WO2015024276A1 - 基于紫外线的清洗方法及清洗装置 - Google Patents

基于紫外线的清洗方法及清洗装置 Download PDF

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WO2015024276A1
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cleaned
ultraviolet
tetramethylammonium hydroxide
cleaning
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姚江波
李春良
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深圳市华星光电技术有限公司
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Definitions

  • the present invention relates to the field of display device production, and more particularly to an ultraviolet-based cleaning method and a cleaning device. Background technique
  • the flat display device has many advantages such as thin body, power saving, no radiation, and has been widely used.
  • the conventional flat display device mainly includes a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting display (OLED).
  • a conventional liquid crystal display panel generally includes: a thin film transistor (TFT) substrate 302 and a thin film transistor substrate 302 disposed opposite to each other, a color filter (CF) substrate 304 and The liquid crystal layer 306 between the thin film transistor substrate 302 and the color filter substrate 304 drives the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 306 to rotate to display a corresponding picture.
  • TFT thin film transistor
  • CF color filter
  • the existing organic light emitting display devices are classified according to driving methods, including: Passive-matrix organic light emitting diode (PMOLED) and active, giant array organic light emitting display device (Active-matrix organic light)
  • PMOLED Passive-matrix organic light emitting diode
  • Active-matrix organic light The active matrix organic light emitting display device generally includes a substrate 502, a thin film transistor 504 formed on the substrate 502, and an organic light emitting diode 506 formed on the thin film transistor 504.
  • the thin film transistor 504 drives the organic light emitting diode 506 to emit light, thereby displaying a corresponding picture.
  • wet cleaning technology is divided into chemical cleaning and physical cleaning. Traditional chemical cleaning can no longer meet the requirements.
  • the disadvantage of wet cleaning technology is that a large amount of pure water and toxic chemical solvents are needed in the cleaning process, which is easy to cause workers and environmental pollution.
  • UV surface cleaning technology is a non-contact, high-clean dry surface treatment technology. Its characteristics are: After cleaning, the cleanliness can reach the atomic level. It completely removes all kinds of organic substances adhered to the glass surface by the action of light and gas. Since it does not directly contact the surface, it will not cause damage to the surface of the substrate, and will not Pollution to the environment.
  • UV light source emits light at wavelengths of 185 nm and 254 nm Wave, with high energy, when these photons act on the surface of the object to be cleaned, most hydrocarbons have a strong absorption capacity for ultraviolet light of 185 nm wavelength, and decompose after absorbing energy of ultraviolet light of 185 nm wavelength. Ions, free atoms, excited molecules and neutrons, which is called photo-sensitization. Oxygen molecules in the air also produce ozone and atomic oxygen after absorbing ultraviolet light at a wavelength of 185 nm. Ozone also has a strong absorption of ultraviolet light at a wavelength of 254 nm, which is decomposed into atomic oxygen and oxygen.
  • atomic oxygen is extremely active. Under its action, carbon and hydrocarbon decomposition products on the surface of the object can be converted into volatile gases: carbon dioxide and water vapor escape the surface, thus completely removing the adhesion to the surface of the object. Carbon and organic pollutants.
  • EUV Equivalent Ultraviolet
  • An object of the present invention is to provide a method for cleaning based on ultraviolet rays, which has high cleaning degree and can effectively prevent damage to a circuit caused by ultraviolet cleaning and improve product yield.
  • Another object of the present invention is to provide an ultraviolet-based cleaning apparatus which is simple in structure, convenient in operation, high in cleaning degree, and can effectively improve product yield.
  • the present invention provides an ultraviolet-based cleaning method comprising the following steps:
  • Step 1 Perform ultraviolet irradiation on the substrate to be cleaned, and control the output energy of the ultraviolet light to control the photon energy absorbed by the TFT component pattern on the substrate to be cleaned during the irradiation time is less than the electron excitation required for the pattern breakdown of the TFT component. Electricity
  • Step 2 cleaning the substrate to be cleaned with an alkaline solution
  • Step 3 cleaning the substrate to be cleaned by using water and gas two fluids
  • Step 4 cleaning the substrate to be cleaned with deionized water
  • Step 5 performing air knife drying on the substrate to be cleaned
  • Step 6 Dewatering the substrate to be cleaned to complete the cleaning.
  • the ultraviolet light has a wavelength of 172 nm, and the ultraviolet light has an output energy of less than or equal to 130 mj/cm 2 .
  • the alkaline solution is a tetramethylammonium hydroxide solution.
  • the mass concentration of tetramethylammonium hydroxide in the tetramethylammonium hydroxide solution is 0.4%- 2.38%.
  • the invention also provides a UV-based cleaning method comprising the following steps:
  • Step 1 Perform ultraviolet irradiation on the substrate to be cleaned, and control the output energy of the ultraviolet light to control the photon energy absorbed by the TFT component pattern on the substrate to be cleaned during the irradiation time is less than the electron excitation required for the pattern breakdown of the TFT component. Electricity
  • Step 2 cleaning the substrate to be cleaned with an alkaline solution
  • Step 3 cleaning the substrate to be cleaned by using water and gas two fluids
  • Step 4 cleaning the substrate to be cleaned with deionized water
  • Step 5 performing air knife drying on the substrate to be cleaned
  • Step 6 Dewatering the substrate to be cleaned to complete the cleaning
  • the wavelength of the ultraviolet light is 172 nm, and the output energy of the ultraviolet light is less than or equal to 130 mj/cm 2 .
  • the alkaline solution is a tetramethylammonium hydroxide solution.
  • the mass concentration of tetramethylammonium hydroxide in the tetramethylammonium hydroxide solution is from 0.4% to 2.38%.
  • the invention also provides an ultraviolet-based cleaning device, comprising:
  • a conveying device for carrying and conveying the substrate to be cleaned
  • An ultraviolet emitting device located above the conveying device, for emitting ultraviolet light having a wavelength of 172 nm to the substrate to be cleaned, wherein the output energy of the ultraviolet light having a wavelength of 172 nm is less than or equal to 130 mj/cm 2 ;
  • a first spraying device located above the conveying device and located on one side of the ultraviolet emitting device, for spraying an alkaline solution onto the substrate to be cleaned;
  • a spraying device located above the conveying device, and located on a side of the first spraying device away from the ultraviolet emitting device, for spraying the water and gas two fluids to the substrate to be cleaned;
  • a second spraying device located above the conveying device, and located on a side of the spraying device away from the first spraying device, for spraying deionized water to the substrate to be cleaned;
  • blowing device located above the conveying device, and located on a side of the second spraying device away from the spraying device for blowing the substrate to be cleaned;
  • the drying device is located above the conveying device and on the side of the blowing device away from the second spraying device for drying the substrate to be cleaned.
  • the ultraviolet emitting device is an ultraviolet lamp.
  • the alkaline solution is a tetramethylammonium hydroxide solution.
  • the mass concentration of tetramethylammonium hydroxide in the tetramethylammonium hydroxide solution is from 0.4% to 2.38%.
  • the blowing device is a wind knife.
  • the drying device is a hot plate.
  • the ultraviolet-based cleaning method and cleaning device of the present invention protects the thin film transistor circuit by controlling the input energy of the ultraviolet light so that the potential difference formed by the metal electrons generated per unit time is smaller than the breakdown voltage.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a conventional liquid crystal display panel
  • FIG. 2 is a schematic structural view of a conventional active matrix organic light emitting display device
  • Figure 3 is a flow chart of the ultraviolet-based cleaning method of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic view showing the working flow of the ultraviolet-based cleaning device of the present invention. detailed description
  • the present invention provides an ultraviolet-based cleaning method, which includes the following steps:
  • Step 1 Perform ultraviolet irradiation on the substrate to be cleaned, and control the output energy of the ultraviolet light to control the photon energy absorbed by the TFT component pattern on the substrate to be cleaned during the irradiation time is less than the electron excitation required for the pattern breakdown of the TFT component. Electricity.
  • the ultraviolet light has a wavelength of 172 nm, and the ultraviolet light has an output value of 130 mj/cm 2 .
  • the invention uses 172 nm ultraviolet light to irradiate the substrate, decomposes the organic pollutants on the substrate, analyzes the principle of electron generation in the ultraviolet cleaning process, and finds that the existing 172 nm ultraviolet light has a short wavelength and high energy, which is easy to cause metal electron excitation.
  • a potential difference that is, a voltage is generated between the TFT circuit patterns, and the TFT circuit pattern is damaged if the generated voltage exceeds the tolerance between the TFT component patterns.
  • light energy illuminance * time
  • illuminance power * light effect / illumination area
  • the power control lamp illuminance controls the unit time to excite the power, so as to avoid causing damage between the circuit patterns.
  • the output energy of the ultraviolet ray is controlled to be less than 130 mj/cm 2 to avoid causing damage between circuit patterns.
  • Step 2 The substrate to be cleaned is cleaned with an alkaline solution.
  • the organic matter on the substrate is decomposed by ultraviolet light at 172 nm to form weakly acidic compounds and gases.
  • ultraviolet light irradiation After ultraviolet light irradiation, the process of cleaning with a weak alkaline solution is added, and the organic substances decomposed by high-energy ultraviolet light irradiation, such as a small amount of carbonic acid and nitric acid. , sulfuric acid substances are washed.
  • the alkaline solution is a tetramethylammonium hydroxide solution.
  • the mass concentration of tetramethylammonium hydroxide in the tetramethylammonium hydroxide solution is from 0.4% to 2.38%.
  • Step 3 Clean the substrate to be cleaned with water and gas two fluids.
  • the principle is: atomizing the liquid by the high-speed flow of the compressed air, and when the water droplet of the cleaning liquid impacts the surface of the substrate to be cleaned, a shock wave centering on the contact point of the water droplet and the substrate to be cleaned is generated inside the water drop. And expanding the wave, and further forming a jet of water that can rinse the surface of the substrate to be cleaned.
  • the ultrafine particles are peeled off from the surface of the substrate to be cleaned by the pressure change in the water droplets. If the water droplets cannot be directly washed into the ultrafine particles, the ultrafine particles can be washed away by the jetting water flow. Further, cleaning of the substrate to be cleaned is achieved.
  • Step 4 Clean the substrate to be cleaned with deionized water.
  • Step 5 Perform air knife drying on the substrate to be cleaned.
  • Step 6 Dewatering the substrate to be cleaned to complete the cleaning.
  • the liquid remaining on the substrate which is not dried by the air knife is generally evaporated by heating and baking to achieve drying of the substrate.
  • the present invention also provides an ultraviolet-based cleaning apparatus, comprising: a conveying device 10 for carrying and conveying a substrate 20 to be cleaned.
  • the ultraviolet light emitting device 30 is an ultraviolet light lamp, which is located above the transport device 10 and is used to emit a wavelength to the substrate 20 to be cleaned. 172nm ultraviolet light, control the illuminance of the UV lamp to control the illuminance of the lamp to control the electric energy per unit time, so as to avoid causing damage between the circuit patterns. Generally, the output energy of the ultraviolet light is controlled below 130mj/cm 2 to avoid causing damage between circuit patterns. .
  • the first spraying device 40 located above the conveying device 10, is located on one side of the ultraviolet emitting device 30 for spraying an alkaline solution onto the substrate 20 to be cleaned.
  • the organic matter on the substrate is decomposed by ultraviolet light at 172 nm to form weakly acidic compounds and gases.
  • ultraviolet light irradiation After ultraviolet light irradiation, the process of cleaning with a weak alkaline solution is added, and the organic substances decomposed by high-energy ultraviolet light irradiation, such as a small amount of carbonic acid and nitric acid. , sulfuric acid substances are washed.
  • the alkaline solution is a tetramethylammonium hydroxide solution.
  • the mass concentration of tetramethylammonium hydroxide in the tetramethylammonium hydroxide solution is from 0.4% to 2.38%.
  • the spraying device 50 is located above the conveying device 10 and is located on a side of the first spraying device 40 away from the ultraviolet emitting device 30 for spraying the water and gas two fluids to the substrate 20 to be cleaned.
  • the second spraying device 60 is located above the conveying device 10 and on the side of the spraying device 50 away from the first spraying device 40 for spraying deionized water onto the substrate 20 to be cleaned.
  • the blowing device 70 is in the embodiment, the air blowing device 70 is an air knife, which is located above the conveying device 10, and is located on a side of the second spraying device 60 away from the spraying device 50, and is used for the substrate 20 to be cleaned. Hair dryer.
  • the drying device 80 is a hot plate located above the conveying device 10 and located on the side of the blowing device 70 away from the second spraying device 60 for cleaning the substrate 20 Drying.
  • the ultraviolet-based cleaning method and the cleaning device of the present invention protect the thin film transistor circuit and improve the product by controlling the input energy of the ultraviolet light so that the potential difference formed by the metal electrons generated per unit time is smaller than the breakdown voltage. Yield; and the substrate after irradiation is cleaned by a weakly alkaline solution, which can fully decompose organic matter and effectively improve the degree of cleanliness.

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Abstract

一种基于紫外线的清洗方法及清洗装置，所述方法包括：步骤1、对待清洗基板进行紫外线照射，并控制该紫外线的输出能量，以控制在照射时间内待清洗基板上的TFT元器件图形吸收到的光子能量小于TFT元器件图形击穿所需要的电子激发电量；步骤2、采用碱性溶液对该待清洗基板进行清洗；步骤3、采用水气二流体对该待清洗基板进行清洗；步骤4、采用去离子水对该待清洗基板进行清洗；步骤5、对该待清洗基板进行风刀干燥；步骤6、对该待清洗基板进行去水干燥，完成清洗，提高了产品良率及洗净度。

Description

基于紫外线的清洗方法及清洗装置 技术领域
本发明涉及显示装置生产领域， 尤其涉及一种基于紫外线的清洗方法 及清洗装置。 背景技术
平面显示装置具有机身薄、 省电、 无辐射等众多优点， 得到了广泛的 应用。 现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置 （ Liquid Crystal Display, LCD )及有机发光显示装置 （Organic Light Emitting Display, OLED ) 。
请参阅图 1 , 现有的液晶显示面板一般包括： 薄膜晶体管 （Thin Film Transistor, TFT )基板 302与薄膜晶体管基板 302相对贴合设置的彩色滤 光片 （Color Filter, CF )基板 304及设于薄膜晶体管基板 302与彩色滤光 片基板 304之间的液晶层 306, 所述薄膜晶体管基板 302驱动液晶层 306 内的液晶分子转动， 以显示相应的画面。
现有的有机发光显示装置按驱动方式分类， 包括： 无源矩阵式有机发 光显示装置 ( Passive-matrix organic light emitting diode, PMOLED )与有 源、 巨阵式有机发光显示装置 ( Active-matrix organic light emitting diode, AMOLED ) ， 其中， 请参阅图 2 , 所述有源矩阵式有机发光显示装置一般 包括： 基板 502、 形成于基板 502上的薄膜晶体管 504及形成于薄膜晶体 管 504上的有机发光二极管 506, 所述薄膜晶体管 504驱动有机发光二极 管 506发光， 进而显示相应画面。
在基板的制备过程中， 清洗工艺的工作量占总工作量的 30%-40%, 且 洗净度的要求极高。 目前， 精细洗净技术主要有两种， 一种是干式洗净技 术， 一种是湿式洗净技术。 湿式洗净技术又分为化学洗净和物理洗净。 传 统的化学洗净已经不能满足要求， 湿式洗净技术的不足之处是在清洗过程 中需要用到大量纯水和有毒化学溶剂， 易造成作业人员危害及环境污染。
紫外线表面清洗技术是非接触式高清洁干法表面处理技术。 其特点 是： 清洗后的洁净度能够到达原子级， 它借助光和气的作用把玻璃表面粘 附的各类有机物彻底清除干净， 由于不直接接触表面就不会造成基板表面 的损伤， 同时不会对环境造成污染。
紫外线清洗的基本原理： UV光源发射波长为 185nm和 254nm的光 波， 具有很高的能量， 当这些光子作用到被清洗物体表面时， 由于大多数 碳氢化合物对 185nm波长的紫外光具有较强的吸收能力， 并在吸收 185nm 波长的紫外光的能量后分解成离子、 游离态原子、 受激分子和中子， 这就 是所谓光敏作用。 空气中的氧气分子在吸收了 185nm波长的紫外光后也会 产生臭氧和原子氧。 臭氧对 254nm波长的紫外光同样具有强烈的吸收作 用， 臭氧又分解为原子氧和氧气。 其中原子氧是极活泼的,在它作用下， 物 体表面上的碳和碳氢化合物的分解物可化合成可挥发的气体： 二氧化碳和 水蒸气等逸出表面， 从而彻底清除了黏附在物体表面上的碳和有机污染 物。
现有 OLED及低温多晶石圭 ( Low Temperature Poly-silicon, LTPS )技 术的 TFT制程中等效紫外线（ Equivalent Ultraviolet, EUV )清洗使用波长 为 172nm的紫外光， 在清洗制程过程中紫外线对金属电极照射会造成电子 激发， 在金属图形间产生电势差， 当电势差大于图形间击穿电压， 就会对 电路造成击伤， 产生不可修复的损伤， 影响产品良率。 发明内容
本发明的目的在于提供一种基于紫外线的清洗方法， 洗净度高， 且能 有效避免紫外线清洗时， 对电路造成的击伤， 提高产品良率。
本发明的另一目的在于提供一种基于紫外线的清洗装置， 其结构简 单， 操作方便， 洗净度高， 且能有效提高产品良率。
为实现上述目的， 本发明提供一种基于紫外线的清洗方法， 包括以下 步骤：
步骤 1、 对待清洗基板进行紫外线照射， 并控制该紫外线的输出能 量， 以控制在照射时间内待清洗基板上的 TFT元器件图形吸收到的光子能 量小于 TFT元器件图形击穿所需要的电子激发电量；
步骤 2、 采用碱性溶液对该待清洗基板进行清洗；
步骤 3、 采用水气二流体对该待清洗基板进行清洗；
步骤 4、 采用去离子水对该待清洗基板进行清洗；
步骤 5、 对该待清洗基板进行风刀干燥；
步骤 6、 对该待清洗基板进行去水干燥， 完成清洗。
所述紫外线的波长为 172nm , 所述紫外线的输出能量小于或等于 130mj/cm2。
所述碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液。
所述四甲基氢氧化铵溶液中四甲基氢氧化铵的质量浓度为 0.4%- 2.38%。
本发明还提供一种基于紫外线的清洗方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 对待清洗基板进行紫外线照射， 并控制该紫外线的输出能 量， 以控制在照射时间内待清洗基板上的 TFT元器件图形吸收到的光子能 量小于 TFT元器件图形击穿所需要的电子激发电量；
步骤 2、 采用碱性溶液对该待清洗基板进行清洗；
步骤 3、 采用水气二流体对该待清洗基板进行清洗；
步骤 4、 采用去离子水对该待清洗基板进行清洗；
步骤 5、 对该待清洗基板进行风刀干燥；
步骤 6、 对该待清洗基板进行去水干燥， 完成清洗；
其中， 所述紫外线的波长为 172nm, 所述紫外线的输出能量小于或等 于 130mj/cm2。
所述碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液。
所述四甲基氢氧化铵溶液中四甲基氢氧化铵的质量浓度为 0.4%- 2.38%。
本发明还提供一种基于紫外线的清洗装置， 包括：
传送装置， 用于承载及传送待清洗基板；
紫外线发射装置， 位于传送装置的上方， 用于向待清洗基板发射波长 为 172nm的紫外线， 该波长为 172nm的紫外线的输出能量小于或等于 130mj/cm2;
第一喷洒装置， 位于传送装置的上方， 且位于紫外线发射装置的一 侧， 用于向待清洗基板喷洒碱性溶液；
喷淋装置， 位于传送装置的上方， 且位于第一喷洒装置远离紫外线发 射装置的一侧， 用于向待清洗基板喷淋水气二流体；
第二喷洒装置， 位于传送装置的上方， 且位于喷淋装置远离第一喷洒 装置的一侧， 用于向待清洗基板喷洒去离子水；
吹风装置， 位于传送装置的上方， 且位于第二喷洒装置远离喷淋装置 的一侧， 用于向待清洗基板吹风；
烘干装置， 位于传送装置的上方， 且位于吹风装置远离第二喷洒装置 的一侧， 用于对待清洗基板进行烘干。
所述紫外线发射装置为紫外光灯。
所述碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液。
所述四甲基氢氧化铵溶液中四甲基氢氧化铵的质量浓度为 0.4%- 2.38%。 所述吹风装置为风刀。
所述烘干装置为热板。
本发明的有益效果： 本发明的基于紫外线的清洗方法及清洗装置， 通 过控制紫外线的输入能量， 使得单位时间内产生的金属电子所形成的电势 差小于击穿电压， 保护了薄膜晶体管电路， 提高了产品良率； 并通过弱碱 性溶液对照射后的基板进行清洗， 可充分分解有机物， 有效提高洗净度。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容， 请参阅以下有关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明
下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图 1为现有的液晶显示面板的结构示意图；
图 2为现有的有源矩阵式有机发光显示装置的结构示意图；
图 3为本发明基于紫外线的清洗方法的流程图；
图 4为本发明基于紫外线的清洗装置的工作流程示意图。 具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图 3 , 本发明提供一种基于紫外线的清洗方法， 包括以下步 骤：
步骤 1、 对待清洗基板进行紫外线照射， 并控制该紫外线的输出能 量， 以控制在照射时间内待清洗基板上的 TFT元器件图形吸收到的光子能 量小于 TFT元器件图形击穿所需要的电子激发电量。
所述紫外线的波长为 172nm , 所述紫外线的输出能量预定值为 130mj/cm2。 本发明使用 172nm的紫外线光对基板照射， 分解基板上的有 机物污染物， 分析紫外线清洗过程电子产生的原理发现， 因为现有使用的 172nm的紫外线的波长短、 能量强， 易造成金属电子激发而在 TFT电路图 形间产生电势差， 即电压， 一旦产生的电压超出 TFT元器件图形间的承受 范围就会导致 TFT电路图形击伤。
TFT 电路图形间因电子激发产生电压 U=Q/C、 C=eS/d , 即 U=Qd/sS ( Q是图形间电子激发电量， d是图形距离， S是图形正对面积， ε是金属 界电系数） 。 根据以上电学原理可知， 当紫外光单位时间激发的金属电子 电量在一定距离、 一定面积的电路图形间形成的电压小于电路图形的击穿 电压即可保证不发生击伤。
根据光照度 /能量公式： 光能量 =照度 *时间、 照度 =功率 *光效 /光照面 积， 可知， 通过减少紫外光照度即可减少单位时间吸收的光子能量即激发 电子数量， 故可通过控制紫外灯输入功率控制灯照度来控制单位时间激发 电量， 从而避免引起电路图形间击伤， 一般控制紫外线的输出能量在 130mj/cm2以下可避免引起电路图形间击伤。
步骤 2、 采用碱性溶液对该待清洗基板进行清洗。
基板上的有机物经过 172nm的紫外光照射发生分解形成弱酸性化合物 及气体， 在紫外光照射后增加采用弱碱性溶液清洗的过程， 针对经高能紫 外光照射分解的有机物， 如少量的碳酸、 硝酸、 硫酸性物质进行清洗。
所述碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液。 所述四甲基氢氧化铵溶液中四 甲基氢氧化铵的质量浓度为 0.4%-2.38%。
步骤 3、 采用水气二流体对该待清洗基板进行清洗。
可通过现有技术实现， 其原理为： 利用压缩空气的高速流动使液体雾 化， 清洗液的水滴冲击待清洗基板表面时， 在水滴内部产生以水滴与待清 洗基板的接触点为中心的冲击波和膨胀波， 并进一步形成可冲洗待清洗基 板表面的喷射水流。 当水滴直接冲洗到超微粒颗粒时， 通过水滴内的压力 变化， 使超微粒颗粒从待清洗基板表面上剥离， 若水滴不能直接冲洗到超 微粒颗粒时， 可通过喷射水流将超微粒颗粒冲走， 进而实现对待清洗基板 的清洗。
步骤 4、 采用去离子水对该待清洗基板进行清洗。
可通过现有技术实现， 进一步对基板进行冲洗， 以提高洗净度。
步骤 5、 对该待清洗基板进行风刀干燥。
可通过现有技术实现， 通过吹风使附着在基板上的液体风干。
步骤 6、 对该待清洗基板进行去水干燥， 完成清洗。
可通过现有技术实现， 一般是通过加热烘烤的方式将风刀干燥未除尽 的残留在基板上的液体蒸发掉， 实现基板的干燥。
请参阅图 4, 本发明还提供一种基于紫外线的清洗装置， 包括： 传送装置 10, 用于承载及传送待清洗基板 20。
紫外线发射装置 30, 在本实施例中， 所述紫外线发射装置 30 为紫外 光灯， 其位于传送装置 10 的上方， 用于向待清洗基板 20 发射波长为 172nm的紫外线， 通过控制紫外灯输入功率控制灯照度来控制单位时间激 发电量， 从而避免引起电路图形间击伤， 一般控制紫外光的输出能量在 130mj/cm2以下可避免引起电路图形间击伤。
第一喷洒装置 40, 位于传送装置 10 的上方， 且位于紫外线发射装置 30的一侧， 用于向待清洗基板 20喷洒碱性溶液。
基板上的有机物经过 172nm的紫外光照射发生分解形成弱酸性化合物 及气体， 在紫外光照射后增加采用弱碱性溶液清洗的过程， 针对经高能紫 外光照射分解的有机物， 如少量的碳酸、 硝酸、 硫酸性物质进行清洗。
所述碱性溶液为四甲基氢氧化铵溶液。 所述四甲基氢氧化铵溶液中四 甲基氢氧化铵的质量浓度为 0.4%-2.38%。
喷淋装置 50, 位于传送装置 10的上方， 且位于第一喷洒装置 40远离 紫外线发射装置 30的一侧， 用于向待清洗基板 20喷淋水气二流体。
第二喷洒装置 60, 位于传送装置 10的上方， 且位于喷淋装置 50远离 第一喷洒装置 40的一侧， 用于向待清洗基板 20喷洒去离子水。
吹风装置 70, 在本实施例中， 所述吹风装置 70 为风刀， 其位于传送 装置 10的上方， 且位于第二喷洒装置 60远离喷淋装置 50的一侧， 用于 向待清洗基板 20吹风。
烘干装置 80, 在本实施例中， 所述烘干装置 80 为热板， 其位于传送 装置 10的上方， 且位于吹风装置 70远离第二喷洒装置 60的一侧， 用于 对待清洗基板 20进行烘干。
综上所述， 本发明的基于紫外线的清洗方法及清洗装置， 通过控制紫 外线的输入能量， 使得单位时间内产生的金属电子所形成的电势差小于击 穿电压， 保护了薄膜晶体管电路， 提高了产品良率； 并通过弱碱性溶液对 照射后的基板进行清洗， 可充分分解有机物， 有效提高洗净度。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims

权 利 要 求
1、 一种基于紫外线的清洗方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 对待清洗基板进行紫外线照射， 并控制该紫外线的输出能 量， 以控制在照射时间内待清洗基板上的 TFT元器件图形吸收到的光子能 量小于 TFT元器件图形击穿所需要的电子激发电量；
步骤 2、 采用碱性溶液对该待清洗基板进行清洗；
步骤 3、 采用水气二流体对该待清洗基板进行清洗；
步骤 4、 采用去离子水对该待清洗基板进行清洗；
步骤 5、 对该待清洗基板进行风刀干燥；
步骤 6、 对该待清洗基板进行去水干燥， 完成清洗。
2、 如权利要求 1 所述的基于紫外线的清洗方法， 其中， 所述紫外线 的波长为 172nm, 所述紫外线的输出能量小于或等于 130mj/cm2。
3、 如权利要求 1 所述的基于紫外线的清洗方法， 其中， 所述碱性溶 液为四甲基氢氧化铵溶液。
4、 如权利要求 3 所述的基于紫外线的清洗方法， 其中， 所述四甲基 氢氧化铵溶液中四甲基氢氧化铵的质量浓度为 0.4%-2.38%。
5、 一种基于紫外线的清洗方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 对待清洗基板进行紫外线照射， 并控制该紫外线的输出能 量， 以控制在照射时间内待清洗基板上的 TFT元器件图形吸收到的光子能 量小于 TFT元器件图形击穿所需要的电子激发电量；
步骤 2、 采用碱性溶液对该待清洗基板进行清洗；
步骤 3、 采用水气二流体对该待清洗基板进行清洗；
步骤 4、 采用去离子水对该待清洗基板进行清洗；
步骤 5、 对该待清洗基板进行风刀干燥；
步骤 6、 对该待清洗基板进行去水干燥， 完成清洗；
其中， 所述紫外线的波长为 172nm, 所述紫外线的输出能量小于或等 于 130mj/cm2。
6、 如权利要求 5 所述的基于紫外线的清洗方法， 其中， 所述碱性溶 液为四甲基氢氧化铵溶液。
7、 如权利要求 6 所述的基于紫外线的清洗方法， 其中， 所述四甲基 氢氧化铵溶液中四甲基氢氧化铵的质量浓度为 0.4%-2.38%。
8、 一种基于紫外线的清洗装置， 包括： 传送装置， 用于承载及传送待清洗基板；
紫外线发射装置， 位于传送装置的上方， 用于向待清洗基板发射波长 为 172nm的紫外线， 该波长为 172nm的紫外线的输出能量小于或等于 130mj/cm2;
第一喷洒装置， 位于传送装置的上方， 且位于紫外线发射装置的一 侧， 用于向待清洗基板喷洒碱性溶液；
喷淋装置， 位于传送装置的上方， 且位于第一喷洒装置远离紫外线发 射装置的一侧， 用于向待清洗基板喷淋水气二流体；
第二喷洒装置， 位于传送装置的上方， 且位于喷淋装置远离第一喷洒 装置的一侧， 用于向待清洗基板喷洒去离子水；
吹风装置， 位于传送装置的上方， 且位于第二喷洒装置远离喷淋装置 的一侧， 用于向待清洗基板吹风；
烘干装置， 位于传送装置的上方， 且位于吹风装置远离第二喷洒装置 的一侧， 用于对待清洗基板进行烘干。
9、 如权利要求 8 所述的基于紫外线的清洗装置， 其中， 所述紫外线 发射装置为紫外光灯。
10、 如权利要求 8所述的基于紫外线的清洗装置， 其中， 所述碱性溶 液为四甲基氢氧化铵溶液。
11、 如权利要求 10 所述的基于紫外线的清洗装置， 其中， 所述四甲 基氢氧化铵溶液中四甲基氢氧化铵的质量浓度为 0.4%-2.38%。
12、 如权利要求 8所述的基于紫外线的清洗装置， 其中， 所述吹风装 置为风刀。
13、 如权利要求 8所述的基于紫外线的清洗装置， 其中， 所述烘干装 置为热板。
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