WO2016135024A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement, verfahren zur herstellung eines elektrischen kontakts und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement, verfahren zur herstellung eines elektrischen kontakts und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements Download PDF

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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L33/42—Transparent materials

Definitions

  • the present application relates to an optoelectronic semiconductor component, to a method for producing an electrical contact for a semiconductor region, and to a method for producing a semiconductor component with such a contact.
  • One task is an optoelectronic
  • Semiconductor device can be produced.
  • the semiconductor component has a semiconductor body with a semiconductor region and an active region.
  • the active area is between the first and the second
  • semiconductor region and a further semiconductor region arranged, wherein the semiconductor region and the further semiconductor region are at least locally different from each other with respect to the conductivity type, so that the active region is in a pn junction.
  • the active region is provided, for example, for generating radiation and / or for receiving radiation.
  • the radiation may be in the ultraviolet, visible or infrared spectral range, for example.
  • the semiconductor region has a
  • the cover layer thus closes off the semiconductor region on the side of the semiconductor body which is remote from the active region. In other words, located on the side facing away from the active area of the
  • the semiconductor region has a
  • the current spreading layer is disposed between the cover layer and the active region.
  • the current spreading layer and the cover layer are particularly adjacent to each other.
  • the current spreading layer may be adjacent to the active region or spaced from the active region.
  • the cover layer and / or the current spreading layer may be single-layered or else
  • the semiconductor device has a
  • the semiconductor component has a further contact for electrical contacting of the further semiconductor region, so that by applying an external electrical voltage between the contact and the further contact, charge carriers from opposite sides can reach the active region and recombine there with the emission of radiation.
  • charge carriers generated in the active region can come out of contact via the contact or the further contact
  • connection region is thus a partial region of the contact, via which an electrical contact to the current spreading layer is produced.
  • Terminal area an interface with the
  • connection region runs in particular parallel to a main extension plane of the active region. According to at least one embodiment of the
  • Barrier area to the top layer.
  • the barrier area runs in particular parallel to the active area.
  • the barrier area is closer to the active one
  • connection area and the connection area
  • the contact on the opposite side of the barrier area of the contact has a
  • the contacting surface which is provided for the external electrical contacting of the contact, for example by means of a wire bond connection.
  • the contacting area is, for example, so large that one end of a wire-bonding connection can be placed completely within the contacting area.
  • the semiconductor component has a semiconductor body with a semiconductor region and an active region.
  • the semiconductor region has a
  • the semiconductor region has a current spreading layer disposed between the cap layer and the active region.
  • the semiconductor component has a contact for electrical contacting of the
  • Terminal area adjacent to the current spreading layer In a barrier area, the contact is adjacent to the cover layer.
  • the barrier area runs parallel to the active area and is located closer to the active area than the
  • the contact On the side facing the semiconductor region, the contact thus has two partial regions, wherein only the
  • charge carrier injection via the barrier region does not take place or at least only to a reduced extent as compared with the injection via the connection region.
  • This can be a direct charge carrier injection in
  • the vertical direction can be avoided below the contact surface.
  • the vertical direction is understood to mean a direction that is perpendicular to a main extension plane of the active region. The proportion of below the vertical direction
  • connection area is flat.
  • the structuring is
  • connection area is in particular even compared to the area of the radiation passage area, which is the
  • a mean square roughness (rms roughness) of the terminal region is at least ten times smaller than a mean square roughness of the radiation passage area in the structuring region.
  • the risk is reduced that the active area is damaged when forming the connection area.
  • Semiconductor device is a doping concentration of
  • Stromaufweitungstik can be achieved in a simplified manner in the lateral direction homogeneous carrier injection into the active region. Furthermore, by means of the comparatively low doping concentration of the current spreading layer, it can be achieved in a simplified manner that the electrical current density is increased
  • the current spreading layer is spaced by at most 100 nm from the active region.
  • the current spreading layer is thus located particularly close to the active region.
  • Terminal area is the StromaufWeitungs für from the radiation passage area in a reliable manner electrically contacted.
  • Semiconductor device is an area of the barrier area at least twice as large as a surface of the
  • connection Area The area of the barrier area may also be at least five times or at least ten times the area of the terminal area.
  • a method for producing an electrical contact comprises, according to at least one embodiment, a step in which a semiconductor region is provided.
  • the semiconductor region is arranged on an active region.
  • the method comprises a step in which material of the
  • the first region and the second region in particular adjoin one another directly.
  • the removal of the material of the semiconductor region for example by means of one
  • the method comprises a step in which a contact is applied to the first area and to the second area. In the first region, an interface of the contact facing the active region is closer to the active region than in the second region.
  • the contact is on the
  • the first region and the second region can in particular be applied to different partial layers of the semiconductor region
  • the semiconductor region is provided on an active region and has a current spreading layer and a cover layer with the current spreading layer being arranged between the active region and the cover layer.
  • the second area may after the first
  • the contact in the barrier region can adjoin the cover layer and, in the connection region, the current expansion layer.
  • material is removed only in the second removal step in the second region. At the time of the second ablation step, material of the first area is therefore already
  • Ablation step performed a plasma etching process. It has been found that such a method is particularly suitable for removing material of the semiconductor region in such a way that the current spreading layer is achieved without damaging the active region.
  • Optoelectronic semiconductor device indicated with a contact, wherein the contact is formed in particular as described above.
  • the semiconductor region is deposited on a growth substrate and the growth substrate is subjected to the removal steps
  • the semiconductor region can be arranged after the deposition between the growth substrate and the active region.
  • the semiconductor region remains on the growth substrate.
  • the semiconductor region may be arranged on the side of the active region facing away from the substrate.
  • a structuring is formed on the semiconductor region, the region and the further region being omitted from the structuring. Even after the structuring has been formed, the region and the further region are therefore comparatively flat. Starting from such a flat surface, the current spreading layer can be particularly reliable electrically by means of the two-stage Abtragungsvons
  • the method described is particularly suitable for producing the optoelectronic semiconductor component described above.
  • the procedure described is particularly suitable for producing the optoelectronic semiconductor component described above.
  • Figure 1 shows an embodiment of an optoelectronic
  • FIGS. 2A to 2G show an exemplary embodiment of a method for producing a semiconductor component, the method steps for producing a semiconductor device
  • FIG. 1 An exemplary embodiment of a semiconductor component is shown in FIG. 1 in a schematic sectional view.
  • the semiconductor device 1 is exemplified as a
  • Radiation emitter formed in the form of a light emitting diode.
  • the semiconductor component can also be a radiation receiver for the detection of radiation.
  • the optoelectronic semiconductor component 1 has a semiconductor body 2.
  • the semiconductor body 2 comprises a especially epitaxially deposited
  • the semiconductor body has a semiconductor region 21 and a further semiconductor region 22, which are different from one another with respect to the charge type.
  • the semiconductor region 21 in the vertical direction at least in places n-type and the other semiconductor region 22 in the vertical direction at least in places p-type or vice versa.
  • Between the semiconductor region and the further semiconductor region is a for radiation generation
  • provided active region 20 is arranged.
  • the semiconductor region 21 further includes a cap layer 211 and a current spreading layer 212 disposed between the cap layer and the active region 20.
  • the current spreading layer may be adjacent to the active region 20 or spaced from the active region.
  • the current spreading layer is arranged at most at a distance of 100 nm from the active region.
  • the current spreading layer is therefore located very close to the active region.
  • the semiconductor device 1 further comprises a contact 5. On the side facing the active region 20 has the
  • Contact 5 has a barrier region 51 in which the contact is adjacent to the cover layer 211.
  • the barrier region 51 is closer to the active region 20 than a
  • the contact 5 also has a connection region 52 in which the contact with the current spreading layer 212
  • Terminal area 52 more preferably at least five times as large.
  • a large-area carrier injection directly below the contact 5 can be so simple and
  • the charge carrier concentration of the current spreading layer 212 is preferably higher than the charge carrier concentration of the cover layer 211, for example at least ten times as high, so that by applying an electrical voltage between the contact 5 and another contact 59
  • Radiation passage area 25 is not shaded by the contact 5.
  • the contact 5 On the side facing away from the barrier region 51, the contact 5 has a contacting surface 55 for the external electrical contacting, for example by means of a
  • the contact 5 has a depression 56 above the connection region 52 on the side facing away from the active region 20.
  • the surface of the contact 5 accessible for external contacting is not flat.
  • the radiation passage area 25 also has a
  • Terminal area 52 are in contrast to this just
  • the reflectivity of the contact 5 in the barrier region and in the connection region can be increased and absorption losses at the contact can be reduced.
  • a passivation layer 7 is further arranged.
  • the semiconductor device 1 is shown in FIG.
  • Embodiment designed as a thin-film semiconductor device, wherein a growth substrate for the
  • Semiconductor body 2 is removed and a carrier different from the growth substrate 45, the semiconductor layer sequence
  • the semiconductor body 2 is fastened to the carrier 45 by means of a connecting layer 43.
  • the described contacting can also be used for a semiconductor component in which the growth substrate itself forms the carrier.
  • a Connection layer is not required in this case.
  • the semiconductor region 21 is then arranged on the side of the active region 20 facing away from the growth substrate.
  • the semiconductor device 1 further comprises a
  • Mirror layer 41 via which the electrical contacting of the further semiconductor region 22 takes place.
  • the mirror layer 41, a further layer 42 and the connection layer 43 form partial layers of a connection layer 4, via which the further semiconductor region 22 is electrically conductively connected to a metallization 44 on the support 45.
  • the charge carrier injection can take place via the further contact 59 arranged on the side of the carrier 45 facing away from the semiconductor body 2.
  • an insulating layer 6 is arranged on regions of the further semiconductor region 22, which are not provided for the electrical contacting of the further semiconductor region, for example below the contact 5.
  • the insulating layer 6 and the passivation layer 7 expediently comprise a dielectric material, for example an oxide, for example silicon oxide, or a nitride, for example silicon nitride.
  • a dielectric material for example an oxide, for example silicon oxide, or a nitride, for example silicon nitride.
  • the sub-layers of the connection layer 4 can each one
  • the terminal region contains one or more materials selected from the group titanium, platinum, nickel, gold, tungsten and tin.
  • the terminal region contains one or more materials selected from the group titanium, platinum, nickel, gold, tungsten and tin.
  • Mirror layer is particularly suitable for a material with a high reflectivity for the radiation to be generated in the active region.
  • a material with a high reflectivity for the radiation to be generated in the active region For example, silver is characterized by a high reflectivity in the visible spectral range out.
  • Individual partial layers of the connection layer 4 may also have a TCO material, such as ZnO or ITO.
  • FIGS. 2A to 2G reference is made to FIG.
  • FIGS. 2D to 2G show the method steps for producing an electrical contact for one
  • a semiconductor region 21 having an active region and another is formed
  • Semiconductor region 22 is provided, for example, on a growth substrate 27.
  • a growth substrate 27 In the figures, each one
  • Excerpt shown which shows exactly one semiconductor device. In the production, however, a multiplicity of semiconductor components are produced simultaneously in a wafer composite, and the semiconductor components emerge from the wafer composite by a dicing step.
  • An insulating layer 6 is applied in places on the further semiconductor region 22, for example by atomic layer deposition (ALD) and / or by vapor deposition or sputtering.
  • ALD atomic layer deposition
  • vapor deposition or sputtering vapor deposition or sputtering.
  • a mask layer 65 is applied.
  • regions which are not covered by the mask layer 65 are applied a mirror layer 41 to the further semiconductor region 22, for example by means of vapor deposition and / or sputtering.
  • another layer 42 and a connection layer 43 of Connection layer 4 applied ( Figure 2C), wherein the further layer and the connection layer 4 and the
  • the further layer 42 and the connecting layer 43 can in particular be applied over the whole area.
  • the growth substrate 27 can be any material
  • LLO laser lift-off
  • a semiconductor region 21 is provided, for which now an electrical contact can be formed.
  • a first removal step material of the first semiconductor region 21 is removed in a first region 31.
  • material of the first semiconductor region 21 is removed in a first region 31.
  • the second region 32 adjoining the first region there is no material removal.
  • a structuring 29 on a first region 31 material of the first semiconductor region 21 is removed in a first region 31.
  • Radiation passage area 25 of the semiconductor region 21 can be formed.
  • the first region 31 and the second region 32 are recessed in forming the patterning, so that the first region 31 and the second region 32 are planar.
  • separating trenches 28 are formed between the later semiconductor components, which isolate the individual semiconductor bodies
  • a passivation layer 7 is applied on the semiconductor region 21, a passivation layer 7 is applied. Subsequently, in a second removal step, material of the semiconductor region 21 is removed both in the first region 31 and in the second region 32. In the first region 31, the cover layer 211 is exposed. In the second region 32, by contrast, the cover layer 211 is exposed (FIG. 2F).

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der einen Halbleiterbereich (21) und einen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben, wobei - der Halbleiterbereich eine Deckschicht (211) aufweist, die auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite eine Strahlungsdurchtrittsfläche (25) des Halbleiterkörpers bildet, - der Halbleiterbereich eine Stromaufweitungsschicht (212) aufweist, die zwischen der Deckschicht und dem aktiven Bereich angeordnet ist; - das Halbleiterbauelement einen Kontakt (5) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbereichs aufweist; - der Kontakt in einem Anschlussbereich (52) an die Stromaufweitungsschicht angrenzt; - der Kontakt in einem Barrierebereich (51) an die Deckschicht angrenzt; und - der Barrierebereich parallel zum aktiven Bereich verläuft und näher am aktiven Bereich angeordnet ist als die Strahlungsdurchtrittsfläche. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kontakts und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur
Herstellung eines elektrischen Kontakts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Die vorliegende Anmeldung betrifft ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts für einen Halbleiterbereich sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem solchen Kontakt.
Für die elektrische Anbindung von Halbleiterschichten und insbesondere für die laterale Stromaufweitung finden in
Halbleiterbauelementen wie beispielsweise Leuchtdioden oftmals StromaufWeitungsschichten Anwendung, die mittels eines Kontakts elektrisch kontaktiert werden. Bei
StromaufWeitungsschichten, die sich vergleichsweise nahe an einem beispielsweise zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Bereich befinden, besteht jedoch die Gefahr, dass der aktive Bereich beim Herstellen des Kontakts verletzt wird. Dies kann zum Ausfall des Halbleiterbauelements führen.
Eine Aufgabe ist es, ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement anzugeben, das sich durch eine gute elektrische Kontaktierbarkeit und gleichzeitig gute
optoelektronische Eigenschaften auszeichnet. Weiterhin soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem auf einfache und zuverlässige Weise ein elektrischer Kontakt zu einem
Halbleiterbauelement hergestellt werden kann.
Diese Aufgaben werden unter anderem durch ein
Halbleiterbauelement beziehungsweise ein Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weiterbildungen und Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper mit einem Halbleiterbereich und einem aktiven Bereich auf.
Beispielsweise ist der aktive Bereich zwischen dem
Halbleiterbereich und einem weiteren Halbleiterbereich angeordnet, wobei der Halbleiterbereich und der weitere Halbleiterbereich zumindest stellenweise bezüglich des Leitungstyps voneinander verschieden sind, sodass sich der aktive Bereich in einem pn-Übergang befindet.
Der aktive Bereich ist beispielsweise zur Erzeugung von Strahlung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehen. Die Strahlung kann beispielsweise im ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich liegen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist der Halbleiterbereich eine
Deckschicht auf, die auf einer dem aktiven Bereich
abgewandten Seite eine Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterkörpers bildet. Die Deckschicht schließt also den Halbleiterbereich auf der dem aktiven Bereich abgewandten Seite des Halbleiterkörpers ab. Mit anderen Worten befindet sich auf der dem aktiven Bereich abgewandten Seite der
Deckschicht keine weitere Halbleiterschicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist der Halbleiterbereich eine
Stromaufweitungsschicht auf. Die StromaufWeitungsschicht ist zwischen der Deckschicht und dem aktiven Bereich angeordnet. Die Stromaufweitungsschicht und die Deckschicht grenzen insbesondere aneinander an. Die Stromaufweitungsschicht kann an den aktiven Bereich angrenzen oder vom aktiven Bereich beabstandet ausgebildet sein. Die Deckschicht und/oder die Stromaufweitungsschicht können einschichtig oder auch
mehrschichtig ausgebildet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Halbleiterbauelement weist das Halbleiterbauelement einen
Kontakt zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbereichs auf. Zweckmäßigerweise weist das Halbleiterbauelement einen weiteren Kontakt zur elektrischen Kontaktierung des weiteren Halbleiterbereichs auf, sodass durch Anlegen einer externen elektrischen Spannung zwischen dem Kontakt und dem weiteren Kontakt Ladungsträger von entgegengesetzten Seiten in den aktiven Bereich gelangen können und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren. Im Fall eines Strahlungsempfängers können im aktiven Bereich generierte Ladungsträger über den Kontakt beziehungsweise den weiteren Kontakt aus dem
Halbleiterbauelement abfließen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Halbleiterbauelements grenzt der Kontakt in einem
Anschlussbereich an die Stromaufweitungsschicht an. Der
Anschlussbereich ist also ein Teilbereich des Kontakts, über den ein elektrischer Kontakt zur Stromaufweitungsschicht hergestellt wird. Mit anderen Worten bildet der
Anschlussbereich eine Grenzfläche mit der
Stromaufweitungsschicht .
Der Anschlussbereich verläuft insbesondere parallel zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Halbleiterbauelements grenzt der Kontakt in einem
Barrierebereich an die Deckschicht an. Der Barrierebereich verläuft insbesondere parallel zum aktiven Bereich.
Beispielsweise ist der Barrierebereich näher am aktiven
Bereich angeordnet als die Strahlungsdurchtrittsfläche .
Insbesondere sind der Anschlussbereich und der
Barrierebereich jeweils auf der dem aktiven Bereich
zugewandten Seite verlaufende Teilflächen eines
zusammenhängenden Kontakts.
Zum Beispiel weist der Kontakt auf der dem Barrierebereich gegenüberliegenden Seite des Kontakts eine
Kontaktierungsfläche auf, die für die externe elektrische Kontaktierung des Kontakts vorgesehen ist, beispielsweise mittels einer Drahtbond-Verbindung. Die Kontaktierungsfläche ist beispielsweise so groß, dass ein Ende einer Drahtbond- Verbindung vollständig innerhalb der Kontaktierungsfläche platzierbar ist.
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist das Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper mit einem Halbleiterbereich und einem aktiven Bereich auf. Der Halbleiterbereich weist eine
Deckschicht auf, die auf einer dem aktiven Bereich
abgewandten Seite eine Strahlungsdurchtrittsfläche des
Halbleiterkörpers bildet. Der Halbleiterbereich weist eine Stromaufweitungsschicht auf, die zwischen der Deckschicht und dem aktiven Bereich angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement weist einen Kontakt zur elektrischen Kontaktierung des
Halbleiterbereichs auf, wobei der Kontakt in einem
Anschlussbereich an die Stromaufweitungsschicht angrenzt. In einem Barrierebereich grenzt der Kontakt an die Deckschicht an. Der Barrierebereich verläuft parallel zum aktiven Bereich und ist näher am aktiven Bereich angeordnet als die
Strahlungsdurchtrittsfläche .
Auf der dem Halbleiterbereich zugewandten Seite weist der Kontakt also zwei Teilbereiche auf, wobei lediglich der
Anschlussbereich an die StromaufWeitungsschicht angrenzt. Die Ladungsträgerinjektion in den Halbleiterbereich erfolgt somit überwiegend über den Anschlussbereich. Eine
Ladungsträgerinjektion über den Barrierebereich erfolgt dagegen nicht oder zumindest verglichen zu der Injektion über den Anschlussbereich nur in reduziertem Umfang. Dadurch kann eine direkte Ladungsträgerinjektion in
vertikaler Richtung unterhalb der Kontaktierungsfläche vermieden werden. Als vertikale Richtung wird eine Richtung verstanden, die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs verläuft. Der Anteil der unterhalb des
Kontakts im aktiven Bereich erzeugten und am Kontakt
absorbierten Strahlung wird verringert.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Halbleiterbauelements weist die Strahlungsdurchtrittsfläche bereichsweise eine Strukturierung auf und der
Anschlussbereich ist eben. Die Strukturierung ist
insbesondere zur verbesserten Strahlungsauskopplung
beziehungsweise Strahlungseinkopplung in das
Halbleiterbauelement vorgesehen. Beispielsweise ist die
Strukturierung unregelmäßig ausgebildet, etwa mittels
zufällig angeordneter Pyramidenstümpfe, die unterschiedliche laterale Ausdehnungen aufweisen können. Alternativ ist die Strukturierung regelmäßig ausgebildet. Der Anschlussbereich ist insbesondere eben im Vergleich zu dem Bereich der Strahlungsdurchtrittsflache, der die
Strukturierung aufweist. Zum Beispiel ist eine mittlere quadratische Rauigkeit (rms-Rauigkeit ) des Anschlussbereichs mindestens zehn Mal kleiner als eine mittlere quadratische Rauigkeit der Strahlungsdurchtrittsflache im Bereich der Strukturierung .
Je ebener der Anschlussbereich, desto höher kann die
Reflektivität des Kontakts im Anschlussbereich sein.
Strahlungsabsorptionsverluste können reduziert werden.
Weiterhin ist die Gefahr verringert, dass der aktive Bereich beim Ausbilden des Anschlussbereichs beschädigt wird.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Halbleiterbauelements ist eine Dotierkonzentration der
Stromaufweitungsschicht mindestens zehn Mal so hoch wie eine Dotierkonzentration der Deckschicht. Aufgrund der
vergleichsweise hohen Dotierkonzentration der
Stromaufweitungsschicht kann eine in lateraler Richtung homogene Ladungsträgerinjektion in den aktiven Bereich vereinfacht erzielt werden. Mittels der vergleichsweise niedrigen Dotierkonzentration der Stromaufweitungsschicht ist ferner vereinfacht erzielbar, dass die elektrische
Kontaktierung des Halbleiterbereichs nahezu ausschließlich über den Anschlussbereich und nicht oder zumindest nur zu einem stark reduzierten Anteil über den Barrierebereich erfolgt . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Halbleiterbauelements ist die Stromaufweitungsschicht um höchstens 100 nm vom aktiven Bereich beabstandet. Die
Stromaufweitungsschicht kann insbesondere auch direkt an den aktiven Bereich angrenzen. Die StromaufWeitungsschicht befindet sich also besonders nah am aktiven Bereich. Mittels des an die StromaufWeitungsschicht angrenzenden
Anschlussbereichs ist die StromaufWeitungsschicht von der Strahlungsdurchtrittsflache her auf zuverlässige Weise elektrisch kontaktierbar .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
Halbleiterbauelements ist eine Fläche des Barrierebereichs mindestens doppelt so groß wie eine Fläche des
Anschlussbereichs. Die Fläche des Barrierebereichs kann auch mindestens fünf Mal oder mindestens zehn Mal so groß sein wie die Fläche des Anschlussbereichs. Durch einen im Vergleich zum Barrierebereich kleinen Anschlussbereich ist vereinfacht erzielbar, dass nur ein vergleichsweise kleiner Anteil an Ladungsträgern unterhalb des Kontakts im aktiven Bereich erzeugt und nachfolgend am Kontakt absorbiert wird.
Ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts weist gemäß zumindest einer Ausführungsform einen Schritt auf, in dem ein Halbleiterbereich bereitgestellt wird.
Beispielsweise ist der Halbleiterbereich auf einem aktiven Bereich angeordnet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem Material des
Halbleiterbereichs in einem ersten Abtragungsschritt und Material des Halbleiterbereichs in einem zweiten
Abtragungsschritt abgetragen werden, wobei in einem ersten Bereich des Halbleiterbereichs sowohl im ersten
Abtragungsschritt als auch im zweiten Abtragungsschritt Material des Halbleiterbereichs abgetragen wird und in einem zweiten Bereich des Halbleiterbereichs nur im ersten Abtragungsschritt oder nur im zweiten Abtragungsschritt
Material des Halbleiterbereichs abgetragen wird.
Der erste Bereich und der zweite Bereich grenzen insbesondere unmittelbar aneinander an. Das Abtragen des Materials des Halbleiterbereichs kann beispielsweise mittels eins
nasschemischen oder trockenchemischen Verfahrens erfolgen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem ein Kontakt auf den ersten Bereich und auf den zweiten Bereich aufgebracht wird. Im ersten Bereich befindet sich eine dem aktiven Bereich zugewandte Grenzfläche des Kontakts näher am aktiven Bereich als im zweiten Bereich.
Mit anderen Worten ist der Kontakt auf der dem
Halbleiterbereich zugewandten Seite stufenförmig ausgebildet, sodass der Kontakt in unterschiedlichen Höhen des
Halbleiterbereichs an den Halbleiterbereich angrenzt. Der erste Bereich und der zweite Bereich können insbesondere an unterschiedliche Teilschichten des Halbleiterbereichs
unmittelbar angrenzen und zumindest eine dieser Teilschichten elektrisch kontaktieren. Beispielsweise besteht zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich eine Stufe mit einer Stufenhöhe zwischen einschließlich 0,5 ym und einschließlich 5 ym, insbesondere zwischen einschließlich 1 ym und einschließlich 3 ym. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterbereich auf einem aktiven Bereich bereitgestellt und weist eine StromaufWeitungsschicht und eine Deckschicht auf, wobei die StromaufWeitungsschicht zwischen dem aktiven Bereich und der Deckschicht angeordnet ist.
Insbesondere kann der zweite Bereich nach dem ersten
Abtragungsschritt und nach dem zweiten Abtragungsschritt einen Barrierebereich bilden, in dem die Deckschicht
freiliegt. In dem ersten Bereich kann die
Stromaufweitungsschicht in einem Anschlussbereich freiliegen. Beim nachfolgenden Ausbilden des Kontakts kann der Kontakt im Barrierebereich an die Deckschicht und im Anschlussbereich an die Stromaufweitungsschicht angrenzen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nur im zweiten Abtragungsschritt im zweiten Bereich Material abgetragen. Zum Zeitpunkt des zweiten Abtragungsschritts ist im ersten Bereich also bereits Material des
Halbleiterbereichs entfernt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in dem ersten Abtragungsschritt und in dem zweiten
Abtragungsschritt ein Plasma-Ätzverfahren durchgeführt. Es hat sich gezeigt, dass ein derartiges Verfahren besonders geeignet ist, um Material des Halbleiterbereichs derart zu entfernen, dass die Stromaufweitungsschicht erreicht wird, ohne dass der aktive Bereich beschädigt wird.
Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines
optoelektronischen Halbleiterbauelements mit einem Kontakt angegeben, wobei der Kontakt insbesondere wie vorstehend beschrieben ausgebildet wird. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterbereich auf einem Aufwachssubstrat abgeschieden und das Aufwachssubstrat wird vor den Abtragungsschritten
entfernt. Insbesondere kann der Halbleiterbereich nach der Abscheidung zwischen dem Aufwachssubstrat und dem aktiven Bereich angeordnet sein.
Alternativ ist aber auch denkbar, dass der Halbleiterbereich auf dem Aufwachssubstrat verbleibt. Beispielsweise kann der Halbleiterbereich auf der dem Substrat abgewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnet sein. Somit ist die
Strahlungsdurchtrittsflache auf der dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite des Halbleiterbereichs angeordnet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird auf dem Halbleiterbereich eine Strukturierung ausgebildet, wobei der Bereich und der weitere Bereich von der Strukturierung ausgespart werden. Auch nach dem Ausbilden der Strukturierung sind der Bereich und der weitere Bereich also vergleichsweise eben ausgebildet. Von einer derart ebenen Fläche ausgehend, kann die Stromaufweitungsschicht mittels des zweistufigen Abtragungsverfahrens besonders zuverlässig elektrisch
kontaktiert werden. Insbesondere kann auch bei einer
vergleichsweise nahe am aktiven Bereich angeordneten
Stromaufweitungsschicht die Gefahr vermieden werden, dass beim Freilegen der Stromaufweitungsschicht der aktive Bereich verletzt wird.
Das beschriebene Verfahren ist zur Herstellung des weiter oben beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements besonders geeignet. Im Zusammenhang mit dem Verfahren
angeführte Merkmale können daher auch für das
Halbleiterbauelement herangezogen werden und umgekehrt. Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen . Es zeigen:
Figur 1 ein Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement in schematischer
Schnittansicht; und
Figuren 2A bis 2G ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei die Verfahrensschritte zum Herstellen eines
Kontakts anhand der in Figuren IE bis IG gezeigten Zwischenschritte beschrieben wird.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Ein Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement ist in Figur 1 in schematischer Schnittansicht dargestellt. Das Halbleiterbauelement 1 ist exemplarisch als ein
Strahlungsemitter in Form einer Leuchtdiode ausgebildet.
Davon abweichend kann das Halbleiterbauelement aber auch ein Strahlungsempfänger zur Detektion von Strahlung sein.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 weist einen Halbleiterkörper 2 auf. Der Halbleiterkörper 2 umfasst eine insbesondere epitaktisch abgeschiedene
Halbleiterschichtenfolge, die den Halbleiterkörper bildet. Der Halbleiterkörper weist einen Halbleiterbereich 21 und einen weiteren Halbleiterbereich 22 auf, welche bezüglich des Ladungstyps voneinander verschieden sind. Beispielsweise ist der Halbleiterbereich 21 in vertikaler Richtung zumindest stellenweise n-leitend und der weitere Halbleiterbereich 22 in vertikaler Richtung zumindest stellenweise p-leitend oder umgekehrt. Zwischen dem Halbleiterbereich und dem weiteren Halbleiterbereich ist ein zur Strahlungserzeugung
vorgesehener aktiver Bereich 20 angeordnet.
Der Halbleiterbereich 21 umfasst weiterhin eine Deckschicht 211 und eine zwischen der Deckschicht und dem aktiven Bereich 20 angeordnete StromaufWeitungsschicht 212.
Die Stromaufweitungsschicht kann an den aktiven Bereich 20 angrenzen oder vom aktiven Bereich beabstandet sein.
Vorzugsweise ist die Stromaufweitungsschicht höchstens in einem Abstand von 100 nm zum aktiven Bereich angeordnet. Die Stromaufweitungsschicht befindet sich also besonders nah am aktiven Bereich.
Das Halbleiterbauelement 1 umfasst weiterhin einen Kontakt 5. Auf der dem aktiven Bereich 20 zugewandten Seite weist der
Kontakt 5 einen Barrierebereich 51 auf, in dem der Kontakt an die Deckschicht 211 angrenzt. Der Barrierebereich 51 befindet sich näher am aktiven Bereich 20 als eine
Strahlungsdurchtrittsflache 25, welche auf der dem aktiven Bereich 20 abgewandten Seite des Halbleiterbereichs 21 durch die Deckschicht 211 gebildet wird. Der Kontakt 5 weist weiterhin einen Anschlussbereich 52 auf, in dem der Kontakt an die Stromaufweitungsschicht 212
angrenzt . Vorzugsweise ist eine Fläche des Barrierebereichs 51
mindestens doppelt so groß wie eine Fläche des
Anschlussbereichs 52, besonders bevorzugt mindestens fünf Mal so groß. Eine großflächige Ladungsträgerinjektion direkt unterhalb des Kontakts 5 kann so auf einfache und
zuverlässige Weise vermieden werden.
Die Ladungsträgerkonzentration der Stromaufweitungsschicht 212 ist vorzugsweise höher als die Ladungsträgerkonzentration der Deckschicht 211, beispielsweise mindestens zehnfach so hoch, sodass durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen dem Kontakt 5 und einem weiteren Kontakt 59
Ladungsträger nahezu ausschließlich über den Anschlussbereich 52 in den Halbleiterbereich 21 injiziert werden. Mittels der vergleichsweise niedrigen Dotierkonzentration der Deckschicht 211 kann vermieden werden, dass ein zu großer Anteil an
Ladungsträgern in vertikaler Richtung direkt unterhalb des Kontakts in den aktiven Bereich 20 injiziert wird. Insgesamt erfolgt dadurch die Ladungsträgerinjektion überwiegend in Bereichen des aktiven Bereichs 20, in denen die
Strahlungsdurchtrittsfläche 25 nicht durch den Kontakt 5 abgeschattet wird.
Auf der dem Barrierebereich 51 abgewandten Seite weist der Kontakt 5 eine Kontaktierungsfläche 55 für die externe elektrische Kontaktierung, beispielsweise mittels einer
Drahtbondverbindung auf. Weiterhin weist der Kontakt 5 über dem Anschlussbereich 52 auf der dem aktiven Bereich 20 abgewandten Seite eine Vertiefung 56 auf. Mit anderen Worten ist die für die externe Kontaktierung zugängliche Oberfläche des Kontakts 5 nicht eben ausgebildet. Beispielsweise
befindet sich zwischen der Kontaktierungsfläche 55 und der Vertiefung 56 und entsprechend auch zwischen dem
Barrierebereich 51 und dem Anschlussbereich 52 eine Stufe 57 mit einer Stufenhöhe 570 zwischen einschließlich 0,5 ym und 5 ym, insbesondere zwischen einschließlich 1 ym und 3 ym.
Die Strahlungsdurchtrittsfläche 25 weist weiterhin eine
Strukturierung 29 auf, die zur Erhöhung der
Auskoppeleffizienz der im aktiven Bereich erzeugten Strahlung vorgesehen ist. Der Barrierebereich 51 und der
Anschlussbereich 52 sind im Unterschied hierzu eben
ausgebildet. Dadurch kann die Reflektivität des Kontakts 5 im Barrierebereich und im Anschlussbereich gesteigert werden und Absorptionsverluste am Kontakt reduziert werden.
Auf der dem aktiven Bereich 20 abgewandten Seite des
Halbleiterbereichs 21 ist weiterhin eine Passivierungsschicht 7 angeordnet.
Das Halbleiterbauelement 1 ist in dem gezeigten
Ausführungsbeispiel als ein Dünnfilm-Halbleiterbauelement ausgebildet, bei dem ein Aufwachssubstrat für die
epitaktische Abscheidung der Halbleiterschichten des
Halbleiterkörpers 2 entfernt ist und ein vom Aufwachssubstrat verschiedener Träger 45 die Halbleiterschichtenfolge
mechanisch stabilisiert. Der Halbleiterkörper 2 ist mittels einer Verbindungsschicht 43 an dem Träger 45 befestigt.
Davon abweichend kann die beschriebene Kontaktierung aber auch für ein Halbleiterbauelement Anwendung finden, bei dem das Aufwachssubstrat selbst den Träger bildet. Eine Verbindungsschicht ist in diesem Fall nicht erforderlich. Der Halbleiterbereich 21 ist dann auf der dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite des aktiven Bereichs 20 angeordnet. Das Halbleiterbauelement 1 umfasst weiterhin eine
Spiegelschicht 41, über die die elektrische Kontaktierung des weiteren Halbleiterbereichs 22 erfolgt. Die Spiegelschicht 41, eine weitere Schicht 42 und die Verbindungsschicht 43 bilden Teilschichten einer Anschlussschicht 4, über die der weitere Halbleiterbereich 22 mit einer Metallisierung 44 auf dem Träger 45 elektrisch leitend verbunden ist. Im Betrieb des Halbleiterbauelements kann die Ladungsträgerinjektion über den auf der dem Halbleiterkörper 2 abgewandten Seite des Trägers 45 angeordneten weiteren Kontakt 59 erfolgen. Auf Bereichen des weiteren Halbleiterbereichs 22, die nicht für die elektrische Kontaktierung des weiteren Halbleiterbereichs vorgesehen sind, beispielsweise unterhalb des Kontakts 5, ist eine Isolationsschicht 6 angeordnet. Die Isolationsschicht 6 und die Passivierungsschicht 7 enthalten zweckmäßigerweise ein dielektrisches Material, beispielsweise ein Oxid, etwa Siliziumoxid, oder ein Nitrid, beispielsweise Siliziumnitrid. Die Teilschichten der Anschlussschicht 4 können jeweils ein
Metall enthalten. Beispielsweise enthält der Anschlussbereich eines oder mehrere Materialien gewählt aus der Gruppe Titan, Platin, Nickel, Gold, Wolfram und Zinn. Für die
Spiegelschicht eignet sich insbesondere ein Material mit einer hohen Reflektivität für die im aktiven Bereich zu erzeugende Strahlung. Beispielsweise zeichnet sich Silber durch eine hohe Reflektivität im sichtbaren Spektralbereich aus. Einzelne Teilschichten der Anschlussschicht 4 können auch ein TCO-Material, etwa ZnO oder ITO, aufweisen.
In den Figuren 2A bis 2G ist anhand von jeweils in
schematisch in Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements gezeigt, das wie im Zusammenhang mit Figur 1 beschrieben ausgebildet ist. Die in den Figuren 2D bis 2G dargestellten Zwischenschritte zeigen hierbei die Verfahrensschritte zum Herstellen eines elektrischen Kontakts für einen
Halbleiterbereich .
Wie in Figur 2A dargestellt, wird ein Halbleiterbereich 21 mit einem aktiven Bereich und einem weiteren
Halbleiterbereich 22 bereitgestellt, beispielsweise auf einem Aufwachssubstrat 27. In den Figuren ist jeweils ein
Ausschnitt gezeigt, aus dem genau ein Halbleiterbauelement hervorgeht. Bei der Herstellung wird jedoch eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen gleichzeitig in einem Waferverbund hergestellt und die Halbleiterbauelemente gehen durch einen Vereinzelungsschritt aus dem Waferverbund hervor.
Auf dem weiteren Halbleiterbereich 22 wird stellenweise eine Isolationsschicht 6 aufgebracht, beispielsweise mittels atomlagenfeiner Abscheidung (atomic layer deposition, ALD) und/oder mittels Aufdampfens oder Aufsputterns .
Weiterhin wird eine Maskenschicht 65 aufgebracht. In
Bereichen, die nicht von der Maskenschicht 65 bedeckt sind, wird, wie in Figur 2B dargestellt, eine Spiegelschicht 41 auf den weiteren Halbleiterbereich 22 aufgebracht, beispielsweise mittels Aufdampfens und/oder Sputterns. Nachfolgend werden eine weitere Schicht 42 und eine Verbindungsschicht 43 der Anschlussschicht 4 aufgebracht (Figur 2C) , wobei die weitere Schicht und die Verbindungsschicht 4 auch die
Isolationsschicht 6 überdecken. Die weitere Schicht 42 und die Verbindungsschicht 43 können insbesondere vollflächig aufgebracht werden.
Nachfolgend wird ein Träger 45 aufgebracht, der den
Halbleiterbereich 21 und den weiteren Halbleiterbereich 42 mechanisch stabilisiert. Das Aufwachssubstrat 27 kann
entfernt werden, beispielsweise mittels eines Laserabhebe- Verfahrens (laser lift-off, LLO) .
So wird, wie in Figur 2D dargestellt, ein Halbleiterbereich 21 bereitgestellt, für den nun eine elektrische Kontaktierung ausgebildet werden kann.
Hierfür wird in einem ersten Abtragungsschritt in einem ersten Bereich 31 Material des ersten Halbleiterbereichs 21 abgetragen. Im an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich 32 erfolgt dagegen kein Materialabtrag. Weiterhin kann eine Strukturierung 29 auf einer
Strahlungsdurchtrittsfläche 25 des Halbleiterbereichs 21 ausgebildet werden. Der erste Bereich 31 und der zweite Bereich 32 werden beim Ausbilden der Strukturierung dagegen ausgespart, sodass der erste Bereich 31 und der zweite Bereich 32 eben sind.
In einem nachfolgenden Schritt (Figur 2E) werden zwischen den späteren Halbleiterbauelementen Trenngräben 28 ausgebildet, welche die einzelnen Halbleiterkörper der
Halbleiterbauelemente definieren. Auf den Halbleiterbereich 21 wird eine Passivierungsschicht 7 aufgebracht. Nachfolgend wird in einem zweiten Abtragungsschritt sowohl im ersten Bereich 31 als auch im zweiten Bereich 32 Material des Halbleiterbereichs 21 abgetragen. Im ersten Bereich 31 liegt die Deckschicht 211 frei. Im zweiten Bereich 32 liegt dagegen die Deckschicht 211 frei (Figur 2F) .
Durch ein nachfolgendes Aufbringen eines Kontakts 5 auf dem ersten Bereich 31 und dem zweiten Bereich 32 entsteht ein Kontakt, der im ersten Bereich 31 einen Anschlussbereich 52 und im zweiten Bereich 32 einen Barrierebereich 51 aufweist (Figur 2G) .
Mittels des zweistufigen Materialabtrags für das Freilegen der Stromaufweitungsschicht 212, insbesondere in Verbindung mit dem Aussparen des ersten Bereichs 31 und des zweiten Bereichs 32 beim Ausbilden der Strukturierung 29, kann auf besonders zuverlässige Weise eine Kontaktierung der
vergleichsweise nah am aktiven Bereich 20 liegenden
Stromaufweitungsschicht 212 erzielt werden, ohne dass der aktive Bereich 20 durch den Materialabtrag beschädigt wird. Mittels des unter der Kontaktierungsfläche 55 angeordneten Barrierebereichs 51 wird zudem eine direkte vertikale
Strominjektion in den aktiven Bereich unterhalb des Kontakts erzielt, so dass die Effizienz des Halbleiterbauelements erhöht wird.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 102 857.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen i den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist .

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der einen Halbleiterbereich (21) und einen aktiven Bereich (20) aufweist, wobei
- der Halbleiterbereich eine Deckschicht (211) aufweist, die auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite eine
Strahlungsdurchtrittsflache (25) des Halbleiterkörpers bildet,
- der Halbleiterbereich eine StromaufWeitungsschicht (212) aufweist, die zwischen der Deckschicht und dem aktiven
Bereich angeordnet ist;
- das Halbleiterbauelement einen Kontakt (5) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbereichs aufweist;
- der Kontakt in einem Anschlussbereich (52) an die
StromaufweitungsSchicht angrenzt ;
- der Kontakt in einem Barrierebereich (51) an die
Deckschicht angrenzt; und
- der Barrierebereich parallel zum aktiven Bereich verläuft und näher am aktiven Bereich angeordnet ist als die
Strahlungsdurchtrittsfläche .
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,
wobei die Strahlungsdurchtrittsfläche bereichsweise eine Strukturierung (29) aufweist und der Anschlussbereich eben ist .
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2,
wobei eine Dotierkonzentration der StromaufWeitungsschicht mindestens zehnmal so hoch ist wie eine Dotierkonzentration der Deckschicht.
4. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei die StromaufWeitungsschicht um höchstens 100 nm vom aktiven Bereich beabstandet ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
wobei eine Fläche des Barrierebereichs mindestens doppelt so groß ist wie eine Fläche des Anschlussbereichs.
6. Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts (5) für einen Halbleiterbereich (21) mit den Schritten:
a) Bereitstellen eines Halbleiterbereichs;
b) Abtragen von Material des Halbleiterbereichs in einem ersten Abtragungsschritt und Abtragen von Material des
Halbleiterbereichs in einem zweiten Abtragungsschritt, wobei in einem ersten Bereich (31) des Halbleiterbereichs sowohl im ersten Abtragungsschritt als auch im zweiten
Abtragungsschritt Material des Halbleiterbereichs abgetragen wird und in einem zweiten Bereich (32) des Halbleiterbereichs nur im ersten Abtragungsschritt oder nur im zweiten
Abtragungsschritt Material des Halbleiterbereichs abgetragen wird; und
c) Aufbringen eines Kontakts auf den ersten Bereich und auf den zweiten Bereich.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
bei dem der Halbleiterbereich in Schritt a) auf einem aktiven Bereich (20) angeordnet ist und eine StromaufWeitungsschicht (212) und eine Deckschicht (211) aufweist, wobei die
Stromaufweitungsschicht zwischen dem aktiven Bereich und der Deckschicht angeordnet ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
bei dem nach Schritt b) der zweite Bereich einen
Barrierebereich (51) bildet, in dem die Deckschicht
freiliegt, und die StromaufWeitungsschicht in dem ersten Bereich in einem Anschlussbereich (52) freiliegt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
bei dem nur im zweiten Abtragungsschritt im zweiten Bereich Material abgetragen wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9,
bei dem im ersten Abtragungsschritt und im zweiten
Abtragungsschritt ein Plasma-Ätzverfahren durchgeführt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10,
bei dem das im ersten Abtragungsschritt entfernte Material des Halbleiterbereichs ausschließlich Material der
Deckschicht ist.
12. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements (1) mit einem Kontakt (5), der nach einem der Ansprüche 6 bis 11 ausgebildet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12,
wobei der Halbleiterbereich auf einem Aufwachssubstrat (27) abgeschieden wird und das Aufwachssubstrat vor Schritt b) entfernt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13,
wobei auf dem Halbleiterbereich eine Strukturierung (29) ausgebildet wird und der Bereich und der weitere Bereich von der Strukturierung ausgespart werden.
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