WO2015064440A1 - 再生電子部品の製造方法及び接続構造体 - Google Patents

再生電子部品の製造方法及び接続構造体 Download PDF

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石澤　英亮
敬士 久保田
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a regenerated electronic component that removes a residue remaining on an electronic component after the electronic component bonded by a cured material layer of a conductive material is peeled off.
  • the present invention also relates to a connection structure using a regenerated electronic component obtained by the method for manufacturing a regenerated electronic component.
  • Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known.
  • anisotropic conductive material conductive particles are dispersed in the curable component.
  • the anisotropic conductive material is used for electrically connecting electrodes of various electronic components to obtain various connection structures.
  • Examples of the anisotropic conductive material include a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), and a semiconductor chip and glass. It is used for connection with a substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.
  • connection of the electrode is poor or the state of the cured product is bad.
  • two electronic components may be peeled off.
  • the electronic component after peeling may be discarded, but may be reused. From the viewpoint of cost and environmental load, it is desirable to reuse the electronic component after peeling. Since electronic parts are relatively expensive, it is strongly desired to reuse electronic parts.
  • Patent Document 1 discloses a method for repairing a TCP of a printed wiring board in which the TCP is connected to the connection terminal of the printed wiring board via an anisotropic conductive film.
  • This repair method is a method of heating a defective TCP out of TCP and peeling it from the printed wiring board, and is harder than the anisotropic conductive film obtained by curing the ACF remaining in the TCP.
  • Patent Document 2 discloses a method for removing a residue of an anisotropic conductive adhesive.
  • a residue softening solvent is applied onto the residue of the anisotropic conductive adhesive remaining on the joint surface including the connection terminals of the electronic component, and the residue is removed by rubbing with a brush.
  • Patent Document 3 in a mounting body in which an electronic member is mounted on a wiring board via an anisotropic conductive film, the anisotropic conductive film is mechanically peeled from the wiring board, and the wiring board is removed.
  • a method of reusing is disclosed.
  • the anisotropic conductive film conductive particles having a compressive hardness K value of 2000 kgf / mm 2 in 10% compression deformation are dispersed in a binder having an elastic modulus at 150 ° C. of 10 MPa or less.
  • An anisotropic conductive film is used.
  • Patent Document 4 discloses a repair method in which at least two connectors connected via a conductive adhesive layer are separated and then reconnected using an anisotropic conductive film.
  • the residue of the said conductive adhesive layer which exists in the said connection body is removed using the repair cutter whose elastic modulus of a front-end
  • tip part is 2.1 GPa or more and 3.7 GPa or less.
  • Patent Documents 1 and 2 a specific brush or solvent is used to remove a residue that is a cured product of the conductive material.
  • Patent Documents 3 and 4 the physical properties of the conductive material are controlled.
  • particles having solder on a conductive surface may be used as the conductive particles contained in the conductive material. Solder melts at the time of connection between the electrodes, and is firmly bonded to the surface of the electronic component. For this reason, even after peeling, the solder residue is firmly bonded to the surface of the electronic component. When particles having solder on the conductive surface are used, there is a problem that it is more difficult to sufficiently remove the solder residue by the conventional residue removing method.
  • Patent Document 1 from the central portion, the rotating brush is placed in a direction parallel to the connection terminal of the printed wiring board and so as not to directly contact the resist formed on the printed wiring board.
  • a process is described in which the anisotropic conductive film in which the ACF is cured is scraped off by rotating to the end.
  • the brush is rotated in a direction parallel to the connection terminal, the removed anisotropic conductive film residue is scattered in a region other than the connection terminal, and other parts are formed by the conductive particles in the anisotropic conductive film. May cause problems such as short circuit and leak. Further, the anisotropic conductive film is removed only from the central portion to the end portion, and the anisotropic conductive film from the resist to the central portion cannot be removed.
  • anisotropic conductive film when an anisotropic conductive film is again applied on the printed wiring board, the regenerated TPC is attached, and mounting is performed, anisotropy occurs at the end of the anisotropic conductive film that has not been removed.
  • the conductive particles in the conductive film may be agglomerated due to stagnation, resulting in problems such as short circuits and leaks.
  • a molten metal alloy such as solder
  • the conductive particles stay together and agglomerate, causing short circuits and leaks, and being removed from the resist to the center.
  • the conductive particles may be excessively crushed on the anisotropic conductive film that is not.
  • the molten metal alloy particles such as molten solder spread more than the distance between the electrodes, which may cause a short circuit or a leak between adjacent terminals.
  • Patent Document 2 describes a residue removal method in which a residue softening solvent is applied on the residue of an anisotropic conductive adhesive and the residue is rubbed off with a brush.
  • a solvent for softening the anisotropic conductive adhesive it is necessary to use a solvent that has a large environmental load and is harmful to the human body, such as acetonylacetone.
  • acetonylacetone a solvent that has a large environmental load and is harmful to the human body
  • a molten metal alloy such as solder
  • the electrode and the molten metal alloy form a metal bond, so it is not necessary to soften the resin using a residual softening solvent.
  • the conductive particles cannot be removed.
  • the upper and lower electrodes cannot reach a predetermined distance during mounting, and a conduction failure may occur. Also, if conductive particles remain on the electrode, the conductive particle concentration becomes too high when the conductive adhesive is applied again, which may cause problems such as short circuit and leak between adjacent electrodes. There is sex.
  • Patent Document 3 in an anisotropic conductive film, conductive particles having a compression hardness K value at 10% compression deformation of not less than a predetermined value are dispersed in a binder having an elastic modulus at 150 ° C. of 10 MPa or less.
  • a manufacturing method having a repair method of reusing a wiring board while leaving a residue of an anisotropic conductive film on the wiring board is disclosed.
  • the conductive particles When the upper and lower electrodes are connected via the anisotropic conductive film, the conductive particles have a predetermined hardness so that the electrodes penetrate through the anisotropic conductive film in which the conductive particles remain. Need to touch.
  • Patent Document 4 in a repairing method in which at least two connecting members connected via a conductive adhesive layer are separated and then reconnected using an anisotropic conductive film, the elastic modulus of the tip portion is a predetermined value or less.
  • a method for removing the conductive adhesive layer using a repair cutter is disclosed.
  • Patent Document 4 describes that the elastic modulus at the tip is 2.1 GPa to 3.7 GPa.
  • resin, metal-plated resin core conductive particles, and metal particles that do not melt can be removed.
  • the conductive particles are conductive particles of a molten metal alloy such as solder, the conductive particles forming a metal bond with the electrode cannot be removed from the electrode by the repair cutter.
  • the conductive particles remaining on the electrodes cannot reach a predetermined distance between the upper and lower electrodes at the time of mounting, and a conduction failure may occur. Also, if conductive particles remain on the electrode, the conductive particle concentration becomes too high when the conductive adhesive is applied again, which may cause problems such as short circuit and leak between adjacent electrodes. There is sex.
  • An object of the present invention is to produce a regenerated electronic component that can effectively remove residues on the electronic component after peeling, even when conductive particles having solder on a conductive surface are used. Is to provide a method. Moreover, this invention provides the connection structure using the reproduction
  • the first electronic component having the electrode on the surface and the second electronic component having the electrode on the surface are in a state in which the surface on the electrode side faces the solder.
  • the first electronic component and the second electronic component are peeled off using a structure bonded with a cured material layer obtained by curing a conductive material containing conductive particles and a curable component on the surface.
  • At least one of the first electronic component after peeling and the second electronic component after peeling obtained by the step, the electronic component after peeling is present on the surface of the electronic component after peeling.
  • the residue is wiped off using a wiping member having an elastic modulus smaller than the elastic modulus of the electrode of the electronic component after peeling, Recycled electrons with residue removed Comprising the step of obtaining the goods, the manufacturing method of reproducing electronic component is provided.
  • the wiping member is a foam, and in another specific aspect, the wiping member is a melamine foam.
  • the residue is wiped using the wiping member in the presence of a solvent.
  • the method for manufacturing a regenerated electronic component includes heating the structure to a temperature higher than a glass transition temperature of the cured product layer of ⁇ 20 ° C. And a step of peeling the first electronic component and the second electronic component.
  • the method for manufacturing the recycled electronic component includes: a surface on the electrode side between the first electronic component and the second electronic component.
  • the elastic modulus E1 of the wiping member and the yield elastic modulus E2 of the solder are expressed by the formula: 0.15 ⁇ E1 / 1000 / E2 ⁇ 0. Satisfy 4
  • a regenerated electronic component obtained by the above-described regenerated electronic component manufacturing method an electronic component having an electrode on its surface, and a connection connecting the regenerated electronic component and the electronic component.
  • a connection structure is provided, wherein the connection part is formed of conductive particles or a cured material layer of a conductive material containing conductive particles and a curable component.
  • the residue after the separation in which the residue is present so as to remove the residue derived from the conductive material existing on the surface of the electronic component after separation. Since the residue is wiped off using a wiping member having an elastic modulus smaller than the elastic modulus of the electrode of the electronic component, the residue can be effectively removed, and good reproduction with reduced residue is achieved. An electronic component can be obtained.
  • FIG. 1 is a front cross-sectional view schematically showing an electronic component after peeling used in a method for manufacturing a recycled electronic component according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a front cross-sectional view for explaining each step of the method for manufacturing a recycled electronic component according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of conductive particles that can be used as a conductive material in the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a modification of the conductive particles.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing another modified example of conductive particles.
  • FIG. 6 is a front cross-sectional view schematically showing a structure used in the method for manufacturing a regenerated electronic component according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a front cross-sectional view schematically showing an enlarged connection portion between the conductive particles and the electrodes in the structure shown in FIG.
  • FIG. 8 is a front cross-sectional view schematically showing an example of a connection structure using a recycled electronic component.
  • FIG. 9 is a front sectional view schematically showing a structure used in a method for manufacturing a regenerative electronic component according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a front cross-sectional view schematically showing another example of a connection structure using recycled electronic components.
  • the first electronic component having the electrode on the surface and the second electronic component having the electrode on the surface are in a state in which the surface on the electrode side is opposed to the conductive material.
  • a structure bonded with a cured product layer obtained by curing is used.
  • the conductive material includes conductive particles having a solder on a conductive surface and a curable component.
  • the first electronic component after peeling and the second after peeling obtained by peeling the first electronic component and the second electronic component.
  • the residue present on the surface of the peeled electronic component is removed.
  • a wiping member having an elastic modulus smaller than the elastic modulus of the electrode of the electronic component after peeling, in which the residue is present Is used.
  • the method for manufacturing a regenerated electronic component according to the present invention includes a step of wiping off the residue using the wiping member to obtain a regenerated electronic component from which the residue has been removed.
  • the method for manufacturing a regenerated electronic component according to the present invention has the above-described configuration, it is possible to effectively remove the residue and obtain a good regenerated electronic component with reduced residue remaining. it can.
  • conductive particles having solder on a conductive surface are used. After bonding the first and second electronic components, the solder is firmly bonded to the surface of the electronic component by solidifying after wetting and spreading the surface of the electrode after the solder is melted at the time of bonding. ing. It is generally difficult to remove such solder. In the electronic component after peeling, the solder is particularly likely to remain. On the other hand, in the method for manufacturing a recycled electronic component according to the present invention, since the specific wiping member is used, the residue can be easily removed even if the residue is solder.
  • the wiping member has an elastic modulus smaller than the elastic modulus of the electrode of the electronic component after peeling.
  • the relationship between the magnitudes of the elastic modulus means the relationship between the elastic modulus at the temperature at the time of wiping.
  • the said elasticity modulus shows the elasticity modulus of the surface of the electrode which is contacting the residue.
  • the said elasticity modulus shows the elasticity modulus of the surface of the wiping member contacted with a residue.
  • the above elastic modulus is measured using a dynamic ultra-micro hardness meter at a temperature at the time of wiping, with a triangular pyramid indenter (inter-ridge angle 115 °), and an indentation depth of 10 ⁇ m.
  • Examples of the dynamic ultra-small hardness meter include “DUH-211S” manufactured by SHIMADZU.
  • the wiping member is a foam
  • a non-foamed member is obtained using a material for forming the foam, and measurement can be performed in the same manner as described above.
  • the wiping member is a foam obtained by thermosetting a thermosetting material (thermosetting component)
  • the thermosetting material for forming the foam is used for thermosetting without foaming and foaming.
  • the member which has not been obtained can be obtained and measured in the same manner as described above.
  • the elastic modulus of the solder can be measured in the same manner as described above after the solder particles are dissolved on a metal plate such as Cu above the melting point of the solder and cooled.
  • the elastic modulus of the wiping member is preferably 15 GPa or less, more preferably 10 GPa or less. From the viewpoint of facilitating handling of the wiping member and further improving the removability of the residue, the elastic modulus of the wiping member is preferably 4 GPa or more, more preferably 6 GPa or more.
  • the absolute value of the difference between the elastic modulus of the electrode and the elastic member of the wiping member is preferably 50 GPa or more, and preferably 120 GPa or less.
  • the elastic modulus of the wiping member is preferably lower than that of solder.
  • the absolute value of the difference between the elastic modulus of the wiping member and the elastic modulus of the solder is preferably 5 GPa or more, and preferably 60 GPa or less.
  • the elastic modulus E1 (GPa) of the wiping member and the yield elastic modulus E2 (GPa) of the solder satisfy the relationship of the following formula.
  • E1 / 1000 / E2 exceeds 0.15, the solder can be sufficiently removed from the electrode.
  • E1 / 1000 / E2 is less than 0.4, the surface of the electrode is more difficult to be damaged.
  • the yield elastic modulus of the solder is measured by the same measurement method as the above elastic modulus and the same apparatus as the above elastic modulus except that a columnar indenter is used, and the inflection point in the indentation load and indentation depth curve. Can be obtained from
  • the surface in contact with the residue when the wiping member is wiped is preferably a flat surface.
  • the said wiping member is a foam, even if there are fine voids (recesses) formed on the surface of the foam, the surface is flat if the surface is flat as a whole. .
  • the surface in contact with the residue of the wiping member is preferably larger than the electrode width.
  • the form of the wiping member includes a foam form, a cloth form, a mesh form, and the like.
  • the wiping member is preferably a foam.
  • a foam having a specific elastic modulus By using a foam having a specific elastic modulus, the residue can be more effectively removed.
  • the material of the foam is not particularly limited.
  • the material of the foam include melamine compounds, polyolefin compounds, polysilicones, and urethanes.
  • a melamine compound is preferable from the viewpoint of further improving the removability of the residue.
  • the foam whose material is a melamine compound is a melamine foam.
  • the wiping member is preferably a melamine foam.
  • the foam size is preferably 1 ⁇ m or more, preferably 1000 ⁇ m or less.
  • the foam size is not less than the above lower limit, the resin removability is further improved.
  • the foam size is not more than the above upper limit, the durability of the foam when repeating the removal of the residue is further improved.
  • the thickness of one foamed foam film is preferably 1 ⁇ m or more, and preferably 200 ⁇ m or less.
  • the thickness of one foamed foam film is preferably thinner than the distance between adjacent electrodes.
  • the thickness of the foam coating is not less than the above lower limit, the durability of the foam is further improved when the removal of the residue is repeated.
  • the thickness of the foam coating is not more than the above upper limit, the resin removability is further improved.
  • the “foam size” is the size of pores formed in the foam, and the cross section of the foam is observed with a scanning electron microscope (SEM) to determine the area of the pores. Means the average diameter of the corresponding circles.
  • Thinness of one foamed foam coating is the thickness of the resin part between the pores formed in the foam, and the thickness of the resin part obtained by observing the cross section of the foam with SEM Mean value.
  • the density of the foam is preferably 6 kg / m 3 or more, and preferably 11 kg / m 3 or less.
  • the density can be measured according to JIS K6401.
  • the tensile strength of the foam is preferably 0.5 kg / cm 2 or more, preferably 2 kg / cm 2 or less.
  • the tensile strength can be measured according to JIS K 6301.
  • the elongation at break is preferably 8% or more, and preferably 20% or less.
  • the elongation at break can be measured according to JIS K6301.
  • the number of cells of the foam is preferably 80 or more, and preferably 300 or less.
  • the number of cells can be measured according to JIS K6402.
  • the expansion ratio of the foam is preferably 50% or more, and preferably 150% or less.
  • the expansion ratio can be determined by the ratio between the volume before foaming and the volume after foaming.
  • the hardness of the foam is preferably 8 kPa or more, and preferably less than 13 kPa.
  • the hardness can be determined by performing 70% pre-compression three times and measuring the hardness after 30 seconds with 40% compression in accordance with JIS K6401. Examples of the method of changing the hardness include a method of controlling the foaming rate and a method of compressing the foam by heating and pressing.
  • the residue it is preferable to wipe the residue using the wiping member in the presence of a solvent when removing the residue.
  • the residue may be swollen with the solvent.
  • Examples of the solvent include water and organic solvents. Among these, an organic solvent is preferable from the viewpoint of further improving the removability of the residue.
  • Examples of the organic solvent include alcohols such as ethanol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, and tetramethylbenzene; cellosolve, methyl cellosolve, butyl cellosolve, carbitol, and methylcarbitol.
  • Glycol ethers such as butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether; ethyl acetate, butyl acetate, butyl lactate, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol Acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene Recall monomethyl ether acetate, esters such as propylene carbonate; octane, aliphatic hydrocarbons decane; and petroleum ether, petroleum solvents such as naphtha.
  • esters such as propylene carbonate
  • octane aliphatic hydrocarbons decane
  • petroleum ether petroleum solvents such as naphtha.
  • the solvent is preferably alcohol, acetone, methyl ethyl ketone or ethyl acetate, and more preferably alcohol.
  • the structure is heated to a temperature higher than the glass transition temperature of the cured product layer, which is higher than the glass transition temperature of ⁇ 20 ° C., and the first electronic component, the second electronic component, The process of peeling may be provided.
  • the heating temperature is preferably the glass transition temperature Tg ° C.-20 ° C. or higher and Tg ° C. + 50 ° C. or lower of the cured product layer.
  • a method for manufacturing a regenerative electronic component according to the present invention includes curing the conductive material with the electrode-side surface facing between the first electronic component and the second electronic component, You may provide the process of bonding together the said 1st electronic component and the said 2nd electronic component with the said hardened
  • the regenerated electronic component obtained by the method for producing a regenerated electronic component according to the present invention is suitably used for obtaining various connection structures.
  • the electronic parts are not particularly limited. Specific examples of the electronic component include a semiconductor chip, a capacitor, a diode, a printed board, a flexible printed board, a glass epoxy board, and a glass board.
  • the conductive particles are not particularly limited as long as they have solder on the conductive surface.
  • Examples of the conductive particles include coated particles in which the surface of the base particle is coated with a conductive conductive layer, and particles having solder on the conductive surface, solder particles formed only by solder, and the like. Can be mentioned.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of conductive particles that can be used as a conductive material in the present invention.
  • the 3 includes a base particle 2 and a conductive layer 3 disposed on the surface of the base particle 2.
  • the conductive layer 3 covers the surface of the base particle 2.
  • the conductive particle 1 is a coated particle in which the surface of the base particle 2 is coated with the conductive layer 3.
  • the conductive layer 3 has a second conductive layer 3A and a solder layer 3B (first conductive layer) disposed on the surface of the second conductive layer 3A.
  • the conductive particle 1 includes a second conductive layer 3A between the base particle 2 and the solder layer 3B. Therefore, the conductive particles 1 include the base particle 2, the second conductive layer 3A disposed on the surface of the base particle 2, and the solder layer 3B disposed on the surface of the second conductive layer 3A. Is provided.
  • the conductive layer 3 may have a multilayer structure, or may have a laminated structure of two or more layers.
  • the conductive layer 3 in the conductive particle 1 has a two-layer structure.
  • the conductive particles 11 may have a solder layer 12 as a single conductive layer.
  • the conductive particles 11 include base material particles 2 and a solder layer 12 disposed on the surface of the base material particles 2.
  • the conductive particles 21 which are solder particles may be used as in another modification shown in FIG.
  • the conductive particles 21 are formed only by solder.
  • the conductive particles 21 do not have base particles in the core and are not core-shell particles.
  • both a center part and an outer surface are formed with the solder.
  • solder particles are preferably used in terms of excellent high-speed transmission, conduction resistance, mounting height, and the like.
  • FIG. 6 is a front cross-sectional view schematically showing a structure used in the method for manufacturing a regenerated electronic component according to one embodiment of the present invention.
  • a structure 51 shown in FIG. 6 includes a first electronic component 52, a second electronic component 53, a cured product layer 54 in which the first electronic component 52 and the second electronic component material 53 are bonded together. Is provided.
  • the cured product layer 54 is formed by curing a conductive material including the conductive particles 1 having solder on a conductive surface and a curable component.
  • the cured product layer 54 has a portion derived from the conductive particles 1 having solder on the conductive surface and a portion (cured product) derived from the curable component.
  • the first electronic component 52 has a plurality of first electrodes 52a on the surface (upper surface).
  • the second electronic component 53 has a plurality of second electrodes 53a on the surface (lower surface).
  • the first electronic component 52 and the second electronic component 53 are bonded together in a state where the surface on the first electrode 52a side and the surface on the second electrode 53a side face each other.
  • FIG. 7 is an enlarged front sectional view showing a connection portion between the conductive particles 1 and the first and second electrodes 52a and 53a in the structure 51 shown in FIG.
  • the melted solder layer portion 3Ba is in sufficient contact with the first and second electrodes 52a and 53a. That is, by using the conductive particles 1 whose surface layer is the solder layer 3B, compared to the case where the conductive particles whose surface layer is a metal such as nickel, gold or copper are used, the conductive particles The contact area between 1 and the first and second electrodes 52a and 53a is increased.
  • FIG. 8 is a front sectional view schematically showing a structure used in a method for manufacturing a regenerated electronic component according to another embodiment of the present invention.
  • connection structure 51 is configured in the same manner as the connection structure 51 except that the conductive particles 21 which are solder particles are used instead of the conductive particles 1.
  • the connection structure 51 ⁇ / b> X the plurality of conductive particles 21 illustrated in FIG. 5 are melted and then solidified, whereby the solder portion 21 ⁇ / b> X is formed.
  • the first electronic component and the second electronic component are separated, and as shown in FIG. 1, the first electronic component 52A after separation and the second electronic component after separation are separated.
  • An electronic component 53A is obtained.
  • a structure 51A may be used.
  • a residue 54A derived from the conductive material is present on the surface of the second electronic component 53A after peeling.
  • the residue 54A has a part (particularly solder) derived from conductive particles having solder on a conductive surface, and a part (cured product) derived from a curable component.
  • the residue 54A contains solder.
  • the first electronic component 52 and the second electronic component 53 are peeled off by heating the structure 51 to a temperature higher than the glass transition temperature of the cured product layer of ⁇ 20 ° C.
  • the residue 54A after peeling can be effectively reduced.
  • At least one of the electronic components after peeling is used among the first electronic component 52A after peeling and the second electronic component 53A after peeling.
  • the first electronic component 52A after peeling is used.
  • a residue 54A derived from the conductive material is present.
  • FIG. 2A when the residue 54A is removed, the first electronic component 52A after the separation where the residue 54A exists (even if the second electronic component 53A after the separation is present).
  • a wiping member 55 having an elastic modulus smaller than that of the first electrode 52a (which may be the second electrode 53a) is used.
  • the wiping member 55 is moved horizontally on the surface of the first electronic component 52A after peeling.
  • the wiping member 55 may be moved only in one direction.
  • FIG. 8 is a front cross-sectional view schematically showing an example of a connection structure using a recycled electronic component.
  • connection structure 61 (reproduction connection structure) can be obtained by connecting the reproduction electronic component 52 ⁇ / b> B and an arbitrary electronic component 62 by the connection portion 63.
  • the connection structure 61 includes a reproduction electronic component 52B having the first electrode 52a on the surface, an electronic component 62 having the electrode 62a on the surface, and a connection portion 63 that connects the reproduction electronic component 52B and the electronic component 62.
  • the connection part 63 is formed of a cured product of a conductive material containing conductive particles 63A and a curable component.
  • the conductive particles 63 ⁇ / b> A are configured by solidifying after melting the solder of conductive particles having solder on a conductive surface.
  • FIG. 10 is a front sectional view schematically showing another example of the connection structure using the regenerated electronic component.
  • connection structure 61 ⁇ / b> X can be obtained by connecting the regenerative electronic component 52 ⁇ / b> B and the arbitrary electronic component 62 by the connection portion 63 ⁇ / b> X including the solder portion 21 ⁇ / b> X.
  • the connection part 63X is formed by the hardened
  • the plurality of conductive particles 21 shown in FIG. 5 are melted and then solidified to form solder portions 21 ⁇ / b> X.
  • the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles.
  • the substrate particles are preferably substrate particles excluding metal particles, and more preferably resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles.
  • the substrate particles may be copper particles.
  • the base material particles are preferably resin particles formed of a resin.
  • electroconductive particle is compressed by crimping
  • the substrate particles are resin particles, the conductive particles are easily deformed during the pressure bonding, and the contact area between the conductive particles and the electrode is increased. For this reason, the conduction
  • the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Alkylene terephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, Polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamid Imide, polyether ether ketone, polyether sulfone, divinyl benzene polymer, and diviny
  • polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene,
  • the divinylbenzene copolymer examples include divinylbenzene-styrene copolymer and divinylbenzene- (meth) acrylic acid ester copolymer. Since the hardness of the resin particles can be easily controlled within a suitable range, the resin for forming the resin particles is a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. It is preferably a coalescence.
  • the substrate particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles excluding metal
  • examples of inorganic substances for forming the substrate particles include silica and carbon black.
  • the particles formed from the silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, firing may be performed as necessary.
  • grains obtained by performing are mentioned.
  • the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.
  • the substrate particles are metal particles
  • examples of the metal for forming the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium.
  • the metal particles are preferably copper particles.
  • the melting point of the substrate particles is preferably higher than the melting point of the solder layer.
  • the melting point of the substrate particles is preferably higher than 160 ° C, more preferably higher than 300 ° C, still more preferably higher than 400 ° C, and particularly preferably higher than 450 ° C.
  • the melting point of the substrate particles may be less than 400 ° C.
  • the melting point of the substrate particles may be 160 ° C. or less.
  • the softening point of the substrate particles is preferably 260 ° C. or higher.
  • the softening point of the substrate particles may be less than 260 ° C.
  • the conductive particles may have a single solder layer.
  • the conductive particles may have a plurality of conductive layers (solder layer, second conductive layer). That is, in the conductive particles, two or more conductive layers may be stacked.
  • the solder is preferably a low melting point metal having a melting point of 450 ° C. or lower.
  • the solder layer is preferably a low melting point metal layer having a melting point of 450 ° C. or lower.
  • the low melting point metal layer is a layer containing a low melting point metal.
  • the solder particles are preferably low melting point metal particles having a melting point of 450 ° C. or lower.
  • the low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal.
  • the low melting point metal is a metal having a melting point of 450 ° C. or lower.
  • the melting point of the low melting point metal is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower.
  • the solder layer and the solder particles preferably contain tin.
  • the tin content is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, and even more preferably 70% by weight. Above, particularly preferably 90% by weight or more.
  • the content of tin in the solder layer and the solder particles is equal to or higher than the lower limit, the connection reliability between the conductive particles and the electrodes is further enhanced.
  • the melting point of the solder is preferably lower than the curing temperature of the resin (curable component).
  • the melting point of the solder and the curing temperature of the resin can be determined by measuring the peak temperature with a differential scanning calorimeter at a heating rate of 10 ° C./min and in a nitrogen atmosphere. Examples of the differential scanning calorimeter include “X-DSC7000” manufactured by Hitachi High-Tech Science Corporation.
  • the tin content is determined using a high-frequency inductively coupled plasma emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu). It can be measured.
  • ICP-AES high-frequency inductively coupled plasma emission spectrometer
  • EDX-800HS fluorescent X-ray analyzer
  • the solder is melted and joined to the electrodes, and the solder conducts between the electrodes. For example, since the solder and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered.
  • the use of conductive particles having solder on the conductive surface increases the bonding strength between the solder and the electrode. As a result, peeling between the solder and the electrode is further less likely to occur, and conduction reliability and connection reliability are improved. Effectively high.
  • the low melting point metal constituting the solder layer and the solder particles is not particularly limited.
  • the low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin.
  • the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy.
  • the low melting point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy because of its excellent wettability with respect to the electrode.
  • a tin-bismuth alloy or a tin-indium alloy is more preferable.
  • the material constituting the solder is preferably a filler material having a liquidus of 450 ° C. or lower based on JIS Z3001: Welding terms.
  • the composition of the solder include metal compositions containing components such as zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, and indium. Of these, a tin-indium system (117 ° C. eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C. eutectic) which is low-melting and lead-free is preferable. That is, the solder preferably does not contain lead, and is preferably a solder containing tin and indium or a solder containing tin and bismuth.
  • the solder layer and the solder particles are nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, Metals such as manganese, chromium, molybdenum, and palladium may be included.
  • the solder layer and the solder particles preferably contain nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc.
  • the content of these metals for increasing the bonding strength is 100 wt% of the solder layer or 100 wt% of the solder particles, preferably 0. 0.0001% by weight or more, preferably 1% by weight or less.
  • the melting point of the second conductive layer is preferably higher than the melting point of the solder layer.
  • the melting point of the second conductive layer is preferably above 160 ° C, more preferably above 300 ° C, even more preferably above 400 ° C, even more preferably above 450 ° C, particularly preferably above 500 ° C, most preferably Preferably it exceeds 600 degreeC. Since the solder layer has a low melting point, it melts during conductive connection.
  • the second conductive layer is preferably not melted at the time of conductive connection.
  • the conductive particles are preferably used after melting solder, preferably used after melting the solder layer, and used without melting the second conductive layer while melting the solder layer. It is preferred that Since the melting point of the second conductive layer is higher than the melting point of the solder layer, only the solder layer can be melted without melting the second conductive layer at the time of conductive connection.
  • the absolute value of the difference between the melting point of the solder layer and the melting point of the second conductive layer is preferably more than 0 ° C, more preferably 5 ° C or more, still more preferably 10 ° C or more, and further preferably 30 ° C. Above, particularly preferably 50 ° C. or higher, most preferably 100 ° C. or higher.
  • the second conductive layer preferably contains a metal.
  • the metal constituting the second conductive layer is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and alloys thereof. Further, tin-doped indium oxide (ITO) may be used as the metal. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
  • ITO tin-doped indium oxide
  • the second conductive layer is preferably a nickel layer, a palladium layer, a copper layer or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and even more preferably a copper layer.
  • the conductive particles preferably have a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably have a nickel layer or a gold layer, and still more preferably have a copper layer.
  • the thickness of the solder layer is preferably 0.005 ⁇ m or more, more preferably 0.01 ⁇ m or more, preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less, and even more preferably 0.3 ⁇ m or less.
  • the thickness of the solder layer is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles do not become too hard, and the conductive particles are sufficiently deformed when connecting the electrodes. .
  • the thickness of the second conductive layer is preferably 0.005 ⁇ m or more, more preferably 0.01 ⁇ m or more, preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less, and still more preferably 0.3 ⁇ m or less.
  • the thickness of the second conductive layer is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is further reduced.
  • the average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 ⁇ m or more, more preferably 1 ⁇ m or more, still more preferably 3 ⁇ m or more, particularly preferably 5 ⁇ m or more, preferably 100 ⁇ m or less, more preferably 30 ⁇ m or less, still more preferably 20 ⁇ m. Hereinafter, it is particularly preferably 15 ⁇ m or less, most preferably 10 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter of the conductive particles is particularly preferably 3 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the “average particle size” of the conductive particles indicates a number average particle size.
  • the average particle diameter of the conductive particles is obtained, for example, by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.
  • the content of the conductive particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 20% by weight or more, most preferably. It is 30% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, and still more preferably 50% by weight or less.
  • content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is easy to arrange many conductive particles between the electrodes, and the conduction reliability is further enhanced.
  • the conductive material preferably includes a thermosetting component.
  • the thermosetting component preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent.
  • thermosetting compound examples include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds.
  • thermosetting agent examples include an imidazole curing agent, an amine curing agent, a phenol curing agent, a polythiol curing agent, an acid anhydride, a thermal cation initiator, and a thermal radical generator.
  • an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent is preferable because the conductive material can be cured more rapidly at a low temperature.
  • a latent curing agent is preferable since a storage stability becomes high when the curable compound curable by heating and the thermosetting agent are mixed.
  • the latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent.
  • the said thermosetting agent may be coat
  • the content of the thermosetting component in 100% by weight of the conductive material is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and preferably 99% by weight or less. Is 98% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight or less. From the viewpoint of further improving the impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting component is large.
  • the content of the thermosetting agent is not particularly limited.
  • the content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound. Part or less, more preferably 75 parts by weight or less.
  • the content of the thermosetting agent is not less than the above lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive material.
  • the content of the thermosetting agent is not more than the above upper limit, it is difficult for an excess thermosetting agent that did not participate in curing after curing to remain, and the heat resistance of the cured product is further enhanced.
  • the conductive material preferably contains a filler.
  • the filler examples include silica, aluminum nitride, alumina, glass, boron nitride, silicon nitride, silicone, carbon, graphite, graphene, polyimide, polyamide and talc.
  • the said filler only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
  • the connection resistance of the connection structure using the regenerated electronic component can be effectively reduced by effectively removing the filler residue.
  • the conductive material preferably contains a flux.
  • the flux is not particularly limited.
  • a flux generally used for soldering or the like can be used.
  • the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an organic acid, and pine resin. Is mentioned.
  • As for the said flux only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
  • Examples of the molten salt include ammonium chloride.
  • Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, and glutaric acid.
  • Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin.
  • the flux is preferably an organic acid having two or more carboxyl groups or pine resin.
  • the flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or pine resin. Use of an organic acid having two or more carboxyl groups or pine resin further increases the reliability of conduction between the electrodes.
  • the above rosins are rosins whose main component is abietic acid.
  • the flux is preferably rosins, and more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
  • the flux may be dispersed in the conductive material or may be adhered on the surface of the conductive particles or solder particles.
  • the content of the flux is 0% by weight (not contained) or more, preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less.
  • the conductive material may not contain flux.
  • the flux content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it becomes more difficult to form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode is more effective. Can be removed.
  • the conductive material may be, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, and a lubricant as necessary.
  • various additives such as an antistatic agent and a flame retardant may be included.
  • Divinylbenzene resin particles (“Micropearl SP-210” manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., average particle diameter 10 ⁇ m, softening point 330 ° C.) are electroless nickel plated, and the base nickel plating is 0.1 ⁇ m thick on the surface of the resin particles. A layer was formed. Next, the resin particles on which the base nickel plating layer was formed were subjected to electrolytic copper plating to form a 1 ⁇ m thick copper layer. Further, electrolytic plating was performed using an electrolytic plating solution containing tin and bismuth to form a 2 ⁇ m thick solder layer.
  • Conductive particles A (average particle size 16 ⁇ m, resin core solder-coated particles, solder elastic modulus at 30 ° C., 35 MPa, solder yield elastic modulus at 30 ° C., 35 MPa) were prepared.
  • conductive material A 15 parts by weight of an epoxy group-containing polymer (NOF "CP-30"), 5 parts by weight of a CTBN-modified epoxy resin (ADEKA “PR-4023”), resorcin diglycidyl ether (manufactured by Nagase ChemteX) EX-201 ”) 20 parts by weight, anionic curing agent (imidazole compound microcapsule," Novacure HX3921HP “manufactured by Asahi Kasei E-materials), and epoxy group-containing silane coupling agent (adhesion imparting agent, Shin-Etsu Chemical) 1 part by weight of “KBE-403” manufactured by the company, 2 parts by weight of flux (“glutaric acid” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), 1 part by weight of filler (nanosilica, “MT-10” manufactured by Tokuyama) Conductive material A was obtained by mixing 15 parts by weight of conductive particles A.
  • an epoxy group-containing polymer NOF "CP-30”
  • the obtained conductive materials A to C were heated to 185 ° C. and sufficiently cured to obtain a cured product.
  • a viscoelasticity measuring device (“DVA-200” manufactured by IT Measurement & Control Co., Ltd.), heating from room temperature (23 ° C.) at a heating rate of 5 ° C./min, under conditions of a deformation rate of 0.1% and 10 Hz, The obtained cured product was measured for elastic modulus at 30 ° C. and glass transition temperature Tg1.
  • Example 1 Fabrication of structure X For electrical conductivity evaluation A glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a Cu electrode pattern (thickness 10 ⁇ m) plated on gold on the surface having an L / S of 100 ⁇ m / 100 ⁇ m was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board which has Cu electrode pattern (thickness 10 micrometers) plated with gold on the surface whose L / S is 100 micrometers / 100 micrometers was prepared.
  • the overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed board was 1.4 cm ⁇ 3 mm, and the number of connected electrodes was 70 pairs.
  • the conductive material immediately after fabrication (conductive material A in Example 1) was applied to the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 150 ⁇ m, thereby forming an anisotropic conductive material layer.
  • the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive material layer so that the electrodes face each other.
  • a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 2.0 MPa is applied to melt the solder.
  • the anisotropic conductive material layer was hardened at 185 degreeC, and the structure X was obtained.
  • a structure Y for insulation evaluation was obtained in the same manner as the production of the structure X for conductivity evaluation.
  • the obtained structures X and Y were heated to 100 ° C., and the flexible printed board was peeled off.
  • the cured conductive material remaining on the electrode of the glass epoxy substrate is a melamine sponge (hardness: 8 kPa) soaked with ethanol (elasticity 7 PGa at 30 ° C. when cured non-foamed melamine resin). Then, it was removed by rubbing at 30 ° C. in the direction parallel to the electrode.
  • the glass epoxy substrate and the flexible printed circuit board were joined in the same manner as the manufacturing method of the structures X and Y to obtain the regenerative connection structures X2 and Y2.
  • the conductive material used at the time of manufacturing the pre-reproduction structure was used (conductive material A in Example 1).
  • Example 2 A recycled electronic component was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the type of foam, the type of electrode, and the type of solvent were changed as shown in Table 1 below.
  • Example 7 to 12 Structures X and Y, regenerated in the same manner as in Example 1 except that the conductive material B was used and the type of foam, the type of electrode, and the type of solvent were changed as shown in Table 2 below. Electronic parts and regenerative connection structures X2 and Y2 were manufactured.
  • Example 13 to 18 Structures X, Y, and regenerated in the same manner as in Example 1 except that the conductive material C was used and the type of foam, the type of electrode, and the type of solvent were changed as shown in Table 3 below. Electronic parts and regenerative connection structures X2 and Y2 were manufactured.
  • Example 1 except that the conductive material B was used, the hardness of the melamine sponge was changed, and the type of foam, the type of electrode, and the type of solvent were changed as shown in Table 2 below.
  • Table 2 the structures X and Y, the regenerated electronic parts, and the regenerative connection structures X2 and Y2 were manufactured.
  • Comparative Example 2 Structures X and Y, recycled electronic components, and recycled connection structures X2 and Y2 were manufactured in the same manner as in Example 1 except that bamboo skewers were used as the wiping members.
  • ⁇ Average value of connection resistance is 8.0 ⁇ or less ⁇ : Average value of connection resistance exceeds 8.0 ⁇ and 10.0 ⁇ or less ⁇ : Average value of connection resistance exceeds 10.0 ⁇ and 15.0 ⁇ or less ⁇ Average connection resistance exceeds 15.0 ⁇

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Abstract

　はんだを導電性の表面に有する導電性粒子を用いている場合であっても、剥離後の電子部品上の残留物を効果的に除去することができる再生電子部品の製造方法を提供する。　本発明に係る再生電子部品の製造方法は、第１の電子部品と第２の電子部品とを剥離することにより得られた剥離後の第１の電子部品５２Ａと剥離後の第２の電子部品５３Ａとのうちの少なくとも一方の剥離後の電子部品において、剥離後の上記電子部品の表面上に存在している残留物５４Ａを除去するために、残留物５４Ａが存在している剥離後の上記電子部品の上記電極の弾性率よりも小さい弾性率を有する拭き取り部材を用いて、残留物５４Ａを拭き取って、残留物５４Ａが除去された再生電子部品を得る工程を備える。

Description

再生電子部品の製造方法及び接続構造体
　本発明は、導電材料の硬化物層により貼り合わされた電子部品が剥離された後に、電子部品に残留している残留物を除去する再生電子部品の製造方法に関する。また、本発明は、上記再生電子部品の製造方法により得られる再生電子部品を用いた接続構造体に関する。
　異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、硬化性成分中に導電性粒子が分散されている。
　上記異方性導電材料は、各種の電子部品の電極を電気的に接続して、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記異方性導電材料は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ　ｏｎ　Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
　ところで、上記の接続構造体の製造時に、電極の接続の不良や、硬化物の状態の不良などが生じることがある。この場合に、２つの電子部品を剥離させることがある。剥離後の電子部品は、廃棄されることがある一方で、再利用されることもある。コスト及び環境負荷の観点などから、剥離後の電子部品は再利用することが望ましい。電子部品は比較的高価であることから、電子部品の再利用が強く望まれている。
　下記の特許文献１には、プリント配線基板の接続端子上に異方性導電膜を介してＴＣＰが接続されたプリント配線基板のＴＣＰのリペア方法が開示されている。このリペア方法は、ＴＣＰのうち不良のＴＣＰを加熱して上記プリント配線基板から剥離する工程と、ＴＣＰに残存しているＡＣＦを硬化させた異方性導電膜よりも硬く、プリント配線基板の接続端子よりも柔らかく、かつ先端径がプリント配線基板の接続端子ピッチ以下である毛を有するブラシを用いて、ＴＣＰに残存している上記異方性導電膜を削り取る工程とを備える。
　下記の特許文献２には、異方性導電接着剤の残渣除去方法が開示されている。ここでは、電子部品の接続端子を含む接合面に残留する異方性導電接着剤の残渣上に残渣軟化用溶剤を塗布し、上記残渣をブラシでこすって除去している。
　下記の特許文献３には、異方性導電膜を介して配線板に電子部材が実装された実装体において、上記配線板から上記異方性導電膜を機械的に剥離し、上記配線板を再利用する方法が開示されている。ここでは、上記異方性導電膜として、１５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であるバインダに、１０％圧縮変形時の圧縮硬さＫ値が２０００ｋｇｆ／ｍｍ２である導電性粒子が分散されている異方性導電膜を用いている。
　下記の特許文献４には、導電接着層を介して接続された少なくとも２個の接続体を分離した後、異方性導電フィルムを用いて再度接続し直す修復方法が開示されている。ここでは、先端部の弾性率が２．１ＧＰａ以上、３．７ＧＰａ以下であるリペアカッターを用いて、上記接続体に存在する上記導電接着層の残留物を除去している。
特開平１０－３３５８８６号公報 特開２０００－１９７８５６号公報 特開２０１０－２７２５４５号公報 特開２０１３－１７２００５号公報
　特許文献１，２では、導電材料の硬化物である残留物を除去するために、特定のブラシや溶剤を用いている。特許文献３，４では、導電材料の物性を制御している。
　しかしながら、特許文献１～４に記載のような従来の残留物の除去方法では、剥離後の電子部品上の残留物を十分に除去することが困難なことがある。
　ところで、導電材料に含まれる導電性粒子として、はんだを導電性の表面に有する粒子が用いられることがある。はんだは、電極間の接続時に溶融し、電子部品の表面と強固に接合する。このため、剥離後においても、はんだ残留物が電子部品の表面に強固に接合している。はんだを導電性の表面に有する粒子を用いた場合には、従来の残留物の除去方法では、はんだ残留物を充分に除去することはより一層困難であるという問題がある。
　また、より具体的に説明すると、特許文献１では、回転ブラシを、プリント配線基板の接続端子と平行な方向に、かつプリント配線基板上に形成されたレジストに直接当たらないように、中央部から端部へ回転させることによって、ＡＣＦを硬化させた異方性導電膜を削り取る工程が記載されている。しかしながら、接続端子と平行な方向でブラシを回転させると、接続端子以外の領域に、除去した異方性導電膜の残渣が飛散し、異方性導電膜中の導電性粒子により、他の部品にてショート及びリーク等の不具合が生じることがある。また、中央部から端部のみで異方性導電膜が除去され、レジストから中央部までの異方性導電膜は除去することができない。この状況で、再度、プリント配線基板上に異方性導電膜を塗布し、再生されたＴＰＣを貼り付け、実装を行うと、除去されていない異方性導電膜の端部にて異方性導電膜中の導電性粒子が滞留することで凝集し、ショート及びリーク等の不具合が生じることがある。また、導電性粒子として、はんだ等の溶融金属合金を用いた場合には、上記導電性粒子が滞留することで凝集し、ショート及びリーク等が顕著に生じるとともに、レジストから中央部までの除去されていない異方性導電膜上で、上記導電性粒子が過度に押し潰されることがある。これにより、溶融したはんだ等の溶融金属合金粒子が電極間距離以上に拡がることで、隣接端子間でのショート及びリーク等が発生することがある。
　特許文献２では、異方性導電接着剤の残渣上に残渣軟化用溶剤を塗布し、残渣をブラシでこすって除去する残渣除去方法が記載されている。しかしながら、異方性導電接着剤を軟化させる溶剤としては、アセトニルアセトンのような環境負荷が大きく、かつ人体に有害である溶剤を使用する必要がある。例えば、異方性導電接着剤を軟化できないアルコール等の溶剤では、残渣の除去が困難である。また、導電性粒子として、はんだ等の溶融金属合金を用いた場合には、電極と溶融金属合金とが金属結合を形成するため、残渣軟化用溶剤を用いて樹脂を軟化させるだけでは、電極上の導電性粒子を除去することができない。電極上に残留している導電性粒子により、実装時に上下の電極間が所定の距離まで到達することができず、導通不良が発生することがある。また、電極上に導電性粒子が残留していると、再び導電性接着剤を塗布した際、導電性粒子の濃度が高くなりすぎて、隣接電極間でショート及びリーク等の不具合が発生する可能性がある。
　特許文献３では、異方性導電膜において、１５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下であるバインダに、１０％圧縮変形時の圧縮硬さＫ値が所定値以上である導電性粒子を分散させることで、配線基板上に異方性導電膜の残渣を残存させたままで、該配線基板を再利用するリペア工法を有する製造方法が開示されている。異方性導電膜を介して、上下の電極間を接続する際に、導電性粒子が所定の硬さを有することで、導電性粒子が残存している異方性導電膜を貫通して電極に接触する必要がある。しかしながら、はんだ等の溶融金属合金を導電性粒子として使用し、かつ、圧着時にはんだ等を溶融させ、電極との金属結合を形成させる場合には、導電性粒子が残存している異方性導電膜を貫通することができないことがある。このため、導通抵抗が高くなる、又は導通できない等の不具合が発生することがある。
　特許文献４では、導電接着層を介して接続された少なくとも２個の接続体を分離した後、異方性導電フィルムを用いて再度接続し直す修復方法において、先端部の弾性率が所定値以下であるリペアカッターを用いて、導電接着層を除去する方法が開示されている。また、特許文献４では、先端部の弾性率が、２．１ＧＰａ～３．７ＧＰａであることが記載されている。しかし、この弾性率の先端部を有するリペアカッターを用いた場合、樹脂、及び金属メッキをした樹脂コア導電性粒子や、溶融しない金属粒子を除去することはできる。しかし、導電性粒子が、はんだ等の溶融金属合金の導電性粒子である場合、上記リペアカッターにより、電極と金属結合を形成している導電性粒子を、電極上から除去することはできない。このため、電極上に残留している導電性粒子により、実装時に上下の電極間が所定の距離まで到達することができず、導通不良が発生することがある。また、電極上に導電性粒子が残留していると、再び導電性接着剤を塗布した際、導電性粒子の濃度が高くなりすぎて、隣接電極間でショート及びリーク等の不具合が発生する可能性がある。
　本発明の目的は、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子を用いている場合であっても、剥離後の電子部品上の残留物を効果的に除去することができる再生電子部品の製造方法を提供することである。また、本発明は、上記再生電子部品の製造方法により得られた再生電子部品を用いた接続構造体を提供する。
　本発明の広い局面によれば、電極を表面に有する第１の電子部品と、電極を表面に有する第２の電子部品とが、前記電極側の表面が対向した状態で、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子及び硬化性成分を含む導電材料を硬化させた硬化物層により貼り合わされている構造体を用いて、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを剥離することにより得られた剥離後の前記第１の電子部品と剥離後の前記第２の電子部品とのうちの少なくとも一方の剥離後の電子部品において、剥離後の前記電子部品の表面上に存在している残留物を除去するために、前記残留物が存在している剥離後の前記電子部品の前記電極の弾性率よりも小さい弾性率を有する拭き取り部材を用いて、前記残留物を拭き取って、前記残留物が除去された再生電子部品を得る工程を備える、再生電子部品の製造方法が提供される。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記拭き取り部材が発泡体であり、他の特定の局面では、前記拭き取り部材が、メラミン発泡体である。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法のある特定の局面では、溶剤の存在下で、前記拭き取り部材を用いて、前記残留物を拭き取る。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記再生電子部品の製造方法は、前記構造体を前記硬化物層のガラス転移温度℃－２０℃よりも高い温度に加熱して、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを剥離する工程を備える。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記再生電子部品の製造方法は、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品との間で、前記電極側の表面が対向した状態で、前記導電材料を硬化させることにより、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを、前記導電材料を硬化させた前記硬化物層により貼り合わせて、前記構造体を得る工程を備える。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記拭き取り部材の弾性率Ｅ１と、前記はんだの降伏弾性率Ｅ２とが、式：０．１５＜Ｅ１／１０００／Ｅ２＜０．４を満足する。
　本発明の広い局面によれば、上述した再生電子部品の製造方法により得られた再生電子部品と、電極を表面に有する電子部品と、前記再生電子部品と前記電子部品とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、導電性粒子により形成されているか、又は導電性粒子及び硬化性成分を含む導電材料の硬化物層により形成されている、接続構造体が提供される。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法は、剥離後の電子部品の表面上に存在している導電材料に由来する残留物を除去するように、上記残留物が存在している剥離後の上記電子部品の電極の弾性率よりも小さい弾性率を有する拭き取り部材を用いて、上記残留物を拭き取るので、残留物を効果的に除去することができ、残留物の残存が低減された良好な再生電子部品を得ることができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る再生電子部品の製造方法に用いられる剥離後の電子部品を模式的に示す正面断面図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る再生電子部品の製造方法の各工程を説明するための正面断面図である。 図３は、本発明において、導電材料に使用可能な導電性粒子の一例を示す断面図である。 図４は、導電性粒子の変形例を示す断面図である。 図５は、導電性粒子の他の変形例を示す断面図である。 図６は、本発明の一実施形態に係る再生電子部品の製造方法に用いられる構造体を模式的に示す正面断面図である。 図７は、図６に示す構造体における導電性粒子と電極との接続部分を拡大して模式的に示す正面断面図である。 図８は、再生電子部品を用いた接続構造体の一例を模式的に示す正面断面図である。 図９は、本発明の他の実施形態に係る再生電子部品の製造方法に用いられる構造体を模式的に示す正面断面図である。 図１０は、再生電子部品を用いた接続構造体の他の例を模式的に示す正面断面図である。
　以下、本発明の詳細を説明する。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法では、電極を表面に有する第１の電子部品と、電極を表面に有する第２の電子部品とが、上記電極側の表面が対向した状態で、導電材料を硬化させた硬化物層により貼り合わされている構造体を用いる。本発明に係る再生電子部品の製造方法では、上記導電材料は、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子及び硬化性成分を含む。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法では、上記第１の電子部品と上記第２の電子部品とを剥離することにより得られた剥離後の上記第１の電子部品と剥離後の上記第２の電子部品とのうちの少なくとも一方の剥離後の電子部品において、剥離後の上記電子部品の表面上に存在している残留物を除去する。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法では、上記残留物を除去するために、上記残留物が存在している剥離後の上記電子部品の上記電極の弾性率よりも小さい弾性率を有する拭き取り部材を用いる。本発明に係る再生電子部品の製造方法では、上記拭き取り部材を用いて、上記残留物を拭き取って、上記残留物が除去された再生電子部品を得る工程を備える。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法は、上述した構成を備えているので、残留物を効果的に除去することができ、残留物の残存が低減された良好な再生電子部品を得ることができる。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法では、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子を用いている。第１，第２の電子部品を貼り合わせた後には、貼り合わせ時にはんだが溶融した後に電極等の表面を濡れ拡がった後に固化していることによって、はんだが電子部品の表面に強固に接合している。このようなはんだを除去するのは一般的に困難である。剥離後の電子部品では、はんだが特に残留しやすい。これに対して、本発明に係る再生電子部品の製造方法では、特定の上記拭き取り部材を用いているので、残留物がはんだであっても、残留物を容易に除去することができる。
　はんだを導電性の表面に有する導電性粒子を用いることと、特定の拭き取り部材を用いることは、本発明の効果を得るために大きな意味がある。
　上記拭き取り部材は、剥離後の上記電子部品の上記電極の弾性率よりも小さい弾性率を有する。なお、この弾性率の大小の関係は、弾性率が拭き取り時に影響することから、拭き取り時の温度における弾性率の関係を意味する。また、上記弾性率は、残留物と接触している電極の表面の弾性率を示す。また、上記弾性率は、残留物に接触される拭き取り部材の表面の弾性率を示す。
　上記弾性率は、ダイナミック超微小硬度計を用いて、拭き取り時の温度にて、三角錐圧子（稜間角１１５°）、押し込み深さ１０μｍにて測定される。ダイナミック超微小硬度計としては、ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製「ＤＵＨ－２１１Ｓ」等が挙げられる。
　上記拭き取り部材が発泡体である場合は、発泡体を形成するための材料を用いて、発泡していない部材を得て、上記と同様にして測定することができる。上記拭き取り部材が熱硬化性材料（熱硬化性成分）が熱硬化された発泡体である場合は、発泡体を形成するための熱硬化性材料を用いて、発泡させずに熱硬化させ、発泡していない部材を得て、上記と同様にして測定することができる。
　はんだの弾性率は、はんだ粒子をＣｕ等の金属板上にて、はんだの融点以上にて溶解し、冷却後に、上記と同様にして測定することができる。
　残留物の除去性をより一層高める観点からは、上記拭き取り部材の弾性率は好ましくは１５ＧＰａ以下、より好ましくは１０ＧＰａ以下である。拭き取り部材の取扱いを容易にし、残留物の除去性をより一層高める観点からは、上記拭き取り部材の弾性率は好ましくは４ＧＰａ以上、より好ましくは６ＧＰａ以上である。上記電極の弾性率と上記拭き取り部材の弾性率との差の絶対値は好ましくは５０ＧＰａ以上、好ましくは１２０ＧＰａ以下である。
　上記拭き取り部材の弾性率は、はんだの弾性率よりも低いことが好ましい。上記拭き取り部材の弾性率とはんだの弾性率との差の絶対値は、好ましくは５ＧＰａ以上、好ましくは６０ＧＰａ以下である。
　上記拭き取り部材の弾性率Ｅ１（ＧＰａ）と、はんだの降伏弾性率Ｅ２（ＧＰａ）とが、下記式の関係を満たすことが好ましい。
　０．１５＜Ｅ１／１０００／Ｅ２＜０．４
　Ｅ１／１０００／Ｅ２が０．１５を超えると、はんだを電極上から十分に除去することができる。Ｅ１／１０００／Ｅ２が０．４未満であると、電極の表面に傷がより一層つきにくくなる。
　はんだの降伏弾性率は、柱状圧子を用いること以外は、上記弾性率と同様の測定方法、及び上記弾性率と同様の装置にて、測定し、押し込み荷重と圧痕深さのカーブにおける変曲点から求めることができる。
　上記拭き取り部材の拭き取り時に残留物に接する表面は、平面であることが好ましい。なお、上記拭き取り部材が発泡体である場合に、発泡体の表面に発泡した微細な空隙（凹部）がある場合にも、表面が全体として平らであれば、その表面は平面であることとする。上記拭き取り部材の残留物に接触される表面は、電極幅よりも大きいことが好ましい。
　上記拭き取り部材の形態としては、発泡体の形態、クロスの形態、及びメッシュ物の形態等が挙げられる。
　上記拭き取り部材は、発泡体であることが好ましい。特定の弾性率を有する発泡体を用いることによって、残留物をより一層効果的に除去することができる。
　上記発泡体の材質は特に限定されない。上記発泡体の材質としては、メラミン化合物、ポリオレフィン化合物、ポリシリコーン及びウレタン等が挙げられる。なかでも、残留物の除去性をより一層高める観点からは、メラミン化合物が好ましい。材質がメラミン化合物である発泡体は、メラミン発泡体である。残留物の除去性をより一層高める観点からは、上記拭き取り部材は、メラミン発泡体であることが好ましい。
　発泡サイズは好ましくは１μｍ以上、好ましくは１０００μｍ以下である。発泡サイズが上記下限以上であると、樹脂の除去性がより一層良好になる。発泡サイズが上記上限以下であると、残留物の除去を繰り返しす際の、発泡体の耐久性がより一層良好になる。
　１つの発泡の泡被膜の厚みは好ましくは１μｍ以上、好ましくは２００μｍ以下である。１つの発泡の泡被膜の厚みは、隣接電極間距離より薄いことが好ましい。泡被膜の厚みが上記下限以上であると、残留物の除去を繰り返しす際の、発泡体の耐久性がより一層良好になる。泡被膜の厚みが上記上限以下であると、樹脂の除去性がより一層良好になる。
　「発泡サイズ」とは、発泡体中に形成された空孔のサイズであって、発泡体の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察することで空孔部分の面積を求め、その面積に相当する円の直径の平均値を意味する。「１つの発泡の泡被膜の厚み」とは、発泡体中に形成された空孔間の樹脂部分の厚みであって、発泡体の断面をＳＥＭで観察することで求めた樹脂部分の厚みの平均値を意味する。
　上記発泡体の密度は、好ましくは６ｋｇ／ｍ３以上、好ましくは１１ｋｇ／ｍ３以下である。密度は、ＪＩＳ　Ｋ６４０１に準拠して測定することができる。
　上記発泡体の引張り強度は、好ましくは０．５ｋｇ／ｃｍ２以上、好ましくは２ｋｇ／ｃｍ２以下である。引張り強度は、ＪＩＳ　Ｋ　６３０１に準拠して測定することができる。
　好ましくは破断時の伸びは、好ましくは８％以上、好ましくは２０％以下である。破断時の伸びは、ＪＩＳ　Ｋ６３０１に準拠して測定することができる。
　上記発泡体のセル数は、好ましくは８０個以上、好ましくは３００個以下である。セル数は、ＪＩＳ　Ｋ６４０２に準拠して測定することができる。
　上記発泡体の発泡倍率は、好ましくは５０％以上、好ましくは１５０％以下である。発泡倍率は、発泡前の体積と、発泡後の体積との比により求めることができる。
　上記発泡体の硬度は、好ましくは８ｋＰａ以上、好ましくは１３ｋＰａ未満である。硬度は、ＪＩＳ　Ｋ６４０１に準拠し、７０％予備圧縮を３回行い、４０％圧縮で３０秒後に硬さを測定することで求めることができる。硬度を変更する方法としては、発泡率を制御する方法、並びに、発泡体を加熱及び加圧することで圧縮処理する方法等が挙げられる。
　残留物の除去性をより一層高める観点からは、上記残留物を除去する際に、溶剤の存在下で、上記拭き取り部材を用いて、上記残留物を拭き取ることが好ましい。この場合には、上記溶剤により、上記残留物を膨潤させていてもよい。
　上記溶剤としては、水及び有機溶剤等が挙げられる。なかでも、残留物の除去性をより一層高める観点からは、有機溶剤が好ましい。上記有機溶剤としては、エタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類；セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン等のエステル類；オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類；並びに石油エーテル、ナフサ等の石油系溶剤等が挙げられる。
　上記溶剤は、アルコール、アセトン、メチエチルケトン又は酢酸エチルであることが好ましく、アルコールであることがより好ましい。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法は、構造体を上記硬化物層のガラス転移温度℃－２０℃よりも高い温度に加熱して、上記第１の電子部品と上記第２の電子部品とを剥離する工程を備えていてもよい。上記の加熱温度は、上記硬化物層のガラス転移温度Ｔｇ℃－２０℃以上、Ｔｇ℃＋５０℃以下であることが好ましい。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法は、上記第１の電子部品と上記第２の電子部品との間で、上記電極側の表面が対向した状態で、上記導電材料を硬化させることにより、上記第１の電子部品と上記第２の電子部品とを、上記導電材料を硬化させた上記硬化物層により貼り合わせる工程を備えていてもよい。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法により得られる再生電子部品は、各種の接続構造体を得るために好適に用いられる。
　上記電子部品は特に限定されない。上記電子部品としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ、ダイオード、プリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等が挙げられる。
　上記導電性粒子は、はんだを導電性の表面に有していれば特に限定されない。上記導電性粒子としては、基材粒子の表面が導電性の導電層により被覆された被覆粒子であって、導電性の表面にはんだを有する粒子、並びにはんだのみにより形成されているはんだ粒子等が挙げられる。
　図３は、本発明において、導電材料に使用可能な導電性粒子の一例を示す断面図である。
　図３に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電層３とを備える。導電層３は、基材粒子２の表面を被覆している。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電層３により被覆された被覆粒子である。
　導電層３は、第２の導電層３Ａと、第２の導電層３Ａの表面上に配置されたはんだ層３Ｂ（第１の導電層）とを有する。導電性粒子１は、基材粒子２と、はんだ層３Ｂとの間に、第２の導電層３Ａを備える。従って、導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された第２の導電層３Ａと、第２の導電層３Ａの表面上に配置されたはんだ層３Ｂとを備える。このように、導電層３は、多層構造を有していてもよく、２層以上の積層構造を有していてもよい。
　上記のように、導電性粒子１における導電層３は２層構造を有する。図４に示す変形例のように、導電性粒子１１は、単層の導電層として、はんだ層１２を有していてもよい。導電性粒子１１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置されたはんだ層１２とを備える。
　また、図５に示す他の変形例のように、はんだ粒子である導電性粒子２１であってもよい。導電性粒子２１は、はんだのみにより形成されている。導電性粒子２１は、基材粒子をコアに有さず、コア－シェル粒子ではない。導電性粒子２１は、中心部分及び外表面のいずれも、はんだにより形成されている。このようなはんだ粒子は、高速伝送、導通抵抗性、及び実装高さ等が優れる点で好ましく用いられる。
　以下、本発明の具体的な実施形態を説明する。
　本発明に係る再生電子部品の製造方法では、先ず、構造体を用意する。図６は、本発明の一実施形態に係る再生電子部品の製造方法に用いられる構造体を模式的に示す正面断面図である。
　図６に示す構造体５１は、第１の電子部品５２と、第２の電子部品５３と、第１の電子部品５２と第２の電子部品材５３とを貼り合わせている硬化物層５４とを備える。硬化物層５４は、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子１と硬化性成分とを含む導電材料を硬化させることにより形成されている。硬化物層５４は、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子１に由来する部位と、硬化性成分に由来する部位（硬化物）とを有する。
　第１の電子部品５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の電子部品５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電子部品５２と第２の電子部品５３とは、第１の電極５２ａ側の表面と第２の電極５３ａ側の表面とが対向した状態で貼り合わされている。
　図７に、図６に示す構造体５１における導電性粒子１と第１，第２の電極５２ａ，５３ａとの接続部分を拡大して正面断面図で示す。図７に示すように、構造体５１では、導電性粒子１におけるはんだ層３Ｂが溶融した後、溶融したはんだ層部分３Ｂａが第１，第２の電極５２ａ，５３ａと十分に接触する。すなわち、表面層がはんだ層３Ｂである導電性粒子１を用いることにより、導電層の表面層がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、導電性粒子１と第１，第２の電極５２ａ，５３ａとの接触面積が大きくなる。
　図８は、本発明の他の実施形態に係る再生電子部品の製造方法に用いられる構造体を模式的に示す正面断面図である。
　図８に示す接続構造体５１Ｘは、導電性粒子１にかえて、はんだ粒子である導電性粒子２１が用いられていること以外は接続構造体５１と同様に構成されている。接続構造体５１Ｘでは、図５に示す複数の導電性粒子２１が溶融した後、固化することで、はんだ部２１Ｘが形成されている。
　次に、構造体５１を用いて、第１の電子部品と第２の電子部品とを剥離して、図１に示すように、剥離後の第１の電子部品５２Ａと剥離後の第２の電子部品５３Ａとを得る。構造体５１にかえて構造体５１Ａを用いてもよい。剥離後の第１の電子部品５２Ａの表面上には、上記導電材料に由来する残留物５４Ａが存在している。剥離後の第２の電子部品５３Ａの表面上には、上記導電材料に由来する残留物５４Ａが存在している。残留物５４Ａは、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子に由来する部位（特にはんだ）と、硬化性成分に由来する部位（硬化物）とを有する。残留物５４Ａは、はんだを含む。
　構造体５１を上記硬化物層のガラス転移温度－２０℃よりも高い温度に加熱して、第１の電子部品５２と第２の電子部品５３とを剥離することが好ましい。この場合には、剥離後の残留物５４Ａを効果的に少なくすることができる。この加熱時の剥離で、なるべく多くの硬化物層５４を取り除くことが好ましい。なお、この加熱時の剥離では、硬化物層５４の全てを除去することは困難である。この加熱時の剥離の後、電動ブラシなどのブラシで、硬化物層５４を除去してもよい。
　再生電子部品の製造方法では、剥離後の第１の電子部品５２Ａと剥離後の第２の電子部品５３Ａとのうち、少なくとも一方の剥離後の電子部品が用いられる。
　本実施形態では、剥離後の第１の電子部品５２Ａを用いている。剥離後の第１の電子部品５２Ａの表面上には、上記導電材料に由来する残留物５４Ａが存在している。図２（ａ）に示すように、残留物５４Ａを除去する際に、残留物５４Ａが存在している剥離後の第１の電子部品５２Ａ（剥離後の第２の電子部品５３Ａであってもよい）の第１の電極５２ａ（第２の電極５３ａであってもよい）の弾性率よりも小さい弾性率を有する拭き取り部材５５を用いる。拭き取り部材５５を用いて、残留物５４Ａを拭き取る。ここでは、拭き取り部材５５を剥離後の第１の電子部品５２Ａの表面上を水平方向に左右に移動させている。拭き取り部材５５は一方向のみに移動させてもよい。
　この結果、図２（ｂ）に示すように、残留物が除去された再生電子部品５２Ｂを得ることができる。
　図８は、再生電子部品を用いた接続構造体の一例を模式的に示す正面断面図である。
　図８に示すように、再生電子部品５２Ｂと、任意の電子部品６２とを、接続部６３により接続することで、接続構造体６１（再生接続構造体）を得ることができる。
　接続構造体６１は、第１の電極５２ａを表面に有する再生電子部品５２Ｂと、電極６２ａを表面に有する電子部品６２と、再生電子部品５２Ｂと電子部品６２とを接続している接続部６３とを備える。接続部６３は、導電性粒子６３Ａ及び硬化性成分を含む導電材料の硬化物により形成されている。図８では、導電性粒子６３Ａは、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子のはんだを溶融させた後に、固化させることで構成されている。
　図１０は、再生電子部品を用いた接続構造体の他の例を模式的に示す正面断面図である。
　図１０に示すように、再生電子部品５２Ｂと、任意の電子部品６２とを、はんだ部２１Ｘを含む接続部６３Ｘにより接続することで、接続構造体６１Ｘを得ることができる。接続部６３Ｘは、導電性粒子２１及び硬化性成分を含む導電材料の硬化物により形成されている。図１０では、図５に示す複数の導電性粒子２１が溶融した後、固化することで、はんだ部２１Ｘが形成されている。
　（導電材料の他の詳細）
　［はんだを導電性の表面に有する導電性粒子の他の詳細］
　上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、銅粒子であってもよい。
　上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより導電性粒子を圧縮させる。上記基材粒子が樹脂粒子であると、上記圧着の際に導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
　上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン系共重合体等としては、ジビニルベンゼン－スチレン共重合体及びジビニルベンゼン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
　上記基材粒子が金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
　上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子は銅粒子であることが好ましい。
　上記基材粒子の融点は、上記はんだ層の融点よりも高いことが好ましい。上記基材粒子の融点は、好ましくは１６０℃を超え、より好ましくは３００℃を超え、更に好ましくは４００℃を超え、特に好ましくは４５０℃を超える。なお、上記基材粒子の融点は、４００℃未満であってもよい。上記基材粒子の融点は、１６０℃以下であってもよい。上記基材粒子の軟化点は２６０℃以上であることが好ましい。上記基材粒子の軟化点は２６０℃未満であってもよい。
　上記導電性粒子は、単層のはんだ層を有していてもよい。上記導電性粒子は、複数の層の導電層（はんだ層，第２の導電層）を有していてもよい。すなわち、上記導電性粒子では、導電層を２層以上積層してもよい。
　上記はんだは、融点が４５０℃以下である低融点金属であることが好ましい。上記はんだ層は、融点が４５０℃以下である低融点金属層であることが好ましい。上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。上記はんだ粒子は、融点が４５０℃以下である低融点金属粒子であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記はんだ層及び上記はんだ粒子は錫を含むことが好ましい。上記はんだ層に含まれる金属１００重量％中及び上記はんだ粒子に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記はんだ層及び上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接続信頼性がより一層高くなる。
　はんだの融点は、樹脂（硬化性成分）の硬化温度より低いことが好ましい。はんだの融点、及び樹脂の硬化温度は、示差走査熱量計にて、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、及び窒素雰囲気下でピーク温度を測定することで求めることができる。示差走査熱量計としては、日立ハイテクサイエンス社製「Ｘ－ＤＳＣ７０００」等が挙げられる。
　なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ－ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ－８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。
　上記はんだを導電性の表面に有する導電性粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだが電極間を導通させる。例えば、はんだと電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子の使用により、はんだと電極との接合強度が高くなる結果、はんだと電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。
　上記はんだ層及び上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫－銀合金、錫－銅合金、錫－銀－銅合金、錫－ビスマス合金、錫－亜鉛合金、及び錫－インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫－銀合金、錫－銀－銅合金、錫－ビスマス合金、又は錫－インジウム合金であることが好ましい。錫－ビスマス合金、又は錫－インジウム合金であることがより好ましい。
　上記はんだ（はんだ層）を構成する材料は、ＪＩＳ　Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだの組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、及びインジウムなどの成分を含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫－インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫－ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、上記はんだは、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ、又は錫とビスマスとを含むはんだであることが好ましい。
　上記はんだと電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ層及び上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、及びパラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだと電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ層及び上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ層又ははんだ粒子と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ層１００重量％中又ははんだ粒子１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。
　上記第２の導電層の融点は、上記はんだ層の融点よりも高いことが好ましい。上記第２の導電層の融点は好ましくは１６０℃を超え、より好ましくは３００℃を超え、更に好ましくは４００℃を超え、更に一層好ましくは４５０℃を超え、特に好ましくは５００℃を超え、最も好ましくは６００℃を超える。上記はんだ層は融点が低いために導電接続時に溶融する。上記第２の導電層は導電接続時に溶融しないことが好ましい。上記導電性粒子は、はんだを溶融させて用いられることが好ましく、上記はんだ層を溶融させて用いられることが好ましく、上記はんだ層を溶融させてかつ上記第２の導電層を溶融させずに用いられることが好ましい。上記第２の導電層の融点が上記はんだ層の融点をよりも高いことによって、導電接続時に、上記第２の導電層を溶融させずに、上記はんだ層のみを溶融させることができる。
　上記はんだ層の融点と上記第２の導電層との融点との差の絶対値は、好ましくは０℃を超え、より好ましくは５℃以上、より一層好ましくは１０℃以上、更に好ましくは３０℃以上、特に好ましくは５０℃以上、最も好ましくは１００℃以上である。
　上記第２の導電層は、金属を含むことが好ましい。上記第２の導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
　上記第２の導電層は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることが更に好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することが更に好ましい。これらの好ましい導電層を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電層の表面には、はんだ層をより一層容易に形成できる。
　上記はんだ層の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、更に好ましくは０．３μｍ以下である。はんだ層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、充分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が充分に変形する。
　上記第２の導電層の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、更に好ましくは０．３μｍ以下である。上記第２の導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
　上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは５μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以下、特に好ましくは１５μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。上記導電性粒子の平均粒子径は、３μｍ以上、３０μｍ以下であることが特に好ましい。
　上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、例えば、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
　上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上、特に好ましくは２０重量％以上、最も好ましくは３０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子を多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。また、硬化性成分などの含有量が適度になることから、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子の含有量は多い方が好ましい。
　［硬化性成分の他の詳細］
　上記導電材料は、熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。
　上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。
　上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン開始剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。なかでも、導電材料を低温でより一層速やかに硬化可能であるので、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
　上記導電材料１００重量％中、上記熱硬化性成分の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性成分の含有量は多い方が好ましい。
　上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、更に好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電材料を充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。
　［他の成分］
　上記導電材料の粘度を好適な範囲に制御するために、上記導電材料はフィラーを含むことが好ましい。
　上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン、ポリイミド、ポリアミド及びタルク等が挙げられる。上記フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。本発明に係る再生電子部品の製造方法では、フィラーの残留物を効果的に除去することによって、再生電子部品を用いた接続構造体の接続抵抗を効果的に低くすることができる。
　上記導電材料は、フラックスを含むことが好ましい。該フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
　上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸、又は松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を２個以上有する有機酸、又は松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
　上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
　上記フラックスは、導電材料中に分散されていてもよく、導電性粒子又ははんだ粒子の表面上に付着していてもよい。
　上記導電材料１００重量％中、上記フラックスの含有量は０重量％（未含有）以上、好ましくは０．５重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記導電材料は、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。
　上記導電材料は、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
　以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
　（実施例１～６及び比較例１，２用の導電性粒子の作製及び導電材料Ａの作製）
　ジビニルベンゼン樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ－２１０」、平均粒子径１０μｍ、軟化点３３０℃）を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ０．１μｍの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、厚さ１μｍの銅層を形成した。更に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、厚さ２μｍのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み１μｍの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み２μｍのはんだ層（錫：ビスマス＝４３重量％：５７重量％）が形成されている導電性粒子Ａ（平均粒子径１６μｍ、樹脂コアはんだ被覆粒子、３０℃でのはんだの弾性率３５ＭＰａ、３０℃でのはんだの降伏弾性率３５ＭＰａ）を作製した。
　導電材料Ａの作製：
　エポキシ基含有ポリマー（日油社製「ＣＰ－３０」）１５重量部と、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂（ＡＤＥＫＡ社製「ＰＲ－４０２３」）５重量部と、レゾルシンジグリシジルエーテル（ナガセケムテックス社製「ＥＸ－２０１」）２０重量部と、アニオン硬化剤（イミダゾール化合物マイクロカプセル、旭化成イーマテリアルズ社製「ノバキュア　ＨＸ３９２１ＨＰ」）１４重量部と、エポキシ基含有シランカップリング剤（接着付与剤、信越化学工業社製「ＫＢＥ－４０３」）１重量部と、フラックス（和光純薬工業社製「グルタル酸」）２重量部と、フィラー（ナノシリカ、トクヤマ社製「ＭＴ－１０」）１重量部と、導電性粒子Ａ１５重量部とを混合して、導電材料Ａを得た。
　（実施例７～１２及び１９～２１用の導電材料Ｂの作製）
　導電性粒子Ａ１５重量部を、導電性粒子Ｂ（ＳｎＢｉはんだ粒子、平均粒子径１０μｍ、３０℃での弾性率３５ＧＰａ、３０℃での降伏弾性率３５ＭＰａ）３０重量部に変更したこと以外は導電材料Ａと同様にして、導電材料Ｂを得た。
　（実施例１３～１８用の導電材料Ｃの作製）
　導電性粒子Ａ１５重量部を、導電性粒子Ｃ（ＳｎＩｎはんだ粒子、平均粒子径１０μｍ、３０℃での弾性率２０ＧＰａ、３０℃での降伏弾性率２４ＭＰａ）３０重量部に変更したこと以外は導電材料Ａと同様にして、導電材料Ｃを得た。
　得られた導電材料Ａ～Ｃを１８５℃に加熱して十分に硬化させることにより硬化物を得た。粘弾性測定装置（アイティー計測制御社製「ＤＶＡ－２００」）を用いて、室温（２３℃）から昇温速度５℃／ｍｉｎで加熱、変形率０．１％、及び１０Ｈｚの条件で、得られた硬化物の３０℃での弾性率、及びガラス転移温度Ｔｇ１を測定した。
　（実施例１）
　構造体Ｘの作製：導通性評価用
　Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍの表面に金メッキされたＣｕ電極パターン（厚み１０μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ－４基板）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍの表面に金メッキされたＣｕ電極パターン（厚み１０μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板を用意した。
　ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、１．４ｃｍ×３ｍｍとし、接続した電極数は７０対とした。
　上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の導電材料（実施例１では導電材料Ａ）を厚さ１５０μｍとなるように塗工し、異方性導電材料層を形成した。次に、異方性導電材料層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電材料層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、２．０ＭＰａの圧力をかけて、はんだを溶融させ、かつ異方性導電材料層を１８５℃で硬化させて、構造体Ｘを得た。
　構造体Ｙの作製：絶縁性評価用
　Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍの表面に金メッキされたＣｕ櫛形電極パターン（厚み１０μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ－４基板）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍの表面に金メッキされたＣｕ櫛形電極パターン（厚み１０μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板を用意した。
　用意したガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板とを用いたこと以外は導通性評価用の構造体Ｘの作製と同様にして、絶縁性評価用の構造体Ｙを得た。
　再生電子部品及び再生接続構造体の製造：
　得られた構造体Ｘ，Ｙを用いて、１００℃に加熱し、フレキシブルプリント基板をピール剥離した。ガラスエポキシ基板の電極上に残存している硬化した導電材料を、エタノールをしみこませたメラミンスポンジ（硬度：８ｋＰａ）（発泡しないメラミン樹脂を硬化させた場合の３０℃での弾性率７ＰＧａ）を用いて、３０℃で電極と平行方向に擦ることで除去した。
　拭き取りを５分行った後、構造体Ｘ，Ｙの作製方法と同様にして、ガラスエポキシ基板とフレキシブルプリント基板とを接合して、再生接続構造体Ｘ２，Ｙ２を得た。再生接続構造体Ｘ２，Ｙ２では、再生前構造体の作製時に用いた導電材料を用いた（実施例１では導電材料Ａ）。
　（実施例２～６）
　発泡体の種類、電極の種類及び溶剤の種類を下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、再生電子部品を製造した。
　（実施例７～１２）
　導電材料Ｂを用いたこと、並びに発泡体の種類、電極の種類及び溶剤の種類を下記の表２に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、構造体Ｘ，Ｙ、再生電子部品、及び再生接続構造体Ｘ２，Ｙ２を製造した。
　（実施例１３～１８）
　導電材料Ｃを用いたこと、並びに発泡体の種類、電極の種類及び溶剤の種類を下記の表３に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、構造体Ｘ，Ｙ、再生電子部品、及び再生接続構造体Ｘ２，Ｙ２を製造した。
　（実施例１９～２１）
　導電材料Ｂを用いたこと、メラミンスポンジの硬度を変更したこと、並びに発泡体の種類、電極の種類及び溶剤の種類を下記の表２に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、構造体Ｘ，Ｙ、再生電子部品、及び再生接続構造体Ｘ２，Ｙ２を製造した。
　（比較例１）
　拭き取り部材として、ブラシを用いたこと以外は実施例１と同様にして、構造体Ｘ，Ｙ、再生電子部品、及び再生接続構造体Ｘ２，Ｙ２を製造した。
　（比較例２）
　拭き取り部材として、竹串を用いたこと以外は実施例１と同様にして、構造体Ｘ，Ｙ、再生電子部品、及び再生接続構造体Ｘ２，Ｙ２を製造した。
　（評価）
　（１）残留物の除去性
　拭き取り時間をかえて得られた再生電子部品において、残留物の除去状態を確認した。残留物の除去性を下記の基準で判定した。
　［残留物の除去性の判定基準］
　○○：５分以下の拭き取りで、電極上に残留物が完全になくなる
　○：５分を超え、１０分以下の拭き取りで、電極上に残留物が完全になくなる
　△：１０分を超え、２０分以下の拭き取りで、電極上にはんだ残留物がほとんどなくなる
　×：２０分拭き取っても、電極上にはんだ残留物が多く残る
　（２）導通性
　得られた構造体Ｘ及び得られた再生接続構造体Ｘ２（各ｎ＝１５個）において、上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通性を下記の基準で判定した。
　［導通性の判定基準］
　○○：接続抵抗の平均値が８．０Ω以下
　○：接続抵抗の平均値が８．０Ωを超え、１０．０Ω以下
　△：接続抵抗の平均値が１０．０Ωを超え、１５．０Ω以下
　×接続抵抗の平均値が１５．０Ωを超える
　（３）絶縁性
　得られた構造体Ｙ及び得られた再生接続構造体Ｙ２（各ｎ＝１５個）において、隣接する電極間に、５Ｖを印加し、抵抗値を２５箇所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。
　［絶縁性の判定基準］
　○：８５℃及び湿度８５％ＲＨで絶縁抵抗値１．０×１０７Ω以上を５００時間保持
　△：８５℃及び湿度８５％ＲＨで絶縁抵抗値１．０×１０７Ω以上を２５０時間以上、５００時間未満保持
　×：８５℃及び湿度８５％ＲＨで絶縁抵抗値１．０×１０７Ω以上を２５０時間未満保持
　結果を下記の表１～３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　１…導電性粒子
　２…基材粒子
　３…導電層
　３Ａ…第２の導電層
　３Ｂ…はんだ層
　３Ｂａ…溶融したはんだ層部分
　１１…導電性粒子
　１２…はんだ層
　２１…導電性粒子
　２１Ｘ…はんだ部
　５１，５１Ｘ…構造体
　５２…第１の電子部品
　５２Ａ…剥離後の第１の電子部品
　５２Ｂ…再生電子部品
　５２ａ…第１の電極
　５３…第２の電子部品
　５３Ａ…剥離後の第２の電子部品
　５３ａ…第２の電極
　５４，５４Ｘ…硬化物層
　５４Ａ…導電材料に由来する残留物
　５５…拭き取り部材
　６１，６１Ｘ…接続構造体
　６２…電子部品
　６２ａ…電極
　６３，６３Ｘ…接続部
　６３Ａ…導電性粒子

Claims (8)

  1. 　電極を表面に有する第１の電子部品と、電極を表面に有する第２の電子部品とが、前記電極側の表面が対向した状態で、はんだを導電性の表面に有する導電性粒子及び硬化性成分を含む導電材料を硬化させた硬化物層により貼り合わされている構造体を用いて、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを剥離することにより得られた剥離後の前記第１の電子部品と剥離後の前記第２の電子部品とのうちの少なくとも一方の剥離後の電子部品において、
    　剥離後の前記電子部品の表面上に存在している残留物を除去するために、
    　前記残留物が存在している剥離後の前記電子部品の前記電極の弾性率よりも小さい弾性率を有する拭き取り部材を用いて、前記残留物を拭き取って、前記残留物が除去された再生電子部品を得る工程を備える、再生電子部品の製造方法。
  2. 　前記拭き取り部材が発泡体である、請求項１に記載の再生電子部品の製造方法。
  3. 　前記拭き取り部材が、メラミン発泡体である、請求項２に記載の再生電子部品の製造方法。
  4. 　溶剤の存在下で、前記拭き取り部材を用いて、前記残留物を拭き取る、請求項１～３のいずれか１項に記載の再生電子部品の製造方法。
  5. 　前記構造体を前記硬化物層のガラス転移温度℃－２０℃よりも高い温度に加熱して、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを剥離する工程を備える、請求項１～４のいずれか１項に記載の再生電子部品の製造方法。
  6. 　前記第１の電子部品と前記第２の電子部品との間で、前記電極側の表面が対向した状態で、前記導電材料を硬化させることにより、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを、前記導電材料を硬化させた前記硬化物層により貼り合わせて、前記構造体を得る工程を備える、請求項１～５のいずれか１項に記載の再生電子部品の製造方法。
  7. 　前記拭き取り部材の弾性率Ｅ１と、前記はんだの降伏弾性率Ｅ２とが、式：０．１５＜Ｅ１／１０００／Ｅ２＜０．４を満足する、請求項１～６のいずれか１項に記載の再生電子部品の製造方法。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の再生電子部品の製造方法により得られた再生電子部品と、
    　電極を表面に有する電子部品と、
    　前記再生電子部品と前記電子部品とを接続している接続部とを備え、
    　前記接続部が、導電性粒子により形成されているか、又は導電性粒子及び硬化性成分を含む導電材料の硬化物層により形成されている、接続構造体。
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