WO2016181859A1 - はんだ電極の製造方法およびその用途 - Google Patents

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純 武川
高橋　誠一郎
長谷川　公一
士朗 楠本
山口　佳一
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Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a solder electrode, a solder electrode, a method for producing a laminate, a laminate, an electronic component, and a photosensitive resin composition.
  • the IMS (Injection Molded Solder) method is one of the methods for forming a solder pattern (solder bump).
  • a solder paste method, a plating method or the like has been used as a method of forming a solder pattern on a substrate such as a wafer.
  • these methods have limitations such as difficulty in controlling the height of solder bumps and inability to freely select a solder composition.
  • the IMS method has an advantage that there is no such restriction.
  • the IMS method is characterized in that, as shown in Patent Documents 1 to 4, solder is poured between resist patterns while a nozzle capable of injection molding molten solder is brought into close contact with the resist.
  • the IMS method is performed by pressing an IMS head heated to a high temperature, usually 250 ° C. or more, against the resist surface in order to fill the molten solder. For this reason, a load due to high heat is applied to the resist surface, cracks are generated on the resist surface, and the sagging of the resist occurs, resulting in a problem that solder embedding property is deteriorated.
  • An object of the present invention is to provide a technique capable of preventing the occurrence of cracks on the resist surface and improving the solder filling ability even when the resist receives high heat during solder filling, such as the IMS method. To do.
  • the method for producing a solder electrode according to the present invention includes a step (1) of forming a coating film of a photosensitive resin composition on a substrate having an electrode pad, selectively exposing the coating film, and further developing the electrode.
  • a method of manufacturing a solder electrode comprising a step (2) of forming a resist having an opening in a region corresponding to a pad, and a step (3) of filling the opening with a molten solder,
  • the photosensitive resin composition contains at least a benzoxazole precursor.
  • the benzoxazole precursor preferably has a structure derived from a dicarboxylic acid and a structure derived from dihydroxydiamine, and the dicarboxylic acid may be an aromatic dicarboxylic acid.
  • the dihydroxydiamine is an aromatic diamine.
  • the photosensitive resin composition may further contain a photosensitizer, and the photosensitizer may be a naphthoquinone diazide compound.
  • the method for manufacturing a solder electrode may further include a step (4) of stripping the resist.
  • the solder electrode of the present invention is a solder electrode manufactured by the method for manufacturing a solder electrode.
  • the manufacturing method of the 1st laminated body of this invention is the process (1) which forms the coating film of the photosensitive resin composition on the 1st board
  • the photosensitive resin composition contains at least a benzoxazole precursor.
  • the manufacturing method of the 2nd laminated body of this invention is the process (1) which forms the coating film of the photosensitive resin composition on the 1st board
  • the photosensitive resin composition contains at least a benzoxazole precursor.
  • the laminate of the present invention is a laminate produced by the method for producing the first or second laminate.
  • the electronic component of the present invention is an electronic component having the laminate.
  • the photosensitive resin composition for injection molded solder of the present invention contains at least a benzoxazole precursor.
  • the solder electrode manufacturing method of the present invention can prevent the occurrence of cracks on the resist surface and improve the solder filling ability even when the resist receives high heat during solder filling, such as the IMS method. Therefore, it is possible to accurately manufacture a solder electrode suitable for the purpose.
  • the method for manufacturing a laminate of the present invention can accurately manufacture a solder electrode suitable for the purpose by the IMS method, it is possible to accurately manufacture a laminate having an electrical connection structure.
  • 1 (1) to 1 (4) are schematic cross-sectional views of a structure including a substrate in each step of a solder electrode manufacturing method according to the present invention.
  • 2 (5-1) and (5-2) are schematic cross-sectional views of the laminate according to the present invention.
  • the method for producing a solder electrode according to the present invention includes a step (1) of forming a coating film of a photosensitive resin composition on a substrate having an electrode pad, selectively exposing the coating film, and further developing the electrode.
  • a method for producing a solder electrode comprising a step (2) of forming a resist having an opening in a region corresponding to a pad and a step (3) of filling the opening with a molten solder, wherein the photosensitive resin composition comprises: And at least a benzoxazole precursor.
  • the method for producing a solder electrode of the present invention is different from the conventional method in that the photosensitive resin composition used in the step (1) contains a benzoxazole precursor.
  • the operations in the steps (1) to (3) can be performed in the same manner as in the conventional method.
  • step (1) a coating film 3 of a photosensitive resin composition is formed on a substrate 1 having electrode pads 2.
  • the substrate 1 is, for example, a semiconductor substrate, a glass substrate, a silicon substrate, a substrate formed by providing various metal films on the surface of a semiconductor plate, a glass plate, and a silicon plate.
  • the substrate 1 has a large number of electrode pads 2.
  • the coating film 3 is formed by applying a photosensitive resin composition to the substrate 1.
  • the coating method of the photosensitive resin composition is not particularly limited, and examples thereof include a spray method, a roll coating method, a spin coating method, a slit die coating method, a bar coating method, and an ink jet method.
  • the film thickness of the coating film 3 is usually 1 to 500 ⁇ m, preferably 5 to 200 ⁇ m, more preferably 10 to 100 ⁇ m.
  • the photosensitive resin composition contains at least a benzoxazole precursor.
  • the benzoxazole precursor reacts in the molecule and rapidly changes to a heat-resistant structure.
  • the resist formed from the photosensitive resin composition is heated to a high temperature during solder filling such as the IMS method, the benzoxazole precursor contained in the resist rapidly changes to a heat-resistant structure. Therefore, the heat resistance is improved, and as a result, the occurrence of cracks on the resist surface is prevented and the solder embedding property is improved.
  • the coating film formed from the photosensitive resin composition is crosslinked by exposure in the step (2) described later.
  • the crosslinking agent contained in the photosensitive resin composition is not completely consumed only by exposure, and the crosslinking agent that has not been consumed remains in the resist.
  • the resist is not completely cross-linked only by being exposed, and the strength of the resist is not sufficiently increased.
  • the resist cannot withstand the heat received from the IMS head, and cracks and dripping are considered to occur. .
  • the method for manufacturing a solder electrode according to the present invention as described above, since the heat resistance of the resist is rapidly improved by heating, no cracks or dripping occurs.
  • a polybenzoxazole precursor obtained by using dicarboxylic acid and dihydroxydiamine as raw materials is preferably exemplified.
  • Such a benzoxazole precursor is obtained by reacting dicarboxylic acid and dihydroxydiamine, and has a structure derived from dicarboxylic acid and a structure derived from dihydroxydiamine, that is, a dicarboxylic acid residue and a dihydroxydiamine residue. Since such a benzoxazole precursor has a structure with particularly high heat resistance when subjected to heat, the resist obtained from the photosensitive resin composition of the present invention containing the benzoxazole precursor is subjected to high heat. In this case, the generation of cracks on the surface can be prevented more effectively.
  • dicarboxylic acid examples include isophthalic acid, terephthalic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) hexafluoropropane, 4,4′-biphenyldicarboxylic acid, 4,4′-dicarboxydiphenyl ether, 4,4 ′.
  • dihydroxydiamine examples include 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexa Fluoropropane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, 4,6-diaminoresorcinol 4,5-diaminoresorcinol, bis (4-amino-3 -Aromatic diamines such as carboxyphenyl) methane.
  • the polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) of the benzoxazole precursor measured by gel permeation chromatography is preferably 3,000 to 200,000, more preferably 5,000 to 100,000.
  • the content of the benzoxazole precursor in the photosensitive resin composition is usually 50% by mass or more, preferably 60 to 95% by mass, more preferably 100% by mass when the total solid content in the composition is 100% by mass. Is 70 to 90% by mass.
  • the photosensitive resin composition can contain components usually contained in the photosensitive resin composition used in the conventional method.
  • the photosensitive resin composition may be a positive type or a negative type. Whether the photosensitive resin composition is positive or negative depends on the type of photosensitive agent contained in the photosensitive resin composition. In the case of positive type, the photosensitive resin composition contains naphthoquinone diazide as an essential component as a photosensitizer, and in the case of negative type, it contains a photoacid generator and a cationic crosslinking agent as essential components as a photosensitizer.
  • the coating film containing the naphthoquinone diazide compound is hardly soluble in an alkaline developer, but the naphthoquinone diazide compound is decomposed by irradiation with light to generate a carboxyl group and readily become alkali soluble. Therefore, the coating film containing a naphthoquinone diazide compound changes from hardly alkaline to easily soluble alkali upon irradiation with light.
  • the naphthoquinonediazide compound is an ester compound of a compound having one or more phenolic hydroxyl groups and 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid.
  • naphthoquinone diazide compound examples include 4,4′-dihydroxydiphenylmethane, 4,4′-dihydroxydiphenyl ether, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3 , 4,2 ′, 4′-pentahydroxybenzophenone, tris (4-hydroxyphenyl) methane, tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1-phenylethane, 1, 3-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,4-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene, 4,6-bis [1- (4-Hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-dihydroxybenzene, 1,1-bis 4-hydroxyphenyl) -1- [4- [1- (4-hydroxydip
  • the naphthoquinonediazide compound may be used alone or in combination of two or more.
  • the photoacid generator is a compound that forms an acid upon light irradiation. Since this acid acts on the cation reactive group of the cationic crosslinking agent to form a crosslinked structure, the coating film containing the photoacid generator and the cationic crosslinking agent is hardly soluble in an alkaline developer by light irradiation. Become.
  • Examples of the photoacid generator include onium salt compounds, halogen-containing compounds, sulfone compounds, sulfonic acid compounds, sulfonimide compounds, and diazomethane compounds.
  • an onium salt compound and a halogen-containing compound are preferable because a cured film having excellent elongation property can be formed.
  • onium salt compounds include iodonium salts, sulfonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, and pyridinium salts.
  • preferred onium salts include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium p-toluenesulfonate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluorochlorosulfonate, Phenylsulfonium p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-t-butylphenyl diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-t-butylphenylpheny
  • halogen-containing compound examples include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds and haloalkyl group-containing heterocyclic compounds.
  • preferred halogen-containing compounds include 1,10-dibromo-n-decane, 1,1-bis (4-chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethane, and phenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine.
  • S-triazine derivatives such as 4-methoxyphenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, styryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, naphthyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, and the like.
  • sulfone compounds include ⁇ -ketosulfone compounds, ⁇ -sulfonylsulfone compounds, and ⁇ -diazo compounds of these compounds.
  • Specific examples of preferred sulfone compounds include 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsulfone, and bis (phenacylsulfonyl) methane.
  • sulfonic acid compounds examples include alkyl sulfonic acid esters, haloalkyl sulfonic acid esters, aryl sulfonic acid esters, and imino sulfonates.
  • Specific examples of preferred sulfonic acid compounds include benzoin tosylate, pyrogallol tris trifluoromethane sulfonate, o-nitrobenzyl trifluoromethane sulfonate, and o-nitrobenzyl p-toluene sulfonate.
  • sulfonimide compound examples include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy).
  • sulfonimide compound examples include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy).
  • Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthylimide.
  • diazomethane compound examples include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, and bis (phenylsulfonyl) diazomethane.
  • the photoacid generator may be used alone or in combination of two or more.
  • the cationic crosslinking agent acts as a crosslinking component (curing component).
  • the cationic crosslinking agent include compounds having two or more alkyl etherified amino groups (hereinafter also referred to as “amino group-containing compounds”), oxirane ring-containing compounds, oxetane ring-containing compounds, isocyanate group-containing compounds ( Inclusive), aldehyde group-containing phenol compounds, and methylol group-containing phenol compounds.
  • amino group-containing compounds compounds having two or more alkyl etherified amino groups
  • oxirane ring-containing compounds oxirane ring-containing compounds
  • oxetane ring-containing compounds oxetane ring-containing compounds
  • isocyanate group-containing compounds Inclusive
  • alkyl etherified amino group examples include a group represented by the following formula.
  • R 11 represents a methylene group or an alkylene group
  • R 12 represents an alkyl group.
  • amino group-containing compounds include active methylol groups (CH 2 OH) in nitrogen compounds such as (poly) methylolated melamine, (poly) methylolated glycoluril, (poly) methylolated benzoguanamine, and (poly) methylolated urea.
  • nitrogen compounds such as (poly) methylolated melamine, (poly) methylolated glycoluril, (poly) methylolated benzoguanamine, and (poly) methylolated urea.
  • a compound in which part or all (at least two) of the group) is alkyl etherified.
  • examples of the alkyl group constituting the alkyl ether include a methyl group, an ethyl group, and a butyl group, and these may be the same as or different from each other.
  • the methylol group that is not alkyletherified may be self-condensed within one molecule, or may be condensed between two molecules, and as a result, an oligomer component may be formed.
  • an oligomer component may be formed.
  • hexamethoxymethyl melamine, hexabutoxymethyl melamine, tetramethoxymethyl glycoluril, tetrabutoxymethyl glycoluril and the like can be used.
  • the oxirane ring-containing compound is not particularly limited as long as it contains an oxirane ring in the molecule.
  • a phenol novolac epoxy resin, a cresol novolac epoxy resin, a bisphenol epoxy resin, a trisphenol epoxy resin examples thereof include a tetraphenol type epoxy resin, a phenol-xylylene type epoxy resin, a naphthol-xylylene type epoxy resin, a phenol-naphthol type epoxy resin, a phenol-dicyclopentadiene type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, and an aliphatic epoxy resin.
  • the oxirane ring-containing compound examples include resorcinol diglycidyl ether, pentaerythritol glycidyl ether, trimethylolpropane polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether, phenyl glycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, ethylene / polyethylene glycol diester.
  • Examples thereof include glycidyl ether, propylene / polypropylene glycol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, and trimethylolpropane triglycidyl ether.
  • the oxetane ring-containing compound is not particularly limited as long as it contains an oxetane ring in the molecule, and examples thereof include compounds represented by formulas (d-1) to (d-3).
  • A represents a direct bond or an alkylene group such as a methylene group, an ethylene group, or a propylene group;
  • R represents an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, or a propyl group.
  • R 1 represents an alkylene group such as a methylene group, an ethylene group or a propylene group
  • R 2 represents an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a hexyl group, a phenyl group or a xylyl group
  • aryl group a group represented by the following formula (wherein, R and R 1 are each formula (d-1) ⁇ (d -3) are the same as R and R 1 in.),
  • “*” represents a binding site.
  • x and y are each independently an integer of 0 to 50.
  • Z represents a direct bond, or —O—, —CH 2 —, —C (CH 3 ) 2 —, —C (CF 3 ) 2 —, —CO— or —SO 2 —. Divalent group.
  • Specific examples of the compounds represented by formulas (d-1) to (d-3) include, for example, 1,4-bis ⁇ [(3-ethyloxetane-3-yl) methoxy] methyl ⁇ benzene (trade name) “OXT-121” manufactured by Toagosei), 3-ethyl-3- ⁇ [(3-ethyloxetane-3-yl) methoxy] methyl ⁇ oxetane (trade name “OXT-221” manufactured by Toagosei) 4,4′-bis [(3-ethyl-3-oxetanyl) methoxymethyl] biphenyl (trade name “ETERRNACOLL OXBP” manufactured by Ube Industries), bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl-phenyl] ether Bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl-phenyl] propane, bis [(3-ethyl
  • compounds having a high molecular weight polyvalent oxetane ring can be used.
  • examples thereof include oxetane oligomers (trade name “Oligo-OXT”, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) and compounds represented by the formulas (de) to (dg).
  • p, q and s are each independently an integer of 0 to 10,000, preferably an integer of 1 to 10.
  • Y represents an alkylene group such as an ethylene group or a propylene group, or a group represented by —CH 2 —Ph—CH 2 — (wherein Ph represents a phenylene group).
  • a cationic crosslinking agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • Process (2) In step (2), as shown in FIG. 1 (2), the coating film 3 is selectively exposed and further developed to form a resist 5 having an opening 4 in a region corresponding to each electrode pad 2. To do.
  • the coating film 3 is partially exposed so that the openings 4 for accommodating the electrode pads 2 are formed, and then developed to form the openings 4 for accommodating the electrode pads 2. .
  • a resist 5 having an opening 4 in a region corresponding to each electrode pad 2 is obtained.
  • the opening 4 is a hole that penetrates the resist 5.
  • the exposure and development can be performed according to conventional methods.
  • the maximum width of the opening 4 is usually 0.1 to 10 times, preferably 0.5 to 2 times the film thickness of the coating film 3. (Process (3))
  • the opening 4 is filled with molten solder while heating. After cooling, solder electrodes 6 are formed in the openings 4 as shown in FIG.
  • the method of filling the opening 4 while heating the molten solder is not particularly limited, and a normal filling method by the IMS method can be adopted. In the IMS method, filling is usually performed while heating the molten solder at 250 ° C. or higher.
  • the photosensitive resin composition contains a benzoxazole precursor that changes to a heat-resistant structure by heat, a high-temperature head is formed as in the IMS method. Even when pressed against the surface of the resist 5 and filled with molten solder, the occurrence of cracks and dripping on the surface of the resist 5 can be suppressed.
  • solder electrode manufactured as described above by the method for manufacturing a solder electrode according to the present invention is formed without causing cracks or dripping in the resist, the shape is not disturbed, and the electrode is suitable for the purpose. .
  • the method for manufacturing a solder electrode may further include a step (4) of peeling the resist 5 from the substrate 1 after the step (3).
  • FIG. 1 (4) shows a state where the resist 5 is peeled off from the substrate 1 after the step (3).
  • solder electrode manufactured by the solder electrode manufacturing method of the present invention can be used together with the resist 5 as shown in FIG. 1 (3), or without the resist 5 as shown in FIG. 1 (4). It can also be used.
  • the manufacturing method of the 1st laminated body of this invention is the process (1) which forms the coating film of the photosensitive resin composition on the 1st board
  • the resin composition contains at least a benzoxazole precursor.
  • the manufacturing method of the 2nd laminated body of this invention is the process (1) which forms the coating film of the photosensitive resin composition on the 1st board
  • It is a manufacturing method of the laminated body which has the process (5) which forms a general connection structure, Comprising:
  • the said photosensitive resin composition contains a benzoxazole precursor at least.
  • Steps (1) to (3) in the method for manufacturing the first and second laminates, and step (4) in the method for manufacturing the second laminate are steps (1) to ( 5) and substantially the same. That is, the first laminate manufacturing method is a method of performing the step (5) after the steps (1) to (3) in the solder electrode manufacturing method, and the second laminate manufacturing method is the above-described method. In this method, the step (5) is performed after the steps (1) to (4) in the solder electrode manufacturing method.
  • the substrate in the solder electrode manufacturing method corresponds to the first substrate.
  • the electrical connection between the electrode pad of the first substrate and the electrode pad of the second substrate having the electrode pad is performed via the solder electrode.
  • Step (5) of forming a general connection structure is performed.
  • FIG. 2 (5-1) shows the laminate 10 produced by the first laminate production method.
  • the laminate 10 has the electrode pad 2 of the first substrate 1 and the electrode pad 12 through the solder electrode 6 in the state shown in FIG. 1 (3) manufactured by the steps (1) to (3). It has an electrical connection structure formed by connecting the electrode pads 12 of the second substrate 11.
  • the electrode pad 12 of the second substrate 11 faces the electrode pad 2 of the first substrate 1 when the first substrate 1 and the second substrate 11 are opposed to each other with the surfaces on which the electrode pads are formed facing each other. In the position.
  • the electrode pad 12 of the second substrate 11 is brought into contact with the solder electrode 6 in the state shown in FIG. 12 are electrically connected to each other through the solder electrode 6 to form an electrical connection structure, whereby the laminate 10 is obtained.
  • the heating temperature is usually 100 to 300 ° C.
  • the force during the pressure bonding is usually 0.1 to 10 MPa.
  • the stacked body 10 includes the first substrate 1, the solder electrode 6, the second substrate 11, and the first substrate 1. And a resist 5 sandwiched between the substrate 1 and the second substrate 11.
  • the electrical connection between the electrode pad of the first substrate and the electrode pad of the second substrate having the electrode pad is performed via the solder electrode.
  • Step (5) of forming a general connection structure is performed.
  • FIG. 2 (5-2) shows the laminate 20 produced by the second laminate production method.
  • the laminated body 20 has the electrode pad 2 of the first substrate 1 and the electrode pad 12 through the solder electrode 6 in the state shown in FIG. 1 (4) manufactured by the steps (1) to (4). It has an electrical connection structure formed by connecting the electrode pads 12 of the second substrate 11.
  • the electrode pads 12 of the second substrate 11 are brought into contact with the solder electrodes 6 in the state shown in FIG. 1 (4), and heated and / or pressed to form the electrode pads 2 of the first substrate 1 and the electrode pads of the second substrate 11. 12 are electrically connected to each other through the solder electrode 6 to form an electrical connection structure, whereby the laminate 20 is obtained.
  • the stacked body 20 is formed of the first substrate 1, the solder electrode 6, and the second substrate 11.
  • the laminate produced by the laminate production method of the present invention may or may not include a resist between the first substrate and the second substrate.
  • the resist is used as an underfill.
  • the laminate manufactured by the method for manufacturing a laminate of the present invention has an electrical connection structure suitable for the purpose by the IMS method, the selectivity of the solder composition is widened, so that the semiconductor element, the display element, and the power device It is applicable to various electronic parts such as.
  • the laminate produced by the laminate production method of the present invention can be used for electronic components such as semiconductor elements, display elements, and power devices.
  • the reaction solution was dropped into a large amount of cyclohexane to solidify the reaction product.
  • the coagulated product was washed with water, and the coagulated product was redissolved in tetrahydrofuran having the same mass as the coagulated product, and then the obtained solution was dropped into a large amount of cyclohexane to coagulate again.
  • the obtained coagulated product was vacuum dried at 40 ° C. for 48 hours to obtain an alkali-soluble resin.
  • the weight average molecular weight of the alkali-soluble resin was 10,000.
  • photosensitive resin composition 1 100 parts of the polybenzoxazole precursor synthesized in Synthesis Example 1 and 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- [4- [1- ( 10 parts of a condensate of 4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethane and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid (molar ratio of the latter to the former: 2.0), N-methyl- Using 100 parts of 2-pyrrolidone, these were mixed and stirred to obtain a uniform solution. This solution was filtered through a capsule filter having a pore diameter of 10 ⁇ m to prepare a photosensitive resin composition 1.
  • Preparation Example 1 Preparation of photosensitive resin composition 2 100 parts of the alkali-soluble resin synthesized in Synthesis Example 2 above, 50 parts of polyester acrylate (trade name “Aronix M-8060” manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 4 parts of diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide (trade name “LUCIRIN TPO”, manufactured by BASF Corp.), 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one (trade name) 19 parts of “IRGACURE 651” (manufactured by BASF Corporation) and 80 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate were mixed and stirred to obtain a uniform solution. This solution was filtered through a capsule filter having a pore diameter of 10 ⁇ m to prepare a photosensitive resin composition 2.
  • polyester acrylate trade name “Aronix M-8060” manufactured by Toagosei Co., Ltd.
  • Example 2 The photosensitive resin composition 1 prepared in Example 1 was applied onto a substrate having a plurality of copper electrode pads on a silicon plate using a spin coater, heated at 120 ° C. for 5 minutes on a hot plate, A coating film having a thickness of 20 ⁇ m was formed. Next, using an aligner (manufactured by Suss, model “MA-200”), the coating film was exposed to light having a wavelength of 420 nm through a pattern mask at an irradiation intensity of 300 mJ / cm 2 .
  • an aligner manufactured by Suss, model “MA-200
  • the coating film After the exposure, the coating film is brought into contact with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 240 seconds, the coating film is washed with running water, developed, and a resist holding substrate having an opening corresponding to the electrode pad is formed. did.
  • the opening of each opening was circular with a diameter of 30 ⁇ m, and the depth of each opening was 20 ⁇ m. The maximum width of the opening was 30 ⁇ m.
  • the resist holding substrate having the opening was immersed in a 1% by mass sulfuric acid aqueous solution at 23 ° C. for 1 minute, washed with water and dried.
  • a molten solder obtained by melting SAC305 (product name, lead-free solder, Senju Metal Industry Co., Ltd.) at 250 ° C. was filled in the opening of the substrate after drying over 10 minutes while heating to 250 ° C. .
  • SAC305 product name, lead-free solder, Senju Metal Industry Co., Ltd.
  • the resist holding substrate on which the solder electrode is formed is immersed in a solution obtained by mixing 90 parts of dimethyl sulfoxide, 3 parts of tetramethylammonium hydroxide and 7 parts of water at 50 ° C. for 20 minutes, and the resist is removed from the substrate. Was peeled off.
  • substrate provided with the obtained solder electrode was washed with water and dried.
  • substrate which has another copper electrode pad was mounted in the board
  • a pressure of 0.3 MPa at 250 ° C. is applied for 30 seconds to the substrate having the two copper electrode pads so that they are pressed together, and the substrate having the copper electrode pad, the solder electrode, the copper electrode pad.
  • substrate which has was manufactured. When this laminated body was observed with an electron microscope, it was confirmed that the laminated body had an appropriate electrical connection structure.
  • the coating film After the exposure, the coating film is brought into contact with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 240 seconds, the coating film is washed with running water, developed, and a resist holding substrate having an opening corresponding to the electrode pad is formed. did.
  • the opening of each opening was circular with a diameter of 30 ⁇ m, and the depth of each opening was 20 ⁇ m. The maximum width of the opening was 30 ⁇ m.
  • the resist holding substrate having the opening was immersed in a 1% by mass sulfuric acid aqueous solution at 23 ° C. for 1 minute, washed with water and dried.
  • a molten solder obtained by melting SAC305 (product name, lead-free solder, Senju Metal Industry Co., Ltd.) at 250 ° C. was filled in the opening of the substrate after drying over 10 minutes while heating to 250 ° C. .
  • substrate after molten solder filling was observed with the electron microscope, it confirmed that the crack had generate

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Abstract

本発明は、電極パッドを有する基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを充填する工程（３）を有するはんだ電極の製造方法であって、前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有するはんだ電極の製造方法である。本発明のはんだ電極の製造方法は、ＩＭＳ法などのように、はんだ充填時にレジストが高熱を受ける場合においても、レジスト表面のクラック発生を防止することができ、はんだ充填能を向上させることができるので、目的に適合したはんだ電極を的確に製造することができる。

Description

はんだ電極の製造方法およびその用途
　本発明は、はんだ電極の製造方法、はんだ電極、積層体の製造方法、積層体、電子部品、および感光性樹脂組成物に関する。
　ＩＭＳ（インジェクション・モールデッド・ソルダー）法は、はんだパターン（はんだバンプ）を形成するための方法の一つである。これまで、ウェハなどの基板上にはんだパターンを形成する方法としては、ソルダーペースト法、めっき法などが用いられてきた。しかしながら、これらの方法では、はんだバンプの高さ制御が難しい上、はんだ組成を自由に選択できないなどの制約があった。これに対しＩＭＳ法ではこれらの制約がないという利点が知られている。
　ＩＭＳ法は、特許文献１～４に示されるように、溶融したはんだを射出成形できるノズルをレジストに密着させながら、レジストパターン間にはんだを流し込むことを特徴とする方法である。
特開平０６－０５５２６０号公報 特開２００７－２９４９５４号公報 特開２００７－２９４９５９号公報 特表２０１３－５２００１１号公報
　ＩＭＳ法は、溶融はんだを充填するために、高温、通常２５０℃以上に加熱されたＩＭＳヘッドをレジスト表面に押し当てて行われる。このため、レジスト表面に高熱による負荷がかかり、レジスト表面にクラックが発生したり、レジストのただれが発生したりして、はんだ埋め込み性が低下するという問題があった。
　本発明は、ＩＭＳ法などのように、はんだ充填時にレジストが高熱を受ける場合においても、レジスト表面のクラック発生を防止し、はんだ充填能の向上を図ることができる技術を提供することを目的とする。
　本発明のはんだ電極の製造方法は、電極パッドを有する基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを充填する工程（３）を有するはんだ電極の製造方法であって、
　前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有することを特徴とする。
　前記はんだ電極の製造方法において、前記ベンゾオキサゾール前駆体が、ジカルボン酸を由来とする構造及びジヒドロキシジアミンを由来とする構造を有することが好ましく、さらに前記ジカルボン酸が芳香族系ジカルボン酸であることが好ましく、前記ジヒドロキシジアミンが芳香族系ジアミンであることが好ましい。
　前記はんだ電極の製造方法において、前記感光性樹脂組成物はさらに感光剤を含有することができ、前記感光剤をナフトキノンジアジド化合物とすることができる。
　前記はんだ電極の製造方法は、さらに、前記レジストを剥離する工程（４）を有することができる。
　本発明のはんだ電極は、前記はんだ電極の製造方法によって製造されたはんだ電極である。
　本発明の第１の積層体の製造方法は、電極パッドを有する第１基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを加熱しながら充填して、はんだ電極を形成する工程（３）、前記はんだ電極を介して、前記第１基板の電極パッドと電極パッドを有する第２基板の電極パッドとの電的接続構造を形成する工程（５）を有する積層体の製造方法であって、
　前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有することを特徴とする。
　本発明の第２の積層体の製造方法は、電極パッドを有する第１基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを加熱しながら充填して、はんだ電極を形成する工程（３）、工程（３）の後、前記レジストを剥離する工程（４）、工程（４）の後、前記はんだ電極を介して、前記第１基板の電極パッドと電極パッドを有する第２基板の電極パッドとの電的接続構造を形成する工程（５）を有する積層体の製造方法であって、
　前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有することを特徴とする。
　本発明の積層体は、前記第１又は第２の積層体の製造方法によって製造された積層体である。
　本発明の電子部品は、前記積層体を有する電子部品である。
　本発明の射出成形はんだ用感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有する。
　本発明のはんだ電極の製造方法は、ＩＭＳ法などのように、はんだ充填時にレジストが高熱を受ける場合においても、レジスト表面のクラック発生を防止することができ、はんだ充填能を向上させることができるので、目的に適合したはんだ電極を的確に製造することができる。
　本発明の積層体の製造方法は、ＩＭＳ法により、目的に適合したはんだ電極を的確に製造することができるので、電気的接続構造を有する積層体を的確に製造することができる。
図１（１）～（４）は、本発明に係るはんだ電極の製造方法の各工程における基板を含む構造体の模式断面図である。 図２（５－１）および（５－２）は、本発明に係る積層体の模式断面図である。
＜はんだ電極の製造方法＞
　本発明のはんだ電極の製造方法は、電極パッドを有する基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを充填する工程（３）を有するはんだ電極の製造方法であって、前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有することを特徴とする。
　本発明のはんだ電極の製造方法は、前記工程（１）で用いる感光性樹脂組成物がベンゾオキサゾール前駆体を含有する点が従来法と異なる。前記工程（１）～（３）における操作は従来法と同様に行うことができる。
　以下、本発明のはんだ電極の製造方法を、図１を参照しながら説明する。
（工程（１））
　工程（１）では、図１（１）に示すように、電極パッド２を有する基板１上に感光性樹脂組成物の塗膜３を形成する。
　基板１は、たとえば半導体基板、ガラス基板、シリコン基板、並びに半導体板、ガラス板およびシリコン板の表面に各種金属膜などを設けて形成される基板などである。基板１は多数の電極パッド２を有している。
　塗膜３は、感光性樹脂組成物を基板１に塗布等することにより形成される。感光性樹脂組成物の塗布方法としては、特に限定されず、例えば、スプレー法、ロールコート法、スピンコート法、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法を挙げることができる。塗膜３の膜厚は、通常１～５００μｍ、好ましくは５～２００μｍ、より好ましくは１０～１００μｍである。
　前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有する。ベンゾオキサゾール前駆体は、熱を受けると分子内で反応し、急速に耐熱性のある構造に変化する。このため、前記感光性樹脂組成物から形成されたレジストは、ＩＭＳ法などのはんだ充填時において高温に加熱されたとき、レジストに含まれるベンゾオキサゾール前駆体が急速に耐熱性のある構造に変化するので耐熱性が向上し、その結果、レジスト表面のクラック発生が防止され、はんだ埋め込み性が向上すると考えられる。
　感光性樹脂組成物から形成された塗膜は後述の工程（２）において露光により架橋される。しかし、通常、露光だけでは感光性樹脂組成物中に含まれる架橋剤は完全には消費されず、消費されなかった架橋剤がレジストに残存する。このため、露光されただけでは、レジストの架橋は不完全であり、レジストの強度は十分に高まっていない。従来法のように、この状態でＩＭＳ法により高温のヘッドをレジストの表面に押し当てて溶融はんだを充填した場合、レジストはＩＭＳヘッドから受ける熱に耐えきれず、クラックやただれが発生すると考えられる。これに対し、本発明のはんだ電極の製造方法においては、前述のとおり、レジストは加熱により耐熱性が急速に向上するので、クラックやただれが発生しない。
　なお、ベンゾオキサゾール前駆体を含有しない感光性樹脂組成物を用いる従来のＩＭＳ法においても、溶融はんだを充填している最中に熱によりレジスト内で残存する架橋剤による架橋反応が進行し、レジストが強化されると考えられるが、感光性樹脂組成物に使用される多官能アクリレート等の架橋剤は架橋反応速度が遅いので、架橋反応が十分に進む前に、ＩＭＳヘッドから受ける熱によりクラックやただれが発生すると考えられる。
　ベンゾオキサゾール前駆体としては、例えば、ジカルボン酸及びジヒドロキシジアミンを原料として得られるポリベンゾオキサゾール前駆体が好適に挙げられる。このようなベンゾオキサゾール前駆体は、ジカルボン酸及びジヒドロキシジアミンを反応させて得られ、ジカルボン酸を由来とする構造及びジヒドロキシジアミンを由来とする構造、すなわちジカルボン酸残基及びジヒドロキシジアミン残基を有する。このようなベンゾオキサゾール前駆体は、熱を受けたときに特に耐熱性の高い構造になるので、このベンゾオキサゾール前駆体を含む本発明の感光性樹脂組成物から得られたレジストは、高熱を受けた場合において、表面のクラック発生をより効果的に防止することができる。
　前記ジカルボン酸としては、イソフタル酸、テレフタル酸、２、２－ビス（４－カルボキシフェニル）へキサフルオロプロパン、４，４'－ビフェニルジカルボン酸、４，４'－ジカルボキシジフェニルエーテル、４，４'－ジカルボキシテトラフェニルシラン、ビス（４－カルボキシフェニル）スルホン、２，２－ビス（ｐ－カルボキシフェニル）プロパン、５－ｔｅｒｔ－ブチルイソフタル酸、５－ブロモイソフタル酸、５－フルオロイソフタル酸、５－クロロイソフタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸等の芳香族系ジカルボン酸、１，２－シクロブタンジカルボン酸、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸、１，３－シクロペンタンジカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等の脂肪族系ジカルボン酸などが挙げられる。これらは単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。これらの中で耐熱性の点で芳香族系ジカルボン酸が好ましい。
　前記ジヒドロキシジアミンとしては、３，３'－ジアミノ－４，４'－ジヒドロキシビフェニル、４，４'－ジアミノ－３，３'－ジヒドロキシビフェニル、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）プロパン、４，６－ジアミノレゾルシノール、４，５－ジアミノレゾルシノール、ビス（４－アミノ－３－カルボキシフェニル）メタン等の芳香族系ジアミンが挙げられる。芳香族系ジアミンを使用することにより、耐熱性の良好な、ポリベンゾオキサゾール前駆体が得られる。
　ベンゾオキサゾール前駆体の、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定されたポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）としては、３，０００～２００，０００が好ましく、５，０００～１００，０００がより好ましい。
　前記感光性樹脂組成物におけるベンゾオキサゾール前駆体の含有量は、該組成物中に含まれる全固形分を１００質量％とすると、通常、５０質量％以上、好ましくは６０～９５質量％、より好ましくは７０～９０質量％である。
　前記感光性樹脂組成物は、ベンゾオキサゾール前駆体以外に、従来法で用いられる感光性樹脂組成物に通常含有される成分を含有することができる。
　前記感光性樹脂組成物は、ポジ型であってもネガ型であってもよい。前記感光性樹脂組成物がポジ型であるかネガ型であるかは、感光性樹脂組成物に含まれる感光剤の種類によって決まる。前記感光性樹脂組成物は、ポジ型の場合は、感光剤としてナフトキノンジアジドを必須成分として含み、ネガ型の場合は、感光剤として光酸発生剤、及びカチオン系架橋剤を必須成分として含む。
　前記ナフトキノンジアジド化合物を含有する塗膜はアルカリ性現像液に対して難溶であるが、ナフトキノンジアジド化合物は、光照射によりキノンジアジド基が分解してカルボキシル基を生じ、アルカリ易溶になる。したがって、ナフトキノンジアジド化合物を含有する塗膜は、光照射によりアルカリ難溶性からアルカリ易溶性に変化する。
　前記ナフトキノンジアジド化合物は、フェノール性水酸基を１つ以上有する化合物と、１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホン酸または１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸とのエステル化合物である。
　ナフトキノンジアジド化合物としては、例えば、４，４'－ジヒドロキシジフェニルメタン、４，４'－ジヒドロキシジフェニルエーテル、２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４'－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２'，４'－ペンタヒドロキシベンゾフェノン、トリス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１－フェニルエタン、１，３－ビス［１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］ベンゼン、１，４－ビス［１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］ベンゼン、４，６－ビス［１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］－１，３－ジヒドロキシベンゼン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１－［４－［１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］フェニル］エタンなどと、１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホン酸または１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸とのエステル化合物が挙げられる。
　ナフトキノンジアジド化合物は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　前記光酸発生剤は、光照射により酸を形成する化合物である。この酸がカチオン系架橋剤のカチオン反応性基に作用することにより架橋構造を形成するので、光酸発生剤及びカチオン系架橋剤を含む塗膜は光照射によりアルカリ性現像液に対して難溶となる。
　光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物が挙げられる。これらの中では、伸び物性に優れた硬化膜を形成することができることから、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物が好ましい。
　オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩が挙げられる。好ましいオニウム塩の具体例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ－トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフリオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ－トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４－ｔ－ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４－ｔ－ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ－トルエンスルホネート、４，７－ジ－ｎ－ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフリオロメタンスルホネート、４－（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェートが挙げられる。
　ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物が挙げられる。好ましいハロゲン含有化合物の具体例としては、１，１０－ジブロモ－ｎ－デカン、１，１－ビス（４－クロロフェニル）－２，２，２－トリクロロエタン、フェニル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、４－メトキシフェニル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、スチリル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、ナフチル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン等のｓ－トリアジン誘導体が挙げられる。
　スルホン化合物としては、例えば、β－ケトスルホン化合物、β－スルホニルスルホン化合物およびこれらの化合物のα－ジアゾ化合物が挙げられる。好ましいスルホン化合物の具体例としては、４－トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェナシルスルホニル）メタンが挙げられる。
　スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル類、ハロアルキルスルホン酸エステル類、アリールスルホン酸エステル類、イミノスルホネート類が挙げられる。好ましいスルホン酸化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ｏ－ニトロベンジルトリフルオロメタンスルホネート、ｏ－ニトロベンジルｐ－トルエンスルホネートが挙げられる。
　スルホンイミド化合物としては、例えば、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミドが挙げられる。
　ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンが挙げられる。
　光酸発生剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　前記カチオン系架橋剤は、架橋成分（硬化成分）として作用する。カチオン系架橋剤としては、例えば、アルキルエーテル化されたアミノ基を２つ以上有する化合物（以下「アミノ基含有化合物」ともいう。）、オキシラン環含有化合物、オキセタン環含有化合物、イソシアネート基含有化合物（ブロック化されたものを含む。）、アルデヒド基含有フェノール化合物、メチロール基含有フェノール化合物が挙げられる。ただし、オキシラン環含有化合物からは、エポキシ基を有するシランカップリング剤は除外され、イソシアネート基含有化合物からは、イソシアネート基を有するシランカップリング剤は除外される。　　　
　アルキルエーテル化されたアミノ基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 （式中、Ｒ11はメチレン基またはアルキレン基を示し、Ｒ12はアルキル基を示す。）
　アミノ基含有化合物としては、例えば、（ポリ）メチロール化メラミン、（ポリ）メチロール化グリコールウリル、（ポリ）メチロール化ベンゾグアナミン、（ポリ）メチロール化ウレア等の窒素化合物中の活性メチロール基（ＣＨ2ＯＨ基）の一部または全部（少なくとも２個）がアルキルエーテル化された化合物が挙げられる。ここで、アルキルエーテルを構成するアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基が挙げられ、これらは互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、アルキルエーテル化されていないメチロール基は、一分子内で自己縮合していてもよく、二分子間で縮合して、その結果、オリゴマー成分が形成されていてもよい。具体的には、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリル等を用いることができる。
　オキシラン環含有化合物としては、分子内にオキシラン環が含有されていればよく、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、テトラフェノール型エポキシ樹脂、フェノール－キシリレン型エポキシ樹脂、ナフトール－キシリレン型エポキシ樹脂、フェノール－ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール－ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。
　オキシラン環含有化合物の具体例としては、例えば、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレン／ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレン／ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルが挙げられる。
　オキセタン環含有化合物としては、分子内にオキセタン環が含有されていればよく、特に限定されないが、例えば、式（ｄ－１）～（ｄ－３）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 　式（ｄ－１）～（ｄ－３）中、Ａは、直接結合、またはメチレン基、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基を示し；Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基を示し；Ｒ1は、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基を示し；Ｒ2は、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基等のアルキル基、フェニル基、キシリル基等のアリール基、下記式で表される基（式中、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（ｄ－１）～（ｄ－３）中のＲおよびＲ1と同義である。）、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 　下記式（ｉ）で表されるジメチルシロキサン残基、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基、フェニレン基、下記式（ii）～（vi）で表される基を示し；ｉはＲ2の価数に等しく、１～４の整数である。なお、下記式（ｉ）～（vi）における「＊」は、結合部位を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　式（ｉ）および（ii）中、ｘおよびｙは、それぞれ独立に０～５０の整数である。式（iii）中、Ｚは、直接結合、または－Ｏ－、－ＣＨ2－、－Ｃ（ＣＨ3）2－、－Ｃ（ＣＦ3）2－、－ＣＯ－もしくは－ＳＯ2－で表される２価の基である。
　式（ｄ－１）～（ｄ－３）で表される化合物の具体例としては、例えば、１，４－ビス｛［（３－エチルオキセタン－３－イル）メトキシ］メチル｝ベンゼン（商品名「ＯＸＴ－１２１」、東亞合成社製）、３－エチル－３－｛［（３－エチルオキセタン－３－イル）メトキシ］メチル｝オキセタン（商品名「ＯＸＴ－２２１」、東亞合成社製）、４，４'－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシメチル］ビフェニル（宇部興産製、商品名「ＥＴＥＲＮＡＣＯＬＬ ＯＸＢＰ」）、ビス〔（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル－フェニル〕エーテル、ビス〔（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル－フェニル〕プロパン、ビス〔（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル－フェニル〕スルホン、ビス〔（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル－フェニル〕ケトン、ビス〔（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル－フェニル〕ヘキサフロロプロパン、トリ〔（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン、テトラ〔（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン、下記式（ｄ－ａ）～（ｄ－ｄ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 　また、これらの化合物以外に、高分子量の多価オキセタン環を有する化合物を用いることができる。例えば、オキセタンオリゴマー（商品名「Ｏｌｉｇｏ－ＯＸＴ」、東亞合成社製）、式（ｄ－ｅ）～（ｄ－ｇ）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 　式（ｄ－ｅ）～（ｄ－ｇ）中、ｐ、ｑおよびｓは、それぞれ独立に０～１００００の整数であり、好ましくは１～１０の整数である。式（ｄ－ｆ）中、Ｙはエチレン基、プロピレン基等のアルキレン基、または－ＣＨ2－Ｐｈ－ＣＨ2－で表される基（式中、Ｐｈはフェニレン基を示す。）である。
　カチオン系架橋剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（工程（２））
　工程（２）では、図１（２）に示すように、塗膜３を選択的に露光し、さらに現像することにより、各電極パッド２に対応する領域に開口部４を有するレジスト５を形成する。　　　
　つまり、各電極パッド２を収容する開口部４が形成されるように塗膜３に対して部分的に露光を行い、その後現像を行って、各電極パッド２を収容する開口部４を形成する。その結果、各電極パッド２に対応する領域に開口部４を有するレジスト５が得られる。開口部４は、レジスト５を貫通する孔である。露光および現像に関しては、従来法に則して行うことができる。開口部４の最大幅は、通常、塗膜３の膜厚の０．１～１０倍、好ましくは０．５～２倍である。
（工程（３））
　工程（３）では、開口部４に溶融はんだを加熱しながら充填する。冷却後、図１（３）に示すように、各開口部４にはんだ電極６が形成される。
　開口部４に溶融はんだを加熱しながら充填する方法には特に制限はなく、ＩＭＳ法による通常の充填方法を採用することができる。ＩＭＳ法においては、通常、２５０℃以上に溶融はんだを加熱しながら充填を行う。
　前述のとおり、本発明のはんだ電極の製造方法においては、前記感光性樹脂組成物が熱により耐熱性の高い構造に変化するベンゾオキサゾール前駆体を含有するので、ＩＭＳ法のように高温のヘッドをレジスト５の表面に押し当てて溶融はんだを充填した場合でも、レジスト５表面のクラックの発生およびただれの発生を抑制できる。
　本発明のはんだ電極の製造方法により上記のようにして製造されたはんだ電極は、レジストにクラックやただれを発生させることなく形成されるので、形状等の乱れがなく、目的に適合した電極となる。
　前記はんだ電極の製造方法は、工程（３）の後に、さらに、レジスト５を基板１から剥離する工程（４）を有することができる。図１（４）は、工程（３）の後にレジスト５を基板１から剥離した状態を示す。
　本発明のはんだ電極の製造方法により製造されたはんだ電極は、図１（３）に示したようにレジスト５と共に利用することもできるし、図１（４）に示したようにレジスト５なしで利用することもできる。
＜積層体の製造方法＞
　本発明の第１の積層体の製造方法は、電極パッドを有する第１基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを加熱しながら充填して、はんだ電極を形成する工程（３）、前記はんだ電極を介して、前記第１基板の電極パッドと電極パッドを有する第２基板の電極パッドとの電的接続構造を形成する工程（５）を有する積層体の製造方法であって、前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有する。
　本発明の第２の積層体の製造方法は、電極パッドを有する第１基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを加熱しながら充填して、はんだ電極を形成する工程（３）、工程（３）の後、前記レジストを剥離する工程（４）、工程（４）の後、前記はんだ電極を介して、前記第１基板の電極パッドと電極パッドを有する第２基板の電極パッドとの電的接続構造を形成する工程（５）を有する積層体の製造方法であって、前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有する。
　第１および第２の積層体の製造方法における工程（１）～（３）、および第２の積層体の製造方法における工程（４）は、前記はんだ電極の製造方法における工程（１）～（５）とそれぞれ実質的に同じである。つまり、第１の積層体の製造方法は、前記はんだ電極の製造方法における工程（１）～（３）の後に工程（５）を行う方法であり、第２の積層体の製造方法は、前記はんだ電極の製造方法における工程（１）～（４）の後に工程（５）を行う方法である。
　第１および第２の積層体の製造方法においては、前記はんだ電極の製造方法における基板が第１基板に該当する。
　第１の積層体の製造方法は、前記工程（１）～（３）の後に、前記はんだ電極を介して、前記第１基板の電極パッドと電極パッドを有する第２基板の電極パッドとの電気的接続構造を形成する工程（５）を行う。
　図２（５－１）は、第１の積層体の製造方法で製造された積層体１０を示す。積層体１０は、前記工程（１）～（３）により製造された図１（３）に示す状態のはんだ電極６を介して、前記第１基板１の電極パッド２と、電極パッド１２を有する第２基板１１の電極パッド１２とを接続することにより形成された電気的接続構造を有する。
　第２基板１１が有する電極パッド１２は、第１基板１と第２基板１１とを、電極パッドが形成された面を向かい合わせにして対置したとき、第１基板１の電極パッド２と対向する位置に設けられている。第２基板１１の電極パッド１２を、図１（３）に示す状態のはんだ電極６に接触させ、加熱および／または圧着することにより第１基板１の電極パッド２と第２基板１１の電極パッド１２とをはんだ電極６を介して電気的に接続させて、電気的接続構造を形成し、積層体１０が得られる。前記加熱温度は、通常、１００～３００℃であり、前記圧着時の力は、通常、０．１～１０ＭＰａである。
　図１（３）に示す状態では、第１基板１上にレジスト５が載置されているので、積層体１０は、第１基板１と、はんだ電極６と、第２基板１１と、第１基板１および第２基板１１に挟まれたレジスト５とを有する。
　第２の積層体の製造方法は、前記工程（１）～（４）の後に、前記はんだ電極を介して、前記第１基板の電極パッドと電極パッドを有する第２基板の電極パッドとの電気的接続構造を形成する工程（５）を行う。
　図２（５－２）は、第２の積層体の製造方法で製造された積層体２０を示す。積層体２０は、前記工程（１）～（４）により製造された図１（４）に示す状態のはんだ電極６を介して、前記第１基板１の電極パッド２と、電極パッド１２を有する第２基板１１の電極パッド１２とを接続することにより形成された電気的接続構造を有する。
　第２基板１１の電極パッド１２を、図１（４）に示す状態のはんだ電極６に接触させ、加熱および／または圧着することにより第１基板１の電極パッド２と第２基板１１の電極パッド１２とをはんだ電極６を介して電気的に接続させて、電気的接続構造を形成し、積層体２０が得られる。
　図１（４）に示す状態では、第１基板１上にレジスト５が載置されていないので、積層体２０は、第１基板１と、はんだ電極６と、第２基板１１とから形成される。
　上述のとおり、本発明の積層体の製造方法により製造される積層体は、第１基板と第２基板との間にレジストを備えていても備えていなくてもよい。積層体１０のようにレジストを備えている場合には、そのレジストはアンダーフィルとして使用される。
　本発明の積層体の製造方法により製造された積層体は、ＩＭＳ法により目的に適合した電気的接続構造を有することから、はんだ組成の選択性が広がるため、半導体素子、表示素子、及びパワーデバイス等のさまざまな電子部品に適用可能である。
　本発明の積層体の製造方法により製造された積層体は、半導体素子、表示素子、及びパワーデバイス等の電子部品に利用することができる。
　以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下の実施例等の記載において、「部」は「質量部」の意味で用いる。
１．物性の測定方法
（ポリベンゾオキサゾール前駆体およびアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）の測定方法）
　下記条件下でゲルパーミエーションクロマトグラフィー法にてポリベンゾオキサゾール前駆体およびアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）を測定した。
・カラム：東ソー社製カラムのＴＳＫ－ＭおよびＴＳＫ２５００を直列に接続
・溶媒：テトラヒドロフラン
・温度：４０℃
・検出方法：屈折率法
・標準物質：ポリスチレン
・ＧＰＣ装置：東ソー製、装置名「ＨＬＣ-８２２０-ＧＰＣ」
２．レジスト形成用組成物の準備
［合成例１］ポリベンゾオキサゾール前駆体の合成
　フラスコ中に、イソフタル酸２０ｇ およびＮ－メチルピロリドン１００ｇ を入れ、フラスコ内容物を５ ℃ に冷却した後、塩化チオニル２９ｇ を滴下し、３０分間反応させて、イソフタル酸クロリドの溶液を得た。
　次いで、フラスコにＮ－メチルピロリドン１００ｇ を入れ、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２６ｇ および１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン９ｇを添加し、攪拌溶解した後、ピリジン２０ｇを添加した。溶液の温度を５ ℃ に保持して、この溶液に前記イソフタル酸クロリドの溶液を３０ 分間かけて滴下した後、６０分間攪拌を続け、反応を行った。反応液を３ リットルの水に投入し、生じた析出物を濾別した後、この析出物を純水で洗浄し、ポリベンゾオキサゾール前駆体を得た。ポリベンゾオキサゾール前駆体の重量平均分子量は２０，０００であった。
［合成例２］アルカリ可溶性樹脂の合成
　窒素置換した、ドライアイス／メタノール還流器の付いたフラスコ中に、重合開始剤として２，２'－アゾビスイソブチロニトリル５．０ｇ、および重合溶媒としてジエチレングリコールエチルメチルエーテル９０ｇを入れ、攪拌した。得られた溶液に、メタクリル酸１０ｇ、ｐ－イソプロペニルフェノール１５ｇ、トリシクロ〔５．２．１．０２，６〕デカニルメタクリレート２５ｇ、イソボルニルアクリレート２０ｇ、およびｎ－ブチルアクリレート３０ｇを加え、攪拌を開始し、８０℃まで昇温した。その後、８０℃で６時間加熱し、反応を行った。
　加熱終了後、反応液を多量のシクロヘキサン中に滴下して、反応生成物を凝固させた。この凝固物を水洗し、該凝固物を凝固物と同質量のテトラヒドロフランに再溶解した後、得られた溶液を多量のシクロヘキサン中に滴下して再度凝固させた。この再溶解および凝固作業を計３回行った後、得られた凝固物を４０℃で４８時間真空乾燥し、アルカリ可溶性樹脂を得た。アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は１０，０００であった。
［実施例１］感光性樹脂組成物１の調製
　前記合成例１で合成したポリベンゾオキサゾール前駆体を１００部、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１－［４－［１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］フェニル］エタンと１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸との縮合物（前者に対する後者のモル比：２．０）を１０部、Ｎ－メチル－２－ピロリドンを１００部用い、これらを混合、攪拌して均一な溶液を得た。この溶液を、孔径１０μｍのカプセルフィルターでろ過して、感光性樹脂組成物１を調製した。
［調製例１］感光性樹脂組成物２の調製
　前記合成例２で合成したアルカリ可溶性樹脂を１００部、ポリエステルアクリレート（商品名「アロニックスＭ－８０６０」、東亞合成（株）製）を５０部、ジフェニル（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド（商品名「ＬＵＣＩＲＩＮ　ＴＰＯ」、ＢＡＳＦ（株）製）を４部、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン（商品名「ＩＲＧＡＣＵＲＥ　６５１」、ＢＡＳＦ（株）製）を１９部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを８０部用い、これらを混合、攪拌して均一な溶液を得た。この溶液を、孔径１０μｍのカプセルフィルターでろ過して、感光性樹脂組成物２を調製した。
［実施例２］
　シリコン板上に複数の銅電極パッドを有する基板上に、スピンコーターを用いて、実施例１で調製した感光性樹脂組成物１を塗布し、ホットプレートで１２０℃にて５分間加熱し、厚さ２０μｍの塗膜を形成した。次いでアライナー（Ｓｕｓｓ社製、型式「ＭＡ－２００」）を用い、この塗膜に、パターンマスクを介して波長４２０ｎｍの光を照射強度３００ｍＪ／ｃｍ2にて露光した。露光後、塗膜を２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に２４０秒間接触させ、塗膜を流水で洗浄し、現像し、電極パッドに対応する部分に開口部を有するレジスト保持基板を形成した。電子顕微鏡で観察したところ、各開口部の開口は直径３０μｍの円形であり、各開口部の深さは２０μｍであった。また、開口部の最大幅は３０μｍであった。
　前記開口部を有するレジスト保持基板を、１質量％硫酸水溶液に２３℃で１分間浸漬した後、水洗、乾燥した。乾燥後の基板の開口部に、ＳＡＣ３０５（製品名、鉛フリー半田、千住金属工業（株））を２５０℃で溶融して得られた溶融はんだを２５０℃に加熱しながら１０分間かけて充填した。溶融はんだ充填後のレジスト保持基板を電子顕微鏡で観察したところ、レジストにはクラックはなく、また、溶融はんだは良好に充填されており、はんだ電極が良好に形成されていることを確認した。
　その後、はんだ電極が形成されたレジスト保持基板を、ジメチルスルホキシド９０部、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド３部及び水７部を混合して得られた溶液に５０℃で２０分間浸漬させて、基板からレジストを剥離した。得られたはんだ電極を備えた基板を水洗し、乾燥した。
　別の銅電極パッドを有する基板を、前記銅電極パッドを有する基板に、前記はんだ電極を介して、両者が電気的接続構造をとるように載置した。前記２枚の銅電極パッドを有する基板に、ダイボンダー装置を用いて、両者が圧着するように２５０℃で０．３ＭＰａの圧力を３０秒加え、銅電極パッドを有する基板、はんだ電極、銅電極パッドを有する基板の順からなる積層体を製造した。この積層体を電子顕微鏡で観察したところ、適格な電気的接続構造を有する積層体であることが確認された。
［比較例１］
　シリコン板上に複数の銅電極パッドを有する基板上にスピンコーターを用いて、調製例１で調製した感光性樹脂組成物２を塗布し、ホットプレートで１２０℃にて５分間加熱し、厚さ２０μｍの塗膜を形成した。次いでアライナー（Ｓｕｓｓ社製、型式「ＭＡ－２００」）を用い、この塗膜に、パターンマスクを介して、波長４２０ｎｍの光を照射強度３００ｍＪ／ｃｍ2にて露光した。露光後、塗膜を２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に２４０秒間接触させ、塗膜を流水で洗浄し、現像し、電極パッドに対応する部分に開口部を有するレジスト保持基板を形成した。電子顕微鏡で観察したところ、各開口部の開口は直径３０μｍの円形であり、各開口部の深さは２０μｍであった。また、開口部の最大幅は３０μｍであった。
　前記開口部を有するレジスト保持基板を、１質量％硫酸水溶液に２３℃で１分間浸漬した後、水洗、乾燥した。乾燥後の基板の開口部に、ＳＡＣ３０５（製品名、鉛フリー半田、千住金属工業（株））を２５０℃で溶融して得られた溶融はんだを２５０℃に加熱しながら１０分間かけて充填した。溶融はんだ充填後のレジスト保持基板を電子顕微鏡で観察したところ、レジストにクラックが発生していることを確認した。また、溶融はんだは良好に充填できなかった。
１、１１　基板
２、１２　電極パッド
３　塗膜
４　開口部
５　レジスト
６　はんだ電極
１０、２０　積層体

Claims (13)

  1. 　電極パッドを有する基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを充填する工程（３）を有するはんだ電極の製造方法であって、
    　前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有することを特徴とするはんだ電極の製造方法。
  2. 　前記ベンゾオキサゾール前駆体が、ジカルボン酸を由来とする構造及びジヒドロキシジアミンを由来とする構造を有する請求項１に記載のはんだ電極の製造方法。
  3. 　前記ジカルボン酸が、芳香族系ジカルボン酸である請求項２に記載のはんだ電極の製造方法。
  4. 　前記ジヒドロキシジアミンが、芳香族系ジアミンである請求項２または３に記載のはんだ電極の製造方法。
  5. 　前記感光性樹脂組成物がさらに感光剤を含有する、請求項１～４のいずれかに記載のはんだ電極の製造方法。
  6. 　前記感光剤がナフトキノンジアジド化合物である、請求項５に記載のはんだ電極の製造方法。
  7. 　さらに、前記レジストを剥離する工程（４）を有する請求項１～６のいずれかに記載のはんだ電極の製造方法。
  8. 　請求項１～７のいずれかに記載のはんだ電極の製造方法によって製造したはんだ電極。
  9. 　電極パッドを有する第１基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを加熱しながら充填して、はんだ電極を形成する工程（３）、前記はんだ電極を介して、前記第１基板の電極パッドと電極パッドを有する第２基板の電極パッドとの電的接続構造を形成する工程（５）を有する積層体の製造方法であって、
    　前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有することを特徴とする積層体の製造方法。
  10. 　電極パッドを有する第１基板上に感光性樹脂組成物の塗膜を形成する工程（１）、前記塗膜を選択的に露光し、さらに現像することにより、電極パッドに対応する領域に開口部を有するレジストを形成する工程（２）、前記開口部に溶融はんだを加熱しながら充填して、はんだ電極を形成する工程（３）、工程（３）の後、前記レジストを剥離する工程（４）、工程（４）の後、前記はんだ電極を介して、前記第１基板の電極パッドと電極パッドを有する第２基板の電極パッドとの電的接続構造を形成する工程（５）を有する積層体の製造方法であって、
    　前記感光性樹脂組成物は、少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有することを特徴とする積層体の製造方法。
  11. 　請求項９又は１０のいずれかに記載の積層体の製造方法によって製造した積層体。
  12. 　請求項１１に記載の積層体を有する電子部品。
  13. 　少なくともベンゾオキサゾール前駆体を含有する射出成形はんだ用感光性樹脂組成物。
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