WO2016153052A1 - フォトマスクの製造方法および検査装置 - Google Patents

フォトマスクの製造方法および検査装置 Download PDF

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WO2016153052A1
WO2016153052A1 PCT/JP2016/059725 JP2016059725W WO2016153052A1 WO 2016153052 A1 WO2016153052 A1 WO 2016153052A1 JP 2016059725 W JP2016059725 W JP 2016059725W WO 2016153052 A1 WO2016153052 A1 WO 2016153052A1
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WO
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photomask
inspection
manufacturing
foreign matter
defect
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PCT/JP2016/059725
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English (en)
French (fr)
Inventor
隼彦 小泉
昌平 成田
中村　大輔
安則 有馬
Original Assignee
大日本印刷株式会社
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting

Definitions

  • the present invention relates to a photomask manufacturing method including an intermediate inspection process for inspecting foreign matter on a photomask.
  • the present invention also relates to an inspection apparatus for inspecting foreign matter on a photomask.
  • a photomask (reticle) is used for manufacturing a semiconductor integrated circuit (LSI), a printed wiring board (PWB), a liquid crystal display panel (LCD) and the like using a photolithography technique.
  • This photomask is generally manufactured through the following manufacturing process. First, a metal film (light-shielding film) made of chromium or the like is formed on a transparent substrate made of glass or the like, and a photosensitive resist is applied on the metal film. Next, a mask pattern is drawn by irradiating the resist film with an electron beam, a laser beam, or the like, and the resist film is developed to form a resist pattern. Then, using the resist pattern as a mask, the metal film is patterned by etching or the like to form a mask pattern (light-shielding pattern) made of the patterned metal film. Finally, the resist pattern is removed to obtain a photomask.
  • the photomask manufactured in this way is subjected to a final inspection (pattern inspection) for the presence or absence of defects in the mask pattern, and only those that are determined to be free from defects in the mask pattern are actually photomasks. Used as. However, even if a defect in the mask pattern is found in the final inspection, it is difficult to know which process among the processes for manufacturing the photomask has a problem.
  • the mask pattern of a photomask is also miniaturized by miniaturization of wiring such as LSI, and electromagnetic waves irradiated at the time of inspection in a defect inspection apparatus have a shorter wavelength and higher output.
  • a photomask in the middle of manufacture particularly a photomask coated with a resist
  • outgas is released from the resist irradiated with the electromagnetic wave.
  • Outgas is various gases released from an organic material or the like, and the outgas adheres to the inspection apparatus, thereby particularly reducing the performance of the optical system of the inspection apparatus.
  • a mask fixing holder for placing a photomask to expose the inspection surface of the photomask from the opening, a translucent protective member that transmits inspection light, and a transparent
  • a casing is formed by a frame-like support that holds the optical protection member against the mask fixing holder, and a sealed space that covers the inspection surface of the photomask is formed by the casing. Then, short-wavelength and high-power inspection light is transmitted through the translucent protective member to irradiate the photomask, and the outgas released into the sealed space by the irradiation of the inspection light is supplied into the sealed space. By discharging.
  • JP2009-134095A by performing a coincidence determination process between a blank defect and a photomask defect, a factor analysis of the blank defect and the defect generated in the photomask is performed to improve the quality of the photomask and the photomask. It is described that it contributes to the improvement of the process yield.
  • JP2012-208185A a mechanism for supplying an inert gas and a mechanism for discharging an outgas are essential in addition to the above-described mask fixing holder, translucent protective member, and frame-shaped support. Therefore, the structure of the inspection apparatus becomes complicated and the inspection apparatus becomes large. Further, since a high-performance optical system capable of irradiating short-wavelength and high-power inspection light is required for resist pattern inspection, the cost of the inspection apparatus increases.
  • a photomask in which a defect has occurred due to the subsequent process with foreign matter attached to the photomask during manufacture cannot be made into a product and is discarded.
  • the process can be a useless process. Therefore, in order to remove foreign matter or discard the photomask without performing unnecessary subsequent steps on the photomask to which foreign matter has adhered during the manufacturing process, any of the steps for manufacturing the photomask It is effective to identify whether foreign matter has adhered in the process.
  • JP2009-134095A only the coincidence determination and analysis between the defect of the blank and the defect of the photomask are performed, and the cause of the defect of the photomask can be analyzed only to a limited extent.
  • a photomask manufacturing method and an inspection apparatus that can quickly identify whether a photomask is present, and a photomask that can be wasted on a photomask to which foreign matter has adhered during manufacturing can be omitted.
  • a first object is to provide a manufacturing method and an inspection apparatus.
  • the present invention also provides a photomask manufacturing method and inspection apparatus that can quickly identify the occurrence of foreign matters that can cause photomask defects and improve the quality by improving the photomask manufacturing environment. Second purpose.
  • the method of manufacturing a photomask according to the present invention includes: An intermediate inspection process for inspecting foreign matter on the photomask during manufacture is included before the final process among the processes for manufacturing the photomask.
  • a final inspection process for confirming the quality of the light-shielding pattern of the photomask may be further included after the final process among the processes for manufacturing the photomask.
  • the intermediate inspection apparatus used in the intermediate inspection process may have a lower resolution than the final inspection apparatus used in the final inspection process.
  • the photomask in the process of being determined to be free of defects and the photomask in the process of being manufactured in which it is determined that the defect can be corrected may be returned to the photomask manufacturing process.
  • Information processing device An inspection result obtained in a first intermediate inspection step for inspecting a foreign matter on the photomask in the middle of manufacturing after the first step, which is one of the steps for manufacturing the photomask; Inspection results obtained by performing defect inspection on blanks, foreign matter on photomask being manufactured after second process which is any one of processes for manufacturing photomask other than first process At least one of the inspection result obtained in the second intermediate inspection process for performing the inspection and the inspection result obtained by performing the defect inspection of the photomask after manufacture; The inspection result data based on the inspection result data based on the coordinates of the foreign matter or the defect included in the inspection result may be used.
  • the inspection apparatus includes: An inspection apparatus for inspecting foreign matter on a photomask,
  • the inspection apparatus includes an imaging device that captures a photomask, an image processing device that processes an image captured by the imaging device, and a display device that displays an image processed by the image processing device,
  • the image processing device acquires the coordinates of the foreign matter present on the photomask from the first photomask image captured by the imaging device,
  • the imaging device captures the photomask based on the coordinates, acquires a second photomask image
  • the display device displays the second photomask image.
  • the imaging device may image the photomask from the lower surface side.
  • the imaging apparatus may include a first imaging apparatus that captures the first photomask image and a second imaging apparatus that captures the second photomask image.
  • the present invention it is possible to quickly identify which process in the photomask manufacturing process has a problem while suppressing the complexity and increase in size of the inspection apparatus. In addition, according to the present invention, it is possible to omit a subsequent wasteful process for the photomask to which foreign matter has adhered during the manufacturing process.
  • a photomask manufacturing method and inspection apparatus capable of quickly identifying the occurrence state of a foreign substance that may cause a photomask defect and improving the quality by improving the photomask manufacturing environment. be able to.
  • FIG. 1 is a view for explaining a first embodiment according to the present invention and showing each step in a photomask manufacturing method.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining an example of a photomask manufacturing method.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a photomask manufacturing method.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining an example of a photomask manufacturing method.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining an example of a photomask manufacturing method.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining an example of a photomask manufacturing method.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining an example of a photomask manufacturing method.
  • FIG. 8 is a plan view schematically showing an example of a photomask inspection system.
  • FIG. 9 is a side view showing the inspection system of FIG. FIG.
  • FIG. 10 is a plan view showing an intermediate inspection apparatus included in the inspection system.
  • FIG. 11 is a side view showing the intermediate inspection apparatus of FIG.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a specific configuration of the intermediate inspection apparatus.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining an example of a foreign object detection method using the intermediate inspection apparatus of FIG.
  • FIG. 14 is a flowchart illustrating an example of the intermediate inspection process.
  • FIG. 15 is a flowchart illustrating an example of a foreign matter removal process and a defect confirmation process performed following the intermediate inspection process.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining a second embodiment according to the present invention, and is a diagram schematically showing an example of a photomask inspection system.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining a second embodiment according to the present invention, and is a diagram schematically showing an example of a photomask inspection system.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating a hardware configuration of an information processing apparatus included in the photomask inspection system of FIG.
  • FIG. 18 is a diagram showing an example of inspection result data acquired by the photomask inspection system of FIG.
  • FIG. 19 is a flowchart illustrating processing of the information processing apparatus.
  • FIG. 20 is a diagram illustrating a collation result by the information processing apparatus.
  • FIG. 21 is a diagram showing another example of inspection result data acquired by the photomask inspection system of FIG.
  • FIG. 22 is a diagram illustrating an example of a method for displaying a result of matching performed by the information processing apparatus for the inspection result data illustrated in FIG.
  • FIG. 23 is a diagram illustrating a modification of the specific configuration of the intermediate inspection apparatus.
  • FIG. 24 is a diagram illustrating another modification of the specific configuration of the intermediate inspection apparatus.
  • a “plate (substrate)” is a concept that includes a member that can be called a sheet or a film. Therefore, a “transparent substrate” is a member called a “transparent sheet” or a “transparent film”. It cannot be distinguished only by differences.
  • sheet surface plate surface, film surface
  • target sheet-like member plate-like
  • plate-like when the target sheet-like (plate-like, film-like) member is viewed as a whole and globally. It refers to the surface that coincides with the plane direction of the member or film-like member.
  • FIG. 1 is a diagram showing each process and inspection process for manufacturing a photomask
  • FIGS. 2 to 7 are diagrams for explaining each process for manufacturing a photomask in order.
  • a photomask is mainly used in a pattern formation process using a photolithography technique in the manufacture of a semiconductor integrated circuit (LSI), a printed wiring board (PWB), a liquid crystal display panel (LCD) and the like.
  • the photomask includes a plate-like member formed using a material that can shield at least light in a specific wavelength range. This plate-like member has a pattern corresponding to the pattern to be formed in the pattern forming process, and an opening or a thinned portion is formed. Note that a photomask used for manufacturing a semiconductor integrated circuit is also called a reticle.
  • Photomasks can be classified into various types according to the properties of the light shielding region, the method of forming the light shielding layer, the method of use, and the like. For example, depending on the nature of the light shielding region, a binary mask having a light shielding region in which a light shielding pattern is formed and shields light and a light transmitting region that transmits light other than the light shielding region, a light shielding region that shields light, It can be classified into a halftone mask or the like having a transflective region that transmits light and a light transmissive region that transmits light.
  • the light shielding layer was formed by irradiating light onto a hard mask that forms a light shielding pattern by etching a film made of a metal such as chromium or a photosensitive material in which silver halide fine particles are dispersed. It can be classified into an emulsion mask or the like that forms a light shielding pattern with metallic silver.
  • the contact exposure photomask used in close contact with the object to be exposed the proximity exposure photomask used spaced from the object to be exposed, the photomask and exposure
  • An optical device such as a lens or a mirror is arranged between the target and the target, and light transmitted through the photomask can be classified into a projection exposure photomask or the like projected onto the target exposed through the optical device.
  • the photomask manufacturing method of this embodiment can be applied to any photomask manufacturing.
  • a light shielding pattern is formed mainly by etching a film made of a metal such as chromium, and has a light shielding region and a light transmission region.
  • a method for manufacturing a binary mask will be described.
  • the photomask manufacturing process includes blanks preparing process S1, resist layer forming process S2, resist pattern drawing process S3, developing process S4, light shielding film etching process S5, and resist layer removing process S6. Is included.
  • the resist layer removing step S6 a final inspection for confirming the quality of the mask pattern of the photomask is performed (final inspection step). S40).
  • the example shown in FIG. 1 includes an intermediate inspection step S10 for confirming the presence or absence of foreign matter on the photomask being manufactured before the final step among the steps for manufacturing the photomask.
  • the intermediate inspection step S10 is performed at least once between the steps before the resist layer removing step S6 (final step) among the steps (S1 to S6) for manufacturing the photomask. Is called.
  • the intermediate inspection process S10 may be performed between any of the processes for manufacturing the photomask. Further, the intermediate inspection step S10 may be performed a plurality of times. Details of the intermediate inspection step S10 will be described later.
  • mask blanks also simply referred to as blanks
  • the mask blank 11 is a laminated body that is a base material for manufacturing a photomask.
  • a light shielding layer 13 that later forms a light shielding pattern 14 is laminated on the transparent substrate 12.
  • the transparent substrate 12 has a function of supporting the light shielding layer 13 (light shielding pattern 14).
  • the material of the transparent substrate 12 is not particularly limited as long as it has optical transparency. For example, glass materials such as soda lime glass, borosilicate glass, and quartz glass can be suitably used.
  • a metal layer such as chromium or molybdenum silicide (MoSi) can be used as the light shielding layer 13, a metal layer such as chromium or molybdenum silicide (MoSi) can be used.
  • the light shielding layer 13 is not limited to a single layer, and may be formed of a plurality of layers such as a chromium oxide layer provided on one or both sides of the chromium layer.
  • a method for forming the light shielding layer 13 on the transparent substrate 12 is not particularly limited.
  • PVD method physical vapor deposition method
  • a liquid phase growth method such as a method (CVD method) or a plating method, or a method combining two or more of these methods can be employed.
  • a resist layer 15 is formed on the side of the light shielding layer 13 of the mask blank 11 opposite to the transparent substrate 12.
  • a known positive or negative photoresist material is applied onto the light shielding layer 13 of the mask blank 11 by spin coating or the like, and the organic solvent contained in the photoresist material is heated or the like. It can form by removing by.
  • the positive photoresist material is a photoresist material in which the material present in the exposed region is removed and the material present in the unexposed region remains in the development process.
  • the negative photoresist material is a photoresist material in which the material present in the exposed region remains and the material present in the unexposed region is removed in the development process.
  • Resist pattern drawing step S3 After the formation of the resist layer 15, a pattern that will later form the resist pattern 16 is drawn on the resist layer 15. Specifically, as shown in FIG. 4, the resist layer 15 containing a photoresist material is irradiated with laser light along a desired pattern, EB drawing that irradiates an electron beam, or the like. An area of the resist layer 15 irradiated with laser light, electron beam or the like is exposed. 4 to 7 show examples in which the photoresist material forming the resist layer 15 is a positive material. In the case where the photoresist material forming the resist layer 15 is a positive material, the region to be removed in the development process is exposed by irradiation with a laser beam, an electron beam, or the like. Further, when the photoresist material forming the resist layer 15 is a negative material, the region desired to remain in the developing process is irradiated with a laser beam, an electron beam or the like to be exposed.
  • the resist layer 15 is developed to form a resist pattern 16.
  • a developing solution such as an organic solvent or an organic alkaline aqueous solution is brought into contact with the resist layer 15 by a known method such as a spray method, a dipping method, or a paddle method, so that the exposed region or the unexposed region of the resist layer 15
  • the existing resist layer 15 is dissolved and removed.
  • the resist layer 15 existing in the exposed region of the resist layer 15 is dissolved and removed. Then rinse with a rinse solution such as pure water.
  • a heating step for removing a part of the developer absorbed in the resist layer 15 in the developing step S4 and shrinking the swollen resist pattern 16 may be provided. Further, the descum treatment may be performed for the purpose of removing the residue of the resist material after development or improving the wettability of the etching solution in the subsequent light shielding film etching step S5.
  • the etching method is not particularly limited, for example, a wet etching method using a dipping method, a spray method, a spin method, or the like, or a dry etching method using a reactive gas, a reactive ion, or the like can be employed.
  • an etching solution used in the wet etching method when a layer made of chromium is used as the light shielding layer 13, for example, an etching solution made of ceric ammonium nitrate, perchloric acid and pure water can be used.
  • Resist layer removal step S6 After the light-shielding film etching step S5, the resist pattern 16 remaining on the light-shielding pattern 14 is removed (peeled) by dissolution treatment with an organic solvent or acid, ashing treatment, or the like. Thereby, as shown in FIG. 7, the photomask 10 having the light shielding pattern 14 is manufactured.
  • the resist layer removing step S6 is the final step for manufacturing the photomask.
  • FIG. 8 is a plan view schematically showing an example of a photomask inspection system
  • FIG. 9 is a side view showing the inspection system
  • FIG. 10 is a plan view showing an intermediate inspection apparatus included in the inspection system.
  • FIG. 11 is a side view showing the intermediate inspection apparatus.
  • FIG. 8 is a diagram showing a planar configuration of the photomask inspection system 20.
  • An inspection system 20 shown in FIG. 8 is arranged in a clean room, and includes a SMIF (Standard Mechanical Interface) case input unit 21, a robot chamber 22, an inspection chamber 23, and the like.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating the robot chamber 22 and the inspection chamber 23 of the inspection system 20.
  • SMIF Standard Mechanical Interface
  • the SMIF case insertion part 21 is a space for arranging a transporting SMIF pod (not shown) in which the photomask 18 being manufactured is stored. One or more photomasks 18 are accommodated in the SMIF pod.
  • the robot room 22 communicates with the inspection room 23 through the opening 22a.
  • a robot 24 for conveying the photomask 18 is disposed in the robot chamber 22.
  • the robot 24 receives the SMIF pod from the SMIF case insertion unit 21, takes out one photomask 18 inside, and transports it to the inspection room 23 with the surface to be inspected facing downward, and a holder of an intermediate inspection apparatus 30 described later. 35. Further, the robot 24 takes out the photomask 18 after the inspection from the holder 35, conveys it to the robot chamber 22, and stores it in the SMIF pod.
  • FFU 25 air blowing unit
  • ionizer 26 is provided at the upper wall of the robot chamber 22 in order to perform static elimination.
  • an intermediate inspection device 30 is disposed on the vibration isolation table 28.
  • the intermediate inspection apparatus 30 images the photomask 18 and inspects the photomask 18 based on the captured image.
  • an FFU 25 air blowing unit
  • An opening 23 a is provided on the side surface of the inspection chamber 23, and exhaust from the opening 23 a to the outside of the inspection chamber 23 is performed.
  • a rectifying plate 27 extending downward from the ceiling is provided at the wall of the inspection room 23 on the opening 23a side. In the illustrated example, the lower end of the rectifying plate 27 is in contact with the wall surface on the opening 23a side of the examination chamber 23, but may be separated from the wall surface.
  • an ionizer 26 is provided in the same manner as the robot room 22.
  • the ionizer 26 is provided near the wall on the opening 22 a side and on the FFU 25 side above the rectifying plate 27.
  • the intermediate inspection device 30 includes an X stage 31, a Y stage 32, a ⁇ stage 33, an imaging device 34, a holder 35, a clamp 36, light sources 42 and 52 described later, a half mirror device 53, and the like. 9 to 11, the light sources 42 and 52 and the half mirror device 53 are not shown.
  • the X stage 31, the Y stage 32, and the ⁇ stage 33 are moving stages for determining the photographing position of the photomask 18, and in this embodiment, the position of a holder 35 described later is moved. These stages are arranged on top of each other in the order of the X stage 31, the Y stage 32, and the ⁇ stage 33.
  • the ⁇ stage 33 is rotated in a plane by a driving unit (not shown).
  • the imaging device 34 has a camera that takes a photo of the photomask 18.
  • the imaging device 34 can be directly fixed to the vibration isolation table 28 through a hole provided at a position corresponding to the imaging device 34 in the X stage 31, the Y stage 32, and the ⁇ stage 33, for example. .
  • the holder 35 is provided above the moving stage (X stage 31, Y stage 32, ⁇ stage 33).
  • the holder 35 is made of a plate-like member surrounding the photomask 18 from three directions, and holds the side of the photomask 18.
  • Claws 37 protruding from the holder 35 are provided inside the holder 35 to hold the three sides of the photomask 18 respectively.
  • the remaining one side of the photomask 18 is held by a claw 38 attached to the clamp 36.
  • the inner side of the holder 35 is the side close to the photomask 18.
  • the photomask 18 is placed in the holder 35 with the inspection surface facing downward.
  • the holder 35 is supported on the ⁇ stage 33 by the legs 39.
  • four leg portions 39 are provided so as to support the corner portion of the holder 35.
  • the intermediate inspection device 30 will be described in more detail. An example of a specific configuration of the intermediate inspection apparatus 30 will be described with reference to FIGS. 12 and 13.
  • the intermediate inspection device 30 is processed by the imaging device 34 that images the photomask 18, the image processing device 45 that processes the image captured by the imaging device 34, and the image processing device 45. And a display device 46 for displaying the displayed image.
  • the intermediate inspection device 30 further includes a holder 35, a first light source 42, a second light source 52, and a half mirror device 53.
  • the holder 35 is provided so that the photomask 18 being manufactured can be placed thereon, and can be moved by the above-described moving stage (X stage 31, Y stage 32, ⁇ stage 33).
  • the holder 35 is provided above the imaging device 34.
  • the photomask 18 is mounted on the holder 35 (nail 37, 38) so that the surface to be inspected faces the imaging device 34 installed below the holder 35, that is, the surface to be inspected faces downward. Placed. Further, the region to be inspected in the photomask 18 is exposed from the holder 35.
  • the imaging device 34 is configured by a CCD camera or the like, for example, and is provided so as to be able to image (photograph) the photomask 18 in the process of being mounted on the holder 35.
  • the imaging device 34 is configured by a camera that can capture images in both a dark field and a bright field.
  • the imaging device 34 is installed below the holder 35 so that an upper image can be captured, that is, facing upward, and the photomask 18 placed on the holder 35 is attached to the photomask 18. Images can be taken from the lower surface side.
  • the imaging device 34 is configured so that the imaging magnification can be changed. In particular, the imaging magnification is changed when a first photomask image described later is captured and when a second photomask image is captured. It is possible.
  • the first light source 42 is provided so as to be able to irradiate illumination light such as laser light onto the surface to be inspected of the photomask 18 that is placed on the holder 35 and is being manufactured.
  • the first light source 42 is from a direction along the plate surface of the photomask 18 and a direction inclined with respect to the normal direction to the plate surface of the photomask 18.
  • the surface of the photomask 18 is provided so as to be able to irradiate illumination light from a direction greatly inclined with respect to the normal direction to the plate surface of the photomask 18.
  • a plurality of first light sources 42 are provided around the optical axis of the imaging device 34.
  • four or eight first light sources 42 may be provided at equal angles around the optical axis of the imaging device 34.
  • illumination light such as laser light emitted from the first light source 42 is in a direction along the plate surface of the photomask 18 and a normal direction to the plate surface of the photomask 18.
  • the light enters the surface to be inspected of the photomask 18 from the inclined direction.
  • Illumination light incident on a portion of the inspection surface of the photomask 18 that does not have an uneven surface due to the foreign matter 19 or the like is specularly reflected (regular reflection) at the portion. In particular, it is specularly reflected at a reflection angle equal to the incident angle of the photomask 18 to the surface to be inspected. Therefore, the reflected light due to the mirror reflection does not enter the imaging device 34.
  • the illumination light irradiated on the uneven surface is irregularly reflected by the uneven surface.
  • a part of the irregularly reflected light enters the imaging device 34.
  • the imaging device 34 images the photomask 18 in the dark field.
  • an inspection image of the entire photomask 18 or a part of it can be obtained. it can.
  • the second light source 52 is provided so as to be able to irradiate illumination light onto the surface to be inspected (lower surface) of the photomask 18 being manufactured placed on the holder 35 via the half mirror device 53.
  • the half mirror 54 of the half mirror device 53 reflects the illumination light emitted from the second light source 52, bends the optical path thereof, and directs the illumination light toward the photomask 18. Further, the half mirror 54 transmits light emitted from the photomask 18 toward the imaging device 34, thereby enabling the imaging device 34 to image the photomask 18.
  • the central axis of illumination light emitted from the second light source 52 and reflected by the half mirror 54 is parallel to the optical axis of the imaging device 34.
  • the central axis of the illumination light emitted from the second light source 52 and reflected by the half mirror 54 coincides with the optical axis of the imaging device 34. That is, the second light source 52 and the half mirror device 53 constitute a so-called coaxial illumination device. It should be noted that the half mirror 54 of the half mirror device 53 is configured to be movable, and thus can move so as to retract from the optical axis of the imaging device 34.
  • the image processing device 45 is a device that processes the image of the photomask 18 picked up by the image pickup device 34, and is composed of, for example, a computer.
  • the image processing device 45 of the present embodiment is configured to acquire the coordinates of a foreign object candidate that may exist on the photomask 18 from the first photomask image captured by the imaging device 45. Further, the image processing device 45 instructs the imaging device 34 to image the photomask 18 again based on the coordinates of the foreign object candidate. Further, the image processing device 45 receives the image (second photomask image) of the photomask 18 imaged by the imaging device 34 and sends the second photomask image to the display device 46.
  • the display device 46 displays the image received from the image processing device 45.
  • the display device 46 includes, for example, a CRT monitor, a liquid crystal display, a plasma display, an organic EL display, or the like.
  • the displayed image is observed by an operator or the like in order to confirm whether or not the foreign object 19 is present at the position of the foreign object candidate.
  • the display device 46 may be configured to be able to enlarge / reduce the displayed image, adjust the display brightness and contrast, and the like.
  • the image processing device 45 or the display device 46 may be provided with an input device such as a button, a keyboard, a mouse, or a touch panel that receives input from an operator or the like.
  • the photomask manufacturing method of the present embodiment includes an intermediate inspection step S10 for confirming the presence or absence of foreign matter on the photomask being manufactured before the final step among the steps for manufacturing the photomask.
  • the intermediate inspection step S10 is at least between each step before the resist layer removing step S6 (final step) among the steps (S1 to S6) for manufacturing the photomask. It is done once.
  • the intermediate inspection step S10 will be described below with reference to FIG.
  • FIG. 14 is a flowchart showing the flow of the intermediate inspection step S10.
  • the intermediate inspection step S10 is performed in two stages, an automatic inspection step S20 and a visual inspection step S21.
  • a first photomask image is acquired by the imaging device 34.
  • the first light source 42 is used as the light source.
  • the half mirror 54 of the half mirror device 53 is retracted from the optical axis of the imaging device 34.
  • the illumination light such as the laser beam is irregularly reflected by the uneven surface.
  • the imaging device 34 images the photomask 18 in the dark field.
  • the imaging magnification when acquiring the first photomask image in the imaging device 34 is set to be relatively smaller than the imaging magnification when acquiring the second photomask image described later. Is set.
  • the intermediate inspection apparatus 30 In conventional blank inspection and defect inspection, it is necessary to set inspection conditions for each process due to differences in the reflectance and transmittance of film types.
  • the intermediate inspection apparatus 30 according to the present embodiment is configured to detect irregular reflection of illumination light by the uneven surface caused by the foreign matter 19 and the like, and thus is not easily affected by the reflectance and transmittance of the film type. . Therefore, it is not necessary to set inspection conditions for each process, and it is possible to share inspection conditions for some or all processes.
  • the same intermediate inspection device 30 can be used in each intermediate inspection step S10 shown in FIG.
  • the inspection conditions can be made common in some or all of the intermediate inspection steps S10 shown in FIG.
  • the image processing device 45 receives the image (first photomask image) of the photomask 18 imaged by the imaging device 34 and processes this image. Although image processing is not particularly limited, for example, an image received from the imaging device 34 may be binarized with a predetermined threshold and analyzed. Thereafter, the image processing device 45 determines whether there is data that may be an uneven surface caused by the foreign matter 19, that is, foreign matter candidate data, included in the image-processed first photomask image. To do.
  • the coordinates of the foreign substance candidate on the photomask 18 are determined. (X coordinate, Y coordinate) is specified, and the obtained coordinate data is listed. Note that this data may include data on the size of the foreign object candidate.
  • the image processing device 45 then performs image capturing so as to capture an area including the position of each foreign object candidate on the photomask 18 based on the coordinate data in the list. Instruct the device 34.
  • the imaging device 34 images an area including the position of each foreign substance candidate based on an instruction from the image processing device 45. As a result, a second photomask image is acquired.
  • the second light source 52 is used as the light source.
  • the half mirror 54 of the half mirror device 53 is positioned on the optical axis of the imaging device 34.
  • the illumination light emitted from the second light source 52 is reflected by the half mirror 54 of the half mirror device 53 and travels toward the photomask 18 to illuminate the surface to be inspected of the photomask 18.
  • the light reflected by the surface to be inspected passes through the half mirror 54 of the half mirror device 53 and enters the imaging device 34.
  • the imaging device 34 images the inspection area of the photomask 18 with an imaging magnification larger than the imaging magnification used when acquiring the first photomask image. That is, the second photomask image is captured in a larger size than the first photomask image.
  • the image processing device 45 receives the second photomask image picked up by the image pickup device 34, performs image processing as necessary, and sends the second photomask image to the display device 46.
  • Display device 46 displays the second photomask image.
  • the operator or the like observes the second photomask image displayed on the display device 46, and visually confirms whether or not the foreign matter 19 actually exists at the position of the foreign matter candidate (visual inspection step S21).
  • the photomask 18 is sent to the next step in each step (S1 to S6) for manufacturing the photomask by an input to the input device by an operator or the like.
  • the process proceeds to A of FIG. 14 and a foreign substance removal process S30 described later is performed by an input to the input device by an operator or the like.
  • the judgment criteria are set strictly from the viewpoint of preventing "missing" “Overview” may occur in which a non-defective product is determined to be a defective product (for example, it is determined that there is no foreign material even though no foreign material is present). The occurrence of this “oversight” causes a decrease in product yield.
  • FIG. 1 In the other hand, in the example shown in FIG.
  • the operator when it is determined in the automatic inspection step S20 that there is a foreign substance candidate, the operator visually confirms the presence or absence of the foreign substance 19 on the photomask 18, and the operator determines that there is no foreign substance. In this case, that is, when oversight has occurred in the automatic inspection step S20, the photomask 18 is sent to the next step in each step (S1 to S6) for manufacturing the photomask. Therefore, it is possible to improve the product yield while preventing the foreign matter 19 from being overlooked.
  • the center of the mask blanks 11 is set. Used as the coordinate origin.
  • a specific pattern formed on the photomask 18 being produced can be used as the coordinate origin.
  • the absolute coordinate accuracy such as the coordinate positioning accuracy of the intermediate inspection apparatus may be included in the error.
  • the error can be set to the relative coordinate accuracy, and the error range can be reduced. .
  • the specific pattern formed on the photomask 18 in the intermediate inspection step S10 as the coordinate origin
  • the error range can be reduced.
  • by using a common specific pattern as the coordinate origin among the plurality of intermediate inspection steps S10 it is possible to further improve the matching accuracy when collating the inspection result data.
  • FIG. 15 is a flowchart showing the flow of the foreign matter removal step S30, the foreign matter inspection step S31, and the defect confirmation step S32.
  • a foreign matter removing step S30 for removing the foreign matter is performed.
  • the foreign matter can be removed by cleaning the photomask 18 using, for example, pure water.
  • the foreign matter may be physically removed by a needle provided in the micromanipulator. As a result, foreign substances that could not be removed by cleaning with pure water or the like can be removed.
  • a foreign matter inspection step S31 for confirming the presence or absence of foreign matter on the photomask 18 is performed.
  • the foreign matter inspection step S31 can be performed, for example, by the same method as the automatic inspection step S20 or the visual inspection step S21 in the intermediate inspection step S10 described above, or by a combination of the automatic inspection step S20 and the visual inspection step S21.
  • the foreign substance inspection process S31 can also be performed using the intermediate inspection apparatus 30 used in the intermediate inspection process S10.
  • the foreign matter removing step S30 is performed again on the photomask 18. This is repeated until it is determined that there is no foreign matter in the foreign matter inspection step S31.
  • the photomask 18 may be removed if the foreign matter inspection step S31 determines that there is foreign matter even after the foreign matter removal step S30 is repeated a predetermined number of times.
  • a defect confirmation step S32 for confirming a defect of the photomask 18 is performed.
  • Defect confirmation process S32 can be performed by the same method as visual inspection process S21 in above-mentioned intermediate inspection process S10, for example.
  • the defect confirmation process S32 can also be performed using the intermediate inspection apparatus 30 used in the intermediate inspection process S10.
  • the defect confirmation step S32 can be performed subsequent to the foreign matter inspection step S31, that is, continuously with the foreign matter inspection step S31.
  • this defect confirmation step S32 it is determined whether the photomask 18 corresponds to, for example, no defect, a defect that can be corrected, or a defect that cannot be corrected.
  • the defect that can be corrected can be exemplified by, for example, a defect in a portion to be removed in the subsequent photomask manufacturing process, and the defect that cannot be corrected is, for example, a defect in a portion to be formed. Etc. can be illustrated.
  • the photomask 18 is subjected to each step (S1 to S1) for manufacturing the photomask. It is sent to the next step in S6). If it is determined that the photomask 18 has a defect that can be corrected, a special process for correcting the defect may be performed in any of the subsequent steps. On the other hand, when it is determined in the defect confirmation step S32 that the photomask 18 has an uncorrectable defect, the photomask 18 is removed. The removed photomask 18 can be discarded, or the resist layer 15 formed on the blanks 11 of the photomask 18 can be peeled off and the blanks 11 can be returned to the blanks preparation step S1.
  • a final inspection process S40 for confirming the quality of the light shielding pattern 14 of the photomask 10 is performed.
  • a final inspection step S40 for confirming the quality of the formed light shielding pattern 14 is performed. Done.
  • the light-shielding pattern 14 has a defect such as a defect in the size and position of the light-shielding pattern 14, a break in the light-shielding pattern 14, a short circuit, a black spot, or a white spot.
  • the inspection method in the final inspection step S40 is not particularly limited, and any known method can be adopted.
  • the photomask 10 is irradiated with laser light such as visible light or ultraviolet light (UV), and the reflected light reflected by the light shielding pattern 14 of the photomask 10 or the light shielding pattern 14 of the photomask 10 is not formed.
  • the quality of the light-shielding pattern 14 of the photomask 10 can be confirmed by picking up the transmitted light that has passed through the location with an imaging device and performing image processing or visual observation of the reflected image by reflected light or the transmitted image by transmitted light.
  • the final inspection apparatus used in the final inspection step S40 has a relatively high resolution because the light-shielding pattern of the photomask is also miniaturized by miniaturization of wiring such as LSI.
  • the foreign matter 19 to be detected in the intermediate inspection step S10 has a sufficiently large dimension (for example, several ⁇ m).
  • the foreign matter 19 to be detected in the intermediate inspection step S10 has a size of about 100 times as large as the width, height, pitch, etc. of the wiring such as LSI.
  • the performance (resolution) of the optical system required in the intermediate inspection step S10 and the performance (resolution) of the optical system required in the final inspection step S40 are greatly different.
  • an imaging device having a lower resolution than the resolution of the imaging device of the final inspection device used in the final inspection step S40 is used. it can.
  • the intermediate inspection device 30 used in the intermediate inspection step S10 has a lower resolution than the final inspection device used in the final inspection step S40, an inexpensive inspection device can be used as the intermediate inspection device 30.
  • the cost of the apparatus 30 can be reduced.
  • the photomask manufacturing method of the present embodiment described above includes an intermediate inspection step S10 for inspecting foreign matter on the photomask 18 being manufactured before the final step among the steps for manufacturing the photomask. Yes.
  • the photomask manufacturing method it is possible to quickly identify which process in the photomask manufacturing process has a problem. Further, it is possible to find a photomask 18 in which an uncorrectable defect has occurred during the manufacturing of the photomask. Thereby, the photomask 18 can be removed from the manufacturing process without performing a subsequent process, that is, without performing a wasteful process.
  • the photomask 18 removed before the light shielding film etching step S5 is performed can peel the resist layer 15 formed on the blanks 11 of the photomask 18 and return the blanks 11 to the blanks preparation step S1. It is possible to reduce the number of photomasks 18 to be discarded, and to improve the product yield.
  • the inspection apparatus 30 for inspecting the foreign matter on the photomask of the present embodiment includes an imaging apparatus 34 that images the photomask 18, an image processing apparatus 45 that processes an image captured by the imaging apparatus 34, and an image A display device 46 that displays an image processed by the processing device 45, and the image processing device 45 may be a foreign object that may be present on the photomask 18 from the first photomask image captured by the imaging device 34.
  • the candidate coordinates are acquired, the imaging device 34 images the photomask 18 based on the coordinates, acquires a second photomask image, and the display device 46 displays the second photomask image.
  • the imaging apparatus 34 acquires a further image (second photomask image) of the foreign substance candidate,
  • the second photomask image can be displayed on the display device 46.
  • the information processing apparatus 70 is a first intermediate inspection process for inspecting foreign matter on a photomask being manufactured after the first process, which is one of the processes for manufacturing the photomask.
  • the inspection result obtained by performing the defect inspection of the blanks and the defect inspection At least one of the inspection result obtained in the second intermediate inspection process for inspecting the foreign matter on the photomask in the middle and the inspection result obtained by performing the defect inspection of the photomask after manufacture, Using the inspection result data, the inspection result is collated based on the coordinates of the foreign matter or the defect included in the inspection result.
  • FIG. 16 is a diagram showing an inspection system 60 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 16, the inspection system 60 includes an information processing device (image processing device) 70, inspection devices (inspection devices) 65a to 65h, and the like.
  • image processing device image processing device
  • inspection devices inspection devices
  • FIG. 17 is a diagram illustrating a hardware configuration of the information processing apparatus 70.
  • the information processing apparatus 70 includes, for example, a computer configured by connecting a control unit 71, a storage unit 72, an input unit 73, a display unit (display device) 74, a communication unit 75, and the like through a bus 76.
  • a control unit 71 a storage unit 72
  • an input unit 73 a storage unit 72
  • a display unit (display device) 74 a communication unit 75
  • the present invention is not limited to this, and various configurations can be taken as appropriate.
  • the control unit 71 includes a CPU, a ROM, a RAM, and the like.
  • the CPU calls and executes a program related to processing of the information processing apparatus 70 stored in a storage medium such as the storage unit 72 and the ROM into a work memory area on the RAM.
  • the ROM is a non-volatile memory and permanently holds programs such as a computer boot program and BIOS, and data.
  • the RAM is a volatile memory, and temporarily stores programs and data loaded from the storage unit 72, the ROM, and the like, and includes a work area used by the control unit 71 to perform various processes.
  • the storage unit 72 is, for example, a hard disk drive, and stores a program executed by the control unit 71, data necessary for program execution, an OS, and the like. These programs and data are read by the control unit 71 as necessary, transferred to the RAM, and executed. In the present embodiment, a database of inspection result data described later is held in the storage unit 72.
  • the input unit 73 inputs data and includes an input device such as a keyboard, a pointing device such as a mouse, and a numeric keypad.
  • the display unit 74 includes a display device such as a liquid crystal panel and a logic circuit (such as a video adapter) for realizing a display function in cooperation with the display device.
  • the communication unit 75 is a communication interface that mediates communication via a network or the like, and performs communication with other devices.
  • the bus 76 is a path that mediates transmission / reception of control signals and data signals between the respective units.
  • Inspection devices 65a to 65h inspect blanks (mask blanks) and photomasks in the manufacturing stage (photomasks in the middle of manufacturing).
  • the inspection apparatus 65a performs a defect inspection of the blanks, and detects various defects including scratches, irregularities, foreign matters, and the like on the surface of the blanks.
  • the inspection apparatus 65b to 65h performs inspection of foreign matter on the photomask in the manufacturing stage after each process step (each step for manufacturing the photomask) at the time of manufacturing the photomask. Thereby, the foreign material on the photomask in the manufacturing stage is detected.
  • the inspection system 60 includes a final inspection apparatus that performs a defect inspection (final inspection) of the photomask 80 after manufacture. In the final inspection apparatus, various types of defects are detected, including missing photomask patterns, short circuits, and adhesion of foreign substances.
  • the inspection devices 65a to 65h are not particularly limited as long as they can detect foreign matters and defects and the coordinates thereof can be specified.
  • the inspection devices 65b to 65h irradiate inspection light from around the inspection region of the inspection object. Then, a part of the inspection light scattered and reflected from the foreign matter on the inspection region is received by a camera above the inspection region, and the inspection region can be photographed, and the foreign matter can be detected based on the photographed image.
  • an apparatus similar to the inspection apparatus 30 described with reference to FIG. 13 can be used. In this case, the foreign object can be detected with high accuracy regardless of the pattern of the inspection object.
  • FIG. 16A shows a manufacturing process of a general halftone mask (a mask having a light-shielding film as a MoSi (molybdenum silicide) film) used as a photomask 80 at the time of manufacturing a semiconductor.
  • a general halftone mask a mask having a light-shielding film as a MoSi (molybdenum silicide) film
  • a metal thin film (light-shielding layer) of a MoSi film 82 and a Cr (chrome) film 83 are sequentially formed on a synthetic quartz substrate (transparent substrate) 81 shown in FIG.
  • a resist (resist layer) 84 is applied as shown in FIG. The application of the resist 84 is performed by, for example, spin coating.
  • an LSI (Large Scale Integrated Circuit) pattern (resist pattern) is drawn on the resist 84 using an electron beam or a laser beam.
  • the drawing portion 84a is gelled. Therefore, the resist at the drawing portion 84a can be removed by developing as shown in FIG.
  • the Cr film 83 is etched using the remaining resist 84 as a mask as shown in (e), and the resist 84 is stripped as shown in (f).
  • an LSI pattern is formed as an etched portion of the MoSi film 82.
  • the Cr film 83 used as a mask is peeled off as shown in (h)
  • a photomask 80 having a MoSi film (light shielding pattern) having an LSI pattern is manufactured.
  • blanks are inspected for defects by the inspection device 65a, and foreign matter inspection of the photomask in the manufacturing stage after the respective process steps (b) to (h) is performed by the inspection devices 65b to 65g.
  • the finally manufactured photomask 80 is subjected to defect inspection by a final inspection apparatus.
  • the inspection results from the inspection devices 65a to 65h and the final inspection device are input to the information processing device 70 and recorded as inspection result data in the database of the storage unit 72.
  • FIG. 18 shows an example of the inspection result data 300.
  • the inspection result of the defect inspection of blanks and the photomask in the manufacturing stage after each process step are shown.
  • the inspection result of the foreign object inspection is recorded.
  • an inspection result obtained by performing a defect inspection on the manufactured photomask 80 is also recorded.
  • the inspection result includes the coordinates of the foreign matter and the defect.
  • the size of the foreign matter and the defect is also recorded.
  • the contents of the inspection results are not limited to this. For example, other information can also be recorded as inspection results, and it is also possible to omit inspection of foreign matter such as blanks defect inspection and resist coating.
  • FIG. 19 is a flowchart showing the processing of the information processing apparatus 70, and each step in the figure is executed by the control unit 71 of the information processing apparatus 70.
  • the user inputs an error range that the product number and the coordinates are considered to match.
  • the information processing apparatus 70 receives this input (S51), acquires the inspection result data 300 corresponding to the product number, and collates the inspection result based on the coordinates of the foreign matter or the defect (S52).
  • the method of collation is not particularly limited, but for example, at the time of another inspection including one inspection result among the inspection result data 300 as shown in FIG. 18 and including coordinates within the error range from the coordinates of the inspection result. It is determined whether there are any inspection results. If there is no such test result, only the standard test result is extracted as the verification result. If there is such a test result, the test result and the standard test result are collated together. Extract as a result. Thereafter, the same processing is repeated for the remaining inspection results.
  • the inspection result as a reference is not particularly limited.
  • the inspection result of the defect inspection of the photomask 80 after manufacture is used as a reference, the coordinates of the foreign matter within the error range from the coordinates of the defect are included. Since the inspection result is extracted, the correspondence between the generation of the foreign matter and the defect generated on the mask can be surely taken, and the process of generating the foreign matter causing the defect can be easily specified.
  • 20A to 20C are examples of the collation result 301, and one or a plurality of inspection results are extracted as the collation result 301 based on the coordinates.
  • the inspection results are usually continuous in the front and rear.
  • collation results 301 are displayed on the display unit 74 or the like (S53), and the user either adheres foreign matter in a certain process and causes a defect in the photomask, or adheres in a certain foreign substance process and then It is possible to quickly identify the occurrence state of the foreign matter that has been removed in the process.
  • FIG. 20 (a) shows an example of the collation result 301.
  • the first process which is one of the processes for manufacturing the photomask is an etching process (process g) of the MoSi film 82
  • the first intermediate inspection process is an inspection apparatus.
  • the second step which is foreign matter inspection performed at 65 g and is any one of the steps for manufacturing the photomask other than the first step, is a Cr film stripping step (step h).
  • the second intermediate inspection step is a foreign matter inspection performed by the inspection device 65h. That is, the collation result 301 in FIG. 20A is a first intermediate in which the information processing apparatus performs a foreign substance inspection on the photomask being manufactured after the first process among the processes for manufacturing the photomask.
  • Inspection results obtained in the inspection process and inspections obtained in the second intermediate inspection process for inspecting the foreign matter on the photomask being manufactured after the second process among the processes for manufacturing the photomask Using the inspection result data having the result and the inspection result obtained by performing the defect inspection of the photomask after manufacturing, the inspection result based on the coordinates of the foreign matter or the defect included in the inspection result was collated. It is an example.
  • the comparison result 301 shown in the figure it can be seen that the foreign matter adhering in the etching process of the MoSi film 82 is not removed even in the stripping process of the Cr film 83 and causes a defect in the photomask 80 after manufacture.
  • FIG. 20B shows another example of the verification result 301.
  • the first process which is one of the processes for manufacturing the photomask is a development process (process d) of the resist 84
  • the first intermediate inspection process is an inspection apparatus 65d.
  • the second step which is a foreign matter inspection performed in step 1 and is any one of the steps for manufacturing the photomask other than the first step, is a Cr film etching step (step e), and the second step
  • the intermediate inspection process is a foreign object inspection performed by the inspection device 65e. That is, the collation result 301 in FIG. 20B is a first intermediate in which the information processing apparatus performs a foreign substance inspection on the photomask being manufactured after the first process among the processes for manufacturing the photomask.
  • Inspection results obtained in the inspection process and inspections obtained in the second intermediate inspection process for inspecting the foreign matter on the photomask being manufactured after the second process among the processes for manufacturing the photomask This is an example in which the inspection result based on the coordinates of the foreign matter included in the inspection result is collated using the inspection result data having the result.
  • the illustrated comparison result 301 it can be seen that the foreign matter adhered in the developing process of the resist 84 has been removed in the next process (here, the etching process of the Cr film 83).
  • FIG. 20C shows still another example of the collation result 301.
  • the first process which is one of the processes for manufacturing the photomask is a development process (process d) of the resist 84
  • the first intermediate inspection process is an inspection apparatus 65d.
  • the second step which is a foreign matter inspection performed in step 1 and is any one of the steps for manufacturing the photomask other than the first step, is a Cr film etching step (step e), and the second step
  • the intermediate inspection process is a foreign substance inspection performed by the inspection apparatus 65e
  • the third process that is one of the processes for manufacturing the photomask other than the first process and the second process is a resist 84.
  • Film peeling process (process f) and the third intermediate inspection process is a foreign substance inspection performed by the inspection apparatus 65f. That is, the collation result 301 in FIG. 20C is a first intermediate in which the information processing apparatus inspects the foreign matter on the photomask being manufactured after the first process among the processes for manufacturing the photomask.
  • Inspection results obtained in the inspection process and inspections obtained in the second intermediate inspection process for inspecting the foreign matter on the photomask being manufactured after the second process among the processes for manufacturing the photomask An inspection result having a result and an inspection result obtained in a third intermediate inspection process for inspecting a foreign matter on the photomask being manufactured after the third process of the processes for manufacturing the photomask It is the example which collated the inspection result based on the coordinate of the foreign material contained in the said inspection result using data.
  • the comparison result 301 shown in the figure it can be seen that the foreign matter adhering in the development process was not removed in the etching process of the Cr film 83 but was removed in the next process (here, the film removal process of the resist 84). .
  • the specific recording method of the inspection result data 300 and the specific display method of the inspection result data 300 on the display unit 74 are not particularly limited, and can be appropriately set as necessary.
  • the inspection results in each process are collated, foreign substances or defects existing at coordinates within a predetermined error range that the coordinates of the inspection results are considered to match are grouped, and data on the grouped foreign substances or defects is Or you may display collectively for every line. An example of such display will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 21 is another example of the inspection result data 300 described with reference to FIG. 18, and similarly to the example shown in FIG. 18, the photo indicated by the product number (product number 002), which is product identification information.
  • product number 002 is product identification information.
  • the inspection result of the defect inspection of the blanks and the inspection result of the foreign matter inspection for the photomask in the manufacturing stage after each process step are recorded.
  • the inspection results of performing the defect inspection on the manufactured photomask 80 are also recorded.
  • the inspection result includes the coordinates of the foreign matter and the defect, and the size of the foreign matter and the defect is also recorded.
  • FIG. 22 is a diagram illustrating an example of a method for displaying the verification result by the information processing device 70 of the inspection result data 300 of FIG. 21.
  • the verification result 301 of the verification result data 300 of FIG. It is a display example on the display unit 74.
  • the inspection results in each process are collated, and foreign matters or defects existing at coordinates within a predetermined error range that the coordinates of the inspection results are considered to match are grouped into groups 1 to 3, respectively.
  • the data on the foreign matter or defect in the same group is displayed in the same column.
  • the foreign matter or defect of each group can be analyzed as follows.
  • the inspection result data 300 is used to check the inspection result based on the coordinates of the foreign matter and the defect, so that the foreign matter that may cause the defect of the photomask is attached in the step with the foreign matter. It is possible to quickly identify the occurrence of a photomask defect or a foreign substance that has adhered in a certain process and removed in any subsequent process, improving the photomask manufacturing environment. Can improve quality. In addition, by comparing blanks inspection results with inspection results after the process, it is possible to quickly determine whether blanks defects remain as photomask defects at the photomask manufacturing stage. This will shorten the mask manufacturing process.
  • an error range in which the coordinates of the inspection result are considered to coincide with each other at the time of collation is used, so that it is possible to identify the occurrence state of the foreign matter while allowing a slight positional deviation of the foreign matter.
  • the information processing apparatus 70 may perform the matching process in advance within a preset error range.
  • the product number is input in S51 and one defect coordinate is designated from the inspection result of the defect inspection of the photomask 80 after manufacture, the corresponding matching result 301 (see, for example, FIG. 20A). ) Is displayed.
  • the inspection result data 300 includes inspection results for blank defect inspection, inspection for photomask foreign matter inspection at the manufacturing stage after each process step during photomask manufacturing.
  • the inspection result of the defect inspection of the photomask 80 after manufacture is included, but the inspection result data 300 is not limited to this. If the inspection result data 300 has a plurality of inspection results including at least one inspection result obtained by performing a foreign matter inspection of the photomask in the manufacturing stage after the process step among these inspection results. Good. Further, the configuration of the photomask or the manufacturing process of the photomask is not limited to that described above.
  • An information processing apparatus characterized by collating inspection results based on coordinates of a foreign substance or a defect included in the inspection results for inspection result data including:
  • the foreign matter may cause the photomask defect, and the foreign matter may adhere to the photomask and cause the photomask defect.
  • Appendix 2 The information processing apparatus according to appendix 1, wherein collation is performed using an error range that the coordinates of the inspection result are regarded as matching.
  • the inspection result data includes an inspection result of a defect inspection of the photomask after the manufacturing, 3.
  • An information processing method comprising: collating inspection results based on coordinates of foreign matter or defects contained in the inspection results for inspection result data having
  • a recording medium recording a program for causing inspection result data having a function as an information processing apparatus to collate inspection results based on the coordinates of foreign matter or defects included in the inspection results.
  • An inspection apparatus for inspecting foreign matter of a photomask in a manufacturing stage after a process step at the time of manufacturing a photomask Inspection apparatus for performing defect inspection of blanks, inspection apparatus for performing foreign matter inspection of photomask in manufacturing stage after process steps other than the above-described process steps at the time of manufacturing photomask, and inspection apparatus for performing defect inspection of photomask after manufacturing And at least one of An information processing device;
  • the information processing apparatus includes: An inspection system for checking inspection result data based on coordinates of a foreign substance or a defect included in the inspection result for inspection result data having an inspection result obtained by an inspection apparatus.
  • FIG. 23 shows a modification of the intermediate inspection apparatus 30.
  • the intermediate inspection apparatus 30 includes a first imaging unit 40 and a second imaging unit 50.
  • the first imaging unit 40 includes a first imaging device 45 and a first light source 42.
  • the first imaging device 45 is composed of, for example, a CCD camera or the like, and is provided so as to be capable of imaging (photographing) the photomask 18 being manufactured placed on the holder 35.
  • the first imaging device 45 is an imaging device capable of imaging in a dark field.
  • the first imaging device 45 is installed so that an upper image can be taken, that is, facing upward, and the photomask 18 placed on the holder 35 is placed on the lower surface side thereof. It is possible to take an image from.
  • the first light source 42 is configured in the same manner as the above-described first light source 42 described with reference to FIGS. It is provided so that illumination light such as laser light can be irradiated.
  • the second imaging unit 50 includes a second imaging device 55, a second light source 52, and a half mirror device 53 having a half mirror 54.
  • the second imaging device 55 is composed of, for example, a CCD camera or the like, and is provided so as to be able to image (photograph) the photomask 18 being manufactured placed on the holder 35.
  • the second imaging device 55 is an imaging device capable of imaging in a bright field.
  • the second imaging device 55 is installed so that the upper image can be captured, that is, facing upward, and the photomask 18 placed on the holder 35 is placed on the lower surface side thereof. It is possible to take an image from.
  • the second light source 52 and the half mirror device 53 are configured in the same manner as the above-described second light source 52 and half mirror device 53 described with reference to FIGS. 12 and 13 and are mounted on the holder 35.
  • the surface to be inspected in the middle of the photomask 18 is provided so as to be able to irradiate illumination light.
  • the holder 35 of the intermediate inspection apparatus 30 is provided so that the photomask 18 being manufactured can be placed thereon, and is configured to be movable between the first imaging unit 40 and the second imaging unit 50 by a driving mechanism (not shown).
  • the automatic inspection process S20 is performed using the first imaging unit 40 and the image processing device 45.
  • a first photomask image is acquired by the first imaging device 45 of the first imaging unit 40.
  • the first light source 42 is used as the light source.
  • the first imaging device 45 images the photomask 18 in a dark field.
  • the imaging magnification of the first imaging device 45 is set to be relatively smaller than the imaging magnification of the second imaging device 55.
  • the image processing device 45 receives an image (first photomask image) of the photomask 18 captured by the first imaging device 45 and processes this image. Thereafter, the image processing device 45 determines whether there is data that may be an uneven surface caused by the foreign matter 19, that is, foreign matter candidate data, included in the image-processed first photomask image. To do.
  • the coordinates of the foreign substance candidate on the photomask 18 are determined. (X coordinate, Y coordinate) is specified, and the obtained coordinate data is listed.
  • the image processing device 45 next captures an area including the position of each foreign substance candidate on the photomask 18 based on the coordinate data in the list. 2 Instructs the second imaging device 55 of the imaging unit 50. Further, the holder 35 is moved to the inspection position of the second imaging unit 50, that is, above the second imaging device 55 of the second imaging unit 50.
  • the second imaging device 55 images an area including the position of each foreign substance candidate based on an instruction from the image processing device 45. As a result, a second photomask image is acquired.
  • the second light source 52 is used as the light source.
  • the second imaging device 55 images the photomask 18 in a bright field.
  • the imaging magnification of the second imaging device 55 is set to be relatively larger than the imaging magnification of the first imaging device 45, and thus the second imaging device 55. Captures the inspection area of the photomask 18 at an imaging magnification larger than the imaging magnification used when acquiring the first photomask image. That is, the second photomask image is captured in a larger size than the first photomask image.
  • the image processing device 45 receives the second photomask image picked up by the second image pickup device 55, performs image processing as necessary, and sends the second photomask image to the display device 46.
  • Display device 46 displays the second photomask image.
  • the operator or the like observes the second photomask image displayed on the display device 46, and visually confirms whether or not the foreign matter 19 actually exists at the position of the foreign matter candidate (visual inspection step S21).
  • FIG. 24 shows another modification of the intermediate inspection device 30.
  • the intermediate inspection apparatus 30 according to the modification described with reference to FIG.
  • the intermediate inspection apparatus 30 includes a stage 48 that is provided so that the photomask 18 being manufactured can be placed thereon and can be moved by a driving mechanism (not shown).
  • the photomask 18 being manufactured is placed on the stage 48 with the surface to be inspected facing upward.
  • the stage 48 may be provided with a fixing mechanism that positions and fixes the photomask 18 with respect to the stage 48.
  • the photomask 18 may be placed directly on the stage 48, or a pallet holding the photomask 18 may be placed on the stage 48.
  • the first imaging device 45 is installed so that a lower image can be captured, that is, facing downward, and the photomask 18 placed on the stage 48 is placed on the upper surface side thereof. It is possible to take an image from.
  • the second imaging device 55 is installed so that the lower image can be captured, that is, facing downward, and images the photomask 18 placed on the stage 48 from the upper surface side. Can be done.
  • the intermediate inspection apparatus 30 used in the intermediate inspection process S10 has an inspection having a lower resolution than the resolution of the final inspection apparatus used in the final inspection process S40.
  • An apparatus can be used.
  • the intermediate inspection apparatus 30 having the first imaging unit 40 and the second imaging unit 50 shown in FIG. 23 or 24 is used, the first imaging apparatus 45 and the second imaging apparatus 55 are relatively
  • the imaging devices 45 and 55 having a high resolution can have a lower resolution than the resolution of the imaging device of the final inspection device.
  • the intermediate inspection step S10 is performed in two stages, that is, an automatic inspection step S20 and a visual inspection step S21.
  • the present invention is not limited to this. In the intermediate inspection step S10, only one of the automatic inspection step S20 and the visual inspection step S21 may be performed.
  • the photomask 18 may be removed from the manufacturing step without proceeding to the foreign matter removing step S30.

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Abstract

　フォトマスク（１０）の製造方法は、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク（１８）上の異物検査を行う中間検査工程を含む。

Description

フォトマスクの製造方法および検査装置
　本発明は、フォトマスク上の異物検査を行う中間検査工程を含むフォトマスクの製造方法に関する。また、本発明は、フォトマスク上の異物検査を行う検査装置に関する。
　従来、フォトリソグラフィー技術を用いた、半導体集積回路（ＬＳＩ）、プリント配線板（ＰＷＢ）、液晶表示パネル（ＬＣＤ）等の製造に、フォトマスク（レチクル）が用いられている。このフォトマスクは、一般に次のような製造工程を経て製造される。まず、ガラス等からなる透明基材上にクロム等からなる金属膜（遮光膜）を形成し、さらにこの金属膜上に感光性のレジストを塗布する。次に、レジスト膜への電子ビームやレーザービーム等の照射によりマスクパターンを描画し、このレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチング等によりパターニングして、パターニングされた金属膜からなるマスクパターン（遮光パターン）を形成する。最後に、レジストパターンを除去してフォトマスクを得る。
　このようにして製造されたフォトマスクは、マスクパターンの欠陥の有無について最終検査（パターン検査）が行われ、この最終検査でマスクパターンに欠陥がないと判断されたものだけが、実際にフォトマスクとして使用される。ところが、最終検査でマスクパターンの欠陥が発見されても、フォトマスクの製造のための各工程のうちのどの工程に問題が生じているのかを知ることは困難であった。
　フォトマスクの製造のための各工程のうちのどの工程に問題が生じているのかを知るためには、現像工程後やエッチング工程後等、フォトマスクの製造工程の途中で欠陥検査を行うことが考えられる。しかし、ＬＳＩ等の配線の微細化によりフォトマスクのマスクパターンも微細化され、欠陥検査装置において検査時に照射する電磁波は、短波長化および高出力化している。製造途中のフォトマスク、とりわけレジストが塗布された状態のフォトマスク、に短波長および高出力の電磁波を照射すると、電磁波が照射されたレジストからアウトガスが放出される。アウトガスは、有機材料等から放出される様々なガスであり、このアウトガスが検査装置に付着することにより、とりわけ検査装置の光学系の性能を低下させる。
　この問題を解決するために、ＪＰ２０１２－２０８１８５Ａでは、フォトマスクを載置して開口部からフォトマスクの検査面を露出させるマスク固定用ホルダー、検査光を透過させる透光性保護部材、および、透光性保護部材をマスク固定用ホルダーに対して保持する枠状の支持体で筐体を形成し、この筐体によりフォトマスクの検査面を覆う密閉空間を形成している。そして、短波長および高出力の検査光を透光性保護部材を透過させてフォトマスクに照射し、検査光の照射により密閉空間に放出されたアウトガスを、密閉空間内に不活性ガスを供給することにより、排出している。
　また、ＪＰ２００９－１３４０９５Ａには、ブランクスの欠陥とフォトマスクの欠陥との一致判定処理を行うことで、ブランクスの欠陥とフォトマスクに発生した欠陥の要因分析を行い、フォトマスクの品質向上とフォトマスクの工程収率アップに寄与することが記載されている。
　ＪＰ２０１２－２０８１８５Ａに開示された技術では、上述のマスク固定用ホルダー、透光性保護部材および枠状の支持体の他にも不活性ガスを供給する機構やアウトガスを排出する機構が不可欠である。したがって、検査装置の構造が複雑になり且つ検査装置が大型化する。また、レジストパターン検査のために、短波長および高出力の検査光を照射し得る高性能な光学系を必要とするため、検査装置のコストが高くなる。
　ところで、本件発明者らが、マスクパターンに欠陥を生じる原因について鋭意検討を行ったところ、マスクパターンに欠陥を生じる原因の多くは、フォトマスクの製造のための各工程のいずれかにおいて、フォトマスクに塵埃等の異物が付着することであることが知見された。したがって、マスクパターンにおける欠陥の発生原因を特定するためには、フォトマスク製造のための各工程のうちのどの工程で異物が付着したかを特定することが有効である。
　また、製造途中でフォトマスクに異物が付着したままその後の工程を行ったことにより欠陥が生じたフォトマスクは、製品とすることができず廃棄することとなる。すなわち、製造途中で異物が付着したフォトマスクに、その後の工程を行っても、製造されたフォトマスクに欠陥が生じれば、当該工程は無駄な工程となり得る。したがって、製造途中で異物が付着したフォトマスクに、その後の無駄な工程を行うことなく、異物の除去または当該フォトマスクの廃棄を行うためにも、フォトマスク製造のための各工程のうちのどの工程で異物が付着したかを特定することが有効である。
　また、ＪＰ２００９－１３４０９５Ａに開示された技術では、ブランクスの欠陥とフォトマスクの欠陥との一致判定と分析のみを行っており、フォトマスクの欠陥の原因等については限定的にしか分析できなかった。
　本発明は、このような点を考慮してなされたものであって、検査装置の複雑化、大型化を抑制しながら、フォトマスク製造のための各工程のうちのどの工程で問題が生じているのかを迅速に特定し得るフォトマスクの製造方法および検査装置を提供すること、ならびに、製造途中で異物が付着したフォトマスクに対するその後の無駄となり得る工程を省略することが可能となるフォトマスクの製造方法および検査装置を提供すること、を第１の目的とする。
　また、本発明は、フォトマスクの欠陥の原因となりうる異物の発生状況を素早く特定し、フォトマスクの製造環境を改善することで品質を向上できるフォトマスクの製造方法および検査装置を提供することを第２の目的とする。
　本発明によるフォトマスクの製造方法は、
　フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う中間検査工程を含む。
　本発明によるフォトマスクの製造方法において、
　フォトマスク製造のための各工程のうちの前記最終工程後に、フォトマスクの遮光パターンの良否を確認する最終検査工程をさらに含んでもよい。
　本発明によるフォトマスクの製造方法において、
　前記中間検査工程で用いる中間検査装置は、前記最終検査工程で用いる最終検査装置よりも低い分解能を有してもよい。
　本発明によるフォトマスクの製造方法において、
　前記中間検査工程で異物が存在すると判断された製造途中のフォトマスク上の異物を除去する異物除去工程をさらに有してもよい。
　本発明によるフォトマスクの製造方法において、
　前記異物除去工程後に、前記異物が除去された製造途中のフォトマスクの欠陥を確認する欠陥確認工程をさらに有してもよい。
　本発明によるフォトマスクの製造方法において、
　前記欠陥確認工程において、欠陥なしと判定された製造途中のフォトマスク、および、欠陥はあるが当該欠陥が修正可能と判断された製造途中のフォトマスク、をフォトマスクの製造工程に戻してもよい。
　本発明によるフォトマスクの製造方法において、
　情報処理装置が、
　フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、
　ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造のための各工程のうちの前記第１の工程以外のいずれかである第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果、および、製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果、のうちの少なくともいずれかと、
　を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行ってもよい。
　本発明による検査装置は、
　フォトマスク上の異物検査を行う検査装置であって、
　前記検査装置は、フォトマスクを撮像する撮像装置と、前記撮像装置で撮像された画像を処理する画像処理装置と、前記画像処理装置で処理された画像を表示する表示装置とを備え、
　前記画像処理装置は、前記撮像装置で撮像された第１のフォトマスク画像からフォトマスク上に存在する異物の座標を取得し、
　前記撮像装置は、前記座標に基づいて前記フォトマスクを撮像し、第２のフォトマスク画像を取得し、
　前記表示装置は、前記第２のフォトマスク画像を表示する。
　本発明による検査装置において、
　前記撮像装置は、前記フォトマスクを下面側から撮像してもよい。
　本発明による検査装置において、
　前記撮像装置は、前記第１のフォトマスク画像を撮像する第１の撮像装置と、前記第２のフォトマスク画像を撮像する第２の撮像装置と、を有してもよい。
　本発明によれば、検査装置の複雑化、大型化を抑制しながら、フォトマスクの製造工程中のどの工程で問題が生じているのかを迅速に特定することができる。また、本発明によれば、製造途中で異物が付着したフォトマスクに対するその後の無駄となり得る工程を省略することが可能となる。
　また、本発明によれば、フォトマスクの欠陥の原因となりうる異物の発生状況を素早く特定し、フォトマスクの製造環境を改善することで品質を向上できるフォトマスクの製造方法および検査装置を提供することができる。
図１は、本発明による第１の実施形態を説明するための図であって、フォトマスクの製造方法における各工程を示す図である。 図２は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図３は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図４は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図５は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図６は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図７は、フォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 図８は、フォトマスクの検査システムの一例を概略的に示す平面図である。 図９は、図８の検査システムを示す側面図である。 図１０は、検査システムに含まれる中間検査装置を示す平面図である。 図１１は、図１０の中間検査装置を示す側面図である。 図１２は、中間検査装置の具体的構成の一例を示す図である。 図１３は、図１２の中間検査装置を用いた異物検出方法の一例を説明するための図である。 図１４は、中間検査工程の一例を示すフローチャートである。 図１５は、中間検査工程に続いて行われる異物除去工程および欠陥確認工程の一例を示すフローチャートである。 図１６は、本発明による第２の実施形態を説明するための図であって、フォトマスクの検査システムの一例を概略的に示す図である。 図１７は、図１６のフォトマスクの検査システムに含まれる情報処理装置のハードウェア構成を示す図である。 図１８は、図１６のフォトマスクの検査システムで取得された検査結果データの一例を示す図である。 図１９は、情報処理装置の処理を示すフローチャートである。 図２０は、情報処理装置による照合結果を示す図である。 図２１は、図１６のフォトマスクの検査システムで取得された検査結果データの他の例を示す図である。 図２２は、図２１の検査結果データの情報処理装置による照合結果を表示する方法の一例を示す図である。 図２３は、中間検査装置の具体的構成の一変形例を示す図である。 図２４は、中間検査装置の具体的構成の他の変形例を示す図である。
　以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
　なお、本明細書において、「板（基板）」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板（基板）」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材をも含む概念であり、したがって、「透明基板」は、「透明シート」や「透明フィルム」と呼ばれる部材と、呼称の違いのみにおいて区別され得ない。
　また、「シート面（板面、フィルム面）」とは、対象となるシート状（板状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材（板状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。
　また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件ならびにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
（第１の実施形態）
　図１～図１５は、本発明による第１の実施形態を説明するための図である。このうち図１は、フォトマスク製造のための各工程および各検査工程を示す図であり、図２～図７は、フォトマスク製造のための各工程を順に説明する図である。
　フォトマスクは、主に、半導体集積回路（ＬＳＩ）、プリント配線板（ＰＷＢ）、液晶表示パネル（ＬＣＤ）等の製造において、フォトリソグラフィー技術を用いたパターン形成工程で使用される。フォトマスクは、少なくとも特定波長域の光を遮光することができる材料を用いて形成された板状部材を含んでいる。この板状部材は、パターン形成工程で形成されるべきパターンに対応したパターンで、開口や薄肉化された部位を形成されている。なお、半導体集積回路の製造に用いられるフォトマスクは、レチクルとも呼ばれる。
　フォトマスクは、その遮光領域の性質、遮光層の形成方法、使用方法等から種々のものに分類され得る。例えば、遮光領域の性質によって、遮光パターンが形成され光を遮蔽する遮光領域と、遮光領域以外の光を透過させる光透過領域とを有するバイナリマスクや、光を遮蔽する遮光領域と、光を半透過させる半透過領域と、光を透過させる光透過領域とを有するハーフトーンマスク等に分類され得る。また、遮光層の形成方法によって、クロム等の金属からなる膜をエッチングすることにより遮光パターンを形成するハードマスクや、ハロゲン化銀の微粒子を分散させた感光性材料に光を照射して析出した金属銀により遮光パターンを形成するエマルジョンマスク等に分類され得る。さらに、フォトマスク使用方法によって、露光される対象に密着させて使用されるコンタクト露光用のフォトマスク、露光される対象から離間配置されて使用されるプロキシミティ露光用のフォトマスク、フォトマスクと露光される対象との間にレンズや鏡等の光学装置が配置されフォトマスクを透過した光が当該光学装置を介して露光される対象に投影されるプロジェクション露光用のフォトマスク等に分類され得る。そして、本実施の形態のフォトマスクの製造方法は、いずれのフォトマスクの製造にも適用可能である。
　以下に説明する本実施の形態においては、フォトマスクの製造方法の例として、主に、クロム等の金属からなる膜をエッチングすることにより遮光パターンが形成され、遮光領域と光透過領域とを有するようになるバイナリマスクの製造方法について述べる。
　このフォトマスク製造のための各工程の一例として、バイナリマスクの製造のための各工程の例を図１に示す。図示された例では、フォトマスク製造工程は、ブランクス準備工程Ｓ１、レジスト層形成工程Ｓ２、レジストパターン描画工程Ｓ３、現像工程Ｓ４、遮光膜エッチング工程Ｓ５、および、レジスト層除去工程Ｓ６、の各工程を含んでいる。また、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程後、とりわけ図示された例ではレジスト層除去工程Ｓ６の後、フォトマスクのマスクパターンの良否を確認する最終検査が行われる（最終検査工程Ｓ４０）。
　図１に示された例では、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク上の異物の有無を確認する中間検査工程Ｓ１０を含んでいる。とりわけ図示された例では、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１～Ｓ６）のうちのレジスト層除去工程Ｓ６（最終工程）の前における各工程の間で、中間検査工程Ｓ１０が少なくとも１回行われる。中間検査工程Ｓ１０は、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれの工程間で行われてもよい。また、中間検査工程Ｓ１０を複数回行ってもよい。この中間検査工程Ｓ１０の詳細については後述する。
　次に、図２～図７を参照して、フォトマスク製造のための各工程について説明する。
（ブランクス準備工程Ｓ１）
　まず、マスクブランクス（単にブランクスとも呼ぶ）１１を準備する。マスクブランクス１１は、フォトマスクを製造するための元材となる積層体であり、図２に示した例では、透明基板１２上に後に遮光パターン１４をなすようになる遮光層１３が積層されている。透明基板１２は、遮光層１３（遮光パターン１４）を支持する機能を有する。透明基板１２の材料は、光透過性を有するものであれば特に限られないが、例えば、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス材料を好適に用いることができる。また、遮光層１３としては、クロム、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等の金属層を用いることができる。さらに、遮光層１３は単層で形成されたものに限られず、クロム層の片面または両面に酸化クロム層を設けたもののように、複数層で形成されたものであってもよい。透明基板１２上に遮光層１３を形成する方法も特に限られないが、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、めっき法等の液相成長法、またはこれらの２以上を組み合わせた方法を採用することができる。
（レジスト層形成工程Ｓ２）
　次に、図３に示されているように、マスクブランクス１１の遮光層１３の透明基板１２と反対の側に、レジスト層１５を形成する。このレジスト層１５は、例えば、公知のポジ型またはネガ型のフォトレジスト材料を、スピンコート法等によりマスクブランクス１１の遮光層１３上に塗布し、フォトレジスト材料中に含まれる有機溶剤を加熱等により除去することにより形成することができる。ここで、ポジ型のフォトレジスト材料とは、現像工程において、露光された領域に存在する材料が除去され、露光されていない領域に存在する材料が残存するようになるフォトレジスト材料である。また、ネガ型のフォトレジスト材料とは、現像工程において、露光された領域に存在する材料が残存し、露光されていない領域に存在する材料が除去されるようになるフォトレジスト材料である。
（レジストパターン描画工程Ｓ３）
　レジスト層１５の形成後、レジスト層１５に、後にレジストパターン１６を形成するようになるパターンを描画する。具体的には、図４に示されているように、フォトレジスト材料を含有するレジスト層１５に、所望のパターンに沿ってレーザ光を照射するレーザ描画や電子線を照射するＥＢ描画等により、レジスト層１５のレーザ光、電子線等が照射された領域を露光させる。図４～図７では、レジスト層１５をなすフォトレジスト材料がポジ型の材料である例を示している。レジスト層１５をなすフォトレジスト材料がポジ型の材料である場合、現像工程において除去したい領域にレーザ光、電子線等を照射し露光させる。また、レジスト層１５をなすフォトレジスト材料がネガ型の材料である場合、現像工程において残存させたい領域にレーザ光、電子線等を照射し露光させる。
（現像工程Ｓ４）
　次に、図５に示されているように、レジスト層１５を現像してレジストパターン１６を形成する。例えば、スプレー法、浸漬法、パドル法等の公知の方法により、有機溶剤や有機アルカリ水溶液等の現像液をレジスト層１５に接触させ、レジスト層１５の露光された領域または露光されていない領域に存在するレジスト層１５を、溶解・除去する。図５に示された例では、レジスト層１５の露光された領域に存在するレジスト層１５が、溶解・除去されている。その後、純水等のリンス液ですすぐ。
　さらに、現像工程Ｓ４でレジスト層１５に吸収された現像液の一部を除去し、膨潤したレジストパターン１６を収縮させるための加熱工程を設けてもよい。また、現像後のレジスト材料の残渣の除去や後続の遮光膜エッチング工程Ｓ５におけるエッチング液の濡れ性の向上等を目的として、デスカム処理を行ってもよい。
（遮光膜エッチング工程Ｓ５）
　次に、図６に示されているように、レジストパターン１６をマスクとして、レジストパターン１６から露出した遮光層１３をエッチング（腐食）除去し、レジストパターン１６に覆われ残留した遮光層１３から遮光パターン１４を形成する。エッチング方法は特に限られないが、例えば、浸漬法、スプレー法、スピン法等を用いたウェットエッチング法や、反応性ガスや反応性イオン等を用いたドライエッチング法を採用することができる。ウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、遮光層１３としてクロムからなる層を用いた場合、例えば、硝酸第２セリウムアンモニウム、過塩素酸および純水からなるエッチング液を用いることができる。
（レジスト層除去工程Ｓ６）
　遮光膜エッチング工程Ｓ５の後、遮光パターン１４上に残留しているレジストパターン１６を、有機溶剤や酸による溶解処理やアッシング処理等により除去（剥離）する。これにより、図７に示したように、遮光パターン１４を有するフォトマスク１０が製造される。なお、図１～図７で説明したフォトマスクの製造方法においては、このレジスト層除去工程Ｓ６が、フォトマスクを製造するための最終工程となっている。
　次に、図８～図１１を参照して、フォトマスクの検査システムについて説明する。図８は、フォトマスクの検査システムの一例を概略的に示す平面図であり、図９は、検査システムを示す側面図であり、図１０は、検査システムに含まれる中間検査装置を示す平面図であり、図１１は、中間検査装置を示す側面図である。
　図８は、フォトマスクの検査システム２０の平面構成を示す図である。図８に示す検査システム２０は、クリーンルーム内に配置され、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）ケース投入部２１、ロボット室２２、検査室２３等を有する。図９は、検査システム２０のロボット室２２と検査室２３を示す図である。
　ＳＭＩＦケース投入部２１は、検査対象である製造途中のフォトマスク１８を収納した輸送用のＳＭＩＦポッド（不図示）を配置するためのスペースである。ＳＭＩＦポッド内には、１または複数のフォトマスク１８が収納される。
　ロボット室２２は開口部２２ａを介して検査室２３と通じている。ロボット室２２には、フォトマスク１８を搬送するためのロボット２４が配置される。ロボット２４は、ＳＭＩＦケース投入部２１からＳＭＩＦポッドを受け取って内部のフォトマスク１８を１枚取り出し、被検査面が下を向いた状態で検査室２３に搬送し、後述する中間検査装置３０のホルダー３５に配置する。またロボット２４は、検査後のフォトマスク１８をホルダー３５から取り出してロボット室２２に搬送し、ＳＭＩＦポッドに収納する。
　ロボット室２２の天井にはＦＦＵ２５（送風部）が設けられ、これにより清浄なエアーがダウンフロー（下方への気流）として送出される。また除電を行うため、ロボット室２２の上部の壁際にはイオナイザー２６が設けられる。
　検査室２３では、除振台２８の上に中間検査装置３０が配置される。中間検査装置３０はフォトマスク１８を撮影し、この撮影画像を元にフォトマスク１８の検査を行う。
　検査室２３の天井には、ロボット室２２と同様にＦＦＵ２５（送風部）が設けられ、これにより清浄なエアーがダウンフロー（下方への気流）として送出される。検査室２３の側面には開口部２３ａが設けられており、この開口部２３ａから検査室２３外への排気が行われる。また、検査室２３の開口部２３ａ側の壁際には、天井から下方に延びる整流板２７が設けられる。図の例では整流板２７の下端が検査室２３の開口部２３ａ側の壁面に接しているが、壁面から離れていてもよい。
　検査室２３にも、ロボット室２２と同様にイオナイザー２６が設けられている。図９に示された例では、イオナイザー２６は、開口部２２ａ側の壁際および整流板２７の上部のＦＦＵ２５側に設けられている。
　中間検査装置３０は、Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３、撮像装置３４、ホルダー３５、クランプ３６、後述の光源４２，５２、ハーフミラー装置５３等を有する。図９～図１１では、光源４２，５２およびハーフミラー装置５３の図示は省略している。
　Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３は、フォトマスク１８の撮影位置を定めるための移動ステージであり、本実施形態では後述するホルダー３５の位置を移動させる。これらのステージはＸステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３の順に上に重ねて配置される。θステージ３３は、図示しない駆動部により平面内で回転するものである。
　撮像装置３４は、フォトマスク１８の撮影を行うカメラを有している。撮像装置３４は、例えば、Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３において撮像装置３４に対応する位置に設けられた孔を介して、直接除振台２８に固定されるようにすることができる。
　ホルダー３５は、上記した移動ステージ（Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３）の上方に設けられる。ホルダー３５はフォトマスク１８を三方向から囲む板状の部材からなり、フォトマスク１８の側辺を保持する。ホルダー３５の内側には、フォトマスク１８の三辺をそれぞれ保持するための、ホルダー３５から突出した爪３７が設けられている。フォトマスク１８の残りの一辺は、クランプ３６に取付けられた爪３８によって保持される。なお、ホルダー３５の内側とは、フォトマスク１８に近い側をいうものとする。また本実施形態ではフォトマスク１８の被検査面が下を向いた状態でホルダー３５に配置される。
　ホルダー３５は脚部３９によってθステージ３３上で支持される。図１０に示された例では、ホルダー３５の角部を支持するように４本の脚部３９が設けられている。
　中間検査装置３０についてさらに詳細に説明する。図１２および図１３を参照して、中間検査装置３０の具体的構成の一例について説明する。
　図１２に示された例では、中間検査装置３０は、フォトマスク１８を撮像する撮像装置３４と、撮像装置３４で撮像された画像を処理する画像処理装置４５と、画像処理装置４５で処理された画像を表示する表示装置４６とを備えている。図示された例では、中間検査装置３０は、ホルダー３５、第１の光源４２、第２の光源５２、ハーフミラー装置５３をさらに備えている。
　ホルダー３５は、製造途中のフォトマスク１８を載置可能に設けられ、上述の移動ステージ（Ｘステージ３１、Ｙステージ３２、θステージ３３）により移動可能とされている。図示された例では、ホルダー３５は、撮像装置３４の上方に設けられている。フォトマスク１８は、その被検査面がホルダー３５の下方に設置された撮像装置３４と対面するようにして、すなわち被検査面が下方を向くようにして、ホルダー３５（爪３７，３８）に載置される。また、フォトマスク１８における検査されるべき領域は、ホルダー３５から露出している。
　撮像装置３４は、例えばＣＣＤカメラ等で構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８を撮像（撮影）可能に設けられている。好ましくは、撮像装置３４は、暗視野および明視野の両方において撮像可能なカメラで構成される。図示された例では、撮像装置３４は、上方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち上方を向くようにしてホルダー３５の下方に設置され、ホルダー３５に載置されたフォトマスク１８を、その下面側から撮像することができるようになっている。なお、撮像装置３４は、撮像倍率が変更可能に構成されており、とりわけ後述の第１のフォトマスク画像を撮像する際と、第２のフォトマスク画像を撮像する際とで、撮像倍率が変更可能とされている。
　第１の光源４２は、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８の被検査面にレーザ光等の照明光を照射可能に設けられている。とりわけ図１２および図１３に示された例では、第１の光源４２は、フォトマスク１８の板面に沿った方向およびフォトマスク１８の板面への法線方向に対して傾斜した方向から、とりわけフォトマスク１８の板面への法線方向に対して大きく傾斜した方向から、フォトマスク１８の表面に照明光を照射可能に設けられている。図示された例では、撮像装置３４の光軸の周りに、複数の第１の光源４２が設けられている。一例として、撮像装置３４の光軸の周りに互いに等角度を有して、４つまたは８つの第１の光源４２が設けられていてもよい。
　図１３に示された例では、第１の光源４２から出射したレーザ光等の照明光は、フォトマスク１８の板面に沿った方向およびフォトマスク１８の板面への法線方向に対して傾斜した方向からフォトマスク１８の被検査面に入射する。フォトマスク１８の被検査面のうち異物１９等に起因する凹凸面が存在しない箇所へ入射した照明光は、当該箇所で鏡面反射（正反射）する。とりわけ、フォトマスク１８の被検査面への入射角と等しい反射角で鏡面反射する。したがって、この鏡面反射による反射光は撮像装置３４には入射しない。一方、フォトマスク１８の被検査面に異物１９等に起因する凹凸面が存在する場合、この凹凸面に照射された照明光は当該凹凸面により乱反射する。そして、乱反射した光の一部は撮像装置３４に入射する。撮像装置３４は、暗視野でフォトマスク１８の撮像を行う。なお、例えばホルダー３５をフォトマスク１８の板面と平行な面内で２次元的に移動させながら撮像装置３４による撮影を行うことで、フォトマスク１８の全体または一部の検査画像を得ることができる。
　第２の光源５２は、ハーフミラー装置５３を介してホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８の被検査面（下面）に照明光を照射可能に設けられている。ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４は、第２の光源５２から照射された照明光を反射してその光路を曲げ、照明光をフォトマスク１８へ向ける。また、ハーフミラー５４は、フォトマスク１８から撮像装置３４へ向けて出射した光を透過させ、これにより撮像装置３４によるフォトマスク１８の撮像が可能となっている。図１２に示された例では、第２の光源５２から照射されハーフミラー５４で反射した照明光の中心軸と撮像装置３４の光軸が平行になっている。とりわけ図示された例では、第２の光源５２から照射されハーフミラー５４で反射した照明光の中心軸と撮像装置３４の光軸が一致している。すなわち、第２の光源５２およびハーフミラー装置５３は、いわゆる同軸照明装置を構成している。なお、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４は、移動可能に構成されており、これにより撮像装置３４の光軸上から退避するように移動することができる。
　画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像されたフォトマスク１８の画像を処理する装置であり、例えばコンピュータ等で構成されている。本実施形態の画像処理装置４５は、撮像装置４５で撮像された第１のフォトマスク画像からフォトマスク１８上に存在する可能性のある異物候補の座標を取得するように構成されている。また、画像処理装置４５は、異物候補の座標に基づいて、当該フォトマスク１８を再度撮像するよう、撮像装置３４に指示する。さらに、画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像された当該フォトマスク１８の画像（第２のフォトマスク画像）を受け取り、第２のフォトマスク画像を表示装置４６へ送る。
　表示装置４６は、画像処理装置４５から受け取った画像を表示する。表示装置４６は、例えば、ＣＲＴモニタ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等で構成される。表示された画像は、異物候補の位置に異物１９が存在しているか否かを確認するために、オペレータ等により観察される。表示装置４６は、表示された画像の拡大・縮小、表示の明るさやコントラストの調整等が可能に構成されてもよい。なお、画像処理装置４５または表示装置４６に、オペレータ等からの入力を受け付ける、ボタン、キーボード、マウス、タッチパネル等の入力装置が設けられていてもよい。
　次に、以上に説明した中間検査装置３０を用いた本実施形態のフォトマスクの製造方法について以下に詳述する。
　本実施形態のフォトマスクの製造方法は、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク上の異物の有無を確認する中間検査工程Ｓ１０を含んでいる。とりわけ図１に示された例では、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１～Ｓ６）のうちのレジスト層除去工程Ｓ６（最終工程）の前における各工程の間で、中間検査工程Ｓ１０が少なくとも１回行われる。図１４を参照して、中間検査工程Ｓ１０について、以下に説明する。図１４は、中間検査工程Ｓ１０の流れを示すフローチャートである。
　図１４に示された例では、中間検査工程Ｓ１０は、自動検査工程Ｓ２０および目視検査工程Ｓ２１の２段階で行われる。
　まず、画像処理装置４５を用いて、製造途中のフォトマスク１８上の異物候補の有無が自動的に判断される（自動検査工程Ｓ２０）。まず、撮像装置３４により第１のフォトマスク画像が取得される。第１のフォトマスク画像を取得する際には、光源として第１の光源４２が使用される。このとき、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４は、撮像装置３４の光軸上から退避させる。図１３を参照して説明したように、フォトマスク１８の被検査面に異物１９等に起因する凹凸面が存在する場合、第１の光源４２から出射してフォトマスク１８の被検査面に入射したレーザ光等の照明光は、当該凹凸面により乱反射する。そして、乱反射した光の一部は撮像装置３４に入射する。撮像装置３４は、暗視野でフォトマスク１８の撮像を行う。なお、本実施形態では、撮像装置３４における第１のフォトマスク画像を取得する際の撮像倍率は、後述の第２のフォトマスク画像を取得する際の撮像倍率よりも相対的に小さくなるように設定される。
　なお、従来方式のブランクス検査や欠陥検査では、膜種の反射率、透過率等の違いにより、各工程ごとに検査条件を設定する必要がある。一方、本実施形態の中間検査装置３０は、異物１９等に起因する凹凸面による照明光の乱反射を検知するように構成されているため、膜種の反射率、透過率等の影響を受けにくい。したがって、各工程ごとに検査条件を設定する必要はなく、一部またはすべての工程の検査条件を共通化することも可能である。例えば、図１に示された各中間検査工程Ｓ１０では、それぞれ同一の中間検査装置３０を用いることができる。また、図１に示された各中間検査工程Ｓ１０の一部またはすべての工程において、検査条件を共通化することもできる。
　画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像されたフォトマスク１８の画像（第１のフォトマスク画像）を受け取り、この画像を処理する。画像処理は特に限られないが、例えば、撮像装置３４から受け取った画像を所定の閾値により２値化して解析してもよい。その後、画像処理装置４５は、画像処理された第１のフォトマスク画像に含まれる、異物１９に起因する凹凸面である可能性のあるデータ、すなわち異物候補のデータが存在するか否かを判断する。
　第１のフォトマスク画像に異物候補のデータが存在しない場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で当該フォトマスク１８上に異物候補がないと判断された場合、製造途中のフォトマスク１８は、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１～Ｓ６）における次工程に送られる。
　一方、第１のフォトマスク画像に異物候補のデータが存在する場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で当該フォトマスク１８上に異物候補があると判断された場合、この異物候補のフォトマスク１８上の座標（Ｘ座標、Ｙ座標）を特定し、得られた座標のデータをリスト化する。なお、このデータには、異物候補の大きさについてのデータを含んでいてもよい。異物候補の座標が取得されると、次に、画像処理装置４５は、このリスト内の座標のデータに基づいて、当該フォトマスク１８上の各異物候補の位置を含む領域を撮像するよう、撮像装置３４に指示する。
　撮像装置３４は、画像処理装置４５からの指示に基づいて、各異物候補の位置を含む領域を撮像する。これにより第２のフォトマスク画像が取得される。第２のフォトマスク画像を取得する際には、光源として第２の光源５２が使用される。このとき、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４は、撮像装置３４の光軸上に位置させる。第２の光源５２から出射した照明光は、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４で反射してフォトマスク１８へ向かい、フォトマスク１８の被検査面を照明する。被検査面で反射した光は、ハーフミラー装置５３のハーフミラー５４を透過して撮像装置３４へ入射する。このとき撮像装置３４は、フォトマスク１８の検査領域を第１のフォトマスク画像を取得する際の撮像倍率よりも大きい撮像倍率で撮像する。すなわち、第２のフォトマスク画像は、第１のフォトマスク画像よりも拡大されて撮像される。
　画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像された第２のフォトマスク画像を受け取り、必要に応じて画像処理を行い、第２のフォトマスク画像を表示装置４６へ送る。
　表示装置４６は、第２のフォトマスク画像を表示する。オペレータ等は、表示装置４６に表示された第２のフォトマスク画像を観察し、異物候補の位置に実際に異物１９が存在しているか否かを目視により確認する（目視検査工程Ｓ２１）。この目視検査工程Ｓ２１で異物なしと判断された場合、当該フォトマスク１８は、オペレータ等による入力装置への入力等により、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１～Ｓ６）における次工程に送られる。一方、目視検査工程Ｓ２１で異物ありと判断された場合は、図１４のＡへ進み、オペレータ等による入力装置への入力等により、後述の異物除去工程Ｓ３０を行う。
　コンピュータの画像処理等による自動検査では、不良品を良品と判定してしまう（例えば、異物が存在するのに異物なしと判定してしまう）「見逃し」を防止する観点から判定基準を厳しく設定すると、良品を不良品と判定してしまう（例えば、異物が存在しないのに異物ありと判定してしまう）「見過ぎ」が生じ得る。この「見過ぎ」の発生は製品歩留まりの低下の原因となる。一方、図１４に示された例では、自動検査工程Ｓ２０で異物候補ありと判断された場合に、フォトマスク１８上の異物１９の有無をオペレータが目視により確認し、オペレータが異物なしと判断した場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で見過ぎが生じていた場合、当該フォトマスク１８は、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１～Ｓ６）における次工程に送られる。したがって、異物１９の見逃しを防止しつつ、製品歩留まりの向上を図ることができる。
　ところで、マスクブランクス１１にはパターンが形成されていないため、ブランクス準備工程Ｓ１後からレジストパターン描画工程Ｓ３後まで（現像工程Ｓ４の前まで）の中間検査工程Ｓ１０では、例えばマスクブランクス１１の中心を座標原点として用いる。一方、現像工程Ｓ４以降の中間検査工程Ｓ１０においては、作製途中のフォトマスク１８上に形成された特定のパターンを座標原点として用いることができる。このとき、特定パターンでなく、フォトマスク１８の中心などを座標原点として用いると、中間検査装置の座標位置出し精度などの絶対座標精度が誤差に含まれ得る。これに対して、中間検査工程Ｓ１０においてフォトマスク１８上に形成された特定のパターンを座標原点とすることで、誤差を相対座標精度とすることができ、誤差範囲を小さくすることが可能になる。これにより、後述の検査結果データの照合の際の一致精度を向上させることができる。また、複数の中間検査工程Ｓ１０間では、共通の特定のパターンを座標原点として用いることにより、検査結果データの照合の際の一致精度のさらなる向上を図ることができる。
　次に、図１５を参照して、中間検査工程Ｓ１０に続いて行われ得る異物除去工程Ｓ３０、異物検査工程Ｓ３１および欠陥確認工程Ｓ３２について説明する。図１５は、異物除去工程Ｓ３０、異物検査工程Ｓ３１および欠陥確認工程Ｓ３２の流れを示すフローチャートである。
　図１５に示された例では、製造途中のフォトマスク１８が中間検査工程Ｓ１０で異物ありと判断された場合、とりわけ図１４に示された例において目視検査工程Ｓ２１でオペレータの目視により異物ありと判断された場合、当該異物を除去するための異物除去工程Ｓ３０を行う。異物除去工程Ｓ３０では、例えば、純水等を用いて、フォトマスク１８を洗浄し異物除去できる。また、マイクロマニュピレーターなどの装置を用い、マイクロマニュピレーターに備えられた針により異物を物理的に除去するようにしても良い。これにより、純水等による洗浄では除去しきれなかった異物も除去することができる。
　異物除去工程Ｓ３０の後、当該フォトマスク１８上の異物の有無を確認する異物検査工程Ｓ３１が行われる。異物検査工程Ｓ３１は、例えば、上述の中間検査工程Ｓ１０における、自動検査工程Ｓ２０または目視検査工程Ｓ２１と同様の方法、あるいは、自動検査工程Ｓ２０および目視検査工程Ｓ２１の組み合わせにより行うことができる。また、中間検査工程Ｓ１０で用いた中間検査装置３０を用いて異物検査工程Ｓ３１を行うこともできる。
　異物検査工程Ｓ３１で、フォトマスク１８上に異物ありと判断された場合、当該フォトマスク１８について再度異物除去工程Ｓ３０を行う。これを異物検査工程Ｓ３１で異物なしと判断されるまで繰り返す。または、異物除去工程Ｓ３０を所定の回数繰り返しても異物検査工程Ｓ３１で異物ありと判断される場合には、当該フォトマスク１８を取り除くようにしてもよい。
　異物検査工程Ｓ３１で、フォトマスク１８上に異物なしと判断された場合、当該フォトマスク１８の欠陥を確認する欠陥確認工程Ｓ３２を行う。欠陥確認工程Ｓ３２は、例えば、上述の中間検査工程Ｓ１０における目視検査工程Ｓ２１と同様の方法により行うことができる。また、中間検査工程Ｓ１０で用いた中間検査装置３０を用いて欠陥確認工程Ｓ３２を行うこともできる。好ましくは、異物検査工程Ｓ３１に引き続いて、すなわち異物検査工程Ｓ３１と連続して欠陥確認工程Ｓ３２を行うことができる。この欠陥確認工程Ｓ３２では、フォトマスク１８について、例えば、欠陥なし、修正可能な欠陥あり、修正不可能な欠陥あり、のいずれに該当するかが判定される。ここで、修正可能な欠陥とは、例えば、その後のフォトマスク製造工程において除去される部位への欠陥を例示することができ、修正不可能な欠陥とは、例えば、形成されるべき部位の欠損等を例示することができる。
　欠陥確認工程Ｓ３２で、当該フォトマスク１８が、欠陥なしと判定された場合、および、修正可能な欠陥ありと判定された場合、当該フォトマスク１８は、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１～Ｓ６）における次工程に送られる。当該フォトマスク１８が、修正可能な欠陥ありと判定された場合は、その後の工程のいずれかにおいて当該欠陥の修正を行うための特別な処理を実施してもよい。一方、欠陥確認工程Ｓ３２で、当該フォトマスク１８が、修正不可能な欠陥ありと判定された場合は、当該フォトマスク１８を除去する。除去されたフォトマスク１８は、廃棄することもできるし、フォトマスク１８のブランクス１１上に形成されたレジスト層１５を剥離して、当該ブランクス１１をブランクス準備工程Ｓ１に戻すこともできる。
　フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程の後、フォトマスク１０の遮光パターン１４の良否を確認する最終検査工程Ｓ４０が行われる。とりわけ図１に示された例では、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１～Ｓ６）のうちのレジスト層除去工程Ｓ６の後に、形成された遮光パターン１４の良否を確認する最終検査工程Ｓ４０が行われる。
　最終検査工程Ｓ４０では、例えば、遮光パターン１４の寸法、位置の不良、遮光パターン１４における断線、短絡、黒点、白点の発生等の不良が遮光パターン１４に生じているか否かを確認する。最終検査工程Ｓ４０における検査方法は特に限られず、公知の方法がいずれも採用できる。例えば、フォトマスク１０に、可視光、紫外光（ＵＶ）等のレーザ光を照射し、フォトマスク１０の遮光パターン１４で反射した反射光、または、フォトマスク１０の遮光パターン１４が形成されていない箇所を透過した透過光、を撮像装置で撮像し、反射光による反射画像または透過光による透過画像を画像処理または目視することにより、フォトマスク１０の遮光パターン１４の良否を確認することができる。
　最終検査工程Ｓ４０で用いられる最終検査装置は、ＬＳＩ等の配線の微細化によりフォトマスクの遮光パターンも微細化されていることから、比較的高い分解能を有する。一方、中間検査工程Ｓ１０で検出されるべき異物１９は、ＬＳＩ等の配線の幅、高さ、ピッチ等の寸法（例えば、数十～数百ｎｍ）に比べて十分に大きな寸法（例えば、数μｍ）を有している。例えば、中間検査工程Ｓ１０で検出されるべき異物１９は、ＬＳＩ等の配線の幅、高さ、ピッチ等の寸法に比べて１００倍程度の寸法を有している。これにより、中間検査工程Ｓ１０で要求される光学系の性能（分解能）と最終検査工程Ｓ４０で要求される光学系の性能（分解能）とは、大きく異なる。本実施形態では、中間検査工程Ｓ１０で用いられる中間検査装置３０の撮像装置３４として、最終検査工程Ｓ４０で用いられる最終検査装置の撮像装置の分解能に比べて低い分解能を有する撮像装置を用いることができる。
　このように、中間検査工程Ｓ１０で用いる中間検査装置３０が、最終検査工程Ｓ４０で用いる最終検査装置よりも低い分解能を有する場合、中間検査装置３０として安価な検査装置を用いることができ、中間検査装置３０の低コスト化を図ることができる。
　以上に説明した本実施形態のフォトマスクの製造方法は、フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク１８上の異物検査を行う中間検査工程Ｓ１０を含んでいる。
　このようなフォトマスクの製造方法によれば、フォトマスクの製造工程中のどの工程で問題が生じているのかを迅速に特定することができる。また、フォトマスクの製造途中で、修正不可能な欠陥が生じているフォトマスク１８を発見することができる。これにより、当該フォトマスク１８を、その後の工程を行うことなく、すなわち無駄になる工程を行うことなく、製造工程から除去することができる。とりわけ、遮光膜エッチング工程Ｓ５を行う前に除去されたフォトマスク１８は、フォトマスク１８のブランクス１１上に形成されたレジスト層１５を剥離して、当該ブランクス１１をブランクス準備工程Ｓ１に戻すことが可能であり、これにより、廃棄するフォトマスク１８を減少させ、製品歩留まりの向上を図ることができる。
　また、本実施形態のフォトマスク上の異物検査を行うための検査装置３０は、フォトマスク１８を撮像する撮像装置３４と、撮像装置３４で撮像された画像を処理する画像処理装置４５と、画像処理装置４５で処理された画像を表示する表示装置４６とを備え、画像処理装置４５は、撮像装置３４で撮像された第１のフォトマスク画像からフォトマスク１８上に存在する可能性のある異物候補の座標を取得し、撮像装置３４は、前記座標に基づいてフォトマスク１８を撮像し、第２のフォトマスク画像を取得し、表示装置４６は、第２のフォトマスク画像を表示する。
　このような検査装置３０によれば、画像処理装置４５によりフォトマスク１８上に異物候補が発見されたときに、撮像装置３４が異物候補のさらなる画像（第２のフォトマスク画像）を取得し、第２のフォトマスク画像を表示装置４６で表示することができる。これにより、第２のフォトマスク画像をオペレータが目視で確認し、オペレータが異物なしと判断した場合には、当該フォトマスク１８を、フォトマスク製造のための各工程における次工程に送ることができる。したがって、異物１９の見逃しを防止しつつ、製品歩留まりの向上を図ることができる。
（第２の実施形態）
　次に、図１６～図２２を参照して、本発明による第２の実施形態について説明する。
　本実施形態では、情報処理装置７０が、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造のための各工程のうちの前記第１の工程以外のいずれかである第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果、および、製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果、のうちの少なくともいずれかと、を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う。
　以下、本実施形態で用いられる検査システム６０、検査システム６０による検査方法、および、この検査方法を含むフォトマスクの製造方法について説明していく。
（１．検査システム６０）
　図１６は本発明の実施形態に係る検査システム６０を示す図である。図１６に示すように、検査システム６０は情報処理装置（画像処理装置）７０、検査装置（検査装置）６５ａ～６５ｈ等を備える。
　図１７は情報処理装置７０のハードウェア構成を示す図である。図１７に示すように、情報処理装置７０は、例えば制御部７１、記憶部７２、入力部７３、表示部（表示装置）７４、通信部７５等をバス７６により接続して構成されたコンピュータなどにより実現できる。但しこれに限ることなく、適宜様々な構成をとることができる。
　制御部７１は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどから構成される。ＣＰＵは、記憶部７２、ＲＯＭなどの記録媒体に格納された情報処理装置７０の処理に係るプログラムをＲＡＭ上のワークメモリ領域に呼び出して実行する。ＲＯＭは不揮発性メモリであり、コンピュータのブートプログラムやＢＩＯＳなどのプログラム、データなどを恒久的に保持している。ＲＡＭは揮発性メモリであり、記憶部７２、ＲＯＭなどからロードしたプログラムやデータを一時的に保持するとともに、制御部７１が各種処理を行うために使用するワークエリアを備える。
　記憶部７２は例えばハードディスクドライブであり、制御部７１が実行するプログラム、プログラム実行に必要なデータ、ＯＳなどが格納される。これらのプログラムやデータは、制御部７１により必要に応じて読み出され、ＲＡＭに移して実行される。本実施形態では、後述する検査結果データのデータベースが記憶部７２に保持される。
　入力部７３はデータの入力を行い、例えばキーボード、マウスなどのポインティングデバイス、テンキーなどの入力装置を有する。表示部７４は、液晶パネルなどのディスプレイ装置と、ディスプレイ装置と連携して表示機能を実現するための論理回路（ビデオアダプタ等）を有する。通信部７５は、ネットワーク等を介した通信を媒介する通信インタフェースであり、他の装置との間で通信を行う。バス７６は、各部間の制御信号、データ信号等の授受を媒介する経路である。
　検査装置６５ａ～６５ｈは、ブランクス（マスクブランクス）、および、製造段階のフォトマスク（製造途中のフォトマスク）の検査を行うものである。本実施形態では、検査装置６５ａによりブランクスの欠陥検査を行い、ブランクス表面のキズ、凹凸、異物等を含む各種の欠陥を検出する。また検査装置６５ｂ～６５ｈによりフォトマスク製造時の各プロセス工程（フォトマスク製造のための各工程）の後の製造段階のフォトマスクの異物検査を行う。これにより、製造段階のフォトマスク上の異物が検出される。なお、検査システム６０は、この他にも、製造後のフォトマスク８０の欠陥検査（最終検査）を行う最終検査装置を有している。最終検査装置では、フォトマスクのパターンの欠落、短絡、異物の付着等を含む各種の欠陥の検出が行われる。
　検査装置６５ａ～６５ｈは、異物や欠陥を検出でき、その座標が特定できるものであれば特に問わないが、例えば検査装置６５ｂ～６５ｈとしては、検査対象物の検査領域の周囲から検査光を照射し、検査領域上の異物から散乱反射した検査光の一部を検査領域上方のカメラで受光することで検査領域の撮影を行い、撮影画像に基づき異物の検出を行うものを用いることができる。例えば、図１３を参照して説明した検査装置３０と同様の装置を用いることができる。この場合、検査対象物のパターンに関わらず高精度に異物を検出できる。
（２．フォトマスク製造時の各プロセス工程と検査結果データ３００）
　図１６のＡは、フォトマスク８０として、半導体の製造時に用いる一般的なハーフトーンマスク（遮光膜をＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）膜とするマスク）の製造工程を示したものである。
　フォトマスク８０の製造時には、（ａ）に示す、合成石英基板（透明基板）８１上にＭｏＳｉ膜８２とＣｒ（クロム）膜８３の金属薄膜（遮光層）を順に成膜したブランクスに対し、まず（ｂ）に示すようにレジスト（レジスト層）８４を塗布する。レジスト８４の塗布は、例えばスピンコートによって行われる。
　その後、（ｃ）に示すように、電子ビームやレーザービームを用いて、レジスト８４にＬＳＩ（大規模集積回路）パターン（レジストパターン）を描画する。レジスト８４がポジ型レジストの場合、描画箇所８４ａはゲル化するので、（ｄ）に示すように現像を行うことにより、描画箇所８４ａのレジストを除去できる。
　その後、（ｅ）に示すように残ったレジスト８４をマスクとしてＣｒ膜８３のエッチングを行い、（ｆ）に示すようにレジスト８４を剥膜する。次に（ｇ）に示すようにＣｒ膜８３をマスクとしてＭｏＳｉ膜８２のエッチングを行うと、ＬＳＩパターンがＭｏＳｉ膜８２のエッチング部分として形成される。（ｈ）に示すようにマスクとして用いたＣｒ膜８３を剥膜すると、ＬＳＩパターンを有するＭｏＳｉ膜（遮光パターン）を有するフォトマスク８０が製造される。なお、以上の工程の前後では、適宜、ブランクス、製造段階のフォトマスク、製造後のフォトマスク８０の洗浄が行われる。
　本実施形態では、検査装置６５ａによりブランクスの欠陥検査が行われ、検査装置６５ｂ～６５ｇにより（ｂ）～（ｈ）の各プロセス工程の後の製造段階のフォトマスクの異物検査が行われる。最終的に製造されたフォトマスク８０は、最終検査装置によって欠陥検査が行われる。検査装置６５ａ～６５ｈおよび最終検査装置による検査結果は情報処理装置７０に入力され、記憶部７２のデータベースに検査結果データとして記録される。
　図１８は検査結果データ３００の一例であり、製品識別情報である製品番号で示されるフォトマスク製品ごとに、ブランクスの欠陥検査の検査結果、および各プロセス工程の後の製造段階のフォトマスクについての異物検査の検査結果が記録される。また、製造されたフォトマスク８０に対して欠陥検査を行った検査結果も同じく記録される。検査結果は異物や欠陥の座標を含み、本実施形態ではさらに異物や欠陥のサイズも併せて記録される。但し検査結果の内容はこれに限ることはない。例えばその他の情報も検査結果として併せて記録することができ、またブランクスの欠陥検査やレジスト塗布後等の異物検査を省略することも可能である。
（３．情報処理装置７０の処理）
　次に、情報処理装置７０が行う処理について、図１９を参照して説明する。図１９は情報処理装置７０の処理を示すフローチャートであり、図の各ステップは情報処理装置７０の制御部７１が実行する。
　本実施形態では、まずユーザが、製品番号と、座標が一致するとみなす誤差範囲を入力する。情報処理装置７０はこの入力を受付けて（Ｓ５１）、製品番号に対応する検査結果データ３００を取得し、異物や欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う（Ｓ５２）。
　照合の方法は特に限定されないが、例えば、図１８に示すような検査結果データ３００のうち１つの検査結果を基準とし、その検査結果の座標から誤差範囲内にある座標を含む、別の検査時の検査結果があるかどうかを判定する。そのような検査結果が無い場合には、基準とした検査結果のみを照合結果として抽出し、そのような検査結果が有る場合には、当該検査結果と、基準とした検査結果とを合わせて照合結果として抽出する。以降、残りの検査結果について同様の処理を繰り返す。
　基準とする検査結果も特に問わないが、例えば、製造後のフォトマスク８０の欠陥検査の検査結果を基準としておくと、欠陥の座標から誤差範囲内にある異物の座標を含む、プロセス工程後等の検査結果が抽出されるので、異物の発生とマスクに発生した欠陥の対応を確実にとることができ、欠陥の原因となった異物の発生工程を特定することが容易になる。
　図２０（ａ）～（ｃ）は照合結果３０１の例であり、座標に基づく照合結果３０１として、１または複数の検査結果が抽出される。複数の検査結果が照合結果３０１として抽出される場合には、通常、それらの検査時は前後に連続している。
　これらの照合結果３０１は表示部７４等で表示され（Ｓ５３）、ユーザは、ある工程で異物が付着しフォトマスクの欠陥の原因となった、あるいは、異物がある工程で付着しその後のいずれかの工程で除去された、というような異物の発生状況を素早く特定することができるようになる。
　図２０（ａ）に、照合結果３０１の一例が示されている。図示された例では、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程が、ＭｏＳｉ膜８２のエッチング工程（工程ｇ）であり、第１の中間検査工程が、検査装置６５ｇで行われる異物検査であり、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程以外のいずれかである第２の工程が、Ｃｒ膜の剥膜工程（工程ｈ）であり、第２の中間検査工程が、検査装置６５ｈで行われる異物検査である。すなわち、図２０（ａ）の照合結果３０１は、情報処理装置が、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、フォトマスク製造のための各工程のうちの第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果と、製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果と、を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行った例である。図示された照合結果３０１では、ＭｏＳｉ膜８２のエッチング工程で付着した異物が、Ｃｒ膜８３の剥膜工程でも除去されず、製造後のフォトマスク８０の欠陥の原因となったことが判る。
　図２０（ｂ）に、照合結果３０１の他の例が示されている。図示された例では、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程が、レジスト８４の現像工程（工程ｄ）であり、第１の中間検査工程が、検査装置６５ｄで行われる異物検査であり、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程以外のいずれかである第２の工程が、Ｃｒ膜のエッチング工程（工程ｅ）であり、第２の中間検査工程が、検査装置６５ｅで行われる異物検査である。すなわち、図２０（ｂ）の照合結果３０１は、情報処理装置が、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、フォトマスク製造のための各工程のうちの第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果と、を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物の座標に基づく検査結果の照合を行った例である。図示された照合結果３０１では、レジスト８４の現像工程で付着した異物が、次の工程（ここではＣｒ膜８３のエッチング工程）で除去されたことが判る。
　図２０（ｃ）に、照合結果３０１のさらに他の例が示されている。図示された例では、フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程が、レジスト８４の現像工程（工程ｄ）であり、第１の中間検査工程が、検査装置６５ｄで行われる異物検査であり、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程以外のいずれかである第２の工程が、Ｃｒ膜のエッチング工程（工程ｅ）であり、第２の中間検査工程が、検査装置６５ｅで行われる異物検査であり、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程および第２の工程以外のいずれかである第３の工程が、レジスト８４の剥膜工程（工程ｆ）であり、第３の中間検査工程が、検査装置６５ｆで行われる異物検査である。すなわち、図２０（ｃ）の照合結果３０１は、情報処理装置が、フォトマスク製造のための各工程のうちの第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、フォトマスク製造のための各工程のうちの第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果と、フォトマスク製造のための各工程のうちの第３の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第３の中間検査工程で得られた検査結果と、を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物の座標に基づく検査結果の照合を行った例である。図示された照合結果３０１では、現像工程で付着した異物が、Ｃｒ膜８３のエッチング工程では除去されなかったが、その次の工程（ここではレジスト８４の剥膜工程）では除去されたことが判る。
　検査結果データ３００の具体的な記録方法および検査結果データ３００の表示部７４への具体的な表示方法等は特に限られず、必要に応じて適宜設定することができる。例えば、各工程での検査結果を照合し、検査結果の座標が一致するとみなす所定の誤差範囲内の座標に存在する異物または欠陥をグループ化し、グループ化された異物または欠陥についてのデータを、列または行ごとにまとめて表示してもよい。このような表示の一例について、図２１および図２２を参照して説明する。
　図２１は、図１８を参照して説明した検査結果データ３００の他の例であり、図１８に示された例と同様に、製品識別情報である製品番号（製品番号００２）で示されるフォトマスク製品について、ブランクスの欠陥検査の検査結果、および各プロセス工程の後の製造段階のフォトマスクについての異物検査の検査結果が記録されている。また、製造されたフォトマスク８０に対して欠陥検査を行った検査結果も同じく記録されている。検査結果は異物や欠陥の座標を含み、さらに異物や欠陥のサイズも併せて記録されている。
　図２２は、図２１の検査結果データ３００の、情報処理装置７０による照合結果を表示する方法の一例を示す図であり、図２１の検査結果データ３００の照合結果３０１の、情報処理装置７０の表示部７４上での表示例である。図２２に示された例では、各工程での検査結果を照合し、検査結果の座標が一致するとみなす所定の誤差範囲内の座標に存在する異物または欠陥を、それぞれグループ１～グループ３にグループ化し、同じグループ内の異物または欠陥についてのデータが同じ縦列に表示されるようにしている。
　図２２に示された表示例では、各グループの異物または欠陥について以下のように分析され得る。
（グループ１）
　Ｃｒ膜エッチング後に検出された異物は、欠陥検査で検出されているので、レジスト現像後の異物検査からＣｒ膜エッチング処理前に付着し、エッチング阻害を起こした。当該異物は、その後工程のレジスト剥膜で除去された。
（グループ２）
　レジスト剥膜後に検出された異物は、レジスト剥膜処理中に付着し、ＭｏＳｉ膜エッチング後、Ｃｒ膜剥膜後にも除去されておらず、欠陥検査まで残留した。
（グループ３）
　Ｃｒ膜エッチング後に検出された異物は、欠陥検査で検出されていないので、Ｃｒ膜エッチング処理後に付着し、レジスト剥膜後には除去された。
　以上のように、図２２に示された表示例によれば、情報処理装置７０の表示部７４に表示された照合結果を見るだけで、各異物または欠陥がどの工程で発生したのかを、迅速且つ容易に判定することができる。
　また、各検査結果に異物等の撮影画像を紐付ける等しておくことで、異物の形状・材質等の情報から、プロセス工程での発塵部位や、プロセス工程で異物が除去されなかった要因（洗浄が不十分等）などを絞り込み、品質改善活動を行うこともできる。例えば、検査結果のサイズもしくは座標などの数値をクリックすると、当該サイズ、座標等に対応する撮影画像がポップアップ表示されるようにしても良い。
　以上説明したように、本実施形態では、検査結果データ３００から、異物や欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことで、フォトマスクの欠陥の原因となりうる異物について、異物がある工程で付着しフォトマスクの欠陥の原因となった、あるいは異物がある工程で付着しその後のいずれかの工程で除去された、というような発生状況を素早く特定することができ、フォトマスクの製造環境を改善することで品質を向上できる。また、ブランクスの検査結果と、プロセス工程後の検査結果との照合を行うことにより、ブランクス欠陥がフォトマスクの欠陥として残るのか否かを、フォトマスクの製造段階で素早く判断することが出来、フォトマスクの製造工期短縮につながる。
　また、本実施形態では、照合時に、検査結果の座標が一致するとみなす誤差範囲を用いるので、多少の異物等の位置ずれも許容して異物の発生状況を特定することができる。
　さらに、照合時に、製造後のフォトマスクの欠陥の座標から誤差範囲内にある異物の座標を含む検査結果を抽出することで、異物の発生とマスクに発生した欠陥の対応を確実にとることができ、欠陥の原因となった異物の発生工程を特定することが容易になる。
　なお、照合処理は、予め設定された誤差範囲にて事前に情報処理装置７０が行ってもよい。この場合、例えばＳ５１で製品番号を入力し、製造後のフォトマスク８０の欠陥検査の検査結果から欠陥の座標を一つ指定すれば、これに対応する照合結果３０１（例えば図２０（ａ）参照）が表示される、といったことも可能である。同様に、いずれかのプロセス工程後の異物検査の検査結果から異物の座標を一つ指定し、これに対応する照合結果を表示することも可能である。
　また、本実施形態では、検査結果データ３００（図１８および図２１参照）が、ブランクスの欠陥検査の検査結果、フォトマスク製造時の各プロセス工程の後の製造段階のフォトマスクの異物検査の検査結果、製造後のフォトマスク８０の欠陥検査の検査結果を有するが、検査結果データ３００はこれに限らない。検査結果データ３００は、これらの検査結果のうち、プロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果を少なくとも１つ含む、複数の検査結果を有していればよい。また、フォトマスクの構成あるいはフォトマスクの製造工程も前記したものに限ることはない。
　以下、本実施形態の好適な例について付記する。
（付記１）
　フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果と、
　ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果のうち少なくともいずれかと、
　を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことを特徴とする情報処理装置。
　これにより、検査結果データから、異物や欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことで、フォトマスクの欠陥の原因となりうる異物について、ある工程で異物が付着しフォトマスクの欠陥の原因となった、あるいは異物がある工程で付着しその後のいずれかの工程で除去された、というような発生状況を素早く特定することができ、フォトマスクの製造環境を改善することで品質を向上できる。
（付記２）
　検査結果の座標が一致するとみなす誤差範囲を用いて照合を行うことを特徴とする付記１記載の情報処理装置。
　これにより、多少の異物等の位置ずれも許容して異物の発生状況を特定することができる。
（付記３）
　前記検査結果データは、前記製造後のフォトマスクの欠陥検査の検査結果を有し、
　照合時に、前記製造後のフォトマスクの欠陥の座標から前記誤差範囲内にある異物の座標を含む検査結果を抽出することを特徴とする付記２記載の情報処理装置。
　これにより、異物の発生とマスクに発生した欠陥の対応を確実にとることができ、欠陥の原因となった異物の発生工程を特定することが容易になる。
（付記４）
　情報処理装置が、
　フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果と、
　ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果のうち少なくともいずれかと、
　を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことを特徴とする情報処理方法。
（付記５）
　コンピュータを、
　フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果と、
　ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果のうち少なくともいずれかと、
　を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う情報処理装置として機能させるためのプログラム。
（付記６）
　コンピュータを、
　フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果と、
　ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行って得られた検査結果、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果のうち少なくともいずれかと、
　を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う情報処理装置として機能させるためのプログラムを記録した記録媒体。
（付記７）
　フォトマスク製造時のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行う検査装置と、
　ブランクスの欠陥検査を行う検査装置、フォトマスク製造時の前記プロセス工程以外のプロセス工程の後で製造段階のフォトマスクの異物検査を行う検査装置、および製造後のフォトマスクの欠陥検査を行う検査装置のうち少なくともいずれかと、
　情報処理装置と、
　を備え、
　前記情報処理装置は、
　検査装置によって得られた検査結果を有する検査結果データについて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行うことを特徴とする検査システム。
　なお、上述した第１の実施形態および第２の実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を適宜参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。
　図２３に、中間検査装置３０の一変形例を示す。図２３に示された例では、中間検査装置３０は、第１撮像部４０と第２撮像部５０とを有している。
　第１撮像部４０は、第１の撮像装置４５と、第１の光源４２と、を有している。第１の撮像装置４５は、例えばＣＣＤカメラ等で構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８を撮像（撮影）可能に設けられている。好ましくは、第１の撮像装置４５は、暗視野で撮像可能な撮像装置である。図示された例では、第１の撮像装置４５は、上方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち上方を向くようにして設置され、ホルダー３５に載置されたフォトマスク１８を、その下面側から撮像することができるようになっている。第１の光源４２は、図１２および図１３を参照して説明した上述の第１の光源４２と同様に構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８の被検査面にレーザ光等の照明光を照射可能に設けられている。
　第２撮像部５０は、第２の撮像装置５５と、第２の光源５２と、ハーフミラー５４を有するハーフミラー装置５３と、を有している。第２の撮像装置５５は、例えばＣＣＤカメラ等で構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８を撮像（撮影）可能に設けられている。好ましくは、第２の撮像装置５５は、明視野で撮像可能な撮像装置である。図示された例では、第２の撮像装置５５は、上方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち上方を向くようにして設置され、ホルダー３５に載置されたフォトマスク１８を、その下面側から撮像することができるようになっている。第２の光源５２およびハーフミラー装置５３は、図１２および図１３を参照して説明した上述の第２の光源５２およびハーフミラー装置５３と同様に構成され、ホルダー３５上に載置された製造途中のフォトマスク１８の被検査面に照明光を照射可能に設けられている。
　中間検査装置３０のホルダー３５は、製造途中のフォトマスク１８を載置可能に設けられ、図示しない駆動機構により第１撮像部４０および第２撮像部５０の間を移動可能に構成されている。
　本変形例では、第１撮像部４０および画像処理装置４５を用いて自動検査工程Ｓ２０が行われる。まず、第１撮像部４０の第１の撮像装置４５により第１のフォトマスク画像が取得される。第１のフォトマスク画像を取得する際には、光源として第１の光源４２が使用される。第１の撮像装置４５は、暗視野でフォトマスク１８の撮像を行う。なお、本変形例では、第１の撮像装置４５の撮像倍率は、第２の撮像装置５５の撮像倍率よりも相対的に小さくなるように設定される。
　画像処理装置４５は、第１の撮像装置４５で撮像されたフォトマスク１８の画像（第１のフォトマスク画像）を受け取り、この画像を処理する。その後、画像処理装置４５は、画像処理された第１のフォトマスク画像に含まれる、異物１９に起因する凹凸面である可能性のあるデータ、すなわち異物候補のデータが存在するか否かを判断する。
　第１のフォトマスク画像に異物候補のデータが存在しない場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で当該フォトマスク１８上に異物候補がないと判断された場合、製造途中のフォトマスク１８は、フォトマスク製造のための各工程（Ｓ１～Ｓ６）における次工程に送られる。
　一方、第１のフォトマスク画像に異物候補のデータが存在する場合、すなわち自動検査工程Ｓ２０で当該フォトマスク１８上に異物候補があると判断された場合、この異物候補のフォトマスク１８上の座標（Ｘ座標、Ｙ座標）を特定し、得られた座標のデータをリスト化する。異物候補の座標が取得されると、次に、画像処理装置４５は、このリスト内の座標のデータに基づいて、当該フォトマスク１８上の各異物候補の位置を含む領域を撮像するよう、第２撮像部５０の第２の撮像装置５５に指示する。また、ホルダー３５を、第２撮像部５０の検査位置、すなわち、第２撮像部５０の第２の撮像装置５５の上方へ移動する。
　第２の撮像装置５５は、画像処理装置４５からの指示に基づいて、各異物候補の位置を含む領域を撮像する。これにより第２のフォトマスク画像が取得される。第２のフォトマスク画像を取得する際には、光源として第２の光源５２が使用される。第２の撮像装置５５は、明視野でフォトマスク１８の撮像を行う。なお、本変形例では、第２の撮像装置５５の撮像倍率は、第１の撮像装置４５の撮像倍率よりも相対的に大きくなるように設定されており、これにより、第２の撮像装置５５は、フォトマスク１８の検査領域を第１のフォトマスク画像を取得する際の撮像倍率よりも大きい撮像倍率で撮像する。すなわち、第２のフォトマスク画像は、第１のフォトマスク画像よりも拡大されて撮像される。
　画像処理装置４５は、第２の撮像装置５５で撮像された第２のフォトマスク画像を受け取り、必要に応じて画像処理を行い、第２のフォトマスク画像を表示装置４６へ送る。
　表示装置４６は、第２のフォトマスク画像を表示する。オペレータ等は、表示装置４６に表示された第２のフォトマスク画像を観察し、異物候補の位置に実際に異物１９が存在しているか否かを目視により確認する（目視検査工程Ｓ２１）。
　図２４に、中間検査装置３０の他の変形例を示す。図２４に示された例は、図２３を参照して説明した変形例の中間検査装置３０の上下を反転したものである。
　図２４に示された例では、中間検査装置３０は、製造途中のフォトマスク１８を載置可能に設けられ、図示しない駆動機構により移動可能とされたステージ４８を有している。製造途中のフォトマスク１８は、被検査面が上側を向くようにして、ステージ４８上に載置されている。なお、ステージ４８には、フォトマスク１８をステージ４８に対して位置決めし固定する固定機構が設けられていてもよい。また、フォトマスク１８はステージ４８上に直接載置されてもよいし、フォトマスク１８を保持したパレットをステージ４８上に載置するようにしてもよい。
　図示された例では、第１の撮像装置４５は、下方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち下方を向くようにして設置され、ステージ４８に載置されたフォトマスク１８を、その上面側から撮像することができるようになっている。また、第２の撮像装置５５は、下方の映像が撮像可能になるようにしてすなわち下方を向くようにして設置され、ステージ４８に載置されたフォトマスク１８を、その上面側から撮像することができるようになっている。
　図２３または図２４を参照して説明した各変形例においても、中間検査工程Ｓ１０で用いられる中間検査装置３０として、最終検査工程Ｓ４０で用いられる最終検査装置の分解能に比べて低い分解能を有する検査装置を用いることができる。とりわけ、図２３または図２４に示した、第１撮像部４０および第２撮像部５０を有する中間検査装置３０を用いる場合、第１の撮像装置４５および第２の撮像装置５５のうち相対的に高い分解能を有する撮像装置４５，５５が、最終検査装置の撮像装置の分解能に比べて低い分解能を有するものとすることができる。
　他の変形例として、上述した実施の形態では、中間検査工程Ｓ１０は、自動検査工程Ｓ２０および目視検査工程Ｓ２１の２段階で行われた。しかし、これに限られず、中間検査工程Ｓ１０では、自動検査工程Ｓ２０および目視検査工程Ｓ２１のいずれか一方のみが行われるようにしてもよい。
　他の変形例として、中間検査工程Ｓ１０においてフォトマスク１８上に異物ありと判断された場合に、異物除去工程Ｓ３０に進むことなく、当該フォトマスク１８を製造工程から除去するようにしてもよい。
　なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

Claims (10)

  1. 　フォトマスクの製造方法であって、
    　フォトマスク製造のための各工程のうちの最終工程前に、製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う中間検査工程を含む、フォトマスクの製造方法。
  2. 　フォトマスク製造のための各工程のうちの前記最終工程後に、フォトマスクの遮光パターンの良否を確認する最終検査工程をさらに含む、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
  3. 　前記中間検査工程で用いる中間検査装置は、前記最終検査工程で用いる最終検査装置よりも低い分解能を有する、請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
  4. 　前記中間検査工程で異物が存在すると判断された製造途中のフォトマスク上の異物を除去する異物除去工程をさらに有する、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
  5. 　前記異物除去工程後に、前記異物が除去された製造途中のフォトマスクの欠陥を確認する欠陥確認工程をさらに有する、請求項４に記載のフォトマスクの製造方法。
  6. 　前記欠陥確認工程において、欠陥なしと判定された製造途中のフォトマスク、および、欠陥はあるが当該欠陥が修正可能と判断された製造途中のフォトマスク、をフォトマスクの製造工程に戻す、請求項５に記載のフォトマスクの製造方法。
  7. 　情報処理装置が、
    　フォトマスク製造のための各工程のうちのいずれかである第１の工程の後に製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第１の中間検査工程で得られた検査結果と、
    　ブランクスの欠陥検査を行って得られた検査結果、フォトマスク製造のための各工程のうちの前記第１の工程以外のいずれかである第２の工程の後で製造途中のフォトマスク上の異物検査を行う第２の中間検査工程で得られた検査結果、および、製造後のフォトマスクの欠陥検査を行って得られた検査結果、のうちの少なくともいずれかと、
    　を有する検査結果データを用いて、前記検査結果に含まれる異物または欠陥の座標に基づく検査結果の照合を行う、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
  8. 　フォトマスク上の異物検査を行う検査装置であって、
    　前記検査装置は、フォトマスクを撮像する撮像装置と、前記撮像装置で撮像された画像を処理する画像処理装置と、前記画像処理装置で処理された画像を表示する表示装置とを備え、
    　前記画像処理装置は、前記撮像装置で撮像された第１のフォトマスク画像からフォトマスク上に存在する可能性のある異物候補の座標を取得し、
    　前記撮像装置は、前記座標に基づいて前記フォトマスクを撮像し、第２のフォトマスク画像を取得し、
    　前記表示装置は、前記第２のフォトマスク画像を表示する、検査装置。
  9. 　前記撮像装置は、前記フォトマスクを下面側から撮像する、請求項８に記載の検査装置。
  10. 　前記撮像装置は、前記第１のフォトマスク画像を撮像する第１の撮像装置と、前記第２のフォトマスク画像を撮像する第２の撮像装置と、を有する、請求項８に記載の検査装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128538A (ja) * 1987-11-13 1989-05-22 Hitachi Ltd 異物検査装置
JPH04129210A (ja) * 1990-09-20 1992-04-30 Fujitsu Ltd Ｘ線マスク検査装置
JPH04321047A (ja) * 1991-01-21 1992-11-11 Nikon Corp フォトマスク検査装置及びフォトマスク検査方法
JPH06308716A (ja) * 1993-04-24 1994-11-04 Toshiba Corp パターン検査装置とパターン検査方法
JP2001284234A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Toshiba Corp 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法
JP2009122708A (ja) * 2004-03-09 2009-06-04 Hoya Corp マスクブランク情報取得方法及びシステム、マスクブランク情報提供方法、転写マスク作製支援及び製造方法並びにマスクブランク製造及び提供方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3472600B2 (ja) * 1993-08-25 2003-12-02 株式会社日立製作所 半導体デバイスの製造方法
JPH10267860A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 異物検査装置
JP3938227B2 (ja) * 1997-08-07 2007-06-27 株式会社ルネサステクノロジ 異物検査方法および装置
JP4170569B2 (ja) * 2000-06-02 2008-10-22 大日本印刷株式会社 基板選択装置
JP4623809B2 (ja) * 2000-09-29 2011-02-02 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 ウエハ表面検査装置及びウエハ表面検査方法
JP3093632U (ja) * 2002-03-01 2003-05-16 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク
JP4095860B2 (ja) * 2002-08-12 2008-06-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
JP2006275743A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 欠陥検査方法
US9037280B2 (en) * 2005-06-06 2015-05-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for performing one or more defect-related functions
JP4359689B2 (ja) * 2007-02-09 2009-11-04 レーザーテック株式会社 検査装置及び検査方法、パターン基板の製造方法
JP2009068913A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Hitachi High-Technologies Corp 画像処理装置及び欠陥検査装置
JP2009097928A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP5352144B2 (ja) * 2008-07-22 2013-11-27 株式会社荏原製作所 荷電粒子ビーム検査方法及び装置
JP5282476B2 (ja) * 2008-08-07 2013-09-04 大日本印刷株式会社 フォトマスクの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128538A (ja) * 1987-11-13 1989-05-22 Hitachi Ltd 異物検査装置
JPH04129210A (ja) * 1990-09-20 1992-04-30 Fujitsu Ltd Ｘ線マスク検査装置
JPH04321047A (ja) * 1991-01-21 1992-11-11 Nikon Corp フォトマスク検査装置及びフォトマスク検査方法
JPH06308716A (ja) * 1993-04-24 1994-11-04 Toshiba Corp パターン検査装置とパターン検査方法
JP2001284234A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Toshiba Corp 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法
JP2009122708A (ja) * 2004-03-09 2009-06-04 Hoya Corp マスクブランク情報取得方法及びシステム、マスクブランク情報提供方法、転写マスク作製支援及び製造方法並びにマスクブランク製造及び提供方法

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