WO2016064075A1 - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

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WO2016064075A1
WO2016064075A1 PCT/KR2015/008404 KR2015008404W WO2016064075A1 WO 2016064075 A1 WO2016064075 A1 WO 2016064075A1 KR 2015008404 W KR2015008404 W KR 2015008404W WO 2016064075 A1 WO2016064075 A1 WO 2016064075A1
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WO
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host
layer
light emitting
organic
coordination compound
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Application number
PCT/KR2015/008404
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English (en)
French (fr)
Inventor
김태형
백영미
Original Assignee
주식회사 두산
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescent device comprising at least one organic material layer.
  • the material used as the organic material layer may be classified into a light emitting material, a hole injection material, a hole transport material, an electron transport material, an electron injection material and the like according to its function.
  • a light emitting material mixed with a host material and a dopant material may be used.
  • the dopant material may be divided into a fluorescent dopant using an organic material and a phosphorescent dopant using a metal complex compound containing heavy atoms such as Ir and Pt.
  • a metal complex compound containing heavy atoms such as Ir and Pt.
  • metal complex compounds including Ir such as Firpic, Ir (ppy) 3 , and (acac) Ir (btp) 2 are known, and CBP and mCP are known as phosphorescent host materials.
  • Ir such as Firpic, Ir (ppy) 3 , and (acac) Ir (btp) 2
  • CBP and mCP are known as phosphorescent host materials.
  • High photoluminescent quantum efficiencies have been reported when using mCP as a blue phosphorescent host with Firpic as a blue phosphorescent dopant or CBP as a green phosphorescent host with Ir (ppy) 3 as a green phosphorescent dopant.
  • An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having improved characteristics such as driving voltage, luminous efficiency and lifetime.
  • the present invention is an anode; cathode; And at least one organic material layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer between the anode and the cathode, wherein the light emitting layer is an organic compound, a first host and a metal coordination compound type host. It provides an organic electroluminescent device characterized in that it is a phosphorescent light emitting layer comprising a.
  • the organic electroluminescent device of the present invention includes a first host which is an organic compound and a metal coordination compound type host in the light emitting layer, thereby making it possible to conventionally use an organic electroluminescent device or two organic compounds as a host. Compared with the organic electroluminescent device, characteristics such as driving voltage, luminous efficiency, and lifetime may be further improved. Therefore, when the display panel is manufactured using the organic EL device of the present invention, it is possible to provide a display panel having improved performance and lifespan.
  • the present invention is an anode; cathode; And at least one organic material layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer between the anode and the cathode, wherein the light emitting layer is an organic compound, a first host and a metal coordination compound type host. It provides an organic electroluminescent device characterized in that it is a phosphorescent light emitting layer comprising a.
  • the emission layer of the present invention may further include a first host, a metal coordination compound type host, and a second host, which are organic compounds.
  • the present invention uses a metal coordination compound as a material that can prevent degradation of the device by trapping the surplus electrons transferred from the electron injection / transport layer.
  • the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level of the hole injection / transport layer material is between the HOMO energy level of the surrounding organic material layer (especially the light emitting layer) and the HOMO energy level of the anode to facilitate hole injection.
  • the lower unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level of the injection / transport layer material is preferably between the LUMO energy level of the surrounding organic material layer (especially the light emitting layer) and the LUMO energy level of the cathode to facilitate electron transfer.
  • the singlet and triplet energy levels of the host material should be higher than those of the dopant material. This is to prevent the excitons in the triplet of the dopant from reversing back to the host. Therefore, the singlet and triplet energy levels of the first host and the metal coordination compound type host, which are organic compounds used in the light emitting layer of the present invention, are higher than the dopant material.
  • the triplet energy of the first host and the metal coordination compound type host is not particularly limited, but when 2.0 eV or more, and preferably 2.0 to 4.0 eV, energy transfer from the host to the dopant is easily performed. The luminous efficiency, driving voltage, and lifespan of the organic EL device may be further improved.
  • the organic electroluminescent device using the first host and the metal coordination compound, which are organic compounds, as the light emitting layer material balances holes and electrons flowing into the device, and efficiently transfers energy to the dopant, thereby improving efficiency and increasing lifetime. do.
  • the second host may further include a second host having a same HOMO-LUMO energy gap or a larger HOMO-LUMO energy gap.
  • the second host is HOMO-LUMO energy gap is 0.1 ⁇ 2.0 eV larger than the first host, or LUMO energy level is preferably 0.1 ⁇ 1.0 eV larger than the first host.
  • HOMO-LUMO energy gap of the first host is not particularly limited, but is preferably 2.0 to 5.0 eV.
  • the HOMO energy level of the first host may be 5.0 ⁇ 7.0 eV
  • LUMO energy level may be 1.0 ⁇ 3.0 eV.
  • the HOMO-LUMO energy gap of the second host is not particularly limited as long as it is the same as or larger than the first host, but the HOMO-LUMO energy gap of the second host is preferably 3.0 to 6.0 eV.
  • the LUMO energy level of the second host is not particularly limited as long as it is higher than the first host. At this time, the HOMO energy level of the second host may be 5.0 ⁇ 7.0 eV, LUMO energy level may be 0.5 ⁇ 3.0 eV.
  • the organic compound used as the first host is a polycyclic aromatic, and examples thereof include triphenylene compounds, dibenzofuran compounds, dibenzothiophene compounds, dibenzoazine compounds, and carbazole compounds. It is not limited.
  • triphenylene, dibenzofuran, dibenzothiophene, dibenzoazine and carbazole have triplet energy of 3.0 eV or more, they can be applied to all light emitting layers from red phosphorescence to blue phosphorescence, and are extremely thermally stable. It is excellent and the stability of an element can also be improved.
  • the triphenylene, dibenzofuran, dibenzothiophene, dibenzoazine and carbazole may combine adjacent hydrogens to form an aromatic ring or a heteroaromatic ring.
  • One or more of the carbon atoms of the triphenylene, dibenzofuran, dibenzothiophene, dibenzoazine and carbazole may be replaced with a nitrogen atom. Specifically, it may be represented by the following structure, but is not limited thereto.
  • X 1 is selected from the group consisting of N, O and S
  • X 2 is selected from the group consisting of N, O, S and C.
  • X 1 and X 2 may each independently have one or more nitrogen-containing heterocyclic groups or aromatic ring groups as substituents, and may form a bond with each other.
  • the metal coordination compound used in the present invention refers to a compound in which an organic ligand is bound to a metal center, and a metal having a bidentate ligand or a tridentate ligand forms a bond with the organic ligand.
  • the metal in the metal coordination compound-type host of the present invention is not particularly limited, but is not limited so long as it is a metal capable of having a bidentate ligand or a tridentate ligand.
  • Al, Be, Pt, Ir, Zn, etc. are mentioned, Preferably, there exists Al, Be coordination compound.
  • the organic ligand is not particularly limited, and may preferably be a hydroxybenzene group, quinoline group, hydroxyphenyl group, pyridine group, or biphenyl group.
  • the metal coordination compound of the present invention may include Bebq2, Bepp2, BAlQ, the structure, HOMO, LUMO and energy gap is shown in Table 1 below.
  • the mixing ratio of the above-mentioned first host and the metal coordination compound type host is not particularly limited. Specifically, the mixing ratio of the first host and the metal coordination compound type host may be 20:80 to 80:20 weight ratio, and preferably, the mixing ratio of the first host and the metal coordination compound type host is 50:50. , Depending on the compound.
  • the light emitting layer of the present invention may further include a dopant in addition to the first host and the metal coordination compound type host.
  • the material which can be used as the said dopant is not specifically limited, although there are a metal, a metal oxide, a metal complex compound, etc., it is preferable to use a metal complex compound.
  • Non-limiting examples of the metal complex compound include a platinum-containing metal complex compound, an iridium-containing metal complex compound, and the like, and it is preferable to use a metal complex compound containing iridium (Ir).
  • Non-limiting examples of the iridium-containing metal complex compound include Firpic, Ir (ppy) 3 , (acac) Ir (btp) 2 , and the like.
  • the mixing ratio of the first host, the metal coordination compound type host and the dopant is not particularly limited, but the first host and the metal coordination compound type host and the dopant may be in a 70:30 to 99: 1 weight ratio.
  • the mixing ratio of the first host, the metal coordination compound type host, and the dopant may be 80:20 to 95: 5 weight ratio.
  • the method of manufacturing a light emitting layer including the first host, which is such an organic compound, and a metal coordination compound type host, and optionally further comprising a dopant is not particularly limited as long as it is known in the art, and for example, a co-deposition method or a vacuum deposition method And solution coating methods.
  • Examples of the co-deposition method include the following methods.
  • the first host and the metal coordination compound-type host are positioned in the first and second heat sources, respectively, and the dopant is placed in the third heat source, and heat is simultaneously applied to form a light emitting layer.
  • the first host is placed in the first heat source
  • the metal coordination compound type host is placed in the second heat source
  • the dopant is placed in the third heat source
  • the number of co-deposited hosts may be two or more depending on the characteristics of the light emitting layer.
  • a host having a similar deposition temperature among the hosts used for forming the light emitting layer is mixed at an appropriate ratio, placed in one heat source, and co-evaporated to form a light emitting layer by applying heat.
  • This method has a smaller number of heat sources than the method described above, and the formation process is simple.
  • the host (first host + metal coordination compound) mixed in the first heat source is placed at a vacuum degree of 1 ⁇ 10 ⁇ 0.6 torr or less, After the dopant is placed in the second heat source, the evaporation rate of each material is simultaneously controlled to form the emission layer.
  • the error of one or more host mixing ratios can be reduced, and a light emitting layer can be formed using a small number of heat sources, so that the light emitting layer can be easily formed when the deposition temperatures of each host are similar.
  • a second host is additionally used in addition to the first host and the metal coordination compound type host, when the deposition temperature of at least two of the first host, the metal coordination compound type host and the second host is ⁇ 10 ° C., the mixture is mixed with one heat source.
  • the deposition temperature of the first host, the metal coordination compound type host, and the second host is ⁇ 10 °C, it is preferable to be located in one heat source by mixing.
  • the organic EL device of the present invention includes an anode, a cathode, and one or more organic material layers interposed between the anode and the cathode.
  • the at least one organic material layer may be at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, wherein the light emitting layer includes the first host and the second host.
  • the structure of the organic EL device is not particularly limited, and may be, for example, a structure in which at least one organic material layer selected from the group consisting of a substrate, an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode is laminated. have.
  • the emission layer may include a first host and a metal coordination compound type host, and may further include a second host.
  • an electron injection layer may be further stacked on the electron transport layer.
  • an insulating layer or an adhesive layer may be further inserted at an interface between the electrode and the organic material layer.
  • the organic electroluminescent device according to the present invention can be manufactured by forming other organic material layers and electrodes using materials and methods known in the art, except that the light emitting layer is formed as described above.
  • the organic material layer other than the light emitting layer may be formed by a vacuum deposition method or a solution coating method.
  • the solution coating method include, but are not limited to, spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, or thermal transfer.
  • the substrate usable in the present invention is not particularly limited, and silicon wafers, quartz, glass plates, metal plates, plastic films, sheets, and the like may be used.
  • the anode material may be a metal such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; Conductive polymers such as polythiophene, poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole or polyaniline; And carbon black, but are not limited thereto.
  • a metal such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold or an alloy thereof.
  • Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb
  • Conductive polymers such as polythiophene, poly (3-methylthiophen
  • the negative electrode material may be a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, or lead or an alloy thereof; And multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like.
  • the hole injection material is a material that can be injected well from the anode at a low voltage
  • the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is preferably between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer.
  • hole injecting materials include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organics, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organics, quinacridone-based organics, and perylene-based Organic compounds, anthraquinone and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to move to the light emitting layer is a material having high mobility to the hole.
  • Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a nonconjugated portion together.
  • the electron transporting material is a material capable of injecting electrons well from the cathode and transferring the electrons to the light emitting layer.
  • a material having high mobility to electrons is suitable. Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like.
  • the glass substrate coated with ITO Indium tin oxide
  • ITO Indium tin oxide
  • a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, methanol
  • UV OZONE cleaner Power sonic 405, Hwashin Tech
  • M-MTDATA 60 nm) / TCTA (80 nm) / 90% of the first host + metal coordination compound and 10% of Ir (ppy) 3 (30 nm) / BCP (10 nm) on the prepared ITO transparent substrate ) / Alq 3 (30 nm) / LiF (1 nm) / Al (200 nm) was laminated in order to fabricate an organic EL device.
  • the structure of the m-MTDATA, TCTA, Ir (ppy) 3 , BCP and the first host and the metal coordination compound used is as follows, the mixing ratio of the first host and the metal coordination compound type host is 50:50 weight It was made into the ratio.
  • An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that CBP, PGH1-2, and PGH1-5 were used alone as phosphorescent hosts when forming the emission layer.
  • the structure of the CBP used is as follows.
  • Example 1 PGH1-1 Bepp2 6.50 516 41.8
  • Example 2 PGH1-2 Bepp2 6.45 517 42.1
  • Example 3 PGH1-3 Bepp2 6.60 517 42.2
  • Example 4 PGH1-4 Bepp2 6.30 516 42.2
  • Example 5 PGH1-5 Bepp2 6.50 516 42.8
  • Example 6 PGH1-6 Bepp2 6.40 516 43.1
  • Example 7 PGH1-7 Bepp2 6.30 516 43.0
  • Example 8 PGH1-8 Bepp2 6.30 517 43.2
  • Example 9 PGH1-9 Bepp2 6.30 516 42.3
  • Example 10 PGH1-1 BAIQ 6.45 517 42.8
  • Example 11 PGH1-2 BAIQ 6.60 516 41.1
  • Example 12 PGH1-3 BAIQ 6.50 516 41.0
  • Example 13 PGH1-4 BAIQ 6.40 516 42.2
  • Example 14 PGH1-5 BAIQ 6.45 517 42.4
  • Example 15 PGH1-6 BAIQ 6.30 517 42.3
  • Example 16 PGH1-7 BAIQ 6.40 5
  • the organic electroluminescent device (Examples 1 to 18) of the present invention using the light emitting layer including the first host and the metal coordination compound type host of the organic compound is CBP, PGH1-2, PGH1-5 alone It was confirmed that the organic EL device (Comparative Examples 1 to 3) using the light emitting layer included as the host material exhibited better performance in terms of current efficiency and driving voltage.
  • the glass substrate coated with ITO Indium tin oxide
  • ITO Indium tin oxide
  • a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, methanol
  • UV OZONE cleaner Power sonic 405, Hwashin Tech
  • M-MTDATA 60 nm) / TCTA (80 nm) / 90% of the first host + metal coordination compound and 10% of (piq) 2 Ir (acac) (30 nm) / BCP on the prepared ITO transparent substrate (10 nm) / Alq 3 (30 nm) / LiF (1 nm) / Al (200 nm) in order to produce an organic electroluminescent device.
  • the structures of m-MTDATA, TCTA, (piq) 2 Ir (acac), BCP, and the first host and the metal coordination compound used are as follows, and the mixing ratio of the first host and the metal coordination compound type host is 50. It was made into 50 weight ratio.
  • An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that CBP and PGH2-6 were used alone as phosphorescent hosts when forming the emission layer.
  • the structure of the CBP used is as follows.
  • the organic EL device (Examples 19 to 25) of the present invention using the light emitting layer including the first host and the metal coordination compound as the organic compound is a light emitting layer containing CBP, PGH2-6 as the sole host material It was confirmed that the organic EL device (Comparative Examples 4 to 5) using the method exhibited superior performance in terms of current efficiency and driving voltage.

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Abstract

본 발명은 양극; 음극; 및 상기 양극과 음극 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 구성된 군으로부터 선택된 유기물 층이 1층 이상 적층되고, 상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트를 포함하는 인광 발광층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.

Description

유기 전계 발광 소자
본 발명은 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 두 전극 사이에 전압을 걸어 주면 양극에서는 정공이 유기물층으로 주입되고, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이때, 유기물층으로 사용되는 물질은 그 기능에 따라, 발광 물질, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 분류될 수 있다.
유기 전계 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해서는 색순도 증가와 에너지 전이가 필요한데, 이를 위해 호스트 물질과 도펀트 물질이 혼합된 발광 물질을 사용할 수 있다.
상기 도펀트 물질은 유기 물질을 사용하는 형광 도펀트와 Ir, Pt 등의 중원자(heavy atoms)가 포함된 금속 착체 화합물을 사용하는 인광 도펀트로 나눌 수 있다. 이때, 인광 물질은 이론적으로 형광 물질에 비해 4배까지 발광 효율을 향상시킬 수 있기 때문에, 인광 도펀트뿐만 아니라 인광 호스트에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.
현재 발광층의 인광 도펀트 물질로는 Firpic, Ir(ppy)3, (acac)Ir(btp)2 등과 같은 Ir을 포함하는 금속 착체 화합물이 알려져 있으며, 인광 호스트 물질로는 CBP, mCP가 알려져 있다. Firpic을 청색 인광 도펀트로 사용하면서 mCP를 청색 인광 호스트로 사용하거나, Ir(ppy)3을 녹색 인광 도펀트로 사용하면서 CBP를 녹색 인광 호스트로 사용할 경우 높은 광발광 양자 효율이 얻어지는 것이 보고되었다.
그러나 인광 발광의 경우, 삼중항 에너지를 이용하여 발광함으로써 밴드갭이 크고, 전하 캐리어 주입 및 수송이 용이하면서 엑시톤 구속이 효율적인 물질이 필요하기 때문에 고효율의 소자를 얻기 어렵다. 이처럼, 종래의 물질들은 유기 전계 발광 소자에서의 발광 특성을 만족할 만한 수준이 되지 못하고 있어, 우수한 성능을 가지는 발광 물질을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해, 구동 전압, 발광 효율 및 수명 등의 특성이 향상된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 양극; 음극; 및 상기 양극과 음극 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 구성된 군으로부터 선택된 유기물층이 1층 이상 적층되고, 상기 발광층은 유기 화합물인 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트를 포함하는 인광 발광층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 발광층에 유기 화합물인 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트를 포함함으로써, 1종의 호스트를 단독 사용하는 유기 전계 발광 소자 또는 2종의 유기 화합물을 호스트로 사용하는 종래 유기 전계 발광 소자에 비해 구동 전압, 발광 효율 및 수명 등의 특성이 더 향상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 유기 전계 발광 소자를 사용하여 디스플레이 패널을 제조할 경우 성능 및 수명이 향상된 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명에 대해 설명한다.
본 발명은 양극; 음극; 및 상기 양극과 음극 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 구성된 군으로부터 선택된 유기물층이 1층 이상 적층되고, 상기 발광층은 유기 화합물인 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트를 포함하는 인광 발광층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 발광층은 유기 화합물인 제1 호스트와 금속 배위 화합물형 호스트 및 제2 호스트를 추가적으로 포함할 수 있다.
발광층에서 정공과 전자가 엑시톤을 형성하고 난 후, 잉여의 전자는 인접한 층에 영향을 끼칠 수 있고, 이로 인해 소자의 degradation 현상을 일으켜 소자의 효율과 수명을 저하시킨다. 따라서, 본 발명에서는 전자 주입/수송층으로부터 전달된 잉여의 전자를 trapping하여 소자의 degradation 현상을 방지할 수 있는 물질로 금속 배위 화합물을 사용한다.
유기 전계 발광 소자에서, 정공 주입/수송층 재료의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위는 정공 주입을 원활하게 하기 위해서 주변 유기물층(특히, 발광층)의 HOMO 에너지 준위와 양극의 HOMO 에너지 준위 사이이고, 전자 주입/수송층 재료의 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위는 전자 전달을 원활하게 하기 위해서 주변 유기물층(특히, 발광층)의 LUMO 에너지 준위와 음극의 LUMO 에너지 준위 사이인 것이 바람직하다.
다만, 인광 발광층에 있어서 호스트 물질은 단일항과 삼중항 에너지 준위가 도펀트 물질보다 높아야 한다. 이는 도펀트의 삼중항에 있는 엑시톤이 다시 호스트로 역전되는 현상을 막기 위해서이다. 따라서, 본 발명의 발광층에 사용되는 유기 화합물인 제1 호스트와 금속 배위 화합물형 호스트의 단일항과 삼중항 에너지 준위는 도펀트 물질보다 높다. 또한, 상기 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트의 삼중항 에너지는 특별히 한정되지 않으나, 2.0 eV 이상, 바람직하게는 2.0 ~ 4.0 eV일 경우, 호스트에서 도펀트로의 에너지 전이가 용이하게 이루어지기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 발광 효율, 구동 전압 및 수명 등이 더 향상될 수 있다.
이러한 유기 화합물인 제1 호스트와 금속 배위 화합물을 발광층 물질로 이용한 유기 전계 발광 소자는 소자로 유입되는 정공과 전자의 균형이 맞추어지고, 도펀트로의 에너지 전이가 효율적으로 이루어져 효율이 향상되고 수명이 증가한다.
또한, 발광층의 호스트를 단독 사용하는 대신에 제1 호스트와 상기 제1 호스트의 HOMO-LUMO 에너지 갭이 동일하거나 또는 HOMO-LUMO 에너지 갭이 더 큰 제2 호스트를 추가적으로 포함할 수 있다. 이때, 상기 제2 호스트는 HOMO-LUMO 에너지 갭이 상기 제1 호스트보다 0.1 ~ 2.0 eV 더 크고, 또는 LUMO 에너지 준위가 상기 제1 호스트보다 0.1 ~ 1.0 eV 더 큰 것이 바람직하다.
상기 제1 호스트의 HOMO-LUMO 에너지 갭은 특별히 한정되지 않으나, 2.0 ~ 5.0 eV인 것이 바람직하다. 이때, 상기 제1 호스트의 HOMO 에너지 준위는 5.0 ~ 7.0 eV이고, LUMO 에너지 준위는 1.0 ~ 3.0 eV일 수 있다.
상기 제2 호스트의 HOMO-LUMO 에너지 갭은 전술한 제1 호스트와 동일하거나 또는 제1 호스트보다 크면 특별히 한정되지 않지만, 상기 제2 호스트의 HOMO-LUMO 에너지 갭이 3.0 ~ 6.0 eV인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제2 호스트의 LUMO 에너지 준위는 상기 제1 호스트보다 높으면 특별히 한정되지 않는다. 이때, 상기 제2 호스트의 HOMO 에너지 준위는 5.0 ~ 7.0 eV이고, LUMO 에너지 준위는 0.5 ~ 3.0 eV일 수 있다.
이러한 제1 호스트로 사용되는 유기 화합물은 다고리형 방향족이며, 이의 예로는 트리페닐렌계 화합물, 디벤조퓨란계 화합물, 디벤조싸이오펜계 화합물, 디벤조아제핀계 화합물, 카바졸계 화합물 등이 있는데, 이에 한정되는 것은 아니다.
트리페닐렌, 디벤조퓨란, 디벤조싸이오펜, 디벤조아제핀 및 카바졸은 삼중항 에너지가 3.0 eV 이상이기 때문에, 적색 인광은 물론 청색 인광까지 모든 발광층에 적용이 가능하며, 열적 안정성이 매우 우수하여 소자의 안정성도 향상시킬 수 있다. 상기 트리페닐렌, 디벤조퓨란, 디벤조싸이오펜, 디벤조아제핀 및 카바졸은 인접한 수소가 결합하여 방향족환 또는 헤테로 방향족 환을 형성할 수 있다. 상기 트리페닐렌, 디벤조퓨란, 디벤조싸이오펜, 디벤조아제핀 및 카바졸의 탄소 원자 중 하나 이상은 질소 원자로 대체될 수 있다. 구체적으로 하기 구조로 나타낼 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2015008404-appb-I000001
상기 화학식에서,
X1은 N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되며, X2는 N, O, S 및 C로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 X1 및 X2는 각각 독립적으로 하나 이상의 함질소 복소환기 또는 방향족환기를 치환기로 가지며, 서로 결합을 형성하는 것일 수 있다.
본 발명에 사용되는 금속 배위 화합물은 금속 중심에 유기 리간드가 결합한 물질로서, 2좌 배위자 또는 3좌 배위자를 가진 금속이 유기 리간드와 결합을 형성하는 화합물을 말한다. 본 발명의 금속 배위 화합물형 호스트에서 금속은 특별히 한정되지 않으나, 2좌 배위자 또는 3좌 배위자를 가질 수 있는 금속이면 비제한적이다. 구체적으로는 Al, Be, Pt, Ir, Zn 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 Al, Be 배위 화합물이 있다. 또한, 유기 리간드는 특별히 한정되지 않으며, 바람직하게는 히드록시벤젠기, 퀴놀린기, 히드록시페닐기, 피리딘기, 비페닐기일 수 있다.
구체적으로 본 발명의 금속 배위 화합물은 Bebq2, Bepp2, BAlQ를 들 수 있으며, 구조, HOMO, LUMO 및 에너지 갭은 하기 표 1과 같다.
Figure PCTKR2015008404-appb-I000002
HOMO (eV) LUMO (eV) 에너지 갭 (eV)
Bebq2 5.5 2.8 2.7
Bepp2 5.7 2.6 3.1
BAIQ 5.9 3.0 2.9
전술한 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트의 혼합비율은 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트의 혼합비율이 20:80~80:20 중량비율일 수 있으며, 바람직하게는 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트의 혼합비율이 50:50이나, 화합물에 따라 다를 수 있다.
본 발명의 발광층은 전술한 제1 호스트, 금속 배위 화합물형 호스트 이외 도펀트를 더 포함할 수 있다.
상기 도펀트로 사용 가능한 물질은 특별히 한정되지 않으나, 금속, 금속 산화물, 금속 착체 화합물 등이 있는데, 금속 착체 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 금속 착체 화합물의 비제한적인 예를 들면, 백금-함유 금속 착체 화합물, 이리듐-함유 금속 착체 화합물 등이 있는데, 이리듐(Ir)을 포함하는 금속 착체 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 이리듐-함유 금속 착체 화합물의 비제한적인 예로서, Firpic, Ir(ppy)3, (acac)Ir(btp)2 등을 들 수 있다.
이때, 제1 호스트, 금속 배위 화합물형 호스트 및 도펀트의 혼합비율은 특별히 한정되지 않으나, 제1 호스트와 금속 배위 화합물형 호스트 및 도펀트는 70:30~99:1 중량비율일 수 있다. 바람직하게는, 제1 호스트와 금속 배위 화합물형 호스트 및 도펀트의 혼합비율이 80:20~95:5 중량비율일 수 있다.
이러한 유기 화합물인 제1 호스트와 금속 배위 화합물형 호스트를 포함하고, 선택적으로 도펀트를 더 포함하는 발광층을 제조하는 방법은 당 업계에 공지된 방법이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 공증착법, 진공 증착법, 용액 도포법 등이 있다. 상기 공증착법의 예로는 하기 방법들이 있다.
일례로, 상기 제1 호스트와 금속 배위 화합물형 호스트를 각각 제1 및 제2 열원에 위치시키고, 제3 열원에 도펀트를 위치시켜 동시에 열을 가해 공증착시켜 발광층을 형성한다.
구체적으로, 1×10-0.6 torr 이하의 진공도에서, 제1 호스트를 제1 열원에 위치시키고, 금속 배위 화합물형 호스트를 제2 열원에 위치시키고, 제3 열원에 도펀트를 위치시킨 다음, 각 물질의 초당 증발속도를 동시에 조절하여 적정비율로 공증착 시키는 방법이다. 이때, 공증착 되는 호스트의 개수는 발광층의 특성에 따라 2개 이상이 될 수 있다.
다른 일례로, 발광층 형성에 사용되는 호스트 중 증착 온도가 유사한 호스트를 적정비율로 혼합하여 하나의 열원에 위치시키고 열을 가해 공증착 시켜 발광층을 형성한다. 이 방법은 전술한 방법에 비해 사용되는 열원의 개수가 적고, 형성과정이 단순하다.
구체적으로, 제1 호스트 및 유기 금속 화합물형 호스트의 증착 온도가 모두 유사할 경우 1×10-0.6 torr 이하의 진공도에서 제1 열원에 혼합된 호스트(제1 호스트+금속 배위 화합물)를 위치시키고, 제2 열원에 도펀트를 위치시킨 다음, 각 물질의 초당 증발속도를 동시에 조절하여 발광층을 형성시킨다.
1종 이상의 호스트를 사용할 경우, 1종 이상의 호스트 혼합비율의 오차를 줄일 수 있고, 적은 수의 열원을 사용하여 발광층을 형성할 수 있으므로 각 호스트의 증착 온도가 유사할 때 발광층 형성이 용이하다. 제1 호스트, 금속 배위 화합물형 호스트 이외에 제2 호스트를 추가적으로 사용할 경우 구체적으로 제1 호스트, 금속 배위 화합물형 호스트, 제2 호스트 중 적어도 2개의 증착 온도가 ±10 ℃일 경우 혼합하여 하나의 열원에 위치시킬 수 있으며, 제1 호스트, 금속 배위 화합물형 호스트, 제2 호스트의 증착 온도가 ±10 ℃ 일 경우 혼합하여 하나의 열원에 위치시킬 수 있어 바람직하다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 양극(anode), 음극(cathode), 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함한다.
상기 1층 이상의 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 어느 하나 이상일 수 있고, 이때 상기 발광층은 전술한 제1 호스트 및 제2 호스트를 포함한다. 이러한 발광층을 포함함으로써, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 단독 호스트를 포함하는 발광층을 구비하는 종래 유기 전계 발광 소자에 비해 효율(발광 효율 및 전력 효율), 수명, 휘도 및 구동 전압 등이 더 향상될 수 있다.
상기 유기 전계 발광 소자의 구조는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 기판, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극으로 구성된 군으로부터 선택된 유기물층이 1층 이상 적층된 구조일 수 있다. 이때, 상기 발광층은 전술한 바와 같이, 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트를 포함하며, 제2 호스트를 추가적으로 포함할 수 있다. 경우에 따라, 상기 전자 수송층 위에는 전자 주입층이 추가로 적층될 수 있다. 또한, 상기 전극과 유기물층의 계면에 절연층 또는 접착층이 더 삽입될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 발광층을 전술한 바와 같이 형성하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 알려져 있는 재료 및 방법을 이용하여 다른 유기물층 및 전극을 형성하여 제조될 수 있다.
발광층 이외 다른 유기물층은 진공 증착법이나 용액 도포법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 용액 도포법의 예로는 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에서 사용 가능한 기판으로는 특별히 한정되지 않으며, 실리콘 웨이퍼, 석영, 유리판, 금속판, 플라스틱 필름 및 시트 등이 사용될 수 있다.
또한, 양극 물질로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 또는 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자; 및 카본블랙 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또한, 음극 물질로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 또는 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 및 LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또한, 상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공이 잘 주입될 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또한, 상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공이 수송되어 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 1 내지 18] 유기 전계 발광 소자의 제조
ITO(Indium tin oxide)가 1500Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수로 초음파 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV OZONE 세정기(Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 기판 위에 m-MTDATA(60 nm) / TCTA(80 nm) / 90%의 제1 호스트+금속 배위 화합물 및 10 %의 Ir(ppy)3(30 nm) / BCP(10 nm) / Alq3(30 nm) / LiF(1 nm) / Al(200 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
이때, 사용된 m-MTDATA, TCTA, Ir(ppy)3, BCP 및 제1 호스트 및 금속 배위 화합물의 구조는 하기와 같으며, 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트의 혼합비율은 50:50 중량비율로 하였다.
Figure PCTKR2015008404-appb-I000003
Figure PCTKR2015008404-appb-I000004
Figure PCTKR2015008404-appb-I000005
[ 비교예 1 내지 3] 유기 전계 발광 소자의 제조
발광층 형성 시 인광 호스트로 CBP, PGH1-2, PGH1-5를 단독으로 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다. 이때, 사용된 CBP의 구조는 하기와 같다.
Figure PCTKR2015008404-appb-I000006
[ 실험예 1]
상기 실시예 1 내지 18과 비교예 1 내지 3에서 각각 제조된 유기 전계 발광 소자에 대하여, 전류밀도 10 mA/㎠ 에서의 구동 전압과 전류 효율을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
샘플 제1 호스트 금속 배위 화합물형 호스트 구동 전압 (V) EL 피크 (nm) 전류 효율 (cd/A)
실시예 1 PGH1-1 Bepp2 6.50 516 41.8
실시예 2 PGH1-2 Bepp2 6.45 517 42.1
실시예 3 PGH1-3 Bepp2 6.60 517 42.2
실시예 4 PGH1-4 Bepp2 6.30 516 42.2
실시예 5 PGH1-5 Bepp2 6.50 516 42.8
실시예 6 PGH1-6 Bepp2 6.40 516 43.1
실시예 7 PGH1-7 Bepp2 6.30 516 43.0
실시예 8 PGH1-8 Bepp2 6.30 517 43.2
실시예 9 PGH1-9 Bepp2 6.30 516 42.3
실시예 10 PGH1-1 BAIQ 6.45 517 42.8
실시예 11 PGH1-2 BAIQ 6.60 516 41.1
실시예 12 PGH1-3 BAIQ 6.50 516 41.0
실시예 13 PGH1-4 BAIQ 6.40 516 42.2
실시예 14 PGH1-5 BAIQ 6.45 517 42.4
실시예 15 PGH1-6 BAIQ 6.30 517 42.3
실시예 16 PGH1-7 BAIQ 6.40 518 42.1
실시예 17 PGH1-8 BAIQ 6.45 516 42.0
실시예 18 PGH1-9 BAIQ 6.40 516 41.2
비교예 1 CBP 6.93 516 38.2
비교예 2 PGH1-1 6.55 516 41.0
비교예 3 PGH1-5 6.40 516 35.2
상기 표 2를 살펴보면, 유기 화합물인 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트를 포함하는 발광층을 사용한 본 발명의 유기 전계 발광 소자(실시예 1 내지 18)는 CBP, PGH1-2, PGH1-5를 단독 호스트 물질로 포함하는 발광층을 사용한 유기 전계 발광 소자(비교예 1 내지 3)보다 전류 효율 및 구동 전압 면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
[ 실시예 19 내지 25] 유기 전계 발광 소자의 제조
ITO(Indium tin oxide)가 1500Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수로 초음파 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV OZONE 세정기(Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 기판 위에 m-MTDATA(60 nm) / TCTA(80 nm) / 90%의 제1 호스트+금속 배위 화합물 및 10 %의 (piq)2Ir(acac) (30 nm) / BCP(10 nm) / Alq3(30 nm) / LiF(1 nm) / Al(200 nm) 순으로 적층하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다.
이때, 사용된 m-MTDATA, TCTA, (piq)2Ir(acac), BCP 및 제1 호스트 및 금속 배위 화합물의 구조는 하기와 같으며, 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트의 혼합비율은 50:50 중량비율로 하였다.
Figure PCTKR2015008404-appb-I000007
Figure PCTKR2015008404-appb-I000008
Figure PCTKR2015008404-appb-I000009
[ 비교예 4 내지 5] 유기 전계 발광 소자의 제조
발광층 형성 시 인광 호스트로 CBP, PGH2-6을 단독으로 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다. 이때, 사용된 CBP의 구조는 하기와 같다.
Figure PCTKR2015008404-appb-I000010
[ 실험예 2]
상기 실시예 19 내지 25와 비교예 4 내지 5에서 각각 제조된 유기 전계 발광 소자에 대하여, 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동 전압과 전류 효율을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
샘플 제1 호스트 금속 배위 화합물형 호스트 구동 전압(V) 전류 효율(cd/A)
실시예 19 PGH2-1 Bebq2 4.50 14.5
실시예 20 PGH2-2 Bebq2 4.60 14.2
실시예 21 PGH2-3 Bebq2 4.55 14.8
실시예 22 PGH2-4 Bebq2 4.70 14.0
실시예 23 PGH2-5 Bebq2 4.60 15.0
실시예 24 PGH2-6 Bebq2 4.55 14.1
실시예 25 PGH2-7 Bebq2 4.60 14.6
비교예 4 CBP 5.25 8.2
비교예 5 PGH2-6 4.70 13.5
상기 표 3을 살펴보면, 유기 화합물인 제1 호스트 및 금속 배위 화합물을 포함하는 발광층을 사용한 본 발명의 유기 전계 발광 소자(실시예 19 내지 25)는 CBP, PGH2-6을 단독 호스트 물질로 포함하는 발광층을 사용한 유기 전계 발광 소자(비교예 4 내지 5)보다 전류 효율 및 구동 전압 면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.

Claims (11)

  1. 양극; 음극; 및 상기 양극과 음극 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 구성된 군으로부터 선택된 유기물층이 1층 이상 적층되고;
    상기 발광층은 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트를 포함하는 인광 발광층인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트의 삼중항 에너지 준위는 각각 2.0 eV 내지 4.0 eV인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 호스트는 트리페닐렌계 화합물, 디벤조퓨란계 화합물, 디벤조싸이오펜계 화합물, 디벤조아제핀계 화합물 및 카바졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1호스트는 하기 화학식으로 표시되는 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
    Figure PCTKR2015008404-appb-I000011
    상기 화학식에서,
    X1은 N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되며, X2는 N, O, S 및 C로 이루어진 군에서 선택되며;
    상기 X1 및 X2는 각각 독립적으로 하나 이상의 함질소 복소환기 또는 방향족환기를 치환기로 가지며, 이들은 서로 결합을 형성하는 것일 수 있다.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 금속 배위 화합물형 호스트는 Al, Be, Pt, Ir, Zn 배위 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 금속 배위 화합물형 호스트는 하기 화학식으로 표시되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
    Figure PCTKR2015008404-appb-I000012
    Figure PCTKR2015008404-appb-I000013
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트의 단일항과 삼중항 에너지 준위는 인광 도펀트 보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 호스트 및 금속 배위 화합물형 호스트의 혼합비율이 20:80~80:20 중량비율인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 인광 발광층은 제2 호스트를 더 포함하며;
    상기 제2 호스트는 트리페닐렌계 화합물, 디벤조퓨란계 화합물, 디벤조싸이오펜계 화합물, 디벤조아제핀계 화합물 및 카바졸계 화합물에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    제1 호스트의 HOMO-LUMO 에너지 갭은 2.0 내지 5.0 eV이며, 제2 호스트의 HOMO-LUMO 에너지 갭은 3.0 내지 6.0 eV인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 인광 발광층은 도펀트를 더 포함하고,
    상기 도펀트는 이리듐-함유 금속 착체 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10230053B2 (en) * 2015-01-30 2019-03-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
USRE47654E1 (en) 2010-01-15 2019-10-22 Idemitsu Koasn Co., Ltd. Organic electroluminescence device
CN111377942A (zh) * 2020-03-31 2020-07-07 烟台显华化工科技有限公司 一种苯并五元环并稠杂环类有机化合物及其应用
CN112334463A (zh) * 2018-11-02 2021-02-05 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光器件

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102611320B1 (ko) * 2016-09-21 2023-12-07 솔루스첨단소재 주식회사 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2018062720A2 (ko) * 2016-09-28 2018-04-05 주식회사 두산 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR101957669B1 (ko) * 2016-11-21 2019-03-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008147154A2 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Cheil Industries Inc. Organic photoelectric device and material used therein
KR20090072447A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
CN101630721A (zh) * 2009-08-11 2010-01-20 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件
WO2010075411A2 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive composition and electronic device made with the composition

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100708655B1 (ko) * 2004-11-27 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP6014350B2 (ja) * 2011-04-12 2016-10-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、有機電界発光素子用材料、膜、発光層、及び有機電界発光素子の作製方法
JP5619099B2 (ja) * 2012-09-25 2014-11-05 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
KR101556822B1 (ko) * 2013-02-25 2015-10-01 주식회사 두산 유기 전계 발광 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008147154A2 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Cheil Industries Inc. Organic photoelectric device and material used therein
KR20090072447A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
WO2010075411A2 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive composition and electronic device made with the composition
CN101630721A (zh) * 2009-08-11 2010-01-20 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE47654E1 (en) 2010-01-15 2019-10-22 Idemitsu Koasn Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US10230053B2 (en) * 2015-01-30 2019-03-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN112334463A (zh) * 2018-11-02 2021-02-05 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光器件
CN112334463B (zh) * 2018-11-02 2023-09-01 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光器件
CN111377942A (zh) * 2020-03-31 2020-07-07 烟台显华化工科技有限公司 一种苯并五元环并稠杂环类有机化合物及其应用
CN111377942B (zh) * 2020-03-31 2023-04-07 烟台显华化工科技有限公司 一种苯并五元环并稠杂环类有机化合物及其应用

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