WO2016108329A1 - 플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법 - Google Patents

플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2016108329A1
WO2016108329A1 PCT/KR2015/000883 KR2015000883W WO2016108329A1 WO 2016108329 A1 WO2016108329 A1 WO 2016108329A1 KR 2015000883 W KR2015000883 W KR 2015000883W WO 2016108329 A1 WO2016108329 A1 WO 2016108329A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thin film
fabric substrate
film
substrate
tin oxide
Prior art date
Application number
PCT/KR2015/000883
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
박병철
박법
김수헌
Original Assignee
코오롱글로텍주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코오롱글로텍주식회사 filed Critical 코오롱글로텍주식회사
Priority to US15/512,524 priority Critical patent/US20170301873A1/en
Publication of WO2016108329A1 publication Critical patent/WO2016108329A1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/12—Layered products comprising a layer of synthetic resin next to a fibrous or filamentary layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/06—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C23C14/025—Metallic sublayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06M—TREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
    • D06M11/00—Treating fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, with inorganic substances or complexes thereof; Such treatment combined with mechanical treatment, e.g. mercerising
    • D06M11/32—Treating fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, with inorganic substances or complexes thereof; Such treatment combined with mechanical treatment, e.g. mercerising with oxygen, ozone, ozonides, oxides, hydroxides or percompounds; Salts derived from anions with an amphoteric element-oxygen bond
    • D06M11/36—Treating fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, with inorganic substances or complexes thereof; Such treatment combined with mechanical treatment, e.g. mercerising with oxygen, ozone, ozonides, oxides, hydroxides or percompounds; Salts derived from anions with an amphoteric element-oxygen bond with oxides, hydroxides or mixed oxides; with salts derived from anions with an amphoteric element-oxygen bond
    • D06M11/38—Oxides or hydroxides of elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
    • D06M11/42—Oxides or hydroxides of copper, silver or gold
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06M—TREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
    • D06M11/00—Treating fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, with inorganic substances or complexes thereof; Such treatment combined with mechanical treatment, e.g. mercerising
    • D06M11/32—Treating fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, with inorganic substances or complexes thereof; Such treatment combined with mechanical treatment, e.g. mercerising with oxygen, ozone, ozonides, oxides, hydroxides or percompounds; Salts derived from anions with an amphoteric element-oxygen bond
    • D06M11/36—Treating fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, with inorganic substances or complexes thereof; Such treatment combined with mechanical treatment, e.g. mercerising with oxygen, ozone, ozonides, oxides, hydroxides or percompounds; Salts derived from anions with an amphoteric element-oxygen bond with oxides, hydroxides or mixed oxides; with salts derived from anions with an amphoteric element-oxygen bond
    • D06M11/46—Oxides or hydroxides of elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table; Titanates; Zirconates; Stannates; Plumbates
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06M—TREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
    • D06M11/00—Treating fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, with inorganic substances or complexes thereof; Such treatment combined with mechanical treatment, e.g. mercerising
    • D06M11/83—Treating fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, with inorganic substances or complexes thereof; Such treatment combined with mechanical treatment, e.g. mercerising with metals; with metal-generating compounds, e.g. metal carbonyls; Reduction of metal compounds on textiles
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06M—TREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
    • D06M23/00—Treatment of fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, characterised by the process
    • D06M23/06—Processes in which the treating agent is dispersed in a gas, e.g. aerosols
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V33/00—Structural combinations of lighting devices with other articles, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/023—Alloys based on aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a flexible conductive fabric substrate having a conductive film formed on the fabric substrate and a method of manufacturing the same.
  • Flexible displays are displays that can bend, bend, or roll without damage through a paper-thin, flexible substrate. Since the flexible display uses a plastic material, a film, or the like as a substrate, the flexible display is light, thin, and not broken in impact. As a result, it is being adopted as a display for a mobile device, and since the display shape such as bending can be deformed, it is a promising industry that is expected to explode when it is spread to household goods or automobile fields in the future.
  • a display element including a flexible display, has a device formed on a substrate. Therefore, the substrate must have high gas barrier property to ensure durability of the device.
  • the glass substrate used as a conventional display substrate has a very good gas barrier property against penetration of moisture or oxygen, but has a problem in that it is impossible to implement flexibility. For this reason, a stainless steel substrate or a plastic material film is applied. However, a stainless steel substrate, a plastic material, and a film also do not have sufficient flexibility or bending.
  • plastic materials and films are used as substrates, the field of application is limited. Plastic materials or film substrates that are only bent in one direction and have low bending recovery properties do not have drape characteristics and have disadvantages in that they do not take advantage of flexibility. Therefore, researches on flexible displays using fiber substrates that make the most of the advantages of flexible displays are being conducted.
  • the transparent conductive substrate is used as a transparent electrode of a display or lighting device such as a liquid crystal device, an electronic ink device, a PDP, an LCD, an OLED, and the like.
  • a transparent conductive substrate is prepared by laminating a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) on a transparent substrate.
  • ITO indium tin oxide
  • the electrode using the conventional ITO has a problem that the surface resistance increases and is not flexible.
  • the surface resistance of the electrode is increased, it becomes difficult to apply an even voltage, thereby lowering the uniformity of emission of the device. For this reason, efforts have been made to realize lower surface resistance, and there is a method of doping metal oxides to ITO as a part.
  • the metal oxide doped with ITO acts to increase the crystallization temperature of the ITO film, and there is a problem in that it is not easy to apply to the flexible substrate for the flexible device due to the high crystallization temperature.
  • an aspect of the present invention is to provide a flexible conductive fabric substrate having a low temperature crystallization electrode having high flexibility and low resistance on a fiber (or fabric) substrate, and a method of manufacturing the same.
  • the present invention is a fabric substrate; A first thin film made of metal or metal oxide formed on the fabric substrate; A second thin film made of an ITO film including tin oxide formed on the first thin film; And a third thin film comprising an ITO film including tin oxide formed on the second thin film, wherein the content of tin oxide included in the second thin film is less than the content of tin oxide included in the third thin film.
  • a flexible conductive fabric substrate is provided.
  • the fabric substrate is at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polyethylenenaphthalate, polyethylene, nylon and acryl Fabric substrates of woven materials; An adhesive layer coated on the fabric substrate; A film made of at least one material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polyethylenenaphthalate, polyethylene, polyethylene, nylon, and acryl; And a planarization film laminated on the film.
  • the first thin film made of a metal or metal oxide is at least one selected from the group consisting of Ag, Ag + AgO x , Al, Al + Al 2 O 3 , Cu, and CuO x . It is preferable that it is made.
  • the tin oxide contained in the second thin film is included in an amount of 5 wt% or less based on the total weight of the second thin film.
  • the tin oxide contained in the third thin film is preferably included in 7 to 10% by weight based on the total weight of the third thin film.
  • the first thin film preferably has a thickness of 5 to 50 nm
  • the second thin film has a thickness of 5 to 30 nm
  • the third thin film has a thickness of 10 to 50 nm.
  • a planarization coating layer or an inorganic thin film layer may be formed between the fabric substrate and the first thin film.
  • the substrate has a ductility of 30 to 80 mm and a spindle degree of 100 to 140 degrees.
  • the present invention can also provide a flexible display device or a flexible lighting device including a substrate having a configuration according to the present invention.
  • the invention also provides a method of manufacturing a fabric substrate; Forming a first thin film of metal or metal oxide on the fabric substrate; Forming a second thin film made of an ITO film containing tin oxide on the first thin film; And forming a third thin film made of an ITO film including tin oxide on the crystallized second thin film, wherein the tin oxide content included in the second thin film is included in the third thin film. It provides a method for producing a flexible conductive fabric substrate, characterized in that less than the content of.
  • the fabric substrate comprises the steps of coating an adhesive on the fabric substrate; Stacking a film on the adhesive-coated fabric substrate; Calendering the fabric substrate on which the film is laminated; And it may be prepared by a method comprising the step of coating a planarization film on the film.
  • the metal or metal oxide is formed by vacuum deposition of at least one member selected from the group consisting of Ag, Ag + AgO x , Al, Al + Al 2 O 3 , Cu and CuO x . It is preferable.
  • the second thin film or the third thin film is preferably further subjected to a heat treatment step.
  • the heat treatment is preferably carried out at a temperature of 25 ⁇ 150 °C.
  • the heat treatment is preferably performed twice after the second thin film is formed and after the third thin film is formed.
  • the substrate according to the present invention can implement high conductivity at low temperature and can be applied to a fabric substrate due to a low energy band gap, and thus can be utilized as an anode electrode in various fields.
  • an ITO electrode that can be crystallized at low temperatures can be applied to a variety of flexible device substrates with low temperature durability.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a flexible conductive fabric substrate manufactured according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 2 is a simplified view of the process flow for manufacturing a flexible conductive fabric substrate in accordance with an embodiment of the present invention.
  • Figure 3 is shown in the drawings based on a sample photo of the OLED lighting panel fabricated on the conductive fabric substrate prepared in the embodiment of the present invention, it can be seen that it has high flexibility and flexibility.
  • FIG. 4 is a diagram based on a sample photograph of an OLED lighting panel manufactured on a conductive fabric substrate manufactured in an embodiment of the present invention, it can be seen that the flexibility of the fabric itself is maintained even after the formation of the OLED device.
  • the present inventors have studied a transparent conductive flexible substrate that can be applied to a flexible display and a flexible lighting, and have developed a method of reducing the crystallization temperature, which is a problem when the conventional ITO film is applied to the flexible display. This enables us to provide flexible fabric substrates with high flexibility and low resistance.
  • Flexible conductive fabric substrate is a fabric substrate; A first thin film made of metal or metal oxide formed on the fabric substrate; A second thin film made of an ITO film including tin oxide formed on the first thin film; And a third thin film comprising an ITO film including tin oxide formed on the second thin film, wherein the content of tin oxide included in the second thin film is less than the content of tin oxide included in the third thin film.
  • the flexible conductive fabric substrate includes a fabric substrate 100; The first thin film 200; Second thin film 300a; And a third thin film 300b.
  • Fabric substrate 100 has a fabric base material 101 composed of a textile material fabric as a base material, it can ensure a high flexibility by having the same degree of ductility and fuzzy degree. However, since the fabric base 101 has low smoothness, the pressure-sensitive adhesive layer, the film, and the planarization film are laminated on the fabric base 101 to improve the smoothness.
  • Fabric base 101 is a fabric of one or more materials selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polyethylenenaphthalate, polyethylene, nylon, and acrylic As woven or nonwoven fabrics can be preferably used.
  • the thickness of the fabric does not affect the performance of the substrate, but 50-230 ⁇ m is suitable, preferably 50-150 ⁇ m, more preferably 50-100 ⁇ m, as a coating support and taking into account the thickness of the final substrate. Is appropriate.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may include at least one component selected from the group consisting of an acrylic pressure-sensitive adhesive, a urethane pressure-sensitive adhesive, and a silicone pressure-sensitive adhesive, and having a thickness of 1 to 5 ⁇ m is preferable when considering the adhesive force and the overall thickness of the substrate.
  • the film is for flattening the fabric substrate 101 to impart flatness to the fabric substrate, and may be applied to the same material as the fabric substrate 101.
  • the film of the same material is laminated, since the thermal properties are the same, the deformation value due to external heat is the same, which can prevent the peeling phenomenon of the laminated structure.
  • polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylenenaphthalate, polyethylene, nylon, nylon, and acrylic may be formed of one or more materials selected from the group consisting of 5 to 125 thicknesses. It is preferable that it is micrometer and surface smoothness (Ra) 5-500 nm. The above range is preferable because it is possible to manufacture a smooth substrate without changing the physical properties of the fabric substrate, that is, the degree of ductility or fusiformity.
  • the planarization film is for optimizing the smoothness of the fabric substrate, and includes silane, polyurethane, polycarbonate, acrylate-based polymer, epoxy-based polymer, and amine. It may include one or more selected from the group consisting of oligomeric and vinyl-based polymers of the series.
  • the planarization film may have a thickness of 0.01 to 5 ⁇ m and a surface smoothness Ra of 5 to 300 nm to prevent a phenomenon in which the gas barrier film is not formed due to the step difference of the substrate.
  • the silane is at least one selected from the group consisting of monosilane (SiH 4 ), disilane (disilane (Si 2 H 6 ), trisilane (torisilane, Si 3 H 8 ), and tetrasilane (Si 4 H 10 ).
  • the silane is epoxy, alkoxy, vinyl, vinyl, phenyl, methacryloxy, amino, amino, chlorosilanyl, chloropropyl.
  • a mercapto group may include one or more functional groups selected from the group consisting of.
  • the planarization film may further include at least one selected from the group consisting of a light absorbing agent, specifically, a benzophenone, oxalanilide, benzotriazole, and triazine. .
  • the planarization layer may further include inorganic particles.
  • the inorganic particles may be inorganic compounds containing at least one element selected from the group consisting of silicon, aluminum, titanium and zirconium, and the inorganic compounds may be in the form of metal oxides, nonmetal oxides, nitrides or nitrates. It is preferable that the inorganic particles have a size of 5 to 100 nm because they do not inhibit the surface smoothness of the planarization film.
  • a barrier film for blocking moisture and oxygen can be very easily formed on the fabric substrate made of a fabric substrate 101 having improved smoothness by laminating an adhesive layer, a film, and a planarization film.
  • the coating layer 102 and the inorganic thin film layer 103 may be further formed.
  • the planarization coating layer 102 may be formed for additional planarization, and may be applied in the same manner as the planarization layer described above.
  • the inorganic thin film layer 103 is for gas blocking, and may be a SiN layer, an SiO layer, or a silane polymer layer, or one or more of them sequentially stacked.
  • the fabric substrate 100 on which the planarization film and the gas barrier film are formed includes a first thin film 200 in order to impart conductivity; Second thin film 300a; And the third thin film 300b is stacked.
  • the first thin film 200 is formed of a metal or a metal oxide in order to realize low surface resistance, and specifically, a group consisting of Ag, Ag + AgO x , Al, Al + Al 2 O 3 , Cu, and CuO x . It may be formed of one or more selected from.
  • the first thin film is formed to have a thickness of between 5 nm and 50 nm, and the first thin film has a sheet resistance of 1 to 10 GPa / ⁇ .
  • An ITO film including tin oxide is formed on the first thin film 200.
  • the present inventors have found that doping tin oxide (SnO 2) into an ITO film, which is commonly used as a transparent conductive film, can realize low sheet resistance, and has been applied to fabric substrates in order to realize low resistance.
  • doping of tin oxide is preferable in terms of lowering the sheet resistance, but there is a problem in that the crystallization temperature of the ITO film is increased when the tin oxide content is increased.
  • Crystallization refers to the conversion of an amorphous ITO film into a crystal film by heat treatment, and is used to lower resistance and secure transparency.
  • the ITO membrane is composed of two membranes containing different amounts of tin oxide.
  • the two ITO films are made of an ITO film having a low tin oxide content and formed of a second thin film 300a formed on the first thin film 200 and an ITO film having a high tin oxide content and formed on the second thin film 300b.
  • Third thin film 300b That is, the second thin film 300a is formed of an ITO film having a low tin oxide content on the first thin film 200, thereby enabling application of a low crystallization temperature and helping to crystallize the third thin film 300b at a low temperature. It acts as a crystallization seed.
  • the third thin film 300b may have a higher tin oxide content than the second thin film 300a to lower the resistance.
  • Tin oxide included in the second thin film 300a may be included in an amount of 0 to 5% by weight or less, and more preferably 1 to 3% by weight, based on the total weight of the second thin film 300a.
  • Tin oxide included in the third thin film 300b may be included in an amount of 7 to 10% by weight, and preferably in an amount of 7 to 9% by weight, based on the total weight of the third thin film 300b.
  • the second thin film 300a When tin oxide is included in the second thin film 300a in an amount of 5 wt% or less, crystallization may be performed at a temperature of 100 ° C. or less, and the second thin film that has already been crystallized may help crystallization of the third thin film. For this reason, crystallization may also proceed at a lower temperature of the third thin film.
  • the second thin film may contain a small amount of tin oxide to lower the crystallization temperature, but the resistance is high, the third thin film contains a high content of tin oxide.
  • the effect of lowering the resistance is insignificant, and when it exceeds 10% by weight, it is not preferable to increase the crystallization temperature compared to the effect of lowering the resistance.
  • the second thin film 300a has a thickness of 5 to 30 nm and the third thin film 300b has a thickness of 10 to 50 nm, thereby ensuring low crystallization temperature and conductivity.
  • FIG. 2 is a simplified view of the process flow for manufacturing a flexible conductive fabric substrate in accordance with an embodiment of the present invention, according to the step of manufacturing a fabric substrate (S1); Forming a first thin film of metal or metal oxide on the fabric substrate (S2); Forming a second thin film made of an ITO film including tin oxide on the first thin film (S3); And forming a third thin film made of an ITO film including tin oxide on the second thin film (S3).
  • Fabric substrate is manufactured to have the configuration of the fabric substrate 100 described above, in order to ensure smoothness while having a ductility and spindle degree, which is a characteristic related to the inherent flexibility of the fiber. That is, coating the pressure-sensitive adhesive on the fabric substrate; Laminating a film on the adhesive-coated fabric substrate; Calendering the fabric substrate on which the film is laminated; And coating a planarization film on the film.
  • the components constituting the fabric base material, the pressure-sensitive adhesive, the film, and the flattening film can be applied as described above, and detailed description thereof will be omitted.
  • the adhesive-coated fabric substrate may be flattened to increase adhesion to the film.
  • the film substrate is laminated on the fabric substrate coated with the adhesive to planarize the fabric substrate.
  • the film is preferably applied to the same material as the fabric substrate.
  • Lamination is carried out at a temperature of 50 to 150 ° C, preferably 70 to 150 ° C, more preferably 80 to 150 ° C, and 2.0 to 5.0 Kg / cm 2 .
  • the fabric substrate on which the film is laminated may be further provided in a aging step for 1 to 3 days at 50 to 150 ° C., preferably 50 to 120 ° C., more preferably 50 to 100 ° C. conditions. Through this, it is possible to minimize the peeling phenomenon between the film and the fabric substrate.
  • the fabric substrate on which the film is laminated is provided to a calendering process to improve adhesion and flatness.
  • the calendering step is preferably performed at a condition of 1.5 to 3.5 kg / cm 2 at 40 to 180 ° C, preferably 60 to 170 ° C, more preferably 70 to 160 ° C using a calender. In the above range, the thermal stability of the fabric base material is improved and the adhesion with the laminated film is improved.
  • the coefficient of thermal expansion (CTE) of the calendered fabric substrate is 5-50 ppm / ° C., preferably 5-30 ppm / ° C., more preferably 5-25 ppm / ° C.
  • the low coefficient of thermal expansion gives the fabric substrate improved thermal and dimensional stability.
  • a planarization layer is formed on the film of the calendered substrate by spin coating, slot coating or bar coating.
  • the planarization film is preferably cured at low temperature to form a planarization film without optimizing the fabric substrate and to optimize the smoothness of the substrate.
  • cure at 80-160 degreeC, Preferably it is 80-140 degreeC, More preferably, it is 80-120 degreeC.
  • the fabric substrate 100 manufactured is subjected to a process of forming an inorganic thin film layer in order to secure moisture and oxygen barrier properties as a flexible fabric substrate before being provided to a process for forming a conductive film.
  • the fabric substrate 100 may be further formed with a planarization layer to ensure smoothness.
  • the fabric substrate on which the moisture and oxygen barrier layers are formed is provided in step S2 of forming a first thin film of metal or metal oxide on the fabric substrate.
  • One or more selected from the group consisting of Ag, Ag + AgO x , Al, Al + Al 2 O 3 , Cu, and CuO x may be vacuum-deposited to form a first thin film. Vacuum deposition can be carried out according to methods known in the art.
  • the fabric substrate on which the first thin film is formed is provided in step S3 of forming a second thin film made of an ITO film including tin oxide.
  • the second thin film is formed by forming an ITO film containing tin oxide at 0 to 5% by weight or less by vacuum deposition, for example, sputtering.
  • the ITO film having a higher tin oxide content, that is, containing 7 to 10% by weight of tin oxide is formed by vacuum deposition, for example, by using a sputter to form a third thin film, thereby obtaining a flexible conductive fabric substrate.
  • Vacuum deposition can be carried out according to methods known in the art.
  • the second thin film and the third thin film may further undergo a heat treatment process for crystallization.
  • the heat treatment process for crystallization may be carried out after the formation of the second thin film or after the formation of the third thin film, preferably after the formation of the second thin film and after the formation of the third thin film.
  • Heat treatment for crystallization may be carried out at a temperature of 25 ⁇ 150 °C for both the second thin film and the third thin film. Due to the crystallization seed role of the second thin film, the crystallization heat treatment of the third thin film can also be treated at a temperature of 25 ⁇ 150 °C lower than the conventional process.
  • the manufactured flexible conductive fabric substrate can maintain the characteristic of the intrinsic fiber 30 ⁇ 80mm, the spindle degree 100 ⁇ 140 ⁇ characteristics.
  • the flexible conductive fabric substrate has a high conductivity and a low energy band gap, and is a flexible display implemented with organic electroluminescence, quantum dot electroluminescence, liquid crystal, and electrophoretic layer, or flexible illumination implemented with organic electroluminescence, quantum dot electroluminescence, and LED. It can be applied to the conductive substrate of.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive was coated to less than 5 ⁇ m by slot coating method on a 75 ⁇ m thick fabric substrate made of polyethylene naphthalate. Then, the film was laminated at a speed of 90 ° C., 2.0 kg / cm 2 and 60 m / min using a 23 ⁇ m film made of polyethylene naphthalate, and then aged at 60 ° C. for 3 days. Since the fabric substrate was produced in a calendaring process at 150 °C, 3.0kg / cm 2 conditions. Since the silane-based resin having an epoxy group on the film laminated surface of the fabric substrate was coated by a slot coating method at room temperature. It was cured and dried at 150 ° C. for 3 minutes.
  • the planarization film was flowed to fill the geometry of the substrate.
  • a gas barrier film in which a SiN layer, a SiO layer, and a silane polymer layer were sequentially stacked was formed on the fabric substrate.
  • Ag was vacuum-deposited to a thickness of 30 nm on the fabric substrate to form a first thin film.
  • An ITO film having a tin oxide (SnO 2) content of 3% by weight was formed on the first thin film to have a thickness of 10 nm by sputtering.
  • the formed second thin film was heat-treated at 100 ° C. for 1 hour to crystallize.
  • a third thin film of ITO film having a tin oxide content of 7% by weight was formed to a thickness of 30 nm by sputtering.
  • the formed third thin film was heat-treated at 100 ° C. for 1 hour to crystallize.
  • the characteristics such as conductivity after formation of each thin film were evaluated and shown in Table 1 below.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive was coated to less than 5 ⁇ m by slot coating method on a 75 ⁇ m thick fabric substrate made of polyethylene naphthalate. Then, the film was laminated at a speed of 90 ° C., 2.0 kg / cm 2 and 60 m / min using a 23 ⁇ m film made of polyethylene naphthalate, and then aged at 60 ° C. for 3 days. Since the fabric substrate was produced in a calendaring process at 150 °C, 3.0kg / cm 2 conditions. Since the silane-based resin having an epoxy group on the film laminated surface of the fabric substrate was coated by a slot coating method at room temperature. It was cured and dried at 150 ° C. for 3 minutes.
  • the planarization film was flowed to fill the geometry of the substrate.
  • a gas barrier film in which a SiN layer, a SiO layer, and a silane polymer layer were sequentially stacked was formed on the fabric substrate.
  • the comparative example is for evaluating the flexibility of the flexible fabric substrate of the example, and unlike the example, no conductive film was formed.
  • a spindle test method of KS K 0550 fabric was used as a measuring method.
  • the test piece is made into 4 ⁇ 1.5cm and the Monsanto tester is used as the test device. After the test piece is sandwiched between metal plates, put it in a plastic press, put a 500g weight on the plastic press for 5 minutes, insert a metal plate + test piece into the Monsanto tester, and after 5 minutes, measure the angle of separation (the degree of spindle) of the sample.
  • a measure of the stiffness and softness of the fabric fabric is evaluated for the resistance (flexibility) to the movement of the fabric.
  • the cantilever method is to measure the length of the front end of the test piece with the test piece placed on a slope of 41.5 degrees. Smaller values indicate better ductility characteristics.
  • the sheet resistance is for evaluating the conductivity characteristics, and the sheet resistance of the ITO film was evaluated by a known four-terminal method.
  • the change rate of the sheet resistance is indicated by measuring the change rate of the sheet resistance after 30 K repetition at a radius of curvature of 3 mm.
  • the fabric substrate according to the embodiment has a low surface resistance, and it can be seen that there is almost no difference in the degree of inductance and fusitivity, which are inherent in the fiber, compared with the substrate of the comparative example. Therefore, the fabric substrate according to the present invention can secure high flexibility with high conductivity, and can be applied to various flexible displays or flexible lighting substrates.
  • the flexible conductive fabric substrate according to the present invention has a high conductivity and a low energy band gap, and is a flexible display implemented with organic electroluminescence, quantum dot electroluminescence, liquid crystal, or electrophoretic layer, or organic electroluminescence, quantum dot electroluminescence, LED, etc. Can be applied as a conductive substrate of flexible lighting.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 패브릭 기판; 상기 패브릭 기판 상에 형성된 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 제1 박막; 상기 제1 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제2박막; 및 상기 제2 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제3 박막을 포함하며, 상기 제2 박막에 포함된 산화주석의 함량이 상기 제3 박막에 포함된 산화주석의 함량보다 적은 것을 특징으로 하는 플렉서블 전도성 패브릭 기판에 관한 것이다.

Description

플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법
본 발명은 패브릭 기판 위에 전도성 막이 형성된 플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
플렉서블 디스플레이(Flexible Display)는 종이처럼 얇고 유연한 기판을 통해 손상 없이 휘거나 구부리거나 말 수 있는 디스플레이를 말한다. 이러한 플렉서블 디스플레이는 플라스틱 소재ㆍ필름 등을 기판으로 사용하므로 가볍고, 두께가 얇을 뿐만 아니라 충격에도 깨지지 않는 장점이 있다. 이로 인해 모바일 기기용 디스플레이로의 채택이 진행되고 있으며, 구부리는 등의 디스플레이 형상을 변형할 수 있기 때문에 향후 생활용품이나 자동차 분야 등으로 확산될 경우 폭발적인 수요가 기대되는 미래 유망 산업에 해당한다.
플렉서블 디스플레이를 포함하여 디스플레이 소자는 기판 상에 디바이스가 형성되어 있다. 따라서 기판은 그 소자의 내구성 확보를 위해서 높은 가스 차단성을 갖추어야 한다. 기존의 디스플레이 기판으로 사용되던 유리 기판은 수분이나 산소의 침투에 대한 가스 차단성은 매우 우수하지만, 가요성(Flexibility) 구현이 불가능한 문제점이 있다. 이로 인해 스테인레스 스틸 기판이나 플라스틱 소재 필름이 적용되고 있다. 그러나, 스테인레스 스틸 기판이나 플라스틱 소재ㆍ필름도 굴곡성 내지는 유연성(Bending)이 충분하지 않다.
또한 플라스틱 소재ㆍ필름을 기판으로 사용할 경우 소재의 특성상 적용할 수 있는 분야는 제한적이다. 일방으로만 휘어지고, 굽힘 회복성이 낮은 플라스틱 소재나 필름 기판은 드레이프(drape) 특성이 없으며, 유연성의 장점을 살리지 못하는 단점을 가지고 있다. 따라서 플렉서블 디스플레이의 장점을 최대한 활용 가능하게 하는 섬유기판을 이용한 플렉서블 디스플레이에 대한 연구가 진행되고 있다.
한편, 투명 전도성 기판은 액정소자, 전자잉크 소자, PDP, LCD, OLED 등과 같은 디스플레이 또는 조명장치의 투명 전극으로 이용되고 있다. 일반적으로 투명 전도성 기판은 투명 기판에 인듐ㆍ주석 복합 산화물(ITO)과 같은 금속 산화물을 적층하여 제조한다. 그러나, 디스플레이 장치 등이 대면적화 되는 추세에 있어, 기존의 ITO를 이용한 전극은 면 저항이 증가하고 유연하지 못한 문제점이 두드러지고 있다.
전극의 면 저항이 증가되면, 고른 전압 인가가 어려워지고, 그로 인해 장치의 발광 균일도가 저하된다. 그 때문에 보다 낮은 면 저항을 구현하기 위한 노력이 이루어지고 있으며, 일환으로 ITO에 금속 산화물을 도핑하는 방법이 있다. 그러나, ITO에 도핑된 금속 산화물은 ITO 막의 결정화 온도를 상승시키는 원인으로 작용하며, 높은 결정화 온도로 인해 플렉서블 소자를 위한 유연기판에 적용이 용이하지 못한 문제점이 있다.
이에 본 발명은 섬유(또는 패브릭) 기판 상에 고유연성과 낮은 저항 특성을 가지는 저온 결정화 전극이 형성된 플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법을 제공하려고 한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 패브릭 기판; 상기 패브릭 기판 상에 형성된 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 제1 박막; 상기 제1 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제2 박막; 및 상기 제2 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제3 박막을 포함하며, 상기 제2 박막에 포함된 산화주석의 함량이 상기 제3 박막에 포함된 산화주석의 함량보다 적은 것을 특징으로 하는 플렉서블 전도성 패브릭 기판을 제공한다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 패브릭 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 나일론(nylon) 및 아크릴(acryl)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 직물 소재로 된 패브릭 기재; 상기 패브릭 기재 상에 코팅된 점착제층; 상기 점착제층 상에 적층된 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 나일론(nylon) 및 아크릴(acryl)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 소재로 이루어진 필름; 및 상기 필름 상에 적층된 평탄화막을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 적절한 다른 실시 형태에 따르면, 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 제1 박막은 Ag, Ag+AgOx, Al, Al+Al2O3, Cu 및 CuOx로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명의 적절한 또 다른 실시 형태에 따르면, 제2 박막에 포함되는 산화주석은 제2 박막 전체 중량에 대해 5중량% 이하로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 적절한 또 다른 실시 형태에 따르면, 제3 박막에 포함되는 산화주석은 제3 박막 전체 중량에 대해 7 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 적절한 또 다른 실시 형태에 따르면, 제1 박막은 두께가 5~50nm, 제2 박막은 두께가 5~30nm, 제3 박막은 두께가 10~50nm인 것이 바람직하다.
본 발명의 적절한 또 다른 실시 형태에 따르면, 패브릭 기판과 제1 박막 사이에 평탄화 코팅층 또는 무기박막층이 형성될 수 있다.
본 발명의 적절한 또 다른 실시 형태에 따르면, 기판은 강연도가 30~80mm이고, 방추도가 100~140˚인 것이 바람직하다.
본 발명은 또한, 본 발명에 따른 구성을 가지는 기판을 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치 또는 플렉서블 조명 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 또한, 패브릭 기판을 제조하는 단계; 제조된 패브릭 기판 상에 금속 또는 금속산화물로 제1 박막을 형성시키는 단계; 상기 제1 박막 상에 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제2박막을 형성시키는 단계; 및 상기 결정화된 제2 박막 상에 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제3 박막을 형성시키는 단계를 포함하며, 상기 제2 박막에 포함된 산화주석의 함량이 상기 제3 박막에 포함된 산화주석의 함량보다 적은 것을 특징으로 하는 플렉서블 전도성 패브릭 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 패브릭 기판은 패브릭 기재에 점착제를 코팅하는 단계; 상기 점착제가 코팅된 패브릭 기재에 필름을 적층하는 단계; 상기 필름이 적층된 패브릭 기재를 캘린더링(Calendering)하는 단계; 및 상기 필름 상에 평탄화막을 코팅하는 단계를 포함하는 방법으로 제조될 수 있다.
본 발명의 적절한 다른 실시 형태에 따르면, 금속 또는 금속 산화물은 Ag, Ag+AgOx, Al, Al+Al2O3, Cu 및 CuOx로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 진공증착하여 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 적절한 또 다른 실시 형태에 따르면, 제2 박막 또는 상기 제3 박막은 열처리하는 단계를 더 거치는 것이 바람직하다.
본 발명의 적절한 또 다른 실시 형태에 따르면, 열처리는 25~150℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.
본 발명의 적절한 또 다른 실시 형태에 따르면, 열처리는 제2 박막 형성 후 및 제3 박막 형성 후에 2차례 실시하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 기판은 낮은 온도에서 높은 전도도 구현이 가능하고 낮은 에너지 밴드갭으로 인해 패브릭 기판에의 적용이 가능하여, 다양한 분야의 애노드 전극으로 활용이 가능하다.
또한 얇은 박막으로 전극을 형성하여 유연성이 우수하고, 금속 전극을 활용하여 높은 전도도 구현이 가능하다.
또한 저온에서 결정화가 가능한 ITO 전극을 형성시켜 온도 내구성이 낮은 다양한 유연 소자 기판에 적용할 수 있다.
또한 전극의 상부층(제 3박막)에 ITO를 적용하여 기존 ITO를 전극으로 활용하던 분야에도 공정의 변화없이 고유연성의 패브릭 기판을 적용할 수 있다.
또한 패브릭 기판으로 디스플레이 기판 소재를 대체하였기 때문에 디자인 자유도가 증가하여, 다양한 기술 분야에 적용이 가능하다.
또한 패브릭 기판의 우수한 강연도, 방추도 특성으로 인해 유연성과 신축성, 피부 접촉감이 우수하여 웨어러블 디스플레이에의 적용이 용이하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 플렉서블 전도성 패브릭 기판의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 전도성 패브릭 기판을 제조하는 공정 흐름을 간략하게 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에서 제조된 전도성 패브릭 기판 상에 제작된 OLED 조명 패널 샘플 사진에 기반하여 도면으로 나타낸 것으로, 높은 가요성과 유연성을 가지는 것을 확인할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에서 제조된 전도성 패브릭 기판 상에 제작된 OLED 조명 패널의 샘플 사진에 기반하여 도면으로 나타낸 것으로, OLED 소자 형성 이후에도 패브릭 자체의 유연성을 그대로 유지하고 있음을 확인할 수 있다.
이하, 본 발명을 도면과 함께 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.
본 발명자들은 유연 디스플레이와 유연 조명에 적용할 수 있는 투명 전도성 플렉서블 기판에 대해 연구하여, 기존의 ITO막을 플렉서블 디스플레이에 적용시 문제가 되던 결정화 온도를 낮출 수 있는 방안을 개발하였다. 이를 통해 고유연성과 낮은 저항을 가진 플렉서블 패브릭 기판을 제공할 수 있게 되었다.
본 발명에 따른 플렉서블 전도성 패브릭 기판은 패브릭 기판; 상기 패브릭 기판 상에 형성된 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 제1 박막; 상기 제1 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제2 박막; 및 상기 제2 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제3 박막을 포함하며, 상기 제2 박막에 포함된 산화주석의 함량이 상기 제3 박막에 포함된 산화주석의 함량보다 적은 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 플렉서블 전도성 패브릭 기판의 구성을 나타낸 단면도이다. 도 1에 따르면, 플렉서블 전도성 패브릭 기판은 패브릭 기판(100); 제1 박막(200); 제2 박막(300a); 및 제3 박막(300b)을 포함한다.
패브릭 기판(100)은 섬유 소재 직물로 구성된 패브릭 기재(101)를 모재로 하여, 섬유와 같은 강연도와 방추도를 가져 높은 가요성을 확보할 수 있다. 다만 패브릭 기재(101)는 평활도가 낮으므로, 패브릭 기재(101) 상에 점착제층, 필름 및 평탄화막을 적층하여 평활도를 개선한다.
패브릭 기재(101)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 나일론(nylon) 및 아크릴(acryl)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 소재로 된 직물, 구체적으로 직포 또는 부직포가 바람직하게 사용될 수 있다. 직물의 두께는 기판의 성능에는 영향을 주지 않으나, 코팅 지지재로서 그리고 최종 기판의 두께를 고려할 때, 50~230㎛가 적합하며, 바람직하게는 50~150㎛, 더 바람직하게는 50~100㎛인 것이 적합하다.
점착제층은 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제 및 실리콘계 점착제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 성분을 포함하여 이루어질 수 있으며, 1~5㎛의 두께를 가지는 것이, 접착력 및 기판 전체 두께를 고려할 때 바람직하다.
필름은 패브릭 기재(101)를 평탄화하여 패브릭 기판에 평활성을 부여하기 위한 것으로, 패브릭 기재(101)와 동일한 소재로 적용할 수 있다. 동일 소재의 필름을 적층하게 되면, 열적 특성이 동일하기에 외부 열에 의한 변형 값이 동일하여 적층 구조의 박리 현상을 방지할 수 있어 바람직하다. 구체적으로 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 나일론(nylon) 및 아크릴(acryl)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 소재로 이루어질 수 있으며, 두께 5~125㎛, 표면 평활도(Ra) 5~500㎚인 것이 바람직하다. 위 범위로 할 경우 패브릭 기재의 물리적 특성, 즉 강연도나 방추도의 변화 없이 평활한 기판 제작이 가능하여 바람직하다.
평탄화막은 패브릭 기판의 평활도를 최적화하기 위한 것으로, 실란(silane), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리카보네이트(polycarbonate), 아크릴레이트(acrylate) 계열의 고분자, 에폭시(epoxy) 계열의 고분자, 아민(amine) 계열의 올리고머(oligomer) 및 비닐(vinyl) 계열 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 평탄화막은 두께 0.01~5㎛, 표면 평활도(Ra) 5~300㎚로 하여, 기판의 단차로 인해 가스 차단막이 형성되지 않는 현상을 방지할 수 있다.
실란은 모노실란(monosilane, SiH4), 디실란(disilane, Si2H6), 트리실란(torisilane, Si3H8) 및 테트라 실란(tetrasilane, Si4H10)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 될 수 있다. 또한 실란은 에폭시기(epoxy), 알콕시기(alkoxy), 비닐기(vinyl), 페닐기(phenyl), 메타크릴옥시기(methacryloxy), 아미노기(amino), 클로로실란기(chlorosilanyl), 클로로프로필기(chloropropyl) 및 메르캅토기(mercapto)로 이루어진 군에서 선택되는 작용기를 1종 이상 포함할 수 있다.
평탄화막은 광흡수제, 구체적으로, 벤조페논(Benzophenone)계, 옥살아닐리드(Oxalanilide)계, 벤조트리아졸(Benzotriazole)계 및 트리아진(Triazine)계로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
또한 평탄화막은 무기 입자를 더 포함할 수 있다. 무기 입자는 규소, 알루미늄, 티탄 및 지르코늄으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 무기 화합물이 될 수 있으며, 무기 화합물은 금속 산화물, 비금속 산화물, 질화물 또는 질산염의 형태가 될 수 있다. 무기 입자는 5~100nm의 크기를 갖는 것이 평탄화막의 표면 평활도를 저해하지 않아서 바람직하다.
점착제층, 필름 및 평탄화막을 적층하여 평활도가 개선된 패브릭 기재(101)로 된 패브릭 기판에는 수분 및 산소 차단을 위한 차단막이 매우 용이하게 형성될 수 있으며, 일례에 따르면, 도 1에 나타낸 바와 같이 평탄화 코팅층(102) 및 무기박막층(103)이 더 형성될 수 있다. 평탄화 코팅층(102)은 부가적인 평탄화를 위해 형성할 수 있으며, 상술한 평탄화막과 동일하게 적용할 수 있다. 무기박막층(103)은 가스 차단을 위한 것으로, SiN층, SiO층 또는 실란계 고분자층이, 또는 이들이 순차적으로 1회 이상 적층된 것일 수 있다.
평탄화막 및 가스 차단막이 형성된 패브릭 기판(100)에는 전도성 부여를 위해 순차적으로 제1 박막(200); 제2 박막(300a); 및 제3 박막(300b)이 적층된다.
제1 박막(200)은 낮은 면 저항을 구현하기 위해, 금속 또는 금속 산화물에 의해 형성되며, 구체적으로, Ag, Ag+AgOx, Al, Al+Al2O3, Cu 및 CuOx로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 형성될 수 있다. 제1 박막은 두께가 5nm~50nm 사이로 형성되는 것이 바람직하며, 제1 박막은 1~10Ω/□의 면저항을 가진다.
제1 박막(200) 상에는 산화주석을 포함하는 ITO막이 형성된다. 본 발명자들은 투명 전도성 막으로 통상 사용되는 ITO막에 산화주석(SnO2)을 도핑하면 낮은 면 저항을 구현할 수 있음을 확인하였으며, 저저항화를 구현하기 위해, 패브릭 기판에 적용하였다. 그러나 산화주석의 도핑은 면 저항을 낮추어주는 점에서는 바람직하나, 산화주석의 함량이 증가하면 ITO막의 결정화 온도가 상승하게 되는 문제점이 있다. 결정화는 무정형으로 제막된 ITO막을 열처리하면 결정막으로 전환되는 것을 말하며, 저항을 낮추고 투명성 확보를 위해 이용되고 있다. 이를 개선하기 위해, 본 발명에서는 ITO막을 산화주석의 함량을 다르게 포함하는 2개의 막으로 구성하였다.
2개의 ITO막은 산화주석 함량이 낮은 ITO막으로 이루어지고 제1 박막(200) 상에 형성된 제2 박막(300a)과, 산화주석 함량이 높은 ITO막으로 이루어지고 제2 박막(300b) 상에 형성된 제3 박막(300b)이다. 즉 제1 박막(200) 상에 산화주석의 함량이 낮은 ITO막으로 제2 박막(300a)을 형성시켜, 낮은 결정화 온도의 적용이 가능하게 하고 낮은 온도에서 제3 박막(300b)의 결정화를 돕는 결정화 시드(seed) 역할을 하게 한다. 제3 박막(300b)은 산화주석 함량을 제2 박막(300a)보다 많게 하여, 저항을 낮출 수 있게 한다.
이러한 제2 박막(300a)에 포함되는 산화주석은 제2 박막(300a) 전체 중량에 대해 0 내지 5중량% 이하로 포함될 수 있으며, 더 바람직하게는 1 내지 3중량%로 포함된다.
제3 박막(300b)에 포함되는 산화주석은 제3 박막(300b) 전체 중량에 대해 7 내지 10중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 7 내지 9중량%로 포함된다.
제2 박막(300a)에 산화주석이 5중량% 이하로 포함되면, 100℃ 이하의 온도에서도 결정화가 이루어질 수 있으며, 이미 결정화가 된 제2 박막은 제3 박막의 결정화를 도울 수 있다. 그 때문에 제3 박막도 낮은 온도에서 결정화가 진행될 수 있다. 한편, 제2 박막에 산화주석을 적게 포함시켜 결정화 온도를 낮출 수 있으나, 저항이 높은 문제점이 있어, 제3 박막에는 산화주석의 함량을 높게 포함시킨다. 즉, 제3 박막에 포함되는 산화주석의 함량을 7중량% 미만으로 하면, 저항을 낮추는 효과가 미미하며, 10중량%를 초과하게 하면, 저항을 낮추는 효과 대비 결정화 온도를 상승시켜 바람직하지 않다.
제2 박막(300a)은 두께가 5~30nm, 제3 박막(300b)은 두께가 10~50nm로 하여, 낮은 결정화 온도와 전도성을 확보한다.
다음은 본 발명의 플렉서블 전도성 패브릭 기판의 제조방법에 대해 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 플렉서블 전도성 패브릭 기판을 제조하는 공정 흐름을 간략하게 나타낸 도면으로, 이에 따르면, 패브릭 기판을 제조하는 단계(S1); 제조된 패브릭 기판 상에 금속 또는 금속산화물로 제1 박막을 형성시키는 단계(S2); 제1 박막 상에 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제2 박막을 형성시키는 단계(S3); 및 제2 박막 상에 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제3 박막을 형성시키는 단계(S3)를 포함하는 방법에 의해 플렉서블 전도성 패브릭 기판이 제조될 수 있다.
먼저 패브릭 기판을 제조하는 단계(S1)에 대해 설명한다.
패브릭 기판은 섬유 고유의 유연성에 관련된 특성인 강연도와 방추도를 가지면서 평활성을 확보하기 위해, 상술한 패브릭 기판(100)의 구성을 가지도록 제조된다. 즉, 패브릭 기재에 점착제를 코팅하는 단계; 점착제가 코팅된 패브릭 기재에 필름을 적층하는 단계; 필름이 적층된 패브릭 기재를 캘린더링(Calendering)하는 단계; 및 필름 상에 평탄화막을 코팅하는 단계를 포함하는 방법으로 제조된다. 패브릭 기재, 점착제, 필름, 평탄화막을 구성하는 성분은 앞에서 설명한 대로 적용하는 것이 가능하며, 자세한 설명은 생략한다.
패브릭 기재에 스핀코팅, 슬롯코팅 또는 바코팅 방식을 이용하여 점착제를 두께가 1~5㎛가 되도록 도포하는 것이 적합하며, 패브릭 기재의 평활도(Ra)가 5㎛ 이상인 경우에는, 점착제의 두께를 5~10㎛로 더 두껍게 하는 것이 바람직하다. 점착제가 코팅된 패브릭 기재는 평탄화되어 필름과의 접착력을 높일 수 있다.
점착제가 코팅된 패브릭 기재에 필름을 적층하여 패브릭 기재를 평탄화한다. 필름은 상술한 바와 같이 패브릭 기재와 동일 소재로 적용하는 것이 바람직하다. 적층은 50~150℃의 온도, 바람직하게는 70~150℃, 더 바람직하게는 80~150℃, 2.0~5.0Kg/cm2 조건에서 실시한다. 필름이 적층된 패브릭 기재는 50~150℃, 바람직하게는 50~120℃, 더 바람직하게는 50~100℃ 조건에서 1~3일간 숙성 단계에 추가로 제공될 수도 있다. 이를 통해, 필름과 패브릭 기재 간의 박리 현상을 최소화할 수 있다.
필름이 적층된 패브릭 기재는 캘린더링 공정에 제공하여, 접착력과 평탄성을 향상시킨다. 캘린더링 공정은 캘린더를 이용하여, 40~180℃, 바람직하게는 60~170℃, 더 바람직하게는 70~160℃에서, 1.5~3.5kg/cm2의 조건에서 진행하는 것이 바람직하다. 위 범위로 할 경우 패브릭 기재의 열적 안정성이 향상되고 적층된 필름과의 접착력이 향상되어 바람직하다.
캘린더링된 패브릭 기판의 열팽창계수(CTE)는 5~50ppm/℃, 바람직하게는 5~30ppm/℃, 더 바람직하게는 5~25ppm/℃를 가진다. 낮은 열팽창계수는 패브릭 기판에 향상된 열 안정성과 치수 안정성을 부여한다.
패브릭 기판의 평활도를 최적화하기 위해, 캘린더링 공정을 거친 기판의 필름 상에 스핀코팅, 슬롯코팅 또는 바코팅 방식을 이용하여 평탄화막을 형성시킨다. 코팅 후 평탄화막은 패브릭 기판의 열적 변형이 없이 평탄화막을 형성하고 기판의 평활도를 최적화하기 위해 저온에서 경화시키는 것이 바람직하다. 예컨대, 80~160℃, 바람직하게는 80~140℃, 더 바람직하게는 80~120℃의 조건에서 경화시킬 수 있다.
제조된 패브릭 기판(100)은 전도성 막을 형성하기 위한 공정에 제공되기 전에, 플렉서블 패브릭 기판으로서의 수분 및 산소 차단성을 확보하기 위해, 무기박막층을 형성하는 공정을 거친다. 수분 및 산소 차단막을 형성하기 전에 패브릭 기판(100)에는 평활성 확보를 위해 평탄화막이 더 형성될 수 있다.
수분 및 산소 차단막이 형성된 패브릭 기판은 패브릭 기판 상에 금속 또는 금속산화물로 제1 박막을 형성시키는 단계(S2)에 제공된다. Ag, Ag+AgOx, Al, Al+Al2O3, Cu 및 CuOx로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 진공증착하여 제1 박막을 형성시킬 수 있다. 진공증착은 이 분야에서 공지된 방법에 따라 실시할 수 있다.
제1 박막이 형성된 패브릭 기판은 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제2 박막을 형성시키는 단계(S3)에 제공된다. 제2 박막은 산화주석을 0 내지 5중량% 이하로 포함하는 ITO막을 진공증착법, 일례로 스퍼터링법으로 제막하여 형성시킨다. 제2 박막 형성 후 산화주석 함량이 더 높은, 즉 산화주석이 7 내지 10중량% 함유된 ITO막을 진공증착법, 일례로 스퍼터를 이용하여 제막하여 제3 박막을 형성시키면, 플렉서블 전도성 패브릭 기판이 얻어진다. 진공증착은 이 분야에서 공지된 방법에 따라 실시할 수 있다.
이때, 기판의 면 저항을 낮추기 위해, 제2 박막과 제3 박막은 결정화를 위한 열처리 공정을 더 거치게 할 수 있다. 결정화를 위한 열처리 공정은 제2 박막 형성 후 또는 제3 박막 형성 후에 실시될 수 있으며, 바람직하게는 제2 박막 형성 후 및 제3 박막 형성 후에 2차례 실시된다.
결정화를 위한 열처리는 제2 박막 및 제3 박막의 경우에 모두 25~150℃의 온도에서 실시될 수 있다. 제2 박막의 결정화 씨드 역할로 인해, 제3 박막의 결정화 열처리도 기존 공정보다 낮은 25~150℃의 온도에서 처리할 수 있다.
제조된 플렉서블 전도성 패브릭 기판은 섬유 고유의 특성인 강연도가 30~80mm, 방추도가 100~140˚ 특성을 유지할 수 있다. 또한 플렉서블 전도성 패브릭 기판은 높은 전도도, 낮은 에너지 밴드갭을 가져 유기전계발광, 양자점전계발광, 액정, 전기영동층으로 구현되는 유연 디스플레이나, 유기전계발광, 양자점전계발광, LED 등으로 구현되는 유연 조명의 전도성 기판으로 적용될 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 들어 상세히 설명하나, 본 발명이 이에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 명백할 것이다.
<실시예>
폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 두께 75㎛의 패브릭 기재 상에 슬롯코팅 방식으로 아크릴계 점착제를 5㎛ 미만으로 코팅하였다. 그리고 나서 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 23㎛ 필름을 이용하여 90℃, 2.0kg/cm2, 60m/min의 속도로 적층시킨 후, 60℃에서 3일간 숙성시켰다. 이후 제작된 패브릭 기판을 150℃, 3.0kg/cm2의 조건에서 캘린더링 공정에 제공하였다. 이후 패브릭 기판의 필름 적층면에 에폭시기가 있는 실란계 수지를 상온에서 슬롯코팅 방식으로 코팅하였다. 150℃에서 3분간 경화 건조하였다. 경화 공정 시에 동시에 기판의 지오메트리(geometry)를 메우기 위해 평탄화막의 유동을 진행하였다. 제조된 패브릭 기판 상에 SiN층, SiO층 및 실란계 고분자층이 순차적으로 적층된 가스 차단막을 형성시켰다. 그런 후 상기 패브릭 기판에 Ag을 30nm 두께로 진공증착시켜 제1 박막을 형성시켰다. 제1 박막 상에 산화주석(SnO2) 함량이 3중량%인 ITO막을 스퍼터링법에 의해 10nm 두께로 제2 박막을 형성시켰다. 형성된 제2 박막을 100℃에서 1시간 동안 열처리하여 결정화시켰다. 그런 후 산화주석 함량이 7중량%인 ITO막을 스퍼터링법에 의해 30nm 두께로 제3 박막을 형성시켰다. 형성된 제3 박막을 100℃에서 1시간 동안 열처리하여 결정화시켰다. 각 박막의 형성 이후의 전도도 등의 특성을 평가하여 하기 표 1에 나타내었다.
<비교예>
폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 두께 75㎛의 패브릭 기재 상에 슬롯코팅 방식으로 아크릴계 점착제를 5㎛ 미만으로 코팅하였다. 그리고 나서 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 23㎛ 필름을 이용하여 90℃, 2.0kg/cm2, 60m/min의 속도로 적층시킨 후, 60℃에서 3일간 숙성시켰다. 이후 제작된 패브릭 기판을 150℃, 3.0kg/cm2의 조건에서 캘린더링 공정에 제공하였다. 이후 패브릭 기판의 필름 적층면에 에폭시기가 있는 실란계 수지를 상온에서 슬롯코팅 방식으로 코팅하였다. 150℃에서 3분간 경화 건조하였다. 경화 공정 시에 동시에 기판의 지오메트리(geometry)를 메우기 위해 평탄화막의 유동을 진행하였다. 제조된 패브릭 기판 상에 SiN층, SiO층 및 실란계 고분자층이 순차적으로 적층된 가스 차단막을 형성시켰다.
비교예는 실시예의 플렉서블 패브릭 기판의 유연성을 평가하기 위한 것으로, 실시예와 달리 전도성 막을 형성시키지 않았다.
<평가예>
실시예 및 비교예에서 얻어진 기판에 대해 평가하고, 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
평가는 다음과 같은 방법으로 실시하였다.
(1) 방추도
직물에 압력이 가해졌을 때 생성된 구김이 다시 회복되는 정도에 관한 것으로, 값이 높을수록 회복력이 우수함을 나타낸다.
측정 방법은 KS K 0550 직물의 방추도 시험방법을 사용하였다. 시험방법에 따라 시험편은 4×1.5cm로 시편을 제작하고 시험장치로 몬산토 시험기를 사용한다. 시험편을 금속판 사이에 끼운 후, 플라스틱 프레스에 끼운 다음 플라스틱 프레스 위에 500g 추를 5분간 올려 놓고 몬산토 시험기에 금속판+시험편을 끼워 5분 경과 후, 시료의 벌어진 각도(방추도)를 측정한다.
(2) 강연도
패브릭 원단의 뻣뻣함과 부드러움의 정도를 나타내는 척도로, 천의 움직임에 대한 저항성(유연성)을 평가한다.
천의 촉감과 드레이프성에 영향을 미치며, 캔틸레버 방법으로 측정(ISO 4064:2011)하며, 캔틸레버 방법은 시험편을 41.5도 경사면에 두고 시험편의 앞끝이 닿는 길이를 측정하는 것이다. 값이 작을수록 강연도 특성이 우수함을 나타낸다.
(3) 면 저항 및 면 저항 변화율
면 저항은 전도도 특성을 평가하기 위한 것으로, ITO막의 면 저항은 공지의 사단자법에 의해 평가하였다. 면 저항 변화율은 곡률반경 3mm에서 30K 반복 이후 면 저항의 변화율을 측정하여 나타낸다.
표 1
구분 총두께(㎛) 평활도(Ra,㎛) 방추도(°) 강연도(mm) 면저항(Ω/□) 면저항 변화율(%) 투과율(%, TT)
비교예 105.00 0.083 122 58 - - 64.3
실시예 105.70 0.020 120 60 4.75 0.92 59.5
표 1에 따르면, 실시예에 따른 패브릭 기판은 낮은 면 저항을 나타내며, 아울러 섬유 고유의 특성인 강연도나 방추도가 비교예의 기판과 비교하여 거의 차이가 없는 것을 알 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 패브릭 기판은 높은 전도성과 함께 고유연성의 확보가 가능하여, 다양한 유연 디스플레이나 유연 조명의 기판으로 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 플렉서블 전도성 패브릭 기판은 높은 전도도, 낮은 에너지 밴드갭을 가져 유기전계발광, 양자점전계발광, 액정, 전기영동층으로 구현되는 유연 디스플레이나, 유기전계발광, 양자점전계발광, LED 등으로 구현되는 유연 조명의 전도성 기판으로 적용될 수 있다.

Claims (16)

  1. 패브릭 기판;
    상기 패브릭 기판 상에 형성된 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 제1 박막;
    상기 제1 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제2박막; 및
    상기 제2 박막 상에 형성된 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제3 박막을 포함하며,
    상기 제2 박막에 포함된 산화주석의 함량이 상기 제3 박막에 포함된 산화주석의 함량보다 적은 것을 특징으로 하는 플렉서블 전도성 패브릭 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패브릭 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 나일론(nylon) 및 아크릴(acryl)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 직물 소재로 된 패브릭 기재;
    상기 패브릭 기재 상에 코팅된 점착제층;
    상기 점착제층 상에 적층된 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 나일론(nylon) 및 아크릴(acryl)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 소재로 이루어진 필름; 및
    상기 필름 상에 적층된 평탄화막을 포함하는 것인 플렉서블 전도성 패브릭 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 제1 박막은 Ag, Ag+AgOx, Al, Al+Al2O3, Cu 및 CuOx로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 박막에 포함되는 산화주석은 제2 박막 전체 중량에 대해 5중량% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제3 박막에 포함되는 산화주석은 제3 박막 전체 중량에 대해 7 내지 10중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 박막은 두께가 5~50nm, 상기 제2 박막은 두께가 5~30nm, 상기 제3 박막은 두께가 10~50nm인 것을 특징으로 하는 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 패브릭 기판과 제1 박막 사이에 평탄화 코팅층 또는 무기박막층이 형성된 것을 특징으로 하는 기판.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 강연도가 30~80mm이고, 방추도가 100~140˚인 것을 특징으로 하는 기판.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 따른 기판을 포함하는 플렉서블 디스플레이 장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 따른 기판을 포함하는 플렉서블 조명 장치.
  11. 패브릭 기판을 제조하는 단계;
    상기 제조된 패브릭 기판 상에 금속 또는 금속산화물로 제1 박막을 형성시키는 단계;
    상기 제1 박막 상에 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제2박막을 형성시키는 단계; 및
    상기 제2 박막 상에 산화주석을 포함하는 ITO막으로 이루어진 제3 박막을 형성시키는 단계를 포함하며,
    상기 제2 박막에 포함된 산화주석의 함량이 상기 제3 박막에 포함된 산화주석의 함량보다 적은 것을 특징으로 하는 플렉서블 전도성 패브릭 기판의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 패브릭 기판은 패브릭 기재에 점착제를 코팅하는 단계;
    상기 점착제가 코팅된 패브릭 기재에 필름을 적층하는 단계;
    상기 필름이 적층된 패브릭 기재를 캘린더링(Calendering)하는 단계; 및
    상기 필름 상에 평탄화막을 코팅하는 단계를 포함하는 방법으로 제조되는 것인 플렉서블 전도성 패브릭 기판.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 금속 또는 금속 산화물로 이루어진 제1 박막은 Ag, Ag+AgOx, Al, Al+Al2O3, Cu 및 CuOx로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 진공증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전도성 패브릭 기판.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2 박막 또는 상기 제3 박막은 열처리하는 단계를 더 거치는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 열처리는 25~150℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 열처리는 제2 박막 형성 후 및 제3 박막 형성 후에 2차례 실시하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
PCT/KR2015/000883 2014-12-30 2015-01-28 플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법 WO2016108329A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/512,524 US20170301873A1 (en) 2014-12-30 2015-01-28 Flexible conductive fabric substrate and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140193557A KR101667658B1 (ko) 2014-12-30 2014-12-30 플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법
KR10-2014-0193557 2014-12-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016108329A1 true WO2016108329A1 (ko) 2016-07-07

Family

ID=56284475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2015/000883 WO2016108329A1 (ko) 2014-12-30 2015-01-28 플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170301873A1 (ko)
KR (1) KR101667658B1 (ko)
WO (1) WO2016108329A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114822236A (zh) * 2021-01-21 2022-07-29 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102587768B1 (ko) * 2017-02-24 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102018336B1 (ko) * 2017-05-31 2019-09-05 주식회사 셀코스 전도성 적층필름 및 이의 제조방법
CN110240831B (zh) * 2019-07-09 2021-12-14 兰州大学 一种石墨烯功能性导电织物的制备方法
US20240218587A1 (en) * 2021-05-03 2024-07-04 Survivon Ltd Vapour deposition product and method therefor
CN114753150B (zh) * 2022-05-12 2024-05-14 广东欣丰科技有限公司 一种导电织物及其制作方法和应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004051960A (ja) * 2002-05-27 2004-02-19 Nitto Denko Corp 樹脂シート、およびそれを用いた液晶セル基板
KR20080101488A (ko) * 2007-05-18 2008-11-21 삼성전자주식회사 표시소자용 연성기판 및 이를 이용한 디스플레이 소자
KR20090063172A (ko) * 2007-12-12 2009-06-17 코오롱글로텍주식회사 발광 직물 디스플레이를 구비한 전계발광 직물
KR20100118220A (ko) * 2009-04-28 2010-11-05 삼성코닝정밀소재 주식회사 디스플레이 패널용 플렉서블 기판 및 그 제조 방법
KR101426885B1 (ko) * 2013-12-27 2014-08-05 코오롱글로텍주식회사 플렉서블 패브릭 기판 및 그의 제조방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6743488B2 (en) * 2001-05-09 2004-06-01 Cpfilms Inc. Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
JP4721359B2 (ja) * 2006-09-12 2011-07-13 日東電工株式会社 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル
JP5181539B2 (ja) * 2007-06-11 2013-04-10 Ｊｓｒ株式会社 透明導電性フィルムの製造方法、該方法により得られたフィルムを有するタッチパネルおよび該タッチパネルを有する表示装置
KR101148144B1 (ko) 2009-09-07 2012-05-23 고려대학교 산학협력단 플렉시블 가스 배리어 필름, 그 제조방법 및 이를 이용한 플렉시블 디스플레이 소자
JP5543907B2 (ja) 2010-12-24 2014-07-09 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法
KR102079188B1 (ko) * 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004051960A (ja) * 2002-05-27 2004-02-19 Nitto Denko Corp 樹脂シート、およびそれを用いた液晶セル基板
KR20080101488A (ko) * 2007-05-18 2008-11-21 삼성전자주식회사 표시소자용 연성기판 및 이를 이용한 디스플레이 소자
KR20090063172A (ko) * 2007-12-12 2009-06-17 코오롱글로텍주식회사 발광 직물 디스플레이를 구비한 전계발광 직물
KR20100118220A (ko) * 2009-04-28 2010-11-05 삼성코닝정밀소재 주식회사 디스플레이 패널용 플렉서블 기판 및 그 제조 방법
KR101426885B1 (ko) * 2013-12-27 2014-08-05 코오롱글로텍주식회사 플렉서블 패브릭 기판 및 그의 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114822236A (zh) * 2021-01-21 2022-07-29 株式会社日本有机雷特显示器 显示装置
US12013728B2 (en) 2021-01-21 2024-06-18 Joled Inc. Display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20170301873A1 (en) 2017-10-19
KR101667658B1 (ko) 2016-10-19
KR20160082011A (ko) 2016-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016108329A1 (ko) 플렉서블 전도성 패브릭 기판 및 그의 제조방법
KR101545779B1 (ko) 폴리이미드 커버기판
KR101579645B1 (ko) 폴리이미드 커버기판
WO2013062246A1 (ko) 그라핀층을 포함하는 가스 배리어 필름, 이를 포함하는 플렉시블 기판 및 그 제조방법
WO2013042938A2 (ko) 복합시트, 이를 포함하는 표시소자용 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US7294395B2 (en) Transparent electroconductive laminate
WO2013094832A1 (ko) 도전성 필름용 조성물, 이로부터 형성된 도전성 필름 및 이를 포함하는 광학 표시 장치
WO2013100557A1 (ko) 플라스틱 기판
WO2012067285A1 (ko) 투명 플렉시블 필름 및 이의 제조방법
KR101914477B1 (ko) 폴리에스테르 적층필름
WO2017052235A1 (ko) 디스플레이용 pdms-폴리우레탄 필름 및 이의 제조방법
WO2015099238A1 (ko) 플렉서블 패브릭 기판 및 그의 제조방법
US11858250B2 (en) Multilayer structure and uses thereof
WO2012134032A1 (ko) 복합시트 및 이를 이용한 표시소자용 기판
JP2011079219A (ja) ガスバリアフィルムおよびその製造方法
CN104903947A (zh) 用于柔性显示器的平坦化纤维基板的制造方法
JP7434598B2 (ja) 透明導電圧電フィルムおよびタッチパネル
WO2019177319A1 (ko) 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법
WO2013094932A1 (ko) 글라스 클로스 및 이를 포함하는 복합 시트
KR101243719B1 (ko) 고내구성 터치 패널 및 이를 포함하는 디스플레이
WO2019143065A1 (ko) 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
JP5572452B2 (ja) 導電板及びその製造方法
WO2017030352A1 (ko) Azo/ag/azo 다층박막 구조를 갖는 플렉시블 투명 전극 및 그 제조방법
WO2010151013A2 (ko) 탄소나노튜브 도전막 및 이의 제조 방법
WO2022045660A1 (ko) 터치 센서 및 이를 포함하는 적층체

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15875425

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15512524

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15875425

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1