WO2015037082A1 - 発光装置 - Google Patents

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賢一 奥山
幸二 藤田
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パイオニア株式会社
東北パイオニア株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • Patent Document 1 describes that a light-shielding film is provided on a light emission surface of a light-emitting device in order to improve visibility.
  • Patent Document 1 is a technique related to a liquid crystal panel.
  • a light shielding layer is provided on the light emission surface side of the liquid crystal panel. This light shielding layer is provided with a plurality of openings for forming pixels.
  • Patent Document 2 describes that a light-shielding mask is provided in an optical device using an organic EL element. Specifically, this optical device is formed by forming an organic EL element on a transparent substrate, and further sealing a surface of the transparent substrate on which the organic EL element is formed with a sealing member. The light shielding mask is formed in a region of the sealing member that overlaps the organic EL element.
  • the present inventor has studied to improve the visibility of light emission from each light emitting region in a light emitting device having a plurality of light emitting regions.
  • As one method for improving the visibility of such a light emitting device there is a method of providing a light shielding film in a region located between a plurality of light emitting regions on the light emission surface of the light emitting device.
  • the material used for the light-shielding film often has a high visible light reflectance. For this reason, when a part of light from a certain light emitting region travels obliquely toward the light shielding film, the light is reflected by the light shielding film.
  • the reflected light is reflected by the light emitting region adjacent to the light emitting region that is emitting light and is emitted to the outside.
  • the adjacent light emitting region is a light emitting region that does not emit light originally, when such reflection occurs, the light emitting region that does not emit light originally appears to emit light. In this case, the visibility of the light emission from each light emission area
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to improve visibility in a light emitting device that displays a predetermined pattern.
  • the invention according to claim 1 is a substrate; A plurality of light emitting regions provided on the first surface side of the substrate; A light shielding layer provided on the second surface side of the substrate and positioned between the light emitting regions when viewed from a direction perpendicular to the substrate; A light absorption layer provided on a surface of the light shielding layer facing the substrate; It is a light-emitting device provided with.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. It is a figure which shows the modification of FIG. It is sectional drawing for demonstrating the formation method of a light shielding layer. It is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device which concerns on a comparative example. It is sectional drawing for demonstrating the function of the light absorption layer in the light-emitting device which concerns on embodiment. It is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device which concerns on an Example. It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device in an Example. It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device in an Example. It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device in an Example. It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the light-emitting device in an Example.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device 10 according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of light emitting regions 101, and a light shielding layer 200.
  • the plurality of light emitting regions 101 are provided on the first surface (for example, the lower surface in FIG. 2) side of the substrate 100.
  • the light shielding layer 200 is provided on the second surface side of the substrate 100 (for example, the upper surface in FIG. 2). As shown in FIG. 2, the light shielding layer 200 is located between the plurality of light emitting regions 101 when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100.
  • the light shielding layer 200 is formed of a plurality of layers, and the layer on the substrate 100 side has a lower reflectance than the layer above it. Specifically, a light absorption layer 204 is provided on the surface of the light shielding layer 200 facing the substrate 100. A preferred example of the light absorbing layer 204 is to absorb light and does not include a transparent layer.
  • the light emitting device 10 is used for displaying characters, symbols, and the like in an optical device, for example. Details will be described below.
  • the substrate 100 is made of a material that is transparent to the light emitted from the light emitting region 101.
  • the substrate 100 may be a glass substrate or a resin substrate. When the substrate 100 is thin to some extent, the substrate 100 has flexibility.
  • the light emitting region 101 for example, light emitting elements independent of each other are formed.
  • This light emitting element is, for example, an organic EL element, but may be another self-light emitting element such as an LED.
  • the light emitting region 101 has different planar shapes (for example, letters, numbers, and / or symbols).
  • the light shielding layer 200 is a laminate of a plurality of layers as described above.
  • the plurality of layers include a light reflecting layer 202 and a light absorbing layer 204.
  • the light shielding layer 200 has a configuration in which a light absorption layer 204 and a light reflection layer 202 are laminated in this order on the second surface side of the substrate 100.
  • the light reflecting layer 202 has a function of blocking visible light (for example, light emitted from the light emitting region 101).
  • the light reflecting layer 202 is made of, for example, a metal such as Cr, and the thickness thereof is, for example, not less than 50 ⁇ m and not more than 200 ⁇ m.
  • the light absorption layer 204 is formed of a material whose reflectance of light emitted from the light emitting region 101 is lower than that of the light reflection layer 202.
  • the light absorption layer 204 is formed of an oxide (for example, chromium oxide) of the metal.
  • the light absorption layer 204 is formed thinner than the light reflection layer 202.
  • the thickness of the light absorption layer 204 is, for example, equal to or less than the thickness of the light reflection layer 202. However, the thickness of the light absorption layer 204 may be equal to or greater than the thickness of the light reflection layer 202.
  • the light shielding layer 200 is located between the light emitting regions 101 when viewed from the direction perpendicular to the substrate 100.
  • the light shielding layer 200 has a plurality of openings 210.
  • the plurality of openings 210 overlap with different light emitting regions 101 and have the same shape as the overlapping light emitting regions 101. For this reason, by providing the light shielding layer 200, the edge of the pattern indicated by the light emission of the light emitting region 101 becomes sharp. Thereby, the visibility of the pattern which the light-emitting device 10 shows improves.
  • each of the openings 210 may be slightly smaller than the light emitting region 101.
  • the edge of the opening 210 is located inside the light emitting region 101. In this way, even if a positional shift occurs between the light emitting region 101 and the light shielding layer 200, the edge of the light shielding layer 200 overlaps the light emitting region 101, and thus the visibility of the light emitting device 10 does not deteriorate.
  • the width of the portion where the light shielding layer 200 and the light emitting region 101 overlap is, for example, 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • each of the openings 210 may be slightly larger than the light emitting region 101. In this case, the light from the light emitting device 10 can be recognized even when the light emitting device 10 is viewed from a slight angle.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method of forming the light shielding layer 200.
  • the light emitting region 101 is not shown. However, before the light shielding layer 200 is formed, the entire light emitting region 101 may not be formed, or at least a part of the light emitting region 101 may be formed.
  • a light absorption layer 204 is formed on the substrate 100.
  • the light reflection layer 202 is formed on the light absorption layer 204.
  • the light absorption layer 204 and the light reflection layer 202 are formed using a vapor deposition method such as sputtering, vapor deposition, or CVD. Note that in the case where the light absorption layer 204 is formed using a metal oxide which forms the light reflection layer 202, the light reflection layer 202 and the light absorption layer 204 are preferably formed in the same treatment chamber.
  • film formation is performed while introducing an oxidizing agent (for example, oxygen gas) into the processing chamber, and then the absorption of light is stopped by stopping the introduction of the oxidizing agent while continuing the film formation.
  • an oxidizing agent for example, oxygen gas
  • the layer 204 and the light reflecting layer 202 can be formed continuously.
  • a mask pattern (not shown) is formed on the light reflecting layer 202, and the light reflecting layer 202 and the light absorbing layer 204 are etched using the mask pattern as a mask.
  • the etching performed here is, for example, wet etching, but may be dry etching.
  • the light reflection layer 202 and the light absorption layer 204 have a predetermined pattern.
  • the light absorption layer 204 is a metal oxide film that forms the light reflection layer 202
  • the light reflection layer 202 and the light absorption layer 204 are collectively etched under the same etching conditions (for example, the same etching solution). Can do.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the comparative example, and corresponds to FIG. 2 in the embodiment.
  • the light emitting device 10 has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the embodiment except that the light shielding layer 200 does not include the light absorbing layer 204.
  • a certain light emitting area 101a (the left light emitting area 101 in FIG. 5) emits light and the adjacent light emitting area 101b (the right light emitting area 101 in FIG. 5) does not emit light.
  • light emitted from a light emitting element spreads at a certain angle.
  • part of the light emitted from the light emitting region 101 a is reflected by the light reflecting layer 202, further reflected by the light emitting region 101 b, and then emitted to the outside of the light emitting device 10.
  • the light emitting area 101b is not emitting light, the light emitting area 101b appears to be slightly illuminated. In this case, the visibility of the light emitting device 10 is reduced.
  • the light absorption layer 204 is formed on the surface of the light shielding layer 200 facing the substrate 100.
  • the light absorption layer 204 has a lower light reflectance than the light reflection layer 202. Therefore, as shown in FIG. 6, even if a part of the light emitted from the light emitting region 101a is incident on the light shielding layer 200, the light reflected from the light shielding layer 200 toward the light emitting region 101b is reduced or almost Disappear. Therefore, the visibility of the light emitting device 10 is improved.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this example has the same configuration as the light emitting device 10 shown in the embodiment except for the following points.
  • the light emitting region 101 is formed of an organic EL element. Specifically, the light emitting region 101 includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. Note that another layer may be formed between the layers.
  • the first electrode 110 is formed of a translucent conductive material, for example, an inorganic material such as ITO (Indium Thin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), or a conductive polymer such as a polythiophene derivative.
  • the second electrode 130 is made of a material that reflects light, for example, a metal such as an Al electrode.
  • the organic layer 120 is formed by stacking, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer.
  • the hole transport layer is in contact with the first electrode 110
  • the electron transport layer is in contact with the second electrode 130. In this way, the organic layer 120 is sandwiched between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the material of the organic layer 120 for example, the material of the light emitting layer, the color of light emitted from the light emitting region 101 can be changed to a desired color.
  • a hole injection layer may be formed between the first electrode 110 and the hole transport layer, and an electron injection layer may be formed between the second electrode 130 and the electron transport layer. . Also, not all of the above layers are necessary. For example, when recombination of holes and electrons occurs in the electron transport layer, the light-emitting layer is unnecessary because the electron transport layer also functions as the light-emitting layer.
  • at least one of the first electrode 110, the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the second electrode 130 is formed using a coating method such as an inkjet method. May be. Further, an electron injection layer made of an inorganic material such as LiF may be provided between the organic layer 120 and the second electrode 130.
  • the second electrode 130 is also formed between the adjacent light emitting regions 101 when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100. That is, the first electrode 110 and the organic layer 120 are patterned for each light emitting region 101, but the second electrode 130 is a common electrode among the plurality of first electrodes 110.
  • an insulating layer 102 is formed between adjacent light emitting regions 101.
  • the first electrode 110 and the organic layer 120 are formed between the adjacent insulating layers 102.
  • a part of the organic layer 120 may protrude onto the insulating layer 102.
  • the second electrode 130 is continuously formed on the organic layer 120 and the insulating layer 102.
  • the insulating layer 102 is a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by exposure and development.
  • a positive photosensitive resin is used as the insulating layer 102.
  • the insulating layer 102 may be a resin other than a polyimide resin, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.
  • the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed in this order after the insulating layer 102 is formed.
  • the polarizing layer 300 is formed on the surface of the substrate 100 where the light shielding layer 200 is formed.
  • the deflection layer 300 covers the light shielding layer 200.
  • the polarizing layer 300 is provided in order to prevent external light incident on the light emitting region from being reflected by the second electrode 130 or from being reflected from the upper surface of the light shielding layer 200. That is, the appearance quality of the light emitting device 10 when the light emitting device 10 is not lit can be improved.
  • the thickness of the light shielding layer 200 is preferably 200 nm or less. This is because when the thickness of the light shielding layer 200 is increased, bubbles or the like are involved when the polarizing layer 300 is attached to the substrate 100, and the appearance quality is deteriorated.
  • a coating film 220 is formed on the surface of the light reflection layer 202 of the light shielding layer 200 opposite to the light absorption layer 204.
  • the coating film 220 is formed of, for example, a resin such as a resist or an inorganic material such as silicon oxide.
  • the substrate 100 may be transported with the second surface side facing down. In this case, the coating film 220 is provided so that the light shielding layer 200 is not damaged.
  • FIG. 8 to 10 are diagrams for explaining a method of manufacturing the light emitting device 10 in the present embodiment.
  • the first electrode 110 is formed on the surface of the substrate 100 where the light emitting region 101 is formed.
  • the first electrode 110 is not patterned.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, or a CVD method.
  • the light absorption layer 204 and the light reflection layer 202 are formed on the surface of the substrate 100 opposite to the surface on which the first electrode 110 is formed.
  • a coating film 220 is formed on the light reflecting layer 202.
  • the coating film 220 is formed using, for example, a coating method.
  • the light shielding layer 200 and the coating film 220 are patterned to form openings 210.
  • the first electrode 110 is patterned. This process is performed, for example, by forming a resist pattern on the first electrode 110 and etching the first electrode 110 using the resist pattern as a mask. At this time, since the transport surface is the light shielding layer 200, the light shielding layer 200 is easily damaged. In contrast, in this embodiment, a coating film 220 is provided on the surface of the light shielding layer 200 opposite to the substrate 100. For this reason, it can suppress that the light shielding layer 200 is damaged.
  • an insulating layer 102 is formed, and the insulating layer 102 is patterned.
  • the insulating layer 102 is formed of a photosensitive material, the insulating layer 102 is patterned by exposure and development.
  • an organic layer 120 is formed.
  • Each layer constituting the organic layer 120 may be formed using a vapor deposition method, or may be formed using a coating method such as spray coating, dispenser coating, ink jetting, or printing. Further, at least one of the plurality of layers constituting the organic layer 120 may be formed by a method different from the other layers.
  • the second electrode 130 is formed on the organic layer 120.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, or a CVD method. Thereafter, the polarizing layer 300 is formed.
  • the second electrode 130 is also formed in a region located between the light emitting regions 101 when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100. For this reason, when the light reflection layer 202 reflects the light from the organic layer 120, the probability that this reflected light will be reflected by the 2nd electrode 130 will become high. In this case, the visibility of the light emitting device 10 is particularly likely to decrease.
  • a light absorbing layer 204 is formed on the surface of the light reflecting layer 202 facing the substrate 100. Therefore, even if the second electrode 130 is formed between the adjacent light emitting regions 101, it is possible to suppress the visibility of the light emitting device 10 from being lowered.

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Abstract

　発光装置（１０）は、基板（１００）、複数の発光領域（１０１）、及び遮光層（２００）を備えている。複数の発光領域（１０１）は、基板（１００）の第１面（例えば図２の下側の面）側に設けられている。遮光層（２００）は、基板（１００）の第２面側（例えば図２の上側の面）に設けられている。そして図２に示すように、遮光層（２００）は、基板（１００）に垂直な方向から見た場合において、複数の発光領域（１０１）の間に位置している。そして遮光層（２００）のうち基板（１００）に面する面には、光吸収層（２０４）が設けられている。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　所定のパターンを表示する発光装置に求められる特性の一つに、視認性、例えばパターンのエッジがはっきりしていたり、表示されているパターンのみ認識できるようにすることがある。特許文献１には、視認性を向上させるために、発光装置の光射出面に遮光膜を設けることが記載されている。詳細には、特許文献１は、液晶パネルに関する技術である。そして、液晶パネルの光射出面側の面には、遮光層が設けられている。この遮光層には、画素を形成するための開口が複数設けられている。
　また、特許文献２には、有機ＥＬ素子を用いた光学装置において、遮光マスクを設けることが記載されている。詳細には、この光学装置は、透明基板上に有機ＥＬ素子を形成し、さらに透明基板のうち有機ＥＬ素子が形成されている面を、封止部材で封止したものである。遮光マスクは、封止部材のうち有機ＥＬ素子と重なる領域に形成されている。
特開２００５－１２２１０１号公報 特開２００８－１２９０４２号公報
　本発明者は、複数の発光領域を有する発光装置において、各発光領域からの発光の視認性を向上させることを検討した。このような発光装置の視認性を向上させる方法の一つに、発光装置の光射出面のうち複数の発光領域の間に位置する領域に、遮光膜を設ける方法がある。しかし、遮光膜として用いられる材料は、一般的に、可視光の反射率が高い場合が多い。このため、ある発光領域からの光の一部が遮光膜に向かって斜めに進行した場合、その光は、遮光膜で反射する。この場合、この反射光の少なくとも一部は、発光中の発光領域の隣の発光領域で反射して、外部に射出する。この隣の発光領域が本来発光していない発光領域である場合、このような反射が生じると、本来発光していない発光領域も発光しているように見える。この場合、各発光領域からの発光の視認性が低下してしまう。
　本発明が解決しようとする課題としては、所定のパターンを表示する発光装置において、視認性を向上させることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、基板と、
　前記基板の第１面側に設けられた複数の発光領域と、
　前記基板の第２面側に設けられ、前記基板に垂直な方向から見た場合において前記複数の発光領域の間に位置する遮光層と、
　前記遮光層のうち前記基板に面する面に設けられた光吸収層と、
を備える発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の平面図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 図２の変形例を示す図である。 遮光層の形成方法を説明するための断面図である。 比較例に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施形態に係る発光装置における光吸収層の機能を説明するための断面図である。 実施例に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例における発光装置の製造方法を説明するための図である。 実施例における発光装置の製造方法を説明するための図である。 実施例における発光装置の製造方法を説明するための図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１のＡ－Ａ断面図である。発光装置１０は、基板１００、複数の発光領域１０１、及び遮光層２００を備えている。複数の発光領域１０１は、基板１００の第１面（例えば図２の下側の面）側に設けられている。遮光層２００は、基板１００の第２面側（例えば図２の上側の面）に設けられている。そして図２に示すように、遮光層２００は、基板１００に垂直な方向から見た場合において、複数の発光領域１０１の間に位置している。遮光層２００は、複数の層で形成され、基板１００側の層は、その上の層よりも反射率が低い。詳細には、遮光層２００のうち基板１００に面する面には、光吸収層２０４が設けられている。この光吸収層２０４の好ましい例として、光を吸収することであり、透明な層は含まない。発光装置１０は、例えば光学装置において文字や記号等を表示するために用いられる。以下、詳細に説明する。
　基板１００は、発光領域１０１が発光する光に対して透光性を有している材料によって形成されている。基板１００は、ガラス基板であってもよいし、樹脂基板であってもよい。また、基板１００がある程度薄い場合、基板１００は可撓性を有している。
　発光領域１０１には、例えばそれぞれが互いに独立した発光素子が形成されている。この発光素子は、例えば有機ＥＬ素子であるが、ＬＥＤなどの他の自発光素子であってもよい。発光領域１０１は、例えば図１に示すように、互いに異なる平面形状（例えば文字、数字、及び／又は記号）を有している。
　遮光層２００は、上記したように複数の層を積層したものである。これら複数の層には、光反射層２０２及び光吸収層２０４が含まれる。図２に示す例において、遮光層２００は、基板１００の第２面側に、光吸収層２０４及び光反射層２０２をこの順に積層させた構成を有している。光反射層２０２は、可視光（例えば発光領域１０１が発光する光）を遮光する機能を有している。光反射層２０２は、例えばＣｒなどの金属によって形成されており、その厚さは、例えば５０μｍ以上２００μｍ以下である。光吸収層２０４は、発光領域１０１が発光する光の反射率が光反射層２０２よりも低い材料によって形成されている。光反射層２０２が金属によって形成されている場合、光吸収層２０４は、この金属の酸化物（例えば酸化クロム）によって形成されている。なお、光吸収層２０４は、光反射層２０２よりも薄く形成されている。光吸収層２０４の厚さは、例えば光反射層２０２の厚さ以下である。ただし光吸収層２０４の厚さは、光反射層２０２の厚さ以上であってもよい。
　上記したように、遮光層２００は、基板１００に垂直な方向から見た場合において複数の発光領域１０１の間に位置している。詳細には、遮光層２００は複数の開口２１０を有している。複数の開口２１０は、基板１００に垂直な方向から見た場合において、互いに異なる発光領域１０１と重なっており、かつ重なっている発光領域１０１と同様の形状を有している。このため、遮光層２００を設けることにより、発光領域１０１の発光によって示されるパターンのエッジはシャープになる。これによって発光装置１０が示すパターンの視認性は向上する。
　なお、基板１００に垂直な方向から見た場合において、開口２１０のそれぞれは、発光領域１０１よりも少し小さくても良い。この場合、開口２１０の縁は、発光領域１０１の内側に位置する。このようにすると、発光領域１０１と遮光層２００の間に位置ずれが生じていても、遮光層２００の縁は発光領域１０１に重なっているため、発光装置１０の視認性は低下しない。なお、遮光層２００と発光領域１０１の重なっている部分の幅は、例えば５μｍ以上４０μｍ以下である。
　逆に、図３に示すように、開口２１０のそれぞれは、発光領域１０１よりも少し大きくしても良い。この場合、発光装置１０を少し斜めから見ても、発光装置１０からの光を認識できるようになる。
　図４は、遮光層２００の形成方法を説明するための断面図である。なお、本図において、発光領域１０１は図示されていない。ただし、遮光層２００を形成する前に、発光領域１０１のすべてが形成されていなくてもよいし、発光領域１０１の少なくとも一部の層が形成されていても良い。
　まず、図４（ａ）に示すように、基板１００の上に光吸収層２０４を形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、光吸収層２０４の上に光反射層２０２を形成する。光吸収層２０４及び光反射層２０２は、例えばスパッタリング法、蒸着法、又はＣＶＤ法などの気相成膜法を用いて形成される。なお、光吸収層２０４が光反射層２０２を形成する金属の酸化物で形成されている場合、光反射層２０２と光吸収層２０４は同一の処理室で形成されるのが好ましい。この場合、まず、処理室の中に酸化剤（例えば酸素ガス）を処理室の中に導入しながら成膜を行い、その後、成膜を継続しながら酸化剤の導入を止めることにより、光吸収層２０４と光反射層２０２を連続して形成することができる。
　その後、光反射層２０２の上にマスクパターン（図示せず）を形成し、このマスクパターンをマスクとして光反射層２０２及び光吸収層２０４をエッチングする。ここで行われるエッチングは、例えばウェットエッチングであるが、ドライエッチングであっても良い。これにより、光反射層２０２及び光吸収層２０４は、所定のパターンになる。なお、光吸収層２０４が光反射層２０２を形成する金属の酸化膜である場合、光反射層２０２及び光吸収層２０４を同一のエッチング条件（例えば同一のエッチング液）で一括してエッチングすることができる。
　図５は、比較例に係る発光装置１０の構成を示す図であり、実施形態における図２に対応している。この発光装置１０は、遮光層２００が光吸収層２０４を有していない点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。ある発光領域１０１ａ（図５における左側の発光領域１０１）が発光していて、その隣の発光領域１０１ｂ（図５における右側の発光領域１０１）が発光していない場合を考える。一般的に、発光素子が発光した光は、ある程度の角度を持って広がる。このため、発光領域１０１ａから発光した光の一部は、光反射層２０２で反射し、さらに発光領域１０１ｂで反射されてから、発光装置１０の外部に放射される。この場合、発光領域１０１ｂは発光していないにもかかわらず、発光領域１０１ｂが少し光っているように見えてしまう。この場合、発光装置１０の視認性は低下してしまう。
　これに対して本実施形態では、遮光層２００のうち基板１００に対向している面には、光吸収層２０４が形成されている。光吸収層２０４は、光反射層２０２よりも光の反射率が低い。従って、図６に示すように、発光領域１０１ａから発行した光の一部が遮光層２００に入射しても、遮光層２００から発光領域１０１ｂに向けて反射する光は少なくなるか、又は、ほぼ無くなる。従って、発光装置１０の視認性は向上する。
　図７は、実施例に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に示した発光装置１０と同様の構成である。
　まず、発光領域１０１は、有機ＥＬ素子によって形成されている。詳細には、発光領域１０１は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。なお、各層の間には、他の層が形成されていても良い。
　第１電極１１０は、透光性の導電性材料、例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子によって形成されている。そして、第２電極１３０は、光を反射する材料、例えばＡｌ電極などの金属によって形成されている。
　有機層１２０は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を積層したものである。正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、電子輸送層は第２電極１３０に接している。このようにして、有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間で挟持されている。そして有機層１２０の材料、例えば発光層の材料を選択することにより、発光領域１０１が発光する光の色を所望の色にすることができる。
　なお、第１電極１１０と正孔輸送層との間には正孔注入層が形成されても良いし、第２電極１３０と電子輸送層との間には電子注入層が形成されてもよい。また、上記した各層の全てが必要ということではない。例えば電子輸送層内でホールと電子の再結合が生じている場合、電子輸送層が発光層の機能を兼ねているため、発光層は不要となる。また、これら第１電極１１０、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び第２電極１３０のうち、少なくとも１つは、インクジェット法などの塗布法を用いて形成されていても良い。また、有機層１２０と第２電極１３０との間には、ＬｉＦなどの無機材料で構成される電子注入層を設けても構わない。
　そして、基板１００に垂直な方向から見た場合において、第２電極１３０は、隣り合う発光領域１０１の間にも形成されている。すなわち第１電極１１０及び有機層１２０は、発光領域１０１別にパターニングされているが、第２電極１３０は、複数の第１電極１１０の間で共通する電極となっている。
　なお、隣り合う発光領域１０１の間には、絶縁層１０２が形成されている。詳細には、隣り合う絶縁層１０２の間には、第１電極１１０及び有機層１２０が形成されている。有機層１２０の一部は絶縁層１０２の上に食み出していてもよい。そして第２電極１３０は、有機層１２０の上及び絶縁層１０２の上に連続的に形成されている。絶縁層１０２は、ポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１０２としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１０２はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。
　そして、有機層１２０及び第２電極１３０は、絶縁層１０２が形成された後に、この順に形成されている。
　そして、基板１００のうち遮光層２００が形成されている面の上には、偏光層３００が形成されている。偏向層３００は、遮光層２００を覆っている。偏光層３００は、発光領域に入射した外光が、第２電極１３０によって反射することを防いだり、遮光層２００の上面で反射することを防ぐために設けられている。すなわち発光装置１０が非点灯のときの発光装置１０の外観品質を向上させることができる。偏光層３００を遮光層２００上に形成するときに、遮光層２００の膜厚を２００ｎｍ以下とすることが良い。遮光層２００の膜厚が大きくなると、偏光層３００を基板１００に貼り付ける際に、気泡等を巻き込んでしまい、外観品質が低下してしまうためである。
　また、遮光層２００の光反射層２０２のうち光吸収層２０４とは逆側の面には、被覆膜２２０が形成されている。被覆膜２２０は、たとえばレジストなどの樹脂、又は酸化シリコンなどの無機材料によって形成されている。後述する発光装置１０の製造工程において、基板１００の第２面に遮光層２００が形成された後、第２面側を下に向けて基板１００を搬送することがある。この場合において、被覆膜２２０は、遮光層２００に傷がつかないようにするために設けられている。
　図８～図１０は、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明するための図である。まず、図８（ａ）に示すように、基板１００のうち発光領域１０１が形成される面に、第１電極１１０を形成する。この段階では、第１電極１１０はパターニングされていない。なお、第１電極１１０は、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はＣＶＤ法を用いて形成される。
　次いで、図８（ｂ）に示すように、基板１００のうち第１電極１１０が形成されている面とは逆側の面に、光吸収層２０４及び光反射層２０２を形成する。次いで、光反射層２０２上に被覆膜２２０を形成する。被覆膜２２０は、例えば塗布法を用いて形成される。
　次いで、図９（ａ）に示すように、遮光層２００及び被覆膜２２０をパターニングし、開口２１０を形成する。
　次いで、図９（ｂ）に示すように、第１電極１１０をパターニングする。この処理は、例えば第１電極１１０の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして第１電極１１０をエッチングすることにより、行われる。また、このとき搬送面が遮光層２００となるために、遮光層２００は傷つきやすくなる。これに対して本実施例では、遮光層２００のうち基板１００とは逆側の面には被覆膜２２０が設けられている。このため、遮光層２００に傷がつくことを抑制できる。
　次いで、図１０（ａ）に示すように、絶縁層１０２を形成し、絶縁層１０２をパターニングする。絶縁層１０２が感光性材料によって形成されている場合、絶縁層１０２は、露光及び現像によってパターニングされる。
　次いで、図１０（ｂ）に示すように、有機層１２０を形成する。有機層１２０を構成する各層は、蒸着法を用いて形成されていても良いし、スプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されていてもよい。また、有機層１２０を構成する複数の層の少なくとも一つは、他の層とは異なる方法によって形成されていても良い。
　次いで、有機層１２０の上に第２電極１３０を形成する。第２電極１３０は、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はＣＶＤ法を用いて形成される。その後、偏光層３００を形成する。
　本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の視認性が低下することを抑制できる。
　また本実施例では、基板１００に垂直な方向から見た場合において、発光領域１０１の間に位置する領域にも第２電極１３０が形成されている。このため、光反射層２０２が有機層１２０からの光を反射した場合、この反射光は第２電極１３０によって反射される確率は高くなる。この場合、発光装置１０の視認性は特に低下しやすくなる。これに対して本実施例では、光反射層２０２のうち基板１００に面する面には光吸収層２０４が形成されている。従って、第２電極１３０が隣り合う発光領域１０１の間に形成されていても、発光装置１０の視認性が低下することを抑制できる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (6)

  1. 　基板と、
    　前記基板の第１面側に設けられた複数の発光領域と、
    　前記基板の第２面側に設けられ、前記基板に垂直な方向から見た場合において前記複数の発光領域の間に位置する遮光層と、
    　前記遮光層は、複数の層で形成され、前記基板側の層は、その上の層よりも反射率が低い発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記遮光層を被覆膜で覆う請求項１に記載の発光装置。
  3. 　請求項２に記載の発光装置において、
    　前記上の層は金属により形成されており、
    　前記基板側の層は、前記金属の酸化物によって形成されている発光装置。
  4. 　請求項３に記載の発光装置において、
    　前記複数の発光領域は、それぞれ、
    　　第１電極と、
    　　前記第１電極を介して前記基板とは逆側に設けられた第２電極と、
    　　前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層と、
    を備える発光装置。
  5. 　請求項４に記載の発光装置において、
    　前記基板に垂直な方向から見た場合において、前記第２電極は、前記複数の発光領域の間に位置する領域にも形成されている発光装置。
  6. 　請求項１～５に記載の発光装置において、
    　前記遮光層の膜厚は２００ｎｍ以下である発光装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022506057A (ja) * 2018-11-07 2022-01-17 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光素子

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015063893A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 パイオニア株式会社 発光装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299091A (ja) * 1987-05-18 1988-12-06 ルミネッセント・エレクトロニクス・インコ−ポレ−テッド 電気発光パネルとその製造方法
JPH0821749A (ja) * 1994-07-07 1996-01-23 Nippondenso Co Ltd 表示盤およびその製造方法
JPH11231813A (ja) * 1998-02-19 1999-08-27 Yazaki Corp 表示装置
JP2004317837A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Vantech Corporation:Kk 表示装置
JP2007322780A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Toyota Industries Corp 表示装置
WO2010001552A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 信越ポリマー株式会社 表示用部材およびそれを用いた押釦スイッチ用部材

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996034514A1 (fr) * 1995-04-25 1996-10-31 Citizen Watch Co., Ltd. Dispositif d'electroluminescence organique
JP2008112944A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Sony Corp 固体撮像素子
KR20140060058A (ko) * 2012-11-09 2014-05-19 삼성디스플레이 주식회사 편광판, 편광판의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299091A (ja) * 1987-05-18 1988-12-06 ルミネッセント・エレクトロニクス・インコ−ポレ−テッド 電気発光パネルとその製造方法
JPH0821749A (ja) * 1994-07-07 1996-01-23 Nippondenso Co Ltd 表示盤およびその製造方法
JPH11231813A (ja) * 1998-02-19 1999-08-27 Yazaki Corp 表示装置
JP2004317837A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Vantech Corporation:Kk 表示装置
JP2007322780A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Toyota Industries Corp 表示装置
WO2010001552A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 信越ポリマー株式会社 表示用部材およびそれを用いた押釦スイッチ用部材

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022506057A (ja) * 2018-11-07 2022-01-17 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 発光素子

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