WO2016104475A1

WO2016104475A1 - レーザ加工装置及びレーザ加工方法

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Publication number: WO2016104475A1
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Abstract

緊急停止部によって緊急停止状態に移行した後、開閉検出部（３８Ａ、３９Ｂ）を介して扉部の閉鎖が検出された場合には、扉部の開放が検出された際に、レーザドライバ（４２）を介してレーザ出射部の駆動制御中である加工状態であるか否かを判定する加工状態判定部と、加工状態判定部を介して加工状態でないと判定された場合には、緊急停止状態を解除するように制御する第１解除制御部と、加工状態判定部を介して加工状態であると判定された場合には、解除指示受付部を介して解除指示を受け付けるように設定すると共に、解除指示受付部を介して解除指示を受け付けるように設定された後、解除指示を受け付けた場合には、緊急停止状態を解除するように制御する第２解除制御部と、を有するように構成することで、加工時間の短縮化を図る。

Description

レーザ加工装置及びレーザ加工方法

　本発明は、レーザ加工装置及びレーザ加工方法に関するものである。

　従来より、レーザ加工装置の技術に関し種々提案されている。
　例えば、下記特許文献１に記載されたレーザ加工装置では、レーザ光を照射してワークを加工するレーザーマーカと、その加工条件を編集するための端末装置とから構成されている。また、レーザーマーカは、レーザ光の生成及び走査を行うマーカヘッドと、マーカヘッドの動作制御を行うマーカコントローラとかなる。また、マーカコントローラには、緊急停止ボタン等が接続される端子台とレーザ出力用電源スイッチが設けられている。

　そして、緊急停止ボタンの操作等によってレーザ光のワークへの出射を禁止するための緊急停止信号が端子台を介して入力された場合には、レーザ光がワークに向けて出射されるのを禁止する緊急停止状態となる。この緊急停止状態は、レーザ出力用電源スイッチをユーザが一旦オフ状態に切り替え、再度、オン状態に切り替えることによって解除されるように構成されている。

特開２０１２－１４８３１５号公報

　しかしながら、前記した特許文献１に記載されたレーザ加工装置では、ワーク上に文字、図形、記号などのシンボルを印字中、つまり、加工中であっても、レーザ光が出射されていない場合に、例えば、照射終了位置から次の照射開始位置までガルバノミラーを動かしている場合等に、緊急停止信号が入力されたときには、緊急停止状態になる。このため、レーザ光が出射されていないにもかかわらず、ユーザは、レーザ出力用電源スイッチを一旦オフ状態に切り替え、再度、オン状態に切り替えて緊急停止状態を解除する必要があり、解除作業が煩雑であるという問題がある。更に、レーザ光が再度出射されるまでに時間を要し、加工時間が長くなるという問題がある。

　そこで、本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、レーザ光が出射されていないときに緊急停止状態になった場合には、緊急停止状態を自動的に解除でき、加工時間の短縮化を図ることが可能となるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することを目的とする。

　前記目的を達成するため請求項１に係るレーザ加工装置は、レーザ出射部から出射されたレーザ光を加工対象物上に集光してガルバノスキャナによって走査するレーザヘッド部と、前記レーザヘッド部を支持して前記加工対象物が内側に配置される加工容器と、前記加工容器に開閉可能に設けられた扉部の開閉を検出する開閉検出部と、前記レーザ出射部を駆動するレーザドライバと、前記加工対象物にレーザ光により加工する加工情報に基づいて、前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部を駆動制御すると共に前記ガルバノスキャナを駆動制御する制御部と、前記レーザ出射部からのレーザ光の出射を禁止する緊急停止状態を解除するための解除指示を受け付ける解除指示受付部と、を備え、前記制御部は、前記開閉検出部によって前記扉部の開放が検出された場合に、前記緊急停止状態に移行すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けないように設定する緊急停止部と、前記緊急停止部によって前記緊急停止状態に移行した後、前記開閉検出部を介して前記扉部の閉鎖が検出された場合には、前記扉部の開放が検出された際に、前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部の駆動制御中である加工状態であるか否かを判定する加工状態判定部と、前記加工状態判定部を介して前記加工状態でないと判定された場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第１解除制御部と、前記加工状態判定部を介して前記加工状態であると判定された場合には、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けるように設定すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けるように設定された後、前記解除指示を受け付けた場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第２解除制御部と、を有することを特徴とする。

　また、請求項２に係るレーザ加工装置は、請求項１に記載のレーザ加工装置において、前記制御部は、前記加工状態判定部を介して前記加工状態であると判定された場合には、前記レーザ出射部からレーザ光が、実質的に出射されていない所定閾値以下の励起状態であるか否かを判定する出力判定部と、前記加工状態判定部を介して前記加工状態であると判定され、且つ、前記出力判定部を介して前記レーザ出射部からレーザ光が、実質的に出射されていない所定閾値以下の励起状態であると判定された場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第３解除制御部と、を有することを特徴とする。

　また、請求項３に係るレーザ加工装置は、請求項２に記載のレーザ加工装置において、前記第３解除制御部は、前記レーザ出射部の励起状態を前記所定閾値以下の所定の予備励起状態に設定した後、前記緊急停止状態を解除するように制御することを特徴とする。

　また、請求項４に係るレーザ加工装置は、請求項２又は請求項３に記載のレーザ加工装置において、前記制御部は、前記緊急停止部によって前記緊急停止状態に移行した際の前記加工対象物上における前記レーザ光の照射位置を取得して記憶する照射位置記憶手段を有し、該制御部は、前記第３解除制御部を介して前記緊急停止状態が解除された場合には、前記照射位置から前記加工情報に基づいて前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部を駆動制御すると共に前記ガルバノスキャナを駆動制御することを特徴とする。

　更に、請求項５に係るレーザ加工装置は、請求項２又は請求項３に記載のレーザ加工装置において、前記緊急停止部は、前記開閉検出部によって前記扉部の開放が検出された場合には、前記加工対象物上における前記レーザ光の照射位置を取得する照射位置取得部と、前記加工情報に基づいて、前記照射位置取得部を介して取得した前記照射位置に対して前記レーザ光が次に照射される次回照射位置を取得する次回照射位置取得部と、前記次回照射位置取得部を介して取得された前記次回照射位置に前記レーザ光が照射されるように前記ガルバノスキャナを駆動する駆動部と、を有し、該緊急停止部は、前記開閉検出部によって前記扉部の開放が検出された場合には、前記駆動部を介して前記次回照射位置に前記レーザ光が照射されるように前記ガルバノスキャナを駆動した後、前記緊急停止状態に移行すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けないように設定することを特徴とする。

　また、請求項６に係るレーザ加工方法は、レーザ出射部から出射されたレーザ光を加工対象物上に集光してガルバノスキャナによって走査するレーザヘッド部と、前記レーザヘッド部を支持して前記加工対象物が内側に配置される加工容器と、前記加工容器に開閉可能に設けられた扉部の開閉を検出する開閉検出部と、前記レーザ出射部を駆動するレーザドライバと、前記加工対象物にレーザ光により加工する加工情報に基づいて、前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部を駆動制御すると共に前記ガルバノスキャナを駆動制御する制御部と、前記レーザ出射部からのレーザ光の出射を禁止する緊急停止状態を解除するための解除指示を受け付ける解除指示受付部と、を備えたレーザ加工装置で実行されるレーザ加工方法であって、前記制御部が実行する、前記開閉検出部によって前記扉部の開放が検出された場合に、前記緊急停止状態に移行すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けないように設定する緊急停止工程と、前記緊急停止工程で前記緊急停止状態に移行した後、前記開閉検出部を介して前記扉部の閉鎖が検出された場合には、前記扉部の開放が検出された際に、前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部の駆動制御中である加工状態であるか否かを判定する加工状態判定工程と、前記加工状態判定工程で前記加工状態でないと判定された場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第１解除制御工程と、前記加工状態判定工程で前記加工状態であると判定された場合には、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けるように設定すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けるように設定された後、前記解除指示を受け付けた場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第２解除制御工程と、を備えたことを特徴とする。

　請求項１に係るレーザ加工装置、及び、請求項６に係るレーザ加工方法では、扉部の閉鎖が検出された場合には、緊急停止状態に移行した際に、レーザ出射部の駆動制御中である加工状態であるか否かが判定される。そして、緊急停止状態に移行した際に、加工状態でないと判定された場合には、緊急停止状態が自動的に解除される。これにより、レーザ光が出射されていないときに、つまり、加工中でないときに緊急停止状態になった場合には、扉部が閉鎖された際に、緊急停止状態が自動的に解除され、加工時間の短縮化を図ることが可能となる。

　一方、緊急停止状態に移行した際に、加工状態であると判定された場合には、解除指示受付部を介して解除指示を受け付けるように設定された後、該解除指示受付部を介して解除指示を受け付けた場合に、緊急停止状態が解除される。従って、加工中に緊急停止状態になった場合には、ユーザが解除指示受付部を介して解除指示を入力することによって緊急停止状態が解除されるため、安全性を確保することができる。

　また、請求項２に係るレーザ加工装置では、緊急停止状態に移行した際に加工状態であっても、レーザ出射部からレーザ光が、実質的に出射されていない所定閾値以下の励起状態である場合には、扉部の閉鎖が検出された後、緊急停止状態が自動的に解除される。これにより、緊急停止状態になったときに、レーザ出射部からレーザ光が、実質的に出射されていない場合には、扉部が閉鎖された際に、緊急停止状態が自動的に解除され、加工時間の更なる短縮化を図ることが可能となると共に、製品の歩留まりの向上を図ることが可能となる。

　一方、緊急停止状態に移行した際に、加工状態であり、且つ、レーザ出射部からレーザ光が、実質的に出射されている場合には、解除指示受付部を介して解除指示を受け付けるように設定された後、該解除指示受付部を介して解除指示を受け付けた場合に、緊急停止状態が解除される。従って、加工状態において、レーザ出射部からレーザ光が、実質的に出射されているときに緊急停止状態になった場合には、ユーザが解除指示受付部を介して解除指示を入力することによって緊急停止状態が解除されるため、安全性を確実に確保することができる。

　また、請求項３に係るレーザ加工装置では、レーザ出射部の励起状態を所定閾値以下の所定の予備励起状態に設定した後、緊急停止状態を解除するため、レーザ出射部は短時間でレーザ光の出射を開始することができる。これにより、加工対象物の加工面にマーキングされた文字、記号、図形等の印字品質の向上を図ることができる。

　また、請求項４に係るレーザ加工装置では、緊急停止状態に移行した際の加工対象物上におけるレーザ光の照射位置から連続して、印字加工を開始することができ、加工時間の更なる短縮化を図ることが可能となる。

　更に、請求項５に係るレーザ加工装置では、緊急停止状態に移行した際の加工対象物上におけるレーザ光の照射位置に対してレーザ光が次に照射される次回照射位置から再度、印字加工を開始することができ、加工時間の更なる短縮化を図ることが可能となる。

第１実施形態に係るレーザ加工装置１の概略構成を示す図である。第１実施形態に関するレーザ加工装置本体部２を示す外観斜視図である。レーザ加工装置１の電気的構成を示すブロック図である。加工容器４の扉３６が開放された場合に、マーキング加工の緊急停止及び緊急停止状態を解除する第１制御処理の一例を示すフローチャートである。第２実施形態に係るレーザ加工装置８１の加工容器４の扉３６が開放された場合に、マーキング加工の緊急停止及び緊急停止状態を解除する第２制御処理の一例を示す第１フローチャートである。第２実施形態に係るレーザ加工装置８１の加工容器４の扉３６が開放された場合に、マーキング加工の緊急停止及び緊急停止状態を解除する第２制御処理の一例を示す第２フローチャートである。第２実施形態に係るレーザ加工装置８１の励起用半導体レーザ４１の駆動パターンとレーザ発振器２１及びガルバノスキャナ１９の動作関係の一例を示す説明図である。図７に示す励起用半導体レーザ４１とガルバノスキャナ１９の駆動状態でマーキング加工された一例を示す図である。第３実施形態に係るレーザ加工装置９１の加工容器４の扉３６が開放された場合に、マーキング加工の緊急停止及び緊急停止状態を解除する第３制御処理の一例を示す第１フローチャートである。第３実施形態に係るレーザ加工装置９１の加工容器４の扉３６が開放された場合に、マーキング加工の緊急停止及び緊急停止状態を解除する第３制御処理の一例を示す第２フローチャートである。第３実施形態に係るレーザ加工装置９１の励起用半導体レーザ４１の駆動パターンとレーザ発振器２１及びガルバノスキャナ１９の動作関係の一例を示す説明図である。

　以下、本発明に係るレーザ加工装置及びレーザ加工方法を具体化した第１実施形態乃至第３実施形態に基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。先ず、第１実施形態に係るレーザ加工装置１の概略構成について図１乃至図３に基づいて説明する。

　［第１実施形態］
　図１に示すように、第１実施形態に係るレーザ加工装置１は、レーザ加工装置本体部２と、レーザコントローラ５と、電源ユニット６と、から構成されている。レーザ加工装置本体部２は、パルスレーザ（以下、「レーザ光Ｌ」という。）を加工対象物Ｗの加工面ＷＡ上を２次元走査してレーザ加工を行う。

　レーザコントローラ５は、コンピュータで構成され、パーソナルコンピュータ（以下、「ＰＣ」という。）７と双方向通信可能に接続されると共に、レーザ加工装置本体部２及び電源ユニット６と電気的に接続されている。図１に示すように、ＰＣ７は、マウスやキーボードを含む入力操作部７１と、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）７２等から構成され、描画データの作成やコマンド入力等に用いられる。そして、レーザコントローラ５は、ＰＣ７から送信された描画データ、制御パラメータ、各種指示情報等に基づいてレーザ加工装置本体部２及び電源ユニット６を駆動制御する。

　尚、図１は、レーザ加工装置１の概略構成を示すものであるため、レーザ加工装置本体部２を模式的に示している。従って、当該レーザ加工装置本体部２の具体的な構成については、後に詳細に説明する。

　［レーザ加工装置本体部の概略構成］
　次に、レーザ加工装置本体部２の概略構成について、図１及び図２に基づいて説明する。尚、レーザ加工装置本体部２の説明において、レーザ発振器２１のレーザ光Ｌの出射方向が前方向である。また、本体ベース１１に対して垂直な方向が上下方向である。そして、レーザ加工装置本体部２の上下方向及び前後方向に直交する方向が、レーザ加工装置本体部２の左右方向である。従って、図１の左方向、右方向、上方向、下方向が、それぞれレーザ加工装置本体部２の前方向、後方向、上方向、下方向である。

　図１及び図２に示すように、レーザ加工装置本体部２は、レーザ光Ｌと可視レーザ光をｆθレンズ２０から同軸上に出射するレーザヘッド部３と、レーザヘッド部３が上面板部３５Ａ上に固定される略箱体状の加工容器４とから構成されている。レーザ加工装置本体部２は、本体ベース１１と、レーザ光Ｌを出射するレーザ発振ユニット１２と、光シャッター部１３と、不図示の光ダンパーと、不図示のハーフミラーと、可視レーザ光を出射する不図示のガイド光部と、反射ミラー１７と、光センサ１８と、ガルバノスキャナ１９と、ｆθレンズ２０等から構成され、略直方体形状の筐体カバー３Ａで覆われている。

　レーザ発振ユニット１２は、レーザ発振器２１と、ビームエキスパンダ２２と、取付台とから構成されている。レーザ発振器２１は、ファイバコネクタと、集光レンズと、反射鏡と、レーザ媒質と、受動Ｑスイッチと、出力カプラーと、ウィンドウとをケーシング内に有している。ファイバコネクタには、励起用半導体レーザ部４０から延びる光ファイバＦが接続されており、励起用半導体レーザ部４０から出射された励起光が、光ファイバＦを介して入射される。

　集光レンズは、ファイバコネクタから入射された励起光を集光する。反射鏡は、集光レンズによって集光された励起光を透過すると共に、レーザ媒質から出射されたレーザ光を高効率で反射する。レーザ媒質は、励起用半導体レーザ部４０から出射された励起光によって励起されてレーザ光を発振する。レーザ媒質としては、例えば、レーザ活性イオンとしてネオジウム（Ｎｄ）が添加されたネオジウム添加ガドリニウムバナデイト（Ｎｄ：ＧｄＶＯ_４）結晶や、ネオジウム添加イットリウムバナデイト（Ｎｄ：ＹＶＯ_４）結晶や、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶等を用いることができる。

　受動Ｑスイッチは、内部に蓄えられた光エネルギーがある一定値を超えたとき、透過率が８０％～９０％になるという性質持った結晶である。従って、受動Ｑスイッチは、レーザ媒質によって発振されたレーザ光をパルス状のパルスレーザとして発振するＱスイッチとして機能する。受動Ｑスイッチとしては、例えば、クロームＹＡＧ（Ｃｒ：ＹＡＧ）結晶やＣｒ：ＭｇＳｉＯ_４結晶等を用いることができる。

　出力カプラーは、反射鏡とレーザ共振器を構成する。出力カプラーは、例えば、表面に誘電体層膜をコーティングした凹面鏡により構成された部分反射鏡である。波長１０６３ｎｍでの反射率は、８０％～９５％である。ウィンドウは、合成石英等から形成され、出力カプラーから出射されたレーザ光を外部へ透過させる。

　従って、レーザ発振器２１は、励起用半導体レーザ部４０から光ファイバＦを介してパルスレーザを発振しない励起光の最大出力値である「レーザ出力閾値」より高い出力の励起光を受光した場合に、受動Ｑスイッチを介して励起光に対応するパルスレーザを発振し、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにマーキング加工を行うためのレーザ光Ｌを出射する。

　ビームエキスパンダ２２は、レーザ光Ｌのビーム径を調整する（例えば、ビーム径を拡大する。）ものであり、レーザ発振器２１と同軸に設けられている。取付台は、レーザ発振器２１がレーザ光Ｌの光軸を調整可能に取り付けられ、本体ベース１１の前後方向中央位置よりも後側の上面に対して、各取付ネジによって固定されている。

　光シャッター部１３は、シャッターモータと、平板状のシャッターとから構成されている。当該光シャッター部１３は、シャッターモータのモータ軸に取り付けられたシャッターを移動させることによって、ビームエキスパンダ２２から出射されたレーザ光Ｌの光路を遮蔽可能に構成されている。シャッターがレーザ光Ｌの光路を遮る位置に移動した場合、レーザ光Ｌは、光シャッター部１３に対して右方向に設けられた光ダンパーへ反射される。一方、シャッターがレーザ光Ｌの光路上に位置しない場合には、レーザ光Ｌは、光シャッター部１３の前側に配置されたハーフミラーに入射する。

　光ダンパーは、シャッターで反射されたレーザ光Ｌを吸収する。ハーフミラーは、レーザ光Ｌの光路に対して斜め左下方向に４５度の角度を形成するように配置される。ハーフミラーは、後側から入射されたレーザ光Ｌのほぼ全部を透過すると共に、後側から入射されたレーザ光Ｌの一部を、反射ミラー１７へ４５度の反射角で反射する。反射ミラー１７は、ハーフミラーのレーザ光Ｌが入射される後側面の略中央位置に対して左方向に配置される。

　反射ミラー１７は、レーザ光Ｌの光路に対して平行な前後方向に対して斜め左下方向に４５度の角度を形成するように配置され、ハーフミラーの後側面において反射されたレーザ光Ｌの一部が、反射面の略中央位置に対して４５度の入射角で入射される。そして、反射ミラー１７は、反射面に対して４５度の入射角で入射されたレーザ光Ｌを４５度の反射角で前側方向へ反射する。

　光センサ１８は、レーザ光Ｌの発光強度を検出するフォトディテクタ等で構成され、反射ミラー１７のレーザ光Ｌが反射される略中央位置に対して、図１中、前側方向に配置されている。この結果、光センサ１８は、反射ミラー１７で反射されたレーザ光Ｌが入射され、この入射されたレーザ光Ｌの発光強度を検出する。従って、光センサ１８を介して、レーザ発振器２１から出力されるレーザ光Ｌの発光強度が検出される。

　ガルバノスキャナ１９は、本体ベース１１の前側端部に形成された貫通孔の上側に取り付けられ、レーザ発振ユニット１２から出射されたレーザ光Ｌと、ハーフミラーで反射された可視レーザ光とを下方へ２次元走査する。ガルバノスキャナ１９は、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２とが、それぞれのモータ軸が互いに直交するように外側からそれぞれの取付孔に嵌入されて本体部３３に取り付けられて構成されている。

　従って、当該ガルバノスキャナ１９においては、各モータ軸の先端部に取り付けられた走査ミラーが内側で互いに対向している。そして、ガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２の回転がそれぞれ制御されて、各走査ミラーが回転されることによって、当該ガルバノスキャナ１９はレーザ光Ｌと可視レーザ光とを下方へ２次元走査する。この２次元走査方向は、前後方向（Ｘ方向）と左右方向（Ｙ方向）である。

　ｆθレンズ２０は、下方に配置された加工対象物Ｗの加工面ＷＡに対して、ガルバノスキャナ１９によって２次元走査されたレーザ光Ｌと可視レーザ光とを同軸に集光する。従って、ガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２の回転が制御されることによって、レーザ光Ｌと可視レーザ光が、加工対象物Ｗの加工面ＷＡ上において、所望の加工パターンで前後方向（Ｘ方向）と左右方向（Ｙ方向）に２次元走査される。

　次に、加工容器４の概略構成について、図２に基づいて説明する。図２に示すように、加工容器４は、前面側が開放された略箱体状の本体箱部３５と、本体箱部３５の前面側を覆う観音開きの各扉３６と、加工対象物Ｗを配置する為の加工台等から構成されている。本体箱部３５と各扉３６は、加工対象物Ｗ上で反射されたレーザ光Ｌを遮光する鉄やステンレス等の材料で形成されている。

　本体箱部３５は、レーザヘッド部３が設置される略矩形状の上面板部３５Ａと、奥側壁面部を形成する矩形状の背面板部３５Ｂと、左右側壁部を形成する矩形状の各側面板部３５Ｃと、四角枠状に形成された底面部３５Ｄとから構成されている。底面部３５Ｄは、各側面板部３５Ｃよりも前方に、例えば、約３０ｃｍ突出するように配置される。従って、本体箱部３５は、本体箱部３５の前面側であって、前方に突出した底面部３５Ｄの上側に、開口部を有している。

　各扉３６は、本体箱部３５前面側の開口部を左右対称に覆うと共に、各蝶番を介して、各側面板部３５Ｃの前側縁部を回動軸として、それぞれ左右方向外側へ中心角度約１８０度回動する観音開きに取り付けられる。各扉３６の前側上端部には、略コの字形の把手３６Ａが取り付けられている。各把手３６Ａの下側には、それぞれ一対の四角形状の透孔３６Ｂが上下に隣接して形成されている。各一対の透孔３６Ｂは、透明なガラスやアクリル板等で形成されて可視光を透過する透過板によって閉塞されている。

　また、本体箱部３５の上面板部３５Ａの前側端縁部には、各扉３６の開閉を検出する各ドアスイッチ３９Ａ、３９Ｂが取り付けられている。各ドアスイッチ３９Ａ、３９Ｂは、メカニカルスイッチから構成され、各扉３６が閉鎖されているときにはＯＦＦ信号を出力し、各扉３６が開放されたときにはＯＮ信号をレーザコントローラ５へ出力するように構成されている。

　そして、加工容器４は、本体箱部３５の底面部３５Ｄの下面の四隅に、脚部材３７を有している。従って、レーザヘッド部３及び加工容器４は、これら脚部材３７を介して床等の上に配置される。又、左右両側の側面板部３５Ｃにおける上端部には、把持部材３８が、それぞれ、前後方向略中央部に嵌め込まれており、把持部材３８は、横長四角形に開口されて内側に窪んでいる。従って、ユーザは、各把持部材３８を持ってレーザヘッド部３及び加工容器４を運搬することができる。

　尚、図示は省略するが、本体箱部３５の上面板部３５Ａには、略円形の挿通孔が形成されており、レーザヘッド部３のｆθレンズ２０が挿通孔に嵌挿される。従って、当該レーザ加工装置本体部２によれば、加工容器４内部の加工台上に設置された加工対象物Ｗの加工面ＷＡに対して、パルスレーザＬ及び可視レーザ光を照射することができ、マーキング加工を施すことができる。

　［電源ユニットの概略構成］
　次に、レーザ加工装置１における電源ユニット６の概略構成について説明する。図１に示すように、電源ユニット６は、励起用半導体レーザ部４０と、電源部５２と、温度制御部５３とを有して構成されている。当該電源ユニット６において、励起用半導体レーザ部４０は、電源部５２及び温度制御部５３を内部に収容するケーシング５５の上部に配設されている。

　励起用半導体レーザ部４０は、光ファイバＦによって、レーザ発振器２１に光学的に接続されている。励起用半導体レーザ部４０は、レーザ発振器２１のレーザ媒質を励起するための励起光を出射し、レーザ発振器２１に対して入射可能に構成されている。当該励起用半導体レーザ部４０は、レーザ光出射部の一例として機能する励起用半導体レーザ４１及びレーザドライバ４２等の種々の構成要素を、略直方体状の筐体内に収容している。

　レーザドライバ４２は、レーザコントローラ５から入力された駆動制御信号に従って、パルス状の駆動電流を励起用半導体レーザ４１に供給する。励起用半導体レーザ４１は、レーザドライバ４２から入力されるパルス状の駆動電流に対して、電流値に比例した出力のレーザ光である励起光を、励起用半導体レーザ部４０の前方に向かって直線状に延びる光ファイバＦ内に出射する。従って、レーザ発振器２１には、励起用半導体レーザ４１からの励起光が光ファイバＦを介して入射される。励起用半導体レーザ４１は、例えば、ＧａＡｓを用いたレーザバーを用いることができる。

　電源部５２は、レーザ加工装置１の駆動源として機能する電源から供給される交流電力を、当該レーザ加工装置１で利用可能な状態に変換して供給する。当該電源部５２は、励起用半導体レーザ部４０の励起用半導体レーザ４１を駆動する駆動電流を、リレー６６（図３参照）を介してレーザドライバ４２に供給する。このリレー６６は、レーザコントローラ５によってＯＮに駆動された場合に、レーザドライバ４２に駆動電流が供給され、レーザコントローラ５によってＯＦＦに駆動された場合に、レーザドライバ４２への駆動電流が遮断される。

　温度制御部５３は、レーザ加工装置１を構成する各部に関する温度制御を司り、ペルチェドライバ等を有して構成されている。当該温度制御部５３は、レーザ発振ユニット１２と、励起用半導体レーザ部４０及び電源部５２の温度制御を行う。例えば、温度制御部５３は、励起用半導体レーザ４１の上面に配設される温度センサの検出結果等を用いて、励起用半導体レーザ４１の下面に配設されたペルチェ素子を用いた電子冷却方式により温度制御を行う。

　［レーザ加工装置の回路構成］
　次に、レーザ加工装置１の回路構成について図３に基づいて説明する。図３に示すように、レーザ加工装置１は、加工容器４と、加工容器４の上面板部３５Ａ上に固定されたレーザヘッド部３と、レーザヘッド部３を制御するコントロール部９とから構成されている。コントロール部９は、レーザ加工装置１の全体を制御するレーザコントローラ５、ガルバノコントローラ４５、励起用半導体レーザ４１、レーザドライバ４２、電源部５２、リレー６６等から構成されている。

　レーザコントローラ５には、ガルバノコントローラ４５、レーザドライバ４２、レーザヘッド部３の光センサ１８、加工容器４の各ドアスイッチ３９Ａ、３９Ｂ等が電気的に接続されている。また、レーザコントローラ５には、ＰＣ７が双方向通信可能に接続され、ＰＣ７から送信された印字情報、レーザ加工装置本体部２の制御パラメータ、ユーザからの各種指示情報等を受信可能に構成されている。また、レーザコントローラ５の正面側の中央部に、リセットスイッチ５Ａが設けられ（図１参照）、レーザコントローラ５に電気的に接続されている。リセットスイッチ５Ａが押下されることによってマーキング加工の緊急停止状態を解除するように指示する解除指示信号が出力される。

　レーザコントローラ５は、レーザ加工装置１の全体の制御を行う演算装置及び制御装置としてのＣＰＵ６１、ＲＡＭ６２、ＲＯＭ６３、時間を計測するタイマ６４等を備えている。また、ＣＰＵ６１、ＲＡＭ６２、ＲＯＭ６３、タイマ６４は、不図示のバス線により相互に接続されて、相互にデータのやり取りが行われる。

　ＲＡＭ６２は、ＣＰＵ６１により演算された各種の演算結果や印字パターンのＸＹ座標データ等を一時的に記憶させておくためのものである。ＲＯＭ６３は、各種のプログラムを記憶させておくものであり、ＰＣ７から送信された印字情報に基づいて印字パターンのＸＹ座標データを算出してＲＡＭ６２に記憶する等の各種プログラムが記憶されている。ＲＯＭ６３には、フォントの種類別に、直線と楕円弧とで構成された各文字のフォントの始点、終点、焦点、曲率等のデータが記憶されている。

　また、ＲＯＭ６３には、後述の加工容器４の扉３６が開放された場合に、レーザコントローラ５が実行するマーキング加工の緊急停止及び緊急停止状態を解除する第１制御処理のプログラム（図４参照）が記憶されている。尚、図４に示す第１制御処理のプログラムは、ハードディスクドライブ等に記憶されていてもよいし、図示しないＣＤ－ＲＯＭ等の記憶媒体から読み込まれてもよいし、図示しないインターネットなどのネットワークからダウンロードされてもよい。

　そして、ＣＰＵ６１は、かかるＲＯＭ６３に記憶されている各種のプログラムに基づいて各種の演算及び制御を行なうものである。例えば、ＣＰＵ６１は、ＰＣ７から入力された印字情報に基づいて算出した印字パターンのＸＹ座標データ、ガルバノ走査速度情報等をガルバノコントローラ４５に出力する。また、ＣＰＵ６１は、ＰＣ７から入力された印字情報に基づいて設定した励起用半導体レーザ４１の励起光出力［Ｗ］、励起光の出力期間［ｍｓ］等の励起用半導体レーザ４１の駆動情報をレーザドライバ４２に出力する。また、ＣＰＵ６１は、印字パターンのＸＹ座標データ、ガルバノスキャナ１９のＯＮ・ＯＦＦを指示するガルバノ駆動信号（以下、「加工信号」という。）等をガルバノコントローラ４５に出力する。

　ガルバノコントローラ４５は、レーザコントローラ５内に配置され、レーザコントローラ５から入力された印字パターンのＸＹ座標データ、ガルバノ走査速度情報等に基づいて、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動角度、回転速度等を算出して、駆動角度、回転速度を表すモータ駆動情報をガルバノドライバ４６へ出力する。ガルバノドライバ４６は、レーザヘッド部３内に配置され、ガルバノコントローラ４５から入力された駆動角度、回転速度を表すモータ駆動情報に基づいて、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２を駆動制御して、レーザ光Ｌを２次元走査する。

　レーザドライバ４２は、レーザコントローラ５から入力された励起用半導体レーザ４１の励起光出力［Ｗ］、励起光の出力期間［ｍｓ］等のレーザ駆動情報等に基づいて、励起用半導体レーザ４１を駆動制御する。また、ＰＣ７には、不図示の入出力インターフェースを介してマウスやキーボード等から構成される入力操作部７１、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）７２等が電気的に接続されている。

　［第１制御処理］
　次に、レーザコントローラ５のＣＰＵ６１が実行する処理であって、加工容器４の扉３６が開放された場合に、マーキング加工の緊急停止及び緊急停止状態を解除する第１制御処理について図４に基づいて説明する。尚、図４にフローチャートで示されるプログラムは、レーザコントローラ５の起動時から所定時間毎に、例えば、１００ミリ秒毎にＣＰＵ６１によって実行される。

　図４に示すように、先ず、ステップ（以下、Ｓと略記する）１１において、ＣＰＵ６１は、各ドアスイッチ３９Ａ、３９Ｂの少なくとも一方からＯＮ信号が入力されたか否か、つまり、加工容器４の各扉３６の少なくとも一方が開放されたか否かを判定する判定処理を実行する。そして、各ドアスイッチ３９Ａ、３９ＢからＯＦＦ信号が入力されている場合には（Ｓ１１：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、当該第１制御処理を終了する。

　一方、各ドアスイッチ３９Ａ、３９Ｂのうち、少なくとも一方からＯＮ信号が入力された場合には、加工容器４の扉３６が開放されたと判定して（Ｓ１１：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１２の処理に移行する。Ｓ１２において、ＣＰＵ６１は、現在、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行しているか否かを判定する判定処理を実行する。つまり、ＣＰＵ６１は、リレー６６をＯＮ駆動してレーザドライバ４２に駆動電流を供給すると共に、レーザドライバ４２を介して励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給しているか否かを判定する判定処理を実行する。

　そして、現在、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行している、つまり、レーザドライバ４２を介して励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給していると判定した場合には（Ｓ１２：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１３の処理に移行する。Ｓ１３において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から加工フラグを読み出し、この加工フラグをＯＮに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶した後、後述のＳ１５の処理に移行する。尚、レーザコントローラ５の起動時に、加工フラグはＯＦＦに設定されてＲＡＭ６２に記憶される。

　一方、現在、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行していない、つまり、レーザドライバ４２を介して励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給していないと判定した場合には（Ｓ１２：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１４の処理に移行する。Ｓ１４において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から加工フラグを読み出し、この加工フラグをＯＦＦに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶した後、Ｓ１５の処理に移行する。

　Ｓ１５において、ＣＰＵ６１は、リセットスイッチ５Ａからのマーキング加工の緊急停止状態を解除するように指示する解除指示信号を受け付けないように設定する、つまり、ユーザによる手動リセットを無効化する。続いて、Ｓ１６において、ＣＰＵ６１は、リレー６６をＯＦＦに駆動して、電源部５２からレーザドライバ４２へ供給される駆動電流を遮断する。つまり、ＣＰＵ６１は、励起用半導体レーザ４１への励起駆動電流をＯＦＦに設定して、励起光の出射を緊急停止し、レーザ発振器２１からレーザ光Ｌが出射されないように設定する。

　そして、Ｓ１７において、ＣＰＵ６１は、ガルバノコントローラ４５に対して、ガルバノＸ軸モータ３１及びガルバノＹ軸モータ３２を停止させるように指示するガルバノスキャナ停止指示情報を出力する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、ガルバノドライバ４６を介してガルバノＸ軸モータ３１及びガルバノＹ軸モータ３２を緊急停止させて、ガルバノスキャナ１９を緊急停止させる。

　その後、Ｓ１８において、ＣＰＵ６１は、ユーザによって加工容器４の各扉３６が再度、閉鎖されるのを待つ（Ｓ１８：ＮＯ）。つまり、ＣＰＵ６１は、各ドアスイッチ３９Ａ、３９ＢからＯＦＦ信号が入力されるのを待つ。そして、ユーザによって加工容器４の各扉３６が再度、閉鎖されと判定した場合、つまり、各ドアスイッチ３９Ａ、３９ＢからＯＦＦ信号が入力されたと判定した場合には（Ｓ１８：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１９の処理に移行する。

　Ｓ１９において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から加工フラグを読み出し、加工フラグがＯＮに設定されているか否かを判定する判定処理を実行する。そして、加工フラグがＯＦＦに設定されていると判定した場合には（Ｓ１９：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、後述のＳ２３の処理に移行する。一方、加工フラグがＯＮに設定されていると判定した場合には（Ｓ１９：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ２０の処理に移行する。Ｓ２０において、ＣＰＵ６１は、現在、実行しているマーキング加工を中断して、文字、記号、図形等の印字情報の最初の印字位置のＸＹ座標データを算出して、印字開始位置としてＲＡＭ６２に記憶する。

　そして、Ｓ２１において、ＣＰＵ６１は、リセットスイッチ５Ａからのマーキング加工の緊急停止状態を解除するように指示する解除指示信号を受け付けるように設定する、つまり、ユーザによる手動リセットを有効化する。続いて、Ｓ２２において、ＣＰＵ６１は、ユーザによってリセットスイッチ５Ａが押下されて、マーキング加工の緊急停止状態を解除するように指示する解除指示信号が入力されるのを待つ（Ｓ２２：ＮＯ）。

　そして、ユーザによってリセットスイッチ５Ａが押下されたと判定した場合、つまり、マーキング加工の緊急停止状態を解除するように指示する解除指示信号が入力されたと判定した場合には（Ｓ２２：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ２３の処理に移行する。Ｓ２３において、ＣＰＵ６１は、レーザ加工装置１をマーキング加工の開始が可能な状態にリセットするリセット処理を実行する。具体的には、ＣＰＵ６１は、リレー６６をＯＮに駆動して、電源部５２からレーザドライバ４２へ駆動電流を供給する。また、ＣＰＵ６１は、レーザドライバ４２に対して励起用半導体レーザ４１が励起光を出射しない待機状態に設定するように指示する。

　また、ＣＰＵ６１は、ガルバノコントローラ４５に対してガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２を原点位置に復帰させるように指示する原点復帰情報を出力する。ガルバノコントローラ４５は、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２を原点位置まで回転駆動する駆動角度、回転速度を算出して、駆動角度、回転速度を表すモータ駆動情報をガルバノドライバ４６へ出力する。ガルバノドライバ４６は、ガルバノコントローラ４５から入力されたモータ駆動情報に基づいて、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２を駆動制御してそれぞれ原点位置に復帰させる。

　更に、ＣＰＵ６１は、リセットスイッチ５Ａからのマーキング加工の緊急停止状態を解除するように指示する解除指示信号を受け付けないように設定されている場合には、当該解除指示信号を受け付けるように再設定する、つまり、ユーザによる手動リセットを有効化する。その後、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌが照射可能状態である旨を表す不図示のステータＬＥＤを点灯し、当該処理を終了する。尚、ステータＬＥＤは、レーザコントローラ５の正面部に設けられている。

　ここで、励起用半導体レーザ４１と光ファイバＦとレーザ発振器２１は、レーザ出射部の一例として機能する。また、各ドアスイッチ３９Ａ、３９Ｂは、開閉検出部の一例として機能する。また、ＣＰＵ６１は、制御部の一例として機能する。また、リセットスイッチ５Ａは、解除指示受付部の一例として機能する。

　以上詳細に説明した通り、第１実施形態に係るレーザ加工装置１では、ＣＰＵ６１は、加工容器４の扉３６が開放されて、励起用半導体レーザ４１とガルバノスキャナ１９が緊急停止状態になったときに、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行している場合には、加工フラグをＯＮに設定してＲＡＭ６２に記憶し、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行していない場合には、加工フラグをＯＦＦに設定してＲＡＭ６２に記憶する。その後、ＣＰＵ６１は、各扉３６の閉鎖が検出されたときに、加工フラグがＯＦＦに設定されている場合には、緊急停止状態を解除して、レーザ加工装置１をマーキング加工の開始が可能な状態にリセットする。

　これにより、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行していないときに、つまり、加工中でないときに、少なくとも一方の扉３６が開放されて、緊急停止状態になった場合には、各扉３６が閉鎖された際に、緊急停止状態が自動的に解除され、レーザ加工装置１がマーキング加工の開始が可能な状態にリセットされるため、加工時間の短縮化を図ることが可能となる。

　一方、ＣＰＵ６１は、各扉３６の閉鎖が検出されたときに、加工フラグがＯＮに設定されている場合には、リセットスイッチ５Ａを有効化して、リセットスイッチ５Ａが押下されるのを待つ。そして、リセットスイッチ５Ａが押下された場合には、ＣＰＵ６１は、緊急停止状態を解除して、レーザ加工装置１をマーキング加工の開始が可能な状態にリセットする。

　これにより、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行しているときに、つまり、加工中のときに、少なくとも一方の扉３６が開放されて、緊急停止状態になった場合には、各扉３６が閉鎖された際に、ユーザがリセットスイッチ５Ａを押下して、マーキング加工の緊急停止状態を解除するように指示する解除指示信号を入力することによって緊急停止状態が解除されるため、安全性を確保することができる。

　［第２実施形態］
　次に、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１について図５乃至図８に基づいて説明する。尚、上記第１実施形態に係るレーザ加工装置１と同一符号は、上記第１実施形態に係るレーザ加工装置１と同一あるいは相当部分を示すものである。

　この第２実施形態に係るレーザ加工装置８１の全体構成は、第１実施形態に係るレーザ加工装置１とほぼ同じ構成である。また、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１の制御構成及び制御処理は、第１実施形態に係るレーザ加工装置１の制御構成及び制御処理とほぼ同じである。
　但し、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１のＣＰＵ６１は、上記「第１制御処理」に替えて、後述の「第２制御処理」（図５及び図６参照）を実行する点で、第１実施形態に係るレーザ加工装置１と異なっている。

　ここで、レーザ加工装置８１のＣＰＵ６１によって実行される処理であって、加工容器４の扉３６が開放された場合に、マーキング加工の緊急停止及び緊急停止状態を解除する第２制御処理について図５乃至図８に基づいて説明する。尚、図５及び図６にフローチャートで示される第２制御処理のプログラムは、予めＲＯＭ６３に記憶されており、レーザコントローラ５の起動時から所定時間毎に、例えば、１００ミリ秒毎にＣＰＵ６１によって実行される。

　図５及び図６に示すように、先ずＳ１１１～Ｓ１１２において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１１～Ｓ１２の処理を実行する。そして、現在、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行していない、つまり、レーザドライバ４２を介して励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給していないと判定した場合には（Ｓ１１２：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１１３の処理に移行する。Ｓ１１３において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から加工フラグを読み出し、この加工フラグをＯＦＦに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶した後、後述のＳ１２１の処理に移行する。尚、レーザコントローラ５の起動時に、加工フラグはＯＦＦに設定されてＲＡＭ６２に記憶される。

　一方、現在、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行している、つまり、レーザドライバ４２を介して励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給していると判定した場合には（Ｓ１１２：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１１４の処理に移行する。Ｓ１１４において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から加工フラグを読み出し、この加工フラグをＯＮに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶する。

　続いて、Ｓ１１５において、ＣＰＵ６１は、レーザドライバ４２に指示した励起用半導体レーザ４１に供給する励起駆動電流が、レーザ発振器２１がパルスレーザ（レーザ光Ｌ）を発振しない励起光の最大出力値に対応する励起駆動電流値である「電流閾値」より大きいか否かを判定する判定処理を実行する。つまり、ＣＰＵ６１は、レーザ発振器２１がレーザ光Ｌを出射して、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにレーザ光Ｌが照射されているか否かを判定する判定処理を実行する。尚、レーザ発振器２１がパルスレーザ（レーザ光Ｌ）を発振しない励起光の最大出力値に対応する励起駆動電流値である「電流閾値」は、予めＲＯＭ６３に記憶されている。

　そして、レーザドライバ４２に指示した励起用半導体レーザ４１に供給する励起駆動電流が「電流閾値」よりも大きいと判定された場合、つまり、レーザ発振器２１からレーザ光Ｌが出射されていると判定された場合には（Ｓ１１５：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１１６の処理に移行する。Ｓ１１６において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から照射中フラグを読み出し、この照射中フラグをＯＮに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶した後、後述のＳ１１８の処理に移行する。尚、レーザコントローラ５の起動時に、照射中フラグはＯＦＦに設定されてＲＡＭ６２に記憶される。

　一方、レーザドライバ４２に指示した励起用半導体レーザ４１に供給する励起駆動電流が「電流閾値」以下であると判定された場合、つまり、レーザ発振器２１からレーザ光Ｌが出射されていないと判定された場合には（Ｓ１１５：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１１７の処理に移行する。Ｓ１１７において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から照射中フラグを読み出し、この照射中フラグをＯＦＦに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶した後、Ｓ１１８の処理に移行する。

　続いて、Ｓ１１８乃至Ｓ１２２において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１５乃至Ｓ１９の処理を実行する。そして、加工フラグがＯＦＦに設定されていると判定された場合、つまり、加工中でないと判定された場合には（Ｓ１２２：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、後述のＳ１２９の処理に移行して、上記Ｓ２３の処理を実行した後、当該処理を終了する。一方、加工フラグがＯＮに設定されていると判定された場合、つまり、加工中であると判定された場合には（Ｓ１２２：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１２３の処理に移行する。

　Ｓ１２３において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から照射中フラグを読み出し、照射中フラグがＯＮに設定されているか否かを判定する判定処理を実行する。そして、照射中フラグがＯＦＦに設定されていると判定した場合には（Ｓ１２３：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１２４の処理に移行する。

　Ｓ１２４において、ＣＰＵ６１は、レーザドライバ４２に対して、レーザ発振器２１がパルスレーザ（レーザ光Ｌ）を発振しない励起光の最大出力値に対応する励起駆動電流値である「電流閾値」以下の予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給するように指示する。これにより、レーザ発振器２１は、パルスレーザを発振しない励起光が光ファイバＦを介して入射されるため、低励起状態となり、受動Ｑスイッチの内部に光エネルギーが蓄えられるが、レーザ光Ｌは出射されない。尚、予備励起電流値Ｌ１（Ａ）は、「電流閾値」若しくは「電流閾値」の近傍の電流値が好ましい。

　続いて、Ｓ１２５において、ＣＰＵ６１は、ＰＣ７を介して入力されたレーザ光Ｌでマーキングする「加工速度」と、ＰＣ７を介して入力された文字、記号、図形等の印字情報に基づいて作成した印字パターンのＸＹ座標データと励起用半導体レーザ４１の駆動パターンの励起駆動電流データうち、加工容器４の扉３６が開放された時点以降の各データをＲＡＭ６２から読み出す。

　そして、ＣＰＵ６１は、加工容器４の扉３６が開放された時点以降における励起用半導体レーザ４１の駆動パターンに従って、レーザドライバ４２を介して励起用半導体レーザ４１に励起用駆動電流を供給して励起光を出射させる。また、ＣＰＵ６１は、加工容器４の扉３６が開放された時点以降における印字パターンのＸＹ座標データと「加工速度」とをガルバノコントローラ４５に出力する。

　そして、ＣＰＵ６１は、図７の下段部に示すように、レーザ光Ｌによる加工開始を指示する加工信号（ガルバノ駆動信号）を再度「ＯＮ」に設定して、ガルバノコントローラ４５に出力した後、当該処理を終了する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、加工容器４の扉３６が開放された時点以降における印字パターンのＸＹ座標データに従って、ガルバノドライバ４６を介してガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動を開始し、レーザ光Ｌを２次元走査して、文字、記号、図形等を連続して加工対象物Ｗの加工面ＷＡに加工する。

　ここで、上記Ｓ１２５において、加工容器４の扉３６が閉じられた場合に、ＣＰＵ６１が実行する励起用半導体レーザ４１の駆動パターンの一例と、それに対応するレーザ発振器２１及びガルバノスキャナ１９の動作関係の一例について図７及び図８に基づいて説明する。

　図７の上段部に示すように、加工容器４の扉３６が開放されるまでの励起用半導体レーザ４１の駆動パターンは、待機状態Ｑ０と、第１駆動状態Ｑ１乃至第４駆動状態Ｑ４から構成されている。具体的には、ＣＰＵ６１は、先ず、励起用半導体レーザ４１の励起光出力が０（Ｗ）の待機状態Ｑ０から、第１出力期間Ｔ１（秒）の間、ＰＣ７から文字、記号、図形等の印字情報を受信して、励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給しないで、励起光出力を０（Ｗ）にする第１駆動状態Ｑ１で励起用半導体レーザ４１を駆動する。

　そして、第１駆動状態Ｑ１に続いて、第２出力期間Ｔ２（秒）の間、ＣＰＵ６１は、レーザ発振器２１がパルスレーザを発振しない励起光の最大出力値に対応する励起駆動電流値である「電流閾値」以下の予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給する第２駆動状態Ｑ２で励起用半導体レーザ４１を駆動する。また、図７の下段部に示すように、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌによる加工を指示する加工信号を「ＯＮ」に設定して、ガルバノコントローラ４５に出力する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、印字パターンのＸＹ座標データに従って、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動を開始する。

　続いて、図７の上段部及び中段部に示すように、第２駆動状態Ｑ２に続いて、第３出力期間Ｔ３（秒）の間、ＣＰＵ６１は、レーザ発振器２１がレーザ出力Ｐ１（Ｗ）のレーザ光Ｌを出力するように、加工時励起電流値Ｌ２（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給する第３駆動状態Ｑ３で励起用半導体レーザ４１を駆動する。従って、図７の下段部及び図８に示すように、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにおけるレーザ光Ｌが照射される照射位置が、初期位置Ｍ０から線分Ｎ１の開始位置に移動された後、第３出力期間Ｔ３（秒）の間、レーザ出力Ｐ１（Ｗ）のレーザ光Ｌによって線分Ｎ１がマーキングされる。

　そして、図７及び図８に示すように、第３駆動状態Ｑ３に続いて、ＣＰＵ６１は、再度、予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給する第４駆動状態Ｑ４で励起用半導体レーザ４１を駆動して、レーザ発振器２１のレーザ出力を０（Ｗ）にした状態で、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにおけるレーザ光Ｌの照射位置を次の照射開始位置に向けて移動させる。

　次に、予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給しているときに、加工容器４の扉３６が開放された後の励起用半導体レーザ４１の駆動パターンについて図７及び図８に基づいて説明する。

　図７の上段部に示すように、加工容器４の扉３６が開放された後の励起用半導体レーザ４１の駆動パターンは、第５駆動状態Ｑ５乃至第８駆動状態Ｑ８から構成されている。具体的には、ＣＰＵ６１は、加工容器４の扉３６の開放を検出すると、励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給しないで、励起光出力を０（Ｗ）にして緊急停止する第５駆動状態Ｑ５で励起用半導体レーザ４１を駆動する。

　また、図７の下段部に示すように、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌによる加工を指示する加工信号を「ＯＦＦ」に設定して、ガルバノコントローラ４５に出力する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動を緊急停止する。従って、図８に示すように、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにおけるレーザ光Ｌの照射位置が扉開放時位置Ｍ１で停止される。

　その後、図７の上段部に示すように、ＣＰＵ６１は、加工容器４の各扉３６の閉鎖を検出すると、再度、予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給する第６駆動状態Ｑ６で励起用半導体レーザ４１を駆動する。また、図７の下段部及び図８に示すように、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌによる加工を指示する加工信号を再度「ＯＮ」に設定して、ガルバノコントローラ４５に出力する。

　これにより、ガルバノコントローラ４５は、印字パターンのＸＹ座標データに従って、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動を再度開始する。従って、レーザ発振器２１のレーザ出力を０（Ｗ）にした状態で、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにおけるレーザ光Ｌの照射位置が、扉開放時位置Ｍ１から次の照射開始位置に向けて移動される。

　続いて、図７の上段部及び中段部に示すように、第４駆動状態Ｑ４が開始されてから第４出力期間Ｔ４（秒）経過して、レーザ光Ｌの照射位置が、次の照射開始位置に到達すると、第５出力期間Ｔ５（秒）の間、ＣＰＵ６１は、レーザ発振器２１がレーザ出力Ｐ１（Ｗ）のレーザ光Ｌを出力するように、加工時励起電流値Ｌ２（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給する第７駆動状態Ｑ７で励起用半導体レーザ４１を駆動する。従って、図７の下段部及び図８に示すように、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにおけるレーザ光Ｌが照射される照射位置が、扉開放位置Ｍ１から線分Ｎ２の開始位置に移動された後、第５出力期間Ｔ５（秒）の間、レーザ出力Ｐ１（Ｗ）のレーザ光Ｌによって線分Ｎ２がマーキングされる。

　そして、図７の上段部に示すように、第７駆動状態Ｑ７に続いて、第６出力期間Ｔ６の間、ＣＰＵ６１は、励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給しないで、励起光出力を０（Ｗ）にして停止する第８駆動状態Ｑ８で励起用半導体レーザ４１を駆動した後、待機状態Ｑ０に再度設定する。また、図７の下段部に示すように、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌによる加工を指示する加工信号を「ＯＦＦ」に設定して、ガルバノコントローラ４５に出力する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動を停止する。

　他方、図６に示すように、Ｓ１２３において、照射中フラグがＯＮに設定されていると判定した場合には（Ｓ１２３：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１２６の処理に移行する。そして、ＣＰＵ６１は、Ｓ１２６乃至Ｓ１２９において、上記Ｓ２０乃至Ｓ２３の処理を実行した後、当該処理を終了する。

　以上詳細に説明した通り、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１では、第１実施形態に係るレーザ加工装置１の奏する効果と同じ効果を奏する。更に、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１では、ＣＰＵ６１は、加工容器４の扉３６が開放されたときに、加工中で、且つ、励起用半導体レーザ４１に供給される励起駆動電流が、レーザ発振器２１がパルスレーザ（レーザ光Ｌ）を発振しない励起光の最大出力値に対応する「電流閾値」以下の場合には、加工フラグをＯＮに設定し、且つ、照射中フラグをＯＦＦに設定する。また、ＣＰＵ６１は、励起用半導体レーザ４１とガルバノスキャナ１９を緊急停止する。

　その後、ＣＰＵ６１は、各扉３６の閉鎖が検出されたときに、加工フラグがＯＮで、且つ、照射中フラグがＯＦＦの場合には、「電流閾値」以下の予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給した後、加工容器４の扉３６が開放された時点以降における励起用半導体レーザ４１の駆動パターンに従って、励起用半導体レーザ４１に加工時励起電流値Ｌ２（Ａ）を供給すると共に、加工容器４の扉３６が開放された時点以降における印字パターンのＸＹ座標データと「加工速度」とをガルバノコントローラ４５に出力する。

　これにより、加工中のときに、少なくとも一方の扉３６が開放されて、緊急停止状態になった場合においても、加工容器４の扉３６が開放されたときに、レーザ発振器２１がレーザ光Ｌを出射していない場合には、各扉３６が閉鎖された際に、緊急停止状態が自動的に解除される。そして、ＣＰＵ６１は、加工容器４の扉３６が開放された時点以降におけるマーキング加工を連続して行うことが可能となり、加工時間の更なる短縮化を図ることが可能となると共に、製品の歩留まりの向上を図ることが可能となる。

　また、各扉３６が閉鎖されたときに、予備励起電流値Ｌ１（Ａ）が励起用半導体レーザ４１に供給されるため、レーザ発振器２１は、パルスレーザを発振しない励起光が光ファイバＦを介して入射されて、低励起状態となる。これにより、加工時励起電流値Ｌ２（Ａ）が励起用半導体レーザ４１に供給されて、レーザ発振器２１に加工時の励起光が入射された場合には、レーザ発振器２１は短時間でパルスレーザ（レーザ光Ｌ）の出射を開始することができる。従って、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにマーキングされた文字、記号、図形等の印字品質の向上を図ることができる。

　［第３実施形態］
　次に、第３実施形態に係るレーザ加工装置９１について図９乃至図１１に基づいて説明する。尚、上記第１実施形態に係るレーザ加工装置１及び上記第２実施形態に係るレーザ加工装置８１と同一符号は、上記第１実施形態に係るレーザ加工装置１及び上記第２実施形態に係るレーザ加工装置８１と同一あるいは相当部分を示すものである。

　この第３実施形態に係るレーザ加工装置９１の全体構成は、上記第２実施形態に係るレーザ加工装置８１とほぼ同じ構成である。また、第３実施形態に係るレーザ加工装置９１の制御構成及び制御処理は、上記第２実施形態に係るレーザ加工装置８１の制御構成及び制御処理とほぼ同じである。
　但し、第３実施形態に係るレーザ加工装置９１のＣＰＵ６１は、上記「第２制御処理」に替えて、後述の「第３制御処理」（図９及び図１０参照）を実行する点で、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１と異なっている。

　ここで、レーザ加工装置９１のＣＰＵ６１によって実行される処理であって、加工容器４の扉３６が開放された場合に、マーキング加工の緊急停止及び緊急停止状態を解除する第３制御処理について図９乃至図１１に基づいて説明する。尚、図９及び図１０にフローチャートで示される第３制御処理のプログラムは、予めＲＯＭ６３に記憶されており、レーザコントローラ５の起動時から所定時間毎に、例えば、１００ミリ秒毎にＣＰＵ６１によって実行される。

　図９及び図１０に示すように、先ずＳ２１１～Ｓ２１２において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１１１～Ｓ１１２の処理を実行する。そして、現在、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行していない、つまり、レーザドライバ４２を介して励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給していないと判定した場合には（Ｓ２１２：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ２１３の処理に移行する。Ｓ２１３において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から加工フラグを読み出し、この加工フラグをＯＦＦに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶した後、後述のＳ２２３の処理に移行して、上記Ｓ１２１の処理を実行する。尚、レーザコントローラ５の起動時に、加工フラグはＯＦＦに設定されてＲＡＭ６２に記憶される。

　一方、現在、印字情報に基づいてマーキング加工処理を実行している、つまり、レーザドライバ４２を介して励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給していると判定した場合には（Ｓ２１２：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ２１４の処理に移行する。Ｓ２１４において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から加工フラグを読み出し、この加工フラグをＯＮに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶する。

　続いて、Ｓ２１５において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１１５の処理を実行する。そして、レーザドライバ４２に指示した励起用半導体レーザ４１に供給する励起駆動電流が「電流閾値」よりも大きいと判定された場合、つまり、レーザ発振器２１からレーザ光Ｌが出射されていると判定された場合には（Ｓ２１５：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ２１６の処理に移行する。

　Ｓ２１６において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から照射中フラグを読み出し、この照射中フラグをＯＮに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶した後、Ｓ２１７の処理に移行する。そして、Ｓ２１７乃至Ｓ２１９において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１１８乃至Ｓ１２０の処理を実行した後、Ｓ２２３の処理に移行して、上記Ｓ１２１の処理を実行する。尚、レーザコントローラ５の起動時に、照射中フラグはＯＦＦに設定されてＲＡＭ６２に記憶される。

　一方、上記Ｓ２１５で、レーザドライバ４２に指示した励起用半導体レーザ４１に供給する励起駆動電流が「電流閾値」以下であると判定された場合、つまり、レーザ発振器２１からレーザ光Ｌが出射されていないと判定された場合には（Ｓ２１５：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ２２０の処理に移行する。Ｓ２２０において、ＣＰＵ６１は、ＲＡＭ６２から照射中フラグを読み出し、この照射中フラグをＯＦＦに設定して再度ＲＡＭ６２に記憶する。

　そして、Ｓ２２１において、ＣＰＵ６１は、レーザドライバ４２に対して、レーザ発振器２１がパルスレーザ（レーザ光Ｌ）を発振しない励起光の最大出力値に対応する励起駆動電流値である「電流閾値」以下の予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給するように指示する。つまり、励起用半導体レーザ４１に予備励起電流値Ｌ１（Ａ）が供給される状態が維持される。これにより、レーザ発振器２１は、パルスレーザを発振しない励起光が光ファイバＦを介して入射されるため、低励起状態となり、受動Ｑスイッチの内部に光エネルギーが蓄えられるが、レーザ光Ｌは出射されない。尚、予備励起電流値Ｌ１（Ａ）は、「電流閾値」若しくは「電流閾値」の近傍の電流値が好ましい。

　続いて、Ｓ２２２において、ＣＰＵ６１は、ＰＣ７を介して入力されたレーザ光Ｌでマーキングする「加工速度」と、ＰＣ７を介して入力された文字、記号、図形等の印字情報に基づいて作成した印字パターンのＸＹ座標データとのうち、加工容器４の扉３６が開放された時点以降の、レーザ光Ｌの次の照射開始位置のＸＹ座標データと「加工速度」とをＲＡＭ６２から読み出し、ガルバノコントローラ４５に出力する。

　そして、ＣＰＵ６１は、ガルバノコントローラ４５に対して、ガルバノＸ軸モータ３１及びガルバノＹ軸モータ３２を停止させるように指示するガルバノスキャナ停止指示情報を出力した後、Ｓ２２３の処理に移行する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、ガルバノドライバ４６を介してガルバノＸ軸モータ３１及びガルバノＹ軸モータ３２を駆動して、レーザ光Ｌの照射位置を次の照射開始位置に設定して、ガルバノスキャナ１９を緊急停止させる。

　ここで、予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給しているときに、加工容器４の扉３６が開放された後の励起用半導体レーザ４１の駆動パターンの一例について図１１に基づいて説明する。図１１の上段部に示すように、加工容器４の扉３６が開放された後の励起用半導体レーザ４１の駆動パターンは、上記第５駆動状態Ｑ５及び第６駆動状態Ｑ６に替えて、第１０駆動状態Ｑ１０から構成されている。具体的には、ＣＰＵ６１は、加工容器４の扉３６の開放を検出すると、予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給する第１０駆動状態Ｑ１０で励起用半導体レーザ４１を駆動する。つまり、ＣＰＵ６１は、第４駆動状態Ｑ４を維持する。

　また、図１１の下段部に示すように、ＣＰＵ６１は、加工容器４の扉３６の開放を検出すると、レーザ光Ｌによる加工を指示する加工信号の「ＯＮ」状態を維持すると共に、レーザ光Ｌの次の照射開始位置のＸＹ座標データと「加工速度」とをＲＡＭ６２から読み出し、ガルバノコントローラ４５に出力する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２を駆動して、レーザ光Ｌの照射位置を次の照射開始位置まで移動させる。

　その後、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌによる加工を指示する加工信号を「ＯＦＦ」に設定して、ガルバノコントローラ４５に出力する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２を緊急停止し、レーザ光Ｌの照射位置を次の照射開始位置に設定する。

　続いて、図９及び図１０に示すように、Ｓ２２３乃至Ｓ２２５において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１２１乃至Ｓ１２３の処理を実行する。そして、Ｓ２２５において、照射中フラグがＯＦＦに設定されていると判定した場合には（Ｓ２２５：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ２２６の処理に移行する。Ｓ２２６において、ＣＰＵ６１は、ＰＣ７を介して入力されたレーザ光Ｌでマーキングする「加工速度」と、ＰＣ７を介して入力された文字、記号、図形等の印字情報に基づいて作成した印字パターンのＸＹ座標データと、励起用半導体レーザ４１の駆動パターンの励起駆動電流データうち、レーザ光Ｌの次の照射開始位置以降の各データをＲＡＭ６２から読み出す。

　そして、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌの次の照射開始位置以降における励起用半導体レーザ４１の駆動パターンに従って、レーザドライバ４２を介して励起用半導体レーザ４１に励起用駆動電流を供給して励起光を出射させる。また、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌの次の照射開始位置以降における印字パターンのＸＹ座標データと「加工速度」とをガルバノコントローラ４５に出力する。そして、ＣＰＵ６１は、図１１の下段に示すように、レーザ光Ｌによる加工開始を指示する加工信号を再度「ＯＮ」に設定して、ガルバノコントローラ４５に出力した後、当該処理を終了する。

　これにより、ガルバノコントローラ４５は、レーザ光Ｌの次の照射開始位置以降における印字パターンのＸＹ座標データに従って、ガルバノドライバ４６を介してガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動を開始し、レーザ光Ｌを次の照射開始位置から２次元走査して、文字、記号、図形等を連続して加工対象物Ｗの加工面ＷＡに加工する。

　ここで、上記Ｓ２２６において、加工容器４の扉３６が閉じられた場合に、ＣＰＵ６１が実行する励起用半導体レーザ４１の駆動パターンの一例と、それに対応するレーザ発振器２１及びガルバノスキャナ１９の動作関係の一例について図１１に基づいて説明する。

　図１１の上段部及び中段部に示すように、レーザ光Ｌの照射位置が次の照射開始位置に移動しているため、第４駆動状態Ｑ４が開始されてから第１１出力期間Ｔ１１（秒）経過して、加工容器４の各扉３６の閉鎖が検出されると、ＣＰＵ６１は、レーザ発振器２１がレーザ出力Ｐ１（Ｗ）のレーザ光Ｌを出力するように、励起用半導体レーザ４１に加工時励起電流値Ｌ２（Ａ）の供給を開始する。従って、第１１出力期間Ｔ１１（秒）は、上記第４出力期間Ｔ４（秒）（図７参照）よりも第６駆動状態Ｑ６（図７参照）の駆動期間だけ短い加工時間となる。

　続いて、ＣＰＵ６１は、第５出力期間Ｔ５（秒）の間、加工時励起電流値Ｌ２（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給する第７駆動状態Ｑ７で励起用半導体レーザ４１を駆動する。また、図１１の下段部に示すように、ＣＰＵ６１は、加工容器４の各扉３６の閉鎖を検出すると、レーザ光Ｌによる加工を指示する加工信号を再度「ＯＮ」に設定して、ガルバノコントローラ４５に出力する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、印字パターンのＸＹ座標データに従って、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動を再度開始する。従って、図１１の下段部に示すように、第５出力期間Ｔ５（秒）の間、レーザ出力Ｐ１（Ｗ）のレーザ光Ｌによってマーキング加工が行われる。

　そして、図１１の上段部に示すように、第７駆動状態Ｑ７に続いて、第６出力期間Ｔ６の間、ＣＰＵ６１は、励起用半導体レーザ４１に励起駆動電流を供給しないで、励起光出力を０（Ｗ）にして停止する第８駆動状態Ｑ８で励起用半導体レーザ４１を駆動した後、待機状態Ｑ０に再度設定する。また、図１１の下段部に示すように、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌによる加工を指示する加工信号を「ＯＦＦ」に設定して、ガルバノコントローラ４５に出力する。これにより、ガルバノコントローラ４５は、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２の駆動を停止する。

　他方、図１０に示すように、Ｓ２２５において、照射中フラグがＯＮに設定されていると判定した場合には（Ｓ２２５：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ２２７の処理に移行する。Ｓ２２７乃至Ｓ２３０において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１２６乃至Ｓ１２９の処理を実行した後、当該処理を終了する。

　以上詳細に説明した通り、第３実施形態に係るレーザ加工装置９１では、第１実施形態に係るレーザ加工装置１の奏する効果と同じ効果を奏する。更に、第３実施形態に係るレーザ加工装置９１では、ＣＰＵ６１は、加工容器４の扉３６が開放されたときに、加工中で、且つ、励起用半導体レーザ４１に供給される励起駆動電流が、レーザ発振器２１がパルスレーザ（レーザ光Ｌ）を発振しない励起光の最大出力値に対応する「電流閾値」以下の場合には、加工フラグをＯＮに設定し、且つ、照射中フラグをＯＦＦに設定する。

　また、ＣＰＵ６１は、レーザドライバ４２を介して「電流閾値」以下の予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給する。また、ＣＰＵ６１は、ガルバノコントローラ４５を介してガルバノＸ軸モータ３１及びガルバノＹ軸モータ３２を駆動して、レーザ光Ｌの照射位置を次の照射開始位置に設定して、ガルバノスキャナ１９を緊急停止させる。

　その後、ＣＰＵ６１は、各扉３６の閉鎖が検出されたときに、加工フラグがＯＮで、且つ、照射中フラグがＯＦＦの場合には、レーザ光Ｌの次の照射開始位置以降における励起用半導体レーザ４１の駆動パターンに従って、励起用半導体レーザ４１に加工時励起電流値Ｌ２（Ａ）を供給すると共に、レーザ光Ｌの次の照射開始位置以降における印字パターンのＸＹ座標データと「加工速度」とをガルバノコントローラ４５に出力する。

　これにより、加工中のときに、少なくとも一方の扉３６が開放されて、緊急停止状態になった場合においても、加工容器４の扉３６が開放されたときに、レーザ発振器２１がレーザ光Ｌを出射していない場合には、各扉３６が閉鎖された際に、緊急停止状態が自動的に解除される。そして、ＣＰＵ６１は、レーザ光Ｌの次の照射開始位置からマーキング加工を連続して行うことが可能となり、加工時間の更なる短縮化を図ることが可能となると共に、製品の歩留まりの向上を図ることが可能となる。

　また、加工中のときに、各扉３６が開放された場合には、予備励起電流値Ｌ１（Ａ）が励起用半導体レーザ４１に供給されるため、レーザ発振器２１は、パルスレーザを発振しない励起光が光ファイバＦを介して入射されて、低励起状態となる。これにより、各扉３６が閉鎖された際に、加工時励起電流値Ｌ２（Ａ）が励起用半導体レーザ４１に供給されて、レーザ発振器２１に加工時の励起光が入射された場合には、レーザ発振器２１は短時間でパルスレーザ（レーザ光Ｌ）の出射を開始することができる。従って、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにマーキングされた文字、記号、図形等の印字品質の向上を図ることができる。

　尚、本発明は前記第１実施形態乃至第３実施形態に限定されることはなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは勿論である。尚、以下の説明において上記図１乃至図８の前記第１実施形態に係るレーザ加工装置１の構成等と同一符号は、前記第１実施形態に係るレーザ加工装置１の構成等と同一あるいは相当部分を示すものである。

　（Ｂ１）例えば、上記Ｓ１１５及びＳ２１５において、ＣＰＵ６１は、光センサ１８を介して、レーザ発振器２１がレーザ光Ｌを出射しているか否かを判定する判定処理を実行するようにしてもよい。つまり、ＣＰＵ６１は、光センサ１８によって入射されたレーザ光Ｌの発光強度が検出されているか否かを判定する判定処理を実行するようにしてもよい。

　そして、光センサ１８を介して、レーザ発振器２１がレーザ光Ｌを出射していると判定された場合には（Ｓ１１５：ＹＥＳ、Ｓ２１５：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１１６又はＳ２１６の処理に移行するようにしてもよい。一方、光センサ１８を介して、レーザ発振器２１からレーザ光Ｌが出射されていないと判定された場合には（Ｓ１１５：ＮＯ、Ｓ２１５：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、Ｓ１１７又はＳ２２０の処理に移行するようにしてもよい。これにより、レーザ発振器２１からレーザ光Ｌが出射されているか否かを確実に検出することが可能となる。

　（Ｂ２）また、例えば、第３実施形態に係るレーザ加工装置９１では、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ２２０の処理を実行した後、Ｓ２２２の処理を実行するようにしてもよい。そして、ＣＰＵ６１は、Ｓ２２２の処理を実行した後、Ｓ２１７以降の処理を実行するようにしてもよい。また、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ２２５において、照射中フラグがＯＦＦに設定されていると判定した場合には（Ｓ２２５：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ２２６の処理に替えて、上記Ｓ１２４及びＳ１２５の処理を実行するようにしてもよい。

　これにより、ＣＰＵ６１は、ガルバノコントローラ４５を介してガルバノＸ軸モータ３１及びガルバノＹ軸モータ３２を駆動して、レーザ光Ｌの照射位置を次の照射開始位置に設定して、ガルバノスキャナ１９を緊急停止させる。また、ＣＰＵ６１は、リレー６６をＯＦＦに駆動して、電源部５２からレーザドライバ４２へ供給される駆動電流を遮断する。つまり、ＣＰＵ６１は、励起用半導体レーザ４１への励起駆動電流をＯＦＦに設定して、励起光の出射を緊急停止し、レーザ発振器２１からレーザ光Ｌが出射されないように設定する。

　従って、加工中のときに、少なくとも一方の扉３６が開放されて、緊急停止状態になった場合においても、加工容器４の扉３６が開放されたときに、レーザ発振器２１がレーザ光Ｌを出射していない場合には、各扉３６が閉鎖された際に、緊急停止状態が自動的に解除される。そして、ＣＰＵ６１は、扉３６が開放されたときの照射位置に対して、次の照射開始位置からマーキング加工を行うことが可能となり、加工時間の更なる短縮化を図ることが可能となると共に、製品の歩留まりの向上を図ることが可能となる。

　（Ｂ３）また、例えば、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１１３の処理を実行した後、念のため、Ｓ１１８の処理に移行するようにしてもよい。以後は第２実施形態に係るレーザ加工装置８１のＣＰＵ６１が実行する「第２制御処理」と同じであるため、実質的には、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１と同様であるが、加工中で無くても、より確実に緊急停止状態（Ｓ１１８～Ｓ１２０）とするためのものである。

　（Ｂ４）また、例えば、第３実施形態に係るレーザ加工装置９１において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ２１３の処理を実行した後、念のため、Ｓ２１７の処理に移行するようにしてもよい。以後は第３実施形態に係るレーザ加工装置９１のＣＰＵ６１が実行する「第３制御処理」と同じであるため、実質的には、第３実施形態に係るレーザ加工装置９１と同様であるが、加工中で無くても、より確実に緊急停止状態（Ｓ２１７～Ｓ２１９）とするためのものである。

　（Ｂ５）また、例えば、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１１９において、レーザドライバ４２に対して、レーザ発振器２１がパルスレーザ（レーザ光Ｌ）を発振しない励起光の最大出力値に対応する励起駆動電流値である「電流閾値」以下の予備励起電流値Ｌ１（Ａ）（例えば、バイアス電流）を励起用半導体レーザ４１に供給するように指示するようにしてもよい。つまり、ＣＰＵ６１は、図７に示す第５駆動状態Ｑ５において、第４駆動状態Ｑ４を維持するようにしてもよい。

　これにより、レーザ発振器２１は、パルスレーザを発振しない励起光が光ファイバＦを介して入射されて、低励起状態となる。その結果、加工時励起電流値Ｌ２（Ａ）が励起用半導体レーザ４１に供給されて、レーザ発振器２１に加工時の励起光が入射された場合には、レーザ発振器２１は短時間でパルスレーザ（レーザ光Ｌ）の出射を開始することができる。従って、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにマーキングされた文字、記号、図形等の印字品質の向上を図ることができる。

　（Ｂ６）また、例えば、第２実施形態に係るレーザ加工装置８１において、ＣＰＵ６１は、上記Ｓ１２４でレーザドライバ４２に対して、レーザ発振器２１がパルスレーザ（レーザ光Ｌ）を発振しない予備励起電流値Ｌ１（Ａ）を励起用半導体レーザ４１に供給するように指示する指示タイミングを、励起用半導体レーザ４１に供給される励起駆動電流値が予備励起電流値Ｌ１（Ａ）に立ち上がることができるぎりぎりのタイミングまで遅らせるようにしてもよい。これにより、レーザ加工装置８１の省電力化を図ることができる。

　（Ｂ７）また、励起用半導体レーザ４１とレーザ発振器２１に替えて、他のレーザ光出射手段を用いてもよく、例えば、高出力の半導体レーザを用いるようにしてもよい。その場合、該半導体レーザから出射されたレーザ光を直接、加工対象物Ｗの加工面ＷＡ上に照射してマーキング加工を行うことができるため、部品点数を削減して小型化、軽量化を図ることが可能となる。また、レーザ光出射手段から出射されるレーザ光は、パルスレーザに限定されず、例えば、加工（照射）中は連続なレーザ光であってもよい。

　１、８１、９１　　　レーザ加工装置
　３　　　レーザヘッド部
　４　　　加工容器
　５　　　レーザコントローラ
　５Ａ　　　リセットスイッチ
　６　　　電源ユニット
　７　　　ＰＣ
　１８　　　光センサ
　１９　　　ガルバノスキャナ
　２１　　　レーザ発振器
　３１　　　ガルバノＸ軸モータ
　３２　　　ガルバノＹ軸モータ
　３９Ａ、３９Ｂ　　　ドアスイッチ
　４１　　　励起用半導体レーザ
　４２　　　レーザドライバ
　４５　　　ガルバノコントローラ
　４６　　　ガルバノドライバ
　６１　　　ＣＰＵ
　６２　　　ＲＡＭ
　６３　　　ＲＯＭ
　Ｗ　　　加工対象物

Claims

　レーザ出射部から出射されたレーザ光を加工対象物上に集光してガルバノスキャナによって走査するレーザヘッド部と、
　前記レーザヘッド部を支持して前記加工対象物が内側に配置される加工容器と、
　前記加工容器に開閉可能に設けられた扉部の開閉を検出する開閉検出部と、
　前記レーザ出射部を駆動するレーザドライバと、
　前記加工対象物にレーザ光により加工する加工情報に基づいて、前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部を駆動制御すると共に前記ガルバノスキャナを駆動制御する制御部と、
　前記レーザ出射部からのレーザ光の出射を禁止する緊急停止状態を解除するための解除指示を受け付ける解除指示受付部と、
　を備え、
　前記制御部は、
　前記開閉検出部によって前記扉部の開放が検出された場合に、前記緊急停止状態に移行すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けないように設定する緊急停止部と、
　前記緊急停止部によって前記緊急停止状態に移行した後、前記開閉検出部を介して前記扉部の閉鎖が検出された場合には、前記扉部の開放が検出された際に、前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部の駆動制御中である加工状態であるか否かを判定する加工状態判定部と、
　前記加工状態判定部を介して前記加工状態でないと判定された場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第１解除制御部と、
　前記加工状態判定部を介して前記加工状態であると判定された場合には、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けるように設定すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けるように設定された後、前記解除指示を受け付けた場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第２解除制御部と、
　を有することを特徴とするレーザ加工装置。
　前記制御部は、
　前記加工状態判定部を介して前記加工状態であると判定された場合には、前記レーザ出射部からレーザ光が、実質的に出射されていない所定閾値以下の励起状態であるか否かを判定する出力判定部と、
　前記加工状態判定部を介して前記加工状態であると判定され、且つ、前記出力判定部を介して前記レーザ出射部からレーザ光が、実質的に出射されていない所定閾値以下の励起状態であると判定された場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第３解除制御部と、
　を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
　前記第３解除制御部は、前記レーザ出射部の励起状態を前記所定閾値以下の所定の予備励起状態に設定した後、前記緊急停止状態を解除するように制御することを特徴とする請求項２に記載のレーザ加工装置。
　前記制御部は、前記緊急停止部によって前記緊急停止状態に移行した際の前記加工対象物上における前記レーザ光の照射位置を取得して記憶する照射位置記憶手段を有し、
　該制御部は、前記第３解除制御部を介して前記緊急停止状態が解除された場合には、前記照射位置から前記加工情報に基づいて前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部を駆動制御すると共に前記ガルバノスキャナを駆動制御することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のレーザ加工装置。
　前記緊急停止部は、
　前記開閉検出部によって前記扉部の開放が検出された場合には、前記加工対象物上における前記レーザ光の照射位置を取得する照射位置取得部と、
　前記加工情報に基づいて、前記照射位置取得部を介して取得した前記照射位置に対して前記レーザ光が次に照射される次回照射位置を取得する次回照射位置取得部と、
　前記次回照射位置取得部を介して取得された前記次回照射位置に前記レーザ光が照射されるように前記ガルバノスキャナを駆動する駆動部と、
　を有し、
　該緊急停止部は、前記開閉検出部によって前記扉部の開放が検出された場合には、前記駆動部を介して前記次回照射位置に前記レーザ光が照射されるように前記ガルバノスキャナを駆動した後、前記緊急停止状態に移行すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けないように設定することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のレーザ加工装置。
　レーザ出射部から出射されたレーザ光を加工対象物上に集光してガルバノスキャナによって走査するレーザヘッド部と、
　前記レーザヘッド部を支持して前記加工対象物が内側に配置される加工容器と、
　前記加工容器に開閉可能に設けられた扉部の開閉を検出する開閉検出部と、
　前記レーザ出射部を駆動するレーザドライバと、
　前記加工対象物にレーザ光により加工する加工情報に基づいて、前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部を駆動制御すると共に前記ガルバノスキャナを駆動制御する制御部と、
　前記レーザ出射部からのレーザ光の出射を禁止する緊急停止状態を解除するための解除指示を受け付ける解除指示受付部と、
　を備えたレーザ加工装置で実行されるレーザ加工方法であって、
　前記制御部が実行する、
　前記開閉検出部によって前記扉部の開放が検出された場合に、前記緊急停止状態に移行すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けないように設定する緊急停止工程と、
　前記緊急停止工程で前記緊急停止状態に移行した後、前記開閉検出部を介して前記扉部の閉鎖が検出された場合には、前記扉部の開放が検出された際に、前記レーザドライバを介して前記レーザ出射部の駆動制御中である加工状態であるか否かを判定する加工状態判定工程と、
　前記加工状態判定工程で前記加工状態でないと判定された場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第１解除制御工程と、
　前記加工状態判定工程で前記加工状態であると判定された場合には、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けるように設定すると共に、前記解除指示受付部を介して前記解除指示を受け付けるように設定された後、前記解除指示を受け付けた場合には、前記緊急停止状態を解除するように制御する第２解除制御工程と、
　を備えたことを特徴とするレーザ加工方法。