WO2016030379A1 - Verfahren zum herstellen eines schaltungsträgers und schaltungsträger für elektronische bauelemente - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 6
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000004412 Bulk moulding compound Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003677 Sheet moulding compound Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- ONUFESLQCSAYKA-UHFFFAOYSA-N iprodione Chemical compound O=C1N(C(=O)NC(C)C)CC(=O)N1C1=CC(Cl)=CC(Cl)=C1 ONUFESLQCSAYKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
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- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1333—Deposition techniques, e.g. coating
- H05K2203/1344—Spraying small metal particles or droplets of molten metal
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- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Definitions
- the invention relates to a circuit carrier for electronic components and a method for producing such.
- the circuit carrier comprises a carrier material layer made of an electrical insulating material having a first surface and a second surface, wherein the second surface is arranged parallel to the first surface.
- the scarf ⁇ tung carrier comprises at least one connecting layer, which is applied at least on the first and / or second surface of the base material layer and each having a pre-given layer thickness, each tie layer comprises a number of electrically conductive connections having a predetermined conductor width.
- Such a scarf ⁇ carrier carrier is referred to herein as a printed circuit board.
- Printed circuit boards are carriers for electronic components. They serve the mechanical attachment and connection of the electronic components.
- a printed circuit board consists of elekt ⁇ driven insulating material having adhered thereto, conductive connections, so-called. Interconnects. As insulating material fiber reinforced plastic is common. The tracks are usually etched from a thin layer of copper. The components are soldered to pads, so-called pads, or solder pads.
- PCB printed circuit board
- electrically conductive connections either only on one surface or on the two opposite
- Printed circuit board is applied. After exposure of the photoresist through a mask having the desired layout of the circuit pattern, depending on the photoresist used, either the exposed or unexposed portions of the resist are soluble in a suitable developer solution and are removed. If the circuit board thus treated is introduced into a suitable etching solution, only the exposed part of the metallized surface is attacked. The resist covered by the photoresist is preserved because the resist is resistant to the etch solution. Subsequently, the copper layers can be galvanically reinforced after etching in order to achieve the desired layer thickness. In addition, metallic protective and contact layers made of tin, nickel or gold can be applied galvanically on partial surfaces or the entire copper surface. Then a solder resist is applied, which covers the conductor tracks and leaves only the solder joints free. This can on the one hand avoid soldering errors, on the other hand, the tracks are protected from corrosion.
- Prepreg refers to a semi-finished product consisting of continuous fibers and an unhardened thermosetting plastic matrix, or a
- thermosetting fiber-matrix semi-finished products such as BMC (Bulk Molding Compound) or SMC (Sheet Molding Compound), which instead of continuous fiber fabric shorter fiber fragments - usually with a length of 50 mm or less - contains as fiber content.
- BMC Bulk Molding Compound
- SMC Sheet Molding Compound
- copper wires can be applied to a copper foil and then pressed with a second foil to form a core. It is also possible to embed the copper wires applied to the copper foil inside the printed circuit board. However, this results in undesirable design restrictions.
- a method for producing a circuit carrier and a circuit carrier having the features of the independent patent claims.
- Advantageous embodiments will be apparent from the respective dependent claims.
- a method for producing a circuit carrier for electronic components is specified.
- a circuit carrier for electronic components is specified.
- the circuit carrier for electronic components has a base material layer of an electrically insulating Ma ⁇ material including a first surface and a second surface which is arranged parallel to the first surface.
- the circuit carrier further comprises at least one connection layer, which is at least on the first and / or the second
- Each interconnect layer comprises a number of electrically conductive connections, the so-called interconnects, with a predetermined interconnect width.
- the compounds are reinforced by plasma spraying at least in sections with additional electrically conductive material, whereby a larger conductor track width than the predetermined conductor track width and / or, preferably, a greater layer thickness than the predetermined layer thickness is given.
- Plasma spraying includes ⁇ losing the particular application of the additional material, by generating a plasma jet by means of a plasma torch and the additional material is injected as a powder into the plasma jet. The grains of the powder are melted or melted by the plasma jet and thrown onto the substrate layer and / or the bonding layer. At the same time, the surface to which the additional material is applied can be cleaned by means of the plasma jet. Instead of wires or profiles, the increase in thickness to increase the current carrying capacity by a plasma coating, the plasma spraying applied. This is a process in which conductive material during or after completion of the production of a conventionally manufactured circuit substrate is applied to this. As a result, an increase in the current carrying capacity on the interconnect layers arranged on the outer surfaces of the circuit carrier can be realized by partially increasing the layer thickness of the electrically conductive connections.
- etching process Compared with an etching process, less coarse conductor structures can advantageously be achieved by means of plasma spraying with increased layer thickness (sometimes also referred to as "thick copper").
- layer thickness sometimes also referred to as "thick copper”
- the production of a connection layer both with fine conductor structures, which are required for the connection of logic circuits, as well as connections with high current carrying capacity for power circuits is so particularly easy to implement.
- the thick copper line structures do not have to be realized over the entire area of the printed circuit board as in an etching process, so that, for example, problems in the unbundling of a printed circuit board having both power components and logic components are avoided and a more efficient production can be achieved.
- Ge ⁇ geninate an additional photolithographic patterning and subsequent galvanic reinforcement has the laser spraying a small number of process steps, so that the production of the printed circuit board is particularly cost-saving.
- the substrate layer of the electrically insulating material and the bonding layer or tie layers applied to at least the one or more surfaces of the substrate layer may be provided as a semifinished product, for example, as a prepreg provided with the bonding layer.
- a semi-finished product may also be a Stan ⁇ dard circuit board - in particular a printed circuit board (PCB, printed circuit board) - be having electrically conductive connections for the realization of logic circuits.
- the layer thickness of a connecting layer is generally between 30ym and 35ym.
- the track width is usually lOOym.
- electrically conductive connections are required for the realization of a power circuit, which have a much greater layer thickness and / or conductor track width.
- Interconnection is the production of additional electrically conductive material at least some of the electrically conductive compounds by plasma spraying.
- circuit carrier separates from the manufacture of conventional circuit substrate forming the electrically conductive connection of increased current carrying capacity, a high Flexi ⁇ stability results in the production of the circuit carrier. At the same time, such a circuit carrier can be provided at a relatively low cost. Since the generation of the electrically conductive connections with increased current carrying capacity is possible by computer-aided control of a plasma spraying device, both large and small quantities can be provided at low cost. In particular, the proposed circuit carrier solves the
- Target conflict which results from the manufacturing process of the standard printed circuit board provided as a semifinished product of carrier material layer and at least on the first and / or the second surface of the carrier material layer and the production of conductor tracks with high current carrying capacity.
- At least one further connection layer with a predetermined layer thickness is arranged in the interior of the carrier material layer, wherein the further connection layer occupies a surface area of the circuit carrier, the area area being in one
- the application of the additional material in a further connection layer takes place during the production of the circuit carrier then formed as a multi-layer printed circuit board.
- a first layer of the electrically insulating material is provided, which is provided with the further connecting layer and a second layer of the electric iso ⁇ lierenden material is provided.
- Further Verbin ⁇ dung layer is at least reinforced sections by means of plasma ⁇ splash with the additional electrically conductive material, or another electrically conductive material, wherein the additional or further electrically conductive material may extend to or above the electrically insulating material of the further kauss slaughter laterally ,
- the first and the second layer for producing the carrier material layer are joined together, so that the further connection layer including the reinforcement between the first and the second layer is arranged in the interior of the carrier material layer.
- the United ⁇ bonding layer may be applied to first and / or second layer or to another layer of the substrate layer.
- this can produce a heat spreading surface which improves the heat dissipation in the lateral direction of the circuit carrier, ie parallel to a plane in which the first or second surface lies.
- it may be provided such a surface area below a To arrange power component, which has a high heat output during operation.
- electrically conductive connections with high current carrying capacity can only be realized on the outer surfaces of a printed circuit board.
- the at least one bonding layer and / or the at least one further Ver ⁇ bonding layer of a first electrically conductive ma- can TERIAL, in particular metal may be formed.
- the additional or further material may be formed from a second electrically conductive material, wherein the first material corresponds to the second material or is different from this.
- the first conductive material usually copper is used.
- the second material may be, for example, copper, aluminum or bronze.
- the second electrically conductive material has ductile properties, ie if the layer of the additional material is flexible.
- the carrier material layer has a printed circuit board section in which the thickness of the electrically insulating material is reduced, so that the printed circuit board section is semiflexible.
- the reinforcement of the bonding layer and / or the further connecting layer is then at least in the region of this printed circuit board portion to a ductile metallic material as an additional or other material, so that it remains ⁇ keep the flexibility of the semi-conductor plate portion.
- the amplification of electrically conductive connections with additional material in the region of flexible sections of a circuit carrier can be done in this way before bending.
- the predetermined layer thickness of the bonding layer and / or the further bonding layer is, for example, 50 ⁇ m or less and more preferably 10 ym or more, typically between 30 ym and 35 ym, with the limits included. It is advantageous if the thickness of the additional ⁇ Ma terials is up to 30 times of the predetermined layer thickness.
- the additional material for reinforcing the bonding layer and / or the further bonding layer is applied with a layer thickness of 200 ⁇ m or more; for example, the layer thickness is between 200 ym and 400 ym, with the boundaries included.
- a layer thickness is particularly advantageous for a conductor track intended for a power circuit.
- the width of the reinforced to ⁇ sharmlichen material portion is up to 50 times the predetermined conductor track width of a non-reinforced portion. While the structure width of the Verbin ⁇ dung layer and / or the further connecting layer at ⁇ game as a common for logic circuits track width between 50 ym and 150 ym - eg lOOym - may have the width of a, in particular for a power circuit, enhanced by plasma spraying connection between can 2mm and 3mm, the limits are included.
- the additional material can be applied directly to the carrier material ⁇ layer or a solder resist. This results in high design freedom.
- large-area ⁇ heat spreading layers can be locally connected to electrically conductive portions of the connecting layer.
- Such a heat-spreading layer may be electrically isolated from other electrical connection layers.
- the additional material layer laterally ⁇ over the predetermined track width addition to the support material or to make the solder resist protrude. As a result, the provision of a conductor track with increased current carrying capacity can also take place in those sections of an electrically conductive connection, which is designed as a conductor track for a logic circuit in the context of production.
- the additional material may additionally be applied flat on a solder resist which covers the connecting layers arranged on the first and / or second surface.
- a solder resist which covers the connecting layers arranged on the first and / or second surface.
- an electrically conductive shield can be realized.
- the additional material establishes an electrical connection between two contact surfaces of two connections of the same connection layer that were originally electrically insulated from one another. In this way, can be activated even after the preparation of the standard printed circuit board by means of the plasma spraying process ⁇ optional compounds like a "jumper".
- the portions provided with the additional material may not be covered with a solder resist. Furthermore, they can not with the additional material
- a circuit carrier in which, instead of the use of wires or profiles, the layer thickness of a conductor track is increased by plasma coating. As a result, a virtually free selection of the additionally applied material can take place. There is no galvanic process required.
- the shape and thickness of an electrically conductive connection to be reinforced can by
- the additional material deposited by the plasma process can be applied directly to free metal or even to a solder resist or directly to the material of the substrate layer.
- the circuit carrier thus makes it possible to realize large-area heat-spreading layers, which can also be connected to metallic components of one or more connecting layers.
- ground or screen layers can be realized to optimize the electromagnetic compatibility. This is particularly the case when the additional material is applied to the solder resist applied to the bonding layers applied to the surfaces.
- the additional material can be used as an additional layout level.
- the circuit carrier allows the combination of local thick conductor tracks for high current carrying capacity with fine structures.
- the circuit carrier may be a brieflygefräste printed circuit board, in which the additional material in a printed circuit board portion reduced number of layers, ie in the bending ⁇ area of a two rigid circuit board sections connecting flexible circuit board portion is applied. This is especially possible with the use of ductile materials for the additional material.
- a circuit carrier for electronic components comprising: a substrate layer of an electrically insulating material having a first surface and a second surface arranged parallel to the first surface; a bonding layer applied to at least the first and / or second surfaces of the substrate layer and each having a predetermined layer thickness, each bonding layer having a number of electrically conductive connections with a predetermined one
- Trace width includes
- the compounds are reinforced by plasma spraying with additional electrically conductive material, whereby a greater layer thickness than the predetermined
- circuit carrier according to aspect 1 characterized in that the additional material subsequently to the at least some
- circuit carrier according to aspect 1 or 2 characterized in that in the interior of the substrate layer at least one further connection layer with a predetermined layer thickness is seen before ⁇ , wherein the further connection layer occupies a WING ⁇ chen Scheme of the circuit substrate, wherein the WING ⁇ chen Scheme in one direction is arranged orthogonal to the first or second surface below a device and which is reinforced by plasma spraying at least in sections with additional electrically conductive material, whereby a greater layer thickness than the predetermined
- circuit carrier according to aspect 4 characterized in that the second electrically conductive material has ductile properties.
- the second material is copper, aluminum or bronze.
- circuit carrier according to one of the preceding aspects 1 to
- the thickness of the additional material is up to 30 times the predetermined layer thickness.
- circuit carrier according to one of the preceding aspects 1 to
- the width of the portion reinforced with the additional material is up to 50 times the predetermined trace width of an unreinforced portion.
- circuit carrier according to one of the preceding aspects 1 to 8, characterized in that the additional material is positioned ⁇ introduced directly to the base material layer or a solder resist.
- circuit carrier according to one of the preceding aspects 1 to 9, characterized in that the additional material protrudes beyond the predetermined conductor track width on the carrier material layer or the solder resist.
- circuit carrier according to one of the preceding aspects 1 to 10 characterized in that the additional material (24) is applied flat on a Lötstopplack which covers the arranged on the first and / or the second surface connecting layers.
- additional material is an electrical connection between two originally electrically isolated contact surfaces of two compounds of the same compound layer produces.
- FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an electronic component applied to a circuit carrier according to the invention
- FIG. 2a and 2b show a cross-sectional view and a top on a conventional circuit carrier
- Fig. 3a and 3b a cross-sectional view and a top looks on a circuit carrier according to the invention.
- the scarf ⁇ tion carrier 10 in the form of a printed circuit board has a Trä ⁇ germaterial für 11 made of an electrically insulating material.
- the material of the substrate layer 11 can with Epoxy resin impregnated glass fiber mats may be used (known under the material identifier FR4).
- other materials can also be used, such as Teflon, aluminum oxide or ceramic as well as polyester film in flexible printed circuit boards.
- the substrate layer 11 has a first one
- a first interconnect layer are brought and 14 and on the second surface 13 is a second tie layer 15 on ⁇ on the first surface 12.
- a third bonding layer 16 and a fourth bonding layer 17 are (by way of example) arranged.
- Each of the tie layers 14, 15, 16, 17 forms a separate Lei ⁇ teryakteil from each having a predetermined layer thickness.
- Each conductor traction structure comprises a number of electrically conductive connections (so-called conductor tracks) with a predetermined conductor track width. At ends of conductor tracks connecting ⁇ surfaces formed or the like may be deviated whose width of the conductor track width.
- the traces of respective Verbin ⁇ dung layers 14, 15, 16, 17 may be 18 (so-called. Vias) to one another by so-called. Vias may be electrically connected to each other.
- the layer thickness of a respective bonding layer 14, 15, 16, 17 is typically between 30ym and 35ym. The thickness of these layers, which are also referred to as base copper, can in individual cases also be smaller or larger.
- the conductor track width of the conductor tracks provided for signal transmission is approximately 100 ⁇ m.
- the scarf ⁇ tion carrier 10 is a standard circuit board with a ladder ⁇ zug réelle for a logic circuit, which can be made in a known to those skilled and manufacturing process described above.
- Power circuit requires a much smaller area than for the logic circuit. Therefore, it is sufficient to provide only a part of the electrically conductive connections with corresponding current conductivity.
- component 30 shown in FIG. 1 is a power component, for the connection of which conductor conductor structures with greater current conductivity than the conductor conductor structures produced during the production of a standard printed circuit board are required.
- the component 30 has, for example, in a manner known to those skilled in a semiconductor chip 31 which is applied via a solder layer 32 on a heat sink 33 made of a good heat conductive material. With its side remote from the semiconductor chip major surface of the heat sink 33 is conductive via solder or other good heat layer attached to a heat spreader ⁇ 21 of the first tie layer 14 40th
- the heat spreading surface 21 represents a surface of the first connection layer 14 corresponding to the surface of the heat sink 33.
- the object of the heat spreader surface 21 is to distribute the heat generated by the semiconductor chip 31 laterally under the heat sink 33.
- a heat dissipation to the heat plate 50 formed as a heat sink can then take place.
- the carrier plate 50 is connected via a heat conducting material 51 to the second surface 13 of the circuit substrate 10.
- Circuit carrier 10 takes place via bonding wires 35, 37 and to ordered connection elements 34, 36, which are electrically connected with their free ends via a respective solder layer 38, 39 with associated An ⁇ closing surfaces 19, 20.
- the semiconductor chip 31 and the bonding wires 35, 37 and the heat sink 33 are disposed in one of an injection molding material ge ⁇ formed in general, housing 41st
- the method according to the invention and the circuit carrier according to the invention are also suitable for differently constructed power components.
- the power device may be one of the following: capacitor, coil, power transistor, thyristor.
- FIGS. 2a and 2b show a cross-sectional view and a plan view of a conventional circuit substrate 10, wherein the disposed on the first surface 12 of first Verbin ⁇ -making layer, which is provided, for example for the preparation by the derailleur support 10 and not with too ⁇ sharmlichem electrically conductive material is reinforced.
- Conductor tracks which carry logic signals and are assigned to a logic circuit are identified by the reference numeral 22.
- the exemplary parallel two conductor tracks 23 are associated with a power circuit, not shown.
- the conductor tracks 22, 23 may have kinks and bends.
- the invention is not restricted to the rectilinear shape chosen only to simplify the figures.
- the conductor tracks 22 and 23 are the same height, ie they have the same layer thickness.
- the conductor tracks 23 have a substantially greater width than the conductor tracks 22.
- FIGS. 3 a and 3 b show a circuit carrier 10 designed according to the invention.
- the first connection layer 14 is on the first surface 12 of FIG.
- the first connection layer 14 again comprises conductive traces 22 for an unspecified represent ⁇ Asked logic circuit and circuit traces 23 for a likewise not illustrated power circuitry, the above statements also apply to their shaping. As can be seen in the direct comparison of FIGS. 2 b and 3 b, the conductor tracks 23 for the power circuit are, for example, considerably narrower. From the
- Plasma coating i. through a plasma spraying process.
- the material for forming the first interconnection layer 14 preferably Copper is used, the force applied by the plasma spray process can be selected according to the Anfor ⁇ requirements. It can also be used for example copper or alternatively aluminum or bronze. Preferably, the additionally applied material 24 is ductile, so that the use is also possible on flexible printed circuit boards.
- the application of the additional material by the plasma spraying process is preferably carried out on a structure previously created by a conventional manufacturing process (i.e.
- Apply material 24 it is even possible to apply additional material to a solder resist, which is typically applied to terminate and protect the first and second interconnect layer in a planar manner on the circuit carrier. If the applied to a solder resist additional material applied flat, so this can take an electromagnetic shielding ⁇ function. Alternatively, the additional material on the solder resist of the circuit substrate can be used as an additional layout level.
- the great flexibility of the plasma spraying process allows subsequent adaptation of the circuit structure. For example, electrical connections between respective pads of the first interconnect layer 14 and the second interconnect layer 15 can be made. In this way configurations can be taken in the manner of "Jumpers" before ⁇ example.
- the current carrying capacity between two components or between a component and a plug can be increased as an interface to the outside.
- partially additional electrically conductive Ma ⁇ material can be provided to achieve better buffering and heat spreading in the interior of the circuit substrate.
- the technology of plasma coating can be applied to flexible, in particular deep-fabricated printed circuit boards in the area of reduced number of layers, ie in the bending area. Thereby, it is possible to increase the current carrying capacity between connected by a fle ible ⁇ conductor plate parts.
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Abstract
Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsträgers (10) für elektronische Bauelemente (30) angegeben. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen einer Trägermaterialschicht (11) aus einem elektrisch isolierenden Material und zumindest einer Verbindungsschicht (14, 15), die zumindest auf einer ersten und/oder zweiten Oberfläche (12, 13) der Trägermaterialschicht (11) aufgebracht ist und jeweils eine vorgegebene Schichtstärke aufweist, wobei jede Verbindungsschicht eine Anzahl an elektrisch leitenden Verbindungen mit einer vorgegebenen Leiterbahnbreite umfasst. Bei dem Verfahren werden zumindest einige der Verbindungen durch Plasmaspritzen zumindest abschnittsweise mit zusätzlichem elektrisch leitfähigen Material (24) verstärkt, wodurch eine größere Schichtstärke als die vorgegebene Schichtstärke und/oder eine größere Leiterbahnbreite als die vorgegebene Leiterbahnbreite erzielt wird. Weiter wird ein Schaltungsträger (10) für elektronische Bauelemente (30) angegeben.
Description
Beschreibung
Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsträgers und Schal¬ tungsträger für elektronische Bauelemente
Die Erfindung betrifft einen Schaltungsträger für elektronische Bauelemente und ein Verfahren zum Herstellen eines solchen. Der Schaltungsträger umfasst eine Trägermaterialschicht aus einem elektrischen isolierenden Material mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, wobei die zweite Oberfläche parallel zu der ersten Oberfläche angeordnet ist. Der Schal¬ tungsträger umfasst zumindest eine Verbindungsschicht, die zumindest auf der ersten und/oder der zweiten Oberfläche der Trägermaterialschicht aufgebracht ist und jeweils eine vor- gegebene Schichtstärke aufweist, wobei jede Verbindungsschicht eine Anzahl an elektrisch leitenden Verbindungen mit einer vorgegebenen Leiterbahnbreite umfasst. Ein derartiger Schal¬ tungsträger wird vorliegend auch als Leiterplatte bezeichnet. Leiterplatten sind Träger für elektronische Bauelemente. Sie dienen der mechanischen Befestigung und Verbindung der elektronischen Bauelemente. Eine Leiterplatte besteht aus elekt¬ risch isolierendem Material mit daran haftenden, leitenden Verbindungen, den sog. Leiterbahnen. Als isolierendes Material ist faserverstärkter Kunststoff üblich. Die Leiterbahnen werden zumeist aus einer dünnen Schicht Kupfer geätzt. Die Bauelemente werden auf Lötflächen, sog. Pads, oder in Lötaugen gelötet.
Es gibt eine Vielzahl an unterschiedlichen Leiterplattenarten. Zum Beispiel sind einseitige und zweiseitige Leiterplatten bekannt, bei denen elektrisch leitende Verbindungen entweder nur auf einer Oberfläche oder auf den beiden gegenüber liegenden
Oberflächen der Leiterplatten aufgebracht sind. Bei sog.
mehrlagigen Leiterplatten, vom Fachmann auch als
Multilayer-Leiterplatten bezeichnet, sind Leiterzugstrukturen in mehreren Lagen sowohl auf als auch im Inneren der Leiterplatte angeordnet .
Einseitige und doppelseitige, durchkontaktierte Leiterplatten werden typischerweise photochemisch hergestellt. Die Her¬ stellung der Leiterbahnen erfolgt in der Regel photolithographisch, indem eine dünne Schicht lichtempfindlichen Fotolacks auf die Oberfläche der zunächst vollständig metallisierten
Leiterplatte aufgebracht wird. Nach der Belichtung des Fotolacks durch eine Maske mit dem gewünschten Layout der Leiterzugstruktur sind je nach verwendetem Fotolack entweder die belichteten oder die unbelichteten Anteile des Lacks löslich in einer passenden Entwickler-Lösung und werden entfernt. Wird die so behandelte Leiterplatte in eine geeignete Ätzlösung eingebracht, so wird nur der freigelegte Teil der metallisierten Oberfläche angegriffen. Die vom Fotolack bedeckten Anteile bleiben erhalten, weil der Lack beständig gegen die Ätzlösung ist. Anschließend können die Kupferschichten nach dem Ätzen galvanisch verstärkt werden, um die gewünschte Schichtstärke zu erzielen. Zusätzlich können galvanisch auf Teilflächen oder der gesamten Kupferfläche metallische Schutz- und Kontaktschichten aus Zinn, Nickel oder Gold aufgebracht werden. Danach wird ein Lötstopplack aufge- bracht, der die Leiterbahnen abdeckt und nur die Lötstellen freilässt. Damit lassen sich zum einen Lötfehler vermeiden, zum anderen werden die Leiterbahnen vor Korrosion geschützt.
Bei mehrlagigen Leiterplatten werden mehrere dünne Leiterplatten mit sog. Prepregs auf einander geklebt. "Prepreg" bezeichnet dabei ein Halbzeug, bestehend aus Endlosfasern und einer un¬ gehärteten duroplastischen Kunststoffmatrix, oder ein
duroplastisches Faser-Matrix-Halbzeug wie BMC (Bulk Molding Compound) oder SMC (Sheet Molding Compound) , das anstelle von Endlosfasergewebe kürzere Faserschnipsel - in der Regel mit einer Länge von 50 mm oder weniger - als Faseranteil enthält. Diese Multilayer-Leiterplatten können bis zu 48 Schichten aufweisen. Üblich sind 4 bis 8 Lagen im Umfeld von automobilen Anwendungen. Die Verbindungen der Verbindungsschichten zwischen den Lagen erfolgt mittels sog. Durchkontaktierungen .
Bei manchen Anwendungen ist es erforderlich aus Gründen einer erhöhten Stromtragfähigkeit einen Teil der elektrisch leitenden
Verbindungen mit größerem Leitungsquerschnitt auszubilden. Hierzu können Kupferdrähte auf einer Kupferfolie aufgebracht werden und dann mit einer zweiten Folie zu einem Kern verpresst werden. Dabei ist es auch möglich, die auf der Kupferfolie aufgebrachten Kupferdrähte im Inneren der Leiterplatte einzubetten. Hierdurch ergeben sich jedoch unerwünschte Einschränkungen beim Design.
Für spezielle Anwendungen ist es auch bekannt, isolierte Drähte auf dem Basismaterial der Leiterplatte zu verlegen und diese mittels Ultrastahlschweißung an Lötpunkten anzuschließen und auch auf der Oberfläche des Basismaterials zu befestigen. Hierdurch wird zwar eine hohe Stromfestigkeit der Leiterplatte erzielt, aufgrund der Verfahrensschritte ist diese Vorge- hensweise aus Kostengründen jedoch nicht für die Herstellung einer großen Anzahl an Schaltungsträgern geeignet.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Schaltungsträger für elektronische Bauelemente anzugeben, bei dem eine selektive Erhöhung von elektrisch leitenden Verbindungen mit hoher Stromtragfähigkeit bei gleichzeitig geringen Kosten in der Herstellung realisierbar ist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsträgers und einen Schaltungsträger mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweils abhängigen Patentansprüchen . Gemäß einem Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsträgers für elektronische Bauelemente angegeben. Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Schaltungsträger für elektronische Bauelemente angegeben. Gemäß einem dritten Aspekt wird eine elektronische Steuereinheit mit dem Schaltungsträger und mindestens einem auf dem Schaltungsträger fixierten und mittels des Schaltungsträgers elektrische kontaktierten Bau¬ element, insbesondere einem Leistungsbauelement, angegeben. Zur Vereinfachung sind im Folgenden einzelne Ausgestaltungen und
Weiterbildungen nur anhand eines Aspekts (Verfahren Schaltungsträger oder Steuereinheit) beschrieben. Diese sind jedoch jeweils auch für die anderen Aspekte anwendbar. Der Schaltungsträger für elektronische Bauelemente hat eine Trägermaterialschicht aus einem elektrisch isolierenden Ma¬ terial mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, die parallel zu der ersten Oberfläche angeordnet ist. Der Schaltungsträger umfasst ferner zumindest eine Verbindungs- Schicht, die zumindest auf der ersten und/oder der zweiten
Oberfläche der Trägermaterialschicht aufgebracht ist und jeweils eine vorgegebene Schichtstärke aufweist. Die Schichtstärke entspricht dabei der Höhe der in der jeweiligen Verbindungs¬ schicht realisierten Leiterbahnen. Jede Verbindungsschicht umfasst eine Anzahl an elektrisch leitenden Verbindungen, die sog. Leiterbahnen, mit einer vorgegebenen Leiterbahnbreite. Bei dem Verfahren wird eine solche Trägermaterialschicht mit Verbindungsschicht bereit gestellt. Erfindungsgemäß sind zumindest manche der Verbindungen durch Plasmaspritzen zumindest abschnittsweise mit zusätzlichem elektrisch leitfähigem Material verstärkt, wodurch eine größere Leiterbahnbreite als die vorgegebene Leiterbahnbreite und/oder, bevorzugt, eine größere Schichtstärke als die vorgegebene Schichtstärke gegeben ist. Plasmaspritzen umfasst dabei ins¬ besondere das Auftragen des zusätzlichen Materials, indem mittels eines Plasmabrenners ein Plasmajet erzeugt und das zusätzliche Material in den Plasmajet als Pulver eingedüst wird. Die Körner des Pulvers werden von dem Plasmajet an- oder aufgeschmolzen und auf die Trägermaterialschicht und/oder die Verbindungsschicht geschleudert. Zugleich kann mittels des Plasmajets die Oberfläche, auf welche das zusätzliche Material aufgetragen wird, gereinigt werden. Anstelle von Drähten oder Profilen wird die Erhöhung der Dicke zur Erhöhung der Stromtragfähigkeit durch eine Plas- ma-Beschichtung, das Plasmaspritzen, aufgebracht. Dabei handelt es sich um einen Prozess, bei dem leitfähiges Material während
oder nach Abschluss der Herstellung eines herkömmlich gefertigten Schaltungsträgers auf diesen aufgebracht wird. Hierdurch kann eine Erhöhung der Stromtragfähigkeit auf der auf den äußeren Oberflächen des Schaltungsträgers angeordneten Verbindungs- schichten durch partielle Erhöhung der Schichtstärke der elektrisch leitfähigen Verbindungen realisiert werden.
Gegenüber einem Ätzprozess sind mittels des Plasmaspritzens mit Vorteil bei erhöhter Schichtstärke (gelegentlich auch als "Dickkupfer" bezeichnet) weniger grobe Leiterstrukturen realisierbar. Die Herstellung einer Verbindungsschicht sowohl mit feinen Leiterstrukturen, welche für die Verbindung von Logikschaltungen benötigt werden, als auch von Verbindungen mit hoher Stromtragfähigkeit für Leistungsschaltungen ist so be- sonders einfach realisierbar . Die Dickkupfer-Leitungsstrukturen müssen nicht wie bei einem Ätzverfahren über die gesamte Fläche der Leiterplatte realisiert werden, so dass beispielsweise Probleme bei der Entflechtung einer sowohl Leistungsbauelemente als auch Logikbauelemente aufweisenden Leiterplatte vermieden werden und eine effizientere Herstellung erzielbar ist. Ge¬ genüber einer zusätzlichen photolithographischen Strukturierung und nachfolgenden galvanischen Verstärkung hat das Laserspritzen eine geringe Anzahl von Prozessschritten, so dass die Herstellung der Leiterplatte besonders kostensparend ist.
Die Trägermaterialschicht aus dem elektrisch isolierenden Material und die zumindest auf der oder den Oberflächen der Trägermaterialschicht aufgebrachte Verbindungsschicht oder Verbindungsschichten können als Halbzeug bereitgestellt werden, zum Beispiel als ein mit der Verbindungsschicht versehenes Prepreg. Ein solches Halbzeug kann auch eine Stan¬ dard-Leiterplatte - insbesondere eine gedruckte Leiterplatte (PCB, printed circuit board) - sein, welche elektrisch leitende Verbindungen für die Realisierung von Logikschaltungen aufweist. Bei einer solchen Standard-Leiterplatte beträgt die Schicht¬ stärke einer Verbindungsschicht in der Regel zwischen 30ym und 35ym. Die Leiterbahnbreite beträgt in der Regel lOOym.
Dem gegenüber werden für die Realisierung einer Leistungsschaltung elektrisch leitende Verbindungen benötigt, welche eine sehr viel größere Schichtstärke und/oder Leiterbahnbreite aufweisen. Da für die gemeinsame Realisierung einer Leistungs- und Logikschaltung für den Leistungsteil eine sehr viel geringere Fläche als für den Logikteil benötigt wird, ist es ausreichend, lediglich einen kleinen Teil der elektrisch leitenden Verbindungen mit entsprechender Stromtragfähigkeit vorzusehen. Dies erfolgt gemäß der vorliegenden Erfindung durch das selektive Aufbringen von zusätzlichem elektrisch leitfähigem Material, insbesondere auf das oben beschriebene Halbzeug. Zur Vermeidung komplizierter Herstellungsprozesse und zur Bereitstellung einer hohen Flexibilität im Hinblick auf die zu realisierende
Verschaltung erfolgt die Erzeugung des zusätzlichen elektrisch leitfähigen Materials zumindest mancher der elektrisch leitenden Verbindungen durch Plasmaspritzen.
Durch die von der Herstellung des herkömmlichen Schaltungs- trägers getrennte Erzeugung der elektrisch leitenden Verbindung mit erhöhter Stromtragfähigkeit ergibt sich eine hohe Flexi¬ bilität bei der Herstellung des Schaltungsträgers. Gleichzeitig kann ein solcher Schaltungsträger mit verhältnismäßig geringen Kosten bereitgestellt werden. Da die Erzeugung der elektrisch leitenden Verbindungen mit erhöhter Stromtragfähigkeit durch rechnergestützte Steuerung einer Plasmaspritzvorrichtung möglich ist, können sowohl große als auch kleine Stückzahlen kostengünstig bereitgestellt werden. Insbesondere löst der vorgeschlagene Schaltungsträger den
Zielkonflikt auf, der durch den Herstellungsprozess der als Halbzeug aus Trägermaterialschicht und zumindest auf der ersten und/oder der zweiten Oberfläche der Trägermaterialschicht aufgebrachten Verbindungsschicht bereitgestellten Stan- dard-Leiterplatte und der Herstellung von Leiterbahnen mit hoher Stromtragfähigkeit entsteht.
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Gemäß einer weiteren Ausgestaltung ist im Inneren der Trägermaterialschicht zumindest eine weitere Verbindungsschicht mit einer vorgegebenen Schichtstärke angeordnet, wobei die weitere Verbindungsschicht einen Flächenbereich des Schal- tungsträgers einnimmt, wobei der Flächenbereich in einer
Richtung orthogonal zu der ersten oder der zweiten Oberfläche unterhalb des Bauelements - insbesondere des Leistungsbau¬ elements - angeordnet ist und der durch Plasmaspritzen zumindest abschnittsweise mit zusätzlichem elektrisch leitfähigem Ma- terial verstärkt ist, wodurch eine größere Schichtstärke als die vorgegebene Schichtstärke gegeben ist.
Das Aufbringen des zusätzlichen Materials bei einer weiteren Verbindungsschicht erfolgt während der Herstellung des dann als Multi-Layer-Leiterplatte ausgebildeten Schaltungsträgers.
Insbesondere wird eine erste Lage aus dem elektrisch isolierenden Material bereitgestellt, die mit der weiteren Verbindungsschicht versehen ist und eine zweite Lage aus dem elektrische iso¬ lierenden Material wird bereitgestellt. Die weitere Verbin¬ dungsschicht wird zumindest abschnittsweise mittels Plasma¬ spritzen mit dem zusätzlichen elektrisch leitfähigen Material oder einem weiteren elektrisch leitfähigen Material verstärkt, wobei sich das zusätzliche oder weitere elektrisch leitfähige Material auch seitlich von der weiteren Verbindungssschicht auf oder über dem elektrisch isolierenden Material erstrecken kann. Nachfolgend werden die erste und die zweite Lage zur Herstellung der Trägermaterialschicht zusammengefügt, so dass die weitere Verbindungsschicht einschließlich der Verstärkung zwischen der ersten und der zweiten Lage im Inneren der Trägermaterialschicht angeordnet ist. Nachfolgend oder vorausgehend kann die Ver¬ bindungsschicht auf erste und/oder zweite Lage oder auf eine weitere Lage der Trägermaterialschicht aufgebracht werden.
Insbesondere kann dadurch eine Wärmespreizfläche erzeugt werden, welche die Wärmeabfuhr in lateraler Richtung des Schaltungsträgers, d.h. parallel zu einer Ebene, in der die erste oder zweite Oberfläche liegt, verbessert. Beispielsweise kann vorgesehen sein, einen solchen Flächenbereich unterhalb eines
Leistungsbauelements anzuordnen, das im Betrieb eine hohe Wärmeabgabe aufweist. Mit galvanischen Verfahren können elektrisch leitende Verbindungen mit hoher Stromtragfähigkeit demgegenüber nur auf den Außenflächen einer Leiterplatte re- alisiert werden.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann die zumindest eine Verbindungsschicht und/oder die zumindest eine weitere Ver¬ bindungsschicht aus einem ersten elektrisch leitfähigen Ma- terial, insbesondere Metall gebildet sein. Das zusätzliche bzw. weitere Material kann aus einem zweiten elektrisch leitfähigen Material gebildet sein, wobei das erste Material dem zweiten Material entspricht oder von diesem unterschiedlich ist. Als erstes leitfähiges Material wird üblicherweise Kupfer verwendet . Das zweite Material kann beispielsweise Kupfer, Aluminium oder Bronze sein.
Grundsätzlich ist es zweckmäßig, wenn das zweite elektrisch leitfähige Material duktile Eigenschaften aufweist, d.h. wenn die Schicht aus dem zusätzlichen Material biegsam ist. Dies ermöglicht es insbesondere, elektrisch leitende Verbindungen mit zusätzlichem Material zur Erhöhung der Stromtragfähigkeit auch in gebogenen bzw. flexiblen Schaltungsträgern einzusetzen. Beispielsweise hat die Trägermaterialschicht einen Leiter- plattenabschnitt, in dem die Dicke des elektrisch isolierenden Materials reduziert ist, so dass der Leiterplattenabschnitt semiflexibel ist. Die Verstärkung der Verbindungsschicht und/oder der weiteren Verbindungsschicht erfolgt dann zumindest im Bereich dieses Leiterplattenabschnitts mit einem duktilen metallischen Material als zusätzlichem oder weiterem Material, so dass die Semiflexibilität des Leiterplattenabschnitts er¬ halten bleibt. Insbesondere kann das Verstärken elektrisch leitender Verbindungen mit zusätzlichem Material im Bereich flexibler Abschnitte eines Schaltungsträgers auf diese Weise vor dem Biegen erfolgen.
Die vorgegebene Schichtstärke der Verbindungsschicht und/oder der weiteren Verbindungsschicht beträgt zum Beispiel 50 ym oder
weniger und insbesondere 10 ym oder mehr, typischerweise beträgt sie zwischen 30 ym und 35 ym, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Es ist zweckmäßig, wenn die Dicke des zusätzlichen Ma¬ terials bis zu dem 30-fachen der vorgegebenen Schichtstärke beträgt. Beispielsweise ist das zusätzliche Material zur Verstärkung der Verbindungsschicht und/oder der weiteren Verbindungsschicht mit einer Schichtstärke von 200 ym oder mehr aufgetragen; zum Beispiel beträgt die Schichtstärke zwischen 200 ym und 400 ym, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Vor- zugsweise ist das zusätzliche Material zur Verstärkung der
Verbindungsschicht und/oder der weiteren Verbindungsschicht mit einer Schichtstärke zwischen 0, 5mm und 1mm aufgetragen, wobei die Grenzen eingeschlossen sind. Eine derartige Schichtstärke ist für eine Leiterbahn, die für eine Leistungsschaltung vorgesehen ist, besonders vorteilhaft.
Es ist weiterhin zweckmäßig, wenn die Breite des mit dem zu¬ sätzlichen Material verstärkten Abschnitts bis zu dem 50-fachen der vorgegebenen Leiterbahnbreite eines nicht verstärkten Abschnitts beträgt. Während die Strukturbreite der Verbin¬ dungsschicht und/oder der weiteren Verbindungsschicht bei¬ spielsweise eine für Logikschaltungen übliche Leiterbahnbreite zwischen 50 ym und 150 ym - z.B. von lOOym - haben kann, kann die Breite einer, insbesondere für eine Leistungsschaltung, mittels Plasmaspritzen verstärkten Verbindung zwischen 2mm und 3mm betragen, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind.
Grundsätzlich sind mittels des Plasmaspritzverfahrens auch noch breitere Leiterbahnen erzeugbar. Das zusätzliche Material kann direkt auf die Trägermaterial¬ schicht oder einen Lötstopplack aufgebracht werden. Dadurch ergeben sich hohe Designfreiräume. Insbesondere können gro߬ flächige Wärmespreizschichten stellenweise an elektrisch leitende Abschnitte der Verbindungsschicht angebunden werden. Eine solche Wärmespreizschicht kann elektrisch von anderen elektrischen Verbindungsschichten isoliert sein.
Es ist zudem möglich, das zusätzliche Material lateral über die vorgegebene Leiterbahnbreite hinaus auf die Trägermaterial¬ schicht oder den Lötstopplack hinausragen zu lassen. Dadurch kann die Bereitstellung einer Leiterbahn mit erhöhter Stromtrag- fähigkeit auch in solchen Abschnitten einer elektrisch leitenden Verbindung erfolgen, welche im Rahmen der Herstellung als Leiterbahn für eine Logikschaltung ausgebildet ist.
Das zusätzliche Material kann zusätzlich flächig auf einen Lötstopplack aufgebracht sein, welcher die auf der ersten und/oder zweiten Oberfläche angeordneten Verbindungsschichten bedeckt. Hierdurch kann beispielsweise eine elektrisch leitende Abschirmung realisiert werden. In einer weiteren Ausgestaltung stellt das zusätzliche Material eine elektrische Verbindung zwischen zwei ursprünglich elektrisch voneinander isolierten Kontaktflächen zweier Verbindungen derselben Verbindungsschicht her. Hierdurch können optionale Verbindungen nach Art eines „Jumpers" auch nach Herstellung der Standard-Leiterplatte mittels des Plasma¬ spritzprozesses aktiviert werden.
In einer weiteren Ausgestaltung können die mit dem zusätzlichen Material versehenen Abschnitte nicht mit einem Lötstopplack bedeckt sein. Ferner können die nicht mit dem zusätzlichen
Material versehenen Abschnitte mit einem Lötstopplack bedeckt sein .
Zusammenfassend wird ein Schaltungsträger bereitgestellt, bei dem anstelle der Verwendung von Drähten oder Profilen eine Erhöhung der Schichtstärke einer Leiterbahn durch Plas- ma-Beschichtung erfolgt. Hierdurch kann eine nahezu freie Auswahl des zusätzlich aufgebrachten Materials erfolgen. Es ist kein galvanischer Prozess erforderlich. Die Form und Dicke einer zu verstärkenden elektrisch leitenden Verbindung kann durch
Software und Prozesssteuerung, gegebenenfalls in Kombination mit Masken erfolgen, was eine hohe Flexibilität ermöglicht.
Das zusätzliche durch den Plasmaprozess abgeschiedene Material kann direkt auf freies Metall aufgebracht werden oder auch auf einen Lötstopplack oder direkt auf das Material der Trägermaterialschicht. Der Schaltungsträger ermöglicht damit ei- nerseits die Realisierung von großflächigen Wärmespreizschichten, die auch an metallische Bestandteile einer oder mehrerer Verbindungsschichten angebunden sein können. Andererseits lassen sich Masse- oder Schirm-Schichten zur Optimierung der elektromagnetischen Verträglichkeit realisieren. Dies ist insbesondere beim Aufbringen des zusätzlichen Materials auf den Lötstopplack der Fall, der auf die auf den Oberflächen aufgebrachten Verbindungsschichten aufgebracht ist. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass bei der Aufbringung des zusätzlichen Materials auf den Lötstopplack des Schaltungs- trägers das zusätzliche Material als zusätzliche Layoutebene genutzt werden kann.
Der Schaltungsträger erlaubt die Kombination von lokalen dicken Leiterbahnen für hohe Stromtragfähigkeit mit feinen Strukturen.
Insbesondere kann der Schaltungsträger eine tiefengefräste Leiterplatte sein, bei der das zusätzliche Material in einem Leiterplattenabschnitt reduzierter Lagenzahl, d.h. im Biege¬ bereich eines zwei starre Leiterplattenabschnitte verbindenden flexiblen Leiterplattenabschnitts, aufgebracht ist. Dies ist insbesondere bei der Verwendung von duktilen Materialien für das zusätzliche Material möglich.
Im folgenden Text sind weitere Aspekte der vorliegenden Of- fenbarung beschrieben, wobei die einzelnen Aspekte nummeriert sind, um die Bezugnahme auf Merkmale anderer Aspekte zu er¬ leichtern .
1. Schaltungsträgers für elektronische Bauelemente, umfassend: - eine Trägermaterialschicht aus einem elektrisch isolierenden Material mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, die parallel zu der ersten Oberfläche angeordnet ist ;
eine Verbindungsschicht, die zumindest auf der ersten und/oder der zweiten Oberfläche der Trägermaterialschicht aufgebracht ist und jeweils eine vorgegebene Schichtstärke aufweist, wobei jede Verbindungsschicht eine Anzahl an elektrisch leitenden Verbindungen mit einer vorgegebenen
Leiterbahnbreite umfasst;
wobei
zumindest manche der Verbindungen durch Plasmaspritzen mit zusätzlichem elektrisch leitfähigem Material verstärkt sind, wodurch eine größere Schichtstärke als die vorgegebene
Schichtstärke und/oder eine größere Leiterbahnbreite als die vorgegebene Leiterbahnbreite gegeben ist.
2. Schaltungsträger nach Aspekt 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Material nachträglich auf die zumindest manchen
Verbindungen einer Standard-Leiterplatte aufgebracht ist.
3. Schaltungsträger nach Aspekt 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , dass im Inneren der Trägermaterialschicht zumindest eine weitere Verbindungsschicht mit einer vorgegebenen Schichtstärke vor¬ gesehen ist, wobei die weitere Verbindungsschicht einen Flä¬ chenbereich des Schaltungsträgers einnimmt, wobei der Flä¬ chenbereich in einer Richtung orthogonal zu der ersten oder zweiten Oberfläche unterhalb eines Bauelements angeordnet ist und der durch Plasmaspritzen zumindest abschnittsweise mit zusätzlichem elektrisch leitfähigen Material verstärkt ist, wodurch eine größere Schichtstärke als die vorgegebene
Schichtstärke gegeben ist. 4. Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Aspekte 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Verbin¬ dungsschicht und/oder die zumindest eine weitere Verbin¬ dungsschicht aus einem ersten elektrisch leitfähigen Material, insbesondere Metall, gebildet ist, und das zusätzliche Material aus einem zweiten elektrisch leitfähigen, Material gebildet ist, wobei das erste Material dem zweiten Material entspricht oder von diesem unterschiedlich ist.
5, Schaltungsträger nach Aspekt 4, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite elektrisch leitfähige Material duktile Eigenschaften aufweist . 6. Schaltungsträger nach Aspekt 4 oder 5 , dadurch gekennzeichnet , dass das zweite Material Kupfer, Aluminium oder Bronze ist.
7. Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Aspekte 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des zusätzlichen Materials bis zu dem 30-fachen der vorgegebenen Schichtstärke beträgt .
8. Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Aspekte 1 bis
7, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite des mit dem zu- sätzlichen Material verstärkten Abschnitts bis zu dem 50-fachen der vorgegebenen Leiterbahnbreite eines nicht verstärkten Abschnitts beträgt.
9. Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Aspekte 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Material direkt auf die Trägermaterialschicht oder einen Lötstopplack aufge¬ bracht ist.
10. Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Aspekte 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Material über die vorgegebene Leiterbahnbreite auf die Trägermaterialschicht oder den Lötstopplack hinausragt.
11. Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Aspekte 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Material (24) flächig auf einen Lötstopplack aufgebracht ist, welcher die auf der ersten und/oder der zweiten Oberfläche angeordneten Verbindungsschichten bedeckt. 12. Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Aspekte 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Material eine elektrische Verbindung zwischen zwei ursprünglich elektrisch
voneinander isolierten Kontaktflächen zweier Verbindungen derselben Verbindungsschicht herstellt.
13. Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Aspekte 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die mit dem zusätzlichen
Material versehenen Abschnitte nicht mit einem Lötstopplack bedeckt sind.
14. Schaltungsträger nach einem der vorhergehenden Aspekte 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht mit dem zusätzlichen
Material versehenen Abschnitte mit einem Lötstopplack bedeckt sind .
Die Erfindung wird nachfolgend näher anhand eines Ausfüh- rungsbeispiels in den Zeichnungen erläutert. Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Verfahrens, des Schaltungsträgers und der Steuereinheit ergeben sich aus dem Ausführungsbeispiel. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Querschnittsdarstellung eines auf einem erfindungsgemäßen Schaltungsträger aufgebrachten elektronischen Bauele- ments,
Fig. 2a und 2b eine Querschnittsdarstellung und eine Draufsieht auf einen herkömmlichen Schaltungsträger, und Fig. 3a und 3b eine Querschnittsdarstellung und eine Draufsieht auf einen erfindungsgemäßen Schaltungsträger.
Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnittsdarstellung eines erfindungsgemäßen Schaltungsträgers 10, auf dem beispielhaft ein elektronisches Bauelement 30 aufgebracht ist. Der Schal¬ tungsträger 10 in Gestalt einer Leiterplatte hat eine Trä¬ germaterialschicht 11 aus einem elektrisch isolierenden Material. Als Material der Trägermaterialschicht 11 können mit
Epoxidharz getränkte Glasfasermatten verwendet sein (bekannt unter der Materialkennung FR4). Für Spezialanwendungen können auch andere Materialien zum Einsatz kommen, wie z.B. Teflon, Aluminiumoxid oder Keramik sowie Polyesterfolie in flexiblen Leiterplatten. Die Trägermaterialschicht 11 hat eine erste
Oberfläche 12, welche dem Bauelement 30 zugewandt ist, und eine zweite Oberfläche 13, welche einer als Wärmesenke dienenden Trägerplatte 50 der gesamten Anordnung zugewandt ist. In dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel sind auf der ersten Oberfläche 12 eine erste Verbindungsschicht 14 und und auf der zweiten Oberfläche 13 eine zweite Verbindungsschicht 15 auf¬ gebracht. Zusätzlich sind (optional) im Inneren der Trägermaterialschicht 11 beispielhaft eine dritte Verbindungsschicht 16 und eine vierte Verbindungsschicht 17 angeordnet. Jede der Verbindungsschichten 14, 15, 16, 17 bildet eine eigene Lei¬ terzugstruktur mit einer jeweils vorgegebenen Schichtstärke aus .
Jede Leiterzugstruktur umfasst eine Anzahl an elektrisch leitenden Verbindungen (sog. Leiterzüge) mit einer vorgegebenen Leiterbahnbreite. An Enden von Leiterzügen können Anschluss¬ flächen oder dergleichen ausgebildet sein, deren Breite von der Leiterbahnbreite abweicht. Die Leiterzüge jeweiliger Verbin¬ dungsschichten 14, 15, 16, 17 können untereinander durch sog. Durchkontaktierungen 18 (sog. Vias) elektrisch miteinander verbunden sein. Die Schichtstärke einer jeweiligen Verbindungsschicht 14, 15, 16, 17 beträgt typischerweise zwischen 30ym und 35ym. Die Dicke dieser auch als Basiskupfer bezeichneten Schichten kann in Einzelfällen auch kleiner oder größer sein. Die Leiterbahnbreite der für eine Signalübertragung vorgesehenen Leiterzüge beträgt etwa lOOym. Insoweit stellt der Schal¬ tungsträger 10 eine Standard-Leiterplatte mit einer Leiter¬ zugstruktur für eine Logikschaltung dar, welche in einem dem Fachmann bekannten und eingangs beschriebenen Herstellungs- prozess gefertigt werden kann.
Sollen auf einem solchen Schaltungsträger sowohl eine Logikschaltung als auch eine Leistungsschaltung realisiert werden, so
werden für die Realisierung der Leistungsschaltung elektrisch leitende Verbindungen benötigt, welche eine sehr viel größere Schichtstärke und/oder Leiterbahnbreite zur Führung der not¬ wendigen, hohen Ströme aufweisen. Meist wird für die gemeinsame Realisierung einer Leistungs- und Logikschaltung für die
Leistungsschaltung eine sehr viel geringere Fläche als für die Logikschaltung benötigt. Daher ist es ausreichend, lediglich einen Teil der elektrisch leitenden Verbindungen mit entsprechender Stromleitfähigkeit vorzusehen.
In der weiteren Beschreibung wird davon ausgegangen, dass das in Fig. 1 gezeigte Bauelement 30 ein Leistungsbauteil ist, zu dessen Anschluss Leiterzugstrukturen mit größerer Stromleitfähigkeit als die im Rahmen der Herstellung einer Standard-Leiterplatte hergestellten Leiterzugstrukturen benötigt werden.
Das Bauelement 30 weist beispielsweise in einer dem Fachmann bekannten Weise einen Halbleiterchip 31 auf, der über eine Lotschicht 32 auf eine Wärmesenke 33 aus einem gut Wärme leitenden Material aufgebracht ist. Mit seiner von dem Halbleiterchip abgewandten Hauptfläche ist die Wärmesenke 33 über ein Lot oder eine andere gut Wärme leitende Schicht 40 an eine Wärme¬ spreizfläche 21 der ersten Verbindungsschicht 14 angebunden. Die Wärmespreizfläche 21 stellt eine der Fläche der Wärmesenke 33 entsprechende Fläche der ersten Verbindungsschicht 14 dar.
Die Aufgabe der Wärmespreizfläche 21 besteht darin, die von dem Halbleiterchip 31 erzeugte Wärme lateral unter der Wärmesenke 33 zu verteilen. Über unterhalb der Wärmespreizfläche 21 verteilt angeordnete Durchkontaktierungen 26 des Schaltungsträgers 10 kann dann eine Wärmeabfuhr zu der als Wärmesenke ausgebildeten Wärmeplatte 50 erfolgen. Zu diesem Zweck ist die Trägerplatte 50 über ein Wärmeleitmaterial 51 an die zweite Oberfläche 13 des Schaltungsträgers 10 angebunden.
Eine elektrische Anbindung des Halbleiterchips 31 an die Leiterzugstruktur der ersten Verbindungsschicht 14 des
Schaltungsträgers 10 erfolgt über Bonddrähte 35, 37 und zu-
geordnete Anschlusselemente 34, 36, welche mit ihren freien Enden über eine jeweilige Lotschicht 38, 39 mit zugeordneten An¬ schlussflächen 19, 20 elektrisch verbunden sind. Der Halbleiterchip 31 und die Bonddrähte 35, 37 sowie die Wärmesenke 33 sind in einem in der Regel aus einem Spritzgussmaterial ge¬ bildeten Gehäuse 41 angeordnet. Das erfindungsgemäße Verfahren und der erfindungsgemäße Schaltungsträger sind auch für andersartig aufgebaute Leistungsbauteile geeignet. Beispielsweise kann es sich bei dem Leistungsbauteil um eines der folgenden Bauteile handeln: Kondensator, Spule, Leistungstransistor, Thyristor .
Um einerseits die im Betrieb des Bauelements 30 erzeugten Ströme widerstandsarm leiten zu können und andererseits auch eine gute laterale Verteilung der im Betrieb von dem Bauelement 30 - insbesondere von dem Halbleiterchip 31 - abgegebenen Wärme vornehmen zu können, sind zumindest die Anschlussflächen 19, 20, mit diesen elektrisch verbundene Leiterzugstrukturen sowie die Wärmespreizfläche 21 des Schaltungsträgers mit zusätzlichem elektrisch leitfähigen Material verstärkt. Die Verstärkung erfolgt durch Plasmaspritzen, so dass im Vergleich zu der vorgegebenen Schichtstärke der herkömmlich erzeugten Verbindungsschicht 14 eine größere Schichtstärke erzielt ist. Dies ist exemplarisch in den Fig. 2a, 2b, 3a und 3b ersichtlich.
Die Fig. 2a und 2b zeigen eine Querschnittsdarstellung und eine Draufsicht auf einen herkömmlichen Schaltungsträger 10, bei dem die auf der ersten Oberfläche 12 angeordnete erste Verbin¬ dungsschicht, der beispielsweise zur Herstellung des Schal- tungsträgers 10 bereitgestellt wird und noch nicht mit zu¬ sätzlichem elektrisch leitfähigem Material verstärkt ist.
Leiterzüge, welche Logiksignale tragen und einer Logikschaltung zugeordnet sind, sind mit dem Bezugszeichen 22 gekennzeichnet. Die beispielhaft parallel verlaufenden zwei Leiterzüge 23 sind einer nicht näher dargestellten Leistungsschaltung zugeordnet. Die Leiterzüge 22, 23 können Knicke und Biegungen aufweisen. Die Erfindung ist nicht auf die - nur zur Vereinfachung der Figuren gewählte - geradlinige Form eingeschränkt.
Bei einem herkömmlichen Schaltungsträger sind, wie dies aus der Querschnittsdarstellung der Fig. 2a ersichtlich ist, die Leiterzüge 22 und 23 gleich hoch, d.h. sie weisen die gleiche Schichtstärke auf. Demgegenüber ist ohne weiteres ersichtlich, dass zum Führen der wesentlich größeren Ströme die Leiterzüge 23 eine wesentlich größere Breite als die Leiterzüge 22 aufweisen. Damit ergeben sich jedoch weiter vorne beschriebene Probleme bei der Herstellung.
Demgegenüber zeigen die Fig. 3a und 3b einen erfindungsgemäß ausgebildeten Schaltungsträger 10. Auch hier ist die erste Verbindungsschicht 14 auf der ersten Oberfläche 12 des
Schaltungsträgers 10 dargestellt. Die erste Verbindungsschicht 14 umfasst wiederum Leiterzüge 22 für eine nicht näher dar¬ gestellte Logikschaltung und Leiterzüge 23 für eine ebenfalls nicht näher dargestellte Leistungsschaltung, für deren Formgebung die obigen Ausführungen ebenfalls gelten. Wie im direkten Vergleich der Fig. 2b und 3b ersichtlich ist, sind die Leiterzüge 23 für die Leistungsschaltung beispielhaft wesentlich schmaler ausgestaltet. Aus der
Querschnittsdarstellung der Fig. 2a und 3a ist jedoch ersichtlich, dass der für das Führen eines entsprechenden Stroms erforderliche Querschnitt durch das Aufbringen eines zusätz¬ lichen Materials 25 auf das Material 24 der Verbindungsschicht mit vorgegebener Schichtstärke realisiert ist. Auch Leiterzüge 23 größerer Breite - wie in Fig. 2a dargestellt - sind für das erfindungsgemäße Verfahren verwendbar. In diesem Fall ist eine besonders große Stromtragfähigkeit und Wärmespreizung reali¬ sierbar .
Das Aufbringen des zusätzlichen Materials erfolgt durch
Plasmabeschichtung, d.h. durch einen Plasmaspritzprozess .
Dadurch lassen sich Schichthöhen für den Leiterzug 23 zwischen 0,5 mm und 1,0 mm und Leiterzugbreiten zwischen 2,0 mm und 3,0 mm (oder sogar noch breiter) erzielen. Während als Material für die Erzeugung der ersten Verbindungsschicht 14 vorzugsweise
Kupfer zum Einsatz kommt, ist das durch den Plasmaspritzvorgang aufgebrachte zusätzliche Material 24 entsprechend den Anfor¬ derungen wählbar. Es kann beispielsweise ebenfalls Kupfer oder alternativ Aluminium oder Bronze eingesetzt werden. Bevorzugt ist das zusätzlich aufgebrachte Material 24 duktil, so dass auch der Einsatz auf flexiblen Leiterplatten ermöglicht ist.
Das Aufbringen des zusätzlichen Materials durch den Plasmaspritzprozess erfolgt bevorzugt auf eine zuvor durch einen herkömmlichen Herstellungsprozess erzeugte Struktur (d.h.
insbesondere eine Struktur mit einer Schichtstärke von 30ym bis 35ym und einer Leiterzugbreite von etwa lOOym) der betreffenden Verbindungsschicht und orientiert sich daher an deren Geometrie. Es ist nichtsdestotrotz möglich, auch über die Breite eines zuvor erzeugten Leiterzugs seitlich hinausgehendes zusätzliches
Material 24 aufzubringen. Insbesondere ist es sogar möglich, zusätzliches Material auf einen Lötstopplack aufzubringen, der typischerweise zum Abschluss und Schutz der ersten bzw. zweiten Verbindungsschicht flächig auf den Schaltungsträger aufgebracht wird. Wird das auf einen Lötstopplack aufgebrachte zusätzliche Material flächig aufgebracht, so kann dieses eine elektro¬ magnetische Abschirmfunktion übernehmen. Alternativ kann das zusätzliche Material auf dem Lötstopplack des Schaltungsträgers als zusätzliche Layout-Ebene genutzt werden.
Die große Flexibilität des Plasmaspritzprozesses ermöglicht eine nachträgliche Anpassung der Schaltungsstruktur. Beispielsweise können elektrische Verbindungen zwischen jeweiligen Anschlussflächen der ersten Verbindungsschicht 14 bzw. der zweiten Verbindungsschicht 15 hergestellt werden. Hierdurch können beispielsweise Konfigurationen nach Art eines „Jumpers" vor¬ genommen werden.
Es besteht die Möglichkeit der sog. Pad-Anpassung bei Bau- elementen. Zum Beispiel können bei großen passiven Bauelementen, wie z.B. Spulen, unterschiedliche Anschlussflächenkonfigura- tionen (sog. Footprints) mittels des Plasmaspritzprozesses individuell angepasst werden. Die Änderung des Leiterplat-
tenlayouts, die beispielsweise mit der Herstellung neuer Photolithographiemasken verbunden sein kann, ist dazu mit Vorteil nicht erforderlich. Die Plasmabeschichtung kann auch zur selektiven Veränderung von Leiterzugstrukturen von im Inneren des Schaltungsträgers angeordneten Verbindungsschichten genutzt werden. Hierzu ist es erforderlich den herkömmlichen Prozess zur Herstellung einer Standard-Leiterplatte abzuändern, indem vor dem Verbinden jeweiliger Schichten eine Bearbeitung der im Inneren gelegenen Verbindungsschichten durch Plasmabeschichtung erfolgt. Dadurch kann beispielsweise die Stromtragfähigkeit zwischen zwei Bauelementen bzw. zwischen einem Bauelement und einem Stecker als Schnittstelle nach außen erhöht werden. Ebenso kann unter einem Bauelement partiell zusätzliches elektrisch leitfähiges Ma¬ terial vorgesehen werden, um eine bessere Pufferung und Wärmespreizung im Inneren des Schaltungsträgers zu erzielen.
Die Technik der Plasmabeschichtung kann bei flexiblen, ins- besondere tiefengefrästen Leiterplatten im Bereich reduzierter Lagenzahl, d.h. im Biegebereich, Anwendung finden. Dadurch ist es möglich, die Stromtragfähigkeit zwischen durch einen fle¬ xiblen Teil verbundenen Leiterplattenteilen zu erhöhen.
Claims
1. Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsträgers für elektronische Bauelemente (30), umfassend:
- Bereitstellen einer Trägermaterialschicht (11) aus einem elektrisch isolierenden Material mit einer ersten Oberfläche (12) und einer zweiten Oberfläche (13), die parallel zu der ersten Oberfläche (12) angeordnet ist und einer Verbin¬ dungsschicht (14, 15), die zumindest auf der ersten und/oder der zweiten Oberfläche (12, 13) der Trägermaterialschicht
(11) aufgebracht ist und jeweils eine vorgegebene
Schichtstärke aufweist, wobei jede Verbindungsschicht (14, 15) eine Anzahl an elektrisch leitenden Verbindungen mit einer vorgegebenen Leiterbahnbreite umfasst;
- zumindest abschnittsweises Verstärken von zumindest einigen der Verbindungen durch Plasmaspritzen mit zusätzlichem elektrisch leitfähigem Material (24), wodurch eine größere Schichtstärke als die vorgegebene Schichtstärke und/oder eine größere Leiterbahnbreite als die vorgegebene Leiterbahn- breite erzielt wird,
wobei das zusätzliche Material (24) zumindest stellenweise flächig auf einen Lötstopplack oder direkt auf die Trägermaterialschicht (11) aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Trägermaterialschicht (11) mit der Verbindungsschicht (14, 15) eine Standard-Leiterplatte mit elektrischen Verbindungen bereit gestellt wird und das zusätzliche Material (24) nachträglich auf einige derVerbindungen der Standard-Leiterplatte aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Bereitstellen der Trägermaterialschicht (11) mit der Verbindungsschicht (14, 15) folgende Schritte umfasst:
- Bereitstellen einer ersten Lage aus dem elektrisch isolierenden Material, das mit einer weitere Verbindungsschicht (16, 17) mit einer vorgegebenen Schichtstärke versehen ist,
- zumindest abschnittsweises Verstärken der weiteren Verbindungsschicht (16, 17) mit dem zusätzlichen elektrisch leitfähigen Material (24) durch Plasmaspritzen, wodurch eine größere Schichtstärke als die vorgegebene Schichtstärke erzielt wird; - Bereitstellen einer zweiten Lage aus dem elektrisch isolierenden Material;
- Zusammenfügen der ersten Lage und der zweiten Lage, derart dass die weitere Verbindungsschicht (16, 17) im Inneren der Trä¬ germaterialschicht (11) angeordnet wird; und
- Aufbringen der Verbindungsschicht (14, 15),
wobei die weitere Verbindungsschicht (16, 17) derart ausgebildet ist, dass sie einen Flächenbereich des Schaltungsträgers (10) einnimmt, der in einer Richtung orthogonal zu der ersten oder zweiten Oberfläche (11, 12) unterhalb eines Bauelements (30) angeordnet ist und der Flächenbereich durch das Plasmaspritzen zumindest abschnittsweise mit dem zusätzlichen elektrisch leitfähigen Material (24) verstärkt.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Plasmaspritzen als zusätzliches elektrisch leitfähiges Material (24) Kupfer, Aluminium oder Bronze aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Material (24) flächig auf den Lötstopplack aufgebracht wird und der Lötstopplack die auf der ersten und/oder der zweiten Oberfläche angeordnete Verbindungsschicht (14, 15) bedeckt.
6. Schaltungsträgers für elektronische Bauelemente, umfassend: eine Trägermaterialschicht (11) aus einem elektrisch iso¬ lierenden Material mit einer ersten Oberfläche (12) und einer zweiten Oberfläche (13) , die parallel zu der ersten Oberfläche (12) angeordnet ist;
- eine Verbindungsschicht (14, 15), die zumindest auf der ersten und/oder der zweiten Oberfläche (12, 13) der Trägermaterialschicht (11) aufgebracht ist und jeweils eine vorgegebene Schichtstärke aufweist, wobei jede Verbindungsschicht (14,
15) eine Anzahl an elektrisch leitenden Verbindungen mit einer vorgegebenen Leiterbahnbreite umfasst;
wobei
zumindest manche der Verbindungen durch Plasmaspritzen mit zusätzlichem elektrisch leitfähigem Material verstärkt sind, wodurch eine größere Schichtstärke als die vorgegebene Schichtstärke und/oder eine größere Leiterbahnbreite als die vorgegebene Leiterbahnbreite gegeben ist und
das zusätzliche Material (24) zumindest stellenweise direkt auf die Trägermaterialschicht (11) oder einen Lötstopplack aufgebracht ist.
7. Schaltungsträger nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des zusätzlichen Materials (24) bis zu dem 30-fachen der vorgegebenen Schichtstärke beträgt.
8. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite des mit dem zusätzlichen Material (24) verstärkten Abschnitts bis zu dem 50-fachen der vorgegebenen Leiterbahnbreite eines nicht verstärkten Abschnitts beträgt.
9. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Material (24) über die vorgegebene Leiterbahnbreite auf die Trägermaterialschicht oder den Lötstopplack hinausragt.
10. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Material (24) eine elektrische Verbindung zwischen zwei ursprünglich elektrisch voneinander isolierten Kontaktflächen zweier Verbindungen derselben Verbindungsschicht herstellt.
11. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die mit dem zusätzlichen Material (24) versehenen Abschnitte nicht mit einem Lötstopplack bedeckt sind.
12. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht mit dem zusätzlichen Material (24) versehenen Abschnitte mit einem Lötstopplack bedeckt sind.
13. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägermaterialschicht (11) einen Leiterplattenabschnitt aufweist, in dem die Dicke des elektrisch isolierenden Materials reduziert ist, und ein duktiles me¬ tallisches Material als das zusätzliche elektrisch leitfähige Material in dem Leiterplattenabschnitt angeordnet ist, so dass der Leiterplattenabschnitt semiflexibel ist.
14. Schaltungsträger nach einem der Ansprüche 6 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass im Inneren der Trägermaterialschicht (11) zumindest eine weitere Verbindungsschicht (16, 17) mit einer vorgegebenen Schichtstärke vorgesehen ist, wobei die weitere Verbindungsschicht (16, 17) einen Flächenbereich des Schal¬ tungsträgers (10) einnimmt, wobei der Flächenbereich in einer Richtung orthogonal zu der ersten oder zweiten Oberfläche (12, 13) unterhalb eines Bauelements (30) angeordnet ist und der durch Plasmaspritzen zumindest abschnittsweise mit dem zusätzlichen elektrisch leitfähigen Material (24) verstärkt ist, wodurch eine größere Schichtstärke als die vorgegebene Schichtstärke gegeben ist .
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/504,572 US10276482B2 (en) | 2014-08-28 | 2015-08-25 | Method for reinforcing conductor tracks of a circuit board |
CN201580046597.6A CN106664801B (zh) | 2014-08-28 | 2015-08-25 | 用于制造电路载体的方法和用于电子器件的电路载体 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014217186.5A DE102014217186A1 (de) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsträgers und Schaltungsträger für elektronische Bauelemente |
DE102014217186.5 | 2014-08-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2016030379A1 true WO2016030379A1 (de) | 2016-03-03 |
Family
ID=54011028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/EP2015/069455 WO2016030379A1 (de) | 2014-08-28 | 2015-08-25 | Verfahren zum herstellen eines schaltungsträgers und schaltungsträger für elektronische bauelemente |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10276482B2 (de) |
CN (1) | CN106664801B (de) |
DE (1) | DE102014217186A1 (de) |
WO (1) | WO2016030379A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016001810A1 (de) * | 2016-02-17 | 2017-08-17 | Häusermann GmbH | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit verstärkter Kupferstruktur |
KR102154193B1 (ko) * | 2018-02-20 | 2020-09-09 | 주식회사 아모그린텍 | 연성 인쇄회로기판 |
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Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2014
- 2014-08-28 DE DE102014217186.5A patent/DE102014217186A1/de not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-08-25 WO PCT/EP2015/069455 patent/WO2016030379A1/de active Application Filing
- 2015-08-25 CN CN201580046597.6A patent/CN106664801B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-08-25 US US15/504,572 patent/US10276482B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170236777A1 (en) | 2017-08-17 |
CN106664801A (zh) | 2017-05-10 |
DE102014217186A1 (de) | 2016-03-03 |
US10276482B2 (en) | 2019-04-30 |
CN106664801B (zh) | 2019-08-16 |
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