第１１パターン１２ａと導通される。第３２パターン１４ｂの第２端部は、ビア１５ａを介して、第１３パターン１２ｃと導通される。第３３パターン１４ｃの両端部は、ビア１５ａを介して、第１１パターン１２ａと導通される。第３４パターン１４ｄは、第１基板１５を挟んで、第１１パターン１２ａに対向するが、第１１パターン１２ａと導通されない。
　第２基板面１３は、回路パターンを有する。第２基板面１３の上の回路パターンは、例えば図４に破線で示される。第２基板面１３は、第２１パターン１３ａと、第２２パターン１３ｂと、第２３パターン１３ｃとを有する。第２１パターン１３ａは、実装する回路のグランド（ＧＮＤ）に電気的に接地される。第３１パターン１４ａと、第３２パターン１４ｂと、第３３パターン１４ｃと、第３４パターン１４ｄパターンとは、中間面１４の上に位置する。第３１パターン１４ａと、第３２パターン１４ｂと、第３３パターン１４ｃと、第３４パターン１４ｄパターンとは、図４において実線で示される。
　第３１パターン１４ａの第１の端部は、ビア１６ａを介して、第２１パターン１３ａと導通される。第３１パターン１４ａの第２の端部は、ビア１６ａを介して、第２２パターン１３ｂと導通される。第３２パターン１４ｂの第１の端部は、ビア１６ａを介して、第２１パターン１３ａと導通される。第３２パターン１４ｂの第２の端部は、ビア１６ａを介して、第２３パターン１３ｃと導通される。第３３パターン１４ｃの両端は、ビア１６ａを介して、第２１パターン１３ａと導通される。第３４パターン１４ｄの一部は、第２基板１６を挟んで、第２１パターン１３ａに対向するが、第２１パターン１３ａと導通されない。第３４パターン１４ｄの第１の端部は、第２基板１６を挟んで、第２２パターン１３ｂに対向する。第２２パターン１３ｂは、第３４パターン１４ｄの第１の端部と電磁的に結合される。第３４パターン１４ｄの第２の端部は、第２基板１６を挟んで、第２３パターン１３ｃに対向する。第３４パターン１４ｄの第２の端部は、第２３パターン１３ｃと電磁的に結合される。第３４パターン１４ｄと第２２パターン１３ｂとの結合、及び第３４パターン１４ｄと第２３パターン１３ｃとの結合は、誘導的な結合に比べて容量的な結合が優位である。
　第１基板１５のビア１５ｂと、第２基板１６のビア１６ｂとは、導通している。第１基板面１２の第１１パターン１２ａと、第２基板面１３の第２１パターン１３ａとは、ビア１５ｂとビア１６ｂを介して導通する。ビア１５ｂ及び１６ｂの数は、４個に限られず、３個以下であってよいし、５個以上であってよい。ビア１５ｂ及び１６ｂの位置は、図３及び図４に示される位置に限られず、他の位置であってよい。
　第３１パターン１４ａの第１の端部は、ビア１６ａ及び第２基板面１３の第２１パターン１３ａを介して、接地される。第３２パターン１４ｂの第１の端部は、ビア１６ａ及び第２基板面１３の第２１パターン１３ａを介して、接地される。第３１パターン１４ａの第１の端部及び第３２パターン１４ｂの第１の端部は、接地によって電流量が増加することで、磁界が強くなる。第３１パターン１４ａの周囲の磁界が強くなることで、第３１パターン１４ａ及び第１誘電体ブロック１００の磁界結合は、強くなる。第３２パターン１４ｂの周囲の磁界が強くなることで、第３２パターン１４ｂ及び第２誘電体ブロック２００の磁界結合は、強くなる。
　図１～図４に示される誘電体フィルタユニット１に高周波信号が入力されると仮定する。高周波信号は、第２２パターン１３ｂから入力される。入力された信号は、ビア１６aを介して、入力線路としての第３１パターン１４ａに伝わる。信号は、第１誘電体ブロック１００の内部にＴＭ（transverse magnetic）モードの信号を励起する。第１誘電体ブロック１００の内部に励起された信号は、第３誘電体ブロック３００の内部にＴＭモードの信号を励起する。第３誘電体ブロック３００の内部に励起された信号は、第２誘電体ブロック２００の内部にＴＭモードの信号を励起する。第２誘電体ブロック２００に励起された信号は、第２誘電体ブロック２００及び第３２パターン１４ｂの磁界結合を介して、出力線路としての第３２パターン１４ｂに伝わる。第３２パターン１４ｂに伝わった信号は、ビア１６ａを介して、第２３パターン１３ｃから出力される。ＴＭモードは、誘電体ブロックの内部に励起しうる電磁界の共振モードの一つである。
　第３１パターン１４ａでＸ軸方向に伝送される信号は、第３１パターン１４ａの周囲にＸ軸に直交するＹＺ面内で磁界ループを発生させる。磁界ループは、開口１２ｄ及び開口１０４ｂを介して、第１誘電体ブロック１００の内部に進入しうる。磁界ループは、第１誘電体ブロック１００の内部で、Ｘ軸方向に向く電界ベクトルを誘起する。
　第１誘電体ブロック１００の内部に誘起された電界ベクトルによって、第１誘電体ブロック１００の内部に磁界ループが発生する。例えば図５に示されるように、Ｅで示される電界ベクトルは、Ｘ軸方向を向くように直線状に誘起される。Ｈで示される磁界ループは、電界ベクトルに直交するＹＺ面内で、電界ベクトルを軸とする楕円に沿って発生する。
　第１誘電体ブロック１００の内部に誘起された電界ベクトルと、電界ベクトルによって発生した磁界ループとは、第１誘電体ブロック１００の内部で、所定の共振周波数を有するＴＭモードの共振を発生させる。図５及び図６に示される電界ベクトル及び磁界ループは、電界ベクトルがＸ軸方向に向くＴＭモードの共振を表す。電界ベクトルがＸ軸方向を向くＴＭモードは、ＴＭ－Ｘモードともいう。ＴＭモードの共振は、電界ベクトルがＸ軸方向に向くように発生するだけでなく、電界ベクトルがＹ軸方向又はＺ軸方向に向くようにも発生しうる。電界ベクトルがＹ軸方向に向くＴＭモードは、ＴＭ－Ｙモードともいう。電界ベクトルがＺ軸方向に向くＴＭモードは、ＴＭ－Ｚモードともいう。第３１パターン１４ａは、開口１２ｄ及び開口１０４ｂの近くで、Ｘ軸方向に延びている。開口１２ｄ及び開口１０４ｂの近くにおいて、第３１パターン１４ａは、Ｘ軸に直交するＹＺ平面内で磁界ループを発生させる。ＹＺ平面内で発生する磁界ループは、第１誘電体ブロック１００の内部にＴＭ－Ｘモードを励起しやすい。
　各誘電体ブロックは、開口１０７ｂ及び３０６ｂ、並びに、開口３０７ｂ及び２０６ｂを介して、隣り合う他の誘電体ブロックと電磁的に結合する。各誘電体ブロックがＸ軸方向に並ぶ場合、ＴＭ－Ｘモード共振の共振周波数の信号は、誘電体フィルタ１０の内部をＸ軸方向に伝搬する。Ｘ軸方向に並ぶ各誘電体ブロックの間で、ＴＭ－Ｘモード共振の共振周波数の信号は、電界ベクトルによって強く伝搬しうる。各誘電体ブロックは、電界結合するともいえる。
　ＴＭ－Ｘモードの信号は、ＴＭ－Ｙモード及びＴＭ－Ｚモードの信号より伝搬しやすい。誘電体ブロック１００、２００、３００は、ＴＭ－Ｘモードの電界が大きいＹＺ面の中心部に開口１０７ｂ、３０６ａ、３０７ｂ、２０６ａを有することで、電界ベクトルによる信号の伝搬を容易にしている。
　誘電体フィルタユニット１では、各誘電体ブロックが電界結合する。誘電体フィルタユニット１では、各誘電体ブロックが電界結合していることで、共振周波数より低域側に減衰極（反共振点）が存在している。誘電体フィルタユニット１は、減衰極を利用することで、通過帯域より減衰帯域が低い周波数特性を実現し得る。通過帯域とは、誘電体フィルタユニット１を信号が通過するときの減衰が小さい周波数帯である。減衰帯域とは、誘電体フィルタユニット１を信号が通過するときの減衰が大きい周波数帯である。
　誘電体フィルタユニット１では、ＴＭ－Ｙモード及びＴＭ－Ｚモードの共振周波数がＴＭ－Ｘモードの共振周波数より高い。誘電体フィルタユニット１は、最も低い周波数で共振するＴＭ－Ｘモードを通過帯域内に設定している。誘電体フィルタユニット１では、ＴＭ－Ｙモード及びＴＭ－Ｚモードの共振周波数がＴＭ－Ｘモードの共振周波数より高く、通過帯域より周波数が低い減衰帯域へＴＭ－Ｙモード及びＴＭ－Ｚモードが及ぼす影響は、小さい。
　ＴＭモードの共振周波数は、磁界ループの大きさに応じて決まる。磁界ループが大きいほど、共振周波数は低くなる。磁界ループが発生する面に対応する誘電体ブロックの断面積が大きいほど、磁界のループが大きくなる。例えば、ＴＭ－Ｘモードの共振が第１誘電体ブロック１００の内部で発生する場合、ＴＭ－Ｘモードの共振による磁界ループは、第３面１０６及び第４面１０７に平行な面で発生する。ＴＭ－Ｘモードの共振による磁界ループは、第３面１０６及び第４面１０７の面積に応じて大きくなる。第３面１０６及び第４面１０７の面積が大きいほど、ＴＭ－Ｘモードの共振周波数は低くなりうる。ＴＭ－Ｙモードの共振周波数は、第５面１０８及び第６面１０９の面積が大きいほど、低くなりうる。ＴＭ－Ｚモードの共振周波数は、第２面１０５及び第１面１０４の面積が大きいほど、低くなりうる。共振周波数と各面の面積との間の関係は、各誘電体ブロックにおいて共通に成立しうる。
　例えば第１誘電体ブロック１００において、第３面１０６及び第４面１０７の面積が、第２面１０５及び第１面１０４の面積、並びに、第５面１０８及び第６面１０９の面積より大きいと仮定する。第１誘電体ブロック１００のＸ軸方向における長さが最も短いと、第３面１０６及び１０７の面積が最も大きくなる。この場合、ＴＭ－Ｘモードの磁界ループは、ＴＭ－Ｙモードの磁界ループ及びＴＭ－Ｚモードの磁界ループより大きい。結果として、ＴＭ－Ｘモードの共振周波数は、ＴＭ－Ｙモード及びＴＭ－Ｚモードの共振周波数より低い。誘電体ブロックの各面の面積の大小関係に応じて、各モードの共振周波数の大小関係は、決まる。
　第１誘電体ブロック１００又は第２誘電体ブロック２００でＴＭ－Ｘモードの共振が発生する場合、開口１０４ｂ又は２０４ｂから、磁界ループの一部が漏れることがある。この場合、磁界ループが大きくなる。結果として、共振周波数が低下しうる。第３誘電体ブロック３００における共振周波数は、ダミーの開口として備える開口３０４ｂの大きさを調整することによって、第１誘電体ブロック１００及び第２誘電体ブロック２００における共振周波数に近づけうる。第３誘電体ブロック３００の底面３０４において、開口３０４ｂは、Ｙ軸の正の方向に偏って位置する。このようにすることで、Ｙ軸の負の方向に偏って位置する基板１１内の伝送線路に対して開口３０４ｂから漏れる磁界ループが及ぼす影響が低減されうる。
　各誘電体ブロックの間には、空隙が存在しうる。空隙が存在する場合、空隙における誘電率が低下したり、ばらついたりする。結果として、各誘電体ブロック間で伝搬する信号の強度が低下したり、ばらついたりする。誘電体フィルタ１０において、接続導電層１０７ｃ及び３０６ｃ、並びに接続導電層３０７ｃ及び２０６ｃは、互いに導通する。空隙の影響が低減されうる。接続導電層１０７ｃ、３０６ｃ、３０７ｃ及び２０６ｃを有する誘電体フィルタ１０は、各誘電体ブロック間に空隙があっても各誘電体ブロック間の電界結合が安定しうる。
　誘電体ブロックの大きさは、ＴＭ－Ｘモードの共振周波数に係る仕様に応じて決められてよい。例えば、誘電体ブロックのＹ軸方向及びＺ軸方向の長さは、ＴＭ－Ｘモードの共振周波数に係る仕様を満たすように決められてよい。誘電体ブロックのＺ軸方向の長さは、誘電体フィルタユニット１全体において、基板１１から突出する高さに対応する。誘電体ブロックのＺ軸方向の長さは、誘電体フィルタユニット１の外形仕様に応じて決められてよい。
　誘電体ブロックのＸ軸方向の長さは、各誘電体ブロック間で伝搬する信号の損失の仕様に応じて決められてよい。誘電体ブロックがＸ軸方向に短いほど、各誘電体ブロックにおける損失が増加しうる。損失が増加することによって、誘電体ブロックによって構成される共振器のＱ値が小さくなりうる。
　開口１０７ｂ、３０６ｂ、３０７ｂ及び２０６ｂは、誘電体ブロックの第４面１０７、３０６、３０７及び２０６において、ＴＭ－Ｘモードの共振によって生じる電界が最大となる位置としうる。開口１０７ｂ、３０６ｂ、３０７ｂ及び２０６ｂの大きさは、各誘電体ブロック間の結合強度の仕様に応じて決められてよい。接続導電層１０７ｃ、３０６ｃ、３０７ｃ及び２０６ｃは、導電層１０７ａ、３０６ａ、３０７ａ及び２０６ａと導通しない程度に大きくされてよい。
　図７に示されるように、誘電体フィルタユニット１は、誘電体フィルタ１０を含む回路として概略される。誘電体フィルタ１０は、第１共振器５０１と、第２共振器５０２と、第３共振器５０３と、キャパシタ５０４及び５０５と、入力部５２１と、出力部５２２とを備える。第１共振器５０１、第２共振器５０２及び第３共振器５０３はそれぞれ、第１誘電体ブロック１００、第２誘電体ブロック２００及び第３誘電体ブロック３００に対応する。第１共振器５０１、第２共振器５０２及び第３共振器５０３は、単に共振器ともいう。入力部５２１及び出力部５２２はそれぞれ、第１誘電体ブロック１００の開口１０４ｂ及び第２誘電体ブロック２００の開口２０４ｂに対応する。
　第１共振器５０１と第３共振器５０３との間に接続されるキャパシタ５０４は、第１共振器５０１と第３共振器５０３とが誘導的な結合より容量的な結合が優位であることを示す。第３共振器５０３と第２共振器５０２との間に接続されるキャパシタ５０５は、第３共振器５０３と第２共振器５０２とが誘導的な結合より容量的な結合が優位であることを示す。
　第１共振器５０１、第２共振器５０２及び第３共振器５０３は、それぞれが並列に接続される。各共振器の第２の端子は、キャパシタ５０４又は５０５を介して、電磁的に結合する。
　図７の概略回路において、誘電体フィルタユニット１は、入力端子５１１と、出力端子５１２と、インダクタ５１４ａ、５１４ｂ、５１４ｃ及び５１４ｄと、キャパシタ５１４ｅ及び５１４ｆと、伝送線路５１５ａ、５１５ｂ、５１５ｃ及び５１５ｄと、を備える。
　入力端子５１１は、第２２パターン１３ｂに対応する。出力端子５１２は、第２３パターン１３ｃに対応する。誘電体フィルタユニット１において、信号は、第２２パターン１３ｂに入力され、第２３パターン１３ｃから出力される。
　インダクタ５１４ａは、伝送線路５１５ａと入力部５２１との間に接続される。インダクタ５１４ａは、入力線路ともいう第３１パターン１４ａと第１誘電体ブロック１００との磁界結合に対応する。インダクタ５１４ｂは、伝送線路５１５ｂと出力部５２２との間に接続される。インダクタ５１４ｂは、出力線路ともいう第３２パターン１４ｂと第２誘電体ブロック２００との磁界結合に対応する。
　インダクタ５１４ｃは、第１共振器５０１と伝送線路５１５ｃとの間に接続される。インダクタ５１４ｃは、第１飛越結合線路ともいう第３３パターン１４ｃと第１誘電体ブロック１００との磁界結合に対応する。インダクタ５１４ｘは、伝送線路５１５ｃと第２共振器５０２との間に接続される。インダクタ５１４ｘは、第３３パターン１４ｃと第２誘電体ブロック２００との磁界結合に対応する。
　キャパシタ５１４ｅは、第２飛越結合線路ともいう第３４パターン１４ｄと第２２パターン１３ｂとが容量的に結合することを示す。キャパシタ５１４ｆは、第２飛越結合線路ともいう第３４パターン１４ｄと第２３パターン１３ｃとが容量的に結合することを示す。
　キャパシタ５１４ｅ及び５１４ｆ並びに伝送線路５１５ｄは、入力端子５１１と出力端子５１２との間に、誘電体フィルタ１０が接続されている回路に並列に接続される。
　入力線路は、線路の長さ及び線路の幅により、第１共振器５０１との結合の強さを調整できる。出力線路は、線路の長さ及び線路の幅により、第２共振器５０２との結合の強さを調整できる。第１飛越結合線路は、線路の長さ及び線路の幅により、減衰極の周波数を調整できる。第２飛越結合線路は、線路の長さ及び線路の幅により、減衰極の周波数を調整できる。
　誘電体フィルタユニット１の周波数特性は、例えば図８に示される。図８において、横軸及び縦軸はそれぞれ、周波数及び通過減衰量Ｓ２１を示す。図８に例示される周波数特性において、通過減衰量Ｓ２１が極小となる減衰極が、Ｐ１及びＰ２として示される。通過減衰量Ｓ２１が０ｄＢ（デシベル）に近い周波数帯を示す通過帯域が、Ｐ３として示される。Ｐ１及びＰ２はそれぞれ、周波数がｆ１及びｆ２である場合に対応する。Ｐ３は、周波数がｆ３からｆ４までの範囲に対応する。図８の周波数特性を有する誘電体フィルタユニット１は、ｆ３からｆ４までの範囲の周波数成分の減衰が小さく、ｆ２からｆ１までの範囲の周波数成分の減衰が大きい。
　Ｐ１で示される減衰極は、図７の概略回路において、入力部５２１と出力部５２２との間における、キャパシタ５０４及び５０５と、インダクタ５１４ｃ及び５１４ｘと、伝送線路５１５ｃと、によって構成される並列回路に起因する。ｆ１は、並列回路のインピーダンスが無限大となる周波数に対応する。
　Ｐ２で示される減衰極は、入力端子５１１と出力端子５１２との間の第１経路と、第２経路との並列回路に起因する。ｆ２は、第１経路と、第２経路との並列回路のインピーダンスが無限大となる周波数に対応する。図７の概略回路において第１経路は、伝送線路５１５ａ及び５１５ｂと、インダクタ５１４ａ及び５１４ｂと、キャパシタ５０４及び５０５を含む回路である。図７の概略回路において第２経路は、キャパシタ５１４ｅ及び５１４ｆと、伝送線路５１５ｄを含む回路である。
　Ｐ３で示される通過帯域は、誘電体ブロック１００、２００、３００の共振周波数とそれらの結合の大きさに応じて得られる。
　誘電体フィルタユニット１は、第１飛越結合線路を備えることで、Ｐ１で示される減衰極が存在する。誘電体フィルタユニット１は、Ｐ１で示される減衰極が存在することによって、ｆ３より低い周波数範囲において、通過減衰量Ｓ２１が急峻に低下する。誘電体フィルタユニット１は、ｆ３より低い範囲の周波数成分を減衰する性能が向上しうる。
　誘電体フィルタユニット１は、第２飛越結合線路を備えることで、Ｐ２で示される減衰極が存在する。誘電体フィルタユニット１は、Ｐ２で示される減衰極が存在することによって、ｆ１より低い周波数範囲において通過減衰量Ｓ２１が低下する。誘電体フィルタユニット１は、ｆ１より小さい低い周波数範囲の周波数成分を減衰する性能が向上しうる。
　誘電体フィルタユニット１及び誘電体フィルタ１０によれば、接続導電層１０７ｃ及び３０６ｃ、並びに接続導電層３０７ｃ及び２０６ｃが互いに導通する。誘電体フィルタユニット１及び誘電体フィルタ１０は、各誘電体ブロック間に空隙を有しても、接続導電層によって各誘電体ブロック間の電界結合が安定しうる。誘電体フィルタユニット１及び誘電体フィルタ１０は、接続導電層によって各誘電体ブロック間で伝搬する信号強度の低下又はばらつきが低減されうる。伝搬する信号の強度が低下しにくいことによって、伝搬する信号の通過帯域幅は、狭くなったり、ばらついたりしにくくなる。
　誘電体フィルタ１０において、開口１０７ｂ、３０６ｂ、３０７ｂ及び２０６ｂの大きさは、誘電体フィルタ１０の通過帯域幅の仕様に応じて決められてよい。
　図９に示されるように、一実施形態に係る通信機器３０は、送受信回路を含むＲＦ部３１と、アンテナ３２と、ＲＦ部３１及びアンテナ３２に接続されたベースバンド部３３とを備える。
　ＲＦ部３１は、誘電体フィルタユニット１を備える。誘電体フィルタユニット１は、送受信に用いる周波数帯域以外の周波数帯域の信号強度を大きく減衰させる。ベースバンド部３３及びアンテナ３２は、従来周知のものを用いることができる。
　本実施形態に係る通信機器３０は、本実施形態に係る誘電体フィルタユニット１を備えることによって、通過帯域幅の狭小化又はばらつきを低減しうる。
　図１０及び図１１を参照して、基板１１が有する回路パターンが、より詳細に説明される。図１０には、第１基板面１２と、第１基板１５と、中間面１４とが示される。第１基板面１２が有する回路パターンは、図１０に実線で示される。中間面１４が有する回路パターンは、図１０に破線で示される。図１１には、中間面１４と、第２基板１６と、第２基板面１３とが示される。中間面１４が有する回路パターンは、図１１に実線で示される。第２基板面１３が有する回路パターンは、図１１に破線で示される。
　開口１２ｄにおいて、第１飛越結合線路としての第３３パターン１４ｃは、入力線路としての第３１パターン１４ａより第１基板１５のＹ軸方向の中央側に位置する。開口１２ｅにおいて、第３３パターン１４ｃは、出力線路としての第３２パターン１４ｂより第１基板１５のＹ軸方向の中央側に位置する。
　第１飛越結合線路としての第３３パターン１４ｃのパターン幅は、第３１パターン１４ａ及び第３２パターン１４ｂのパターン幅よりも細くてよい。第１飛越結合線路は、第３誘電体ブロック３００の開口１２ｆとの距離を大きくできる。第１飛越結合線路は、第３誘電体ブロック３００の開口３０４ｂから漏れる磁界ループによる影響を受けにくくなる。
　第１飛越結合線路としての第３３パターン１４ｃのパターン幅は、開口１２ｄ及び１２ｅと対向する部位において、他の部分より太くされてよい。第３３パターン１４ｃの開口１２ｄ及び１２ｅと対向する部位のパターン幅が太いと、第１飛越結合線路と誘電体ブロックとの電磁的な結合は、強められうる。
　図１２及び図１３を参照して、他の実施形態に係る誘電体フィルタユニット１が説明される。図１～図４に示される誘電体フィルタユニット１と共通する点についての説明は省略される。
　第１誘電体ブロック１００は、開口１０４ｂと、開口１０４ｃとを第１面１０４に有する。開口１０４ｃは、第３開口ともいう。第２誘電体ブロック２００は、第１面２０４に開口２０４ｂだけでなく、開口２０４ｃも有する。開口２０４ｃは、第４開口ともいう。第３誘電体ブロック３００は、第１面３０４に開口を有しない。第３誘電体ブロック３００のＹ軸方向の長さは、第１誘電体ブロック１００及び第２誘電体ブロック２００のＹ軸方向の長さより長い。Ｙ軸方向の長さは、各誘電体ブロックが並ぶＸ軸方向に交わる方向における長さともいう。
　第３誘電体ブロック３００が第１面３０４に開口を有しない場合、第３誘電体ブロック３００の内部で発生するＴＭ－Ｘモードの磁界ループは外部に漏れない。第３誘電体ブロック３００は、第１面３０４に開口を有しない場合、第１面３０４に開口を有する場合に比べて、共振周波数が高くなる。第３誘電体ブロック３００は、各誘電体ブロックのＹ軸方向の長さ及びＺ軸方向の長さのいずれかが長い場合、各誘電体ブロックのＹ軸方向の長さ及びＺ軸方向の長さが等しい場合に比べて、共振周波数が低くなる。第３誘電体ブロック３００の共振周波数は、第１面３０４に開口を有するか否かによって、又は、第３誘電体ブロック３００のＹ軸方向の長さによって調整されうる。第３誘電体ブロック３００の共振周波数は、Ｙ軸方向の長さによって、第１誘電体ブロック１００及び第２誘電体ブロック２００の共振周波数に近づけうる。第３誘電体ブロック３００の共振周波数は、第３誘電体ブロック３００のＹ軸方向の長さだけでなく、Ｚ軸方向の長さによっても調整されてよい。第１誘電体ブロック１００の共振周波数は、第１誘電体ブロック１００のＹ軸方向又はＺ軸方向の長さによって調整されてよい。第２誘電体ブロック２００の共振周波数は、第２誘電体ブロック２００のＹ軸方向又はＺ軸方向の長さによって調整されてよい。
　図１２に示されるように、第１基板面１２の第１１パターン１２ａは、開口１２ｄ及び１２ｅだけでなく、開口１２ｇ及び１２ｈを有する。開口１２ｄ及び１２ｅはそれぞれ、誘電体フィルタ１０の開口１０４ｂ及び２０４ｂに対向する。開口１２ｇ及び１２ｈはそれぞれ、誘電体フィルタ１０の開口１０４ｃ及び２０４ｃに対向する。誘電体フィルタ１０の開口の数が増えたことに対応して、第１１パターン１２ａは、開口の数が増えている。
　第３１パターン１４ａで伝送する信号によって発生する磁界ループは、開口１２ｄ及び開口１０４ｂを介して、第１誘電体ブロック１００に進入しうる。つまり、開口１２ｄを介して、第３１パターン１４ａと第１誘電体ブロック１００とは、電磁的に結合しうる。開口１２ｅを介して、第３２パターン１４ｂと第２誘電体ブロック２００とは、電磁的に結合しうる。開口１２ｇを介して、第３３パターン１４ｃの第１端部と第１誘電体ブロック１００とは、電磁的に結合しうる。開口１２ｈを介して、第３３パターン１４ｃの第２端部と第２誘電体ブロック２００とは、電磁的に結合しうる。開口１２ｄ及び開口１２ｇは、図３に示される開口１２ｄのように、１つの開口として構成されてよい。開口１２ｅ及び開口１２ｈは、図３に示される開口１２ｅのように、１つの開口として構成されてよい。
　本開示に係る実施形態は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良が可能である。
　隣り合う誘電体ブロックは、対向する２つの面のそれぞれに接続導電層を有する。隣接する誘電体ブロックは、対向する２つの面の一方又は双方が接続導電層を有さなくてよい。例えば、隣り合う第１誘電体ブロック１００と、第３誘電体ブロック３００とにおいて、接続導電層１０７ｃ及び接続導電層３０６ｃの一方又は双方は、省略されてよい。例えば、一方の接続導電層１０７ｃのみが省略される場合、他方の接続導電層３０６ｃ若しくは接続導電層３０６上の接合部材３０６ｅは、第１誘電体ブロック１００の開口１０７ｂに対して接してよい。
　各誘電体ブロックは各面の上に導電層を有する。隣り合う誘電体ブロックは、対向する２つの面のいずれか一方の面の上に導電層を有しなくてよい。例えば、隣り合う第１誘電体ブロック１００と、第３誘電体ブロック３００とにおいて、導電層１０７ａ及び導電層３０６ａのいずれか一方は、省略されてよい。導電層１０７ａが省略される場合、導電層３０６ａは、第１誘電体ブロック１００の第４面１０７との空隙が小さくなる、若しくは無くなるように近づけられる。
　誘電体ブロックの数は、３つに限られず、４つ以上であってよい。誘電体ブロックの数が変更される場合においても、所望の共振周波数が得られるように、各誘電体ブロックのＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向それぞれの寸法等を適宜変更することによって、周波数特性が調整されうる。
　各誘電体ブロックは、他の誘電体ブロックと隣り合う面の導電層に開口を有する。各誘電体ブロックは、他の誘電体ブロックと隣り合わない面に開口を有してよい。例えば、各誘電体ブロックの共振周波数は、他の誘電体ブロックと隣り合わない面が有する開口によって調整しうる。誘電体ブロックは、各面の導電層が有する開口の数が増える又は開口の面積が大きくなることによって、共振周波数が低くなる。
　各誘電体ブロックの内部に発生するＴＭ－Ｘモード共振において、共振周波数は、Ｘ軸に垂直なＹＺ面における磁界ループの大きさで決まる。磁界ループが大きいほど共振周波数は小さくなる。各面の導電層が有する開口が磁界ループの一部を漏らすことによって、磁界ループは大きくなりうる。磁界ループが大きくなることによって、誘電体ブロックの共振周波数は低くされうる。
　例えば、誘電体フィルタユニット１に組み込む誘電体ブロックの共振周波数は、あらかじめ所望の周波数よりも高く設定されうる。この場合、誘電体フィルタユニット１を組み立てた後に、共振周波数を調整するための適切な大きさの開口を設けることによって、共振周波数が所望の値に調整されうる。
　本開示において「第１」及び「第２」等の記載は、当該構成を区別するための識別子である。本開示における「第１」及び「第２」等の記載で区別された構成は、当該構成における番号を交換することができる。例えば、第１開口は、第２開口と識別子である「第１」と「第２」とを交換することができる。識別子の交換は同時に行われる。識別子の交換後も当該構成は区別される。識別子は削除してよい。識別子を削除した構成は、符号で区別される。本開示における「第１」及び「第２」等の識別子の記載のみに基づいて、当該構成の順序の解釈、小さい番号の識別子が存在することの根拠に利用してはならない。
　１　誘電体フィルタユニット
　１０　誘電体フィルタ
　１１　基板
　１２　第１基板面
　１２ａ、１２ｂ、１２ｃ　第１１～第１３パターン
　１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ　開口
　１３　第２基板面
　１３ａ、１３ｂ、１３ｃ　第２１～第２３パターン
　１４　中間面
　１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ　第３１～第３４パターン
　１５　第１基板
　１５ａ、１５ｂ　ビア
　１６　第２基板
　１６ａ、１６ｂ　ビア
　１００、２００、３００　第１～第３誘電体ブロック
　１０４、２０４、３０４　第１面
　１０５、２０５、３０５　第２面
　１０６、２０６、３０６　第３面
　１０７、２０７、３０７　第４面
　１０８、２０８、３０８　第５面
　１０９、２０９、３０９　第６面
　１０４ａ～１０９ａ、２０４ａ～２０９ａ、３０４ａ～３０９ａ　導電層
　１０４ｂ、２０４ｂ、３０４ｂ　第１～第３導電層
　１０４ｃ、２０４ｃ　第４、第５開口
　１０７ｂ、２０６ｂ、３０６ｂ、３０７ｂ　開口
　１０７ｃ、２０６ｃ、３０６ｃ、３０７ｃ　接続導電層
　１０７ｄ、２０６ｄ　接続部材
　３０　通信機器
　３１　ＲＦ部
　３２　アンテナ
　３３　ベースバンド部
　５０１、５０２、５０３　第１～第３共振器
　５０４、５０５　キャパシタ
　５１１　入力端子
　５１２　出力端子
　５１４ａ、５１４ｂ、５１４ｃ、５１４ｄ　インダクタ
　５１４ｅ、５１４ｆ　キャパシタ
　５１５a、５１５ｂ、５１５ｃ、５１５ｄ　伝送線路
　５２１　入力部
　５２２　出力部
　Ｐ１、Ｐ２　減衰極
　Ｐ３　通過帯域

Claims (16)

  1. 　第１誘電体ブロックと第２誘電体ブロックとを含み、所定の方向に並ぶ３以上の誘電体ブロックと、
    　伝送線路と、を備え、
    　前記第１誘電体ブロックと前記第２誘電体ブロックとの間には、３以上の前記誘電体ブロックのうち少なくとも１の誘電体ブロックが位置し、
    　３以上の前記誘電体ブロックのそれぞれは、１又は２の隣り合う前記誘電体ブロックに電磁的に結合し、
    　前記伝送線路は、前記第１誘電体ブロック及び前記第２誘電体ブロックに電磁的に結合する、
    　誘電体フィルタユニット。
  2. 　前記第１誘電体ブロックは、信号が入力される第１開口を有する第１導電層を備え、
    　前記第２誘電体ブロックは、前記信号が出力される第２開口を有する第２導電層を備え、
    　３以上の前記誘電体ブロックのそれぞれは、前記信号の入力によって、所定の共振特性で共振する、
    　請求項１に記載の誘電体フィルタユニット。
  3. 　前記伝送線路は、
    　　前記第１開口を介して前記第１誘電体ブロックに電磁的に結合し、
    　　前記第２開口を介して前記第２誘電体ブロックに電磁的に結合する、
    　請求項２に記載の誘電体フィルタユニット。
  4. 　前記第１導電層は、前記第１開口と異なる第３開口を有し、
    　前記第２導電層は、前記第２開口と異なる第４開口を有し、
    　前記伝送線路は、
    　　前記第３開口を介して前記第１誘電体ブロックと電磁的に結合し、
    　　前記第４開口を介して前記第２誘電体ブロックと電磁的に結合する、
    　請求項２に記載の誘電体フィルタユニット。
  5. 　３以上の前記誘電体ブロックは、前記第１誘電体ブロック及び前記第２誘電体ブロックと異なる第３誘電体ブロックを含み、
    　前記第３誘電体ブロックは、３以上の前記誘電体ブロックのうちの他の前記誘電体ブロックと隣り合う面以外の面に、少なくとも１の第５開口を有する第３導電層を備える、
    　請求項１乃至４のいずれか一項に記載の誘電体フィルタユニット。
  6. 　３以上の前記誘電体ブロックは、前記第１誘電体ブロック及び前記第２誘電体ブロックと異なる第３誘電体ブロックを含み、
    　前記所定の方向に交わる方向において、前記第３誘電体ブロックの長さは、前記第１誘電体ブロック及び前記第２誘電体ブロックの長さと異なる、
    　請求項１乃至４のいずれか一項に記載の誘電体フィルタユニット。
  7. 　３以上の前記誘電体ブロックは、導電層の開口を介して他の前記誘電体ブロックと電磁的に結合し、
    　３以上の前記誘電体ブロックの少なくとも１つは、前記開口の内に接続導電層を有する、
    　請求項１乃至６のいずれか一項に記載の誘電体フィルタユニット。
  8. 　３以上の前記誘電体ブロックは、前記所定の方向における長さが、前記所定の方向に交わる方向における長さに比べて最も短い、
    　請求項１乃至７のいずれか一項に記載の誘電体フィルタユニット。
  9. 　第１誘電体ブロックと第２誘電体ブロックとを含み、所定の方向に並ぶ３以上の誘電体ブロックと、伝送線路と、を有し、
    　前記第１誘電体ブロックと前記第２誘電体ブロックとの間には、３以上の前記誘電体ブロックのうち少なくとも１の誘電体ブロックが位置し、
    　３以上の前記誘電体ブロックのそれぞれは、１又は２の隣り合う前記誘電体ブロックに電磁的に結合し、
    　前記伝送線路は、前記第１誘電体ブロック及び前記第２誘電体ブロックに電磁的に結合する、
    　誘電体フィルタユニットを備える、通信機器。
  10. 　前記第１誘電体ブロックは、信号が入力される第１開口を有する第１導電層を備え、
    　前記第２誘電体ブロックは、前記信号が出力される第２開口を有する第２導電層を備え、
    　３以上の前記誘電体ブロックのそれぞれは、前記信号の入力によって、所定の共振特性で共振する、
    　請求項９に記載の通信機器。
  11. 　前記伝送線路は、
    　　前記第１開口を介して前記第１誘電体ブロックに電磁的に結合し、
    　　前記第２開口を介して前記第２誘電体ブロックに電磁的に結合する、
    　請求項１０に記載の通信機器。
  12. 　前記第１導電層は、前記第１開口と異なる第３開口を有し、
    　前記第２導電層は、前記第２開口と異なる第４開口を有し、
    　前記伝送線路は、
    　　前記第３開口を介して前記第１誘電体ブロックと電磁的に結合し、
    　　前記第４開口を介して前記第２誘電体ブロックと電磁的に結合する、
    　請求項１０に記載の通信機器。
  13. 　３以上の前記誘電体ブロックは、前記第１誘電体ブロック及び前記第２誘電体ブロックと異なる第３誘電体ブロックを含み、
    　前記第３誘電体ブロックは、３以上の前記誘電体ブロックのうちの他の前記誘電体ブロックと隣り合う面以外の面に、少なくとも１の第５開口を有する第３導電層を備える、
    　請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の通信機器。
  14. 　３以上の前記誘電体ブロックは、前記第１誘電体ブロック及び前記第２誘電体ブロックと異なる第３誘電体ブロックを含み、
    　前記所定の方向に交わる方向において、前記第３誘電体ブロックの長さは、前記第１誘電体ブロック及び前記第２誘電体ブロックの長さと異なる、
    　請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の通信機器。
  15. 　３以上の前記誘電体ブロックは、導電層の開口を介して他の前記誘電体ブロックと電磁的に結合し、
    　３以上の前記誘電体ブロックの少なくとも１つは、前記開口の内に接続導電層を有する、
    　請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の通信機器。
  16. 　３以上の前記誘電体ブロックは、前記所定の方向における長さが、前記所定の方向に交わる方向における長さに比べて最も短い、
    　請求項９乃至１５のいずれか一項に記載の通信機器。
PCT/JP2016/004925 2015-11-20 2016-11-18 誘電体フィルタユニット及び通信機器 WO2017085936A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/777,584 US10707546B2 (en) 2015-11-20 2016-11-18 Dielectric filter unit comprising three or more dielectric blocks and a transmission line for providing electromagnetically coupling among the dielectric resonators
EP16865940.7A EP3364496B1 (en) 2015-11-20 2016-11-18 Dielectric filter unit and communication device
JP2017551538A JP6518340B2 (ja) 2015-11-20 2016-11-18 誘電体フィルタユニット及び通信機器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-228227 2015-11-20
JP2015228227 2015-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017085936A1 true WO2017085936A1 (ja) 2017-05-26

Family

ID=58719197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/004925 WO2017085936A1 (ja) 2015-11-20 2016-11-18 誘電体フィルタユニット及び通信機器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10707546B2 (ja)
EP (1) EP3364496B1 (ja)
JP (1) JP6518340B2 (ja)
WO (1) WO2017085936A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7360764B2 (ja) 2018-08-01 2023-10-13 古野電気株式会社 帯域通過フィルタ及びそれを備える高周波装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102144811B1 (ko) * 2018-09-12 2020-08-14 주식회사 에이스테크놀로지 세라믹 도파관 필터

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229302A (ja) 1996-12-11 1998-08-25 Murata Mfg Co Ltd 誘電体共振器
JP2000077907A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Toko Inc 誘電体フィルタ
JP2000134004A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Toko Inc 誘電体フィルタ
JP2002246808A (ja) * 2001-02-22 2002-08-30 Ube Ind Ltd 誘電体フィルタ
US6498550B1 (en) * 2000-04-28 2002-12-24 Motorola, Inc. Filtering device and method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293141A (en) * 1991-03-25 1994-03-08 Sanyo Electric Co., Ltd. Dielectric filter having external connection terminals on dielectric substrate and antenna duplexer using the same
EP0576273B1 (en) * 1992-06-26 1999-03-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Coaxial resonator and dielectric filter using the same
JPH0730305A (ja) * 1993-07-06 1995-01-31 Murata Mfg Co Ltd 誘電体フィルターおよび誘電体フィルターを用いたトランシーバー
JPH10163708A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Sanyo Electric Co Ltd 有極型誘電体フィルタ及びこれを用いた誘電体デュプレクサ
US6081174A (en) * 1997-03-14 2000-06-27 Taiyo Yuden Co., Ltd. Wave filter having two or more coaxial dielectric resonators in juxtaposition
JP3852598B2 (ja) 2001-03-19 2006-11-29 宇部興産株式会社 誘電体フィルタ及び分波器
JP5801362B2 (ja) * 2013-09-13 2015-10-28 東光株式会社 誘電体導波管入出力構造、および、それを用いた誘電体導波管デュプレクサ
CN105556839B (zh) * 2013-09-27 2018-08-24 英特尔公司 多谐振器非相邻耦合
CN203826521U (zh) * 2014-04-18 2014-09-10 华南理工大学 一种利用微带线实现交叉耦合的基片集成波导滤波器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229302A (ja) 1996-12-11 1998-08-25 Murata Mfg Co Ltd 誘電体共振器
JP2000077907A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Toko Inc 誘電体フィルタ
JP2000134004A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Toko Inc 誘電体フィルタ
US6498550B1 (en) * 2000-04-28 2002-12-24 Motorola, Inc. Filtering device and method
JP2002246808A (ja) * 2001-02-22 2002-08-30 Ube Ind Ltd 誘電体フィルタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3364496A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7360764B2 (ja) 2018-08-01 2023-10-13 古野電気株式会社 帯域通過フィルタ及びそれを備える高周波装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3364496B1 (en) 2021-02-24
US20180331405A1 (en) 2018-11-15
US10707546B2 (en) 2020-07-07
EP3364496A1 (en) 2018-08-22
JP6518340B2 (ja) 2019-05-22
EP3364496A4 (en) 2018-11-14
JPWO2017085936A1 (ja) 2018-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4579198B2 (ja) 多層帯域通過フィルタ
JP6372568B2 (ja) 高周波モジュール
US10110196B2 (en) Electronic component
JP6406266B2 (ja) 高周波モジュール
WO2014034605A1 (ja) 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
US10340883B2 (en) High-frequency module
JP6723076B2 (ja) フィルタ
WO2015019980A1 (ja) 高周波モジュール
JP2005260570A (ja) マイクロストリップ線路導波管変換器
US10389330B2 (en) Electronic component
WO2017085936A1 (ja) 誘電体フィルタユニット及び通信機器
KR102424038B1 (ko) 멀티플렉서
KR101921853B1 (ko) 듀플렉서
JP4148423B2 (ja) 誘電体装置
KR20010021163A (ko) 유전체 듀플렉서 및 통신 기기
JP2020072450A (ja) 誘電体共振部品
JP5499879B2 (ja) 高周波フィルタ
JP2007116554A (ja) ノイズフィルタアレイ
JP2012010069A (ja) 伝送線路
JP5534560B2 (ja) 誘電体共振器装置
JP4986959B2 (ja) バンドパスフィルタ、これを用いた高周波モジュール及び通信機器装置
GB2567962A (en) Resonator apparatus and method of use thereof

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16865940

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017551538

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15777584

Country of ref document: US

Ref document number: 2016865940

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE