WO2014141584A1 - センサ装置、入力装置および電子機器 - Google Patents

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electrode substrate
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章吾 新開
圭 塚本
智子 勝原
川口　裕人
はやと 長谷川
文彦 飯田
隆之 田中
知明 鈴木
泰三 西村
水野　裕
阿部　康之
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ソニー株式会社
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    • G06F3/0448—Details of the electrode shape, e.g. for enhancing the detection of touches, for generating specific electric field shapes, for enhancing display quality

Definitions

  • This technology relates to a sensor device, an input device, and an electronic device that can detect an input operation electrostatically.
  • a sensor device for an electronic device for example, a sensor device that includes a capacitive element and has a configuration capable of detecting an operation position and a pressing force of an operation element with respect to an input operation surface is known (for example, see Patent Document 1). ).
  • an object of the present technology is to provide a sensor device, an input device, and an electronic device that can detect an operation position and a pressing force with high accuracy.
  • the first technique is: A first conductor layer having flexibility; A second conductor layer; A flexible electrode substrate provided between the first conductor layer and the second conductor layer; A plurality of first structures separating the first conductor layer and the electrode substrate; A plurality of second structures that separate the electrode substrate and the second conductor layer,
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, In the unit region, at least one of the first structure and the second structure is included in the sensor device.
  • the first technique when an input operation is performed on the first conductor layer, the first conductor layer is bent and the electrode substrate is bent toward the second conductor layer via the first structure. .
  • the relative distance between each of the first and second conductor layers and the electrode substrate changes, and an input operation such as pressing can be electrostatically detected based on the change in the distance. . Therefore, the amount of change in capacitance with respect to the input operation can be increased, and the detection sensitivity can be increased.
  • this makes it possible to detect not only a conscious pressing operation but also a minute pressing force during a contact operation, and can also be used as a touch sensor.
  • the first conductor layer bends and at least two first structures included in the unit region
  • the electrode substrate bends toward the second conductor layer through the body. Therefore, compared with the case where one first structure is included in the unit region (for example, when one first structure is arranged at the center position of the unit region), the electrode substrate is used for the input operation. Can be widened more largely toward the second conductor layer. Thereby, compared with the case where one 1st structure is included in a unit area
  • the unit regions or the vicinity thereof are determined by two or more first structures included in the unit regions.
  • the first conductor layer can be prevented from being greatly bent toward the second conductor layer locally. Therefore, it is possible to obtain a capacity change rate distribution having a preferable shape.
  • the sensor device is not configured to directly capacitively couple the operation element and each electrode wire of the electrode substrate, but performs an input operation through the first conductor layer. Even when an operator such as a thin stylus is used, it is possible to detect an input operation with high accuracy.
  • the second technology is A flexible operating member; A conductor layer; A flexible electrode substrate provided between the operation member and the conductor layer, and a plurality of first structures separating the operation member and the electrode substrate; A second structure that separates the conductor layer and the electrode substrate;
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, In the unit region, at least one of the first structure and the second structure is included in the input device.
  • the operation member when an input operation is performed on the operation member, the operation member is bent and the electrode substrate is bent toward the second conductor layer via the first structure.
  • the relative distance between each of the operation member and the conductor layer and the electrode substrate changes, and it becomes possible to electrostatically detect an input operation such as pressing based on the change in the distance. Therefore, the amount of change in capacitance with respect to the input operation can be increased, and the detection sensitivity can be increased.
  • this makes it possible to detect not only a conscious pressing operation but also a minute pressing force during a contact operation, and can also be used as a touch sensor.
  • the operation member bends and the electrode substrate is interposed via two or more first structures included in the unit region. Bends toward the conductor layer. Therefore, compared with the case where one first structure is included in the unit region (for example, when one first structure is arranged at the center position of the unit region), the electrode substrate is used for the input operation. It is possible to further widen the range in which the wire is greatly bent toward the conductor layer. Thereby, compared with the case where one 1st structure is included in a unit area
  • the operation member When an input operation is performed on the operation member at a position corresponding to or between the unit regions, the operation member is disposed between or near the unit regions by two or more first structures included in the unit region. Can be prevented from being greatly bent toward the conductor layer locally. Therefore, a preferable capacity change rate distribution can be obtained.
  • the third technology is A flexible operating member; A conductor layer; A flexible electrode substrate provided between the operation member and the conductor layer, and a plurality of first structures separating the operation member and the electrode substrate; A second structure that separates the conductor layer and the electrode substrate; and a control unit that generates a signal corresponding to an input operation to the operation member based on a change in capacitance of the electrode substrate;
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, The unit region is an electronic device in which at least one of the first structure and the second structure is included in two or more.
  • the fourth invention is: A first conductor layer having flexibility; A second conductor layer provided opposite the first conductor layer; A flexible electrode substrate provided between the first conductor layer and the second conductor layer; A plurality of first structures separating the first conductor layer and the electrode substrate; A plurality of second structures that separate the electrode substrate and the second conductor layer,
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, In the unit region, the sensor device includes two or more first structures.
  • the fifth invention is: A flexible first layer; A second layer; A flexible electrode substrate provided between the first layer and the second layer; A plurality of first structures separating the first layer and the electrode substrate; A plurality of second structures that separate the electrode substrate and the second layer, At least one of the first layer and the second layer includes a conductor layer;
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, In the unit region, at least one of the first structure and the second structure is included in the sensor device.
  • the sixth invention is: A flexible first layer including an operating member; A second layer; A flexible electrode substrate provided between the first layer and the second layer; A plurality of first structures separating the first layer and the electrode substrate; A plurality of second structures that separate the electrode substrate and the second layer, At least one of the first layer and the second layer includes a conductor layer;
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, In the unit region, at least one of the first structure and the second structure is included in the input device.
  • the seventh invention A flexible first layer including an operating member; A second layer; A flexible electrode substrate provided between the first layer and the second layer, and a plurality of first structures that separate the first layer and the electrode substrate; A plurality of second structures that separate the second layer and the electrode substrate, and a control unit that generates a signal corresponding to an input operation to the operation member based on a change in capacitance of the electrode substrate, At least one of the first layer and the second layer includes a conductor layer;
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, The unit region is an electronic device in which at least one of the first structure and the second structure is included in two or more.
  • the eighth invention A flexible first layer; A second layer; A flexible electrode substrate provided between the first layer and the second layer; A plurality of first structures separating the first layer and the electrode substrate; A plurality of second structures that separate the electrode substrate and the second layer, At least one of the first layer and the second layer includes a conductor layer;
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes having a plurality of first unit electrode bodies, and a plurality of second electrodes having a plurality of second unit electrode bodies,
  • the detection unit is configured by a set of the first electrode body and the second electrode body, A plurality of unit areas are provided corresponding to the detection unit, In the unit region, at least one of the first structure and the second structure is included in the sensor device.
  • the operation position and the pressing force can be detected with high accuracy.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of an input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a configuration example of the input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of a main part of the input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration example of an electronic device using the input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 5A is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of a conductor layer according to the input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view showing a modification of the conductor layer.
  • FIG. 5C is a schematic cross-sectional view showing a modification of the conductor layer.
  • FIG. 5D is a schematic cross-sectional view showing a modification of the conductor layer.
  • FIG. 5E is a schematic cross-sectional view showing a modification of the conductor layer.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view for describing a configuration of a detection unit according to the input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 6B is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration of a modified example of the detection unit.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view for describing a configuration of a detection unit according to the input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 6B is a schematic cross-sectional view for explaining a configuration of a modified example of the detection unit.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional
  • FIG. 7A is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method of forming a first support according to the input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 7B is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for forming the first support.
  • FIG. 7C is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for forming the first support.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for forming the second support according to the input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 9A is a schematic cross-sectional view showing a modification of the method for forming the first or second support.
  • FIG. 9B is a schematic cross-sectional view showing a modification of the method for forming the first or second support.
  • FIG. 10A is a schematic diagram illustrating an arrangement example of the first and second electrode lines.
  • FIG. 10B is a schematic diagram illustrating a configuration example of the first and second electrode lines.
  • FIG. 10C is a schematic diagram for explaining a unit detection region.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing the state of the force applied to the first and second structures when the point on the first surface of the input device is pressed downward in the Z-axis direction by the operator.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a main part of the input device when a point on the first structure of the first surface is operated by the operator, and the capacitance of each detection unit at that time.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of the main part showing a mode of the input device when a point on the first space portion of the first surface is operated by the operator, and the capacitance of each detection unit at that time It is a figure which shows an example of variation
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of an essential part showing an aspect of the input device when the first surface is operated by the stylus, and an example of the amount of change in capacitance of each detection unit at that time.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of an essential part showing an aspect of the input device when the first surface receives an operation with a finger, and a diagram showing an example of the amount of change in capacitance of each detection unit at that time.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining a relationship between a load position and a capacity change amount in an input device including one first structure in the unit detection region.
  • FIG. 17 is a diagram for explaining a relationship between a load position and a capacity change amount in an input device including one first structure in the unit detection region.
  • FIG. 18 is a diagram for explaining a relationship between a load position and a capacity change amount in an input device including one first structure in the unit detection region.
  • FIG. 19A is a diagram illustrating an ideal capacity change rate distribution.
  • FIG. 19B is a diagram showing an actual capacity change rate distribution.
  • 20A and 20B are schematic cross-sectional views for explaining the cause of the occurrence of two split peaks in the capacity change rate distribution.
  • 21A and 21B are schematic cross-sectional views for explaining the reason why the accuracy of coordinate calculation can be improved by including two or more first structures in the unit detection region.
  • FIG. 22A is a schematic plan view showing a first arrangement example of the first and second structures, the first electrode line (Y electrode), and the second electrode line (X electrode).
  • FIG. 22B is a schematic plan view illustrating a second arrangement example of the first and second structures, the first electrode line (Y electrode), and the second electrode line (X electrode).
  • FIG. 23A is a plan view showing a first example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 23B is a plan view showing a second example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 24A is a plan view showing a third example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 24B is a plan view showing a fourth example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 25A is a plan view showing a fifth example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 25B is a plan view showing a sixth example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 26 is a plan view showing a ninth example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 27A is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of an input device in which first and second structures are overlapped when viewed from the Z-axis direction.
  • FIG. 27A is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of an input device in which first and second structures are overlapped when viewed from the Z-axis direction.
  • FIG. 27A is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of an
  • FIG. 27B is a plan view showing an arrangement example in which the first and second structures are arranged so as to overlap each other when viewed from the Z-axis direction.
  • FIG. 28 is a plan view showing a first arrangement example of the second structures.
  • FIG. 29A is an enlarged perspective view showing the vicinity of the region RA shown in FIG.
  • Figure 29B is a perspective view illustrating an enlarged vicinity of the region R B shown in FIG. 28.
  • FIG. 29C is an enlarged perspective view showing the vicinity of the region RC shown in FIG.
  • FIG. 30A is a plan view illustrating a second arrangement example of the second structures.
  • FIG. 30B is a plan view illustrating a third arrangement example of the second structures.
  • FIG. 31A and 31B are schematic cross-sectional views for explaining the reason why load sensitivity can be improved by including two or more first structures in the unit detection region.
  • FIG. 32A is a schematic cross-sectional view showing a first arrangement example.
  • FIG. 32B is a schematic cross-sectional view showing a second arrangement example.
  • FIG. 32C is a schematic cross-sectional view illustrating a third arrangement example.
  • 33A to 33C are schematic cross-sectional views for explaining the distances Dx and Dy between the first structures.
  • FIG. 34 is a plan view for explaining the distances Dx and Dy between the first structures.
  • FIG. 35A is a schematic cross-sectional view for explaining the drawing characteristics of an input device including one first structure in the unit detection region.
  • FIG. 35B is a plan view for explaining the drawing characteristics of the input device including one first structure in the unit detection region.
  • FIG. 36A is a plan view showing a region R where a slight sink occurs in the arrangement example shown in FIG. 23B.
  • FIG. 36B is a plan view showing a region R where a slight sink occurs in the arrangement example shown in FIG. 25A.
  • FIG. 37A is a plan view showing a modification of the first electrode line.
  • FIG. 37B is a plan view showing a modification of the second electrode line.
  • 38A to 38P are schematic views showing examples of the shape of the unit electrode body.
  • FIG. 39A is a schematic cross-sectional view illustrating an example of mounting the input device according to the first embodiment of the present technology on an electronic device.
  • FIG. 39A is a schematic cross-sectional view illustrating an example of mounting the input device according to the first embodiment of the present technology on an electronic device.
  • FIG. 39A is a schematic cross-sectional view illustrating an example of mounting
  • FIG. 39B is a schematic cross-sectional view showing a modification of the example of mounting the input device according to the first embodiment of the present technology on the electronic device.
  • FIG. 40 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of the input device according to the fourth embodiment of the present technology.
  • FIG. 41A is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of an operation member according to the input device according to the fourth embodiment of the present technology.
  • FIG. 41B is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the operation member.
  • FIG. 42 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of an electronic device in which an input device according to the fifth embodiment of the present technology is incorporated.
  • FIG. 43 is a schematic diagram illustrating simulation conditions in Test Example 1.
  • 44A to 44C are diagrams showing the simulation results of Test Example 1-1.
  • 45A to 45C are diagrams showing the simulation results of Test Example 1-2.
  • 46A to 46C are diagrams showing the simulation results of Test Examples 2-1 to 2-2.
  • 47A to 47C are diagrams showing the results of simulation in Test Examples 2-3 to 2-4.
  • 48A to 48C are diagrams showing the results of simulation in Test Examples 2-5 to 2-6.
  • 49A to 49C are diagrams showing the results of simulation in Test Examples 2-7 to 2-8.
  • 50A to 50C are diagrams showing the results of simulation in Test Examples 2-9 to 2-10.
  • 51A to 51C are diagrams showing the results of simulation in Test Examples 2-11 to 2-12.
  • FIG. 52 is a diagram showing the results of simulation in Test Examples 3-1 to 3-4.
  • FIG. 53 is a diagram showing the results of simulation in Test Examples 4-1 to 4-3.
  • FIG. 54A is a diagram showing the results of simulation in Test examples 5-1 and 5-2.
  • FIG. 54B is a diagram showing the results of simulation in Test Example 5-1.
  • FIG. 54C is a diagram illustrating a simulation result of Test Example 5-2.
  • FIG. 55A is a schematic cross-sectional view showing a modification of the input device according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 55B is a schematic cross-sectional view of the relevant part showing the aspect of the input device when the first surface receives an operation with a finger.
  • FIG. 56A is a plan view showing a first example of arrangement positions of a plurality of openings in the in-plane direction of the input device.
  • FIG. 56B is a plan view showing a second example of the arrangement positions of the plurality of openings in the in-plane direction of the input device.
  • FIG. 57A is a schematic diagram illustrating a first example of ground connection of the input device.
  • FIG. 57B is a schematic diagram illustrating a second example of ground connection of the input device.
  • FIG. 58A is a plan view showing a seventh example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 58B is a plan view showing an eighth example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 59A is a plan view showing a tenth example of a symmetrical arrangement.
  • FIG. 59B is a plan view showing an eleventh example of the symmetrical arrangement.
  • 60A is a perspective view illustrating a shape example of an input device having a cylindrical shape.
  • 60B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 60A.
  • FIG. 61A is a perspective view illustrating a shape example of an input device having a curved surface shape.
  • 61B is a cross-sectional view along the line AA in FIG. 61A.
  • FIG. 62A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the input device according to the second embodiment of the present technology.
  • 62B is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of FIG. 62A.
  • FIG. 63A is a plan view showing an example of the configuration of the Y electrode.
  • FIG. 64A is a plan view showing an example of an arrangement of X electrodes and Y electrodes.
  • FIG. 64B is a cross-sectional view along the line AA in FIG. 64A.
  • FIG. 65A is a plan view showing a first example of the configuration of the X electrode.
  • FIG. 65B is a plan view showing a first example of the configuration of the Y electrode.
  • FIG. 66A is a plan view showing a second example of the configuration of the X electrodes.
  • FIG. 66B is a plan view showing a second example of the configuration of the Y electrode.
  • FIG. 67A is a cross-sectional view illustrating a first example of the configuration of the input device according to the third embodiment of the present technology.
  • FIG. 67B is a cross-sectional view illustrating a second example of the configuration of the input device according to the third embodiment of the present technology.
  • FIG. 68A is a plan view illustrating a first example of a configuration of X and Y electrodes in an input device according to a modification of the third embodiment of the present technology.
  • FIG. 68B is a plan view illustrating a second example of the configuration of the X and Y electrodes in the input device according to the modification of the third embodiment of the present technology.
  • FIG. 69A is a plan view showing an arrangement example of the first electrode lines (Y electrodes).
  • FIG. 70A is a plan view showing an arrangement example of the first structures.
  • FIG. 70B is a plan view showing an arrangement example of the second structures.
  • FIG. 71 is a plan view showing the positional relationship between the first and second electrode lines and the first and second structures.
  • FIG. 72 is a plan view showing an arrangement example of the first and second structures.
  • the sensor device and the input device include, for example, a notebook personal computer, a touch panel display, a tablet computer, a mobile phone (for example, a smartphone), a digital camera, a digital video camera, an audio device (for example, a portable audio player), and a game device. It is suitable for application to electronic equipment such as.
  • the conductor layer may be a conductive layer having electrical conductivity, for example, an inorganic conductive layer including an inorganic conductive material, an organic conductive layer including an organic conductive material, an inorganic conductive material, and an organic system. It is preferable to use an organic-inorganic conductive layer containing both conductive materials.
  • the inorganic conductive material examples include metals and metal oxides.
  • the metal is defined to include a semi-metal.
  • metals include copper, silver, gold, platinum, palladium, nickel, tin, cobalt, rhodium, iridium, iron, ruthenium, osmium, manganese, molybdenum, tungsten, niobium, tantel, titanium, bismuth, antimony, lead, and the like. However, it is not limited to these.
  • the metal oxide examples include indium tin oxide (ITO), zinc oxide, indium oxide, antimony-added tin oxide, fluorine-added tin oxide, aluminum-added zinc oxide, gallium-added zinc oxide, silicon-added zinc oxide, and zinc oxide- Examples thereof include, but are not limited to, a tin oxide system, an indium oxide-tin oxide system, and a zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide system.
  • ITO indium tin oxide
  • zinc oxide indium oxide
  • indium oxide antimony-added tin oxide
  • fluorine-added tin oxide aluminum-added zinc oxide
  • gallium-added zinc oxide gallium-added zinc oxide
  • silicon-added zinc oxide silicon-added zinc oxide
  • zinc oxide- Examples thereof include, but are not limited to, a tin oxide system, an indium oxide-tin oxide system, and a zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide system.
  • organic conductive materials include carbon materials and conductive polymers.
  • the carbon material include, but are not limited to, carbon black, carbon fiber, fullerene, graphene, carbon nanotube, carbon microcoil, and nanohorn.
  • the conductive polymer for example, substituted or unsubstituted polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and one or two (co) polymers selected from these can be used, but are not limited thereto. is not.
  • Embodiments of the present technology will be described in the following order. 1. First embodiment (example of input device) 2. Second embodiment (example of input device) 3. Third embodiment (example of input device) 4). Fourth Embodiment (Example of input device) 5. Fifth embodiment (example of electronic device)
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of the input device 100 according to the first embodiment of the present technology
  • FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a configuration example of the input device 100
  • FIG. FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration example of the electronic device 70 using the input device 100.
  • FIG. Hereinafter, the configuration of the input device 100 of the present embodiment will be described.
  • the X axis (first direction) and the Y axis (second direction) indicate directions orthogonal to each other (in-plane direction of the input device 100), and the Z axis is orthogonal to the X axis and the Y axis.
  • Direction thickness direction or vertical direction of the input device 100).
  • the input device 100 includes a flexible display (display unit) 11 that receives a user's operation and a sensor device 1 that detects the user's operation.
  • the input device 100 is configured as a flexible touch panel display, for example, and is incorporated in an electronic device 70 described later.
  • the sensor device 1 and the flexible display 11 have a flat plate shape extending in a direction perpendicular to the Z axis.
  • the flexible display 11 has a first surface 110 and a second surface 120 opposite to the first surface 110.
  • the flexible display 11 has both a function as an input operation unit in the input device 100 and a function as a display unit. That is, the flexible display 11 causes the first surface 110 to function as an input operation surface and a display surface, and displays an image corresponding to an operation by the user from the first surface 110 facing upward in the Z-axis direction.
  • On the first surface 110 for example, an image corresponding to a keyboard, a GUI (Graphical User Interface), and the like are displayed. Examples of the operator that performs an operation on the flexible display 11 include a finger f shown in FIG. 15 and a stylus s shown in FIG.
  • the specific configuration of the flexible display 11 is not particularly limited.
  • the flexible display 11 so-called electronic paper, an organic EL (electroluminescence) panel, an inorganic EL panel, a liquid crystal panel, or the like can be employed.
  • the thickness of the flexible display 11 is not particularly limited, and is, for example, 0.1 mm to 1 mm.
  • the sensor device 1 includes a metal film (first conductor layer (conductive layer)) 12, a conductor layer (second conductor layer (conductive layer)) 50, an electrode substrate 20, a first support 30, A second support 40 is included.
  • the sensor device 1 is disposed on the second surface 120 side of the flexible display 11.
  • the metal film 12 has flexibility and is configured in a deformable sheet shape, for example.
  • the conductor layer 50 is disposed to face the metal film 12.
  • the electrode substrate 20 has flexibility, is arranged to face the plurality of first electrode lines 210 and the plurality of first electrode lines 210, and intersects the plurality of first electrode lines 210.
  • the electrode substrate 20 is disposed so as to be deformable between the metal film 12 and the conductor layer 50, and can detect electrostatically a change in distance between the metal film 12 and the conductor layer 50.
  • the first support 30 is, for example, a first structure 310 that is formed between the plurality of first structures 310 that connect the metal film 12 and the electrode substrate 20 and the plurality of first structures 310.
  • the metal film 12 and the electrode substrate 20 are separated from each other by the plurality of first structures 310.
  • the second support body 40 includes, for example, a plurality of second structure bodies 410 that are respectively disposed between a plurality of adjacent first structure bodies 310 and connect between the conductor layer 50 and the electrode substrate 20. And a second space 430 formed between the second structures 410.
  • the conductor layers 50 and the electrode substrate 20 are separated from each other by the plurality of second structures 410.
  • the first space 330 and the second space 430 may be filled with a medium such as liquid or gel. Moreover, gas other than air may be filled.
  • the sensor device 1 (input device 100) according to the present embodiment is provided between the metal film 12 and the electrode substrate 20 by the input operation on the first surface 110 of the flexible display 11, and between the conductor layer 50 and the electrode substrate 20.
  • the input operation is detected by electrostatically detecting a change in the distance.
  • the input operation is not limited to a conscious pressing (push) operation on the first surface 110 but may be a contact (touch) operation. That is, the input device 100 can detect even a minute pressing force (for example, about several tens of g) applied by a general touch operation, as will be described later.
  • the touch operation is configured to be possible.
  • the input device 100 includes a control unit 60, and the control unit 60 includes a calculation unit 61 and a signal generation unit 62.
  • the calculation unit 61 detects an operation by the user based on the change in the capacitance of the detection unit 20s.
  • the signal generator 62 generates an operation signal based on the detection result by the calculator 61.
  • the electronic device 70 illustrated in FIG. 4 includes a controller 710 that performs processing based on an operation signal generated by the signal generation unit 62 of the input device 100.
  • the operation signal processed by the controller 710 is output to the flexible display 11 as an image signal, for example.
  • the flexible display 11 is connected to a drive circuit mounted on the controller 710 via a flexible wiring board 113 (see FIG. 2).
  • the drive circuit may be mounted on the wiring board 113.
  • the flexible display 11 is configured as a part of the operation member 10 of the input device 100 in the present embodiment. That is, the input device 100 includes the operation member 10, the electrode substrate 20, the first support body 30, the second support body 40, and the conductor layer 50. Hereinafter, each of these elements will be described.
  • the operation member 10 has a laminated structure of the flexible display 11 including the first surface 110 and the second surface 120 and the metal film 12. That is, the operation member 10 has a first surface 110 that receives an operation by the user, and a second surface 120 that is formed with the metal film 12 and is opposite to the first surface 110, and has a deformable sheet shape. Composed.
  • the metal film 12 is provided on the second surface 120 side facing the conductor layer 50.
  • the metal film 12 is formed in a sheet shape that can be deformed following the deformation of the flexible display 11, and is formed of a metal foil such as Cu (copper), Al (aluminum), stainless steel (SUS), or a mesh material. . Moreover, it may be composed of a vapor-deposited film or a sputtered film of a conductor formed on a sheet-like substrate, or may be a coating film such as a conductive paste.
  • the metal film 12 may function as a conductive layer, and may be an oxide conductor such as ITO (indium tin oxide) or an organic conductor such as carbon nanotube.
  • the thickness of the metal film 12 is not particularly limited, and is, for example, several tens of nm to several tens of ⁇ m.
  • the metal film 12 is connected to a ground potential, for example. Thereby, the metal film 12 exhibits a function as an electromagnetic shield layer when mounted on the electronic device 70. That is, for example, the invasion of electromagnetic waves from the flexible display 11, the invasion of electromagnetic waves from other electronic components mounted on the electronic device 70, and the leakage of electromagnetic waves from the input device 100 are suppressed, and the operation as the electronic device 70 is suppressed. It can contribute to stability. Moreover, in order to reinforce the function as such an electromagnetic shielding layer, the metal film 12 may be a plurality of layers.
  • the metal film 12 is formed by attaching an adhesive layer 13 such as an adhesive resin film on which a metal foil is formed to the flexible display 11.
  • an adhesive layer 13 such as an adhesive resin film on which a metal foil is formed
  • it may be composed of a vapor deposition film or a sputtered film directly formed on the flexible display 11, or may be a coating film such as a conductive paste printed on the surface of the flexible display 11.
  • a nonconductive film may be formed on the surface of the metal film 12 opposite to the flexible display 11.
  • a scratch-resistant hard coat layer or a corrosion-resistant antioxidant film can be formed.
  • the conductor layer 50 constitutes the lowermost part of the input device 100 and is disposed to face the metal film 12 in the Z-axis direction.
  • the conductor layer 50 functions as a support plate of the input device 100, for example, and is configured to have higher bending rigidity than the operation member 10 and the electrode substrate 20, for example.
  • the conductor layer 50 may be made of a conductor plate such as a metal plate containing Al alloy, Mg (magnesium) alloy or other metal material, or carbon fiber reinforced plastic.
  • the conductor layer 50 may have a laminated structure in which a conductor film such as a plating film, a vapor deposition film, a sputtering film, or a metal foil is formed on an insulator layer such as a plastic material.
  • the thickness of the conductor layer 50 is not specifically limited, For example, it is about 0.3 mm.
  • FIGS. 5B, 5C, and 5E are schematic cross-sectional views showing examples of the configuration of the conductor layer 50.
  • FIG. The conductor layer 50 is not limited to the example configured in a flat plate shape as shown in FIG. 5A, and may have a stepped portion 51 shown in FIGS. 5B, 5C, and 5E. Or the conductor layer 50 may be comprised by mesh shape, as shown to FIG. 5D.
  • the conductor layer 50B shown in FIG. 5B has a stepped portion 51B formed by bending the peripheral portion upward in the Z-axis direction, and the conductor layers 50C and 50E shown in FIGS. 5C and 5E are both Step portions 51C and 51E are formed in the center and recessed downward.
  • a stepped portion 51 can increase the bending rigidity of the conductor layer 50 in the Z-axis direction.
  • the conductor layer 50D shown in FIG. 5D is formed in a mesh shape.
  • the conductor layer 50 in a mesh shape, it is possible to increase heat dissipation while maintaining rigidity, suppress problems of the input device 100, and increase reliability.
  • one or a plurality of openings 50h are provided in the conductor layers 50D and 50E shown in FIGS. 5D and 5E.
  • the openings 50h in the conductor layer 50 in this manner, it is possible to improve heat dissipation while maintaining rigidity, suppress problems of the input device 100, and improve reliability.
  • the volume of the conductor layer 50 is reduced, and the weight of the input device 100 can be reduced.
  • the opening 50h in the conductor layer 50 as described above air easily flows when the volume of the second space 430 changes due to deformation, and the response time of the electrode substrate 20 is shortened.
  • the response time refers to the time from when the weight applied to the operation member 10 changes until the capacity of the sensor device 1 actually changes.
  • the shape of the opening 50h examples include a polygonal shape such as a triangle and a quadrangle, a circular shape, an elliptical shape, an oval shape, an indefinite shape, and a slit shape, and these shapes may be used alone or in combination of two or more.
  • the plurality of openings 50h are provided in the conductor layer 50, the plurality of openings 50h are arranged in a regular or irregular pattern. From the viewpoint of uniformity of sensor sensitivity, the regular pattern is preferable.
  • the array may be a one-dimensional array or a two-dimensional array.
  • the conductor layer 50 provided with the plurality of openings 50h may have a mesh shape or a stripe shape as a whole, or the plurality of openings 50h as a whole. It may constitute a geometric pattern.
  • the opening 50h is provided in the conductor layer 50, it is preferable that the opening 50h is provided in a position or a region that does not face the second structure 410 or any of the second structures 410 constituting the group. That is, the opening 50h and the second structure 410 are provided so as to be shifted in the in-plane (XY plane) direction so as not to overlap with the Z-axis direction (that is, the thickness direction of the input device 100). Is preferred. This is because the electrode substrate 20 and the conductor layer 50 are stably connected by the second structure 410.
  • the position of the opening 50h in the conductor layer 50 is preferably a position that does not face an intersecting region (detection unit 20s) of a plurality of electrode groups 21w and a plurality of electrode groups 22w described later. That is, it is preferable that the opening 50h and the detection unit 20s are provided so as to be shifted in the in-plane (XY plane) direction so as not to overlap with the Z-axis direction (that is, the thickness direction of the input device 100).
  • the detection unit is compared with the case where the opening 50h of the conductor layer 50 is not disposed at a position facing the detection unit 20s. This is because the initial capacity and the capacity change rate of 20 s change, and the sensor sensitivity in the input device 100 becomes non-uniform.
  • the arrangement positions of the openings 50h are all the same in each unit detection region 20r. However, the unit detection region 20r near the outermost periphery and the outermost periphery of the input device 100 is excluded. This is to prevent the sensor sensitivity from becoming uneven in the input device 100 as described above. Details of the unit detection area 20r will be described later. From the viewpoint of preventing the sensor sensitivity from becoming nonuniform, the opening 50h is preferably arranged symmetrically with respect to the center of the detection portion (intersection region) 20s. More specifically, the opening 50 h is preferably arranged symmetrically with respect to the center lines of the first and second electrode lines 210 and 220.
  • 56A and 56B are plan views illustrating examples of arrangement positions of the plurality of openings 50 h in the in-plane (XY plane) direction of the input device 100.
  • 56A shows an example in which the opening 50h has an oval shape
  • FIG. 56B shows an example in which the opening 50h has a circular shape.
  • the plurality of openings 50h are disposed on the outer periphery (periphery) of the unit detection region 20r when viewed from the Z-axis direction (that is, the thickness direction of the input device 100), and the second structure 410 and the detection unit 20s.
  • the opening 50h, the second structure 410, and the detection unit 20s are shifted in the in-plane (XY plane) direction so as not to overlap with each other in the Z-axis direction.
  • the conductor layer 50 is connected to a ground potential, for example. Thereby, the conductor layer 50 exhibits a function as an electromagnetic shield layer when mounted on the electronic device 70. That is, for example, intrusion of electromagnetic waves from other electronic components mounted on the electronic device 70 and leakage of electromagnetic waves from the input device 100 can be suppressed, contributing to the stability of operation as the electronic device 70.
  • the ground potential connection method of the metal film 12 and the conductor layer 50 is preferably as follows. .
  • the metal film 12 and the conductor layer 50 it is preferable to connect the metal film 12 and the conductor layer 50 not only to the ground of the control unit 60 but also to the ground of the controller 710.
  • the flexible display 11 is connected to the controller 710, and the shielding effect of the metal film 12 can be enhanced by connecting directly to the noise source. Further, the effect is high when the metal film 12 and the conductor layer 50 are coupled by many contacts.
  • the ground connection of the conductor layer 50 is the control unit 60, a plurality of metal films 12 are arranged, and the metal film 12 provided closest to the flexible display 11 among these metal films 12. May be connected to the controller 710. Further, the ground connection of the metal film 12 provided closest to the electrode substrate 20 among the metal films 12 may be connected to both the control unit 60 and the controller 710.
  • FIG. 57B shows an example in which two metal films 12 are provided.
  • An adhesive layer 13 may be provided between the flexible display 11 and the metal film 12.
  • the adhesive layer 13 is made of, for example, an insulating adhesive or pressure-sensitive adhesive tape.
  • the adhesive for example, one or more selected from the group consisting of an acrylic adhesive, a silicone adhesive, a urethane adhesive, and the like can be used.
  • pressure sensitive adhesion is defined as a kind of adhesion. According to this definition, the adhesive layer is regarded as a kind of adhesive layer.
  • the entire surface of the flexible display 11 and the metal film 12 may be adhered by the adhesive layer 13. In this case, strong adhesion and uniform sensitivity can be obtained over the entire surface of the flexible display 11 and the metal film 12.
  • the outer peripheral portion of the flexible display 11 and the metal film 12 may be bonded by the adhesive layer 13, and it is particularly preferable that both are bonded only at the upper portion of the first frame 320.
  • the first frame member 320 has a stronger adhesive force than the first structure member 310, and when a force that causes the flexible display 11 to be pulled upward is applied, the first structure member 310 is destroyed. In addition, peeling of the metal film 12 and the first structure 310 can be suppressed, and peeling of the electrode substrate 20 and the first structure 310 can be suppressed.
  • the flexible display 11 may be adhered by the adhesive layer 13.
  • the adhesive layer 13 When wiring, FPC, a driver, etc. are attached to the outer peripheral part of the flexible display 11, damage to the flexible display 11 can be prevented, and the step on the outer peripheral part of the flexible display 11 can be bonded. It is possible to prevent an abnormality from occurring in the sensitivity of surrounding sensors.
  • the step of the outer peripheral portion of the flexible display 11 is large or when warping is large, the flexible display 11 may be joined only inside the display area (effective area).
  • the adhesive layer 13 for example, an adhesive layer continuously provided with a substantially uniform thickness between the flexible display 11 and the metal film 12, or a predetermined in-plane direction of the flexible display 11 and the metal film 12.
  • An adhesive layer having the following pattern can be used.
  • the pattern of the adhesive layer 13 may be either a one-dimensional pattern in which a predetermined adhesive pattern is repeated in one direction or a two-dimensional pattern in which a predetermined adhesive pattern is repeated in two directions.
  • Specific examples of the pattern shape include a columnar shape, a stripe shape, and a lattice shape, but are not limited thereto.
  • the thickness of the adhesive layer 13 is preferably thinner than the thickness of the metal film 12.
  • the adhesive layer 13 is preferably higher definition than the first structure 310. That is, the size of the pattern of the adhesive layer 13 is preferably smaller than the size of the first structure 310. In this case, the size of the pattern of the adhesive layer 13 is preferably 1/10 or less of the size of the first structure 310.
  • the electrode substrate 20 is configured by a laminate of a first wiring substrate 21 having first electrode lines 210 and a second wiring substrate 22 having second electrode lines 220.
  • the first wiring board 21 includes a first base material 211 (see FIG. 2) and a plurality of first electrode lines (Y electrodes) 210.
  • the first substrate 211 is made of, for example, a flexible sheet material, specifically, an electrically insulating plastic sheet (film) such as PET, PEN, PC, PMMA, or polyimide.
  • the thickness of the first base material 211 is not particularly limited, and is, for example, several tens of ⁇ m to several hundreds of ⁇ m.
  • the plurality of first electrode wires 210 are integrally provided on one surface of the first base material 211.
  • the plurality of first electrode lines 210 are arranged at a predetermined interval along the X-axis direction and are formed substantially linearly along the Y-axis direction.
  • Each of the first electrode wires 210 is drawn out to the edge of the first base material 211 and connected to a different terminal.
  • each of the first electrode wires 210 is electrically connected to the control unit 60 via these terminals.
  • Each of the plurality of first electrode lines 210 may be composed of a single electrode line, or may be composed of a plurality of electrode groups 21w (see FIG. 10) arranged along the X-axis direction. May be.
  • the plurality of electrode lines constituting each electrode group 21w may be connected to a common terminal or may be divided into two or more different terminals.
  • the second wiring board 22 includes a second base material 221 (see FIG. 2) and a plurality of second electrode wires (X electrodes) 220.
  • the second substrate 221 is made of, for example, a flexible sheet material like the first substrate 211, and specifically, an electrically insulating plastic sheet (such as PET, PEN, PC, PMMA, polyimide) Film).
  • the thickness of the second base material 221 is not particularly limited and is, for example, several tens of ⁇ m to several hundreds of ⁇ m.
  • the second wiring board 22 is disposed to face the first wiring board 21.
  • the plurality of second electrode lines 220 are configured in the same manner as the plurality of first electrode lines 210. That is, the plurality of second electrode wires 220 are integrally provided on one surface of the second base material 221, arranged at a predetermined interval along the Y-axis direction, and in the X-axis direction. Is formed substantially linearly.
  • Each of the plurality of second electrode lines 220 may be formed of a single electrode line, or may be formed of a plurality of electrode groups 22w (see FIG. 10) arranged along the Y-axis direction. May be.
  • Each of the second electrode wires 220 is drawn out to the edge of the second base material 221 and connected to a different terminal.
  • the plurality of electrode lines constituting each electrode group 22w may be connected to a common terminal or may be divided and connected to two or more different terminals.
  • each of the second electrode lines 210 is electrically connected to the control unit 60 via these terminals.
  • the first and second electrode lines 210 and 220 may be formed of a conductive paste or the like by a printing method such as screen printing, gravure offset printing, or ink jet printing, or a metal foil or metal layer photolithography technique is used. It may be formed by a patterning method. Moreover, it can be set as the structure which has flexibility as the electrode substrate 20 whole because both the 1st and 2nd base materials 211 and 221 are comprised with the sheet
  • the electrode substrate 20 has an adhesive layer 23 that joins the first wiring substrate 21 and the second wiring substrate 22 to each other.
  • the adhesive layer 23 has electrical insulation and is made of, for example, an adhesive material such as a cured adhesive or an adhesive tape.
  • the electrode substrate 20 is formed in the intersection region of the first electrode line 210 and the second electrode line 220, respectively, and each of the metal film (first conductor layer) 12 and the conductor layer (second conductor layer) 50.
  • the plurality of detection units 20s whose capacity is variable according to the relative distance between them.
  • a plurality of first structures 310 may constitute a group associated with each detection unit 20s.
  • a plurality of second structures 410 may constitute a group associated with each detection unit 20s.
  • the plurality of first and second structures 310 and 410 constituting each of these groups may be arranged symmetrically with respect to the center of the detection unit (intersection region) 20s. More specifically, the first and second electrode lines 210 and 220 may be arranged symmetrically with respect to the center line.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the detection unit 20s.
  • the detection unit 20 s includes a first electrode line 210, a second electrode line 220 facing the first electrode line 210, and a dielectric layer provided between the first and second electrode lines 210 and 220. It is comprised with the capacitive element of a mutual capacitance system which has.
  • FIGS. 6A and 6B description will be made assuming that each of the first and second electrode lines 210 and 220 is constituted by a single electrode line.
  • FIG. 6A shows an example in which the first electrode lines 210 (210x i , 210x i + 1 , 210x i + 2 ) and the second electrode lines 220 (220y) are arranged facing each other in the Z-axis direction. Show.
  • the first wiring board 21 and the second wiring board 22 are bonded to each other by the adhesive layer 23, and the first base material 211 and the adhesive layer 23 of the first wiring board 21 are Constitutes the dielectric layer.
  • the detection units 20s i , 20s i + 1 , and 20s i are respectively provided in the intersecting regions where the first electrode lines 210x i , 210x i + 1 , 210x i + 2 and the second electrode line 220y are capacitively coupled. +2 is formed, and these capacitances C i , C i + 1 , C i + 2 are respectively connected to the metal film 12 and the conductor layer 50 and the first electrode lines 210x i , 210x i + 1 , 210x i +. 2 , configured to change according to capacitive coupling with the second electrode line 220y.
  • the initial capacity of the detection unit 20s is, for example, the facing area between the first and second electrode lines 210 and 220, the facing distance between the first and second electrode lines 210 and 220, and the dielectric constant of the adhesive layer 23.
  • FIG. 6B shows a modified example of the configuration of the detection unit 20s.
  • the first electrode line 210D (210Dx i , 210Dx i + 1 , 210Dx i + 2 ) and the second electrode line 220D (220Dy i , 220Dy i). +1 , 220Dy i + 2 ) are arranged in the same plane on the first base material 211D and capacitively coupled in the XY plane.
  • the first base material 211D constitutes a dielectric layer of the detection unit 20Ds (20Ds i , 20Ds i + 1 , 20Ds i + 2 ).
  • the detection unit 20Ds i, 20Ds i + 1, 20Ds i + 2 of the capacitance Ca i, Ca i + 1, Ca i + 2 and the metal film 12 and the conductor layer 50 and each second It is variably configured according to capacitive coupling with the first and second electrode lines 210Dx and 220Dy. Further, in the above configuration, the second base material 221 and the adhesive layer 23 are not necessary, and the input device 100 can be reduced in thickness.
  • each of the plurality of detection units 20s may be arranged to face the first structure 310 or a group formed by the first structure 310 in the Z-axis direction.
  • the second structure body 410 or a group formed by the second structure body 410 may be disposed to face the Z-axis direction.
  • the first wiring board 21 is stacked so as to be an upper layer than the second wiring board 22.
  • the present invention is not limited to this, and the second wiring board 22 is formed from the first wiring board 21. May be laminated so as to be an upper layer.
  • the controller 60 is electrically connected to the electrode substrate 20. More specifically, the control unit 60 is connected to each of the plurality of first and second electrode wires 210 and 220 via terminals.
  • the control unit 60 configures a signal processing circuit capable of generating information (signal) related to an input operation on the first surface 110 based on the outputs of the plurality of detection units 20s.
  • the control unit 60 acquires the capacitance change amount of each detection unit 20s while scanning each of the plurality of detection units 20s at a predetermined period, and generates information (signal) related to the input operation based on the capacitance change amount.
  • the control unit 60 is typically composed of a computer having a CPU / MPU, a memory, and the like.
  • the control unit 60 may be composed of a single chip component or a plurality of circuit components.
  • the control unit 60 may be mounted on the input device 100 or may be mounted on the electronic device 70 in which the input device 100 is incorporated. In the former case, for example, it is mounted on a flexible wiring board connected to the electrode substrate 20. In the latter case, the electronic device 70 may be integrated with the controller 710.
  • the control unit 60 includes the calculation unit 61 and the signal generation unit 62 as described above, and executes various functions according to a program stored in a storage unit (not shown).
  • the computing unit 61 determines the operation position in the XY coordinate system on the first surface 110 based on electrical signals (input signals) output from the first and second electrode lines 210 and 220 of the electrode substrate 20.
  • the signal generation unit 62 calculates and generates an operation signal based on the result. Thereby, an image based on an input operation on the first surface 110 can be displayed on the flexible display 11.
  • the calculation unit 61 detects each detection unit 20 s formed in the intersection region of each X electrode 210 and Y electrode 220 based on the amount of change in capacitance obtained from each X electrode 210 and Y electrode 220. The amount of change in capacitance at is calculated.
  • the XY coordinates of the operation position by the operator can be calculated based on the ratio of the change amount of the capacitance of each detection unit 20s.
  • the calculation unit 61 can determine whether or not the first surface 110 is being operated. Specifically, for example, when the amount of change in the capacitance of the entire detection unit 20s or the amount of change in the capacitance of each detection unit 20s is equal to or greater than a predetermined threshold, the first surface 110 receives an operation. Can be determined. Further, by providing two or more threshold values, for example, it is possible to distinguish and determine a touch operation and a (conscious) push operation. Furthermore, it is also possible to calculate the pressing force based on the amount of change in capacitance of the detection unit 20s.
  • the calculation unit 61 can output these calculation results to the signal generation unit 62.
  • the signal generation unit 62 generates a predetermined operation signal based on the calculation result of the calculation unit 61.
  • the operation signal is, for example, an image control signal for generating a display image to be output to the flexible display 11, an operation signal corresponding to a key of a keyboard image displayed at an operation position on the flexible display 11, or a GUI (Graphical User An operation signal related to an operation corresponding to (Interface) may be used.
  • the input device 100 is configured to cause a change in the distance between the metal film 12 and the conductor layer 50 and the electrode substrate 20 (the detection unit 20s) by an operation on the first surface 110.
  • Two supports 30, 40 are provided. Hereinafter, the first and second supports 30 and 40 will be described.
  • the first support 30 is disposed between the operation member 10 and the electrode substrate 20.
  • the first support 30 has a plurality of first structures 310, a first frame 320, and a first space 330.
  • the 1st support body 30 is joined on the electrode substrate 20 via the contact bonding layer 35 (refer FIG. 3).
  • the adhesive layer 35 may be an adhesive or may be composed of an adhesive material such as an adhesive tape.
  • the first support 30 is formed at a predetermined position on the base material 31, the structural layer 32 provided on the surface (upper surface) of the base material 31, and the structural layer 32.
  • a stacked structure of a plurality of bonded portions 341 is provided.
  • the base material 31 is made of an electrically insulating plastic sheet such as PET, PEN, or PC.
  • the thickness of the base material 31 is not particularly limited, and is, for example, several ⁇ m to several 100 ⁇ m.
  • the structural layer 32 is made of an electrically insulating resin material such as UV resin, and forms a plurality of first convex portions 321, second convex portions 322, and concave portions 323 on the base material 31.
  • Each of the first convex portions 321 has, for example, a columnar shape, a prismatic shape, a frustum shape, or the like protruding in the Z-axis direction, and is arranged on the substrate 31 at a predetermined interval.
  • the second convex portion 322 is formed with a predetermined width so as to surround the periphery of the base material 31.
  • the structural layer 32 is made of a material having a relatively high rigidity so that the electrode substrate 20 can be deformed by an input operation on the first surface 110, but the operation member 10 is at the time of the input operation. Further, it may be made of a deformable elastic material. That is, the elastic modulus of the structural layer 32 is not particularly limited, and can be appropriately selected as long as the desired operational feeling and detection sensitivity can be obtained.
  • the concave portion 323 is configured by a flat surface formed between the first and second convex portions 321 and 322. That is, the space area on the recess 323 constitutes the first space 330. Further, an adhesion preventing layer made of a UV resin having low adhesiveness may be formed on the recess 323 (not shown in FIG. 3). The shape of the adhesion preventing layer is not particularly limited, and may be formed in an island shape, or may be formed as a flat film on the recess 323.
  • each of the first structures 310 includes a stacked body of the first convex portion 321 and the joint portion 341 formed thereon, and each of the first frame bodies 320 includes the second convex portion 322. And a joined body 341 formed thereon.
  • the thickness (height) of the first structure 310 and the first frame 320 is configured to be substantially the same, and is, for example, several ⁇ m to several hundred ⁇ m in the present embodiment.
  • the height of the adhesion preventing layer is not particularly limited as long as it is lower than the height of the first structure 310 and the first frame 320, and is lower than, for example, the first and second convex portions 321 and 322. Formed as follows.
  • the plurality of first structures 310 are arranged, for example, corresponding to the arrangement of each of the detection units 20s or unit detection areas described later.
  • the plurality of first structures 310 are arranged, for example, facing the plurality of detection units 20s or unit detection regions described later in the Z-axis direction.
  • the first frame 320 is formed along the periphery of the electrode substrate 20 so as to surround the first support 30.
  • the length in the short direction, that is, the width of the first frame 320 is not particularly limited as long as the strength of the entire first support 30 and the input device 100 can be sufficiently secured.
  • the second support body 40 is disposed between the electrode substrate 20 and the conductor layer 50.
  • the second support 40 includes a plurality of second structures 410, a second frame 420, and a second space 430.
  • the second support 40 includes a second structure 410 and a second frame 420 that are directly formed on the conductor layer 50.
  • the second structure body 410 and the second frame body 420 are made of, for example, an insulative resin material having adhesiveness, and also serve as a joint that joins between the conductor layer 50 and the electrode substrate 20.
  • the thicknesses of the second structural body 410 and the second frame body 420 are not particularly limited, and are, for example, several ⁇ m to several hundred ⁇ m. Note that the thickness of the second structure body 410 is preferably smaller than the thickness of the first structure body 310. This is because the electrode substrate 20 is deformed until it bottoms on the conductor layer 50 as shown in FIG.
  • the second structures 410 are arranged corresponding to the arrangement of the detection units 20s, for example, arranged between adjacent detection units 20s.
  • the second structure 410 may be disposed between the adjacent first structures 310, respectively.
  • the second frame 420 is formed so as to surround the periphery of the second support 40 along the periphery of the conductor layer 50.
  • the width of the second frame body 420 is not particularly limited as long as the strength of the second support body 40 and the input device 100 as a whole can be sufficiently ensured.
  • the width of the second frame body 420 is configured to be substantially the same as that of the first frame body 320.
  • the elastic modulus of the second structural body 410 is not particularly limited as in the structural layer 32 constituting the first structural body 310. That is, it can be appropriately selected within a range in which a desired operation feeling and detection sensitivity can be obtained, and may be made of an elastic material that can be deformed together with the electrode substrate 20 during an input operation.
  • the second space 430 is formed between the second structures 410 and constitutes a space region around the second structures 410 and the second frame 420.
  • the second space 430 accommodates each detection unit 20s and at least a part of the first structure 310.
  • the first and second supports 30 and 40 configured as described above are formed as follows.
  • (Method for forming first and second supports) 7A, 7 ⁇ / b> B, and 7 ⁇ / b> C are schematic cross-sectional views illustrating an example of a method for forming the first support 30.
  • a UV resin is arranged on the base material 31a, and a predetermined pattern is formed on the resin.
  • a structural layer 32a having a plurality of first and second convex portions 321a and 322a and a concave portion 323a is formed.
  • the UV resin a solid sheet material or a liquid UV curable material may be used. Further, the pattern forming method is not particularly limited.
  • the concave / convex pattern of the mold is transferred to the UV resin by a roll-shaped mold on which a predetermined concave / convex pattern is formed, and UV irradiation is performed from the substrate 31a side.
  • a method of curing the UV resin by performing the above can be applied.
  • it may be formed by general thermoforming (for example, press molding or injection molding) or by discharging a resin material with a dispenser or the like.
  • a UV resin having low adhesiveness is applied in a predetermined pattern to the recess 323a by, for example, a screen printing method to form an adhesion preventing layer 342a.
  • an adhesion preventing layer 342a may not be formed when the resin material forming the structural layer 32a has low adhesion.
  • a bonding portion 341a made of UV resin having high adhesiveness is formed on the convex portion 321a by, for example, a screen printing method.
  • the first support 30 and the metal film 12 are bonded by the bonding portion 341a.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for forming the second support 40.
  • UV resin or the like having high adhesion is applied in a predetermined pattern directly on the conductor layer 50b by, for example, screen printing to form the second structure 410b and the second frame 420b.
  • the number of processes can be greatly reduced and productivity can be increased.
  • first support 30 may be formed by the method shown in FIG. 8, or the second support 40 may be formed by the method shown in FIG. Further, the first and second supports 30 and 40 can also be formed by the method shown in FIG. 9 below.
  • FIG. 9A and FIG. 9B are schematic cross-sectional views showing a modification of the method for forming the first and second supports 30 and 40.
  • description will be made with reference numerals corresponding to the first support 30.
  • UV resin or the like is applied in a predetermined pattern on the base material 31C or the like, for example, by a screen printing method to form the first convex portion 311c and the second convex portion 312c.
  • a joining portion 341c made of UV resin having high adhesiveness is formed on the first convex portion 311c and the second convex portion 312c, for example, by a screen printing method.
  • the first structure 310 (second structure 410) configured by the first convex portion 311c and the joint portion 341c, and the first structure configured by the second convex portion 312c and the joint portion 341c.
  • the frame body 320 (or the second frame body 420) can be formed.
  • FIG. 10A is a schematic diagram illustrating an arrangement example of the first and second electrode lines 210 and 220.
  • the first electrode line 210 is a Y electrode extending in the Y-axis direction and provided in a stripe shape.
  • the second electrode line 220 is an X electrode extending in the X-axis direction and provided in a stripe shape.
  • the first electrode line 210 and the second electrode line 220 are arranged so as to be orthogonal to each other.
  • FIG. 10B is a schematic diagram illustrating a configuration example of the first and second electrode wires 210 and 220.
  • the 1st electrode line 210 may be constituted by electrode group 21w which consists of a group of a plurality of 1st electrode elements 21z.
  • the first electrode element 21z is, for example, a linear conductive member (sub-electrode) that extends in the Y-axis direction.
  • the 2nd electrode line 220 may be constituted by electrode group 22w which consists of a group of a plurality of 2nd electrode elements 22z.
  • the second electrode element 22z is, for example, a linear conductive member (sub-electrode) that extends in the X-axis direction.
  • FIG. 10C is a schematic diagram for explaining the unit detection region 20r.
  • a plurality of unit detection regions 20r are provided corresponding to the intersections of the first and second electrode lines 210 and 220.
  • the plurality of unit detection areas 20r are, for example, two-dimensionally filled and arranged in the X-axis direction (first direction) and the Y-axis direction (second direction).
  • the unit detection region 20r has, for example, a square shape or a rectangular shape including a set of sides extending in the X axis direction and a set of sides extending in the Y axis direction.
  • the filling arrangement of the plurality of unit detection regions 20r is a lattice-like (matrix-like) filling arrangement.
  • the plurality of second structures 410 are arranged, for example, between the adjacent unit detection regions 20r. That is, the plurality of second structures 410 are arranged on the outer periphery (periphery) of the unit detection region 20r, for example. Further, the plurality of second structures 410 are arranged symmetrically with respect to the center of the unit detection region 20r, for example.
  • the arrangement position of the second structure 410 is preferably the midpoint of each side forming the unit detection area 20r and each top (corner) of the unit detection area 20r.
  • FIG. 10C shows an example in which the second structure 410 is arranged at each apex (corner) of the unit detection region 20r.
  • the unit detection area 20r includes two or more first structures 310.
  • “the first structure 310 is included” means not only the case where the entire first structure 310 is included, but also the case where a part of the first structure 310 is included. To do.
  • the outer periphery of the first structure 310 disposed on the outer periphery is the boundary.
  • a part of one first structure 310 existing inside the unit detection region 20r of interest is counted as the number of first structures 310 (for example, 1/2, 1/4, etc.). It is defined as Note that “including the first structure 310” is also used in the same meaning as described above.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing the state of the force applied to the first and second structures 310 and 410 when the point P on the first surface 110 is pressed downward in the Z-axis direction by the operating element h.
  • FIG. The white arrow in the figure schematically shows the magnitude of the force downward in the Z-axis direction (hereinafter simply referred to as “downward”).
  • FIG. 11 aspects such as bending of the metal film 12 and the electrode substrate 20 and elastic deformation of the first and second structures 310 and 410 are not shown.
  • these input operations will be collectively described as “pressing”.
  • the metal film 12 immediately below the point P bends downward.
  • the first structure 310 i + 1 disposed in the unit detection region 20r receives the force F1, elastically deforms in the Z-axis direction, and the thickness is slightly reduced.
  • the bending of the metal film 12, the first structure 310 adjacent to the first structure 310 i + 1 i, 310 i + 2 is also subjected to F1 less force F2. Further, force is applied to the electrode substrate 20 by the forces F1 and F2, and the detection unit 20s i + 1 immediately below the first structure 310 i + 1 is displaced downward.
  • the detection unit 20s i + 1 and the conductor layer 50 are close to or in contact with each other.
  • the second structure 410 i disposed between the first structures 310 i and 310 i + 1 and the second structure 410 i disposed between the first structures 310 i + 1 and 310 i + 2 are arranged.
  • Each of the second structures 410 i + 1 also receives a force F3 smaller than F1, elastically deforms in the Z-axis direction, and slightly decreases in thickness.
  • Each second structure 410 i + 2 adjacent to 410 i + 1 receives F4 smaller than F3.
  • force can be transmitted in the thickness direction by the first and second structures 310 and 410, and the electrode substrate 20 can be easily deformed. Further, the metal film 12 and the electrode substrate 20 are bent, and the influence of the pressing force is exerted in the in-plane direction (direction parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction). A force can also be exerted on the nearby first and second structures 310, 410.
  • the metal film 12 and the electrode substrate 20 can be easily deformed by the first and second space portions 330 and 430. Furthermore, the first and second structures 310 and 410 configured by pillars and the like can apply a high pressure to the electrode substrate 20 with respect to the pressing force of the operation element h, and the electrode substrate 20 can be flexed efficiently. I can do it.
  • the first structure 310 is interposed via the second space 430 below the first structure 310 and 410.
  • the electrode substrate 20 can be easily bent toward the conductor layer 50.
  • FIGS. 12 and 13 are schematic cross-sectional views showing the main part of the input device 100 when the first surface 110 is operated by the operation element h, and the capacitance change amount of each detection unit 20s at that time. It is a figure which shows an example.
  • the bar graph shown along the X-axis in FIGS. 12 and 13 schematically shows the amount of change from the reference value of the capacitance in each detection unit 20s.
  • FIG. 12 shows an aspect when the operator h presses a position corresponding to the center of the unit detection region 20r
  • FIG. 13 corresponds to the middle between the unit detection region 20r and the adjacent unit detection region 20r. The aspect at the time of pressing a position is shown.
  • the first structure 310 i + 1 arranged in the unit detection region 20r immediately below the operation position receives the most force, and the first structure 310 i + 1 itself is elastically deformed and Displace to Due to the displacement, the detection unit 20s i + 1 immediately below the first structure 310 i + 1 is displaced downward. Thereby, the detection unit 20s i + 1 and the conductor layer 50 come close to or in contact with each other through the second space portion 430 i + 1 . That is, the detection unit 20s i + 1 obtains the change amount C i + 1 of the capacitance by changing the distance to the metal film 12 slightly and changing the distance to the conductor layer 50 greatly.
  • the first structures 310 i and 310 i + 2 are also slightly displaced downward due to the influence of the bending of the metal film 12, and the amount of change in capacitance in the detection units 20s i and 20s i + 2 is as follows. , C i and C i +2 , respectively.
  • C i + 1 is the largest, and C i and C i + 2 are substantially the same and smaller than C i + 1 . That is, as shown in FIG. 12, the capacitance variations C i , C i + 1 , and C i + 2 indicate a mountain-shaped distribution with C i + 1 at the apex.
  • the calculation unit 61 can calculate the center of gravity or the like based on the ratio of C i , C i + 1 , and C i + 2 , and can calculate the XY coordinates on the detection unit 20s i + 1 as the operation position. .
  • the first structures 310 i + 1 and 310 i + 2 near the operation position are slightly elastically deformed and displaced downward due to the bending of the metal film 12.
  • the detection unit 20s i + 1, 20s i + 2 of the first structure 310 i + 1, 310 i + 2 immediately below is displaced downward.
  • the detection units 20s i + 1 and 20s i + 2 and the conductor layer 50 come close to or in contact with each other through the second space portions 430 i + 1 and 430 i + 2 .
  • each of the detection units 20s i + 1 and 20s i + 2 has a slight change in the distance from the metal film 12 and a relatively large change in the distance from the conductor layer 50.
  • C i + 1 and C i + 2 are obtained.
  • C i + 1 and C i + 2 are substantially the same.
  • the calculating part 61 can calculate the XY coordinate between detection part 20s i + 1 and 20s i + 2 as an operation position.
  • the capacitance of the detection unit 20s since both the thickness of the detection unit 20s and the metal film 12, and the detection unit 20s and the conductor layer 50 are variable depending on the pressing force, the capacitance of the detection unit 20s The amount of change can be made larger. As a result, it is possible to increase the detection sensitivity of the input operation.
  • a finger and a stylus are often used as an operator.
  • operation pressure a pressure against the pressing force
  • the stylus has a small contact area.
  • the amount of capacitive coupling with a sensor element is small and the detection sensitivity is low. According to the present embodiment, an input operation can be detected with high accuracy even when any of these operators is used.
  • FIGS. 14 and 15 are schematic cross-sectional views showing the main part of the input device 100 when the first surface 110 is operated by a stylus or a finger, and the capacitance change amount of each detection unit 20s at that time. It is a figure which shows an example. 14 shows a case where the operation element is a stylus s, and FIG. 15 shows a case where the operation element is a finger f. Further, the bar graphs shown along the X-axis in FIGS. 14 and 15 schematically show the amount of change from the reference value of the capacitance in each detection unit 20s, as in FIGS.
  • the stylus s deforms the metal film 12 and exerts a pressing force on the first structure 310 i + 1 immediately below the operation position.
  • the stylus s since the stylus s has a small contact area, a large operating pressure can be exerted on the metal film 12 and the first structure 310 i + 1 .
  • the metal film 12 can be greatly deformed, and as a result, a large capacitance change can be caused as indicated by the capacitance change amount C i + 1 of the detection unit 20s i + 1. It becomes possible.
  • the capacitance changes C i , C i + 1 , C i + 2 of the detection units 20s i , 20s i + 1 , 20s i + 2 are distributed in a mountain shape with C i + 1 as the vertex. It becomes.
  • the input device 100 can detect the amount of change in capacitance based on the in-plane distribution of the operating pressure. This is because the input device 100 does not detect the amount of change in capacitance due to direct capacitive coupling with the operation element, but the amount of change in capacitance via the deformable metal film 12 and the electrode substrate 20. By detecting. Therefore, even with an operator such as the stylus s having a small contact area, the operation position and the pressing force can be detected with high accuracy.
  • the input device 100 includes two or more first structures 310 in the unit detection region 20r.
  • first structures 310 are included in the unit detection region 20r.
  • the first structure 310 is arranged on the outer periphery (periphery) of the unit detection region 20r, one first existing in the unit detection region 20r to be noted with the outer periphery as a boundary. It is defined that a part of one structure 310 is counted as the number of first structures 310. Specifically, for example, when the first structures 310 are arranged so as to be divided into two on the side constituting the unit detection region 20r, the number of the first structures 310 is “ 1/2 ". Further, when the first structures 310 are arranged at the top (corner) of the square or rectangular unit detection region 20r, the number of the first structures 310 is “1/4”. Define.
  • the capacitance change amounts C i and C i + 1 are obtained.
  • the capacitance change amount C i + 2 further increases while decreasing further.
  • the capacity change amount C i + 2 is maximized, the capacity change amount C i is the smallest among C i , C i + 1, and C i + 2 , and the capacity change amount C i + 1 is the capacity change thereof. It is an intermediate value between the quantities C i and C i +2 .
  • FIG. 19A is a diagram illustrating an ideal capacity change rate distribution.
  • C i and C i + 1 indicate the center positions of the unit detection areas 20r i and 20r i + 1 (detectors 20s i and 20s i + 1 ), respectively.
  • L i, L i + 1, respectively, the unit detection area 20r with respect to the X-axis direction i, 20r i + 1 (detector 20s i, 20s i + 1) represents the rate of change in capacitance distribution.
  • the capacity change rate of the detector 20s i is that the decreases monotonously as indicated by the arrow a i
  • the capacity change rate of the detector 20s i + 1 is monotonically as indicated by an arrow a i + 1 Ideally it should show an increasing trend.
  • the capacity change rate distribution is not the ideal distribution shown in FIG. 19A, but the distribution shown in FIG. 19B. It becomes like this. That is, the unit detection area 20r i, 20r i + 1 of the center position C i, the peak of the rate of change of capacity distribution C i + 1 rather than appear one its center position C i, a C i + 1 as the center The peak appears split in two. The regions R i and R i + 1 between the two peaks split in this way cause a shift in coordinate calculation.
  • FIG. 20A when the position P1 corresponding to the center of the unit detection region 20ri + 1 in the first surface 110 is pressed by the operator h, the metal film 12 and the electrode substrate 20 have substantially the same shape. Transforms into Thereby, even after pressing, the distance between the metal film 12 and the electrode substrate 20 is kept substantially constant.
  • FIG. 20B when the position P2 in the vicinity of the unit detection areas 20ri + 1 , 20ri + 2 in the first surface 110 is pressed by the operating element h, the vicinity of the pressing position P2 Only the metal film 12 is greatly deformed.
  • a plurality of first structures 310 are arranged in the unit detection region 20r in order to avoid the occurrence of the two split peaks described above.
  • the reason why the accuracy of coordinate calculation can be improved by arranging the plurality of first structures 310 in the unit detection region 20r will be described.
  • FIG. 21A when the position P1 corresponding to the center of the unit detection region 20ri + 1 in the first surface 110 is pressed by the operator h, the metal film 12 and the electrode substrate 20 have substantially the same shape. Transforms into Thereby, even after pressing, the distance between the metal film 12 and the electrode substrate 20 is kept substantially constant.
  • FIG. 21A when the position P1 corresponding to the center of the unit detection region 20ri + 1 in the first surface 110 is pressed by the operator h, the metal film 12 and the electrode substrate 20 have substantially the same shape. Transforms into Thereby, even after pressing, the distance between the metal film 12 and the electrode substrate 20 is kept substantially constant.
  • FIG. 21A when the position P1 corresponding to the center of the unit detection region 20ri + 1 in the first surface 110 is pressed by the operator h, the metal film 12 and the electrode substrate 20 have substantially the same shape.
  • FIG. 22A and 22B are schematic diagrams showing examples of arrangement of the first and second structures 310 and 410, the first electrode line (Y electrode) 210, and the second electrode line (X electrode) 220.
  • FIG. It is a top view.
  • FIG. 22 shows an example in which each X electrode 210 and each Y electrode 220 have electrode groups 21w and 22w, respectively.
  • Each detection unit 20s is formed at the intersection of the X electrode 210 and the Y electrode 220 as described above. Note that a black circle in FIG. 22 indicates the first structure 310, and a white circle indicates the second structure 410.
  • a unit detection region (unit sensor region) 20r is provided corresponding to the intersection of the X electrode 210 and the Y electrode 220.
  • a detection unit 20s is provided in the unit detection region 20r.
  • a plurality of second structures 410 are arranged on the outer periphery of the unit detection region 20r.
  • the unit detection region 20r is a region obtained by equally dividing the main surface of the input device 100 so as to correspond to the intersection of the X electrode 210 and the Y electrode 220.
  • the unit detection area 20r is defined as (A) or (B) below.
  • the second structure 410 defines a unit This is the position of each side (for example, the midpoint of each side) and / or the top (corner) of the detection region 20r.
  • Examples of the positional relationship between the outer periphery Cr of the unit detection region 20r, the outer periphery Cs of the detection unit (intersection) 20s, and the arrangement position of the first structure 310 included in the unit detection region 20r include, for example, the following positions: The relations (a) and (b) are mentioned, and the positional relation (b) is preferable from the viewpoint of improving characteristics such as the capacity change rate.
  • these positional relationships mean positional relationships when the input device 100 is viewed from the Z-axis direction (that is, the direction perpendicular to the first surface 110).
  • the outer periphery Cs of the detection unit 20s is inside the outer periphery Cr of the unit detection region 20r, and the first structure 310 is arranged inside the outer periphery Cs of the detection unit 20s (see FIG. 22A).
  • the outer periphery Cs of the detection unit 20s is inside the outer periphery Cr of the unit detection region 20r, and the first structure 310 is disposed between the outer periphery Cs of the detection unit 20s and the outer periphery Cr of the unit detection region 20r. (See FIG. 22B).
  • first structures 310 are included in the unit detection area 20r. Thereby, the precision of the coordinate calculation of the input device 100 can be improved. In addition, the weighted sensitivity of the input device 100 can be improved.
  • the first and second structures 310 and 410 are symmetrical with respect to the center of the unit detection region 20r (the lines pass through the center of the unit detection region 20r and are parallel to the two arrangement directions of the unit detection regions 20r, respectively). It is preferable to arrange them symmetrically.
  • the plurality of first structures 310, the plurality of second structures 410, the plurality of first electrode elements 21z, the plurality of first electrodes in the unit detection region 20r in the detection unit 20s near the outermost periphery or the outermost periphery.
  • the configuration of the two electrode elements 22z and the like may be asymmetric with respect to the center of the unit detection region 20r.
  • first and second electrode lines 210 and 220 are arranged symmetrically with respect to the center lines (that is, the X axis and the Y axis) will be described.
  • the line segments shown in FIGS. 23A to 25B, 26, 58, and 58A to 59B indicate the center lines of the X electrode 210 and the Y electrode 220.
  • FIG. 23A is a plan view showing a first example of a symmetrical arrangement.
  • the first example is an example of a symmetrical arrangement including a total of two first structures 310 in the unit detection region 20r and a total of one second structure 410 in the unit detection region 20r. is there.
  • the second structure 410 is arranged at the position of each vertex (each lattice point) of the rectangular unit lattice Uc composed of the side length Lx in the X-axis direction and the side length Ly in the Y-axis direction. Yes. That is, the second structures 410 are arranged with an arrangement pitch (cycle) having a length Lx in the X-axis direction and arranged with an arrangement pitch (cycle) having a length Ly in the Y-axis direction.
  • the unit cell Uc is virtually set to describe the arrangement of the first structure 310 and the second structure 410.
  • the area of the unit grid Uc matches the unit detection area 20r. Further, the center position of the unit detection region 20 r matches the center position of the intersection of the X electrode 210 and the Y electrode 220.
  • the unit cell Uc is not limited to this example.
  • the unit cell Uc is a square lattice, an orthorhombic lattice, a rhombus lattice, a rectangular lattice, isosceles.
  • a triangular lattice, a rectangular lattice, a hexagonal lattice, or a regular triangular lattice may be used.
  • the first structure 310 is arranged at the midpoint of each side of the unit cell Uc.
  • the distance (arrangement pitch) between the first structures 310 in the diagonal direction of the unit cell Uc is (1/2) ⁇ ⁇ (Lx 2 + Ly 2 ).
  • ⁇ (Lx 2 + Ly 2 ) means the square root of (Lx 2 + Ly 2 ).
  • FIG. 23B is a plan view showing a second example of a symmetrical arrangement.
  • the second example is an example of a symmetrical arrangement including a total of three first structures 310 in the unit detection region 20r and a total of one second structure 410 in the unit detection region 20r. is there.
  • the second example is different from the first example in that one first structure 310 is further arranged at the center of the unit cell Uc.
  • the structure 310 is included.
  • FIG. 24A is a plan view showing a third example of a symmetrical arrangement.
  • the third example is an example of a symmetrical arrangement including a total of four first structures 310 in the unit detection region 20r and a total of one second structure 410 in the unit detection region 20r. is there. Since the arrangement of the second structures 410 is the same as that of the first example of the above-described symmetrical arrangement, the description thereof is omitted.
  • One first structure 310 is arranged at a position between the center position of the unit cell Uc and each vertex.
  • the position between the center position of the unit cell Uc and each vertex is, for example, the midpoint between the center position of the unit cell Uc and each vertex.
  • the distance (arrangement pitch) between the first structures 310 in the X-axis direction is Lx / 2
  • the distance (arrangement pitch) between the first structures 310 in the Y-axis direction is Ly / 2.
  • FIG. 24B is a plan view showing a fourth example of a symmetrical arrangement.
  • the fourth example is an example of a symmetrical arrangement including a total of four first structures 310 in the unit detection region 20r and a total of one second structure 410 in the unit detection region 20r. is there.
  • the fourth example is different from the second example in that the first structures 310 are further arranged at the positions of the respective vertices (each lattice point) of the unit lattice Uc.
  • FIG. 25A is a plan view showing a fifth example of a symmetrical arrangement.
  • the fifth example is an example of a symmetrical arrangement including a total of four first structures 310 in the unit detection region 20r and a total of one second structure 410 in the unit detection region 20r. is there. Since the arrangement of the second structures 410 is the same as that of the first example of the above-described symmetrical arrangement, the description thereof is omitted.
  • One first structure 310 is arranged at a position between the center position of the unit cell Uc and the midpoint of each side.
  • the position between the center position of the unit grid Uc and the midpoint of each side is, for example, the midpoint between the center position of the unit grid Uc and the midpoint of each side.
  • the distance (arrangement pitch) between the first structures 310 in the X-axis direction is Lx / 2
  • the distance (arrangement pitch) between the first structures 310 in the Y-axis direction is Ly / 2.
  • FIG. 25B is a plan view showing a sixth example of a symmetrical arrangement.
  • the sixth example is an example of a symmetrical arrangement including a total of five first structures 310 in the unit detection region 20r and a single second structure 410 in the unit detection region 20r. is there.
  • the sixth example is different from the third example in that one first structure 310 is further arranged at the center of the unit cell Uc.
  • FIG. 58A is a plan view showing a seventh example of a symmetrical arrangement.
  • the seventh example is an example of a symmetrical arrangement including a total of six first structures 310 in the unit detection region 20r and a single second structure 410 in the unit detection region 20r. is there.
  • the seventh example is different from the third example in that the first structure 310 is further arranged at the midpoint of each side of the unit cell Uc.
  • the seventh arrangement example is particularly effective for suppressing local deformation when a very soft flexible display 11 is used.
  • FIG. 58B is a plan view showing an eighth example of a symmetrical arrangement.
  • the eighth example is an example of a symmetrical arrangement including a total of seven first structures 310 in the unit detection region 20r and a single second structure 410 in the unit detection region 20r. is there.
  • the seventh example is different from the sixth example in that the first structure 310 is further arranged at the midpoint of each side of the unit cell Uc.
  • the seventh arrangement example is particularly effective for suppressing local deformation when a very soft flexible display 11 is used.
  • FIG. 26 is a plan view showing a ninth example of a symmetrical arrangement.
  • the ninth example is an example of a symmetrical arrangement including a total of one first structure 310 in the unit detection region 20r and a total of one second structure 410 in the unit detection region 20r. is there.
  • one unit of the first structure 310 may be included in the unit detection region 20r in total.
  • the first structures 310 are arranged at the center of the unit cell Uc.
  • the metal film 12 and the conductor layer 50 with respect to the pressing force are obtained so that the intended operational feeling and detection sensitivity can be obtained.
  • the amount of change in the distance to the detection unit 20s can be adjusted.
  • the deformation of the operation member 10 is reduced by about the square of the distance between the adjacent first structures 310. If the four first structures 310 are arranged in the unit detection region 20r, the deformation of the operation member 10 is about 1/4.
  • FIG. 59A is a plan view showing a tenth example of a symmetrical arrangement.
  • the unit detection region 20r has a rectangular shape in which the side length Lx in the X-axis direction is different from the side length Ly in the Y-axis direction.
  • the line symmetry with respect to the center line of the first electrode line 210 and the center line of the second electrode line 220 The line symmetry with respect to may be different.
  • a total of six first structures 310 and a total of one second structure 410 are arranged in the unit detection region 20r.
  • FIG. 59B is a plan view showing an eleventh example of the symmetrical arrangement.
  • the eleventh example is that eight first structures 310 in total in the unit detection area 20r and one second structure 410 in total in the unit detection area 20r are arranged. This is different from the ninth example.
  • the metal film 12 and the conductor layer 50 can be deformed by a minute pressing force of about several tens of grams during operation.
  • FIG. 28 is a plan view showing a first arrangement example of the second structures 410.
  • the second structures 410 are arranged at the positions of the vertices of the square unit cell (square lattice) Uc.
  • FIG. 29A, FIG. 29B, and FIG. 29C are enlarged perspective views showing the vicinity of the region R A , the region R B , and the region R C shown in FIG.
  • the region R A , the region R B , and the region R C have different sensitivities, and the region R A and the region R B have good sensitivity, whereas the region R c is compared with the regions R A and R B Therefore, the sensitivity tends to decrease.
  • FIG. 30A is a plan view showing a second arrangement example of the second structures 410.
  • the second structure 410 is arranged at the midpoint position of each side of the square unit cell (square lattice) Uc.
  • FIG. 30B is a plan view showing a third arrangement example of the second structures 410.
  • the second structure 410 includes the position of each vertex of the square unit lattice (square lattice) Uc and the position of the midpoint of each side of the square unit lattice (square lattice) Uc. And is arranged.
  • the detection sensitivity of the detection unit 20s tends to decrease. Therefore, from the viewpoint of reducing the influence on the coordinate calculation, it is preferable to dispose the second structure 410 in the direction between the X axis direction and the Y axis direction when viewed from the center of the unit cell Uc. Specifically, it is preferable to arrange the second structure 410 in the diagonal direction of the unit cell Uc when viewed from the center of the unit cell Uc. That is, when the unit lattice Uc is a square lattice, it is preferable to dispose the second structure 410 in directions of approximately 45 °, approximately 135 °, approximately 215 °, and approximately 305 ° with respect to the X-axis direction.
  • the relationship between the detection sensitivities of the detection units 20s in the arrangement examples is as follows. (Detection sensitivity of first arrangement example)> (Detection sensitivity of second arrangement example)> (Detection sensitivity of third arrangement example)
  • the load sensitivity can be improved by including two or more first structures 310 in the unit detection region 20r.
  • FIG. 31A shows an example of the input device 100 including one first structure 310 in the unit detection region 20r.
  • the position P1 corresponding to the center of the unit detection region 20ri + 1 in the first surface 110 is pressed by the operating element h, as shown in FIG. Only the electrode substrate 20 directly under the structure 310 is locally deformed toward the conductor layer 50.
  • FIG. 31B shows an example of the input device 100 including two or more first structures 310 in the unit detection region 20r.
  • the input device 100 shown in this example when the position P2 corresponding to the center of the unit detection region 20ri + 1 is pressed on the first surface 110 by the operator h, As shown, the electrode substrate 20 in a wide range surrounded by the first structure 310 near the center of the unit detection region 20ri + 1 is deformed toward the conductor layer 50. As a result, the amount of change in capacity when the position P2 corresponding to the center of the unit detection region 20ri + 1 is pressed by the operation element h increases.
  • FIG. 32A is a schematic cross-sectional view showing a first arrangement example.
  • FIG. 26 corresponds to a plan view of the first arrangement example.
  • an example of the input device 100 in which one first structure 310 is arranged in the unit detection region 20r is shown.
  • the metal film 12 and the electrode substrate 20 have portions corresponding to the pressed positions below (the conductor layer 50).
  • the conductor layer 50 the conductor layer 50.
  • FIG. 32B is a schematic cross-sectional view showing a second arrangement example.
  • FIG. 25B corresponds to a plan view of the second arrangement example.
  • an example of the input device 100 in which five first structures 310 are arranged in the unit detection region 20r is shown.
  • the electrode substrate 20 is deformed in a wider range than the input device 100 shown in the first example. be able to.
  • a load is applied to the central first structural body 310. If many are added and the first structure 310 at the center comes into contact with the conductor layer 50, the deformation of the electrode substrate 20 stops and the range of deformation becomes narrow.
  • FIG. 32C is a schematic cross-sectional view illustrating a third arrangement example.
  • FIG. 24A corresponds to a plan view of the third arrangement example.
  • FIG. 24A corresponds to a plan view of the third arrangement example.
  • FIG. 24A an example of the input device 100 in which the four first structures 310 are arranged in the unit detection region 20r is illustrated.
  • the electrode substrate 20 is deformed in a wider range than the input device 100 shown in the first example. be able to.
  • a load can be disperse
  • the metal film 12 continues to be deformed even after the deformation of the electrode substrate 20 is saturated.
  • a plurality of first structures 310 are arranged in the unit detection area 20r as in the third arrangement example, and the unit detection is performed. It is preferable that the arrangement is made by shifting from the center of the region 20r.
  • FIG. 34 is a plan view for explaining the distances Dx and Dy between the adjacent first structures 310.
  • 33A to 33C and FIG. 34 four first structures 310 are arranged in one unit detection region 20r, and the distance between the first structures 310 adjacent in the X-axis direction is Dx. In the example, the distance between the first structures 310 adjacent in the Y-axis direction is Dy.
  • the distance Dx is preferably (1/4) ⁇ Lx ⁇ Dx, more preferably (1/4) ⁇ Lx ⁇ Dx ⁇ (3/4) ⁇ Lx, and most preferably Lx / 2.
  • Lx is the arrangement pitch of the first structures 310 in the X-axis direction.
  • Dx ⁇ (3/4) ⁇ Lx a decrease in sensitivity of the detection unit 20s can be suppressed.
  • (1/4) ⁇ Lx ⁇ Dx the effect of suppressing the occurrence of two peaks (see FIG. 19B) for the capacity change rate distribution can be further enhanced.
  • the distance Dy is preferably (1/4) ⁇ Ly ⁇ Dy, more preferably (1/4) ⁇ Ly ⁇ Dy ⁇ (3/4) ⁇ Ly, and most preferably Ly / 2.
  • Ly is the arrangement pitch of the first structures 310 in the Y-axis direction.
  • the drawing characteristics of the input device 100 including one first structure 310 in the unit detection region 20r will be described.
  • the dynamic drawing characteristics are as follows. Show a tendency to move around. This is because, when one first structure 310 is arranged in the unit detection region 20r, the operation member 10 (metal film 12) is located near the boundary between the unit detection regions 20r as shown in FIG. 35A. This is because of a large drop in the downward direction.
  • the plurality of first structures 310 are two-dimensionally arranged in the X-axis direction (first direction) and the Y-axis direction (second direction) orthogonal to each other, and in both the X-axis direction and the Y-axis direction.
  • the first structures 310 are preferably arranged at equal intervals. This is because excellent drawing characteristics can be obtained.
  • the deformation of the operation member 10 is reduced by about the square of the distance between the first structures 310. For example, when four first structures 310 are present in the unit detection region 20r, the operation member 10 is compared with the case where one first structure 310 is present in the unit detection region 20r. The deformation is about (1/4).
  • Examples of the arrangement of the first structures 310 for suppressing such a decrease in dynamic drawing characteristics include the following arrangement examples. Arrangement example in which three first structures 310 are arranged in the unit detection area 20r: arrangement example shown in FIG. 23B Arrangement example in which four first structures 310 are arranged in the unit detection area 20r: FIG. 24A, FIG. 24B, and FIG. 25A
  • the arrangement examples shown in FIG. 23B and FIG. 25A can suppress a decrease in dynamic drawing characteristics, but have a region where a slight sink occurs.
  • 36A and 36B show a region R where a slight sink occurs in the arrangement example shown in FIGS. 23B and 25A. Therefore, from the viewpoint of improving dynamic drawing characteristics, the arrangement example of the first structures 310 is preferably the arrangement example shown in FIG. 24B, and more preferably the arrangement example shown in FIG. 24A.
  • the input device 100 detects the amount of change in capacitance based on capacitive coupling between the metal film 12 and the conductor layer 50 and the detection unit 20s as described above, the finger f Even with an operator having a large contact area as described above, a sufficient change in capacitance can be caused.
  • determining whether or not an operation has been performed for example, a value obtained by summing the amount of change in capacitance of all the detection units 20s i , 20s i + 1 , and 20s i + 2 in which changes in capacitance have occurred.
  • the operation position and the like are detected using capacitive coupling between the operation element and the X and Y electrodes. That is, when a conductor is disposed between the operation element and the X and Y electrodes, it is difficult to detect an input operation due to capacitive coupling between the conductor and the X and Y electrodes. Further, in the configuration in which the thickness between the operation element and the X and Y electrodes is large, there is a problem that the amount of capacitive coupling between them becomes small and the detection sensitivity decreases. Under these circumstances, it is necessary to dispose the sensor device on the display surface of the display, and the display quality of the display deteriorates.
  • the input device 100 uses capacitive coupling between the metal film 12 and the conductor layer 50 and the X and Y electrodes 210 and 220, and therefore, between the operator and the sensor device. Even if a conductor is disposed on the surface, there is no influence on the detection sensitivity. Further, it is only necessary that the metal film 12 can be deformed by the pressing force of the operation element, and there are few restrictions on the thickness between the operation element and the X and Y electrodes. Therefore, even when the sensor device 1 is arranged on the back surface of the flexible display 11, the operation position and the pressing force can be detected with high accuracy, and deterioration of display characteristics of the flexible display 11 can be suppressed.
  • FIG. 37A is a plan view showing a modification of the first electrode wire 210.
  • the first electrode line 210 includes a plurality of unit electrode bodies 210m and a plurality of connecting portions 210n that connect the plurality of unit electrode bodies 210m to each other.
  • the unit electrode body 210m is composed of an electrode group composed of a group of a plurality of sub-electrodes (electrode elements), and these sub-electrodes have a regular or irregular pattern.
  • the unit electrode body 210m is composed of an assembly of a plurality of linear electrode patterns extending radially from the center.
  • the connecting portion 210n extends in the Y-axis direction and connects adjacent unit electrode bodies 210m.
  • FIG. 37B is a plan view showing a modified example of the second electrode line 220.
  • the second electrode line 220 includes a plurality of unit electrode bodies 220m and a plurality of connecting portions 220n that connect the plurality of unit electrode bodies 220m to each other.
  • the unit electrode body 220m is composed of an electrode group composed of a group of a plurality of sub-electrodes (electrode elements), and these sub-electrodes have a regular or irregular pattern.
  • the unit electrode body 220m is composed of an assembly of a plurality of linear electrode patterns extending radially from the center.
  • the connecting portion 220n extends in the X-axis direction and connects adjacent unit electrode bodies 220m.
  • the first and second electrode lines 210 and 220 are arranged so as to intersect each other so that the unit electrode body 210m and the unit electrode body 220m overlap each other when viewed from the Z-axis direction.
  • FIGS. 38A to 38 P are schematic diagrams showing examples of shapes of the unit electrode bodies 210m and 220m.
  • FIGS. 38A to 38P show the shapes at the intersections of the first and second electrode lines 210 and 220, and the shapes of the other portions are not particularly limited. For example, it may be linear.
  • the combination of the shapes of the unit electrode bodies 210m, 220m of the first and second electrode wires 210, 220 is two sets of the same type in FIG. 10 (B) or FIG. 38 (A) to FIG. 38 (P). However, two different sets may be used.
  • FIG. 38A corresponds to the unit electrode bodies 210m and 220m in FIGS. 37A and 37B.
  • FIG. 38B illustrates an example in which one of the radial line electrodes illustrated in the example of FIG. 38A is formed thicker than the other line electrodes. Thereby, the electrostatic capacitance change amount on a thick line electrode can be made higher than on other line electrodes.
  • FIGS. 38C and 38D show an example in which an annular linear electrode is disposed substantially at the center, and the radial linear electrodes are formed therefrom. Thereby, the concentration of the linear electrodes in the central portion can be suppressed, and the occurrence of the sensitivity reduction region can be prevented.
  • 38 (E) to 38 (H) show examples in which an assembly is formed by combining a plurality of linear electrodes formed in an annular shape or a rectangular shape. As a result, the density of the electrodes can be adjusted, and the formation of the sensitivity reduction region can be suppressed.
  • FIGS. 38I to 38L show examples in which an aggregate is formed by combining a plurality of linear electrodes arranged in the X-axis direction or the Y-axis direction. By adjusting the shape, length, pitch, and the like of the linear electrode, a desired electrode density can be obtained.
  • 38 (M) to 38 (P) are examples in which the line electrodes are arranged asymmetrically in the X-axis direction or the Y-axis direction.
  • Modification 2 Arrangement position between the layers of the first and second structures 310 and 410 in the first embodiment (position between the metal film 12 and the electrode substrate 20 and between the conductor layer 50 and the electrode substrate 20) May be interchanged.
  • the input device 100 having such a switched configuration will be described.
  • FIG. 55A is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the input device 100 according to the first embodiment of the present technology.
  • the first structure 310a is obtained by providing the second structure 410 in the first embodiment between the metal film 12 and the electrode substrate 20, and other points (that is, the arrangement position in the in-plane direction).
  • the second structure 410 is the same as the second structure 410 in the first embodiment.
  • the second structure 410a is obtained by providing the first structure 310 in the first embodiment between the conductor layer 50 and the electrode substrate 20, and other points (that is, arrangement positions in the in-plane direction).
  • Configuration, material, formation method, and the like are the same as those of the first structure 310 in the first embodiment.
  • the detection unit 20s or the unit detection region 20r is arranged to face the second structure 410a or a group formed by the second structure 410 in the Z-axis direction. May be. Two or more second structures 410a are arranged in the unit detection region 20r.
  • FIG. 55B is a schematic cross-sectional view of an essential part showing an aspect of the input device 100 when the first surface 110 receives an operation with the finger f.
  • the operation member 10 metal film 12
  • the operation member 10 metal film 12
  • the operation member 10 metal film 12 in the immediate vicinity and the vicinity thereof is deformed toward the electrode substrate 20, Proximity or contact with 20.
  • the variations of the operating member 10 the first structure 310a i, unit detection area 20r i, 20r i + 1 and between the unit detection area 20r i + 1 of the electrode substrate 20 through the 310a i + 1, A force is applied to a portion corresponding to 20 r i + 2 , and the portion is deformed toward the conductor layer 50 and comes close to the conductor layer 50.
  • the shape of the input device 100 is not limited to this.
  • the input device 100 may have a cylindrical shape, a curved surface shape, a belt shape, an indefinite shape, or the like.
  • the curved surface include a curved surface having a cross section such as an arc, an elliptical arc, or a parabola.
  • the entire input device 100 may have rigidity or may have flexibility. When the entire input device 100 has flexibility, the input device 100 may be a wearable device.
  • FIG. 60A is a perspective view showing a shape example of the input device 100 having a cylindrical shape.
  • 60B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 60A.
  • the thickness of the input device 100 is shown larger than that of FIG. 60A.
  • the flexible display 11 is provided on the outer peripheral surface side of the input device 100, and the conductor layer 50 is provided on the inner peripheral surface side. Therefore, the outer peripheral surface side of the input device 100 functions as an input operation surface and a display surface.
  • the input device 100 may be used by fitting it to a support body 100j having a cylindrical shape or a human body such as a wrist. Further, the belt-like input device 100 may be used by being wound around a support body 100j having a cylindrical shape or a human body such as a wrist.
  • FIG. 61A is a perspective view showing a shape example of the input device 100 having a curved surface shape.
  • 61B is a cross-sectional view along the line AA in FIG. 61A.
  • the thickness of the input device 100 is shown larger than that of FIG. 61A.
  • FIG. 61B shows an example where the convex curved surface side functions as an input operation surface and a display surface by providing the flexible display 11 on the convex curved surface side and providing the conductor layer 50 on the concave curved surface side.
  • the concave curved surface side functions as an input operation surface and a display surface. Also good.
  • the input device 100 may be used by being fitted to a support body 100k having a convex curved surface or a human body such as a wrist. Further, the belt-like input device 100 may be mounted and used so as to follow a human body such as a support 100k having a convex curved surface or a wrist.
  • FIG. 39A and 39B are diagrams illustrating an example of mounting the input device 100 according to the present embodiment on the electronic device 70.
  • FIG. An electronic device 70a according to FIG. 39A includes a housing 720a including an opening 721a in which the input device 100 is disposed.
  • a support portion 722a is formed in the opening 721a and supports the peripheral portion of the conductor layer 50 through a joint portion 723a such as an adhesive tape.
  • the joining method of the conductor layer 50 and the support part 722a is not limited to the above, For example, you may fix with a screw
  • the input device 100 can maintain a stable strength even during mounting.
  • the electronic device 70b according to FIG. 39B has substantially the same configuration as the electronic device 70a, and includes a housing 720b including an opening 721a and a support 722a. The difference is that it has at least one auxiliary support portion 724 b that supports the back surface of the conductor layer 50.
  • the auxiliary support portion 724b may be joined to the conductor layer 50 with an adhesive tape or the like, or may not be joined. With the above configuration, the input device 100 can be supported more stably.
  • FIG. 62A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the input device 100 according to the second embodiment of the present technology.
  • 62B is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of FIG. 62A.
  • the second embodiment is different from the first embodiment in that the electrode substrate 20 includes a wiring substrate 20g.
  • the wiring board 20g includes a base material 211g, and a plurality of first electrode lines (Y electrodes) 210s and a plurality of second electrode lines (X electrodes) 220s provided on the same main surface of the base material 211g. I have.
  • the first electrode line 210s includes an electrode line portion 210p, a plurality of unit electrode bodies 210m, and a plurality of connection portions 210z.
  • the electrode line portion 210p extends in the Y-axis direction.
  • the plurality of unit electrode bodies 210m are arranged at regular intervals in the Y-axis direction.
  • the electrode wire portion 210p and the unit electrode body 210m are disposed with a predetermined distance therebetween, and the two are connected by a connecting portion 210z.
  • the connection part 210z may be omitted, and a configuration in which the unit electrode body 210m is directly provided on the electrode line part 210p may be employed.
  • the unit electrode body 210m has a comb-like shape as a whole. Specifically, the unit electrode body 210m includes a plurality of sub-electrodes 210w and a coupling portion 210v. The plurality of sub-electrodes 210w extend in the Y-axis direction. Adjacent sub-electrodes 210w are separated by a predetermined distance. One ends of the plurality of sub-electrodes 210w are connected to a coupling portion 210v extending in the X-axis direction.
  • the second electrode line 220s includes an electrode line portion 220p, a plurality of unit electrode bodies 220m, and a plurality of connection portions 220z.
  • the electrode wire portion 220p extends in the X-axis direction.
  • the plurality of unit electrode bodies 220m are arranged at regular intervals in the X-axis direction.
  • the electrode wire portion 220p and the unit electrode body 220m are arranged with a predetermined distance therebetween, and the two are connected by a connecting portion 220z.
  • the unit electrode body 220m has a comb-like shape as a whole. Specifically, the unit electrode body 220m includes a plurality of sub-electrodes 220w and a coupling part 220v. The plurality of sub-electrodes 220w extend in the Y-axis direction. Adjacent sub-electrodes 220w are separated by a predetermined distance. One end of the plurality of sub-electrodes 220w is connected to a coupling portion 220v that extends in the X-axis direction.
  • the comb-shaped unit electrode bodies 210m and 220m are arranged to face each other so as to mesh the sub electrodes 210w and 220w corresponding to the comb-tooth portions.
  • the plurality of sub-electrodes 210w of the unit electrode body 210m and the plurality of sub-electrodes 220w of the unit electrode body 220m are alternately arranged in the X-axis direction.
  • the sub-electrodes 210w and 220w are separated from each other for a predetermined period.
  • an insulating layer 210r is provided on the electrode line portion 220p of the second electrode line 220s.
  • a jumper wiring 210q is provided so as to straddle the insulating layer 210r.
  • the electrode wire portion 210p is connected by the jumper wiring 210q.
  • one unit electrode body of the first electrode line 210 and the second electrode line 220 is configured by a sub-electrode, whereas the other The unit electrode body is constituted by a flat electrode.
  • the third embodiment is the same as Modification 1 of the first embodiment in other points.
  • the unit electrode body 210m of the first electrode line 210 is composed of a plurality of sub-electrodes 210w.
  • the unit electrode body 220m of the second electrode line 220 is composed of a flat electrode.
  • the conductor facing the second electrode line 220 through the second support 40 The layer 50 (see FIG. 1) may be omitted, or the polymer resin layer 50a may be employed instead of the conductor layer 50.
  • the reason why the conductor layer 50 can be omitted in this manner is that the plate-like electrode (unit electrode body 220m) included in the second electrode wire 220 has a shielding effect against external noise (external electric field).
  • the conductor layer 50 by using it in combination with the conductor layer 50, it is possible to give a strong shielding effect and to make the detection unit 20s stable against external noise.
  • the unit electrode body 210m of the first electrode wire 210 is composed of a flat electrode.
  • the unit electrode body 220m of the second electrode line 220 includes a plurality of sub-electrodes 220w.
  • the metal that faces the first electrode line 210 through the first support 30 The film 12 (see FIG. 1) may be omitted.
  • the reason why the metal film 12 can be omitted in this manner is that the plate-like electrode (unit electrode body 210m) included in the first electrode wire 210 has a shielding effect against external noise (external electric field).
  • external noise external electric field
  • the configuration of the first and second electrode lines 210 and 220 is not limited to this, and the unit electrode body 210m of the first electrode line 210 and the unit electrode body 42m of the second electrode line 220 are not limited thereto. Both may be constituted by flat electrodes.
  • one of the first electrode line 210 and the second electrode line 220 is configured by a plurality of sub-electrodes, while the other is configured by one flat electrode. You may be made to do.
  • the first electrode line 210 is composed of a plurality of sub-electrodes 42w, whereas the second electrode line 220 is composed of a plate-like electrode.
  • the second electrode 40 is interposed via the second support 40 in the same manner as the first configuration example of the third embodiment.
  • the conductor layer 50 (see FIG. 1) facing the electrode wire 220 may be omitted, or a polymer resin layer 50a may be employed instead of the conductor layer 50.
  • the first electrode line 210 is composed of a plate-like electrode, while the second electrode line 220 is composed of a plurality of sub-electrodes 220w.
  • the first electrode 30 is interposed via the first support 30 in the same manner as the second configuration example of the third embodiment.
  • the metal film 112 (see FIG. 1) facing the electrode line 210 may be omitted.
  • the configuration of the first and second electrode lines 210 and 220 is not limited to this, and both the first and second electrode lines 210 and 220 are configured by a single flat electrode. May be.
  • FIG. 40 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of the input device 100A according to the fourth embodiment of the present technology.
  • the configuration other than the operation member 10A of the input device 100A according to this embodiment is the same as that of the first embodiment, and the description thereof is omitted as appropriate.
  • FIG. 40 is a diagram corresponding to FIG. 1 according to the first embodiment.
  • An input device 100A includes a flexible sheet 11A instead of the flexible display, and a sensor device 1 similar to that of the first embodiment. As will be described later, a plurality of key areas 111A are arranged on the flexible sheet 11A, and the input device 100A is used as a keyboard device as a whole.
  • the (Input device) 11 A of flexible sheets are comprised with the insulating plastic sheet which has flexibility, such as PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PMMA (polymethyl methacrylate), PC (polycarbonate), PI (polyimide), for example.
  • the thickness of the flexible sheet 11A is not particularly limited, and is, for example, 0.1 mm to 1 mm.
  • the flexible sheet 11A is not limited to a single-layer structure, and may have a structure in which two or more sheets are laminated.
  • an insulating plastic sheet having flexibility such as PET, PEN, PMMA, PC, and PI may be laminated as a base material.
  • the flexible sheet 11A has a first surface 110A as an operation surface and a second surface 120A on the back surface of the first surface 110A.
  • a plurality of key areas 111A are arranged on the first surface 110A.
  • the metal film 12 may be laminated on the second surface 120A.
  • the flexible sheet 11A and the metal film 12 may be configured by a composite sheet or the like in which a metal foil is previously attached to the surface of the resin sheet, or may be a vapor deposition film or a sputtered film formed on the second surface 120A. It may be configured. Alternatively, it may be a coating film such as a conductive paste printed on the second surface 120A.
  • Each key area 111A corresponds to a key top pressed by the user, and has a shape and a size corresponding to the type of key.
  • Each key area 111A may have an appropriate key display.
  • the key display may display a key type or display the position (outline) of each key. It is also possible to display both of them.
  • an appropriate printing method such as screen printing, flexographic printing, gravure printing, or the like can be employed.
  • the first surface 110A has a form in which a groove 112A is formed around the key region 111A.
  • Appropriate processing techniques such as press molding, etching, and laser processing can be employed to form the uneven surface corresponding to the key region 111A.
  • the flexible sheet 11A having an uneven surface may be formed by a molding technique such as injection molding.
  • FIGS. 41A and 41B are diagrams schematically illustrating a modification of the flexible sheet 11A.
  • a flexible sheet 11Aa shown in FIG. 41A shows an example in which the first surface 110A is a flat surface.
  • each key area (not shown) may be described by printing or the like, or may be used as a touch sensor without the key area.
  • the flexible sheet 11Ab shown in FIG. 41B is formed by press-molding the flexible sheet 11A or the like, and each key region 111Ab is configured to be independently deformable in the vertical direction (sheet thickness direction).
  • the flexible sheet 11A may be made of a conductive material such as metal. Thereby, the metal film 12 becomes unnecessary and the operation member 10A can be thinned. In this case, the flexible sheet 11A also has a function as the metal film 12, and is connected to a ground potential, for example.
  • the first electrode line 210 may be configured by an electrode group 21w including a group of a plurality of first electrode elements 21z.
  • the first electrode element 21z is, for example, a linear conductive member (sub-electrode) that extends in the Y-axis direction.
  • the second electrode line 220 may be configured by an electrode group 22w including a group of a plurality of second electrode elements 22z.
  • the second electrode element 22z is, for example, a linear conductive member (sub-electrode) that extends in the X-axis direction.
  • the plurality of first electrode lines 210 may be configured by a single electrode element (that is, configured by a group of the plurality of first electrode elements 21z). A single thick electrode). This is to shield electrical noise from the outside (outside) of the flexible sheet 11A.
  • the first and second structures 310 and 410 and the detection unit 20s can be arranged as follows.
  • the second structure 410 of the second support 40 may be disposed below the groove 112A.
  • the detection unit 20s is arranged at a position overlapping the first structure 310 when viewed from the Z-axis direction, and two or more first structures 310 are arranged in the unit detection region 20r.
  • the second structure 410 is disposed between the unit detection regions 20r.
  • the position on the first structure 310 is pressed during the key input operation, and the plurality of first structures 310 below the operation position are displaced downward, and the electrodes By bending the substrate 20, the second structure 410 is also slightly elastically deformed. Thereby, each of the metal film 12 and the conductor layer 50 and the detection unit 20s are close to each other, and the capacitance change of the detection unit 20s can be obtained.
  • the shape of the second structure 410 is not limited to the cylindrical body shown in FIGS. 22A and 22B, and may be arranged in a wall shape along the groove 112A, for example. In this case, each second structure 410 is arranged along the boundary between the plurality of key regions 111A.
  • positioning of the detection part 20s is not limited above, For example, you may arrange
  • FIG. 69A is a plan view showing an arrangement example of the first electrode lines (Y electrodes) 210.
  • the first electrode line 210 includes a plurality of unit electrode bodies 210m and a plurality of connecting portions 210n that connect the plurality of unit electrode bodies 210m to each other.
  • the unit electrode body 210m is composed of an electrode group composed of a group of a plurality of sub-electrodes (electrode elements) 210w.
  • the plurality of sub-electrodes 210w have a regular or irregular pattern corresponding to the key layout.
  • FIG. 69A shows an example in which the plurality of sub-electrodes 210w have an irregular pattern corresponding to the key layout.
  • the plurality of sub-electrodes 210w are linear conductive members extending in the Y-axis direction, and these conductive members are arranged in stripes.
  • FIG. 69B is a plan view showing an arrangement example of the second electrode lines (X electrodes) 220.
  • the second electrode line (X electrode) 220 is an elongated rectangular electrode extending in the X-axis direction and having a substantially constant width.
  • the rectangular electrode is composed of an electrode group composed of a group of a plurality of sub-electrodes (electrode elements) 220w.
  • the sub electrode 220w is, for example, a linear conductive member that extends in the X-axis direction.
  • a part of the plurality of second electrode lines (X electrodes) 220 includes a plurality of unit electrode bodies 220m and a plurality of connecting portions 220n that connect the plurality of unit electrode bodies 220m to each other. May be provided.
  • the first electrode line (Y electrode) 210 is provided on the metal film 12 side (upper side), and the second electrode line (X electrode) 220 is provided on the conductor layer 50 side (lower side).
  • the second electrode line 220 may be provided on the metal film 12 side (upper side), and the first electrode line 210 may be provided on the conductor layer 50 side.
  • FIG. 70A is a plan view showing an arrangement example of the first structures 310.
  • FIG. FIG. 70B is a plan view showing an arrangement example of the second structures 410.
  • the plurality of first and second structures 310 and 410 are two-dimensionally arranged in a predetermined pattern corresponding to the key layout.
  • the first structure 310 may have a different size or shape depending on the arrangement position.
  • the size and shape of the second structure 410 may be different depending on the arrangement position.
  • FIG. 71 is a plan view showing the positional relationship between the first and second electrode lines 210 and 220 and the first and second structures 310 and 410.
  • FIG. The plurality of unit electrode bodies 210m of the first electrode line (Y electrode) 210 are provided so as to overlap the rectangular second electrode line (X electrode) 220 when viewed from the Z-axis direction.
  • the deformation of the metal film 12 and the electrode substrate 20 when the key area 111A is pressed does not propagate to the adjacent key area 111A, unlike drawing with an operator such as a stylus.
  • the first and second structures s4 and u10, and the first and second structures s8 and u9 are respectively in the Z-axis direction.
  • the first structure may be provided so as to overlap the second structures s2 and s6 when viewed from the Z-axis direction. In this case, the propagation of deformation in the Y-axis direction (upper limit direction) also decreases.
  • the first structure is the second structures s1, s3, s5, s7 when viewed from the Z-axis direction. You may provide so that it may overlap. In this case, propagation of deformation in the direction between the X-axis direction and the Y-axis direction (oblique direction) is also reduced.
  • a plurality of first structures u5 to u8 are provided in the unit detection region 20r.
  • the portion of the electrode substrate 20 corresponding to the unit detection region 20r is deformed by the plurality of first structures u5 to u8, so that the sensitivity when the key region 111A is pressed is improved. Therefore, the sensitivity difference between when the key area 111A is pressed with a finger and when pressed with a nail is reduced.
  • intersections of the sub-electrodes 210w and 220w gather near the center of the unit detection region 20r and exist inside the region defined by the first structures u5 to u8. This is because load sensitivity can be improved.
  • the difference in sensitivity between the case where the center of the key area 111A is pressed and the case where the end of the key area 111A is pressed is small.
  • the first structures u1 to u4, u9, u10 and the second structures s1 to s8 are arranged around the unit detection region 20r, the amount of deformation at the center of the unit detection region 20r is large, and the sensitivity Tend to be higher.
  • the second structure s9 in the center of the unit detection area 20r, the sensitivity of the center of the unit detection area 20r is relatively reduced, and the center of the key area 111A and the key area 111A It is preferable to reduce the sensitivity difference from the end. Furthermore, it is preferable that the intersection point of the sub-electrodes 210w and 220w exist to the outside of the key region 111A so that sufficient sensitivity can be obtained even at the end of the key region 111A.
  • the first structures u1 to u4, u9, u10 and the second structures s1 to s8 provided in the periphery of the unit detection region 20r are the first structures u4 to u provided in the center of the unit detection region 20r. It is preferably larger than u7 and the second structure s9. This is because the adhesive force between the metal film 12 and the electrode substrate 20 and between the conductor layer 50 and the electrode substrate 20 can be improved.
  • each key area 111A (unit detection area 20r) is not isolated and air can sufficiently move between the key areas 111A without resistance. This is because the internal pressure of the input device 100A is increased in each key area 111A, and a decrease in sensitivity, occurrence of a return delay, and the like can be suppressed.
  • the control unit 60 includes the calculation unit 61 and the signal generation unit 62 as described above, and is electrically connected to the electrode substrate 20. Further, in the present embodiment, the control unit 60 is configured to be able to generate a signal corresponding to an input operation on each of the plurality of key regions 111A based on the change in capacitance of the plurality of detection units 20s. . More specifically, the control unit 60 is configured to be able to generate information related to an input operation for each of the plurality of key regions 111A based on the outputs of the plurality of detection units 20s.
  • the calculation unit 61 operates in the XY coordinate system on the first surface 110 based on the electrical signals (input signals) output from the first and second electrode lines 210 and 220 of the electrode substrate 20.
  • the position is calculated, and the key area 111A assigned to the operation position is determined.
  • the signal generator 62 generates an operation signal corresponding to the key area 111A where the press is detected.
  • the input device 100A can be applied as a keyboard device as described above by being incorporated in an electronic device such as a notebook personal computer or a mobile phone.
  • the input device 100A includes a communication unit (not illustrated), and is configured to be electrically connected to another electronic device such as a personal computer by wire or wirelessly and to perform an input operation for controlling the electronic device. May be.
  • the input device 100A can also be used as a pointing device. That is, two or more threshold values are set for the output of each detection unit 20s, and the calculation unit 61 determines a touch operation and a push operation, whereby an input device that serves as both a pointing device and a keyboard can be obtained. is there.
  • FIG. 42 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration example of an electronic apparatus 70B in which the input device 100B according to the fifth embodiment of the present technology is incorporated.
  • the configuration other than the operation member 10B of the input device 100B according to this embodiment is the same as that of the first embodiment, and the description thereof will be omitted as appropriate.
  • a part of the housing 720B of the electronic device 70B constitutes a part of the operation member 10B. That is, the input device 100B includes an operation region 711B that constitutes a part of the housing 720B and the sensor device 1 similar to that of the first embodiment.
  • the electronic device 70B for example, a personal computer equipped with a touch sensor can be applied.
  • the operation member 10B has a laminated structure of a deformable operation region 711B including the first surface 110B and the second surface 120B and the metal film 12. That is, the first surface 110B is one surface of the housing 720B, and the second surface 120B is the back surface (inner surface) of the one surface.
  • the operation region 711B may be made of the same material as the other regions of the housing 720B, for example, a conductive material such as an aluminum alloy or a magnesium alloy, or a plastic material, and in this case, at the time of a user's touch operation or push operation It is composed of a deformable thickness.
  • the operation region 711B may be made of a material different from that of the other region of the housing 720B. In this case, a material having rigidity smaller than that of the other region can be employed.
  • a metal film 12 such as a metal foil formed on the adhesive layer 13 such as an adhesive resin film is formed on the second surface 120B.
  • the metal film 12 becomes unnecessary and the operation member 10B can be reduced in thickness.
  • the operation region 711B also has a function as the metal film 12, and is connected to, for example, a ground potential.
  • the input device 100B can be configured using a part of the housing 720B made of a conductive material or the like. As described above, this is because the input device 100B does not detect the input operation by using the capacitive coupling between the operation element and the X and Y electrodes, but the metal film 12 pressed by the operation element and the conductor opposed thereto. This is because the capacitive coupling between each of the layers 50 and the detection unit 20s is used. Therefore, according to the input device 100B, it is possible to reduce the number of parts of the electronic device 70B and further increase the productivity.
  • the input device 100B according to the present embodiment includes the sensor device 1 similar to that of the first embodiment described above, the operation position and the pressing force can be accurately detected even with a small pressing force. it can. Therefore, according to this embodiment, there are few restrictions about the material of operation area 711B, and input device 100B with high detection sensitivity can be provided.
  • Table 1 is a table
  • the configuration of the detection unit was set as shown in Table 1.
  • the mesh (electrode element) widths W x , W y, mesh (electrode element) intervals d x , dy , and electrode widths E x , E y in Table 1 are as shown in FIGS. 10A and 10B. is there.
  • the mesh intervals d x and dy are the center intervals of the electrode elements constituting the mesh.
  • Table 2 is a table showing the simulation conditions of the input device. In the following simulations, the configuration of the input device was set as shown in Table 2.
  • FIG. 43 is a schematic diagram illustrating simulation conditions in Test Example 1. As shown in FIG. 43, the numerical values of the operation member, the first structure, the electrode substrate, the second structure, and the conductor layer constituting the input device were set. As the configuration of the detection unit included in the electrode substrate, the configuration of the detection unit 1 shown in Table 1 was used. The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 24A.
  • FIGS. 44A to 44C Deformation position of the operation member and the electrode substrate when a load is applied to a position corresponding to the center of the unit detection region on the surface of the operation member (FIG. 43: Deformation position in the XZ cross section) Deformation position of the operation member and the electrode substrate when a load is applied to the corresponding position between the unit detection areas on the surface of the operation member (FIG. 43: Deformation position in the XZ cross section) Deformation position of the operation member and the electrode substrate when a load is applied to the corresponding position between the unit detection areas on the surface of the operation member (FIG.
  • the capacity change rate was calculated by the following formula.
  • (Capacity change rate) [%] [(Initial capacity C 0 ) ⁇ (Capacity after change C 1 )] / (Initial capacity C 0 )
  • “initial capacity C 0 ” and “changed capacity C 1 ” specifically show the following contents.
  • Initial capacitance C 0 Capacitance of the input device when no weight is applied to the surface of the operating member
  • Changed capacitance C 1 Capacitance of the input device after applying a weight to the surface of the operating member
  • Test Example 1-2 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. Except for this, the above analyzes (1) to (3) were performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in FIGS. 45A to 45C.
  • (Simulation results) 44A to 44C are diagrams showing the simulation results of Test Example 1-1.
  • 45A to 45C are diagrams showing the simulation results of Test Example 1-2.
  • 44A and 45A the symbol “L11” indicates the deformation position of the operation member when a weight is applied to the center of the unit detection region, and the symbol “L12” indicates the case where a weight is applied between the unit detection regions.
  • the deformation position of the operation member is shown.
  • the symbol “L21” indicates the deformation position of the electrode substrate when a weight is applied to the center of the unit detection region, and the symbol “L22” indicates the case where the weight is applied between the unit detection regions.
  • the deformation position of the electrode substrate is shown.
  • the capacity change rate can be improved as compared with the case where one first structure is arranged in the unit detection area. it can.
  • the load sensitivity of the input device is higher than that in the case where one first structure is arranged in the unit detection area. Can be improved.
  • the load sensitivity means the slope of the curve of the capacity change rate distribution in the vicinity of the load “0 gf”.
  • Test Example 2-1 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 23A. Except for this, the above analyzes (2) and (3) were performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in FIGS. 46A and 46B.
  • Test Example 2-2 The configuration of the detection unit 2 shown in Table 1 was used as the configuration of the detection unit included in the electrode substrate. Except for this, the analysis of the above (2) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 2-1. The result is shown in FIG. 46C.
  • Test Example 2-3 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 23B. Except for this, the above analyzes (2) and (3) were performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in FIGS. 47A and 47B.
  • Test Example 2-4 The configuration of the detection unit 2 shown in Table 1 was used as the configuration of the detection unit included in the electrode substrate. Except for this, the analysis of the above (2) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 2-3. The result is shown in FIG. 47C.
  • Test Example 2-5 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 24A. Except for this, the above analyzes (2) and (3) were performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in FIGS. 48A and 48B.
  • Test Example 2-6 The configuration of the detection unit 2 shown in Table 1 was used as the configuration of the detection unit included in the electrode substrate. Except for this, the analysis of (2) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 2-5. The result is shown in FIG. 48C.
  • Test Example 2--7 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 24B. Except for this, the above analyzes (2) and (3) were performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in FIGS. 49A and 49B.
  • Test Example 2-8 The configuration of the detection unit 2 shown in Table 1 was used as the configuration of the detection unit included in the electrode substrate. Except for this, the analysis of (2) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 2-7. The result is shown in FIG. 49C.
  • Test Example 2-9 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 25A. Except for this, the above analyzes (2) and (3) were performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in FIGS. 50A and 50B.
  • Test Example 2-10 The configuration of the detection unit 2 shown in Table 1 was used as the configuration of the detection unit included in the electrode substrate. Except for this, the analysis of (2) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 2-9. The result is shown in FIG. 50C.
  • Test Example 2-11 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 25B. Except for this, the above analyzes (2) and (3) were performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in FIGS. 51A and 51B.
  • Test Example 2-12 The configuration of the detection unit 2 shown in Table 1 was used as the configuration of the detection unit included in the electrode substrate. Except for this, the analysis of (2) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 2-11. The result is shown in FIG. 51C.
  • Test results 46A to 46C, 47A to 47C, 48A to 48C, 49A to 49C, 50A to 50C, and 51A to 51C are Test Examples 2-1 to 2-2 and Test Examples, respectively. 2-3-3-4, Test Examples 2-5 to 2-6, Test Examples 2-7 to 2-8, Test Examples 2-9 to 2-10, Test Examples 2-11 to 2-12 It is a figure which shows a result. 47A, FIG. 48A, FIG. 49A, FIG. 50A, and FIG. 51A also show the simulation results (curve L1) of Test Example 1-2 for comparison. As described above, the simulation of Test Example 1-2 is for an input device in which one first structure is arranged in the unit detection region.
  • the peak of the capacity change rate distribution can be one at the center of the unit detection area. That is, it is possible to prevent two peaks from occurring in the capacity change rate distribution.
  • the shape of the capacity change rate distribution has a substantially triangular shape with the center position of the unit detection region as a vertex. An ideal capacity change rate distribution in which the capacity change rate distribution monotonously decreases as the load position moves away from the center of the unit detection region is obtained.
  • the capacity change rate distribution shows substantially the same tendency.
  • the peak value of the capacity change rate distribution is higher when the detection unit 2 is used as the configuration of the detection unit than when the detection unit 1 is used as the configuration of the detection unit. Therefore, in order to increase the peak value of the capacity change rate distribution, the outer periphery of the detection unit is inside the outer periphery of the unit region, and the first structure included in the unit detection region is It is preferable to arrange
  • the capacity change rate can be improved as compared with the case where one first structure is arranged in the unit detection region.
  • the load sensitivity of the input device can be improved as compared with the case where one first structure is arranged in the unit detection region.
  • the shape of the capacity change rate distribution has a substantially trapezoidal shape that is symmetric with respect to a perpendicular passing through the center of the unit detection region. Other characteristics are substantially the same as those of Test Examples 2-1 and 2-2 (FIGS. 46A to 46C). Even if the shape of the capacity change rate distribution is substantially trapezoidal, coordinate calculation can be performed based on the capacity change.
  • Test Example 2 when the four first structures are arranged symmetrically in the unit detection area as shown in FIG. 24A, Test Example 2- It can be seen that substantially the same characteristics as those of 1 and 2-2 (FIGS. 46A to 46C) can be obtained.
  • Test Example 2 when the four first structures are arranged symmetrically in the unit detection region as shown in FIG. 25A, Test Example 2- It can be seen that substantially the same characteristics as those of 1 and 2-2 (FIGS. 46A to 46C) can be obtained.
  • Test Example 3-1 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 24A. Except for this, the analysis of the above (3) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The result is shown in FIG.
  • Test Example 3-2 For the input device set under the same conditions as in Test Example 3-1, the following analysis (4) was performed by simulation. The result is shown in FIG. (4) Load dependency of the capacity change rate when a weight is applied to the corresponding position between the unit detection areas on the surface of the operation member.
  • Test Example 3-3 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 24B. Except for this, the analysis of the above (3) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The result is shown in FIG.
  • Test Example 3-4 For the input device set under the same conditions as in Test Example 3-3, the following analysis (4) was performed by simulation. The result is shown in FIG. (4) Load dependency of the capacity change rate when a weight is applied to the corresponding position between the unit detection areas on the surface of the operation member.
  • FIG. 52 is a diagram showing the results of simulation in Test Examples 3-1 to 3-4.
  • curves L11, L12, L21, and L22 show the simulation results of Test Examples 3-1, 3-2, 3-3, and 3-4, respectively.
  • the input device does not have a region where the first structure and the second structure overlap in the thickness direction.
  • the capacity change rate tends to decrease.
  • the tendency of the decrease appears more significantly between the unit detection areas than in the center of the unit detection areas.
  • the input device does not have a region where the first structure and the second structure overlap in the thickness direction.
  • load sensitivity tends to decrease.
  • the load sensitivity means the slope of the capacity change rate curve near the load “0 gf” as described above.
  • Test Example 4-1 The first structure and the second structure are arranged as shown in FIG. 28, and the first and second electrode lines are arranged so that the region R A (see FIG. 29A) is the center of the unit detection region. The positional relationship was defined. Except for this, the analysis of the above (3) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The result is shown in FIG.
  • Test Example 4-2 The positional relationship with the first and second electrode lines is defined so that the region R B (see FIG. 29B) is the center of the unit detection region. Except for this, the analysis of the above (3) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 4-1. The result is shown in FIG.
  • Test Example 4-3 The positional relationship with the first and second electrode lines is defined so that the region R C (see FIG. 29C) is the center of the unit detection region. Except for this, the analysis of the above (3) was performed by simulation in the same manner as in Test Example 4-1. The result is shown in FIG.
  • FIG. 53 is a diagram showing simulation results of Test Examples 4-1 to 4-3.
  • the capacity change rate and the load sensitivity vary depending on which of the region R A (FIG. 29A), the region R B (FIG. 29B), and the region R C (FIG. 29C) is the center of the unit detection region.
  • the region RA (FIG. 29A) is set to the center of the unit detection region
  • the capacity change rate and the load sensitivity are the highest.
  • the region R C (FIG. 29C) is set to the center of the unit detection region
  • the capacity change rate and load sensitivity are the lowest.
  • the region R B (FIG. 29B) is set to the center of the unit detection region, an intermediate capacity change rate and load sensitivity between the above two cases can be obtained.
  • the second structure between adjacent unit detection regions. That is, it is preferable to arrange the second structure so that one whole second structure is not included in the unit detection region.
  • the direction in which the second structure is disposed is preferably the X-axis direction and / or the Y-axis direction as viewed from the center of the unit detection region, and is preferably the direction between the X-axis direction and the Y-axis direction. More preferably (for example, the diagonal direction of the unit detection region).
  • Test Example 5-1 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 24A. Except for this, the above analyzes (2) and (3) were performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in FIGS. 54A and 54B.
  • Test Example 5-2 The first structure and the second structure were arranged as shown in FIG. 25B. Except for this, the above analyzes (2) and (3) were performed by simulation in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in FIGS. 54A and 54C.
  • FIG. 54A is a diagram showing the simulation results of Test Examples 5-1 and 5-2.
  • FIG. 54B is a diagram showing the results of simulation in Test Example 5-1.
  • FIG. 54C is a diagram illustrating a simulation result of Test Example 5-2.
  • curves L1 and L2 indicate the simulation results of Test Examples 5-1 and 5-2, respectively.
  • FIG. 54A also shows the simulation result (curve L3) of Test Example 1-2 for comparison.
  • the capacity change rate distribution When the first structure is arranged shifted from the center of the unit detection area, the capacity change rate distribution has a substantially triangular shape having a peak at the center position of the unit detection area.
  • the capacity change rate distribution when the first structure is arranged at the center of the unit detection region, the capacity change rate distribution has a substantially trapezoidal shape that is symmetric with respect to a perpendicular passing through the center of the unit detection region. The difference in the shape of this distribution is that when the first structure does not exist at the center of the unit detection area, the capacity change rate increases at the center of the unit detection area, and the capacity change rate decreases monotonously from the center of the unit detection area. This is probably because the shape of the decreasing capacity change rate distribution is easily taken.
  • the maximum capacity change rate in comparison with the case where the first structure is symmetrically arranged in the center of the unit detection region ( (Capacity change rate at the center position of the unit detection area) is increased.
  • This characteristic improvement is achieved when the first structure is arranged with a shift from the center of the unit detection region, the load is evenly distributed to the symmetrically arranged first structures, and the electrode substrate is deformed over a wide range. This is considered to be performed (see FIGS. 32B and 32C). Further, even after the change in shape of the electrode substrate is saturated, further deformation of the operation member is considered as one of the causes of the characteristic improvement (see FIG. 32C).
  • the input device may not have a metal film, and may detect a change in capacitance of the detection unit due to capacitive coupling between the operation element, each of the conductor layers, and the X and Y electrodes.
  • a flexible sheet made of an insulating material can be used as the operation member.
  • the first and second supports can change the distance between the operation element, each of the conductor layers, and the detection unit, and an input device with high detection accuracy of the operation position and the pressing force can be obtained.
  • the detection unit constitutes a mutual capacitance type capacitive element, but a self capacitance type capacitive element may be constructed.
  • the input operation can be detected based on the amount of change in capacitance between the metal film and the conductor layer and the electrode layer included in the detection unit.
  • the input device is not limited to a flat plate-like configuration, and may be incorporated in an electronic device such that the first surface is a curved surface, for example. That is, since the sensor device of the present technology has a flexible configuration as a whole, a mounting method with a high degree of freedom is possible.
  • the present technology can also employ the following configurations.
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, A sensor device in which the unit region includes two or more of the first structures.
  • the plurality of first structures are two-dimensionally arranged in a first direction and a second direction orthogonal to each other,
  • the electrode substrate is formed in an intersection region of the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes, respectively, and according to a relative distance between each of the first conductor layer and the second conductor layer.
  • the sensor device according to any one of (1) to (8) including a plurality of detection units having a variable capacity.
  • Sensor device (11) The outer periphery of the detection unit is inside the outer periphery of the unit region, and two or more first structures included in the unit region are between the outer periphery of the detection unit and the outer periphery of the unit region. (9) The sensor device according to (9). (12) The sensor device according to any one of (1) to (11), wherein the unit region includes four first structures.
  • apparatus A flexible operating member; A conductor layer provided facing the operation member; A flexible electrode substrate provided between the operation member and the conductor layer, and a plurality of first structures separating the operation member and the electrode substrate; A second structure that separates the conductor layer and the electrode substrate,
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, An input device in which the unit region includes two or more of the first structures.
  • the input device further comprising a control unit that generates a signal corresponding to an input operation on each of the plurality of key regions based on changes in capacitance of the plurality of detection units.
  • a control unit that generates a signal corresponding to an input operation on each of the plurality of key regions based on changes in capacitance of the plurality of detection units.
  • a flexible operating member A conductor layer provided facing the operation member; A flexible electrode substrate provided between the operation member and the conductor layer, and a plurality of first structures separating the operation member and the electrode substrate; A second structure that separates the conductor layer and the electrode substrate; and a control unit that generates a signal according to an input operation to the operation member based on a change in capacitance of the electrode substrate;
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, An electronic apparatus in which two or more of the first structures are included in the unit region.
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode,
  • the sensor device includes two or more of the first structure or the second structure in the unit region.
  • a flexible operating member A conductor layer provided facing the operation member; A flexible electrode substrate provided between the operation member and the conductor layer, and a plurality of first structures separating the operation member and the electrode substrate; A second structure that separates the conductor layer and the electrode substrate,
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, An input device in which two or more of the first structure or the second structure are included in the unit region.
  • a flexible operating member A conductor layer provided facing the operation member; A flexible electrode substrate provided between the operation member and the conductor layer, and a plurality of first structures separating the operation member and the electrode substrate; A second structure that separates the conductor layer and the electrode substrate; and a control unit that generates a signal according to an input operation to the operation member based on a change in capacitance of the electrode substrate;
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, An electronic apparatus in which the unit region includes two or more of the first structure or the second structure.
  • the present technology can also employ the following configurations.
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, In the unit region, at least one of the first structure and the second structure is included in two or more sensor devices.
  • the plurality of first structures are two-dimensionally arranged in a first direction and a second direction orthogonal to each other,
  • the sensor device according to (2) wherein the first structures are arranged at equal intervals in both the first direction and the second direction.
  • the electrode substrate is formed in an intersection region of the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes, respectively, and according to a relative distance between each of the first conductor layer and the second conductor layer.
  • the sensor device according to any one of (1) to (8), including a plurality of detection units having a variable capacity.
  • Sensor device (11) The outer periphery of the detection unit is inside the outer periphery of the unit region, and two or more first structures included in the unit region are between the outer periphery of the detection unit and the outer periphery of the unit region. (9) The sensor device according to (9). (12) The sensor device according to any one of (1) to (11), wherein the unit region includes four first structures.
  • apparatus A flexible operating member; A conductor layer; A flexible electrode substrate provided between the operation member and the conductor layer, and a plurality of first structures separating the operation member and the electrode substrate; A plurality of second structures that separate the conductor layer and the electrode substrate; The electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, An input device in which at least one of the first structure and the second structure is included in the unit region.
  • the input device further comprising a control unit that generates a signal corresponding to an input operation on each of the plurality of key regions based on changes in capacitance of the plurality of detection units.
  • the input device according to any one of (17) to (19), wherein the plurality of second structures are provided along a boundary between the plurality of key regions.
  • Some of the plurality of first structures and the plurality of second structures are provided to overlap in the thickness direction at the boundaries between the plurality of key regions (17) to (20 ).
  • a flexible operating member A conductor layer; A flexible electrode substrate provided between the operation member and the conductor layer, and a plurality of first structures separating the operation member and the electrode substrate; A plurality of second structures that separate the conductor layer and the electrode substrate, and a control unit that generates a signal according to an input operation to the operation member based on a change in capacitance of the electrode substrate,
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, An electronic apparatus in which at least one of the first structure and the second structure is included in the unit region.
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, A sensor device in which the unit region includes two or more of the first structures.
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, In the unit region, at least one of the first structure and the second structure is included in two or more sensor devices.
  • the sensor device according to (24), wherein the first layer and the second layer include a conductor layer.
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, An input device in which at least one of the first structure and the second structure is included in the unit region.
  • a flexible first layer including an operating member; A second layer; A flexible electrode substrate provided between the first layer and the second layer; and a plurality of first structures that separate the first layer and the electrode substrate; A plurality of second structures that separate the second layer and the electrode substrate, and a control unit that generates a signal corresponding to an input operation to the operation member based on a change in capacitance of the electrode substrate.
  • At least one of the first layer and the second layer includes a conductor layer
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes, A plurality of unit regions are provided corresponding to each intersection of the first electrode and the second electrode, An electronic apparatus in which at least one of the first structure and the second structure is included in the unit region.
  • the electrode substrate includes a plurality of first electrodes having a plurality of first unit electrode bodies, and a plurality of second electrodes having a plurality of second unit electrode bodies,
  • a detection unit is configured by the set of the first electrode body and the second electrode body, A plurality of unit areas are provided corresponding to the detection unit, In the unit region, at least one of the first structure and the second structure is included in two or more sensor devices.
  • the sensor device according to (28), wherein the detection unit includes the plurality of first sub-electrodes and the plurality of second sub-electrodes alternately arranged on the same plane.
  • SYMBOLS 1 Sensor apparatus 100, 100A, 100B ... Input device 10, 10A, 10B ... Operation member 11 ... Flexible display (display part) 12 ... Metal film (first conductor layer) DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... Electrode substrate 20s ... Detection part 20r ... Unit detection area 210 ... 1st electrode wire 220 ... 2nd electrode wire 30 ... 1st support body 310 ... 1st structure 320 ... 1st frame 330 ... 1st space part 40 ... 2nd support body 410 ... 2nd structure 420 ... 2nd frame 430 ... 2nd space part 50 ... Conductive layer (2nd conductive layer) 51 ... Step part 60 ... Control part 70, 70B ... Electronic device 710 ... Controller

Abstract

　【課題】操作位置および押圧力を高い精度で検出することが可能なセンサ装置を提供する。　【解決手段】センサ装置は、可撓性を有する第１の導体層と、第２の導体層と、第１の導体層および第２の導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、第１の導体層および電極基板を離間する複数の第１の構造体と、電極基板および第２の導体層を離間する複数の第２の構造体とを備える。電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含んでいる。第１の電極と第２の電極との各交差部に対応して複数の単位領域が設けられ、単位領域内には、第１の構造体および第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている。

Description

センサ装置、入力装置および電子機器
　本技術は、入力操作を静電的に検出することが可能なセンサ装置、入力装置および電子機器に関する。
　電子機器用のセンサ装置として、例えば容量素子を備え、入力操作面に対する操作子の操作位置と押圧力とを検出することが可能な構成を有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１１－１７０６５９号公報
　近年、指の動きを利用したジェスチャー操作によって自由度の高い入力方法が用いられているが、さらに、操作面上の押圧力を高い精度で安定的に検出することができれば、より多彩な入力操作の実現を期待できる。
　以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、操作位置および押圧力を高い精度で検出することが可能なセンサ装置、入力装置および電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の技術は、
　可撓性を有する第１の導体層と、
　第２の導体層と、
　第１の導体層および第２の導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　第１の導体層および電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　電極基板および第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　第１の電極と第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　単位領域内には、第１の構造体および第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれているセンサ装置である。
　第１の技術では、第１の導体層上から入力操作を行うと、第１の導体層が撓むと共に、第１の構造体を介して電極基板が第２の導体層に向けて撓む。これにより、第１および第２の導体層各々と電極基板との間の相対距離がそれぞれ変化し、その距離の変化に基づいて押圧などの入力操作を静電的に検出することが可能となる。したがって、入力操作に対する静電容量の変化量を大きくすることができ、検出感度を高めることが可能となる。また、これにより、意識的な押圧操作のみならず接触操作時の微小な押圧力も検出可能となり、タッチセンサとしても使用することが可能となる。
　単位領域の中央部に対応する位置に第１の導体層上から入力操作がなされた場合には、第１の導体層が撓むと共に、単位領域内に含まれる２個以上の第１の構造体を介して電極基板が第２の導体層に向けて撓む。したがって、単位領域内に１個の第１の構造体を含んでいる場合（例えば単位領域の中心位置に第１の構造体を１個配置した場合）に比して、上記入力操作に際して電極基板を第２の導体層に向けて大きく撓ませる範囲をより広くすることができる。これにより、単位領域内に１個の第１の構造体を含んでいる場合に比して、上記入力操作に際しての容量変化率および操作感度を向上させることができる。
　単位領域間またはその近傍に対応する位置に第１の導体層上から入力操作がなされた場合には、単位領域内に含まれる２個以上の第１の構造体によって、単位領域間またはその近傍において第１の導体層が局所的に第２の導体層に向けて大きく撓むことを抑制できる。したがって、好ましい形状の容量変化率分布を得ることができる。
　第１の技術のセンサ装置は、操作子と電極基板の各電極線とが直接容量結合する構成ではなく、第１の導体層を介して入力操作を行うため、手袋を装着した指や先の細いスタイラスなどの操作子を用いた場合であっても、精度よく入力操作を検出することが可能となる。
　第２の技術は、
　可撓性を有する操作部材と、
　導体層と、
　操作部材および導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　操作部材および電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　導体層および電極基板を離間する第２の構造体と
　を備え、
　電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　第１の電極と第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　単位領域内には、第１の構造体および第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている入力装置である。
　第２の技術では、操作部材上から入力操作を行うと、操作部材が撓むと共に、第１の構造体を介して電極基板が第２の導体層に向けて撓む。これにより、操作部材および導体層各々と電極基板との間の相対距離がそれぞれ変化し、その距離の変化に基づいて押圧などの入力操作を静電的に検出することが可能となる。したがって、入力操作に対する静電容量の変化量を大きくすることができ、検出感度を高めることが可能となる。また、これにより、意識的な押圧操作のみならず接触操作時の微小な押圧力も検出可能となり、タッチセンサとしても使用することが可能となる。
　単位領域の中央部に対応する位置に操作部材上から入力操作がなされた場合には、操作部材が撓むと共に、単位領域内に含まれる２個以上の第１の構造体を介して電極基板が導体層に向けて撓む。したがって、単位領域内に１個の第１の構造体を含んでいる場合（例えば単位領域の中心位置に第１の構造体を１個配置した場合）に比して、上記入力操作に際して電極基板を導体層に向けて大きく撓ませる範囲をより広くすることができる。これにより、単位領域内に１個の第１の構造体を含んでいる場合に比して、上記入力操作に際しての容量変化率および操作感度を向上させることができる。
　単位領域間またはその近傍に対応する位置に操作部材上から入力操作がなされた場合には、単位領域内に含まれる２個以上の第１の構造体によって、単位領域間またはその近傍において操作部材が局所的に導体層に向けて大きく撓むことを抑制できる。したがって、好ましい容量変化率分布を得ることができる。
　第３の技術は、
　可撓性を有する操作部材と、
　導体層と、
　操作部材および導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　操作部材および電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　導体層および電極基板を離間する第２の構造体と
　電極基板の静電容量の変化に基づいて、操作部材に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部と
　を備え、
　電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　第１の電極と第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　単位領域内には、第１の構造体および第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている電子機器である。
　第４の発明は、
　可撓性を有する第１の導体層と、
　第１の導体層に対向して設けられた第２の導体層と、
　第１の導体層および第２の導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　第１の導体層および電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　電極基板および第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　第１の電極と第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　単位領域内には、第１の構造体が２個以上含まれているセンサ装置である。
　第５の発明は、
　可撓性を有する第１の層と、
　第２の層と、
　第１の層および第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　第１の層および電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　電極基板および第２の層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　第１の層および第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
　電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　第１の電極と第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　単位領域内には、第１の構造体および第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれているセンサ装置である。
　第６の発明は、
　操作部材を含む、可撓性を有する第１の層と、
　第２の層と、
　第１の層および第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　第１の層および電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　電極基板および第２の層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　第１の層および第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
　電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　第１の電極と第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　単位領域内には、第１の構造体および第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている入力装置である。
　第７の発明は、
　操作部材を含む、可撓性を有する第１の層と、
　第２の層と、
　第１の層および第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　第１の層および電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　第２の層および電極基板を離間する複数の第２の構造体と
　電極基板の静電容量の変化に基づいて、操作部材に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部と
　を備え、
　第１の層および第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
　電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　第１の電極と第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　単位領域内には、第１の構造体および第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている電子機器である。
　第８の発明は、
　可撓性を有する第１の層と、
　第２の層と、
　第１の層および第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　第１の層および電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　電極基板および第２の層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　第１の層および第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
　電極基板は、複数の第１の単位電極体を有する複数の第１の電極と、複数の第２の単位電極体を有する複数の第２の電極とを含み、
　第１の電極体および第２の電極体の組により検出部が構成され、
　検出部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　単位領域内には、第１の構造体および第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれているセンサ装置である。
　以上のように、本技術によれば、操作位置および押圧力を高い精度で検出することが可能となる。
図１は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の一構成例を示す概略断面図である。 図２は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の一構成例を示す分解斜視図である。 図３は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の要部の一構成例を示す概略断面図である。 図４は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置を用いた電子機器の一構成例を示すブロック図である。 図５Ａは、本技術の第１の実施形態に係る入力装置に係る導体層の構成例を示す概略断面図である。図５Ｂは、導体層の変形例を示す概略断面図である。図５Ｃは、導体層の変形例を示す概略断面図である。図５Ｄは、導体層の変形例を示す概略断面図である。図５Ｅは、導体層の変形例を示す概略断面図である。 図６Ａは、本技術の第１の実施形態に係る入力装置に係る検出部の構成を説明するための模式的な断面図である。図６Ｂは、検出部の変形例の構成を説明するための模式的な断面図である。 図７Ａは、本技術の第１の実施形態に係る入力装置に係る第１の支持体の形成方法の一例を示す概略断面図である。図７Ｂは、第１の支持体の形成方法の一例を示す概略断面図である。図７Ｃは、第１の支持体の形成方法の一例を示す概略断面図である。 図８は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置に係る第２の支持体の形成方法の一例を示す概略断面図である。 図９Ａは、第１または第２の支持体の形成方法の変形例を示す概略断面図である。図９Ｂは、第１または第２の支持体の形成方法の変形例を示す概略断面図である。 図１０Ａは、第１および第２の電極線の配置例を示す概略図である。図１０Ｂは、第１および第２の電極線の一構成例を示す概略図である。図１０Ｃは、単位検出領域を説明するための概略図である。 図１１は、操作子により入力装置の第１の面の点をＺ軸方向下方へ押圧した際に、第１および第２の構造体へ付加される力の様子を示す概略断面図である。 図１２は、第１の面の第１の構造体上の点が操作子による操作を受けたときの入力装置の態様を示す模式的な要部断面図と、そのときの各検出部の容量変化量の一例を示す図である。 図１３は、第１の面の第１の空間部上の点が操作子による操作を受けたときの入力装置の態様を示す模式的な要部断面図と、そのときの各検出部の容量変化量の一例を示す図である。 図１４は、第１の面がスタイラスによる操作を受けたときの入力装置の態様を示す模式的な要部断面図と、そのときの各検出部の容量変化量の一例を示す図である。 図１５は、第１の面が指による操作を受けたときの入力装置の態様を示す模式的な要部断面図と、そのときの各検出部の容量変化量の一例を示す図である。 図１６は、単位検出領域内に第１の構造体を１個含む入力装置における荷重位置と容量変化量との関係について説明するための図である。 図１７は、単位検出領域内に第１の構造体を１個含む入力装置における荷重位置と容量変化量との関係について説明するための図である。 図１８は、単位検出領域内に第１の構造体を１個含む入力装置における荷重位置と容量変化量との関係について説明するための図である。 図１９Ａは、理想的な容量変化率分布を示す図である。図１９Ｂは、実際の容量変化率分布を示す図である。 図２０Ａ、図２０Ｂは、分裂した２つのピークが容量変化率分布に発生する原因について説明するための概略断面図である。 図２１Ａ、図２１Ｂは、単位検出領域内に第１の構造体を２個以上含むことで、座標計算の精度を改善できる理由について説明するための概略断面図である。 図２２Ａは、第１および第２の構造体と、第１の電極線（Ｙ電極）および第２の電極線（Ｘ電極）との第１の配置例を示す模式的な平面図である。図２２Ｂは、第１および第２の構造体と、第１の電極線（Ｙ電極）および第２の電極線（Ｘ電極）との第２の配置例を示す模式的な平面図である。 図２３Ａは、対称配置の第１の例を示す平面図である。図２３Ｂは、対称配置の第２の例を示す平面図である。 図２４Ａは、対称配置の第３の例を示す平面図である。図２４Ｂは、対称配置の第４の例を示す平面図である。 図２５Ａは、対称配置の第５の例を示す平面図である。図２５Ｂは、対称配置の第６の例を示す平面図である。 図２６は、対称配置の第９の例を示す平面図である。 図２７Ａは、Ｚ軸方向から見た場合に、第１および第２の構造体が重なって配置されている入力装置の構成例を示す概略断面図である。図２７Ｂは、Ｚ軸方向から見た場合に、第１および第２の構造体が重なって配置されている配置例を示す平面図である。 図２８は、第２の構造体の第１の配置例を示す平面図である。 図２９Ａは、図２８に示した領域ＲAの近傍を拡大して表す斜視図である。図２９Ｂは、図２８に示した領域ＲBの近傍を拡大して表す斜視図である。図２９Ｃは、図２８に示した領域ＲCの近傍を拡大して表す斜視図である。 図３０Ａは、第２の構造体の第２の配置例を示す平面図である。図３０Ｂは、第２の構造体の第３の配置例を示す平面図である。 図３１Ａ、図３１Ｂは、単位検出領域内に第１の構造体を２個以上含むことで、荷重感度を向上できる理由について説明するための概略断面図である。 図３２Ａは、第１の配置例を示す概略断面図である。図３２Ｂは、第２の配置例を示す概略断面図である。図３２Ｃは、第３の配置例を示す概略断面図である。 図３３Ａ～図３３Ｃは、第１の構造体間の距離Ｄｘ、Ｄｙを説明するための概略断面図である。 図３４は、第１の構造体間の距離Ｄｘ、Ｄｙを説明するための平面図である。 図３５Ａは、単位検出領域内に第１の構造体を１個含む入力装置の描画特性について説明するための概略断面図である。図３５Ｂは、単位検出領域内に第１の構造体を１個含む入力装置の描画特性について説明するための平面図である。 図３６Ａは、図２３Ｂに示した配置例でわずかに沈みが発生する領域Ｒを示す平面図である。図３６Ｂは、図２５Ａに示した配置例でわずかに沈みが発生する領域Ｒを示す平面図である。 図３７Ａは、第１の電極線の変形例を示す平面図である。図３７Ｂは、第２の電極線の変形例を示す平面図である。 図３８（Ａ）～図３８（Ｐ）は、単位電極体の形状例を示す模式図である。 図３９Ａは、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の電子機器への実装例を示す概略断面図である。図３９Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の電子機器への実装例の変形例を示す概略断面図である。 図４０は、本技術の第４の実施形態に係る入力装置の一構成例を示す概略断面図である。 図４１Ａは、本技術の第４の実施形態に係る入力装置に係る操作部材の一構成例を示す概略断面図である。図４１Ｂは、操作部材の変形例を示す概略断面図である。 図４２は、本技術の第５の実施形態に係る入力装置が組み込まれた電子機器の一構成例を示す概略断面図である。 図４３は、試験例１におけるシミュレーションの条件を示す概略図である。 図４４Ａ～図４４Ｃは、試験例１－１のシミュレーションの結果を示す図である。 図４５Ａ～図４５Ｃは、試験例１－２のシミュレーションの結果を示す図である。 図４６Ａ～図４６Ｃは、試験例２－１～２－２のシミュレーションの結果を示す図である。 図４７Ａ～図４７Ｃは、試験例２－３～２－４のシミュレーションの結果を示す図である。 図４８Ａ～図４８Ｃは、試験例２－５～２－６のシミュレーションの結果を示す図である。 図４９Ａ～図４９Ｃは、試験例２－７～２－８のシミュレーションの結果を示す図である。 図５０Ａ～図５０Ｃは、試験例２－９～２－１０のシミュレーションの結果を示す図である。 図５１Ａ～図５１Ｃは、試験例２－１１～２－１２のシミュレーションの結果を示す図である。 図５２は、試験例３－１～３－４のシミュレーションの結果を示す図である。 図５３は、試験例４－１～４－３のシミュレーションの結果を示す図である。 図５４Ａは、試験例５－１、５－２のシミュレーションの結果を示す図である。図５４Ｂは、試験例５－１のシミュレーションの結果を示す図である。図５４Ｃは、試験例５－２のシミュレーションの結果を示す図である。 図５５Ａは、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の変形例を示す概略断面図である。図５５Ｂは、第１の面が指による操作を受けたときの入力装置の態様を示す模式的な要部断面図である。 図５６Ａは、入力装置の面内方向における複数の開口の配置位置の第１の例を示す平面図である。図５６Ｂは、入力装置の面内方向における複数の開口の配置位置の第２の例を示す平面図である。 図５７Ａは、入力装置のグランド接続の第１の例を示す概略図である。図５７Ｂは、入力装置のグランド接続の第２の例を示す概略図である。 図５８Ａは、対称配置の第７の例を示す平面図である。図５８Ｂは、対称配置の第８の例を示す平面図である。 図５９Ａは、対称配置の第１０の例を示す平面図である。図５９Ｂは、対称配置の第１１の例を示す平面図である。 図６０Ａは、円筒状を有する入力装置の形状例を示す斜視図である。図６０Ｂは、図６０ＡのＡ－Ａ線に沿った断面図である。 図６１Ａは、曲面状を有する入力装置の形状例を示す斜視図である。図６１Ｂは、図６１ＡのＡ－Ａ線に沿った断面図である。 図６２Ａは、本技術の第２の実施形態に係る入力装置の構成の一例を示す断面図である。図６２Ｂは、図６２Ａの一部を拡大して表す断面図である。 図６３Ａは、Ｙ電極の構成の一例を示す平面図である。図６３Ｂは、Ｘ電極の構成の一例を示す平面図である。 図６４Ａは、Ｘ電極およびＹ電極の配列の一例を示す平面図である。図６４Ｂは、図６４ＡのＡ－Ａ線に沿った断面図である。 図６５Ａは、Ｘ電極の構成の第１の例を示す平面図である。図６５Ｂは、Ｙ電極の構成の第１の例を示す平面図である。 図６６Ａは、Ｘ電極の構成の第２の一例を示す平面図である。図６６Ｂは、Ｙ電極の構成の第２の例を示す平面図である。 図６７Ａは、本技術の第３の実施形態に係る入力装置の構成の第１の例を示す断面図である。図６７Ｂは、本技術の第３の実施形態に係る入力装置の構成の第２の例を示す断面図である。 図６８Ａは、本技術の第３の実施形態の変形例に係る入力装置におけるＸ、Ｙ電極の構成の第１の例を示す平面図である。図６８Ｂは、本技術の第３の実施形態の変形例に係る入力装置におけるＸ、Ｙ電極の構成の第２の例を示す平面図である。 図６９Ａは、第１の電極線（Ｙ電極）の配置例を示す平面図である。図６９Ｂは、第２の電極線（Ｘ電極）の配置例を示す平面図である。 図７０Ａは、第１の構造体の配置例を示す平面図である。図７０Ｂは、第２の構造体の配置例を示す平面図である。 図７１は、第１および第２の電極線と第１および第２の構造体との配置関係を示す平面図である。 図７２は、第１および第２の構造体の配置例を示す平面図である。
　本技術において、センサ装置および入力装置は、例えば、ノート型パーソナルコンピュータ、タッチパネルディスプレイ、タブレット型コンピュータ、携帯電話（例えばスマートフォン）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器（例えばポータブルオーディオプレイヤー）、ゲーム機器などの電子機器に適用して好適なものである。
　本技術において、導体層は、電気的導電性を有する導電層であればよく、例えば、無機系導電材料を含む無機導電層、有機系導電材料を含む有機導電層、無機系導電材料および有機系導電材料の両方を含む有機－無機導電層などを用いることが好ましい。
　無機系導電材料としては、例えば、金属、金属酸化物などが挙げられる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属としては、例えば、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられるが、これに限定されるものではない。金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛－酸化錫系、酸化インジウム－酸化錫系、酸化亜鉛－酸化インジウム－酸化マグネシウム系などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
　有機系導電材料としては、例えば、炭素材料、導電性ポリマーなどが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル、ナノホーンなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
　本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（入力装置の例）
２．第２の実施形態（入力装置の例）
３．第３の実施形態（入力装置の例）
４．第４の実施形態（入力装置の例）
５．第５の実施形態（電子機器の例）
＜１　第１の実施形態＞
　図１は本技術の第１の実施形態に係る入力装置１００の一構成例を示す概略断面図、図２は入力装置１００の一構成例を示す分解斜視図、図３は入力装置１００の要部の一構成例を示す概略断面図、図４は入力装置１００を用いた電子機器７０の一構成例を示すブロック図である。以下、本実施形態の入力装置１００の構成について説明する。なお、図中のＸ軸（第１の方向）およびＹ軸（第２の方向）は相互に直交する方向（入力装置１００の面内方向）を示し、Ｚ軸はＸ軸およびＹ軸に直交する方向（入力装置１００の厚み方向または上下方向）を示している。
［入力装置］
　入力装置１００は、ユーザによる操作を受け付けるフレキシブルディスプレイ（表示部）１１と、ユーザの操作を検出するセンサ装置１とを有する。入力装置１００は、例えばフレキシブルなタッチパネルディスプレイとして構成され、後述する電子機器７０に組み込まれる。センサ装置１およびフレキシブルディスプレイ１１は、Ｚ軸に垂直な方向に延びる平板状である。
　フレキシブルディスプレイ１１は、第１の面１１０と、第１の面１１０の反対側の第２の面１２０とを有する。フレキシブルディスプレイ１１は、入力装置１００における入力操作部としての機能と、表示部としての機能とを兼ね備える。すなわち、フレキシブルディスプレイ１１は、第１の面１１０を入力操作面および表示面として機能させ、第１の面１１０からユーザによる操作に応じた画像をＺ軸方向上方に向けて表示する。第１の面１１０には、例えばキーボードに対応する画像や、ＧＵＩ（Graphical User Interface）などが表示される。フレキシブルディスプレイ１１に対する操作を行う操作子としては、例えば、図１５に示す指ｆや、図１４に示すスタイラスｓが挙げられる。
　フレキシブルディスプレイ１１の具体的な構成は特に限定されない。例えば、フレキシブルディスプレイ１１として、いわゆる電子ペーパー、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）パネル、無機ＥＬパネル、液晶パネルなどを採用することができる。また、フレキシブルディスプレイ１１の厚みも特に限定されず、例えば０．１ｍｍ～１ｍｍである。
　センサ装置１は、金属膜（第１の導体層（導電層））１２と、導体層（第２の導体層（導電層））５０と、電極基板２０と、第１の支持体３０と、第２の支持体４０を有する。センサ装置１は、フレキシブルディスプレイ１１の第２の面１２０側に配置されている。
　金属膜１２は、可撓性を有し、例えば、変形可能なシート状に構成される。導体層５０は、金属膜１２に対向して配置される。電極基板２０は、可撓性を有し、複数の第１の電極線２１０と、複数の第１の電極線２１０に対向して配置されるとともに、複数の第１の電極線２１０と交差する複数の第２の電極線２２０とを有している。電極基板２０は、金属膜１２と導体層５０との間に変形可能に配置され、金属膜１２および導体層５０各々との距離の変化を静電的に検出することが可能である。第１の支持体３０は、例えば、金属膜１２と電極基板２０との間を接続する複数の第１の構造体３１０と、複数の第１の構造体３１０の間に形成された第１の空間部３３０とを有する。複数の第１の構造体３１０により金属膜１２と電極基板２０との間が離間される。第２の支持体４０は、例えば、隣り合う複数の第１の構造体３１０間にそれぞれ配置され導体層５０と電極基板２０との間を接続する複数の第２の構造体４１０と、複数の第２の構造体４１０の間に形成された第２の空間部４３０とを有する。複数の第２の構造体４１０により導体層５０と電極基板２０との間が離間される。第１の空間部３３０および第２の空間部４３０に液体やゲルなどの媒質が充填されていてもよい。また、空気以外の気体が充填されていてもよい。
　本実施形態に係るセンサ装置１（入力装置１００）は、フレキシブルディスプレイ１１の第１の面１１０上での入力操作による金属膜１２および電極基板２０と、導体層５０および電極基板２０との間の距離の変化を静電的に検出することで、当該入力操作を検出する。当該入力操作は、第１の面１１０上を意識的な押圧（プッシュ）操作に限られず、接触（タッチ）操作であってもよい。すなわち、入力装置１００は、後述するように、一般的なタッチ操作により付加される微小な押圧力（例えば約数十ｇ程度）であっても検出可能であるため、通常のタッチセンサと同様のタッチ操作が可能に構成される。
　入力装置１００は、制御部６０を有し、当該制御部６０は、演算部６１および信号生成部６２を含む。演算部６１は、検出部２０ｓの静電容量の変化に基づいて、ユーザによる操作を検出する。信号生成部６２は、演算部６１による検出結果に基づいて操作信号を生成する。
　図４に示す電子機器７０は、入力装置１００の信号生成部６２の生成する操作信号に基づいた処理を行うコントローラ７１０を有する。コントローラ７１０によって処理された操作信号は、例えば画像信号として、フレキシブルディスプレイ１１に出力される。フレキシブルディスプレイ１１は、フレキシブル配線基板１１３（図２参照）を介してコントローラ７１０に搭載された駆動回路に接続される。上記駆動回路は、配線基板１１３に搭載されていてもよい。
　フレキシブルディスプレイ１１は、本実施形態において、入力装置１００の操作部材１０の一部として構成される。すなわち、入力装置１００は、操作部材１０と、電極基板２０と、第１の支持体３０と、第２の支持体４０と、導体層５０とを有する。以下、これらの各要素について説明する。
（操作部材）
　操作部材１０は、第１の面１１０と第２の面１２０とを含むフレキシブルディスプレイ１１と、金属膜１２との積層構造を有する。すなわち、操作部材１０は、ユーザによる操作を受け付ける第１の面１１０と、金属膜１２が形成され第１の面１１０の反対側の第２の面１２０とを有し、変形可能なシート状に構成される。金属膜１２は、導体層５０に対向する第２の面１２０の側に設けられている。
　金属膜１２は、フレキシブルディスプレイ１１の変形に倣って変形可能なシート状に構成され、例えばＣｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属箔、あるいはメッシュ材で構成される。また、シート状の基材上に形成された導電体の蒸着膜やスパッタ膜等で構成されてもよく、導電ペースト等の塗膜であってもよい。なお、金属膜１２は、導電層として機能すればよく、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の酸化物導電体やカーボンナノチューブ等の有機導電体でも良い。金属膜１２の厚みは特に限定されず、例えば数１０ｎｍ～数１０μｍである。金属膜１２は、例えばグランド電位に接続される。これにより、金属膜１２は、電子機器７０に実装された際に電磁シールド層としての機能を発揮する。すなわち、例えばフレキシブルディスプレイ１１からの電磁波の侵入や電子機器７０に実装される他の電子部品などからの電磁波の侵入、および入力装置１００からの電磁波の漏洩を抑制し、電子機器７０としての動作の安定性に寄与することができる。また、このような電磁シールド層としての機能を強化するために、金属膜１２は複数層となっていてもよい。
　金属膜１２は、例えば図３に示すように、金属箔が形成された粘着性の樹脂膜などの接着層１３をフレキシブルディスプレイ１１に貼り付けることで形成される。あるいは、フレキシブルディスプレイ１１に直接形成された蒸着膜やスパッタ膜などで構成されてもよく、フレキシブルディスプレイ１１の表面に印刷された導電ペーストなどの塗膜であってもよい。また、金属膜１２のフレキシブルディスプレイ１１と反対側の面に非導電性の膜が形成されていても良い。非導電性の膜としては、例えば、耐傷性ハードコート層や耐腐食性の酸化防止膜等を形成することができる。
（導体層）
　導体層５０は、入力装置１００の最下部を構成し、金属膜１２とＺ軸方向に対向して配置される。導体層５０は、例えば入力装置１００の支持プレートとしても機能し、例えば操作部材１０および電極基板２０よりも高い曲げ剛性を有するように構成される。導体層５０は、例えばＡｌ合金、Ｍｇ（マグネシウム）合金その他の金属材料を含む金属板またはカーボン繊維強化型プラスチックなどの導体板で構成されてもよい。あるいは導体層５０は、プラスチック材料などの絶縁体層上にメッキ膜や蒸着膜、スパッタリング膜、金属箔などの導体膜が形成された積層構造を有してもよい。また、導体層５０の厚みは特に限定されず、例えば約０．３ｍｍ程度である。
　図５Ａ～図５Ｅは、導体層５０の構成例を示す概略断面図である。導体層５０は、図５Ａに示すような平坦な板状に構成される例に限られず、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｅに示す段差部５１を有していてもよい。あるいは導体層５０は、図５Ｄに示すように、メッシュ状に構成されていてもよい。
　例えば図５Ｂに示す導体層５０Ｂは、周縁部がＺ軸方向上方に向かって折り曲げられることで形成された段差部５１Ｂを有し、図５Ｃ、図５Ｅに示す導体層５０Ｃ、５０Ｅは、いずれも中央部に形成され下方に陥没した段差部５１Ｃ、５１Ｅを有する。このような段差部５１によって、導体層５０のＺ軸方向に関する曲げ剛性を高めることができる。
　また、図５Ｄに示す導体層５０Ｄは、メッシュ状に形成されている。このように、導体層５０がメッシュ状に形成されることにより、剛性を維持しつつ放熱性を高めることができ、入力装置１００の不具合を抑制し、信頼性を高めることが可能となる。
　また、図５Ｄ、図５Ｅに示す導体層５０Ｄ、５０Ｅには、１または複数の開口５０ｈが設けられている。このように導体層５０に開口５０ｈを設けることにより、剛性を維持しつつ放熱性を高めることができ、入力装置１００の不具合を抑制し、信頼性を高めることが可能となる。また、上述のように導体層５０に開口５０ｈを設けることにより、導体層５０の体積が減り、入力装置１００の重さを軽くすることができる。さらに、上述のように導体層５０に開口５０ｈを設けることにより、第２の空間部４３０の体積が変形によって変化する際に空気が流れ易くなり、電極基板２０の応答時間が短縮する。ここで、応答時間とは、操作部材１０への加重が変化してから実際にセンサ装置１の容量が変化するまでの時間のことを指す。
　開口５０ｈの形状としては、三角形や四角形などの多角形状、円形状、楕円形状、長円形状、不定形状およびスリット状などが挙げられ、これらの形状を単独または２以上組み合わせて用いてもよい。導体層５０に複数の開口５０ｈを設ける場合には、複数の開口５０ｈは規則的または不規則的パターンで配列され、センサ感度の均一性の観点からすると、規則的パターンが好ましい。その配列は、１次元的配列および２次元的配列のいずれであってもよい。また、導体層５０に複数の開口５０ｈを設ける場合には、複数の開口５０ｈを設けた導体層５０が全体としてメッシュ状やストライプ状を有していてもよいし、複数の開口５０ｈが全体として幾何学模様を構成していてもよい。
　導体層５０に開口５０ｈを設ける場合、開口５０ｈは、第２の構造体４１０またはグループを構成する第２の構造体４１０のいずれのものとも対向しない位置または領域に設けられていることが好ましい。すなわち、開口５０ｈと第２の構造体４１０とが、Ｚ軸方向（すなわち、入力装置１００の厚さ方向）に重ならないように、面内（ＸＹ面内）方向にずらして設けられていることが好ましい。第２の構造体４１０で電極基板２０と導体層５０を安定して接続するためである。
　また、導体層５０における開口５０ｈの位置は、後述する複数の電極群２１ｗと複数の電極群２２ｗの交差領域（検出部２０ｓ）と対向しない位置であることが好ましい。すなわち、開口５０ｈと検出部２０ｓとが、Ｚ軸方向（すなわち、入力装置１００の厚さ方向）に重ならないように、面内（ＸＹ面内）方向にずらして設けられていることが好ましい。検出部２０ｓに対向する位置に導体層５０の開口５０ｈが配置されている場合には、検出部２０ｓに対向する位置に導体層５０の開口５０ｈが配置されていない場合に比して、検出部２０ｓの初期容量や容量変化率が変化してしまい、入力装置１００内でのセンサ感度が不均一になるためである。
　開口５０ｈの配置位置は、各々の単位検出領域２０ｒにおいて全て同一位置であることが好ましい。ただし、入力装置１００の最外周及び最外周近傍の単位検出領域２０ｒは除くものとする。前述のように入力装置１００内においてセンサ感度が不均一になるのを防止するためである。なお、単位検出領域２０ｒの詳細については後述する。センサ感度が不均一になることを防止する観点からすると、開口５０ｈは、検出部（交差領域）２０ｓの中心に対して対称に配置されていることが好ましい。より具体的には、開口５０ｈは、第１および第２の電極線２１０、２２０それぞれの中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。
　図５６Ａ、図５６Ｂは、入力装置１００の面内（ＸＹ面内）方向における複数の開口５０ｈの配置位置の例を示す平面図である。図５６Ａでは、開口５０ｈを長円形状とした例が示され、図５６Ｂでは、開口５０ｈを円形状とした例が示されている。複数の開口５０ｈは、Ｚ軸方向（すなわち、入力装置１００の厚さ方向）から見て、単位検出領域２０ｒの外周（周）上に配置されると共に、第２の構造体４１０および検出部２０ｓのいずれともＺ軸方向に重ならないように、開口５０ｈと第２の構造体４１０および検出部２０ｓとを面内（ＸＹ面内）方向にずらして設けた例が示されている。
　導体層５０は、例えばグランド電位に接続される。これにより、導体層５０は、電子機器７０に実装された際の電磁シールド層としての機能を発揮する。すなわち、例えば電子機器７０に実装される他の電子部品などからの電磁波の侵入および入力装置１００からの電磁波の漏洩を抑制し、電子機器７０としての動作の安定性に寄与することができる。
　電磁シールド層としての機能を強化するために、特にフレキシブルディスプレイ１１からの電磁波の侵入を防止するために、金属膜１２および導体層５０のグランド電位接続方法は以下のようになっていることが好ましい。
　図５７Ａに示すように、金属膜１２と導体層５０とを制御部６０のグランドのみに接続するのではなく、コントローラ７１０のグランドにも接続することが好ましい。フレキシブルディスプレイ１１はコントローラ７１０に接続されており、ノイズ元に直接接続することで金属膜１２のシールド効果を高めることができる。さらに、金属膜１２と導体層５０を多くの接点で結合させると効果が高い。
　また、図５７Ｂに示すように、導体層５０のグランド接続は制御部６０とし、複数の金属膜１２を配置し、それらの金属膜１２のうちフレキシブルディスプレイ１１の最も近くに設けられた金属膜１２をコントローラ７１０に接続してもよい。さらに、それらの金属膜１２のうち電極基板２０の最も近くに設けられた金属膜１２のグランド接続を制御部６０とコントローラ７１０の両方に接続してもよい。なお、図５７Ｂでは、２つの金属膜１２が設けられた例が示されている。
（接着層）
　フレキシブルディスプレイ１１と金属膜１２との間に、接着層１３が設けられていてもよい。接着層１３は、例えば、絶縁性を有する接着剤または粘着テープにより構成される。接着剤としては、例えば、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤およびウレタン系接着剤などからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。本技術において、粘着（pressure sensitive adhesion）は接着（adhesion）の一種と定義する。この定義に従えば、粘着層は接着層の一種と見なされる。
　接着層１３によりフレキシブルディスプレイ１１と金属膜１２との全面が接着されていてもよい。この場合、フレキシブルディスプレイ１１と金属膜１２と面内全面で強固な接着と均一な感度が得られる。
　また、接着層１３によりフレキシブルディスプレイ１１と金属膜１２との外周部だけが接着されていてもよく、両者が第１の枠体３２０の上方の部分でのみ接着されていることが特に好ましい。第１の枠体３２０の部分は第１の構造体３１０の部分より接着力が強く、フレキシブルディスプレイ１１に上方に引きはがすような力が加わった場合に、第１の構造体３１０の部分の破壊や金属膜１２と第１の構造体３１０との剥がれ、電極基板２０と第１の構造体３１０の剥がれを抑制することができる。
　また、接着層１３によりフレキシブルディスプレイ１１の表示エリア（有効エリア）のみが接着されていてもよい。フレキシブルディスプレイ１１の外周部に配線やＦＰＣやドライバなどが付属している場合に、フレキシブルディスプレイ１１にダメージを与えることを防ぐことができ、かつ、フレキシブルディスプレイ１１の外周部の段差を接着することで周辺のセンサの感度に異常が発生することを防ぐことができる。フレキシブルディスプレイ１１の外周部の段差が大きい場合や、反りが大きい場合は、表示エリア（有効エリア）よりも内側のみで接合するようにしてもよい。
　また、接着層１３としては、例えば、フレキシブルディスプレイ１１と金属膜１２との間にほぼ均一な厚さで連続的に設けられた接着層、またはフレキシブルディスプレイ１１および金属膜１２の面内方向に所定のパターンを有する接着層を用いることができる。その接着層１３のパターンは、所定の接着パターンが１方向に繰り返される一次元パターン、および所定の接着パターンが２方向に繰り返される二次元パターンのいずれであってもよい。具体的なパターン形状としては、例えば、柱状、ストライプ状、格子状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。接着層１３が上述のようにパターンを有することで、フレキシブルディスプレイ１１の貼り合せ時において、接着層１３に気泡が混入することを抑制し、歩留まりを向上させることができる。接着層１３が上述のようにパターンを有する場合、接着層１３の厚さは、金属膜１２の厚さよりも薄いことが好ましい。さらに、接着層１３は、第１の構造体３１０よりも高精細であることが好ましい。すなわち、接着層１３のパターンの大きさは、第１の構造体３１０の大きさに対して小さいことが好ましい。この場合、接着層１３のパターンの大きさは、第１の構造体３１０の大きさの１０分の１以下であることが好ましい。接着層１３を第１の構造体３１０よりも高精細にすることで、接着層１３のパターンと第１の構造体３１０のパターンとが干渉し、感度に不均一さが発生したり、感度に周期性が発生したりすることを抑制することができる。なお、接着層１３が存在せず、金属膜１２の上にフレキシブルディスプレイ１１が乗せられているだけでも良い。
（電極基板）
　電極基板２０は、第１の電極線２１０を有する第１の配線基板２１と、第２の電極線２２０を有する第２の配線基板２２との積層体で構成される。
　第１の配線基板２１は、第１の基材２１１（図２参照）と、複数の第１の電極線（Ｙ電極）２１０とを有する。第１の基材２１１は、例えばフレキシブル性を有するシート材で構成され、具体的にはＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ポリイミドなどの電気絶縁性のプラスチックシート（フィルム）などで構成される。第１の基材２１１の厚みは特に限定されず、例えば数１０μｍ～数１００μｍである。
　複数の第１の電極線２１０は、第１の基材２１１の一方の面に一体的に設けられている。複数の第１の電極線２１０は、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をおいて配列され、かつＹ軸方向に沿ってほぼ直線的に形成されている。第１の電極線２１０各々は、第１の基材２１１の縁部などに引き出され、それぞれ異なる端子に接続される。また、第１の電極線２１０各々は、これらの端子を介して制御部６０に電気的に接続される。
　なお、複数の第１の電極線２１０各々は、単一の電極線で構成されていてもよいし、Ｘ軸方向に沿って配列された複数の電極群２１ｗ（図１０参照）で構成されていてもよい。また、各々の電極群２１ｗを構成する複数の電極線は、共通の端子に接続されてもよいし、異なる２以上の端子に分けて接続されてもよい。
　一方、第２の配線基板２２は、第２の基材２２１（図２参照）と、複数の第２の電極線（Ｘ電極）２２０とを有する。第２の基材２２１は、第１の基材２１１と同様に例えばフレキシブル性を有するシート材で構成され、具体的にはＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ポリイミドなどの電気絶縁性のプラスチックシート（フィルム）などで構成される。第２の基材２２１の厚みは特に限定されず、例えば数１０μｍ～数１００μｍである。第２の配線基板２２は、第１の配線基板２１に対向して配置される。
　複数の第２の電極線２２０は、複数の第１の電極線２１０と同様に構成される。すなわち、複数の第２の電極線２２０は、第２の基材２２１の一方の面に一体的に設けられており、Ｙ軸方向に沿って所定の間隔をおいて配列され、かつＸ軸方向に沿ってほぼ直線的に形成されている。また、複数の第２の電極線２２０各々は、単一の電極線で構成されていてもよいし、Ｙ軸方向に沿って配列された複数の電極群２２ｗ（図１０参照）で構成されていてもよい。
　第２の電極線２２０各々は、第２の基材２２１の縁部などに引き出され、それぞれ異なる端子に接続される。各々の電極群２２ｗを構成する複数の電極線は、共通の端子に接続されてもよいし、異なる２以上の端子に分けて接続されてもよい。また、第２の電極線２１０各々は、これらの端子を介して制御部６０に電気的に接続される。
　第１および第２の電極線２１０、２２０は、導電ペーストなどをスクリーン印刷やグラビアオフセット印刷、インクジェット印刷などの印刷法で形成されてもよいし、金属箔あるいは金属層のフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング法で形成されてもよい。また、第１および第２の基材２１１、２２１がいずれもフレキシブル性を有するシートで構成されることで、電極基板２０全体としてフレキシブル性を有する構成とすることができる。
　図３に示すように電極基板２０は、第１の配線基板２１と第２の配線基板２２とを相互に接合する接着層２３を有する。接着層２３は、電気絶縁性を有し、例えば、接着剤の硬化物、粘着テープなどの粘着材料などで構成される。
　電極基板２０は、第１の電極線２１０と第２の電極線２２０との交差領域に各々形成され、金属膜（第１の導体層）１２と、導体層（第２の導体層）５０各々との相対距離に応じて容量が可変の複数の検出部２０ｓを有する。複数の第１の構造体３１０が各検出部２０ｓに対応付けられたグループを構成していてもよい。また、複数の第２の構造体４１０が各検出部２０ｓに対応付けられたグループを構成していてもよい。これらの各グループを構成する複数の第１および第２の構造体３１０、４１０は、検出部（交差領域）２０ｓの中心に対して対称に配置されていてもよい。より具体的には、第１および第２の電極線２１０、２２０それぞれの中心線に対して線対称に配置されていてもよい。
　図６Ａは、検出部２０ｓの構成を説明するための模式的な断面図である。検出部２０ｓは、第１の電極線２１０と、第１の電極線２１０と対向する第２の電極線２２０と、第１および第２の電極線２１０、２２０の間に設けられた誘電層とを有する相互キャパシタンス方式の容量素子で構成される。なお、図６Ａ、図６Ｂでは、各第１および第２の電極線２１０、２２０がそれぞれ単一の電極線で構成されているとして説明する。
　図６Ａは、第１の電極線２１０（２１０ｘi、２１０ｘi+1、２１０ｘi+2）と第２の電極線２２０（２２０ｙ）とがＺ軸方向に相互に対向して配置される例を示す。図６Ａに示す例では、第１の配線基板２１および第２の配線基板２２が接着層２３により相互に接合されており、第１の配線基板２１の第１の基材２１１と接着層２３とが上記誘電層を構成する。この場合は、第１の電極線２１０ｘi、２１０ｘi+1、２１０ｘi+2各々と第２の電極線２２０ｙとが容量結合する交差領域にそれぞれ検出部２０ｓi、２０ｓi+1、２０ｓi+2が形成され、これらの静電容量Ｃi、Ｃi+1、Ｃi+2が、金属膜１２および導体層５０各々と第１の電極線２１０ｘi、２１０ｘi+1、２１０ｘi+2、第２の電極線２２０ｙとの容量結合に応じて変化するように構成される。なお、検出部２０ｓの初期容量は、例えば、第１および第２の電極線２１０、２２０間の対向面積、第１および第２の電極線２１０、２２０間の対向距離、接着層２３の誘電率によって設定される。
　また、図６Ｂは、検出部２０ｓの構成の変形例を示し、第１の電極線２１０Ｄ（２１０Ｄｘi、２１０Ｄｘi+1、２１０Ｄｘi+2）と第２の電極線２２０Ｄ（２２０Ｄｙi、２２０Ｄｙi+1、２２０Ｄｙi+2）とが第１の基材２１１Ｄ上の同一面内に配置され、ＸＹ平面内で容量結合している例を示す。この場合には、例えば第１の基材２１１Ｄが検出部２０Ｄｓ（２０Ｄｓi、２０Ｄｓi+1、２０Ｄｓi+2）の誘電層を構成する。このような配置であっても、検出部２０Ｄｓi、２０Ｄｓi+1、２０Ｄｓi+2の静電容量Ｃａi、Ｃａi+1、Ｃａi+2が金属膜１２および導体層５０各々と第１および第２の電極線２１０Ｄｘ、２２０Ｄｙとの容量結合に応じて可変に構成される。また、上記構成では第２の基材２２１および接着層２３が不要となり、入力装置１００の薄型化に貢献できる。
　本実施形態において、複数の検出部２０ｓ各々は、第１の構造体３１０、または第１の構造体３１０が構成するグループとＺ軸方向に対向して配置されていてもよい。あるいは、第２の構造体４１０、または第２の構造体４１０が構成するグループとＺ軸方向に対向して配置されていてもよい。また、本実施形態では、第１の配線基板２１が第２の配線基板２２よりも上層となるように積層されるが、これに限られず第２の配線基板２２を第１の配線基板２１よりも上層となるように積層されてもよい。
（制御部）
　制御部６０は、電極基板２０に電気的に接続される。より詳細には、制御部６０は、複数の第１および第２の電極線２１０、２２０各々に端子を介してそれぞれ接続される。制御部６０は、複数の検出部２０ｓの出力に基づいて第１の面１１０に対する入力操作に関する情報（信号）を生成することが可能な信号処理回路を構成する。制御部６０は、所定の周期で複数の検出部２０ｓ各々をスキャンしながら各検出部２０ｓの容量変化量を取得し、その容量変化量に基づいて入力操作に関する情報（信号）を生成する。
　制御部６０は、典型的には、ＣＰＵ／ＭＰＵ、メモリなどを有するコンピュータで構成される。制御部６０は、単一のチップ部品で構成されてもよいし、複数の回路部品で構成されてもよい。制御部６０は、入力装置１００に搭載されてもよいし、入力装置１００が組み込まれる電子機器７０に搭載されてもよい。前者の場合には、例えば、電極基板２０に接続されるフレキシブル配線基板上に実装される。後者の場合には、電子機器７０を制御するコントローラ７１０と一体的に構成されてもよい。
　制御部６０は、上述のように演算部６１と、信号生成部６２とを有し、不図示の記憶部に格納されたプログラムに従って各種機能を実行する。演算部６１は、電極基板２０の第１および第２の電極線２１０、２２０各々から出力される電気的な信号（入力信号）に基づいて第１の面１１０上のＸＹ座標系における操作位置を算出し、信号生成部６２は、その結果に基づいて操作信号を生成する。これにより、フレキシブルディスプレイ１１に対し、第１の面１１０上での入力操作に基づく画像を表示させることができる。
　図３、図４に示す演算部６１は、第１の面１１０上における操作子による操作位置のＸＹ座標を、固有のＸＹ座標が割り当てられた各検出部２０ｓからの出力に基づいて算出する。具体的には、演算部６１は、各Ｘ電極２１０、Ｙ電極２２０から得られる静電容量の変化量に基づいて、各Ｘ電極２１０、Ｙ電極２２０の交差領域に形成される各検出部２０ｓにおける静電容量の変化量を算出する。この各検出部２０ｓの静電容量の変化量の比率などにより、操作子による操作位置のＸＹ座標を算出することが可能となる。
　また、演算部６１は、第１の面１１０が操作を受けているか否かを判定することができる。具体的には、例えば、検出部２０ｓ全体の静電容量の変化量や検出部２０ｓ各々の静電容量の変化量などが所定の閾値以上である場合に、第１の面１１０が操作を受けていると判定することができる。また、当該閾値を２以上設けることにより、例えばタッチ操作と（意識的な）プッシュ操作とを区別して判定することが可能となる。さらに、検出部２０ｓの静電容量の変化量に基づいて押圧力を算出することも可能である。
　演算部６１は、これらの算出結果を信号生成部６２に出力することができる。
　信号生成部６２は、演算部６１の算出結果に基づいて、所定の操作信号を生成する。当該操作信号は、例えばフレキシブルディスプレイ１１に出力する表示画像を生成するための画像制御信号や、フレキシブルディスプレイ１１上の操作位置に表示されたキーボード画像のキーに対応する操作信号、あるいはＧＵＩ（Graphical User Interface）に対応する操作に関する操作信号などであってもよい。
　ここで、入力装置１００は、第１の面１１０上での操作により金属膜１２および導体層５０各々と電極基板２０（検出部２０ｓ）との距離の変化を生じさせる構成として、第１および第２の支持体３０、４０を有する。以下、第１および第２の支持体３０、４０について説明する。
（第１および第２の支持体の基本構成）
　第１の支持体３０は、操作部材１０と電極基板２０との間に配置される。第１の支持体３０は、複数の第１の構造体３１０と、第１の枠体３２０と、第１の空間部３３０とを有する。本実施形態において第１の支持体３０は、接着層３５を介して電極基板２０の上に接合されている（図３参照）。接着層３５は、接着剤であっても良いし、粘着テープなどの粘着材料で構成されてもよい。
　図３に示すように本実施形態に係る第１の支持体３０は、基材３１と、基材３１の表面（上面）に設けられた構造層３２と、構造層３２上の所定位置に形成された複数の接合部３４１の積層構造を有する。基材３１は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣなどの電気絶縁性のプラスチックシートで構成される。基材３１の厚みは特に限定されず、例えば数μｍ～数１００μｍである。
　構造層３２は、ＵＶ樹脂などの電気絶縁性の樹脂材料で構成され、基材３１の上に複数の第１の凸部３２１と、第２の凸部３２２と、凹部３２３とを形成する。第１の凸部３２１各々は、例えばＺ軸方向に突出する円柱状、角柱状、錐台形状などの形状を有し、基材３１の上に所定間隔で配列される。第２の凸部３２２は、基材３１の周囲を取り囲むように所定の幅で形成される。
　また、構造層３２は、第１の面１１０上での入力操作により電極基板２０を変形させることが可能な程度の、比較的高い剛性を有する材料で構成されるが、入力操作時に操作部材１０とともに変形可能な弾性材料で構成されてもよい。すなわち、構造層３２の弾性率は特に限定されず、目的とする操作感や検出感度が得られる範囲で適宜選択可能である。
　凹部３２３は、第１および第２の凸部３２１、３２２の間に形成された平坦面で構成される。すなわち、凹部３２３上の空間領域は、第１の空間部３３０を構成する。また、凹部３２３上には、粘着性の低いＵＶ樹脂などで形成された接着防止層が形成されていてもよい（図３において図示せず）。接着防止層の形状は特に限られず、島状に形成されてもよいし、凹部３２３上に平坦膜で形成されてもよい。
　さらに第１および第２の凸部３２１、３２２各々の上には、粘着性の樹脂材料などで構成された接合部３４１が形成される。すなわち、第１の構造体３１０各々は、第１の凸部３２１とその上に形成された接合部３４１との積層体で構成され、第１の枠体３２０各々は、第２の凸部３２２とその上に形成された接合部３４１との積層体で構成される。これにより、第１の構造体３１０および第１の枠体３２０の厚み（高さ）は、略同一に構成され、本実施形態において例えば数μｍ～数１００μｍである。なお、接着防止層の高さは、第１の構造体３１０および第１の枠体３２０の高さよりも低ければ特に限定されず、例えば第１および第２の凸部３２１、３２２よりも低くなるように形成される。
　複数の第１の構造体３１０は、例えば、検出部２０ｓまたは後述する単位検出領域各々の配置に対応して配置される。本実施形態において、複数の第１の構造体３１０は、例えば複数の検出部２０ｓまたは後述する単位検出領域とＺ軸方向に対向して配置される。
　一方、第１の枠体３２０は、電極基板２０の周縁に沿って第１の支持体３０の周囲を取り囲むように形成される。第１の枠体３２０の短手方向の長さ、すなわち幅は、第１の支持体３０および入力装置１００全体の強度を十分に確保できれば特に限られない。
　一方、第２の支持体４０は、電極基板２０と導体層５０との間に配置される。第２の支持体４０は、複数の第２の構造体４１０と、第２の枠体４２０と、第２の空間部４３０とを有する。
　図３に示すように本実施形態に係る第２の支持体４０は、導体層５０上に直接形成された第２の構造体４１０および第２の枠体４２０を有する。第２の構造体４１０および第２の枠体４２０は、例えば粘着性を有する絶縁性の樹脂材料で構成され、導体層５０と電極基板２０との間を接合する接合部の機能も兼ねる。第２の構造体４１０および第２の枠体４２０の厚みは特に限定されないが、例えば数μｍ～数１００μｍである。なお、第２の構造体４１０の厚みは第１の構造体３１０の厚みよりも小さいことがこのましい。後述の図１２のように、電極基板２０を導体層５０に底付きさせるまで変形させ、大きな容量変化量を得るためである。
　第２の構造体４１０は、検出部２０ｓ各々の配置に対応して配置されており、例えば、隣り合う検出部２０ｓ間にそれぞれ配置されている。第２の構造体４１０が、隣り合う第１の構造体３１０間にそれぞれ配置されるようにしてもよい。一方、第２の枠体４２０は、導体層５０の周縁に沿って第２の支持体４０の周囲を取り囲むように形成される。第２の枠体４２０の幅は、第２の支持体４０および入力装置１００全体の強度を十分に確保できれば特に限られず、例えば第１の枠体３２０と略同一の幅で構成される。
　また、第２の構造体４１０は、第１の構造体３１０を構成する構造層３２と同様に弾性率は特に限定されない。すなわち、目的とする操作感や検出感度が得られる範囲で適宜選択可能であり、入力操作時に電極基板２０とともに変形可能な弾性材料で構成されてもよい。
　また、第２の空間部４３０は、第２の構造体４１０の間に形成され、第２の構造体４１０および第２の枠体４２０の周囲の空間領域を構成する。第２の空間部４３０は、例えば、Ｚ軸方向から見たときに、各検出部２０ｓと、第１の構造体３１０の少なくとも一部とを収容する。
　以上のような構成の第１および第２の支持体３０、４０は、以下のように形成される。
（第１および第２の支持体の形成方法）
　図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃは、第１の支持体３０の形成方法の一例を示す概略断面図である。まず、基材３１ａの上にＵＶ樹脂を配置し、当該樹脂に所定のパターンを形成する。これにより、図７Ａに示すように、複数の第１および第２の凸部３２１ａ、３２２ａおよび凹部３２３ａを有する構造層３２ａを形成する。上記ＵＶ樹脂としては、固形のシート材料を用いても、液状のＵＶ硬化性材料を用いてもよい。また、パターン形成方法は特に限定されず、例えば所定の凹凸形状のパターンが形成されたロール状の金型によりＵＶ樹脂に金型の凹凸形状のパターンを転写するとともに、基材３１ａ側からＵＶ照射を行ってＵＶ樹脂を硬化させる方法を適用することができる。また、ＵＶ樹脂を用いた成型以外でも、例えば、一般的な熱成形（例えばプレス成形や射出成形）によって形成しても、ディスペンサなどによる樹脂材料の吐出によって形成してもよい。
　次に、図７Ｂに示すように、凹部３２３ａに、例えばスクリーン印刷法により接着性の低いＵＶ樹脂などを所定パターンで塗布し、接着防止層３４２ａを形成する。これにより、例えば構造層３２ａを形成する樹脂材料が接着性の高いものであった場合に、第１の支持体３０上に配置される金属膜１２と凹部３２３との接着を防止することができる。なお、接着防止層３４２ａは、構造層３２ａを形成する樹脂材料の接着性が低いものである場合には、形成しなくてもよい。
　次に、図７Ｃに示すように、凸部３２１ａ上に、例えばスクリーン印刷法により接着性の高いＵＶ樹脂などで構成された接合部３４１ａを形成する。接合部３４１ａにより、第１の支持体３０と金属膜１２との間が接合される。上記形成方法により、所望の形状を有する第１の構造体３１０および第１の枠体３２０を形成することが可能となる。
　一方、図８は、第２の支持体４０の形成方法の一例を示す概略断面図である。図８では、導体層５０ｂ上に直接、例えばスクリーン印刷法により接着性の高いＵＶ樹脂などを所定パターンで塗布し、第２の構造体４１０ｂおよび第２の枠体４２０ｂを形成する。これにより、工程数を大幅に削減し、生産性を高めることが可能となる。
　以上の形成方法は一例であり、例えば第１の支持体３０を図８に示す方法で形成してもよいし、第２の支持体４０を図７で示す方法で形成してもよい。また、第１および第２の支持体３０、４０は、以下の図９に示す方法で形成することもできる。
　図９Ａ、図９Ｂは、第１および第２の支持体３０、４０の形成方法の変形例を示す概略断面図である。なお、図９においては、第１の支持体３０に対応した符号を付して説明する。図９Ａでは、基材３１Ｃなどの上に、例えばスクリーン印刷法によりＵＶ樹脂などを所定パターンで塗布し、第１の凸部３１１ｃおよび第２の凸部３１２ｃを形成する。さらに第１の凸部３１１ｃおよび第２の凸部３１２ｃ上に、例えばスクリーン印刷法により接着性の高いＵＶ樹脂などで構成された接合部３４１ｃを形成する。これにより、第１の凸部３１１ｃおよび接合部３４１ｃで構成された第１の構造体３１０（第２の構造体４１０）と、第２の凸部３１２ｃおよび接合部３４１ｃで構成された第１の枠体３２０（または第２の枠体４２０）とを形成することができる。
（第１および第２の電極線）
　図１０Ａは、第１および第２の電極線２１０、２２０の配置例を示す概略図である。第１の電極線２１０は、Ｙ軸方向に延在され、ストライプ状に設けられたＹ電極である。第２の電極線２２０は、Ｘ軸方向に延在され、ストライプ状に設けられたＸ電極である。第１の電極線２１０と第２の電極線２２０とは、互いに直交するように配置されている。
　図１０Ｂは、第１および第２の電極線２１０、２２０の一構成例を示す概略図である。第１の電極線２１０は、複数の第１の電極要素２１ｚの群からなる電極群２１ｗにより構成されていてもよい。第１の電極要素２１ｚは、例えばＹ軸方向に延在された線状の導電部材（サブ電極）である。第２の電極線２２０は、複数の第２の電極要素２２ｚの群からなる電極群２２ｗにより構成されていてもよい。第２の電極要素２２ｚは、例えばＸ軸方向に延在された線状の導電部材（サブ電極）である。
　図１０Ｃは、単位検出領域２０ｒを説明するための概略図である。第１および第２の電極線２１０、２２０の各交差部に対応して、複数の単位検出領域２０ｒが設けられている。複数の単位検出領域２０ｒは、例えば、Ｘ軸方向（第１の方向）およびＹ軸方向（第２の方向）に２次元的に充填配列されている。単位検出領域２０ｒは、例えば、Ｘ軸方向に延在された一組の辺と、Ｙ軸方向に延在された一組の辺とにより構成される正方形状または長方形状を有している。単位検出領域２０ｒが正方形状または長方形状を有する場合、複数の単位検出領域２０ｒの充填配列は、格子状（マトリックス状）の充填配列である。
　複数の第２の構造体４１０は、例えば、隣接する単位検出領域２０ｒ間に配置されている。すなわち、複数の第２の構造体４１０は、例えば、単位検出領域２０ｒの外周（周）上に配置されている。また、複数の第２の構造体４１０は、例えば、単位検出領域２０ｒの中心に対して対称に配置されている。単位検出領域２０ｒが正方形状または長方形状を有する場合、第２の構造体４１０の配置位置としては、好ましくは単位検出領域２０ｒを形成する各辺の中点および単位検出領域２０ｒの各頂部（角部）の両方の位置、より好ましくは単位検出領域２０ｒを形成する各辺の中点の位置、さらに好ましくは単位検出領域２０ｒの各頂部（角部）の位置が挙げられる。この配置位置により、入力操作の検出感度を向上することができるからである。図１０Ｃでは、単位検出領域２０ｒの各頂部（角部）に第２の構造体４１０が配置された例が示されている。
　単位検出領域２０ｒには、第１の構造体３１０が２個以上含まれている。本開示において、「第１の構造体３１０が含まれる」とは、第１の構造体３１０の全体が含まれる場合ばかりではなく、第１の構造体３１０の一部が含まれる場合をも意味する。例えば、単位検出領域２０ｒの外周（周）上に第１の構造体３１０が配置されている場合には、この外周上に配置されている第１の構造体３１０のうち、その外周を境にして着目する単位検出領域２０ｒの内側に存在する１個の第１の構造体３１０の一部分を、第１の構造体３１０の個数（例えば１／２個、１／４個など）としてカウントするものと定義する。なお、「第１の構造体３１０を含む」も、上記と同様の意味で用いられる。
（第１および第２の支持体の動作）
　図１１は、操作子ｈにより第１の面１１０上の点ＰをＺ軸方向下方へ押圧した際の、第１および第２の構造体３１０、４１０へ付加される力の様子を示す概略断面図である。図中の白抜き矢印は、Ｚ軸方向下方（以下、単に「下方」とする）への力の大きさを模式的に示している。図１１においては、金属膜１２および電極基板２０などの撓み、第１および第２の構造体３１０、４１０の弾性変形などの態様は示していない。なお、以下の説明において、ユーザが押圧を意識しないタッチ操作を行った場合でも、実際には微小な押圧力が付加されることから、これらの入力操作を一括して「押圧」として説明する。
　例えば、第１の面１１０のうち単位検出領域２０ｒの中心に対応する位置Ｐ１を、操作子ｈにより力Ｆで下方へ押圧された場合、点Ｐの直下の金属膜１２が下方へ撓む。それに伴い、単位検出領域２０ｒ内に配置された第１の構造体３１０i+1が力Ｆ１を受け、Ｚ軸方向に弾性変形して厚みがわずかに減少する。また、金属膜１２の撓みにより、第１の構造体３１０i+1に隣接する第１の構造体３１０i、３１０i+2も、Ｆ１より小さい力Ｆ２を受ける。さらに力Ｆ１、Ｆ２により、電極基板２０にも力が加えられ、第１の構造体３１０i+1直下の検出部２０ｓi+1が下方へ変位する。これにより、検出部２０ｓi+1と導体層５０とが近接または接触する。また、第１の構造体３１０i、３１０i+1の間に配置された第２の構造体４１０i、および第１の構造体３１０i+1、３１０i+2の間に配置された第２の構造体４１０i+1もそれぞれＦ１より小さい力Ｆ３を受け、Ｚ軸方向に弾性変形して厚みがわずかに減少する。また、第２の空間部４３０iを介して第２の構造体４１０iと隣接する第２の構造体４１０i-1、および第２の空間部４３０i+2を介して第２の構造体４１０i+1と隣接する第２の構造体４１０i+2がそれぞれ、Ｆ３より小さいＦ４を受ける。
　このように、第１および第２の構造体３１０、４１０により厚み方向に力を伝達することができ、電極基板２０を容易に変形させることができる。また、金属膜１２および電極基板２０が撓み、面内方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な方向）に押圧力の影響が及ぶことにより、操作子ｈの直下の領域のみならず、その近傍の第１および第２の構造体３１０、４１０にも力を及ぼすことができる。
　また、第１および第２の空間部３３０、４３０により金属膜１２および電極基板２０を容易に変形させることができる。さらに柱体などで構成された第１および第２の構造体３１０、４１０により、操作子ｈの押圧力に対して電極基板２０へ高い圧力を及ぼすことができ、電極基板２０を効率的に撓ませることができる。
　さらに、第１および第２の構造体３１０、４１０がＺ軸方向から見て重複して配置されていない場合には、第１の構造体３１０がその下の第２の空間部４３０を介して電極基板２０を導体層５０に向けて容易に撓ませることができる。
　以下、具体的な操作時における検出部２０ｓの静電容量の変化量の一例を示す。
（検出部の出力例）
　図１２、図１３は、第１の面１１０が操作子ｈによる操作を受けたときの入力装置１００の態様を示す模式的な要部断面図と、そのときの各検出部２０ｓの容量変化量の一例を示す図である。図１２、図１３におけるＸ軸に沿って示す棒グラフは、各検出部２０ｓにおける静電容量の基準値からの変化量を模式的に示している。また、図１２は、操作子ｈが単位検出領域２０ｒの中心に対応する位置を押圧した際の態様を示し、図１３は、単位検出領域２０ｒと隣り合う単位検出領域２０ｒとの中間に対応する位置を押圧した際の態様を示す。
　図１２では、操作位置の直下の単位検出領域２０ｒ内に配置された第１の構造体３１０i+1が最も力を受け、第１の構造体３１０i+1自身が弾性変形するとともに、下方へ変位する。その変位により第１の構造体３１０i+1直下の検出部２０ｓi+1が下方へと変位する。これにより、第２の空間部４３０i+1を介して検出部２０ｓi+1と導体層５０とが近接または接触する。すなわち、検出部２０ｓi+1は、金属膜１２との距離が若干変化し、かつ導体層５０との距離が大きく変化することで、静電容量の変化量Ｃi+1を得る。一方で、金属膜１２の撓みの影響により、第１の構造体３１０i、３１０i+2もわずかに下方へと変位し、検出部２０ｓi、２０ｓi+2における静電容量の変化量は、それぞれＣi、Ｃi+2となる。
　図１２に示す例において、Ｃi+1が最も大きく、ＣiとＣi+2とは略同一で、かつＣi+1よりも小さい。すなわち、図１２に示すように、静電容量の変化量Ｃi、Ｃi+1、Ｃi+2は、Ｃi+1を頂点とする山形の分布を示す。この場合に演算部６１は、Ｃi、Ｃi+1、Ｃi+2の比率に基づいて重心などを算出し、操作位置として検出部２０ｓi+1上のＸＹ座標を算出することができる。
　一方、図１３では、金属膜１２の撓みにより操作位置近傍の第１の構造体３１０i+1、３１０i+2がわずかに弾性変形するとともに、下方へと変位する。その変位により、電極基板２０が撓み、第１の構造体３１０i+1、３１０i+2直下の検出部２０ｓi+1、２０ｓi+2が下方へと変位する。これにより第２の空間部４３０i+1、４３０i+2を介して検出部２０ｓi+1、２０ｓi+2と導体層５０とが近接または接触する。すなわち、検出部２０ｓi+1、２０ｓi+2は、金属膜１２との距離がわずかに変化し、かつ導体層５０との距離が比較的大きく変化することで、それぞれ静電容量の変化量Ｃi+1、Ｃi+2を得る。
　図１３に示す例において、Ｃi+1とＣi+2とは略同一である。これにより、演算部６１は、操作位置として検出部２０ｓi+1、２０ｓi+2の間のＸＹ座標を算出することができる。
　このように、本実施形態によれば、検出部２０ｓおよび金属膜１２と、検出部２０ｓおよび導体層５０との厚みの双方が押圧力によって可変であることから、検出部２０ｓにおける静電容量の変化量をより大きくすることができる。これにより、入力操作の検出感度を高めることが可能となる。
　また、フレキシブルディスプレイ１１上の操作位置が第１の構造体３１０上、第１の空間部３３０上のいずれの点であっても、操作位置のＸＹ座標を算出することが可能となる。すなわち、金属膜１２が面内方向に押圧力の影響を波及させることにより、操作位置直下の検出部２０ｓのみならず、Ｚ軸方向から見て操作位置の近傍の検出部２０ｓにおいても静電容量変化を生じさせることができる。これにより、第１の面１１０内における検出精度のバラつきを抑制し、第１の面１１０全面において高い検出精度を維持することができる。
　ここで、操作子としてよく用いられるものとして、指やスタイラスが挙げられる。両者の特徴としては、指の方がスタイラスよりも大きな接触面積を有するため、同じ荷重（押圧力）を負荷した場合、指の方が押圧力に対する圧力（以下、操作圧力とする）が小さくなる。一方で、スタイラスはその接触面積が小さく、例えば一般的な相互容量方式の静電容量センサでは、センサ素子との容量結合量が小さく、検出感度が低いという問題がある。本実施形態によれば、これらのいずれの操作子を用いた場合でも、高い精度で入力操作を検出することができる。以下、図１４、図１５を用いて説明する。
　図１４、図１５は、第１の面１１０がスタイラスまたは指により操作を受けたときの入力装置１００の態様を示す模式的な要部断面図と、そのときの各検出部２０ｓの容量変化量の一例を示す図である。図１４は操作子がスタイラスｓの場合、図１５は操作子が指ｆの場合を示す。また、図１４、図１５におけるＸ軸に沿って示す棒グラフは、図１２、図１３と同様に、各検出部２０ｓにおける静電容量の基準値からの変化量を模式的に示している。
　図１４に示すように、スタイラスｓは、金属膜１２を変形させるとともに、操作位置直下の第１の構造体３１０i+1に対し押圧力を及ぼす。ここでスタイラスｓは、接触面積が小さいため、金属膜１２および第１の構造体３１０i+1に対し大きな操作圧力を及ぼすことができる。このため、金属膜１２を大きく変形させることができ、結果として、検出部２０ｓi+1の静電容量の変化量Ｃi+1に示されるように、大きな静電容量変化を生じさせることが可能となる。これにより、検出部２０ｓi、２０ｓi+1、２０ｓi+2各々の静電容量の変化量Ｃi、Ｃi+1、Ｃi+2は、Ｃi+1を頂点とする山形の分布となる。
　このように本実施形態に係る入力装置１００は、操作圧力の面内分布に基づいて静電容量の変化量を検出することができる。これは、入力装置１００が、操作子との直接の容量結合による静電容量の変化量を検出するものではなく、変形可能な金属膜１２および電極基板２０を介して静電容量の変化量を検出することによる。したがって、接触面積の小さいスタイラスｓのような操作子であっても、精度よく操作位置および押圧力を検出することができる。
　一方、図１５に示すように、指ｆは接触面積が大きいため、操作圧力が小さくなるが、スタイラスｓよりも広範囲の金属膜１２を直接変形させることができる。これにより、第１の構造体３１０i、３１０i+1、３１０i+2をそれぞれ下方へ変位させ、検出部２０ｓi、２０ｓi+1、２０ｓi+2各々の静電容量の変化量Ｃi、Ｃi+1、Ｃi+2を生じさせることができる。Ｃi、Ｃi+1、Ｃi+2は、図１４に係るＣi、Ｃi+1、Ｃi+2と比較してゆるやかな山形の分布となる。
（単位検出領域内に第１の構造体を２個以上含ませている理由）
　本実施形態に係る入力装置１００は、単位検出領域２０ｒ内に第１の構造体３１０を２個以上含んでいる。以下、単位検出領域２０ｒ内に第１の構造体３１０を２個以上含ませている理由について説明する。
　ここでは、単位検出領域２０ｒの外周（周）上に第１の構造体３１０が配置されている場合には、その外周を境にして着目する単位検出領域２０ｒの内側に存在する１個の第１の構造体３１０の一部分を、第１の構造体３１０の個数としてカウントするものと定義する。具体的には例えば、単位検出領域２０ｒを構成する辺上に２分割されるようにして、第１の構造体３１０が配置されている場合には、この第１の構造体３１０の個数は「１／２」と定義する。また、正方形状または長方形状の単位検出領域２０ｒの頂部（角部）に第１の構造体３１０が配置されている場合には、この第１の構造体３１０の個数は「１／４」と定義する。
（荷重位置と容量変化量との関係）
　以下、図１６～図１８を参照して、単位検出領域２０ｒ内に第１の構造体３１０を１個含む入力装置１００における荷重位置と容量変化量との関係について説明する。
　まず、図１６に示すように、第１の面１１０のうち、単位検出領域２０ｒi+1の中心に対応する位置Ｐ１を操作子ｈにより押圧すると、容量変化量Ｃi+1が最も増加し、容量変化量Ｃi、Ｃi+2が略同程度増加する。
　次に、図１７に示すように、位置Ｐ１から単位検出領域２０ｒi+1、２０ｒi+2の間の近傍の位置Ｐ２まで操作子ｈ（すなわち荷重）を移動すると、容量変化量Ｃi、Ｃi+1は減少し、容量変化量Ｃi+2は増加する。これにより、容量変化量Ｃi+1、Ｃi+2は同程度となる。
　次に、図１８に示すように、位置Ｐ２から単位検出領域２０ｒi+2の中心に対応する位置Ｐ３まで操作子ｈ（すなわち荷重）を移動すると、容量変化量Ｃi、Ｃi+1はさらに減少するのに対して、容量変化量Ｃi+2はさらに増加する。これにより、容量変化量Ｃi+2が最大となり、容量変化量ＣiがＣi、Ｃi+1、Ｃi+2の中では最小となり、容量変化量Ｃi+1がそれらの容量変化量Ｃi、Ｃi+2の中間の値となる。
（座標計算のずれの発生およびその原因）
　図１９Ａは、理想的な容量変化率分布を示す図である。図１９Ａにおいて、Ｃi、Ｃi+1はそれぞれ、単位検出領域２０ｒi、２０ｒi+1（検出部２０ｓi、２０ｓi+1）の中心位置を示している。また、Ｌi、Ｌi+1はそれぞれ、Ｘ軸方向に対する単位検出領域２０ｒi、２０ｒi+1（検出部２０ｓi、２０ｓi+1）の容量変化率分布を示している。
　図１９Ａの矢印ｂに示すように、入力装置１００の第１の面１１０に加わる荷重を中心位置Ｃiから中心位置Ｃi+1まで移動させた場合には（図１６～図１８参照）、以下のような傾向を示すのが理想的である。すなわち、検出部２０ｓiの容量変化率は、矢印ａiに示すように単調に減少するのに対して、検出部２０ｓi+1の容量変化率は、矢印ａi+1に示すように単調に増加する傾向を示すのが理想的である。
　しかし、単位検出領域２０ｒ内に第１の構造体３１０を１個含む入力装置１００では、容量変化率分布は、図１９Ａに示した理想的な分布とはならず、図１９Ｂに示した分布のようになる。すなわち、単位検出領域２０ｒi、２０ｒi+1の中心位置Ｃi、Ｃi+1に容量変化率分布のピークが１つ現れるのではなく、その中心位置Ｃi、Ｃi+1を中心としてピークが２つに分裂して現れる。このように分裂した２つのピーク間の領域Ｒi、Ｒi+1は座標計算のずれを招く原因となる。
　ここで、図２０Ａ、２０Ｂを参照して、上述の分裂した２つのピークの発生の原因について以下に説明する。図２０Ａに示すように、第１の面１１０のうち、単位検出領域２０ｒi+1の中心に対応する位置Ｐ１を操作子ｈにより押圧すると、金属膜１２と電極基板２０とは略同様な形状に変形する。これにより、押圧後も、金属膜１２と電極基板２０との距離は略一定に保持される。一方、図２０Ｂに示すように、第１の面１１０のうち、単位検出領域２０ｒi+1、２０ｒi+2の間の近傍の位置Ｐ２を操作子ｈにより押圧すると、この押圧位置Ｐ２の近傍の金属膜１２のみが大きく変形する。これにより、押圧後には、押圧位置Ｐ２の近傍における金属膜１２と電極基板２０との距離のみが大きく変化する。その結果、容量変化率分布には、上述のように、検出部２０ｓiの中心位置Ｃiの両側にピークが１つずつ発生する。
（座標計算の精度改善）
　本実施形態に係る入力装置１００では、上述した２つに分裂したピークの発生を回避するために、単位検出領域２０ｒ内に複数の第１の構造体３１０を配置している。
　ここで、図２１Ａ、図２１Ｂを参照して、単位検出領域２０ｒ内に複数の第１の構造体３１０を配置することにより、座標計算の精度を改善できる理由について説明する。図２１Ａに示すように、第１の面１１０のうち、単位検出領域２０ｒi+1の中心に対応する位置Ｐ１を操作子ｈにより押圧すると、金属膜１２と電極基板２０とは略同様な形状に変形する。これにより、押圧後も、金属膜１２と電極基板２０との距離は略一定に保持される。一方、図２１Ｂに示すように、第１の面１１０のうち、単位検出領域２０ｒi+1、２０ｒi+2の間の近傍の位置Ｐ２を操作子ｈにより押圧すると、この押圧位置Ｐ２の近傍の金属膜１２がわずかに下方に向けて変形するに留まる。これにより、押圧後にも、押圧位置Ｐ２の近傍における金属膜１２と電極基板２０との距離のみが大きく変化することが抑制される。これは、単位検出領域２０ｒi+1、２０ｒi+2内に複数の第１の構造体３１０i+1、３１０i+2が配置されている影響で、押圧位置Ｐ２の近傍の金属膜１２の変形が抑制されるためである。このように局所的な距離の大きな変化が抑制される結果、図１９Ａに示すように、単位検出領域２０ｒの中心から単調に減少する理想的な容量変化率分布が得られる。
（第１および第２の構造体の配置例）
　次に、第１および第２の構造体３１０、４１０の平面的な配置について説明する。
　図２２Ａ、図２２Ｂは、第１および第２の構造体３１０、４１０と、第１の電極線（Ｙ電極）２１０および第２の電極線（Ｘ電極）２２０との配置例を示す模式的な平面図である。図２２では、各Ｘ電極２１０、各Ｙ電極２２０がそれぞれ電極群２１ｗ、２２ｗを有している例を示す。また、各検出部２０ｓは、上述のようにＸ電極２１０、Ｙ電極２２０の交差部に形成される。なお、図２２に示す黒丸は、第１の構造体３１０を示し、白丸は、第２の構造体４１０を示す。
　Ｘ電極２１０、Ｙ電極２２０の交差部に対応して、単位検出領域（単位センサ領域）２０ｒが設けられている。この単位検出領域２０ｒ内に検出部２０ｓが設けられている。単位検出領域２０ｒの外周上には、複数の第２の構造体４１０が配置されている。単位検出領域２０ｒとは、Ｘ電極２１０、Ｙ電極２２０の交差部に対応するように、入力装置１００の主面を等分割して得られる領域をいう。典型的には、単位検出領域２０ｒは、以下の（Ａ）または（Ｂ）のように定義される。
（Ａ）Ｘ電極２１０、Ｙ電極２２０の交差部に対応して設けられた複数の第２の構造体４１０により規定される領域
　ここで、第２の構造体４１０により規定されるのは、単位検出領域２０ｒの各辺（例えば各辺の中点）および／または各頂部（角部）の位置である。
（Ｂ）Ｘ電極２１０の中心線とＹ電極２２０の中心線の各交点を原点Ｏとした場合に、下記の２つの式を満たす領域
　－Ｌｘ／２≦Ｘ＜＋Ｌｘ／２
　－Ｌｙ／２≦Ｘ＜＋Ｌｙ／２
（但し、式中、Ｌｘ：Ｘ電極２１０の中心間隔、Ｌｙ：Ｙ電極２２０の中心間隔である。）
　単位検出領域２０ｒの外周Ｃｒと、検出部（交差部）２０ｓの外周Ｃｓと、単位検出領域２０ｒに含まれる第１の構造体３１０の配置位置との位置関係としては、例えば、以下に示す位置関係（ａ）、（ｂ）が挙げられ、容量変化率などの特性を向上する観点からすると、位置関係（ｂ）が好ましい。但し、これらの位置関係は、入力装置１００をＺ軸方向（すなわち第１の面１１０に垂直な方向）から見たときの位置関係を意味している。
（ａ）検出部２０ｓの外周Ｃｓが単位検出領域２０ｒの外周Ｃｒの内側にあり、かつ、第１の構造体３１０が検出部２０ｓの外周Ｃｓの内側に配置されている（図２２Ａ参照）。
（ｂ）検出部２０ｓの外周Ｃｓが単位検出領域２０ｒの外周Ｃｒの内側にあり、かつ、第１の構造体３１０が検出部２０ｓの外周Ｃｓと単位検出領域２０ｒの外周Ｃｒとの間に配置されている（図２２Ｂ参照）。
　単位検出領域２０ｒ内には、第１の構造体３１０が２個以上含まれている。これにより、入力装置１００の座標計算の精度を向上することができる。また、入力装置１００の加重感度を向上することができる。第１および第２の構造体３１０、４１０は、単位検出領域２０ｒの中心に対して対称（単位検出領域２０ｒの中心を通り単位検出領域２０ｒの２つの配列方向と平行な線に対してそれぞれ線対称）に配置されていることが好ましい。ただし、最外周または、最外周近傍の検出部２０ｓにおける単位検出領域２０ｒ内の複数の第１の構造体３１０、複数の第２の構造体４１０、複数の第１の電極要素２１ｚ、複数の第２の電極要素２２ｚなどの構成は単位検出領域２０ｒの中心に対して非対称であってもよい。
（第１および第２の構造体の対称配置の例）
　以下、図２３Ａ～図２５Ｂ、図２６、図５８Ａ～図５９Ｂを参照して、単位検出領域２０ｒの中心に対して複数の第１および第２の構造体３１０、４１０を対称配置した例について説明する。より具体的には、第１および第２の電極線２１０、２２０それぞれの中心線（すなわちＸ軸よびＹ軸）に対して線対称に配置した例について説明する。なお、図２３Ａ～図２５Ｂ、図２６、図５８、図５８Ａ～図５９Ｂ中に示した線分は、Ｘ電極２１０、Ｙ電極２２０の中心線を示している。
（第１の配置例）
　図２３Ａは、対称配置の第１の例を示す平面図である。第１の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で２個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とを含む対称配置の例である。
　第２の構造体４１０は、Ｘ軸方向の辺の長さＬｘとＹ軸方向の辺の長さＬｙとからなる長方形状の単位格子Ｕｃの各頂点（各格子点）の位置に配置されている。すなわち、第２の構造体４１０は、Ｘ軸方向に長さＬｘの配置ピッチ（周期）で配列され、Ｙ軸方向には長さＬｙの配置ピッチ（周期）で配列されている。ここで、単位格子Ｕｃは、第１の構造体３１０および第２の構造体の４１０の配置を説明するために仮想的に設定したものである。
　単位格子Ｕｃの領域は、単位検出領域２０ｒに一致する。また、単位検出領域２０ｒの中心位置は、Ｘ電極２１０およびＹ電極２２０の交差部の中心位置と一致する。ここでは、単位格子Ｕｃが長方形状である場合を例として説明するが、単位格子Ｕｃはこの例に限定されるものではなく、例えば、正方格子、斜方格子、菱形格子、矩形格子、二等辺三角格子、長方格子、六角格子または正三角格子などを用いてもよい。
　単位格子Ｕｃは、各頂点に配置された第２の構造体４１０の（１／４）個を含んでいる。そして、単位格子Ｕｃの領域は単位検出領域２０ｒと一致するから、１つの単位検出領域２０ｒ内には、合計で１個（＝（１／４）［個］×４）の第２の構造体４１０が含まれている。
　第１の構造体３１０は、単位格子Ｕｃの各辺の中点に配列されている。単位格子Ｕｃの対角線方向における第１の構造体３１０間の距離（配置ピッチ）は（１／２）×√（Ｌｘ2＋Ｌｙ2）である。ここで、√（Ｌｘ2＋Ｌｙ2）は、（Ｌｘ2＋Ｌｙ2）の平方根を意味する。
　単位格子Ｕｃは、各辺の中点に配列された第１の構造体３１０の（１／２）個を含んでいる。そして、単位格子Ｕｃの領域は単位検出領域２０ｒと一致するから、１つの単位検出領域２０ｒ内には、合計で２個（＝（１／２）［個］×４）の第１の構造体３１０が含まれている。
（第２の配置例）
　図２３Ｂは、対称配置の第２の例を示す平面図である。第２の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で３個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とを含む対称配置の例である。第２の例は、単位格子Ｕｃの中心に１個の第１の構造体３１０がさらに配置されている点において、第１の例と異なっている。
　単位格子Ｕｃは、各辺の中点に配列された第１の構造体３１０の（１／２）個を含んでいるとともに、中心に配列された１個の第１の構造体３１０を含んでいる。そして、単位格子Ｕｃの領域は単位検出領域２０ｒと一致するから、１つの単位検出領域２０ｒ内には、合計で３個（＝（１／２）［個］×４＋１［個］）の第１の構造体３１０が含まれている。
（第３の配置例）
　図２４Ａは、対称配置の第３の例を示す平面図である。第３の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で４個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とを含む対称配置の例である。第２の構造体４１０の配置は、上述の対称配置の第１の例と同様であるので、説明を省略する。
　単位格子Ｕｃの中心位置から各頂点との間の位置に、第１の構造体３１０が１個ずつ配置されている。ここで、単位格子Ｕｃの中心位置から各頂点との間の位置は、例えば単位格子Ｕｃの中心位置から各頂点との中点である。Ｘ軸方向における第１の構造体３１０間の距離（配置ピッチ）は、Ｌｘ／２であり、Ｙ軸方向における第１の構造体３１０間の距離（配置ピッチ）は、Ｌｙ／２である。
（第４の配置例）
　図２４Ｂは、対称配置の第４の例を示す平面図である。第４の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で４個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とを含む対称配置の例である。第４の例は、単位格子Ｕｃの各頂点（各格子点）の位置にそれぞれ第１の構造体３１０がさらに配列されている点において、第２の例と異なっている。
　単位格子Ｕｃは、各頂点に配置された第１の構造体３１０の（１／４）個と、各辺の中点に配列された第１の構造体３１０の（１／２）個とを含んでいるとともに、中心に配列された１個の第１の構造体３１０を含んでいる。そして、単位格子Ｕｃの領域は単位検出領域２０ｒと一致するから、１つの単位検出領域２０ｒ内には、合計で４個（＝（１／４）［個］×４＋（１／２）［個］×４＋１［個］）の第１の構造体３１０が含まれている。
（第５の配置例）
　図２５Ａは、対称配置の第５の例を示す平面図である。第５の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で４個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とを含む対称配置の例である。第２の構造体４１０の配置は、上述の対称配置の第１の例と同様であるので、説明を省略する。
　単位格子Ｕｃの中心位置から各辺の中点との間の位置に、第１の構造体３１０が１個ずつ配置されている。ここで、単位格子Ｕｃの中心位置から各辺の中点との間の位置は、例えば単位格子Ｕｃの中心位置から各辺の中点との間の中点である。Ｘ軸方向における第１の構造体３１０間の距離（配置ピッチ）は、Ｌｘ／２であり、Ｙ軸方向における第１の構造体３１０間の距離（配置ピッチ）は、Ｌｙ／２である。
（第６の配置例）
　図２５Ｂは、対称配置の第６の例を示す平面図である。第６の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で５個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とを含む対称配置の例である。第６の例は、単位格子Ｕｃの中心に１個の第１の構造体３１０がさらに配置されている点において、第３の例と異なっている。
（第７の配置例）
　図５８Ａは、対称配置の第７の例を示す平面図である。第７の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で６個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とを含む対称配置の例である。第７の例は、単位格子Ｕｃの各辺の中点に第１の構造体３１０がさらに配置されている点において、第３の例と異なっている。第７の配置例は、フレキシブルディスプレイ１１として非常に軟らかいものを用いた場合に、その局所的な変形を抑えるために特に有効である。
（第８の配置例）
　図５８Ｂは、対称配置の第８の例を示す平面図である。第８の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で７個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とを含む対称配置の例である。第７の例は、単位格子Ｕｃの各辺の中点に第１の構造体３１０がさらに配置されている点において、第６の例と異なっている。第７の配置例は、フレキシブルディスプレイ１１として非常に軟らかいものを用いた場合に、その局所的な変形を抑えるために特に有効である。
（第９の配置例）
　図２６は、対称配置の第９の例を示す平面図である。第９の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とを含む対称配置の例である。このように、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第１の構造体３１０を含むようにしてもよい。第１の構造体３１０は、単位格子Ｕｃの中心に配列されている。
　第１および第２の構造体３１０、４１０の数および配置（ピッチ）を調整することで、目的とする操作感や検出感度が得られるように、押圧力に対する金属膜１２および導体層５０各々と検出部２０ｓとの距離の変化量を調整することができる。操作部材１０の変形は、隣接する第１の構造体３１０間の距離の約２乗で小さくなる。単位検出領域２０ｒ内に４個の第１の構造体３１０が配置されていれば、操作部材１０の変形は約１／４となる。
（第１０の配置例）
　図５９Ａは、対称配置の第１０の例を示す平面図である。第１０の例では、単位検出領域２０ｒは、Ｘ軸方向の辺の長さＬｘとＹ軸方向の辺の長さＬｙとが異なる長方形状を有している。Ｘ軸方向の辺の長さＬｘとＹ軸方向の辺の長さＬｙとが異なる場合には、第１の電極線２１０の中心線に対する線対称性と、第２の電極線２２０の中心線に対する線対称性とが異なっていてもよい。第９の例では、単位検出領域２０ｒ内に、合計で６個の第１の構造体３１０と、合計で１個の第２の構造体４１０とが配置されている。
（第１１の配置例）
　図５９Ｂは、対称配置の第１１の例を示す平面図である。第１１の例は、単位検出領域２０ｒ内に合計で８個の第１の構造体３１０と、単位検出領域２０ｒ内に合計で１個の第２の構造体４１０とが配置されている点において、第９の例とは異なっている。
（第１および第２の構造体の配置関係の例）
　図２７Ａおよび図２７Ｂに示すように、Ｚ軸方向から見た場合に、第１および第２の構造体３１０、４１０が重なって配置されている部分があると、操作部材１０および電極基板２０の変形が抑制されて、その重なり部分の感度が低下する傾向にある。このため、Ｚ軸方向から見た場合に（すなわち、入力装置１００の厚さ方向に）、第１および第２の構造体３１０、４１０がすべて重ならないように、第１および第２の構造体３１０、４１０を配置することが好ましい。
　Ｚ軸方向から見て第１の構造体３１０と第２の構造体４１０とが重複しておらず、第１の構造体３１０が第２の空間部４３０上に配置される場合には、例えば操作時の数十ｇ程度の微小な押圧力によっても金属膜１２および導体層５０を変形させることが可能となる。
（第２の構造体の配置例）
　以下、図２８、図２９Ａ～図２９Ｃ、図３０Ａ、図３０Ｂを参照して、第２の構造体４１０の配置例について説明する。
（第１の配置例）
　図２８は、第２の構造体４１０の第１の配置例を示す平面図である。第１の配置例では、第２の構造体４１０は、正方形状の単位格子（正方格子）Ｕｃの各頂点の位置に配置されている。
　図２９Ａ、図２９Ｂ、図２９Ｃはそれぞれ、図２８に示した領域ＲA、領域ＲB、領域ＲCの近傍を拡大して表す斜視図である。領域ＲA、領域ＲB、領域ＲCはそれぞれ感度が異なっており、領域ＲAおよび領域ＲBは感度が良好であるのに対して、領域Ｒcは領域ＲAおよび領域ＲBに比して感度が低下する傾向にある。
（第２の配置例）
　図３０Ａは、第２の構造体４１０の第２の配置例を示す平面図である。第２の配置例では、第２の構造体４１０は、正方形状の単位格子（正方格子）Ｕｃの各辺の中点の位置に配置されている。
（第３の配置例）
　図３０Ｂは、第２の構造体４１０の第３の配置例を示す平面図である。第３の配置例では、第２の構造体４１０は、正方形状の単位格子（正方格子）Ｕｃの各頂点の位置と、正方形状の単位格子（正方格子）Ｕｃの各辺の中点の位置とに配置されている。
　第２の構造体４１０が配置されている位置では、検出部２０ｓの検出感度が低下する傾向にある。したがって、座標計算への影響を小さくする観点からすると、単位格子Ｕｃの中心から見て、Ｘ軸方向とＹ軸方向との間の方向に第２の構造体４１０を配置することが好ましい。具体的には、単位格子Ｕｃの中心から見て、単位格子Ｕｃの対角線の方向に第２の構造体４１０を配置することが好ましい。すなわち、単位格子Ｕｃが正方格子の場合はＸ軸方向を基準にして略４５°、略１３５°、略２１５°および略３０５°の方向に第２の構造体４１０を配置することが好ましい。
　第２の構造体４１０を上述の第１～第３の配置例のように配置した場合、それらの配置例における検出部２０ｓの検出感度の高さの関係は、以下の通りである。
　（第１の配置例の検出感度）＞（第２の配置例の検出感度）＞（第３の配置例の検出感度）
［荷重感度の向上］
　本実施形態に係る入力装置１００では、単位検出領域２０ｒ内に第１の構造体３１０を２個以上含むことで、荷重感度を向上することができる。
　ここで、図３１Ａ、図３１Ｂを参照して、単位検出領域２０ｒ内に第１の構造体３１０を２個以上含むことで、荷重感度を向上できる理由について説明する。
　図３１Ａでは、単位検出領域２０ｒ内に第１の構造体３１０を１個含む入力装置１００の例が示されている。この例に示した入力装置１００では、第１の面１１０のうち、単位検出領域２０ｒi+1の中心に対応する位置Ｐ１を操作子ｈにより押圧すると、図３１Ａに示すように、第１の構造体３１０の直下の電極基板２０のみが導体層５０に向けて局所的に変形する。
　一方、図３１Ｂでは、単位検出領域２０ｒ内に第１の構造体３１０を２個以上含む入力装置１００の例が示されている。この例に示した入力装置１００では、図３１Ｂに示すように、第１の面１１０のうち、単位検出領域２０ｒi+1の中心に対応する位置Ｐ２を操作子ｈにより押圧すると、図３１Ｂに示すように、単位検出領域２０ｒi+1の中心近傍の第１の構造体３１０に囲まれた広範囲の電極基板２０が導体層５０に向けて変形する。その結果、単位検出領域２０ｒi+1の中心に対応する位置Ｐ２を操作子ｈにより押圧したときの容量変化量が増加する。
（単位検出領域内における第１の構造体の配置位置の例）
　以下、図３２Ａ～図３２Ｃを参照して、単位検出領域２０ｒ内における第１の構造体３１０の配置位置の例について説明する。
（第１の配置例）
　図３２Ａは、第１の配置例を示す概略断面図である。なお、図２６が、この第１の配置例の平面図に対応する。第１の例では、単位検出領域２０ｒに１個の第１の構造体３１０が配置された入力装置１００の例が示されている。この第１の配置例に示す入力装置１００では、第１の面１１０を操作子ｈにより押圧すると、金属膜１２および電極基板２０のうち、その押圧位置に対応する部分が下方（導体層５０の方向）へと変形する。
（第２の配置例）
　図３２Ｂは、第２の配置例を示す概略断面図である。なお、図２５Ｂが、この第２の配置例の平面図に対応する。第２の例では、単位検出領域２０ｒに５個の第１の構造体３１０が配置された入力装置１００の例が示されている。この第２の配置例に示す入力装置１００では、第１の面１１０を操作子ｈにより押圧すると、第１の例に示した入力装置１００に比して、電極基板２０をより広範囲に変形させることができる。しかし、５個の第１の構造体３１０のうち、中央に配置された第１の構造体３１０上が操作子ｈにより押圧された場合には、その中央の第１の構造体３１０に荷重が多く加わり、中央の第１の構造体３１０が導体層５０に接触すると、電極基板２０の変形が止まり、変形の範囲が狭くなってしまう。
（第３の配置例）
　図３２Ｃは、第３の配置例を示す概略断面図である。なお、図２４Ａが、この第３の配置例の平面図に対応する。第３の例では、単位検出領域２０ｒに４個の第１の構造体３１０が配置された入力装置１００の例が示されている。この第３の配置例に示す入力装置１００では、第１の面１１０を操作子ｈにより押圧すると、第１の例に示した入力装置１００に比して、電極基板２０をより広範囲に変形させることができる。また、図３２Ｃ中の領域Ｒに示すように、荷重を均等に分散させることができる。さらに、図３２Ｃ中に仮想線（破線）Ｃにて示すように、電極基板２０の変形が飽和した後にも、金属膜１２が変形し続ける。単位検出領域２０ｒの中央で最大の容量変化率を得るためには、第３の配列例のように、単位検出領域２０ｒ内に複数の第１の構造体３１０を配列するとともに、それらを単位検出領域２０ｒの中心からずらして配列することが好ましい。
（第１の構造体間の距離）
　図３３Ａ～図３３Ｃは、隣接する第１の構造体３１０間の距離Ｄｘ、Ｄｙを説明するための概略断面図である。図３４は、隣接する第１の構造体３１０間の距離Ｄｘ、Ｄｙを説明するための平面図である。図３３Ａ～図３３Ｃ、図３４では、１つの単位検出領域２０ｒには、４個の第１の構造体３１０が配列され、Ｘ軸方向に隣接する第１の構造体３１０間の距離がＤｘであり、Ｙ軸方向に隣接する第１の構造体３１０間の距離がＤｙである例が示されている。
　図３３Ａに示すように、隣接する第１の構造体３１０間の距離Ｄｘ、Ｄｙが狭いと、金属膜１２および電極基板２０の変形範囲Ｒが狭くなる。このように変形範囲Ｒが狭いと、検出部２０ｓの感度が低下する。一方、図３３Ｂに示すように、隣接する第１の構造体３１０間の距離Ｄｘ、Ｄｙが広いと、金属膜１２および電極基板２０の変形範囲Ｒが広くなる。このように変形範囲Ｒが広くなると、検出部２０ｓの感度が向上する。しかし、図３３Ｃに示すように、第１の構造体３１０間の距離Ｄｘ、Ｄｙが広すぎると、図３３Ｃ中の矢印ａに示すように、第２の構造体４１０からの反作用が大きくなるため、金属膜１２および電極基板２０が下方に変形しにくくなるため、検出部２０ｓの感度が低下する。
　距離Ｄｘは、好ましくは（１／４）×Ｌｘ≦Ｄｘ、より好ましくは（１／４）×Ｌｘ≦Ｄｘ≦（３／４）×Ｌｘ、最も好ましくはＬｘ／２である。但し、Ｌｘは、Ｘ軸方向の第１の構造体３１０の配置ピッチである。Ｄｘ≦（３／４）×Ｌｘであると、検出部２０ｓの感度の低下を抑制することができる。（１／４）×Ｌｘ≦Ｄｘであると、容量変化率分布に対する２つのピーク発生（図１９Ｂ参照）を抑制する効果を更に高めることができる。
　距離Ｄｙは、好ましくは（１／４）×Ｌｙ≦Ｄｙ、より好ましくは（１／４）×Ｌｙ≦Ｄｙ≦（３／４）×Ｌｙ、最も好ましくはＬｙ／２である。但し、Ｌｙは、Ｙ軸方向の第１の構造体３１０の配置ピッチである。Ｄｙ≦（３／４）×Ｌｙであると、検出部２０ｓの感度の低下を抑制することができる。（１／４）×Ｌｙ≦Ｄｙであると、位置感度分布に対する２つのピーク発生（図１９Ｂ参照）を抑制する効果を更に高めることができる。
（動的描画特性の向上）
　以下に、図３５Ａ、図３５Ｂを参照して、単位検出領域２０ｒ内に第１の構造体３１０を１個含む入力装置１００の描画特性について説明する。図３５Ｂの矢印ａに示すように、第１の面１１０上に加わる荷重をＸ軸方向に向けて移動する動的描画を行った場合には、動的描画特性は、第１の構造体３１０を避ける動きをする傾向を示す。これは、単位検出領域２０ｒ内に１個の第１の構造体３１０が配置されている場合には、図３５Ａに示すように、単位検出領域２０ｒ間の境界近傍で操作部材１０（金属膜１２）が下方に向けて大きく落ち込むためである。
　単位検出領域２０ｒ内に複数の第１の構造体３１０を配置することで、上述の動的描画特性の低下を抑制することができる。複数の第１の構造体３１０は、互いに直交するＸ軸方向（第１の方向）およびＹ軸方向（第２の方向）に２次元配列されており、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向において、第１の構造体３１０は等間隔に配置されていることが好ましい。優れた描画特性を得ることができるからである。操作部材１０（金属膜１２）の変形は、第１の構造体３１０間の距離の約２乗で小さくなる。例えば、単位検出領域２０ｒ内に４個の第１の構造体３１０が存在する場合には、単位検出領域２０ｒ内に１個の第１の構造体３１０が存在する場合に比べて操作部材１０の変形は約（１／４）となる。
　このような動的描画特性の低下を抑制するための第１の構造体３１０の配置例としては、例えば、以下の配置例が挙げられる。
　単位検出領域２０ｒ内に３個の第１の構造体３１０を配置する配置例：図２３Ｂに示した配置例
　単位検出領域２０ｒ内に４個の第１の構造体３１０を配置する配置例：図２４Ａ、図２４Ｂ、図２５Ａに示した配置例
　但し、図２３Ｂ、図２５Ａに示した配置例では、動的描画特性の低下を抑制できるものの、わずかに沈みが発生する領域がある。図３６Ａ、図３６Ｂは、図２３Ｂ、図２５Ａに示した配置例でわずかに沈みが発生する領域Ｒを示している。したがって、動的描画特性向上の観点からすると、第１の構造体３１０の配置例としては、図２４Ｂに示した配置例が好ましく、図２４Ａに示した配置例がより好ましい。
［効果］
　本実施形態に係る入力装置１００は、上述のように金属膜１２および導体層５０各々と検出部２０ｓとの間の双方の容量結合に基づく静電容量の変化量を検出であるため、指ｆのような大きな接触面積の操作子であっても、十分な静電容量の変化を生じさせることができる。また、操作が行われたか否かの判定においては、例えば静電容量の変化が生じた検出部２０ｓi、２０ｓi+1、２０ｓi+2全ての静電容量の変化量を合計した値を用いることで、たとえ操作圧力が小さい場合であっても、第１の面１１０全体の押圧力に基づいて精度よく接触を判定することができる。さらに、第１の面１１０内の操作圧力分布に基づいて静電容量が変化するため、これらの変化量の比率などに基づいて、ユーザの直感に即した操作位置を算出することができる。
　さらに、一般的な静電容量センサの場合には、操作子とＸ、Ｙ電極との容量結合を利用して操作位置などを検出する。すなわち、操作子とＸ、Ｙ電極との間に導電体が配置される場合には、当該導電体とＸ、Ｙ電極との容量結合により、入力操作の検出が難しかった。また、操作子とＸ、Ｙ電極との間の厚みが大きい構成では、これらの間の容量結合量が小さくなり、検出感度が減少するという問題もあった。これらの事情から、ディスプレイの表示面上にセンサ装置を配置する必要があり、ディスプレイの表示品質の劣化が問題となっていた。
　そこで、本実施形態に係る入力装置１００（センサ装置１）は、金属膜１２、導体層５０各々とＸ、Ｙ電極２１０、２２０との容量結合を利用するため、操作子とセンサ装置との間に導電体が配置されていた場合であっても検出感度に対する影響はない。また、操作子の押圧力により金属膜１２が変形可能であればよく、操作子とＸ、Ｙ電極との間の厚みの制限も少ない。したがってフレキシブルディスプレイ１１の裏面にセンサ装置１を配置した場合であっても、操作位置および押圧力を精度よく検出することができ、フレキシブルディスプレイ１１の表示特性の劣化を抑制することができる。
　さらに、操作子とＸ、Ｙ電極との間に存在する絶縁体（誘電体）の厚みの制限も少ないことから、例えばユーザが絶縁体である手袋などを装着して操作した場合であっても、検出感度が低下することがない。したがって、ユーザの利便性の向上に寄与することができる。
［変形例］
（変形例１）
　上述の第１の実施形態では、第１および第２の電極線２１０、２２０を直線状の複数の電極群２１ｗ、２２ｗで構成する例について説明したが（図１０Ｂ参照）、第１および第２の電極線２１０、２２０の構成はこの例に限定されるものではない。
　図３７Ａは、第１の電極線２１０の変形例を示す平面図である。第１の電極線２１０は、複数の単位電極体２１０ｍと、複数の単位電極体２１０ｍ同士を連結する複数の連結部２１０ｎとを備える。単位電極体２１０ｍは、複数のサブ電極（電極要素）の群からなる電極群により構成され、それらのサブ電極は規則的または不規則的なパターンを有している。図３７Ａに示す例では、単位電極体２１０ｍは、中心部から放射状に伸びる複数本の直線的な電極パターンの集合体で構成される。連結部２１０ｎは、Ｙ軸方向に延在されており、隣り合う単位電極体２１０ｍ同士を連結する。
　図３７Ｂは、第２の電極線２２０の変形例を示す平面図である。第２の電極線２２０は、複数の単位電極体２２０ｍと、複数の単位電極体２２０ｍ同士を連結する複数の連結部２２０ｎとを備える。単位電極体２２０ｍは、複数のサブ電極（電極要素）の群からなる電極群により構成され、それらのサブ電極は規則的または不規則的なパターンを有している。図３７Ｂに示す例では、単位電極体２２０ｍは、中心部から放射状に伸びる複数本の直線的な電極パターンの集合体で構成される。連結部２２０ｎは、Ｘ軸方向に延在されており、隣り合う単位電極体２２０ｍ同士を連結する。
　Ｚ軸方向から見て、単位電極体２１０ｍと単位電極体２２０ｍとが重なるように、第１および第２の電極線２１０、２２０は交差して配置される。
　図３８（Ａ）～図３８（Ｐ）は、単位電極体２１０ｍ、２２０ｍの形状例を示す模式図である。なお、図３８（Ａ）～図３８（Ｐ）は、第１および第２の電極線２１０、２２０の交差部における形状を示しており、それ以外の部分の形状は特に限定されるものではなく、例えば直線状としてもよい。また、第１および第２の電極線２１０、２２０の単位電極体２１０ｍ、２２０ｍの形状の組み合わせは、図１０（Ｂ）または図３８（Ａ）～図３８（Ｐ）のうち同一種の２組でもよいし、異種の２組でもよい。
　図３８（Ａ）は、図３７Ａ、図３７Ｂの単位電極体２１０ｍ、２２０ｍに相当する。図３８（Ｂ）は、図３８（Ａ）の例に示した放射状の線電極のうちの一本が他の線電極よりも太く形成される例を示す。これにより、太い線電極上の静電容量変化量を他の線電極上よりも高めることができる。さらに図３８（Ｃ）、図３８（Ｄ）は、略中心に環状の線状電極が配置され、そこから放射状に線電極が形成されている例を示す。これにより、中心部における線状電極の集中を抑制し、感度低下領域の発生を防止することができる。
　図３８（Ｅ）～図３８（Ｈ）は、いずれも環状または矩形環状に形成された複数の線状電極を組み合わせて集合体を形成した例を示す。これにより、電極の密度を調整することが可能となり、かつ、感度低下領域の形成を抑制することが可能となる。また、図３８（Ｉ）～図３８（Ｌ）は、いずれもＸ軸方向またはＹ軸方向に配列した複数の線状電極を組み合わせて集合体を形成した例を示す。当該線状電極の形状、長さおよびピッチなどを調整することで、所望の電極密度とすることが可能となる。さらに図３８（Ｍ）～図３８（Ｐ）は、線電極がＸ軸方向またはＹ軸方向に非対称に配置された例である。
（変形例２）
　第１の実施形態における第１および第２の構造体３１０、４１０の互いの層間の配置位置（金属膜１２と電極基板２０との間の配置位置、および導体層５０と電極基板２０との間の配置位置）を入れ替えてもよい。以下に、このような入れ替えをした構成を有する入力装置１００について説明をする。
　図５５Ａは、本技術の第１の実施形態に係る入力装置１００の変形例を示す概略断面図である。第１の構造体３１０ａは、第１の実施形態における第２の構造体４１０を金属膜１２と電極基板２０との間に設けたものであり、それ以外の点（すなわち面内方向の配置位置、構成、材料および形成方法などの点）では、第１の実施形態における第２の構造体４１０と同様である。第２の構造体４１０ａは、第１の実施形態における第１の構造体３１０を導体層５０と電極基板２０との間に設けたものであり、それ以外の点（すなわち面内方向の配置位置、構成、材料および形成方法などの点）では、第１の実施形態における第１の構造体３１０と同様である。このような構成を有する入力装置１００では、検出部２０ｓまたは単位検出領域２０ｒは、第２の構造体４１０ａ、または第２の構造体４１０が構成するグループとＺ軸方向に対向して配置されていてもよい。また、単位検出領域２０ｒには２個以上の第２の構造体４１０ａが配置されている。
　図５５Ｂは、第１の面１１０が指ｆによる操作を受けたときの入力装置１００の態様を示す模式的な要部断面図である。図５５Ｂでは、操作位置の直下の操作部材１０（金属膜１２）が最も力を受け、その直下部分およびその近傍の操作部材１０（金属膜１２）が電極基板２０に向けて変形し、電極基板２０に対して近接または接触する。また、その操作部材１０の変形により、第１の構造体３１０ａi、３１０ａi+1を介して電極基板２０のうち単位検出領域２０ｒi、２０ｒi+1間および単位検出領域２０ｒi+1、２０ｒi+2間に対応する部分に力が加わり、その部分が導体層５０に向けて変形し、導体層５０に対して近接する。
（変形例３）
　第１の実施形態では、入力装置１００が平板状を有する場合を例として説明したが、入力装置１００の形状はこれに限定されるものではない。例えば、入力装置１００が、筒状、曲面状、帯状、不定形状などを有していてもよい。曲面状としては、例えば、円弧状、楕円弧状、放物線状などの断面を有する曲面が挙げられる。また、入力装置１００の全体は、剛性を有していてもよいし、フレキシブル性を有していてもよい。入力装置１００の全体がフレキシブル性を有する場合、入力装置１００がウエアラブルな装置であってもよい。
　図６０Ａは、円筒状を有する入力装置１００の形状例を示す斜視図である。図６０Ｂは、図６０ＡのＡ－Ａ線に沿った断面図である。なお、図６０Ｂでは、入力装置１００の層構成の理解を容易にするために、入力装置１００の厚さを図６０Ａに比して厚くして示している。入力装置１００の外周面側にフレキシブルディスプレイ１１が設けられ、内周面側に導体層５０が設けられている。したがって、入力装置１００の外周面側が入力操作面および表示面として機能する。入力装置１００を円柱状などの支持体１００ｊまたは手首などの人体に勘合して使用するようにしてもよい。また、帯状の入力装置１００を円柱状などの支持体１００ｊまたは手首などの人体に巻き付けて使用するようにしてもよい。
　図６１Ａは、曲面状を有する入力装置１００の形状例を示す斜視図である。図６１Ｂは、図６１ＡのＡ－Ａ線に沿った断面図である。なお、図６１Ｂでは、入力装置１００の層構成の理解を容易にするために、入力装置１００の厚さを図６１Ａに比して厚くして示している。図６１Ｂでは、凸状の曲面側にフレキシブルディスプレイ１１を設け、凹状の曲面側に導体層５０を設けることで、凸状の曲面側が入力操作面および表示面として機能する例が示されている。なお、この例とは反対に、凹状の曲面側にフレキシブルディスプレイ１１を設け、凸状の曲面側に導体層５０を設けることで、凹状の曲面側が入力操作面および表示面として機能するようにしてもよい。入力装置１００を凸状の曲面を有する支持体１００ｋまたは手首などの人体に勘合して使用するようにしてもよい。また、帯状の入力装置１００を凸状の曲面を有する支持体１００ｋまたは手首などの人体に倣うように載せて使用するようにしてもよい。
［電子機器］
　図３９Ａ、図３９Ｂは、本実施形態に係る入力装置１００の電子機器７０への実装例を示す図である。図３９Ａに係る電子機器７０ａは、入力装置１００が配置される開口部７２１ａを含む筐体７２０ａを有する。また、開口部７２１ａには支持部７２２ａが形成され、粘着テープなどの接合部７２３ａを介して導体層５０の周縁部を支持する。また、導体層５０と支持部７２２ａとの接合方法は上記に限定されず、例えばネジなどで固定してもよい。
　また、本実施形態に係る入力装置１００は、周縁に沿って第１および第２の枠体３２０、４２０が形成されているため、実装時にも安定した強度を維持することができる。
　図３９Ｂに係る電子機器７０ｂも、電子機器７０ａと略同一の構成を有し、開口部７２１ａおよび支持部７２２ａを含む筐体７２０ｂを有する。異なる点としては、導体層５０の裏面を支持する少なくとも１つの補助支持部７２４ｂを有する点である。補助支持部７２４ｂは、導体層５０と粘着テープなどで接合してもよいし、接合しなくてもよい。上記構成により、より安定的に入力装置１００を支持することができる。
＜２．第２の実施形態＞
　図６２Ａは、本技術の第２の実施形態に係る入力装置１００の構成の一例を示す断面図である。図６２Ｂは、図６２Ａの一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態は、電極基板２０が配線基板２０ｇを含む点において、第１の実施形態とは異なっている。配線基板２０ｇは、基材２１１ｇと、この基材２１１ｇの同一の主面に設けられた複数の第１の電極線（Ｙ電極）２１０ｓおよび複数の第２の電極線（Ｘ電極）２２０ｓとを備えている。
　ここで、図６３Ａ、図６３Ｂを参照して、第１の電極線２１０ｓおよび第２の電極線２２０ｓの構成の一例について説明する。図６３Ａに示すように、第１の電極線２１０ｓは、電極線部２１０ｐと、複数の単位電極体２１０ｍと、複数の接続部２１０ｚとを備える。電極線部２１０ｐは、Ｙ軸方向に延在されている。複数の単位電極体２１０ｍは、Ｙ軸方向に一定の間隔で配置されている。電極線部２１０ｐと単位電極体２１０ｍとは所定間隔離して配置されており、両者の間は接続部２１０ｚにより接続されている。なお、接続部２１０ｚを省略して、電極線部２１０ｐに単位電極体２１０ｍが直接設けられた構成を採用するようにしてもよい。
　単位電極体２１０ｍは、全体として櫛歯状を有している。具体的には、単位電極体２１０ｍは、複数のサブ電極２１０ｗと、結合部２１０ｖとを備える。複数のサブ電極２１０ｗは、Ｙ軸方向に延在されている。隣り合うサブ電極２１０ｗの間は、所定の間隔離されている。複数のサブ電極２１０ｗの一端は、Ｘ軸方向に延在された結合部２１０ｖに接続されている。
　図６３Ｂに示すように、第２の電極線２２０ｓは、電極線部２２０ｐと、複数の単位電極体２２０ｍと、複数の接続部２２０ｚとを備える。電極線部２２０ｐは、Ｘ軸方向に延在されている。複数の単位電極体２２０ｍは、Ｘ軸方向に一定の間隔で配置されている。電極線部２２０ｐと単位電極体２２０ｍとは所定間隔離して配置されており、両者の間は接続部２２０ｚにより接続されている。
　単位電極体２２０ｍは、全体として櫛歯状を有している。具体的には、単位電極体２２０ｍは、複数のサブ電極２２０ｗと、結合部２２０ｖとを備える。複数のサブ電極２２０ｗは、Ｙ軸方向に延在されている。隣り合うサブ電極２２０ｗの間は、所定の間隔離されている。複数のサブ電極２２０ｗの一端は、Ｘ軸方向に延在された結合部２２０ｖに接続されている。
　図６４Ａに示すように、櫛歯状の単位電極体２１０ｍ、２２０ｍとは、それらの櫛歯部分に相当するサブ電極２１０ｗ、２２０ｗをかみ合わせるようにして、対向配置されている。単位電極体２１０ｍの複数のサブ電極２１０ｗと、単位電極体２２０ｍの複数のサブ電極２２０ｗとは、Ｘ軸方向に向かって交互に配列されている。サブ電極２１０ｗ、２２０ｗの間は、所定の間隔離されている。
　図６４Ｂに示すように、第２の電極線２２０ｓの電極線部２２０ｐ上には絶縁層２１０ｒが設けられている。そして、この絶縁層２１０ｒを跨ぐようにしてジャンパ配線２１０ｑが設けられている。このジャンパ配線２１０ｑにより電極線部２１０ｐが連結されている。
＜３．第３の実施形態＞
［３．１　入力装置の構成］
　本技術の第３の実施形態に係る入力装置１００では、第１の電極線２１０および第２の電極線２２０のうちの一方の単位電極体がサブ電極により構成されるのに対して、他方の単位電極体が平板状の電極により構成される。第３の実施形態は、これ以外の点においては第１の実施形態の変形例１と同様である。
（第１の構成例）
　図６５Ａに示すように、第１の電極線２１０の単位電極体２１０ｍは、複数のサブ電極２１０ｗにより構成されている。一方、図６５Ｂに示すように、第２の電極線２２０の単位電極体２２０ｍは、平板状の電極により構成されている。
　第１および第２の電極線２１０、２２０の構成として第１の構成例を採用する場合、図６７Ａに示すように、第２の支持体４０を介して第２の電極線２２０と対向する導体層５０（図１参照）を省略する、もしくは導体層５０に代えて、高分子樹脂層５０ａを採用するようにしてもよい。このように導体層５０を省略することができるのは、第２の電極線２２０に含まれる平板状の電極（単位電極体２２０ｍ）が外部ノイズ（外部電場）のシールド効果を有するためである。また逆に、導体層５０と複合して使用することで、強固なシールド効果を与えることもでき、外部ノイズに対して安定な検出部２０ｓとすることもできる。
（第２の構成例）
　図６６Ａに示すように、第１の電極線２１０の単位電極体２１０ｍは、平板状の電極により構成されている。一方、図６６Ｂに示すように、第２の電極線２２０の単位電極体２２０ｍは、複数のサブ電極２２０ｗにより構成されている。
　第１および第２の電極線２１０、２２０の構成として第２の構成例を採用する場合、図６７Ｂに示すように、第１の支持体３０を介して第１の電極線２１０と対向する金属膜１２（図１参照）を省略するようにしてもよい。このように金属膜１２を省略することができるのは、第１の電極線２１０に含まれる平板状の電極（単位電極体２１０ｍ）が外部ノイズ（外部電場）のシールド効果を有するためである。また逆に、金属膜１２と複合して使用することで、強固なシールド効果を与えることもでき、外部ノイズに対して安定な検出部２０ｓとすることもできる。
　なお、第１、第２の電極線２１０、２２０の構成はこれに限定されるものではなく、第１の電極線２１０の単位電極体２１０ｍ、および第２の電極線２２０の単位電極体４２ｍの両方を平板状の電極により構成するようにしてもよい。
［３．２　変形例］
　上述の第１の実施形態において、第１の電極線２１０および第２の電極線２２０のうちの一方が複数のサブ電極により構成されるのに対して、他方が１つの平板状の電極により構成されるようにしてもよい。
（第１の構成例）
　図６８Ａに示すように、第１の電極線２１０は、複数のサブ電極４２ｗにより構成されているのに対して、第２の電極線２２０は、平板状の電極により構成されている。第１および第２の電極線２１０、２２０の構成としてこのような構成を採用する場合、第３の実施形態の第１の構成例と同様に、第２の支持体４０を介して第２の電極線２２０と対向する導体層５０（図１参照）を省略する、もしくは導体層５０に代えて、高分子樹脂層５０ａを採用するようにしてもよい。
（第２の構成例）
　図６８Ｂに示すように、第１の電極線２１０は、平板状の電極により構成されているのに対して、第２の電極線２２０は、複数のサブ電極２２０ｗにより構成されている。第１および第２の電極線２１０、２２０の構成としてこのような構成を採用する場合、第３の実施形態の第２の構成例と同様に、第１の支持体３０を介して第１の電極線２１０と対向する金属膜１１２（図１参照）を省略するようにしてもよい。
　なお、第１および第２の電極線２１０、２２０の構成はこれに限定されるものではなく、第１および第２の電極線２１０、２２０の両方を平板状の１つの電極により構成するようにしてもよい。
＜４　第４の実施形態＞
　図４０は本技術の第４の実施形態に係る入力装置１００Ａの一構成例を示す概略断面図である。本実施形態に係る入力装置１００Ａの操作部材１０Ａ以外の構成は、第１の実施形態と同様であり、適宜その説明を省略する。図４０は第１の実施形態に係る図１に対応する図である。
（全体構成）
　本実施形態に係る入力装置１００Ａは、フレキシブルディスプレイに替えてフレキシブルシート１１Ａと、第１の実施形態と同様のセンサ装置１を有する。フレキシブルシート１１Ａには、後述するように複数のキー領域１１１Ａが配置されており、入力装置１００Ａは、全体としてキーボード装置として用いられる。
（入力装置）
　フレキシブルシート１１Ａは、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＩ（ポリイミド）などのフレキシブル性を有する絶縁性のプラスチックシートで構成される。フレキシブルシート１１Ａの厚みは特に限定されず、例えば０．１ｍｍ～１ｍｍである。
　なお、フレキシブルシート１１Ａは単層構造に限定されず、２層以上のシートが積層された構成でもよい。この場合には、上記プラスチックシートに加え、例えば基材としてＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＭＭＡ、ＰＣ、ＰＩなどのフレキシブル性を有する絶縁性のプラスチックシートが積層されていてもよい。
　フレキシブルシート１１Ａは、操作面としての第１の面１１０Ａと、第１の面１１０Ａの裏面の第２の面１２０Ａとを有する。第１の面１１０Ａには、複数のキー領域１１１Ａが配列されている。一方で、第２の面１２０Ａには金属膜１２が積層されていてもよい。
　フレキシブルシート１１Ａおよび金属膜１２は、樹脂シートの表面にあらかじめ金属箔が貼り付けられた複合シートなどで構成されてもよいし、第２の面１２０Ａ面に形成された蒸着膜やスパッタ膜などで構成されてもよい。あるいは第２の面１２０Ａに印刷された導電ペーストなどの塗膜であってもよい。
　各キー領域１１１Ａは、ユーザによって押圧操作されるキートップに相当し、キーの種類に応じた形状、大きさを有する。各キー領域１１１Ａには、適宜のキー表示が施されていてもよく、当該キー表示は、キーの種類を表示するものであってもよいし、個々のキーの位置（輪郭）を表示するものであってもよいし、これら両方を表示するものであってもよい。表示には、適宜の印刷手法、例えば、スクリーン印刷やフレキソ印刷、グラビア印刷などが採用可能である。
　第１の面１１０Ａは、キー領域１１１Ａの周囲に溝部１１２Ａが形成された形態を有する。キー領域１１１Ａに相当する凹凸面の形成には、プレス成形やエッチング、レーザ加工などの適宜の加工技術が採用可能である。あるいは、射出成形などの成形技術によって凹凸面を有するフレキシブルシート１１Ａが形成されてもよい。
　また、フレキシブルシート１１Ａの構成は上述の例に限られない。例えば、図４１Ａ、図４１Ｂは、フレキシブルシート１１Ａの変形例を模式的に示す図である。図４１Ａに示すフレキシブルシート１１Ａａは、第１の面１１０Ａが平坦面で構成される例を示す。この場合は、不図示の各キー領域は印刷などにより記載してもよいし、キー領域を有さず、タッチセンサとして用いてもよい。また、図４１Ｂに示すフレキシブルシート１１Ａｂでは、フレキシブルシート１１Ａをプレス成形することなどによって形成され、各キー領域１１１Ａｂが独立して上下方向（シート厚み方向）へ変形可能に構成される。
　さらにフレキシブルシート１１Ａは、金属などの導電性を有する材料で構成されてもよい。これにより、金属膜１２が不要となり、操作部材１０Ａを薄型化することができる。この場合、フレキシブルシート１１Ａは、金属膜１２としての機能をも有し、例えばグランド電位に接続される。
　第１の電極線２１０は、図１０Ｂのように、複数の第１の電極要素２１ｚの群からなる電極群２１ｗにより構成されていてもよい。第１の電極要素２１ｚは、例えばＹ軸方向に延在された線状の導電部材（サブ電極）である。第２の電極線２２０は、図１０Ｂのように、複数の第２の電極要素２２ｚの群からなる電極群２２ｗにより構成されていてもよい。第２の電極要素２２ｚは、例えばＸ軸方向に延在された線状の導電部材（サブ電極）である。フレキシブルシート１１Ａに金属膜１２がない場合は、複数の第１の電極線２１０は、単一の電極要素により構成されていてもよい（すなわち複数の第１の電極要素２１ｚの群で構成されていいない太い１本の電極であってもよい）。フレキシブルシート１１Ａの外（外界）からの電気的なノイズを遮蔽するためである。
　本実施形態において、ユーザがキー入力操作を行う際には、キー領域１１１Ａの中央部を押圧する。そこで、第１および第２の構造体３１０、４１０と検出部２０ｓとを、以下のように配置することができる。
（配置例）
　例えば図４０に示すように、第２の支持体４０の第２の構造体４１０が、溝部１１２Ａの下方に配置されてもよい。この場合に検出部２０ｓは、Ｚ軸方向から見て第１の構造体３１０と重複した位置に配置され、第１の構造体３１０は、単位検出領域２０ｒ内に２個以上配置される。第２の構造体４１０は、単位検出領域２０ｒの間に配置される。
　配置例１では、図１２で説明したように、キー入力操作時に第１の構造体３１０上の位置が押圧され、操作位置下の複数の第１の構造体３１０が下方へと変位し、電極基板２０を撓ませることで、第２の構造体４１０もわずかに弾性変形する。これにより、金属膜１２および導体層５０の各々と検出部２０ｓとが近接し、検出部２０ｓの静電容量変化を得ることができる。
　また、第２の構造体４１０の形状は、図２２Ａ、図２２Ｂで示したような円柱体などに限定されず、例えば溝部１１２Ａに沿って壁状に配置されていてもよい。この場合に各第２の構造体４１０は、複数のキー領域１１１Ａ間の境界に沿って配置されることとなる。
　なお、検出部２０ｓの配置は上記に限定されず、例えば第２の構造体４１０と重複して配置されていてもよい。
　図６９Ａは、第１の電極線（Ｙ電極）２１０の配置例を示す平面図である。第１の電極線２１０は、複数の単位電極体２１０ｍと、複数の単位電極体２１０ｍ同士を連結する複数の連結部２１０ｎとを備える。単位電極体２１０ｍは、複数のサブ電極（電極要素）２１０ｗの群からなる電極群により構成されている。複数のサブ電極２１０ｗは、キーレイアウトに対応した規則的または不規則的なパターンを有している。図６９Ａでは、複数のサブ電極２１０ｗが、キーレイアウトに対応した不規則的なパターンを有している例が示されている。この例では、具体的には、複数のサブ電極２１０ｗは、Ｙ軸方向に延在された線状の導電部材であり、それらの導電部材が、ストライプ状に配列されている。
　図６９Ｂは、第２の電極線（Ｘ電極）２２０の配置例を示す平面図である。第２の電極線（Ｘ電極）２２０は、Ｘ軸方向に延在された、ほぼ一定の幅を有する細長い矩形状電極である。その矩形状電極は、複数のサブ電極（電極要素）２２０ｗの群からなる電極群により構成されている。サブ電極２２０ｗは、例えばＸ軸方向に延在された線状の導電部材である。
　なお、図６９Ｂに示すように、複数の第２の電極線（Ｘ電極）２２０のうち一部が、複数の単位電極体２２０ｍと、複数の単位電極体２２０ｍ同士を連結する複数の連結部２２０ｎとを備えるものであってもよい。
　ここでは、第１の電極線（Ｙ電極）２１０が金属膜１２の側（上側）に設けられ、第２の電極線（Ｘ電極）２２０が導体層５０の側（下側）に設けられる例について説明したが、第２の電極線２２０が金属膜１２の側（上側）に設けられ、第１の電極線２１０が導体層５０の側に設けられていてもよい。
　図７０Ａは、第１の構造体３１０の配置例を示す平面図である。図７０Ｂは、第２の構造体４１０の配置例を示す平面図である。複数の第１および第２の構造体３１０、４１０は、キーレイアウトに対応した所定パターンで２次元配列されている。第１の構造体３１０は、配置位置に応じて大きさや形状などが異なっていてもよい。第２の構造体４１０も同様に、配置位置に応じて大きさや形状などが異なっていてもよい。
　図７１は、第１および第２の電極線２１０、２２０と第１および第２の構造体３１０、４１０との配置関係を示す平面図である。第１の電極線（Ｙ電極）２１０の複数の単位電極体２１０ｍが、Ｚ軸方向から見て、矩形状の第２の電極線（Ｘ電極）２２０に重なるように設けられている。
　以下、図７２を参照して、第１および第２の構造体３１０、４１０の配置例について詳しく説明する。キーボード装置の場合には、スタイラスなどの操作子による描画とは異なり、キー領域１１１Ａを押したときの金属膜１２および電極基板２０の変形が、隣接するキー領域１１１Ａに伝播しないことが好ましい。
　Ｘ軸方向（左右方向）におけるキー領域１１１Ａ間の部分（すなわち溝部１１２Ａ）では、第１および第２の構造体ｓ４、ｕ１０、第１および第２の構造体ｓ８、ｕ９がそれぞれ、Ｚ軸方向から見て重なるように設けられていることが好ましい。第１および第２の構造体ｓ４、ｕ１０、第１および第２の構造体ｓ８、ｕ９が重なる箇所では感度が下がり、Ｘ軸方向（左右方向）における変形の伝播が低下するからである。
　Ｙ軸方向（上限方向）におけるキー領域１１１Ａ間の部分でも、Ｚ軸方向から見て、第１の構造体が第２の構造体ｓ２、ｓ６上に重なるように設けられていてもよい。この場合、Ｙ軸方向（上限方向）における変形の伝播も低下する。
　Ｘ軸方向とＹ軸方向との間の方向（斜め方向）のキー領域１１１Ａ間の部分でも、Ｚ軸方向から見て、第１の構造体が第２の構造体ｓ１、ｓ３、ｓ５、ｓ７上に重なるように設けられていてもよい。この場合、Ｘ軸方向とＹ軸方向との間の方向（斜め方向）における変形の伝播も低下する。
　単位検出領域２０ｒ内に複数の第１の構造体ｕ５～ｕ８が設けられていることが好ましい。これにより、電極基板２０のうち単位検出領域２０ｒに対応する部分を複数の第１の構造体ｕ５～ｕ８により変形させるため、キー領域１１１Ａを押圧したときの感度が向上する。したがって、キー領域１１１Ａを指で押圧した場合と爪で押圧した場合との感度差が小さくなる。
　サブ電極２１０ｗ、２２０ｗの交点が、単位検出領域２０ｒの中央部付近に集まり、かつ、第１の構造体ｕ５～ｕ８で規定される領域の内側に存在していることが好ましい。荷重感度を向上できるからである。
　キーボード装置の場合には、キー領域１１１Ａの中央を押圧した場合と、キー領域１１１Ａの端部を押圧した場合との感度差が小さいことが好ましい。単位検出領域２０ｒの周辺部に第１の構造体ｕ１～ｕ４、ｕ９、ｕ１０および第２の構造体ｓ１～ｓ８が配置されていると、単位検出領域２０ｒの中央部の変形量が大きく、感度が高くなる傾向がある。この場合、単位検出領域２０ｒの中央部に第２の構造体ｓ９を配置することとで、単位検出領域２０ｒの中央部の感度を相対的に減少させ、キー領域１１１Ａの中央とキー領域１１１Ａの端部との感度差を小さくすることが好ましい。さらに、キー領域１１１Ａの端部でも十分な感度が得られるように、サブ電極２１０ｗ、２２０ｗの交点が、キー領域１１１Ａの外側まで存在していることが好ましい。
　単位検出領域２０ｒの周辺部に設けられる第１の構造体ｕ１～ｕ４、ｕ９、ｕ１０および第２の構造体ｓ１～ｓ８は、単位検出領域２０ｒの中央部に設けられる第１の構造体ｕ４～ｕ７および第２の構造体ｓ９に比べて大きいことが好ましい。金属膜１２と電極基板２０との間、および導体層５０と電極基板２０との間の接着力を向上できるからである。
　各キー領域１１１Ａ（単位検出領域２０ｒ）は隔離されずに、各キー領域１１１Ａ間を抵抗なく空気が十分に移動できることが好ましい。各キー領域１１１Ａにおいて入力装置１００Ａの内圧が上昇し、感度の低下や、戻り遅延の発生などを抑制できるからである。
　制御部６０は、上述のように演算部６１と、信号生成部６２とを有し、電極基板２０に電気的に接続される。また、本実施形態において、制御部６０は、複数の検出部２０ｓの静電容量の変化に基づいて、複数のキー領域１１１Ａ各々に対する入力操作に応じた信号を生成することが可能に構成される。より具体的には、制御部６０は、複数の検出部２０ｓの出力に基づいて複数のキー領域１１１Ａ各々に対する入力操作に関する情報を生成することが可能に構成される。すなわち、演算部６１は、電極基板２０の第１および第２の電極線２１０、２２０各々から出力される電気的な信号（入力信号）に基づいて第１の面１１０上のＸＹ座標系における操作位置を算出し、当該操作位置に割り当てられたキー領域１１１Ａを決定する。信号生成部６２は、その押圧が検出されたキー領域１１１Ａに対応する操作信号を生成する。
　入力装置１００Ａは、ノート型のパーソナルコンピュータや、携帯電話などの電子機器に組み込まれることで、上述のようにキーボード装置として適用することができる。また、入力装置１００Ａは、不図示の通信部を有することで、有線または無線によりパーソナルコンピュータなどの他の電子機器と電気的に接続され、当該電子機器を制御するための入力操作が可能に構成されてもよい。
　さらに入力装置１００Ａは、第１の実施形態で説明したように、ポインティングデバイスとしても用いることができる。すなわち、各検出部２０ｓの出力に対し２以上の閾値が設定され、演算部６１がタッチ操作とプッシュ操作とを判定することにより、ポインティングデバイスとキーボードとを兼ねた入力装置とすることが可能である。
＜５　第５の実施形態＞
　図４２は、本技術の第５の実施形態に係る入力装置１００Ｂが組み込まれた電子機器７０Ｂの一構成例を示す概略断面図である。本実施形態に係る入力装置１００Ｂの操作部材１０Ｂ以外の構成は、第１の実施形態と同様であり、適宜その説明を省略する。
　本実施形態に係る入力装置１００Ｂは、電子機器７０Ｂの筐体７２０Ｂの一部が操作部材１０Ｂの一部を構成する。すなわち、入力装置１００Ｂは、筐体７２０Ｂの一部を構成する操作領域７１１Ｂと、第１の実施形態と同様のセンサ装置１とを有する。電子機器７０Ｂとしては、例えばタッチセンサを搭載したパーソナルコンピュータなどが適用可能である。
　操作部材１０Ｂは、第１の面１１０Ｂと第２の面１２０Ｂとを含み変形可能な操作領域７１１Ｂと、金属膜１２との積層構造を有する。すなわち、第１の面１１０Ｂは筐体７２０Ｂの一表面であり、第２の面１２０Ｂは当該一表面の裏面（内面）である。
　操作領域７１１Ｂは、例えば筐体７２０Ｂの他の領域と同一の材料、例えばアルミニウム合金やマグネシウム合金などの導体材料やプラスチック材料で構成されてもよく、この場合は、ユーザのタッチ操作またはプッシュ操作時に変形可能な厚みで構成される。あるいは操作領域７１１Ｂは、筐体７２０Ｂの他の領域と異なる材料で構成されてもよく、この場合は、当該他の領域よりも剛性の小さい材料を採用することが可能である。
　また、第２の面１２０Ｂには、粘着性の樹脂膜などの接着層１３に形成された金属箔などの金属膜１２が形成される。なお、操作領域７１１Ｂが導体材料で構成される場合には、金属膜１２が不要となり、操作部材１０Ｂを薄型化することができる。この場合、操作領域７１１Ｂは、金属膜１２としての機能をも有し、例えばグランド電位に接続される。
　以上のように、本実施形態に係る入力装置１００Ｂは、導体材料などの筐体７２０Ｂの一部を利用して構成することが可能である。これは、上述のように、入力装置１００Ｂが操作子とＸ、Ｙ電極との容量結合を利用して入力操作を検出するものではなく、操作子により押圧された金属膜１２とそれに対向する導体層５０各々と、検出部２０ｓとの容量結合を利用するものであることによる。したがって入力装置１００Ｂによれば、電子機器７０Ｂの部品点数を低減し、より生産性を高めることが可能である。
　また、本実施形態に係る入力装置１００Ｂは、上述の第１の実施形態と同様のセンサ装置１を有することから、微小な押圧力であっても操作位置および押圧力を精度よく検出することができる。したがって本実施形態によれば、操作領域７１１Ｂの材料についての制限も少なく、検出感度の高い入力装置１００Ｂを提供することができる。
　以下、試験例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの試験例のみに限定されるものではない。
　以下のシミュレーションは、応力解析及び静電解解析を有限要素法を用いて行った。具体的なプログラムとしては、ムラタソフトウエア社製、商品名：ＦＥＭＴＥＴを用いた。
　表１は、検出部のシミュレーション条件を示す表である。以下の各シミュレーションでは、表１に示すように、検出部の構成を設定した。なお、表１中のメッシュ（電極要素）幅Ｗx、Ｗy、メッシュ（電極要素）間隔ｄx、ｄy、および電極幅Ｅx、Ｅyは、図１０Ａ、図１０Ｂに示した通りである。メッシュ間隔ｄx、ｄyは、メッシュを構成する電極要素の中心間隔である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表２は、入力装置のシミュレーション条件を示す表である。以下の各シミュレーションでは、表２に示すように、入力装置の構成を設定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　本技術の実施例について以下の順序で説明する。
　１　単位検出領域内に配置される第１の構造体の個数
　２　単位検出領域内に配置される第１の構造体の個数および配置
　３　第１および第２の構造体の配置関係
　４　第２の構造体の配置
　５　単位検出領域内における第１の構造体の配置位置
＜１　単位検出領域内に配置される第１の構造体の個数＞
　まず、単位検出領域内に４個の第１の構造体が配置された入力装置と、単位検出領域内に１個の第１の構造体が配置された入力装置との特性の違いを、シミュレーションにより検討した。
（試験例１－１）
　図４３は、試験例１におけるシミュレーションの条件を示す概略図である。図４３に示すように、入力装置を構成する操作部材、第１の構造体、電極基板、第２の構造体、および導体層の各数値を設定した。電極基板に含まれる検出部の構成としては、表１に示した検出部１の構成を用いた。第１の構造体および第２の構造体を、図２４Ａに示すように配置した。
　上述の条件に設定した入力装置について、以下の（１）から（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４４Ａ～図４４Ｃに示す。
（１）操作部材の表面のうち、単位検出領域の中心に対応する位置に加重を加えたときの操作部材および電極基板の変形位置（図４３：ＸＺ断面内の変形位置）
　操作部材の表面のうち、単位検出領域の間に対応する位置に加重を加えたときの操作部材および電極基板の変形位置（図４３：ＸＺ断面内の変形位置）
（２）加重位置に対する検出部２０ｓ1、２０ｓ2、２０ｓ3の容量変化率分布の変化
（３）操作部材の表面のうち、単位検出領域の中心に対応する位置に加重を加えたときの、容量変化率の荷重依存性
　なお、容量変化率は、以下の式により算出した。
　（容量変化率）［％］＝［（初期容量Ｃ0）－（変化後容量Ｃ1）］／（初期容量Ｃ0）
　上記式中、「初期容量Ｃ0」および「変化後容量Ｃ1」は、具体的には以下の内容を示す。
　初期容量Ｃ0：操作部材の表面に加重を加えていない状態における入力装置の静電容量
　変化後容量Ｃ1：操作部材の表面に加重を加えた後の入力装置の静電容量
（試験例１－２）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２６に示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（１）から（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４５Ａ～図４５Ｃに示す。
（シミュレーションの結果）
　図４４Ａ～図４４Ｃは、試験例１－１のシミュレーションの結果を示す図である。図４５Ａ～図４５Ｃは、試験例１－２のシミュレーションの結果を示す図である。図４４Ａ、図４５Ａ中、符号「Ｌ１１」は、単位検出領域の中心に加重を加えたときの操作部材の変形位置を示し、符号「Ｌ１２」は、単位検出領域間に加重を加えたときの操作部材の変形位置を示している。図４４Ａ、図４５Ａ中、符号「Ｌ２１」は、単位検出領域の中心に加重を加えたときの電極基板の変形位置を示し、符号「Ｌ２２」は、単位検出領域間に加重を加えたときの電極基板の変形位置を示している。
　図４４Ａ、図４５Ａの比較から以下のことがわかる。
　単位検出領域内に１個の第１の構造体が配置されている場合には、単位検出領域の中心に荷重が加わると、電極基板のうち単位検出領域の中心に対応する部分のみが局所的に下方に向かって変形する。一方、単位検出領域内に４個の第１の構造体が配置されている場合には、電極基板のうち、４個の第１の構造体により囲まれた領域が広範囲に下方に向かって変形する。
　単位検出領域内に１個の第１の構造体が配置されている場合には、単位検出領域間に荷重が加わると、その荷重を加えた箇所の操作部材が局所的に大きく変形する。一方、単位検出領域内に４個の第１の構造体が配置されている場合には、単位検出領域間に荷重が加わっても、その荷重を加えた箇所の操作部材の大きな変形は抑制される。
　図４４Ｂ、図４５Ｂの比較から以下のことがわかる。
　単位検出領域内に１個の第１の構造体が配置されている場合には、容量変化率分布に２つのピークが発生する。したがって、単位検出領域の中心から荷重位置が遠ざかるに従って、容量変化率分布が単調に減少する理想的な容量変化率分布が得られない。
　一方、単位検出領域内に４個の第１の構造体が配置されている場合には、容量変化率分布にピークが１つのみ発生する。したがって、単位検出領域の中心から荷重位置が遠ざかると、容量変化率分布が単調に減少する理想的な容量変化率分布が得られる。
　図４４Ｃ、図４５Ｃの比較から以下のことがわかる。
　単位検出領域内に４個の第１の構造体を配置した場合には、単位検出領域内に１個の第１の構造体を配置した場合に比して、容量変化率を向上することができる。また、単位検出領域内に４個の第１の構造体を配置した場合には、単位検出領域内に１個の第１の構造体を配置した場合に比して、入力装置の荷重感度を向上することができる。ここで、荷重感度とは、荷重「０ｇｆ」近傍での容量変化率分布の曲線の傾きを意味する。
＜２　単位検出領域内に配置される第１の構造体の個数および配置＞
　次に、単位検出領域内に配置される第１の構造体の個数および配置を種々変更して、それら特性の違いをシミュレーションにより検討した。
（試験例２－１）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２３Ａに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（２）および（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４６Ａ、図４６Ｂに示す。
（試験例２－２）
　電極基板に含まれる検出部の構成として、表１に示した検出部２の構成を用いた。これ以外のことは試験例２－１と同様にして、上述の（２）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４６Ｃに示す。
（試験例２－３）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２３Ｂに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（２）および（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４７Ａ、図４７Ｂに示す。
（試験例２－４）
　電極基板に含まれる検出部の構成として、表１に示した検出部２の構成を用いた。これ以外のことは試験例２－３と同様にして、上述の（２）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４７Ｃに示す。
（試験例２－５）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２４Ａに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（２）および（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４８Ａ、図４８Ｂに示す。
（試験例２－６）
　電極基板に含まれる検出部の構成として、表１に示した検出部２の構成を用いた。これ以外のことは試験例２－５と同様にして、上述の（２）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４８Ｃに示す。
（試験例２－７）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２４Ｂに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（２）および（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４９Ａ、図４９Ｂに示す。
（試験例２－８）
　電極基板に含まれる検出部の構成として、表１に示した検出部２の構成を用いた。これ以外のことは試験例２－７と同様にして、上述の（２）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図４９Ｃに示す。
（試験例２－９）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２５Ａに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（２）および（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５０Ａ、図５０Ｂに示す。
（試験例２－１０）
　電極基板に含まれる検出部の構成として、表１に示した検出部２の構成を用いた。これ以外のことは試験例２－９と同様にして、上述の（２）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５０Ｃに示す。
（試験例２－１１）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２５Ｂに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（２）および（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５１Ａ、図５１Ｂに示す。
（試験例２－１２）
　電極基板に含まれる検出部の構成として、表１に示した検出部２の構成を用いた。これ以外のことは試験例２－１１と同様にして、上述の（２）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５１Ｃに示す。
（シミュレーションの結果）
　図４６Ａ～図４６Ｃ、図４７Ａ～図４７Ｃ、図４８Ａ～図４８Ｃ、図４９Ａ～図４９Ｃ、図５０Ａ～図５０Ｃ、図５１Ａ～図５１Ｃはそれぞれ、試験例２－１～２－２、試験例２－３～２－４、試験例２－５～２－６、試験例２－７～２－８、試験例２－９～２－１０、試験例２－１１～２－１２のシミュレーションの結果を示す図である。なお、図４７Ａ、図４８Ａ、図４９Ａ、図５０Ａおよび図５１Ａには、比較のために、試験例１－２のシミュレーションの結果（曲線Ｌ１）も示している。なお、上述したように、試験例１－２のシミュレーションは、単位検出領域内に１個の第１の構造体を配置した入力装置についてのものである。
　図４６Ａ～図４６Ｃ（試験例２－１、２－２）から、単位検出領域内に２個の第１の構造体を、図２３Ａに示すように対称配置した場合には、入力装置の特性として以下の特性が得られることがわかる。
　容量変化率分布のピークは、単位検出領域の中心に１つとすることができる。すなわち、容量変化率分布に２つのピークが発生することを防ぐことができる。容量変化率分布の形状は、単位検出領域の中心位置を頂点とする略三角形状を有する。
　単位検出領域の中心から荷重位置が遠ざかるに従って、容量変化率分布が単調に減少する理想的な容量変化率分布が得られる。
　検出部の構成を検出部１から検出部２（密集型電極）に変えても、容量変化率分布は略同様な傾向を示す。但し、検出部の構成として検出部２を用いた場合の方が、検出部の構成として検出部１を用いた場合よりも、容量変化率分布のピーク値が高くなる。
　したがって、容量変化率分布のピーク値が高くするためには、検出部の外周が単位領域の外周の内側にあり、かつ、単位検出領域に含まれる第１の構造体が、検出部の外周と単位領域の外周との間に配置されていることが好ましい。
　単位検出領域内に１個の第１の構造体を配置した場合に比して、容量変化率を向上することができる。また、単位検出領域内に１個の第１の構造体を配置した場合に比して、入力装置の荷重感度を向上することができる。
　図４７Ａ～図４７Ｃ（試験例２－３、２－４）から、単位検出領域内に４個の第１の構造体を、図２３Ｂに示すように対称配置した場合には、入力装置の特性として以下の特性が得られることがわかる。
　容量変化率分布の形状は、単位検出領域の中心を通る垂線に対して対称である、略台形状を有する。これ以外の特性は、試験例２－１、２－２（図４６Ａ～図４６Ｃ）と略同様である。なお、容量変化率分布の形状が略台形状であっても、容量変化に基づいて座標計算を行うことは可能である。
　図４８Ａ～図４８Ｃ（試験例２－５、２－６）から、単位検出領域内に４個の第１の構造体を、図２４Ａに示すように対称配置した場合には、試験例２－１、２－２（図４６Ａ～図４６Ｃ）と略同様の特性が得られることがわかる。
　図４９Ａ～図４９Ｃ（試験例２－７、２－８）から、単位検出領域内に４個の第１の構造体を、図２４Ｂに示すように対称配置した場合には、入力装置の特性として以下の特性が得られることがわかる。
　単位検出領域内に１個の第１の構造体を配置した場合に比して、容量変化率を向上する効果は得られない。また、単位検出領域内に１個の第１の構造体を配置した場合に比して、入力装置の荷重感度を向上する効果も得られない。これ以外の特性は、試験例２－１、２－２（図４６Ａ～図４６Ｃ）と略同様である。
　上記特性を考慮すると、第１の構造体と第２の構造体とが入力装置の厚さ方向に重ならないように、両構造体を配置することが好ましいことがわかる。なお、この点については、後述する試験例において、より詳しく検討する。
　図５０Ａ～図５０Ｃ（試験例２－９、２－１０）から、単位検出領域内に４個の第１の構造体を、図２５Ａに示すように対称配置した場合には、試験例２－１、２－２（図４６Ａ～図４６Ｃ）と略同様の特性が得られることがわかる。
　図５１Ａ～図５１Ｃ（試験例２－１１、２－１２）から、単位検出領域内に５個の第１の構造体を、図２５Ｂに示すように対称配置した場合には、試験例２－３、２－４（図４７Ａ～図４７Ｃ）と略同様の特性が得られることがわかる。
＜３　第１および第２の構造体の配置関係＞
　第１および第２の構造体が厚さ方向に重なるように配置された入力装置と、第１および第２の構造体が厚さ方向に重ならないように配置された入力装置との特性の違いについて、シミュレーションにより検討した。
（試験例３－１）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２４Ａに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５２に示す。
（試験例３－２）
　試験例３－１と同様の条件に設定した入力装置について、以下の（４）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５２に示す。
（４）操作部材の表面のうち、単位検出領域の間に対応する位置に加重を加えたときの、容量変化率の荷重依存性
（試験例３－３）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２４Ｂに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５２に示す。
（試験例３－４）
　試験例３－３と同様の条件に設定した入力装置について、以下の（４）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５２に示す。
（４）操作部材の表面のうち、単位検出領域の間に対応する位置に加重を加えたときの、容量変化率の荷重依存性
（シミュレーションの結果）
　図５２は、試験例３－１～３－４のシミュレーションの結果を示す図である。図５２において、曲線Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ２１、Ｌ２２はそれぞれ、試験例３－１、３－２、３－３、３－４のシミュレーション結果を示している。
　図５２から以下のことがわかる。
　第１の構造体と第２の構造体とが厚さ方向に重なる領域を持つ入力装置では、第１の構造体と第２の構造体とが厚さ方向に重なる領域を持たない入力装置に比べて、容量変化率が低下する傾向がある。特に、その低下の傾向は、単位検出領域の中央よりも単位検出領域間において顕著に現れる。
　第１の構造体と第２の構造体とが厚さ方向に重なる領域を持つ入力装置では、第１の構造体と第２の構造体とが厚さ方向に重なる領域を持たない入力装置に比べて、荷重感度が低下する傾向がある。なお、荷重感度とは、上述したように、荷重「０ｇｆ」近傍での容量変化率の曲線の傾きを意味する。
＜４　第２の構造体の配置＞
　第２の構造体の配置位置を種々変更して、それらの特徴の違いをシミュレーションにより検討した。
（試験例４－１）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２８に示すように配置し、領域ＲA（図２９Ａ参照）が単位検出領域の中心部となるように第１および第２の電極線との位置関係を規定した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５３に示す。
（試験例４－２）
　領域ＲB（図２９Ｂ参照）が単位検出領域の中心部となるように第１および第２の電極線との位置関係を規定した。これ以外のことは試験例４－１と同様にして、上述の（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５３に示す。
（試験例４－３）
　領域ＲC（図２９Ｃ参照）が単位検出領域の中心部となるように第１および第２の電極線との位置関係を規定した。これ以外のことは試験例４－１と同様にして、上述の（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５３に示す。
　図５３は、試験例４－１～４－３のシミュレーション結果を示す図である。
　領域ＲA（図２９Ａ）、領域ＲB（図２９Ｂ）および領域ＲC（図２９Ｃ）のいずれを単位検出領域の中心部にするかによって、容量変化率および荷重感度に違いがある。
　領域ＲA（図２９Ａ）を単位検出領域の中心部にした場合、容量変化率および荷重感度が最も高くなる。領域ＲC（図２９Ｃ）を単位検出領域の中心部にした場合、容量変化率および荷重感度が最も低くなる。領域ＲB（図２９Ｂ）を単位検出領域の中心部にした場合、上記２つの場合の中間の容量変化率および荷重感度が得られる。
　したがって、容量変化率および荷重感度の向上の観点からすると、隣接する単位検出領域間に第２の構造体を配置することが好ましい。すなわち、単位検出領域内に１個の第２の構造体全体が含まれないように、第２の構造体を配置することが好ましい。
　また、第２の構造体を配置する方向は、単位検出領域の中心から見て、Ｘ軸方向および／またはＹ軸方向であることが好ましくは、Ｘ軸方向とＹ軸方向との間の方向（例えば単位検出領域の対角線方向）であることがより好ましい。
＜５　単位検出領域内における第１の構造体の配置位置＞
　単位検出領域の中心に第１の構造体が配置された入力装置と、単位検出領域の中心からずらして第１の構造体が配置された入力装置との特性の違いを、シミュレーションにより検討した。
（試験例５－１）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２４Ａに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（２）および（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５４Ａ、図５４Ｂに示す。
（試験例５－２）
　第１の構造体および第２の構造体を、図２５Ｂに示すように配置した。これ以外のことは試験例１－１と同様にして、上述の（２）および（３）の解析をシミュレーションにより行った。その結果を図５４Ａ、図５４Ｃに示す。
　図５４Ａは、試験例５－１、５－２のシミュレーションの結果を示す図である。図５４Ｂは、試験例５－１のシミュレーションの結果を示す図である。図５４Ｃは、試験例５－２のシミュレーションの結果を示す図である。なお、図５４Ａにおいて、曲線Ｌ１、Ｌ２はそれぞれ、試験例５－１、５－２のシミュレーションの結果を示す。なお、図５４Ａには、比較のために、試験例１－２のシミュレーションの結果（曲線Ｌ３）も示している。
　単位検出領域の中心からずらして第１の構造体が配置されている場合には、容量変化率分布は、単位検出領域の中心位置にピークを有する略三角形状となる。これに対して、単位検出領域の中心に第１の構造体が配置されている場合には、容量変化率分布は、単位検出領域の中心を通る垂線に対して対称な略台形状を有する。この分布の形状の違いは、単位検出領域の中心に第１の構造体が存在しない方が、単位検出領域の中心において容量変化率が増大し、容量変化率が単位検出領域の中心から単調に減少する容量変化率分布の形状を取りやすいためであると考えられる。
　単位検出領域の中心からずらして第１の構造体が配置されている場合には、単位検出領域の中心に第１の構造体が対称配置されている場合に比して、最大容量変化率（単位検出領域の中心位置の容量変化率）が高くなる。この特性向上は、単位検出領域の中心からずらして第１の構造体を配置した場合には、対称配置された第１の構造体に荷重が均等に分散し、電極基板が広範囲に渡って変形するためであると考えられる（図３２Ｂ、図３２Ｃ参照）。また、電極基板の形状変化が飽和した後にも、操作部材がさらに変形することも、特性向上の原因の１つと考えられる（図３２Ｃ参照）。
　以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
　また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　また、入力装置が、金属膜を有さず、操作子と導体層各々とＸ、Ｙ電極との容量結合による検出部の静電容量変化を検出するようにしてもよい。この場合には、操作部材として、絶縁材料で構成されたフレキシブルシート（第２の実施形態参照）を用いることができる。このような構成によっても、第１および第２の支持体が操作子と導体層各々と検出部との距離を変化させ、操作位置および押圧力の検出精度の高い入力装置とすることができる。
　以上の実施形態では、検出部が相互キャパシタンス方式の容量素子を構成すると説明したが、自己キャパシタンス方式の容量素子を構成してもよい。この場合は、金属膜および導体層各々と検出部に含まれる電極層との静電容量の変化量に基づいて、入力操作を検出することができる。
　また、入力装置は、平板状の構成に限定されず、例えば第１の面が曲面となるように電子機器に組み込まれてもよい。すなわち、本技術のセンサ装置は、全体としてフレキシブルな構成であるため、自由度の高い実装方法が可能となる。
　また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　可撓性を有する第１の導体層と、
　上記第１の導体層に対向して設けられた第２の導体層と、
　上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　上記第１の導体層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記電極基板および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体が２個以上含まれているセンサ装置。
（２）
　上記第１の構造体および上記第２の構造体は、上記交差部の中心に対して対称に配置されている（１）に記載のセンサ装置。
（３）
　上記第１の構造体および上記第２の構造体は、厚さ方向に重ならずに設けられている（１）または（２）に記載のセンサ装置。
（４）
　上記第２の構造体は、上記単位領域間に設けられている（１）から（３）のいずれかに記載のセンサ装置。
（５）
　上記単位領域は、第１の方向および第２の方向に２次元配列されており、
　上記第２の構造体は、上記第１の方向と上記第２の方向との間の方向に隣接する上記単位領域の間に設けられている（１）から（４）のいずれかに記載のセンサ装置。
（６）
　上記単位領域は、正方形状、または長方形状を有している（１）から（５）のいずれかに記載のセンサ装置。
（７）
　上記第１の構造体は、上記単位領域の中心からずれて設けられている（１）から（６）のいずれかに記載のセンサ装置。
（８）
　上記複数の第１の構造体は、互いに直交する第１の方向および第２の方向に２次元配列されており、
　上記第１の方向および上記第２の方向の両方向において、上記第１の構造体は等間隔に配置されている（１）から（７）のいずれかに記載のセンサ装置。
（９）
　上記電極基板は、上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極との交差領域に各々形成され、上記第１の導体層および上記第２の導体層各々との相対距離に応じて容量が可変の複数の検出部を含んでいる（１）から（８）のいずれかに記載のセンサ装置。
（１０）
　上記第１の導体層と上記電極基板との間に、上記電極基板の周縁に沿って設けられた第１の枠体と、
　上記第２の導体層と上記電極基板との間に、上記第１の枠体と対向して設けられた第２の枠体とをさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載のセンサ装置。
（１１）
　上記検出部の外周が上記単位領域の外周の内側にあり、かつ、上記単位領域に含まれる２個以上の上記第１の構造体が、上記検出部の外周と上記単位領域の外周との間に配置されている（９）に記載のセンサ装置。
（１２）
　上記単位領域内には、上記第１の構造体が４個含まれている（１）から（１１）のいずれかに記載のセンサ装置。
（１３）
　上記電極基板は、上記第１の導体層および上記第２の導体層各々との距離の変化を静電的に検出することが可能である（１）から（１２）のいずれかに記載のセンサ装置。
（１４）
　可撓性を有する操作部材と、
　上記操作部材に対向して設けられた導体層と、
　上記操作部材および上記導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　上記操作部材および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記導体層および上記電極基板を離間する第２の構造体と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体が２個以上含まれている入力装置。
（１５）
　上記操作部材は、上記導体層に対して対向する面に設けられた導体層を含んでいる（１４）に記載の入力装置。
（１６）
　上記操作部材は、表示部を含んでいる（１４）または（１５）に記載の入力装置。
（１７）
　上記操作部材は、複数のキー領域を含んでいる（１４）から（１６）のいずれかに記載の入力装置。
（１８）
　上記電極基板は、上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極との交差領域に各々形成され、上記導体層および上記操作部材各々との相対距離に応じて容量が可変の複数の検出部を含んでいる（１７）に記載の入力装置。
（１９）
　上記複数の検出部の静電容量の変化に基づいて、上記複数のキー領域各々に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部をさらに備える（１８）に記載の入力装置。
（２０）
　上記複数の第１の構造体は、上記複数のキー領域間の境界に沿って設けられている（１７）から（１９）のいずれかに記載の入力装置。
（２１）
　可撓性を有する操作部材と、
　上記操作部材に対向して設けられた導体層と、
　上記操作部材および上記導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　上記操作部材および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記導体層および上記電極基板を離間する第２の構造体と
　上記電極基板の静電容量の変化に基づいて、上記操作部材に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体が２個以上含まれている電子機器。
（２３）
　可撓性を有する第１の導体層と、
　上記第１の導体層に対向して設けられた第２の導体層と、
　上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　上記第１の導体層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記電極基板および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体または上記第２の構造体が２個以上含まれているセンサ装置。
（２４）
　可撓性を有する操作部材と、
　上記操作部材に対向して設けられた導体層と、
　上記操作部材および上記導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　上記操作部材および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記導体層および上記電極基板を離間する第２の構造体と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体または上記第２の構造体が２個以上含まれている入力装置。
（２５）
　可撓性を有する操作部材と、
　上記操作部材に対向して設けられた導体層と、
　上記操作部材および上記導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　上記操作部材および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記導体層および上記電極基板を離間する第２の構造体と
　上記電極基板の静電容量の変化に基づいて、上記操作部材に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体または上記第２の構造体が２個以上含まれている電子機器。
　また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　可撓性を有する第１の導体層と、
　第２の導体層と、
　上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　上記第１の導体層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記電極基板および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれているセンサ装置。
（２）
　上記単位領域内には、上記第１の構造体が２個以上含まれている（１）に記載のセンサ装置。
（３）
　上記第１の構造体および上記第２の構造体は、上記交差部の中心に対して対称に配置されている（１）または（２）に記載のセンサ装置。
（４）
　上記第１の構造体および上記第２の構造体は、厚さ方向に重ならずに設けられている（１）から（３）のいずれかに記載のセンサ装置。
（５）
　上記第２の構造体は、上記単位領域間に設けられている（２）に記載のセンサ装置。
（６）
　上記単位領域は、第１の方向および第２の方向に２次元配列されており、
　上記第２の構造体は、上記第１の方向と上記第２の方向との間の方向に隣接する上記単位領域の間に設けられている（２）に記載のセンサ装置。
（７）
　上記第１の構造体は、上記単位領域の中心からずれて設けられている（２）に記載のセンサ装置。
（８）
　上記複数の第１の構造体は、互いに直交する第１の方向および第２の方向に２次元配列されており、
　上記第１の方向および上記第２の方向の両方向において、上記第１の構造体は等間隔に配置されている（２）に記載のセンサ装置。
（９）
　上記電極基板は、上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極との交差領域に各々形成され、上記第１の導体層および上記第２の導体層各々との相対距離に応じて容量が可変の複数の検出部を含んでいる（１）から（８）のいずれかに記載のセンサ装置。
（１０）
　上記第１の導体層と上記電極基板との間に、上記電極基板の周縁に沿って設けられた第１の枠体と、
　上記第２の導体層と上記電極基板との間に、上記第１の枠体と対向して設けられた第２の枠体とをさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載のセンサ装置。
（１１）
　上記検出部の外周が上記単位領域の外周の内側にあり、かつ、上記単位領域に含まれる２個以上の上記第１の構造体が、上記検出部の外周と上記単位領域の外周との間に配置されている（９）に記載のセンサ装置。
（１２）
　上記単位領域内には、上記第１の構造体が４個含まれている（１）から（１１）のいずれかに記載のセンサ装置。
（１３）
　上記電極基板は、上記第１の導体層および上記第２の導体層各々との距離の変化を静電的に検出することが可能である（１）から（１２）のいずれかに記載のセンサ装置。
（１４）
　可撓性を有する操作部材と、
　導体層と、
　上記操作部材および上記導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　上記操作部材および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記導体層および上記電極基板を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている入力装置。
（１５）
　上記操作部材は、上記導体層に対して対向する面に設けられた導体層を含んでいる（１４）に記載の入力装置。
（１６）
　上記操作部材は、表示部を含んでいる（１４）または（１５）に記載の入力装置。
（１７）
　上記操作部材は、複数のキー領域を含んでいる（１４）から（１６）のいずれかに記載の入力装置。
（１８）
　上記電極基板は、上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極との交差領域に各々形成され、上記導体層および上記操作部材各々との相対距離に応じて容量が可変の複数の検出部を含んでいる（１７）に記載の入力装置。
（１９）
　上記複数の検出部の静電容量の変化に基づいて、上記複数のキー領域各々に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部をさらに備える（１８）に記載の入力装置。
（２０）
　上記複数の第２の構造体は、上記複数のキー領域間の境界に沿って設けられている（１７）から（１９）のいずれかに記載の入力装置。
（２１）
　上記複数の第１の構造体および上記複数の第２の構造体のうちの一部は、上記複数のキー領域間の境界において、厚さ方向に重なって設けられている（１７）から（２０）のいずれかに記載の入力装置。
（２２）
　可撓性を有する操作部材と、
　導体層と、
　上記操作部材および上記導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　上記操作部材および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記導体層および上記電極基板を離間する複数の第２の構造体と
　上記電極基板の静電容量の変化に基づいて、上記操作部材に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている電子機器。
（２３）
　可撓性を有する第１の導体層と、
　上記第１の導体層に対向して設けられた第２の導体層と、
　上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　上記第１の導体層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記電極基板および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体が２個以上含まれているセンサ装置。
（２４）
　可撓性を有する第１の層と、
　第２の層と、
　上記第１の層および上記第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　上記第１の層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記電極基板および上記第２の層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　上記第１の層および上記第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれているセンサ装置。
（２５）
　上記単位領域内には、上記第１の構造体が２個以上含まれており、
　上記第１の層および上記第２の層は、導体層を含んでいる（２４）に記載のセンサ装置。
（２６）
　操作部材を含む、可撓性を有する第１の層と、
　第２の層と、
　上記第１の層および上記第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　上記第１の層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記電極基板および上記第２の層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　上記第１の層および上記第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている入力装置。
（２７）
　操作部材を含む、可撓性を有する第１の層と、
　第２の層と、
　上記第１の層および上記第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
　上記第１の層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記第２の層および上記電極基板を離間する複数の第２の構造体と
　上記電極基板の静電容量の変化に基づいて、上記操作部材に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部と
　を備え、
　上記第１の層および上記第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている電子機器。
（２８）
　可撓性を有する第１の層と、
　第２の層と、
　上記第１の層および上記第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
　上記第１の層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
　上記電極基板および上記第２の層を離間する複数の第２の構造体と
　を備え、
　上記第１の層および上記第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
　上記電極基板は、複数の第１の単位電極体を有する複数の第１の電極と、複数の第２の単位電極体を有する複数の第２の電極とを含み、
　上記第１の電極体および上記第２の電極体の組により検出部が構成され、
　上記検出部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれているセンサ装置。
（２９）
　上記第１の電極体および上記第２の電極体は、対向して配置されている（２８）に記載のセンサ装置。
（３０）
　上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極とは、交差している（２８）または（２９）に記載のセンサ装置。
（３１）
　上記第１の単位電極体は、複数の第１のサブ電極を含み、
　上記第２の単位電極体は、複数の第２のサブ電極を含み、
　上記検出部は、同一平面に交互に配置された上記複数の第１のサブ電極および上記複数の第２のサブ電極により構成されている（２８）に記載のセンサ装置。
　１…センサ装置
　１００、１００Ａ、１００Ｂ…入力装置
　１０、１０Ａ、１０Ｂ…操作部材
　１１…フレキシブルディスプレイ（表示部）
　１２…金属膜（第１の導体層）
　２０…電極基板
　２０ｓ…検出部
　２０ｒ…単位検出領域
　２１０…第１の電極線
　２２０…第２の電極線
　３０…第１の支持体
　３１０…第１の構造体
　３２０…第１の枠体
　３３０…第１の空間部
　４０…第２の支持体
　４１０…第２の構造体
　４２０…第２の枠体
　４３０…第２の空間部
　５０…導体層（第２の導体層）
　５１…段差部
　６０…制御部
　７０、７０Ｂ…電子機器
　７１０…コントローラ

Claims (31)

  1. 　可撓性を有する第１の導体層と、
    　第２の導体層と、
    　上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
    　上記第１の導体層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
    　上記電極基板および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
    　を備え、
    　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
    　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれているセンサ装置。
  2. 　上記単位領域内には、上記第１の構造体が２個以上含まれている請求項１に記載のセンサ装置。
  3. 　上記第１の構造体および上記第２の構造体は、上記交差部の中心に対して対称に配置されている請求項１に記載のセンサ装置。
  4. 　上記第１の構造体および上記第２の構造体は、厚さ方向に重ならずに設けられている請求項１に記載のセンサ装置。
  5. 　上記第２の構造体は、上記単位領域間に設けられている請求項２に記載のセンサ装置。
  6. 　上記単位領域は、第１の方向および第２の方向に２次元配列されており、
    　上記第２の構造体は、上記第１の方向と上記第２の方向との間の方向に隣接する上記単位領域の間に設けられている請求項２に記載のセンサ装置。
  7. 　上記第１の構造体は、上記単位領域の中心からずれて設けられている請求項２に記載のセンサ装置。
  8. 　上記複数の第１の構造体は、互いに直交する第１の方向および第２の方向に２次元配列されており、
    　上記第１の方向および上記第２の方向の両方向において、上記第１の構造体は等間隔に配置されている請求項２に記載のセンサ装置。
  9. 　上記電極基板は、上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極との交差領域に各々形成され、上記第１の導体層および上記第２の導体層各々との相対距離に応じて容量が可変の複数の検出部を含んでいる請求項１に記載のセンサ装置。
  10. 　上記第１の導体層と上記電極基板との間に、上記電極基板の周縁に沿って設けられた第１の枠体と、
    　上記第２の導体層と上記電極基板との間に、上記第１の枠体と対向して設けられた第２の枠体とをさらに備える請求項１に記載のセンサ装置。
  11. 　上記検出部の外周が上記単位領域の外周の内側にあり、かつ、上記単位領域に含まれる２個以上の上記第１の構造体が、上記検出部の外周と上記単位領域の外周との間に配置されている請求項９に記載のセンサ装置。
  12. 　上記単位領域内には、上記第１の構造体が４個含まれている請求項２に記載のセンサ装置。
  13. 　上記電極基板は、上記第１の導体層および上記第２の導体層各々との距離の変化を静電的に検出することが可能である請求項１に記載のセンサ装置。
  14. 　可撓性を有する操作部材と、
    　導体層と、
    　上記操作部材および上記導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
    　上記操作部材および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
    　上記導体層および上記電極基板を離間する複数の第２の構造体と
    　を備え、
    　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
    　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている入力装置。
  15. 　上記操作部材は、上記導体層に対して対向する面に設けられた導体層を含んでいる請求項１４に記載の入力装置。
  16. 　上記操作部材は、表示部を含んでいる請求項１４に記載の入力装置。
  17. 　上記操作部材は、複数のキー領域を含んでいる請求項１４に記載の入力装置。
  18. 　上記電極基板は、上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極との交差領域に各々形成され、上記導体層および上記操作部材各々との相対距離に応じて容量が可変の複数の検出部を含んでいる請求項１７に記載の入力装置。
  19. 　上記複数の検出部の静電容量の変化に基づいて、上記複数のキー領域各々に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部をさらに備える請求項１８に記載の入力装置。
  20. 　上記複数の第２の構造体は、上記複数のキー領域間の境界に沿って設けられている請求項１７に記載の入力装置。
  21. 　上記複数の第１の構造体および上記複数の第２の構造体のうちの一部は、上記複数のキー領域間の境界において、厚さ方向に重なって設けられている請求項１７に記載の入力装置。
  22. 　可撓性を有する操作部材と、
    　導体層と、
    　上記操作部材および上記導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
    　上記操作部材および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
    　上記導体層および上記電極基板を離間する複数の第２の構造体と
    　上記電極基板の静電容量の変化に基づいて、上記操作部材に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部と
    　を備え、
    　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
    　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている電子機器。
  23. 　可撓性を有する第１の導体層と、
    　上記第１の導体層に対向して設けられた第２の導体層と、
    　上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
    　上記第１の導体層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
    　上記電極基板および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
    　を備え、
    　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
    　上記単位領域内には、上記第１の構造体が２個以上含まれているセンサ装置。
  24. 　可撓性を有する第１の層と、
    　第２の層と、
    　上記第１の層および上記第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
    　上記第１の層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
    　上記電極基板および上記第２の層を離間する複数の第２の構造体と
    　を備え、
    　上記第１の層および上記第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
    　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
    　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれているセンサ装置。
  25. 　上記単位領域内には、上記第１の構造体が２個以上含まれており、
    　上記第１の層および上記第２の層は、導体層を含んでいる請求項２４に記載のセンサ装置。
  26. 　操作部材を含む、可撓性を有する第１の層と、
    　第２の層と、
    　上記第１の層および上記第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
    　上記第１の層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
    　上記電極基板および上記第２の層を離間する複数の第２の構造体と
    　を備え、
    　上記第１の層および上記第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
    　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
    　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている入力装置。
  27. 　操作部材を含む、可撓性を有する第１の層と、
    　第２の層と、
    　上記第１の層および上記第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と
    　上記第１の層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
    　上記第２の層および上記電極基板を離間する複数の第２の構造体と
    　上記電極基板の静電容量の変化に基づいて、上記操作部材に対する入力操作に応じた信号を生成する制御部と
    　を備え、
    　上記第１の層および上記第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
    　上記電極基板は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
    　上記第１の電極と上記第２の電極との各交差部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
    　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれている電子機器。
  28. 　可撓性を有する第１の層と、
    　第２の層と、
    　上記第１の層および上記第２の層の間に設けられた、可撓性を有する電極基板と、
    　上記第１の層および上記電極基板を離間する複数の第１の構造体と、
    　上記電極基板および上記第２の層を離間する複数の第２の構造体と
    　を備え、
    　上記第１の層および上記第２の層のうち少なくとも一方が、導体層を含み、
    　上記電極基板は、複数の第１の単位電極体を有する複数の第１の電極と、複数の第２の単位電極体を有する複数の第２の電極とを含み、
    　上記第１の電極体および上記第２の電極体の組により検出部が構成され、
    　上記検出部に対応して、複数の単位領域が設けられ、
    　上記単位領域内には、上記第１の構造体および上記第２の構造体のうち少なくとも一方が２個以上含まれているセンサ装置。
  29. 　上記第１の電極体および上記第２の電極体は、対向して配置されている請求項２８に記載のセンサ装置。
  30. 　上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極とは、交差している請求項２９に記載のセンサ装置。
  31. 　上記第１の単位電極体は、複数の第１のサブ電極を含み、
    　上記第２の単位電極体は、複数の第２のサブ電極を含み、
    　上記検出部は、同一平面に交互に配置された上記複数の第１のサブ電極および上記複数の第２のサブ電極により構成されている請求項２８に記載のセンサ装置。
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