WO2015064019A1 - 導電性保護被膜を有する部材及びその製造方法 - Google Patents

導電性保護被膜を有する部材及びその製造方法 Download PDF

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conductive protective
protective film
conductive
composite material
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令子 高澤
美樹夫 朝倉
山口　隆幸
大介 長澤
知広 河本
浩昭 北
傑工 平塚
秀樹 中森
Original Assignee
日本軽金属株式会社
ナノテック株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only

Definitions

  • the present invention relates to a member having a conductive protective film and a method for manufacturing the same, and more specifically, used in a manufacturing apparatus for precision electronic parts, and the like, which can suppress scratches, deflection, and electrification caused by holding and transporting the product.
  • the present invention relates to a member and a manufacturing method thereof.
  • a manufacturing apparatus for precision electronic components has a support device for holding and transporting precision electronic components, and the support device repeatedly contacts and peels the precision electronic components. Therefore, it is necessary to increase the mechanical strength and the like of the surface of the support device (the surface on which the precision electronic component is placed) to prevent damage and deflection.
  • Patent Document 1 Patent No. 5065777
  • Patent No. 5065777 includes a base material made of aluminum or an aluminum alloy, and an anodized film formed on the surface of the base material.
  • the leakage current density at an applied voltage of 100 V exceeds 0.9 ⁇ 10 ⁇ 5 A / cm 2 , the film thickness is 3 ⁇ m or more, the arithmetic average roughness of the surface is less than 1 ⁇ m, and the anodized film is formed.
  • a member for a plasma processing apparatus is disclosed in which the flatness of the surface is 50 ⁇ m or less.
  • the member for a plasma processing apparatus described in Patent Document 1 it has corrosion resistance and sticking resistance, suppresses abnormal discharge, and enables uniform and stable film formation. In addition, by using the member, a good plasma processing apparatus member can be easily manufactured.
  • the film on the surface of the member for a plasma processing apparatus described in Patent Document 1 is aluminum oxide formed in the anodizing process, and it is difficult to say that the hardness and wear resistance are sufficient.
  • an object of the present invention is a member having a protective film having high hardness, excellent wear resistance, and good conductivity, and a manufacturing apparatus for precision electronic components It is an object of the present invention to provide a member that can suppress scratches, deflection, and electrification caused by holding and transporting a product and a method for manufacturing the same.
  • the present inventor has conducted extensive research on combinations of various protective coatings and substrates and methods for producing the same, and as a result, diamond-like carbon with controlled properties can be formed on the surface of a metal substrate.
  • the inventors have found that it is effective and have reached the present invention.
  • the present invention A substrate made of a material selected from the group consisting of aluminum, an aluminum alloy, an aluminum-based composite material, an anodized aluminum, an anodized aluminum alloy, and an anodized aluminum-based composite material, or a bonded substrate between the substrates, or A bonding substrate between the substrate and a substrate made of a material different from the material; and a conductive protective film provided on the surface of the substrate or the bonding substrate.
  • the conductive protective film has a thickness of 0.1 to 3.0 ⁇ m, a refractive index n of 1.5 to 2.3, and an extinction coefficient k of 0.5 to 1.0 as measured using a spectroscopic epriometry method.
  • Diamond-like carbon having an indentation hardness of 5000 to 20000 MPa, a specific wear amount of 10 ⁇ 15 m to 10 ⁇ 17 m 2 / N, and a resistivity of 10 to 10 6 ⁇ ⁇ cm.
  • the member characterized by this is provided.
  • the Young's modulus of the substrate or the bonded substrate is preferably 65 to 180 GPa, and the average reflectance of the conductive protective film in the wavelength region of 200 to 450 nm is 20 or less.
  • the metal substrate is preferably a substrate selected from the group consisting of aluminum, an aluminum alloy, an anodized aluminum, and an anodized aluminum alloy, or a bonded substrate of the substrate and a different material.
  • the substrate or the bonding substrate is electrically conductive on the surface of the substrate made of a material selected from the group consisting of anodized aluminum, an anodized aluminum alloy, and an anodized aluminum-based composite material. It is preferably a coated substrate on which a conductive film is formed, or a bonded substrate of the coated substrate and a different material.
  • the present invention also provides a method for producing the above member, A method for producing a member having a conductive protective coating, A pretreatment step of performing pretreatment by ion bombardment on the surface of the metal substrate or metal matrix composite material substrate; Using fluorine-based hydrocarbon gas and using a DC power source, the fluorine content is 0.1 to 10 atomic%, the indentation hardness is 5000 to 20000 MPa, the specific wear amount is 10 ⁇ 15 m to 10 ⁇ 17 m 2 / N, Forming a diamond-like carbon film having a resistivity of 10 to 10 6 ⁇ ⁇ cm on the surface of the pretreated metal substrate or the metal matrix composite material; It is a manufacturing method of the member which has an electroconductive protective film characterized by including.
  • the member of the present invention is a member having a protective film having high hardness, excellent wear resistance, and good conductivity, and is used in a manufacturing apparatus for precision electronic parts, etc. It is possible to provide a member capable of suppressing scratches, deflection, and electrification due to the holding and transporting, and a manufacturing method thereof.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a member having a conductive protective film of the present invention.
  • the member 1 having a conductive protective film of the present invention has a conductive protective film 4 on the surface of a substrate 2.
  • the substrate 2 is not particularly limited as long as it is a metal substrate, but a substrate selected from the group of aluminum, aluminum alloy, anodized aluminum, anodized aluminum alloy, a bonded substrate between the substrates, or a material different from the substrate It is preferable that it is a joining board
  • anode is used as the substrate 2.
  • a coated substrate in which a conductive film is formed on the surface of a substrate made of a material selected from the group consisting of an aluminum oxide alloy and an anodized aluminum-based composite material, or a bonded substrate of the coated substrate and a different material is used. It is preferable.
  • the conductive coating various conventionally known metal materials can be used as long as the effects of the present invention are not impaired, but it is preferable to use aluminum or an aluminum alloy.
  • the method for forming the conductive film is not particularly limited.
  • the conductive metal film may be formed on the surface of the anodized film by a method such as thermal spraying, sputtering, or vapor deposition, and extrusion molding, injection, coating, etc.
  • the conductive resin may be coated by this method.
  • the aluminum alloy used for the substrate 2 various conventionally known aluminum alloys can be used as long as the effects of the present invention are not impaired. For example, 1000 series, 3000 series, 5000 series, 6000 series aluminum or aluminum alloy is used. It is preferable to use it.
  • a metal matrix composite material such as an aluminum matrix composite material (MMC) can also be used.
  • MMC aluminum matrix composite material
  • the aluminum-based composite material is not particularly limited, but various physical properties such as hardness, Young's modulus, and thermal conductivity can be controlled by using a metal-based composite material such as an Al-SiC composite material manufactured by powder metallurgy. can do.
  • various conventionally known diamond-like carbons can be used as long as the effects of the present invention are not impaired, but diamond having high hardness, excellent wear resistance, and good conductivity. It is preferable to use like carbon. Diamond-like carbon also has the advantage of being excellent in corrosion resistance in an acid / alkali solution and in an oxidizing / reducing atmosphere.
  • Diamond carbon that can be suitably used as the conductive protective coating 4 has a film thickness of 0.1 to 3.0 ⁇ m, a refractive index n of 1.5 to 2.3 when measured using a spectroscopic epriometry method, and an extinction coefficient.
  • k is 0.5 to 1.0
  • indentation hardness is 5000 to 20000 MPa
  • specific wear is 10 ⁇ 15 m to 10 ⁇ 17 m 2 / N
  • resistivity is 10 to 10 6 ⁇ ⁇ cm.
  • the color of the diamond carbon film is blackish.
  • the average reflectance of the conductive protective coating 4 in the wavelength region of 200 to 450 nm is preferably 20 or less.
  • the influence of the substrate is large when the film thickness exceeds a certain critical value, and the hardness of the thin film itself is accurately obtained. Is difficult.
  • the indentation depth needs to be 10% or less of the film thickness (however, depending on the base material and film characteristics). Therefore, it is preferable to use a nanoindentation method for the hardness test of the conductive protective coating 4.
  • the nanoindentation method was drafted as ISO14577 in 2002 and is a well-known method worldwide. Hardness calculation method that is described in ISO14577, there is Indentation Hardness (indentation Hardness) (H IT) , shown from the projection contact area A p and the maximum load F max as Equation 1 below.
  • H IT Indentation Hardness
  • W is the specific wear amount (m 2 / N) of the test piece
  • R is the radius (m) of the sliding circle
  • S is the cross-sectional area (m 2 ) of the sliding circle
  • P is the load (N)
  • L is a sliding distance (m).
  • the average reflectance of the conductive protective film 4 in the wavelength region of 200 to 450 nm can be measured using, for example, a spectrophotometer Lambda750S manufactured by PerkinElmer.
  • the resistivity can be measured using a four-terminal method, a van der Pau method, or the like.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of a member having a conductive protective film of the present invention.
  • the member 1 having a conductive protective film of the present invention has a conductive protective film 4 on the surface of a substrate 2 via an intermediate layer 6.
  • the intermediate layer 6 is formed on the conductive film.
  • the intermediate layer 6 is in ohmic contact with the surface of the substrate 2 and further improves conductivity by using a combination of the intermediate layer 6 that makes ohmic contact (low contact resistance) and a diamond-like carbon film. Is possible.
  • the intermediate layer 6 includes carbon, gold, silver, indium, aluminum, phosphorus, titanium, nickel, chromium, ITO (In 2 O 3 —SnO 3 ), ZnO, TiO 2 , silicon, and Al 2 O 3 (aluminum oxide).
  • ITO In 2 O 3 —SnO 3
  • ZnO Zinc Oxide
  • TiO 2 silicon
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • FIG. 3 is a flowchart showing an example of a process when a member having a conductive protective film of the present invention is manufactured according to the first embodiment.
  • a pretreatment for the substrate 2 ion bombardment is performed, and the base material is plasma-cleaned (S100).
  • the ion bombardment is preferably performed using a rare gas such as Ar or a rare gas mixed with H.
  • the substrate 2 is not particularly limited as long as it is a metal substrate or a metal matrix composite substrate, but is preferably made of an aluminum alloy or a SiC particle-dispersed aluminum matrix composite as described above. From the viewpoint of preventing deflection, the Young's modulus of the substrate 2 is preferably 65 to 180 GPa.
  • the aluminum alloy used for the substrate 2 various conventionally known aluminum alloys can be used as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • a substrate having a conductive film formed on the surface of an anodized aluminum alloy a substrate having an A1050 aluminum film formed on an A5052 aluminum alloy material by arc spraying on the surface is used. it can.
  • the SiC-dispersed aluminum-based composite material for example, an Al-40% SiC composite material produced by a powder metallurgy method can be used.
  • a conductive diamond-like carbon film (conductive protective film 4) containing a predetermined amount of fluorine is formed on the surface of the substrate 2 (S102).
  • a fluorine-based hydrocarbon gas a mixed gas in which a hydrocarbon-based source gas and a fluorine doping gas are introduced at a predetermined ratio may be used.
  • Means for forming the conductive diamond-like carbon coating include ionization deposition, plasma CVD using glow discharge and high-frequency plasma, photo-CVD using ultraviolet excitation, microwave CVD, A sputtering method, an arc discharge method, and the like are known, but an ionized vapor deposition method is preferable. In this embodiment, a case where an ionized vapor deposition method is used will be described. In the ionized vapor deposition method, since the non-equilibrium plasma is used, the temperature of the substrate 2 at the time of film formation is usually 350 ° C. or lower, and there is an advantage that thermal deformation of the substrate 2 can be minimized.
  • reference numeral 20 denotes a conductive protective film manufacturing apparatus having a vacuum chamber 22.
  • a substrate holder 24 that holds the substrate 2 is provided on the vacuum chamber 22.
  • an anode 26, a filament 28, and a fluorine doping gas introduction port 30 are provided in the lower part of the vacuum chamber 22.
  • a hydrocarbon-based source gas introduction port 32 is provided on the side wall 22 a of the vacuum chamber 22.
  • the hydrocarbon-based source gas introduction port 32 can also be provided on the bottom wall 22 b or the top wall 22 c of the vacuum chamber 22.
  • the fluorine-based hydrocarbon gas can be introduced using the fluorine doping gas introduction port 30 and / or the hydrocarbon-based source gas introduction port.
  • the ionized vapor deposition method applied in the present invention can form a thin film at a low temperature by reducing the vacuum chamber 22 (for example, evacuating to 3 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less), and using plasma excitation as a raw material
  • gas is decomposed and a negative voltage is applied to the substrate 2 to deposit a film.
  • fluorine-based hydrocarbon gas is introduced into the vacuum chamber 22 of the conductive protective film manufacturing apparatus 20
  • the hydrocarbon is generated by DC arc discharge plasma using an ion source 29 including a hot filament 28 and an anode 26.
  • a conductive diamond-like carbon film (conductive protective film 4) containing is formed on the substrate 2.
  • a mixed gas in which a hydrocarbon-based source gas and a fluorine doping gas are introduced at a predetermined ratio can also be used as a source gas for forming the conductive diamond-like carbon coating (conductive protective coating 4).
  • a hydrocarbon-based source gas one kind or two or more kinds of gases selected from the group consisting of cyclohexane, benzene, acetylene, methane, butylbenzene, toluene, and cyclopentane can be used.
  • the fluorine doping gas one or more selected from the group consisting of trimethyl borate (trimethyl borate), trimethyl fluorine, and triethyl boron can be used.
  • the conductive diamond-like carbon film (conductive protective film 4)
  • FIG. 5 shows a flowchart showing an example of a process when a member having a conductive protective film of the present invention is manufactured according to the second embodiment.
  • the manufacturing method according to the second embodiment is a method for manufacturing a conductive protective film having a configuration in which an intermediate layer 11 is interposed between a substrate 2 and a conductive protective film 4, as shown in FIG.
  • a pretreatment for the substrate 2 ion bombardment is performed with a gas such as Ar, and the substrate 2 is plasma-cleaned (S100).
  • the intermediate layer 6 that makes ohmic contact with the surface of the pretreated substrate 2 is formed (S101).
  • the intermediate layer 6 includes carbon, gold, silver, indium, aluminum, phosphorus, titanium, nickel, chromium, ITO (In 2 O 3 —SnO 3 ), ZnO, TiO 2 , silicon, and Al 2 O 3 (aluminum oxide).
  • the film is formed using one or more materials selected from the group consisting of:
  • the intermediate layer 6 may be formed by plasma CVD, sputtering, vapor deposition, ionization vapor deposition, printing, or plating, but sputtering is preferred.
  • a conductive diamond-like carbon film (conductive protective film 4) containing a predetermined amount of fluorine is formed on the surface of the substrate 2 using a fluorine-based hydrocarbon gas and ionized vapor deposition. (S102).
  • the electrical conductivity can be further improved by combining the intermediate layer 6 that makes ohmic contact with the diamond-like carbon coating (conductive protective coating 4).
  • the formation of the conductive diamond-like carbon film (conductive protective film 4) is the same as in the case of the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.
  • the fluorine content is 0.1 to 10 atomic%
  • the indentation hardness is 5000 to 20000 MPa
  • the specific wear amount is 10 ⁇ 15 m to 10 ⁇ 17 m 2 / N
  • the conductive protective film 4 having a resistivity of 10 to 10 6 ⁇ ⁇ cm can be obtained.
  • the resistivity may be measured by the four probe method or the Van der Paul method.
  • Example 1 A5052 aluminum alloy was used as the metal substrate.
  • Ar was introduced at 14 sccm, an ion bombardment treatment was performed at a substrate voltage of 2 kV, and an anode current of 0.8 A for 1 hour.
  • a fluorine-based hydrocarbon gas (C 6 HF 5 ) is introduced, and a diamond-like carbon film with a thickness of 0.5 ⁇ m is formed under the conditions of an anode voltage: 45 V, a substrate voltage: 2 kV, and a film formation temperature: 220 ° C. did.
  • the fluorine content was 3 atomic%
  • the indentation hardness was 12000 MPa
  • the specific wear amount was 10 ⁇ 17 m 2 / N or less
  • the resistivity was 10 1. It was ⁇ ⁇ cm.
  • the average reflectance in the wavelength range of 200 to 450 nm was 9.5
  • the Young's modulus of the substrate was 69.3 GPa.
  • the indentation hardness was measured by a nanoindentation method
  • the specific wear amount was measured by a ball-on-disk method
  • the resistivity was measured by a four-terminal method.
  • the nanoindentation test was performed with a load of 1 mN using a diamond indenter.
  • the frictional wear test was performed with ball material: glass ( ⁇ 6 mm), load: 1 N, speed: 0.5 m / sec, radius: 10 mm, stop condition: 2500 rotations, and the wear amount of wear marks was measured.
  • Example 2 An A5052 alloy plate formed with a 10 ⁇ m anodic oxide coating using a sulfuric acid bath, and a 100 ⁇ m A1050 aluminum sprayed coating formed on the surface by arc spraying was used as the metal substrate.
  • Ar was introduced at 14 sccm, an ion bombardment treatment was performed at a substrate voltage of 2 kV, and an anode current of 0.8 A for 1 hour.
  • a fluorine-based hydrocarbon gas (C 6 HF 5 ) is introduced, and a diamond-like carbon film with a thickness of 0.5 ⁇ m is formed under the conditions of an anode voltage: 45 V, a substrate voltage: 2 kV, and a film formation temperature: 220 ° C. did.
  • the fluorine content was 3 atomic%
  • the indentation hardness was 12000 MPa
  • the specific wear amount was 10 ⁇ 17 m 2 / N or less
  • the resistivity was 10 1. It was ⁇ ⁇ cm.
  • the average reflectance in the wavelength region of 200 to 450 nm was 7.1
  • the Young's modulus of the substrate was 69.8 GPa.
  • the indentation hardness was measured by a nanoindentation method
  • the specific wear amount was measured by a ball-on-disk method
  • the resistivity was measured by a four-terminal method.
  • the nanoindentation test was performed with a load of 1 mN using a diamond indenter.
  • the frictional wear test was performed with ball material: glass ( ⁇ 6 mm), load: 1 N, speed: 0.5 m / sec, radius: 10 mm, stop condition: 2500 rotations, and the wear amount of wear marks was measured.
  • Example 3 As a metal substrate, Al-10% Si powder and SiC powder were mixed and an Al-40% SiC composite material prepared by powder metallurgy was used. Ar was introduced as a pretreatment at 14 sccm, the substrate voltage was 2 kV, and the anode current was 0 The ion bombardment treatment was performed at 8A for 1 hour. Thereafter, a fluorine-based hydrocarbon gas (C 6 HF 5 ) is introduced, and a 1.5 ⁇ m diamond-like carbon film is formed on the condition that the anode voltage is 80 V, the substrate voltage is 3 kV, and the film formation temperature is 250 ° C. did.
  • Ar was introduced as a pretreatment at 14 sccm, the substrate voltage was 2 kV, and the anode current was 0
  • the ion bombardment treatment was performed at 8A for 1 hour. Thereafter, a fluorine-based hydrocarbon gas (C 6 HF 5 ) is introduced, and a 1.5 ⁇ m diamond-like carbon film is formed
  • the fluorine content was 3 atomic%
  • the indentation hardness was 12000 MPa
  • the specific wear amount was 10 ⁇ 17 m 2 / N or less
  • the resistivity was 10 1. It was ⁇ ⁇ cm.
  • the average reflectance in the wavelength region of 200 to 450 nm was 6.5
  • the Young's modulus of the substrate was 124.7 GPa.
  • the indentation hardness was measured by a nanoindentation method
  • the specific wear amount was measured by a ball-on-disk method
  • the resistivity was measured by a four-terminal method.
  • the nanoindentation test was performed with a load of 1 mN using a diamond indenter.
  • the frictional wear test was performed with ball material: glass ( ⁇ 6 mm), load: 1 N, speed: 0.5 m / sec, radius: 10 mm, stop condition: 2500 rotations, and the wear amount of wear marks was measured.
  • Conductive protective coating production apparatus 22 ... Vacuum chamber 22a ... side wall, 22b ... bottom wall, 22c ... upper wall, 24 ... Substrate holder, 26 ... anode, 28 ... hot filament 29 ... ion source, 30 ... Fluorine doping gas introduction port, 32 ... hydrocarbon-based source gas introduction port.

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Abstract

　高硬度、優れた耐摩耗性、及び良好な導電性を兼ね備えた保護被膜を有する部材であって、精密電子部品用製造装置等に用いられ、製品の保持及び運搬による、傷、たわみ、及び帯電を抑制可能な部材及びその製造方法を提供する。本発明は、金属基板の表面に導電性保護被膜を有する部材であって、導電性保護被膜は、膜厚が０．１～３．０μｍ、分光エプリソメトリ法を用いた測定における屈折率ｎが１．５～２．３、消衰係数ｋが０．５～１．０、インデンテーションハードネスが５０００～２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０-15ｍ～１０-17ｍ2／Ｎ、抵抗率が１０～１０6Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボンであること、を特徴とする部材を提供する。

Description

導電性保護被膜を有する部材及びその製造方法
　本発明は導電性保護被膜を有する部材及びその製造方法に関し、より具体的には、精密電子部品用製造装置等に用いられ、製品の保持及び運搬による、傷、たわみ、及び帯電を抑制可能な部材及びその製造方法に関する。
　一般的に、精密電子部品用製造装置は精密電子部品を保持及び運搬するための支持装置を有し、当該支持装置では精密電子部品との接触と剥離が繰り返し行われる。そのため、支持装置の表面（精密電子部品の載置面）の機械的強度等を高めて、損傷やたわみ等を防ぐ必要がある。
　これらの要求を満たすため、従来の精密電子部品用製造装置では、精密電子部品の載置面に適度な性質を備えた樹脂製のトレイ等が用いられてきた。しかしながら、近年では大型や薄型の精密電子部品に対する処理が求められており、当該部品の保持及び運搬に伴う載置面の傷やたわみ等の問題が、これまで以上に深刻になっている。加えて、精密電子部品への帯電を防止するため、載置面にはある程度の導電性が要求される。
　これに対し、例えば特許文献１（特許第５０６５７７２号公報）においては、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる基材と、前記基材の表面に形成された陽極酸化被膜と、を備え、　前記陽極酸化被膜は、印加電圧１００Ｖ時のリーク電流密度が０．９×１０-5Ａ／ｃｍ2を超え、膜厚が３μｍ以上で、表面の算術平均粗さが１μｍ未満であって、前記陽極酸化被膜を形成された表面の平面度が５０μｍ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置用部材が開示されている。
　上記特許文献１に記載のプラズマ処理装置用部材によれば、耐食性及び耐スティッキング性を備え、異常放電を抑制し、均一かつ安定した成膜が可能となるとしている。また、当該部材を用いることで、良好なプラズマ処理装置用部材を容易に製造することができるとしている。
　しかしながら、上記特許文献１に記載のプラズマ処理装置用部材表面の膜は陽極酸化処理工程にて形成される酸化アルミニウムであり、硬度及び耐摩耗性が十分であるとは言い難い。
特許第５０６５７７２号公報
　以上のような従来技術における問題点に鑑み、本発明の目的は、高硬度、優れた耐摩耗性、及び良好な導電性を兼ね備えた保護被膜を有する部材であって、精密電子部品用製造装置等に用いられ、製品の保持及び運搬による、傷、たわみ、及び帯電を抑制可能な部材及びその製造方法を提供することにある。
　本発明者は上記目的を達成すべく、種々の保護被膜と基板との組み合わせ及びその製造法について鋭意研究を重ねた結果、金属基板の表面に特性を制御したダイヤモンドライクカーボンを形成させることが極めて効果的であることを見出し、本発明に到達した。
　即ち、本発明は、
　アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム基複合材料、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板、又は、前記基板同士の接合基板、又は，前記基板と前記材料と異なる材料で構成された基板との接合基板と；前記基板又は前記接合基板の表面に設けられた導電性保護被膜と；を有し、
　前記導電性保護被膜は、膜厚が０．１～３．０μｍ、分光エプリソメトリ法を用いた測定における屈折率ｎが１．５～２．３、消衰係数ｋが０．５～１．０、インデンテーションハードネスが５０００～２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０-15ｍ～１０-17ｍ2／Ｎ、抵抗率が１０～１０6Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボンであること、
　を特徴とする部材を提供する。
　本発明の部材においては、前記基板又は前記接合基板のヤング率が６５～１８０ＧＰａであること、が好ましく、２００～４５０ｎｍの波長域における前記導電性保護被膜の平均反射率が２０以下であること、が好ましい。また、前記金属基板がアルミニウム、アルミニウム合金、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金、の群から選ばれる基板、又は前記基板と異種材料との接合基板であること、が好ましい。
　更に、本発明の部材においては、前記基板又は前記接合基板が、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板の表面に、導電性被膜を形成させた被覆基板、又は前記被覆基板と異種材料との接合基板であること、が好ましい。
　また、本発明は、上記部材の製造方法も提供するものであり、当該製造方法は、
　導電性保護被膜を有する部材の製造方法であって、
　金属基板又は金属基複合材料基板の表面に対してイオンボンバードによる前処理を行う前処理工程と、
　フッ素系炭化水素ガスを用い、直流電源を用いて、フッ素含有量が０．１～１０ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが５０００～２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０-15ｍ～１０-17ｍ2／Ｎ、抵抗率が１０～１０6Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボン被膜を、前記前処理された前記金属基板又は前記金属基複合材料基板の表面に形成する工程と、
　を含むことを特徴とする導電性保護被膜を有する部材の製造方法である。
　本発明の部材及びその製造法によれば、高硬度、優れた耐摩耗性、及び良好な導電性を兼ね備えた保護被膜を有する部材であって、精密電子部品用製造装置等に用いられ、製品の保持及び運搬による、傷、たわみ、及び帯電を抑制可能な部材、及びその製造方法を提供することができる。
本発明の導電性保護被膜を有する部材の第一の実施形態を示す概略断面図である。 本発明の導電性保護被膜を有する部材の第二の実施形態を示す概略断面図である。 本発明の導電性保護被膜を有する部材を第一の実施形態によって製造する場合の工程の一例を示すフローチャートである。 本発明の製造方法において用いることができる導電性保護被膜の製造装置の一例を示す概略説明図である。 本発明の導電性保護被膜を有する部材を第二の実施形態によって製造する場合の工程の一例を示すフローチャートである。
　以下、図面を参照しながら本発明の導電性保護被膜を有する部材及びその製造方法の代表的な実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する場合がある。また、図面は、本発明を概念的に説明するためのものであるから、表された各構成要素の寸法やそれらの比は実際のものとは異なる場合もある。
≪導電性保護被膜を有する部材≫
　図１は、本発明の導電性保護被膜を有する部材の第一の実施形態を示す概略断面図である。本発明の導電性保護被膜を有する部材１は、基板２の表面に導電性保護被膜４を有するものである。
　基板２は金属基板であれば特に限定されないが、アルミニウム、アルミニウム合金、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金、の群から選ばれる基板、又は、当該基板同士の接合基板、又は、当該基板と異種材料との接合基板であることが好ましい。また、たわみ防止の観点から、基板２のヤング率は６５～１８０ＧＰａであることが好ましい。
　また、基板２の表面に不可避的に存在する酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）被膜の影響で良好な導電性保護被膜４を形成させることが困難な場合は、基板２として、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板の表面に、導電性被膜を形成させた被覆基板、又は前記被覆基板と異種材料との接合基板を用いることが好ましい。導電性被膜としては、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々の金属材等を用いることができるが、アルミニウム又はアルミニウム合金を用いることが好ましい。なお、導電性被膜の形成方法は特に限定されず、例えば、陽極酸化被膜の表面に溶射やスパッタや蒸着等の方法で導電性金属被膜を形成してもよく、押出成形、射出、及び塗装等の方法で導電性樹脂を被覆してもよい。
　基板２に用いるアルミニウム合金は、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々のアルミニウム合金を用いることができるが、例えば、１０００系、３０００系、５０００系、６０００系のアルミニウム又はアルミニウム合金を用いることが好ましい。また、アルミニウム基複合材料（ＭＭＣ）等の金属基複合材料を用いることもできる。アルミニウム基複合材料としては、特に限定されないが、例えば粉末冶金法で製造したＡｌ－ＳｉＣ複合材料等の金属基複合材料を用いることで硬度、ヤング率、熱伝導率等の種々の物性値を制御することができる。
　導電性保護被膜４としては、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々のダイヤモンドライクカーボンを用いることができるが、高硬度、優れた耐摩耗性、及び良好な導電性を兼ね備えたダイヤモンドライクカーボンを用いることが好ましい。また、ダイヤモンドライクカーボンは酸・アルカリ溶液及び酸化・還元雰囲気における耐腐食性に優れているという利点も有している。
　導電性保護被膜４として好適に用いることができるダイヤモンドカーボンは、膜厚が０．１～３．０μｍ、分光エプリソメトリ法を用いた測定における屈折率ｎが１．５～２．３、消衰係数ｋが０．５～１．０、インデンテーションハードネスが５０００～２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０-15ｍ～１０-17ｍ2／Ｎ、抵抗率が１０～１０6Ω・ｃｍである。また、ダイヤモンドカーボン被膜の色は黒みがかっている方が好ましい。導電性保護被膜４の２００～４５０ｎｍの波長域における平均反射率は２０以下であることが好ましい。
　導電性保護被膜４の硬さ試験において、従来法であるマイクロビッカースやヌープ試験を適用した場合、膜厚からある臨界値を越えると基材の影響が大きく、薄膜自身の硬さを正確に得ることが困難である。当該影響を抑えるために、一般的に押し込み深さを膜厚の１０％以下（ただし、基材材質と膜特性による）にする必要があると言われている。そのため、導電性保護被膜４の硬さ試験にはナノインデンテーション（Ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）法を用いることが好ましい。
　ナノインデンテーション法は、２００２年にＩＳＯ１４５７７としてドラフトが作成され、世界的に周知の方法である。ＩＳＯ１４５７７に記載されている硬さの算出方法は、インデンテーションハードネス（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ Ｈａｒｄｎｅｓｓ）（ＨIT）があり、投影接触面積Ａpと最大荷重Ｆmaxから下記数式１のように示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　比摩耗量を測定するための摩擦摩耗試験機は、それぞれの用途に合わせ、摺動方法や測定子部分の形状は多数存在する。その中で最も一般的な方法は、ボールオンディスクによる摩擦摩耗試験である。測定原理は、ボールが剛性のあるアームにマウントされディスク状の試料の上に既知の精密おもりによって押しつけられる。そして、ディスクを回転させ、ボールとディスクの間に作用する摩擦力をアームの水平方向の小さなたわみによって測定する。また、この時の摩耗痕断面積を測定し、比摩耗量として比較することもできる。ボールオンディスク試験の場合、試料の比摩耗量の測定は、摩耗痕断面積から、下記数式２によって算出することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　上記数式２において、Ｗは試験片の比摩耗量（ｍ2／Ｎ）、Ｒは摺動円の半径（ｍ）、Ｓは摺動円の断面積（ｍ2）、Ｐは荷重（Ｎ）、Ｌは摺動距離（ｍ）である。
　２００～４５０ｎｍの波長域における導電性保護被膜４の平均反射率は、例えば、パーキンエルマー社製の分光光度計Ｌａｍｂｄａ７５０Ｓを用いて測定することができる。また、抵抗率は四端子法又はファン・デル・パウ法等を用いて測定することができる。
　図２は、本発明の導電性保護被膜を有する部材の第二の実施形態を示す概略断面図である。本発明の導電性保護被膜を有する部材１は、基板２の表面に中間層６を介して導電性保護被膜４を有するものである。なお、基板２に上記導電性被膜を有する場合は、中間層６は当該導電性被膜の上に形成されることになる。
　中間層６は、基板２の表面にオーミック接触するものであり、オーミック接触（接触抵抗の低い）をする中間層６とダイヤモンドライクカーボン被膜とを組み合わせて用いることによって、さらに導電性を向上させることが可能である。
　中間層６にはカーボン、金、銀、インジウム、アルミニウム、リン、チタン、ニッケル、クロム、ＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3－ＳｎＯ3）、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、珪素、及びＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）からなる群から選ばれる一種又は二種以上の材料を用いることができる。なお、本実施形態は中間層６が存在する以外は第一の実施形態と同様である。
≪導電性保護被膜を有する部材の製造方法≫
　図３は、本発明の導電性保護被膜を有する部材を第一の実施形態によって製造する場合の工程の一例を示すフローチャートである。まず、基板２に対する前処理として、イオンボンバードを行い、基材をプラズマ洗浄する（Ｓ１００）。当該イオンボンバードは、Ａｒ等の希ガス又はＨを混合した希ガスにより行うことが好適である。
　基板２は金属基板又は金属基複合材料基板であれば特に限定されないが、上述のとおりアルミニウム合金製又はＳｉＣ粒子分散アルミニウム基複合材料製であることが好ましい。また、たわみ防止の観点から、基板２のヤング率は６５～１８０ＧＰａであることが好ましい。
　基板２に用いるアルミニウム合金は、本発明の効果を損なわない範囲で従来公知の種々のアルミニウム合金を用いることができるが、例えば、Ａ５０５２アルミニウム合金を用いることが好ましい。また、陽極酸化アルミニウム合金の表面に導電性被膜を形成した基板として、Ａ５０５２アルミニウム合金材に１０μｍの陽極酸化被膜を形成し、その表面にアーク溶射によって、Ａ１０５０アルミニウム被膜を形成した基板を用いることができる。また、ＳｉＣ分散アルミニウム基複合材料としては、例えば、粉末冶金法で作製したＡｌ－４０％ＳｉＣ複合材料を用いることができる。
　次いで、フッ素系炭化水素ガスを用い、所定量のフッ素を含む導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を基板２の表面に形成させる（Ｓ１０２）。なお、フッ素系炭化水素ガスの代わりに、炭化水素系原料ガスとフッ素ドーピングガスとを所定割合で導入した混合ガスを用いてもよい。
　導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を形成するための手段としては、イオン化蒸着法、グロー放電や高周波プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法、紫外線励起による光ＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、スパッタリング法、アーク放電法等が知られているが、イオン化蒸着法が好適である。本実施の形態においてはイオン化蒸着法を用いた場合について説明する。なお、イオン化蒸着法においては、非平衡プラズマを用いるため成膜時の基板２の温度は通常３５０℃以下であり基板２の熱的変形等を最小限に抑えることができる利点がある。
　本発明の導電性保護被膜を有する部材の製造方法を実施する装置としては、図４に示した構造の装置を用いることができる。図４において、２０は導電性保護被膜製造装置で、真空チャンバー２２を有している。該真空チャンバー２２の上部には基板２を保持する基板保持部２４が設けられている。また、該真空チャンバー２２の下部にはアノード２６、フィラメント２８及びフッ素ドーピングガス導入ポート３０が設けられている。さらに、該真空チャンバー２２の側壁２２ａには炭化水素系原料ガス導入ポート３２が設けられている。炭化水素系原料ガス導入ポート３２は真空チャンバー２２の底壁２２ｂ又は上壁２２ｃに設けることもできる。なお、フッ素系炭化水素ガスはフッ素ドーピングガス導入ポート３０及び／又は炭化水素系原料ガス導入ポートを用いて導入することができる。
　本発明において適用されるイオン化蒸着法は真空チャンバー２２を減圧にして（例えば、３×１０-3Ｐａ以下まで真空引きを行う）低温で薄膜形成を行うことができ、プラズマ励起を利用して原料ガスを分解させ、基板２に負電圧を印加し膜を堆積させる方法である。具体的には、導電性保護被膜製造装置２０の真空チャンバー２２中にフッ素系炭化水素ガスが導入されると、熱フィラメント２８とアノード２６からなるイオン源２９を用いて直流アーク放電プラズマにより炭化水素イオンや励起されたラジカルが生成され、生成した炭化水素イオンは直流の負電圧にバイアスされた基板２にバイアス電圧に応じたエネルギーで衝突し固体化し、図１に示したように所定量のフッ素を含む導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）が基板２上に形成される。
　上記のとおり、導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を形成するための原料ガスとして、炭化水素系原料ガスとフッ素ドーピングガスとを所定割合で導入した混合ガスを用いることもできる。炭化水素系原料ガスとして、シクロヘキサン、ベンゼン、アセチレン、メタン、ブチルベンゼン、トルエン、シクロペンタンからなる群から選ばれる一種又は二種以上のガス種を用いることができる。また、フッ素ドーピングガスとして、ホウ酸トリメチル（トリメチルボレート）、トリメチルフッ素及びトリエチルホウ素からなる群から選択される一種又は二種以上を用いることができる。
　導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を形成するために、イオン化蒸着法を用いることが好ましいが、その理由は、フィラメント２８とアノード２６によりプラズマ条件を制御でき、基板電圧によりイオン衝撃を制御できるからである。これにより、ダイヤモンドライクカーボンの構造を保ちながら、フッ素を活性化させることが可能となる。
　図５に、本発明の導電性保護被膜を有する部材を第二の実施形態によって製造する場合における、工程の一例を示すフローチャートを示す。第二の実施形態による製造方法は、図５に示すように、基板２と導電性保護被膜４の間に中間層１１を介在させた構成の導電性保護被膜の製造方法であって、まず、第一の実施形態の場合と同様に、基板２に対する前処理として、Ａｒ等のガスによりイオンボンバードを行い、基板２をプラズマ洗浄する（Ｓ１００）。
　次に、前記前処理された基板２の表面にオーミック接触をする中間層６を成膜形成する（Ｓ１０１）。この中間層６は、カーボン、金、銀、インジウム、アルミニウム、リン、チタン、ニッケル、クロム、ＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3－ＳｎＯ3）、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、珪素、及びＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）からなる群から選ばれる一種又は二種以上の材料を用いて成膜形成される。中間層６の形成は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法、イオン化蒸着法、印刷法又はメッキによって行えばよいが、スパッタリング法が好適である。
　続いて、第一の実施形態の場合と同様に、フッ素系炭化水素ガスを用い、イオン化蒸着法によって所定量のフッ素を含む導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）を基板２の表面に形成するものである（Ｓ１０２）。このようにオーミック接触をする中間層６とダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）とを組み合わせることによってさらに導電性を向上させることができる。なお、導電性ダイヤモンドライクカーボン被膜（導電性保護被膜４）の形成は、第一の実施形態の場合と同様であるため再度の詳細な説明は省略する。
　フッ素系炭化水素ガスを用い、直流電源を用いて、フッ素含有量が０．１～１０ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが５０００～２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０-15ｍ～１０-17ｍ2／Ｎ、抵抗率が１０～１０6Ω・ｃｍの導電性保護被膜４を得ることができる。なお、本発明において、抵抗率は四探針法又はファン・デル・パウル法により測定すればよい。
　以上、本発明の代表的な実施形態について説明したが、本発明はこれらのみに限定されるものではなく、種々の設計変更が可能であり、それら設計変更は全て本発明の技術的範囲に含まれる。
≪実施例１≫
　金属基板として、Ａ５０５２アルミニウム合金を用いた。前処理としてＡｒを１４ｓｃｃｍ導入し、基板電圧を２ｋＶ、アノード電流０．８Ａで１時間のイオンボンバード処理を行った。その後、フッ素系炭化水素ガス（Ｃ6ＨＦ5）を導入し、アノード電圧：４５Ｖ、基板電圧：２ｋＶ、成膜温度：２２０℃の条件で炭素被膜を０．５μｍのダイヤモンドライクカーボン被膜を成膜した。
　上記工程にて得られたダイヤモンドライクカーボン被膜の特性評価を行ったところ、フッ素含有量が３ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが１２０００ＭＰａ、比摩耗量が１０-17ｍ2／Ｎ以下、抵抗率が１０1Ω・ｃｍであった。また、２００～４５０ｎｍの波長域における平均反射率は、９．５、基板のヤング率は、６９．３ＧＰａであった。なお、インデンテーションハードネスはナノインデンテーション（Ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）法、比摩耗量はボールオンディスク法、抵抗率は四端子法にて測定した。ナノインデンテーション試験は、ダイヤモンド圧子を用いて荷重１ｍＮで測定を行った。また、摩擦摩耗試験は、ボール材：ガラス(Φ６ｍｍ)、荷重:１Ｎ、速度：０．５ｍ／ｓｅｃ、半径：１０ｍｍ、停止条件：２５００回転で行い、摩耗痕の摩耗量測定を実施した。
≪実施例２≫
　Ａ５０５２合金板に硫酸浴を用いて１０μｍの陽極酸化被膜を形成し、当該表面にアーク溶射で１００μｍのＡ１０５０アルミニウム溶射被膜を形成したものを金属基板として用いた。前処理としてＡｒを１４ｓｃｃｍ導入し、基板電圧を２ｋＶ、アノード電流０．８Ａで１時間のイオンボンバード処理を行った。その後、フッ素系炭化水素ガス（Ｃ6ＨＦ5）を導入し、アノード電圧：４５Ｖ、基板電圧：２ｋＶ、成膜温度：２２０℃の条件で炭素被膜を０．５μｍのダイヤモンドライクカーボン被膜を成膜した。
　上記工程にて得られたダイヤモンドライクカーボン被膜の特性評価を行ったところ、フッ素含有量が３ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが１２０００ＭＰａ、比摩耗量が１０-17ｍ2／Ｎ以下、抵抗率が１０1Ω・ｃｍであった。また、２００～４５０ｎｍの波長域における平均反射率は、７．１、基板のヤング率は、６９．８ＧＰａであった。なお、インデンテーションハードネスはナノインデンテーション（Ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）法、比摩耗量はボールオンディスク法、抵抗率は四端子法にて測定した。ナノインデンテーション試験は、ダイヤモンド圧子を用いて荷重１ｍＮで測定を行った。また、摩擦摩耗試験は、ボール材：ガラス(Φ６ｍｍ)、荷重:１Ｎ、速度：０．５ｍ／ｓｅｃ、半径：１０ｍｍ、停止条件：２５００回転で行い、摩耗痕の摩耗量測定を実施した。
≪実施例３≫
　金属基板として、Ａｌ－１０％Ｓｉ粉末とＳｉＣ粉末を混合し、粉末冶金法で作製したＡｌ－４０％ＳｉＣ複合材を用い、前処理としてＡｒを１４ｓｃｃｍ導入し、基板電圧を２ｋＶ、アノード電流０．８Ａで１時間のイオンボンバード処理を行った。その後、フッ素系炭化水素ガス（Ｃ6ＨＦ5）を導入し、アノード電圧：８０Ｖ、基板電圧：３ｋＶ、成膜温度：２５０℃の条件で炭素被膜を１．５μｍのダイヤモンドライクカーボン被膜を成膜した。
　上記工程にて得られたダイヤモンドライクカーボン被膜の特性評価を行ったところ、フッ素含有量が３ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが１２０００ＭＰａ、比摩耗量が１０-17ｍ2／Ｎ以下、抵抗率が１０1Ω・ｃｍであった。また、２００～４５０ｎｍの波長域における平均反射率は６．５、基板のヤング率は１２４．７ＧＰａであった。なお、インデンテーションハードネスはナノインデンテーション（Ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）法、比摩耗量はボールオンディスク法、抵抗率は四端子法にて測定した。ナノインデンテーション試験は、ダイヤモンド圧子を用いて荷重１ｍＮで測定を行った。また、摩擦摩耗試験は、ボール材：ガラス(Φ６ｍｍ)、荷重:１Ｎ、速度：０．５ｍ／ｓｅｃ、半径：１０ｍｍ、停止条件：２５００回転で行い、摩耗痕の摩耗量測定を実施した。
１・・・導電性保護被膜を有する部材、
２・・・基材、
４・・・導電性保護被膜、
６・・・中間層、
２０・・・導電性保護被膜製造装置、
２２・・・真空チャンバー、
２２ａ・・・側壁、
２２ｂ・・・底壁、
２２ｃ・・・上壁、
２４・・・基板保持部、
２６・・・アノード、
２８・・・熱フィラメント
２９・・・イオン源、
３０・・・フッ素ドーピングガス導入ポート、
３２・・・炭化水素系原料ガス導入ポート。

Claims (5)

  1. 　アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム基複合材料、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板、又は、前記基板同士の接合基板、又は、前記基板と前記材料と異なる材料で構成された基板との接合基板と；前記基板又は前記接合基板の表面に設けられた導電性保護被膜と；を有し、
    　前記導電性保護被膜は、膜厚が０．１～３．０μｍ、分光エプリソメトリ法を用いた測定における屈折率ｎが１．５～２．３、消衰係数ｋが０．５～１．０、インデンテーションハードネスが５０００～２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０-15ｍ～１０-17ｍ2／Ｎ、抵抗率が１０～１０6Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボンであること、
    　を特徴とする部材。
  2. 　前記基板又は前記接合基板のヤング率が６５～１８０ＧＰａであること、
    　を特徴とする請求項１に記載の部材。
  3. 　２００～４５０ｎｍの波長域における前記導電性保護被膜の平均反射率が２０以下であること、
    　を特徴とする請求項１又は２に記載の部材。
  4. 　前記基板又は前記接合基板が、陽極酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム合金及び陽極酸化アルミニウム基複合材料よりなる群から選択される材料で構成された基板の表面に、導電性被膜を形成させた被覆基板、又は前記被覆基板と異種材料との接合基板であること、を特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の部材。
  5. 　導電性保護被膜を有する部材の製造方法であって、
    　金属基板又は金属基複合材料基板の表面に対してイオンボンバードによる前処理を行う前処理工程と、
    　フッ素系炭化水素ガスを用い、直流電源を用いて、フッ素含有量が０．１～１０ａｔｏｍｉｃ％、インデンテーションハードネスが５０００～２００００ＭＰａ、比摩耗量が１０-15ｍ～１０-17ｍ2／Ｎ、抵抗率が１０～１０6Ω・ｃｍであるダイヤモンドライクカーボン被膜を、前記前処理された前記金属基板又は前記金属基複合材料基板の表面に形成する工程と、
    　を含むことを特徴とする導電性保護被膜を有する部材の製造方法。
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