WO2014166706A1 - Verfahren zum maskieren einer siliziumoxid haltigen oberfläche - Google Patents

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    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks

Definitions

  • the present invention relates to a method for masking a surface, in particular a surface comprising silicon oxide, aluminum or silicon.
  • the present invention further relates to the use of colloidal silica for selectively masking a surface to be treated, in particular to a subsequent etching in hydrofluoric etching media, for example, to a subsequent etching in
  • Hydrofluoric acid etching media in particular hydrofluoric acid vapor, are frequently used in microsystem technology for so-called sacrificial layer etching, with micromechanical structures on a silicon oxide layer
  • deposition of a second oxide from the liquid phase is selective to the surface of a first oxide using a supersaturated aqueous
  • Fluorosilicic acid solution in which the deposition takes place. From the document US Pat. No. 5,453,395 a method for producing an insulation structure on a silicon substrate is known in which a selective deposition of an oxide is to be carried out only in trenches of the substrate.
  • the present invention is a method for masking a surface, in particular a surface comprising silicon oxide, aluminum or silicon, comprising the method steps:
  • a substrate having a surface to be masked in particular having a surface comprising silicon oxide, aluminum or silicon;
  • the method described above makes it possible, in a simple and cost-effective manner, to provide extremely stable masking in comparison with a large number of etching media, in particular with respect to hydrofluoric acid, in order to create highly accurate and defined structures, for example by means of an etching process.
  • the method for masking a surface comprises providing a substrate having a surface to be masked, in particular having a surface comprising silicon oxide, aluminum or silicon.
  • a substrate or an output component is thus provided, which has a surface which may preferably at least partially silicon oxide, usually silicon dioxide (Si0 2 ), aluminum or silicon.
  • Si0 2 silicon dioxide
  • the corresponding surface or even the substrate of one or more of the aforementioned materials, wherein the silicon oxide for example, by a thermal oxidation of a silicon surface, or by depositing an oxide on a silicon surface, can be applied to this.
  • an electronic or micromechanical device can be formed by This specific areas after a masking areas are selectively removed, in particular by an etching process, so as to generate defined functional structures.
  • the aluminum surface this may be, for example, an aluminum contact, which may be used in electronic circuits, for example.
  • masking in the sense of the present invention can be understood as meaning, in particular, the selective passivation or covering of individual regions of a surface to be treated and the corresponding release of other regions of the surface.
  • a defined structure of passivated regions besides treatable regions can be understood, wherein the passivation can always refer to a specific treatment for which the masked regions or passivated respectively
  • a masking of the surface takes place in the above-described method according to method step b) by generating a defined
  • the surface of the component or substrate to be treated is thus locally or spatially selectively provided with colloidal silicon oxide.
  • the colloidal silica is used to mask areas which are not to be treated, whereas the areas which are free of colloidal silicon oxide may be subjected to further treatment, such as, in particular, an etching process.
  • colloidal silica is spatially selective and thus defined applied to the positions on the surface, which should be protected during a further process step, such as in a subsequent etching process, on soft so no etching should take place.
  • colloidal silicon oxide can be understood to mean a silicon oxide which is in the finest structural size when it is dried and concentrated can form a saturated or supersaturated fluorosilicic acid solution on the surface. This precipitating out of the fluorosilicic acid on drying compound may optionally in addition to silicon and oxygen fluorine and / or optionally bound water.
  • Colloids may be due to a reaction of fluorosilicic acid
  • this removal of native oxides prior to gate oxidation results in defects in the semiconductors, such as the subsequently generated gate oxides, in particular by this colloidal silica formed, for example, from the drying fluorosilicic acid on a wafer surface, for example very stable and stable masking can be generated, which is highly resistant to a variety of etching media and thus by which a well-defined structure or often only a protection of underlying layers can be generated .
  • Silicon oxide on the substrate surface in particular oxide surfaces, initially slows down the oxide etching and finally brings it to a complete standstill.
  • Such a surface is substantially completely inert and can withstand harsh etching attacks for long periods of time.
  • masking of colloidal silica for example, against exposure to hydrofluoric acid as an etching medium which is often used, is particularly resistant to the formation of defects even in the case of long-term use, for example against formation of so-called pinholes in underlying oxide layers.
  • hydrofluoric acid as an etching medium which is often used
  • a diffusion of hydrofluoric acid through the masking or by the protective layer can be reliably prevented even at elevated temperatures or, for example, in alcohol admixtures.
  • a masking or a protective layer of colloidal silica is inert to reactions with a variety of etching media, in particular to a reaction with hydrofluoric acid. Since this is a special silicon oxide, in most cases this will in general not impair the performance of the component produced, so that in most cases it is not necessary to have to remove this layer in a complex process step.
  • it can be simple and cost-effective in terms of process technology to obtain the spatially selective masking in addition to active regions on the same substrate, which has sufficient stability over a long period of time.
  • High temperature treatment is a masking of a colloidal
  • Silicon oxide if desired, can be removed by physical methods such as mechanical abrasion or ion sputtering processes.
  • a method can be provided which, during a treatment of a surface, such as in particular a sacrificial layer etching, which is based on an action of hydrofluoric acid, for example in the area of micromechanical structures such as a wafer, the protection of functional oxides, such as
  • the selective formation of colloidal silica can be carried out by a spatially selective and successive application and drying of fluorosilicic acid (H 2 SiF 6 ) on the surface.
  • fluorosilicic acid H 2 SiF 6
  • the so-called staining effect is thus used, which under certain conditions can occur during etching of silicon oxides with hydrofluoric acid-containing etching media.
  • the stable and not can form more etchable colloidal silica (Si0 2 , koii.) when hydrofluoric acid acts on silica or when fluorosilicic acid is used.
  • application may be effected directly from fluorosilicic acid, or the colloidal silicon oxide may be formed as product of the silicon oxide etching by hydrofluoric acid to form and subsequently decompose aqueous fluorosilicic acid during drying, in particular according to the following reactions: Si0 2 + 6 HF -> H 2 SiF 6 + 2 H 2 0 (1)
  • reaction equation (1) represents an etching of silicon oxide as a native oxide by means of hydrofluoric acid and the reaction equation (2) the precipitation of colloidal silicon oxide (Si0 2, k0 ii.) From an enriched etching solution, especially during drying of etch-solvent residues on a substrate surface by way of example and not limitation.
  • the colloidal silica can also be referred to as stain and is a reaction product which is different in structure from the originally etched silica and can not react back, but is stable in this form.
  • Fluorosilicic acid H 2 SiF 6 are selectively applied to those areas of the surface and dried, which are not treated below, for example, etched, but rather are to be masked. Drying may be carried out at room temperature in air, or using known heating devices such as a hotplate, a radiant heater, or a hot air blower, or an oven. In this case, for example, fluorosilicic acid can be generated in situ by, for example, the silicon oxide of the silicon oxide-containing surface or even quartz glass
  • reaction equation (1) is thus aqueous concentrated
  • preformed fluorosilicic acid can be used directly and directly according to reaction equation (2).
  • fluorosilicic acid can selectively on the
  • Surface can be applied by printing, spin-coating,
  • Atomizing or spreading the fluorosilicic acid or by immersing the surface in fluorosilicic acid or by printing the surface with fluorosilicic acid is "stamped" with fluorosilicic acid or sprayed onto it in the form of small droplets analogously to an inkjet printer, so that patterns can be directly produced on the surface.
  • the upstream types of application can always be repeated several times, each followed by a drying step of the fluorosilicic acid. In other words, a multiple application of the
  • Fluorosilicic acid followed by drying in particular in combination with the aforementioned application types, take place.
  • the substrate such as a wafer may be positioned in a spinner such as a wafer spinner, whereupon the fluorosilicic acid is dropped or sprayed onto the spinner and the substrate is uniformly provided with the fluorosilicic acid and dried.
  • a Waferschleuder comprises a wafer holder, in which the wafer is inserted. Subsequently, this wafer holder rotates with the wafer at a predetermined speed.
  • Wafer spin coating are used, for example, for applying photoresist layers, or for various cleaning steps with solvents, or for wafer drying analogously to a "spin dryer.” These steps can then be repeated several times
  • Fluorosilicic acid can these by means of an atomizer on the treated
  • the surface to be treated may be immersed in a hydrofluoric acid solution and taken out of the solution and, for example, thereafter placed with its lower surface on a hotplate, whereby the surface is dried. These steps can also be repeated several times.
  • the fluorosilicic acid can be applied, for example, using a spatula or a wiper, wherein the wiper can be designed according to a window wiper, such as a windscreen wiper for a motor vehicle, or in particular can have a wiper blade.
  • the wiper, in particular the wiper blade can in this case by using a plurality of, for example, arranged on the wiper outlet openings, which with a reservoir for
  • Fluorokieselklareney may be connected and which may be distributed over the length of the wiper blade, evenly apply the fluorosilicic acid and evenly distributed through the wiper blade uniformly over the surface. If the wiper blade has spread the fluorosilicic acid, the
  • Method step b) have the further method step: c) masking of the surface to form a negative masking pattern.
  • a particularly defined and process-technically simple spatially selective formation of colloidal silicon oxide on the surface can take place.
  • a negative masking pattern can be generated, which in the context of the present invention is intended to mean, in particular, that the areas which are to be supplied to a later treatment, such as a later etching, are masked, whereas the further areas are exposed.
  • the masking pattern applied in this process step is therefore configured exactly the opposite, as is the case basically in the US Pat
  • Masking method by the formation of colloidal silica mask pattern to be formed.
  • the negative masking pattern can be generated using a photoresist.
  • a photoresist a particularly defined and
  • the use of a photoresist is basically a mature process and thus porozesstechnisch easily possible.
  • the photoresist all over the surface applied to the surface, such as spin coated, and then by
  • Exposing and developing are removed from those areas that are passivated by the application of colloidal silica or inertized.
  • colloidal silica or inertized In the case of a monolithically integrated MEMS sensor or a monolithically integrated MEMS microphone,
  • photoresist can be removed in areas of the electronic circuits, for example, in order to be able later to passivate or mask it using colloidal silicon oxide in order to protect the corresponding circuits.
  • Microphone area of photoresist remain covered, because there should be no colloidal silica caused masking, since in this area should be etched in a later step.
  • a positive photoresist of the type AZ81 12 or AZ4620, etc. which is customary in the semiconductor industry and which is spin-coated with 1 ⁇ m-6 ⁇ m thickness and then exposed and developed.
  • the exposed areas are removed on development.
  • stepper coatings which are optimized for the use of stepper imagesetters.
  • so-called negative or image-reversal paints can be used, in which exposed areas preserved during development and unexposed areas are removed, vice versa to a positive.
  • the photoresist having the negative masking can be easily removed again.
  • masking may be removed using suitable solvents such as acetone, dimethyl sulfoxide (DMSO), ethyl acetate, dimethyl ketone or so-called resist removers in a standard process, also referred to as the lift-off process. Since both positive and negative resists are suitable here, the solvent can be chosen in particular depending on the particular varnish used.
  • suitable solvents such as acetone, dimethyl sulfoxide (DMSO), ethyl acetate, dimethyl ketone or so-called resist removers in a standard process, also referred to as the lift-off process. Since both positive and negative resists are suitable here, the solvent can be chosen in particular depending on the particular varnish used.
  • a further possibility of removing the photoresist is the use of an oxygen plasma, for example using a so-called oxygen plasma stripper, since no stable strains or stable colloidal silica forms on the paint surfaces, so that the paint is not exposed to the action of the oxygen or of the oxygen plasma protected by a dense layer.
  • a drying can be carried out by using a furnace, also called a hotplate hot plate, a
  • Fluorosilicic acid solution take place, so that colloidal silica is formed.
  • the methods are also gentle, so that the substrate to be masked is not damaged.
  • Process step b) are cleaned, for example by an etching process.
  • a particularly effective masking by the formation of colloidal silica can be made possible.
  • Such cleaned or freshly etched surfaces are particularly reactive and form a well-adherent colloidal silica particularly effective.
  • the particular silicon oxide-containing surface can be activated, in particular hydrophilized, before process step b).
  • the surface can be activated, for example by the application or formation of hydroxyl groups on the surface, for example by the production of silicon hydroxide bonds (Si-OH), which can allow a particularly effective masking by the formation of colloidal silica.
  • Such hydrophilization may be accomplished, for example, by contacting the surface to be masked with an oxidizing component such as, but not limited to, an oxygen plasma, concentrated nitric acid (HNO 3 ), or a mixture of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) with hydrochloric acid (HCl ) or ammonia (NH 3 ), or hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid (H 2 S0 4 ).
  • an oxidizing component such as, but not limited to, an oxygen plasma, concentrated nitric acid (HNO 3 ), or a mixture of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) with hydrochloric acid (HCl ) or ammonia (NH 3 ), or hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid (H 2 S0 4 ).
  • HNO 3 concentrated nitric acid
  • HCl hydrochloric acid
  • NH 3 ammonia
  • H 2 S0 4 hydrogen peroxide and concentrated sulfuric acid
  • the surface is masked, in particular immediately after a pretreatment, that is about a cleaning or activation, to form colloidal silica, since then the reactivity or binding ability of
  • Oxide surfaces are not reduced or lost due to unwanted contamination by contaminants from the surrounding atmosphere.
  • pretreatments for example as explained in detail above, that negative masking, for example by photoresist, is applied so that only the areas to be masked by colloidal silicon oxide are cleaned or hydrophilized and thus activated.
  • the subject of the present invention is further a use of colloidal silica for locally selective masking of a surface to be treated.
  • colloidal silica by colloidal silica, a very stable and consistent masking can be generated, which is resistant to a variety of etching media and through which thus a well-defined structure can be generated.
  • the use of colloidal silica may be simple in terms of process technology and cost. Further, colloidal silica, if desired, is removable, despite its stability to etching with any chemicals, as well as hydrofluoric acid etching solutions or vapors
  • inventive component also be applicable for the inventive use and apply as disclosed and vice versa.
  • the invention also includes all combinations of at least two of in the
  • the subject matter of the present invention is furthermore an electronic component produced by a method comprising a masking method as configured above.
  • a plurality of components can be produced, which have approximately an oxide-containing substrate, such as a wafer substrate, which is to be processed or treated by spatially limited etching.
  • oxide-containing substrate such as a wafer substrate
  • evaluation circuit to be protected with oxide layers and where a micromechanical membrane structure is to be exposed by undercutting in a sacrificial oxide layer, without damaging the adjacent circuit areas or destroy.
  • Examples of monolithic integrated circuit to be protected with oxide layers and where a micromechanical membrane structure is to be exposed by undercutting in a sacrificial oxide layer, without damaging the adjacent circuit areas or destroy.
  • Microsensors or MEMS sensors comprise approximately
  • Acceleration sensors yaw rate sensors, pressure sensors and MEMS microphones.
  • the surface After applying the negative masking, the surface can be made of
  • the substrate having the surface is subjected to etching, for example, by the action of a hydrofluoric acid-containing medium, such that an undercutting of micromechanical structures, such as eg
  • Microphone membranes can take place in the sacrificial oxide layer, while functional oxides, such as in a circuit region of a monolithically integrated MEMS microphone are protected by the oxide surface passivated by colloidal silicon oxides.

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Maskieren einer Oberfläche, insbesondere einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium, aufweisend die Verfahrensschritte: a) Bereitstellen eines Substrats mit einer zu maskierenden Oberfläche, insbesondere mit einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium; und b) Erzeugen eines definierten Maskierungsmusters unter örtlich selektivem Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid auf der Oberfläche Das vorbeschriebene Verfahren erlaubt es, auf einfache und kostengünstige Weise eine gegenüber einer Vielzahl von Ätzmedien, wie insbesondere gegenüber Flusssäure, äußerst stabile Maskierung zu schaffen, um so höchst genaue und definierte Strukturen etwa durch einen Ätzvorgang zu schaffen. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein elektronisches Bauteil sowie das Verwenden von kolloidalem Siliziumoxid zum örtlich selektiven Maskieren einer zu behandelnden Oberfläche.

Description

Beschreibung
Titel
Verfahren zum Maskieren einer Siliziumoxid haltigen Oberfläche Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Maskieren einer Oberfläche, insbesondere einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner das Verwenden von kolloidalem Siliziumoxid zum selektiven Maskieren einer zu behandelnden Oberfläche insbesondere gegenüber einer darauffolgenden Ätzung in flusssäurehaltigen Ätzmedien, beispielsweise gegenüber einer darauffolgenden Ätzung in
Flusssäuredampf.
Stand der Technik
Flusssäurehaltige Ätzmedien, insbesondere Flusssäuredampf, werden in der Mikrosystemtechnik häufig verwendet für sogenannte Opferschichtätzungen, wobei mikromechanische Strukturen auf einer Siliziumoxidschicht durch
Unterätzen frei beweglich gemacht werden. Der Vorteil der Verwendung von Flusssäuredampf ist der, dass durch die„semi-trockene" Prozessführung ein sogenanntes„Sticking, also ein irreversibles Ankleben der vollständig unterätzten Strukturen am Untergrund oder an anderen Strukturteilen verhindert werden kann. In dem Dokument US 2002/0106865 A1 ist ein Verfahren zum Ausbilden einer
Grabenisolation beschrieben. Bei einem derartigen Verfahren erfolgt eine Deposition eines zweiten Oxids aus der Flüssigphase selektiv auf die Oberfläche eines ersten Oxids unter Verwendung einer übersättigten wässrigen
Fluorokieselsäurelösung, in der die Abscheidung erfolgt. Aus dem Dokument US 5,453,395 ist weiterhin ein Verfahren zum Erzeugen einer Isolationsstruktur auf einem Siliziumsubstrat bekannt, bei welchem ein selektives Abscheiden eines Oxids nur in Gräben des Substrates durchgeführt werden soll.
Offenbarung der Erfindung
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Maskieren einer Oberfläche, insbesondere einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium, aufweisend die Verfahrensschritte:
a) Bereitstellen eines Substrats mit einer zu maskierenden Oberfläche, insbesondere mit einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium; und
b) Erzeugen eines definierten Maskierungsmusters unter örtlich selektivem Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid auf der Oberfläche.
Das vorbeschriebene Verfahren erlaubt es, auf einfache und kostengünstige Weise eine gegenüber einer Vielzahl von Ätzmedien, wie insbesondere gegenüber Flusssäure, äußerst stabile Maskierung zu schaffen, um so höchst genaue und definierte Strukturen etwa durch einen Ätzvorgang zu schaffen.
Hierzu umfasst das Verfahren zum Maskieren einer Oberfläche, insbesondere einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium gemäß Verfahrensschritt a) das Bereitstellen eines Substrats mit einer zu maskierenden Oberfläche, insbesondere mit einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium. In diesem Verfahrensschritt wird somit ein Substrat beziehungsweise ein Ausgangs-Bauteil bereitgestellt, welches eine Oberfläche aufweist, die vorzugsweise zumindest teilweise Siliziumoxid, üblicherweise Siliziumdioxid (Si02), Aluminium oder Silizium aufweisen kann. Beispielsweise kann die entsprechende Oberfläche oder auch das Substrat aus einer oder mehrere der vorgenannten Materialien bestehen, wobei das Siliziumoxid, beispielsweise, durch eine thermische Oxidation einer Siliziumoberfläche, oder auch durch Abscheiden eines Oxids auf einer Siliziumoberfläche, auf diese aufgebracht werden kann. Aus einem derartigen Substrat kann insbesondere ein elektronisches oder mikromechanisches Bauelement geformt werden, indem aus diesem nach einer Maskierung bestimmte Bereiche insbesondere durch einen Ätzprozess selektiv entfernt werden, um so definierte Funktionsstrukturen zu erzeugen. Bezüglich der Aluminium-Oberfläche kann diese beispielsweise eine Aluminium-Kontaktierung sein, welche etwa bei elektronischen Schaltkreisen Verwendung finden kann.
Somit kann unter einem Maskieren im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere verstanden werden das selektive Passivieren beziehungsweise Abdecken einzelner Bereiche einer zu behandelnden Oberfläche und das entsprechende Freilassen anderer Bereiche der Oberfläche. Somit kann durch ein Maskieren eine definierte Struktur von passivierten Bereichen neben behandelbaren Bereichen verstanden werden, wobei sich das Passivieren beziehungsweise Abdecken stets auf eine bestimmte Behandlung beziehen kann, für welche die maskierten Bereiche beziehungsweise passivierten
Bereiche inaktiv beziehungsweise inert bzw. geschützt sind.
Ein Maskieren der Oberfläche erfolgt dabei bei dem vorbeschriebenen Verfahren gemäß Verfahrensschritt b) durch ein Erzeugen eines definierten
Maskierungsmusters unter örtlich selektivem Ausbilden von kolloidalem
Siliziumoxid auf der Oberfläche. Bei dem vorbeschriebenen Verfahren wird somit die Oberfläche des zu behandelnden Bauteils beziehungsweise Substrats örtlich beziehungsweise räumlich selektiv mit kolloidalem Siliziumoxid versehen. Somit erfolgt durch das kolloidale Siliziumoxid ein Maskieren nicht zu behandelnder Bereiche wohingegen die Bereiche, welche frei sind von kolloidalem Siliziumoxid, einer weiteren Behandlung, wie insbesondere einem Ätzprozess, unterworfen werden können. In anderen Worten wird kolloidales Siliziumoxid räumlich selektiv und damit definiert an den Positionen auf der Oberfläche aufgebracht, welche während eines weiteren Prozessschrittes, wie beispielsweise bei einem späteren Ätzvorgang, geschützt werden sollen, auf weichen somit keine Ätzung stattfinden soll. Es erfolgt somit eine kontrollierte Passivierung beziehungsweise Maskierung von Oberflächen, wie etwa Waferoberflächen, um beispielsweise zu schützendes Oxid vor einer Behandlung wie etwa einem Angriff etwa durch Flusssäuredampf, aber auch Kalilauge und andere Ätzmedien, zu schützen. Unter kolloidalem Siliziumoxid kann dabei ein Siliziumoxid verstanden werden, welches sich in feinster Strukturgrösse beim Eintrocknen und Aufkonzentrieren einer gesättigten oder übersättigten Fluorokieselsäurelösung auf der Oberfläche bilden kann. Diese beim Eintrocknen aus der Fluorokieselsäure ausfallende Verbindung kann gegebenenfalls neben Silizium und Sauerstoff weiterhin Fluor und/oder gegebenenfalls gebundenes Wasser. Es kann beispielhaft und nicht beschränkend chemisch mit einer Summenformel SixOyFz *nH20 beschrieben werden, wobei x und y und z und n beispielsweise 1 , 2 oder 3 oder größere ganzzahlige Vielfache von 1 sein können (x,y,z = 1 , 2, 3,....; n= 1 , 2, 3 ). Die
Kolloide können sich aufgrund einer Reaktion von Fluorokieselsäure zu
Siliziumoxid-Clustern unter Freisetzung von Flusssäure bilden. Dieser Effekt ist an sich bekannt und in der Halbleiterindustrie unter dem Begriff„staining" oder
„stains" gefürchtet, da diese Kolloidbildung beispielsweise bei der Entfernung von nativen Oxiden vor der Gateoxidation zu Defekten der Halbleiter, wie etwa der nachfolgend erzeugten Gate-oxide führt. Insbesondere durch dieses etwa aus der eintrocknenden Fluorokieselsäure beispielsweise auf einer Waferoberfläche gebildete kolloidale Siliziumoxid kann eine sehr stabile und beständige Maskierung erzeugt werden, die gegen eine Vielzahl von Ätzmedien hochresistent ist und durch welche somit eine genau definierte Struktur oder oft überhaupt nur ein Schutz darunterliegender Schichten erzeugbar ist. Das auch als sogenannte„Stains" bezeichnete kolloidale
Siliziumoxid auf der Substratoberfläche wie insbesondere Oxidoberflächen verlangsamt dabei zunächst die Oxidätzung und bringt sie schließlich ganz zum Stillstand. Eine derartige Oberfläche ist im Wesentlichen vollständig inert und hält auch harschen Ätzangriffen über lange Zeiträume stand.
Im Detail ist eine Maskierung aus kolloidalem Siliziumoxid etwa gegenüber einem Einwirken von Flusssäure als ein oftmals eingesetztes Ätzmedium auch bei einer Langzeitanwendung besonders resistent gegen eine Ausbildung von Defekten, wie beispielsweise gegen eine Ausbildung von sogenannten Pinholes in darunterliegenden Oxidschichten. Darüber hinaus kann auch neben einem
Angriff unter Ausbilden von mechanischen Beschädigungen beispielsweise eine Diffusion der Flusssäure durch die Maskierung beziehungsweise durch die Schutzschicht auch bei erhöhten Temperaturen oder beispielsweise bei Alkohol- Beimischungen sicher verhindert werden. Somit sind die maskierten Bereiche der Oberfläche des Bauteils beziehungsweise Substrats sicher vor einem Einwirken derartiger aggressiver Ätzsubstanzen geschützt. Auch ist eine Maskierung beziehungsweise ist eine Schutzschicht aus kolloidalem Siliziumoxid inert gegenüber Reaktionen mit einer Vielzahl von Ätzmedien, wie insbesondere gegenüber einer Reaktion mit Flusssäure. Da es sich um ein spezielles Siliziumoxid handelt, wird dieses in den meisten Fällen später die Leistungsfähigkeit des erzeugten Bauteils im allgemeinen nicht beeinträchtigen, so dass es zumeist nicht erforderlich ist, diese Schicht bei einem weiteren Verfahrensschritt aufwändig entfernen zu müssen. Dabei kann es prozesstechnisch einfach und kostengünstig sein, die räumlich selektive Maskierung neben aktiven Bereichen auf demselben Substrat zu erhalten, die eine ausreichende Stabilität auch über einen langen Zeitraum aufweist. Trotz seiner Stabilität gegenüber einem Ätzen mit jedweden
Chemikalien wie auch flusssäurehaltigen Ätzlösungen oder -dämpfen oder auch gegenüber einer thermischen Behandlung, insbesondere einer
Hochtemperaturbehandlung, ist eine Maskierung aus einem kolloidalen
Siliziumoxid, wenn dies gewünscht sein sollte, entfernbar durch physikalische Methoden wie mechanisches Abschleifen oder lonensputter-Prozesse. Zusammenfassend kann durch eine vorbeschriebene Maskierung insbesondere ein Verfahren bereitgestellt werden, das während einer Behandlung einer Oberfläche, wie insbesondere einer Opferschichtätzung, welche auf einer Einwirkung von Flusssäuredampf basiert ist, etwa im Bereich mikromechanischer Strukturen etwa eines Wafers, den Schutz funktionaler Oxide, wie etwa
Oxidschichten im Bereich mikroelektronischer Schaltkreise, sicher gewährleisten kann und ferner verhindern kann, dass es zu Ausfällen im Bereich der mikroelektronischen Schaltkreise der hergestellten Bauteile kommen kann.
Im Rahmen einer Ausgestaltung kann das selektive Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid erfolgen durch ein räumlich selektives und sukzessives Aufbringen und Trocknen von Fluorokieselsäure (H2SiF6) auf die Oberfläche. In dieser Ausgestaltung wird somit auf den sogenannten Staining-Effekt zurückgegriffen, der unter bestimmten Voraussetzungen bei einer Ätzung von Siliziumoxiden mit flusssäurehaltigen Ätzmedien auftreten kann. In dieser Ausgestaltung wird daher ausgenutzt, dass sich unter bestimmten Voraussetzungen das stabile und nicht mehr ätzbare kolloidale Siliziumoxid (Si02,koii.) bilden kann, wenn Flusssäure auf Siliziumoxid einwirkt beziehungsweise wenn Fluorokieselsäure verwendet wird.
Dabei kann in Abhängigkeit der verwendeten Oberfläche ein Aufbringen unmittelbar von Fluorokieselsäure erfolgen, oder das kolloidale Siliziumoxid kann entstehen als Produkt der Siliziumoxidätzung durch Flusssäure unter Bildung und anschließender Zersetzung von wässriger Fluorokieselsäure während des Eintrocknens insbesondere gemäß den folgenden Reaktionen: Si02 + 6 HF -> H2SiF6 + 2 H20 (1 )
H2SiF6 + 2 H20 Si02,koii. + 6 HF (2), wobei die Reaktionsgleichung (1 ) ein Ätzen von Siliziumoxid als natives Oxid mittels Flusssäure darstellt und die Reaktionsgleichung (2) das Ausfallen von kolloidalem Siliziumoxid (Si02, k0ii.) aus einer angereicherten Ätzlösung, insbesondere beim Trocknen von Ätzlösungsresten auf einer Substratoberfläche beispielhaft und nicht beschränkend beschreibt. Das kolloidale Siliziumoxid kann auch als Stain bezeichnet werden und ist ein Reaktionsprodukt, welches in seiner Struktur abweichend von dem ursprünglich geätzten Siliziumoxid ist und nicht mehr zurückreagieren kann, sondern in dieser Form stabil ist.
In dieser Ausgestaltung kann etwa konzentrierte Lösung von wässriger
Fluorokieselsäure (H2SiF6) selektiv auf diejenigen Bereiche der Oberfläche aufgebracht und getrocknet werden, die nachfolgend nicht behandelt, beispielsweise geätzt, werden sollen sondern die vielmehr maskiert werden sollen. Das Trocknen kann bei Raumtemperatur an Luft erfolgen, oder man bedient sich einschlägig bekannter Heizvorrichtungen, wie beispielsweise einer Hotplate, einer Strahlungsheizung, oder einem Warmluftgebläse, oder einem Ofen. Dabei kann beispielsweise Fluorokieselsäure in situ erzeugt werden, indem etwa das Siliziumoxid der Siliziumoxid haltigen Oberfläche oder auch Quartzglas
(fused silica Si02) in konzentrierter wässriger Flusssäure oder anhydrider Flusssäure, der man zum Start der Ätzreaktion eine geringe Menge an Wasser beimengen kann, nach der vorbeschriebenen Reaktion (1 ) umgesetzt wird. Gemäß Reaktionsgleichung (1 ) wird somit wässrige konzentrierte
Fluorokieselsäure gebildet, die geeignet ist, um beim Trocknen durch
hydrolytische Spaltung kolloidale Siliziumoxid-Stains auszufällen nach der Reaktionsgleichung (2), wobei die gebildete Flusssäure gasförmig entweichen kann. Alternativ kann vorgefertigte Fluorkieselsäure direkt und unmittelbar Anwendung finden gemäß Reaktionsgleichung (2). Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann Fluorokieselsäure selektiv auf die
Oberfläche aufgebracht werden durch ein Aufdrucken, Aufschleudern,
Zerstäuben oder Aufstreichen der Fluorokieselsäure oder durch ein Eintauchen der Oberfläche in Fluorokieselsäure oder durch Bedrucken der Oberfläche mit Fluorokieselsäure. Beim Bedrucken wird ein der benötigten Maskierung der Oberfläche entsprechendes Muster mit Fluorokieselsäure„aufgestempelt" oder analog zu einem Tintenstrahldrucker in Form von kleinen Tröpfchen aufgespritzt. Damit können unmittelbar Muster auf der Oberfläche erzeugt werden.
Insbesondere in diesen Ausgestaltungen ist ein einfaches und definiertes und gleichmäßiges beziehungsweise homogenes Auftragen von Fluorokieselsäure auf die etwa Siliziumoxid haltige Oberfläche möglich. Dabei sind die
vorgenannten Ausgestaltungen insbesondere geeignet in Kombination mit dem Erzeugen eines vorgeschalteten Maskierungsmusters, wie dies nachstehend im Detail erläutert ist. Dabei können die vorgeschalteten Auftragungsarten stets mehrfach hintereinander erfolgen, jeweils gefolgt von einem Trocknungsschritt der Fluorokieselsäure. In anderen Worten kann ein mehrfaches Aufbringen der
Fluorokieselsäure gefolgt von einem Trocknen, insbesondere in Kombination mit den vorgenannten Auftrag ungsarten, erfolgen.
Bezüglich der Verfahrensvariante eines Aufschleuderns kann das Substrat, wie etwa ein Wafer, in einer Schleuder wie etwa einer Waferschleuder positioniert werden, woraufhin die Fluorokieselsäure auf die Schleuder aufgetropft oder aufgesprüht wird und das Substrat gleichmäßig mit der Fluorokieselsäure versehen und selbige getrocknet wird. Eine Waferschleuder umfasst dabei eine Waferaufnahme, in die der Wafer eingelegt wird. Anschliessend rotiert diese Waferaufnahme mit dem Wafer auf einer vorbestimmten Drehzahl. Derartige
Waferschleudern werden beispielsweise zum Aufbringen von Photolackschichten verwendet, oder auch für diverse Reinigungsschritte mit Lösungsmitteln, oder zum Wafertrocknen analog einer„Wäscheschleuder". Diese Schritte können dann mehrfach wiederholt werden. Betreffend ein Zerstäuben der
Fluorokieselsäure kann diese mittels eines Zerstäubers auf die zu behandelnde
Oberfläche aufgestäubt und getrocknet werden, wobei diese Schritte ebenfalls mehrfach wiederholt werden können. Bezüglich eines Eintauchens kann die zu behandelnde Oberfläche in eine Fluorokieselsäurelösung eingetaucht und der Lösung entnommen und beispielsweise danach mit seiner Unterseite auf eine Hotplate gelegt werden, wodurch die Oberfläche getrocknet wird. Auch diese Schritte können mehrfach wiederholt werden.
Bezüglich eines Aufwischens kann die Fluorokieselsäure beispielsweise unter Verwendung eines Spatels oder eines Wischers aufgebracht werden, wobei der Wischer entsprechend einem Fensterwischer, wie etwa einem Scheibenwischer für ein Kraftfahrzeug, ausgestaltet werden kann, beziehungsweise insbesondere ein Wischerblatt aufweisen kann. Der Wischer, insbesondere das Wischerblatt, kann dabei unter Verwendung einer Vielzahl von beispielsweise an dem Wischer angeordneten Austrittsöffnungen, die mit einem Reservoir für
Fluorokieselsäurelösung verbunden sein können und die über die Länge des Wischerblatts verteilt sein können, die Fluorokieselsäure gleichmäßig auftragen und durch das Wischerblatt gleichmässig über die Oberfläche fein verteilen. Wenn das Wischerblatt die Fluorokieselsäure verteilt hat, kann die
Fluorokieselsäure antrocknen, um das kolloidale Siliziumoxid zu bilden, bevor die Oberfläche gegebenenfalls erneut mit der Fluorokieselsäure behandelt wird.
Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann das Verfahren vor dem
Verfahrensschritt b) den weiteren Verfahrensschritt aufweisen: c) Maskieren der Oberfläche unter Ausbildung eines negativen Maskierungsmusters. In dieser Ausgestaltung kann ein besonders definiertes und prozesstechnisch einfaches räumlich selektives Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid auf der Oberfläche erfolgen. Im Detail kann ein negatives Maskierungsmuster erzeugt werden, was im Sinne der vorliegenden Erfindung insbesondere bedeuten soll, dass die Bereiche, welche einer späteren Behandlung, wie einem späteren Ätzen, zugeführt werden sollen, maskiert werden, wohingegen die weiteren Bereiche freiliegen. Dass in diesem Verfahrensschritt aufgebrachte Maskierungsmuster ist somit genau umgekehrt ausgestaltet, wie das grundsätzlich in dem
Maskierungsverfahren durch das Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid auszubildenden Maskierungsmuster. Somit können in dieser Ausgestaltung besonders einfach die Bereiche vormaskiert werden, welche von dem Versehen mit einem kolloidalen Siliziumoxid ausgespart bleiben sollen, welche somit nach dem Maskieren behandelt werden. Beispielsweise kann durch das Ausbilden eines derartigen negativen
Maskierungsmusters das Auftragen von Fluorokieselsäure auf genau die Stellen, welche mit kolloidalem Siliziumoxid versehen werden sollen, stark vereinfacht werden, was die Prozessführung besonders einfach und damit zeitsparend und kostengünstig gestalten kann.
Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann das negative Maskierungsmuster erzeugt werden unter Verwendung eines Photolacks. Insbesondere unter Verwendung eines Photolacks kann ein besonders definiertes und
hochauflösendes Markierungsmuster erzeugt werden. Darüber hinaus ist die Verwendung eines Photolacks grundsätzlich ein ausgereiftes Verfahren und damit porozesstechnisch problemlos möglich. In dieser Ausgestaltung kann der Photolack ganzflächig auf die Oberfläche aufgetragen, wie etwa aufgeschleudert, werden und anschließend durch
Belichten und Entwickeln von denjenigen Bereichen entfernt werden, die durch das Aufbringen von kolloidalem Siliziumoxid passiviert beziehungsweise inertisiert werden sollen. Bei einem monolithisch integrierten MEMS-Sensor beziehungsweise einem monolithisch integrierten MEMS Mikrofon,
beispielsweise, kann etwa auf den Bereichen der elektronischen Schaltkreise Photolack entfernt werden, um an diesen Stellen später ein Passivieren beziehungsweise Maskieren durch kolloidales Siliziumoxid herbeiführen zu können, um damit die entsprechenden Schaltkreise zu schützen. Dabei kann in einer Ausgestaltung ein MEMS-Bereich beziehungsweise ein aktiver
Mikrophonbereich von Photolack bedeckt bleiben, weil dort keine durch kolloidales Siliziumoxid hervorgerufene Maskierung erfolgen soll, da in diesem Bereich in einem späteren Schritt geätzt werden sollte. Dabei kann ein in der Halbleiterindustrie üblicher Positiv-Fotolack vom Typ AZ81 12, oder AZ4620 usw. verwendet werden, welcher mit 1 μηη - 6 μηη Dicke aufgeschleudert und anschließend belichtet und entwickelt wird. Bei einem Positivlack wie dem AZ81 12 werden die belichteten Bereiche beim Entwickeln entfernt. Genauso ist es möglich, sogenannte Stepperlacke zu verwenden, die für den Einsatz von Stepper-Belichtern optimiert sind. Ebenso können sogenannte Negativlacke oder Image-Reversal-Lacke zum Einsatz kommen, bei denen belichtete Bereiche beim Entwickeln erhalten bleiben und unbelichtete Bereiche entfernt werden, umgekehrt zu einem Positivlack.
Im Anschluss an das folgende Maskieren durch Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid kann der die negative Maskierung aufweisende Photolack, auf einfache Weise wieder entfernt werden. Beispielsweise kann die Maskierung unter Verwendung geeigneter Lösungsmittel, wie etwa Aceton, Dimethylsulfoxid (DMSO), Ethylacetat, Dimethylketon oder sogenanntem Resist-Removern in einem Standardprozess, der auch als Lift-off Prozess bezeichnet wird, entfernt werden. Da sich hier sowohl Positivlacke, als auch Negativlacke eignen, kann das Lösungsmittel insbesondere gewählt werden in Abhängigkeit des konkret verwendeten Lackes. Eine weitere Möglichkeit, den Photolack zu entfernen, ist die Verwendung eines Sauerstoffplasmas, etwa unter Verwendung eines sogenannten Sauerstoffplasmastrippers, da sich auf den Lackoberflächen keine stabilen Strains beziehungsweise kein stabiles kolloidales Siliziumoxid ausbildet, so dass der Lack nicht vor dem Einwirken des Sauerstoffs beziehungsweise des Sauerstoffplasmas durch eine dichte Schicht geschützt wird.
Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann ein Trocknen erfolgen durch Verwendung eines Ofens, einer auch als Hotplate bezeichneten Heizplatte, eines
Warmluftgebläses, einer Strahlungsheizung oder durch Lufttrocknen, insbesondere bei Raumtemperatur. Insbesondere durch die vorgenannten Verfahren kann ein Trocknen unter Aufkonzentrierung insbesondere von
Fluorokieselsäurelösung erfolgen, so dass kolloidales Siliziumoxid entsteht. Dabei sind die Verfahren ferner schonend, so dass das zu maskierende Substrat nicht beschädigt wird.
Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann die Oberfläche vor
Verfahrensschritt b) gereinigt werden, etwa durch einen Ätzprozess. In dieser Ausgestaltung kann eine besonders effektive Maskierung durch das Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid ermöglicht werden. Hierzu kann die zu
behandelnde, beispielsweise Siliziumoxid haltige, Oberfläche beispielsweise kurzzeitig einer Flusssäurelösung oder einem Flusssäuredampf ausgesetzt werden, um die Oberfläche so geringfügig beziehungsweise unwesentlich anzuätzen. Derartige gereinigte beziehungsweise frisch angeätzte Oberflächen sind besonders reaktiv und bilden ein gut haftendes kolloidales Siliziumoxid besonders effektiv aus.
Im Rahmen einer weiteren Ausgestaltung kann die insbesondere Siliziumoxid haltige Oberfläche vor Verfahrensschritt b) aktiviert, insbesondere hydrophilisiert werden. In dieser Ausgestaltung kann die Oberfläche beispielsweise durch das Aufbringen beziehungsweise Ausbilden von Hydroxylgruppen an der Oberfläche etwa durch das Erzeugen von Siliziumhydroxid-Bindungen (Si-OH) aktiviert werden, was eine besonders effektive Maskierung durch das Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid erlauben kann. Ein derartiges Hydrophilisieren kann beispielsweise erfolgen durch ein in Kontakt bringen der zu maskierenden Oberfläche mit einer oxidierenden Komponente, wie beispielsweise und nicht beschränkend einem Sauerstoffplasma, konzentrierter Salpetersäure (HN03), oder einer Mischung von Wasserstoffperoxid (H202) mit Salzsäure (HCl) oder Ammoniak (NH3), oder Wasserstoffperoxid und konzentrierter Schwefelsäure (H2S04). Im Anschluss oder während eines derartigen Aktivierungsschritts kann die Oberfläche gereinigt werden, wie dies vorstehend im Detail erläutert ist, etwa durch das kurzzeitige Aussetzen der Oberfläche mit Flusssäurelösung oder Flusssäuredampf, um so eine frische und saubere Ätzoberfläche zu erhalten. Eine entsprechende Aktivierung kann auch für weitere Oberflächenmöglich sein.
Dabei kann es besonders vorteilhaft sein, wenn die Oberfläche insbesondere unmittelbar nach einer Vorbehandlung, also etwa einer Reinigung oder einer Aktivierung, unter Ausbildung von kolloidalem Siliziumoxid maskiert wird, da dann die Reaktionsfähigkeit beziehungsweise Bindungsfähigkeit der
Oxidoberflächen nicht reduziert wird oder verloren geht durch ungewollte Kontamination durch Verunreinigungen aus der umgebenden Atmosphäre.
Ferner kann auch für Vorbehandlungen, etwa wie vorstehend im Detail erläutert, es von Vorteil sein, dass eine negative Maskierung, etwa durch Photolack, aufgebracht ist, damit nur die durch kolloidales Siliziumoxid zu maskierenden Bereiche gereinigt beziehungsweise hydrophilisiert und damit aktiviert werden.
Hinsichtlich weiterer Vorteile und Merkmale wird hiermit explizit auf die
Erläuterungen im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Verwendung sowie dem erfindungsgemäßen Bauteil verwiesen. Auch sollen erfindungsgemäße Merkmale und Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens auch für die erfindungsgemäße Verwendung und das erfindungsgemäße Bauteil anwendbar sein und als offenbart gelten und umgekehrt. Unter die Erfindung fallen auch sämtliche Kombinationen aus zumindest zwei von in der
Beschreibung, den Ansprüchen und/oder in den Figuren offenbarten Merkmalen.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ferner ein Verwenden von kolloidalem Siliziumoxid zum örtlich selektiven Maskieren einer zu behandelnden Oberfläche. Insbesondere durch kolloidales Siliziumoxid kann eine sehr stabile und beständige Maskierung erzeugt werden, die gegen eine Vielzahl von Ätzmedien resistent ist und durch welche somit eine genau definierte Struktur erzeugbar ist. Dabei kann die Verwendung von kolloidalem Siliziumoxid prozesstechnisch einfach und kostengünstig sein. Ferner ist kolloidales Siliziumoxid, wenn gewünscht, trotz seiner Stabilität gegenüber Ätzen mit jedweden Chemikalien wie auch flusssäurehaltigen Ätzlösungen oder -dämpfen entfernbar durch
physikalische Methoden wie mechanisches Abschleifen oder lonensputter- Prozesse.
Hinsichtlich weiterer Vorteile und Merkmale wird hiermit explizit auf die
Erläuterungen im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren sowie dem erfindungsgemäßen Bauteil verwiesen. Auch sollen erfindungsgemäße Merkmale und Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens und des
erfindungsgemäßen Bauteils auch für die erfindungsgemäße Verwendung anwendbar sein und als offenbart gelten und umgekehrt. Unter die Erfindung fallen auch sämtliche Kombinationen aus zumindest zwei von in der
Beschreibung, den Ansprüchen und/oder in den Figuren offenbarten Merkmalen.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ferner ein elektronisches Bauteil, hergestellt durch ein Verfahren aufweisend ein wie vorstehend ausgestaltetes Maskierungsverfahren.
Durch ein derartiges Verfahren sind eine Vielzahl von Bauteilen herstellbar, welche etwa ein oxidhaltiges Substrat, wie etwa ein Wafersubstrat, aufweisen, welches durch räumlich begrenztes Ätzen verarbeitet beziehungsweise behandelt werden soll. Herstellbar sind beispielsweise monolithisch integrierte MEMS-Mikrophone oder monolithisch integrierte MEMS-Sensoren, welche einen mikromechanischen Membranteil als auch eine mikroelektronische
Auswerteschaltung mit zu schützenden Oxidschichten enthalten und wo eine mikromechanische Membranstruktur durch Unterätzen in einer Opferoxidschicht freigelegt werden soll, ohne die angrenzenden Schaltungsbereiche zu schädigen beziehungsweise zu zerstören. Beispiele für monolithisch integrierte
Mikrosensoren beziehungsweise MEMS-Sensoren umfassen etwa
Beschleunigungssensoren, Drehratensensoren, Drucksensoren und MEMS- Mikrofone.
Nach dem Aufbringen der negativen Maskierung kann die Oberfläche
beziehungsweise das die Oberfläche aufweisende Substrat dabei etwa einem Ätzen unterworfen werden durch Einwirken eines Flusssäure haltigen Mediums, so dass etwa eine Unterätzung mikromechanischer Strukturen, wie etwa
Mikrophonmembranen in der Opferoxidschicht stattfinden kann, während funktionale Oxide, etwa in einem Schaltungsbereich eines monolithisch integrierten MEMS-Mikrophons durch die durch kolloidale Siliziumoxide passivierte Oxidoberfläche geschützt werden.
Hinsichtlich weiterer Vorteile und Merkmale wird hiermit explizit auf die
Erläuterungen im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren sowie der erfindungsgemäßen Verwendung verwiesen. Auch sollen erfindungsgemäße Merkmale und Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens und der
erfindungsgemäßen Verwendung auch für das erfindungsgemäße Bauteil anwendbar sein und als offenbart gelten und umgekehrt. Unter die Erfindung fallen auch sämtliche Kombinationen aus zumindest zwei von in der
Beschreibung, den Ansprüchen und/oder in den Figuren offenbarten Merkmalen.

Claims

Ansprüche
1 . Verfahren zum Maskieren einer Oberfläche, insbesondere einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium, aufweisend die
Verfahrensschritte:
a) Bereitstellen eines Substrats mit einer zu maskierenden Oberfläche, insbesondere mit einer Oberfläche aufweisend Siliziumoxid, Aluminium oder Silizium; und
b) Erzeugen eines definierten Maskierungsmusters unter örtlich selektivem Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid auf der Oberfläche.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , wobei das selektive Ausbilden von kolloidalem Siliziumoxid erfolgt durch ein räumlich selektives und sukzessives
Aufbringen und Trocknen von Fluorokieselsäure (H2SiF6) auf die Oberfläche.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei Fluorokieselsäure selektiv auf die
Oberfläche aufgebracht wird durch ein Aufdrucken, Aufschleudern,
Zerstäuben oder Aufstreichen der Fluorokieselsäure oder durch ein
Eintauchen der Oberfläche in Fluorokieselsäure oder durch ein Bedrucken der Oberfläche mit Fluorokieselsäure.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, wobei ein Trocknen erfolgt unter
Verwendung eines Ofens, einer Heizplatte, eines Warmluftgebläses, einer Strahlungsheizung oder durch Lufttrocknen, insbesondere bei
Raumtemperatur.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Verfahren vor dem Verfahrensschritt b) den weiteren Verfahrensschritt aufweist:
c) Maskieren der Oberfläche unter Ausbildung eines negativen
Maskierungsmusters.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das negative Maskierungsmuster erzeugt wird unter Verwendung eines Photolacks.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Oberfläche vor Verfahrensschritt b) gereinigt, insbesondere angeätzt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Oberfläche vor Verfahrensschritt b) aktiviert, insbesondere hydrophilisiert wird.
9. Verwenden von kolloidalem Siliziumoxid zum örtlich selektiven Maskieren einer zu behandelnden Oberfläche.
10. Elektronisches Bauteil, hergestellt durch ein Verfahren aufweisend ein
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8.
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