WO2015190501A1 - パッケージ封止方法及び封止用ペースト - Google Patents

パッケージ封止方法及び封止用ペースト Download PDF

Info

Publication number
WO2015190501A1
WO2015190501A1 PCT/JP2015/066672 JP2015066672W WO2015190501A1 WO 2015190501 A1 WO2015190501 A1 WO 2015190501A1 JP 2015066672 W JP2015066672 W JP 2015066672W WO 2015190501 A1 WO2015190501 A1 WO 2015190501A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
melting point
metal powder
package
sealing
lid
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/066672
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
石川　雅之
佳史 山本
Original Assignee
三菱マテリアル株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱マテリアル株式会社 filed Critical 三菱マテリアル株式会社
Priority to KR1020167023331A priority Critical patent/KR102229041B1/ko
Publication of WO2015190501A1 publication Critical patent/WO2015190501A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/163—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/164—Material
    • H01L2924/165—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof

Definitions

  • the present invention relates to a package sealing method and a sealing paste, and more particularly to a package sealing method and a sealing method using a mixed powder paste with high freedom of supply and easy composition control in an airtight / vacuum sealing material. It relates to a paste for stopping.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2014-122383 filed in Japan on June 13, 2014 and Japanese Patent Application No. 2015-116243 filed on June 9, 2015. Incorporate here
  • a solder having a melting point of less than 450 ° C. or a brazing material having a melting point of 450 ° C. or higher is used as the airtight / vacuum sealing material.
  • a seal ring is used as a sealing material to seal the lid material and the package, and the sealing material of the lid material or package is subjected to Ni plating treatment (nickel plating treatment) or a seal In some cases, the sealing part of the ring itself is plated with Ni.
  • glass or resin may be used as a sealing material.
  • Lead-free solder materials such as Pb-63 mass% Sn (lead -63 mass% tin) and Sn-3 mass% Ag-0.5 mass% Cu (tin-3 mass% silver-0.5 mass% copper)
  • a solder material such as Pb-10 mass% Sn (lead -10 mass% tin) or Au-20 mass% Sn (gold -20 mass% tin) is used.
  • As the brazing material Ag brazing (silver brazing) is mainly used.
  • Ag-22 mass% Cu (silver-28 mass% copper) is first and Ag-22 mass% Cu-17 mass% Zn-5 mass%.
  • a material containing Sn (silver-22 mass% copper-17 mass% zinc-5 mass% tin), Cd (cadmium) or Ni is used.
  • Examples of the seal ring and the cover material include Kovar and 42 alloy, which are subjected to Ni plating.
  • the solder plate is processed into a ring shape, sandwiched between the lid material and the package, melted and sealed using a furnace or oven, or covered with a solder paste or the like.
  • a ring-shaped solder frame may be formed on the material and then sealed with the package.
  • Ag brazing is made by punching an Ag brazing plate (silver brazing plate) into a ring shape, sandwiching it between the lid and the package, and using only a seam welding machine or a laser welding machine to locally seal the sealing part. At high temperature, the Ni plating formed on the Ag brazing and the seal ring is melted and sealed.
  • Patent Document 1 in a metal paste for sealing comprising a metal powder and an organic solvent, the metal powder has a purity of 99.9% by weight or more and an average particle size of 0.1 ⁇ m to 1.0 ⁇ m.
  • a metal paste for sealing is disclosed in which metal powder composed of gold powder, silver powder, platinum powder, or palladium powder is blended in an amount of 85 to 93% by weight and an organic solvent in an amount of 5 to 15% by weight.
  • the metal paste is applied and dried, sintered at 80 to 300 ° C. to form a metal powder sintered body, and then the base member and the metal powder sintered body are heated. A method for pressurizing the cap member is described.
  • the metal paste described in Patent Document 1 uses a single metal powder of gold powder, silver powder, platinum powder, or palladium powder, and is not an alloy paste.
  • Patent Document 2 discloses a silver brazing clad material comprising a base material made of a low thermal expansion metal and a low-temperature silver brazing material layer bonded to at least one surface of the base material.
  • the silver brazing filler metal layer is coated with a paste made by mixing a medium composed of a solvent and a binder with metal powder made of a low-temperature type silver brazing filler, and then heated to melt the metal powder. It is formed by rapid solidification and further rolling.
  • Specific examples of the silver brazing material include a silver-copper-tin alloy, a silver-copper-indium alloy, and a silver-copper-zinc alloy.
  • the silver brazing clad material is processed into a predetermined size by punching or the like to form a package sealing lid.
  • An object of the present invention is to provide a package sealing method and a sealing paste capable of easily forming a sealing frame and easily changing the alloy composition.
  • the package sealing method of the present invention is a package sealing method in which one or more lids are overlapped on a package and joined by a braze alloy, and include a low melting point metal powder and a high melting point metal having a higher melting point than the low melting point metal powder.
  • a paste applying step of applying a sealing paste containing powder and a binder to the surface of the lid, and melting the low melting point metal powder in the sealing paste applied to the lid A pre-heat treatment step for forming a brazing precursor, and an alloying step for forming the brazing alloy by heating and melting the brazing precursor until the lid is joined to the package or during joining.
  • the low melting point metal powder is heated and melted by a pre-heat treatment step to obtain a surface of the lid.
  • a nail precursor is formed.
  • This preliminary heat treatment step melts the low melting point metal powder and can be performed at a low temperature.
  • this pre-heat treatment step most of the refractory metal powder remains in a solid state, and the liquid phase of the low melting point metal penetrates between these solid refractory metal powders to cool and solidify each other. It is in a state attached to. This state is called a wax precursor.
  • This brazing precursor is fixed to the surface of the lid and does not fall off from the lid during handling.
  • This brazing precursor can be alloyed by melting a refractory metal powder.
  • the alloying step may be performed until the lid is bonded to the package or when these are bonded.
  • the alloying step may be performed in a state where the lid after the pre-heat treatment step is overlaid on the package.
  • the brazing precursor can be alloyed and sealed simultaneously, which is efficient.
  • the melting point of the low melting point metal powder may be less than 300 ° C.
  • the melting point of the high melting point metal powder may be 300 ° C. or more.
  • a binder removing step of removing the binder remaining in the brazing precursor may be provided between the preliminary heat treatment step and the alloying step.
  • the binder removal step may include a cleaning process for cleaning the wax precursor with a cleaning liquid and a baking process for heat-treating the wax precursor after the cleaning process.
  • the sealing paste in the paste application step, is applied to the surface of a plate material on which a plurality of the lids can be formed, and after the preliminary heat treatment step, a plurality of the plate materials are applied. It is good to have the individualization process divided
  • the package sealing method of the present invention may have a plating process step of performing metal plating on the surface of the lid after the singulation step.
  • Metal plating is performed as metallization of the lid.
  • metal plating is also applied to the side wall of the lid, and corrosion and rust of the side wall can be effectively prevented.
  • the sealing paste used in this sealing method contains a low melting point metal powder and a high melting point metal powder having a higher melting point than the low melting point metal powder.
  • each metal powder may be a single metal powder of each metal component constituting the brazing alloy or may be an alloy powder.
  • a single metal powder having the lowest melting point in the alloy components constituting the brazing alloy is a low melting metal powder, and other metal single powders are high melting metal powders.
  • the alloy powder is used, the alloy composition is adjusted so that the low melting point metal powder is melted at a lower temperature (for example, less than 300 ° C.) than the high melting point metal powder.
  • the low-melting-point metal powder and the high-melting-point metal powder may be a metal that forms an Ag—Cu—Sn-based alloy when heated and melted.
  • Sn alone may be used as the low melting point metal powder, or Sn alloy powder added with some Ag and Cu may be used as the low melting point metal powder.
  • the refractory metal powder is mainly composed of Ag and Cu, Ag and Cu may be mixed as a single powder or may be mixed as an alloy powder.
  • the low melting point metal powder may have a melting point of less than 300 ° C.
  • the high melting point metal powder may have a melting point of 300 ° C. or higher.
  • the brazing precursor is fixed to the lid by the low melting point metal melted in the preliminary heat treatment step, so that a stable sealing frame can be easily formed on the lid, and the powders are appropriately combined.
  • the alloy composition can be easily changed.
  • FIG. 1 It is a perspective view of the principal part which shows the state which printed and apply
  • This sealing paste is obtained by kneading a low melting point metal powder, a high melting point metal powder having a higher melting point than the low melting point metal powder, and a binder composed of an organic solvent, a resin, or the like.
  • the composition ratio of the target brazing alloy (for example, 72 mass% Ag-18) is obtained by using the individual powders of Ag powder, Cu powder, and Sn powder.
  • Mass% Cu-10 mass% Sn mass% Sn.
  • Sn has a lower melting point (liquidus temperature) than Ag and Cu, and Sn powder corresponds to the low melting point metal powder.
  • These metal powders preferably have an average particle size of 0.1 ⁇ m to 30 ⁇ m. If it is less than 0.1 ⁇ m, it is difficult to mix uniformly when forming a paste, and in the case of a low melting point metal, the degree of powder oxidation is large, and diffusion to the high melting point metal is difficult to proceed during liquid phase sintering. On the other hand, when the average particle size exceeds 30 ⁇ m, many large pores are generated in the brazing precursor after liquid phase sintering, and the binder tends to remain.
  • the low melting point metal powder that melts first preferably has a smaller particle size than the high melting point metal powder.
  • a single metal powder comprising each metal component constituting the composition is mixed at a composition ratio of the brazing alloy to obtain a sealing paste. What is necessary is just to produce.
  • the low melting point metal powder forming the sealing paste may be a metal powder of the low melting point metal alone (Sn powder in the above case) of the alloy components constituting the brazing alloy. It is also possible to make a metal powder composed of an alloy containing a metal as a main component and partially containing other alloy components so that the melting point is less than 300 ° C. The same applies to refractory metal powders, which may be metal powders made of a plurality of metal alloys and having a melting point of 300 ° C. or higher.
  • the above-described sealing paste 3 is printed on the surface of the plate 2 on which a plurality of lids 1 can be formed and applied, and the sealing paste 3 applied to the lid 1
  • it demonstrates in order of this process.
  • a plate material 2 having a size capable of forming a plurality of lids 1 in an aligned manner is prepared, and the sealing paste 3 described above is superimposed on the package 5 on the surface of the lid 1 on the surface of the plate material 2.
  • the sealing paste 3 may be applied by discharge supply using a dispenser or the like.
  • the material of the lid 1 (plate material 2), the aforementioned Kovar, 42 alloy, or the like is used, and Ni plating (metal plating) is applied to both surfaces or one surface of the plate material 2.
  • Pre-heat treatment process Prior to joining the lid 1 to the package, a pre-heat treatment (low-temperature reflow treatment) is performed on the plate 2 (cover 1) coated with the sealing paste 3 alone to form a sealing frame. Specifically, the sealing paste 3 applied to the plate material 2 is heated to a temperature higher than or equal to the melting point of the low melting point metal powder contained in the sealing paste 3 and lower than the melting point of the high melting point metal powder. Melt the metal powder.
  • This pre-heat treatment only needs to melt the low melting point metal powder, and can be performed by reflowing (heat treatment) in a furnace or oven in which a normal solder material is used.
  • a liquid phase of the low melting point metal is distributed between the high melting point metal powders that are not melted at the temperature of the pre-heat treatment.
  • a sealing frame is formed in which the low melting point metal layer bonds the high melting point metals.
  • the low melting point metal and the high melting point metal may be partly alloyed, but most of the high melting point metal remains as the original powder.
  • the state in which the high melting point metal powder is bound by the low melting point metal is referred to as a wax precursor 4.
  • the Sn powder which is a low melting metal powder, melts into a liquid state with respect to the Ag powder and Cu powder, which are high melting metal powders, and becomes a liquid state. And liquid phase sintering proceeds. Thereby, the board
  • Binder removal step As described above, since the binder is kneaded in the sealing paste 3, the binder residue remaining in the preliminary heat treatment step is removed with a cleaning liquid (cleaning process).
  • a cleaning liquid As the cleaning liquid, Arakawa Chemical Co., Ltd. cleaning agent (Pine Alpha series) and the like can be used.
  • the binder residue that has not been completely removed with the cleaning liquid may be removed by further heat treatment (baking).
  • This heat treatment may be allowed to stand for a certain period of time at a temperature at which the brazing precursor 4 does not melt. For example, it may be allowed to stand at 450 ° C. for 1 to 2 hours.
  • Ni plating is formed on the surface of the plate material 2 as metallization, but after the plate material 2 on which the sealing frame made of the wax precursor 4 is formed is cut into individual lids 1. The whole may be Ni-plated. By performing the plating process after the singulation process, Ni plating is also applied to the cut surface (side wall) of the lid 1 to prevent corrosion and rust from proceeding to the side wall of the lid 1 after sealing. be able to.
  • the Ni plating may be electroless plating or electrolytic plating, and the film thickness may be several ⁇ m. In addition to Ni plating, other metal plating may be used.
  • the separated lid body 1 is overlapped on the package 5 and resistance welding is performed to melt the brazing precursor 4, and the solidified body is cooled and solidified to join the lid body 1 to the package 5.
  • the package 5 is made of ceramics or the like, and a gold plating layer, for example, is formed as a conductive metal layer on the joint surface with the lid 1.
  • ⁇ Seam welding is performed as resistance welding.
  • the roller electrode 11 is brought into contact with the lid body 1 that is stacked so that the brazing precursor 4 is brought into contact with the package 5, and a current is applied in a state where a predetermined pressure is applied. It moves along the peripheral edge of the lid 1 while flowing.
  • the brazing precursor 4 is locally melted by the Joule heat corresponding to the current value.
  • the brazing precursor 4 is instantaneously heated to a temperature higher than the melting point and melted. Can do.
  • the melting of the high melting point metal powder causes the entire brazing precursor 4 including the low melting point metal to be in a molten state, forming an alloy of each contained metal, and sealing is completed. Since a predetermined amount of Ag, Cu, and Sn is mixed in the sealing paste 3, the lid body 1 and the package 5 can be joined as an Ag—Cu—Sn alloy. That is, this joining process is also an alloying process of the brazing precursor 4.
  • a sealing frame made of the wax precursor 4 is formed in advance on the lid body 1, so that it is sealed when the lid body 1 is handled.
  • the stop frame does not fall off from the lid 1 and is easy to handle.
  • the forming operation of the brazing precursor 4 can be performed by heat treatment at a low temperature, and the workability is good.
  • the brazing precursor 4 can be sealed as a desired brazing alloy, which is efficient.
  • the Ag—Cu—Sn alloy is exemplified.
  • the present invention is applied to each of the metal components constituting the desired brazing alloy as a metal powder.
  • the paste for the alloy the alloy composition can be easily changed.
  • Ag powder (0 to 80% by mass), Cu powder (0 to 40% by mass), Ni powder (0 to 99% by mass), Zn powder (0 to 35% by mass) as a high melting point metal powder having a melting point of 300 ° C. or higher.
  • Cd powder (0 to 35% by mass
  • Mn (manganese) powder (0 to 35% by mass) as Sn powder (low melting point metal powder having a melting point of less than 300 ° C.
  • brazing precursor 4 was alloyed when the lid 1 was joined to the package 5 (the joining process also served as the alloying process), but the brazing precursor 4 was alloyed before the joining. (Alternatively, an alloying step may be provided before the joining step).
  • the sealing paste 3 was applied to the plate material 2 having a size capable of forming a plurality of lids 1 and pre-heat-treated, but the sealing paste 3 was applied to the individually divided lids 1. May be pre-heated.
  • Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 100 samples were used in the experiment.
  • a ceramic (alumina) sample having a size of 3.2 mm ⁇ 2.5 mm and a thickness of 0.5 mm was used.
  • a metallization a 0.5 ⁇ m Au plating layer was formed on a 5 ⁇ m Ni plating layer.
  • a Kovar plate-like sample having a size of 3.1 mm ⁇ 2.4 mm and a thickness of 0.1 mm was used as a lid, and a 0.1 ⁇ m Au plating layer was formed on a 5 ⁇ m Ni plating layer as metallization.
  • Example 4 and Comparative Example 3 the lid samples are the same as in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, but as a metallization, only a 5 ⁇ m Ni plating layer is formed and an Au plating layer is formed. There wasn't.
  • the package samples in Example 4 and Comparative Example 3 are the same as those in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2. Also in Example 4 and Comparative Example 3, the number of samples is 100 each.
  • a sealing paste prepared by mixing a powder having an average particle diameter and a mixed powder ratio shown in Table 1 and a binder was used.
  • the binder ratio of each sealing paste was adjusted so that the paste viscosity was 250 ⁇ 30 Pa ⁇ s.
  • SAC305 in Table 1 is an alloy of Sn-3 mass% Ag-0.5 mass% Cu.
  • a pre-heat treatment was applied at a maximum temperature of 240 ° C., and cleaning was performed to remove the binder to form a sealing frame. Thereafter, the state of the sealing frame was observed using a stereomicroscope. There was no problem in that the sealing frame was accurately formed even after cleaning, and the sealing frame in which the sealing frame was observed to be missing or chipped was regarded as defective. If the defective rate was less than 2%, it was accepted, and if it was 2% or more, it was rejected.
  • the lid on which the sealing frame was formed without any problem was overlapped on the package and subjected to seam welding to perform hermetic sealing. Thereafter, a high pressure was applied to the inside in an airtight test, and a leaked product was determined to be defective, and the sealing performance was evaluated based on the defective rate. If the defective rate was less than 2%, it was accepted, and those with 2% or more were rejected.
  • Example 2 which has as an example and Example 3 which has alloy powder (SAC305: melting point 220 degreeC) which has Sn as a main component as a low melting metal powder, all have the favorable state of a sealing frame, and the sealing property to a package
  • the sealing frame is stably fixed to the lid and the sealing performance to the package is high.

Abstract

　パッケージに蓋体を重ねてろう合金によって接合するパッケージ封止方法であって、融点３００℃未満の低融点金属粉末と融点３００℃以上の高融点金属粉末とを別個に含有してなる封止用ペーストを蓋体の表面に塗布するペースト塗布工程と、蓋体に塗布した封止用ペースト中の低融点金属粉末を溶融してろう前駆体を形成する事前熱処理工程と、蓋体をパッケージに接合するまでの間又は接合する際にろう前駆体を加熱溶融してろう合金化する合金化工程とを有する。

Description

パッケージ封止方法及び封止用ペースト
　本発明は、パッケージ封止方法及び封止用ペーストに係り、特に、気密・真空封止材において、供給の自由度が高く、組成コントロールが容易な混合粉ペーストを用いたパッケージ封止方法及び封止用ペーストに関する。本願は、２０１４年６月１３日に日本国に出願された特願２０１４－１２２３８３号および２０１５年６月９日に出願された特願２０１５－１１６２４３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する
　通常、気密・真空封止用材料としては、４５０℃未満の融点を有するはんだを用いたり、４５０℃以上に融点を有するろう材を用いたりする。更には、蓋材とパッケージを封止するためにシールリングと呼ばれるものを封止材として挟み込み、蓋材もしくはパッケージの封止部にＮｉめっき処理（ニッケルめっき処理）を施したもの、あるいは、シールリング自身の封止部にＮｉめっきを施したものを用いることもある。その他、ガラスや樹脂を封止材として用いることもある。
　はんだ材ではＰｂ－６３質量％Ｓｎ（鉛－６３質量％錫）やＳｎ－３質量％Ａｇ－０．５質量％Ｃｕ（錫－３質量％銀－０．５質量％銅）などの鉛フリーはんだ材、Ｐｂ－１０質量％Ｓｎ（鉛－１０質量％錫）やＡｕ－２０質量％Ｓｎ（金－２０質量％錫）のような高温はんだが用いられる。ろう材としては、主にＡｇろう（銀ろう）が用いられ、Ａｇ－２８質量％Ｃｕ（銀－２８質量％銅）を筆頭に、Ａｇ－２２質量％Ｃｕ－１７質量％Ｚｎ－５質量％Ｓｎ（銀－２２質量％銅－１７質量％亜鉛－５質量％錫）や、Ｃｄ（カドミウム）やＮｉを含んだものが用いられる。シールリングや蓋材としては、コバールや４２アロイなどがあり、これらにＮｉめっき処理が施される。
　封止法としては、はんだ材を用いる場合は、はんだ板をリング状に加工し、蓋材とパッケージ間に挟み込んで炉やオーブンを用いて溶融・封止したり、はんだペースト等を用いて蓋材にリング状のはんだ枠を形成し、その後、パッケージと封止する場合がある。一方、Ａｇろう（銀ろう）はＡｇろう板（銀ろう板）をリング状に打ち抜き、蓋材とパッケージ間に挟み込んで、シーム溶接機やレーザー溶接機などを用いて封止部のみを局所的に高温状態にして、Ａｇろうやシールリングに形成したＮｉめっきを溶融させ、封止している。
　ＡｇろうやＮｉめっき付きシールリングを用いて溶接法で封止する場合、蓋材とパッケージ間に挟み込んで封止する必要があり、位置合わせが必要になるなど効率が悪く非常に手間であった。
　そこで、Ａｇろうを粉末状にしてペースト化し、蓋材に印刷し、熱処理をして封止枠を形成する手法が提案されている。
　特許文献１には、金属粉末と有機溶剤とを含んでなる封止用の金属ペーストにおいて、金属粉末として、純度が９９．９重量％以上、平均粒径が０．１μｍ～１．０μｍである金粉、銀粉、白金粉、又はパラジウム粉からなる金属粉末を８５～９３重量％、有機溶剤を５～１５重量％の割合で配合した封止用の金属ペーストが開示されている。この金属ペーストを用いた封止方法としては、金属ペーストを塗布・乾燥し、８０～３００℃で焼結させて金属粉末焼結体とした後、金属粉末焼結体を加熱しながらベース部材とキャップ部材とを加圧する方法が記載されている。
　この特許文献１記載の金属ペーストは、金粉、銀粉、白金粉、又はパラジウム粉の単独金属粉を用いるものであり、合金ペーストではない。
　一方、特許文献２には、低熱膨張金属からなる基材と、該基材の少なくとも一の面に接合される低温型の銀系ろう材層とを含んでなる銀ろうクラッド材が開示されている。この場合、銀系ろう材層は、低温型の銀系ろう材よりなる金属粉に溶剤とバインダーとからなるメディアを混合してなるペーストを塗布した後、加熱して金属粉を溶融させた後急冷凝固し、更に圧延加工することで形成されるものである。具体的な銀系ろう材として、銀－銅－錫合金、銀－銅－インジウム合金、銀－銅－亜鉛合金が挙げられている。そして、この銀ろうクラッド材を打抜き加工等して所定寸法に加工することにより、パッケージ封止用蓋体としている。
特開２００８－２８３６４号公報 特開２００６－４９５９５号公報
　しかしながら、Ａｇろうペーストの場合は、封止枠形成時にＡｇろうの融点以上の高温で熱処理し、その後、封止時に再度、溶接処理をする必要があった。また、Ａｇろう合金で粉末を造粉しているため、異なる合金組成を所望された場合は、再度、合金製造、造粉処理と非常に手間が生じていた。
　本発明では、容易に封止枠形成が可能で、かつ合金組成を容易に変更することができるパッケージ封止方法及び封止用ペーストを提供することを目的とする。
　本発明のパッケージ封止方法は、パッケージに１つ以上の蓋体を重ねてろう合金によって接合するパッケージ封止方法であって、低融点金属粉末および前記低融点金属粉末より融点が高い高融点金属粉末と、バインダーとを含有してなる封止用ペーストを前記蓋体の表面に塗布するペースト塗布工程と、前記蓋体に塗布した前記封止用ペースト中の前記低融点金属粉末を溶融してろう前駆体を形成する事前熱処理工程と、前記蓋体を前記パッケージに接合するまでの間又は接合する際に前記ろう前駆体を加熱溶融して合金化し、前記ろう合金を形成する合金化工程とを有する。
　この封止方法は、低融点金属粉末と高融点金属粉末とを含有させた封止用ペーストを蓋体に塗布した後、事前熱処理工程により、低融点金属粉末を加熱溶融して蓋体の表面にろう前駆体を形成する。この場合、ろう前駆体を枠状に形成することは容易である。この事前熱処理工程は、低融点金属粉末を溶融するものであり、低い温度で実施することができる。そして、この事前熱処理工程において、高融点金属粉末の大部分は固体のまま残存しており、これら固体の高融点金属粉末の間に低融点金属の液相が浸透して冷却固化することにより相互に結着した状態となっている。この状態をろう前駆体と称している。このろう前駆体は、蓋体の表面に固定され、その取扱い時に蓋体から脱落することはない。
　このろう前駆体は高融点金属粉末を溶融することにより合金化することができる。その合金化工程は、蓋体をパッケージに接合するまでの間、又はこれらを接合する際に行えばよい。
　本発明の封止方法において、前記合金化工程は、事前熱処理工程後の前記蓋体を前記パッケージに重ねた状態で実施するとよい。ろう前駆体の合金化と封止とを同時に行うことができ、効率的である。
　また、前記低融点金属粉末の融点を３００℃未満とし、前記高融点金属粉末の融点を３００℃以上とするとよい。
　本発明のパッケージ封止方法において、前記事前熱処理工程と前記合金化工程との間に、前記ろう前駆体中に残存する前記バインダーを除去するバインダー除去工程を有するとよい。また、そのバインダー除去工程は、前記ろう前駆体を洗浄液にて洗浄する洗浄処理と、洗浄処理後の前記ろう前駆体を熱処理するベーキング処理とを有するとよい。
　本発明のパッケージ封止方法において、前記ペースト塗布工程では、複数個の前記蓋体が形成可能な板材の表面に前記封止用ペーストを塗布し、前記事前熱処理工程の後に、前記板材を複数個の前記蓋体に分割する個片化工程を有するとよい。
　本発明のパッケージ封止方法において、前記個片化工程の後に、前記蓋体の表面に、金属めっきを施すめっき処理工程を有してもよい。金属めっきは、蓋体のメタライズとして施される。蓋体に分割してから金属めっきすると、蓋体の側壁にも金属めっきが施され、側壁の腐食や錆を有効に防止することができる。
　この封止方法に用いる封止用ペーストは、低融点金属粉末と前記低融点金属粉末より融点が高い高融点金属粉末とを含有してなる。
　この場合、各金属粉末としては、ろう合金を構成する各金属成分の単体の金属粉末としてもよいし、合金粉末としてもよい。単体の金属粉を用いる場合、ろう合金を構成する合金成分の中の融点が最も低い金属の単体の粉末を低融点金属粉末とし、それ以外の金属単体の粉末を高融点金属粉末とするとよい。合金粉とする場合は、低融点金属粉末については、高融点金属粉末よりも低い温度（例えば３００℃未満）で溶融するように合金組成を調整する。
　本発明の封止用ペーストにおいて、前記低融点金属粉末および前記高融点金属粉末は、加熱溶融されることによりＡｇ－Ｃｕ－Ｓｎ系合金を形成する金属であるとよい。
　この場合、Ｓｎ単体を低融点金属粉末としてもよいし、若干のＡｇ、Ｃｕを添加したＳｎ合金粉末を低融点金属粉末としてもよい。高融点金属粉末は主にＡｇとＣｕによって構成されるが、Ａｇ及びＣｕは、それぞれ単体粉末として混合してもよいし、合金粉末として混合してもよい。
　本発明の封止用ペーストにおいて、前記低融点金属粉末の融点が３００℃未満であり、前記高融点金属粉末の融点が３００℃以上であるとよい。
　本発明によれば、事前熱処理工程により溶融した低融点金属により蓋体にろう前駆体が固定されるので、蓋体に安定した封止枠を容易に形成することができ、しかも粉末を適宜組み合わせることにより、合金組成を容易に変更することができる。
本発明の方法により蓋体に封止用ペーストを印刷塗布した状態を示す要部の斜視図である。 図１で作成した蓋体をパッケージに接合する工程を示す正面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
＜封止用ペーストの構成＞
　まず、本発明の封止方法に用いる封止用ペーストの実施形態について説明する。
　この封止用ペーストは、低融点金属粉末およびこの低融点金属粉末より融点が高い高融点金属粉末と、有機溶剤や樹脂などで構成されたバインダーとを混練したものである。
　ろう合金としてＡｇ－Ｃｕ－Ｓｎ系合金を形成する場合は、個々の金属成分であるＡｇ粉末、Ｃｕ粉末、Ｓｎ粉末の各粉末を、目的のろう合金の組成比（例えば７２質量％Ａｇ－１８質量％Ｃｕ－１０質量％Ｓｎ）となる混合比率で含有する。このうち、ＳｎがＡｇ及びＣｕよりも融点（液相線温度）が低く、Ｓｎ粉末が低融点金属粉末にあたる。
　これら金属粉末の平均粒径は０．１μｍ～３０μｍが好ましい。０．１μｍ未満ではペースト化時に均一に混合するのが難しく、低融点金属の場合には、粉末酸化度が大きく、液相焼結時に高融点金属への拡散が進みにくい。一方、平均粒径が３０μｍを超えると、液相焼結後、ろう前駆体に大きい気孔が多く生じてしまい、バインダーが残留しやすくなる。特に、先に溶融する低融点金属粉末は、高融点金属粉末よりも粒径が小さい方が好ましい。
　Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｎ系合金以外にも、所望のろう合金組成に応じて、その組成を構成する各金属成分からなる単独金属の粉末を、ろう合金の組成比率で混合して封止用ペーストを作製すればよい。
　また、封止用ペーストを形成する低融点金属粉末は、ろう合金を構成する合金成分のうちの低融点金属単独の金属粉末（前述の場合はＳｎ粉末）であってもよいが、この低融点金属を主成分とし、融点が３００℃未満となるように他の合金成分を一部含有する合金からなる金属粉末とすることも可能である。高融点金属粉末においても同様であり、複数の金属の合金からなり融点が３００℃以上の金属粉末としてもよい。
＜封止方法＞
　以上の封止用ペーストを用いて、パッケージに蓋体を封止する方法の実施形態について説明する。
　この封止方法は、前述した封止用ペースト３を複数個の蓋体１が形成可能な板材２の表面に印刷して塗布するペースト塗布工程と、蓋体１に塗布した封止用ペースト３中の低融点金属粉末を溶融してろう前駆体を形成する事前熱処理工程と、バインダーを除去するバインダー除去工程と、板材２を切断して複数個の蓋体１に分割する個片化工程と、蓋体１を箱状のパッケージ５に重ねてろう前駆体４の全体を溶融して固化することにより蓋体１をパッケージ５に接合する接合工程（合金化工程）とを有する。必要に応じて、個片化工程の後に、蓋体１の表面に金属めっきを施すめっき処理工程を有してもよい。以下、この工程順に説明する。
［ペースト塗布工程］
　複数個の蓋体１を整列して形成し得る大きさの板材２を用意し、その板材２の表面に、前述した封止用ペースト３を、蓋体１の表面のパッケージ５に重ねられる周縁部となる位置に合わせて、枠状に印刷塗布する。この封止用ペースト３の塗布は、ディスペンサなどによる吐出供給によってもよい。蓋体１（板材２）の材料としては、前述したコバール、４２アロイ等が用いられ、板材２の両面又は片面にＮｉめっき（金属めっき）が施されている。
［事前熱処理工程］
　蓋体１をパッケージに接合する前に、封止用ペースト３を塗布した板材２（蓋体１）単独で事前熱処理（低温リフロー処理）を施して封止枠を形成する。具体的には、板材２に塗布した封止用ペースト３を、その封止用ペースト３中に含まれる低融点金属粉末の融点以上で高融点金属粉末の融点未満の温度に加熱し、低融点金属粉末を溶融する。この事前熱処理は、低融点金属粉末を溶融すれば足りるので、通常のはんだ材が用いられる炉やオーブンでリフロー(熱処理)することにより実施可能である。
　この低融点金属粉末が溶融すると、この事前熱処理の温度では溶融しない高融点金属粉末の間に低融点金属の液相が行き渡る。低融点金属が冷却により固化すると、その低融点金属の層が高融点金属相互を結合した状態の封止枠が形成される。このとき、低融点金属と高融点金属とが一部合金化する場合もあるが、高融点金属の大部分は元の粉末のまま残存している。この低融点金属により高融点金属粉末が結合された状態をろう前駆体４と称す。
　前述したＡｇ－Ｃｕ－Ｓｎ系合金の場合、高融点金属粉末であるＡｇ粉末及びＣｕ粉末に対して、低融点金属粉末であるＳｎ粉末が溶融し、液体状態になることで高融点金属粉末間に侵入し、液相焼結が進む。これにより、低い熱処理条件で、封止用ペースト３がろう前駆体４（図２参照）として固定された板材２（蓋体１）が形成される。ただし、この時点では、Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｎ系合金にはなっていない。
　このように形成されるろう前駆体４の封止枠は、板材２（蓋体１）の表面に固定された状態であるので、板材２（蓋体１）の取り扱いに際して蓋体１から脱落することはない。
［バインダー除去工程］
　前述したように、封止用ペースト３にはバインダーが混練されているため、事前熱処理工程で残ったバインダー残渣を洗浄液にて除去する（洗浄処理）。洗浄液としては、荒川化学工業株式会社製洗浄剤（パインアルファシリーズ）等を用いることができる。
　また、バインダー残渣を洗浄液にて除去処理した後に、必要に応じて、更に熱処理(ベーキング処理)をすることにより、洗浄液で除去し切れなかったバインダー残渣を除去してもよい。この熱処理（ベーキング処理）とは、ろう前駆体４が溶融しない温度で一定時間放置すればよく、例えば、４５０℃で１時間から２時間放置すればよい。
［個片化工程］
　次に、ろう前駆体４からなる封止枠を形成した板材２を切断して、各蓋体１に個片化する。
［めっき処理工程］
　前述したように、板材２の表面にメタライズとしてＮｉめっきを形成されているが、ろう前駆体４からなる封止枠を形成した板材２を切断して、各蓋体１に個片化した後、その全体にＮｉめっき処理をしても良い。個片化工程後にめっき処理工程を行うことにより、蓋体１の切断面（側壁）にもＮｉめっきが施され、封止後に蓋体１の側壁に腐食や錆などが進行するのを防止することができる。Ｎｉめっきについては無電解めっき、電解めっきでもよく、膜厚として数μｍで良い。また、Ｎｉめっき以外にも、他の金属めっきとしてもよい。
［接合工程（合金化工程）］
　個片化された蓋体１をパッケージ５に重ねて、抵抗溶接することによりろう前駆体４を溶融し、冷却固化して蓋体１をパッケージ５に接合する。パッケージ５は、セラミックス等からなり、蓋体１との接合面に導電金属層として、例えば金めっき層が形成されている。
　抵抗溶接としてシーム溶接が施される。このシーム溶接では、図２に示すように、パッケージ５にろう前駆体４を接触させるようにして重ねた蓋体１の上にローラ電極１１を当接し、所定の圧力を付加した状態で電流を流しながら、蓋体１の周縁部に沿って移動する。その電流値に対応するジュール熱によって局所的にろう前駆体４を溶融させるのであり、電流値を適切に設定することにより、瞬時にろう前駆体４を融点以上の温度に加熱して溶融させることができる。
　この高融点金属粉末の溶融により、低融点金属も含めてろう前駆体４の全体が溶融状態となり、含有されていた各金属による合金が形成され、封止が終了する。封止用ペースト３には、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎが所定量ずつ混合されていたので、Ａｇ－Ｃｕ－Ｓｎ系合金となって蓋体１とパッケージ５とを接合することができる。つまり、この接合工程は、ろう前駆体４の合金化工程でもある。
　このようにして蓋体１とパッケージ５とを接合して封止する方法においては、蓋体１にろう前駆体４からなる封止枠を事前に形成するので、その蓋体１の取り扱い時に封止枠が蓋体１から脱落することがなく、取り扱いが容易である。このろう前駆体４の形成作業は低温での熱処理によって行うことができ、作業性がよい。
　そして、蓋体１をパッケージ５に接合する際に、ろう前駆体４が所望のろう合金となって封止することができ、効率的である。
　前述の実施形態ではＡｇ－Ｃｕ－Ｓｎ系合金を例示したが、他種の合金であっても、本発明を適用して所望のろう合金を構成する各金属成分を金属粉末として含有する封止用ペーストを用いることにより、容易に合金組成を変更できる。例えば、融点が３００℃以上の高融点金属粉末としてＡｇ粉（０～８０質量％）、Ｃｕ粉（０～４０質量％）、Ｎｉ粉（０～９９質量％）、Ｚｎ粉（０～３５質量％)、Ｃｄ粉（０～３５質量％）、Ｍｎ（マンガン）粉（０～３５質量％）を、融点が３００℃未満（液相線が３００℃未満）の低融点金属粉末としてＳｎ粉（０～３５質量％）、Ｉｎ（インジウム）粉（０～３５質量％）、Ｂｉ（ビスマス）粉（０～３５質量％）、はんだ粉（０～３５質量％）を、括弧内の数値範囲で適宜混合すればよい。
　なお、蓋体１をパッケージ５に接合する際にろう前駆体４を合金化した（接合工程が合金化工程を兼ねるようにした）が、その接合前にろう前駆体４を合金化しておいてもよい（接合工程とは別に、接合工程の前に合金化工程を設けてもよい）。
　また、ろう前駆体４を合金化する場合、実施形態のように抵抗溶接による方法以外にも、高温の炉内で加熱することも可能であるが、抵抗溶接による方法の場合、局部的に瞬時に高温にできるので、緩み等が生じることがなく、高い寸法精度で封止することができる。
　また、複数の蓋体１を形成し得る大きさの板材２に封止用ペースト３を塗布して事前熱処理を施したが、個々に分割された蓋体１に封止用ペースト３を塗布して事前熱処理を施してもよい。
　実施例１から３、比較例１および２について、実験に用いたサンプルは各１００個である。パッケージとしては、サイズが３．２ｍｍ×２．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍのセラミック（アルミナ）製サンプルを用い、メタライズとして、５μｍのＮｉめっき層の上に０．５μｍのＡｕめっき層を形成した。蓋体としては、サイズが３．１ｍｍ×２．４ｍｍ、厚み０．１ｍｍのコバール製板状サンプルを用い、メタライズとして、５μｍのＮｉめっき層の上に０．１μｍのＡｕめっき層を形成した。
　実施例４、比較例３について、蓋体のサンプルは実施例１から３、比較例１および２と同様であるが、メタライズとして、５μｍのＮｉめっき層のみを形成し、Ａｕめっき層を形成しなかった。実施例４、比較例３におけるパッケージのサンプルは、実施例１から３、比較例１および２と同じである。実施例４、比較例３においても、サンプル数は各１００個である。
　各実施例および比較例において、表１に示す平均粒径、混合粉比率の粉末と、バインダーとを混合して作製した封止用ペーストを用いた。各封止用ペーストは、ペースト粘度が２５０±３０Ｐａ・ｓになるように、バインダー比率を調整した。表１中のＳＡＣ３０５は、Ｓｎ－３質量％Ａｇ－０．５質量％Ｃｕの合金である。
　各封止用ペーストを蓋体に塗布した後、最高温度２４０℃の事前熱処理を施し、バインダー除去のために洗浄して封止枠を形成した。その後、封止枠の状態を実体顕微鏡を用いて観察した。洗浄後も正確に封止枠が形成されているものは問題なく、封止枠がなくなっている、欠けているなどが観察された封止枠は不良と見なした。不良率２％未満であれば合格とし、２％以上の場合は不合格とした。
　次に、問題なく封止枠が形成された蓋体をパッケージに重ねてシーム溶接を施し、気密封止を行った。その後、気密試験にて内部に高圧をかけ、リークが生じたものを不良とし、不良率により封止性を評価した。不良率が２％未満であれば合格とし、２％以上のものは不合格とした。
　これらの結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から明らかなように、単独金属粉末のＳｎ粉（融点２３２℃）を低融点金属粉末として有する実施例１及び実施例４、単独金属粉末のＩｎ粉（融点１５６℃）を低融点金属粉末として有する実施例２、及びＳｎを主成分とする合金粉（ＳＡＣ３０５：融点２２０℃）を低融点金属粉末として有する実施例３は、いずれも封止枠の状態、パッケージへの封止性ともに良好であり、本発明のペーストを用いて封止することにより、封止枠が蓋体に安定して固定され、パッケージへの封止性も高いことがわかる。
　容易に封止枠形成が可能で、かつ合金組成を容易に変更することができるパッケージ封止方法及び封止用ペーストを提供できる。
１　蓋体
２　板材
３　封止用ペースト
４　ろう前駆体
５　パッケージ
１１　ローラー電極

 

Claims (10)

  1. 　パッケージに１つ以上の蓋体を重ねてろう合金によって接合するパッケージ封止方法であって、
    　低融点金属粉末とおよび前記低融点金属粉末より融点が高い高融点金属粉末と、バインダーとを含有してなる封止用ペーストを前記蓋体の表面に塗布するペースト塗布工程と、
    　前記蓋体に塗布した前記封止用ペースト中の前記低融点金属粉末を溶融してろう前駆体を形成する事前熱処理工程と、
    　前記蓋体を前記パッケージに接合するまでの間又は接合する際に前記ろう前駆体を加熱溶融して合金化し、前記ろう合金を形成する合金化工程と
    を有することを特徴とするパッケージ封止方法。
  2. 　前記合金化工程は、事前熱処理工程後の前記蓋体を前記パッケージに重ねた状態で実施することを特徴とする請求項１記載のパッケージ封止方法。
  3. 　前記低融点金属粉末の融点を３００℃未満とし、前記高融点金属粉末の融点を３００℃以上とすることを特徴とする請求項１記載のパッケージ封止方法。
  4. 　前記事前熱処理工程と前記合金化工程との間に、前記ろう前駆体中に残存する前記バインダーを除去するバインダー除去工程を有することを特徴とする請求項１記載のパッケージ封止方法。
  5. 　前記バインダー除去工程は、
    　前記ろう前駆体を洗浄液にて洗浄する洗浄処理と、
    　洗浄処理後の前記ろう前駆体を熱処理するベーキング処理と
    を有することを特徴とする請求項４記載のパッケージ封止方法。
  6. 　前記ペースト塗布工程では、複数個の前記蓋体が形成可能な板材の表面に前記封止用ペーストを塗布し、
    　前記事前熱処理工程の後に、前記板材を複数個の前記蓋体に分割する個片化工程を有する
    ことを特徴とする請求項１記載のパッケージ封止方法。
  7. 　前記個片化工程の後に、前記蓋体の表面に金属めっきを施すめっき処理工程を有することを特徴とする請求項６記載のパッケージ封止方法。
  8. 　低融点金属粉末と前記低融点金属粉末より融点が高い高融点金属粉末とを含有してなることを特徴とする封止用ペースト。
  9. 　前記低融点金属粉末および前記高融点金属粉末は、加熱溶融されることによりＡｇ－Ｃｕ－Ｓｎ系合金を形成する金属であることを特徴とする請求項８記載の封止用ペースト。
  10. 　前記低融点金属粉末の融点は３００℃未満であり、前記高融点金属粉末の融点は３００℃以上であることを特徴とする請求項８記載の封止用ペースト。

     
PCT/JP2015/066672 2014-06-13 2015-06-10 パッケージ封止方法及び封止用ペースト WO2015190501A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020167023331A KR102229041B1 (ko) 2014-06-13 2015-06-10 패키지 봉지 방법 및 봉지용 페이스트

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014122383 2014-06-13
JP2014-122383 2014-06-13
JP2015-116243 2015-06-09
JP2015116243A JP6488896B2 (ja) 2014-06-13 2015-06-09 パッケージ封止方法及び封止用ペースト

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015190501A1 true WO2015190501A1 (ja) 2015-12-17

Family

ID=54833591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/066672 WO2015190501A1 (ja) 2014-06-13 2015-06-10 パッケージ封止方法及び封止用ペースト

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6488896B2 (ja)
KR (1) KR102229041B1 (ja)
TW (1) TWI645930B (ja)
WO (1) WO2015190501A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016068272A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 三菱マテリアル株式会社 封止用ペースト、ろう接合材とその製造方法、封止用蓋材とその製造方法、及びパッケージ封止方法
JP2017039163A (ja) * 2014-10-31 2017-02-23 三菱マテリアル株式会社 封止用ペースト、ろう接合材とその製造方法、封止用蓋材とその製造方法、及びパッケージ封止方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0524943A (ja) * 1991-07-22 1993-02-02 Ngk Insulators Ltd 活性金属ろう材および活性金属ろう材を用いた金属部材とセラミツクス部材との接合方法
JP2003163299A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Nippon Filcon Co Ltd 電子素子パッケージ用封止キャップとその製造方法及びそのキャップを用いた封止方法
JP2007059746A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2009183008A (ja) * 2009-05-21 2009-08-13 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品の製造方法
JP2011222663A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Mitsubishi Electric Corp セラミックパッケージ及びその製造方法並びにセラミックモジュール

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5146627B2 (ja) * 1972-01-24 1976-12-10
JP2002160090A (ja) * 2000-11-27 2002-06-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系ろう材及びＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系ろう材の製造方法
JP2006049595A (ja) 2004-08-05 2006-02-16 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 銀ろうクラッド材並びにパッケージ封止用の蓋体及びリング体
JP5065718B2 (ja) 2006-06-20 2012-11-07 田中貴金属工業株式会社 圧電素子の気密封止方法、及び、圧電デバイスの製造方法
JP5119866B2 (ja) * 2007-03-22 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 水晶デバイス及びその封止方法
WO2012111711A1 (ja) * 2011-02-15 2012-08-23 株式会社村田製作所 多層配線基板およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0524943A (ja) * 1991-07-22 1993-02-02 Ngk Insulators Ltd 活性金属ろう材および活性金属ろう材を用いた金属部材とセラミツクス部材との接合方法
JP2003163299A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Nippon Filcon Co Ltd 電子素子パッケージ用封止キャップとその製造方法及びそのキャップを用いた封止方法
JP2007059746A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2009183008A (ja) * 2009-05-21 2009-08-13 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品の製造方法
JP2011222663A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 Mitsubishi Electric Corp セラミックパッケージ及びその製造方法並びにセラミックモジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016068272A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 三菱マテリアル株式会社 封止用ペースト、ろう接合材とその製造方法、封止用蓋材とその製造方法、及びパッケージ封止方法
JP2017039163A (ja) * 2014-10-31 2017-02-23 三菱マテリアル株式会社 封止用ペースト、ろう接合材とその製造方法、封止用蓋材とその製造方法、及びパッケージ封止方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201611939A (en) 2016-04-01
JP6488896B2 (ja) 2019-03-27
KR20170018300A (ko) 2017-02-17
JP2016015483A (ja) 2016-01-28
KR102229041B1 (ko) 2021-03-16
TWI645930B (zh) 2019-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5045673B2 (ja) 機能部品用リッドとその製造方法
US9095936B2 (en) Variable melting point solders
JP6575301B2 (ja) 封止用ペースト、ろう接合材とその製造方法、封止用蓋材とその製造方法、及びパッケージ封止方法
JP6811798B2 (ja) 成形はんだ及び成形はんだの製造方法
EP3021357A1 (en) Method of joining a semiconductor element to a joined member by reacting a tin-containing solder material with a copper layer on the joined member and corresponding semiconductor device
JP4650417B2 (ja) 高融点金属粒分散フォームソルダの製造方法
JP6488896B2 (ja) パッケージ封止方法及び封止用ペースト
JP6936351B2 (ja) 成形はんだの製造方法
JP7386826B2 (ja) 成形はんだ及び成形はんだの製造方法
TWI655717B (zh) Sealing paste, hard soldering material, manufacturing method thereof, sealing cover material, manufacturing method thereof, and package sealing method
TWI673372B (zh) Ａｕ－Ｓｎ合金焊膏、Ａｕ－Ｓｎ合金焊料層之製造方法及Ａｕ－Ｓｎ合金焊料層
JP6511773B2 (ja) Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストの製造方法、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層の製造方法
US11618108B2 (en) Molded solder and molded solder production method
JP7073701B2 (ja) Ａｕ－Ｓｎ合金はんだペースト、及びＡｕ－Ｓｎ合金はんだペーストを用いた接合方法
JP2019016753A (ja) パッケージ封止方法及び封止用蓋材の製造方法
WO2017073313A1 (ja) 接合部材、および、接合部材の接合方法
JP2016097406A (ja) Ａｕ−Ａｇ−Ｓｎ系はんだ合金

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15807407

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167023331

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15807407

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1