WO2015194189A1 - 有機発光デバイスおよび表示装置 - Google Patents

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WO2015194189A1
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light emitting
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organic light
transport layer
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PCT/JP2015/003089
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小松　隆宏
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Joled Inc
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    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Definitions

  • the present invention relates to an organic light emitting device and a display device, and more particularly to improvement of luminous efficiency.
  • organic light-emitting devices such as organic EL (Electroluminescence) panels and organic EL lighting have been actively developed.
  • the organic EL panel has a configuration in which a plurality of subpixels are two-dimensionally arranged along the main surface of the substrate.
  • Each subpixel has a configuration in which an anode, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode are stacked in this order above the substrate.
  • HIL hole injection layer
  • the hole injection layer, hole transport layer, and electron transport layer have a function of injecting charges (electrons, holes) from the anode or cathode to the organic light emitting layer, and a function of transporting charges from the anode or cathode to the organic light emitting layer. Therefore, these layers are called charge injection transport layers.
  • an electron transport layer for example, it has been researched and developed to employ a layer made of an organic material doped with barium. By adopting such an electron transport layer, high electron injection characteristics can be obtained.
  • Patent Document 1 discloses that a barrier layer made of an inorganic material includes an organic light emitting layer and an electron transport layer. A configuration disposed between is disclosed. Examples of the inorganic material introduced in Patent Document 1 include silicon oxide (SiO x ).
  • a layer containing an organic material doped with alkali metal or alkaline earth metal is employed as the electron transport layer, and between the organic light emitting layer and the electron transport layer. Development of a structure in which an intermediate layer containing an alkali metal or alkaline earth metal fluoride is disposed is underway.
  • Such an intermediate layer is considered to be able to obtain a high electron injection property while having an impurity blocking function.
  • An object of the present invention is to provide an organic light emitting device and a display device capable of improving luminous efficiency while suppressing deterioration of a charge injection / transport layer due to impurities.
  • the organic light emitting device is an organic light emitting device in which a plurality of light emitting portions are two-dimensionally arranged in a direction along the main surface of the substrate.
  • Each of the plurality of light emitting units includes a first electrode disposed above the substrate, a first charge injecting and transporting layer disposed above the first electrode, and an upper portion of the first charge injecting and transporting layer.
  • An organic light emitting layer disposed; an intermediate layer disposed above the organic light emitting layer; a second charge injecting and transporting layer disposed on the intermediate layer; and being disposed above the second charge injecting and transporting layer.
  • the intermediate layer includes an alkali metal fluoride or an alkaline earth metal fluoride.
  • the second charge injecting and transporting layer includes an organic material doped with an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • One of the first electrode and the second electrode has light reflectivity, and the other has light transmittance.
  • the plurality of light emitting units include a first light emitting unit and a second light emitting unit having different emission colors.
  • the organic light emitting layer is disposed between the first electrode and the second electrode having light reflectivity and the organic light emitting layer. The thickness of the other layer is different between the first light emitting part and the second light emitting part.
  • a layer containing an organic material doped with an alkali metal or an alkaline earth metal is employed as the second charge injecting and transporting layer, so that high luminous efficiency is obtained. Can do.
  • an intermediate layer which is a layer containing an alkali metal fluoride or an alkaline earth metal fluoride, is disposed between the organic light emitting layer and the second charge injecting and transporting layer, it has a high impurity blocking property. .
  • impurities from the organic light emitting layer and the like can be effectively blocked from entering the charge injecting and transporting layer, and deterioration of the electron injecting and transporting layer can be suppressed and high storage stability can be realized. be able to. Thereby, the high charge injection property of the organic light emitting device can be realized.
  • the organic light emitting device includes a first light emitting unit and a second light emitting unit having different emission colors.
  • the thickness of the first charge injection transport layer or the second charge injection transport layer disposed between the light-reflecting electrode of the first electrode and the second electrode and the organic light emitting layer is determined by the first light emission.
  • the second light emitting unit The thickness of the first charge injection transport layer or the second charge injection transport layer arranged between the light reflective electrode of the first electrode and the second electrode and the organic light emitting layer is directly from the organic light emitting layer. This affects the difference in optical path length between the directly emitted light emitted to the outside and the reflected emitted light emitted to the outside after being reflected by the electrode surface having light reflectivity.
  • the first charge injecting and transporting layer or the second charge injecting and transporting layer disposed between the light emitting electrode of the first electrode and the second electrode and the organic light emitting layer.
  • the first light-emitting part and the second light-emitting part are different in thickness, and the first light-emitting part and the second light-emitting part are not commonly formed with the same layer thickness. Therefore, in each of the first light emitting unit and the second light emitting unit, the cavity can be adjusted so as to obtain a resonance effect between the directly emitted light and the reflected emitted light. In each of the first light emitting unit and the second light emitting unit, The luminous efficiency can be improved.
  • the organic light emitting device As described above, in the organic light emitting device according to the above aspect, it is possible to further improve the light emission efficiency while suppressing deterioration of the charge injecting and transporting layer due to impurities.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram illustrating a schematic configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. It is a schematic plan view which shows the arrangement
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a configuration in the AA cross section of FIG. (A) is a schematic plan view showing an arrangement form of banks in the display panel of FIG. 2, (b) is a schematic cross-sectional view showing a partial configuration of the BB cross section, (c)
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a partial configuration in a CC cross section.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a display panel according to Modification Example 1.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a display panel according to modification example 3.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a display panel according to Modification Example 8.
  • the organic light emitting device is an organic light emitting device in which a plurality of light emitting units are two-dimensionally arranged in a direction along the main surface of a substrate.
  • Each of the plurality of light emitting units includes a first electrode disposed above the substrate, a first charge injecting and transporting layer disposed above the first electrode, and an upper portion of the first charge injecting and transporting layer.
  • An organic light emitting layer disposed; an intermediate layer disposed above the organic light emitting layer; a second charge injecting and transporting layer disposed on the intermediate layer; and being disposed above the second charge injecting and transporting layer.
  • a second electrode is an organic light emitting device in which a plurality of light emitting units are two-dimensionally arranged in a direction along the main surface of a substrate.
  • Each of the plurality of light emitting units includes a first electrode disposed above the substrate, a first charge injecting and transporting layer disposed above the first electrode, and an upper portion of the first charge injecting and transporting layer.
  • the intermediate layer includes an alkali metal fluoride or an alkaline earth metal fluoride.
  • the second charge injection transport layer includes an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • One of the first electrode and the second electrode has light reflectivity, and the other has light transmittance.
  • the plurality of light emitting units include a first light emitting unit and a second light emitting unit having different emission colors.
  • the organic light emitting layer is disposed between the first electrode and the second electrode having light reflectivity and the organic light emitting layer. The thickness of the other layer is different between the first light emitting part and the second light emitting part.
  • the second charge injecting and transporting layer contains an alkali metal or an alkaline earth metal, high luminous efficiency can be obtained with a low driving voltage.
  • an intermediate layer which is a layer containing an alkali metal fluoride or an alkaline earth metal fluoride, is disposed between the organic light emitting layer and the second charge injecting and transporting layer, it has a high impurity blocking property. .
  • impurities from the organic light emitting layer from entering the second charge injection transport layer and the second electrode, and to deteriorate the second charge injection transport layer and the second electrode. Can be suppressed and high charge injection properties can be maintained.
  • an organic light emitting device having high storage stability can be realized.
  • the organic light emitting device includes a first light emitting unit and a second light emitting unit having different emission colors.
  • the thickness of the first charge injecting and transporting layer or the second charge injecting and transporting layer disposed between the light-reflecting electrode of the first electrode and the second electrode and the organic light emitting layer is determined by the first light emission.
  • the second light emitting unit since the above-described layers are individually formed in the first light emitting unit and the second light emitting unit, the cavity adjustment can be performed in each of the first light emitting unit and the second light emitting unit. As a result, the luminous efficiency can be improved.
  • the organic light emitting device As described above, in the organic light emitting device according to the above aspect, it is possible to improve the light emission efficiency while suppressing the deterioration of the charge injection / transport layer due to impurities.
  • the thickness of the first charge injection transport layer or the second charge injection transport layer disposed between the light reflective electrode of the first electrode and the second electrode and the organic light emitting layer may be determined based on the wavelength of the light emission color of each of the plurality of light emitting units to obtain a resonance effect.
  • the light emission efficiency can be improved by the resonance effect in each light emitting portion.
  • the organic light emitting layer is disposed between the first electrode and the second electrode having light reflectivity and the organic light emitting layer.
  • the other layer may have a lower electrical resistivity than the organic light emitting layer.
  • the organic light emitting layer is disposed between the first electrode and the second electrode having light reflectivity and the organic light emitting layer.
  • the other layer may be formed by a wet process using an organic material.
  • the layer thickness of the above layer can be easily changed for cavity adjustment for each light emitting part.
  • the alkali metal or alkaline earth metal in the fluoride contained in the intermediate layer is the first metal and the alkali metal or alkaline earth metal contained in the second charge injection and transport layer is the second metal
  • the two metals may have a property of breaking the bond between the first metal and fluorine in the fluoride of the first metal.
  • the penetration of impurities from the organic light emitting layer side into the second charge injection transport layer and the second electrode is inhibited by the fluoride of the first metal contained in the intermediate layer, thereby realizing good storage stability. be able to.
  • the second metal contained in the second charge injecting and transporting layer breaks the bond between the first metal and fluorine to liberate the first metal. Since the liberated first metal is an alkali metal or an alkaline earth metal and has excellent electron injecting properties, it is possible to achieve good light emission efficiency.
  • an alkali metal or alkaline earth metal having a relatively low work function and a high electron supply capability is used as the second metal, the reactivity with fluorine is relatively high, and the bond between the first metal and fluorine is reduced. Easy to cut. Therefore, the electron injection property of the first metal acts more effectively, and good luminous efficiency can be realized.
  • the second charge injecting and transporting layer may be made of an organic material doped with the second metal.
  • the second metal doped in the second charge injecting and transporting layer can act on the fluoride of the first metal contained in the intermediate layer.
  • the second charge injecting and transporting layer is formed by laminating a first charge injecting and transporting layer portion made of the second metal and a second charge injecting and transporting layer portion containing an organic material.
  • the layer portion may be disposed in contact with the intermediate layer.
  • the second metal can act at a higher concentration on the fluoride of the first metal contained in the intermediate layer.
  • the second charge injecting and transporting layer portion may be formed by doping the organic material with an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • the alkali metal or alkaline earth metal doped in the organic material may be the second metal.
  • a common metal material can be used when forming the first charge injection transport layer portion and the second charge injection transport layer portion, and the manufacturing is easy and can contribute to cost.
  • the organic material in the second charge injection transport layer portion may not contain a doped metal.
  • the step of doping the metal into the second charge injecting and transporting layer portion can be omitted, and the manufacturing is easy and can contribute to the cost.
  • the first electrode is an anode
  • the second electrode is a cathode
  • the first charge injection transport layer is a hole injection layer
  • the second charge injection transport layer is an electron transport layer. There may be.
  • the intermediate layer prevents impurities from entering from the organic light emitting layer side into the cathode as the second electrode and the electron transport layer as the second charge injection transport layer, and deterioration of the cathode and the electron transport layer due to the impurities is prevented. It is possible to achieve good storage stability.
  • the first electrode has light reflectivity
  • the first charge injecting and transporting layer is made of a conductive organic material or an organic semiconductor material, and has a thickness between the first light emitting unit and the second light emitting unit. May be different.
  • the hole injection layer which is the first charge injection transport layer is made of an organic material, the hole injection layer can be easily formed using a wet process. Therefore, in the case of a configuration in which light is reflected on the anode surface as the first electrode and light is extracted from the cathode side as the second electrode, a hole injection layer is formed between the first light emitting portion and the second light emitting portion for cavity adjustment. Can be easily formed with different layer thicknesses.
  • the second electrode may have light reflectivity
  • the second charge injection / transport layer may be made of a ⁇ -electron organic material containing an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • the electron transport layer as the second charge injection transport layer is made of a ⁇ -electron organic material, the electron transport layer can be formed using a wet process. Therefore, in the case of a configuration in which light is reflected from the cathode surface that is the second electrode and light is extracted from the anode side that is the first electrode, the electron transport layer is formed between the first light emitting unit and the second light emitting unit for cavity adjustment. Can be formed with different layer thicknesses.
  • the first electrode is a cathode
  • the second electrode is an anode
  • the first charge injection transport layer is an electron transport layer
  • the second charge injection transport layer is a hole injection layer. There may be.
  • the intermediate layer prevents impurities from penetrating from the organic light emitting layer side into the anode as the second electrode and the hole injection layer as the second charge injection transport layer, and deterioration of the anode and hole injection layer due to the impurities is prevented. It is possible to achieve good storage stability.
  • the first electrode may have light reflectivity
  • the first charge injection / transport layer may be made of a ⁇ -electron low molecular weight organic material containing an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • the electron transport layer that is the first charge injection transport layer is made of a ⁇ -electron organic material, the electron transport layer can be formed using a wet process. Therefore, in the case of a configuration in which light is reflected from the cathode surface that is the first electrode and light is extracted from the anode side that is the second electrode, the electron transport layer is formed between the first light emitting unit and the second light emitting unit for cavity adjustment. Can be easily formed with different layer thicknesses.
  • the second electrode may have light reflectivity, and the second charge injection / transport layer may be made of a conductive organic material.
  • the hole injection layer as the second charge injection transport layer is made of a conductive organic material, the hole injection layer can be formed using a wet process. Accordingly, in the case of a configuration in which light is reflected on the anode surface as the second electrode and light is extracted from the cathode side as the first electrode, a hole injection layer is formed between the first light emitting portion and the second light emitting portion for cavity adjustment. Can be formed with different layer thicknesses.
  • the wavelength of the emission color of the first light emitting unit is longer than the wavelength of the emission color of the second light emitting unit, and the first electrode of the first charge injecting and transporting layer and the second charge injecting and transporting layer.
  • the layer disposed between the light-reflecting electrode of the second electrode and the organic light emitting layer may be thicker in the first light emitting unit than in the second light emitting unit.
  • a display device includes a display panel and a control drive circuit connected to the display panel, and any one of the device structures described above is employed as the display panel. It is characterized by that.
  • the same effect as that of the organic light-emitting device can be obtained by the display device according to another aspect of the present invention.
  • the organic EL display device 1 includes a display panel 10 and a drive / control circuit unit 20 connected thereto.
  • the display panel 10 is an organic EL panel using an electroluminescence phenomenon of an organic material, and has a plurality of pixels.
  • each pixel includes a subpixel 10 a that is a red (R) light-emitting portion, a subpixel 10 b that is a green (G) light-emitting portion, and a subpixel that is a blue (B) light-emitting portion. 10c.
  • the plurality of subpixels 10a, 10b, and 10c are arranged in a matrix (two-dimensional arrangement) in the XY axis direction.
  • the drive / control circuit unit 20 includes four drive circuits 21, 22, 23, 24 and a control circuit 25.
  • the arrangement relationship between the display panel 10 and the drive / control circuit unit 20 in the organic EL display device 1 is not limited to the form shown in FIG.
  • the configuration of the pixels in the display panel 10 is not limited to the form of subpixels (light emitting portions) of three colors of R, G, and B as shown in FIG. 2, and one pixel from the light emitting portions of four or more colors. May be configured.
  • the configuration of the display panel 10 will be described with reference to FIG.
  • the display panel 10 according to the present embodiment employs a top emission type organic EL panel as an example.
  • 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the display panel 10 has a TFT substrate (substrate) 100 as a base, and an insulating layer 101 is laminated on the upper surface thereof.
  • the insulating layer 101 is formed so that the upper surface in the Z-axis direction is substantially flat.
  • a TFT (Thin Film Transistor) layer in the TFT substrate 100 is not shown and is simplified.
  • An anode 102 and a hole injection layer 103 are sequentially stacked on the upper surface of the insulating layer 101 in the Z-axis direction.
  • the anode 102 and the hole injection layer 103 are provided for each of the subpixels 10a, 10b, and 10c.
  • the hole injection layer 103 can be formed in a continuous state between the sub-pixels 10a, 10b, and 10c.
  • a first bank 104 is formed so as to cover the insulating layer 101 and both ends of the hole injection layer 103 in the X-axis direction.
  • the first bank 104 is inserted between adjacent subpixels 10a, 10b, and 10c in the X-axis direction, and defines an opening corresponding to a light emitting region in the X-axis direction.
  • a hole transport layer 105 and an organic light emitting layer 106 are laminated in order from the lower side in the Z-axis direction.
  • an intermediate layer 107 On the organic light emitting layer 106 and the top surface of the bank 104, an intermediate layer 107, an electron transport layer 108, a cathode 109, and a sealing layer 110 are laminated in order so as to cover them.
  • a resin layer 114 is laminated on the upper side of the sealing layer 110 in the Z-axis direction.
  • a CF panel 117 in which the color filter layer 112 and the black matrix layer 113 are formed on the main surface on the lower side in the Z-axis direction of the CF panel substrate 111 is bonded.
  • the resin layer 114 is in intimate contact with the sealing layer 110, the color filter layer 112, and the black matrix layer 113.
  • the TFT substrate 100 is a substrate
  • the anode 102 is a first electrode
  • the cathode 109 is a second electrode.
  • the hole injection layer 103 is a first charge injection transport layer
  • the electron transport layer 108 is a second charge injection transport layer.
  • a plurality of first banks 104 that are each elongated in the Y-axis direction and spaced apart from each other in the X-axis direction.
  • the regions defined by the pair of adjacent first banks 104 and the pair of adjacent second banks 115 are sub-pixel formation regions 116a, 116b, and 116c.
  • Various functional layers such as an organic light emitting layer and a hole transport layer corresponding to the emission color of each subpixel are formed in the subpixel formation regions 116a, 116b, and 116c, thereby forming subpixels 10a, 10b, and 10c.
  • the first bank 104 is disposed between the subpixels 10a, 10b, and 10c adjacent to each other in the X-axis direction, and is high with respect to the upper surface of the insulating layer 101. Is h.
  • the second bank 115 is disposed between the anodes 102 adjacent in the Y-axis direction.
  • the height of the second bank 115 with respect to the upper surface of the insulating layer 101 is H115.
  • the height H115 of the second bank 115 is in the range of 40% to 70%, more specifically in the range of 50% to 55%, compared to the height H104 of the first bank 104.
  • the TFT substrate 100 includes a substrate and a TFT layer formed on the upper surface in the Z-axis direction of the substrate.
  • the TFT layer is configured to include three electrodes of a gate, a source, and a drain, a semiconductor layer, a passivation film, and the like.
  • the substrate serving as the base of the TFT substrate 100 is, for example, a glass substrate, a quartz substrate, a silicon substrate, a metal substrate such as molybdenum sulfide, copper, zinc, aluminum, stainless steel, magnesium, iron, nickel, gold, silver, or gallium.
  • a semiconductor substrate such as an arsenic substrate, a plastic substrate, or the like is used.
  • thermoplastic resin such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), cyclic polyolefin, modified polyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide, polyimide (PI), Polyamideimide, polycarbonate, poly- (4-methylbenten-1), ionomer, acrylic resin, polymethyl methacrylate, acrylic-styrene copolymer (AS resin), butadiene-styrene copolymer, polio copolymer (EVOH) ), Polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate (PEN), precyclohexane terephthalate (PCT), polyethers, polyether ketones Polyethers
  • the insulating layer 101 is formed using, for example, an organic compound such as polyimide, polyamide, or acrylic resin material.
  • the insulating layer 101 preferably has organic solvent resistance.
  • the insulating layer 101 may be subjected to an etching process, a baking process, or the like during the manufacturing process, the insulating layer 101 is formed using a material having high resistance that does not cause excessive deformation or alteration to the process. It is desirable that
  • Anode 102 is made of a metal material containing silver (Ag) or aluminum (Al). In the case of the top emission type display panel 10 according to the present embodiment, it is preferable that the surface portion thereof has high light reflectivity.
  • the anode 102 not only a single layer structure made of a metal material as described above, but also a laminate of a metal layer and a transparent conductive layer can be adopted.
  • a constituent material of the transparent conductive layer for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like can be used.
  • the hole injection layer 103 is formed of, for example, an oxide such as silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), iridium (Ir), or PEDOT. : PSS (Poly (3,4-ethylenedithiothiophene) Polystyrene sulfate; a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid) and Plexcore (registered trademark) manufactured by Plextronix, etc.
  • an oxide such as silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), iridium (Ir), or PEDOT.
  • PSS Poly (3,4-ethylenedithiothiophene) Polystyrene sulfate; a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid
  • the hole injection layer 103 is made of a conductive organic material such as PEDOT: PSS.
  • First bank 104 is formed using an organic material such as a resin and has an insulating property.
  • organic material used for forming the first bank 104 include acrylic resin, polyimide resin, and novolac type phenol resin.
  • the first bank 104 may be provided with liquid repellency by subjecting the surface to fluorine treatment.
  • the structure of the first bank 104 not only a single layer structure as shown in FIGS. 3 and 4B but also a multilayer structure of two or more layers can be adopted.
  • the above materials can be combined for each layer, and an inorganic material and an organic material can be used for each layer.
  • the second bank 115 is formed using an inorganic insulating material, an organic insulating material, or the like.
  • the inorganic insulating material include SiO2 (silicon oxide), SiN (silicon nitride), and SiON (silicon oxynitride).
  • the organic insulating material include acrylic resin, polyimide resin, siloxane resin, and phenol resin.
  • Hole transport layer 105 is formed of an organic material having high hole mobility in order to efficiently transport holes from the hole injection layer 103 to the organic light emitting layer 106.
  • organic material having high hole mobility
  • polyfluorene or a derivative thereof, or a polymer compound such as polyarylamine or a derivative thereof that does not have a hydrophilic group can be used.
  • Organic light emitting layer 106 has a function of emitting light by generating an excited state by injecting and recombining holes and electrons.
  • the material used for forming the organic light emitting layer 106 is preferably a light emitting organic material that can be formed by a wet printing method.
  • the oxinoid compounds, perylene compounds, coumarin compounds, azacoumarin compounds, oxazole compounds, oxadiazole compounds, perinone compounds, pyrrolopyrrole described in the patent publication (Japan / JP-A-5-163488) Compound, naphthalene compound, anthracene compound, fluorene compound, fluoranthene compound, tetracene compound, pyrene compound, coronene compound, quinolone compound and azaquinolone compound, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, rhodamine compound, chrysene compound, phenanthrene compound, cyclopentadiene compound, stilbene compound , Diphenylquinone compound, styryl compound, butadiene compound, dicyanomethylenepyran compound, dicyanomethylenethiopyran compound, fluoro Cein compounds, pyrylium compounds, thiapyrylium
  • the intermediate layer 107 includes an alkali metal or alkaline earth metal fluoride.
  • the alkali metal or alkaline earth metal fluoride used in the intermediate layer 107 include NaF (sodium fluoride), LiF (lithium fluoride), CsF (cesium fluoride), and CaF2 (fluoride). Calcium), MgF2 (magnesium fluoride), and the like.
  • the intermediate layer 107 is formed using, for example, NaF.
  • Electron transport layer 108 has a function of transporting electrons injected from the cathode 109 to the organic light emitting layer 106, and is made of, for example, an organic material doped with alkali metal or alkaline earth metal.
  • Ba (barium) is doped to a ⁇ -electron low molecular weight organic material such as an oxadiazole derivative (OXD), a triazole derivative (TAZ), or a phenanthroline derivative (BCP, Bphen). It becomes.
  • the doped metal in the structure of the electron transport layer 108 is a low work function metal such as Li (lithium), Ca (calcium), Ce (cesium), Na (sodium), and Rb (rubidium).
  • low work function metal salts such as lithium fluoride, low work function metal oxides such as barium oxide, and low work function metal organic complexes such as lithium quinolinol.
  • the concentration of the doped metal is preferably in the range of 5 wt% to 40 wt%, for example.
  • Cathode 109 is formed using a light-transmitting conductive film such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), or a metal thin film containing aluminum (Al) or silver (Ag).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • Al aluminum
  • Ag silver
  • the cathode 109 needs to be formed of a light transmissive material.
  • the transmittance is preferably 80% or more.
  • the sealing layer 110 has a function of suppressing exposure of an organic layer such as the organic light emitting layer 106 to moisture or exposure to air.
  • an organic layer such as the organic light emitting layer 106
  • silicon oxide (SiO) silicon nitride (SiN)
  • SiON silicon oxynitride
  • the sealing layer 110 needs to be formed of a light-transmitting material.
  • the CF panel substrate 111 is formed using, for example, a glass substrate, a quartz substrate, a silicon substrate, a plastic substrate, or the like, similar to the TFT substrate 100.
  • a plastic substrate when a plastic substrate is employed, either a thermoplastic resin or a thermosetting resin may be used.
  • Color filter layer 112 The color filter layer 112 is made of a known material that selectively transmits visible light in the wavelength range of each color of red (R), green (G), and blue (B).
  • the color filter layer 112 is formed, for example, based on an acrylic resin.
  • Black matrix layer 113 is made of, for example, an ultraviolet curable resin material containing a black pigment having excellent light absorption and light shielding properties.
  • Specific examples of the ultraviolet curable resin material include an acrylic resin.
  • Resin layer 114 is formed from a transparent resin material (for example, an epoxy resin material). However, as a constituent material of the resin layer 114, a silicone resin or the like can also be used.
  • B generally has the lowest luminous efficiency.
  • the electron transport layer is provided as a layer common to the three types of RGB light-emitting portions, and the selection of the material of the electron transport layer and the design of the layer thickness and the like are often performed so that the light emission efficiency of B is maximized. . In this case, however, the light emission efficiency of B is maximized.
  • the carrier balance is not always optimal, and the best light emission efficiency is often not obtained. Therefore, a method of adjusting the optical cavity for the R light emitting portion and the G light emitting portion to improve the light emission efficiency and compensate for the decrease in the light emission efficiency due to the collapse of the carrier balance has been conventionally employed.
  • the thickness of various functional layers in organic light-emitting devices is usually several nanometers to several tens of nanometers. Therefore, when adjusting the optical cavity, the thickness of the functional layers should be adjusted to be thinner. Difficult to do. For this reason, it is considered that a method of adjusting the optical cavity by increasing the thickness of the functional layer is generally adopted in many cases.
  • the organic light emitting layer is formed for each light emission color using materials corresponding to the light emission colors of RGB, the layer thickness can be easily changed for each of RGB. Accordingly, the optical cavity can be easily adjusted by changing the layer thickness of the organic light emitting layer.
  • the organic light emitting layer has a higher electrical resistivity than the charge transport layer, there is a problem that when the thickness of the organic light emitting layer is increased for cavity adjustment, the drive voltage is relatively increased.
  • the cavity is adjusted by changing the layer thickness of the hole injection layer having a lower electrical resistivity than the organic light emitting layer, it is considered that the light emission efficiency can be improved while suppressing an increase in driving voltage.
  • the inventors conducted an experiment to investigate how the driving voltage and the light emission efficiency change when the hole injection layer 103 is thickened instead of the organic light emitting layer 106. Went.
  • test specimens having different layer thicknesses of the organic light emitting layer 106 were prepared for each of the two types of light emitting portions (light emission color R) having different layer thicknesses of the hole injection layer 103, and the luminous efficiency and driving for each of them. This was done by measuring the voltage.
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 of the test specimen used for the experiment is two types of 5 nm and 25 nm, and the layer thickness of the organic light emitting layer 106 is four types of 90, 100, 110, and 120 nm.
  • Fig. 5 shows a graph plotting the measurement results.
  • the horizontal axis indicates the layer thickness [nm] of the organic light emitting layer 106
  • the left vertical axis indicates the luminous efficiency
  • the right vertical axis indicates the drive voltage.
  • ⁇ (circles filled in with black) indicate the luminous efficiency of the specimen with the hole injection layer 103 having a layer thickness of 25 nm.
  • a triangle (black triangle) indicates the driving voltage of the test specimen having the hole injection layer 103 having a layer thickness of 25 nm.
  • ⁇ (circle with contour only) indicates the luminous efficiency of the specimen with the hole injection layer 103 having a thickness of 5 nm.
  • ⁇ (triangle with only outline) indicates the driving voltage of the test specimen in which the thickness of the hole injection layer 103 is 5 nm.
  • the solid curve shows approximate curves for the luminous efficiency and the driving voltage of the test specimen having a hole injection layer thickness of 25 nm.
  • the dashed curve shows approximate curves for the luminous efficiency and the driving voltage of the test specimen having a hole injection layer thickness of 5 nm.
  • the luminous efficiency is expressed as a ratio based on the luminous efficiency when the thickness of the hole injection layer 103 is 5 nm and the thickness of the organic light emitting layer 106 is 110 nm.
  • the driving voltage is the thickness of the hole injection layer 103. The difference from the driving voltage when the film thickness of the organic light emitting layer 106 is 5 nm and 5 nm is shown.
  • the driving voltage showed substantially the same driving voltage as long as the thickness of the organic light emitting layer 106 was the same for both the 5 nm test specimen and the 25 nm test specimen of the hole injection layer 103. .
  • the driving voltage increases as the layer thickness increases.
  • the driving voltage is substantially the same. From the above results, it can be seen that the thickness of the hole injection layer does not significantly affect the driving voltage, and the layer thickness of the organic light emitting layer 106 has a greater influence on the driving voltage.
  • the light emission efficiency in the specimen having a hole injection layer 103 thickness of 5 nm, the light emission efficiency increases as the layer thickness increases in the range of the organic light emission layer 106 in the range of 90 to 110 nm.
  • the luminous efficiency was slightly lower than when the layer thickness was 110 nm.
  • the specimen having the hole injection layer 103 having a thickness of 25 nm the specimen having the organic light emitting layer 106 having a layer thickness of 100 nm shows a higher luminous efficiency than at the specimen having a thickness of 90 nm. It became.
  • the test specimen with a layer thickness of 120 nm of the organic light emitting layer 106 showed a light emission efficiency slightly lower than 110 nm.
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 is 25 nm, the difference in luminous efficiency due to the difference in layer thickness of the organic light emitting layer 106 is relatively small.
  • test body A a test body in which the layer thickness of the hole injection layer 103 is 25 nm and the organic light emitting layer 106 is 90 nm, and the layer thickness of the hole injection layer 103 is 5 nm.
  • test body B a test body in which the layer thickness of the organic light emitting layer 106 is 110 nm.
  • the hole injection layer 103 is 20 nm thicker and the organic light emitting layer 106 is 20 nm thinner than the test body B.
  • the hole injection layer 103 is 20 nm thinner than the test body A, and the organic light emitting layer 106 is 20 nm thick. That is, the test body A corresponds to the test body B in which the thickness of the organic light emitting layer 106 is increased, and instead the hole injection layer 103 is increased by the same thickness.
  • the light emission efficiency of the test body A is about 5% lower than that of the test body B, but the drive voltage is as low as 2V or more.
  • the graph of FIG. 5 shows that the specimen A can obtain substantially the same luminous efficiency at a driving voltage much lower than that of the specimen B.
  • the hole injection layer is usually formed in a single process in common for the R, G, and B subpixels. Therefore, in the conventional case, the thickness of the hole injection layer is the same in the subpixels of R, G, and B colors.
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 differs depending on the emission color.
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 in the subpixel 10a is T103a
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 in the subpixel 10b is T103b
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 in the subpixel 10c is T103c.
  • T103c ⁇ T103b ⁇ T103a is not a limitation.
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 is preferably set to a layer thickness that optimizes the optical cavity of the subpixel for each emission color.
  • the layer thickness of the organic light emitting layer 106 may differ depending on the emission color.
  • the layer thickness of the organic light emitting layer 106 in the subpixel 10a is T106a
  • the layer thickness of the organic light emitting layer 106 in the subpixel 10b is T106b
  • the layer thickness of the organic light emitting layer 106 in the subpixel 10c is T106c
  • T106c ⁇ T106b ⁇ T106a.
  • this is not a limitation.
  • the layer thickness at which good light emission characteristics can be obtained varies.
  • the cavity adjustment is performed by changing the thickness of the hole injection layer 103 based on the wavelength of the emission color of each subpixel. That is, for each luminescent color, the phase of the directly emitted light that is directly emitted from the organic light emitting layer 106 to the outside (without being reflected) and the reflected light that is reflected on the surface of the anode 102 and emitted to the outside.
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 is set so that Therefore, when the emission color is different, the layer thickness of the hole injection layer 103 is also different.
  • the sub-pixel 10 a that is a light-emitting portion having an emission color R is a first light-emitting portion
  • the sub-pixel 10 c that is a light-emitting portion that is an emission color B is a second light-emitting portion
  • the layer thickness T103a of the hole injection layer 103 of the first light emitting unit is different from the layer thickness T103c of the hole injection layer 103 of the second light emitting unit.
  • the layer thickness T103a is set larger than the layer thickness T103c. This is because the wavelength of R (red) is longer than the wavelength of B (blue). Therefore, in order to obtain the effect of resonance by aligning the phases of the directly emitted light and reflected light of R light, a longer adjustment distance is required. This is because it is usually necessary.
  • the cavity adjustment is performed based on the total layer thickness of various functional layers (including the organic light emitting layer 106) disposed between the anode 102 and the cathode 109.
  • the layer thickness T103a of the hole injection layer is not necessarily larger than the layer thickness T103c.
  • the layer thickness T103a of the hole injection layer is not necessarily larger than the layer thickness T103c.
  • the layer thicknesses T103c ⁇ T103b ⁇ 103a are satisfied, but these layer thicknesses do not necessarily satisfy the above relationship, and for example, the magnitude relationship may be opposite to the above.
  • the sub pixel 10a that is the R light emitting portion is the first light emitting portion, and the sub light emitting portion that is the B light emitting portion.
  • the pixel 10c is the second light emitting unit, the present invention is not limited to this. If the light emission colors of the first light emitting unit and the second light emitting unit are different, and the layer thickness of the hole injection layer of the first light emitting unit is different from the layer thickness of the hole injection layer of the second light emitting unit, the first light emitting unit and The light emission color of the second light emitting unit may be any combination of R, G, and B.
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 is defined so as to provide an optical cavity that can obtain good light emission efficiency for each light emission color. Therefore, as compared with the case where the cavity is adjusted by changing the layer thickness of the organic light emitting layer, it is possible to obtain good light emission efficiency while suppressing an increase in driving voltage.
  • an intermediate layer which is a layer containing an alkali metal fluoride or an alkaline earth metal fluoride between the organic light emitting layer 106 and the electron transport layer 108.
  • Layer 107 is disposed. Since the intermediate layer 107 has a high impurity blocking property, impurities from the organic light emitting layer 106 can be effectively blocked from entering the electron transport layer 108 and the cathode 109, and high storage stability can be achieved. Can be realized. Therefore, deterioration of the electron transport layer 108 can be suppressed and high electron injection properties can be maintained.
  • the cavity adjustment is performed by changing the layer thickness of the hole injection layer 103 based on the emission color, but is not limited thereto.
  • the cavity may be adjusted by changing the layer thickness of the hole transport layer 105 instead of the hole injection layer 103, or the cavity may be adjusted by changing the thickness of both the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105. .
  • the electron transport layer 108 has a single-layer structure, but the present invention is not limited to this, and the electron transport layer may be composed of a plurality of layers.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing the structure of a cross section corresponding to the AA cross section in FIG. 2 of the display panel 30.
  • an organic light emitting layer 106 is disposed between the anode 102 and the cathode 109, and the anode 102 and the organic Between the light emitting layer 106, a hole injection layer 103 and a hole transport layer 105 are sequentially stacked from the anode 102 side.
  • An intermediate layer 107 is disposed between the cathode 109 and the organic light emitting layer 106.
  • the configuration up to here is the same as in the above embodiment.
  • the electron transport layer is disposed between the organic light emitting layer 106 and the intermediate layer 107.
  • the electron transport layer 308 is formed in order from the organic light emitting layer 106 side.
  • the first electron transport layer portion (first charge injection transport layer portion) 308a and the second electron transport layer portion (second charge injection transport layer portion) 308b are stacked.
  • the second electron transport layer portion 308b is the same as the electron transport layer 108 in the embodiment.
  • the alkali metal or alkaline earth metal contained in the intermediate layer 107 is a “first metal”
  • the first electron transport layer portion 308a is in contact with the fluoride of the first metal contained in the intermediate layer 107.
  • It is a layer made of a “second metal” having a function of decomposing a bond between the first metal and fluorine.
  • the second metal is an alkali metal or an alkaline earth metal. More specifically, for example, the second metal is barium (Ba).
  • the first electron transport layer portion 308a is not limited to the case where it is composed of only the second metal. Needless to say, it may include a trace amount of impurities as long as the second metal is the main component of the first electron transport layer portion 308a.
  • the “main component” is only required to include, for example, 40 wt% or more of the second metal in the first electron transport layer portion 308a.
  • the following effects can be obtained in addition to the effects exhibited by the display panel 10 according to the embodiment.
  • the fluoride of the first metal in the intermediate layer 107 that is, the fluoride of alkali metal or alkaline earth metal (for example, NaF) has high electrical insulation. Therefore, it is considered that the electron injection property from the electron transport layer 308 to the organic light emitting layer 106 is hindered. Therefore, as in this modification, the first electron transport layer portion 308a is disposed on the side of the electron transport layer 308 in contact with the intermediate layer 107, and the first electron transport layer portion 308a is an alkali metal or alkaline earth that is the second metal.
  • alkali metal or alkaline earth metal for example, NaF
  • the bond between the alkali metal or alkaline earth metal and fluorine (the bond between the first metal and fluorine) in the intermediate layer 107 can be decomposed with the second metal.
  • the alkali metal or alkaline earth metal for example, Na
  • the electron injection property from the electron transport layer 308 to the organic light emitting layer 106 can be kept high.
  • the layer thickness of the first electron transport layer portion 308a be in the range of 3% to 25% with respect to the layer thickness of the intermediate layer 107.
  • the intermediate layer 107 preferably has a thickness of about 1 nm to 10 nm, and the first electron transport layer portion 308a has a thickness of about 0.1 nm to 1 nm.
  • the boundary between the intermediate layer 107 and the first electron transport layer portion 308a is not clearly separated, and the material constituting the intermediate layer 107 and the material constituting the first electron transport layer portion 308a are
  • these layers should just be formed by the method intended so that the layer thickness of the intermediate
  • the doped metal in the second electron transport layer portion 308b and the second metal constituting the first electron transport layer portion 308a be the same type of metal. This is in consideration of ease of manufacture. In particular, it is desirable to use barium for the doped metal and the second metal. This is because the cost can be reduced by using a versatile metal such as barium.
  • the TFT substrate 100 is a substrate, the anode 102 is a first electrode, and the cathode 109 is a second electrode.
  • the hole injection layer 103 is a first charge injection transport layer, and the electron transport layer 308 is a second charge injection transport layer.
  • the cavity may be adjusted by changing the layer thickness of the hole transport layer 105 instead of the hole injection layer 103. In this case, the hole transport layer 105 is the first charge injection transport layer. Further, the cavity may be adjusted by changing the thickness of both the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105. In this case, both the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105 are the first charge injection transport layer. is there.
  • the display panel 10 according to the embodiment is a top emission type organic EL panel, but is not limited thereto.
  • the configuration of the display panel 10 can also be applied to a bottom emission type organic EL panel.
  • the cathode 109 is made of a light reflective material and the anode 102 is made of a light transmissive material.
  • the cathode 109 is made of a metal material containing silver (Ag) or aluminum (Al), and the anode 102 is formed using indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. ing.
  • the electron transport layer 108 is formed as a continuous layer in common to a plurality of subpixels.
  • the electron transport layer 108 includes subpixels.
  • the thicknesses of the electron transport layers 108 are different in the sub-pixels having different emission colors. That is, the layer thickness of the electron transport layer 108 is defined so that the optical cavity of each subpixel is optimized based on the wavelength of the emission color. Thereby, good luminous efficiency can be realized.
  • the electron transport layer 108 has a lower electrical resistivity than the organic light-emitting layer 106, even if the thickness of the electron transport layer 108 is increased, the thickness of the organic light-emitting layer is increased to compare the cavity adjustment. Thus, an increase in drive voltage is suppressed. Therefore, it is possible to realize good light emission efficiency while suppressing an increase in driving voltage.
  • the electron transport layer 108 has a lower electrical resistivity than the organic light emitting layer 106, and therefore, by adjusting the optical cavity with the layer thickness of the electron transport layer 108, As in the case of the top emission type display panel 10 according to the embodiment, it is possible to achieve good light emission efficiency while suppressing an increase in drive voltage.
  • the layer thickness of the hole injection layer 103 may be the same for each subpixel.
  • the TFT substrate 100 is a substrate, the anode 102 is a first electrode, and the cathode 109 is a second electrode.
  • the hole injection layer 103 is a first charge injection transport layer, and the electron transport layer 108 is a second charge injection transport layer.
  • the anode 102 is disposed on the TFT substrate 100 side and the cathode 109 is disposed on the CF panel 117 side.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the arrangement relationship between the anode 102 and the cathode 109 in the Z-axis direction can be reversed.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing the structure of a cross section corresponding to the AA cross section in FIG. 2 of the display panel 40.
  • the display panel 40 is a top emission type display panel.
  • a cathode 409 is disposed on the TFT substrate 100 side, and an anode 402 is disposed on the CF panel 117 side.
  • an electron transport layer 108, an intermediate layer 107, an organic light emitting layer 106, a hole transport layer 105, and a hole injection layer 103 are stacked in this order from the cathode 409 side between the cathode 409 and the anode 402.
  • the display panel 40 according to this modification is a top emission type, and light is extracted from the anode 402 side. Therefore, the anode 402 needs to be formed of a light transmissive material.
  • the anode 402 is formed using, for example, indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • permeability is 80 [%] or more.
  • the cathode 409 is made of a metal material containing silver (Ag) or aluminum (Al).
  • the surface portion thereof preferably has high reflectivity.
  • the cathode 409 not only a single layer structure made of a metal material as described above but also a laminate of a metal layer and a transparent conductive layer can be adopted.
  • a constituent material of the transparent conductive layer for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like can be used.
  • the thickness of the electron transport layer 108 differs depending on the emission color.
  • the layer thickness of the electron transport layer 108 of the subpixel 410a of the emission color R is T108a
  • the layer of the electron transport layer 108 of the subpixel 410b of the emission color G T108c ⁇ T108b ⁇ T108a
  • T108b is the thickness
  • T108c is the layer thickness of the electron transport layer 108 of the subpixel 410c of the emission color B.
  • the electron transport layer 108 has a lower electrical resistivity than the organic light emitting layer 106, even when the thickness of the electron transport layer 108 is increased, the electron transport layer 108 is compared with the case of adjusting the cavity by increasing the layer thickness of the organic light emitting layer 108. Thus, an increase in drive voltage is suppressed. Therefore, it is possible to realize good light emission efficiency while suppressing an increase in driving voltage.
  • the relationship of the layer thickness of the electron transport layer 108 in each subpixel is T108c ⁇ T108b ⁇ T108a.
  • the layer thickness of the electron transport layer 108 is preferably set to a layer thickness at which the optical cavity of the subpixel is optimal for each emission color.
  • the CF panel substrate 111 is a substrate
  • the anode 402 is a first electrode
  • the cathode 409 is a second electrode.
  • At least one of the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105 is a first charge injection transport layer
  • the electron transport layer 108 is a second charge injection transport layer.
  • the display panel 40 according to the modification 3 is a top emission type display panel, but is not limited thereto, and the configuration of the modification 3 may be applied to a bottom emission type display panel.
  • the bottom emission type display panel according to Modification 4 is different from the display panel 40 according to Modification 3 in the following points. That is, the anode 402 has light reflectivity and the cathode 409 is made of a light transmissive material. Specifically, the anode 402 is made of a metal material containing silver (Ag) or aluminum (Al), and the cathode 409 is formed using indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. ing.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105 are formed as a continuous layer in common to a plurality of subpixels. At least one of 103 and the hole transport layer 105 is formed for each subpixel, and in each subpixel having a different emission color, the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105 are formed for each subpixel. Layer thickness is different. That is, the layer thickness of at least one of the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105 is defined so that the optical cavity of each subpixel is optimized based on the wavelength of the emission color. Thereby, good luminous efficiency can be realized.
  • the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105 have a lower electrical resistivity than the organic light emitting layer 106, the thickness of the organic light emitting layer is increased even if the thickness of the hole injection layer 103 or the hole transport layer 105 is increased. As compared with the case where the cavity adjustment is performed by increasing the driving voltage, an increase in driving voltage is suppressed. Therefore, it is possible to realize good light emission efficiency while suppressing an increase in driving voltage.
  • both the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105 are formed for each subpixel, the thicknesses of both the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105 are different in the subpixels having different emission colors. Either one of them may be different.
  • the CF panel substrate 111 is a substrate
  • the anode 402 is a first electrode
  • the cathode 409 is a second electrode.
  • At least one of the hole injection layer 103 and the hole transport layer 105 is a first charge injection transport layer
  • the electron transport layer 108 is a second charge injection transport layer.
  • the first electron transport layer portion 308a in Modification 1 may be applied to the configurations of Modification 3 and Modification 4. Also in this case, the first electron transport layer portion 308a is disposed between the intermediate layer 107 and the electron transport layer 108 (corresponding to the second electron transport layer portion 308b of Modification 1). Alternatively, the first electron transport layer portion 308a may be formed with a different layer thickness for each subpixel based on the emission color, and the layer thickness of the first electron transport layer portion 308a may be used for cavity adjustment.
  • the configuration of the display panel according to this modification may be a top emission type or a bottom emission type.
  • the display panel 10 has a so-called line bank structure including the first bank 104 and the second bank 115 having a height lower than that of the first bank 104, but is not limited thereto.
  • the first bank and the second bank may have the same height and may have a so-called pixel bank structure formed integrally.
  • a metal oxide thin film may be further provided between the anode 102 and the hole injection layer 103.
  • the metal oxide include tungsten oxide and molybdenum oxide.
  • the metal oxide thin film is formed by sputtering or the like. Therefore, when changing the layer thickness depending on the emission color, sputtering must be performed many times using a mask for each color, and the process becomes complicated. Formed with.
  • the cavity length includes the thickness of such a metal oxide thin film. For the above reason, it is easier to adjust the cavity by changing the thickness of the hole injection layer 103.
  • the electron transport layer 308 has a two-layer structure including a first electron transport layer portion 308a and a second electron transport layer portion 308b, and both layers include an alkali metal or an alkaline earth metal. It was. However, the present invention is not limited to this, and the second electron transport layer portion may not be doped with an alkali metal or an alkaline earth metal.
  • FIG. 8 shows a configuration of a display panel 50 that is an organic light emitting device according to Modification 8.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure corresponding to the AA cross section in FIG. 2 of the display panel 50.
  • the electron transport layer 508 includes a first electron transport layer portion (first charge injection transport layer portion) 508a and a second electron transport layer portion (second charge injection transport layer portion) 508b.
  • the first electron transport layer portion 508a is the same as the first electron transport layer portion 308a in the first modification.
  • the second electron transport layer portion 508b is the same as the electron transport layer 108 in the embodiment and the second electron transport layer portion 308b in Modification 1 except that the metal is not doped. That is, the second electron transport layer portion 508 b is made of an organic material having a function of transporting electrons injected from the cathode 109 to the organic light emitting layer 106.
  • organic material for example, a ⁇ -electron low molecular weight organic material such as an oxadiazole derivative (OXD), a triazole derivative (TAZ), or a phenanthroline derivative (BCP, Bphen) can be used.
  • OXD oxadiazole derivative
  • TEZ triazole derivative
  • BCP phenanthroline derivative
  • the second metal contained in the first electron transport layer portion 508a decomposes the bond between the first metal contained in the intermediate layer 107 and fluorine, and the same effect as in Modification 1 is obtained. be able to.
  • the active matrix type display panel is employed in the above-described embodiment and each modification, the present invention is not limited to this.
  • the present invention can be applied to a passive matrix display panel.
  • one pixel is composed of a combination of three subpixels 10a, 10b, and 10c each having a rectangular shape in plan view.
  • the invention is not limited to this.
  • the planar view shape of each subpixel may be a triangle, a hexagon, or an octagon.
  • it can also be made into a honeycomb shape as a whole.
  • the first bank may be meandered in a crank shape in plan view.
  • the number of subpixels constituting one pixel may be two, or four or more. In this case, a plurality of subpixels constituting one pixel may emit light of different colors, or a part thereof may emit light of the same color.
  • a wiring layer (bus bar wiring) connected to the cathode may be provided between adjacent pixels in the X-axis direction in FIG.
  • the constituent material of the intermediate layer is not limited to NaF, and the constituent material of the first electron transport layer portion is not limited to Ba.
  • the intermediate layer may be made of an alkali metal or alkaline earth metal fluoride, and may contain impurities.
  • the first electron transport layer portion may be made of an alkali metal or an alkaline earth metal, and more preferably the same as the doped metal in the adjacent second electron transport layer portion.
  • the organic light emitting device and the display device according to the present invention have been described based on the embodiments and the respective modifications.
  • the present invention is not limited to the above embodiments and the respective modifications.
  • the present invention is useful for realizing an organic light emitting device and an organic display device having high luminous efficiency.
  • Organic EL display 10, 30, 40, 50 Display panel (organic light-emitting device) 10a, 10b, 10c. Subpixel (light emitting part) 20. Drive / control circuit section 100. TFT substrate (substrate) 102. Anode (first electrode, second electrode) 103. Hole injection layer (first charge injection transport layer, second charge injection transport layer) 105. Hole transport layer 106. Organic light emitting layer 107. Intermediate layer 108,308,508. Electron transport layer (first charge injection transport layer, second charge injection transport layer) 109. Cathode (first electrode, second electrode) 308a, 508a. First electron transport layer portion (first charge injection transport layer portion) 308b, 508b. Second electron transport layer portion (second charge injection transport layer portion)

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Abstract

　有機発光デバイスの発光色が異なる複数の発光部は各々、基板の上方に第１電極、第１電荷注入輸送層、有機発光層、中間層、第２電荷注入輸送層、第２電極が配置されている。中間層はアルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物を含む。第２電荷注入輸送層はアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む。第１電極と第２電極のうち一方は光反射性、他方は光透過性を有する。第１電荷注入輸送層と第２電荷注入輸送層のうち、第１電極と第２電極のうちの光反射性を有する方の電極と有機発光層との間に配置された方の層の厚みは、第１発光部と前記第２発光部とで異なる。

Description

有機発光デバイスおよび表示装置
　本発明は、有機発光デバイスおよび表示装置に関し、特に発光効率の向上に関する。
　近年、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルや有機ＥＬ照明等の有機発光デバイスの開発が盛んに行われている。
　有機ＥＬパネルでは、基板の主面に沿って複数のサブピクセルが二次元配置された構成を有する。各サブピクセルにおいては、基板の上方に、アノード、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、カソードの順に積層された構成を有する。また、ホール注入層，ホール輸送層，電子輸送層は、電荷（電子，ホール）をアノードやカソードから有機発光層側へと注入する機能や電荷をアノードやカソードから有機発光層へと輸送する機能を有することから、これらの層を電荷注入輸送層と称する。
　ここで、電子輸送層として、例えば、バリウムをドープしてなる有機材料からなる層を採用することが研究・開発されている。このような電子輸送層を採用すれば、高い電子注入特性を得ることができる。
　また、上記のような電荷注入輸送層が不純物（水分や酸素）の影響で劣化し易いという問題に鑑み、特許文献１には、無機材料からなるバリア層が有機発光層と電子輸送層との間に配置された構成が開示されている。特許文献１で紹介されている無機材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯX）などが挙げられている。
特許第４８８２５０８号公報
　しかしながら、上記特許文献１のように無機材料からなるバリア層が有機発光層と電子輸送層との間に配置されると、発光効率の低下という問題を生じるものと考えられる。これは、上記特許文献１で紹介されている無機材料は、電子注入性が低く、バリア層が障壁となるために有機発光層への電子の注入が阻害されるためであると考えられる。
　このような電子注入性の低下を抑制すべく、電子輸送層としてアルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料を含む層を採用するとともに、有機発光層と電子輸送層との間にアルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物を含む中間層が配置された構成の開発が進められている。
　このような中間層は、不純物のブロック機能を有しながら、高い電子注入性を得ることができるものと考えられる。
　上記の構成によって発光効率低下の抑制が試みられているが、有機ＥＬパネルをはじめとする有機発光デバイスでは、更なる発光効率の向上が求められている。
　本発明は、不純物による電荷注入輸送層の劣化を抑制しつつ、発光効率の向上を図ることができる有機発光デバイスおよび表示装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスである。前記複数の発光部の各々は、前記基板の上方に配置された第１電極と、前記第１電極の上方に配置された第１電荷注入輸送層と、前記第１電荷注入輸送層の上方に配置された有機発光層と、前記有機発光層の上方に配置された中間層と、前記中間層上に配置された第２電荷注入輸送層と、前記第２電荷注入輸送層の上方に配置された第２電極とを有し構成されている。前記中間層は、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を含む。前記第２電荷注入輸送層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料を含む。前記第１電極および前記第２電極のうち、一方は光反射性を、他方は光透過性を有する。前記複数の発光部は、互いに発光色の異なる第１発光部と第２発光部とを含む。そして、前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層の厚みは、前記第１発光部と前記第２発光部とで異なることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る有機発光デバイスにおいては、第２電荷注入輸送層としてアルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料を含む層が採用されているので、高い発光効率を得ることができる。
　また、有機発光層と第２電荷注入輸送層との間に、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を含む層である中間層が配置されているので、高い不純物ブロック性を有する。これにより、有機発光層などからの不純物が電荷注入輸送層に対して侵入しようとするのを効果的にブロックすることができ、電子注入輸送層の劣化を抑制し、高い保管安定性を実現することができる。これにより、有機発光デバイスの高い電荷注入性を実現することができる。
　さらに、上記態様に係る有機発光デバイスでは、互いに発光色の異なる第１発光部と第２発光部とを含む。また、第１電極と第２電極のうち光反射性を有する方の電極と有機発光層との間に配置された第１電荷注入輸送層または第２電荷注入輸送層の厚みが、第１発光部と第２発光部とで異なる。第１電極と第２電極のうち光反射性を有する方の電極と有機発光層との間に配置された第１電荷注入輸送層または第２電荷注入輸送層の厚みは、有機発光層から直接外部へと出射される直接出射光と、光反射性を有する電極表面で反射された後外部へと出射される反射出射光との光路長の差に影響する。上記態様に係る有機発光デバイスでは、第１電極と第２電極のうち光反射性を有する方の電極と有機発光層との間に配置された第１電荷注入輸送層または第２電荷注入輸送層の厚みが、第１発光部と第２発光部とで異なっており、第１発光部と第２発光部とで同じ層厚で共通に形成されてはいない。従って、第１発光部および第２発光部のそれぞれにおいて、直接出射光と反射出射光との共振効果が得られるようにキャビティ調整を行うことができ、第１発光部および第２発光部それぞれにおいて、発光効率の向上を図ることができる。
　以上より、上記態様に係る有機発光デバイスでは、不純物による電荷注入輸送層の劣化を抑制しつつ、更なる発光効率の向上を図ることができる。
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す模式ブロック図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルにおけるサブピクセルの配置形態を示す模式平面図である。 図２のＡ－Ａ断面での構成を示す模式断面図である。 （ａ）は、図２の表示パネルにおけるバンクの配置形態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、そのＢ－Ｂ断面での一部構成を示す模式断面図であり、（ｃ）は、Ｃ－Ｃ断面での一部構成を示す模式断面図である。 ホール注入層および有機発光層の厚みと、発光効率および駆動電圧との関係を示す図である。 変形例１に係る表示パネルの構成を示す模式断面図である。 変形例３に係る表示パネルの構成を示す模式断面図である。 変形例８に係る表示パネルの構成を示し模式断面図である。
　≪本発明の一態様の概要≫
　本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスである。前記複数の発光部の各々は、前記基板の上方に配置された第１電極と、前記第１電極の上方に配置された第１電荷注入輸送層と、前記第１電荷注入輸送層の上方に配置された有機発光層と、前記有機発光層の上方に配置された中間層と、前記中間層上に配置された第２電荷注入輸送層と、前記第２電荷注入輸送層の上方に配置された第２電極とを有する。前記中間層は、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を含む。前記第２電荷注入輸送層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む。前記第１電極および前記第２電極のうち、一方は光反射性を、他方は光透過性を有する。前記複数の発光部は、互いに発光色の異なる第１発光部と第２発光部とを含む。そして、前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層の厚みは、前記第１発光部と前記第２発光部とで異なることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る有機発光デバイスにおいては、第２電荷注入輸送層がアルカリ金属またはアルカリ土類金属含むので、低駆動電圧で高い発光効率を得ることができる。
　また、有機発光層と第２電荷注入輸送層との間に、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を含む層である中間層が配置されているので、高い不純物ブロック性を有する。これにより、有機発光層からの不純物が第２電荷注入輸送層および第２電極に対して侵入しようとするのを効果的にブロックすることができ、第２電荷注入輸送層および第２電極の劣化を抑制し、高い電荷注入性を持続させることができる。またこれにより、高い保管安定性を有する有機発光デバイスを実現することができる。
　さらに、上記態様に係る有機発光デバイスでは、互いに発光色の異なる第１発光部と第２発光部とを含む。そして、第１電極と第２電極のうち光反射性を有する方の電極と有機発光層との間に配置された第１電荷注入輸送層または第２電荷注入輸送層の厚みが、第１発光部と第２発光部とで異なる。即ち、第１発光部と第２発光部とで上記の層がそれぞれ個別に形成されているため、第１発光部と第２発光部とのそれぞれでキャビティ調整を行うことができ、それぞれ共振効果により発光効率の向上を図ることができる。
　以上より、上記態様に係る有機発光デバイスでは、不純物による電荷注入輸送層の劣化を抑制しつつ、発光効率の向上を図ることができる。
　また、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された前記第１電荷注入輸送層または前記第２電荷注入輸送層の厚みは、前記複数の発光部それぞれの発光色の波長に基づいて、共振効果が得られる厚みに決定されていてもよい。
　これにより、それぞれの発光部において共振効果により発光効率の向上を図ることができる。
　また、前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層は、前記有機発光層よりも電気抵抗率が低くてもよい。
　これにより、有機発光層の厚みを厚くしてキャビティ調整を行う場合と比較して、キャビティ調整に伴い上記層の層厚を厚くした場合の駆動電圧の上昇を抑制することができる。
　また、前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層は、有機材料を用いてウェットプロセスにより形成されていてもよい。
　これにより、発光部ごとにキャビティ調整のために上記層の層厚を容易に変えることができる。
　また、前記中間層に含まれるフッ化物におけるアルカリ金属またはアルカリ土類金属を第１金属とし、前記第２電荷注入輸送層に含まれるアルカリ金属またはアルカリ土類金属を第２金属とすると、前記第２金属は、前記第１金属のフッ化物における前記第１金属とフッ素との結合を切る性質を有してもよい。
　これにより、有機発光層側から第２電荷注入輸送層および第２電極へと不純物が侵入するのを中間層に含まれる第１金属のフッ化物により阻害して、良好な保存安定性を実現することができる。また、第２電荷注入輸送層に含まれる第２金属が、第１金属とフッ素との結合を切って第１金属を遊離させる。遊離した第１金属はアルカリ金属またはアルカリ土類金属であり電子注入性に優れているため、良好な発光効率を実現することができる。
　また、第２金属として比較的仕事関数が低く電子供給能の高いアルカリ金属またはアルカリ土類金属が用いられているため、フッ素との反応性が比較的高く、第１金属とフッ素との結合を切りやすい。従って、第１金属の電子注入性がより効果的に作用し、良好な発光効率を実現することができる。
　また、前記第２電荷注入輸送層は、前記第２金属がドープされた有機材料から成ってもよい。
　これにより、第２電荷注入輸送層にドープされた第２金属が、中間層に含まれる第１金属のフッ化物に作用することができる。
　また、前記第２電荷注入輸送層は、前記第２金属から成る第１電荷注入輸送層部分と、有機材料を含む第２電荷注入輸送層部分とが積層されてなり、前記第１電荷注入輸送層部分は、前記中間層に接して配置されていてもよい。
　第１電荷注入輸送層部分が第２金属から成るため、中間層に含まれる第１金属のフッ化物に対して、より高濃度で第２金属を作用させることができる。
　また、前記第２電荷注入輸送層部分は、前記有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされて成ってもよい。
　これにより、前記第２電荷注入輸送層部分の電荷注入輸送性を向上させることができる。
　また、前記第２電荷注入輸送層部分において、前記有機材料にドープされているアルカリ金属またはアルカリ土類金属は、前記第２金属であってよい。
　これにより、第１電荷注入輸送層部分および第２電荷注入輸送層部分を形成する際に共通の金属材料を用いることができ、製造が容易であり、コストに資することができる。
　また、前記第２電荷注入輸送層部分における前記有機材料は、ドープ金属を含まなくてもよい。
　これにより、第２電荷注入輸送層部分に金属をドープする工程を省略することができ、製造が容易であり、コストに資することができる。
　また、前記第１電極は、アノードであり、前記第２電極は、カソードであり、前記第１電荷注入輸送層は、ホール注入層であり、前記第２電荷注入輸送層は、電子輸送層であってもよい。
　これにより、有機発光層側から不純物が第２電極であるカソードおよび第２電荷注入輸送層である電子輸送層へと侵入するのを中間層により阻害し、カソードおよび電子輸送層の不純物による劣化を抑制して、良好な保存安定性を実現することができる。
　また、前記第１電極は、光反射性を有し、前記第１電荷注入輸送層は、導電性有機材料または有機半導体材料から成り、前記第１発光部と前記第２発光部とでその厚みが異なっていてもよい。
　第１電荷注入輸送層であるホール注入層が有機材料から成るため、ウェットプロセスを用いて容易にホール注入層を形成することができる。従って、第１電極であるアノード表面で光を反射し、第２電極であるカソード側から光を取り出す構成の場合において、キャビティ調整のために第１発光部と第２発光部とでホール注入層を異なる層厚で形成するのが容易である。
　また、前記第２電極は、光反射性を有し、前記第２電荷注入輸送層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むπ電子系有機材料から成ってもよい。
　第２電荷注入輸送層である電子輸送層がπ電子系有機材料から成るため、ウェットプロセスを用いて電子輸送層を形成することができる。従って、第２電極であるカソード表面で光を反射し、第１電極であるアノード側から光を取り出す構成の場合において、キャビティ調整のために第１発光部と第２発光部とで電子輸送層を異なる層厚で形成することが可能である。
　また、前記第１電極は、カソードであり、前記第２電極は、アノードであり、前記第１電荷注入輸送層は、電子輸送層であり、前記第２電荷注入輸送層は、ホール注入層であってもよい。
　これにより、有機発光層側から不純物が第２電極であるアノードおよび第２電荷注入輸送層であるホール注入層へと侵入するのを中間層により阻害し、アノードおよびホール注入層の不純物による劣化を抑制して、良好な保存安定性を実現することができる。
　また、前記第１電極は、光反射性を有し、前記第１電荷注入輸送層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むπ電子系低分子有機材料から成ってもよい。
　第１電荷注入輸送層である電子輸送層がπ電子系有機材料から成るため、ウェットプロセスを用いて電子輸送層を形成することができる。従って、第１電極であるカソード表面で光を反射し、第２電極であるアノード側から光を取り出す構成の場合において、キャビティ調整のために第１発光部と第２発光部とで電子輸送層を異なる層厚で形成するのが容易である。
　また、前記第２電極は、光反射性を有し、前記第２電荷注入輸送層は、導電性有機材料から成ってもよい。
　第２電荷注入輸送層であるホール注入層が導電性有機材料から成るため、ウェットプロセスを用いてホール注入層を形成することができる。従って、第２電極であるアノード表面で光を反射し、第１電極であるカソード側から光を取り出す構成の場合において、キャビティ調整のために第１発光部と第２発光部とでホール注入層を異なる層厚で形成することが可能である。
　また、前記第１発光部の発光色の波長は、前記第２発光部の発光色の波長よりも長く、前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層は、前記第１発光部において前記第２発光部においてよりも厚くてもよい。
　これにより、第２発光部よりも発光色の波長が長い第１発光部において、より長い光路長を確保して、共振効果による発光効率の向上を図ることができる。
　また、本発明の別の一態様に係る表示装置は、表示パネルと、前記表示パネルに接続された制御駆動回路と、を備え、前記表示パネルとして、上記何れかのデバイス構造が採用されていることを特徴とする。
　本発明の別の一態様に係る表示装置によっても、上記有機発光デバイスと同様の効果を得ることができる。
　以下、本発明の実施形態および変形例について具体例を示し、構成および作用・効果を説明する。
　なお、以下の説明で用いる実施形態および変形例は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例示であって、本発明は、その本質的部分以外に何ら以下の実施形態および変形例に限定を受けるものではない。
　≪実施形態≫
　[１．有機ＥＬ表示装置１の概略構成]
　本発明の一態様である実施形態に係る表示装置の概略構成について、図１および図２を用い説明する。
　図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動・制御回路部２０とを備えている。表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルであり、複数のピクセル（画素）を有する。
　図２に示すように、各ピクセルは、赤色（Ｒ）の発光部であるサブピクセル１０ａと、緑色（Ｇ）の発光部であるサブピクセル１０ｂと、青色（Ｂ）の発光部であるサブピクセル１０ｃとから構成されている。本実施形態では、複数のサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、Ｘ－Ｙ軸方向にマトリクス状に配置（二次元配置）されている。
　図１に戻って、駆動・制御回路部２０は、４つの駆動回路２１，２２，２３，２４と制御回路２５とから構成されている。
　なお、有機ＥＬ表示装置１における表示パネル１０と駆動・制御回路部２０との配置関係については、図１の形態には限定されない。
　また、表示パネル１０におけるピクセルの構成については、図２に示すようなＲ，Ｇ，Ｂの３色のサブピクセル（発光部）からなる形態に限定されず、４色以上の発光部から１ピクセルが構成されることとしてもよい。
　[２．表示パネル１０の構成]
　表示パネル１０の構成について、図３を用い説明する。本実施形態に係る表示パネル１０は、一例としてトップエミッション型の有機ＥＬパネルを採用する。なお、図３は、図２におけるＡ－Ａ断面図である。
　図３に示すように、表示パネル１０は、ＴＦＴ基板（基板）１００をベースとして、その上面に絶縁層１０１が積層されている。絶縁層１０１は、そのＺ軸方向上面が略平坦となるように形成されている。なお、図３などでは、ＴＦＴ基板１００におけるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層の図示を省略し、簡略化した図としている。
　絶縁層１０１のＺ軸方向上面には、アノード１０２およびホール注入層１０３が順に積層形成されている。アノード１０２およびホール注入層１０３については、サブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃごとに設けられている。ただし、ホール注入層１０３については、サブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃ間で連続した状態で形成することも可能である。
　次に、絶縁層１０１上およびホール注入層１０３のＸ軸方向両端上を覆うように、第１バンク１０４が形成されている。第１バンク１０４は、Ｘ軸方向において、隣接するサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃ間に挿設され、Ｘ軸方向における発光領域に相当する開口を規定する。
　隣接するバンク１０４間に規定された開口内には、Ｚ軸方向下側から順に、ホール輸送層１０５、有機発光層１０６が積層形成されている。
　有機発光層１０６上およびバンク１０４の頂面上には、これらを覆うように、中間層１０７、電子輸送層１０８、カソード１０９および封止層１１０が順に積層形成されている。
　封止層１１０のＺ軸方向上側には、樹脂層１１４が積層されている。そして、樹脂層１１４の上には、ＣＦパネル基板１１１のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１１２およびブラックマトリクス層１１３が形成されてなるＣＦパネル１１７が貼り合わせられている。樹脂層１１４は、封止層１１０，カラーフィルタ層１１２およびブラックマトリクス層１１３に対して密に接している。
　なお、本実施形態においては、ＴＦＴ基板１００が基板であり、アノード１０２が第１電極であり、カソード１０９が第２電極である。また、ホール注入層１０３が第１電荷注入輸送層であり、電子輸送層１０８が第２電荷注入輸送層である。
　[３．バンク１０４，１１５の配置形態]
　次に、表示パネル１０におけるバンク１０４，１１５の配置形態について、図４を用い説明する。
　図４（ａ）に示すように、本実施形態に係る表示パネル１０では、各々がＹ軸方向に長尺で、Ｘ軸方向に互いに間隔をあけて配置された複数条の第１バンク１０４と、各々がＸ軸方向に長尺で、Ｙ軸方向に互いに間隔をあけて配置された複数条の第２バンク１１５とを備える。即ち、本実施形態では、所謂ラインバンク構造を採用している。
　隣接する一対の第１バンク１０４と、隣接する一対の第２バンク１１５とで規定される各領域が、サブピクセル形成領域１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃである。サブピクセル形成領域１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃ内に各サブピクセルの発光色に対応した有機発光層やホール輸送層等の各種機能層が形成され、サブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃとなる。
　図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１バンク１０４は、Ｘ軸方向に隣接するサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃ間に配置されており、絶縁層１０１の上面を基準とする高さがｈである。
　一方、図４（ａ），（ｃ）に示すように、第２バンク１１５は、Ｙ軸方向に隣接するアノード１０２間に配置されている。絶縁層１０１の上面を基準とする第２バンク１１５の高さはＨ１１５である。ここで、第２バンク１１５の高さＨ１１５は、第１バンク１０４の高さＨ１０４に比べて、４０％～７０％の範囲内、より詳細には５０％～５５％の範囲内にある。
　[４．表示パネル１０の各構成材料]
　（１）ＴＦＴ基板１００
　ＴＦＴ基板１００は、基板と、当該基板のＺ軸方向上面に形成されたＴＦＴ層とから構成されている。ＴＦＴ層については、図示を省略しているが、ゲート、ソース、ドレインの３電極と、半導体層、パッシベーション膜などを含み構成されている。
　ＴＦＴ基板１００のベースとなる基板は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板のほか、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板や、ガリウム砒素基板などの半導体基板、プラスチック基板等を用い形成されている。
　プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン，ポリプロピレン，エチレン－プロピレン共重合体，エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン，環状ポリオレフィン，変性ポリオレフィン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド，ポリイミド（ＰＩ），ポリアミドイミド，ポリカーボネート，ポリ－（４－メチルベンテン－１），アイオノマー，アクリル系樹脂，ポリメチルメタクリレート，アクリル－スチレン共重合体（ＡＳ樹脂），ブタジエン－スチレン共重合体，ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリブチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル，ポリエーテル，ポリエーテルケトン，ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），ポリエーテルイミド，ポリアセタール，ポリフェニレンオキシド，変形ポリフェニレンオキシド，ポリアリレート，芳香族ポリエステル（液晶ポリマー），ポリテトラフルオロエチレン，ポリフッ化ビニリデン，その他フッ素系樹脂，スチレン系，ポリオレフィン系，ポリ塩化ビニル系，ポリウレタン系，フッ素ゴム系，塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ユリア樹脂，メラミン樹脂，不飽和ポリエステル，シリコーン樹脂，ポリウレタン等，またはこれらを主とする共重合体，ブレンド体，ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
　（２）絶縁層１０１
　絶縁層１０１は、例えば、ポリイミド，ポリアミド，アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。ここで、絶縁層１０１は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
　また、絶縁層１０１は、製造工程中において、エッチング処理，ベーク処理等が施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形や変質などを生じない高い耐性を有する材料を用い形成されることが望ましい。
　（３）アノード１０２
　アノード１０２は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。本実施形態に係るトップエミッション型の表示パネル１０の場合には、その表面部が高い光反射性を有することが好ましい。
　なお、アノード１０２については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
　（４）ホール注入層１０３
　ホール注入層１０３は、例えば、銀（Ａｇ），モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），バナジウム（Ｖ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３，４－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）　Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ　ｓｕｌｆｏｎａｔｅ；ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）やＰｌｅｘｔｒｏｎｉｘ社製のＰｌｅｘｃｏｒｅ（登録商標）などの導電性有機材料からなる層である。
　本実施の形態においては、ホール注入層１０３は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどの導電性有機材料からなる。
　（５）第１バンク１０４
　第１バンク１０４は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。第１バンク１０４の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。第１バンク１０４は、表面にフッ素処理が施されることにより撥液性が付与されていてもよい。
　さらに、第１バンク１０４の構造については、図３および図４（ｂ）に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
　（６）第２バンク１１５
　第２バンク１１５は、無機絶縁材料や、有機絶縁材料などを用い形成されている。無機絶縁材料としては、例えば、ＳｉＯ２（酸化シリコン），ＳｉＮ（窒化シリコン），ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などが挙げられる。有機絶縁材料としては、例えば、アクリル系樹脂，ポリイミド系樹脂，シロキサン系樹脂，フェノール系樹脂などが挙げられる。
　（７）ホール輸送層１０５
　ホール輸送層１０５は、ホールをホール注入層１０３から有機発光層１０６へと効率よく輸送するため、ホール移動度の高い有機材料で形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
　（８）有機発光層１０６
　有機発光層１０６は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０６の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが好ましい。
　具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５－１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物，ペリレン化合物，クマリン化合物，アザクマリン化合物，オキサゾール化合物，オキサジアゾール化合物，ペリノン化合物，ピロロピロール化合物，ナフタレン化合物，アントラセン化合物，フルオレン化合物，フルオランテン化合物，テトラセン化合物，ピレン化合物，コロネン化合物，キノロン化合物及びアザキノロン化合物，ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体，ローダミン化合物，クリセン化合物，フェナントレン化合物，シクロペンタジエン化合物，スチルベン化合物，ジフェニルキノン化合物，スチリル化合物，ブタジエン化合物，ジシアノメチレンピラン化合物，ジシアノメチレンチオピラン化合物，フルオレセイン化合物，ピリリウム化合物，チアピリリウム化合物，セレナピリリウム化合物，テルロピリリウム化合物，芳香族アルダジエン化合物，オリゴフェニレン化合物，チオキサンテン化合物，シアニン化合物，アクリジン化合物，８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体，２－ビピリジン化合物の金属錯体，シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体，オキシン金属錯体，希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
　（９）中間層１０７
　中間層１０７は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物を含み構成されている。中間層１０７に用いられるアルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物としては、具体的には例えば、ＮａＦ（フッ化ナトリウム），ＬｉＦ（フッ化リチウム），ＣｓＦ（フッ化セシウム），ＣａＦ２（フッ化カルシウム），ＭｇＦ２（フッ化マグネシウム）などが挙げられる。本実施形態では、例えば、ＮａＦを用いて中間層１０７が形成されている。
　（１０）電子輸送層１０８
　電子輸送層１０８は、カソード１０９から注入された電子を有機発光層１０６へ輸送する機能を有し、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされてなる有機材料から構成されている。本実施形態では、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ），トリアゾール誘導体（ＴＡＺ），フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料に対して、Ｂａ（バリウム）がドープされてなる。
　なお、電子輸送層１０８の構成におけるドープ金属としては、Ｂａ以外にも、Ｌｉ（リチウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｃｅ（セシウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）等の低仕事関数金属や、フッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物、リチウムキノリノール等の低仕事関数金属有機錯体等が挙げられる。
　なお、ドープ金属の濃度については、例えば、５ｗｔ％～４０ｗｔ％の範囲内とすることが望ましい。
　（１１）カソード１０９
　カソード１０９は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの光透過性導電膜や、アルミ（Ａｌ）や銀（Ａｇ）を含む金属薄膜を用い形成されている。本実施形態のように、トップエミッション型の表示パネル１０の場合は、カソード１０９が光透過性の材料で形成されていることが必要である。カソード１０９の光透過性については、透過率が８０［％］以上であることが好ましい。
　（１２）封止層１１０
　封止層１１０は、有機発光層１０６などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ），窒化シリコン（ＳｉＮ），酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成される。また、これらの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂やシリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
　封止層１１０は、トップエミッション型である本実施形態に係る表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
　（１３）ＣＦパネル基板１１１
　ＣＦパネル基板１１１は、上記ＴＦＴ基板１００と同様に、例えば、ガラス基板，石英基板，シリコン基板，プラスチック基板等を用い形成されている。ＣＦパネル基板１１１についても、プラスチック基板を採用する場合には、熱可塑性樹脂，熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。
　（１４）カラーフィルタ層１１２
　カラーフィルタ層１１２は、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する、公知の材料から構成されている。カラーフィルタ層１１２は、例えば、アクリル樹脂をベースに形成されている。
　（１５）ブラックマトリクス層１１３
　ブラックマトリクス層１１３は、例えば、光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料から構成されている。具体的な紫外線硬化樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂等がある。
　（１６）樹脂層１１４
　樹脂層１１４は、透明樹脂材料（例えば、エポキシ系樹脂材料）から形成されている。ただし、樹脂層１１４の構成材料としては、これ以外にもシリコーン系樹脂などを用いることもできる。
　[５．有機発光層１０６およびホール注入層１０３の層厚と、発光効率および駆動電圧]
　ＲＧＢの３種類の発光部のうち、一般にＢの発光効率が最も低い。従来は、電子輸送層は、ＲＧＢ３種類の発光部に共通の層として設けられ、Ｂの発光効率が最大となるように電子輸送層の材料の選択や層厚等の設計が行われる場合が多い。しかしこの場合、Ｂの発光効率は最大化されるが、ＲやＧの発光部では、キャリアバランスが必ずしも最適な状態とはならず、最良の発光効率が得られない場合が多い。そこで、Ｒの発光部とＧの発光部について、光学キャビティを調整して発光効率の向上を図り、キャリアバランスの崩れによる発光効率の低下分を補う方法が従来から採用されている。
　ここで、Ｒ，Ｇ，Ｂの光の波長（原色）は、Ｒ＝７００ｎｍ，Ｇ＝５４６．１ｎｍ，Ｂ＝４３５．８ｎｍである。これに対して、有機発光デバイスの各種機能層の層厚は、通常、数ｎｍ～数十ｎｍ程度であるため、光学キャビティの調整を行う際に、機能層の層厚を薄くする方向で調整することは難しい。そのため、機能層の層厚を厚くして光学キャビティの調整を行う方法が一般的に採用される場合が多いと考えられる。
　有機発光層は、ＲＧＢそれぞれの発光色に対応した材料を用いて、それぞれの発光色毎に形成されるため、ＲＧＢそれぞれについて容易に層厚を変えることができる。従って、光学キャビティの調整を、有機発光層の層厚を変えることにより容易に行うことができる。
　しかしこの場合、有機発光層は電荷輸送層よりも電気抵抗率が高いため、キャビティ調整のために有機発光層の層厚を厚くすると、駆動電圧の増加が比較的大きいという問題がある。一方、有機発光層よりも電気抵抗率が低いホール注入層の層厚を変えることによりキャビティ調整を行えば、駆動電圧の上昇を抑制しつつ発光効率の改善を図ることができると考えられる。
　そこで、発明者らは、有機発光層１０６の層厚を厚くする代わりにホール注入層１０３の層厚を厚くした場合に、駆動電圧と発光効率とがどのように変化するのかを調べるために実験を行った。
　実験は、ホール注入層１０３の層厚が異なる２種類の発光部（発光色はＲ）それぞれについて、有機発光層１０６の層厚が異なる試験体を４つずつ用意し、それぞれについて発光効率および駆動電圧を測定して行った。実験に供した試験体のホール注入層１０３の層厚は、５ｎｍと２５ｎｍの２種類であり、有機発光層１０６の層厚は、９０，１００，１１０，１２０ｎｍの４種類である。
　測定結果をプロットしたグラフを図５に示す。図５に示すグラフにおいて、横軸は有機発光層１０６の層厚〔ｎｍ〕を示し、左側の縦軸は発光効率を示し、右側の縦軸は駆動電圧を示す。●（黒く塗りつぶされた円）は、ホール注入層１０３の層厚が２５ｎｍの試験体の発光効率を示す。▲（黒く塗りつぶされた三角形）は、ホール注入層１０３の層厚が２５ｎｍの試験体の駆動電圧を示す。○（輪郭線のみの円）は、ホール注入層１０３の層厚が５ｎｍの試験体の発光効率を示す。△（輪郭線のみの三角形）は、ホール注入層１０３の層厚が５ｎｍの試験体の駆動電圧を示す。実線の曲線は、ホール注入層の層厚が２５ｎｍの試験体の発光効率および駆動電圧それぞれについての近似曲線を示す。破線の曲線は、ホール注入層の層厚が５ｎｍの試験体の発光効率および駆動電圧それぞれについての近似曲線を示す。なお、発光効率は、ホール注入層１０３の膜厚が５ｎｍかつ有機発光層１０６の膜厚が１１０ｎｍの場合の発光効率を基準とした比で表し、駆動電圧は、ホール注入層１０３の膜厚が５ｎｍかつ有機発光層１０６の膜厚が１１０ｎｍの場合の駆動電圧との差分を表している。
　図５に示すように、駆動電圧については、ホール注入層１０３の層厚が５ｎｍの試験体も２５ｎｍの試験体も、有機発光層１０６の層厚が同じであれば略同じ駆動電圧を示した。また、有機発光層１０６の層厚が８０～１１０ｎｍの範囲においては、層厚が大きいほど駆動電圧が高くなり、層厚が１１０ｎｍと１２０ｎｍの試験体では、駆動電圧は略同じであった。以上の結果より、ホール注入層の層厚は駆動電圧にはあまり影響せず、有機発光層１０６の層厚が駆動電圧に対してより大きく影響していることがわかる。
　発光効率については、ホール注入層１０３の層厚が５ｎｍの試験体では、有機発光層１０６の層厚が９０～１１０ｎｍの範囲においては層厚が増加するにつれて発光効率も増加し、層厚１２０ｎｍでは層厚１１０ｎｍの場合よりも若干発光効率が低下した。ホール注入層１０３の層厚が２５ｎｍの試験体では、有機発光層１０６の層厚が９０ｎｍよりも１００ｎｍの試験体の方が高い発光効率を示し、１１０ｎｍでは、９０ｎｍの試験体よりも低い発光効率となった。そして、有機発光層１０６の層厚１２０ｎｍの試験体では、１１０ｎｍよりもさらに若干低い発光効率を示した。しかし、全体的には、ホール注入層１０３の層厚が２５ｎｍの場合、有機発光層１０６の層厚の違いによる発光効率の違いは比較的小さいものであった。
　ここで、図５に示すグラフにおいて、ホール注入層１０３の層厚が２５ｎｍで有機発光層１０６の層厚が９０ｎｍの試験体（試験体Ａとする）と、ホール注入層１０３の層厚が５ｎｍで有機発光層１０６の層厚が１１０ｎｍの試験体（試験体Ｂとする）とを比較してみる。試験体Ａは試験体Ｂよりも、ホール注入層１０３の層厚が２０ｎｍ厚く、有機発光層１０６の層厚が２０ｎｍ薄い。一方、試験体Ｂは試験体Ａよりも、ホール注入層１０３の層厚が２０ｎｍ薄く、有機発光層１０６の層厚が２０ｎｍ厚い。即ち、試験体Ａは、試験体Ｂにおいて有機発光層１０６の層厚を厚くした分を、代わりにホール注入層１０３の層厚を同じだけ厚くしたものに相当する。試験体Ａと試験体Ｂとを比較すると、試験体Ａの発光効率は試験体Ｂより５％ほど低いものの、駆動電圧は２Ｖ以上も低い。試験体Ａは、試験体Ｂよりも随分低い駆動電圧で、略同程度の発光効率を得ることができることを図５のグラフは示している。言い換えれば、キャビティ調整のためにキャビティ長を２０ｎｍ長くする場合に、有機発光層１０６の層厚を２０ｎｍ増大させる代わりにホール注入層１０３の層厚を２０ｎｍ増大させれば、駆動電圧の上昇を抑制しつつ良好な発光効率を実現することができることを示している。
　以上の結果から、有機発光層１０６に代えてホール注入層１０３の層厚を変化させて光学キャビティの調整を行うことにより、駆動電圧の上昇を抑制しつつ良好な発光効率を実現することができる。
　有機発光層とホール注入層の電気抵抗率の違いに着目していない従来の場合においては、通常、ホール注入層は、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のサブピクセル共通に一度の工程で形成される。従って、従来の場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のサブピクセルにおいて、ホール注入層の層厚は同じである。
　ここで、図３に戻って、本実施形態に係る表示パネル１０では、発光色によってホール注入層１０３の層厚が異なっている。表示パネル１０では、サブピクセル１０ａにおけるホール注入層１０３の層厚をＴ１０３ａとし、サブピクセル１０ｂにおけるホール注入層１０３の層厚をＴ１０３ｂとし、サブピクセル１０ｃにおけるホール注入層１０３の層厚をＴ１０３ｃとしており、Ｔ１０３ｃ＜Ｔ１０３ｂ＜Ｔ１０３ａである。ただし、これに限定を受けるものではない。ホール注入層１０３の層厚は、発光色ごとにサブピクセルの光学キャビティが最適となる層厚に設定されるのが好適である。
　また、図３に示すように、有機発光層１０６の層厚は、発光色によって異なる場合がある。本実施形態では、一例として、サブピクセル１０ａにおける有機発光層１０６の層厚をＴ１０６ａとし、サブピクセル１０ｂにおける有機発光層１０６の層厚をＴ１０６ｂとし、サブピクセル１０ｃにおける有機発光層１０６の層厚をＴ１０６ｃとしており、Ｔ１０６ｃ＜Ｔ１０６ｂ＜Ｔ１０６ａである。ただし、これに限定を受けるものではない。各色の有機発光層１０６に用いられる材料によっても良好な発光特性が得られる層厚は異なる。
　[６．実施形態のまとめ]
　本実施形態に係る有機発光デバイスである表示パネル１０においては、各サブピクセルの発光色の波長に基づいてホール注入層１０３の層厚を異ならせ、キャビティ調整が行われている。即ち、発光色ごとに、有機発光層１０６から外部へと直接（反射を経ることなく）出射される直接出射光と、アノード１０２表面で反射された後に外部へと出射される反射光との位相が揃うように、ホール注入層１０３の層厚が設定されている。従って、発光色が異なると、ホール注入層１０３の層厚も異なる。
　具体的には、例えば、図３に示すように、発光色がＲの発光部であるサブピクセル１０ａを第１発光部、発光色がＢの発光部であるサブピクセル１０ｃを第２発光部とすると、第１発光部のホール注入層１０３の層厚Ｔ１０３ａは、第２発光部のホール注入層１０３の層厚Ｔ１０３ｃとは異なっている。より具体的には、層厚Ｔ１０３ａは、層厚Ｔ１０３ｃよりも大きく設定されている。これは、Ｒ（赤）の波長は、Ｂ（青）の波長よりも長いため、Ｒの光の直接出射光と反射光の位相を揃えて共振の効果を得るためには、より長い調整距離が通常必要となるためである。
　なお、キャビティ調整は、アノード１０２とカソード１０９との間に配された各種機能層（有機発光層１０６を含む）の全体の層厚に基づいて行われるため、例えば有機発光層１０６の層厚によっては、必ずしもホール注入層の層厚Ｔ１０３ａが層厚Ｔ１０３ｃよりも大きくなるとは限らない。また、共振効果を何次の反射光まで含めて考えるかによっても調整対象の光路長が変わって来るので、必ずしもホール注入層の層厚Ｔ１０３ａが層厚Ｔ１０３ｃよりも大きいとは限らない。図３では、層厚Ｔ１０３ｃ＜Ｔ１０３ｂ＜１０３ａとなっているが、これらの層厚が必ずしも上記の関係を満たすとは限らず、例えば、大小関係が上記とは逆であってもよい。
　また、上記、本実施形態に係る有機発光デバイスである表示パネル１０の特徴についての説明においては、Ｒの発光部であるサブピクセル１０ａを第１発光部、発光色がＢの発光部であるサブピクセル１０ｃを第２発光部としたが、これに限られない。第１発光部と第２発光部の発光色が異なり、第１発光部のホール注入層の層厚と第２発光部のホール注入層の層厚とが異なっていれば、第１発光部と第２発光部の発光色は、Ｒ，Ｇ，Ｂいずれの組み合わせであってもよい。
　本実施の形態に係る有機発光デバイスである表示パネル１０の構成によると、発光色毎に、良好な発光効率が得られる光学キャビティとなるようにホール注入層１０３の層厚が規定されている。従って、有機発光層の層厚を変えることによりキャビティ調整を行う場合と比較して、駆動電圧の増加を抑制しつつ良好な発光効率を得ることができる。
　また、本実施形態に係る有機発光デバイスである表示パネル１０では、有機発光層１０６と電子輸送層１０８との間に、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を含む層である中間層１０７が配置されている。中間層１０７は高い不純物ブロック性を有するため、有機発光層１０６からの不純物が電子輸送層１０８およびカソード１０９に対して侵入しようとするのを効果的にブロックすることができ、高い保管安定性を実現することができる。よって、電子輸送層１０８の劣化を抑制し、高い電子注入性を持続させることができる。
　なお、本実施形態に係る表示パネル１０においては、ホール注入層１０３の層厚を発光色に基づいて変えることによりキャビティ調整が行われているが、これに限られない。ホール注入層１０３に代えてホール輸送層１０５の層厚を変えてキャビティ調整を行ってもよいし、ホール注入層１０３とホール輸送層１０５の両方の層厚を変えてキャビティ調整を行ってもよい。
　≪変形例≫
　以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することが出来る。なお、説明の重複を避けるため、実施形態と同じ構成要素については、同符号を付して、その説明を省略する。
　（変形例１）
　上記実施形態に係る表示パネル１０においては、電子輸送層１０８は単層構造であったが、これに限られず、電子輸送層が複数の層で構成されていてもよい。
　変形例１に係る有機発光デバイスである表示パネル３０の構成について、図６を用い説明する。なお、図６は、表示パネル３０の図２におけるＡ－Ａ断面に相当する断面の構造を模式的に示す図である。
　図６に示すように、本変形例に係る表示パネル３０における発光部であるサブピクセル３１０ａ，３１０ｂ，３１０ｃでは、アノード１０２とカソード１０９との間に有機発光層１０６が配置され、アノード１０２と有機発光層１０６との間には、アノード１０２の側から順に積層されたホール注入層１０３およびホール輸送層１０５が配置されている。そして、カソード１０９と有機発光層１０６との間には、中間層１０７が配置されている。ここまでの構成は、上記実施形態と同様である。
　本変形例においても、有機発光層１０６と中間層１０７との間に電子輸送層が配置されているのであるが、本変形例においては、電子輸送層３０８は、有機発光層１０６の側から順に積層された第１電子輸送層部分（第１電荷注入輸送層部分）３０８ａと第２電子輸送層部分（第２電荷注入輸送層部分）３０８ｂとの２層構造となっている。
　第２電子輸送層部分３０８ｂは、実施形態における電子輸送層１０８と同じである。
　ここで、中間層１０７に含まれるアルカリ金属またはアルカリ土類金属を「第１金属」とすると、第１電子輸送層部分３０８ａは、中間層１０７に含まれる第１金属のフッ化物に対して、第１金属とフッ素との結合を分解する機能を有する「第２金属」から成る層である。具体的には、第２金属は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である。より具体的には、例えば、第２金属は、バリウム（Ｂａ）である。
　なお、第１電子輸送層部分３０８ａは、第２金属のみから構成されている場合に限定されない。微量の不純物を有する場合が含まれることは勿論のことであるが、第２金属が第１電子輸送層部分３０８ａの主成分であればよい。ここで「主成分」とは、第１電子輸送層部分３０８ａ中に第２金属が、例えば、４０ｗｔ％以上含まれていればよい。
　以上のような構成を有する本変形例に係る表示パネル３０では、実施形態に係る表示パネル１０が奏する効果に加えて、次のような効果を奏することができる。
　中間層１０７における第１金属のフッ化物、即ち、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物（例えば、ＮａＦ）は電気絶縁性が高い。従って、電子輸送層３０８から有機発光層１０６への電子注入性が阻害されることが考えられる。そこで、本変形例のように、電子輸送層３０８の中間層１０７と接する側に第１電子輸送層部分３０８ａが配置され、第１電子輸送層部分３０８ａが第２金属であるアルカリ金属またはアルカリ土類金属から成ることにより、中間層１０７中におけるアルカリ金属またはアルカリ土類金属とフッ素との結合（第１金属とフッ素との結合）を第２金属で分解することができる。これにより、中間層１０７における第１金属であるアルカリ金属またはアルカリ土類金属（例えば、Ｎａ）が遊離する。第１金属は高い電子注入性を有するため、電子輸送層３０８から有機発光層１０６への電子注入性を高く維持することができる。
　なお、本変形例では、第１電子輸送層部分３０８ａの層厚を、中間層１０７の層厚に対して３％～２５％の範囲内とすることが望ましい。また、中間層１０７の層厚については１ｎｍ～１０ｎｍ程度とし、第１電子輸送層部分３０８ａの層厚については０．１ｎｍ～１ｎｍ程度とすることが望ましい。またこのとき、実際は中間層１０７と第１電子輸送層部分３０８ａとの境界は、明確には分かれておらず、中間層１０７を構成する材料と、第１電子輸送層部分３０８ａを構成する材料とが、製造の過程で多少混ざり合って形成されている場合もあると考えられる。その場合は、中間層１０７および第１電子輸送層部分３０８ａの層厚が上記の値の範囲内となるように意図した方法でこれらの層が形成されていればよい。
　また、第２電子輸送層部分３０８ｂにおけるドープ金属と、第１電子輸送層部分３０８ａを構成する第２金属とを同種の金属とすることが望ましい。これは、製造の容易性を考慮してのものである。特に、ドープ金属および第２金属にバリウムを用いることが望ましい。バリウムという汎用性の高い金属を用いることでコストの低減を図ることができるためである。
　本変形例においても、ホール注入層１０３の層厚を発光色毎に変化させてキャビティ調整を行うことにより、駆動電圧の上昇を抑制しつつ良好な発光効率を得ることができる。
　なお、本変形例においては、ＴＦＴ基板１００が基板であり、アノード１０２が第１電極であり、カソード１０９が第２電極である。また、ホール注入層１０３が第１電荷注入輸送層であり、電子輸送層３０８が第２電荷注入輸送層である。 本変形例においても、ホール注入層１０３の代わりにホール輸送層１０５の層厚を変えてキャビティ調整を行ってもよい。この場合は、ホール輸送層１０５が第１電荷注入輸送層である。また、ホール注入層１０３とホール輸送層１０５の両方の層厚を変えてキャビティ調整を行ってもよく、この場合は、ホール注入層１０３とホール輸送層１０５の両方が第１電荷注入輸送層である。
　（変形例２）
　実施形態に係る表示パネル１０は、トップエミッション型の有機ＥＬパネルであったが、これに限られない。表示パネル１０の構成を、ボトムエミッション型の有機ＥＬパネルに適用することも可能である。
　表示パネル１０の構成をボトムエミッション型の有機ＥＬパネルに適用した変形例２に係る表示パネルにおいては、下記の点で実施形態に係る表示パネル１０と異なっている。即ち、カソード１０９が光反射性を有し、アノード１０２が光透過性を有する材料で構成されている。具体的には、カソード１０９は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料で構成されており、アノード１０２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成されている。
　また、実施の形態に係る表示パネル１０では、電子輸送層１０８は、複数のサブピクセルに共通に一続きの層として形成されていたが、本変形例の場合、電子輸送層１０８は、サブピクセルごとにそれぞれ形成されており、発光色の異なるサブピクセルでは、電子輸送層１０８の層厚が異なっている。即ち、発光色の波長に基づいて、各サブピクセルの光学キャビティが最適となるように電子輸送層１０８の層厚が規定されている。これにより、良好な発光効率を実現することができる。さらに、電子輸送層１０８は有機発光層１０６よりも電気抵抗率が低いため、 電子輸送層１０８の層厚が増大しても、有機発光層の層厚を増大させてキャビティ調整を行う場合と比較して、駆動電圧の増大が抑制される。従って、駆動電圧の増大を抑制しつつ良好な発光効率を実現することができる。
　本変形例に係るボトムエミッション型の表示パネルにおいても、電子輸送層１０８は、有機発光層１０６よりも電気抵抗率が低いため、電子輸送層１０８の層厚で光学キャビティの調整を行うことにより、実施形態に係るトップエミッション型の表示パネル１０の場合と同様に、駆動電圧の増加を抑制しつつ良好な発光効率を実現することができる。
　なお、本変形例においては、光学キャビティの調整を電子輸送層１０８の層厚にて行うため、ホール注入層１０３の層厚は、各サブピクセル同じであってもよい。
　なお、本変形例においては、ＴＦＴ基板１００が基板であり、アノード１０２が第１電極であり、カソード１０９が第２電極である。また、ホール注入層１０３が第１電荷注入輸送層であり、電子輸送層１０８が第２電荷注入輸送層である。
　（変形例３）
　実施形態に係る表示パネル１０においては、ＴＦＴ基板１００側にアノード１０２が、ＣＦパネル１１７側にカソード１０９が配置された構成であったが、これに限られない。例えば、Ｚ軸方向におけるアノード１０２とカソード１０９との配置関係については、逆転した構造とすることもできる。
　本変形例に係る有機発光デバイスである表示パネル４０の構成について、図７を用い説明する。なお、図７は、表示パネル４０の図２におけるＡ－Ａ断面に相当する断面の構造を模式的に示す図である。本変形例においては、表示パネル４０は、トップエミッション型の表示パネルである。
　図７に示すように、本変形例に係る表示パネル４０における発光部であるサブピクセル４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃにおいては、ＴＦＴ基板１００側にカソード４０９が配置され、ＣＦパネル１１７側にアノード４０２が配置されている。そして、カソード４０９とアノード４０２との間に、カソード４０９側から順に、電子輸送層１０８，中間層１０７，有機発光層１０６，ホール輸送層１０５，ホール注入層１０３が積層されて配置されている。
　本変形例に係る表示パネル４０はトップエミッション型であり、アノード４０２側から光が取り出されるため、アノード４０２は、光透過性の材料で形成されていることが必要である。アノード４０２は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成されている。アノード４０２の光透過性については、透過率が８０［％］以上であることが好ましい。
　カソード４０９は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。本変形例に係るトップエミッション型の表示パネル４０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
　なお、カソード４０９については、上記のような金属材料からなる単層構造だけではなく、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
　本変形例に係る表示パネル４０では、図７に示すように、発光色によって電子輸送層１０８の層厚が異なっている。具体的には、例えば、図７に示す表示パネル４０の場合、発光色Ｒのサブピクセル４１０ａの電子輸送層１０８の層厚をＴ１０８ａとし、発光色Ｇのサブピクセル４１０ｂの電子輸送層１０８の層厚をＴ１０８ｂとし、発光色Ｂのサブピクセル４１０ｃの電子輸送層１０８の層厚をＴ１０８ｃとすると、Ｔ１０８ｃ＜Ｔ１０８ｂ＜Ｔ１０８ａとなっている。これは、それぞれのサブピクセルの発光色の波長に基づいて、電子輸送層１０８の層厚を光学キャビティが最適化される層厚に設定されているためである。このように、電子輸送層１０８の層厚を発光色毎に異ならせてキャビティ調節を行うことにより、良好な発光効率を実現することができる。さらに、電子輸送層１０８は有機発光層１０６よりも電気抵抗率が低いため、電子輸送層１０８の層厚が増大しても、有機発光層の層厚を増大させてキャビティ調整を行う場合と比較して、駆動電圧の増大が抑制される。従って、駆動電圧の増大を抑制しつつ良好な発光効率を実現することができる。
　なお、本変形例においては、各サブピクセルにおける電子輸送層１０８の層厚の関係は、Ｔ１０８ｃ＜Ｔ１０８ｂ＜Ｔ１０８ａであるとしたが、これに限定を受けるものではない。電子輸送層１０８の層厚は、発光色ごとにサブピクセルの光学キャビティが最適となる層厚に設定されるのが好適である。
　また、本変形例においては、ＣＦパネル基板１１１が基板であり、アノード４０２が第１電極であり、カソード４０９が第２電極である。また、ホール注入層１０３およびホール輸送層１０５のうち少なくとも一方が第１電荷注入輸送層であり、電子輸送層１０８が第２電荷注入輸送層である。
　（変形例４）
　変形例３に係る表示パネル４０は、トップエミッション型の表示パネルであったが、これに限られず、変形例３の構成をボトムエミッション型の表示パネルに適用することも可能である。
　変形例４に係るボトムエミッション型の表示パネルにおいては、以下の点で変形例３に係る表示パネル４０と異なっている。即ち、アノード４０２が光反射性を有し、カソード４０９が光透過性を有する材料で構成されている。具体的には、アノード４０２は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料で構成されており、カソード４０９は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成されている。
　また、変形例３に係る表示パネル４０では、ホール注入層１０３およびホール輸送層１０５は、複数のサブピクセルに共通に一続きの層として形成されていたが、本変形例の場合、ホール注入層１０３およびホール輸送層１０５のうち少なくとも一方が、サブピクセルごとにそれぞれ形成されており、発光色の異なるサブピクセルでは、ホール注入層１０３およびホール輸送層１０５のうち当該サブピクセルごとに形成されている層の層厚が異なっている。即ち、発光色の波長に基づいて、各サブピクセルの光学キャビティが最適となるようにホール注入層１０３およびホール輸送層１０５のうち少なくとも一方の層厚が規定されている。これにより、良好な発光効率を実現することができる。さらに、ホール注入層１０３およびホール輸送層１０５は有機発光層１０６よりも電気抵抗率が低いため、 ホール注入層１０３またはホール輸送層１０５の層厚が増大しても、有機発光層の層厚を増大させてキャビティ調整を行う場合と比較して、駆動電圧の増大が抑制される。従って、駆動電圧の増大を抑制しつつ良好な発光効率を実現することができる。
　なお、ホール注入層１０３およびホール輸送層１０５の両方がサブピクセルごとに形成されている場合は、発光色が異なるサブピクセルにおいて、ホール注入層１０３とホール輸送層１０５の両方の層厚が異なっていてもよいし、何れか一方が異なっていてもよい。
　また、本変形例においては、ＣＦパネル基板１１１が基板であり、アノード４０２が第１電極であり、カソード４０９が第２電極である。また、ホール注入層１０３およびホール輸送層１０５のうち少なくとも一方が第１電荷注入輸送層であり、電子輸送層１０８が第２電荷注入輸送層である。
　（変形例５）
　変形例３および変形例４の構成に、変形例１における第１電子輸送層部分３０８ａを適用してもよい。この場合においても、第１電子輸送層部分３０８ａは、中間層１０７と電子輸送層１０８（変形例１の第２電子輸送層部分３０８ｂに相当）との間に配置される。また、発光色に基づいてサブピクセルごとに異なる層厚で第１電子輸送層部分３０８ａを形成し、第１電子輸送層部分３０８ａの層厚をキャビティ調整に利用してもよい。
　本変形例に係る表示パネルの構成は、トップエミッション型であってもよいし、ボトムエミッション型であってもよい。
　（変形例６）
　実施形態に係る表示パネル１０は、第１バンク１０４と、第１バンク１０４よりも高さの低い第２バンク１１５とを備えた所謂ラインバンク構造を有する構成であったが、これに限られない。第１バンクと第２バンクとが同じ高さを有し、一体的に形成された、所謂ピクセルバンク構造を有していてもよい。
　この場合においても、発光色ごとにホール注入層１０３の層厚を変えてキャビティ調整を行うことにより、駆動電圧の上昇を抑制しつつ良好な発光効率を得ることができる。
　（変形例７）
　ホール注入性を向上させる目的で、アノード１０２とホール注入層１０３との間に、金属酸化物の薄膜をさらに設けてもよい。金属酸化物としては、例えば、酸化タングステンや酸化モリブデン等が挙げられる。この場合、金属酸化物の薄膜はスパッタ法などにより形成される。そのため、発光色によって層厚を変える場合、各色用のマスクを用いて何度もスパッタを行わなければならず、工程が煩雑になるため、一般に、一度のスパッタリングにより各発光色に共通の層厚で形成される。キャビティ長にはこのような金属酸化物の薄膜の層厚も含まれるが、上記の理由から、ホール注入層１０３の層厚を変えることによりキャビティ調整を行う方が容易である。
　（変形例８）
　変形例１では、電子輸送層３０８が第１電子輸送層部分３０８ａと第２電子輸送層部分３０８ｂとから成る２層構造であり、双方の層部分に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれていた。しかし、これに限られず、第２電子輸送層部分にアルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされていない構成としてもよい。図８に、変形例８に係る有機発光デバイスである表示パネル５０の構成を示す。なお、図８は、表示パネル５０の図２におけるＡ－Ａ断面に相当する断面の構造を模式的に示す図である。
　本変形例では、電子輸送層５０８が、第１電子輸送層部分（第１電荷注入輸送層部分）５０８ａおよび第２電子輸送層部分（第２電荷注入輸送層部分）５０８ｂから成る。第１電子輸送層部分５０８ａは、変形例１における第１電子輸送層部分３０８ａと同じである。第２電子輸送層部分５０８ｂは、金属がドープされていない点を除いては、実施形態における電子輸送層１０８及び変形例１における第２電子輸送層部分３０８ｂと同じである。即ち、第２電子輸送層部分５０８ｂは、カソード１０９から注入された電子を有機発光層１０６へ輸送する機能を有する有機材料から構成されている。当該有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ），トリアゾール誘導体（ＴＡＺ），フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料を用いることができる。
　本変形例の構成によっても、第１電子輸送層部分５０８ａに含まれる第２金属が、中間層１０７に含まれる第１金属とフッ素との結合を分解し、変形例１と同様の効果を得ることができる。
　［その他の事項］
　上記実施形態および各変形例では、有機発光デバイスの一例として、有機ＥＬパネルである表示パネルを採用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、有機ＥＬ照明等に本発明の構成を適用することでも上記と同様の効果を得ることができる。
　また、上記実施形態および各変形例では、アクティブマトリクス型の表示パネルを採用したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、パッシブマトリクス型の表示パネルに適用することも可能である。
　また、図２などに示すように、上記実施形態などでは、それぞれが平面視矩形状をした３つのサブピクセル１０ａ，１０ｂ，１０ｃの組み合わせを以って１ピクセルを構成することとしたが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、各サブピクセルの平面視形状については、三角形や六角形、あるいは八角形などとすることもできる。また、全体としてハニカム形状とすることもできる。この場合には、第１バンクが平面視においてクランク状に蛇行した形態とすることができる。また、１ピクセルを構成するサブピクセル数については、２つであってもよいし、４つ以上とすることもできる。この場合には、１ピクセルを構成する複数のサブピクセルが相互に異なる色の光を出射するものであってもよいし、一部が同色の光を出射するものであってもよい。
　また、図２などのＸ軸方向において、隣接するピクセル同士の間に、カソードに対して接続される配線層（バスバー配線）を設けることとしてもよい。
　また、中間層の構成材料はＮａＦに限定されるものではなく、第１電子輸送層部分の構成材料もＢａに限定されるものではない。中間層に関しては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物から構成されていればよく、不純物が混在していてもよい。
　同様に、第１電子輸送層部分に関しては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属から構成されていればよく、隣接する第２電子輸送層部分におけるドープ金属と同種であればより望ましい。
　以上、本発明に係る有機発光デバイスおよび表示装置について、実施形態および各変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施形態および各変形例に限定されるものではない。上記実施形態および各変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施形態および各変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
　本発明は、高い発光効率を有する有機発光デバイスおよび有機表示装置を実現するのに有用である。
　　　１．有機ＥＬ表示装置
　　１０，３０，４０，５０．表示パネル（有機発光デバイス）
　　１０ａ，１０ｂ，１０ｃ．サブピクセル（発光部）
　　２０．駆動・制御回路部
　１００．ＴＦＴ基板（基板）
　１０２．アノード（第１電極，第２電極）
　１０３．ホール注入層（第１電荷注入輸送層，第２電荷注入輸送層）
　１０５．ホール輸送層
　１０６．有機発光層
　１０７．中間層
　１０８，３０８，５０８．電子輸送層（第１電荷注入輸送層，第２電荷注入輸送層）
　１０９．カソード（第１電極，第２電極）
　３０８ａ，５０８ａ．第１電子輸送層部分（第１電荷注入輸送層部分）
　３０８ｂ，５０８ｂ．第２電子輸送層部分（第２電荷注入輸送層部分）

Claims (18)

  1. 　複数の発光部が基板の主面に沿った方向に二次元配置されてなる有機発光デバイスであって、
    　前記複数の発光部の各々は、
    　前記基板の上方に配置された第１電極と、
    　前記第１電極の上方に配置された第１電荷注入輸送層と、
    　前記第１電荷注入輸送層の上方に配置された有機発光層と、
    　前記有機発光層の上方に配置された中間層と、
    　前記中間層上に配置された第２電荷注入輸送層と、
    　前記第２電荷注入輸送層の上方に配置された第２電極と、を有し、
    　前記中間層は、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を含み、
    　前記第２電荷注入輸送層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含み、
    　前記第１電極および前記第２電極のうち、一方は光反射性を、他方は光透過性を有し、
    　前記複数の発光部は、互いに発光色の異なる第１発光部と第２発光部とを含み、
    　前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層の厚みは、前記第１発光部と前記第２発光部とで異なる
    　有機発光デバイス。
  2. 　前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層の厚みは、前記複数の発光部それぞれの発光色の波長に基づいて、共振効果が得られる厚みに決定されている
    　請求項１に記載の有機発光デバイス。
  3. 　前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層は、前記有機発光層よりも電気抵抗率が低い
    　請求項１または２に記載の有機発光デバイス。
  4. 　前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層は、有機材料を用いてウェットプロセスにより形成されている
    　請求項１から３の何れか１項に記載の有機発光デバイス。
  5. 　前記中間層に含まれるフッ化物におけるアルカリ金属またはアルカリ土類金属を第１金属とし、前記第２電荷注入輸送層に含まれるアルカリ金属またはアルカリ土類金属を第２金属とすると、
    　前記第２金属は、前記第１金属のフッ化物における前記第１金属とフッ素との結合を切る性質を有する
    　請求項１から４の何れか１項に記載の有機発光デバイス。
  6. 　前記第２電荷注入輸送層は、前記第２金属がドープされた有機材料から成る
    　請求項５に記載の有機発光デバイス。
  7. 　前記第２電荷注入輸送層は、前記第２金属から成る第１電荷注入輸送層部分と、有機材料を含む第２電荷注入輸送層部分とが積層されてなり、
    　前記第１電荷注入輸送層部分は、前記中間層に接して配置されている
    　請求項５に記載の有機発光デバイス。
  8. 　前記第２電荷注入輸送層部分は、前記有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされて成る
    　請求項７に記載の有機発光デバイス。
  9. 　前記第２電荷注入輸送層部分において、前記有機材料にドープされているアルカリ金属またはアルカリ土類金属は、前記第２金属である
    　請求項８に記載の有機発光デバイス。
  10. 　前記第２電荷注入輸送層部分における前記有機材料は、ドープ金属を含まない
    　請求項７に記載の有機発光デバイス。
  11. 　前記第１電極は、アノードであり、
    　前記第２電極は、カソードであり、
    　前記第１電荷注入輸送層は、ホール注入層であり、
    　前記第２電荷注入輸送層は、電子輸送層である
    　請求項１から１０の何れか１項に記載の有機発光デバイス。
  12. 　前記第１電極は、光反射性を有し、
    　前記第１電荷注入輸送層は、導電性有機材料から成り、前記第１発光部と前記第２発光部とでその厚みが異なる
    　請求項１１に記載の有機発光デバイス。
  13. 　前記第２電極は、光反射性を有し、
    　前記第２電荷注入輸送層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むπ電子系有機材料から成る
    　請求項１１に記載の有機発光デバイス。
  14. 　前記第１電極は、カソードであり、
    　前記第２電極は、アノードであり、
    　前記第１電荷注入輸送層は、電子輸送層であり、
    　前記第２電荷注入輸送層は、ホール注入層である
    　請求項１から１０の何れか１項に記載の有機発光デバイス。
  15. 　前記第１電極は、光反射性を有し、
    　前記第１電荷注入輸送層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むπ電子系有機材料から成る
    　請求項１４に記載の有機発光デバイス。
  16. 　前記第２電極は、光反射性を有し、
    　前記第２電荷注入輸送層は、導電性有機材料から成る
    　請求項１４に記載の有機発光デバイス。
  17. 　前記第１発光部の発光色の波長は、前記第２発光部の発光色の波長よりも長く、前記第１電荷注入輸送層および前記第２電荷注入輸送層のうち、前記第１電極および前記第２電極のうち光反射性を有する方の電極と前記有機発光層との間に配置された方の層は、前記第１発光部において前記第２発光部においてよりも厚い
    　請求項１から１６の何れか１項に記載の有機発光デバイス。
  18. 　表示パネルと、
    　前記表示パネルに接続された制御駆動回路と、を備え、
    　前記表示パネルとして、請求項１から１７の何れか１項に記載のデバイス構造が採用されている
    　表示装置。
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