WO2014157440A1 - 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法 Download PDF

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悠 岩井
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    • H10P72/744—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or a wafer

Definitions

  • the present invention relates to a temporary bonding laminate for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • a wire bonding method As an electrical connection method from an integrated circuit in an IC chip to an external terminal of the IC chip, a wire bonding method has been widely known.
  • a silicon substrate is used.
  • a method is known in which a through-hole is provided in the semiconductor device and a metal plug as an external terminal is connected to an integrated circuit so as to pass through the through-hole (so-called silicon through electrode (TSV) forming method).
  • TSV silicon through electrode
  • a technique for improving the degree of integration per unit area of a silicon substrate by multilayering integrated circuits in an IC chip is known.
  • the multilayered integrated circuit increases the thickness of the IC chip, it is necessary to reduce the thickness of the members constituting the IC chip.
  • the thinning of the silicon substrate is being considered as the thinning of such a member, which not only leads to the miniaturization of the IC chip, but also saves labor in the through hole manufacturing process of the silicon substrate in the manufacture of the silicon through electrode. Because it is possible, it is considered promising.
  • a semiconductor silicon wafer having a thickness of about 700 to 900 ⁇ m is widely known as a semiconductor silicon wafer used in a semiconductor device manufacturing process.
  • the thickness of a semiconductor silicon wafer has been reduced for the purpose of miniaturizing an IC chip. Attempts have been made to reduce the thickness to 200 ⁇ m or less.
  • the semiconductor silicon wafer having a thickness of 200 ⁇ m or less is very thin, and the semiconductor device manufacturing member based on this is also very thin, such a member can be further processed, or When such a member is simply moved, it is difficult to support the member stably and without causing damage.
  • the wafer is supported by a support layer system, and a plasma polymer layer obtained by a plasma deposition method is interposed between the wafer and the support layer system as a separation layer.
  • the adhesive bond between the support layer system and the separation layer is made larger than the bond bond between the wafer and the separation layer, so that when the wafer is detached from the support layer system, the wafer is easily detached from the separation layer.
  • a technique configured to be separated is also known (see Patent Document 2).
  • a pressure-sensitive adhesive film that comprises syndiotactic 1,2-polybutadiene and a photopolymerization initiator, and whose adhesive force changes upon irradiation with radiation (Patent Document 6). Further, the support substrate and the semiconductor wafer are temporarily bonded with an adhesive made of polycarbonate, the semiconductor wafer is processed, irradiated with irradiation radiation, and then heated, thereby processing the processed semiconductor wafer. A technique for detaching the substrate from the support substrate is known (Patent Document 7).
  • the surface of the semiconductor wafer on which the device is provided (that is, the device surface of the device wafer) and the support substrate (carrier substrate) are temporarily bonded via a layer made of an adhesive known in Patent Document 1 or the like.
  • the adhesive layer is required to have a certain degree of adhesion to stably support the semiconductor wafer. That is, in the case of temporarily adhering the entire device surface of the semiconductor wafer and the support substrate through the adhesive layer, the temporary adhesion between the semiconductor wafer and the support substrate is sufficient, and the semiconductor wafer is stably and However, the temporary adhesion between the semiconductor wafer and the support substrate is too strong, so that the device may be damaged or detached from the semiconductor wafer. Problems such as device detachment tend to occur.
  • a plasma polymer layer as a separation layer is formed between the wafer and the support layer system by a plasma deposition method.
  • the forming method is (1) the equipment cost for carrying out the plasma deposition method is usually high; (2) the layer formation by the plasma deposition method requires time for vacuuming and monomer deposition in the plasma apparatus; and (3) Even when a separation layer composed of a plasma polymer layer is provided, when supporting a wafer to be processed, the wafer is released from support while the adhesive bond between the wafer and the separation layer is sufficient. In such a case, it is not easy to control the adhesive bond so that the wafer is easily detached from the separation layer;
  • the present invention has been made in view of the above background, and its purpose is to provide a temporary support for a member to be processed reliably and easily when a member to be processed (such as a semiconductor wafer) is subjected to mechanical or chemical treatment. And a temporary bonding laminate for manufacturing a semiconductor device, which can easily release temporary support for the processed member without damaging the processed member even after a process at a high temperature, and a semiconductor device It is to provide a manufacturing method.
  • the present inventors provide a temporary bonded laminate including a release layer and an adhesive layer between a support and a member to be processed.
  • ⁇ 1> A temporary junction laminate for manufacturing a semiconductor device having (A) a release layer and (B) an adhesive layer, wherein the (A) release layer has a softening point of (a1) 200 ° C. or higher.
  • thermoplastic resin is at least one thermoplastic resin selected from a polyethersulfone resin, a polyimide resin, a polyester resin, a polybenzimidazole resin, a polyphenylene ether resin, a polyphenylene sulfide resin, and a polyether ketone resin ⁇ 3
  • ⁇ 5> The laminate for temporary bonding for manufacturing a semiconductor device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the resin 2 contains a thermoplastic resin selected from a polycarbonate resin, a polyurethane resin, and a hydrocarbon resin. . ⁇ 6>
  • ⁇ 7> The semiconductor according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the adhesive layer (B) includes a binder, a polymerizable monomer, and at least one of a photopolymerization initiator and a thermal polymerization initiator.
  • the method further includes a step of removing the temporary bonding laminate remaining on the member to be processed with a peeling solvent, ⁇ 8> or ⁇ 9>
  • the peeling solvent includes at least one of a hydrocarbon solvent and an ether solvent.
  • the release solvent contains at least one of cyclopentane, n-hexane, cyclohexane, n-heptane, limonene, p-menthane, tetrahydrofuran (THF), 1,3-dioxolane, and anisole.
  • the member to be treated when a member to be treated is subjected to mechanical or chemical treatment, the member to be treated can be temporarily and reliably supported, and the treated member is damaged even when subjected to a process at a high temperature. It is possible to provide a temporary bonding laminated body for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device, which can release temporary support for a processed member without imparting.
  • FIG. 1A is a conceptual diagram showing a state in which a solvent permeates through a release layer in the present invention
  • FIG. 1B is a conceptual diagram showing a state in which a solvent penetrates in a conventional release layer.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing a state where a solvent enters from the surface of the release layer in the present invention.
  • 3A, FIG. 3B, and FIG. 3C are respectively a schematic cross-sectional view for explaining the temporary bonding between the adhesive support and the device wafer, a schematic plan view showing the device wafer temporarily bonded by the adhesive support, and the bonding. It is a schematic sectional drawing which shows the state by which the device wafer temporarily bonded by the adhesive support body was thinned.
  • FIG. 1A is a conceptual diagram showing a state in which a solvent permeates through a release layer in the present invention
  • FIG. 1B is a conceptual diagram showing a state in which a solvent penetrates in a conventional release layer.
  • FIG. 2 is
  • FIG. 4 is a schematic top view of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic top view of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic top view of an aspect of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic top view of an aspect of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic top view of an aspect of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic top view of an aspect of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic top view of an aspect of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic top view of an aspect of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic top view of an aspect of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic top view in 1 aspect of the adhesive support body in embodiment of this invention.
  • FIG. 14 is a schematic top view of an aspect of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view for explaining the release of the temporarily bonded state between the conventional adhesive support and the device wafer.
  • substitution and non-substitution includes those having no substituent and those having a substituent.
  • the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
  • Actinic light” or “radiation” in the present specification means, for example, those including visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like. In the present invention, “light” means actinic rays or radiation.
  • the term “exposure” in the present specification is not limited to exposure by far-ultraviolet rays such as mercury lamps, ultraviolet rays, and excimer lasers, X-rays, EUV light, etc. It also means drawing with particle beams.
  • “(meth) acrylate” represents acrylate and methacrylate
  • “(meth) acryl” represents acryl and methacryl
  • “(meth) acryloyl” represents acryloyl and methacryloyl.
  • “monomer” and “monomer” are synonymous.
  • the monomer in the present invention is a compound having a weight average molecular weight of 2,000 or less, distinguished from oligomers and polymers.
  • a polymerizable compound means a compound having a polymerizable group, and may be a monomer or a polymer, and a polymerizable group is a group involved in a polymerization reaction.
  • a polymerizable group is a group involved in a polymerization reaction.
  • a temporary bonding laminate for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a temporary layer for manufacturing a semiconductor device having (A) a release layer and (B) an adhesive layer.
  • solvent soluble (hereinafter sometimes referred to as "solvent soluble”) the resin 2.
  • solvent soluble the resin 2.
  • it is made easy to osmose
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing a state in which a solvent permeates through a release layer according to the present invention and the prior art, where 1 indicates a release layer and 2 indicates a resin 2.
  • straight arrows and wavy arrows in the figure indicate the permeation state of the solvent.
  • FIG. 1 is a diagram for facilitating understanding of the concept of the present invention. The amount of resin 2 (2 in the figure) and the size of resin 2 (2 in the figure) in the release layer are shown in FIG. 1 is not the same (the same applies to FIG. 2 and subsequent figures).
  • the release layer 1 that is, the layer mainly composed of the resin 1, has the resin 2 (2 in the figure). Although it is spherical in FIG.
  • the resin 2 may exist on the surface of the release layer 1.
  • the surface area through which the release layer 1 permeates the solvent increases.
  • the solvent easily penetrates into the peeling layer, and the peeling layer can be peeled more easily.
  • the laminated body for temporary joining for semiconductor device manufacture in this invention is demonstrated. It is preferable that the laminated body for temporary joining for semiconductor device manufacture in this invention is used for manufacture of the semiconductor device which has the process of heat-processing.
  • the temporary bonding laminated body for manufacturing a semiconductor device in the present invention when a member to be processed is subjected to mechanical or chemical treatment, the member to be processed can be temporarily and reliably supported, and a process at a high temperature can be performed. Even if it passes, the laminated body for semiconductor device manufacture for temporary joining which can cancel
  • the laminated body for temporary bonding for manufacturing a semiconductor device in the present invention is preferably for forming a through silicon via.
  • the formation of the through silicon via will be described in detail later.
  • the (A) release layer in the present invention includes (a1) a resin 1 having a softening point of 200 ° C. or higher, and (a2) a resin 2 that can be dissolved in a solvent after curing.
  • Resin 1 is used for the purpose of improving the peelability of the release layer surface. Therefore, the resin 1 is required to have a small change in peelability with respect to heat.
  • the softening point of the resin 1 is 200 ° C. or higher.
  • the softening point is preferably 200 ° C to 450 ° C, more preferably 250 ° C to 400 ° C, and further preferably 280 ° C to 350 ° C.
  • the softening point of the resin 1 represents that measured by a general method using a viscoelasticity measuring apparatus.
  • the softening point of the resin 1 is measured as a temperature at which the loss tangent (tan ⁇ ) measured using a viscoelasticity measuring device under a constant temperature rise is maximized.
  • the loss tangent (tan ⁇ ) is calculated by the following equation.
  • G ′′ represents the loss shear modulus and G ′ represents the storage shear modulus.
  • the rate of temperature rise is preferably in the range of 0.5 to 20 ° C./min, more preferably in the range of 1 to 10 ° C./min, and in the range of 2 to 5 ° C./min. Is particularly preferred.
  • the resin 1 examples include olefin copolymer (for example, methylpentene copolymer), cycloolefin copolymer (for example, norbornene copolymer, dicyclopentadiene copolymer, tetracyclododecene copolymer), novolac resin, phenol Resin, epoxy resin, melamine resin, urea resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, polyurethane resin, solvent-soluble polyimide resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyvinyl chloride resin, polyvinyl acetate resin, PTFE resin, PFA resin, FEP resin, ethylene-TFE copolymer resin, PVDF resin, PCTFE resin, ethylene-CTFE resin, TFE-perfluorodimethyldioxole copolymer resin, PVF resin, ABS resin, AS resin, acrylic resin, cellulose resin Synthetic resins such as polyamide, polyacetal, polycarbonate, polyphenylene
  • PTFE resin PFA resin, FEP resin, ethylene-TFE copolymer resin, PVDF resin, PCTFE resin, ethylene-CTFE resin, TFE-perfluorodimethyldioxole copolymer resin, PVF resin, polyethersulfone resin, solvent Soluble type polyimide resin, polyester resin, polybenzimidazole resin, polyphenylene ether resin, polyether ketone resin are preferable.
  • PFA resin TFE-perfluorodimethyldioxole copolymer resin, PVF resin, polyethersulfone resin, solvent-soluble type Polyimide resin, polyester resin, polybenzimidazole resin, polyphenylene ether resin, polyether ketone resin are more preferable, polyethersulfone resin, solvent-soluble polyimide resin, polyester resin, poly Lens imidazole resins, polyphenylene ether resins, polyether ketone resins are particularly preferred.
  • the resin 1 is preferably a thermoplastic resin, and is at least one thermoplastic resin selected from a polyethersulfone resin, a solvent-soluble polyimide resin, a polyester resin, a polybenzimidazole resin, a polyphenylene ether resin, and a polyetherketone resin. It is particularly preferred.
  • the resin 1 in the present invention usually has lower solvent solubility than the resin 2.
  • the resin 1 in the present invention preferably has a lower dissolution rate (mass%) of 5 to 15 mass% than the resin 2 when it is dissolved at 25 ° C. in at least one of the above specific solvents. Further, when dissolved at 25 ° C. in at least one of the above specific solvents of the resin 1, the dissolution ratio (mass%) is preferably 1 to 50 mass%.
  • the resin 2 is used for the purpose of improving the removability when removing the peeling layer residue from the member to be treated with a solvent.
  • Resin 2 in the present invention is cured with hexane, heptane, ethyl acetate, acetone, methanol, ethanol, isopropanol, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran, 1-methoxy-2-propanol, 2-acetoxy-1-methoxypropane, Acetonitrile, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, toluene, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidinone, N-ethyl-2-pyrrolidinone, chloroform, methylene chloride, anisole, xylene, And at least one solvent selected from mesitylene contains a resin that dissolves
  • the resin 2 is used to make it easier to remove the resin 1 from the member to be treated with a solvent. Therefore, the resin 2 is required to have a resin that can be dissolved in a solvent after curing.
  • the solvent-soluble resin in the present invention is more preferably a resin that can be dissolved in at least one of the above solvents at 10% by mass or more at 25 ° C. With such a configuration, the removal of the release layer can be completed in a short time.
  • the release layer in the present invention includes the resin 1 having a high softening point, the release layer formed only of the release layer having a high softening point has a high cohesive property peculiar to the high softening point material, so It is thought to have a long time.
  • the resin 2 in the present invention may be a resin that can be dissolved in a solvent after curing, and the solvent-dissolving solubility before curing may or may not be solvent-soluble.
  • the resin 2 in the present invention usually has a softening point lower than that of the resin 1.
  • the softening point of the resin 2 in the present invention is preferably 20 ° C. or more lower than the softening point of the resin 1, and more preferably 50 ° C. or lower.
  • any resin that can be dissolved in a solvent can be used as the resin 2.
  • the total addition amount of the resin 1 and the resin 2 in the release layer of the present invention is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 10 to 40% by mass, and more preferably 20 to 30% by mass with respect to the release layer composition used in the present invention. Is particularly preferred.
  • the difference in SP value [MPa 1/2 ] between the resin 1 and the resin 2 is preferably 1 or more and less than 10, and preferably 2 or more and 9 Less than, more preferably 3 or more and less than 8.
  • the total amount of the resin in the release layer of the present invention is preferably 1 to 100% by mass, more preferably 70 to 100% by mass, and more preferably 90 to 100% by mass with respect to the total solid content (excluding the solvent) of the release layer of the present invention. 100% by mass is particularly preferred.
  • the release layer of the present invention may contain a resin other than the resin 1 and the resin 2 within a range not departing from the gist of the present invention, but the amount of such resin is the total resin component contained in the release layer. It is preferable that it is 5 mass% or less.
  • a solvent is usually used to form a release layer. Any known solvent can be used as long as it can form a release layer, but N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, 2-butanone, methyl amyl ketone, anisole, xylene, and the like can be used. N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, methyl amyl ketone or anisole are preferred.
  • the solvent is preferably used so that the solid content concentration of the release layer composition for forming the release layer is 5 to 40% by mass.
  • the release layer composition may contain various additives as necessary.
  • surfactants may be added to the release layer composition of the present invention from the viewpoint of further improving coatability.
  • various surfactants such as a fluorine-based surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a silicone-based surfactant can be used.
  • the release layer of the release layer composition of the present invention contains a fluorosurfactant, so that the liquid properties (particularly fluidity) when prepared as a coating solution are further improved.
  • the uniformity and liquid-saving property can be further improved. That is, in the case of forming a film using a release layer composition containing a fluorosurfactant, the wettability to the coated surface is improved by reducing the interfacial tension between the coated surface and the coating liquid. The applicability to the coated surface is improved. For this reason, even when a thin film of about several ⁇ m is formed with a small amount of liquid, it is effective in that it is possible to more suitably form a film having a uniform thickness with small thickness unevenness.
  • the fluorine content in the fluorosurfactant is preferably 3% by mass to 40% by mass, more preferably 5% by mass to 30% by mass, and particularly preferably 7% by mass to 25% by mass.
  • a fluorine-based surfactant having a fluorine content within this range is effective in terms of uniformity of coating film thickness and liquid-saving properties, and has good solubility in the release layer composition.
  • fluorosurfactant examples include Megafac F171, F172, F173, F176, F176, F177, F141, F142, F143, F144, R30, F437, F475, F479, F482, F554, F780, F780, F781 (above DIC Corporation), Florard FC430, FC431, FC171 (above, Sumitomo 3M Limited), Surflon S-382, SC-101, Same SC-103, Same SC-104, Same SC-105, Same SC1068, Same SC-381, Same SC-383, Same S393, Same KH-40 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), PF636, PF656, PF6320 PF6520, PF7002 (manufactured by OMNOVA), and the like.
  • nonionic surfactant examples include glycerol, trimethylolpropane, trimethylolethane, and ethoxylates and propoxylates thereof (for example, glycerol propoxylate, glycerol ethoxylate, etc.), polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene Stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate, sorbitan fatty acid ester (Pluronic L10, L31, L61, L62 manufactured by BASF, 10R5, 17R2, 25R2, Tetronic 304, 701, 704, 901, 904, 150R1, Rusupasu 20000 (manufactured by Nippon Lubrizol Corporation), and the like.
  • cationic surfactant examples include phthalocyanine derivatives (trade name: EFKA-745, manufactured by Morishita Sangyo Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth) acrylic acid ( Co) polymer polyflow no. 75, no. 90, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), W001 (manufactured by Yusho Co., Ltd.) and the like.
  • phthalocyanine derivatives trade name: EFKA-745, manufactured by Morishita Sangyo Co., Ltd.
  • organosiloxane polymer KP341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • (meth) acrylic acid ( Co) polymer polyflow no. 75, no. 90, no. 95 manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.
  • W001 manufactured by Yusho Co., Ltd.
  • anionic surfactants include W004, W005, W017 (manufactured by Yusho Co., Ltd.) and the like.
  • silicone surfactant examples include “Toray Silicone DC3PA”, “Toray Silicone SH7PA”, “Tore Silicone DC11PA”, “Tore Silicone SH21PA”, “Tore Silicone SH28PA”, “Toray Silicone” manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.
  • the method for forming the release layer of the laminate for temporary bonding for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is not particularly limited, but by appropriately changing the type and content of the resin 1 described above as preferable.
  • the resin 1 and the resin 2 are selected from the above-mentioned preferred specific examples and are made to have a more preferable concentration.
  • the adhesive layer is used for the purpose of bonding the release layer and the substrate. Therefore, the adhesive layer is required to have a small adhesive change with respect to heat and chemicals.
  • the adhesive layer is formed on the carrier substrate by using an adhesive composition containing each component described later using a conventionally known spin coating method, spray method, roller coating method, flow coating method, doctor coating method, dipping method, or the like. It can be formed by applying (preferably, applying) to, and then drying.
  • the adhesive layer may be a layer whose adhesion increases or decreases when irradiated with actinic rays or radiation. The surface of the layer whose adhesion increases or decreases when irradiated with actinic rays or radiation is exposed to the surface.
  • the exposure is preferably pattern exposure using a mask, as will be described later.
  • the thickness of the adhesive layer is, for example, in the range of 1 to 500 ⁇ m, but is not particularly limited.
  • the adhesive composition (and thus the adhesive layer) preferably contains a binder.
  • any binder can be used.
  • hydrocarbon resin novolak resin, phenol resin, epoxy resin, melamine resin, urea resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, polyurethane, polyimide, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, styrene-methyl methacrylate copolymer Resin, polyvinyl acetate, Teflon (registered trademark), ABS resin, AS resin, acrylic resin, polyamide, polyacetal, polycarbonate, polyphenylene ether, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, cyclic polyolefin, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyethersulfone , Synthetic resins such as polyarylate, polyetheretherketone, and polyamideimide, and natural resins such as natural rubber.
  • polyurethane, novolak resin, polyimide, polystyrene, styrene-methyl methacrylate copolymer resin are preferable, novolak resin, polyimide, polystyrene, styrene-methyl methacrylate copolymer resin are more preferable, and polyimide, polystyrene, styrene-methyl methacrylate copolymer are preferable.
  • a copolymer resin is particularly preferred.
  • any hydrocarbon resin can be used.
  • the hydrocarbon resin in the present invention basically means a resin consisting of only carbon atoms and hydrogen atoms, but if the basic skeleton is a hydrocarbon resin, it may contain other atoms as side chains. Further, the hydrocarbon resin in the present invention does not include a resin in which a functional group other than a hydrocarbon group is directly bonded to the main chain, such as an acrylic resin, a polyvinyl alcohol resin, a polyvinyl acetal resin, and a polyvinyl pyrrolidone resin.
  • hydrocarbon resins examples include polystyrene resin, terpene resin, terpene phenol resin, modified terpene resin, hydrogenated terpene resin, hydrogenated terpene phenol resin, rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, and hydrogenated rosin ester.
  • resins include resins, olefin polymers (for example, methylpentene copolymer), cycloolefin polymers (for example, norbornene copolymer, dicyclopentadiene copolymer, tetracyclododecene copolymer) and the like.
  • polystyrene resin, terpene resin, rosin, petroleum resin, hydrogenated rosin, polymerized rosin, olefin polymer, cycloolefin polymer are preferable, polystyrene resin, terpene resin, rosin, olefin polymer, cycloolefin polymer are more preferable, polystyrene resin, Terpene resins, rosins, olefin polymers, polystyrene resins and cycloolefin polymers are more preferred, polystyrene resins, terpene resins, rosins, cycloolefin polymers and olefin polymers are particularly preferred, and polystyrene resins and cycloolefin polymers are most preferred.
  • cyclic olefin resins used in the preparation of cycloolefin copolymers include norbornene polymers, monocyclic olefin polymers, cyclic conjugated diene polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, and their heavy polymers. Combined hydrides and the like are included.
  • Preferable examples include an addition (co) polymer cyclic olefin resin containing at least one repeating unit represented by the following general formula (II), and, if necessary, a repeating unit represented by the general formula (I)
  • An addition (co) polymer cyclic olefin resin further comprising at least one of the above is included.
  • Other preferred examples include a ring-opening (co) polymer containing at least one cyclic repeating unit represented by the general formula (III).
  • R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms
  • X 1 to X 3 and Y 1 to Y 3 are each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms
  • R 11 , R 12 , R 13 , R 14 and R 15 are each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, Z is a hydrocarbon group or a hydrocarbon group substituted with halogen, and W is SiR 16 p D 3-p (R 16 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, D is a halogen atom, —OCOR 16 or —OR 16 , and p is an integer of 0 to 3). n represents an integer of 0 to 10.
  • Norbornene-based addition (co) polymers are disclosed in JP-A-10-7732, JP 2002-504184, US2004 / 229157A1, WO2004 / 070463A1, and the like. It can be obtained by addition polymerization of norbornene-based polycyclic unsaturated compounds. If necessary, a norbornene-based polycyclic unsaturated compound and ethylene, propylene, butene; conjugated dienes such as butadiene and isoprene; non-conjugated dienes such as ethylidene norbornene can also be subjected to addition polymerization. This norbornene-based addition (co) polymer is marketed by Mitsui Chemicals, Inc.
  • Tg glass transition temperatures
  • APL8008T Tg70 ° C
  • APL6013T Tg125 ° C
  • APL6015T Grades such as Tg145 ° C
  • Pellets such as TOPAS 8007, 5013, 6013, 6015, etc. are available from Polyplastics. Further, Appear 3000 is sold by Ferrania.
  • Norbornene-based polymer hydrides are disclosed in JP-A-1-240517, JP-A-7-196736, JP-A-60-26024, JP-A-62-19807, JP-A-2003-1159767, or As disclosed in JP-A-2004-309979 and the like, it can be produced by subjecting a polycyclic unsaturated compound to addition polymerization or metathesis ring-opening polymerization, followed by hydrogenation.
  • R 5 to R 6 are preferably hydrogen atoms or —CH 3
  • X 3 and Y 3 are preferably hydrogen atoms, and other groups are appropriately selected.
  • This norbornene resin is sold under the trade name Arton G or Arton F by JSR Co., Ltd., and Zeonor ZF14, ZF16, Zeonex 250, and the like from Zeon Japan. These are commercially available under the trade names of 280 and 480R, and these can be used.
  • the amount of the binder with respect to the total solid content of the adhesive composition is preferably 30 to 80% by mass, and more preferably 40 to 60% by mass. Only 1 type may be used for a binder and it may combine 2 or more types.
  • polymerizable monomer arbitrary things can be used as a polymerizable monomer of an adhesive composition (as a result, adhesive layer).
  • the polymerizable monomer has a polymerizable group.
  • the polymerizable group is typically a group that can be polymerized by irradiation with actinic rays or radiation, or by the action of radicals or acids.
  • the polymerizable monomer is a compound different from the above-described binder.
  • the polymerizable monomer is typically a low molecular compound, preferably a low molecular compound having a molecular weight of 2000 or less, more preferably a low molecular compound having a molecular weight of 1500 or less, and a low molecular compound having a molecular weight of 900 or less. More preferably it is.
  • the molecular weight of the low molecular weight compound is usually 100 or more.
  • the polymerizable group is preferably, for example, a functional group that can undergo an addition polymerization reaction, and examples of the functional group that can undergo an addition polymerization reaction include an ethylenically unsaturated bond group, an amino group, and an epoxy group.
  • the polymerizable group may be a functional group capable of generating a radical upon irradiation with light, and examples of such a polymerizable group include a thiol group and a halogen group.
  • the polymerizable group is preferably an ethylenically unsaturated bond group.
  • a styryl group, a (meth) acryloyl group, and an allyl group are preferable.
  • the reactive compound having a polymerizable group examples include a radical polymerizable compound (B1) and an ion polymerizable compound (B2).
  • the radical polymerizable compound examples include a (meth) acrylamide compound (B11) having 3 to 35 carbon atoms, a (meth) acrylate compound (B12) having 4 to 35 carbon atoms, and an aromatic vinyl compound (B13) having 6 to 35 carbon atoms.
  • a radically polymerizable compound (B1) may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. Further, if necessary, a polymerization inhibitor such as hydroquinone or methyl ether hydroquinone may be used in combination.
  • Examples of the (meth) acrylamide compound (B11) having 3 to 35 carbon atoms include (meth) acrylamide, N-methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, N-propyl (meth) acrylamide, N- n-butyl (meth) acrylamide, N-tert-butyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) acrylamide, N-isopropyl (meth) acrylamide, N-methylol (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) ) Acrylamide, N, N-diethyl (meth) acrylamide and (meth) acryloylmorpholine.
  • Examples of the (meth) acrylate compound (B12) having 4 to 35 carbon atoms include the following monofunctional to hexafunctional (meth) acrylates.
  • Monofunctional (meth) acrylates include ethyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, tert-octyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (Meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 4-n-butylcyclohexyl (meth) acrylate, bornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, benzyl ( (Meth) acrylate, 2-ethylhexyl diglycol (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, 2-chloroethyl (meth) acryl
  • Bifunctional (meth) acrylates include 1,4-butanedi (meth) acrylate, 1,6-hexanediacrylate, polypropylene diacrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, and 1,10-decanedioldi (Meth) acrylate, neopentyl diacrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 2,4-dimethyl-1,5-pentanediol di (meth) acrylate, butylethylpropanediol (meth) acrylate, ethoxylated cyclohexanemethanol Di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, oligoethylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, 2-ethyl-2-butyl-butanediol di (meth) Acrylate,
  • Trifunctional (meth) acrylates include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolethane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane alkylene oxide modified tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, di Pentaerythritol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri ((meth) acryloyloxypropyl) ether, isocyanuric acid alkylene oxide modified tri (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate propionate, tri ((meta ) Acryloyloxyethyl) isocyanurate, hydroxypivalaldehyde-modified dimethylolpropane tri (meth) acrylate, sorbitol tri (meth) acrylate DOO, propoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate
  • Tetrafunctional (meth) acrylates include pentaerythritol tetra (meth) acrylate, sorbitol tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, propionate dipentaerythritol tetra (meth) acrylate and ethoxylated pentaerythritol tetra. (Meth) acrylate etc. are mentioned.
  • pentafunctional (meth) acrylates examples include sorbitol penta (meth) acrylate and dipentaerythritol penta (meth) acrylate.
  • hexafunctional (meth) acrylates examples include dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, sorbitol hexa (meth) acrylate, phosphazene alkylene oxide-modified hexa (meth) acrylate, and caprolactone-modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate. It is done.
  • aromatic vinyl compound (B13) having 6 to 35 carbon atoms examples include vinyl thiophene, vinyl furan, vinyl pyridine, styrene, methyl styrene, trimethyl styrene, ethyl styrene, isopropyl styrene, chloromethyl styrene, methoxy styrene, acetoxy styrene, chloro Styrene, dichlorostyrene, bromostyrene, vinyl benzoic acid methyl ester, 3-methylstyrene, 4-methylstyrene, 3-ethylstyrene, 4-ethylstyrene, 3-propylstyrene, 4-propylstyrene, 3-butylstyrene, 4 -Butylstyrene, 3-hexylstyrene, 4-hexylstyrene, 3-octylsty
  • Examples of the vinyl ether compound (B14) having 3 to 35 carbon atoms include the following monofunctional or polyfunctional vinyl ethers.
  • Examples of the monofunctional vinyl ether include methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, n-butyl vinyl ether, tert-butyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether, n-nonyl vinyl ether, lauryl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, cyclohexyl methyl vinyl ether, 4-methyl Cyclohexylmethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, dicyclopentenyl vinyl ether, 2-dicyclopentenoxyethyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, butoxyethyl vinyl ether, methoxyethoxyethyl vinyl ether, ethoxyethoxyethyl vinyl ether, methoxypolyethylene glycol vinyl Ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 2-hydroxyprop
  • polyfunctional vinyl ether examples include ethylene glycol divinyl ether, diethylene glycol divinyl ether, polyethylene glycol divinyl ether, propylene glycol divinyl ether, butylene glycol divinyl ether, hexanediol divinyl ether, bisphenol A alkylene oxide divinyl ether, bisphenol F alkylene oxide divinyl ether.
  • Divinyl ethers such as: trimethylolethane trivinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, ditrimethylolpropane tetravinyl ether, glycerin trivinyl ether, pentaerythritol tetravinyl ether, dipentaerythritol pentavinyl ether, dipentaerythritol hexabi Ether, ethylene oxide-added trimethylolpropane trivinyl ether, propylene oxide-added trimethylolpropane trivinyl ether, ethylene oxide-added ditrimethylolpropane tetravinyl ether, propylene oxide-added ditrimethylolpropane tetravinyl ether, ethylene oxide-added pentaerythritol tetravinyl ether, propylene oxide-added pentaerythritol te
  • radical polymerizable compounds (B15) include vinyl ester compounds (such as vinyl acetate, vinyl propionate and vinyl versatate), allyl ester compounds (such as allyl acetate), and halogen-containing monomers (vinylidene chloride, vinyl chloride, etc.) ) And olefin compounds (ethylene and propylene, etc.).
  • (meth) acrylamide compound (B11) and (meth) acrylate compound (B12) are preferable from the viewpoint of polymerization rate, and (meth) acrylate compound (B12) is particularly preferable.
  • Examples of the ion polymerizable compound (B2) include an epoxy compound (B21) having 3 to 20 carbon atoms and an oxetane compound (B22) having 4 to 20 carbon atoms.
  • Examples of the epoxy compound having 3 to 20 carbon atoms (B21) include the following monofunctional or polyfunctional epoxy compounds.
  • Examples of the monofunctional epoxy compound include phenyl glycidyl ether, p-tert-butylphenyl glycidyl ether, butyl glycidyl ether, 2-ethylhexyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, 1,2-butylene oxide, and 1,3-butadiene monooxide.
  • 1,2-epoxydodecane epichlorohydrin, 1,2-epoxydecane, styrene oxide, cyclohexene oxide, 3-methacryloyloxymethylcyclohexene oxide, 3-acryloyloxymethylcyclohexene oxide and 3-vinylcyclohexene oxide .
  • polyfunctional epoxy compound examples include bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol S diglycidyl ether, brominated bisphenol A diglycidyl ether, brominated bisphenol F diglycidyl ether, and brominated bisphenol S diglycidyl ether.
  • Epoxy novolac resin hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol S diglycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3 ', 4'-epoxycyclohexanecarboxylate, 2- (3,4-epoxycyclohexyl-5,5-spiro-3,4-epoxy) cyclohexane-meta-dioxane, bis (3,4-epoxycyclohexyl) Methyl) adipate, vinylcyclohexene oxide, 4-vinylepoxycyclohexane, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl-3 ′, 4′-epoxy-6 '-Methylcyclohexanecarboxylate, methylenebis (3,4-epoxycyclo
  • aromatic epoxides and alicyclic epoxides are preferable, and alicyclic epoxides are particularly preferable from the viewpoint of excellent polymerization rate.
  • Examples of the oxetane compound (B22) having 4 to 20 carbon atoms include compounds having 1 to 6 oxetane rings.
  • Examples of the compound having one oxetane ring include 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 3- (meth) allyloxymethyl-3-ethyloxetane, (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methylbenzene, 4 -Fluoro- [1- (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 4-methoxy- [1- (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, [1- (3-ethyl-3 -Oxetanylmethoxy) ethyl] phenyl ether, isobutoxymethyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, isobornyloxyethyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, isobornyl (3-ethyl-3-oxet
  • Examples of the compound having 2 to 6 oxetane rings include 3,7-bis (3-oxetanyl) -5-oxa-nonane, 3,3 ′-(1,3- (2-methylenyl) propanediylbis ( Oxymethylene)) bis- (3-ethyloxetane), 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,2-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl ] Ethane, 1,3-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] propane, ethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dicyclopentenylbis (3-ethyl-3-oxetanyl) Methyl) ether, triethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether,
  • the content of the polymerizable monomer is preferably from 5 to 75% by weight, more preferably from 10 to 70% by weight, more preferably from 10 to 70% by weight, based on the total solid content of the adhesive layer, from the viewpoint of good adhesive strength and peelability. 60 mass% is more preferable.
  • the content ratio (mass ratio) of the polymerizable monomer and the binder is preferably 90/10 to 10/90, and more preferably 20/80 to 80/20. Only 1 type may be used for a polymerizable monomer and it may combine 2 or more types.
  • Solvent Any known solvent can be used as long as it can form an adhesive layer, but N-methyl-2-pyrrolidone, 2-butanone, methyl amyl ketone, limonene, PGMEA (1-methoxy-2-propyl acetate), etc. N-methyl-2-pyrrolidone, 2-butanone, methyl amyl ketone or limonene, and PGMEA (1-methoxy-2-propyl acetate) are preferable.
  • the solvent is preferably used so that the solid content concentration of the adhesive composition is 5 to 40% by mass. Only 1 type may be used for a solvent and it may combine 2 or more types.
  • the adhesive composition (and thus the adhesive layer) preferably contains a photopolymerization initiator, that is, a compound that generates radicals or acids upon irradiation with actinic rays or radiation.
  • a photopolymerization initiator that is, a compound that generates radicals or acids upon irradiation with actinic rays or radiation.
  • the adhesive composition is cured by radicals or acids by irradiating the adhesive layer with light, and the adhesiveness in the light irradiation part can be lowered. If this irradiation is performed on the surface of the adhesive layer through, for example, a photomask, there is an advantage that regions having different adhesive forces can be easily created according to the pattern of the photomask.
  • the photopolymerization initiator has the ability to initiate a polymerization reaction (crosslinking reaction) in a polymer compound having a polymerizable group as the binder or a reactive compound having a polymerizable group as the polymerizable monomer.
  • crosslinking reaction a polymerization reaction
  • it can select suitably from well-known photoinitiators.
  • those having photosensitivity to visible light from the ultraviolet region are preferable.
  • the photopolymerization initiator preferably contains at least one compound having a molecular extinction coefficient of at least about 50 within a range of about 300 nm to 800 nm (preferably 330 nm to 500 nm).
  • halogenated hydrocarbon derivatives for example, those having a triazine skeleton, those having an oxadiazole skeleton, those having a trihalomethyl group
  • Acylphosphine compounds such as acylphosphine oxide, oxime compounds such as hexaarylbiimidazole and oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, ketoxime ethers, aminoacetophenone compounds, hydroxyacetophenone, azo Compounds, azide compounds, metallocene compounds, organic boron compounds, iron arene complexes, and the like.
  • halogenated hydrocarbon compound having a triazine skeleton examples include those described in Wakabayashi et al., Bull. Chem. Soc. Japan, 42, 2924 (1969), a compound described in British Patent No. 1388492, a compound described in JP-A-53-133428, a compound described in German Patent No. 3337024, F.I. C. J. Schaefer et al. Org. Chem. 29, 1527 (1964), compound described in JP-A-62-258241, compound described in JP-A-5-281728, compound described in JP-A-5-34920, US Pat. No. 4,221,976 And the compounds described in the book.
  • Examples of the compound described in US Pat. No. 4,221,976 include compounds having an oxadiazole skeleton (for example, 2-trichloromethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2- Trichloromethyl-5- (4-chlorophenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5 -(2-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5- (2-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole; 2-trichloromethyl-5-styryl-1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-chlorostyryl) ) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichlor
  • photopolymerization initiators other than those mentioned above, polyhalogen compounds (for example, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, etc.), N-phenylglycine, etc.
  • polyhalogen compounds for example, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, etc.
  • N-phenylglycine etc.
  • acylphosphine oxides for example, bis (2,4 , 6-Trimethylbenzoyl) -phenylphos Zinc oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphenylphosphine oxide, Lucirin TPO, etc.
  • metallocenes for example, bis ( ⁇ 5-2,4-cyclopentadien-1-yl)- Bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium, ⁇ 5-cyclopentadienyl- ⁇ 6-cumenyl-iron (1 +)-hexafluorophosphate (1-), etc.
  • Examples thereof include compounds described in JP-A Nos. 53-133428, 57-1819, 57-6096, and US Pat.
  • ketone compound examples include benzophenone, 2-methylbenzophenone, 3-methylbenzophenone, 4-methylbenzophenone, 4-methoxybenzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4-chlorobenzophenone, 4-bromobenzophenone, 2-carboxybenzophenone, 2-ethoxycarbonylbenzophenone, benzophenonetetracarboxylic acid or tetramethyl ester thereof, 4,4′-bis (dialkylamino) benzophenones (eg, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4′-bisdicyclohexyl) Amino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (dihydroxyethylamino) benzophenone, 4-methoxy-4'-dimethylamino Benzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-dimethylaminobenzophen
  • hydroxyacetophenone compounds As the photopolymerization initiator, hydroxyacetophenone compounds, aminoacetophenone compounds, and acylphosphine compounds can also be suitably used. More specifically, for example, aminoacetophenone initiators described in JP-A-10-291969 and acylphosphine oxide initiators described in Japanese Patent No. 4225898 can also be used.
  • hydroxyacetophenone-based initiator IRGACURE-184, DAROCUR-1173, IRGACURE-500, IRGACURE-2959, IRGACURE-127 (trade names: all manufactured by BASF) can be used.
  • aminoacetophenone-based initiator commercially available products IRGACURE-907, IRGACURE-369, and IRGACURE-379 (trade names: all manufactured by BASF) can be used.
  • aminoacetophenone-based initiator compounds described in JP-A-2009-191179 whose absorption wavelength is matched with a long wave light source of 365 nm or 405 nm can also be used.
  • acylphosphine initiator commercially available products such as IRGACURE-819 and DAROCUR-TPO (trade names: both manufactured by BASF) can be used.
  • More preferable examples of the photopolymerization initiator include oxime compounds.
  • Specific examples of the oxime initiator include compounds described in JP-A No. 2001-233842, compounds described in JP-A 2000-80068, and compounds described in JP-A 2006-342166.
  • oxime ester compounds examples include J.M. C. S. Perkin II (1979) pp. 1653-1660), J.M. C. S. Perkin II (1979) pp. 156-162, Journal of Photopolymer Science and Technology (1995), pp. 156-162. 202-232, compounds described in JP-A No. 2000-66385, compounds described in JP-A Nos. 2000-80068, JP-T 2004-534797, JP-A No. 2006-342166, and the like.
  • IRGACURE-OXE01 manufactured by BASF
  • IRGACURE-OXE02 manufactured by BASF
  • oxime ester compounds other than those described above compounds described in JP-T-2009-519904 in which oxime is linked to carbazole N-position, compounds described in US Pat. No. 7,626,957 in which a hetero substituent is introduced into the benzophenone moiety, A compound described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-15025 and US Patent Publication No. 2009-292039 in which a nitro group is introduced into the dye moiety, a ketoxime compound described in International Publication No. 2009-131189, a triazine skeleton and an oxime skeleton A compound described in US Pat. No. 7,556,910 contained in the same molecule, a compound described in JP 2009-221114 A having an absorption maximum at 405 nm and good sensitivity to a g-ray light source, and the like may be used. Good.
  • cyclic oxime compounds described in JP-A-2007-231000 and JP-A-2007-322744 can also be suitably used for the cyclic oxime compounds described in JP-A-2007-231000 and JP-A-2007-322744.
  • cyclic oxime compounds in particular, cyclic oxime compounds fused to carbazole dyes described in JP2010-32985A and JP2010-185072A have high light absorptivity and high sensitivity. preferable.
  • the compounds described in JP-A-2009-242469 having an unsaturated bond at a specific site of the oxime compound can be preferably used because high sensitivity can be achieved by regenerating the active radical from the polymerization inert radical. it can.
  • an oxime compound having a specific substituent as disclosed in JP 2007-26997A and an oxime compound having a thioaryl group as disclosed in JP 2009-191061 A can be mentioned.
  • a known method can be used for the molar extinction coefficient of the compound. Specifically, for example, 0.01 g of an ultraviolet-visible spectrophotometer (Carry-5 spctrophotometer manufactured by Varian) is used with an ethyl acetate solvent. It is preferable to measure at a concentration of / L.
  • the content of the photopolymerization initiator in the adhesive composition in the present invention is preferably 0.01 to 50% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, based on the total solid content of the adhesive composition. Most preferably, it is 0.5 to 10% by mass.
  • Thermal polymerization initiator a thermal polymerization initiator, that is, a compound that generates a radical or an acid by heat.
  • the adhesive layer is cured by heating to a temperature higher than the decomposition temperature of the thermal polymerization initiator.
  • a thermal polymerization initiator Only one type of thermal polymerization initiator may be used, or two or more types may be combined.
  • thermal radical generator As the compound that generates radicals by heat (hereinafter, also simply referred to as a thermal radical generator), a known thermal radical generator can be used.
  • the thermal radical generator is a compound that initiates or accelerates a polymerization reaction of a polymer compound having a polymerizable group and a polymerizable monomer by generating radicals by heat energy.
  • the adhesive layer becomes tougher, and cohesive failure of the adhesive layer that is likely to occur when the member to be treated is subjected to mechanical or chemical treatment can be suppressed. That is, the adhesiveness in the adhesive layer can be improved.
  • the thermal radical generator include compounds that generate an acid or radical upon irradiation with actinic rays or radiation as described above, and compounds having a thermal decomposition point in the range of 130 ° C. to 250 ° C., preferably 150 ° C. to 220 ° C. Can be preferably used.
  • Thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbiimidazole compounds, ketoxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, carbon halogens. Examples thereof include a compound having a bond and an azo compound. Among these, organic peroxides or azo compounds are more preferable, and organic peroxides are particularly preferable. Specifically, compounds described in paragraphs 0074 to 0118 of JP-A-2008-63554 can be mentioned.
  • the adhesive layer preferably contains a binder, a polymerizable monomer, and at least one of a photopolymerization initiator and a thermal polymerization initiator, and more preferably contains a photopolymerization initiator.
  • the adhesive layer 11 is , It can be an adhesive layer whose adhesiveness is reduced by irradiation with actinic rays, radiation or heat.
  • the adhesive layer is an adhesive layer before being irradiated with actinic light, radiation or heat, but in an area irradiated with actinic light, radiation or heat. , It can be a layer in which the adhesiveness decreases or disappears.
  • thermal acid generator As a compound that generates an acid by heat (hereinafter, also simply referred to as a thermal acid generator), a known thermal acid generator can be used.
  • the thermal acid generator is preferably a compound having a thermal decomposition point in the range of 130 ° C. to 250 ° C., more preferably 150 ° C. to 220 ° C.
  • the thermal acid generator is, for example, a compound that generates a low nucleophilic acid such as sulfonic acid, carboxylic acid, or disulfonylimide by heating.
  • pKa is as strong as 2 or less, sulfonic acid or alkyl substituted with an electron withdrawing group to arylcarboxylic acid, disulfonylimide substituted with an electron withdrawing group, and the like are preferable.
  • the electron withdrawing group include a halogen atom such as a fluorine atom, a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group, a nitro group, and a cyano group.
  • a photoacid generator that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation can be applied.
  • Examples thereof include onium salts such as sulfonium salts and iodonium salts, N-hydroxyimide sulfonate compounds, oxime sulfonates, o-nitrobenzyl sulfonates and the like.
  • the sulfonic acid ester which does not generate
  • the fact that acid is not substantially generated by irradiation with actinic rays or radiation is determined by no change in the spectrum by measuring infrared absorption (IR) spectrum and nuclear magnetic resonance (NMR) spectrum before and after exposure of the compound. can do.
  • the molecular weight of the sulfonic acid ester is preferably 230 to 1,000, more preferably 230 to 800.
  • a commercially available sulfonic acid ester that can be used in the present invention may be used, or a sulfonic acid ester synthesized by a known method may be used.
  • Sulfonic esters can be synthesized, for example, by reacting sulfonyl chloride or sulfonic anhydride with the corresponding polyhydric alcohol under basic conditions.
  • a thermal acid generator may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.
  • the content of the thermal polymerization initiator in the adhesive composition of the present invention is such that the adhesive layer has a reduced adhesiveness when heat irradiation is performed before temporary bonding between the member to be treated and the adhesive support, and From the viewpoint of improving the adhesiveness of the adhesive layer when heat irradiation is performed after temporary adhesion between the member to be processed and the adhesive support, 0.01 to 50% by mass with respect to the total solid content of the adhesive composition Preferably, 0.1 to 20% by mass is more preferable, and 0.5 to 10% by mass is most preferable.
  • the adhesive composition (and thus the adhesive layer) can further contain various compounds depending on the purpose as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • a sensitizing dye, a chain transfer agent, a polymerization inhibitor, and a surfactant can be preferably used.
  • Specific examples and preferred examples of the surfactant that the adhesive composition (and thus the adhesive layer) may have are the same as those of the surfactant that the release layer composition may have.
  • a binder it is preferable to have a binder, a polymerizable monomer, a photopolymerization initiator, and a thermal polymerization initiator.
  • a rubber-containing composition can also be used.
  • rubber includes all natural rubber and synthetic rubber as well as elastomer. Silicone rubber may be used.
  • Such rubber is preferably 4 to 20% by mass, more preferably 10 to 18% by mass, and further preferably 14 to 17% by mass with respect to the total solid content of the adhesive composition.
  • More preferable rubber contains repeating monomer units of ethylene and propylene.
  • the amount of ethylene monomer in the rubber is preferably 40 to 70% by mass, more preferably 40 to 60% by mass, and still more preferably 40 to 70% by mass based on the total weight of the rubber as 100% by mass. 50% by mass.
  • the amount of propylene monomer in the rubber is preferably 35 to 65% by mass, more preferably 35 to 55% by mass, and still more preferably based on the total weight of the rubber as 100% by mass. 35-45% by mass.
  • the rubber further contains a small amount of a non-conjugated diene (eg, ethylidene norbornene monomer).
  • the amount of non-conjugated diene in the rubber is preferably 1 to 10% by mass, more preferably 2 to 6% by mass, and further preferably 2 to 3% based on the total weight of the rubber as 100% by mass. % By mass.
  • a particularly preferred rubber is also an ethylene-propylene terpolymer called ethylene-propylene-diene monomer or EPDM.
  • the ethylene-propylene terpolymer is sold by Lanxess under the name BUNA® EP (where R is a registered trademark).
  • silicone rubber a material made by WACKER having a name of ELASTOSIL LR 3070 with a Shore-A-hardness of 50 and a Berghausen material can be used.
  • the above rubber may be used by mixing with a dissolved hydrocarbon resin.
  • the hydrocarbon resin is preferably 65 to 95% by mass, more preferably 75 to 95% by mass, and further preferably 80 to 90% by mass with respect to the total solid content.
  • the hydrocarbon resin mixed with the rubber can be selected from the group consisting of terpene rosin, gum rosin, wood rosin, and mixtures thereof.
  • a preferred hydrocarbon resin is sold under the name Eastotac and is available from Eastman Chemical Company.
  • a polysiloxane polymer described in paragraphs 0013 to 0015 of JP2013-048215A or a silphenylene-containing composition described in paragraphs 0021 to 0027 of the same publication may be used.
  • a method of manufacturing a semiconductor device includes a step of bonding a first surface of a member to be processed and a substrate so as to interpose a temporary bonding laminate for manufacturing a semiconductor device of the present invention, The process comprising the steps of: performing a heat treatment having a maximum temperature in the range of 180 ° C. to 370 ° C. to obtain a treated member; and detaching the treated member from the temporary bonding laminate.
  • the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of performing a heat treatment.
  • the step of performing the heat treatment is not particularly limited as long as it is a step of heating in the manufacturing process of the semiconductor device, but for example, it is preferable to be a step of heating the thinned silicon substrate supported by the adhesive support. More preferably, it is a step of performing a heat treatment during the formation of the silicon through electrode.
  • the step of performing the heat treatment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a step of performing a heat treatment having the highest temperature within the range of 180 ° C. to 370 ° C.
  • the softening point of the resin 1 is preferably 20 ° C. or more higher than the highest temperature achieved in the heat treatment, and preferably 20 to 50 ° C. higher. By setting it as such a range, the effect of this invention is exhibited more effectively.
  • the heat treatment is preferably performed for 30 seconds to 30 minutes at the highest temperature, and more preferably for 1 minute to 10 minutes at the highest temperature.
  • the method further includes a step of removing the temporary bonding laminate remaining on the member to be processed with a peeling solvent after the step of detaching the member to be processed from the temporary bonding laminate.
  • the stripping solvent preferably contains at least one of a hydrocarbon solvent and an ether solvent.
  • the above-described embodiment may further include a step of removing the bonding layer remaining on the member to be processed with a peeling solvent after the step of detaching the member to be processed from the bonding layer.
  • the peeling solvent is preferably selected from a hydrocarbon solvent and an ether solvent, or a combination thereof.
  • Cyclopentane, n-hexane, cyclohexane, n-heptane, limonene, p-menthane, tetrahydrofuran (THF) , 1,3-dioxolane, anisole, or a combination thereof is more preferable, and at least one of tetrahydrofuran, 1,3-dioxolane, and anisole is more preferably included.
  • THF tetrahydrofuran
  • FIG. 3A, FIG. 3B, and FIG. 3C are a schematic cross-sectional view illustrating temporary bonding between an adhesive support and a device wafer, a schematic cross-sectional view illustrating a device wafer temporarily bonded by the adhesive support, and adhesion, respectively. It is a schematic sectional drawing which shows the state by which the device wafer temporarily bonded by the adhesive support body was thinned.
  • an adhesive support 100 in which an adhesive layer 11 is provided on a carrier substrate 12 is prepared.
  • the material of the carrier substrate 12 is not particularly limited, and examples thereof include a silicon substrate, a glass substrate, and a metal substrate.
  • a silicon substrate that is typically used as a substrate of a semiconductor device is hardly contaminated, and a semiconductor device is manufactured.
  • an electrostatic chuck widely used in the process can be used, a silicon substrate is preferable.
  • the thickness of the carrier substrate 12 is, for example, in the range of 300 ⁇ m to 5 mm, but is not particularly limited.
  • FIG. 4 is a schematic top view of the adhesive support in the embodiment of the present invention.
  • the adhesive layer 11 in the adhesive support has a high adhesion region 11A as a halftone dot region and a low adhesion property as a peripheral region surrounding the halftone dot region.
  • Region 11B is formed.
  • the low-adhesion region 11B and the high-adhesion region 11A form a halftone dot pattern that is arranged at almost equal intervals over the entire surface of the adhesive layer 11.
  • the low-adhesion region 11A and the high-adhesion region 11B are formed by a method of performing pattern exposure for halftone images on an adhesive layer whose adhesion increases or decreases by irradiation with actinic rays or radiation.
  • the pattern exposure for the halftone image is preferably an exposure in which the halftone dot area of the halftone dot pattern in the adhesive layer is a high adhesion area and the peripheral area surrounding the halftone dot area is a low adhesion area.
  • Area of the halftone dot area is preferably 0.0001 ⁇ 9 mm 2, more preferably 0.1 ⁇ 4 mm 2, most preferably 0.01 ⁇ 2.25 mm 2.
  • the pattern exposure for halftone images may be mask exposure or drawing exposure, but is preferably mask exposure through a photomask in which a light transmission region and a light shielding region form a halftone pattern.
  • the area ratio of the light-shielding region (that is, the dot presence ratio of the adhesion surface) is preferably 1 to 20%, more preferably 1 to 10% in the mask from the viewpoint of adhesion and easy peeling. ⁇ 5% is most preferred.
  • the form (size, shape, etc.) of the light shielding region corresponding to the halftone dots in the halftone dot pattern of the photomask can be freely selected, for example, a circle, a square, a rectangle, a rhombus, a triangle, a star Alternatively, a light shielding region having a shape in which two or more of these are combined in an arbitrary size can be obtained.
  • the “low adhesion region” in the present specification means a region having lower adhesion compared to the “high adhesion region” and is a region having no adhesion (that is, “non-adhesion region”). Sex region ").
  • the “high adhesion region” means a region having higher adhesion than the “low adhesion region”.
  • the adhesive layer 11 is obtained by applying the adhesive layer composition of the present invention on the carrier substrate 12 using a conventionally known spin coating method, spray method, roller coating method, flow coating method, doctor coating method, dipping method, or the like. It can be formed by applying (preferably, applying) in layers and then drying.
  • the adhesive layer can be baked after the adhesive layer composition is layered.
  • the baking temperature is preferably 50 to 350 ° C, more preferably 80 to 120 ° C.
  • the baking time is preferably 10 seconds to 5 minutes.
  • the surface of the adhesive layer of the present invention has two or more types of regions having different adhesive forces.
  • the adhesive force here means the adhesive force when a silicon wafer is bonded to the surface of each region and a tensile test is performed at 250 mm / min in the direction perpendicular to the bonding surface.
  • the thickness of the adhesive layer 11 is, for example, in the range of 1 to 500 ⁇ m, more preferably 1 to 100 ⁇ m, but is not particularly limited.
  • the release layer composition is applied to the member to be treated in a layered manner using a conventionally known spin coat method, spray method, roller coat method, flow coat method, doctor coat method, dipping method, etc. (preferably, It can be formed by coating) and then drying.
  • the release layer can be baked after the release layer composition is layered. Baking conditions are preferably 50 to 350 ° C, more preferably 60 to 300 ° C.
  • the baking time is preferably 30 seconds to 20 minutes.
  • the baking can be performed in two stages. In this case, the first stage baking is preferably performed at a temperature lower by about 30 to 100 ° C. than the second stage baking.
  • the thickness of the release layer is, for example, in the range of 1 to 500 ⁇ m, more preferably 1 to 100 ⁇ m, but is not particularly limited.
  • the device wafer 60 (member to be processed) has a plurality of device chips 62 provided on the surface 61 a of the silicon substrate 61. Further, a release layer 71 is provided on the surface of the device wafer 60 on the device chip 62 side.
  • the softening point of the release layer 71 is 170 ° C. or higher.
  • the thickness of the silicon substrate 61 is in the range of 200 to 1200 ⁇ m, for example. Then, the surface 71 of the release layer 71 is pressed against the adhesive layer 11 of the adhesive support 100. Thereby, as shown in FIG.
  • the adhesive support body 100 and the device wafer 60 may be heated (irradiated with heat) to make the adhesive layer more tough. Thereby, cohesive failure of the adhesive layer that is likely to occur when the device wafer 60 is subjected to mechanical or chemical treatment described later can be suppressed, and thus the adhesiveness of the adhesive support 100 is improved.
  • the adhesive layer preferably contains a thermal polymerization initiator from the viewpoint of promoting a crosslinking reaction in a reactive compound having a crosslinkable group by heat.
  • the back surface 61b of the silicon substrate 61 is subjected to mechanical or chemical treatment, specifically, thinning treatment such as grinding or chemical mechanical polishing (CMP).
  • the thickness of the silicon substrate 61 is reduced (for example, a thickness of 1 to 200 ⁇ m) to obtain a thin device wafer 60 ′.
  • a through hole (not shown) penetrating the silicon substrate is formed from the back surface 61b ′ of the thin device wafer 60 ′ after the thinning process, and the silicon is penetrated into the through hole.
  • a process of forming an electrode (not shown) is performed.
  • a process of performing a heat treatment having a maximum temperature lower than the softening point of the release layer is performed.
  • the highest temperature achieved in the heat treatment is in the range of 130 ° C. to 370 ° C., and preferably in the range of 180 ° C. to 350 ° C.
  • the surface 61 a of the thin device wafer 60 ′ is detached from the adhesive layer 11 of the adhesive support 100.
  • the method of detachment is not particularly limited, but the thin device wafer 60 ′ is slid with respect to the adhesive support 100 or the thin device wafer 60 ′ is peeled from the adhesive support 100. Is preferably performed.
  • the temporary adhesion between the adhesive layer 11 and the surface 61a of the thin device wafer 60 ′ can be easily released.
  • the thin device wafer 60 ′ is detached from the adhesive support 100, various known processes are performed on the thin device wafer 60 ′ as necessary to manufacture a semiconductor device having the thin device wafer 60 ′. To do.
  • the method of temporary bonding is not limited as long as the device wafer and the carrier substrate are bonded so that the laminated body for temporary bonding having the peeling layer and the adhesive layer is interposed, and the peeling is performed on the adhesive layer. It is also possible to prepare a temporary bonding laminate in which layers are provided in advance and bond the carrier layer and the device wafer to the adhesive layer and the release layer in the temporary bonding laminate, respectively.
  • the present invention also relates to a laminate having a support such as a carrier substrate, a member to be processed such as a device wafer, and a temporary bonding laminate provided between the support and the member to be processed.
  • a support such as a carrier substrate
  • a member to be processed such as a device wafer
  • a temporary bonding laminate provided between the support and the member to be processed.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view for explaining the release of the temporarily bonded state between the conventional adhesive support and the device wafer.
  • an adhesive support in which an adhesive layer 11 ′ formed of a conventional temporary adhesive is provided on a carrier substrate 12. Otherwise, the adhesive support 100 ′ and the device wafer are temporarily bonded in the same manner as described with reference to FIGS. 3A and 3B, and the silicon substrate is thinned on the device wafer. Then, the thin device wafer 60 ′ having the silicon substrate 61 is peeled from the adhesive support 100 ′.
  • the target member can be temporarily supported easily and easily, and it is difficult to easily release the temporary support for the processed member without damaging the processed member.
  • the temporary adhesion between the device wafer and the carrier substrate if a highly temporary adhesive is used among the conventional temporary adhesives, the temporary adhesion between the device wafer and the carrier substrate tends to be too strong. Become. Therefore, in order to release the temporary bonding that is too strong, for example, as shown in FIG. 15, a tape (eg, dicing tape) 70 is attached to the back surface 61b ′ of the thin device wafer 60 ′, and the adhesive support 12 is thinned.
  • a tape eg, dicing tape
  • the adhesive layer formed by the adhesive composition of the present invention exhibits sufficient adhesiveness, and the temporary adhesion between the device wafer 60 and the adhesive support 100 is performed by the adhesive layer 11 being highly bonded. Since it has a region and a low adhesion region, it can be easily released. That is, according to the peeling layer in the temporary bonding laminate of the present invention, the device wafer 60 can be temporarily and reliably supported, and the temporary support for the thin device wafer 60 ′ can be performed without damaging the thin device wafer 60 ′. Can be released easily.
  • the semiconductor device manufacturing method of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications, improvements, and the like are possible.
  • the form of the dot pattern in the adhesive layer is not particularly limited.
  • the adhesive layer has a high adhesive region 21A and a low adhesive region 21B, and a high adhesive region.
  • 21A may be the adhesive layer 21 having a halftone dot pattern formed so as to form a radiation pattern extending outward from the center.
  • high adhesion regions 22A, 23A, and 24A and low adhesion regions 22B, 23B, and 24B, respectively, and high adhesion layers 22A, 23A, and 24A are provided.
  • the adhesive layers 22, 23 formed so as to form a radiation pattern extending from the center to the outside, which is lower than the area ratio of the high adhesive region 21 ⁇ / b> A (see FIG. 5) in the adhesive layer 21. 24 may be sufficient.
  • the size of the high adhesion region in the halftone dot pattern is not particularly limited, and the high adhesion regions 25A, 26A, 27A, 28A, 29A, and 30A shown in FIGS.
  • the low adhesion regions 25B, 26B, 27B, 28B, 29B, 30B and the size of the high adhesion regions 25A, 26A, 27A, 28A, 29A, 30A are set to the high adhesion regions 11A (
  • the adhesive layers 25, 26, 27, 28, 29, and 30 may be changed from those shown in FIG.
  • the adhesive layer formed from the adhesive composition of the present invention constitutes an adhesive support by being provided on the carrier substrate before temporary bonding of the device wafer.
  • a temporary bonding laminate may be formed.
  • the adhesive layer and the release layer in the temporary bonding laminate are bonded to the carrier substrate and the device wafer, respectively.
  • a mask used for pattern exposure may be a binary mask or a halftone mask.
  • the exposure is mask exposure through a mask, it may be selective exposure by drawing using an electron beam or the like.
  • the first surface of the member to be processed and the substrate are bonded to the adhesive layer of the temporary bonding laminate before the step of bonding the temporary bonding laminate through the temporary bonding laminate. It is preferable to further have a step of irradiating actinic rays or radiation or heat.
  • the adhesive layer has a single layer structure, but the adhesive layer may have a multilayer structure.
  • a method for forming an adhesive layer having a multilayer structure before irradiating with actinic rays or radiation, a method of applying the adhesive composition stepwise by the above-mentioned conventionally known method, or irradiating with actinic rays or radiation. Later, the method of apply
  • the adhesive layer 11 is an adhesive layer whose adhesiveness is reduced by irradiation with active light, radiation, or heat, irradiation with active light, radiation, or heat Therefore, the adhesiveness of the adhesive layer as a whole can be reduced by reducing the adhesiveness between the respective layers.
  • the silicon substrate is exemplified as the member to be processed supported by the adhesive support.
  • the present invention is not limited to this, and in the semiconductor device manufacturing method, mechanical or chemical Any member to be processed that can be subjected to various processing may be used.
  • the member to be processed can include a compound semiconductor substrate.
  • the compound semiconductor substrate include a SiC substrate, a SiGe substrate, a ZnS substrate, a ZnSe substrate, a GaAs substrate, an InP substrate, and a GaN substrate. Can be mentioned.
  • the silicon substrate thinning process and the silicon through electrode forming process are exemplified as the mechanical or chemical process for the silicon substrate supported by the adhesive support.
  • the present invention is not limited to these, and any processing necessary in the method for manufacturing a semiconductor device can be used.
  • the light transmissive region and the light shielding region in the mask, the high adhesive region and the low adhesive region in the adhesive layer, and the shape, size, number, arrangement location, etc. of the device chip in the device wafer, etc. Is arbitrary as long as the invention of the present application can be achieved, and is not limited.
  • Adhesive Layer (B) Each liquid adhesive composition having the composition shown in Table 1 below was applied to a 4-inch Si wafer using a spin coater (Opticat MS-A100, 1200 rpm, 30 seconds, manufactured by Mikasa) and then baked under the baking conditions shown in Table 1. Then, a wafer 1 (that is, an adhesive support) provided with an adhesive layer having a thickness of 10 ⁇ m was formed. Further, from the adhesive layer side of the wafer 1, using a UV exposure apparatus (LC8 manufactured by Hamamatsu Photonics), the light transmission region and the light shielding region form a halftone dot pattern, and the halftone dot region in the halftone dot pattern is a light shielding region.
  • a UV exposure apparatus LC8 manufactured by Hamamatsu Photonics
  • the adhesive layer was exposed at 2000 mJ / cm 2 for a halftone image through a photomask.
  • the exposure was performed by changing the shape of the dot area (light-shielding area) of the photomask as shown in Table 3 below (Table 3 shows the light transmission area of each photomask. The area ratio is also shown). Note that the pattern formed by the dot area (high adhesion area) on the surface of the adhesive layer is a pattern similar to FIG.
  • Photopolymerization initiator (1) KAYACURE DETX-S (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., 2,4-dimethylthioxanthone)
  • Thermal polymerization initiator Perbutyl Z (manufactured by NOF Corporation, tert-butyl peroxybenzoate)
  • peeling layer (A) ⁇ Creation of member to be treated (peeling layer (A))> The resin 1 solution described in Table 2 below and the resin 2 solution described in Table 3 on the side where the electrodes of a 4-inch Si wafer having Cu electrodes having a height of 10 ⁇ m and a diameter of 50 ⁇ m formed on the surface at intervals of 200 ⁇ m existed.
  • the release layer composition mixed at the stated ratio was applied by a spin coater (Opticaat MS-A100, 1200 rpm, 30 seconds, manufactured by Mikasa) and then baked under the conditions shown in Table 4 to provide a release layer having a thickness of 20 ⁇ m.
  • a wafer 2 was formed. The baking was performed in two stages.
  • the first baking was performed at the temperature and time described in the upper part of Table 4, and the second baking was performed at the temperature and time described in the lower part of Table 4.
  • the softening point of the resin 1 was measured with a viscoelasticity measuring device Rheosol-G5000 (manufactured by UBM). Specifically, the softening point of the resin 1 is measured as a temperature at which the loss tangent (tan ⁇ ) measured using a viscoelasticity measuring device under a constant temperature rise is maximized.
  • the temperature of the resin 1 molded into a 50 ⁇ m film was raised from 25 ° C. to 500 ° C. at a rate of temperature increase of 5 ° C./min.
  • a strain with a strain angle of 0.05 degrees was given at a period of 1 Hz and measured.
  • the SP value of the resin was estimated using the Okitsu method.
  • Resin (1-1) Durimide 10 (manufactured by FUJIFILM, solvent-soluble polyimide resin, softening point 310 ° C., SP value> 25)
  • Resin (1-6): Polystyrene Mw 2
  • Test pieces were prepared by thermocompression bonding of the wafer 1 and the wafer 2 in the combinations shown in Table 5 or 6 below.
  • a 4-inch Si wafer with nothing applied to the surface or a 4-inch Si wafer with a release layer (hereinafter referred to as wafer 2) was divided into 20 mm ⁇ 30 mm sample pieces.
  • the sample pieces of the wafer 1 of 20 mm ⁇ 30 mm that are divided are stacked so that the adhesive layer contacts the wafer that is not coated on the surface or the release layer of the wafer 2 with a square of 20 mm ⁇ 20 mm.
  • Thermocompression bonding was performed at 120 ° C. for 3 minutes at 1 N / cm 2 .
  • the unit of the halftone dot presence rate is%
  • the unit of adhesive force, peel force and heat-resistant peel force is N / 25 mm 2 .
  • Comparative Example 1 that does not have the resin 2 has adhesiveness and releasability but has insufficient removability
  • Comparative Example 2 that does not have the resin 1 has insufficient releasability. Yes, it has a release layer and an adhesive layer, but Comparative Example 3 in which the resin 2 is not solvent-soluble has adhesiveness and peelability but has insufficient removability, Comparative Example 4 which has an adhesive layer but the softening point of the resin 1 is not 200 ° C. or higher is adhesive, but the removability is insufficient, and Comparative Example 5 which does not have a release layer is peeled
  • the comparative example 6 which does not have adhesiveness and does not have an adhesive layer had insufficient adhesiveness.
  • the softening point of the resin 1 is 200 ° C. or higher
  • the resin 2 is solvent-soluble
  • the adhesive layer is actinic rays or

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Abstract

被処理部材（半導体ウエハなど）に機械的または化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できる、半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法を提供する。（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合積層体であって、前記（Ａ）剥離層が、（ａ１）２００℃以上の軟化点を有する樹脂１と、（ａ２）硬化後に、所定の溶剤の少なくとも１種に２５℃で５質量％以上溶解する樹脂２を含む、半導体装置製造用仮接合用積層体。

Description

半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
　本願発明は、半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法に関する。
　従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、通常、半導体シリコンウエハ上に多数のＩＣチップが形成され、ダイシングにより個片化される。
　電子機器の更なる小型化および高性能化のニーズに伴い、電子機器に搭載されるＩＣチップについても更なる小型化および高集積化が求められているが、シリコン基板の面方向における集積回路の高集積化は限界に近づいている。
　ＩＣチップ内の集積回路から、ＩＣチップの外部端子への電気的な接続方法としては、従来より、ワイヤーボンディング法が広く知られているが、ＩＣチップの小型化を図るべく、近年、シリコン基板に貫通孔を設け、外部端子としての金属プラグを貫通孔内を貫通するように集積回路に接続する方法（いわゆる、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を形成する方法）が知られている。しかしながら、シリコン貫通電極を形成する方法のみでは、上記した近年のＩＣチップに対する更なる高集積化のニーズに充分応えられるものではない。
　以上を鑑み、ＩＣチップ内の集積回路を多層化することにより、シリコン基板の単位面積当たりの集積度を向上させる技術が知られている。しかしながら、集積回路の多層化は、ＩＣチップの厚みを増大させるため、ＩＣチップを構成する部材の薄型化が必要である。このような部材の薄型化としては、例えば、シリコン基板の薄型化が検討されており、ＩＣチップの小型化につながるのみならず、シリコン貫通電極の製造におけるシリコン基板の貫通孔製造工程を省力化できることから、有望視されている。
　半導体デバイスの製造プロセスに用いられる、半導体シリコンウエハとしては、約７００～９００μｍの厚さを有するものが広く知られているが、近年、ＩＣチップの小型化等を目的に、半導体シリコンウエハの厚さを２００μｍ以下となるまで薄くすることが試みられている。
　しかしながら、厚さ２００μｍ以下の半導体シリコンウエハは非常に薄く、ひいては、これを基材とする半導体デバイス製造用部材も非常に薄いため、このような部材に対して更なる処理を施したり、あるいは、このような部材を単に移動したりする場合等において、部材を安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持することは困難である。
　上記のような問題を解決すべく、表面にデバイスが設けられた薄型化前の半導体ウエハと加工用支持基板とをシリコーン粘着剤により仮接着し、半導体ウエハの裏面を研削して薄型化した後に、半導体ウエハを穿孔してシリコン貫通電極を設け、その後、半導体ウエハから加工用支持基板を脱離させる技術が知られている（特許文献１参照）。この技術によれば、半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムーズな剥離と低被着体汚染性を同時に達成することが可能であるとされている。
　また、ウエハの支持方法としては、ウエハを支持層システムにより支持する方法であって、ウエハと支持層システムとの間に、プラズマ堆積法により得られるプラズマポリマー層を分離層として介装させて、支持層システムと分離層との間の接着結合を、ウエハと分離層との間の接合結合より大きくなるようにし、ウエハを支持層システムから脱離する際に、ウエハが分離層から容易に脱離するように構成した技術も知られている（特許文献２参照）。
　また、ポリエーテルスルホンと粘性付与剤を使用して、仮接着を行い、加熱により仮接着を解除する技術が知られている（特許文献３）。
　また、カルボン酸類とアミン類からなる混合物により、仮接着を行い、加熱により仮接着を解除する技術も知られている（特許文献４）。
　また、セルロースポリマー類等からなる接合層を加温した状態で、デバイスウエハと支持基板を圧着することで接着させて、加温して横方向にスライドすることによりデバイスウエハを支持基板から脱離する技術が知られている（特許文献５）。
　また、シンジオタクチック１、２－ポリブタジエンと光重合開始剤からなり、放射線の照射により接着力が変化する粘着フィルムが知られている（特許文献６）。
　さらに、ポリカーボネート類からなる接着剤により、支持基板と半導体ウエハとを仮接着し、半導体ウエハに対して処理を行った後、照射線を照射し、次いで、加熱することにより、処理済の半導体ウエハを支持基板から脱離する技術が知られている（特許文献７）。
　また、デバイスウエハのマイクロデバイスが設けられたデバイス面と、デバイスウエハを支持するキャリア基板とを仮接着する際に、デバイス面の中央域とキャリア基板との間に、接合に寄与しない充填層を介装させ、デバイス面の周縁部とキャリア基板との間を粘着剤により仮接着する技術が知られている（特許文献８）。
特開２０１１－１１９４２７号公報 特表２００９－５２８６８８号公報 特開２０１１－２２５８１４号公報 特開２０１１－０５２１４２号公報 特表２０１０－５０６４０６号公報 特開２００７－０４５９３９号公報 米国特許公開２０１１／０３１８９３８号明細書 特表２０１１－５１０５１８号公報
　ところで、デバイスが設けられた半導体ウエハの表面（すなわち、デバイスウエハのデバイス面）と支持基板（キャリア基板）とを、特許文献１等で知られている粘着剤からなる層を介して仮接着する場合には、半導体ウエハを安定的に支持するべく、粘着剤層には一定の強さの粘着度が要求される。
　すなわち、半導体ウエハのデバイス面の全面と支持基板とを粘着剤層を介して仮接着する場合においては、半導体ウエハと支持基板との仮接着を充分なものとし、半導体ウエハを安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持しようとする程、反面、半導体ウエハと支持基板との仮接着が強すぎることにより、支持基板から半導体ウエハを脱離する際に、デバイスが破損したり、半導体ウエハからデバイスが脱離したりしてしまうという不具合が生じやすい。
　また、特許文献２のように、ウエハと支持層システムとの接着が強くなりすぎることを抑制すべく、ウエハと支持層システムとの間に、分離層としてのプラズマポリマー層を、プラズマ堆積法により形成する方法は、（１）通常、プラズマ堆積法を実施するための設備コストは大きい；（２）プラズマ堆積法による層形成は、プラズマ装置内の真空化やモノマーの堆積に時間を要する；および（３）プラズマポリマー層からなる分離層を設けても、加工に供されるウエハを支持する場合においては、ウエハと分離層との接着結合を充分なものとしながら、反面、ウエハの支持を解除する場合においては、ウエハが容易に分離層から脱離するような接着結合にコントロールすることは容易ではない；等の問題がある。
　また、特許文献３、４および５記載のように、加熱により仮接着を解除する方法では、長時間の加熱によりデバイスが破損する不具合が生じやすい。
　また、特許文献６および７記載のように、照射線を照射して仮接着を解除する方法では、照射線を透過する支持基板を使用する必要がある。
　また、特許文献８のように、キャリア上に接着に寄与しない充填層を介装する方法では、該充填層を形成する際に多段階からなるプロセスを経る必要があり、生産性において更なる改良の余地がある。
　本願発明は、上記背景を鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理部材（半導体ウエハなど）に機械的または化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できる、半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法を提供することにある。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、支持体と被処理部材との間に剥離層と接着性層とからなる仮接合積層体を設け、この剥離層において、特定の軟化点を有する樹脂と、溶剤可能な樹脂を配合することにより、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できることを見出し、本願発明を完成するに至った。
　具体的には、下記手段＜１＞により、より好ましくは＜２＞～＜１２＞により、上記課題は解決された。
＜１＞（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合積層体であって、前記（Ａ）剥離層が、（ａ１）２００℃以上の軟化点を有する樹脂１と、（ａ２）硬化後に、ヘキサン、ヘプタン、酢酸エチル、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１，４－ジオキサン、テトラヒドロフラン、１－メトキシ－２－プロパノール、２－アセトキシ－１－メトキシプロパン、アセトニトリル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリジノン、Ｎ－エチル－２－ピロリジノン、クロロホルム、塩化メチレン、アニソール、キシレン、およびメシチレンから選択される溶剤の少なくとも１種に２５℃で５質量％以上溶解する樹脂２を含む、半導体装置製造用仮接合用積層体。
＜２＞前記樹脂１の軟化点が２００℃～４５０℃の範囲内である＜１＞に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
＜３＞前記樹脂１が熱可塑性樹脂である、＜１＞または＜２＞に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
＜４＞前記熱可塑性樹脂が、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂およびポリエーテルケトン樹脂から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂である＜３＞に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
＜５＞前記樹脂２が、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂および炭化水素系樹脂から選ばれる熱可塑性樹脂を含有する、＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
＜６＞前記樹脂１と樹脂２とのＳＰ値［ＭＰａ1/2］の差が１以上１０未満である、＜１＞～＜５＞のいずれかに記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
＜７＞前記（Ｂ）接着性層が、バインダーと、重合性モノマーと、光重合開始剤および熱重合開始剤の少なくとも一方とを含む、＜１＞～＜６＞のいずれかに記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
＜８＞被処理部材の第１の面と基板とを、＜１＞～＜７＞のいずれかに記載の半導体装置製造用仮接合用積層体を介在するように接着させる工程、前記被処理部材に対して、１８０℃～３７０℃の範囲に最高到達温度を有する加熱処理を施し、処理済部材を得る工程、および、前記仮接合用積層体から前記処理済部材を脱離する工程を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法であって、前記樹脂１の軟化点が、前記加熱処理での最高到達温度より高いことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
＜９＞前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合用積層体を介して接着させる工程の前に、前記仮接合用積層体の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線または熱を照射する工程をさらに有する、＜８＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１０＞前記仮接合用積層体から前記被処理部材を脱離する工程の後、前記被処理部材に残存する前記仮接合用積層体を剥離溶剤により除去する工程をさらに有する、＜８＞または＜９＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１１＞前記剥離溶剤が、炭化水素系溶剤およびエーテル溶剤の少なくとも１種を含む、＜１０＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１２＞前記剥離溶剤が、シクロペンタン、ｎ－ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ－ヘプタン、リモネン、ｐ－メンタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，３－ジオキソラン、アニソールの少なくとも１種を含む、＜１１＞に記載の半導体装置の製造方法。
　本発明によれば、被処理部材に機械的または化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を解除できる、半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法を提供できる。
図１Ａは、本願発明における剥離層中を溶剤が浸透する状態を示す概念図であり、図１Ｂは、従来の剥離層における溶剤が浸透する状態を示す概念図である。 図２は、本願発明における剥離層の表面から溶剤が侵入する状態を示す概念図である。 図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃは、それぞれ、接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着を説明する概略断面図、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハを示す概略面図、および、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハが薄型化された状態を示す概略断面図である。 図４は、本願発明の実施形態における接着性支持体の概略上面図である。 図５は、本願発明の実施形態における接着性支持体の概略上面図である。 図６は、本願発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図７は、本願発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図８は、本願発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図９は、本願発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１０は、本願発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１１は、本願発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１２は、本願発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１３は、本願発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１４は、本願発明の実施形態における接着性支持体の１態様における概略上面図である。 図１５は、従来の接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
　以下、本願発明の実施形態を詳細に説明する。
　本明細書に於ける基（原子団）の表記に於いて、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
　本明細書中における「活性光線」または「放射線」は、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を含むものを意味する。また、本願発明において「光」とは、活性光線または放射線を意味している。
　また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、紫外線、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、ＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線およびイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。
　なお、本明細書において、“（メタ）アクリレート”はアクリレートおよびメタアクリレートを表し、“（メタ）アクリルはアクリルおよびメタアクリルを表し、“（メタ）アクリロイル”は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。また、本明細書中において、“単量体”と“モノマー”とは同義である。本願発明における単量体は、オリゴマーおよびポリマーと区別され、重量平均分子量が２，０００以下の化合物をいう。本明細書中において、重合性化合物とは、重合性基を有する化合物のことをいい、単量体であっても、ポリマーであってもよい。重合性基とは、重合反応に関与する基を言う。
　なお、以下に説明する実施の形態において、既に参照した図面において説明した部材等については、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより説明を簡略化あるいは省略化する。
　本願発明の半導体装置製造用仮接合用積層体（以下、単に、「仮接合用積層体」とも言う）は、（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合積層体であって、前記（Ａ）剥離層が、（ａ１）２００℃以上の軟化点を有する樹脂１と、（ａ２）硬化後に、ヘキサン、ヘプタン、酢酸エチル、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１，４－ジオキサン、テトラヒドロフラン、１－メトキシ－２－プロパノール、２－アセトキシ－１－メトキシプロパン、アセトニトリル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリジノン、Ｎ－エチル－２－ピロリジノン、クロロホルム、塩化メチレン、アニソール、キシレン、およびメシチレンから選択される溶剤の少なくとも１種に２５℃で５質量％以上溶解する（以下、「溶剤溶解可能」ということがある）樹脂２を含む。本願発明では、剥離層に、上記溶剤溶解可溶な樹脂を配合することによって、剥離層に溶剤を浸透しやすくしている。この概念を、図１および図２を用いて説明する。
　図１は、本願発明および従来における剥離層中を溶剤が浸透する状態を示す概念図であって、１は剥離層を、２は樹脂２をそれぞれ示している。また、図中の直線の矢印および波線の矢印は溶剤の浸透状態を示している。尚、図１は本願発明の概念をより理解しやすくするための図であって、剥離層中における樹脂２（図中の２）の量や樹脂２（図中の２）の大きさは図１に拘泥されるものではない（図２以下についても同じ）。
　本願発明では、図１Ａに示すように、剥離層１、すなわち、樹脂１を主成分とする層では、樹脂２（図中の２）が存在している。図１では球状になっているが必ずしもこのような形状である必要はない。ここで、図１Ａの矢印で示されるように溶剤が剥離層に浸透した場合、樹脂１中は、波線の矢印で示すように、溶剤がゆっくり浸透するが、樹脂２の部分は早く浸透し、樹脂２が先に溶剤に溶解する。樹脂２が溶解することにより、樹脂１にも溶剤が浸透しやすくなり、全体として容易に溶剤が溶解しやすくなる。一方、図１Ｂに示すように、従来は、剥離層に樹脂２のような物質が含まれずバインダーのみが存在していたため、溶剤の浸透がゆっくりであった。このような構成の違いにより、本願発明では、剥離層中の樹脂１が剥離しやすい状態となり、剥離層を容易に剥離できる。
　さらに、本願発明では、図２に示すように、樹脂２が剥離層１の表面に存在する場合もある。この場合、剥離層１が溶剤を浸透させる表面積が大きくなる。その結果として、剥離層中に溶剤が浸透しやすくなり、剥離層をより容易に剥離できる。
　以下、本願発明における半導体装置製造用仮接合用積層体について説明する。
　本願発明における半導体装置製造用仮接合用積層体は、加熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造に用いられることが好ましい。
　本願発明における半導体装置製造用仮接合用積層体によれば、被処理部材に機械的または化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、高温でのプロセスを経た場合においても、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を解除できる半導体装置製造用仮接合用積層体が得られる。
　本願発明における半導体装置製造用仮接合用積層体は、シリコン貫通電極形成用であることが好ましい。シリコン貫通電極の形成については後に詳述する。
＜（Ａ）剥離層＞
　本願発明における（Ａ）剥離層は、（ａ１）２００℃以上の軟化点を有する樹脂１と、（ａ２）硬化後に溶剤溶解可能な樹脂２を含む。
＜＜樹脂１＞＞
　樹脂１は剥離層表面の剥離性を向上させる目的で用いる。そのため、樹脂１は熱に対して剥離性の変化が小さいことが求められる。ここで、樹脂１の軟化点は２００℃以上である。該軟化点は２００℃～４５０℃が好ましく、２５０℃～４００℃がより好ましく、２８０℃～３５０℃がさらに好ましい。また、樹脂１の軟化点は粘弾性測定装置を用いた一般的な手法により測定されたものを表す。
　樹脂１の軟化点は、一定昇温条件下で粘弾性測定装置を用いて測定された損失正接（ｔａｎδ）が極大となる温度として測定される。
　損失正接（ｔａｎδ）は、下記式により算出される。
　ｔａｎδ＝Ｇ’’／Ｇ’
　上記式中、Ｇ’’は損失剪断弾性率を表し、Ｇ’は貯蔵剪断弾性率を表す。
　昇温速度は、０．５～２０℃／ｍｉｎの範囲内であることが好ましく，１～１０℃／ｍｉｎの範囲内であることがより好ましく，２～５℃／ｍｉｎの範囲内であることが特に好ましい。
　樹脂１としては、例えば、オレフィンコポリマー（例えば、メチルペンテン共重合体）、シクロオレフィンコポリマー（例えば、ノルボルネン共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体）、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン樹脂、溶剤溶解型ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂，ポリ酢酸ビニル樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＦＡ樹脂、ＦＥＰ樹脂、エチレン－ＴＦＥ共重合樹脂、ＰＶＤＦ樹脂、ＰＣＴＦＥ樹脂、エチレン－ＣＴＦＥ樹脂、ＴＦＥ－パーフルオロジメチルジオキソール共重合樹脂、ＰＶＦ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタラート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などの合成樹脂や，天然ゴムなどの天然樹脂が挙げられる。中でも、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＦＡ樹脂、ＦＥＰ樹脂、エチレン－ＴＦＥ共重合樹脂、ＰＶＤＦ樹脂、ＰＣＴＦＥ樹脂、エチレン－ＣＴＦＥ樹脂、ＴＦＥ－パーフルオロジメチルジオキソール共重合樹脂、ＰＶＦ樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、溶剤溶解型ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂が好ましく、ＰＦＡ樹脂、ＴＦＥ－パーフルオロジメチルジオキソール共重合樹脂、ＰＶＦ樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、溶剤溶解型ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂がより好ましく、ポリエーテルスルホン樹脂、溶剤溶解型ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂が特に好ましい。
　樹脂１は、熱可塑性樹脂であることが好ましく、ポリエーテルスルホン樹脂、溶剤溶解型ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂およびポリエーテルケトン樹脂から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂であることが特に好ましい。
　本願発明における樹脂１は、通常、溶剤溶解性が樹脂２よりも低い。本願発明における樹脂１は、樹脂２よりも、硬化後に上記特定の溶剤の少なくとも１種に２５℃で溶解したときの溶解する割合（質量％）が５～１５質量％低いことが好ましい。また、樹脂１の上記特定の溶剤の少なくとも１種に２５℃で溶解したときの溶解する割合（質量％）は、１～５０質量％であることが好ましい。
＜樹脂２＞
　樹脂２は溶剤により被処理部材から剥離層残存物を除去する際の除去性を向上させる目的で用いる。
　本願発明における樹脂２は、硬化後に、ヘキサン、ヘプタン、酢酸エチル、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１，４－ジオキサン、テトラヒドロフラン、１－メトキシ－２－プロパノール、２－アセトキシ－１－メトキシプロパン、アセトニトリル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリジノン、Ｎ－エチル－２－ピロリジノン、クロロホルム、塩化メチレン、アニソール、キシレン、およびメシチレンから選択される溶剤の少なくとも１種に２５℃で５質量％以上溶解する樹脂を含む。すなわち、樹脂２は、溶剤により被処理部材から樹脂１をより除去しやすくするために用いる。
　そのため、樹脂２は硬化後に溶剤溶解可能な樹脂を有することが求められる。本願発明における溶剤溶解可能な樹脂は、上記溶剤の少なくとも１種に２５℃で１０質量％以上溶解する樹脂であることがより好ましい。このような構成とすることにより、剥離層の除去が短時間で完了させることができる。特に、本願発明における剥離層は、軟化点が高い樹脂１を含むため、高い軟化点を有する剥離層のみで形成された剥離層では高軟化点材料特有の高凝集性から、溶剤による剥離には長時間を有すると考えられる。
　また、本願発明における樹脂２は、硬化後に溶剤溶解可能な樹脂であればよく、硬化前の溶剤溶解可溶性については、溶剤溶解可能であっても可能でなくてもよい。
　本願発明における樹脂２は、通常、その軟化点が樹脂１の軟化点よりも低い。本願発明における樹脂２の軟化点は、樹脂１の軟化点よりも２０℃以上低いことが好ましく、５０℃以上低いことがより好ましい。
　本発明においては、樹脂２として、溶剤溶解可能な任意のものを使用できる。
　例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、オレフィンコポリマー（例えば、メチルペンテン共重合体）、シクロオレフィンコポリマー（例えば、ノルボルネン共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体）、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン樹脂、溶剤溶解型ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン－ポリメタクリル酸メチル樹脂，ポリ酢酸ビニル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、変性セルロース樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタラート、環状ポリオレフィン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン樹脂などの合成樹脂や、天然ゴムなどの天然樹脂が挙げられる。
中でも、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、オレフィンコポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリスチレン－ポリメタクリル酸メチル樹脂、変性セルロース樹脂、ポリカーボネートが好ましく、水添テルペン樹脂、シクロオレフィンコポリマー、ポリスチレン樹脂、ポリスチレン－ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリカーボネートがより好ましい。
　本発明の剥離層における樹脂１および樹脂２の合計添加量は、本発明で用いる剥離層組成物に対し、１～５０質量％が好ましく、１０～４０質量％がより好ましく、２０～３０質量％が特に好ましい。
　樹脂１と樹脂２の含有比率は質量比で樹脂１／樹脂２＝９９／１～５０／５０が好ましく、９０／１０～６０／４０がより好ましく、８０／２０～７５／２５がさらに好ましい。
　また、樹脂１と樹脂２とを剥離層中でより効果的に層分離させるべく、樹脂１と樹脂２とのＳＰ値［ＭＰａ1/2］の差は１以上１０未満が好ましく、２以上９未満がより好ましく、３以上８未満がさらに好ましい。
　本願発明の剥離層における樹脂の合計量は、本願発明の剥離層の全固形分量（溶剤を除いた量）に対し、１～１００質量％が好ましく、７０～１００質量％がより好ましく、９０～１００質量％が特に好ましい。本発明の剥離層には、本願発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、上記樹脂１および樹脂２以外の樹脂を含んでいてもよいが、かかる樹脂の配合量は剥離層に含まれる全樹脂成分の５質量％以下であることが好ましい。
＜＜溶剤＞＞
　本願発明では、通常、剥離層を形成するために溶剤を用いる。溶剤は、剥離層を形成できれば、公知のものを制限なく使用できるが、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、２－ブタノン、メチルアミルケトン、アニソール、キシレン等が使用でき、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、メチルアミルケトンまたはアニソールが好ましい。
　溶剤は、剥離層を形成するための剥離層組成物の固形分濃度が５～４０質量％になるように使用されることが好ましい。
＜＜他の添加剤＞＞
　剥離層組成物は、必要に応じて各種添加剤を含んでいてもよい。
　本願発明の剥離層組成物には、塗布性をより向上させる観点から、各種の界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
　特に、本願発明の剥離層組成物が有する剥離層は、フッ素系界面活性剤を含有することで、塗布液として調製したときの液特性（特に、流動性）がより向上することから、塗布厚の均一性や省液性をより改善することができる。
　即ち、フッ素系界面活性剤を含有する剥離層組成物を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力を低下させることにより、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、少量の液量で数μｍ程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行える点で有効である。
　フッ素系界面活性剤中のフッ素含有率は、３質量％～４０質量％が好適であり、より好ましくは５質量％～３０質量％であり、特に好ましくは７質量％～２５質量％である。フッ素含有率がこの範囲内であるフッ素系界面活性剤は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、剥離層組成物中における溶解性も良好である。
　フッ素系界面活性剤としては、例えば、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７５、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０、同Ｆ７８１（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ－３８２、同ＳＣ－１０１、同ＳＣ－１０３、同ＳＣ－１０４、同ＳＣ－１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ－３８１、同ＳＣ－３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ－４０（以上、旭硝子（株）製）、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。
　ノニオン系界面活性剤として具体的には、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン並びにそれらのエトキシレートおよびプロポキシレート（例えば、グリセロールプロポキシレート、グリセリンエトキシレート等）、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ソルビタン脂肪酸エステル（ＢＡＳＦ社製のプルロニックＬ１０、Ｌ３１、Ｌ６１、Ｌ６２、１０Ｒ５、１７Ｒ２、２５Ｒ２、テトロニック３０４、７０１、７０４、９０１、９０４、１５０Ｒ１、ソルスパース２００００（日本ルーブリゾール（株）製）等が挙げられる。
　カチオン系界面活性剤として具体的には、フタロシアニン誘導体（商品名：ＥＦＫＡ－７４５、森下産業（株）製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、（メタ）アクリル酸系（共）重合体ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９０、Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）、Ｗ００１（裕商（株）製）等が挙げられる。
　アニオン系界面活性剤として具体的には、Ｗ００４、Ｗ００５、Ｗ０１７（裕商（株）社製）等が挙げられる。
　シリコーン系界面活性剤としては、例えば、東レ・ダウコーニング（株）製「トーレシリコーンＤＣ３ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ７ＰＡ」、「トーレシリコーンＤＣ１１ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２１ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２８ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２９ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ３０ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ８４００」、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製「ＴＳＦ－４４４０」、「ＴＳＦ－４３００」、「ＴＳＦ－４４４５」、「ＴＳＦ－４４６０」、「ＴＳＦ－４４５２」、信越シリコーン株式会社製「ＫＰ３４１」、「ＫＦ６００１」、「ＫＦ６００２」、ビックケミー社製「ＢＹＫ３０７」、「ＢＹＫ３２３」、「ＢＹＫ３３０」等が挙げられる。
　界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。
　界面活性剤の添加量は、剥離層組成物の全固形分に対して、０．００１質量％～２．０質量％が好ましく、より好ましくは０．００５質量％～１．０質量％である。
　本願発明に係る半導体装置製造用仮接合用積層体が有する剥離層の形成方法は、特に限定されるものではないが、好ましいものとして前述した樹脂１の種類およびその含有量を適宜変更することにより、好適に達成できるものであり、樹脂１および樹脂２を前述の好ましい具体例から選択し、より好ましい濃度とすることにより達成される。
＜（Ｂ）接着性層＞
　接着性層は、剥離層と基板とを接合する目的で用いる。そのため、接着性層は熱・薬品に対して接着性の変化が小さいことが求められる。
　接着性層は、後述する各成分を含有する接着性組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いて、キャリア基板上に適用（好ましくは、塗布）し、次いで、乾燥することにより形成することができる。
　また接着性層は活性光線または放射線の照射により接着性が増大または減少する層であっても良く、活性光線または放射線の照射により接着性が増大または減少する層の表面を露光して、表面に接着力の異なる２種類以上の領域を設けてなる層であっても良い。
　露光は、具体的には、後述するように、マスクを用いたパターン露光が好ましい。
　接着性層の厚みは、例えば、１～５００μｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。
＜＜バインダー＞＞
　接着性組成物（ひいては接着性層）は、バインダーを含有していることが好ましい。
　本願発明においては、バインダーとして任意のものを使用できる。
　例えば、炭化水素樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、スチレン－メタクリル酸メチル共重合樹脂、ポリ酢酸ビニル、テフロン（登録商標）、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテラフタレート、ポリエチレンテレフタラート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミドなどの合成樹脂や、天然ゴムなどの天然樹脂が挙げられる。中でも、ポリウレタン、ノボラック樹脂、ポリイミド、ポリスチレン、スチレン－メタクリル酸メチル共重合樹脂が好ましく、ノボラック樹脂、ポリイミド、ポリスチレン、スチレン－メタクリル酸メチル共重合樹脂がより好ましく、ポリイミド、ポリスチレン、スチレン－メタクリル酸メチル共重合樹脂が特に好ましい。
　本願発明においては、炭化水素樹脂として任意のものを使用できる。
　本願発明における炭化水素樹脂は基本的には炭素原子と水素原子のみからなる樹脂を意味するが、基本となる骨格が炭化水素樹脂であれば、側鎖としてその他の原子を含んでいても良い。また、本願発明における炭化水素樹脂にアクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂のように、主鎖に炭化水素基以外の官能基が直接結合する樹脂は含まれない。
　上記条件に合致する炭化水素樹脂としては例えば、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、オレフィンポリマー（例えば、メチルペンテン共重合体）、シクロオレフィンポリマー（例えば、ノルボルネン共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体）などが挙げられる。
　中でも、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、石油樹脂、水素化ロジン、重合ロジン、オレフィンポリマー、シクロオレフィンポリマーが好ましく、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、オレフィンポリマー、シクロオレフィンポリマーがより好ましく、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、オレフィンポリマー、ポリスチレン樹脂、シクロオレフィンポリマーがさらに好ましく、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、シクロオレフィンポリマー、オレフィンポリマーが特に好ましく、ポリスチレン樹脂またはシクロオレフィンポリマーが最も好ましい。
　シクロオレフィンコポリマーの作製に用いられる環状オレフィン系樹脂の例には、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィンの重合体、環状共役ジエンの重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、およびこれら重合体の水素化物などが含まれる。好ましい例には、下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種以上含む付加（共）重合体環状オレフィン系樹脂、および必要に応じ、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の少なくとも１種以上をさらに含んでなる付加（共）重合体環状オレフィン系樹脂が含まれる。また、他の好ましい例には、一般式（ＩＩＩ）で表される環状繰り返し単位を少なくとも１種含む開環（共）重合体が含まれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　式中、ｍは０～４の整数を表す。Ｒ1～Ｒ6は各々独立に水素原子または炭素数１～１０の炭化水素基、Ｘ1～Ｘ3、Ｙ1～Ｙ3は各々独立に水素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換された炭素数１～１０の炭化水素基、－（ＣＨ2）ｎＣＯＯＲ11、－（ＣＨ2）ｎＯＣＯＲ12、－（ＣＨ2）ｎＮＣＯ、－（ＣＨ2）ｎＮＯ2、－（ＣＨ2）ｎＣＮ、－（ＣＨ2）ｎＣＯＮＲ13Ｒ14、－（ＣＨ2）ｎＮＲ13Ｒ14、－（ＣＨ2）ｎＯＺ、－（ＣＨ2）ｎＷ、またはＸ1とＹ1、Ｘ2とＹ2、若しくはＸ3とＹ3から構成された（－ＣＯ）2Ｏ、（－ＣＯ）2ＮＲ15を表す。なお、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14およびＲ15は各々独立に水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、Ｚは炭化水素基またはハロゲンで置換された炭化水素基、ＷはＳｉＲ16 pＤ3-p（Ｒ16は炭素数１～１０の炭化水素基、Ｄはハロゲン原子、－ＯＣＯＲ16または－ＯＲ16、ｐは０～３の整数を示す）を表す。ｎは０～１０の整数を表す。
　ノルボルネン系付加（共）重合体は、特開平１０－７７３２号公報、特表２００２－５０４１８４号公報、ＵＳ２００４／２２９１５７Ａ１号公報あるいはＷＯ２００４／０７０４６３Ａ１号公報等に開示されている。ノルボルネン系多環状不飽和化合物同士を付加重合する事によって得られる。また、必要に応じ、ノルボルネン系多環状不飽和化合物と、エチレン、プロピレン、ブテン；ブタジエン、イソプレンのような共役ジエン；エチリデンノルボルネンのような非共役ジエンとを付加重合することもできる。このノルボルネン系付加（共）重合体は、三井化学（株）よりアペルの商品名で発売されており、ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なる例えばＡＰＬ８００８Ｔ（Ｔｇ７０℃）、ＡＰＬ６０１３Ｔ（Ｔｇ１２５℃）あるいはＡＰＬ６０１５Ｔ（Ｔｇ１４５℃）などのグレードがある。ポリプラスチック（株）よりＴＯＰＡＳ８００７、同５０１３、同６０１３、同６０１５などのペレットが発売されている。
　さらに、Ｆｅｒｒａｎｉａ社よりＡｐｐｅａｒ３０００が発売されている。
　ノルボルネン系重合体水素化物は、特開平１－２４０５１７号公報、特開平７－１９６７３６号公報、特開昭６０－２６０２４号公報、特開昭６２－１９８０１号公報、特開２００３－１１５９７６７号公報あるいは特開２００４－３０９９７９号公報等に開示されているように、多環状不飽和化合物を付加重合あるいはメタセシス開環重合した後、水素添加することにより製造できる。
　前記式中、Ｒ5～Ｒ6が水素原子または－ＣＨ3が好ましく、Ｘ3およびＹ3が水素原子が好ましく、その他の基は適宜選択される。このノルボルネン系樹脂は、ＪＳＲ（株）からアートン（Ａｒｔｏｎ）ＧあるいはアートンＦという商品名で発売されており、また日本ゼオン（株）からゼオノア（Ｚｅｏｎｏｒ）ＺＦ１４、ＺＦ１６、ゼオネックス（Ｚｅｏｎｅｘ）２５０、同２８０、同４８０Ｒという商品名で市販されており、これらを使用することができる。
　接着剤組成物の全固形分に対するバインダーの量は、３０～８０質量％が好ましく、４０～６０質量％がより好ましい。
　バインダーは、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。
＜＜重合性モノマー＞＞
　本願発明においては、接着性組成物（ひいては接着性層）の重合性モノマーとして任意のものを使用できる。ここで重合性モノマーは重合性基を有する。重合性基とは、典型的には、活性光線若しくは放射線の照射、または、ラジカル若しくは酸の作用により、重合することが可能な基である。
　なお、重合性モノマーは、上記したバインダーとは異なる化合物である。重合性モノマーは、典型的には、低分子化合物であり、分子量２０００以下の低分子化合物であることが好ましく、１５００以下の低分子化合物であることがより好ましく、分子量９００以下の低分子化合物であることがさらに好ましい。なお、低分子化合物の分子量は、通常、１００以上である。
　重合性基は、例えば、付加重合反応し得る官能基であることが好ましく、付加重合反応し得る官能基としては、エチレン性不飽和結合基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。また、重合性基は、光照射によりラジカルを発生し得る官能基であってもよく、そのような重合性基としては、例えば、チオール基、ハロゲン基等が挙げられる。なかでも、重合性基は、エチレン性不飽和結合基が好ましい。エチレン性不飽和結合基としては、スチリル基、（メタ）アクリロイル基、アリル基が好ましい。
　重合性基を有する反応性化合物としては、具体的にはラジカル重合性化合物（Ｂ１）とイオン重合性化合物（Ｂ２）が挙げられる。
　ラジカル重合性化合物としては、炭素数３～３５の（メタ）アクリルアミド化合物（Ｂ１１）、炭素数４～３５の（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１２）、炭素数６～３５の芳香族ビニル化合物（Ｂ１３）、炭素数３～２０のビニルエーテル化合物（Ｂ１４）およびその他のラジカル重合性化合物（Ｂ１５）等が挙げられる。ラジカル重合性化合物（Ｂ１）は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
　また、必要により、ハイドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン類等の重合禁止剤を併用してもよい。
　炭素数３～３５の（メタ）アクリルアミド化合物（Ｂ１１）としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチル（メタ）アクリルアミドおよび（メタ）アクリロイルモルフォリンが挙げられる。
　炭素数４～３５の（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１２）としては、例えば以下の単官能～六官能の（メタ）アクリレートが挙げられる。
　単官能（メタ）アクリレートとしては、エチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－オクチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４－ｎ－ブチルシクロへキシル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシルジグリコール（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、２－クロロエチル（メタ）アクリレート、４－ブロモブチル（メタ）アクリレート、シアノエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ブトキシメチル（メタ）アクリレート、メトキシプロピレンモノアクリレート、３－メトキシブチル（メタ）アクリレート、アルコキシメチル（メタ）アクリレート、２－エチルへキシルカルビトール（メタ）アクリレート、アルコキシエチル（メタ）アクリレート、２－（２－メトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２－（２－ブトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２，２，２－テトラフルオロエチル（メタ）アクリレート、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－パーフルオロデシル（メタ）アクリレート、４－ブチルフェニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２，４，５－テトラメチルフェニル（メタ）アクリレート、４－クロロフェニル（メタ）アクリレート、フェノキシメチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、グリシジロキシブチル（メタ）アクリレート、グリシジロキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノビニルエーテルモノアクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、トリメトキシシリルプロピル（メタ）アクリレート、トリメトキシシリルプロピル（メタ）アクリレート、トリメチルシリルプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキサイドモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキサイドモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキサイド（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキサイド（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキサイドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキサイドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ポリプロピレンオキサイドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、オリゴプロピレンオキサイドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、２－メタクリロイロキシエチルコハク酸、２－メタクリロイロキシヘキサヒドロフタル酸、２－メタクリロイロキシエチル－２－ヒドロキシプロピルフタレート、ブトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フェノール（メタ）アクリレート、ＥＯ変性クレゾール（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ノニルフェノール（メタ）アクリレート、ＰＯ変性ノニルフェノール（メタ）アクリレートおよびＥＯ変性－２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記および以下において、ＥＯはエチレンオキサイドを表し、ＰＯはプロピレンオキサイドを表す。
　二官能（メタ）アクリレートとしては、１，４－ブタンジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジアクリレート、ポリプロピレンジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、２，４－ジメチル－１，５－ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ブチルエチルプロパンジオール（メタ）アクリレート、エトキシ化シクロヘキサンメタノールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、２－エチル－２－ブチル－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦポリエトキシジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、２－エチル－２－ブチル－プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレートおよびトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　三官能の（メタ）アクリレートとしては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンのアルキレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスルトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（（メタ）アクリロイルオキシプロピル）エーテル、イソシアヌル酸アルキレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリ（（メタ）アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、ヒドロキシピバルアルデヒド変性ジメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ソルビトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレートおよびエトキシ化グリセリントリアクリレート等が挙げられる。
　四官能の（メタ）アクリレートとしては、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ソルビトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、プロピオン酸ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートおよびエトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　五官能の（メタ）アクリレートとしては、ソルビトールペンタ（メタ）アクリレートおよびジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートが挙げられる。
　六官能の（メタ）アクリレートとしては、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ソルビトールヘキサ（メタ）アクリレート、フォスファゼンのアルキレンオキサイド変性ヘキサ（メタ）アクリレートおよびカプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　炭素数６～３５の芳香族ビニル化合物（Ｂ１３）としては、ビニルチオフェン、ビニルフラン、ビニルピリジン、スチレン、メチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、クロロメチルスチレン、メトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロムスチレン、ビニル安息香酸メチルエステル、３－メチルスチレン、４－メチルスチレン、３－エチルスチレン、４－エチルスチレン、３－プロピルスチレン、４－プロピルスチレン、３－ブチルスチレン、４－ブチルスチレン、３－ヘキシルスチレン、４－ヘキシルスチレン、３－オクチルスチレン、４－オクチルスチレン、３－（２－エチルヘキシル）スチレン、４－（２－エチルヘキシル）スチレン、アリルスチレン、イソプロペニルスチレン、ブテニルスチレン、オクテニルスチレン、４－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルスチレン、４－メトキシスチレンおよび４－ｔｅｒｔ－ブトキシスチレン等が挙げられる。
　炭素数３～３５のビニルエーテル化合物（Ｂ１４）としては、例えば以下の単官能または多官能ビニルエーテルが挙げられる。
　単官能ビニルエーテルとしては、例えば、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ｎ－ブチルビニルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルビニルエーテル、２－エチルヘキシルビニルエーテル、ｎ－ノニルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルメチルビニルエーテル、４－メチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ジシクロペンテニルビニルエーテル、２－ジシクロペンテノキシエチルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、ブトキシエチルビニルエーテル、メトキシエトキシエチルビニルエーテル、エトキシエトキシエチルビニルエーテル、メトキシポリエチレングリコールビニルエーテル、テトラヒドロフリフリルビニルエーテル、２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、２－ヒドロキシプロピルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、４－ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ポリエチレングリコールビニルエーテル、クロロエチルビニルエーテル、クロロブチルビニルエーテル、クロロエトキシエチルビニルエーテル、フェニルエチルビニルエーテルおよびフェノキシポリエチレングリコールビニルエーテルが挙げられる。
　多官能ビニルエーテルとしては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ブチレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、ビスフェノールＡアルキレンオキサイドジビニルエーテル、ビスフェノールＦアルキレンオキサイドジビニルエーテル等のジビニルエーテル類；トリメチロールエタントリビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、エチレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテルおよびプロピレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテルが挙げられる。
　その他のラジカル重合性化合物（Ｂ１５）としては、ビニルエステル化合物（酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルおよびバーサチック酸ビニル等）、アリルエステル化合物（酢酸アリル等）、ハロゲン含有単量体（塩化ビニリデンおよび塩化ビニル等）およびオレフィン化合物（エチレンおよびプロピレン等）等が挙げられる。
　これらの内、重合速度の観点から（メタ）アクリルアミド化合物（Ｂ１１）および（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１２）が好ましく、特に（メタ）アクリレート化合物（Ｂ１２）が好ましい。
　イオン重合性化合物（Ｂ２）としては、炭素数３～２０のエポキシ化合物（Ｂ２１）および炭素数４～２０のオキセタン化合物（Ｂ２２）等が挙げられる。
　炭素数３～２０のエポキシ化合物（Ｂ２１）としては、例えば以下の単官能または多官能エポキシ化合物が挙げられる。
　単官能エポキシ化合物としては、例えば、フェニルグリシジルエーテル、ｐ－ｔｅｒｔ―ブチルフェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、２－エチルヘキシルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、１，２－ブチレンオキサイド、１，３－ブタジエンモノオキサイド、１，２－エポキシドデカン、エピクロロヒドリン、１，２－エポキシデカン、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド、３－メタクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、３－アクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイドおよび３－ビニルシクロヘキセンオキサイドが挙げられる。
　多官能エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３’，４’－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル－５，５－スピロ－３，４－エポキシ）シクロヘキサン－メタ－ジオキサン、ビス（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビニルシクロヘキセンオキサイド、４－ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス（３，４－エポキシ－６－メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４－エポキシ－６－メチルシクロヘキシル－３’，４’－エポキシ－６’－メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス（３，４－エポキシシクロヘキサン）、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールジ（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、エチレンビス（３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ－２－エチルヘキシル、１，４－ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類、１，１，３－テトラデカジエンジオキサイド、リモネンジオキサイド、１，２，７，８－ジエポキシオクタンおよび１，２，５，６－ジエポキシシクロオクタンが挙げられる。
　これらのエポキシ化合物の中でも、重合速度に優れるという観点から、芳香族エポキシドおよび脂環式エポキシドが好ましく、脂環式エポキシドが特に好ましい。
　炭素数４～２０のオキセタン化合物（Ｂ２２）としては、オキセタン環を１個～６個有する化合物等が挙げられる。
　オキセタン環を１個有する化合物としては、例えば、３－エチル－３－ヒドロキシメチルオキセタン、３－（メタ）アリルオキシメチル－３－エチルオキセタン、（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチルベンゼン、４－フルオロ－［１－（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、４－メトキシ－［１－（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、［１－（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）エチル］フェニルエーテル、イソブトキシメチル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニルオキシエチル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、２－エチルヘキシル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、エチルジエチレングリコール（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンタジエン（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルオキシエチル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、テトラヒドロフルフリル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、テトラブロモフェニル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、２－テトラブロモフェノキシエチル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、トリブロモフェニル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、２－トリブロモフェノキシエチル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、２－ヒドロキシエチル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、２－ヒドロキシプロピル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ブトキシエチル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ペンタクロロフェニル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ペンタブロモフェニル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテルおよびボルニル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテルが挙げられる。
　オキセタン環を２～６個有する化合物としては、例えば、３，７－ビス（３－オキセタニル）－５－オキサ－ノナン、３，３’－（１，３－（２－メチレニル）プロパンジイルビス（オキシメチレン））ビス－（３－エチルオキセタン）、１，４－ビス［（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、１，２－ビス［（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル］エタン、１，３－ビス［（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル］プロパン、エチレングリコールビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、テトラエチレングリコールビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、トリシクロデカンジイルジメチレン（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、トリメチロールプロパントリス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、１，４－ビス（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）ブタン、１，６－ビス（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）ヘキサン、ペンタエリスリトールトリス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ポリエチレングリコールビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールペンタキス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールテトラキス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサキス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタキス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ジトリメチロールプロパンテトラキス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性ビスフェノールＡビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性ビスフェノールＡビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテルおよびＥＯ変性ビスフェノールＦ（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテルが挙げられる。
　重合性モノマーの含有量は、良好な接着強度と剥離性の観点から、前記接着性層の全固形分に対して、５～７５質量％が好ましく、１０～７０質量％がより好ましく、１０～６０質量％がさらに好ましい。
　また、重合性モノマーおよびバインダーの含有量の比率（質量比）は、９０／１０～１０／９０であることが好ましく、２０／８０～８０／２０であることがより好ましい。
　重合性モノマーは、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。
＜＜溶剤＞＞
　溶剤は、接着性層を形成できれば、公知のものを制限なく使用できるが、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ブタノン、メチルアミルケトン、リモネン、ＰＧＭＥＡ（１－メトキシ－２－プロピルアセテート）等が使用でき、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ブタノン、メチルアミルケトンまたはリモネン、ＰＧＭＥＡ（１－メトキシ－２－プロピルアセテート）が好ましい。
　溶剤は、接着性組成物の固形分濃度が５～４０質量％になるように使用されることが好ましい。
　溶剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。
＜＜光重合開始剤＞＞
　接着性組成物（ひいては接着性層）は、光重合開始剤、すなわち活性光線または放射線の照射によりラジカルまたは酸を発生する化合物を含有することが好ましい。
　光重合開始剤を有することにより、接着性層へ光を照射することで接着性組成物のラジカルまたは酸による硬化が起こり、光照射部における接着性を低下させられる。この照射を例えばフォトマスクを介して接着性層表面へ行えば、フォトマスクのパターンにしたがって、接着力の異なる領域を簡便に作成できるという利点がある。
　活性光線または放射線の照射によりラジカルまたは酸を発生する化合物としては、例えば、以下に述べる光重合開始剤として知られているものを用いることができる。
　前記光重合開始剤としては、前記バインダーとしての重合性基を有する高分子化合物、または、前記重合性モノマーとしての重合性基を有する反応性化合物における重合反応（架橋反応）を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の光重合開始剤の中から適宜選択することができる。例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましい。また、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じて酸を発生させてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。
　また、前記光重合開始剤は、約３００ｎｍ～８００ｎｍ（好ましくは３３０ｎｍ～５００ｎｍ）の範囲内に少なくとも約５０の分子吸光係数を有する化合物を、少なくとも１種含有していることが好ましい。
　前記光重合開始剤としては、公知の化合物を制限なく使用できるが、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの、トリハロメチル基を有するものなど）、アシルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体等のオキシム化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、ケトオキシムエーテル、アミノアセトフェノン化合物、ヒドロキシアセトフェノン、アゾ系化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、有機ホウ素化合物、鉄アレーン錯体などが挙げられる。
　前記トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、若林ら著、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，４２、２９２４（１９６９）記載の化合物、英国特許１３８８４９２号明細書記載の化合物、特開昭５３－１３３４２８号公報記載の化合物、独国特許３３３７０２４号明細書記載の化合物、Ｆ．Ｃ．ＳｃｈａｅｆｅｒなどによるＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．；２９、１５２７（１９６４）記載の化合物、特開昭６２－５８２４１号公報記載の化合物、特開平５－２８１７２８号公報記載の化合物、特開平５－３４９２０号公報記載化合物、米国特許第４２１２９７６号明細書に記載されている化合物、などが挙げられる。
　前記米国特許第４２１２９７６号明細書に記載されている化合物としては、例えば、オキサジアゾール骨格を有する化合物（例えば、２－トリクロロメチル－５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリクロロメチル－５－（４－クロロフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリクロロメチル－５－（１－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリクロロメチル－５－（２－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリブロモメチル－５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリブロモメチル－５－（２－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール；２－トリクロロメチル－５－スチリル－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリクロロメチル－５－（４－クロロスチリル）－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリクロロメチル－５－（４－メトキシスチリル）－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリクロロメチル－５－（１－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリクロロメチル－５－（４－ｎ－ブトキシスチリル）－１，３，４－オキサジアゾール、２－トリプロモメチル－５－スチリル－１，３，４－オキサジアゾールなど）などが挙げられる。
　また、上記以外の光重合開始剤として、アクリジン誘導体（例えば、９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９，９’－アクリジニル）ヘプタンなど）、Ｎ－フェニルグリシンなど、ポリハロゲン化合物（例えば、四臭化炭素、フェニルトリブロモメチルスルホン、フェニルトリクロロメチルケトンなど）、クマリン類（例えば、３－（２－ベンゾフラノイル）－７－ジエチルアミノクマリン、３－（２－ベンゾフロイル）－７－（１－ピロリジニル）クマリン、３－ベンゾイル－７－ジエチルアミノクマリン、３－（２－メトキシベンゾイル）－７－ジエチルアミノクマリン、３－（４－ジメチルアミノベンゾイル）－７－ジエチルアミノクマリン、３，３’－カルボニルビス（５，７－ジ－ｎ－プロポキシクマリン）、３，３’－カルボニルビス（７－ジエチルアミノクマリン）、３－ベンゾイル－７－メトキシクマリン、３－（２－フロイル）－７－ジエチルアミノクマリン、３－（４－ジエチルアミノシンナモイル）－７－ジエチルアミノクマリン、７－メトキシ－３－（３－ピリジルカルボニル）クマリン、３－ベンゾイル－５，７－ジプロポキシクマリン、７－ベンゾトリアゾール－２－イルクマリン、また、特開平５－１９４７５号公報、特開平７－２７１０２８号公報、特開２００２－３６３２０６号公報、特開２００２－３６３２０７号公報、特開２００２－３６３２０８号公報、特開２００２－３６３２０９号公報などに記載のクマリン化合物など）、アシルホスフィンオキサイド類（例えば、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチル－ペンチルフェニルホスフィンオキサイド、ＬｕｃｉｒｉｎＴＰＯなど）、メタロセン類（例えば、ビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）－ビス（２，６－ジフロロ－３－（１Ｈ－ピロール－１－イル）－フェニル）チタニウム、η５－シクロペンタジエニル－η６－クメニル－アイアン（１＋）－ヘキサフロロホスフェート（１－）など）、特開昭５３－１３３４２８号公報、特公昭５７－１８１９号公報、同５７－６０９６号公報、および米国特許第３６１５４５５号明細書に記載された化合物などが挙げられる。
　前記ケトン化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、２－メチルベンゾフェノン、３－メチルベンゾフェノン、４－メチルベンゾフェノン、４－メトキシベンゾフェノン、２－クロロベンゾフェノン、４－クロロベンゾフェノン、４－ブロモベンゾフェノン、２－カルボキシベンゾフェノン、２－エトキシカルボニルベンゾフェノン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸またはそのテトラメチルエステル、４，４’－ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン類（例えば、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’－ビスジシクロヘキシルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’－ビス（ジヒドロキシエチルアミノ）ベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジメトキシベンゾフェノン、４－ジメチルアミノベンゾフェノン、４－ジメチルアミノアセトフェノン、ベンジル、アントラキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、２－メチルアントラキノン、フェナントラキノン、キサントン、チオキサントン、２－クロロ－チオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン、フルオレノン、２－ベンジル－ジメチルアミノ－１－（４－モルホリノフェニル）－１－ブタノン、２－メチル－１－〔４－（メチルチオ）フェニル〕－２－モルホリノ－１－プロパノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－〔４－（１－メチルビニル）フェニル〕プロパノールオリゴマー、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類（例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジメチルケタール）、アクリドン、クロロアクリドン、Ｎ－メチルアクリドン、Ｎ－ブチルアクリドン、Ｎ－ブチル－クロロアクリドンなどが挙げられる。
　光重合開始剤としては、ヒドロキシアセトフェノン化合物、アミノアセトフェノン化合物、および、アシルホスフィン化合物も好適に用いることができる。より具体的には、例えば、特開平１０－２９１９６９号公報に記載のアミノアセトフェノン系開始剤、特許第４２２５８９８号公報に記載のアシルホスフィンオキシド系開始剤も用いることができる。
　ヒドロキシアセトフェノン系開始剤としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－１８４、ＤＡＲＯＣＵＲ－１１７３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－５００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－２９５９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－１２７（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。アミノアセトフェノン系開始剤としては、市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ－９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－３６９、および、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－３７９（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。アミノアセトフェノン系開始剤として、３６５ｎｍまたは４０５ｎｍ等の長波光源に吸収波長がマッチングされた特開２００９－１９１１７９号公報に記載の化合物も用いることができる。また、アシルホスフィン系開始剤としては市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ－８１９やＤＡＲＯＣＵＲ－ＴＰＯ（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。
　光重合開始剤として、より好ましくはオキシム系化合物が挙げられる。オキシム系開始剤の具体例としては、特開２００１－２３３８４２号公報記載の化合物、特開２０００－８００６８号公報記載の化合物、特開２００６－３４２１６６号公報記載の化合物を用いることができる。
　本願発明で光重合開始剤として好適に用いられるオキシム誘導体等のオキシム化合物としては、例えば、３－ベンゾイロキシイミノブタン－２－オン、３－アセトキシイミノブタン－２－オン、３－プロピオニルオキシイミノブタン－２－オン、２－アセトキシイミノペンタン－３－オン、２－アセトキシイミノ－１－フェニルプロパン－１－オン、２－ベンゾイロキシイミノ－１－フェニルプロパン－１－オン、３－（４－トルエンスルホニルオキシ）イミノブタン－２－オン、および２－エトキシカルボニルオキシイミノ－１－フェニルプロパン－１－オンなどが挙げられる。
　オキシムエステル化合物としては、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年）ｐｐ．１６５３－１６６０）、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年）ｐｐ．１５６－１６２、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９５年）ｐｐ．２０２－２３２、特開２０００－６６３８５号公報記載の化合物、特開２０００－８００６８号公報、特表２００４－５３４７９７号公報、特開２００６－３４２１６６号公報の各公報に記載の化合物等が挙げられる。
　市販品ではＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）も好適に用いられる。
　また上記記載以外のオキシムエステル化合物として、カルバゾールＮ位にオキシムが連結した特表２００９－５１９９０４号公報に記載の化合物、ベンゾフェノン部位にヘテロ置換基が導入された米国特許７６２６９５７号公報に記載の化合物、色素部位にニトロ基が導入された特開２０１０－１５０２５号公報および米国特許公開２００９－２９２０３９号公報記載の化合物、国際公開特許２００９－１３１１８９号公報に記載のケトオキシム系化合物、トリアジン骨格とオキシム骨格を同一分子内に含有する米国特許７５５６９１０号公報に記載の化合物、４０５ｎｍに吸収極大を有しｇ線光源に対して良好な感度を有する特開２００９－２２１１１４号公報記載の化合物、などを用いてもよい。
　好ましくはさらに、特開２００７－２３１０００号公報、および、特開２００７－３２２７４４号公報に記載される環状オキシム化合物に対しても好適に用いることができる。環状オキシム化合物の中でも、特に特開２０１０－３２９８５号公報、特開２０１０－１８５０７２号公報に記載されるカルバゾール色素に縮環した環状オキシム化合物は、高い光吸収性を有し高感度化の観点から好ましい。
　また、オキシム化合物の特定部位に不飽和結合を有する特開２００９－２４２４６９号公報に記載の化合物も、重合不活性ラジカルから活性ラジカルを再生することで高感度化を達成でき好適に使用することができる。
　最も好ましくは、特開２００７－２６９７７９号公報に示される特定置換基を有するオキシム化合物や、特開２００９－１９１０６１号公報に示されるチオアリール基を有するオキシム化合物が挙げられる。
　化合物のモル吸光係数は、公知の方法を用いることができるが、具体的には、例えば、紫外可視分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製Ｃａｒｒｙ－５　ｓｐｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）にて、酢酸エチル溶媒を用い、０．０１ｇ／Ｌの濃度で測定することが好ましい。
　本願発明に用いられる光重合開始剤は、必要に応じて２種以上を組み合わせて使用しても良い。
　本願発明における接着性組成物中の光重合開始剤の含有量は、接着性組成物の全固形分に対し、０．０１～５０質量％が好ましく、０．１～２０質量％がより好ましく、０．５～１０質量％であることが最も好ましい。
＜＜熱重合開始剤＞＞
　本願発明の接着性組成物（ひいては接着性層）は、熱重合開始剤、すなわち熱によりラジカルまたは酸を発生する化合物を含有することも好ましい。
　特に、前記バインダーとして重合性基を有する高分子化合物、または、前記重合性モノマーを含有する場合は、熱重合開始剤を含有することが好ましい。
　熱重合開始剤が存在することにより、接着性層と剥離層とが接合された後、熱重合開始剤の分解温度以上に加熱することで、接着性層を硬化させて、より耐熱性・耐薬品性の高い接着を行えるという利点がある。
　熱重合開始剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。
＜＜＜熱によりラジカルを発生する化合物＞＞＞
　熱によりラジカル発生する化合物（以下、単に、熱ラジカル発生剤とも言う）としては、公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。
　熱ラジカル発生剤は、熱のエネルギーによってラジカルを発生し、重合性基を有する高分子化合物、および、重合性モノマーの重合反応を開始または促進させる化合物である。熱ラジカル発生剤を添加することによって、接着性組成物を用いて形成された接着性層に対して熱を照射した後に、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行う場合においては、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応が進行することにより、後に詳述するように、接着性層の接着性（すなわち、粘着性およびタック性）を前もって低下させることができる。
　一方、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行った後に、接着性支持体における接着性層に対して熱を照射した後に場合には、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応が進行することにより、接着性層がより強靭になり、被処理部材の機械的または化学的な処理を施している時などに生じやすい接着性層の凝集破壊を抑制できる。すなわち、接着性層における接着性を向上できる。
　好ましい熱ラジカル発生剤としては、上述した活性光線または放射線の照射により酸またはラジカルを発生する化合物が挙げられるが、熱分解点が１３０℃～２５０℃、好ましくは１５０℃～２２０℃の範囲の化合物を好ましく使用することができる。
　熱ラジカル発生剤としては、芳香族ケトン類、オニウム塩化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、ボレート化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物、アゾ系化合物等が挙げられる。中でも、有機過酸化物またはアゾ系化合物がより好ましく、有機過酸化物が特に好ましい。
　具体的には、特開２００８－６３５５４号公報の段落００７４～０１１８に記載されている化合物が挙げられる。
　接着性層は、バインダーと、重合性モノマーと、光重合開始剤および熱重合開始剤の少なくとも一方とを含むことが好ましく、光重合開始剤を含むことがより好ましい。
　さらに、本願発明における接着性組成物（ひいては接着性層）が、特に、光重合開始剤、または、熱重合開始剤をさらに含有するとともに、ラジカル重合性モノマーを含有する場合、接着性層１１を、活性光線若しくは放射線または熱の照射により接着性が減少する接着性層とすることができる。この場合、具体的には、接着性層を、活性光線若しくは放射線または熱の照射を受ける前には、接着性を有する層であるが、活性光線若しくは放射線または熱の照射を受けた領域においては、接着性が低下ないしは消失する層とすることができる。
　＜＜＜熱により酸を発生する化合物＞＞＞
　熱により酸を発生する化合物（以下、単に、熱酸発生剤とも言う）としては、公知の熱酸発生剤を用いることができる。
　熱酸発生剤は、好ましくは熱分解点が１３０℃～２５０℃、より好ましくは１５０℃～２２０℃の範囲の化合物が挙げられる。
　熱酸発生剤としては、例えば、加熱によりスルホン酸、カルボン酸、ジスルホニルイミドなどの低求核性の酸を発生する化合物である。
　熱酸発生剤から発生する酸としてはｐＫａが２以下と強い、スルホン酸や電子求引基の置換したアルキル～はアリールカルボン酸、同じく電子求引基の置換したジスルホニルイミドなどが好ましい。電子求引基としてはフッ素原子などのハロゲン原子、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基、ニトロ基、シアノ基を挙げることができる。
　熱酸発生剤としては、活性光線または放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤の適用が可能である。例えばスルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩、Ｎ－ヒドロキシイミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート、ｏ－ニトロベンジルスルホネート等を挙げることができる。
　また、本願発明においては活性光線または放射線の照射によって実質的に酸を発生せず、熱によって酸を発生するスルホン酸エステルを使用することも好ましい。
　活性光線または放射線の照射によって実質的に酸を発生していないことは、化合物の露光前後での赤外線吸収（ＩＲ）スペクトル、核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル測定により、スペクトルに変化がないことで判定することができる。
　スルホン酸エステルの分子量は、２３０～１，０００が好ましく、２３０～８００がより好ましい。
　本願発明で使用可能なスルホン酸エステルは、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いてもよい。スルホン酸エステルは、例えば、塩基性条件下、スルホニルクロリドまたはスルホン酸無水物を対応する多価アルコールと反応させることにより合成することができる。
　熱酸発生剤は、１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
　本願発明の接着性組成物における熱重合開始剤の含有量は、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行う前に熱照射を行う場合における接着性層の接着性の低減、および、被処理部材と接着性支持体との仮接着後に熱照射を行う場合における接着性層の接着性の向上の観点から、接着性組成物の全固形分に対し、０．０１～５０質量％が好ましく、０．１～２０質量％がより好ましく、０．５～１０質量％であることが最も好ましい。
＜＜その他の成分＞＞
　接着性組成物（ひいては接着性層）は、上記の成分に加えて、さらに本願発明の効果を損なわない範囲において、目的に応じて種々の化合物を含有することができる。
例えば、増感色素、連鎖移動剤、重合禁止剤、界面活性剤を好ましく使用することができる。
　接着性組成物（ひいては接着性層）が有してもよい界面活性剤の具体例および好ましい例としては、前述の剥離層組成物が有してもよい界面活性剤のものと同様である。
　本願発明においては、バインダー、重合性モノマーと、光重合開始剤および熱重合開始剤とを有していることが好ましい。
　本発明における接着性組成物は、また、ゴムを含有したものを用いることもできる。ここで使用される「ゴム」には、エラストマーと同様に、全ての天然ゴムと合成ゴムとを含む。シリコーンゴムを用いても良い。
　かかるゴムは、接着性組成物の全固形分に対して、好ましくは４～２０質量％、より好ましくは１０～１８質量％、さらに好ましくは１４～１７質量％であることが好ましい。
　より好ましいゴムとしては、エチレンとプロピレンの繰り返しモノマー単位を含む。ゴムの中のエチレンモノマー量は、ゴムの総重量を１００質量％としてその重量に基づいて、好ましくは４０～７０質量％であり、より好ましくは４０～６０質量％であり、さらに好ましくは４０～５０質量％である。ゴムの中のプロピレンモノマー量は、ゴムの総重量を１００質量％としてその重量に基づいて、好ましくは、３５～６５質量％であり、より好ましくは、３５～５５質量％であり、さらに好ましくは、３５～４５質量％である。
　よりさらに好ましくは、ゴムは、少量の非共役ジエン（例えば、エチリデン ノルボルネン モノマー）をさらに含有する。ゴムの中の非共役ジエンの量は、当該ゴムの総重量を１００質量％としてその重量に基づいて、好ましくは１～１０質量％、より好ましくは２～６質量％、さらに好ましくは２～３質量％である。
　特に好ましいゴムは、また、エチレン－プロピレン－ジエン モノマー、またはＥＰＤＭと呼ばれるエチレン－プロピレン三元重合体である。エチレン－プロピレン三元重合体は、ＢＵＮＡ（Ｒ）ＥＰ（（Ｒ）は登録商標）という名でＬａｎｘｅｓｓから販売されている。
　シリコーンゴムは、呼称ＥＬＡＳＴＯＳＩＬ　ＬＲ　３０７０でショア－Ａ－硬度５０のＷＡＣＫＥＲ製、バーグハウゼンの材料を用いることができる。
　さらに上記ゴムは溶解した炭化水素樹脂と混合して用いて使用しても良い。炭化水素樹脂は、全固形分に対して、好ましくは６５～９５質量％であり、より好ましくは７５～９５質量％であり、さらに好ましくは８０～９０質量％である。
　ゴムと混合する炭化水素樹脂としては、テルペン ロジン、ガム ロジン、ウッド ロジン、およびそれらの混合物から成る群から選択することができる。好ましい炭化水素樹脂は、Ｅａｓｔｏｔａｃという名で販売されており、イーストマンケミカル社から入手可能である。
　また、特開２０１３－０４８２１５号公報の段落００１３～００１５に記載のポリシロキサン重合体や同公報段落００２１～００２７に記載のシルフェニレン含有組成物を用いてもよい。
＜半導体装置の製造方法＞
　次いで、以上に説明した本願発明における半導体装置製造用仮接合用積層体を用いた、接着性支持体、および、半導体装置の製造方法（以下、「本願発明における半導体装置の製造方法」ともいう。）について説明する。
　本願発明における半導体装置の製造方法は、被処理部材の第１の面と基板とを、本願発明の半導体装置製造用仮接合用積層体を介在するように接着させる工程、前記被処理部材に対して、１８０℃～３７０℃の範囲に最高到達温度を有する加熱処理を施し、処理済部材を得る工程、および、前記仮接合用積層体から前記処理済部材を脱離する工程を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法であって、前記樹脂１の軟化点が、前記加熱処理での最高到達温度より高いことを特徴とする。
　以下各工程について説明する。
　本願発明における半導体装置の製造方法は、加熱処理を行う工程を有する。加熱処理を行う工程は、半導体装置の製造工程において加熱を行う工程であれば特に限定されないが、例えば、接着支持体により支持された薄型化されたシリコン基板に対する加熱を行う工程であることが好ましく、シリコン貫通電極の形成時における加熱処理を行う工程であることがより好ましい。
　本願発明における半導体装置の製造方法が有する加熱処理を行う工程は、１８０℃～３７０℃の範囲に最高到達温度を有する加熱処理を行う工程であり、１８０～２５０℃の範囲内に最高到達温度を有する加熱処理を行う工程であることが好ましい。前記樹脂１の軟化点が前記加熱処理での最高到達温度より２０℃以上高いことが好ましく、２０～５０℃高いことが好ましい。このような範囲とすることにより、本願発明の効果がより効果的に発揮される。加熱処理は、最高到達温度での３０秒～３０分の加熱であることが好ましく、最高到達温度での１分～１０分の加熱であることがより好ましい。
　さらに、前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合用積層体を介して接着させる工程の前に、前記仮接合用積層体の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線または熱を照射する工程をさらに有することが好ましい。
　また、前記仮接合用積層体から前記被処理部材を脱離する工程の後、前記被処理部材に残存する前記仮接合用積層体を剥離溶剤により除去する工程をさらに有することが好ましい。
　本願発明における半導体装置の製造方法では、前記剥離溶剤が、炭化水素系溶剤およびエーテル溶剤の少なくとも１種を含むことが好ましい。
　さらに、前述した実施形態においては、前記接合層から前記被処理部材を脱離する工程の後、前記被処理部材に残存する前記接合層を剥離溶剤により除去する工程をさらに有しても良い。このとき、前記剥離溶剤は炭化水素系溶剤およびエーテル溶剤から選ばれるかこれらの組み合わせであることが好ましく、シクロペンタン、ｎ－ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ－ヘプタン、リモネン、ｐ－メンタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，３－ジオキソラン、アニソールから選ばれるかこれらの組み合わせであることがさらに好ましく、テトラヒドロフラン、１，３－ジオキソランおよびアニソールの少なくとも１種を含むことがより好ましい。
　以下、本願発明の半導体製造方法をより詳細に説明する。
　図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃは、それぞれ、接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着を説明する概略断面図、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハを示す概略断面図、および、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハが薄型化された状態を示す概略断面図である。
　本願発明の実施形態において、図３Ａに示すように、先ず、キャリア基板１２の上に接着性層１１が設けられてなる接着性支持体１００が準備される。
　キャリア基板１２の素材は特に限定されないが、例えば、シリコン基板、ガラス基板、金属基板などが挙げられるが、半導体装置の基板として代表的に用いられるシリコン基板を汚染しにくい点や、半導体装置の製造工程において汎用されている静電チャックを使用できる点などを鑑みると、シリコン基板であることが好ましい。
　キャリア基板１２の厚みは、例えば、３００μｍ～５ｍｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。
　図４は、本願発明の実施形態における接着性支持体の概略上面図である。
　図４に示すように、本願発明の実施形態においては、接着性支持体における接着性層１１は、網点域としての高接着性領域１１Ａと、網点域を取り囲む周辺域としての低接着性領域１１Ｂとが形成されてなる。そして、ここで、低接着性領域１１Ｂと高接着性領域１１Ａとは接着性層１１の全面に渡って、ほぼ同等の間隔で配置された網点模様を為している。
　低接着性領域１１Ａと高接着性領域１１Ｂとは、活性光線または放射線の照射により接着性が増大または減少する接着性層に網点画像用のパターン露光を行う方法により形成される。
　網点画像用のパターン露光は、接着性層における網点模様の網点域を高接着性領域とし、網点域を取り囲む周辺域を低接着性領域とする露光であることが好ましい。
　網点域の面積は０．０００１～９ｍｍ2が好ましく、０．１～４ｍｍ2がより好ましく、０．０１～２．２５ｍｍ2が最も好ましい。
　網点画像用のパターン露光は、マスク露光であっても、描画露光であってもよいが、光透過領域と遮光領域とが網点模様を為すフォトマスクを介したマスク露光であることが好ましく、この場合、遮光領域の面積率（すなわち、接着面の網点存在率）は、接着性および易剥離性の観点からマスク内の１～２０％が好ましく、１～１０％がより好ましく、１～５％が最も好ましい。
　また、フォトマスクの上記網点模様における網点に対応する遮光領域の形態（大きさ、形状など）は、自由に選択することができ、例えば、円形、正方形、長方形、ひし形、三角形、星型、または、これらが２種以上組み合わされた形状を、任意の寸法で有する遮光領域とすることができる。
　ここで、本明細書中における「低接着性領域」とは、「高接着性領域」と比較して低い接着性を有する領域を意味し、接着性を有さない領域（すなわち、「非接着性領域」）を包含する。同様に、「高接着性領域」とは、「低接着性領域」と比較して高い接着性を有する領域を意味する。
　接着性層１１は、本願発明における接着性層組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いて、キャリア基板１２上に層状に適用（好ましくは、塗布）し、次いで、乾燥することにより形成することができる。接着性層は、接着性層組成物を層状にした後、ベークすることもできる。ベークの温度としては、５０～３５０℃が好ましく、８０～１２０℃がより好ましい。ベーク時間は、１０秒～５分が好ましい。
　本願発明の接着性層の表面は接着力の異なる２種類以上の領域を持つ。
　ここで言う接着力とは、各領域の表面にシリコンウエハを接着させ、接着面と垂直方向に２５０ｍｍ／ｍｉｎで引っ張り試験をした際の接着力を意味する。
　接着性層１１の厚みは、例えば、１～５００μｍの範囲内であり、より好ましくは１～１００μｍであるが、特に限定されるものではない。
　剥離層は、剥離層組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いて、被処理部材に層状に適用（好ましくは、塗布）し、次いで、乾燥することにより形成することができる。剥離層は、剥離層組成物を層状にした後、ベークすることもできる。ベークの条件としては、５０～３５０℃が好ましく、６０～３００℃がより好ましい。ベーク時間は、３０秒～２０分が好ましい。ベークは２段階に分けて行うこともでき、この場合、第１段階のベークは、第２段階のベークよりも、３０～１００℃程度低温で行うことが好ましい。
　剥離層の厚みは、例えば、１～５００μｍの範囲内であり、より好ましくは１～１００μｍであるが、特に限定されるものではない。
　次に、以上のようにして得られた接着性支持体と、デバイスウエハとの仮接着、デバイスウエハの薄型化、および、接着性支持体からのデバイスウエハの脱離について詳細に説明する。
　図３Ａに示すように、デバイスウエハ６０（被処理部材）は、シリコン基板６１の表面６１ａに複数のデバイスチップ６２が設けられてなる。そして、さらにデバイスウエハ６０のデバイスチップ６２側の面には、剥離層７１が設けられている。ここで、剥離層７１の軟化点は１７０℃以上となっている。
　ここで、シリコン基板６１の厚さは、例えば、２００～１２００μｍの範囲内となっている。
　そして、接着性支持体１００の接着性層１１に対して、剥離層７１の表面７１を押し当てる。これにより、図３Ｂに示すように、剥離層７１の表面と、接着性層１１とが接着し、剥離層７１と、接着性層１１とを有する仮接合用積層体８０が形成される。
　またこの後、必要に応じて、接着性支持体１００とデバイスウエハ６０との接着体を加熱し（熱を照射し）、接着性層をより強靭なものとしても良い。これにより、デバイスウエハ６０の後述する機械的または化学的な処理を施している時などに生じやすい接着性層の凝集破壊を抑制できるため、接着性支持体１００の接着性を高めることになる。特に、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応を促進できる観点から、接着性層は、熱重合開始剤を含有していることが好ましい。
　次いで、シリコン基板６１の裏面６１ｂに対して、機械的または化学的な処理、具体的には、グライディングや化学機械研磨（ＣＭＰ）等の薄膜化処理を施すことにより、図３Ｃに示すように、シリコン基板６１の厚さを薄くし（例えば、厚さ１～２００μｍとし）、薄型デバイスウエハ６０’を得る。
　また、機械的または化学的な処理として、薄膜化処理の後に、薄型デバイスウエハ６０’の裏面６１ｂ’からシリコン基板を貫通する貫通孔（図示せず）を形成し、この貫通孔内にシリコン貫通電極（図示せず）を形成する処理を行う。シリコン貫通電極を形成する処理において、剥離層の軟化点よりも低い最高温度を有する加熱処理を行う工程を行っている。具体的には、加熱処理における最高到達温度は１３０℃～３７０℃の範囲内であり、１８０℃～３５０℃の範囲内であることが好ましい。
　次いで、接着性支持体１００の接着性層１１から薄型デバイスウエハ６０’の表面６１ａを脱離する。
　脱離の方法は特に限定されるものではないが、接着性支持体１００に対して薄型デバイスウエハ６０’を摺動させるか、あるいは、接着性支持体１００から薄型デバイスウエハ６０’を剥離することにより行うことが好ましい。上記方法により、接着性層１１と薄型デバイスウエハ６０’の表面６１ａとの仮接着を容易に解除することができる。
　接着性支持体１００から薄型デバイスウエハ６０’を脱離した後、必要に応じて、薄型デバイスウエハ６０’に対して、種々の公知の処理を施し、薄型デバイスウエハ６０’を有する半導体装置を製造する。
　本願発明において、仮接着の方法は、デバイスウエハとキャリア基板が、剥離層と接着性層とを有する仮接合用積層体が介在するように接着している限り限定されず、接着性層に剥離層が設けられてなる仮接合用積層体をあらかじめ作成し、この仮接合用積層体における接着性層および剥離層に対して、それぞれキャリア基板およびデバイスウエハと接合してもよい。
　また、本願発明は、キャリア基板等の支持体と、デバイスウエハ等の被処理部材と、前記支持体と前記被処理部材との間に設けられた仮接合用積層体とを有する積層体にも関する。
　次いで、従来の実施形態について説明する。
　図１５は、従来の接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
　従来の実施形態においては、図１５に示すように、接着性支持体として、キャリア基板１２の上に、従来の仮接着剤により形成された接着性層１１’が設けられてなる接着性支持体１００’を使用し、それ以外は、図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明した手順と同様に、接着性支持体１００’とデバイスウエハとを仮接着し、デバイスウエハにおけるシリコン基板の薄膜化処理を行い、次いで、接着性支持体１００’からシリコン基板６１を有する薄型デバイスウエハ６０’を剥離する。
　しかしながら、従来の仮接着剤によれば、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除することが困難である。例えば、デバイスウエハとキャリア基板との仮接着を充分にしようとするべく、従来の仮接着剤の内、接着性の高いものを採用すると、デバイスウエハとキャリア基板との仮接着が強すぎる傾向となる。よって、この強すぎる仮接着を解除するべく、例えば、図１５に示すように、薄型デバイスウエハ６０’の裏面６１ｂ’にテープ（例えば、ダイシングテープ）７０を貼り付け、接着性支持体１２から薄型デバイスウエハ６０’を剥離する場合においては、バンプ６３が設けられたデバイスチップ６２から、バンプ６３が脱離するなどして、デバイスチップ６２を破損する不具合が生じやすい。
　一方、従来の仮接着剤の内、接着性が低いものを採用すると、デバイスウエハとキャリア基板との仮接着が弱すぎ、デバイスウエハをキャリア基板で確実に支持できないという不具合が生じやすい。
　しかしながら、本願発明の接着性組成物により形成された接着性層は、充分な接着性を発現するとともに、デバイスウエハ６０と接着性支持体１００との仮接着は、接着性層１１が、高接着領域と低接着領域を有しているため、容易に解除できる。すなわち、本願発明の仮接合用積層体における剥離層によれば、デバイスウエハ６０を確実かつ容易に仮支持できるとともに、薄型デバイスウエハ６０’に損傷を与えることなく、薄型デバイスウエハ６０’に対する仮支持を容易に解除できる。
　本願発明の半導体装置の製造方法は、前述した実施の形態に限定されるものではなく、適宜な変形、改良等が可能である。
　接着性層における網点模様の形態は、特に限定されるものではなく、例えば、図５概略上面図に示すように、高接着性領域２１Ａと低接着性領域２１Ｂとを有するとともに、高接着領域２１Ａが、中心から外方に向けて延びる放射線模様を為すように形成された網点模様を為している接着性層２１であってもよい。
　また、図６、７、８の概略上面図のように、それぞれ、高接着性領域２２Ａ、２３Ａ、２４Ａと低接着性領域２２Ｂ、２３Ｂ、２４Ｂを有するとともに、高接着性層２２Ａ、２３Ａ、２４Ａの面積率が、接着性層２１における高接着性領域２１Ａ（図５参照）の面積率より低い、中心から外方に向けて伸びる放射線模様を為すように形成された接着性層２２、２３、２４であってもよい。
　さらに、網点模様における高接着性領域の大きさは特に限定されず、図９、８、９、１０、１１、１２に示される高接着性領域２５Ａ、２６Ａ、２７Ａ、２８Ａ、２９Ａ、３０Ａと低接着性領域２５Ｂ、２６Ｂ、２７Ｂ、２８Ｂ、２９Ｂ、３０Ｂとを有するとともに、高接着領域２５Ａ、２６Ａ、２７Ａ、２８Ａ、２９Ａ、３０Ａの大きさを、接着性層１１における高接着性領域１１Ａ（図４参照）から変更した接着性層２５、２６、２７、２８、２９、３０であってもよい。
　前述した実施形態において、本願発明の接着性組成物より形成される接着性層は、デバイスウエハの仮接着の前に、キャリア基板の上に設けられることにより接着性支持体を構成したが、先ず、剥離層の上に設けられることにより仮接合用積層体が形成してもよく、この場合、仮接合用積層体における接着性層および剥離層がそれぞれキャリア基板およびデバイスウエハに接着されている。
　例えば、パターン露光に使用されるマスクは、バイナリマスクであっても、ハーフトーンマスクであっても良い。
　また、露光は、マスクを介したマスク露光としたが、電子線等を用いた描画による選択的露光であっても良い。
　また、前述した実施形態において、被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合用積層体を介して接着させる工程の前に、前記仮接合用積層体の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線または熱を照射する工程をさらに有することが好ましい。
　また、前述した実施形態において、接着性層は単層構造であるが、接着性層は多層構造であってもよい。多層構造の接着性層を形成する方法としては、活性光線または放射線を照射する前に、前述した従来公知の方法で接着性組成物を段階的に塗布する方法や、活性光線または放射線を照射した後に、前述した従来公知の方法で接着性組成物を塗布する方法などが挙げられる。接着性層が多層構造である形態において、例えば、接着性層１１が、活性光線若しくは放射線または熱の照射により接着性が減少する接着性層である場合には、活性光線若しくは放射線または熱の照射により、各層間の接着性を減少させることにより、接着性層全体としての接着性を減少させることもできる。
　また、前述した実施形態においては、接着性支持体により支持される被処理部材として、シリコン基板を挙げたが、これに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において、機械的または化学的な処理に供され得るいずれの被処理部材であっても良い。
　例えば、被処理部材としては、化合物半導体基板を挙げることもでき、化合物半導体基板の具体例としては、ＳｉＣ基板、ＳｉＧｅ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＳｅ基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、および、ＧａＮ基板などが挙げられる。
　さらに、前述した実施形態においては、接着性支持体により支持されたシリコン基板に対する機械的または化学的な処理として、シリコン基板の薄膜化処理、および、シリコン貫通電極の形成処理を挙げたが、これらに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において必要ないずれの処理も挙げられる。
　その他、前述した実施形態において例示した、マスクにおける光透過領域および遮光領域、接着性層における高接着性領域および低接着性領域、並びに、デバイスウエハにおけるデバイスチップの形状、寸法、数、配置箇所等は、本願発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
　以下、本願発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本願発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。
＜接着性支持体（接着性層（Ｂ））の形成＞
　４インチＳｉウエハに下記表１記載に示す組成の各液状接着性組成物を、スピンコーター（Ｍｉｋａｓａ製　Ｏｐｔｉｃｏａｔ　ＭＳ－Ａ１００、１２００ｒｐｍ、３０秒）により塗布したのち、表１に記載のベーク条件でベークし、厚さ１０μｍの接着性層が設けられたウエハ１（すなわち接着性支持体）を形成した。さらに、ウエハ１の接着性層の側から、ＵＶ露光装置（浜松ホトニクス製　ＬＣ８）を用いて、光透過領域と遮光領域とが網点模様を為すとともに、網点模様における網点域が遮光領域とされたフォトマスクを介して、接着性層を網点画像用に２０００ｍＪ／ｃｍ2で露光した。露光は、実施例の各々において、下記表３に示すように、フォトマスクの網点域（遮光領域）の形状を変更することにより実施した（表３には、各フォトマスクにおける光透過領域の面積率についても示した）。尚、接着性層の表面上の網点域（高接着性領域）が為す模様は、図４に準ずる模様である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１中に記載の化合物は、以下の通りである。
　＜バインダー＞
　樹脂（１）：エスチレン　ＭＳ２００ＮＴ（新日鐵化学製ＭＳ樹脂）
　樹脂（２）：Ｚｅｏｎｅｘ４８０Ｒ（日本ゼオン製シクロオレフィン樹脂）
　樹脂（３）：Ｂｕｎａ　ＥＰ　Ｔ６２５０（ＬＡＮＸＥＳＳ製エチレン－プロピレン三元重合体ゴム）
　樹脂（４）：ＥａｓｔｏｔａｃＨ１４２ｗ（イーストマンケミカル製炭化水素樹脂）
＜重合性モノマー＞
　重合性モノマー（１）：Ａ－ＤＣＰ（新中村化学製、２官能アクリレート）
　重合性モノマー（２）：Ａ－ＢＰＥ－４（新中村化学製、２官能アクリレート）
＜光重合開始剤＞
　光重合開始剤（１）：ＫＡＹＡＣＵＲＥ　ＤＥＴＸ－Ｓ（日本化薬社製、２，４－ジメチルチオキサントン）
＜熱重合開始剤＞
　熱重合開始剤（１）：パーブチルＺ（日油（株）製、ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシベンゾエート）
＜溶剤＞
　Ｓ１：メチルアミルケトン
　Ｓ２：ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコール1-モノメチルエーテル２－アセタート）
　Ｓ３：リモネン
　Ｓ４：１－ドデセン
＜被処理部材（剥離層（Ａ））の作成＞
　表面に高さ１０μｍ、直径５０μｍのＣｕ電極を２００μｍ間隔で形成した４インチＳｉウエハの電極が存在する側に、下記表２に記載した樹脂１溶液、表３に記載した樹脂２溶液を表４記載の比率で混合した剥離層組成物をスピンコーター（Ｍｉｋａｓａ製　Ｏｐｔｉｃｏａｔ　ＭＳ－Ａ１００、１２００ｒｐｍ、３０秒）により塗布したのち、表４に記載の条件でベークし、厚さ２０μｍの剥離層が設けられたウエハ２を形成した。尚、ベークは２段階に分けて行った。具体的には１度目のベークは、表４の上段に記載の温度および時間にて行い、２度目のベークは、表４の下段に記載の温度および時間にて行った。
　樹脂１の軟化点は粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｓｏｌ－Ｇ５０００（ＵＢＭ社製）により測定した。具体的には、樹脂１の軟化点は、一定昇温条件下で粘弾性測定装置を用いて測定された損失正接（ｔａｎδ）が極大となる温度として測定される。実施例においては、粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｓｏｌ－Ｇ５０００を用い、昇温速度を５℃／ｍｉｎとして、５０μｍのフィルム状に成型した樹脂１の温度を２５℃～５００℃まで昇温し、樹脂１に対してひずみ角０．０５度のひずみを１Ｈｚの周期で与えて測定した。
　なお、樹脂のＳＰ値は沖津法を用いて推算した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　樹脂（１－１）：Ｄｕｒｉｍｉｄｅ　１０（富士フイルム製、溶剤溶解型ポリイミド樹脂、軟化点３１０℃、ＳＰ値＞２５）
　樹脂（１－２）：ＵｌｔｒａｓｏｎＥ６０２０（ＢＡＳＦ社製、ポリエーテルスルホン樹脂、軟化点２４０℃、ＳＰ値＞２５）
　樹脂（１－３）：ＭＲＳ０８１０Ｈ（佐藤ライト工業製、ポリベンズイミダゾール樹脂、軟化点４３０℃、ＳＰ値＞２５）
　樹脂（１－４）：リカコート（新日本理科製、溶剤溶解型ポリイミド樹脂、軟化点３２０℃、ＳＰ値＞２５）
　樹脂（１－５）：ザイロンＳ２０１Ａ（旭化成製，ポリフェニレンエーテル樹脂、軟化点２２０℃、ＳＰ値２０）
　樹脂（１－６）：ポリスチレン　Ｍｗ＝２８０，０００（アルドリッチ（株）製、ポリスチレン樹脂、軟化点１２０℃、ＳＰ値２０）
　樹脂（１－７）：マラニールナイロン６６　Ａ１２５Ｊ　（ユニチカ製，ポリアミド樹脂，軟化点　２２０℃，ＳＰ値　＞２８）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　樹脂（２－１）：ＴＯＰＡＳ　５０１３（ポリプラスチック（株）製、ＳＰ値１８）
　樹脂（２－２）：パンライトＬ－１２２５ＬＭ（帝人製、ポリカーボネート樹脂、ＳＰ値２２）
　樹脂（２－３）：エスチレン　ＭＳ２００ＮＴ（新日鐵化学製ＭＳ樹脂、ＳＰ値１８）
　樹脂（２－４）：Ｌ－７０（ダイセル製、酢酸セルロース樹脂、ＳＰ値２１）
　樹脂（２－５）：バイロマックスＨＲ－１３ＮＸ（東洋紡製、ポリアミドイミド樹脂：ベークにより溶剤不溶化、ＳＰ値＞２５）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
＜接着性試験片の作成＞
　下記表５または６に記載の組み合わせでウエハ１とウエハ２を熱圧着することで試験片を作成した。
＜＜圧着＞＞
　表面に何も塗布していない４インチＳｉウエハまたは剥離層付き４インチＳｉウエハ（以降ウエハ２とする）を分割し、２０ｍｍ×３０ｍｍのサンプル片とした。同様に分割した２０ｍｍ×３０ｍｍのウエハ１のサンプル片を、その接着性層が、表面に何も塗布していないウエハまたはウエハ２の剥離層に対して２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形で接触するように重ね、１Ｎ／ｃｍ2で１２０℃、３分間加熱圧着した。
＜積層体試験片の接着力測定＞
　作製された試験片のせん断接着力を、引っ張り試験機（ＩＭＡＤＡ製）を用いて、２５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で接着性層の面に沿った方向に引っ張り測定した。結果を下記表５または６に示す。
＜積層体試験片の剥離力・耐熱剥離力測定＞
　作成されたサンプル片を、２５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で接着性層の面に垂直な方向に引っ張り測定した（剥離力の測定）。また、作成されたサンプルを表５または６に記載の温度で３０分加熱したのち、２５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で接着性層の面に垂直な方向に引っ張り測定した（プロセスの最高到達温度下に置かれたことを想定した、耐熱剥離力の測定）。結果を下記表５または６に示す。
＜積層体試験片の接合層除去性評価＞
　作成されたサンプル片を剥離した後、ウエハ２を表５または６記載の溶剤に浸漬させ、ウエハ２から接着性層・剥離層がともに除去されるまでの時間を測定した。結果を表５または６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　上記表において、網点存在率の単位は％であり、接着力、剥離力および耐熱剥離力の単位は、Ｎ／２５ｍｍ2である。
　以上のように、樹脂２を有していない比較例１は接着性・剥離性は得られるものの除去性が不十分であり、樹脂１を有していない比較例２は剥離性が不十分であり、剥離層と、接着性層とを有しているが、樹脂２が溶剤可溶でない比較例３は、接着性・剥離性は得られるものの除去性が不十分であり、剥離層と、接着性層とを有しているが、樹脂１の軟化点が２００℃以上でない比較例４は、接着性は得られるものの除去性が不十分であり、剥離層を持たない比較例５は剥離性が不十分であり、接着性層を持たない比較例６は接着性が不十分であった。これに対して、実施例１～１２においては、本発明の仮接合積層体において、樹脂１の軟化点が２００℃以上であり、樹脂２が溶剤可溶であり、接着性層が活性光線または放射線の照射により接着性が増大または減少する層の表面を露光して、表面に接着力の異なる２種類以上の領域を設けてなる層であることにより、高温（より具体的には、１８０℃～３７０℃）でのプロセスを経ても接着性と剥離性と除去性とを両立できることが分かった。
２　樹脂２
１１，２１～３０，１１’　接着性層
１１Ａ、２１Ａ～３０Ａ　高接着性領域
１１Ｂ、２１Ｂ～３０Ｂ　低接着性領域
１２　キャリア基板
６０　デバイスウエハ
６０’　薄型デバイスウエハ
６１，　シリコン基板
６１ａ　シリコン基板の表面
６１ｂ　シリコン基板の裏面
６１ｂ’　薄型デバイスウエハの裏面
６２　デバイスチップ
６３　バンプ
７０　テープ
１，７１　剥離層
８０　仮接合積層体
１００，１００’　接着性支持体

Claims (12)

  1. 　（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合積層体であって、前記（Ａ）剥離層が、（ａ１）２００℃以上の軟化点を有する樹脂１と、（ａ２）硬化後に、ヘキサン、ヘプタン、酢酸エチル、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１，４－ジオキサン、テトラヒドロフラン、１－メトキシ－２－プロパノール、２－アセトキシ－１－メトキシプロパン、アセトニトリル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリジノン、Ｎ－エチル－２－ピロリジノン、クロロホルム、塩化メチレン、アニソール、キシレン、およびメシチレンから選択される溶剤の少なくとも１種に２５℃で５質量％以上溶解する樹脂２を含む、半導体装置製造用仮接合用積層体。
  2. 　前記樹脂１の軟化点が２００℃～４５０℃の範囲内である請求項１に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
  3. 　前記樹脂１が熱可塑性樹脂である、請求項１または２に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
  4. 　前記熱可塑性樹脂が、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂およびポリエーテルケトン樹脂から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂である請求項３に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
  5. 　前記樹脂２が、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂および炭化水素系樹脂から選ばれる熱可塑性樹脂を含有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
  6. 　前記樹脂１と樹脂２とのＳＰ値［ＭＰａ1/2］の差が１以上１０未満である、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
  7. 　前記（Ｂ）接着性層が、バインダーと、重合性モノマーと、光重合開始剤および熱重合開始剤の少なくとも一方とを含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体。
  8. 　被処理部材の第１の面と基板とを、請求項１～７のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合用積層体を介在するように接着させる工程、前記被処理部材に対して、１８０℃～３７０℃の範囲に最高到達温度を有する加熱処理を施し、処理済部材を得る工程、および、前記仮接合用積層体から前記処理済部材を脱離する工程を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法であって、前記樹脂１の軟化点が、前記加熱処理での最高到達温度より高いことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
  9. 　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合用積層体を介して接着させる工程の前に、前記仮接合用積層体の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線または熱を照射する工程をさらに有する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 　前記仮接合用積層体から前記被処理部材を脱離する工程の後、前記被処理部材に残存する前記仮接合用積層体を剥離溶剤により除去する工程をさらに有する、請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 　前記剥離溶剤が、炭化水素系溶剤およびエーテル溶剤の少なくとも１種を含む、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 　前記剥離溶剤が、シクロペンタン、ｎ－ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ－ヘプタン、リモネン、ｐ－メンタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，３－ジオキソラン、アニソールの少なくとも１種を含む、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
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