WO2017001327A1 - Optoelektronische leuchtvorrichtung - Google Patents

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Stefanie Rammelsberger
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Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic Leuchtvorrich ⁇ processing and a method of manufacturing an opto-electronic light-emitting device.
  • oWLP optical wafer level package
  • the surface is usually fully or outside of the LED chip partially filled with a dielectric and having thereon a metallization covering the metallization often have less than optimal reflectivity also have lightlie ⁇ .. ing areas, ie areas where either the dielectric or the underlying black molding material is exposed, a non-optimal reflectivity.
  • the object underlying the invention is it to se ⁇ hen to provide an efficient concept, which designate the have overcome disadvantages and thus an improved opto ⁇ electronic lighting device and an improved Ver ⁇ drive for producing an optoelectronic lighting device allows.
  • an opto-electronic Leuchtvorrich ⁇ processing comprising:
  • an optoelectronic semiconductor device having a top surface comprising a light-emitting surface
  • a housing surface is coated with a light-scattering ⁇ lectric paint layer, which can scatter incident light on one of the surface of the housing surface facing away from the paint layer.
  • a method for producing an optoelectronic light-emitting device comprising the following steps:
  • the invention therefore includes, in particular and among other things, the idea of providing a housing surface with a lacquer layer. hen, which is designed for both light scattering and as a dielectric. This means in particular that the coating layer has a double function: a dielectric function and a light-scattering function.
  • the resist layer thus acts advantageously as an electrical insulation ⁇ layer.
  • the lacquer layer is therefore a dielectric. Due to the light-scattering function, the lacquer layer can advantageously scatter light which is incident on a surface of the lacquer layer which faces away from the housing surface. As a result, advantageously, a reflectivity of the lighting device can be increased. This means, in particular, that light can be scattered more efficiently.
  • a homogeneous color impression can be produced thereby in an advantageous manner.
  • an improved color homogeneity be ⁇ acts.
  • the lacquer layer thus acts as a litter layer, so it is also a litter layer.
  • the diffusion layer, so the light-scattering dielectric lacquer layer are produced in a ge ⁇ common process step with a dielectric lacquer layer, in that by means of a single application of the varnish, a lacquer layer is formed, which, as stated above, has a dual function. That is to say, with the formation of a single layer, both a light-scattering layer and a dielectric layer are formed: the light-scattering dielectric lacquer layer.
  • a dielectric lacquer homo ⁇ gener visual impression can for example be effected in an advantageous manner when viewed on the lacquer layer in the direction of the housing surface.
  • the lacquer layer is in particular designed to reflect or scatter only certain wavelengths or only a certain wavelength range of incident light. When writing in the light of this description of light, so should always be read in general electromagnetic radiation mitge ⁇ .
  • the lacquer layer reflects or scatters (in the case of scattering, reflection should always be read in, and vice versa) according to one embodiment, light incident on its surface facing away from the surface of the housing only in a specific wavelength range.
  • a certain color impression can thus be created in an advantageous manner. This is particularly advantageous for design reasons, especially with regard to an industrial design.
  • a particular color can be generated.
  • the lacquer layer comprises a plurality of scattering particles.
  • the scattering particles can advantageously efficiently reflect or scatter light. This in particular in a certain wavelength range or only a specific wavelength.
  • the color that reflects and / or scatters these scattering particles can be used as a label to name the lacquer layer. If red light is scattered, the lacquer layer can be referred to as a red lacquer layer.
  • the lacquer layer can be referred to as a white lacquer layer.
  • a luminous efficacy in an off state of the optoelectronic semiconductor component can be increased.
  • the scattering particles comprise one or more elements selected from the following group of scattering particles: TiO 2 particles, Al 2 O 3 particles, SiO 2 particles, BaSO 4 particles, ZrO 2 particles, HfO 2 particles.
  • the scattering particles have a diameter of less than 10 ⁇ m, in particular less than 1 ⁇ m.
  • a diameter of the scattering particles is smaller than a thickness of the paint layer.
  • the lacquer layer has a
  • the layer thickness of the lacquer layer is less than 50 ym.
  • a mi ⁇ nimale thickness of the paint layer is particularly dependent on the the ⁇ lektrischen properties of the paint layer and is particularly limited by the dielectric properties.
  • For the lacquer layer acts in particular as an electrical Isola ⁇ gate.
  • the layer thickness of the lacquer layer after an exporting ⁇ approximate shape of between 5 .mu.m and 50 .mu.m, in particular between 10 and 25 ym ym.
  • the lacquer layer is formed such that scattered light is white.
  • the lacquer layer is a white lacquer layer, ie that scattered and / or reflected light is white.
  • ver ⁇ running electrical feedthrough is embedded, which comprises a partially coated by means of the paint layer top and one of the top opposite bottom, wherein at the top of the via an electrical contact surface is formed, which is free of the paint ⁇ layer and having an opening formed at the top of the semiconducting ⁇ terbauteils electrical contact surface
  • This technical advantage is particularly causes an efficient electrical contact of the semiconducting ⁇ terbauteils can be achieved. Specifically, characterized the technical advantage is effected that, due to the partial coating of the upper surface of the via a light output of the lighting device can be further increased effi cient ⁇ by means of the lacquer layer. Because the area that can scatter and / or reflect light is thus increased.
  • the lacquer layer is a dielectric lacquer layer, that is to say a dielectric
  • an area of the upper side of the plated through hole must be free of this lacquer layer so that the electrical connection between the via and the contact surface of the upper side of the semiconductor component is made possible.
  • a trained different from the light emitting surface portion of the upper surface of the semiconductor device having the resist layer ⁇ is partially coated.
  • a light output can be further increased efficiently.
  • a portion of the top of the semiconductor device which is different from the light-emitting surface, coated with the paint layer.
  • an area of the paint layer increases in an efficient manner.
  • the section comprises an edge of the upper side of the semiconductor device. This means, in particular, that an edge of the upper side of the semiconductor component is provided with the lacquer layer.
  • an edge of the top side of the semiconductor component is fully provided with the lacquer ⁇ sends.
  • a ridge is formed on one edge of the upper side of the semiconductor component, which burr is coated with the lacquer layer.
  • Such a burr which is in particular electrically conductive, forms, for example, when the semiconductor component is separated from a wafer composite of a plurality of semiconductor components by means of a laser.
  • This ridge can also be used as a
  • Schlackegrat be referred to, insofar as the materials from which the semiconductor device is formed, melt ⁇ tent at Laserauch ⁇ and thus form a slag locally. This burr, because it is electrically conductive, the
  • the electrically conductive connection formed between the electrical contact surface orientation formed at the top of plated- through and formed on the upper surface of the semiconductor device electrical contact surface as formed one on the resist layer on ⁇ placed metallization is envisaged that the lacquer layer applied on the ridge is or will be provided with the metallization.
  • the burr provided with the lacquer layer or is coated, wherein at ⁇ closing the metallization is applied, so that thereby an electrically conductive connection (so the electrical connection) between the formed at the top of the via electrical contact surface and formed on the upper side of the semiconductor device electrical contact surface forms.
  • the burr typically has a height of 15 ym.
  • a height of a contact surface is usually, for example, a maximum of 4 ym.
  • the ridge usually towers over the contact surface. In this respect, it is usually very difficult or impossible to provide a conductor track that forms the top side of the plated through-hole.
  • te electrical contact surface electrically conductively connects to the formed on the upper side of the semiconductor device electrical contact surface. Because the ridge is here, so to speak, in the way.
  • the burr according to one embodiment is provided with the lacquer layer, the electrically conductive connection, ie the electrical connection, between the two electrical contact surfaces can be formed efficiently by means of metallization of the lacquer layer.
  • the electrical connection between the electrical contact surface formed on the upper side of the plated-through hole and the electrical contact surface formed on the upper side of the semiconductor component is designed as a conductor track. So the Lei ⁇ terbahn is formed for example on the ridge coat ⁇ de coat. In one embodiment, it is provided that the lacquer layer directly adjoins the light-emitting surface.
  • the light emitting surface is a surface of an epitaxial layer or an epitaxial layer stack.
  • an epitaxial layer or such an epitaxial layer stack is designated by the skilled person as a Epi ⁇ net.
  • epi stands for “epitaxial layer or epitaxial layer stack”.
  • Mesa Another term for Epi's “Mesa”. It is also the compound term “Epi-Mesa” are ver ⁇ spent on "epitaxial layer” or "epitaxial layer stack”.
  • the light-emitting surface is partially or completely coated by means of a conversion layer.
  • the light-emitting surface is free of a conversion layer.
  • the lacquer layer directly adjoins the epitaxial layer or the epitaxial layer stack on a side flank (which, for the sake of simplicity, can also be referred to merely as a flank). That means in particular that the layer of lacquer which makesflan ⁇ ke (edge) of the epitaxial layer or the epitaxial layer stack directly touched or contacted directly.
  • flank the plural should always be read in.
  • the lacquer layer directly adjoins, touches or contacts, respectively, opposite flanks of the epitaxial layer or the epitaxial layer stack one
  • the lacquer layer is therefore preferably a Lötstopplack für.
  • the solder resist is, for example, a solder resist based on epoxy resin.
  • the Lötstopplack Anlagen is thus for example a Lötstopplack Anlagen on epoxy resin base.
  • the solder mask comprises, for example, a plurality of scattering particles, for example titanium dioxide (TiO 2) scattering particles.
  • the solder resist layer thus comprises, for example, several scattering particles, for example titanium dioxide (TiO 2) scattering particles.
  • the lacquer comprises a photo-structurable silicone and / or a siloxane which can be structured by photostructurization.
  • the paint layer comprises insbesonde ⁇ re foto Modellierbares a silicone and / or a siloxane pragmatic Mathierbares.
  • the photoimageable silicone or the photostratable siloxane comprise a plurality of scattering particles, for example titanium dioxide (TiO 2) scattering particles.
  • TiO 2 titanium dioxide
  • the technical advantage is effected that the coating layer can be effi cient ⁇ processed efficiently by means of a photolithography process or structured, for example.
  • the paint is a photoresist.
  • the lacquer coating is therefore especially a Fo ⁇ tolack harsh.
  • the photoresist comprises, for example, a plurality of scattering particles, in particular titanium dioxide (TiO 2) scattering particles.
  • the photoresist layer comprises in particular a plurality of scattering particles ⁇ particular titanium dioxide (Ti02) -Streupelle.
  • the technical advantage is achieved that the lacquer layer can be efficiently processed or structured efficiently by means of a photolithographic process.
  • the coating layer is structured after coating.
  • the lacquer layer is therefore preferably a structured lacquer layer.
  • Patterning in one embodiment includes photolithographic patterning.
  • the paint layer is to say for example a photolithographically patterned resist ⁇ layer. This technical advantage, for example, be ⁇ acts to the paint layer can be structured efficiently.
  • a lithographically patterning the resist layer has fer ⁇ ner the advantage that the paint layer can be efficiently processedmayflä ⁇ chig.
  • exemplary coating processes described below are particularly advantageous in order to apply the paint efficiently over a large area.
  • it is provided to apply a structured lacquer layer by means of screen printing using a structured sieve. This means in particular that the structures of the lacquer layer by a structured screen are applied during screen printing.
  • Coating according to one embodiment comprises screen printing of the lacquer layer.
  • the paint is thus applied for example by means of a screen printing.
  • the lacquer layer is therefore in particular a screen-printed lacquer layer. This causes, for example, the technical advantage that the
  • Coating can be done efficiently.
  • the silk screen ⁇ CKEN is carried out, for example, using a structured mesh, as described above.
  • the coating comprises curtain coating of the lacquer layer according to one embodiment.
  • the paint is thus applied for example by means of curtain coating.
  • the lacquer layer is thus, for example, a curtain-cast lacquer layer.
  • the technical advantage is caused that the coating can be carried out efficiently.
  • the coating comprises, according to one embodiment, a spin-coating of the lacquer layer.
  • the paint is thus in particular spin coated.
  • the lacquer layer is thus in particular a spin-coated lacquer layer.
  • the coating comprises, according to one embodiment, a spraying of paint.
  • the lacquer layer is thus in particular a sprayed lacquer layer.
  • the lacquer can therefore be applied unstructured in order to form an unstructured lacquer layer, wherein the unstructured lacquer layer is structured after application, for example by means of a lithographic process.
  • the paint is applied in a structured so that indirectly forms un ⁇ a patterned resist layer, which must be therefore no longer structured according to the application.
  • the optoelectronic light-emitting device is produced or is produced by means of the method for producing an optoelectronic light-emitting device.
  • Embodiments relating to the method result analogously from embodiments relating to the optoelectronic lighting device and vice versa.
  • Designs made in connection with the method apply analogously to the optoelectronic lighting device and vice versa.
  • one or more elements from the following group of scattering particles are selected as scattering particles: TiO 2 particles, Al 2 O 3 particles, SiO 2 particles, BaSO 4 particles, ZrO 2 particles, HfO 2 particles.
  • the lacquer layer is formed such that scattered light is white.
  • a opposite from an upper side of the housing to the top of bottom of the housing comparable current electrical via is embedded in the opposing covers Un ⁇ underside an upper surface and one of the top, wherein the top of Through contact is partially coated by means of the lacquer, so that the top of the via is partially coated by means of the lacquer layer, wherein at the top of the fürkon ⁇ takttechnik an electrical contact surface is formed, which is free of the lacquer layer and the one with the top the semiconductor device formed electrical contact surface is electrically connected.
  • a different formed from the light emitting surface portion of the upper surface of the semiconductor device is partially coated with ⁇ means of the varnish, so that the differently formed from the light emitting surface portion of the semiconductor device is be ⁇ coated partially by means of the lacquer layer.
  • the provision comprises that the element or elements to be embedded are arranged on a carrier before embedding, wherein the embedding comprises that the element or elements arranged on the support are molded by means of a molding material in that the housing is formed by means of the molding material, the support being removed from the molded element (s) after molding, so as to provide a housing molded from the molding material in which the element (s) to be embedded are embedded.
  • a Molden in the sense of the present invention may be referred to in particular as an injection molding. This means in particular that the housing is injection-molded.
  • the housing is a spritzgegosse ⁇ nes housing according to one embodiment.
  • a Moldtechnikstoff can thus be particularly referred to as a molding material ⁇ .
  • a molding material comprises one or more silicones or is formed from one or more silicones.
  • a semiconductor device embedding the semiconductor device and the light-emitting surface free-housing means, in particular, that although the housing embeds the semiconductor device, it leaves the light-emitting surface free. That means in particular that the emit light ⁇ de surface is not covered by the housing. This means, in particular, that the light-emitting surface is exposed.
  • the top of the via is a metal coated top.
  • the upper side of the through-connection has a metal coating. That means in particular that according to one embodiment, the metal coating is partially coated by the coating material, so that a resist layer, the metal coating that Me ⁇ partially coated is formed. This means, in particular, that the lacquer layer partially coats the metal coating.
  • the top of the via in the presence of a metal coating is thus the top of the metal coating.
  • the electrical contact surface of the upper side of the semiconductor component has a metal coating.
  • This metal coating is analogous to the metal coating of the via an embodiment partly by means of the lacquer layer ⁇ layers.
  • the electrical connection between the electrical contact surface of the upper side of the semiconductor device and the upper side of the through-connection is formed by an electrical connection between the metal coating of the electrical contact surface of the upper side of the semiconductor device and the metal coating of the upper side of the via ,
  • Forming the electrical connection may include bonding according to one embodiment.
  • the forming of the electrical connection may comprise a photolithographic process according to one embodiment. That is, the electrical connection is, for example, a photolithographically defined electrical connection. This means, in particular, that a form of the electrical connection is or will be predetermined, in particular by means of the photolithographic process.
  • the semiconductor device is formed as a semiconductor chip.
  • the semiconductor device is a light emitting diode or light emitting diode (LED).
  • the light emitting diode is above ⁇ preferably an inorganic diode.
  • the rindemittie ⁇ - saving diode is a laser diode.
  • the laser diode is preferably formed as a laser diode chip.
  • the light-emitting surface may be an area of a conversion layer in one embodiment. This means, for example, that the semiconductor device is a conversion layer may include.
  • the upper side of the semiconductor component thus comprises in particular such a conversion layer.
  • a conversion layer is in particular configured to convert electromagnetic radiation having a first wavelength or a first wavelength range into an electromagnetic radiation having a second wavelength or a second wavelength range, wherein the second wavelength is different from the first wavelength is the second Wavelength range is at least partially, in particular completely, different from the first wavelength range.
  • a conversion layer has a conversion function, ie converts electromagnetic radiation or
  • the converted by the conversion ⁇ layer electromagnetic radiation can be referred to, for example, as a secondary light or as a Sekundärstrah ⁇ lung.
  • the semiconductor device thus emitted as the primary light that is converted by means of the Konversi ⁇ ons harsh to secondary light.
  • the conversion layer can be, for example, a phosphorus and / or an organic and / or an inorganic
  • FIGS. 11 and 12 each show a step corresponding to the steps shown in FIGS. 5 and 6 in a further method for producing an optoelectronic luminous device.
  • FIG. 1 shows a first step in a method for producing an optoelectronic lighting device.
  • a carrier 101 is assembledge provides ⁇ .
  • the carrier 101 includes a top surface 103.
  • On the upper surface 103 of the support 101 is an adhesive tape 104 angeord ⁇ net.
  • An adhesive layer 105 is arranged on this adhesive tape 104.
  • the adhesive tape 104 may be, for example, an adhesive tape characterized by the trade name "Revalpha".
  • the adhesive tape 104 is a double-sided adhesive tape in which one of the two adhesive layers loses its adhesive effect by the action of heat above a certain temperature.
  • the tape is therefore a so-called thermal release tape.
  • the adhesive layer has an upper side 107, which faces away from the upper side 103 of the carrier 101.
  • On the upper side 107 of the adhesive layer 105 two plated-through holes 109, 111 and two optoelectronic semiconductor components 113, 115 are arranged.
  • the vias 109, 111 each have a top side 117 and a top surface 117 of the opposite bottom side ⁇ 121st
  • the top 117 is formed as a metallbeschich ⁇ tete or metallized top.
  • the entspre ⁇ sponding metal coating indicates overall by reference numeral 119th
  • the respective upper side 117 faces the upper side 107 of the adhesive layer 105.
  • the optoelectronic semiconductor components 113, 115 each have ⁇ wells an upper surface 123 and a top surface of the bottom 124 respectivelylie- constricting.
  • the respective upper side 123 faces the upper side 107 of the adhesive layer 105.
  • the respective upper side 123 of the semiconductor components 113, 115 each comprise an epi 125, which has a light-emitting surface 127.
  • the light-emitting surface is partially or completely coated by means of a conversion layer.
  • the Epi 125 is free of a conversion layer.
  • An electrical contact surface 129 which is encompassed by a soldering pad 131, is formed in each case on the respective upper side 123 of the semiconductor components 113, 115.
  • the respective solder pad 131 is formed or arranged on the upper side 123 of the two semiconductor components 113, 115.
  • an electrical contact surface 129 is indirectly formed on the respective upper side 123.
  • the two optoelectronic semiconductor components 113, 115 and the two plated-through holes 109, 111 which are generally used for Example may be formed of copper or may include copper, are molded or overmolded in a molding process or an injection molding process. This is shown symbolically in FIG. 2.
  • the semiconductor components 113, 115 and the plated-through holes 109, 111 are molded by means of a molding material 201.
  • the encapsulation forms a housing 203.
  • the housing 203 thus embeds the plated-through holes 109, 111 and the
  • the housing 203 has an upper surface 205, which faces the upper side 103 of the carrier ⁇ one hundred and first
  • the housing 203 has a bottom 207 opposite the top 205 of the Ge ⁇ koruses 203rd
  • the vias 109, 111 and the optoelectronic semiconductor components 113, 115 face each other with their respective upper ⁇ page 117, 123 of the top 103 of the carrier 101 when the vias 109, 111 and the semiconductor assembly ⁇ parts 113 are positioned 115 on the carrier 101 , so are glued by means of the adhesive layer 105 and by means of the adhesive tape 104 on the upper side 103 of the carrier 101.
  • Step of the method is provided that the carrier 101 together with the adhesive layer 105 and the adhesive tape 104 from the housing 203 and the vias 109, 111 and the semiconductor devices 113, 115 is removed.
  • FIG. 3 shows the arrangement according to FIG. 2 with the carrier 101 removed and the adhesive layer 105 removed and with the adhesive tape 104 removed.
  • superfluous molding material 201 has been removed, which has settled for example between the solder pad 131 and the epi 125.
  • the two vias 109, 111 are embedded in the housing 203 such that only the metal coating 119 is exposed.
  • the metal coating 119 looks out of the housing 203, so to speak. So it protrudes from the housing 203 on the top 205 of the housing 203 addition.
  • FIG. 4 shows the arrangement of FIG. 3, wherein this has been rotated by 180 °.
  • the respective upper sides 117, 123 now point upwards relative to the plane of the paper.
  • Contact surface 129 is formed.
  • an electrical contact area 129 is formed indirectly in the depending ⁇ schreib top 123rd
  • Such elevated electrical contact portions 501 are just ⁇ if formed on the metal coating 119, in which case these electrical contact portions 501 include an electrical contact surface 503, which faces away from the top 117 of the ⁇ contacts 109, 111.
  • an electrical contact surface 503 is indirectly formed on the upper sides 117 of the plated-through holes 109, 111.
  • the upper side 205 of the housing 203 is coated with a lacquer, so that a lacquer layer 505 is formed.
  • the top 205 is a Gesimouseflä ⁇ che, so a housing surface of the housing 203 is coated with a lacquer.
  • the lacquer layer 505 has an upper side 507.
  • the lacquer layer 505 further has an underside 509, which faces away from the upper side 507.
  • the underside 509 of the lacquer layer 505 faces the upper side 205 of the housing 203.
  • the paint is a dielectric paint and includes several scattering particles.
  • the resist layer 505 is a light-diffusing ⁇ dielectric coating layer. Light incident on the upper ⁇ page 507 of the resist layer 505 is, thus, scattered and / or reflected.
  • the upper side 507 of the lacquer layer 505 faces away from the upper side 205 of the housing 203. Since the upper surface 507 of the resist layer 505, a surface is thus light is scattered by the resist layer 505 and / or reflectors ⁇ advantage which is incident on an area, that is, the top 507, the resist layer 505 of the top 205, so the Ge ⁇ housing area, facing away.
  • the lacquer layer 505 preferably has a layer thickness between 5 ⁇ m and 50 ⁇ m, in particular between 10 ⁇ m and 25 ⁇ m.
  • the lacquer layer 505 covers in particular a rim 1105, the upper surface 123 of the semiconductor device 115 and, in particular an edge 1107 of the top surface 123 of the semiconductor device 113.
  • the resist layer 505 contacted un ⁇ indirectly opposing edges 1109 of the epi 125th
  • the plated-through holes 109, 111 are now electrically connected to the optoelectronic semiconductor components 113, 115. It is provided that the via 109 is electrically connected to the semiconductor device 113. The via 111 is electrically connected to the optoelectronic semiconductor device 115.
  • the electrical connection is identified here by the reference numeral 601.
  • the electrical connection 601 may be a bonding wire according to an embodiment ⁇ form. In a further embodiment, this electrical connection 601 can be defined by means of a photolithographic process.
  • a curly bracket is indicated by the reference numeral 603, which identifies a housing portion of the housing 203 to be removed. So that means that this
  • Housing portion 603 will be removed to expose the undersides 121 of the vias 109, 111 and the lower sides 124 of the semiconductor devices 113, 115.
  • the removal of the housing portion 603 may include, for example, grinding and / or sawing.
  • FIG. 7 shows the arrangement according to FIG. 6 with the housing section 603 removed. This means that the arrangement according to FIG. 7 no longer shows the housing section 603. This means that the housing 203, which is shown in FIG. 7, no longer has the housing section 603 according to FIG. 6.
  • the undersides 121 of the plated-through holes 109, 111 and the lower sides 124 of the semiconductor components 113, 115 are thus exposed.
  • the vias 109, 111 thus extend from the top 205 of the housing 203 through the housing 203 to Un ⁇ underside 207 of the housing 203 after the housing portion has been removed 603rd
  • these undersides 121, 124 are metallized.
  • a metallization or a metal layer is formed on the lower sides 121, 124.
  • the reference symbols Be ⁇ 701 points to a respective metallization of the bottom side 124 of the semiconductor devices 113, 115.
  • Reference numeral 703 points to a respective metallization of the lower surfaces 121 of the vias 109, 111th
  • the arrangement shown in FIG. 7 is still provided with a coating 801 which can be sprayed on, for example.
  • the coating 801 is a conversion coating. It is thus a conversion layer formed ⁇ eight hundred and first
  • 801 includes the conversion layer ⁇ a phosphor converter which is embedded in a silicone matrix.
  • a conversion layer is formed in particular, elekt ⁇ romagnetician radiation having a first wavelength or a first wavelength range in an electromagnetic radiation comprising to convert a second wavelength or a second wavelength range, the second wavelength different from the first wavelength is res ⁇ pektive the second Wavelength range is at least partially, in particular completely, different from the first wavelength range.
  • a conversion layer thus has one Conversion function, thus converting electromagnetic radiation.
  • To convert the electromagnetic radiation may be referred to for example as a primary light as a primary or ⁇ radiation.
  • the means of the CONVERSION converted layer electromagnetic radiation can be referred to, for example, as a secondary light or as a Sekundärstrah ⁇ lung.
  • the conversion layer can be, for example, a phosphorus and / or an organic and / or an inorganic
  • FIG. 8 The arrangement shown in FIG. 8 is singulated, so that two optoelectronic light-emitting devices 901, 903 are formed. This is shown symbolically in FIG. 9.
  • each of the optoelectronic light-emitting devices 901, 903 in each case has a plated-through hole 109, 111 as well as an optoelectronic semiconductor component 113, 115 and a housing 203, in which the plated-through hole 109, 111 and the optoelectronic semiconductor component 113, 115 are embedded light-emitting surfaces 127 are exposed. Further, portions of surfaces different from the light emitting surface 127 are partially coated with the resist layer 505.
  • the manufacturing steps symbolically and exemplarily shown in Fig. 1 to 9 in a method of manufacturing an opto-electronic light-emitting device show two plated- through tierungen 109, 111 and two optoelectronic semiconductor ⁇ components 113, 115.
  • FIG. 10 shows a flow chart of a method for producing an optoelectronic light-emitting device. The method comprises the following steps:
  • FIGS. 11 and 12 each show a step corresponding to the respective steps shown in FIGS. 5 and 6 in a further method for producing an optoelectronic lighting device.
  • the semiconductor device 115 has a ridge 1101.
  • the semiconductor device 113 also has a ridge 1103.
  • the ridge 1101 of the semiconductor device 115 is formed at an edge 1105 of the upper surface 123 of the semiconductor device 115.
  • the ridge 1103 of the semiconductor device 113 is formed on an edge 1107 of the upper surface 123 of the semiconductor device 113.
  • the burrs 1101, 1103 are formed, for example, during a dicing of the semiconductor components 113, 115.
  • the burrs 1101, 1103 have a height (for example 14 ym) which is greater than the height (for example a maximum of 4 ym) of the electrical contact surface 129 of FIG Soldering pads 131.
  • the ridges 1101, 1103 are completeness, ⁇ dig covered by the resist layer 501, so that the ridges 1101 are completely embedded, 1103 in the lacquer layer.
  • the electrical connection 601 is formed on the lacquer layer 501 embedding the ridges 1101, 1103, for example as a metallization. Due to the lacquer layer 501, the electrical connection 601 is not short-circuited by the ridges 1101, 1103. The ridges 1101, 1103 are thus electrically insulated from the electrical connection 601.
  • an opto-electronic light-emitting device as a dielectric on the individual surfaces of the varnish, a reflective and / or scattering ⁇ substance, in particular a white reflecting and / or white scattering substance, such as Ti0 2 , respectively to use a reflective and / or scattering paint, in particular a white reflective and / or white-scattering paint.
  • the substance comprises in particular scattering particles.
  • Effi ⁇ ciency is particularly increased in an advantageous manner when it This is a white reflective and / or white-scattering lacquer layer.
  • This can also be advantageous for color homogeneity in an advantageous manner.
  • Kings ⁇ nen so appears white Packages are generated. Instead of white, a different colored appearing package can be created according to the used paint.
  • the generation of the lacquer layer which may also be referred to as a reflection ⁇ and / or diffusing layer can be carried out in an advantageous manner in a process step, which is sawn already part of a production process or a Her ⁇ approval process of an optoelectronic light-emitting device. It is thus advantageously no additional process step necessary.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: - ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer eine lichtemittierenden Fläche umfassende Oberseite, - ein das Halbleiterbauteil einbettendes und die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse, - wobei eine Gehäusefläche mit einer lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

Description

OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG
BESCHREIBUNG Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrich¬ tung sowie ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 110 429.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bei oWLP-Bauteilen (oWLP: „optical Wafer Level Package") ist die Oberfläche außerhalb des LED-Chips meist vollständig oder teilweise mit einem Dielektrikum und einer darauf aufgebrachten Metallisierung bedeckt. Die Metallisierungen weisen oft eine nicht optimale Reflektivität auf. Ebenso weisen freilie¬ gende Bereiche, also Bereiche, wo entweder das Dielektrikum oder das darunterliegende schwarze Moldmaterial offenliegt, eine nicht optimale Reflektivität auf.
Es ist möglich, diese freiliegenden Bereiche mittels eines Metalls abzudecken. Dies führt aber zu einem hohen Metallverbrauch. Ferner kann bei einer Metalloberfläche keine optimale Reflektivität bei gleichzeitiger Korrosionsbeständigkeit der Oberfläche erreicht werden. Auch kann die reflektierende Flä¬ che nicht beliebig nahe an eine Kante der lichtemittierenden Chipfläche herangeführt werden. Es ist auch möglich, über einen weiteren Prozessschritt am
Ende der Prozesskette eine Silikonschicht mit einem Diffusor auf die freiliegenden Bereiche aufzubringen. Dies bedingt al¬ lerdings einen zusätzlichen Prozessschritt und ist im Zusam¬ menhang mit einem lateralen Strukturieren einer Konversions- schicht schwer zu realisieren und kann Effizienz kosten.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist darin zu se¬ hen, ein effizientes Konzept bereitzustellen, welches die be- kannten Nachteile überwindet und somit eine verbesserte opto¬ elektronische Leuchtvorrichtung sowie ein verbessertes Ver¬ fahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung ermöglicht.
Diese Aufgabe wird mittels des jeweiligen Gegenstands der un¬ abhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprü¬ chen .
Nach einem Aspekt wird eine optoelektronische Leuchtvorrich¬ tung bereitgestellt, umfassend:
- ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer eine lichtemittierenden Fläche umfassende Oberseite,
- ein das Halbleiterbauteil einbettendes und die licht¬ emittierende Fläche freilassendes Gehäuse,
- wobei eine Gehäusefläche mit einer lichtstreuenden die¬ lektrischen Lackschicht beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer eine lichtemittierende Fläche umfassende Oberseite, wobei das Halbleiterbauteil in einem die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse eingebet¬ tet ist,
- Beschichten einer Gehäusefläche mit einem lichtstreuenden dielektrischen Lack, so dass eine die Gehäusefläche beschichtende lichtstreuende dielektrische Lackschicht gebildet wird, die auf eine der Gehäusefläche abgewand¬ ten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann.
Die Erfindung umfasst also insbesondere und unter anderem den Gedanken, eine Gehäusefläche mit einer Lackschicht zu verse- hen, die sowohl zur Lichtstreuung als auch als Dielektrikum ausgebildet ist. Das heißt also insbesondere, dass die Lack¬ schicht eine Doppelfunktion aufweist: eine dielektrische Funktion und eine lichtstreuende Funktion.
Aufgrund der dielektrischen Funktion wirkt die Lackschicht somit in vorteilhafter Weise als eine elektrische Isolations¬ schicht. Die Lackschicht ist also ein Dielektrikum. Aufgrund der lichtstreuenden Funktion kann die Lackschicht in vorteilhafter Weise Licht streuen, welches auf eine Fläche der Lackschicht einfällt, die der Gehäusefläche abgewandt ist. Dadurch kann also in vorteilhafter Weise eine Reflekti- vität der Leuchtvorrichtung gesteigert werden. Das heißt also insbesondere, dass Licht effizienter gestreut werden kann.
Insbesondere kann dadurch in vorteilhafter Weise ein homogener Farbeindruck erzeugt werden. Somit wird also insbesondere in vorteilhafter Weise eine verbesserte Farbhomogenität be¬ wirkt. Die Lackschicht wirkt also als Streuschicht, ist also auch eine Streuschicht.
Weiterhin kann in vorteilhafter Weise die Streuschicht, also die lichtstreuende dielektrische Lackschicht, in einem ge¬ meinsamen Prozessschritt mit einer dielektrischen Lackschicht erzeugt werden, insofern mittels eines einzigen Aufbringens des Lacks eine Lackschicht gebildet wird, die, wie vorstehend ausgeführt, eine Doppelfunktion aufweist. Das heißt also, dass mit dem Bilden einer einzigen Schicht sowohl eine lichtstreuende Schicht als auch eine dielektrische Schicht gebil- det wird: die lichtstreuende dielektrische Lackschicht.
Dadurch wird in vorteilhafter Weise eine effiziente Herstel¬ lung der Leuchtvorrichtung bewirkt.
Aufgrund des Beschichtens kann in vorteilhafter Weise eine optimale und effiziente Bedeckung der Gehäusefläche mit einer sehr hohen Genauigkeit erzielt werden. Durch das Vorsehen der lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht kann beispielsweise in vorteilhafter Weise ein homo¬ gener optischer Eindruck bewirkt werden, wenn auf die Lackschicht in Richtung der Gehäusefläche geblickt wird.
Die Lackschicht ist insbesondere ausgebildet, nur bestimmte Wellenlängen oder nur einen bestimmten Wellenlängenbereich von einfallendem Licht zu reflektieren oder streuen. Wenn im Lichte dieser Beschreibung von Licht geschrieben wird, so soll stets allgemein eine elektromagnetische Strahlung mitge¬ lesen werden.
Die Lackschicht reflektiert oder streut (bei Streuung soll stets Reflexion mitgelesen werden und umgekehrt) nach einer Ausführungsform auf ihrer der Gehäusefläche abgewandten Fläche einfallendes Licht nur in einem bestimmten Wellenlängenbereich. So kann also in vorteilhafter Weise ein bestimmter Farbeindruck entstehen. Dies ist insbesondere aus Designgründen, insbesondere im Hinblick auf ein industrielles Design, von Vorteil. Insbesondere kann zum Beispiel entsprechend des verwendeten Lacks eine bestimmte Farbe erzeugt werden.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht mehrere Streupartikel umfasst.
Die Streupartikel können in vorteilhafter Weise effizient Licht reflektieren oder streuen. Dies insbesondere in einem bestimmten Wellenbereich oder nur einer bestimmten Wellenlänge. Die Farbe, die diese Streupartikel reflektieren und/oder streuen, kann als Kennzeichnung zur Benennung der Lackschicht verwendet werden. Bei einer Streuung von rotem Licht, kann die Lackschicht als eine rote Lackschicht bezeichnet werden. Bei einer Streuung von weißem Licht kann die Lackschicht als eine weiße Lackschicht bezeichnet werden. Insbesondere bei einer weißen Lackschicht kann eine Lichtausbeute in einem ausgeschalteten Zustand des optoelektronischen Halbleiterbauteils erhöht werden. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Streupartikel ein oder mehrere Elemente ausgewählt aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln umfassen: Ti02-Partikel, A1203-Partikel, Si02-Partikel, BaS04-Partikel, Zr02-Partikel, Hf02-Partikel .
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente Streuung von Licht ermöglicht ist. Ins¬ besondere kann entsprechend der verwendeten Streupartikel ge- nau eingestellt werden, welcher Wellenlängenbereich oder welche Wellenlänge von einfallendem Licht gestreut oder reflek¬ tiert werden soll.
Die Streupartikel weisen zum Beispiel nach einer Ausführungs- form einen Durchmesser von kleiner als 10 ym auf, insbesondere von kleiner als 1 ym. Vorzugsweise ist ein Durchmesser der Streupartikel kleiner als eine Dicke der Lackschicht.
Nach einer Ausführungsform weist die Lackschicht eine
Schichtdicke zwischen 5 ym und 25 ym auf. Vorzugsweise ist die Schichtdicke der Lackschicht kleiner als 50 ym. Eine mi¬ nimale Dicke der Lackschicht hängt insbesondere von den die¬ lektrischen Eigenschaften der Lackschicht ab und ist insbesondere durch die dielektrischen Eigenschaften begrenzt. Denn die Lackschicht wirkt ja insbesondere als elektrischer Isola¬ tor .
Die Schichtdicke der Lackschicht beträgt nach einer Ausfüh¬ rungsform zwischen 5 ym und 50 ym, insbesondere zwischen 10 ym und 25 ym.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht derart ausgebildet ist, dass gestreutes Licht weiß ist.
Dadurch wird insbesondere der Vorteil bewirkt, dass ein wei¬ ßer Farbeindruck erzielt werden kann. Dies insbesondere in einem ausgeschalteten Zustand des optoelektronischen Halblei- terbauteils. Dadurch kann insbesondere eine Lichtausbeute er¬ höht werden.
Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform vorgesehen ist, dass die Lackschicht eine weiße Lackschicht ist, dass also gestreutes und/oder reflektiertes Licht weiß ist .
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass in dem Gehäuse eine von einer Oberseite des Gehäuses zu einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite des Gehäuses ver¬ laufende elektrische Durchkontaktierung eingebettet ist, die eine teilweise mittels der Lackschicht beschichtete Oberseite und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite umfasst, wobei an der Oberseite der Durchkontaktierung eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet ist, die frei von der Lack¬ schicht ist und die mit einer an der Oberseite des Halblei¬ terbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche
elektrisch verbunden ist.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente elektrische Kontaktierung des Halblei¬ terbauteils erzielt werden kann. Insbesondere wird dadurch der technische Vorteil bewirkt, dass aufgrund der teilweisen Beschichtung der Oberseite der Durchkontaktierung mittels der Lackschicht eine Lichtausbeute der Leuchtvorrichtung effi¬ zient weiter gesteigert werden kann. Denn die Fläche, die Licht streuen und/oder reflektieren kann, wird somit vergrößert .
Da die Lackschicht eine dielektrische Lackschicht ist, also ein Dielektrikum ist, muss also ein Bereich der Oberseite der Durchkontaktierung frei von dieser Lackschicht sein, damit die elektrische Verbindung zwischen der Durchkontaktierung und der Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils ermöglicht ist. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche ausgebildeter Abschnitt der Oberseite des Halbleiterbauteils mit der Lack¬ schicht teilweise beschichtet ist.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine Lichtausbeute weiter effizient gesteigert werden kann. Denn nun ist noch zusätzlich zur Gehäusefläche ein Abschnitt der Oberseite des Halbleiterbauteils, der verschieden von der lichtemittierenden Fläche ist, mit der Lackschicht beschichtet. Somit vergrößert sich also in effizienter Weise eine Fläche der Lackschicht. Hierbei ist aber insbesondere vorgesehen, dass zumindest ein Bereich oder ein Abschnitt der Oberseite, der verschieden von der lichtemittierenden Fläche ist, frei von der Lackschicht bleibt. Denn dieser Bereich ist insbesondere als elektrische Kontaktfläche ausgebildet, um das Halbleiterbauteil elektrisch zu kontaktieren.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Abschnitt einen Rand der Oberseite des Halbeiterbauteils umfasst. Das heißt also insbesondere, dass ein Rand der Oberseite des Halbleiterbauteils mit der Lackschicht versehen ist.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein Rand der Oberseite des Halbleiterbauteils vollständig mit der Lack¬ schickt versehen ist.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass an einem Rand der Oberseite des Halbleiterbauteils ein Grat gebildet ist, der mit der Lackschicht beschichtet ist.
Ein solcher Grat, der insbesondere elektrisch leitfähig ist, bildet sich zum Beispiel bei einem Vereinzeln des Halbleiterbauteils aus einem Waferverbund von mehreren Halbleiterbau- teilen mittels eines Lasers. Dieser Grat kann auch als ein
Schlackegrat bezeichnet werden, insofern die Materialien, aus denen das Halbleiterbauteil gebildet ist, beim Laserverein¬ zeln schmelzen und somit lokal eine Schlacke bilden. Dieser Grat kann, da er elektrisch leitfähig ist, die
elektrisch leitfähige Verbindung, die zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktierung gebildeten elektrischen Kon- taktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche gebildet ist, kurzschließen. Dadurch aber, dass der Grat mit der Lackschicht beschichtet ist, ist der Grat in vorteilhafter Weise
elektrisch gegenüber dieser elektrisch leitfähigen Verbindung isoliert. Dadurch wird effizient ein entsprechender Kurz- schluss vermieden.
In einer Ausführungsform ist die elektrisch leitfähige Verbindung, die zwischen der an der Oberseite der Durchkontak- tierung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche gebildet ist, als eine auf der Lackschicht auf¬ gebrachte Metallisierung gebildet. Zum Beispiel ist vorgesehen, dass die Lackschicht, die auf dem Grat aufgebracht ist, mit der Metallisierung versehen ist respektive wird.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Grat mit der Lackschicht versehen oder beschichtet wird, wobei an¬ schließend die Metallisierung aufgebracht wird, so dass sich dadurch eine elektrisch leitfähige Verbindung (, also die elektrische Verbindung, ) zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktierung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche bildet.
Der Grat weist beispielsweise in der Regel eine Höhe von 15 ym auf. Eine Höhe einer Kontaktfläche beträgt in der Regel beispielsweise maximal 4 ym auf. Der Grat überragt also in der Regel die Kontaktfläche. Insofern ist es in der Regel sehr schwierig oder nicht möglich, eine Leiterbahn vorzusehen, die die an der Oberseite der Durchkontaktierung gebilde- te elektrische Kontaktfläche mit der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche elektrisch leitfähig verbindet. Denn der Grat steht hier sozusagen im Weg.
Da aber der Grat nach einer Ausführungsform mit der Lackschicht versehen ist, kann die elektrisch leitfähige Verbindung, also die elektrische Verbindung, zwischen den beiden elektrischen Kontaktflächen effizient mittels einer Metalli- sierung der Lackschicht gebildet werden.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektrische Verbindung zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktie- rung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche als eine Leiterbahn ausgebildet ist. Die Lei¬ terbahn ist also beispielsweise auf der den Grat beschichten¬ de Lackschicht gebildet. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht an die lichtemittierende Fläche unmittelbar angrenzt.
Die lichtemittierende Fläche ist insbesondere eine Oberfläche einer Epitaxie-Schicht oder eines Epitaxie-Schichtenstapels. Eine solche Epitaxie-Schicht oder ein solcher Epitaxie- Schichtenstapel wird vom Fachmann auch als eine Epi bezeich¬ net. „Epi" steht also abgekürzt für „Epitaxie-Schicht oder Epitaxie-Schichtenstapel". Ein anderer Begriff für Epi ist „Mesa". Es kann auch der zusammengesetzte Begriff „Epi-Mesa" für „Epitaxie-Schicht" oder „Epitaxie-Schichtenstapel" ver¬ wendet werden.
Die lichtemittierende Fläche ist nach einer Ausführungsform mittels einer Konversionsschicht teilweise oder vollständig beschichtet.
In einer Ausführungsform ist die lichtemittierende Fläche frei von einer Konversionsschicht. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht an einer Seitenflanke (, die der Einfachheit halber auch nur als eine Flanke bezeichnet werden kann, ) der Epitaxie-Schicht oder des Epitaxie-Schichtenstapels unmittelbar angrenzt. Das heißt also insbesondere, dass die Lackschicht die Seitenflan¬ ke (Flanke) der Epitaxie-Schicht oder des Epitaxie- Schichtenstapels unmittelbar berührt oder unmittelbar kontaktiert. Für den Begriff „Flanke" soll stets der Plural mitge- lesen werden. Zum Beispiel grenzt die Lackschicht unmittelbar an gegenüberliegenden Flanken der Epitaxie-Schicht oder des Epitaxie-Schichtenstapels an, berührt oder kontaktiert diese also . In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Lack ein
Lötstopplack ist. Die Lackschicht ist also vorzugsweise eine Lötstopplackschicht .
Der Lötstopplack ist beispielsweise ein Lötstopplack auf Epo- xidharzbasis . Die Lötstopplackschicht ist also beispielsweise eine Lötstopplackschicht auf Epoxidharzbasis.
Der Lötstopplack umfasst zum Beispiel mehrere Streupartikel, zum Beispiel Titandioxid (Ti02 ) -Streupartikel . Die Lötstopp- lackschicht umfasst also zum Beispiel mehrere Streupartikel, zum Beispiel Titandioxid (Ti02 ) -Streupartikel .
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Lack ein fotostrukturierbares Silikon und/oder ein fotostrukturierba- res Siloxan umfasst. Die Lackschicht umfasst also insbesonde¬ re ein fotostrukturierbares Silikon und/oder ein fotostruktu- rierbares Siloxan. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das fotostrukturierbare Silikon respektive das fo- tostrukturierbare Siloxan mehrere Streupartikel, zum Beispiel Titandioxid (Ti02) -Streupartikel, umfassen. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient mittels eines fotolithographischen Prozesses effi¬ zient bearbeitet oder strukturiert werden kann. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Lack ein Fotolack ist. Die Lackschicht ist also insbesondere eine Fo¬ tolackschicht. Der Fotolack umfasst beispielsweise mehrere Streupartikel, insbesondere Titandioxid (Ti02 ) -Streupartikel . Die Fotolackschicht umfasst also insbesondere mehrere Streu¬ partikel, insbesondere Titandioxid (Ti02 ) -Streupartikel .
Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient mittels eines fotolithographi- sehen Prozesses effizient bearbeitet oder strukturiert werden kann .
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Beschichten die Lackschicht strukturiert wird. Die Lackschicht ist also vorzugsweise eine strukturierte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient für eine konkrete Anwendung angepasst werden kann. Das Strukturieren umfasst nach einer Ausführungsform ein fotolithographisches Strukturieren. Die Lackschicht ist also beispielsweise eine fotolithographisch strukturierte Lack¬ schicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil be¬ wirkt, dass die Lackschicht effizient strukturiert werden kann.
Ein lithographisches Strukturieren der Lackschicht weist fer¬ ner den Vorteil auf, dass die Lackschicht effizient großflä¬ chig bearbeitet werden kann.
Die nachfolgend beschriebenen beispielhaften Beschichtungs- verfahren eignen insbesondere in vorteilhafter Weise, um den Lack effizient großflächig aufzubringen. In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, mittels eines Siebdrucks unter Verwendung eines strukturierten Siebs eine strukturierte Lackschicht aufzubringen. Das heißt also insbesondere, dass die Strukturen der Lackschicht durch ein strukturiertes Sieb beim Siebdruck aufgebracht werden.
Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass auf einen teuren Lithographieprozess verzichtet werden kann. Zwar mag ein Siebdruck unter Verwendung eines struktu- rierten Siebs nicht ganz so präzise sein wie ein Lithogra¬ phieprozess. Dennoch ist der Siebdruck für Anwendungen vorteilhaft, in denen die Kosten eine erhebliche Rolle spielen.
Ferner können mittels eines solchen Siebdrucks Materialien als Lack aufgebracht werden, die nicht lithographisch strukturierbar sind. Dadurch wird insbesondere der technische Vor¬ teil bewirkt, dass eine größere Auswahlmöglichkeit bei den Materialien für die Lackschicht bereitgestellt ist im Ver¬ gleich zu einem Lithographieprozess.
Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Siebdrucken der Lackschicht. Der Lack wird also beispielsweise mittels eines Siebdruckens aufgebracht. Die Lackschicht ist also insbesondere eine siebgedruckte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das
Beschichten effizient durchgeführt werden kann. Das Siebdru¬ cken wird zum Beispiel unter Verwendung eines strukturierten Siebs, wie vorstehend beschrieben, durchgeführt. Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Vorhanggießen der Lackschicht. Der Lack wird also beispielsweise mittels eines Vorhanggießens aufgebracht. Die Lackschicht ist also beispielsweise eine vorhanggegossene Lackschicht.
Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durchgeführt werden kann.
Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Aufschleudern der Lackschicht. Der Lack wird also insbesondere aufgeschleudert . Die Lackschicht ist also insbesondere eine aufgeschleuderte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durchgeführt werden kann. Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Aufsprühen von Lack. Die Lackschicht ist also insbesondere eine aufgesprühte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der tech¬ nische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durch- geführt werden kann.
Wie vorstehend beispielhaft beschrieben, kann also der Lack unstrukturiert aufgebracht werden, um eine unstrukturierte Lackschicht zu bilden, wobei die unstrukturierte Lackschicht nach dem Aufbringen strukturiert wird, beispielsweise mittels eines Lithographieprozesses. Zum Beispiel ist vorgesehen, dass der Lack strukturiert aufgebracht wird, so dass sich un¬ mittelbar eine strukturierte Lackschicht bildet, die somit nicht mehr nach dem Aufbringen strukturiert werden muss.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die optoelektronische Leuchtvorrichtung mittels des Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung hergestellt ist respektive wird.
Ausführungsformen betreffend das Verfahren ergeben sich analog aus Ausführungsformen betreffend die optoelektronische Leuchtvorrichtung und umgekehrt. Das heißt also, dass sich technische Funktionalitäten des Verfahrens in analoger Weise aus entsprechenden technischen Funktionalitäten der optoelektronischen Leuchtvorrichtung ergeben. Ausführungen, die im Zusammenhang mit dem Verfahren gemacht sind, gelten analog für die optoelektronische Leuchtvorrichtung und umgekehrt. Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass als Streupartikel ein oder mehrere Elemente aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln ausgewählt werden: Ti02-Partikel, A1203- Partikel, Si02-Partikel, BaS04-Partikel, Zr02-Partikel, Hf02- Partikel .
In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht derart ausgebildet wird, dass gestreutes Licht weiß ist. Nach einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass in dem Gehäuse eine von einer Oberseite des Gehäuses zu einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite des Gehäuses ver- laufende elektrische Durchkontaktierung eingebettet ist, die eine Oberseite und eine der Oberseite gegenüberliegende Un¬ terseite umfasst, wobei die Oberseite der Durchkontaktierung teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, so dass die Oberseite der Durchkontaktierung teilweise mittels der Lack- schicht beschichtet ist, wobei an der Oberseite der Durchkon¬ taktierung eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet wird, die frei von der Lackschicht ist und die mit einer an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche elektrisch verbunden wird.
Nach noch einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche ausgebildeter Abschnitt der Oberseite des Halbleiterbauteils teilweise mit¬ tels des Lacks beschichtet wird, so dass der verschieden von der lichtemittierenden Fläche ausgebildete Abschnitt des Halbleiterbauteils teilweise mittels der Lackschicht be¬ schichtet ist.
In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Bereitstellen umfasst, dass das oder die einzubettenden Elemente vor dem Einbetten auf einen Träger angeordnet werden, wobei das Einbetten umfasst, dass das oder die auf dem Träger angeordneten Elemente mittels eines Moldwerkstoffs eingemol- det werden, so dass das Gehäuse mittels des Moldwerkstoffs gebildet wird, wobei der Träger nach dem Molden von dem oder den eingemoldeten Elementen entfernt wird, so dass ein aus dem Moldwerkstoff gemoldetes Gehäuse bereitgestellt wird, in welchem das oder die einzubettenden Elemente eingebettet sind .
Durch das Vorsehen eines gemoldeten Gehäuses wird in vorteil¬ hafter Weise bewirkt, dass das Gehäuse effizient hergestellt werden kann. Ein Molden im Sinne der vorliegenden Erfindung kann insbesondere als ein Spritzgießen bezeichnet werden. Das heißt also insbesondere, dass das Gehäuse spritzgegossen wird . Das Gehäuse ist nach einer Ausführungsform ein spritzgegosse¬ nes Gehäuse.
Ein Moldwerkstoff kann somit insbesondere als ein Spritzguss¬ werkstoff bezeichnet werden. Ein Moldwerkstoff umfasst insbe- sondere ein oder mehrere Silikone oder ist aus einem oder mehreren Silikonen gebildet.
Die Formulierung "eines Halbleiterbauteil einbettendes und die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse" heißt insbesondere, dass das Gehäuse zwar das Halbleiterbauteil einbettet, hierbei aber die lichtemittierende Fläche frei- lässt. Das heißt also insbesondere, dass die lichtemittieren¬ de Fläche nicht mittels des Gehäuses bedeckt ist. Das heißt also insbesondere, dass die lichtemittierende Fläche frei- liegt.
Nach einer Ausführungsform ist die Oberseite der Durchkontaktierung eine metallbeschichtete Oberseite. Das heißt also insbesondere, dass die Oberseite der Durchkontaktierung eine Metallbeschichtung aufweist. Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform die Metallbeschichtung teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, sodass eine die Me¬ tallbeschichtung teilweise beschichtende Lackschicht gebildet ist. Das heißt also insbesondere, dass die Lackschicht die Metallbeschichtung teilweise beschichtet. Die Oberseite der Durchkontaktierung bei einem Vorhandensein einer Metallbeschichtung ist also die Oberseite der Metallbeschichtung.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektri- sehe Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils eine Metallbeschichtung aufweist. Diese Metallbeschichtung ist analog zu der Metallbeschichtung der Durchkontaktierung nach einer Ausführungsform teilweise mittels der Lackschicht be¬ schichtet .
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektri- sehe Verbindung zwischen der elektrischen Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils und der Oberseite der Durch- kontaktierung durch eine elektrische Verbindung zwischen der Metallbeschichtung der elektrischen Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils und der Metallbeschichtung der Oberseite der Durchkontaktierung gebildet wird.
Das Bilden der elektrischen Verbindung kann nach einer Ausführungsform ein Bonden umfassen. Das Bilden der elektrischen Verbindung kann nach einer Ausführungsform einen fotolithographischen Prozess umfassen. Das heißt, dass die elektrische Verbindung beispielsweise eine fotolithographisch definierte elektrische Verbindung ist. Das heißt insbesondere, dass eine Form der elektrischen Verbin- dung insbesondere mittels des fotolithographischen Prozesses vorgegeben ist respektive wird.
Nach einer Ausführungsform ist das Halbleiterbauteil als ein Halbleiterchip gebildet.
Nach einer Ausführungsform ist das Halbleiterbauteil eine Leuchtdiode oder lichtemittierende Diode (auf Englisch: Light Emitting Diode, LED) . Die lichtemittierende Diode ist vor¬ zugsweise eine anorganische Diode.
Insbesondere ist nach einer Ausführungsform die lichtemittie¬ rende Diode eine Laserdiode. Die Laserdiode ist vorzugsweise als ein Laserdiodenchip gebildet. Die lichtemittierende Fläche kann nach einer Ausführungsform eine Fläche einer Konversionsschicht sein. Das heißt also zum Beispiel, dass das Halbleiterbauteil eine Konversionsschicht umfassen kann. Die Oberseite des Halbleiterbauteils umfasst somit insbesondere eine solche Konversionsschicht.
Eine Konversionsschicht ist insbesondere ausgebildet, elekt- romagnetische Strahlung aufweisend eine erste Wellenlänge o- der einen ersten Wellenlängenbereich in eine elektromagnetische Strahlung aufweisend eine zweite Wellenlänge oder einen zweiten Wellenlängenbereich zu konvertieren, wobei die zweite Wellenlänge verschieden von der ersten Wellenlänge ist res- pektive der zweite Wellenlängenbereich zumindest teilweise, insbesondere vollständig, verschieden von dem ersten Wellenlängenbereich ist.
Eine Konversionsschicht weist also eine Konversionsfunktion auf, konvertiert also elektromagnetische Strahlung oder
Licht. Die zu konvertierende elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Primärlicht oder als eine Primär¬ strahlung bezeichnet werden. Die mittels der Konversions¬ schicht konvertierte elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Sekundärlicht oder als eine Sekundärstrah¬ lung bezeichnet werden. Das Halbleiterbauteil emittiert somit zum Beispiel das Primärlicht, welches mittels der Konversi¬ onsschicht in Sekundärlicht konvertiert wird. Die Konversionsschicht kann zum Beispiel einen Phosphor und/oder einen organischen und/oder einen anorganischen
Leuchtstoff umfassen.
Die Formulierung „respektive" umfasst insbesondere die Formu- lierung „und/oder".
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam- menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei Fig. 1 bis 9 jeweils einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung,
Fig. 10 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und
Fig. 11 und 12 jeweils einen den jeweils in den Fig. 5 und 6 gezeigten Schritten entsprechenden Schritt in einem weiteren Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvor- richtung.
Im Folgenden können für gleiche Merkmale gleiche Bezugszei¬ chen verwendet werden. Fig. 1 zeigt einen ersten Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.
Gemäß diesem ersten Schritt wird ein Träger 101 bereitge¬ stellt. Der Träger 101 umfasst eine Oberseite 103. Auf der Oberseite 103 des Trägers 101 ist ein Klebeband 104 angeord¬ net. Auf diesem Klebeband 104 ist eine KlebstoffSchicht 105 angeordnet .
Das Klebeband 104 kann zum Beispiel ein Klebeband gekenn- zeichnet durch den Markennamen „Revalpha" sein.
Das Klebeband 104 ist ein Doppelklebeband, bei dem eine der beiden Klebschichten durch Wärmeeinwirkung ab einer bestimmten Temperatur ihre Klebwirkung verliert. Das Klebeband ist also ein sogenanntes Thermo-Release-Klebeband .
Auch im deutschen wird von einer Thermo Release Folie gespro¬ chen . Die KlebstoffSchicht weist eine Oberseite 107 auf, die der Oberseite 103 des Trägers 101 abgewandt ist. Auf der Oberseite 107 der KlebstoffSchicht 105 sind zwei Durchkontaktierungen 109, 111 und zwei optoelektronische Halbleiterbauteile 113, 115 angeordnet. Die Durchkontaktierungen 109, 111 weisen jeweils eine Oberseite 117 und eine der Oberseite 117 gegenüberliegende Unter¬ seite 121 auf. Die Oberseite 117 ist als eine metallbeschich¬ tete oder metallisierte Oberseite ausgebildet. Die entspre¬ chende Metallbeschichtung ist mit dem Bezugszeichen 119 ge- kennzeichnet. Die jeweilige Oberseite 117 ist der Oberseite 107 der KlebstoffSchicht 105 zugewandt.
Die optoelektronischen Halbleiterbauteile 113, 115 weisen je¬ weils eine Oberseite 123 und eine der Oberseite gegenüberlie- gende Unterseite 124 auf. Die jeweilige Oberseite 123 ist der Oberseite 107 der KlebstoffSchicht 105 zugewandt.
Die jeweilige Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115 umfasst jeweils eine Epi 125, die eine lichtemittierende Flä- che 127 aufweist. Die lichtemittierende Fläche ist in einer Ausführungsform mittels einer Konversionsschicht teilweise oder vollständig beschichtet. Die Epi 125 ist beispielsweise frei von einer Konversionsschicht. Mittels dieser lichtemittierenden Fläche 127 wird im Betrieb der beiden Halbleiterbauteile 113, 115 Licht oder allgemein elektromagnetische Strahlung emittiert.
An der jeweiligen Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115 ist jeweils eine elektrische Kontaktfläche 129 gebildet, die von einem Lötpad 131 umfasst ist. Das jeweilige Lötpad 131 ist an der Oberseite 123 der beiden Halbleiterbauteile 113, 115 gebildet oder angeordnet. Somit ist mittelbar an der jeweiligen Oberseite 123 eine elektrische Kontaktfläche 129 ausgebildet.
Die beiden optoelektronischen Halbleiterbauteile 113, 115 und die beiden Durchkontaktierungen 109, 111, die allgemein zum Beispiel aus Kupfer gebildet sein können oder Kupfer umfassen können, werden in einem Moldprozess oder einem Spritzgusspro- zess eingemoldet oder umspritzt. Dies zeigt symbolisch Fig. 2.
Es ist also in einem folgenden Schritt vorgesehen, dass die Halbleiterbauteile 113, 115 und die Durchkontaktierungen 109, 111 mittels eines Moldwerkstoffs 201 eingemoldet werden.
Durch das Einmolden bildet sich ein Gehäuse 203. Das Gehäuse 203 bettet somit die Durchkontaktierungen 109, 111 und die
Halbleiterbauteile 113, 115 ein. Hierbei bleibt aber eine je¬ weilige Oberseite 117, 123 der einzelnen eingebetteten Elemente 109, 111, 113, 115 frei. Das Gehäuse 203 weist eine Oberseite 205 auf, die der Ober¬ seite 103 des Trägers 101 zugewandt ist. Das Gehäuse 203 weist eine Unterseite 207 auf, die der Oberseite 205 des Ge¬ häuses 203 gegenüberliegt. Die Durchkontaktierungen 109, 111 und die optoelektronischen Halbleiterbauteile 113, 115 sind mit ihrer jeweiligen Ober¬ seite 117, 123 der Oberseite 103 des Trägers 101 zugewandt, wenn die Durchkontaktierungen 109, 111 und die Halbleiterbau¬ teile 113, 115 auf dem Träger 101 angeordnet sind, also mit- tels der KlebstoffSchicht 105 und mittels des Klebebands 104 auf der Oberseite 103 des Trägers 101 festgeklebt sind.
Nach dem Molden des Gehäuses 203 ist in einem weiteren
Schritt des Verfahrens vorgesehen, dass der Träger 101 ge- meinsam mit der KlebstoffSchicht 105 und dem Klebeband 104 von dem Gehäuse 203 und den Durchkontaktierungen 109, 111 und den Halbleiterbauteilen 113, 115 entfernt wird. Fig. 3 zeigt die Anordnung gemäß Fig. 2 mit entferntem Träger 101 und entfernter KlebstoffSchicht 105 und entferntem Klebeband 104. Zusätzlich ist noch überflüssiger Moldwerkstoff 201 entfernt worden, der sich zum Beispiel zwischen dem Lötpad 131 und der Epi 125 festgesetzt hat. Somit sind die beiden Durchkontaktierungen 109, 111 derart im Gehäuse 203 eingebettet, dass nur noch die Metallbeschichtung 119 freiliegt. Die Metallbeschichtung 119 schaut sozusagen aus dem Gehäuse 203 heraus. Sie ragt also aus dem Gehäuse 203 über die Oberseite 205 des Gehäuses 203 hinaus. Analog gilt dies für die Lötpads 131 sowie die Epi 125.
Fig. 4 zeigt die Anordnung gemäß Fig. 3, wobei diese um 180° gedreht wurde. Somit zeigen nun die jeweiligen Oberseiten 117, 123 bezogen auf die Papierebene nach oben.
Es finden nun vorzugsweise fotolithografische Bearbeitungs¬ prozesse und/oder Sputterprozesse und/oder Metallisierungs¬ prozesse und/oder Ätzprozesse auf den Oberseiten 117, 123 statt. Dies zeigt symbolisch Fig. 5. Aufgrund dieser Prozesse werden zum Beispiel auf den Lötpads 131 elektrische erhöhte Kontaktabschnitte 501 gebildet. „Erhöht" bedeutet hier bezo¬ gen auf eine Oberfläche der Lötpads 131. An einer Seite der Kontaktabschnitte 501, die der Oberseite 123 der Halbleiter- bauteile 113, 115 abgewandt ist, ist somit die elektrische
Kontaktfläche 129 ausgebildet. Somit ist mittelbar an der je¬ weiligen Oberseite 123 eine elektrische Kontaktfläche 129 ausgebildet . Solche erhöhte elektrische Kontaktabschnitte 501 sind eben¬ falls auf der Metallbeschichtung 119 gebildet, wobei hier diese elektrischen Kontaktabschnitte 501 eine elektrische Kontaktfläche 503 umfassen, die der Oberseite 117 der Durch¬ kontaktierungen 109, 111 abgewandt ist. Somit ist an den Oberseiten 117 der Durchkontaktierungen 109, 111 mittelbar jeweils eine elektrische Kontaktfläche 503 ausgebildet.
Ferner ist vorgesehen, dass die Oberseite 205 des Gehäuses 203 mit einem Lack beschichtet wird, sodass sich eine Lack- schicht 505 ausbildet. Da die Oberseite 205 eine Gehäuseflä¬ che ist, wird also eine Gehäusefläche des Gehäuses 203 mit einem Lack beschichtet. Das heißt also insbesondere, dass beispielsweise vorgesehen ist, freiliegende Bereiche oder Ab- schnitte der Oberseite 205 des Gehäuses 203 mit einem Lack zu beschichten, sodass sich hier entsprechend eine Lackschicht 505 ausbildet. Die Lackschicht 505 weist eine Oberseite 507 auf. Die Lackschicht 505 weist ferner eine Unterseite 509 auf, die der Oberseite 507 abgewandt ist. Die Unterseite 509 der Lackschicht 505 ist der Oberseite 205 des Gehäuses 203 zugewandt .
Der Lack ist ein dielektrischer Lack und umfasst mehrere Streupartikel. Somit ist die Lackschicht 505 eine lichtstreu¬ ende dielektrische Lackschicht. Licht, welches auf die Ober¬ seite 507 der Lackschicht 505 einfällt, wird somit gestreut und/oder reflektiert. Die Oberseite 507 der Lackschicht 505 ist der Oberseite 205 des Gehäuses 203 abgewandt. Da die Oberseite 507 der Lackschicht 505 eine Fläche ist, wird somit Licht mittels der Lackschicht 505 gestreut und/oder reflek¬ tiert, welches auf eine Fläche, also die Oberseite 507, der Lackschicht 505 einfällt, die der Oberseite 205, also der Ge¬ häusefläche, abgewandt ist.
Es ist weiter vorgesehen, dass weitere Abschnitte von frei¬ liegenden Flächen mit dem Lack beschichtet werden, sodass sich auch hier entsprechend die Lackschicht 505 ausbildet. Bei diesen freiliegenden Flächen handelt es sich zum Beispiel um Teilflächen der Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115, die verschieden von der lichtemittierenden Fläche 127 sind. Insbesondere ist vorgesehen, teilweise die Oberseiten 117 der Durchkontaktierungen 109, 111 mit dem Lack zu beschichten, wobei hier zumindest ein Bereich frei von dem Lack bleibt, um hier den elektrischen Kontaktabschnitt 501 auszu¬ bilden. Gleiches gilt für das Lötpad 131, auch hier muss ein Abschnitt frei von einem Lack bleiben, um hier entsprechend den elektrischen Kontaktabschnitt 501 auszubilden. Nach einer Ausführungsform handelt es sich um einen reflektierenden Lack. Die Lackschicht 505 weist vorzugsweise eine Schichtdicke zwischen 5 ym und 50 ym, insbesondere zwischen 10 ym und 25 ym auf. Die Lackschicht 505 bedeckt insbesondere einen Rand 1105 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 115 sowie insbesondere einen Rand 1107 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 113. Die Lackschicht 505 kontaktiert un¬ mittelbar gegenüberliegende Flanken 1109 der Epi 125.
Die Durchkontaktierungen 109, 111 werden nun mit den optoelektronischen Halbleiterbauteilen 113, 115 elektrisch verbunden. Es ist vorgesehen, dass die Durchkontaktierung 109 mit dem Halbleiterbauteil 113 elektrisch verbunden wird. Die Durchkontaktierung 111 wird mit dem optoelektronischen Halbleiterbauteil 115 elektrisch verbunden. Hierbei ist vorgese¬ hen, dass eine elektrische Verbindung zwischen der jeweiligen elektrischen Kontaktfläche 129 sowie der jeweiligen elektrischen Kontaktfläche 503 gebildet wird.
Dies ist symbolisch in Fig. 6 dargestellt. Die elektrische Verbindung ist hier mit dem Bezugszeichen 601 gekennzeichnet. Die elektrische Verbindung 601 kann nach einer Ausführungs¬ form ein Bonddraht sein. In einer weiteren Ausführungsform kann diese elektrische Verbindung 601 mittels eines foto- lithografischen Prozesses definiert sein respektive werden.
In Fig. 6 ist eine geschweifte Klammer mit dem Bezugszeichen 603 eingezeichnet, die einen zu entfernenden Gehäuseabschnitt des Gehäuses 203 kennzeichnet. Das heißt also, dass dieser
Gehäuseabschnitt 603 entfernt werden wird, um die Unterseiten 121 der Durchkontaktierungen 109, 111 und die Unterseiten 124 der Halbleiterbauteile 113, 115 freizulegen. Das Entfernen des Gehäuseabschnitts 603 kann zum Beispiel ein Schleifen und/oder ein Sägen umfassen.
Fig. 7 zeigt die Anordnung gemäß Fig. 6 mit entferntem Gehäuseabschnitt 603. Das heißt also, dass die Anordnung gemäß Fig. 7 nicht mehr den Gehäuseabschnitt 603 zeigt. Das heißt also, dass das Gehäuse 203, welches in Fig. 7 gezeigt ist, nicht mehr den Gehäuseabschnitt 603 gemäß Fig. 6 aufweist. Die Unterseiten 121 der Durchkontaktierungen 109, 111 sowie die Unterseiten 124 der Halbleiterbauteile 113, 115 liegen somit frei.
Die Durchkontaktierungen 109, 111 verlaufen somit von der Oberseite 205 des Gehäuses 203 durch das Gehäuse 203 zur Un¬ terseite 207 des Gehäuses 203, nachdem der Gehäuseabschnitt 603 entfernt wurde.
Somit ist es in vorteilhafter Weise ermöglicht und auch so vorgesehen, dass diese Unterseiten 121, 124 metallisiert werden. Es wird also eine Metallisierung oder eine Metallschicht auf den Unterseiten 121, 124 gebildet. Hierbei zeigt das Be¬ zugszeichen 701 auf eine jeweilige Metallisierung der Unterseite 124 der Halbleiterbauteile 113, 115. Das Bezugszeichen 703 zeigt auf eine jeweilige Metallisierung der Unterseiten 121 der Durchkontaktierungen 109, 111.
Somit können die Durchkontaktierungen 109, 111 und die Halb¬ leiterbauteile 113, 115 über diese Metallisierungen 701, 703 effizient elektrisch kontaktiert werden.
Die in Fig. 7 gezeigte Anordnung wird noch mit einer Be- schichtung 801 versehen, die zum Beispiel aufgesprüht werden kann. Dies zeigt symbolisch Fig. 8. Die Beschichtung 801 ist eine Konversionsbeschichtung . Es ist somit eine Konversions¬ schicht 801 gebildet. Zum Beispiel umfasst die Konversions¬ schicht 801 einen Phosphor-Konverter, der in einer Silikonmatrix eingebettet ist. Eine Konversionsschicht ist insbesondere ausgebildet, elekt¬ romagnetische Strahlung aufweisend eine erste Wellenlänge o- der einen ersten Wellenlängenbereich in eine elektromagnetische Strahlung aufweisend eine zweite Wellenlänge oder einen zweiten Wellenlängenbereich zu konvertieren, wobei die zweite Wellenlänge verschieden von der ersten Wellenlänge ist res¬ pektive der zweite Wellenlängenbereich zumindest teilweise, insbesondere vollständig, verschieden von dem ersten Wellenlängenbereich ist. Eine Konversionsschicht weist also eine Konversionsfunktion auf, konvertiert also elektromagnetische Strahlung. Die zu konvertierende elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Primärlicht oder als eine Primär¬ strahlung bezeichnet werden. Die mittels der Konversions- schicht konvertierte elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Sekundärlicht oder als eine Sekundärstrah¬ lung bezeichnet werden.
Die Konversionsschicht kann zum Beispiel einen Phosphor und/oder einen organischen und/oder einen anorganischen
Leuchtstoff umfassen.
Die in Fig. 8 gezeigte Anordnung wird vereinzelt, sodass zwei optoelektronische Leuchtvorrichtungen 901, 903 gebildet wer- den. Dies zeigt symbolisch Fig. 9.
Somit weist jede der optoelektronischen Leuchtvorrichtungen 901, 903 jeweils eine Durchkontaktierung 109, 111 sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauteil 113, 115 sowie ein Ge- häuse 203 auf, in welchem die Durchkontaktierung 109, 111 und das optoelektronische Halbleiterbauteil 113, 115 eingebettet sind, wobei insbesondere die lichtemittierenden Flächen 127 freiliegen. Ferner sind Abschnitte von Flächen, die verschieden von der lichtemittierenden Fläche 127 sind, teilweise mit der Lackschicht 505 beschichtet.
Die in Fig. 1 bis 9 symbolisch und exemplarisch gezeigten Herstellungsschritte in einem Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung zeigen zwei Durchkontak- tierungen 109, 111 sowie zwei optoelektronische Halbleiter¬ bauteile 113, 115. In nicht gezeigten Ausführungsformen können mehr oder weniger (also eine) als zwei Durchkontaktierun- gen 109, 111 und mehr oder weniger (also eine) als zwei opto¬ elektronische Halbleiterbauteile 113, 115 vorgesehen sein, die analog zu den zwei Durchkontaktierungen 109, 111 und den zwei optoelektronischen Halbleiterbauteilen 113, 115 in ein Gehäuse 203 eingebettet werden. Entsprechend kann dann eine Vereinzelung stattfinden, um mehr als zwei optoelektronische Leuchtvorrichtungen zu bilden. Auch kann in weiteren nicht gezeigten Ausführungsformen vorgesehen sein, dass einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung mehrere Halbleiterbauteile zugeordnet sind und entsprechend mehrere Durchkontaktierungen zugeordnet sind.
Fig. 10 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:
- Bereitstellen 1001 eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer eine lichtemittierende Fläche umfas¬ sende Oberseite, wobei das Halbleiterbauteil in einem die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse ein- gebettet ist,
- Beschichten 1003 einer Gehäusefläche mit einem licht¬ streuenden dielektrischen Lack, so dass eine die Gehäusefläche beschichtende lichtstreuende dielektrische Lackschicht gebildet 1005 wird, die auf eine der Gehäu- sefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes
Licht streuen kann.
Fig. 11 und 12 zeigen jeweils einen den jeweils in den Fig. 5 und 6 gezeigten Schritten entsprechenden Schritt in einem weiteren Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung .
Es werden daher für gleiche Merkmale gleiche Bezugszeichen verwendet. Als ein Unterschied weisen hier die Halbleiterbau- teile Grate auf, was nachstehend noch weiter beschrieben wird. Die der Figur 5 vorausgehenden Schritte und die der Figur 6 nachfolgenden Schritte gelten aber analog für die in den Fig. 11 und 12 gezeigten Halbleiterbauteile umfassend Grate .
Das Halbleiterbauteil 115 weist einen Grat 1101 auf. Das Halbleiterbauteil 113 weist ebenfalls einen Grat 1103 auf. Der Grat 1101 des Halbleiterbauteils 115 ist an einem Rand 1105 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 115 gebildet.
Der Grat 1103 des Halbleiterbauteils 113 ist an einem Rand 1107 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 113 gebildet.
Die Grate 1101, 1103 entstehen beispielsweise während eines Vereinzeins der Halbleiterbauteile 113, 115. Die Grate 1101, 1103 weisen eine Höhe (zum Beispiel 14 ym) auf, die größer ist als die Höhe (zum Beispiel maximal 4 ym) der elektrischen Kontaktfläche 129 des Lötpads 131.
Die Grate 1101, 1103 werden von der Lackschicht 501 vollstän¬ dig bedeckt, so dass die Grate 1101, 1103 vollständig in der Lackschicht eingebettet sind.
Die elektrische Verbindung 601 wird auf der die Grate 1101, 1103 einbettende Lackschicht 501 gebildet, beispielsweise als eine Metallisierung. Aufgrund der Lackschicht 501 wird die elektrische Verbindung 601 von den Graten 1101, 1103 nicht kurzgeschlossen. Die Grate 1101, 1103 sind also von der elektrischen Verbindung 601 elektrisch isoliert.
Zusammenfassend ist erfindungsgemäß insbesondere vorgesehen, dem Lack, der im Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung als Dielektrikum auf die einzelnen Flächen aufgebracht wird, eine reflektierende und/oder streu¬ ende Substanz, insbesondere eine weiß reflektierende und/oder weiß streuende Substanz, wie zum Beispiel Ti02, beizufügen respektive einen reflektierenden und/oder streuenden Lack, insbesondere einen weiß reflektierenden und/oder weiß streuenden Lack, zu verwenden. Die Substanz umfasst insbesondere Streupartikel . Dadurch erhöht sich in vorteilhafter Weise eine Effizienz der Leuchtvorrichtung, da das Licht von der Oberseite der Lackschicht reflektiert und/oder gestreut werden kann. Die Effi¬ zienz wird in vorteilhafter Weise besonders erhöht, wenn es sich hier um eine weiß reflektierende und/oder weiß streuende Lackschicht handelt. Dies kann in vorteilhafter Weise auch für eine Farbhomogenität vorteilhaft sein. Insbesondere kön¬ nen so weiß erscheinende Packages (Leuchtvorrichtung) erzeugt werden. Anstelle von Weiß kann entsprechend dem verwendeten Lack ein andersfarbig erscheinendes Package erzeugt werden. Das Erzeugen der Lackschicht, die auch als eine Reflexions¬ und/oder Streuschicht bezeichnet werden kann, kann in vorteilhafter Weise in einem Prozessschritt erfolgen, der be- reits Bestandteil eines Herstellungsprozesses oder eines Her¬ stellungsverfahrens einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung ist. Es ist somit in vorteilhafter Weise kein zusätzlicher Prozessschritt notwendig. Das heißt also insbesondere, dass in einem bereits an sich bekannten Herstellungsverfahren einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung nun erfindungsgemäß ein Lack verwendet wird, wie er im Rahmen dieser Be¬ schreibung beschrieben ist. Weiterhin kann durch das Beschichten mit dem Lack eine optimale Bedeckung der einzelnen zu beschichtenden Flächen mit einer sehr hohen Genauigkeit erzielt werden.
Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele ein- geschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
101 Träger
103 Oberseite des Trägers
104 Klebeband
105 KlebstoffSchicht
107 Oberseite der KlebstoffSchicht
109 Durchkontaktierung
111 Durchkontaktierung
113 optoelektronisches Halbleiterbauteil
115 optoelektronisches Halbleiterbauteil
117 Oberseite der Durchkontaktierung
119 Metallbeschichtung
121 Unterseite der Durchkontaktierung
123 Oberseite des Halbleiterbauteils
124 Unterseite des Halbleiterbauteils
125 Epi
127 lichtemittierende Fläche
129 elektrische Kontaktfläche des Lötpads
131 Lötpad
201 Moldwerkstoff
203 Gehäuse
205 Oberseite des Gehäuses
207 Unterseite des Gehäuses
501 elektrischer Kontaktabschnitt
503 elektrische Kontaktfläche der Metallbeschichtung
505 Lackschicht
507 Oberseite der Lackschicht
509 Unterseite der Lackschicht
601 elektrische Verbindung
603 zu entfernender Gehäuseabschnitt
701 Metallisierung
703 Metallisierung
801 Konversionsschicht
901 optoelektronische Leuchtvorrichtung
903 optoelektronische Leuchtvorrichtung
1001 Bereitstellen
1003 Beschichten 1005 Bilden einer Lackschicht
1101 Grat
1103 Grat
1105 Rand
1107 Rand
1109 Flanke

Claims

PATENTA S PRÜCHE
1. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903), umfassend:
- ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (113, 115) mit einer eine lichtemittierenden Fläche (127) umfassende Oberseite (123) ,
- ein das Halbleiterbauteil (113, 115) einbettendes und die lichtemittierende Fläche (127) freilassendes Gehäuse (203),
- wobei eine Gehäusefläche (205) mit einer lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht (505) beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche (205) abgewandten Fläche (507) der Lackschicht (505) einfallendes Licht streuen kann.
Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach An¬ spruch 1, wobei die Lackschicht (505) mehrere Streuparti¬ kel umfasst.
Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach An¬ spruch 2, wobei die Streupartikel ein oder mehrere Elemen te ausgewählt aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln umfassen: Ti02-Partikel, A1203-Partikel , Si02-Partikel, BaS04-Partikel, Zr02-Partikel, Hf02-Partikel .
Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Lackschicht (505) der¬ art ausgebildet ist, dass gestreutes Licht weiß ist.
Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei in dem Gehäuse (203) eine von einer Oberseite (205) des Gehäuses (205) zu einer der Oberseite (205) gegenüberliegenden Unterseite (207) des Gehäuses (207) verlaufende elektrische Durchkontaktierung (109, 111) eingebettet ist, die eine teilweise mittels der Lackschicht (505) beschichtete Oberseite (117) und eine der Oberseite (117) gegenüberliegende Unterseite (121) um- fasst, wobei an der Oberseite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) eine elektrische Kontaktfläche (503) ausgebil¬ det ist, die frei von der Lackschicht (505) ist und die mit einer an der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche (129) elektrisch verbunden ist.
Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche (127) ausgebildeter Abschnitt der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) mit der Lackschicht (505) beschichtet ist.
Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Lackschicht (505) eine strukturierte Lackschicht, insbesondere eine fotolithogra¬ phisch strukturierte Lackschicht ist.
Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung (901, 903), umfassend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen (1001) eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (113, 115) mit einer eine lichtemittierende Fläche (127) umfassende Oberseite (123), wobei das Halb¬ leiterbauteil (113, 115) in einem die lichtemittierende Fläche (127) freilassendes Gehäuse (203) eingebettet ist,
- Beschichten (1003) einer Gehäusefläche (205) mit einem lichtstreuenden dielektrischen Lack, so dass eine die Gehäusefläche (205) beschichtende lichtstreuende die¬ lektrische Lackschicht (505) gebildet (1005) wird, die auf eine der Gehäusefläche (205) abgewandten Fläche (507) der Lackschicht (505) einfallendes Licht streuen kann .
Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Lack mehrere Streu Partikel umfasst. 10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei als Streupartikel ein oder mehrere Elemente aus der folgenden Gruppe von Streu¬ partikeln ausgewählt werden: Ti02-Partikel, A1203- Partikel, Si02-Partikel, BaS04-Partikel, Zr02-Partikel, Hf02-Partikel .
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die Lackschicht (505) derart ausgebildet wird, dass gestreutes Licht weiß ist.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei in dem Gehäuse (203) eine von einer Oberseite (205) des Ge¬ häuses (203) zu einer der Oberseite (205) gegenüberlie¬ genden Unterseite (207) des Gehäuses (203) verlaufende elektrische Durchkontaktierung (109, 111) eingebettet ist, die eine Oberseite (117) und eine der Oberseite (117) ge¬ genüberliegende Unterseite (121) umfasst, wobei die Ober¬ seite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, so dass die Oberseite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) teilweise mittels der Lackschicht (505) beschichtet ist, wobei an der Ober¬ seite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) eine elektrische Kontaktfläche (503) ausgebildet wird, die frei von der Lackschicht (505) ist und die mit einer an der Ober¬ seite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ausgebilde¬ ten elektrischen Kontaktfläche (129) elektrisch verbunden wird .
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche (127) ausgebildeter Abschnitt der Oberseite (123) des Halbleiterbau¬ teils (113, 115) mittels des Lacks beschichtet wird, so dass der verschieden von der lichtemittierenden Fläche (127) ausgebildete Abschnitt des Halbleiterbauteils (113, 115) mittels der Lackschicht (505) beschichtet ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei das Bereitstellen umfasst, dass das oder die einzubettenden Elemente vor dem Einbetten auf einen Träger (101) angeordnet werden, wobei das Einbetten umfasst, dass das oder die auf dem Träger (101) angeordneten Elemente mittels eines Moldwerkstoffs (201) eingemoldet werden, so dass das Ge¬ häuse (203) mittels des Moldwerkstoffs (201) gebildet wird, wobei der Träger (101) nach dem Molden von dem oder den eingemoldeten Elementen entfernt wird, so dass ein aus dem Moldwerkstoff (201) gemoldetes Gehäuse (203) bereitge¬ stellt wird, in welchem das oder die einzubettenden Elemente eingebettet sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, wobei nach dem Beschichten die Lackschicht (505) strukturiert wird, insbesondere fotolithographisch strukturiert wird.
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