WO2016136397A1 - 透明電極及び電子デバイス - Google Patents

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WO2016136397A1
WO2016136397A1 PCT/JP2016/052942 JP2016052942W WO2016136397A1 WO 2016136397 A1 WO2016136397 A1 WO 2016136397A1 JP 2016052942 W JP2016052942 W JP 2016052942W WO 2016136397 A1 WO2016136397 A1 WO 2016136397A1
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group
layer
organic
transparent electrode
compound
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隼 古川
小島　茂
和央 吉田
健 波木井
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コニカミノルタ株式会社
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    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines

Definitions

  • the present invention relates to a transparent electrode and an electronic device. More specifically, the present invention relates to a transparent electrode having both light transmittance and conductivity and an electronic device having the transparent electrode.
  • Transparent electrodes are generally used for liquid crystal displays, electroluminescence displays, plasma displays, electrochromic displays, solar cells, touch panels, electronic paper, and the like.
  • an organic EL element also referred to as an organic electroluminescent element
  • electroluminescence of an organic compound Electro Luminescence: hereinafter abbreviated as “EL”
  • the organic compound is contained between two opposing electrodes.
  • the light emitting layer is arranged so that the emitted light generated in the light emitting layer passes through the electrode and is extracted outside. For this reason, at least one of the two electrodes is formed of a transparent electrode.
  • the transparent electrode is usually formed by sputtering, and the transparent electrode formed only by the sputtering film formation method has a large surface resistance and a significant voltage drop from the feeding point.
  • Patent Document 1 discloses a transparent electrode having a structure in which an ITO film and a silver film are laminated
  • Patent Document 2 discloses a transparent electrode having a structure in which a silver film is sandwiched between ITO films.
  • the silver film to be applied is thinned to such an extent that loss of transmittance does not occur, the resistance value does not sufficiently decrease, so that it must be used in combination with a metal oxide such as ITO.
  • ITO uses rare metal indium, the material cost is high.
  • silver when silver is applied, high electrical conductivity can be obtained, but on the other hand, there is a problem that there is a trade-off between resistance characteristics and transmittance as described above.
  • the silver-aluminum alloy has a characteristic that aluminum is easily oxidized, and has a problem that the resistance value increases due to the oxidation.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems and situations, and the solution is to provide a transparent electrode having both excellent light transmission and high conductivity, and this transparent electrode, with a low driving voltage.
  • An electronic device having excellent color change stability is provided.
  • the present inventor contains two kinds of organic compounds having a specific structure between the substrate and the conductive layer mainly composed of silver.
  • the present inventors have found that a transparent electrode having both excellent light transmittance and high conductivity can be realized by a transparent electrode having an organic functional layer to achieve the present invention.
  • a transparent electrode having a conductive layer containing at least silver as a main component on a substrate, Between the substrate and the conductive layer, at least a first organic compound having a structure represented by the following general formula (1) and a second organic compound having a structure different from that of the first organic compound A transparent electrode comprising an organic functional layer.
  • R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a sulfonyl group (—SO 2 R 7 ), a sulfinyl group (—SOR 7 ), a sulfonamide group (— SO 2 NR 7 R 8 ), sulfonate group (—SO 3 R 7 ), trifluoromethyl group, ester group (—COOR 7 ), amide group (—CONHR 7 or —CONR 7 R 8 ), carbon number 1 to 12
  • R 7 and R 8 each independently represents an alkyl group having 1 to 60 carbon atoms, an aryl group, or a 5- to 7-membered heterocyclic group. ] 2.
  • E 101 to E 108 each represent C (R 12 ) or a nitrogen atom, and at least one of E 101 to E 108 is a nitrogen atom.
  • R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom or a substituent.
  • R 1 , R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • L 1 represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group bonded to a nitrogen atom.
  • the transparent electrode according to item 1 or 2 wherein the first organic compound is a compound in which R 1 to R 6 in the general formula (1) are all cyano groups.
  • An electronic device comprising the transparent electrode according to any one of items 1 to 4.
  • the present invention it is possible to provide a transparent electrode having both excellent light transmittance and high conductivity, and an electronic device having excellent color change stability with a low driving voltage including the transparent electrode.
  • the inventors of the present invention provide a first organic compound represented by the general formula (1) on the substrate or an optical adjustment layer including a metal oxide provided on the substrate as necessary, and the first A film having a high continuity by forming an organic functional layer containing a second organic compound having a structure different from that of the first organic compound, thereby forming a conductive layer mainly composed of silver on the organic functional layer. It was found that can be formed.
  • each component is randomly arranged, that is, arranged in a uniform distribution state without being localized in the layer. Sex can be obtained. That is, by providing an organic functional layer containing the first organic compound represented by the general formula (1) and the second organic compound, the silver atom first has an atom having an affinity for the silver atom.
  • a layer-growth type (Frank-van der Merwe: FM type) in which a two-dimensional nucleus is formed on the surface of an organic functional layer containing a silver affinity compound, and a two-dimensional single crystal layer is formed around it.
  • a film is formed by film growth.
  • the second organic compound is regularly arranged to some extent by the ordered arrangement of the first organic compound having the structure represented by the general formula (1), so that a portion having an affinity for silver can be efficiently surfaced. I guess that can be formed.
  • Schematic sectional view showing an example of the configuration of the transparent electrode of the present invention Schematic sectional view showing another example of the configuration of the transparent electrode of the present invention
  • the transparent electrode of the present invention is a transparent electrode having a conductive layer containing at least silver as a main component on a substrate, and is represented by at least the following general formula (1) between the substrate and the conductive layer. And an organic functional layer containing a second organic compound having a structure different from that of the first organic compound.
  • This feature is a technical feature common to the inventions according to claims 1 to 6.
  • the second organic compound contained in the organic functional layer is represented by the general formula (2) or the general formula (3) from the viewpoint that the effect intended by the present invention can be further expressed.
  • the first organic compound represented by the general formula (1) it is possible to form a conductive layer having higher continuity and improved permeability. It is preferable from a viewpoint that can be made.
  • the first organic compound is a compound in which R 1 to R 6 in the general formula (1) are all cyano groups (hereinafter sometimes abbreviated as HAT-CN).
  • HAT-CN cyano groups
  • optical adjustment layer containing a metal oxide or metal sulfide between the substrate and the organic functional layer can adjust optical characteristics such as reflectance and transmittance of the conductive layer, and as a transparent electrode, Furthermore, this is a preferred embodiment from the viewpoint of improving light transmittance.
  • the transparent electrode of the present invention has sufficient light transmission and conductivity by applying it as a transparent electrode for an electronic device, for example, an organic electroluminescence element, and can drive the electronic device at a low voltage. In addition, color variation during light emission can be suppressed.
  • ⁇ is used to mean that the numerical values described before and after it are included as the lower limit value and the upper limit value.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example (embodiment 1) of the configuration of the transparent electrode of the present invention.
  • the transparent electrode (10) of this invention has the electroconductive layer (12) which has silver as a main component on a board
  • FIGS. 2A and 2B are schematic sectional views showing another example (embodiment 2) of the configuration of the transparent electrode of the present invention.
  • the transparent electrode (10) shown in FIG. 2A is an optical adjustment layer containing a metal oxide or a metal sulfide between the substrate (13) and the organic functional layer (11) in addition to the structure described in FIG. 2B, the transparent electrode (10) shown in FIG. 2B has a second electrode on the uppermost surface of the upper surface of the conductive layer (12) in addition to the configuration described in FIG. 2A. It is the structure which provided the optical adjustment layer (14B).
  • the “main component” as used in the conductive layer (12) according to the present invention refers to the component having the highest constituent ratio among the components constituting the conductive layer (12) as the “main component”.
  • “The main component of silver” in 12) means that the silver composition ratio is 51% by mass or more, preferably 60% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, It is especially preferable that it is 98 mass% or more.
  • transparent in the transparent electrode (10) of the present invention means that the light transmittance at a measurement light wavelength of 550 nm is 50% or more.
  • the sheet resistance value as the transparent electrode (10) is preferably less than 8 ⁇ / ⁇
  • the thickness of the conductive layer (12) is usually within a range of 5 to 20 nm, preferably 5 to 12 nm. It is set within the range.
  • the substrate (13) constituting the transparent electrode (10) of the present invention include, but are not limited to, glass and plastic.
  • the substrate (13) according to the present invention is a substrate (13) when the transparent electrode (10) of the present invention is used for an electronic device that extracts light from the substrate (13) side, for example, an organic electroluminescence element. ) Is preferably transparent.
  • the transparent substrate (13) preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film.
  • the glass it is preferable to apply a thin film glass, and as the thin film glass, those formed by various forming methods can be used.
  • a thin film glass formed by a rollout method, a redraw method, a downdraw method, a float method, or the like can be used.
  • the average thickness of the thin film glass is preferably 5 to 200 ⁇ m, and more preferably 5 to 100 ⁇ m.
  • the thin film glass is not particularly limited as long as it is a multicomponent oxide glass. Examples thereof include silica glass, soda lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, and alkali-free glass. From the viewpoints of adhesion, durability, and smoothness to the organic functional layer (11) or the optical adjustment layer (14), the surface of these glass materials is subjected to physical treatment such as polishing as necessary. Alternatively, a film made of an inorganic material or an organic material, or a hybrid film combining these films may be formed.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, arton (trade name, manufactured by JSR) or abortion (trade name,
  • a film made of an inorganic material or an organic material or a hybrid film combining these films may be formed on the surface of the resin film described above.
  • Such coatings and hybrid coatings have a water vapor permeability (25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity 90 ⁇ 2% RH) measured by a method according to JIS K 7129-1992, 0.01 g / m 2 ⁇ 24 h.
  • the following gas barrier film also referred to as a gas barrier film or the like is preferable.
  • the oxygen permeability measured by a method in accordance with JIS K 7126-1987 is 1 ⁇ 10 ⁇ 3 ml / m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm or less, and the water vapor permeability is 1 ⁇ 10 ⁇ 5 g / m 2 ⁇ A high gas barrier film of 24 hours or less is preferable.
  • the material for forming the gas barrier film as described above may be any material that has a function of suppressing the intrusion of factors that cause deterioration of electronic devices such as moisture and oxygen and organic EL elements, such as silicon oxide, Silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Furthermore, from the viewpoint of improving the brittleness of the gas barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of a layer made of these inorganic materials (inorganic layer) and a layer made of an organic compound (organic layer). Although there is no restriction
  • the method for producing the gas barrier film is not particularly limited.
  • a plasma polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be appropriately selected and used.
  • Organic functional layer is provided between the substrate and the conductive layer formed mainly of silver, and makes the metal atom arrangement in the conductive layer uniform, and achieves both light transmission and resistance characteristics. It is a layer for achieving, and contains at least a first organic compound represented by the general formula (1) whose details will be described later and a second organic compound having a structure different from that of the first organic compound. Furthermore, it is a preferable aspect that the second organic compound is a compound represented by the following general formula (2) or general formula (3).
  • R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a sulfonyl group (—SO 2 R 7 ), a sulfinyl group (—SOR 7 ), a sulfone Amide group (—SO 2 NR 7 R 8 ), sulfonate group (—SO 3 R 7 ), trifluoromethyl group, ester group (—COOR 7 ), amide group (—CONHR 7 or —CONR 7 R 8 ), carbon An alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon ring group, an arylamino group, a non-aromatic heterocyclic group, an aromatic heterocyclic group or an aralkylamino group.
  • R 7 and R 8 each independently represents an alkyl group having 1 to 60 carbon atoms, an aryl group, or a 5- to 7
  • R 1 to R 8 in the general formula (1) may each have a substituent, and examples of the substituent include a linear or branched alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group).
  • substituents include a linear or branched alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group).
  • Non-aromatic hydrocarbon ring group eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.
  • non-aromatic heterocyclic group eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.
  • alkoxy group eg, methoxy group
  • Ethoxy group propyloxy group
  • cycloalkoxy group for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.
  • aryloxy group for example, phenoxy group
  • alkylthio group eg, methyl
  • acyl groups eg, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group) Group), acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, Ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group,
  • the exemplified compound 1-1 in which all of R 1 to R 6 are cyano groups is particularly preferable.
  • This exemplified compound 1-1 is called by the abbreviation HAT-CN.
  • the compound represented by the general formula (1) can be easily synthesized according to a conventionally known synthesis method.
  • the organic functional layer according to the present invention is characterized in that the second organic compound is used in combination with the first organic compound represented by the general formula (1) described above.
  • a compound represented by the following general formula (2) or a compound having a structure represented by the general formula (3) is preferable.
  • the second organic compound according to the present invention is preferably a compound having a structure represented by the following general formula (2) (hereinafter referred to as “compound represented by the general formula (2)”).
  • E 101 to E 108 each represent C (R 12 ) or a nitrogen atom, and at least one of E 101 to E 108 is a nitrogen atom.
  • R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom or a substituent.
  • substituents represented by R 11 and R 12 include alkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, Tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group etc.), cycloalkyl group (eg cyclopentyl group, cyclohexyl group etc.), alkenyl group (eg vinyl group, allyl group etc.), alkynyl group (eg ethynyl group, propargyl group etc.) , Aromatic hydrocarbon groups (also referred to as aromatic carbocyclic groups, aryl groups, etc., for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, an
  • substituents may be further substituted with the above substituents.
  • a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.
  • exemplified compounds represented by the general formula (2) exemplified compounds 2-1 to 2-3 and 2-12 are preferable.
  • the compound represented by the general formula (2) can be easily synthesized according to a conventionally known synthesis method.
  • the second organic compound according to the present invention is preferably a compound having a structure represented by the following general formula (3) (hereinafter referred to as “compound represented by the general formula (3)”).
  • R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
  • L 1 represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group bonded to a nitrogen atom.
  • examples of the substituent represented by R 1 , R 2 and R 3 include an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group).
  • alkyl group for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group.
  • cycloalkyl group eg cyclopentyl group, cyclohexyl group etc.
  • alkenyl group eg vinyl group, allyl group etc.
  • alkynyl group eg Ethynyl group, propargyl group, etc.
  • aromatic hydrocarbon group aromatic carbocyclic group, aryl group, etc.
  • aromatic heterocyclic group for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, an
  • L 1 preferably has an aromatic six-membered ring skeleton.
  • the aromatic six-membered ring skeleton includes, for example, an aromatic hydrocarbon group (also called an aromatic carbocyclic group, an aryl group, etc., for example, a phenyl group, a p-chlorophenyl group, a mesityl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group.
  • an aromatic hydrocarbon group also called an aromatic carbocyclic group, an aryl group, etc., for example, a phenyl group, a p-chlorophenyl group, a mesityl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group.
  • L 1 has a benzene ring skeleton or a triazine ring skeleton.
  • the aromatic six-membered ring skeleton, the benzene ring skeleton, and the triazine ring skeleton represent that each partial structure is included as in the above-described pyridine ring skeleton.
  • the compound represented by the general formula (2) can be easily synthesized according to a conventionally known synthesis method.
  • the organic functional layer according to the present invention contains the first organic compound represented by the general formula (1) and a second organic compound having a structure different from that of the first organic compound at the same time. Furthermore, the compound represented by the general formula (1) as the first organic compound and the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) as the second organic compound are used in combination. It is preferable.
  • the ratio of the compound represented by the general formula (1) and the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3) is not particularly limited, but the general formula ( 2)
  • the use ratio of the compound represented by the general formula (1) may be in the range of 5.0 to 60% by mass. More preferably, it is in the range of 10 to 50% by mass.
  • Formation method of organic functional layer Various thin film forming methods can be applied to the formation of the organic functional layer according to the present invention. Among them, it is preferable to form the organic functional layer by vapor deposition or sputtering.
  • Deposition methods applicable to the present invention include resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, ion plating, and ion beam vapor deposition.
  • the vapor deposition apparatus for example, a BMC-800T vapor deposition machine manufactured by SYNCHRON Co., Ltd. can be used. Two heating boats are used, and one heating boat is filled with the compound represented by the general formula (1). The other heating board is filled with the compound represented by the general formula (2) or the general formula (3), the heating condition is controlled so as to obtain a desired ratio, and the organic functional layer is formed by co-evaporation.
  • a method can be mentioned.
  • the sputtering method used to form the organic functional layer according to the present invention is a rare gas element (usually argon) or nitrogen ionized by applying a high voltage to a metal used for forming a thin film in a vacuum chamber as a target.
  • This is a method of depositing a metal on a substrate with high density by causing a target (usually derived from air) to collide with a target and repelling atoms on the surface of the target.
  • a metal oxide or metal nitride film can also be formed by introducing a reactive gas (O 2 or N 2 ) together with the rare gas.
  • Sputtering methods applicable to the present invention include bipolar sputtering, magnetron sputtering, DC sputtering, DC pulse sputtering, RF (radio frequency) sputtering, dual magnetron sputtering, reactive sputtering, and ion beam sputtering.
  • a known sputtering method such as a bias sputtering method and a facing target sputtering method can be used as appropriate.
  • sputtering equipment examples include magnetron sputtering equipment manufactured by Osaka Vacuum Co., various types of sputtering equipment manufactured by ULVAC (for example, multi-chamber type sputtering equipment ENTRON TM -EX W300), and L-430S-FHS sputtering equipment manufactured by Anelva. Etc.
  • the conductive layer (12) according to the present invention contains silver as a main component.
  • the conductive layer (12) is a layer formed on the organic functional layer (11) described above.
  • the conductive layer (12) is a layer composed mainly of silver, but may be composed of a plurality of layers as necessary.
  • the layer thickness of the conductive layer (12) is preferably in the range of 5 to 20 nm, and more preferably in the range of 5 to 12 nm.
  • the layer thickness is thinner than 20 nm, the absorption component or reflection component of the layer is reduced, and the light transmittance of the transparent electrode (10) is improved, which is preferable. Moreover, when the layer thickness is thicker than 5 nm, the conductivity as the conductive layer is sufficient, which is preferable.
  • the transparent electrode (10) having a laminated structure composed of the organic functional layer (11) described above and the conductive layer (12) formed thereon the upper part of the conductive layer (12) is covered with a protective film. May be separated, or another conductive layer may be laminated. In this case, it is preferable that the protective film and another conductive layer have light transmittance so as not to impair the light transmittance of the transparent electrode (10).
  • the transparent electrode (10) of the present invention the lower part of the organic functional layer (11), that is, between the organic functional layer (11) and the substrate (13), if necessary, the above-described FIG. It is good also as a structure which provided the optical adjustment layer (14) as shown in FIG. 2B.
  • the conductive layer (12) may be composed of an alloy containing silver (Ag) as a main component.
  • an alloy include silver-magnesium (Ag-Mg) and silver-copper (Ag). -Cu), silver-palladium (Ag-Pd), silver-palladium-copper (Ag-Pd-Cu), silver-indium (Ag-In), and the like.
  • a method for forming the conductive layer (12) As a method for forming the conductive layer (12), a method using a wet process such as a coating method, an ink jet method, a coating method, a dip method, a vapor deposition method or a sputtering method used for forming the organic functional layer is applied. Among them, it is preferable to apply a vapor deposition method in the present invention.
  • Deposition methods applicable to the present invention include resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, ion plating, and ion beam vapor deposition.
  • As the vapor deposition apparatus for example, a BMC-800T vapor deposition machine manufactured by SYNCHRON Co., Ltd. can be used.
  • the conductive layer (12) according to the present invention is formed on the organic functional layer (11) containing a specific compound, thereby forming the conductive layer (12) and then performing a high-temperature annealing treatment (for example, Although sufficient conductivity can be obtained without a heating process at 150 ° C. or higher, etc., a high temperature annealing treatment or the like may be performed after film formation, if necessary. At this time, it is important to set the glass transition temperature (Tg) of the base material constituting the transparent electrode.
  • Tg glass transition temperature
  • the transparent electrode (10) configured as described above, on the organic functional layer (11) containing the first organic compound represented by the general formula (1) and the second organic compound.
  • a conductive layer (12) composed mainly of silver is provided on the organic functional layer (11).
  • silver atoms contained in the conductive layer (12) are generally contained in the organic functional layer (11).
  • the first organic compound represented by the formula (1) interacts with the second organic compound, the diffusion distance of silver atoms on the surface of the organic functional layer (11) is reduced, and aggregation of silver is suppressed.
  • the thin film is grown in an island-like growth type (VW type), so that silver particles are easily isolated in an island shape.
  • VW type island-like growth type
  • the transparent electrode (10) of the configuration of the present invention since aggregation of silver is suppressed on the organic functional layer (11) as described above, the conductive layer (12) composed mainly of silver. In this film formation, a thin film is grown by a layer growth type (FM type).
  • FM type layer growth type
  • the optical adjustment layer (14) is a layer intended to adjust optical characteristics such as reflectance and transmittance of the conductive layer (12).
  • Such an optical adjustment layer (14) is preferably a layer having a higher refractive index than the substrate (13), that is, a high refractive index layer.
  • the refractive index of the high refractive index layer is preferably 1.8 or more, more preferably in the range of 2.1 to 2.5. When the refractive index of the high refractive index layer is higher than 1.8, the light transmittance of the conductive layer (12) is likely to increase.
  • the refractive index of the high refractive index layer is preferably higher in the range of +0.1 to +1.1 and higher in the range of +0.4 to +1.0 than the refractive index of the substrate (13). preferable.
  • the refractive index of the high refractive index layer in the present invention is a refractive index with respect to light having a wavelength of 510 nm, and is measured by an ellipsometer. The refractive index of the high refractive index layer can be adjusted by the material constituting the high refractive index layer, the density of the material in the high refractive index layer, and the like.
  • the high refractive index layer is preferably configured to include a dielectric material or an oxide semiconductor material. Moreover, it is preferable that the material which comprises a high refractive index layer is a metal oxide or a metal sulfide.
  • the high refractive index layer may include only one type of dielectric material or oxide semiconductor material, or may include two or more types.
  • the numerical value represented by n in parentheses represents the refractive index.
  • the layer thickness of the high refractive index layer is preferably in the range of 10 to 100 nm, more preferably in the range of 20 to 50 nm.
  • the thickness of the high refractive index layer is 10 nm or more, the light transmittance of the conductive layer (12) can be sufficiently enhanced.
  • the layer thickness of the high refractive index layer is 100 nm or less, the transparency (antireflection property) of the conductive layer (12) can be enhanced.
  • the layer thickness of the high refractive index layer is measured with an ellipsometer.
  • the optical adjustment layer (14) may be a layer having a refractive index lower than that of the substrate (13) (low refractive index layer).
  • a low refractive index layer may be further provided, or a plurality of high refractive index layers and low refractive index layers may be stacked. By forming such a low refractive index layer adjacent to the high refractive index layer, the light transmittance of the transparent electrode (10) is further improved.
  • the first optical adjustment layer (14A) is provided between the substrate (13) and the organic functional layer (11), and the second optical adjustment layer is further formed on the conductive layer (12).
  • the optical adjustment layer (14B) may be provided.
  • the first optical adjustment layer (14A) and the second optical adjustment layer (14B) may have the same configuration or different configurations.
  • Examples of a method for forming the optical adjustment layer (14) described above on the substrate (11) include vapor deposition (resistance heating, EB method, etc.) or sputtering. Whether to apply the vapor deposition method or the sputtering method is preferably selected as appropriate depending on the type of metal oxide or metal sulfide to be used. For example, the vapor deposition method is preferably applied if the optical adjustment layer is formed using zinc oxide (ZnO), titanium oxide (TiO 2 ), or zinc sulfide (ZnS). In addition, a sputtering method is preferably applied if the optical adjustment layer is formed using indium oxide (In 2 O 3 ), indium tin oxide (ITO), or niobium oxide (Nb 2 O 5 ).
  • vapor deposition resistance heating, EB method, etc.
  • sputtering Whether to apply the vapor deposition method or the sputtering method is preferably selected as appropriate depending on the type of metal oxide or metal
  • the transparent electrode of the present invention can be used for various electronic devices.
  • electronic devices include organic EL elements, LEDs (Light Emitting Diodes), liquid crystal elements, solar cells, touch panels, etc.
  • LEDs Light Emitting Diodes
  • Transparent electrodes can be applied as electrode members that require light transmission in these electronic devices.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of an organic EL element (100) using the transparent electrode (10) of the present invention as an example of the electronic device of the present invention.
  • the organic EL element (100) is provided on a transparent substrate (13, also referred to as a substrate hereinafter), and the transparent electrode (10 shown in FIG. 2A) is formed on the transparent substrate (13). ) Is arranged.
  • An optical adjustment layer (14), an organic functional layer (11) and a conductive layer (12) are laminated on a transparent substrate which is a substrate (13) of a transparent electrode, and an organic light emitting layer unit ( 3) and the counter electrode (5a) are laminated.
  • the organic EL element (100) a transparent electrode having a configuration defined in the present invention is used as the transparent electrode (10). For this reason, the organic EL element (100) is configured to extract the emitted light (L) generated from the light emitting point (h) at least from the light extraction surface (13a) side of the transparent substrate (13).
  • FIG. 3 shows a configuration in which the transparent electrode (10) functions as an anode (that is, an anode) and the counter electrode (5a) functions as a cathode (that is, a cathode).
  • the organic light emitting layer unit (3) includes the hole injection layer (3a) / hole transport layer (3b) / light emitting layer (3c) in this order from the transparent electrode (10) side that is the anode.
  • the structure in which / electron transport layer (3d) / electron injection layer (3e) is laminated is illustrated, but it is essential to have a light emitting layer (3c) composed of at least an organic compound.
  • the hole injection layer (3a) and the hole transport layer (3b) may be provided as a hole transport injection layer.
  • the electron transport layer (3d) and the electron injection layer (3e) may be provided as an electron transport injection layer.
  • the electron injection layer (3e) may be composed of an inorganic material.
  • the organic light emitting layer unit (3) may have a hole blocking layer, an electron blocking layer, and the like stacked in necessary places in addition to these layers.
  • the light emitting layer (3c) may have a structure in which each color light emitting layer for generating light emitted in each wavelength region is laminated, and each of these color light emitting layers is laminated via a non-light emitting auxiliary layer.
  • the auxiliary layer may function as a hole blocking layer or an electron blocking layer.
  • the counter electrode (5a) as the cathode may also have a laminated structure as necessary. In such a configuration, only the portion where the organic light emitting layer unit (3) is sandwiched between the transparent electrode (10) and the counter electrode (5a) becomes the light emitting region in the organic EL element (100).
  • the auxiliary electrode (15) is in contact with the conductive layer (12) of the transparent electrode (10) for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode (10). It may be provided.
  • the organic EL element (100) having the configuration shown in FIG. 3 will be described later on the transparent substrate (13) for the purpose of preventing the deterioration of the organic light emitting layer unit (3) formed using an organic compound or the like. It is sealed with a sealing material (17). This sealing material (17) is being fixed to the transparent substrate (13) side via the adhesive agent (19). However, the terminal portions of the transparent electrode (10) and the counter electrode (5a) are exposed from the sealing material (17) in a state in which they are insulated from each other by the organic light emitting layer unit (3) on the transparent substrate (13). It is assumed that it is provided.
  • the details of the main layers for constituting the organic EL element (100) described above are described in the transparent substrate (13), the transparent electrode (10), the counter electrode (5a), and the light emitting layer of the organic light emitting layer unit (3) ( 3c), the other layers of the organic light emitting layer unit (3), the auxiliary electrode (15), and the sealing material (17) will be described in this order.
  • the transparent substrate (13) is the substrate (13) constituting the transparent electrode (10) of the present invention described above with reference to FIGS. 1, 2A, and 2B. Of the substrates (13) described above, A transparent substrate (13) having optical transparency is used.
  • the transparent electrode (10) is the transparent electrode (10) of the present invention described above, and the optical adjustment layer (14), the organic functional layer (11), and the conductive layer (12) in this order from the transparent substrate (13) side. Are sequentially formed.
  • the transparent electrode (10) functions as an anode
  • the conductive layer (12) is a substantial anode.
  • the counter electrode (5a) is an electrode film that functions as a cathode for supplying electrons to the organic light emitting layer unit (3), and is composed of a metal, an alloy, an organic or inorganic conductive compound, or a mixture thereof. . Specifically, aluminum, silver, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, indium, lithium / aluminum mixture, rare earth metal, ITO, ZnO, TiO 2 , An oxide semiconductor such as SnO 2 can be given.
  • the counter electrode (5a) can be produced by forming a thin film of these conductive materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance value of the counter electrode (5a) is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually selected within the range of 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • this organic EL element (100) takes the system which takes out emitted light (L) also from the counter electrode (5a) side, it has the favorable light transmittance selected from the electrically conductive material mentioned above.
  • the counter electrode (5a) should just be comprised with the electroconductive material.
  • the light emitting layer (3c) contains a light emitting material.
  • a phosphorescent light emitting dopant also referred to as a phosphorescent light emitting material, a phosphorescent light emitting compound, or a phosphorescent compound
  • the light emitting material It is preferable.
  • the light emitting layer (3c) is a layer that emits light by recombination of electrons injected from the electrode or the electron transport layer (3d) and holes injected from the hole transport layer (3b), and emits light.
  • the portion may be in the layer of the light emitting layer (3c) or the interface between the light emitting layer (3c) and the adjacent layer.
  • Such a light emitting layer (3c) is not particularly limited in its configuration as long as the light emitting material contained satisfies the light emission requirements. Moreover, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength. In this case, it is preferable to have a non-light emitting auxiliary layer (not shown) between the light emitting layers (3c).
  • the total thickness of the light emitting layer (3c) is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably in the range of 1 to 30 nm because a lower driving voltage can be obtained.
  • the sum total of the layer thickness of a light emitting layer (3c) is a layer thickness also including the said auxiliary layer, when a nonluminous auxiliary layer exists between light emitting layers (3c).
  • each light emitting layer (3c) having a structure in which a plurality of layers are laminated
  • the thickness of each light emitting layer (3c) is preferably adjusted within the range of 1 to 50 nm, and is adjusted within the range of 1 to 20 nm. It is more preferable.
  • the plurality of stacked light emitting layers (3c) correspond to the respective emission colors of blue, green, and red, there are no particular restrictions on the relationship between the layer thicknesses of the blue, green, and red light emitting layers (3c). Absent.
  • the light emitting layer (3c) configured as described above is formed by using a light emitting material or a host compound described later by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink jet method. It can be formed by film formation.
  • a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink jet method. It can be formed by film formation.
  • the light emitting layer (3c) may be configured by mixing a plurality of light emitting materials, and a phosphorescent light emitting dopant (phosphorescent compound) and a fluorescent dopant (fluorescent light emitting material, fluorescent compound) are mixed. And may be configured.
  • the light emitting layer (3c) contains a host compound (light emitting host) and a light emitting material (light emitting dopant), and it is preferable to make the light emitting material emit light more.
  • the compound whose phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission in room temperature (25 degreeC) is less than 0.1 is preferable. More preferably, the phosphorescence quantum yield is less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in the light emitting layer 3c.
  • a known host compound may be used alone, or a plurality of types may be used.
  • a plurality of types of host compounds it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient.
  • a plurality of kinds of light emitting materials described later it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary light emission color.
  • the host compound used may be a conventionally known low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). .
  • a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability, which prevents emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
  • the glass transition temperature is a value determined by a method based on JIS K 7121-2012 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).
  • Luminescent material (1) Phosphorescence emission dopant As a luminescent material which can be used by this invention, a phosphorescence emission dopant is mentioned.
  • a phosphorescent dopant is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.). Although defined as being a compound of 01 or more, a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.
  • the phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of the Fourth Edition Experimental Chemistry Course 7.
  • the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, but when using a phosphorescent dopant in the present invention, the above phosphorescence quantum yield (0.01 or more) is achieved in any solvent. It only has to be done.
  • the other is a carrier trap type in which the phosphorescent light emitting dopant becomes a carrier trap, and carrier recombination occurs on the phosphorescent light emitting dopant and light emission from the phosphorescent light emitting dopant is obtained.
  • it is a condition that the excited state energy of the phosphorescent dopant is lower than the excited state energy of the host compound.
  • the phosphorescent light-emitting dopant can be appropriately selected from known materials used for the light-emitting layer of a general organic EL device, and preferably contains a group 8-10 metal in the periodic table of elements.
  • a complex compound more preferably an iridium compound, an osmium compound, a platinum compound (platinum complex compound), or a rare earth complex, and most preferably an iridium compound.
  • At least one light emitting layer 3c may contain two or more phosphorescent light emitting dopants, and the concentration ratio of the phosphorescent light emitting dopant in the light emitting layer 3c varies in the thickness direction of the light emitting layer 3c. It may be.
  • the phosphorescent light emitting dopant is preferably 0.1% by volume or more and less than 30% by volume with respect to the total amount of the light emitting layer 3c.
  • preferable phosphorescent dopants include organometallic complexes having Ir as a central metal. More preferably, a complex containing at least one coordination mode among a metal-carbon bond, a metal-nitrogen bond, a metal-oxygen bond, and a metal-sulfur bond is preferable.
  • Fluorescent dopant The fluorescent luminescent dopant (henceforth "fluorescent dopant") which concerns on this invention is demonstrated.
  • the fluorescent dopant according to the present invention is a compound that can emit light from an excited singlet, and is not particularly limited as long as light emission from the excited singlet is observed.
  • the fluorescent dopant according to the present invention includes coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes. Stilbene dyes, polythiophene dyes, rare earth complex phosphors, and the like.
  • luminescent dopants using delayed fluorescence have been developed, and these may be used.
  • luminescent dopant using delayed fluorescence examples include, for example, compounds described in International Publication No. 2011/156793, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-213643, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-93181, and the like. Is not limited to these.
  • injection layer hole injection layer, electron injection layer
  • the injection layer is a layer provided between the electrode and the light emitting layer 3c in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance.
  • the injection layer can be provided as necessary.
  • hole injection layer (3a) The details of the hole injection layer (3a) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like, and a specific example is represented by copper phthalocyanine.
  • Phthalocyanine layers oxide layers typified by vanadium oxide, amorphous carbon layers, polymer layers using conductive polymers such as polyaniline (emeraldine) and polythiophene, and the like.
  • the details of the electron injection layer (3e) are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, representative examples thereof include strontium and aluminum. Metal layers, alkali metal halide layers typified by potassium fluoride, alkaline earth metal compound layers typified by magnesium fluoride, oxide layers typified by molybdenum oxide, and the like.
  • the electron injection layer 3e is desirably a very thin film, and the layer thickness is preferably in the range of 1 nm to 10 ⁇ m although it depends on the material.
  • the hole transport layer (3b) is made of a hole transport material having a function of transporting holes.
  • the hole injection layer (3a) and the electron blocking layer are also included in the hole transport layer (3b).
  • the hole transport layer (3b) can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • the hole transport material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.
  • triazole derivatives oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives
  • Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
  • hole transport material those described above can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl, N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (abbreviation: TPD), 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, 1,1 -Bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, 1,1-bis (4-di-p -Tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane, bis (4-di-p
  • polymer materials in which these materials are introduced into polymer chains or these materials are used as polymer main chains can also be used.
  • inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
  • a so-called p-type hole transport material as described in 139 can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.
  • the hole transport layer (3b) is formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Can be formed.
  • the layer thickness of the hole transport layer (3b) is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the hole transport layer (3b) may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the electron transport layer (3d) is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, the electron injection layer (3e) and the hole blocking layer are also included in the electron transport layer (3d).
  • the electron transport layer (3d) can be provided as a single layer structure or a multilayer structure of a plurality of layers.
  • the electron transport material (also serving as a hole blocking material) constituting the layer portion adjacent to the light emitting layer (3c) ) As long as it has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer (3c).
  • the electron transport material also serving as a hole blocking material constituting the layer portion adjacent to the light emitting layer (3c) )
  • any one of conventionally known compounds can be selected and used.
  • Examples include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane, anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group are also used as the material for the electron transport layer (3d).
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8- Quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (abbreviation: Znq), etc., and the central metal of these metal complexes
  • a metal complex in which In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb is substituted can also be used as the material for the electron transport layer (3d).
  • metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the material for the electron transport layer (3d).
  • the distyrylpyrazine derivative used also as a material of a light emitting layer (3c) can also be used as a material of an electron carrying layer (3d), and is the same as that of a positive hole injection layer (3a) and a positive hole transport layer (3b).
  • inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC can also be used as the material for the electron transport layer (3d).
  • the electron transport layer (3d) can be formed by thinning the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can.
  • the layer thickness of the electron transport layer (3d) is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the electron transport layer (3d) may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the electron transport layer (3d) can be doped with impurities to increase the n property.
  • impurities include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • the potassium compound for example, potassium fluoride can be used.
  • the material (electron transporting compound) of the electron transport layer (3d) the same material as that constituting the organic functional layer (11) according to the present invention described above may be used. The same applies to the electron transport layer (3d) that also serves as the electron injection layer (3e).
  • the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic light emitting layer unit (3) described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258 and 11-204359, and “Organic EL elements and the forefront of industrialization (published by NTT Corporation on November 30, 1998)” on page 237. There is a hole blocking (hole blocking) layer.
  • the hole blocking layer has a function of an electron transport layer (3d) in a broad sense.
  • the hole blocking layer is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons but has a very small ability to transport holes, and recombines electrons and holes by blocking holes while transporting electrons. Probability can be improved.
  • the structure of said electron carrying layer (3d) can be used as a hole-blocking layer as needed.
  • the hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer (3c).
  • the electron blocking layer has a function of a hole transport layer (3b) in a broad sense.
  • the electron blocking layer is made of a material that has a function of transporting holes but has a very small ability to transport electrons, and improves the probability of recombination of electrons and holes by blocking electrons while transporting holes. be able to.
  • the structure of said positive hole transport layer (3b) can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the layer thickness of the hole blocking layer is preferably in the range of 3 to 100 nm, and more preferably in the range of 5 to 30 nm.
  • the auxiliary electrode (15) is provided for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode (10), and is provided in contact with the conductive layer (12) of the transparent electrode (10).
  • a metal having low resistance such as gold, platinum, silver, copper, and aluminum, is preferable. Since these metals have low light transmittance, a pattern is formed in a range not affected by extraction of the emitted light (h) from the light extraction surface (13a).
  • Examples of a method for producing such an auxiliary electrode (15) include a vapor deposition method, a sputtering method, a printing method, an ink jet method, and an aerosol jet method.
  • the line width of the auxiliary electrode 15 is preferably 50 ⁇ m or less from the viewpoint of the aperture ratio for extracting light, and the thickness of the auxiliary electrode 15 is preferably 1 ⁇ m or more from the viewpoint of conductivity.
  • the sealing material (17) covers the organic EL element (100), is a plate-shaped (film-shaped) sealing member, and is fixed to the transparent substrate (13) side by an adhesive (19). It may be a thing or a sealing film.
  • a sealing material (17) is at least an organic light emitting layer in a state where the transparent electrode (10) in the organic EL element (100), particularly the terminal portions of the conductive layer (12) and the counter electrode (5a) are exposed. It is provided so as to cover the unit (3).
  • an electrode may be provided in the sealing material (17) so that the transparent electrode (10) of the organic EL element (100) and the terminal portion of the counter electrode (5a) are electrically connected to the electrode. .
  • the plate-like (film-like) sealing material (17) include a glass substrate, a polymer substrate, a metal substrate, and the like, and these substrate materials may be used in the form of a thin film.
  • the glass substrate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
  • the polymer substrate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
  • the metal substrate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.
  • the organic EL element can be thinned, a polymer substrate or a metal substrate formed into a thin film can be preferably used as the sealing material.
  • the polymer substrate in the form of a film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 ml / m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm or less, and JIS K 7129-1992.
  • the water vapor permeability (25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity (90 ⁇ 2)% RH) measured by a compliant method is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 g / m 2 ⁇ 24 h or less.
  • the substrate material as described above may be processed into a concave plate shape and used as a sealing material (17).
  • the above-described substrate material is subjected to processing such as sandblasting and chemical etching to form a concave shape.
  • the adhesive (19) for fixing such a plate-shaped sealing material (17) to the transparent substrate (13) side is sandwiched between the sealing material (17) and the transparent substrate (13).
  • the adhesive (19) is a photocuring and thermosetting adhesive having a reactive vinyl group of an acrylic acid oligomer or a methacrylic acid oligomer, or moisture curing such as 2-cyanoacrylate. Examples thereof include an adhesive such as a mold.
  • epoxy-based heat and chemical curing type two-component mixing
  • the adhesive (19) is preferably one that can be adhesively cured from room temperature (25 ° C.) to 80 ° C. Further, a desiccant may be dispersed in the adhesive (19).
  • coating of the adhesive agent (19) to the adhesion part of a sealing material (17) and a transparent substrate (13) may use commercially available dispenser, and may print it like screen printing.
  • this gap when a gap is formed between the plate-shaped sealing material (17), the transparent substrate (13), and the adhesive (19), this gap includes nitrogen, argon, etc. in the gas phase and the liquid phase. It is preferable to inject an inert liquid such as an inert gas, a fluorinated hydrocarbon, or silicon oil. A vacuum can also be used. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.
  • hygroscopic compound examples include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate).
  • metal oxides for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide
  • sulfates for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate.
  • metal halides eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.
  • perchloric acids eg perchloric acid Barium, magnesium perchlorate, and the like
  • anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
  • the sealing material (17) when a sealing film is used as the sealing material (17), the organic light emitting layer unit (3) in the organic EL element (100) is completely covered, and the transparent electrode (10) and the counter electrode in the organic EL element (100) are opposed to each other.
  • a sealing film is provided on the transparent substrate (13) with the terminal portion of the electrode (5a) exposed.
  • Such a sealing film is composed of an inorganic material or an organic compound.
  • it is made of a material having a function of suppressing entry of a substance that causes deterioration of the organic light emitting layer unit (3) in the organic EL element (100) such as moisture and oxygen.
  • a material for example, inorganic materials such as silicon oxide, silicon dioxide, and silicon nitride are used.
  • a laminated structure may be formed using a film made of an organic compound together with a film made of these inorganic materials.
  • the method for producing these films is not particularly limited.
  • a polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
  • a protective film or a protective plate may be provided so as to sandwich the organic EL element (100) and the sealing material (17) together with the transparent substrate (13).
  • This protective film or protective plate is for mechanically protecting the organic EL element (100), and particularly when the sealing material (17) is a sealing film, the organic EL element (100). Therefore, it is preferable to provide such a protective film or a protective plate.
  • a glass plate, a polymer plate, a thinner polymer film, a metal plate, a thinner metal film, a polymer material film or a metal material film is applied.
  • a polymer film because it is lightweight and thin.
  • an optical adjustment layer (14) containing a metal oxide or metal sulfide is formed on a transparent substrate (13) with a layer thickness of 10 to 100 nm by a vacuum deposition method or a sputtering method.
  • the organic functional layer (11) containing the first organic compound represented by (1) and the second organic compound is preferably formed by a method such as vapor deposition so as to have a layer thickness of 10 to 100 nm.
  • the conductive layer (12) mainly composed of silver (or an alloy containing silver) is deposited by vapor deposition or the like so as to have a layer thickness within a range of 5 to 20 nm, preferably within a range of 8 to 12 nm.
  • a unit of the transparent electrode (10) which is formed on the organic functional layer (11) by the method and becomes an anode is produced.
  • a hole injection layer (3a), a hole transport layer (3b), a light emitting layer (3c), an electron transport layer (3d), and an electron injection layer (3e) are formed in this order on the organic light emitting layer.
  • a unit (3) is formed.
  • a spin coat method, a cast method, an ink jet method, a vapor deposition method, a printing method, or the like can be applied to the film formation of each of these layers. However, it is easy to obtain a homogeneous film and a pinhole is not easily generated. From the point of view, a vacuum deposition method or a spin coating method is particularly preferable. Further, a different film formation method may be applied to each layer to be formed.
  • the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally the boat heating temperature is in the range of 50 to 450 ° C., and the degree of vacuum is 1 ⁇ 10 ⁇ 6. Within a range of ⁇ 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, a deposition rate within a range of 0.01 to 50 nm / second, a substrate temperature within a range of ⁇ 50 to 300 ° C., and a layer thickness of 0.1 to 5 ⁇ m Of these, it is desirable to select each condition as appropriate.
  • a counter electrode (5a) serving as a cathode is formed thereon by an appropriate film forming method such as vapor deposition or sputtering.
  • the counter electrode (5a) has a terminal portion on the periphery of the transparent substrate (13) from above the organic functional layer 3 while maintaining an insulating state with respect to the transparent electrode (10) by the organic light emitting layer unit (3).
  • a pattern is formed in the drawn shape.
  • an organic EL element (100) is obtained.
  • a sealing material (17) covering at least the organic light emitting layer unit (3) is provided in a state where the terminal portions of the transparent electrode (10) and the counter electrode (5a) in the organic EL element (100) are exposed. .
  • a desired organic EL element can be formed on the transparent substrate (13).
  • the organic light emitting layer unit (3) it is preferable to produce the organic light emitting layer unit (3) to the counter electrode (5a) consistently by a single evacuation. You may take out a board
  • the transparent electrode 1 as an anode has a positive polarity
  • the counter electrode 5a as a cathode has a negative polarity
  • a voltage of 2 to Luminescence can be observed when about 40 V is applied.
  • An alternating voltage may be applied.
  • the alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
  • the transparent electrode (10) having both light transmittance and conductivity according to the present invention is used as an anode, and the organic light emitting layer unit (3) is formed thereon.
  • a counter electrode (5a) serving as a cathode serving as a cathode. Therefore, a sufficient voltage is applied between the transparent electrode (10) and the counter electrode (5a) to realize high-luminance light emission in the organic EL element (100), while emitting light from the transparent electrode 1 side ( It is possible to increase the luminance by improving the extraction efficiency of L). Further, it is possible to improve the light emission life by reducing the drive voltage for obtaining a predetermined luminance.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment 2 of an organic EL element using the above-described transparent electrode (10) as an example of the electronic device of the present invention.
  • the organic EL element (200) of Embodiment 2 shown in FIG. 4 is different from the organic EL element (100) of Embodiment 1 shown in FIG. 3 in that the transparent electrode (10) is used as a cathode.
  • the organic EL element (200) is provided on the transparent substrate (13), and as described in the first embodiment, the organic EL element (200) was previously described as the transparent electrode (10) on the transparent substrate (13).
  • the transparent electrode (10) of the present invention is used.
  • the organic EL element (200) is configured to extract emitted light (L) from at least the transparent substrate (13) side.
  • this transparent electrode (10) is used as a cathode (cathode).
  • the counter electrode (5b) is used as an anode.
  • the layer structure of the organic EL element (200) configured as described above is not limited to the example described below, and may be a general layer structure as in the first embodiment. .
  • an electron injection layer (3e) / electron transport layer (3d) / light emitting layer (3c) / hole transport layer (3b) are formed on the transparent electrode (10) functioning as a cathode.
  • the structure of the organic light emitting layer unit (3) in which the / hole injection layer (3a) is laminated in this order is exemplified. However, it is essential to have at least a light emitting layer (3c) composed of an organic compound.
  • the organic light emitting layer unit (3) adopts various configurations as necessary in the same manner as described in the first embodiment. In such a configuration, only the portion where the organic light emitting layer unit (3) is sandwiched between the transparent electrode (10) and the counter electrode (5b) may be a light emitting region in the organic EL element (200). It is the same.
  • the auxiliary electrode (15) is provided in contact with the conductive layer (12) of the transparent electrode (10) for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode (10). This may be the same as in the first embodiment.
  • the counter electrode (5b) used as the anode is composed of a metal, an alloy, an organic or inorganic conductive compound, or a mixture thereof.
  • metals such as gold (Au), oxide semiconductors such as copper iodide (CuI), ITO, ZnO, TiO 2 , and SnO 2 .
  • the counter electrode (5b) configured as described above can be produced by forming a thin film from these conductive materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance value as the counter electrode 5b is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually selected within a range of 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • this organic EL element (200) is comprised so that emitted light (L) can be taken out also from a counter electrode (5b) side, as a material which comprises a counter electrode (5b), it is the electroconductivity mentioned above.
  • a conductive material having good light transmittance is selected and used.
  • the organic EL element (200) having the above-described configuration is sealed with a sealing material (17) in the same manner as in Embodiment 1 for the purpose of preventing deterioration of the organic light emitting layer unit (3).
  • the transparent electrode (10) having both light transmittance and conductivity of the present invention is used as a cathode, and the organic light emitting layer unit (3) and the counter electrode serving as an anode are formed thereon. (5b) is provided.
  • a sufficient voltage is applied between the transparent electrode (10) and the counter electrode (5b) to realize high-luminance light emission in the organic EL element (200), while the transparent electrode (10) It is possible to increase the luminance by improving the extraction efficiency of the emitted light (h) from the side. Further, it is possible to improve the light emission life by reducing the drive voltage for obtaining a predetermined luminance.
  • the organic EL element which is an example of the electronic device described above is a surface light emitter, it can be used as various light sources.
  • lighting devices such as home lighting and interior lighting, backlights for watches and liquid crystals, lighting for billboard advertisements, light sources for traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, Examples include a light source of an optical sensor.
  • it can be effectively used for a backlight of a liquid crystal display device combined with a color filter and a light source for illumination.
  • the organic EL element may be used as a kind of lamp for illumination or an exposure light source, a projection device that projects an image, or a display device that directly recognizes a still image or a moving image ( It may be used as a display.
  • the light emitting surface may be enlarged by so-called tiling, in which light emitting panels provided with organic EL elements are joined together in a plane.
  • the drive method when used as a display device for moving image reproduction may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • a color or full-color display device can be manufactured by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.
  • the lighting device according to the present invention can include the organic EL element.
  • the organic EL element used in the lighting device according to the present invention may be designed such that each organic EL element having the above-described configuration has a resonator structure.
  • the purpose of use of the organic EL element configured to have a resonator structure includes a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processor, a light source of an optical sensor, etc. It is not limited to. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.
  • the material used for the organic EL element of this invention is applicable to the organic EL element (white organic EL element) which produces substantially white light emission.
  • a plurality of luminescent colors can be simultaneously emitted by a plurality of luminescent materials, and white light emission can be obtained by mixing colors.
  • white light emission colors those containing the three emission maximum wavelengths of the three primary colors of red, green and blue may be used, or two emission using the complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange, etc. It may contain a maximum wavelength.
  • a combination of light emitting materials for obtaining a plurality of emission colors is a combination of a plurality of phosphorescent or fluorescent materials, a light emitting material that emits fluorescence or phosphorescence, and excitation of light from the light emitting materials. Any combination with a pigment material that emits light as light may be used, but in a white organic EL element, a combination of a plurality of light-emitting dopants may be used.
  • Such a white organic EL element is different from a configuration in which organic EL elements emitting each color are individually arranged in parallel to obtain white light emission, and the organic EL element itself emits white light. For this reason, a mask is not required for film formation of most layers constituting the element, and deposition can be performed on one side by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, etc., and productivity is also improved. To do.
  • Example 1 Preparation of transparent electrode >> As described below, the transparent electrodes 101 to 121 were prepared so that the area of the conductive region was 5 cm ⁇ 5 cm.
  • a transparent non-alkali glass substrate (thickness: 0.5 ⁇ m, simply described as glass in Tables 1 and 2) is fixed in a BMC-800T vapor deposition device manufactured by Shincron, which is a vacuum vapor deposition device, and vacuumed. It attached to the vacuum chamber of the vapor deposition apparatus. Next, a resistance heating boat made of tungsten was filled with silver (Ag), and this was installed in the vacuum chamber. Next, after reducing the vacuum chamber to 4 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, the resistance heating boat is energized and heated, and the layer thickness is set on the substrate within the range of the deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / second. A conductive layer 1 made of 10 nm silver was deposited to produce a transparent electrode 1 having a single layer structure.
  • a transparent electrode 4 was produced in the same manner except that the optical adjustment layer 1 was formed between the substrate and the conductive layer 1 according to the following vacuum deposition method.
  • optical adjustment layer 1 (Formation of optical adjustment layer 1) A BMC-800T vapor deposition device manufactured by SYNCHRON Co., Ltd. was used as a vacuum vapor deposition device, TiO 2 was loaded into a tungsten resistance heating boat, the vacuum chamber was depressurized to 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, and then the resistance heating boat was energized and heated. Then, the current heating condition of the resistance heating boat was adjusted, and vapor deposition was performed under the condition of a formation rate of 2.0 nm / second to form the optical adjustment layer 1 composed of TiO 2 having a layer thickness of 30 nm.
  • a transparent electrode 5 was produced in the same manner except that the optical adjustment layer 2 was formed between the substrate and the conductive layer 1 according to the following sputtering method.
  • optical adjustment layer 2 (Formation of optical adjustment layer 2) Using an Anelva L-430S-FHS sputtering apparatus, Ar: 20 sccm, O 2 : 5 sccm, sputtering pressure: 0.25 Pa, room temperature (25 ° C.), formation rate: 0.74 K / sec, and layer thickness of 30 nm Nb 2 O 5 was subjected to RC sputtering so that the optical adjustment layer 2 was formed. The target-substrate distance was 86 mm.
  • the optical adjustment layer 3 was formed by sputtering using ITO (indium tin oxide) instead of Nb 2 O 5 as a material for forming the optical adjustment layer.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • Nb 2 O 5 the material for forming the optical adjustment layer
  • the optical adjustment layer 4 having a layer thickness of 30 nm was formed by sputtering.
  • a transparent electrode 7 was produced in the same manner except for the above.
  • a transparent electrode is formed in the same manner except that the optical adjustment layer is made of ZnO instead of TiO 2 and the vacuum adjustment method is used to form the optical adjustment layer 5 having a layer thickness of 30 nm. 8 was produced.
  • a transparent electrode is formed in the same manner except that the optical adjustment layer is made of ZnS instead of TiO 2 and the optical adjustment layer 6 having a layer thickness of 30 nm is formed by vacuum deposition. 9 was produced.
  • the transparent electrode 10 was produced in the same manner except that the organic functional layer 1 having a layer thickness of 15 nm was formed between the substrate and the conductive layer 1 according to the following vacuum deposition method.
  • the material thickness of the organic functional layer was changed by the vacuum deposition method in the same manner except that the material for forming the organic functional layer was changed to each exemplified compound shown in Table 1 instead of the exemplified compound (1-1).
  • the transparent electrodes 11 to 15 were prepared by forming optical adjustment layers 2 to 6 having a thickness of 15 nm.
  • a transparent electrode 16 was produced in the same manner as the organic functional layer except that the organic functional layer 7 having a layer thickness of 15 nm was formed by the following co-evaporation method.
  • Formation of organic functional layer 7 As a vacuum deposition apparatus, a BMC-800T deposition apparatus manufactured by SYNCHRON Co., Ltd. is used, and two tungsten resistance heating boats are arranged. One tungsten resistance heating boat is a compound represented by the general formula (1). The exemplified compound (1-1) was loaded, and the other tungsten resistance heating boat was loaded with the exemplified compound (2-2) which is a compound represented by the general formula (2).
  • transparent electrodes 17 to 20 In the production of the transparent electrode 16, organic functional layers 8 to 11 having a layer thickness of 15 nm were formed by co-vacuum deposition in the same manner except that the formation material of the organic functional layer was changed to the combination shown in Table 1. Thus, transparent electrodes 17 to 20 were produced.
  • transparent electrodes 21 and 22 In the production of the transparent electrode 16, transparent electrodes 21 and 22 were produced in the same manner except that the substrate was changed from glass to PET and PEN, respectively.
  • transparent electrodes 23 and 24 In the production of the transparent electrode 19, transparent electrodes 23 and 24 were produced in the same manner except that the substrate was changed from glass to PET and PEN, respectively.
  • the organic functional layers 14 to 28 having a layer thickness of 15 nm are formed by co-vacuum deposition in the same manner except that the material for forming the organic functional layer is changed to the combination shown in Tables 1 and 2. To form transparent electrodes 25 to 39.
  • transparent electrodes 40 to 45 In the production of the transparent electrodes 4 to 9, transparent electrodes 40 to 45 were produced in the same manner except that the organic functional layer 7 was provided between the optical adjustment layers 1 to 6 and the conductive layer 1, respectively. .
  • transparent electrodes 46 to 51 In the production of the transparent electrodes 4 to 9, transparent electrodes 46 to 51 were produced in the same manner except that the organic functional layer 10 was provided between the optical adjustment layers 1 to 6 and the conductive layer 1, respectively. .
  • a transparent electrode 52 was produced in the same manner except that the following conductive layer 2 was formed instead of the conductive layer 1.
  • Formation of conductive layer 2 As a vacuum evaporation system, a BMC-800T evaporation system manufactured by SYNCHRON Co., Ltd. was used, and two tungsten resistance heating boats were arranged. One tungsten resistance heating boat was loaded with Ag and the other resistance heating boat made of tungsten. Was loaded with Pd.
  • a transparent electrode 53 was produced in the same manner except that the following conductive layer 3 was formed instead of the conductive layer 1.
  • conductive layer 3 As a vacuum evaporation system, a BMC-800T evaporation system manufactured by SYNCHRON Co., Ltd. was used, and two tungsten resistance heating boats were arranged. One tungsten resistance heating boat was loaded with Ag and the other resistance heating boat made of tungsten. Was loaded with Au.
  • a transparent electrode 54 was produced in the same manner except that the following conductive layer 4 was formed instead of the conductive layer 1.
  • conductive layer 4 (Formation of conductive layer 4) As a vacuum evaporation system, a BMC-800T evaporation system manufactured by SYNCHRON Co., Ltd. was used, and two tungsten resistance heating boats were arranged. One tungsten resistance heating boat was loaded with Ag and the other resistance heating boat made of tungsten. Was loaded with Cu.
  • the sheet resistance value ( ⁇ / ⁇ ) was measured by a four-probe method constant current application method using a resistivity meter (MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.).
  • Table 1 and Table 2 show the results obtained as described above.
  • the transparent electrode having the structure defined in the present invention has excellent light transmission and resistance characteristics compared to the comparative example, and is compatible with both. You can see that it plays.
  • Example 2 Production of organic EL devices >> [Production of Organic EL Device 1] Using the transparent electrode 1 produced in Example 1 as an anode, an organic EL device 1 was produced according to the following method.
  • the transparent electrode 1 produced in Example 1 was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus, and a vapor deposition mask was disposed facing the formation surface side of the transparent electrode 10. Moreover, each material which comprises an organic light emitting layer unit (3) was filled with the optimal quantity for film-forming of each layer in each heating boat in a vacuum evaporation system. In addition, what was produced with the resistance heating material made from tungsten was used for the heating boat.
  • each layer was formed as follows by sequentially energizing and heating a heating boat containing each material.
  • an ⁇ -NPD (4,4′-Bis [phenyl (1-naphthyl) amino] -1,1′-biphenyl) as a hole transport injection material is energized and heated, and ⁇ -NPD
  • a hole transport injection layer serving as both a hole injection layer and a hole transport layer was formed on the conductive layer (12) constituting the transparent electrode 1.
  • the deposition rate was 0.1 to 0.2 nm / second, and the layer thickness was 20 nm.
  • the heating boat containing the host material H4 and the heating boat containing the phosphorescent dopant Ir-4 are energized independently, and the light emitting layer containing the host material H4 and the phosphorescent dopant Ir-4 ( 3c) was deposited on the hole transport injection layer.
  • the layer thickness was 30 nm.
  • a hole blocking layer made of BAlq is heated by energizing a heating boat containing BAlq ([Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum]) as a hole blocking material.
  • BAlq [Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum]
  • a film was formed on the light emitting layer (3c). At this time, the deposition rate was 0.1 to 0.2 nm / second, and the layer thickness was 10 nm.
  • a heating boat containing ET-6 shown below as an electron transporting material and a heating boat containing potassium fluoride were energized independently, and an electron transporting layer containing ET-6 and potassium fluoride ( 3d) was deposited on the hole blocking layer.
  • the layer thickness was 30 nm.
  • a heating boat containing potassium fluoride as an electron injection material was energized and heated to form an electron injection layer (3e) made of potassium fluoride on the electron transport layer (3d).
  • the deposition rate was 0.01 to 0.02 nm / second, and the layer thickness was 1 nm.
  • the transparent substrate 1 formed up to the electron injection layer (3e) is transferred from the vapor deposition chamber of the vacuum vapor deposition apparatus to the processing chamber of the sputtering apparatus to which an ITO target is attached as a counter electrode material while maintaining the vacuum state. did. Then, in the processing chamber, a film was formed at a film formation rate of 0.3 to 0.5 nm / second, and a light-transmitting counter electrode (5a) made of ITO having a film thickness of 150 nm was formed as a cathode. Thus, the organic EL element (100) was formed on the transparent substrate (13).
  • the organic EL element is covered with a sealing material (17) made of a glass substrate having a thickness of 300 ⁇ m, and the organic EL element (100) is surrounded by the sealing material (17) and the transparent substrate (13).
  • a sealing material (17) made of a glass substrate having a thickness of 300 ⁇ m
  • the organic EL element (100) is surrounded by the sealing material (17) and the transparent substrate (13).
  • an adhesive (19, sealing material) an epoxy photocurable adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) was used.
  • the adhesive (19) filled between the sealing material (17) and the transparent substrate (13) is irradiated with UV light from the glass substrate (sealing material 17) side to cure the adhesive (19).
  • the organic EL element (100) was sealed.
  • the organic EL panel 1 was prepared by providing the organic EL element (100) on the transparent substrate (13) and sealing it with the sealing material (17) and the adhesive (19).
  • Organic EL devices 2 to 59 were produced in the same manner as in the production of the organic EL device 1, except that the transparent electrodes 2 to 59 produced in Example 1 were used in place of the transparent electrode 1.
  • the drive voltage was measured by using the voltage (V) when the front luminance on the transparent substrate (13) side of each organic EL device was 1000 cd / m 2 as the drive voltage (V).
  • V the voltage
  • a spectral radiance meter CS-2000 manufactured by Konica Minolta was used. It represents that it is so preferable that the numerical value of the obtained drive voltage (V) is small.
  • the color change was measured by applying a current of 2.5 mA / cm 2 to the organic EL element (100) of each organic EL device, and measuring the chromaticity in the CIE 1931 color system from a position at a different angle. At this time, the chromaticity was measured at a position of 0 ° which is a normal direction to the light emitting surface on the transparent substrate (13) side and each position of 45 ° in the vertical horizontal (up, down, left and right) directions. The difference in chromaticity measured at different angles was determined as the color change ( ⁇ xy). The color change represents the viewing angle characteristic of chromaticity, and the smaller the value, the better the result.
  • the organic EL device of the present invention having the transparent electrode of the present invention can be driven at a low voltage and has little color change compared to the comparative example. I understand.
  • the transparent electrode of the present invention has excellent light transmission and high electrical conductivity, and is an electronic device having a low driving voltage and excellent color change stability, as well as a lighting device such as a home lighting or an interior lighting, a watch It can be used effectively in applications such as backlights for LCDs, lighting for billboard advertisements, light sources for traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, and light sources for optical sensors. .

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Abstract

　本発明の課題は、優れた光透過性と高い導電性を兼ね備えた透明電極と、この透明電極を具備した低駆動電圧で、色変化安定性に優れた電子デバイスを提供することである。　本発明の透明電極は、基板上に、少なくとも銀を主成分とする導電性層を有する透明電極であって、前記基板と導電性層の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する第１の有機化合物と、当該第１の有機化合物とは構造の異なる第２の有機化合物とを含有する有機機能層を有することを特徴とする。　

Description

透明電極及び電子デバイス
　本発明は、透明電極及び電子デバイスに関する。より詳しくは、光透過性と導電性を兼ね備えた透明電極と、当該透明電極を具備した電子デバイスに関する。
　液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル、電子ペーパー等には、一般に透明電極が用いられている。
　例えば、有機化合物のエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、「ＥＬ」と略記する。）を利用した有機ＥＬ素子（有機電界発光素子ともいう。）では、対向する２枚の電極間に有機化合物を含有する発光層を配置した構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は、透明電極により構成されている。
　透明電極としては、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：略称＝ＩＴＯ）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられているが、ＩＴＯ等により構成されている透明電極は、通常、スパッタ方式による成膜であり、スパッタ成膜法のみにより形成された透明電極では、面抵抗が大きく、給電点からの電圧降下が顕著である。
　また、面抵抗を減少させるため、ＩＴＯ層と銀層とを積層して低抵抗化を狙った検討もなされている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
　特許文献１では，ＩＴＯ膜と銀膜とを積層した構成からなる透明電極が開示され、特許文献２では、ＩＴＯ膜で銀膜を挟持した構成の透明電極が開示されている。しかしながら、適用する銀膜を、透過率の損失が生じない程度に薄膜化すると、抵抗値が十分に低下しないため、ＩＴＯ等の金属酸化物との併用が必要であった。しかしながら、ＩＴＯは、レアメタルのインジウムを使用しているため材料コストが高い。また、抵抗値を下げるために成膜後に、例えば、３００℃程度の温度条件でアニール処理をする必要があり、そのような温度環境では樹脂基板などの適用が困難であった。また、銀を適用した場合、高い電気伝導性を得ることができる反面、上記のように抵抗特性と透過率とのトレードオフを有する問題を抱えているのが現状である。
　また、特許文献３では、ＩＴＯ等の金属酸化物に代わる材料として、電気伝導率の高い銀等の金属材料を薄膜化した構成や、銀にアルミニウムを混ぜることにより銀単独よりも薄い膜厚で導電性を確保する構成も提案されている。しかしながら、電気伝導率の高い銀及びアルミニウムを用いて構成された透明電極であっても、面抵抗特性としてはやや不十分であった。金属薄膜は、通常、面抵抗を小さくしようとすると膜厚を厚くせざるを得ず、透明性を損なうものとなり、上記と同様に、抵抗特性と透過率はトレードオフの関係であり、十分な導電性と光透過性との両立を図ることは困難であった。加えて、銀－アルミニウム合金では、アルミニウムが酸化されやすい特性を有し、酸化により抵抗値が上昇するという問題も抱えており、抵抗特性（導電性）と透過性との両立を達成することのできる透明電極の実現が望まれている。
特開２００２－０１５６２３号公報 特開２００６－１６４９６１号公報 特開２００９－１５１９６３号公報
　本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、優れた光透過性と高い導電性とを兼ね備えた透明電極と、この透明電極を具備し、低駆動電圧で、色変化安定性に優れた電子デバイスを提供することである。
　本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、基板と銀を主成分とする導電性層との間に、特定の構造を有する２種の有機化合物を含有する有機機能層を有する透明電極により、優れた光透過性と高い導電性を兼ね備えた透明電極を実現することができることを見出し、本発明に至った。
　すなわち、本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。
　１．基板上に、少なくとも銀を主成分とする導電性層を有する透明電極であって、
　前記基板と前記導電性層の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する第１の有機化合物と、当該第１の有機化合物とは構造の異なる第２の有機化合物とを含有する有機機能層を有することを特徴とする透明電極。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 〔式中、Ｒ１～Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、スルホニル基（－ＳＯ２Ｒ７）、スルフィニル基（－ＳＯＲ７）、スルホンアミド基（－ＳＯ２ＮＲ７Ｒ８）、スルホナート基（－ＳＯ３Ｒ７）、トリフルオロメチル基、エステル基（－ＣＯＯＲ７）、アミド基（－ＣＯＮＨＲ７又は－ＣＯＮＲ７Ｒ８）、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、芳香族炭化水素環基、アリールアミノ基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基又はアラルキルアミノ基を表す。Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、炭素数１～６０のアルキル基、アリール基又は５～７員の複素環基を表す。〕
　２．前記有機機能層が含有する前記第２の有機化合物が、下記一般式（２）又は一般式（３）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする第１項に記載の透明電極。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 〔式中、Ｅ１０１～Ｅ１０８は、各々Ｃ（Ｒ１２）又は窒素原子を表し、Ｅ１０１～Ｅ１０８のうち少なくとも一つは窒素原子である。また、Ｒ１１及びＲ１２は、各々水素原子又は置換基を表す。〕
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｌ１は、窒素原子と結合している芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。〕
　３．前記第１の有機化合物が、前記一般式（１）におけるＲ１～Ｒ６が全てシアノ基である化合物であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明電極。
　４．前記基板と前記有機機能層との間に、金属酸化物又は金属硫化物を含む光学調整層を有することを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明電極。
　５．第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明電極を具備していることを特徴とする電子デバイス。
　６．有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする第５項に記載の電子デバイス。
　本発明によれば、優れた光透過性と高い導電性を兼ね備えた透明電極と、この透明電極を具備した低駆動電圧で、色変化安定性に優れた電子デバイスを提供することができる。
　本発明の効果の発現機構、作用機構については明確にはなっていないが、以下のように推察される。
　通常、銀を主成分とする導電性層により、十分な導電性と光透過性とを備えた透明電極を作製するには、該導電性層が電極として作用する均一な薄層の形成が求められるため、凝集等による不均一な薄層の形成が起こらない条件の設定が必要である。
　ところが、銀原子は通常では核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ－Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）で薄膜成長するため、該銀原子は島状に孤立し易く、膜厚が薄いときは導電性を得ることが困難であり、シート抵抗値が高くなりやすい。したがって、導電性を確保するには膜厚を厚くする必要があり、膜厚を厚くすると光透過率が下がるため、導電性と光透過性を両立した透明電極を得ることが困難であった。
　本発明者らは、基板上、あるいは必要に応じて基板上に設けた金属酸化物等を含む光学調整層上に、前記一般式（１）で表される第１の有機化合物と、当該第１の有機化合物とは構造の異なる第２の有機化合物とを含有する有機機能層を形成することにより、その上に形成する銀を主成分とする導電性層が、高い連続性を備えた膜を形成することができることを見出した。
　すなわち、本発明においては、本来、銀との親和性が高い一般式（１）で表される第１の有機化合物と共に、第２の有機化合物を併用して用いることにより、形成する有機機能層中において、各成分がランダムな配列、すなわち、層内で局在化することなく、均一な分布状態で存在する配列となることにより、その上に形成する導電性層において、銀の連続造膜性を得ることができる。すなわち、一般式（１）で表される第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを含有する有機機能層を設けることにより、銀原子が、まず銀原子と親和性のある原子を有する銀親和性化合物を含有する有機機能層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。
　あるいは、一般式（１）で表される構造を有する第１の有機化合物の規則配列により、第２の有機化合物がある程度、規則配列することにより、銀と親和性がある部位を効率的に表面に形成することができると推測している。
本発明の透明電極の構成の一例を示す概略断面図 本発明の透明電極の構成の他の一例を示す概略断面図 本発明の透明電極の構成の他の一例を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた電子デバイスである有機ＥＬ素子の構成の一例（実施態様１）を示す概略断面図 本発明の透明電極を用いた電子デバイスである有機ＥＬ素子の構成の他の一例（実施態様２）を示す概略断面図
　本発明の透明電極は、基板上に、少なくとも銀を主成分とする導電性層を有する透明電極であって、前記基板と前記導電性層の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される第１の有機化合物と、当該第１の有機化合物とは構造の異なる第２の有機化合物とを含有する有機機能層を有することを特徴とする。この特徴は、請求項１から６までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
　本発明の実施態様としては、本発明の目的とする効果をより発現できる観点から、前記有機機能層が含有する前記第２の有機化合物が、前記一般式（２）又は一般式（３）で表される化合物であることが、一般式（１）で表される第１の有機化合物と併用することにより、より高い連続性を備え、透過性がより向上した導電性層を形成することができる観点で好ましい。
　また、第１の有機化合物が、一般式（１）におけるＲ１～Ｒ６が全てシアノ基である化合物（以下、ＨＡＴ－ＣＮと略する場合がある。）であることが、より均一性に優れた銀を主成分とする導電性層を形成でき、抵抗特性に優れた透明電極を得ることができ、好ましい。
　また、基板と有機機能層との間に、金属酸化物又は金属硫化物を含む光学調整層を有することが、導電性層の反射率や透過率等の光学特性を調整でき、透明電極として、更に光透過性を向上させることができる観点から好ましい態様である。
　本発明の透明電極は、電子デバイス、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子用の透明電極として適用することにより、十分な光透過性と導電性とを兼ね備え、電子デバイスを低電圧で駆動することができ、かつ発光時の色変動を抑制することができる。
　以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本発明において示す「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
　《透明電極》
　［透明電極の基本的な構成］
　本発明の透明電極の基本的な構成について、図１、図２Ａ及び図２Ｂを交えて説明する。なお、各構成要素のあとの括弧内に記載の数字は、各図に記載した構成要素の符号を表す。
　図１は、本発明の透明電極の構成の一例（実施態様１）を示す概略断面図である。
　図１に示すように、本発明の透明電極（１０）は、基板（１３）上に、銀を主成分とする導電性層（１２）を有し、基板（１３）と導電性層（１２）との間に、前記一般式（１）で表される第１の有機化合物と、当該第１の有機化合物とは構造の異なる第２の有機化合物とを含有する有機機能層（１１）を有する構成である。
　図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の透明電極の構成の他の一例（実施態様２）を示す概略断面図である。
　図２Ａで示す透明電極（１０）は、図１で説明した構成に対し、更に、基板（１３）と有機機能層（１１）との間に、金属酸化物又は金属硫化物を含む光学調整層（１４）を設けた構成であり、図２Ｂで示す透明電極（１０）は、図２Ａで説明した上記構成に対し、更に、導電性層（１２）の上面の最表面部に、第２の光学調整層（１４Ｂ）を設けた構成である。
　本発明に係る導電性層（１２）でいう「主成分」とは、導電性層（１２）を構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分を「主成分」と称し、導電性層（１２）における「銀を主成分とする」とは、銀の構成比率が５１質量％以上であることをいい、６０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９８質量％以上であることが特に好ましい。
　また、本発明の透明電極（１０）でいう「透明」とは、測定光波長５５０ｎｍにおける光透過率が５０％以上であることをいう。
　また、透明電極（１０）としての面抵抗値は、８Ω／□未満であることが好ましく、導電性層（１２）の層厚は、通常５～２０ｎｍの範囲内であり、好ましくは５～１２ｎｍの範囲内で設定される。
　［透明電極の主要構成］
　次に、本発明の透明電極（１０）を構成する基板（１３）、有機機能層（１１）、導電性層（１２）、光学調整層（１４）について、その構成の詳細を説明する。
　〔基板〕
　本発明の透明電極（１０）を構成する基板（１３）としては、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、本発明に係る基板（１３）は、本発明の透明電極（１０）が、基板（１３）側から光を取り出す電子デバイス、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる場合には、基板（１３）は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板（１３）としては、ガラス、石英又は透明樹脂フィルムを挙げることができる。
　ガラスとしては、薄膜ガラスを適用することが好ましく、薄膜ガラスとしては、各種成形法によって成形されたものを使用することができる。例えばロールアウト法、リドロー法、ダウンドロー法、フロート法等によって成形された薄膜ガラスを使用できる。
　薄膜ガラスの平均厚さは、５～２００μｍであることが好ましく、５～１００μｍであることがより好ましい。薄膜ガラスは、多成分系酸化物ガラスであれば特に限定はない。例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、有機機能層（１１）、あるいは光学調整層（１４）との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理が施されていてもよいし、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。
　樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名、ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名、三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等の樹脂成分により形成されたフィルムが挙げられる。
　上記した樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜及びハイブリッド被膜は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／ｍ２・２４ｈ以下のガスバリアー性フィルム（ガスバリアー膜等ともいう。）であることが好ましい。さらには、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０－３ｍｌ／ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ以下、及び水蒸気透過度が１×１０－５ｇ／ｍ２・２４ｈ以下の高ガスバリアー性フィルムであることが好ましい。
　以上のようなガスバリアー性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の電子デバイスや有機ＥＬ素子の劣化をもたらす要因の侵入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。さらに、ガスバリアー性フィルムの脆弱性を改良する観点から、これら無機材料からなる層（無機層）と有機化合物からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層との積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
　ガスバリアー性フィルムの作製方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を適宜選択して用いることができる。
　〔有機機能層〕
　本発明に係る有機機能層は、基板と、銀を主成分として形成される導電性層との間に設けられ、導電性層における金属原子配列を均一にし、光透過性と抵抗特性の両立を達成するための層であり、少なくともその詳細を後述する一般式（１）で表される第１の有機化合物と、当該第１の有機化合物とは構造の異なる第２の有機化合物とを含有することを特徴とし、更には、第２の有機化合物が、後述する一般式（２）又は一般式（３）で表される化合物であることが好ましい態様である。
　（一般式（１）で表される構造を有する化合物）
　はじめに、第１の有機化合物である下記一般式（１）で表される構造を有する化合物（以下、「一般式（１）で表される化合物」という。）について説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　上記一般式（１）において、Ｒ１～Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、スルホニル基（－ＳＯ２Ｒ７）、スルフィニル基（－ＳＯＲ７）、スルホンアミド基（－ＳＯ２ＮＲ７Ｒ８）、スルホナート基（－ＳＯ３Ｒ７）、トリフルオロメチル基、エステル基（－ＣＯＯＲ７）、アミド基（－ＣＯＮＨＲ７又は－ＣＯＮＲ７Ｒ８）、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、芳香族炭化水素環基、アリールアミノ基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基又はアラルキルアミノ基を表す。Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、炭素数１～６０のアルキル基、アリール基又は５～７員の複素環基を表す。
　一般式（１）におけるＲ１～Ｒ８はそれぞれ置換基を有していてもよく、その置換基としては、例えば、直鎖又は分岐アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいう。例えば、ベンゼン環、ビフェニル、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ－ターフェニル環、ｍ－ターフェニル環、ｐ－ターフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、インデン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環、テトラリン等から導出される基等）、芳香族複素環基（例えば、フラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ジベンゾチオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環等から導出される基等。
　また、カルボリン環とジアザカルバゾール環を合わせて「アザカルバゾール環」と呼ぶ場合もある。）、非芳香族炭化水素環基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、非芳香族複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）等。
　また、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、チオール基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、重水素原子等が挙げられる。
　以下に、一般式（１）で表される化合物の代表例を示すが、本発明は、これら例示する化合物に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　本発明においては、上記例示した一般式（１）で表される化合物の中でも、Ｒ１～Ｒ６の全てがシアノ基である例示化合物１－１が特に好ましい。この例示化合物１－１は、ＨＡＴ－ＣＮという略称で呼ばれている。
　一般式（１）で表される化合物は、従来公知の合成法に従って、容易に合成して得ることができる。
　（第２の有機化合物）
　本発明に係る有機機能層では、上記説明した一般式（１）で表される第１の有機化合物と共に、第２の有機化合物を併用することを特徴とするが、第２の有機化合物のが、下記一般式（２）で表される化合物又は一般式（３）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。
　〈一般式（２）で表される構造を有する化合物〉
　本発明に係る第２の有機化合物が、下記一般式（２）で表される構造を有する化合物（以下、「一般式（２）で表される化合物」という。）であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　上記一般式（２）において、Ｅ１０１～Ｅ１０８は、各々Ｃ（Ｒ１２）又は窒素原子を表し、Ｅ１０１～Ｅ１０８のうち少なくとも一つは窒素原子である。また、Ｒ１１及びＲ１２は、各々水素原子又は置換基を表す。
　Ｒ１１及びＲ１２で表される置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６－テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
　これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
　以下に、本発明に係る一般式（２）で表される化合物の具体例を示すが、本発明は、これら例示する化合物に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　上記一般式（２）で表される例示化合物の中でも、例示化合物２－１～２－３、２－１２が好ましい。
　一般式（２）で表される化合物は、従来公知の合成法に従って、容易に合成して得ることができる。
　〈一般式（３）で表される構造を有する化合物〉
　本発明に係る第２の有機化合物が、下記一般式（３）で表される構造を有する化合物（以下、「一般式（３）で表される化合物」という。）であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　上記一般式（３）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｌ１は、窒素原子と結合している芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。
　一般式（３）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３で表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６－テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
　一般式（３）において、Ｌ１は、芳香族六員環骨格を有することが好ましい。芳香族六員環骨格としては、例えば、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）等、あるいは芳香族複素環基（ヘテロアリール基ともいい、例えば、ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基等）を有するものが好ましく、特に、Ｌ１は、ベンゼン環骨格又はトリアジン環骨格を有することが好ましい。ここで、芳香族六員環骨格、ベンゼン環骨格及びトリアジン環骨格とは、前述のピリジン環骨格と同様に、それぞれの部分構造を含んでいることを表している。
　以下に、本発明に係る一般式（３）で表される化合物の具体例を示すが、本発明は、これら例示する化合物に限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　一般式（２）で表される化合物は、従来公知の合成法に従って、容易に合成して得ることができる。
　（一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）又は（３）で表される化合物の使用比率）
　本発明に係る有機機能層においては、前記一般式（１）で表される第１の有機化合物と、第１の有機化合物とは構造の異なる第２の有機化合物とを同時に含有することを特徴とし、さらには、第１の有機化合物として前記一般式（１）で表される化合物と、第２の有機化合物として前記一般式（２）又は一般式（３）で表される化合物を併用することが好ましい。
　本発明において、前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）又は一般式（３）で表される化合物の使用比率としては、特に制限はないが、前記一般式（２）又は一般式（３）で表される化合物を１００質量％とした時、一般式（１）で表される化合物の使用比率は、５．０～６０質量％の範囲内であることが好ましく、更には、１０～５０質量％の範囲内であることが好ましい。
　（有機機能層の形成方法）
　本発明に係る有機機能層の形成には、様々な薄膜形成方法を適用することができるが、その中でも、蒸着法又はスパッタ法により形成することが好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ－８００Ｔ蒸着機等を用いることができ、２つの加熱用ボートを用い、一方の加熱用ボートに一般式（１）で表される化合物を充填し、他方の加熱用ボードに一般式（２）又は一般式（３）で表される化合物を充填し、所望の比率となるように加熱条件を制御して、共蒸着により有機機能層を形成する方法を挙げることができる。
　本発明に係る有機機能層の形成に用いるスパッタ法とは、真空チャンバー内に薄膜の形成に用いる金属をターゲットとして設置し、高電圧をかけてイオン化させた希ガス元素（通常はアルゴン）や窒素（通常は空気由来）をターゲットに衝突させ、ターゲット表面の原子をはじき飛ばして、基板に高密度に金属を成膜する方法である。また、上記希ガスとともに、反応性ガス（Ｏ２やＮ２）を導入することで、金属酸化物や金属窒化物を成膜することもできる。
　本発明に適用可能なスパッタ法としては、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法、ＲＦ（高周波）スパッタ法、デュアルマグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、イオンビームスパッタ法、バイアススパッタ法、及び対向ターゲットスパッタ法などの、公知のスパッタ法を適宜用いることができる。具体的な市販のスパッタ装置としては、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置、ウルバック社の各種スパッタ装置（例えば、マルチチャンバ型スパッタリング装置ＥＮＴＲＯＮＴＭ－ＥＸ　Ｗ３００）やアネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳスパッタ装置等を挙げることができる。
　〔導電性層〕
　本発明に係る導電性層（１２）は、銀を主成分として含有している。また、導電性層（１２）は、上記説明した有機機能層（１１）上に成膜される層である。
　導電性層（１２）は、銀を主成分として構成されている層であるが、必要に応じて、複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
　導電性層（１２）は、層厚が５～２０ｎｍの範囲内であることが好ましく、５～１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
　層厚が２０ｎｍより薄い場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なくなり、透明電極（１０）の光透過率が向上するため好ましい。また、層厚が５ｎｍより厚い場合には、導電性層としての導電性が十分になるため好ましい。
　以上説明した有機機能層（１１）と、この上部に成膜された導電性層（１２）とからなる積層構造の透明電極（１０）は、導電性層（１２）の上部が保護膜で覆われていてもよいし、別の導電性層が積層されていてもよい。この場合、透明電極（１０）の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び別の導電性層が光透過性を有することが好ましい。また、本発明の透明電極（１０）においては、有機機能層（１１）の下部、すなわち有機機能層（１１）と基板（１３）との間にも、必要に応じ、前記説明した図２Ａ及び図２Ｂで示すような光学調整層（１４）を設けた構成としてもよい。
　導電性層（１２）は、銀（Ａｇ）を主成分として含有する合金から構成されていてもよく、そのような合金としては、例えば、銀－マグネシウム（Ａｇ－Ｍｇ）、銀－銅（Ａｇ－Ｃｕ）、銀－パラジウム（Ａｇ－Ｐｄ）、銀－パラジウム－銅（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）、銀－インジウム（Ａｇ－Ｉｎ）等が挙げられる。
　導電性層（１２）の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、前記有機機能層の形成に用いる蒸着法又はスパッタ法を適用して形成することができるが、その中でも、本発明においては蒸着法を適用することが好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ－８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。
　本発明に係る導電性層（１２）は、特定の化合物を含む有機機能層（１１）上に成膜されることにより、導電性層（１２）を成膜した後、高温アニール処理（例えば、１５０℃以上の加熱プロセス）等がなくても十分な導電性を有することができるが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。この時は、透明電極を構成している基材のガラス転移温度（Ｔｇ）を加味して設定することが肝要である。
　以上のような構成の本発明に係る透明電極（１０）では、一般式（１）で表される第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを含有する有機機能層（１１）上に、銀を主成分として構成されている導電性層（１２）を設けている。これにより、有機機能層（１１）の上部に導電性層（１２）を成膜する際には、導電性層（１２）に含有される銀原子が有機機能層（１１）に含有される一般式（１）で表される第１の有機化合物と、第２の有機化合物と相互作用し、銀原子の有機機能層（１１）表面での拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。
　ここで、一般的に銀を主成分として構成されている導電性層の成膜においては、島状成長型（ＶＷ型）で薄膜成長するため、銀粒子が島状に孤立しやすく、膜厚が薄いときは導電性を得ることが困難であり、シート抵抗値が高くなる。
　したがって、導電性を確保するには膜厚を厚くする必要があるが、膜厚を厚くすると光透過率が下がるため、透明電極としては不適であった。
　しかしながら、本発明構成の透明電極（１０）によれば、上述したように有機機能層（１１）上において銀の凝集が抑えられるため、銀を主成分として構成されている導電性層（１２）の成膜においては、層状成長型（ＦＭ型）で薄膜成長するようになる。
　〔光学調整層〕
　本発明の透明電極においては、図２Ａ及び図２Ｂで示したように、基板（１３）と有機機能層（１１）との間に、金属酸化物又は金属硫化物を含む光学調整層（１４）を有することが好ましい。
　光学調整層（１４）とは、導電性層（１２）の反射率や透過率等の光学特性を調整することを目的とする層である。このような光学調整層（１４）は、基板（１３）よりも屈折率の高い層、すなわち高屈折率層であることが好ましい。
　高屈折率層の屈折率は、１．８以上であることが好ましく、より好ましくは２．１～２．５の範囲内である。高屈折率層の屈折率が１．８より高いと、導電性層（１２）の光透過性が高まりやすい。また、高屈折率層の屈折率は、基板（１３）の屈折率よりも、＋０．１～＋１．１の範囲で高いことが好ましく、＋０．４～＋１．０の範囲で高いことがより好ましい。本発明でいう高屈折率層の屈折率は、波長５１０ｎｍの光に対する屈折率であり、エリプソメーターで測定される。高屈折率層の屈折率は、高屈折率層を構成する材料や、高屈折率層中の材料の密度等によって調整することができる。
　高屈折率層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含んで構成されていることが好ましい。また、高屈折率層を構成する材料は、金属酸化物又は金属硫化物であることが好ましい。金属酸化物又は金属硫化物の例には、酸化チタン（ＴｉＯ２：ｎ＝２．１～２．４）、酸化インジウムスズ（略称ＩＴＯ：ｎ＝１．９～２．２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ：ｎ＝１．９～２．０）、硫化亜鉛（ＺｎＳ：ｎ＝２．０～２．２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５：ｎ＝２．２～２．４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２：ｎ＝２．０．～２．１）、酸化セリウム（ＣｅＯ２：ｎ＝１．９～２．２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５：ｎ＝１．９～２．２）、酸化錫（ＳｎＯ２：ｎ＝１．８～２．０）、酸化インジウム亜鉛（略称ＩＺＯ：１．９～２．４）、酸化亜鉛（ＺｎＯ：１．９～２．０）、硫化亜鉛（ＺｎＳ、２．２～２．４）等が含まれ、屈折率や生産性の観点からＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＺｎＳであることが好ましい。高屈折率層には、誘電性材料または酸化物半導体材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。なお、括弧内のｎで表す数値は、屈折率を表す。
　高屈折率層の層厚は、１０～１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０～５０ｎｍの範囲内である。ここで、高屈折率層の層厚が１０ｎｍ以上であれば、導電性層（１２）の光透過性を十分に高めることができる。一方、高屈折率層の層厚が１００ｎｍ以下であれば、導電性層（１２）の透明性（反射防止性）を高めることができる。高屈折率層の層厚は、エリプソメーターで測定される。
　なお、光学調整層（１４）は、基板（１３）よりも屈折率の低い層（低屈折率層）であってもよい。また、上述した高屈折率層に加えてさらに低屈折率層を設けてもよいし、高屈折率層と低屈折率層とを複数積層した構成とすることも可能である。このような低屈折率層を高屈折率層に隣接して形成することにより、透明電極（１０）の光透過性がさらに向上する。
　また、図２Ｂで示したように、基板（１３）と有機機能層（１１）との間に第１の光学調整層（１４Ａ）を設け、更に、導電性層（１２）上に、第２の光学調整層（１４Ｂ）を設ける構成であってもよい。このような構成において、第１の光学調整層（１４Ａ）と、第２の光学調整層（１４Ｂ）は、同一構成であっても、異なる構成であってもよい。
　上記説明した光学調整層（１４）を、基板（１１）上に成膜方法としては、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）またはスパッタ法が挙げられる。蒸着法を適用するか、スパッタ法を適用するかは、使用する金属酸化物または金属硫化物の種類により適宜選択することが好ましい。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を用いた光学調整層の成膜であれば蒸着法が好ましく適用される。また、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、又は酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を用いた光学調整層の成膜であればスパッタ法が好ましく適用される。
　《透明電極の用途》
　本発明の透明電極は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて光透過性を必要とされる電極部材として、本発明の透明電極を適用することができる。
　《有機ＥＬ素子への適用》
　以下、電子デバイス用途の一例として、本発明の透明電極を用いた有機ＥＬ素子の実施の形態を説明する。
　［有機ＥＬ素子の実施態様１］
　〔有機ＥＬ素子の構成〕
　図３は、本発明の電子デバイスの一例として、本発明の透明電極（１０）を用いた有機ＥＬ素子（１００）の１例を示す概略断面図である。
　以下に、図３に基づいて有機ＥＬ素子の構成を説明する。
　図３に示すとおり、有機ＥＬ素子（１００）は、透明基板（１３、以下、基板ともいう）上に設けられており、透明基板（１３）上には、前記図２Ａに示す透明電極（１０）が配置されている。透明電極の基板（１３）である透明基板上に、光学調整層（１４）、有機機能層（１１）及び導電性層（１２）が積層して構成され、その上に、有機発光層ユニット（３）及び対向電極（５ａ）が積層されている。
　この有機ＥＬ素子（１００）においては、透明電極（１０）として、本発明で規定する構成からなる透明電極を用いている。このため、有機ＥＬ素子（１００）は、発光点（ｈ）より発生させた発光光（Ｌ）を、少なくとも透明基板（１３）の光取出し面（１３ａ）側から取り出すように構成されている。
　また、有機ＥＬ素子（１００）の層構造の一例を以下に説明するが、ここで例示する構成に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよい。図３においては、透明電極（１０）がアノード（すなわち陽極）として機能し、対向電極（５ａ）がカソード（すなわち陰極）として機能する構成を示してある。
　例えば、図３で示す構成では、有機発光層ユニット（３）は、アノードである透明電極（１０）側から順に正孔注入層（３ａ）／正孔輸送層（３ｂ）／発光層（３ｃ）／電子輸送層（３ｄ）／電子注入層（３ｅ）を積層した構成を例示しているが、このうち少なくとも有機化合物を用いて構成された発光層（３ｃ）を有することが必須である。正孔注入層（３ａ）及び正孔輸送層（３ｂ）は、正孔輸送注入層として設けられていてもよい。電子輸送層（３ｄ）及び電子注入層（３ｅ）は、電子輸送注入層として設けられていてもよい。また、これらの有機発光層ユニット（３）のうち、例えば、電子注入層（３ｅ）は無機材料で構成されているものであってもよい。
　また、有機発光層ユニット（３）は、これらの層の他に正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに、発光層（３ｃ）は、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を非発光性の補助層を介して積層させた構造としてもよい。補助層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらに、カソードである対向電極（５ａ）も、必要に応じた積層構造であってもよい。このような構成においては、透明電極（１０）と対向電極（５ａ）とで有機発光層ユニット（３）が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子（１００）における発光領域となる。
　また、図３に示すような層構成においては、透明電極（１０）の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極（１０）の導電性層（１２）に接して補助電極（１５）が設けられていてもよい。
　図３で示す構成の有機ＥＬ素子（１００）は、有機化合物等を用いて構成された有機発光層ユニット（３）の劣化を防止することを目的として、透明基板（１３）上において、後述する封止材（１７）で封止されている。この封止材（１７）は、接着剤（１９）を介して透明基板（１３）側に固定されている。ただし、透明電極（１０）及び対向電極（５ａ）の端子部分は、透明基板（１３）上において有機発光層ユニット（３）によって互いに絶縁性を保った状態で封止材（１７）から露出させた状態で設けられていることとする。
　以下、上述した有機ＥＬ素子（１００）を構成するための主要各層の詳細を、透明基板（１３）、透明電極（１０）、対向電極（５ａ）、有機発光層ユニット（３）の発光層（３ｃ）、有機発光層ユニット（３）の他の層、補助電極（１５）、及び封止材（１７）の順に説明する。
　（透明基板）
　透明基板（１３）は、先に図１、図２Ａ及び図２Ｂで説明した本発明の透明電極（１０）を構成している基板（１３）であり、先に説明した基板（１３）のうち、光透過性を有する透明な基板（１３）が用いられる。
　（透明電極（アノード））
　透明電極（１０）は、先に説明した本発明の透明電極（１０）であり、透明基板（１３）側から順に光学調整層（１４）、有機機能層（１１）及び導電性層（１２）を順に成膜した構成である。ここでは特に、透明電極（１０）はアノードとして機能するものであり、導電性層（１２）が実質的なアノードとなる。
　（対向電極（カソード））
　対向電極（５ａ）は、有機発光層ユニット（３）に電子を供給するカソードとして機能する電極膜であり、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体等が挙げられる。
　対向電極（５ａ）は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。
　また、対向電極（５ａ）のシート抵抗値は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
　なお、この有機ＥＬ素子（１００）が、対向電極（５ａ）側からも発光光（Ｌ）を取り出す方式を取る場合には、上述した導電性材料のうちから選択される光透過性の良好な導電性材料により対向電極（５ａ）が構成されていればよい。
　（発光層）
　発光層（３ｃ）には、発光材料が含有されているが、中でも発光材料としてリン光発光ドーパント（リン光発光材料、リン光発光化合物、又はリン光性化合物ともいう。）が含有されていることが好ましい。
　この発光層（３ｃ）は、電極又は電子輸送層（３ｄ）から注入された電子と、正孔輸送層（３ｂ）から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層（３ｃ）の層内であっても発光層（３ｃ）と隣接する層との界面であってもよい。
　このような発光層（３ｃ）としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層（３ｃ）間には非発光性の補助層（図示せず）を有していることが好ましい。
　発光層（３ｃ）の層厚の総和は、好ましくは、１～１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから１～３０ｎｍの範囲内である。なお、発光層（３ｃ）の層厚の総和とは、発光層（３ｃ）間に非発光性の補助層が存在する場合には、当該補助層も含む層厚である。
　複数層を積層した構成の発光層（３ｃ）の場合、個々の発光層（３ｃ）の層厚としては、１～５０ｎｍの範囲内に調整することが好ましく、１～２０ｎｍの範囲内に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層（３ｃ）が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層（３ｃ）の層厚の関係については、特に制限はない。
　以上のように構成されている発光層（３ｃ）は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により成膜して形成することができる。
　また発光層（３ｃ）は、複数の発光材料が混合されて構成されていてもよく、またリン光発光ドーパント（リン光発光性化合物）と蛍光ドーパント（蛍光発光材料、蛍光性化合物）とが混合されて構成されていてもよい。
　発光層（３ｃ）は、ホスト化合物（発光ホスト）と発光材料（発光ドーパント）を含有し、発光材料をより発光させることが好ましい。
　（ホスト化合物）
　発光層（３ｃ）に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層３ｃに含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
　ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
　用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
　公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）の化合物が好ましい。
　ここでいうガラス転移温度とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１－２０１２に準拠した方法により求められる値である。
　公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物を用いることもできる。例えば、特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報を挙げることができる。
　また、米国特許出願公開第２００３／０１７５５５３号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２８０９６５号明細書、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００１７３３０号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２３８９１９号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号明細書、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８－０７４９３９号公報、特開２００７－２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書等に記載されている化合物を用いることもできる。。
　（発光材料）
　（１）リン光発光ドーパント
　本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光ドーパントが挙げられる。
　リン光発光ドーパントとは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
　上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光ドーパントを用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
　リン光発光ドーパントの発光の原理としては２種挙げられる。
　一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光ドーパントに移動させることでリン光発光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。
　もう一つは、リン光発光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光発光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光発光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光発光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。
　リン光発光ドーパントは、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８～１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
　本発明においては、少なくとも一つの発光層３ｃに２種以上のリン光発光ドーパントが含有されていてもよく、発光層３ｃにおけるリン光発光ドーパントの濃度比が発光層３ｃの厚さ方向で変化していてもよい。
　リン光発光ドーパントは、好ましくは発光層３ｃの総量に対し０．１体積％以上、３０体積％未満である。
　本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の各文献に記載されている化合物等が挙げられる。
　Ｎａｔｕｒｅ　３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書、Ｉｎｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）等に記載のリン光ドーパントを挙げることができる。
　また、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許出願公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号明細書、米国特許第６９２１９１５号明細書、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書等に記載のリン光ドーパントを挙げることができる。
　また、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許第７４４５８５５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１３４９８４号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／０９８１２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第２００８／１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、米国特許出願公開第２０１２／２２８５８３号明細書、米国特許出願公開第２０１２／２１２１２６号明細書、特開２０１２－０６９７３７号公報、特開２０１１－１８１３０３号公報、特開２００９－１１４０８６号公報、特開２００３－８１９８８号公報、特開２００２－３０２６７１号公報、特開２００２－３６３５５２号公報等に記載のリン光ドーパントを挙げることができる。
　中でも、好ましいリン光ドーパントとしては、Ｉｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属－炭素結合、金属－窒素結合、金属－酸素結合、金属－硫黄結合のうち少なくとも１つの配位様式を含む錯体が好ましい。
　（２）蛍光ドーパント
　本発明に係る蛍光発光性ドーパント（以下、「蛍光ドーパント」ともいう。）について説明する。
　本発明に係る蛍光ドーパントは、励起一重項からの発光が可能な化合物であり、励起一重項からの発光が観測される限り特に限定されない。
　本発明に係る蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
　また、近年では遅延蛍光を利用した発光ドーパントも開発されており、これらを用いてもよい。
　遅延蛍光を利用した発光ドーパントの具体例としては、例えば、国際公開第２０１１／１５６７９３号、特開２０１１－２１３６４３号公報、特開２０１０－９３１８１号公報等に記載の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
　（注入層：正孔注入層、電子注入層）
　注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と発光層３ｃの間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（３ａ）と電子注入層（３ｅ）とがある。
　注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層（３ａ）であれば、アノードと、発光層（３ｃ）又は正孔輸送層（３ｂ）との間、電子注入層（３ｅ）であれば、カソードと、発光層（３ｃ）又は電子輸送層（３ｄ）との間に存在させてもよい。
　正孔注入層（３ａ）は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。
　電子注入層（３ｅ）は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。電子注入層３ｅはごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその層厚は１ｎｍ～１０μｍの範囲内が好ましい。
　（正孔輸送層）
　正孔輸送層（３ｂ）は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層（３ａ）、電子阻止層も正孔輸送層（３ｂ）に含まれる。正孔輸送層（３ｂ）は、単層又は複数層設けることができる。
　正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
　正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
　芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン、ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル、４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン、４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン、３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ－フェニルカルバゾール、更には米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（略称：ＮＰＤ）、特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３個スターバースト型に連結された４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
　さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
　また、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ　ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
　正孔輸送層（３ｂ）は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層（３ｂ）の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。この正孔輸送層（３ｂ）は、上記材料の１種又は２種以上からなる１層構造であってもよい。
　また、正孔輸送層（３ｂ）の材料に不純物をドープしてｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　このように、正孔輸送層（３ｂ）のｐ性を高くすると、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することができるため好ましい。
　（電子輸送層）
　電子輸送層（３ｄ）は、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層（３ｅ）、正孔阻止層も電子輸送層（３ｄ）に含まれる。電子輸送層（３ｄ）は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
　単層構造の電子輸送層（３ｄ）の電子輸送材料、及び積層構造の電子輸送層（３ｄ）において、発光層（３ｃ）に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層（３ｃ）に伝達する機能を有していればよい。このような材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層（３ｄ）の材料として用いることができる。さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
　また、８－キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（略称：Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層（３ｄ）の材料として用いることができる。
　その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層（３ｄ）の材料として好ましく用いることができる。また、発光層（３ｃ）の材料としても用いられるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層（３ｄ）の材料として用いることができるし、正孔注入層（３ａ）、正孔輸送層（３ｂ）と同様に、ｎ型－Ｓｉ、ｎ型－ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層（３ｄ）の材料として用いることができる。
　電子輸送層（３ｄ）は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層（３ｄ）の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。電子輸送層（３ｄ）は、上記材料の１種又は２種以上からなる１層構造であってもよい。
　また、電子輸送層（３ｄ）に不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。さらに、電子輸送層（３ｄ）には、カリウムやカリウム化合物等を含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層（３ｄ）のｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができる。
　また、電子輸送層（３ｄ）の材料（電子輸送性化合物）として、上述した本発明に係る有機機能層（１１）を構成する材料と同様のものを用いてもよい。これは、電子注入層（３ｅ）を兼ねた電子輸送層（３ｄ）であっても同様である。
　（阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
　阻止層は、上記した有機発光層ユニット（３）の基本構成層の他に、必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
　正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層（３ｄ）の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の電子輸送層（３ｄ）の構成を、必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層（３ｃ）に隣接して設けられていることが好ましい。
　一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層（３ｂ）の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、上記の正孔輸送層（３ｂ）の構成を、必要に応じて、電子阻止層として用いることができる。
　正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３～１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５～３０ｎｍの範囲内である。
　（補助電極）
　補助電極（１５）は、透明電極（１０）の抵抗を下げる目的で設けられるものであって、透明電極（１０）の導電性層（１２）に接して設けられる。補助電極（１５）を形成する材料としては、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面（１３ａ）からの発光光（ｈ）の取り出しの影響のない範囲でパターン形成される。このような補助電極（１５）の作製方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法等が挙げられる。補助電極１５の線幅は、光を取り出す開口率の観点から５０μｍ以下であることが好ましく、補助電極１５の厚さは、導電性の観点から１μｍ以上であることが好ましい。
　（封止材）
　封止材（１７）は、有機ＥＬ素子（１００）を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材であって接着剤（１９）によって透明基板（１３）側に固定されるものであってもよく、封止膜であってもよい。このような封止材（１７）は、有機ＥＬ素子（１００）における透明電極（１０）、特に導電性層（１２）及び対向電極（５ａ）の端子部分を露出させる状態で、少なくとも有機発光層ユニット（３）を覆う状態で設けられている。また、封止材（１７）に電極を設け、有機ＥＬ素子（１００）の透明電極（１０）及び対向電極（５ａ）の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。
　板状（フィルム状）の封止材（１７）としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられ、これらの基板材料を更に薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
　中でも、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということから、封止材としてポリマー基板や金属基板を薄型のフィルム状にしたものを好ましく使用することができる。
　さらには、フィルム状としたポリマー基板は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０－３ｍｌ／ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ以下、及びＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０－３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下のものであることが好ましい。
　また以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材（１７）として用いてもよい。この場合、上述した基板材料に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。
　また、このような板状の封止材（１７）を透明基板（１３）側に固定するための接着剤（１９）は、封止材（１７）と透明基板（１３）との間に挟持された有機ＥＬ素子（１００）を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤（１９）は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２－シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。
　また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることもできる。
　なお、有機ＥＬ素子（１００）を構成する有機化合物は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤（１９）は、室温（２５℃）から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤（１９）中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
　封止材（１７）と透明基板（１３）との接着部分への接着剤（１９）の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
　また、板状の封止材（１７）と透明基板（１３）と接着剤（１９）との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
　吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
　一方、封止材（１７）として封止膜を用いる場合、有機ＥＬ素子（１００）における有機発光層ユニット（３）を完全に覆い、かつ有機ＥＬ素子（１００）における透明電極（１０）及び対向電極（５ａ）の端子部分を露出させる状態で、透明基板（１３）上に封止膜が設けられる。
　このような封止膜は、無機材料や有機化合物を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機ＥＬ素子（１００）における有機発光層ユニット（３）の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることとする。このような材料として、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料が用いられる。さらに、封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜とともに、有機化合物からなる膜を用いて積層構造としてもよい。
　これらの膜の作製方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
　（保護膜、保護板）
　透明基板（１３）とともに、有機ＥＬ素子（１００）及び封止材（１７）を挟むようにして保護膜又は保護板を設けてもよい。この保護膜又は保護板は、有機ＥＬ素子（１００）を機械的に保護するためのものであり、特に、封止材（１７）が封止膜である場合には、有機ＥＬ素子（１００）に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜若しくは保護板を設けることが好ましい。
　以上のような保護膜若しくは保護板としては、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。特に、軽量かつ薄膜化ということから、ポリマーフィルムを用いることが好ましい。
　〔有機ＥＬ素子の製造方法〕
　ここでは、一例として図３に示す構成の有機ＥＬ素子（１００）の製造方法について説明する。
　まず、透明基板（１３）上に、金属酸化物又は金属硫化物を含む光学調整層（１４）を真空蒸着法又はスパッタ法で、１０～１００ｎｍの層厚で形成し、その上に、一般式（１）で表される第１の有機化合物と、第２の有機化合物を含有する有機機能層（１１）を、好ましくは１０～１００ｎｍの層厚になるように蒸着法等の方法により形成する。次に、銀（又は銀を含有する合金）を主成分とする導電性層（１２）を５～２０ｎｍの範囲内、好ましくは８～１２ｎｍの範囲内の層厚になるように蒸着法等の方法により有機機能層（１１）上に形成し、アノードとなる透明電極（１０）のユニットを作製する。
　次に、この上に正孔注入層（３ａ）、正孔輸送層（３ｂ）、発光層（３ｃ）、電子輸送層（３ｄ）、電子注入層（３ｅ）の順に成膜し、有機発光層ユニット（３）を形成する。これらの各層の成膜には、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等を適用することができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに、形成する層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。これらの各層の成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度として５０～４５０℃の範囲内で、真空度として１×１０－６～１×１０－２Ｐａの範囲内で、蒸着速度として０．０１～５０ｎｍ／秒の範囲内で、基板温度として－５０～３００℃の範囲内で、層厚として０．１～５μｍの範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。
　以上のようにして有機発光層ユニット（３）を形成した後、この上部にカソードとなる対向電極（５ａ）を、蒸着法やスパッタ法等の適宜の成膜法によって形成する。この際、対向電極（５ａ）は、有機発光層ユニット（３）によって透明電極（１０）に対して絶縁状態を保ちつつ、有機機能層３の上方から透明基板（１３）の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。これにより、有機ＥＬ素子（１００）が得られる。その後には、有機ＥＬ素子（１００）における透明電極（１０）及び対向電極（５ａ）の端子部分を露出させた状態で、少なくとも有機発光層ユニット（３）を覆う封止材（１７）を設ける。
　以上により、透明基板（１３）上に所望の有機ＥＬ素子を形成することができる。このような有機ＥＬ素子（１００）の作製においては、一回の真空引きで一貫して有機発光層ユニット（３）から対向電極（５ａ）まで作製するのが好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板（１３）を取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
　このようにして得られた有機ＥＬ素子（１００）に直流電圧を印加する場合には、アノードである透明電極１を＋の極性とし、カソードである対向電極５ａを－の極性として、電圧２～４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
　〔有機ＥＬ素子の効果〕
　以上説明した実施態様１で説明した有機ＥＬ素子（１００）は、本発明の光透過性と導電性とを兼ね備えた透明電極（１０）をアノードとして用い、この上部に有機発光層ユニット（３）とカソードとなる対向電極（５ａ）とを設けた構成である。このため、透明電極（１０）と対向電極（５ａ）との間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子（１００）での高輝度発光を実現しつつ、透明電極１側からの発光光（Ｌ）の取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定の輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。
　［有機ＥＬ素子の実施態様２］
　〔有機ＥＬ素子の構成〕
　図４は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極（１０）を用いた有機ＥＬ素子の実施態様２を示す概略断面図である。図４に示す実施態様２の有機ＥＬ素子（２００）が、図３に示した実施態様１の有機ＥＬ素子（１００）と異なるところは、透明電極（１０）をカソードとして用いる点である。
　以下、上記説明した実施態様１と同様の構成要素で重複する詳細な説明は省略し、実施態様２の有機ＥＬ素子（２００）の特徴的な構成を説明する。
　図４に示すとおり、有機ＥＬ素子（２００）は、透明基板（１３）上に設けられており、実施態様１と同様に、透明基板（１３）上の透明電極（１０）として先に説明した本発明の透明電極（１０）を用いている。このため有機ＥＬ素子（２００）は、少なくとも透明基板（１３）側から発光光（Ｌ）を取り出せるように構成されている。ただし、この透明電極（１０）は、カソード（陰極）として用いられる。このため、対向電極（５ｂ）は、アノードとして用いられることになる。
　このように構成される有機ＥＬ素子（２００）の層構造は、以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であってもよいことは、実施態様１と同様である。
　実施態様２の場合の一例としては、カソードとして機能する透明電極（１０）の上部に、電子注入層（３ｅ）／電子輸送層（３ｄ）／発光層（３ｃ）／正孔輸送層（３ｂ）／正孔注入層（３ａ）をこの順に積層した有機発光層ユニット（３）の構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機化合物で構成された発光層（３ｃ）を有することが必須である。
　なお、有機発光層ユニット（３）は、これらの層の他にも、実施態様１で説明したのと同様に、必要に応じたさまざまな構成が採用される。このような構成において、透明電極（１０）と対向電極（５ｂ）とで有機発光層ユニット（３）が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子（２００）における発光領域となることも実施態様１と同様である。
　また、以上のような層構成においては、透明電極（１０）の低抵抗化を図ることを目的として、透明電極（１０）の導電性層（１２）に接して補助電極（１５）が設けられていてもよいことも、実施態様１と同様である。
　ここで、アノードとして用いられる対向電極（５ｂ）は、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体等が挙げられる。
　以上のように構成されている対向電極（５ｂ）は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。
　また、対向電極５ｂとしてのシート抵抗値は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
　なお、この有機ＥＬ素子（２００）が、対向電極（５ｂ）側からも発光光（Ｌ）を取り出せるように構成されている場合、対向電極（５ｂ）を構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。
　以上のような構成の有機ＥＬ素子（２００）は、有機発光層ユニット（３）の劣化を防止することを目的として、実施態様１と同様に封止材（１７）で封止されている。
　以上説明した有機ＥＬ素子（２００）を構成する主要各層のうち、アノードとして用いられる対向電極（５ｂ）以外の構成要素の詳細な構成、及び有機ＥＬ素子（２００）の製造方法は、実施態様１と同様である。このため、詳細な説明は省略する。
　〔有機ＥＬ素子の効果〕
　以上説明した有機ＥＬ素子（２００）は、本発明の光透過性と導電性とを兼ね備えた透明電極（１０）をカソードとして用い、この上部に有機発光層ユニット（３）とアノードとなる対向電極（５ｂ）とを設けた構成である。このため、実施態様１と同様に、透明電極（１０）と対向電極（５ｂ）との間に十分な電圧を印加して有機ＥＬ素子（２００）での高輝度発光を実現しつつ、透明電極（１０）側からの発光光（ｈ）の取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。さらに、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。
　《有機ＥＬ素子の用途》
　上述した電子デバイスの一例である有機ＥＬ素子は、面発光体であるため各種の発光光源として用いることができる。例えば、家庭用照明や車内照明等の照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
　また、有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。この場合、近年の照明装置及びディスプレイの大型化にともない、有機ＥＬ素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化してもよい。
　動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、カラー又はフルカラー表示装置を作製することが可能である。
　以下では、用途の一例として照明装置について説明する。
　〔有機ＥＬ素子の照明装置への適用〕
　本発明に係る照明装置は、上記有機ＥＬ素子を具備することができる。
　本発明に係る照明装置に用いる有機ＥＬ素子は、上述した構成の各有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた設計としてもよい。共振器構造を有するように構成された有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
　なお、本発明の有機ＥＬ素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機ＥＬ素子（白色有機ＥＬ素子）に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて、混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の三原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。
　また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合したものでもよい。
　このような白色有機ＥＬ素子は、各色発光の有機ＥＬ素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機ＥＬ素子自体が白色を発光する。このため、素子を構成するほとんどの層の成膜にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で成膜することができ、生産性も向上する。
　以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。
　実施例１
　《透明電極の作製》
　以下に説明するように、透明電極１０１～１２１を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように作製した。
　〔透明電極１の作製〕
　透明な無アルカリガラス製の基板（厚さ：０．５μｍ、表１、２には、単にガラスと記載）を、真空蒸着装置であるシンクロン社製のＢＭＣ－８００Ｔ蒸着装置内に固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。次いで、タングステン製抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を充填し、これを当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０－４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒の範囲内で、基板上に、層厚が１０ｎｍの銀からなる導電性層１を成膜し、単層構造の透明電極１を作製した。
　〔透明電極２の作製〕
　上記透明電極１の作製において、基板を無アルカリガラスに代えて、ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ：１００μｍ、表１には、ＰＥＴと記載）を用いた以外は同様にして、単層構造の透明電極２を作製した。
　〔透明電極３の作製〕
　上記透明電極１の作製において、基板を無アルカリガラスに代えて、ポリエチレンナフタレートフィルム（厚さ：１００μｍ、表１には、ＰＥＮと記載）を用いた以外は同様にして、単層構造の透明電極３を作製した。
　〔透明電極４の作製〕
　上記透明電極１の作製において、基板と導電性層１の間に、下記の真空蒸着法に従って、光学調整層１を形成した以外は同様にして、透明電極４を作製した。
　（光学調整層１の形成）
　真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ－８００Ｔ蒸着装置を用い、タングステン製抵抗加熱ボートにＴｉＯ２を装填し、真空槽を１×１０－４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３０ｎｍのＴｉＯ２から構成される光学調整層１を形成した。
　〔透明電極５の作製〕
　上記透明電極１の作製において、基板と導電性層１の間に、下記のスパッタ法に従って、光学調整層２を形成した以外は同様にして、透明電極５を作製した。
　（光学調整層２の形成）
アネルバ社のＬ－４３０Ｓ－ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ２：５ｓｃｃｍ、スパッタ圧：０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度：０．７４Å／秒で、層厚が３０ｎｍとなるようＮｂ２Ｏ５をＲＣスパッタし、光学調整層２を形成した。ターゲット－基板間距離は、８６ｍｍであった。
　〔透明電極６の作製〕
　上記透明電極５の作製において、光学調整層の形成材料を、Ｎｂ２Ｏ５に代えて、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を用い、スパッタ法により層厚が３０ｎｍの光学調整層３を形成した以外は同様にして、透明電極６を作製した。
　〔透明電極７の作製〕
　上記透明電極５の作製において、光学調整層の形成材料を、Ｎｂ２Ｏ５に代えて、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）を用い、スパッタ法により層厚が３０ｎｍの光学調整層４を形成した以外は同様にして、透明電極７を作製した。
　〔透明電極８の作製〕
　上記透明電極４の作製において、光学調整層の形成材料を、ＴｉＯ２に代えて、ＺｎＯを用い、真空蒸着法により層厚が３０ｎｍの光学調整層５を形成した以外は同様にして、透明電極８を作製した。
　〔透明電極９の作製〕
　上記透明電極４の作製において、光学調整層の形成材料を、ＴｉＯ２に代えて、ＺｎＳを用い、真空蒸着法により層厚が３０ｎｍの光学調整層６を形成した以外は同様にして、透明電極９を作製した。
　〔透明電極１０の作製〕
　上記透明電極１の作製において、基板と導電性層１の間に、下記の真空蒸着法に従って、層厚が１５ｎｍの有機機能層１を形成した以外は同様にして、透明電極１０を作製した。
　（有機機能層１の形成）
　真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ－８００Ｔ蒸着装置を用い、タングステン製抵抗加熱ボートに一般式（１）で表される化合物である例示化合物（１－１）を装填し、真空槽を１×１０－４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度０．１ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚が１５ｎｍの例示化合物（１－１）から構成される有機機能層１を形成した。
　〔透明電極１１～１５の作製〕
　上記透明電極１０の作製において、有機機能層の形成材料を、例示化合物（１－１）に代えて、表１に記載の各例示化合物に変更した以外は同様にして、真空蒸着法により層厚が１５ｎｍの光学調整層２～６を形成して、透明電極１１～１５を作製した。
　〔透明電極１６の作製〕
　上記透明電極１０の作製において、有機機能層の形成方法を、下記の共蒸着法により層厚が１５ｎｍの有機機能層７を形成した以外は同様にして、透明電極１６を作製した。
　（有機機能層７の形成）
　真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ－８００Ｔ蒸着装置を用い、タングステン製抵抗加熱ボートを２基配置し、一方のタングステン製抵抗加熱ボートには、一般式（１）で表される化合物である例示化合物（１－１）を装填し、他方のタングステン製抵抗加熱ボートには、一般式（２）で表される化合物である例示化合物（２－２）を装填した。
　次いで、真空槽を１×１０－４Ｐａまで減圧した後、それぞれの抵抗加熱ボートを独立に通電加熱した。この時、蒸着速度が、例示化合物（１－１）：例示化合物（２－２）＝１５：１００となるように、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整し、層厚が１５ｎｍの有機機能層７を形成した。
　〔透明電極１７～２０の作製〕
　上記透明電極１６の作製において、有機機能層の形成材料を、表１に記載の組み合わせに変更した以外は同様にして、共真空蒸着法により層厚が１５ｎｍの有機機能層８～１１を形成して、透明電極１７～２０を作製した。
　〔透明電極２１及び２２の作製〕
　上記透明電極１６の作製において、基板を、ガラスから、それぞれＰＥＴ及びＰＥＮに変更した以外は同様にして、透明電極２１及び２２を作製した。
　〔透明電極２３及び２４の作製〕
　上記透明電極１９の作製において、基板を、ガラスから、それぞれＰＥＴ及びＰＥＮに変更した以外は同様にして、透明電極２３及び２４を作製した。
　〔透明電極２５～３９の作製〕
　上記透明電極１６の作製において、有機機能層の形成材料を、表１及び表２に記載の組み合わせに変更した以外は同様にして、共真空蒸着法により層厚が１５ｎｍの有機機能層１４～２８を形成して、透明電極２５～３９を作製した。
　〔透明電極４０～４５の作製〕
　前記透明電極４～９の作製において、それぞれ光学調整層１～６と、導電性層１との間に、前記有機機能層７を設けた以外は同様にして、透明電極４０～４５を作製した。
　〔透明電極４６～５１の作製〕
　前記透明電極４～９の作製において、それぞれ光学調整層１～６と、導電性層１との間に、前記有機機能層１０を設けた以外は同様にして、透明電極４６～５１を作製した。
　〔透明電極５２の作製〕
　前記透明電極４１の作製において、導電性層１に代えて、下記導電性層２を形成した以外は同様にして、透明電極５２を作製した。
　（導電性層２の形成）
　真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ－８００Ｔ蒸着装置を用い、タングステン製抵抗加熱ボートを２基配置し、一方のタングステン製抵抗加熱ボートには、Ａｇを装填し、他方のタングステン製抵抗加熱ボートには、Ｐｄを装填した。
　次いで、真空槽を１×１０－４Ｐａまで減圧した後、それぞれの抵抗加熱ボートを独立に通電加熱した。この時、蒸着速度が、Ａｇ：Ｐｄ＝９０：１０となるように、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整し、層厚が１０ｎｍの導電性層２を形成した。
　〔透明電極５３の作製〕
　前記透明電極４１の作製において、導電性層１に代えて、下記導電性層３を形成した以外は同様にして、透明電極５３を作製した。
　（導電性層３の形成）
　真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ－８００Ｔ蒸着装置を用い、タングステン製抵抗加熱ボートを２基配置し、一方のタングステン製抵抗加熱ボートには、Ａｇを装填し、他方のタングステン製抵抗加熱ボートには、Ａｕを装填した。
　次いで、真空槽を１×１０－４Ｐａまで減圧した後、それぞれの抵抗加熱ボートを独立に通電加熱した。この時、蒸着速度が、Ａｇ：Ａｕ＝９０：１０となるように、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整し、層厚が１０ｎｍの導電性層３を形成した。
　〔透明電極５４の作製〕
　前記透明電極４１の作製において、導電性層１に代えて、下記導電性層４を形成した以外は同様にして、透明電極５４を作製した。
　（導電性層４の形成）
　真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ－８００Ｔ蒸着装置を用い、タングステン製抵抗加熱ボートを２基配置し、一方のタングステン製抵抗加熱ボートには、Ａｇを装填し、他方のタングステン製抵抗加熱ボートには、Ｃｕを装填した。
　次いで、真空槽を１×１０－４Ｐａまで減圧した後、それぞれの抵抗加熱ボートを独立に通電加熱した。この時、蒸着速度が、Ａｇ：Ｃｕ＝９０：１０となるように、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整し、層厚が１０ｎｍの導電性層４を形成した。
　〔透明電極５５～５９の作製〕
　前記透明電極４１の作製において、導電性層の形成において、例示化合物（１－１）と例示化合物（２－２）との構成比率を、表２に記載の比率に変更した以外は同様にして、透明電極５５～５９を作製した。
　《透明電極の評価》
　〔透過率の測定〕
　上記作製した各透明電極について、分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製　Ｕ－３３００）を用い、各透明電極の基板をリファレンスとして、測定光波長５５０ｎｍにおける光透過率（％）を測定した。
　〔面抵抗値の測定〕
　上記作製した各透明電極について、抵抗率計（三菱化学アナリテック社製ＭＣＰ－Ｔ６１０）を用い、４探針法定電流印加方式で、面抵抗値（Ω／□）を測定した。
　上記により得られた結果を、表１及び表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
　表１及び表２に記載の結果より明らかなように、本発明で規定する構成からなる透明電極は、比較例に対し、光透過性と抵抗特性がいずれも優れた特性を有し、両立を果たしていることが分かる。
　実施例２
　《有機ＥＬデバイスの作製》
　〔有機ＥＬデバイス１の作製〕
　実施例１で作製した透明電極１をアノードとして用い、下記の方法に従って、有機ＥＬデバイス１を作製した。
　実施例１で作製した透明電極１を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、透明電極１０の形成面側に蒸着マスクを対向配置した。また、真空蒸着装置内の加熱ボートの各々に、有機発光層ユニット（３）を構成する各材料を、それぞれの層の成膜に最適な量で充填した。なお、加熱ボートは、タングステン製抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
　次いで、真空蒸着装置の蒸着室内を真空度４×１０－４Ｐａまで減圧し、各材料が入った加熱ボートを順次通電して加熱することにより、以下のように各層を成膜した。
　まず、正孔輸送注入材料としてα－ＮＰＤ（４，４′－Ｂｉｓ［ｐｈｅｎｙｌ（１－ｎａｐｈｔｈｙｌ）ａｍｉｎｏ］－１，１′－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）が入った加熱ボートに通電して加熱し、α－ＮＰＤよりなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送注入層を、透明電極１を構成する導電性層（１２）上に成膜した。この際、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒、層厚２０ｎｍとした。
　次いで、ホスト材料Ｈ４の入った加熱ボートと、リン光発光ドーパントＩｒ－４の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト材料Ｈ４とリン光発光ドーパントＩｒ－４を含有する発光層（３ｃ）を、正孔輸送注入層上に成膜した。この際、蒸着速度がホスト材料Ｈ４：リン光発光ドーパントＩｒ－４＝１００：６となるように、加熱ボートの通電を調節した。また、層厚は３０ｎｍとした。
　次いで、正孔阻止材料としてＢＡｌｑ（［Ｂｉｓ（２－ｍｅｔｈｙｌ－８－ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）－４－（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ］）が入った加熱ボートに通電して加熱し、ＢＡｌｑよりなる正孔阻止層を、発光層（３ｃ）上に成膜した。この際、蒸着速度０．１～０．２ｎｍ／秒、層厚１０ｎｍとした。
　その後、電子輸送材料として下記に示すＥＴ－６の入った加熱ボートと、フッ化カリウムの入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ＥＴ－６とフッ化カリウムを含有する電子輸送層（３ｄ）を、正孔阻止層上に成膜した。この際、蒸着速度がＥＴ－６：フッ化カリウム＝７５：２５になるように、加熱ボートの通電を調節した。また、層厚３０ｎｍとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　次に、電子注入材料としてフッ化カリウムの入った加熱ボートに通電して加熱し、フッ化カリウムよりなる電子注入層（３ｅ）を、電子輸送層（３ｄ）上に成膜した。この際、蒸着速度０．０１～０．０２ｎｍ／秒、層厚１ｎｍとした。
　その後、電子注入層（３ｅ）まで成膜した透明基板１を、真空蒸着装置の蒸着室から、対向電極材料としてＩＴＯのターゲットが取り付けられたスパッタ装置の処理室内に、真空状態を保持したまま移送した。次いで、処理室内において、成膜速度０．３～０．５ｎｍ／秒で、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯからなる光透過性の対向電極（５ａ）をカソードとして成膜した。以上により、透明基板（１３）上に有機ＥＬ素子（１００）を形成した。
　その後、有機ＥＬ素子を、厚さ３００μｍのガラス基板からなる封止材（１７）で覆い、有機ＥＬ素子（１００）を囲む状態で、封止材（１７）と透明基板（１３）との間に接着剤（１９、シール材）を充填した。接着剤（１９）としては、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を用いた。封止材（１７）と透明基板（１３）との間に充填した接着剤（１９）に対して、ガラス基板（封止材１７）側からＵＶ光を照射し、接着剤（１９）を硬化させて有機ＥＬ素子（１００）を封止した。
　以上のようにして、透明基板（１３）上に有機ＥＬ素子（１００）を設け、これを封止材（１７）と接着剤（１９）とで封止した有機ＥＬパネル１を作製した。
　〔有機ＥＬデバイス２～５９の作製〕
　上記有機ＥＬデバイス１の作製において、透明電極１に代えて、実施例１で作製した透明電極２～５９を用いた以外は同様にして、有機ＥＬデバイス２～５９を作製した。
　《有機ＥＬデバイスの評価》
　上記作製した有機ＥＬデバイスについて、下記の方法に従って、駆動電圧の測定及び白変化の測定を行った。
　〔駆動電圧の測定〕
　駆動電圧の測定は、各有機ＥＬデバイスの透明基板（１３）側での正面輝度が１０００ｃｄ／ｍ２となるときの電圧（Ｖ）を駆動電圧（Ｖ）として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ社製）を用いた。得られた駆動電圧（Ｖ）の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。
　〔色変化の測定〕
　色変化の測定は、各有機ＥＬデバイスの有機ＥＬ素子（１００）に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流を加え、角度の異なる位置からＣＩＥ１９３１表色系における色度を測定した。この際、透明基板（１３）側の発光面に対する法線方向となる０°の位置と、垂直水平（上下左右）方向にそれぞれ４５°の各位置とで色度を測定した。角度の異なる位置において測定した色度の差を、色変化（Δｘｙ）として求めた。色変化は、色度の視野角特性を表し、数値が小さいほど好ましい結果となる。
　以上により得られた結果を、表３及び表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000022
　表３及び表４に記載の結果より明らかなように、本発明の透明電極を具備した本発明の有機ＥＬデバイスは、比較例に対し、低電圧で駆動が可能で、かつ色変化が小さいことが分かる。
　本発明の透明電極は、優れた光透過性と高い導電性とを兼ね備え、低駆動電圧で、色変化安定性に優れた電子デバイスの他に、家庭用照明や車内照明等の照明装置、時計や液晶用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等の用途に有効に用いることができる。
　３　有機発光層ユニット
　３ａ　正孔注入層
　３ｂ　正孔輸送層
　３ｃ　発光層
　３ｄ　電子輸送層
　３ｅ　電子注入層
　５ａ　対向電極
　１０　透明電極
　１１　有機機能層
　１２　導電性層
　１３　基板（透明基板）
　１４、１４Ａ、１４Ｂ　光学調整層
　１３ａ　光取り出し面
　１５　補助電極
　１７　封止材
　１９　接着剤
　１００、２００　有機ＥＬ素子
　ｈ　発光光

Claims (6)

  1. 　基板上に、少なくとも銀を主成分とする導電性層を有する透明電極であって、
    　前記基板と前記導電性層の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する第１の有機化合物と、当該第１の有機化合物とは構造の異なる第２の有機化合物とを含有する有機機能層を有することを特徴とする透明電極。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     〔式中、Ｒ１～Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、スルホニル基（－ＳＯ２Ｒ７）、スルフィニル基（－ＳＯＲ７）、スルホンアミド基（－ＳＯ２ＮＲ７Ｒ８）、スルホナート基（－ＳＯ３Ｒ７）、トリフルオロメチル基、エステル基（－ＣＯＯＲ７）、アミド基（－ＣＯＮＨＲ７又は－ＣＯＮＲ７Ｒ８）、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、芳香族炭化水素環基、アリールアミノ基、非芳香族複素環基、芳香族複素環基又はアラルキルアミノ基を表す。Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、炭素数１～６０のアルキル基、アリール基又は５～７員の複素環基を表す。〕
  2. 　前記有機機能層が含有する前記第２の有機化合物が、下記一般式（２）又は一般式（３）で表される構造を有する化合物であることを特徴とする請求項１に記載の透明電極。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     〔式中、Ｅ１０１～Ｅ１０８は、各々Ｃ（Ｒ１２）又は窒素原子を表し、Ｅ１０１～Ｅ１０８のうち少なくとも一つは窒素原子である。また、Ｒ１１及びＲ１２は、各々水素原子又は置換基を表す。〕
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     〔式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ｌ１は、窒素原子と結合している芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。〕
  3. 　前記第１の有機化合物が、前記一般式（１）におけるＲ１～Ｒ６が全てシアノ基である化合物であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明電極。
  4. 　前記基板と前記有機機能層との間に、金属酸化物又は金属硫化物を含む光学調整層を有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明電極。
  5. 　請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明電極を具備していることを特徴とする電子デバイス。
  6. 　有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス。
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