JP2016068102A - レーザ加工装置及び制御プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】環境条件によるレーザ加工の中断が生じた場合であっても、中断理由が解消した際に中断発生時の状態から加工を再開可能なレーザ加工装置を提供する。【解決手段】レーザ加工装置１は、レーザ加工装置本体部２と、レーザコントローラ５と、電源ユニット６を備え、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４によって、ガルバノスキャナ１９及び励起用半導体レーザ部４０を制御し、加工対象物Ｗにレーザ加工を施す。ＡＣ電源ＥＡからの電圧及び加工容器４の扉３６の状態に基づいて、加工対象物Ｗの加工を中断すると判断した場合、ガルバノスキャナ１９及び励起用半導体レーザ部４０を停止し、その時点における作業ステータスをＲＯＭ６３に書き込む（Ｓ１５）。中断理由が解消しレーザ加工を再開する場合、中断理由発生時の作業ステータスより所定数前にあたる処理順からガルバノスキャナ１９及び励起用半導体レーザ部４０による処理を開始する（Ｓ２７〜Ｓ３４）。【選択図】図９

Description

本発明は、レーザ光を照射して加工対象物に加工を施すレーザ加工装置等に関するものである。

従来、レーザ加工装置は、加工対象物に対して、レーザ光を照射して加工を施すように構成されており、加工対象物上の任意の位置となるように、レーザ光の照射位置を順次制御し、文字や記号等を描くような加工を施している。このレーザ光の照射位置に関する制御は、電源等の不具合の影響を受けることがあり、例えば、レーザ加工中に停電等が発生した場合、加工が中断してしまう場合がある。この場合、電源等の不具合が解消した後で、レーザ光による加工を再開する際に、加工対象物における照射位置と、加工の段階との対応させることができず、円滑に加工を再開させることができない場合があった。

電源等の不具合が発生した場合における問題点を解消する為に為された発明として、例えば、特許文献１記載の発明が知られている。特許文献１記載の機械装置は、停電等による電源遮断時に、現在のモータ位置と原点位置から次回電源投入後の原点復帰方向を作成し、不揮発性メモリに保存するように構成されており、電源の再投入後、不揮発性メモリに保存されている原点復帰方向へ向かってモータを制御している。これにより、特許文献１記載の機械装置によれば、電源遮断時に不揮発性メモリに保存した情報を用いることにより、電源の再投入時において正確に早く原点復帰することを可能としている。

特開２０１２−１７１６０４号公報

しかしながら、特許文献１記載の機械装置においては、電源再投入時において、原点に復帰することは可能であるが、電源を再投入した場合に、電源遮断時における加工位置から加工を再開することはできなかった。即ち、レーザ加工装置によるレーザ加工の終了間際で電源遮断が発生した場合、電源が再投入されると、再び最初からレーザ加工が実行されることになる為、時間的、効率的にも、ユーザにとって使い勝手が悪いものとなってしまう。

本開示は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、レーザ光を照射して加工対象物に加工を施すレーザ加工装置等に関し、環境条件によるレーザ加工の中断が生じた場合であっても、中断理由が解消した際に中断発生時の状態から加工を再開可能なレーザ加工装置を提供することを目的とする。

前記目的を達成するため、本発明の一側面に関するレーザ加工装置は、電源と、加工対象物を加工する為のレーザ光を出射する出射部と、前記出射部から出射されたレーザ光を走査する走査部と、前記レーザ光による加工内容と前記加工内容で加工する為の前記出射部及び前記走査部の制御を含む描画データを記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された前記描画データに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御する制御部と、前記電源の遮断を含む前記レーザ光による加工の中断に関する環境条件の変化を検知する検知部と、を備え、前記制御部は、前記検知部による前記環境条件の変化に関する検知結果に基づいて、前記レーザ光による加工を中断するか否かを判断し、前記レーザ光による加工を中断すると判断した場合に、前記出射部及び前記走査部を停止して前記レーザ光による加工を中断すると共に、当該加工中断時における処理順を示す作業ステータスを、前記記憶部に記憶させ、前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断した場合に、加工中断時における前記作業ステータスに対応する前記走査部の走査位置において前記出射部からレーザ光を出射するために前記出射部及び前記走査部を制御する準備処理を実行し、前記準備処理を実行した後、前記記憶部に記憶された加工中断時における作業ステータスに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御することを特徴とする。

当該レーザ加工装置は、電源と、出射部と、走査部と、記憶部と、制御部と、検知部と、を備えており、制御部によって前記出射部及び前記走査部を制御することで、出射部から出射されたレーザ光を用いて、加工対象物に対して、描画データに基づく加工をすることができる。そして、当該レーザ加工装置によれば、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断すると判断した場合に、制御部が、出射部及び走査部を停止して加工を中断する為、悪環境で加工対象物の加工を実行することを抑制することができる。そして、当該レーザ加工装置によれば、加工対象物の加工を中断する際には、加工中断時における作業ステータスを記憶部に記憶させる為、中断理由が解消して加工対象物を加工する際に、中断理由が生じた時点における加工処理の内容を特定することができる。

更に、当該レーザ加工装置によれば、作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断した場合に、加工中断時における前記作業ステータスに対応する前記走査部の走査位置において前記出射部からレーザ光を出射するために前記出射部及び前記走査部を制御する準備処理を実行し、その後、前記記憶部に記憶された加工中断時における作業ステータスに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御するので、前記加工対象物の加工を中断する前後における加工品質の差を低減することができる。従って、当該レーザ加工装置によれば、レーザ光による加工が中断してしまった場合であっても、新たに加工対象物を用意する必要はなく、加工中断時の加工対象物を有効利用できる為、効率の良い加工を行うことが可能となる。

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項１に記載のレーザ加工装置であって、前記制御部は、前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断した場合に、前記記憶部に記憶された前記加工中断時における前記作業ステータスが示す処理順より所定数前にあたる処理順から前記出射部及び前記走査部による処理を開始するように制御することを特徴とする。

当該レーザ加工装置によれば、前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断された場合に、前記前記加工中断時における作業ステータスが示す処理順より所定数前にあたる処理順から前記出射部及び前記走査部による処理を開始する為、前記加工対象物の加工を中断する前後における加工品質の差を、確実に低減することができる。これにより、当該レーザ加工装置は、加工の中断に伴う加工対象物の浪費及び加工処理の無駄を削減することができる為、効率の良い加工を実現することができる。

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項１記載のレーザ加工装置であって、前記出射部は、励起光を出射する半導体レーザ部と、前記半導体レーザ部から出射した前記励起光を受光することにより励起されるレーザ媒質を有し、前記レーザ媒質が前記励起光を受光して励起したことによって、レーザ光であるパルスレーザを出射する発振器と、を有し、前記制御部は、前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断した場合に、前記レーザ媒質を励起させる為の励起用データを前記記憶部から読み出し、前記記憶部に記憶された前記加工中断時の前記作業ステータスに対応する制御を実行するタイミングより所定期間前から、前記励起用データに基づいて、前記半導体レーザ部に前記励起光を出射させることを特徴とする。

当該レーザ加工装置においては、前記出射部は、半導体レーザ部と、レーザ媒質を有する発振器と、を有しており、前記レーザ媒質が前記励起光を受光して励起すると、前記パルスレーザを自動的に出射するように構成されている。従って、当該レーザ加工装置によれば、レーザ媒質が励起光を受光してからパルスレーザが出射されるまでの間に、時間的なずれが生じ得る。この点、当該レーザ加工装置によれば、前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断された場合に、励起用データを前記記憶部から読み出し、前記記憶部に記憶された前記加工中断時の前記作業ステータスに対応する制御を実行するタイミングより所定期間前から、前記励起用データに基づいて、前記半導体レーザ部に前記励起光を出射させる為、中断部分に至るまでにレーザ媒質を十分励起させることができ、その後の加工に用いられるパルスレーザの強度を高めることができる。この結果、当該レーザ加工装置は、中断理由が解消した後の加工において、加工が不十分な部分が生じることはなく、加工を中断する前後における加工品質の差を確実に低減できる。これにより、当該レーザ加工装置は、加工の中断に伴う加工対象物の浪費及び加工処理の無駄を削減することができる為、効率の良い加工を実現することができる。

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項３記載のレーザ加工装置であって、前記所定期間は、前記レーザ媒質が前記励起光を受光し始めてから、前記加工対象物を加工可能なパルスレーザを出射するまでに要する期間であることを特徴とする。

当該レーザ加工装置によれば、前記所定期間が、前記レーザ媒質が前記励起光を受光し始めてから、前記加工対象物を加工可能なパルスレーザを出射するまでに要する期間である為、中断部分に至るまでに、その後の加工に用いられるパルスレーザの強度を、加工対象物を加工可能な強度に高めることができる。この結果、当該レーザ加工装置は、中断理由が解消した後の加工において、加工が不十分な部分が生じることはなく、加工を中断する前後における加工品質の差を、更に確実に低減できる。

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項１乃至請求項４の何れかに記載のレーザ加工装置であって、前記制御部は、前記検知部が、前記環境条件として、前記電源の電圧が低下したことを検知した場合に、前記加工対象物の加工を中断すると判断し、前記電源の電圧が低下したことを検知した場合に、前記電源とは異なる補助電源に切り換える切替部を備えることを特徴とする。

当該レーザ加工装置によれば、前記環境条件として、電源の電圧が低下したことを検知した場合に、前記加工対象物の加工処理を中断すると判断し、切替部によって、前記電源から前記補助電源に切り換える為、電源の電圧の低下に伴う加工品質の低下を抑制することができる。

本発明の他の側面に関するレーザ加工装置は、請求項１乃至請求項５の何れかに記載のレーザ加工装置であって、前記レーザ加工装置による加工位置に前記加工対象物を配置する為の扉部を備え、前記加工位置に配置された前記加工対象物を収容する加工容器を有し、前記制御部は、前記検知部が、前記環境条件として、前記加工容器の前記扉部が開いたことを検知した場合に、前記加工対象物の加工を中断すると判断することを特徴とする。

当該レーザ加工装置によれば、前記環境条件として前記加工容器の前記扉部が開いたことを検知した場合に、前記加工対象物の加工処理を中断すると判断する為、扉部の開放に伴って加工対象物の加工を中断した場合であっても、加工容器における扉部の開放に伴う加工品質の低下を抑制することができる。

本発明の一側面に関するレーザ加工装置の制御プログラムは、電源と、加工対象物を加工する為のレーザ光を出射する出射部と、前記出射部から出射されたレーザ光を走査する走査部と、前記レーザ光による加工内容と前記加工内容で加工する為の前記出射部及び前記走査部の制御を含む描画データを記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された前記描画データに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御する制御部と、前記電源の遮断を含む前記レーザ光による加工の中断に関する環境条件の変化を検知する検知部と、を有するレーザ加工装置に、前記検知部による前記環境条件の変化に関する検知結果に基づいて、前記レーザ光による加工を中断するか否かを判断するステップと、前記レーザ光による加工を中断すると判断した場合に、前記出射部及び前記走査部を停止して前記レーザ光による加工を中断すると共に、当該加工中断時における処理順を示す作業ステータスを、前記記憶部に記憶させるステップと、前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断した場合に、加工中断時における前記作業ステータスに対応する前記走査部の走査位置において前記出射部からレーザ光を出射するために前記出射部及び前記走査部を制御する準備処理を実行するステップと、前記準備処理を実行後、前記記憶部に記憶された加工中断時における作業ステータスに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御するステップと、を実行させることを特徴とする。

当該レーザ加工装置の制御プログラムによれば、電源と、出射部と、走査部と、記憶部と、制御部と、検知部と、を備えたレーザ加工装置によって実行させることによって、請求項１記載のレーザ加工装置と同様の効果を奏し得る。

第１実施形態に関するレーザ加工装置１の概略構成を示す説明図である。 第１実施形態に関するレーザ加工装置本体部２を示す外観斜視図である。 第１実施形態に関するレーザヘッド部３の構成を示す上面図である。 第１実施形態に関するレーザ加工装置１の制御系を示すブロック図である。 ＡＣ電源ＥＡ及び補助電源ＥＢの電圧と、電源電圧低下通知信号との関係を示す説明図である。 描画データを構成するＸ座標データ及びＹ座標データの説明図である。 描画データ及び作業ステータスの一例を示す説明図である。 第１実施形態の制御プログラムにおいて、通常時及び中断理由発生時のフローチャートである。 第１実施形態の制御プログラムにおいて、中断理由解消時のフローチャートである。 第２実施形態の制御プログラムにおいて、中断理由解消時のフローチャートである。 第２実施形態における励起化データに関する説明図である。

以下、本発明に関するレーザ加工装置を、レーザ加工装置１に具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。

（レーザ加工装置の概略構成）
先ず、本実施形態に関するレーザ加工装置１の概略構成について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１に示すように、本実施形態に関するレーザ加工装置１は、レーザ加工装置本体部２と、レーザコントローラ５と、電源ユニット６と、から構成されている。

レーザ加工装置本体部２は、レーザ光として、パルスレーザＬを加工対象物Ｗの加工面ＷＡ上を２次元走査してレーザ加工を行う。レーザコントローラ５は、コンピュータで構成され、ＰＣ（図示せず）と双方向通信可能に接続されると共に、レーザ加工装置本体部２及び電源ユニット６と電気的に接続されている。尚、ＰＣは、パーソナルコンピュータ、マウス等の入力操作部、液晶ディスプレイ等から構成され、画像データの作成等に用いられる。そして、レーザコントローラ５は、ＰＣ（図示せず）から送信された画像データ、制御パラメータ、各種指示情報等に基づいてレーザ加工装置本体部２及び電源ユニット６を駆動制御する。

尚、図１は、レーザ加工装置１の概略構成を示すものであるため、レーザ加工装置本体部２を模式的に示している。従って、当該レーザ加工装置本体部２の具体的な構成については、後に詳細に説明する。

（レーザ加工装置本体部の概略構成）
次に、レーザ加工装置本体部２の概略構成について、図１〜図３に基づいて説明する。尚、レーザ加工装置本体部２の説明において、図１の左方向、右方向、上方向、下方向が、それぞれレーザ加工装置本体部２の前方向、後方向、上方向、下方向である。従って、レーザ発振器２１のパルスレーザＬの出射方向が前方向である。本体ベース１１に対して垂直な方向が上下方向である。そして、レーザ加工装置本体部２の上下方向及び前後方向に直交する方向が、レーザ加工装置本体部２の左右方向である。

図２等に示すように、レーザ加工装置本体部２は、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍ（図３参照）をｆθレンズ２０から同軸上に出射するレーザヘッド部３と、レーザヘッド部３が上面板部３５Ａ上に固定される略箱体状の加工容器４とから構成されている。

図１、図３に示すように、レーザヘッド部３は、本体ベース１１と、パルスレーザＬを出射するレーザ発振ユニット１２と、光シャッター部１３と、光ダンパー１４と、ハーフミラー１５と、ガイド光部１６と、反射ミラー１７と、光センサ１８と、ガルバノスキャナ１９と、ｆθレンズ２０等から構成され、略直方体形状の筐体カバー３Ａ（図２参照）で覆われている。

レーザ発振ユニット１２は、レーザ発振器２１と、ビームエキスパンダ２２と、取付台２３とから構成されている。レーザ発振器２１は、ファイバコネクタと、集光レンズと、反射鏡と、レーザ媒質と、受動Ｑスイッチと、出力カプラーと、ウィンドウとをケーシング内に有している。ファイバコネクタには、光ファイバＦが接続されており、電源ユニット６を構成する励起用半導体レーザ部４０から出射された励起光が、光ファイバＦを介して入射される。

集光レンズは、ファイバコネクタから入射された励起光を集光する。反射鏡は、集光レンズによって集光された励起光を透過すると共に、レーザ媒質から出射されたレーザ光を高効率で反射する。レーザ媒質は、励起用半導体レーザ部４０から出射された励起光によって励起されてレーザ光を発振する。レーザ媒質としては、例えば、レーザ活性イオンとしてネオジウム（Ｎｄ）が添加されたネオジウム添加ガドリニウムバナデイト（Ｎｄ：ＧｄＶＯ４）結晶や、ネオジウム添加イットリウムバナデイト（Ｎｄ：ＹＶＯ４）結晶や、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶等を用いることができる。

受動Ｑスイッチは、内部に蓄えられた光エネルギーがある一定値を超えたとき、透過率が８０％〜９０％になるという性質持った結晶である。従って、受動Ｑスイッチは、レーザ媒質によって発振されたレーザ光をパルス状のパルスレーザとして発振するＱスイッチとして機能する。受動Ｑスイッチとしては、例えば、クロームＹＡＧ（Ｃｒ：ＹＡＧ）結晶やＣｒ：ＭｇＳｉＯ４結晶等を用いることができる。

出力カプラーは、反射鏡とレーザ共振器を構成する。出力カプラーは、例えば、表面に誘電体層膜をコーティングした凹面鏡により構成された部分反射鏡で、波長１０６３ｎｍでの反射率は、８０％〜９５％である。ウィンドウは、合成石英等から形成され、出力カプラーから出射されたレーザ光を外部へ透過させる。従って、レーザ発振器２１は、受動Ｑスイッチを介してパルスレーザを発振し、加工対象物Ｗの加工面ＷＡにレーザ加工を行うためのパルスレーザＬを出力する。

ビームエキスパンダ２２は、パルスレーザＬのビーム径を変更するものであり、レーザ発振器２１と同軸に設けられている。取付台２３は、レーザ発振器２１がパルスレーザＬの光軸を調整可能に取り付けられ、本体ベース１１の前後方向中央位置よりも後側の上面に対して、各取付ネジ２５によって固定されている。

光シャッター部１３は、シャッターモータ２６と、平板状のシャッター２７とから構成されている。シャッターモータ２６は、ステッピングモータ等で構成されている。シャッター２７は、シャッターモータ２６のモータ軸に取り付けられて同軸に回転する。シャッター２７は、ビームエキスパンダ２２から出射されたパルスレーザＬの光路を遮る位置に回転した際には、パルスレーザＬを光シャッター部１３に対して右方向に設けられた光ダンパー１４へ反射する。一方、シャッター２７がビームエキスパンダ２２から出射されたパルスレーザＬの光路上に位置しないように回転した場合には、ビームエキスパンダ２２から出射されたパルスレーザＬは、光シャッター部１３の前側に配置されたハーフミラー１５に入射する。

光ダンパー１４は、シャッター２７で反射されたパルスレーザＬを吸収する。尚、光ダンパー１４の発熱は、本体ベース１１に熱伝導されて冷却される。ハーフミラー１５は、パルスレーザＬの光路に対して斜め左下方向に４５度の角度を形成するように配置される。ハーフミラー１５は、後側から入射されたパルスレーザＬのほぼ全部を透過する。また、ハーフミラー１５は、後側から入射されたパルスレーザＬの一部を、反射ミラー１７へ４５度の反射角で反射する。反射ミラー１７は、ハーフミラー１５のパルスレーザＬが入射される後側面の略中央位置に対して左方向に配置される。

ガイド光部１６は、可視レーザ光として、赤色レーザ光を出射する可視半導体レーザ２８と、可視半導体レーザ２８から出射された可視レーザ光Ｍを平行光に収束するレンズ群（図示せず）とから構成されている。可視レーザ光Ｍは、レーザ発振器２１から出射されるパルスレーザＬと異なる波長である。ガイド光部１６は、ハーフミラー１５のパルスレーザＬが出射される略中央位置に対して右方向に配置されている。この結果、可視レーザ光Ｍは、ハーフミラー１５のパルスレーザＬが出射される略中央位置に、ハーフミラー１５の前側面である反射面に対して４５度の入射角で入射され、４５度の反射角でパルスレーザＬの光路上に反射される。即ち、可視半導体レーザ２８は、可視レーザ光ＭをパルスレーザＬの光路上に出射する。

反射ミラー１７は、パルスレーザＬの光路に対して平行な前後方向に対して斜め左下方向に４５度の角度を形成するように配置され、ハーフミラー１５の後側面において反射されたパルスレーザＬの一部が、反射面の略中央位置に対して４５度の入射角で入射される。そして、反射ミラー１７は、反射面に対して４５度の入射角で入射されたパルスレーザＬを４５度の反射角で前側方向へ反射する。

光センサ１８は、パルスレーザＬの発光強度を検出するフォトディテクタ等で構成され、反射ミラー１７のパルスレーザＬが反射される略中央位置に対して、図３中、前側方向に配置されている。この結果、光センサ１８は、反射ミラー１７で反射されたパルスレーザＬが入射され、この入射されたパルスレーザＬの発光強度を検出する。従って、光センサ１８を介してレーザ発振器２１から出力されるパルスレーザＬの発光強度を検出することができる。

ガルバノスキャナ１９は、本体ベース１１の前側端部に形成された貫通孔２９の上側に取り付けられ、レーザ発振ユニット１２から出射されたパルスレーザＬと、ハーフミラー１５で反射された可視レーザ光Ｍとを下方へ２次元走査するものである。ガルバノスキャナ１９は、ガルバノＸ軸モータ３１とガルバノＹ軸モータ３２とが、それぞれのモータ軸が互いに直交するように外側からそれぞれの取付孔に嵌入されて本体部３３に取り付けられて構成されている。従って、当該ガルバノスキャナ１９においては、各モータ軸の先端部に取り付けられた走査ミラーが内側で互いに対向している。そして、ガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２の回転をそれぞれ制御して、各走査ミラーを回転させることによって、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍとを下方へ２次元走査する。この２次元走査方向は、前後方向（Ｘ方向）と左右方向（Ｙ方向）である。

ｆθレンズ２０は、下方に配置された加工対象物Ｗの加工面ＷＡに対して、ガルバノスキャナ１９によって２次元走査されたパルスレーザＬと可視レーザ光Ｍとを同軸に集光する。従って、ガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２の回転を制御することによって、パルスレーザＬと可視レーザ光Ｍが、加工対象物Ｗの加工面ＷＡ上において、所望の加工パターンで前後方向（Ｘ方向）と左右方向（Ｙ方向）に２次元走査される。

次に、加工容器４の概略構成について、図２に基づいて説明する。図２に示すように、加工容器４は、前面側が開放された略箱体状の本体箱部３５と、本体箱部３５の前面側を覆う観音開きの各扉３６と、加工対象物Ｗを配置する為の加工台等から構成されている。本体箱部３５と各扉３６は、加工対象物Ｗ上で反射されたパルスレーザＬを遮光する鉄やステンレス等の材料で形成されている。

本体箱部３５は、レーザヘッド部３が設置される略矩形状の上面板部３５Ａと、奥側壁面部を形成する矩形状の背面板部３５Ｂと、左右側壁部を形成する矩形状の各側面板部３５Ｃと、四角枠状に形成された底面部３５Ｄとから構成されている。底面部３５Ｄは、各側面板部３５Ｃよりも前方に、例えば、約３０ｃｍ突出するように配置される。従って、本体箱部３５は、本体箱部３５の前面側であって、前方に突出した底面部３５Ｄの上側に、開口部を有している。

各扉３６は、本体箱部３５前面側の開口部を左右対称に覆うと共に、各蝶番を介して、各側面板部３５Ｃの前側縁部を回動軸として、それぞれ左右方向外側へ中心角度約１８０度回動する観音開きに取り付けられる。各扉３６の前側上端部には、略コの字形の把手３６Ａが取り付けられている。各把手３６Ａの下側には、それぞれ一対の四角形状の透孔３６Ｂが上下に隣接して形成されている。各一対の透孔３６Ｂは、透明なガラスやアクリル板等で形成されて可視光を透過する透過板によって閉塞されている。

そして、加工容器４は、本体箱部３５の底面部３５Ｄの下面の四隅に、脚部材３７を有している。従って、レーザヘッド部３及び加工容器４は、これら脚部材３７を介して床等の上に配置される。又、左右両側の側面板部３５Ｃにおける上端部には、把持部材３８が、それぞれ、前後方向略中央部に嵌め込まれており、把持部材３８は、横長四角形に開口されて内側に窪んでいる。従って、ユーザは、各把持部材３８を持ってレーザヘッド部３及び加工容器４を運搬することができる。

尚、図示は省略するが、本体箱部３５の上面板部３５Ａには、略円形の挿通孔が形成されており、レーザヘッド部３のｆθレンズ２０が嵌挿される。従って、当該レーザ加工装置本体部２によれば、加工容器４内部の加工台上に設置された加工対象物Ｗの加工面ＷＡに対して、パルスレーザＬ及び可視レーザ光Ｍを照射することができ、レーザ加工を施すことができる。

（電源ユニットの概略構成）
次に、レーザ加工装置１における電源ユニット６の概略構成について、再び図１を参照しつつ説明する。図１に示すように、電源ユニット６は、励起用半導体レーザ部４０と、レーザドライバ５１と、電源部５２と、冷却ユニット５３とを、ケーシング５５内に有している。電源部５２は、励起用半導体レーザ部４０を駆動する駆動電流を、レーザドライバ５１を介して励起用半導体レーザ部４０に供給する部分であり、後述する電源基板７０を有している。レーザドライバ５１は、後述のようにレーザコントローラ５から入力される駆動情報に基づいて、励起用半導体レーザ部４０を直流駆動する。

励起用半導体レーザ部４０は、光ファイバＦによってレーザ発振器２１に光学的に接続されている。励起用半導体レーザ部４０は、レーザドライバ５１から入力されるパルス状の駆動電流に対して、レーザ光を発生する閾値電流を超えた電流値に比例した出力の波長のレーザ光である励起光を、光ファイバＦ内に出射する。従って、レーザ発振器２１には、励起用半導体レーザ部４０からの励起光が光ファイバＦを介して入射される。励起用半導体レーザ部４０は、例えば、ＧａＡｓを用いたレーザバーを用いることができる。

冷却ユニット５３は、電源部５２及び励起用半導体レーザ部４０を、所定の温度範囲内に調整する為のユニットであり、例えば、電子冷却方式により冷却することで、励起用半導体レーザ部４０の温度制御を行っており、励起用半導体レーザ部４０の発振波長を微調整する。尚、冷却ユニット５３は、水冷式の冷却ユニットや、空冷式の冷却ユニット等を用いるようにしてもよい。

（レーザ加工装置の制御系）
次に、レーザ加工装置１の制御系構成について、図面を参照しつつ説明する。図４に示すように、レーザ加工装置１は、当該レーザ加工装置１のレーザ加工に関する主な制御を司るメイン基板６０と、当該レーザ加工装置１への電力供給に関する制御を司る電源基板７０と、ドアセンサ３６Ｃと、励起用半導体レーザ部４０と、ガルバノスキャナ１９と、補助電源ＥＢとを有しており、所定の交流電力の供給源であるＡＣ電源ＥＡと接続されている。尚、ＡＣ電源ＥＡは、通常、交流電圧１００Ｖの交流電力を供給している。

メイン基板６０は、ＣＰＵ６１と、ＳＤＲＡＭ６２と、ＲＯＭ６３と、ＦＰＧＡ６４と、電源切替部６５と、ＤＣＤＣコンバータ６６と、ＤＡＣ６７と、ＤＡＣ６８と、を有している。そして、電源基板７０は、ＡＣＤＣコンバータ７１と、ＡＣＤＣコンバータ７２と、ＡＣＤＣコンバータ７３と、電源監視部７４とを有している。

メイン基板６０のＣＰＵ６１は、レーザ加工装置１の全体の制御を行う演算装置及び制御装置として機能する。当該ＣＰＵ６１は、ＡＣ電源ＥＡ又は補助電源ＥＢにより駆動し、例えば、描画用の座標データやレーザ強度データ、作業ステータスの算出及び管理を行う。具体的には、ＣＰＵ６１は、ＰＣから入力された画像データを描画データに変換し、当該描画データを構成する描画パターンのＸＹ座標データ、パルスレーザＬの強度情報等を生成する。

ＳＤＲＡＭ６２は、ＣＰＵ６１により演算された各種の演算結果や、ＰＣから送信された画像データを一時的に記憶させておくためのものである。そして、ＲＯＭ６３は、各種のプログラムを記憶させておくものであり、ＰＣから送信された画像データに基づいて描画パターンのＸＹ座標データを算出してＳＤＲＡＭ６２に記憶する等の各種プログラムが記憶されている。ＲＯＭ６３には、フォントの種類別に、直線と楕円弧とで構成された各文字のフォントの始点、終点、焦点、曲率等のデータが記憶されている。又、ＲＯＭ６３は、ＡＣ電源ＥＡの電圧が所定値よりも低下した場合等の中断理由が生じた場合に、後述する作業ステータスを保存するための不揮発性メモリとして機能する。

ＦＰＧＡ６４は、集積回路の一種であり、複数のＦＩＦＯを有している。各ＦＩＦＯは、データの流れる方向が一方向であるという特性のある記憶装置であり、ＦＰＧＡ６４の各ＦＩＦＯは、描画データとして生成される描画パターンのＸＹ座標データ、レーザ強度データ及び作業ステータスを格納する。当該ＦＰＧＡ６４は、ＣＰＵ６１から描画データを受信すると、当該描画データを構成する各データを、夫々に対応する内部ＦＩＦＯに格納し、ガルバノスキャナ１９や励起用半導体レーザ部４０に対して、タイミングよく送出する。これにより、当該レーザ加工装置１は、加工対象物Ｗの加工面ＷＡに対して、パルスレーザＬを描画データに基づいて操作させることができ、ＰＣからの画像データが示す加工内容でレーザ加工を行うことができる。

電源切替部６５は、当該レーザ加工装置１を駆動する為の電力供給源を、ＡＣ電源ＥＡと、当該ＡＣ電源ＥＡとは別の補助電源ＥＢとの間で切り替える。電源切替部６５の動作については、後に詳細に説明する。

ＤＣＤＣコンバータ６６は、ＡＣ電源ＥＡから電源基板７０を介して供給された直流電力の電圧を、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４を駆動可能な電圧の直流電力に変換する。ＤＡＣ６７は、各描画パターンのＸＹ座標データに基づくデジタル電気信号をアナログ電気信号に変換して、ＦＰＧＡ６４からガルバノスキャナ１９へ送出する。そして、ＤＡＣ６８は、各描画パターンのレーザ強度データに基づくデジタル電気信号をアナログ電気信号に変換して、ＦＰＧＡ６４から励起用半導体レーザ部４０へ送出する。

電源基板７０のＡＣＤＣコンバータ７１は、ＡＣ電源ＥＡからの交流電力の電圧を、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４の動作用に用いられる所定電圧の直流電力に変換する。ＡＣＤＣコンバータ７２は、ＡＣ電源ＥＡからの交流電力の電圧を、ガルバノスキャナ１９の動作用に用いられる所定電圧の直流電力に変換する。そして、ＡＣＤＣコンバータ７３は、ＡＣ電源ＥＡからの交流電力の電圧を、励起用半導体レーザ部４０の動作用に用いられる所定電圧の直流電力に変換する。

電源監視部７４は、ＡＣＤＣコンバータ７１によって、ＡＣ電源ＥＡからの交流電力を元に生成される直流電力の電圧値を監視することで、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４が動作可能な状態か否かを監視する。当該電源監視部７４は、ＡＣＤＣコンバータ７１からの電圧値と所定値とを比較することで、ＣＰＵ６１、ＦＰＧＡ６４及び電源切替部６５に対して、電源電圧低下通知信号を送信する。具体的には、電源電圧低下通知信号は、ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌ（例えば、２４Ｖ）以上のときはＨｉｇｈレベル、所定電圧値Ｖｌより小さいときはＬｏｗレベルとなる。

尚、所定電圧値Ｖｌの値は、レーザ加工装置１で使用している安全装置（図示せず）の動作電圧に基づいて定められる。当該安全装置は、電源が落ちた場合に、レーザ加工装置１を間違いなく安全な状態にする装置である為、電源監視部７４は、所定電圧値Ｖｌを基準として、ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される直流電力の電圧値を監視することによって、レーザ加工装置１の安全面を担保している。

そして、ドアセンサ３６Ｃは、加工容器４の扉３６近傍に配設されており、加工容器４における扉３６が開放されていることを示すドア開放通知を、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４に対して送出する。従って、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４は、当該ドア開放通知に基づいて、加工容器４の扉３６が開放されているか否かを判断することができる。

（電源監視部７４、電源切替部６５の動作）
当該レーザ加工装置１における電源監視部７４及び電源切替部６５の動作について、図５を参照しつつ詳細に説明する。ＡＣ電源ＥＡの電圧が下がると、ＡＣＤＣコンバータ７１によって、生成される電圧が所定電圧値Ｖｌよりも低下する。ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌを下回ると、ＤＣＤＣコンバータ６６が、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４を駆動可能な電圧値を生成することができなくなり、レーザ加工装置１による描画が間もなく不能となる。

図５中のＴａで示す時点のように、ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌよりも低下すると、レーザ加工装置１による描画が間もなく不能となる事態を招くため、電源監視部７４は、ＣＰＵ６１、ＦＰＧＡ６４及び電源切替部６５に対して、Ｌｏｗレベルの電源電圧低下通知信号を送信する。Ｌｏｗレベルの電源電圧低下通知信号を受信すると、電源切替部６５は、レーザ加工装置１に関する駆動源を、ＡＣ電源ＥＡから、補助電源ＥＢに切り替える。尚、Ｌｏｗレベルの電源電圧低下通知信号を受信した場合のＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４の処理内容について、後に詳細に説明する。

その後、図５中のＴｂで示す時点のように、ＡＣ電源ＥＡの電圧が上がり、ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌ以上に回復すると、電源監視部７４は、ＣＰＵ６１、ＦＰＧＡ６４及び電源切替部６５に対して、Ｈｉｇｈレベルの電源電圧低下通知信号を送信する。Ｈｉｇｈレベルの電源電圧低下通知信号を受信すると、電源切替部６５は、レーザ加工装置１に関する駆動源を、補助電源ＥＢからＡＣ電源ＥＡに切り替え、ＤＣＤＣコンバータ６６が生成した電圧値の電力を用いて、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４を駆動制御する。

（描画データ及び作業ステータスの構成）
続いて、当該レーザ加工装置１において生成される描画データ及び作業ステータスについて、図６、図７を参照しつつ説明する。上述したように、レーザ加工装置１は、ＰＣからの画像データに基づいて描画データを生成し、当該描画データに基づいてガルバノスキャナ１９、励起用半導体レーザ部４０等を制御することで、画像データに基づく加工内容で加工対象物Ｗ上にレーザ加工を施している。

図６、図７に示すように、描画データは、Ｘ座標データと、Ｙ座標データと、レーザ強度データとを有しており、これらによって特定される点の集合体によって構成される。描画データを構成する各点は、Ｘ軸、Ｙ軸からなる直交座標系に従って、Ｘ軸及びＹ軸の交点である座標原点を基準とした相対的な位置関係によって特定される（図６参照）。Ｘ座標データは、描画データを構成する一の点に関するＸ座標を示す。Ｙ座標データは、描画データを構成する一の点に関するＹ座標を示す。図６におけるガルバノ原点は、Ｘ軸及びＹ軸の交点である座標原点に対応し、ガルバノスキャナ１９における走査の初期位置を示す。

例えば、図６に示すように、Ｘ座標データがＸａであり、Ｙ座標データがＹａである場合には、加工内容としてのＡの文字における左下端に位置する点が、直交座標系において特定される。そして、座標原点とガルバノ原点とが対応している為、当該レーザ加工装置１は、Ｘ座標データ及びＹ座標データに基づいて、ガルバノスキャナ１９を制御することで、加工対象物Ｗ上の一点を加工するべく、走査に関する位置制御を行うことができる。

尚、当該実施形態においては、Ｘ軸、Ｙ軸からなる直交座標系を採用し、Ｘ座標、Ｙ座標によって加工位置となる点を特定していたが、この態様に限定されるものではなく、更に、Ｚ座標データを加えて、加工位置となる点を特定してもよい。

レーザ強度データは、Ｘ座標、Ｙ座標によって特定された加工位置となる点に対して、照射されるパルスレーザＬの強度を示す（図７参照）。従って、レーザ強度データに基づいて、励起用半導体レーザ部４０を制御することで、レーザ加工装置１は、加工位置となる一点を、指定された強度のパルスレーザＬによってレーザ加工することができる。

図７に示すように、作業ステータスは、１、２、３…のように連続した整数であり、描画データの加工内容を構成する各点の処理順を示す。当該作業ステータスは、描画データに基づくレーザ加工に進行に伴って、各描画データにおける各点と同期してＦＰＧＡ６４の各ＦＩＦＯ内にて管理される。当該作業ステータスは、ＣＰＵ６１がＰＣからの画像データを描画データに変換する際に、描画データを構成する各点と対応付けて生成される。

作業ステータス「１」は、１番目の処理として、（Ｘ座標、Ｙ座標）＝（Ｘａ、Ｙａ）で特定される点に対して、レーザ強度「Ｌａ」のパルスレーザＬを照射してレーザ加工を行うことを示す。そして、作業ステータス「２」は、２番目の処理として、（Ｘ座標、Ｙ座標）＝（Ｘｂ、Ｙｂ）で特定される点に対して、レーザ強度「Ｌｂ」のパルスレーザＬを照射してレーザ加工を行うことを示す。

後述するように、当該レーザ加工装置１においては、レーザ加工中に中断理由が生じた場合には、その時点でのレーザ加工に関する作業ステータスを、ＲＯＭ６３に書き込み、中断理由解消後、ＲＯＭ６３から作業ステータスを読み出すように構成されている。例えば、（中断時のＸ座標Ｘｎ、中断時のＹ座標Ｙｎ）＝（Ｘｅ、Ｙｅ）で特定される点に対して、レーザ強度「Ｌｅ」のパルスレーザＬを照射してレーザ加工を行っている状態で、中断理由が発生した場合、ＲＯＭ６３には、作業ステータス「５」が書き込まれる。その後、中断理由が解消した場合、レーザ加工装置１は、ＲＯＭ６３の作業ステータス「５」を参照することで、中断理由発生時の状態におけるレーザ加工の進行状況を特定することができる。

（通常状態におけるレーザ加工装置の制御内容）
次に、当該レーザ加工装置１の通常状態における制御内容について、図８を参照しつつ詳細に説明する。尚、通常状態とは、レーザ加工装置１に対して、何等の中断理由も生じていない状態を意味し、レーザ加工を滞りなく行い得る状態を指す。そして、レーザ加工装置１において、図８等に示す制御プログラムは、ＰＣから送信された画像データを、ＣＰＵ６１で受信すると、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４で実行され、画像データが示すユーザ所望の加工内容で、加工対象物Ｗに対してレーザ加工を施すように、レーザ加工装置を制御する。

ＰＣから所望の加工内容を示す画像データを受信すると（Ｓ１）、ＣＰＵ６１は、当該画像データを変換することによって描画データを生成する（Ｓ２）と共に、受信した画像データをＳＤＲＡＭ６２へ一時的に保存する（Ｓ３）。この時、描画データとしては、Ｘ座標データ、Ｙ座標データ、レーザ強度データ、作業ステータスが、加工内容を構成する各点ごとに生成される。その後、ＣＰＵ６１は、生成した描画データを、ＦＰＧＡ６４に対して送信する（Ｓ４）。

ＣＰＵ６１から描画データを受信すると、ＦＰＧＡ６４は、レーザ加工の処理順に従って、図７に示すように、ＦＰＧＡ内に形成された各ＦＩＦＯに対して、描画データを構成するＸ座標データ、Ｙ座標データ、レーザ強度データ、作業ステータスを格納する（Ｓ５）。

描画データをＦＰＧＡの各ＦＩＦＯに格納することにより、ＣＰＵ６１は、他のタスクがない場合は一括した描画データの生成（Ｓ２）及びＦＰＧＡ６４への送信（Ｓ４）を行うことができる。同時に、ＦＰＧＡ６４は、他のタスクが発生し、ＣＰＵ６１が処理を行っている場合であっても、各ＦＩＦＯに格納された描画データを用いて、パルスレーザＬによる加工対象物Ｗの加工を、安定して継続することができる。

具体的には、ＦＰＧＡ６４は、ＤＡＣ６７を介して、描画データを構成するＸ座標データ、Ｙ座標データを、随時アナログ信号に変換して、ガルバノスキャナ１９のガルバノＸ軸モータ３１、ガルバノＹ軸モータ３２に入力する。これにより、パルスレーザＬにより加工される加工位置が、Ｘ座標データ、Ｙ座標データによって特定される点に走査される。

同時に、ＦＰＧＡ６４は、ＤＡＣ６８を介して、描画データを構成するレーザ強度データを、随時アナログ信号に変換して、励起用半導体レーザ部４０に入力する。これにより、励起用半導体レーザ部４０は、レーザ強度データに基づく強度の励起光を、レーザ発振器２１に入射する為、当該励起光に対応する強度のパルスレーザＬが加工対象物Ｗ上に出射される。

即ち、当該レーザ加工装置１においては、ＦＰＧＡ６４によって、Ｘ座標データ、Ｙ座標データにより特定される点に対して、レーザ強度データに基づく強度のパルスレーザＬを照射することで、加工対象物Ｗ上をレーザ加工する。

描画データをＦＰＧＡ６４に送信した後、ＣＰＵ６１は、電源監視部７４から出力される電源電圧低下通知信号に基づいて、ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌよりも低下しているか否かを判断する（Ｓ６）。又、ＣＰＵ６１は、ドアセンサ３６Ｃからのドア開放通知に基づいて、加工容器４の扉３６が開放されているか否かを判断する（Ｓ７）。所定電圧値Ｖｌよりも低下している場合（Ｓ６：ＹＥＳ）、若しくは、加工容器４の扉３６が開放されている場合（Ｓ７：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、レーザ加工に関する中断理由が生じていると判断し、レーザ加工を中断する際の処理を行う。この時の処理内容については後述する。一方、所定電圧値Ｖｌ以上である場合、若しくは、加工容器４の扉３６が閉じている場合、ＣＰＵ６１は、Ｓ１に処理を戻し、描画データの変換（Ｓ２）等の処理を実行する。

一方、ＦＰＧＡ６４は、ＣＰＵ６１からの描画データの受信処理（Ｓ５）の後、電源監視部７４から出力される電源電圧低下通知信号に基づいて、ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌよりも低下しているか否かを判断する（Ｓ８）。又、ＦＰＧＡ６４は、ドアセンサ３６Ｃからのドア開放通知に基づいて、加工容器４の扉３６が開放されているか否かを判断する（Ｓ９）。所定電圧値Ｖｌよりも低下している場合（Ｓ８：ＹＥＳ）、若しくは、加工容器４の扉３６が開放されている場合（Ｓ９：ＹＥＳ）、ＦＰＧＡ６４は、レーザ加工に関する中断理由が生じていると判断し、レーザ加工を中断する際の処理を行う。この時の処理内容については、後述する。一方、所定電圧値Ｖｌ以上である場合、若しくは、加工容器４の扉３６が閉じている場合、ＦＰＧＡ６４は、Ｓ５に処理を戻し、描画データに基づくレーザ加工処理を継続する。

（中断理由発生時におけるレーザ加工装置の制御内容）
続いて、中断理由発生時における当該レーザ加工装置１の制御内容について、図８を参照しつつ詳細に説明する。尚、中断理由発生時とは、レーザ加工装置１におけるレーザ加工に支障をきたす事象が生じている状態を指し、本実施形態においては、ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌよりも低下した状態、若しくは、加工容器４の扉３６が開放されている状態を指す。

ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌよりも低下した状態（Ｓ６：ＹＥＳ）、若しくは、加工容器４の扉３６が開放されている状態（Ｓ７：ＹＥＳ）の何れかであり、中断理由が発生している場合、ＣＰＵ６１は、加工中断処理（Ｓ１０）を実行し、レーザ加工を中断する旨を示す中断命令を、ＦＰＧＡ６４に対して送信する。その後、ＣＰＵ６１は、Ｓ１２に処理を移行する。

一方、所定電圧値Ｖｌよりも低下している場合（Ｓ８：ＹＥＳ）、若しくは、加工容器４の扉３６が開放されている場合（Ｓ９：ＹＥＳ）には、ＦＰＧＡ６４は、加工中断処理を実行する（Ｓ１１）。加工中断処理（Ｓ１１）では、ＦＰＧＡ６４は、各ＦＩＦＯからのＸ座標データ、Ｙ座標データの取得を停止し、中断理由の発生直前のＸ座標データ、Ｙ座標データを保持したまま、ガルバノスキャナ１９の駆動を停止する。又、この加工中断処理（Ｓ１１）において、ＦＰＧＡ６４は、ＣＰＵ６１からの中断命令に基づいて、励起用半導体レーザ部４０に対する動作イネーブル信号をオフにし、励起光の出射を停止する。この励起光の出射を停止することにより、レーザ加工装置１は、レーザ発振器２１からのパルスレーザＬの出力を停止する。加工中断処理（Ｓ１１）を終了した後、ＦＰＧＡ６４は、Ｓ１４に処理を移行する。

Ｓ１２では、ＣＰＵ６１は、ＳＤＲＡＭ６２に対して、セルフリフレッシュ命令を出力し、その後、ＳＤＲＡＭ６２にセルフリフレッシュを実行させる（Ｓ１３）。ここで、セルフリフレッシュとは、ＳＤＲＡＭ６２内のデータを保持する為に、通常、ＣＰＵ６１によって行われていたＳＤＲＡＭ６２の内部コンデンサに対する電荷の供給を、ＳＤＲＡＭ６２自身で定期的に実行させることである。これにより、ＳＤＲＡＭ６２は、Ｓ３で一時保存されていた画像データを、セルフリフレッシュを定期的に実行することによって保持する。

一方、加工中断処理（Ｓ１１）を終了すると、ＦＰＧＡ６４は、中断理由が発生した時点における作業ステータスを、ＦＰＧＡ６４のＦＩＦＯから取得し（Ｓ１４）、当該作業ステータスをＲＯＭ６３に書き込む（Ｓ１５）。

ＳＤＲＡＭ６２のセルフリフレッシュに関する処理（Ｓ１２、Ｓ１３）の後、ＣＰＵ６１は、電源電圧低下通知信号に基づいて、ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌ以上であるか否かを判断する（Ｓ１６）。又、ＣＰＵ６１は、ドア開放通知に基づいて、加工容器４の扉３６が閉鎖されているか否かを判断する（Ｓ１７）。即ち、ＣＰＵ６１は、Ｓ１６及びＳ１７を実行することで、中断理由が解消したかを判断する。所定電圧値Ｖｌ以上である場合、若しくは、加工容器４の扉３６が閉鎖されている場合、ＣＰＵ６１は、レーザ加工に関する中断理由が解消していると判断し、レーザ加工を再び開始する為の処理を行う。この時の処理内容については、後述する。一方、所定電圧値Ｖｌよりも低下している場合、若しくは、加工容器４の扉３６が開放されている場合、ＣＰＵ６１は、中断理由が解消されるまで、レーザ加工を実行することなく、処理を待機する。

一方、ＦＰＧＡ６４は、作業ステータスの書込に関する処理（Ｓ１４、Ｓ１５）の後、電源電圧低下通知信号に基づいて、ＡＣＤＣコンバータ７１によって生成される電圧が所定電圧値Ｖｌ以上であるか否かを判断する（Ｓ１８）。又、ＦＰＧＡ６４は、ドア開放通知に基づいて、加工容器４の扉３６が閉鎖されているか否かを判断する（Ｓ１９）。即ち、ＦＰＧＡ６４は、Ｓ１８及びＳ１９を実行することで、中断理由が解消したかを判断する。所定電圧値Ｖｌ以上である場合、若しくは、加工容器４の扉３６が閉鎖されている場合、ＦＰＧＡ６４は、レーザ加工に関する中断理由が解消していると判断し、レーザ加工を再び開始する為の処理を行う。この時の処理内容については、後述する。一方、所定電圧値Ｖｌよりも低下している場合、若しくは、加工容器４の扉３６が開放されている場合、ＦＰＧＡ６４は、中断理由が解消されるまで、レーザ加工を実行することなく、処理を待機する。

（中断理由解消時における第１実施形態のレーザ加工装置の制御内容）
次に、第１実施形態に係るレーザ加工装置１において、中断理由が解消した場合の制御内容について、図９を参照しつつ詳細に説明する。

Ｓ１６、Ｓ１７において、中断理由が解消したと判断された場合、ＣＰＵ６１は、原点座標データを、ＦＰＧＡ６４へ送信する（Ｓ２１）。原点座標データは、図６に示すように、Ｘ軸、Ｙ軸からなる直交座標系におけるＸ軸及びＹ軸の交点である座標原点を示し、原点Ｘ座標データと、原点Ｙ座標データにより構成されている。即ち、原点座標データは、（Ｘ座標、Ｙ座標）＝（０、０）を示しており、ガルバノスキャナ１９の走査に関する初期位置であるガルバノ原点に対応している。

Ｓ１８、Ｓ１９において、中断理由が解消したと判断され，ＣＰＵ６１から原点座標データを受信すると、ＦＰＧＡ６４は、当該原点座標データを、ＤＡＣ６７を介して、ガルバノスキャナ１９に入力する（Ｓ２２）。これにより、ガルバノスキャナ１９は、原点座標データに基づいて、ガルバノＸ軸モータ３１及びガルバノＹ軸モータ３２を駆動制御することで、パルスレーザＬによる加工位置を、ガルバノ原点に移動させる。その後、ＦＰＧＡ６４は、ＲＯＭ６３にアクセスして（Ｓ２３）、Ｓ１３で書き込まれた作業ステータスをＲＯＭ６３から読み出す（Ｓ２４）。そして、ＦＰＧＡ６４は、ＲＯＭ６３から読み出した作業ステータスを、ＣＰＵ６１に対して送信する（Ｓ２５）。

ＦＰＧＡ６４から作業ステータスを受信すると（Ｓ２６）、ＣＰＵ６１は、受信した中断理由発生時の作業ステータスよりも所定数分だけ過去の作業ステータスを参照する（Ｓ２７）。具体的には、ＣＰＵ６１は、中断理由発生時の作業ステータスの値よりも所定数分だけ小さな値の作業ステータスを参照する。その後、ＣＰＵ６１は、特定した過去の作業ステータスに対応するデータとして、Ｘ座標データ、Ｙ座標データ及びレーザ強度データを、ＳＤＲＡＭ６２から読み出す（Ｓ２８）。つまり、ＣＰＵ６１は、セルフリフレッシュによって保持されている画像データを、ＳＤＲＡＭ６２から読み出す（Ｓ２９）。ＣＰＵ６１は、読み出した画像データを描画データに変換する（Ｓ３０）と同時に、画像データをＳＤＲＡＭ６２に一時保存する（Ｓ３１）。その後、ＣＰＵ６１は、変換した描画データを、ＦＰＧＡ６４に対して送信する（Ｓ３２）。

中断理由発生時から所定数分だけ過去にあたる描画データを、ＣＰＵ６１から受信すると（Ｓ３３）、ＦＰＧＡ６４は、特定した過去の作業ステータスに対応する特定した過去の作業ステータスに対応するＸ座標データ、Ｙ座標データを、ＤＡＣ６７を介して、ガルバノスキャナ１９に入力すると同時に、当該過去の作業ステータスに対応するレーザ強度データを、ＤＡＣ６８を介して、励起用半導体レーザ部４０へ入力する（Ｓ３４）。

ここで、当該レーザ加工装置１においては、中断理由の発生によりレーザ加工を中断すると、励起用半導体レーザ部４０におけるエネルギーは、中断期間の経過に伴って低下していく。中断理由の解消によりレーザ加工を再び開始するにあたって、中断理由発生時の次の点を、再開直後に加工する場合、励起用半導体レーザ部４０が励起状態に戻るまでエネルギーが不足し、所望する描画を行うことができないことが懸念される。従って、中断理由の解消に伴いレーザ加工を再開するにあたって、励起用半導体レーザ部４０のエネルギーを再び励起状態に戻し、加工対象物Ｗを加工可能な強度のパルスレーザＬを出射可能な状態にする必要がある。

この点、第１実施形態のレーザ加工装置１によれば、中断理由の解消に伴ってレーザ加工を再開する場合には、中断理由発生時にＲＯＭ６３に書き込まれた作業ステータスを参照し（Ｓ２３、Ｓ２４）、中断理由発生時よりも所定数分前の段階（作業ステータス）に対応するレーザ加工からやり直す（Ｓ２７〜Ｓ３４）為、中断理由発生時を終え、その次の作業ステータスに対応するレーザ加工を行うまでの間に、励起用半導体レーザ部４０は、励起状態に戻すことができる。つまり、当該レーザ加工装置１によれば、中断理由発生時を終え、その次の作業ステータスに対応するレーザ加工を行う際には、加工対象物Ｗを加工可能な強度のパルスレーザＬを出射することが可能となる為、中断理由発生時の前後におけるレーザ加工の品質の差を低減することができ、描画が途切れることはない。

以上説明したように、第１実施形態に関するレーザ加工装置１及び制御プログラムは、レーザ加工装置本体部２と、レーザコントローラ５と、電源ユニット６とを備えており、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４によって、ガルバノスキャナ１９及び励起用半導体レーザ部４０を制御することで、パルスレーザＬを用いて、加工対象物Ｗに対して描画データに基づくレーザ加工を施すことができる。

当該レーザ加工装置１によれば、ＡＣ電源ＥＡ及び加工容器４の扉３６の状態に基づいて、加工対象物Ｗの加工を中断すると判断した場合（Ｓ６〜Ｓ９）、ガルバノスキャナ１９及び励起用半導体レーザ部４０を停止して、レーザ加工を中断する為、悪環境での加工対象物Ｗのレーザ加工の実行を抑制することができる。レーザ加工を中断する場合には、ＦＰＧＡ６４は、中断理由発生時における作業ステータスをＲＯＭ６３に書き込む為（Ｓ１５）、中断理由が解消して、加工対象物Ｗのレーザ加工を開始する際に、中断理由発生時における加工処理の内容を特定することができる（Ｓ２６）。

そして、当該レーザ加工装置１によれば、中断理由が解消してレーザ加工を再開する場合には、加工中断時における前記作業ステータスに対応する前記ガルバノスキャナ１９の走査位置において前記レーザ発振器２１からパルスレーザＬを出射するために準備処理を実行し、その後、前記記憶部に記憶された加工中断時における作業ステータスに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御する為（Ｓ２８〜Ｓ３４）、前記加工対象物Ｗの加工を中断する前後における加工品質の差を低減することができる。従って、当該レーザ加工装置１によれば、レーザ加工が中断してしまった場合であっても、新たに加工対象物Ｗを用意する必要はなく、加工中断時の加工対象物Ｗを有効利用できる為、効率の良い加工を行うことが可能となる。

当該レーザ加工装置１によれば、中断理由が解消したことに伴い、レーザ加工を再開する場合には、中断理由発生時における作業ステータスが示す処理順より所定数前にあたる処理順からガルバノスキャナ１９及び励起用半導体レーザ部４０による処理を開始する（Ｓ２７〜Ｓ３４）為、前記加工対象物の加工を中断する前後における加工品質の差を、確実に低減することができる。これにより、当該レーザ加工装置１は、レーザ加工の中断に伴う加工対象物Ｗの浪費及び加工処理の無駄を削減することができ、効率の良い加工を実現し得る。

又、当該レーザ加工装置１によれば、ＡＣ電源ＥＡからの電圧が所定電圧値Ｖｌより低下したことを検知した場合に、前記加工対象物の加工処理を中断すると判断すると共に、前記補助電源ＥＢに切り換える為、ＡＣ電源ＥＡからの電圧の低下に伴う加工品質の低下を抑制することができる。

更に、当該レーザ加工装置１によれば、前記加工容器４の扉３６が開放されていることを検知した場合に、前記加工対象物の加工処理を中断すると判断する為、扉３６の開放に伴って加工対象物Ｗの加工を中断した場合であっても、前記加工対象物Ｗの加工を中断する前後における加工品質の差を低減することができる。従って、当該レーザ加工装置１によれば、加工容器４における扉３６の開放に伴って加工が中断してしまった場合であっても、新たに加工対象物Ｗを用意する必要はなく、加工中断時の加工対象物Ｗを有効利用できる為、効率の良い加工を行うことが可能となる。

（第２実施形態）
次に、上述した第１実施形態と異なる実施形態（第２実施形態）について、図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、第２実施形態に関するレーザ加工装置１は、第１実施形態に関するレーザ加工装置１と同一の基本的構成を有しており、中断理由解消時におけるＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４の制御内容が相違する。従って、第１実施形態と同一の構成、制御内容に関する説明は省略する。

（中断理由解消時における第１実施形態のレーザ加工装置の制御内容）
続いて、第２実施形態に係るレーザ加工装置１において、中断理由が解消した場合の制御内容について、図１０、図１１を参照しつつ詳細に説明する。尚、第２実施形態において、通常状態及び中断理由発生時における制御内容は、第１実施形態と同様である。

Ｓ１６、Ｓ１７において中断理由が解消したと判断された場合（図８参照）、ＣＰＵ６１は、第１実施形態と同様に、原点座標データを、ＦＰＧＡ６４へ送信する（Ｓ４１）。

Ｓ１８、Ｓ１９において中断理由が解消したと判断され、ＣＰＵ６１から原点座標データを受信すると、ＦＰＧＡ６４は、当該原点座標データを、ＤＡＣ６７を介して、ガルバノスキャナ１９に入力する（Ｓ４２）。これにより、ガルバノスキャナ１９は、原点座標データに基づいて、パルスレーザＬによる加工位置を、ガルバノ原点に移動させる。その後、ＦＰＧＡ６４は、ＲＯＭ６３にアクセスして（Ｓ４３）、Ｓ１５で書き込まれた作業ステータスをＲＯＭ６３から読み出す（Ｓ４４）。そして、ＦＰＧＡ６４は、ＲＯＭ６３から読み出した作業ステータスを、ＣＰＵ６１に対して送信する（Ｓ４５）。

ＦＰＧＡ６４から作業ステータスを受信すると（Ｓ４６）、ＣＰＵ６１は、受信した中断理由発生時の作業ステータスに対応するデータとして、Ｘ座標データ、Ｙ座標データ及びレーザ強度データを、ＳＤＲＡＭ６２から読み出す（Ｓ４７）。つまり、ＣＰＵ６１は、セルフリフレッシュによって保持されている画像データを、ＳＤＲＡＭ６２から読み出す（Ｓ４８）。ＣＰＵ６１は、読み出した画像データを描画データに変換する（Ｓ４９）と同時に、画像データをＳＤＲＡＭ６２に一時保存する（Ｓ５０）。その後、ＣＰＵ６１は、変換した描画データを、ＦＰＧＡ６４に対して送信する（Ｓ５１）。

中断理由発生時における作業ステータスの描画データを、ＣＰＵ６１から受信すると（Ｓ５２）、ＦＰＧＡ６４は、中断理由発生時における作業ステータスに対応するＸ座標データ、Ｙ座標データを、ＤＡＣ６７を介して、ガルバノスキャナ１９に入力する（Ｓ５３）。
その後、ＦＰＧＡ６４は、励起化データをＲＯＭ６３から読み出し、ＤＡＣ６８を介して、励起用半導体レーザ部４０へ入力する（Ｓ５４）。

ここで、第２実施形態における励起化データについて、図１１を参照しつつ説明する。第２実施形態においては、励起化データは、励起用半導体レーザ部４０に対して、所定期間Ｔｐの間、一定強度Ｌｐの励起光を出射させる旨を規定したデータである。所定期間Ｔｐは、レーザ発振器２１のレーザ媒質が前記励起光を受光し始めてから、前記加工対象物Ｗを加工可能なパルスレーザＬを出射可能な励起状態となるまでに要する期間であり、例えば、１．２ｍｓｅｃである。

当該励起化データに従って、励起用半導体レーザ部４０から一定強度Ｌｐの励起光を、所定期間Ｔｐの間出射させると、レーザ発振器２１は、当該励起光を受光することで、励起状態に遷移する。励起化データに規定された一定強度Ｌｐの励起光を受光している間、レーザ発振器２１は、加工対象物Ｗを加工可能なレーザ強度よりも低い強度のパルスレーザＬを出射することになる。この時、レーザ発振器２１は、加工可能な強度のパルスレーザＬを出射することはできないが、継続して励起状態を維持している。

そして、第２実施形態においては、ガルバノスキャナ１９の走査位置が、中断理由発生時における作業ステータスに対応するＸ座標データ、Ｙ座標データに基づく座標位置への移動が完了した時点で、所定期間Ｔｐを終了する。所定期間Ｔｐを終了した後の期間Ｔｎにおいては、中断理由発生時における作業ステータスに対応するレーザ強度でパルスレーザＬを出力する為に、当該レーザ強度に対応する強度Ｌｘの励起光が、期間Ｔｍの間、励起用半導体レーザ部４０によって出射される。このように、当該レーザ加工装置１においては、ＣＰＵ６１は、励起化データにおける所定期間Ｔｐ及び一定強度Ｌｐと、中断理由発生時における作業ステータスに対応するＸ座標データ、Ｙ座標データとを関連付けることによって、中断理由発生時における座標位置への移動を完了した時点で、加工対象物Ｗを加工可能な強度のパルスレーザＬを出射し得る励起状態に遷移させておくことができる。

図１０に戻り、励起化データを励起用半導体レーザ部４０に入力した後の処理について説明する。ＦＰＧＡ６４は、励起化データに基づく励起状態を維持したまま、ガルバノスキャナ１９の駆動制御に基づいて、中断理由発生時における作業ステータスに対応する座標位置への移動が完了しているか否かを判断する（Ｓ５５）。中断理由発生時における座標位置への移動が完了している場合（Ｓ５５：ＹＥＳ）、ＦＰＧＡ６４は、Ｓ５６に処理を移行する。一方、中断理由発生時における座標位置への移動が完了していない場合（Ｓ５５：ＮＯ）、ＦＰＧＡ６４は、Ｓ５５に処理を戻し、中断理由発生時における座標位置への移動を継続する。

その後、ＦＰＧＡ６４は、励起化データに基づいて、レーザ発振器２１の励起化が完了しているか否かを判断する（Ｓ５６）。具体的には、ＦＰＧＡ６４は、励起化データに規定されている所定期間Ｔｐの間、一定強度Ｌｐの励起光を出射したか否かを判断する。中断理由発生時における座標位置への移動が完了した状態で、励起化が完了している場合（Ｓ５６：ＹＥＳ）、ＦＰＧＡ６４は、Ｓ５７に処理を移行する。一方、レーザ発振器２１の励起化が完了していない場合（Ｓ５６：ＮＯ）、ＦＰＧＡ６４は、中断理由発生時における座標位置において、レーザ発振器２１の励起化が完了するまで処理を待機する。そして、ＦＰＧＡ６４は、ガルバノスキャナ１９及び励起用半導体レーザ部４０を駆動制御して、中断理由発生時の作業ステータスに対応する描画データに基づくレーザ加工を行う。

このように、第２実施形態のレーザ加工装置１は、中断理由の解消に伴ってレーザ加工を再開する場合には、中断理由発生時にＲＯＭ６３に書き込まれた作業ステータスを参照し（Ｓ４３〜Ｓ４５）、中断理由発生時の作業ステータスに対応するレーザ加工からやり直す（Ｓ４７〜Ｓ５７）。この時、中断理由発生時における作業ステータスに対応する座標位置へガルバノスキャナ１９による走査位置を移動させる際に、ＦＰＧＡ６４は、励起化データに従って、レーザ発振器２１を励起化させる（Ｓ５４〜Ｓ５６）。従って、第２実施形態のレーザ加工装置１によれば、中断理由発生時に対応する座標位置への移動を完了した時点で、加工対象物Ｗを加工可能な強度のパルスレーザＬを出射することが可能となる為、パルスレーザＬの強度が不足することはなく、中断理由発生時の前後におけるレーザ加工の品質の差を低減することができる。

以上説明したように、第２実施形態に関するレーザ加工装置１及び制御プログラムは、レーザ加工装置本体部２と、レーザコントローラ５と、電源ユニット６とを備えており、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４によって、ガルバノスキャナ１９及び励起用半導体レーザ部４０を制御することで、パルスレーザＬを用いて、加工対象物Ｗに対して描画データに基づくレーザ加工を施すことができる。

当該レーザ加工装置１によれば、ＡＣ電源ＥＡ及び加工容器４の扉３６の状態に基づいて、加工対象物Ｗの加工を中断すると判断した場合（Ｓ６〜Ｓ９）、ガルバノスキャナ１９及び励起用半導体レーザ部４０を停止して、レーザ加工を中断する為、悪環境での加工対象物Ｗのレーザ加工の実行を抑制することができる。レーザ加工を中断する場合には、ＦＰＧＡ６４は、中断理由発生時における作業ステータスをＲＯＭ６３に書き込む為（Ｓ１５）、中断理由が解消して、加工対象物Ｗのレーザ加工を開始する際に、中断理由発生時における加工処理の内容を特定することができる（Ｓ４７）。

そして、当該レーザ加工装置１によれば、中断理由が解消してレーザ加工を再開する場合には、加工中断時における前記作業ステータスに対応する前記ガルバノスキャナ１９の走査位置において前記レーザ発振器２１からパルスレーザＬを出射するために準備処理を実行し、その後、前記記憶部に記憶された加工中断時における作業ステータスに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御する為（Ｓ４７〜Ｓ５７）、前記加工対象物Ｗの加工を中断する前後における加工品質の差を低減することができる。従って、当該レーザ加工装置１によれば、レーザ加工が中断してしまった場合であっても、新たに加工対象物Ｗを用意する必要はなく、加工中断時の加工対象物Ｗを有効利用できる為、効率の良い加工を行うことが可能となる。

当該レーザ加工装置１においては、励起用半導体レーザ部４０と、レーザ発振器２１と、を有しており、前記レーザ発振器２１のレーザ媒質が前記励起光を受光して励起すると、前記パルスレーザを自動的に出射するように構成されている。従って、当該レーザ加工装置によれば、レーザ媒質が励起光を受光してからパルスレーザが出射されるまでの間に、時間的なずれが生じ得る。

この点、当該レーザ加工装置１によれば、中断理由の解消に伴ってレーザ加工を再度開始する場合に、前記加工中断時の前記作業ステータスに対応する制御を実行するタイミングより所定期間前から、前記励起化データに基づいて、励起用半導体レーザ部４０に前記励起光を出射させる為（Ｓ５４）、中断理由発生に伴って加工が中断した部分に至るまでにレーザ媒質を十分励起させることができ、その後の加工に用いられるパルスレーザＬの強度を、加工対象物Ｗを加工可能なレベルに至るまで高めることができる。

この結果、当該レーザ加工装置１は、中断理由が解消した後の加工において、パルスレーザＬの強度不足に起因して、レーザ加工が不十分な部分が生じることはなく、レーザ加工を中断する前後における加工品質の差を確実に低減できる。これにより、当該レーザ加工装置１は、レーザ加工の中断に伴う加工対象物Ｗの浪費及び加工処理の無駄を削減することができる為、効率の良い加工を実現することができる。

又、当該レーザ加工装置１によれば、ＡＣ電源ＥＡからの電圧が所定電圧値Ｖｌより低下したことを検知した場合に、前記加工対象物の加工処理を中断すると判断すると共に、前記補助電源ＥＢに切り換える為、ＡＣ電源ＥＡからの電圧の低下に伴う加工品質の低下を抑制することができる。

更に、当該レーザ加工装置１によれば、前記加工容器４の扉３６が開放されていることを検知した場合に、前記加工対象物の加工処理を中断すると判断する為、扉３６の開放に伴って加工対象物Ｗの加工を中断した場合であっても、前記加工対象物Ｗの加工を中断する前後における加工品質の差を低減することができる。

尚、上述した実施形態において、レーザ加工装置１は、本発明におけるレーザ加工装置の一例である。レーザ発振ユニット１２及び励起用半導体レーザ部４０は、本発明における出射部の一例であり、ガルバノスキャナ１９は、本発明における走査部の一例である。ＳＤＲＡＭ６２及びＲＯＭ６３は、本発明における記憶部の一例であり、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４は、本発明における制御部の一例である。ドアセンサ３６Ｃ及び電源監視部７４は、本発明における検知部の一例である。励起用半導体レーザ部４０は、本発明における半導体レーザ部の一例であり、レーザ発振ユニット１２は、本発明における発振器の一例である。電源切替部６５は、本発明における切替部の一例である。扉３６は、本発明における扉部の一例であり、加工容器４は、本発明における加工容器の一例である。

以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変更が可能である。例えば、上述した実施形態においては、中断理由を構成する環境条件の一例として、「ＡＣ電源ＥＡからの電圧が所定電圧値Ｖｌよりも低下したこと」及び「加工容器４の扉３６が開放されたこと」を検知して、レーザ加工を中断するように構成していたが、この態様に限定されるものではない。

又、上述した実施形態においては、作業ステータスとして、加工処理の進行に伴って増える整数値を用いていたが、この態様に限定されるものではない。作業ステータスは、ＣＰＵ６１及びＦＰＧＡ６４が加工処理の処理順を特定することができれば、種々の態様を採用し得る。

１ レーザ加工装置
２ レーザ加工装置本体部
３ レーザヘッド部
４ 加工容器
５ レーザコントローラ
６ 電源ユニット
１２ レーザ発振ユニット
１９ ガルバノスキャナ
２１ レーザ発振器
３６ 扉
３６Ｃ ドアセンサ
４０ 励起用半導体レーザ部
６１ ＣＰＵ
６２ ＳＤＲＡＭ
６３ ＲＯＭ
６４ ＦＰＧＡ
６５ 電源切替部
７４ 電源監視部
Ｗ 加工対象物
ＥＡ ＡＣ電源
ＥＢ 補助電源

Claims (7)

1. 電源と、
   加工対象物を加工する為のレーザ光を出射する出射部と、
   前記出射部から出射されたレーザ光を走査する走査部と、
   前記レーザ光による加工内容と前記加工内容で加工する為の前記出射部及び前記走査部の制御を含む描画データを記憶する記憶部と、
   前記記憶部に記憶された前記描画データに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御する制御部と、
   前記電源の遮断を含む前記レーザ光による加工の中断に関する環境条件の変化を検知する検知部と、
   を備え、
   前記制御部は、
   前記検知部による前記環境条件の変化に関する検知結果に基づいて、前記レーザ光による加工を中断するか否かを判断し、
   前記レーザ光による加工を中断すると判断した場合に、前記出射部及び前記走査部を停止して前記レーザ光による加工を中断すると共に、当該加工中断時における処理順を示す作業ステータスを、前記記憶部に記憶させ、
   前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断した場合に、加工中断時における前記作業ステータスに対応する前記走査部の走査位置において前記出射部からレーザ光を出射するために前記出射部及び前記走査部を制御する準備処理を実行し、
   前記準備処理を実行した後、前記記憶部に記憶された加工中断時における作業ステータスに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御する
   ことを特徴とするレーザ加工装置。
2. 前記制御部は、
   前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断した場合に、前記記憶部に記憶された前記加工中断時における前記作業ステータスが示す処理順より所定数前にあたる処理順から前記出射部及び前記走査部による処理を開始するように制御する
   ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記出射部は、
   励起光を出射する半導体レーザ部と、
   前記半導体レーザ部から出射した前記励起光を受光することにより励起されるレーザ媒質を有し、前記レーザ媒質が前記励起光を受光して励起したことによって、レーザ光であるパルスレーザを出射する発振器と、を有し、
   前記制御部は、
   前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断した場合に、前記レーザ媒質を励起させる為の励起用データを前記記憶部から読み出し、
   前記記憶部に記憶された前記加工中断時の前記作業ステータスに対応する制御を実行するタイミングより所定期間前から、前記励起用データに基づいて、前記半導体レーザ部に前記励起光を出射させる
   ことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。
4. 前記所定期間は、
   前記レーザ媒質が前記励起光を受光し始めてから、前記加工対象物を加工可能なパルスレーザを出射するまでに要する期間である
   ことを特徴とする請求項３記載のレーザ加工装置。
5. 前記制御部は、
   前記検知部が、前記環境条件として、前記電源の電圧が低下したことを検知した場合に、前記加工対象物の加工を中断すると判断し、
   前記電源の電圧が低下したことを検知した場合に、前記電源とは異なる補助電源に切り換える切替部を備える
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載のレーザ加工装置。
6. 前記レーザ加工装置による加工位置に前記加工対象物を配置する為の扉部を備え、前記加工位置に配置された前記加工対象物を収容する加工容器を有し、
   前記制御部は、
   前記検知部が、前記環境条件として、前記加工容器の前記扉部が開いたことを検知した場合に、前記加工対象物の加工を中断すると判断する
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載のレーザ加工装置。
7. 電源と、
   加工対象物を加工する為のレーザ光を出射する出射部と、
   前記出射部から出射されたレーザ光を走査する走査部と、
   前記レーザ光による加工内容と前記加工内容で加工する為の前記出射部及び前記走査部の制御を含む描画データを記憶する記憶部と、
   前記記憶部に記憶された前記描画データに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御する制御部と、
   前記電源の遮断を含む前記レーザ光による加工の中断に関する環境条件の変化を検知する検知部と、を有するレーザ加工装置に、
   前記検知部による前記環境条件の変化に関する検知結果に基づいて、前記レーザ光による加工を中断するか否かを判断するステップと、
   前記レーザ光による加工を中断すると判断した場合に、前記出射部及び前記走査部を停止して前記レーザ光による加工を中断すると共に、当該加工中断時における処理順を示す作業ステータスを、前記記憶部に記憶させるステップと、
   前記作業ステータスを前記記憶部に記憶した後に、前記検知部の検知結果に基づいて、加工対象物の加工を中断しないと判断した場合に、加工中断時における前記作業ステータスに対応する前記走査部の走査位置において前記出射部からレーザ光を出射するために前記出射部及び前記走査部を制御する準備処理を実行するステップと、
   前記準備処理を実行後、前記記憶部に記憶された加工中断時における作業ステータスに基づいて、前記出射部及び前記走査部を制御するステップと、を実行させる
   ことを特徴とするレーザ加工装置の制御プログラム。

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