WO2015129537A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

液晶パネル１１は、アレイ基板１１ｂと、ＣＦ基板１１ａと、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に介在し、内部空間ＩＳを封止するシール部１１ｄと、アレイ基板１１ｂにおいて表示領域ＡＡに配される第１透明電極膜２３と、アレイ基板１１ｂにおいて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る範囲に配されてシール部１１ｄが接着されるとともに第１透明電極膜２３のアレイ基板１１ｂ側に配される第１層間絶縁膜４１であって、非表示領域ＮＡＡにおいてシール部１１ｄよりも表示領域ＡＡ側となる位置に配されるスリット４２を有する第１層間絶縁膜４１と、アレイ基板１１ｂにおいて少なくとも表示領域ＡＡに配されるとともに第１層間絶縁膜４１のアレイ基板１１ｂ側に配されて第１層間絶縁膜４１を第１透明電極膜２３との間で挟み込む第２透明電極膜２４と、を備える。

Description

表示装置

　本発明は、表示装置に関する。

　従来、液晶表示装置を構成する主要部品である液晶パネルは、次のような構成とされる。すなわち、液晶パネルは、一対のガラス製の基板間に液晶を挟持させるとともに、その液晶の周りにシール部を取り囲むよう形成することで液晶を封止している。両基板は、スイッチング素子であるＴＦＴ、画素電極、絶縁膜、及び各配線などが形成されるアレイ基板と、カラーフィルタなどが形成されるＣＦ基板とからなる。この種の液晶パネルの一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。

　この特許文献１に記載された液晶パネルには、有機絶縁膜と無機絶縁膜とが積層形成されたアレイ基板におけるシール部の形成領域において、無機絶縁膜を貫通し有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、シール部の形成領域の周方向に沿って形成されている。この凹陥部によってアレイ基板に対するシール部の接着性の向上などが図られている。

特開２０１０－９１８９６号公報

（発明が解決しようとする課題）
　ところで、上記した特許文献１に記載された液晶パネルでは、シール部が主として無機絶縁膜に接着されている。このシール部と無機絶縁膜とでは、それぞれをなす材料の線膨張係数（熱膨張率）が相違するため、液晶パネルの使用環境において温度変化が生じると、無機絶縁膜におけるシール部の接着箇所に応力が作用し、その応力が無機絶縁膜における表示領域側の部分にまで影響し、これが無機絶縁膜の密着性を上回ると、表示領域側の部分に剥離が生じる。無機絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じると、無機絶縁膜の上層側に配された透明電極膜に位置ずれなどの不良が生じ、表示不良が発生する可能性があった。特に、液晶パネルの狭額縁化が進行し、シール部から表示領域までの幅が狭くなった場合には、無機絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、無機絶縁膜における表示領域側の部分により影響し易くなって表示不良が生じ易くなる傾向にあり、対応に苦慮していた。

　本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、表示不良の発生を抑制することを目的とする。

（課題を解決するための手段）
　本発明の第１の表示装置は、表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される第１基板と、前記第１基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されるとともに前記内部空間を封止するシール部と、前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配される第１透明電極膜と、前記第１基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されて前記シール部が接着されるとともに前記第１透明電極膜の前記第１基板側に配される第１絶縁膜であって、前記非表示領域において前記シール部よりも前記表示領域側となる位置に配されるスリットを有する第１絶縁膜と、前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第１絶縁膜の前記第１基板側に配されて前記第１絶縁膜を前記第１透明電極膜との間で挟み込む第２透明電極膜と、を備える。

　このようにすれば、互いに対向する第１基板と第２基板との間には、内部空間が有されるとともにその内部空間を取り囲む形で配されるシール部が介在しており、シール部によって内部空間が封止される。第１絶縁膜は、第１基板において表示領域と非表示領域とに跨る範囲に配されてシール部が接着されるとともに、第１透明電極膜と第２透明電極膜との間に挟み込まれる形で配されている。

　ところで、シール部と第１絶縁膜とにおいて、それぞれをなす材料の線膨張係数が異なると、温度変化が生じた場合に第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に応力が作用するおそれがある。特に、狭額縁化が進行し、シール部から表示領域までの幅が狭くなった場合には、第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第１絶縁膜における表示領域側の部分により影響し易くなる傾向にある。しかも、第１絶縁膜が第１透明電極膜と第２透明電極膜との間に挟み込まれる構成では、第２透明電極膜を備えない構成のものに比べると、第１絶縁膜の膜厚が相対的に薄くなる傾向にあるため、第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に作用する応力によって第１絶縁膜に剥離が生じ易くなっている。その点、第１絶縁膜は、非表示領域においてシール部よりも表示領域側となる位置に配されるスリットを有しているから、第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に上記のような応力が作用しても、その応力が第１絶縁膜における表示領域側の部分にまで影響し難いものとなっている。これにより、第１絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じ難くなるので、表示領域において第１絶縁膜の上層側に配される第１透明電極膜に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。

　本発明の第１の表示装置の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記第２透明電極膜は、前記非表示領域にまで拡張して配される電極膜拡張部を有しており、前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記第２透明電極膜の前記電極膜拡張部と重畳する位置に配されるよう設けられている。スリットの形成に際し、例えばフォトリソグラフィ法を用いて第１絶縁膜を部分的にエッチングするようにした場合、第１絶縁膜におけるスリットの形成予定部分の第１基板側に第２透明電極膜の電極膜拡張部が配されることで、電極膜拡張部がエッチングストッパとして機能し、エッチングが電極膜拡張部の第１基板側にまで及ぶことが避けられる。

（２）前記第１基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに前記第２透明電極膜の前記第１基板側に配される第２絶縁膜と、前記第１基板において前記非表示領域に配されるとともに前記第２絶縁膜の前記第１基板側に配されるとともに共通電位とされる共通電位供給部と、を備えており、前記電極膜拡張部は、前記第２絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記共通電位供給部に接続されている。電極膜拡張部は、表示領域と非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに第２透明電極膜の第１基板側に配される第２絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して第２絶縁膜の第１基板側に配される共通電位供給部に接続されているから、共通電位供給部から電極膜拡張部を有する第２透明電極膜に共通電位が供給される。このように、電極膜拡張部は、共通電位を第２透明電極膜に伝達する機能に加えて、第１絶縁膜にスリットを形成する際に電極膜拡張部の第１基板側がエッチングされるのを防ぐ機能を有しているから、仮に各機能毎に別の部位を設けた場合に比べると、構成の簡素化が図られる。

（３）前記第１基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに前記第１絶縁膜の前記第１基板側に配される第２絶縁膜を備えており、前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記第２絶縁膜と重畳する位置に配されるよう設けられている。このようにすれば、スリットの配置自由度が高いものとなる。

（４）前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記第１絶縁膜の膜厚方向について貫通する形態となるよう設けられている。このようにすれば、仮にスリットが第１絶縁膜の膜厚方向について貫通せずに薄肉部（スリットの非形成部位よりも薄肉な部位）を残存させた形態とされた場合に比べると、第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第１絶縁膜における表示領域側の部分により影響し難くなる。これにより、第１絶縁膜における表示領域側の部分に剥離がより生じ難くなって表示不良の発生がより好適に抑制される。

（５）前記第１絶縁膜は、前記スリットの形成部位に、前記スリットの非形成部位よりも薄肉な薄肉部が形成されるよう設けられている。スリットの形成に際し、例えばハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いたフォトリソグラフィ法を用いて第１絶縁膜を部分的にエッチングするようにした場合、第１絶縁膜におけるスリットの形成部位に薄肉部が残されることで、エッチングが第１絶縁膜の第１基板側にまで及ぶことが避けられる。しかも、仮にスリットが第１絶縁膜を膜厚方向に貫通する形態とされた場合に比べると、第１絶縁膜の第１基板側がスリットを通して露出することが避けられるので、膜質が不均質化するのが回避される。これにより、スリットの形成に伴って生じ得る表示性能の劣化が生じ難くなる。また、スリットの配置自由度が高いものとなる。

（６）前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記表示領域よりも前記シール部の近くに配されるよう設けられている。このようにすれば、第１絶縁膜におけるスリットの形成部位に薄肉部が形成される構成では、スリットの配置自由度が高いものとなるので、スリットを表示領域よりもシール部の近くに配置することが可能となる。そして、第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に応力が作用して剥離が生じたとしても、上記したスリットの配置によって第１絶縁膜における剥離し得る部分の範囲が狭いものとなる。これにより、第１絶縁膜に剥離が生じたとしてもその剥離範囲が限定されることで、表示性能に悪影響を及ぼし難いものとされる。

（７）前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記シール部に倣ってその全周にわたって連続的または間欠的に配されるよう設けられている。このようにすれば、シール部の全周にわたって連続的または間欠的に配されたスリットによって、第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第１絶縁膜における表示領域側の部分に影響し難くなるので、第１絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じ難くなって表示不良の発生が抑制される。

（８）前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記シール部の全周にわたって連続的に延在する溝状をなすよう設けられている。このようにすれば、スリットがシール部の全周にわたって途中で途切れることなく連続的に配されるので、第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第１絶縁膜における表示領域側の部分により影響し難くなる。これにより、第１絶縁膜における表示領域側の部分に剥離がより生じ難くなって表示不良の発生がより好適に抑制される。

（９）前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記シール部の全周にわたって間欠的に配されるよう設けられている。このようにすれば、シール部の全周にわたって間欠的に配されたスリットによって第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第１絶縁膜における表示領域側の部分に影響し難くなるので、第１絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じ難くなって表示不良の発生が抑制される。

（１０）前記第２基板において少なくとも前記非表示領域に配される遮光部を備えており、前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記遮光部と重畳する配置となるよう設けられている。当該表示装置におけるスリットの形成領域と、スリットの非形成領域とでは、当該表示装置の透過光に付与される光学作用に差が生じる可能性があり、それが輝度ムラの原因となるおそれがある。その点、第１絶縁膜は、スリットが第２基板に備えられる遮光部と重畳する配置となるよう設けられているので、当該表示装置におけるスリットの形成領域を光が透過することが避けられる。これにより、当該表示装置の透過光に輝度ムラが生じることが回避され、表示不良の発生が抑制される。

　本発明の第２の表示装置は、表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される第１基板と、前記第１基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されるとともに前記内部空間を封止するシール部と、前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配される第１透明電極膜と、前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第１透明電極膜の前記第１基板側に配され且つ前記シール部とは非重畳となる範囲に配されてなる第１絶縁膜と、前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第１絶縁膜の前記第１基板側に配されて前記第１絶縁膜を前記第１透明電極膜との間で挟み込む第２透明電極膜と、を備える。

　このようにすれば、互いに対向する第１基板と第２基板との間には、内部空間が有されるとともにその内部空間を取り囲む形で配されるシール部が介在しており、シール部によって内部空間が封止される。第１絶縁膜は、第１基板において少なくとも表示領域に配されるとともに、第１透明電極膜と第２透明電極膜との間に挟み込まれる形で配されている。

　そして、第１絶縁膜は、シール部とは非重畳となる範囲に配されており、シール部が直接接着されることがないものとされる。ここで、仮にシール部が第１絶縁膜に直接接着した場合には、温度変化に伴って両者の接着箇所に応力が生じると、第１絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じてしまい、第１絶縁膜の上層側に配される第１透明電極膜に位置ずれなどの不良が生じるおそれがある。特に、狭額縁化が進行し、シール部から表示領域までの幅が狭くなった場合には、上記した接着箇所に生じた応力が、第１絶縁膜における表示領域側の部分により影響し易くなる傾向にある。しかも、第１絶縁膜が第１透明電極膜と第２透明電極膜との間に挟み込まれる構成では、第２透明電極膜を備えない構成のものに比べると、第１絶縁膜の膜厚が相対的に薄くなる傾向にあるため、第１絶縁膜におけるシール部の接着箇所に作用する応力によって第１絶縁膜に剥離が生じ易くなっている。これに対し、第１絶縁膜がシール部に直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部から第１絶縁膜に応力が作用する事態が回避されている。これにより、第１絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示領域において第１絶縁膜の上層側に配される第１透明電極膜に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。

　本発明の第２の表示装置の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第１絶縁膜の前記第１基板側に配されて前記第１絶縁膜を前記第１透明電極膜との間で挟み込む第２透明電極膜と、前記第１基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されて前記シール部が接着されるとともに前記第２透明電極膜の前記第１基板側に配され且つ前記第１絶縁膜よりも膜厚が大きな第２絶縁膜と、を備える。このように第１絶縁膜が第１透明電極膜と第２透明電極膜との間に挟み込まれる構成では、シール部が接着される第２絶縁膜の膜厚が第１絶縁膜の膜厚よりも大きくなっているので、温度変化に伴って第２絶縁膜におけるシール部の接着箇所に応力が作用した場合でも、第２絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じ難いものとされる。言い換えると、相対的に膜厚が小さな第１絶縁膜は、応力によって剥離が生じ易い傾向にあるものの、第１絶縁膜がシール部に直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部から第１絶縁膜に応力が作用する事態が回避されている。以上により、第１絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示不良の発生が抑制される。

（発明の効果）
　本発明によれば、表示不良の発生を抑制することができる。

本発明の実施形態１に係るドライバを実装した液晶パネルとフレキシブル基板と制御回路基板との接続構成を示す概略平面図 液晶表示装置の長辺方向に沿った断面構成を示す概略断面図 液晶パネル全体の断面構成を示す概略断面図 アレイ基板の平面図 アレイ基板の非表示領域に配されたシールド部、行制御回路部及び列制御回路部と、表示領域に配されたＴＦＴとを接続する配線構成を示す平面図 アレイ基板の角部付近を拡大した平面図 図４のvii-vii線断面図 本発明の実施形態２に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図 図８のix-ix線断面図 図８のx-x線断面図 本発明の実施形態３に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図 図１１のxii-xii線断面図 本発明の実施形態４に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態５に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図 図１４のxv-xv線断面図 本発明の実施形態６に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態７に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態８に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図 図１８のxix-xix線断面図 本発明の実施形態９に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図 図２０のxxi-xxi線断面図 本発明の実施形態１０に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図 図２２のxxiii-xxiii線断面図 本発明の実施形態１１に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態１２に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態１３に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態１４に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態１５に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図

　＜実施形態１＞
　本発明の実施形態１を図１から図７によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図２，図３及び図７などを基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。

　液晶表示装置１０は、図１及び図２に示すように、画像を表示可能で且つ中央側に配される表示領域（アクティブエリア）ＡＡ、及び表示領域ＡＡを取り囲む形で外周側に配される非表示領域（ノンアクティブエリア）ＮＡＡを有する液晶パネル（表示装置、表示パネル）１１と、液晶パネル１１を駆動するドライバ（パネル駆動部）２１と、ドライバ２１に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板（外部の信号供給源）１２と、液晶パネル１１と外部の制御回路基板１２とを電気的に接続するフレキシブル基板（外部接続部品）１３と、液晶パネル１１に光を供給する外部光源であるバックライト装置（照明装置）１４とを備える。また、液晶表示装置１０は、相互に組み付けた液晶パネル１１及びバックライト装置１４を収容・保持するための表裏一対の外装部材１５，１６をも備えており、このうち表側の外装部材１５には、液晶パネル１１の表示領域ＡＡに表示された画像を外部から視認させるための開口部１５ａが形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置１０は、携帯電話（スマートフォンなどを含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコンなどを含む）、携帯型情報端末（電子ブックやＰＤＡなどを含む）、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器（図示せず）に用いられるものである。このため、液晶表示装置１０を構成する液晶パネル１１の画面サイズは、数インチ～１０数インチ程度とされ、一般的には小型または中小型に分類される大きさとされている。

　先に、バックライト装置１４について簡単に説明する。バックライト装置１４は、図２に示すように、表側（液晶パネル１１側）に向けて開口した略箱形をなすシャーシ１４ａと、シャーシ１４ａ内に配された図示しない光源（例えば冷陰極管、ＬＥＤ、有機ＥＬなど）と、シャーシ１４ａの開口部を覆う形で配される図示しない光学部材とを備える。光学部材は、光源から発せられる光を面状に変換するなどの機能を有するものである。

　続いて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図１に示すように、全体として縦長な方形状（矩形状）をなしており、その長辺方向における一方の端部側（図１に示す上側）に片寄った位置に表示領域ＡＡが配されるとともに、長辺方向における他方の端部側（図１に示す下側）に片寄った位置にドライバ２１及びフレキシブル基板１３がそれぞれ取り付けられている。この液晶パネル１１において表示領域ＡＡを取り囲む外側の領域が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。この非表示領域ＮＡＡは、表示領域ＡＡを取り囲む略枠状の領域（後述するＣＦ基板１１ａにおける額縁部分）と、長辺方向の他方の端部側に確保された領域（後述するアレイ基板１１ｂのうちＣＦ基板１１ａとは重畳せずに露出する部分）とからなり、このうちの長辺方向の他方の端部側に確保された領域にドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域（取付領域）が含まれている。液晶パネル１１における短辺方向が各図面のＸ軸方向と一致し、長辺方向が各図面のＹ軸方向と一致している。なお、図１及び図４では、ＣＦ基板１１ａよりも一回り小さな枠状の一点鎖線が表示領域ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域ＮＡＡとなっている。

　次に、液晶パネル１１に接続される部材について説明する。制御回路基板１２は、図１及び図２に示すように、バックライト装置１４におけるシャーシ１４ａの裏面（液晶パネル１１側とは反対側の外面）にネジなどにより取り付けられている。この制御回路基板１２は、紙フェノールないしはガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ２１に各種入力信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線（導電路）が配索形成されている。この制御回路基板１２には、フレキシブル基板１３の一方の端部（一端側）が図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して電気的に且つ機械的に接続されている。

　フレキシブル基板（ＦＰＣ基板）１３は、図２に示すように、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材を備え、その基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を有しており、長さ方向についての一方の端部が既述した通りシャーシ１４ａの裏面側に配された制御回路基板１２に接続されるのに対し、他方の端部（他端側）が液晶パネル１１におけるアレイ基板１１ｂに接続されているため、液晶表示装置１０内では断面形状が略Ｕ型となるよう折り返し状に屈曲されている。フレキシブル基板１３における長さ方向についての両端部においては、配線パターンが外部に露出して端子部（図示せず）を構成しており、これらの端子部がそれぞれ制御回路基板１２及び液晶パネル１１に対して電気的に接続されている。これにより、制御回路基板１２側から供給される入力信号を液晶パネル１１側に伝送することが可能とされている。

　ドライバ２１は、図１に示すように、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなるものとされ、信号供給源である制御回路基板１２から供給される信号に基づいて作動することで、信号供給源である制御回路基板１２から供給される入力信号を処理して出力信号を生成し、その出力信号を液晶パネル１１の表示領域ＡＡへ向けて出力するものとされる。このドライバ２１は、平面に視て横長の方形状をなす（液晶パネル１１の短辺に沿って長手状をなす）とともに、液晶パネル１１（後述するアレイ基板１１ｂ）の非表示領域ＮＡＡに対して直接実装され、つまりＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。なお、ドライバ２１の長辺方向がＸ軸方向（液晶パネル１１の短辺方向）と一致し、同短辺方向がＹ軸方向（液晶パネル１１の長辺方向）と一致している。

　改めて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図３に示すように、互いに対向状をなすとともに間に内部空間ＩＳを有する一対の基板１１ａ，１１ｂと、両基板１１ａ，１１ｂ間に挟持されるとともに内部空間ＩＳに配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（液晶）１１ｃと、両基板１１ａ，１１ｂ間に介在し、内部空間ＩＳ及びそこに配された液晶層１１ｃを取り囲む形で配されるとともに内部空間ＩＳ及びそこに配された液晶層１１ｃを封止するシール部１１ｄと、を少なくとも有している。一対の基板１１ａ，１１ｂのうち表側（正面側）がＣＦ基板（第２基板、対向基板）１１ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（第１基板、ＴＦＴ基板、アクティブマトリクス基板）１１ｂとされる。これらＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂは、それぞれ既述した表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに区分されている。なお、両基板１１ａ，１１ｂの外面側には、それぞれ偏光板１１ｆ，１１ｇが貼り付けられている。

　液晶層１１ｃは、いわゆる滴下注入法により両基板１１ａ，１１ｂ間に封入されており、具体的にはＣＦ基板１１ａ上に液晶層１１ｃをなす液晶材料を滴下した後に、ＣＦ基板１１ａに対してアレイ基板１１ｂを貼り合わせると、液晶材料が両基板１１ａ，１１ｂ間に形成される内部空間ＩＳにおいて万遍なく拡げられることで形成されている。シール部１１ｄは、図１及び図３に示すように、液晶パネル１１のうち非表示領域ＮＡＡに配されるとともに平面に視て（各基板１１ａ，１１ｂの板面に対する法線方向から視て）非表示領域ＮＡＡに倣う縦長の略枠状をなしている（図１及び図４）。シール部１１ｄは、液晶パネル１１の製造過程において一対の基板１１ａ，１１ｂのうちのＣＦ基板１１ａに対して形成されている。このシール部１１ｄにより両基板１１ａ，１１ｂの外周端部において両基板１１ａ，１１ｂ間の間隔（液晶層１１ｃの厚み）、つまりセルギャップが一定に維持されている。シール部１１ｄの幅寸法は、非表示領域ＮＡＡにおける最も狭い幅寸法（具体的には、ドライバ２１側の辺部を除く３つの辺部における幅寸法）よりも小さなものとされている。シール部１１ｄは、その内端位置が表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとの境界位置よりも外寄り（表示領域ＡＡ側とは反対側）に配されている。従って、非表示領域ＮＡＡにおけるシール部１１ｄよりも内側（表示領域ＡＡ側）には、シール部１１ｄに倣って平面に視て額縁状（枠状）をなすシール部非配置領域ＳＮＡが存在しており、その幅寸法が、シール部１１ｄの内端位置と、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとの境界位置との間の距離と等しくなっている。シール部１１ｄは、例えば紫外線を照射することで硬化する紫外線硬化性樹脂材料（硬化性樹脂材料）を含有してなるものとされる。シール部１１ｄに含有される紫外線硬化性樹脂材料は、紫外線の照射を受ける前では流動性を有する液体状態とされるものの、紫外線の照射を受けると硬化して固体状態となる性質を有している。また、シール部１１ｄのうち、液晶パネル１１におけるドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域を除いた残りの３辺の端部（非実装側端部）に配された部分は、非表示領域ＮＡＡにおける最外端位置に配されている（図１）。

　ＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂは、それぞれほぼ透明な（高い透光性を有する）ガラス基板（基板）ＧＳを備えており、当該ガラス基板ＧＳ上に各種の膜（構造物）を積層形成してなるものとされる。このうち、ＣＦ基板１１ａは、図１及び図２に示すように、短辺寸法がアレイ基板１１ｂと概ね同等であるものの、長辺寸法がアレイ基板１１ｂよりも小さなものとされるとともに、アレイ基板１１ｂに対して長辺方向についての一方（図１に示す上側）の端部を揃えた状態で貼り合わせられている。従って、アレイ基板１１ｂのうち長辺方向についての他方（図１に示す下側）の端部は、所定範囲にわたってＣＦ基板１１ａが重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、ここにドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域が確保されている。なお、図７は、各基板１１ａ，１１ｂに備えられる膜（構造物）を概略的に表したものであり、図示された各構造物の大きさ（厚み、高さなど）や配置が必ずしも実物の大きさや配置と一致したものとはなっていない。

　そして、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＩＰＳ（In-Plane Switching）モードをさらに改良したＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされており、図７に示すように、一対の基板１１ａ，１１ｂのうちのアレイ基板１１ｂ側に後述する画素電極１８（第１透明電極膜２３）及び共通電極２２（第２透明電極膜２４）を共に形成し、且つこれら画素電極１８と共通電極２２とを異なる層に配してなるものである。以下では、各基板１１ａ，１１ｂに備えられる膜の具体的な積層順について詳しく説明する。

　まず、ＣＦ基板１１ａの内面側（液晶層１１ｃ側、アレイ基板１１ｂとの対向面側）に既知のフォトリソグラフィ法などによって積層形成された各種の膜について説明する。ＣＦ基板１１ａには、図７に示すように、下層（ガラス基板ＧＳ、表側）側から順に、遮光部（ブラックマトリクス）１１ｉ、カラーフィルタ１１ｈ、ＣＦ基板側平坦化膜（オーバーコート膜）１１ｊ、が積層形成されている。また、図示は省略しているが、ＣＦ基板側平坦化膜１１ｊの上層側には、液晶層１１ｃに臨んで配されるベタ状のパターンとされるとともに、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜が積層されており、例えばポリイミドからなるものとされる。また、図示は省略しているが、ＣＦ基板側平坦化膜１１ｊの上層側には、アレイ基板１１ｂ側に向けて液晶層１１ｃを貫く形で突出する柱状をなすフォトスペーサ部が設けられており、主に表示領域ＡＡにおいてセルギャップを一定に維持することが可能とされる。

　遮光部１１ｉは、図７に示すように、ＣＦ基板１１ａをなすガラス基板ＧＳの表面において表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配されており、例えば感光性樹脂材料に遮光材料（例えばカーボンブラック）を含有させてなることで高い遮光性を有している。遮光部１１ｉは、表示領域ＡＡに配される部分が平面に視て格子状にパターニングされているのに対し、非表示領域ＮＡＡに配される部分がシール部１１ｄと同様に平面に視て額縁状（枠状）にパターニングされている。カラーフィルタ１１ｈは、表示領域ＡＡに配されるとともに、後述するアレイ基板１１ｂ側の画素電極１８の配置に応じて島状にパターニングされており、例えば感光性樹脂材料に着色のための顔料を含有させてなる。詳しくは、カラーフィルタ１１ｈは、ＣＦ基板１１ａの表示領域ＡＡにおいて、アレイ基板１１ｂ側の各画素電極１８と平面に視て重畳する位置に行列状（マトリクス状）に平面配置される多数の着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢから構成されている。各着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢは、平面に視て縦長の方形状をなしている（図示せず）。カラーフィルタ１１ｈは、赤色、緑色、青色をそれぞれ呈する各着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢが行方向（Ｘ軸方向）に沿って交互に繰り返し並ぶことで着色部群を構成し、その着色部群が列方向（Ｙ軸方向）に沿って多数並ぶ配置とされる。また、表示領域ＡＡにおいて隣り合う着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢの間は、遮光部１１ｉにおける格子状の部分によって仕切られることで、画素間の混色が防がれている。これら遮光部１１ｉ及びカラーフィルタ１１ｈは、共にＣＦ基板１１ａに製造工程において既知のフォトリソグラフィ法によってパターニングされることで形成されている。ＣＦ基板側平坦化膜１１ｊは、遮光部１１ｉ及びカラーフィルタ１１ｈの上層側に積層されるとともに、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形でベタ状のパターンとされており、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂材料などからなるものとされる。ＣＦ基板側平坦化膜１１ｊは、その膜厚がカラーフィルタ１１ｈや遮光部１１ｉよりも大きくされることで、ＣＦ基板１１ａにおける液晶層１１ｃ側の面（配向膜が配される面）を好適に平坦化している。また、カラーフィルタ１１ｈや遮光部１１ｉよりも上層側に配されるＣＦ基板側平坦化膜１１ｊのうち、非表示領域ＮＡＡに配される部分は、シール部１１ｄと平面に視て重畳するとともに、シール部１１ｄが接着されている。

　続いて、アレイ基板１１ｂの内面側（液晶層１１ｃ側、ＣＦ基板１１ａとの対向面側）に既知のフォトリソグラフィ法などによって積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板１１ｂには、図７に示すように、上層（液晶層１１ｃ側、表側）側から順に、
第１透明電極膜２３、第１層間絶縁膜（第１絶縁膜、無機絶縁膜）４１、第２透明電極膜２４、平坦化膜（第２絶縁膜、有機絶縁膜）４０、パシベーション膜（有機パシベーション膜または無機パシベーション膜、図中不記載）、第１金属膜（ソース金属膜）３８、第２層間絶縁膜（無機絶縁膜）３９、第２金属膜（ゲート金属膜）３４、ゲート絶縁膜（無機絶縁膜）３５、半導体膜３６、ベースコート膜３７、が積層形成されている。また、図示は省略しているが、第１層間絶縁膜４１及び第１透明電極膜２３の上層側には、液晶層１１ｃに臨んで配されるベタ状のパターンとされるとともに、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜が積層されており、例えばポリイミドからなるものとされる。

　ベースコート膜３７は、アレイ基板１１ｂをなすガラス基板ＧＳの表面の全体を覆うベタ状のパターンとされており、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）などからなる。半導体膜３６は、ベースコート膜３７の上層側に積層されるとともに、少なくとも表示領域ＡＡにおいて後述するＴＦＴ１７の配置に応じて島状にパターニングされている。半導体膜３６は、多結晶化されたシリコン薄膜（多結晶シリコン薄膜）の一種であるＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon）薄膜からなるものとされている。ＣＧシリコン薄膜は、例えばアモルファスシリコン薄膜に金属材料を添加し、５５０℃以下程度の低温で短時間の熱処理を行うことで形成されており、それによりシリコン結晶の結晶粒界における原子配列に連続性を有している。ゲート絶縁膜３５は、ベースコート膜３７及び半導体膜３６の上層側に積層されるとともに、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）からなるものとされる。

　第２金属膜３４は、ゲート絶縁膜３５の上層側に積層されるとともに、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとにそれぞれ配されるようパターニングされており、例えばチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。第２層間絶縁膜３９は、ゲート絶縁膜３５及び第２金属膜３４の上層側に積層されるとともに、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）からなるものとされる。第１金属膜３８は、第２層間絶縁膜３９の上層側に積層されるとともに、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとにそれぞれ配されるようパターニングされており、例えばチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。パシベーション膜は、第１金属膜３８の上層に積層し、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）からなるものとされる。このパシベーション膜は、第１金属膜３８を配線の低負荷化のためセル外（シール外）で使用する際に必要となる。平坦化膜４０は、第２層間絶縁膜３９及び第１金属膜３８の上層側に積層されるとともに、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂材料などからなるものとされる。平坦化膜４０は、その膜厚が２μｍ～３μｍの範囲とされるのが好ましく、本実施形態では２．５μｍ程度とされる。第２透明電極膜２４は、平坦化膜４０の上層側に積層されるとともに、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形の概ねベタ状のパターンとされており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。第１層間絶縁膜４１は、平坦化膜４０及び第２透明電極膜２４の上層側に積層されるとともに、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えば窒化珪素（ＳｉＮｘ）からなるものとされる。第１層間絶縁膜４１は、その膜厚が０．０５μｍ～１μｍの範囲とされるのが好ましく、中でも０．０５μｍ～０．２μｍの範囲とされるのが、絶縁信頼性確保、製造コスト、及び製造に係るタクトタイムの観点からより好ましく、本実施形態では０．１μｍ程度とされる。なお、第２透明電極膜２４は、下層側の平坦化膜４０と、上層側の第１層間絶縁膜４１との間に挟み込まれる形で配されている。第１透明電極膜２３は、第１層間絶縁膜４１の上層側に積層されるとともに、表示領域ＡＡにおいてＴＦＴ１７の配置に応じて島状にパターニングされており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。

　ゲート絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３９、平坦化膜４０、及び第１層間絶縁膜４１のうち、有機絶縁膜である平坦化膜４０は、図７に示すように、その膜厚が、無機絶縁膜である他の絶縁膜３５，３９，４１に比べて相対的に大きなものとされている。従って、平坦化膜４０は、アレイ基板１１ｂにおける液晶層１１ｃ側の面（配向膜が配される面）を好適に平坦化することができるとともに、他の絶縁膜３５，３９，４１に比べると応力が作用した場合に剥離が生じ難くなっている。ゲート絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３９、平坦化膜４０、及び第１層間絶縁膜４１のうち、最も上層側に配される第１層間絶縁膜４１のうち、非表示領域ＮＡＡに配される部分は、シール部１１ｄと平面に視て重畳するとともに、シール部１１ｄが接着されている。また、ゲート絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３９、平坦化膜４０、及び第１層間絶縁膜４１には、アレイ基板１１ｂの製造工程においてパターニングされることで、それぞれの所定の位置にコンタクトホールＣＨ１～ＣＨ３などの開口が形成されるようになっている。

　続いて、アレイ基板１１ｂにおける表示領域ＡＡ内に存在する構成について詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの表示領域ＡＡには、図５に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ、表示素子）１７及び画素電極１８が多数個ずつマトリクス状に並んで設けられるとともに、これらＴＦＴ１７及び画素電極１８の周りには、格子状をなすゲート配線（走査信号線、行制御線）１９及びソース配線（列制御線、データ線）２０が取り囲むようにして配設されている。言い換えると、格子状をなすゲート配線１９及びソース配線２０の交差部に、ＴＦＴ１７及び画素電極１８が行列状に並列配置されている。ゲート配線１９は、第２金属膜３４からなるのに対し、ソース配線２０は、第１金属膜３８からなり、相互の交差部位間には第２層間絶縁膜３９が介在する形で配されている。詳しくは次述するが、ゲート配線１９とソース配線２０とが、それぞれＴＦＴ１７のゲート電極１７ａとソース電極１７ｂとに接続され、画素電極１８がＴＦＴ１７のドレイン電極１７ｃに接続されている。ゲート電極１７ａは、ゲート配線１９と同じ第２金属膜３４からなるのに対し、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃは、ソース配線２０と同じ第１金属膜３８からなる（図７を参照）。また、表示領域ＡＡには、ゲート配線１９に並行するとともに画素電極１８の一部に対して平面に視て重畳する形で図示しない補助容量配線が設けられている。この補助容量配線は、ゲート配線１９と同じ第２金属膜３４からなる。

　表示領域ＡＡに配されるＴＦＴ１７は、図７に示すように、半導体膜３６からなるチャネル部１７ｄと、チャネル部１７ｄに対してゲート絶縁膜３５を介して上層側に重畳する形で配されるゲート電極１７ａと、ゲート電極１７ａに対して第２層間絶縁膜３９を介して上層側に配されるソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃと、を備えており、いわゆるトップゲート型（スタガ型）とされている。このうち、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃは、ゲート絶縁膜３５及び第２層間絶縁膜３９にそれぞれ開口形成されたコンタクトホールＣＨ１を通してチャネル部１７ｄに対して接続されており、それによりソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとの間での電子の移動が可能とされている。チャネル部１７ｄをなす半導体膜３６は、既述した通りＣＧシリコン薄膜からなるものとされる。このＣＧシリコン薄膜は、アモルファスシリコン薄膜などに比べると、電子移動度が例えば２００～３００ｃｍ２／Ｖｓ程度と高くなっているので、このＣＧシリコン薄膜からなる半導体膜３６をＴＦＴ１７のチャネル部１７ｄとすることで、ＴＦＴ１７を小型化して画素電極１８の透過光量を極大化することができ、もって高精細化及び低消費電力化を図る上で好適とされる。ＴＦＴ１７のドレイン電極１７ｃには、平坦化膜４０及び第１層間絶縁膜４１にそれぞれ開口形成されたコンタクトホールＣＨ２を通して第１透明電極膜２３からなる画素電極１８が接続されている。これにより、ＴＦＴ１７のゲート電極１７ａを通電すると、チャネル部１７ｄを介してソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとの間に電流が流されるとともに画素電極１８に所定の電位が印加される。なお、画素電極１８は、その外形が対向するカラーフィルタ１１ｈをなす各着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢの外形に倣って平面に視て縦長形状をなしており、対向する各着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢと共に画素（単位画素）を構成している。第２透明電極膜２４からなる共通電極２２は、第１層間絶縁膜４１を挟み込む形で画素電極１８と平面に視て重畳する配置とされている。そして、共通電極２２には、後述する共通電位供給部２９から共通電位（基準電位）が供給されているので、上記のようにＴＦＴ１７により画素電極１８に印加する電位を制御することで、両電極１８，２２間に所定の電位差を生じさせることができる。両電極１８，２２間に電位差が生じると、液晶層１１ｃには、アレイ基板１１ｂの板面に沿う成分に加えて、アレイ基板１１ｂの板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が印加されるので、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子の配向状態を適切にスイッチングすることができる。なお、既述した通り、概ねベタ状のパターンとされる共通電極２２のうち、平坦化膜４０及び第１層間絶縁膜４１のコンタクトホールＣＨ２と平面に視て重畳する位置には、画素電極１８のコンタクト部分を通すための開口が形成されている。

　次に、アレイ基板１１ｂにおける非表示領域ＮＡＡ内に存在する構成について詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡには、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡのうち、表示領域ＡＡの短辺部に隣り合う位置には、図５に示すように、列制御回路部２７が設けられているのに対し、表示領域ＡＡにおける長辺部に隣り合う位置には、行制御回路部（回路部）２８が設けられている。列制御回路部２７は、ソース配線２０に、行制御回路部２８は、ゲート配線１９にそれぞれ接続されることで、ドライバ２１からの出力信号をＴＦＴ１７に供給するための制御を行うことが可能とされている。列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、それぞれＴＦＴ１７と同じ半導体膜３６をベースとしてアレイ基板１１ｂ上にモノリシックに形成されており、それによりＴＦＴ１７への出力信号の供給を制御するための制御回路及びその回路素子を有している。この制御回路をなす回路素子には、例えば、チャネル部として半導体膜３６を用いた図示しない回路用ＴＦＴ（回路用薄膜トランジスタ）などが含まれている。制御回路には、図７に示すように、第２金属膜３４からなる回路用第１配線部２５、及び第１金属膜３８からなる回路用第２配線部２６などが含まれている。これら列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、非表示領域ＮＡＡにおいてシート部１１ｄの内側部分と、シール部非配置領域ＳＮＡの外側部分とに跨る範囲に配されている。このうち、列制御回路部２７は、ドライバ２１からの出力信号に含まれる画像信号を、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色の画素に対応した各ソース配線２０に振り分けるスイッチ回路（ＲＧＢスイッチ回路）を有している。また、列制御回路部２７は、レベルシフタ回路やＥＳＤ保護回路などの付属回路を備えることも可能である。これに対し、行制御回路部２８は、ドライバ２１からの出力信号に含まれる走査信号を、各ゲート配線１９に所定のタイミングで供給して各ゲート配線１９を順次に走査する走査回路を有している。また、行制御回路部２８には、レベルシフタ回路やＥＳＤ保護回路などの付属回路を備えることも可能である。なお、列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、アレイ基板１１ｂ上に形成された図示しない接続配線によってドライバ２１に接続されている。

　さらには、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡには、図７に示すように、共通電極２２に共通電位を供給するための共通電位供給部２９が設けられている。共通電位供給部２９は、第１金属膜３８からなり、非表示領域ＮＡＡにおいてシール部非配置領域ＳＮＡの内側部分、言い換えると行制御回路部２８と表示領域ＡＡとに挟まれた位置に配されている。共通電極２２をなす第２透明電極膜２４は、非表示領域ＮＡＡにまで拡張して配される電極膜拡張部２４ａを有しており、この電極膜拡張部２４ａの端部が共通電位供給部２９に対して平面に視て重畳する配置とされるとともに、平坦化膜４０に開口形成されたコンタクトホールＣＨ３を通して共通電位供給部２９に接続されている。また、非表示領域ＮＡＡには、図５及び図７に示すように、液晶パネル１１の内部空間ＩＳを遮蔽するためにシールド部３０が設けられている。シールド部３０は、第２金属膜３４からなり、非表示領域ＮＡＡにおいてシート部１１ｄの外側部分と平面に視て重畳する配置とされるとともに、シール部１１ｄに倣って平面に視て額縁状をなしている。なお、上記した列制御回路部２７、行制御回路部２８、共通電位供給部２９、及びシールド部３０は、アレイ基板１１ｂの製造工程において各種の膜をパターニングする際に既知のフォトリソグラフィ法により同時にアレイ基板１１ｂ上にパターニングされている。なお、本実施形態では、シール部３０が第２金属膜３４により構成された場合を例示しているが、シールド部３０の全域または一部を第１金属膜３８により構成することも可能である。特に、シールド部３０の一部を第１金属膜３８により構成する場合には、外周側のシールド部３０を第２金属膜３４により、内周側のシールド部３０を第１金属膜３８により、それぞれ構成するのが好ましい。

　ところで、アレイ基板１１ｂにおける第１層間絶縁膜４１には、シール部１１ｄが接着されているが、これらシール部１１ｄと第１層間絶縁膜４１とでは、それぞれをなす材料の線膨張係数（熱膨張率）が相違する。このため、液晶パネル１１の使用環境において温度変化が生じると、第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に応力が作用し、その応力が第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分にまで影響すると、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じるおそれがある。第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じると、第１層間絶縁膜４１の上層側に配された第１透明電極膜２３に位置ずれなどの不良が生じ、表示不良が発生する可能性があった。特に、液晶パネル１１の狭額縁化が進行し、シール部１１ｄから表示領域ＡＡまでの幅が狭くなった場合には、第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に生じた応力が、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分により影響し易くなって表示不良が生じ易くなる傾向にあった。

　そこで、本実施形態に係る第１層間絶縁膜４１には、図５から図７に示すように、非表示領域ＮＡＡにおいてシール部１１ｄよりも表示領域ＡＡ側となる位置に配されるスリット４２が設けられている。このスリット４２が設けられることで、第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に、温度変化に伴って生じる応力が作用しても、その応力が第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分にまで影響し難いものとなっている。これにより、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じ難くなるので、表示領域ＡＡにおいて第１層間絶縁膜４１の上層側に配される第１透明電極膜２３に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。以下、スリット４２の構成について詳しく説明する。

　スリット４２は、図５から図７に示すように、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおいてシール部１１ｄよりも表示領域ＡＡ側となる位置、つまりシール部非配置領域ＳＮＡに配されており、詳細にはシール部非配置領域ＳＮＡのうちの表示領域ＡＡに隣接する内端位置に配されている。言い換えると、スリット４２は、シール部非配置領域ＳＮＡにおいて表示領域ＡＡに対して外周側に隣接する位置（最も表示領域ＡＡに近い位置）に配されている。スリット４２は、シール部１１ｄに倣ってその全周にわたって連続的に延在する溝状に形成されていて、平面に視て額縁状（枠状）をなしている。つまり、スリット４２は、表示領域ＡＡをその全周にわたって外周側から取り囲む形で配されている。その上で、スリット４２は、第１層間絶縁膜４１をその膜厚方向（Ｚ軸方向、アレイ基板１１ｂの板面の法線方向）について貫通する形態とされている。従って、第１層間絶縁膜４１は、スリット４２を境界として、主に表示領域ＡＡに配される内周側部分４１ａと、全域が非表示領域ＮＡＡに配される外周側部分４１ｂとに分離（分割）されている。このうちの外周側部分４１ｂに対してシール部１１ｄが接着されている。このことから、第１層間絶縁膜４１のうちのシール部１１ｄの接着箇所を有する外周側部分４１ｂに温度変化に伴って生じる応力が作用した場合でも、スリット４２によって分離された内周側部分４１ａに、上記した応力の伝達が断ち切られるようになっている。以上により、第１層間絶縁膜４１のうち表示領域ＡＡに配される内周側部分４１ａに剥離が生じる事態がより確実に回避され、もって表示不良の発生がより確実に防がれている。このスリット４２は、アレイ基板１１ｂの製造工程において、既知のフォトリソグラフィ法により第１層間絶縁膜４１をパターニングすることで形成されており、コンタクトホールＣＨ２を形成するのと同時に（同じ工程で）形成されている。

　スリット４２は、図７に示すように、非表示領域ＮＡＡにおいて第２透明電極膜２４の電極膜拡張部２４ａと平面に視て重畳する位置に配されている。スリット４２は、既述した通り、第１層間絶縁膜４１をその膜厚方向について貫通する形態とされているので、スリット４２を通して下層側の電極膜拡張部２４ａが液晶層１１ｃに臨んで（露出して）配される構成となっている。従って、第１層間絶縁膜４１にスリット４２をフォトリソグラフィ法によって形成するのに際し、第１層間絶縁膜４１を部分的にエッチングする場合において、第１層間絶縁膜４１におけるスリット４２の形成予定部分の下層側に第２透明電極膜２４の電極膜拡張部２４ａが配されることで、電極膜拡張部２４ａがエッチングストッパとして機能し、エッチングが電極膜拡張部２４ａの下層側の平坦化膜４０にまで及ぶことが避けられる。これにより、平坦化膜４０の膜厚均一性が良好に保たれている。このように、電極膜拡張部２４ａは、共通電位を共通電位供給部２９から第２透明電極膜２４に伝達する機能に加えて、第１層間絶縁膜４１にスリット４２を形成する際に電極膜拡張部２４ａの下層側の平坦化膜４０がエッチングされるのを防ぐ機能を有しているから、仮に各機能毎に別の部位を設けた場合に比べると、構成の簡素化が図られている。さらには、スリット４２は、ＣＦ基板１１ａに設けられた遮光部１１ｉのうち、非表示領域ＮＡＡに配された部分と平面に視て重畳する位置に配されている。液晶パネル１１におけるスリット４２の形成領域では、透過光に付与される光学作用がスリット４２の非形成領域とは異なる場合があるものの、上記のようにスリット４２が遮光部１１ｉと重畳する配置とされることで、スリット４２の形成領域を光が透過することが避けられている。これにより、液晶パネル１１の透過光に輝度ムラが生じることが避けられ、表示不良の発生が抑制される。

　以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）１１は、表示領域ＡＡと表示領域ＡＡを取り囲む非表示領域ＮＡＡとに区分されるアレイ基板（第１基板）１１ｂと、アレイ基板１１ｂとの間に内部空間ＩＳを有する形で対向状に配されるＣＦ基板（第２基板）１１ａと、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に介在し、内部空間ＩＳを取り囲む形で非表示領域ＮＡＡに配されるとともに内部空間ＩＳを封止するシール部１１ｄと、アレイ基板１１ｂにおいて少なくとも表示領域ＡＡに配される第１透明電極膜２３と、アレイ基板１１ｂにおいて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る範囲に配されてシール部１１ｄが接着されるとともに第１透明電極膜２３のアレイ基板１１ｂ側に配される第１層間絶縁膜（第１絶縁膜）４１であって、非表示領域ＮＡＡにおいてシール部１１ｄよりも表示領域ＡＡ側となる位置に配されるスリット４２を有する第１層間絶縁膜４１と、アレイ基板１１ｂにおいて少なくとも表示領域ＡＡに配されるとともに第１層間絶縁膜４１のアレイ基板１１ｂ側に配されて第１層間絶縁膜４１を第１透明電極膜２３との間で挟み込む第２透明電極膜２４と、を備える。

　このようにすれば、互いに対向するアレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間には、内部空間ＩＳが有されるとともにその内部空間ＩＳを取り囲む形で配されるシール部１１ｄが介在しており、シール部１１ｄによって内部空間ＩＳが封止される。第１層間絶縁膜４１は、アレイ基板１１ｂにおいて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る範囲に配されてシール部１１ｄが接着されるとともに、第１透明電極膜２３と第２透明電極膜２４との間に挟み込まれる形で配されている。

　ところで、シール部１１ｄと第１層間絶縁膜４１とにおいて、それぞれをなす材料の線膨張係数が異なると、温度変化が生じた場合に第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に応力が作用するおそれがある。特に、狭額縁化が進行し、シール部１１ｄから表示領域ＡＡまでの幅が狭くなった場合には、第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に生じた応力が、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分により影響し易くなる傾向にある。しかも、第１層間絶縁膜４１が第１透明電極膜２３と第２透明電極膜２４との間に挟み込まれる構成では、第２透明電極膜２４を備えない構成のものに比べると、第１層間絶縁膜４１の膜厚が相対的に薄くなる傾向にあるため、第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に作用する応力によって第１層間絶縁膜４１に剥離が生じ易くなっている。その点、第１層間絶縁膜４１は、非表示領域ＮＡＡにおいてシール部１１ｄよりも表示領域ＡＡ側となる位置に配されるスリット４２を有しているから、第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に上記のような応力が作用しても、その応力が第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分にまで影響し難いものとなっている。これにより、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じ難くなるので、表示領域ＡＡにおいて第１層間絶縁膜４１の上層側に配される第１透明電極膜２３に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。

　また、第２透明電極膜２４は、非表示領域ＮＡＡにまで拡張して配される電極膜拡張部２４ａを有しており、第１層間絶縁膜４１は、スリット４２が第２透明電極膜２４の電極膜拡張部２４ａと重畳する位置に配されるよう設けられている。スリット４２の形成に際し、例えばフォトリソグラフィ法を用いて第１層間絶縁膜４１を部分的にエッチングするようにした場合、第１層間絶縁膜４１におけるスリット４２の形成予定部分のアレイ基板１１ｂ側に第２透明電極膜２４の電極膜拡張部２４ａが配されることで、電極膜拡張部２４ａがエッチングストッパとして機能し、エッチングが電極膜拡張部２４ａのアレイ基板１１ｂ側にまで及ぶことが避けられる。

　また、アレイ基板１１ｂにおいて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る範囲に配されるとともに第２透明電極膜２４のアレイ基板１１ｂ側に配される平坦化膜（第２絶縁膜）４０と、アレイ基板１１ｂにおいて非表示領域ＮＡＡに配されるとともに平坦化膜４０のアレイ基板１１ｂ側に配されるとともに共通電位とされる共通電位供給部２９と、を備えており、電極膜拡張部２４ａは、平坦化膜４０に開口形成されたコンタクトホールＣＨ３を通して共通電位供給部２９に接続されている。電極膜拡張部２４ａは、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る範囲に配されるとともに第２透明電極膜２４のアレイ基板１１ｂ側に配される平坦化膜４０に開口形成されたコンタクトホールＣＨ３を通して平坦化膜４０のアレイ基板１１ｂ側に配される共通電位供給部２９に接続されているから、共通電位供給部２９から電極膜拡張部２４ａを有する第２透明電極膜２４に共通電位が供給される。このように、電極膜拡張部２４ａは、共通電位を第２透明電極膜２４に伝達する機能に加えて、第１層間絶縁膜４１にスリット４２を形成する際に電極膜拡張部２４ａのアレイ基板１１ｂ側がエッチングされるのを防ぐ機能を有しているから、仮に各機能毎に別の部位を設けた場合に比べると、構成の簡素化が図られる。

　また、第１層間絶縁膜４１は、スリット４２が第１層間絶縁膜４１の膜厚方向について貫通する形態となるよう設けられている。このようにすれば、仮にスリットが第１層間絶縁膜４１の膜厚方向について貫通せずに薄肉部（スリットの非形成部位よりも薄肉な部位）を残存させた形態とされた場合に比べると、第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に生じた応力が、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分により影響し難くなる。これにより、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離がより生じ難くなって表示不良の発生がより好適に抑制される。

　また、第１層間絶縁膜４１は、スリット４２がシール部１１ｄの全周にわたって連続的に延在する溝状をなすよう設けられている。このようにすれば、シール部１１ｄの全周にわたって連続的に配されたスリット４２によって、第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に生じた応力が、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分に影響し難くなるので、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じ難くなって表示不良の発生が抑制される。そして、スリット４２がシール部１１ｄの全周にわたって途中で途切れることなく連続的に配されるので、第１層間絶縁膜４１におけるシール部１１ｄの接着箇所に生じた応力が、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分により影響し難くなる。これにより、第１層間絶縁膜４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離がより生じ難くなって表示不良の発生がより好適に抑制される。

　また、ＣＦ基板１１ａにおいて少なくとも非表示領域ＮＡＡに配される遮光部１１ｉを備えており、第１層間絶縁膜４１は、スリット４２が遮光部１１ｉと重畳する配置となるよう設けられている。当該液晶パネル１１におけるスリット４２の形成領域と、スリット４２の非形成領域とでは、当該液晶パネル１１の透過光に付与される光学作用に差が生じる可能性があり、それが輝度ムラの原因となるおそれがある。その点、第１層間絶縁膜４１は、スリット４２がＣＦ基板１１ａに備えられる遮光部１１ｉと重畳する配置となるよう設けられているので、当該液晶パネル１１におけるスリット４２の形成領域を光が透過することが避けられる。これにより、当該液晶パネル１１の透過光に輝度ムラが生じることが回避され、表示不良の発生が抑制される。

　＜実施形態２＞
　本発明の実施形態２を図８から図１０によって説明する。この実施形態２では、スリット１４２の平面形状を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット１４２は、図８から図１０に示すように、シール部１１１ｄに倣ってその全周にわたって間欠的に並んで配されている。詳しくは、スリット１４２は、全体としてシール部１１１ｄと同様に平面に視て額縁状をなすよう、その周方向について所定の間隔を空けて複数が並ぶ形で配されている。全体として額縁状をなすよう並んだ複数のスリット１４２は、その個々が平面に視て方形状をなしており、上記周方向について隣り合うスリット１４２の間には、第１層間絶縁膜１４１の一部が介在する形で配されている。第１層間絶縁膜１４１のうち、隣り合うスリット１４２の間に介在する形で残存する部分がスリット間残存部４３とされている。このスリット間残存部４３は、シール部１１１ｄに倣ってその全周にわたって間欠的に並んで配されており、第１層間絶縁膜１４１における内周側部分１４１ａと外周側部分１４１ｂとを繋いでいる。つまり、第１層間絶縁膜１４１における内周側部分１４１ａと外周側部分１４１ｂとは、相互が全周にわたって連なることがなく、間欠的に並ぶ形で配された複数のスリット間残存部４３によって相互が周方向について部分的に連ねられている。従って、第１層間絶縁膜１４１のうちシール部１１１ｄが接着された外周側部分１４１ｂに温度変化に伴って応力が作用した場合、その応力がスリット間残存部４３によって緩和されるので、内周側部分１４１ａに剥離が生じ難くなっている。詳しくは、外周側部分１４１ｂに作用した応力は、内周側部分１４１ａに至るまでの間に、スリット間残存部４３の幅を、スリット間残存部４３の幅にスリット１４２の幅を足し合わせた数値で割って得た比率の分だけ減衰することになり、それをもって内周側部分１４１ａに剥離が生じ難いものとされる。

　以上説明したように本実施形態によれば、第１層間絶縁膜１４１は、スリット１４２がシール部１１１ｄの全周にわたって間欠的に配されるよう設けられている。このようにすれば、シール部１１１ｄの全周にわたって間欠的に配されたスリット１４２によって第１層間絶縁膜１４１におけるシール部１１１ｄの接着箇所に生じた応力が、第１層間絶縁膜１４１における表示領域ＡＡ側の部分に影響し難くなるので、第１層間絶縁膜１４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じ難くなって表示不良の発生が抑制される。

　＜実施形態３＞
　本発明の実施形態３を図１１または図１２によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態２からスリット２４２の平面形状をさらに変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット２４２は、図１１及び図１２に示すように、全体としてシール部２１１ｄに倣う形で平面に視て額縁状をなすよう配されるとともに、その周方向に加えて幅方向についても所定の間隔を空けて複数ずつ並んで配されている。つまり、スリット２４２は、全体としては額縁状をなしつつも、行列状に複数ずつが間欠的に並ぶ形で平面配置されている。上記した周方向及び幅方向について隣り合うスリット２４２の間の間隔は、上記した実施形態２に記載したスリット１４２間の間隔よりも狭いものとされる。上記した周方向及び幅方向について隣り合うスリット２４２の間には、それぞれスリット間残存部２４３が介在する形で配されており、各スリット間残存部２４３の幅寸法は、上記した実施形態２に記載したスリット間残存部４３の幅寸法よりも小さくなっている。スリット間残存部２４３は、行列状に複数ずつが間欠的に並ぶ形で平面配置されており、そのうちの上記した周方向について隣り合うもの同士が相互に連ねられるとともに、上記した幅方向について隣り合うもの同士が相互に連ねられることで、全体として平面に視て格子状をなしている。このような構成であっても、第１層間絶縁膜２４１のうちシール部２１１ｄが接着された外周側部分２４１ｂに温度変化に伴って応力が作用した場合、その応力がスリット間残存部２４３によって緩和されるので、内周側部分２４１ａに剥離が生じ難くなっている。詳しくは、外周側部分２４１ｂに作用した応力は、内周側部分２４１ａに至るまでの間に、スリット間残存部２４３の幅を、スリット間残存部２４３の幅にスリット２４２の幅を足し合わせた数値で割って得た比率の分だけ減衰することになり、それをもって内周側部分２４１ａに剥離が生じ難いものとされる。

　＜実施形態４＞
　本発明の実施形態４を図１３によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１からスリット３４２の深さを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット３４２は、図１３に示すように、第１層間絶縁膜３４１をその膜厚方向について貫通することがない深さで形成されている。つまり、このスリット３４２の深さ寸法は、第１層間絶縁膜３４１の膜厚に満たない大きさとされている。従って、第１層間絶縁膜３４１におけるスリット３４２の形成部分には、第１層間絶縁膜３４１におけるスリット３４２の非形成部分の膜厚よりも薄肉な薄肉部４４が形成されている。第１層間絶縁膜３４１のうち、薄肉部４４に比べて膜厚が相対的に大きくされたスリット３４２の非形成部分には、外周側部分３４１ｂにおけるシール部３１１ｄと平面に視て重畳する部分や内周側部分３４１ａが含まれている。スリット３４２及び薄肉部４４は、シール部３１１ｄに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形で配されている。従って、薄肉部４４は、第１層間絶縁膜３４１における内周側部分３４１ａと外周側部分３４１ｂとを全周にわたって繋いでいる。このような構成であっても、第１層間絶縁膜３４１のうちシール部３１１ｄが接着された外周側部分３４１ｂに温度変化に伴って応力が作用した場合、その応力が薄肉部４４によって緩和されるので、内周側部分３４１ａに剥離が生じ難くなっている。

　本実施形態に係るスリット３４２の形成に際しては、アレイ基板３１１ｂの製造工程の中の露光工程において第１層間絶縁膜３４１を露光するのに用いるフォトマスクを、図示しないハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクとしている。ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクは、露光光の透過率が例えば１０％～７０％程度とされる半透過領域を有しているので、露光工程では、このうちの半透過領域の透過光により、第１層間絶縁膜３４１におけるスリット３４２及び薄肉部４４の形成予定部分を露光するようにしている。このようなハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いて露光工程を行った後にエッチング工程を行うことで、薄肉部４４を残存させた形でスリット３４２を形成することができる。このエッチング工程では、スリット３４２の形成部分に薄肉部４４が残されることで、エッチングが第１層間絶縁膜３４１の下層側に及ぶことが避けられている。しかも、薄肉部４４の下層側には、第２透明電極膜３２４の電極膜拡張部３２４ａが配されているので、万が一にエッチングによりスリット３４２が第１層間絶縁膜３４１を貫通する深さで形成された場合でも、電極膜拡張部３２４ａがエッチングストッパとして機能することで、下層側の平坦化膜３４０がエッチングされる事態が回避されるようになっている。これにより、平坦化膜３４０の膜厚均一性を高く維持することができる。しかも、第１層間絶縁膜３４１の下層側に配される電極膜拡張部３２４ａは、薄肉部４４によって覆われることで液晶層３１１ｃ側に露出するのが避けられているので、液晶層３１１ｃに臨む面における膜質が不均質化するのが回避される。これにより、スリット３４２の形成に伴って生じ得る表示性能の劣化が生じ難くなる。また、例えばスリット３４２が電極膜拡張部３２４ａとは非重畳となる配置であっても、薄肉部４４によって下層側の平坦化膜３４０がエッチングされるのを防ぐことができるので、スリット３４２の配置自由度が高いものとなる。

　以上説明したように本実施形態によれば、第１層間絶縁膜３４１は、スリット３４２の形成部位に、スリット３４２の非形成部位よりも薄肉な薄肉部４４が形成されるよう設けられている。スリット３４２の形成に際し、例えばフォトリソグラフィ法を用いて第１層間絶縁膜３４１を部分的にエッチングするようにした場合、第１層間絶縁膜３４１におけるスリット３４２の形成部位に薄肉部４４が残されることで、エッチングが第１層間絶縁膜３４１のアレイ基板３１１ｂ側にまで及ぶことが避けられる。しかも、仮にスリットが第１層間絶縁膜３４１を膜厚方向に貫通する形態とされた場合に比べると、第１層間絶縁膜３４１のアレイ基板３１１ｂ側がスリット３４２を通して露出することが避けられるので、膜質が不均質化するのが回避される。これにより、スリット３４２の形成に伴って生じ得る表示性能の劣化が生じ難くなる。また、スリット３４２の配置自由度が高いものとなる。

　＜実施形態５＞
　本発明の実施形態５を図１４または図１５によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態１からスリットを省略するとともに、第１層間絶縁膜４４１における外周側部分を除去した構成のものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る第１層間絶縁膜４４１は、図１４及び図１５に示すように、主に表示領域ＡＡに配される内周側部分４４１ａのみによって構成されている。つまり、内周側部分４４１ａのみからなる第１層間絶縁膜４４１は、アレイ基板４１１ｂにおいて少なくとも表示領域ＡＡに配されるとともに第１透明電極膜４２３の下層側に配され且つシール部４１１ｄとは非重畳となる範囲に配されてなる。このような構成により第１層間絶縁膜４４１には、シール部４１１ｄが直接接着されることが避けられているので、温度変化に伴ってシール部４１１ｄから第１層間絶縁膜４４１に応力が直接作用する事態が回避されている。これにより、第１層間絶縁膜４４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示領域ＡＡにおいて第１層間絶縁膜４４１の上層側に配される第１透明電極膜４２３からなる画素電極４１８に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。

　詳しくは、第１層間絶縁膜４４１は、アレイ基板４１１ｂにおいて表示領域ＡＡの全域と、非表示領域ＮＡＡにおけるシール部非配置領域ＳＮＡのうちの表示領域ＡＡに隣接する内周側部分と、に跨る範囲に配されている。つまり、第１層間絶縁膜４４１は、表示領域ＡＡに配される絶縁膜本体部分に加えて、非表示領域ＮＡＡにまで拡張して配される絶縁膜拡張部４５を有している。絶縁膜拡張部４５は、表示領域ＡＡをその全周にわたって取り囲むよう平面に視て額縁状をなしている。

　既述したように、第１層間絶縁膜４４１がシール部４１１ｄとは非重畳となる範囲に配されているので、シール部４１１ｄは、第１層間絶縁膜４４１との間で第２透明電極膜４２４（共通電極４２２）を挟み込む形で相対的に下層側に配されて、第１層間絶縁膜４４１の非形成部分において露出する平坦化膜４４０に対して直接接着されている。この平坦化膜４４０は、第１層間絶縁膜４４１よりも膜厚が大きなものとされているので、温度変化に伴って平坦化膜４４０におけるシール部４１１ｄの接着箇所に応力が作用した場合でも、平坦化膜４４０における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じ難いものとされる。言い換えると、相対的に膜厚が小さな第１層間絶縁膜４４１は、応力によって剥離が生じ易い傾向にあるものの、第１層間絶縁膜４４１がシール部４１１ｄに直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部４１１ｄから第１層間絶縁膜４４１に応力が作用する事態が回避されている。以上により、第１層間絶縁膜４４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示不良の発生が抑制される。

　以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）４１１は、表示領域ＡＡと表示領域ＡＡを取り囲む非表示領域ＮＡＡとに区分されるアレイ基板（第１基板）４１１ｂと、アレイ基板４１１ｂとの間に内部空間ＩＳを有する形で対向状に配されるＣＦ基板（第２基板）４１１ａと、アレイ基板４１１ｂとＣＦ基板４１１ａとの間に介在し、内部空間ＩＳを取り囲む形で非表示領域ＮＡＡに配されるとともに内部空間ＩＳを封止するシール部４１１ｄと、アレイ基板４１１ｂにおいて少なくとも表示領域ＡＡに配される第１透明電極膜４２３と、アレイ基板４１１ｂにおいて少なくとも表示領域ＡＡに配されるとともに第１透明電極膜４２３のアレイ基板４１１ｂ側に配され且つシール部４１１ｄとは非重畳となる範囲に配されてなる第１層間絶縁膜（第１絶縁膜）４４１と、アレイ基板４１１ｂにおいて少なくとも表示領域ＡＡに配されるとともに第１層間絶縁膜４４１のアレイ基板４１１ｂ側に配されて第１層間絶縁膜４４１を第１透明電極膜４２３との間で挟み込む第２透明電極膜４２４と、を備える。

　このようにすれば、互いに対向するアレイ基板４１１ｂとＣＦ基板４１１ａとの間には、内部空間ＩＳが有されるとともにその内部空間ＩＳを取り囲む形で配されるシール部４１１ｄが介在しており、シール部４１１ｄによって内部空間ＩＳが封止される。第１層間絶縁膜４４１は、アレイ基板４１１ｂにおいて少なくとも表示領域ＡＡに配されるとともに、第１透明電極膜４２３と第２透明電極膜４２４との間に挟み込まれる形で配されている。

　そして、第１層間絶縁膜４４１は、シール部４１１ｄとは非重畳となる範囲に配されており、シール部４１１ｄが直接接着されることがないものとされる。ここで、仮にシール部が第１層間絶縁膜４４１に直接接着した場合には、温度変化に伴って両者の接着箇所に応力が生じると、第１層間絶縁膜４４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じてしまい、第１層間絶縁膜４４１の上層側に配される第１透明電極膜４２３に位置ずれなどの不良が生じるおそれがある。特に、狭額縁化が進行し、シール部４１１ｄから表示領域ＡＡまでの幅が狭くなった場合には、上記した接着箇所に生じた応力が、第１層間絶縁膜４４１における表示領域ＡＡ側の部分により影響し易くなる傾向にある。しかも、第１層間絶縁膜４４１が第１透明電極膜４２３と第２透明電極膜４２４との間に挟み込まれる構成では、第２透明電極膜４２４を備えない構成のものに比べると、第１層間絶縁膜４４１の膜厚が相対的に薄くなる傾向にあるため、第１層間絶縁膜４４１におけるシール部４１１ｄの接着箇所に作用する応力によって第１層間絶縁膜４４１に剥離が生じ易くなっている。これに対し、第１層間絶縁膜４４１がシール部４１１ｄに直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部４１１ｄから第１層間絶縁膜４４１に応力が作用する事態が回避されている。これにより、第１層間絶縁膜４４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示領域ＡＡにおいて第１層間絶縁膜４４１の上層側に配される第１透明電極膜２３に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。

　また、アレイ基板４１１ｂにおいて少なくとも表示領域ＡＡに配されるとともに第１層間絶縁膜４４１のアレイ基板４１１ｂ側に配されて第１層間絶縁膜４４１を第１透明電極膜４２３との間で挟み込む第２透明電極膜４２４と、アレイ基板４１１ｂにおいて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る範囲に配されてシール部４１１ｄが接着されるとともに第２透明電極膜４２４のアレイ基板４１１ｂ側に配され且つ第１層間絶縁膜４４１よりも膜厚が大きな平坦化膜４４０と、を備える。このように第１層間絶縁膜４４１が第１透明電極膜４２３と第２透明電極膜４２４との間に挟み込まれる構成では、シール部４１１ｄが接着される平坦化膜４４０の膜厚が第１層間絶縁膜４４１の膜厚よりも大きくなっているので、温度変化に伴って平坦化膜４４０におけるシール部４１１ｄの接着箇所に応力が作用した場合でも、平坦化膜４４０における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じ難いものとされる。言い換えると、相対的に膜厚が小さな第１層間絶縁膜４４１は、応力によって剥離が生じ易い傾向にあるものの、第１層間絶縁膜４４１がシール部４１１ｄに直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部４１１ｄから第１層間絶縁膜４４１に応力が作用する事態が回避されている。以上により、第１層間絶縁膜４４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示不良の発生が抑制される。

　＜実施形態６＞
　本発明の実施形態６を図１６によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態４からスリット５４２及び薄肉部５４４の配置を変更したものを示す。なお、上記した実施形態４と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット５４２及び薄肉部５４４は、図１６に示すように、非表示領域ＮＡＡのシール部非配置領域ＳＮＡにおいて、第２透明電極膜５２４における電極膜拡張部５２４ａとは平面に視て非重畳となる位置に配されている。このように、スリット５４２が電極膜拡張部５２４ａとは非重畳の配置となっていても、スリット５４２が第１層間絶縁膜５４１をその膜厚方向に貫通することがない形態とされることで残された薄肉部５４４によって、スリット５４２の形成に際して下層側の平坦化膜５４０がエッチングされるのを防ぐことができる。以上のように、薄肉部５４４を残存させる形でスリット５４２を第１層間絶縁膜５４１に形成することで、スリット５４２を、電極膜拡張部５２４ａの配置に囚われることなく自由に配置しつつも、平坦化膜５４０にエッチングが及ぶのを好適に防ぐことができる。また、スリット５４２の配置自由度が高くされることで、スリット５４２及び薄肉部５４４の幅寸法は、上記した実施形態４に記載したものよりも広くすることができる。

　詳しくは、スリット５４２及び薄肉部５４４は、シール部非配置領域ＳＮＡにおける外周側部分に配されており、シール部５１１ｄと電極膜拡張部５２４ａとに挟み込まれる位置に配されている。そして、スリット５４２及び薄肉部５４４は、表示領域ＡＡまでの距離よりも、シール部５１１ｄまでの距離の方が短くなる配置、言い換えると表示領域ＡＡよりもシール部５１１ｄの近くに配置されている。従って、上記した実施形態４に記載したスリット３４２に比べると、本実施形態に係るスリット５４２及び薄肉部５４４は、第１層間絶縁膜５４１におけるシール部５１１ｄの接着箇所により近い位置に配置されている。従って、第１層間絶縁膜５４１におけるシール部５１１ｄの接着箇所に応力が作用して剥離が生じたとしても、上記したスリット５４２の配置によって第１層間絶縁膜５４１における剥離し得る部分の範囲が狭いものとなる。これにより、第１層間絶縁膜５４１に剥離が生じたとしてもその剥離範囲が限定されることで、表示性能に悪影響を及ぼし難いものとされる。

　以上説明したように本実施形態によれば、第１層間絶縁膜５４１は、スリット５４２が表示領域ＡＡよりもシール部５１１ｄの近くに配されるよう設けられている。このようにすれば、第１層間絶縁膜５４１におけるスリット５４２の形成部位に薄肉部が形成される構成では、スリット５４２の配置自由度が高いものとなるので、スリット５４２を表示領域ＡＡよりもシール部５１１ｄの近くに配置することが可能となる。そして、第１層間絶縁膜５４１におけるシール部５１１ｄの接着箇所に応力が作用して剥離が生じたとしても、上記したスリット５４２の配置によって第１層間絶縁膜５４１における剥離し得る部分の範囲が狭いものとなる。これにより、第１層間絶縁膜５４１に剥離が生じたとしてもその剥離範囲が限定されることで、表示性能に悪影響を及ぼし難いものとされる。

　＜実施形態７＞
　本発明の実施形態７を図１７によって説明する。この実施形態７では、上記した実施形態６からスリット６４２の深さを変更し、薄肉部を除去したものを示す。なお、上記した実施形態６と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット６４２は、図１７に示すように、非表示領域ＮＡＡのシール部非配置領域ＳＮＡにおいて、第２透明電極膜６２４における電極膜拡張部６２４ａとは平面に視て非重畳となる位置に配されるとともに、第１層間絶縁膜６４１をその膜厚方向について貫通する形で形成されている。このため、スリット６４２を通して下層側の平坦化膜６４０が液晶層６１１ｃ側に露出している。スリット６４２は、表示領域ＡＡよりもシール部６１１ｄの近くに配置されている。このように薄肉部を残存させることなく第１層間絶縁膜６４１に形成されたスリット６４２の配置を、電極膜拡張部６２４ａの配置に囚われることなく自由に設定することも可能である。

　以上説明したように本実施形態によれば、アレイ基板６１１ｂにおいて表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る範囲に配されるとともに第１層間絶縁膜６４１のアレイ基板６１１ｂ側に配される平坦化膜６４０を備えており、第１層間絶縁膜６４１は、スリット６４２が平坦化膜６４０と重畳する位置に配されるよう設けられている。このようにすれば、スリット６４２の配置自由度が高いものとなる。

　＜実施形態８＞
　本発明の実施形態８を図１８または図１９によって説明する。この実施形態８では、上記した実施形態１からスリット７４２の数を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット７４２は、図１８及び図１９に示すように、非表示領域ＮＡＡのシール部非配置領域ＳＮＡにおいて、互いに並行する形で２本が第１層間絶縁膜７４１に形成されている。これら２本のスリット７４２は、共にシール部７１１ｄに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形態とされている。２本のスリット７４２は、相対的に表示領域ＡＡの近くに配される内周側スリット７４２Ａと、相対的にシール部７１１ｄの近くに配される外周側スリット７４２Ｂと、からなり、それぞれが第２透明電極膜７２４における電極膜拡張部７２４ａと平面に視て重畳する配置とされる。第１層間絶縁膜７４１は、内周側スリット７４２Ａよりも内側に配される内周側部分７４１ａと、外周側スリット７４２Ｂよりも外側に配される外周側部分７４１ｂと、両スリット７４２Ａ，７４２Ｂの間に挟み込まれる中間部分４６と、に区分される。このうちの中間部分４６は、両スリット７４２Ａ，７４２Ｂに倣って平面に視て額縁状をなしている。

　＜実施形態９＞
　本発明の実施形態９を図２０または図２１によって説明する。この実施形態９では、上記した実施形態２，４の構成を組み合わせたものを示す。なお、上記した実施形態２，４と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット８４２は、図２０及び図２１に示すように、シール部８１１ｄに倣ってその全周にわたって間欠的に並んで配されるとともに、第１層間絶縁膜８４１をその膜厚方向について貫通することがない深さで形成されている。従って、隣り合うスリット８４２の間には、第１層間絶縁膜８４１の内周側部分８４１ａと外周側部分８４１ｂとを繋ぐスリット間残存部８４３が残されるのに加えて、第１層間絶縁膜８４１におけるスリット８４２の形成部分には、スリット８４２の非形成部分よりも膜厚が薄肉な薄肉部８４４が残されている。

　＜実施形態１０＞
　本発明の実施形態１０を図２２または図２３によって説明する。この実施形態１０では、上記した実施形態３，４の構成を組み合わせたものを示す。なお、上記した実施形態３，４と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット９４２は、図２２及び図２３に示すように、全体としてシール部９１１ｄに倣う形で平面に視て額縁状をなすよう配されるとともに、その周方向に加えて幅方向についても所定の間隔を空けて複数ずつ並んで配されているのに加えて、第１層間絶縁膜９４１をその膜厚方向について貫通することがない深さで形成されている。従って、隣り合うスリット９４２の間には、全体として平面に視て格子状をなすスリット間残存部９４３が残されるのに加えて、第１層間絶縁膜９４１におけるスリット９４２の形成部分には、スリット９４２の非形成部分よりも膜厚が薄肉な薄肉部９４４が残されている。

　＜実施形態１１＞
　本発明の実施形態１１を図２４によって説明する。この実施形態１１では、上記した実施形態１からスリット１０４２の配置を変更するとともにスリット１０４２と重畳する第２の電極膜拡張部４７を設けたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット１０４２は、図２４に示すように、非表示領域ＮＡＡのシール部非配置領域ＳＮＡにおいて、表示領域ＡＡよりもシール部１０１１ｄの近くに配されるとともに、第２透明電極膜１０２４における電極膜拡張部（第１の電極膜拡張部）１０２４ａとは平面に視て非重畳となる位置に配されている。その上で、スリット１０４２に対して平面に視て重畳する位置には、第２透明電極膜１０２４からなる第２の電極膜拡張部４７が設けられている。第２の電極膜拡張部４７は、電極膜拡張部１０２４ａからは分離された島状をなしている。従って、第１層間絶縁膜１０４１にスリット１０４２をフォトリソグラフィ法によって形成するのに際し、第１層間絶縁膜１０４１を部分的にエッチングする場合において、第１層間絶縁膜１０４１におけるスリット１０４２の形成予定部分の下層側に第２透明電極膜１０２４の第２の電極膜拡張部４７が配されることで、第２の電極膜拡張部４７がエッチングストッパとして機能し、エッチングが第２の電極膜拡張部４７の下層側の平坦化膜１０４０にまで及ぶことが避けられる。これにより、平坦化膜１０４０の膜厚均一性が良好に保たれている。

　＜実施形態１２＞
　本発明の実施形態１２を図２５によって説明する。この実施形態１２では、上記した実施形態１１から第２の電極膜拡張部１１４７を電極膜拡張部１１２４ａに繋げたものを示す。なお、上記した実施形態１１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る第２の電極膜拡張部１１４７は、図２５に示すように、電極膜拡張部１１２４ａに繋げられている。これにより、スリット１１４２の平面配置や形成範囲を変更した場合でも、スリット１１４２に対して第２透明電極膜１１２４を平面に視て重畳した配置を容易に維持することが可能とされる。このような構成においても、第２の電極膜拡張部１１４７がエッチングストッパとして機能することで、エッチングが第２の電極膜拡張部１１４７の下層側の平坦化膜１１４０にまで及ぶことが避けられる。

　＜実施形態１３＞
　本発明の実施形態１３を図２６によって説明する。この実施形態１３では、上記した実施形態１から共通電極部１２２２をＣＦ基板１２１１ａ側に配置した構成のものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係る液晶パネル１２１１は、図２６に示すように、共通電極部１２２２が第３透明電極膜４９からなるとともに、その第３透明電極膜４９がアレイ基板１２１１ｂ側ではなく、ＣＦ基板１２１１ａ側に配置されており、動作モードがＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モードとされている。共通電極部１２２２をなす第３透明電極膜４９は、ＣＦ基板側平坦化膜１２１１ｊに対して上層側（ＣＦ基板１２１１ａ側とは反対側）に積層する形で配されており、ＣＦ基板１２１１ａのほぼ全面にわたるベタ状のパターンとされる。また、共通電極部１２２２をなす第３透明電極膜４９は、第１透明電極膜１２２３及び第２透明電極膜１２２４と同様に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。アレイ基板１２１１ｂ側に配された画素電極１２１８をなす第１透明電極膜１２２３は、液晶層１２１１ｃを介してＣＦ基板１２１１ａ側に配された共通電極部１２２２をなす第３透明電極膜４９と対向状に配されているので、ＴＦＴ１２１７を駆動して両透明電極膜１２２３，４９間に生じ得る電位差を制御することで、液晶層１２１１ｃに含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。さらには、アレイ基板１２１１ｂにおいては、画素電極１２１８をなす第１透明電極膜１２２３との間で第１層間絶縁膜１２４１を挟み込む第２透明電極膜１２２４によって補助容量電極５０が構成されている。この補助容量電極５０は、第１層間絶縁膜１２４１を介して画素電極１２１８をなす第１透明電極膜１２２３と対向状に配されることで、画素電極１２１８をなす第１透明電極膜１２２３との間で容量を形成している。そして、補助容量電極５０は、共通電位供給部１２２９に接続されることで、共通電位が供給されているので、ＴＦＴ１２１７によって充電された画素電極１２１８の電位を一定期間保持させることが可能とされる。

　そして、アレイ基板１２１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおけるシール部非配置領域ＳＮＡにおいて、シール部１２１１ｄが直接接着された第１層間絶縁膜１２４１には、シール部１２１１ｄに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形態のスリット１２４２が形成されている。スリット１２４２は、第１層間絶縁膜１２４１をその膜厚方向について貫通する形態とされている。従って、第１層間絶縁膜１２４１は、スリット１２４２を境界として、主に表示領域ＡＡに配される内周側部分１２４１ａと、全域が非表示領域ＮＡＡに配される外周側部分１２４１ｂとに分離（分割）されている。このうちの外周側部分１２４１ｂに対してシール部１２１１ｄが接着されている。このことから、第１層間絶縁膜１２４１のうちのシール部１２１１ｄの接着箇所を有する外周側部分１２４１ｂに温度変化に伴って生じる応力が作用した場合でも、スリット１２４２によって分離された内周側部分１２４１ａに、上記した応力が極めて伝達され難くなっている。これにより、第１層間絶縁膜１２４１における表示領域ＡＡ側の部分に剥離が生じ難くなるので、表示領域ＡＡにおいて第１層間絶縁膜１２４１の上層側に配される第１透明電極膜１２２３に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。このスリット１２４２は、アレイ基板１２１１ｂの製造工程において、既知のフォトリソグラフィ法により第１層間絶縁膜１２４１をパターニングすることで形成されており、コンタクトホールＣＨ２を形成するのと同時に（同じ工程で）形成されている。

　＜実施形態１４＞
　本発明の実施形態１４を図２７によって説明する。この実施形態１４では、上記した実施形態１３からスリット１３４２の深さを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット１３４２は、図２７に示すように、第１層間絶縁膜１３４１をその膜厚方向について貫通することがない深さで形成されている。つまり、このスリット１３４２の深さ寸法は、第１層間絶縁膜１３４１の膜厚に満たない大きさとされている。従って、第１層間絶縁膜１３４１におけるスリット１３４２の形成部分には、第１層間絶縁膜１３４１におけるスリット１３４２の非形成部分の膜厚よりも薄肉な薄肉部１３４４が形成されている。第１層間絶縁膜１３４１のうち、薄肉部１３４４に比べて膜厚が相対的に大きくされたスリット１３４２の非形成部分には、外周側部分１３４１ｂにおけるシール部１３１１ｄと平面に視て重畳する部分や内周側部分１３４１ａが含まれている。スリット１３４２及び薄肉部１３４４は、シール部１３１１ｄに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形で配されている。従って、薄肉部１３４４は、第１層間絶縁膜１３４１における内周側部分１３４１ａと外周側部分１３４１ｂとを全周にわたって繋いでいる。このような構成であっても、第１層間絶縁膜１３４１のうちシール部１３１１ｄが接着された外周側部分１３４１ｂに温度変化に伴って応力が作用した場合、その応力が薄肉部１３４４によって緩和されるので、内周側部分１３４１ａに剥離が生じ難くなっている。

　本実施形態に係るスリット１３４２の形成に際しては、アレイ基板１３１１ｂの製造工程の中の露光工程において第１層間絶縁膜１３４１を露光するのに用いるフォトマスクを、図示しないハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクとしている。ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクは、露光光の透過率が例えば１０％～７０％程度とされる半透過領域を有しているので、露光工程では、このうちの半透過領域の透過光により、第１層間絶縁膜１３４１におけるスリット１３４２及び薄肉部１３４４の形成予定部分を露光するようにしている。このようなハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いて露光工程を行った後にエッチング工程を行うことで、薄肉部１３４４を残存させた形でスリット１３４２を形成することができる。このエッチング工程では、スリット１３４２の形成部分に薄肉部１３４４が残されることで、エッチングが第１層間絶縁膜１３４１の下層側の第２層間絶縁膜１３３９に及ぶことが避けられている。これにより、第２層間絶縁膜１３３９の膜厚均一性を高く維持することができる。また、スリット１３４２の配置自由度が高いものとなる。

　＜実施形態１５＞
　本発明の実施形態１５を図２８によって説明する。この実施形態１５では、上記した実施形態１３からスリット１４４２の数を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

　本実施形態に係るスリット１４４２は、図２８に示すように、非表示領域ＮＡＡのシール部非配置領域ＳＮＡにおいて、互いに並行する形で２本が第１層間絶縁膜１４４１に形成されている。これら２本のスリット１４４２は、共にシール部１４１１ｄに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形態とされている。２本のスリット１４４２は、相対的に表示領域ＡＡの近くに配される内周側スリット１４４２Ａと、相対的にシール部１４１１ｄの近くに配される外周側スリット１４４２Ｂと、からなる。第１層間絶縁膜１４４１は、内周側スリット１４４２Ａよりも内側に配される内周側部分１４４１ａと、外周側スリット１４４２Ｂよりも外側に配される外周側部分１４４１ｂと、両スリット１４４２Ａ，１４４２Ｂの間に挟み込まれる中間部分１４４６と、に区分される。このうちの中間部分１４４６は、両スリット１４４２Ａ，１４４２Ｂに倣って平面に視て額縁状をなしている。

　＜他の実施形態＞
　本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
　（１）上記した各実施形態（実施形態５を除く）では、スリットがシール部に倣ってその全周にわたって連続的または間欠的に配されるよう設けられた場合を示したが、スリットがシール部の周方向について部分的に配される構成であってもよい。例えば、シール部における角部を除いた真っ直ぐな部分にのみ倣う形でスリットを設けたものや、逆にシール部における真っ直ぐな部分を除いた角部にのみ倣う形でスリットを設けることも可能である。また、上記した各実施形態（実施形態５を除く）では、スリットが全周にわたって一定幅とされる構成を示したが、スリットの幅がその周方向について途中で変化する構成を採ることも可能である、例えば、平面に視て額縁状とされるスリットのうち、特に大きな応力の発生が懸念される四隅の角部では、真っ直ぐな辺部に比べてスリットの幅を幅広にする構成を採ることができる。

　（２）上記した実施形態２，３において、隣り合うスリット間の配列間隔、スリット間残存部の幅寸法、スリットの設置数、スリットの平面形状などは適宜に変更可能である。これは、実施形態９，１０においても同様である。

　（３）上記した実施形態４，６，１４において、薄肉部の厚さ寸法（第１層間絶縁膜におけるスリットの非形成部分の膜厚に対する比率）、スリットの幅寸法などは適宜に変更可能である。これは、実施形態９，１０においても同様である。

　（４）上記した実施形態５において、アレイ基板における第１層間絶縁膜が形成されない部分（下層側の平坦化膜が露出する部分）の具体的な範囲は適宜に変更可能である。

　（５）上記した実施形態５において、第１層間絶縁膜の下層側に配される平坦化膜にスリットを形成するようにしてもよい。

　（６）上記した実施形態６，７，１１，１２，１３，１４において、スリットの平面配置を適宜に変更することが可能である。特に実施形態１１，１２においては、スリットの平面配置を変更するのに伴い、第２の電極膜拡張部の平面配置も変更するのが好ましい。

　（７）上記した実施形態８，１５において、スリットの本数を３本以上とすることも可能である。また、上記した実施形態８，１５において、各スリットの幅寸法や隣り合うスリット間の間隔などを適宜に変更することも可能である。

　（８）上記した実施形態１１，１２において、実施形態２，３，４，８，９，１０に記載された各構成を適宜に組み合わせることも可能である。

　（９）上記した実施形態１３において、実施形態２，３，６，７，９，１０に記載された各構成を適宜に組み合わせることも可能である。

　（１０）上記した実施形態１３において、実施形態５に記載された各構成を適宜に組み合わせることも可能である。

　（１１）上記した各実施形態では、半導体膜をＣＧシリコン薄膜（多結晶シリコン薄膜）とした場合を例示したが、それ以外にも、例えば酸化物半導体やアモルファスシリコンを半導体膜の材料として用いることも可能である。

　（１２）上記した各実施形態では、第１金属膜及び第２金属膜がチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成される場合を示したが、例えばチタンに代えてモリブデン（Ｍｏ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン－チタン合金（ＭｏＴｉ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）などを用いることも可能である。それ以外にも、チタン、銅、アルミニウムなどの単層の金属膜を用いることも可能である。

　（１３）上記した各実施形態では、動作モードがＦＦＳモードまたはＶＡモードとされた液晶パネルについて例示したが、それ以外にもＩＰＳ（In-Plane Switching）モードなどの他の動作モードとされた液晶パネルについても本発明は適用可能である。

　（１４）上記した各実施形態では、液晶パネルにおいて表示部が短辺方向については中央に配されるものの長辺方向についての一方の端部側に片寄った配置とされたものを示したが、液晶パネルにおいて表示部が長辺方向については中央に配されるものの短辺方向について一方の端部側に片寄った配置とされるものも本発明に含まれる。また、液晶パネルにおいて表示部が長辺方向及び短辺方向についてそれぞれ一方の端部側に片寄った配置とされるものも本発明に含まれる。逆に、液晶パネルにおいて表示部が長辺方向及び短辺方向について中央に配置されるものも本発明に含まれる。

　（１５）上記した各実施形態では、ドライバをアレイ基板上に直接ＣＯＧ実装したものを示したが、アレイ基板に対してＡＣＦを介して接続したフレキシブル基板上にドライバを実装するようにしたものも本発明に含まれる。

　（１６）上記した各実施形態では、縦長な方形状をなす液晶パネルを例示したが、横長な方形状をなす液晶パネルや正方形状をなす液晶パネルにも本発明は適用可能である。

　（１７）上記した各実施形態に記載した液晶パネルに対して、タッチパネルや視差バリアパネル（スイッチ液晶パネル）などの機能性パネルを積層する形で取り付けるようにしたものも本発明に含まれる。また、液晶パネルに直接タッチパネルパターンを形成するようにしたものも本発明に含まれる。

　（１８）上記した各実施形態では、液晶表示装置が備えるバックライト装置としてエッジライト型のものを例示したが、直下型のバックライト装置を用いるようにしたものも本発明に含まれる。

　（１９）上記した各実施形態では、外部光源であるバックライト装置を備えた透過型の液晶表示装置を例示したが、本発明は、外光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置にも適用可能であり、その場合はバックライト装置を省略することができる。

　（２０）上記した各実施形態では、液晶表示装置のスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いた液晶表示装置にも適用可能であり、またカラー表示する液晶表示装置以外にも、白黒表示する液晶表示装置にも適用可能である。

　（２１）上記した各実施形態では、一対の基板間に液晶層が挟持された構成とされる液晶パネルについて例示したが、一対の基板間に液晶材料以外の機能性有機分子を挟持した表示パネルについても本発明は適用可能である。

　（２２）上記した各実施形態では、表示パネルとして液晶パネルを例示したが、それ以外にも例えばＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や有機ＥＬパネルなどの表示パネルにも本発明は適用可能である。

　（２３）上記した各実施形態では、小型または中小型に分類され、携帯型情報端末、携帯電話（スマートフォンを含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコンを含む）、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器などに用いされる液晶パネルを例示したが、画面サイズが例えば２０インチ～９０インチで、中型または大型（超大型）に分類される液晶パネルにも本発明は適用可能である。その場合、液晶パネルをテレビ受信装置、電子看板（デジタルサイネージ）、電子黒板などの電子機器に用いることが可能とされる。

　１１，４１１，１２１１...液晶パネル（表示装置）、１１ａ，４１１ａ，１２１１ａ...ＣＦ基板（第２基板）、１１ｂ，３１１ｂ，４１１ｂ，６１１ｂ，１２１１ｂ，１３１１ｂ...アレイ基板（第１基板）、１１ｄ，１１１ｄ，２１１ｄ，３１１ｄ，４１１ｄ，５１１ｄ，７１１ｄ，８１１ｄ，９１１ｄ，１０１１ｄ，１２１１ｄ，１３１１ｄ，１４１１ｄ...シール部、１１ｉ...遮光部、２３，４２３，１２２３...第１透明電極膜、２４，３２４，４２４，５２４，６２４，１０２４，１１２４，１２２４...第２透明電極膜、２４ａ，３２４ａ，５２４ａ，６２４ａ，１０２４ａ，１１２４ａ...電極膜拡張部、２９...共通電位供給部、４０，３４０，４４０，５４０，６４０，１０４０，１１４０...平坦化膜（第２絶縁膜）、４１，１４１，２４１，３４１，４４１，５４１，６４１，７４１，８４１，８４１，９４１，１０４１，１２４１，１３４１，１４４１...第１層間絶縁膜（第１絶縁膜）、４２，１４２，２４２，３４２，５４２，６４２，７４２，８４２，９４２，１０４２，１１４２，１２４２，１３４２，１４４２...スリット、４４，５４４，８４４，９４４，１３４４...薄肉部、４７，１１４７...第２の電極膜拡張部（電極膜拡張部）、ＡＡ...表示領域、ＣＨ３...コンタクトホール、ＩＳ...内部空間、ＮＡＡ...非表示領域

Claims (13)

1. 　表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される第１基板と、
   　前記第１基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される第２基板と、
   　前記第１基板と前記第２基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されるとともに前記内部空間を封止するシール部と、
   　前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配される第１透明電極膜と、
   　前記第１基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されて前記シール部が接着されるとともに前記第１透明電極膜の前記第１基板側に配される第１絶縁膜であって、前記非表示領域において前記シール部よりも前記表示領域側となる位置に配されるスリットを有する第１絶縁膜と、
   　前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第１絶縁膜の前記第１基板側に配されて前記第１絶縁膜を前記第１透明電極膜との間で挟み込む第２透明電極膜と、を備える表示装置。
2. 　前記第２透明電極膜は、前記非表示領域にまで拡張して配される電極膜拡張部を有しており、
   　前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記第２透明電極膜の前記電極膜拡張部と重畳する位置に配されるよう設けられている請求項１記載の表示装置。
3. 　前記第１基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに前記第２透明電極膜の前記第１基板側に配される第２絶縁膜と、
   　前記第１基板において前記非表示領域に配されるとともに前記第２絶縁膜の前記第１基板側に配されるとともに共通電位とされる共通電位供給部と、を備えており、
   　前記電極膜拡張部は、前記第２絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記共通電位供給部に接続されている請求項２記載の表示装置。
4. 　前記第１基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに前記第１絶縁膜の前記第１基板側に配される第２絶縁膜を備えており、
   　前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記第２絶縁膜と重畳する位置に配されるよう設けられている請求項１記載の表示装置。
5. 　前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記第１絶縁膜の膜厚方向について貫通する形態となるよう設けられている請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 　前記第１絶縁膜は、前記スリットの形成部位に、前記スリットの非形成部位よりも薄肉な薄肉部が形成されるよう設けられている請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 　前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記表示領域よりも前記シール部の近くに配されるよう設けられている請求項６記載の表示装置。
8. 　前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記シール部に倣ってその全周にわたって連続的または間欠的に配されるよう設けられている請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 　前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記シール部の全周にわたって連続的に延在する溝状をなすよう設けられている請求項８記載の表示装置。
10. 　前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記シール部の全周にわたって間欠的に配されるよう設けられている請求項８記載の表示装置。
11. 　前記第２基板において少なくとも前記非表示領域に配される遮光部を備えており、
    　前記第１絶縁膜は、前記スリットが前記遮光部と重畳する配置となるよう設けられている請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 　表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される第１基板と、
    　前記第１基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される第２基板と、
    　前記第１基板と前記第２基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されるとともに前記内部空間を封止するシール部と、
    　前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配される第１透明電極膜と、
    　前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第１透明電極膜の前記第１基板側に配され且つ前記シール部とは非重畳となる範囲に配されてなる第１絶縁膜と、
    　前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第１絶縁膜の前記第１基板側に配されて前記第１絶縁膜を前記第１透明電極膜との間で挟み込む第２透明電極膜と、を備える表示装置。
13. 　前記第１基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第１絶縁膜の前記第１基板側に配されて前記第１絶縁膜を前記第１透明電極膜との間で挟み込む第２透明電極膜と、
    　前記第１基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されて前記シール部が接着されるとともに前記第２透明電極膜の前記第１基板側に配され且つ前記第１絶縁膜よりも膜厚が大きな第２絶縁膜と、を備える請求項１２記載の表示装置。

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