WO2014188792A1 - Ｅｓｄ保護装置 - Google Patents

Ｅｓｄ保護装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2014188792A1
WO2014188792A1 PCT/JP2014/059616 JP2014059616W WO2014188792A1 WO 2014188792 A1 WO2014188792 A1 WO 2014188792A1 JP 2014059616 W JP2014059616 W JP 2014059616W WO 2014188792 A1 WO2014188792 A1 WO 2014188792A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
discharge
esd protection
substrate
electrode
dielectric constant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2014/059616
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
足立　淳
雄海 安中
鷲見　高弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2015518141A priority Critical patent/JP6107945B2/ja
Priority to CN201480029093.9A priority patent/CN105229877B/zh
Publication of WO2014188792A1 publication Critical patent/WO2014188792A1/ja
Priority to US14/930,833 priority patent/US10193332B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T1/00—Details of spark gaps
    • H01T1/20—Means for starting arc or facilitating ignition of spark gap
    • H01T1/22—Means for starting arc or facilitating ignition of spark gap by the shape or the composition of the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T2/00—Spark gaps comprising auxiliary triggering means
    • H01T2/02—Spark gaps comprising auxiliary triggering means comprising a trigger electrode or an auxiliary spark gap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T4/00—Overvoltage arresters using spark gaps
    • H01T4/10—Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W42/00—Arrangements for protection of devices
    • H10W42/60—Arrangements for protection of devices protecting against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
    • H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/685—Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers

Definitions

  • the present invention relates to an ESD protection device for protecting an electronic circuit from static electricity, and more particularly to an ESD protection device in which discharge electrodes are opposed to each other with a gap.
  • Patent Document 1 discloses an ESD protection device in which first and second discharge electrodes are provided in a ceramic multilayer substrate. An auxiliary electrode is provided so as to be connected to the first and second discharge electrodes. The auxiliary electrode is formed by dispersing a conductive material coated with an inorganic material having no conductivity.
  • Patent Document 2 discloses a chip-type surge absorber provided with discharge electrodes arranged opposite to each other via a discharge gap on an insulating substrate.
  • a dielectric layer having a relative dielectric constant larger than that of the insulating substrate is provided between the discharge electrode and the insulating substrate. It is described that when the insulating substrate itself is formed of the dielectric layer, the capacitance increases and it is difficult to use it for a high-frequency circuit.
  • the voltage is reduced by providing the dielectric layer.
  • the dielectric layer is not provided in the discharge gap in order to prevent an increase in capacitance. That is, the dielectric layer is provided only directly below the discharge electrode on the insulating substrate. Accordingly, it is difficult to sufficiently use the creeping discharge among the air discharge and the creeping discharge. Therefore, it has been difficult to sufficiently lower the discharge start voltage.
  • An object of the present invention is to provide an ESD protection device that can effectively lower a discharge start voltage.
  • An ESD protection device includes a substrate, first and second discharge electrodes provided on the substrate and facing each other with a gap therebetween, and a high dielectric constant layer having a relative dielectric constant higher than that of the substrate. With.
  • the high dielectric constant layer is provided so as to directly or indirectly connect the first discharge electrode and the second discharge electrode.
  • the ESD protection device is preferably provided so as to connect the first discharge electrode and the second discharge electrode, and promotes discharge between the first and second discharge electrodes.
  • a discharge auxiliary electrode is further provided.
  • the discharge auxiliary electrode includes conductive particles coated with a material having no conductivity.
  • the high dielectric constant layer is configured to be laminated on the discharge auxiliary electrode.
  • the high dielectric constant layer is provided at least above or below the gap portion.
  • a portion having a relative dielectric constant lower than that of the substrate is preferably located in the gap.
  • a portion having a relative dielectric constant lower than that of the substrate may be a cavity.
  • the portion having a relative dielectric constant lower than that of the substrate may be formed of a material having a relative dielectric constant lower than that of the substrate.
  • a resin is used as the material having a relative dielectric constant lower than that of the substrate.
  • the ESD protection device preferably further includes a back electrode provided so as to overlap with the gap between the first and second discharge electrodes via a part of the substrate.
  • the substrate includes first and second external electrodes that are provided on the substrate and are electrically connected to the first and second discharge electrodes, respectively, and the back electrode includes the first and second electrodes. It is electrically connected to one of the external electrodes.
  • the back electrode may be a floating electrode.
  • the back electrode includes a metal and a material having a higher dielectric constant than the substrate.
  • the first and second discharge electrodes may be disposed on the outer surface of the substrate.
  • the tips of the first and second discharge electrodes may be disposed in the substrate, and the gap may be located in the substrate.
  • the high dielectric constant layer having a higher relative dielectric constant than that of the substrate is directly or indirectly connected to the first and second discharge electrodes, so that the discharge start voltage can be lowered. Is possible. Therefore, it is possible to more effectively protect against static electricity in an electronic circuit or the like.
  • FIG. 1A and FIG. 1B are a front sectional view of an ESD protection device according to a first embodiment of the present invention and a partially cutaway enlarged front sectional view for explaining the main part thereof.
  • FIG. 2 is a schematic plan view for explaining the positional relationship among the first and second discharge electrodes, the discharge auxiliary electrode, and the back electrode in the ESD protection apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3A and FIG. 3B are a front sectional view of an ESD protection device according to a second embodiment of the present invention and a partially cutaway enlarged front sectional view showing an essential part thereof.
  • FIG. 1A and FIG. 1B are a front sectional view of an ESD protection device according to a first embodiment of the present invention and a partially cutaway enlarged front sectional view for explaining the main part thereof.
  • FIG. 2 is a schematic plan view for explaining the positional relationship among the first and second discharge electrodes, the discharge auxiliary electrode, and the back electrode in the ESD protection apparatus according to the first
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing the positional relationship among the first and second discharge electrodes, the discharge auxiliary electrode, and the back electrode in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic plan view for explaining a modification of the positional relationship among the first and second discharge electrodes, the discharge auxiliary electrode, and the back electrode.
  • FIG. 6 is a schematic plan view for explaining another modified example of the positional relationship among the first and second discharge electrodes, the discharge auxiliary electrode, and the back electrode.
  • FIG. 7 is a front sectional view of an ESD protection apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing the positional relationship among the first and second discharge electrodes, the discharge auxiliary electrode, and the back electrode in the ESD protection apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a front sectional view of an ESD protection apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing the positional relationship among the first and second discharge electrodes, the discharge auxiliary electrode, and the back electrode in the ESD protection apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a front sectional view of an ESD protection apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a front sectional view of an ESD protection apparatus according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is front sectional drawing of the ESD protection apparatus which concerns on the 7th Embodiment of this invention.
  • FIG. 14 is a front sectional view of an ESD protection apparatus according to the eighth embodiment of the present invention.
  • 1 (a) and 1 (b) are a front sectional view of an ESD protection device according to a first embodiment of the present invention and a partial cutaway front sectional view showing an essential part thereof.
  • the ESD protection device 1 has a substrate 2.
  • the substrate 2 is made of an appropriate insulating material.
  • the substrate 2 is made of a ceramic multilayer substrate, and a BAS material containing Ba, Al, and Si as main components is used.
  • LTCC low temperature sintered ceramics
  • HTCC ceramics sintered at a high temperature such as aluminum nitride or alumina may be used.
  • magnetic ceramics such as ferrite may be used.
  • the relative dielectric constant of the substrate 2 is about 6 when the BAS material is used for the substrate, for example.
  • the substrate 2 may be formed of an insulating material such as a resin other than ceramics.
  • a first discharge electrode 3 and a second discharge electrode 4 are formed on the upper surface 2a of the substrate 2.
  • a discharge auxiliary electrode 5 is provided on the lower surface of the first and second discharge electrodes 3 and 4 so as to connect the tips of the first and second discharge electrodes 3 and 4.
  • the discharge auxiliary electrode 5 is provided on the upper surface 2 a of the substrate 2 so as to connect the first discharge electrode 3 and the second discharge electrode 4. As shown in FIG. 2, when viewed in plan, the discharge auxiliary electrode 5 is provided in a region including a gap region where the tips of the first and second discharge electrodes 3 and 4 are opposed to each other.
  • the discharge auxiliary electrode 5 is formed by dispersing conductive particles 6 covered with a non-conductive material on the upper surface 2a of the substrate 2. More specifically, it is formed by applying and baking a paste containing such conductive particles. In this case, the coated conductive particles 6 that are not conductive and are contained in the paste are diffused from the upper surface 2 a of the substrate 2 to the surface layer of the substrate 2. As a result, the discharge auxiliary electrode is formed.
  • the discharge auxiliary electrode 5 acts to promote the discharge between the tip of the first discharge electrode 3 and the tip of the second discharge electrode 4.
  • the material constituting the conductive particles coated with the above non-conductive material is not particularly limited.
  • the material having no electrical conductivity include insulating ceramics such as alumina, and glass.
  • the material forming the conductive particles is not particularly limited, and a metal or the like can be used as appropriate.
  • a metal copper or a copper-based alloy containing copper as a main component is preferably used.
  • other metals such as silver, aluminum, molybdenum, tungsten, or alloys mainly composed of other metals may be used.
  • semiconductor ceramic particles may be added to the discharge auxiliary electrode 5.
  • semiconductor ceramic particles particles made of SiC, TiC or the like can be used.
  • the high dielectric constant layer 7 is provided below the discharge auxiliary electrode 5.
  • the high dielectric constant layer 7 is a layer formed of a material having a relative dielectric constant higher than that of the substrate 2.
  • the material having a high relative dielectric constant preferably has a relative dielectric constant twice or more that of the material constituting the substrate 2 and preferably has a relative dielectric constant of 10,000 or less.
  • the relative dielectric constant difference between the substrate 2 and the high dielectric constant layer 7 is sufficiently large. Therefore, the electric field concentration action and the charging action described later can be effectively expressed. Therefore, the discharge start voltage can be further effectively reduced.
  • the material for forming the high dielectric constant layer 7 is not particularly limited as long as it has a higher dielectric constant than that of the substrate 2.
  • a ceramic material having a relative dielectric constant higher than that of the substrate 2 is preferably used.
  • examples of such a ceramic material include barium titanate, calcium zirconate, calcium titanate, strontium titanate, and magnesium titanate.
  • the relative dielectric constant of barium titanate, calcium zirconate, calcium titanate, strontium titanate, magnesium titanate, etc. is about 30 or more and 10,000 or less.
  • the high dielectric constant layer 7 is provided so as to connect the tip of the first discharge electrode 3 and the tip of the second discharge electrode 4 directly or indirectly.
  • the high dielectric constant layer 7 is laminated on the discharge auxiliary electrode 5. Therefore, the high dielectric constant layer 7 is provided so as to indirectly connect the tip of the first discharge electrode and the tip of the second discharge electrode.
  • the high dielectric constant layer 7 may directly connect the tip of the first discharge electrode 3 and the tip of the second discharge electrode 4 without using the auxiliary discharge electrode 5.
  • the high dielectric constant layer 7 has the same shape as the discharge auxiliary electrode and is provided immediately below the discharge auxiliary electrode 5. Therefore, when viewed in plan, the high dielectric constant layer 7 is provided at the same position as the discharge auxiliary electrode 5 shown in FIG.
  • a resin layer 8 is formed in a gap portion where the tips of the first and second discharge electrodes 3 and 4 face each other.
  • the resin layer 8 is made of a synthetic resin and has a relative dielectric constant lower than that of the substrate 2. Examples of the resin constituting the resin layer 8 include a silicone resin.
  • the resin layer 8 is formed after the discharge electrodes 3 and 4 are formed. Therefore, the resin layer 8 is formed by applying the resin constituting the resin layer 8 so as to fill the gap. Therefore, in this embodiment, the upper surface of the resin layer 8 is flush with the upper surfaces of the first and second discharge electrodes 3 and 4.
  • a second resin layer 9 is formed so as to cover the first and second discharge electrodes 3, 4 and the resin layer 8.
  • the second resin layer 9 is made of a resin having a relative dielectric constant higher than that of the first resin layer 8. Examples of such a resin include an epoxy resin.
  • the first and second resin layers 8 and 9 are not necessarily provided. For example, a cavity may be provided instead of the first resin layer 8.
  • the 1st, 2nd resin layers 8 and 9 may be formed from the same material.
  • first and second external electrodes 10 and 11 are formed so as to be electrically connected to the first and second discharge electrodes 3 and 4.
  • the first and second external electrodes 10 and 11 are electrically connected to the first and second discharge electrodes 3 and 4 on the upper surface of the substrate 2, respectively.
  • the first and second external electrodes 10 and 11 reach the lower surface through the side surface of the substrate 2.
  • the first and second external electrodes 10 and 11 are made of an appropriate metal or alloy.
  • a back electrode 12 is formed in the substrate 2. As shown in FIG. 2, the back electrode 12 is provided at a position overlapping the gap portion where the first and second discharge electrodes 3, 4 face each other when viewed in plan.
  • the back electrode 12 is opposed to the first and second discharge electrodes 3 and 4 and the high dielectric constant layer 7 through a part of the layer of the substrate 2.
  • the substrate 2 is made of a ceramic multilayer substrate. Therefore, the back electrode 12 can be formed in the manufacturing process of the substrate 2.
  • the back electrode 12 can be formed of an appropriate conductive material.
  • the back electrode 12 is mainly made of metal.
  • the same metal as that used for the first and second discharge electrodes 3 and 4 can be used.
  • the ESD protection device 1 includes a discharge auxiliary electrode 5 and a high dielectric constant layer 7 laminated on the discharge auxiliary electrode 5 so as to connect the tips of the first and second discharge electrodes 3 and 4. Therefore, the discharge start voltage can be effectively reduced.
  • materials having different dielectric constants are arranged in the vicinity of the first and second discharge electrodes 3 and 4. That is, materials having different dielectric constants such as the resin layer 8, the discharge auxiliary electrode 6, and the high dielectric constant layer 7 exist in the vicinity of the surfaces of the first and second discharge electrodes 3 and 4.
  • electric field concentration is promoted at the surfaces of the first and second discharge electrodes 3 and 4, particularly at the tips. Therefore, the movement of electrons as a starting point of discharge is promoted by the electric field concentration. As a result, the discharge start voltage is considered to be low.
  • the discharge start voltage is effectively lowered by providing the high dielectric constant layer 7 under the discharge auxiliary electrode 5. This is because the electric field concentration is promoted by the presence of the high dielectric constant layer 7 and the creeping discharge generated in the discharge auxiliary electrode 5 is promoted.
  • the capacitance between the first and second discharge electrodes 3 and 4 facing each other is also increased, thereby promoting the charging action during discharge. Therefore, it is considered that the discharge start voltage is lowered by the promotion of the charging action.
  • the electrostatic capacitance does not increase excessively, the present inventors have confirmed that the ESD protection device according to the present invention can be used in a high-frequency circuit.
  • the back electrode 12 since the back electrode 12 is provided, the electric field concentration is further promoted, and thereby the discharge start voltage is further reduced.
  • the discharge auxiliary electrode 5 and the back electrode 12 are not necessarily provided.
  • a porous layer in which a material having a voltage nonlinearity characteristic, a metal, a semiconductor, or the like is dispersed may be provided instead of the discharge auxiliary electrode 5, a porous layer in which a material having a voltage nonlinearity characteristic, a metal, a semiconductor, or the like is dispersed may be provided instead of the discharge auxiliary electrode 5, a porous layer in which a material having a voltage nonlinearity characteristic, a metal, a semiconductor, or the like is dispersed may be provided.
  • the back electrode 12 is electrically connected to the first external electrode 10 or the second external electrode 11.
  • a capacitance is formed between the discharge electrode 3 or the discharge electrode 4 and the back electrode 12.
  • the capacitance is further increased by the presence of the high dielectric constant layer 7. Therefore, the charging action during discharging can be further increased, and the discharge start voltage can be further reduced. Even in this case, the inventors of the present application have confirmed that the capacitance can be used in a high-frequency circuit without excessively increasing.
  • heat generated by the discharge can be quickly dissipated from the back electrode 12 to the external electrode 10 or the external electrode 11 electrically connected to the back electrode 12. Therefore, thermal degradation in the ESD protection apparatus 1 can be suppressed.
  • the substrate 2 can be formed according to a known ceramic multilayer substrate manufacturing method. Moreover, the discharge auxiliary electrode 5, the high dielectric constant layer 7, and the first and second discharge electrodes 3 and 4 can be easily formed. Therefore, the manufacturing process is not complicated.
  • 3 (a) and 3 (b) are a front sectional view of an ESD protection device 21 according to a second embodiment of the present invention and a partially cutaway enlarged front sectional view showing an essential part thereof.
  • the ESD protection device 21 of the second embodiment has a substrate 22.
  • the substrate 22 can be formed of the same material as the substrate 2 of the first embodiment.
  • First and second discharge electrodes 3 and 4 are disposed in the substrate 22.
  • the tips of the first and second discharge electrodes 3 and 4 are opposed to each other with a gap therebetween.
  • a discharge auxiliary electrode 5 is formed so as to connect the tips of the first and second discharge electrodes 3 and 4.
  • the first and second discharge electrodes 3 and 4 and the auxiliary discharge electrode 5 are the same as the first and second discharge electrodes 3 and 4 and the auxiliary discharge electrode 5 of the first embodiment except that the formation positions are different. It is formed similarly. Therefore, the description of the first embodiment is incorporated.
  • the cavity 22b is provided in the portion where the tips of the first and second discharge electrodes 3 and 4 face each other. The tips of the first and second discharge electrodes 3 and 4 are exposed in the cavity 22b.
  • the gap between the tip of the first discharge electrode 3 and the tip of the second discharge electrode 4 is located in the cavity 22b. Therefore, a gas filling the cavity 22b exists in the gap.
  • the relative permittivity of gas is, for example, 1.00059 for air. Therefore, compared to the relative dielectric constant of the substrate 2, the portion constituting the gap is a relatively low dielectric constant portion.
  • the high dielectric constant layer 7 is laminated below the auxiliary discharge electrode 5.
  • the high dielectric constant layer 7A is also provided above the cavity 22b.
  • the high dielectric constant layer 7 ⁇ / b> A is formed of the same material as that of the high dielectric constant layer 7.
  • the high dielectric constant layer 7A is provided on the surface of the substrate 22 facing the cavity 22b.
  • the high dielectric constant layer 7 ⁇ / b> A is configured to connect the tips of the first and second discharge electrodes 3 and 4. It is sufficient that at least one of the high dielectric constant layer 7 and the high dielectric constant layer 7A is provided, but it is preferable that both are provided as in the present embodiment.
  • a back electrode 12 is provided so as to face the high dielectric constant layer 7 and the first and second discharge electrodes 3 and 4 through the substrate layer.
  • the back electrode 12 is configured similarly to the back electrode 12 of the first embodiment.
  • the back electrode 12A is also formed above the cavity 22b.
  • the back electrode 12A is formed of the same material as the back electrode 12.
  • the planar shape of the back electrode 12A and the position when viewed in plan are the same as those of the back electrode 12. That is, the back electrode 12A is provided at the position of the back electrode 12 shown in FIG.
  • the first and second discharge electrodes 3 and 4 are electrically connected to the first and second external electrodes 10 and 11.
  • the first and second external electrodes 10 and 11 are provided in the same manner as in the first embodiment.
  • the discharge when static electricity is applied between the first discharge electrode 3 and the second discharge electrode 4, the discharge is caused by both creeping discharge and air discharge. It becomes. Also in this case, since the discharge auxiliary electrode 5 and the high dielectric constant layers 7 and 7A are provided in the vicinity of the surfaces of the first and second discharge electrodes 3 and 4, similarly to the case of the first embodiment. The discharge start voltage can be effectively lowered. In addition, the discharge start voltage can be lowered by providing the back electrodes 12 and 12A.
  • the discharge start voltage can be further reduced.
  • thermal degradation can be suppressed.
  • the first and second discharge electrodes 3 and 4 may be located in the substrate 22.
  • air discharge may be used by providing the cavity 22b.
  • the cavity 22b and the discharge auxiliary electrode 5 are not necessarily provided.
  • a porous layer in which a material having a voltage non-linear characteristic, a metal, a semiconductor, or the like is dispersed may be provided in a region between the first and second discharge electrodes 3 and 4. .
  • the positional relationship among the first and second discharge electrodes 3 and 4, the discharge auxiliary electrode 5 and the back electrode 12 is not limited to the positional relationship schematically shown in FIGS. Absent. That is, as shown in FIG. 5, the first discharge electrode 3 and the second discharge electrode 4 may be arranged such that the side edges in the vicinity of the front ends are opposed to each other with a gap therebetween, instead of the front ends. . Even in this case, the back electrode 12, the discharge auxiliary electrode 5, and the high dielectric constant layer 7 may be disposed in the region where the gap is provided. Furthermore, as shown in FIG. 6, the back electrode 12 may be disposed so as to include the entire region of the gap.
  • the tip of the first discharge electrode 3 and the tip of the second discharge electrode 4 are opposed to each other through a gap.
  • the back electrode 12 is provided so as to overlap with the first and second discharge electrodes 3 and 4 in a part of the gap when viewed in plan.
  • the width direction dimension of the back electrode 12 may be smaller than the width direction dimension of the discharge electrodes 3 and 4.
  • the width dimension means a direction orthogonal to the direction in which the first and second discharge electrodes 3 and 4 are opposed to each other.
  • the planar shape of the discharge auxiliary electrode 5 is not particularly limited as long as it is provided so as to connect the first and second discharge electrodes 3 and 4 to each other.
  • planar shape of the high dielectric constant layer 7 is not particularly limited as long as it is provided so as to connect the first and second discharge electrodes 3 and 4 directly or indirectly.
  • FIG. 7 is a front sectional view of the ESD protection device 31 according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 shows the positional relationship among the first and second discharge electrodes 3, 4, the discharge auxiliary electrode 5, the high dielectric constant layer 7, and the back electrode 12 in the ESD protection device 31 of the third embodiment. It is a schematic plan view which shows. As shown in FIGS. 7 and 8, in the third embodiment, the back electrode 12 is drawn out to the side surface of the substrate 22 and is electrically connected to the second external electrode 11. Other points are the same as those of the ESD protection apparatus 1 of the first embodiment.
  • the discharge start voltage can be further reduced.
  • the ESD protection device 31 of the third embodiment is similar in structure to the ESD protection device 1, and therefore, similarly to the ESD protection device 1, the discharge start voltage can be lowered and the manufacturing process is complicated. It is hard to invite.
  • FIGS. 9 and 10 are front sectional views of the ESD protection device 41 according to the fourth embodiment, the first and second discharge electrodes 3 and 4, and the discharge auxiliary electrode 5 in the ESD protection device 41.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the positional relationship between a high dielectric constant layer 7 and a back electrode 12.
  • the ESD protection device 41 of the fourth embodiment is that the back electrodes 12 and 12A are electrically connected to the external electrode 11.
  • the fourth embodiment is the same as the second embodiment.
  • the discharge start voltage can be further reduced. Moreover, thermal degradation can also be suppressed.
  • the discharge start voltage can be lowered similarly to the ESD protection device 21.
  • the back electrode 12 and the back electrodes 12 and 12A are provided, but the fifth and sixth embodiments shown in FIGS. 11 and 12 are used. As described above, the back electrode may be omitted.
  • the discharge auxiliary electrode 5 provided in the first and second embodiments may be omitted.
  • Example 1 and 2 and Comparative Example 1 The ESD protection device of Examples 1 and 2 as examples of the second embodiment and Comparative Example 1 for comparison was manufactured in the following manner.
  • a ceramic powder having a composition mainly composed of Ba, Al, and Si and having a ceramic composition known as a BAS material was prepared (relative dielectric constant: 5 to 9).
  • toluene and echinene were added and mixed, and further a binder resin and a plasticizer were added to obtain a ceramic slurry.
  • This ceramic slurry was molded by a doctor blade method to obtain a mother ceramic green sheet having a thickness of 50 ⁇ m.
  • the high dielectric constant powder shown in the following Table 1 and the oxide powder shown in the following Table 2 were prepared.
  • the average particle diameters D10, D50, and D90 in Tables 1 and 2 are average particle diameters obtained by a laser diffraction flow distribution method.
  • the specific surface area (SSA) in Tables 1 and 2 is a value determined by the BET one-point method using nitrogen gas.
  • the above high dielectric constant powder was obtained by pulverizing a single plate of barium titanate having a relative dielectric constant of 2000.
  • (Discharge auxiliary electrode paste) CuAl alloy powder having an average particle size of 2.5 ⁇ m and an Al content of 7 wt%, BaO—Si 2 —Al 2 O 3 glass ceramic powder having an average particle size of 0.5 ⁇ m, and eteocel in terpineol
  • An organic vehicle solution in which 10% by weight of the resin is dissolved is prepared.
  • the Cu alloy powder is 11.2% by volume of the total
  • the BaO—Si 2 —Al 2 O 3 glass ceramic powder is 2.8% by volume
  • (Discharge electrode paste) 40% by weight of Cu powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m, 40% by weight of Cu powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and 20% by weight of an organic vehicle prepared by dissolving ethyl cellulose and terpineol, By mixing, the paste for discharge electrodes was produced.
  • the high dielectric constant layer paste is applied, and then the auxiliary electrode paste is overcoated, and then the discharge electrode paste is formed at the position where the first and second discharge electrodes are formed. I painted it over again. The facing distance of the gap was 20 ⁇ m. Further, the cavity forming paste was applied, and a high dielectric constant layer was applied over the cavity and dried.
  • a plurality of mother ceramic green sheets were laminated on top and bottom of the mother ceramic green sheets coated with the above-mentioned cavity forming paste and pressure-bonded. In this manner, a mother laminate having a thickness of 0.3 mm was obtained.
  • the mother laminate was cut in the thickness direction so as to constitute individual ESD protection device substrates, and a 1.0 mm ⁇ 0.5 mm planar chip was obtained.
  • the CuAl alloy powder in the discharge auxiliary electrode paste becomes Cu at the center during firing, and Al is oxidized on the outer surface to form an Al 2 O 3 insulating layer. Therefore, in the discharge auxiliary electrode, metal particles coated with a material having no conductivity are dispersed.
  • a barium titanate layer which is a high dielectric constant layer, is formed in the vicinity of the surface of the discharge electrode.
  • a chip was produced as described above to obtain a substrate.
  • An external electrode paste was applied to both end faces of this substrate and baked to form external electrodes. Furthermore, Ni plating and Sn plating layers were formed on the surface of the external electrode by electrolytic plating.
  • An ESD protection device was obtained as described above.
  • ESD was applied from the low voltage side by contact discharge in accordance with IEC standard, IEC61000-4-2.
  • the operating rate of the ESD protection device at each applied voltage was determined. That is, in 100 samples, the number of samples where discharge started was obtained, and the ratio was used as the operation rate.
  • the operating rate evaluation symbols are as follows.
  • Example 1 As is clear from Table 4, it can be seen that the operation rate is increased according to Example 1 as compared with Comparative Example 1. That is, it can be seen that the discharge start voltage is effectively reduced. Furthermore, according to Example 2 which does not contain oxide powder, it turns out that the discharge start voltage is lowered
  • Example 3 An electrode paste having the same composition as the discharge electrode paste used in Example 2 was prepared as a back electrode paste.
  • the back electrode paste was screen-printed so as not to be connected to external electrodes.
  • An ESD protection device of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that a mother ceramic green sheet printed with this back electrode paste was inserted.
  • the back electrode paste was printed in the same manner as in the above embodiment 4 except that the back electrode paste was printed so as to be finally electrically connected to one external electrode. An ESD protection device was produced.
  • the back electrode was provided so that the back electrode was positioned 10 ⁇ m below the position where the first and second discharge electrodes 3 and 4 were formed at the mother laminate stage.
  • Example 6 As is clear from Table 6, according to Examples 3 and 4, it can be seen that the discharge start voltage can be further reduced as compared with Example 2. That is, it can be seen that the discharge start voltage can be further reduced by forming the back electrode.
  • Example 3 the electrostatic capacity is further increased as compared with Example 2. Thereby, it is considered that the charging action was further enhanced and the discharge start voltage could be further reduced.
  • the capacitance was smaller than 0.5 pF, it was confirmed that it could be used for a high-frequency circuit.

Landscapes

  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

　放電開始電圧を効果的に低めることができるＥＳＤ保護装置を提供する。　基板２と、基板２に設けられており、先端同士がギャップを隔てて対向している第１，第２の放電電極３，４と、基板２より比誘電率が高い高誘電率層７とを備える、ＥＳＤ保護装置１。

Description

ＥＳＤ保護装置
　本発明は、静電気から電子回路を保護するためのＥＳＤ保護装置に関し、特に、放電電極がギャップを隔てて対向しているＥＳＤ保護装置に関する。
　下記の特許文献１には、セラミック多層基板内に第１，第２の放電電極が設けられているＥＳＤ保護装置が開示されている。第１，第２の放電電極に接続されるように、補助電極が設けられている。補助電極は、導電性を有しない無機材料によりコーティングされた導電性材料を分散させることにより形成されている。
　また、下記の特許文献２には、絶縁性基板上に、放電間隙を介して互いに対向配置された放電電極を備えるチップ型サージアブソーバが開示されている。放電電極と絶縁性基板の間には、絶縁性基板の比誘電率より大きな比誘電率を持つ誘電体層が設けられている。なお、絶縁性基板そのものを上記誘電体層によって形成した場合には、静電容量が増大し、高周波回路に使用することが難しい旨、記載されている。
ＷＯ２００９／０９８９４４ 特開２００２－４３０２１号公報
　特許文献１に記載のＥＳＤ保護装置では、補助電極により放電開始電圧の低電圧化が図られているが、なお十分ではなかった。
　他方、特許文献２に記載のチップ型サージアブソーバでは、上記誘電体層を設けることにより低電圧化が図られている。特許文献２の発明では、静電容量の増大を防ぐ目的で、誘電体層は放電間隙には設けられていない。すなわち、誘電体層は、絶縁性基板上の放電電極の直下にのみ設けられている。従って、気中放電や沿面放電の内、沿面放電が十分に利用され難かった。よって、放電開始電圧を十分に低電圧化させることが困難であった。
　本発明の目的は、放電開始電圧を効果的に低めることができる、ＥＳＤ保護装置を提供することにある。
　本発明に係るＥＳＤ保護装置は、基板と、上記基板に設けられており、ギャップを隔てて対向している第１，第２の放電電極と、上記基板より比誘電率が高い高誘電率層とを備える。上記高誘電率層は、上記第１の放電電極と、上記第２の放電電極とを直接的又は間接的に接続するように設けられている。
　本発明に係るＥＳＤ保護装置は、好ましくは、上記第１の放電電極と、上記第２の放電電極とを接続するように設けられており、第１，第２の放電電極間の放電を促す放電補助電極をさらに備える。
　本発明のＥＳＤ保護装置のある特定の局面では、上記放電補助電極が、導電性を有しない材料で被覆された導電性粒子を含む。
　本発明のＥＳＤ保護装置の他の特定の局面では、上記高誘電率層が、上記放電補助電極に積層するように構成されている。
　本発明に係るＥＳＤ保護装置では、好ましくは、上記高誘電率層が、上記ギャップ部分の上方又は下方の少なくとも一方に設けられている。
　本発明に係るＥＳＤ保護装置では、好ましくは、上記ギャップに、上記基板よりも比誘電率が低い部分が位置している。上記基板よりも比誘電率が低い部分は空洞であってもよい。また、上記基板よりも比誘電率が低い部分は、基板よりも比誘電率の低い材料により形成されてもよい。好ましくは、基板よりも比誘電率が低い上記材料として、樹脂が用いられる。
　本発明に係るＥＳＤ保護装置は、好ましくは、上記第１，第２の放電電極間のギャップと上記基板の一部を介して重なり合うように設けられた背後電極をさらに備える。
　好ましくは、上記基板に設けられており、第１，第２の放電電極にそれぞれ電気的に接続されている第１，第２の外部電極を備え、上記背後電極が、第１，第２の外部電極のうちの一方に電気的に接続されている。もっとも、背後電極は、浮き電極であってもよい。
　本発明に係るＥＳＤ保護装置では、好ましくは、上記背後電極が、金属と、上記基板よりも高誘電率の材料とを含む。
　本発明に係るＥＳＤ保護装置では、上記第１，第２の放電電極が、上記基板の外表面に配置されていてもよい。
　また、本発明に係るＥＳＤ保護装置では、上記第１，第２の放電電極の先端が上記基板内に配置されており、上記ギャップが基板内に位置していてもよい。
　本発明に係るＥＳＤ保護装置によれば、基板より比誘電率の高い高誘電率層が第１，第２の放電電極に直接的又は間接的に接続されているため、放電開始電圧を低めることが可能となる。従って、電子回路等において、静電気からの保護をより効果的に果たすことが可能となる。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の正面断面図及びその要部を説明するための部分切欠拡大正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係るＥＳＤ保護装置における第１，第２の放電電極と、放電補助電極と、背後電極との位置関係を説明するための模式的平面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の正面断面図及びその要部を示す部分切欠拡大正面断面図である。 図４は、本発明の第２の実施形態における第１，第２の放電電極と、放電補助電極と、背後電極との位置関係を示す模式的平面図である。 図５は、第１，第２の放電電極と、放電補助電極と、背後電極との位置関係の変形例を説明するための模式的平面図である。 図６は、第１，第２の放電電極と、放電補助電極と、背後電極との位置関係の他の変形例を説明するための模式的平面図である。 図７は、本発明の第３の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の正面断面図である。 図８は、本発明の第３の実施形態のＥＳＤ保護装置における第１，第２の放電電極と、放電補助電極と、背後電極との位置関係を示す模式的平面図である。 図９は、本発明の第４の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の正面断面図である。 図１０は、本発明の第４の実施形態のＥＳＤ保護装置における第１，第２の放電電極と、放電補助電極と、背後電極との位置関係を示す模式的平面図である。 図１１は、本発明の第５の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の正面断面図である。 図１２は、本発明の第６の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の正面断面図である。 図１３は、本発明の第７の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の正面断面図である。 図１４は、本発明の第８の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の正面断面図及びその要部を示す部分切欠正面断面図である。
　ＥＳＤ保護装置１は、基板２を有する。基板２は、適宜の絶縁性材料からなる。本実施形態では、基板２は、セラミック多層基板からなり、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｉを主たる成分として含むＢＡＳ材が用いられている。もっとも、ガラスセラミックスなどの低温焼結セラミックス（ＬＴＣＣ）が用いられてもよい。また、窒化アルミニウムやアルミナなどの高温で焼結されるセラミックス（ＨＴＣＣ）を用いてもよい。さらには、フェライトなどの磁性体セラミックスが用いられてもよい。基板２の比誘電率は、例えば基板に上記ＢＡＳ材を用いた場合、６程度である。
　また、基板２は、セラミックス以外の樹脂等の絶縁性材料で形成されていてもよい。基板２の上面２ａ上に、第１の放電電極３と第２の放電電極４とが形成されている。また、第１，第２の放電電極３，４の先端同士を接続するように、第１，第２の放電電極３，４の下面には、放電補助電極５が設けられている。
　放電補助電極５は、基板２の上面２ａにおいて、第１の放電電極３と第２の放電電極４とを接続するように設けられている。図２に示すように、平面視した場合、放電補助電極５は、第１，第２の放電電極３，４の先端同士が対向しているギャップ領域を含む領域に設けられている。
　放電補助電極５は、基板２の上面２ａにおいて、導電性を有しない材料で被覆されている導電性粒子６を分散させることにより形成されている。より具体的には、このような導電性粒子を含むペーストを塗布し、焼き付けることにより、形成される。この場合、ペーストに含有されている、導電性を有しない被覆された導電性粒子６が基板２の上面２ａから基板２の表面層に拡散される。その結果、上記放電補助電極が形成される。
　放電補助電極５は、第１の放電電極３の先端と第２の放電電極４の先端との間の放電を促すように作用する。
　上記導電性を有しない材料で被覆された導電性粒子を構成する材料については特に限定されない。導電性を有しない材料としては、アルミナなどの絶縁性セラミックス、ガラスなどが挙げられる。また、導電性粒子を構成する材料についても特に限定されず、金属などを適宜用いることができる。このような金属としては、好ましくは、銅または銅を主成分とした銅系合金が用いられる。もっとも、銀、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの他の金属もしくは他の金属を主体とする合金を用いてもよい。
　さらに、放電補助電極５には、導電性を有しない材料で被覆された導電性粒子の他、半導体セラミック粒子が添加されていてもよい。このような半導体セラミック粒子としては、ＳｉＣ、ＴｉＣなどからなる粒子を用いることができる。
　本実施形態においては、放電補助電極５の下方に高誘電率層７が設けられている。高誘電率層７とは、基板２より比誘電率が高い材料で形成された層である。上記比誘電率が高い材料は、好ましくは、基板２を構成している材料の２倍以上の比誘電率を有し、かつ１００００以下の比誘電率であることが好ましい。この範囲内であれば、基板２と高誘電率層７との間の比誘電率差が十分に大きい。従って、後述の電界集中作用及び充電作用を効果的に発現させることができる。そのため、放電開始電圧をより一層効果的に低めることができる。
　高誘電率層７を形成する材料としては、基板２より比誘電率が高い材料であれば特に限定されない。高誘電率層７を形成する材料としては、基板２より比誘電率が高いセラミック材料が好適に用いられる。このような、セラミック材料としては、チタン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウムなどが挙げられる。チタン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸マグネシウムなどの比誘電率は３０以上、１００００以下程度である。
　高誘電率層７は、上記第１の放電電極３の先端と、上記第２の放電電極４の先端とを直接的又は間接的に接続するように設けられている。本実施形態においては、高誘電率層７が、上記放電補助電極５に積層されている。従って、高誘電率層７は、上記第１の放電電極の先端と、上記第２の放電電極の先端とを間接的に接続するように設けられている。もっとも、高誘電率層７は、放電補助電極５を介さずに、第１の放電電極３の先端と、第２の放電電極４の先端とを直接的に接続してもよい。また、本実施形態において、高誘電率層７は、放電補助電極と同じ形状であり、かつ放電補助電極５の直下に設けられている。よって、平面視した場合、高誘電率層７は、図２に示した放電補助電極５と同じ位置に設けられている。
　図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１，第２の放電電極３，４の先端同士が対向しているギャップ部分には、樹脂層８が形成されている。樹脂層８は、合成樹脂からなり、その比誘電率が、基板２の比誘電率よりも低い。このような樹脂層８を構成する樹脂としては、シリコーン樹脂などを挙げることができる。
　また、本実施形態では、上記放電電極３，４を形成した後に、上記樹脂層８が形成されている。従って、樹脂層８は、樹脂層８を構成する樹脂が上記ギャップを埋めるように付与することにより形成される。よって、本実施形態では、樹脂層８の上面が、第１，第２の放電電極３，４の上面と面一とされている。
　また、上記第１，第２の放電電極３，４及び樹脂層８を被覆するように、第２の樹脂層９が形成されている。第２の樹脂層９は第１の樹脂層８よりも比誘電率が高い樹脂からなる。このような樹脂としては、エポキシ樹脂などを挙げることができる。ただし、本実施形態において、第１，第２の樹脂層８，９は必ずしも設けられていなくてもよい。例えば、第１の樹脂層８の代わりに空洞が設けられていてもよい。また、第１，第２の樹脂層８、９が同じ材料から形成されていてもよい。
　図１（ａ）に示すように、第１，第２の放電電極３，４に電気的に接続されるように、第１，第２の外部電極１０，１１が形成されている。第１，第２の外部電極１０，１１は、基板２の上面において第１，第２の放電電極３，４にそれぞれ電気的に接続されている。第１，第２の外部電極１０，１１は、基板２の側面を経て下面に至っている。第１，第２の外部電極１０，１１は、適宜の金属もしくは合金からなる。
　基板２内には、背後電極１２が形成されている。背後電極１２は、図２に示すように、平面視した場合、上記第１，第２の放電電極３，４が対向しているギャップ部分と重なる位置に設けられている。
　背後電極１２は、第１，第２の放電電極３，４及び高誘電率層７と、基板２の一部の層を介して対向されている。本実施形態では、基板２はセラミック多層基板からなる。従って、背後電極１２は、基板２の製造工程において形成することができる。
　背後電極１２は、適宜の導電性材料により形成することができる。好ましくは、背後電極１２は、金属を主体とする。このような金属材料としては、第１，第２の放電電極３，４に用いた金属と同様の金属を用いることができる。
　ＥＳＤ保護装置１は、第１，第２の放電電極３，４の先端同士を接続するように、放電補助電極５及び該放電補助電極５に積層している高誘電率層７を備える。そのため、放電開始電圧を効果的に低めることができる。これは、第１，第２の放電電極３，４の近傍に誘電率が異なる材料が配置されることによる。すなわち、第１，第２の放電電極３，４の表面付近において、樹脂層８、放電補助電極６、高誘電率層７等の誘電率が異なる材料が存在している。その結果、第１，第２の放電電極３，４の表面、特に先端において電界集中が促進されることとなる。従って、電界集中により、放電の基点となる電子の移動が促される。その結果、放電開始電圧が低くなるものと考えられる。
　加えて、本実施形態では、上記放電補助電極５の下に、上記高誘電率層７が設けられていることによっても、放電開始電圧が効果的に低められている。これは、高誘電率層７の存在により電界集中が促され、放電補助電極５で生じる沿面放電が促進されることによる。
　加えて、対向する第１，第２の放電電極３，４間の静電容量も高められ、それによって放電時の充電作用が促進されると考えられる。従って、この充電作用の促進によっても、放電開始電圧が低くなっているものと考えられる。なお、本発明におけるＥＳＤ保護装置は、静電容量が過度に増大しないため、高周波回路においても使用できることが、本願発明者らにより確認されている。
　さらに、上記背後電極１２が設けられているため、電界集中がより一層促進され、それによっても放電開始電圧がより一層低められている。
　もっとも、本発明においては、上記放電補助電極５及び背後電極１２は必ずしも設けられずともよい。例えば、放電補助電極５の代わりに、電圧非直線性特性を有する材料、金属または半導体等が分散されたポーラスな層が設けられていてもよい。
　なお、好ましくは、背後電極１２は、第１の外部電極１０または第２の外部電極１１に電気的に接続されていることが望ましい。それによって、放電電極３または放電電極４と背後電極１２との間で静電容量が形成される。該静電容量は、高誘電率層７の存在によりさらに増加する。従って、放電時の充電作用をより一層高めることができ、放電開始電圧をさらに低めることができる。この場合においても、静電容量は過度に増加することなく、高周波回路でも使用できることが、本願発明者らにより確認されている。
　加えて、放電により生じた熱を、背後電極１２から背後電極１２に電気的に接続されている外部電極１０または外部電極１１に速やかに放散させることができる。従って、ＥＳＤ保護装置１における熱劣化を抑制することができる。
　ＥＳＤ保護装置１の製造に際しては、周知のセラミック多層基板の製造方法に従って基板２を形成することができる。また、放電補助電極５、高誘電率層７、第１，第２の放電電極３，４の形成も容易に行うことができる。従って、製造工程の煩雑さも招かない。
　図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るＥＳＤ保護装置２１の正面断面図及びその要部を示す部分切欠拡大正面断面図である。
　第２の実施形態のＥＳＤ保護装置２１は、基板２２を有する。基板２２は、第１の実施形態の基板２と同様の材料で形成され得る。
　基板２２内に第１，第２の放電電極３，４が配置されている。第１，第２の放電電極３，４の先端同士がギャップを隔てて対向されている。また、第１，第２の放電電極３，４の先端同士を接続するように放電補助電極５が形成されている。第１，第２の放電電極３，４及び放電補助電極５は、形成位置が異なることを除いては第１の実施形態の第１，第２の放電電極３，４及び放電補助電極５と同様に形成されている。従って、第１の実施形態の説明を援用することとする。もっとも本実施形態では、第１，第２の放電電極３，４の先端同士が対向している部分では、空洞２２ｂが設けられている。第１，第２の放電電極３，４の先端は、この空洞２２ｂ内に露出している。従って、第１の放電電極３の先端と第２の放電電極４との先端のギャップは空洞２２ｂ内に位置することとなる。よって、ギャップには、空洞２２ｂを満たしている気体が存在することとなる。気体の比誘電率は、例えば空気では１．０００５９である。従って、基板２の比誘電率に比べ、上記ギャップを構成している部分は相対的に低い誘電率部分となる。
　本実施形態においても、第１の実施形態同様、放電補助電極５の下方に高誘電率層７が積層されている。もっとも、本実施形態では、空洞２２ｂの上方にも高誘電率層７Ａが設けられている。高誘電率層７Ａは、高誘電率層７と同じ材料で形成されている。高誘電率層７Ａは、基板２２の空洞２２ｂに臨む面に設けられている。高誘電率層７Ａは、第１，第２の放電電極３，４の先端同士を接続するように構成されている。高誘電率層７と高誘電率層７Ａは、少なくとも一方が設けられていればよいが、本実施形態のように、両方が設けられている方が好ましい。
　また、基板２２内においては、高誘電率層７及び第１，第２の放電電極３，４と基板層を介して対向するように背後電極１２が設けられている。背後電極１２は、第１の実施形態の背後電極１２と同様に構成されている。本実施形態では、空洞２２ｂの上方にも、背後電極１２Ａが形成されている。背後電極１２Ａは、背後電極１２と同様の材料で形成されている。また、背後電極１２Ａの平面形状及び平面視した際の位置は、背後電極１２と同一とされている。すなわち、背後電極１２Ａは、図４に示す背後電極１２の位置に設けられている。
　第１，第２の放電電極３，４は、第１，第２の外部電極１０，１１に電気的に接続されている。第１，第２の外部電極１０，１１は第１の実施形態の場合と同様にして設けられている。
　第２の実施形態のＥＳＤ保護装置２１では、第１の放電電極３と第２の放電電極４との間に静電気が印加されると、沿面放電と気中放電の双方の放電により放電することとなる。この場合においても、第１，第２の放電電極３，４の表面近傍に、放電補助電極５及び高誘電率層７，７Ａが設けられているため、第１の実施形態の場合と同様に、放電開始電圧を効果的に低めることができる。加えて、背後電極１２，１２Ａが設けられていることによっても、放電開始電圧を低めることができる。
　さらに、本実施形態においても、背後電極１２，１２Ａが、第１の外部電極１０または第２の外部電極１１に電気的に接続されている場合には、放電開始電圧をより一層低めることができるとともに、熱劣化も抑制することができる。
　第２の実施形態のＥＳＤ保護装置２１から明らかなように、本発明においては、第１，第２の放電電極３，４は、基板２２内に位置していてもよい。また、沿面放電だけなく、空洞２２ｂを設けることにより気中放電をも利用してもよい。ただし、本実施形態においては、必ずしも空洞２２ｂや放電補助電極５を設けなくてもよい。この場合、例えば、第１，第２の放電電極３，４の間の領域には、電圧非直線性特性を有する材料、金属または半導体等が分散されたポーラスな層が設けられていてもよい。
　なお、本発明において、第１，第２の放電電極３，４、放電補助電極５及び背後電極１２の位置関係については図２及び図４に模式的に示した位置関係に限定されるものではない。すなわち、図５に示すように、第１の放電電極３と第２の放電電極４とを、先端同士ではなく、先端近傍の側辺同士がギャップを隔てて対向するように配置されてもよい。この場合においても、ギャップが設けられている領域に、背後電極１２、放電補助電極５及び高誘電率層７を配置すればよい。さらに、図６に示すように、ギャップの全領域を含むように背後電極１２を配置してもよい。
　また、図２においては、第１の放電電極３の先端と第２の放電電極４の先端とがギャップを介して対向している。背後電極１２は、このギャップの一部において、第１，第２の放電電極３，４と平面視した際に重なるように設けられている。このように、背後電極１２の幅方向寸法を、放電電極３，４の幅方向寸法よりも小さくしてもよい。ここで幅方向寸法とは、第１，第２の放電電極３，４が対向している方向と直交する方向をいうものとする。
　放電補助電極５については、上記第１，第２の放電電極３，４同士を接続するように設けられている限り、その平面形状は特に限定されない。
　また、高誘電率層７についても、上記第１，第２の放電電極３，４同士を直接的又は間接的に接続するように設けられている限り、その平面形状は特に限定されない。
　図７は、本発明の第３の実施形態に係るＥＳＤ保護装置３１の正面断面図である。また、図８は、第３の実施形態のＥＳＤ保護装置３１における第１，第２の放電電極３，４と、放電補助電極５と、高誘電率層７と、背後電極１２との位置関係を示す模式的平面図である。図７及び図８に示すように、第３の実施形態では、背後電極１２が基板２２の側面に引き出されており、第２の外部電極１１に電気的に接続されている。その他の点は、第１の実施形態のＥＳＤ保護装置１と同様である。
　本実施形態のように、背後電極１２が外部電極１１に電気的に接続されている場合には、放電開始電圧をより一層低めることができる。
　なお、第３の実施形態のＥＳＤ保護装置３１は、その他の構造はＥＳＤ保護装置１と同様であるため、ＥＳＤ保護装置１と同様に、放電開始電圧を低めることができ、かつ製造工程の煩雑さも招き難い。
　同様に、図９及び図１０は、第４の実施形態に係るＥＳＤ保護装置４１の正面断面図及び該ＥＳＤ保護装置４１における第１，第２の放電電極３，４と、放電補助電極５と、高誘電率層７と、背後電極１２との位置関係を示す模式的平面図である。
　第４の実施形態のＥＳＤ保護装置４１は、背後電極１２，１２Ａが外部電極１１に電気的に接続されていることにある。その他の点は、第４の実施形態は第２の実施形態と同様である。
　第４の実施形態においても、背後電極１２，１２Ａが、外部電極１１に電気的に接続されているため、放電開始電圧をより一層低めることができる。また、熱劣化も抑制することができる。
　第４の実施形態のＥＳＤ保護装置４１は、その他の構造はＥＳＤ保護装置２１と同様であるため、ＥＳＤ保護装置２１と同様に、放電開始電圧を低めることができる。
　なお、第１及び第２の実施形態のＥＳＤ保護装置１，２１では、背後電極１２や背後電極１２，１２Ａが設けられていたが、図１１及び図１２に示す第５及び第６の実施形態のように、背後電極を省略してもよい。
　さらに、図１３及び図１４に示す第７及び第８の実施形態のように、第１及び第２の実施形態で設けられていた放電補助電極５を省略してもよい。
　以下、本発明の具体的な実施例につき説明する。
　（実施例１、２及び比較例１）
　以下の要領で、第２の実施形態の実施例としての実施例１、２と、比較のための比較例１のＥＳＤ保護装置を作製した。
　Ｂａ、Ａｌ及びＳｉを主体とする組成から成り、ＢＡＳ材として知られているセラミック組成のセラミック粉末を用意した（比誘電率：５～９）。このセラミック粉末に、トルエン及びエキネンを加え混合し、さらにバインダー樹脂と可塑剤とを加え、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリーをドクターブレード法により成形し、厚み５０μｍのマザーのセラミックグリーンシートを得た。また、下記の表１に示す高誘電率粉末と、下記の表２に示す酸化物粉末とを用意した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　なお、表１及び表２における平均粒径Ｄ１０、Ｄ５０及びＤ９０は、レーザー回折式流動分布法により求めた平均粒径である。
　また、表１及び表２における比表面積（ＳＳＡ）は、窒素ガスを用いたＢＥＴ１点法により求めた値である。
　上記高誘電率粉末は、比誘電率が２０００であるチタン酸バリウムの単板を粉砕することにより得たものである。
　上記表１に記載の高誘電率粉末と、表２に記載の酸化物粉末と、有機ビヒクル溶液とを混合し、下記の表３に示す組成の高誘電率層ペーストＰ－１を得た。比較のために、酸化物粉末を含まない高誘電率層ペーストＰ－２を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　（放電補助電極ペースト）
　平均粒径が２．５μｍであり、Ａｌ含有量が７重量％のＣｕＡｌ合金粉末と、平均粒径が０．５μｍのＢａＯ－Ｓｉ２－Ａｌ２Ｏ３系ガラスセラミックス粉末と、ターピネオール中にエトセル樹脂を１０重量％溶解した有機ビヒクル溶液を準備し、Ｃｕ合金粉末が全体の１１．２体積％、上記ＢａＯ－Ｓｉ２－Ａｌ２Ｏ３系ガラスセラミックス粉末が全体の２．８体積％、残りが上記有機ビヒクル溶液を占めるようにこれらを配合し、放電補助電極ペーストを得た。
　（空洞形成用ペースト）
　平均粒径１μｍの架橋アクリル樹脂ビーズ３８重量％と、ターピネオール中にエトセル樹脂を１０重量％溶解してなる有機ビヒクル溶液６２重量％とを調合し、空洞形成ペーストを得た。
　（外部電極ペースト）
　平均粒径が１μｍのＣｕ粉末８０重量％と、ガラス転移点が６２０℃で、軟化点が７２０℃であり、平均粒径が１μｍのホウケイ酸アルカリ系ガラスフリット５重量％と、エチルセルロースをターピネオールに溶解してなる有機ビヒクル１５重量％とを混合し、外部端子電極用ペーストを得た。
　（放電電極ペースト）
　平均粒径１μｍのＣｕ粉末を４０重量％と、平均粒径３μｍのＣｕ粉末を４０重量％と、エチルセルロースとターピネオールに溶解して作製した有機ビヒクルを２０重量％とを調合し、３本ロールにより混合することにより、放電電極用ペーストを作製した。
　（セラミック多層基板の製造）
　上述したマザーのセラミックグリーンシート上に、上記高誘電率層ペーストを塗布し、次に上記補助電極ペーストを重ね塗りし、続いて第１，第２の放電電極を形成する位置に放電電極ペーストを重ね塗りした。ギャップの対向距離は２０μｍとした。さらに、上記空洞形成ペーストを塗布し、空洞上部には高誘電率層を重ね塗りし、乾燥した。
　上記空洞形成ペーストを塗布したマザーのセラミックグリーンシートの上下に、複数枚のマザーのセラミックグリーンシートを積層し圧着した。このようにして厚み０．３ｍｍのマザーの積層体を得た。
　このマザーの積層体を、個々のＥＳＤ保護装置の基板を構成するように、厚み方向に切断し、１．０ｍｍ×０．５ｍｍの平面形状のチップを得た。
　なお、放電補助電極ペースト中のＣｕＡｌ合金粉末は、焼成に際し中央がＣｕとなり、外表面に、Ａｌが酸化しＡｌ２Ｏ３の絶縁層が形成されることになる。従って、放電補助電極においては、導電性を有しない材料で被覆された金属粒子が分散されることになる。
　また、焼成後、放電電極表面近傍に高誘電率層であるチタン酸バリウム層が形成されることになる。
　上記のようにしてチップを作製して基板を得た。この基板の両端面に外部電極ペーストを塗布し、焼き付け、外部電極を形成した。さらに外部電極表面にＮｉめっき及びＳｎめっき層を電解めっきにより形成した。上記のようにしてＥＳＤ保護装置を得た。
　上記のようにして得た実施例１のＥＳＤ保護装置と、高誘電率層ペーストＰ－２を用いたことを除いては上記実施例１と同様にして得た実施例２のＥＳＤ保護装置とを得た。また、上記のようにして得た実施例１のＥＳＤ保護装置と、高誘電率層ペーストを使用しなかったことを除いては上記実施例１と同様にして得た比較例１のＥＳＤ保護装置を得た。
　上記のようにして得た各ＥＳＤ保護装置については、ＩＥＣ規格、ＩＥＣ６１０００－４－２に準拠し、接触放電によりＥＳＤを低い電圧側から印加していった。各印加電圧におけるＥＳＤ保護装置の動作率を求めた。すなわち、１００個のサンプルにおいて、放電が開始したサンプルの数を求め、その割合を動作率とした。なお、動作率の評価記号は以下の通りである。
　◎…９０％超～１００％
　○…５０％超～９０％
　△…１０％超～５０％
　×…０％～１０％
　結果を下記の表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表４から明らかなように、比較例１に比べ、実施例１によれば、動作率が高められていることがわかる。すなわち放電開始電圧が効果的に低められていることがわかる。さらに、酸化物粉末を含まない実施例２によれば、より一層効果的に放電開始電圧が低められていることがわかる。
　また、静電容量については、Ｖｂｉａｓ＝０Ｖ、１ＭＨｚの条件で、アジレント社製ＬＣＲメーターにより測定した。結果を下記の表５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表５から明らかなように、比較例１に比べ実施例１及び２によれば、静電容量が高くなっていることがわかる。このことから、静電容量増加による充電作用により、放電開始電圧がさらに低められたと考えられる。また、一般的に高周波回路用のＥＳＤ保護装置には、通常、静電容量が０．５ｐＦ以上のものが使用されていることから、実施例１及び２のＥＳＤ保護装置は、高周波回路用としても十分に使用可能である。
　（実施例３及び４）
　実施例２で用いた放電電極ペーストと同じ組成の電極ペーストを背後電極ペーストとして用意した。
　１枚のマザーのセラミックグリーンシートにおいて、上記背後電極ペーストを外部電極と接続しないようにスクリーン印刷した。この背後電極ペーストが印刷されたマザーのセラミックグリーンシートを挿入したことを除いては、実施例１と同様にして実施例３のＥＳＤ保護装置を得た。
　また、上記背後電極ペーストの印刷に際し、最終的に一方の外部電極と電気的に接続されるように背後電極ペーストを印刷したことを除いては、上記実施例１と同様にして実施例４のＥＳＤ保護装置を作製した。
　実施例３及び４においては、背後電極は、マザーの積層体段階で第１，第２の放電電極３，４が形成されている位置よりも１０μｍ下方に背後電極が位置するように設けた。
　上記のようにして得た実施例３及び４のＥＳＤ保護装置について、実施例２と同様にして動作率を評価した。
　結果を下記の表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表６から明らかなように、実施例３及び４によれば、実施例２に比べて、さらに放電開始電圧を低め得ることがわかる。すなわち、背後電極の形成により、放電開始電圧をより一層低め得ることがわかる。
　また、実施例２と同様にして、静電容量を測定した。結果を下記の表７に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　静電容量についても実施例３及び４によれば、実施例２に比べてさらに増加している。それによって、充電作用がさらに高められ、放電開始電圧をより一層低めることができたと考えられる。また、実施例３、４においても、静電容量が０．５ｐＦより小さいことから、高周波回路用に使用可能であることが確かめられた。
１…ＥＳＤ保護装置
２…基板
２ａ…上面
３，４…第１，第２の放電電極
５…放電補助電極
６…導電性を有しない材料で被覆されている導電性粒子
７，７Ａ…高誘電率層
８，９…樹脂層
１０，１１…第１，第２の外部電極
１２，１２Ａ…背後電極
２１，３１，４１…ＥＳＤ保護装置
２２…基板
２２ｂ…空洞

Claims (15)

  1. 　基板と、
    　前記基板に設けられており、ギャップを隔てて対向している第１，第２の放電電極と、
    　前記第１の放電電極と、前記第２の放電電極とを直接的又は間接的に接続するように設けられており、かつ前記基板より比誘電率が高い高誘電率層とを備える、ＥＳＤ保護装置。
  2. 　前記第１の放電電極と、前記第２の放電電極とを接続するように設けられており、前記第１，第２の放電電極間の放電を促す放電補助電極をさらに備える、請求項１に記載のＥＳＤ保護装置。
  3. 　前記放電補助電極が、導電性を有しない材料で被覆された導電性粒子を含む、請求項２に記載のＥＳＤ保護装置。
  4. 　前記高誘電率層が、前記放電補助電極に積層するように構成されている、請求項１～３のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護装置。
  5. 　前記高誘電率層が、前記ギャップ部分の上方又は下方の少なくとも一方に設けられている、請求項１～４のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護装置。
  6. 　前記ギャップに、前記基板よりも比誘電率が低い部分が位置している、請求項１～５のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護装置。
  7. 　前記基板よりも比誘電率が低い部分が空洞である、請求項６に記載のＥＳＤ保護装置。
  8. 　前記基板よりも比誘電率が低い部分が、基板よりも比誘電率の低い材料からなる、請求項６に記載のＥＳＤ保護装置。
  9. 　前記基板よりも比誘電率が低い材料が樹脂である、請求項８に記載のＥＳＤ保護装置。
  10. 　前記第１，第２の放電電極間のギャップと前記基板の一部を介して重なり合うように設けられた背後電極をさらに備える、請求項１～９のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護装置。
  11. 　前記基板に設けられており、前記第１，第２の放電電極にそれぞれ電気的に接続されている第１，第２の外部電極をさらに備え、
    　前記背後電極が、前記第１及び第２の外部電極のうちの一方に電気的に接続されている、請求項１０に記載のＥＳＤ保護装置。
  12. 　前記背後電極が、浮き電極である、請求項１０に記載のＥＳＤ保護装置。
  13. 　前記背後電極が、金属と、前記基板よりも高誘電率の材料とを含む、請求項１０～１２のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護装置。
  14. 　前記第１，第２の放電電極が、前記基板の外表面に配置されている、請求項１～１３のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護装置。
  15. 　前記第１，第２の放電電極の先端が前記基板内に配置されており、前記ギャップが基板内に位置している、請求項１～１３のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護装置。
PCT/JP2014/059616 2013-05-23 2014-04-01 Ｅｓｄ保護装置 Ceased WO2014188792A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015518141A JP6107945B2 (ja) 2013-05-23 2014-04-01 Ｅｓｄ保護装置
CN201480029093.9A CN105229877B (zh) 2013-05-23 2014-04-01 Esd保护装置
US14/930,833 US10193332B2 (en) 2013-05-23 2015-11-03 ESD protection device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013109128 2013-05-23
JP2013-109128 2013-05-23

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/930,833 Continuation US10193332B2 (en) 2013-05-23 2015-11-03 ESD protection device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014188792A1 true WO2014188792A1 (ja) 2014-11-27

Family

ID=51933358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/059616 Ceased WO2014188792A1 (ja) 2013-05-23 2014-04-01 Ｅｓｄ保護装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10193332B2 (ja)
JP (1) JP6107945B2 (ja)
CN (1) CN105229877B (ja)
WO (1) WO2014188792A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024033858A (ja) * 2022-08-31 2024-03-13 Tdk株式会社 過渡電圧保護デバイス

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6209966B2 (ja) * 2013-12-26 2017-10-11 Tdk株式会社 静電気保護部品
US11178800B2 (en) * 2018-11-19 2021-11-16 Kemet Electronics Corporation Ceramic overvoltage protection device having low capacitance and improved durability
TWI781418B (zh) * 2019-07-19 2022-10-21 美商凱門特電子股份有限公司 具有低電容及改良耐用性的陶瓷過電壓保護裝置及其製造方法
TWI790003B (zh) * 2021-11-18 2023-01-11 佳邦科技股份有限公司 過電壓保護元件
JP2024033860A (ja) * 2022-08-31 2024-03-13 Tdk株式会社 過渡電圧保護デバイス

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883671A (ja) * 1994-09-09 1996-03-26 Mitsubishi Materials Corp マイクロギャップ式サージアブソーバ
JPH11204232A (ja) * 1998-01-13 1999-07-30 Mitsubishi Materials Corp 放電素子
JP2002043021A (ja) * 2000-07-31 2002-02-08 Mitsubishi Materials Corp チップ型サージアブソーバ
WO2009098944A1 (ja) * 2008-02-05 2009-08-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ｅｓｄ保護デバイス
JP2010146779A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Panasonic Corp 過電圧保護部品
JP2010153719A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Panasonic Corp 過電圧保護部品およびその製造方法
WO2011040435A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法
WO2012043534A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001043954A (ja) 1999-07-30 2001-02-16 Tokin Corp サージ吸収素子及びその製造方法
JP2010015773A (ja) 2008-07-02 2010-01-21 Murata Mfg Co Ltd サージアブソーバ及びその製造方法
US8885324B2 (en) * 2011-07-08 2014-11-11 Kemet Electronics Corporation Overvoltage protection component
US8658245B2 (en) * 2011-08-31 2014-02-25 Lexmark International, Inc. Spin coat process for manufacturing a Z-directed component for a printed circuit board

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0883671A (ja) * 1994-09-09 1996-03-26 Mitsubishi Materials Corp マイクロギャップ式サージアブソーバ
JPH11204232A (ja) * 1998-01-13 1999-07-30 Mitsubishi Materials Corp 放電素子
JP2002043021A (ja) * 2000-07-31 2002-02-08 Mitsubishi Materials Corp チップ型サージアブソーバ
WO2009098944A1 (ja) * 2008-02-05 2009-08-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ｅｓｄ保護デバイス
JP2010146779A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Panasonic Corp 過電圧保護部品
JP2010153719A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Panasonic Corp 過電圧保護部品およびその製造方法
WO2011040435A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法
WO2012043534A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024033858A (ja) * 2022-08-31 2024-03-13 Tdk株式会社 過渡電圧保護デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
CN105229877B (zh) 2017-08-25
US20160056627A1 (en) 2016-02-25
CN105229877A (zh) 2016-01-06
JPWO2014188792A1 (ja) 2017-02-23
US10193332B2 (en) 2019-01-29
JP6107945B2 (ja) 2017-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101933204B (zh) Esd保护器件
US8711537B2 (en) ESD protection device and method for producing the same
JP5590122B2 (ja) Ｅｓｄ保護デバイス
JP6107945B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JPWO2011040437A1 (ja) Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法
WO2014199752A1 (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
JP2015043404A (ja) 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板
KR20120114337A (ko) 정전기 대책 소자
WO2014141988A1 (ja) 静電気対策素子
KR102076152B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판
JP5561370B2 (ja) Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法
CN112447396B (zh) 多层电子组件
JP6075447B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JPWO2015190404A1 (ja) 静電気放電保護デバイスおよびその製造方法
WO2014027552A1 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JP5757372B2 (ja) Ｅｓｄ保護デバイス
JP6079880B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
CN205141366U (zh) Esd保护装置
WO2013137032A1 (ja) 静電気対策素子
US10057970B2 (en) ESD protection device
CN105340141B (zh) Esd保护装置
CN207368416U (zh) Esd保护装置
JP2017010850A (ja) Ｅｓｄ保護装置
JP5644829B2 (ja) Ｅｓｄ保護デバイスとその製造方法
JP2023028121A (ja) 過渡電圧保護部品

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201480029093.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14800411

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015518141

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14800411

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1