WO2016013690A1

WO2016013690A1 - 液晶組成物及びそれを使用した液晶表示素子

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Publication number: WO2016013690A1
Application number: PCT/JP2015/076440
Authority: WO
Inventors: 平田　真一; 芳典岩下
Original assignee: Dic株式会社
Priority date: 2014-07-24
Filing date: 2015-09-17
Publication date: 2016-01-28
Also published as: US20170210989A1; JP2016023292A

Abstract

「課題」　本発明が解決しようとする課題は、誘電率異方性、粘度、ネマチック相上限温度、低温でのネマチック相安定性、γ_１等の液晶表示素子としての諸特性及び表示素子の焼き付き特性を悪化させること無く、液晶表示素子に用いることにより優れた表示特性を実現可能な、誘電率異方性が負の液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。「解決手段」　第一成分として下記一般式（１）で表される化合物の群から少なくとも一つと、第二成分として下記一般式（２）で表される化合物の群から少なくとも一つと、を含有することを特徴とする液晶組成物。

Description

液晶組成物及びそれを使用した液晶表示素子

　本願発明は液晶表示装置等の構成部材として有用な液晶組成物及び液晶表示素子に関する。

　液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたＶＡ（以下、垂直配向とも称する）型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等がある。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は水分、空気、熱、光などの外的要因に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。さらに液晶組成物は、個々の表示素子に対して誘電率異方性（Δε）や屈折率異方性（Δｎ）等の物性値を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物から構成されている。

　例えば、液晶ＴＶ等に広く用いられるＶＡ型は、負のΔεを備えた液晶組成物を一般的には使用されており、ＰＣモニター等に使用されているＴＮ型やタッチパネル等に広く用いられているＩＰＳ型には主に正のΔεを備えた液晶組成物を一般的には使用されている。当然のことながら、これらＩＰＳやＶＡ型に限らず全ての駆動方式において低電圧駆動、高速応答、広い動作温度範囲を示す液晶組成物が求められている。このような要求に応えるために、絶対値が大きいΔεと、小さい粘度（η）と、高いネマチック相－等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）とを備えた液晶組成物が必要とされる。また、Δｎとセルギャップ（ｄ）との積であるΔｎ×ｄの設定から、液晶組成物のΔｎをセルギャップに合わせて適当な範囲に調節する必要がある。加えて液晶表示素子をテレビ等へ応用する場合においては高速応答性が重視されるため、γ１の小さい液晶組成物が要求される。そこで、従来、γ１の小さい液晶組成物を構成するためには、例えば、特許文献１に示すように、ビシクロヘキサン骨格を有する化合物を用いることが一般的であった。

　しかしながら、ビシクロヘキサン系化合物はγ１の低減には効果的であるが、一般には蒸気圧が高い傾向にあり、特にアルキル鎖長の短い化合物はその傾向が顕著である。さらに、当該ビシクロヘキサン系化合物は低いＴｎｉを示す傾向も備えているため、一般にはビシクロヘキサン系化合物は側鎖長の合計が原子数５～７以上の化合物を用いることが多い。

　例えば、ビシクロヘキサン骨格を必須とする技術の一つに特許文献２が挙げられる。当該特許文献２は、ベンゼン環またはシクロヘキサン環を４つ連結したいわゆる４環骨格の式（１）と、ビシクロヘキサン骨格の式（２）とを必須とする液晶組成物を開示している。

　この特許文献２によれば、４環骨格の式（１）で示す化合物（１）は上限温度および誘電率異方性の絶対値を上げる役割であり、ビシクロヘキサン骨格の式（２）で示す化合物（２）は粘度を下げる役割であるとしている（段落「００４６」）。そのため、特許文献２の実施例をみると確かに比較例より粘度（η）、誘電率異方性（Δε）、または相転移温度（Ｔｎｉ）が改善していることが確認される。

特表２００８－５０５２３５号公報特開２０１１－１４４２７４号公報

　上記特許文献２では、絶対値が大きい誘電異方性（Δε）、小さい粘度（η）、ネマチック相の上限（ＮＩ）および下限（Ｔｃ）、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの特性において、少なくとも１つの特性を充足することであるとしている。しかしながら、当該文献の全実施例で確認される液晶組成物の物性は、粘度（η）、誘電率異方性（Δε）、相転移温度（ＮＩ、Ｔｃ、）および電圧保持率（ＶＨＲ）のいずれかであり、大きな比抵抗、紫外線に対する安定性、熱に対する安定性などのいわゆる信頼性に関する項目については、何ら評価や検討をされていないのが現状である。この点は特許文献１でも同様であり、液晶組成物の使用態様である液晶表示素子の表示品位を保つ観点でも信頼性に関する特性は不可欠である。特に、上記特許文献１および特許文献２に記載のビシクロヘキサン系化合物や比較的低分子の液晶化合物を使用する場合は、揮発性が高い問題が常に付きまとうだけでなく、さらにこれらの化合物の末端にアルケニル基やアルコキシ基などが結合していると、耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性の面で新たな問題が生じる。

　そこで、上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明に係る液晶組成物において、高速応答性は維持しつつ、耐光性、耐熱性または焼き付き等の信頼性に優れた組成物を提供することを目的とする。

　本発明者らは上記課題を解決するために、耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性を向上することができることを見出し本願発明の完成に至った。

　本願発明は、第一成分として下記一般式（１）：

（上記一般式（１）中、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１５個のアルキル基、炭素原子数２～１５個のアルケニル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択される一つの基である。）で表される化合物の群から少なくとも一つと、
　第二成分として下記一般式（２）：

（上記一般式（２）中、Ｒ^３は、炭素原子数１～１５個のアルキル基、炭素原子数２～１５個のアルケニル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択され、
Ｚ^０は、単結合、－ＣＨ_２Ｏ－または－ＯＣＨ_２－を表し、
Ｒ^４は、炭素原子数１～１５個のアルキル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択される少なくとも一つの基である。）で表される化合物の群から少なくとも一つと、を含有することを特徴とする液晶組成物を提供することを目的とする。

　本発明によれば液晶組成物の耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性を向上することができる。

図１は、液晶表示素子の構成を模式的に示す図である。図２は、図１における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３を拡大した平面図である。図３は、図２におけるＩＩ－ＩＩ’線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図４は、図３におけるＩＶの領域である薄膜トランジスタを拡大した図である。液晶表示素子の構成を模式的に示す他の図である。図６は、図５における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３を拡大した平面図である。図７は、図６におけるＩＩ－ＩＩ’線方向に図５に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図８は、図５における他の形態の基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３を拡大した平面図である。図９は、図７と同様の箇所を切断した他の実施形態を表す断面図である。

　本発明の第一は、第一成分として下記一般式（１）：

（上記一般式（２）中、Ｒ^３は、炭素原子数１～１５個のアルキル基、炭素原子数２～１５個のアルケニル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択され、
Ｚ^０は、単結合、－ＣＨ_２Ｏ－または－ＯＣＨ_２－を表し、
Ｒ^４は、炭素原子数１～１５個のアルキル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択される少なくとも一つの基である。）で表される化合物の群から少なくとも一つと、を含有することを特徴とする液晶組成物である。

　一般式（１）と一般式（２）との組み合わせにより、液晶組成物の耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性を向上することができる。

　本発明に係る液晶組成物において、一般式（１）で表される第一成分および一般式（２）で表される第二成分を必須として含むものであり、必要に応じて、一般式（３）で表される第三成分、一般式（４）で表される第四成分、重合性モノマーおよび添加剤などの他の成分からなる群から選択される少なくとも１種をさらに含んでもよい。具体的には、本発明に係る液晶組成物は、一般式（１）および一般式（２）で表される化合物を必須の成分とするものであり、更に必要に応じて後述の一般式（３）～一般式（４）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含有することができる。

　当該液晶組成物中に含有する一般式（１）および（２）で表される化合物の合計含有量は、下限値として５質量％が好ましく、１０質量％が好ましく、１２質量％が好ましく、１５質量％が好ましく、１７質量％が好ましく、２０質量％が好ましく、２２質量％が好ましく、２４質量％が好ましく、２６質量％が好ましく、２８質量％が好ましく、３０質量％が好ましい。上限値としては５０質量％が好ましく、４５質量％が好ましく、４３質量％が好ましく、４０質量％が好ましく、３８質量％が好ましく、３６質量％が好ましく、３０質量％が好ましく、２８質量％が好ましく、２６質量％が好ましい。

　本発明に係る液晶組成物の誘電率異方性Δεの値は、２５℃において、－２．０から－６．０であることが好ましく、－２．５から－５．０であることがより好ましく、－２．５から－４．０であることが特に好ましいが、更に詳述すると、誘電率異方性Δεの値が－２．５～－３．４の範囲であると応答速度の観点で好ましい。

　本発明に係る液晶組成物の屈折率異方性Δｎの値は、２５℃において、０．０８から０．１３であることが好ましいが、０．０９から０．１２であることがより好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１２であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

　本発明に係る液晶組成物の回転粘度（γ_１）の上限は１５０以下が好ましく、１３０以下がより好ましく、１２０以下が特に好ましい。また、本発明に係る液晶組成物の回転粘度（γ_１）の下限値は、２０以上が好ましく、３０以上がより好ましく、４０以上がさらに好ましく、５０以上がよりさらに好ましく、６０以上が好ましく、７０以上が好ましい。

　本発明に係る液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

（上記数式中、γ_１は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）
　Ｚは、１３０００以下が好ましく、１２０００以下がより好ましく、１１０００以下が特に好ましい。

　本発明に係る液晶組成物は、アクティブマトリクス表示素子に使用する場合においては、１０^１１（Ω・ｍ）以上の比抵抗を有することが必要であり、１０^１２（Ω・ｍ）が好ましく、１０^１３（Ω・ｍ）以上がより好ましい。

　本発明に係る液晶組成物はネマチック相－等方性液体相転移温度（Ｔ_ＮＩ）を幅広い範囲で使用することができるものであるが、当該相転移温度（Ｔ_ＮＩ）は、６０～１２０℃であることが好ましく、７０～１１０℃がより好ましく、７５～１００℃が特に好ましい。

　以下、本発明に係る液晶組成物に含まれうる各成分について詳説する。

　本発明の液晶組成物は、第一成分として下記一般式（１）：

（上記一般式（１）中、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１５個のアルキル基、炭素原子数２～１５個のアルケニル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択される一つの基である。）で表される化合物を必須成分として含む。

　液晶組成物の耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性の向上の観点から一般式（１）で表される化合物を含むことが好ましい。特に、上記一般式（１）で表される化合物を液晶組成物に含まれると、転移温度およびΔｎの上昇に寄与するが、粘度も上昇させるため、高速応答化を目的とする液晶組成物にとっては不利に成り得る。しかし、一般式（２）で表される化合物と組み合わせることで、粘度の上昇をある程度抑えることができることが確認された。また連結基にエステル結合を備えているため、４つの環構造が直接連結した化合物に比べて溶解性に優れているが、エステル結合は分解しやすく、不純物のイオンを抱き込みやすいという問題がある。しかし、この点も後述の実施例で確認されているように、一般式（２）で表される化合物と組み合わせることで、比較的分解しにくい耐光性に優れた液晶組成物を提供することができることが確認された。

　上記一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～６個のアルキル基、炭素原子数２～６個のアルケニル基および炭素原子数１～６個のアルコキシ基からなる群から選択される一つの基であることが好ましい。

　また、当該第一成分としての一般式（１）で表される化合物は、以下の一般式（１－１）で表される化合物を少なくとも１種類含むことが好ましい。

（上記一般式（１－１）中、Ｒ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１５個のアルキル基、炭素原子数２～１５個のアルケニル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択される一つの基である。）
　液晶組成物の耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性の向上の観点から一般式（３）で表される化合物を含むことが好ましい。

　さらに、前記一般式（１）で表される化合物は、式（１．１）～式（１．５）で表される化合物であることが特に好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において、第一成分の含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１質量％であることが好ましく、３質量％であることが好ましく、５質量％であることが好ましく、７質量％であることが好ましく、９質量％であることが好ましく、１０質量％であることが好ましく、１２質量％であることが好ましく、１５質量％であることが好ましく、１６質量％であることが好ましく、１８質量％であることが好ましく、２０質量％であることが好ましく、２２質量％であることが好ましく、２４質量％であることが好ましく、２６質量％であることが好ましく、２８質量％であることが好ましく、３０質量％であることが好ましく、３２質量％であることが好ましく、３５質量％であることが好ましく、４０質量％であることが好ましい。

　さらに、本発明に係る液晶組成物において、第一成分の含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの形態では４５質量％であることが好ましく、４２質量％であることが好ましく、４０質量％であることが好ましく、３８質量％であることが好ましく、３６質量％であることが好ましく、３４質量％であることが好ましく、３２質量％であることが好ましく、３０質量％であることが好ましく、２８質量％であることが好ましく、２６質量％であることが好ましく、２４質量％であることが好ましく、２６質量％であることが好ましく、２４質量％であることが好ましく、２２質量％であることが好ましく、２０質量％であることが好ましく、１８質量％であることが好ましく、１６質量％であることが好ましく、１４質量％であることが好ましく、１２質量％であることが好ましく、１０質量％であることが好ましく、８質量％であることが好ましく、６質量％であることが好ましく、５質量％であることが好ましく、４質量％であることが好ましい。

　本発明に係る第一成分において、一般式（１）で表す化合物同士の組み合わせ可能な種類は特に制限は無く、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。第一成分として使用する一般式（１）の化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては、第一成分が１種類の一般式（１）で表される化合物である。あるいは本発明の別の実施形態では第一成分が２種類の一般式（１）で表される化合物である。また、本発明の別の実施形態では第一成分が３種類の一般式（１）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第一成分が４種類の一般式（１）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第一成分が５種類の一般式（１）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第一成分が６種類の一般式（１）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第一成分が７種類の一般式（１）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第一成分が８種類の一般式（１）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第一成分が９種類の一般式（１）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第一成分が１０種類以上の一般式（１）で表される化合物を含む系である。

　本発明の液晶組成物は、第二成分として下記一般式（２）：
　第二成分として下記一般式（２）：

（上記一般式（２）中、Ｒ^３は、炭素原子数１～１５個のアルキル基、炭素原子数２～１５個のアルケニル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択され、
Ｚ^０は、単結合、－ＣＨ_２Ｏ－または－ＯＣＨ_２－を表し、
Ｒ^４は、炭素原子数１～１５個のアルキル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択される少なくとも一つの基である。）で表される化合物の群から少なくとも一つ必須成分として含む。

　液晶組成物の耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性の向上の観点から一般式（２）で表される化合物を含むことが好ましい。またＺ^０が、単結合である場合、耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性の向上の観点から、一般式（２）中のＲ^３がアルケニル基の場合は前記Ｒ^４がアルキル基である条件を満たすことが好ましい。

　上記一般式（２）において、Ｒ^３は、炭素原子数１～６個のアルキル基、炭素原子数２～６個のアルケニル基および炭素原子数１～６個のアルコキシ基からなる群から選択されることが好ましく、Ｒ^４は、炭素原子数１～６個のアルキル基および炭素原子数１～６個のアルコキシ基からなる群から選択される少なくとも一つの基であることが好ましい。

　また前記一般式（２）で表される化合物の好ましい形態は、以下の式（２．１）～（２．２６）からなる群から選択される１種または２種以上であることが好ましい。

で表される化合物が好ましいが、式（２．１）～式（２．６）、式（２．１３）～（２．２１）および式（２．２５）～式（２．２６）がより好ましい。

　本発明に係る液晶組成物の信頼性を重視する場合は、Ｚ^０は、単結合であることが好ましい。一方、本発明に係る液晶組成物を低電圧駆動の表示素子に用いる場合、－ＣＨ_２Ｏ－または－ＯＣＨ_２－であることが好ましく、誘電率異方性の観点からＺ^０は、－ＣＨ_２Ｏ－がより好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において、第二成分の含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１質量％であることが好ましく、３質量％であることが好ましく、５質量％であることが好ましく、７質量％であることが好ましく、９質量％であることが好ましく、１０質量％であることが好ましく、１２質量％であることが好ましく、１５質量％であることが好ましく、１６質量％であることが好ましく、１８質量％であることが好ましく、２０質量％であることが好ましく、２２質量％であることが好ましく、２４質量％であることが好ましく、２６質量％であることが好ましく、２８質量％であることが好ましく、３０質量％であることが好ましく、３２質量％であることが好ましく、３５質量％であることが好ましく、４０質量％であることが好ましい。

　さらに、本発明に係る液晶組成物において、第ニ成分の含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの形態では、６０質量％であることが好ましく、５８質量％であることが好ましく、５６質量％であることが好ましく、５４質量％であることが好ましく、５２質量％であることが好ましく、５０質量％であることが好ましく、４８質量％であることが好ましく、４６質量％であることが好ましく、４５質量％であることが好ましく、４２質量％であることが好ましく、４０質量％であることが好ましく、３８質量％であることが好ましく、３６質量％であることが好ましく、３４質量％であることが好ましく、３２質量％であることが好ましく、３０質量％であることが好ましく、２８質量％であることが好ましく、２６質量％であることが好ましく、２４質量％であることが好ましく、２６質量％であることが好ましく、２４質量％であることが好ましく、２２質量％であることが好ましく、２０質量％であることが好ましく、１８質量％であることが好ましく、１６質量％であることが好ましく、１４質量％であることが好ましく、１２質量％であることが好ましく、１０質量％であることが好ましい。

　本発明に係る第二成分において、一般式（２）で表す化合物同士の組み合わせ可能な種類は特に制限は無く、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。第二成分として使用する一般式（２）の化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては、第二成分が１種類の一般式（２）で表される化合物である。あるいは本発明の別の実施形態では第二成分が２種類の一般式（２）で表される化合物である。また、本発明の別の実施形態では第二成分が３種類の一般式（２）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第二成分が４種類の一般式（２）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第二成分が５種類の一般式（２）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第二成分が６種類の一般式（２）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第二成分が７種類の一般式（２）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第二成分が８種類の一般式（２）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第二成分が９種類の一般式（２）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第二成分が１０種類以上の一般式（２）で表される化合物を含む系である。

　本発明に係る液晶組成物は、第三成分として下記一般式（３）：

（上記一般式（３）中、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ＯＬは０、１、２又は３を表し、
　Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２およびＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して、以下の（ａ）および（ｂ）からなる群から選択される基であり、
（ａ）１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）
（ｂ）１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
　前記（ａ）および前記（ｂ）に表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立してシアノ基又はフッ素原子で置換されても良く、
　Ｌ_Ｌ１およびＬ_Ｌ２はそれぞれ独立して、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ＯＬが２又は３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２又は３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物を除く。）
で表される化合物の群から少なくとも一つをさらに含むことが好ましい。

　上記一般式（３）において、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４（又はそれ以上）のアルコキシ基および炭素原子数４～５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピランおよびジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４（又はそれ以上）のアルコキシ基および直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましい。

　本発明に係る一般式（３）で表される化合物は液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましい。また、本発明に係る一般式（３）で表される化合物は、同一分子内にハロゲン原子が０又は１が好ましい。

　このような一般式（３）で表される化合物を液晶組成物に添加すると、液晶表示素子の駆動電圧を変化を最小限に抑えつつ液晶組成物の粘性、Δｎ、転移点を任意に帰ることができるという点で特に好ましい。

　本発明に係る液晶組成物における第三成分の含有量は、上述した第三成分等と同様に、液晶組成物の使用態様・使用目的だけでなく他の成分との関係で適宜選択されるものであるため、当該液晶組成物に含まれる第三成分の含有量の好適範囲は実施形態によってそれぞれ別個独立していることが好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において、第三成分の含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１質量％であることが好ましい。あるいは本発明の別の実施形態では１０質量％であることが好ましい。また、本発明の別の実施形態では２０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では３０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では４０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では５０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では５５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では６０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では６５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では７０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では７５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では８０質量％であることが好ましい。

　さらに、本発明に係る液晶組成物において、第三成分の含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの形態では９５質量％であることが好ましい。また、本発明の別の実施形態では８５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では７５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では６５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では５５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では４５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では３５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では２５質量％であることが好ましい。

　本発明の液晶組成物において、一般式（３）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、後述するプロセス適合性や滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　また、本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

　本発明に係る第三成分において、一般式（３）で表す化合物同士の組み合わせ可能な種類は特に制限は無く、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。第三成分として使用する一般式（３）の化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては、第三成分が１種類の一般式（３）で表される化合物である。あるいは本発明の別の実施形態では第三成分が２種類の一般式（３）で表される化合物である。また、本発明の別の実施形態では第三成分が３種類の一般式（３）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第三成分が４種類の一般式（３）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第三成分が５種類の一般式（３）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第三成分が６種類の一般式（３）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第三成分が７種類の一般式（３）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第三成分が８種類の一般式（３）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第三成分が９種類の一般式（３）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第三成分が１０種類以上の一般式（３）で表される化合物を含む系である。

　本発明に係る液晶組成物中に含有する一般式（１）、（２）および（３）で表される化合物の合計含有量は、下限値として１６質量％が好ましく、１８質量％が好ましく、２０質量％が好ましく、２３質量％が好ましく、２５質量％が好ましく、２８質量％が好ましく、３０質量％が好ましく、３２質量％が好ましく、３５質量％が好ましく、３８質量％が好ましく、４０質量％が好ましく、４２質量％が好ましく、４５質量％が好ましく、４７質量％が好ましく、５０質量％が好ましい。上限値としては３５質量％が好ましく、３８質量％が好ましく、４０質量％が好ましく、４２質量％が好ましく、４５質量％が好ましく、４７質量％が好ましく、５０質量％が好ましく、５３質量％が好ましく、５５質量％が好ましく、５７質量％が好ましく、６０質量％が好ましく、６２質量％が好ましく、６５質量％が好ましく、６８質量％が好ましく、７０質量％が好ましく、７２質量％が好ましく、７５質量％が好ましく、７８質量％が好ましく、８０質量％が好ましく、８２質量％が好ましく、８５質量％が好ましく、８８質量％が好ましく、９０質量％が好ましく、９２質量％が好ましく、９５質量％が好ましく、９７質量％が好ましく、９８質量％が好ましく、９９質量％が好ましく、１００質量％が好ましい。

　本発明に係る一般式（３）で表される化合物の誘電率異方性（Δε）の下限値は、一つの実施形態では－１であり、別の実施形態では－０．５である。さらに別の実施形態では０であり、さらに別の実施形態では０．５である。またさらに別の実施形態では１であり、またさらに別の実施形態では－０．３である。また一方、一般式（３）で表される化合物からなる液晶組成物の誘電率異方性（Δε）の上限値は、一つの実施形態では＋１であり、別の実施形態では＋０．５である。さらに別の実施形態では０であり、さらに別の実施形態では－０．５である。またさらに別の実施形態では＋０．３であり、またさらに別の実施形態では－０．７である。

　本発明に係る一般式（３）で表される化合物は、さらに、一般式（Ｖ－ａ）～一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種の化合物であることが好ましい。

　（上記一般式（Ｖ－ａ）～（Ｖ－ｆ）中、Ｒ^５００～Ｒ^５１１はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基又は炭素原子数２～１０のアルケニル基を表し、Ｌは二価の連結基であり、上記一般式（Ｖ－ｇ）中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ａ^５１およびＡ^５２はそれぞれ独立して１，４－シクロヘキシレン基又は１，４－フェニレン基を表し、Ｑ^５は単結合又はＣＯＯ－を表し、Ｘ^５１およびＸ^５２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、ｍ^５０は０又は１の整数であるが、一般式（Ｖ－ｇ）において、上記一般式（Ｖ－ｂ）～一般式（Ｖ－ｅ）と同一構造になる条件は除く。さらに、上記一般式（Ｖ－ｇ）中、Ｘ^５１およびＸ^５２が同時にフッ素原子になることを除くことが好ましいことは、本発明に係る一般式（３）で表される化合物は、同一の環構造にハロゲンが含まれることは無いこと同様である。）
　上記一般式（Ｖ－ａ）～一般式（Ｖ－ｆ）中において、Ｒ^５００からＲ^５１１はそれぞれ独立して炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数２～１０のアルケニル基又は炭素原子数１～１０のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数２～５のアルコキシ基を表すことがより好ましくい。また、上記一般式（Ｖ－ｆ）中における二価の連結基（Ｌ）は、単結合、－ＣＦ_２Ｏ－又はＣＯＯ－を表すことが好ましい。

　また、上記一般式（Ｖ－ａ）～一般式（Ｖ－ｇ）におけるアルケニル基を表す場合は、上記と同様のアルケニル基の例示が好ましく、前記式（ｉ）～式（ｉｖ）がより好ましい。

　さらに、上記Ｒ^５００およびＲ^５０９は同一でも異なっていても良いが、異なった置換基を表すことが好ましい。

　上記一般式（Ｖ－ａ）～一般式（Ｖ－ｇ）で表される７つの化合物群から選ばれる化合物を第三成分として使用する場合、１種～１０種の化合物が第三成分に含有していることが好ましく、１種～８種の化合物が第三成分に含有していることがより好ましく、１種～５種の化合物が第三成分に含有していることが更に好ましく、２種～４種類の化合物が第三成分に含有していることが特に好ましい。また、この場合、本発明に係る液晶組成物における前記第三成分の合計含有量は、５～５０％であることが好ましく、５～４０質量％であることがより好ましく、５～３５質量％であることが更に好ましく、７～３０質量％であることが特に好ましい。

　上記一般式（Ｖ－ａ）の好ましい含有量の下限値は、本発明の組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、４５％であり、５０％であり、５５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、９５％であり、９０％であり、８５％であり、８０％であり、７５％であり、７０％であり、６５％であり、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％である。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ａ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ａ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

　（上記一般式（Ｖ－ａ－１）中、Ｒ^５ａおよびＲ^５ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基を表す。）
　前記一般式（Ｖ－ａ－１）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

　また、一般式（５．１）、一般式（５．３）および式（５．４）で表される化合物であることがより好ましい。

　粘度が小さく高速応答の液晶表示素子を作製したいときは式（５．１）を多めに使用することが好ましいが、Ｔｎｉが高く高温でも安定的な表示が可能な液晶表示素子を作製したいときは、式（５．３）～式（５．４）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ａ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ａ）で表される化合物は一般式（Ｖ－ａ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ａ－２）中、Ｒ^５ｃ’およびＲ^５ｃはそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～５のアルコキシ基を表す。）
　前記一般式（Ｖ－ａ－２）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

　上記式（５．６）又は式（５．７）で表される化合物であることが好ましく、式（５．７）で表される化合物であることが特に好ましい。

　上記一般式（Ｖ－ａ－２）の化合物の合計の含有量の好ましい含有量の下限値は、本発明の組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、上限値は、本発明の組成物の総量に対して、８０％であり、７０％であり、６０％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％である。

　さらに、前記一般式（Ｖ－ａ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ａ－３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

　（上記一般式（Ｖ－ａ－３）中、Ｒ^５ｄは炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ^５ｅは炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　前記一般式（Ｖ－ａ－３）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

　上記式（５．１６）、式（５．１８）又は式（５．２３）で表される化合物であることが好ましい。

　本願発明の液晶組成物は、更に、一般式（Ｖ－ａ）で表される化合物と類似した構造を有する式（５．２４）で表される化合物を含有することもできる。

　さらに、前記一般式（Ｖ－ａ）で表される化合物は一般式（Ｖ－ａ－４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ａ－４）中、Ｒ^５ｆおよびＲ^５ｇはそれぞれ独立して炭素原子数２～５のアルケニル基を表す。）
　さらに、前記一般式（Ｖ－ａ－４）で表される化合物は、式（５．２５）から式（５．３４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（５．２６）、式（５．２８）および式（５．３１）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｂ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

　さらに、前記一般式（Ｖ－ｂ）で表される化合物は一般式（Ｖ－ｂ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｂ－１）中、Ｒ^５ｈは炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｒ^５ｉは炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　前記一般式（Ｖ－ｂ－１）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

　式（５．３６）又は式（５．４３）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物は、一般式（Ｖ－ｂ－１）で表される化合物と類似した構造を有する一般式（Ｖ－ｂ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有しても良い。

（上記一般式（Ｖ－ｂ－２）中、Ｒ^５ｊおよびＲ^５ｋはそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^５０はそれぞれ独立してフッ素原子を表す。）
　さらに、一般式（Ｖ－ｂ－２）で表される化合物は、式（５．４４）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｃ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

　さらに、一般式（Ｖ－ｃ）で表される化合物は一般式（Ｖ－ｃ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

　（上記一般式（Ｖ－ｃ－１）中、Ｒ^５ｌおよびＲ^５ｍはそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　前記一般式（Ｖ－ｃ－１）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

　式（５．５３）、式（５．５４）又は式（５．５８）で表される化合物であることがより好ましい。

　さらに、一般式（Ｖ－ｃ－１）で表される化合物と類似した構造を有する一般式（Ｖ－ｃ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有することができる。

　（上記一般式（Ｖ－ｃ－２）中、Ｒ^５ｎおよびＲ^５ｏはそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^５１およびＸ^５２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｘ^５１又はＸ^５２のどちらか一方はフッ素原子である。）
　さらに、一般式（Ｖ－ｃ－２）で表される化合物は、式（５．５９）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｄ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｄ）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｖ－ｄ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｖ－ｄ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

　（上記一般式（Ｖ－ｄ－１）中、Ｒ^５ｐは炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ^５ｑは炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　前記一般式（Ｖ－ｄ－１）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

　前記一般式（Ｖ－ｄ－１）で表される化合物は、式（５．６０）で表される化合物であることがより好ましい。

　さらに、一般式（Ｖ－ｄ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｖ－ｄ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｄ－２）中、Ｒ^５ｒは炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ^５ｓは炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、一般式（Ｖ－ｄ－１）で表される化合物は、例えば式（５．６２）～式（５．６５）で表される化合物であることも好ましく、その中でも式（５．６５）で表される化合物であることがより好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｖ―ｄ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｖ－ｄ－３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｄ－３）中、Ｒ^５ｔは炭素原子数２～５のアルケニル基を表し、Ｒ^５ｕは炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、一般式（Ｖ－ｄ－３）で表される化合物は、例えば式（５．６６）～式（５．６８）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｅ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｅ）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｅ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｅ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｅ－１）中、Ｒ^５ｖおよびＲ^５ｗはそれぞれ独立して炭素原子数２～５のアルケニル基を又は炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　前記一般式（Ｖ－ｅ－１）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｅ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｅ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることがより好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｅ－２）中、Ｒ^５ｘは炭素原子数２～５のアルケニル基を表し。Ｒ^５ｙはそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　前記一般式（Ｖ－ｅ－２）で表される化合物は、例えば式（５．７２）又は式（５．７３）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｅ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｅ－３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｅ－３）中、Ｒ^ａ１は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ^ｂ１は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、一般式（Ｖ－ｅ－３）で表される化合物は、たとえば式（５．７４）～式（５．７６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（５．７６）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｆ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％である。本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｆ）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｆ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｖ－ｆ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｆ－１）中、Ｒ^ｃ１およびＲ^ｄ１はそれぞれ独立して炭素原子数２～５のアルケニル基を又は炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、前記一般式（Ｖ－ｆ－１）で表される化合物は、例えば式（５．７７）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｆ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｖ－ｆ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｆ－２）中、Ｒ^ｅ１およびＲ^ｆ１はそれぞれ独立して炭素原子数２～５のアルケニル基、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、前記一般式（Ｖ－ｆ－２）で表される化合物は、例えば式（５．７８）～式（５．８２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（５．７９）又は／および式（５．８２）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（Ｖ－ｆ－２）で表される化合物は、転移温度を向上する観点では好ましいが、３環構造のエステル基は比較的分解しやすく、イオンを抱き込みやすいため信頼性の観点では劣る可能性がある。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％である。本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｇ－１）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｇ－１）中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシを表し、Ｘ^５１およびＸ^５２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表す。）
　本発明に係る一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｇ－２）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｇ－２）中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、前記一般式（Ｖ－ｇ－２）で表される化合物は、式（５．８３）から式（５．８６）で表される化合物であることが好ましく、式（５．８４）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｇ－２）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｇ－３）中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、一般式（Ｖ－ｇ－３）で表される化合物は、式（５．８７）～式（５．８９）で表される化合物であることが好ましく、式（５．８７）で表される化合物であることがより好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｇ－４）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｇ－４）中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、前記一般式（Ｖ－ｇ－４）で表される化合物は、式（５．８５）～式（５．８７）で表される化合物である。式（５．８５）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｇ－５）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｇ－５）中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^５１およびＸ^５２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表す。）
　本発明に係る一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｇ－６）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｇ－６）中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、前記一般式（Ｖ－ｇ－６）で表される化合物は、式（５．８８）～式（５．４）で表される化合物であることが好ましく、式（５．８８）および／又は式（５．９１）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｇ－７）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｇ－７）中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、前記一般式（Ｖ－ｇ－７）で表される化合物は、式（５．９２）～式（５．９５）で表される化合物であることが好ましく、式（５．９２）および／又は式（５．９３）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は、一般式（Ｖ－ｇ－９）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｇ－９）式中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^５１～Ｘ^５６はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）
　また、当該一般式（Ｖ－ｇ－９）において、Ｘ^５１およびＸ^５２、Ｘ^５３およびＸ^５４ならびにＸ^５５およびＸ^５６の組み合わせのうち、片方の置換基１つがフッ素原子であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対して一般式（Ｖ－ｇ－９）の化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２５％であり、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。

　本発明に係る一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は、さらに一般式（Ｖ－ｇ－１０）～（Ｖ－ｇ－１３）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（Ｖ－ｇ－１０）～（Ｖ－ｇ－１３）中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　本発明の組成物の総量に対して一般式（Ｖ－ｇ－１０）の化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２５％であり、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。

　さらに、前記一般式（Ｖ－ｇ）で表される化合物は一般式（Ｖ－ｇ－１０）で表される化合物であることが好ましい。当該一般式（Ｖ－ｇ－１０）で表される化合物の好適な例としては、以下の式（５．１００）～（５．１１６）の化合物が好ましい。

　また、前記一般式（Ｖ－ａ）～前記一般式（Ｖ－ｇ）で表される第三成分の含有量の下限値は、２０質量％、２５質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％、４５質量％および５０質量％の順に好ましい。また、前記一般式（Ｖ－ａ）～前記一般式（Ｖ－ｇ）で表される第三成分の含有量の上限値は、７０質量、６５質量％、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３５質量％および３０質量％の順に好ましい。

　本発明に係る第三成分の特に好ましい形態は、一般式（５．１００）～式（５．１０８）、式（５．１０９）～式（５．１１４）で表される化合物の中から、１～３種類の異なる化合物を混合したものである。また、その際、本発明に係る第三成分全体の質量比は、液晶組成物全体に対して３２～４０質量％が特に好ましい。

　本発明係る液晶組成物は、第四成分として下記一般式（４）：

　（上記一般式（４）中、Ｒ^Ｘ１およびＲ^Ｘ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシ基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は－Ｏ－又は－Ｓ－に置換されていても良く、またこれらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はまたはフッ素原子に置換されても良く、
　ｕおよびｖはそれぞれ独立して、０、１又は２を表すが、ｕ＋ｖは２以下であり、
　Ｍ^Ｘ１、Ｍ^Ｘ２およびＭ^Ｘ３はそれぞれ独立して、以下の（ａ）および（ｂ）からなる群から選択され、
（ａ）トランス－１，４－シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は－Ｏ－又は－Ｓ－に置き換えられてもよい）、
（ｂ）１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
　前記（ａ）又は前記（ｂ）に示す基に含まれる水素原子は、それぞれシアノ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基およびトリフルオロメトキシ基からなる群から選択される基により置換されていても良いが、Ｍ^Ｘ２および／又はＭ^Ｘ３が複数存在する場合は、それらは同一でも良く異なっていても良く、
　Ｌ^Ｘ１、Ｌ^Ｘ２およびＬ^Ｘ３はそれぞれ独立して単結合、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－，－ＣＨ＝ＣＨ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、Ｌ^Ｘ１および／又はＬ^Ｘ３が複数存在する場合は、それらは同一でも良く異なっていても良く、
　Ｘ^Ｘ１およびＸ^Ｘ２はそれぞれ独立してトリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はフッ素原子を表すが、Ｘ^ｘ１およびＸ^ｘ２の何れか一つはフッ素原子を表す。ただし、前記一般式（１）、一般式（１）および一般式（３）で表される化合物を除く。）で表される化合物の群から少なくとも一つをさらに含むことが好ましい。

　前記Ｒ^Ｘ１およびＲ^Ｘ２が結合する環構造が、フェニル基（芳香族）である場合において、好ましくは、直鎖状又は分岐状の炭素原子数１～１０のアルキル基、直鎖状又は分岐状の炭素原子数１～１０（又はそれ以上）のアルコキシ基および炭素原子数２～１０のアルケニル基であり、より好ましくは、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４（又はそれ以上）のアルコキシ基および炭素原子数４～５のアルケニル基である。一方、当該Ｒ^Ｘ１およびＲ^Ｘ２が結合する環構造が、シクロヘキサン、ピランおよびジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、好ましくは、直鎖状又は分岐状の炭素原子数１～１０のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～１０（又はそれ以上）のアルコキシ基および直鎖状の炭素原子数２～１０のアルケニル基であり、より好ましくは、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４（又はそれ以上）のアルコキシ基および直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基である。

　また、本発明に係る一般式（４）において、表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基を有することが好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基を有することが好ましい。

　上記一般式（４）におけるアルキル基およびアルコキシ基は、上記の第一成分～第三成分と同様のアルキル基および／又はアルコキシ基が好ましい。また、上記一般式（４）におけるアルケニル基は、上記第三成分と同様のアルケニル基の例示が好ましく、前記式（ｉ）～式（ｉｖ）がより好ましい。

　このような一般式（４）で表される化合物を液晶組成物に添加すると、液晶表示素子の駆動電圧を変化させるという観点で特に好ましい。

　本発明に係る液晶組成物における第四成分の含有量は、上述した必須成分である第一成分および第二成分などと同様に、液晶組成物の使用態様・使用目的だけでなく他の成分との関係で適宜選択されるものであるため、当該液晶組成物に含まれる第四成分の含有量の好適範囲は実施形態によってそれぞれ別個独立していることが好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において、第四成分の含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１質量％であることが好ましい。あるいは本発明の別の実施形態では１０質量％であることが好ましい。また、本発明の別の実施形態では２０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では３０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では４０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では５０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では５５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では６０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では６５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では７０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では７５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では８０質量％であることが好ましい。

　さらに、本発明に係る液晶組成物において、第四成分の含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの形態では９５質量％であることが好ましい。また、本発明の別の実施形態では８５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では７５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では６５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では５５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では４５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では３５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では２５質量％であることが好ましい。

　本発明の液晶組成物において、一般式（４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、後述するプロセス適合性や滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　本発明に係る第四成分において、一般式（４）で表す化合物同士の組み合わせ可能な種類は特に制限は無く、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。第四成分として使用する一般式（４）の化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては、第四成分が１種類の一般式（４）で表される化合物である。あるいは本発明の別の実施形態では第四成分が２種類の一般式（４）で表される化合物である。また、本発明の別の実施形態では第四成分が３種類の一般式（４）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第四成分が４種類の一般式（４）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第四成分が５種類の一般式（４）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第四成分が６種類の一般式（４）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第四成分が７種類の一般式（４）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第四成分が８種類の一般式（４）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第四成分が９種類の一般式（４）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第四成分が１０種類以上の一般式（４）で表される化合物を含む系である。

　本発明に係る液晶組成物中に含有する一般式（１）、（２）および（４）で表される化合物の合計含有量は、下限値として１６質量％が好ましく、１８質量％が好ましく、２０質量％が好ましく、２３質量％が好ましく、２５質量％が好ましく、２８質量％が好ましく、３０質量％が好ましく、３２質量％が好ましく、３５質量％が好ましく、３８質量％が好ましく、４０質量％が好ましく、４２質量％が好ましく、４５質量％が好ましく、４７質量％が好ましく、５０質量％が好ましい。上限値としては３５質量％が好ましく、３８質量％が好ましく、４０質量％が好ましく、４２質量％が好ましく、４５質量％が好ましく、４７質量％が好ましく、５０質量％が好ましく、５３質量％が好ましく、５５質量％が好ましく、５７質量％が好ましく、６０質量％が好ましく、６２質量％が好ましく、６５質量％が好ましく、６８質量％が好ましく、７０質量％が好ましく、７２質量％が好ましく、７５質量％が好ましく、７８質量％が好ましく、８０質量％が好ましく、８２質量％が好ましく、８５質量％が好ましく、８８質量％が好ましく、９０質量％が好ましい。

　本発明に係る一般式（４）で表される化合物の誘電率異方性（Δε）の下限値は、一つの実施形態では－２０であり、別の実施形態では－１５である。さらに別の実施形態では－１３であり、さらに別の実施形態では－１２である。またさらに別の実施形態では－１０であり、またさらに別の実施形態では－８である。また一方、一般式（４）で表される化合物からなる液晶組成物の誘電率異方性（Δε）の上限値は、一つの実施形態では０であり、別の実施形態では－１である。さらに別の実施形態では－２であり、さらに別の実施形態では－３である。またさらに別の実施形態では－４であり、またさらに別の実施形態では－５である。

　本発明に係る一般式（４）で表される化合物は、後述する一般式（ＶＩ－ａ）、一般式（ＶＩ－ｂ）、一般式（ＶＩ－ｃ）および一般式（ＶＩ－ｅ）：

　（上記一般式（ＶＩ－ａ）中、Ｒ^６ａおよびＲ^６ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
　Ａ^１は、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すが、Ａ^１が１，４－フェニレン基を表す場合、該１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。

　上記一般式（ＶＩ－ｂ）中、Ｒ^６ｃおよびＲ^６ｄはそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されているか、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよい。

　上記一般式（ＶＩ－ｃ）中、Ｒ^６ｅ、Ｒ^６ｆはそれぞれ独立して、炭素原子数１～１５のアルキル基、炭素原子数２～１５のアルケニル基、又は炭素原子数１～１５のアルコキシ基を表す。

　上記一般式（ＶＩ－ｄ）中、Ｒ^６ｇおよびＲ^６ｈはそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されているか、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
　Ａ^２は１，４－シクロヘキシレン基、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すが、Ａが１，４－フェニレン基を表す場合、該１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素に置換されていてもよく、
　Ｚ^１は単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又はＣＦ_２Ｏ－を表し、
　ｎは０又は１であり、
　Ｘ^６１～Ｘ^６６はそれぞれ独立して水素原子、又はフッ素原子を表すが、Ｘ^６１～Ｘ^６６の少なくとも２つはフッ素原子を表す。

　上記一般式（ＶＩ－ｅ）中、Ｒ^６ｉ、Ｒ^６ｊはそれぞれ独立して、炭素原子数１～１５のアルキル基、炭素原子数２～１５のアルケニル基、又は炭素原子数１～１５のアルコキシ基を表す。）
からなる群から選択される少なくとも１種で表される化合物であることが好ましい。

　前記一般式（ＶＩ－ａ）～（ＶＩ－ｅ）で表される化合物についてそれぞれ以下詳説する。

　　本発明に係る一般式（４）で表される化合物は、一般式（ＶＩ－ａ）で表される化合物を含むことが好ましい。

　（上記一般式（ＶＩ－ａ）中、Ｒ^６ａおよびＲ^６ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
　Ａ^１は、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すが、Ａ^１が１，４－フェニレン基を表す場合、該１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）
　上記一般式（ＶＩ－ａ）において、Ｒ^６ａは、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基を表すことがより更に好ましい。

　上記一般式（ＶＩ－ａ）において、Ｒ^６ｂは、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基又は炭素原子数１～８のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基又は炭素原子数２～４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基又は炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことがより更に好ましい。

　一般式（ＶＩ－ａ）において、Ａ^１は、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すが、Ａ^１が１，４－フェニレン基を表す場合、該１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよいが、１，４－フェニレン基が好ましいく、より具体的には、当該発明の液晶組成物を用いて作製される表示素子および液晶ディスプレイにおいて応答速度を重視する場合には、１，４－フェニレン基を表すことが好ましく、１，４－フェニレン基を表す場合には、ベンゼン環中の１つ以上の水素原子はフッ素に置換されていても良いが、無置換、１置換又は２置換が好ましく、無置換がより好ましい。２置換の場合には２，３－ジフルオロ－１，４－フェニレン基を表すことが好ましい。

　前記一般式（ＶＩ－ａ）で表される化合物は、具体的には次に記載する一般式（ＶＩ－ａ－１）：

（上記一般式（ＶＩ－ａ－１）中、Ｒ^６ａ及びＲ^６ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよい。）で表される群から選ばれる化合物であることが好ましい。

　また、前記Ｒ^６ａ及びＲ^６ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基又は炭素原子数２～５のアルケニルオキシ基を表すことがより好ましく、前記Ｒ^６ａおよびＲ^６ｂがアルケニル基の場合は、炭素原子数は４～５であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（ＶＩ－ａ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１１％であり、１０％であり、８％である。

　本発明に係る一般式（ＶＩ－ａ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（６．１３）～式（６．２１）：

で表される化合物が好ましいが、式（６．１３）～（６．２０）で表される化合物がより好ましく、式（６．１３）～（６．１５）および式（６．１９）～式（６．２１）で表される化合物がさらに好ましい。

　本発明に係る一般式（ＶＩ－ａ）で表される化合物がアルケニル基を有する場合、具体的には次に記載する式（６．２２）～式（６．２７）：

　（上記式中、Ｒ^６ｂはそれぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基、炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
で表される群から選ばれる化合物であること好ましい。

　本発明に係る一般式（４）で表される化合物は、一般式（ＶＩ－ｂ）で表される群から選ばれる化合物であることが好ましい。

　（上記一般式（ＶＩ－ｂ）中、Ｒ^６ｃおよびＲ^６ｄはそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されているか、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよい。）
　上記一般式（ＶＩ－ｂ）において、Ｒ^６Ｃは、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基を表すことがより更に好ましい。

　上記一般式（ＶＩ－ｂ）において、Ｒ^６ｄは、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基又は炭素原子数１～８のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基又は炭素原子数２～４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基又は炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことがより更に好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（ＶＩ－ｂ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、３７％であり、４０％であり、４２％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、５０％であり、４８％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％である。

　一般式（ＶＩ－ｂ）で表される化合物は、具体的には次に記載する式（６．２８）～（６．３５）で表される化合物：

が好ましいが、式（６．２８）～式（６．２９）および式（６．３１）～式（６．３５）
で表される化合物がより好ましい。

　本発明に係る一般式（ＶＩ－ｂ）で表される化合物がアルケニル基を有する場合には、具体的には次に記載する式（６．３６）～（６．３９）：

（上記式中、Ｒ^６ｄは炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基、又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す）で表される化合物が好ましい。

　本発明に係る一般式（４）で表される化合物は、一般式（ＶＩ－ｃ）で表される化合物であることが好ましい。

（一般式（ＶＩ－ｃ）中、Ｒ^６ｅ、Ｒ^６ｆはそれぞれ独立して、炭素原子数１～１５のアルキル基、炭素原子数２～１５のアルケニル基、又は炭素原子数１～１５のアルコキシ基を表す。）で表される群から選ばれる化合物であることが好ましい。

　また、前記一般式（ＶＩ－ｃ）で表される化合物において、より好ましくは、Ｒ^６ｅが炭素原子数１～１０のアルキル基であり、かつＲ^６ｆが炭素原子数１～１０のアルコキシ基であり、特に好ましくは、Ｒ^６ｅが炭素原子数１～５のアルキル基であり、かつＲ^６ｆが炭素原子数１～５のアルコキシ基である。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（ＶＩ－ｃ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

　また、本発明に係る一般式（ＶＩ－ｃ）で表される化合物は、以下の式（６．４０）～（６．４５）：

からなる群から選択される化合物が好ましい。

　本発明に係る一般式（４）で表される化合物は、一般式（ＶＩ－ｄ）で表される化合物であることが好ましい。

（上記一般式（ＶＩ－ｄ）中、Ｒ^６ｇおよびＲ^６ｈはそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基および／又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されているか、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
　Ａ^２は１，４－シクロヘキシレン基、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すが、Ａが１，４－フェニレン基を表す場合、該１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素に置換されていてもよく、
　Ｚ^１は単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又はＣＦ_２Ｏ－を表し、
　ｎは０又は１であり、
　Ｘ^６１～Ｘ^６６はそれぞれ独立して水素原子、又はフッ素原子を表すが、Ｘ^６１～Ｘ^６６の少なくとも２つはフッ素原子を表す。）で表される群から選ばれる化合物であることが好ましい。また、本願における１，４－シクロヘキシル基はトランス－１，４－シクロヘキシル基であることが好ましい。

　また、前記第二成分として一般式（２）で表される化合物を本発明に係る液晶組成物として含む場合であって、かつ前記一般式（ＶＩ－ｄ）で表される化合物と前記一般式（２）で表される化合物とが同一の場合は、前記一般式（ＶＩ－ｄ）で表される化合物は第四成分には含まれないことが好ましい。

　上記一般式（ＶＩ－ｄ）において、Ｒ^６ｇは、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基を表すことがより更に好ましい。

　上記一般式（ＶＩ－ｄ）において、Ｒ^６ｈは炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基又は炭素原子数１～８のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基又は炭素原子数２～４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基がより更に好ましい。さらに、Ｒ^ｅとＲ^ｆの炭素原子数は互いに異なることが好ましい。

　また、上記一般式（ＶＩ－ｄ）において、Ｘ^６１～Ｘ^６６はそれぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表すことが好ましいが、２つ～５つがフッ素原子を表すことが好ましく、２つ～４つがフッ素原子を表すことがより好ましく、２つ～３つがフッ素原子を表すことがより好ましく、２つがフッ素原子を表すことが更に好ましく、２つがフッ素原子を表すことが最も好ましい。

　この場合において、フッ素原子が１つの場合は、Ｘ^６３～Ｘ^６６のいずれか２つがフッ素原子を表すことが好ましく、Ｘ^６３又はＸ^６４がフッ素原子を表すことがより好ましい。フッ素原子が２つの場合は、Ｘ^６３～Ｘ^６６のいずれか２つがフッ素原子を表すことが好ましく、Ｘ^６３およびＸ^６４がフッ素原子を表すか又はＸ^６５およびＸ^６６がフッ素原子を表すことがより好ましく、Ｘ^６３およびＸ^６４がフッ素原子を表すことが更に好ましい。フッ素原子が３つ以上の場合は、少なくともＸ^６３およびＸ^６４がフッ素原子を表すか又は少なくともＸ^６５およびＸ^６６がフッ素原子を表すことが好ましく、少なくともＸ^６３およびＸ^６４がフッ素原子を表すことがより好ましい。

　前記一般式（ＶＩ－ｄ）において、Ａ^２は１，４－シクロヘキシレン基、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すことが好ましいが、当該液晶組成物を用いて作製される表示素子および液晶ディスプレイにおいて応答速度を重視する場合には、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すことが好ましく、１，４－フェニレン基を表すことがより好ましい。駆動電圧を重視する場合には１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すことが好ましく、テトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すことがより好ましい。動作温度範囲を重視する場合、すなわち高い動作温度範囲を必要とする場合、１，４－シクロヘキシレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すことが好ましく、１，４－シクロヘキシレン基を表すことがより好ましい。１，４－フェニレン基を表す場合には、ベンゼン環中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていても良いが、無置換、１置換又は２置換が好ましく、２置換の場合には２，３－ジフルオロベンゼンを表すことが好ましい。

　前記一般式（ＶＩ－ｄ）において、Ｚ^１は単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又は－ＣＦ_２Ｏ－を表すが、単結合、－ＯＣＦ_２－又は－ＣＦ_２Ｏ－を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。

　前記一般式（ＶＩ－ｃ）において、ｎは０又は１を表すが、応答速度を重視する場合０を表すことが好ましく、動作温度範囲を重視する場合、すなわち高い動作温度範囲を必要とする場合、１を表すことが好ましい。

　なお、上記一般式（ＶＩ－ａ）～（ＶＩ－ｄ）において、Ｒ^６ａ～Ｒ^６ｈは、一般式（４）におけるＲ^Ｘ１およびＲ^Ｘ２に相当するものであるため、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基については、直鎖状又は分岐状が好ましく、直鎖状がより好ましいことは言うまでもない。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（ＶＩ－ｄ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

　本発明に係る一般式（ＶＩ－ｄ）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＶＩ－ｄ－１）～（ＶＩ－ｄ－１２）：

　（上記式中、Ｒ^６ｇは一般式（ＶＩ－ｄ）におけるＲ^６ｇと同じ意味を表し、Ｒ^６ｈは一般式（ＶＩ－ｄ）におけるＲ^６ｈと同じ意味を表す。）で表される化合物が好ましいが、一般式（ＶＩ－ｄ－１）、一般式（ＶＩ－ｄ－３）～一般式（ＶＩ－ｄ－９）および一般式（ＶＩ－ｄ－１２）～一般式（ＶＩ－ｄ－１５）がより好ましく、一般式（ＶＩ－ｄ－１）、一般式（ＶＩ－ｄ－３）、一般式（ＶＩ－ｄ－５）、一般式（ＶＩ－ｄ－６）、一般式（ＶＩ－ｄ－９）、一般式（ＶＩ－ｄ－１２）、一般式（ＶＩ－ｄ－１３）および一般式（ＶＩ－ｄ－１５）が更に好ましく、一般式（ＶＩ－ｄ－１）、一般式（ＶＩ－ｄ－５）、一般式（ＶＩ－ｄ－６）が特に好ましく、一般式（ＶＩ－ｄ－５）が最も好ましい。

　本発明に係る一般式（ＶＩ－ｄ）（一般式（ＶＩ－ｄ－１）～（ＶＩ－ｄ－１２）も含む。）におけるＲ^６ｇおよびＲ^６ｈはそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１～８のアルキル基又は炭素原子数２～８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基又は炭素原子数２～５のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましく、Ｒ^６ｇおよびＲ^６ｈが共にアルキル基である場合には、それぞれの炭素原子数は異なっている方が好ましい。

　更に詳述すると、Ｒ^６ｇがプロピル基を表しＲ^６ｈがエチル基を表す化合物又はＲ^６ｇがブチル基を表しＲ^６ｈがエチル基を表す化合物が好ましい。

　本発明に係る一般式（ＶＩ－ｄ－１）で表される化合物は、具体的には式（６．４６）～式（６．５７）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明に係る一般式（４）で表される化合物の中でも、一般式（ＶＩ－ｄ－１）および一般式（ＶＩ－ｄ－２）で表される化合物や、式（６．４６）、式（６．４７）、式（６．４８）、式（６．４９）および式（６．５０）で表される化合物からなる群から選択される化合物がより好ましい。

　本発明に係る第四成分の特に好ましい形態は、一般式（ＶＩ－ｄ－１）および一般式（ＶＩ－ｄ－２）で表される化合物、式（６．４６）、式（６．４７）、式（６．４８）、式（６．４９）および式（６．５０）で表される化合物からなる群から選択される化合物の中から、１～３種類の異なる化合物を混合したものである。また、その際、本発明に係る第四成分全体の質量比は、液晶組成物全体に対して２０～３２質量％が特に好ましい。

　本発明に係る一般式（４）で表される化合物は、一般式（ＶＩ－ｅ）で表される化合物であることが好ましい。

　上記一般式（ＶＩ－ｅ）中、Ｒ^６ｉ、Ｒ^６ｊはそれぞれ独立して、炭素原子数１～１５のアルキル基、炭素原子数２～１５のアルケニル基、又は炭素原子数１～１５のアルコキシ基を表す。）
　本発明に係る一般式（ＶＩ－ｅ）において、Ｒ^６ｉは、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基を表すことがより更に好ましい。

　上記一般式（ＶＩ－ｅ）において、Ｒ^６ｊは炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基又は炭素原子数１～８のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基又は炭素原子数２～４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基がより更に好ましい。

　一般式（ＶＩ－ｅ）で表される化合物を液晶組成物に含むと、誘電率異方性の絶対値を増大させるため、低電圧駆動が可能となる効果を奏する。また、一般式（ＶＩ－ｅ）で表される化合物と、一般式（２）の化合物（Ｚ^０＝－ＣＨ２Ｏ－）とを組み合わせると、さらに誘電率異方性の絶対値を増大させるため、低電圧駆動が可能となる効果を奏する。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（ＶＩ－ｅ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

　本発明に係る一般式（ＶＩ－ｅ）で表される化合物は、具体的には式（９．１）～式（９．８）で表される化合物であることが好ましい。

　当該液晶組成物中に含有する一般式（１）、（２）および（ＶＩ－ｅ）で表される化合物の合計含有量は、下限値として１０質量％が好ましく、１２質量％が好ましく、１５質量％が好ましく、１８質量％が好ましく、２０質量％が好ましく、２２質量％が好ましく、２６質量％が好ましく、２８質量％が好ましく、３０質量％が好ましい。上限値としては６０質量％が好ましく、５５質量％が好ましく、５０質量％が好ましく、４５質量％が好ましく、４０質量％が好ましく、３６質量％が好ましく、３３質量％が好ましく、３２質量％が好ましく、３０質量％が好ましい。

　本発明の液晶組成物は、第五成分として、以下の一般式（６ａ）および一般式（６ｂ）で表される化合物を少なくとも１種以上さらに含有してもよい。

（一般式（６ａ）中、Ｒ^３１およびＲ^３２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基、炭素原子数１から１０の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２から１０の直鎖アルケニル基を表す。）

（一般式（６ｂ）中、Ｒ^４１およびＲ^４２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基、炭素原子数１から１０の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数４から１０の直鎖アルケニル基を表す。）
　このような一般式（６ａ）および（６ｂ）で表される化合物を液晶組成物に添加すると、特に低粘度の液晶組成物が得られるという観点で特に好ましい。

　本発明に係る液晶組成物における第五成分の含有量は、上述した必須成分である第一成分および第二成分などと同様に、液晶組成物の使用態様・使用目的だけでなく他の成分との関係で適宜選択されるものであるため、当該液晶組成物に含まれる第四成分の含有量の好適範囲は実施形態によってそれぞれ別個独立していることが好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において、第五成分の含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの実施形態としては１質量％であることが好ましい。あるいは本発明の別の実施形態では１０質量％であることが好ましい。また、本発明の別の実施形態では２０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では３０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では４０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では５０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では５５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では６０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では６５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では７０質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では７５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では８０質量％であることが好ましい。

　さらに、本発明に係る液晶組成物において、第五成分の含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量（１００質量％）に対して、例えば本発明の一つの形態では９５質量％であることが好ましい。また、本発明の別の実施形態では８５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では７５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では６５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では５５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では４５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では３５質量％であることが好ましい。さらに、本発明の別の実施形態では２５質量％であることが好ましい。

　本発明の液晶組成物において、一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、後述するプロセス適合性や滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　本発明に係る第五成分において、一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表す化合物同士の組み合わせ可能な種類は特に制限は無く、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。第五成分として使用する一般式（６ａ）又は（６ｂ）の化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては、第五成分が１種類の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物である。あるいは本発明の別の実施形態では第五成分が２種類の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物である。また、本発明の別の実施形態では第五成分が３種類の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第五成分が４種類の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第五成分が５種類の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第五成分が６種類の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第五成分が７種類の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第五成分が８種類の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第五成分が９種類の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物である。さらに、本発明の別の実施形態では第五成分が１０種類以上の一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物を含む系である。

　本発明に係る一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物の誘電率異方性（Δε）の下限値は、一つの実施形態では－１であり、別の実施形態では－０．９である。さらに別の実施形態では－０．８であり、さらに別の実施形態では－０．７である。またさらに別の実施形態では－０．５であり、またさらに別の実施形態では－０．４である。また一方、一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される化合物からなる液晶組成物の誘電率異方性（Δε）の上限値は、一つの実施形態では＋１であり、別の実施形態では＋０．９である。さらに別の実施形態では＋０．８であり、さらに別の実施形態では＋０．７である。またさらに別の実施形態では＋０．６であり、またさらに別の実施形態では＋０．５である。

　本発明に係る一般式（６ａ）で表される化合物は、具体的には以下に挙げる式（７．１）～式（７．６０）で表される化合物が好ましい。

　また、本発明に係る一般式（６ｂ）で表される化合物は、式（７．７１）～式（７．８５）からなる群から選択される少なくとも一つがより好ましい。

　本発明に係る一般式（６ａ）および（６ｂ）で表される化合物の中でも、式（７．７１）～式（７．８５）で表される化合物がより好ましい。

　本発明に係る液晶組成物中に含有する一般式（１）、（２）、（３）および（４）で表される化合物の合計含有量は、下限値として６０質量％が好ましく、６５質量％が好ましく、７０質量％が好ましく、７２質量％が好ましく、７５質量％が好ましく、７７質量％が好ましく、８０質量％が好ましく、８２質量％が好ましく、８５質量％が好ましく、８７質量％が好ましく、９０質量％が好ましく、９２質量％が好ましく、９５質量％が好ましく、９８質量％が好ましく、９９質量％が好ましく、上限値としては１００質量％が好ましく、９９．５質量％が好ましく、９９質量％が好ましく、９８質量％が好ましく、９７質量％が好ましく、９５質量％が好ましい。

　本発明に係る液晶組成物は、上述の第一成分～第五成分で表される化合物以外に、用途に応じて、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、カイラル剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、重合性モノマーなどの他の成分を含有しても良い。また、これら他の成分のうち、酸化防止剤や紫外線吸収剤は特に制限されることはなく、公知のものを使用することができる。本発明に係る液晶組成物は
　本発明に係る液晶組成物において、ＵＶ照射による安定性や信頼性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１５質量％以下とすることが好ましく、１０質量％以下とすることがより好ましく、５質量％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において、分子内の環構造がすべて単環の６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて単環の６員環である化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて単環の６員環である化合物のみで液晶組成物を構成することが最も好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において、液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において、粘度の改善及びＴｎｉの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２－メチルベンゼン－１，４－ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２－メチルベンゼン－１，４－ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

　近年における液晶表示素子の用途拡大に起因して、その使用方法や製造方法に大きな変化が見られ、これらに対応するためには、従来知られている基本的な物性値以外の特性についても最適化が求められるようになった。すなわち、液晶組成物を使用する液晶表示素子はＶＡ型やＩＰＳ型等が広く使用されるに至り、その大きさも５０型以上の超大型サイズの表示素子が使用されるようになった。このような基板サイズの大型化に伴い、液晶組成物の基板への注入方法も従来の真空注入法から滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ　Ｄｒｏｐ　Ｆｉｌｌ）法が主流となり（特開平６－２３５９２５参照）、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕が表示品位の低下を招く問題が表面化するに至った。さらに、液晶表示素子中の液晶材料のプレチルト角の生成を高速応答性を目的に、ＰＳ液晶表示素子（ｐｏｌｙｍｅｒ　ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ、ポリマー安定化）、ＰＳＡ液晶表示素子（ｐｏｌｙｍｅｒ　ｓｕｓｔａｉｎｅｄ　ａｌｉｇｎｍｅｎｔ、ポリマー維持配向）が開発され（特開２００２－３５７８３０号公報参照）、滴下痕の問題はより大きな問題となっている。すなわち、当該ＰＳまたはＰＳＡの表示素子は液晶組成物中にモノマーを添加し、組成物中のモノマーを硬化させることに特徴を有する。アクティブマトリクス用液晶組成物は、高い電圧保持率を維持する必要性から、使用可能な化合物が特定され、化合物中にエステル結合を有する化合物は使用が制限されている。ＰＳＡ液晶表示素子に使用するモノマーはアクリレート系が主であり、化合物中にエステル結合を有するものが一般的であり、このような化合物はアクティブマトリクス用液晶化合物としては通常使用されないものである（特開２００２－３５７８３０号公報参照）。このような異物は、滴下痕の発生を誘発し、表示不良による液晶表示素子の歩留まりの悪化が問題となっている。また、液晶組成物中に酸化防止剤、光吸収剤等の添加物を添加する際にも歩留まりの悪化が問題となる。ここで、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。

　このような滴下痕の抑制には、液晶組成物中に混合した重合性化合物の重合により、液晶相層中にポリマー層を形成することにより配向制御膜との関係で発生する滴下痕を抑制する方法が開示されている（特開２００６－５８７５５号等参照）。しかしながら、この方法においては液晶中に添加した重合性化合物に起因する表示の焼き付きの問題があり、滴下痕の抑制についてもその効果は不十分であり、液晶表示素子としての基本的な特性を維持しつつ、焼き付きや滴下痕の発生し難い液晶表示素子の開発が求められている。本発明に係る液晶組成物は、滴下痕の発生を抑制または軽減する効果を備えている。

　本発明に係る液晶組成物は、重合性モノマーをさらに含有することが好ましい。また、本発明の重合性モノマーとしては上記の観点から、一般式（８）：

（一般式（８）中、Ｘ^８１およびＸ^８２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１およびＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１～８のアルキレン基又は－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｓ－（式中、ｓは１から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、
　Ｚ^２は－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯＯ－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＯＣＯ－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－ＣＯＯ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－ＣＨ_２－、－ＯＣＯ－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－ＣＯＯ－、－ＣＨ_２－ＯＣＯ－、－ＣＹ^１＝ＣＹ^２－（式中、Ｙ^１およびＹ^２はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、－Ｃ≡Ｃ－又は単結合を表し、
　Ｂは１，４－フェニレン基、トランス－１，４－シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４－フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）
で表される２官能性モノマーが好ましい。

　上記一般式（８）で表される２官能性モノマーは、Ｘ^８１およびＸ^８２が、何れも水素原子を表すジアクリレート誘導体、何れもメチル基を表すジメタクリレート誘導体の何れも好ましく、一方が水素原子を表しもう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。ＰＳＡ表示素子においては、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。

　上記一般式（８）中、Ｓｐ^１およびＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１～８のアルキレン基又は－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｓ－を表すが、ＰＳＡ表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１～８のアルキレン基又は－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｓ－を表す態様が好ましい。この場合１～４のアルキル基が好ましく、ｓは１～４が好ましい。

　上記一般式（８）中、Ｚ^２は、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－又は単結合が好ましく、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。

　上記一般式（８）中、Ｂは任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い１，４－フェニレン基、トランス－１，４－シクロヘキシレン基又は単結合を表すが、１，４－フェニレン基又は単結合が好ましい。Ｂが単結合以外の環構造を表す場合、Ｚ^２は単結合以外の連結基も好ましく、Ｂが単結合の場合、Ｚ^２は単結合が好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において、一般式（８）で表される重合性モノマーの含有量は、当該液晶組成物の全体の量（１００質量％）に対して、０．０５～１質量％が好ましく、０．１～０．５質量％がより好ましく、０．１～０．４質量％が更に好ましく、０．１～０．３質量％が特に好ましく、０．１５～０．３質量％が最も好ましい。

　当該重合性モノマーの含有量が０．１～０．３質量％であると液晶表示素子の表示特性と信頼性のバランスの観点で好ましい。

　これらの点から、一般式（８）において、Ｓｐ^１およびＳｐ^２の間の環構造は、具体的には次に記載する構造が好ましい。

　前記一般式（８）において、Ｂが単結合を表し、環構造が二つの環で形成される場合において、次の式（ＶＩＩＩａ－１）から式（ＶＩＩＩａ－５）

（上記一般式（ＶＩＩＩａ－１）～（ＶＩＩＩａ－５）中、両端はＳｐ^１又はＳｐ^２に結合するものとする。）を表すことが好ましく、上記一般式（ＶＩＩＩａ－１）から式（ＶＩＩＩａ－３）を表すことがより好ましく、式（ＶＩＩＩａ－１）を表すことが特に好ましい。

　これらの骨格を含む重合性モノマーは重合後の配向規制力がＰＳＡ型液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、又は、全く発生しない。

　以上のことから、本発明に係る重合性モノマーとしては、式（８．１）～式（８．４）が特に好ましく、中でも式（８．２）が最も好ましい。

（上記式（８．１）～（８．４）中、Ｓｐ^２は炭素原子数２から５のアルキレン基を表す。）
　本発明の液晶組成物にモノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。また、保存安定性を向上させるために、安定剤を添加しても良い。使用できる安定剤としては、例えば、ヒドロキノン類、ヒドロキノンモノアルキルエーテル類、第三ブチルカテコール類、ピロガロール類、チオフェノール類、ニトロ化合物類、β－ナフチルアミン類、β－ナフトール類、ニトロソ化合物等が挙げられる。

　また、本発明に係る液晶組成物および／又は重合性モノマーを含有する液晶組成物では、当該滴下痕の抑制にも有効であることが確認された。

　本発明に係る重合性モノマーを含有する液晶組成物（以下、重合性モノマー含有液晶組成物とも称する。）は、液晶表示素子に有用であり、特にアクティブマトリクス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＰＳＡモード、ＦＦＳモード、ＰＳＶＡモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード又はＥＣＢモード用液晶表示素子に用いることができる。

　本発明の重合性モノマー含有液晶組成物は、これに含まれる重合性モノマーが紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ－ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ－ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ－ＬＣＤおよびＩＰＳ－ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＡＭ－ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。

　また、後述する液晶表示素子および図１～４の内容を参考にすると、液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板２，８はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。また、透明電極（層）６，１４を有する透明基板２，８は、例えば、ガラス板等の透明基板２，８上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。

　前記透明電極（層）やＴＦＴが形成された基板２，８を、透明電極（層）６，１４が内側となるように対向させる。その際、スペーサー（図示せず）を介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１～１００μｍとなるように調整するのが好ましく、１．５から１０μｍがより好ましい（図１～４参照）。

　また、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板１，９がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる（図１～４参照）。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

　上記のように２枚の基板を対向して貼り合わせることにより形成した液晶組成物を収容する液晶組成物収容空間に対して重合性モノマー含有液晶組成物を導入する方法は、通常の真空注入法又はＯＤＦ法などを用いることができる。しかし、真空注入法による重合性モノマー含有液晶組成物を導入する方法では滴下痕は発生しないものの、注入の痕が残る課題を有しているものであるが、本願発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。

　本発明に係る重合性モノマーを重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性モノマー含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性モノマー含有液晶組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性およびコントラストの観点からプレチルト角を８０度から８９．９度に制御することが好ましい。

　前記紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を照射する時の温度は、本発明の液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５～３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２～１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２～５０Ｗ／ｃｍ^２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２から５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２から２００Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましい。

　上述したように液晶表示素子を製造する過程において、滴下痕の発生は、注入される液晶材料に大きな影響を受けるものであるが、液晶表示素子の構成によってもその影響は避けられない。特に、液晶表示素子内に形成されるカラーフィルタ、又は薄膜トランジスタなどは、薄い配向膜や透明電極等だけが液晶組成物と隔てる部材であるため、例えばカラーフィルタに用いられる顔料の化学構造あるいはカラーフィルタ樹脂の化学構造と特定化学構造を有する液晶化合物との組合せにより滴下痕の発生に影響が生じる。

　以上のことから、本発明に係る液晶組成物を用いた液晶表示素子は高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＦＦＳモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード又はＥＣＢモード用に適用できる。

　本発明における液晶組成物は、一般式（１）および一般式（２）の化合物を必須とするものであるが、より好ましい態様として、一般式（３）、一般式（４）、一般式（６ａ）、一般式（６ｂ）および一般式（８）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含有することができる。この場合に含有量は次に記載する含有量が好ましい。

　本発明における液晶組成物を構成する各化合物中、１分子内にフッ素原子数を２個以上有する化合物、具体的には一般式（１）、（２）、（３）および（４）で表される化合物の占める割合は液晶組成物中の４０～９０質量％が好ましく、４５～８５質量％がより好ましく、５０～８０質量％が更に好ましいが、更に詳述すると、応答速度を重視する場合には５０質量％～６０質量％が好ましく、駆動電圧を重視する場合には６０～８０質量％が好ましい。
「液晶表示素子」
　本発明の第二は、本発明に係る液晶組成物を用いた液晶表示素子である。図１は、当該液晶表示素子の一態様の構造を模式的に示す図である。また、図１では、説明のために便宜上各構成要素を離間して記載している。図２は、当該図１における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３（または薄膜トランジスタ層３とも称する。）のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図３は、図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図４は、図３におけるＩＶの領域である薄膜トランジスタを拡大した図である。

　本発明に係る液晶表示素子の第二の好ましい実施形態は、共通電極６を具備した第二の基板８と、透明導電性材料からなる画素電極および各画素に具備した前記画素電極を制御する薄膜トランジスタを形成した薄膜トランジスタ層３を含む第一の基板２と、前記第一の基板２と第二の基板８との間に挟持された液晶組成物（または液晶層５）を有し、該液晶組成物中の液晶分子の電圧無印加時の配向が前記基板２，６に対して略垂直である液晶表示素子であって、該液晶組成物として前記本発明の液晶組成物を用いたことに特徴を有するものである。換言すると、本発明に係る液晶組成物を含む液晶表示素子は、第一の基板２と第二の基板８とを離間して配置され、かつ当該第一の基板２と第二の基板８との間に液晶組成物（または液晶層５）が充填されている。

　また図１および図３に示すように、前記第二の基板８および前記第一の基板２は、一対の偏光板１，９により挟持されてもよい。さらに、図１では、前記第一の基板８と共通電極６との間にカラーフィルタ７が設けられている。またさらに、本発明に係る液晶層５と隣接し、かつ当該液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接するよう一対の配向膜４を透明電極（層）６，１４表面に形成してもよい。

　すなわち、本発明に係る液晶表示素子１０は、第二の偏光板１と、第二の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層（又は薄膜トランジスタ層とも称する）３と、配向膜４と、液晶組成物を含む層５と、配向膜４と、共通電極６と、カラーフィルタ７と、第一の基板８と、第一の偏光板９と、が順次積層された構成であることが好ましい。

　本発明に係る液晶表示素子１０の他の好適な形態としては、いわゆるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）であってもよく、薄膜トランジスタ層３と液晶層５との間にカラーフィルタ７を設けても、または当該薄膜トランジスタ層３と第二の基板２との間にカラーフィルタ７を設けてもよい。

　また図２および図３に示すように、第二の基板２の表面に形成されている薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するためのゲート配線２５と表示信号を供給するためのデータ配線２４とが互いに交差しており、かつ前記複数のゲート配線２５と複数のデータ配線２４とに囲まれた領域には、画素電極２１がマトリックス状に形成されている。画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として、前記ゲート配線２５と前記データ配線２４が互いに交差している交差部近傍において、ソース電極２６、ドレイン電極２３およびゲート電極２７を含む薄膜トランジスタが、前記画素電極２１と連結して設けられている。さらに、前記複数のゲート配線２５と複数のデータ配線２４とに囲まれた領域にはデータ配線２４を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ２２が設けられている。

　また、ゲート配線２６と並行して、共通ライン２９が設けられる。この共通ライン２９は、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。

　本発明においては、図に記載するように薄膜トランジスタが逆スタガード型である液晶表示素子に好適に使用でき、ゲート配線２５やデータ配線２４などは金属膜であることが好ましく、アルミニウム配線を用いる場合が特に好ましい。さらに、ゲート配線２５およびデータ配線２４はゲート絶縁膜を介して重なっている。

　また、カラーフィルタ７と薄膜トランジスタ層３とが対向する基板にそれぞれ設ける図２の構成において、当該カラーフィルタ７は、光の漏れを防止する観点で、薄膜トランジスタおよびストレイジキャパシタ２２に対応する部分にブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい（他の実施形態でも同様）。

　本発明に係る液晶表示素子の薄膜トランジスタの構造の好適な一態様は、例えば、図３および図４で示すように、基板２表面に形成されたゲート電極１１と、当該ゲート電極１１を覆い、かつ前記基板２の面を覆うように設けられたゲート絶縁層１３と、前記ゲート電極１１と対向するよう前記ゲート絶縁層１３の表面に形成された半導体層１７と、前記半導体層１７の表面の一部を覆うように設けられた保護膜１８と、前記保護層１８および前記半導体層１７の一方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１３と接触するように設けられたドレイン電極１５と、前記保護膜１８および前記半導体層１７の他方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１３と接触するように設けられたソース電極１９ａ，１９ｂと、前記ソース電極１９ａ，１９ｂを覆い、かつ前記ゲート絶縁層１３に倣って前記ゲート絶縁層１３の略全面を覆うように設けられた透明電極１４と、前記透明電極１４の一部および前記ソース電極１９ａ，１９ｂを覆うように設けられた保護層１０１（図３では図示せず）と、を有している。

　また、図３および４に示すように、ゲート電極１１の表面にゲート電極との段差を無くす等の理由により陽極酸化被膜１２を形成してもよい。さらに、ショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で半導体層１７とドレイン電極１５との間にオーミック接触層１６を設けても良い。

　本発明に係る半導体層１７には、アモルファスシリコン、多結晶ポリシリコンなどを用いることができるが、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）、ＩＴＯ等の透明半導体膜を用いると、光吸収に起因する光キャリアの弊害を抑制でき、素子の開口率を増大する観点からも好ましい。

　さらに、ショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で半導体層１３とドレイン電極１６またはソース電極１７との間にオーミック接触層１５を設けても良い。オーミック接触層には、ｎ型アモルファスシリコンやｎ型多結晶ポリシリコン等のリン等の不純物を高濃度に添加した材料を用いることができる。

　ゲート配線２６やデータ配線２５、共通配線２９は金属膜であることが好ましく、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ又はその合金がより好ましく、Ａｌ又はその合金の配線を用いる場合が特に好ましい。また、絶縁保護層１８は、絶縁機能を有する層であり、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ素酸窒化膜等で形成される。

　図２及び図３に示す実施の形態では、共通電極２２はゲート絶縁層１２上のほぼ全面に形成された平板状の電極であり、一方、画素電極２１は共通電極２２を覆う絶縁保護層１８上に形成された櫛形の電極である。すなわち、共通電極２２は画素電極２１よりも第一の基板２に近い位置に配置され、これらの電極は絶縁保護層１８を介して互いに重なりあって配置される。画素電極２１と共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料により形成される。画素電極２１と共通電極２２が透明導電性材料により形成されるため、単位画素面積で開口される面積が大きくなり、開口率及び透過率が増加する。

　特に、本発明に係る液晶表示素子の薄膜トランジスタとして上記のような逆スタガード型を使用する場合には、ドレイン電極１５がゲート電極１１を覆うように形成されるためドレイン電極１５の面積が増大する傾向にある。一般にドレイン電極は、銅、アルミニウム、クロム、チタン、モリブデン、タンタル等の金属材料で形成され、パッシベーション処理を施されるのが通常の形態である。しかし、例えば図３および図４で示すように、保護膜１８は一般に薄く、配向膜４も薄く、イオン性物質を遮断しない可能性が高いことから、金属材料と液晶組成物の相互作用による滴下痕の発生を避けることができなかった。

　しかし、本発明に係る液晶組成物を含む液晶表示素子では、例えば液晶表示素子の部材と、本発明に係る液晶組成物の表面自由エネルギーあるいは吸着エネルギー等との間の微妙なバランスの観点から滴下痕の発生の問題も低減することができると考えられる。

　本発明に係る液晶表示素子の第二の好ましい実施形態は、第一の配向層および薄膜トランジスタを含む電極層を表面に有する第一の基板と、第二の配向層を表面に有する第二の基板とが配向層同士向かい合うよう離間して配置され、当該前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含む液晶層が充填された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタを含む電極層は、網目状に配置される複数個のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線との各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極と離間して第一の基板上に設けられる共通電極と、を備えることが好ましい。また、前記液晶層に隣接して設けられている第一の配向層および第二の配向層は、液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜であることが好ましい。

　すなわち、前記液晶表示素子は、第二の偏光板と、第二の基板と、薄膜トランジスタを含む電極層（又は薄膜トランジスタ層とも称する）と、配向膜と、液晶組成物を含む液晶層と、配向膜と、カラーフィルタと、第一の基板と、第一の偏光板と、が順次積層された構成であることが好ましい。

　共通電極と画素電極とを同一の基板（または電極層）上に離間して設けることで、前記共通電極と前記画素電極との間に生じる電界（Ｅ）が平面方向成分を有することができる。そのため、例えば液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜を前記配向層に用いると、共通電極と画素電極との間に電圧をかける前は配向膜の配向方向である面方向に配列している液晶分子が光を遮断し、電圧をかけると平面方向にかかる電界（Ｅ）により液晶分子が水平に回転して、当該電界方向に沿って配列することで光を遮断する素子を提供できる。

　また、本発明に係る液晶表示素子の形態としては、いわゆるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）であってもよく、薄膜トランジスタを含む電極層と液晶層との間にカラーフィルタを設けても、または当該薄膜トランジスタを含む電極層と第二の基板との間にカラーフィルタを設けてもよい。

　本発明に係る第二の実施形態のより好ましい形態（ＩＰＳ）は、配向層および薄膜トランジスタを含む電極層を表面に有する第一の基板と、配向層を表面に有する第二の基板とが配向層同士向かい合うよう離間して配置され、当該前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含む液晶層が充填された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタを含む電極層は、網目状に配置される複数個のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線との各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極と離間して共に第一の基板上に並設されている共通電極と、を備え、隣接する前記共通電極と前記画素電極との最短離間距離ｄが前記配向層同士の最短離間距離Ｄより長いことが好ましい。

　当該液晶表示素子のより好ましい形態を図５～図９を用いて以下説明する。図５は、図１の液晶表示素子の構造とは別の液晶表示素子の一態様の構造を模式的に示す分解斜視図であり、いわゆるＩＰＳ（またはＦＦＳ）方式の液晶表示素子である。

　当該図５に示すように、本発明に係る液晶表示素子は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層（又は薄膜トランジスタ層とも称する）３と、配向膜４と、液晶組成物を含む液晶層５と、配向層４と、カラーフィルタ７と、第二の基板８と、第二の偏光板９と、が順次積層された構成であることが好ましく、薄膜トランジスタを含む電極層３と液晶層５との間にカラーフィルタ７を設けても、または当該薄膜トランジスタを含む電極層３と第二の基板２との間にカラーフィルタ７を設けてもよい。また、当該図５に示す本発明の液晶表示素子の構造を模式的に示す分解斜視図は、ＩＰＳ方式およびＦＦＳ方式では共通の構成である。

　図６は、図５における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３（または薄膜トランジスタ層３とも称する。）のＩＩの領域を拡大した平面図である。当該図６に示すように、第一の基板２上に形成されている薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するためのゲート配線１２６と表示信号を供給するためのデータ配線１２５とが互いに交差し、ゲート配線１２６およびデータ配線１２５が網目状に形成されており（図では一例として格子状）、かつ前記複数のゲート配線１２６と複数のデータ配線１２５とに囲まれた領域には、画素電極１２１、共通電極および薄膜トランジスタが形成されている。より詳細には、前記ゲート配線１２６と前記データ配線１２５が互いに交差している交差部近傍において、ソース電極１２７、ドレイン電極１２８およびゲート電極１２４を含む薄膜トランジスタが、画素電極１２１に表示信号を供給するスイッチ素子として前記画素電極１２１と連結して設けられている。当該図６では、一例として櫛歯状の画素電極が設けられ、当該画素電極の第１基板側に平板上の共通電極１２２が形成されている。また、他の形態としては、櫛歯状の共通電極が設けられ、この画素電極の櫛歯とかみ合うように同じく櫛歯状の共通電極が設けられていても良い。本発明はこれらに限定されることはなく、断面で画素電極と共通電極とが同一基板上に配列している構造であれば特に制限されることはなく、画素電極と共通電極との上下の位置関係が存在しても、また交互に配列している構造であってもよい。さらに、櫛歯状の画素電極または共通電極における歯の数や形状も特に限定されることなく、画素電極と共通電極とが一定距離を保ち同一基板上に配列している断面構造が得られることができれば特に制限されることはない。前記画素電極の表面には保護絶縁膜及び配向膜層によって被覆されていることが好ましい。なお、前記複数のゲート配線１２６と複数のデータ配線１２５とに囲まれた領域にはデータ配線１２５を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ１２３（図示せず）を設けてもよい。

　図７は、図６におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に液晶表示素子を切断した断面図である。配向層４および薄膜トランジスタを含む電極層３が表面に形成された第一の基板２と、配向層４が表面に形成された第二の基板８と、が所定の間隔Ｇで配向層同士向かい合うよう離間しており、この空間に液晶組成物を含む液晶層５が充填されている。また、図６にも示すように、櫛歯状の画素電極１２１の複数の歯部が離間した状態で基板上に設けられている。また、他の実施形態としては、櫛歯状の画素電極の複数の歯部および櫛歯状の共通電極の複数の歯部が離間して噛合した状態で基板上に設けられていてもよく、この場合、画素電極と共通電極とが交互に離間して第一の基板上に並設されても、また図７や後述のように上下関係が存在してもよい。これにより、離間距離や各電極の歯部の間隔を変えることで、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄと、配向層同士の最短離間距離Ｇとを調整することができる。さらに、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより長いと、共通電極と画素電極との間に形成される電界は面方向の成分が大きくなり、水平方向に液晶分子を配向させることができる。一方、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短いとフリンジ電界が生じ、液晶分子の水平方向および垂直方向の配向を効率的に利用することができる（特にｎ型液晶組成物）。

　本明細書において、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより長い条件の液晶表示素子をＩＰＳ方式の液晶表示素子と称し、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短い条件の素子をＦＦＳと称する。したがって、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより長いことだけがＩＰＳ方式の条件であるため、当該共通電極の表面と画素電極との表面との厚さ方向の位置関係に制限はない。そのため、本発明に係るＩＰＳ方式の液晶表示素子としては、図７や後述の図９のように、画素電極が共通電極より液晶層側に設けられてもよい。

　以下、本発明のＩＰＳ方式またはＦＦＳ方式の液晶表示素子の他の形態として、画素電極と共通電極との厚さ方向の位置に関する実施形態を説明する。

　本発明に係る第二の実施形態（ＩＰＳまたはＦＦＳ方式の液晶表示素子）のより好ましい他の形態としての構成は、図５の分解図と同様に、画素電極および共通電極が同一の基板に形成されているものであるため、液晶表示素子の分解図は図５の説明を援用する。図８は、図６とは別の実施形態の基板上に形成されたＩＩ領域における薄膜トランジスタを含む電極層３（または薄膜トランジスタ層３とも称する。）の領域を拡大した平面図である。

　図８に示す電極層３の構造は、図５と同様に、前記ゲート配線１２６と前記データ配線１２５とが互いに交差している交差部近傍において、ソース電極１２７、ドレイン電極１２８およびゲート電極１２４を含む薄膜トランジスタが画素電極１２１に表示信号を供給するスイッチ素子として前記画素電極１２１と連結して設けられている。当該図８に示す画素電極１２１は、略長方形の平板体の電極を略矩形枠状の切欠き部でくり抜かれた形状である。また、当該画素電極１２１の背面には絶縁層１８（図示せず）を介して櫛歯状の共通電極１２２が一面に形成されている。そして、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄは配向層（または基板間距離）同士の最短離間距離Ｇより長い場合はＩＰＳ方式の液晶表示素子であり、短い場合はＦＦＳ方式の液晶表示素子になる。また、前記画素電極の表面には保護絶縁膜及び配向膜層によって被覆されていることが好ましい。なお、前記複数のゲート配線１２６と複数のデータ配線１２５とに囲まれた領域にはデータ配線１２５を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ（図示せず）を設けてもよい。なお、切欠き部の形状は特に制限されるものではなく、図８で示す略矩形だけでなく、楕円、円形、長方形状、菱形、三角形、または平行四辺形など公知の形状の切欠き部を使用できる。

　図９は、図６とは別の実施形態であり、図８において、図６のＩＩＩ－ＩＩＩ線方向と同一の箇所について液晶表示素子を切断した断面図である。配向層４および薄膜トランジスタを含む電極層３が表面に形成された第一の基板２と、配向層４が表面に形成された第二の基板８とが所定の間隔Ｇで配向層同士向かい合うよう離間しており、この空間に液晶組成物を含む液晶層５が充填されている。第一の基板２の表面の一部にゲート絶縁膜１２、共通電極１２２、絶縁膜１８、画素電極１２１および配向層４の順で積層されている。また、図８にも示すように、画素電極１２１は、平板体の中央部および両端部が三角形状の切欠き部でくり抜かれ、さらに残る領域を長方形状の切欠き部でくり抜かれた形状であり、かつ共通電極１２２は前記画素電極２１と同様に切欠き部を備えるまたは櫛歯状の共通電極１２２が前記画素電極より第一基板側に配置されてなる構造である。

　ＩＰＳ方式の場合（接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士（または基板間距離）の最短離間距離Ｇより長い条件）は、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより長いと、共通電極と画素電極との間に形成される電界（Ｅ）は面方向（水平方向の電界）の成分が大きくなり、水平方向に液晶分子を配向させる。そのため、このようなＩＰＳやＦＦＳ方式の液晶表示素子は、図に示したように、画素電極１２１と共通電極１２２との間に電界を形成すると、水平方向に配向していた液晶が水平方向に旋回することによりバックライトからの入射光の透過量を制御することができるようになる。このＩＰＳやＦＦＳモードの液晶表示素子は、広視野角で、高コントラストであるという長所があるが、共通電極１２２がデータ配線ないしゲート配線と同じ金属材料で形成されるために開口率及び透過率が低く、又、視角による色変化があるという問題点が存在する。

　ＩＰＳやＦＦＳ方式の液晶表示素子において、液晶層に隣接して設けられている第一の配向層および第二の配向層は、液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜であることが好ましい。例えば液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜を配向層に用いると、共通電極と画素電極との間に電圧をかける前は配向膜の配向方向である面方向に配列している液晶分子が光を遮断する。一方、電圧をかけると、電界（Ｅ）が平面方向にかかるため液晶分子が水平に回転して、電界方向に沿って配列することができる。

　なお、本明細書における「基板上」とは、基板と直接当接するだけでなく間接的に当接する、いわゆる基板に支持されている状態も含む。

　本発明に係る液晶表示組成における好ましい別の形態（ＦＦＳ）は、第一の配向層および薄膜トランジスタを含む電極層を表面に有する第一の基板と、第二の配向層を表面に有する第二の基板とが配向層同士向かい合うよう離間して配置され、当該前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含む液晶層が充填された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタを含む電極層は、網目状に配置される複数個のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線との各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極と離間して共に第一の基板上に並設されている共通電極と、を備え、隣接する前記共通電極と前記画素電極との最短離間距離ｄが前記配向層同士の最短離間距離Ｇより短いことが好ましい。

　ＦＦＳ方式の液晶表示素子は、フリンジ電界を利用するものであり、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｄより短いと、共通電極と画素電極との間にフリンジ電界が形成され、液晶分子の水平方向および垂直方向の配向を効率的に利用することができる。すなわち、ＦＦＳ方式の液晶表示素子の場合は、画素電極２１の櫛歯形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。

　またＦＦＳ方式の液晶表示素子の場合、長軸方向が、配向層の配向方向と平行になるように配置している液晶分子に電圧を印加すると、画素電極１２１と共通電極１２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極１２１と共通電極１２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子は、形成された電界に沿って液晶層５内を回転する。特に、本発明に係る液晶組成物は負の誘電率異方性を有する液晶分子を用いるため、液晶分子の長軸方向が、発生した電界方向に直行するように回転する。画素電極２１の近くに位置する液晶分子はフリンジ電界の影響を受けやすいものの、負の誘電率異方性を有する液晶分子は分極方向が分子の短軸にあることから、その長軸方向が配向層４に対して直行する方向に回転することはなく、液晶層５内の全ての液晶分子の長軸方向は、配向膜４に対して平行方向を維持できる。したがって、正の誘電率異方性を有する液晶分子を用いたＦＦＳ方式の液晶表示素子に比べて、優れた透過率特性を得ることができる。

　前記画素電極と共通電極との最小離間距離ｄは、ゲート絶縁膜１２の（平均）膜厚として調整することができる。また、換言すると、図７の形態では、画素電極と共通電極間の基板に水平方向の距離は０になる。画素電極１２１の櫛歯状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛歯状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。また、一方、図９の形態では、画素電極と共通電極間の基板に水平方向の距離はＲになる。

　また、図２に示すように、液晶表示素子は、中央部に位置した矩形状の表示領域Ｒ１と、表示領域周縁部に沿って位置した枠状の非表示領域Ｒ２とを有しており、表示領域Ｒ１において、赤色、緑色または青色のカラーフィルタを形成している。よりし詳細にはカラーフィルタの周縁部を信号線（データ配線やゲート配線等）に重ねて配設されている。カラーフィルタ上には、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明な導電膜により形成された複数の画素電極が設けられてもよい。各画素電極は絶縁膜および各着色層に形成されたスルーホール（図示せず）を介して対応する薄膜トランジスタに接続されている。より詳しくは、画素電極は、上記したコンタクト電極を介してＴＦＴに接続されている。画素電極２１上には柱状スペーサーなどが複数本配設されていてもよい。カラーフィルタおよび画素電極上には、配向膜が形成されている。

　以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。

　実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。

　（側鎖）
　－ｎ　　　　－Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１　炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
　ｎ－　　　　Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－　炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
　－Ｏｎ　　　－ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１　炭素原子数ｎの直鎖状のアルコキシル基
　ｎＯ－　　　Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１Ｏ－　炭素原子数ｎの直鎖状のアルコキシル基
　－Ｖ　　　　－ＣＨ＝ＣＨ_２
　Ｖ－　　　　ＣＨ_２＝ＣＨ－
　－Ｖ１　　　－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３
　１Ｖ－　　　ＣＨ_３－ＣＨ＝ＣＨ－
　－２Ｖ　　　－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ_３
　Ｖ２－　　　ＣＨ_３＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－
　－２Ｖ１　　　－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３
　１Ｖ２－　　　ＣＨ_３－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_２
　－ＣＯＯ－　　　　－ＣＯＯ－
　－ＯＣＯ－　　　　－ＯＣＯ－
（環構造）

　（実施例および比較例）
　下記表１に示す組成を有する液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　実施例１～１６の液晶組成物および比較例を用いて、図３に示すＶＡ液晶表示素子を作製した。この液晶表示素子は、アクティブ素子として逆スタガード型の薄膜トランジスタを有している。液晶組成物の注入は、滴下法にて行い、耐光性の評価を行った。本実施例１～１６および比較例の組成および当該評価の実験結果を下記の表１に記す。尚、含有量の左側の記号は、上記化合物の略号の記載である。

　（液晶組成物の特性）
　Ｔｎｉ　：ネマチック相－等方性液体相転移温度（℃）
　△ｎ　：２５℃における屈折率異方性
　△ε　：２５℃における誘電率異方性
　η　　：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
　γ_１　：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ）
　初期電圧保持率（初期ＶＨＲ）：周波数６Ｈｚ，印加電圧５Ｖの条件下で３４３Ｋにおける電圧保持率（％）
　耐熱試験は、液晶組成物サンプルを封入した電気光学特性評価用ＴＥＧ（テスト・エレメント・グループ）を１３０℃の恒温槽中に１時間保持した後、上述のＶＨＲ測定方法と同条件で測定した。

　耐光性試験は、超高圧水銀灯（ＡＴＬＡＳ社製，サンテスト　ＣＰＳ＋，５０ランプ出力　５００Ｗ、３００～４００ｎｍにおける照度５０Ｗ／ｍ^２）を用いた。２ｃｃのサンプルを内径２５ｍｍのガラスビンに入れ、耐光性試験（２０分）を行ない、抵抗率の経時変化を調べた。

　（焼き付き評価）
　液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを任意の試験時間１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像が、許容できない残像レベルに達するまでの試験時間を計測した。

　１）ここで言う試験時間とは固定パターンの表示時間を示し、この時間が長いほど残像の発生が抑制されており、性能が高いことを示している。

　２）許容できない残像レベルとは、出荷合否判定で不合格となる残像が観察されるレベルである。のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。
例）試験時間が長いほど性能が高い。
サンプルＡ：１０００時間
サンプルＢ：５００時間
サンプルＣ：２００時間
サンプルＤ：１００時間
性能は、Ａ＞Ｂ＞Ｃ＞Ｄである。

　上記実施例１～１９で作成した液晶組成物の耐光性の実験結果は、２０分のＵＶ照射によりいずれも最大で比抵抗値が１／５０低下した。一方、比較例１および２の液晶組成物では比抵抗値が１／１００以下低下したことが確認された。

　以上で説明した各実施形態における各構成及びそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。また、本発明は各実施形態によって限定されることはなく、請求項（クレーム）の範囲によってのみ限定される。

　本発明にかかる液晶組成物は、液晶表示素子及び液晶ディスプレイの分野に広く適用可能である。

Claims

　第一成分として下記一般式（１）：

（上記一般式（１）中、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１５個のアルキル基、炭素原子数２～１５個のアルケニル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択される一つの基である。）で表される化合物の群から１種または２種以上と、
　第二成分として下記一般式（２）：

（上記一般式（２）中、Ｒ^３は、炭素原子数１～１５個のアルキル基、炭素原子数２～１５個のアルケニル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択され、
Ｚ^０は、単結合、－ＣＨ_２Ｏ－または－ＯＣＨ_２－を表し、
Ｒ^４は、炭素原子数１～１５個のアルキル基および炭素原子数１～１５個のアルコキシ基からなる群から選択される少なくとも一つの基である。）で表される化合物の群から少なくとも一つと、を含有することを特徴とする液晶組成物。
　第三成分として下記一般式（３）：

（上記一般式（３）中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ＯＬは０、１、２又は３を表し、
　Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して、以下の（ａ）および（ｂ）からなる群から選択される基であり、
（ａ）１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）；
（ｂ）１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
　前記（ａ）および前記（ｂ）に表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立してシアノ基またはフッ素原子で置換されても良く、
　Ｌ_Ｌ１及びＬ_Ｌ２はそれぞれ独立して、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ＯＬが２又は３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２又は３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物を除く。）
で示される化合物の群から少なくとも一つをさらに含む、請求項１に記載の液晶組成物。
　第四成分として下記一般式（４）：

（上記一般式（４）中、Ｒ^Ｘ１及びＲ^Ｘ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシ基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は－Ｏ－又は－Ｓ－に置換されていても良く、またこれらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
ｕ及びｖはそれぞれ独立して、０、１又は２を表すが、ｕ＋ｖは２以下であり、
Ｍ^Ｘ１、Ｍ^Ｘ２及びＭ^Ｘ３はそれぞれ独立して、以下の（ａ）および（ｂ）からなる群から選択され、
（ａ）トランス－１，４－シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は－Ｏ－又は－Ｓ－に置き換えられてもよい）；
（ｂ）１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
　前記（ａ）又は前記（ｂ）に示す基に含まれる水素原子は、それぞれシアノ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基およびトリフルオロメトキシ基からなる群から選択される基により置換されていても良いが、Ｍ^Ｘ２及び／又はＭ^Ｘ３が複数存在する場合は、それらは同一でも良く異なっていても良く、
Ｌ^Ｘ１、Ｌ^Ｘ２及びＬ^Ｘ３はそれぞれ独立して単結合、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－，－ＣＨ＝ＣＨ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、Ｌ^Ｘ１及び／又はＬ^Ｘ３が複数存在する場合は、それらは同一でも良く異なっていても良く、
Ｘ^Ｘ１及びＸ^Ｘ２はそれぞれ独立してトリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はフッ素原子を表すが、Ｘ_３１及びＸ_３２の何れか一つはフッ素原子を表す。ただし、一般式（１）、一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を除く。）
で示される化合物の群から少なくとも一つをさらに含む、請求項１または２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
反応性モノマーをさらに含有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
請求項１～４のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
請求項５に記載の液晶表示素子を用いた液晶ディスプレイ。