WO2014192707A1 - 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置 - Google Patents

Abstract

　本発明は、第１のプレート部１と第２のプレート部２とからなる金属リードフレームと、その金属リードフレームに搭載された光半導体素子３の周囲を囲うように形成されるリフレクタ４を備えた光半導体装置において、上記リフレクタ４の形成材料が、エポキシ樹脂（Ａ），硬化剤（Ｂ），白色顔料（Ｃ），無機質充填剤（Ｄ），カルボン酸および水の少なくとも一方（Ｅ）を含有し、上記（Ｃ）および（Ｄ）の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の６９～９４重量％であり、さらに上記（Ｅ）の含有量が、上記（Ｂ）および（Ｅ）の合計量に対して４～２３モル％であるエポキシ樹脂組成物からなる。このため、優れた成形性および耐ブロッキング性を備えるとともに、反り発生の抑制および高いガラス転移温度の維持が可能となる。従って、トランスファー成形等による作製が可能となり、量産性の点からも有利となる。

Description

光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置

　本発明は、例えば、光半導体素子から発する光を反射させる、リフレクタ（反射部）の形成材料となる光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置に関するものである。

　従来、光半導体素子を搭載してなる光半導体装置は、例えば、図１に示すように、第１のプレート部１と第２のプレート部２とからなる金属リードフレーム上に光半導体素子３が搭載され、上記光半導体素子３の周囲を囲むように、さらに第１のプレート部１と第２のプレート部２の間を埋めるように、樹脂材料からなる光反射用のリフレクタ４が形成されているという構成をとる。そして、上記金属リードフレームとリフレクタ４の内周面として形成される凹部５に搭載された光半導体素子３を、必要に応じて蛍光体を含有するシリコーン樹脂等の透明樹脂を用いて樹脂封止することにより封止樹脂層６が形成されている。図１において、７，８は金属リードフレームと光半導体素子３とを電気的に接続するボンディングワイヤーであり、必要に応じて設けられるものである。
　このような光半導体装置では、近年、上記リフレクタ４を、エポキシ樹脂等に代表される熱硬化性樹脂を用いて、例えば、トランスファー成形等により成形し製造している。そして、上記熱硬化性樹脂には、従来から白色顔料として酸化チタンを配合し、上記光半導体素子３から発する光を反射させている（特許文献１参照）。

　上記のようにリフレクタ４をトランスファー成形等により成形する際、例えば、反りの発生が問題となる。このことから、上記反り発生を抑制するため、熱硬化性樹脂を主成分とする成形材料に無機質充填剤を高充填量にて配合する必要がある。しかしながら、無機質充填剤を高充填量に設定して成形材料を調整した場合、成形材料の粘度が高くなってしまう問題が新たに生じる。

特開２０１１－２５８８４５号公報

　このように、トランスファー成形等のような成形に際して必要充分な流動性を得るためには、成形材料中の有機成分の溶融粘度を低くする必要がある。通常、有機成分の溶融粘度を低くするためには、有機成分の反応率を下げる、すなわち、ガラス転移温度（Ｔｇ）を下げる必要がある。しかしながら、有機成分のＴｇが低くなると、有機成分および無機質充填剤を含有する成形材料（熱硬化性樹脂組成物）のブロッキングが発生し、作業性が低下するという新たな問題が発生する。したがって、従来では、反り発生の抑制等を目的に無機質充填剤を高充填量とした場合、成形時の流動性と作業性を両立させることが困難であり、これら全ての課題を解決してなる光半導体装置用の成形材料が要望されている。

　本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、高い光反射率はもちろん、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備えるとともに、成形性、耐ブロッキング性および低反り性に優れた光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置の提供をその目的とする。

　上記目的を達成するために、本発明は、下記の（Ａ）～（Ｅ）成分を含有する光半導体装置用エポキシ樹脂組成物であって、下記（Ｃ）成分および（Ｄ）成分の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の６９～９４重量％であり、さらに下記（Ｅ）成分の含有量が、（Ｂ）成分および（Ｅ）成分の合計量に対して４～２３モル％である光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）白色顔料。
（Ｄ）無機質充填剤。
（Ｅ）カルボン酸および水の少なくとも一方。

　そして、本発明は、厚み方向の片面のみに光半導体素子を搭載するための板状の光半導体装置用リードフレームであって、互いに隙間を隔てて配置される複数のプレート部を備えるとともに、上記隙間に、上記第１の要旨の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いて充填し、硬化してなるリフレクタが形成されてなる光半導体装置用リードフレームを第２の要旨とする。また、本発明は、光半導体素子搭載領域を備え、それ自体の少なくとも一部で素子搭載領域の周囲を囲んだ状態でリフレクタが形成されてなる立体状の光半導体装置用リードフレームであって、上記リフレクタが、上記第１の要旨の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いて形成されてなる光半導体装置用リードフレームを第３の要旨とする。

　さらに、本発明は、その片面に光半導体素子を搭載するための素子搭載領域を有するプレート部が、互いに隙間を隔てて配置され、上記素子搭載領域の所定位置に光半導体素子が搭載されてなる光半導体装置であって、上記隙間に、上記第１の要旨の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いて充填、硬化してなるリフレクタが形成されてなる光半導体装置を第４の要旨とする。また、本発明は、光半導体素子搭載領域を備え、それ自体の少なくとも一部で素子搭載領域の周囲を囲んだ状態でリフレクタが形成されてなる光半導体装置用リードフレームの所定位置に光半導体素子が搭載されてなる光半導体装置であって、上記リフレクタが、上記第１の要旨の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いて形成されてなる光半導体装置を第５の要旨とする。

　そして、本発明は、裏面に複数の接続用電極が形成されてなる光半導体素子の側面に上記第１の要旨の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物からなるリフレクタが形成され、上記光半導体素子上部の発光面あるいは受光面が封止層にて被覆されてなる封止型光半導体素子を第６の要旨とする。また、本発明は、配線回路基板の所定位置に、上記第６の要旨の封止型光半導体素子が、その接続用電極を介して搭載されてなる光半導体装置を第７の要旨とする。

　本発明者らは、白色顔料および無機質充填剤の高充填量により反りの発生を抑制することに加えて、この高充填量により起因した成形性の低下を抑制するとともに、耐ブロッキング性において優れた特性を発揮しうる光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を得るべく鋭意検討を重ねた。その研究の過程において、無機質充填剤の高充填量による成形性の低下を解消するためにカルボン酸および水の少なくとも一方を用いることを想起した。すなわち、白色顔料と無機質充填剤の合計含有量を特定割合に設定して反り発生の抑制に対して充分な作用効果を発揮させるとともに、白色顔料と無機質充填剤の合計含有量を高充填量とすることによる成形性の低下を、カルボン酸および水の少なくとも一方を特定の割合にて用いることにより抑制させ、結果、反り発生の抑制効果に加えて、高Ｔｇを維持するとともに、成形性および耐ブロッキング性にも優れた成形材料となりうるエポキシ樹脂組成物が得られることを見出し本発明に到達した。

　このように、本発明は、前記エポキシ樹脂［（Ａ）成分］と、硬化剤［（Ｂ）成分］と、白色顔料［（Ｃ）成分］と、無機質充填剤［（Ｄ）成分］と、カルボン酸および水の少なくとも一方［（Ｅ）成分］を含有し、かつ（Ｃ）成分および（Ｄ）成分の合計含有量を特定量とし、さらに（Ｅ）成分の含有量を特定範囲とする光半導体装置用エポキシ樹脂組成物である。このため、優れた成形性および耐ブロッキング性を備えるとともに、反り発生の抑制および高Ｔｇの維持が可能となる。したがって、上記光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いてリフレクタを形成してなる光半導体装置では、信頼性の高い光半導体装置が得られる。このようなことから、トランスファー成形等の金型成形による作製が可能となり、量産性の点からも有利となる。

　そして、上記白色顔料［（Ｃ）成分］の含有量が特定範囲であると、光反射性に一層優れるとともに、成形性にも優れたものが得られる。

　さらに、上記各成分に加えて（Ｆ）変性剤を含有すると、より一層優れた耐ブロッキング性が得られ、しかも上記（Ｆ）変性剤がアルコール類化合物であると、ガラス転移温度（Ｔｇ）の向上効果を奏するようになる。

　上記（Ｃ）成分が酸化ジルコニウムであると、より一層ガラス転移温度（Ｔｇ）の向上効果を奏するようになる。

　また、上記（Ｅ）成分が、固体状のカルボン酸であると、取り扱い性が向上することから、作業性の向上が実現する。

光半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。 光半導体装置の他の構成を模式的に示す平面図である。 上記光半導体装置の他の構成を模式的に示す平面図（図２）のＸ－Ｘ′矢視断面図である。 封止型光半導体素子の構成を模式的に示す断面図である。

　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、これらの内容に限定されるものではない。
　以下、本発明について詳細に説明する。

　本発明の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物（以下「エポキシ樹脂組成物」ともいう）は、例えば、先に述べたように、図１に示す光半導体装置の、リフレクタ４形成材料として用いられるものであって、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、硬化剤（Ｂ成分）と、白色顔料（Ｃ成分）と、無機質充填剤（Ｄ成分）と、カルボン酸および水の少なくとも一方（Ｅ成分）とを用いて得られるものであり、通常、液状、あるいは粉末状、もしくはその粉末を打錠したタブレット状にしてリフレクタ４形成材料に供される。

〈Ａ：エポキシ樹脂〉
　上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、モノグリシジルイソシアヌレート、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂等の含窒素環エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、アルキル置換ビスフェノール等のジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタンおよびイソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、低吸水率硬化体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。これらエポキシ樹脂の中でも、透明性および耐変色性に優れるという点から、脂環式エポキシ樹脂や、トリグリシジルイソシアヌレート等のイソシアヌル環構造を有するものを単独でもしくは併せて用いることが好ましい。同様の理由から、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、ナジック酸、メチルナジック酸等のジカルボン酸のジグリシジルエステルも好適である。また、芳香環が水素化された脂環式構造を有する核水素化トリメリット酸、核水素化ピロメリット酸等のグリシジルエステル等もあげられる。

　上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、常温で固形であっても液状であってもよいが、一般に、使用するエポキシ樹脂の平均エポキシ当量が９０～１０００のものが好ましく、また、固形の場合には、取り扱い性の利便性の観点から、軟化点が５０～１６０℃のものが好ましい。すなわち、エポキシ当量が小さすぎると、エポキシ樹脂組成物硬化物が脆くなる場合がある。また、エポキシ当量が大きすぎると、エポキシ樹脂組成物硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなる傾向がみられるからである。

〈Ｂ：硬化剤〉
　上記硬化剤（Ｂ成分）としては、例えば、酸無水物系硬化剤、イソシアヌル酸誘導体系硬化剤等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。これらのなかでも、耐熱性および耐光性の観点から、酸無水物系硬化剤を用いることが好ましい。

　上記酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３－メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４－メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、３－メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４－メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。また、飽和脂肪鎖骨格、不飽和脂肪鎖骨格、またはシリコーン骨格の末端基、ないし、側鎖としてこれら酸無水物を有するオリゴマーも単独で、もしくは２種以上併せて、および、上記酸無水物と併せて用いることができる。これら酸無水物系硬化剤の中でも、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３－メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４－メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、３－メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４－メチルテトラヒドロ無水フタル酸を用いることが好ましい。さらに、酸無水物系硬化剤としては、無色ないし淡黄色の酸無水物系硬化剤が好ましい。

　また、上記イソシアヌル酸誘導体系硬化剤としては、例えば、１，３，５－トリス（１－カルボキシメチル）イソシアヌレート、１，３，５－トリス（２－カルボキシエチル）イソシアヌレート、１，３，５－トリス（３－カルボキシプロピル）イソシアヌレート、１，３－ビス（２－カルボキシエチル）イソシアヌレート等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。さらに、イソシアヌル酸誘導体系硬化剤としては、無色ないし淡黄色の硬化剤が好ましい。

　ここで、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と硬化剤（Ｂ成分）との配合割合は、エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量に対して、硬化剤（Ｂ成分）中におけるエポキシ基と反応可能な活性基（酸無水基あるいはカルボキシ基）が０．４～１．４当量となるよう設定することが好ましく、より好ましくは０．６～１．２当量である。すなわち、活性基が少なすぎると、エポキシ樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、その硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が低くなる傾向がみられ、活性基が多すぎると耐湿性が低下する傾向がみられるからである。

　また、上記硬化剤（Ｂ成分）としては、その目的および用途に応じて、上記酸無水物系硬化剤およびイソシアヌル酸誘導体系硬化剤以外の他のエポキシ樹脂の硬化剤、例えば、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、上記酸無水物系硬化剤をアルコールで部分エステル化したもの等の硬化剤を、単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。なお、これら硬化剤を用いる場合においても、その配合割合は、上記硬化剤（Ｂ成分）を用いた場合の配合割合（当量比）に準じればよい。

〈Ｃ：白色顔料〉
　上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる白色顔料（Ｃ成分）としては、例えば、無機化合物である、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、鉛白、カオリン、アルミナ、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸亜鉛、硫化亜鉛等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、優れた光反射率が得られる観点から、酸化チタン、酸化ジルコニウムを用いることが好ましく、特に酸化チタンの場合はルチル型の結晶構造を有するもの、酸化ジルコニウムの場合は結晶構造が単斜晶のものを用いることが好ましい。また、流動性および遮光性という観点から、平均粒径が０．０５～５．０μｍのものを用いることが好ましい。特に好ましくは、光反射性という観点から、０．０８～４．５μｍである。なお、上記平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。さらには、比表面積が１～３０ｍ²／ｇのものを用いることが好ましい。上記比表面積は、例えば、ガス吸着法による自動比表面積測定装置を用いて測定することができる。

　上記白色顔料（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物体全体の３～９０重量％の範囲に設定することが好ましい。なかでも着色性および光反射率の観点から、エポキシ樹脂組成物全体の１０～４０重量％の範囲に設定することが特に好ましい。すなわち、Ｃ成分の含有量が少なすぎると、充分な光反射性が得られ難くなり、さらに耐熱性が低下する傾向がみられる。Ｃ成分の含有量が多すぎると、著しい増粘により混練等でのエポキシ樹脂組成物の作製に関して困難が生じる可能性がみられるからである。

〈Ｄ：無機質充填剤〉
　上記Ａ～Ｃ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｄ成分）としては、例えば、石英ガラス粉末、タルク、溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等のシリカ粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ホウ素粉末、窒化ケイ素粉末等があげられる。中でも、線膨張係数の低減等の観点から、シリカ粉末を用いることが好ましく、特に高充填性および高流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。上記無機質充填剤（Ｄ成分）の粒径およびその分布に関しては、上記白色顔料（Ｃ成分）の粒径およびその分布との組み合わせを、エポキシ樹脂組成物をトランスファー成形等により成形する際のバリ等が最も低減するように配慮することが好ましい。具体的には、無機質充填剤（Ｄ成分）の平均粒径は、５～１００μｍであることが好ましく、特に好ましくは１０～４０μｍである。なお、上記平均粒径は、前述と同様、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。

　上記無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量は、上記白色顔料（Ｃ成分）と無機質充填剤（Ｄ成分）の合計の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の６９～９４重量％となるように設定する必要がある。特に８０～９０重量％に設定することが好ましい。すなわち、合計の含有量が少なすぎると、成形時に発生する反りの抑制効果が得られなくなる。また、合計の含有量が多すぎると、材料を混練する際、混練機に多大な負荷がかかり、混練が不可能となり、結果、成形材料であるエポキシ樹脂組成物を作製することができなくなる。

〈Ｅ：カルボン酸および水の少なくとも一方〉
　本発明においては、上記Ａ～Ｄ成分とともにカルボン酸および水の少なくとも一方（Ｅ成分）を用いることが特徴の一つである。上記カルボン酸の価数は２価以上のものが好ましい。すなわち、カルボン酸の価数が１価では重合度を下げるため、ガラス転移温度（Ｔｇ）が低下する傾向がみられる。そして、カルボン酸としては、その化学構造が不飽和結合をもたない、少なくとも環状骨格を有するものが好ましい。すなわち、鎖状構造を有する場合、分岐の有無に関わらず可塑性付与効果を示すため、Ｔｇが低下する傾向がみられ、また不飽和結合を有する場合、これが加熱による酸化等に起因した着色の要因となることから、結果、光反射率が低下する傾向がみられる。従って、本発明にて用いられるカルボン酸としては、例えば、フタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、メチルテトラヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、メチルナジック酸、ナジック酸等があげられる。中でも、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸を用いることが好ましい。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

　一方、上記水としては、特に限定するものではないが、不純物の少ないものが好ましく、例えば、イオン交換水、蒸留水等を用いることが好ましい。このように、Ｅ成分として水を用いる場合、この水と反応して上記酸無水物系硬化剤の一部がカルボン酸を形成することとなり、実質的に上記カルボン酸を用いた場合と同じ態様となる。従って、カルボン酸濃度が後述の範囲となるように前述の酸無水物系硬化剤および水の使用量を調整する必要があり、具体的には水と反応することにより消失する酸無水物系硬化剤の量を考慮して酸無水物系硬化剤を必要量より多く配合する必要がある。

　本発明において、Ｅ成分としては、材料の取り扱い性を考慮した場合、常温（２５℃）にて固体状を示すという点から、固体のカルボン酸が好ましく用いられる。固体のカルボン酸を用いる場合は、分散性の観点から平均粒径が５００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下であることが好ましい。なお、上記最大粒径に関しても、前述と同様、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。

　上記Ｅ成分の含有量は、上記Ｂ成分およびＥ成分の合計量に対して、４～２３モル％に設定する必要がある。好ましくは８～２０モル％である。Ｅ成分の含有量が少なすぎると、成形性が低下する傾向がみられ、多すぎると、混練中に急激に反応することにより増粘が生じる傾向がある。なお、上記Ｅ成分の含有量はつぎのようにして算出される。すなわち、上記Ｅ成分の含有量は、（カルボン酸の分子数）／（硬化剤の分子数）で表されるものであり、上記各分子数とは（それぞれの配合量）／（それぞれの分子量）を意味する。従って、具体的には、上記Ｅ成分の含有量は、下記の式にて算出される。
　カルボン酸量［ｍｏｌ］／〔（カルボン酸量［ｍｏｌ］＋硬化剤量［ｍｏｌ］）〕×１００
　なお、Ｅ成分として水を用いた場合は、添加した水の量［ｍｏｌ］＝反応生成するカルボン酸量［ｍｏｌ］＝水との反応により減少する酸無水物系硬化剤［ｍｏｌ］となることから、前述のとおり、水の使用量を調整し、具体的には酸無水物系硬化剤を必要量より多く配合する必要がある。

〈他の添加剤〉
　そして、本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記Ａ～Ｅ成分以外に、必要に応じて、硬化促進剤、離型剤、シランカップリング剤を配合することができる。さらには、変性剤、酸化防止剤、難燃剤、脱泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤等の各種添加剤を適宜配合することができる。

　上記硬化促進剤としては、例えば、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７、トリエチレンジアミン、トリ－２，４，６－ジメチルアミノメチルフェノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノベンゼン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノシクロヘキサン等の３級アミン類、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ－ｎ－ブチルホスホニウムブロマイド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリブチルホスホニウムジメチルホスホエート、テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム－ｏ，ｏ－ジエチルホスホロジチオエート等のリン化合物、４級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。これら硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。その中でも、着色度が少なく、透明で強靱な硬化物を得るためには、３級アミン類、リン化合物を用いることが特に好ましい。

　上記硬化促進剤の含有量は、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）に対して０．００１～８．０重量％に設定することが好ましく、より好ましくは０．０１～３．０重量％である。すなわち、硬化促進剤の含有量が少なすぎると、充分な硬化促進効果を得られない場合があり、また硬化促進剤の含有量が多すぎると、得られる硬化物に変色が生じる傾向がみられるからである。

〈離型剤〉
　上記離型剤としては、各種離型剤が用いられるが、中でもエーテル結合を有する離型剤を用いることが好ましく、例えば、下記の一般式（１）で表される構造式を備えた離型剤があげられる。

ＣＨ₃・（ＣＨ₃）_k・ＣＨ₂Ｏ（ＣＨＲ_m・ＣＨＲ_n・Ｏ）_x・Ｈ　・・・（１）
［式（１）中、Ｒ_m，Ｒ_nは水素原子または一価のアルキル基であり、両者は互いに同じであっても異なっていてもよい。また、ｋは１～１００の正数であり、ｘは１～１００の正数である。］

　上記式（１）において、Ｒ_m，Ｒ_nは水素原子または一価のアルキル基であり、好ましくはｋは１０～５０の正数、ｘは３～３０の正数である。より好ましくはＲ_mおよびＲ_nは水素原子であり、ｋは２８～４８の正数、ｘは５～２０の正数である。すなわち、繰り返し数ｋの値が小さすぎると、離型性が低下し、また繰り返し数ｘの値が小さすぎると、分散性が低下するため、安定した強度と離型性が得られなくなる傾向がみられる。一方、繰り返し数ｋの値が大きすぎると、融点が高くなるため混練が困難となり、エポキシ樹脂組成物の製造工程において困難を生じる傾向がみられ、繰り返し数ｘの値が大きすぎると、離型性が低下する傾向がみられるからである。

　上記離型剤の含有量は、エポキシ樹脂組成物体全体の０．０１～３重量％の範囲に設定することが好ましく、０．１～１重量％の範囲に設定することがより好ましい。すなわち、離型剤の含有量が少なすぎたり、多すぎたりすると、硬化体の強度不足を招いたり、離型性の低下を引き起こす傾向がみられるからである。

　上記シランカップリング剤としては、例えば、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

　上記変性剤としては、例えば、シリコーン類化合物、アルコール類化合物等があげられる。中でも変性剤添加に起因したＴｇの低下を抑制することができるという観点から、アルコール類化合物が好ましく用いられる。

　上記アルコール類化合物として、２官能のアルコール（いわゆる２価アルコール）と、３官能以上のアルコール（いわゆる３価以上のアルコール）があげられる。上記２価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、ポリエチレングリコール、スピログリコール、ジオキサングリコール、１，３－ブタンジオール等の脂肪族骨格を有する化合物の他、１，３－ベンゼンジメタノール、１，４－ベンゼンジメタノール、２－ベンジロキシ－１，３－プロパンジオール、２，２′－ビフェノール等の芳香族骨格を有する化合物があげられる。上記３価以上のアルコールとしては、例えば、グリセロール、１，２，３－ブタントリオール、１，２，４－ブタントリオール、トリメチロールプロパン、１，２，３－シクロヘキサントリオール、１，２，７－ヘプタントリオール、１，２，８－オクタントリオール等の脂肪族骨格を有する化合物の他、１，２，３－ベンゼントリオール、１，２，４－ベンゼントリオール、３，４，５－トルエントリオール等の芳香族骨格を有する化合物があげられる。中でも、Ｔｇの低下度合いが少なく着色も少ないという点から、炭素数の小さい脂肪族骨格を有するアルコール類化合物、すなわち、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、グリセロール、トリメチロールプロパンを用いることが好ましい。より好ましくは、２価アルコールではネオペンチルグリコール、３価以上のアルコールではトリメチロールプロパンがあげられる。なお、上記変性剤を配合する場合の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の５重量％以下に設定することが好ましく、より好ましくは０．１～１重量％の範囲に設定することである。

　上記酸化防止剤としては、例えば、フェノール系化合物、アミン系化合物、有機硫黄系化合物、ホスフィン系化合物等があげられる。

　上記難燃剤としては、例えば、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、臭素系難燃剤、窒素系難燃剤、リン系難燃剤等があげられ、さらに三酸化アンチモン等の難燃助剤を用いることもできる。

　上記脱泡剤としては、例えば、シリコーン系等の従来公知の脱泡剤があげられる。

〈エポキシ樹脂組成物〉
　本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ～Ｅ成分、さらには硬化促進剤および離型剤、ならびに必要に応じて配合される各種添加剤を適宜配合した後、混練機等を用いて混練して溶融混合し、ついで、これを粉砕することにより粉末状のエポキシ樹脂組成物を製造することができる。

　そして、上記得られたエポキシ樹脂組成物の硬化物としては、その光反射率が、波長４５０～８００ｎｍにおいて８０％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上である。なお、上限は、通常１００％である。具体的には、上記硬化物の波長４５０ｎｍにおける光の反射率が８５～９６％であることが好ましい。上記光反射率は、例えば、つぎのようにして測定される。すなわち、厚み１ｍｍのエポキシ樹脂組成物の硬化物を、所定の硬化条件、例えば、１７５℃×２分間の成形後、１７５℃×３時間のキュアにて作製し、室温（２５±１０℃）にて上記範囲内の波長での上記硬化物の反射率を分光光度計（例えば、日本分光社製の分光光度計Ｖ－６７０）を用いることにより測定することができる。

　本発明のエポキシ樹脂組成物を用いてなる光半導体装置は、例えば、つぎのようにして製造される。すなわち、金属リードフレームをトランスファー成形機の金型内に設置して上記エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形によりリフレクタを形成する。このようにして、光半導体素子搭載領域の周囲を囲うように環状のリフレクタが形成されてなる光半導体装置用の金属リードフレームを作製する。ついで、上記リフレクタの内部の、金属リードフレーム上の光半導体素子搭載領域に光半導体素子を搭載し、光半導体素子と金属リードフレームとをボンディングワイヤーを用いて電気的に接続する。そして、上記光半導体素子を含むリフレクタの内側領域を、シリコーン樹脂等を用いて樹脂封止することにより封止樹脂層が形成される。このようにして、例えば、図１に示す立体状（カップ型）の光半導体装置が作製される。この光半導体装置は、第１のプレート部１と第２のプレート部２とからなる金属リードフレームの第２のプレート部２上に光半導体素子３が搭載され、上記光半導体素子３の周囲を囲むように、本発明のエポキシ樹脂組成物からなる光反射用のリフレクタ４が形成されているという構成をとる。そして、上記金属リードフレームとリフレクタ４の内周面とで形成される凹部５には、光半導体素子３を封止する透明性を有する封止樹脂層６が形成されている。この封止樹脂層６には必要に応じて蛍光体が含有されている。図１において、７，８は金属リードフレームと光半導体素子３とを電気的に接続するボンディングワイヤーである。

　なお、本発明において、上記図１の金属リードフレームに代えて各種基板を用いてもよい。上記各種基板としては、例えば、有機基板、無機基板、フレキシブルプリント基板等があげられる。また、上記トランスファー成形に変えて、射出成形によりリフレクタを形成してもよい。

　また、上記構成と異なる光半導体装置として、板状の光半導体装置用リードフレームを用いた、例えば、図２および図３（図２のＸ－Ｘ′矢視断面図）に示す光半導体装置があげられる。すなわち、この光半導体装置は、互いに間隔を設けて配置された金属リードフレーム１０の厚み方向の片面の所定位置に光半導体素子３がそれぞれ搭載され、上記金属リードフレーム１０間の隙間に本発明のエポキシ樹脂組成物からなる光反射用のリフレクタ１１が形成されているという構成をとる。また、図３に示すように、金属リードフレーム１０の隙間に本発明のエポキシ樹脂組成物を充填し硬化してなるリフレクタ１１が複数箇所形成されている。なお、図２および図３において、１２は、上記光半導体素子３と金属リードフレーム１０とを電気的に接続するボンディングワイヤーである。このような光半導体装置は、上記金属リードフレーム１０をトランスファー成形機の金型内に設置してトランスファー成形により、間隔を設けて配置された金属リードフレーム１０の隙間および金属リードフレーム１０の光半導体素子３搭載面とは反対面に形成された凹部に、エポキシ樹脂組成物を充填し、硬化させることによりリフレクタ１１をそれぞれ形成する。ついで、上記金属リードフレーム１０の所定位置となる光半導体素子搭載領域に光半導体素子３を搭載した後、光半導体素子３と金属リードフレーム１０とをボンディングワイヤー１２を用いて電気的に接続する。このようにして、図２および図３に示す光半導体装置が作製される。

〈封止型光半導体素子〉
　さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物をリフレクタ形成材料として用いた封止型光半導体素子を、図４に示す。すなわち、この封止型光半導体素子は、光半導体素子３の側面全部に本発明のエポキシ樹脂組成物からなる光反射用のリフレクタ１５が形成され、さらに上記光半導体素子３の上部（発光面あるいは受光面）が封止層１６にて被覆されているという構成をとる。図において、１７は接続用電極（バンプ）である。また、上記封止層１６はエポキシ樹脂やシリコーン樹脂、あるいはガラスやセラミックス等の無機材料によって形成され、上記封止層１６には蛍光体が配合分散されていてもよいし蛍光体が配合されていなくてもよい。

　このような封止型光半導体素子は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、ダイシングテープ等の粘着面上にフリップチップタイプの光半導体（発光）素子３（例えば、青色ＬＥＤチップ等）を、その発光面とは反対面に設けられた接続用電極（バンプ）１７を上記テープ面に埋め込んだ状態で一定の間隔を設けて配置する。ついで、圧縮成形機，トランスファー成形機，または射出成形機を用いて上記光半導体素子３の側面全部、さらには発光面を本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて包埋する。そして、乾燥機等を用いて後加熱を行なうことにより、上記エポキシ樹脂組成物の熱硬化反応を完了させて光半導体素子３の側面全部に本発明のエポキシ樹脂組成物からなる光反射用のリフレクタ１５を形成する。つぎに、発光面上に形成されたリフレクタ１５を研削して除去することにより発光面を露呈させ、この露呈した発光面上にシリコーン樹脂等の封止材を、周囲をダム材にて囲った状態で注型する、あるいはシート状の封止材を発光面に貼付して封止層１６を形成する。つぎに、互いに光半導体素子３間の中央線を、ブレードダイサーを用いてダイシングすることにより個々の素子に個片化させる。そして、ダイシングテープを拡張延伸して粘着性を低減させ、ダイシングテープ上のリフレクタ１５が形成された封止型の光半導体素子３同士を完全に分離，個片化させることにより、図４に示す封止型の光半導体素子３を製造することができる。

　このようにして得られる封止型の光半導体素子３を用いた構成の光半導体装置としては、例えば、配線回路基板の回路が形成された所定位置に、上記光半導体素子３の接続用電極１７を介して搭載してなる構成を備えた光半導体装置があげられる。

　つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。

　まず、エポキシ樹脂組成物の作製に先立って下記に示す各成分を準備した。

［エポキシ樹脂］
　トリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート（日産化学工業社製、ＴＥＰＩＣ－Ｓ）

［硬化剤］
　４－メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（ｘ）およびヘキサヒドロ無水フタル酸（ｙ）の混合物［混合重量比ｘ：ｙ＝７０：３０］（新日本理化社製、リカシッドＭＨ－７００）

［カルボン酸］
　ヘキサヒドロフタル酸（固体状、新日本理化社製、リカシッドＨＨ－Ｗ。なお、平均粒径５００μｍ以下となるように処理したものを使用）
［水］
　イオン交換水

［可塑剤ｆ１］
　ネオペンチルグリコール（三菱ガス化学社製）
［可塑剤ｆ２］
　トリメチロールプロパン（三菱ガス化学社製）

［硬化促進剤］
　メチルトリブチルホスホニウム・ジメチルホスホエート（日本化学工業社製、ＰＸ－４ＭＰ）

［シランカップリング剤ａ］
　３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－８０３）
［シランカップリング剤ｂ］
　３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）

［離型剤］
　Ｃ（炭素数）＞１４、エトキシ化アルコール／エチレンホモポリマー（丸菱油化工業社製、ＵＮＴ７５０）

［酸化防止剤］
　テトラキス［メチレン－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（共同薬品社製、ＳＯＮＧＮＯＸ　１０１０）

［シリカ粉末］
　溶融球状シリカ粉末（非晶質）（平均粒径２０μｍ）

［白色顔料ｃ１］
　ルチル型酸化チタン（平均粒径０．２８μｍ、比表面積１３ｍ²／ｇ）
［白色顔料ｃ２］
　酸化ジルコニウム（平均粒径４．３μｍ、比表面積３．８ｍ²／ｇ）

［実施例１～１７、比較例１～４］
　後記の表１～表３に示す各成分を同表に示す割合で配合し、混練機にて溶融混合（温度１００～１６０℃）を行ない、熟成した後、室温（２５℃）まで冷却して粉砕することにより目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。

　このようにして得られた実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従って各種特性評価［ガラス転移温度（Ｔｇ）、初期光反射率、耐ブロッキング性、スパイラルフロー（ＳＦ）値、反り評価］の測定を行なった。その結果を後記の表１～表３に示す。

［ガラス転移温度（Ｔｇ）］
　上記各エポキシ樹脂組成物を用い、所定の硬化条件（条件：１７５℃×２分間の成形＋１７５℃×３時間キュア）にて、断面が５ｍｍ×５ｍｍで長さ２０ｍｍの四角柱状の試験片を作製した。そして、上記試験片を用い、熱機械分析装置（島津製作所社製、ＴＭＡ－５０）にて、２℃／ｍｉｎの昇温速度で２５℃から２２０℃まで昇温することにより測定した。

［初期光反射率］
　上記各エポキシ樹脂組成物を用い、厚み１ｍｍの試験片を所定の硬化条件（条件：１７５℃×２分間の成形＋１７５℃×３時間キュア）にて作製し、この試験片（硬化物）を用いて、室温（２５℃）での光反射率を測定した。なお、測定装置として日本分光社製の分光光度計Ｖ－６７０を使用して、波長４５０ｎｍの光反射率を室温（２５℃）にて測定した。

［耐ブロッキング性］
　上記粉末状のエポキシ樹脂組成物（５０ｇ）を１００ｍｌビーカー内に入れた後、その上から４００ｇの荷重をかけた。この状態を維持し、２５℃にて３時間放置した。その後、上記エポキシ樹脂組成物を目開き１０ｍｍの篩にかけてブロッキング（凝集）物が残留した場合を×、残留物が無くても目視にて認識できる凝集物がある場合を△、残留物はもちろん凝集物も全く確認されなかった場合を○として評価した。

［スパイラルフロー（ＳＦ）値］
　ＥＭＭＩ　１－６６の方法に準じ、スパイラルフロー測定用金型に各エポキシ樹脂組成物を充填し、成形条件１７５℃、型締め圧１８ＭＰａ、射出圧４．９ＭＰａの条件で射出した後、上記金型に刻まれた目盛を目視にて確認することによりスパイラルフロー（ＳＦ）値（ｃｍ）を測定した。なお、本発明においては、ＳＦ値が６０ｃｍ以上のものを合格と判断した。

［反り評価］
　上記各エポキシ樹脂組成物を用いて、図１に示す構成の光半導体（発光）装置を製造した。すなわち、銅（銀メッキ）製のリードフレームをトランスファー成形機に設置し、トランスファー成形（成形条件：１７５℃×２分間＋１７５℃×２時間キュア）を行なうことにより、図１に示す、リフレクタ４と、そのリフレクタ４に形成された凹部５と、その凹部５内に設けられた第１のプレート部１と第２のプレート部２とからなる構造を縦に１３個、横に１３個配置した外寸が５０ｍｍ×５９ｍｍのリードフレームを製造した。

　このようにして得られた上記リードフレーム（サンプル）を、常温（２５℃）にて平坦な台の上に静置して、レーザー変位計（ティーテック社製、温度可変レーザー三次元測定機）を用い、台からみてサンプルの位置する最高点と最低点を測定し、その差を最大反り量とした。その結果、最大反り量が１．５ｍｍ未満のものを○、１．５ｍｍ以上のものを×として評価した。

　上記結果から、シリカ粉末および白色顔料の合計含有量が特定範囲であり、かつカルボン酸または水を特定量含有してなる実施例品は、高い初期光反射率を奏することはもちろん、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有しており、またＳＦ値に関して良好な測定結果が得られ、かつ耐ブロッキング性においても良好な結果が得られた。しかも、反り評価に関しても問題が生じなかった。このことから、リフレクタ材料として優れた性能を備えるものであり、成形性、耐ブロッキング性、低反り性に関して優れたものであることがわかる。中でも、シリカ粉末および白色顔料の合計含有量が特定範囲であり、かつカルボン酸または水を特定量含有するとともに、変性剤として２価アルコールのネオペンチルグリコールあるいは３価アルコールのトリメチロールプロパンを配合してなる実施例１５，１６，１７品は、高Ｔｇで良好な流動性および耐ブロッキング性を備えており、各特性においてバランスのとれた特に優れた結果が得られていると言える。

　これに対して、カルボン酸および水のいずれも配合しなかった比較例１品は、耐ブロッキング性に関して問題はなかったが、ＳＦ値が低く成形性に問題があった。また、カルボン酸または水の配合量が特定範囲を外れ多く配合してなる比較例２品およびシリカ粉末および白色顔料の合計含有量が特定範囲を外れ多すぎる設定となる比較例４品は、粘度が高く混練が不可能となり、各種評価を行なうことができなかった。そして、シリカ粉末および白色顔料の合計含有量が特定範囲を外れ少なすぎる設定となる比較例３品は、著しい反りが生じる結果となった。

［光半導体（発光）装置の作製］
　つぎに、上記実施例品である粉末を打錠したタブレット状のエポキシ樹脂組成物を用いて、図１に示す構成の光半導体（発光）装置を製造した。すなわち、銅（銀メッキ）製の複数の対となった第１のプレート部１と第２のプレート部２を有する金属リードフレームをトランスファー成形機の金型内に設置し、上記エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形（条件：１７５℃×２分間の成形＋１７５℃×３時間キュア）を行なうことにより、図１に示す、金属リードフレームの所定位置にリフレクタ４を形成した。ついで、光半導体（発光）素子（大きさ：０．５ｍｍ×０．５ｍｍ）３を搭載し、この光半導体素子３と上記金属リードフレームをボンディングワイヤー７，８にて電気的に接続することにより、リフレクタ４と、金属リードフレームと、光半導体素子３とを備えたユニットを製造した。

　つぎに、上記金属リードフレームとリフレクタ４の内周面とで形成される凹部５に、シリコーン樹脂（信越シリコーン社製、ＫＥＲ－２５００）を充填して上記光半導体素子３を樹脂封止（成形条件：１５０℃×４時間）することにより透明な封止樹脂層６を形成し、リフレクタごとにダイシングにより個片化し、図１に示す光半導体（発光）装置を作製した。得られた光半導体（発光）装置は、高い初期光反射率を有するリフレクタ４を備えており、高信頼性を備えた良好なものが得られた。

　また、前述の図２および図３に示す光半導体装置、および、図４に示す封止型光半導体素子におけるリフレクタ１１，１５形成材料として、上記実施例品である粉末を打錠したタブレット状のエポキシ樹脂組成物を用い、前述の製造方法に従って、図２および図３に示す光半導体装置、および、図４に示す封止型光半導体素子を作製した。得られた光半導体装置は、上記と同様、高信頼性を備えた良好なものが得られた。一方、上記得られた封止型光半導体素子を、配線回路基板の回路が形成された所定位置に、上記封止型光半導体素子の接続用電極を介して搭載することにより光半導体装置を作製した。得られた光半導体装置は、上記と同様、高信頼性を備えた良好なものが得られた。

　上記実施例においては、本発明における具体的な形態について示したが、上記実施例は単なる例示にすぎず、限定的に解釈されるものではない。当業者に明らかな様々な変形は、本発明の範囲内であることが企図されている。

　本発明の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物は、光半導体装置に内蔵された光半導体素子から発する光を反射させるリフレクタの形成材料として有用である。

　１　第１のプレート部
　２　第２のプレート部
　３　光半導体素子
　４，１１，１５　リフレクタ
　５　凹部
　６　封止樹脂層
　７，８，１２　ボンディングワイヤー
　１０　金属リードフレーム
　１６　封止層

Claims (16)

1. 　下記の（Ａ）～（Ｅ）成分を含有する光半導体装置用エポキシ樹脂組成物であって、下記（Ｃ）成分および（Ｄ）成分の合計含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の６９～９４重量％であり、さらに下記（Ｅ）成分の含有量が、（Ｂ）成分および（Ｅ）成分の合計量に対して４～２３モル％であることを特徴とする光半導体装置用エポキシ樹脂組成物。
   （Ａ）エポキシ樹脂。
   （Ｂ）硬化剤。
   （Ｃ）白色顔料。
   （Ｄ）無機質充填剤。
   （Ｅ）カルボン酸および水の少なくとも一方。
2. 　上記（Ｂ）成分が酸無水物系硬化剤である請求項１記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物。
3. 　上記（Ｃ）成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の３～９０重量％である請求項１または２記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物。
4. 　上記（Ａ）～（Ｅ）成分に加えて、（Ｆ）変性剤を含有する請求項１～３のいずれか一項に記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物。
5. 　上記（Ｆ）変性剤が、アルコール類化合物である請求項４記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物。
6. 　上記（Ｃ）成分が、酸化ジルコニウムである請求項１～５のいずれか一項に記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物。
7. 　上記（Ｅ）成分が、固体状のカルボン酸である請求項１～６のいずれか一項に記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物。
8. 　厚み方向の片面のみに光半導体素子を搭載するための板状の光半導体装置用リードフレームであって、互いに隙間を隔てて配置される複数のプレート部を備えるとともに、上記隙間に、請求項１～７のいずれか一項に記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いて充填し、硬化してなるリフレクタが形成されてなることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
9. 　光半導体素子搭載領域を備え、それ自体の少なくとも一部で素子搭載領域の周囲を囲んだ状態でリフレクタが形成されてなる立体状の光半導体装置用リードフレームであって、上記リフレクタが、請求項１～７のいずれか一項に記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いて形成されてなることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
10. 　上記リフレクタが、リードフレームの片面にのみ形成されている請求項９記載の光半導体装置用リードフレーム。
11. 　上記リフレクタがトランスファー成形または射出成形により光半導体装置用リードフレームに形成されてなる請求項８～１０のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
12. 　その片面に光半導体素子を搭載するための素子搭載領域を有するプレート部が、互いに隙間を隔てて配置され、上記素子搭載領域の所定位置に光半導体素子が搭載されてなる光半導体装置であって、上記隙間に、請求項１～７のいずれか一項に記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いて充填し、硬化してなるリフレクタが形成されてなることを特徴とする光半導体装置。
13. 　光半導体素子搭載領域を備え、それ自体の少なくとも一部で素子搭載領域の周囲を囲んだ状態でリフレクタが形成されてなる光半導体装置用リードフレームの所定位置に光半導体素子が搭載されてなる光半導体装置であって、上記リフレクタが、請求項１～７のいずれか一項に記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を用いて形成されてなることを特徴とする光半導体装置。
14. 　リフレクタで囲まれた光半導体素子を含む領域をシリコーン樹脂にて樹脂封止されてなる請求項１３記載の光半導体装置。
15. 　裏面に複数の接続用電極が形成されてなる光半導体素子の側面に請求項１～７のいずれか一項に記載の光半導体装置用エポキシ樹脂組成物からなるリフレクタが形成され、上記光半導体素子上部の発光面あるいは受光面が封止層にて被覆されてなることを特徴とする封止型光半導体素子。
16. 　配線回路基板の所定位置に、請求項１５記載の封止型光半導体素子が、その接続用電極を介して搭載されてなる光半導体装置。

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