WO2016090669A1 - 阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents
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Definitions
- the pixel structure in the pixel structure sub-region on both sides of the boundary of the pixel structure region includes a pixel electrode having a plurality of line widths.
- the array substrate includes a plurality of data lines, a plurality of scan lines, and a pixel structure having pixel electrodes alternately formed by the data lines and the scan lines.
- the pixel structure in the pixel structure sub-region on both sides of the pixel structure region boundary of the array substrate of the preferred embodiment includes a pixel electrode having a plurality of line widths and/or a different-shaped pixel electrode.
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Abstract
一种阵列基板,其包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域(11,12),每个像素结构区域(11,12)包括多个像素结构子区域(111,112,113,121,122,123),每个像素结构子区域(111,112,113,121,122,123)包括多个像素结构;像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域(111,121)中的像素结构呈浓度分布,所述阵列基板使得液晶显示面板的像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域(111,121)的亮度可均匀显示。
Description
本发明涉及液晶显示领域,特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
随着社会的发展,液晶显示装置已逐渐成为越来越重要的主流显示装置。现有的液晶显示装置具有多种显示模式,如VA
(Vertical Alignment,垂直配向)显示模式、IPS(In-Plane Switching,平面转换)显示模式以及FFS(Fringe
Field Switching,边缘场开关技术)显示模式等。
为了使得液晶显示装置具有较大的视角,液晶显示面板中的每个像素均会设置多个显示畴,每个显示畴的液晶显示面板的像素电极可为不同延伸方向的凸起或狭缝。
但是在制作上述像素电极时,需要同时使用不同的曝光透镜对像素电极进行图形化处理,这样导致与曝光透镜边缘处对应的像素电极的线宽易发生异变,使得曝光透镜边缘处的像素的显示亮度均匀性较差,即越靠近曝光透镜边缘处的像素,显示亮度越低,从而影响液晶显示装置的显示品质。
故,有必要提供一种阵列基板及液晶显示面板,以解决现有技术所存在的问题。
本发明的目的在于提供一种可保证较高亮度均匀性的阵列基板及液晶显示面板;以解决现有的液晶显示面板的曝光透镜边缘处的像素的显示亮度均匀性较差的技术问题。
本发明实施例提供一种阵列基板,包括多个数据线、多个扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的具有像素电极的像素结构;
其中所述阵列基板包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域,每个像素结构区域包括多个像素结构子区域,每个所述像素结构子区域包括多个像素结构;
所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构呈浓度分布;
其中所述浓度分布是指靠近所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较多,远离所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较少;
其中所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构包括具有多种线宽的像素电极;
其中所述像素结构具有多个显示畴,每个显示畴上的像素电极的延伸方向不同。
在本发明所述的阵列基板中,所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构还包括异形的像素电极。
在本发明所述的阵列基板中,所述异形的像素电极包括具有凸起的像素电极。
在本发明所述的阵列基板中,所述异形的像素电极包括具有凹陷和凸起的像素电极。
在本发明所述的阵列基板中,所述异形的像素电极包括具有缺口的像素电极。
本发明实施例提供一种阵列基板,包括多个数据线、多个扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的具有像素电极的像素结构,其中,
所述阵列基板包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域,每个像素结构区域包括多个像素结构子区域,每个所述像素结构子区域包括多个像素结构;
所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构呈浓度分布;
其中所述浓度分布是指靠近所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较多,远离所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较少。
在本发明所述的阵列基板中,所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构包括具有多种线宽的像素电极。
在本发明所述的阵列基板中,所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构还包括异形的像素电极。
在本发明所述的阵列基板中,所述异形的像素电极包括具有凸起的像素电极。
在本发明所述的阵列基板中,所述异形的像素电极包括具有凹陷和凸起的像素电极。
在本发明所述的阵列基板中,所述异形的像素电极包括具有缺口的像素电极。
在本发明所述的阵列基板中,所述像素结构具有多个显示畴,每个显示畴上的像素电极的延伸方向不同。
本发明实施例还提供一种液晶显示面板,其包括:阵列基板、对盒基板以及设置在所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层;
其中所述阵列基板包括多个数据线、多个扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的具有像素电极的像素结构,
所述阵列基板包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域,每个像素结构区域包括多个像素结构子区域,每个所述像素结构子区域包括多个像素结构;
所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构呈浓度分布;
其中所述浓度分布是指靠近所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较多,远离所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较少。
在本发明所述的液晶显示面板中,所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构包括具有多种线宽的像素电极。
在本发明所述的液晶显示面板中,所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构还包括异形的像素电极。
在本发明所述的液晶显示面板中,所述异形的像素电极包括具有凸起的像素电极。
在本发明所述的液晶显示面板中,所述异形的像素电极包括具有凹陷和凸起的像素电极。
在本发明所述的液晶显示面板中,所述异形的像素电极包括具有缺口的像素电极。
在本发明所述的液晶显示面板中,所述像素结构具有多个显示畴,每个显示畴上的像素电极的延伸方向不同。
相较于现有的阵列基板及液晶显示面板,本发明的阵列基板及液晶显示面板通过浓度分布像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域中的像素结构,使得液晶显示面板的像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域的亮度可均匀显示,解决了现有的液晶显示面板的曝光透镜边缘处的像素的显示亮度均匀性较差的技术问题。
图1为本发明的阵列基板的第一优选实施例的结构示意图;
图2A为本发明的阵列基板的第一优选实施例的像素电极的结构示意图之一;
图2B为本发明的阵列基板的第一优选实施例的像素电极的结构示意图之二;
图2C为本发明的阵列基板的第一优选实施例的像素电极的结构示意图之三;
图2D为本发明的阵列基板的第一优选实施例的像素电极的结构示意图之四;
图3为本发明的阵列基板的第二优选实施例的结构示意图;
图4A为本发明的阵列基板的第二优选实施例的像素电极的结构示意图之一;
图4B为本发明的阵列基板的第二优选实施例的像素电极的结构示意图之二;
图4C为本发明的阵列基板的第二优选实施例的像素电极的结构示意图之三;
图4D为本发明的阵列基板的第二优选实施例的像素电极的结构示意图之四。
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1,图1为本发明的阵列基板的第一优选实施例的结构示意图。本优选实施例的阵列基板包括多个数据线、多个扫描线以及由数据线和扫描线交错形成的具有像素电极的像素结构,其中阵列基板包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域,每个像素结构区域包括多个像素结构子区域,每个像素结构子区域包括多个像素结构。像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域中的像素结构呈浓度分布,其中浓度分布是指靠近像素结构区域交界处的像素结构的数量较多,远离像素结构区域交界处的像素结构的数量较少。
请参照图1,图1中的阵列基板包括像素结构区域11和像素结构区域12,像素结构区域11包括像素结构子区域111、像素结构子区域112以及像素结构子区域113,像素结构区域12包括像素结构子区域121、像素结构子区域122以及像素结构子区域123。其中像素结构区域11通过曝光透镜13进行图像化处理形成表面的像素结构,像素结构区域12通过曝光透镜14进行图像化处理形成表面的像素结构。其中像素结构区域11的像素结构子区域111和像素结构区域12的像素结构子区域121分别位于像素结构区域交界处的两侧。
本优选实施例的阵列基板使用时,像素结构子区域111和像素结构子区域121中的像素结构呈浓度分布,靠近像素结构区域交界处的像素结构较多,远离像素结构区域交界处的像素结构的数量较少。靠近像素结构区域交界处的像素结构子区域111和像素结构子区域121的具有更多的可显示像素,远离像素结构区域交界处的像素结构子区域111和像素结构子区域121的具有较少的可显示像素。这样可以较好的弥补像素结构区域交界处的亮度较差的问题,使得整个像素结构区域11和像素结构区域12的亮度均匀性提高。
当然本优选实施例中是以两个像素结构区域进行说明,如阵列基板具有多个像素结构区域,即使用多个曝光透镜形成阵列基板表面的像素结构,在相邻像素结构区域的交界处也采用上述像素结构子区域中的像素结构的设置方式。
优选的,本优选实施例的阵列基板的像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域中的像素结构包括具有多种线宽的像素电极和/或异形的像素电极。
请参照图2A,图2A为本发明的阵列基板的第一优选实施例的像素电极的结构示意图之一,图中的像素电极的线宽a可根据像素结构子区域对应显示区域的显示亮度进行调整,线宽越大,对应区域的显示亮度也越大,线宽越小,对应区域的显示亮度也越小。
请参照图2B,图2B为本发明的阵列基板的第一优选实施例的像素电极的结构示意图之二,图中的异形的像素电极为具有凹陷和凸起的像素电极,这种异形的像素电极可以弥补像素电极的间隔造成的亮度不均匀,使对应显示区域的显示亮度更加均匀。
请参照图2C,图2C为本发明的阵列基板的第一优选实施例的像素电极的结构示意图之三,图中的异形的像素电极为具有凸起的像素电极,这种异形的像素电极可以弥补像素电极的间隔造成的亮度不均匀,使对应显示区域的显示亮度更加均匀。
请参照图2D,图2D为本发明的阵列基板的第一优选实施例的像素电极的结构示意图之四,图中的异形的像素电极为具有缺口的像素电极,这种异形的像素电极可以弥补像素电极的间隔造成的亮度不均匀,使对应显示区域的显示亮度更加均匀。
上述的多种线宽的像素电极以及异形的像素电极可以根据像素结构子区域中的实际显示情况设置到相应的像素结构子区域中,从而对像素结构子区域对应的显示区域的显示亮度进行均匀化调整,进一步提高了对应液晶显示面板的亮度均匀性。
因此本优选实施例的阵列基板通过浓度分布像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域中的像素结构,使得液晶显示面板的像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域的亮度可均匀显示。
请参照图3,图3为本发明的阵列基板的第二优选实施例的结构示意图。本优选实施例的阵列基板包括多个数据线、多个扫描线以及由数据线和扫描线交错形成的具有像素电极的像素结构,其中阵列基板包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域,每个像素结构区域包括多个像素结构子区域,每个像素结构子区域包括多个像素结构。像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域中的像素结构呈浓度分布,其中浓度分布是指靠近像素结构区域交界处的像素结构的数量较多,远离像素结构区域交界处的像素结构的数量较少。
请参照图3,图3中的阵列基板包括像素结构区域31和像素结构区域32,像素结构区域31包括像素结构子区域311、像素结构子区域312以及像素结构子区域313,像素结构区域32包括像素结构子区域321、像素结构子区域322以及像素结构子区域323。其中像素结构区域31通过曝光透镜33进行图像化处理形成表面的像素结构,像素结构区域32通过曝光透镜34进行图像化处理形成表面的像素结构。其中像素结构区域31的像素结构子区域311和像素结构区域32的像素结构子区域321分别位于像素结构区域交界处的两侧。
在第一优选实施例的基础上,本优选实施例的阵列基板的像素结构具有多个显示畴,每个显示畴上的像素电极的延伸方向均不同。
本优选实施例的阵列基板使用时,像素结构子区域311和像素结构子区域321中的像素结构呈浓度分布,靠近像素结构区域交界处的像素结构较多,远离像素结构区域交界处的像素结构的数量较少。靠近像素结构区域交界处的像素结构子区域311和像素结构子区域321的具有更多的可显示像素,远离像素结构区域交界处的像素结构子区域311和像素结构子区域321的具有较少的可显示像素。这样可以较好的弥补像素结构区域交界处的亮度较差的问题,使得整个像素结构区域31和像素结构区域32的亮度均匀性提高。
当然本优选实施例中是以两个像素结构区域进行说明,如阵列基板具有多个像素结构区域,即使用多个曝光透镜形成阵列基板表面的像素结构,在相邻像素结构区域的交界处也采用上述像素结构子区域中的像素结构的设置方式。
同时多个显示畴的像素结构设计可以进一步扩大相应的液晶显示面板的显示视角。
优选的,本优选实施例的阵列基板的像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域中的像素结构包括具有多种线宽的像素电极和/或异形的像素电极。
请参照图4A,图4A为本发明的阵列基板的第二优选实施例的像素电极的结构示意图之一,图中的像素电极的线宽b可根据像素结构子区域对应显示区域的显示亮度进行调整,线宽越大,对应区域的显示亮度也越大,线宽越小,对应区域的显示亮度也越小。
请参照图4B,图4B为本发明的阵列基板的第二优选实施例的像素电极的结构示意图之二,图中的异形的像素电极为具有凹陷和凸起的像素电极,这种异形的像素电极可以弥补像素电极的间隔造成的亮度不均匀,使对应显示区域的显示亮度更加均匀。
请参照图4C,图4C为本发明的阵列基板的第二优选实施例的像素电极的结构示意图之三,图中的异形的像素电极为具有凸起的像素电极,这种异形的像素电极可以弥补像素电极的间隔造成的亮度不均匀,使对应显示区域的显示亮度更加均匀。
请参照图4D,图4D为本发明的阵列基板的第二优选实施例的像素电极的结构示意图之四,图中的异形的像素电极为具有缺口的像素电极,这种异形的像素电极可以弥补像素电极的间隔造成的亮度不均匀,使对应显示区域的显示亮度更加均匀。
上述的多种线宽的像素电极以及异形的像素电极可以根据像素结构子区域中的实际显示情况设置到相应的像素结构子区域中,从而对像素结构子区域对应的显示区域的显示亮度进行均匀化调整,进一步提高了对应液晶显示面板的亮度均匀性。
因此本优选实施例的阵列基板在第一优选实施例的基础上设置具有多个显示畴的像素结构,进一步扩大了相应的液晶显示面板的显示视角。
本发明还提供一种液晶显示面板,该液晶显示面板包括阵列基板、对盒基板以及设置在阵列基板和对盒基板之间的液晶层。其中阵列基板包括多个数据线、多个扫描线以及由数据线和扫描线交错形成的具有像素电极的像素结构。阵列基板包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域,每个像素结构区域包括多个像素结构子区域,每个像素结构子区域包括多个像素结构。像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域中的像素结构呈浓度分布,其中浓度分布是指靠近像素结构区域交界处的像素结构的数量较多,远离像素结构区域交界处的像素结构的数量较少。
优选的,像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域中的像素结构包括具有多种线宽的像素电极和/或异性的像素电极,其中异形的像素电极包括具有凸起的像素电极、具有凹陷和凸起的像素电极以及具有缺口的像素电极的至少其中之一。
优选的,像素结构具有多个显示畴,每个显示畴上的像素电极的延伸方向不同。
本发明的液晶显示面板的具体工作原理与上述的阵列基板的优选实施例中的描述相同或相似,具体请参见上述阵列基板的优选实施例中的相关描述。
本发明的阵列基板及液晶显示面板通过浓度分布像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域中的像素结构,使得液晶显示面板的像素结构区域交界处两侧的像素结构子区域的亮度可均匀显示,解决了现有的液晶显示面板的曝光透镜边缘处的像素的显示亮度均匀性较差的技术问题。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (19)
- 一种阵列基板,包括多个数据线、多个扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的具有像素电极的像素结构;其中所述阵列基板包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域,每个像素结构区域包括多个像素结构子区域,每个所述像素结构子区域包括多个像素结构;所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构呈浓度分布;其中所述浓度分布是指靠近所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较多,远离所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较少;其中所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构包括具有多种线宽的像素电极;其中所述像素结构具有多个显示畴,每个显示畴上的像素电极的延伸方向不同。
- 根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构还包括异形的像素电极。
- 根据权利要求2所述的阵列基板,其中所述异形的像素电极包括具有凸起的像素电极。
- 根据权利要求2所述的阵列基板,其中所述异形的像素电极包括具有凹陷和凸起的像素电极。
- 根据权利要求2所述的阵列基板,其中所述异形的像素电极包括具有缺口的像素电极。
- 一种阵列基板,包括多个数据线、多个扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的具有像素电极的像素结构;其中所述阵列基板包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域,每个像素结构区域包括多个像素结构子区域,每个所述像素结构子区域包括多个像素结构;所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构呈浓度分布;其中所述浓度分布是指靠近所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较多,远离所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较少。
- 根据权利要求6所述的阵列基板,其中所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构包括具有多种线宽的像素电极。
- 根据权利要求6所述的阵列基板,其中所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构还包括异形的像素电极。
- 根据权利要求8所述的阵列基板,其中所述异形的像素电极包括具有凸起的像素电极.。
- 根据权利要求8所述的阵列基板,其中所述异形的像素电极包括具有凹陷和凸起的像素电极。
- 根据权利要求8所述的阵列基板,其中所述异形的像素电极包括具有缺口的像素电极。
- 根据权利要求6所述的阵列基板,其中所述像素结构具有多个显示畴,每个显示畴上的像素电极的延伸方向不同。
- 一种液晶显示面板,其包括:阵列基板、对盒基板以及设置在所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层;其中所述阵列基板包括多个数据线、多个扫描线以及由所述数据线和所述扫描线交错形成的具有像素电极的像素结构,所述阵列基板包括由不同曝光透镜形成的至少两个像素结构区域,每个像素结构区域包括多个像素结构子区域,每个所述像素结构子区域包括多个像素结构;所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构呈浓度分布;其中所述浓度分布是指靠近所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较多,远离所述像素结构区域交界处的所述像素结构的数量较少。
- 根据权利要求13所述的液晶显示面板,其中所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构包括具有多种线宽的像素电极。
- 根据权利要求13所述的液晶显示面板,其中所述像素结构区域交界处两侧的所述像素结构子区域中的所述像素结构还包括异形的像素电极。
- 根据权利要求15所述的液晶显示面板,其中所述异形的像素电极包括具有凸起的像素电极。
- 根据权利要求15所述的液晶显示面板,其中所述异形的像素电极包括具有凹陷和凸起的像素电极。
- 根据权利要求15所述的液晶显示面板,其中所述异形的像素电极包括具有缺口的像素电极。
- 根据权利要求13所述的液晶显示面板,其中所述像素结构具有多个显示畴,每个显示畴上的像素电极的延伸方向不同。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3577625B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2004-10-13 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置の製造方法 |
CN101068021A (zh) * | 2007-07-03 | 2007-11-07 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板及其像素阵列结构 |
CN101290410A (zh) * | 2007-04-17 | 2008-10-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶面板阵列结构 |
US20100134731A1 (en) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
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Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
US20120120346A1 (en) * | 2009-07-28 | 2012-05-17 | Iichiroh Inoue | Liquid crystal display device and method for manufacturing same |
US20120026161A1 (en) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Industrial Technology Research Institute | Stereoscopic display |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3577625B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2004-10-13 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置の製造方法 |
CN101290410A (zh) * | 2007-04-17 | 2008-10-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶面板阵列结构 |
CN101068021A (zh) * | 2007-07-03 | 2007-11-07 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示面板及其像素阵列结构 |
US20100134731A1 (en) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
CN104166259A (zh) * | 2014-07-30 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其驱动方法和显示装置 |
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