WO2015174677A1 - 대면적 근접 노광 장치 - Google Patents

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WO2015174677A1
WO2015174677A1 PCT/KR2015/004498 KR2015004498W WO2015174677A1 WO 2015174677 A1 WO2015174677 A1 WO 2015174677A1 KR 2015004498 W KR2015004498 W KR 2015004498W WO 2015174677 A1 WO2015174677 A1 WO 2015174677A1
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WO
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exposure apparatus
proximity exposure
photomask
light
area proximity
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PCT/KR2015/004498
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English (en)
French (fr)
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최영민
김용환
윤억근
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Dongwoo Fine Chem Co Ltd
Original Assignee
Dongwoo Fine Chem Co Ltd
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    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means

Definitions

  • the present invention relates to a large area proximity exposure apparatus that improves the transfer accuracy of a pattern when performing proximity exposure.
  • TFT Thin Film Transistor
  • color filter substrates color filter substrates
  • plasma display panel substrates organic EL (Electroluminescence) display panel substrates, etc.
  • organic EL Electrode
  • liquid crystal display devices used as display panels is carried out using photolithography techniques. Is performed by forming a pattern on the substrate.
  • the exposure apparatus used at this time includes a projection method for projecting a pattern of a mask onto the substrate using a lens or a mirror, and a fine gap (proxy gap) between the mask and the substrate to provide a pattern of the mask.
  • a proximity method to transfer to the substrate is suitable for mass production because the configuration of the irradiation optical system is simple and the processing ability is excellent.
  • a correction coefficient is calculated based on the position misalignment information between exposed shot regions and a measurement unit measuring each shot region and the measured value.
  • An exposure apparatus including a correction unit is provided.
  • the exposure apparatus of the prior art has a problem that a separate device installation and control is required for error measurement and correction.
  • the conventional exposure apparatus has a problem in that it is uneconomical in terms of time and cost as it is corrected by a mask stage and a substrate stage when manufacturing TFTs and CFs.
  • an object of the present invention is to provide a large area proximity exposure apparatus incorporating a final mirror.
  • an object of the present invention is to provide a large-area proximity exposure apparatus that provides an economic effect of reducing the cost by minimizing the number of times the reference photomask sample production.
  • the present invention provides a proximity exposure apparatus spaced between the photomask and the sample, the light source; A first reflector for guiding light emitted from the light source; A light control unit controlling light emitted from the first reflector; A second reflecting tube for guiding the light adjusted by the light adjusting unit to expose the photo mask; And a final mirror between the second reflector and the photomask.
  • Another aspect of the present invention is a LCD display including a TFT and a color filter manufactured by exposure by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention, wherein the total pitch error range of the TFT and the color filter is 0 to 3 It provides an LCD display of ⁇ m.
  • Another aspect provides the pattern transfer method which exposes the transfer pattern which a photomask has to the sample using the exposure apparatus by the large area proximity exposure apparatus of this invention.
  • the large-area proximity exposure apparatus of the present invention can improve the accuracy of patterns when forming patterns on various samples using a photomask, and displays various displays such as TFT, CF, LCD displays, touch sensors, touch screens, and OLED displays. It can also be used for pattern formation.
  • the error range of the total pitch of the TFT and CF and the total pitch of the LCD display and the touch sensor manufactured by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention can be significantly lowered.
  • the large area proximity exposure apparatus of the present invention can be mass-produced immediately after pattern correction with a reference photo mask sample, there is also an economic effect of cost reduction due to minimization of the number of reference photo mask samples.
  • FIG. 1 is a schematic view of a large area proximity exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic view of a final mirror included in a large area proximity exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a final mirror included in a large area proximity exposure apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a total pitch of a TFT and a color filter (C / F) manufactured by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention.
  • the conventional proximity exposure apparatus has a problem in that the light source is diffracted due to the diffraction phenomenon due to the space between the mask and the sample and thus the pattern precision is lowered.
  • the exposure apparatus of the prior art has a problem that a separate device installation and control is required for error measurement and correction.
  • the inventors of the present invention provide a large-area proximity exposure apparatus including a final mirror, which is a correction mechanism, in order to solve the problem of improving the resolution reduction and installing a separate device in the proximity exposure apparatus having a space between the photomask and the sample. This solved it.
  • the present invention provides a proximity exposure apparatus having a space between a photomask and a sample, comprising: a light source unit; A first reflector for guiding light emitted from the light source; A light control unit controlling light emitted from the first reflector; A second reflecting tube for guiding the light adjusted by the light adjusting unit to expose the photomask; And a final mirror between the second reflector and the photomask.
  • the large area proximity exposure apparatus of the present invention corrects the pattern error range of samples manufactured by the large area proximity exposure apparatus by correcting the light in the light source unit in a direction perpendicular to the photomask (up and down movement). I can do less. The deterioration of pattern precision can be minimized.
  • the large area proximity exposure apparatus may be for a TFT, a color filter, an LCD display, a touch sensor, a touch screen, and an OLED display, and may be applied to pattern formation of various displays.
  • the light source unit 10 of the large-area proximity exposure apparatus of the present invention serves to provide light, and may be any light source providing apparatus that can be used in general, and may preferably include a lamp and a condenser.
  • the lamp may be a lamp that emits light in the wavelength range of 250 nm to 600 nm, and / or an ultra-high pressure mercury lamp 10a, and the condenser may be an elliptical mirror 10b that reflects the emitted light and focuses the light to a predetermined position. .
  • the first reflector of the present invention may reflect the light provided from the light source unit 10 and at the same time may reflect ultraviolet rays and transmit infrared rays.
  • the first reflector may include one or more reflectors, preferably two or more reflectors, and most preferably, a first total reflecting mirror 11a and a second total reflecting mirror Dichroic Mirror, 11b).
  • the second reflector of the present invention serves to guide the light incident from the light control unit 12 to the photomask, and may include one or more reflectors as the first reflector, and preferably two The above reflecting mirror may be included, and most preferably, the concave mirror 13a and the planar mirror 13b may be included.
  • the first reflector 11 induces light to be horizontal to the photomask 15
  • the second reflector 13 is installed to induce light to be perpendicular to the photomask 15, thereby designing an exposure apparatus. It becomes easy, and the parallel straightness of light can be raised.
  • the light sources of the first reflecting cylinder 11 and the second reflecting cylinder 13 have cross-sections formed by curved straight lines, respectively.
  • the inclination gradually widening from the light incident portion to the intermediate point is larger than the slope from the intermediate point to the light exit portion. This difference in inclination is because the light of various incidence angles coming from the light source unit 10 can be reflected close to the parallel straight light, and it is easy to realize a shape capable of large-area exposure.
  • the first reflection cylinder 11 and the second reflection cylinder 13 are preferably made of a material having high reflectance with respect to ultraviolet rays such as stainless steel and aluminum.
  • the light control unit 12 of the present invention controls the light to expose the photomask, and may include a fly's eye lens 12a and a shutter 12b.
  • the fly's eye lens 12a serves to uniformly distribute the illuminance of the light emitted from the first reflection barrel.
  • the fly's eye lens has a property of transmitting a light in a certain wavelength range and transmitting other light by an interference effect of light in the thin film when the incident angle of the light is 45 degrees in a plane mirror coated with a transparent multilayer thin film.
  • the thickness and the number of layers of the lens can be adjusted, or any one of infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays can be freely used depending on the material.
  • the shutter 12b may be positioned in the first half and / or second half of the fly's eye lens 12a, and may control on / off of a light source of the large-area proximity exposure apparatus of the present invention.
  • the large-area proximity exposure apparatus of this invention can open the said shutter 12b, irradiate ultraviolet bulging light, perform the pattern formation operation by exposure, irradiating for a desired amount, and can close the shutter 12b.
  • the final mirror of the present invention serves to correct diffraction caused by the space between the photomask and the sample generated in the large-area proximity exposure apparatus.
  • the final mirror is automatically adjusted up and down by shot, and the light exposure to the reference mask is adjusted to minimize the degradation of precision. Can be.
  • the final mirror included in the large-area proximity exposure apparatus of the present invention transmits the light guided in the second reflector, the guided light is shown in FIG. As shown in (b) of FIG. 1, light can be adjusted for each shot included in the final mirror, and the shot means an exposure area.
  • the final mirror In order to adjust the light for each shot of the final mirror, the final mirror can be adjusted by moving up and down.
  • the pattern of the photomask as a reference is indicated by a dotted line, and the solid line indicates the movement of the final mirror.
  • 3 (a) to 3 (d) are diagrams illustrating adjustment of a final mirror of a large area proximity exposure apparatus of the present invention to a pattern by movement in a direction perpendicular to the photomask.
  • the final mirror may have a movement in a direction perpendicular to the photomask of -5 to 5 ⁇ m. If the movement of the final mirror is lowered more than -5 ⁇ m or rises more than 5 ⁇ m, there may be a problem such as broken mirror.
  • the final mirror may include 1 to 10, preferably 4 to 8 shots, and the final mirror may be used as long as it is commonly used.
  • quartz glass may be used, the average thickness may be 5 to 10 mm, and the size may be increased according to the exposure area.
  • the photomask 15 and the sample 16 are sequentially disposed near the light exit portion of the final mirror 14.
  • the distance between the final mirror 14 and the photomask 15 can be adjusted by adjusting the shot or light source of the final mirror, so that the distance is not limited.
  • the distance between the photomask 15 and the sample 16 may be 0 to 400 ⁇ m, and preferably 100 to 300 ⁇ m.
  • the sample 16 is a target object such as a wafer, a liquid crystal substrate, a color filter, a touch sensor, a touch screen, and a photoresist is coated thereon.
  • the photoresist coating process may include a pretreatment, an adhesion enhancer coating treatment, a photoresist coating treatment, and a pre-baking treatment, and the pretreatment may include washing, drying, and the like.
  • the adhesion improving agent coating treatment is a surface modification treatment (ie, treatment for increasing hydrophobicity by applying a surfactant) to enhance adhesion between the photoresist and the substrate, and coating or vaporizing an organic film such as HMDS (Hexamethyl-disilazane). can do.
  • the large-area proximity exposure apparatus includes the final mirror in the Mag. Enable component and DR skew correction.
  • the Mag means magnification correction in the x or y direction of the pattern of the photomask
  • the DR skew means that the image is distorted in the x direction in proportion to the pattern design position of the photomask.
  • the large-area proximity exposure apparatus including the final mirror of the present invention can correct the Mag. Component and the DR distortion, and automatically adjust the final mirror for each shot with the reference photomask sample, and immediately produce the sample. Application may be possible. This reduces the cost of mask production by reducing the number of reference mask samples produced.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a large area proximity exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the large-area proximity exposure apparatus of the present embodiment includes a light source unit 10, a first reflection cylinder 11 for guiding light from the light source unit 10, and light emitted from the first reflection cylinder 11. And a second reflector 13 for guiding the light adjusted by the light adjusting unit 12 to expose the photomask 15 on the sample 16.
  • a final mirror 14 is included between the second reflector 13 and the photomask 15.
  • the light source unit 10 may include a super-high-pressure mercury lamp (10a) and an ellipsoidal dichroic mirror (10b), and the first reflector 11
  • the first total reflection mirror 11a and the second total reflection mirror 11b may be included.
  • the light control unit 12 may include a fly's eye lens 12a and a shutter 12b, and the second reflection tube may include a concave mirror 13a and a planar mirror. Flat Mirror, 13b).
  • the large-area proximity exposure apparatus may be for a TFT, a color filter, an LCD display, a touch sensor, a touch screen and an OLED display, and in addition, pattern formation of various displays. Applicable to
  • the total pitch error range between the samples having the pattern formed by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention may be 0 ⁇ 3 ⁇ m.
  • the total pitch refers to an error of a pattern appearing when the pattern generated in the samples manufactured by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention is compared with the photomask design pattern, and the alignment is a total pitch mark. You can check by key.
  • two or more samples manufactured by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention can check the total pitch error range with each total pitch mark.
  • a thin film transistor (TFT) and a color filter included in an LCD display manufactured by a large-area exposure apparatus are total pitch macros, which are alignment keys for bonding.
  • the total pitch can be confirmed by checking the error of the patterns.
  • the present invention is a LCD display including a TFT and a color filter manufactured by exposure by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention, the total pitch error range of the TFT and the color filter is 0 ⁇ 3 ⁇ m LCD display.
  • an OLED display including an LCD display and a touch sensor manufactured by exposure by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention, wherein the total pitch error range of the LCD display and the touch sensor is 0 to 3 ⁇ m.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of a total pitch of a TFT and a color filter manufactured using the large-area proximity exposure apparatus of the present invention, and the final mirror is perpendicular to the photomask. It can be seen that the error range of the total pitch is reduced by adjusting in the direction of the direction.
  • the points in FIG. 4 are total pitch marks, which are alignment keys necessary for confirming and bonding the pattern positions, and are arranged in a pattern among a plurality of total pitch marks based on an origin point in the center.
  • the error range of the total pitch marks P1, P2, P3, and P4 of each corner of the exposure area solid rectangle, 4shot
  • the accuracy of the pattern formed in the TFT and the color filter can be determined. That is, in contrast to the design according to the pattern of the photomask, the error of the exposure pattern can be confirmed, which is called total pitch.
  • a pair of total pitch error ranges of two or more patterns in which a pattern manufactured by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention is opposed is 0 ⁇ m. Up to 3 ⁇ m.
  • the total pitch error range of the LCD display including the TFT and the color filter manufactured by the conventional proximity exposure apparatus is 3 to 5 ⁇ m
  • the TFT and the color manufactured by the large-area proximity exposure apparatus according to the preferred embodiment of the present invention. This is because the total pitch error range of the filter is significantly lowered to 0 to 3 ⁇ m, which improves the alignment performance of the photomask during the pattern formation of the TFT and the color filter.
  • Still another aspect of the present invention provides a pattern transfer method of exposing a transfer pattern of a photomask to a wafer using an exposure apparatus, using the large area proximity exposure apparatus of the present invention.
  • the large-area proximity exposure apparatus of the present invention can improve the accuracy of patterns when forming patterns on various samples using a photomask, and displays various displays such as TFT, CF, LCD displays, touch sensors, touch screens, and OLED displays. It can also be used for pattern formation.
  • the error range of the total pitch of the TFT and CF and the total pitch of the LCD display and the touch sensor manufactured by the large-area proximity exposure apparatus of the present invention can be significantly lowered.
  • the large area proximity exposure apparatus of the present invention can be mass-produced immediately after pattern correction with a reference photo mask sample, there is also an economic effect of cost reduction due to minimization of the number of reference photo mask samples.

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Abstract

본 발명은 근접 노광을 행할 때에 패턴의 전사 정밀도를 향상시키는 대면적 근접 노광 장치에 관한 것이다.

Description

대면적 근접 노광 장치
본 발명은 근접 노광을 행할 때에 패턴의 전사 정밀도를 향상시키는 대면적 근접 노광 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치에 요구되는 성능 향상의 기대는 점점 커지고 있다. 특히, 휴대 단말기와 같이, 치수가 작고, 고정밀 화상을 필요로 하는 표시 장치는, 색채의 선예성(sharpness)(색 흐림이 없는 것), 반응 속도, 해상성 등과 같은 몇 가지의 점에서 종래품을 초과한 성능이 요구된다. 이러한 요청으로 인해, TFT나 컬러 필터(CF)를 제조하는 포토마스크는, 패턴 형성의 정밀도가 종래보다 더 한층 요구된다.
표시용 패널로 이용되는 액정 디스플레이 장치의 TFT(Thin Film Transistor) 기판이나 컬러 필터 기판, 플라즈마 디스플레이 패널용 기판, 유기EL(Electroluminescence) 표시 패널용 기판 등의 제조는, 노광 장치를 이용하여 포토리소그래피 기술에 의해 기판 상에 패턴이 형성되어 수행된다.
이때 사용되는 노광장치는, 렌즈 또는 거울을 이용하여 마스크의 패턴을 상기 기판 상에 투영하는 프로젝션 방식과, 마스크와 기판 사이에 미세한 틈(프록시미티갭(gap))을 설치하여 상기 마스크의 패턴을 상기 기판으로 전사하는 프록시미티 방식이 있다. 상기 프록시미티 방식은, 상기 프로젝션 방식에 비해 패턴 해상 성능은 떨어지나, 조사광학계의 구성이 간단하면서, 또한 처리능력이 뛰어나 양산용으로 적합하다.
한편, TFT와 CF는, 서로 겹쳐 사용되는 것이므로, 포토마스크 상의 각각의 패턴의 좌표 정밀도와 함께, 전사 시의 위치 결정이 극히 정교하고 치밀하게 제어되지 않으면, 양자간에 위치 어긋남이 발생하여 액정의 동작 불량이 발생할 위험이 있다.
그래서 대한민국 공개특허 10-2014-0009032에서는 고 정확도로 패턴 기판을 제어하기 위해서 노광된 샷 영역들 사이의 위치 어긋남 정보 및 각각의 샷 영역을 측정하는 측정 유닛과 상기 측정값에 기초하여 보정계수를 산출하는 보정유닛을 포함하는 노광장치를 제공하였다.
종래기술의 노광 장치는 오차측정 및 보정에 있어서, 별도의 기기 설치 및 제어가 필요하다는 문제점이 있다.
또한, 종래의 노광 장치는 TFT 및 CF 제조 시, 마스크 스테이지(Mask Stage) 및 기판 스테이지(Stage)로 보정함에 따라서, 시간 및 비용면에서도 비경제적이라는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 파이널 미러를 도입한 대면적 근접 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 TFT, CF, LCD디스플레이, 터치센서, 터치스크린 및 OLED 디스플레이등과 같은 디스플레이 패턴형성에도 사용 가능한 대면적 근접 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, TFT 와 CF 의 토탈피치 및 LCD디스플레이와 터치센서의 토탈피치의 오차범위를 현저히 낮추는 대면적 근접 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기준 포토마스크 샘플 제작횟수를 최소화하여 원가 절감이라는 경제적인 효과를 제공하는 대면적 근접 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 포토마스크와 시료 사이에 간격을 두는 근접 노광 장치에 있어서, 광원부; 상기 광원부에서 나오는 광을 안내하는 제 1 반사통; 상기 제 1 반사통에서 나오는 광을 조절하는 광조절부; 상기 광조절부에서 조절된 광을 안내하여 상기 포토 마스크에 노출하는 제 2 반사통; 및 상기 제 2 반사통 및 상기 포토마스크 사이에 파이널 미러;를 포함하는 대면적 근접 노광 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 태양은 본 발명의 대면적 근접 노광 장치에 의해 노광하여 제조한 TFT 및 컬러필터를 포함하는 LCD 디스플레이에 있어서, 상기 TFT 및 컬러필터의 토탈 피치(Total Pitch) 오차범위가 0 ~ 3㎛인 LCD 디스플레이를 제공한다.
그리고 또 다른 태양은 포토마스크가 갖는 전사용 패턴을, 노광 장치를 이용하여 시료에 전사하는 패턴 전사 방법에 있어서, 본 발명의 대면적 근접 노광 장치에 의해 노광하는 패턴 전사 방법을 제공한다.
본 발명의 대면적 근접 노광 장치는 포토마스크를 이용하여 여러가지 시료에 패턴 형성시, 패턴의 정밀도가 향상될 수 있으며, TFT, CF, LCD디스플레이, 터치센서, 터치스크린 및 OLED 디스플레이 등의 여러 가지 디스플레이 패턴형성에도 사용 가능할 수 있다.
또한, 본 발명의 대면적 근접 노광 장치로 제조한 TFT 와 CF의 토탈피치 및 LCD 디스플레이와 터치센서의 토탈피치의 오차범위가 현저히 낮아질 수 있다.
그리고 본 발명의 대면적 근접 노광 장치는 기준 포토 마스크 샘플로 패턴 보정 후, 바로 양산이 가능하므로, 기준 포토 마스크 샘플 제작횟수의 최소화로 인해 원가 절감이라는 경제적인 효과도 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 대면적 근접 노광 장치의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 대면적 근접 노광 장치에 포함되어 있는 파이널 미러의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 대면적 근접 노광 장치에 포함되어 있는 파이널 미러에 따른 보정 모식도이다.
도 4는 본 발명의 대면적 근접 노광 장치에 의해 제조된 TFT와 컬러필터(C/F)의 토탈피치(Total Pitch) 모식도이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다. 하기의 구체적 설명은 본 발명의 일 실시예에 대한 설명이므로, 비록 한정적 표현이 있더라도 특허청구범위로부터 정해지는 권리범위를 제한하는 것은 아니다.
종래의 근접 노광 장치는 마스크와 시료 사이의 공간으로 인한 회절 현상으로 광원이 회절하여 패턴정밀도가 떨어진다는 문제점이 있다.
또한, 종래기술의 노광 장치는 오차측정 및 보정에 있어서, 별도의 기기 설치 및 제어가 필요하다는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 발명자들은 포토마스크와 시료 사이에 간격을 두는 근접 노광 장치에 있어서, 해상도 저하 개선 및 별도 기기 설치에 대한 문제점을 해결하기 위하여, 보정기구인 파이널 미러를 포함하는 대면적 근접 노광 장치를 제공함으로 이를 해결하였다.
즉, 본 발명은 포토마스크와 시료 사이에 간격을 두는 근접 노광 장치에 있어서, 광원부; 상기 광원부에서 나오는 광을 안내하는 제 1 반사통; 상기 제 1 반사통에서 나오는 광을 조절하는 광조절부; 상기 광조절부에서 조절된 광을 안내하여 상기 포토마스크에 노출하는 제 2 반사통; 및 상기 제 2 반사통 및 상기 포토마스크 사이에 파이널 미러;를 포함하는 대면적 근접 노광 장치를 제공한다.
이로 인해서, 본 발명의 대면적 근접 노광 장치는 상기 파이널 미러가 광원부의 광을 포토마스크에 수직하는 방향(상하움직임)으로 보정함으로써, 상기 대면적 근접 노광장치에 의해 제조되는 시료들의 패턴 오차범위를 적게 할 수 있어. 패턴 정밀도 저하를 최소화할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시 예에 따르면, 상기 대면적 근접 노광 장치는 TFT, 컬러필터, LCD 디스플레이, 터치센서, 터치스크린 및 OLED 디스플레이용 일 수 있으며, 이외에도 다양한 디스플레이의 패턴형성에 적용이 가능하다.
하기부터는 본 발명의 대면적 근접 노광 장치의 각 구성에 대해 설명한다.
광원부(10)
본 발명의 대면적 근접 노광 장치의 광원부(10)는 빛을 제공하는 역할로써, 통상적으로 사용가능한 광원제공장치이면 가능하며, 바람직하게는 램프 및 집광경을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 램프는 250nm ~ 600nm 파장대의 광을 발산하는 램프 또는/및 초고압 수은등(10a) 일 수 있고, 상기 집광경은 발산되는 광을 반사하여 소정의 위치로 집광시키는 타원 미러(10b)일 수 있다.
제 1반사통(11)
본 발명의 제 1반사통은 상기 광원부(10)에서 제공되는 광을 반사시키는 동시에 자외선은 반사하고 적외선은 투과하는 역할을 할 수 있다.
그리고 상기 제 1반사통은 1개 이상의 반사경을 포함할 수 있고, 바람직하게는 2개 이상의 반사경을 포함할 수 있으며, 가장 바람직하게는 제1전반사 미러(Dichroic Mirror, 11a) 및 제2전반사 미러(Dichroic Mirror, 11b)를 포함할 수 있다.
제 2반사통(13)
본 발명의 제 2반사통은 상기 광조절부(12)로부터 입사된 광을 포토마스크에 안내하는 역할을 하며, 상기 제 1반사통과 같이 1개 이상의 반사경을 포함할 수 있고, 바람직하게는 2개 이상의 반사경을 포함할 수 있으며, 가장 바람직하게는 요면미러(13a) 및 평면미러(13b)를 포함할 수 있다.
한편, 상기 제 1반사통(11)과 제 2반사통(13)의 분할 배치에 따라 장치의 전체적인 높이를 줄일 수 있다. 또한, 제 1반사통(11)은 포토 마스크(15)에 수평하도록 빛을 유도하고, 제 2반사통(13)은 포토 마스크(15)에 수직하도록 빛을 유도하도록 설치되어, 노광장치의 설계가 용이해지고, 광의 평행 직진도를 높일 수 있다.
또한, 상기 제 1반사통(11)과 제 2반사통(13)의 광원은 각각 꺾어진 직선으로 단면이 이루어진 것이 바람직하다. 예컨대, 입광부에서 중간 지점까지는 점점 넓어지는 기울기가 중간 지점에서 출광부까지의 기울기보다 크게 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 기울기의 차이는 광원부(10)에서 들어오는 다양한 입사각의 광을 평행한 직진광에 가깝게 반사시킬 수 있고, 대면적 노광이 가능한 형상으로 구현하기 쉽기 때문이다. 그리고 상기 제 1반사통(11) 및 상기 제 2반사통(13)은 스테인리스스틸, 알루미늄 등 자외선에 대한 반사율이 높은 재질로 하는 것이 바람직하다.
광조절부(12)
본 발명의 광조절부(12)는 광을 조절하여 상기 포토마스크에 노출하는 역할을 하며, 플라이아이렌즈(12a) 및 셔터(12b)를 포함할 수 있다.
상기 플라이아이렌즈(12a)는 상기 제 1반사통에서 출사된 광의 조도분포를 균일하게 하는 역할을 한다. 그리고 상기 플라이아이렌즈는 투명한 다층박막 코팅을 한 평면거울에서, 빛의 입사각을 45도로 했을 때, 박막 내의 빛의 간섭효과에 의해서 어떤 파장범위의 빛은 반사하고, 다른 것은 투과하는 성질을 가지게 한 것으로 평면 판상과 프리즘 모양의 것이 있는데, 컬러 텔레비전 카메라로 통과한 빛을 3원색으로 분해해서 각 촬상관에 첨가하는 데 이용하기도 한다. 렌즈의 두께, 층수를 조절하거나 재료에 따라서 적외선, 가시광선, 자외선 중 어느 것을 자유로 선택하여 사용할 수 있다.
상기 셔터(12b)는 플라이아이렌즈(12a) 전반부 및/또는 후반부에 위치할 수 있으며, 본 발명의 대면적 근접 노광 장치의 광원의 온/오프를 조절 할 수 있다.
즉, 본 발명의 대면적 근접 노광 장치는 상기 셔터(12b)를 개방하여 자외선 팽행광을 조사하고, 원하는 양만큼 조사하면서 노광에 의한 패턴 형성 작업을 실시하고, 셔터(12b)를 닫을 수 있다.
파이널 미러(14)
본 발명의 파이널 미러는 대면적 근접 노광 장치에서 발생하는 포토마스크와 시료 사이의 공간으로 인한 회절 현상을 보정하는 역할을 한다. 즉, 광원이 포토마스크 패턴의 끝부분 모서리에서 회절하여 패턴형성의 정밀도가 떨어지는 것을 방지하기 위해서 파이널 미러를 샷별로 상하움직임으로 자동 조정하여서, 기준 마스크에 노출하는 광을 조정하여 정밀도 저하를 최소화 할 수 있다.
도 2를 참고하여 설명하면, 본 발명의 대면적 근접 노광 장치에 포함되어 있는 파이널 미러는 도 2의 (a)와 같이, 제 2반사통에서 안내되는 광을 투과시키며, 안내되는 광은 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 파이널 미러에 포함되어 있는 샷별로 광을 조정할 수 있게 하며, 샷은 노광 영역을 의미한다.
상기 파이널 미러의 샷별로 광을 조정하기 위해서 파이널 미러는 상하로 움직여서 조절할 수 있다. 도 3을 참고하여 설명하면, 기준이 되는 포토마스크의 패턴을 점선으로 나타내었고, 실선은 파이널 미러의 움직임을 나타내었다. 도 3의 (a) 내지 (d)는 본 발명의 대면적 근접 노광 장치의 파이널 미러가 포토마스크에 수직하는 방향의 움직임으로 패턴에 맞게 조절하는 것을 도식화 한 것이다.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 파이널 미러는 포토마스크에 수직하는 방향의 움직임이 -5 ~ 5㎛일 수 있다. 만약 상기 파이널 미러의 움직임이 -5㎛보다 더 하강 또는 5㎛보다 상승하면, 미러의 깨짐 등의 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 파이널 미러는 1 ~ 10개, 바람직하게는 4 ~ 8개의 샷(Shot)을 포함할 수 있으며, 상기 파이널 미러는 통상적으로 사용가능한 것이면, 무방하고, 바람직하게는 석영 글래스(Glass)를 사용할 수 있으며, 평균두께는 5 ~ 10mm일 수 있고, 크기는 노광 영역에 따라 커질 수 있다.
그리고 상기 파이널미러(14)의 출광부 가까이에는 포토마스크(15)와 시료(16)가 순차적으로 배치되어 있다.
상기 파이널미러(14)와 포토마스크(15) 사이의 간격은 파이널미러의 샷 또는 광원 조절로 조정 가능하여 간격은 무방하다.
그리고 본 발명의 대면적 근접 노광 장치는 포토마스크(15)와 시료(16)의 간격은 0 ~ 400㎛일 수 있고, 바람직하게는 100 ~ 300㎛일 수 있다.
또한, 상기 시료(16)는 웨이퍼나 액정기판, 컬러필터, 터치센서, 터치스크린 등의 피처리체로, 그 위에 포토레지스트가 도포되어 있다. 포토레지스트 도포공정은 전처리와, 밀착성 향상제 도포처리와, 포토레지스트 도포처리와, 프리-베이크 처리를 포함할 수 있으며, 상기 전처리는 세정, 건조 등을 포함할 수 있다. 밀착성 향상제 도포처리는 포토레지스트와 기재와의 밀착성을 높이기 위한 표면개질처리(즉, 계면활성제 도포에 의한 소수성화를 증대시키기 위한 처리)이며, HMDS(Hexamethyl-disilazane)등의 유기막을 코팅 혹은 증기 처리할 수 있다.
한편, 종래의 근접 노광 장치에서는 시료가 달라질 때마다 기준 포토마스크(Mask) 샘플을 매번 제작하여 보정하였기 때문에 원가 비용이 높았다.
그러나 본 발명에서 제공하는 대면적 근접 노광 장치는 종래의 근접 노광 장치에서는 파이널 미러를 포함함으로써, 불가능했던 Mag. 성분 및 DR 틀어짐 보정을 가능하게 한다.
이때, 상기 Mag. 성분은 포토마스크의 패턴(Pattern)의 x 또는 y 방향의 배율 보정을 의미하며, DR 틀어짐은 포토마스크의 패턴(Pattern)설계 위치에 비례하여 x 방향으로 상이 뒤틀어짐을 의미한다.
즉, 상기와 같이 본 발명의 파이널 미러를 포함하는 대면적 근접 노광 장치는 Mag.성분 및 DR 틀어짐 보정이 가능함에 따라, 기준 포토마스크 샘플로 파이널 미러를 샷별로 자동조정한 후, 바로 시료의 양산적용이 가능할 수 있다. 따라서 기준 마스크 샘플 제작 횟수를 줄여서 마스크 생산 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 근접 노광 장치를 도시한 구성도이다.
도 1을 설명하면, 본 실시예의 대면적 근접 노광장치는 광원부(10)와, 광원부(10)의 광을 안내하는 제1반사통(11)과, 제1반사통(11)에서 나오는 광을 조절하는 광조절부(12)와, 광조절부(12)에서 조절된 광을 안내하여 시료(16)상부에 있는 포토마스크(15)에 노출하는 제2반사통(13)을 포함하고, 상기 제2반사통(13) 및 상기 포토마스크(15) 사이에 파이널 미러(14)를 포함한다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 광원부(10)는 초고압 수은등(Super-high-Pressure Mecury Lamp, 10a) 및 타원미러(Ellipsoidal Dichroic Mirror, 10b)를 포함할 수 있고, 상기 제1반사통(11)은 제1전반사 미러(Dichroic Mirror, 11a) 및 제2전반사 미러(Dichroic Mirror, 11b)를 포함할 수 있다. 그리고 상기 광조절부(12)는 플라이아이렌즈(Fly eye lens, 12a) 및 셔터(Shutter, 12b)를 포함할 수 있고, 상기 제2반사통은 요면 미러(Concave Mirror, 13a) 및 평면 미러(Flat Mirror, 13b)를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 근접 노광 장치는 TFT, 컬러필터, LCD 디스플레이, 터치센서, 터치스크린 및 OLED 디스플레이용일 수 있으며, 이외에도 다양한 디스플레이의 패턴형성에 적용이 가능하다.
본 발명에서는 본 발명의 대면적 근접 노광 장치로 제조된 패턴이 형성된 시료들 간의 토탈 피치(Total Pitch) 오차범위가 0 ~ 3㎛ 일 수 있다.
본 발명에서 상기 토탈 피치(total pitch)는 본 발명의 대면적 근접 노광 장치로 제조된 시료들에 생성된 패턴과 포토마스크 설계 패턴과 대비하였을 때, 나타나는 패턴의 오차를 의미하며, 토탈피치 마크인 정렬키로 확인할 수 있다.
그리고 본 발명의 대면적 근접 노광 장치로 제조된 2개 이상의 시료들은 각각의 토탈피치 마크로 토탈피치 오차범위를 확인할 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 노광 장치에 의해 제조된 LCD디스플레이에 포함되는 박막트랜지스터(thin film transistor 또는 TFT) 및 컬러 필터(color filter)는 합착을 위한 정렬 키인 토탈피치 마크로 서로간의 패턴의 오차를 확인하여 토탈피치를 확인할 수 있다.
또한, 본 발명은 본 발명의 대면적 근접 노광 장치에 의해 노광하여 제조한 TFT 및 컬러필터를 포함하는 LCD 디스플레이에 있어서, 상기 TFT 및 컬러필터의 토탈 피치(Total Pitch) 오차범위가 0 ~ 3㎛인 LCD 디스플레이를 제공한다.
그리고 본 발명의 대면적 근접 노광 장치에 의해 노광하여 제조한 LCD 디스플레이 및 터치센서를 포함하는 OLED 디스플레이에 있어서, 상기 LCD디스플레이 및 터치센서의 토탈 피치(Total Pitch) 오차범위가 0 ~ 3㎛인 OLED 디스플레이를 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따라 도 4를 참고하여 설명하면, 도 4는 본 발명의 대면적 근접 노광 장치를 사용하여 제조한 TFT와 컬러필터의 토탈피치의 모식도이며, 파이널 미러를 포토마스크에 수직하는 방향으로 조정하여 토탈피치의 오차범위가 줄어든 것을 알 수 있다.
구체적으로 설명하면, 도 4의 점들은 패턴위치를 확인하여 합착하는데 필요한 정렬키인 토탈피치 마크(Total pitch mark)이며, 중앙의 오리진포인트(Origin Point)를 기준으로 여러 개의 토탈피치 마크 중에서 패턴에 따른 노광영역(실선 사각형, 4shot)의 각 모서리의 토탈피치 마크(P1, P2, P3 및 P4)의 오차범위를 측정하여 TFT와 컬러필터에 형성된 패턴의 정확도를 판단할 수 있다. 즉, 포토마스크의 패턴에 따른 설계와 대비하여 노광 패턴의 오차를 확인할 수 있으며, 이를 토탈피치라고 한다.
그리고 도 4의 θ1 및 θ2는 각각 중심과 외곽 패턴이 수직으로 있기 때문에 동일한 각도가 나올 수 있다는 것을 알 수 있다.
결론적으로, 본 발명의 대면적 근접 노광장치로 제조한 패턴이 형성된 2개 이상의 시료(예를 들어, TFT 및 컬러필터 또는 LCD디스플레이 및 터치센서)들의 대향하는 한 쌍의 토탈 피치 오차범위가 0㎛에서 최대 3㎛일 수 있다.
이는 종래의 근접 노광 장치로 제조한 TFT 및 컬러필터를 포함하는 LCD 디스플레이의 토탈피치 오차범위가 3 ~ 5㎛ 인데 반하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대면적 근접 노광 장치로 제조한 TFT 및 컬러필터의 토탈피치 오차범위는 0 ~ 3㎛으로 현저히 낮아진 것으로써, TFT 및 컬러필터의 패턴 형성시에 포토마스크의 정렬(Alignment) 성능이 향상되었기 때문이다.
본 발명의 또 다른 태양은 포토마스크가 갖는 전사용 패턴을, 노광 장치를 이용하여 웨이퍼에 전사하는 패턴 전사 방법에 있어서, 본 발명의 대면적 근접 노광 장치에 의해 노광하는 패턴 전사 방법을 제공한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술분야의 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
[부호의 설명]
10 : 광원부 10a : 초고압 수은등
10b : 타원미러 11 : 제 1반사통
11a : 제 1전반사 미러 11b : 제 2전반사 미러
12 : 광조절부 12a : 플라이아이렌즈
12b : 셔터 13 : 제 2반사통
13a: 요면 미러 13b : 평면 미러
14 : 파이널 미러 15 : 포토마스크
16 : 시료
40 : 오리진 포인트(Origin Point) 41 : 토탈피치 마크의 오차범위
본 발명의 대면적 근접 노광 장치는 포토마스크를 이용하여 여러가지 시료에 패턴 형성시, 패턴의 정밀도가 향상될 수 있으며, TFT, CF, LCD디스플레이, 터치센서, 터치스크린 및 OLED 디스플레이 등의 여러 가지 디스플레이 패턴형성에도 사용 가능할 수 있다.
또한, 본 발명의 대면적 근접 노광 장치로 제조한 TFT 와 CF의 토탈피치 및 LCD 디스플레이와 터치센서의 토탈피치의 오차범위가 현저히 낮아질 수 있다.
그리고 본 발명의 대면적 근접 노광 장치는 기준 포토 마스크 샘플로 패턴 보정 후, 바로 양산이 가능하므로, 기준 포토 마스크 샘플 제작횟수의 최소화로 인해 원가 절감이라는 경제적인 효과도 있다.

Claims (9)

  1. 포토마스크와 시료 사이에 간격을 두는 근접 노광 장치에 있어서,
    광원부;
    상기 광원부에서 나오는 광을 안내하는 제 1 반사통;
    상기 제 1 반사통에서 나오는 광을 조절하는 광조절부;
    상기 광조절부에서 조절된 광을 안내하여 상기 포토 마스크에 노출하는 제 2 반사통; 및
    상기 제 2 반사통 및 상기 포토마스크 사이에 파이널 미러;를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 근접 노광 장치.
  2. 청구항 1항에 있어서,
    상기 파이널 미러는
    포토마스크에 수직하는 방향으로 -5 ~ 5㎛ 움직이는 것을 특징으로 하는 대면적 근접 노광 장치.
  3. 청구항 1항에 있어서,
    상기 파이널 미러는 1 ~ 10개의 샷(Shot)을 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 근접 노광 장치.
  4. 청구항 1항에 있어서,
    상기 포토마스크와 시료의 간격은 0 ~ 400㎛ 인 것을 특징으로 하는 대면적 근접 노광 장치.
  5. 청구항 1항에 있어서,
    상기 대면적 근접 노광 장치는 TFT, 컬러필터(CF), LCD 디스플레이, 터치센서, 터치스크린 및 OLED 디스플레이용인 것을 특징으로 하는 대면적 근접 노광 장치.
  6. 청구항 1항에 있어서,
    상기 대면적 근접 노광 장치에 의해 노광하여 제조한 2 개 이상의 패턴이 형성된 시료의 토탈 피치 오차범위가 0 ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 대면적 근접 노광 장치.
  7. 청구항 1항의 대면적 근접 노광 장치에 의해 노광하여 제조한 TFT 및 컬러필터를 포함하는 LCD 디스플레이 있어서,
    상기 TFT 및 컬러필터의 토탈 피치(Total Pitch) 오차범위가 0 ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 LCD 디스플레이.
  8. 청구항 1항의 대면적 근접 노광 장치에 의해 노광하여 제조한 LCD 디스플레이 및 터치센서를 포함하는 OLED 디스플레이에 있어서,
    상기 LCD디스플레이 및 터치센서의 토탈 피치(Total Pitch) 오차범위가 0 ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 OLED 디스플레이.
  9. 포토마스크가 갖는 전사용 패턴을, 노광 장치를 이용하여 시료에 전사하는 패턴 전사 방법에 있어서,
    청구항 1항의 대면적 근접 노광 장치에 의해 노광하는 것을 특징으로 하는 패턴 전사 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114236977A (zh) * 2021-12-29 2022-03-25 长春理工大学 一种错位叠加优化dmd曝光的方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102007751B1 (ko) * 2018-03-05 2019-08-06 동우 화인켐 주식회사 광배향 조사장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970004421B1 (ko) * 1993-12-21 1997-03-27 현대전자산업 주식회사 반도체 노광장치
JP2000232056A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Minolta Co Ltd 露光装置
JP2003037056A (ja) * 2001-03-21 2003-02-07 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss 回折光学コンポーネント、このような回折光学コンポーネントを備えた照射系および露光系、ならびにこのような露光系を用いた露光方法
JP2003224047A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Canon Inc 露光装置
KR100566096B1 (ko) * 2004-11-24 2006-03-31 한국전자통신연구원 노광 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970004421B1 (ko) * 1993-12-21 1997-03-27 현대전자산업 주식회사 반도체 노광장치
JP2000232056A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Minolta Co Ltd 露光装置
JP2003037056A (ja) * 2001-03-21 2003-02-07 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss 回折光学コンポーネント、このような回折光学コンポーネントを備えた照射系および露光系、ならびにこのような露光系を用いた露光方法
JP2003224047A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Canon Inc 露光装置
KR100566096B1 (ko) * 2004-11-24 2006-03-31 한국전자통신연구원 노광 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114236977A (zh) * 2021-12-29 2022-03-25 长春理工大学 一种错位叠加优化dmd曝光的方法

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