WO2016150788A1 - Vorrichtung und verfahren zur chemischen behandlung eines halbleiter-substrats - Google Patents

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pretreatment
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fluid
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Peter Fath
Steffen Keller
Ihor Melnyk
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Rct Solutions Gmbh
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Definitions

  • the invention relates to a device for the chemical treatment of a semiconductor substrate according to the preamble of claim 1.
  • the invention further relates to a method for the chemical treatment of a semiconductor substrate.
  • a device for the chemical treatment of a silicon substrate is known.
  • the silicon substrate is first wetted over its entire surface with a protective liquid on an upper side.
  • a process fluid is applied to a lower side of the silicon substrate, which chemically treats the silicon substrate on the underside.
  • the protective liquid protects the upper side from the process fluid.
  • the protective liquid must be metered extremely precisely in order to minimize dripping off of the protective liquid from the surface of the silicon substrate and, on the other hand, a dripping down of the protective liquid from the surface can not be completely avoided, so that the protective liquid dripping down Quality of the process fluid and thus the efficiency of the device impaired.
  • the invention has for its object to provide a device that allows a simple and economical chemical treatment of a semiconductor substrate.
  • This object is achieved by a device having the features of claim 1.
  • a circumferential boundary region delimiting the protective silicon to be applied is firstly produced on the semiconductor substrate so that the protective silicon subsequently applied to the substrate top side is held thereon.
  • the circumferential boundary region preferably has the protective film.
  • the circumferential boundary region is produced by means of the pretreatment device at the substrate end faces which connect the substrate top side to the substrate bottom side, and / or at the substrate top side.
  • the protective silicon to be applied is in particular a protective liquid.
  • the protective liquid is especially hydrous.
  • the boundary area is hydrophobic.
  • the substrate top surface forms an interior of the boundary region into which the protective silicon can be introduced or applied in a simple manner. Since the boundary area holds the protective film on the substrate top, the protective film only has to be roughly metered. Furthermore, there is no dripping of the protective fluid from the substrate top, so that the quality of the process fluid is not affected by the Schutziluid. A subsequent metering of the process fluid, which results in an increased consumption of process fluid is thus not required, so that the device has an increased efficiency.
  • the process fluid is preferably a process fluid.
  • the process liquid in particular contains hydrofluoric acid and / or nitric acid, so that the process fluid forms an etching solution.
  • the device according to the invention can in particular be used for the chemical treatment of semiconductor wafers for the production of solar cells.
  • An apparatus ensures a simple chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the receiving basin serves to form a liquid bath of the pretreatment fluid or the pretreatment liquid and / or for collecting the applied pretreatment fluid which drips off from the semiconductor substrate.
  • the pretreatment fluid preferably has an erosive effect on the semiconductor substrate, wherein the boundary area is produced by the partial or layered removal of the semiconductor substrate.
  • the pretreatment fluid is a liquid etching solution.
  • An apparatus ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the pretreatment liquid can be applied to the semiconductor substrate during transport in such a way that the limiting area is produced.
  • the semiconductor substrate is, for example, wetted indirectly with the pretreatment liquid.
  • the pretreatment liquid for example the liquid etching solution, is applied to the underside of the substrate by means of the transport rollers. Due to its surface tension, the pretreatment liquid automatically moves to the substrate end faces and wets them to form the circumferential boundary region.
  • the semiconductor substrate is transported by means of the transport rollers near a liquid bath of the pretreatment liquid, so that the substrate underside is wetted directly by the liquid bath. Due to their surface tension and / or due to meniscus The pre-treatment liquid can automatically move up to an edge region on the substrate top side. The formation of the boundary region thus takes place on the substrate end faces and optionally on the substrate top side.
  • the pretreatment liquid moves, in particular by its surface tension and by a capillary effect, which results from the roughness of the substrate surface, automatically to the substrate end faces and possibly to the substrate top side.
  • the substrate surface before the pretreatment has an attractive effect on the pretreatment liquid.
  • the substrate surface is especially hydrophilic before the pretreatment.
  • An apparatus ensures an economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • An apparatus ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the fill level control ensures that the pre-treatment liquid is applied in a simple manner.
  • the fill level is regulated so that the liquid level of the pretreatment liquid is below the substrate bottom side, ie below the height level of the transport rolls, so that the transport rolls dip into the pretreatment liquid at all times.
  • the liquid level is less than a diameter of the transport rollers below the substrate bottom.
  • the liquid level is 1 mm to 30 mm, in particular 5 mm to 25 mm, and in particular 10 mm to 20 mm below the substrate bottom.
  • the fill level is controlled so that the liquid level is 0 mm to 5 mm below the substrate bottom. This is sufficient to wet the substrate end face and, if appropriate, the substrate top side with the pretreatment liquid, so that the boundary area is formed.
  • the temperature of the pretreatment liquid is in particular in a temperature range between 5 ° C and 25 ° C, preferably at room temperature.
  • the pre-treatment liquid is in particular formed as an etching solution which has an acid concentration range between 0.1% by weight and 5% by weight. Hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid and / or peroxophosphoric acid are used in particular as the acid.
  • An apparatus ensures a simple and economical treatment of the semiconductor substrate.
  • the transport speed of the semiconductor substrate in the transport direction is adjusted, so that at the highest possible transport speed nevertheless a sufficient exposure time of Vor harmonysilüsstechnik to form the boundary area is ensured.
  • a method according to claim 8 ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the boundary area formed laterally on the semiconductor substrate can be easily generated and is sufficient to hold the protective fluid on the substrate top.
  • a method according to claim 9 ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the boundary area generated at the substrate top the protective fluid or the protective liquid is effectively held on the substrate top.
  • the boundary region is formed in an edge region of the substrate top.
  • the edge area is less than 2 mm, in particular less than 1.5 mm, and in particular less than 1 mm, starting from a circumferential edge of the semiconductor substrate.
  • the pretreatment fluid is preferably a pretreatment fluid.
  • the pretreatment fluid contains hydrofluoric acid and / or nitric acid, so that the pretreatment fluid forms an etching solution.
  • a method according to claim 1 1 allows a simple way of applying the Vor harmonysilüsstechnik means of the transport rollers.
  • the pre-treatment liquid applied to the substrate underside moves automatically to the substrate end faces and from there optionally to the substrate top side so that the boundary region is formed.
  • a method according to claim 12 allows in a simple manner, the application of the pretreatment liquid directly from a liquid bath.
  • the semiconductor substrate is guided with the substrate bottom at a distance between 0 mm to 5 mm above a liquid level of the pretreatment liquid, so that the substrate bottom comes into contact with the pretreatment liquid directly or by meniscus formation. From the substrate bottom, the pretreatment liquid moves automatically to the substrate end faces and optionally further to the substrate top.
  • a method according to claim 13 ensures a simple application of the pretreatment liquid to form the boundary region.
  • a method according to claim 14 ensures an economical chemical treatment of the semiconductor substrate. Due to the rotational speed of the transport rollers, a transport speed of the semiconductor substrate can be adjusted so that a sufficient exposure time of the pretreatment fluid is ensured at the greatest possible transport speed.
  • a method according to claim 15 ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate, since only one fluid must be kept.
  • FIG. 2 is an enlarged view of a pretreatment device in a first mode of operation of the device
  • FIG. 3 is a plan view of the pretreatment device according to FIG.
  • Fig. 4 is an enlarged view of the pretreatment device according to FIG. 2 in a second mode of operation.
  • a device 1 has, for the chemical treatment of semiconductor substrates 2 in a transport direction 3, a successive pre-treatment device 4, a first application device 5, a second application device 6, cleaning devices 7 and a drying device 8.
  • the pretreatment device 4 is thus in the transport direction
  • the semiconductor substrates 2 are in particular formed as semiconductor wafers, preferably as silicon wafers.
  • the device 1 For transporting the semiconductor substrates 2, the device 1 has a multiplicity of transport rollers 9 which are supplied by the pretreatment device
  • the pretreatment device 4 has a receiving basin 13, which serves to receive a pretreatment fluid 14.
  • the pre-treatment fluid 14 is formed as a liquid, which is received in the receiving basin 13 as a liquid bath.
  • the pretreatment device 4 has a fill level measuring sensor 15.
  • the level measuring sensor 15 is arranged, for example, on the receiving basin 13.
  • the receiving basin 13 has a length L in the transport direction 3, wherein the following applies for the length L: 0.3 m ⁇ L ⁇ 1.5 m, in particular 0.4 m ⁇ L ⁇ 1.2 m and in particular 0.5 m ⁇ L ⁇ 0.8 m.
  • the pretreatment device 4 has a reservoir 16, which via a line 17 and a pump 18 with the receiving basin 13 is connected.
  • a control device 19 of the device 1 a level control 20 is implemented which is in signal communication with the level measuring sensor 15 and the pump 18.
  • a rotational speed control 21 is implemented for the transport rollers 9 arranged along the receiving basin 13, which is in signal communication with the speed measuring sensor 12 and the drive motor 10.
  • the fill level control 20 and the rotational speed control 21 are part of the pretreatment device 4.
  • the downstream first Aufrags issued 5 serves to remove the pre-treatment liquid 14 and for applying a protective fluid 22 to a respective substrate top 23 of the semiconductor substrates 2.
  • the protective fluid 22 is formed as a liquid.
  • the protective liquid 22 is distilled water.
  • the first application device 5 has an application nozzle 24, which is arranged above the transport rollers 9 and the semiconductor substrates 2 transported thereon.
  • the application nozzle 24 is connected via a line 25 and an associated pump 26 to a reservoir 27.
  • the pump 26 is in signal communication with the controller 19.
  • the downstream second application device 6 is used to apply a process fluid 28 to a respective substrate bottom 29 of the semiconductor substrate 2.
  • the process fluid 28 is formed as a liquid, which is accommodated in a receiving basin 30.
  • the second applicator 6 has corresponding to the pretreatment device 4, a level sensor 31, a reservoir 32 which is connected via a line 33 and a pump 34 to the receiving basin 30, and a level control 35.
  • a level control 35 With regard to the construction of the second application device 6, reference is made to the description of the pretreatment device 4.
  • the operation of the device 1 in a first mode of operation is as follows:
  • the pretreatment device 4 is used to generate a circumferential boundary region 36 on the respective semiconductor substrate 2, which delimits the protective fluid 22 or the protective liquid to be applied subsequently on the substrate upper side 23 by means of the first application device 5 so that the protective liquid 22 is deposited on the substrate surface.
  • Top 23 is held.
  • the filling level h in the receiving basin 13 is regulated by means of the level control 20 so that the transport rollers 9 dive into the liquid bath of pretreatment liquid 14.
  • the transport rollers 9 take during their rotation about the associated axes of rotation 1 1 pretreatment liquid 14 from the liquid bath, so that the substrate bottom 29 of the respective semiconductor substrate 2 is wetted indirectly by means of the transport rollers 9.
  • a distance d between a liquid level S of the pretreatment liquid 14 and the substrate bottom 29 is between 5 mm and 10 mm. From the substrate bottom 29, the pretreatment liquid 14 moves automatically to the peripheral substrate end faces 37th
  • the pretreatment liquid 14 is formed as an etching solution and has, in particular, hydrofluoric acid and / or nitric acid.
  • the concentration of hydrofluoric acid and / or nitric acid is between 0.1 wt .-% to 5 wt .-%.
  • the temperature of the pretreatment liquid 14 is between 7 ° C. and 25 ° C., for example 20 ° C.
  • the duration of action of the pretreatment liquid 14 is set via the rotational speed ⁇ of the transport rollers 9 and / or the length L of the receiving basin.
  • the pretreatment liquid 14 formed as an etching solution By means of the pretreatment liquid 14 formed as an etching solution, an upper layer which attracts the pretreatment liquid 14 is etched away on the substrate end faces 37, so that a lower layer repelling the pretreatment liquid 14 is uncovered.
  • the protective layer 14 repellent bottom layer is hydrophobic.
  • the contact with the pretreatment liquid 14 is self-draining so that the etching rate drops and the etching process automatically stops.
  • the encircling boundary region 36 has been produced on the substrate end faces 37, which circumscribes an inner space 38 on the substrate upper side 23.
  • the respective semiconductor substrate 2 is subsequently transported to the first application device 5, which applies the protective fluid 22 or the protective liquid to the substrate upper side 23 by means of the application nozzle 24 and the pretreatment liquid 14 from the substrate surface or the substrate upper side 23 rinses.
  • the rinsed with protective liquid 22 pretreatment liquid 14 is collected below the applicator 5 in a catch basin not shown and / or disposed of.
  • the protective liquid 22 is bounded by the boundary region 36, so that it is held on the substrate top 23. Due to the limiting region 36, only a rough dosage of the protective liquid 22 is required.
  • the respective semiconductor substrate 2 is transported to the second application device 6, which applies the process fluid 28 or the process fluid to the substrate bottom 29 by means of the transport rollers 9.
  • the process liquid 28 is formed as an etching solution and contains hydrofluoric acid and / or nitric acid for chemical treatment of the respective semiconductor substrate 2 on the substrate bottom side 29.
  • the pretreatment liquid 14 and the process liquid 28 are preferably identical, so that only one etching solution has to be provided. In particular, this etching solution can be kept in a common reservoir 16, 32.
  • the level in the receiving basin 30 is controlled by means of the level measurement sensor 31, the pump 34 and the level control 35 according to the pretreatment device 4. Due to the protective liquid 22 on the substrate top 23, the substrate top 23 is protected from undesirable chemical treatment by the process liquid 28. By keeping the protective liquid 22 within the confinement area 36, it does not drip into the receiving basin 30 and contaminates or dilutes the process liquid 28. This avoids re-metering of the process liquid 28 to maintain the corrosive effect, which reduces the consumption of chemicals.
  • the respective semiconductor substrate 2 is cleaned in the cleaning device 7 and then dried in the drying device 8.
  • the respective chemically treated semiconductor substrate 2 is now available for further processing steps.
  • the operation of the device 1 in a second mode of operation is as follows:
  • the filling level h in the receiving basin 13 is regulated so that the pretreatment liquid 14 directly reaches the substrate bottom 29 of the respective semiconductor substrate 2 and / or directly wetted by meniscus formation.
  • the level h is controlled so that the liquid level S has a distance d between 0 mm and 5 mm. Due to the liquid level S, the substrate bottom 29 is thus wetted directly with the pretreatment liquid 14.
  • the pretreatment liquid 14 automatically moves along the circumferential substrate end faces 37 to the substrate top 23. At the substrate top 23, the pretreatment liquid 14 wets a circumferential edge region of 1 mm to 10 mm.
  • the pre-treatment liquid 14 etches the top layer on the substrate end faces 37 and partially in the edge region on the substrate top 23, exposing the underlying lower layer, which is repellent to the protective liquid 22. Due to the self-limiting etching process, the lower layer is exposed on the substrate upper side 23 only in a circumferential edge region of 1 mm to 2 mm, whereas in the remaining edge region the upper layer is only etched. The substrate end faces 37 and the exposed edge region on the substrate upper side 23 thus form the peripheral boundary region 36.
  • the respective pretreated semiconductor substrate 2 is subsequently transported to the first application device 5, which applies the protective liquid 22 to the substrate upper side 23 and into the inner space 38 by means of the application nozzle 24.
  • the peripheral boundary region 36 in turn adjoins the protective liquid 22 on the substrate top 23.
  • the device 1 according to the invention and the method according to the invention are particularly suitable for processing solar cells which texturize, coated, thermally diffused, ion-implanted and / or thermally, wet-chemically and / or naturally oxidized.

Abstract

Eine Vorrichtung (1) zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats (2) weist eine Vorbehandlungseinrichtung (4) auf, die in einer Transportrichtung (3) des Halbleiter-Substrats (2) vor einer ersten Auftragseinrichtung (5) und einer zweiten Auftragseinrichtung (6) angeordnet ist. Die Vorbehandlungseinrichtung (4) dient zur Erzeugung eines umlaufenden Begrenzungsbereichs an dem Halbleiter-Substrat (2), sodass ein nachfolgendmittels der ersten Auftragseinrichtung (5) aufgebrachtes Schutzfluid (22) auf einer Substrat-Oberseite (23) eingegrenzt und gehalten wird. Hierdurch wird eine Verunreinigung eines Prozessfluids (28) durch das Schutzfluid (22) in der nachfolgenden zweiten Auftragseinrichtung (6) vermieden, wodurch die Vorrichtung (1) in einfacher Weise eine hohe Wirtschaftlichkeit aufweist.

Description

Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats
Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Pa- tentanmeldung DE 10 2015 205 437.3 in Anspruch, deren Inhalt durch Bezugnahme hierin aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die Erfin- dung betrifft ferner ein Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats.
Aus der WO 201 1/047 894 AI ist eine Vorrichtung zur chemischen Behandlung eines Silizium- Substrats bekannt. Das Silizium- Substrat wird zunächst an einer Oberseite vollflächig mit einer Schutzflüssigkeit benetzt. Anschließend wird auf eine Unterseite des Silizium- Substrats ein Prozess- fluid aufgebracht, das das Silizium- Substrat an der Unterseite chemisch behandelt. Durch die Schutzflüssigkeit wird die Oberseite vor dem Pro- zessfluid geschützt. Nachteilig ist, dass einerseits die Schutzflüssigkeit äu- ßerst genau dosiert werden muss, um ein Herabtropfen der Schutzflüssigkeit von der Oberfläche des Silizium- Substrats zu minimieren und dass andererseits ein Herabtropfen der Schutzflüssigkeit von der Oberfläche nicht vollständig vermieden werden kann, sodass die herabtropfende Schutzflüssigkeit die Qualität des Prozessfluids und damit die Wirtschaft- lichkeit der Vorrichtung beeinträchtigt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu schaffen, die eine einfache und wirtschaftliche chemische Behandlung eines Halbleiter-Substrats ermöglicht. Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Durch die der ersten Auftragseinrichtung in der Transportrichtung vorgeordnete Vorbehandlungseinrichtung wird zunächst ein umlaufender und das aufzubringende Schutziluid eingrenzender Begrenzungsbereich an dem Halbleiter-Substrat erzeugt, sodass das nachfolgend auf die Substrat-Oberseite aufgebrachte Schutziluid auf dieser gehalten wird. Der umlaufende Begrenzungsbereich weist vorzugsweise das Schutziluid ab. Der umlaufende Begrenzungsbereich wird mittels der Vorbehand- lungseinrichtung an den Substrat-Stirnseiten, die die Substrat-Oberseite mit der Substrat-Unterseite verbinden, und/oder an der Substrat-Oberseite erzeugt. Das aufzubringende Schutziluid ist insbesondere eine Schutzflüssig- keit. Die Schutzflüssigkeit ist insbesondere wasserhaltig. Wird Wasser bzw. destilliertes Wasser als Schutzflüssigkeit verwendet, ist der Begren- zungsbereich hydrophob ausgebildet. Durch den umlaufenden und das Schutziluid eingrenzenden Begrenzungsbereich bildet die Substrat- Oberseite einen Innenraum des Begrenzungsbereichs aus, in den das Schutziluid in einfacher Weise eingebracht bzw. aufgebracht werden kann. Da der Begrenzungsbereich das Schutziluid auf der Substrat-Oberseite hält, muss das Schutziluid lediglich grob dosiert werden. Weiterhin findet kein Herabtropfen des Schutzfluids von der Substrat-Oberseite statt, sodass die Qualität des Prozessfluids durch das Schutziluid nicht beeinträchtigt wird. Ein Nachdosieren des Prozessfluids, was in einem erhöhten Verbrauch an Prozessfluid resultiert, ist somit nicht erforderlich, sodass die Vorrichtung eine erhöhte Wirtschaftlichkeit aufweist. Das Prozessfluid ist vorzugsweise eine Prozessflüssigkeit. Die Prozessflüssigkeit enthält insbesondere Fluorwasserstoffsäure und/oder Salpetersäure, sodass die Prozessflüssigkeit eine Ätzlösung ausbildet. Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann insbesonde- re zur chemischen Behandlung von Halbleiter- Wafern für die Herstellung von Solarzellen eingesetzt werden.
Eine Vorrichtung nach Anspruch 2 gewährleistet eine einfache chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Das Aufnahmebecken dient zur Ausbildung eines Flüssigkeitsbads des Vorbehandlungsfluids bzw. der Vorbe- handlungsflüssigkeit und/oder zum Auffangen des aufgebrachten Vorbehandlungsfluids, das von dem Halbleiter-Substrat herabtropft. Das Vorbe- handlungsfluid hat vorzugsweise eine abtragende Wirkung auf das Halblei- ter-Substrat, wobei durch das teilweise bzw. schichtweise Abtragen des Halbleiter-Substrats der Begrenzungsbereich erzeugt wird. Vorzugsweise ist das Vorbehandlungsfluid eine flüssige Ätzlösung.
Eine Vorrichtung nach Anspruch 3 gewährleistet eine einfache und wirt- schaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Dadurch, dass die Transportrollen entlang des Aufnahmebeckens angeordnet sind und sich in das Aufnahmebecken erstrecken, kann die Vorbehandlungsflüssig- keit während des Transports auf das Halbleiter-Substrat derart aufgebracht werden, dass der Begrenzungsbereich erzeugt wird. Das Halbleiter- Sub- strat wird beispielsweise indirekt mit der Vorbehandlungsflüssigkeit benetzt. Hierzu wird die Vorbehandlungsflüssigkeit, beispielsweise die flüssige Ätzlösung, mittels der Transportrollen auf die Substrat-Unterseite aufgebracht. Die Vorbehandlungsflüssigkeit bewegt sich aufgrund ihrer Oberflächenspannung selbsttätig zu den Substrat-Stirnseiten und benetzt diese zur Ausbildung des umlaufenden Begrenzungsbereichs. Bei einer direkten Benetzung wird das Halbleiter-Substrat mittels der Transportrollen nahe einem Flüssigkeitsbad der Vorbehandlungsflüssigkeit transportiert, sodass die Substrat-Unterseite direkt durch das Flüssigkeitsbad benetzt wird. Aufgrund ihrer Oberflächenspannung und/oder aufgrund einer Meniskusbil- dung kann sich die Vorbehandlungsflüssigkeit selbsttätig bis zu einem Kantenbereich auf der Substrat-Oberseite bewegen. Die Ausbildung des Begrenzungsbereichs erfolgt somit an den Substrat-Stirnseiten und gegebenenfalls an der Substrat-Oberseite. Die Vorbehandlungsflüssigkeit bewegt sich insbesondere durch ihre Oberflächenspannung und durch einen Kapillareffekt, der durch die Rauhigkeit der Substrat-Oberfläche entsteht, selbsttätig zu den Substrat- Stirnseiten und gegebenenfalls zu der Substrat-Oberseite. Hierzu wirkt die Substrat-Oberfläche vor der Vorbehandlung anziehend auf die Vorbehandlungsflüssigkeit. Die Substrat-Oberfläche ist vor der Vorbehandlung insbesondere hydrophil ausgebildet.
Eine Vorrichtung nach Anspruch 4 gewährleistet eine wirtschaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Durch die Länge des Aufnahmebeckens wird bei einer gewünschten Transportgeschwindigkeit eine Mindesteinwirkdauer des Vorbehandlungsfluids bzw. der Vorbehandlungsflüssigkeit gewährleistet. Hierdurch wird auf einfache Weise die Ausbildung des Begrenzungsbereichs gewährleistet.
Eine Vorrichtung nach Anspruch 5 gewährleistet eine einfache und wirt- schaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Durch die Füllstandsregelung wird in einfacher Weise das Aufbringen der Vorbe- handlungsflüssigkeit sichergestellt. Bei einer indirekten Benetzung wird der Füllstand so geregelt, dass der Flüssigkeitspegel der Vorbehandlungsflüssigkeit derart unterhalb der Substrat-Unterseite, also unterhalb dem Höhenniveau der Transportrollen liegt, dass die Transportrollen jederzeit in die Vorbehandlungsflüssigkeit eintauchen. Hierzu liegt der Flüssigkeitspegel weniger als einen Durchmesser der Transportrollen unterhalb der Substrat-Unterseite. Vorzugsweise liegt der Flüssigkeitspegel 1 mm bis 30 mm, insbesondere 5 mm bis 25 mm, und insbesondere 10 mm bis 20 mm unterhalb der Substrat-Unterseite. Bei einer direkten Benetzung wird der Füllstand so geregelt, dass der Flüssigkeitspegel 0 mm bis 5 mm unterhalb der Substrat-Unterseite liegt. Dies ist ausreichend, um die Substrat-Stirnseite und gegebenenfalls die Substrat-Oberseite mit der Vorbehandlungs- flüssigkeit zu benetzen, sodass der Begrenzungsbereich ausgebildet wird. Die Temperatur der Vorbehandlungsflüssigkeit liegt insbesondere in einem Temperaturbereich zwischen 5° C und 25° C, vorzugsweise bei Raumtemperatur. Die Vorbehandlungsilüssigkeit ist insbesondere als Ätzlösung ausgebildet, die einen Säure-Konzentrationsbereich zwischen 0,1 Gew.-% und 5 Gew.-% hat. Als Säure dienen insbesondere Fluorwasserstoffsäure, Salpetersäure, Schwefelsäure und/oder Peroxophosphorsäure.
Eine Vorrichtung nach Anspruch 6 gewährleistet eine einfache und wirtschaftliche Behandlung des Halbleiter-Substrats. Durch die Regelung der Rotationsgeschwindigkeit der Transportrollen wird die Transportgeschwindigkeit des Halbleiter-Substrats in der Transportrichtung eingestellt, sodass bei einer möglichst hohen Transportgeschwindigkeit dennoch eine ausreichende Einwirkdauer der Vorbehandlungsilüssigkeit zur Ausbildung des Begrenzungsbereichs sichergestellt ist.
Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, dass eine einfache und wirtschaftliche chemische Behandlung eines Halbleiter-Substrats ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 7 gelöst. Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens entsprechend den bereits beschriebenen Vorteilen der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Ein Verfahren nach Anspruch 8 gewährleistet eine einfache und wirtschaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Der seitlich an dem Halbleiter-Substrat ausgebildete Begrenzungsbereich kann einfach erzeugt werden und ist ausreichend, um das Schutzfluid auf der Substrat-Oberseite zu halten.
Ein Verfahren nach Anspruch 9 gewährleistet eine einfache und wirtschaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Durch den an der Substrat-Oberseite erzeugten Begrenzungsbereich wird das Schutzfluid bzw. die Schutzflüssigkeit wirkungsvoll auf der Substrat-Oberseite gehalten. Der Begrenzungsbereich wird in einem Kantenbereich der Substrat- Oberseite ausgebildet. Der Kantenbereich ist ausgehend von einer umlaufenden Kante des Halbleiter-Substrats kleiner als 2 mm, insbesondere kleiner als 1,5 mm, und insbesondere kleiner als 1 mm.
Ein Verfahren nach Anspruch 10 gewährleistet in einfacher Weise das Erzeugen des Begrenzungsbereichs. Das Vorbehandlungsfluid ist vorzugsweise eine Vorbehandlungsilüssigkeit. Die Vorbehandlungsilüssigkeit enthält insbesondere Fluorwasserstoffsäure und/oder Salpetersäure, sodass die Vorbehandlungsilüssigkeit eine Ätzlösung ausbildet.
Ein Verfahren nach Anspruch 1 1 ermöglicht in einfacher Weise ein Aufbringen der Vorbehandlungsilüssigkeit mittels der Transportrollen. Die auf die Substrat-Unterseite aufgebrachte Vorbehandlungsilüssigkeit bewegt sich selbsttätig zu den Substrat-Stirnseiten und von dort gegebenenfalls weiter zu der Substrat-Oberseite, sodass der Begrenzungsbereich ausgebildet wird. Ein Verfahren nach Anspruch 12 ermöglicht in einfacher Weise das Aufbringen der Vorbehandlungsflüssigkeit direkt aus einem Flüssigkeitsbad. Das Halbleiter-Substrat wird mit der Substrat-Unterseite in einem Abstand zwischen 0 mm bis 5 mm über einen Flüssigkeitspegel der Vorbehand- lungsflüssigkeit geführt, sodass die Substrat-Unterseite direkt oder durch Meniskusbildung in Kontakt mit der Vorbehandlungsflüssigkeit kommt. Von der Substrat-Unterseite bewegt sich die Vorbehandlungsflüssigkeit selbsttätig zu den Substrat-Stirnseiten und gegebenenfalls weiter zu der Substrat-Oberseite.
Ein Verfahren nach Anspruch 13 gewährleistet ein einfaches Aufbringen der Vorbehandlungsflüssigkeit zur Ausbildung des Begrenzungsbereichs.
Ein Verfahren nach Anspruch 14 gewährleistet eine wirtschaftliche chemi- sehe Behandlung des Halbleiter-Substrats. Durch die Rotationsgeschwindigkeit der Transportrollen kann eine Transportgeschwindigkeit des Halbleiter-Substrats so eingestellt werden, dass eine ausreichende Einwirkdauer des Vorbehandlungsfluids bei möglichst großer Transportgeschwindigkeit gewährleistet wird.
Ein Verfahren nach Anspruch 15 gewährleistet eine einfache und wirtschaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats, da lediglich ein Fluid vorgehalten werden muss.
Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels. Es zeigen: eine Vorrichtung zur chemischen Behandlung eines Halbleiter- Substrats,
Fig. 2 eine vergrößerte Darstellung einer Vorbehandlungseinrichtung bei einer ersten Betriebsweise der Vorrichtung,
Fig. 3 eine Draufsicht auf die Vorbehandlungseinrichtung gemäß Fig.
2, und Fig. 4 eine vergrößerte Darstellung der Vorbehandlungseinrichtung gemäß Fig. 2 bei einer zweiten Betriebsweise.
Eine Vorrichtung 1 weist zur chemischen Behandlung von Halbleiter- Substraten 2 in einer Transportrichtung 3 nacheinander eine Vorbehand- lungseinrichtung 4, eine erste Auftragseinrichtung 5, eine zweite Auftragseinrichtung 6, Reinigungseinrichtungen 7 und eine Trocknungseinrichtung 8 auf. Die Vorbehandlungseinrichtung 4 ist somit in der Transportrichtung
3 vor der ersten Auftragseinrichtung 5 angeordnet. Die Halbleiter-Substrate 2 sind insbesondere als Halbleiter- Wafer, vorzugsweise als Silizium-Wafer ausgebildet.
Zum Transport der Halbleiter-Substrate 2 weist die Vorrichtung 1 eine Vielzahl von Transportrollen 9 auf, die von der Vorbehandlungseinrichtung
4 entlang der Transportrichtung 3 bis zu der Trocknungseinrichtung 8 an- geordnet sind. Die Transportrollen 9 werden mittels eines elektrischen Antriebsmotors 10 und einer nicht näher dargestellten Übertragungsmechanik drehangetrieben. Eine Rotationsgeschwindigkeit ω um eine jeweilige Rotationsachse 1 1 wird mittels eines Geschwindigkeitsmesssensors 12 gemessen. Die Vorbehandlungseinrichtung 4 weist ein Aufnahmebecken 13 auf, das zur Aufnahme eines Vorbehandlungsfluids 14 dient. Das Vorbehandlungs- fluid 14 ist als Flüssigkeit ausgebildet, die als Flüssigkeitsbad in dem Auf- nahmebecken 13 aufgenommen ist. Zur Messung eines Füllstandes h der Vorbehandlungsflüssigkeit 14 in dem Aufnahmebecken 13 weist die Vorbehandlungseinrichtung 4 einen Füllstandsmesssensor 15 auf. Der Füllstandsmesssensor 15 ist beispielsweise an dem Aufnahmebecken 13 angeordnet.
Das Aufnahmebecken 13 weist in der Transportrichtung 3 eine Länge L auf, wobei für die Länge L gilt: 0,3 m < L < 1,5 m, insbesondere 0,4 m < L < 1 ,2 m und insbesondere 0,5 m < L < 0,8 m. Die Transportrollen 9 strecken sich im Bereich des Aufnahmebeckens 13 in das Auf ahmebe- cken 13 und die darin aufgenommene Vorbehandlungsflüssigkeit 14. Zur Regelung des Füllstandes h weist die Vorbehandlungseinrichtung 4 einen Vorratsbehälter 16 auf, der über eine Leitung 17 und eine Pumpe 18 mit dem Aufnahmebecken 13 verbunden ist. In einer Steuereinrichtung 19 der Vorrichtung 1 ist eine Füllstandsregelung 20 implementiert, die in Signalverbindung mit dem Füllstandsmesssensor 15 und der Pumpe 18 ist. Weiterhin ist in der Steuereinrichtung 19 eine Rotationsgeschwindigkeitsregelung 21 für die entlang des Aufnahmebeckens 13 angeordneten Transportrollen 9 implementiert, die in Signalverbindung mit dem Geschwindigkeitsmesssensor 12 und dem Antriebsmotor 10 ist. Die Füllstandsregelung 20 und die Rotationsge- schwindigkeitsregelung 21 sind Teil der Vorbehandlungseinrichtung 4. Die nachgeordnete erste Aufragseinrichtung 5 dient zum Entfernen der Vorbehandlungsflüssigkeit 14 und zum Aufbringen eines Schutzfluids 22 auf eine jeweilige Substrat-Oberseite 23 der Halbleiter- Substrate 2. Das Schutzfluid 22 ist als Flüssigkeit ausgebildet. Vorzugsweise ist die Schutzflüssigkeit 22 destilliertes Wasser. Zum Aufbringen der Schutzflüssigkeit 22 weist die erste Auftragseinrichtung 5 eine Auftragsdüse 24 auf, die oberhalb der Transportrollen 9 und der darauf transportierten Halbleiter-Substrate 2 angeordnet ist. Die Auftragsdüse 24 ist über eine Leitung 25 und eine zugehörige Pumpe 26 mit einem Vorratsbehälter 27 verbunden. Die Pumpe 26 ist in Signalverbindung mit der Steuereinrichtung 19.
Die nachgeordnete zweite Auftragseinrichtung 6 dient zum Aufbringen eines Prozessfluids 28 auf eine jeweilige Substrat-Unterseite 29 des Halbleiter-Substrats 2. Das Prozessfluid 28 ist als Flüssigkeit ausgebildet, die in einem Aufnahmebecken 30 aufgenommen ist. Die zweite Auftragseinrichtung 6 weist entsprechend der Vorbehandlungseinrichtung 4 einen Füllstandsmesssensor 31 , einen Vorratsbehälter 32, der über eine Leitung 33 und eine Pumpe 34 mit dem Aufnahmebecken 30 verbunden ist, und eine Füllstandsregelung 35 auf. Hinsichtlich des Aufbaus der zweiten Auftragseinrichtung 6 wird auf die Beschreibung der Vorbehandlungseinrichtung 4 verwiesen.
Die Funktionsweise der Vorrichtung 1 ist in einer ersten Betriebsweise wie folgt: Die Vorbehandlungseinrichtung 4 dient zur Erzeugung eines umlaufenden Begrenzungsbereichs 36 an dem jeweiligen Halbleiter-Substrat 2, der das nachfolgend mittels der ersten Auftragseinrichtung 5 aufzubringende Schutzfluid 22 bzw. die aufzubringende Schutzflüssigkeit auf der Substrat-Oberseite 23 eingrenzt, sodass die Schutzflüssigkeit 22 auf der Substrat-Oberseite 23 gehalten wird. Hierzu wird der Füllstand h in dem Aufnahmebecken 13 mittels der Füllstandsregelung 20 so geregelt, dass die Transportrollen 9 in das Flüssigkeitsbad aus Vorbehandlungsflüssig- keit 14 eintauchen. Die Transportrollen 9 nehmen bei ihrer Rotation um die zugehörigen Rotationsachsen 1 1 Vorbehandlungsflüssigkeit 14 aus dem Flüssigkeitsbad mit, sodass die Substrat-Unterseite 29 des jeweiligen Halbleiter-Substrats 2 mittels der Transportrollen 9 indirekt benetzt wird. Beispielsweise ist ein Abstand d zwischen einem Flüssigkeitspegel S der Vorbehandlungsflüssigkeit 14 und der Substrat-Unterseite 29 zwi- sehen 5 mm und 10 mm. Von der Substrat-Unterseite 29 bewegt sich die Vorbehandlungsflüssigkeit 14 selbsttätig zu den umlaufenden Substrat- Stirnseiten 37.
Die Vorbehandlungsflüssigkeit 14 ist als Ätzlösung ausgebildet und weist insbesondere Fluorwasserstoffsäure und/oder Salpetersäure auf. Die Konzentration der Fluorwasserstoffsäure und/oder der Salpetersäure beträgt zwischen 0,1 Gew.-% bis 5 Gew.-%. Die Temperatur der Vorbe- handlungsflüssigkeit 14 beträgt zwischen 7° C und 25° C, beispielsweise 20° C. Die Einwirkdauer der Vorbehandlungsflüssigkeit 14 wird über die Rotationsgeschwindigkeit ω der Transportrollen 9 und/oder die Länge L des Aufnahmebeckens eingestellt. Durch die als Ätzlösung ausgebildete Vorbehandlungsflüssigkeit 14 wird an den Substrat-Stirnseiten 37 eine die Vorbehandlungsflüssigkeit 14 anziehende obere Schicht abgeätzt, sodass eine die Vorbehandlungsflüssig- keit 14 abweisende untere Schicht freigelegt wird. Vorzugsweise ist die die Schutzflüssigkeit 14 abweisende untere Schicht hydrophob ausgebildet. Durch das Freiliegen der unteren Schicht reist der Kontakt zu der Vorbe- handlungsflüssigkeit 14 selbsttätig ab, sodass die Ätzrate sinkt und der Ätzvorgang selbsttätig stoppt. Durch den Ätzvorgang ist somit der umlaufende Begrenzungsbereich 36 an den Substrat-Stirnseiten 37 erzeugt wor- den, der einen Innenraum 38 an der Substrat-Oberseite 23 umlaufend begrenzt.
Das jeweilige Halbleiter-Substrat 2 wird anschließend zu der ersten Auftragseinrichtung 5 transportiert, die mittels der Auftragsdüse 24 das Schutzfluid 22 bzw. die Schutzflüssigkeit auf die Substrat-Oberseite 23 aufbringt und die Vorbehandlungsflüssigkeit 14 von der Substrat-Oberfläche bzw. der Substrat-Oberseite 23 abspült. Die mit Schutzflüssigkeit 22 abgespülte Vorbehandlungsflüssigkeit 14 wird unterhalb der Auftragseinrichtung 5 in einem nicht näher dargestellten Auffangbecken gesammelt und/oder entsorgt. Die Schutzflüssigkeit 22 wird durch den Begrenzungsbereich 36 eingegrenzt, sodass diese auf der Substrat-Oberseite 23 gehalten wird. Durch den Begrenzungsbereich 36 ist lediglich eine grobe Dosierung der Schutzflüssigkeit 22 erforderlich. Anschließend wird das jeweilige Halbleiter-Substrat 2 zu der zweiten Auftragseinrichtung 6 transportiert, die mittels der Transportrollen 9 das Pro- zessfluid 28 bzw. die Prozessflüssigkeit auf die Substrat-Unterseite 29 aufbringt. Die Prozessflüssigkeit 28 ist als Ätzlösung ausgebildet und enthält Fluorwasserstoffsäure und/oder Salpetersäure zur chemischen Behandlung des jeweiligen Halbleiter-Substrats 2 an der Substrat-Unterseite 29. Vorzugsweise sind die Vorbehandlungsflüssigkeit 14 und die Prozessflüssigkeit 28 identisch ausgebildet, sodass lediglich eine Ätzlösung vorgehalten werden muss. Insbesondere kann diese Ätzlösung in einem gemeinsamen Vorratsbehälter 16, 32 vorgehalten werden. Der Füllstand in dem Aufnahmebecken 30 wird mittels des Füllstandsmesssensors 31, der Pumpe 34 und der Füllstandsregelung 35 entsprechend der Vorbehandlungseinrichtung 4 geregelt. Aufgrund der Schutzflüssigkeit 22 auf der Substrat-Oberseite 23 wird die Substrat-Oberseite 23 vor einer unerwünschten chemischen Behandlung durch die Prozessflüssigkeit 28 geschützt. Dadurch, dass die Schutzflüssigkeit 22 innerhalb des Begrenzungsbereichs 36 gehalten wird, tropft diese nicht in das Aufnahmebecken 30 und verunreinigt bzw. verdünnt die Pro- zessflüssigkeit 28. Hierdurch wird ein Nachdosieren der Prozessflüssigkeit 28 zur Erhaltung der ätzenden Wirkung vermieden, wodurch der Chemikalienverbrauch sinkt.
Nach der chemischen Behandlung wird das jeweilige Halbleiter-Substrat 2 in der Reinigungseinrichtung 7 gereinigt und anschließend in der Trocknungseinrichtung 8 getrocknet. Das jeweilige chemisch behandelte Halbleiter-Substrat 2 steht nun für weitere Bearbeitungsschritte zur Verfügung.
Die Funktionsweise der Vorrichtung 1 ist in einer zweiten Betriebsweise wie folgt:
Im Unterscheid zu der ersten Betriebsweise wird der Füllstand h in dem Aufnahmebecken 13 so geregelt, dass die Vorbehandlungsflüssigkeit 14 die Substrat-Unterseite 29 des jeweiligen Halbleiter-Substrats 2 direkt und/oder durch Meniskusbildung direkt benetzt. Der Füllstand h wird so geregelt, dass der Flüssigkeitspegel S einen Abstand d zwischen 0 mm und 5 mm hat. Durch den Flüssigkeitspegel S wird die Substrat-Unterseite 29 somit direkt mit der Vorbehandlungsflüssigkeit 14 benetzt. Die Vorbehand- lungsflüssigkeit 14 bewegt sich selbsttätig an den umlaufenden Substrat- Stirnseiten 37 entlang zu der Substrat-Oberseite 23. An der Substrat-Oberseite 23 benetzt die Vorbehandlungsflüssigkeit 14 einen umlaufenden Randbereich von 1 mm bis 10 mm. Die Vorbehandlungsflüssigkeit 14 ätzt die obere Schicht an den Substrat-Stirnseiten 37 und teilweise in dem Randbereich an der Substrat-Oberseite 23 ab, sodass die darunter liegende untere Schicht, die auf die Schutzflüssigkeit 22 abweisend wirkt, freigelegt wird. Aufgrund des selbstlimitierenden Ätzvorgangs wird an der Substrat- Oberseite 23 die untere Schicht lediglich in einem umlaufenden Kantenbereich von 1 mm bis 2 mm freigelegt, wohingegen in dem restlichen Rand- bereich die obere Schicht nur angeätzt wird. Die Substrat-Stirnseiten 37 und der freigelegte Kantenbereich an der Substrat-Oberseite 23 bilden somit den umlaufenden Begrenzungsbereich 36 aus.
Das jeweilige vorbehandelte Halbleiter-Substrat 2 wird anschließend zu der ersten Auftragseinrichtung 5 transportiert, die mittels der Auftragsdüse 24 die Schutzflüssigkeit 22 auf die Substrat-Oberseite 23 und in den Innenraum 38 aufbringt. Der umlaufende Begrenzungsbereich 36 grenzt wiederum die Schutzflüssigkeit 22 an der Substrat-Oberseite 23 ein. Hinsichtlich der weiteren Betriebsweise wird auf die Beschreibung der ersten Betriebs- weise verwiesen.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung 1 und das erfindungsgemäße Verfahren eignen sich insbesondere zur Bearbeitung von Solarzellen, die texturiert, beschichtet, thermisch diffundiert, ionenimplantiert und/oder thermisch, nasschemisch und/oder natürlich oxidiert wurden.

Claims

Patentansprüche
1. Vorrichtung zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats mit
- einer ersten Auftragseinrichtung (5) zum Aufbringen eines Schutz- fluids (22) auf eine Substrat-Oberseite (23) eines Halbleiter- Substrats (2), und
- einer zweiten Auftragseinrichtung (6) zum Aufbringen eines Pro- zessfluids (28) auf eine zu behandelnde Substrat-Unterseite (29) des Halbleiter-Substrats (2), die der ersten Auftragseinrichtung (5) in ei- ner Transportrichtung (3) des Halbleiter-Substrats (2) nachgeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass eine Vorbehandlungseinrichtung (4) in der Transportrichtung (3) vor der ersten Auftragseinrichtung (5) angeordnet und derart ausgebil- det ist, dass ein umlaufender und das aufzubringende Schutzfluid (22) eingrenzender Begrenzungsbereich (36) an dem Halbleiter-Substrat (2) erzeugt wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die Vorbehandlungseinrichtung (4) ein Aufnahmebecken (13) für ein Vorbehandlungsfluid (14), insbesondere eine Vorbehandlungsflüs- sigkeit, aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
dass entlang des Aufnahmebeckens (13) mehrere Transportrollen (9) angeordnet sind, die sich in das Aufnahmebecken (13) erstrecken.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Aufnahmebecken (13) in der Transportrichtung (3) ein Länge L aufweist, wobei für die Länge L gilt: 0,3 m < L < 1,5 m, insbesondere 0,4 m < L < 1,2 m, und insbesondere 0,5 m < L < 0,8 m.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
dass die Vorbehandlungseinrichtung (4) eine Füllstandsregelung (20) für die in dem Aufnahmebecken (13) aufgenommene Vorbehandlungsflüssigkeit (14) aufweist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
dass die Vorbehandlungseinrichtung (4) eine Rotationsgeschwindig- keitsregelung (21) für die Transportrollen (9) aufweist.
Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats mit folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats (2),
- Erzeugen eines umlaufenden Begrenzungsbereichs (36) an dem
Halbleiter-Substrat (2), der ein auf eine Substrat-Oberseite (23) aufzubringendes Schutzfluid (22) umgibt und eingrenzt,
- Aufbringen eines Schutzfluids (22) auf die Substrat-Oberseite (23) in einen Innenraum (38) des Begrenzungsbereichs (36), und
- Aufbringen eines Prozessfluids (28) auf eine zu behandelnde Substrat-Unterseite (29).
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
dass der Begrenzungsbereich (36) an Substrat-Stirnseiten (37) des Halbleiter- Substrats (2) erzeugt wird. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Begrenzungsbereich (36) an der Substrat-Oberseite (23) zeugt wird. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
dass der Begrenzungsbereich (36) mittels eines Vorbehandlungsfluids (14), insbesondere einer Vorbehandlungsflüssigkeit, erzeugt wird. 1 1. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
dass die Vorbehandlungsflüssigkeit (14) in einem Aufnahmebecken (13) angeordnet ist und sich Transportrollen (9) zum Transportieren des Halbleiter-Substrats (2) in die Vorbehandlungsflüssigkeit (14) erstrecken.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 1 1, dadurch gekennzeichnet,
dass das Vorbehandlungsflüssigkeit (14) ein Flüssigkeitsbad ausbildet, das zumindest mit der Substrat-Unterseite (29) in Kontakt ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet,
dass ein Füllstand (h) der Vorbehandlungsflüssigkeit (14) in einem Aufnahmebecken (13) geregelt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet,
dass eine Rotationsgeschwindigkeit (ω) der Transportrollen (9) geregelt wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet,
dass das Vorbehandlungsfluid (14) dem Prozessfluid (28) entspricht.
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