WO2017057548A1 - 研削盤 - Google Patents

研削盤 Download PDF

Info

Publication number
WO2017057548A1
WO2017057548A1 PCT/JP2016/078782 JP2016078782W WO2017057548A1 WO 2017057548 A1 WO2017057548 A1 WO 2017057548A1 JP 2016078782 W JP2016078782 W JP 2016078782W WO 2017057548 A1 WO2017057548 A1 WO 2017057548A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
spindle
wafer
grindstone
feed mechanism
grinding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2016/078782
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雅喜 金澤
五十嵐　健二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to US15/751,421 priority Critical patent/US10173296B2/en
Priority to JP2017543543A priority patent/JP6335397B2/ja
Publication of WO2017057548A1 publication Critical patent/WO2017057548A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/04—Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
    • B24B41/047—Grinding heads for working on plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B24B47/10—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces
    • B24B47/14—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces by liquid or gas pressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/08—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving liquid or pneumatic means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices

Definitions

  • the present invention relates to a grinder that grinds the back surface of a wafer, and more particularly, to a grinder that can grind a brittle wafer without damaging it.
  • wafer such as a silicon wafer (hereinafter referred to as “wafer”) into a thin film
  • backside grinding is performed by grinding the backside of the wafer.
  • the posture of the spindle 43 may be tilted by a reaction force during grinding, and the wafer W cannot be processed into a desired cross-sectional shape. There is a possibility that a so-called eyelet is formed on the back surface of the wafer W and damages the wafer W.
  • a semiconductor mechanism is provided by moving a grinding mechanism holding a grinding member in a horizontal direction and a guide for sliding the grinding mechanism to the semiconductor substrate at a constant speed.
  • a semiconductor substrate grinder comprising: a constant speed moving mechanism for grinding a semiconductor substrate; and a constant pressure moving mechanism for moving the grinding mechanism to the semiconductor substrate so that the semiconductor substrate and the grinding mechanism are pressed at a constant pressure after grinding by the constant speed moving mechanism Is disclosed.
  • Patent Document 2 there is provided a grinding machine in which a grinding wheel is provided so as to be slidable in a vertical direction via a linear guide, and the grinding wheel is lowered according to a desired grinding amount to infeed grinding the back surface of the wafer. It is disclosed.
  • JP 2009-272323 A Japanese Patent No. 5582916
  • the grindstone is a so-called reservoir due to the sliding resistance generated in the guide when the guide approaches the wafer. Since it moves by feeding, it was difficult to cut the wafer with a fine grinding amount. If the cutting depth of the grindstone (abrasive grain) is larger than the critical cutting depth (Dc value) of the wafer, as shown in FIG. 7, brittle mode grinding in which the wafer is chipped or cracked during grinding of the wafer. There was a risk of becoming.
  • the point that supports the grindstone is separated from the working point to be processed and is often a cantilever type.
  • a cantilever type even if it is pressed at a constant pressure according to the sharpness of the abrasive grains at the tip of the grindstone, since it is a cantilever type, one of the grindstones is lifted and the grindstone itself is not parallel to the wafer. .
  • an excessive force is applied to a local portion, and a portion where the tip of the abrasive grain is largely cut into the wafer is generated, thereby causing a crack.
  • the wafer is stably ground by suppressing brittle mode grinding, and the present invention aims to solve this problem.
  • the present invention has been proposed in order to achieve the above object, and the invention according to claim 1 is characterized in that a grindstone for grinding a wafer is attached to a lower end and the spindle is rotatable, and the grindstone grinds the wafer.
  • At least two vertically extending linear guides arranged on the outer periphery of the spindle so as to sandwich a point and slidably supporting the spindle with respect to a column; and a spindle feed mechanism for feeding the spindle vertically downward;
  • a grinding machine that processes the wafer with the grindstone while feeding the spindle in the vertical direction, and is interposed between the spindle feed mechanism and the column, and the spindle feed mechanism transfers the grindstone to the wafer.
  • the spindle and the spindle feed mechanism are raised when a frictional force of a predetermined value or more is applied to the grindstone.
  • the constant pressure feed mechanism temporarily raises the spindle and the spindle feed mechanism when the grindstone tries to cut deeper than the desired grinding amount and the frictional force acting on the grindstone is excessive.
  • the wafer is subjected to ductile mode grinding in a state where the grinding wheel and the wafer are not excessively contacted, that is, the so-called spindle is floated, stable grinding can be performed without damaging the wafer.
  • the grindstone and the spindle are lowered along the direction of gravity and force is applied to the wafer. Even if the sharpness of the tip of the grindstone changes, since the wafer is pressed with a constant pressure, a cut corresponding to the sharpness is given to the wafer. This makes it possible to give a cut to the wafer while feeding the grindstone at a predetermined pressure according to the sharpness of the grindstone, compared to the conventional method of feeding the grindstone at a constant speed, giving a stable cut and cracking. Can be suppressed. In addition, since the grindstone is automatically sent according to the speed at which the actual wafer is removed by the processing, it is possible to continue the constant incision processing stably during the processing.
  • the at least two linear guides are arranged so as to sandwich the processing point, even if the grindstone receives a reaction force accompanying the processing from the wafer, the grindstone is inclined by the reaction force. Instead, the wheel is always parallel to the wafer by being pushed back vertically upward, and the horizontal state can be maintained. Thereby, it is possible to continuously give a constant cut while suppressing an excessive processing stress in a part of the grindstone.
  • the constant pressure feeding mechanism provides a grinding machine which is a constant pressure cylinder.
  • the constant pressure cylinders are respectively provided on both sides in the horizontal direction perpendicular to the vertical direction across the spindle feed mechanism. I will provide a.
  • the constant pressure cylinders provided on both sides in the horizontal direction of the spindle feed mechanism are similarly driven when the spindle and the spindle feed mechanism are raised.
  • the spindle and the spindle feed mechanism are restricted from moving in the horizontal direction, ductile mode grinding with the spindle floating can be stably performed.
  • the driving pressure of the constant pressure cylinder acts on the grindstone when the grindstone is cut by a critical cut depth of the wafer.
  • a grinding machine which is set to a value equal to or less than a value corresponding to a frictional force.
  • the feed direction in which the spindle feed mechanism feeds the spindle is that the grindstone is along the vertical direction.
  • a grinding machine arranged on a straight line passing through a processing point for grinding a wafer.
  • the feeding direction is parallel to the vertical direction and is arranged on a straight line passing through the processing point of the grindstone.
  • the spindle feed mechanism feeds the spindle so as to suppress the reaction force when the grindstone contacts the wafer, so ductile mode grinding with the spindle floating is performed. It can be performed stably.
  • At least three linear guides are provided, and the center of gravity of the spindle is the linear guide in a plan view.
  • a grinding machine disposed within a polygon formed by the above is provided.
  • the center of gravity of the spindle is disposed within the polygon formed by the linear guide, whereby the frictional force acting on the grindstone.
  • the linear guide placed around the spindle regulates the attitude of the spindle and the spindle yaws, chips or rolls against the grinding machine In order to regulate this, ductile mode grinding with the spindle floating can be performed stably.
  • the constant pressure feed mechanism temporarily raises the spindle and the spindle feed mechanism, Since the wafer is subjected to ductile mode grinding with the spindle floating, the wafer can be stably ground without damaging the wafer.
  • a constant pressure is given by the natural weight, a constant pressure is always applied to the wafer surface corresponding to the sharpness of the abrasive grain tip, and cracks occur in the wafer while maintaining a constant cutting depth. It is possible to perform grinding in a ductile mode while maintaining a not-so-deadly depth of cut.
  • the perspective view which shows the grinding machine which concerns on one Example of this invention The top view of the main unit shown in FIG. The side view of the main unit shown in FIG. The perspective view which shows the upper part of a main unit.
  • the schematic diagram which shows the mode of ductile mode grinding It is a schematic diagram which shows the conventional grinding machine, (a) is a figure which shows the mode before grinding, (b) is a figure which shows the mode during grinding.
  • the grinding machine In order to achieve the object of stably grinding a wafer by suppressing brittle mode grinding, the grinding machine according to the present invention has a grindstone for grinding a wafer attached to the lower end and a rotatable spindle, and the grindstone holds the wafer.
  • At least two vertically extending linear guides arranged on the outer periphery of the spindle so as to sandwich the processing point to be ground, and slidably supporting the spindle with respect to the column; a spindle feed mechanism for feeding the spindle vertically downward;
  • a grinding machine that processes a wafer with a grinding wheel while feeding the spindle in the vertical direction, and is interposed between the spindle feeding mechanism and the column, suspending the spindle and the spindle feeding mechanism, and the spindle feeding mechanism When the grinding wheel is cut into the wafer and a frictional force greater than the specified value is applied to the grinding wheel, the spindle and spindle feed mechanism are raised. Realized by that it comprises a pressure feed mechanism for.
  • the grinding machine according to the present invention is not particularly limited as long as the grindstone grinds the wafer in a ductile mode in a floating state in which the spindle is not excessively in contact with the wafer without grinding with a cutting depth greater than the critical cutting depth of the wafer. Any particular embodiment may be used.
  • the terms “upper” and “lower” correspond to the upper and lower parts in the vertical direction.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a basic configuration of a grinding machine 1 in which a constant pressure feeding mechanism is omitted.
  • FIG. 2 is a plan view of the main unit 2 shown in FIG.
  • FIG. 3 is a side view of the main unit 2.
  • FIG. 4 is a perspective view showing the upper part of the main unit 2.
  • the grinding machine 1 forms a thin film by grinding the back surface of the wafer W.
  • the wafer W to be ground using the grinder 1 is preferably a silicon wafer, silicon carbide wafer, or the like that exhibits high hardness and high brittleness, but is not limited thereto.
  • the grinding machine 1 includes a main unit 2 including a grindstone 21 and a transport unit 3 disposed below the main unit 2.
  • the main unit 2 includes an arched column 22, a spindle 23 to which a grindstone 21 is attached, three linear guides 24 that support the spindle 23 so as to be slidable in the vertical direction V, and the spindle 23 is moved up and down in the vertical direction V.
  • a spindle feed mechanism 25 to be moved.
  • the transfer unit 3 includes a chuck 31 that can hold the wafer W by suction and a slider 32 on which the chuck 31 is placed.
  • the chuck 31 is connected to a vacuum source (not shown) and can vacuum-suck the wafer W onto the surface of the chuck 31. Further, the chuck 31 can be rotated around a vertical axis passing through the center of the chuck 31 by a motor (not shown).
  • the slider 32 is slidable on the rail 33 by a slider drive mechanism (not shown), whereby the chuck 31 and the slide 32 are integrally slid in the wafer transfer direction D1.
  • the wafer W vacuum-sucked on the chuck 31 is carried to the lower part of the grindstone 21 by the slider 32 before the grinding process, and is carried out from the lower part of the grindstone 21 to the rear of the main unit 2 after the grinding process.
  • the operation of the grinding machine 1 is controlled by a control unit (not shown).
  • the control unit controls each component constituting the grinding machine 1.
  • the control unit includes, for example, a CPU, a memory, and the like.
  • the function of the control unit may be realized by controlling using software, or may be realized by operating using hardware.
  • the spindle 23 is accommodated in a groove 22 b that is recessed in the front surface 22 a of the column 22 in the vertical direction V.
  • the spindle 23 includes a saddle 23a with the grindstone 21 attached to the lower end, and a motor 23b that is provided in the saddle 23a and rotates the grindstone 21.
  • the linear guide 24 includes two front linear guides 24a disposed in front of the column 22 and one rear linear guide 24b disposed in the groove 22b.
  • the front linear guide 24a and the rear linear guide 24b are provided in parallel to each other along the vertical direction V.
  • a saddle 23a is directly attached to the front linear guide 24a.
  • a saddle 23a is attached to the rear linear guide 24b via a nut 25a described later. Accordingly, the front linear guide 24a and the rear linear guide 24b function as guide rails for the saddle 23a.
  • the front linear guide 24a is disposed at the edge of the groove 22b.
  • the rear linear guide 24b is disposed at the bottom of the groove 22b.
  • the front linear guide 24a and the rear linear guide 24b are arranged such that the center of gravity G of the spindle 23 is arranged in a triangle T formed by the front linear guide 24a and the rear linear guide 24b in plan view. Are spaced apart from each other.
  • the spindle feed mechanism 25 includes a nut 25a that connects the saddle 23a and the rear linear guide 24b, a ball screw 25b that moves the nut 25a up and down, and a motor 25c that rotates the ball screw 25b.
  • the motor 25c is driven to rotate the ball screw 25b in the forward direction and the nut 25a is lowered in the feeding direction D2 of the ball screw 25b parallel to the vertical direction V, the saddle 23a is lowered.
  • the feeding direction D2 is on a straight line parallel to the vertical direction V through the processing point P where the grindstone 21 processes the wafer W.
  • the rotation axis O of the ball screw 25b and the processing point P of the grindstone 21 are arranged on the same straight line in the vertical direction V.
  • the spindle 23 and the spindle feed mechanism 25 are connected to a counterweight (not shown), and are suspended from a constant pressure cylinder 26, which will be described later, in balance with the counterweight. Thereby, the spindle feed mechanism 25 can lower the spindle 23 to the grinding start position at high speed. Further, the grinding wheel 21 is cut into the wafer W by the amount that the spindle feed mechanism 25 sends the spindle 23, and the feed amount of the spindle feed mechanism 25 can be accurately grasped by the rotation amount of the ball screw 25b. Can be controlled with high accuracy.
  • the main unit 2 is provided with an in-process gauge (not shown) for measuring the thickness of the wafer W.
  • an in-process gauge (not shown) for measuring the thickness of the wafer W.
  • the main unit 2 is provided with a constant pressure cylinder 26 as a constant pressure feeding mechanism.
  • a constant pressure cylinder 26 is provided on each side of the horizontal direction H across the nut 25a of the spindle feed mechanism 25, and is interposed between the column 22 and the nut 25a.
  • the constant pressure cylinder 26 is an air cylinder that employs a known configuration including a cylinder, a piston, a piston rod, a compressor, and the like (not shown).
  • the driving pressure of the constant pressure cylinder 26 is set to a value corresponding to the frictional force acting on the grindstone 21 when the grindstone 21 is cut by the critical cutting depth (Dc value) of the wafer W.
  • the Dc value varies depending on the material of the wafer W, and is 0.09 ⁇ m for a silicon wafer and 0.15 ⁇ m for a silicon carbide wafer, for example.
  • the constant pressure cylinder 26 has a spindle 23 and a spindle feed mechanism 25 suspended in a groove 22b. Specifically, the lower end of the piston rod of the constant pressure cylinder 26 is connected to the nut 25a, and when the frictional force acting on the grindstone 21 during grinding is transmitted to the piston rod, the compression filled in the cylinder of the constant pressure cylinder 26 is performed. Raise the piston to push the air back. Therefore, when the grinding wheel 21 tries to cut deeper than a desired grinding amount (for example, Dc value) and the frictional force acting on the grinding wheel 21 becomes excessive, the spindle 23 and the spindle feed mechanism 25 are temporarily raised. . Thereby, it is suppressed that the grindstone 21 cuts more than Dc value. Even if the sharpness of the tip of the grindstone 21 changes and the frictional force becomes excessive, the constant pressure cylinder 26 temporarily raises the spindle 23 and the spindle feed mechanism 25, so that the wafer W is damaged. Can be suppressed.
  • a desired grinding amount for example, D
  • the constant pressure cylinder 26 does not press the spindle 23 downward in the vertical direction, and the spindle 23 is fed (in-feed) only by the spindle feed mechanism 25.
  • the grindstone 21 is cut into the wafer W by the feed amount of the spindle feed mechanism 25, and the feed amount of the spindle feed mechanism 25 can be accurately grasped by the rotation amount of the ball screw 25b.
  • the feed amount can be controlled with high accuracy.
  • the spindle feed mechanism 25 is restricted from being inclined in the horizontal direction H when the spindle feed mechanism 25 is raised. Therefore, as shown in FIG. 5, the wafer W can be subjected to ductile mode grinding in a so-called floating state in which the abrasive grains of the grindstone 21 do not excessively contact the wafer W during grinding.
  • the SiC substrate is subjected to ductile mode grinding using the grinder 1
  • a # 8000 grindstone 21 is prepared, the rotation speed of the spindle 23 is 2000 rpm, the rotation speed of the chuck 31 is 300 rpm, It is conceivable to set the grinding load to 20 kg and the feed speed of the spindle feed mechanism 25 to 0.4 ⁇ m / s.
  • the “load during grinding” corresponds to the driving pressure (500 kPa) of the constant pressure cylinder 26 set when the grindstone 21 is separated from the wafer W by 1 ⁇ m.
  • the constant pressure cylinder 26 is replaced with the spindle feed mechanism 25.
  • the wafer W is subjected to ductile mode grinding in a state where the spindle 23 is in a floating state by temporarily increasing the pressure and suppressing the pressure concentration at the processing point P, so that the wafer W can be stably ground without damaging it. Can do.
  • the spindle feed mechanism 25 is restricted from moving in the horizontal direction H, so that the ductile mode grinding with the spindle 23 floating is further stabilized. Can be done.
  • the feeding direction D2 is parallel to the vertical direction V and arranged on a straight line passing through the processing point P of the grindstone 21, the grindstone is used when grinding the wafer W with the spindle 23 floating. Since the spindle feeding mechanism 25 sends out the spindle 23 so as to suppress the reaction force when the 23 comes into contact with the wafer W, ductile mode grinding with the spindle 23 floating can be performed more stably. Further, since the spindle 23 performs grinding while pressing the wafer along the vertical direction V only by its own weight, it has a small sliding resistance and is minute compared to a conventional grinding machine that feeds and grinds a grindstone in the horizontal direction. It is possible to grind with the depth of cut.
  • the linear guide 24 arranged around the spindle 23 regulates the attitude of the spindle 23, so that it floats. In this state, ductile mode grinding can be performed stably.
  • the specific configuration of the constant pressure feed mechanism is not limited to that described above, and any configuration may be used as long as the spindle can be raised so as to release excessive frictional force acting on the grindstone. .
  • the specific configuration of the linear guide is not limited as long as it can regulate the vertical movement of the spindle in the vertical direction.
  • the center of gravity of the spindle in a plan view is arranged in the polygon formed by the linear guide.
  • the spindle is supported by two linear guides, and the center of gravity of the spindle is arranged on a straight line formed by the two linear guides in plan view. It doesn't matter.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

脆性モード研削を抑制してウェハを安定して研削する研削盤を提供する。研削盤（１）は、砥石（２１）を下端に取り付けて回転可能なスピンドル（２３）と、スピンドル（２３）をコラム（２２）に対して摺動可能に支持するリニアガイド（２４）と、スピンドル（２３）を鉛直方向（Ｖ）に送るスピンドル送り機構（２５）と、スピンドル送り機構（２５）とコラム（２２）との間に介装されてスピンドル送り機構（２５）を吊設する定圧送り機構（２６）と、を備えている。定圧送り機構（２６）は、砥石（２１）に作用する摩擦力が所定値より高い場合にスピンドル送り機構（２５）を鉛直方向（Ｖ）に上昇させる。

Description

研削盤
　本発明は、ウェハの裏面を研削する研削盤に関し、特に、脆いウェハにダメージを与えることなく研削可能な研削盤に関する。
　半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）を薄膜に形成するために、ウェハの裏面を研削する裏面研削が行われている。
　ウェハの裏面研削を行う研削盤として、図６（ａ）に示すように、コラム４１と、コラム４１にボールネジ４２を介して片持ち支持されたスピンドル４３と、スピンドル４３の下端に取り付けられた砥石４４と、を備え、スピンドル４３を回転させながら、ボールネジ４２でスピンドル４３を下降させ、砥石４４でチャック４５に載置されたウェハＷを研削する研削盤４０が知られている（例えば、特開２００３－００７６６１号公報）。
　このような研削盤４０では、図６（ｂ）に示すように、スピンドル４３は、研削時の反力で姿勢が傾くことがあり、ウェハＷを所望の断面形状に加工できなかったり、ウェハＷの裏面にいわゆるアヤ目が形成されてウェハＷにダメージを与えてしまう虞があった。
　このような研削時のスピンドルの傾きを抑制するものとして、特許文献１では、研削部材を保持する研削機構を水平方向に滑動させるガイドと、研削機構を半導体基板に定速で移動させて半導体基板を研削する定速移動機構と、定速移動機構による研削後に半導体基板と研削機構とが定圧で押圧されるように研削機構を半導体基板に移動させる定圧移動機構と、を備えた半導体基板研削機が開示されている。
　また、特許文献２では、研削ホイールがリニアガイドを介して鉛直方向に摺動可能に設けられ、研削ホイールが所望の研削量に応じて下降して、ウェハの裏面をインフィード研削する研削盤が開示されている。
特開２００９－２７２３２３号公報 特許第５５８２９１６号公報
　しかしながら、上述したような特許文献１記載の半導体基板研削機や特許文献２記載の研削盤では、ガイドが砥石をウェハに接近させる際にガイドに生じる摺動抵抗に起因して、砥石はいわゆる溜め送りで移動するため、ウェハを微小な研削量で切り込むことが難しかった。そして、砥石（砥粒）の切り込み深さがウェハの臨界切り込み深さ（Ｄｃ値）より大きい場合には、図７に示すように、ウェハの研削時にウェハに欠けやひび割れが生じる脆性モード研削となる虞があった。
　例えば、引用文献１に示す構成では、研削機構を水平方向に送るガイドは研削機構がウェハを研削する加工点の下方に設置されているため、加工時の加工抵抗によっては、研削機構とガイドとの間でモーメントが生じ、微小ではあるが研削機構とウェハとが平行ではなくなる虞があった。
　また、特許文献２に示す構成では、定速で砥石を送りながら加工する場合、砥粒先端の切れ味は逐次変化する一方で、その砥石を一定の切込みを絶えず与え続けてしまうと、一つ一つの砥粒がクラックを発生する限界以上の切り込みをウェハに与えてしまうことがある。その結果、実際の砥粒先端でウェハ表面に微小な欠けやひび割れ、クラック等が生じる虞があった。
　また、図６（ａ）、（ｂ）に示したような従来の研削盤の場合、砥石を支持する点が加工する作用点と離れ、片持ち式である場合が多い。こうした場合、仮に砥石の先端の砥粒の切れ味に応じて一定圧力で押圧したとしても、片持ち式であるために、砥石の片方が持ち上がって、砥石の姿勢そのものがウェハに対して平行ではなくなる。その結果、局所的な部分に過剰な力がかかって、砥粒先端がウェハに大きく切り込む箇所が発生し、クラックが生じてしまう問題があった。したがって、ウェハに切り込みを与えるときは、砥石の姿勢を安定に保ちながら、砥粒の切れ味や集中度なども考慮して、一つの砥粒が所定の破壊限界以上の切込みを与えないように、砥石全体を注意して送らなければならない。
　そこで、脆性モード研削を抑制してウェハを安定して研削するという解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。
　本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１記載の発明は、ウェハを研削する砥石を下端に取り付けて回転可能なスピンドルと、前記砥石が前記ウェハを研削する加工点を挟み込むように前記スピンドルの外周に配置されて前記スピンドルをコラムに対して摺動可能に支持する少なくとも２つの鉛直方向に伸びるリニアガイドと、前記スピンドルを鉛直下方向に送るスピンドル送り機構と、を備え、前記スピンドルを鉛直方向に送りながら前記砥石でウェハを加工する研削盤であって、前記スピンドル送り機構と前記コラムとの間に介装されて、前記スピンドル送り機構が前記砥石を前記ウェハに切り込ませて前記砥石に所定値以上の摩擦力が作用した場合に前記スピンドル及び前記スピンドル送り機構を上昇させる定圧送り機構を備えている研削盤を提供する。
　この構成によれば、砥石が所望の研削量より深く切り込もうとして、砥石に作用する摩擦力が過大となる場合に、定圧送り機構が、スピンドルとスピンドル送り機構とを一時的に上昇させることにより、砥石とウェハとが過度に接触しない、いわゆるスピンドルがフローティングした状態でウェハが延性モード研削されるため、ウェハにダメージを与えることなく安定して研削することができる。
　また、鉛直方向に砥石が送られることにより、砥石とスピンドルとが重力方向に沿って下降してウェハに力がかかる。仮に砥石の先端の切れ味が変化したとしても、一定の圧力でウェハを押圧しているため、その切れ味に応じた切込みをウェハに与えることになる。これにより、従来のような定速で砥石を送るものと比較して、砥石の切れ味に応じて所定の圧力で砥石を送りながら切込みをウェハに与えることができ、安定した切込みが与えられ、クラックの発生を抑制することができる。また、実際のウェハが加工によって除去される速度に応じて、自動的に砥石が送られていくため、加工中も安定して一定切込みの加工を継続することができる。
　また、少なくとも２つのリニアガイドが、加工点を挟み込むように配設されていることにより、砥石がウェハから加工に伴う反力を受けた場合であっても、その反力によって砥石が傾くことはなく、鉛直上方向に押し戻されるだけで、砥石の姿勢は常にウェハと平行であり、水平状態を保つことができる。これにより、砥石の一部で加工応力が過剰になることを抑制しながら、絶えず一定の切込みを与え続けることができる。
　請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の構成に加えて、前記定圧送り機構は、定圧シリンダである研削盤を提供する。
　この構成によれば、請求項１記載の発明の効果に加えて、砥石に作用する摩擦力が過大となる場合には、定圧シリンダに吊設されたスピンドル及びスピンドル送り機構が上昇することにより、スピンドルがフローティングした状態で砥石の姿勢が変化せず水平姿勢を保ったままでウェハを延性モード研削するため、ウェハにダメージを与えることなく安定して研削することができる。
　請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明の構成に加えて、前記定圧シリンダは、前記スピンドル送り機構を挟んで前記鉛直方向に垂直な水平方向の両側にそれぞれ設けられている研削盤を提供する。
　この構成によれば、請求項２記載の発明の効果に加えて、スピンドル送り機構の水平方向の両側に設けられた定圧シリンダが、スピンドルとスピンドル送り機構とが上昇する際に同様に駆動することにより、スピンドルとスピンドル送り機構とは水平方向への移動を規制されるため、スピンドルがフローティングした状態での延性モード研削を安定して行うことができる。
　請求項４記載の発明は、請求項２又は３記載の発明の構成に加えて、前記定圧シリンダの駆動圧は、前記ウェハの臨界切り込み深さだけ前記砥石が切り込んだ際に前記砥石に作用する摩擦力に応じた値以下に設定される研削盤を提供する。
　この構成によれば、請求項２又は３記載の発明の効果に加えて、砥石が臨界切り込み深さ以上でウェハを切り込むことが抑制されることにより、スピンドルがフローティングした状態でウェハを延性モード研削するため、ウェハにダメージを与えることなく安定して研削することができる。
　請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の何れか１項記載の発明の構成に加えて、前記スピンドル送り機構が前記スピンドルを送り込む送り込み方向は、前記鉛直方向に沿って前記砥石が前記ウェハを研削する加工点を通る直線上に配置されている研削盤を提供する。
　この構成によれば、請求項１乃至４の何れか１項記載の発明の効果に加えて、送り込み方向が鉛直方向に沿って平行で砥石の加工点を通る直線上に配置されていることにより、スピンドルをフローティングさせた状態でウェハの研削を行う際に、砥石がウェハに接触する際の反力を抑えるようにスピンドル送り機構がスピンドルを送り出すため、スピンドルがフローティングした状態での延性モード研削を安定して行うことができる。
　請求項６記載の発明は、請求項１乃至５の何れか１項記載の発明の構成に加えて、前記リニアガイドは、少なくとも３つ設けられ、前記スピンドルの重心は、平面視で前記リニアガイドにより形成される多角形内に配置されている研削盤を提供する。
　この構成によれば、請求項１乃至５の何れか１項記載の発明の効果に加えて、スピンドルの重心はリニアガイドが形成する多角形内に配置されることにより、砥石に作用する摩擦力が過大となり、定圧送り機構がスピンドルとスピンドル送り機構を上昇させる場合に、スピンドルの周囲に配置されたリニアガイドがスピンドルの姿勢を規制して、スピンドルが研削盤に対してヨーイング、チッピング又はローリングすることを規制するため、スピンドルがフローティングした状態での延性モード研削を安定して行うことができる。
　本発明は、砥石が所望の研削量より深く切り込もうとして、砥石に作用する摩擦力が過大となる場合には、定圧送り機構が、スピンドル及びスピンドル送り機構を一時的に上昇させることにより、スピンドルがフローティングした状態でウェハが延性モード研削されるため、ウェハにダメージを与えることなく安定して研削することができる。さらに、自然な重さによって一定の圧力を与えているため、砥粒先端の切れ味に対応して常に一定圧力がウェハ表面に与えられ、一定の切り込み深さを保ちながら、ウェハにとってクラック発生するような致命的にならない切込み量を維持しながら、延性モードで研削することが可能となる。
本発明の一実施例に係る研削盤を示す斜視図。 図１に示すメインユニットの平面図。 図１に示すメインユニットの側面図。 メインユニットの上部を示す斜視図。 延性モード研削の様子を示す模式図。 従来の研削盤を示す模式図であり、（ａ）は、研削前の様子を示す図であり、（ｂ）は、研削中の様子を示す図である。 脆性モード研削の様子を示す模式図。
　本発明に係る研削盤は、脆性モード研削を抑制してウェハを安定して研削するという目的を達成するために、ウェハを研削する砥石を下端に取り付けて回転可能なスピンドルと、砥石がウェハを研削する加工点を挟み込むようにスピンドルの外周に配置されてスピンドルをコラムに対して摺動可能に支持する少なくとも２つの鉛直方向に伸びるリニアガイドと、スピンドルを鉛直下方向に送るスピンドル送り機構と、を備え、スピンドルを鉛直方向に送りながら記砥石でウェハを加工する研削盤であって、スピンドル送り機構とコラムとの間に介装されて、スピンドル及びスピンドル送り機構を吊設し、スピンドル送り機構が砥石をウェハに切り込ませて砥石に所定値以上の摩擦力が作用した場合にスピンドル及びスピンドル送り機構を上昇させる定圧送り機構を備えていることにより実現する。
　本発明に係る研削盤は、砥石がウェハの臨界切り込み深さ以上の切り込み量で研削することなく、スピンドルがウェハに過度に接触しないフローティング状態でウェハを延性モード研削するものであれば、その具体的な実施態様は如何なるものであっても構わない。
　以下、本発明の一実施例に係る研削盤１について説明する。なお、以下の実施例において、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
　また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。
　また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。
　なお、本実施例において、「上」、「下」の語は、鉛直方向における上方、下方に対応するものとする。
　図１は、定圧送り機構を省略した研削盤１の基本的構成を示す斜視図である。図２は、図１に示すメインユニット２の平面図である。図３は、メインユニット２の側面図である。図４は、メインユニット２の上部を示す斜視図である。
　研削盤１は、ウェハＷを裏面研削して薄膜に形成する。研削盤１を用いて研削加工が施されるウェハＷは、シリコンウェハ、シリコンカーバイドウェハ等の高硬度・高脆性を示すものが好適であるが、これらに限定されるものではない。研削盤１は、砥石２１を備えるメインユニット２と、メインユニット２の下方に配置された搬送ユニット３と、を備えている。
　メインユニット２は、アーチ状のコラム２２と、砥石２１が取り付けられたスピンドル２３と、スピンドル２３を鉛直方向Ｖに摺動可能に支持する３つのリニアガイド２４と、スピンドル２３を鉛直方向Ｖに昇降させるスピンドル送り機構２５と、を備えている。
　搬送ユニット３は、ウェハＷを吸着保持可能なチャック３１と、チャック３１を載置するスライダ３２と、を備えている。チャック３１は、図示しない真空源に接続されており、ウェハＷをチャック３１の表面に真空吸着可能である。また、チャック３１は、図示しないモータによってチャック３１の中心を通る鉛直軸回りに回動可能である。スライダ３２は、図示しないスライダ駆動機構によってレール３３上を摺動可能であり、これにより、チャック３１とスライド３２とは、ウェハ搬送方向Ｄ１に一体になってスライドするようになっている。このようにして、チャック３１上に真空吸着されたウェハＷは、研削加工前に、スライダ３２によって砥石２１の下方まで搬入され、研削加工後に、砥石２１の下方からメインユニット２の後方まで搬出される。
　研削盤１の動作は、図示しない制御ユニットによって制御される。制御ユニットは、研削盤１を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御ユニットは、例えば、ＣＰＵ、メモリ等により構成される。なお、制御ユニットの機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。
　次に、メインユニット２の具体的構成について説明する。スピンドル２３は、コラム２２の前面２２ａに鉛直方向Ｖに亘って凹設された溝２２ｂ内に収容されている。スピンドル２３は、砥石２１を下端に取り付けたサドル２３ａと、サドル２３ａ内に設けられて砥石２１を回転させるモータ２３ｂと、を備えている。
　リニアガイド２４は、コラム２２の前方に配置された２つの前方リニアガイド２４ａと、溝２２ｂに配置された１つの後方リニアガイド２４ｂと、で構成される。前方リニアガイド２４ａと後方リニアガイド２４ｂとは、鉛直方向Ｖに沿って互いに平行に設けられている。前方リニアガイド２４ａには、サドル２３ａが直接取り付けられている。また、後方リニアガイド２４ｂには、後述するナット２５ａを介して、サドル２３ａが取り付けられている。これにより、前方リニアガイド２４ａと後方リニアガイド２４ｂとは、サドル２３ａの案内レールとして機能する。
　前方リニアガイド２４ａは、溝２２ｂの縁部に配置されている。後方リニアガイド２４ｂは、溝２２ｂの底部に配置されている。前方リニアガイド２４ａと後方リニアガイド２４ｂとは、図３に示すように、平面視でスピンドル２３の重心Ｇが前方リニアガイド２４ａ及び後方リニアガイド２４ｂで形成される三角形Ｔ内に配置されるように、互いに離間して配置されている。
　スピンドル送り機構２５は、サドル２３ａと後方リニアガイド２４ｂとを連結するナット２５ａと、ナット２５ａを昇降させるボールネジ２５ｂと、ボールネジ２５ｂを回転させるモータ２５ｃと、を備えている。モータ２５ｃが駆動してボールネジ２５ｂが正回転し、ナット２５ａが鉛直方向Ｖと平行なボールネジ２５ｂの送り込み方向Ｄ２に下降することにより、サドル２３ａが下降する。送り込み方向Ｄ２は、砥石２１がウェハＷを加工する加工点Ｐを通って鉛直方向Ｖに平行な直線上にある。換言すると、ボールネジ２５ｂの回転軸Ｏと砥石２１の加工点Ｐとは、鉛直方向Ｖにおいて同一直線上に配置されている。
　スピンドル２３及びスピンドル送り機構２５は、図示しないカウンターウェイトに連結されており、カウンターウェイトと釣り合った状態で後述する定圧シリンダ２６に吊設されている。これにより、スピンドル送り機構２５は、スピンドル２３を研削開始位置まで高速で降下させることができる。また、スピンドル送り機構２５がスピンドル２３を送った分だけ砥石２１がウェハＷに切り込まれ、スピンドル送り機構２５の送り量は、ボールネジ２５ｂの回転量で正確に把握することができるため、研削量を精度良く制御することができる。
　メインユニット２には、ウェハＷの厚みを計測する図示しないインプロセスゲージが設けられている。インプロセスゲージが計測したウェハＷの厚みが所望の値に達すると、モータ２５ｃが駆動してボールネジ２５ｂが逆回転し、ナット２５ａに連結されたサドル２３ａが上昇することで、ウェハＷと砥石２１とが離間する。
　メインユニット２には、定圧送り機構としての定圧シリンダ２６が設けられている。定圧シリンダ２６は、スピンドル送り機構２５のナット２５ａを挟んで水平方向Ｈの両側に１つずつ設けられており、コラム２２とナット２５ａとの間に介装されている。定圧シリンダ２６は、図示しないシリンダ、ピストン、ピストンロッド、コンプレッサ等から成る公知の構成を採用したエアシリンダである。定圧シリンダ２６の駆動圧は、砥石２１がウェハＷの臨界切り込み深さ（Ｄｃ値）だけ切り込んだ際に砥石２１に作用する摩擦力に対応した値以下に設定される。Ｄｃ値は、ウェハＷの材料毎に異なり、例えば、シリコンウェハで０．０９μｍ、シリコンカーバイドウェハで０．１５μｍである。
　定圧シリンダ２６は、スピンドル２３及びスピンドル送り機構２５を溝２２ｂ内で吊設している。具体的には、定圧シリンダ２６のピストンロッドの下端がナット２５ａに連結されており、研削加工時に砥石２１に作用する摩擦力がピストンロッドに伝わると、定圧シリンダ２６のシリンダ内に充填された圧縮空気を押し戻すようにピストンを上昇させる。したがって、砥石２１が所望の研削量（例えば、Ｄｃ値）より深く切り込もうとして、砥石２１に作用する摩擦力が過大となる場合には、スピンドル２３及びスピンドル送り機構２５が一時的に上昇する。これにより、砥石２１がＤｃ値以上に切り込むことが抑制される。また、砥石２１の先端の切れ味が変化して摩擦力が過大になった場合であっても、定圧シリンダ２６が、スピンドル２３及びスピンドル送り機構２５を一時的に上昇させることにより、ウェハＷの破損を抑制することができる。
　さらに、定圧シリンダ２６はスピンドル２３を鉛直下方向に押圧することはせず、スピンドル２３の送り（インフィード）は、スピンドル送り機構２５のみによって行われる。そして、砥石２１は、スピンドル送り機構２５の送り量だけ砥石２１がウェハＷに切り込まれ、スピンドル送り機構２５の送り量はボールネジ２５ｂの回転量で正確に把握することができるため、砥石２１の送り量を精度良く制御することができる。そして、スピンドル送り機構位２５が砥石２１をウェハＷに切り込ませて定圧シリンダ２６の駆動圧以上の摩擦力が砥石２１に作用した場合には、定圧シリンダ２６は、スピンドル２３及びスピンドル送り機構２５を上昇させる。
　また、定圧シリンダ２６がスピンドル送り機構２５を挟んで水平方向Ｈの両側に設けられることにより、スピンドル送り機構２５が上昇する際にスピンドル送り機構２５が水平方向Ｈに傾くことが規制される。したがって、図５に示すように、砥石２１の砥粒が研削加工中にウェハＷに過剰に接触しない、いわゆるフローティングした状態でウェハＷを延性モード研削することができる。
　研削盤１を用いてＳｉＣ基板を延性モード研削する際の具体的な加工条件の一例としては、＃８０００の砥石２１を用意し、スピンドル２３の回転速度を２０００ｒｐｍ、チャック３１の回転速度を３００ｒｐｍ、研削時の荷重を２０ｋｇ、スピンドル送り機構２５の送り速度を０．４μｍ／ｓに設定することが考えられる。これにより、ＳｉＣ基板を延性モード研削することができる。なお、「研削時の荷重」とは、砥石２１をウェハＷから１μｍだけ離す際に設定される定圧シリンダ２６の駆動圧（５００ｋＰａ）に相当するものである。
　このようにして、上述した研削盤１は、砥石２１が所望の研削量より深く切り込もうとして、砥石２１に作用する摩擦力が過大となる場合には、定圧シリンダ２６が、スピンドル送り機構２５を一時的に上昇させて加工点Ｐでの圧力集中を抑制することにより、スピンドル２３がフローティングした状態でウェハＷを延性モード研削するため、ウェハＷにダメージを与えることなく安定して研削することができる。
　また、定圧シリンダ２６がスピンドル送り機構２５を挟んで設けられることにより、スピンドル送り機構２５が水平方向Ｈへの移動を規制されるため、スピンドル２３がフローティングした状態での延性モード研削をさらに安定して行うことができる。
　また、送り込み方向Ｄ２が鉛直方向Ｖに沿って平行で砥石２１の加工点Ｐを通る直線上に配置されていることにより、スピンドル２３をフローティングさせた状態でウェハＷの研削を行う際に、砥石２３がウェハＷに接触する際の反力を抑えるようにスピンドル送り機構２５がスピンドル２３を送り出すため、スピンドル２３がフローティングした状態での延性モード研削をさらに安定して行うことができる。また、スピンドル２３が鉛直方向Ｖに沿って自重のみでウェハを押圧しながら研削するため、従来のような水平方向に砥石を送って研削する研削盤と比較して、摺動抵抗が少なく微小な切り込み深さで研削することができる。
　さらに、スピンドル２３の重心Ｇが、平面視でリニアガイド２４が形成する三角形Ｔ内に配置されることにより、スピンドル２３の周囲に配置されたリニアガイド２４がスピンドル２３の姿勢を規制するため、フローティングした状態での延性モード研削を安定して行うことができる。
　なお、定圧送り機構の具体的構成は上述したものに限定されるものではなく、砥石に作用する過剰な摩擦力を逃がすようにスピンドルを上昇可能なものであれば如何なる構成であっても構わない。
　リニアガイドの具体的構成は、スピンドルの昇降を鉛直方向に規制可能なものであればよく、上述したような、平面視でスピンドルの重心がリニアガイドにより形成される多角形内に配置されるようにスピンドルを支持するものに限定されず、例えば、２つのリニアガイドでスピンドルを支持し、かつ、平面視でスピンドルの重心が２つのリニアガイドにより形成される直線上に配置されるものであっても構わない。
　なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。
　１　・・・　研削盤
　２　・・・　メインユニット
　２１・・・　砥石
　２２・・・　コラム
　２２ａ・・・（コラムの）前面
　２２ｂ・・・溝
　２３・・・　スピンドル
　２３ａ・・・サドル
　２３ｂ・・・（スピンドルの）モータ
　２４・・・　リニアガイド
　２４ａ・・・前方リニアガイド
　２４ｂ・・・後方リニアガイド
　２５・・・　スピンドル送り機構
　２５ａ・・・　ナット
　２５ｂ・・・　ボールネジ
　２５ｃ・・・　（スピンドル送り機構の）モータ
　２６・・・　定圧シリンダ（定圧送り機構）
　３　・・・　搬送ユニット
　３１・・・　チャック
　３２・・・　スライダ
　３３・・・　レール
　Ｗ　・・・　ウェハ
　Ｄ１・・・　ウェハ搬送方向
　Ｄ２・・・　送り込み方向
　Ｖ　・・・　鉛直方向
　Ｈ　・・・　水平方向
　Ｏ　・・・　ボールネジの回転軸
　Ｐ　・・・　砥石の加工点
　Ｇ　・・・　スピンドルの重心
　Ｔ　・・・　リニアガイドが形成する三角形

Claims (6)

  1. 　ウェハを研削する砥石を下端に取り付けて回転可能なスピンドルと、前記砥石が前記ウェハを研削する加工点を挟み込むように前記スピンドルの外周に配置されて前記スピンドルをコラムに対して摺動可能に支持する少なくとも２つの鉛直方向に伸びるリニアガイドと、前記スピンドルを鉛直下方向に送るスピンドル送り機構と、を備え、前記スピンドルを鉛直方向に送りながら前記砥石でウェハを加工する研削盤であって、
    　前記スピンドル送り機構と前記コラムとの間に介装されて、前記スピンドル及び前記スピンドル送り機構を吊設し、前記スピンドル送り機構が前記砥石を前記ウェハに切り込ませて前記砥石に所定値以上の摩擦力が作用した場合に前記スピンドル及び前記スピンドル送り機構を上昇させる定圧送り機構を備えていることを特徴とする研削盤。
  2. 　前記定圧送り機構は、定圧シリンダであることを特徴とする請求項１記載の研削盤。
  3. 　前記定圧シリンダは、前記スピンドル送り機構を挟んで前記鉛直方向に垂直な水平方向の両側にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項２記載の研削盤。
  4. 　前記定圧シリンダの駆動圧は、前記ウェハの臨界切り込み深さだけ前記砥石が切り込んだ際に前記砥石に作用する摩擦力に応じた値以下に設定されることを特徴とする請求項２又は３記載の研削盤。
  5. 　前記スピンドル送り機構が前記スピンドルを送り込む送り込み方向は、前記鉛直方向に沿って前記砥石が前記ウェハを研削する加工点を通る直線上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載の研削盤。
  6. 　前記リニアガイドは、少なくとも３つ設けられ、
    　前記スピンドルの重心は、平面視で前記リニアガイドにより形成される多角形内に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項記載の研削盤。
PCT/JP2016/078782 2015-09-30 2016-09-29 研削盤 Ceased WO2017057548A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/751,421 US10173296B2 (en) 2015-09-30 2016-09-29 Grinding machine
JP2017543543A JP6335397B2 (ja) 2015-09-30 2016-09-29 研削盤

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-194484 2015-09-30
JP2015194484 2015-09-30
JP2016131107 2016-06-30
JP2016-131107 2016-06-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017057548A1 true WO2017057548A1 (ja) 2017-04-06

Family

ID=58423763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/078782 Ceased WO2017057548A1 (ja) 2015-09-30 2016-09-29 研削盤

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10173296B2 (ja)
JP (1) JP6335397B2 (ja)
WO (1) WO2017057548A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019155488A (ja) * 2018-03-07 2019-09-19 株式会社東京精密 研削盤
CN113664715A (zh) * 2021-08-30 2021-11-19 兰州兰石能源装备工程研究院有限公司 磁性研磨机生产线驱动进给装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6228349B2 (ja) * 2015-12-01 2017-11-08 株式会社東京精密 加工装置
JP6283081B1 (ja) * 2016-09-28 2018-02-21 株式会社東京精密 加工装置のセッティング方法
CN111157317B (zh) * 2020-01-23 2024-01-05 北京市理化分析测试中心 一种高分子材料老化试验粉体制备装置及具有该粉体制备装置的老化试验箱
CN118832514A (zh) * 2024-07-12 2024-10-25 上海创元化妆品有限公司 一种硬质材料的等径深孔抛光设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001191237A (ja) * 1999-12-28 2001-07-17 Nichia Chem Ind Ltd 研削盤
JP2003071710A (ja) * 2001-08-28 2003-03-12 Nagase Integrex Co Ltd 研削盤
JP2004322215A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 M Tec Kk ワーク表面の研摩方法及び装置
JP2007210074A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Shuwa Kogyo Kk 研削装置および研磨装置、並びに研削方法および研磨方法
JP2012223863A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Disco Corp 表面に金属膜が被覆された硬質基板の研削方法
JP2013128070A (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ研削方法およびウェーハ研削装置
JP2015054373A (ja) * 2013-09-12 2015-03-23 株式会社ディスコ 加工装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988965A (en) * 1971-12-16 1976-11-02 Giddings & Lewis, Inc. Two pressure counterbalance system for machine tool headstocks
DE3306841A1 (de) * 1983-02-26 1984-08-30 Mafell Maschinenfabrik Rudolf Mey GmbH & Co KG, 7238 Oberndorf Verfahren zur bearbeitung eines werkstoffs oder werkstuecks mittels ultraschall und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE3906254A1 (de) * 1989-02-28 1990-08-30 Hitachi Seiko Kk Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung einer gedruckten leiterplatte
JP2003007661A (ja) 1999-01-06 2003-01-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd 平面加工装置及び平面加工方法
KR100395440B1 (en) * 2002-03-23 2003-08-21 Fineacetechnology Co Ltd Polishing machine tool
JP2009272323A (ja) 2008-04-30 2009-11-19 Hitachi Cable Ltd 半導体基板研削機及び研削方法
JP5582916B2 (ja) 2010-08-13 2014-09-03 株式会社東京精密 研削盤
CN103354772B (zh) * 2011-02-09 2016-03-23 伯恩哈德有限公司 具有自动引导机构的卷筒式割草机磨削设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001191237A (ja) * 1999-12-28 2001-07-17 Nichia Chem Ind Ltd 研削盤
JP2003071710A (ja) * 2001-08-28 2003-03-12 Nagase Integrex Co Ltd 研削盤
JP2004322215A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 M Tec Kk ワーク表面の研摩方法及び装置
JP2007210074A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Shuwa Kogyo Kk 研削装置および研磨装置、並びに研削方法および研磨方法
JP2012223863A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Disco Corp 表面に金属膜が被覆された硬質基板の研削方法
JP2013128070A (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ研削方法およびウェーハ研削装置
JP2015054373A (ja) * 2013-09-12 2015-03-23 株式会社ディスコ 加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019155488A (ja) * 2018-03-07 2019-09-19 株式会社東京精密 研削盤
CN113664715A (zh) * 2021-08-30 2021-11-19 兰州兰石能源装备工程研究院有限公司 磁性研磨机生产线驱动进给装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6335397B2 (ja) 2018-06-06
JPWO2017057548A1 (ja) 2018-02-22
US10173296B2 (en) 2019-01-08
US20180229341A1 (en) 2018-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6335397B2 (ja) 研削盤
JP6030265B1 (ja) 研削盤
JP7460711B2 (ja) 加工装置
KR20120015992A (ko) 연삭반
JP2019155488A (ja) 研削盤
JP2014008594A (ja) 両頭研削装置及びワークの両頭研削方法
JP2015171761A (ja) 仕上研削装置および仕上研削方法
JP7128635B2 (ja) 研削盤
JP2014037020A (ja) 研削装置
JP2012222123A (ja) 半導体ウェハの研削方法
JP2016107376A (ja) ガラス板の製造方法、および、ガラス板の製造装置
JP2021137900A (ja) 加工装置
US20230302603A1 (en) Processing device
JP2000158306A (ja) 両面研削装置
JP2024011312A (ja) ウェーハの研削方法および研削装置
JP7703064B2 (ja) 加工装置
JP2015006709A (ja) ウエーハの研削方法及び研削装置
JP5150196B2 (ja) シリコンウエハの製造方法
WO2009087723A1 (ja) インゴット切断装置および切断方法
JP2014037022A (ja) 研削装置
JP2016182647A (ja) ガラス基板の製造方法
JP2005262431A (ja) 研削装置
JP2006075947A (ja) ワーク切断方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16851719

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017543543

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15751421

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16851719

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1