WO2015098579A1 - リアクトル - Google Patents

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WO2015098579A1
WO2015098579A1 PCT/JP2014/083030 JP2014083030W WO2015098579A1 WO 2015098579 A1 WO2015098579 A1 WO 2015098579A1 JP 2014083030 W JP2014083030 W JP 2014083030W WO 2015098579 A1 WO2015098579 A1 WO 2015098579A1
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WO
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core
circumferential
layer
positions
indicated
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Application number
PCT/JP2014/083030
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English (en)
French (fr)
Inventor
美織 伴
塚原　誠
Original Assignee
アイシン精機株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F37/00—Fixed inductances not covered by group H01F17/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
    • H01F3/10—Composite arrangements of magnetic circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
    • H01F3/10—Composite arrangements of magnetic circuits
    • H01F2003/106—Magnetic circuits using combinations of different magnetic materials

Definitions

  • the present invention relates to a reactor in which a coil is wound around a core.
  • Examples of the reactor include the inventions described in Patent Documents 1 and 2.
  • the magnetic permeability in the vicinity of the coil that is likely to be magnetically saturated is made smaller than the others so that the magnetic flux is not concentrated in the vicinity of the coil.
  • the reactor of patent document 2 is arrange
  • This invention is made
  • the reactor of Claim 1 has the 1st core part which has 1st magnetic permeability, and the 2nd core part which has 2nd magnetic permeability larger compared with said 1st magnetic permeability, Said 1st core part And a reactor including a core in which a closed magnetic path is formed by the second core portion, and a coil wound around the core, wherein the second core portion is separated from the axis in the axial view of the core.
  • the main portions of the closed magnetic circuit are formed through the plurality of position parts adjacent to each other, each having a plurality of position parts having different distances.
  • the core has a first core portion and a second core portion. Since the second core portion has a larger magnetic permeability than the first core portion, a closed magnetic path is mainly formed through the second core portion. Further, the reactor according to claim 1 is different in distance from the shaft, and the main part of the closed magnetic circuit is formed through a plurality of adjacent position parts. Therefore, compared with the case of the air core which does not have a magnetic path formation member, the reactor of Claim 1 can prevent concentration of magnetic flux inside a core, and can make magnetic flux uniform.
  • the reactor of Claim 1 can increase magnetic path length by the said position site
  • the reactor according to claim 2 is the reactor according to claim 1, wherein the core has a plurality of layer portions that are divided in a direction perpendicular to the axial direction, and the adjacent layer portions include the shaft. The position portions having different distances from each other are provided. Therefore, the reactor according to claim 2 can form a magnetic path also in the axial direction of the core, and can further improve the DC superposition characteristics.
  • the adjacent position portions are in surface contact or line contact. Therefore, the reactor of Claim 3 can reduce the magnetic flux which does not pass through the said position part compared with the case where the adjacent position part is spaced apart.
  • the reactor of Claim 4 has the 1st core part which has 1st magnetic permeability, and the 2nd core part which has 2nd magnetic permeability larger compared with said 1st magnetic permeability, Said 1st core part And a reactor including a core in which a closed magnetic path is formed by the second core portion, and a coil wound around the core, wherein the core is divided into a plurality in a direction perpendicular to the axial direction of the core.
  • the second core portion has a plurality of circumferential position portions that are different from each other in the circumferential direction when viewed in the axial direction of the core, and the circumferential position is adjacent to the layer portion. Different circumferential position portions are provided, the circumferential positions are different, and the main portion of the closed magnetic path is formed through a plurality of adjacent circumferential position portions.
  • the reactor according to claim 4 can form a magnetic path also in the axial direction of the core by the circumferential position portion, compared with the case where the main part of the closed magnetic path is formed in one layer portion, The magnetic path length can be increased. Therefore, the reactor of Claim 4 can improve a direct current
  • the reactor according to claim 5 is the reactor according to claim 4, wherein the adjacent circumferential position portions are in surface contact or line contact. Therefore, the reactor of Claim 5 can reduce the magnetic flux which does not pass along the said circumferential direction location part compared with the case where the adjacent circumferential direction location part is spaced apart.
  • a reactor according to claim 6 is the reactor according to any one of claims 1 to 5, wherein the first core is separated from the second core at a boundary between the first core and the second core.
  • the magnetic permeability gradually decreases toward the part. Therefore, the reactor according to claim 6 can gradually decrease the magnetic flux density from the second core portion toward the first core portion, and compared with the case where the magnetic permeability suddenly changes at the boundary portion. Concentration can be prevented and magnetic flux that does not pass through the second core portion can be reduced.
  • the reactor according to claim 7 is the reactor according to any one of claims 1 to 6, wherein the core is provided with a gap in which the first core portion and the second core portion do not exist. . Therefore, the reactor of Claim 7 can adjust the magnetic permeability of the whole core with gap length, and can obtain desired magnetic permeability easily.
  • FIG. 1 is a front view schematically showing a reactor 1 according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a view in the direction of arrow II in FIG. 1. It is explanatory drawing which concerns on 1st Embodiment and shows arrangement
  • FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the direction of magnetic flux in the XII-XII cross section of FIG. 4. It is explanatory drawing which concerns on 2nd Embodiment and shows arrangement
  • FIG. It is explanatory drawing which concerns on 3rd Embodiment and shows arrangement
  • FIG. It is explanatory drawing which concerns on 5th Embodiment and shows arrangement
  • FIG. It is explanatory drawing which concerns on 6th Embodiment and shows arrangement
  • FIG. 1 is a front view schematically showing the reactor 1.
  • 2 is a view in the direction of arrow II in FIG.
  • the reactor 1 of this embodiment includes a core 2 and a coil 3 wound around the core 2, and a closed magnetic circuit CC ⁇ b> 1 is formed in the core 2.
  • a closed magnetic circuit CC ⁇ b> 0 shown in FIG. 1 indicates a closed magnetic circuit formed in the case of an air core that does not have the core 2.
  • the core 2 is formed in a hollow cylindrical shape, and the axis (center axis) of the core 2 is indicated by an axis AZ1.
  • the axis AZ1 is formed in a direction perpendicular to the paper surface.
  • the core 2 is divided in the direction perpendicular to the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction), and the divided core 2 is represented by layer portions 2U, 2M, and 2L.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the respective layer portions 2U, 2M, and 2L.
  • the layer portion 2U is formed in two layers in the radial direction, and each layer is divided into 12 in the circumferential direction. The same applies to the layer portions 2M and 2L.
  • the core 2 has a first core portion 21 and a second core portion 22. As shown in FIG. 3, hatching is applied to the place where the second core portion 22 is disposed. On the other hand, the portion where the first core part 21 is arranged is not hatched. Similarly, in other modified embodiments and embodiments, the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 is represented by the presence or absence of hatching. The hatching is provided for convenience of explanation in order to make the main part of the closed magnetic circuit CC1 easy to understand.
  • the magnetic permeability of the first core portion 21 is defined as the first magnetic permeability (relative magnetic permeability ⁇ 1)
  • the magnetic permeability of the second core portion 22 is defined as the second magnetic permeability (relative magnetic permeability ⁇ 2).
  • the second magnetic permeability (relative magnetic permeability ⁇ 2) is set larger than the first magnetic permeability (relative magnetic permeability ⁇ 1).
  • a closed magnetic circuit CC ⁇ b> 1 is formed by the first core portion 21 and the second core portion 22, but the second core portion 22 has a higher magnetic permeability than the first core portion 21,
  • a closed magnetic circuit CC1 is formed through the two core portions 22. Therefore, as shown in FIG.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of the positions P01 to P20 and the position P01. Note that the start point and end point of the closed magnetic circuit CC1 are provided for convenience of explanation, and the same applies to other modified embodiments and embodiments.
  • the second core part 22 has a first position part 2A1 and a second position part 2A2.
  • the first position part 2A1 and the second position part 2A2 have different distances from the axis AZ1 when viewed in the direction of the axis AZ1 of the core 2 (the direction of the arrow Z1 shown in FIG.
  • the area indicated by the position P01 is the first position part 2A1
  • the area indicated by the position P02 is the second position part 2A2.
  • the first position part 2A1 is on the inner peripheral side of the core 2
  • the second position part 2A2 is on the outer peripheral side of the first position part 2A1.
  • the reactor 1 of the present embodiment has different distances from the axis AZ1 when viewed in the direction of the axis AZ1 (arrow Z1 direction) of the core 2, and passes through the first position part 2A1 and the second position part 2A2 that are adjacent to each other.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed. Note that “adjacent to each other” includes not only the case where the first position part 2A1 and the second position part 2A2 are in contact, but also the case where the first position part 2A1 and the second position part 2A2 are separated.
  • the reactor 1 of this embodiment can prevent the magnetic flux from concentrating on the inner side (inner peripheral side) of the core 2 and can make the magnetic flux uniform as compared with the case of the air core. Moreover, the reactor 1 of this embodiment can increase magnetic path length by 1st position site
  • the magnetic field (Hf), the magnetic path length (lm), the number of turns of the coil 3 (Tn), and the current flowing through the coil 3 are coil currents (Ic)
  • the magnetic field (Hf) is proportional to the coil current (Ic), and the inductance (Ls) decreases as the coil current (Ic) increases.
  • Hf Tn ⁇ Ic / lm
  • the first position part 2A1 and the second position part 2A2 can increase the magnetic path length (lm) as compared with the case of the air core, so that the magnetic field (Hf) generated in the core 2 is increased.
  • the coil current (Ic) can be reduced. Therefore, the reactor 1 of this embodiment can suppress the fall of an inductance (Ls), and can improve a direct current
  • the improvement of the DC superimposition characteristic means that, when a DC superimposition current obtained by adding an AC component to a DC current is passed through the coil 3, magnetic saturation in the core 2 is suppressed, and a decrease in inductance is reduced.
  • the inductance (Ls) decreases as the coil current (Ic) increases, but the reactor 1 of the present embodiment can increase the magnetic path length (lm), so that the inductance with respect to a large DC superimposed current is increased. A decrease in (Ls) can be suppressed. Furthermore, the reactor 1 of the present embodiment can improve the DC superimposition characteristics by the first position part 2A1 and the second position part 2A2, so that, for example, the core 2 is formed by making the magnetic path forming member polygonal. It is not necessary to deform locally, and the reactor 1 can be reduced in size.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P20 of the layer part 2M and the region indicated by the position P02 of the layer part 2L.
  • the region indicated by the position P20 is the first position part 2A1
  • the region indicated by the position P02 is the second position part 2A2. That is, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position part 2A1 of the layer part 2M and the second position part 2A2 of the layer part 2L.
  • the reactor 1 of this embodiment can form a magnetic path also in the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction) of the core 2, and can further improve the DC superposition characteristics.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 can be formed between the region indicated by the position P20 of the layer part 2M and the region indicated by the position P01 of the layer part 2L.
  • the region indicated by the position P20 and the region indicated by the position P01 are both the first position part 2A1. That is, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position part 2A1 of the layer part 2M and the first position part 2A1 of the layer part 2L.
  • each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 can be formed for the second position portion 2A2.
  • FIG. 4 is an explanatory view showing the arrangement of the first core part 21 and the second core part 22 in each layer part 2U, 2M, 2L.
  • the layer portion 2U is formed in two layers in the radial direction, and each layer is divided into 12 sections in the circumferential direction. The same applies to the layer portions 2M and 2L.
  • the core 2 has a first core portion 21 and a second core portion 22.
  • the layer part 2U has only the first core part 21 and does not have the second core part 22.
  • the layer portions 2M and 2L have the first core portion 21 and the second core portion 22, respectively, but their arrangement is different from that of the first embodiment. Therefore, as shown in FIG. 4, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of position P01 (position P01M, position P01L) to position P16 and position P01 (position P01M, position P01L).
  • the first magnetic path is a magnetic path that passes through the region indicated by position P16, the region indicated by position P01M, and the region indicated by position P02.
  • the second magnetic path is a magnetic path that passes through the region indicated by position P16, the region indicated by position P01M, the region indicated by position P01L, and the region indicated by position P02.
  • the third magnetic path is a magnetic path that passes through the region indicated by the position P16, the region indicated by the position P01L, and the region indicated by the position P02.
  • the region indicated by the position P01L does not have the first position part 2A1 or the second position part 2A2 in the vicinity.
  • the area indicated by the position P01M has a first position part 2A1 (area indicated by the position P16) and a second position part 2A2 (area indicated by the position P02) in the vicinity. Therefore, the magnetic path is easily formed by the first magnetic path.
  • the plurality of first position portions 2A1 or second position portions 2A2 in the direction of the axis AZ1 (arrow Z1 direction) are handled and described as a pair.
  • the area corresponding to the position P01 in the first embodiment is handled and described by pairing the area indicated by the position P01L and the area indicated by the position P01M. The same applies to other areas.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P01 (position P01M, position P01L) and the region indicated by the position P02.
  • the area indicated by the position P01 (position P01M, position P01L) is the first position part 2A1
  • the area indicated by the position P02 is the second position part 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P01L of the layer part 2L and the region indicated by the position P02 of the layer part 2M.
  • the region indicated by the position P01L is the first position portion 2A1
  • the region indicated by the position P02 is the second position portion 2A2. That is, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position part 2A1 of the layer part 2L and the second position part 2A2 of the layer part 2M.
  • each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed. Therefore, the reactor 1 of this modification can form a magnetic path also in the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction) of the core 2, and can further improve the DC superposition characteristics.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 can be formed between the region indicated by the position P01L of the layer part 2L and the region indicated by the position P01M of the layer part 2M.
  • the region indicated by the position P01L and the region indicated by the position P01M are both the first position part 2A1. That is, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position part 2A1 of the layer part 2L and the first position part 2A1 of the layer part 2M.
  • each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed.
  • the region including the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 is disposed asymmetrically around the axis AZ1.
  • the first position part 2A1 is arranged symmetrically around the axis AZ1.
  • the region including the first position part 2A1 and the second position part 2A2 is arranged symmetrically around the axis AZ1.
  • the first position part 2A1 is arranged symmetrically around the axis AZ1.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of the relationship between current and inductance.
  • a curve L1 indicates the characteristics of the reactor 1 according to the first embodiment
  • a curve L2 indicates the characteristics of the reactor 1 according to the modified embodiment.
  • the inductance is lower than that of the reactor 1 of the first embodiment shown by the curve L1.
  • the relationship between current and inductance can be measured by connecting a known DC superimposing evaluation device to both ends of the coil 3 of the reactor 1.
  • the DC superposition evaluation apparatus has a known DC power supply and a sine wave power supply, and can superimpose a sine wave voltage output from the sine wave power supply on a DC voltage output from the DC power supply.
  • the direct current superimposition evaluation apparatus has a known LCR meter. The direct current superimposition voltage is applied to both ends of the coil 3 of the reactor 1 so that the direct current superposition current flows through the coil 3, and the inductance of the reactor 1 is measured. It can be measured. Similar characteristics can be obtained by magnetic field analysis.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the direction of magnetic flux in the XI-XI cross section of FIG.
  • FIG. 6 schematically shows the magnetic flux direction by calculating the magnetic flux direction of the reactor 1 of the first embodiment by magnetic field analysis.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the magnetic flux direction in the XII-XII cross section of FIG.
  • FIG. 7 schematically shows the direction of the magnetic flux by calculating the magnetic flux direction of the modified reactor 1 by the same magnetic field analysis.
  • the magnetic flux direction when the magnetic flux is formed in a direction perpendicular to the paper surface is indicated by black circles, and the magnetic flux direction when the magnetic flux is formed on the paper surface (XI-XI cross section or XII-XII cross section). Is indicated by an arrow.
  • the reactor 1 of the first embodiment includes, for example, a region indicated by a position P05 of the layer part 2L (second position part 2A2), a region indicated by a position P06 (first position part 2A1), and a position P07 of the layer part 2M.
  • the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the direction of the axis AZ1 (the direction of the arrow Z1) of the core 2 by the region (first position portion 2A1) shown. Therefore, as shown in FIG. 6, a magnetic flux is formed in a direction (on the paper surface) that is not orthogonal to the paper surface from the region indicated by the position P06 to the region indicated by the position P07.
  • the deformed reactor 1 has, for example, the first position part 2A1 or the second position part 2A2 in the vicinity of the region (first position part 2A1) indicated by the position P06L in the layer part 2L.
  • the region indicated by the position P05 (second position part 2A2), the region indicated by the position P06M (first position part 2A1), and the region indicated by the position P07 (first position part 2A1) are arranged in the circumferential direction. It is arranged continuously. Therefore, the reactor 1 of a deformation
  • a magnetic flux is mainly formed in a direction orthogonal to the paper surface. That is, there is little formation of a magnetic path in a direction (on the paper surface) that is not orthogonal to the paper surface between the region indicated by the position P06L of the layer part 2L and the region indicated by the position P06M of the layer part 2M. This phenomenon is particularly seen when a plurality of first position parts 2A1 or second position parts 2A2 are not continuously arranged.
  • the reactor 1 of 1st Embodiment has the main part of the closed magnetic circuit CC1 formed in the layer site
  • transformation form is closed magnetic circuit CC1 in the layer site
  • the main part is formed. Therefore, since the reactor 1 of a deformation
  • the reactor 1 of 1st Embodiment reduces the magnetic flux which does not pass the said position site
  • the core 2 can be formed, for example, by pressure molding a magnetic material such as pure iron powder or iron-based powder (for example, Fe—Si-based powder).
  • the first core portion 21 having a low magnetic permeability can be formed from pure iron powder
  • the second core portion 22 having a high magnetic permeability can be formed from Fe—Si based powder.
  • the powder surface is preferably covered with an electrical insulating film in order to reduce eddy current loss. Note that, with the same material composition, the higher the density, the larger the magnetic permeability. Therefore, the first core portion 21 may have a low density and the second core portion 22 may have a high density with the same material composition.
  • the magnetic material is not limited to the above magnetic material.
  • various ferrites mainly composed of iron oxide can be used.
  • the first core portion 21 can also use a nonmagnetic material.
  • the first core portion 21 can be formed of a nonmagnetic material
  • the second core portion 22 can be formed of a magnetic material.
  • the nonmagnetic material is not limited, for example, silicon dioxide (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), or the like can be used.
  • the core 2 can form the 1st core part 21 and the 2nd core part 22 by filling the said powder into the bottomed concentric cylinder, for example, and pressurizing it to the axis
  • the bottomed concentric cylinder for example, two bottomed cylinders having different diameters are arranged concentrically. The diameters of the two cylinders are set to the outer diameter of the core 2 and the inner diameter of the core 2, respectively. Then, in the region indicated by positions P01 to P06 in FIG.
  • the powder having the second magnetic permeability (relative magnetic permeability ⁇ 2) is filled, and in the region other than the region indicated by positions P01 to P06, the first magnetic permeability (relative magnetic permeability ⁇ 1) is filled.
  • part 2L can be formed by pressurizing the filled powder to the axis
  • the core 2 divided into three in the direction of the axis AZ1 (arrow Z1 direction) can be formed.
  • a partition can also be provided suitably.
  • the formation method of the core 2 is not limited to the said method.
  • the 1st core part 21 and the 2nd core part 22 can be formed separately, and the 1st core part 21 and the 2nd core part 22 can also be fixed with an adhesive agent etc.
  • the 1st core part 21 can also be formed integrally, and the 2nd core part 22 can also be formed integrally.
  • the regions indicated by the positions P01 to P06 in FIG. 3 can be integrally formed. Even when they are formed integrally, the region corresponding to the positions P01 and P06 is the first position portion 2A1, and the region corresponding to the positions P02 to P05 is the second position portion 2A2. The same applies to the layer portions 2U and 2M.
  • the magnetic permeability can be gradually decreased from the second core portion 22 toward the first core portion 21 at the boundary between the first core portion 21 and the second core portion 22.
  • the mixing ratio of the powder forming the first core portion 21 and the second core portion 22 can be changed at the boundary portion. That is, the second core part 22 side increases the powder of the second magnetic permeability (relative magnetic permeability ⁇ 2), and the powder of the first magnetic permeability (relative magnetic permeability ⁇ 1) increases toward the first core part 21 side. To do.
  • the magnetic flux density can be gradually reduced from the second core portion 22 toward the first core portion 21, and the concentration of magnetic flux can be prevented compared with the case where the magnetic permeability suddenly changes at the boundary portion.
  • Magnetic flux that does not pass through the core portion 22 can be reduced.
  • the boundary between the first core portion 21 and the second core portion 22 may have the same material composition, and the density may be increased toward the second core portion 22 from the first core portion 21. The same applies to the following embodiments.
  • the ratio of the second core portion 22 in the core 2 (the region of the second core portion 22 with respect to the regions of the first core portion 21 and the second core portion 22) can be appropriately determined according to the required inductance. For example, when the inductance is increased, the ratio of the second core portion 22 is increased, and when the inductance is decreased, the ratio of the second core portion 22 is decreased. As shown in FIGS. 3 and 4, even if the usage ratios of the first core portion 21 and the second core portion 22 are the same, the direct current depends on the arrangement of the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2. Superimposition characteristics can be improved.
  • the layer part 2U can also be formed in three or more layers in the radial direction. Further, the number of sections in the circumferential direction of each layer is not limited to twelve sections, and may not be divided equally. The same applies to the layer portions 2M and 2L.
  • three or more position parts (third position part, fourth position part,...) Can be arranged. Thereby, when the core 2 is viewed in the direction of the axis AZ1 (the direction of the arrow Z1), the distance from the axis AZ1 is different, and the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through three or more adjacent position portions.
  • the shape of the core 2 is not limited to an annular shape, and may be any shape as long as the closed magnetic circuit CC1 is formed in the core 2.
  • a polygonal shape such as a quadrangular shape may be used.
  • the core 2 may be provided with a gap where the first core portion 21 and the second core portion 22 do not exist.
  • the entire magnetic permeability of the core 2 can be adjusted by the gap length, and a desired magnetic permeability can be easily obtained. Specifically, when the gap length is increased, the magnetic permeability of the entire core 2 is decreased, and when the gap length is decreased, the magnetic permeability of the entire core 2 is increased. The same applies to the following embodiments.
  • the coil 3 has a conductor surface covered with an insulating layer such as enamel.
  • the cross-sectional shape of the coil 3 is not limited and can be any cross-sectional shape.
  • the coil 3 can use conductors having various cross-sectional shapes such as a circular line having a circular cross section and a square line having a cross-sectional polygonal shape. As shown in FIG. 1, the coil 3 can be wound around the entire circumference of the core 2, and can be wound around a part of the core 2 in the circumferential direction.
  • the core 2 is different from the first embodiment in that the core 2 is not divided in the direction perpendicular to the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction).
  • FIG. 8 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the core 2. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of the positions P01 to P16 and the position P01.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P01 and the region indicated by the position P02.
  • the region indicated by the position P01 is the first position portion 2A1
  • the region indicated by the position P02 is the second position portion 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other.
  • each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed.
  • the reactor 1 of the present embodiment can obtain the same effects as those already described in the first embodiment.
  • the core 2 is not divided in the direction perpendicular to the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction)
  • the magnetic path length cannot be increased in the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction).
  • the core 2 is different from the first embodiment in that the core 2 is divided into two in the direction perpendicular to the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction).
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the respective layer portions 2U and 2L. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of the positions P01 to P20 and the position P01.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P01 and the region indicated by the position P02.
  • the region indicated by the position P01 is the first position portion 2A1
  • the region indicated by the position P02 is the second position portion 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other.
  • the reactor 1 of this embodiment can obtain the same effect as the effect described above in the first embodiment.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P20 of the layer part 2L and the region indicated by the position P02 of the layer part 2U.
  • the region indicated by the position P20 is the first position part 2A1
  • the region indicated by the position P02 is the second position part 2A2. That is, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position part 2A1 of the layer part 2L and the second position part 2A2 of the layer part 2U.
  • the reactor 1 of this embodiment can form a magnetic path also in the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction) of the core 2, and can further improve the DC superposition characteristics.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 can be formed between the region indicated by the position P20 of the layer part 2L and the region indicated by the position P01 of the layer part 2U.
  • the region indicated by the position P20 and the region indicated by the position P01 are both the first position part 2A1. That is, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position part 2A1 of the layer part 2L and the first position part 2A1 of the layer part 2U.
  • the number of divisions of the core 2 divided in the direction perpendicular to the axis AZ1 direction is not limited, and can be divided into four or more.
  • the region including the first position part 2A1 and the second position part 2A2 is arranged symmetrically around the axis AZ1 of the core 2, but around the axis AZ1 of the core 2 Can be arranged asymmetrically.
  • the first position part 2A1 is arranged symmetrically around the axis AZ1 of the core 2, but can also be arranged asymmetrically around the axis AZ1 of the core 2. The same applies to the following embodiments.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the core 2. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of the positions P01 to P12 and the position P01.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P12 and the region indicated by the position P01.
  • the region indicated by the position P12 is the first position portion 2A1
  • the region indicated by the position P01 is the second position portion 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other.
  • each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed. Therefore, the reactor 1 of this embodiment can obtain the same effect as the effect described above in the first embodiment.
  • the reactor 1 of this embodiment can reduce the magnetic flux which does not pass through the said position site
  • the core 2 can also be divided into the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction) and the vertical direction. As a result, the same effects as those already described in the first embodiment can be obtained.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the core 2. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of positions P01 to P08 and position P01.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the position P08 and the region indicated by the position P01.
  • the region indicated by the position P08 is the first position portion 2A1
  • the region indicated by the position P01 is the second position portion 2A2. That is, the distance from the axis AZ1 is different, and the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first position portion 2A1 and the second position portion 2A2 that are adjacent to each other.
  • each of the main parts of the closed magnetic circuit CC1 is formed. Therefore, the reactor 1 of this embodiment can obtain the same effect as the effect described above in the first embodiment.
  • the reactor 1 of this embodiment can adjust the magnetic permeability of the whole core 2 by increasing / decreasing the said separation distance.
  • the core 2 can also be divided into the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction) and the vertical direction. As a result, the same effects as those already described in the first embodiment can be obtained.
  • part 2U, 2M, 2L differs from 1st Embodiment by the point currently formed in 1 layer by radial direction.
  • each layer part 2U, 2M, 2L is divided into 12 sections in the circumferential direction.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the respective layer portions 2U, 2M, and 2L. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of the positions P01 to P16 and the position P01.
  • the second core portion 22 has a first circumferential position portion 2B1 to a fourth circumferential position portion 2B4.
  • the first circumferential position portion 2B1 to the fourth circumferential position portion 2B4 have different circumferential positions when viewed in the direction of the axis AZ1 (arrow Z1 direction) of the core 2.
  • the area indicated by the positions P01 to P04 is the first circumferential position part 2B1
  • the area indicated by the positions P05 to P08 is the second circumferential position part 2B2.
  • the region indicated by positions P09 to P12 is the third circumferential position portion 2B3, and the region indicated by positions P13 to P16 is the fourth circumferential position portion 2B4.
  • the first circumferential direction position part 2B1 to the fourth circumferential direction position part 2B4 have different circumferential positions.
  • the core 2 is divided in the direction perpendicular to the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction) of the core 2, and the divided core 2 is represented by layer portions 2U, 2M, and 2L.
  • the layer part 2L is provided with a first circumferential position part 2B1
  • the layer part 2M is provided with a second circumferential position part 2B2 and a fourth circumferential position part 2B4, and the layer part 2U is provided with a third part.
  • a circumferential position portion 2B3 is provided.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the positions P01 to P04 of the layer portion 2L and the region indicated by the positions P05 to P08 of the layer portion 2M. That is, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first circumferential position portion 2B1 of the layer portion 2L and the second circumferential position portion 2B2 of the layer portion 2M.
  • the reactor 1 of the present embodiment has different circumferential positions when viewed in the direction of the axis AZ1 (arrow Z1 direction) of the core 2, and the first circumferential position portion 2B1 to the fourth circumferential position portion 2B4 that are adjacent to each other.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed.
  • the reactor 1 of the present embodiment can form a magnetic path also in the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction) of the core 2 by the first circumferential position portion 2B1 to the fourth circumferential position portion 2B4.
  • the magnetic path length can be increased compared to the case where the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in one layer portion. Therefore, the reactor 1 of this embodiment can improve a direct current
  • FIG. 13 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the respective layer portions 2U and 2L. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of the positions P01 to P16 and the position P01.
  • the second core portion 22 has a first circumferential position portion 2B1 to a fourth circumferential position portion 2B4.
  • the area indicated by the positions P01 to P04 is the first circumferential position part 2B1
  • the area indicated by the positions P05 to P08 is the second circumferential position part 2B2.
  • the region indicated by positions P09 to P12 is the third circumferential position portion 2B3, and the region indicated by positions P13 to P16 is the fourth circumferential position portion 2B4.
  • the first circumferential direction position part 2B1 to the fourth circumferential direction position part 2B4 have different circumferential positions.
  • the layer part 2U is provided with a first circumferential position part 2B1 and a third circumferential position part 2B3, and the layer part 2L is provided with a second circumferential position part 2B2 and a fourth circumferential position part 2B4.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the positions P01 to P04 of the layer part 2U and the region indicated by the positions P05 to P08 of the layer part 2L. That is, the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first circumferential position portion 2B1 of the layer portion 2U and the second circumferential position portion 2B2 of the layer portion 2L.
  • the reactor 1 of the present embodiment has different circumferential positions when viewed in the direction of the axis AZ1 (arrow Z1 direction) of the core 2, and the first circumferential position portion 2B1 to the fourth circumferential position portion 2B4 that are adjacent to each other.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed.
  • the reactor 1 of this embodiment can obtain the same effects as those already described in the sixth embodiment.
  • the number of divisions of the core 2 divided in the direction perpendicular to the axis AZ1 (arrow Z1 direction) is not limited, and can be divided into four or more. The same applies to the following embodiments.
  • FIG. 14 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the respective layer portions 2U and 2L. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of the positions P01 to P12 and the position P01.
  • the second core portion 22 has a first circumferential position portion 2B1 to a fourth circumferential position portion 2B4.
  • the area indicated by the positions P01 to P04 is the first circumferential position part 2B1
  • the area indicated by the positions P05 to P06 is the second circumferential position part 2B2.
  • the region indicated by the positions P07 to P10 is the third circumferential position portion 2B3
  • the region indicated by the positions P11 to P12 is the fourth circumferential position portion 2B4.
  • the first circumferential direction position part 2B1 to the fourth circumferential direction position part 2B4 have different circumferential positions.
  • the layer part 2U is provided with a first circumferential position part 2B1 and a third circumferential position part 2B3, and the layer part 2L is provided with a second circumferential position part 2B2 and a fourth circumferential position part 2B4.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the region indicated by the positions P01 to P04 of the layer part 2U and the region indicated by the positions P05 to P06 of the layer part 2L. That is, the main portion of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the first circumferential position portion 2B1 of the layer portion 2U and the second circumferential position portion 2B2 of the layer portion 2L.
  • the reactor 1 of the present embodiment has different circumferential positions when viewed in the direction of the axis AZ1 (arrow Z1 direction) of the core 2, and the first circumferential position portion 2B1 to the fourth circumferential position portion 2B4 that are adjacent to each other.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed. Therefore, the reactor 1 of this embodiment can obtain the same effects as those already described in the sixth embodiment.
  • the area indicated by the positions P01 to P04 (first circumferential position part 2B1) and the area indicated by the positions P05 to P06 (second circumferential position part 2B2) are in line contact. Yes. Between the area indicated by positions P05 to P06 (second circumferential position part 2B2) and the area indicated by positions P07 to P10 (third circumferential position part 2B3), the area indicated by positions P07 to P10 (third circumferential direction) Between the position part 2B3) and the area indicated by the positions P11 to P12 (fourth circumferential position part 2B4), and the area indicated by the positions P11 to P12 (fourth circumferential position part 2B4), and the positions P01 to P04. The same applies to the area indicated by (first circumferential position 2B1).
  • the reactor 1 of this embodiment has the circumferential position portion compared to the case where adjacent circumferential position portions (for example, the first circumferential position portion 2B1 and the second circumferential position portion 2B2) are separated from each other. Magnetic flux that does not pass can be reduced.
  • adjacent circumferential position portions for example, the first circumferential position portion 2B1 and the second circumferential position portion 2B2 are in surface contact. From the viewpoint of reducing magnetic flux that does not pass through the circumferential position portion, surface contact is preferable compared to the case of line contact.
  • FIG. 15 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in each of the layer portions 2U, 2M, and 2L.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of position P01 (position P01M, position P01L) to position P12 (position P12M, position P12U) and position P01 (position P01M, position P01L).
  • the contact area between the first circumferential position portion 2B1 and the third circumferential position portion 2B3 is increased as compared with the sixth embodiment. Therefore, it is difficult to specify the main part of the closed magnetic circuit CC1 for each of the layer portions 2U, 2M, and 2L. Therefore, as in the case shown in FIG. 4, a plurality of first circumferential position portions 2B1 to 2B3 in the direction of the axis AZ1 (arrow Z1 direction) are handled and described as a pair. For example, the region indicated by the position P01L and the region indicated by the position P01M are handled and described as a pair. The same applies to the following embodiments.
  • the second core portion 22 has a first circumferential position portion 2B1 to a third circumferential position portion 2B3.
  • the area indicated by the positions P01L to P06L is the first circumferential direction position part 2B1
  • the area indicated by the positions P01M to P12M is the second circumferential direction position part 2B2.
  • the region indicated by the positions P07U to P12U is the third circumferential position portion 2B3.
  • the first circumferential direction position part 2B1 to the third circumferential direction position part 2B3 have different circumferential positions.
  • the layer part 2L is provided with a first circumferential position part 2B1, the layer part 2M is provided with a second circumferential position part 2B2, and the layer part 2U is provided with a third circumferential position part 2B3. ing.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is located between the region indicated by the positions P01L to P06L of the layer part 2L, the region indicated by the positions P01M to P12M of the layer part 2M, and the region indicated by the positions P07U to P12U of the layer part 2U Is formed.
  • the reactor 1 of the present embodiment can obtain the same effects as those already described in the sixth embodiment.
  • the contact area between the first circumferential direction position part 2B1 to the third circumferential direction position part 2B3 is increased as compared with the sixth embodiment. Therefore, the reactor 1 of the present embodiment can reduce the magnetic flux that does not pass through the second core portion 22.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the respective layer portions 2U, 2M, and 2L. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of position P01M to position P12 (position P12U, position P12M, position P12L) and position P01M.
  • the second core portion 22 has a first circumferential position portion 2B1 to an eighth circumferential position portion 2B8.
  • the regions indicated by the positions P02L to P03L and the positions P02U to P03U are the first circumferential direction position portion 2B1
  • the regions indicated by the positions P03M to P04M are the second circumferential direction position portion 2B2.
  • the region indicated by the positions P05U to P06U and the positions P05L to P06L is the third circumferential position portion 2B3
  • the region indicated by the positions P06M to P07M is the fourth circumferential position portion 2B4.
  • the regions indicated by the positions P08U to P09U and the positions P08L to P09L are the fifth circumferential position portion 2B5, and the regions indicated by the positions P09M to P10M are the sixth circumferential direction location portion 2B6.
  • the areas indicated by the positions P11L to P12L and the positions P11U to P12U are the seventh circumferential position part 2B7, and the areas indicated by the positions P12M to P01M are the eighth circumferential position part 2B8.
  • the layer parts 2L and 2U are provided with a first circumferential direction position part 2B1, a third circumferential direction position part 2B3, a fifth circumferential direction position part 2B5, and a seventh circumferential direction position part 2B7, respectively.
  • the layer part 2M is provided with a second circumferential position part 2B2, a fourth circumferential position part 2B4, a sixth circumferential position part 2B6, and an eighth circumferential position part 2B8.
  • the region indicated by the positions P02L to P03L of the layer part 2L (first circumferential position part 2B1), the region indicated by the positions P03M to P04M of the layer part 2M (second circumferential position part 2B2), and the layer part 2U An area indicated by positions P05U to P06U (third circumferential position part 2B3), an area indicated by positions P06M to P07M of the layer part 2M (fourth circumferential position part 2B4), and a position P08U to P09U of the layer part 2U A region (fifth circumferential position portion 2B5), a region indicated by positions P09M to P10M of the layer portion 2M (sixth circumferential position portion 2B6), and a region indicated by positions P11L to P12L of the layer portion 2L (seventh circumferential direction)
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the position part 2B7) and the region (eighth circumferential direction position part 2B8) indicated by the positions
  • the region indicated by the positions P02U to P03U of the layer portion 2U (first circumferential position portion 2B1), the region indicated by the positions P03M to P04M of the layer portion 2M (second circumferential position portion 2B2), and the layer portion 2L A region indicated by positions P05L to P06L (third circumferential position portion 2B3), a region indicated by positions P06M to P07M of the layer portion 2M (fourth circumferential position portion 2B4), and a position P08L to P09L of the layer portion 2L A region (fifth circumferential position portion 2B5), a region indicated by positions P09M to P10M of the layer portion 2M (sixth circumferential position portion 2B6), and a region indicated by positions P11U to P12U of the layer portion 2U (seventh circumferential direction)
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the position part 2B7) and the region (eighth circumferential direction position part 2B8) indicated by the
  • the reactor 1 of the present embodiment can obtain the same effects as those already described in the sixth embodiment. Further, the magnetic field passes through a region (first circumferential position portion 2B1) indicated by positions P02L to P03L of the layer portion 2L and a region (first circumferential position portion 2B1) indicated by positions P02U to P03U of the layer portion 2U.
  • the main part of the path CC1 can be formed.
  • the main magnetic path CC1 The part can be formed.
  • first circumferential direction position portion 2B1 indicated by the positions P02L to P03L and the positions P02U to P03U and the second circumferential direction position portion 2B2 indicated by the positions P03M to P04M are in surface contact.
  • the second circumferential position portion 2B2 indicated by positions P03M to P04M and the third circumferential position portion 2B3 indicated by positions P05L to P06L and positions P05U to P06U are in line contact. Thereafter, the above arrangement is repeated. Therefore, in this embodiment, between the first circumferential direction position part 2B1 to the eighth circumferential direction position part 2B8, there are a surface contact part and a line contact part.
  • the core 2 differs from the tenth embodiment in that the core 2 is divided into two in the direction perpendicular to the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction).
  • FIG. 17 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the respective layer portions 2U and 2L. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of position P01L to position P12 (position P12U, position P12L) and position P01L.
  • the second core portion 22 has a first circumferential position portion 2B1 to an eighth circumferential position portion 2B8.
  • the area indicated by the positions P02U to P03U is the first circumferential direction position part 2B1
  • the area indicated by the positions P03L to P04L is the second circumferential direction position part 2B2.
  • the area indicated by the positions P05U to P06U is the third circumferential position part 2B3, and the area indicated by the positions P06L to P07L is the fourth circumferential position part 2B4.
  • the region indicated by the positions P08U to P09U is the fifth circumferential position portion 2B5, and the region indicated by the positions P09L to P10L is the sixth circumferential position portion 2B6.
  • the region indicated by the positions P11U to P12U is the seventh circumferential direction position part 2B7
  • the region indicated by the positions P12L to P01L is the eighth circumferential direction position part 2B8.
  • the layer part 2U is provided with a first circumferential position part 2B1, a third circumferential position part 2B3, a fifth circumferential position part 2B5, and a seventh circumferential position part 2B7.
  • the layer part 2L is provided with a second circumferential position part 2B2, a fourth circumferential position part 2B4, a sixth circumferential position part 2B6, and an eighth circumferential position part 2B8.
  • the region indicated by the positions P02U to P03U of the layer part 2U (first circumferential position part 2B1), the region indicated by the positions P03L to P04L of the layer part 2L (second circumferential position part 2B2), and the layer part 2U
  • An area indicated by positions P05U to P06U (third circumferential position part 2B3), an area indicated by positions P06L to P07L of the layer part 2L (fourth circumferential position part 2B4), and positions P08U to P09U of the layer part 2U
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed through the position part 2B7) and the region indicated by the positions P12L to P01L of the layer part
  • the area indicated by the positions P02U to P03U (first circumferential position part 2B1) and the area indicated by the positions P03L to P04L (second circumferential position part 2B2) are in surface contact.
  • the area indicated by the positions P03L to P04L (second circumferential position part 2B2) and the area indicated by the positions P05U to P06U (third circumferential direction position part 2B3) are in line contact. Thereafter, the above arrangement is repeated. Therefore, in this embodiment, between the first circumferential direction position part 2B1 to the eighth circumferential direction position part 2B8, there are a surface contact part and a line contact part.
  • FIG. 18 is an explanatory diagram showing the arrangement of the first core portion 21 and the second core portion 22 in the respective layer portions 2U, 2M, and 2L. As shown in the figure, the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed in the order of position P01M to position P11 (position P11U, position P11L) and position P01M.
  • the second core portion 22 has a first circumferential position portion 2B1 to a sixth circumferential position portion 2B6.
  • the area indicated by the position P01M is the first circumferential position part 2B1, and the areas indicated by the positions P03L and P03U are the second circumferential position part 2B2.
  • the area indicated by the position P05M is the third circumferential position part 2B3, and the areas indicated by the positions P07L and P07U are the fourth circumferential position part 2B4.
  • the area indicated by the position P09M is the fifth circumferential direction position part 2B5, and the areas indicated by the positions P11L and P11U are the sixth circumferential direction position part 2B6.
  • the layer parts 2L and 2U are provided with a second circumferential position part 2B2, a fourth circumferential position part 2B4, and a sixth circumferential position part 2B6, respectively.
  • the layer part 2M is provided with a first circumferential direction position part 2B1, a third circumferential direction position part 2B3, and a fifth circumferential direction position part 2B5.
  • an area indicated by the position P01M of the layer part 2M (first circumferential position part 2B1), an area indicated by the position P03L of the layer part 2L (second circumferential position part 2B2), and a position P05M of the layer part 2M Region (third circumferential position portion 2B3), region indicated by position P07U of layer portion 2U (fourth circumferential position portion 2B4), and region indicated by position P09M of layer portion 2M (fifth circumferential position portion 2B5) And the region indicated by the position P11L of the layer part 2L (sixth circumferential direction position part 2B6), the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed.
  • the main part of closed magnetic circuit CC1 is formed through the area
  • the reactor 1 of the present embodiment can obtain the same effects as those already described in the sixth embodiment.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 passes through the region (second circumferential position portion 2B2) indicated by the position P03L of the layer portion 2L and the region (second circumferential position portion 2B2) indicated by the position P03U of the layer portion 2U.
  • a part can also be formed.
  • the main part of the closed magnetic circuit CC1 is formed between the region indicated by (sixth circumferential direction position part 2B6) and the area indicated by position P11U of the layer part 2U (sixth circumferential direction position part 2B6).
  • the first circumferential direction position part 2B1, the third circumferential direction position part 2B3, and the fifth circumferential direction position part 2B5 are arranged at intervals of 120 ° in the circumferential direction.
  • the second circumferential position part 2B2, the fourth circumferential position part 2B4, and the sixth circumferential position part 2B6 are arranged at 120 ° intervals in the circumferential direction.
  • a magnetic path can be formed in the axis AZ1 direction (arrow Z1 direction) of the core 2, and the magnetic path length can be increased.

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Abstract

　直流重畳特性を向上させると共に、小型化可能なリアクトルを提供する。本発明のリアクトル（１）は、第一透磁率を有する第一コア部（２１）と、第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部（２２）とを有し、第一コア部（２１）および第二コア部（２２）により閉磁路（ＣＣ１）が形成されるコア（２）と、コア（２）に巻き回されるコイル（３）と、を備えている。第二コア部（２２）は、コア（２）の軸（ＡＺ１）方向視において、軸（ＡＺ１）からの距離がそれぞれ異なる複数の位置部位（２Ａ１、２Ａ２）を有し、軸（ＡＺ１）からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の位置部位（２Ａ１、２Ａ２）を通って閉磁路（ＣＣ１）の主部が形成されている。

Description

リアクトル
　本発明は、コアにコイルが巻き回されているリアクトルに関する。
　リアクトルの一例として、特許文献１および２に記載の発明が挙げられる。特許文献１に記載のインダクタは、磁気飽和し易いコイル近傍の透磁率を他と比べて小さくして、磁束がコイル近傍に集中しないようにしている。また、特許文献２に記載のリアクトルは、透磁率の異なる磁路形成部材を多角形環状に配置して、コア全周にわたって磁束を磁路と平行に保持しようとしている。これにより、特許文献２に記載のリアクトルは、磁束が内周側に集中しないようにして、局所的に磁束密度が不均一になることを解消しようとしている。
特開２０１０－１９２８９０号公報 特開２０１１－１０８９８１号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の発明は、コイル近傍の透磁率を他と比べて小さくしても、コア外周部に磁束密度の不均一な箇所が生じ、コア内周部に磁束が集中して直流重畳特性が劣化する。また、特許文献２に記載の発明は、磁路形成部材を多角形環状に配置しているので、磁路形成部材を有しない空芯の場合と比べて、リアクトルの体格が増大する。
　本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、直流重畳特性を向上させると共に、小型化可能なリアクトルを提供することを課題とする。
　請求項１に記載のリアクトルは、第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、前記コアに巻き回されるコイルと、を備えるリアクトルであって、前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において前記軸からの距離がそれぞれ異なる複数の位置部位を有し、前記軸からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の前記位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されている。
　請求項１に記載のリアクトルによれば、コアは、第一コア部と第二コア部とを有している。第二コア部は、第一コア部と比べて透磁率が大きいので、主に、第二コア部を通って閉磁路が形成される。また、請求項１に記載のリアクトルは、軸からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の位置部位を通って閉磁路の主部が形成されている。そのため、請求項１に記載のリアクトルは、磁路形成部材を有しない空芯の場合と比べて、磁束のコア内方への集中を防ぎ、磁束を均一化することができる。
　また、請求項１に記載のリアクトルは、上記位置部位により、空芯の場合と比べて、磁路長を増大することができる。そのため、請求項１に記載のリアクトルは、インダクタンスの低下を抑制することができ、直流重畳特性を向上させることができる。さらに、請求項１に記載のリアクトルは、上記位置部位により、直流重畳特性を向上させることができるので、例えば、磁路形成部材を多角形にするなどコアを局所的に変形する必要がなく、リアクトルを小型化することができる。
　請求項２に記載のリアクトルは、請求項１に記載のリアクトルにおいて、前記コアは、前記軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、隣接する前記層部位には、前記軸からの距離が異なる前記位置部位がそれぞれ設けられている。そのため、請求項２に記載のリアクトルは、コアの軸方向にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
　請求項３に記載のリアクトルは、請求項１または２に記載のリアクトルにおいて、隣り合う前記位置部位は、面接触または線接触している。そのため、請求項３に記載のリアクトルは、隣り合う位置部位が離間している場合と比べて、当該位置部位を通らない磁束を低減することができる。
　請求項４に記載のリアクトルは、第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、前記コアに巻き回されるコイルと、を備えるリアクトルであって、前記コアは、前記コアの軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において周方向位置がそれぞれ異なる複数の周方向位置部位を有し、隣接する前記層部位には、前記周方向位置が異なる前記周方向位置部位がそれぞれ設けられ、前記周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の前記周方向位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されている。
　請求項４に記載のリアクトルは、上記周方向位置部位により、コアの軸方向にも磁路を形成することができるので、１つの層部位において閉磁路の主部を形成する場合と比べて、磁路長を増大することができる。よって、請求項４に記載のリアクトルは、直流重畳特性を向上させることができ、リアクトルを小型化することができる。
　請求項５に記載のリアクトルは、請求項４に記載のリアクトルにおいて、隣り合う前記周方向位置部位は、面接触または線接触している。そのため、請求項５に記載のリアクトルは、隣り合う周方向位置部位が離間している場合と比べて、当該周方向位置部位を通らない磁束を低減することができる。
　請求項６に記載のリアクトルは、請求項１～５のいずれか一項に記載のリアクトルにおいて、前記第一コア部と前記第二コア部の境界において、前記第二コア部から前記第一コア部に向かって透磁率が徐々に減少する。そのため、請求項６に記載のリアクトルは、第二コア部から第一コア部に向かって徐々に磁束密度を低下させることができ、当該境界部分で透磁率が急変する場合と比べて、磁束の集中を防ぎ、第二コア部を通らない磁束を低減することができる。
　請求項７に記載のリアクトルは、請求項１～６のいずれか一項に記載のリアクトルにおいて、前記コアには、前記第一コア部および前記第二コア部が存在しないギャップが設けられている。そのため、請求項７に記載のリアクトルは、コアの全体の透磁率をギャップ長により調整することができ、所望の透磁率を容易に得ることができる。
第１実施形態に係り、リアクトル１を模式的に示す正面図である。 図１の矢印II方向視図である。 第１実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 変形形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 電流とインダクタンスの関係の一例を示す説明図である。 図３のXI－XI断面における磁束方向を説明する説明図である。 図４のXII－XII断面における磁束方向を説明する説明図である。 第２実施形態に係り、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第３実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第４実施形態に係り、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第５実施形態に係り、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第６実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第７実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第８実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第９実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第１０実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第１１実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。 第１２実施形態に係り、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態について、共通する箇所には共通の符号を付して対応させることにより、重複する説明を省略する。また、各図は概念図であり、細部構造の寸法まで規定するものではない。
　＜第１実施形態＞
　図１は、リアクトル１を模式的に示す正面図である。図２は、図１の矢印II方向視図である。図１および図２に示すように、本実施形態のリアクトル１は、コア２と、コア２に巻き回されるコイル３と、を備えており、コア２には、閉磁路ＣＣ１が形成される。図１に示す閉磁路ＣＣ０は、コア２を有しない空芯の場合に形成される閉磁路を示している。同図に示すように、コア２は、中空円柱状に形成されており、コア２の軸（中心軸）を軸ＡＺ１で示している。軸ＡＺ１は、紙面に垂直な方向に形成されている。
　図２に示すように、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されており、区分されたコア２を、層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌで表している。図３は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。図３に示すように、層部位２Ｕは、径方向に２層に形成されており、各層は、周方向に１２区分されている。このことは、層部位２Ｍ、２Ｌについても同様である。
　コア２は、第一コア部２１および第二コア部２２を有している。図３に示すように、第二コア部２２が配置される箇所には、ハッチングが施されている。一方、第一コア部２１が配置される箇所には、ハッチングが施されていない。他の変形形態や実施形態においても同様に、ハッチングの有無により、第一コア部２１および第二コア部２２の配置を表すことにする。なお、上記ハッチングは、閉磁路ＣＣ１の主部を分かり易くするために、説明の便宜上施したものである。
　第一コア部２１の透磁率を第一透磁率（比透磁率μ１）とし、第二コア部２２の透磁率を第二透磁率（比透磁率μ２）とする。第二透磁率（比透磁率μ２）は、第一透磁率（比透磁率μ１）と比べて大きく設定されている。コア２は、第一コア部２１および第二コア部２２により閉磁路ＣＣ１が形成されるが、第二コア部２２は、第一コア部２１と比べて透磁率が大きいので、主に、第二コア部２２を通って閉磁路ＣＣ１が形成される。そのため、図３に示すように、位置Ｐ０１～Ｐ２０および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。なお、閉磁路ＣＣ１の始点および終点は、説明の便宜上設けたものであり、他の変形形態や実施形態においても同様である。
　第二コア部２２は、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を有している。第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２は、コア２の軸ＡＺ１方向（図２に示す矢印Ｚ１方向。以下同じ。）視において、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なる。例えば、位置Ｐ０１で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。第一位置部位２Ａ１は、コア２の内周側であり、第二位置部位２Ａ２は、第一位置部位２Ａ１より外周側である。
　つまり、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。なお、「互いに隣り合う」には、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２が接する場合の他、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２が離間している場合も含まれる。以上のことは、位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６で示す領域との間、位置Ｐ１１で示す領域と位置Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１５で示す領域と位置Ｐ１６で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。
　そのため、本実施形態のリアクトル１は、空芯の場合と比べて、磁束のコア２内方（内周側）への集中を防ぎ、磁束を均一化することができる。また、本実施形態のリアクトル１は、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２により、空芯の場合と比べて磁路長を増大することができる。ここで、磁界（Ｈｆ）、磁路長（ｌｍ）、コイル３の巻数（Ｔｎ）およびコイル３に流れる電流をコイル電流（Ｉｃ）とすると、これらの関係は、下記数１で示される。また、磁界（Ｈｆ）は、コイル電流（Ｉｃ）に比例し、インダクタンス（Ｌｓ）は、コイル電流（Ｉｃ）が大きくなるにつれて低下する。
（数１）
Ｈｆ＝Ｔｎ×Ｉｃ／ｌｍ
　本実施形態のリアクトル１は、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２により、空芯の場合と比べて磁路長（ｌｍ）を増大することができるので、コア２に生じる磁界（Ｈｆ）を低下させて、コイル電流（Ｉｃ）を低減することができる。よって、本実施形態のリアクトル１は、インダクタンス（Ｌｓ）の低下を抑制することができ、直流重畳特性を向上させることができる。直流重畳特性の向上とは、直流電流に交流成分を加えた直流重畳電流をコイル３に流した場合に、コア２における磁気飽和を抑制して、インダクタンスの低下を低減することをいう。
　つまり、コイル電流（Ｉｃ）が増加するにつれてインダクタンス（Ｌｓ）は低下するが、本実施形態のリアクトル１は、磁路長（ｌｍ）を増大することができるので、大きな直流重畳電流に対してインダクタンス（Ｌｓ）の低下を抑制することができる。さらに、本実施形態のリアクトル１は、上記第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２により、直流重畳特性を向上させることができるので、例えば、磁路形成部材を多角形にするなどコア２を局所的に変形する必要がなく、リアクトル１を小型化することができる。
　また、本実施形態では、層部位２Ｍの位置Ｐ２０で示す領域と、層部位２Ｌの位置Ｐ０２で示す領域とを通って閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ２０で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、層部位２Ｍの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｌの第二位置部位２Ａ２とを通って閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１５で示す領域と位置Ｐ１７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。したがって、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
　なお、層部位２Ｍの位置Ｐ２０で示す領域と、層部位２Ｌの位置Ｐ０１で示す領域との間において、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。位置Ｐ２０で示す領域および位置Ｐ０１で示す領域は、いずれも第一位置部位２Ａ１である。つまり、層部位２Ｍの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１とを通って閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１で示す領域との間、および、位置Ｐ１６で示す領域と位置Ｐ１７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。なお、第二位置部位２Ａ２についても同様に、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。
　図４は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。図４に示すように、本変形形態においても、層部位２Ｕは、径方向に２層に形成されており、各層は、周方向に１２区分されている。このことは、層部位２Ｍ、２Ｌについても同様である。また、コア２は、第一コア部２１および第二コア部２２を有している。
　図４に示すように、層部位２Ｕは、第一コア部２１のみを有し、第二コア部２２を有しない。層部位２Ｍ、２Ｌは、第一コア部２１および第二コア部２２をそれぞれ有しているが、これらの配置が第１実施形態と異なる。よって、図４に示すように、位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）～位置Ｐ１６および位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　例えば、位置Ｐ１６で示す領域、位置Ｐ０１で示す領域および位置Ｐ０２で示す領域を通る磁路として、主に、３通りの磁路が考えられる。１つ目の磁路は、位置Ｐ１６で示す領域、位置Ｐ０１Ｍで示す領域および位置Ｐ０２で示す領域を通る磁路である。２つ目の磁路は、位置Ｐ１６で示す領域、位置Ｐ０１Ｍで示す領域、位置Ｐ０１Ｌで示す領域および位置Ｐ０２で示す領域を通る磁路である。３つ目の磁路は、位置Ｐ１６で示す領域、位置Ｐ０１Ｌで示す領域および位置Ｐ０２で示す領域を通る磁路である。
　層部位２Ｌにおいて、位置Ｐ０１Ｌで示す領域は、近傍に第一位置部位２Ａ１または第二位置部位２Ａ２を有しない。一方、層部位２Ｍにおいて、位置Ｐ０１Ｍで示す領域は、近傍に第一位置部位２Ａ１（位置Ｐ１６で示す領域）および第二位置部位２Ａ２（位置Ｐ０２で示す領域）を有している。そのため、磁路は、１つ目の磁路によって形成され易くなる。このように、複数の磁路を表す場合などには、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）の複数の第一位置部位２Ａ１または第二位置部位２Ａ２を対にして取扱い、表記する。例えば、第１実施形態の位置Ｐ０１に相当する領域は、位置Ｐ０１Ｌで示す領域と位置Ｐ０１Ｍで示す領域とを対にして取扱い、表記する。このことは、他の領域についても同様である。
　本変形形態においても、位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）で示す領域と、位置Ｐ０２で示す領域とを通って閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６（位置Ｐ０６Ｍ、位置Ｐ０６Ｌ）で示す領域との間、位置Ｐ０９（位置Ｐ０９Ｍ、位置Ｐ０９Ｌ）で示す領域と位置Ｐ１０で示す領域との間、および、位置Ｐ１３で示す領域と位置Ｐ１４（位置Ｐ１４Ｍ、位置Ｐ１４Ｌ）で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。よって、本変形形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
　また、層部位２Ｌの位置Ｐ０１Ｌで示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０２で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０１Ｌで示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｍの第二位置部位２Ａ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６Ｌで示す領域との間、位置Ｐ０９Ｌで示す領域と位置Ｐ１０で示す領域との間、および、位置Ｐ１３で示す領域と位置Ｐ１４Ｌで示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。したがって、本変形形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
　なお、層部位２Ｌの位置Ｐ０１Ｌで示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０１Ｍで示す領域との間において、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。位置Ｐ０１Ｌで示す領域および位置Ｐ０１Ｍで示す領域は、いずれも第一位置部位２Ａ１である。つまり、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｍの第一位置部位２Ａ１とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０６Ｌで示す領域と位置Ｐ０６Ｍで示す領域との間、位置Ｐ０９Ｌで示す領域と位置Ｐ０９Ｍで示す領域との間、および、位置Ｐ１４Ｌで示す領域と位置Ｐ１４Ｍで示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。
　なお、図３に示すように、本実施形態では、層部位２Ｕにおいて、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を併せた領域は、軸ＡＺ１回りに非対称に配置されている。このことは、層部位２Ｌにおいても同様である。なお、層部位２Ｍにおいて、第一位置部位２Ａ１は、軸ＡＺ１回りに対称に配置されている。一方、図４に示すように、変形形態では、層部位２Ｍにおいて、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を併せた領域は、軸ＡＺ１回りに対称に配置されている。また、層部位２Ｌにおいて、第一位置部位２Ａ１は、軸ＡＺ１回りに対称に配置されている。
　図５は、電流とインダクタンスの関係の一例を示す説明図である。曲線Ｌ１は、第１実施形態のリアクトル１の特性を示し、曲線Ｌ２は、変形形態のリアクトル１の特性を示している。曲線Ｌ２に示す変形形態のリアクトル１は、リアクトル１のコイル３に流れる電流が大きくなると、曲線Ｌ１に示す第１実施形態のリアクトル１と比べて、インダクタンスが低下している。
　電流とインダクタンスの関係は、リアクトル１のコイル３の両端に、公知の直流重畳評価装置を接続して計測することができる。例えば、直流重畳評価装置は、公知の直流電源および正弦波供給電源を有しており、直流電源から出力される直流電圧に、正弦波供給電源から出力される正弦波状電圧を重畳することができる。また、直流重畳評価装置は、公知のＬＣＲメータを有しており、リアクトル１のコイル３の両端に直流重畳電圧を印加してコイル３に直流重畳電流を流した状態で、リアクトル１のインダクタンスを計測することができる。なお、磁界解析によっても同様の特性を得ることができる。
　図６は、図３のXI－XI断面における磁束方向を説明する説明図である。図６は、磁界解析によって第１実施形態のリアクトル１の磁束方向を算出して、磁束方向を模式的に示したものである。図７は、図４のXII－XII断面における磁束方向を説明する説明図である。図７は、同様の磁界解析によって変形形態のリアクトル１の磁束方向を算出して、磁束方向を模式的に示したものである。図６および図７では、紙面に直交する方向に磁束が形成されるときの磁束方向を黒丸で示し、紙面上（XI－XI断面またはXII－XII断面）において磁束が形成されるときの磁束方向を矢印で示している。
　第１実施形態のリアクトル１は、例えば、層部位２Ｌの位置Ｐ０５で示す領域（第二位置部位２Ａ２）および位置Ｐ０６で示す領域（第一位置部位２Ａ１）、並びに、層部位２Ｍの位置Ｐ０７で示す領域（第一位置部位２Ａ１）により、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。そのため、図６に示すように、位置Ｐ０６で示す領域から位置Ｐ０７で示す領域にかけて、紙面に直交しない方向（紙面上）に磁束が形成されている。
　変形形態のリアクトル１は、例えば、層部位２Ｌにおいて、位置Ｐ０６Ｌで示す領域（第一位置部位２Ａ１）の近傍に、第一位置部位２Ａ１または第二位置部位２Ａ２を有しない。一方、層部位２Ｍにおいて、位置Ｐ０５で示す領域（第二位置部位２Ａ２）、位置Ｐ０６Ｍで示す領域（第一位置部位２Ａ１）および位置Ｐ０７で示す領域（第一位置部位２Ａ１）は、周方向に連続して配置されている。よって、変形形態のリアクトル１は、第１実施形態のリアクトル１と比べて、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）への磁路の形成が少ない。そのため、図７に示すように、位置Ｐ０６Ｌで示す領域および位置Ｐ０６Ｍで示す領域においては、主に、紙面に直交する方向に磁束が形成されている。つまり、層部位２Ｌの位置Ｐ０６Ｌで示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０６Ｍで示す領域との間では、紙面に直交しない方向（紙面上）の磁路の形成は少ない。この現象は、特に、複数の第一位置部位２Ａ１または第二位置部位２Ａ２が連続して配置されていない場合にみられる。
　また、第１実施形態のリアクトル１は、層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおいて、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されているが、変形形態のリアクトル１は、層部位２Ｍ、２Ｌにおいて、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。そのため、変形形態のリアクトル１は、第１実施形態のリアクトル１と比べて、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）への磁路の形成が少ないので、第１実施形態のリアクトル１と比べて、磁路長が短くなる。よって、図５に示すように、曲線Ｌ２に示す変形形態のリアクトル１は、リアクトル１のコイル３に流れる電流が大きくなると、曲線Ｌ１に示す第１実施形態のリアクトル１と比べて、インダクタンスが低下している。
　なお、図３に示すように、隣リ合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）は、面接触していると好適である。これにより、第１実施形態のリアクトル１は、隣り合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）が離間している場合と比べて、当該位置部位を通らない磁束を低減することができる。このことは、図４に示す変形形態のリアクトル１についても同様である。
　次に、コア２およびコイル３について説明する。コア２は、例えば、純鉄粉末や鉄系粉末（例えばＦｅ－Ｓｉ系粉末）などの磁性材料を加圧成形することにより形成することができる。この場合、透磁率が小さい第一コア部２１を純鉄粉末で形成し、透磁率が大きい第二コア部２２をＦｅ－Ｓｉ系粉末で形成することができる。また、粉末の表面は、渦電流損失を低減するために、電気絶縁膜で覆われていると良い。なお、同じ材料組成では、密度が大きい程、透磁率が大きいことから、同じ材料組成で第一コア部２１を低密度にして、第二コア部２２を高密度にしても良い。
　磁性材料は、上記の磁性材料に限定されるものではない。磁性材料は、例えば、酸化鉄を主成分とする各種フェライトを用いることもできる。また、第一コア部２１は、非磁性材料を用いることもできる。例えば、非磁性材料で第一コア部２１を形成し、磁性材料で第二コア部２２を形成することができる。非磁性材料は限定されないが、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などを用いることができる。
　また、コア２は、例えば、有底同心円筒に上記粉末を充填して、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に加圧することにより、第一コア部２１および第二コア部２２を形成することができる。有底同心円筒は、例えば、直径の異なる２つの有底円筒を同心に配置する。２つの円筒の直径は、コア２の外径、コア２の内径にそれぞれ設定されている。そして、図３の位置Ｐ０１～Ｐ０６で示す領域において、第二透磁率（比透磁率μ２）の粉末を充填し、位置Ｐ０１～Ｐ０６で示す領域以外には、第一透磁率（比透磁率μ１）の粉末を充填する。そして、充填された粉末を軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に加圧することにより、層部位２Ｌを形成することができる。同様にして、層部位２Ｍ、２Ｕを形成することにより、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に３区分されたコア２を形成することができる。
　なお、第一コア部２１および第二コア部２２の配置に合わせて、適宜、仕切りを設けることもできる。なお、コア２の形成方法は、上記方法に限定されるものではない。例えば、第一コア部２１および第二コア部２２を個別に形成して、接着剤などにより第一コア部２１および第二コア部２２を固定することもできる。また、第一コア部２１は、一体に形成することもでき、第二コア部２２は、一体に形成することもできる。例えば、図３の位置Ｐ０１～Ｐ０６で示す領域を一体に形成することができる。一体に形成する場合であっても、位置Ｐ０１、Ｐ０６に相当する領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２～Ｐ０５に相当する領域は、第二位置部位２Ａ２である。これらのことは、層部位２Ｕ、２Ｍについても同様である。
　また、第一コア部２１と第二コア部２２の境界において、第二コア部２２から第一コア部２１に向かって透磁率を徐々に減少させることもできる。例えば、当該境界部分で第一コア部２１および第二コア部２２を形成する粉末の混合割合を変更することができる。つまり、第二コア部２２側は、第二透磁率（比透磁率μ２）の粉末を多くし、第一コア部２１側に向かうにつれて、第一透磁率（比透磁率μ１）の粉末を多くする。これにより、第二コア部２２から第一コア部２１に向かって徐々に磁束密度を低下させることができ、当該境界部分で透磁率が急変する場合と比べて、磁束の集中を防ぎ、第二コア部２２を通らない磁束を低減することができる。なお、第一コア部２１と第二コア部２２の境界は、同じ材料組成で、第一コア部２１から第二コア部２２に向かう程、高密度にしても良い。これらのことは、以降の実施形態においても同様である。
　コア２における第二コア部２２の割合（第一コア部２１および第二コア部２２の領域に対する第二コア部２２の領域）は、必要なインダクタンスに合わせて、適宜、決定することができる。例えば、インダクタンスを増加させる場合は、第二コア部２２の割合を多くし、インダクタンスを減少させる場合は、第二コア部２２の割合を少なくする。なお、図３および図４に示すように、第一コア部２１および第二コア部２２の使用比率が同じ場合であっても、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２の配置により、直流重畳特性を向上させることができる。
　また、層部位２Ｕは、径方向に３層以上に形成することもできる。また、各層の周方向の区分数も１２区分に限定されるものではなく、均等に区分されていなくても良い。これらのことは、層部位２Ｍ、２Ｌについても同様である。例えば、コア２の径方向において、３つ以上の位置部位（第三位置部位、第四位置部位、...）を配置することができる。これにより、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う３つ以上の位置部位を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　コア２の形状は、円環状に限定されるものではなく、コア２において閉磁路ＣＣ１が形成される形状であれば良い。例えば、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、四角形状などの多角形状にすることもできる。また、コア２には、第一コア部２１および第二コア部２２が存在しないギャップを設けることもできる。この場合、コア２の全体の透磁率をギャップ長により調整することができ、所望の透磁率を容易に得ることができる。具体的には、ギャップ長を増大するとコア２の全体の透磁率は低下し、ギャップ長を減少するとコア２の全体の透磁率は増加する。これらのことは、以降の実施形態においても同様である。
　コイル３は、導体表面がエナメルなどの絶縁層で被覆されている。コイル３の断面形状は、限定されるものではなく、任意の断面形状とすることができる。例えば、コイル３は、断面円形状の丸線、断面多角形状の角線などの種々の断面形状の導体を用いることができる。また、図１に示すように、コイル３は、コア２の全周にわたって巻き回すことができ、コア２の周方向の一部において、巻き回すこともできる。
　＜第２実施形態＞
　本実施形態では、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されていない点で第１実施形態と異なる。図８は、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１～Ｐ１６および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、位置Ｐ０１で示す領域と、位置Ｐ０２で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０１で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６で示す領域との間、位置Ｐ０９で示す領域と位置Ｐ１０で示す領域との間、および、位置Ｐ１３で示す領域と位置Ｐ１４で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。
　よって、本実施形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態のリアクトル１は、コア２が軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されていないので、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に磁路長を増大することはできない。
　＜第３実施形態＞
　本実施形態では、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に２つに区分されている点で第１実施形態と異なる。図９は、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１～Ｐ２０および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、位置Ｐ０１で示す領域と、位置Ｐ０２で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０１で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０６で示す領域との間、位置Ｐ１１で示す領域と位置Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１５で示す領域と位置Ｐ１６で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
　また、層部位２Ｌの位置Ｐ２０で示す領域と、層部位２Ｕの位置Ｐ０２で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ２０で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０２で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｕの第二位置部位２Ａ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０５で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１５で示す領域と位置Ｐ１７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。したがって、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）にも磁路を形成することができ、さらに、直流重畳特性を向上させることができる。
　なお、層部位２Ｌの位置Ｐ２０で示す領域と、層部位２Ｕの位置Ｐ０１で示す領域との間において、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。位置Ｐ２０で示す領域および位置Ｐ０１で示す領域は、いずれも第一位置部位２Ａ１である。つまり、層部位２Ｌの第一位置部位２Ａ１と、層部位２Ｕの第一位置部位２Ａ１とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１で示す領域との間、および、位置Ｐ１６で示す領域と位置Ｐ１７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。
　軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されるコア２の区分数は、限定されるものでなく、４つ以上に区分することもできる。なお、本実施形態では、層部位２Ｕにおいて、第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を併せた領域は、コア２の軸ＡＺ１回りに対称に配置されているが、コア２の軸ＡＺ１回りに非対称に配置することもできる。また、層部位２Ｌにおいて、第一位置部位２Ａ１は、コア２の軸ＡＺ１回りに対称に配置されているが、コア２の軸ＡＺ１回りに非対称に配置することもできる。これらのことは、以降の実施形態においても同様である。
　＜第４実施形態＞
　本実施形態では、隣り合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）が線接触している点で第２実施形態と異なる。図１０は、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１～Ｐ１２および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、位置Ｐ１２で示す領域と、位置Ｐ０１で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ１２で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０１で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０４で示す領域と位置Ｐ０５で示す領域との間、位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、および、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
　また、同図に示すように、位置Ｐ１２で示す領域（第一位置部位２Ａ１）と、位置Ｐ０１で示す領域（第二位置部位２Ａ２）とは線接触している。位置Ｐ０４で示す領域と位置Ｐ０５で示す領域との間、位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間、および、位置Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１で示す領域との間においても同様である。そのため、本実施形態のリアクトル１は、隣り合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）が離間している場合と比べて、当該位置部位を通らない磁束を低減することができる。なお、当該位置部位を通らない磁束を低減する観点からは、線接触の場合と比べて面接触が好ましい。また、第１実施形態および第３実施形態に示すように、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分することもできる。これにより、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
　＜第５実施形態＞
　本実施形態では、隣り合う位置部位（第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２）が、離間している点で第２実施形態と異なる。図１１は、コア２における第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１～Ｐ０８および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、位置Ｐ０８で示す領域と、位置Ｐ０１で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０８で示す領域は、第一位置部位２Ａ１であり、位置Ｐ０１で示す領域は、第二位置部位２Ａ２である。つまり、軸ＡＺ１からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一位置部位２Ａ１および第二位置部位２Ａ２を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。位置Ｐ０２で示す領域と位置Ｐ０３で示す領域との間、位置Ｐ０４で示す領域と位置Ｐ０５で示す領域との間、および、位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
　また、同図に示すように、位置Ｐ０８で示す領域（第一位置部位２Ａ１）と、位置Ｐ０１で示す領域（第二位置部位２Ａ２）とは、離間している。位置Ｐ０２で示す領域と位置Ｐ０３で示す領域との間、位置Ｐ０４で示す領域と位置Ｐ０５で示す領域との間、および、位置Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７で示す領域との間においても同様である。よって、本実施形態のリアクトル１は、上記離間距離を増減することにより、コア２の全体の透磁率を調整することができる。また、第１実施形態および第３実施形態に示すように、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分することもできる。これにより、第１実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
　＜第６実施形態＞
　本実施形態では、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌは、径方向に１層に形成されている点で第１実施形態と異なる。なお、本実施形態においても、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌは、周方向に１２区分されている。図１２は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１～Ｐ１６および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４を有している。第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、周方向位置がそれぞれ異なる。例えば、位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０５～Ｐ０８で示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。また、位置Ｐ０９～Ｐ１２で示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ１３～Ｐ１６で示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
　また、本実施形態においても、コア２は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されており、区分されたコア２を、層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌで表している。層部位２Ｌには、第一周方向位置部位２Ｂ１が設けられ、層部位２Ｍには、第二周方向位置部位２Ｂ２および第四周方向位置部位２Ｂ４が設けられ、層部位２Ｕには、第三周方向位置部位２Ｂ３が設けられている。そして、層部位２Ｌの位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０５～Ｐ０８で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。つまり、層部位２Ｌの第一周方向位置部位２Ｂ１と、層部位２Ｍの第二周方向位置部位２Ｂ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
　位置Ｐ０５～Ｐ０８で示す領域と位置Ｐ０９～Ｐ１２で示す領域との間、位置Ｐ０９～Ｐ１２で示す領域と位置Ｐ１３～Ｐ１６で示す領域との間、および、位置Ｐ１３～Ｐ１６で示す領域と位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。つまり、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
　本実施形態のリアクトル１は、上記第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４により、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）にも磁路を形成することができるので、１つの層部位において閉磁路ＣＣ１の主部を形成する場合と比べて、磁路長を増大することができる。よって、本実施形態のリアクトル１は、直流重畳特性を向上させることができ、リアクトル１を小型化することができる。
　＜第７実施形態＞
　本実施形態では、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に２つに区分されている点で第６実施形態と異なる。図１３は、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１～Ｐ１６および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４を有している。例えば、位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０５～Ｐ０８で示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。また、位置Ｐ０９～Ｐ１２で示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ１３～Ｐ１６で示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
　層部位２Ｕには、第一周方向位置部位２Ｂ１および第三周方向位置部位２Ｂ３が設けられ、層部位２Ｌには、第二周方向位置部位２Ｂ２および第四周方向位置部位２Ｂ４が設けられている。そして、層部位２Ｕの位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域と、層部位２Ｌの位置Ｐ０５～Ｐ０８で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。つまり、層部位２Ｕの第一周方向位置部位２Ｂ１と、層部位２Ｌの第二周方向位置部位２Ｂ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
　位置Ｐ０５～Ｐ０８で示す領域と位置Ｐ０９～Ｐ１２で示す領域との間、位置Ｐ０９～Ｐ１２で示す領域と位置Ｐ１３～Ｐ１６で示す領域との間、および、位置Ｐ１３～Ｐ１６で示す領域と位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。つまり、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。なお、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に区分されるコア２の区分数は、限定されるものでなく、４つ以上に区分することもできる。このことは、以降の実施形態においても同様である。
　＜第８実施形態＞
　本実施形態では、隣り合う周方向位置部位（第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４）が線接触している点で第７実施形態と異なる。図１４は、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１～Ｐ１２および位置Ｐ０１の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４を有している。例えば、位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０５～Ｐ０６で示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。また、位置Ｐ０７～Ｐ１０で示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ１１～Ｐ１２で示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
　層部位２Ｕには、第一周方向位置部位２Ｂ１および第三周方向位置部位２Ｂ３が設けられ、層部位２Ｌには、第二周方向位置部位２Ｂ２および第四周方向位置部位２Ｂ４が設けられている。そして、層部位２Ｕの位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域と、層部位２Ｌの位置Ｐ０５～Ｐ０６で示す領域とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。つまり、層部位２Ｕの第一周方向位置部位２Ｂ１と、層部位２Ｌの第二周方向位置部位２Ｂ２とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
　位置Ｐ０５～Ｐ０６で示す領域と位置Ｐ０７～Ｐ１０で示す領域との間、位置Ｐ０７～Ｐ１０で示す領域と位置Ｐ１１～Ｐ１２で示す領域との間、および、位置Ｐ１１～Ｐ１２で示す領域と位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域との間においても同様であり、閉磁路ＣＣ１の主部がそれぞれ形成されている。つまり、本実施形態のリアクトル１は、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）視において、周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う第一周方向位置部位２Ｂ１～第四周方向位置部位２Ｂ４を通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
　また、同図に示すように、位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、位置Ｐ０５～Ｐ０６で示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）とは、線接触している。位置Ｐ０５～Ｐ０６で示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、位置Ｐ０７～Ｐ１０で示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）との間、位置Ｐ０７～Ｐ１０で示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、位置Ｐ１１～Ｐ１２で示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）との間、および、位置Ｐ１１～Ｐ１２で示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、位置Ｐ０１～Ｐ０４で示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）との間においても同様である。
　そのため、本実施形態のリアクトル１は、隣り合う周方向位置部位（例えば、第一周方向位置部位２Ｂ１と第二周方向位置部位２Ｂ２）が離間している場合と比べて、当該周方向位置部位を通らない磁束を低減することができる。なお、第６実施形態および第７実施形態のリアクトル１は、隣り合う周方向位置部位（例えば、第一周方向位置部位２Ｂ１と第二周方向位置部位２Ｂ２）が面接触している。当該周方向位置部位を通らない磁束を低減する観点からは、線接触の場合と比べて面接触が好ましい。
　＜第９実施形態＞
　本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１～第三周方向位置部位２Ｂ３間の接触面積が増加している点で第６実施形態と異なる。図１５は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）～位置Ｐ１２（位置Ｐ１２Ｍ、位置Ｐ１２Ｕ）および位置Ｐ０１（位置Ｐ０１Ｍ、位置Ｐ０１Ｌ）の順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、第６実施形態と比べて、第一周方向位置部位２Ｂ１～第三周方向位置部位２Ｂ３間の接触面積が増加している。そのため、層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌ毎に、閉磁路ＣＣ１の主部を特定することが困難である。よって、図４で示した場合と同様に、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）の複数の第一周方向位置部位２Ｂ１～第三周方向位置部位２Ｂ３を対にして取扱い、表記する。例えば、位置Ｐ０１Ｌで示す領域と、位置Ｐ０１Ｍで示す領域とを対にして取扱い、表記する。このことは、以降の実施形態においても同様である。
　本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１～第三周方向位置部位２Ｂ３を有している。例えば、位置Ｐ０１Ｌ～Ｐ０６Ｌで示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０１Ｍ～Ｐ１２Ｍで示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。また、位置Ｐ０７Ｕ～Ｐ１２Ｕで示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３である。同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１～第三周方向位置部位２Ｂ３は、周方向位置がそれぞれ異なっている。
　層部位２Ｌには、第一周方向位置部位２Ｂ１が設けられ、層部位２Ｍには、第二周方向位置部位２Ｂ２が設けられ、層部位２Ｕには、第三周方向位置部位２Ｂ３が設けられている。そして、層部位２Ｌの位置Ｐ０１Ｌ～Ｐ０６Ｌで示す領域と、層部位２Ｍの位置Ｐ０１Ｍ～Ｐ１２Ｍで示す領域と、層部位２Ｕの位置Ｐ０７Ｕ～Ｐ１２Ｕで示す領域との間で、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。つまり、層部位２Ｌの第一周方向位置部位２Ｂ１と、層部位２Ｍの第二周方向位置部位２Ｂ２と、層部位２Ｕの第三周方向位置部位２Ｂ３との間で、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
　よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、第６実施形態と比べて、第一周方向位置部位２Ｂ１～第三周方向位置部位２Ｂ３間の接触面積が増加している。そのため、本実施形態のリアクトル１は、第二コア部２２を通らない磁束を低減することができる。
　＜第１０実施形態＞
　本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１～第八周方向位置部位２Ｂ８間において、面接触する部位と線接触する部位とを有している点で第６実施形態と異なる。図１６は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１Ｍ～位置Ｐ１２（位置Ｐ１２Ｕ、位置Ｐ１２Ｍ、位置Ｐ１２Ｌ）および位置Ｐ０１Ｍの順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１～第八周方向位置部位２Ｂ８を有している。例えば、位置Ｐ０２Ｌ～Ｐ０３Ｌおよび位置Ｐ０２Ｕ～Ｐ０３Ｕで示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０３Ｍ～Ｐ０４Ｍで示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。位置Ｐ０５Ｕ～Ｐ０６Ｕおよび位置Ｐ０５Ｌ～Ｐ０６Ｌで示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ０６Ｍ～Ｐ０７Ｍで示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。位置Ｐ０８Ｕ～Ｐ０９Ｕおよび位置Ｐ０８Ｌ～Ｐ０９Ｌで示す領域は、第五周方向位置部位２Ｂ５であり、位置Ｐ０９Ｍ～Ｐ１０Ｍで示す領域は、第六周方向位置部位２Ｂ６である。位置Ｐ１１Ｌ～Ｐ１２Ｌおよび位置Ｐ１１Ｕ～Ｐ１２Ｕで示す領域は、第七周方向位置部位２Ｂ７であり、位置Ｐ１２Ｍ～Ｐ０１Ｍで示す領域は、第八周方向位置部位２Ｂ８である。
　同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１～第八周方向位置部位２Ｂ８は、周方向位置がそれぞれ異なっている。層部位２Ｌ、２Ｕには、第一周方向位置部位２Ｂ１、第三周方向位置部位２Ｂ３、第五周方向位置部位２Ｂ５および第七周方向位置部位２Ｂ７がそれぞれ設けられている。また、層部位２Ｍには、第二周方向位置部位２Ｂ２、第四周方向位置部位２Ｂ４、第六周方向位置部位２Ｂ６および第八周方向位置部位２Ｂ８が設けられている。
　例えば、層部位２Ｌの位置Ｐ０２Ｌ～Ｐ０３Ｌで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０３Ｍ～Ｐ０４Ｍで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０５Ｕ～Ｐ０６Ｕで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０６Ｍ～Ｐ０７Ｍで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０８Ｕ～Ｐ０９Ｕで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０９Ｍ～Ｐ１０Ｍで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）と、層部位２Ｌの位置Ｐ１１Ｌ～Ｐ１２Ｌで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）と、層部位２Ｍの位置Ｐ１２Ｍ～Ｐ０１Ｍで示す領域（第八周方向位置部位２Ｂ８）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
　また、層部位２Ｕの位置Ｐ０２Ｕ～Ｐ０３Ｕで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０３Ｍ～Ｐ０４Ｍで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０５Ｌ～Ｐ０６Ｌで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０６Ｍ～Ｐ０７Ｍで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０８Ｌ～Ｐ０９Ｌで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０９Ｍ～Ｐ１０Ｍで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕ～Ｐ１２Ｕで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）と、層部位２Ｍの位置Ｐ１２Ｍ～Ｐ０１Ｍで示す領域（第八周方向位置部位２Ｂ８）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
　よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。また、層部位２Ｌの位置Ｐ０２Ｌ～Ｐ０３Ｌで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０２Ｕ～Ｐ０３Ｕで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。層部位２Ｌの位置Ｐ０５Ｌ～Ｐ０６Ｌで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０５Ｕ～Ｐ０６Ｕで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）との間、層部位２Ｌの位置Ｐ０８Ｌ～Ｐ０９Ｌで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０８Ｕ～Ｐ０９Ｕで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）との間、および、層部位２Ｌの位置Ｐ１１Ｌ～Ｐ１２Ｌで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕ～Ｐ１２Ｕで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）との間においても、同様に、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。
　また、位置Ｐ０２Ｌ～Ｐ０３Ｌおよび位置Ｐ０２Ｕ～Ｐ０３Ｕで示す第一周方向位置部位２Ｂ１と、位置Ｐ０３Ｍ～Ｐ０４Ｍで示す第二周方向位置部位２Ｂ２とは、面接触している。位置Ｐ０３Ｍ～Ｐ０４Ｍで示す第二周方向位置部位２Ｂ２と、位置Ｐ０５Ｌ～Ｐ０６Ｌおよび位置Ｐ０５Ｕ～Ｐ０６Ｕで示す第三周方向位置部位２Ｂ３とは、線接触している。以降、上記配置が繰り返されている。よって、本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１～第八周方向位置部位２Ｂ８間において、面接触する部位と線接触する部位とを有している。
　＜第１１実施形態＞
　本実施形態では、コア２は、軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）と垂直方向に２つに区分されている点で第１０実施形態と異なる。図１７は、各層部位２Ｕ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１Ｌ～位置Ｐ１２（位置Ｐ１２Ｕ、位置Ｐ１２Ｌ）および位置Ｐ０１Ｌの順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１～第八周方向位置部位２Ｂ８を有している。例えば、位置Ｐ０２Ｕ～Ｐ０３Ｕで示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０３Ｌ～Ｐ０４Ｌで示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。位置Ｐ０５Ｕ～Ｐ０６Ｕで示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ０６Ｌ～Ｐ０７Ｌで示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。位置Ｐ０８Ｕ～Ｐ０９Ｕで示す領域は、第五周方向位置部位２Ｂ５であり、位置Ｐ０９Ｌ～Ｐ１０Ｌで示す領域は、第六周方向位置部位２Ｂ６である。位置Ｐ１１Ｕ～Ｐ１２Ｕで示す領域は、第七周方向位置部位２Ｂ７であり、位置Ｐ１２Ｌ～Ｐ０１Ｌで示す領域は、第八周方向位置部位２Ｂ８である。
　同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１～第八周方向位置部位２Ｂ８は、周方向位置がそれぞれ異なっている。層部位２Ｕには、第一周方向位置部位２Ｂ１、第三周方向位置部位２Ｂ３、第五周方向位置部位２Ｂ５および第七周方向位置部位２Ｂ７が設けられている。また、層部位２Ｌには、第二周方向位置部位２Ｂ２、第四周方向位置部位２Ｂ４、第六周方向位置部位２Ｂ６および第八周方向位置部位２Ｂ８が設けられている。
　例えば、層部位２Ｕの位置Ｐ０２Ｕ～Ｐ０３Ｕで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０３Ｌ～Ｐ０４Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０５Ｕ～Ｐ０６Ｕで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０６Ｌ～Ｐ０７Ｌで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０８Ｕ～Ｐ０９Ｕで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０９Ｌ～Ｐ１０Ｌで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕ～Ｐ１２Ｕで示す領域（第七周方向位置部位２Ｂ７）と、層部位２Ｌの位置Ｐ１２Ｌ～Ｐ０１Ｌで示す領域（第八周方向位置部位２Ｂ８）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。
　また、位置Ｐ０２Ｕ～Ｐ０３Ｕで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、位置Ｐ０３Ｌ～Ｐ０４Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）とは、面接触している。位置Ｐ０３Ｌ～Ｐ０４Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、位置Ｐ０５Ｕ～Ｐ０６Ｕで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）とは、線接触している。以降、上記配置が繰り返されている。よって、本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１～第八周方向位置部位２Ｂ８間において、面接触する部位と線接触する部位とを有している。
　＜第１２実施形態＞
　本実施形態では、第一周方向位置部位２Ｂ１～第六周方向位置部位２Ｂ６が、それぞれ離間して配置されている点で第６実施形態と異なる。図１８は、各層部位２Ｕ、２Ｍ、２Ｌにおける第一コア部２１および第二コア部２２の配置を示す説明図である。同図に示すように、位置Ｐ０１Ｍ～位置Ｐ１１（位置Ｐ１１Ｕ、位置Ｐ１１Ｌ）および位置Ｐ０１Ｍの順に、閉磁路ＣＣ１の主部が形成される。
　本実施形態では、第二コア部２２は、第一周方向位置部位２Ｂ１～第六周方向位置部位２Ｂ６を有している。例えば、位置Ｐ０１Ｍで示す領域は、第一周方向位置部位２Ｂ１であり、位置Ｐ０３Ｌ、Ｐ０３Ｕで示す領域は、第二周方向位置部位２Ｂ２である。位置Ｐ０５Ｍで示す領域は、第三周方向位置部位２Ｂ３であり、位置Ｐ０７Ｌ、Ｐ０７Ｕで示す領域は、第四周方向位置部位２Ｂ４である。位置Ｐ０９Ｍで示す領域は、第五周方向位置部位２Ｂ５であり、位置Ｐ１１Ｌ、Ｐ１１Ｕで示す領域は、第六周方向位置部位２Ｂ６である。
　同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１～第六周方向位置部位２Ｂ６は、周方向位置がそれぞれ異なっている。層部位２Ｌ、２Ｕには、第二周方向位置部位２Ｂ２、第四周方向位置部位２Ｂ４および第六周方向位置部位２Ｂ６がそれぞれ設けられている。また、層部位２Ｍには、第一周方向位置部位２Ｂ１、第三周方向位置部位２Ｂ３および第五周方向位置部位２Ｂ５が設けられている。
　例えば、層部位２Ｍの位置Ｐ０１Ｍで示す領域（第一周方向位置部位２Ｂ１）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０３Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０５Ｍで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０７Ｕで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０９Ｍで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｌの位置Ｐ１１Ｌで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
　また、層部位２Ｍの位置Ｐ０１Ｍ（第一周方向位置部位２Ｂ１）で示す領域と、層部位２Ｕの位置Ｐ０３Ｕで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０５Ｍで示す領域（第三周方向位置部位２Ｂ３）と、層部位２Ｌの位置Ｐ０７Ｌで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｍの位置Ｐ０９Ｍで示す領域（第五周方向位置部位２Ｂ５）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部が形成されている。
　よって、本実施形態のリアクトル１は、第６実施形態で既述の効果と同様の効果を得ることができる。また、層部位２Ｌの位置Ｐ０３Ｌで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０３Ｕで示す領域（第二周方向位置部位２Ｂ２）とを通って、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することもできる。層部位２Ｌの位置Ｐ０７Ｌで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）と、層部位２Ｕの位置Ｐ０７Ｕで示す領域（第四周方向位置部位２Ｂ４）との間、および、層部位２Ｌの位置Ｐ１１Ｌで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）と、層部位２Ｕの位置Ｐ１１Ｕで示す領域（第六周方向位置部位２Ｂ６）との間においても、同様に、閉磁路ＣＣ１の主部を形成することができる。
　また、同図に示すように、第一周方向位置部位２Ｂ１、第三周方向位置部位２Ｂ３および第五周方向位置部位２Ｂ５は、周方向に１２０°間隔で配置されている。第二周方向位置部位２Ｂ２、第四周方向位置部位２Ｂ４および第六周方向位置部位２Ｂ６は、周方向に１２０°間隔で配置されている。このように、第一周方向位置部位２Ｂ１～第六周方向位置部位２Ｂ６が、それぞれ離間して配置されている場合であっても、第一周方向位置部位２Ｂ１～第六周方向位置部位２Ｂ６の配置を工夫することにより、コア２の軸ＡＺ１方向（矢印Ｚ１方向）に磁路を形成することができ、磁路長を増大することができる。
　＜その他＞
　本発明は上記し且つ図面に示した実施形態のみに限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施することができる。
１：リアクトル、
２：コア、２１：第一コア部、２２：第二コア部、
２Ｕ，２Ｍ，２Ｌ：層部位、
２Ａ１：第一位置部位、２Ａ２：第二位置部位、
２Ｂ１～２Ｂ８：第一周方向位置部位～第八周方向位置部位、
３：コイル、
ＣＣ１：閉磁路、
ＡＺ１：コア２の軸。

Claims (7)

  1. 　第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、
    　前記コアに巻き回されるコイルと、
    を備えるリアクトルであって、
    　前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において前記軸からの距離がそれぞれ異なる複数の位置部位を有し、前記軸からの距離がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の前記位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されているリアクトル。
  2. 　前記コアは、前記軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、
    　隣接する前記層部位には、前記軸からの距離が異なる前記位置部位がそれぞれ設けられている請求項１に記載のリアクトル。
  3. 　隣り合う前記位置部位は、面接触または線接触している請求項１または２に記載のリアクトル。
  4. 　第一透磁率を有する第一コア部と、前記第一透磁率と比べて大きい第二透磁率を有する第二コア部とを有し、前記第一コア部および前記第二コア部により閉磁路が形成されるコアと、
    　前記コアに巻き回されるコイルと、
    を備えるリアクトルであって、
    　前記コアは、前記コアの軸方向と垂直方向に区分された複数の層部位を有し、
    　前記第二コア部は、前記コアの軸方向視において周方向位置がそれぞれ異なる複数の周方向位置部位を有し、
    　隣接する前記層部位には、前記周方向位置が異なる前記周方向位置部位がそれぞれ設けられ、前記周方向位置がそれぞれ異なり、互いに隣り合う複数の前記周方向位置部位を通って前記閉磁路の主部が形成されているリアクトル。
  5. 　隣り合う前記周方向位置部位は、面接触または線接触している請求項４に記載のリアクトル。
  6. 　前記第一コア部と前記第二コア部の境界において、前記第二コア部から前記第一コア部に向かって透磁率が徐々に減少する請求項１～５のいずれか一項に記載のリアクトル。
  7. 　前記コアには、前記第一コア部および前記第二コア部が存在しないギャップが設けられている請求項１～６のいずれか一項に記載のリアクトル。
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