JP6269553B2 - レーザ出射装置 - Google Patents
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Description
本発明は、レーザ光を遮断可能なシャッタを有するレーザ出射装置に関する。
従来、レーザ出射装置は、例えば、レーザ加工装置の一部として用いられており、レーザ加工装置においては、当該レーザ出射装置からのレーザ光を加工対象物に照射することによって、加工対象物に対する加工を施している。加工対象物の加工に用いられることからもわかるように、レーザ出射装置から出射されるレーザ光は、比較的大きなエネルギー量を有している為、レーザ出射装置には、シャッタ(遮光器)や吸収部材(減衰器)等の安全対策設備を設けることが望ましい。
この点に鑑みてなされた発明として、特許文献1記載の発明が知られている。特許文献1記載のレーザ加工装置は、安全対策設備として、シャッタと、ビームダンパとを有して構成されている。特許文献1記載のレーザ加工装置において、シャッタは、レーザ発振器から出射されるレーザ光の経路上に配設されており、監視制御装置によって異常の発生を検出した場合に、当該シャッタによりレーザ光を遮断するように構成されている。そして、特許文献1では、シャッタによってレーザ光の光路が遮断されると、レーザ光は、シャッタによって反射され、吸収部材として配設されたビームダンパで吸収される。
しかしながら、当該特許文献1記載のレーザ加工装置のように、吸収部材としてのビームダンパを独立した部材として配設した場合、当該ビームダンパを配設する為のスペースが必要となり、レーザ出射装置の小型化を妨げてしまう場合があった。又、吸収部材としてのビームダンパを独立した部材とする以上、ビームダンパ自体のコストがかかってしまう。
一方、吸収部材としてのビームダンパを単純に取り除いた場合について考察すると、シャッタにより反射されたレーザ光は、ビームダンパが存在しないため、或る程度のエネルギー量を維持した状態で、レーザ光の出射元(例えば、レーザ発振器)に照射され得る。上述したように、レーザ光は、加工対象物を加工可能なエネルギー量を有している為、レーザ光に起因する熱によって、レーザ出射装置を構成する各部(例えば、レーザ発振器等)を損傷させてしまう場合がある。従って、レーザ出射装置においては、独立した部材としてのビームダンパを取り除いた場合であっても、シャッタによって反射されたレーザ光を吸収する何らかの構成は必要である。
本開示は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、レーザ光を遮断可能なシャッタを有するレーザ出射装置に関し、シャッタにより反射されたレーザ光に対する安全性を確保しつつ、装置の小型化に対応可能なレーザ出射装置を提供することを目的とする。
前記目的を達成するため、本発明の一側面に係るレーザ出射装置は、レーザ光源と、前記レーザ光源からのレーザ光を、所定の出射方向へ出射するレーザ光出射部と、前記レーザ光出射部から出射されたレーザ光の光路を塞ぐ第1位置と、前記レーザ光の光路から退避した第2位置との間を移動可能に配設されたシャッタと、前記第1位置と前記第2位置の間を、前記シャッタを移動させる為のシャッタ駆動部と、前記レーザ光に関する制御に用いられる電装部と、前記レーザ光出射部と、前記電装部の間に介在し、前記レーザ光出射部を覆うように配設された保護部材と、を有し、前記シャッタは、前記第1位置に位置する場合に、前記レーザ光出射部からのレーザ光を減衰させて反射し、前記レーザ光の光路に対して、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間へ前記レーザ光の反射光が入射する角度をなすように配設されていることを特徴とする。
当該レーザ出射装置は、レーザ光源と、レーザ光出射部と、シャッタと、シャッタ駆動部と、電装部と、保護部材と、を有しており、シャッタ駆動部によって、シャッタを第1位置に移動させることで、レーザ光出射部から出射されるレーザ光の光路を遮断することができる。当該レーザ出射装置において、シャッタは、第1位置に位置する場合に、前記レーザ光出射部からのレーザ光を減衰させて反射し、当該レーザ光の反射光を、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間へ導く。従って、当該レーザ出射装置は、第1位置に位置するシャッタの反射や、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間において、反射光を減衰させることができ、レーザ出射装置の安全性を確保すると共に、レーザ光出射部等の損傷を防止し得る。又、保護部材は、前記レーザ光出射部と、前記電装部の間に介在し、レーザ光出射部を覆うように配設されており、レーザ出射装置の安全性を確保する為の構成の一部を為す。つまり、当該レーザ出射装置によれば、レーザ光の反射光を吸収する為の構成を別に配設することなく、レーザ出射装置の安全性を確保することができるので、レーザ出射装置の小型化に対応し得る。
本発明の他の側面に係るレーザ出射装置は、請求項1記載のレーザ出射装置であって、前記保護部材は、前記レーザ光の反射光を吸収する光吸収層を、前記レーザ光出射部と対向する内壁面に有することを特徴とする。
当該レーザ出射装置は、保護部材の内壁面に光吸収層を有している。当該レーザ出射装置において、シャッタによるレーザ光の反射光は、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間に入射されるので、当該レーザ光の反射光は、保護部材の内壁面における光吸収層に入射され得る。即ち、当該レーザ出射装置によれば、レーザ光の反射光を、保護部材の光吸収層で吸収することができるので、レーザ出射装置の安全性を、十分に確保することができる。
本発明の他の側面に係るレーザ出射装置は、請求項1又は請求項2記載のレーザ出射装置であって、前記レーザ光出射部は、前記レーザ光の反射光を吸収する光吸収層を、前記保護部材と対向する外表面に有することを特徴とする。
当該レーザ出射装置は、レーザ光出射部の外表面に光吸収層を有している。当該レーザ出射装置において、シャッタによるレーザ光の反射光は、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間に入射されるので、当該レーザ光の反射光は、レーザ光出射部の外表面における光吸収層に入射され得る。即ち、当該レーザ出射装置によれば、レーザ光の反射光を、レーザ光出射部の光吸収層で吸収することができるので、レーザ出射装置の安全性を、十分に確保することができる。
本発明の他の側面に係るレーザ出射装置は、請求項1乃至請求項3の何れかに記載のレーザ出射装置であって、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間における間隔は、前記レーザ光出射部における前記レーザ光の出射方向上流側ほど狭いことを特徴とする。
当該レーザ出射装置においては、シャッタによるレーザ光の反射光は、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間に入射され、レーザ光出射部の外表面と保護部材の内壁面で反射されつつ、出射方向上流側へと向かう。ここで、レーザ出射装置によれば、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間における間隔は、前記レーザ光出射部における前記レーザ光の出射方向上流側ほど狭い為、出射方向上流側へ向かう程、頻繁に反射を発生させて、レーザ光の反射光を減衰させることができる。即ち、当該レーザ出射装置によれば、出射方向上流側に向かう程、レーザ光の反射光を減衰させることができるので、レーザ出射装置の安全性を、十分に確保することができる。
本発明の他の側面に係るレーザ出射装置は、請求項1乃至請求項4の何れかに記載のレーザ出射装置であって、前記電装部は、前記レーザ出射装置の制御に用いられる基板と、前記レーザ出射装置を構成する各部を接続する配線と、を含み、前記保護部材は、前記レーザ光の光路に対する前記配線の進入を防止することを特徴とする。
当該レーザ出射装置において、前記電装部は、基板と、配線と、を含んでおり、前記保護部材は、前記レーザ光の光路に対する前記配線の進入を防止している。当該レーザ出射装置によれば、レーザ光の光路に対する前記配線の進入を防止する為の保護部材を用いて、レーザ出射装置の安全性を確保する為の構成とすることができる。つまり、当該レーザ出射装置によれば、レーザ光の反射光を吸収する為の構成を別に配設することなく、レーザ出射装置の安全性を確保することができるので、レーザ出射装置の小型化に対応し得る。
本発明の他の側面に係るレーザ出射装置は、請求項1乃至請求項5の何れかに記載のレーザ出射装置であって、前記シャッタは、前記シャッタ駆動部によって前記第1位置と前記第2位置との間を移動する際に、前記レーザ光の光路に対する角度を維持した状態で移動することを特徴とする。
当該レーザ出射装置において、前記シャッタは、前記シャッタ駆動部によって前記第1位置と前記第2位置との間を移動する際に、前記レーザ光の光路に対する角度を維持した状態で移動する。これにより、当該レーザ出射装置によれば、第1位置と第2位置との間をシャッタが移動する過程においても、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間へ、レーザ光を反射することができ、レーザ光が想定外の位置に反射して、レーザ出射装置の構成部品を損傷させることを防止し得る。
以下、本発明に関するレーザ出射装置を、レーザ出射装置1として具体化した実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。本実施形態に係るレーザ出射装置1は、加工対象物の表面上に対してマーキング加工を行う為に、レーザ光としてのパルスレーザLを出射し、2次元走査するように構成されており、所望のマーキング加工を行う為のレーザ加工装置及びレーザ加工システムの一部を構成する。
尚、以下の説明においては、図1の左方向、右方向、上方向、下方向が、それぞれレーザ出射装置1の前方向、後方向、上方向、下方向である。従って、図2に示すように、レーザ発振器21のパルスレーザLの出射方向が前方向である。パルスレーザL及び本体ベース85に対して垂直な方向が上下方向である。そして、レーザ出射装置1の上下方向及び前後方向に直交する方向が、レーザ出射装置1の左右方向である。
(レーザ出射装置の概略構成)
本実施形態に係るレーザ出射装置1は、パルスレーザLを出射して加工対象物上を2次元走査させるレーザ出力部10と、当該レーザ出力部10を内部に収納する筐体80とを有して構成されている。
本実施形態に係るレーザ出射装置1は、パルスレーザLを出射して加工対象物上を2次元走査させるレーザ出力部10と、当該レーザ出力部10を内部に収納する筐体80とを有して構成されている。
図1〜図3に示すように、レーザ出力部10は、レーザ発振ユニット20と、保護部材25と、光シャッタ部30と、第1ミラー35と、第2ミラー40と、ガイド光部45と、光センサ50と、ガルバノスキャナ60と、fθレンズ65と、電装部70と、を有して構成されており、レーザ発振ユニット20から出力されたパルスレーザLを、ガルバノスキャナ60を制御することによって、加工対象物上を2次元走査することができる。
そして、筐体80は、レーザ出力部10を内部に収納可能な略直方体形状に形成されており、筐体80の上部を構成する本体カバー81と、蓋部材82と、配線挿通部83と、筐体80の下部を構成する本体ベース85とを有している。本体カバー81は、下側(本体ベース85)が開口された略箱体状に形成されており、本体ベース85上に配設されたレーザ出力部10を覆うようにして、レーザ出力部10を内部に収納する。
当該本体ベース85の上面後方部分には、平面視略矩形状の開口部が、レーザ発振ユニット20の直上にあたる所定範囲に亘って開設されている。当該開口部には、平面視略矩形を為す板状に形成された蓋部材82が取り付けられており、本体カバー81の開口部を閉塞するように、ネジ止めされている。
本体カバー81の後側側壁部分には、配線挿通部83が形成されており、後述するレーザ発振ユニット20の後側に対向部分を開口して形成されている。当該配線挿通部83は、レーザコントローラ、電源ユニット等に対して電気的に接続されたケーブルや、励起用半導体レーザ部に接続された光ファイバ等によって挿通される。
(レーザ出力部の具体的構成)
図1〜図4に示すように、レーザ発振ユニット20は、レーザ発振器21と、ビームエキスパンダ22とを有して構成されている。レーザ発振器21は、ファイバコネクタと、集光レンズと、反射鏡と、レーザ媒質と、受動Qスイッチと、出力カプラーと、ウィンドウとをケーシング内に有している。ファイバコネクタには、配線挿通部83を介して、筐体80内部に導入された光ファイバが接続されており、励起用半導体レーザ部(図示せず)から出射された励起光が、光ファイバを介して入射される。
図1〜図4に示すように、レーザ発振ユニット20は、レーザ発振器21と、ビームエキスパンダ22とを有して構成されている。レーザ発振器21は、ファイバコネクタと、集光レンズと、反射鏡と、レーザ媒質と、受動Qスイッチと、出力カプラーと、ウィンドウとをケーシング内に有している。ファイバコネクタには、配線挿通部83を介して、筐体80内部に導入された光ファイバが接続されており、励起用半導体レーザ部(図示せず)から出射された励起光が、光ファイバを介して入射される。
集光レンズは、ファイバコネクタから入射された励起光を集光する。反射鏡は、集光レンズによって集光された励起光を透過すると共に、レーザ媒質から出射されたレーザ光を高効率で反射する。レーザ媒質は、励起用半導体レーザ部から出射された励起光によって励起されてレーザ光を発振する。レーザ媒質としては、例えば、レーザ活性イオンとしてネオジウム(Nd)が添加されたネオジウム添加ガドリニウムバナデイト(Nd:GdVO4)結晶や、ネオジウム添加イットリウムバナデイト(Nd:YVO4)結晶や、ネオジウム添加イットリウムアルミニウムガーネット(Nd:YAG)結晶等を用いることができる。
受動Qスイッチは、内部に蓄えられた光エネルギーが或る一定値を超えたとき、透過率が高くなるという性質を持った結晶である。従って、受動Qスイッチは、レーザ媒質によって発振されたレーザ光をパルス状のパルスレーザLとして発振するQスイッチとして機能する。受動Qスイッチとしては、例えば、クローム添加YAG(Cr:YAG)結晶やCr:MgSiO4結晶等を用いることができる。
出力カプラーは、反射鏡とレーザ共振器を構成する。出力カプラーは、例えば、表面に誘電体多層膜をコーティングした凹面鏡により構成された部分反射鏡で、波長1064nmでの反射率は、80%〜95%である。ウィンドウは、合成石英等から形成され、出力カプラーから出射されたレーザ光を外部へ透過させる。従って、レーザ発振器21は、受動Qスイッチを介してパルスレーザを発振し、加工対象物表面にマーキング加工を行うためのレーザ光として、パルスレーザLを出力する。
ビームエキスパンダ22は、パルスレーザLのビーム径を変更するものであり、レーザ発振器21と同軸に設けられている。図4、図5に示すように、当該ビームエキスパンダ22の外表面には、光吸収層23が形成されている。当該光吸収層23は、レーザ発振ユニット20の外表面に対して、艶消し黒アルマイト加工処理を施すことによって形成される。当該光吸収層23は、シャッタ31で反射されたパルスレーザLの反射光Rを吸収し得る。
保護部材25は、金属製の板材を折り曲げ加工することによって形成されており、レーザ発振ユニット20のビームエキスパンダ22を覆うように配設されている。当該保護部材25は、ビームエキスパンダ22の上方及び左右両側部分において、ビームエキスパンダ22と、電装部70を構成する配線ケーブル75との間に介在している(図2、図3参照)。従って、当該保護部材25は、パルスレーザL及び反射光Rの光路に対する配線ケーブル75の進入を防止する。
図4、図5に示すように、保護部材25の内壁面(即ち、ビームエキスパンダ22の外周面と対向する面)には、光吸収層26が形成されている。当該光吸収層26は、ビームエキスパンダ22における光吸収層26と同様に、保護部材25の内壁面に対して、艶消し黒アルマイト加工処理を施すことによって形成される。当該光吸収層23は、シャッタ31で反射されたパルスレーザLの反射光Rを吸収し得る。
そして、本実施形態に係る保護部材25は、ビームエキスパンダ22の外表面と、保護部材25の内壁面との間の間隔がレーザ出射装置1の前方側ほど広くなるように形成されている。図5に示すように、ビームエキスパンダ22の外表面と、保護部材25の内壁面との間の間隔に関し、パルスレーザLの出射方向上流側における上流側間隔WUは、パルスレーザLの出射方向下流側における下流側間隔WDよりも狭く形成されている。
光シャッタ部30は、平板状のシャッタ31と、シャッタモータ32とから構成されている。シャッタモータ32は、ステッピングモータ等で構成されている。シャッタ31は、シャッタモータ32のモータ軸に取り付けられて同軸に回転する。
シャッタ31は、ビームエキスパンダ22から出射されたパルスレーザLの光路を遮る第1位置に回転した際には、その表面がパルスレーザLの光路に対して所定の角度θを為すように配置される。これにより、シャッタ31は、レーザ発振ユニット20からのパルスレーザLを減衰させて、反射光Rとして、レーザ発振ユニット20の外表面と、保護部材25の内壁面との間に向かって反射する(図5参照)。一方、シャッタ31がビームエキスパンダ22から出射されたパルスレーザLの光路上に位置しない第2位置に回転した場合には、ビームエキスパンダ22から出射されたパルスレーザLは、ビームエキスパンダ22の前方に配置された第1ミラー35に入射する。
上述したように、シャッタ31は、シャッタモータ32のモータ軸に取り付けられて同軸に回転する為、第1位置と第2位置との間を移動する過程においても、シャッタ31表面とパルスレーザLの光路がなす角度を角度θに維持することができる。
第1ミラー35は、前後方向に伸びるパルスレーザLの光路に対して45度の角度を形成するように配置され、パルスレーザLを、第1ミラー35の右側に位置する第2ミラー40に向かって反射する。
第2ミラー40は、第1ミラー35によって反射されて右方向へ向かうパルスレーザLの光路に対して、45度の角度を形成するように配置されており、ハーフミラーによって構成される。第2ミラー40は、第1ミラー35によって反射されたパルスレーザLの一部を、第2ミラー40の前方側に位置するガルバノスキャナ60に向かって反射する。又、第2ミラー40は、第1ミラー35によって反射されたパルスレーザLにおける他の一部を、第2ミラー40の右側に位置する光センサ50へ透過する。又、第2ミラー40は、当該第2ミラー40の後方側に配設されたガイド光部45から前方に向かって出射された可視レーザ光Mを、第2ミラー40の前方側に位置するガルバノスキャナ60に向かって透過する。
ガイド光部45は、可視レーザ光として、例えば、赤色レーザ光を出射する可視半導体レーザ46と、可視半導体レーザ46から出射された可視レーザ光Mを平行光に収束するレンズ群(図示せず)とから構成されている。可視レーザ光Mは、レーザ発振器21から出射されるパルスレーザLと異なる波長である。ガイド光部45は、第2ミラー40の後方側において、可視レーザ光Mの光軸が第1ミラー35からのパルスレーザLを反射した後の光路と一致するように配置されている。可視半導体レーザ46は、可視レーザ光MをパルスレーザLの光路上に出射する。
光センサ50は、パルスレーザLの発光強度を検出するフォトダイオード等で構成され、第1ミラー35によって反射され、第2ミラー40を透過したパルスレーザLの出力強度を検出する。従って、光センサ50を介してレーザ発振器21から出力されるパルスレーザLの強度を検出することができる。
ガルバノスキャナ60は、本体ベース85の前側端部に形成された貫通孔の上側に取り付けられ、レーザ発振ユニット20から出射されたパルスレーザLと、第2ミラー40を透過した可視レーザ光Mとを下方へ2次元走査する。ガルバノスキャナ60は、ガルバノX軸モータ61と、ガルバノY軸モータ62と、本体部63により構成されている。ガルバノX軸モータ61とガルバノY軸モータ62は、それぞれのモータ軸が互いに直交するように外側からそれぞれの取付孔に嵌入、保持されて本体部63に取り付けられている。
従って、当該ガルバノスキャナ60においては、各モータ軸の先端部に取り付けられた走査ミラーが内側で互いに対向している。そして、ガルバノX軸モータ61、ガルバノY軸モータ62の回転をそれぞれ制御して、各走査ミラーを回転させることによって、パルスレーザLと可視レーザ光Mとを下方へ2次元走査する。この2次元走査方向は、前後方向(X方向)と左右方向(Y方向)である。
fθレンズ65は、下方に配置された加工対象物(ワーク等)の表面に対して、ガルバノスキャナ60によって2次元走査されたパルスレーザLと可視レーザ光Mとを同軸に集光する。そして、当該fθレンズ65は、パルスレーザLや可視レーザ光M等を収束した焦点を、平面状の焦点面とすると共に、パルスレーザLや可視レーザ光Mの走査速度が一定になるように補正する。従って、ガルバノX軸モータ61、ガルバノY軸モータ62の回転を制御することによって、パルスレーザLと可視レーザ光Mが、加工対象物表面において、所望の加工パターンで前後方向(X方向)と左右方向(Y方向)に2次元走査される。
電装部70は、レーザ出力部10における各構成を制御する為の制御基板や、制御信号の伝送や電源供給を行う為の配線等を含んでおり、ガルバノドライバ71と、中継基板72と、配線ケーブル75を含んで構成されている。
ガルバノドライバ71は、電源ケーブル(図示せず)を介して電源を供給されると共に、配線ケーブル75を介して制御信号が入力され、ガルバノスキャナ60を駆動制御する。ガルバノドライバ71は、本体ベース85の左右方向において、本体ベース85の右側後方部分に立設されており、レーザ発振器21の右側に所定距離で平行に対向するように配置されている。
そして、中継基板72は、レーザ発振ユニット20におけるレーザ発振器21の上方に配設されており、筐体80外部に配置された各種構成装置(例えば、電源ユニット等)と、レーザ出力部10における各種構成とを電気的に接続する為に、その間を中継する基板である。当該中継基板72には、筐体80の配線挿通部83を介して、筐体80内部に導入された配線ケーブル75や、光センサ50やガルバノドライバ71等と接続された配線ケーブル75が接続されている。
(シャッタの開閉動作に伴うパルスレーザLの光路変化)
ここで、上述した構成のレーザ出射装置1において、光シャッタ部30の開閉動作に伴うパルスレーザLの光路変化について、図面を参照しつつ詳細に説明する。本実施形態においては、光シャッタ部30のシャッタ31が第1位置に位置した場合、シャッタ31の表面は、レーザ発振ユニット20から出射されるパルスレーザLの光路に対して、角度θを為すパルスレーザLを減衰させて反射する。
ここで、上述した構成のレーザ出射装置1において、光シャッタ部30の開閉動作に伴うパルスレーザLの光路変化について、図面を参照しつつ詳細に説明する。本実施形態においては、光シャッタ部30のシャッタ31が第1位置に位置した場合、シャッタ31の表面は、レーザ発振ユニット20から出射されるパルスレーザLの光路に対して、角度θを為すパルスレーザLを減衰させて反射する。
図5に示すように、シャッタ31表面に対して角度θを為した反射された反射光Rは、ビームエキスパンダ22の外周面と、保護部材25の内壁面との間に向かって反射される。ビームエキスパンダ22の外周面と、保護部材25の内壁面との間は、パルスレーザLの出射方向下流側(即ち、レーザ出射装置1の前方側)ほど広く、上流側に向かうにつれて狭くなっている。
この為、当該レーザ出射装置1によれば、第1位置に位置するシャッタ31による反射光Rを、容易にビームエキスパンダ22の外周面と、保護部材25の内壁面との間に導くことができる。又、ビームエキスパンダ22の外周面と、保護部材25の内壁面との間に入射された反射光Rは、ビームエキスパンダ22の光吸収層23や、保護部材25の光吸収層26によって吸収されつつ反射されて、レーザ出射装置1の後方側へ向かう。この時、出射方向上流側に向かう程、ビームエキスパンダ22の外周面と、保護部材25の内壁面との間の間隔が狭くなっている為、光吸収層23及び光吸収層26による吸収の頻度を高めることができ、パルスレーザLの反射光Rの強度を十分に低下させることができ、もって、レーザ出射装置1の安全性を、十分に確保することができる。
そして、シャッタ31は、シャッタモータ32のモータ軸に取り付けられて同軸に回転する為、第1位置と第2位置との間を移動する過程においても、シャッタ31表面とパルスレーザLの光路がなす角度を角度θに維持して移動する。パルスレーザLの光路に対するシャッタ31表面の角度θが変動することがない為、当該レーザ出射装置1によれば、シャッタ31が第1位置と第2位置の間を移動する過程においても、ビームエキスパンダ22の外周面と、保護部材25の内壁面との間に、反射光Rを確実に反射することができ、反射光Rが想定外の位置に反射して、レーザ出力部10の構成部品(例えば、電装部70)を損傷させることを防止することができる。
以上説明したように、本実施形態に係るレーザ出射装置1は、レーザ発振器21及びビームエキスパンダ22を有するレーザ発振ユニット20と、シャッタ31及びシャッタモータ32とを有する光シャッタ部30と、保護部材25と、電装部70とを有しており、シャッタ31を第1位置に移動させることで、レーザ発振ユニット20からのパルスレーザLの光路を遮断することができる。
図5に示すように、シャッタ31は、第1位置に位置する場合に、パルスレーザLを減衰させて反射光Rとして反射し、当該反射光Rを、ビームエキスパンダ22と保護部材25の間に導くことができる。当該レーザ出射装置1によれば、シャッタ31による反射や、ビームエキスパンダ22及び保護部材25の間における反射に際して、反射光Rを減衰させることができ、レーザ出射装置1の安全性を確保すると共に、レーザ発振ユニット20等の損傷を防止し得る。
又、保護部材25は、前記ビームエキスパンダ22と、前記電装部70の配線ケーブル75の間に介在し、ビームエキスパンダ22を覆うように配設されており(図4参照)、レーザ出射装置1の安全性を確保する為の構成の一部を為す。つまり、当該レーザ出射装置1によれば、パルスレーザLの反射光Rを吸収する為の構成(例えば、光ダンパ等)を別に配設することなく、レーザ出射装置1の安全性を確保することができるので、レーザ出射装置1の小型化に対応し得る。
そして、保護部材25の内壁面に光吸収層26を有しており、シャッタ31によるパルスレーザLの反射光Rは、ビームエキスパンダ22と保護部材25の間に入射されるので、当該反射光Rは、保護部材25の内壁面における光吸収層26に入射され得る(図5参照)。即ち、当該レーザ出射装置1によれば、パルスレーザLの反射光Rを、保護部材25の光吸収層26で吸収することができるので、レーザ出射装置1の安全性を、十分に確保することができる。
更に、ビームエキスパンダ22の外表面に光吸収層23を有しており、シャッタ31によるパルスレーザLの反射光Rは、ビームエキスパンダ22と保護部材25の間に入射されるので、当該反射光Rは、ビームエキスパンダ22の外表面における光吸収層23に入射され得る(図5参照)。即ち、当該レーザ出射装置1によれば、パルスレーザLの反射光Rを、ビームエキスパンダ22の光吸収層23で吸収することができるので、レーザ出射装置1の安全性を、十分に確保することができる。
図5に示すように、シャッタ31によるパルスレーザLの反射光Rは、ビームエキスパンダ22と保護部材25の間に入射され、ビームエキスパンダ22の外表面と保護部材25の内壁面で反射されつつ、出射方向上流側(レーザ出射装置1の後方)へと向かう。ここで、レーザ出射装置1によれば、ビームエキスパンダ22と保護部材25の間における間隔(上流側間隔WU、下流側間隔WD)は、レーザ発振ユニット20におけるパルスレーザLの出射方向上流側ほど狭い為、出射方向上流側へ向かう程、頻繁に反射を発生させて、反射光Rを減衰させることができる。即ち、当該レーザ出射装置1によれば、出射方向上流側に向かう程、パルスレーザLの反射光Rを減衰させることができるので、レーザ出射装置1の安全性を、十分に確保することができる。
本実施形態においては、前記電装部70は、ガルバノドライバ71と、中継基板72と、配線ケーブル75と、を含んでおり、前記保護部材25は、前記パルスレーザL及び反射光Rの光路に対する配線ケーブル75の進入を防止している。当該レーザ出射装置1によれば、パルスレーザLの光路に対する配線ケーブル75の進入を防止する為の保護部材25を用いて、レーザ出射装置1の安全性を確保する為の構成とすることができる。つまり、当該レーザ出射装置1によれば、パルスレーザLの反射光Rを吸収する為の構成(例えば、光ダンパ等)を別に配設することなく、レーザ出射装置1の安全性を確保することができるので、レーザ出射装置1の小型化に対応し得る。
更に、本実施形態においては、シャッタ31は、シャッタモータ32のモータ軸に取り付けられて同軸に回転する為、第1位置と第2位置との間を移動する過程においても、シャッタ31表面とパルスレーザLの光路がなす角度を角度θに維持して移動する。パルスレーザLの光路に対するシャッタ31表面の角度θが変動することがない為、当該レーザ出射装置1によれば、シャッタ31が第1位置と第2位置の間を移動する過程においても、ビームエキスパンダ22の外周面と、保護部材25の内壁面との間に、反射光Rを確実に反射することができ、反射光Rが想定外の位置に反射して、レーザ出力部10の構成部品(例えば、電装部70)を損傷させることを防止することができる。
尚、上述した実施形態において、レーザ出射装置1は、本発明におけるレーザ出射装置の一例である。そして、レーザ発振ユニット20及びレーザ発振器21は、本発明におけるレーザ光源の一例であり、レーザ発振ユニット20及びビームエキスパンダ22は、本発明におけるレーザ光出射部の一例である。又、光吸収層23は、本発明におけるレーザ光出射部の光吸収層の一例であり、保護部材25は、本発明における保護部材の一例である。そして、光吸収層26は、本発明における保護部材の光吸収層の一例であり、シャッタ31は、本発明におけるシャッタの一例である。そして、シャッタモータ32は、本発明におけるシャッタ駆動部の一例であり、電装部70は、本発明における電装部の一例である。又、ガルバノドライバ71及び中継基板72は、本発明における基板の一例であり、配線ケーブル75は、本発明における配線の一例である。そして、パルスレーザLは、本発明におけるレーザ光の一例であり、反射光Rは、本発明における反射光一例である。
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変更が可能である。例えば、上述した実施形態においては、ビームエキスパンダ22の外表面及び保護部材25の内壁面に、夫々、光吸収層23、光吸収層26を形成していたが、この態様に限定されるものではない。ビームエキスパンダ22の外周面と、保護部材25の内壁面の何れか一方に、光吸収層を形成してもよい。
又、上述した実施形態においては、光吸収層は、艶消し黒アルマイト加工を施すことによって形成していたが、この態様に限定されるものではない。本発明における光吸収層は、パルスレーザLの反射光Rを吸収可能な構成であれば、種々の構成を採用することができる。
更に、上述した実施形態においては、図4、図5に示すように、ビームエキスパンダ22と保護部材25の間における間隔が、レーザ発振ユニット20におけるパルスレーザLの出射方向上流側ほど狭くなるように形成されているが、この態様に限定されるものではない。例えば、ビームエキスパンダ22と保護部材25の間における間隔が一定となるように、ビームエキスパンダ22の外周面と、保護部材25の内壁面を平行に形成してもよい。
又、上述した実施形態においては、光シャッタ部30は、シャッタモータ32のモータ軸と共に、シャッタ31を回転させることで、パルスレーザLの光路を開放・遮断する構成であったが、シャッタ31を移動させることで、パルスレーザLの光路を開放・遮断可能な構成であれば、種々の態様を採用することができる。例えば、ソレノイドによって、シャッタ31を回転移動させてもよい。又、ソレノイドによって、シャッタ31をスライド移動させる構成であってもよい。
1 レーザ出射装置
10 レーザ出力部
20 レーザ発振ユニット
21 レーザ発振器
22 ビームエキスパンダ
23 光吸収層
25 保護部材
26 光吸収層
30 光シャッタ部
31 シャッタ
32 シャッタモータ
70 電装部
71 ガルバノドライバ
72 中継基板
75 配線ケーブル
L パルスレーザ
R 反射光
10 レーザ出力部
20 レーザ発振ユニット
21 レーザ発振器
22 ビームエキスパンダ
23 光吸収層
25 保護部材
26 光吸収層
30 光シャッタ部
31 シャッタ
32 シャッタモータ
70 電装部
71 ガルバノドライバ
72 中継基板
75 配線ケーブル
L パルスレーザ
R 反射光
Claims (6)
- レーザ光源と、
前記レーザ光源からのレーザ光を、所定の出射方向へ出射するレーザ光出射部と、
前記レーザ光出射部から出射されたレーザ光の光路を塞ぐ第1位置と、前記レーザ光の光路から退避した第2位置との間を移動可能に配設されたシャッタと、
前記第1位置と前記第2位置の間を、前記シャッタを移動させる為のシャッタ駆動部と、
前記レーザ光に関する制御に用いられる電装部と、
前記レーザ光出射部と、前記電装部の間に介在し、前記レーザ光出射部を覆うように配設された保護部材と、を有し、
前記シャッタは、
前記第1位置に位置する場合に、前記レーザ光出射部からのレーザ光を減衰させて反射し、
前記レーザ光の光路に対して、前記レーザ光出射部と前記保護部材の間へ前記レーザ光の反射光が入射する角度をなすように配設されている
ことを特徴とするレーザ出射装置。 - 前記保護部材は、前記レーザ光の反射光を吸収する光吸収層を、前記レーザ光出射部と対向する内壁面に有する
ことを特徴とする請求項1記載のレーザ出射装置。 - 前記レーザ光出射部は、前記レーザ光の反射光を吸収する光吸収層を、前記保護部材と対向する外表面に有する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のレーザ出射装置。 - 前記レーザ光出射部と前記保護部材の間における間隔は、前記レーザ光出射部における前記レーザ光の出射方向上流側ほど狭い
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載のレーザ出射装置。 - 前記電装部は、
前記レーザ出射装置の制御に用いられる基板と、
前記レーザ出射装置を構成する各部を接続する配線と、を含み、
前記保護部材は、前記レーザ光の光路に対する前記配線の進入を防止する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載のレーザ出射装置。 - 前記シャッタは、
前記シャッタ駆動部によって前記第1位置と前記第2位置との間を移動する際に、前記レーザ光の光路に対する角度を維持した状態で移動する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載のレーザ出射装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015073925A JP6269553B2 (ja) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | レーザ出射装置 |
PCT/JP2016/059605 WO2016158741A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-25 | レーザ出射装置 |
US15/718,222 US10651620B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-09-28 | Laser emitting device provided with shutter for interrupting laser beam |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015073925A JP6269553B2 (ja) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | レーザ出射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016195163A JP2016195163A (ja) | 2016-11-17 |
JP6269553B2 true JP6269553B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=57004281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015073925A Active JP6269553B2 (ja) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | レーザ出射装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10651620B2 (ja) |
JP (1) | JP6269553B2 (ja) |
WO (1) | WO2016158741A1 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3648056A (en) * | 1970-01-12 | 1972-03-07 | Honeywell Inc | Optical detector with radiant energy absorbing chamber |
JPH0314641Y2 (ja) | 1980-04-02 | 1991-04-02 | ||
US4864098A (en) * | 1988-05-19 | 1989-09-05 | Rofin-Sinar, Inc. | High powered beam dump |
JPH09122963A (ja) | 1995-11-06 | 1997-05-13 | Amada Eng Center:Kk | レーザ光用シャッターのレーザ光吸収装置 |
JPH1058181A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-03 | Amada Eng Center:Kk | レーザビームの遮光装置 |
JP3584828B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2004-11-04 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置、光ファイバー調整治具および光ファイバー調整方法 |
JP4479065B2 (ja) | 2000-06-22 | 2010-06-09 | 株式会社Ihi | レーザ加工装置 |
JP3678686B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2005-08-03 | 川崎重工業株式会社 | 高強度レーザビーム用光吸収装置 |
US6762866B2 (en) * | 2001-12-03 | 2004-07-13 | Lockheed Martin Corporation | High speed mechanical laser shutter |
JP5146436B2 (ja) | 2009-10-06 | 2013-02-20 | 三菱電機株式会社 | レーザ光吸収装置及びその固体レーザ装置 |
JP5817773B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2015-11-18 | ブラザー工業株式会社 | レーザ加工装置 |
-
2015
- 2015-03-31 JP JP2015073925A patent/JP6269553B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-25 WO PCT/JP2016/059605 patent/WO2016158741A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-09-28 US US15/718,222 patent/US10651620B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10651620B2 (en) | 2020-05-12 |
US20180019563A1 (en) | 2018-01-18 |
JP2016195163A (ja) | 2016-11-17 |
WO2016158741A1 (ja) | 2016-10-06 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161206 |
|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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