WO2016163201A1

WO2016163201A1 - 電力変換装置

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Publication number: WO2016163201A1
Application number: PCT/JP2016/057540
Authority: WO
Inventors: 秀太石川; 光利白田; 佑季石井; 正喜後藤; 静里田村
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2015-04-07
Filing date: 2016-03-10
Publication date: 2016-10-13
Also published as: CN107624217A; CN107624217B; JPWO2016163201A1; JP6054007B1

Abstract

　パワーモジュール（８）のプラス端子から突入防止回路（３）までを接続するブスバー（１２）と平滑コンデンサ（６）のマイナス側端子からパワーモジュール（８）のマイナス端子までを接続するブスバー（１４）を対向して配置させるとともに、ブスバー（１２）に流れる電流の向きとブスバー（１４）に流れる電流の向きが逆になるようにし、更に突入防止回路（３）から平滑コンデンサ（６）のプラス側端子までを接続するブスバー（１３）とブスバー（１４）を対向して配置させるとともに、ブスバー（１３）に流れる電流の向きとブスバー（１４）に流れる電流の向きが逆になるようにすることにより、パワーモジュール（８）のプラス端子とマイナス端子間のインダクタンスを小さくする。

Description

電力変換装置

　この発明は電力変換装置に関するものであり、特に電源投入時に発生する平滑コンデンサへの突入電流を抑制する回路構造に関するものである。

　インバータ等の電力変換器では整流後の直流電圧を安定化させるために、大容量のコンデンサが設置されていることが多い。これら大容量のコンデンサを設置した場合、電源投入時にコンデンサの短絡が発生し、大電流が流れ、機器の破損に繋がる。これを防ぐために突入防止回路が用いられることはよく知られている。突入防止回路は一般的に整流直後の直流ラインに挿入する。この場合突入防止回路と平滑コンデンサを直列に配置することができる。特許文献１においては、突入防止回路を平滑コンデンサと直列に配置した例が開示されている。

　このように突入防止回路を平滑コンデンサと直列に配置することにより、誤ってインバータ側の出力端子に電源が接続されても、突入電流が流れることを防止し、インバータの電子部品を破損させることがないという利点がある。さらに突入防止回路のスイッチに流れる電流の大きさは、インバータに分流した後の電流となるため、後で述べる図１の構成に比べ、図２に示すように突入防止回路と平滑コンデンサを直列に接続した場合に電流の大きさは小さくなる。そのためスイッチとして使用するリレー、サイリスタまたはトランジスタの定格容量を下げ、低コスト、小型化を図ることができるという利点がある（特許文献１参照）。

特開平１－２１４２７０号公報

　上記特許文献１に示すように突入防止回路と平滑コンデンサとを直列に配置した場合、インバータと平滑コンデンサの間に突入防止回路を挿入するため、インバータのプラス端子からマイナス端子までの距離が大きくなってしまう。このためインピーダンスが大きくなり、インバータスイッチング時のサージ電圧の増加に繋がってしまう。従ってインバータの近くに配置されるスナバコンデンサの容量を大きくする必要があり、電力変換器のコスト増加に繋がってしまう。

　この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、回路全体のインピーダンスの増加を抑え、電力変換装置のコスト増加を防ぐことを目的とするものである。

　この発明に係る電力変換装置は、交流電源から出力される交流を直流に変換するコンバータと、直流を充電する平滑コンデンサと、直流を交流に変換するインバータとを備え、
　インバータのプラス端子とコンバータのプラス端子とを結ぶ線と、インバータのマイナス端子とコンバータのマイナス端子とを結ぶ線との間において、平滑コンデンサと突入防止回路とを直列に接続したものであって、
　インバータのプラス端子から突入防止回路までを接続する第１導体と平滑コンデンサのマイナス側端子からインバータのマイナス端子までを接続する第３導体を対向して配置させるとともに、第１導体に流れる電流の向きと第３導体に流れる電流の向きが逆になるようにし、
　更に突入防止回路から平滑コンデンサのプラス側端子までを接続する第２導体と第３導体を対向して配置させるとともに、第２導体に流れる電流の向きと第３導体に流れる電流の向きが逆になるようにしたものである。

　以上のように構成することにより、回路全体のインピーダンスの増加を抑えることができ、サージ電圧が大きくならないため、電力変換装置のコストの増加を防ぐことができる。

一般的な電力変換装置を示す回路図である。実施の形態１による電力変換装置を示す回路図である。実施の形態１による回路配置構造を示す斜視図である。実施の形態１による電力変換装置を示す主要回路図である。実施の形態２による回路配置構造を示す斜視図である。実施の形態３による電力変換装置を示す回路図である。実施の形態４による電力変換装置を示す回路図である。実施の形態５による電力変換装置を示す回路図である。実施の形態６による電力変換装置を示す回路図である。実施の形態６による電力変換装置を示す回路図である。パワーリレーの動作を説明するための模式図である。実施の形態７によるパワーリレーを示す斜視図である。実施の形態７によるパワーリレーとブスバーの関係を示す斜視図である。スイッチ側Ｙを示す模式図である。実施の形態８による回路配置構造を示す斜視図である。実施の形態９による突入防止回路の構成を示した回路図である。

実施の形態１．
　図１は一般的な電力変換装置を示す回路図であり、突入防止回路と平滑コンデンサが直列に接続されていない回路図である。図２は突入防止回路と平滑コンデンサを直列に配置した例を示すものであり、本実施形態の基本回路構成を示すものである。図２において、三相電源１を整流器２（コンバータ）へ入力することで交流を直流に変換し、平滑コンデンサ６に充電する。図２においては整流器２としてダイオードを使用し、ダイオードをブリッジ構成した整流器２により全波整流するようにしている。平滑コンデンサ６の突入防止回路３は平滑コンデンサ６に対して直列に接続され、抵抗４とスイッチ５が並列に接続されている。本実施形態ではスイッチ５としてパワーリレーを使用する場合について説明する。又パワーリレーの他にサイリスタやトランジスタを使用してもよい。パワーモジュール８はインバータ回路を構成している。スナバコンデンサ７はパワーモジュール８の近くに配置され、スイッチング時のサージ電圧を抑制する役割を持つ。パワーモジュール８の出力にはモータ９を設置する。本実施形態においては、パワーモジュール８のプラス端子（Ｐ端子）１０と整流器２のプラス端子とを結ぶ線と、パワーモジュール８のマイナス端子（Ｎ端子）１１と整流器２のマイナス端子とを結ぶ線との間において、平滑コンデンサ６と突入防止回路３とを直列に接続したものである。

　次に突入防止回路３の動作について説明する。電源投入時はスイッチ５をＯＦＦし、平滑コンデンサ６に抵抗４を介して充電させることによって、突入電流を抑制する。平滑コンデンサ６が充電された後、スイッチ５をＯＮして、抵抗４に電流が流れないようにする。これにより突入電流を抑制することができる。突入防止回路３を平滑コンデンサ６と直列に配置したことにより、パワーモジュール８のプラス端子（Ｐ端子）１０から突入防止回路３及び平滑コンデンサ６を介したパワーモジュール８のマイナス端子（Ｎ端子）１１までの距離が長くなってしまい、インピーダンスが増加する。

　特にインダクタタンス成分が問題であり、パワーモジュール８のスイッチング時のＰ端子とＮ端子間のサージ電圧が大きくなり、パワーモジュール８の耐圧を超えてしまうことが懸念される。そこでスナバコンデンサ７の容量を増加させて、サージ電圧を抑制する必要があるため、電力変換装置のコスト増加を招く。従来においては、突入防止回路を平滑コンデンサと直列に挿入しても、インダクタンスの上昇を抑制することを考慮しておらず、コストの増加が避けられなかった。

　そこで本実施形態ではインダクタンスの増加を抑制することのできる電力変換装置の部品の配置及び配線を構成したものである。即ち、パワーモジュール８のスイッチング素子を接続状態から切断状態にすることにより、電圧曲線にオーバーシュートの部分が生じ、このときの電圧がサージ電圧となる。このようにスイッチング素子が動作して電気回路が接続されている状態から切断されている状態に移行するときに生じるサージ電圧のうち定常的な電圧からの電圧増分ΔＶは、配線のインダクタンスをＬ、電流をｉ、および時間をｔとしたときに、ΔＶ＝Ｌ・（ｄｉ／ｄｔ）で表される。従ってサージ電圧を小さくするためには、配線インダクタンスによるインダクタンスＬを小さくすることが好ましいので、本発明ではこの配線インダクタンスを小さくするよう工夫をするものである。

　図３は実施の形態１による回路配置構造を示す斜視図であり、パワーモジュール８のＰ端子とＮ端子間の構造を示している。又図４は主要回路図である。図３において、本実施形態において重要な構成要素となるスイッチ５、平滑コンデンサ６、パワーモジュール８及びそれらを結線するためのブスバーを抽出して示している。結線するための配線は３つ存在し、ブスバー１２（第１導体）、ブスバー１３（第２導体）、ブスバー１４（第３導体）が必要となる。ブスバー１２はパワーモジュール８のＰ端子１０から突入防止回路３までを結線する。ブスバー１３は突入防止回路３から平滑コンデンサ６のプラス側端子までを接続する。そしてブスバー１４は平滑コンデンサ６のマイナス側端子からパワーモジュール８のＮ端子１１まで接続する。本実施形態においては、第１導体、第２導体、第３導体として立体的な構造を有するブスバー１２、１３、１４を採用したものである。

　そしてブスバー１２とブスバー１３はプラス側電位となり、ブスバー１４がマイナス側電位となる。図３に示すように、ブスバー１２とブスバー１４を対向して配置するとともに、ブスバー１２を突入防止回路３に接続させる。そしてブスバー１３とブスバー１４を対向して配置するとともに、それぞれ平滑コンデンサ６の端子に接続させる。こうすることでパワーモジュール８のＰ端子とＮ端子間のインダクタンスが小さくなる。即ちブスバー１２とブスバー１４が対向している部分でブスバー１２に流れる電流とブスバー１４に流れる電流の向きが逆であるから、相互インダクタンスが負となり、又ブスバー１３とブスバー１４が対向している部分でブスバー１３に流れる電流とブスバー１４に流れる電流の向きが逆であるから、相互インダクタンスが負となり、従って自己インダクタンスとの和であるインダクタンス全体の値が小さくなる。以上のように構成することにより、パワーモジュール８のＰ端子とＮ端子間のインピーダンスの増加を抑えることができ、スナバコンデンサ７の大容量化を防ぐことができる。よって電力変換装置のコストの上昇を抑えることができる。

実施の形態２．
　図５は実施の形態２による回路配置構造を示す斜視図であり、パワーモジュール８のＰ端子とＮ端子間の構造を示している。図５においては、本実施形態において重要な構成要素となるスイッチ５、平滑コンデンサ６、パワーモジュール８及びそれらを結線するためのブスバーを抽出して示している。図５において、パワーモジュール８と突入防止回路３と平滑コンデンサ６を一直線上に配置し、これらを結線する構成としたものである。即ち本実施形態においては、パワーモジュール８と突入防止回路３と平滑コンデンサ６の端子が設置されている上面部を同一平面上に配置するとともに、パワーモジュール８と突入防止回路３と平滑コンデンサ６の端子が一直線上に配置されるようにしたものである。更にブスバー１２、ブスバー１３、ブスバー１４の構成において、ブスバー１２とブスバー１４を対向して配置するとともに、ブスバー１２を突入防止回路３に接続させる。そしてブスバー１３とブスバー１４を対向して配置するとともに、それぞれ平滑コンデンサ６の端子に接続させる。

　このようにパワーモジュール８と突入防止回路３と平滑コンデンサ６を一直線上に配置することで、入出力間の配線の長さが更に短くなり、実施の形態１と比較して、更にＰ端子とＮ端子間のインピーダンスを低減することができる。又実施の形態１と同様に、Ｐ端子とＮ端子間のブスバーを対向させることによって、パワーモジュール８のＰ端子とＮ端子間のインダクタンスを小さくすることもできる。以上のように本実施形態によれば、パワーモジュール８のＰ端子とＮ端子間のインピーダンスの増加を抑えることができ、スイッチ切替時のサージ電圧を小さくしてスナバコンデンサ７の大容量化を防ぐことができる。これにより電力変換装置のコスト上昇を抑えることができる。

実施の形態３．
　図６は実施の形態３による電力変換装置を示す回路図である。図６において、三相電源１から整流器２を用いて直流に変換し、この直流部には電源電流の高調波を抑えるため、直流リアクトル１５が配置されている。突入防止回路３は平滑コンデンサ６と直列に接続され、抵抗４とスイッチ５が並列に接続されていることにより構成されている。パワーモジュール８はインバータ回路を構成している。

　スナバコンデンサ７はパワーモジュール８の近くに配置し、スイッチング時のサージ電圧を抑制する役割を持つ。パワーモジュール８の出力にはモータ９を設置する。本実施形態においては、新たに直流リアクトル１５を追加した場合においても、上記実施の形態１、２で説明した配線構造と同一の構造を採用したものである。これによりＰ端子とＮ端子間のインダクタンスを低減することができ、サージ電圧が大きくならないため、スナバコンデンサ７の容量を抑えることができる。さらに電力変換装置のコスト上昇を抑えることができる。

実施の形態４．
　図７は実施の形態４による電力変換装置を示す回路図である。図７において、三相電源１と整流器２の間に電源電流の高調波を抑えるため、交流リアクトル１６が配置されている。三相電源１から整流器２を用いて直流に変換する。突入防止回路３は平滑コンデンサ６と直列に接続され、抵抗４とスイッチ５が並列に接続されることにより構成される。パワーモジュール８はインバータ回路を構成している。

　スナバコンデンサ７はパワーモジュール８の近くに配置し、スイッチング時のサージ電圧を抑制する役割を持つ。パワーモジュール８の出力にはモータ９を設置する。本実施形態においては、新たに交流リアクトル１６を追加した場合においても、上記実施の形態１、２で説明した配線構造と同一の構造を採用したものである。これによりＰ端子とＮ端子間のインダクタンスを低減することができ、サージ電圧が大きくならないため、スナバコンデンサ７の容量を抑えることができる。さらに電力変換装置のコスト上昇を抑えることができる。

実施の形態５．
　図８は実施の形態５による電力変換装置を示す回路図である。本実施形態においては、単相電源１７を適用したものである。単相電源１７から整流器１８を用いて直流に変換し、平滑コンデンサ６に充電する。突入防止回路３は平滑コンデンサ６と直列に接続され、抵抗４とスイッチ５が並列に接続されることにより構成される。パワーモジュール８はインバータ回路を構成している。スナバコンデンサ７はパワーモジュール８の近くに配置し、スイッチング時のサージ電圧を抑制する役割を持つ。パワーモジュール８の出力にはモータ９を設置する。

　本実施形態においても、上記実施の形態３、実施の形態４のように、直流リアクトルや交流リアクトルを挿入してもよい。本実施形態では単相整流器を用いた場合においても、上記実施の形態１、２で説明した配線構造と同一の構造を採用したものである。これによりＰ端子とＮ端子間のインダクタンスを低減することができ、サージ電圧が大きくならないため、スナバコンデンサ７の容量を抑えることができる。さらに電力変換装置のコスト上昇を抑えることができる。

実施の形態６．
　図９は実施の形態６による電力変換装置を示す回路図である。本実施形態においては、入力側のコンバータとして、スイッチング素子をブリッジ構成した整流回路を採用したものである。即ち図９においてはパワートランジスタ等を使用してコンバータを構成し、点弧制御できるようにしたものである。三相電源１からコンバータ１９を用いて直流に変換し、平滑コンデンサ６に充電する。突入防止回路３は平滑コンデンサ６と直列に接続され、抵抗４とスイッチ５が並列に接続されることにより構成される。又図９においては図示されていないが、突入防止回路３及び平滑コンデンサ６の右横にはインバータ回路を構成するパワーモジュール及びモータが設置されている。スナバコンデンサ７はパワーモジュールの近くに配置し、スイッチング時のサージ電圧を抑制する役割を持つ。パワーモジュールの出力にはモータを設置する。

　三相電源１側の電力変換器がスイッチングする点で上記実施形態１～５とは異なる。図１０は別の形態による電力変換装置を示す回路図である。図１０に示すように、入力側の電力変換器を単相の回路としてもよい。本実施形態においても、上記実施の形態１、２で説明した配線構造と同一の構造を採用したものである。これによりＰ端子とＮ端子間のインダクタンスを低減することができ、サージ電圧が大きくならないため、スナバコンデンサ７の容量を抑えることができる。さらに電力変換装置のコスト上昇を抑えることができる。

実施の形態７．
　前記においてスイッチ５としてパワーリレーを使用することに言及したが、本実施形態では、このパワーリレー内部のインダクタンスも低減するための構造について説明する。図１１はパワーリレーの動作を説明するための模式図、図１２はパワーリレーを示す斜視図である。図１１において、パワーリレーはＯＮ／ＯＦＦを制御する電磁側Ｘとスイッチとして動作するスイッチ側Ｙとから構成される。突入防止回路３において電流が流れるのはスイッチ側Ｙである。電磁側Ｘにおいて操作コイル３０に電流が流れ鉄心１００が磁化されることにより、鉄片１０１が移動し、この動きが伝えられることにより（矢印Ｚ）、スイッチ側Ｙにおいて可動接点３１が固定接点３２に接触することにより電流が流れる。

　図１２において、電磁側Ｘの入出力端子２１が細い端子２つに相当しており、スイッチ側Ｙの入出力端子２２が太い端子２つに相当しており、スイッチの内部配線２３は、２つの入出力端子２２を結ぶように構成される。図１３はパワーリレーとブスバーの関係を示す斜視図である。ブスバー１４とブスバー１２を対向させて配置させるとともに、ブスバー１３とブスバー１４を対向させて配置させる。本実施形態においては更にパワーリレー内部のインダクタンスを低減するために、マイナス側のブスバーであるブスバー１４をリレーの内部配線２３と平行になるように配線する。これにより内部配線２３に流れる電流とブスバー１４に流れる電流の向きが逆となり、相互インダクタンスが負となり、従って自己インダクタンスとの和であるインダクタンス全体の値が小さくなる。図１４はスイッチ側Ｙを示す模式図であり、図１４（Ａ）はＯＦＦの状態を示すとともに、図１４（Ｂ）はＯＮの状態を示している。図１４（Ｂ）に示すように、ＯＮの状態においては内部配線２３とブスバー１４とが平行になっている。これによりパワーリレーの内部インピーダンスを低減することができ、スナバコンデンサ７の容量の低減を実現することができる。さらに電力変換装置のコスト上昇を抑えることができる。

実施の形態８．
　上記実施の形態１から実施の形態７においては、パワーモジュール８とスイッチ５と平滑コンデンサ６をそれぞれ接続するための配線としてブスバーを用いた場合について説明した。これに対してプリント基板上に配線を実装して構成することもできる。
　図１５は本実施の形態を示す斜視図であり、プリント基板２４に整流器２（コンバータ）とパワーモジュール８とスイッチ５と平滑コンデンサ６が接続されている。次にプリント基板２４の実装方法を説明する。例えば２層基板の上面にブスバー１２に相当する第１パターン（第１導体）、下面にブスバー１４に相当する第３パターン（第３導体）を配置することによって両者を対向させることができ、これによりインダクタンスを低減することができる。同様に２層基板の上面をブスバー１３に相当する第２パターン（第２導体）、下面にブスバー１４に相当する第３パターンを配置することによって両者を対向させることができ、これによりインダクタンスを低減することができる。即ち第１導体、第２導体、第３導体としてプリント基板２４に実装されたパターンを採用したものである。又図１５では、パワーモジュール８とスイッチ５と平滑コンデンサ６はプリント基板２４のすべて上面に配置されている場合を示しているが、それぞれの部品に対し上面下面のどちらに実装してもよい。本実施の形態を適用することで、インダクタンスを低減することができる。

　尚回路図及び動作原理については上記実施の形態１で説明した場合と同じである。又本実施形態においても上記実施の形態２～７の構成を採用することができる。例えばパワーモジュール８と突入防止回路３と平滑コンデンサ６の端子が設置されている面を同一平面上に配置するとともに、パワーモジュール８と突入防止回路３と平滑コンデンサ６の端子を一直線上に配置させることができる。又コンバータとしてダイオードをブリッジ構成した整流回路を使用することができる。又コンバータとしてスイッチング素子をブリッジ構成した整流回路を使用することができる。更には、突入防止回路３は抵抗４とスイッチ５が並列に接続されることにより構成され、スイッチ５を構成する内部配線と第３パターンを対向して配置させるとともに、内部配線に流れる電流の向きと第３パターンに流れる電流の向きが逆になるようにすることもできる。

実施の形態９．
　実施の形態１から実施の形態８においては、突入防止回路３の構造は抵抗４とスイッチ５が並列接続されるリレーについて説明した。本実施の形態ではこれとは異なる突入防止回路の構成について説明する。スイッチとしては、トランジスタ等の半導体素子で代用できる。図１６はスイッチとして半導体素子を採用したものを示す回路図であり、図１６（Ａ）はスイッチとしてサイリスタ２５を用いた場合を示しており、スイッチをサイリスタ２５とダイオード２６の逆並列で構成したものである。簡単な動作例については、サイリスタ２５をＯＦＦした場合、抵抗４を介して平滑コンデンサ６を充電する。充電が完了したら、サイリスタ２５をＯＮして突入防止回路３を短絡させる。逆並列にダイオード２６を設けているのは、平滑コンデンサ６が放電するために必要だからであり、ダイオード２６が無いと、平滑コンデンサ６は放電できなくなる。

　図１６（Ｂ）はＭＯＳＦＥＴ２７を用いた場合を示す回路図である。この場合についても上記と同様な方法で動作させることができる。ＭＯＳＦＥＴ２７を用いる場合、ＭＯＳＦＥＴは逆向きに流すことができるので、ダイオード２６を省略することもできる。図１６（Ｃ）はＩＧＢＴ２８を用いた場合を示す斜視図である。この場合についてもサイリスタを用いた場合と同様な手段で動作させることができる。本実施の形態の突入防止回路を用いることで実施の形態１と同様回路のインダクタンスを低減することができる。
　尚本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。

Claims

　交流電源から出力される交流を直流に変換するコンバータと、上記直流を充電する平滑コンデンサと、上記直流を交流に変換するインバータとを備え、
　上記インバータのプラス端子と上記コンバータのプラス端子とを結ぶ線と、上記インバータのマイナス端子と上記コンバータのマイナス端子とを結ぶ線との間において、上記平滑コンデンサと突入防止回路とを直列に接続した電力変換装置において、
　上記インバータの上記プラス端子から上記突入防止回路までを接続する第１導体と上記平滑コンデンサのマイナス側端子から上記インバータのマイナス端子までを接続する第３導体を対向して配置させるとともに、上記第１導体に流れる電流の向きと上記第３導体に流れる電流の向きが逆になるようにし、
　更に上記突入防止回路から上記平滑コンデンサのプラス側端子までを接続する第２導体と上記第３導体を対向して配置させるとともに、上記第２導体に流れる電流の向きと上記第３導体に流れる電流の向きが逆になるようにした電力変換装置。
　上記第１導体、上記第２導体、上記第３導体としてブスバーを採用した請求項１記載の電力変換装置。
　上記コンバータと上記平滑コンデンサと上記インバータとを接続するプリント基板を設け、上記第１導体、上記第２導体、上記第３導体として上記プリント基板に実装されたパターンを採用した請求項１記載の電力変換装置。
　上記インバータと上記突入防止回路と上記平滑コンデンサの端子が設置されている面を同一平面上に配置するとともに、上記インバータと上記突入防止回路と上記平滑コンデンサの端子を一直線上に配置させた請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　上記コンバータとしてダイオードをブリッジ構成した整流回路を使用した請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　上記コンバータとしてスイッチング素子をブリッジ構成した整流回路を使用した請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　上記突入防止回路は抵抗とスイッチが並列に接続されることにより構成され、上記スイッチを構成する内部配線と上記第３導体を対向して配置させるとともに、上記内部配線に流れる電流の向きと上記第３導体に流れる電流の向きが逆になるようにした請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　上記突入防止回路は抵抗と半導体素子が並列に接続されることにより構成され、上記半導体素子にはダイオードが逆並列に接続されている請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電力変換装置。
　上記突入防止回路の上記半導体素子はサイリスタ、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴのいずれかにより構成されている請求項８に記載の電力変換装置。