WO2016010356A1 - 유기 링킹 물질을 갖는 무기막 구조체, 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 링킹 물질을 갖는 무기막 구조체, 및 그 제조 방법 Download PDF

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    • H10K77/111—Flexible substrates

Definitions

  • the present invention relates to an inorganic film structure, and more particularly, to an inorganic film structure including an organic linking material having a linking element bonded to a metal element, and a method for producing the same.
  • Glass substrates used for display devices, frames, crafts, containers, etc. have many advantages such as small coefficient of linear expansion, excellent gas barrier property, high light transmittance, surface flatness, excellent heat resistance and chemical resistance, but they are fragile and easily broken due to their low impact. There is a heavy disadvantage due to the high.
  • replacing the glass substrate with a plastic substrate may reduce the overall weight of the display device and provide design flexibility, and it may be more impact-resistant and economical than the glass substrate when manufactured in a continuous process.
  • One technical problem to be solved by the present invention is to provide a highly reliable inorganic membrane structure, and a method of manufacturing the same.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an inorganic film structure and a method of manufacturing the same to minimize pin-hole generation.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a flexible inorganic film structure, and a method of manufacturing the same.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an inorganic film structure having a high anti-moisture permeability, and a method of manufacturing the same.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an inorganic film structure having a high anti-oxygen degree, and a manufacturing method thereof.
  • Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an electronic device including an inorganic film structure according to an embodiment of the present invention, or an inorganic film structure produced by the method of manufacturing the same.
  • the present invention provides an inorganic film structure.
  • the inorganic film structure may include an organic linking material including a metal oxide and a linking atom bonded to the metal element of the metal oxide.
  • the organic linking material may include connecting a metal element of the metal oxide positioned below the organic linking material and a metal element of the metal oxide positioned on the organic linking material.
  • the organic linking material may include a first organic linker and a second organic linker adjacent to each other, and the linking element of the first organic linker and the linking element of the second organic linker may be bonded to each other. can do.
  • the linking element of the first organic linker and the linking element of the second organic linker may each be combined with a plurality of metal elements included in the metal oxide.
  • the linking element of the first organic linker and the linking element of the second organic linker may include a bond with the same number of metal elements.
  • the linking element may include coordination with the plurality of metal elements included in the metal oxide.
  • the content of the material of the organic linking may include lower than the content of the metal oxide.
  • the organic linking material may include a first linking element and a second linking element, and at least one of the first linking element and the second linking element may include an oxygen group element. Can be.
  • the number of metal elements of the metal oxide combined with the first linking element and the number of metal elements of the metal oxide combined with the second linking element may include different ones.
  • the coupling type of the first linking element and the metal element may include a different type from the coupling type of the second linking element and the metal element.
  • the organic linking material may include a plurality of organic linkers, and the plurality of organic linkers positioned at the same level may be defined as a group, and the inorganic layer structure may be spaced apart from each other. And containing a plurality of groups.
  • the organic linking material may include an organic linker, and the organic linker may include an organic compound, a first linking element combined with the organic compound, and a second linking element combined with the organic compound. Can be.
  • the first linking element and the second linking element may include a para element positioned at para with respect to the organic compound.
  • the first linking element is combined with a metal element included in the metal oxide positioned below the organic linker, and the second linking element is included in the metal oxide located on the organic linker.
  • the number of metal elements combined with a metal element but combined with the second linking element may include more than the number of metal elements combined with the first linking element.
  • the present invention provides a display device.
  • the display device may include an inorganic film structure, a selective device layer on the inorganic film structure, and an optical device layer on the selective device layer according to the above-described embodiment of the present invention. layer).
  • the display device may include a selection device layer on a substrate, an optical device layer on the selection device layer, and an inorganic film structure according to the above-described embodiment of the present invention disposed on the optical device layer.
  • a selection device layer on a substrate an optical device layer on the selection device layer
  • an inorganic film structure according to the above-described embodiment of the present invention disposed on the optical device layer. Can be.
  • the present invention provides a method for producing an inorganic film structure.
  • the method of manufacturing the inorganic layer structure may include preparing a substrate, providing a first source including a metal, and a second source including oxygen on the substrate to form a first metal oxide. Forming a third source on the first metal oxide, the third source comprising the first source and an organic linker having first and second linking elements, thereby providing the first source provided on the first metal oxide. Forming an organic linking material having said first linking element bonded to a metal element of, and providing said first source and said second source on said organic linking material, thereby providing said second linking element of said organic linker. It may include forming a second metal oxide having a metal element combined with.
  • the first source and the second source on the substrate may include repeating the same number of times.
  • the number of times the first source and the third source are provided to form the organic linking material may include providing the first source and the second source to form the first metal oxide. And a number less than the number of times and providing the first source and the second source to form the second metal oxide.
  • the inorganic film structure according to the embodiment of the present invention includes a metal oxide and an organic linking material having a linking element bonded to the metal element of the metal oxide.
  • the display device according to the exemplary embodiment may include an inorganic layer structure having the organic linking material. Accordingly, a long life and high reliability display device can be provided.
  • FIG. 1 is a view for explaining an inorganic film structure according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a view for explaining an embodiment of an organic linker included in the organic linking material included in the inorganic film structure according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is for explaining an inorganic film structure according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an inorganic film structure according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 illustrates an embodiment of a display device including an inorganic film structure according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 illustrates another embodiment of a display device including an inorganic film structure according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG 8 is a graph illustrating the elastic modulus of the inorganic film structure according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a graph for explaining the hardness of the inorganic film structure according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a graph for explaining the moisture permeability of the inorganic membrane structure according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a graph illustrating the flexible characteristics of the inorganic film structure according to the embodiment of the present invention.
  • first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment.
  • first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment.
  • second component in another embodiment.
  • Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment.
  • the term 'and / or' is used herein to include at least one of the components listed before and after.
  • connection is used herein to mean both indirectly connecting a plurality of components, and directly connecting.
  • FIG. 1 is a view for explaining an inorganic film structure according to an embodiment of the present invention.
  • the inorganic film structure 10 may include a metal oxide 110 and an organic linking material 210.
  • the metal oxide 110 may include a metal element.
  • the metal oxide 110 includes zinc (Zn), tin (Sn), indium (In), cadmium (Cd), aluminum (Al), titanium (Ti), manganese (Mn), iron (Fe). ), Cobalt (Co), copper (Cu), or tungsten (W) may include at least one.
  • the metal oxides 110 may be formed of the same material.
  • the metal oxide 110 may be formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
  • the metal oxide 110 may be formed of a plurality of different materials.
  • the lowermost part of the inorganic film structure 10 may be part of the metal oxide 110, and the uppermost part of the inorganic film structure 10 may be part of the metal oxide.
  • the content of the weight or thickness of the metal oxide 110 may be higher than the content of the weight or thickness of the organic linking material 210.
  • the organic linking material 210 may be combined with a metal element of the metal oxide 110.
  • the organic linking material 210 may include a metal element of a portion of the metal oxide 110 positioned below the organic linking material 210 and the organic linking material 210 positioned on the organic linking material 210. A metal element of a part of the metal oxide 110 may be connected.
  • the organic linking material 210 may include a plurality of organic linkers.
  • the plurality of organic linkers positioned at the same level may be defined as one group.
  • the level refers to the height of the organic linkers with respect to the substrate on which the inorganic film structure 10 is disposed and / or formed.
  • the inorganic film structure 10 according to the embodiment of the present invention may include a plurality of groups spaced apart from each other.
  • the organic linking material 210 may include an organic compound.
  • the plurality of organic linking materials 210 may include the same organic compound.
  • the organic compound may be an aromatic compound.
  • the organic linking materials 210 to 230 may include a linking atom.
  • the linking element may be combined with a metal element included in the metal oxide 110.
  • a metal element of a portion of) may be combined with the linking elements of the organic linking material 210 and connected to each other.
  • Organic linkers included in the organic linking material 210 are described in more detail with reference to FIG. 2.
  • FIG. 2 is a view for explaining an embodiment of an organic linker included in the organic linking material included in the inorganic film structure according to an embodiment of the present invention.
  • a first organic linker OL1 and a second organic linker OL2 included in an organic linking material are provided.
  • Each of the first and second organic linkers OL1 and OL2 is combined with an organic compound (OC), a first linking element (LA1) bonded with the organic compound (OC), and the organic compound (OC). It may comprise a second linking element (LA2).
  • At least one of the first linking element LA1 and the second linking element LA2 may include an oxygen group element.
  • any one of the first linking element LA1 and the second linking element LA2 includes sulfur S
  • the other one may include at least one of O, S, N, NH, or CO.
  • the first linking element LA1 may be oxygen (O)
  • the second linking element LA2 may be sulfur (S)
  • the metal element M may be aluminum
  • the first linking element LA1 and the second linking element LA2 may be positioned para with respect to the organic compound OC, as shown in FIG. 2.
  • the first linking element LA1 and the second linking element LA2 may be located in ortho or meta with respect to the organic compound OC.
  • the first and second linking elements LA1 and LA2 may be combined with the metal elements M included in the metal oxide 110 described with reference to FIG. 1.
  • the first linking elements LA1 may be combined with the metal element M of the metal oxide positioned under the organic linkers OL1 and OL2.
  • the metal oxide positioned below the organic linkers OL1 and OL2 may mean a metal oxide already formed before deposition of the organic linkers OL1 and OL2.
  • the second linking elements LA2 may be combined with the metal element M of the metal oxide positioned on the organic linkers OL1 and OL2.
  • the metal oxides positioned on the organic linkers OL1 and OL2 refer to metal oxides formed on the organic linkers OL1 and OL2 after deposition of the organic linkers OL1 and OL2. Can be.
  • the first linking elements LA1 may be bonded to each other, or the second linking elements LA2 may be bonded to each other.
  • the second linking element LA2 of the first organic linker OL1 adjacent to each other and the second linking element LA2 of the second organic linker OL2 are , Can be combined with each other.
  • the second linking element LA2 may be sulfur (S).
  • the first linking element LA1 of the first organic linker OL1 adjacent to each other and the first linking element LA1 of the second organic linker OL2 are mutually different. May not be combined.
  • the first linking element LA1 may be oxygen (O).
  • each of the second linking elements LA2 is a plurality of metals included in a metal oxide. It may be combined with the elements (M). According to an embodiment, the number of the plurality of metal elements M coupled with the second linking element LA2 of the first organic linker OL1 may be equal to or greater than that of the second organic linker OL2. 2 may be the same as the number of the plurality of metal elements (M) combined with the linking element (LA2). According to an embodiment, in this case, each of the second linking elements LA2 may be coordinated with the plurality of metal elements M.
  • each of the first linking elements LA1 that are not bonded to each other may be combined in a one-to-one manner with the metal element M included in the metal oxide.
  • each of the first linking elements LA1 may be covalently bonded to the metal element M.
  • the number of the metal elements M coupled with the first linking element LA1 may be greater than the number of the metal elements M coupled with the second linking element LA2.
  • the coupling type of the first linking element LA1 and the metal elements M and the coupling type of the second linking element LA2 and the metal element M may be different from each other.
  • the inorganic film structure according to the embodiment of the present invention the organic linking material having a linking element bonded to the metal element included in the metal oxide, the linking element is a plurality of metal elements included in the metal oxide and Can be combined. Accordingly, a highly reliable inorganic membrane structure having high anti-permeability and anti-oxygen level in a flexible state can be provided.
  • one group consisting of the organic linkers positioned at the same level as each other is provided, but a plurality of groups are provided in the metal oxide, or the organic linkers are provided in the metal. It can be randomly dispersed in the oxide. This will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
  • FIG 3 is for explaining an inorganic film structure according to another embodiment of the present invention.
  • the organic linking material 210 of the inorganic film structure 10a may be an inorganic film structure 10 according to an embodiment of the present invention described with reference to FIG. 1. Unlike, it may include a plurality of groups consisting of a plurality of organic linkers located at the same level as each other.
  • the plurality of groups may be located at different levels and spaced apart from each other.
  • organic linkers belonging to one group may be formed at the same time in the same process, and organic linkers belonging to different groups may not be formed at the same time.
  • the thicknesses of portions of the metal oxide 110 disposed between different groups may be substantially the same as each other.
  • the thicknesses of portions of the metal oxide 110 disposed between different groups may be different from each other.
  • the thickness of the portion of the metal oxide located relatively above may be thicker or thinner than the thickness of the portion of the metal oxide located relatively below.
  • the organic linking material 210 of the inorganic film structure 10b may be an inorganic film structure 10 according to an embodiment of the present invention described with reference to FIG. 1. Unlike the above, it may be randomly dispersed in the metal oxide 110.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an inorganic film structure according to an embodiment of the present invention.
  • a substrate is prepared (S110).
  • the substrate may be prepared in a chamber for atomic layer deposition and molecular layer deposition.
  • the substrate may be a flexible substrate.
  • the substrate may be a plastic substrate.
  • the substrate may be a semiconductor substrate or a glass substrate.
  • the substrate may include at least one transistor, a memory, a diode, a solar cell, an optical device, a biosensor, a nanoelectromechanical system (NEMS), a microelectromechanical system (MEMS), a nanodevice, or a chemical sensor. have.
  • a first metal oxide may be formed by providing a first source and a second source on the substrate (S120).
  • the first source may comprise a metal element and the second source may comprise oxygen.
  • Providing the first source and the second source on the substrate to form the first metal oxide may be repeated a plurality of times.
  • the first metal oxide may include providing the first source, providing a purge gas, providing a second source, and providing a purge gas. It can be formed by repeating a plurality of times.
  • the first gold oxide may be formed by atomic layer deposition (ALD).
  • ALD atomic layer deposition
  • the first source when the first source comprises aluminum, the first source may be Trimethylaluminum.
  • the first metal oxide may be aluminum oxide (eg, Al 2 O 3 ).
  • the first source when the first source comprises zinc, the first source may be Diethylzinc.
  • the first metal oxide may be zinc oxide (eg, ZnO).
  • the first metal oxide may be formed by various methods such as chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), and electron beam evaporation.
  • an organic linking material may be formed on the first metal oxide by providing the first source and the third source (S130).
  • the third source may comprise an organic linker having first and second linking elements, as described with reference to FIG. 2.
  • the organic linking material may be formed by providing the first source on the first metal oxide and then providing the third source.
  • the metal element included in the first source provided on the first metal oxide and the first link key element of the organic linker of the third source may be combined.
  • the step of providing the first source and the third source may be performed once.
  • the third source may include an organic linker including sulfur (S).
  • S sulfur
  • the third source is 4-mercaptophenol, 2-sulfanylphenol, 3-Sulfanylphenol. It may include at least one of benzenedithiol, 1,3-Benzenedithiol, or 1,4-Benzenedithiol.
  • the first linking element of the organic linking material may be combined with the metal element of the first source provided on the first metal oxide before the third source, as described above.
  • the third source is 4-mercaptophenol and the first source is Trimethylaluminum
  • the first linking element of the organic linking material is oxygen (O)
  • the first linking element is aluminum (Al). It can be combined with
  • a second metal oxide may be formed by providing the first source and the second source on the organic linking material (S140).
  • the second metal oxide is a unit process comprising providing the first source, providing a purge gas, providing the second source, and providing a purge gas. It can be formed by performing.
  • the metal element included in the first source provided on the organic linking material may be combined with the second linking element of the organic linking material.
  • the lowermost metal element of the second metal oxide and the second linking element may be combined.
  • the second linking element may be combined with a plurality of metal elements of the lowermost second metal oxide, and the combination of the second linking element and the plurality of metal elements is described with reference to FIG. 2.
  • Metal elements of the remaining portion of the second metal oxide located on the lowermost second metal oxide may not be combined with the second linking element of the organic linking material.
  • the number of times to repeat the steps of providing the first source and the second source to form the second metal oxide, the first source and the second to form the first metal oxide It may be the same as the number of times to repeat the step of providing a source.
  • the number of times to repeat the step of providing the first source and the second source to form the second metal oxide, the first number to form the first metal oxide The number of times of repeatedly providing the source and the second source may be different.
  • the process of forming the second metal oxide may be substantially the same as the process of forming the first metal oxide (for example, atomic layer deposition).
  • the second metal oxide may be formed by a process different from that of the first metal oxide.
  • a process of providing the first and third sources may be further performed on the second metal oxide to form the organic linking material described with reference to FIG. 5. That is, a process of forming a metal oxide by providing the first and second sources and a process of forming an organic linking material by providing the first and third sources is defined as a unit process, and the unit process is repeated a plurality of times. By doing so, an inorganic film structure according to an embodiment of the present invention can be formed.
  • FIG. 6 illustrates an embodiment of a display device including an inorganic film structure according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • an inorganic film structure 10 according to an embodiment of the present invention is provided on a substrate SUB.
  • the inorganic film structure 10 may be an inorganic film structure described with reference to FIGS. 1 to 4, or an inorganic film structure formed according to a method of manufacturing the inorganic film structure described with reference to FIG. 5.
  • a selective device layer may be disposed on the inorganic layer structure 10.
  • the inorganic film structure 10 may be disposed between the selection device layer SDL and the substrate SUB.
  • the selection device layer SDL may include devices for selecting pixel cells included in the display device.
  • the selection device layer SDL may include at least one of a thin film transistor and a diode.
  • optical device layer may be disposed on the selection device layer SDL.
  • the optical element layer ODL may include elements for emitting light of pixel cells included in the display device.
  • the optical device layer ODL may include at least one of an organic light emitting diode or a liquid crystal layer.
  • the inorganic film structure 10 may be disposed on the optical device layer ODL. This will be described with reference to FIG. 7.
  • FIG. 7 illustrates another embodiment of a display device including an inorganic film structure according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • a substrate SUB described with reference to FIG. 6, a selection device layer SDL on the substrate SUB, and an optical device layer ODL on the selection device layer SDL are provided.
  • the inorganic film structure 10 may be disposed on the optical device layer ODL.
  • the selection device layer SDL and the optical device layer ODL may be disposed between the inorganic film structure 10 and the substrate SUB.
  • the inorganic film structure 10 may be formed between the substrate SUB and the selection element layer SDL, and the light. It may be provided on the device layer (ODL) at the same time.
  • the display device may include an inorganic film structure having flexibility and high anti-moisture permeability and anti-oxygen degree. As a result, a flexible display device having long life and high reliability can be provided.
  • Figure 8 is a graph for explaining the elastic modulus of the inorganic film structure according to the embodiment of the present invention
  • Figure 9 is a graph for explaining the hardness of the inorganic film structure according to the embodiment of the present invention.
  • Inorganic films according to embodiments of the present invention may be formed by repeatedly performing a first step and a second step of depositing an organic linking material on Al 2 O 3 using 4-mercaptophenol as the first and third sources. Prepared.
  • an inorganic film structure in which the second process of depositing the organic linking material was not performed was prepared.
  • the inorganic membrane structure according to the embodiment of the present invention and the inorganic membrane structure according to the comparative example were manufactured, and the elastic modulus and the hardness were measured. 8 and 9, the inorganic film structure according to the embodiment of the present invention, compared with the inorganic film structure according to the comparative example, it can be confirmed that the elastic modulus and hardness is low. That is, it can be confirmed that the inorganic film structure including the organic linking material according to the embodiment of the present invention has superior flexibility in comparison with the inorganic film structure not including the organic linking material.
  • FIG. 10 is a graph for explaining the moisture permeability of the inorganic membrane structure according to the embodiment of the present invention.
  • an inorganic membrane structure according to an embodiment of the present invention in which 144 calcium dots are inserted using Trimethylaluminum and 4-mercaptophenol
  • the inorganic film structure according to the comparative example in which the organic linking material in which 144 Ca dots were inserted was omitted using trimethylaluminum.
  • the amount of change of calcium dots included in the inorganic film structures according to the Examples and Comparative Examples was observed and illustrated in a graph.
  • the calcium dots contained in the inorganic film structure according to the comparative example were drastically reduced.
  • the calcium dots included in the inorganic film structures according to the embodiment of the present invention are different from the inorganic film structures according to the comparative example. In comparison, it can be confirmed that the amount of reduction is remarkably small.
  • Table 1 below is the WVTR of the inorganic film structure according to the inorganic film structure and the comparative example according to the embodiments of the present invention.
  • the inorganic membrane structure including the organic linking material according to the embodiment of the present invention is significantly superior in moisture permeability / term as compared to the inorganic membrane structure according to the comparative example. It can be confirmed that it has an oxygen saturation degree. That is, it can be seen that the method of containing the organic linking material in the inorganic film is an efficient method of improving the anti-moisture permeability / anti-oxygen level of the inorganic film.
  • FIG. 11 is a graph illustrating the flexible characteristics of the inorganic film structure according to the embodiment of the present invention.
  • an inorganic membrane structure according to an embodiment of the present invention in which 144 calcium dots are inserted using Trimethylaluminum and 4-mercaptophenol
  • the inorganic film structure according to the comparative example in which the organic linking material in which 144 Ca dots were inserted was omitted using trimethylaluminum. Bending radius 0.5cm and 1.5cm conditions, and 70 °C and 70% humidity conditions, the amount of change over time of the calcium dots contained in the inorganic film structures according to the embodiment and the comparative example was observed and shown in the graph.
  • the calcium dots contained in the inorganic film structure according to the comparative example were drastically reduced.
  • the calcium dots included in the inorganic film structures according to the embodiment of the present invention are different from the inorganic film structures according to the comparative example. In comparison, it can be confirmed that the amount of reduction is remarkably small.
  • Table 2 below is the WVTR of the inorganic film structure according to the embodiment and the comparative example of the inorganic film structure according to the present invention.
  • the inorganic film structure including the organic linking material according to the embodiment of the present invention is remarkably superior even in the bent state compared to the inorganic film structure according to the comparative example. It can be confirmed that it has anti-moisture permeability / anti-oxygen degree. That is, it can be seen that the method of containing the organic linking material in the inorganic film is an efficient method of improving the anti-moisture permeability / anti-oxygen level of the inorganic film in a flexible state.
  • An inorganic film structure and a method of manufacturing the same according to an exemplary embodiment of the present invention may be used to improve reliability of various electronic devices such as a display device and a memory device.

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Abstract

무기막 구조체가 제공된다. 상기 무기막 구조체는, 금속 산화물, 및 상기 금속 산화물의 금속 원소와 결합된 링킹 원소(linking atom)를 포함하는 유기 링킹 물질(organic linking material)을 포함한다.

Description

유기 링킹 물질을 갖는 무기막 구조체, 및 그 제조 방법
본 발명은 무기막 구조체, 및 그 제조 방법에 관련된 것으로, 보다 상세하게는, 금속 원소와 결합된 링킹 원소를 갖는 유기 링킹 물질을 포함하는 무기막 구조체, 및 그 제조 방법에 관련된 것이다.
표시 장치, 액자, 공예, 용기 등에 사용되는 유리 기판은 작은 선팽창계수, 우수한 가스 배리어성, 높은 광투과도, 표면 평탄도, 뛰어난 내열성과 내화학성 등의 여러 장점을 가지고 있으나, 충격에 약하여 잘 깨지고 밀도가 높아서 무거운 단점이 있다.
최근, 액정이나 유기 발광 표시 장치, 전자 종이에 대한 관심이 급증하면서 이들 표시 장치의 기판을 유리에서 플라스틱으로 대체하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 즉, 플라스틱 기판으로 유리 기판을 대체하면 표시 장치의 전체 무게가 가벼워지고 디자인의 유연성을 부여할 수 있으며, 충격에 강하며 연속 공정으로 제조할 경우 유리 기판에 비해 경제성을 가질 수 있다.
이러한 플라스틱 기판의 특성을 적극적으로 이용하기 위해, 플라스틱 기판에 다양한 처리를 수행하는 방법들이 연구되고 있다. 예를 들어, 대한민국 특허등록공보(10-1296623)에는 폴리 에틸렌 나프탈레이 트등의 플라스틱 상에 유기막을 코팅하여 열처리 함으로써 저가의 플라스틱 기판을 평탄화 및 균일화할 수 있음과 아울러 유기막을 경화시키고, 레이 공정 중 발생하는 공정 열로 인해 표시장치의 각 배선들이 올바르게 형성되지 못하는 것을 방지하여 표시장치의 제조 공정의 안정성을 향상 시키는 방법이 개시되어 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 고신뢰성의 무기막 구조체, 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 핀홀(pin-hole) 생성이 최소화된 무기막 구조체 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, flexible한 무기막 구조체, 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 높은 항투습도를 갖는 무기막 구조체, 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 높은 항투산소도를 갖는 무기막 구조체, 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체, 또는 그 제조 방법에 따라 생성된 무기막 구조체를 포함하는 전자 기기를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 무기막 구조체를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 무기막 구조체는, 금속 산화물, 및 상기 금속 산화물의 금속 원소와 결합된 링킹 원소(linking atom)를 포함하는 유기 링킹 물질(organic linking material)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹 물질은, 상기 유기 링킹 물질 아래에 위치하는 상기 금속 산화물의 금속 원소와, 상기 유기 링킹 물질 상에 위치하는 상기 금속 산화물의 금속 원소를 연결하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹 물질은, 서로 인접한 제1 유기 링커 및 제2 유기 링커를 포함하고, 상기 제1 유기 링커의 링킹 원소와 상기 제2 유기 링커의 링킹 원소는 서로 결합된 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 유기 링커의 링킹 원소와 상기 제2 유기 링커의 링킹 원소는, 각각, 상기 금속 산화물에 포함된 복수의 금속 원소와 결합되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 유기 링커의 링킹 원소와 상기 제2 유기 링커의 링킹 원소는, 동일한 개수의 금속 원소와 결합되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 링킹 원소는, 상기 금속 산화물에 포함된 상기 복수의 금속 원소와 배위 결합되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹의 물질의 함량이 상기 금속 산화물의 함량보다 낮은 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹 물질은, 제1 링킹 원소, 및 제2 링킹 원소를 포함하고, 상기 제1 링킹 원소 및 제2 링킹 원소 중 적어도 어느 하나는 산소족 원소(chalcogen atom)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 링킹 원소와 결합된 상기 금속 산화물의 금속 원소의 개수와, 상기 제2 링킹 원소와 결합된 상기 금속 산화물의 금속 원소의 개수는, 서로 다른 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 링킹 원소와 상기 금속 원소의 결합 종류는, 상기 제2 링킹 원소와 상기 금속 원소의 결합 종류와 서로 다른 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹 물질은, 복수의 유기 링커를 포함하고, 서로 동일한 레벨(level)에 위치하는 복수의 유기 링커들은 하나의 그룹으로 정의되고, 상기 무기막 구조체는, 서로 이격된 복수의 그룹을 함유하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹 물질은 유기 링커를 포함하고, 상기 유기 링커는, 유기 화합물, 상기 유기 화합물과 결합된 제1 링킹 원소, 및 상기 유기 화합물과 결합된 제2 링킹 원소를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 링킹 원소 및 상기 제2 링킹 원소는, 상기 유기 화합물에 대해서 para에 위치하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 링킹 원소는, 상기 유기 링커 아래에 위치한 상기 금속 산화물에 포함된 금속 원소와 결합되고, 상기 제2 링킹 원소는, 상기 유기 링커 상에 위치한 상기 금속 산화물에 포함된 금속 원소와 결합되되, 상기 제2 링킹 원소와 결합된 금속 원소의 개수는, 상기 제1 링킹 원소와 결합된 금속 원소의 개수보다 많은 것을 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 표시 장치를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 표시 장치는, 상술된 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체, 상기 무기막 구조체 상의 선택 소자층(selective device layer), 및 상기 선택 소자층 상의 광 소자층(optical device layer)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 표시 장치는, 기판 상의 선택 소자층, 상기 선택 소자층 상의 광 소자층, 및 상기 광 소자층 상에 배치된 상술된 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체를 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 무기막 구조체의 제조 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무기막 구조체의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 금속을 포함하는 제1 소스, 및 산소를 포함하는 제2 소스를 제공하여, 제1 금속 산화물을 형성하는 단계, 상기 제1 금속 산화물 상에, 상기 제1 소스, 및 제1 및 제2 링킹 원소들을 갖는 유기 링커을 포함하는 제3 소스를 제공하여, 상기 제1 금속 산화물 상에 제공된 상기 제1 소스의 금속 원소와 결합된 상기 제1 링킹 원소를 갖는 유기 링킹 물질을 형성하는 단계, 및 상기 유기 링킹 물질 상에 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 제공하여, 상기 유기 링커의 상기 제2 링킹 원소와 결합된 금속 원소를 갖는 제2 금속 산화물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위해, 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계는 복수회 반복 수행되고, 상기 제2 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 상기 유기 링킹 물질 상에 제공하는 단계는 복수회 반복 수행되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위해, 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계와, 상기 제2 금속 산화물을 형성하기 위해, 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 상기 유기 링킹 물질 상에 제공하는 단계는, 동일한 횟수로 반복 수행되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹 물질을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 상기 제3 소스를 제공하는 횟수는, 상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 제공하는 횟수, 및 상기 제2 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 제공하는 횟수보다 적은 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체는, 금속 산화물, 및 상기 금속 산화물의 금속 원소와 결합되는 링킹 원소를 갖는 유기 링킹 물질을 포함한다. 이로 인해, 플렉시블하고, 높은 항투습도, 및 높은 항투산소도를 갖는 고신뢰성의 무기막 구조체가 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치는 상기 유기 링킹 물질을 갖는 무기막 구조체를 포함할 수 있다. 이에 따라, 장수명 및 고신뢰성의 표시 장치가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 무기막 구조체를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체 포함된 유기 링킹 물질이 갖는 유기 링커의 일 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 무기막 구조체를 설명하기 위한 것이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 무기막 구조체를 설명하기 위한 것이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체를 포함하는 표시 장치의 일 실시 예를 설명하기 위한 것이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체를 포함하는 표시 장치의 다른 실시 예를 설명하기 위한 것이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 탄성 계수를 설명하기 위한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 경도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 항투습도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 플렉시블 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 무기막 구조체를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 무기막 구조체(10)는, 금속 산화물(110) 및 유기 링킹 물질(210, organic linking materials)을 포함할 수 있다.
상기 금속 산화물(110)은 금속 원소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 산화물(110)은, 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In), 카드뮴(Cd), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 또는 텅스텐(W) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 금속 산화물(110)은 서로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 산화물(110)은 산화 알루미늄(Al2O3)로 형성될 수 있다. 이와는 달리, 다른 실시 예에 따르면, 상기 금속 산화물(110)은 서로 다른 복수의 물질로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무기막 구조체(10)의 최하부는 상기 금속 산화물(110)의 일부분일 수 있고, 상기 무기막 구조체(10)의 최상부는 상기 금속 산화물의 일부분일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무기막 구조체(10)에서, 상기 금속 산화물(110)이 차지하는 무게 또는 두께에 대한 함량은, 상기 유기 링킹 물질(210)이 차지하는 무게 또는 두께에 대한 함량보다 높을 수 있다.
상기 유기 링킹 물질(210)은, 상기 금속 산화물(110)의 금속 원소와 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹 물질(210)은, 상기 유기 링킹 물질(210) 아래에 위치하는 상기 금속 산화물(110)의 일부분의 금속 원소와, 상기 유기 링킹 물질(210) 위에 위치하는 상기 금속 산화물(110)의 일부분의 금속 원소를 연결할 수 있다.
상기 유기 링킹 물질(210)은, 복수의 유기 링커를 포함할 수 있다. 서로 동일한 레벨(level)에 위치하는 상기 복수의 유기 링커들은, 하나의 그룹(group)로 정의될 수 있다. 여기서 레벨(level)이란, 상기 무기막 구조체(10)가 배치 및/또는 형성되는 기판에 대한 상기 유기 링커들의 높이를 의미한다. 본 발명의 실시 예에 따른 상기 무기막 구조체(10)는, 서로 이격된 복수의 그룹(group)들을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹 물질(210)은, 유기 화합물(organic compound)을 포함할 수 있다. 상기 유기 링킹 물질(210)이 복수로 제공되는 경우, 상기 복수의 유기 링킹 물질(210)은, 서로 동일한 유기 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 화합물은 방향족 화합물일 수 있다.
상기 유기 링킹 물질들(210~230)은, 링킹 원소(linking atom)을 포함할 수 있다. 상기 링킹 원소는, 상기 금속 산화물(110)에 포함된 금속 원소와 결합할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 유기 링킹 물질(210) 아래에 인접한 상기 금속 산화물(110)의 일부분의 금속 원소와, 상기 유기 링킹 물질(210) 상에 인접한 상기 금속 산화물(110)의 일부분의 금속 원소가, 상기 유기 링킹 물질(210)의 링킹 원소들과 결합되어, 서로 연결될 수 있다.
상기 유기 링킹 물질(210)에 포함된 유기 링커들이 도 2를 참조하여 보다 상세하게 설명된다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체 포함된 유기 링킹 물질이 갖는 유기 링커의 일 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 링킹 물질에 포함된 제1 유기 링커(OL1) 및 제2 유기 링커(OL2)가 제공된다. 각각의 상기 제1 및 제2 유기 링커들(OL1, OL2)은, 유기 화합물(OC), 상기 유기 화합물(OC)과 결합된 제1 링킹 원소(LA1), 및 상기 유기 화합물(OC)과 결합된 제2 링킹 원소(LA2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 링킹 원소(LA1) 및 상기 제2 링킹 원소(LA2) 중에서 적어도 어느 하나는 산소족 원소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 링킹 원소(LA1) 및 상기 제2 링킹 원소(LA2) 중에서 어느 하나가 황(S)을 포함하는 경우, 상기 제1 링킹 원소(LA1) 및 상기 제2 링킹 원소(LA2) 중에서 다른 하나는 O, S, N, NH, 또는 CO 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 링킹 원소(LA1)는 산소(O)이고, 상기 제2 링킹 원소(LA2)는 황(S)이고, 상기 금속 원소(M)는 알루미늄일 수 있다.
상기 제1 링킹 원소(LA1) 및 상기 제2 링킹 원소(LA2)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 유기 화합물(OC)에 대해서 para에 위치할 수 있다. 또는, 도 2에 도시된 바와 달리, 상기 제1 링킹 원소(LA1) 및 상기 제2 링킹 원소(LA2)는, 상기 유기 화합물(OC)에 대해서 ortho 또는 meta에 위치할 수 있다.
상기 제1 및 제2 링킹 원소들(LA1, LA2)은, 도 1을 참조하여 설명된 상기 금속 산화물(110)에 포함된 금속 원소들(M)과 결합할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 링킹 원소들(LA1)은 상기 유기 링커들(OL1, OL2)의 아래에 위치한 금속 산화물의 금속 원소(M)와 결합할 수 있다. 이 경우, 상기 유기 링커들(OL1, OL2)의 아래에 위치한 금속 산화물은, 상기 유기 링커들(OL1, OL2)의 증착 전에, 이미 형성된 금속 산화물을 의미하는 것일 수 있다. 상기 제2 링킹 원소들(LA2)은, 상기 유기 링커들(OL1, OL2) 상에 위치한 금속 산화물의 금속 원소(M)와 결합할 수 있다. 이 경우, 상기 유기 링커들(OL1, OL2) 상에 위치한 금속 산화물은, 상기 유기 링커들(OL1, OL2)의 증착 후에, 상기 유기 링커들(OL1, OL2) 상에 형성된 금속 산화물을 의미하는 것일 수 있다.
상기 제1 링킹 원소들(LA1)이 서로 결합되거나, 또는 상기 제2 링킹 원소들(LA2)이 서로 결합할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 서로 인접한 상기 제1 유기 링커(OL1)의 상기 제2 링킹 원소(LA2) 및 상기 제2 유기 링커(OL2)의 상기 제2 링킹 원소(LA2)는, 서로 결합할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 이 경우, 상기 제2 링킹 원소(LA2)는 황(S)일 수 있다. 상기 제2 링킹 원소(LA2)와 달리, 서로 인접한 상기 제1 유기 링커(OL1)의 상기 제1 링킹 원소(LA1) 및 상기 제2 유기 링커(OL2)의 상기 제1 링킹 원소(LA1)는 서로 결합하지 않을 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 이 경우, 상기 제1 링킹 원소(LA1)는 산소(O)일 수 있다.
상기 제1 및 제2 유기 링커들(OL1, OL2)의 상기 제2 링킹 원소들(LA2)이 서로 결합되는 경우, 상기 제2 링킹 원소들(LA2)의 각각은 금속 산화물에 포함된 복수의 금속 원소들(M)과 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 유기 링커(OL1)의 상기 제2 링킹 원소(LA2)와 결합된 상기 복수의 금속 원소들(M)의 개수는, 상기 제2 유기 링커(OL2)의 상기 제2 링킹 원소(LA2)와 결합된 상기 복수의 금속 원소들(M)의 개수와 서로 동일할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 이 경우, 각각의 상기 제2 링킹 원소들(LA2)은, 상기 복수의 금속 원소들(M)과 배위 결합(coordinate covalent bond)할 수 있다.
상기 제2 링킹 원소들(LA2)과 달리, 서로 결합되지 않는 상기 제1 링킹 원소들(LA1)의 각각은, 금속 산화물에 포함된 상기 금속 원소(M)와 일대일로 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 이 경우, 각각의 상기 제1 링킹 원소들(LA1)은 상기 금속 원소(M)와 공유 결합할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 링킹 원소(LA1)와 결합된 상기 금속 원소(M)의 개수는, 상기 제2 링킹 원소(LA2)와 결합된 상기 금속 원소(M)의 개수보다, 많을 수 있다. 또한, 상기 제1 링킹 원소(LA1)와 상기 금속 원소들(M)의 결합 종류와, 상기 제2 링킹 원소(LA2)와 상기 금속 원소(M)의 결합 종류는 서로 상이할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 상기 무기막 구조체는, 금속 산화물에 포함된 금속 원소와 결합되는 링킹 원소를 갖는 유기 링킹 물질을 포함하고, 상기 링킹 원소는 상기 금속 산화물에 포함된 복수의 금속원소들과 결합될 수 있다. 이에 따라, 플렉시블한 상태에서 높은 항투습도 및 항투산소도를 갖는 고신뢰성의 무기막 구조체가 제공될 수 있다.
도 1에서 서로 동일한 레벨에 위치하는 상기 유기 링커들로 구성된 그룹(group)이 1개 제공되는 것으로 도시되었으나, 상기 그룹(group)이 상기 금속 산화물 내에 복수로 제공되거나, 또는 상기 유기 링커들이 상기 금속 산화물 내에 임의적으로(randomly) 산포될 수 있다. 이를, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 무기막 구조체를 설명하기 위한 것이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 무기막 구조체(10a)의 유기 링킹 물질(210)은, 도 1을 참조하여 설명된 본 발명의 일 실시 예에 따른 무기막 구조체(10)와 달리, 서로 동일한 레벨에 위치하는 복수의 유기 링커들로 구성된 그룹을, 복수로 포함할 수 있다.
상기 복수의 그룹들은, 서로 다른 레벨에 위치하여, 서로 이격될 수 있다. 이 경우, 일 그룹에 속하는 유기 링커들은 서로 동일한 공정에서 동시에 형성될 수 있고, 서로 다른 그룹에 속하는 유기 링커들은 동시에 형성되지 않을 수 있다.
도 3에서, 2개의 그룹이 상기 무기막 구조체(10a) 내에 제공되는 것으로 도시되었으나, 3개 이상의 복수의 그룹이 상기 무기막 구조체(10a)에 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 이 경우, 서로 다른 그룹 사이에 배치된 상기 금속 산화물(110)의 일부분들의 두께는 실질적으로(substantially) 서로 동일할 수 있다. 이와는 달리, 다른 실시 예에 따르면, 서로 다른 그룹 사이에 배치된 상기 금속 산화물(110)의 일부분들의 두께는 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 위쪽에 위치한 금속 산화물의 일부분의 두께가 상대적으로 아래에 위치한 금속 산화물의 일부분의 두께보다 두껍거나, 또는 얇을 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 무기막 구조체를 설명하기 위한 것이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 무기막 구조체(10b)의 유기 링킹 물질(210)은, 도 1을 참조하여 설명된 본 발명의 일 실시 예에 따른 무기막 구조체(10)와 달리, 상기 금속 산화물(110) 내에 임의적으로(randomly) 산포될 수 있다.
이하, 상술된 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 제조 방법이, 도 5 를 참조하여 설명된다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5를 참조하면, 기판이 준비된다(S110). 일 실시 예에 따르면, 상기 기판은 원자층 증착 및 분자층 증착을 위한 챔버 내에 준비될 수 있다. 상기 기판은 플렉시블한 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은 플라스틱 기판일 수 있다. 또는, 상기 기판은, 반도체 기판, 또는 유리 기판일 수 있다. 또는, 상기 기판은, 트랜지스터, 메모리, 다이오드, 태양 전지, 광 소자, 생체 센서, 나노 전자 기계 시스템(NEMS), 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS), 나노 소자, 또는 화학 센서 등이 적어도 하나 형성된 것일 수 있다.
상기 기판 상에 제1 소스 및 제2 소스를 제공하여, 제1 금속 산화물이 형성될 수 있다(S120). 상기 제1 소스는 금속 원소를 포함할 수 있고, 상기 제2 소스는 산소를 포함할 수 있다. 상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계는, 복수회 반복 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 금속 산화물은, 상기 제1 소스를 제공하는 단계, 퍼지 가스를 제공하는 단계, 제2 소스를 제공하는 단계, 및 퍼지 가스를 제공하는 단계를 단위 공정으로, 상기 단위 공정을 복수회 반복 수행하여 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 금소 산화물은 원자층 증착법(ALD)으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 소스가 알루미늄을 포함하는 경우, 상기 제1 소스는 Trimethylaluminum일 수 있다. 이 경우, 상기 제1 금속 산화물은 알루미늄 산화물(예를 들어, Al2O3)일 수 있다. 다른 예를 들어, 상기 제1 소스가 아연을 포함하는 경우, 상기 제1 소스는 Diethylzinc일 수 있다. 이 경우, 상기 제1 금속 산화물은 아연 산화물(예를 들어, ZnO)일 수 있다. 또는, 이와는 달리, 상기 제1 금속 산화물은, 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD), 전자 빔 증착법(E beam evaporation) 등 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
상기 제1 금속 산화물이 형성된 후, 상기 제1 금속 산화물 상에, 상기 제1 소스 및 제3 소스를 제공하여 유기 링킹 물질이 형성될 수 있다(S130). 상기 제3 소스는, 도 2를 참조하여 설명된 것 같이, 제1 및 제2 링킹 원소들을 갖는 유기 링커를 포함할 수 있다.
상기 유기 링킹 물질은, 상기 제1 소스를 상기 제1 금속 산화물 상에 제공한 후, 상기 제3 소스를 제공하여 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 금속 산화물 상에 제공된 상기 제1 소스에 포함된 금속 원소와 상기 제3 소스의 상기 유기 링커의 상기 제1 링키 원소가 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 유기 링킹 물질을 형성하기 위해, 상기 제1 소스 및 제3 소스를 제공하는 단계는 1회 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제3 소스는 황(S)을 포함하는 유기 링커를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 소스는, 4-mercaptophenol, 2-sulfanylphenol, 3-Sulfanylphenol. benzenedithiol, 1,3-Benzenedithiol, 또는 1,4-Benzenedithiol 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기 링킹 물질의 상기 제1 링킹 원소는, 상술된 바와 같이, 상기 제3 소스보다 먼저 상기 제1 금속 산화물 상에 제공된 상기 제1 소스의 금속 원소와 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 소스가 4-mercaptophenol이고, 상기 제1 소스가 Trimethylaluminum인 경우, 상기 유기 링킹 물질의 상기 제1 링킹 원소는 산소(O)이고, 상기 제1 링킹 원소는 알루미늄(Al)과 결합될 수 있다.
상기 유기 링킹 물질이 형성된 후, 상기 유기 링킹 물질 상에 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 제공하여, 제2 금속 산화물이 형성될 수 있다(S140). 상기 제2 금속 산화물은, 상기 제1 소스를 제공하는 단계, 퍼지 가스를 제공하는 단계, 상기 제2 소스를 제공하는 단계, 및 퍼지 가스를 제공하는 단계를 단위 공정으로, 상기 단위 공정을 복수회 수행하여 형성될 수 있다.
상기 유기 링킹 물질 상에 제공된 상기 제1 소스에 포함된 상기 금속 원소는, 상기 유기 링킹 물질의 상기 제2 링킹 원소와 결합될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 금속 산화물의 최하부의 금속 원소와 상기 제2 링킹 원소가 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 링킹 원소는 상기 최하부의 제2 금속 산화물의 복수의 금속 원소들과 결합될 수 있고, 상기 제2 링킹 원소와 상기 복수의 금속 원소들의 결합은, 도 2를 참조하여 설명된 것과 같이, 배위 결합일 수 있다. 상기 최하부의 제2 금속 산화물 상에 위치한 상기 제2 금속 산화물의 나머지 일부분의 금속 원소는 상기 유기 링킹 물질의 상기 제2 링킹 원소와 결합되지 않을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 제공하는 단계를 반복 수행하는 횟수는, 상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 제공하는 단계를 반복 수행하는 횟수와 서로 동일할 수 있다. 또는 이와는 달리, 다른 실시 예에 따르면, 상기 제2 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 제공하는 단계를 반복 수행하는 회수는, 상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 제공하는 단계를 반복 수행하는 횟수와 서로 다를 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 금속 산화물을 형성하는 공정은, 상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위한 공정(예를 들어, 원자층 증착법)과 실질적으로 서로 동일할 수 있다. 또는, 이와는 달리, 다른 실시 예에 따르면, 상기 제2 금속 산화물은, 상기 제1 금속 산화물과 다른 공정으로 형성될 수 있다.
상기 제2 금속 산화물이 형성된 후, 상기 제2 금속 산화물 상에, 도 5를 참조하여 설명된 상기 유기 링킹 물질을 형성하기 위해 상기 제1 및 제3 소스들을 제공하는 공정이 더 수행될 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 소스들을 제공하여 금속 산화물을 형성하는 공정과 상기 제1 및 제3 소스들을 제공하여 유기 링킹 물질을 형성하는 공정이 단위 공정으로 정의되고, 상기 단위 공정이 복수회 반복하여 수행되어, 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체가 형성될 수 있다.
이하, 상술된 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체, 또는 그 제조 방법에 따라 제조된 무기막 구조체를 포함하는 표시 장치의 실시 예들이 도 6 및 도 7 참조하여 설명된다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체를 포함하는 표시 장치의 일 실시 예를 설명하기 위한 것이다.
도 6을 참조하면, 기판(SUB) 상에 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체(10)가 제공된다. 상기 무기막 구조체(10)는, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 무기막 구조체, 또는, 도 5를 참조하여 설명된 무기막 구조체의 제조 방법에 따라 형성된 무기막 구조체일 수 있다.
상기 무기막 구조체(10) 상에 선택 소자층(SDL, selective device layer)가 배치될 수 있다. 상기 무기막 구조체(10)는, 상기 선택 소자층(SDL) 및 상기 기판(SUB) 사이에 배치될 수 있다. 상기 선택 소자층(SDL)은, 표시 장치에 포함된 화소 셀들을 선택하기 위한 소자들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 선택 소자층(SDL)은 박막 트랜지스터, 또는 다이오드 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 선택 소자층(SDL) 상에 광 소자층(ODL, optical device layer)가 배치될 수 있다. 상기 광 소자층(ODL)은, 표시 장치에 포함된 화소 셀들이 광을 방출하기 위한 소자들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광 소자층(ODL)은, 유기 발광 다이오드, 또는 액정층 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 6을 참조하여 설명된 것과 달리, 상기 무기막 구조체(10)는, 광 소자층(ODL) 상에 배치될 수 있다. 이를, 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체를 포함하는 표시 장치의 다른 실시 예를 설명하기 위한 것이다.
도 7을 참조하면, 도 6을 참조하여 설명된 기판(SUB), 상기 기판(SUB) 상의 선택 소자층(SDL), 및 상기 선택 소자층(SDL) 상의 광 소자층(ODL)이 제공된다. 상기 무기막 구조체(10)는, 상기 광 소자층(ODL) 상에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상기 무기막 구조체(10) 및 상기 기판(SUB) 사이에, 상기 선택 소자층(SDL) 및 상기 광 소자층(ODL)이 배치될 수 있다.
또는, 본 발명이 또 다른 실시 예에 따르면, 도 6 및 도 7에 도시된 것과 달리, 상기 무기막 구조체(10)는, 상기 기판(SUB)과 상기 선택 소자층(SDL) 사이, 및 상기 광 소자층(ODL) 상에 동시에 제공될 수도 있다.
본 발명의 실시 예들에 따른 표시 장치는, 플렉시블함과 동시에 높은 항투습도 및 항투산소도를 갖는 무기막 구조체를 포함할 수 있다. 이로 인해, 장수명 및 고신뢰성을 갖는 플렉시블한 표시 장치가 제공될 수 있다.
도 6 및 도 7의 실시 예들에서 표시 장치에 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체가 포함되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 아니하고, 다양한 전자기기에 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체가 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예들에 따른 무기막 구조체들의 특성 테스트 결과가 설명된다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 탄성 계수를 설명하기 위한 그래프이고, 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 경도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시 예들에 따른 무기막 구조체들의 특성을 테스트하기 위해, 제1 소스로 Trimethylaluminum 및 제2 소스로 H2O을 사용하여 Al2O3를 증착하는 제1 공정, 및 상기 제1 소스 및 제3 소스로 4-mercaptophenol을 사용하여 Al2O3 상에 유기 링킹 물질을 증착하는 제2 공정을 복수회 반복 수행하여 본 발명의 실시 예들에 따른 무기막들을 제조하였다.
상기 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체에 대한 비교 예로, 유기 링킹 물질을 증착하는 상기 제2 공정이 수행되지 않은 무기막 구조체를 제조하였다.
상술된 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체 및 비교 예에 따른 무기막 구조체를 제조하여, 탄성 계수(elastic modulus) 및 경도(hardness)를 측정하였다. 도 8 및 도 9에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체는, 비교 예에 따른 무기막 구조체와 비교하여, 탄성 계수 및 경도가 낮은 것을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따라 유기 링킹 물질을 포함하는 무기막 구조체가, 유기 링킹 물질을 포함하지 않는 무기막 구조체와 비교하여, 플렉시블 특성이 더 우수한 것을 확인할 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 항투습도를 설명하기 위한 그래프이다.
도 10을 참조하면, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명된 것과 같이, Trimethylaluminum 및 4-mercaptophenol을 이용하여 칼슘 닷(Ca Dot)이 144개 삽입된 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체와, Trimethylaluminum을 이용하여 칼슘 닷(Ca Dot)이 144개 삽입된 유기 링킹 물질이 생략된 비교 예에 따른 무기막 구조체를 제조하였다. 70℃ 및 습도 70% 조건에서, 실시 예 및 비교 예에 따른 무기막 구조체들에 포함된 칼슘 닷들의 시간에 따른 변화량을 관찰하여, 그래프로 도시하였다.
시간이 흐름에 따라, 비교 예에 따름 무기막 구조체에 포함된 칼슘 닷은 급격하게 감소되었으나, 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체들에 포함된 칼슘 닷은, 비교 예에 따른 무기막 구조체와 비교하여, 감소량이 현저하게 적은 것을 확인할 수 있다.
아래 <표 1>은 본 발명의 실시 예들에 따른 무기막 구조체 및 비교 예에 따른 무기막 구조체의 WVTR이다. 아래 <표 1>, 및 도 10에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시 예에 따라 유기 링킹 물질을 포함하는 무기막 구조체는, 비교 예에 따른 무기막 구조체와 비교하여, 현저하게 우수한 항투습도/항투산소도를 갖는 것을 확인할 수 있다. 즉, 유기 링킹 물질을 무기막에 함유시키는 방법이, 무기막의 항투습도/항투산소도를 향상시키는 효율적인 방법임을 알 수 있다.
WVTR (g/m2day)
실시 예 5.1 X 10-7
비교 예 1.2 X 10-6
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체의 플렉시블 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 11을 참조하면, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명된 것과 같이, Trimethylaluminum 및 4-mercaptophenol을 이용하여 칼슘 닷(Ca Dot)이 144개 삽입된 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체와, Trimethylaluminum을 이용하여 칼슘 닷(Ca Dot)이 144개 삽입된 유기 링킹 물질이 생략된 비교 예에 따른 무기막 구조체를 제조하였다. Bending radius 0.5cm 및 1.5cm 조건, 및 70℃ 및 습도 70% 조건에서, 실시 예 및 비교 예에 따른 무기막 구조체들에 포함된 칼슘 닷들의 시간에 따른 변화량을 관찰하여, 그래프로 도시하였다.
시간이 흐름에 따라, 비교 예에 따름 무기막 구조체에 포함된 칼슘 닷은 급격하게 감소되었으나, 본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체들에 포함된 칼슘 닷은, 비교 예에 따른 무기막 구조체와 비교하여, 감소량이 현저하게 적은 것을 확인할 수 있다.
아래 <표 2>은 본 발명의 실시 예들에 따른 무기막 구조체 및 비교 예에 따른 무기막 구조체의 WVTR이다. 아래 <표 2>, 및 도 11에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시 예에 따라 유기 링킹 물질을 포함하는 무기막 구조체는, 비교 예에 따른 무기막 구조체와 비교하여, bending된 상태에서도 현저하게 우수한 항투습도/항투산소도를 갖는 것을 확인할 수 있다. 즉, 유기 링킹 물질을 무기막에 함유시키는 방법이, 플렉시블한 상태에서 무기막의 항투습도/항투산소도를 향상시키는 효율적인 방법임을 알 수 있다.
Bending radius(cm) WVTR (g/m2day)
실시 예 1.5 9.1 X 10-7
0.5 2.3 X 10-6
비교 예 1.5 >~10-1
0.5 >~10-1
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 무기막 구조체 및 그 제조 방법은, 표시 소자, 메모리 소자 등 다양한 전자 장치의 신뢰성을 향상시키는 데 사용될 수 있다.

Claims (20)

  1. 금속 산화물; 및
    상기 금속 산화물의 금속 원소와 결합된 링킹 원소(linking atom)를 포함하는 유기 링킹 물질(organic linking material)을 포함하는 무기막 구조체.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 링킹 물질은, 상기 유기 링킹 물질 아래에 위치하는 상기 금속 산화물의 금속 원소와, 상기 유기 링킹 물질 상에 위치하는 상기 금속 산화물의 금속 원소를 연결하는 것을 포함하는 무기막 구조체.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 링킹 물질은, 서로 인접한 제1 유기 링커 및 제2 유기 링커를 포함하고,
    상기 제1 유기 링커의 링킹 원소와 상기 제2 유기 링커의 링킹 원소는 서로 결합된 것을 포함하는 무기막 구조체.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 유기 링커의 링킹 원소와 상기 제2 유기 링커의 링킹 원소는, 각각, 상기 금속 산화물에 포함된 복수의 금속 원소와 결합되는 것을 포함하는 무기막 구조체.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 유기 링커의 링킹 원소와 상기 제2 유기 링커의 링킹 원소는, 동일한 개수의 금속 원소와 결합되는 것을 포함하는 무기막 구조체.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 링킹 원소는, 상기 금속 산화물에 포함된 상기 복수의 금속 원소와 배위 결합되는 것을 포함하는 무기막 구조체.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 링킹의 물질의 함량이 상기 금속 산화물의 함량보다 낮은 것을 포함하는 무기막 구조체.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 링킹 물질은, 제1 링킹 원소, 및 제2 링킹 원소를 포함하고,
    상기 제1 링킹 원소 및 제2 링킹 원소 중 적어도 어느 하나는 산소족 원소(chalcogen atom)을 포함하는 무기막 구조체.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 링킹 원소와 결합된 상기 금속 산화물의 금속 원소의 개수와, 상기 제2 링킹 원소와 결합된 상기 금속 산화물의 금속 원소의 개수는, 서로 다른 것을 포함하는 무기막 구조체.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 링킹 원소와 상기 금속 원소의 결합 종류는, 상기 제2 링킹 원소와 상기 금속 원소의 결합 종류와 서로 다른 것을 포함하는 무기막 구조체.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 링킹 물질은, 복수의 유기 링커를 포함하고,
    서로 동일한 레벨(level)에 위치하는 상기 복수의 유기 링커들은, 하나의 그룹(group)로 정의되고,
    서로 이격된 복수의 그룹을 함유하는 것을 포함하는 무기막 구조체.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 유기 링킹 물질은 유기 링커를 포함하고,
    상기 유기 링커는, 유기 화합물, 상기 유기 화합물과 결합된 제1 링킹 원소, 및 상기 유기 화합물과 결합된 제2 링킹 원소를 포함하는 무기막 구조체.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 링킹 원소 및 상기 제2 링킹 원소는, 상기 유기 화합물에 대해서 para에 위치하는 것을 포함하는 무기막 구조체.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 링킹 원소는, 상기 유기 링커 아래에 위치한 상기 금속 산화물에 포함된 금속 원소와 결합되고,
    상기 제2 링킹 원소는, 상기 유기 링커 상에 위치한 상기 금속 산화물에 포함된 금속 원소와 결합되되,
    상기 제2 링킹 원소와 결합된 금속 원소의 개수는, 상기 제1 링킹 원소와 결합된 금속 원소의 개수보다 많은 것을 포함하는 무기막 구조체.
  15. 기판 상의 선택 소자층;
    상기 선택 소자층 상의 광 소자층; 및
    상기 광 소자층 상에 배치되거나, 또는 상기 기판 및 상기 선택 소자층 사이에 배치되고, 금속 산화물, 및 상기 금속 산화물의 금속 원소와 결합된 링킹 원소를 포함하는 유기 링킹 물질을 포함하는 무기막 구조체를 포함하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 유기 링킹 물질은, 서로 인접한 제1 유기 링커 및 제2 유기 링커를 포함하고,
    상기 제1 유기 링커의 링킹 원소와 상기 제2 유기 링커의 링킹 원소는 서로 결합된 것을 포함하는 표시 장치.
  17. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에, 금속을 포함하는 제1 소스 및 산소를 포함하는 제2 소스를 제공하여, 제1 금속 산화물을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 금속 산화물 상에, 상기 제1 소스, 및 제1 및 제2 링킹 원소들을 갖는 유기 링커을 포함하는 제3 소스를 제공하여, 상기 제1 금속 산화물 상에 제공된 상기 제1 소스의 금속 원소와 결합된 상기 제1 링킹 원소를 갖는 유기 링킹 물질을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 링킹 물질 상에 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 제공하여, 상기 유기 링커의 상기 제2 링킹 원소와 결합된 금속 원소를 갖는 제2 금속 산화물을 형성하는 단계를 포함하는 무기막 구조체의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계는 복수회 반복 수행되고,
    상기 제2 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 상기 유기 링킹 물질 상에 제공하는 단계는 복수회 반복 수행되는 것을 포함하는 무기막 구조체의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계와, 상기 제2 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 상기 유기 링킹 물질 상에 제공하는 단계는, 동일한 횟수로 반복 수행되는 것을 포함하는 무기막 구조체의 제조 방법.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 유기 링킹 물질을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제3 소스를 제공하는 횟수는, 상기 제1 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 제공하는 횟수, 및 상기 제2 금속 산화물을 형성하기 위해 상기 제1 소스 및 제2 소스를 제공하는 횟수보다 적은 것을 포함하는 무기막 구조체의 제조 방법.
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